2026/03/10 更新

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ホ　コウ
蒲　江
PU JIANG
所属
理学院 准教授
職名
准教授
外部リンク

学位

  • 博士（工学） （ 早稲田大学 ）

研究キーワード

  • オプトエレクトロニクス

  • エレクトロニクス

  • 原子層材料

  • 電解質

研究分野

  • ナノテク・材料 / 応用物理一般

学歴

  • 早稲田大学   先進理工学   先進理工学

    2012年4月 - 2017年3月

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    国名： 日本国

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  • 早稲田大学   先進理工   応用物理

    2008年4月 - 2012年3月

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    国名： 日本国

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経歴

  • 東京工業大学   理学院 物理学系   准教授

    2023年4月 - 現在

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    国名：日本国

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  • 名古屋大学   大学院工学研究科 応用物理学専攻 量子物理工学   助教

    2017年4月 - 2023年3月

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所属学協会

  • 応用物理学会

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  • 日本物理学会

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  • フラーレン・ナノチューブ・グラフェン学会

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論文

  • Continuous Strain Modulation of Moiré Superlattice Symmetry From Triangle to Rectangle. 国際誌

    Hao Ou, Koshi Oi, Rei Usami, Takahiko Endo, Keisuke Shinokita, Ryo Kitaura, Kazunari Matsuda, Yasumitsu Miyata, Jiang Pu, Taishi Takenobu

    Small (Weinheim an der Bergstrasse, Germany)   e2407316   2025年1月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    Moiré superlattices formed in van der Waals (vdW) bilayers of 2D materials provide an ideal platform for studying previously undescribed physics, including correlated electronic states and moiré excitons, owing to the wide-range tunability of their lattice constants. However, their crystal symmetry is fixed by the monolayer structure, and the lack of a straightforward technique for modulating the symmetry of moiré superlattices has impeded progress in this field. Herein, a simple, room-temperature, ambient method for controlling superlattice symmetry is reported. The method uses vdW heterostructures on a flexible substrate; by bending the substrate, a uniaxial strain is introduced. Based on numerical calculations, a strain condition is designed to deform the moiré superlattice from triangular to rectangular, and visualized the continuous deformation of real-space moiré superlattices using piezoresponse force microscopy. The band calculations show that nearly flat moiré minibands remain in the rectangular lattice; therefore, this method provides an additional tuning knob for the Hamiltonian of moiré quantum matter.

    DOI： 10.1002/smll.202407316

    PubMed

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  • A Memristive Oscillator

    Yugo Oshima, Taishi Takenobu, Jiang Pu, Keisuke Ishiguro, Reizo Kato, Hiroshi M. Yamamoto, Tetsuro Kusamoto

    Advanced Physics Research   3 ( 4 )   2023年12月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Wiley  

    Abstract

    Memristors, or more generally “memristive systems,” are nonlinear electric components that change their resistance depending on a set of state variables. Meanwhile, negative differential resistance (NDR) is an uncommon electrical property that occurs in a few nonlinear electric components. Such a nonlinear property is now widely used in amplifiers and oscillators. It finds that one of the bilayer‐type nickel‐dithiolene complexes shows nonlinear transport with the NDR property and self‐oscillates under a bias current by simply adding a capacitor in parallel. Surprisingly, the Lissajous figure of this molecular material shows a “pinched hysteresis loop” typical of a memristor, and an inductive reactance emerges when a bias current or voltage is applied to the sample. Herein, a new type of oscillator that uses the NDR and hidden inductive properties of a memristive system is reported. The findings suggest that a memristive system can mimic other passive elements, such as an inductor, and can oscillate itself without having them in the circuit. The oscillation mechanism is straightforward and applicable to a wide variety of memristive materials, including resistors with large negative temperature coefficients, discharge tubes, and even nerve cells in the living body.

    DOI： 10.1002/apxr.202300117

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  • Solution-Processable Ultrapure-Blue Light-Emitting Electrochemical Cells

    Yuki Tanaka, Shun-ichiro Ito, Junfeng Liu, Hao Ou, Hisaaki Tanaka, Jiang Pu, Atsuhiro Ikeno, Takuji Hatakeyama, Taishi Takenobu

    ADVANCED OPTICAL MATERIALS   11 ( 17 )   2023年9月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1002/adom.202301119

    Web of Science

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  • Vapor-Phase Indium Intercalation in van der Waals Nanofibers of Atomically Thin W6Te6 Wires

    Ryusuke Natsui, Hiroshi Shimizu, Yusuke Nakanishi, Zheng Liu, Akito Shimamura, Nguyen Tuan Hung, Yung-Chang Lin, Takahiko Endo, Jiang Pu, Iori Kikuchi, Taishi Takenobu, Susumu Okada, Kazu Suenaga, Riichiro Saito, Yasumitsu Miyata

    ACS Nano   17 ( 6 )   5561 - 5569   2023年2月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：American Chemical Society (ACS)  

    DOI： 10.1021/acsnano.2c10997

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  • Ion-gel-based light-emitting devices using transition metal dichalcogenides and hexagonal boron nitride heterostructures 査読

    Hao Ou, Koshi Oi, Rei Usami, Takahiko Endo, Yasumitsu Miyata, Jiang Pu, Taishi Takenobu

    Japanese Journal of Applied Physics   62 ( SC )   SC1026 - SC1026   2023年1月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IOP Publishing  

    Abstract

    Fabrication of high-performance optoelectronic devices is an important aspect of the application research of transition metal dichalcogenides (TMDCs). In this study, heterostructures of TMDCs and hexagonal boron nitrides (hBN) were successfully fabricated into light-emitting devices. Monolayer and artificially stacked homobilayer WS2 were prepared on hBN, respectively. They were then deposited with electrodes and covered by the ion gels to function as light-emitting devices. Both devices showed clear electroluminescence (EL) with voltages of ∼3 V. In monolayer device, a symmetric EL peak was observed with suppressed inhomogeneity. The bilayer device showed spectra that agreed with the natural bilayer samples. These results indicate the enhancement of the optical performance of TMDCs and the heterostructure could expand the potential of TMDC-based light-emitting devices.

    DOI： 10.35848/1347-4065/acaeb2

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    その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/acaeb2/pdf

  • Efficient and Chiral Electroluminescence from In-Plane Heterostructure of Transition Metal Dichalcogenide Monolayers

    Naoki Wada, Jiang Pu, Yuhei Takaguchi, Wenjin Zhang, Zheng Liu, Takahiko Endo, Toshifumi Irisawa, Kazunari Matsuda, Yuhei Miyauchi, Taishi Takenobu, Yasumitsu Miyata

    ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS   32 ( 40 )   2022年10月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1002/adfm.202203602

    Web of Science

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  • Continuous color‐tunable light‐emitting devices based on compositionally graded monolayer transition metal dichalcogenide alloys

    Jiang Pu, Hao Ou, Tomoyuki Yamada, Naoki Wada, Hibiki Naito, Hiroto Ogura, Takahiko Endo, Zheng Liu, Toshifumi Irisawa, Kazuhiro Yanagi, Yusuke Nakanishi, Yanlin Gao, Mina Maruyama, Susumu Okada, Keisuke Shinokita, Kazunari Matsuda, Yasumitsu Miyata, Taishi Takenobu

    Advanced Materials   2203250 - 2203250   2022年9月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Wiley  

    DOI： 10.1002/adma.202203250

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  • Large-Scale 1T′-Phase Tungsten Disulfide Atomic Layers Grown by Gas-Source Chemical Vapor Deposition

    Mitsuhiro Okada, Jiang Pu, Yung-Chang Lin, Takahiko Endo, Naoya Okada, Wen-Hsin Chang, Anh Khoa Augustin Lu, Takeshi Nakanishi, Tetsuo Shimizu, Toshitaka Kubo, Yasumitsu Miyata, Kazu Suenaga, Taishi Takenobu, Takatoshi Yamada, Toshifumi Irisawa

    ACS Nano   2022年7月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：American Chemical Society (ACS)  

    DOI： 10.1021/acsnano.2c05699

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  • Ultrafast Singlet Fission and Efficient Carrier Transport in a Lamellar Assembly of Bis[(trialkoxyphenyl)ethynyl]pentacene

    Hayato Sakai, Keisuke Yoshino, Yoshiaki Shoji, Takashi Kajitani, Jiang Pu, Takanori Fukushima, Taishi Takenobu, Nikolai V. Tkachenko, Taku Hasobe

    The Journal of Physical Chemistry C   126 ( 22 )   9396 - 9406   2022年6月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：American Chemical Society (ACS)  

    DOI： 10.1021/acs.jpcc.2c00864

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  • Formation of a Two-Dimensional Electronic System in Laterally Assembled WTe Nanowires

    Hiroshi Shimizu, Jiang Pu, Zheng Liu, Hong En Lim, Mina Maruyama, Yusuke Nakanishi, Shunichiro Ito, Iori Kikuchi, Takahiko Endo, Kazuhiro Yanagi, Yugo Oshima, Susumu Okada, Taishi Takenobu, Yasumitsu Miyata

    ACS Applied Nano Materials   5 ( 5 )   6277 - 6284   2022年5月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：American Chemical Society ({ACS})  

    DOI： 10.1021/acsanm.2c00377

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  • Nanowire-to-Nanoribbon Conversion in Transition-Metal Chalcogenides: Implications for One-Dimensional Electronics and Optoelectronics

    Hong En Lim, Zheng Liu, Juan Kim, Jiang Pu, Hiroshi Shimizu, Takahiko Endo, Yusuke Nakanishi, Taishi Takenobu, Yasumitsu Miyata

    ACS Applied Nano Materials   2022年2月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1021/acsanm.1c03160

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  • Three-dimensional networks of superconducting NbSe2 flakes with nearly isotropic large upper critical field 査読

    Togo Takahashi, Chisato Ando, Mitsufumi Saito, Yasumitsu Miyata, Yusuke Nakanishi, Jiang Pu, Taishi Takenobu

    npj 2D Materials and Applications   5 ( 1 )   2021年12月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Springer Science and Business Media LLC  

    <title>Abstract</title>Increasing the upper critical field <italic>H</italic>c2 in superconductors is one of the most significant requirements for superconducting applications. Two-dimensional (2D) noncentrosymmetric NbSe2 is a promising candidate because its pair breaking is protected by the spin-momentum locking effect, resulting in a giant in-plane <italic>H</italic>c2 (~50 T). However, the strong anisotropy of 2D NbSe2 suppresses the robustness of out-of-plane <italic>H</italic>c2 (&lt;5 T). To overcome this issue, we propose a synthetic approach to produce superconducting NbSe2 films with a nearly isotropic large <italic>H</italic>c2. Scalable selenization methods are tailored to create 3D superconducting networks in which 2D NbSe2 flakes are vertically aligned to the substrates. The angle-resolved magneto-transports reveal enhanced <italic>H</italic>c2 values that exceed 20 T for arbitrary directions under externally applied magnetic fields. The isotropic nature of <italic>H</italic>c2 is attributed to the averaging intrinsic anisotropy of NbSe2 through 3D structured films, which was determined by X-ray diffraction measurements. The proposed synthetic approach will provide a new method for creating practical superconductors that are robust against magnetic fields.

