2026/08/24 更新

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トミヤ シゲタカ
冨谷 茂隆
TOMIYA SHIGETAKA
所属
総合研究院 集積Green-niX+研究ユニット 特任教授
職名
特任教授

学位

  • 博士(工学) ( 2000年3月   慶應義塾大学 )

研究キーワード

  • 半導体材料物性、半導体デバイス、材料解析技術、計測インフォマティクス

研究分野

  • ナノテク・材料 / 結晶工学

  • ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性

  • ナノテク・材料 / 応用物性

  • ナノテク・材料 / 無機材料、物性

所属学協会

委員歴

  • (公社)応用物理学会   理事(総務)  

    2026年4月 - 現在   

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    団体区分:学協会

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  • 日本学術振興会 R031ハイブリッド量子ナノ技術委員会   材料分科主査  

    2023年4月 - 現在   

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    団体区分:政府

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  • NEDO 国立研究開発法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構   技術委員  

    2022年4月 - 現在   

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    団体区分:政府

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  • 応用物理学会 インフォマティクス応用研究会   副委員長  

    2022年4月 - 現在   

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    団体区分:学協会

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  • 日本学術振興会 R026先端計測技術の将来設計委員会   幹事  

    2022年4月 - 2025年3月   

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    団体区分:政府

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  • 日本学術振興会 自律型・複合型AI先端計測の新しい価値創造 研究開発専門委員会   研究テーマリーダ  

    2018年4月 - 2021年3月   

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  • 日本学術振興会 マテリアル・インフォマティクスによるものづくりプラットフォームの戦略的構築に関する先導的研究開発委員会   副委員長  

    2016年4月 - 2019年3月   

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  • 電子材料シンポジウム   運営委員  

    2013年4月 - 現在   

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    団体区分:学協会

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▼全件表示

論文

  • Polarity inversion in AlN induced by oxygen incorporation via surface oxidation treatments

    Tomohiro Tamano, Kanako Shojiki, Ryota Akaike, Hiroki Yasunaga, Zentaro Akase, Shigetaka Tomiya, Hideto Miyake

    Journal of Crystal Growth   694   128782 - 128782   2026年11月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Elsevier BV  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2026.128782

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  • Bayesian inference-based characterization of wavelength- and time-resolved photoluminescence data in an indium gallium nitride quantum well

    Kazunori Iwamitsu, Itsuki Shimbo, Zentaro Akase, Toshiya Yokogawa, Atsushi A. Yamaguchi, Shigetaka Tomiya

    Japanese Journal of Applied Physics   2026年7月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ae8109

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  • Spectral Imaging and Wavelength- and Angle-Resolved SEM-CL of Nitride Semiconductor Nanostructures

    Shota Usami, Zentaro Akase, Kazunori Iwamitsu, Toshiya Yokogawa, Shigetaka Tomiya

    Materia Japan   65 ( 1 )   22 - 22   2026年1月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japan Institute of Metals  

    DOI: 10.2320/materia.65.22

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  • Multimodal Luminescence Spectral Imaging Analysis of the InGaN Single Quantum Well Using One‐Sided Orthogonal Nonnegative Matrix Factorization

    Kazunori Iwamitsu, Kenta Sakai, Zentaro Akase, Atsushi A. Yamaguchi, Shigetaka Tomiya

    physica status solidi (b)   2025年12月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssb.202500040

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  • 電子顕微鏡法へのインフォマティクス応用

    赤瀬 善太郎, 岩満 一功, 大竹 義人, 冨谷 茂隆

    顕微鏡   60 ( 1 )   19 - 24   2025年4月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本顕微鏡学会  

    近年,計測・分析技術の進化や計算機能力の飛躍的な向上により,大量かつ複雑なデータが得られるになり,それらから新しい意味や知識を引き出すために情報学(Informatics)の手法を駆使した解析が盛んにおこなわれている.当研究グループではこうした計測学(Metrology)と情報学の融合分野を計測インフォマティクス(Metrology Informatics)として研究の中心に据え,主に半導体材料・デバイスの解析に応用している.本稿では走査電子顕微鏡-カソードルミネッセンス(SEM-CL)の三次元スペクトルイメージに片側直交性非負値行列因子分解を適用し,統計学的知見に基づいて発光モードの解析を行った例と,3次元アトムプローブ(3DAP)と電子線トモグラフィー(ET)の異なるデータ構造を持つ3次元顕微データを対象とした,非剛体レジストレーション手法を用いたマルチモーダル解析のアプローチを紹介する.

    DOI: 10.11410/kenbikyo.60.1_19

    CiNii Books

    CiNii Research

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    その他リンク: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I034171706

  • Improvement of MoS2 Film Quality by Low Flux of Sputtered Particles Using a Molybdenum Grid

    Shinya Imai, Ryo Ono, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Tetsuya Tatsumi, Shigetaka Tomiya, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

    IEEE Journal of the Electron Devices Society   2025年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/JEDS.2024.3502922

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  • Impact of crystallinity on thermal conductivity of RF magnetron sputtered MoS2 thin films

    Tatsuya Kitazawa, Yuta Inaba, Shunsuke Yamashita, Shinya Imai, Keita Kurohara, Tetsuya Tatsumi, Hitoshi Wakabayashi, Shigetaka Tomiya

    Japanese Journal of Applied Physics   2024年5月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ad46ae

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  • Atomic-Scale Multimodal Characterization of Self-Assembled InAs/InGaAlAs Quantum Dots 国際誌

    Yudai Yamaguchi, Yuta Inaba, Ryoji Arai, Yuya Kanitani, Yoshihiro Kudo, Michinori Shiomi, Daiji Kasahara, Mikihiro Yokozeki, Noriyuki Fuutagawa, Jun Uzuhashi, Tadakatsu Ohkubo, Kazuhiro Hono, Kouichi Akahane, Naokatsu Yamamoto, Shigetaka Tomiya

    Journal of Physical Chemistry Letters   15 ( 14 )   3772 - 3778   2024年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acs.jpclett.3c03507

    Scopus

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  • Absolute evaluation of internal and external quantum efficiencies and light extraction efficiency in InGaN single quantum wells by simultaneous photoacoustic and photoluminescence measurements combined with integrating-sphere method

    Keito Mori-Tamamura, Yuchi Takahashi, Shigeta Sakai, Yuya Morimoto, Junji Hirama, Atsushi A. Yamaguchi, Susumu Kusanagi, Yuya Kanitani, Yoshihiro Kudo, Shigetaka Tomiya

    Science and Technology of Advanced Materials: Methods   4 ( 1 )   2024年2月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Informa UK Limited  

    DOI: 10.1080/27660400.2024.2315027

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  • Thermoelectric Grain Boundary in Monolayer MoS<inf>2</inf>

    Ayu Irie, Anikeya Aditya, Ken Ichi Nomura, Shogo Fukushima, Shinnosuke Hattori, Rajiv K. Kalia, Aiichiro Nakano, Vadim Rodin, Fuyuki Shimojo, Shigetaka Tomiya, Priya Vashishta

    Journal of Physical Chemistry C   2024年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acs.jpcc.4c04339

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  • Reduction of contact resistance to PVD-MoS film using aluminum-scandium alloy (AISc) edge contact

    Shinya Imai, Ryosuke Kajikawa, Takamasa Kawanago, Iriya Muneta, Kazuo Tsutsui, Tetsuya Tatsumi, Shigetaka Tomiya, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi

    IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference: Strengthening the Globalization in Semiconductors, EDTM 2024   2024年

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    掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1109/EDTM58488.2024.10511604

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  • Conductivity Enhancement of PVD-WS2 Films Using Cl2-Plasma Treatment Followed by Sulfur-Vapor Annealing

    Keita Kurohara, Shinya Imai, Takuya Hamada, Tetsuya Tatsumi, Shigetaka Tomiya, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

    IEEE Journal of the Electron Devices Society   2024年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/JEDS.2024.3378745

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  • Evaluation of radiative and non-radiative recombination lifetimes in InGaN quantum wells with different ion-implantation damage

    Keito Mori-Tamamura, Yuya Morimoto, Atsushi A. Yamaguchi, Susumu Kusanagi, Yuya Kanitani, Yoshihiro Kudo, Shigetaka Tomiya

    Japanese Journal of Applied Physics   63 ( 1 )   01SP19 - 01SP19   2023年12月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IOP Publishing  

    Abstract

    In this study, we have separately evaluated the radiative and non-radiative recombination lifetimes for InGaN quantum well (QW) samples with different amounts of ion-implantation damage, and have investigated their temperature dependence. The radiative and non-radiative recombination lifetimes were calculated from photoluminescence (PL) decay time measured by time-resolved PL measurements, combined with the absolute internal quantum efficiency values estimated by the simultaneous photoacoustic and PL measurements. As a result, the experimentally observed radiative recombination lifetimes are almost the same for all samples, while the non-radiative recombination lifetimes are shorter for samples with larger ion-implantation damage. These findings will lead to a comprehensive understanding of carrier dynamics in InGaN-QW optical devices.

    DOI: 10.35848/1347-4065/acfb18

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    その他リンク: https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/acfb18/pdf

  • Evaluation of radiative and nonradiative recombination lifetimes in c-plane InGaN quantum wells with emission colors ranging from blue to red

    Keito Mori-Tamamura, Yuya Morimoto, Atsushi A. Yamaguchi, Susumu Kusanagi, Yuya Kanitani, Yoshihiro Kudo, Shigetaka Tomiya

    Japanese Journal of Applied Physics   62 ( 10 )   105501 - 105501   2023年10月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IOP Publishing  

    Abstract

    In this study, we investigate In composition and the carrier density dependences of radiative and nonradiative recombination lifetimes for a series of c-plane InGaN quantum well (QW) samples with different emission wavelengths (450 nm to 620 nm). The two lifetimes can be separately evaluated using photoluminescence (PL) decay time, obtained by time-resolved PL measurement, combined with the value of internal quantum efficiency (IQE) obtained by simultaneous photoacoustic and PL measurements. It is found that the decrease in IQE with increasing In composition is caused by the reduction in radiative recombination lifetime, not by the enhancement of nonradiative lifetime, which shows little dependence on In composition. In addition, it is found that the carrier density dependence of IQE is also mainly determined by the change in radiative recombination lifetime. These findings will lead to a comprehensive understanding of carrier dynamics in InGaN-QW optical devices.

    DOI: 10.35848/1347-4065/acf79f

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    その他リンク: https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/acf79f/pdf

  • Real-space observation of a two-dimensional electron gas at semiconductor heterointerfaces. 国際誌

    Satoko Toyama, Takehito Seki, Yuya Kanitani, Yoshihiro Kudo, Shigetaka Tomiya, Yuichi Ikuhara, Naoya Shibata

    Nature nanotechnology   18 ( 5 )   521 - 528   2023年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Mobile charge carriers are essential components in high-performance, nano-engineered semiconductor devices. Employing charge carriers confined to heterointerfaces, the so-called two-dimensional electron gas, is essential for improving device performance. The real-space visualization of a two-dimensional electron gas at the nanometre scale is desirable. However, it is challenging to accomplish by means of electron microscopy due to an unavoidable strong diffraction contrast formation at the heterointerfaces. We performed direct, nanoscale electric field imaging across a GaN-based semiconductor heterointerface using differential phase contrast scanning transmission electron microscopy by suppressing diffraction contrasts. For both nearly the lattice-matched GaN/Al0.81In0.19N interface and pseudomorphic GaN/Al0.88In0.12N interface, the extracted quantitative electric field profiles show excellent agreement with profiles predicted using Poisson simulation. Furthermore, we used the electric field profiles to quantify the density and distribution of the two-dimensional electron gas across the heterointerfaces with nanometre precision. This study is expected to guide the real-space characterization of local charge carrier density and distribution in semiconductor devices.

    DOI: 10.1038/s41565-023-01349-8

    PubMed

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  • An interpretable and transferrable vision transformer model for rapid materials spectra classification

    Zhenru Chen, Yunchao Xie, Yuchao Wu, Yuyi Lin, Shigetaka Tomiya, Jian Lin

    Digital Discovery   2023年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1039/d3dd00198a

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  • Atomic Diffusion of Indium through Threading Dislocations in InGaN Quantum Wells. 国際誌

    Yudai Yamaguchi, Yuya Kanitani, Yoshihiro Kudo, Jun Uzuhashi, Tadakatsu Ohkubo, Kazuhiro Hono, Shigetaka Tomiya

    Nano letters   22 ( 17 )   6930 - 6935   2022年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acs.nanolett.2c01479

    Web of Science

    Scopus

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  • Quantitative electric field mapping in semiconductor heterostructures via tilt-scan averaged DPC STEM. 国際誌

    Satoko Toyama, Takehito Seki, Yuya Kanitani, Yoshihiro Kudo, Shigetaka Tomiya, Yuichi Ikuhara, Naoya Shibata

    Ultramicroscopy   238   113538 - 113538   2022年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Differential phase contrast (DPC) in scanning transmission electron microscopy can be used to visualize electric field distributions within specimens in real space. However, for electric field mapping in crystalline specimens, the concomitant diffraction contrast is seriously problematic. In particular, for heterostructures with large lattice distortions, such as GaN-based semiconductor devices, the diffraction contrast cannot be reduced using conventional methods such as DPC image acquisition under off-axis conditions. In the present study, the electric field imaging of heterostructures is shown to suppress the diffraction contrast by averaging multiple DPC signals, obtained under various beam-tilt conditions near the zone axis. The remaining diffraction contrast was quantitatively estimated through simulations. This technique was demonstrated to enable the quantitative evaluation of electric field distributions across GaN/AlGaN multi-heterostructures, with errors possibly attributed to the residual diffraction contrast.

