所属
総合研究院 未来産業技術研究所 特任講師
職名
特任講師
外部リンク
ヤマモト シュウイチロウ
山本 修一郎
SHUICHIRO YAMAMOTO
News & Topics
-
CMOS/スピントロニクス融合技術を用いた新しい低消費電力技術を開発
2012/12/11
掲載言語： 日本語
東京工業大学の菅原聡准教授，周藤悠介特任助教，山本修一郎助教らの研究グループは，神奈川科学技術アカデミーと共同で，CMOS/スピントロニクス融合技術を応用した擬似スピンMOSFETを用いて構成できる不揮発性SRAM（NV-SRAM）および不揮発性フリップフロップ(NV-FF)の開発を行った．高精度回路シミュレーションから，擬似スピンMOSFETを用いたこれら記憶回路の優位性・有用性と，不揮発性パワーゲーティング（NVPG）と呼ばれる究極のスタンバイ（待機時）電力削減アーキテクチャへ応用した場合の効果と設計指針を明らかにした．この研究成果は，１２月１０日から米国サンフランシスコで開催される米国IEEE学会主催の電子デバイス技術に関する世界最高峰の国際会議IEDMで発表する．
学位
-
博士(工学) （ 東京工業大学 ）
学歴
-
東京工業大学
- 1999年
-
東京工業大学大学院 理工学研究科 電子物理工学専攻
- 1999年
国名： 日本国
-
東京工業大学 工学部 電子物理工学科
- 1994年
国名： 日本国
経歴
-
-:Tokyo Institute of Technology Research Associate
1999年
-
-:東京工業大学 助手
1999年
所属学協会
-
応用物理学会
-
IEEE
-
IEEE
-
電子情報通信学会
書籍等出版物
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ATOMIC LAYER MOCVD OF OXIDE SUPERCONDUCTORS AND DIELECTRICS
High-Temperature Superconductors and Novel Inorganic Materials, NATO ASI Series 3 (eds. by G. Van Tendeloo, E.V. Antipov and S.N. Putilin, Kluwer Academic, Dordorecht) 1999年
-
ATOMIC LAYER MOCVD OF OXIDE SUPERCONDUCTORS AND DIELECTRICS
High-Temperature Superconductors and Novel Inorganic Materials, NATO ASI Series 3 (eds. by G. Van Tendeloo, E.V. Antipov and S.N. Putilin, Kluwer Academic, Dordorecht) 1999年
-
Critical Current Density of YBCO Ultra Thin Films Prepared by Atomic Layer MOCVD
Advances in Superconductivity VII (eds. by K.Ysmafuji and T.Morishita Springer, Tokyo) 1995年
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Critical Current Density of YBCO Ultra Thin Films Prepared by Atomic Layer MOCVD
Advances in Superconductivity VII (eds. by K.Ysmafuji and T.Morishita Springer, Tokyo) 1995年
MISC
-
Nonvolatile Static Random Access Memory Using Magnetic Tunnel Junctions with Current-Induced Magnetization Switching Architecture
Shuu'ichirou Yamamoto, Satoshi Sugahara
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 48 ( 4 ) 043001/1-7 2009年4月
-
Nonvolatile SRAM and flip-flop architectures using magnetic tunnel junctions with current-induced magnetization switching technology
Shuu'ichirou Yamamoto, Satoshi Sugahara
Jpn. J. Appl. Phys. 48 ( 4 ) 043001-1-7 2009年
-
スピン機能CMOSによる不揮発性高機能・高性能ロジック
山本修一郎, 周藤悠介, 菅原聡
スピントロニクスの基礎と材料・応用技術の最前線 ( 27章 ) 319 - 330 2009年
-
スピン機能MOSFETによる不揮発性ロック 不揮発性パワーゲーティング・ロジックへの応用 不揮発性SRAM/フリップフロップの可能性を検証
菅原聡, 周藤悠介, 山本修一郎
46 - 49 2009年
-
マスタ・スレーブ型マルチプロセッサにおける動的可変優先度バス制御方式とその評価
三宅康夫, 山本修一郎, 前島英雄
電子情報通信学会論文誌 J92-C ( 5 ) 166 - 175 2009年
-
Nonvolatile Static Random Access Memory (NV-SRAM) Using Magnetic Tunnel Junctions with Current-Induced Magnetization Switching Architecture
S. Yamamoto, S. Sugahara
Jpn. J. Appl. Phys. 48 ( 4 ) 043001/1-7 2009年
-
Nonvolatile SRAM architecture using MOSFET-based spin-transistors
Yusuke Shuto, Shuu'ichirou Yamamoto, Satoshi Sugahara
J. Appl. Phys. 105 07C933/1-3 2009年
-
Nonvolatile SRAM and flip-flop architectures using magnetic tunnel junctions with current-induced magnetization switching technology
Shuu'ichirou Yamamoto, Satoshi Sugahara
Jpn. J. Appl. Phys. 48 ( 4 ) 043001-1-7 2009年
-
Nonvolatile SRAM architecture using MOSFET-based spin-transistors
