日本学術振興会 自律型・複合型AI先端計測の新しい価値創造 研究開発専門委員会   研究テーマリーダ  

2018.4 - 2021.3   

日本学術振興会 マテリアル・インフォマティクスによるものづくりプラットフォームの戦略的構築に関する先導的研究開発委員会   副委員長  

2016.4 - 2019.3   

電子材料シンポジウム   運営委員  

2013.4   

Improvement of MoS2 Film Quality by Low Flux of Sputtered Particles Using a Molybdenum Grid

Shinya Imai, Ryo Ono, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Tetsuya Tatsumi, Shigetaka Tomiya, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

IEEE Journal of the Electron Devices Society   2025

Impact of crystallinity on thermal conductivity of RF magnetron sputtered MoS2 thin films

Tatsuya Kitazawa, Yuta Inaba, Shunsuke Yamashita, Shinya Imai, Keita Kurohara, Tetsuya Tatsumi, Hitoshi Wakabayashi, Shigetaka Tomiya

Japanese Journal of Applied Physics   2024.5

Atomic-Scale Multimodal Characterization of Self-Assembled InAs/InGaAlAs Quantum Dots International journal

Yudai Yamaguchi, Yuta Inaba, Ryoji Arai, Yuya Kanitani, Yoshihiro Kudo, Michinori Shiomi, Daiji Kasahara, Mikihiro Yokozeki, Noriyuki Fuutagawa, Jun Uzuhashi, Tadakatsu Ohkubo, Kazuhiro Hono, Kouichi Akahane, Naokatsu Yamamoto, Shigetaka Tomiya

Journal of Physical Chemistry Letters   15 ( 14 )   3772 - 3778   2024.4

Absolute evaluation of internal and external quantum efficiencies and light extraction efficiency in InGaN single quantum wells by simultaneous photoacoustic and photoluminescence measurements combined with integrating-sphere method

Keito Mori-Tamamura, Yuchi Takahashi, Shigeta Sakai, Yuya Morimoto, Junji Hirama, Atsushi A. Yamaguchi, Susumu Kusanagi, Yuya Kanitani, Yoshihiro Kudo, Shigetaka Tomiya

Science and Technology of Advanced Materials: Methods   4 ( 1 )   2024.2

Thermoelectric Grain Boundary in Monolayer MoS<inf>2</inf>

Ayu Irie, Anikeya Aditya, Ken Ichi Nomura, Shogo Fukushima, Shinnosuke Hattori, Rajiv K. Kalia, Aiichiro Nakano, Vadim Rodin, Fuyuki Shimojo, Shigetaka Tomiya, Priya Vashishta

Journal of Physical Chemistry C   2024

Reduction of contact resistance to PVD-MoS film using aluminum-scandium alloy (AISc) edge contact

Shinya Imai, Ryosuke Kajikawa, Takamasa Kawanago, Iriya Muneta, Kazuo Tsutsui, Tetsuya Tatsumi, Shigetaka Tomiya, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi

IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference: Strengthening the Globalization in Semiconductors, EDTM 2024   2024

Conductivity Enhancement of PVD-WS2 Films Using Cl2-Plasma Treatment Followed by Sulfur-Vapor Annealing

Keita Kurohara, Shinya Imai, Takuya Hamada, Tetsuya Tatsumi, Shigetaka Tomiya, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

IEEE Journal of the Electron Devices Society   2024

Evaluation of radiative and non-radiative recombination lifetimes in InGaN quantum wells with different ion-implantation damage

Keito Mori-Tamamura, Yuya Morimoto, Atsushi A. Yamaguchi, Susumu Kusanagi, Yuya Kanitani, Yoshihiro Kudo, Shigetaka Tomiya

Japanese Journal of Applied Physics   63 ( 1 )   01SP19 - 01SP19   2023.12

Evaluation of radiative and nonradiative recombination lifetimes in c-plane InGaN quantum wells with emission colors ranging from blue to red

Keito Mori-Tamamura, Yuya Morimoto, Atsushi A. Yamaguchi, Susumu Kusanagi, Yuya Kanitani, Yoshihiro Kudo, Shigetaka Tomiya

Japanese Journal of Applied Physics   62 ( 10 )   105501 - 105501   2023.10

Real-space observation of a two-dimensional electron gas at semiconductor heterointerfaces. International journal

Satoko Toyama, Takehito Seki, Yuya Kanitani, Yoshihiro Kudo, Shigetaka Tomiya, Yuichi Ikuhara, Naoya Shibata

Nature nanotechnology   18 ( 5 )   521 - 528   2023.5

An interpretable and transferrable vision transformer model for rapid materials spectra classification

Zhenru Chen, Yunchao Xie, Yuchao Wu, Yuyi Lin, Shigetaka Tomiya, Jian Lin

Digital Discovery   2023

Atomic Diffusion of Indium through Threading Dislocations in InGaN Quantum Wells. International journal

Yudai Yamaguchi, Yuya Kanitani, Yoshihiro Kudo, Jun Uzuhashi, Tadakatsu Ohkubo, Kazuhiro Hono, Shigetaka Tomiya

Nano letters   22 ( 17 )   6930 - 6935   2022.9

Quantitative electric field mapping in semiconductor heterostructures via tilt-scan averaged DPC STEM. International journal

Satoko Toyama, Takehito Seki, Yuya Kanitani, Yoshihiro Kudo, Shigetaka Tomiya, Yuichi Ikuhara, Naoya Shibata

Ultramicroscopy   238   113538 - 113538   2022.8

Positive Seebeck coefficient of niobium-doped MoS2 film deposited by sputtering and activated by sulfur vapor annealing

Taiga Horiguchi, Takuya Hamada, Masaya Hamada, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Tetsuya Tatsumi, Shigetaka Tomiya, Hitoshi Wakabayashi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   61 ( 7 )   2022.7

High Seebeck coefficient in PVD-WS2 film with grain size enlargement

Takuya Hamada, Masaya Hamada, Taiga Horiguchi, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Tetsuya Tatsumi, Shigetaka Tomiya, Hitoshi Wakabayashi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   61 ( SC )   2022.5

Impact of graphene-molecular interaction on collective orientation barrier for organic film growth

Sae Nagai, Yuta Inaba, Toshio Nishi, Shigetaka Tomiya

APPLIED PHYSICS EXPRESS   15 ( 1 )   2022.1

Impact of potential fluctuation on temperature dependence of optical gain characteristics in InGaN quantum-well laser diodes

Itsuki Oshima, Yuma Ikeda, Shigeta Sakai, Atsushi A. Yamaguchi, Susumu Kusanagi, Yuya Kanitani, Yoshihiro Kudo, Shigetaka Tomiya

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   60 ( 12 )   2021.11

Dry Etching Damage and Alloy Composition Analysis of GaN-Based Semiconductors Using Electron Energy-Loss Spectroscopy

Hiroto Yamamoto, Kenichi Tanaka, Shigetaka Tomiya, Shunsuke Yamashita, Masakazu Ukita, Hiroshi Nakano, Raku Shirasawa, Masaaki Kotera, Kimito Funatsu

JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS   50 ( 7 )   4230 - 4237   2021.7

Importance of crystallinity improvement in MoS2 film by compound sputtering even followed by post sulfurization

Shinya Imai, Takuya Hamada, Masaya Hamada, Takanori Shirokura, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Tetsuya Tatsumi, Shigetaka Tomiya, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   60 ( SB )   2021.5

Impact of oxygen on band structure at the Ni/GaN interface revealed by hard X-ray photoelectron spectroscopy

Hirotaka Mizushima, Ryoji Arai, Yuta Inaba, Shunsuke Yamashita, Yudai Yamaguchi, Yuya Kanitani, Yoshihiro Kudo, Tatsushi Hamaguchi, Rintaro Koda, Katsunori Yanashima, Tadakatsu Ohkubo, Kazuhiro Hono, Shigetaka Tomiya

APPLIED PHYSICS LETTERS   118 ( 12 )   2021.3

Collective orientation barrier in growth of organic thin films revealed by pMAIRS

Sae Nagai, Yuta Inaba, Toshio Nishi, Hajime Kobayashi, Shigetaka Tomiya

PHYSICAL REVIEW MATERIALS   5 ( 1 )   2021.1

WS2 Film by Sputtering and Sulfur-Vapor Annealing, and its pMISFET With TiN/HfO2 Top-Gate Stack, TiN Bottom Contact, and Ultra-Thin Body and Box

Takuya Hamada, Masaya Hamada, Satoshi Igarashi, Taiga Horiguchi, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Tetsuya Tatsumi, Shigetaka Tomiya, Hitoshi Wakabayashi

IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY   9   1117 - 1124   2021

Sheet Resistance Reduction of MoS2 Film Using Sputtering and Chlorine Plasma Treatment Followed by Sulfur Vapor Annealing

Takuya Hamada, Shigetaka Tomiya, Tetsuya Tatsumi, Masaya Hamada, Taiga Horiguchi, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY   9   278 - 285   2021

WS2 pMISFETs by Sputtering and Sulfur-Vapor Annealing with TiN/HfO2-Top-Gate-Stack, TiN Contact and Ultra-Thin Body and Box