    DOI: 10.1016/j.ultramic.2022.113538

    PubMed

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  • Positive Seebeck coefficient of niobium-doped MoS2 film deposited by sputtering and activated by sulfur vapor annealing

    Taiga Horiguchi, Takuya Hamada, Masaya Hamada, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Tetsuya Tatsumi, Shigetaka Tomiya, Hitoshi Wakabayashi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   61 ( 7 )   2022年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ac7621

    Web of Science

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  • High Seebeck coefficient in PVD-WS2 film with grain size enlargement

    Takuya Hamada, Masaya Hamada, Taiga Horiguchi, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Tetsuya Tatsumi, Shigetaka Tomiya, Hitoshi Wakabayashi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   61 ( SC )   2022年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ac3a93

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  • Impact of graphene-molecular interaction on collective orientation barrier for organic film growth

    Sae Nagai, Yuta Inaba, Toshio Nishi, Shigetaka Tomiya

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   15 ( 1 )   2022年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1882-0786/ac435b

    Web of Science

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  • Impact of potential fluctuation on temperature dependence of optical gain characteristics in InGaN quantum-well laser diodes

    Itsuki Oshima, Yuma Ikeda, Shigeta Sakai, Atsushi A. Yamaguchi, Susumu Kusanagi, Yuya Kanitani, Yoshihiro Kudo, Shigetaka Tomiya

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   60 ( 12 )   2021年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ac2fef

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  • Dry Etching Damage and Alloy Composition Analysis of GaN-Based Semiconductors Using Electron Energy-Loss Spectroscopy

    Hiroto Yamamoto, Kenichi Tanaka, Shigetaka Tomiya, Shunsuke Yamashita, Masakazu Ukita, Hiroshi Nakano, Raku Shirasawa, Masaaki Kotera, Kimito Funatsu

    JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS   50 ( 7 )   4230 - 4237   2021年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1007/s11664-021-08946-0

    Web of Science

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  • Importance of crystallinity improvement in MoS2 film by compound sputtering even followed by post sulfurization

    Shinya Imai, Takuya Hamada, Masaya Hamada, Takanori Shirokura, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Tetsuya Tatsumi, Shigetaka Tomiya, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   60 ( SB )   2021年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/abdcae

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  • Impact of oxygen on band structure at the Ni/GaN interface revealed by hard X-ray photoelectron spectroscopy

    Hirotaka Mizushima, Ryoji Arai, Yuta Inaba, Shunsuke Yamashita, Yudai Yamaguchi, Yuya Kanitani, Yoshihiro Kudo, Tatsushi Hamaguchi, Rintaro Koda, Katsunori Yanashima, Tadakatsu Ohkubo, Kazuhiro Hono, Shigetaka Tomiya

    APPLIED PHYSICS LETTERS   118 ( 12 )   2021年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/5.0033165

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  • Collective orientation barrier in growth of organic thin films revealed by pMAIRS

    Sae Nagai, Yuta Inaba, Toshio Nishi, Hajime Kobayashi, Shigetaka Tomiya

    PHYSICAL REVIEW MATERIALS   5 ( 1 )   2021年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevMaterials.5.013801

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  • WS2 Film by Sputtering and Sulfur-Vapor Annealing, and its pMISFET With TiN/HfO2 Top-Gate Stack, TiN Bottom Contact, and Ultra-Thin Body and Box

    Takuya Hamada, Masaya Hamada, Satoshi Igarashi, Taiga Horiguchi, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Tetsuya Tatsumi, Shigetaka Tomiya, Hitoshi Wakabayashi

    IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY   9   1117 - 1124   2021年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/JEDS.2021.3108882

    Web of Science

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  • Sheet Resistance Reduction of MoS2 Film Using Sputtering and Chlorine Plasma Treatment Followed by Sulfur Vapor Annealing

    Takuya Hamada, Shigetaka Tomiya, Tetsuya Tatsumi, Masaya Hamada, Taiga Horiguchi, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

    IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY   9   278 - 285   2021年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/JEDS.2021.3050801

    Web of Science

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  • WS2 pMISFETs by Sputtering and Sulfur-Vapor Annealing with TiN/HfO2-Top-Gate-Stack, TiN Contact and Ultra-Thin Body and Box

    Takuya Hamada, Masaya Hamada, Satoshi Igarashi, Taiga Horiguchi, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Tetsuya Tatsumi, Shigetaka Tomiya, Hitoshi Wakabayashi

    2021 5TH IEEE ELECTRON DEVICES TECHNOLOGY & MANUFACTURING CONFERENCE (EDTM)   2021年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1109/EDTM50988.2021.9420925

    Web of Science

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  • Direct Measurement of Internal and External Quantum Efficiency in InGaN Quantum-Well Active Layers

    Keito Mori, Yuchi Takahashi, Shigeta Sakai, Yuya Morimoto, Atsushi A. Yamaguchi, Susumu Kusanagi, Yuya Kanitani, Yoshihiro Kudo, Shigetaka Tomiya

    27TH INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR LASER CONFERENCE (ISLC 2021)   2021年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1109/ISLC51662.2021.9615797

    Web of Science

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  • Experimental studies and model analysis on potential fluctuation in InGaN quantum-well layers

    Takashi Fujita, Shigeta Sakai, Yuma Ikeda, Atsushi A. Yamaguchi, Susumu Kusanagi, Yuya Kanitani, Yoshihiro Kudo, Shigetaka Tomiya

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 ( 9 )   2020年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/abaebc

    Web of Science

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  • Wannier-Like Delocalized Exciton Generation in C-60 Fullerene Clusters: A Density Functional Theory Study

    Hajime Kobayashi, Shinnosuke Hattori, Raku Shirasawa, Shigetaka Tomiya

    JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C   124 ( 4 )   2379 - 2387   2020年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acs.jpcc.9b10703

    Web of Science

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  • Estimation and prediction of ellipsoidal molecular shapes in organic crystals based on ellipsoid packing. 国際誌

    Daiki Ito, Raku Shirasawa, Yoichiro Iino, Shigetaka Tomiya, Gouhei Tanaka

    PloS one   15 ( 9 )   e0239933   2020年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Crystal structure prediction has been one of the fundamental and challenging problems in materials science. It is computationally exhaustive to identify molecular conformations and arrangements in organic molecular crystals due to complexity in intra- and inter-molecular interactions. From a geometrical viewpoint, specific types of organic crystal structures can be characterized by ellipsoid packing. In particular, we focus on aromatic systems which are important for organic semiconductor materials. In this study, we aim to estimate the ellipsoidal molecular shapes of such crystals and predict them from single molecular descriptors. First, we identify the molecular crystals with molecular centroid arrangements that correspond to affine transformations of four basic cubic lattices, through topological analysis of the dataset of crystalline polycyclic aromatic molecules. The novelty of our method is that the topological data analysis is applied to arrangements of molecular centroids intead of those of atoms. For each of the identified crystals, we estimate the intracrystalline molecular shape based on the ellipsoid packing assumption. Then, we show that the ellipsoidal shape can be predicted from single molecular descriptors using a machine learning method. The results suggest that topological characterization of molecular arrangements is useful for structure prediction of organic semiconductor materials.

    DOI: 10.1371/journal.pone.0239933

    PubMed

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  • Influence of photoexcited carriers on compositional measurements by APT: AlGaN alloy case study

    Yuya Kanitani, Shigetaka Tomiya, Tadakatsu Ohkubo, Kazuhiro Hono

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 ( 9 )   2019年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab3864

    Web of Science

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  • Frontiers of Nitride Semiconductor Research FOREWORD

    Shigefusa F. Chichibu, Yoshinao Kumagai, Kazunobu Kojima, Momoko Deura, Toru Akiyama, Munetaka Arita, Hiroshi Fujioka, Yasufumi Fujiwara, Naoki Hara, Tamotsu Hashizume, Hideki Hirayama, Mark Holmes, Yoshio Honda, Masataka Imura, Ryota Ishii, Yoshihiro Ishitani, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Yoshihiro Kangawa, Ryuji Katayama, Yoichi Kawakami, Takahiro Kawamura, Atsushi Kobayashi, Masaaki Kuzuhara, Koh Matsumoto, Yusuke Mori, Takashi Mukai, Hisashi Murakami, Hideaki Murotani, Satoshi Nakazawa, Narihito Okada, Yoshiki Saito, Akira Sakai, Hiroto Sekiguchi, Koji Shiozaki, Kanako Shojiki, Jun Suda, Tetsuya Takeuchi, Tomoyuki Tanikawa, Jun Tatebayashi, Shigetaka Tomiya, Yoichi Yamada

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58   2019年6月

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  • First-principles calculations of carrier localization in fluctuated InGaN quantum wells

    Toshiyuki Kunikiyo, Shinnosuke Hattori, Raku Shirasawa, Shigetaka Tomiya

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58   2019年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab0f18

    Web of Science

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  • InGaN quantum wells with improved photoluminescence properties through strain-controlled modification of the InGaN underlayer

    Susumu Kusanagi, Yuya Kanitani, Yoshihiro Kudo, Kunihiko Tasai, Atsushi A. Yamaguchi, Shigetaka Tomiya

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58   2019年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab0f11

    Web of Science

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  • Effects of gas cluster ion beam sputtering on the molecular orientation of organic semiconductor films: Ultraviolet photoelectron spectroscopy study of [6]phenacene

    Ryoji Arai, Toshio Nishi, Yoshihiro Kudo, Hiroyuki Yoshida, Shigetaka Tomiya

    APPLIED PHYSICS LETTERS   114 ( 23 )   2019年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.5094952

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  • Theoretical and Experimental Studies on Potential Fluctuation in InGaN Quantum-Well Layers

    T. Fujita, S. Sakai, Y. Ikeda, A. A. Yamaguchi, Y. Kanitani, S. Tomiya

    Conference Digest - IEEE International Semiconductor Laser Conference   2018-   131 - 132   2018年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.  

    DOI: 10.1109/ISLC.2018.8516201

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  • A New Method to Evaluate the Degree of Potential Fluctuation in InGaN Quantum-Well Laser Diodes by Optical-Pump Stimulated-Emission Measurements

    I. Oshima, Y. Ikeda, S. Sakai, A. A. Yamaguchi, Y. Kanitani, S. Tomiya

    Conference Digest - IEEE International Semiconductor Laser Conference   2018-   209 - 210   2018年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.  

    DOI: 10.1109/ISLC.2018.8516240

    Scopus

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  • Impact of molecular orientation on energy level alignment at C-60/pentacene interfaces

    Toshio Nishi, Masato Kanno, Miki Kuribayashi, Yasuyo Nishida, Shinnosuke Hattori, Hajime Kobayashi, Florian von Wrochem, Vadim Rodin, Gabriele Nelles, Shigetaka Tomiya

    APPLIED PHYSICS LETTERS   113 ( 16 )   2018年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.5051421

    Web of Science

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  • Probing the Internal Atomic Charge Density Distributions in Real Space. 国際誌

    Gabriel Sánchez-Santolino, Nathan R Lugg, Takehito Seki, Ryo Ishikawa, Scott D Findlay, Yuji Kohno, Yuya Kanitani, Shinji Tanaka, Shigetaka Tomiya, Yuichi Ikuhara, Naoya Shibata

    ACS nano   12 ( 9 )   8875 - 8881   2018年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Probing the charge density distributions in materials at atomic scale remains an extremely demanding task, particularly in real space. However, recent advances in differential phase contrast-scanning transmission electron microscopy (DPC-STEM) bring this possibility closer by directly visualizing the atomic electric field. DPC-STEM at atomic resolutions measures how a sub-angstrom electron probe passing through a material is affected by the atomic electric field, the field between the nucleus and the surrounding electrons. Here, we perform a fully quantitative analysis which allows us to probe the charge density distributions inside atoms, including both the positive nuclear and the screening electronic charges, with subatomic resolution and in real space. By combining state-of-the-art DPC-STEM experiments with advanced electron scattering simulations we are able to map the spatial distribution of the electron cloud within individual atomic columns. This work constitutes a crucial step toward the direct atomic scale determination of the local charge redistributions and modulations taking place in materials systems.

    DOI: 10.1021/acsnano.8b03712

    PubMed

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  • Prediction of emission and absorption spectra for Eu2+-doped inorganic phosphors based on stoichiometric information

    Hiroshi Nakano, Kenichi Tanaka, Tomoyuki Miyao, Kimito Funatsu, Raku Shirasawa, Shigetaka Tomiya

    ABSTRACTS OF PAPERS OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY   255   2018年3月

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    記述言語:英語  

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  • Prediction of Molecular Packing Motifs in Organic Crystals by Neural Graph Fingerprints.

