-:東京工業大学 助手

1999年4月 - 2007年3月

-:Tokyo Institute of Technology Research Associate

1999年

ULVR-SRAMを用いたキャッシュのパワーゲーティング性能

吉田 隼, 塩津 勇作, 菅原 聡, 山本 修一郎

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2021.1   2351 - 2351   2021年2月

ニアスレッショルド電圧動作ULVR-SRAMセルの設計

原 拓実, 山本 修一郎, 塩津 勇作, 菅原 聡, 吉田 隼

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2021.1   2349 - 2349   2021年2月

Ultralow-Voltage Retention SRAM With a Power Gating Cell Architecture Using Header and Footer Power-Switches

Hayato Yoshida, Yusaku Shiotsu, Daiki Kitagata, Shuu'ichirou Yamamoto, Satoshi Sugahara

IEEE OPEN JOURNAL OF CIRCUITS AND SYSTEMS   2   520 - 533   2021年

新型超低電圧リテンションSRAMセルの設計と解析

北形 大樹, 吉田 隼, 塩津 勇作, 山本 修一郎, 菅原 聡

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2020.2   1847 - 1847   2020年8月

新型超低電圧リテンションSRAMマクロの設計と解析

塩津 勇作, 北形 大樹, 山本 修一郎, 菅原 聡

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2020.2   1848 - 1848   2020年8月

Proactive useless data flush architecture for nonvolatile SRAM using magnetic tunnel junctions

Daiki Kitagata, Shuu'ichirou Yamamoto, Satoshi Sugahara

IEICE ELECTRONICS EXPRESS   17 ( 5 )   2020年3月

ニアスレッショルド電圧動作擬似不揮発SRAMセルの設計と解析

原 拓実, 吉田 隼, 北形 大樹, 山本 修一郎, 菅原 聡

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2020.1   2720 - 2720   2020年2月

各種リテンション技術を用いたSRAMのパワーゲーティング性能

原 拓実, 吉田 隼, 山本 修一郎, 菅原 聡, 北形 大樹

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2019.2   3110 - 3110   2019年9月

NV-SRAMを用いたUseless dataの積極的破棄による不揮発性パワーゲーティング

菅原 聡, 山本 修一郎, 北形 大樹

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2019.2   3111 - 3111   2019年9月

不揮発/擬似不揮発記憶を用いたSRAMのパワーゲーティング性能

北形 大樹, 吉田 隼, 山本 修一郎, 菅原 聡

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2019.2   3108 - 3108   2019年9月

Design and energy-efficient architectures for nonvolatile static random access memory using magnetic tunnel junctions

Daiki Kitagata, Shuu'ichirou Yamamoto, Satoshi Sugahara

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58   2019年4月

デュアルパワースイッチを用いた擬似不揮発性SRAMの設計と解析

吉田 隼, 山本 修一郎, 北形 大樹, 菅原 聡

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2019.1   2806 - 2806   2019年2月

新構造ピエゾエレクトロニックトランジスタの低リーク設計とそのSRAMへの応用

塩津 勇作, 舟窪 浩, 山本 修一郎, 菅原 聡, 黒澤 実

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2019.1   2807 - 2807   2019年2月

デュアルモードインバータを用いた擬似不揮発性SRAMの設計と解析

吉田 隼, 北形 大樹, 山本 修一郎, 菅原 聡

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2018.2   2936 - 2936   2018年9月

階層型ストアフリー電源遮断を用いた不揮発性SRAMのエネルギー性能

北形 大樹, 菅原 聡, 山本 修一郎

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2018.1   3205 - 3205   2018年3月

強磁性トンネル接合を用いた不揮発性SRAMの待機時電力削減能力

北形 大樹, 山本 修一郎, 菅原 聡

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2017.2   2988 - 2988   2017年8月

Analysis of break-even time for nonvolatile SRAM with SOTB technology 査読

Daiki Kitagata, Yusuke Shuto, Shuu'ichirou Yamamoto, Satoshi Sugahara

2017 IEEE ELECTRON DEVICES TECHNOLOGY AND MANUFACTURING CONFERENCE (EDTM)   72 - 74   2017年

Design and implementation of nonvolatile power-gating SRAM using SOTB technology 査読

Yusuke Shuto, Shuu'Ichirou Yamamoto, Satoshi Sugahara

Proceedings of the International Symposium on Low Power Electronics and Design   338 - 343   2016年8月

Spin-Transistor Technology for Spintronics/CMOS Hybrid Logic Circuits and Systems 査読

Satoshi Sugahara, Yusuke Shuto, Shuu'ichirou Yamamoto

Nanomagnetic Devices and Phenomena for Energy-Efficient Computing   65 - 90   2016年2月

