所属
工学院 研究員
職名
研究員
ゴ ゲン
WU YAN
WU YAN
研究キーワード
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シリサイド/Si接合
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ショットキー接合
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トンネルFET
研究分野
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ナノテク・材料 / ナノ構造物理 / ナノ構造物理
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ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性 / 薄膜・表面界面物性
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ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学 / 電子・電気材料工学
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ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器 / 電子デバイス・電子機器
学歴
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東京工業大学 総合理工学研究科 物理電子システム創造工学科
2011年4月 - 2014年3月
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東京工業大学 総合理工学研究科 物理電子システム創造工学科
2009年10月 - 2011年3月
経歴
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日本大学理工学部 電子工学科 助教
2020年4月 - 2023年3月
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日本大学理工学部 電子工学科 助手
2014年4月 - 2020年3月
所属学協会
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日本応用物理学会
2009年10月 - 現在
論文
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微細SOIデバイスの重イオン照射誘起寄生バイポーラ効果抑制 査読
和田雄友, 呉研, 高橋芳浩
日本信頼性学会誌 39 ( 3 ) 145 - 153 2017年5月
講演・口頭発表等
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Pocket構造によるトンネルFETの出力特性改善に関する検討
第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022年9月
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p-n-i-n構造によるトンネルFETの出力特性改善に関する検討
第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月
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Sn 添加シリコン酸窒化膜のPL 特性評価
日大理工学術講演会 2014年12月
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Irradiation Effect of Tunnel FET and Impact of Si base Hetero-Junction Improve ON Current
日大理工学術講演会 2014年12月
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微細SOI-MOSFETに対する重イオン照射誘起電流の検討
日大理工学術講演会 2014年12月
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Mg/Si極薄膜積層の熱処理を用いて作製したMg2Siの赤外線吸収特性評価
第61回応用物理学会春季学術講演会 2014年3月
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Influence of structure parameter on Mg2Si-Si Hetero-junction Tunneling FET 国際会議
The Workshop on Future Trend of Nanoelectronics:WIMNACT 39 2014年3月
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高圧水蒸気中での陽極酸化法によるプロセス電流評価
日大理工学術講演会 2020年12月
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Improvement of tunnel FET performance using narrow bandgap semiconductor silicide /Si hetero-structure source electrode 国際会議
The Workshop on Future Trend of Nanoelectronics:WIMNACT 39 2014年3月
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ヘテロ接合TFETを用いたCMOS回路に関する検討
日大理工学術講演会 2020年12月
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Mg2Si-Siヘテロ接合トンネルFET特性の構造依存性
第61回応用物理学会春季学術講演会 2014年3月
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トンネルFETにおけるID-VD立ち上がり特性改善に関する検討
日大理工学術講演会 2020年12月
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高圧水蒸気中での陽極酸化法により成膜したシリコン酸化膜の特性評価
日大理工学術講演会 2014年12月
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Influence of Band Discontinuities at Source-Channel contact in Tunnel FET Performance 国際会議
2013 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES-SCINCE AND TECHNOLOGY- 2013年12月
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低温酸化処理がSiO2膜の電気的ストレス耐性に及ぼす影響
第67回応用物理学会春季学術講演会 2020年3月
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低バンドギャップ、バンドオフセットを持つ半導体シリサイド/Si接合によるトンネルFET特性向上
第74回応用物理学会秋期学術講演会 2013年9月
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高圧水蒸気中での陽極酸化法により成膜したシリコン酸化膜の電気特性
第67回応用物理学会春季学術講演会 2020年3月
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A study of Band offset in Source-Channel Contact improve Tunnel FET Performance 国際会議
Tsukuba Nanotechnology Symposium 2013 2013年7月
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真空蒸着法により成膜したSiO/Sn膜のフォトルミネセンス特性
第67回応用物理学会春季学術講演会 2020年3月
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Mg2Si/Siヘテロ接合ツェナーダイオードの電気的特性
第67回応用物理学会春季学術講演会 2020年3月
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多層円筒型コンデンサを用いた電界結合型非接触スリップリングの検討
日大理工学術講演会 2019年12月
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PN-Body Tied SOI MOSFETのCMOSインバータの検討
日大理工学術講演会 2019年12月
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非接触スリップリングの実現に向けたコンデンサの検討
日大理工学術講演会 2019年12月
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Electrical Analyses of Nickel Silicide Formed on Si Nanowires with 10-nm-width 国際会議
IEEE 2nd International Symposium On Next Generation Electronics (ISNE 2013) 2013年3月
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An analytical model of a tunnel FET with Schottky junction 国際会議
G-COE PICE International Symposium and IEEE EDS Minicolloquium on Advanced Hybrid Nano Devices: Prospects by World’s Leading Scientists 2013年3月
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Size dependent resistivity change of Ni-silicides in nano-region 国際会議
Future Trend of Nanodevices and Photonics: IEEE EDS Wimnact 37 2013年2月
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Influence of Structural Parameters on Electrical Characteristics of Schottky Tunneling Field-Effect Transistor and Its Scalability 国際会議