Yusuke Shuto, Shuu'ichirou Yamamoto, Satoshi Sugahara
J. Appl. Phys. 105 07C933/1-3 2009年
-
Fabrication and characterization of 1 k-bit 1T2C-type ferroelectric memory cell array
HS Kim, S Yamamoto, T Ishikawa, T Fuchikami, H Ohki, H Ishiwara
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 44 ( 4B ) 2715 - 2721 2005年4月
-
Improved Data Disturbance Effects in 1T2C-Type Ferroelectric Memory Array
Shuu'ichirou Yamamoto
Japanese Journal of Applied Physics 43 ( 5A ) 2558 - 2563 2004年
-
Fabrication and Characterization of 1k-bit 1T2C-Type Ferroelectric Memory Cell Array
Shuu'ichirou Yamamoto
Extended Abstract of the 2004 International Conference on Solid State Devices and Materials 54 - 55 2004年
-
Improvement of data readout disturbance effect in 1T2C-type ferroelectric memory
HS Kim, S Yamamoto, H Ishiwara
INTEGRATED FERROELECTRICS 67 271 - 280 2004年
-
Fabrication of 1K-bit 1T2C-type ferroelectric memory cell array
S Yamamoto, T Ishikawa, T Fuchikami, HS Kim, K Aizawa, BE Park, T Furukawa, H Ohki, S Kikuchi, H Hoko, H Ishiwara
INTEGRATED FERROELECTRICS 67 281 - 286 2004年
-
Improvement of data readout disturbance effect in 1T2C-type ferroelectric memory
Hyun-Soo Kim, Shuu'ichirou Yamamoto, Hiroshi Ishiwara
Integrated Ferroelectrics 67 271 - 280 2004年
-
Improved Data Disturbance Effects in 1T2C-Type Ferroelectric Memory Array
Shuu'ichirou Yamamoto
Japanese Journal of Applied Physics 43 ( 5A ) 2558 - 2563 2004年
-
Improvement of Data Readout Disturbance Effects in 1T2C-Type Ferroelectric Memory Array
Shuu'ichirou Yamamoto
Symposium Abstracts (The 16th International Symposium on Integrated Ferroelectrics) 2004年
-
1T2C型強誘電体メモリアレイにおけるV/4データ書き込み法の提案
山本修一郎
第51回応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2 625 2004年
-
Improvement of Data Readout Disturbance Effects in 1T2C-Type Ferroelectric Memory Array
Shuu'ichirou Yamamoto
Symposium Abstracts (The 16th International Symposium on Integrated Ferroelectrics) 2004年
-
Fabrication and Characterization of 1k-bit 1T2C-Type Ferroelectric Memory Cell Array
Shuu'ichirou Yamamoto
Extended Abstract of the 2004 International Conference on Solid State Devices and Materials 54 - 55 2004年
-
Proposal of a planar 8F(2) 1T2C-type ferroelectric memory cell
S Yamamoto, HS Kim, H Ishiwara
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 42 ( 4B ) 2059 - 2062 2003年4月
-
SPICEによる1T2C型強誘電体メモリアレイの動作解析
石川徹, 山本修一郎, 石原宏
第50回応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2 609 2003年
-
強誘電体を用いた不揮発性ＣＭＯＳラッチ回路の特性評価
タンブンイー, 斉藤亮平, 山本修一郎, 石原宏
第64回応用物理学会学術講演会講演予稿集 2 475 2003年
-
Fabrication of 1T2C-Type Ferroelectric Memory Array with Sense Amplifiers
Shuu'ichirou Yamamoto
Journal of Conference Abstracts 8 ( 1 ) 363 2003年
-
1Ｔ2Ｃ型強誘電体メモリセルに対する読み出しディスターブの低減法
金豕ォ季, 山本修一郎, 石原宏
第64回応用物理学会学術講演会講演予稿集 2 476 2003年
-
Fabrication of 1T2C-Type Ferroelectric Memory Cell Array
Book of Abstracts (15th International Conference on Integrated Ferroelectrics) 242 2003年
-
Operation Simulation of an 8F^2^ 1T2C-Type Ferroelectric Memory Array with a Revised Data Writing Method
Book of Abstracts (15th International Conference on Integrated Ferroelectrics) 228 2003年