Takuya Hamada, Masaya Hamada, Satoshi Igarashi, Taiga Horiguchi, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Tetsuya Tatsumi, Shigetaka Tomiya, Hitoshi Wakabayashi

2021 5TH IEEE ELECTRON DEVICES TECHNOLOGY & MANUFACTURING CONFERENCE (EDTM)   2021

Direct Measurement of Internal and External Quantum Efficiency in InGaN Quantum-Well Active Layers

Keito Mori, Yuchi Takahashi, Shigeta Sakai, Yuya Morimoto, Atsushi A. Yamaguchi, Susumu Kusanagi, Yuya Kanitani, Yoshihiro Kudo, Shigetaka Tomiya

27TH INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR LASER CONFERENCE (ISLC 2021)   2021

Experimental studies and model analysis on potential fluctuation in InGaN quantum-well layers

Takashi Fujita, Shigeta Sakai, Yuma Ikeda, Atsushi A. Yamaguchi, Susumu Kusanagi, Yuya Kanitani, Yoshihiro Kudo, Shigetaka Tomiya

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 ( 9 )   2020.9

Wannier-Like Delocalized Exciton Generation in C-60 Fullerene Clusters: A Density Functional Theory Study

Hajime Kobayashi, Shinnosuke Hattori, Raku Shirasawa, Shigetaka Tomiya

JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C   124 ( 4 )   2379 - 2387   2020.1

Estimation and prediction of ellipsoidal molecular shapes in organic crystals based on ellipsoid packing. International journal

Daiki Ito, Raku Shirasawa, Yoichiro Iino, Shigetaka Tomiya, Gouhei Tanaka

PloS one   15 ( 9 )   e0239933   2020

Influence of photoexcited carriers on compositional measurements by APT: AlGaN alloy case study

Yuya Kanitani, Shigetaka Tomiya, Tadakatsu Ohkubo, Kazuhiro Hono

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 ( 9 )   2019.9

Frontiers of Nitride Semiconductor Research FOREWORD

Shigefusa F. Chichibu, Yoshinao Kumagai, Kazunobu Kojima, Momoko Deura, Toru Akiyama, Munetaka Arita, Hiroshi Fujioka, Yasufumi Fujiwara, Naoki Hara, Tamotsu Hashizume, Hideki Hirayama, Mark Holmes, Yoshio Honda, Masataka Imura, Ryota Ishii, Yoshihiro Ishitani, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Yoshihiro Kangawa, Ryuji Katayama, Yoichi Kawakami, Takahiro Kawamura, Atsushi Kobayashi, Masaaki Kuzuhara, Koh Matsumoto, Yusuke Mori, Takashi Mukai, Hisashi Murakami, Hideaki Murotani, Satoshi Nakazawa, Narihito Okada, Yoshiki Saito, Akira Sakai, Hiroto Sekiguchi, Koji Shiozaki, Kanako Shojiki, Jun Suda, Tetsuya Takeuchi, Tomoyuki Tanikawa, Jun Tatebayashi, Shigetaka Tomiya, Yoichi Yamada

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58   2019.6

First-principles calculations of carrier localization in fluctuated InGaN quantum wells

Toshiyuki Kunikiyo, Shinnosuke Hattori, Raku Shirasawa, Shigetaka Tomiya

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58   2019.6

InGaN quantum wells with improved photoluminescence properties through strain-controlled modification of the InGaN underlayer

Susumu Kusanagi, Yuya Kanitani, Yoshihiro Kudo, Kunihiko Tasai, Atsushi A. Yamaguchi, Shigetaka Tomiya

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58   2019.6

Effects of gas cluster ion beam sputtering on the molecular orientation of organic semiconductor films: Ultraviolet photoelectron spectroscopy study of [6]phenacene

Ryoji Arai, Toshio Nishi, Yoshihiro Kudo, Hiroyuki Yoshida, Shigetaka Tomiya

APPLIED PHYSICS LETTERS   114 ( 23 )   2019.6

Theoretical and Experimental Studies on Potential Fluctuation in InGaN Quantum-Well Layers

T. Fujita, S. Sakai, Y. Ikeda, A. A. Yamaguchi, Y. Kanitani, S. Tomiya

Conference Digest - IEEE International Semiconductor Laser Conference   2018-   131 - 132   2018.10

A New Method to Evaluate the Degree of Potential Fluctuation in InGaN Quantum-Well Laser Diodes by Optical-Pump Stimulated-Emission Measurements

I. Oshima, Y. Ikeda, S. Sakai, A. A. Yamaguchi, Y. Kanitani, S. Tomiya

Conference Digest - IEEE International Semiconductor Laser Conference   2018-   209 - 210   2018.10

Impact of molecular orientation on energy level alignment at C-60/pentacene interfaces

Toshio Nishi, Masato Kanno, Miki Kuribayashi, Yasuyo Nishida, Shinnosuke Hattori, Hajime Kobayashi, Florian von Wrochem, Vadim Rodin, Gabriele Nelles, Shigetaka Tomiya

APPLIED PHYSICS LETTERS   113 ( 16 )   2018.10

Probing the Internal Atomic Charge Density Distributions in Real Space. International journal

Gabriel Sánchez-Santolino, Nathan R Lugg, Takehito Seki, Ryo Ishikawa, Scott D Findlay, Yuji Kohno, Yuya Kanitani, Shinji Tanaka, Shigetaka Tomiya, Yuichi Ikuhara, Naoya Shibata

ACS nano   12 ( 9 )   8875 - 8881   2018.9

Prediction of emission and absorption spectra for Eu2+-doped inorganic phosphors based on stoichiometric information

Hiroshi Nakano, Kenichi Tanaka, Tomoyuki Miyao, Kimito Funatsu, Raku Shirasawa, Shigetaka Tomiya

ABSTRACTS OF PAPERS OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY   255   2018.3

Prediction of Molecular Packing Motifs in Organic Crystals by Neural Graph Fingerprints.

Daiki Ito, Raku Shirasawa, Shinnosuke Hattori, Shigetaka Tomiya, Gouhei Tanaka

Neural Information Processing - 25th International Conference   26 - 34   2018

Practical Models for Predicting the Emission Peak Wavelengths of Inorganic Phosphors Based on Stoichiometric Information

Hiroshi Nakano, Kenichi Tanaka, Tomoyuki Miyao, Kimito Funatsu, Raku Shirasawa, Shigetaka Tomiya

CHEMISTRY LETTERS   46 ( 10 )   1482 - 1485   2017.10

Numerical analysis for predicting the operability window of slot-die coating onto porous media

Tomomi Goda, Yuichi Sasaki, Mamoru Mizuno, Kazuhiko Morizawa, Hitoshi Katakura, Shigetaka Tomiya

JOURNAL OF COATINGS TECHNOLOGY AND RESEARCH   14 ( 5 )   1053 - 1060   2017.9

Carrier mobility in mesoscale heterogeneous organic materials: Effects of crystallinity and anisotropy on efficient charge transport

Hajime Kobayashi, Raku Shirasawa, Mitsunori Nakamoto, Shinnosuke Hattori, Shigetaka Tomiya

APPLIED PHYSICS LETTERS   111 ( 3 )   2017.7

Carrier dynamics studies of III-nitride materials using photo-acoustic and photoluminescence measurements

Atsushi A. Yamaguchi, Takashi Nakano, Shigeta Sakai, Haruki Fukada, Yuya Kanitani, Shigetaka Tomiya

GALLIUM NITRIDE MATERIALS AND DEVICES XII   10104   2017

Atom probe tomography of compositional fluctuation in GaInN layers

Yuya Kanitani, Shinji Tanaka, Shigetaka Tomiya, Tadakatsu Ohkubo, Kazuhiro Hono

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 ( 5 )   2016.5

Photoluminescence Study of Plasma-Induced Damage of GaInN Single Quantum Well

Shouichiro Izumi, Masaki Minami, Michiru Kamada, Tetsuya Tatsumi, Atsushi A. Yamaguchi, Kenji Ishikawa, Masaru Hori, Shigetaka Tomiya

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 ( 8 )   2013.8

Effect of Crystal Orientation on Mechanically Induced Sn Whiskers on Sn-Cu Plating

Yukiko Mizuguchi, Yosuke Murakami, Shigetaka Tomiya, Tadashi Asai, Tomoya Kiga, Katsuaki Suganuma

JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS   41 ( 7 )   1859 - 1867   2012.7

Organic single-crystal arrays from solution-phase growth using micropattern with nucleation control region. International journal

Osamu Goto, Shigetaka Tomiya, Yosuke Murakami, Akira Shinozaki, Akira Toda, Jiro Kasahara, Daisuke Hobara

Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)   24 ( 8 )   1117 - 22   2012.2

Solution-phase growth of organic single-crystal arrays

Osamu Goto, Shigetaka Tomiya, Yosuke Murakami, Akira Shinozaki, Akira Toda, Jiro Kasahara, Daisuke Hobara

ORGANIC FIELD-EFFECT TRANSISTORS XI   8478   2012

Effect of Crystal Orientation on Sn Whisker-Free Sn-Ag-Cu Plating

Yukiko Mizuguchi, Yosuke Murakami, Shigetaka Tomiya, Tadashi Asai, Tomoya Kiga, Katsuaki Suganuma

MATERIALS TRANSACTIONS   53 ( 12 )   2078 - 2084   2012

Analysis of GaN Damage Induced by Cl-2/SiCl4/Ar Plasma

Masaki Minami, Shigetaka Tomiya, Kenji Ishikawa, Ryosuke Matsumoto, Shang Chen, Masanaga Fukasawa, Fumikatsu Uesawa, Makoto Sekine, Masaru Hori, Tetsuya Tatsumi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   50 ( 8 )   2011.8

Broadening the applications of the atom probe technique by ultraviolet femtosecond laser Reviewed

K. Hono, T. Ohkubo, Y. M. Chen, M. Kodzuka, K. Oh-ishi, H. Sepehri-Amin, F. Li, T. Kinno, S. Tomiya, Y. Kanitani

ULTRAMICROSCOPY   111 ( 6 )   576 - 583   2011.5

Atomic scale characterization of GaInN/GaN multiple quantum wells in V-shaped pits

Shigetaka Tomiya, Yuya Kanitani, Shinji Tanaka, Tadakatsu Ohkubo, Kazuhiro Hono

APPLIED PHYSICS LETTERS   98 ( 18 )   2011.5

Structural Defects and Degradation Phenomena in High-Power Pure-Blue InGaN-Based Laser Diodes.