Energy performance of nonvolatile power-gating SRAM using SOTB technology 査読

Yusuke Shuto, Shuu'ichirou Yamamoto, Satoshi Sugahara

ESSCIRC CONFERENCE 2016   95 - 98   2016年

Energy performance of nonvolatile power-gating SRAM using SOTB technology 査読

Yusuke Shuto, Shuu'ichirou Yamamoto, Satoshi Sugahara

2016 46TH EUROPEAN SOLID-STATE DEVICE RESEARCH CONFERENCE (ESSDERC)   87 - 90   2016年

Nonvolatile power-gating architecture for SRAM using SOTB technology 査読

Y. Shuto, S. Yamamoto, S. Sugahara

2016 IEEE SILICON NANOELECTRONICS WORKSHOP (SNW)   166 - 167   2016年

New power-gating architectures using nonvolatile retention: Comparative study of nonvolatile power-gating (NVPG) and normally-off architectures for SRAM 査読

Yusuke Shuto, Shuu'ichirou Yamamoto, Satoshi Sugahara

2016 INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICROELECTRONIC TEST STRUCTURES (ICMTS)   136 - 141   2016年

Quantitative comparison of power-gating architectures for FinFET-based nonvolatile SRAM using spintronics retention technology 査読

Yusuke Shuto, Shuu'Ichirou Yamamoto, Satoshi Sugahara

2015 4th Berkeley Symposium on Energy Efficient Electronic Systems, E3S 2015 - Proceedings   2015年11月

Field-effect spin-transistors 査読

Satoshi Sugahara, Yota Takamura, Yusuke Shuto, Shuu'ichirou Yamamoto

Handbook of Spintronics   1243 - 1279   2015年9月

不揮発性SRAMを用いたパワーゲーティングアーキテクチャの定量比較

周藤 悠介, 山本 修一郎, 菅原 聡

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2015.2   2750 - 2750   2015年8月

Comparative study of power-gating architectures for nonvolatile FinFET-SRAM using spintronics-based retention technology 査読

Yusuke Shuto, Shuu'ichirou Yamamoto, Satoshi Sugahara

2015 DESIGN, AUTOMATION & TEST IN EUROPE CONFERENCE & EXHIBITION (DATE)   866 - 871   2015年

FinFETを用いた擬似スピンMOSFETとその不揮発性SRAMへの応用

周藤 悠介, 山本 修一郎, 菅原 聡

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2014.1   2859 - 2859   2014年3月

Near-threshold voltage operation of a nonvolatile SRAM cell based on pseudo-spin-FinFET architecture 査読

Y. Shuto, S. Yamamoto, S. Sugahara

2014 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S)   2014年

0.5V operation and performance of nonvolatile SRAM cell based on pseudo-spin-FinFET architecture 査読

Yusuke Shuto, Shuu'ichirou Yamamoto, Satoshi Sugahara

2014 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES (SISPAD)   305 - 308   2014年

Comparative study of power-gating architectures for nonvolatile SRAM cells based on spintronics technology 査読

Yusuke Shuto, Shuu'ichirou Yamamoto, Satoshi Sugahara

2014 IEEE ASIA PACIFIC CONFERENCE ON CIRCUITS AND SYSTEMS (APCCAS)   699 - 702   2014年

Nonvolatile flip-flop based on pseudo-spin-transistor architecture and its nonvolatile power-gating applications for low-power CMOS logic 査読

Shuu'ichirou Yamamoto, Yusuke Shuto, Satoshi Sugahara

EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS   63 ( 1 )   2013年7月

擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性デュアルポートSRAMセルの提案とNVPG応用

山本 修一郎, 周藤 悠介, 菅原 聡

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2013.1   2739 - 2739   2013年3月

ナノCMOS技術を用いた擬似スピンMOSFETおよび不揮発性SRAMセルの性能と設計

山本 修一郎, 菅原 聡, 周藤 悠介

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2013.1   2738 - 2738   2013年3月

FinFET-based pseudo-spin-transistor: Design and performance 査読

Yusuke Shuto, Shuu'Ichirou Yamamoto, Satoshi Sugahara

2013 IEEE International Semiconductor Conference Dresden - Grenoble: Technology, Design, Packaging, Simulation and Test, ISCDG 2013   2013年

Nonvolatile Power-Gating Field-Programmable Gate Array Using Nonvolatile Static Random Access Memory and Nonvolatile Flip-Flops Based on Pseudo-Spin-Transistor Architecture with Spin-Transfer-Torque Magnetic Tunnel Junctions 査読

Shuu'ichirou Yamamoto, Yusuke Shuto, Satoshi Sugahara

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   51 ( 11 )   2012年11月

擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性SRAM:スリープモード動作とその応用

周藤 悠介, 山本 修一郎, 菅原 聡

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2012.2   2797 - 2797   2012年8月

Evaluation and Control of Break-Even Time of Nonvolatile Static Random Access Memory Based on Spin-Transistor Architecture with Spin-Transfer-Torque Magnetic Tunnel Junctions 査読

Yusuke Shuto, Shuu'ichirou Yamamoto, Satoshi Sugahara

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   51 ( 4 )   2012年4月

Static noise margin and power-gating efficiency of a new nonvolatile SRAM cell based on pseudo-spin-transistor architecture 査読

Yusuke Shuto, Shuu'ichirou Yamamoto, Satoshi Sugahara

2012 4TH IEEE INTERNATIONAL MEMORY WORKSHOP (IMW)   2012年

Analysis of static noise margin and power-gating efficiency of a new nonvolatile SRAM cell using pseudo-spin-MOSFETs 査読