    Daiki Ito, Raku Shirasawa, Shinnosuke Hattori, Shigetaka Tomiya, Gouhei Tanaka

    Neural Information Processing - 25th International Conference   26 - 34   2018年

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    掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:Springer  

    DOI: 10.1007/978-3-030-04221-9_3

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    その他リンク: https://dblp.uni-trier.de/db/conf/iconip/iconip2018-5.html#ItoSHTT18

  • Practical Models for Predicting the Emission Peak Wavelengths of Inorganic Phosphors Based on Stoichiometric Information

    Hiroshi Nakano, Kenichi Tanaka, Tomoyuki Miyao, Kimito Funatsu, Raku Shirasawa, Shigetaka Tomiya

    CHEMISTRY LETTERS   46 ( 10 )   1482 - 1485   2017年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1246/cl.170611

    Web of Science

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  • Numerical analysis for predicting the operability window of slot-die coating onto porous media

    Tomomi Goda, Yuichi Sasaki, Mamoru Mizuno, Kazuhiko Morizawa, Hitoshi Katakura, Shigetaka Tomiya

    JOURNAL OF COATINGS TECHNOLOGY AND RESEARCH   14 ( 5 )   1053 - 1060   2017年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1007/s11998-017-9985-7

    Web of Science

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  • Carrier mobility in mesoscale heterogeneous organic materials: Effects of crystallinity and anisotropy on efficient charge transport

    Hajime Kobayashi, Raku Shirasawa, Mitsunori Nakamoto, Shinnosuke Hattori, Shigetaka Tomiya

    APPLIED PHYSICS LETTERS   111 ( 3 )   2017年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4995243

    Web of Science

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  • Carrier dynamics studies of III-nitride materials using photo-acoustic and photoluminescence measurements

    Atsushi A. Yamaguchi, Takashi Nakano, Shigeta Sakai, Haruki Fukada, Yuya Kanitani, Shigetaka Tomiya

    GALLIUM NITRIDE MATERIALS AND DEVICES XII   10104   2017年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1117/12.2252468

    Web of Science

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  • Atom probe tomography of compositional fluctuation in GaInN layers

    Yuya Kanitani, Shinji Tanaka, Shigetaka Tomiya, Tadakatsu Ohkubo, Kazuhiro Hono

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 ( 5 )   2016年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.55.05FM04

    Web of Science

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  • Photoluminescence Study of Plasma-Induced Damage of GaInN Single Quantum Well

    Shouichiro Izumi, Masaki Minami, Michiru Kamada, Tetsuya Tatsumi, Atsushi A. Yamaguchi, Kenji Ishikawa, Masaru Hori, Shigetaka Tomiya

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 ( 8 )   2013年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.08JL09

    Web of Science

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  • Effect of Crystal Orientation on Mechanically Induced Sn Whiskers on Sn-Cu Plating

    Yukiko Mizuguchi, Yosuke Murakami, Shigetaka Tomiya, Tadashi Asai, Tomoya Kiga, Katsuaki Suganuma

    JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS   41 ( 7 )   1859 - 1867   2012年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1007/s11664-012-1962-4

    Web of Science

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  • Organic single-crystal arrays from solution-phase growth using micropattern with nucleation control region. 国際誌

    Osamu Goto, Shigetaka Tomiya, Yosuke Murakami, Akira Shinozaki, Akira Toda, Jiro Kasahara, Daisuke Hobara

    Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)   24 ( 8 )   1117 - 22   2012年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    A method for forming organic single-crystal arrays from solution is demonstrated using an organic semiconductor, 3,9-bis(4-ethylphenyl)-peri-xanthenoxanthene (C(2) Ph-PXX). Supersaturation of C(2) Ph-PXX/tetralin solution is spatially changed by making a large difference in solvent evaporation to generate nuclei at the designated location. The method is simple to implement since it employs only a micropattern and control of the solvent vapor pressure during growth.

    DOI: 10.1002/adma.201104373

    PubMed

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  • Solution-phase growth of organic single-crystal arrays

    Osamu Goto, Shigetaka Tomiya, Yosuke Murakami, Akira Shinozaki, Akira Toda, Jiro Kasahara, Daisuke Hobara

    ORGANIC FIELD-EFFECT TRANSISTORS XI   8478   2012年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1117/12.943223

    Web of Science

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  • Effect of Crystal Orientation on Sn Whisker-Free Sn-Ag-Cu Plating

    Yukiko Mizuguchi, Yosuke Murakami, Shigetaka Tomiya, Tadashi Asai, Tomoya Kiga, Katsuaki Suganuma

    MATERIALS TRANSACTIONS   53 ( 12 )   2078 - 2084   2012年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.2320/matertrans.MB201202

    Web of Science

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  • Analysis of GaN Damage Induced by Cl-2/SiCl4/Ar Plasma

    Masaki Minami, Shigetaka Tomiya, Kenji Ishikawa, Ryosuke Matsumoto, Shang Chen, Masanaga Fukasawa, Fumikatsu Uesawa, Makoto Sekine, Masaru Hori, Tetsuya Tatsumi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   50 ( 8 )   2011年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.50.08JE03

    Web of Science

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  • Broadening the applications of the atom probe technique by ultraviolet femtosecond laser 査読

    K. Hono, T. Ohkubo, Y. M. Chen, M. Kodzuka, K. Oh-ishi, H. Sepehri-Amin, F. Li, T. Kinno, S. Tomiya, Y. Kanitani

    ULTRAMICROSCOPY   111 ( 6 )   576 - 583   2011年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.ultramic.2010.11.020

    Web of Science

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  • Atomic scale characterization of GaInN/GaN multiple quantum wells in V-shaped pits

    Shigetaka Tomiya, Yuya Kanitani, Shinji Tanaka, Tadakatsu Ohkubo, Kazuhiro Hono

    APPLIED PHYSICS LETTERS   98 ( 18 )   2011年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.3585118

    Web of Science

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  • Structural Defects and Degradation Phenomena in High-Power Pure-Blue InGaN-Based Laser Diodes.

    Shigetaka Tomiya, Osamu Goto, Masao Ikeda

    Proceedings of the IEEE   98 ( 7 )   1208 - 1213   2010年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/JPROC.2009.2032306

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  • Structural defects in GaN-based materials and their relation to GaN-based laser diodes 査読

    Tomiya S, Ikeda M, Tanaka S, Kanitani Y, Ohkubo T, Hono K

    RELIABILITY AND MATERIALS ISSUES OF SEMICONDUCTOR OPTICAL AND ELECTRICAL DEVICES AND MATERIALS   1195   2010年

  • Microstructural study of the polymorphic transformation in pentacene thin films. 国際誌

    Yosuke Murakami, Shigetaka Tomiya, Naoki Koshitani, Yoshihiro Kudo, Kotaro Satori, Masao Itabashi, Norihito Kobayashi, Kazumasa Nomoto

    Physical review letters   103 ( 14 )   146102 - 146102   2009年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    We have observed, by high-resolution cross-sectional transmission electron microscopy, the first direct evidence of polymorphic transformation in pentacene thin films deposited on silicon oxide substrates. Polymorphic transformation from the thin-film phase to the bulk phase occurred preferentially near polycrystalline grain boundaries, which exhibit concave surfaces. This process is thought to be driven by compressive stress caused by the grain boundaries. In addition to this stress, lattice mismatch between the two phases also results in structural defect formation.

    PubMed

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  • Structural analysis of ELO-GaN grown on a sapphire substrate as the underlying layer of a GaN-based laser diode

    Takao Miyajima, Shingo Takeda, Yoshiyuki Tsusaka, Junji Matsui, Yoshihiro Kudo, Shigetaka Tomiya, Tomonori Hino, Shu Goto, Masao Ikeda, Hironobu Narui

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   204 ( 1 )   267 - 271   2007年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssa.200673568

    Web of Science

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  • High power pure-blue semiconductor lasers

    Osamu Goto, Shigetaka Tomiya, Yukio Hoshina, Takayuki Tanaka, Makoto Ohta, Yoshitsugu Ohizumi, Yoshifumi Yabuki, Kenji Funato, Masao Ikeda

    NOVEL IN - PLANE SEMICONDUCTOR LASERS IV   6485   2007年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1117/12.725162

    Web of Science

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  • Structural analysis of ELO-GaN grown on sapphire using the x-ray micro-beam of an 8-GeV storage ring

    Takao Miyajima, Shingo Takeda, Hideaki Kurihara, Kyoko Watanabe, Madomi Kato, Nobuhide Hara, Yoshiyuki Tsusaka, Junji Matsui, Yoshihiro Kudo, Shigetaka Tomiya, Shu Goto, Masao Ikeda, Hironobu Narui

    GAN, AIN, INN AND RELATED MATERIALS   892   519 - 530   2006年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    Web of Science

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  • Defects and degradation of nitride-based laser diodes

    Shigetaka Tomiya, Tomonori Hino, Takao Miyajima, Osamu Goto, Masao Ikeda

    NOVEL IN-PLANE SEMICONDUCTOR LASERS V   6133   2006年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1117/12.643288

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  • Structural defects related issues of GaN-based laser diodes

    Shigetaka Tomiya, Motonobu Takeya, Shu Goto, Masao Ikeda

    Materials Research Society Symposium Proceedings   831   3 - 13   2005年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

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  • Dislocation related issues in the degradation of GaN-based laser diodes

    Shigetaka Tomiya, Tomonori Hino, Shu Goto, Motonobu Takeya, Masao Ikeda

    IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics   10 ( 6 )   1277 - 1286   2004年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/JSTQE.2004.837735

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  • Structure analysis of ELO-GaN using a 2× 4μm2 micro-beam X-ray of an 8-GeV storage ring 査読

    T. Miyajima, M. Takeya, S. Goto, S. Tomiya, S. Takeda, H. Kurihara, K. Watanabe, M. Kato, N. Hara, Y. Tsusaka, J. Matsui

    physica status solidi (b)   240 ( 2 )   285 - 288   2003年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Wiley  

    DOI: 10.1002/pssb.200303323

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  • Defects in degraded GaN-based laser diodes

    Shigetaka Tomiya, Shu Goto, Motonobu Takeya, Masao Ikeda

    Physica Status Solidi (A) Applied Research   200 ( 1 )   139 - 142   2003年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssa.200303322

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  • Dislocations in GaN-Based Laser Diodes on Epitaxial Lateral Overgrown GaN Layers 査読

    S. Tomiya, H. Nakajima, K. Funato, T. Miyajima, K. Kobayashi, T. Hino, S. Kijima, T. Asano, M. Ikeda

    physica status solidi (a)   188 ( 1 )   69 - 72   2001年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Wiley  

    DOI: 10.1002/1521-396x(200111)188:1<69::aid-pssa69>3.0.co;2-8

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  • Estimation of Device Properties in AlGaInN-Based Laser Diodes by Time-Resolved Photoluminescence 査読

    HINO T.

    Phys. Stat. Sol. (a)   188 ( 1 )   101 - 104   2001年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/1521-396x(200111)188:1<101::aid-pssa101>3.0.co;2-o

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  • Threading Dislocations and Optical Properties of GaN and GaInN 査読

    T. Miyajima, T. Hino, S. Tomiya, K. Yanashima, H. Nakajima, Y. Nanishi, A. Satake, Y. Masumoto, K. Akimoto, T. Kobayashi, M. Ikeda

    physica status solidi (b)   228 ( 2 )   395 - 402   2001年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Wiley  

    DOI: 10.1002/1521-3951(200111)228:2<395::aid-pssb395>3.0.co;2-2

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  • GaN-based blue laser diodes

    Takao Miyajima, Tsuyoshi Tojyo, Takeharu Asano, Katsunori Yanashima, Satoru Kijima, Tomonori Hino, Motonobu Takeya, Shiro Uchida, Shigetaka Tomiya, Kenji Funato, Tsunenori Asatsuma, Toshimasa Kobayashi, Masao Ikeda

    Journal of Physics Condensed Matter   13 ( 32 )   7099 - 7114   2001年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/0953-8984/13/32/315

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  • GaN-based high-power laser diodes

    Takao Miyajima, Hiroshi Yoshida, Katsunori Yanashima, Takashi Yamaguchi, Tsunenori Asatsuma, Kenji Funato, Shigeki Hashimoto, Hiroshi Nakajima, Masafumi Ozawa, Toshimasa Kobayashi, Shigetaka Tomiya, Takeharu Asano, Shiro Uchida, Satoru Kijima, Tsuyoshi Tojyo, Tomonori Hino, Masao Ikeda

    Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology   82 ( 1-3 )   248 - 252   2001年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/S0921-5107(00)00758-3

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  • GaN-based violet-blue laser diodes

    S. Hashimoto, H. Nakajima, K. Yanashima, T. Asatsuma, T. Yamaguchi, H. Yoshida, M. Ozawa, K. Funato, S. Tomiya, T. Miyajima, T. Kobayashi, S. Uchida, M. Ikeda

    Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering   4354   1 - 11   2001年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1117/12.418812

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  • Growth and characterization of GaN underlying layer used in blue-violet GaN-based laser diodes on sapphire

    Kenji Funato, Tomonori Hino, Shigetaka Tomiya, Takao Miyajima, Takeharu Asano, Tsyuyoshi Tojyo, Shigeki Hashimoto, Katsunori Yanashima, Shiro Uchida, Koshi Tmamura, Toshimasa Kobayashi, Masao Ikeda

    Materials Research Society Symposium - Proceedings   639   G9.1.9   2001年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

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  • Properties of GaN-based laser diodes with a buried-ridge structure 査読

    Tsunenori Asatsuma, Hiroshi Nakajima, Shigeki Hashimoto, Takashi Yamaguchi, Hiroshi Yoshida, Shigetaka Tomiya, Takeharu Asano, Tomonori Hino, Masafumi Ozawa, Takao Miyajima, Toshimasa Kobayashi, Masao Ikeda

    Journal of Crystal Growth   221 ( 1-4 )   640 - 645   2000年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Elsevier BV  

    DOI: 10.1016/s0022-0248(00)00792-2

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  • Characterization of threading dislocations in GaN epitaxial layers

    T. Hino, S. Tomiya, T. Miyajima, K. Yanashima, S. Hashimoto, M. Ikeda

    Applied Physics Letters   76 ( 23 )   3421 - 3423   2000年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:American Institute of Physics Inc.  