Shigetaka Tomiya, Osamu Goto, Masao Ikeda

Proceedings of the IEEE   98 ( 7 )   1208 - 1213   2010

Structural defects in GaN-based materials and their relation to GaN-based laser diodes Reviewed

Tomiya S, Ikeda M, Tanaka S, Kanitani Y, Ohkubo T, Hono K

RELIABILITY AND MATERIALS ISSUES OF SEMICONDUCTOR OPTICAL AND ELECTRICAL DEVICES AND MATERIALS   1195   2010

Microstructural study of the polymorphic transformation in pentacene thin films. International journal

Yosuke Murakami, Shigetaka Tomiya, Naoki Koshitani, Yoshihiro Kudo, Kotaro Satori, Masao Itabashi, Norihito Kobayashi, Kazumasa Nomoto

Physical review letters   103 ( 14 )   146102 - 146102   2009.10

Structural analysis of ELO-GaN grown on a sapphire substrate as the underlying layer of a GaN-based laser diode

Takao Miyajima, Shingo Takeda, Yoshiyuki Tsusaka, Junji Matsui, Yoshihiro Kudo, Shigetaka Tomiya, Tomonori Hino, Shu Goto, Masao Ikeda, Hironobu Narui

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   204 ( 1 )   267 - 271   2007.1

High power pure-blue semiconductor lasers

Osamu Goto, Shigetaka Tomiya, Yukio Hoshina, Takayuki Tanaka, Makoto Ohta, Yoshitsugu Ohizumi, Yoshifumi Yabuki, Kenji Funato, Masao Ikeda

NOVEL IN - PLANE SEMICONDUCTOR LASERS IV   6485   2007

Structural analysis of ELO-GaN grown on sapphire using the x-ray micro-beam of an 8-GeV storage ring

Takao Miyajima, Shingo Takeda, Hideaki Kurihara, Kyoko Watanabe, Madomi Kato, Nobuhide Hara, Yoshiyuki Tsusaka, Junji Matsui, Yoshihiro Kudo, Shigetaka Tomiya, Shu Goto, Masao Ikeda, Hironobu Narui

GAN, AIN, INN AND RELATED MATERIALS   892   519 - 530   2006

Defects and degradation of nitride-based laser diodes

Shigetaka Tomiya, Tomonori Hino, Takao Miyajima, Osamu Goto, Masao Ikeda

NOVEL IN-PLANE SEMICONDUCTOR LASERS V   6133   2006

Structural defects related issues of GaN-based laser diodes

Shigetaka Tomiya, Motonobu Takeya, Shu Goto, Masao Ikeda

Materials Research Society Symposium Proceedings   831   3 - 13   2005

Dislocation related issues in the degradation of GaN-based laser diodes

Shigetaka Tomiya, Tomonori Hino, Shu Goto, Motonobu Takeya, Masao Ikeda

IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics   10 ( 6 )   1277 - 1286   2004.11

Structure analysis of ELO-GaN using a 2× 4μm2 micro-beam X-ray of an 8-GeV storage ring Reviewed

T. Miyajima, M. Takeya, S. Goto, S. Tomiya, S. Takeda, H. Kurihara, K. Watanabe, M. Kato, N. Hara, Y. Tsusaka, J. Matsui

physica status solidi (b)   240 ( 2 )   285 - 288   2003.11

Defects in degraded GaN-based laser diodes

Shigetaka Tomiya, Shu Goto, Motonobu Takeya, Masao Ikeda

Physica Status Solidi (A) Applied Research   200 ( 1 )   139 - 142   2003.11

Dislocations in GaN-Based Laser Diodes on Epitaxial Lateral Overgrown GaN Layers Reviewed

S. Tomiya, H. Nakajima, K. Funato, T. Miyajima, K. Kobayashi, T. Hino, S. Kijima, T. Asano, M. Ikeda

physica status solidi (a)   188 ( 1 )   69 - 72   2001.11

Estimation of Device Properties in AlGaInN-Based Laser Diodes by Time-Resolved Photoluminescence Reviewed

T. Hino, T. Asano, T. Tojyo, S. Kijima, S. Tomiya, T. Miyajima, S. Uchida, M. Ikeda

physica status solidi (a)   188 ( 1 )   101 - 104   2001.11

Threading Dislocations and Optical Properties of GaN and GaInN Reviewed

T. Miyajima, T. Hino, S. Tomiya, K. Yanashima, H. Nakajima, Y. Nanishi, A. Satake, Y. Masumoto, K. Akimoto, T. Kobayashi, M. Ikeda

physica status solidi (b)   228 ( 2 )   395 - 402   2001.11

GaN-based blue laser diodes

Takao Miyajima, Tsuyoshi Tojyo, Takeharu Asano, Katsunori Yanashima, Satoru Kijima, Tomonori Hino, Motonobu Takeya, Shiro Uchida, Shigetaka Tomiya, Kenji Funato, Tsunenori Asatsuma, Toshimasa Kobayashi, Masao Ikeda

Journal of Physics Condensed Matter   13 ( 32 )   7099 - 7114   2001.8

GaN-based high-power laser diodes

Takao Miyajima, Hiroshi Yoshida, Katsunori Yanashima, Takashi Yamaguchi, Tsunenori Asatsuma, Kenji Funato, Shigeki Hashimoto, Hiroshi Nakajima, Masafumi Ozawa, Toshimasa Kobayashi, Shigetaka Tomiya, Takeharu Asano, Shiro Uchida, Satoru Kijima, Tsuyoshi Tojyo, Tomonori Hino, Masao Ikeda

Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology   82 ( 1-3 )   248 - 252   2001.5

GaN-based violet-blue laser diodes

S. Hashimoto, H. Nakajima, K. Yanashima, T. Asatsuma, T. Yamaguchi, H. Yoshida, M. Ozawa, K. Funato, S. Tomiya, T. Miyajima, T. Kobayashi, S. Uchida, M. Ikeda

Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering   4354   1 - 11   2001

Growth and characterization of GaN underlying layer used in blue-violet GaN-based laser diodes on sapphire

Kenji Funato, Tomonori Hino, Shigetaka Tomiya, Takao Miyajima, Takeharu Asano, Tsyuyoshi Tojyo, Shigeki Hashimoto, Katsunori Yanashima, Shiro Uchida, Koshi Tmamura, Toshimasa Kobayashi, Masao Ikeda

Materials Research Society Symposium - Proceedings   639   G9.1.9   2001

Properties of GaN-based laser diodes with a buried-ridge structure Reviewed

Tsunenori Asatsuma, Hiroshi Nakajima, Shigeki Hashimoto, Takashi Yamaguchi, Hiroshi Yoshida, Shigetaka Tomiya, Takeharu Asano, Tomonori Hino, Masafumi Ozawa, Takao Miyajima, Toshimasa Kobayashi, Masao Ikeda

Journal of Crystal Growth   221 ( 1-4 )   640 - 645   2000.12

Characterization of threading dislocations in GaN epitaxial layers

T. Hino, S. Tomiya, T. Miyajima, K. Yanashima, S. Hashimoto, M. Ikeda

Applied Physics Letters   76 ( 23 )   3421 - 3423   2000.6

Relation between interface morphology and recombination-enhanced defect reaction phenomena in II-VI light emitting devices Reviewed

S Tomiya, H Okuyama, A Ishibashi

APPLIED SURFACE SCIENCE   159   243 - 249   2000.6

Non-radiative nature of threading dislocations in GaN grown by metal-organic chemical vapor deposition Reviewed

T Miyajima, T Hino, S Tomiya, A Satake, E Tokunaga, Y Masumoto, T Maruyama, M Ikeya, S Morishima, K Akimoto, K Yanashima, S Hashimoto, T Kobayashi, M Ikeda

PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS   1   536 - 539   2000

Defects in ZnSe/ZnTe multiple quantum well-based pseudo-ohmic contacts to p-ZnSe Reviewed

S Tomiya, S Kijima, H Okuyama, H Tsukamoto, T Hino, S Taniguchi, H Noguchi, E Kato, A Ishibashi

