Organization
School of Engineering Researcher
Title
Researcher
WU YAN
Research Interests
-
Silicide/Si junction
-
Schottky junction
-
Tunneling FET
Research Areas
-
Nanotechnology/Materials / Nanostructural physics / Nanostructural physics
-
Nanotechnology/Materials / Thin film/surface and interfacial physical properties / Thin film/Surface and interfacial physical properties
-
Manufacturing Technology (Mechanical Engineering, Electrical and Electronic Engineering, Chemical Engineering) / Electric and electronic materials / Electronic materials/ Electric materials
-
Manufacturing Technology (Mechanical Engineering, Electrical and Electronic Engineering, Chemical Engineering) / Electron device and electronic equipment / Electron device/ Electronic equipment
Education
-
Tokyo Institute of Technology Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering Department of Electronics and Applied Physics
2011.4 - 2014.3
-
Tokyo Institute of Technology Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering Department of Electronics and Applied Physics
2009.10 - 2011.3
Research History
-
Department of Electronic Engineering, College of Science & Technology, NIHON UNIVERSITY, Assistant Professor
2020.4 - 2023.3
-
Department of Electronic Engineering, College of Science & Technology, NIHON UNIVERSITY, Assistant Professor
2014.4 - 2020.3
Professional Memberships
-
The Japan Society of Applied Phisics
2009.10
Papers
-
微細SOIデバイスの重イオン照射誘起寄生バイポーラ効果抑制 Reviewed
和田雄友, 呉研, 高橋芳浩
日本信頼性学会誌 39 ( 3 ) 145 - 153 2017.5
Presentations
-
Pocket構造によるトンネルFETの出力特性改善に関する検討
第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022.9
-
p-n-i-n構造によるトンネルFETの出力特性改善に関する検討
第69回応用物理学会春季学術講演会 2022.3
-
Sn 添加シリコン酸窒化膜のPL 特性評価
日大理工学術講演会 2014.12
-
Irradiation Effect of Tunnel FET and Impact of Si base Hetero-Junction Improve ON Current
日大理工学術講演会 2014.12
-
微細SOI-MOSFETに対する重イオン照射誘起電流の検討
日大理工学術講演会 2014.12
-
Mg/Si極薄膜積層の熱処理を用いて作製したMg2Siの赤外線吸収特性評価
第61回応用物理学会春季学術講演会 2014.3
-
Influence of structure parameter on Mg2Si-Si Hetero-junction Tunneling FET International conference
The Workshop on Future Trend of Nanoelectronics:WIMNACT 39 2014.3
-
高圧水蒸気中での陽極酸化法によるプロセス電流評価
日大理工学術講演会 2020.12
-
Improvement of tunnel FET performance using narrow bandgap semiconductor silicide /Si hetero-structure source electrode International conference
The Workshop on Future Trend of Nanoelectronics:WIMNACT 39 2014.3
-
ヘテロ接合TFETを用いたCMOS回路に関する検討
日大理工学術講演会 2020.12
-
Mg2Si-Siヘテロ接合トンネルFET特性の構造依存性
第61回応用物理学会春季学術講演会 2014.3
-
トンネルFETにおけるID-VD立ち上がり特性改善に関する検討
日大理工学術講演会 2020.12
-
高圧水蒸気中での陽極酸化法により成膜したシリコン酸化膜の特性評価
日大理工学術講演会 2014.12
-
Influence of Band Discontinuities at Source-Channel contact in Tunnel FET Performance International conference
2013 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES-SCINCE AND TECHNOLOGY- 2013.12
-
低温酸化処理がSiO2膜の電気的ストレス耐性に及ぼす影響
第67回応用物理学会春季学術講演会 2020.3
-
低バンドギャップ、バンドオフセットを持つ半導体シリサイド/Si接合によるトンネルFET特性向上
第74回応用物理学会秋期学術講演会 2013.9
-
高圧水蒸気中での陽極酸化法により成膜したシリコン酸化膜の電気特性
第67回応用物理学会春季学術講演会 2020.3
-
A study of Band offset in Source-Channel Contact improve Tunnel FET Performance International conference
Tsukuba Nanotechnology Symposium 2013 2013.7
-
真空蒸着法により成膜したSiO/Sn膜のフォトルミネセンス特性
第67回応用物理学会春季学術講演会 2020.3
-
Mg2Si/Siヘテロ接合ツェナーダイオードの電気的特性
第67回応用物理学会春季学術講演会 2020.3
-
多層円筒型コンデンサを用いた電界結合型非接触スリップリングの検討
日大理工学術講演会 2019.12
-
PN-Body Tied SOI MOSFETのCMOSインバータの検討
日大理工学術講演会 2019.12
-
非接触スリップリングの実現に向けたコンデンサの検討
日大理工学術講演会 2019.12
-
Electrical Analyses of Nickel Silicide Formed on Si Nanowires with 10-nm-width International conference
IEEE 2nd International Symposium On Next Generation Electronics (ISNE 2013) 2013.3
-
An analytical model of a tunnel FET with Schottky junction International conference