-
1T2C型強誘電体メモリにおけるデータディスターブの解析と低減法の提案
金豕ォ季, 山本修一郎, 石原宏
電子情報通信学会技術報告 102 ( 732 ) 19 2003年
-
1Ｔ2Ｃ型強誘電体メモリアレイの読み出し回路の設計と評価
山本修一郎
第64回応用物理学会学術講演会講演予稿集 2 476 2003年
-
Fabrication of 1T2C-Type Ferroelectric Memory Cell Array
Book of Abstracts (15th International Conference on Integrated Ferroelectrics) 242 2003年
-
Operation simulation of an 8F21T2C-type ferroelectric memory array with a revised data writing method
Hyun-Soo Kim, Shuu'ichirou Yamamoto, Hiroshi Ishiwara
Integrated Ferroelectrics 56 1045 - 1054 2003年
-
Fabrication of 1T2C-Type Ferroelectric Memory Array with Sense Amplifiers
Shuu'ichirou Yamamoto
Journal of Conference Abstracts 8 ( 1 ) 363 2003年
-
1T2C型強誘電体メモリアレイに対するデータ書き込みディスターブの低減法
金豕ォ季, 山本修一郎, 石原宏
第50回応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2 609 2003年
-
強誘電体を用いた不揮発性CMOSラッチ回路の消費電力の評価
山本修一郎
第50回応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2 609 2003年
-
Operation Simulation of an 8F^2^ 1T2C-Type Ferroelectric Memory Array with a Revised Data Writing Method
Book of Abstracts (15th International Conference on Integrated Ferroelectrics) 228 2003年
-
Low-temperature synthesis of SrBi2Ta2O9 thin films with Bi2SiO5-containing seed layers
XS Wang, S Yamamoto, H Ishiwara
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS 41 ( 12B ) L1492 - L1494 2002年12月
-
不揮発性強誘電体ラッチ回路の新構成法と低電圧動作解析
山本修一郎, 井上進, 石原宏
電子情報通信学会技術報告 101 ( 719 ) 1 - 6 2002年
-
Proposal of a planar 8F^2^ 1T2C-type ferroelectric memory cell
Shuu'ichirou Yamamoto Hyun-Soo Kim, Hiroshi Ishiwara
Extended Abstract of the 2002 International Conference on Solid State Devices and Materials 622 - 623 2002年
-
A novel data writing method in a 1T2C-type ferroelectric memory
Hiroshi Ishiwara, Shuu'ichirou Yamamoto
Facta Universitatis (Nis) - Elec. Energ. 15 ( 1 ) 81 - 92 2002年
-
FETのゲート容量を考慮した1T2C型強誘電体メモリの新規書込み法の提案と動作解析
山本修一郎, 石原宏
第49回応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2 544 2002年
-
A novel data writing method in a 1T2C-type ferroelectric memory
H. Ishiwara, S. Yamamoto
2002 23rd International Conference on Microelectronics, MIEL 2002 - Proceedings 2 517 - 520 2002年
-
A novel data writing method in a 1T2C-type ferroelectric memory
Hiroshi Ishiwara, Shuu'ichirou Yamamoto
Facta Universitatis (Nis) - Elec. Energ. 15 ( 1 ) 81 - 92 2002年
-
1T2C型強誘電体メモリアレイにおける書込み・読出しデータディスターブ低減法
山本修一郎, 金, 玄秀 石原宏
第63回応用物理学会学術講演会講演予稿集 2 448 2002年
-
Analysis of non-volatile latch circuits with ferroelectric-gate field effect transistors for low power and low voltage operation
S Yamamoto, S Inoue, H Ishiwara
2002 23RD INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICROELECTRONICS, VOLS 1 AND 2, PROCEEDINGS 2 589 - 592 2002年
-
Proposal of a planar 8F^2^ 1T2C-type ferroelectric memory cell
Shuu'ichirou Yamamoto Hyun-Soo Kim, Hiroshi Ishiwara
Extended Abstract of the 2002 International Conference on Solid State Devices and Materials 622 - 623 2002年
-
A novel data writing method in a 1T2C-type ferroelectric memory
H Ishiwara, S Yamamoto
2002 23RD INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICROELECTRONICS, VOLS 1 AND 2, PROCEEDINGS 2 517 - 520 2002年