    DOI: 10.1063/1.126666

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  • Relation between interface morphology and recombination-enhanced defect reaction phenomena in II-VI light emitting devices 査読

    S Tomiya, H Okuyama, A Ishibashi

    APPLIED SURFACE SCIENCE   159   243 - 249   2000年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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  • Non-radiative nature of threading dislocations in GaN grown by metal-organic chemical vapor deposition 査読

    T Miyajima, T Hino, S Tomiya, A Satake, E Tokunaga, Y Masumoto, T Maruyama, M Ikeya, S Morishima, K Akimoto, K Yanashima, S Hashimoto, T Kobayashi, M Ikeda

    PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS   1   536 - 539   2000年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

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  • Defects in ZnSe/ZnTe multiple quantum well-based pseudo-ohmic contacts to p-ZnSe 査読

    S Tomiya, S Kijima, H Okuyama, H Tsukamoto, T Hino, S Taniguchi, H Noguchi, E Kato, A Ishibashi

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   86 ( 7 )   3616 - 3623   1999年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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  • Optimized ZnSe : N/ZnTe : N contact structure of ZnSe-based II-VI laser diodes 査読

    S Kijima, H Okuyama, Y Sanaka, T Kobayashi, S Tomiya, A Ishibashi

    APPLIED PHYSICS LETTERS   73 ( 2 )   235 - 237   1998年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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  • Optimized contact structure for II-VI laser diode 査読

    S Kijima, H Okuyama, Y Sanaka, T Kobayashi, S Tomiya, A Ishibashi

    BLUE LASER AND LIGHT EMITTING DIODES II   429 - 432   1998年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

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  • Surface morphology changes in ZnSe-related II-VI epitaxial films grown by molecular beam epitaxy 査読

    S Tomiya, R Minatoya, H Tsukamoto, S Itoh, K Nakano, E Morita, A Ishibashi

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   82 ( 6 )   2938 - 2943   1997年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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  • Heterointerface control of ZnSe based II-VI laser diodes 査読

    S Itoh, S Tomiya, R Imoto, A Ishibashi

    APPLIED SURFACE SCIENCE   117   719 - 724   1997年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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  • Structural study of degraded ZnMgSSe blue light emitters 査読

    K Nakano, S Tomiya, M Ukita, H Yoshida, S Itoh, E Morita, M Ikeda, A Ishibashi

    JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS   25 ( 2 )   213 - 216   1996年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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  • Defect studies in ZnSSe and ZnMgSSe by chemical etching and transmission electron microscopy 査読

    M Shiraishi, S Tomiya, S Taniguchi, K Nakano, A Ishibashi, M Ikeda

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH   152 ( 2 )   377 - 383   1995年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssa.2211520206

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  • DEVICE STRUCTURES AND CHARACTERISTICS OF LASER-DIODES WITH ZNMGSSE CLADDING LAYERS 査読

    T OHATA, S ITOH, N NAKAYAMA, S MATSUMOTO, K NAKANO, M OZAWA, H OKUYAMA, S TOMIYA, M IKEDA, A ISHIBASHI

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH   187 ( 2 )   279 - 283   1995年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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  • Structural study of degraded II-VI blue-light emitters 査読

    S Tomiya, M Ukita, H Okuyama, K Nakano, S Itoh, A Ishibashi, E Morita, M Ikeda

    ICDS-18 - PROCEEDINGS OF THE 18TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON DEFECTS IN SEMICONDUCTORS, PTS 1-4   196-   1109 - 1116   1995年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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  • ZNCDSE/ZNSSE/ZNMGSSE SCH LASER-DIODE WITH A GAAS BUFFER LAYER 査読

    S ITOH, N NAKAYAMA, S MATSUMOTO, M NAGAI, K NAKANO, M OZAWA, H OKUYAMA, S TOMIYA, T OHATA, M IKEDA, A ISHIBASHI, Y MORI

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS   33 ( 7A )   L938 - L940   1994年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/jjap.33.L938

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MISC

  • InGaN単一量子井戸および下地層付き量子井戸におけるカソードルミネッセンススペクトルイメージングによる空間発光特性評価

    辻井大地, 福隆之介, 赤瀬善太郎, 岩満一功, 冨谷茂隆

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   73rd   2026年

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  • 三次元アトムプローブデータとSTEMトモグラフィーデータへの非剛体レジストレーションの初期的適用

    赤瀬善太郎, 別所泰成, 日野雄輝, GOTMARE Yugant, 大竹義人, 埋橋淳, 岩満一功, 中島宏, 山崎順, 大久保忠勝, 冨谷茂隆

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   73rd   2026年

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  • 時間分解フォトルミネッセンス寿命分布解析によるInGaN量子井戸再結合ダイナミクスの不均一性評価

    岩満一功, 新保樹, 赤瀬善太郎, 横川俊哉, 山口敦史, 冨谷茂隆

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   73rd   2026年

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  • 「顕微鏡法による材料開発のための微細構造研究最前線(12)」~材料科学・材料工学の基礎基盤技術としての顕微鏡法~(11)半導体 窒化物半導体ナノ構造のSEM-CLスペクトルイメージングおよび波長角度分解測定

    宇佐美翔太, 赤瀬善太郎, 岩満一功, 横川俊哉, 冨谷茂隆

    まてりあ(Web)   65 ( 1 )   2026年

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  • In組成の異なるInGaN量子井戸におけるフォトルミネセンス寿命の波長および温度依存性

    山形梨里花, 畑中颯真, 山岸颯矢, 新保樹, 山口敦史, 岩満一功, 冨谷茂隆

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   73rd   2026年

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  • 原子スケール模擬データを用いたAPTデータとSTEMトモグラフィーデータ間の非剛体レジストレーション精度検証方法の検討

    彌榮陽斗, 別所泰成, 岩満一功, 大竹義人, 赤瀬善太郎, 冨谷茂隆

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   73rd   2026年

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  • 不純物濃度の異なるGaN結晶における波長・時間分解フォトルミネッセンスによる再結合ダイナミクス解析

    池辺啓太, 伊藤央祐, 秋山航太郎, 櫻井裕太, 金木奨太, 藤倉序章, 岩満一功, 赤瀬善太郎, 山口敦史, 冨谷茂隆

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   73rd   2026年

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  • InGaN多重量子井戸における再結合速度の量子井戸分離評価とInGaN下地層構造における発光増強機構の検討

    新保樹, 土佐宏樹, 森恵人, 森恵人, 山口敦史, 岩満一功, 冨谷茂隆

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   73rd   2026年

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  • 深層学習を活用した半導体加工形状の自動評価パイプライン

    野島聖耀, 岩満一功, 赤瀬善太郎, 菊池昭彦, 冨谷茂隆

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   86th   2025年

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  • 計測インフォマティクスの進展と将来展望

    冨谷茂隆, 冨谷茂隆

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   86th   2025年

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  • 計測インフォマティクスが拓く新たな展開-電子顕微鏡計測を中心に-

    冨谷茂隆, 冨谷茂隆, 赤瀬善太郎, 赤瀬善太郎, 岩満一功, 岩満一功

    薄膜・表面物理基礎講座(Web)   54th   2025年

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  • RFマグネトロンスパッタリング法によるMoS2薄膜の結晶性と熱伝導率の関係

    北澤辰也, 稲葉雄大, 山下俊介, 今井慎也, 黒原啓太, 辰巳哲也, 若林整, 冨谷茂隆, 冨谷茂隆, 冨谷茂隆

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   72nd   2025年

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  • 低温薄膜MoS2膜成膜に向けた低粒子フラックススパッタリング

    今井慎也, 宗田伊理也, 角嶋邦之, 辰巳哲也, 冨谷茂隆, 若林整

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   72nd   2025年

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  • 三次元アトムプローブと透過電子顕微鏡法のバイモーダル相関顕微手法の開発

    赤瀬善太郎, 別所泰成, 大竹義人, 埋橋淳, 岩満一功, 中島宏, 山崎順, 大久保忠勝, 冨谷茂隆

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   86th   2025年

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  • 波長角度分解カソードルミネッセンス法による窒化ガリウム半導体の発光特性評価

    宇佐美翔太, 赤瀬善太郎, 岩満一功, 横川俊哉, 藤倉序章, 冨谷茂隆

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   72nd   2025年

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  • 三次元アトムプローブとTEMデータの融合に向けた非剛体レジストレーション手法の開発

    赤瀬善太郎, 大竹義人, 埋橋淳, 岩満一功, 山崎順, 大久保忠勝, 冨谷茂隆

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   72nd   2025年

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  • 非負値行列因子分解を活用したInGaN量子井戸構造のマルチモーダル発光スペクトルイメージング解析 II

    岩満一功, 坂井健太, 赤瀬善太郎, 山口敦史, 冨谷茂隆

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   72nd   2025年

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  • In組成の異なるInGaN量子井戸におけるフォトルミネセンス寿命の温度および波長依存性

    山形梨里花, 畑中颯真, 山岸颯矢, 新保樹, 山口敦史, 岩満一功, 冨谷茂隆

    電子情報通信学会技術研究報告(Web)   125 ( 257(ED2025 23-40) )   2025年

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  • ベイズ推定を用いた窒化物半導体の時間分解フォトルミネッセンススペクトルの解析

    池辺啓太, 岩満一功, 金木奨太, 藤倉序章, 赤瀬善太郎, 山口敦史, 冨谷茂隆

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   72nd   2025年

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  • 性反転AlN結晶のTilt-scan DPC-STEMによる電場可視化解析

    冨谷茂隆, 赤瀬善太郎, 岩満一功, 安原聡, 玉野智大, 赤池良太, 三宅秀人

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   86th   2025年

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  • PCAを用いたInGaN量子井戸CL発光空間構造の解析

    福隆之介, 赤瀬善太郎, 岩満一功, 冨谷茂隆

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   86th   2025年

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  • InGaN量子井戸の時間分解フォトルミネッセンス発光減衰挙動に対するベイズ推論解析

    岩満一功, 新保樹, 赤瀬善太郎, 横川俊哉, 山口敦史, 冨谷茂隆

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   86th   2025年

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  • 非負値行列因子分解を活用したInGaN量子井戸構造のマルチモーダル発光スペクトルイメージング解析

    岩満一功, 坂井健太, 赤瀬善太郎, 山口敦史, 冨谷茂隆

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   85th   2024年

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  • In組成の異なるInGaN量子井戸におけるキャリアダイナミクスの研究

    山形梨里花, 新保樹, 森恵人, 山口敦史, 岩満一功, 冨谷茂隆

    電子情報通信学会技術研究報告(Web)   124 ( 278(ED2024 20-38) )   2024年

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  • 井戸数の異なるInGaN量子井戸におけるキャリアダイナミクスの研究

    新保樹, 土佐宏樹, 神野翔綺, 森恵人, 山口敦史, 岩満一功, 冨谷茂隆

    電子情報通信学会技術研究報告(Web)   124 ( 278(ED2024 20-38) )   2024年

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  • InGaN単一量子井戸におけるフォトルミネセンス寿命の波長依存性

    新保樹, 土佐宏樹, 山口敦史, 岩満一功, 冨谷茂隆

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   85th   2024年

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  • ストライプコアGaN基板上InGaN量子井戸における顕微PA・PL同時ラインスキャン測定

    神野翔綺, 山口敦史, 森恵人, 草薙進, 蟹谷裕也, 冨谷茂隆, 工藤喜弘

    電子情報通信学会技術研究報告(Web)   123 ( 288(ED2023 14-37) )   2023年

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  • スパッタMoS2膜に対するエッジ金属コンタクトの電流電圧特性

    今井慎也, 梶川亮介, 川那子高暢, 宗田伊理也, 角嶋邦之, 辰巳哲也, 冨谷茂隆, 筒井一生, 若林整

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   84th   2023年

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  • PVD-WS2膜へのCl2プラズマ処理によるドーピングの効果とエッチングの影響

    黒原啓太, 今井慎也, 冨谷茂隆, 辰巳哲也, 若林整

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   84th   2023年

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  • プラズマ駆動型科学:プラズマプロセスの新展開に向けて

    石川健治, 浜口智志, 成田絵美, 白谷正治, 冨谷茂隆, 室賀駿, 佐藤孝紀, 野崎智洋, 吉田朋子

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   70th   2023年

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  • スパッタWS2膜へのCl2プラズマ処理によるシート抵抗低減

    黒原啓太, 今井慎也, 冨谷茂隆, 辰巳哲也, 若林整

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   70th   2023年

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  • 半導体における計測インフォマティクス

    冨谷茂隆, 冨谷茂隆, 冨谷茂隆

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   70th   2023年

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  • 先端材料開発に向けた,AI先端計測技術の多角的視点からの考察(第2回)—Advanced Measurement and Analysis Systems Using AI/ML for Next Generation Materials Development : Multifaceted View(2)

    岡本 和也, 杉山 昌章, 武藤 俊介, 青柳 里果, 冨谷 茂隆

    まてりあ = Materia Japan   61 ( 9 )   579 - 587   2022年9月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:日本金属学会  

    DOI: 10.2320/materia.61.579

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  • 先端材料開発に向けた,AI先端計測技術の多角的視点からの考察(第1回)—Advanced Measurement and Analysis Systems Using AI/ML for Next Generation Materials Development : Multifaceted View(1)

    岡本 和也, 杉山 昌章, 武藤 俊介, 青柳 里果, 冨谷 茂隆

    まてりあ = Materia Japan   61 ( 8 )   470 - 478   2022年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:日本金属学会  

    DOI: 10.2320/materia.61.470

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  • 微分位相コントラストSTEMを用いたGaN/AlGaN/InGaNマルチヘテロ接合の局所電場観察 査読

    遠山 慧子, 関 岳人, 蟹谷 裕也, 冨谷 茂隆, 幾原 雄一, 柴田 直哉

    電気学会論文誌C(電子・情報・システム部門誌)   142 ( 3 )   367 - 372   2022年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人 電気学会  

    DOI: 10.1541/ieejeiss.142.367

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  • 計測インフォマティクス : 計測は科学の源—特集 データ駆動型の化学 : 何ができて,何ができない?