    DOI： 10.1038/s41699-021-00210-7

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    その他リンク： http://www.nature.com/articles/s41699-021-00210-7

  • Recent Advances in Light-Emitting Electrochemical Cells with Low-Dimensional Quantum Materials 招待 査読

    Jiang Pu, Taishi Takenobu

    Journal of the Imaging Society of Japan(日本画像学会誌)   60 ( 6 )   656 - 672   2021年10月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者  

    DOI： 10.11370/isj.60.656

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  • Room-Temperature Chiral Light-Emitting Diode Based on Strained Monolayer Semiconductors

    Jiang Pu, Wenjin Zhang, Hirofumi Matsuoka, Yu Kobayashi, Yuhei Takaguchi, Yasumitsu Miyata, Kazunari Matsuda, Yuhei Miyauchi, Taishi Takenobu

    ADVANCED MATERIALS   33 ( 36 )   2021年9月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1002/adma.202100601

    Web of Science

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  • Spatial Control of Dynamic p–i–n Junctions in Transition Metal Dichalcogenide Light-Emitting Devices

    Hao Ou, Hirofumi Matsuoka, Juliette Tempia, Tomoyuki Yamada, Togo Takahashi, Koshi Oi, Yuhei Takaguchi, Takahiko Endo, Yasumitsu Miyata, Chang-Hsiao Chen, Lain-Jong Li, Jiang Pu, Taishi Takenobu

    ACS Nano   15 ( 8 )   12911 - 12921   2021年7月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：American Chemical Society (ACS)  

    DOI： 10.1021/acsnano.1c01242

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  • Electric Double Layer Doping of Charge-Ordered Insulators α-(BEDT-TTF)2I3 and α-(BETS)2I3 査読

    Yoshitaka Kawasugi, Hikaru Masuda, Jiang Pu, Taishi Takenobu, Hiroshi M. Yamamoto, Reizo Kato, Naoya Tajima

    Crystals   11 ( 7 )   791 - 791   2021年7月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：MDPI AG  

    DOI： 10.3390/cryst11070791

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  • Air-stable and efficient electron doping of monolayer MoS2 by salt–crown ether treatment 査読

    Hiroto Ogura, Masahiko Kaneda, Yusuke Nakanishi, Yoshiyuki Nonoguchi, Jiang Pu, Mari Ohfuchi, Toshifumi Irisawa, Hong En Lim, Takahiko Endo, Kazuhiro Yanagi, Taishi Takenobu, Yasumitsu Miyata

    Nanoscale   13 ( 19 )   8784 - 8789   2021年4月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Royal Society of Chemistry (RSC)  

    DOI： 10.1039/d1nr01279g

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    PubMed

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  • One-dimensionality of thermoelectric properties of semiconducting nanomaterials 査読

    Yota Ichinose, Manaho Matsubara, Yohei Yomogida, Akari Yoshida, Kan Ueji, Kaito Kanahashi, Jiang Pu, Taishi Takenobu, Takahiro Yamamoto, Kazuhiro Yanagi

    Physical Review Materials   5 ( 2 )   2021年2月

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  • Wafer-Scale Growth of One-Dimensional Transition-Metal Telluride Nanowires 査読

    Hong En Lim, Yusuke Nakanishi, Zheng Liu, Jiang Pu, Mina Maruyama, Takahiko Endo, Chisato Ando, Hiroshi Shimizu, Kazuhiro Yanagi, Susumu Okada, Taishi Takenobu, Yasumitsu Miyata

    Nano Letters   21 ( 1 )   243 - 249   2021年1月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1021/acs.nanolett.0c03456

    Web of Science

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  • A versatile structure of light-emitting electrochemical cells for printed electronics 査読

    Yuki Tanaka, Jiang Pu, Taishi Takenobu

    Applied Physics Express   13 ( 8 )   084002 - 084002   2020年7月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IOP Publishing  

    DOI： 10.35848/1882-0786/aba56c

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    その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1882-0786/aba56c/pdf

  • Recent Progress on Light‐Emitting Electrochemical Cells with Nonpolymeric Materials 招待 査読

    Keiichiro Matsuki, Jiang Pu, Taishi Takenobu

    Advanced Functional Materials   30 ( 33 )   1908641 - 1908641   2020年5月

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    担当区分：責任著者   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Wiley  

    DOI： 10.1002/adfm.201908641

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    その他リンク： https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full-xml/10.1002/adfm.201908641

  • CVD growth of large-area InS atomic layers and device applications 査読

    Chien-Liang Tu, Kuang-I Lin, Jiang Pu, Tsai-Fu Chung, Chien-Nan Hsiao, An-Ci Huang, Jer-Ren Yang, Taishi Takenobu, Chang-Hsiao Chen

    Nanoscale   12 ( 17 )   9366 - 9374   2020年

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Royal Society of Chemistry (RSC)  

    <p>Indium sulfide (InS) atomic layers made by chemical vapor deposition (CVD) are synthesized onto a mica substrate, producing a highly crystalline, large-area, and atomically thin-film InS flakes.</p>

    DOI： 10.1039/d0nr01104e

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  • 2D Materials for Large‐Area Flexible Thermoelectric Devices

    Kaito Kanahashi, Jiang Pu, Taishi Takenobu

    Advanced Energy Materials   10 ( 11 )   1902842 - 1902842   2019年11月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Wiley  

    DOI： 10.1002/aenm.201902842

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    その他リンク： https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full-xml/10.1002/aenm.201902842

  • Non-Fermi-liquid behavior and doping asymmetry in an organic Mott insulator interface

    Yoshitaka Kawasugi, Kazuhiro Seki, Jiang Pu, Taishi Takenobu, Seiji Yunoki, Hiroshi M. Yamamoto, Reizo Kato

    Physical Review B   100 ( 11 )   2019年9月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：American Physical Society (APS)  

    DOI： 10.1103/physrevb.100.115141

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    その他リンク： https://link.aps.org/article/10.1103/PhysRevB.100.115141

  • Exciton Polarization and Renormalization Effect for Optical Modulation in Monolayer Semiconductors

    Jiang Pu, Keichiro Matsuki, Leiqiang Chu, Yu Kobayashi, Shogo Sasaki, Yasumitsu Miyata, Goki Eda, Taishi Takenobu

    ACS NANO   13 ( 8 )   9218 - 9226   2019年8月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1021/acsnano.9b03563

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  • Electrolyte-Gating-Induced Metal-Like Conduction in Nonstoichiometric Organic Crystalline Semiconductors under Simultaneous Bandwidth Control 査読

    H. Ito, Y. Edagawa, J. Pu, H. Akutsu, M. Suda, H. M. Yamamoto, Y. Kawasugi, R. Haruki, R. Kumai, T. Takenobu

    Phys. Status Solidi   13 ( 10 )   1900162 - 1900175   2019年6月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Wiley  

    DOI： 10.1002/pssr.201900162

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  • Two-dimensional ground-state mapping of a Mott-Hubbard system in a flexible field-effect device 査読

    Hiroshi M. Yamamoto, Yoshitaka Kawasugi, Kazuhiro Seki, Satoshi Tajima, Jiang Pu, Taishi Takenobu, Seiji Yunoki, Hiroshi M. Yamamoto, Reizo Kato

    Science Advances   5 ( 5 )   2019年5月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：American Association for the Advancement of Science ({AAAS})  

    DOI： 10.1126/sciadv.aav7282

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  • Synthesis of Large-Area InSe Monolayers by Chemical Vapor Deposition

    Chang Han-Ching, Tu Chien-Liang, Lin Kuang-I, Pu Jiang, Takenobu Taishi, Hsiao Chien-Nan, Chen Chang-Hsiao

    SMALL   14 ( 39 )   2018年9月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1002/smll.201802351

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  • Monolayer Transition Metal Dichalcogenides as Light Sources

    Pu Jiang, Takenobu Taishi

    ADVANCED MATERIALS   30 ( 33 )   2018年8月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1002/adma.201707627

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  • Self-Aligned and Scalable Growth of Monolayer WSe2–MoS2 Lateral Heterojunctions 査読

    Ming-Yang Li, Jiang Pu, Jing-Kai Huang, Yuhei Miyauchi, Kazunari Matsuda, Taishi Takenobu, Lain-Jong Li

    Advanced Functional Materials   28 ( 17 )   1-7   2018年4月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Wiley-VCH Verlag  

    DOI： 10.1002/adfm.201706860

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  • Chemical hole doping into large-area transition metal dichalcogenide monolayers using boron-based oxidant 査読

    Hirofumi Matsuoka, Kaito Kanahashi, Naoki Tanaka, Yoshiaki Shoji, Lain-Jong Li, Jiang Pu, Hiroshi Ito, Hiromichi Ohta, Takanori Fukushima, Taishi Takenobu

    Japanese Journal of Applied Physics   57 ( 2 )   2018年2月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：Japan Society of Applied Physics  

    DOI： 10.7567/JJAP.57.02CB15

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  • A Versatile and Simple Approach to Generate Light Emission in Semiconductors Mediated by Electric Double Layers 査読

    Jiang Pu, Taiyo Fujimoto, Yuki Ohasi, Shota Kimura, Chang-Hsiao Chen, Lain-Jong Li, Tomo Sakanoue, Taishi Takenobu