-
1T2C型強誘電体の高集積化とSPICEによる動作解析
金■玄秀, 山本修一郎, 石原宏
第63回応用物理学会学術講演会講演予稿集 2 448 2002年
-
A novel simulation program with integrated circuit emphasis (SPICE) model of ferroelectric capacitors using Schmitt trigger circuit
S Yamamoto, T Kato, H Ishiwara
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 40 ( 4B ) 2928 - 2934 2001年4月
-
Atomic layer-by-layer MOCVD of complex metal oxides and in situ process monitoring
S Yamamoto, S Oda
CHEMICAL VAPOR DEPOSITION 7 ( 1 ) 7 - 18 2001年1月
-
強誘電体キャパシタシミュレーション支援LSIの設計
山本修一郎, 平山智久, 石原宏
電子情報通信学会2001年総合大会講演講演論文集・エレクトロニクス２ 128 2001年
-
強誘電体ゲートFETを用いた不揮発性ラッチ回路の動作解析
井上進, 山本修一郎, 石原宏
第48回応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2 549 2001年
-
強誘電体を用いた不揮発性CMOSラッチ回路の新構成法と低電圧動作解析
山本修一郎, 石原宏
第62回応用物理学会学術講演会講演予稿集 2 381 2001年
-
1T2C型強誘電体メモリの周辺回路の設計
平山智久, 山本修一郎, 石原宏
電子情報通信学会2001年エレクトロニクスソサイエティ大会講演論文集２ 97 2001年
-
シュミットトリガ回路を用いた回路要素並列型強誘電体SPICEモデルの構築
山本修一郎, 石原宏
第60回応用物理学会学術講演会講演予稿集 447 2000年
-
HSPICE Simulation of Transistor-type Ferroelectric Memory
Extended Abstracts (The 47th Spring Meeting,2000) 541 2000年
-
Building of Parallel-element Ferroelectric Capacitor Model Using Schmitt Trigger Circuit
Extended Abstracts (The 61th Autumn Meeting, 2000) 447 2000年
-
A Novel SPICE Model of Ferroelectric Capacitors Using Schmitt Trigger Circuit
Shuu'ichirou Yamamoto, Takumi Kato, Hiroshi Ishiwara
Extended Abstract of the 2000 International Conference on Solid State Devices and Materials 270 - 271 2000年
-
A Novel SPICE Model of Ferroelectric Capacitors Using Schmitt Trigger Circuit
Shuu'ichirou Yamamoto, Takumi Kato, Hiroshi Ishiwara
Extended Abstract of the 2000 International Conference on Solid State Devices and Materials 270 - 271 2000年
-
HSPICEによるトランジスタ型強誘電体メモリの動作解析
加藤匠, 高原淳, 山本修一郎, 小笠原悟, 徳光永輔, 石原宏
第47回応用物理学関係連合講演会予稿集 541 2000年
-
強誘電体の過渡応答SPICEモデル(II)
加藤匠, 山本修一郎, 石原宏
第47回応用物理学関係連合講演会講演予稿集 461 1999年
-
Reproducible Growth of Metalorganic Chemical Vapor Deposition Derived YBa_2_Cu_3_O_X_ Thin Films Using Ultrasonic Gas Concentration Analyzer
Shuu'ichirou Yamamoto, Kouji Nagata, Satoshi Sugai Akio, Sengoku Yasunari, Matsukawa, Takeo Hattori, Shunri Oda
Japanese Journal of Applied Physics 38 ( 8 ) 4727 - 4732 1999年
-
In situ Growth Monitoring during Metalorganic Chemical Vapor Deposition of YBa_2_Cu_3_O_X_ Thin Films by Spectroscopic Ellipsometry
Shuu'ichirou Yamamoto, Satoshi Sugai Yasunari, Matsukawa Akio Sengoku, Hiroshi Tobisaka, Takeo Hattori, Shunri Oda
Japanese Journal of Applied Physics 38 ( 6A/B ) L632 - L635 1999年
-
In situ Growth Monitoring during Metalorganic Chemical Vapor Deposition of YBa_2_Cu_3_O_X_ Thin Films by Spectroscopic Ellipsometry
Shuu'ichirou Yamamoto, Satoshi Sugai Yasunari, Matsukawa Akio Sengoku, Hiroshi Tobisaka, Takeo Hattori, Shunri Oda
Japanese Journal of Applied Physics 38 ( 6A/B ) L632 - L635 1999年
-
Reproducible Growth of Metalorganic Chemical Vapor Deposition Derived YBa_2_Cu_3_O_X_ Thin Films Using Ultrasonic Gas Concentration Analyzer
Shuu'ichirou Yamamoto, Kouji Nagata, Satoshi Sugai Akio, Sengoku Yasunari, Matsukawa, Takeo Hattori, Shunri Oda
