研究者詳細 - 町田　克之

2026/08/14 更新

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マチダ　カツユキ

町田　克之

MACHIDA KATSUYUKI

所属

総合研究院未来産業技術研究所特任教授

外部リンク

学位

博士（工学）

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器

経歴

東京工業大学未来産業技術研究所特任教授

2017年4月 - 現在

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東京工業大学大学院理工学研究科連携教授

2010年4月 - 2016年3月

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NTT アドバンステクノロジ

2007年4月 - 2017年3月

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日本電信電話公社武蔵野電気通信研究所及びNTT研究所

1981年4月 - 2007年3月

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論文

Annealing effects on effective Young’s modulus of Ti/Au multi-layered microcantilevers

Tatsuhiko Mori, Tomoyuki Kurioka, Shunkai Watanabe, Chun-Yi Chen, Tso-Fu Mark Chang, Katsuyuki Machida, Hiroyuki Ito, Yoshihiro Miyake, Masato Sone

Micro and Nano Engineering 32 100367 - 100367 2026年9月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Elsevier BV

DOI： 10.1016/j.mne.2026.100367

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Single-axis gold micro-electro-mechanical-systems capacitive accelerometer with circular proof-mass for suppressing warpage

Masako Okumura, Tomoyuki Kurioka, Torauto Yamada, Tatsuhiko Mori, Katsuyuki Machida, Chun-Yi Chen, Tso-Fu Mark Chang, Hiroyuki Ito, Yoshihiro Miyake, Masato Sone

Japanese Journal of Applied Physics 2026年3月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.35848/1347-4065/ae4687

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Effect of Supercritical Carbon Dioxide Emulsification on Nickel Electroplating in Sulfamate Baths at Various CO2 Volume Fractions

Wending Hou, Chun-Yi Chen, Tomoyuki Kurioka, Katsuyuki Machida, Hiroyuki Ito, Yoshihiro Miyake, Tso-Fu Mark Chang, Masato Sone

Journal of The Electrochemical Society 2026年2月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1149/1945-7111/ae3b15

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Evaluation of annealing effects on the deformation of Ti/Au multi-layered micro-cantilevers

Ryosuke Miyai, Tomoyuki Kurioka, Chun-Yi Chen, Tso-Fu Mark Chang, Katsuyuki Machida, Hiroyuki Ito, Yoshihiro Miyake, Masato Sone

Micro and Nano Engineering 100333 - 100333 2025年11月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Elsevier BV

DOI： 10.1016/j.mne.2025.100333

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Evaluation of the Annealing Induced Warpage of an Electrodeposited-Au Octagonal Proof Mass with a Ti/Au Multi-Layered Structure toward MEMS Capacitive Accelerometers

Tatsuhiko Mori, Tomoyuki Kurioka, Chun-Yi Chen, Tso-Fu Mark Chang, Katsuyuki Machida, Hiroyuki Ito, Yoshihiro Miyake, Masato Sone

Journal of The Electrochemical Society 2025年10月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：The Electrochemical Society

Abstract

Annealing effects of the fabrication process on the concave warpage deformation of an electrodeposited-Au octagonal proof mass with a Ti/Au multi-layered structure are reported. The octagonal proof mass is fabricated by using multi-layer metal technology, which consists of the gold electrodeposition and sacrificial film formation. The annealing at and below 150 °C hardly deforms the octagonal proof mass, whereas the annealing at 200 °C induces its concave warpage deformation, and the increase in the annealing temperature causes greater deformation. On the other hand, even after the annealing at 300 °C, the warpage of the octagonal proof mass remains 1% of the length from the center to the periphery of the octagonal proof mass. Also, the measured warpage is found to be approximately one-seventh that of the electrodeposited-Au square proof mass with the almost same size. These results reveal that the octagonal shape is advantageous in the suppression of the warpage deformation of the proof mass.

DOI： 10.1149/1945-7111/ae11d5

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その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.1149/1945-7111/ae11d5/pdf
Void-Free Smooth Nickel Electrodeposition with Supercritical Carbon Dioxide Emulsified Sulfamate Bath in High Current Density

Wending Hou, Chun-Yi Chen, Tomoyuki Kurioka, Katsuyuki Machida, Hiroyuki Ito, Yoshihiro Miyake, Tso-Fu Mark Chang, Masato Sone

Journal of The Electrochemical Society 2025年9月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：The Electrochemical Society

Abstract

Supercritical carbon dioxide (scCO₂) emulsions are used in the electrodeposition of nickel from a nickel sulfamate bath at current densities ranging from 0.03 to 0.36 A/cm². ScCO₂ emulsions are formed by mixing scCO₂, surfactants, and the aqueous nickel sulfamate bath. Nickel films obtained by electrodeposition with scCO₂ emulsions (ESCE) were compared to those produced by conventional electrodeposition (CONV). The use of scCO₂ emulsions improves the quality of the nickel film, even at high current densities up to 0.36 A/cm², as evidenced by reduced grain size and decreased surface roughness. The Faradaic efficiency (FE) of the deposition reaction by CONV gradually decreased from 95% to 90% as the current density increased from 0.03 to 0.36 A/cm², while the FE by ESCE decreased from 82% to 70%. The lowered FE is suggested to result from promoted hydrogen evolution due to the introduction of scCO₂ emulsions. Grain refinement and an increased Vickers hardness value of up to 780 HV are attributed to the periodic plating characteristic mechanism.

DOI： 10.1149/1945-7111/ae05cf

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その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.1149/1945-7111/ae05cf/pdf
Design and evaluation of a dual-detection range single-axis MEMS capacitive accelerometer with gold proof-mass structure for suppressed warpage

Devi Srujana Tenneti, Chihaya Mukaide, Kisuke Miyado, Torauto Yamada, Katsuyuki Machida, Tomoyuki Kurioka, Tso-Fu Mark Chang, Masato Sone, Yoshihiro Miyake, Hiroyuki Ito

Japanese Journal of Applied Physics 2025年4月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.35848/1347-4065/adc3a0

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Application of high-sensitivity acceleration sensor detecting micro-mechanomyogram and deep learning for Parkinson’s disease classification

Jingyu Quan, Hirotaka Uchitomi, Ryo Shigeyama, Chenguang Gao, Taiki Ogata, Akira Inaba, Satoshi Orimo, Hiroyuki Ito, Katsuyuki Machida, Masato Sone, Yoshihiro Miyake

Scientific Reports 14 ( 1 ) 2024年10月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Springer Science and Business Media LLC

DOI： 10.1038/s41598-024-74526-x

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その他リンク： https://www.nature.com/articles/s41598-024-74526-x
Simultaneous Necking and Barreling Deformation Behaviors in Bending of Single-Crystal Gold Micro-Cantilever

Kazuya Fujita, Kosuke Suzuki, Keisuke Asano, Chun-Yi Chen, Tomoyuki Kurioka, Katsuyuki Machida, Hiroyuki Ito, Yoshihiro Miyake, Masato Sone, Tso-Fu Mark Chang

Materials 17 ( 16 ) 4054 - 4054 2024年8月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：MDPI AG

Necking and barreling deformation behaviors occurred simultaneously during the bending test of a single-crystal gold micro-cantilever (sample A) with the loading direction parallel to the [1-10] orientation and the neutral plane parallel to the [110] orientation. In contrast, for another single-crystal gold micro-cantilever, sample B, with the loading direction aligned parallel to the [0.37 −0.92 0.05] orientation and the neutral plane parallel to the [0.54 0.28 0.78] orientation, predominant slip band deformation was noted. Sample A exhibited activation of four slip systems, whereas sample B demonstrated activity in only a single-slip system. This difference suggests that the presence of multiple slip systems contributes to the concurrent occurrence of necking and barreling deformations. Furthermore, variations in the thickness of the micro-cantilevers resulted in observable strengthening, indicating that the effect of sample size is intricately linked to the geometry of the cross-section, which we have termed the “sample geometry effect”.

DOI： 10.3390/ma17164054

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Dependence of Structural Design on Effective Young's Modulus of Ti/Au Multi-layered Micro-cantilevers

Shunkai Watanabe, Tomoyuki Kurioka, Chun-Yi Chen, Tso-Fu Mark Chang, Akira Onishi, Parthojit Chakraborty, Katsuyuki Machida, Hiroyuki Ito, Yoshihiro Miyake, Masato Sone

Micro and Nano Engineering 23 100249 - 100249 2024年6月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Elsevier BV

DOI： 10.1016/j.mne.2024.100249

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Cross-sectional geometry effect on bending strength of gold micro-cantilever with trapezoidal cross-section

Ryohei Hori, Kazuya Fujita, Chun Yi Chen, Tomoyuki Kurioka, Jhen-Yang Wu, Tso-Fu Mark Chang, Katsuyuki Machida, Hiroyuki Ito, Yoshihiro Miyake, Masato Sone

Micro and Nano Engineering 23 100259 - 100259 2024年6月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Elsevier BV

DOI： 10.1016/j.mne.2024.100259

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Effects of the strain rate in compression of electrodeposited gold micro-pillars toward the design of MEMS components 査読

Syota Kanno, Taro Omura, Tomoyuki Kurioka, Chun-Yi Chen, Parthojit Chakraborty, Katsuyuki Machida, Hiroyuki Ito, Yoshihiro Miyake, Masato Sone, Tso-Fu Mark Chang

Micro and Nano Engineering 100254 2024年4月

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記述言語：英語

DOI： 10.1016/j.mne.2024.100254

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Warpage Study of Electrodeposited-Au Micro-Components with Ti/Au Multi-Layered Structures toward MEMS Applications 査読

Taro Omura, Tomoyuki Kurioka, Chun-Yi Chen, Tso-Fu Mark Chang, Akira Onishi, Parthojit Chakraborty, Katsuyuki Machida, Hiroyuki Ito, Yoshihiro Miyake, Masato Sone

Journal of The Electrochemical Society 2024年3月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1149/1945-7111/ad2ba9

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Serpentine spring design technique for high sensitivity MEMS capacitive accelerometer fabricated by gold multi-layer metal technology

Kisuke Miyado, Devi Srujana Tenneti, Akira Onishi, Katsuyuki Machida, Tomoyuki Kurioka, Tso-Fu Mark Chang, Masato Sone, Yoshihiro Miyake, Hiroyuki Ito

Japanese Journal of Applied Physics 63 ( 4 ) 04SP23 - 04SP23 2024年3月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：IOP Publishing

Abstract

This paper describes a design technique for serpentine spring with the edge span beam L/2. In order to improve design accuracy, we investigate the key structure parameters influenced by the fabrication process for MEMS device, comparing finite element analysis (FEA) and analytical models. It is found that the Fedder model as the analytical model is suitable for the spring constant characteristics of FEA with the edge span beam L/2. Further, the thickness and width are found to be the key structure parameters and the dominant factor of variation regarding the serpentine spring. Based on the analysis, we propose a spring design technique. The experimental results show that the variation between the measured data of 4.46 N m⁻¹ and the design value of 4.15 N m⁻¹ was 7.5%, satisfying the target of ±10%. It is confirmed that the proposed technique can establish the serpentine spring for high sensitivity gold proof-mass MEMS accelerometers.

DOI： 10.35848/1347-4065/ad2913

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その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ad2913/pdf
Clarification of geometric effects on long-term structural stability of Ti/au multi-layered Micro-cantilevers

Ryosuke Miyai, Tomoyuki Kurioka, Chun-Yi Chen, Tso-Fu Mark Chang, Akira Onishi, Parthojit Chakraborty, Katsuyuki Machida, Hiroyuki Ito, Yoshihiro Miyake, Masato Sone

Micro and Nano Engineering 100244 - 100244 2024年3月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Elsevier BV

DOI： 10.1016/j.mne.2024.100244

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Impurity Analysis of Electroplated Gold Components with Multi-Layered Structures by Thermal Desorption Spectrometry toward Application in Gold Micro Electro Mechanical System Capacitive Accelerometers 査読

Takumi Akiyama, Tomoyuki Kurioka, Chun-Yi Chen, Tso-Fu Mark Chang, Parthojit Chakraborty, Katsuyuki Machida, Hiroyuki Ito, Yoshihiro Miyake, Masato Sone

Micro and Nano Engineering 21 100226 - 100226 2023年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.mne.2023.100226

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Correlation of Sample Geometry and Grain Size in Micro-Bending of Electrodeposited Polycrystalline Gold

Kosuke Suzuki, Yiming Jiang, Ryohei Hori, Ken Hashigata, Tomoyuki Kurioka, Chun-Yi Chen, Tso-Fu Mark Chang, Parthojit Chakraborty, Katsuyuki Machida, Hiroyuki Ito, Yoshihiro Miyake, Masato Sone

Materials Today Communications 106072 - 106072 2023年4月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Elsevier BV

DOI： 10.1016/j.mtcomm.2023.106072

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Gold Single-Axis Differential Capacitive MEMS Accelerometer With Proof-Mass Position Control Electrode Fabricated by Post-CMOS Technology 査読

Akira Onishi, Kisuke Miyado, Devi Srujana Tenneti, Katsuyuki Machida, Parthojit Chakraborty, Masato Sone, Yoshihiro Miyake, Hiroyuki Ito

IEEE 2023 INERTIAL 2023年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/INERTIAL56358.2023.10103943

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Detection system for Legionella bacteria using photogate-type optical sensor

Yuto Honda, Ryosuke Ichikawa, Yong Joon Choi, Kensuke Murakami, Kazuhiro Takahashi, Toshihiko Noda, Kazuaki Sawada, Hiromu Ishii, Katsuyuki Machida, Hiroyuki Ito, Satoshi Miyahara, Yasuhiko Nikaido, Mitsumasa Saito

Japanese Journal of Applied Physics 61 ( SD ) SD1010 - SD1010 2022年6月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：IOP Publishing

Abstract

This study describes a bacterial sensing system using a photogate-type fluorescence sensor for the purpose of identifying Legionella bacteria, which are known to emit different fluorescence for each bacterial species when irradiated with UV excitation light. First a weak-photocurrent measurement system in combination with a photogate-type optical sensor and a circuit board which was mounted with a current–voltage converter, an analog-to-digital converter, and a microcomputer was fabricated. Then weak-light measurement was performed by simulating the bacterial fluorescence of Legionella. A difference in the current ratio generated in the sensor was found depending on the wavelength of the LED light source, showing that the system works as a spectrometer. Finally, the system was applied to measure the fluorescence of the species of Legionella dumoffii and Legionella erythra and each species of Legionella was identified just by obtaining the current ratio.

DOI： 10.35848/1347-4065/ac5a25

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その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ac5a25/pdf
Simplified Analytical Damping Constant Model for Design of MEMS Capacitive Accelerometer with Gold Perforated Proof-mass Structure 査読

Kohei Shibata, Akihiro Uchiyama, Akira Onishi, Katsuyuki Machida, Shin-ichi Iida, Toshifumi Konishi, Masato Sone, Yoshihiro Miyake, Hiroyuki Ito

IEEE Sensors Journal 22 ( 15 ) 14769 - 14778 2022年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/JSEN.2022.3184340

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Effect of current density on micro-mechanical property of electrodeposited gold film evaluated by micro-compression

Taro Omura, Chun-Yi Chen, Tso-Fu Mark Chang, Daisuke Yamane, Hiroyuki Ito, Katsuyuki Machida, Kazuya Masu, Masato Sone

Surface and Coatings Technology 436 128315 - 128315 2022年4月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Elsevier BV

DOI： 10.1016/j.surfcoat.2022.128315

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Suppressed drift and low-noise sensor module with a single-axis gold proof-mass MEMS accelerometer for micro muscle sound measurement 査読

Akira Onishi, Kohei Shibata, Akihiro Uchiyama, Katsuyuki Machida, Taiki Ogata, Noboru Ishihara, Hirotaka Uchitomi, Tso-Fu Mark Chang, Masato Sone, Yoshihiro Miyake, Hiroyuki Ito

Japanese Journal of Applied Physics 2022年3月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：IOP Publishing

Abstract

This paper describes a highly sensitive microelectromechanical systems (MEMS) accelerometer sensor module to measure micro muscle sounds. Regarding the drift mechanism, we focus on charged particles based on residual water related to MEMS fabrication. Based on temperature programmed desorption (TPD) analysis and electrical experiments, it is clarified that the drift is caused by negatively charged OH− and is suppressed by vacuum packaging. The noise floor can be reduced by the improved sensitivity of the MEMS accelerometer. The developed MEMS accelerometer can realize the sensitivity of 1157.0 fF/G and Brownian noise of 149.0 nG/√Hz. The developed sensor module consisting of the developed MEMS accelerometer and the capacitance to digital converter (CDC) can achieve a noise floor of 26.7 μG/√Hz without any obvious drifts, establishing the target value of less than 50 μG/√Hz. Therefore, it is confirmed that the developed sensor module can detect micro muscle sounds without contracting a muscle in the frequency range of 20–40 Hz.

DOI： 10.35848/1347-4065/ac5b25

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その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ac5b25/pdf
MEMSデバイスへの応用に向けた金ニッケル合金の微小機械的特性の評価

三宅美博, 町田克之, 曽根正人, 秋山拓海, 山根大輔, 簡佑安, Tso Fu Mark Chang, 陳君怡, 伊藤浩之

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2022.1 2332 - 2332 2022年2月

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記述言語：日本語出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

DOI： 10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2332

CiNii Research

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Au単結晶の微小カンチレバーの機械的特性における断面形状依存性

陳君怡, 藤田一矢, Chang Tso-Fu Mark, 伊藤浩之, 町田克之, 三宅美博, 曽根正人, 保里亮平

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2022.1 2331 - 2331 2022年2月

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記述言語：日本語出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

DOI： 10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2331

CiNii Research

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金単結晶微小カンチレバーの機械的特性とサンプル形状効果

藤田一矢, 鈴木康介, 陳君怡, ツォーフーマークチャン, 伊東浩之, 山根大輔, 町田克之, 益一哉, 曽根正人

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2021.2 2581 - 2581 2021年8月

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記述言語：日本語出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

DOI： 10.11470/jsapmeeting.2021.2.0_2581

CiNii Research

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A MEMS ACCELEROMETER with A SINGLE AXIS TWO PROOF MASSES for A WIDE DETECTION RANGE

Akihiro Uchiyama, Takashi Ichikawa, Kohei Shibata, Shin-Ichi Iida, Sangyeop Lee, Noboru Ishihara, Katsuyuki MacHida, Kazuya Masu, Hiroyuki Ito

21st International Conference on Solid-State Sensors, Actuators and Microsystems, TRANSDUCERS 2021 112 - 115 2021年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

DOI： 10.1109/Transducers50396.2021.9495507

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Effective Young’s Modulus of Complex Three Dimensional Multilayered Ti/Au Micro-Cantilevers Fabricated by Electrodeposition and the Temperature Dependency 招待査読

Hitomi Watanabe, Tso-Fu Mark Chang, Michael Schneider, Ulrich Schmid, Chun-Yi Chen, Shinichi Iida, Daisuke Yamane, Hiroyuki Ito, Katsuyuki Machida, Kazuya Masu, Masato Sone

Electrochem 2021年4月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.3390/electrochem2020015

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A 3-D Capacitive-Detection Electrode for a Single Gold Proof-Mass Three-Axis MEMS Accelerometer 査読

Takashi Ichikawa, Akihiro Uchiyama, Kohei Shibata, Shinichi Iida, Sangyeop Lee, Noboru Ishihara, Katsuyuki Machida, Kazuya Masu, Hiroyuki Ito

INERTIAL 2021 - 8th IEEE International Symposium on Inertial Sensors and Systems, Proceedings 2021年3月

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/INERTIAL51137.2021.9430475

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A Highly Sensitive MEMS Accelerometer Module for Measuring Micro Muscular Sounds

Hiroyuki Ito, Katsuyuki MacHida, Noboru Ishihara, Yoshihiro Miyake, Kazuya Masu

ECS Transactions 104 ( 4 ) 83 - 91 2021年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）出版者・発行元：IOP Publishing Ltd

DOI： 10.1149/10404.0083ecst

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Sensing Legionella by photogate-type fluorescence sensor: Application to Legionella dumoffii 査読

Sawako Tanaka, Young Joon Choi, Makoto Ishida, Kazuaki Sawada, Hiromu Ishii, Katsuyuki Machida, Yasuhiko Nikaido, Mitsumasa Saito, Shin ichi Yoshida

Electronics and Communications in Japan 103 ( 11-12 ) 83 - 89 2020年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1002/ecj.12269

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Effects of Sample Geometry on Micro-Mechanical Property of Single Crystal Gold for Applications in Microelectronics 査読

Kazuya Fujita, Kosuke Suzuki, Chun-Yi Chen, Tso-Fu Mark Chang, Hiroyuki Ito, Katsuyuki Machida, Kazuya Masu, Masato Sone

ECS Meeting Abstracts 2020年11月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1149/MA2020-02653307mtgabs

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Effects of Sample Geometry and Grain Size on Mechanical Property of Electrodeposited Gold Evaluated By Micro-Bending Test 査読

Kosuke Suzuki, Yu-An Chien, Ken Hashigata, Keisuke Asano, Chun-Yi Chen, Tso-Fu Mark Chang, Daisuke Yamane, Hiroyuki Ito, Katsuyuki Machida, Kazuya Masu, Masato Sone

ECS Meeting Abstracts 2020年11月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1149/MA2020-02653306mtgabs

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Co-Electrodeposition of Au–TiO2 Nanocomposite and the Micro-Mechanical Properties

Yu-An Chien, Tso-Fu Mark Chang, Chun-Yi Chen, Daisuke Yamane, Hiroyuki Ito, Katsuyuki Machida, Kazuya Masu, Masato Sone

Electrochem 1 ( 4 ) 388 - 393 2020年11月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：MDPI AG

Strengthening of electrodeposited Au-based materials is achieved by co-electrodeposition with TiO2 nanoparticles dispersed in a sulfide-based gold electrolyte. TiO2 content in the composite film is adjusted by concentration of the TiO2 in the gold electrolyte. Effects of the TiO2 content on surface morphology, crystalline structure and microstructure of the composite film are investigated. Mechanical properties of the Au–TiO2 composite films are evaluated by micro-Vickers hardness and micro-compression tests. The hardness increases from 135 to 207 HV when the TiO2 content is increased from 0 to 2.72 wt%. Specimens used in the micro-compression test are micro-pillars fabricated from the composite film, and the yield strength reaches 0.84 GPa by incorporating 2.72 wt% TiO2 into the film.

DOI： 10.3390/electrochem1040025

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Sample geometry effect on mechanical property of gold micro-cantilevers by micro-bending test

Kosuke Suzuki, Tso Fu Mark Chang, Ken Hashigata, Keisuke Asano, Chun Yi Chen, Takashi Nagoshi, Daisuke Yamane, Hiroyuki Ito, Katsuyuki Machida, Kazuya Masu, Masato Sone

MRS Communications 10 ( 3 ) 434 - 438 2020年9月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1557/mrc.2020.38

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A 100-nG/√ Hz-Level Single Au Proof-Mass 3-Axis MEMS Accelerometer with Pillar-Shaped electrodes

Takashi Ichikawa, Ken Atsumi, Tatsuya Koga, Hiroyuki Ito, Shin Ichi Iida, Noboru Ishihara, Daisuke Yamane, Katsuyuki Machida, Kazuya Masu

2020 Symposium on Design, Test, Integration and Packaging of MEMS and MOEMS, DTIP 2020 2020年6月

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/DTIP51112.2020.9139134

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Sensing legionella by photogate-type fluorescence sensor

Sawako Tanaka, Young Joon Choi, Makoto Ishida, Kazuaki Sawada, Hiromu Ishii, Katsuyuki Machida, Yasuhiko Nikaido, Mitsumasa Saito, Shin Ichi Yoshida

IEEJ Transactions on Sensors and Micromachines 140 ( 5 ) 103 - 108 2020年5月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1541/ieejsmas.140.103

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Electrodeposition of Au-Cu Alloys and the Micro-Mechanical Properties 査読

Tso-Fu Mark Chang, Haochun Tang, Chun-Yi Chen, Daisuke Yamane, Hiroyuki Ito, Katsuyuki Machida, Kazuya Masu, Masato Sone

ECS Meeting Abstracts {MA}2020-01 ( 20 ) 1233 - 1233 2020年5月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：The Electrochemical Society

DOI： 10.1149/MA2020-01201233mtgabs

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CMOS-MEMS based microgravity sensor and its application

Kazuya Masu, Katsuyuki Machida, Daisuke Yamane, Hiroyuki Ito, Noboru Ishihara, Tso Fu Mark Chang, Masato Sone, Ryo Shigeyama, Taiki Ogata, Yoshihiro Miyake

ECS Transactions 97 ( 5 ) 91 - 108 2020年4月

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1149/09705.0091ecst

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A Gold Proof-Mass Differential MEMS Accelerometer for Micro-G Level Sensing

Tatsuya Koga, Takashi Ichikawa, Daisuke Yamane, Shinichi Iida, Noboru Ishihara, Hiroyuki Ito, Katsuyuki Machida, Kazuya Masu

INERTIAL 2020 - 7th IEEE International Symposium on Inertial Sensors and Systems, Proceedings 2020年3月

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/INERTIAL48129.2020.9090069

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Alloy Electroplating and Young's Modulus Characterization of AuCu Alloy Microcantilevers

Kyotaro Nitta, Tso Fu Mark Chang, Haochun Tang, Chun Yi Chen, Shinichi Iida, Daisuke Yamane, Katsuyuki MacHida, Hiroyuki Ito, Kazuya Masu, Masato Sone

Journal of the Electrochemical Society 167 ( 8 ) 2020年1月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1149/1945-7111/ab8805

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Fabrication of Au-Cu Alloy/Ti Layered Micro-Cantilevers and the Long-Term Structure Stability 査読

Kyotaro Nitta, Masato Sone, Haochun Tang, Chun Yi Chen, Tso Fu Mark Chang, Daisuke Yamane, Shinichi Iida, Katsuyuki Machida, Hiroyuki Ito, Kazuya Masu

Proceedings of IEEE Sensors 2019-October 2019年10月

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/SENSORS43011.2019.8956496

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High-Sensitivity Inertial Sensor Module to Measure Hidden Micro Muscular Sounds 査読

Tatsuya Koga, Katsuyuki Machida, Yoshihiro Miyake, Kazuya Masu, Takashi Ichikawa, Naoto Tanaka, Taiki Ogata, Hiroki Ora, Daisuke Yamane, Noboru Ishihara, Hiroyuki Ito, Masato Sone

BioCAS 2019 - Biomedical Circuits and Systems Conference, Proceedings 2019年10月

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/BIOCAS.2019.8919151

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Identification of Legionella Species by Photogate-Type Optical Sensor

Sawako Tanaka, Yoshida Shin-Ichi, Yong Joon Choi, Toshihiko Noda, Makoto Ishida, Kazuaki Sawada, Hiromu Ishii, Katsuyuki Machida, Yasuhiko Nikaido, Mitsumasa Saito

Proceedings of IEEE Sensors 2019-October 2019年10月

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/SENSORS43011.2019.8956717

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レジオネラ属菌の蛍光強度の励起光強度依存性 Ⅱ

田中佐和子, 崔容俊, 石田誠, 澤田和明, 石井仁, 町田克之, 二階堂靖彦, 齋藤光正, 吉田眞一

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2019.2 3096 - 3096 2019年9月

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記述言語：日本語出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

DOI： 10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_3096

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Nanoscale hierarchical structure of twins in nanograins embedded with twins and the strengthening effect 査読

Haochun Tang, Tso Fu Mark Chang, Yaw Wang Chai, Chun Yi Chen, Takashi Nagoshi, Daisuke Yamane, Hiroyuki Ito, Katsuyuki Machida, Kazuya Masu, Masato Sone

Metals 9 ( 9 ) 2019年9月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.3390/met9090987

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Cu-alloying effect on structure stability of electrodeposited gold-based micro-cantilever evaluated by long-term vibration test 査読

Kyotaro Nitta, Tso Fu Mark Chang, Koichiro Tachibana, Haochun Tang, Chun Yi Chen, Shinichi Iida, Daisuke Yamane, Hiroyuki Ito, Katsuyuki Machida, Kazuya Masu, Masato Sone

Microelectronic Engineering 215 2019年7月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.mee.2019.111001

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Strengthening of micro-cantilever by Au/Ti bi-layered structure evaluated by micro-bending test toward MEMS devices 査読

Ken Hashigata, Tso Fu Mark Chang, Haochun Tang, Chun Yi Chen, Daisuke Yamane, Toshifumi Konishi, Hiroyuki Ito, Katsuyuki Machida, Kazuya Masu, Masato Sone

Microelectronic Engineering 213 13 - 17 2019年5月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.mee.2019.04.008

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Pillar-Shaped Electrodes for 3-axis Gold-Proof-Mass MEMS Capacitive Accelerometers 査読

Ken Atsumi, Shota Otobe, Tatsuya Koga, Takashi Ichikawa, Daisuke Yamane, Shinichi Iida, Hiroyuki Ito, Noboru Ishihara, Masato Sone, Katsuyuki Machida, Kazuya Masu

2019 Symposium on Design, Test, Integration and Packaging of MEMS and MOEMS, DTIP 2019 2019年5月

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/DTIP.2019.8752744

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レジオネラ属菌の蛍光強度の励起光強度依存性

田中佐和子, 崔容俊, 石田誠, 澤田和明, 石井仁, 町田克之, 二階堂靖彦, 齋藤光正, 吉田眞一

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2019.1 2759 - 2759 2019年2月

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記述言語：日本語出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

DOI： 10.11470/jsapmeeting.2019.1.0_2759

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Long-term structure stability of Ti/Au layered micro-cantilever evaluated by vibration test 査読

Koichiro Tachibana, Tso Fu Mark Chang, Chun Yi Chen, Daisuke Yamane, Toshifumi Konishi, Hiroyuki Ito, Katsuyuki Machida, Kazuya Masu, Masato Sone

Microelectronic Engineering 207 33 - 36 2019年2月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.mee.2019.01.002

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A 3-D Parallel-Plate MEMS Accelerometer with a Gold Proof Mass

Daisuke Yamane, Shota Otobe, Ken Atsumi, Tatsuya Koga, Toshifumi Konishi, Teruaki Safu, Shinichi Iida, Hiroyuki Ito, Noboru Ishihara, Katsuyuki Machida, Kazuya Masu