    ADVANCED MATERIALS   29 ( 24 )   2017年6月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1002/adma.201606918

    Web of Science

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  • Simultaneous enhancement of conductivity and Seebeck coefficient in an organic Mott transistor 査読

    Yoshitaka Kawasugi, Kazuhiro Seki, Yusuke Edagawa, Yoshiaki Sato, Jiang Pu, Taishi Takenobu, Seiji Yunoki, Hiroshi M. Yamamoto, Reizo Kato

    APPLIED PHYSICS LETTERS   109 ( 23 )   233301   2016年12月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1063/1.4971310

    Web of Science

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  • Photodetection in p-n junctions formed by electrolyte-gated transistors of two-dimensional crystals 査読

    Daichi Kozawa, Jiang Pu, Ryo Shimizu, Shota Kimura, Ming-Hui Chiu, Keiichiro Matsuki, Yoshifumi Wada, Tomo Sakanoue, Yoshihiro Iwasa, Lain-Jong Li, Taishi Takenobu

    APPLIED PHYSICS LETTERS   109 ( 20 )   201107   2016年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1063/1.4967173

    Web of Science

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  • Electron-hole doping asymmetry of Fermi surface reconstructed in a simple Mott insulator 査読

    Yoshitaka Kawasugi, Kazuhiro Seki, Yusuke Edagawa, Yoshiaki Sato, Jiang Pu, Taishi Takenobu, Seiji Yunoki, Hiroshi M. Yamamoto, Reizo Kato

    Nature Communications   7   12356   2016年8月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1038/ncomms12356

    Web of Science

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  • Thermoelectric Detection of Multi-Subband Density of States in Semiconducting and Metallic Single-Walled Carbon Nanotubes 査読

    Sunao Shimizu, Takahiko Iizuka, Kaito Kanahashi, Jiang Pu, Kazuhiro Yanagi, Taishi Takenobu, Yoshihiro Iwasa

    SMALL   12 ( 25 )   3388 - +   2016年7月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1002/smll.201600807

    Web of Science

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  • Enhanced thermoelectric power in two-dimensional transition metal dichalcogenide monolayers 査読

    Jiang Pu, Kaito Kanahashi, Nguyen Thanh Cuong, Chang-Hsiao Chen, Lain-Jong Li, Susumu Okada, Hiromichi Ohta, Taishi Takenobu

    PHYSICAL REVIEW B   94 ( 1 )   014312   2016年7月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1103/PhysRevB.94.014312

    Web of Science

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  • Effects of electrolyte gating on photoluminescence spectra of large-area WSe2 monolayer films 査読

    Keiichiro Matsuki, Jiang Pu, Daichi Kozawa, Kazunari Matsuda, Lain-Jong Li, Taishi Takenobu

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 ( 6 )   06GB02   2016年6月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/JJAP.55.06GB02

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  • Highly Flexible and High-Performance Complementary Inverters of Large-Area Transition Metal Dichalcogenide Monolayers 査読

    Jiang Pu, Kazuma Funahashi, Chang-Hsiao Chen, Ming-Yang Li, Lain-Jong Li, Taishi Takenobu

    ADVANCED MATERIALS   28 ( 21 )   4111 - 4119   2016年6月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1002/adma.201503872

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  • 20pBE-7 MX_2/Graphiteファンデルワールスヘテロ接合界面におけるシュタルク効果

    蒲 江, 松木 啓一郎, 小林 佑, 佐々木 将吾, 小澤 大知, 宮田 耕充, 竹延 大志

    日本物理学会講演概要集   71   1873 - 1873   2016年

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会  

    DOI： 10.11316/jpsgaiyo.71.1.0_1873

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  • κ型ET塩に対する電気二重層を用いたキャリアドーピングIV

    川椙 義高, 関 和弘, 枝川 祐介, 佐藤 慶明, 蒲 江, 竹延 大志, 柚木 清司, 山本 浩史, 加藤 礼三

    日本物理学会講演概要集   71   1712 - 1712   2016年

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人 日本物理学会  

    <p>我々のグループでは、電気二重層トランジスタの原理を利用して$\kappa$型ET塩にキャリアドーピングを行い、有機モット絶縁体における電子-正孔ドーピング対称性を調べている。前回までにホール係数およびクラスター摂動理論から導かれるドーピング非対称性について報告した。今回は、電気伝導率の異方性とゼーベック係数の電子-正孔ドーピング対称性について発表する。</p>

    DOI： 10.11316/jpsgaiyo.71.2.0_1712

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  • 金属および半導体単層カーボンナノチューブの熱電効果

    清水 直, 飯塚 貴彦, 金橋 魁利, 蒲 江, 柳 和宏, 竹延 大志, 岩佐 義宏

    日本物理学会講演概要集   71   2196 - 2196   2016年

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人 日本物理学会  

    <p>近年、薄膜や超格子構造、またナノワイヤーなど、低次元電子系の熱電特性が非常に注目を集めている。我々は、電気二重層トランジスタの方法を用いて、金属および半導体単層カーボンナノチューブのフェルミレベルをn型からp型まで連続的に制御し、熱電特性を系統的に調べた。本講演では、フェルミレベルやバンド構造によるゼーベック効果の変化を議論した上で、パワーファクターの最適化について報告したい。</p>

    DOI： 10.11316/jpsgaiyo.71.2.0_2196

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  • Strategy for improved frequency response of electric double-layer capacitors 査読

    Yoshifumi Wada, Jiang Pu, Taishi Takenobu

    APPLIED PHYSICS LETTERS   107 ( 15 )   153505   2015年10月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1063/1.4933255

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  • Functional nanomaterial devices 査読

    Jiang Pu, Taishi Takenobu

    Organic Electronics Materials and Devices   155 - 193   2015年9月

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    記述言語：英語   掲載種別：論文集(書籍)内論文   出版者・発行元：Springer Japan  

    DOI： 10.1007/978-4-431-55654-1_7

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  • Large-area WSe2 electric double layer transistors on a plastic substrate 査読

    Kazuma Funahashi, Jiang Pu, Ming-Yang Li, Lain-Jong Li, Yoshihiro Iwasa, Taishi Takenobu

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   54 ( 6 )   06FF06   2015年6月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/JJAP.54.06FF06

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  • 23pAB-1 単層WSe_2を用いた電気二重層発光ダイオード

    蒲 江, 藤本 太陽, Huang Jing-Kai, Li Lain-Jong, 坂上 知, 竹延 大志

    日本物理学会講演概要集   70   1345 - 1345   2015年

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会  

    DOI： 10.11316/jpsgaiyo.70.1.0_1345

    CiNii Books

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  • 16pAF-9 κ型ET塩に対する電気二重層を用いたキャリアドーピングIII

    川椙 義高, 関 和弘, 枝川 祐介, 佐藤 慶明, 蒲 江, 竹延 大志, 山本 浩史, 加藤 礼三

    日本物理学会講演概要集   70   1515 - 1515   2015年

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会  

    DOI： 10.11316/jpsgaiyo.70.2.0_1515

    CiNii Books

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  • 17pAH-8 単層WSe_2における電流励起発光の電場依存性

    蒲 江, Chu Leiqiang, 坂上 知, Eda Goki, 竹延 大志

    日本物理学会講演概要集   70   1596 - 1596   2015年

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会  

    DOI： 10.11316/jpsgaiyo.70.2.0_1596

    CiNii Books

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  • 22aAS-2 k型ET塩に対する電気二重層を用いたキャリアドーピングII

    川椙 義高, 枝川 祐介, 佐藤 慶明, 蒲 江, 竹延 大志, 山本 浩史, 加藤 礼三

    日本物理学会講演概要集   70   1833 - 1833   2015年

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会  

    DOI： 10.11316/jpsgaiyo.70.1.0_1833

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  • Hole mobility enhancement and p-doping in monolayer WSe2 by gold decoration 査読

    Chang-Hsiao Chen, Chun-Lan Wu, Jiang Pu, Ming-Hui Chiu, Pushpendra Kumar, Taishi Takenobu, Lain-Jong Li

    2D MATERIALS   1 ( 3 )   034001   2014年12月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1088/2053-1583/1/3/034001

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  • Charge transport in ion-gated mono-, bi-, and trilayer MoS2 field effect transistors 査読

    Leiqiang Chu, Hennrik Schmidt, Jiang Pu, Shunfeng Wang, Barbaros Oezyilmaz, Taishi Takenobu, Goki Eda

    SCIENTIFIC REPORTS   4   7293   2014年12月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1038/srep07293

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  • Monolayer MoSe2 Grown by Chemical Vapor Deposition for Fast Photodetection 査読

    Yung-Huang Chang, Wenjing Zhang, Yihan Zhu, Yu Han, Jiang Pu, Jan-Kai Chang, Wei-Ting Hsu, Jing-Kai Huang, Chang-Lung Hsu, Ming-Hui Chiu, Taishi Takenobu, Henan Li, Chih-I Wu, Wen-Hao Chang, Andrew Thye Shen Wee, Lain-Jong Li

    ACS NANO   8 ( 8 )   8582 - 8590   2014年8月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1021/nn503287m

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  • 単層遷移金属ダイカルコゲナイドにおける熱電効果の電場変調(7pAH 領域4,領域7合同グラフェン関連(新物質・原子層),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

    蒲, 江, 金橋, 魁利, Nguyen, Thanh Cuong, Li, Lain-Jong, 岡田, 晋, 太田, 裕道, 竹延, 大志

    日本物理学会講演概要集   69 ( 2 )   470   2014年8月

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    記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会  

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  • Large-Area Synthesis of Highly Crystalline WSe2 Mono layers and Device Applications 査読

    Jing-Kai Huang, Jiang Pu, Chang-Lung Hsu, Ming-Hui Chiu, Zhen-Yu Juang, Yung-Huang Chang, Wen-Hao Chang, Yoshihiro Iwasa, Taishi Takenobu, Lain-Jong Li

    ACS NANO   8 ( 1 )   923 - 930   2014年1月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1021/nn405719x

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  • Flexible and stretchable thin-film transistors based on molybdenum disulphide 招待 査読