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012) 2012年9月
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Influence of Structural Parameters on Schottky Tunneling Field-Effect Transistor 国際会議
Tsukuba Nanotechnology Symposium 2012 2012年7月
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Fin型トンネルFETのデバイスパラメータ依存性
日大理工学術講演会 2019年12月
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An analytical model of a tunnel FET with Schottky junction 国際会議
IEEE EDS MQ WIMNACT 32 C0-sponsored by EDS Japan Chapter and TIT 2012年2月
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Mg2Si/Si ヘテロ接合トンネルダイオードに関する検討
日大理工学術講演会 2019年12月
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Ni silicidation for Si Fin and nanowire strucures 国際会議
IEEE EDS MQ WIMNACT 32 C0-sponsored by EDS Japan Chapter and TIT 2012年2月
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ソース不純物濃度がトンネルFETのID-VD特性に及ぼす影響
日大理工学術講演会 2019年12月
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Size dependent resistivity change of Ni-silicides in nano-region 国際会議
Workshop and IEEE EDS Mini-colloquium on Nanometer CMOS Technology 2012年1月
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SJ-MOSFETにおけるデバイス構造の検討
日大理工学術講演会 2019年12月
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The tunnel FET with schottky contact simulation 国際会議
Tsukuba Nanotechnology Symposium 2011 2011年12月
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SiO2成膜中の温度変化が電気的ストレス耐性に及ぼす影響
日大理工学術講演会 2019年12月
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酸化膜被覆型SiナノワイヤおよびSi Fin構造におけるNiシリサイド成長機構の検討
第72回応用物理学会秋期学術講演会 2011年9月
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高圧水蒸気中での陽極酸化法により成膜したシリコン酸化膜の特性評価
日大理工学術講演会 2019年12月
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光CVDシリコン窒化膜の界面準位密度に及ぼすPMA効果
日大理工学術講演会 2019年12月
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トンネルFETの閾値電圧評価法に関する研究
日大理工学術講演会 2019年12月
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PN-Body Tied SOIFETの重イオン照射誘起電流
第66回応用物理学会春季学術講演会 2019年3月
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高圧水蒸気中の陽極酸化法により成膜したシリコン酸化膜の特性評価
日大理工学術講演会 2018年12月
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Niシリサイド/Siショットキー障壁を用いたトンネルMOSトランジスター―NMOS vs PMOSの比較―
第58回応用物理学会春期学術講演会 2011年3月
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トンネルFET動作に向けたNiシリサイド/Si接触におけるトンネル電流の観測
第71回応用物理学会秋期学術講演会 2010年9月
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光CVDシリコン窒化膜の界面準位密度に及ぼすアニール効果
日大理工学術講演会 2018年12月
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酸化温度が電気的ストレス耐性に及ぼす影響
日大理工学術講演会 2018年12月
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Sn拡散SiON膜のフォトルミネセンス特性（NH3アニール効果）
日大理工学術講演会 2018年12月
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真空蒸着法によって作製したSn添加シリコン酸化膜の発光特性評価
日大理工学術講演会 2018年12月
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硬X線分光法を用いたMgSi/Siヘテロ接合バンドオフセット評価
第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018年9月
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SiGeを導入したSOI-CMOS回路の重イオン照射効果
第65回応用物理学会春季学術講演会 2018年3月
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The Impact of Tunnel FET on Heavy Ion Induced Transient Effect 国際会議
232nd ECS Meeting 2017年10月
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LDD構造を用いたトンネルFET ベースCMOS回路においての耐放射線性評価
第78回応用物理学会秋季講演会 2017年9月
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Formation of Magnesium Silicide for Source Material in Si based Tunnel FET by Annealing of Mg/Si Thin Film Multi-Stacks 国際会議
IWJT 2017 2017年6月
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トンネルFET ベースCMOS回路のシングルイベント耐性
春季応用物理学会 2017年3月
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Source/Drain領域のバンドギャップ制御によるSOI-MOSFETの寄生バイポーラ効果の抑制
秋季応用物理学会 2016年3月
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The Impact of Tunnel FET on Irradiation Effects 国際会議
International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications 2015年11月
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高圧水蒸気中における陽極酸化法より成膜したSiO2膜の特性評価
第62回応用物理学会春季学術講演会 2015年3月
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SOI-MOSFETにおける重イオン照射誘起寄生バイポーラ効果
第62回応用物理学会春季学術講演会 2015年3月
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Sn添加シリコン酸窒化膜のフォトルミネッセンス特性評価
第62回応用物理学会春季学術講演会 2015年3月
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トンネルFETのシングルイベト耐性評価
第62回応用物理学会春季学術講演会 2015年3月
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微細SOI-MOSFET における照射誘起寄生バイポーラ効果に関する研究
日大理工学術講演会 2014年12月
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LPCVD-SiN 膜中電荷トラップ密度の反応温度依存性
日大理工学術講演会 2014年12月
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交番電圧を用いて流水純水中で成膜した陽極酸化膜の特性評価
日大理工学術講演会 2014年12月
受賞
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日本信頼性学会 若手奨励賞
2016年5月 Tunnel FET構造による放射線照射誘起寄生バイポーラ効果低減
共同研究・競争的資金等の研究課題
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トンネルFETの駆動電流向上のためのMgSi/Si接合のバンドオフセット観察及び制御
2016年12月 - 2017年11月
カシオ科学振興財団 研究協賛金
担当区分：研究代表者 資金種別：産学連携による資金
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耐放射線照射性に優れた新規トンネルFETの動作実証
2016年4月 - 2018年3月
呉研
担当区分：研究代表者 資金種別：競争的資金
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MgSi/Siヘテロ接合を利用したSiベースTunnel FETの駆動性能向上
2015年12月 - 2016年11月
カシオ科学振興財団 研究協賛金
担当区分：研究代表者 資金種別：産学連携による資金