2025/09/24 更新

写真a

ツジ　マサタケ
辻　昌武
TSUJI MASATAKE
所属
総合研究院 元素戦略MDX研究センター 特任助教
職名
特任助教
外部リンク

研究キーワード

  • 材料科学

  • 半導体

  • 点欠陥

研究分野

  • ナノテク・材料 / 無機材料、物性

学歴

  • 東京工業大学   物質理工学院   材料系

    2017年4月 - 2023年3月

    　 詳細を見る

  • 東京理科大学   基礎工学部   材料工学科

    2013年4月 - 2017年3月

    　 詳細を見る

経歴

  • 東京工業大学   元素戦略MDX研究センター   特任助教

    2023年4月 - 現在

    　 詳細を見る

  • 東京工業大学   物質理工学院 材料系 材料コース

    2017年4月 - 2023年3月

    　 詳細を見る

  • 東京理科大学   基礎工学部 材料工学科

    2013年4月 - 2017年3月

    　 詳細を見る

所属学協会

  • 応用物理学会

    2018年7月 - 現在

    　 詳細を見る

論文

  • Oxygen Defects and Instability in Very Thin a‐IGZO TFTs

    Hanjun Cho, Masatake Tsuji, Shigenori Ueda, Junghwan Kim, Hideo Hosono

    Advanced Electronic Materials   2025年9月

    　詳細を見る

    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1002/aelm.202500349

    researchmap

  • CO2 Conversion to Methanol by Hydrogen Species on n-Type Oxide Semiconductors

    Kazuki Fukumoto, Hideto Tsuji, Masatake Tsuji, Masakazu Koike, Kohei Takatani, Masahiko Shimizu, Masaaki Kitano, Hideo Hosono

    Journal of the American Chemical Society   2025年7月

    　詳細を見る

    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1021/jacs.5c03910

    researchmap

  • Theoretical and data-driven approaches to semiconductors and dielectrics: from prediction to experiment

    Fumiyasu Oba, Takayuki Nagai, Ryoji Katsube, Yasuhide Mochizuki, Masatake Tsuji, Guillaume Deffrennes, Kota Hanzawa, Akitoshi Nakano, Akira Takahashi, Kei Terayama, Ryo Tamura, Hidenori Hiramatsu, Yoshitaro Nose, Hiroki Taniguchi

    Science and Technology of Advanced Materials   2024年12月

    　詳細を見る

    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1080/14686996.2024.2423600

    researchmap

  • Approach to Low Contact Resistance Formation on Buried Interface in Oxide Thin-Film Transistors: Utilization of Palladium-Mediated Hydrogen Pathway

    Yuhao Shi, Masatake Tsuji, Hanjun Cho, Shigenori Ueda, Junghwan Kim, Hideo Hosono

    ACS Nano   2024年4月

    　詳細を見る

    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1021/acsnano.4c02101

    researchmap

  • Barium Oxynitride Electride as Highly Enhanced Promotor for Ruthenium Catalyst in Ammonia Synthesis: Comparative Study with Barium Oxide

    Jiang Li, Yihao Jiang, Zhujun Zhang, Masatake Tsuji, Masayoshi Miyazaki, Masaaki Kitano, Hideo Hosono

    Advanced Energy Materials   2023年12月

    　詳細を見る

    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1002/aenm.202302424

    researchmap

  • Room-Temperature Solid-State Synthesis of Cs3Cu2I5 Thin Films and Formation Mechanism for Its Unique Local Structure

    Masatake Tsuji, Masato Sasase, Soshi Iimura, Junghwan Kim, Hideo Hosono

    Journal of the American Chemical Society   2023年5月

    　詳細を見る

    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1021/jacs.3c01713

    researchmap

  • Hole Concentration Reduction in CuI by Zn Substitution and its Mechanism: Toward Device Applications

    Masatake Tsuji, Soshi Iimura, Junghwan Kim, Hideo Hosono

    ACS Applied Materials & Interfaces   14 ( 29 )   33463 - 33471   2022年7月

    　詳細を見る

    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：American Chemical Society ({ACS})  

    DOI： 10.1021/acsami.2c03673

    researchmap

  • High‐Performance P‐Channel Tin Halide Perovskite Thin Film Transistor Utilizing a 2D–3D Core–Shell Structure

    Junghwan Kim, Yu‐Shien Shiah, Kihyung Sim, Soshi Iimura, Katsumi Abe, Masatake Tsuji, Masato Sasase, Hideo Hosono