    Jiang Pu, Lain-Jong Li, Taishi Takenobu

    PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS   16 ( 29 )   14996 - 15006   2014年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1039/c3cp55270e

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  • Novel Functional Devices of Transition Metal Dichalcogenide Monolayers 査読

    Taishi Takenobu, Jiang Pu, Lain-Jong Li, Yoshihiro Iwasa

    2014 21ST INTERNATIONAL WORKSHOP ON ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAYS AND DEVICES (AM-FPD)   283 - 286   2014年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Fabrication of stretchable MoS2 thin-film transistors using elastic ion-gel gate dielectrics 査読

    Jiang Pu, Yijin Zhang, Yoshifumi Wada, Jacob Tse-Wei Wang, Lain-Jong Li, Yoshihiro Iwasa, Taishi Takenobu

    APPLIED PHYSICS LETTERS   103 ( 2 )   023505   2013年7月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1063/1.4813311

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  • Ambipolar Organic Single-Crystal Transistors Based on Ion Gels 査読

    Yohei Yomogida, Jiang Pu, Hidekazu Shimotani, Shimpei Ono, Shu Hotta, Yoshihiro Iwasa, Taishi Takenobu

    ADVANCED MATERIALS   24 ( 32 )   4392 - 4397   2012年8月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1002/adma.201200655

    Web of Science

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  • Highly Flexible MoS2 Thin-Film Transistors with Ion Gel Dielectrics 査読

    Jiang Pu, Yohei Yomogida, Keng-Ku Liu, Lain-Jong Li, Yoshihiro Iwasa, Taishi Takenobu

    NANO LETTERS   12 ( 8 )   4013 - 4017   2012年8月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1021/nl301335q

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書籍等出版物

  • カーボンナノチューブ・グラフェンの応用研究最前線

    蒲江, 竹延大志（ 担当： 共著 範囲: フレキシブルトランジスタ開発）

    エヌ・ティー・エス  2016年9月  （ ISBN:9784860434564 ）

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    担当ページ：243-249   記述言語：日本語   著書種別：学術書

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  • カルコゲナイド系層状物質の最新研究

    蒲江, 竹延大志（ 担当： 共著 範囲: カルコゲナイド系層状物質を用いた電気二重層トランジスタ）

    シーエムシー出版  2016年7月  （ ISBN:9784781311661 ）

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    担当ページ：217-227   記述言語：日本語   著書種別：学術書

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  • Organic Electronics Materials and Devices

    Jiang Pu, Taishi Takenobu（ 担当： 共著 範囲: Functional Nanomaterials Devices）

    Springer  2015年  （ ISBN:9784431556541 ）

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    担当ページ：155-193   記述言語：英語   著書種別：学術書

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  • Molybdenum Disulfide Enables Flexible Transistors

    Jiang Pu, Taishi Takenobu, Lain-Jong Li（ 範囲: Molybdenum Disulfide Enables Flexible Transistors）

    American Chemical Society  2012年 

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    担当ページ：Chemical & Engineering News   記述言語：英語  

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MISC

  • 分子性メモリスタ(Et-4BrT)[Ni(dmit)2]2を用いた自励発振

    大島勇吾, 竹延大志, PU J., 石黒圭祐, 加藤礼三, 山本浩史, 草本哲郎

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)   79 ( 2 )   2024年

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  • 分子性メモリスタ(Et-4BrT)[Ni(dmit)2]2を用いた自励発振

    大島勇吾, 竹延大志, PU Jiang, 石黒圭祐, 加藤礼三, 山本浩史, 草本哲郎

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   84th   2023年

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  • 分子性メモリスタ候補物質(Et-4BrT)[Ni(dmit)2]2の物性

    大島勇吾, 竹延大志, PU Jiang, 石黒圭祐, 加藤礼三, 山本浩史, 草本哲郎

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   70th   2023年

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  • 気体原料を用いた1T′相WS2の化学気相成長

    岡田光博, LIN Yung-Chang, 菊地伊織, 岡田直也, CHANG Wen Hsin, 清水哲夫, 久保利隆, PU Jiang, 竹延大志, 山田貴壽, 入沢寿史

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   82nd   2021年

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  • 2D Materials for Large-Area Flexible Thermoelectric Devices

    Kaito Kanahashi, Jiang Pu, Taishi Takenobu

    ADVANCED ENERGY MATERIALS   10 ( 11 )   2020年3月

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    記述言語：英語   掲載種別：書評論文，書評，文献紹介等  

    DOI： 10.1002/aenm.201902842

    Web of Science

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  • Self-Aligned and Scalable Growth of Monolayer WSe2–MoS2 Lateral Heterojunctions 査読

    Ming-Yang Li, Jiang Pu, Jing-Kai Huang, Yuhei Miyauchi, Kazunari Matsuda, Taishi Takenobu, Lain-Jong Li

    Advanced Functional Materials   28 ( 17 )   1-7   2018年4月

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    記述言語：英語   掲載種別：速報，短報，研究ノート等（学術雑誌）   出版者・発行元：Wiley-VCH Verlag  

    DOI： 10.1002/adfm.201706860

    Scopus

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  • Chemical hole doping into large-area transition metal dichalcogenide monolayers using boron-based oxidant 査読

    Hirofumi Matsuoka, Kaito Kanahashi, Naoki Tanaka, Yoshiaki Shoji, Lain-Jong Li, Jiang Pu, Hiroshi Ito, Hiromichi Ohta, Takanori Fukushima, Taishi Takenobu

    Japanese Journal of Applied Physics   57 ( 2 )   2018年2月

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    記述言語：英語   掲載種別：速報，短報，研究ノート等（学術雑誌）   出版者・発行元：Japan Society of Applied Physics  

    DOI： 10.7567/JJAP.57.02CB15

    Scopus

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  • 分子性物質・原子層物質のための高感度ESR測定装置の開発

    大島勇吾, 木村尚次郎, 加藤礼三, PU J., 竹延大志

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)   73 ( 2 )   2018年

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  • A Versatile and Simple Approach to Generate Light Emission in Semiconductors Mediated by Electric Double Layers 査読

    Jiang Pu, Taiyo Fujimoto, Yuki Ohasi, Shota Kimura, Chang-Hsiao Chen, Lain-Jong Li, Tomo Sakanoue, Taishi Takenobu

    ADVANCED MATERIALS   29 ( 24 )   2017年6月

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    記述言語：英語   掲載種別：速報，短報，研究ノート等（学術雑誌）  

    DOI： 10.1002/adma.201606918

    Web of Science

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  • Simultaneous enhancement of conductivity and Seebeck coefficient in an organic Mott transistor 査読

    Yoshitaka Kawasugi, Kazuhiro Seki, Yusuke Edagawa, Yoshiaki Sato, Jiang Pu, Taishi Takenobu, Seiji Yunoki, Hiroshi M. Yamamoto, Reizo Kato

    APPLIED PHYSICS LETTERS   109 ( 23 )   233301   2016年12月

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    記述言語：英語   掲載種別：速報，短報，研究ノート等（学術雑誌）  

    DOI： 10.1063/1.4971310

    Web of Science

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  • Photodetection in p-n junctions formed by electrolyte-gated transistors of two-dimensional crystals 査読

    Daichi Kozawa, Jiang Pu, Ryo Shimizu, Shota Kimura, Ming-Hui Chiu, Keiichiro Matsuki, Yoshifumi Wada, Tomo Sakanoue, Yoshihiro Iwasa, Lain-Jong Li, Taishi Takenobu

    APPLIED PHYSICS LETTERS   109 ( 20 )   201107   2016年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：速報，短報，研究ノート等（学術雑誌）  

    DOI： 10.1063/1.4967173

    Web of Science

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  • Electron-hole doping asymmetry of Fermi surface reconstructed in a simple Mott insulator 査読

    Yoshitaka Kawasugi, Kazuhiro Seki, Yusuke Edagawa, Yoshiaki Sato, Jiang Pu, Taishi Takenobu, Seiji Yunoki, Hiroshi M. Yamamoto, Reizo Kato

    Nature Communications   7   12356   2016年8月

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    記述言語：英語   掲載種別：速報，短報，研究ノート等（学術雑誌）  

    DOI： 10.1038/ncomms12356

    Web of Science

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  • Enhanced thermoelectric power in two-dimensional transition metal dichalcogenide monolayers 査読

    Jiang Pu, Kaito Kanahashi, Nguyen Thanh Cuong, Chang-Hsiao Chen, Lain-Jong Li, Susumu Okada, Hiromichi Ohta, Taishi Takenobu

    PHYSICAL REVIEW B   94 ( 1 )   014312   2016年7月

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    記述言語：英語   掲載種別：速報，短報，研究ノート等（学術雑誌）  

    DOI： 10.1103/PhysRevB.94.014312

    Web of Science

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  • Thermoelectric Detection of Multi-Subband Density of States in Semiconducting and Metallic Single-Walled Carbon Nanotubes 査読

    Sunao Shimizu, Takahiko Iizuka, Kaito Kanahashi, Jiang Pu, Kazuhiro Yanagi, Taishi Takenobu, Yoshihiro Iwasa

    SMALL   12 ( 25 )   3388 - +   2016年7月

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    記述言語：英語   掲載種別：速報，短報，研究ノート等（学術雑誌）  

    DOI： 10.1002/smll.201600807

    Web of Science

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  • Highly Flexible and High-Performance Complementary Inverters of Large-Area Transition Metal Dichalcogenide Monolayers 査読

    Jiang Pu, Kazuma Funahashi, Chang-Hsiao Chen, Ming-Yang Li, Lain-Jong Li, Taishi Takenobu

    ADVANCED MATERIALS   28 ( 21 )   4111 - 4119   2016年6月

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    記述言語：英語   掲載種別：速報，短報，研究ノート等（学術雑誌）  

    DOI： 10.1002/adma.201503872

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  • Effects of electrolyte gating on photoluminescence spectra of large-area WSe2 monolayer films 査読

    Keiichiro Matsuki, Jiang Pu, Daichi Kozawa, Kazunari Matsuda, Lain-Jong Li, Taishi Takenobu

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 ( 6 )   06GB02   2016年6月

    　詳細を見る

    記述言語：英語   掲載種別：速報，短報，研究ノート等（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/JJAP.55.06GB02