Proceedings of the IEEE International Conference on Micro Electro Mechanical Systems (MEMS) 2019-January 684 - 687 2019年1月

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/MEMSYS.2019.8870627

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A MEMS accelerometer for sub-Mg sensing 査読

Daisuke Yamane, Toshifumi Konishi, Teruaki Safu, Hiroshi Toshiyoshi, Masato Sone, Katsuyuki Machida, Hiroyuki Ito, Kazuya Masu

Sensors and Materials 31 ( 9 ) 2883 - 2894 2019年

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.18494/SAM.2019.2122

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MEMS accelerometer fabricated by gold multi-layer metal technology 査読

K. Machida, D. Yamane, T. Konishi, S. Iida, N. Ishihara, T. M. Chang, M. Sone, H. Ito, K. Masu

ECS Transactions 92 ( 4 ) 169 - 184 2019年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1149/09204.0I69ecst

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Bacterial identification by using photogate-type optical sensor

H. Ishii, S. Tanaka, M. Ishida, K. Sawada, K. Machida, Y. Nikaido, M. Saito, S. Yoshida

ECS Transactions 92 ( 4 ) 155 - 162 2019年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1149/09204.0155ecst

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Pulse-Current Electrodeposition of Gold

Chun-Yi Chen, Masaharu Yoshiba, Haochun Tang, Tso-Fu Mark Chang, Takashi Nagoshi, Daisuke Yamane, Toshifumi Konishi, Katsuyuki Machida

Novel Metal Electrodeposition and the Recent Application 2019年

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.5772/INTECHOPEN.80845

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Electrodeposition of Gold Alloys and the Mechanical Properties

Haochun Tang, Tso-Fu Mark Chang, Chun-Yi Chen, Takashi Nagoshi, Daisuke Yamane, Toshifumi Konishi, Katsuyuki Machida

Novel Metal Electrodeposition and the Recent Application 2019年

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.5772/INTECHOPEN.80755

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High strength electrodeposited Au-Cu alloys evaluated by bending test toward movable micro-components 査読

Keisuke Asano, Tso Fu Mark Chang, Haochun Tang, Takashi Nagoshi, Chun Yi Chen, Daisuke Yamane, Hiroyuki Ito, Katsuyuki Machida, Kazuya Masu, Masato Sone

ECS Journal of Solid State Science and Technology 8 ( 8 ) P412 - P415 2019年

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1149/2.0151908jss

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Sample size effect on micro-mechanical properties of gold electroplated with dense carbon dioxide 査読

Haochun Tang, Ken Hashigata, Tso Fu Mark Chang, Chun Yi Chen, Takashi Nagoshi, Daisuke Yamane, Toshifumi Konishi, Katsuyuki Machida, Kazuya Masu, Masato Sone

Surface and Coatings Technology 350 1065 - 1070 2018年9月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.surfcoat.2018.02.041

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Promoted bending strength in micro-cantilevers composed of nanograined gold toward MEMS applications 査読

Keisuke Asano, Haochun Tang, Chun Yi Chen, Takashi Nagoshi, Tso Fu Mark Chang, Daisuke Yamane, Toshifumi Konishi, Katsuyuki Machida, Kazuya Masu, Masato Sone

Microelectronic Engineering 196 20 - 24 2018年9月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.mee.2018.04.021

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積層メタル技術を用いたMEMS慣性センサの封止環境における温度依存性

小西敏文, 山根大輔, 佐布晃昭, 陳君怡, Chang Tso-Fu Mark, 伊藤浩之, 道正志郎, 石原昇, 曽根正人, 町田克之, 益一哉, 飯田慎一

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2018.1 3125 - 3125 2018年3月

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記述言語：日本語出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

DOI： 10.11470/jsapmeeting.2018.1.0_3125

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Enhancement in structure stability of gold micro-cantilever by constrained fixed-end in MEMS devices 査読

Minami Teranishi, Chun Yi Chen, Tso Fu Mark Chang, Toshifumi Konishi, Daisuke Yamane, Katsuyuki Machida, Kazuya Masu, Masato Sone

Microelectronic Engineering 187-188 105 - 109 2018年2月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.mee.2017.11.015

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Au-Cu alloys prepared by pulse electrodeposition toward applications as movable micro-components in electronic devices 査読

Haochun Tang, Chun Yi Chen, Tso Fu Mark Chang, Takashi Nagoshi, Daisuke Yamane, Toshifumi Konishi, Katsuyuki Machida, Kazuya Masu, Masato Sone

Journal of the Electrochemical Society 165 ( 2 ) D58 - D63 2018年

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1149/2.0441802jes

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Microgravity generation using tilting board for resolution evaluation of MEMS accelerometer

Motohiro Takayasu, Ippei Tsuji, Hiroyuki Ito, Daisuke Yamane, Shiro Dosho, Toshifumi Konishi, Noboru Ishihara, Katsuyuki Machida, Kazuya Masu

Sensors and Materials 30 ( 12 ) 2919 - 2926 2018年

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.18494/SAM.2018.1840

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Deformation behavior of electroplated gold composed of nano-columnar grains embedded in micro-columnar textures 査読

Masaharu Yoshiba, Chun Yi Chen, Tso Fu Mark Chang, Takashi Nagoshi, Daisuke Yamane, Katsuyuki Machida, Kazuya Masu, Masato Sone

Materials Letters 202 82 - 85 2017年9月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.matlet.2017.05.066

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ビーズを用いたPDMS製細菌捕獲チップの検討ⅤI - レジオネラ蛍光の減衰過程の解析 -

大西脩平, 崔容俊, 石田誠, 澤田和明, 石井仁, 町田克之, 益一哉, 二階堂靖彦, 齋藤光正, 吉田眞一

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2017.2 2957 - 2957 2017年8月

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記述言語：日本語出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

DOI： 10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_2957

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A study on young's modulus of electroplated gold cantilevers for MEMS devices 査読

Hideaki Nakajima, Tso Fu Mark Chang, Chun Yi Chen, Toshifumi Konishi, Katsuyuki Machida, Hiroshi Toshiyoshi, Daisuke Yamane, Kazuya Masu, Masato Sone

2017 IEEE 12th International Conference on Nano/Micro Engineered and Molecular Systems, NEMS 2017 264 - 267 2017年8月

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/NEMS.2017.8017021

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金めっきで形成したMEMS加速度センサの長期振動特性に関する検討

山根大輔, 小西敏文, 佐布晃昭, 橘航一朗, 寺西美波, 陳君怡, Chang Tso-Fu Mark, 曽根正人, 町田克之, 益一哉

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2017.2 2951 - 2951 2017年8月

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記述言語：日本語出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

DOI： 10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_2951

CiNii Research

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Micro-bending testing of electrodeposited gold for applications as movable components in MEMS devices 査読

Keisuke Asano, Hao Chun Tang, Chun Yi Chen, Takashi Nagoshi, Tso Fu Mark Chang, Daisuke Yamane, Katsuyuki Machida, Kazuya Masu, Masato Sone

Microelectronic Engineering 180 15 - 19 2017年8月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.mee.2017.05.044

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Long-term vibration characteristics of MEMS inertial sensors by multi-layer metal technology 査読

Daisuke Yamane, Toshifumi Konishi, Teruaki Safu, Koichiro Tachibana, Minami Teranishi, Chun Yi Chen, Tso Fu Mark Chang, Masato Sone, Katsuyuki Machida, Kazuya Masu

TRANSDUCERS 2017 - 19th International Conference on Solid-State Sensors, Actuators and Microsystems 2187 - 2190 2017年7月

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/TRANSDUCERS.2017.7994510

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Tensile tests of micro-specimens composed of electroplated gold 査読

Sari Yanagida, Tso Fu Mark Chang, Chun Yi Chen, Takashi Nagoshi, Daisuke Yamane, Katsuyuki Machida, Kazuya Masu, Masato Sone

Microelectronic Engineering 174 6 - 10 2017年4月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.mee.2016.12.004

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ビーズを用いたPDMS製細菌捕獲チップの検討Ⅴ - フィルタフリー蛍光センサの適用 -

大西脩平, 崔容俊, 石田誠, 澤田和明, 石井仁, 町田克之, 益一哉, 二階堂靖彦, 齋藤光正, 吉田眞一

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2017.1 2973 - 2973 2017年3月

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記述言語：日本語出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

DOI： 10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_2973

CiNii Research

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積層メタル技術によるTi/Auめっき構造体のヤング率評価（１）

山根大輔, 小西敏文, 佐布晃昭, 中島英亮, 寺西美波, 陳君怡, Chang Tso-Fu Mark, 曽根正人, 年吉洋, 益一哉, 町田克之

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2017.1 2960 - 2960 2017年3月

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記述言語：日本語出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

DOI： 10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_2960

CiNii Research

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A damping constant model for proof-mass structure design of MEMS inertial sensor by multi-layer metal technology 査読

Toshifumi Konishi, Teruaki Safu, Katsuyuki Machida, Daisuke Yamane, Masato Sone, Kazuya Masu, Hiroshi Toshiyoshi

Proceedings of IEEE Sensors 2017年1月

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/ICSENS.2016.7808793

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High-strength electroplated Au-Cu alloys as micro-components in MEMS devices 査読

Haochun Tang, Chun Yi Chen, Masaharu Yoshiba, Takashi Nagoshi, Tso Fu Mark Chang, Daisuke Yamane, Katsuyuki Machida, Kazuya Masu, Masato Sonea

Journal of the Electrochemical Society 164 ( 4 ) D224 - D247 2017年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1149/2.141704jes

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Detection of bacterial fluorescence by the combination of MEMS microfluidic chip and si photodetector toward on-chip biological sensing

S. Onishi, C. Y. Joon, M. Ishida, K. Sawada, H. Ishii, K. Machida, K. Masu, Y. Nikaido, M. Saito, S. Yoshida

ECS Transactions 80 ( 4 ) 157 - 164 2017年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1149/08004.0157ecst

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A design of spring constant arranged for MEMS accelerometer by multi-layer metal technology 査読

Daisuke Yamane, Toshifumi Konishi, Teruaki Safu, Hiroshi Toshiyoshi, Masato Sone, Kazuya Masu, Katsuyuki Machida

2016 IEEE 11th Annual International Conference on Nano/Micro Engineered and Molecular Systems, NEMS 2016 419 - 422 2016年11月

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/NEMS.2016.7758281

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Evaluation and modeling of adhesion layer in shock-protection structure for MEMS accelerometer 査読

Daisuke Yamane, Toshifumi Konishi, Teruaki Safu, Hiroshi Toshiyoshi, Masato Sone, Kazuya Masu, Katsuyuki Machida

Microelectronics Reliability 66 78 - 84 2016年11月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.microrel.2016.09.018

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Enhancement of mechanical strength in Au films electroplated with supercritical carbon dioxide 査読

Haochun Tang, Chun Yi Chen, Takashi Nagoshi, Tso Fu Mark Chang, Daisuke Yamane, Katsuyuki Machida, Kazuya Masu, Masato Sone

Electrochemistry Communications 72 126 - 130 2016年11月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.elecom.2016.09.019

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Development of high sensitivity CMOS-MEMS inertia sensor and its application to early-stage diagnosis of Parkinson's disease 査読

Kazuya Masu, Daisuke Yamane, Katsuyuki Machida, Masato Sone, Yoshihiro Miyake

European Solid-State Device Research Conference 2016-October 91 - 96 2016年10月

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/ESSDERC.2016.7599596

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Development of high sensitivity CMOS-MEMS inertia sensor and its application to early-stage diagnosis of Parkinson's disease 査読

Kazuya Masu, Daisuke Yamane, Katsuyuki Machida, Masato Sone, Yoshihiro Miyake

European Solid-State Circuits Conference 2016-October 99 - 104 2016年10月

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/ESSCIRC.2016.7598252

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Structure stability of high aspect ratio Ti/Au two-layer cantilevers for applications in MEMS accelerometers 査読

Minami Teranishi, Tso Fu Mark Chang, Chun Yi Chen, Toshifumi Konishi, Katsuyuki Machida, Hiroshi Toshiyoshi, Daisuke Yamane, Kazuya Masu, Masato Sone

Microelectronic Engineering 159 90 - 93 2016年6月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.mee.2016.02.054

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Pulse electroplating of ultra-fine grained Au films with high compressive strength 査読

Chun Yi Chen, Masaharu Yoshiba, Takashi Nagoshi, Tso Fu Mark Chang, Daisuke Yamane, Katsuyuki Machida, Kazuya Masu, Masato Sone

Electrochemistry Communications 67 51 - 54 2016年6月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.elecom.2016.03.017

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A MEMS inertia sensor with Brownian noise of below 50 nG/√Hz by multi-layer metal technology 査読

Daisuke Yamane, Toshifumi Konishi, Hiroshi Toshiyoshi, Kazuya Masu, Katsuyuki Machida

IEEE 3rd International Symposium on Inertial Sensors and Systems, ISS 2016 - Proceedings 148 - 149 2016年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/ISISS.2016.7435571

Web of Science

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A dual-axis MEMS capacitive inertial sensor with high-density proof mass 査読

Daisuke Yamane, Takaaki Matsushima, Toshifumi Konishi, Hiroshi Toshiyoshi, Kazuya Masu, Katsuyuki Machida

Microsystem Technologies 22 ( 3 ) 459 - 464 2016年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1007/s00542-015-2539-y

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A 1-mG MEMS sensor 招待査読

D. Yamane, T. Konishi, H. Toshiyoshi, K. Masu, K. Machida

ECS Transactions 72 ( 3 ) 7 - 14 2016年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1149/07203.0007ecst

Web of Science

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Brittle fracture of electrodeposited gold observed by micro compression 査読

Masah Aru Yoshiba, Chun Yi Chen, Tso Fu Mark Chang, Takashi Nagoshi, Daisuke Yamane, Katsuyuki Machida, Kazuya Masu, Masato Sone

Materials Transactions 57 ( 8 ) 1257 - 1260 2016年

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.2320/matertrans.MG201612

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A 0.1 G-to-20G integrated MEMS inertial sensor 査読

Daisuke Yamane, Toshifumi Konishi, Takaaki Matsushima, Hiroshi Toshiyoshi, Kazuya Masu, Katsuyuki Machida

Japanese Journal of Applied Physics 54 ( 8 ) 087202-1 - 087202-4 2015年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.54.087202

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An interface circuit for time-multiplexed electrostatic drive and sample of electrostatic mems mirror 査読

Satoshi Maruyama, Katsuyuki Machida, Hiroshi Toshiyoshi, Toshifumi Konishi, Hiroyuki Fujita

Symposium on Design, Test, Integration and Packaging of MEMS/MOEMS, DTIP 2015 2015年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/DTIP.2015.7161023

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CMOS-MEMS - New frontier of multilevel interconnect technology

K. Machida, T. Konishi, D. Yamane, H. Toshiyoshi, K. Masu

ICEP-IAAC 2015 - 2015 International Conference on Electronic Packaging and iMAPS All Asia Conference 201 2015年5月

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/ICEP-IAAC.2015.7111026

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An evaluation method of Brownian noise in highly sensitive capacitive sensors 査読

Daisuke Yamane, Toshifumi Konishi, Takaaki Matsushima, Shota Kamei, Kazuya Masu, Katsuyuki Machida

IEEJ Transactions on Sensors and Micromachines 135 ( 4 ) 142 - 143 2015年4月

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記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Institute of Electrical Engineers of Japan

DOI： 10.1541/ieejsmas.135.142

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A sub-1G MEMS sensor

D. Yamane, T. Konishi, H. Toshiyoshi, K. Masu, K. Machida

ECS Transactions 66 ( 5 ) 131 - 138 2015年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1149/06605.0131ecst

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Observation of stress responses of bacteria confined in a MEMS microfluidic chip

Y. Nishimura, M. Ishida, K. Sawada, H. Ishii, K. Machida, K. Masu, C. Wang, K. Iida, M. Saito, S. Yoshida

ECS Transactions 69 ( 10 ) 259 - 267 2015年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1149/06910.0259ecst

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A 1mG-to-20G integrated MEMS inertial sensor 査読

Daisuke Yamane, Toshifumi Konishi, Takaaki Matsushima, Hiroshi Toshiyoshi, Kazuya Masu, Katsuyuki Machida

Proceedings of IEEE Sensors 2014-December ( December ) 1591 - 1594 2014年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

DOI： 10.1109/ICSENS.2014.6985322

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A capacitive CMOS-MEMS sensor designed by multi-physics simulation for integrated CMOS-MEMS technology 査読

Toshifumi Konishi, Daisuke Yamane, Takaaki Matsushima, Kazuya Masu, Katsuyuki Machida, Hiroshi Toshiyoshi

Japanese Journal of Applied Physics 53 ( 4 SPEC. ISSUE ) 01EE15.1 - 01EE15.7 2014年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.7567/JJAP.53.04EE15

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A dual-axis MEMS inertial sensor using multi-layered high-density metal for an arrayed CMOS-MEMS accelerometer 査読

Daisuke Yamane, Takaaki Matsushima, Toshifumi Konishi, Hiroshi Toshiyoshi, Katsuyuki Machida, Kazuya Masu

DTIP 2014 - Symposium on Design, Test, Integration and Packaging of MEMS/MOEMS 69 - 72 2014年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/DTIP.2014.7056643

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Design of sub-1g microelectromechanical systems accelerometers 査読

D. Yamane, T. Konishi, T. Matsushima, K. Machida, H. Toshiyoshi, K. Masu

Applied Physics Letters 104 ( 7 ) 2014年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4865377

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A tri-axis MEMS capacitive sensor using multi-layered high-density metal for an integrated CMOS-MEMS accelerometer

D. Yamane, T. Konishi, T. Matsushima, H. Toshiyoshi, K. Machida, K. Masu

2014 IEEE International Interconnect Technology Conference / Advanced Metallization Conference, IITC/AMC 2014 113 - 116 2014年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/IITC.2014.6831856

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Integrated CMOS-MEMS technology and its applications 査読

K. Machida, T. Konishi, D. Yamane, H. Toshiyoshi, K. Masu

ECS Transactions 61 ( 6 ) 21 - 39 2014年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）出版者・発行元：Electrochemical Society Inc.

DOI： 10.1149/06106.0021ecst

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An ultra low power pH-monitoring IC with a duty-cycling wireless FM-transmitter

Yusuke Shiino, Hiroyuki Ito, Taku Fujiwara, Noboru Ishihara, Hisashi Yamanouchi, Hiroki Tanabe, Satoshi Nomura, Toshifumi Konishi, Katsuyuki Machida, Kazuya Masu

Proceedings - IEEE International Symposium on Circuits and Systems 882 - 885 2014年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/ISCAS.2014.6865277

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An arrayed accelerometer device of a wide range of detection for integrated CMOS-MEMS technology 査読

Toshifumi Konishi, Daisuke Yamane, Takaaki Matsushima, Kazuya Masu, Katsuyuki Machida, Hiroshi Toshiyoshi

Japanese Journal of Applied Physics 53 ( 2 PART 1 ) 027202.1 - 027202.9 2014年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.53.027202

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An Ultra Low Power pH-Monitoring IC with a Duty-Cycling Wireless FM-Transmitter 査読

Yusuke Shiino, Hiroyuki Ito, Taku Fujiwara, Noboru Ishihara, Hisashi Yamanouchi, Hiroki Tanabe, Satoshi Nomura, Toshifumi Konishi, Katsuyuki Machida, Kazuya Masu

2014 IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON CIRCUITS AND SYSTEMS (ISCAS) 882 - 885 2014年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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Monolithically integrated MEMS mirror array with low electrical interference in wavelength-selective switches 査読

Tomomi Sakata, Fumihiro Sassa, Mitsuo Usui, Junichi Kodate, Hiromu Ishii, Katsuyuki Machida, Yoshito Jin

Precision Engineering 37 ( 4 ) 897 - 901 2013年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.precisioneng.2013.05.008

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Novel sensor structure and its evaluation for integrated complementary metal oxide semiconductor microelectromechanical systems accelerometer 査読

Toshifumi Konishi, Daisuke Yamane, Takaaki Matsushima, Ghou Motohashi, Ken Kagaya, Hiroyuki Ito, Noboru Ishihara, Hiroshi Toshiyoshi, Katsuyuki Machida, Kazuya Masu

Japanese Journal of Applied Physics 52 ( 6 PART 2 ) 06GL04 2013年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.7567/JJAP.52.06GL04

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A single-platform simulation and design technique for CMOS-MEMS based on a circuit simulator with hardware description language 査読

Toshifumi Konishi, Katsuyuki Machida, Satoshi Maruyama, Makoto Mita, Kazuya Masu, Hiroshi Toshiyoshi

Journal of Microelectromechanical Systems 22 ( 3 ) 755 - 767 2013年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/JMEMS.2013.2243111

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An arrayed MEMS accelerometer with a wide range of detection

D. Yamane, T. Konishi, T. Matsushima, G. Motohashi, K. Kagaya, H. Ito, N. Ishihara, H. Toshiyoshi, K. Machida, K. Masu

2013 Transducers and Eurosensors XXVII: The 17th International Conference on Solid-State Sensors, Actuators and Microsystems, TRANSDUCERS and EUROSENSORS 2013 22 - 25 2013年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/Transducers.2013.6626691

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Bio-MEMS chip for bacteria detection-a challenge of si technology to biomedical field

H. Ishii, K. Sawada, M. Ishida, K. Machida, K. Iida, M. Saito, S. Yoshida

ECS Transactions 58 ( 9 ) 125 - 133 2013年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1149/05809.0125ecst

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Sub-1G MEMS accelerometer 査読

Daisuke Yamane, Toshifumi Konishi, Takaaki Matsushima, Gou Motohashi, Ken Kagaya, Hiroyuki Ito, Nobru Ishihara, Hiroshi Toshiyoshi, Katsuyuki Machida, Kazuya Masu

Proceedings of IEEE Sensors 513 - 516 2013年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/ICSENS.2013.6688166

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A mixed-design technique for integrated MEMS using a circuit simulator with HDL 査読

Hiroshi Toshiyoshi, Toshifumi Konishi, Katsuyuki Machida, Kazuya Masu

Proceedings of the 20th International Conference on Mixed Design of Integrated Circuits and Systems, MIXDES 2013 17 - 22 2013年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）出版者・発行元：IEEE

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A time-multiplexed electrostatic drive and sample interface circuit for MEMS optical scanners 査読

Satoshi Maruyama, Toshifumi Konishi, Katsuyuki Machida, Noboru Ishihara, Kazuya Masu, Hiroyuki Fujita, Hiroshi Toshiyoshi

International Conference on Optical MEMS and Nanophotonics 21 - 22 2013年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/OMN.2013.6659039

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Sub-1G MEMS Accelerometer 査読

Daisuke Yamane, Toshifumi Konishi, Takaaki Matsushima, Gou Motohashi, Ken Kagaya, Hiroyuki Ito, Nobru Ishihara, Hiroshi Toshiyoshi, Katsuyuki Machida, Kazuya Masu

2013 IEEE SENSORS 171 - 174 2013年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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Challenges in integration of diverse functionalities on CMOS 査読

Kazuya Masu, Noboru Ishihara, Toshifumi Konishi, Katsuyuki Machida, Hiroshi Toshiyoshi

Proceedings of the Asia and South Pacific Design Automation Conference, ASP-DAC 390 - 393 2013年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）出版者・発行元：IEEE

DOI： 10.1109/ASPDAC.2013.6509627

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Removal of gold oxide by low-temperature hydrogen annealing for microelectromechanical system device fabrication 査読

Tomomi Sakata, Hiromu Ishii, Masao Nagase, Kazuhiko Takagahara, Kei Kuwabara, Kazuyoshi Ono, Norio Sato, Katsuyuki Machida

Japanese Journal of Applied Physics 51 ( 6 PART 1 ) 2012年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.51.066501

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A multi-physics simulation technique for integrated MEMS

H. Toshiyoshi, T. Konishi, K. Machida, K. Masu

Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM 2012年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/IEDM.2012.6478989

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Multi-physics equivalent circuit model for MEMS sensors and actuators

T. Konishi, K. Machida, K. Masu, H. Toshiyoshi

ECS Transactions 50 ( 14 ) 55 - 61 2012年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1149/05014.0055ecst

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Impedance-sensing circuit techniques for integration of a fraud detection function into a capacitive fingerprint sensor 査読

Toshishige Shimamura, Hiroki Morimura, Nobuhiro Shimoyama, Tomomi Sakata, Satoshi Shigematsu, Katsuyuki MacHida, Mamoru Nakanishi

IEEE Sensors Journal 12 ( 5 ) 1393 - 1401 2012年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/JSEN.2011.2172413

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Capacitive-sensing circuit technique for image quality improvement on fingerprint sensor LSIs 査読

Toshishige Shimamura, Hiroki Morimura, Satoshi Shigematsu, Mamoru Nakanishi, Katsuyuki MacHida

IEEE Journal of Solid-State Circuits 45 ( 5 ) 1080 - 1087 2010年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/JSSC.2010.2042525

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The effect of thick interconnections formed by gold electroplating on the characteristics of metal-oxide-semiconductor field-effect transistors 査読

Nobuhiro Shimoyama, Norio Sato, Hiromu Ishii, Toshikazu Kamei, Kazuhisa Kudou, Katsuyuki Machida, Toshiaki Tsuchiya

Japanese Journal of Applied Physics 49 ( 1 Part 1 ) 2010年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.49.016501

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Surface cleaning of gold structure by annealing during fabrication of microelectromechanical system devices 査読

Tomomi Sakata, Yuichi Okabe, Kei Kuwabara, Norio Sato, Kazuyoshi Ono, Nobuhiro Shimoyama, Katsuyuki Machida, Hiromu Ishii

Japanese Journal of Applied Physics 48 ( 2 ) 2009年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.48.026501

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A capacitive sensing scheme for control of movable element with complementary metal-oxide-semiconductor microelectoromechanical-systems device 査読

Toshishige Shimamura, Hiroki Morimura, Kei Kuwabara, Norio Sato, Jun Terada, Mamoru Ugajin, Satoshi Shigematsu, Katsuyuki Machida

Japanese Journal of Applied Physics 47 ( 5 PART 1 ) 3418 - 3422 2008年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.47.3418

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Spin coating film transfer and hot-pressing system for uniform dielectric formation and its application to porous low-k film formation

Masafumi Kawagoe, Hideki Adachi, Takaaki Yanagida, Tomoyuki Komura, Hidenori Saito, Norio Sato, Kazuhisa Kudou, Katsuyuki Machida

Japanese Journal of Applied Physics 47 ( 1 ) 113 - 118 2008年1月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.47.113

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High aspect-ratio pillar structure with gold electroplating and STP technique for thick multilevel interconnections

N. Shimoyama, K. Ono, N. Sato, T. Sakata, K. Kuwabara, H. Ishii, T. Kamei, K. Kudou, K. Machida

Advanced Metallization Conference (AMC) 265 - 269 2008年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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STP technology - Interconnects, CMOS-MEMS, packaging 査読

Norio Sato, Hiromu Ishii, Katsuyuki Machida, Hideki Adachi

ADVANCED METALLIZATION CONFERENCE 2007 (AMC 2007) 23 615 - 621 2008年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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High aspect-ratio pillar structure with gold electroplating and STP technique for thick multilevel interconnections 査読

N. Shimoyama, K. Ono, N. Sato, I. Sakata, K. Kuwabara, H. Ishii, T. Kamei, K. Kudou, K. Machida

ADVANCED METALLIZATION CONFERENCE 2007 (AMC 2007) 23 265 - 269 2008年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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Integrated CMOS-MEMS technology and its applications 査読

Hiroki Morimura, Shinichiro Mutoh, Hiromu Ishii, Katsuyuki Machida

International Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology Proceedings, ICSICT 2460 - 2463 2008年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/ICSICT.2008.4735089

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STP technology - interconnects, CMOS-MEMS, packaging -

Norio Sato, Hiromu Ishii, Katsuyuki Machida, Hideki Adachi

Advanced Metallization Conference (AMC) 615 - 621 2008年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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Cleaning of gold interconnection surface by low-temperature hydrogen annealing for MEMS device fabrication

T. Sakata, K. Kuwabara, K. Ono, N. Sato, K. Machida, H. Ishii

ECS Transactions 16 ( 14 ) 29 - 35 2008年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1149/1.2992225

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A fingerprint sensor with impedance sensing for fraud detection

Toshishige Shimamura, Hiroki Morimura, Nobuhiro Shimoyama, Tomomi Sakata, Satoshi Shigematsu, Katsuyuki Machida, Mamoru Nakanishi

Digest of Technical Papers - IEEE International Solid-State Circuits Conference 51 170 - 172 2008年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/ISSCC.2008.4523111

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Characterization of air-gap sealing with organic dielectric using spin-coating film transfer and hot-pressing technology 査読

Norio Sato, Katsuyuki Machida, Hiromu Ishii, Yoji Ishimura, Hidenori Saito, Sumitoshi Asakuma, Masafumi Kawagoe, Hideki Adachi

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers 46 ( 12 ) 7678 - 7683 2007年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.46.7678

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Peel-off characteristics at interface between base film and dielectrics with spin-coating film transfer and hot-pressing technology

Toshikazu Kamei, Norio Sato, Kazuhisa Kudou, Masafumi Kawagoe, Hideki Adachi, Katsuyuki Machida

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers 46 ( 10 A ) 6564 - 6567 2007年10月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.46.6564

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Logic and analog test schemes for a single-chip pixel-parallel fingerprint identification LSI 査読

Satoshi Shigematsu, Hiroki Morimura, Toshishige Shimamura, Takahiro Hatano, Namiko Ikeda, Yukio Okazaki, Katsuyuki Machida, Mamoru Nakanishi

IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS E90C ( 10 ) 1892 - 1899 2007年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1093/ietele/e90-c.10.1892

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STP technology for sealing three-dimensional MEMS structures

Norio Sato, Kazuyoshi Ono, Hiroki Morimura, Satoshi Shigematsu, Hiromu Ishii, Katsuyuki Machida

NTT Technical Review 5 ( 10 ) 2007年10月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

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Electrodeposition of water-repellent organic dielectric film as an anti-sticking coating on microelectromechanical system devices 査読