Yusuke Shuto, Shuu'ichirou Yamamoto, Satoshi Sugahara

2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2012   2012年

Nonvolatile flip-flop using pseudo-spin-transistor architecture and its power-gating applications 査読

Shuu'Ichirou Yamamoto, Yusuke Shuto, Satoshi Sugahara

IEEE 2012 International Semiconductor Conference Dresden-Grenoble, ISCDG 2012   17 - 20   2012年

Nonvolatile power-gating FPGA based on pseudo-spin-transistor architecture with spin-transfer-torque MTJs 査読

Shuu'ichirou Yamamoto, Yusuke Shuto, Satoshi Sugahara

Materials Research Society Symposium Proceedings   1430   55 - 60   2012年

Nonvolatile delay flip-flop using spin-transistor architecture with spin transfer torque MTJs for power-gating systems 査読

S. Yamamoto, Y. Shuto, S. Sugahara

ELECTRONICS LETTERS   47 ( 18 )   1027 - U1562   2011年9月

Nonvolatile delay flip-flop based on spin-transistor architecture and its power-gating applications 査読

Shuu'ichirou Yamamoto, Satoshi Sugahara

Japanese Journal of Applied Physics   49 ( 9 )   2010年9月

擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性SRAM：ストア時の書き込み電流制御

周藤 悠介, 菅原 聡, 山本 修一郎

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2010.2   1825 - 1825   2010年8月

擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性SRAMと不揮発性DFFのFPGA応用

山本 修一郎, 周藤 悠介, 菅原 聡

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2010.2   1824 - 1824   2010年8月

擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性SRAM：セルリーク電流とBETの削減

周藤 悠介, 山本 修一郎, 菅原 聡

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2010.2   2696 - 2696   2010年8月

不揮発性メモリ素子を用いた不揮発性/ばらつき補償SRAM技術

菅原 聡, 山本 修一郎, 周藤 悠介

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2010.2   169 - 169   2010年8月

Nonvolatile static random access memory using resistive switching devices: Variable-transconductance metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor approach 査読

Shuu'ichirou Yamamoto, Yusuke Shuto, Satoshi Sugahara

Japanese Journal of Applied Physics   49 ( 4 )   0402091 - 0402093   2010年4月

A new spin-functional metal-oxide-semiconductor field-effect transistor based on magnetic tunnel junction technology: Pseudo-spin-mosfet

Yusuke Shuto, Yusuke Shuto, Ryosho Nakane, Ryosho Nakane, Wenhong Wang, Wenhong Wang, Hiroaki Sukegawa, Hiroaki Sukegawa, Shuu'ichirou Yamamoto, Shuu'ichirou Yamamoto, Masaaki Tanaka, Masaaki Tanaka, Koichiro Inomata, Koichiro Inomata, Satoshi Sugahara, Satoshi Sugahara

Applied Physics Express   3   2010年1月

Nonvolatile SRAM (NV-SRAM) Using Functional MOSFET Merged with Resistive Switching Devices 査読

Shuu'ichirou Yamamoto, Yusuke Shuto, Satoshi Sugahara

PROCEEDINGS OF THE IEEE 2009 CUSTOM INTEGRATED CIRCUITS CONFERENCE   531 - +   2009年

Nonvolatile static random access memory based on spin-transistor architecture 査読

Yusuke Shuto, Shuu'Ichirou Yamamoto, Satoshi Sugahara

Journal of Applied Physics   105 ( 7 )   2009年

ピエゾエレクトロニック磁気抵抗デバイスとその低電圧MRAMへの応用

高村 陽太, 山本 修一郞, 舟窪 浩, 黒沢 実, 中川 茂樹, 菅原 聡

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2018.1   3210 - 3210   2018年3月

新構造ピエゾエレクトロニックトランジスタの設計とそのデバイス・回路性能

塩津 勇作, 山本 修一郎, 周藤 悠介, 舟窪 浩, 黒澤 実, 菅原 聡

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2018.1   3209 - 3209   2018年3月

依頼講演 不揮発性SRAMのアーキテクチャとエネルギー性能—Architectures and energy performance of nonvolatile SRAM for core-level nonvolatile power-gating—集積回路

北形 大樹, 周藤 悠介, 菅原 聡, 山本 修一郎

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   117 ( 9 )   51 - 56   2017年4月

擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性SRAMのスタティックノイズマージンとエネルギー性能の解析—Static noise margin and energy performance analyses of a nonvolatile SRAM cell using pseudo-spin-MOSFET—シリコン材料・デバイス

周藤 悠介, 山本 修一郎, 菅原 聡

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   112 ( 169 )   65 - 70   2012年8月

Nonvolatile Static Random Access Memory Using Magnetic Tunnel Junctions with Current-Induced Magnetization Switching Architecture

Shuu'ichirou Yamamoto, Satoshi Sugahara

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   48 ( 4 )   043001/1-7   2009年4月