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  • Strategy for improved frequency response of electric double-layer capacitors 査読

    Yoshifumi Wada, Jiang Pu, Taishi Takenobu

    APPLIED PHYSICS LETTERS   107 ( 15 )   153505   2015年10月

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    記述言語：英語   掲載種別：速報，短報，研究ノート等（学術雑誌）  

    DOI： 10.1063/1.4933255

    Web of Science

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  • Large-area WSe2 electric double layer transistors on a plastic substrate 査読

    Kazuma Funahashi, Jiang Pu, Ming-Yang Li, Lain-Jong Li, Yoshihiro Iwasa, Taishi Takenobu

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   54 ( 6 )   06FF06   2015年6月

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    記述言語：英語   掲載種別：速報，短報，研究ノート等（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/JJAP.54.06FF06

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  • 大面積WSe2単層膜の電場・電荷変調発光分光

    松木啓一郎, PU Jiang, 小澤大知, 小澤大知, 松田一成, LI Lain-Jong, 竹延大志, 竹延大志

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   76th   2015年

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  • Charge transport in ion-gated mono-, bi-, and trilayer MoS2 field effect transistors 査読

    Leiqiang Chu, Hennrik Schmidt, Jiang Pu, Shunfeng Wang, Barbaros Oezyilmaz, Taishi Takenobu, Goki Eda

    SCIENTIFIC REPORTS   4   7293   2014年12月

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    記述言語：英語   掲載種別：速報，短報，研究ノート等（学術雑誌）  

    DOI： 10.1038/srep07293

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  • Hole mobility enhancement and p-doping in monolayer WSe2 by gold decoration 査読

    Chang-Hsiao Chen, Chun-Lan Wu, Jiang Pu, Ming-Hui Chiu, Pushpendra Kumar, Taishi Takenobu, Lain-Jong Li

    2D MATERIALS   1 ( 3 )   034001   2014年12月

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    記述言語：英語   掲載種別：速報，短報，研究ノート等（学術雑誌）  

    DOI： 10.1088/2053-1583/1/3/034001

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  • 10aBH-11 電気二重層トランジスタを用いたカーボンナノチューブの熱電能の電界制御(10aBH 領域8(後半のみ領域7と合同) パイロクロア・スピネル・電界効果,領域8(強相関系))

    飯塚 貴彦, 清水 直, 蒲 江, 濱畑 裕紀, 柳和 宏, 竹延 大志, 岩佐 義宏

    日本物理学会講演概要集   69 ( 2 )   455 - 455   2014年8月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会  

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  • 7pAH-11 単層遷移金属ダイカルコゲナイド大面積膜を用いたpn接合素子(7pAH 領域4,領域7合同グラフェン関連(新物質・原子層),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

    和田 義史, 蒲 江, 清水 諒, Chen C.-H., Li L.-J., 岩佐 義宏, 竹延 大志

    日本物理学会講演概要集   69 ( 2 )   470 - 470   2014年8月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会  

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  • Monolayer MoSe2 Grown by Chemical Vapor Deposition for Fast Photodetection 査読

    Yung-Huang Chang, Wenjing Zhang, Yihan Zhu, Yu Han, Jiang Pu, Jan-Kai Chang, Wei-Ting Hsu, Jing-Kai Huang, Chang-Lung Hsu, Ming-Hui Chiu, Taishi Takenobu, Henan Li, Chih-I Wu, Wen-Hao Chang, Andrew Thye Shen Wee, Lain-Jong Li

    ACS NANO   8 ( 8 )   8582 - 8590   2014年8月

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    記述言語：英語   掲載種別：速報，短報，研究ノート等（学術雑誌）  

    DOI： 10.1021/nn503287m

    Web of Science

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  • Large-Area Synthesis of Highly Crystalline WSe2 Mono layers and Device Applications 査読

    Jing-Kai Huang, Jiang Pu, Chang-Lung Hsu, Ming-Hui Chiu, Zhen-Yu Juang, Yung-Huang Chang, Wen-Hao Chang, Yoshihiro Iwasa, Taishi Takenobu, Lain-Jong Li

    ACS NANO   8 ( 1 )   923 - 930   2014年1月

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    記述言語：英語   掲載種別：速報，短報，研究ノート等（学術雑誌）  

    DOI： 10.1021/nn405719x

    Web of Science

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  • Flexible and stretchable thin-film transistors based on molybdenum disulphide 招待 査読

    Jiang Pu, Lain-Jong Li, Taishi Takenobu

    PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS   16 ( 29 )   14996 - 15006   2014年

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    記述言語：英語   掲載種別：速報，短報，研究ノート等（学術雑誌）  

    DOI： 10.1039/c3cp55270e

    Web of Science

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  • 25pEA-1 単層WSe_2薄膜を用いた電気二重層トランジスタ(電界効果,領域8,領域7合同,領域7(分子性個体・有機導体))

    蒲 江, Huang Jing-Kai, 清水 諒, 舟橋 一真, Li Lain-Jong, 岩佐 義宏, 竹延 大志

    日本物理学会講演概要集   68 ( 2 )   745 - 745   2013年8月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会  

    CiNii Books

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  • 25pEA-1 単層WSe_2薄膜を用いた電気二重層トランジスタ(電界効果,領域8,領域7合同,領域8(強相関系分野:高温超伝導,強相関f電子系など))

    蒲 江, Huang Jing-Kai, 清水 諒, 舟橋 一真, Li Lain-Jong, 岩佐 義宏, 竹延 大志

    日本物理学会講演概要集   68 ( 2 )   473 - 473   2013年8月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会  

    CiNii Books

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  • Fabrication of stretchable MoS2 thin-film transistors using elastic ion-gel gate dielectrics 査読

    Jiang Pu, Yijin Zhang, Yoshifumi Wada, Jacob Tse-Wei Wang, Lain-Jong Li, Yoshihiro Iwasa, Taishi Takenobu

    APPLIED PHYSICS LETTERS   103 ( 2 )   023505   2013年7月

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    記述言語：英語   掲載種別：速報，短報，研究ノート等（学術雑誌）  

    DOI： 10.1063/1.4813311

    Web of Science

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  • 26pXZE-2 電気二重層トランジスタにおけるイオン液体の周波数特性(26pXZE 領域8,領域7合同 電界効果・薄膜,領域7(分子性固体・有機導体))

    和田 義史, 蒲 江, 高木 勇樹, 柳 和宏, 竹延 大志

    日本物理学会講演概要集   68 ( 1 )   917 - 917   2013年3月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会  

    CiNii Books

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  • 26pXZE-2 電気二重層トランジスタにおけるイオン液体の周波数特性(26pXZE 領域8,領域7合同 電界効果・薄膜,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))

    和田 義史, 蒲 江, 高木 勇樹, 柳 和宏, 竹延 大志

    日本物理学会講演概要集   68 ( 1 )   593 - 593   2013年3月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会  

    CiNii Books

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  • 26pXZE-3 MoS_2電気二重層トランジスタにおける一軸性歪みの影響(26pXZE 領域8,領域7合同 電界効果・薄膜,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))

    蒲 江, 張 奕勁, 和田 義史, Wang Jacob Tse-Wei, Li Lain-Jong, 岩佐 義宏, 竹延 大志

    日本物理学会講演概要集   68 ( 1 )   593 - 593   2013年3月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会  

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  • 26pXZE-3 MoS_2電気二重層トランジスタにおける-軸性歪みの影響(26pXZE 領域8,領域7合同 電界効果・薄膜,領域7(分子性固体・有機導体))

    蒲 江, 張 奕勁, 和田 義史, Wang Jacob Tse-Wei, Li Lain Jong, 岩佐 義宏, 竹延 大志

    日本物理学会講演概要集   68 ( 1 )   917 - 917   2013年3月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会  

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  • 19aFH-3 イオンゲルを用いたMoS_2薄膜トランジスタ(19aFH 電界効果・化学ドーピング,領域7(分子性固体・有機導体))

    蒲 江, 蓬田 陽平, Liu Keng-Ku, Li Lain-Jong, 岩佐 義宏, 竹延 大志

    日本物理学会講演概要集   67 ( 2 )   771 - 771   2012年8月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会  

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  • Highly Flexible MoS2 Thin-Film Transistors with Ion Gel Dielectrics 査読

    Jiang Pu, Yohei Yomogida, Keng-Ku Liu, Lain-Jong Li, Yoshihiro Iwasa, Taishi Takenobu

    NANO LETTERS   12 ( 8 )   4013 - 4017   2012年8月

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    記述言語：英語   掲載種別：速報，短報，研究ノート等（学術雑誌）  

    DOI： 10.1021/nl301335q

    Web of Science

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  • Ambipolar Organic Single-Crystal Transistors Based on Ion Gels 査読

    Yohei Yomogida, Jiang Pu, Hidekazu Shimotani, Shimpei Ono, Shu Hotta, Yoshihiro Iwasa, Taishi Takenobu

    ADVANCED MATERIALS   24 ( 32 )   4392 - 4397   2012年8月

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    記述言語：英語   掲載種別：速報，短報，研究ノート等（学術雑誌）  

    DOI： 10.1002/adma.201200655

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講演・口頭発表等

  • Direct Electroluminescence Imaging of Transition Metal Dichalcogenides

    Jiang Pu, Wenjin Zhang, Yu Kobayashi, Yuhei Takaguchi, Yasumitsu Miyata, Lain-Jong Li, Kazunari Matsuda, Yuhei Miyauchi, Taishi Takenobu

    SSDM2018  2018年9月  The SSDM2018 Organizing Committee

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    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：東京大学  

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  • 電気二重層ドーピングとひずみ制御によるκ型ET塩の超伝導相の探索II 国際会議

    川椙義高, 関和弘, 蒲江, 竹延大志, 柚木清司, 山本浩史, 加藤礼三

    日本物理学会  2018年3月  日本物理学会

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    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：東京理科大学  

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  • フレキシブルMoS2薄膜トランジスタ 国際会議

    蒲江, 蓬田陽平, K.-K. Liu, L.-J. Li, 岩佐義宏, 竹延大志

    第74回応用物理学会秋季学術講演会  2012年9月 

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    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：愛媛大学  