Tomomi Sakata, Kei Kuwabara, Toshishige Shimamura, Norio Sato, Masao Nagase, Nobuhiro Shimoyama, Kazuhisa Kudou, Katsuyuki Machida, Hiromu Ishii

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers 46 ( 9 B ) 6454 - 6457 2007年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.46.6454

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Monolithic integration fabrication process of thermoelectric and vibrational devices for microelectromechanical system power generator 査読

Norio Sato, Kei Kuwabara, Kazuyoshi Ono, Tomomi Sakata, Hiroki Morimura, Jun Terada, Kazuhisa Kudou, Toshikazu Kamei, Masaki Yano, Katsuyuki Machida, Hiromu Ishii

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers 46 ( 9 A ) 6062 - 6067 2007年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.46.6062

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Effect of scratch stress on the surface hardness and inner structures of a capacitive fingerprint sensor LSI

N. Shimoyama, S. Shigematsu, H. Morimura, T. Shimamura, T. Kumazaki, M. Nakanishi, H. Ishii, K. Machida

Annual Proceedings - Reliability Physics (Symposium) 412 - 416 2007年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/RELPHY.2007.369925

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Vacuum annealing of gold electrodes for surface cleaning in MEMS device fabrication 査読

Tomomi Sakata, Kei Kuwabara, Norio Sato, Kazuyoshi Ono, Nobuhiro Shimoyama, Katsuyuki Machida, Hiromu Ishii

Digest of Papers - Microprocesses and Nanotechnology 2007; 20th International Microprocesses and Nanotechnology Conference, MNC 366 - 367 2007年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/IMNC.2007.4456256

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Effect of scratch stress on the surface hardness and inner structures of a capacitive fingerprint sensor LSI 査読

N. Shimoyama, S. Shigematsu, H. Morimura, T. Shimamura, T. Kumazaki, M. Nakanishi, H. Ishii, K. Machida

2007 IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM PROCEEDINGS - 45TH ANNUAL 412 - + 2007年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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Ubiquitous user authentication system with wireless battery-powered fingerprint identification module 査読

Satoshi Shigematsu, Takahiro Hatano, Hiroki Morimura, Katsuyuki Machida, Yukio Okazaki

IEEJ Transactions on Electrical and Electronic Engineering 2 ( 6 ) 643 - 650 2007年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1002/tee.20220

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Integrated MEMS LC resonator with sealed air-suspended structure for single-chip RF LSIs

K. Kuwabara, N. Sato, H. Morimura, J. Kodate, M. Nakamura, M. Ugajin, T. Kamei, K. Kudou, K. Machida, H. Ishii

Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM 423 - 426 2007年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/IEDM.2007.4418963

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Conformal coating of organic dielectric film on gold electrodes in microelectromechanical system devices by electrodeposition

Tomomi Sakata, Yuichi Okabe, Kei Kuwabara, Norio Sato, Kazuhisa Kudou, Katsuyuki Machida, Hiromu Ishii

IEEJ Transactions on Sensors and Micromachines 127 ( 4 ) 2007年

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1541/ieejsmas.127.253

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Structure and fabrication process for integrated RF microelectromechanical-system technology 査読

Kei Kuwabara, Masami Urano, Junichi Kodate, Norio Sato, Hiroki Morimura, Tomomi Sakata, Hiromu Ishii, Toshikazu Kamei, Kazuhisa Kudou, Masaki Yano, Katsuyuki Machida

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers 45 ( 9 A ) 6849 - 6853 2006年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.45.6849

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Electrodeposition of organic dielectric film and its application to vibrational microelectromechanical system devices 査読

Tomomi Sakata, Hiromu Ishii, Norio Sato, Toshishige Shimamura, Kei Kuwabara, Kazuhisa Kudou, Katsuyuki Machida

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers 45 ( 6 B ) 5646 - 5649 2006年6月

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記述言語：英語

DOI： 10.1143/JJAP.45.5646

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Fingerprint image enhancement and rotation schemes for a single-chip fingerprint sensor and identifier

Satoshi Shigematsu, Koji Fujii, Hiroki Morimura, Takahiro Hatano, Mamoru Nakanishi, Namiko Ikeda, Toshishige Shimamura, Katsuyuki Machida, Yukio Okazaki, Hakaru Kyuragi

IEICE Transactions on Electronics E89-C ( 4 ) 540 - 550 2006年4月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1093/ietele/e89-c.4.540

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Evaluation of ESD hardness of fingerprint sensor LSIs

Nobuhiro Shimoyama, Masaaki Tanno, Satoshi Shigematsu, Hiroki Morimura, Yukio Okazaki, Katsuyuki Machida

Journal of Electrostatics 64 ( 2 ) 96 - 103 2006年2月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.elstat.2005.03.092

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RF CMOS-MEMS switch with low-voltage operation for single-chip RF LSIs 査読

K. Kuwabara, N. Sato, T. Shimamura, H. Morimura, J. Kodate, T. Sakata, S. Shigematsu, K. Kudou, K. Machida, M. Nakanishi, H. Ishii

Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM 467 - + 2006年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/IEDM.2006.346891

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Characterization of organic dielectric for sealing air-gaps with STP technology 査読

Norio Sato, Katsuyuki Machida, Hiromu Ishii, Yoji Ishimura, Hidenori Saito, Sumitoshi Asakuma, Masafumi Kawagoe, Hideki Adachi

Advanced Metallization Conference (AMC) 2006 577 - 582 2006年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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Characteristics of thick multilevel interconnection based on gold electroplating and STP technique

N. Shimoyama, K. Ono, N. Sato, H. Ishii, T. Kamei, K. Kudou, K. Machida

Advanced Metallization Conference (AMC) 2006 583 - 588 2006年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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Selective electrodeposition technology for organic insulator films on microelectromechanical-system structures 査読

Tomomi Sakata, Yuichi Okabe, Masao Nagase, Kazuhisa Kudou, Katsuyuki Machida, Hiromu Ishii, Norio Sato, Toshikazu Kamei, Masaki Yano

IEEJ Transactions on Sensors and Micromachines 126 ( 1 ) 14 - 18 2006年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1541/ieejsmas.126.14

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Characteristics of film peel-off in STP technology

Toshikazu Kamci, Norio Sato, Kazuhisa Kudou, Masafumi Kawagoe, Hideki Adachi, Katsuyuki Machida

Advanced Metallization Conference (AMC) 381 - 386 2006年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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STP transfer system for uniform dielectrics formation

M. Kawagoe, H. Adachi, T. Yanagida, T. Komura, N. Sato, K. Machida

Advanced Metallization Conference (AMC) 387 - 391 2006年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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A dual-band VCO integrated with RF-MEMS switches and inductors

Munenari Kawashima, Yo Yamaguchi, Kei Kuwabara, Norio Sato, Katsuyuki Machida, Kazuhiro Uehara

Proceedings of the 36th European Microwave Conference, EuMC 2006 795 - 798 2006年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/EUMC.2006.281039

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Evaluation of MOSFET characteristics with thick interconnection formed by gold electroplating for seamless integration technology

N. Shimoyama, H. Ishii, N. Sato, T. Kamei, K. Kudou, M. Yano, Y. Okazaki, T. Tsuchiya, K. Machida

Advanced Metallization Conference (AMC) 159 - 164 2006年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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Novel packaging technology for microelectromechanical-system devices 査読

Masami Urano, Tomomi Sakata, Toshishige Shimamura, Hiromu Ishii, Mitsuru Chino, Teruo Shimada, Hiroshi Tazawa, Katsuyuki Machida

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers 44 ( 11 ) 8177 - 8181 2005年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.44.8177

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Force-sensing scheme for small mechanical signals in complementary metal oxide semiconductor microelectromechanical system fingerprint sensor

Norio Sato, Hiroki Mortmura, Satoshi Shigematsu, Masaki Yano, Kazuhisa Kudou, Toshikazu Kamei, Katsuyuki Machida

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers 44 ( 9 A ) 6481 - 6489 2005年9月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.44.6481

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Anti-sticking effect of organic dielectric formed by electrodeposition in microelectromechanical-system structures 査読

Tomomi Sakata, Hiromu Ishii, Yuichi Okabe, Masao Nagase, Toshikazu Kamei, Kazuhisa Kudou, Masaki Yano, Katsuyuki Machida

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers 44 ( 7 B ) 5732 - 5735 2005年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.44.5732

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Novel surface structure and its fabrication process for MEMS fingerprint sensor

Norio Sato, Satoshi Shigematsu, Hiroki Morimura, Masaki Yano, Kazuhisa Kudou, Toshikazu Kamei, Katsuyuki Machida

IEEE Transactions on Electron Devices 52 ( 5 ) 1026 - 1032 2005年5月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/TED.2005.846342

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Effect of ground-wall structure in capacitive fingerprint sensor on electrostatic discharge tolerance

Satoshi Shigematsu, Yasuyuki Tanabe, Nobuhiro Shimoyama, Hiroki Morimura, Yukio Okazaki, Katsuyuki Machida

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers 44 ( 5 A ) 2982 - 2986 2005年5月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.44.2982

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Novel MEMS power generator with integrated thermoelectric and vibrational devices 査読

Norio Sato, Hiromu Ishii, Masami Urano, Tomomi Sakata, Jun Terada, Hiroki Morimura, Satoshi Shigematsu, Kazuhisa Kudou, Toshikazu Kamei, Katsuyuki Machida

Digest of Technical Papers - International Conference on Solid State Sensors and Actuators and Microsystems, TRANSDUCERS '05 1 295 - 298 2005年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/SENSOR.2005.1496415

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Electrodeposition of organic dielectric and its application to MEMS devices

Tomomi Sakata, Hiromu Ishii, Yuichi Okabe, Norio Sato, Kazuhisa Kudou, Katsuyuki Machida

Digest of Papers - Microprocesses and Nanotechnology 2005: 2005 International Microprocesses and Nanotechnology Conference 2005 276 - 277 2005年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/imnc.2005.203845

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Pixel-parallel image-matching circuit schemes for a single-chip fingerprint sensor and identifier

Satoshi Shigematsu, Hiroki Morimura, Katsuyuki Machida, Yukio Okazaki, Hakaru Kyuragi

IEICE Transactions on Electronics E88-C ( 5 ) 1070 - 1077 2005年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1093/ietele/e88-c.5.1070

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Fabrication of optical microelectromechanical-system switches having multilevel mirror-drive electrodes 査読

Hiromu Ishii, Masami Urano, Yasuyuki Tanabe, Toshishige Shimamura, Joji Yamaguchi, Toshikazu Kamei, Kazuhisa Kudou, Masaki Yano, Yuji Uenishi, Katsuyuki Machida

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers 43 ( 9 A ) 6468 - 6472 2004年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.43.6468

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An adaptive fingerprint-sensing scheme for a user authentication system with a fingerprint sensor LSI

Hiroki Morimura, Satoshi Shigematsu, Toshishige Shimamura, Koji Fujii, Chikara Yamaguchi, Hiroki Suto, Yukio Okazaki, Katsuyuki Machida, Hakaru Kyuragi

IEICE Transactions on Electronics E87-C ( 5 ) 791 - 800 2004年5月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

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Thick-dielectric formation and MOSFET reliability with spin-coating film transfer and hot-pressing technique for seamless integration technology 査読

Norio Sato, Nobuhiro Shimoyama, Toshikazu Kamei, Kazuhisa Kudou, Masaki Yano, Hiromu Ishii, Katsuyuki Machida

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers 43 ( 4 B ) 2271 - 2276 2004年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1143/JJAP.43.2271

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Fingerprint sensor LSI

Katsuyuki Machida, Hiroki Morimura, Satoshi Shigematsu, Yukio Okazaki

Electronics and Communications in Japan, Part II: Electronics (English translation of Denshi Tsushin Gakkai Ronbunshi) 87 ( 3 ) 29 - 38 2004年3月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1002/ecjb.10175

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Evaluation of ESD hardness for fingerprint sensor LSIs

Nobuhiro Shimoyama, Masaaki Tanno, Satoshi Shigematsu, Hiroki Morimura, Yukio Okazaki, Katsuyuki Machida

Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings 2004年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/EOSESD.2004.5272630

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A wireless battery-powered fingerprint identification system for ubiquitous user authentication

Satoshi Shigematsu, Takahiro Hatano, Hiroki Morimura, Katsuyuki Machida, Yukio Okazaki

2004 IEEE International Symposium on Consumer Electronics - Proceedings 600 - 603 2004年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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Microfabrication Technology for Millimeter-Wave Photonic Systems on Si 査読

Hiromu Ishii, Tadashi Minotani, Yakov Royter, Shouji Yagi, Kazuhisa Kudou, Masaki Yano, Tadao Nagatsuma, Katsuyuki Machida, Hakaru Kyuragi

IEEJ Transactions on Sensors and Micromachines 124 ( 4 ) 136 - 142 2004年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1541/ieejsmas.124.136

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Porous low-k film formation by STP technology

M. Kawagoe, H. Adachi, H. Saito, N. Sato, K. Machida

Advanced Metallization Conference (AMC) 431 - 436 2004年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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Fingerprint sensor technology - Sensor structure/chip, sensing scheme, and system

H. Morimura, S. Shigematsu, Y. Okazaki, K. Machida

International Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology Proceedings, ICSICT 2 1482 - 1487 2004年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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Selective organic dielectric deposition for encapsulation of MEMS structure

Tomomi Sakata, Hiromu Ishii, Yuichi Okabe, Masao Nagase, Masaki Yano, Kazuhisa Kudou, Toshikazu Kamei, Katsuyuki Machida

Digest of Papers - Microprocesses and Nanotechnology 2004 308 - 309 2004年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/imnc.2004.245666

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MEMS fingerprint sensor immune to various finger surface conditions

Norio Sato, Katsuyuki Machida, Hiroki Morimura, Satoshi Shigematsu, Kazuhisa Kudou, Masaki Yano, Hakaru Kyuragi

IEEE Transactions on Electron Devices 50 ( 4 ) 1109 - 1116 2003年4月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/TED.2003.812490

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A sealing technique for stacking MEMS on LSI using spin-coating film transfer and hot pressing

Norio Sato, Hiromu Ishii, Satoshi Shigematsu, Hiroki Morimura, Toshikazu Kamei, Kazuhisa Kudou, Masaki Yano, Katsuyuki Machida, Hakaru Kyuragi

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers 42 ( 4 B ) 2462 - 2467 2003年4月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/jjap.42.2462

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High Sensitive Structure and Its Fabrication Process for MEMS Fingerprint Sensor to Various Fingers

N. Sato, S. Shigematsu, H. Morimura, M. Yano, K. Kudou, T. Kamei, K. Machida

Technical Digest - International Electron Devices Meeting 771 - 774 2003年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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Novel Fabrication Process and Structure of a Low-Voltage-Operation Micromirror Array for Optical MEMS Switches 査読

M. Urano, H. Ishii, Y. Tanabe, T. Shimamura, T. Sakata, T. Kamei, K. Kudou, M. Yano, K. Machida

Technical Digest - International Electron Devices Meeting 965 - 968 2003年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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Fabrication of optical MEMS switches having multilevel mirror-drive electrodes 査読

H. Ishii, Y. Tanabe, T. Shimamura, J. Yamaguchi, M. Urano, T. Kamei, K. Kudou, M. Yano, Y. Uenishi, K. Machida

2003 IEEE/LEOS International Conference on Optical MEMS 121 - 122 2003年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/OMEMS.2003.1233496

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Millimeter-wave photonic integrated circuit technologies for high-speed wireless communications applications

T. Nagatsuma, A. Hirata, M. Harada, H. Ishii, K. Machida, T. Minotani, H. Ito, T. Kosugi, T. Shibata

Digest of Technical Papers - IEEE International Solid-State Circuits Conference 47 370 - 371+621 2003年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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A zero-sink-current schmitt trigger and window-flexible counting circuit for fingerprint sensor/identifier

Hiroki Morimura, Toshishige Shimamura, Koji Fujii, Satoshi Shigematsu, Yukio Okazaki, Katsuyuki Machida

Digest of Technical Papers - IEEE International Solid-State Circuits Conference 47 92 - 93 2003年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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シームレスインテグレーション技術－MEMSとLSIの融合に向けて－（キーノートスピーチ）

町田克之, 佐藤昇男, 浦野正美, 石井仁

精密工学会学術講演会講演論文集 2003A 473 - 473 2003年

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記述言語：日本語出版者・発行元：公益社団法人精密工学会

DOI： 10.11522/pscjspe.2003a.0.473.0

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Characteristics of fingerprint sensing on capacitive fingerprint sensor LSIs with a grounded wall structure

Hiroki Morimura, Satoshi Shigematsu, Toshishige Shimamura, Norio Sato, Yukio Okazaki, Katsuyuki Machida, Hakaru Kyuragi

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers 41 ( 10 ) 5951 - 5956 2002年10月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/jjap.41.5951

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A pixel-level automatic calibration circuit scheme for capacitive fingerprint sensor LSIs

Hiroki Morimura, Satoshi Shigematsu, Toshishige Shimamura, Katsuyuki Machida, Hakaru Kyuragi

IEEE Journal of Solid-State Circuits 37 ( 10 ) 1300 - 1306 2002年10月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/JSSC.2002.803022

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Advanced transfer system for spin coating film transfer and hot-pressing in planarization technology

Norio Sato, Katsuyuki Machida, Kazuhisa Kudou, Masaki Yano, Hakaru Kyuragi

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 20 ( 3 ) 797 - 801 2002年5月

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1116/1.1469014

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Advanced spin coating film transfer and hot-pressing process for global planarization with dielectric-material-viscosity control

Norio Sato, Katsuyuki Machida, Masaki Yano, Kazuhisa Kudou, Hakaru Kyuragi

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers 41 ( 4 B ) 2367 - 2373 2002年4月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.41.2367

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Evaluation of sensitivity on a capacitive fingerprint sensor LSI with a grounded wall structure

Hiroki Morimura, Satoshi Shigematsu, Toshishige Shimamura, Norio Sato, Katsuyuki Machida, Hakaru Kyuragi

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers 41 ( 4 B ) 2316 - 2321 2002年4月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/jjap.41.2316

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An advanced fingerprint sensor LSI and its application to a fingerprint identification system

H. Morimura, S. Shigematsu, T. Shimamura, K. Fujii, C. Yamaguchi, H. Suto, Y. Okazaki, K. Machida, H. Kyuragi

IEEE Symposium on VLSI Circuits, Digest of Technical Papers ( CIRCUITS SYMP. ) 272 - 275 2002年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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Advanced fingerprint sensor LSI

Hakaru Kyuragi, Hiroki Morimura, Satoshi Shigematsu, Toshishige Shimamura, Koji Fujii, Katsuyuki Machida

NTT R and D 51 ( 3 ) 194 - 200 2002年

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

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Software and hardware techniques for a single-chip fingerprint sensor/identifier

S. Shigematsu, H. Morimura, K. Fujii, T. Hatano, M. Nakanishi, N. Ikeda, T. Shimamura, Y. Okazaki, Y. Tanabe, K. Machida, H. Kyuragi

Multimedia, Image Processing and Soft Computing: Trends, Principles and Applications - Proceedings of the 5th Biannual World Automation Congress, WAC 2002, ISSCI 2002 and IFMIP 2002 13 123 - 128 2002年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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A 500 dpi 224×256-pixel single-chip fingerprint identification LSI with pixel-parallel image enhancement and rotation schemes

Satoshi Shigematsu, Koji Fujii, Hiroki Morimura, Takahiro Hatano, Mamoru Nakanishi, Takuya Adachi, Namiko Ikeda, Toshishige Shimamura, Katsuyuki Machida, Yukio Okazaki, Hakaru Kyuragi

Digest of Technical Papers - IEEE International Solid-State Circuits Conference ( SUPPL. ) 354 - 355+473+347 2002年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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A novel semiconductor capacitive sensor for a single-chip fingerprint sensor/identifier LSI

Katsuyuki Machida, Satoshi Shigematsu, Hiroki Morimura, Yasuyuki Tanabe, Norio Sato, Nobuhiro Shimoyama, Toshihiko Kumazaki, Kazuhisa Kudou, Masaki Yano, Hakaru Kyuragi

IEEE Transactions on Electron Devices 48 ( 10 ) 2273 - 2278 2001年10月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/16.954466

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Effect of thinning a WSiN/WSi<inf>x</inf> barrier layer on its barrier capability

Akihiko Hirata, Tomohiko Maeda, Katsuyuki Machida, Masahiko Maeda, Kanji Yasui, Hakaru Kyuragi

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 19 ( 3 ) 788 - 793 2001年5月

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1116/1.1368681

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Technological fusion of heterogeneous functions

H. Kyuragi, H. Ishii, K. Machida

NTT R and D 50 ( 7 ) 450 - 455 2001年

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

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Thick film deposition by spin coating film transfer and hot-pressing

N. Sato, K. Machida, H. Kyuragi

NTT R and D 50 ( 7 ) 470 - 475 2001年

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Process technology for high-frequency on-chip passive elements

K. Saito, S. Yagi, H. Ishii, K. Machida

NTT R and D 50 ( 7 ) 476 - 482 2001年

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

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A new sensing and digital-conversion scheme with adaptive image-quality adjustment for a fingerprint sensor chip

S. Shigematsu, H. Morimura, K. Machida

Proceedings of the Annual IEEE International ASIC Conference and Exhibit 396 - 400 2001年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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A pixel-level automatic calibration circuit scheme for sensing initialization of a capacitive fingerprint sensor LSI

H. Morimura, S. Shigematsu, T. Shimamura, K. Machida, H. Kyuragi

IEEE Symposium on VLSI Circuits, Digest of Technical Papers ( CIRCUITS SYMP. ) 171 - 174 2001年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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Integration of high-performance millimeter-wave transmission lines on Si

H. Ishii, S. Yagi, T. Nagatsuma, K. Machida

NTT R and D 50 ( 7 ) 463 - 469 2001年

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

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A fabrication process and packaging for high reliability fingerprint sensor LSI

K. Machida, S. Shigematsu, H. Morimura, Y. Tanabe, H. Unno, K. Sakuma

NTT R and D 50 ( 7 ) 456 - 462 2001年

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

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Three-dimensional millimeter-wave photonic integrated circuits on Si

T. Minotani, Y. Royter, H. Ishii, A. Hirata, K. Machida, A. Sasaki, T. Nagatsuma

IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest 3 57 - 60 2001年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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Gold damascene interconnect technology for millimeter-wave photonics on silicon 査読

Hiromu Ishii, Shouji Yagi, Tadashi Minotani, Yakov Royter, Kazuhisa Kudou, Masaki Yano, Tadao Nagatsuma, Katsuyuki Machida, Hakaru Kyuragi

Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering 4557 210 - 219 2001年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1117/12.442947

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Method for testing electrostatic discharge tolerance for fingerprint sensor LSI 査読

Yasuyuki Tanabe, Hideyuki Unno, Katsuyuki Machida, Norio Sato, Hiromu Ishii, Satoshi Shigematsu, Hiroki Morimura, Hakaru Kyuragi

Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering 4558 81 - 88 2001年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1117/12.442989

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MEMS fingerprint sensor with arrayed cavity structures

N. Sato, K. Machida, H. Morimura, S. Shigematsu, K. Kudou, M. Yano, H. Kyuragi

Technical Digest - International Electron Devices Meeting 913 - 916 2001年

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A novel testing scheme for selection of capacitive fingerprint sensor LSIs

Toshishige Shimamura, Hiroki Morimura, Hideyuki Unno, Koji Fujii, Satoshi Shigematsu, Katsuyuki Machida, Hakaru Kyuragi

Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering 4593 23 - 30 2001年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1117/12.448833

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Electrostatic micromechanical switch for logic operation in multichip modules on Si

Akihiko Hirata, Katsuyuki MacHida, Hakaru Kyuragi, Masahiko Maeda

Sensors and Actuators, A: Physical 80 ( 2 ) 119 - 125 2000年3月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S0924-4247(99)00256-3

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The influence of stud bumping stress on device degradation in scaled MOSFETs

Nobuhiro Shimoyama, Katsuyuki Machida, Masakazu Shimaya, Hiroshi Koizumi, Hakaru Kyuragi

Microelectronics Reliability 40 ( 2 ) 267 - 275 2000年2月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/s0026-2714(99)00218-8

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Innovative Integration Based on Silicon-Core Technlogies for Sensor and Communications Application 招待査読

永妻忠夫, 町田克之, 石井仁, サーリ・ナビル, 品川満, 久良木億, 山田順三

International Journal of High Speed Electron. & Systems 10 205 - 215 2000年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S0129-1564(00)00025-8

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A new fabrication process for low-loss millimeter-wave transmission lines on silicon

Hiromu Ishii, Nabil Sahri, Tadao Nagatsuma, Katsuyuki Machida, Kunio Saito, Shouji Yagi, Masaki Yano, Kazuhisa Kudo, Hakaru Kyuragi

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers 39 ( 4 B ) 1982 - 1986 2000年

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/jjap.39.1982

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A thick-Cu process for add-on interconnections using photosensitive varnish for thick interlayer dielectric 査読

K. Saito, T. Kosugi, S. Yagi, C. Yamaguchi, K. Kudo, M. Yano, T. Kumazaki, M. Yaita, H. Ishii, K. Machida, H. Kyuragi

Proceedings of the IEEE 2000 International Interconnect Technology Conference, IITC 2000 123 - 125 2000年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/IITC.2000.854300

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Advanced film transfer system for STP method in planarization technology

Norio Sato, Katsuyuki Machida, Kazuhisa Kudo, Masaki Yano, Hakaru Kyuragi

Advanced Metallization Conference (AMC) 535 - 540 2000年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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A novel sensor cell architecture and sensing circuit scheme for capacitive fingerprint sensors

Hiroki Morimura, Satoshi Shigematsu, Katsuyuki Machida

IEEE Journal of Solid-State Circuits 35 ( 5 ) 724 - 731 2000年

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/4.841500

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Microfabrication technology for high-speed Si-based systems

H. Ishii, S. Yagi, K. Saito, A. Hirata, K. Kudo, M. Yano, T. Nagatsuma, K. Machida, H. Kyuragi

Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering 4230 43 - 52 2000年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1117/12.404913

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Design and characterization of millimeter-wave antenna for integrated photonic transmitter

A. Hirata, N. Sahri, H. Ishii, K. Machida, S. Yagi, T. Nagatsuma

Asia-Pacific Microwave Conference Proceedings, APMC 4 2000年

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Ultrahigh-speed 1.55-μm photodiodes on Si with low-loss millimeter-wave waveguides

Y. Royter, T. Minotani, H. Ishii, A. Hirata, S. Yagi, K. Machida, T. Furuta, T. Ishibashi, A. Sasaki, T. Nagatsuma

Conference Proceedings - Lasers and Electro-Optics Society Annual Meeting-LEOS 1 283 - 284 2000年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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Single-chip fingerprint sensor and identifier

Satoshi Shigematsu, Hiroki Morimura, Yasuyuki Tanabe, Takuya Adachi, Katsuyuki Machida

IEEE Journal of Solid-State Circuits 34 ( 12 ) 1852 - 1859 1999年12月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/4.808910

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Influence of stud bumping stress on device degradation in scaled MOSFETs

Nobuhiro Shimoyama, Katsuyuki Machida, Masakazu Shimaya, Hiroshi Koizumi, Hakaru Kyuragi

Annual Proceedings - Reliability Physics (Symposium) 37 - 41 1999年

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New sensor structure and fabrication process for a single-chip fingerprint sensor/identifier LSI

K. Machida, S. Shigematsu, H. Morimura, N. Shimoyama, Y. Tanabe, T. Kumazaki, K. Kudou, M. Yano, H. Kyuragi

Technical Digest - International Electron Devices Meeting 887 - 890 1999年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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High-resolution capacitive fingerprint sensing scheme with charge-transfer technique and automatic contrast emphasis

Hiroki Morimura, Satoshi Shigematsu, Katsuyuki Machida

IEEE Symposium on VLSI Circuits, Digest of Technical Papers 157 - 160 1999年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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Stress-induced device degradation due to die-attachment process after area bump formation

Nobuhiro Shimoyama, Katsuyuki Machida, Masakazu Shimaya, Hakaru Kyuragi

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers 38 ( 4 B ) 2262 - 2265 1999年

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/jjap.38.2262

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Characterization of micromachined coplanar waveguides on silicon up to 300 GHz

N. Sahri, T. Nagatsuma, K. Machida, H. Ishii, H. Kyuragi

1999 29th European Microwave Conference, EuMC 1999 1 254 - 257 1999年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/EUMA.1999.338321

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Micromechanical switch as the logic elements for circuits in multi chip module on Si (MCM-Si)

A. Hirata, K. Machida, H. Kyuragi, M. Maeda

Proceedings of the IEEE Micro Electro Mechanical Systems (MEMS) 582 - 587 1999年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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Copper damascene interconnection with tungsten silicon nitride diffusion barrier formed by electron cyclotron resonance plasma nitridation

Akihiko Hirata, Katsuyuki Machida, Nobuyoshi Awaya, Hakaru Kyuragi, Masahiko Maeda

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers 38 ( 4 B ) 2355 - 2359 1999年

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/jjap.38.2355

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Diffusion barrier mechanism of extremely thin tungsten silicon nitride film formed by ECR plasma nitridation

Akihiko Hirata, Katsuyuki Machida, Satoshi Maeyama, Yoshio Watanabe, Hakaru Kyuragi

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers 37 ( 3 SUPPL. B ) 1251 - 1255 1998年3月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/jjap.37.1251

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Novel global planarization technology for interlayer dielectrics using spin on glass film transfer and hot pressing

K. Machida, H. Kyuragi, H. Akiya, K. Imai, A. Tounai, A. Nakashima

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 16 ( 3 ) 1093 - 1097 1998年

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1116/1.590014

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Electrical characteristics of a WSi<inf>x</inf> contact electrode with a WSi<inf>x</inf>N diffusion barrier formed by using electron cyclotron resonance plasma nitridation

A. Hirata, T. Hosoya, K. Machida, H. Kyuragi, H. Akiya

Journal of the Electrochemical Society 144 ( 11 ) 3993 - 3998 1997年11月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1149/1.1838125