Nonvolatile SRAM architecture using MOSFET-based spin-transistors

Yusuke Shuto, Shuu'ichirou Yamamoto, Satoshi Sugahara

J. Appl. Phys.   105   07C933/1-3   2009年

Nonvolatile SRAM and flip-flop architectures using magnetic tunnel junctions with current-induced magnetization switching technology

Shuu'ichirou Yamamoto, Satoshi Sugahara

Jpn. J. Appl. Phys.   48 ( 4 )   043001-1-7   2009年

スピン機能CMOSによる不揮発性高機能・高性能ロジック

山本修一郎, 周藤悠介, 菅原聡

スピントロニクスの基礎と材料・応用技術の最前線   ( 27章 )   319 - 330   2009年

スピン機能MOSFETによる不揮発性ロック 不揮発性パワーゲーティング・ロジックへの応用 不揮発性SRAM/フリップフロップの可能性を検証

菅原聡, 周藤悠介, 山本修一郎

46 - 49   2009年

マスタ・スレーブ型マルチプロセッサにおける動的可変優先度バス制御方式とその評価

三宅康夫, 山本修一郎, 前島英雄

電子情報通信学会論文誌   J92-C ( 5 )   166 - 175   2009年

Nonvolatile Static Random Access Memory (NV-SRAM) Using Magnetic Tunnel Junctions with Current-Induced Magnetization Switching Architecture

S. Yamamoto, S. Sugahara

Jpn. J. Appl. Phys.   48 ( 4 )   043001/1-7   2009年

Nonvolatile SRAM architecture using MOSFET-based spin-transistors

Yusuke Shuto, Shuu'ichirou Yamamoto, Satoshi Sugahara

J. Appl. Phys.   105   07C933/1-3   2009年

Nonvolatile SRAM and flip-flop architectures using magnetic tunnel junctions with current-induced magnetization switching technology

Shuu'ichirou Yamamoto, Satoshi Sugahara

Jpn. J. Appl. Phys.   48 ( 4 )   043001-1-7   2009年

Fabrication and characterization of 1 k-bit 1T2C-type ferroelectric memory cell array

HS Kim, S Yamamoto, T Ishikawa, T Fuchikami, H Ohki, H Ishiwara

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   44 ( 4B )   2715 - 2721   2005年4月

Improved data disturbance effects in 1T2C-type ferroelectric memory array

HS Kim, S Yamamoto, H Ishiwara

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   43 ( 5A )   2558 - 2563   2004年5月

Improved data disturbance effects in 1T2C-type ferroelectric memory array

HS Kim, S Yamamoto, H Ishiwara

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   43 ( 5A )   2558 - 2563   2004年5月

Fabrication and Characterization of 1k-bit 1T2C-Type Ferroelectric Memory Cell Array

Shuu'ichirou Yamamoto

Extended Abstract of the 2004 International Conference on Solid State Devices and Materials   54 - 55   2004年

Improvement of data readout disturbance effect in 1T2C-type ferroelectric memory

HS Kim, S Yamamoto, H Ishiwara

INTEGRATED FERROELECTRICS   67   271 - 280   2004年

Fabrication of 1K-bit 1T2C-type ferroelectric memory cell array

S Yamamoto, T Ishikawa, T Fuchikami, HS Kim, K Aizawa, BE Park, T Furukawa, H Ohki, S Kikuchi, H Hoko, H Ishiwara

INTEGRATED FERROELECTRICS   67   281 - 286   2004年

Improvement of data readout disturbance effect in 1T2C-type ferroelectric memory

Hyun-Soo Kim, Shuu'ichirou Yamamoto, Hiroshi Ishiwara

Integrated Ferroelectrics   67   271 - 280   2004年

Improvement of Data Readout Disturbance Effects in 1T2C-Type Ferroelectric Memory Array

Shuu'ichirou Yamamoto

Symposium Abstracts (The 16th International Symposium on Integrated Ferroelectrics)   2004年

1T2C型強誘電体メモリアレイにおけるV/4データ書き込み法の提案

山本修一郎

第51回応用物理学関係連合講演会講演予稿集   2   625   2004年

Improvement of Data Readout Disturbance Effects in 1T2C-Type Ferroelectric Memory Array

Shuu'ichirou Yamamoto

Symposium Abstracts (The 16th International Symposium on Integrated Ferroelectrics)   2004年

Fabrication and Characterization of 1k-bit 1T2C-Type Ferroelectric Memory Cell Array

Shuu'ichirou Yamamoto

Extended Abstract of the 2004 International Conference on Solid State Devices and Materials   54 - 55   2004年

Proposal of a planar 8F(2) 1T2C-type ferroelectric memory cell

S Yamamoto, HS Kim, H Ishiwara

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   42 ( 4B )   2059 - 2062   2003年4月