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  • Ambipolar organic single-crystal transistors based on ion gels

    J. Pu, Y. Yomogida, H. Shimotani, S. Ono, S. Hotta, Y. Iwasa, T. Takenobu

    ICFPE2012  2012年9月 

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    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Tokyo  

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  • Monolayer WSe2-MoS2 Lateral Heterojunction Light-Emitting Diodes

    Jiang Pu, Ming-Yang Li, Jing-Kai Huang, Yuhei Miyauchi, Kazunari Matsuda, Lain-Jong Li, Taishi Takenobu

    The 54th Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium  2018年3月  The Fullerenes, Nanotubes and Graphene Research Society

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    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：The University of Tokyo  

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  • MoS2電気二重層トランジスタにおける一軸性歪みの影響 国際会議

    蒲江, 張奕勁, 和田義史, J. Wang, L.-J. Li, 岩佐義宏, 竹延大志

    日本物理学会 第68回年次大会  2013年3月 

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    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：広島大学  

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  • イオンゲルを用いたMoS2薄膜トランジスタ 国際会議

    蒲江, 蓬田陽平, K.-K. Liu, L.-J. Li, 岩佐義宏, 竹延大志

    日本物理学会 2012年秋季大会  2012年9月 

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    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：横浜国立大学  

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  • Electric Double Layer Transistors of Transition Metal Dichalcogenides

    J. Pu, K. Funahashi, C.-H. Chen, Y. Iwasa, L.-J. Li, T. Takenobu

    RPGR2014  2014年9月 

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    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Taiwan  

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  • 単層遷移金属ダイカルコゲナイドにおける熱電効果の電場変調 国際会議

    蒲江, 金橋魁利, N. T. Cuong, L.-J. Li, 岡田晋, 太田裕道, 竹延大志

    日本物理学会2014年秋季大会  2014年9月 

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    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：中部大学  

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  • 単層WSe2を用いた電気二重層発光ダイオード 国際会議

    蒲江, 藤本太陽, J.-K. Huang, L.-J. Li, 坂上知, 竹延大志

    日本物理学会 第70回年次大会  2015年3月 

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    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：早稲田大学  

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  • Electric Double Layer Light-emitting Diodes of Monolayer WSe2 国際会議

    J. Pu, T. Fujimoto, J.-K. Huang, L.-J. Li, T. Sakanoue, T. Takenobu

    The 48th FNTG Symposium  2015年2月 

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    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Tokyo  

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  • High gain CMOS inverters based on transition metal dichalcogenides 国際会議

    J. Pu, J.-K. Huang, Y. Iwasa, L.-J. Li, T. Takenobu

    The 46th FNTG Symposium  2014年2月 

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    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Tokyo  

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  • 遷移金属ダイカルコゲナイドを用いた電気二重層トランジスタ 国際会議

    蒲江, J.-K. Huang, 清水諒, 舟橋一真, L.-J. Li, 岩佐義宏, 竹延大志

    第74回応用物理学会秋季学術講演会  2013年9月 

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    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：同志社大学  

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  • Flexible and stretchable thin-film transistors of transition metal dichalcogenides 招待 国際会議

    J.Pu

    Innovation in R&D of the Flexible Electronics -Toward the Inorganic Flexible Devices-  2014年9月  The Japan Society of Applied Physics

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    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

    開催地：北海道大学  

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  • 大面積単層WSe2薄膜を用いたPNフォトダイオード 国際会議

    蒲江, 清水諒, C.-H. Chen, 岩佐義宏, L.-J. Li, 竹延大志

    第61回応用物理学会春季学術講演会  2014年3月 

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    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：青山学院大学  

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  • 単層WSe2薄膜を用いた電気二重層トランジスタ 国際会議

    蒲江, J.-K. Huang, 清水諒, 舟橋一真, L.-J. Li, 岩佐義宏, 竹延大志

    日本物理学会 2013年秋季大会  2013年9月 

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    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：徳島大学  

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  • Flexible, stretchable MoS2 thin-film transistors with ion-gel gate dielectrics

    J. Pu, Y. Yomogida, K.-K. Liu, L.-J. Li, Y. Iwasa, T. Takenobu

    APPC12  2013年7月 

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    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Chiba, Japan  

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  • イオンゲルを用いた単結晶両極性電気二重層トランジスタ 国際会議

    蒲江, 蓬田陽平, 下谷秀和, 山雄健史, 堀田収, 岩佐義宏, 竹延大志

    日本物理学会 第67回年次大会  2012年3月 

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    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：関西学院大学  

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  • 多結晶遷移金属ダイカルコゲナイド単層膜の電流励起発光イメージング 国際会議

    松岡拓史, 蒲江, Lain-Jong Li, 坂上知, 竹延大志

    応用物理学会  2018年3月  応用物理学会

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    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：早稲田大学  

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  • Electric Double Layer Light Emitting Diode of WSe2/MoSe2 in-plane heterostructures

    Yuhei Takaguchi, Jiang Pu, Yu Kobayashi, Taishi Takenobu, Yutaka Maniwa, Yasumitsu Miyata

    The 53rd Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium  2017年9月  The Fullerenes, Nanotubes and Graphene Research Society

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    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Kyoto University  

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  • WSe2/MoSe2面内ヘテロ構造を利用した電気二重層発光ダイオード 国際会議

    高口裕平, 蒲江, 小林佑, 竹延大志, 真庭豊, 宮田耕充

    応用物理学会  2017年9月  応用物理学会

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    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：九州国際会議場  

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  • 電気二重層ドーピングとひずみ制御によるκ型ET塩の超伝導相の探索 国際会議

    川椙義高, 関和弘, 蒲江, 竹延大志, 柚木清司, 山本浩史, 加藤礼三

    物理学会  2017年9月  日本物理学会

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    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：岩手大学  

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  • Electroluminescence Imaging of Large-Area Transition Metal Dichalcogenide Light-emitting Diodes

    Hirofumi Matsuoka, Lain-Jong Li, Jiang Pu, Taishi Takenobu

    The 53rd Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium  2017年9月  The Fullerenes, Nanotubes and Graphene Research Society

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    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Kyoto University  

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  • Transport properties of CVD-grown monolayer MoS2 crystals

    Tomomi Uchida, Yu Kobayashi, Jiang Pu, Taishi Takenobu, Takahiko Endo, Yutaka Maniwa, Yasumitsu Miyata

    The 53rd Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium  2017年9月  The Fullerenes, Nanotubes and Graphene Research Society

    　詳細を見る

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Kyoto University  

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  • 大面積MoS2単層膜における電界誘起金属-絶縁体転移 国際会議

    蒲江, 山田知之, Lain-Jong Li, 松田達磨, 蓬田陽平, 柳和宏, 伊東 裕, 竹延 大志

    応用物理学会  2017年9月 

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    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：九州国際会議場  

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  • 多結晶MoS2単層膜における電界誘起金属-絶縁体転移

    蒲江, 枝川祐介, 三田村昌哉, 河合英輝, Lain-Jong Li, 蓬田 陽平, 柳 和宏, 伊東 裕, 竹延 大志

    日本物理学会  2017年3月 

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    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：大阪大学  

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  • 電解質を用いた単層遷移金属ダイカルコゲナイド発光素子 国際会議

    蒲江, Wenjin Zhang, 松岡拓史, 小林佑, 高口裕平, 宮田 耕充, Lain-Jong Li, 松田一成, 宮内雄平, 竹延大志

    日本物理学会  2017年9月 

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    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：岩手大学  

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  • Direct Electroluminescence Imaging of Transition Metal Dichalcogenides 国際会議

    Jiang Pu, Wenjin Zhang, Hirofumi Matsuoka, Yu Kobayashi, Yuhei Takaguchi, Yasumitsu Miyata, Lain-Jong Li, Kazunari Matsuda, Yuhei Miyauchi, Taishi Takenobu

    The 53th FNTG Symposium  2017年9月 

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    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：京都大学  

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  • Highly Flexible and Extremely High-gain Complementary Inverters of Transition Metal Dichalcogenide Monolayers

    J. Pu, K. Funahashi, C.-H. Chen, M.-Y. Li, L.-J. Li, T. Takenobu

    ITC2016  2016年3月 

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    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Taiwan  

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  • MX2 / Graphiteファンデルワールスヘテロ接合界面におけるシュタルク効果 国際会議

    蒲江, 松木 啓一郎, 小林佑, 佐々木将吾, 小澤大知, 宮田耕充, 竹延大志

    日本物理学会 第71回年次大会  2016年3月 

    　詳細を見る

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

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  • High-Performance Complementary Inverters of Large-Area Transition Metal Dichalcogenide Monolayers 国際会議

    Jiang Pu, Kazuma Funahashi, Chang-Hsiao Chen, Ming-Yang Li, Lain-Jong Li, Taishi Takenobu

    The 50th FNTG Symposium  2016年3月 

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    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Tokyo  

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  • 単層WSe2における電流励起発光の電場依存性 国際会議

    蒲江, L. Chu, 坂上知, G. Eda, 竹延大志

    日本物理学会 2015年秋季大会  2015年9月 

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    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：関西大学  

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  • Electric double layer light-emitting diodes of transition metal dichalcogenide monolayers 招待

    J. Pu

    Energy Material Nanotechnology (EMN)  2015年9月  Energy Material Nanotechnology (EMN)

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    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

    開催地：Chengdu, China  

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  • Exploring electronic functionalities of transition metal dichalcogenides 招待 国際会議

    J. Pu

    The young researcher workshop of the 49th FNTG Symposium  2015年9月  The 49th FNTG Symposium

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    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

    開催地：Kyushu, Japan  

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  • Carrier-density- and Electric-field-dependent Electroluminescence of Monolayer WSe2 国際会議

    J. Pu, L. Chu, L.-J. Li, T. Sakanoue, G. Eda, T. Takenobu

    The 49th FNTG Symposium  2015年9月 

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    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Kyushu, Japan  

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  • Novel Functionalities in Electric Double Layer Transistors of CVD-grown Transition Metal Dichalcogenide Monolayers

    J. Pu, L.-J. Li, T. Sakanoue, T. Takenobu

    IWEPNM2015  2015年3月 

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    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Kirchberg in Tirol, Austria  