Japanese Journal of Applied Physics 38 ( 8 ) 4727 - 4732 1999年
-
原子層レベルで制御する超伝導界面
超伝導素子研究開発プロジェクト完了報告会紀要 25 - 30 1998年
-
atomic controlled interface of superconductors
Shuu'ichirou Yamamoto, Shunri Oda
Extended Abstracts of Special Session for Superconducting Devices 25 - 30 1998年
-
Atomic layer-by-layer epitaxy of oxide superconductors by MOCVD
S Yamamoto, A Kawaguchi, K Nagata, T Hattori, S Oda
APPLIED SURFACE SCIENCE 112 30 - 37 1997年3月
-
Junction formation in YBaCuO thin films by scanning probe technologies
S Yamamoto, T Watanabe, S Oda
JOURNAL OF LOW TEMPERATURE PHYSICS 106 ( 3-4 ) 423 - 432 1997年2月
-
Anomalous Current-Voltage Characteristics along the c-Axis in YBaCuO Thin Films Prepared by MOCVD and AFM Lithography
Shuu'ichirou Yamamoto, Atsushi Kawaguchi, Shunri Oda
Phisica C 293 ( 1/4 ) 244 - 248 1997年
-
Anomalous Current-Voltage Characteristics along the c-Axis in YBaCuO Thin Films Prepared by MOCVD and AFM Lithography
Shuu'ichirou Yamamoto, Atsushi Kawaguchi, Shunri Oda
Phisica C 293 ( 1/4 ) 244 - 248 1997年
-
Preparation of Thin Films of YBa_2_Cu_3_O_X_ with a Smooth Surface by Atomic Layer MOCVD
Shuu'ichirou Yamamoto, Atsushi Kawaguchi, Shunri Oda
Material Science of Engineering B 41 87 - 92 1996年
-
Preparation of Thin Films of YBa_2_Cu_3_O_X_ with a Smooth Surface by Atomic Layer MOCVD
Shuu'ichirou Yamamoto, Atsushi Kawaguchi, Shunri Oda
Material Science of Engineering B 41 87 - 92 1996年
-
ATOMIC LAYER-BY-LAYER MOCVD OF OXIDE SUPERCONDUCTORS
S ODA, S YAMAMOTO, A KAWAGUCHI
JOURNAL DE PHYSIQUE IV 5 ( C5 ) 379 - 390 1995年6月
-
SUPERCONDUCTIVITY AND SURFACE-MORPHOLOGY OF YBCO THIN-FILMS PREPARED BY METALORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
S ODA, H ZAMA, S YAMAMOTO
IEEE TRANSACTIONS ON APPLIED SUPERCONDUCTIVITY 5 ( 2 ) 1801 - 1804 1995年6月
-
Atomic Layer-by-Layer MOCVD of Oxide Superconductors
Shunri Oda Shuu'ichirou Yamamoto, Atsushi Kawaguchi
Journal de Physique IV C5 379 - 390 1995年
-
STM/AFM Fabricated Junctions of YBaCuO Films
Shuu'ichirou Yamamoto, Hideaki Suzuki Tomotaka Watanabe, Atsushi Kawaguchi, Takeo Hattori, Shunri Oda
Extended Abstracts of 5th International Superconductive Electronics Conference 93 - 95 1995年
-
STM/AFM Fabricated Junctions of YBaCuO Films
Shuu'ichirou Yamamoto, Hideaki Suzuki Tomotaka Watanabe, Atsushi Kawaguchi, Takeo Hattori, Shunri Oda
Extended Abstracts of 5th International Superconductive Electronics Conference 93 - 95 1995年
-
Atomic layer controlled metalorganic chemical vapor deposition of superconducting YBa2Cu3Ox films
Shunri Oda, Hideaki Zama, Shuuichirou Yamamoto
Journal of Crystal Growth 145 ( 1-4 ) 232 - 236 1994年12月
-
Atomic Layer Metalorganic Chemical Vapor Deposition of YBa_2_Cu_3_O_X_ with In Situ Optical Reflectance Measurement
Shunri Oda Hideaki Zama, Shuu'ichirou Yamamoto
Proceedings of the 7th Topical Meeting on Crystal Growth Mechanism 285 - 290 1994年
-
Atomic Layer Metalorganic Chemical Vapor Deposition of YBa_2_Cu_3_O_X_ with In Situ Optical Reflectance Measurement
Shunri Oda Hideaki Zama, Shuu'ichirou Yamamoto
Proceedings of the 7th Topical Meeting on Crystal Growth Mechanism 285 - 290 1994年