強誘電体を用いたCMOS不揮発性ラッチ回路の消費電力の評価

山本修一郎, 石原宏

第50回応用物理学関係連合講演会   ( 30a-R-11 )   2003年

SPICEによる1T2C型強誘電体メモリアレイの動作解析

石川徹, 山本修一郎, 石原宏

第50回応用物理学関係連合講演会講演予稿集   2   609   2003年

強誘電体を用いた不揮発性ＣＭＯＳラッチ回路の特性評価

タンブンイー, 斉藤亮平, 山本修一郎, 石原宏

第64回応用物理学会学術講演会講演予稿集   2   475   2003年

Fabrication of 1T2C-Type Ferroelectric Memory Array with Sense Amplifiers

Shuu'ichirou Yamamoto

Journal of Conference Abstracts   8 ( 1 )   363   2003年

1Ｔ2Ｃ型強誘電体メモリセルに対する読み出しディスターブの低減法

金豕ォ季, 山本修一郎, 石原宏

第64回応用物理学会学術講演会講演予稿集   2   476   2003年

Fabrication of 1T2C-Type Ferroelectric Memory Cell Array

Book of Abstracts (15th International Conference on Integrated Ferroelectrics)   242   2003年

Operation Simulation of an 8F^2^ 1T2C-Type Ferroelectric Memory Array with a Revised Data Writing Method

Book of Abstracts (15th International Conference on Integrated Ferroelectrics)   228   2003年

1T2C型強誘電体メモリにおけるデータディスターブの解析と低減法の提案

金豕ォ季, 山本修一郎, 石原宏

電子情報通信学会技術報告   102 ( 732 )   19 - 24   2003年

1Ｔ2Ｃ型強誘電体メモリアレイの読み出し回路の設計と評価

山本修一郎

第64回応用物理学会学術講演会講演予稿集   2   476   2003年

Fabrication of 1T2C-Type Ferroelectric Memory Cell Array

Book of Abstracts (15th International Conference on Integrated Ferroelectrics)   242   2003年

Operation simulation of an 8F21T2C-type ferroelectric memory array with a revised data writing method

Hyun-Soo Kim, Shuu'ichirou Yamamoto, Hiroshi Ishiwara

Integrated Ferroelectrics   56   1045 - 1054   2003年

Fabrication of 1T2C-Type Ferroelectric Memory Array with Sense Amplifiers

Shuu'ichirou Yamamoto

Journal of Conference Abstracts   8 ( 1 )   363   2003年

1T2C型強誘電体メモリアレイに対するデータ書き込みディスターブの低減法

金豕ォ季, 山本修一郎, 石原宏

第50回応用物理学関係連合講演会講演予稿集   2   609   2003年

強誘電体を用いた不揮発性CMOSラッチ回路の消費電力の評価

山本修一郎

第50回応用物理学関係連合講演会講演予稿集   2   609   2003年

Operation Simulation of an 8F^2^ 1T2C-Type Ferroelectric Memory Array with a Revised Data Writing Method

Book of Abstracts (15th International Conference on Integrated Ferroelectrics)   228   2003年

Low-temperature synthesis of SrBi2Ta2O9 thin films with Bi2SiO5-containing seed layers

XS Wang, S Yamamoto, H Ishiwara

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS   41 ( 12B )   L1492 - L1494   2002年12月

A novel data writing method in a 1T2C-type ferroelectric memory

Hiroshi Ishiwara, Shuu'ichirou Yamamoto

Facta Universitatis (Nis) - Elec. Energ.   15 ( 1 )   81 - 92   2002年

Analysis of non-volatile latch circuits with ferroelectric-gate field effect transistors for low power and low voltage operation

S Yamamoto, S Inoue, H Ishiwara

2002 23RD INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICROELECTRONICS, VOLS 1 AND 2, PROCEEDINGS   2   589 - 592   2002年

Proposal of a planar 8F^2^ 1T2C-type ferroelectric memory cell

Shuu'ichirou Yamamoto Hyun-Soo Kim, Hiroshi Ishiwara

Extended Abstract of the 2002 International Conference on Solid State Devices and Materials   622 - 623   2002年

A novel data writing method in a 1T2C-type ferroelectric memory

H Ishiwara, S Yamamoto

2002 23RD INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICROELECTRONICS, VOLS 1 AND 2, PROCEEDINGS   2   517 - 520   2002年

1T2C型強誘電体の高集積化とSPICEによる動作解析

金■玄秀, 山本修一郎, 石原宏

第63回応用物理学会学術講演会講演予稿集   2   448   2002年

1T2C型強誘電体メモリアレイにおける書込み・読出しデータディスターブ低減法

山本修一郎, 金, 玄秀 石原宏

第63回応用物理学会学術講演会講演予稿集   2   448   2002年

不揮発性強誘電体ラッチ回路の新構成法と低電圧動作解析

山本修一郎, 井上進, 石原宏

電子情報通信学会技術報告   101 ( 719 )   1 - 6   2002年

Proposal of a planar 8F^2^ 1T2C-type ferroelectric memory cell

Shuu'ichirou Yamamoto Hyun-Soo Kim, Hiroshi Ishiwara

Extended Abstract of the 2002 International Conference on Solid State Devices and Materials   622 - 623   2002年