    冨谷 茂隆

    現代化学 = Chemistry today   ( 612 )   25 - 28   2022年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:東京化学同人  

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  • イオン注入ダメージ量の異なるInGaN量子井戸の輻射・非輻射再結合寿命の分離評価

    森恵人, 森本悠也, 山肥田涼, 今城大渡, 柏木咲希, 高野泰雅, 石田悠, 山口敦史, 草薙進, 蟹谷裕也, 工藤喜弘, 冨谷茂隆

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   83rd   2022年

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  • 光音響・発光同時計測法による窒化物半導体の発光内部量子効率の絶対測定

    山口 敦史, 森 恵人, 草薙 進, 冨谷 茂隆

    日本結晶成長学会誌   48 ( 4 )   n/a   2022年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:日本結晶成長学会  

    DOI: 10.19009/jjacg.48-4-01

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  • 輻射・非輻射再結合の同時計測による窒化物半導体における再結合機構の解明へ向けた研究

    森恵人, 森本悠也, 山口敦史, 草薙進, 蟹谷裕也, 工藤喜弘, 冨谷茂隆

    電子情報通信学会技術研究報告(Web)   122 ( 271(ED2022 24-48) )   2022年

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  • 光音響・発光同時計測法による窒化物半導体の発光内部量子効率の絶対測定

    山口敦史, 森恵人, 草薙進, 冨谷茂隆

    日本結晶成長学会誌(CD-ROM)   48 ( 4 )   2022年

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  • 光音響・発光同時計測と時間分解発光測定によるInGaN量子井戸における輻射・非輻射再結合寿命の分離評価

    森恵人, 森本悠也, 袴田舜也, 山口敦史, 草薙進, 蟹谷裕也, 工藤喜弘, 冨谷茂隆

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   69th   2022年

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  • MoS2膜質のスパッタ成膜レート依存性調査

    今井慎也, 小野凌, 宗田伊理也, 角嶋邦之, 辰巳哲也, 冨谷茂隆, 筒井一生, 若林整

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   83rd   2022年

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  • オープニング

    沓掛 健太朗, 知京 豊裕, 小嗣 真人, 冨谷 茂隆, 原田 俊太

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2021.1   227 - 227   2021年2月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_227

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  • 光音響・発光同時計測法による窒化物半導体の発光内部量子効率の絶対測定—Absolute Measurement of Emission Internal Quantum Efficiency in Ⅲ-Nitride Semiconductors by Simultaneous Photo-Acoustic and Photoluminescence Spectroscopy—特集 ワイドギャップ半導体の光・フォノン物性の最先端評価解析技術

    山口 敦史, 森 恵人, 草薙 進, 冨谷 茂隆

    日本結晶成長学会誌 Journal of the Japanese Association for Crystal Growth   48 ( 4 )   1 - 9   2021年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:日本結晶成長学会  

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  • InGaN量子井戸におけるPLスペクトル温度変化の理論モデル解析

    袴田舜也, 藤田貴志, 山口敦史, 草薙進, 蟹谷裕也, 工藤喜弘, 冨谷茂隆

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   82nd   2021年

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  • 顕微光音響・発光同時計測によるInGaN量子井戸の内部量子効率のIn組成依存性測定

    森恵人, 高橋佑知, 森本悠也, 山口敦史, 草薙進, 蟹谷裕也, 工藤喜弘, 冨谷茂隆

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   82nd   2021年

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  • 半導体材料・デバイスR&DにおけるXインフォマティクス

    冨谷茂隆, 冨谷茂隆

    結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM)   50th   2021年

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  • 光音響・発光同時計測法と積分球法によるInGaN量子井戸の内部・外部量子効率推定

    森 恵人, 高橋 佑知, 坂井 繁太, 森本 悠也, 山口 敦史, 草薙 進, 蟹谷 裕也, 工藤 喜弘, 冨谷 茂隆

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2020.2 ( 254(ED2020 1-26) )   2066 - 2066   2020年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2020.2.0_2066

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  • DPC STEMを用いたGaN系半導体ヘテロ接合界面における電場定量観察法の開発

    遠山慧子, 関岳人, 蟹谷裕也, 工藤喜弘, 冨谷茂隆, 幾原雄一, 柴田直哉

    日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(CD-ROM)   33rd   2020年

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  • 光音響・発光同時計測によるInGaN量子井戸の内部量子効率の推定—Estimation of Internal Quantum Efficiency in Various InGaN Single Quantum Wells with Different Qualities by Simultaneous Photoacoustic and Photoluminescence Measurements—電子部品・材料

    森 恵人, 高橋 佑知, 森本 悠也, 山口 敦史, 草薙 進, 蟹谷 裕也, 工藤 喜弘, 冨谷 茂隆

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   119 ( 303 )   101 - 106   2019年11月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:電子情報通信学会  

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    その他リンク: http://id.ndl.go.jp/bib/030130131

  • InGaN量子井戸におけるMobility edgeの見積り方法に関する実験的・理論的検討—Theoretical and Experimental Studies on Estimation Methods of Mobility Edge in InGaN Quantum Wells—レーザ・量子エレクトロニクス

    藤田 貴志, 坂井 繁太, 池田 優真, 山口 敦史, 草薙 進, 蟹谷 裕也, 工藤 喜弘, 冨谷 茂隆

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   119 ( 304 )   97 - 100   2019年11月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:電子情報通信学会  

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    その他リンク: http://id.ndl.go.jp/bib/030133504

  • スパッタMoS2膜のCl2プラズマ処理によるシート抵抗低減

    濱田 拓也, 堀口 大河, 辰巳 哲也, 冨谷 茂隆, 濱田 昌也, 星井 拓也, 角嶋 邦之, 筒井 一生, 若林 整

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2019.2   3888 - 3888   2019年9月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_3888

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  • DPC STEMを用いたGaN系半導体ヘテロ界面電場直接観察

    遠山 慧子, 関 岳人, 蟹谷 裕也, 工藤 喜弘, 冨谷 茂隆, 幾原 雄一, 柴田 直哉

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2019.2   1737 - 1737   2019年9月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_1737

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  • 光音響・発光同時計測によるInGaN量子井戸の内部量子効率測定

    森 恵人, 高橋 佑知, 山口 敦史, 草薙 進, 蟹谷 裕也, 工藤 喜弘, 冨谷 茂隆

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2019.2   3549 - 3549   2019年9月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_3549

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  • スパッタMoS2膜のSF6プラズマ処理によるシート抵抗低減

    堀口 大河, 濱田 拓也, 辰巳 哲也, 冨谷 茂隆, 星井 拓也, 角嶋 邦之, 筒井 一生, 若林 整

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2019.2   3887 - 3887   2019年9月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_3887

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  • 高感度紫外光電子分光による酸素暴露した薄膜のギャップ内準位の観測

    木全 俊輔, 清水 康平, 松崎 厚志, 丸山 太一, 西 寿朗, 冨谷 茂隆, 田中 有弥, 石井 久夫

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2019.2   2477 - 2477   2019年9月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_2477

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  • 硬X線光電子分光法による金属/GaN界面のバンド構造評価

    水島 啓貴, 新井 龍志, 稲葉 雄大, 山下 俊介, 山口 雄大, 蟹谷 裕也, 工藤 喜弘, 濱口 達史, 幸田 倫太郎, 簗嶋 克典, 冨谷 茂隆

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2019.2   3591 - 3591   2019年9月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_3591

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  • InGaN量子井戸の組成揺らぎ評価に関する実験的・理論的検討

    藤田 貴志, 坂井 繁太, 池田 優真, 山口 敦史, 蟹谷 裕也, 冨谷 茂隆

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2019.1 ( 330(ED2018 32-52) )   3130 - 3130   2019年2月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2019.1.0_3130

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  • InGaN量子井戸におけるMobility edgeの見積り方法に関する実験的・理論的検討

    藤田貴志, 坂井繁太, 池田優真, 山口敦史, 草薙進, 蟹谷裕也, 工藤喜弘, 冨谷茂隆

    電子情報通信学会技術研究報告   119 ( 304(LQE2019 76-101) )   2019年

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  • 電子エネルギー損失分光法スペクトルを対象とした結晶性および組成の解析手法の開発

    山本寛人, 田中健一, 山下俊介, 浮田昌一, 中野博史, 白沢楽, 冨谷茂隆, 小寺正明, 船津公人

    ケモインフォマティクス討論会予稿集(Web)   42nd   2019年

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  • 機械学習を用いた組成式からの無機化合物結晶系予測

    見内伸之, 田中健一, 中野博史, 浮田昌一, 白沢楽, 冨谷茂隆, 小寺正明, 船津公人

    ケモインフォマティクス討論会予稿集(Web)   42nd   2019年

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  • 光励起誘導放出光測定によるInGaN量子井戸レーザのポテンシャル揺らぎ評価—A new method to evaluate the degree of potential fluctuation in InGaN quantum-well laser diodes by optical-pump stimulated-emission measurements—電子デバイス

    大島 一輝, 池田 優真, 坂井 繁太, 山口 敦史, 蟹谷 裕也, 冨谷 茂隆

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   118 ( 330 )   79 - 82   2018年11月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:電子情報通信学会  

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    その他リンク: http://id.ndl.go.jp/bib/029386124

  • InGaN量子井戸の組成揺らぎ評価に関する実験的・理論的検討—Theoretical and Experimental Studies on Potential Fluctuation in InGaN Quantum-Well Structures—電子部品・材料

    藤田 貴志, 坂井 繁太, 池田 優真, 山口 敦史, 蟹谷 裕也, 冨谷 茂隆

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   118 ( 331 )   75 - 78   2018年11月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:電子情報通信学会  

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    その他リンク: http://id.ndl.go.jp/bib/029386017

  • 窒化物混晶半導体中の結晶欠陥および組成変調の解析

    冨谷 茂隆, 蟹谷 裕也

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2018.1   342 - 342   2018年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2018.1.0_342

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  • デバイス・材料開発におけるマテリアルインフォマティクスの課題と可能性—Possibilities and issues of materials informatics for materials and device R&D—マテリアルズインフォマティクスによる材料・デバイス開発の最前線

    冨谷 茂隆, 知京 豊裕

    応用電子物性分科会誌 = Bulletin of solid state physics and applications / 応用物理学会応用電子物性分科会 編   24 ( 2 )   45 - 52   2018年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:応用物理学会  

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  • アンサンブル学習を利用した吸収波長予測

    菅原悠樹, 小寺正明, 田中健一, 中野博史, 浮田昌一, 白沢楽, 冨谷茂隆, 船津公人

    ケモインフォマティクス討論会予稿集(Web)   41st   2018年

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  • 無機材料の組成式を元にした物性予測のための記述子開発

    佐方 冬彩子, 小寺 正明, 田中 健一, 中野 博史, 浮田 昌一, 白沢 楽, 冨谷 茂隆, 船津 公人

    Journal of Computer Aided Chemistry (Web)   19   7 - 18   2018年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本化学会・情報化学部会  

    材料開発において未知の材料を効率的に探索するには、組成の情報のみから物性を予測する手法の開発が必要である。本研究では、無機材料の組成式を記述子に変換して説明変数とし、物性との関係を表す回帰モデルを構築した。さまざまな物性の予測に対応できるよう情報を損失なく変換するために、組成式中の各元素の個数や割合を表す記述子、原子量、原子半径、電気陰性度といった元素の物理学的パラメータを使用した記述子など、合計387個の記述子を提案した。ケーススタディとして、これらの記述子を用いてRandom Forestによるモデルを構築し、結晶の生成エネルギー、密度、屈折率という3種類の物性の予測を行って R2 値がそれぞれ 0.970、0.977、0.766という結果を得た。また、統計的に選択されそれぞれの物性予測モデルの構築に寄与した記述子が、化学的知見から考えても妥当なものであったことからこの手法の有用性を確認した。

    DOI: 10.2751/jcac.19.7

    DOI: 10.2320/matertrans.mt-y2022004_references_DOI_Cw5lN53QQtBNByiLvBohdcfjCGm

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    その他リンク: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-17K07260/

  • 光音響・発光同時計測による窒化物半導体の内部量子効率の絶対測定

    山口 敦史, 中納 隆, 坂井 繁太, 蟹谷 裕也, 冨谷 茂隆

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2017.1   281 - 281   2017年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_281

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  • 光音響・発光同時計測による窒化物半導体の内部量子効率の絶対測定

    山口敦史, 中納隆, 坂井繁太, 深田晴己, 蟹谷裕也, 冨谷茂隆

    電子情報通信学会大会講演論文集(CD-ROM)   2017   2017年

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  • 光音響・発光同時計測によるInGaN量子井戸の内部量子効率の測定—A novel method to measure absolute internal quantum efficiency in InGaN quantum wells by simultaneous photo-acoustic and photoluminescence spectroscopy—電子部品・材料

    清水 奈緒人, 高橋 佑知, 小林 玄季, 中納 隆, 坂井 繁太, 山口 敦史, 蟹谷 裕也, 冨谷 茂隆

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   117 ( 332 )   1 - 6   2017年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:電子情報通信学会  

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    その他リンク: http://id.ndl.go.jp/bib/028700484

  • InGaN量子井戸における発光ピークのS字型温度依存性の詳細解析—Detailed analysis of S-shaped temperature dependence of photoluminescence peak energy in InGaN quantum wells—レーザ・量子エレクトロニクス

    池田 優真, 坂井 繁太, 大島 一輝, 山口 敦史, 蟹谷 裕也, 冨谷 茂隆

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   117 ( 333 )   11 - 14   2017年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:電子情報通信学会  