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Device degradation due to stud bumping above the MOSFET region and the effect of annealing on the degradation

Nobuhiro Shimoyama, Katsuyuki Machida, Masakazu Shimaya, Hideo Akiya, Hakaru Kyuragi

Annual Proceedings - Reliability Physics (Symposium) 118 - 123 1997年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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Highly sensitive analytical method for metallic impurities in the thin silicon layer of silicon-on-insulator wafer

J. Kodate, K. Machida, K. Imai, M. Tanaka, N. Yabumoto

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 15 ( 1 ) 171 - 173 1997年

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1116/1.589244

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A WSi<inf>x</inf>N diffusion barrier formed with electron cyclotron resonance nitrogen plasma

A. Hirata, T. Hosoya, K. Machida, H. Takaoka, H. Akiya

Journal of the Electrochemical Society 143 ( 11 ) 3747 - 3751 1996年11月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1149/1.1837283

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A silicon oxide antireflective layer for optical lithography using electron cyclotron resonance plasma deposition

Yoshiaki Mimura, Mikiho Kiuchi, Kazunori Anzai, Katsuyuki Machida

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers 35 ( 5 SUPPL. A ) 2863 - 2869 1996年5月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/jjap.35.2863

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A Polycide Gate Electrode with a Conductive Diffusion Barrier Formed with ECR Nitrogen Plasma for Dual Gate CMOS

Tetsuo Hosoya, Katsuyuki Machida, K. I. Kazuo Imai, Eisuke Arai

IEEE Transactions on Electron Devices 42 ( 12 ) 2111 - 2116 1995年12月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/16.477768

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Metal-insulator-metal capacitors by using electron cyclotron resonance plasma-SiO<inf>2</inf> 査読

K. Machida, K. Imai, K. Miura, Y. Ozaki, E. Arai

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 13 ( 5 ) 2013 - 2015 1995年9月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1116/1.588125

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Charge build-up reduction during biased electron cyclotron resonance plasma deposition 査読

K. Machida, M. Itsumi, K. Minegishi, E. Arai

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 13 ( 5 ) 2004 - 2007 1995年9月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1116/1.588123

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Silicon surface cleaning by oxidation with electron cyclotron resonance oxygen plasma after contact hole dry etching

K. Sakuma, K. Machida, K. Kamoshida, Y. Sato, K. Imai, E. Arai

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 13 ( 3 ) 902 - 907 1995年5月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1116/1.588203

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Characterization of thin SiN film formed with electron cyclotron resonance nitrogen plasma

K. Machida, T. Hosoya, K. Imai, E. Arai

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 13 ( 3 ) 876 - 880 1995年5月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1116/1.588199

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Estimation of charge buildup during plasma processing by measuring metal-oxide thickness 査読

K. Machida, M. Itsumi, K. Minegishi, E. Arai

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 13 ( 3 ) 889 - 894 1995年5月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1116/1.588201

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Improvement of Water-Related Hot-Carrier Reliability by Using ECR Plasma-Si02 査読

Katsuyuki Machida, Nobuhiro Shimovama, Jun ichi Takahashi, Yasuo Takahashi, Norikuni Yabumoto, Eisuke Arai

IEEE Transactions on Electron Devices 41 ( 5 ) 709 - 714 1994年5月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/16.285021

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Enhanced Hot-Carrier Degradation Due to Water-Related Components in TEOS/O3 Oxide and Water Blocking with ECR-SiO2 Film

Nobuhiro Shimoyama, Katsuyuki Machida, Jun ichi Takahashi, Katsumi Murase, Kazushige Minegishi, Toshiaki Tsuchiya

IEEE Transactions on Electron Devices 40 ( 9 ) 1682 - 1687 1993年9月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/16.231575

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Measurements of diffusion coefficients of water in electron cyclotron resonance plasma sio<inf>2</inf>

Yasuo Takahashi, Hideo Namatsu, Katsuyuki Machida, Kazushige Minegishi

Japanese Journal of Applied Physics 32 ( 3 B ) L431 - L433 1993年3月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.32.L431

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Water trapping of point defects in interlayer SiO<inf>2</inf> films and its contribution to the reduction of hot-carrier degradation

Jun Ichi Takahashi, Katsuyuki MacHida, Nobuhiro Shimoyama, Kazusige Minegishi

Applied Physics Letters 62 ( 19 ) 2365 - 2366 1993年

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.109391

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SILICIDATION USING ELECTRON-CYCLOTRON RESONANCE PLASMA 査読

M NAGASE, H ISHII, K MACHIDA, H AKIYA

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 10 ( 3 ) 1087 - 1090 1992年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Web of Science

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Enhanced hot-carrier degradation due to water in TEOS/O<inf>3</inf>-oxide and water blocking effect of ECR-SiO<inf>2</inf>

N. Shimoyama, K. Machida, K. Murase, T. Tsuchiya

Digest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology 1992-June 94 - 95 1992年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/VLSIT.1992.200665

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Estimation method for charge build-up on gate oxide during bias ECR plasma deposition

Katsuyuki Machida, Manabu Itsumi, Kazushige Minegishi

Conference on Solid State Devices and Materials 553 - 555 1991年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.7567/ssdm.1991.pb7-1

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HIGH ASPECT RATIO AND HIGH THROUGHPUT SIO//2 PLANARIZATION TECHNOLOGY WITH BIAS-ECR PLASMA DEPOSITION.

Katsuyuki Machida, Hideo Oikawa

Digest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology 69 - 70 1987年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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NEW BIAS SPUTTERING SYSTEM WITH HIGH THROUGHPUT, HIGH UNIFORMITY AND LOW DAMAGE.

C. Hashimoto, K. Machida, C. Tadachi, H. Takeuchi, H. Oikawa

Digest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology 35 - 36 1986年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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NEW PLANARIZATION TECHNOLOGY USING BIAS-ECR PLASMA DEPOSITION.

Katsuyuki Machida, Hideo Oikawa

Conference on Solid State Devices and Materials 329 - 332 1985年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.7567/ssdm.1985.a-4-5

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MOS DEVICE CHARACTERISTICS BY PERFECT PLANAR TECHNOLOGY.

T. Morimoto, K. Machida, S. Muramoto, T. Hosoya

Conference on Solid State Devices and Materials 249 - 252 1983年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.7567/ssdm.1983.a-7-1

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MISC

集積化CMOS-MEMS技術とその応用招待査読

町田克之, 森村浩季, 武藤伸一郎, 佐藤康博

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 108 ( 428 ) 1 - 6 2009年2月

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担当区分：筆頭著者記述言語：日本語掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

集積化CMOS-MEMS技術及びその応用について概説する。集積化CMOS-MEMSは、新たな機能を有するデバイスとして期待されている。本デバイスの特徴をLSIプロセスの立場から概説する。次に,応用としてのCMOS-MEMS指紋センサ及びRF CMOS-MEMSについて特徴を説明する。最後に、デバイスとしての高機能化と優位性を示し、集積化CMOS-MEMS技術がMore than Mooreの解として期待されることを述べる。

CiNii Books

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静電容量型MEMS加速度センサに向けたTi/Au積層マイクロカンチレバーの実効ヤング率に対するアニール処理の影響評価—Evaluation of Annealing Effects on Effective Young's Modulus of Ti/Au Multi-Layered Microcantilevers for MEMS Capacitive Accelerometers—第17回集積化MEMSシンポジウム

Chun-Yi Chen, 栗岡智行, 渡邉春海, 森達彦, 曽根正人, Tso-Fu Mark Chang, 町田克之, 伊藤浩之, 三宅美博

「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム論文集電気学会センサ・マイクロマシン部門 [編] 42 4p 2025年11月

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記述言語：日本語出版者・発行元：[東京] : Institute of Electrical Engineers of Japan

CiNii Research

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その他リンク： https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I034531955
静電容量型MEMS加速度センサにおける金錘の形状による反り抑制の検討—Warpage suppression of the gold proof-mass by its shape design toward MEMS capacitive accelerometers—第17回集積化MEMSシンポジウム

奥村雅子, 栗岡智行, 森達彦, 山田虎人, 向出隼人, Chun-Yi Chen, Tso-Fu Mark Chang, 町田克之, 三宅美博, 曽根正人, 伊藤浩之

「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム論文集電気学会センサ・マイクロマシン部門 [編] 42 4p 2025年11月

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記述言語：日本語出版者・発行元：[東京] : Institute of Electrical Engineers of Japan

CiNii Research

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その他リンク： https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I034531928
マイクロgレベル検出のためのAu錘1軸MEMS加速度センサにおける錘構造パラメータがデバイス特性に及ぼす影響—Effect of Proof-Mass Structure Parameters on Device Characteristics of Gold Single-Axis MEMS Accelerometer for Micro-g Level Sensing—第16回集積化MEMSシンポジウム

伊藤浩之, 山田虎人, Chang Tso-Fu Mark, 栗岡智行, 曽根正人, 御宿希祐, Devi Srujana Tenneti, 向出千隼, 三宅美博, 町田克之

「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム論文集電気学会センサ・マイクロマシン部門 [編] 41 5p 2024年11月

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記述言語：日本語出版者・発行元：[東京] : Institute of Electrical Engineers of Japan

CiNii Research

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その他リンク： https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I034240872
MEMS加速度センサのためのTi/Au多層カンチレバーの実効ヤング率に対する測定電圧依存性に関する研究—Dependence of Applied Voltages on Effective Young's Modulus of Ti/Au Multi-Layered Micro-Cantilevers for MEMS accelerometers—第16回集積化MEMSシンポジウム

渡邉春海, Tenneti Devi Srujana, Tso-Fu Mark Chang, 栗岡智行, Chun-Yi Chen, 町田克之, 伊藤浩之, 三宅美博, 曽根正人

「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム論文集電気学会センサ・マイクロマシン部門 [編] 41 4p 2024年11月

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記述言語：日本語出版者・発行元：[東京] : Institute of Electrical Engineers of Japan

CiNii Research

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その他リンク： https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I034240865
デュアルレンジ検出のためのAu錘1軸MEMS加速度センサにおける錘反り抑制手法の検討—Suppression of Warpage in proof-masses of Dual Detection Range Gold Single-Axis MEMS Accelerometers—第16回集積化MEMSシンポジウム

曽根正人, 三宅美博, 伊藤浩之, 向出千隼, Devi Srujana Tenneti, 御宿希祐, 山田虎人, 町田克之, Tso-Fu Mark Chang, 栗岡智行

「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム論文集電気学会センサ・マイクロマシン部門 [編] 41 4p 2024年11月

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記述言語：日本語出版者・発行元：[東京] : Institute of Electrical Engineers of Japan

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その他リンク： https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I034240926
静電容量型MEMS加速度センサーのためのTi/Au積層マイクロカンチレバーの構造安定性に対する熱処理の影響評価—Evaluation of the Effect of Heat Treatment on Structural Stability of Ti/Au Multi-layered Microcantilevers for MEMS Capacitive Accelerometers—第16回集積化MEMSシンポジウム

栗岡智行, Chen Chun-Yi, Chang Tso-Fu Mark, 町田克之, 伊藤浩之, 三宅美博, 曽根正人, 宮井良介

「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム論文集電気学会センサ・マイクロマシン部門 [編] 41 5p 2024年11月

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記述言語：日本語出版者・発行元：[東京] : Institute of Electrical Engineers of Japan

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その他リンク： https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I034240967
Au錘1軸差動型CMOS-MEMS加速度センサのための錘位置制御電極の検討—Development of Proof-mass Position Control Electrodes for Au Proof-mass Single-Axis Differential CMOS-MEMS Accelerometer—第15回集積化MEMSシンポジウム

御宿希祐, 大西哲, Tenneti Devi Srujana, 町田克之, 栗岡智行, Tso-Fu Mark Chang, 曽根正人, 三宅美博, 伊藤浩之

「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム論文集電気学会センサ・マイクロマシン部門 [編] 40 3p 2023年11月

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記述言語：日本語出版者・発行元：[東京] : Institute of Electrical Engineers of Japan

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その他リンク： https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I033248421
高感度MEMSセンサモジュールのためのデバイスの評価

内山晃宏, 柴田滉平, 大西哲, 町田克之, 緒方大樹, 石原昇, 内富寛隆, CHANG Tso-Fu Mark, 曽根正人, 三宅美博, 伊藤浩之

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 69th 2022年

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微弱筋音測定のための高感度MEMSセンサモジュールの検討

大西哲, 柴田滉平, 内山晃宏, 町田克之, 緒方大樹, 石原昇, 内富寛隆, CHANG Tso-Fu Mark, 曽根正人, 三宅美博, 伊藤浩之

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 69th 2022年

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フォトゲート型蛍光センサによるレジオネラ属菌検知システムの検討—Detection system of bacteria, Legionella by photogate type optical sensor—第13回集積化MEMSシンポジウム

本田優斗, 崔容俊, 村上健介, 野田俊彦, 高橋一浩, 澤田和明, 石井仁, 町田克之, 伊藤浩之, 宮原敏, 二階堂靖彦, 齋藤光正

「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム論文集電気学会センサ・マイクロマシン部門 [編] 38 5p 2021年11月

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記述言語：日本語出版者・発行元：Institute of Electrical Engineers of Japan

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レジオネラ属菌識別に向けたフォトゲート型蛍光センサによる計測システムの検討

本田優斗, CHOI Y. J., 村上健介, 野田俊彦, 高橋一浩, 澤田和明, 石井仁, 町田克之, 伊藤浩之, 二階堂靖彦, 齋藤光正

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 68th 2021年

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レジオネラ属菌の識別に向けたフォトゲート型蛍光センサによる計測手法の検討 : Legionella erythraの蛍光計測への応用 (第12回集積化MEMSシンポジウム)

本田優斗, 田中佐和子, 崔容俊, 野田俊彦, 高橋一浩, 澤田和明, 石井仁, 町田克之, 伊藤浩之, 二階堂靖彦, 齋藤光正, 吉田眞一

「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム論文集電気学会センサ・マイクロマシン部門 [編] 37 5p 2020年10月

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記述言語：日本語出版者・発行元：Institute of Electrical Engineers of Japan

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細菌識別に向けたフォトゲート型蛍光センサによる蛍光検出方法の検討

本田優斗, 田中佐和子, CHOI Y.J., 野田俊彦, 高橋一浩, 澤田和明, 石井仁, 町田克之, 二階堂靖彦, 齋藤光正, 吉田眞一

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 67th 2020年

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フォトゲート型光センサによるレジオネラ属菌の菌種識別—Identification of Legionella Species by Photogate-Type Optical Sensor—第11回集積化MEMSシンポジウム

田中佐和子, 崔容俊, 石田誠, 澤田和明, 石井仁, 町田克之, 二階堂靖彦, 齋藤光正, 吉田眞一

「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム論文集電気学会センサ・マイクロマシン部門 [編] 36 5p 2019年11月

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記述言語：日本語出版者・発行元：Institute of Electrical Engineers of Japan

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微弱筋音計測に向けた高分解能MEMS慣性センサモジュールの検討

古賀達也, 市川崇志, 田中直登, 緒方大樹, 大良宏樹, 山根大輔, 石原昇, 伊藤浩之, 曽根正人, 町田克之, 三宅美博, 益一哉

センサ・マイクロマシンと応用システムシンポジウム(CD-ROM) 36th 2019年

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MEMS加速度センサに向けた金めっき微小カンチレバーのヤング率に関する研究

中島英亮, CHANG Tso‐Fu Mark, CHEN Chun‐Yi, 山根大輔, 小西敏文, 町田克之, 年吉洋, 伊藤浩之, 益一哉, 曽根正人

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 79th ROMBUNNO.18a‐233‐6 2018年9月

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記述言語：日本語

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A 0.18-µm CMOS time-domain capacitive-sensor interface for sub-1mG MEMS accelerometers

Motohiro Takayasu, Shiro Dosho, Hiroyuki Ito, Daisuke Yamane, Toshifumi Konishi, Katsuyuki Machida, Noboru Ishihara, Kazuya Masu

IEICE Electronics Express 15 ( 2 ) 2018年

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掲載種別：書評論文，書評，文献紹介等

DOI： 10.1587/elex.15.20171227

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レジオネラ属菌の赤色蛍光の励起光照射時間依存性の検討

田中佐和子, 大西脩平, 石田誠, 澤田和明, 石井仁, 町田克之, 二階堂靖彦, 齋藤光正, 吉田眞一

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 79th 2018年

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フォトゲート型蛍光センサを用いたレジオネラの蛍光観測 (第9回集積化MEMSシンポジウム)

大西脩平, 崔容俊, 石田誠, 澤田和明, 石井仁, 町田克之, 益一哉, 二階堂靖彦, 齋藤光正, 吉田眞一

「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム論文集電気学会センサ・マイクロマシン部門 [編] 34 1 - 4 2017年10月

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記述言語：日本語出版者・発行元：Institute of Electrical Engineers of Japan

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積層メタル技術によるMEMS加速度センサの傾斜時感度特性の検討 (第9回集積化MEMSシンポジウム)

古賀達也, 辻一平, 高安基大, 伊藤浩之, 山根大輔, 道正志郎, 石原昇, 町田克之, 益一哉, 小西敏文

「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム論文集電気学会センサ・マイクロマシン部門 [編] 34 3p 2017年10月

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記述言語：日本語出版者・発行元：Institute of Electrical Engineers of Japan

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Sub-1mG MEMS inertial sensors for biomedical applications

Daisuke Yamane, Toshifumi Konishi, Hiroshi Toshiyoshi, Masato Sone, Katsuyuki Machida, Yoshihiro Miyake, Kazuya Masu

2017 IEEE 12TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NANO/MICRO ENGINEERED AND MOLECULAR SYSTEMS (NEMS) 2017年

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記述言語：英語掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）

Web of Science

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マルチフィジクスシミュレーションを用いたCMOS-MEMS慣性センサのノイズ解析手法 (第8回集積化MEMSシンポジウム)

小西敏文, 山根大輔, 伊藤浩之, 道正志郎, 石原昇, 益一哉, 年吉洋, 町田克之

「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム論文集電気学会センサ・マイクロマシン部門 [編] 33 1 - 4 2016年10月

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記述言語：日本語出版者・発行元：Institute of Electrical Engineers of Japan

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微小引張試験片を用いたMEMS用金めっき材料の機械的特性の評価

柳田佐理, Chang Tso-Fu, Chen Chu-Yi, 山根大輔, 益一哉, 曽根正人, 名越貴志, 町田克之

「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム論文集電気学会センサ・マイクロマシン部門 [編] 33 1 - 4 2016年10月

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記述言語：日本語出版者・発行元：Institute of Electrical Engineers of Japan

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微小曲げ試験による金めっきで作製した微小カンチレバーの機械的特性評価

浅野啓介, 唐浩峻, Chen Chun-Yi, Chang Tso-Fu Mark, 山根大輔, 益一哉, 曽根正人, 名越貴志, 町田克之

「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム論文集電気学会センサ・マイクロマシン部門 [編] 33 1 - 4 2016年10月

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記述言語：日本語出版者・発行元：Institute of Electrical Engineers of Japan

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RC発振器型高感度容量検出回路 (第8回集積化MEMSシンポジウム)

高安基大, 道正志郎, 伊藤浩之, 石原昇, 山根大輔, 益一哉, 小西敏文, 町田克之

「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム論文集電気学会センサ・マイクロマシン部門 [編] 33 1 - 4 2016年10月

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記述言語：日本語出版者・発行元：Institute of Electrical Engineers of Japan

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高感度MEMS加速度センサー用金電気めっきの変形挙動および強度の結晶方位依存性評価

葭葉将治, Chen Chun-Yi, Chang Tso-Fu Mark, 山根大輔, 町田克之, 益一哉, 曽根正人, 名越貴志

「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム論文集電気学会センサ・マイクロマシン部門 [編] 33 1 - 4 2016年10月

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記述言語：日本語出版者・発行元：Institute of Electrical Engineers of Japan

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積層メタル技術によるMEMS加速度センサを用いた慣性センサモジュールの検討 (第8回集積化MEMSシンポジウム)

權田惇晟, 高安基大, 山根大輔, 伊藤浩之, 道正志郎, 石原昇, 益一哉, 小西敏文, 町田克之

「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム論文集電気学会センサ・マイクロマシン部門 [編] 33 1 - 4 2016年10月

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電解金めっき法により作製した金/チタン積層構造を有する微小カンチレバーの構造安定性の評価

寺西美波, Chang Tso-Fu Mark, Chen Chun-Yi, 山根大輔, 益一哉, 曽根正人, 小西敏文, 町田克之, 年吉洋

「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム論文集電気学会センサ・マイクロマシン部門 [編] 33 1 - 4 2016年10月

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差動型積層メタル MEMS 加速度センサの検討 (第8回集積化MEMSシンポジウム)

山根大輔, 伊藤浩之, 曽根正人, 益一哉, 町田克之, 小西敏文, 佐布晃昭, 年吉洋

「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム論文集電気学会センサ・マイクロマシン部門 [編] 33 1 - 4 2016年10月

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Sub-1mG検出へ向けた積層メタルMEMS慣性センサ (第8回集積化MEMSシンポジウム)

山根大輔, 曽根正人, 益一哉, 町田克之, 小西敏文, 佐布晃昭, 年吉洋

「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム論文集電気学会センサ・マイクロマシン部門 [編] 33 1 - 4 2016年10月

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記述言語：日本語出版者・発行元：Institute of Electrical Engineers of Japan

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マイクロ流路チップを用いたレジオネラ・ニューモフィラとレジオネラ・デュモフィのストレス応答の観測 (第8回集積化MEMSシンポジウム)

大西脩平, 西村祐典, 石田誠, 澤田和明, 石井仁, 町田克之, 益一哉, 王常楽, 飯田健一郎, 齋藤光正, 吉田眞一

「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム論文集電気学会センサ・マイクロマシン部門 [編] 33 1 - 5 2016年10月

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記述言語：日本語出版者・発行元：Institute of Electrical Engineers of Japan

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C-10-16 Sub-1G検出へ向けた積層メタル3軸加速度センサの基礎検討(C-10.電子デバイス/シリコン材料・デバイス,一般セッション)

山根大輔, 小西敏文, 年吉洋, 益一哉, 町田克之

電子情報通信学会総合大会講演論文集 2016 ( 2 ) 73 - 73 2016年3月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

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C-12-13 CMOS低雑音オペアンプ設計法の検討(C-12.集積回路,一般セッション)

劉安〓, 小西敏文, 山根大輔, 伊藤浩之, 道正志郎, 石原昇, 町田克之, 益一哉

電子情報通信学会総合大会講演論文集 2016 ( 2 ) 86 - 86 2016年3月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

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Sub-1G~20G集積化MEMS慣性センサ (第7回集積化MEMSシンポジウム)

山根大輔, 益一哉, 町田克之, 小西敏文, 年吉洋

「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム論文集電気学会センサ・マイクロマシン部門 [編] 32 1 - 5 2015年10月

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記述言語：日本語出版者・発行元：Institute of Electrical Engineers of Japan

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マイクロ流路内でのレジオネラ属菌のストレス応答 (第7回集積化MEMSシンポジウム)

西村祐典, 石田誠, 澤田和明, 石井仁, 町田克之, 益一哉, 王常楽, 飯田健一郎, 齋藤光正, 吉田眞一

「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム論文集電気学会センサ・マイクロマシン部門 [編] 32 1 - 4 2015年10月

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記述言語：日本語出版者・発行元：Institute of Electrical Engineers of Japan

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MEMS加速度センサを形成する金属積層構造体における密着性評価 (第7回集積化MEMSシンポジウム)

佐布晃昭, 小西敏文, 松島隆明, 山根大輔, 曽根正人, 益一哉, 年吉洋, 町田克之

「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム論文集電気学会センサ・マイクロマシン部門 [編] 32 1 - 4 2015年10月

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移動体制御における慣性センサ適用性の検討 (第7回集積化MEMSシンポジウム)

高安基大, 山根大輔, 亀井将太, 伊藤浩之, 道正志郎, 石原昇, 益一哉, 町田克之, 小西敏文, 年吉洋

「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム論文集電気学会センサ・マイクロマシン部門 [編] 32 1 - 4 2015年10月

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記述言語：日本語出版者・発行元：Institute of Electrical Engineers of Japan

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マイクロ流路チップ中でのレジオネラの運動制限による蛍光観測

西村祐典, 林隆平, 中澤寛一, 石田誠, 澤田和明, 石井仁, 町田克之, 町田克之, 益一哉, WANG Changle, 飯田健一郎, 齋藤光正, 吉田眞

電子情報通信学会技術研究報告 115 ( 65(SDM2015 18-37) ) 2015年

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ビーズを用いたPDMS製細菌捕獲チップの検討 IV-紫外光照射によるレジオネラの光応答の観測-

西村祐典, 石田誠, 澤田和明, 石井仁, 町田克之, 町田克之, 益一哉, WANG C., 飯田健一郎, 齋藤光正, 吉田眞一

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 76th 2015年

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マルチフィジクス・シミュレーションを用いたアレイ型MEMS論理デバイスの制御方法の検討

小西敏文, 町田克之, 三田信, 藤田博之, 年吉洋

電気学会マイクロマシン・センサシステム研究会資料 MSS-15 ( 15-34 ) 2015年

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回路シミュレータを用いたMEMSエネルギーハーベスティングデバイスの検討 (第6回集積化MEMSシンポジウム)

小西敏文, 松島隆明, 町田克之

「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム論文集電気学会センサ・マイクロマシン部門 [編] 31 1 - 4 2014年10月

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記述言語：日本語出版者・発行元：Institute of Electrical Engineers of Japan

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Au積層形成技術による3軸MEMS加速度センサの検討 (第6回集積化MEMSシンポジウム)

松島隆明, 小西敏文, 町田克之

「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム論文集電気学会センサ・マイクロマシン部門 [編] 31 1 - 5 2014年10月

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記述言語：日本語出版者・発行元：Institute of Electrical Engineers of Japan

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ビーズを用いたPDMS製細菌捕獲チップの検討 II-蛍光強度の時間依存性-

西村祐典, 林隆平, 中澤寛一, 石田誠, 澤田和明, 石井仁, 町田克之, 町田克之, 益一哉, 飯田健一郎, 齋藤光正, 吉田眞一

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 75th 2014年

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マルチフィジクスシミュレーションを用いた集積化CMOS-MEM技術のためのセンサ回路の検討 (第5回集積化MEMSシンポジウム)

小西敏文, 松島隆明, 町田克之

「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム論文集電気学会センサ・マイクロマシン部門 [編] 30 1 - 4 2013年11月

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記述言語：日本語出版者・発行元：Institute of Electrical Engineers of Japan

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C-12-24 ISFETを用いたワイヤレスpHモニタリング用低電力FM送信IC(RF回路技術,C-12.集積回路,一般セッション)

椎野雄介, 藤原琢, 野村聡, 伊藤浩之, 石原昇, 山内悠, 田邉裕貴, 小西敏文, 町田克之, 益一哉

電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 2013 ( 2 ) 84 - 84 2013年9月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

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アレイ型MEMS加速度センサの基礎検討

佃真文, 山根大輔, 加賀谷賢, 伊藤浩之, 石原昇, 益一哉, 小西敏文, 松島隆明, 町田克之, 年吉洋

電気学会研究会資料. MSS, マイクロマシン・センサシステム研究会 2013 ( 1 ) 1 - 4 2013年8月

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記述言語：日本語

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C-12-57 ISFETを用いたpHモニタリング用低電力FM送信ICの検討(C-12.集積回路)

椎野雄介, 藤原琢, 伊藤浩之, 石原昇, 山内悠, 田邉裕貴, 野村聡, 小西敏文, 町田克之, 益一哉

電子情報通信学会総合大会講演論文集 2013 ( 2 ) 128 - 128 2013年3月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

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CMOS-MEMS指紋センサ

町田克之

日本機械学會誌 = Journal of the Society of Mechanical Engineers 116 ( 1130 ) 20 - 23 2013年1月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本機械学会

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細菌迅速検出用マイクロチップ V-培養条件と蛍光特性-

林隆平, 中澤寛一, 石田誠, 澤田和明, 石井仁, 町田克之, 町田克之, 石原昇, 益一哉, WANG C., 飯田健一郎, 齋藤光正, 藤井潤, 吉田眞一

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 74th 2013年

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集積化CMOS-MEMS技術とその応用

森村浩季, 島村俊重, 桑原啓, 小野一善, 町田克之

電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス = The transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C 95 ( 8 ) 175 - 182 2012年8月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor)技術とMEMS (Micro Electro Mechanical Systems)技術を融合した集積化CMOS-MEMS技術について述べる.本技術は小型・薄型化,高機能化,高精度化,量産化などが図れる.まずは,従来技術の動向と集積化CMOS-MEMS技術の位置付けを述べ,集積化CMOS-MEMS技術のポイントと有用性を説明する応用例を示す.具体的には,約6万のMEMS可変容量とセンサ回路により高感化を実現したMEMS指紋センサ,マルチバンドRF (Radio Frequency)モジュールをワンチップで実現可能にする.RF-MEMSスイッチとCMOS制御回路を混載したSP8T (Single-Pole Eight-Throw)スイッチについて述べる.更に,外部の環境からエネルギーを発電することでバッテリレスセンサノードを実現可能にする技術として,Power-MEMS発電素子,振動センサと協調することでnWレベルで動作するセンサ回路についても説明する.また,MEMSデバイスの特性を補償し,量産化に必要なテスト技術を可能にするMEMS制御用センサ回路についても紹介する.最後にCMOS回路とMEMSデバイスの融合により期待される今後の展望について述べる.

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集積化CMOS-MEMS技術とその応用

森村浩季, 島村俊重, 桑原啓, 小野一善, 町田克之

電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 111 ( 326 ) 47 - 52 2011年11月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

CMOS技術とMEMS技術を融合した集積化CMOS-MEMS技術について述べる.本技術は小型・薄型化,高機能化,高精度化,量産化などが図れる.まずは,従来技術の動向と集積化CMOS-MEMS技術の位置付けを述べ,集積化CMOS-MEMS技術のポイントと有用性を説明する応用例を示す.具体的には,約6万のMEMS可変容量とセンサ回路により高感化を実現したMEMS指紋センサ,マルチバンドRFモジュールをワンチップで実現可能にする,RF-MEMSスイッチとCMOS制御回路を混載したSP8Tスイッチについて述べる.さらに,外部の環境からエネルギーを発電することでバッテリレスセンサノードを実現可能にする技術としてPower-MEMS発電素子,振動センサと協調することでnWレベルで動作するセンサ回路についても説明する.最後にCMOS回路とMEMSデバイスの融合により期待される今後の展望について述べる.