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   86 ( 7 )   3616 - 3623   1999.10

Optimized ZnSe : N/ZnTe : N contact structure of ZnSe-based II-VI laser diodes Reviewed

S Kijima, H Okuyama, Y Sanaka, T Kobayashi, S Tomiya, A Ishibashi

APPLIED PHYSICS LETTERS   73 ( 2 )   235 - 237   1998.7

Optimized contact structure for II-VI laser diode Reviewed

S Kijima, H Okuyama, Y Sanaka, T Kobayashi, S Tomiya, A Ishibashi

BLUE LASER AND LIGHT EMITTING DIODES II   429 - 432   1998

Surface morphology changes in ZnSe-related II-VI epitaxial films grown by molecular beam epitaxy Reviewed

S Tomiya, R Minatoya, H Tsukamoto, S Itoh, K Nakano, E Morita, A Ishibashi

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   82 ( 6 )   2938 - 2943   1997.9

Heterointerface control of ZnSe based II-VI laser diodes Reviewed

S Itoh, S Tomiya, R Imoto, A Ishibashi

APPLIED SURFACE SCIENCE   117   719 - 724   1997.6

Structural study of degraded ZnMgSSe blue light emitters Reviewed

K Nakano, S Tomiya, M Ukita, H Yoshida, S Itoh, E Morita, M Ikeda, A Ishibashi

JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS   25 ( 2 )   213 - 216   1996.2

Defect studies in ZnSSe and ZnMgSSe by chemical etching and transmission electron microscopy Reviewed

M Shiraishi, S Tomiya, S Taniguchi, K Nakano, A Ishibashi, M Ikeda

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH   152 ( 2 )   377 - 383   1995.12

DEVICE STRUCTURES AND CHARACTERISTICS OF LASER-DIODES WITH ZNMGSSE CLADDING LAYERS Reviewed

T OHATA, S ITOH, N NAKAYAMA, S MATSUMOTO, K NAKANO, M OZAWA, H OKUYAMA, S TOMIYA, M IKEDA, A ISHIBASHI

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH   187 ( 2 )   279 - 283   1995.2

Structural study of degraded II-VI blue-light emitters Reviewed

S Tomiya, M Ukita, H Okuyama, K Nakano, S Itoh, A Ishibashi, E Morita, M Ikeda

ICDS-18 - PROCEEDINGS OF THE 18TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON DEFECTS IN SEMICONDUCTORS, PTS 1-4   196-   1109 - 1116   1995

ZNCDSE/ZNSSE/ZNMGSSE SCH LASER-DIODE WITH A GAAS BUFFER LAYER Reviewed

S ITOH, N NAKAYAMA, S MATSUMOTO, M NAGAI, K NAKANO, M OZAWA, H OKUYAMA, S TOMIYA, T OHATA, M IKEDA, A ISHIBASHI, Y MORI

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS   33 ( 7A )   L938 - L940   1994.7

A Study on an Accuracy Validation Method for Non-Rigid Registration between APT Data and STEM Tomography Data Using Atomic-Scale Simulated Datasets

彌榮陽斗, 別所泰成, 岩満一功, 大竹義人, 赤瀬善太郎, 冨谷茂隆

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   73rd   2026

Recombination Dynamics Analysis by Spectrally and Time-Resolved TRPL in GaN with Different Impurity Concentrations

池辺啓太, 伊藤央祐, 秋山航太郎, 櫻井裕太, 金木奨太, 藤倉序章, 岩満一功, 赤瀬善太郎, 山口敦史, 冨谷茂隆

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   73rd   2026

Quantum-well-resolved evaluation of recombination kinetics in InGaN multiple quantum wells: an insight into the role of luminescence enhancement in InGaN underlayer systems

新保樹, 土佐宏樹, 森恵人, 森恵人, 山口敦史, 岩満一功, 冨谷茂隆

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   73rd   2026

Deep Learning-Based Automated Evaluation Pipeline for Semiconductor Etched Geometry

野島聖耀, 岩満一功, 赤瀬善太郎, 菊池昭彦, 冨谷茂隆

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   86th   2025

Progress and Outlook of Metrology Informatics

冨谷茂隆, 冨谷茂隆

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   86th   2025

Pioneering New Directions in Metrology Informatics-Focusing on Electron Microscopy-

冨谷茂隆, 冨谷茂隆, 赤瀬善太郎, 赤瀬善太郎, 岩満一功, 岩満一功

薄膜・表面物理基礎講座(Web)   54th   2025

The relationship between the crystallinity and thermal conductivity of MoS₂ thin films produced by RF magnetron sputtering.

北澤辰也, 稲葉雄大, 山下俊介, 今井慎也, 黒原啓太, 辰巳哲也, 若林整, 冨谷茂隆, 冨谷茂隆, 冨谷茂隆

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   72nd   2025

Low-particle-flux sputtering of thin MoS₂ film at low temperature

今井慎也, 宗田伊理也, 角嶋邦之, 辰巳哲也, 冨谷茂隆, 若林整

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   72nd   2025

Development of a Bimodal Correlative Microscopy Method Using Three-Dimensional Atom Probe and Transmission Electron Microscopy Analysis

赤瀬善太郎, 別所泰成, 大竹義人, 埋橋淳, 岩満一功, 中島宏, 山崎順, 大久保忠勝, 冨谷茂隆

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   86th   2025

Local luminescence characterization of gallium nitride semiconductors by wavelength angle-resolved cathodoluminescence method

宇佐美翔太, 赤瀬善太郎, 岩満一功, 横川俊哉, 藤倉序章, 冨谷茂隆

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   72nd   2025

Non-rigid Registration of 3D Atom Probe and Transmission Electron Microscopy Data

赤瀬善太郎, 大竹義人, 埋橋淳, 岩満一功, 山崎順, 大久保忠勝, 冨谷茂隆

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   72nd   2025

Spectral Imaging Analysis of InGaN QWs Using Nonnegative Matrix Factorization: II

岩満一功, 坂井健太, 赤瀬善太郎, 山口敦史, 冨谷茂隆

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   72nd   2025

Temperature and wavelength dependence of photoluminescence lifetime in InGaN quantum wells with different alloy composition

山形梨里花, 畑中颯真, 山岸颯矢, 新保樹, 山口敦史, 岩満一功, 冨谷茂隆

電子情報通信学会技術研究報告(Web)   125 ( 257(ED2025 23-40) )   2025

Bayesian Inference for Time-Resolved Photoluminescence in Nitride Semiconductors

池辺啓太, 岩満一功, 金木奨太, 藤倉序章, 赤瀬善太郎, 山口敦史, 冨谷茂隆

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   72nd   2025

Tilt-scan DPC-STEM Analysis of Polarity-Inverted AlN Crystals

冨谷茂隆, 赤瀬善太郎, 岩満一功, 安原聡, 玉野智大, 赤池良太, 三宅秀人

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   86th   2025

Principal Component Analysis of Cathodoluminescence Emission Spatial Structures in InGaN Quantum Well

福隆之介, 赤瀬善太郎, 岩満一功, 冨谷茂隆

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   86th   2025

Bayesian Inference Analysis of Time-Resolved Photoluminescence Decay Behavior in an InGaN Quantum Well

岩満一功, 新保樹, 赤瀬善太郎, 横川俊哉, 山口敦史, 冨谷茂隆

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   86th   2025

Spectral Imaging Analysis of InGaN QWs Using Nonnegative Matrix Factorization

岩満一功, 坂井健太, 赤瀬善太郎, 山口敦史, 冨谷茂隆

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   85th   2024

A study on the carrier dynamics in InGaN quantum-well systems with different alloy compositions

山形梨里花, 新保樹, 森恵人, 山口敦史, 岩満一功, 冨谷茂隆

電子情報通信学会技術研究報告(Web)   124 ( 278(ED2024 20-38) )   2024

A study on the carrier dynamics in InGaN quantum-well systems with different well numbers

新保樹, 土佐宏樹, 神野翔綺, 森恵人, 山口敦史, 岩満一功, 冨谷茂隆

電子情報通信学会技術研究報告(Web)   124 ( 278(ED2024 20-38) )   2024

Detailed analysis of wavelength dependence of photoluminescence lifetime in an InGaN single quantum well

新保樹, 土佐宏樹, 山口敦史, 岩満一功, 冨谷茂隆

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   85th   2024

Simultaneous microscopic PA/PL line-scan measurements in InGaN-quantum wells on a stripe-core GaN Substrate

神野翔綺, 山口敦史, 森恵人, 草薙進, 蟹谷裕也, 冨谷茂隆, 工藤喜弘

電子情報通信学会技術研究報告(Web)   123 ( 288(ED2023 14-37) )   2023

Current-Voltage Characteristics of Edge Metal Contact for MoS₂ Film Formed by Sputtering

今井慎也, 梶川亮介, 川那子高暢, 宗田伊理也, 角嶋邦之, 辰巳哲也, 冨谷茂隆, 筒井一生, 若林整

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   84th   2023

Effects of doping and influences of etching by Cl₂ plasma treatment for PVD-WS₂ films