A novel data writing method in a 1T2C-type ferroelectric memory

Hiroshi Ishiwara, Shuu'ichirou Yamamoto

Facta Universitatis (Nis) - Elec. Energ.   15 ( 1 )   81 - 92   2002年

FETのゲート容量を考慮した1T2C型強誘電体メモリの新規書込み法の提案と動作解析

山本修一郎, 石原宏

第49回応用物理学関係連合講演会講演予稿集   2   544   2002年

A novel data writing method in a 1T2C-type ferroelectric memory

H. Ishiwara, S. Yamamoto

2002 23rd International Conference on Microelectronics, MIEL 2002 - Proceedings   2   517 - 520   2002年

A novel simulation program with integrated circuit emphasis (SPICE) model of ferroelectric capacitors using Schmitt trigger circuit

S Yamamoto, T Kato, H Ishiwara

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   40 ( 4B )   2928 - 2934   2001年4月

High quality ultrathin La<inf>2</inf>O<inf>3</inf> films for high-k gate insulator

Shun Ichiro Ohmi, Chihiro Kobayashi, Koji Aizawa, Shuu'ichirou Yamamoto, Eisuke Tokumitsu, Hiroshi Ishiwara, Hiroshi Iwai

European Solid-State Device Research Conference   235 - 238   2001年1月

Atomic layer-by-layer MOCVD of complex metal oxides and in situ process monitoring

S Yamamoto, S Oda

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION   7 ( 1 )   7 - 18   2001年1月

強誘電体ゲートFETを用いた不揮発性ラッチ回路の動作解析

井上進, 山本修一郎, 石原宏

第48回応用物理学関係連合講演会講演予稿集   2   549   2001年

強誘電体を用いた不揮発性CMOSラッチ回路の新構成法と低電圧動作解析

山本修一郎, 石原宏

第62回応用物理学会学術講演会講演予稿集   2   381   2001年

1T2C型強誘電体メモリの周辺回路の設計

平山智久, 山本修一郎, 石原宏

電子情報通信学会2001年エレクトロニクスソサイエティ大会講演論文集２   97   2001年

強誘電体キャパシタシミュレーション支援LSIの設計

山本修一郎, 平山智久, 石原宏

電子情報通信学会2001年総合大会講演講演論文集・エレクトロニクス２   128   2001年

シュミットトリガ回路を用いた回路要素並列型強誘電体SPICEモデルの構築

山本修一郎, 石原宏

第60回応用物理学会学術講演会講演予稿集   447   2000年

HSPICE Simulation of Transistor-type Ferroelectric Memory

Extended Abstracts (The 47th Spring Meeting,2000)   541   2000年

Building of Parallel-element Ferroelectric Capacitor Model Using Schmitt Trigger Circuit

Extended Abstracts (The 61th Autumn Meeting, 2000)   447   2000年

A Novel SPICE Model of Ferroelectric Capacitors Using Schmitt Trigger Circuit

Shuu'ichirou Yamamoto, Takumi Kato, Hiroshi Ishiwara

Extended Abstract of the 2000 International Conference on Solid State Devices and Materials   270 - 271   2000年

A Novel SPICE Model of Ferroelectric Capacitors Using Schmitt Trigger Circuit

Shuu'ichirou Yamamoto, Takumi Kato, Hiroshi Ishiwara

Extended Abstract of the 2000 International Conference on Solid State Devices and Materials   270 - 271   2000年

HSPICEによるトランジスタ型強誘電体メモリの動作解析

加藤匠, 高原淳, 山本修一郎, 小笠原悟, 徳光永輔, 石原宏

第47回応用物理学関係連合講演会予稿集   541   2000年

Reproducible growth of metalorganic chemical vapor deposition derived YBa2Cu3Ox thin films using ultrasonic gas concentration analyzer

S Yamamoto, K Nagata, S Sugai, A Sengoku, Y Matsukawa, T Hattori, S Oda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   38 ( 8 )   4727 - 4732   1999年8月

Reproducible growth of metalorganic chemical vapor deposition derived YBa2Cu3Ox thin films using ultrasonic gas concentration analyzer

S Yamamoto, K Nagata, S Sugai, A Sengoku, Y Matsukawa, T Hattori, S Oda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   38 ( 8 )   4727 - 4732   1999年8月

In situ growth monitoring during metalorganic chemical vapor deposition of YBa2Cu3Ox thin films by spectroscopic ellipsometry

S Yamamoto, S Sugai, Y Matsukawa, A Sengoku, H Tobisaka, T Hattori, S Oda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS   38 ( 6AB )   L632 - L635   1999年6月

In situ growth monitoring during metalorganic chemical vapor deposition of YBa2Cu3Ox thin films by spectroscopic ellipsometry

S Yamamoto, S Sugai, Y Matsukawa, A Sengoku, H Tobisaka, T Hattori, S Oda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS   38 ( 6AB )   L632 - L635   1999年6月

強誘電体の過渡応答SPICEモデル(II)

加藤匠, 山本修一郎, 石原宏

第47回応用物理学関係連合講演会講演予稿集   461   1999年

atomic controlled interface of superconductors

Shuu'ichirou Yamamoto, Shunri Oda

Extended Abstracts of Special Session for Superconducting Devices   25 - 30   1998年