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  • Flexible and Stretchable Thin-film Transistors and Inverters Based on Transition Metal Dichalcogenides 国際会議

    Jiang Pu, Kazuma Funahashi, Lain-Jong Li, Taishi Takenobu

    EMS34  2015年7月 

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    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Shiga  

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  • Electric Double Layer Light-emitting Diodes of Monolayer WSe2

    J. Pu, T. Fujimoto, J.-K. Huang, L.-J. Li, G. Eda, T. Sakanoue, T. Takenobu

    NT15  2015年7月 

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    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Nagoya  

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  • Flexible, stretchable MoS2 thin-film transistors with ion-gel gate dielectrics

    J. Pu, Y. Yomogida, K.-K. Liu, L.-J. Li, Y. Iwasa, T. Takenobu

    Flexible Electronics  2013年6月 

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    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Erlangen, Germany  

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  • 有機モット絶縁体κ-(BEDT-TTF)2Cu[N(CN)2]Clにおける非フェルミ液体的挙動とそのドーピング非対称性 国際会議

    川椙義高, 関和弘, 蒲江, 竹延大志, 柚木清司, 山本浩史, 加藤礼三

    日本物理学会  2019年3月 

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    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：九州大学  

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  • 電解質を用いた原子層発光素子の発光特性 国際会議

    蒲 江, 松岡 拓史, Juliette Tempia, 小林 佑, 宮田 耕充, Chang-Hsiao Chen, Lain-Jong Li, 竹延 大志

    日本物理学会  2019年3月 

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    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：九州大学  

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  • Electric-field-induced Metal-Insulator Transition and Quantum Transport in Large-Area Polycrystalline MoS2 Monolayers

    Tomoyuki Yamada, Jiang Pu

    2nd International Workshop on 2D Materials  2019年2月 

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    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：中国・南京  

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  • Room-Temperature Valley-Polarized Light-Emitting Devices via strained monolayer semiconductors

    Jiang Pu

    2nd International Workshop on 2D Materials  2019年2月 

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    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：中国・南京  

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  • Interface electroluminescence from in-plane heterostructures based transition metal dichalcogenide monolayers

    Yuhei Takaguchi, Jiang Pu, Hirofumi Matsuoka, Yu Kobayashi, Yutaka Maniwa, Taishi Takenobu, Yasumitsu Miyata

    第56回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2019年3月 

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    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：東京大学  

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  • Exciton polarizability and renormalization effects for optical modulation in monolayer semiconductors

    Jiang Pu, Keichiro Matsuki, Leiqiang Chu, Yu Kobayashi, Shogo Sasaki, Yasumitsu Miyata, Goki Eda, Taishi Takenobu

    フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2019年3月 

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    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：東京大学  

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  • Direct Electroluminescence Imaging of Polycrystalline Monolayer Transition Metal Dichalcogenide Light-emitting Devices

    Hirofumi Matsuoka, Tempia Juliette, Lain-Jong Li, Jiang Pu, Tomo Sakanoue, Taishi Takenobu

    MNC2018  2018年11月 

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    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：札幌パークホテル  

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  • Room temperature valley polarized light-emitting diodes of monolayer transition metal dichalcogenides

    Jiang Pu, W. Zhang, Y. Kobayashi, Y. Takaguchi, Y. Miyata, K. Matsuda, Y. Miyauchi, Taishi Takenobu

    MNC2018  2018年11月 

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    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：札幌パークホテル  

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  • Electronic and Thermoelectric Devices of CVD-grown Two-Dimensional Transition Metal Dichalcogenides 国際会議

    Jiang Pu, Kaito Kanahashi, Nguyen Thanh Cuong, Chang-Hsiao Chen, Lain-Jong Li, Susumu Okada, Hiromichi Ohta, Taishi Takenobu

    Workshop on Thermal and Charge Transport across Flexible Nano-Interfaces  2018年11月 

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    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：首都大学東京  

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  • Universality in Transition Metal Dichalcogenide Light-Emitting Devices

    Hirofumi Matsuoka, Juliette Tempia, Tomoyuki Yamada, Tomohiro Ogura, Lain-Jong Li, Tomo Sakanoue, Jiang Pu, Taishi Takenobu

    第55回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2018年9月 

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    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：東北大学  

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  • Electric Double Layer Transistors of CVD-grown monolayer InS and InSe

    Jiang Pu, Han-Ching Chang, Chien-Liang Tu, Kuang-I Lin, Chien-Nan Hsiao, Chang-Hsiao Chen, Taishi Takenobu

    第55回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2018年9月  フラーレン・ナノチューブ・グラフェン学会

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    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：東北大学  

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  • Room Temperature Valley Polarized Light-Emitting Diodes of Monolayer Transition Metal Dichalcogenides

    Jiang Pu, W. Zhang, Y. Kobayashi, Y. Takaguchi, Y. Miyata, K. Matsuda, Y. Miyauchi, T. Takenobu

    RPGR2018  2018年10月 

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    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：中国・桂林  

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  • Electric double layer light emitting diode of WS2/MoS2 in-plane heterostructures

    Yuhei Takaguchi, Jiang Pu, Hirofumi Matsuoka, Yu Kobayashi, Taishi Takenobu, Yutaka Maniwa, Yasumitsu Miyata

    第55回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム  2018年9月 

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    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：東北大学  

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  • 単層MoS2/WSe2面内ヘテロ接合発光ダイオード 国際会議

    蒲江, Ming-Yang Li, Jing-Kai Huang, 宮内雄平, 松田一成, Lain-Jong Li, 竹延大志

    日本物理学会  2018年3月  日本物理学会

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    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：東京理科大学  

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  • Fabrication of Stretchable MoS2 Thin-film Transistors Using Elastic Ion-Gel Gate Dielectrics

    J. Pu, Y. Zhang, Y. Wada, J. T.-W. Wang, L.-J. Li, Y. Iwasa, T. Takenobu

    NT13  2013年6月 

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    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：Espoo, Finland  

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  • Electric-field-induced Metal-Insulator Transition and Quantum Transport in Large-Area Polycrystalline MoS2 Monolayers

    Tomoyuki Yamada, Jiang Pu, Lain-Jong Li, Taishi Takenobu

    The 54th Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium  2018年3月  The Fullerenes, Nanotubes and Graphene Research Society

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    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：The University of Tokyo  

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受賞

  • MNC 2020 Award for Most Impressive Presentation

    2021年10月   International Microprocesses and Nanotechnology Conference  

    Yota Ichinose, Manaho Matsubara, Yohei Yomogida, Akari Yoshida, Kan Ueji, Kaito Kanahashi, Jiang Pu, Taishi Takenobu, Takahiro Yamamoto, and Kazuhiro Yanagi

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  • SSDM Young Researcher Award

    2019年9月   International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)  

    Jiang Pu

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  • 第14回飯島奨励賞

    2017年9月   フラーレン・ナノチューブ・グラフェン学会   Direct Electroluminescence Imaging of Transition Metal Dichalcogenides

    Jiang Pu

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    受賞区分：国内外の国際的学術賞  受賞国：日本国

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  • Poster Paper Award

    2016年3月   International Thin-Film Transistor Conference (ITC2016)   Highly Flexible and Extremely High-gain Complementary Inverters of Transition Metal Dichalcogenide Monolayers

    Jiang Pu

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    受賞区分：国内外の国際的学術賞  受賞国：台湾

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  • 若手奨励賞

    2015年9月   フラーレン・ナノチューブ・グラフェン学会   Electric Double Layer Light-emitting Diodes of Monolayer WSe2

    Jiang Pu

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    受賞区分：国際学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国：日本国

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  • Journal of Materials Chemistry A賞

    2015年9月   フラーレン・ナノチューブ・グラフェン学会   Electric Double Layer Light-emitting Diodes of Monolayer WSe2

    Jiang Pu

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    受賞区分：国際学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国：日本国

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  • Poster Presentation Award

    2015年6月   The Sixteenth International Conference on the Science and Application of Nanotubes (NT15)   Electric Double Layer Light-emitting Diodes of Monolayer WSe2

    Jiang Pu

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    受賞区分：国内外の国際的学術賞  受賞国：日本国

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  • 講演奨励賞

    2014年9月   応用物理学会   遷移金属ダイカルコゲナイドを用いた電気二重層トランジスタ

    蒲江

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    受賞区分：国際学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国：日本国

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  • 修士論文賞（宮部賞）

    2014年3月   早稲田大学 物理学及応用物理学専攻   二次元材料を用いた電気二重層トランジスタ

    蒲江

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    受賞国：日本国

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共同研究・競争的資金等の研究課題

  • 歪みによる原子層モアレ構造の制御とモアレ光機能デバイスの創製

    研究課題/領域番号：22H01899  2022年4月 - 2026年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業 基盤研究(B)  基盤研究(B)

    蒲 江

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    配分額：17420000円 （ 直接経費：13400000円 、 間接経費：4020000円 ）

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  • 歪んだ原子層物質における室温純粋円偏光発光と電気的円偏光制御の実現

    研究課題/領域番号：22H00280  2022年4月 - 2026年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業 基盤研究(A)  基盤研究(A)

    竹延 大志, 蒲 江, 宮田 耕充

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    配分額：42510000円 （ 直接経費：32700000円 、 間接経費：9810000円 ）

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  • 歪みによる原子層モアレ構造の制御とモアレ光機能デバイスの創製

    研究課題/領域番号：23K23167  2022年4月 - 2026年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(B)

    蒲 江

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    配分額：17420000円 （ 直接経費：13400000円 、 間接経費：4020000円 ）