黒原啓太, 今井慎也, 冨谷茂隆, 辰巳哲也, 若林整

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   84th   2023

Plasma-driven science: Toward radical innovation on plasma processing

石川健治, 浜口智志, 成田絵美, 白谷正治, 冨谷茂隆, 室賀駿, 佐藤孝紀, 野崎智洋, 吉田朋子

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   70th   2023

Sheet resistance reduction of sputtered WS₂ film by Cl₂ plasma treatment

黒原啓太, 今井慎也, 冨谷茂隆, 辰巳哲也, 若林整

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   70th   2023

Metrology Informatics in Semiconductors

冨谷茂隆, 冨谷茂隆, 冨谷茂隆

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   70th   2023

Advanced Measurement and Analysis Systems Using AI/ML for Next Generation Materials Development―Multifaceted View 2―

Okamoto Kazuya, Sugiyama Masaaki, Muto Shunsuke, Aoyagi Satoka, Tomiya Shigetaka

Materia Japan   61 ( 9 )   579 - 587   2022.9

Advanced Measurement and Analysis Systems Using AI/ML for Next Generation Materials Development ―Multifaceted View 1―

Okamoto Kazuya, Sugiyama Masaaki, Muto Shunsuke, Aoyagi Satoka, Tomiya Shigetaka

Materia Japan   61 ( 8 )   470 - 478   2022.8

The Observation of Local Electric Fields in GaN/AlGaN/InGaN Multi-heterostructures by Differential Phase Contrast STEM Reviewed

Toyama Satoko, Seki Takehito, Kanitani Yuya, Tomiya Shigetaka, Ikuhara Yuichi, Shibata Naoya

IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems   142 ( 3 )   367 - 372   2022.3

計測インフォマティクス : 計測は科学の源—特集 データ駆動型の化学 : 何ができて,何ができない?

冨谷 茂隆

現代化学 = Chemistry today   ( 612 )   25 - 28   2022.3

Separated Evaluation of Radiative and Non-Radiative Recombination Lifetimes in Ion-implanted InGaN Quantum Wells

森恵人, 森本悠也, 山肥田涼, 今城大渡, 柏木咲希, 高野泰雅, 石田悠, 山口敦史, 草薙進, 蟹谷裕也, 工藤喜弘, 冨谷茂隆

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   83rd   2022

Absolute Measurement of Emission Internal Quantum Efficiency in III-Nitride Semiconductors by Simultaneous Photo-Acoustic and Photoluminescence Spectroscopy

Yamaguchi Atsushi A., Mori-Tamamura Keito, Kusanagi Susumu, Tomiya Shigetaka

Journal of the Japanese Association for Crystal Growth   48 ( 4 )   n/a   2022

Experimental Studies on the Recombination Mechanism in III-Nitride Semiconductors by Simultaneous Measurements of Radiative and Non-Radiative Recombinations

森恵人, 森本悠也, 山口敦史, 草薙進, 蟹谷裕也, 工藤喜弘, 冨谷茂隆

電子情報通信学会技術研究報告(Web)   122 ( 271(ED2022 24-48) )   2022

Absolute Measurement of Emission Internal Quantum Efficiency in III-Nitride Semiconductors by Simultaneous Photo-Acoustic and Photoluminescence Spectroscopy

山口敦史, 森恵人, 草薙進, 冨谷茂隆

日本結晶成長学会誌(CD-ROM)   48 ( 4 )   2022

Separate Evaluation of Radiative and Non-Radiative Recombination Lifetimes in InGaN Quantum Wells by Combination of Simultaneous Photoacoustic & Photoluminescence and Time-Resolved Photoluminescence Measurements

森恵人, 森本悠也, 袴田舜也, 山口敦史, 草薙進, 蟹谷裕也, 工藤喜弘, 冨谷茂隆

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   69th   2022

Research on sputter deposition rate dependence of MoS₂ film quality

今井慎也, 小野凌, 宗田伊理也, 角嶋邦之, 辰巳哲也, 冨谷茂隆, 筒井一生, 若林整

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   83rd   2022

Opening

Kutsukake Kentaro, Chikyow Toyohiro, Kotsugi Masato, Tomiya Shigetaka, Harada Shunta

JSAP Annual Meetings Extended Abstracts   2021.1   227 - 227   2021.2

光音響・発光同時計測法による窒化物半導体の発光内部量子効率の絶対測定—Absolute Measurement of Emission Internal Quantum Efficiency in Ⅲ-Nitride Semiconductors by Simultaneous Photo-Acoustic and Photoluminescence Spectroscopy—特集 ワイドギャップ半導体の光・フォノン物性の最先端評価解析技術

山口 敦史, 森 恵人, 草薙 進, 冨谷 茂隆

日本結晶成長学会誌 Journal of the Japanese Association for Crystal Growth   48 ( 4 )   1 - 9   2021

Theoretical modeling of temperature-dependent PL spectra in InGaN quantum wells

袴田舜也, 藤田貴志, 山口敦史, 草薙進, 蟹谷裕也, 工藤喜弘, 冨谷茂隆

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   82nd   2021

In Composition Dependence of Internal Quantum Efficiency in InGaN Quantum-Wells Measured by Simultaneous Microscopic Photoacoustic and Photoluminescence Spectroscopy

森恵人, 高橋佑知, 森本悠也, 山口敦史, 草薙進, 蟹谷裕也, 工藤喜弘, 冨谷茂隆

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   82nd   2021

X Informatics for Semiconductor Device and Material R&D

冨谷茂隆, 冨谷茂隆

結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM)   50th   2021

Internal and External Quantum Efficiency in InGaN Quantum Wells Estimated by Simultaneous Photoacoustic and Photoluminescence Method and Integrating-Sphere Method

Mori Keito, Takahashi Yuchi, Sakai Shigeta, Morimoto Yuya, Yamaguchi Atsushi, Kusanagi Susumu, Kanitani Yuya, Kudo Yoshihiro, Tomiya Shigetaka

JSAP Annual Meetings Extended Abstracts   2020.2 ( 254(ED2020 1-26) )   2066 - 2066   2020.8

Quantitative electric field mapping in GaN/AlGaN heterostructures by DPC STEM

遠山慧子, 関岳人, 蟹谷裕也, 工藤喜弘, 冨谷茂隆, 幾原雄一, 柴田直哉

日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(CD-ROM)   33rd   2020

Estimation of Internal Quantum Efficiency in Various InGaN Single Quantum Wells with Different Qualities by Simultaneous Photoacoustic and Photoluminescence Measurements

森恵人, 高橋佑知, 森本悠也, 山口敦史, 草薙進, 蟹谷裕也, 工藤喜弘, 冨谷茂隆

電子情報通信学会技術研究報告   119 ( 303 )   101 - 106   2019.11

InGaN量子井戸におけるMobility edgeの見積り方法に関する実験的・理論的検討—Theoretical and Experimental Studies on Estimation Methods of Mobility Edge in InGaN Quantum Wells—レーザ・量子エレクトロニクス

藤田 貴志, 坂井 繁太, 池田 優真, 山口 敦史, 草薙 進, 蟹谷 裕也, 工藤 喜弘, 冨谷 茂隆

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   119 ( 304 )   97 - 100   2019.11

Sheet resistance reduction of Sputtered MoS₂ Film by Cl₂ Plasma Treatment

Hamada Takuya, Horiguchi Taiga, Tatsumi Tetsuya, Tomiya Shigetaka, Hamada Masaya, Hoshii Takuya, Kakushima Kuniyuki, Tsutsui Kazuo, Wakabayashi Hitoshi

JSAP Annual Meetings Extended Abstracts   2019.2   3888 - 3888   2019.9

Direct observation of electric field in GaN semiconductor hetero interface by DPC STEM

Toyama Satoko, Seki Takehito, Kanitani Yuya, Kudo Yoshihiro, Tomiya Shigetaka, Ikuhara Yuichi, Shibata Naoya

JSAP Annual Meetings Extended Abstracts   2019.2   1737 - 1737   2019.9

Measurements of Internal Quantum Efficiency in Various InGaN Single Quantum Wells with Different Qualities by Simultaneous Photoacoustic and Photoluminescence Spectroscopy

Mori Keito, Takahashi Yuchi, Yamaguchi Atsushi, Kusanagi Susumu, Kanitani Yuya, Kudo Yoshihiro, Tomiya Shigetaka

JSAP Annual Meetings Extended Abstracts   2019.2   3549 - 3549   2019.9

Sheet-Resistance Reduction of Sputtered-MoS₂ Film by SF₆ Plasma Treatment

Horiguchi Taiga, Hamada Takuya, Tatsumi Tetsuya, Tomiya Shigetaka, Hoshii Takuya, Kakushima Kuniyuki, Tsutsui Kazuo, Wakabayashi Hitoshi

JSAP Annual Meetings Extended Abstracts   2019.2   3887 - 3887   2019.9

Observation of gap states in thin films exposed to oxygen by high-sensitivity ultraviolet photoelectron spectroscopy

Kimata Shunsuke, Shimizu Kouhei, Matuzaki Atsushi, Maruyama Taichi, Nishi Toshio, Tomiya Shigetaka, Tanaka Yuuya, Ishii Hisao

JSAP Annual Meetings Extended Abstracts   2019.2   2477 - 2477   2019.9

Evaluation of the Band Structure at Metal/GaN Interfaces Using Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy

Mizushima Hirotaka, Arai Ryoji, Inaba Yuta, Yamashita Shunsuke, Yamaguchi Yudai, Kanitani Yuya, Kudo Yoshihiro, Hamaguchi Tatsushi, Koda Rintaro, Yanashima Katsunori, Tomiya Shigetaka

JSAP Annual Meetings Extended Abstracts   2019.2   3591 - 3591   2019.9

Theoretical and Experimental Studies on Potential Fluctuation in InGaN Quantum-Well Structures

Fujita Takashi, Sakai Shigeta, Ikeda Yuma, Yamaguchi Atsushi A., Kanitani Yuya, Tomiya Shigetaka

JSAP Annual Meetings Extended Abstracts   2019.1 ( 330(ED2018 32-52) )   3130 - 3130   2019.2

Theoretical and Experimental Studies on Estimation Methods of Mobility Edge in InGaN Quantum Wells

藤田貴志, 坂井繁太, 池田優真, 山口敦史, 草薙進, 蟹谷裕也, 工藤喜弘, 冨谷茂隆

電子情報通信学会技術研究報告   119 ( 304(LQE2019 76-101) )   2019

電子エネルギー損失分光法スペクトルを対象とした結晶性および組成の解析手法の開発

山本寛人, 田中健一, 山下俊介, 浮田昌一, 中野博史, 白沢楽, 冨谷茂隆, 小寺正明, 船津公人

ケモインフォマティクス討論会予稿集(Web)   42nd   2019

機械学習を用いた組成式からの無機化合物結晶系予測

見内伸之, 田中健一, 中野博史, 浮田昌一, 白沢楽, 冨谷茂隆, 小寺正明, 船津公人

ケモインフォマティクス討論会予稿集(Web)   42nd   2019

A new method to evaluate the degree of potential fluctuation in InGaN quantum-well laser diodes by optical-pump stimulated-emission measurements

大島一輝, 池田優真, 坂井繁太, 山口敦史, 蟹谷裕也, 冨谷茂隆

電子情報通信学会技術研究報告   118 ( 330 )   79 - 82   2018.11

InGaN量子井戸の組成揺らぎ評価に関する実験的・理論的検討—Theoretical and Experimental Studies on Potential Fluctuation in InGaN Quantum-Well Structures—電子部品・材料

藤田 貴志, 坂井 繁太, 池田 優真, 山口 敦史, 蟹谷 裕也, 冨谷 茂隆

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   118 ( 331 )   75 - 78   2018.11

Structural Defects and Composition Fluctuation of GaN-based Alloy Semiconductor

Tomiya Shigetaka, Kanitani Yuya

JSAP Annual Meetings Extended Abstracts   2018.1   342 - 342   2018.3

デバイス・材料開発におけるマテリアルインフォマティクスの課題と可能性—Possibilities and issues of materials informatics for materials and device R&D—マテリアルズインフォマティクスによる材料・デバイス開発の最前線

冨谷 茂隆, 知京 豊裕

応用電子物性分科会誌 = Bulletin of solid state physics and applications / 応用物理学会応用電子物性分科会 編   24 ( 2 )   45 - 52   2018

アンサンブル学習を利用した吸収波長予測

菅原悠樹, 小寺正明, 田中健一, 中野博史, 浮田昌一, 白沢楽, 冨谷茂隆, 船津公人

ケモインフォマティクス討論会予稿集(Web)   41st   2018

Developing Novel Descriptors to Predict Physical Properties of Inorganic Compounds from Compositional Formula

Sakata Fusako, Kotera Masaaki, Tanaka Kenichi, Nakano Hiroshi, Ukita Masakazu, Shirasawa Raku, Tomiya Shigetaka, Funatsu Kimito

Journal of Computer Aided Chemistry   19   7 - 18   2018

A Novel Method to Measure Absolute Internal Quantum Efficiency in III-nitride Semiconductors by Simultaneous Photo-acoustic and Photoluminescence Spectroscopy

Yamaguchi Atsushi A., Nakano Takashi, Sakai Shigeta, Kanitani Yuya, Tomiya Shigetaka

JSAP Annual Meetings Extended Abstracts   2017.1   281 - 281   2017.3

光音響・発光同時計測による窒化物半導体の内部量子効率の絶対測定

山口敦史, 中納隆, 坂井繁太, 深田晴己, 蟹谷裕也, 冨谷茂隆

電子情報通信学会大会講演論文集(CD-ROM)   2017   2017

A novel method to measure absolute internal quantum efficiency in InGaN quantum wells by simultaneous photo-acoustic and photoluminescence spectroscopy

清水奈緒人, 高橋佑知, 小林玄季, 中納隆, 坂井繁太, 山口敦史, 蟹谷裕也, 冨谷茂隆

電子情報通信学会技術研究報告   117 ( 332 )   1 - 6   2017

Detailed analysis of S-shaped temperature dependence of photoluminescence peak energy in InGaN quantum wells

池田優真, 坂井繁太, 大島一輝, 山口敦史, 蟹谷裕也, 冨谷茂隆

電子情報通信学会技術研究報告   117 ( 333 )   11 - 14   2017

充電による結晶Si粒子の構造変化のその場SEM観察

小川健一, 細井慎, 工藤喜弘, 草薙進, 田中伸史, 冨谷茂隆

電池討論会講演要旨集   56th   2015

プラズマ光と表面の相互作用の解明

ZHANG Yan, 石川健治, 関根誠, 深沢正永, 長畑和典, 冨谷茂隆, 辰巳哲也, 竹田圭吾, 近藤博基, 堀勝

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   61st   2014

機械的応力により発生するSnウィスカにおける屈曲・湾曲部の形成と結晶方位の関係性—Effect of Crystal Orientation on Kink Formation on Mechanically Induced Sn Whiskers—高密度実装を牽引する材料技術とヘテロインテグレーション論文特集 Reviewed

水口 由紀子, 村上 洋介, 冨谷 茂隆

電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス = The IEICE transactions on electronics. C / 電子情報通信学会 編   95 ( 11 )   333 - 342   2012.11

機械的応力により発生するSnウィスカにおける屈曲・湾曲部の形成と結晶方位の関係性

水口由紀子, 水口由紀子, 村上洋介, 冨谷茂隆, 浅井正, 気賀智也, 菅沼克昭

電子情報通信学会論文誌 C   J95-C ( 11 )   2012

温度可変時間分解PL法によるGaInNへのプラズマダメージ解析

泉将一郎, 鎌田満, 南正樹, 辰巳哲也, 山口敦史, 冨谷茂隆

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   72nd   2011

Structural Defects in GaN-based Laser Diodes(<Special Issue>Defects in Nitride Semiconductors)

Tomiya Shigetaka, Ikeda Masao

Journal of the Japanese Association for Crystal Growth   36 ( 3 )   222 - 228   2009

Mechanism Analysis for Tin Whisker Growth by Mechanical Stress and Mitigation Technolgy

KIGA Tomoya, ASAI Tadashi, MIZUGUCHI Yukiko, MURAKAMI Yosuke, TANAKA Shinji, TOMIYA Shigetaka

Journal of The Japan Institute of Electronics Packaging   11 ( 5 )   356 - 362   2008

Test Method and Mechanism Analysis for Tin Whisker Growth by Mechanical Stress

KIGA Tomoya, ASAI Tadashi, MIZUGUCHI Yukiko, MURAKAMI Yosuke, TANAKA Shinji, TOMIYA Shigetaka

Journal of The Surface Finishing Society of Japan   59 ( 4 )   223 - 227   2008

鉛フリーSnめっきにおける外部応力型ウィスカ/ノジュールの解析

水口由紀子, 村上洋介, 田中伸史, 冨谷茂隆, 浅井正, 気賀智也

信頼性・保全性シンポジウム発表報文集   38th   2008

Structural Defects and Degradation of High Power Pure-Blue GaN-based Laser Diodes

TOMIYA Shigetaka, GOTO Osamu, IKEDA Masao, OHIZUMI Yoshitsugu, SHOUJI Miwako, TANAKA Takayuki, HOSHINA Yukio, OHTA Makoto, YABUKI Yoshifumi

電気学会光・量子デバイス研究会資料   2007 ( 53 )   17 - 21   2007.12

CS-4-6 High Power Pure-Blue Semiconductor Lasers for Display Applications

Goto Osamu, Ohizumi Yoshitsugu, Ohta Makoto, Hoshina Yukio, Tanaka Takayuki, Yabuki Yoshifumi, Funato Kenji, Tomiya Shigetaka, Ikeda Masao

Proceedings of the IEICE General Conference   2007 ( 1 )   "S - 62"-"S-63"   2007.3

Suppression of COD in pure-blue laser diodes with current injection-free region near the laser facet

後藤修, 大泉善嗣, 庄司美和子, 田中隆之, 保科幸男, 太田誠, 矢吹義文, 冨谷茂隆, 池田昌夫

電子情報通信学会技術研究報告   107 ( 253(LQE2007 57-79) )   2007

端面電流非注入構造導入によるAlGaInN純青色レーザのCOD抑制

田中隆之, 庄司美和子, 保科幸男, 大泉善嗣, 太田誠, 矢吹義文, 冨谷茂隆, 後藤修, 池田昌夫

応用物理学会学術講演会講演予稿集   68th ( 3 )   2007

Pyramidal Defects in Mg Doped GaN Epitaxial Layers

Tomiya Shigetaka

Materia Japan   43 ( 12 )   1030 - 1030   2004

Structural Defects in Degraded GaN-based Semiconductor Laser Diodes

TOMIYA Shigetaka, GOTO Shu, TAKEYA Motonobu, IKEDA Masao

電子情報通信学会技術研究報告   103 ( 343 )   73 - 76   2003.9

X線マイクロビームを用いたELO-GaNの結晶構造解析

宮嶋孝夫, 竹谷元伸, 後藤修, 冨谷茂隆, 竹田晋吾, 栗原英明, 渡辺経子, 加藤まどみ, 松井純爾

応用物理学会学術講演会講演予稿集   64th ( 1 )   2003

GaN系半導体レーザ中の結晶欠陥—小特集テーマ:進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般

冨谷 茂隆, 日野 智公, 宮嶋 孝夫

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   102 ( 119 )   71 - 74   2002.6

Threading Dislocations in GaN and GaInN.