原子層レベルで制御する超伝導界面

超伝導素子研究開発プロジェクト完了報告会紀要   25 - 30   1998年

Anomalous current-voltage characteristics along the c-axis in YBaCuO thin films prepared by MOCVD and AFM lithography

S Yamamoto, A Kawaguchi, S Oda

PHYSICA C   293 ( 1-4 )   244 - 248   1997年12月

Anomalous current-voltage characteristics along the c-axis in YBaCuO thin films prepared by MOCVD and AFM lithography

S Yamamoto, A Kawaguchi, S Oda

PHYSICA C   293 ( 1-4 )   244 - 248   1997年12月

Atomic layer-by-layer epitaxy of oxide superconductors by MOCVD

S Yamamoto, A Kawaguchi, K Nagata, T Hattori, S Oda

APPLIED SURFACE SCIENCE   112   30 - 37   1997年3月

Junction formation in YBaCuO thin films by scanning probe technologies

S Yamamoto, T Watanabe, S Oda

JOURNAL OF LOW TEMPERATURE PHYSICS   106 ( 3-4 )   423 - 432   1997年2月

Preparation of thin films of YBa2Cu3Ox with a smooth surface by atomic layer MOCVD

S Yamamoto, A Kawaguchi, S Oda

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY   41 ( 1 )   87 - 92   1996年10月

Preparation of thin films of YBa2Cu3Ox with a smooth surface by atomic layer MOCVD

S Yamamoto, A Kawaguchi, S Oda

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY   41 ( 1 )   87 - 92   1996年10月

ATOMIC LAYER-BY-LAYER MOCVD OF OXIDE SUPERCONDUCTORS

S ODA, S YAMAMOTO, A KAWAGUCHI

JOURNAL DE PHYSIQUE IV   5 ( C5 )   379 - 390   1995年6月

SUPERCONDUCTIVITY AND SURFACE-MORPHOLOGY OF YBCO THIN-FILMS PREPARED BY METALORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION

S ODA, H ZAMA, S YAMAMOTO

IEEE TRANSACTIONS ON APPLIED SUPERCONDUCTIVITY   5 ( 2 )   1801 - 1804   1995年6月

Atomic Layer-by-Layer MOCVD of Oxide Superconductors

Shunri Oda Shuu'ichirou Yamamoto, Atsushi Kawaguchi

Journal de Physique IV   C5   379 - 390   1995年

STM/AFM Fabricated Junctions of YBaCuO Films

Shuu'ichirou Yamamoto, Hideaki Suzuki Tomotaka Watanabe, Atsushi Kawaguchi, Takeo Hattori, Shunri Oda

Extended Abstracts of 5th International Superconductive Electronics Conference   93 - 95   1995年

STM/AFM Fabricated Junctions of YBaCuO Films

Shuu'ichirou Yamamoto, Hideaki Suzuki Tomotaka Watanabe, Atsushi Kawaguchi, Takeo Hattori, Shunri Oda

Extended Abstracts of 5th International Superconductive Electronics Conference   93 - 95   1995年

Atomic layer controlled metalorganic chemical vapor deposition of superconducting YBa2Cu3Ox films

Shunri Oda, Hideaki Zama, Shuuichirou Yamamoto

Journal of Crystal Growth   145 ( 1-4 )   232 - 236   1994年12月

ATOMIC LAYER CONTROLLED METALORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION OF SUPERCONDUCTING YBA2CU3OX FILMS

S ODA, H ZAMA, S YAMAMOTO

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   145 ( 1-4 )   232 - 236   1994年12月

Atomic Layer Metalorganic Chemical Vapor Deposition of YBa_2_Cu_3_O_X_ with In Situ Optical Reflectance Measurement

Shunri Oda Hideaki Zama, Shuu'ichirou Yamamoto

Proceedings of the 7th Topical Meeting on Crystal Growth Mechanism   285 - 290   1994年

Atomic Layer Metalorganic Chemical Vapor Deposition of YBa_2_Cu_3_O_X_ with In Situ Optical Reflectance Measurement

Shunri Oda Hideaki Zama, Shuu'ichirou Yamamoto

Proceedings of the 7th Topical Meeting on Crystal Growth Mechanism   285 - 290   1994年

Analysis and design of nonvolatile SRAM using spintronics technology

Non-volatile Memory Technology Symposium 2009 (NVMTS09)  2009年 

擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性DFF：バルーンDFFとの比較

第70回応用物理学会学術講演会  2009年 

Spin-RAM/ReRAM技術を用いた機能MOSFETとその不揮発性SRAM/フリップフロップへの応用

平成21年秋季 第70回応用物理学会学術講演会  2009年 

Analysis and Design of Nonvolatile SRAM Using MOSFET-Based Spin-Transistors

Intermag 2009  2009年 

マイクロプロセッサにおけるエマージングメモリデバイスへの期待

第70回応用物理学会学術講演会  2009年 

ノンポーラ型抵抗変化素子のSPICEモデル

第56回応用物理学関連連合講演会  2009年 

抵抗変化素子を用いたFunctional MOSFET/CMOS

第56回応用物理学関連連合講演会  2009年 

Nonvolatile delay flip-flop using magnetic tunnel junctions with current-induced magnetization switching architecture