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集積化CMOS-MEMS技術とその応用 (特集ナノテク&MEMS)

町田克之

ディスプレイ 17 ( 3 ) 71 - 77 2011年3月

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記述言語：日本語出版者・発行元：テクノタイムズ社

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集積化CMOS-MEMSのためのSPICE系統合設計手法

小西敏文, 丸山智史, 松島隆明, 三田信, 町田克之, 町田克之, 伊藤浩之, 石原昇, 益一哉, 藤田博之, 年吉洋

センサ・マイクロマシンと応用システムシンポジウム(CD-ROM) 28th 2011年

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集積化CMOS-MEMS設計のためのSPICEによるマルチフィジックス解析手法

小西敏文, 丸山智史, 松島隆明, 三田信, 町田克之, 町田克之, 石原昇, 益一哉, 藤田博之, 年吉洋

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) 58th 2011年

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集積化CMOS-MEMSのための統合設計技術の検討(2)

小西敏文, 丸山智史, 松島隆明, 三田信, 町田克之, 町田克之, 伊藤浩之, 石原昇, 益一哉, 藤田博之, 年吉洋

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 72nd 2011年

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STP法とスクリーン印刷法を組み合わせた新しいMEMS実装技術

真弓功人, 千野満, 田澤浩, 亀井敏和, 町田克之, 日暮栄治

電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス = The transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C 93 ( 11 ) 503 - 508 2010年11月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

本論文は,MEMS微小可動部を保護しLSIの実装工程と親和性のある新しい実装方法について記述している.本技術の概念は,MEMS実装工程において,MEMS素子をカプセルで保護する構造を作製することにある.カプセルは,MEMS素子の周りに有機材料を用いてスクリーン印刷法により形成した枠とSTP(Spin coating film Transfer and hot-Pressing)法で形成した保護膜とから構成されている.本技術の課題は,枠形成工程,保護膜形成工程へのSTP法の適用,枠と保護膜との密着強度である.実験結果により,本技術が,MEMS微小可動部を保護する新たな実装技術として有効であることを確認した.

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ISFETを用いたワイヤレスpHセンシング用低電力FM送信IC

藤原琢, 石原昇, 天川修平, 山内悠, 田邉裕貴, 野村聡, 小西敏文, 町田克之, 益一哉

2010 年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会 2010 ( 0 ) 111 - 111 2010年9月

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記述言語：日本語出版者・発行元：2010 年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会

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ISFET を用いたワイヤレス pH センサモジュール

藤原琢, 石原昇, 天川修平, 山内悠, 田邉裕貴, 野村聡, 小西敏文, 町田克之, 益一哉

2010 年電子情報通信学会総合大会 ( 0 ) 42 - 42 2010年3月

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記述言語：日本語出版者・発行元：2010 年電子情報通信学会総合大会

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容量型指紋センサLSIでの偽造指による不正の検知に向けたインピーダンス検出手法

島村俊重, 森村浩季, 下山展弘, 阪田知巳, 重松智志, 中西衛, 町田克之

電気学会研究会資料. ECT, 電子回路研究会 2009 ( 109 ) 63 - 66 2009年11月

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記述言語：日本語

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C-12-32 CMOS-MEMSの可動部位置制御のための容量センサ回路(センサ・3次元撮像素子,C-12.集積回路,一般セッション)

島村俊重, 森村浩季, 桑原啓, 佐藤昇男, 町田克之

電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 2009 ( 2 ) 96 - 96 2009年9月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

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集積化CMOS-MEMS技術とその応用 (特集 MEMS技術のパッケージ分野への応用)

町田克之, 森村浩季, 武藤伸一郎

電子材料 48 ( 7 ) 80 - 85 2009年7月

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記述言語：日本語出版者・発行元：工業調査会

CiNii Books

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C-12-70 生体検知機能内蔵指紋センサLSIのためのインピーダンス検出手法の検討(C-12.集積回路,一般セッション)

島村俊重, 森村浩季, 下山展弘, 阪田知巳, 重松智志, 町田克之, 中西衛

電子情報通信学会総合大会講演論文集 2009 ( 2 ) 158 - 158 2009年3月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

CiNii Books

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集積化CMOS-MEMS技術

森村浩季, 武藤伸一郎, 石井仁, 町田克之

電子情報通信学会誌 = The journal of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers 92 ( 1 ) 26 - 30 2009年1月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

CMOS技術とMEMS技術を融合した集積化CMOS-MEMS技術について述べる.本技術は小形・薄形化,高機能化,高精度化,量産化などが図れる.従来技術の動向と集積化CMOS-MEMS技術の位置付けを述べ,プロセス及び技術的課題について概説する.応用例として,約6万のMEMS可変容量とセンサ回路により高感度化を実現したMEMS指紋センサや複数RF MEMSスイッチのCMOSによる3.3V制御を実現したSP8Tスイッチについて述べ,CMOS回路とMEMSデバイスの融合により期待される今後の展望について述べる.

CiNii Books

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集積化Power MEMSの検討(3):Energy harvestingに向けたMEMS振動素子のSub-kHz共振の実現

小野一善, 佐藤昇男, 石井仁, 工藤和久, 村井正忠, 町田克之, 佐藤康博

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 56th ( 2 ) 2009年

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MEMSデバイスの3次元構造封止のためのSTP技術とその応用 (マテリアルフォーカス:エレクトロニクス 2か月連続特集 10億台「買い替え」市場への可能性携帯電話の「小型・軽量化と多機能化」に貢献するMEMSのこれから(1)材料・加工編)

町田克之, 矢野正樹, 亀井敏和

マテリアルステージ 8 ( 9 ) 32 - 35 2008年12月

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記述言語：日本語出版者・発行元：技術情報協会

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MEMSデバイスのスティッキング防止のための有機薄膜電着技術 (マテリアルフォーカス:エレクトロニクス 2か月連続特集 10億台「買い替え」市場への可能性携帯電話の「小型・軽量化と多機能化」に貢献するMEMSのこれから(1)材料・加工編)

石井仁, 阪田知巳, 町田克之

マテリアルステージ 8 ( 9 ) 27 - 31 2008年12月

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記述言語：日本語出版者・発行元：技術情報協会

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集積化CMOS-MEMS技術とその応用

町田克之, 森村浩季, 石井仁, 武藤伸一郎

電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会 2008 ( 17 ) 3 - 8 2008年5月

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記述言語：日本語

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有機薄膜の電着によるMEMSデバイスのスティッキング防止

阪田知巳, 桑原啓, 佐藤昇男, 島村俊重, 石井仁, 工藤和久, 町田克之

電子情報通信学会技術研究報告. EMD, 機構デバイス 108 ( 10 ) 13 - 16 2008年4月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

MEMSデバイスにおける駆動時のスティッキング防止技術について述べる.本技術は,可動構造体,あるいは,制御電極が金で作製されるMEMSデバイスに対して,塩酸浸漬によって酸化金を除去する工程と,電着によって制御電極を有機薄膜で被覆する工程からなる.本技術を適用したMEMSデバイスは,高い耐久性を兼ね備えて,可動部と制御電極の間のショートや駆動時のスティッキングを防止した.

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RF CMOS-MEMSの検討(4):厚膜金配線における高周波特性の検討

牛山和久, 桑原啓, 佐藤昇男, 森村浩季, 小舘淳一, 村井正忠, 工藤和久, 町田克之, 石井仁

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 55th ( 2 ) 2008年

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MEMS用金配線表面の水素アニールによる低温清浄化

阪田知巳, 桑原啓, 小野一善, 佐藤昇男, 町田克之, 石井仁

応用物理学会学術講演会講演予稿集 69th ( 2 ) 2008年

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RF CMOS-MEMSの検討(5):RF MEMS素子とCMOS基板の電気的結合の低減

桑原啓, 佐藤昇男, 森村浩季, 小舘淳一, 亀井敏和, 町田克之, 石井仁

応用物理学会学術講演会講演予稿集 69th ( 2 ) 2008年

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アドオン型厚膜配線を形成したMOSFETの信頼性

下山展弘, 下山展弘, 石井仁, 佐藤昇男, 小野一善, 阪田知巳, 工藤和久, 町田克之, 土屋敏章

応用物理学会学術講演会講演予稿集 69th ( 2 ) 2008年

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MEMS微小可動部の保護封止技術の検討

千野満, 真弓功人, 田澤浩, 島田照男, 亀井敏和, 矢野正樹, 町田克之, 佐藤昇男, 桑原啓, 石井仁, 日暮栄治

応用物理学会学術講演会講演予稿集 69th ( 2 ) 2008年

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RF CMOS-MEMSの検討(3):低電圧駆動RF MEMSスイッチの高集積化

桑原啓, 佐藤昇男, 森村浩季, 小舘淳一, 亀井敏和, 町田克之, 石井仁

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 55th ( 2 ) 2008年

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1チップ指紋認証LSI技術

重松智志, 森村浩季, 羽田野孝裕, 中西衛, 池田奈美子, 藤井孝治, 島村俊重, 町田克之, 岡崎幸夫, 久良木億

電気学会研究会資料. ECT, 電子回路研究会 2007 ( 88 ) 67 - 70 2007年12月

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記述言語：日本語

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RF-MEMS Switch Structure for Low-Voltage Actuation and High-Density Integration

KUWABARA Kei, SATO Norio, MORIMURA Hiroki, KODATE Junichi, KAMEI Toshikazu, MACHIDA Katsuyuki, ISHII Hiromu

Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials 2007 90 - 91 2007年9月

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記述言語：英語

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Thick Au High-Q Inductor and Its Chip-on-Chip Bonding on an RF IC for Various Frequencies

KODATE Junichi, KUWABARA Kei, SATO Norio, MORIMURA Hiroki, KUDOU Kazuhisa, MACHIDA Katsuyuki, ISHII Hiromu

Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials 2007 274 - 275 2007年9月

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記述言語：英語

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集積化RF-MEMSとその実装技術

桑原啓, 佐藤昇男, 町田克之, 石井仁, 川島宗也, 山口陽, 上原一浩

電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路 106 ( 468 ) 127 - 129 2007年1月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

RF-MEMS素子とRF回路の融合を目指した集積化RF-MEMSとその実装技術を提案する。多層構造を用い、異種RF-MEMS素子を同一基板上に形成するとともに、薄膜封止を用いて素子を保護することにより、フリップチップ実装によるRFICとの一体化を可能とした。RF-MEMSスイッチ及びインダクタを一体化したVCOを試作し、測定結果よりマルチバンド動作を確認した。

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金めっきにより厚膜多層配線の検討(3)

小野一善, 下山展弘, 佐藤昇男, 森村浩季, 小舘淳一, 工藤和久, 亀井敏和, 石井仁, 町田克之

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 54th ( 2 ) 2007年

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RF CMOS-MEMSの検討(1):RF MEMS技術とRF CMOS技術の融合

桑原啓, 佐藤昇男, 島村俊重, 森村浩季, 小舘淳一, 重松智志, 中西衛, 亀井敏和, 町田克之, 石井仁

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 54th ( 2 ) 2007年

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シングルチップRF LSIの実現に向けたRF CMOS-MEMS技術の構築

桑原啓, 佐藤昇男, 島村俊重, 森村浩季, 小舘淳一, 重松智志, 中西衛, 亀井敏和, 町田克之, 石井仁

応用物理学会学術講演会講演予稿集 68th ( 2 ) 2007年

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MEMSデバイス技術 3次元MEMS構造封止のためのSTP技術とその応用

佐藤昇男, 小野一善, 森村浩季, 重松智志, 石井仁, 町田克之

NTT技術ジャーナル 19 ( 7 ) 2007年

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集積化PowerMEMSの検討(2):振動発電に向けたMEMS振動素子の加振特性評価

佐藤昇男, 小野一善, 森村浩季, 小舘淳一, 桑原啓, 阪田知巳, 亀井敏和, 工藤和久, 町田克之, 石井仁

応用物理学会学術講演会講演予稿集 68th ( 2 ) 2007年

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STP法を用いたマイクロ流路構造の作製

亀井敏和, 佐藤昇男, 羽田野孝裕, 小舘淳一, 工藤和久, 矢野正樹, 石井仁, 町田克之

応用物理学会学術講演会講演予稿集 68th ( 3 ) 2007年

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STP Technology –Interconnects, CMOS-MEMS, Packaging– (invited)

Norio Sato, Hiromu Ishii, Katsuyuki Machida, Hideki Adachi

Proc. 2007 Advanced Metallization, JSAP-MRS 104 - 105 2007年

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撥水性電着膜によるMEMSデバイスのリリーススティッキング防止

阪田知巳, 桑原啓, 佐藤昇男, 島村俊重, 石井仁, 工藤和久, 町田克之

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 54th ( 2 ) 2007年

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RF CMOS-MEMSのための高Qインダクタの検討

小舘淳一, 桑原啓, 佐藤昇男, 森村浩季, 工藤和久, 町田克之, 石井仁

応用物理学会学術講演会講演予稿集 68th ( 2 ) 2007年

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MEMS実装のためのSTP技術

佐藤昇男, 桑原啓, 阪田知巳, 石井仁, 亀井敏和, 工藤和久, 町田克之

日本化学会講演予稿集 87th ( 1 ) 2007年

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RF CMOS-MEMSの検討(2):RF MEMSスイッチの低電圧化

草山裕助, 桑原啓, 佐藤昇男, 森村浩季, 阪田知巳, 工藤和久, 矢野正樹, 町田克之, 石原康利, 石井仁

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 54th ( 2 ) 2007年

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MEMSデバイスにおけるスティッキング防止用電着膜形成のための金電極表面処理(2)

阪田知巳, 岡部勇一, 桑原啓, 小野一善, 佐藤昇男, 工藤和久, 町田克之, 石井仁

応用物理学会学術講演会講演予稿集 68th ( 2 ) 2007年

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RF-MEMS一体化デュアルバンドVCO

山口陽, 川島宗也, 桑原啓, 佐藤昇男, 町田克之, 上原一浩

電子情報通信学会技術研究報告. SR, ソフトウェア無線 106 ( 188 ) 81 - 84 2006年7月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

フリップチップ実装により能動素子とRF-MEMSとを一体化したデュアルバンドVCOを提案する。試作したVCOは、MEMS技術を用いて作成した低損失なスイッチと高いQ値のインダクタにより、広帯域にわたって良好な発振動作を示している。発振周波数は、4.443GHz-4.695GHzと5.106GHz-5.411GHzであり、4.443GHzにおいて、1MHzオフセットの位相雑音は、-103dBc/Hzである。

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C-2-1 フリップチップ実装によるRF-MEMS一体化VCO(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)

川島宗也, 山口陽, 桑原啓, 佐藤昇男, 町田克之, 上原一浩

電子情報通信学会総合大会講演論文集 2006 ( 1 ) 32 - 32 2006年3月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

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金めっきによる厚膜多層配線形成の検討(2)

小野一善, 下山展弘, 佐藤昇男, 工藤和久, 亀井敏和, 石井仁, 町田克之

応用物理学会学術講演会講演予稿集 67th ( 2 ) 2006年

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有機絶縁膜の電着被覆によるMEMSデバイスの信頼性向上

阪田知巳, 石井仁, 佐藤昇男, 島村俊重, 桑原啓, 工藤和久, 町田克之

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 53rd ( 2 ) 2006年

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STP法による3D構造体形成技術-空間における上面膜の加工特性

亀井敏和, 佐藤昇男, 工藤和久, 矢野正樹, 生津英夫, 町田克之, 石井仁

応用物理学会学術講演会講演予稿集 67th ( 2 ) 2006年

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CMOS-MEMSの位置制御のための容量センシングの検討

島村俊重, 森村浩季, 桑原啓, 佐藤昇男, 寺田純, 宇賀神守, 重松智志, 町田克之, 中西衛, 石井仁

応用物理学会学術講演会講演予稿集 67th ( 2 ) 2006年

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シームレスインテグレーション技術とその応用

町田克之, 佐藤昇男, 石井仁, 森村浩季, 重松智志, 中西衛

エレクトロニクス実装学会誌 = Journal of Japan Institute of Electronics Packaging 9 ( 4 ) 245 - 250 2006年

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記述言語：日本語出版者・発行元：社団法人エレクトロニクス実装学会

DOI： 10.5104/jiep.9.245

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MEMSデバイスにおけるウエット処理時のスティッキング防止に向けた撥水性電着膜形成

阪田知巳, 石井仁, 佐藤昇男, 桑原啓, 島村俊重, 工藤和久, 町田克之

応用物理学会学術講演会講演予稿集 67th ( 2 ) 2006年

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シームレスインテグレーション技術とその応用

町田克之, 佐藤昇男, 石井仁, 森村浩季, 重松智志, 岡崎幸夫

電気学会研究会資料. MSS, マイクロマシン・センサシステム研究会 2005 ( 45 ) 25 - 30 2005年10月

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記述言語：日本語

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A 6-bit A/D Converter for MEMS-control circuit

TERADA Jun, URANO Masami, KODATE Jun-ichi, MUTOH Shin'ichiro, MACHIDA Katsuyuki

Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials 2005 926 - 927 2005年9月

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記述言語：英語

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Integrated RF-MEMS Technology with Wafer-Level Encapsulation

KUWABARA Kei, URANO Masami, KODATE Junichi, SATO Norio, SAKATA Tomomi, ISHII Hiromu, KAMEI Toshikazu, KUDOU Kazuhisa, YANO Masaki, MACHIDA Katsuyuki

Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials 2005 86 - 87 2005年9月

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記述言語：英語

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B-18-2 ユビキタス本人認証に向けたワイヤレス電池駆動指紋認証システム(B-18.バイオメトリクス・セキュリティ, 通信2)

重松智志, 羽田野孝裕, 森村浩季, 町田克之, 岡崎幸夫

電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 2005 ( 2 ) 420 - 420 2005年9月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

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集積化RF-MEMSの検討:異種素子の混載と封止

桑原啓, 浦野正美, 小舘淳一, 佐藤昇男, 阪田知巳, 石井仁, 亀井敏和, 工藤和久, 矢野正樹, 町田克之

応用物理学会学術講演会講演予稿集 66th ( 2 ) 2005年

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金めっきによる厚膜多層配線形成の検討

工藤和久, 佐藤昇男, 石井仁, 亀井敏和, 下山展弘, 矢野正樹, 生津英夫, 町田克之

応用物理学会学術講演会講演予稿集 66th ( 2 ) 2005年

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電着有機膜によるMEMS構造のスティッキング防止効果

阪田知巳, 石井仁, 岡部勇一, 佐藤昇男, 永瀬雅夫, 亀井敏和, 工藤和久, 矢野正樹, 町田克之

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 52nd ( 2 ) 2005年

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MEMSデバイスにおけるスティッキング防止用電着膜形成のための金電極表面処理

阪田知巳, 石井仁, 岡部勇一, 佐藤昇男, 桑原啓, 八木祥次, 亀井敏和, 工藤和久, 矢野正樹, 町田克之

応用物理学会学術講演会講演予稿集 66th ( 2 ) 2005年

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集積化Power MEMSの検討:熱電素子と振動素子の集積化プロセス

佐藤昇男, 石井仁, 浦野正美, 阪田知巳, 寺田純, 森村浩季, 重松智志, 桑原啓, 工藤和久, 亀井敏和, 矢野正樹, 八木祥次, 町田克之

応用物理学会学術講演会講演予稿集 66th ( 2 ) 2005年

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金めっきによる厚膜配線層形成後のMOSFET特性評価

下山展弘, 石井仁, 佐藤昇男, 亀井敏和, 工藤和久, 矢野正樹, 岡崎幸夫, 土屋敏章, 町田克之

応用物理学会学術講演会講演予稿集 66th ( 2 ) 2005年

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ワンチップ指紋認証LSIに適した超低消費電力指紋センシング回路技術

森村浩季, 島村俊重, 藤井孝治, 重松智志, 岡崎幸夫, 町田克之

電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路 104 ( 67 ) 41 - 46 2004年5月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

ピクセル並列動作するワンチップ指紋認証LSIの指紋センシング時の低電力化と制御性の向上を図るセンシング回路技術として,零貫通電流型シュミットトリガ回路と集計範囲可変カウント回路を提案した.提案回路により,センシング信号のA/D変換に用いるシュミットトリガ回路の貫通電流の零化と,センシング画像の画質評価に用いる黒画素数集計回路の制御性を向上した.0.25μmCMOSおよびセンサプロセスを用いた試作チップを評価した結果,センシング制御性を向上しながらセンシング電力を従来に比べ1/1500に低減し,1フレームあたり6.4μWを達成した.本結果から.提案技術の有効性を実証したとともに,ピクセル並列構成を有するワンチップ指紋認証LSIに適した超低消費電力指紋センシング回路技術を確立した.

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Compact fingerprint verification devices: FingerToken

Hiroki Suto, Satoshi Shigematsu, Takahiro Hatano, Chikara Yamaguchi, Yukio Okazaki, Katsuyuki Machida

NTT Technical Review 2 ( 2 ) 65 - 69 2004年2月

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掲載種別：書評論文，書評，文献紹介等

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指紋認証トークンシステム(安全と信頼とリスク : 安全・安心な社会を目指して)

首藤啓樹, 重松智志, 羽田野孝裕, 山口力, 岡崎幸夫, 町田克之

日本信頼性学会誌信頼性 26 ( 6 ) 522 - 528 2004年

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記述言語：日本語出版者・発行元：日本信頼性学会

ネットワーク上で利用できる情報サービスの拡大に伴い,本人認証の重要性がこれまで以上に増している.情報システムヘのアクセスにおいて本人認証によるシステムセキュリティの構築が急務であり,パスワードに代わる便利で確実な本人認証手段として指紋認証に対する関心が高まっている.据え置き型の指紋認証装置は入退室管理等において利用されてきたが,技術革新が進んできた今日では,装置の小型化・低価格化が可能となり,モバイル環境においてパーソナルユースに用いることも期待できる.ここでは,「いつでも」「どこでも」「登録した人だけ」が,さまざまなサービスを簡単に安心して利用できることをコンセプトとした,キーホルダサイズで個人専用の指紋認証トークンシステムについて紹介する.

DOI： 10.11348/reajshinrai.26.6_522

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選択絶縁膜形成のための電着有機薄膜形成技術

阪田知巳, 石井仁, 岡部勇一, 佐藤昇男, 町田克之, 矢野正樹, 工藤和久, 亀井敏和

応用物理学会学術講演会講演予稿集 65th ( 2 ) 2004年

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指紋センサLSI

町田克之, 森村浩季, 重松智志, 岡崎幸夫

電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス = The transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C 86 ( 7 ) 665 - 673 2003年7月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

近年,情報端末の不正使用を防止するためにバイオメトリクスを利用した認証システムが注目されている.我々は,バイオメトリクスとして指紋に着目し,半導体式容量型指紋センサLSIを開発してきた.本論文では,容量型指紋センサLSIのセンサ構造及びセンサプロセスについて説明し,静電気対策,機械的強度,長期信頼性などの信頼性評価方法とその結果について述べる.また,本指紋センサLSIの特徴であるキャリブレーション機能について説明する.キャリブレーションは,ピクセルごとに内蔵した可変容量を各ピクセルの出力信号が同一になるように調節することで実現し,センサ表面状態の影響を除外でき,長期間の使用においても常にきれいな画像が取得可能である.

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D-12-1 1 チップ指紋認証 LSI に適した指紋画像回転手法

重松智志, 藤井孝治, 森村浩季, 羽田野孝裕, 中西衛, 池田奈美子, 島村俊重, 町田克之, 岡崎幸夫, 久良木億

電子情報通信学会総合大会講演論文集 2003 ( 2 ) 162 - 162 2003年3月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

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ピクセルセルフチェック機能を有する容量型指紋センサLSIのウエハレベルテスト手法

島村俊重, 森村浩季, 重松智志, 岡崎幸夫, 町田克之, 久良木億

電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 102 ( 621 ) 31 - 36 2003年1月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

容量型指紋センサLSIを実装前にウエハ上でテストする手法を開発した.センサ表面に指を触れて指紋センシングを行わなくてもテストできるようにするために,指の接触を模擬するテスト機能をピクセルに搭載した.ダミー容量による模擬回路を用いたピクセルセルフチェック機能により,正しい色を出力できない不良ピクセルを検出することができる.本テスト手法を適用した指紋センサLSIを試作し,不良ピクセルの検出を行った.本テスト手法により,指を触れずに全てのピクセルを検査することができ,不良ピクセル数を判定基準としたウエハレベルでの良品選別が可能であることを確認した.

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STP法による絶縁膜形成後のMOSFET信頼性評価

佐藤昇男, 下山展弘, 亀井敏和, 工藤和久, 矢野正樹, 石井仁, 町田克之

応用物理学会学術講演会講演予稿集 64th ( 2 ) 2003年

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シームレスインテグレーション技術によるCMOS MEMS指紋センサ

佐藤昇男, 町田克之, 森村浩季, 重松智志, 矢野正樹, 工藤和久, 亀井敏和, 石井仁, 久良木億

センサ・マイクロマシンと応用システムシンポジウム講演概要集 20th 2003年

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シームレスインテグレーション技術のための基盤技術

町田克之, 佐藤昇男, 石井仁

精密工学会大会学術講演会講演論文集 2003 2003年

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シームレスインテグレーション技術-MEMSとLSIの融合に向けて-

町田克之, 佐藤昇男, 浦野正美, 石井仁

精密工学会大会学術講演会講演論文集 2003 2003年

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STP法による厚膜絶縁膜形成特性の評価

亀井敏和, 佐藤昇男, 矢野正樹, 工藤和久, 石井仁, 町田克之

応用物理学会学術講演会講演予稿集 64th ( 2 ) 2003年

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適応型画質調整を用いた指紋センシング・デジタル変換手法

重松智志, 森村浩季, 町田克之

電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路 102 ( 339 ) 31 - 36 2002年9月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

様々な状態の指に対し,指紋形状のセンシング,デジタルデータへの変換を行い,指紋認証に最適な画像を得る手法を提案する.本手法では,読みとった指紋形状を時間軸方向の信号に変換し,任意のレンジとオフセットでこのデータをデジタルデータに変換する回路を用い,クリアな指紋の読みとりを実現する.また,指の状態に合わせ,適応的に画像を調整する手法も提案する.0.5μmCMOS/センサプロセスを用いセンサチップを試作し,実験により本手法の有効性を確認した.

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GND壁センサ構造を有する容量型指紋センサLSIの感度評価

森村浩季, 重松智志, 島村俊重, 佐藤昇男, 町田克之, 久良木億

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 102 ( 326 ) 7 - 12 2002年9月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

きれいな指紋画像を取得するため,グランド(GND)壁センサ構造を有する容量型指紋センサLSIを提案し,その感度について評価した.具体的には,指の抵抗を考慮したセンサ構造の回路モデルを考案し,従来のセンサ構造と比較しながら,指紋センサLSIのセンシング特性を数値解析により計算した.解析結果から,指の抵抗が感度を劣化させることを示し,GND壁センサ構造が指の抵抗を抑えることにより高感度を実現できることを明らかにした.試作チップによる実験結果から,本解析の妥当性と指紋画像取得におけるGND壁センサ構造の効果を示し,GND壁センサ構造を有する指紋センサLSIがきれいな指紋画像を取得するための高感度を達成できると結論づけた.

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C-12-16 1チップ指紋認証LSIに適した指紋画像最適化手法

重松智志, 藤井孝治, 森村浩季, 羽田野孝裕, 中西衛, 池田奈美子, 島村俊重, 町田克之, 岡崎幸夫, 久良木億

電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 2002 ( 2 ) 82 - 82 2002年8月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

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C-12-18 容量型指紋センサLSI用キャリブレーション回路技術

森村浩季, 重松智志, 島村俊重, 町田克之, 久良木億

電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 2002 ( 2 ) 84 - 84 2002年8月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

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C-12-19 容量型指紋センサLSI良品選別のためのテスト手法

島村俊重, 森村浩季, 重松智志, 岡崎幸夫, 町田克之, 久良木憶

電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 2002 ( 2 ) 85 - 85 2002年8月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

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高性能容量型指紋センサLSIと認証システムへの応用

森村浩季, 重松智志, 島村俊重, 藤井孝治, 山口力, 首藤啓樹, 岡崎幸夫, 町田克之, 久良木億

電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路 102 ( 234 ) 35 - 40 2002年7月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

新技術としてセンサ構造,センサ回路,キャリブレーション回路を有する高性能な指紋センサLSIを開発した.本指紋センサLSIは,きれいな指紋画像を取得するために必要な,高信頼性,高感度,センサ表面の汚れの影響を受けにくいという特長がある.さらに,実使用において,認証に適した画質の指紋画像を常に安定して取得するため,変換範囲可変A/D変換回路を提案し,それを用いた指紋画質制御技術を考案した.本指紋センサLSIと指紋画質制御技術を用いた指紋認証システムを開発し,実用化に十分な性能を実証した.

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指紋センサLSI

岡崎幸夫, 町田克之

電子情報通信学会技術研究報告. CAS, 回路とシステム 102 ( 161 ) 143 - 150 2002年6月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

さまざまな応用局面でのセキュリティー向上や、ユーザカスタマイズなど利便性の向上を図るために、小型、軽量、高感度、高信頼性の静電容量式半導体指紋センサLSIを開発した。本LSIは微小容量を高感度に検出するセンシング回路、センサ表面の汚れや傷による画像劣化を防ぐためのキャリブレーション回路を内蔵する。また、指の状態変化に対応して最適な指紋画像を採取できる感度・階調調整機能を備えていることを特徴とする。また、各センサピクセルは接地壁に取り囲まれた独自の構造を採用することで、静電気に対しても高い耐性を持ち、長期間の使用に対しても安定した特性を示す。

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画素並列画像強調および画像回転手法を用いた1チップ指紋認証LSI

重松智志, 藤井孝治, 森村浩季, 羽田野孝裕, 中西衛, 池田奈美子, 島村俊重, 町田克之, 岡崎幸夫, 久良木億

電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路 102 ( 82 ) 7 - 12 2002年5月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

指紋のセンシングから認証までを行う指紋認証LSIにおいて,ピクセル内に指紋画像に適した画像処理を行う処理回路を構成し,これらピクセルの並列処理による画像の強調や回転などにより,認証率を向上する手法を提案する.この手法では,様々な状態の指や環境下での最適な指紋画像の取得や,読み取った指紋画像の認証に向けた最適化,指を置いたときの回転誤差の補正が可能となり,試作チップを用いた15万回の認証試験より,他人受理率を0.1%とした時の本人拒否率を,従来の30.59%から6.17%に改善できることを確認した.