    本研究の目標は、原子層ヘテロ構造に生じるモアレパターンを歪みにより連続制御する技術を構築することで、新しい発光・受光機能を有するデバイスの実現を目指す。具体的には、柔軟な基板上に遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)による回転積層ヘテロ構造を作製し、機械的変形を行うことで任意のモアレ構造制御を行う。これにより、モアレポテンシャルに閉じ込められた励起子の次元性を連続的に変調可能となり、モアレ励起子の量子状態及び偏光自由度を機能化した発光・受光デバイスの作製を目的とする。
    この目的に対し本年度は、(1)歪み効果とモアレパターン変調の相関解明、(2)歪み効果による電子構造変調の評価、(3)歪みを導入した発光デバイス作製を行った。以下、項目ごとに示す。
    (1)歪み効果とモアレパターン変調の相関解明 : TMDCヘテロ構造に任意の歪みを印加した時のモアレパターン変調を、ピエゾAFM観測、顕微分光測定(ラマン、第二次高調波)、及びシミュレーションにより評価した。その結果、印加する歪み方位・強度とモアレ構造変化の相関を解明し、長方形のモアレパターンや一次元的なモアレパターンなど、既存手法では達成困難な超格子構造の作製に成功した。
    (2)歪み効果による電子構造変調の評価 : 理論計算により、歪みによりモアレパターンが変化した時の、モアレバンドの変調を評価した。その結果、歪みによるモアレバンド変化として、vHS特異点やフラットバンドの発現を示唆する結果が得られた。また、角度分解光電子分光を用いて、歪み効果とバンド構造変化を直接評価する準備も行った。
    (3)歪みを導入した発光デバイス作製 : 上述の歪み印加したヘテロ・モアレ構造に対し、電解質を用いた発光デバイスの作製を行った。その結果、歪み効果を受けた電流励起発光特性の観測に成功し、今後、モアレ構造制御を活かした量子発光機能・デバイスの創製が期待できる。

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  • ２.５次元構造の新奇物性開拓

    研究課題/領域番号：21H05236  2021年9月 - 2026年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業 学術変革領域研究(A)  学術変革領域研究(A)

    越野 幹人, 高村 由起子, 笹川 崇男, 蒲 江

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    配分額：154310000円 （ 直接経費：118700000円 、 間接経費：35610000円 ）

    今年度は2.5次元物質の物性探索に立ち上げとして、理論、実験の両面から精力的に研究を開始した。
    (1) モアレ2.5次元物性理論の開拓：hBN/graphene/hBNのサンドイッチ構造におけるスペクトルのギャップのトポロジカル数を同定し、その結果を２，３次元準結晶全体に拡張し、トポロジカル数が高次元の量子ホール効果の量子数と関連付けられることを示した。またその他にはツイストに双グラフェンにおけるモアレエッジ状態の理論、二次元物質黒リン、青リンのエッジ状態とコーナー状態の理論研究を行った。
    (2) Ga系2.5次元物質の物性開拓：セレン化ガリウム(GaSe)の準安定相の光学的性質を共同利用拠点・分析拠点（光）等において計測し、紫外光域で従来相との違いが明確に現れることを第一原理計算結果と合わせて明らかにした。また、第一原理計算でディラック・コーン様電子状態が予測されるゲルマニウム単結晶基板上GaSeハニカム格子の角度分解光電子分光による電子状態測定結果の解析が進み、GaSe由来の分散の同定に成功した。
    (3)新規2次元物質材料の開発と物性探索：空間反転対称性の破れた超伝導物質PbTaSe2における巨大な非線形輸送現象、磁性二次元物質CuInP2S6における制御可能なシフト電流を発見した。
    (4) 2.5次元物質において歪みによるモアレ制御技術の構築とその光学評価: 歪み印可した原子層ヘテロ構造の作製を行い、顕微分光測定及び観察により光学特性とモアレパターンの相関を評価した。これらを基に、歪みによる層間励起子の変調を示唆する結果が得られ、今後モアレパターンの制御による新たな機能性発光デバイスの創製が期待できる。

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  • ナノ構造体の局所力学場制御によるバレートロニクスデバイスの創製

    研究課題/領域番号：20H05189  2020年4月 - 2022年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業 新学術領域研究(研究領域提案型)  新学術領域研究(研究領域提案型)

    蒲 江

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    配分額：5980000円 （ 直接経費：4600000円 、 間接経費：1380000円 ）

    本研究の目標は、原子層物質において力学特性がもたらす局所電子構造変化を解明・制御することで、新しい光・電子機能（オプト・バレートロニクス）デバイスの実現を目指す。具体的には、空間反転対称性が破れた原子層物質、遷移金属ダイカルコゲナイド（TMDC）が有する、波数空間における磁気的に非等価なバレーを力学的に制御する手法を確立し、これにより生じるバレー流を新たな自由度とするデバイスの作製を目的とする。
    本研究目的に対し、本年度は（I）ヘテロ界面歪みによる室温円偏光発光の生成・制御と、（II）歪みを利用した高偏極率な円偏光発光素子の設計、の2項目について取り組んだ。以下にそれぞれの項目に関して研究実績の概要を示す。
    （I）原子層ヘテロ接合を用いた室温円偏光発光素子
    まず化学成長したTMDC面内ヘテロ単層膜を用いて電解質発光素子を作製し、ヘテロ界面からの電流励起発光を直接観測した。次に、界面発光の円偏光分解を測定したところ、室温において10%以上の高い円偏光分極が観測された。最後、ヘテロ界面の原子配列を電子顕微鏡で評価した結果、界面歪みが室温円偏光生成の起源であることを明らかにした。原子層ヘテロ構造は、化学合成による多様な材料展開や、大面積化・パターニング技術も適用でき、材料設計による高効率な円偏光発光素子が期待できる。
    （II）歪みによる高偏極率な室温円偏光発光素子の設計
    上記の結果及び昨年度の成果により、TMDCの力学制御が円偏光発光の生成・制御に極めて有用な手法であることが示された。最後、100%室温円偏光発光を実現するための最適な歪み効果（強度・方位）及び電場等のデバイスパラメータを、理論計算によりシミュレーションを行った。その結果、現状のデバイス設計において歪みを増大することで、今後100%室温円偏光発光素子の作製が実験的に達成可能であることが明らかとなった。

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  • 原子層遷移金属ダイカルコゲナイドによる室温円偏光レーザー素子の創出

    研究課題/領域番号：19K15383  2019年4月 - 2022年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業 若手研究  若手研究

    蒲 江

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    担当区分：研究代表者  資金種別：競争的資金

    配分額：4160000円 （ 直接経費：3200000円 、 間接経費：960000円 ）

    本研究の目標は、次世代光量子通信を担う円偏光光源の創出である。具体的には、空間反転対称性が破れた原子層材料、遷移金属ダイカルコゲ
    ナイド（TMDC）、が有する特異な電子構造（バレー分極）を利用することで、室温において円偏光発光の電気的制御法を確立する。さらに、光
    共振器の導入を行うことで、最終的には世界初となる室温円偏光レーザー素子の作製を目指す。本研究を通して、円偏光光源創出に向けた物性
    ・素子・機能の統一的な基盤技術を確立する。

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  • 原子層遷移金属ダイカルコゲナイドを用いた高機能・高性能光デバイスの創出

    研究課題/領域番号：17H06736  2017年8月 - 2019年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業 研究活動スタート支援  研究活動スタート支援

    蒲 江

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    担当区分：研究代表者  資金種別：競争的資金

    配分額：2990000円 （ 直接経費：2300000円 、 間接経費：690000円 ）

    本研究では、Internet of Things（IoT）を体現する革新的光機能デバイスを実現する。具体的には、多彩な（可視―赤外）発光領域を有する原子層遷移金属ダイカルコゲナイド（TMDC）と電気化学に立脚したドーピング技術を組み合わせることで、原子層近赤外発光・受光デバイスの作製及びその高機能化と高性能化を目的とする。特に、応募者は原子層TMDCに電解質を用いたユニークな構造を導入することで、極めて簡易な構造と簡便なプロセスで発光及び受光を創出する手法を開発している。このノウハウを活かし、世界に先駆けて原子層TMDCにおける高柔軟性・高伸縮性（高機能）と高効率・高感度（高性能）を両立する発光・受光デバイスを実現する。本研究を通して、IoT社会を下支えする環境・生体センシングに特化した、機能性光デバイスの材料物性とデバイス物理両面の基礎技術を構築する。

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  • π造形システム集合体の物性制御

    研究課題/領域番号：26102012  2014年7月 - 2019年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業 新学術領域研究(研究領域提案型)  新学術領域研究(研究領域提案型)

    竹延 大志, 伊東 裕, 田中 久暁, 蒲 江

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    配分額：54860000円 （ 直接経費：42200000円 、 間接経費：12660000円 ）

    本研究は、π造形分子の集積体（π造形システム）の各種物理的性質（伝導・光・磁気・機械的特性）を明らかにし、その結果をシーズとする新現象・新機能の開拓と新奇機能性素子の作製に挑戦した。様々な材料を対象に研究を推進し①新たなドーピング手法の開発、②電気二重層トランジスタの高機能化、③電気化学発光セルの高機能化、④機械的柔軟性を有する素子作製、⑤歪みによる物性制御などに成功した。

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  • 二次元材料によるプリンテッド・アンビエントエレクトロニクスの実現

    研究課題/領域番号：14J07485  2014年4月 - 2017年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業 特別研究員奨励費  特別研究員奨励費

    蒲 江

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    担当区分：研究代表者  資金種別：競争的資金

    配分額：3200000円 （ 直接経費：3200000円 ）

    本研究の目的は印刷による二次元材料を用いた柔軟な論理回路の実現であり、材料及びデバイス両面を相補的に理解することによって、最終的には世界初の印刷型アンビエントエレクトロニクスを実現する。これまでの研究によって、化学気相成長（CVD法）で合成した遷移金属ダイカルコゲナイド（TMDC）を用いて高移動度・高電流オンオフ比・高柔軟性を実現し、本材料における素子応用の最低限の条件が満たされたとは言え、今後柔軟な論理回路実現に向けては解決すべき問題が残されている。ポイントとしては、CMOS論理回路構築のためのトランジスタの高性能化・極性制御、設備投資を激減させる印刷技術の導入、具体的な集積化の導入があげられる。そこで本研究において取り組むべき研究項目として、（i）様々なTMDC材料の合成技術を確立し、それらを用いたトランジスタの高性能化と極性制御、（ii）薄膜加工および印刷技術の確立、（iii）ウエハースケールでの論理回路作製、の三項目を通して柔軟性・伸縮性を有する最低限の電子素子作製に不可欠な基盤技術を構築し、世界初の印刷によるウェアラブル・コンピューティング実現の足がかりとする。

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