IEEE International Magnetics Conference  2009年 

スピン注入磁化反転MTJを用いた不揮発性Dフリップフロップ

第56回応用物理学関係連合講演会  2009年 

擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性SRAMの提案と解析

第13回半導体スピン工学の基礎と応用(PASPS-13)  2009年 

ノンポーラ型抵抗変化素子を用いた不揮発性SRAM

第56回応用物理学関連連合講演会  2009年 

Pseudo-spin-MOSFETを用いた不揮発性SRAM：情報ストア動作解析

第56回応用物理学関連連合講演会  2009年 

Variability-Tolerant CMOS Gates Using Functional MOSFETs with Resistive Switching Devices

Extended Abstracts of the 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials  2009年 

Analysis and Design of Nonvolatile SRAM Using MOSFET-Based Spin-Transistors

Intermag 2009  2009年 

Nonvolatile delay flip-flop using magnetic tunnel junctions with current-induced magnetization switching architecture

IEEE International Magnetics Conference  2009年 

Variability-Tolerant CMOS Gates Using Functional MOSFETs with Resistive Switching Devices

Extended Abstracts of the 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials  2009年 

Analysis and design of nonvolatile SRAM using spintronics technology

Non-volatile Memory Technology Symposium 2009 (NVMTS09)  2009年 

Nonvolatile SRAM(NV-SRAM) Using Functional MOSFET Merged with Resistive Switching Devices

Proceedings of IEEE 2009 Custom Integrated Circuits Conference (CICC)  2009年 

Fabrication and characterization of pseudo-spin-MOSFETs

Intl. Conf. Silicon Nano Devices in 2030  2009年 

Operating analysis of pseudo-spin-MOSFETs using MTJ with current-induced magnetization switching

The 55th Spring Meeting, 2008; The Japan Society of Applied Physics and Related Scieties  2008年 

スピン機能MOSFETによるスピントランジスタ・エレクトロニクス

応用物理学会応用電子物性分科会・スピントロニクス研究会共同主催研究会  2008年 

スピン機能MOSFETを用いた不揮発性高機能・高性能ロジック

応用物理学会応用電子物性分科会・スピントロニクス研究会例会  2008年 

Analysis and design of nonvolatile SRAM using magnetic tunnel junctions with current-induced magnetization switching technology

53rd Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials (MMM2008)  2008年 

Novel nonvolatile SRAM architecture using MOSFET-based spin-transistors

53rd Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials (MMM2008)  2008年 

スピン注入磁化反転MTJを用いた不揮発性SRAM：通常動作時消費電力の削減

第69回応用物理学会学術講演会  2008年 

スピン注入磁化反転MTJを用いた不揮発性SRAM：Vhalfの影響

第55回応用物理学会関連連合講演会  2008年 

スピンMOSFET を用いたスピントランジスタ・エレクトロニクス

第69回応用物理学会学術講演会  2008年 

マスタ・スレーブ型マルチプロセッサにおける動的可変優先度バス制御方式とその評価

2008年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会  2008年 

スピン注入磁化反転MTJを用いた不揮発性SRAM：仮想接地セルアーキテクチャ

第55回応用物理学会関連連合講演会  2008年 

スピン注入磁化反転MTJを用いたpseudo-spin-MOSFETの動作解析

第55回応用物理学関係連合講演会  2008年 

Analysis and design of nonvolatile SRAM using magnetic tunnel junctions with current-induced magnetization switching technology

53rd Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials (MMM2008)  2008年 

Novel nonvolatile SRAM architecture using MOSFET-based spin-transistors

53rd Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials (MMM2008)  2008年 

Application of pseudo spin-MOSFET/spin-MOSFET for non-volatile SRAM/latch circuits

The 68th Autumn Meeting, 2007; The Japan Society of Applied Physics  2007年 

Proposal and theoretical analysis of pseudo spin-MOSFETs using MTJ devices

The 68th Autumn Meeting, 2007; The Japan Society of Applied Physics  2007年 

Nonvolatile SRAM and flip-flop architectures using magnetic tunnel junctions with current-induced magnetization switching technology

52nd Annual Conf. on Magnetism and Magnetic Materials  2007年 

強磁性トンネル接合を用いたpseudo spin-MOSFETの提案と理論解析

第68回応用物理学会学術講演会  2007年 

Nonvolatile SRAM and flip-flop architectures using magnetic tunnel junctions with current-induced magnetization switching technology

52nd Annual Conf. on Magnetism and Magnetic Materials  2007年 

スピン注入磁化反転MTJを用いた不揮発性SRAM/ラッチ回路

第68回応用物理学会学術講演会  2007年 

pseudo spin-MOSFET/spin-MOSFETの不揮発性SRAM/ラッチ回路への応用

第68回応用物理学会学術講演会  2007年 

Non-volatile SRAM/latch circuits using MTJ devices with spin transfer torque magnetization switching

The 68th Autumn Meeting, 2007; The Japan Society of Applied Physics  2007年 

1T2C型強誘電体メモリアレイの作製と評価

第65回応用物理学会学術講演会講演予稿集  2004年