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    その他リンク: http://id.ndl.go.jp/bib/028699378

  • 充電による結晶Si粒子の構造変化のその場SEM観察

    小川健一, 細井慎, 工藤喜弘, 草薙進, 田中伸史, 冨谷茂隆

    電池討論会講演要旨集   56th   2015年

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  • プラズマ光と表面の相互作用の解明

    ZHANG Yan, 石川健治, 関根誠, 深沢正永, 長畑和典, 冨谷茂隆, 辰巳哲也, 竹田圭吾, 近藤博基, 堀勝

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   61st   2014年

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  • 機械的応力により発生するSnウィスカにおける屈曲・湾曲部の形成と結晶方位の関係性—Effect of Crystal Orientation on Kink Formation on Mechanically Induced Sn Whiskers—高密度実装を牽引する材料技術とヘテロインテグレーション論文特集 査読

    水口 由紀子, 村上 洋介, 冨谷 茂隆

    電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス = The IEICE transactions on electronics. C / 電子情報通信学会 編   95 ( 11 )   333 - 342   2012年11月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ  

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    その他リンク: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-24226017/

  • 機械的応力により発生するSnウィスカにおける屈曲・湾曲部の形成と結晶方位の関係性

    水口由紀子, 水口由紀子, 村上洋介, 冨谷茂隆, 浅井正, 気賀智也, 菅沼克昭

    電子情報通信学会論文誌 C   J95-C ( 11 )   2012年

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  • 温度可変時間分解PL法によるGaInNへのプラズマダメージ解析

    泉将一郎, 鎌田満, 南正樹, 辰巳哲也, 山口敦史, 冨谷茂隆

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   72nd   2011年

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  • GaN系半導体レーザにおける結晶欠陥(<特集>窒化物半導体結晶中の欠陥)

    冨谷 茂隆, 池田 昌夫

    日本結晶成長学会誌   36 ( 3 )   222 - 228   2009年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:日本結晶成長学会  

    GaN系半導体レーザダイオードの特性や信頼性の向上には,結晶欠陥の低減が必須である.このためには,結晶欠陥を十分理解することが重要である.ウルツ鉱型構造を有するGaN系半導体材料は,GaAs系半導体材料をはじめとする従来の閃亜鉛鉱型構造を有するIII-V族発光デバイス材料と結晶構造が異なる事などにより,従来と異なる様々な結晶欠陥がエピタキシャル層中に発生する.本稿では,エピタキシャル層/基板界面から発生する貫通転位,p型半導体層に発生するMgに関与した結晶欠陥およびGaInN量子井戸層において発生する結晶欠陥について,透過電子顕微鏡法によって解析した事例を紹介する.

    DOI: 10.19009/jjacg.36.3_222

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  • ウィスカ関係 外部応力型ウィスカにおける現象解明と抑制技術

    気賀 智也, 浅井 正, 水口 由紀子, 村上 洋介, 田中 伸史, 冨谷 茂隆

    エレクトロニクス実装学会誌   11 ( 5 )   356 - 362   2008年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人エレクトロニクス実装学会  

    DOI: 10.5104/jiep.11.356

    DOI: 10.4139/sfj.68.84_references_DOI_Bxbp0abm3bCk43yp32PbpwTtfJJ

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  • 最新のSnウィスカ研究と制御技術 外部応力型ウィスカの試験方法およびメカニズム解明

    気賀 智也, 浅井 正, 水口 由紀子, 村上 洋介, 田中 伸史, 冨谷 茂隆

    表面技術   59 ( 4 )   223 - 227   2008年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人 表面技術協会  

    DOI: 10.4139/sfj.59.223

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  • 鉛フリーSnめっきにおける外部応力型ウィスカ/ノジュールの解析

    水口由紀子, 村上洋介, 田中伸史, 冨谷茂隆, 浅井正, 気賀智也

    信頼性・保全性シンポジウム発表報文集   38th   2008年

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  • 高出力純青色GaN系半導体レーザの結晶欠陥と劣化現象

    冨谷 茂隆, 後藤 修, 池田 昌夫, 大泉 善嗣, 庄司 美和子, 田中 隆之, 保科 幸男, 太田 誠, 矢吹 義文

    電気学会研究会資料. OQD, 光・量子デバイス研究会   2007 ( 53 )   17 - 21   2007年12月

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  • CS-4-6 ディスプレイ用高出力純青色半導体レーザの開発(CS-4.窒化物/ワイドバンドギャップ光半導体とその応用の新展開,シンポジウム)

    後藤 修, 大泉 善嗣, 太田 誠, 保科 幸男, 田中 隆之, 矢吹 義文, 船戸 健次, 冨谷 茂隆, 池田 昌夫

    電子情報通信学会総合大会講演論文集   2007 ( 1 )   "S - 62"-"S-63"   2007年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

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  • 端面電流非注入構造導入による純青色レーザのCOD抑制

    後藤修, 大泉善嗣, 庄司美和子, 田中隆之, 保科幸男, 太田誠, 矢吹義文, 冨谷茂隆, 池田昌夫

    電子情報通信学会技術研究報告   107 ( 253(LQE2007 57-79) )   2007年

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  • 端面電流非注入構造導入によるAlGaInN純青色レーザのCOD抑制

    田中隆之, 庄司美和子, 保科幸男, 大泉善嗣, 太田誠, 矢吹義文, 冨谷茂隆, 後藤修, 池田昌夫

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   68th ( 3 )   2007年

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  • MgドープGaNエピタキシャル膜におけるピラミッド状微小欠陥

    冨谷 茂隆

    まてりあ   43 ( 12 )   1030 - 1030   2004年

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    出版者・発行元:公益社団法人 日本金属学会  

    DOI: 10.2320/materia.43.1030

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  • 劣化GaN系半導体レーザ中の結晶欠陥

    冨谷 茂隆, 後藤 修, 竹谷 元伸, 池田 昌夫

    電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料   103 ( 343 )   73 - 76   2003年9月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:電子情報通信学会  

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    その他リンク: http://id.ndl.go.jp/bib/6766945

  • X線マイクロビームを用いたELO-GaNの結晶構造解析

    宮嶋孝夫, 竹谷元伸, 後藤修, 冨谷茂隆, 竹田晋吾, 栗原英明, 渡辺経子, 加藤まどみ, 松井純爾

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   64th ( 1 )   2003年

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  • GaN系半導体レーザ中の結晶欠陥—小特集テーマ:進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般

    冨谷 茂隆, 日野 智公, 宮嶋 孝夫

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   102 ( 119 )   71 - 74   2002年6月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:電子情報通信学会  

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    その他リンク: http://id.ndl.go.jp/bib/6221770

  • GaN及びGaInN中の貫通転位—小特集テーマ:進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般

    宮嶋 孝夫, 日野 智公, 冨谷 茂隆

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   102 ( 115 )   21 - 24   2002年6月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:電子情報通信学会  

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    その他リンク: http://id.ndl.go.jp/bib/6221629

  • 劣化したZnCdSe量子井戸構造のTEM解析

    冨谷 茂隆

    まてりあ   40 ( 12 )   1002 - 1002   2001年

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    出版者・発行元:公益社団法人 日本金属学会  

    DOI: 10.2320/materia.40.1002

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  • HVPE法による低貫通転位密度GaN基板

    冨岡聡, 冨谷茂隆, 船戸健次, 宮嶋孝夫, 小林俊雅

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   61st ( 1 )   2000年

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  • GaN系埋め込みリッジ型レーザの作製評価

    山口恭司, 朝妻庸紀, 浅野竹春, 日野智公, やな嶋克典, 冨谷茂隆, 船戸健次, 小林俊雅, 池田昌夫

    Proceedings of the Sony Research Forum   9th   2000年

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  • 加圧MOCVD成長したGaInN多重量子井戸からの発光過程

    船戸健次, 橋本茂樹, 冨谷茂隆, 宮嶋孝夫, 小林俊雅

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集   47th ( 1 )   2000年

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  • 2-6族半導体発光デバイスのCLおよびTEM評価—〔1999年〕日本電子顕微鏡学会第44回シンポジウム論文集 新しい顕微鏡技術が切り開く生命と物質の世界,学会賞(瀬藤賞)受賞講演〔含 著者索引〕 ; ワークショップ:ワイドギャップ半導体のカソードルミネッセンス評価

    冨谷 茂隆, 戸田 淳, 石橋 晃

    電子顕微鏡 / 「電子顕微鏡」編集委員会 編   34 ( Suppl.2 )   233 - 236   1999年11月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:日本顕微鏡学会  

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  • ELO GaN膜の構造解析 マスク材料依存性

    冨谷茂隆, 日野智公, 喜嶋悟, 船戸健次, 浅野竹春, 朝妻庸紀, 池田昌夫

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集   46th ( 1 )   1999年

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  • GaN膜における貫通転位の振る舞い (1)

    日野智公, 冨谷茂隆, 宮嶋孝夫, やな嶋克典, 橋本茂樹, 池田昌夫

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   60th ( 1 )   1999年

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  • GaN膜における貫通転位のふるまい (2) エッチピットとの対応

    冨谷茂隆, 日野智公, 冨岡聡, 朝妻庸紀, 宮嶋孝夫, 池田昌夫

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   60th ( 1 )   1999年

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  • ZnSe/ZnTe多重量子井戸構造中の欠陥構造解析

    冨谷茂隆, 喜嶋悟, 奥山浩之, 日野智公, 谷口理, 塚本弘範, 野口祐泰, 加藤豪作, 石橋晃

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   59th ( 1 )   1998年

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  • II-VI族化合物半導体レーザのヘテロ界面

    冨谷茂隆, 石橋晃

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   59th   1998年

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  • 光劣化ZnCdSe量子井戸構造中の結晶欠陥解析

    冨谷茂隆, 野口祐泰, 左中由美, 日野智公, 谷口理, 石橋晃

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   58th ( 1 )   1997年

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  • ZnSe系エピタキシャル膜の表面ラフネスと組成変調 (2)

    冨谷茂隆, 塚本弘範, 伊藤哲, 中野一志, 森田悦男, 石橋晃

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   57th ( 1 )   1996年

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  • ZnSSe,ZnMgSSeエピタキシャル膜の結晶欠陥評価

    白石誠司, 谷口理, 冨谷茂隆, 中野一志, 石橋晃, 池田昌夫

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集   43rd ( 1 )   1996年

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  • II-VI半導体発光素子の電流注入によって誘起された結晶欠陥解析

    冨谷茂隆, 浮田昌一, 奥山浩之, 伊藤哲, 中野一志, 森田悦男, 石橋晃

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集   42nd ( Pt 1 )   1995年

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  • ZnSe,ZnSSe,ZnMgSSeにおける表面ラフネスと組成変調構造

    冨谷茂隆, 湊屋理佳子, 塚本弘範, 伊藤哲, 中野一志, 森田悦男, 石橋晃, 池田昌夫

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   56th ( 1 )   1995年

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  • 構造基板上へのAlGaInPの結晶成長

    山本直, 冨谷茂隆, 森田悦男, 石橋晃, 森芳文

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   53rd ( 1 )   1992年

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  • GaAs基板上にMBE成長したZnSSe結晶のTEMによる評価

    冨谷茂隆, 森田悦男, 奥山浩之, 秋本克洋

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集   38th ( Pt 1 )   1991年

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  • 31p-M2-1 金属超微粒子の光吸収(表面・界面)

    富谷 茂隆, 川村 清

    年会講演予稿集   43.2   332   1988年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人 日本物理学会  

    DOI: 10.11316/jpsgaiyod.43.2.0_332_1

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産業財産権

  • 充放電制御装置、充放電制御方法、電池パック、電子機器、電動車両、電動工具および電力貯蔵システム

    田中 雅洋, 越谷 直樹, 堀内 優努, 守澤 和彦, 冨谷 茂隆

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    出願人:株式会社村田製作所

    出願番号:JP2017000956  出願日:2017年1月

    公表番号:WO2017-183238  公表日:2017年10月

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  • 二次電池、その評価方法、製造方法、および充放電制御装置

    田中 雅洋, 清水 良史, 堀内 優努, 冨谷 茂隆

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    出願人:株式会社村田製作所

    出願番号:特願2017-534114  出願日:2016年5月

    特許番号/登録番号:特許第6504253号  登録日:2019年4月 

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  • 二次電池、その評価方法、製造方法、および充放電制御装置

    田中 雅洋, 清水 良史, 堀内 優努, 冨谷 茂隆

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    出願人:株式会社村田製作所

    出願番号:JP2016063730  出願日:2016年5月

    公表番号:WO2017-026149  公表日:2017年2月

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  • 発光素子

    田才 邦彦, 仲山 英次, 中山 雄介, 冨谷 茂隆

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願2013-239827  出願日:2013年11月

    公開番号:特開2015-099872  公開日:2015年5月

    特許番号/登録番号:特許第6103241号  登録日:2017年3月 

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  • 発光素子

    田才 邦彦, 仲山 英次, 中山 雄介, 冨谷 茂隆

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願2013-239827  出願日:2013年11月

    公開番号:特開2015-099872  公開日:2015年5月

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  • 半導体レーザ素子およびその製造方法

    丹下 貴志, 冨谷 茂隆

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願2010-258883  出願日:2010年11月

    公開番号:特開2012-109499  公開日:2012年6月

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  • GaN系III-V族化合物半導体発光素子

    冨谷 茂隆, 後藤 修

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願2010-238739  出願日:2010年10月

    公開番号:特開2011-054982  公開日:2011年3月

    特許番号/登録番号:特許第5434882号  登録日:2013年12月 

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  • GaN系III-V族化合物半導体発光素子及びその製造方法