    Advanced Science   2022年2月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    <jats:title>Abstract</jats:title><jats:p>Metal halide perovskites (MHPs) are plausible candidates for practical p‐type semiconductors. However, in thin film transistor (TFT) applications, both 2D PEA<jats:sub>2</jats:sub>SnI<jats:sub>4</jats:sub> and 3D FASnI<jats:sub>3</jats:sub> MHPs have different drawbacks. In 2D MHP, the TFT mobility is seriously reduced by grain‐boundary issues, whereas 3D MHP has an uncontrollably high hole density, which results in quite a large threshold voltage (<jats:italic>V</jats:italic><jats:sub>th</jats:sub>). To overcome these problems, a new concept based on a 2D–3D core–shell structure is herein proposed. In the proposed structure, a 3D MHP core is fully isolated by a 2D MHP, providing two desirable effects as follows. (i) <jats:italic>V</jats:italic><jats:sub>th</jats:sub> can be independently controlled by the 2D component, and (ii) the grain‐boundary resistance is significantly improved by the 2D/3D interface. Moreover, SnF<jats:sub>2</jats:sub> additives are used, and they facilitate the formation of the 2D/3D core–shell structure. Consequently, a high‐performance p‐type Sn‐based MHP TFT with a field‐effect mobility of ≈25 cm<jats:sup>2</jats:sup> V<jats:sup>−1</jats:sup> s<jats:sup>−1</jats:sup> is obtained. The voltage gain of a complementary metal oxide semiconductor (CMOS) inverter comprising an n‐channel InGaZnO<jats:italic><jats:sub>x</jats:sub></jats:italic> TFT and a p‐channel Sn‐MHP TFT is ≈200 V/V at <jats:italic>V</jats:italic><jats:sub>DD</jats:sub> = 20 V. Overall, the proposed 2D/3D core–shell structure is expected to provide a new route for obtaining high‐performance MHP TFTs.</jats:p>

    DOI： 10.1002/advs.202104993

    researchmap

  • Tunable Light Emission through the Range 1.8–3.2 eV and p-Type Conductivity at Room Temperature for Nitride Semiconductors, Ca(Mg1–xZnx)2N2 (x = 0–1)

    Masatake Tsuji, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono

    Inorganic Chemistry   2019年9月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1021/acs.inorgchem.9b01811

    researchmap

  • Heteroepitaxial Thin-Film Growth of a Ternary Nitride Semiconductor CaZn2N2

    Masatake Tsuji, Kota Hanzawa, Hiroyuki Kinjo, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono

    ACS Applied Electronic Materials   2019年8月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1021/acsaelm.9b00248

    researchmap

▼全件表示

共同研究・競争的資金等の研究課題

  • 電子活性な空隙へのイオン拡散に基づく室温固相反応を用いた、薄膜デバイスの創製

    研究課題/領域番号：24K17753  2024年4月 - 2026年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  若手研究

    辻 昌武

    　 詳細を見る

    配分額：4680000円 （ 直接経費：3600000円 、 間接経費：1080000円 ）

    researchmap

  • 電子活性な空隙を利用した新規p型半導体および発光材料の探索

    研究課題/領域番号：23K19266  2023年8月 - 2025年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  研究活動スタート支援

    辻 昌武

    　 詳細を見る

    配分額：2860000円 （ 直接経費：2200000円 、 間接経費：660000円 ）

    本研究では、高効率光電変換素子の創製に向けて、電子的に活性な空隙を利用した新規p型半導体および発光材料の探索を試みている。2023年度は準備段階のスクリーニングから優れた光・電気特性を示すことが期待された、Cs-Cu-I三元系化合物に着目し、薄膜育成と単結晶上への自己組織化膜作成を行った。
    真空蒸着法と室温固相反応法による2ステップの薄膜育成は、溶液プロセスでは実現が難しい非常に緻密で平坦な薄膜を合成することができ、電気特性の評価と発光特性の評価を行うことができた。今後、単結晶の電気測定結果と合わせて、論文として投稿を予定している。
    また、Cs3Cu2I5大型単結晶の合成に成功したため、育成した単結晶を基板として用い、Cs3Cu2I5/CsCu2I3/CuIのヘテロ接合の作製に成功した。室温で自己組織化させたヘテロ接合は非常に珍しいため、当材料だからこそ実現可能な有用なアプリケーションを模索している。

    researchmap

  • 環境低負荷な光デバイス創製に向けた新規発光材料の探索

    研究課題/領域番号：20J13994  2020年4月 - 2022年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  特別研究員奨励費

    辻 昌武

    　 詳細を見る

    配分額：2100000円 （ 直接経費：2100000円 ）

    高効率ELデバイスの創製に向けてホール輸送層に用いるp型半導体の探索を行った。
    ヨウ化銅(CuI)はワイドギャップ酸化物では実現できない大きな正孔移動度を有するが、銅欠陥の生成しやすさから、キャリア濃度の調製が難しく、デバイスに応用するには正孔濃度が高すぎること課題であった。しかしながら、CuサイトにZnを添加することで、正孔濃度を劇的に減少させることに成功した。実験による構造解析と、第一原理計算による欠陥生成エネルギーの解析から、キャリア濃度の減少は単純な電子のカウンタードーピングではなく、複合欠陥の生成に伴うVcuの生成エネルギーの増大であることを明らかにした。この結果は、透明p型半導体として期待されているCuIのデバイス応用の道を拓くものである。本成果は論文として投稿中であり、現在ACS Applied Materials and Interfacesにて査読の第二ステージに達している。
    また、真空蒸着法を用いてCuIとCsIを堆積することで、自己組織化された高品質なCs3Cu2I5薄膜を作製することに成功し、これを用いたフォトディテクターの動作を確認した。

    researchmap