宮嶋孝夫, 日野智公, 冨谷茂隆, やな嶋克典, 朝妻庸紀, 小林俊雅, 池田昌夫

電子情報通信学会技術研究報告   102 ( 115 )   21 - 24   2002.6

TEM Analysis of Degraded ZnCdSe Quantum Well Strructures

Tomiya Shigetaka

Materia Japan   40 ( 12 )   1002 - 1002   2001

HVPE法による低貫通転位密度GaN基板

冨岡聡, 冨谷茂隆, 船戸健次, 宮嶋孝夫, 小林俊雅

応用物理学会学術講演会講演予稿集   61st ( 1 )   2000

Fabrication of GaN Laser Diodes with Buried-Ridge Structure.

山口恭司, 朝妻庸紀, 浅野竹春, 日野智公, やな嶋克典, 冨谷茂隆, 船戸健次, 小林俊雅, 池田昌夫

Proceedings of the Sony Research Forum   9th   2000

加圧MOCVD成長したGaInN多重量子井戸からの発光過程

船戸健次, 橋本茂樹, 冨谷茂隆, 宮嶋孝夫, 小林俊雅

応用物理学関係連合講演会講演予稿集   47th ( 1 )   2000

2-6族半導体発光デバイスのCLおよびTEM評価—〔1999年〕日本電子顕微鏡学会第44回シンポジウム論文集 新しい顕微鏡技術が切り開く生命と物質の世界,学会賞(瀬藤賞)受賞講演〔含 著者索引〕 ; ワークショップ:ワイドギャップ半導体のカソードルミネッセンス評価

冨谷 茂隆, 戸田 淳, 石橋 晃

電子顕微鏡 / 「電子顕微鏡」編集委員会 編   34 ( Suppl.2 )   233 - 236   1999.11

ELO GaN膜の構造解析 マスク材料依存性

冨谷茂隆, 日野智公, 喜嶋悟, 船戸健次, 浅野竹春, 朝妻庸紀, 池田昌夫

応用物理学関係連合講演会講演予稿集   46th ( 1 )   1999

GaN膜における貫通転位の振る舞い (1)

日野智公, 冨谷茂隆, 宮嶋孝夫, やな嶋克典, 橋本茂樹, 池田昌夫

応用物理学会学術講演会講演予稿集   60th ( 1 )   1999

GaN膜における貫通転位のふるまい (2) エッチピットとの対応

冨谷茂隆, 日野智公, 冨岡聡, 朝妻庸紀, 宮嶋孝夫, 池田昌夫

応用物理学会学術講演会講演予稿集   60th ( 1 )   1999

Defect structure of ZnSe/ZnTe MQW structures used in II-VI laser diodes.

冨谷茂隆, 喜嶋悟, 奥山浩之, 日野智公, 谷口理, 塚本弘範, 野口祐泰, 加藤豪作, 石橋晃

応用物理学会学術講演会講演予稿集   59th ( 1 )   1998

Hetero-Interfaces in II-VI Semiconductor Laser Diodes.

冨谷茂隆, 石橋晃

応用物理学会学術講演会講演予稿集   59th   1998

Micro-structural study of opticaly degraded ZnCdSe Quantum Well.

冨谷茂隆, 野口祐泰, 左中由美, 日野智公, 谷口理, 石橋晃

応用物理学会学術講演会講演予稿集   58th ( 1 )   1997

Surface Roughning and Composition Modulation on ZnSe related Films. (2).

冨谷茂隆, 塚本弘範, 伊藤哲, 中野一志, 森田悦男, 石橋晃

応用物理学会学術講演会講演予稿集   57th ( 1 )   1996

Defect studies in ZnSSe and ZnMgSSe by etching and TEM.

白石誠司, 谷口理, 冨谷茂隆, 中野一志, 石橋晃, 池田昌夫

応用物理学関係連合講演会講演予稿集   43rd ( 1 )   1996

Structure of defects induced current injection into II-VI blue light emitter.

冨谷茂隆, 浮田昌一, 奥山浩之, 伊藤哲, 中野一志, 森田悦男, 石橋晃

応用物理学関係連合講演会講演予稿集   42nd ( Pt 1 )   1995

Surface Roughness and Composition Modulation on ZnSe, ZnSSe, and ZnMgSSe.

冨谷茂隆, 湊屋理佳子, 塚本弘範, 伊藤哲, 中野一志, 森田悦男, 石橋晃, 池田昌夫

応用物理学会学術講演会講演予稿集   56th ( 1 )   1995

AlGaInP epitaxial growth on structured substrate.

山本直, 冨谷茂隆, 森田悦男, 石橋晃, 森芳文

応用物理学会学術講演会講演予稿集   53rd ( 1 )   1992

TEM observation of MBE-grown ZnSSe crystals on GaAs substrates.

冨谷茂隆, 森田悦男, 奥山浩之, 秋本克洋

応用物理学関係連合講演会講演予稿集   38th ( Pt 1 )   1991

31p-M2-1 金属超微粒子の光吸収(表面・界面)

富谷 茂隆, 川村 清

年会講演予稿集   43.2   332   1988

半導体レーザ素子およびその製造方法

丹下 貴志, 冨谷 茂隆

GaN系III-V族化合物半導体発光素子

冨谷 茂隆, 後藤 修

GaN系III-V族化合物半導体発光素子及びその製造方法

冨谷 茂隆, 後藤 修

有機薄膜の形成方法および有機デバイスの製造方法

後藤 修, 保原 大介, 野元 章裕, 村上 洋介, 冨谷 茂隆

有機薄膜の形成方法および有機デバイスの製造方法

後藤 修, 保原 大介, 野元 章裕, 村上 洋介, 冨谷 茂隆

有機薄膜の形成方法および形成装置、ならびに有機デバイスの製造方法

後藤 修, 小林 典仁, 保原 大介, 清水 圭輔, 冨谷 茂隆, 村上 洋介, 勝原 真央, 大江 貴裕, 川島 紀之, 高橋 由佳, 福田 敏生, 石井 由威

有機薄膜の形成方法および形成装置、ならびに有機デバイスの製造方法

後藤 修, 小林 典仁, 保原 大介, 清水 圭輔, 冨谷 茂隆, 村上 洋介, 勝原 真央, 大江 貴裕, 川島 紀之, 高橋 由佳, 福田 敏生, 石井 由威

コアシェル型微粒子及びこれを用いた機能デバイス

田中 伸史, 後藤 習志, 冨谷 茂隆

キャリア放出素子

蟹谷 裕也, 冨谷 茂隆

発光ダイオードの製造方法、集積型発光ダイオードの製造方法および窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法

大前 暁, 塩見 治典, 風田川 統之, 網 隆明, 宮嶋 孝夫, 平松 雄司, 畑田 出穂, 岡野 展賢, 冨谷 茂隆, 簗嶋 克典, 日野 智公, 成井 啓修

発光ダイオードおよびその製造方法ならびに集積型発光ダイオードおよびその製造方法ならびに窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法ならびに窒化物系III-V族化合物半導体成長用基板ならびに光源セルユニットならびに発光ダイオードバックライトならびに発光ダイオード照明装置ならびに発光ダイオードディスプレイならびに電子機器ならびに電子装置およびその製造方法

大前 暁, 塩見 治典, 風田川 統之, 網 隆明, 宮嶋 孝夫, 平松 雄司, 畑田 出穂, 岡野 展賢, 冨谷 茂隆, 簗嶋 克典, 日野 智公, 成井 啓修

電子部品

水口 由紀子, 冨谷 茂隆, 田中 伸史, 村上 洋介

半導体レーザ

日野 智公, 東條 剛, 池田 昌夫, 大藤 良夫, 内田 史朗, 冨谷 茂隆, 森田 悦男

半導体レーザの製造方法、半導体レーザ、半導体装置の製造方法および半導体装置

日野 智公, 東條 剛, 池田 昌夫, 大藤 良夫, 内田 史朗, 冨谷 茂隆, 森田 悦男

発光ダイオードの製造方法、集積型発光ダイオードの製造方法および窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法

大前 暁, 塩見 治典, 風田川 統之, 網 隆明, 宮嶋 孝夫, 平松 雄司, 畑田 出穂, 岡野 展賢, 冨谷 茂隆, 簗嶋 克典, 日野 智公, 成井 啓修