    冨谷 茂隆, 後藤 修

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願2010-238739  出願日:2010年10月

    公開番号:特開2011-054982  公開日:2011年3月

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  • 有機薄膜の形成方法および有機デバイスの製造方法

    後藤 修, 保原 大介, 野元 章裕, 村上 洋介, 冨谷 茂隆

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願2010-186435  出願日:2010年8月

    公開番号:特開2012-044110  公開日:2012年3月

    特許番号/登録番号:特許第5640553号  登録日:2014年11月 

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  • 有機薄膜の形成方法および有機デバイスの製造方法

    後藤 修, 保原 大介, 野元 章裕, 村上 洋介, 冨谷 茂隆

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願2010-186435  出願日:2010年8月

    公開番号:特開2012-044110  公開日:2012年3月

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  • 有機薄膜の形成方法および形成装置、ならびに有機デバイスの製造方法

    後藤 修, 小林 典仁, 保原 大介, 清水 圭輔, 冨谷 茂隆, 村上 洋介, 勝原 真央, 大江 貴裕, 川島 紀之, 高橋 由佳, 福田 敏生, 石井 由威

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願2010-186436  出願日:2010年8月

    公開番号:特開2012-044111  公開日:2012年3月

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  • 有機薄膜の形成方法および形成装置、ならびに有機デバイスの製造方法

    後藤 修, 小林 典仁, 保原 大介, 清水 圭輔, 冨谷 茂隆, 村上 洋介, 勝原 真央, 大江 貴裕, 川島 紀之, 高橋 由佳, 福田 敏生, 石井 由威

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願2010-186436  出願日:2010年8月

    公開番号:特開2012-044111  公開日:2012年3月

    特許番号/登録番号:特許第5640554号  登録日:2014年11月 

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  • コアシェル型微粒子及びこれを用いた機能デバイス

    田中 伸史, 後藤 習志, 冨谷 茂隆

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願2010-182053  出願日:2010年8月

    公開番号:特開2012-041581  公開日:2012年3月

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  • キャリア放出素子

    蟹谷 裕也, 冨谷 茂隆

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願2009-210734  出願日:2009年9月

    公開番号:特開2011-060659  公開日:2011年3月

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  • 発光ダイオードの製造方法、集積型発光ダイオードの製造方法および窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法

    大前 暁, 塩見 治典, 風田川 統之, 網 隆明, 宮嶋 孝夫, 平松 雄司, 畑田 出穂, 岡野 展賢, 冨谷 茂隆, 簗嶋 克典, 日野 智公, 成井 啓修

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願2009-174008  出願日:2009年7月

    公開番号:特開2009-246393  公開日:2009年10月

    特許番号/登録番号:特許第5152121号  登録日:2012年12月 

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  • 発光ダイオードおよびその製造方法ならびに集積型発光ダイオードおよびその製造方法ならびに窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法ならびに窒化物系III-V族化合物半導体成長用基板ならびに光源セルユニットならびに発光ダイオードバックライトならびに発光ダイオード照明装置ならびに発光ダイオードディスプレイならびに電子機器ならびに電子装置およびその製造方法

    大前 暁, 塩見 治典, 風田川 統之, 網 隆明, 宮嶋 孝夫, 平松 雄司, 畑田 出穂, 岡野 展賢, 冨谷 茂隆, 簗嶋 克典, 日野 智公, 成井 啓修

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願2009-174008  出願日:2009年7月

    公開番号:特開2009-246393  公開日:2009年10月

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  • 電子部品

    水口 由紀子, 冨谷 茂隆, 田中 伸史, 村上 洋介

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願2008-113136  出願日:2008年4月

    公開番号:特開2009-266499  公開日:2009年11月

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  • 半導体レーザ

    日野 智公, 東條 剛, 池田 昌夫, 大藤 良夫, 内田 史朗, 冨谷 茂隆, 森田 悦男

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願2008-047184  出願日:2008年2月

    公開番号:特開2008-135792  公開日:2008年6月

    特許番号/登録番号:特許第5169310号  登録日:2013年1月 

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  • 半導体レーザの製造方法、半導体レーザ、半導体装置の製造方法および半導体装置

    日野 智公, 東條 剛, 池田 昌夫, 大藤 良夫, 内田 史朗, 冨谷 茂隆, 森田 悦男

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願2008-047184  出願日:2008年2月

    公開番号:特開2008-135792  公開日:2008年6月

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  • 発光ダイオードの製造方法、集積型発光ダイオードの製造方法および窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法

    大前 暁, 塩見 治典, 風田川 統之, 網 隆明, 宮嶋 孝夫, 平松 雄司, 畑田 出穂, 岡野 展賢, 冨谷 茂隆, 簗嶋 克典, 日野 智公, 成井 啓修

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願2006-215342  出願日:2006年8月

    公開番号:特開2007-116097  公開日:2007年5月

    特許番号/登録番号:特許第4462249号  登録日:2010年2月 

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  • 発光ダイオードおよびその製造方法ならびに集積型発光ダイオードおよびその製造方法ならびに窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法ならびに窒化物系III-V族化合物半導体成長用基板ならびに光源セルユニットならびに発光ダイオードバックライトならびに発光ダイオード照明装置ならびに発光ダイオードディスプレイならびに電子機器ならびに電子装置およびその製造方法

    大前 暁, 塩見 治典, 風田川 統之, 網 隆明, 宮嶋 孝夫, 平松 雄司, 畑田 出穂, 岡野 展賢, 冨谷 茂隆, 簗嶋 克典, 日野 智公, 成井 啓修

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願2006-215342  出願日:2006年8月

    公開番号:特開2007-116097  公開日:2007年5月

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  • 発光ダイオードの製造方法、集積型発光ダイオードの製造方法および窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法

    大前 暁, 冨谷 茂隆, 前田 勇樹, 塩見 治典, 網 隆明, 宮嶋 孝夫, 簗嶋 克典, 丹下 貴志, 安田 淳

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願2006-105647  出願日:2006年4月

    公開番号:特開2006-352084  公開日:2006年12月

    特許番号/登録番号:特許第5082278号  登録日:2012年9月 

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  • 発光ダイオードおよびその製造方法ならびに集積型発光ダイオードおよびその製造方法ならびに窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法ならびに光源セルユニットならびに発光ダイオードバックライトならびに発光ダイオードディスプレイならびに電子機器

    大前 暁, 冨谷 茂隆, 前田 勇樹, 塩見 治典, 網 隆明, 宮嶋 孝夫, 簗嶋 克典, 丹下 貴志, 安田 淳

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願2006-105647  出願日:2006年4月

    公開番号:特開2006-352084  公開日:2006年12月

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  • 半導体レーザおよびその製造方法

    谷口 学, 倉本 大, 池田 昌夫, 水野 崇, 冨谷 茂隆

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願2005-268011  出願日:2005年9月

    公開番号:特開2007-081197  公開日:2007年3月

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  • 半導体素子

    冨谷 茂隆, 船戸 健次

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願2005-262413  出願日:2005年9月

    公開番号:特開2006-019763  公開日:2006年1月

    特許番号/登録番号:特許第4255937号  登録日:2009年2月 

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  • 半導体薄膜および半導体素子の製造方法

    冨谷 茂隆, 船戸 健次

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願2005-262412  出願日:2005年9月

    公開番号:特開2006-013547  公開日:2006年1月

    特許番号/登録番号:特許第4042775号  登録日:2007年11月 

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  • 半導体薄膜および半導体素子の製造方法

    冨谷 茂隆, 船戸 健次

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願2005-262412  出願日:2005年9月

    公開番号:特開2006-013547  公開日:2006年1月

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  • 半導体素子

    冨谷 茂隆, 船戸 健次

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願2005-262413  出願日:2005年9月

    公開番号:特開2006-019763  公開日:2006年1月

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  • 有機積層膜識別化支援方法および有機積層膜検査方法

    田中 伸史, 冨谷 茂隆

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願2005-160223  出願日:2005年5月

    公開番号:特開2006-338953  公開日:2006年12月

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  • 半導体レーザおよびその製造方法

    船戸 健次, 冨谷 茂隆, 保科 幸男, 後藤 修

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願2004-320274  出願日:2004年11月

    公開番号:特開2006-134987  公開日:2006年5月

    特許番号/登録番号:特許第4890755号  登録日:2011年12月 

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  • 半導体素子およびその製造方法

    宮嶋 孝夫, 冨谷 茂隆, 朝妻 庸紀

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願2004-320465  出願日:2004年11月

    公開番号:特開2006-135001  公開日:2006年5月

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  • 半導体レーザおよびその製造方法

    船戸 健次, 冨谷 茂隆, 保科 幸男, 後藤 修

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願2004-320274  出願日:2004年11月

    公開番号:特開2006-134987  公開日:2006年5月

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  • GaN系III-V族化合物半導体発光素子及びその製造方法

    冨谷 茂隆, 後藤 修

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:JP2004012708  出願日:2004年8月

    公表番号:WO2005-020396  公表日:2005年3月

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  • 半導体発光素子の製造方法

    朝妻 庸紀, 冨谷 茂隆, 玉村 好司, 東條 剛, 後藤 修, 元木 健作

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    出願人:住友電気工業株式会社, ソニー株式会社

    出願番号:特願2003-417116  出願日:2003年12月

    公開番号:特開2004-128521  公開日:2004年4月

    特許番号/登録番号:特許第3739381号  登録日:2005年11月 

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  • 半導体発光素子および半導体素子

    朝妻 庸紀, 冨谷 茂隆, 玉村 好司, 東條 剛, 後藤 修, 元木 健作

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    出願人:住友電気工業株式会社, ソニー株式会社

    出願番号:特願2003-417114  出願日:2003年12月

    公開番号:特開2004-088134  公開日:2004年3月

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  • 半導体発光素子およびその製造方法

    朝妻 庸紀, 冨谷 茂隆, 玉村 好司, 東條 剛, 後藤 修, 元木 健作

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    出願人:住友電気工業株式会社, ソニー株式会社

    出願番号:特願2003-417113  出願日:2003年12月

    公開番号:特開2004-128519  公開日:2004年4月

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  • 半導体発光素子およびその製造方法

    朝妻 庸紀, 冨谷 茂隆, 玉村 好司, 東條 剛, 後藤 修, 元木 健作

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    出願人:住友電気工業株式会社, ソニー株式会社

    出願番号:特願2003-417115  出願日:2003年12月

    公開番号:特開2004-128520  公開日:2004年4月

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  • 半導体発光素子およびその製造方法

    朝妻 庸紀, 冨谷 茂隆, 玉村 好司, 東條 剛, 後藤 修, 元木 健作

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    出願人:住友電気工業株式会社, ソニー株式会社

    出願番号:特願2003-417116  出願日:2003年12月

    公開番号:特開2004-128521  公開日:2004年4月

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  • 半導体発光素子の製造方法および半導体素子の製造方法

    朝妻 庸紀, 冨谷 茂隆, 玉村 好司, 東條 剛, 後藤 修, 元木 健作

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    出願人:住友電気工業株式会社, ソニー株式会社

    出願番号:特願2003-417114  出願日:2003年12月

    公開番号:特開2004-088134  公開日:2004年3月

    特許番号/登録番号:特許第3739379号  登録日:2005年11月 

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  • 半導体発光素子の製造方法

    朝妻 庸紀, 冨谷 茂隆, 玉村 好司, 東條 剛, 後藤 修, 元木 健作

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    出願人:住友電気工業株式会社, ソニー株式会社

    出願番号:特願2003-417115  出願日:2003年12月

    公開番号:特開2004-128520  公開日:2004年4月

    特許番号/登録番号:特許第3739380号  登録日:2005年11月 

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  • 半導体発光素子の製造方法

    朝妻 庸紀, 冨谷 茂隆, 玉村 好司, 東條 剛, 後藤 修, 元木 健作

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    出願人:住友電気工業株式会社, ソニー株式会社

    出願番号:特願2003-417113  出願日:2003年12月

    公開番号:特開2004-128519  公開日:2004年4月

    特許番号/登録番号:特許第3739378号  登録日:2005年11月 

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  • 半導体レーザの製造方法

    浅野 竹春, 朝妻 庸紀, 日野 智公, 冨谷 茂隆, 山口 恭司, 小林 高志

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願2003-158298  出願日:2003年6月

    公開番号:特開2003-332693  公開日:2003年11月

    特許番号/登録番号:特許第3975971号  登録日:2007年6月 

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  • 半導体発光素子

    日野 智公, 成井 啓修, 御友 重吾, 冨谷 茂隆, 平野 英孝

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願2003-059428  出願日:2003年3月

    公開番号:特開2004-273587  公開日:2004年9月

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  • 化合物半導体素子およびその製造方法、並びに半導体発光素子およびその製造方法

    工藤 喜弘, 宮嶋 孝夫, 冨谷 茂隆

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願2002-295997  出願日:2002年10月

    公開番号:特開2003-188448  公開日:2003年7月

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  • 半導体発光素子の製造方法

    朝妻 庸紀, 冨谷 茂隆, 玉村 好司, 東條 剛, 後藤 修, 元木 健作

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    出願人:住友電気工業株式会社, ソニー株式会社

    出願番号:特願2001-315703  出願日:2001年10月

    公開番号:特開2003-124572  公開日:2003年4月

    特許番号/登録番号:特許第4290358号  登録日:2009年4月 

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  • 半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、半導体素子の製造方法、半導体素子、素子の製造方法および素子