-
Atomic layer controlled metalorganic chemical vapor deposition of superconducting YBa_2_Cu_3_O_X_ films
Shunri Oda Hideaki Zama, Shuu'ichirou Yamamoto
Journal of Crystal Growth 145 ( 1/4 ) 232 - 236 1994年
講演・口頭発表等
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Fabrication and characterization of pseudo-spin-MOSFETs
Intl. Conf. Silicon Nano Devices in 2030 2009年
-
Nonvolatile power-gating microprocessor concepts using nonvolatile SRAM and flip-flop
International Symposium on Silicon Nano Devices in 2030 2009年
-
Novel nonvolatile SRAM architecture using MOSFET-based spin-transistors
53rd Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials (MMM2008) 2008年
-
Operating analysis of pseudo-spin-MOSFETs using MTJ with current-induced magnetization switching
The 55th Spring Meeting, 2008; The Japan Society of Applied Physics and Related Scieties 2008年
-
擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性SRAM：電源遮断動作消費電力の評価
平成21年秋季 第70回応用物理学会学術講演会 2009年
-
Nonvolatile SRAM(NV-SRAM) Using Functional MOSFET Merged with Resistive Switching Devices
Proceedings of IEEE 2009 Custom Integrated Circuits Conference (CICC) 2009年
-
Analysis and design of nonvolatile SRAM using spintronics technology
Non-volatile Memory Technology Symposium 2009 (NVMTS09) 2009年
-
擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性DFF：バルーンDFFとの比較
第70回応用物理学会学術講演会 2009年
-
Spin-RAM/ReRAM技術を用いた機能MOSFETとその不揮発性SRAM/フリップフロップへの応用
平成21年秋季 第70回応用物理学会学術講演会 2009年
-
Analysis and Design of Nonvolatile SRAM Using MOSFET-Based Spin-Transistors
Intermag 2009 2009年
-
マイクロプロセッサにおけるエマージングメモリデバイスへの期待
第70回応用物理学会学術講演会 2009年
-
ノンポーラ型抵抗変化素子のSPICEモデル
第56回応用物理学関連連合講演会 2009年
-
抵抗変化素子を用いたFunctional MOSFET/CMOS
第56回応用物理学関連連合講演会 2009年
-
Nonvolatile delay flip-flop using magnetic tunnel junctions with current-induced magnetization switching architecture
IEEE International Magnetics Conference 2009年
-
スピン注入磁化反転MTJを用いた不揮発性Dフリップフロップ
第56回応用物理学関係連合講演会 2009年
-
擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性SRAMの提案と解析
第13回半導体スピン工学の基礎と応用(PASPS-13) 2009年
-
ノンポーラ型抵抗変化素子を用いた不揮発性SRAM
第56回応用物理学関連連合講演会 2009年
-
Pseudo-spin-MOSFETを用いた不揮発性SRAM：情報ストア動作解析
第56回応用物理学関連連合講演会 2009年
-
1T2C型強誘電体メモリアレイの作製と評価
第65回応用物理学会学術講演会講演予稿集 2004年
-
Nonvolatile SRAM and flip-flop architectures using magnetic tunnel junctions with current-induced magnetization switching technology
52nd Annual Conf. on Magnetism and Magnetic Materials 2007年
-
Variability-Tolerant CMOS Gates Using Functional MOSFETs with Resistive Switching Devices
Extended Abstracts of the 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials 2009年
-
Analysis and Design of Nonvolatile SRAM Using MOSFET-Based Spin-Transistors
Intermag 2009 2009年
-
Nonvolatile delay flip-flop using magnetic tunnel junctions with current-induced magnetization switching architecture
IEEE International Magnetics Conference 2009年
-
強磁性トンネル接合を用いたpseudo spin-MOSFETの提案と理論解析
第68回応用物理学会学術講演会 2007年
-
Nonvolatile SRAM and flip-flop architectures using magnetic tunnel junctions with current-induced magnetization switching technology
52nd Annual Conf. on Magnetism and Magnetic Materials 2007年
