Organization
Institute of Integrated Research MDX Research Center for Element Strategy Specially Appointed Junior Associate Professor
Title
Specially Appointed Junior Associate Professor
External link
TSUJI MASATAKE
Research Interests
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材料科学
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半導体
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点欠陥
Research Areas
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Nanotechnology/Materials / Inorganic materials and properties
Education
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Tokyo Institute of Technology
2017.4 - 2023.3
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Tokyo University of Science
2013.4 - 2017.3
Research History
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Tokyo Institute of Technology Specially Appointed Junior Associate Professor
2023.4
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Tokyo Institute of Technology
2017.4 - 2023.3
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Tokyo University of Science
2013.4 - 2017.3
Professional Memberships
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応用物理学会
2018.7
Papers
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Oxygen Defects and Instability in Very Thin a‐IGZO TFTs
Hanjun Cho, Masatake Tsuji, Shigenori Ueda, Junghwan Kim, Hideo Hosono
Advanced Electronic Materials 2025.9
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CO2 Conversion to Methanol by Hydrogen Species on n-Type Oxide Semiconductors
Kazuki Fukumoto, Hideto Tsuji, Masatake Tsuji, Masakazu Koike, Kohei Takatani, Masahiko Shimizu, Masaaki Kitano, Hideo Hosono
Journal of the American Chemical Society 2025.7
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Theoretical and data-driven approaches to semiconductors and dielectrics: from prediction to experiment
Fumiyasu Oba, Takayuki Nagai, Ryoji Katsube, Yasuhide Mochizuki, Masatake Tsuji, Guillaume Deffrennes, Kota Hanzawa, Akitoshi Nakano, Akira Takahashi, Kei Terayama, Ryo Tamura, Hidenori Hiramatsu, Yoshitaro Nose, Hiroki Taniguchi
Science and Technology of Advanced Materials 2024.12
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Approach to Low Contact Resistance Formation on Buried Interface in Oxide Thin-Film Transistors: Utilization of Palladium-Mediated Hydrogen Pathway
Yuhao Shi, Masatake Tsuji, Hanjun Cho, Shigenori Ueda, Junghwan Kim, Hideo Hosono
ACS Nano 2024.4
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Barium Oxynitride Electride as Highly Enhanced Promotor for Ruthenium Catalyst in Ammonia Synthesis: Comparative Study with Barium Oxide
Jiang Li, Yihao Jiang, Zhujun Zhang, Masatake Tsuji, Masayoshi Miyazaki, Masaaki Kitano, Hideo Hosono
Advanced Energy Materials 2023.12
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Room-Temperature Solid-State Synthesis of Cs3Cu2I5 Thin Films and Formation Mechanism for Its Unique Local Structure
Masatake Tsuji, Masato Sasase, Soshi Iimura, Junghwan Kim, Hideo Hosono
Journal of the American Chemical Society 2023.5
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Hole Concentration Reduction in CuI by Zn Substitution and its Mechanism: Toward Device Applications
Masatake Tsuji, Soshi Iimura, Junghwan Kim, Hideo Hosono
ACS Applied Materials & Interfaces 14 ( 29 ) 33463 - 33471 2022.7
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High‐Performance P‐Channel Tin Halide Perovskite Thin Film Transistor Utilizing a 2D–3D Core–Shell Structure
Junghwan Kim, Yu‐Shien Shiah, Kihyung Sim, Soshi Iimura, Katsumi Abe, Masatake Tsuji, Masato Sasase, Hideo Hosono
Advanced Science 2022.2
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Tunable Light Emission through the Range 1.8–3.2 eV and p-Type Conductivity at Room Temperature for Nitride Semiconductors, Ca(Mg1–xZnx)2N2 (x = 0–1)
Masatake Tsuji, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono
Inorganic Chemistry 2019.9
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Heteroepitaxial Thin-Film Growth of a Ternary Nitride Semiconductor CaZn2N2
Masatake Tsuji, Kota Hanzawa, Hiroyuki Kinjo, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono
ACS Applied Electronic Materials 2019.8
Research Projects
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電子活性な空隙へのイオン拡散に基づく室温固相反応を用いた、薄膜デバイスの創製
Grant number：24K17753 2024.4 - 2026.3
日本学術振興会 科学研究費助成事業 若手研究
辻 昌武
Grant amount：\4680000 （ Direct Cost: \3600000 、 Indirect Cost：\1080000 ）
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電子活性な空隙を利用した新規p型半導体および発光材料の探索
Grant number：23K19266 2023.8 - 2025.3
日本学術振興会 科学研究費助成事業 研究活動スタート支援
辻 昌武
Grant amount：\2860000 （ Direct Cost: \2200000 、 Indirect Cost：\660000 ）
本研究では、高効率光電変換素子の創製に向けて、電子的に活性な空隙を利用した新規p型半導体および発光材料の探索を試みている。2023年度は準備段階のスクリーニングから優れた光・電気特性を示すことが期待された、Cs-Cu-I三元系化合物に着目し、薄膜育成と単結晶上への自己組織化膜作成を行った。
真空蒸着法と室温固相反応法による2ステップの薄膜育成は、溶液プロセスでは実現が難しい非常に緻密で平坦な薄膜を合成することができ、電気特性の評価と発光特性の評価を行うことができた。今後、単結晶の電気測定結果と合わせて、論文として投稿を予定している。
また、Cs3Cu2I5大型単結晶の合成に成功したため、育成した単結晶を基板として用い、Cs3Cu2I5/CsCu2I3/CuIのヘテロ接合の作製に成功した。室温で自己組織化させたヘテロ接合は非常に珍しいため、当材料だからこそ実現可能な有用なアプリケーションを模索している。 -
環境低負荷な光デバイス創製に向けた新規発光材料の探索
Grant number：20J13994 2020.4 - 2022.3
日本学術振興会 科学研究費助成事業 特別研究員奨励費
辻 昌武
Grant amount：\2100000 （ Direct Cost: \2100000 ）
高効率ELデバイスの創製に向けてホール輸送層に用いるp型半導体の探索を行った。
ヨウ化銅(CuI)はワイドギャップ酸化物では実現できない大きな正孔移動度を有するが、銅欠陥の生成しやすさから、キャリア濃度の調製が難しく、デバイスに応用するには正孔濃度が高すぎること課題であった。しかしながら、CuサイトにZnを添加することで、正孔濃度を劇的に減少させることに成功した。実験による構造解析と、第一原理計算による欠陥生成エネルギーの解析から、キャリア濃度の減少は単純な電子のカウンタードーピングではなく、複合欠陥の生成に伴うVcuの生成エネルギーの増大であることを明らかにした。この結果は、透明p型半導体として期待されているCuIのデバイス応用の道を拓くものである。本成果は論文として投稿中であり、現在ACS Applied Materials and Interfacesにて査読の第二ステージに達している。
また、真空蒸着法を用いてCuIとCsIを堆積することで、自己組織化された高品質なCs3Cu2I5薄膜を作製することに成功し、これを用いたフォトディテクターの動作を確認した。