    朝妻 庸紀, 冨谷 茂隆, 玉村 好司, 東條 剛, 後藤 修, 元木 健作

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    出願人:住友電気工業株式会社, ソニー株式会社

    出願番号:特願2001-315703  出願日:2001年10月

    公開番号:特開2003-124572  公開日:2003年4月

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  • 発光素子

    日野 智公, 冨谷 茂隆

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願2001-206093  出願日:2001年7月

    公開番号:特開2003-023217  公開日:2003年1月

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  • GaN系半導体レーザの製造方法

    日野 智公, 東條 剛, 池田 昌夫, 大藤 良夫, 内田 史朗, 冨谷 茂隆, 森田 悦男

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願2001-191614  出願日:2001年6月

    公開番号:特開2002-335053  公開日:2002年11月

    特許番号/登録番号:特許第4977931号  登録日:2012年4月 

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  • 半導体レーザの製造方法、半導体レーザ、半導体装置の製造方法および半導体装置

    日野 智公, 東條 剛, 池田 昌夫, 大藤 良夫, 内田 史朗, 冨谷 茂隆, 森田 悦男

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願2001-191614  出願日:2001年6月

    公開番号:特開2002-335053  公開日:2002年11月

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  • 窒化物半導体膜の製造方法

    冨谷 茂隆

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願2001-169442  出願日:2001年6月

    公開番号:特開2002-367909  公開日:2002年12月

    特許番号/登録番号:特許第4631214号  登録日:2010年11月 

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  • 窒化物半導体レーザ及びその製造方法

    冨谷 茂隆, 日野 智公

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願2001-169440  出願日:2001年6月

    公開番号:特開2002-368343  公開日:2002年12月

    特許番号/登録番号:特許第3876649号  登録日:2006年11月 

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  • 窒化物半導体レーザ

    冨谷 茂隆, 日野 智公

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願2001-169440  出願日:2001年6月

    公開番号:特開2002-368343  公開日:2002年12月

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  • 窒化物半導体膜およびその製造方法

    冨谷 茂隆

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願2001-169442  出願日:2001年6月

    公開番号:特開2002-367909  公開日:2002年12月

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  • 化合物半導体基板の製造方法

    宮嶋 孝夫, 冨谷 茂隆, 碓井 彰

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    出願人:ソニー株式会社, 日本電気株式会社

    出願番号:特願2001-108017  出願日:2001年4月

    公開番号:特開2002-305160  公開日:2002年10月

    特許番号/登録番号:特許第3795765号  登録日:2006年4月 

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  • 化合物半導体基板の製造方法

    宮嶋 孝夫, 冨谷 茂隆, 碓井 彰

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    出願人:ソニー株式会社, 日本電気株式会社

    出願番号:特願2001-108017  出願日:2001年4月

    公開番号:特開2002-305160  公開日:2002年10月

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  • 窒化物半導体素子の製造方法

    冨谷 茂隆, 日野 智公, 山口 恭司

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願2001-031378  出願日:2001年2月

    公開番号:特開2002-237656  公開日:2002年8月

    特許番号/登録番号:特許第4639484号  登録日:2010年12月 

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  • 窒化物半導体層の成長方法及び窒化物半導体素子

    冨谷 茂隆, 日野 智公, 山口 恭司

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願2001-031378  出願日:2001年2月

    公開番号:特開2002-237656  公開日:2002年8月

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  • 窒化物半導体素子及びその製造方法

    冨谷 茂隆, 中島 博, 山口 恭司

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願2001-031377  出願日:2001年2月

    公開番号:特開2002-237655  公開日:2002年8月

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  • 半導体発光装置およびその製造方法

    玉村 好司, 簗嶋 克典, 中島 博, 冨谷 茂隆

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願2000-383027  出願日:2000年12月

    公開番号:特開2002-185084  公開日:2002年6月

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  • エッチング方法および結晶性評価方法並びに半導体装置の製造方法

    日野 智公, 冨岡 聡, 冨谷 茂隆

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願平11-264485  出願日:1999年9月

    公開番号:特開2000-188285  公開日:2000年7月

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  • 半導体レーザおよびその製造方法ならびに半導体装置およびその製造方法

    浅野 竹春, 池田 昌夫, 東條 剛, 冨谷 茂隆

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願平11-116804  出願日:1999年4月

    公開番号:特開2000-307193  公開日:2000年11月

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  • 半導体レ-ザおよびその製造方法ならびに半導体装置およびその製造方法

    浅野 竹春, 朝妻 庸紀, 日野 智公, 冨谷 茂隆, 山口 恭司, 小林 高志

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願平11-116805  出願日:1999年4月

    公開番号:特開2000-223781  公開日:2000年8月

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  • 半導体レーザ

    浅野 竹春, 朝妻 庸紀, 日野 智公, 冨谷 茂隆, 山口 恭司, 小林 高志

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願平11-116805  出願日:1999年4月

    公開番号:特開2000-223781  公開日:2000年8月

    特許番号/登録番号:特許第3804335号  登録日:2006年5月 

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  • 半導体レーザの製造方法および半導体装置の製造方法

    浅野 竹春, 朝妻 庸紀, 日野 智公, 冨谷 茂隆, 山口 恭司, 小林 高志

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願2003-158298  出願日:1999年4月

    公開番号:特開2003-332693  公開日:2003年11月

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  • 半導体レーザおよびその製造方法

    浅野 竹春, 池田 昌夫, 東條 剛, 冨谷 茂隆

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願平11-116804  出願日:1999年4月

    公開番号:特開2000-307193  公開日:2000年11月

    特許番号/登録番号:特許第3735638号  登録日:2005年11月 

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  • 窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法、半導体装置の製造方法および半導体装置

    日野 智公, 浅野 竹春, 朝妻 庸紀, 喜嶋 悟, 船戸 健次, 冨谷 茂隆

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願平10-335851  出願日:1998年11月

    公開番号:特開2000-164988  公開日:2000年6月

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  • 半導体薄膜と半導体素子と半導体装置とこれらの製造方法

    冨谷 茂隆, 船戸 健次

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願平10-336307  出願日:1998年11月

    公開番号:特開2000-164929  公開日:2000年6月

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  • 半導体薄膜および半導体素子の製造方法

    冨谷 茂隆, 船戸 健次

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願平10-336307  出願日:1998年11月

    公開番号:特開2000-164929  公開日:2000年6月

    特許番号/登録番号:特許第4032538号  登録日:2007年11月 

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  • 窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法、半導体装置の製造方法および半導体装置

    日野 智公, 浅野 竹春, 朝妻 庸紀, 喜嶋 悟, 船戸 健次, 冨谷 茂隆

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願2003-108074  出願日:1998年11月

    公開番号:特開2003-289047  公開日:2003年10月

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  • 窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法、半導体装置の製造方法および半導体装置

    日野 智公, 浅野 竹春, 朝妻 庸紀, 喜嶋 悟, 船戸 健次, 冨谷 茂隆

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願平10-335851  出願日:1998年11月

    公開番号:特開2000-164988  公開日:2000年6月

    特許番号/登録番号:特許第3470623号  登録日:2003年9月 

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  • 半導体素子および半導体発光素子ならびに半導体受光素子

    冨谷 茂隆, 喜嶋 悟, 奥山 浩之, 谷口 理, 塚本 弘範

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願平10-182276  出願日:1998年6月

    公開番号:特開2000-022276  公開日:2000年1月

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  • 半導体装置

    冨谷 茂隆, 谷口 理, 日野 智公

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願平9-314105  出願日:1997年11月

    公開番号:特開平11-150331  公開日:1999年6月

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  • II-VI族化合物半導体層の形成方法およびII-VI族化合物半導体装置

    冨谷 茂隆, 谷口 理, 日野 智公, 小林 高志

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願平9-115712  出願日:1997年5月

    公開番号:特開平10-308557  公開日:1998年11月

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  • 半導体発光素子

    冨谷 茂隆, 小沢 正文, 伊藤 哲, 池田 昌夫

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願平7-298914  出願日:1995年10月

    公開番号:特開平9-121073  公開日:1997年5月

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  • 半導体装置

    冨谷 茂隆, 池田 昌夫

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願平7-293580  出願日:1995年10月

    公開番号:特開平9-116234  公開日:1997年5月

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  • 半導体発光素子

    冨谷 茂隆, 池田 昌夫

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願平7-293580  出願日:1995年10月

    公開番号:特開平9-116234  公開日:1997年5月

    特許番号/登録番号:特許第3785660号  登録日:2006年3月 

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  • 半導体エピタキシャル成長方法

    冨谷 茂隆, 中野 一志, 伊藤 哲, 湊屋 理佳子

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願平6-250801  出願日:1994年10月

    公開番号:特開平8-115877  公開日:1996年5月

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  • 光半導体装置

    松元 理, 冨谷 茂隆, 中野 一志, 長井 政春, 伊藤 哲, 石橋 晃, 森田 悦男

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願平6-204245  出願日:1994年8月

    公開番号:特開平8-051251  公開日:1996年2月

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  • 半導体レーザ

    中野 一志, 冨谷 茂隆

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願平6-061566  出願日:1994年3月

    公開番号:特開平7-273397  公開日:1995年10月

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  • 周期構造部と周期構造部を有する半導体装置の製法

    冨谷 茂隆, 中野 一志

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願平6-033819  出願日:1994年3月

    公開番号:特開平7-245446  公開日:1995年9月

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  • 半導体発光素子とその製法

    塚本 弘範, 冨谷 茂隆

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願平5-315525  出願日:1993年12月

    公開番号:特開平7-170021  公開日:1995年7月

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  • 化合物半導体装置とその製造方法

    森田 悦男, 冨谷 茂隆, 山本 直, 石橋 晃

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願平4-142842  出願日:1992年6月

    公開番号:特開平5-335258  公開日:1993年12月

    特許番号/登録番号:特許第3257034号  登録日:2001年12月 

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  • 化合物半導体装置とその製造方法

    森田 悦男, 冨谷 茂隆, 山本 直, 石橋 晃

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願2001-256416  出願日:1992年6月

    公開番号:特開2002-094183  公開日:2002年3月

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  • 化合物半導体装置とその製造方法

    森田 悦男, 冨谷 茂隆, 山本 直, 石橋 晃

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願2001-256416  出願日:1992年6月

    公開番号:特開2002-094183  公開日:2002年3月

    特許番号/登録番号:特許第3465704号  登録日:2003年8月 

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  • 化合物半導体装置とその製造方法

    森田 悦男, 冨谷 茂隆, 山本 直, 石橋 晃

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    出願人:ソニー株式会社

    出願番号:特願平4-142842  出願日:1992年6月

    公開番号:特開平5-335258  公開日:1993年12月

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受賞

  • 第13回日本金属学会 まてりあ論文賞

    2023年9月   日本金属学会   先端材料開発に向けた、AI先端計測技術の多角的視点からの考察(第1回)(第2回)

    岡本 和也, 杉山 昌章, 武藤 俊介, 青柳 里果, 冨谷 茂隆

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  • 応用物理学会フェロー表彰

    2021年9月   応用物理学会   ワイドギャップ化合物半導体光デバイスの欠陥・劣化機構の研究

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共同研究・競争的資金等の研究課題

  • ワイドギャップ半導体デバイスシミュレーションのための物性物理モデル構築

    研究課題/領域番号:23K03944  2023年4月 - 2026年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(C)

    山口 敦史, 冨谷 茂隆

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    配分額:4810000円 ( 直接経費:3700000円 、 間接経費:1110000円 )

    本研究課題では、窒化物半導体デバイスの正確なシミュレーションを実現するために、混晶窒化物半導体におけるキャリアダイナミクス、状態密度、価電子帯構造とその歪みによる変化などについて実験を重ね、そのすべての現象を説明する包括的な理論モデルの構築とそれに基づく物性パラメータの決定を行うことを目的としている。
    2023年度は、混晶組成や欠陥密度が系統的に異なるInGaN量子井戸の試料シリーズにおいて、光音響・発光同時計測や時間分解PL測定を様々な励起強度や温度で行い、そこから輻射再結合速度と非輻射再結合速度のキャリア密度依存性、温度依存性を明らかにし、理論モデル構築の材料を得た。この中で、Si基板上InGaN量子井戸のように励起光を吸収する基板に対しては、この手法がうまく適用できないことを明らかになり、その対応策として光音響測定を高周波で行えばよいことを発案し、その実用性をデモ実験で示すことができた。
    また、InGaN量子井戸内におけるキャリア拡散長の測定も行った。過去の報告では、このキャリア拡散長が文献によって大きくバラついている。この原因は発光の再吸収・再発光過程にあると考え、この効果が極力影響しない測定手法を考案し、実際に実験を行った。そして、InGaN量子井戸のキャリア拡散長がキャリア密度によって特異的に変化することを見出した。
    さらに、InGaN量子井戸に連続的に応力を印加し、c面内に異方性歪みを導入することにより価電子帯を変化させ、それにより偏光特性の変化を測定することに成功した。このデータの解析により、InGaNの変形ポテンシャルの値とそのIn組成依存性について知見を得た。

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  • 遷移金属ダイカルコゲナイド薄膜の成膜機構と熱電変換特性因子の解明

    研究課題/領域番号:22K04181  2022年4月 - 2025年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業 基盤研究(C)  基盤研究(C)

    冨谷 茂隆, 若林 整

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    配分額:4160000円 ( 直接経費:3200000円 、 間接経費:960000円 )

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担当経験のある科目(授業)

  • ナノデバイス材料解析・プラズマ加工特論

    2019年9月 - 現在 機関名:東京工業大学

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  • データサイエンス(無機材料のマテリアルズインフォマティクス)

    2024年7月 - 現在 機関名:奈良先端科学技術大学院大学

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  • 物質理工学(熱力学、統計力学)

    2024年4月 - 現在 機関名:奈良先端科学技術大学院大学

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  • 物質理工学序論

    2024年4月 - 現在 機関名:奈良先端科学技術大学院大学

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