発光ダイオードおよびその製造方法ならびに集積型発光ダイオードおよびその製造方法ならびに窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法ならびに窒化物系III-V族化合物半導体成長用基板ならびに光源セルユニットならびに発光ダイオードバックライトならびに発光ダイオード照明装置ならびに発光ダイオードディスプレイならびに電子機器ならびに電子装置およびその製造方法

大前 暁, 塩見 治典, 風田川 統之, 網 隆明, 宮嶋 孝夫, 平松 雄司, 畑田 出穂, 岡野 展賢, 冨谷 茂隆, 簗嶋 克典, 日野 智公, 成井 啓修

発光ダイオードの製造方法、集積型発光ダイオードの製造方法および窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法

大前 暁, 冨谷 茂隆, 前田 勇樹, 塩見 治典, 網 隆明, 宮嶋 孝夫, 簗嶋 克典, 丹下 貴志, 安田 淳

発光ダイオードおよびその製造方法ならびに集積型発光ダイオードおよびその製造方法ならびに窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法ならびに光源セルユニットならびに発光ダイオードバックライトならびに発光ダイオードディスプレイならびに電子機器

大前 暁, 冨谷 茂隆, 前田 勇樹, 塩見 治典, 網 隆明, 宮嶋 孝夫, 簗嶋 克典, 丹下 貴志, 安田 淳

半導体レーザおよびその製造方法

谷口 学, 倉本 大, 池田 昌夫, 水野 崇, 冨谷 茂隆

半導体素子

冨谷 茂隆, 船戸 健次

半導体薄膜および半導体素子の製造方法

冨谷 茂隆, 船戸 健次

半導体薄膜および半導体素子の製造方法

冨谷 茂隆, 船戸 健次

半導体素子

冨谷 茂隆, 船戸 健次

有機積層膜識別化支援方法および有機積層膜検査方法

田中 伸史, 冨谷 茂隆

半導体レーザおよびその製造方法

船戸 健次, 冨谷 茂隆, 保科 幸男, 後藤 修

半導体素子およびその製造方法

宮嶋 孝夫, 冨谷 茂隆, 朝妻 庸紀

半導体レーザおよびその製造方法

船戸 健次, 冨谷 茂隆, 保科 幸男, 後藤 修

GaN系III-V族化合物半導体発光素子及びその製造方法

冨谷 茂隆, 後藤 修

半導体発光素子の製造方法

朝妻 庸紀, 冨谷 茂隆, 玉村 好司, 東條 剛, 後藤 修, 元木 健作

半導体発光素子および半導体素子

朝妻 庸紀, 冨谷 茂隆, 玉村 好司, 東條 剛, 後藤 修, 元木 健作

半導体発光素子およびその製造方法

朝妻 庸紀, 冨谷 茂隆, 玉村 好司, 東條 剛, 後藤 修, 元木 健作

半導体発光素子およびその製造方法

朝妻 庸紀, 冨谷 茂隆, 玉村 好司, 東條 剛, 後藤 修, 元木 健作

半導体発光素子およびその製造方法

朝妻 庸紀, 冨谷 茂隆, 玉村 好司, 東條 剛, 後藤 修, 元木 健作

半導体発光素子の製造方法および半導体素子の製造方法

朝妻 庸紀, 冨谷 茂隆, 玉村 好司, 東條 剛, 後藤 修, 元木 健作

半導体発光素子の製造方法

朝妻 庸紀, 冨谷 茂隆, 玉村 好司, 東條 剛, 後藤 修, 元木 健作

半導体発光素子の製造方法

朝妻 庸紀, 冨谷 茂隆, 玉村 好司, 東條 剛, 後藤 修, 元木 健作

半導体レーザの製造方法

浅野 竹春, 朝妻 庸紀, 日野 智公, 冨谷 茂隆, 山口 恭司, 小林 高志

半導体発光素子

日野 智公, 成井 啓修, 御友 重吾, 冨谷 茂隆, 平野 英孝

化合物半導体素子およびその製造方法、並びに半導体発光素子およびその製造方法

工藤 喜弘, 宮嶋 孝夫, 冨谷 茂隆

半導体発光素子の製造方法

朝妻 庸紀, 冨谷 茂隆, 玉村 好司, 東條 剛, 後藤 修, 元木 健作

半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、半導体素子の製造方法、半導体素子、素子の製造方法および素子

朝妻 庸紀, 冨谷 茂隆, 玉村 好司, 東條 剛, 後藤 修, 元木 健作

発光素子

日野 智公, 冨谷 茂隆

GaN系半導体レーザの製造方法

日野 智公, 東條 剛, 池田 昌夫, 大藤 良夫, 内田 史朗, 冨谷 茂隆, 森田 悦男

半導体レーザの製造方法、半導体レーザ、半導体装置の製造方法および半導体装置

日野 智公, 東條 剛, 池田 昌夫, 大藤 良夫, 内田 史朗, 冨谷 茂隆, 森田 悦男

窒化物半導体膜の製造方法

冨谷 茂隆

窒化物半導体レーザ及びその製造方法

冨谷 茂隆, 日野 智公

窒化物半導体レーザ

冨谷 茂隆, 日野 智公

窒化物半導体膜およびその製造方法

冨谷 茂隆

化合物半導体基板の製造方法

宮嶋 孝夫, 冨谷 茂隆, 碓井 彰

化合物半導体基板の製造方法

宮嶋 孝夫, 冨谷 茂隆, 碓井 彰

窒化物半導体素子の製造方法

冨谷 茂隆, 日野 智公, 山口 恭司

窒化物半導体層の成長方法及び窒化物半導体素子

冨谷 茂隆, 日野 智公, 山口 恭司

窒化物半導体素子及びその製造方法

冨谷 茂隆, 中島 博, 山口 恭司

半導体発光装置およびその製造方法

玉村 好司, 簗嶋 克典, 中島 博, 冨谷 茂隆

エッチング方法および結晶性評価方法並びに半導体装置の製造方法

日野 智公, 冨岡 聡, 冨谷 茂隆

半導体レーザおよびその製造方法ならびに半導体装置およびその製造方法

浅野 竹春, 池田 昌夫, 東條 剛, 冨谷 茂隆

半導体レ-ザおよびその製造方法ならびに半導体装置およびその製造方法

浅野 竹春, 朝妻 庸紀, 日野 智公, 冨谷 茂隆, 山口 恭司, 小林 高志

半導体レーザ

浅野 竹春, 朝妻 庸紀, 日野 智公, 冨谷 茂隆, 山口 恭司, 小林 高志

半導体レーザの製造方法および半導体装置の製造方法

浅野 竹春, 朝妻 庸紀, 日野 智公, 冨谷 茂隆, 山口 恭司, 小林 高志

半導体レーザおよびその製造方法

浅野 竹春, 池田 昌夫, 東條 剛, 冨谷 茂隆

窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法、半導体装置の製造方法および半導体装置

日野 智公, 浅野 竹春, 朝妻 庸紀, 喜嶋 悟, 船戸 健次, 冨谷 茂隆

半導体薄膜と半導体素子と半導体装置とこれらの製造方法

冨谷 茂隆, 船戸 健次

半導体薄膜および半導体素子の製造方法

冨谷 茂隆, 船戸 健次

窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法、半導体装置の製造方法および半導体装置

日野 智公, 浅野 竹春, 朝妻 庸紀, 喜嶋 悟, 船戸 健次, 冨谷 茂隆

窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法、半導体装置の製造方法および半導体装置

日野 智公, 浅野 竹春, 朝妻 庸紀, 喜嶋 悟, 船戸 健次, 冨谷 茂隆

半導体素子および半導体発光素子ならびに半導体受光素子

冨谷 茂隆, 喜嶋 悟, 奥山 浩之, 谷口 理, 塚本 弘範

半導体装置

冨谷 茂隆, 谷口 理, 日野 智公

II-VI族化合物半導体層の形成方法およびII-VI族化合物半導体装置

冨谷 茂隆, 谷口 理, 日野 智公, 小林 高志

半導体発光素子

冨谷 茂隆, 小沢 正文, 伊藤 哲, 池田 昌夫

半導体装置

冨谷 茂隆, 池田 昌夫

半導体発光素子

冨谷 茂隆, 池田 昌夫

半導体エピタキシャル成長方法

冨谷 茂隆, 中野 一志, 伊藤 哲, 湊屋 理佳子

光半導体装置

松元 理, 冨谷 茂隆, 中野 一志, 長井 政春, 伊藤 哲, 石橋 晃, 森田 悦男

半導体レーザ

中野 一志, 冨谷 茂隆

周期構造部と周期構造部を有する半導体装置の製法

冨谷 茂隆, 中野 一志

半導体発光素子とその製法

塚本 弘範, 冨谷 茂隆

化合物半導体装置とその製造方法

森田 悦男, 冨谷 茂隆, 山本 直, 石橋 晃

化合物半導体装置とその製造方法

森田 悦男, 冨谷 茂隆, 山本 直, 石橋 晃

化合物半導体装置とその製造方法

森田 悦男, 冨谷 茂隆, 山本 直, 石橋 晃

化合物半導体装置とその製造方法

森田 悦男, 冨谷 茂隆, 山本 直, 石橋 晃