G-COE PICE International Symposium and IEEE EDS Minicolloquium on Advanced Hybrid Nano Devices: Prospects by World’s Leading Scientists 2013.3
-
Size dependent resistivity change of Ni-silicides in nano-region International conference
Future Trend of Nanodevices and Photonics: IEEE EDS Wimnact 37 2013.2
-
Influence of Structural Parameters on Electrical Characteristics of Schottky Tunneling Field-Effect Transistor and Its Scalability International conference
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012) 2012.9
-
Influence of Structural Parameters on Schottky Tunneling Field-Effect Transistor International conference
Tsukuba Nanotechnology Symposium 2012 2012.7
-
Fin型トンネルFETのデバイスパラメータ依存性
日大理工学術講演会 2019.12
-
An analytical model of a tunnel FET with Schottky junction International conference
IEEE EDS MQ WIMNACT 32 C0-sponsored by EDS Japan Chapter and TIT 2012.2
-
Mg2Si/Si ヘテロ接合トンネルダイオードに関する検討
日大理工学術講演会 2019.12
-
Ni silicidation for Si Fin and nanowire strucures International conference
IEEE EDS MQ WIMNACT 32 C0-sponsored by EDS Japan Chapter and TIT 2012.2
-
ソース不純物濃度がトンネルFETのID-VD特性に及ぼす影響
日大理工学術講演会 2019.12
-
Size dependent resistivity change of Ni-silicides in nano-region International conference
Workshop and IEEE EDS Mini-colloquium on Nanometer CMOS Technology 2012.1
-
SJ-MOSFETにおけるデバイス構造の検討
日大理工学術講演会 2019.12
-
The tunnel FET with schottky contact simulation International conference
Tsukuba Nanotechnology Symposium 2011 2011.12
-
SiO2成膜中の温度変化が電気的ストレス耐性に及ぼす影響
日大理工学術講演会 2019.12
-
酸化膜被覆型SiナノワイヤおよびSi Fin構造におけるNiシリサイド成長機構の検討
第72回応用物理学会秋期学術講演会 2011.9
-
高圧水蒸気中での陽極酸化法により成膜したシリコン酸化膜の特性評価
日大理工学術講演会 2019.12
-
光CVDシリコン窒化膜の界面準位密度に及ぼすPMA効果
日大理工学術講演会 2019.12
-
トンネルFETの閾値電圧評価法に関する研究
日大理工学術講演会 2019.12
-
PN-Body Tied SOIFETの重イオン照射誘起電流
第66回応用物理学会春季学術講演会 2019.3
-
高圧水蒸気中の陽極酸化法により成膜したシリコン酸化膜の特性評価
日大理工学術講演会 2018.12
-
Niシリサイド/Siショットキー障壁を用いたトンネルMOSトランジスター―NMOS vs PMOSの比較―
第58回応用物理学会春期学術講演会 2011.3
-
トンネルFET動作に向けたNiシリサイド/Si接触におけるトンネル電流の観測
第71回応用物理学会秋期学術講演会 2010.9
-
光CVDシリコン窒化膜の界面準位密度に及ぼすアニール効果
日大理工学術講演会 2018.12
-
酸化温度が電気的ストレス耐性に及ぼす影響
日大理工学術講演会 2018.12
-
Sn拡散SiON膜のフォトルミネセンス特性（NH3アニール効果）
日大理工学術講演会 2018.12
-
真空蒸着法によって作製したSn添加シリコン酸化膜の発光特性評価
日大理工学術講演会 2018.12
-
硬X線分光法を用いたMgSi/Siヘテロ接合バンドオフセット評価
第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018.9
-
SiGeを導入したSOI-CMOS回路の重イオン照射効果
第65回応用物理学会春季学術講演会 2018.3
-
The Impact of Tunnel FET on Heavy Ion Induced Transient Effect International conference
232nd ECS Meeting 2017.10
-
LDD構造を用いたトンネルFET ベースCMOS回路においての耐放射線性評価
第78回応用物理学会秋季講演会 2017.9
-
Formation of Magnesium Silicide for Source Material in Si based Tunnel FET by Annealing of Mg/Si Thin Film Multi-Stacks International conference
IWJT 2017 2017.6
-
トンネルFET ベースCMOS回路のシングルイベント耐性
春季応用物理学会 2017.3
-
Source/Drain領域のバンドギャップ制御によるSOI-MOSFETの寄生バイポーラ効果の抑制
秋季応用物理学会 2016.3
-
The Impact of Tunnel FET on Irradiation Effects International conference
International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications 2015.11
-
高圧水蒸気中における陽極酸化法より成膜したSiO2膜の特性評価
第62回応用物理学会春季学術講演会 2015.3
-
SOI-MOSFETにおける重イオン照射誘起寄生バイポーラ効果
第62回応用物理学会春季学術講演会 2015.3
-
Sn添加シリコン酸窒化膜のフォトルミネッセンス特性評価
第62回応用物理学会春季学術講演会 2015.3
-
トンネルFETのシングルイベト耐性評価
第62回応用物理学会春季学術講演会 2015.3
-
微細SOI-MOSFET における照射誘起寄生バイポーラ効果に関する研究
日大理工学術講演会 2014.12
-
LPCVD-SiN 膜中電荷トラップ密度の反応温度依存性
日大理工学術講演会 2014.12
-
交番電圧を用いて流水純水中で成膜した陽極酸化膜の特性評価
日大理工学術講演会 2014.12
Awards
-
日本信頼性学会 若手奨励賞
2016.5 Tunnel FET構造による放射線照射誘起寄生バイポーラ効果低減
Research Projects
-
トンネルFETの駆動電流向上のためのMgSi/Si接合のバンドオフセット観察及び制御
2016.12 - 2017.11
カシオ科学振興財団 研究協賛金
Authorship：Principal investigator Grant type：Collaborative (industry/university)
-
耐放射線照射性に優れた新規トンネルFETの動作実証
2016.4 - 2018.3
呉研
Authorship：Principal investigator Grant type：Competitive
-
MgSi/Siヘテロ接合を利用したSiベースTunnel FETの駆動性能向上
2015.12 - 2016.11
カシオ科学振興財団 研究協賛金
Authorship：Principal investigator Grant type：Collaborative (industry/university)