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Thick On-Chip Interconnections by Cu-Damascene Processes Using a Photosensitive Polymer

SAITO Kunio, KOSUGI Toshihiko, YAMAGUCHI Chikara, KUDO Kazuhisa, YANO Masaki, YAGI Shoji, ISHII Hiromu, MACHIDA Katsuyuki, KYURAGI Hakaru

IEICE transactions on electronics 85 ( 3 ) 864 - 864 2002年3月

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記述言語：英語出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

Thick on-chip interconnections with the order of 10 μm in size have been formed using a positive-type photosensitive polymer and Cu-damascene technique. Low-k interlayer- dielectric (ILD) patterns were obtained by annealing the photosensitive polymer patterns which was formed by UV exposure and developing. High-quality spiral inductors with a maximum Q of 38 and coplanar waveguides with small transmission losses were obtained with reducing high-frequency power loss in the silicon substrate by forming a 20-30-μm-thick low-k ILD layer between the silicon substrate and the interconnection. A low phase-noise performance was obtained with a voltage-controlled oscillator LSI equipped with the spiral inductor.

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感光性樹脂を用いたCuダマシンプロセスによるオンチップ厚膜配線

斎藤國夫, 小杉敏彦, 山口力, 工藤和久, 矢野正樹, 八木祥次, 石井仁, 町田克之, 久良木億

電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス = The transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C 85 ( 3 ) 187 - 195 2002年3月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

ポジ型感光性樹脂の紫外線露光・現像で厚膜パターンを形成し,その熱処理による硬化でlow-k層間膜パターンを得,Cuめっきと研磨法により10μm級のオンチップ厚膜配線をシリコン基板上に形成した.20〜30μmの厚さのビアホール付きlow-k層間膜をシリコン基板とオンチップ配線との間に形成することによりシリコン基板による高周波の損失を低減し,高いQ値(38)のスパイラルインダクタを得た.また,電圧制御発振器LSIにオンチップスパイラルインダクタを搭載し,その有用性を確認した.更に,集中定数による等価回路でスパイラルインダクタの特性を検討した.本プロセスによりコプレーナ導波路を作成し,半絶縁性基板使用時なみの小さな伝送損を得た.

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STP法による封止技術 (2) MEMS指紋センサLSIへの応用

町田克之, 佐藤昇男, 石井仁, 重松智志, 森村浩季, 工藤和久, 矢野正樹

応用物理学会学術講演会講演予稿集 63rd ( 2 ) 2002年

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適応型画質調整を用いた指紋センシング・デジタル変換手法(アナログ・デジアナ・センサ, 通信用LSI)

重松智志, 森村浩季, 町田克之

映像情報メディア学会技術報告 26 ( 0 ) 31 - 36 2002年

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人映像情報メディア学会

様々な状態の指に対し,指紋形状のセンシング,デジタルデータヘの変換を行い,指紋認証に最適な画像を得る手法を提案する.本手法では,読みとった指紋形状を時間軸方向の信号に変換し,任意のレンジとオフセットでこのデータをデジタルデータに変換する回路を用い,クリアな指紋の読みとりを実現する.また,指の状態に合わせ,適応的に画像を調整する手法も提案する.0.5μm CMOS/センサプロセスを用いセンサチップを試作し,実験により本手法の有効性を確認した.

DOI： 10.11485/itetr.26.62.0_31

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STP法による封止技術 (1) MEMSプロセスへの適用

佐藤昇男, 石井仁, 工藤和久, 矢野正樹, 町田克之

応用物理学会学術講演会講演予稿集 63rd ( 2 ) 2002年

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STP法における絶縁膜形成特性の評価 (1) 数値解析

佐藤昇男, 工藤和久, 矢野正樹, 亀井敏和, 石井仁, 町田克之

応用物理学会学術講演会講演予稿集 63rd ( 2 ) 2002年

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STP法における絶縁膜形成特性の評価 (2) 実験

工藤和久, 佐藤昇男, 矢野正樹, 亀井敏和, 石井仁, 町田克之

応用物理学会学術講演会講演予稿集 63rd ( 2 ) 2002年

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Advanced Sensing Circuit and Sensor Structure for a High-Sensitive Capacitive Fingerprint Sensor LSI

MORIMURA H., SHIGEMATSU S., SHIMAMURA T., SATO N., MACHIDA K., KYURAGI H.

Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials 2001 280 - 281 2001年9月

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記述言語：英語

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容量型指紋センサ用ピクセルレベル自動キャリブレーション回路技術

森村浩季, 重松智志, 島村俊重, 町田克之, 久良木億

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 101 ( 247 ) 31 - 36 2001年7月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

センサチップに直接触れることで指紋パターンを得る容量型指紋センサにおいて、センサ表面の汚れによる取得画像の劣化を防ぐことは重要である。今回、指紋センシング特性をピクセルレベルで自動的にキャリブレーションを行う回路技術を開発した。キャリブレーションは、ピクセル毎に内蔵した可変容量を各ピクセルの出力信号が同一になるように調節することで実現する。試作した指紋センサチップにより、本技術がセンサ表面状態の影響を除外でき、長期間の使用においても常にきれいな画像が取得できることを実証した。

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異種機能融合化技術の研究動向 (特集論文1 システムデバイス実現のためのシームレスインテグレーション技術)

久良木億, 石井仁, 町田克之

NTT R & D 50 ( 7 ) 450 - 455 2001年7月

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記述言語：日本語出版者・発行元：電気通信協会

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高信頼性指紋センサLSIのプロセス技術 (特集論文1 システムデバイス実現のためのシームレスインテグレーション技術)

町田克之, 重松智志, 森村浩季

NTT R & D 50 ( 7 ) 456 - 462 2001年7月

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記述言語：日本語出版者・発行元：電気通信協会

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STP法による厚膜絶縁膜形成技術 (特集論文1 システムデバイス実現のためのシームレスインテグレーション技術)

佐藤昇男, 町田克之, 久良木億

NTT R & D 50 ( 7 ) 470 - 475 2001年7月

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記述言語：日本語出版者・発行元：電気通信協会

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指紋センサ認証LSI

森村浩季, 重松智志, 島村俊重, 町田克之, 久良木億

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 101 ( 161 ) 129 - 136 2001年6月

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記述言語：英語出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

指紋センサと認証システムを1チップに集積した1チップ指紋センサ認証LSIを開発した。本チップを実現するため、チップアーキテクチャ、センサ構造およびプロセス、回路技術を新たに考案した。本技術を0.5μmCMOS LSIに適用し、1チップ指紋センサ認証LSIを試作した結果、その有効性を確認した。今後必要となる携帯端末用途の安全な小型本人認証システムの実現に、1チップ指紋センサ認証LSIのコンセプトが有望な手法となることを示した。

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高信頼性指紋センサLSI

町田克之, 重松智志, 森村浩季, 田辺泰之, 海野秀之, 久良木億

電子情報通信学会技術研究報告. EMD, 機構デバイス 100 ( 624 ) 25 - 31 2001年2月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

近年、情報端末の不正使用を防止するためにバイオメトリクスを利用した認証システムが注目されている。我々は、LSI上でセンシングと認証が可能なワンチップ指紋認証センサLSIを開発した。本報告では、本LSIに導入した指紋センサのセンサ構造及びセンサプロセスについて説明し、信頼性評価結果について述べる。さらに、信頼性の課題と、その課題を克服した手法について述べる。半導体式容量型センサの信頼性課題は、大きく分けて三つある。一つは指からの静電気対策、次が、機械的強度の有無、最後に、長期信頼性(センサ表面からの不純物拡散による劣化対策)である。本指紋センサの評価結果により、高い静電気耐性、機械的強度及び長期信頼性があることを確認した。

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感光性樹脂を用いたCuダマシンプロセスによるオンチップ厚膜配線

斎藤國夫, 八木祥次, 小杉敏彦, 山口力, 工藤和久, 矢野正樹, 石井仁, 町田克之, 久良木億

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 100 ( 603 ) 15 - 22 2001年1月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

ポジ型感光性樹脂の紫外線露光・現像で厚膜パタンを形成し、その熱処理による硬化でlow-k層間膜パタンを得、Cuメッキと研磨(CMP)法により10μm級のオンチップ厚膜配線をシリコン基板上に形成した。20-30μmの厚さのビアホール付きlow-k層間膜をシリコン基板とオンチップ配線との間に形成することによりシリコン基板による高周波の損失を低減し、高いQ値(38)のスパイラルインダクタを得た。また、電圧制御発振器LSIにオンチップスパイラルインダクタを搭載し、その有用性を確認した。さらに、集中定数による等価回路でスパイラルインダクタの特性を検討した。本プロセスによりコプレーナ導波路を作成し、小さな伝送損失を得た。また、導波路のULSIグローバル配線への適用可能性を考察した。

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ワンチップ指紋認証センサLSIのためのセンサ構造とそのプロセス

町田克之, 重松智志, 森村浩季, 佐藤昇男, 田辺泰之, 八木祥次, 石井仁, 海野秀之, 工藤和久, 矢野正樹, 熊崎利彦, 久良木億

センサ・マイクロマシンと応用システムシンポジウム講演概要集 18th 2001年

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C-2-45 感光性樹脂を用いた新厚膜プロセスによるオンチップRF用配線

斎藤國夫, 八木祥次, 小杉敏彦, 山口力, 工藤和久, 矢野正樹, 石井仁, 町田克之, 久良木億

電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 2000 ( 1 ) 72 - 72 2000年9月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

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C-12-28 高性能容量型指紋センサ回路技術

森村浩季, 重松智志, 町田克之

電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 2000 ( 2 ) 108 - 108 2000年9月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

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Fingerprint Identification System on a Single Chip Based on Advanced Circuit and Device Technologies

SHIGEMATSU Satoshi, MORIMURA Hiroki, TANABE Yasuyuki, MACHIDA Katsuyuki, KYURAGI Hakaru

Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials 2000 352 - 353 2000年8月

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記述言語：英語

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ワンチップ指紋認証LSI用センサ--超薄型,小型化,高信頼性を実現

町田克之, 重松智志, 森村浩季

NTT技術ジャ-ナル 12 ( 6 ) 70 - 72 2000年6月

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記述言語：日本語出版者・発行元：電気通信協会

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The Influence of Stud Bumping above the MOSFETs on Device Reliability

SHIMOYAMA Nobuhiro, MACHIDA Katsuyuki, SHIMAYA Masakazu, AKIYA Hideo, KYURAGI Hakaru

IEICE transactions on fundamentals of electronics, communications and computer sciences 83 ( 5 ) 851 - 856 2000年5月

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記述言語：英語出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

This paper presents the effect of stress on device degradation in metal-oxide-semiconductor field-effect transistors(MOSFETs)due to stud bumping. Stud bumping above the MOSFET region generates interface traps at the Si/SiO_2 interface and results in the degradation of transconductance in N-channel MOSFETs. The interface traps are apparently eliminated by both nitrogen and hydrogen annealing. However, the hot-carrier immunity after hydrogen annealing is one order of magnitude stronger than that after nitrogen annealing. This effect is explained by the termination of dangling bonds with hydrogen atoms.

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高感度容量型指紋センサ回路技術

森村浩季, 重松智志, 町田克之

電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路 100 ( 41 ) 1 - 6 2000年5月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

チップに直接触れることで指紋画像を取得できる半導体指紋センサのための回路技術について述べた。センサセル構成として、高感度化、広ダイナミックレンジ化およびコントラスト調整ができる構成を提案した。差動型電荷転送アンプを用いたセンシング回路を考案し、寄生容量の影響を抑えながら指紋の凹凸に対応した微小な静電容量の検出を可能にした。高精度に2値化画像を得るために、センサ回路の電圧信号を出力応答時間に変換することにより出力ダイナミックレンジを拡大した。さらに、自動コントラスト強調機能をチップ内で実現した。0.5-μmCMOSプロセスを用いたテストチップによるセンサ回路の特性評価と。本センサ回路を1チップ指紋センサ認証LSIに適用した結果から、提案する回路技術の有効性を確認した。

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スタッドバンプ形成時の衝撃応力がデバイス劣化領域に及ぼす影響

下山辰弘, 町田克之, 小泉弘

電子情報通信学会技術研究報告 99 ( 454 ) 7 - 12 1999年11月

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記述言語：日本語出版者・発行元：電子情報通信学会

エリアバンプ技術におけるデバイス直上へのスタッドバンプ形成を想定し、バンプ形成がデバイス劣化に及ぼす影響について検討を行った。MOSFET直上へのスタッドバンプ形成による相互インダクタンスgmの劣化はゲート長が短くなるのに伴って増加する。gm劣化量と界面準位の変化量とを比較し既存の式を用いてデバイス劣化領域を求めた結果、劣化領域はゲート酸化膜界面に一様に分布するのではなく、ゲート端近傍に局所的に存在することが明らかとなった。この実験結果と2次元シミュレーションによるvon Misesの相当応力の分布との比較から、スタッドバンプにより生じるデバイス劣化領域はゲート端で約0.1μmの幅を持つことが明らかとなった。この劣化領域の値を用いて各ゲート長での界面準位密度を計算した結果、スタッドバンプによる衝撃応力が微細MOSデバイスの劣化に顕著に影響を及ぼすことが推測できた。

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C-12-39 1チップ指紋センサ認証LSI

重松智志, 森村浩季, 町田克之

電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 1999 ( 2 ) 109 - 109 1999年8月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

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1チップ指紋認証LSI

重松智志, 森村浩季, 町田克之

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 99 ( 146 ) 1 - 6 1999年6月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

現在、ICカードや携帯電話等の携帯機器が他人に不正利用されるのを防ぐために安全性の高い指紋による認証が必要とされている。本報告では、このような携帯機器への指紋認証システムを搭載可能とする、1チップで指紋のセンシングから認証まで行うLSIのアーキテクチャを提案する。このアーキテクチャでは、センシングされた指紋はピクセル並列認証アレイにより認識される。センサにはESDや物理的化学的破壊への高耐性を持つ新しいセンサ構造を提案し、認識回路との融合を実現した。センサを融合した指紋認証LSIを0.5μmCMOSプロセスを用い実現し、指紋のセンシングから認証までの動作を確認した。

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エリアバンプ形成素子のパッケージング工程で生じるデバイス劣化

下山展弘, 町田克之, 嶋屋正一, 久良木億

電子情報通信学会技術研究報告. R, 信頼性 98 ( 425 ) 19 - 24 1998年11月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

エリアバンプを形成したLSIチップを実装基板に接続する時に生じる応力がデバイス特性に与える影響について検討を行った。その結果、実装基板への接続時の圧着力が強くなるのに伴ってデバイス劣化は増大することを明かとした。この劣化要因は、圧着力の弱い時は主に界面準位発生であり、圧着力が強くなるのに伴って電子捕獲が支配的になる。また、この劣化は300℃の熱処理により削滅するが、時間の経過と伴に封止樹脂材の応力等が原因と見られるデバイス劣化が再び生じる。従って、エリアバンプを用いた実装を行う場合には、封止樹脂材料と封止樹脂形成工程後のベーク温度条件を考慮することが重要となる。

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Stress-Induced Device Degradation Due to Die-Attach Process after Area Bump Formation

SHIMOYAMA Nobuhiro, MACHIDA Katsuyuki, SHIMAYA Masakazu, KYURAGI Hakaru

Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials 1998 88 - 89 1998年9月

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記述言語：英語

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MOSデバイス中の可動イオンを不活性化する紫外線照射の効果

逸見学, 町田克之, 高橋淳一, 秋谷秀夫, 中山諭, 吉野秀男

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 97 ( 240 ) 13 - 20 1997年8月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

MOSデバイス中の可動イオンに対する紫外線照射の効果を調べた。MOSデバイスの多結晶シリコンゲートを設けた後の配線工程中で故意にナトリウムを混入させて試料とした。アルミニウムパッドを形成した後で、加熱しつつ紫外線(波長領域240-370nm)を照射した。能動MOSトランジスタ、寄生MOSトランジスタともに、ナトリウム混入でシフトした閾値電圧が、紫外線照射により本来の値に戻った。シリコン酸化膜中の正電荷のナトリウムイオンが、紫外線照射で励起された電子によって中和されたものと推測される。

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MOSFET直上へのスタッドバンプによるデバイス劣化とアニールによる劣化挙動

下山展弘, 町田克之, 嶋屋正一, 秋谷秀夫, 久良木億

電子情報通信学会技術研究報告. R, 信頼性 97 ( 118 ) 13 - 18 1997年6月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

エリアバンプ技術におけるデバイス直上へのスタッドバンプ形成を想定し、バンプ形成がデバイス劣化に及ぼす影響について検討を行った。その結果、MOSFET直上へのスタッドバンプ形成は、ゲート酸化膜界面に界面準位を生成し、相互コンダクタンスgmの劣化を引き起こすことが明らかとなった。この劣化は、バンプ形成後に窒素アニールか水素アニールを行うことにより、見かけ上消滅することがわかった。しかし、アニール後のホットキャリアストレス試験結果から、窒素アニールを行ったMOSFETのgm変動寿命は水素アニールに比べ1桁短いことが判明した。従って、スタッドバンプ形成によるデバイス特性劣化はバンプストレスにより生じたシリコンダングリングボンドを水素原子で終端することにより完全に回復することが明らかとなった。

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SIMOX基板の重金属汚染分析方法の検討

小舘淳一, 町田克之, 今井和雄, 田中真紀子, 籔本周邦

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 95 ( 570 ) 91 - 98 1996年3月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

SIMOX基板の重金属汚染について原子吸光法と全反射蛍光X線法を用いて検討した。表面Si層の重金属汚染を評価する方法として、ウェットエッチングでSi層を薄層化した後にECRプラズマで酸化膜を形成し、この酸化膜を気相分解して原子吸光分析する方法を検討した。この分析方法によって、表面Si層で微量のFeを検出することができた。また、全反射蛍光X線法を用いてSIMOX基板中のCuを分析し、埋込み酸化膜下のシリコン基板中にCuが存在する場合があることを示した。

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WSix配線技術 : ECR窒素プラズマにより形成したWSixN拡散バリア層の利用

枚田明彦, 細矢徹夫, 町田克之, 本間芳和, 秋谷秀夫

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 95 ( 497 ) 1 - 7 1996年1月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

WSix電極での不純物拡散バリアに, WSixN層の利用を検討した. WSixN層は, WSix表面へのECR窒素プラズマの照射により形成する. この簡便な手法により形成したWSixN層は, 厚さ5〜6nmの薄いアモルファス層であり, 1100℃, 10秒のRTA時でも不純物のWSix電極中への拡散の抑制が可能である. このWSixN層を利用することにより, RTA後もWSix/Si界面で不純物の高濃度層が実現できる. この結果WSixコンタクト電極で低コンタクト抵抗が得られる.

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ECR O_2プラズマを用いたシリコンコンタクト表面清浄化の検討

佐久間一人, 町田克之, 佐藤芳之, 鴨志田和良, 今井和雄, 荒井英輔

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 94 ( 194 ) 37 - 44 1994年8月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

LSIの微細化に伴い、コンタクト径の微細化が進む中でコンタクト抵抗の低減化および安定化が要求されている。本報告では、p+シリコンコンタクト特性の安定化を図るために、コンタクトホールエッチング後の簡便なシリコンコンタクト表面の清浄化法を提案し、検討した結果について述べる。清浄化法はドライエッチング後のシリコンコンタクト表面をECR酸素プラズマにより酸化し、ウエットエッチングする簡便な方法である。本方法を用いることによりXPSとSIMSの分析結果から、コンタクトホールのドライエッチング後のシリコンコンタクト表面の汚染が除去できることを確認した。さらに、本清浄化処理をしたコンタクトシリコン表面はベアシリコン表面に回復することを明確にした。p^+シリコンコンタクト不安定性は分析結果に示すように弗素汚染に起因しており、ECR酸素プラズマによるシリコン表面の酸化は弗素汚染層の除去に有効な方法であり、p^+コンタクト特性の安定化と低抵抗化が可能である。

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ポリサイドゲート電極でのECR窒素プラズマによる拡散バリヤ層SiNの形成技術

細矢徹夫, 町田克之, 今井和雄, 荒井英輔

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 94 ( 185 ) 59 - 64 1994年7月

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記述言語：英語出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

ポリサイドゲート電極での簡便な拡散バリヤ層の形成技術について報告する。窒素ガスのみから生成したECR窒素プラズマによりポリシリコン表面を窒化することにより、膜厚が非常に薄いシリコン窒化層を短時間で形成できる。この窒化層は、ポリシリコンからシリサイドへの不純物拡散の良好なバリヤ層として機能すること、十分な導電性を有すること、MOS界面特性に重大な支障を及ぼさないこと、が明らかとなった。本技術は、簡易な手法であるとともに、ULSI構造の従来プロセスとの親和性が良いので、コスト増加の小さい新規異極ポリサイドゲート形成技術として有用である。

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層間絶縁膜がMOSFETの信頼性に与える影響 : ホットキャリア耐性と層間絶縁膜との関係

下山展弘, 町田克之, 高橋庸夫, 生津英夫, 峯岸一茂

電子情報通信学会技術研究報告. R, 信頼性 93 ( 272 ) 1 - 6 1993年10月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

VLSIの多層配線用層間絶縁膜として使われるSOG膜やTEOS-O3酸化膜中からの水分は、MOSFETのホットキャリア劣化を増速させるためデバイスの信頼性上重大な問題となる。この問題を解決するためには、下層への水分の拡散を防止すると同時に上層への水分の透過性を考慮することが重要である。水分を含んだ層間絶縁膜の上層に薄いECR-SiO2膜あるいはプラズマTEOS酸化膜を用い、膜堆積後アニールを行うことにより、SOG膜やTEOS-O3酸化膜中の水分が減少することが明かとなった。この結果を用い、水分を含む膜の上層にプラズマTEOS膜を、下層には水分拡散抑制効果の高いECR-SiO2膜を堆積することにより、ホットキャリア耐性の改善ができることを確認した。

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Silicidation using electron cyclotron resonance plasma

M. Nagase, H. Ishii, K. Machida, H. Akiya

J. Vac. Sci. Tech. B 10 ( 3 ) 1087 - 1090 1992年

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DOI： 10.1116/1.586083

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バイアスECR法

町田克之

応用物理 57 ( 12 ) 1927 - 1928 1988年

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記述言語：日本語出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

DOI： 10.11470/oubutsu1932.57.1927

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講演・口頭発表等

MEMS加速度センサに向けた金めっき微小カンチレバーのヤング率に関する研究

中島英亮, CHANG Tso‐Fu Mark, CHEN Chun‐Yi, 山根大輔, 小西敏文, 町田克之, 年吉洋, 伊藤浩之, 益一哉, 曽根正人

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018年9月

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開催年月日： 2018年9月

記述言語：日本語

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A 0.18-µm CMOS time-domain capacitive-sensor interface for sub-1mG MEMS accelerometers

Motohiro Takayasu, Shiro Dosho, Hiroyuki Ito, Daisuke Yamane, Toshifumi Konishi, Katsuyuki Machida, Noboru Ishihara, Kazuya Masu

IEICE Electronics Express 2018年

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開催年月日： 2018年

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フォトゲート型蛍光センサを用いたレジオネラの蛍光観測 (第9回集積化MEMSシンポジウム)

大西脩平, 崔容俊, 石田誠, 澤田和明, 石井仁, 町田克之, 益一哉, 二階堂靖彦, 齋藤光正, 吉田眞一

「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム論文集電気学会センサ・マイクロマシン部門 [編] 2017年10月 Institute of Electrical Engineers of Japan

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開催年月日： 2017年10月

記述言語：日本語

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Sub-1mG MEMS inertial sensors for biomedical applications

Daisuke Yamane, Toshifumi Konishi, Hiroshi Toshiyoshi, Masato Sone, Katsuyuki Machida, Yoshihiro Miyake, Kazuya Masu

2017 IEEE 12TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NANO/MICRO ENGINEERED AND MOLECULAR SYSTEMS (NEMS) 2017年 IEEE

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開催年月日： 2017年

記述言語：英語

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C-12-13 CMOS低雑音オペアンプ設計法の検討(C-12.集積回路,一般セッション)

劉安〓, 小西敏文, 山根大輔, 伊藤浩之, 道正志郎, 石原昇, 町田克之, 益一哉

電子情報通信学会総合大会講演論文集 2016年3月一般社団法人電子情報通信学会

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開催年月日： 2016年3月

記述言語：日本語

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マイクロ流路内でのレジオネラ属菌のストレス応答 (第7回集積化MEMSシンポジウム)

西村祐典, 石田誠, 澤田和明, 石井仁, 町田克之, 益一哉, 王常楽, 飯田健一郎, 齋藤光正, 吉田眞一

「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム論文集電気学会センサ・マイクロマシン部門 [編] 2015年10月 Institute of Electrical Engineers of Japan

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開催年月日： 2015年10月

記述言語：日本語

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C-12-24 ISFETを用いたワイヤレスpHモニタリング用低電力FM送信IC(RF回路技術,C-12.集積回路,一般セッション)

椎野雄介, 藤原琢, 野村聡, 伊藤浩之, 石原昇, 山内悠, 田邉裕貴, 小西敏文, 町田克之, 益一哉

電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 2013年9月一般社団法人電子情報通信学会

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開催年月日： 2013年9月

記述言語：日本語

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アレイ型MEMS加速度センサの基礎検討

佃真文, 山根大輔, 加賀谷賢, 伊藤浩之, 石原昇, 益一哉, 小西敏文, 松島隆明, 町田克之, 年吉洋

電気学会研究会資料. MSS, マイクロマシン・センサシステム研究会 2013年8月

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開催年月日： 2013年8月

記述言語：日本語

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C-12-57 ISFETを用いたpHモニタリング用低電力FM送信ICの検討(C-12.集積回路)

椎野雄介, 藤原琢, 伊藤浩之, 石原昇, 山内悠, 田邉裕貴, 野村聡, 小西敏文, 町田克之, 益一哉

電子情報通信学会総合大会講演論文集 2013年3月一般社団法人電子情報通信学会

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開催年月日： 2013年3月

記述言語：日本語

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集積化CMOS-MEMS技術とその応用

森村浩季, 島村俊重, 桑原啓, 小野一善, 町田克之

電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス = The transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C 2012年8月一般社団法人電子情報通信学会

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開催年月日： 2012年8月

記述言語：日本語

CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor)技術とMEMS (Micro Electro Mechanical Systems)技術を融合した集積化CMOS-MEMS技術について述べる.本技術は小型・薄型化,高機能化,高精度化,量産化などが図れる.まずは,従来技術の動向と集積化CMOS-MEMS技術の位置付けを述べ,集積化CMOS-MEMS技術のポイントと有用性を説明する応用例を示す.具体的には,約6万のMEMS可変容量とセンサ回路により高感化を実現したMEMS指紋センサ,マルチバンドRF (Radio Frequency)モジュールをワンチップで実現可能にする.RF-MEMSスイッチとCMOS制御回路を混載したSP8T (Single-Pole Eight-Throw)スイッチについて述べる.更に,外部の環境からエネルギーを発電することでバッテリレスセンサノードを実現可能にする技術として,Power-MEMS発電素子,振動センサと協調することでnWレベルで動作するセンサ回路についても説明する.また,MEMSデバイスの特性を補償し,量産化に必要なテスト技術を可能にするMEMS制御用センサ回路についても紹介する.最後にCMOS回路とMEMSデバイスの融合により期待される今後の展望について述べる.

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集積化CMOS-MEMS技術とその応用

森村浩季, 島村俊重, 桑原啓, 小野一善, 町田克之

電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 2011年11月一般社団法人電子情報通信学会

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開催年月日： 2011年11月

記述言語：日本語

CMOS技術とMEMS技術を融合した集積化CMOS-MEMS技術について述べる.本技術は小型・薄型化,高機能化,高精度化,量産化などが図れる.まずは,従来技術の動向と集積化CMOS-MEMS技術の位置付けを述べ,集積化CMOS-MEMS技術のポイントと有用性を説明する応用例を示す.具体的には,約6万のMEMS可変容量とセンサ回路により高感化を実現したMEMS指紋センサ,マルチバンドRFモジュールをワンチップで実現可能にする,RF-MEMSスイッチとCMOS制御回路を混載したSP8Tスイッチについて述べる.さらに,外部の環境からエネルギーを発電することでバッテリレスセンサノードを実現可能にする技術としてPower-MEMS発電素子,振動センサと協調することでnWレベルで動作するセンサ回路についても説明する.最後にCMOS回路とMEMSデバイスの融合により期待される今後の展望について述べる.

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集積化CMOS-MEMS技術とその応用 (特集ナノテク&MEMS)

町田克之

ディスプレイ 2011年3月テクノタイムズ社

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開催年月日： 2011年3月

記述言語：日本語

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STP法とスクリーン印刷法を組み合わせた新しいMEMS実装技術

真弓功人, 千野満, 田澤浩, 亀井敏和, 町田克之, 日暮栄治

電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス = The transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C 2010年11月一般社団法人電子情報通信学会

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開催年月日： 2010年11月

記述言語：日本語

本論文は,MEMS微小可動部を保護しLSIの実装工程と親和性のある新しい実装方法について記述している.本技術の概念は,MEMS実装工程において,MEMS素子をカプセルで保護する構造を作製することにある.カプセルは,MEMS素子の周りに有機材料を用いてスクリーン印刷法により形成した枠とSTP(Spin coating film Transfer and hot-Pressing)法で形成した保護膜とから構成されている.本技術の課題は,枠形成工程,保護膜形成工程へのSTP法の適用,枠と保護膜との密着強度である.実験結果により,本技術が,MEMS微小可動部を保護する新たな実装技術として有効であることを確認した.