-
Variability-Tolerant CMOS Gates Using Functional MOSFETs with Resistive Switching Devices
Extended Abstracts of the 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials 2009年
-
スピン注入磁化反転MTJを用いた不揮発性SRAM/ラッチ回路
第68回応用物理学会学術講演会 2007年
-
pseudo spin-MOSFET/spin-MOSFETの不揮発性SRAM/ラッチ回路への応用
第68回応用物理学会学術講演会 2007年
-
Analysis and design of nonvolatile SRAM using spintronics technology
Non-volatile Memory Technology Symposium 2009 (NVMTS09) 2009年
-
Nonvolatile SRAM(NV-SRAM) Using Functional MOSFET Merged with Resistive Switching Devices
Proceedings of IEEE 2009 Custom Integrated Circuits Conference (CICC) 2009年
-
Non-volatile SRAM/latch circuits using MTJ devices with spin transfer torque magnetization switching
The 68th Autumn Meeting, 2007; The Japan Society of Applied Physics 2007年
-
Fabrication and characterization of pseudo-spin-MOSFETs
Intl. Conf. Silicon Nano Devices in 2030 2009年
-
Application of pseudo spin-MOSFET/spin-MOSFET for non-volatile SRAM/latch circuits
The 68th Autumn Meeting, 2007; The Japan Society of Applied Physics 2007年
-
Nonvolatile power-gating microprocessor concepts using nonvolatile SRAM and flip-flop
International Symposium on Silicon Nano Devices in 2030 2009年
-
Analysis and design of nonvolatile SRAM using magnetic tunnel junctions with current-induced magnetization switching technology
53rd Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials (MMM2008) 2008年
-
Proposal and theoretical analysis of pseudo spin-MOSFETs using MTJ devices
The 68th Autumn Meeting, 2007; The Japan Society of Applied Physics 2007年
-
スピン機能MOSFETによるスピントランジスタ・エレクトロニクス
応用物理学会応用電子物性分科会・スピントロニクス研究会共同主催研究会 2008年
-
スピン機能MOSFETを用いた不揮発性高機能・高性能ロジック
応用物理学会応用電子物性分科会・スピントロニクス研究会例会 2008年
-
Analysis and design of nonvolatile SRAM using magnetic tunnel junctions with current-induced magnetization switching technology
53rd Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials (MMM2008) 2008年
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Novel nonvolatile SRAM architecture using MOSFET-based spin-transistors
53rd Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials (MMM2008) 2008年
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スピン注入磁化反転MTJを用いた不揮発性SRAM：通常動作時消費電力の削減
第69回応用物理学会学術講演会 2008年
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スピン注入磁化反転MTJを用いた不揮発性SRAM：Vhalfの影響
第55回応用物理学会関連連合講演会 2008年
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スピンMOSFET を用いたスピントランジスタ・エレクトロニクス
第69回応用物理学会学術講演会 2008年
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マスタ・スレーブ型マルチプロセッサにおける動的可変優先度バス制御方式とその評価
2008年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会 2008年
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スピン注入磁化反転MTJを用いた不揮発性SRAM：仮想接地セルアーキテクチャ
第55回応用物理学会関連連合講演会 2008年
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スピン注入磁化反転MTJを用いたpseudo-spin-MOSFETの動作解析
第55回応用物理学関係連合講演会 2008年
共同研究・競争的資金等の研究課題
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次世代強誘電体メモリの研究開発
資金種別：競争的資金
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research and development of next generation ferro-electric memory
資金種別：競争的資金