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ISFETを用いたワイヤレスpHセンシング用低電力FM送信IC

藤原琢, 石原昇, 天川修平, 山内悠, 田邉裕貴, 野村聡, 小西敏文, 町田克之, 益一哉

2010 年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会 2010年9月 2010 年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会

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開催年月日： 2010年9月

記述言語：日本語

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ISFET を用いたワイヤレス pH センサモジュール

藤原琢, 石原昇, 天川修平, 山内悠, 田邉裕貴, 野村聡, 小西敏文, 町田克之, 益一哉

2010 年電子情報通信学会総合大会 2010年3月 2010 年電子情報通信学会総合大会

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開催年月日： 2010年3月

記述言語：日本語

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容量型指紋センサLSIでの偽造指による不正の検知に向けたインピーダンス検出手法

島村俊重, 森村浩季, 下山展弘, 阪田知巳, 重松智志, 中西衛, 町田克之

電気学会研究会資料. ECT, 電子回路研究会 2009年11月

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開催年月日： 2009年11月

記述言語：日本語

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C-12-32 CMOS-MEMSの可動部位置制御のための容量センサ回路(センサ・3次元撮像素子,C-12.集積回路,一般セッション)

島村俊重, 森村浩季, 桑原啓, 佐藤昇男, 町田克之

電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 2009年9月一般社団法人電子情報通信学会

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開催年月日： 2009年9月

記述言語：日本語

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集積化CMOS-MEMS技術とその応用 (特集 MEMS技術のパッケージ分野への応用)

町田克之, 森村浩季, 武藤伸一郎

電子材料 2009年7月工業調査会

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開催年月日： 2009年7月

記述言語：日本語

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C-12-70 生体検知機能内蔵指紋センサLSIのためのインピーダンス検出手法の検討(C-12.集積回路,一般セッション)

島村俊重, 森村浩季, 下山展弘, 阪田知巳, 重松智志, 町田克之, 中西衛

電子情報通信学会総合大会講演論文集 2009年3月一般社団法人電子情報通信学会

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開催年月日： 2009年3月

記述言語：日本語

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集積化CMOS-MEMS技術とその応用

町田克之, 森村浩季, 武藤伸一郎, 佐藤康博

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 2009年2月一般社団法人電子情報通信学会

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開催年月日： 2009年2月

記述言語：日本語

集積化CMOS-MEMS技術及びその応用について概説する。集積化CMOS-MEMSは、新たな機能を有するデバイスとして期待されている。本デバイスの特徴をLSIプロセスの立場から概説する。次に,応用としてのCMOS-MEMS指紋センサ及びRF CMOS-MEMSについて特徴を説明する。最後に、デバイスとしての高機能化と優位性を示し、集積化CMOS-MEMS技術がMore than Mooreの解として期待されることを述べる。

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集積化CMOS-MEMS技術

森村浩季, 武藤伸一郎, 石井仁, 町田克之

電子情報通信学会誌 = The journal of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers 2009年1月一般社団法人電子情報通信学会

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開催年月日： 2009年1月

記述言語：日本語

CMOS技術とMEMS技術を融合した集積化CMOS-MEMS技術について述べる.本技術は小形・薄形化,高機能化,高精度化,量産化などが図れる.従来技術の動向と集積化CMOS-MEMS技術の位置付けを述べ,プロセス及び技術的課題について概説する.応用例として,約6万のMEMS可変容量とセンサ回路により高感度化を実現したMEMS指紋センサや複数RF MEMSスイッチのCMOSによる3.3V制御を実現したSP8Tスイッチについて述べ,CMOS回路とMEMSデバイスの融合により期待される今後の展望について述べる.

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MEMSデバイスの3次元構造封止のためのSTP技術とその応用 (マテリアルフォーカス:エレクトロニクス 2か月連続特集 10億台「買い替え」市場への可能性携帯電話の「小型・軽量化と多機能化」に貢献するMEMSのこれから(1)材料・加工編)

町田克之, 矢野正樹, 亀井敏和

マテリアルステージ 2008年12月技術情報協会

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開催年月日： 2008年12月

記述言語：日本語

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MEMSデバイスのスティッキング防止のための有機薄膜電着技術 (マテリアルフォーカス:エレクトロニクス 2か月連続特集 10億台「買い替え」市場への可能性携帯電話の「小型・軽量化と多機能化」に貢献するMEMSのこれから(1)材料・加工編)

石井仁, 阪田知巳, 町田克之

マテリアルステージ 2008年12月技術情報協会

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開催年月日： 2008年12月

記述言語：日本語

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集積化CMOS-MEMS技術とその応用

町田克之, 森村浩季, 石井仁, 武藤伸一郎

電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会 2008年5月

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開催年月日： 2008年5月

記述言語：日本語

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有機薄膜の電着によるMEMSデバイスのスティッキング防止

阪田知巳, 桑原啓, 佐藤昇男, 島村俊重, 石井仁, 工藤和久, 町田克之

電子情報通信学会技術研究報告. EMD, 機構デバイス 2008年4月一般社団法人電子情報通信学会

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開催年月日： 2008年4月

記述言語：日本語

MEMSデバイスにおける駆動時のスティッキング防止技術について述べる.本技術は,可動構造体,あるいは,制御電極が金で作製されるMEMSデバイスに対して,塩酸浸漬によって酸化金を除去する工程と,電着によって制御電極を有機薄膜で被覆する工程からなる.本技術を適用したMEMSデバイスは,高い耐久性を兼ね備えて,可動部と制御電極の間のショートや駆動時のスティッキングを防止した.

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1チップ指紋認証LSI技術

重松智志, 森村浩季, 羽田野孝裕, 中西衛, 池田奈美子, 藤井孝治, 島村俊重, 町田克之, 岡崎幸夫, 久良木億

電気学会研究会資料. ECT, 電子回路研究会 2007年12月

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開催年月日： 2007年12月

記述言語：日本語

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集積化RF-MEMSとその実装技術

桑原啓, 佐藤昇男, 町田克之, 石井仁, 川島宗也, 山口陽, 上原一浩

電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路 2007年1月一般社団法人電子情報通信学会

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開催年月日： 2007年1月

記述言語：日本語

RF-MEMS素子とRF回路の融合を目指した集積化RF-MEMSとその実装技術を提案する。多層構造を用い、異種RF-MEMS素子を同一基板上に形成するとともに、薄膜封止を用いて素子を保護することにより、フリップチップ実装によるRFICとの一体化を可能とした。RF-MEMSスイッチ及びインダクタを一体化したVCOを試作し、測定結果よりマルチバンド動作を確認した。

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STP Technology –Interconnects, CMOS-MEMS, Packaging– (invited)

Norio Sato, Hiromu Ishii, Katsuyuki Machida, Hideki Adachi

Proc. 2007 Advanced Metallization, JSAP-MRS 2007年

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開催年月日： 2007年

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RF-MEMS一体化デュアルバンドVCO

山口陽, 川島宗也, 桑原啓, 佐藤昇男, 町田克之, 上原一浩

電子情報通信学会技術研究報告. SR, ソフトウェア無線 2006年7月一般社団法人電子情報通信学会

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開催年月日： 2006年7月

記述言語：日本語

フリップチップ実装により能動素子とRF-MEMSとを一体化したデュアルバンドVCOを提案する。試作したVCOは、MEMS技術を用いて作成した低損失なスイッチと高いQ値のインダクタにより、広帯域にわたって良好な発振動作を示している。発振周波数は、4.443GHz-4.695GHzと5.106GHz-5.411GHzであり、4.443GHzにおいて、1MHzオフセットの位相雑音は、-103dBc/Hzである。

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C-2-1 フリップチップ実装によるRF-MEMS一体化VCO(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)

川島宗也, 山口陽, 桑原啓, 佐藤昇男, 町田克之, 上原一浩

電子情報通信学会総合大会講演論文集 2006年3月一般社団法人電子情報通信学会

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開催年月日： 2006年3月

記述言語：日本語

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シームレスインテグレーション技術とその応用

町田克之, 佐藤昇男, 石井仁, 森村浩季, 重松智志, 中西衛

エレクトロニクス実装学会誌 = Journal of Japan Institute of Electronics Packaging 2006年社団法人エレクトロニクス実装学会

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開催年月日： 2006年

記述言語：日本語

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シームレスインテグレーション技術とその応用

町田克之, 佐藤昇男, 石井仁, 森村浩季, 重松智志, 岡崎幸夫

電気学会研究会資料. MSS, マイクロマシン・センサシステム研究会 2005年10月

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開催年月日： 2005年10月

記述言語：日本語

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B-18-2 ユビキタス本人認証に向けたワイヤレス電池駆動指紋認証システム(B-18.バイオメトリクス・セキュリティ, 通信2)

重松智志, 羽田野孝裕, 森村浩季, 町田克之, 岡崎幸夫

電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 2005年9月一般社団法人電子情報通信学会

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開催年月日： 2005年9月

記述言語：日本語

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ワンチップ指紋認証LSIに適した超低消費電力指紋センシング回路技術

森村浩季, 島村俊重, 藤井孝治, 重松智志, 岡崎幸夫, 町田克之

電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路 2004年5月一般社団法人電子情報通信学会

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開催年月日： 2004年5月

記述言語：日本語

ピクセル並列動作するワンチップ指紋認証LSIの指紋センシング時の低電力化と制御性の向上を図るセンシング回路技術として,零貫通電流型シュミットトリガ回路と集計範囲可変カウント回路を提案した.提案回路により,センシング信号のA/D変換に用いるシュミットトリガ回路の貫通電流の零化と,センシング画像の画質評価に用いる黒画素数集計回路の制御性を向上した.0.25μmCMOSおよびセンサプロセスを用いた試作チップを評価した結果,センシング制御性を向上しながらセンシング電力を従来に比べ1/1500に低減し,1フレームあたり6.4μWを達成した.本結果から.提案技術の有効性を実証したとともに,ピクセル並列構成を有するワンチップ指紋認証LSIに適した超低消費電力指紋センシング回路技術を確立した.

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Compact fingerprint verification devices: FingerToken

Hiroki Suto, Satoshi Shigematsu, Takahiro Hatano, Chikara Yamaguchi, Yukio Okazaki, Katsuyuki Machida

NTT Technical Review 2004年2月

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開催年月日： 2004年2月

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指紋認証トークンシステム(安全と信頼とリスク : 安全・安心な社会を目指して)

首藤啓樹, 重松智志, 羽田野孝裕, 山口力, 岡崎幸夫, 町田克之

日本信頼性学会誌信頼性 2004年日本信頼性学会

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開催年月日： 2004年

記述言語：日本語

ネットワーク上で利用できる情報サービスの拡大に伴い,本人認証の重要性がこれまで以上に増している.情報システムヘのアクセスにおいて本人認証によるシステムセキュリティの構築が急務であり,パスワードに代わる便利で確実な本人認証手段として指紋認証に対する関心が高まっている.据え置き型の指紋認証装置は入退室管理等において利用されてきたが,技術革新が進んできた今日では,装置の小型化・低価格化が可能となり,モバイル環境においてパーソナルユースに用いることも期待できる.ここでは,「いつでも」「どこでも」「登録した人だけ」が,さまざまなサービスを簡単に安心して利用できることをコンセプトとした,キーホルダサイズで個人専用の指紋認証トークンシステムについて紹介する.

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指紋センサLSI

町田克之, 森村浩季, 重松智志, 岡崎幸夫

電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス = The transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C 2003年7月一般社団法人電子情報通信学会

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開催年月日： 2003年7月

記述言語：日本語

近年,情報端末の不正使用を防止するためにバイオメトリクスを利用した認証システムが注目されている.我々は,バイオメトリクスとして指紋に着目し,半導体式容量型指紋センサLSIを開発してきた.本論文では,容量型指紋センサLSIのセンサ構造及びセンサプロセスについて説明し,静電気対策,機械的強度,長期信頼性などの信頼性評価方法とその結果について述べる.また,本指紋センサLSIの特徴であるキャリブレーション機能について説明する.キャリブレーションは,ピクセルごとに内蔵した可変容量を各ピクセルの出力信号が同一になるように調節することで実現し,センサ表面状態の影響を除外でき,長期間の使用においても常にきれいな画像が取得可能である.

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D-12-1 1 チップ指紋認証 LSI に適した指紋画像回転手法

重松智志, 藤井孝治, 森村浩季, 羽田野孝裕, 中西衛, 池田奈美子, 島村俊重, 町田克之, 岡崎幸夫, 久良木億

電子情報通信学会総合大会講演論文集 2003年3月一般社団法人電子情報通信学会

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開催年月日： 2003年3月

記述言語：日本語

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ピクセルセルフチェック機能を有する容量型指紋センサLSIのウエハレベルテスト手法

島村俊重, 森村浩季, 重松智志, 岡崎幸夫, 町田克之, 久良木億

電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 2003年1月一般社団法人電子情報通信学会

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開催年月日： 2003年1月

記述言語：日本語

容量型指紋センサLSIを実装前にウエハ上でテストする手法を開発した.センサ表面に指を触れて指紋センシングを行わなくてもテストできるようにするために,指の接触を模擬するテスト機能をピクセルに搭載した.ダミー容量による模擬回路を用いたピクセルセルフチェック機能により,正しい色を出力できない不良ピクセルを検出することができる.本テスト手法を適用した指紋センサLSIを試作し,不良ピクセルの検出を行った.本テスト手法により,指を触れずに全てのピクセルを検査することができ,不良ピクセル数を判定基準としたウエハレベルでの良品選別が可能であることを確認した.

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適応型画質調整を用いた指紋センシング・デジタル変換手法

重松智志, 森村浩季, 町田克之

電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路 2002年9月一般社団法人電子情報通信学会

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開催年月日： 2002年9月

記述言語：日本語

様々な状態の指に対し,指紋形状のセンシング,デジタルデータへの変換を行い,指紋認証に最適な画像を得る手法を提案する.本手法では,読みとった指紋形状を時間軸方向の信号に変換し,任意のレンジとオフセットでこのデータをデジタルデータに変換する回路を用い,クリアな指紋の読みとりを実現する.また,指の状態に合わせ,適応的に画像を調整する手法も提案する.0.5μmCMOS/センサプロセスを用いセンサチップを試作し,実験により本手法の有効性を確認した.

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スタッドバンプ形成時の衝撃応力がデバイス劣化領域に及ぼす影響

下山辰弘, 町田克之, 小泉弘

電子情報通信学会技術研究報告 1999年11月電子情報通信学会

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開催年月日： 1999年11月

記述言語：日本語

エリアバンプ技術におけるデバイス直上へのスタッドバンプ形成を想定し、バンプ形成がデバイス劣化に及ぼす影響について検討を行った。MOSFET直上へのスタッドバンプ形成による相互インダクタンスgmの劣化はゲート長が短くなるのに伴って増加する。gm劣化量と界面準位の変化量とを比較し既存の式を用いてデバイス劣化領域を求めた結果、劣化領域はゲート酸化膜界面に一様に分布するのではなく、ゲート端近傍に局所的に存在することが明らかとなった。この実験結果と2次元シミュレーションによるvon Misesの相当応力の分布との比較から、スタッドバンプにより生じるデバイス劣化領域はゲート端で約0.1μmの幅を持つことが明らかとなった。この劣化領域の値を用いて各ゲート長での界面準位密度を計算した結果、スタッドバンプによる衝撃応力が微細MOSデバイスの劣化に顕著に影響を及ぼすことが推測できた。

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C-12-39 1チップ指紋センサ認証LSI

重松智志, 森村浩季, 町田克之

電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 1999年8月一般社団法人電子情報通信学会

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開催年月日： 1999年8月

記述言語：日本語

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1チップ指紋認証LSI

重松智志, 森村浩季, 町田克之

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 1999年6月一般社団法人電子情報通信学会

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開催年月日： 1999年6月

記述言語：日本語

現在、ICカードや携帯電話等の携帯機器が他人に不正利用されるのを防ぐために安全性の高い指紋による認証が必要とされている。本報告では、このような携帯機器への指紋認証システムを搭載可能とする、1チップで指紋のセンシングから認証まで行うLSIのアーキテクチャを提案する。このアーキテクチャでは、センシングされた指紋はピクセル並列認証アレイにより認識される。センサにはESDや物理的化学的破壊への高耐性を持つ新しいセンサ構造を提案し、認識回路との融合を実現した。センサを融合した指紋認証LSIを0.5μmCMOSプロセスを用い実現し、指紋のセンシングから認証までの動作を確認した。

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エリアバンプ形成素子のパッケージング工程で生じるデバイス劣化

下山展弘, 町田克之, 嶋屋正一, 久良木億

電子情報通信学会技術研究報告. R, 信頼性 1998年11月一般社団法人電子情報通信学会

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開催年月日： 1998年11月

記述言語：日本語

エリアバンプを形成したLSIチップを実装基板に接続する時に生じる応力がデバイス特性に与える影響について検討を行った。その結果、実装基板への接続時の圧着力が強くなるのに伴ってデバイス劣化は増大することを明かとした。この劣化要因は、圧着力の弱い時は主に界面準位発生であり、圧着力が強くなるのに伴って電子捕獲が支配的になる。また、この劣化は300℃の熱処理により削滅するが、時間の経過と伴に封止樹脂材の応力等が原因と見られるデバイス劣化が再び生じる。従って、エリアバンプを用いた実装を行う場合には、封止樹脂材料と封止樹脂形成工程後のベーク温度条件を考慮することが重要となる。

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MOSデバイス中の可動イオンを不活性化する紫外線照射の効果

逸見学, 町田克之, 高橋淳一, 秋谷秀夫, 中山諭, 吉野秀男

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 1997年8月一般社団法人電子情報通信学会

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開催年月日： 1997年8月

記述言語：日本語

MOSデバイス中の可動イオンに対する紫外線照射の効果を調べた。MOSデバイスの多結晶シリコンゲートを設けた後の配線工程中で故意にナトリウムを混入させて試料とした。アルミニウムパッドを形成した後で、加熱しつつ紫外線(波長領域240-370nm)を照射した。能動MOSトランジスタ、寄生MOSトランジスタともに、ナトリウム混入でシフトした閾値電圧が、紫外線照射により本来の値に戻った。シリコン酸化膜中の正電荷のナトリウムイオンが、紫外線照射で励起された電子によって中和されたものと推測される。

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MOSFET直上へのスタッドバンプによるデバイス劣化とアニールによる劣化挙動

下山展弘, 町田克之, 嶋屋正一, 秋谷秀夫, 久良木億

電子情報通信学会技術研究報告. R, 信頼性 1997年6月一般社団法人電子情報通信学会

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開催年月日： 1997年6月

記述言語：日本語

エリアバンプ技術におけるデバイス直上へのスタッドバンプ形成を想定し、バンプ形成がデバイス劣化に及ぼす影響について検討を行った。その結果、MOSFET直上へのスタッドバンプ形成は、ゲート酸化膜界面に界面準位を生成し、相互コンダクタンスgmの劣化を引き起こすことが明らかとなった。この劣化は、バンプ形成後に窒素アニールか水素アニールを行うことにより、見かけ上消滅することがわかった。しかし、アニール後のホットキャリアストレス試験結果から、窒素アニールを行ったMOSFETのgm変動寿命は水素アニールに比べ1桁短いことが判明した。従って、スタッドバンプ形成によるデバイス特性劣化はバンプストレスにより生じたシリコンダングリングボンドを水素原子で終端することにより完全に回復することが明らかとなった。

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SIMOX基板の重金属汚染分析方法の検討

小舘淳一, 町田克之, 今井和雄, 田中真紀子, 籔本周邦

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 1996年3月一般社団法人電子情報通信学会

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開催年月日： 1996年3月

記述言語：日本語

SIMOX基板の重金属汚染について原子吸光法と全反射蛍光X線法を用いて検討した。表面Si層の重金属汚染を評価する方法として、ウェットエッチングでSi層を薄層化した後にECRプラズマで酸化膜を形成し、この酸化膜を気相分解して原子吸光分析する方法を検討した。この分析方法によって、表面Si層で微量のFeを検出することができた。また、全反射蛍光X線法を用いてSIMOX基板中のCuを分析し、埋込み酸化膜下のシリコン基板中にCuが存在する場合があることを示した。

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WSix配線技術 : ECR窒素プラズマにより形成したWSixN拡散バリア層の利用

枚田明彦, 細矢徹夫, 町田克之, 本間芳和, 秋谷秀夫

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 1996年1月一般社団法人電子情報通信学会

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開催年月日： 1996年1月

記述言語：日本語

WSix電極での不純物拡散バリアに, WSixN層の利用を検討した. WSixN層は, WSix表面へのECR窒素プラズマの照射により形成する. この簡便な手法により形成したWSixN層は, 厚さ5〜6nmの薄いアモルファス層であり, 1100℃, 10秒のRTA時でも不純物のWSix電極中への拡散の抑制が可能である. このWSixN層を利用することにより, RTA後もWSix/Si界面で不純物の高濃度層が実現できる. この結果WSixコンタクト電極で低コンタクト抵抗が得られる.

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ECR O_2プラズマを用いたシリコンコンタクト表面清浄化の検討

佐久間一人, 町田克之, 佐藤芳之, 鴨志田和良, 今井和雄, 荒井英輔

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 1994年8月一般社団法人電子情報通信学会

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開催年月日： 1994年8月

記述言語：日本語

LSIの微細化に伴い、コンタクト径の微細化が進む中でコンタクト抵抗の低減化および安定化が要求されている。本報告では、p+シリコンコンタクト特性の安定化を図るために、コンタクトホールエッチング後の簡便なシリコンコンタクト表面の清浄化法を提案し、検討した結果について述べる。清浄化法はドライエッチング後のシリコンコンタクト表面をECR酸素プラズマにより酸化し、ウエットエッチングする簡便な方法である。本方法を用いることによりXPSとSIMSの分析結果から、コンタクトホールのドライエッチング後のシリコンコンタクト表面の汚染が除去できることを確認した。さらに、本清浄化処理をしたコンタクトシリコン表面はベアシリコン表面に回復することを明確にした。p^+シリコンコンタクト不安定性は分析結果に示すように弗素汚染に起因しており、ECR酸素プラズマによるシリコン表面の酸化は弗素汚染層の除去に有効な方法であり、p^+コンタクト特性の安定化と低抵抗化が可能である。

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ポリサイドゲート電極でのECR窒素プラズマによる拡散バリヤ層SiNの形成技術

細矢徹夫, 町田克之, 今井和雄, 荒井英輔

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 1994年7月一般社団法人電子情報通信学会

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開催年月日： 1994年7月

記述言語：英語

ポリサイドゲート電極での簡便な拡散バリヤ層の形成技術について報告する。窒素ガスのみから生成したECR窒素プラズマによりポリシリコン表面を窒化することにより、膜厚が非常に薄いシリコン窒化層を短時間で形成できる。この窒化層は、ポリシリコンからシリサイドへの不純物拡散の良好なバリヤ層として機能すること、十分な導電性を有すること、MOS界面特性に重大な支障を及ぼさないこと、が明らかとなった。本技術は、簡易な手法であるとともに、ULSI構造の従来プロセスとの親和性が良いので、コスト増加の小さい新規異極ポリサイドゲート形成技術として有用である。

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層間絶縁膜がMOSFETの信頼性に与える影響 : ホットキャリア耐性と層間絶縁膜との関係

下山展弘, 町田克之, 高橋庸夫, 生津英夫, 峯岸一茂

電子情報通信学会技術研究報告. R, 信頼性 1993年10月一般社団法人電子情報通信学会

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開催年月日： 1993年10月

記述言語：日本語

VLSIの多層配線用層間絶縁膜として使われるSOG膜やTEOS-O3酸化膜中からの水分は、MOSFETのホットキャリア劣化を増速させるためデバイスの信頼性上重大な問題となる。この問題を解決するためには、下層への水分の拡散を防止すると同時に上層への水分の透過性を考慮することが重要である。水分を含んだ層間絶縁膜の上層に薄いECR-SiO2膜あるいはプラズマTEOS酸化膜を用い、膜堆積後アニールを行うことにより、SOG膜やTEOS-O3酸化膜中の水分が減少することが明かとなった。この結果を用い、水分を含む膜の上層にプラズマTEOS膜を、下層には水分拡散抑制効果の高いECR-SiO2膜を堆積することにより、ホットキャリア耐性の改善ができることを確認した。

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バイアスECR法

町田克之

応用物理 1988年公益社団法人応用物理学会

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開催年月日： 1988年

記述言語：日本語

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産業財産権

設計支援装置

小西敏文, 松島隆明, 町田克之, 年吉洋

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出願人：エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社, 国立大学法人東京大学

出願番号：特願2012-152095 出願日：2012年7月

公開番号：特開2014-016695 公開日：2014年1月

J-GLOBAL

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半導体装置の製造方法

工藤和久, 矢野正樹, 小西敏文, 亀井敏和, 松島隆明, 町田克之

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出願人：エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社

出願番号：特願2010-085893 出願日：2010年4月

公開番号：特開2011-216812 公開日：2011年10月

特許番号/登録番号：特許第5197670号登録日：2013年2月

J-GLOBAL

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半導体装置の製造方法

工藤和久, 矢野正樹, 小西敏文, 亀井敏和, 松島隆明, 町田克之

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出願人：エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社

出願番号：特願2010-085893 出願日：2010年4月

公開番号：特開2011-216812 公開日：2011年10月

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半導体装置の製造方法および半導体装置

足立秀喜, 町田克之

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出願人：大日本スクリーン製造株式会社, エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社

出願番号：特願2007-308421 出願日：2007年11月

公開番号：特開2009-135172 公開日：2009年6月

特許番号/登録番号：特許第5149603号登録日：2012年12月

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半導体装置の製造方法および半導体装置

足立秀喜, 町田克之

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出願人：大日本スクリーン製造株式会社, エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社

出願番号：特願2007-308421 出願日：2007年11月

公開番号：特開2009-135172 公開日：2009年6月

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微細構造体の製造方法

佐藤昇男, 石井仁, 小野一善, 亀井敏和, 町田克之, 生津英夫

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出願人：日本電信電話株式会社, エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社

出願番号：特願2006-292213 出願日：2006年10月

公開番号：特開2008-109004 公開日：2008年5月

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配線構造の製造方法

町田克之, 斎藤國夫, 石井仁, 久良木億

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願2005-175970 出願日：2005年6月

公開番号：特開2005-354084 公開日：2005年12月

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半導体装置及びその製造方法

石井仁, 佐藤昇男, 浦野正美, 町田克之, 阪田知巳

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願2005-006242 出願日：2005年1月

公開番号：特開2006-196654 公開日：2006年7月

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半導体装置及びその製造方法

小舘淳一, 町田克之, 浦野正美

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願2005-001220 出願日：2005年1月

公開番号：特開2006-190804 公開日：2006年7月

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半導体装置の製造方法

小舘淳一, 町田克之, 浦野正美

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願2005-001220 出願日：2005年1月

公開番号：特開2006-190804 公開日：2006年7月

特許番号/登録番号：特許第4323435号登録日：2009年6月

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可変容量素子及びその製造方法

小舘淳一, 町田克之, 浦野正美, 桑原啓, 寺田純

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願2004-338807 出願日：2004年11月

公開番号：特開2006-147995 公開日：2006年6月

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可変容量素子及びその製造方法

小舘淳一, 町田克之, 浦野正美, 桑原啓, 寺田純

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願2004-338807 出願日：2004年11月

公開番号：特開2006-147995 公開日：2006年6月

特許番号/登録番号：特許第4410085号登録日：2009年11月

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半導体装置及びその製造方法

小舘淳一, 町田克之, 浦野正美, 束原恒夫

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願2004-276738 出願日：2004年9月

公開番号：特開2006-088268 公開日：2006年4月

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半導体装置の製造方法

小舘淳一, 町田克之, 浦野正美, 束原恒夫

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願2004-276738 出願日：2004年9月

公開番号：特開2006-088268 公開日：2006年4月

特許番号/登録番号：特許第4426413号登録日：2009年12月

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微細構造の製造方法

小舘淳一, 町田克之, 浦野正美, 桑原啓

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願2004-246438 出願日：2004年8月

公開番号：特開2006-062016 公開日：2006年3月

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静電駆動スイッチの製造方法

小舘淳一, 町田克之, 浦野正美, 桑原啓

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願2004-246434 出願日：2004年8月

公開番号：特開2006-066178 公開日：2006年3月

特許番号/登録番号：特許第4494130号登録日：2010年4月

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静電駆動スイッチ及びその製造方法

小舘淳一, 町田克之, 浦野正美, 桑原啓

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願2004-246434 出願日：2004年8月

公開番号：特開2006-066178 公開日：2006年3月

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半導体装置及びその製造方法

佐藤昇男, 石井仁, 浦野正美, 町田克之

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願2004-156747 出願日：2004年5月

公開番号：特開2005-340479 公開日：2005年12月

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半導体装置及びその製造方法

町田克之, 浦野正美, 小館淳一, 寺田純, 佐藤昇男, 束原恒夫

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願2004-137174 出願日：2004年5月

公開番号：特開2005-322666 公開日：2005年11月

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半導体装置の製造方法

町田克之, 浦野正美, 小館淳一, 寺田純, 佐藤昇男, 束原恒夫

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願2004-137174 出願日：2004年5月

公開番号：特開2005-322666 公開日：2005年11月

特許番号/登録番号：特許第4504086号登録日：2010年4月

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電子部品装置

浦野正美, 島村俊重, 石井仁, 田辺泰之, 町田克之

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願2003-326917 出願日：2003年9月

公開番号：特開2004-130507 公開日：2004年4月

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光スイッチ素子の製造方法

阪田知巳, 石井仁, 町田克之, 田辺泰之

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願2003-324452 出願日：2003年9月

公開番号：特開2004-151687 公開日：2004年5月

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光スイッチ素子の製造方法

阪田知巳, 石井仁, 町田克之, 田辺泰之

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願2003-324452 出願日：2003年9月

公開番号：特開2004-151687 公開日：2004年5月

特許番号/登録番号：特許第3745756号登録日：2005年12月

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半導体チップのパッケージ

町田克之, 重松智志, 吉田誠, 熊崎利彦, 嶋屋正一

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出願人：日本電信電話株式会社, エヌティティエレクトロニクス株式会社

出願番号：特願2003-322909 出願日：2003年9月

公開番号：特開2005-093590 公開日：2005年4月

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半導体チップのパッケージ

町田克之, 重松智志, 吉田誠夫, 熊崎利彦, 嶋屋正一

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出願人：日本電信電話株式会社, NTTエレクトロニクス株式会社

出願番号：特願2003-322909 出願日：2003年9月

公開番号：特開2005-093590 公開日：2005年4月

特許番号/登録番号：特許第3837558号登録日：2006年8月

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形状検査装置及び形状検査方法

佐藤昇男, 町田克之, 重松智志, 久良木億

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願2003-287932 出願日：2003年8月

公開番号：特開2005-055358 公開日：2005年3月

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表面形状認識用センサ及びその製造方法

佐藤昇男, 重松智志, 森村浩季, 町田克之, 島村俊重, 岡崎幸夫

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願2003-270432 出願日：2003年7月

公開番号：特開2005-021578 公開日：2005年1月

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表面形状認識用センサ及びその製造方法

佐藤昇男, 重松智志, 森村浩季, 町田克之, 島村俊重, 岡崎幸夫

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願2003-270104 出願日：2003年7月

公開番号：特開2005-024480 公開日：2005年1月

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表面形状認識用センサ及びその製造方法

佐藤昇男, 重松智志, 森村浩季, 町田克之, 島村俊重, 岡崎幸夫

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願2003-270104 出願日：2003年7月

公開番号：特開2005-024480 公開日：2005年1月

特許番号/登録番号：特許第4025261号登録日：2007年10月

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光スイッチ装置

浦野正美, 島村俊重, 石井仁, 田辺泰之, 町田克之

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願2002-303886 出願日：2002年10月

公開番号：特開2004-138846 公開日：2004年5月

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光スイッチ装置

浦野正美, 島村俊重, 石井仁, 田辺泰之, 町田克之

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願2002-303886 出願日：2002年10月

公開番号：特開2004-138846 公開日：2004年5月

特許番号/登録番号：特許第3782388号登録日：2006年3月

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光スイッチ装置

石井仁, 田辺泰之, 町田克之, 浦野正美, 島村俊重

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願2002-297817 出願日：2002年10月

公開番号：特開2004-133212 公開日：2004年4月

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光スイッチ装置

石井仁, 田辺泰之, 町田克之, 浦野正美, 島村俊重

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願2002-297817 出願日：2002年10月

公開番号：特開2004-133212 公開日：2004年4月

特許番号/登録番号：特許第3825388号登録日：2006年7月

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MEMS素子の製造方法

町田克之, 石井仁, 阪田知巳, 浦野正美

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願2002-297847 出願日：2002年10月

公開番号：特開2004-130448 公開日：2004年4月

特許番号/登録番号：特許第3825389号登録日：2006年7月

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表面形状認識センサ装置

森村浩季, 重松智志, 島村俊重, 佐藤昇男, 岡崎幸夫, 町田克之, 久良木億

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願2002-279076 出願日：2002年9月

公開番号：特開2004-117104 公開日：2004年4月

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表面形状認識センサ装置

森村浩季, 重松智志, 島村俊重, 佐藤昇男, 岡崎幸夫, 町田克之, 久良木億

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願2002-279076 出願日：2002年9月

公開番号：特開2004-117104 公開日：2004年4月

特許番号/登録番号：特許第3866642号登録日：2006年10月

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光スイッチ装置およびその製造方法

浦野正美, 石井仁, 島村俊重, 田辺泰之, 町田克之

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願2002-272897 出願日：2002年9月

公開番号：特開2004-109580 公開日：2004年4月

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光スイッチ装置の製造方法

浦野正美, 石井仁, 島村俊重, 田辺泰之, 町田克之

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願2002-272897 出願日：2002年9月

公開番号：特開2004-109580 公開日：2004年4月

特許番号/登録番号：特許第3819820号登録日：2006年6月

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光スイッチ装置及びその製造方法

石井仁, 町田克之, 田辺泰之, 八木祥次

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願2002-164105 出願日：2002年6月

公開番号：特開2004-012668 公開日：2004年1月

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表面形状認識用センサの製造方法

田辺泰之, 町田克之, 久良木億, 大西哲也, 熊▲崎▼ 利彦

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出願人：日本電信電話株式会社, シャープ株式会社, エヌティティエレクトロニクス株式会社

出願番号：特願2002-071421 出願日：2002年3月

公開番号：特開2003-269907 公開日：2003年9月

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表面形状認識用センサの製造方法

田辺泰之, 町田克之, 久良木億, 大西哲也, 熊▲崎▼ 利彦

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出願人：日本電信電話株式会社, シャープ株式会社, NTTエレクトロニクス株式会社

出願番号：特願2002-071421 出願日：2002年3月

公開番号：特開2003-269907 公開日：2003年9月

特許番号/登録番号：特許第3887252号登録日：2006年12月

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光スイッチ装置及び光スイッチ装置の製造方法

石井仁, 田辺泰之, 町田克之, 上西祐司, 清倉孝規

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願2002-071559 出願日：2002年3月

公開番号：特開2003-270554 公開日：2003年9月

特許番号/登録番号：特許第3953849号登録日：2007年5月

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剥離装置および剥離方法

町田克之, 佐藤昇男, 久良木億, 井関出, 川越理史

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出願人：日本電信電話株式会社, 大日本スクリーン製造株式会社

出願番号：特願2002-023155 出願日：2002年1月

公開番号：特開2003-224184 公開日：2003年8月

特許番号/登録番号：特許第3583406号登録日：2004年8月

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表面形状認識用センサおよびその製造方法

佐藤昇男, 町田克之, 久良木億, 重松智志, 森村浩季, 石井仁, 島村俊重

　詳細を見る

出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願2002-021667 出願日：2002年1月

公開番号：特開2002-328004 公開日：2002年11月

特許番号/登録番号：特許第3516945号登録日：2004年1月

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表面形状認識用センサおよびこの製造方法

佐藤昇男, 重松智志, 森村浩季, 町田克之, 久良木億

　詳細を見る

出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願2002-019870 出願日：2002年1月

公開番号：特開2002-328003 公開日：2002年11月

特許番号/登録番号：特許第3516944号登録日：2004年1月

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表面形状認識用センサおよびこの製造方法

佐藤昇男, 重松智志, 森村浩季, 町田克之, 久良木億

　詳細を見る

出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願2002-019870 出願日：2002年1月

公開番号：特開2002-328003 公開日：2002年11月

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多層配線形成方法

佐藤昇男, 町田克之, 久良木億

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願2001-337719 出願日：2001年11月

公開番号：特開2003-142578 公開日：2003年5月

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多層配線形成方法

町田克之, 佐藤昇男, 石井仁, 久良木億

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願2001-077944 出願日：2001年3月

公開番号：特開2002-280451 公開日：2002年9月

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表面形状認識用センサの製造方法

佐藤昇男, 町田克之, 久良木億, 重松智志, 森村浩季, 島村俊重

　詳細を見る

出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願2001-016793 出願日：2001年1月

公開番号：特開2002-221403 公開日：2002年8月

特許番号/登録番号：特許第3553889号登録日：2004年5月

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半導体基板の実装構造およびその構造に使用した実装用カバー

町田克之, 佐久間一人, 久良木億, 重松智志, 森村浩季, 岡崎幸夫

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願平11-337749 出願日：1999年11月

公開番号：特開2001-156190 公開日：2001年6月

特許番号/登録番号：特許第3597430号登録日：2004年9月

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配線形成方法

町田克之, 久良木億, 井関出, 上山勉

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出願人：日本電信電話株式会社, 大日本スクリーン製造株式会社

出願番号：特願平11-335433 出願日：1999年11月

公開番号：特開2001-156068 公開日：2001年6月

特許番号/登録番号：特許第3426550号登録日：2003年5月

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配線形成方法

町田克之, 久良木億, 井関出, 上山勉

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出願人：日本電信電話株式会社, 大日本スクリーン製造株式会社

出願番号：特願平11-335433 出願日：1999年11月

公開番号：特開2001-156068 公開日：2001年6月

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高周波伝送線路の製造方法

町田克之, 永妻忠夫, ナビルサーリ, 石井仁, 久良木億, 斎藤國夫, 八木祥次

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願平11-281033 出願日：1999年10月

公開番号：特開2001-102815 公開日：2001年4月

特許番号/登録番号：特許第3457589号登録日：2003年8月

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高周波用伝送線路およびその製造方法

町田克之, 永妻忠夫, ナビルサーリ, 石井仁, 久良木億, 斎藤國夫, 八木祥次

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願平11-281033 出願日：1999年10月

公開番号：特開2001-102815 公開日：2001年4月

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伝送線路およびその製造方法

町田克之, 永妻忠夫, ナビルサーリ, 石井仁, 久良木億, 斎藤國夫, 八木祥次

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願平11-170024 出願日：1999年6月

公開番号：特開2000-357904 公開日：2000年12月

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伝送線路の製造方法

町田克之, 永妻忠夫, ナビルサーリ, 石井仁, 久良木億, 斎藤國夫, 八木祥次

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願平11-170024 出願日：1999年6月

公開番号：特開2000-357904 公開日：2000年12月

特許番号/登録番号：特許第3679275号登録日：2005年5月

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配線構造の製造方法

町田克之, 斎藤國夫, 石井仁, 久良木億

　詳細を見る

出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願平11-170032 出願日：1999年6月

公開番号：特開2000-357738 公開日：2000年12月

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表面形状認識用センサ

町田克之, 久良木億, 森村浩季, 重松智志

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願平11-070619 出願日：1999年3月

公開番号：特開2000-266506 公開日：2000年9月

特許番号/登録番号：特許第3371095号登録日：2002年11月

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表面形状認識用センサ

町田克之, 久良木億, 森村浩季, 重松智志

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願平11-070619 出願日：1999年3月

公開番号：特開2000-266506 公開日：2000年9月

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表面形状認識用センサ

森村浩季, 重松智志, 町田克之

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願平11-032554 出願日：1999年2月

公開番号：特開2000-230801 公開日：2000年8月

特許番号/登録番号：特許第3455459号登録日：2003年7月

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表面形状認識用センサ

森村浩季, 重松智志, 町田克之

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願平11-032554 出願日：1999年2月

公開番号：特開2000-230801 公開日：2000年8月

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静電型可動接点素子の製造方法

枚田明彦, 町田克之, 前田正彦, 久良木億

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願平11-006444 出願日：1999年1月

公開番号：特開2000-208018 公開日：2000年7月

特許番号/登録番号：特許第3590283号登録日：2004年8月

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表面形状認識用センサおよびその製造方法

町田克之, 重松智志, 森村浩季

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願平11-001170 出願日：1999年1月

公開番号：特開2000-199701 公開日：2000年7月

特許番号/登録番号：特許第3318867号登録日：2002年6月

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表面形状認識用センサおよびその製造方法

町田克之, 重松智志, 森村浩季

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願平11-001170 出願日：1999年1月

公開番号：特開2000-199701 公開日：2000年7月

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自己破壊型半導体装置

小川重男, 逸見学, 町田克之

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願平10-243444 出願日：1998年8月

公開番号：特開2000-077617 公開日：2000年3月

特許番号/登録番号：特許第3725705号登録日：2005年9月

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自己破壊型半導体装置

小川重男, 逸見学, 町田克之

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願平10-229766 出願日：1998年8月

公開番号：特開2000-058760 公開日：2000年2月

特許番号/登録番号：特許第3420944号登録日：2003年4月

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自己破壊型半導体装置

小川重男, 逸見学, 町田克之

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願平10-229766 出願日：1998年8月

公開番号：特開2000-058760 公開日：2000年2月

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自己破壊型半導体装置

小川重男, 逸見学, 町田克之, 正代尊久

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願平10-222810 出願日：1998年8月

公開番号：特開2000-057285 公開日：2000年2月

特許番号/登録番号：特許第3529635号登録日：2004年3月

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電力供給源及び自己破壊型半導体装置

小川重男, 逸見学, 町田克之, 正代尊久

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願平10-222810 出願日：1998年8月

公開番号：特開2000-057285 公開日：2000年2月

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自己破壊型半導体装置

小川重男, 逸見学, 町田克之, 正代尊久

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願平10-188829 出願日：1998年7月

公開番号：特開2000-022093 公開日：2000年1月

特許番号/登録番号：特許第3725698号登録日：2005年9月

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自己破壊型半導体装置

小川重男, 逸見学, 町田克之, 正代尊久

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願平10-188829 出願日：1998年7月

公開番号：特開2000-022093 公開日：2000年1月

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自己破壊型半導体装置

小川重男, 逸見学, 町田克之

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願平10-157224 出願日：1998年6月

公開番号：特開平11-354731 公開日：1999年12月

特許番号/登録番号：特許第3725695号登録日：2005年9月

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自己破壊型半導体装置

小川重男, 逸見学, 町田克之

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願平10-157224 出願日：1998年6月

公開番号：特開平11-354731 公開日：1999年12月

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表面形状認識用センサおよびその製造方法

町田克之, 枚田明彦, 重松智志, 森村浩季

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願平10-135036 出願日：1998年5月

公開番号：特開平11-318864 公開日：1999年11月

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半導体装置及びその製造方法

小川重男, 枚田明彦, 逸見学, 町田克之, 大藤晋一, 海野秀之, 前田正彦, 竹田忠雄

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願平10-095815 出願日：1998年4月

公開番号：特開平11-297931 公開日：1999年10月

特許番号/登録番号：特許第3442994号登録日：2003年6月

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表面形状認識用センサおよびその製造方法

町田克之, 枚田明彦, 重松智志, 森村浩季

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願平10-053911 出願日：1998年3月

公開番号：特開平11-248410 公開日：1999年9月

特許番号/登録番号：特許第3318865号登録日：2002年6月

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基材の平坦化方法、被膜付基材および半導体装置の製造方法

村口良, 中島昭, 藤内篤, 小松通郎, 町田克之, 久良木億, 今井和雄

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出願人：触媒化成工業株式会社, 日本電信電話株式会社

出願番号：特願平10-522370 出願日：1997年10月

特許番号/登録番号：特許第3420590号登録日：2003年4月

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基材の平坦化方法、被膜付基材および半導体装置の製造方法

村口良, 中島昭, 藤内篤, 小松通郎, 町田克之, 久良木億, 今井和雄

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出願人：触媒化成工業株式会社, 日本電信電話株式会社

出願番号：JP1997003979 出願日：1997年10月

公表番号：WO1998-021750 公表日：1998年5月

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薄膜太陽電池の製造方法

西岡孝, 町田克之, 久良木億, 今井和雄

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願平9-153399 出願日：1997年6月

公開番号：特開平11-004008 公開日：1999年1月

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金属薄膜形成方法

粟屋信義, 小林敏夫, 町田克之, 久良木億, 枚田明彦

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願平9-128370 出願日：1997年5月

公開番号：特開平10-321621 公開日：1998年12月

特許番号/登録番号：特許第3394155号登録日：2003年1月

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金属薄膜形成方法

粟屋信義, 小林敏夫, 町田克之, 久良木億, 枚田明彦

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願平9-128370 出願日：1997年5月

公開番号：特開平10-321621 公開日：1998年12月

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薄膜形成方法及びそのための薄膜形成装置

中島昭, 藤内篤, 村口良, 小松通郎, 町田克之, 久良木億, 今井和雄

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出願人：触媒化成工業株式会社, 日本電信電話株式会社

出願番号：特願平9-125315 出願日：1997年5月

公開番号：特開平10-321617 公開日：1998年12月

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微小機械装置およびその製造方法

枚田明彦, 町田克之, 久良木億

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願平9-119572 出願日：1997年5月

公開番号：特開平10-313139 公開日：1998年11月

特許番号/登録番号：特許第3537631号登録日：2004年3月

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微小機械装置およびその製造方法

枚田明彦, 町田克之, 久良木億

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願平9-119572 出願日：1997年5月

公開番号：特開平10-313139 公開日：1998年11月

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薄膜形成方法

町田克之, 久良木億, 秋谷秀夫

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願平9-099111 出願日：1997年4月

公開番号：特開平10-032198 公開日：1998年2月

特許番号/登録番号：特許第3492880号登録日：2003年11月

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薄膜形成方法

町田克之, 久良木億, 秋谷秀夫

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願平9-099111 出願日：1997年4月

公開番号：特開平10-032198 公開日：1998年2月

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薄膜形成方法

枚田明彦, 町田克之, 久良木億

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願平8-285140 出願日：1996年10月

公開番号：特開平10-135605 公開日：1998年5月

特許番号/登録番号：特許第3642903号登録日：2005年2月

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薄膜形成方法

枚田明彦, 町田克之, 久良木億

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願平8-285140 出願日：1996年10月

公開番号：特開平10-135605 公開日：1998年5月

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半導体装置の製造方法

下山展弘, 町田克之, 久良木億, 嶋屋正一

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願平8-285161 出願日：1996年10月

公開番号：特開平10-135214 公開日：1998年5月

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半導体検査装置及び方法

伊藤高廣, 丹野雅明, 町田克之, 久良木億, 岡本秀孝

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願平8-238744 出願日：1996年9月

公開番号：特開平10-082825 公開日：1998年3月

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薄膜形成方法

町田克之, 久良木億, 秋谷秀夫, 中島昭, 小松通郎, 藤内篤

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出願人：日本電信電話株式会社, 触媒化成工業株式会社

出願番号：特願平8-004905 出願日：1996年1月

公開番号：特開平9-199493 公開日：1997年7月

特許番号/登録番号：特許第3518570号登録日：2004年2月

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薄膜形成方法

町田克之, 久良木億, 秋谷秀夫, 中島昭, 小松通郎, 藤内篤

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出願人：日本電信電話株式会社, 触媒化成工業株式会社

出願番号：特願平8-004905 出願日：1996年1月

公開番号：特開平9-199493 公開日：1997年7月

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半導体集積回路用静電容量素子とその製造方法

秋谷秀夫, 町田克之, 峯岸一茂, 熊崎利彦

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願平7-107246 出願日：1995年5月

公開番号：特開平8-306862 公開日：1996年11月

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転写用バンプ保持装置

町田克之, 久良木億, 秋谷秀夫

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願平7-088163 出願日：1995年4月

公開番号：特開平8-288288 公開日：1996年11月

特許番号/登録番号：特許第3265389号登録日：2002年1月

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転写用バンプ保持装置

町田克之, 久良木億, 秋谷秀夫

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願平7-088163 出願日：1995年4月

公開番号：特開平8-288288 公開日：1996年11月

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半導体装置およびその製造方法

細矢徹夫, 町田克之, 秋谷秀夫, 今井和雄, 荒井英輔

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願平6-140750 出願日：1994年6月

公開番号：特開平7-326617 公開日：1995年12月

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電荷測定方法

佐久間一人, 鴨志田和良, 逸見学, 細矢徹夫, 町田克之

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願平5-340383 出願日：1993年12月

公開番号：特開平7-161795 公開日：1995年6月

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電荷測定方法

佐久間一人, 鴨志田和良, 逸見学, 細矢徹夫, 町田克之

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願平5-340383 出願日：1993年12月

公開番号：特開平7-161795 公開日：1995年6月

特許番号/登録番号：特許第3401731号登録日：2003年2月

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半導体装置の製法

佐久間一人, 青山眞二, 町田克之, 田辺泰之, 今井和雄

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願平5-132937 出願日：1993年5月

公開番号：特開平7-006995 公開日：1995年1月

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半導体集積回路装置及びその製法

下山展弘, 町田克之, 嶋屋正一

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願平5-082710 出願日：1993年3月

公開番号：特開平6-275637 公開日：1994年9月

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半導体装置の製造方法

町田克之, 下山展弘, 峯岸一茂

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願平5-059324 出願日：1993年2月

公開番号：特開平6-252275 公開日：1994年9月

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半導体装置の製造方法

町田克之, 下山展弘, 峯岸一茂

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願平5-059324 出願日：1993年2月

公開番号：特開平6-252275 公開日：1994年9月

特許番号/登録番号：特許第2779996号登録日：1998年5月

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半導体装置およびその製造方法

細矢徹夫, 町田克之, 今井和雄, 荒井英輔

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願平5-044337 出願日：1993年2月

公開番号：特開平6-236994 公開日：1994年8月

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半導体装置の製造方法

細矢徹夫, 町田克之, 今井和雄, 荒井英輔

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願平5-044337 出願日：1993年2月

公開番号：特開平6-236994 公開日：1994年8月

特許番号/登録番号：特許第3156001号登録日：2001年2月

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半導体装置の層間絶縁膜

高橋庸夫, 町田克之, 今井和雄

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願平4-329913 出願日：1992年11月

公開番号：特開平6-163522 公開日：1994年6月

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半導体装置の製造方法

町田克之, 高橋庸夫, 高橋淳一, 下山展弘

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願平4-329912 出願日：1992年11月

公開番号：特開平6-163521 公開日：1994年6月

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半導体装置

高橋庸夫, 町田克之, 今井和雄

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願平4-329913 出願日：1992年11月

公開番号：特開平6-163522 公開日：1994年6月

特許番号/登録番号：特許第3113957号登録日：2000年9月

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半導体装置の製造方法

町田克之, 杣谷聡文

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願平4-149236 出願日：1992年6月

公開番号：特開平5-343400 公開日：1993年12月

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半導体集積回路装置における多層配線構体

高橋淳一, 町田克之, 下山展弘, 峯岸一茂

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願平4-113042 出願日：1992年4月

公開番号：特開平5-291413 公開日：1993年11月

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半導体装置の製造方法

町田克之, 村瀬克実, 下山展弘, 土屋敏章

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願平4-027516 出願日：1992年1月

公開番号：特開平5-198690 公開日：1993年8月

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付着層の除去方法

杣谷聡文, 町田克之, 橋本千里, 八木祥次

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願平3-349509 出願日：1991年12月

公開番号：特開平5-160124 公開日：1993年6月

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プラズマ処理におけるダメージ低減方法

町田克之, 逸見学, 峯岸一茂

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願平3-185875 出願日：1991年7月

公開番号：特開平5-009742 公開日：1993年1月

特許番号/登録番号：特許第2601573号登録日：1997年1月

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半導体集積回路装置の製造方法

町田克之, 森江隆, 及川秀男, 峯岸一茂

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願平1-182540 出願日：1989年7月

公開番号：特開平3-048440 公開日：1991年3月

特許番号/登録番号：特許第2563206号登録日：1996年9月

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半導体装置の製造方法

町田克之, 及川秀男

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願平1-131538 出願日：1989年5月

公開番号：特開平2-310926 公開日：1990年12月

特許番号/登録番号：特許第2514250号登録日：1996年4月

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半導体装置の製造方法

町田克之, 及川秀男

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願平1-101554 出願日：1989年4月

公開番号：特開平2-281735 公開日：1990年11月

特許番号/登録番号：特許第2547845号登録日：1996年8月

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半導体装置の製造方法

町田克之, 及川秀男, 君塚正勝, 守屋茂

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願昭63-240932 出願日：1988年9月

公開番号：特開平2-090526 公開日：1990年3月

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半導体装置の製造方法

橋本千里, 町田克之, 及川秀男

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願昭62-185384 出願日：1987年7月

公開番号：特開平1-030228 公開日：1989年2月

特許番号/登録番号：特許第2563180号登録日：1996年9月

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半導体装置の製造方法

橋本千里, 町田克之, 及川秀男

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願昭62-178977 出願日：1987年7月

公開番号：特開平1-023554 公開日：1989年1月

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半導体集積回路の配線構造

町田克之, 小林敏夫, 松井則夫

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願昭61-151007 出願日：1986年6月

公開番号：特開昭63-007650 公開日：1988年1月

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半導体装置の製造法

町田克之, 及川秀男

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出願人：日本電信電話株式会社

出願番号：特願昭60-026558 出願日：1985年2月

公開番号：特開昭61-187340 公開日：1986年8月

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共同研究・競争的資金等の研究課題

細菌ストレス応答の動的過程解明:エレクトロニクスに創発された新細菌同定法への展開

研究課題/領域番号：19H02196 2019年4月 - 2022年3月

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B)

石井仁, 齋藤光正, 町田克之

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配分額：17420000円（直接経費：13400000円、間接経費：4020000円）

バイオフィルムなどの環境に常在する病原細菌の一つであるレジオネラ属菌を細菌の動的過程解明のモデル細菌とし、このレジオネラ属菌の紫外光や化学物質に対するストレス応答の動的過程を細胞内の蛍光物質の減少、増加過程として反応化学的に記述した。さらにフォトゲート型細菌センサチップをMEMS流路とハイブリッド化した細菌センサシステム構築を進め、3Dプリンタを用いて作製した筐体にフォトゲート型細菌センサとMEMS流路を実装し、3.5x13 cm2程度の小型可搬な細菌センサシステムを作製した。この細菌センサシステムを用いて、レジオネラ属菌の蛍光の動的過程を観測しレジオネラ属菌の識別に成功した。

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エレクトロニクスに創発された細菌行動学の創生

研究課題/領域番号：15H03992 2015年4月 - 2019年3月

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B)

石井仁, 齋藤光正, 町田克之

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配分額：16380000円（直接経費：12600000円、間接経費：3780000円）

平成29年度は細菌弁別のための細菌行動データの取得を引き続き行い青色蛍光を発光するレジオネラ・ニューモフィラとレジオネラ・デュモフィに関するストレス応答に加えてレジオネラ・エリスラ、レジオネラ・ルブリセンスなど赤色蛍光を発するレジオネラ属菌のストレス応答を観測した。またレジオネラ・ニューモフィラとレジオネラ・デュモフィの蛍光物質の産生を反応速度論によって解析した。
平成30年度は予定通り、レジオネラ・エリスラの紫外光に対するストレス応答の一つとして発見した赤色蛍光物質の産生特性の反応速度論的解析を進め、細菌のストレス応答による物質産生の速度論的解析手法の構築を進めた。
この結果として得られた蛍光物質産生に関する化学反応の反応速度定数は、細菌のストレス応答を定量的に示すことができることがわかった。この事実は、紫外光ストレス応答に伴うレジオネラの生物化学反応の反応速度定数を細菌識別の定量的パラメータとして適用できることを示している。
以上の結果は主としてMEMSマイクロ流路と分光器を用いて得られたものである。さらに分光器に代わり、作製したフォトゲート型光ディテクタを用いたレジオネラ属菌の識別に関する検討を行った。紫外光照射により青色蛍光が減衰するレジオネラ・デュモフィと赤色蛍光の新たな発光があるレジオネラ・エリスラをMEMS流路に入れ、この両者の蛍光をフォトゲート型光センサの光電流として取得した。紫外光強度と蛍光強度の関係、蛍光強度の紫外光照射時間依存性について、分光器で得られたスペクトルの挙動とフォトゲート型光センサの光電流依存性と抽出した反応速度定数がよく一致した。このことはフォトゲート型光センサによってレジオネラを検知、識別できることを示している。以上から細菌行動の観測を基礎とするフォトゲート型光センサとMEMS流路の組合せによる小型可搬な細菌センサ開発の原理的確認ができた。

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結晶構造を制御した金合金めっきによるナノG検出法の開拓

研究課題/領域番号：15K17453 2015年4月 - 2018年3月

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(B) 若手研究(B)

山根大輔, 益一哉, 町田克之, 曽根正人

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配分額：4290000円（直接経費：3300000円、間接経費：990000円）

試作したAu合金デバイスのノイズ評価値は30nG/√Hz以下であり，目標性能（慣性分解能0.1μG以下）を達成した。また，デバイスの長期振動特性評価の結果，一般的に金属疲労が生じる100万回以上の振動を印加後でも機械故障がなかった。温度特性評価を実施した結果，-50℃～100℃の温度変化後でも機械故障は見られなかった。さらに，試作デバイスと市販容量検出回路を組み合わせて加速度センサモジュールを開発し，身体の加速度計測デモを実施した。
機械強度の観点では，目標性能（降伏強度1GPa）を超えるAu合金材料の開発に成功した。
以上より，ナノG検出へ向けたAu合金加速度検出デバイスの実現見通しを得た。

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異種機能素子統合設計技術と人体行動予知システム用チップの研究

研究課題/領域番号：23360149 2011年4月 - 2014年3月

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B)

町田克之, 年吉洋, 益一哉, 石原昇

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配分額：17290000円（直接経費：13300000円、間接経費：3990000円）

本研究は新しい人体検知用CMOS-MEMSを提案・実施した。成果は、i)回路シミュレータ上でMEMSとLSIを同時にシミュレーションしかつレイアウト可能な方法を世界で初めて構築,ii)新たなMEMSを提案し、設計・試作実証,iii)アレイ型MEMS加速度センサの検討を行い、1Gから20Gまでの検出実現,iv) Sub-1Gの加速度センサを検討し1mm角でセンサ感度0.78μｇ/Hz1/2を実現,v)汎用センサ回路を提案検討し、試作実証,vi)振動発電デバイスを提案し、2x4mm角、周波数88Hz、電力0.43μWの設計値取得、である。以上から、CMOS-MEMSの基本技術構築をできたと考える。

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細菌迅速検知チップに関する基礎的研究

研究課題/領域番号：23560394 2011年 - 2013年

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C)

石井仁, 町田克之, 吉田眞一

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配分額：5460000円（直接経費：4200000円、間接経費：1260000円）

病原細菌であるレジオネラ・ニューモフィラ（レジオネラと略記）をターゲットとする細菌センサーの開発を行った。その中で、この細菌がMEMSなどの狭い空間で運動を制限されると蛍光を発することを見出した。この性質を用いてレジオネラトラップの検討を行い、マイクロビーズとレジオネラの懸濁液を注入するだけでこれをトラップする樹脂製のマイクロ流路チップを開発し、レジオネラの蛍光を確認した。当初の目的であった培養無しの細菌センサーへの見通しを得た。さらに、このチップを用いてレジオネラの蛍光の時間依存性を発見した。これはもう一つの目的であったエレクトロニクスに創発された細菌行動学の創生にも資するものである。

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