研究者詳細 - 清水　荘雄

2026/09/12 更新

写真a

シミズ　タカオ

清水　荘雄

shimizu takao

所属

物質理工学院特定准教授

外部リンク

News & Topics

Ultra-thin ferroelectric material for next-generation electronics

2016/10/12

掲載言語：英語

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Scientists at Tokyo Tech have demonstrated the potential of a new, thin-film ferroelectric material that could improve the performance of next-generation sensors and semi-conductors.
酸化ハフニウム基強誘電体の基礎特性を解明―超高密度で高速動作する不揮発性メモリー実現に道―

2016/09/12

掲載言語：日本語

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概要東京工業大学元素戦略研究センター（センター長細野秀雄教授）の清水荘雄特任助教と物質理工学院兼同センターの舟窪浩教授、東北大学金属材料研究所の今野豊彦教授と木口賢紀准教授、物質・材料研究機構技術開発・共用部門坂田修身ステーション長らの研究グループは、スマホやパソコンのトランジスタ（スイッチ）に使われている酸化ハフニウムを基本組成とした、強誘電体の電源を切った時に貯められる電気の量や、使用可能な温度範囲といった基礎特性を解明した。結晶方位を制御した単結晶薄膜を電極上に作製することにより、これまで明らかになっていなかった特性の解明に成功した。その結果、酸化ハフニウム基の強誘電体が従来使用されてきた強誘電体に匹敵する特性を有することが明らかになった。強誘電体を用いたメモリーは、交通機関の定期券等に使用されている非接触式ICカード（電子マネー）として実用化されている。今回の成果によって明らかになった優れた特性と、これまでの物質では不可能であった薄膜化しても特性が劣化しない特性を活用すれば、メモリーの飛躍的な高密度化が期待できる。今回の研究成果はネイチャー誌の姉妹誌である学術誌「サイエンティフィックレポート（Scientific Reports）」オンライン版に9月9日付で掲載された。
Thin films offer promise for ferroelectric devices

2015/08/21

掲載言語：英語
強誘電体の極薄単結晶膜を世界で初めて作製

2015/07/30

掲載言語：日本語

研究分野

ナノテク・材料 / 無機材料、物性

論文

Domain-structure control in epitaxial Pb(Zr0.3Ti0.7)O3 thin films through strain engineering using Sr(Zr,Ti)O3 underlying layers and conductive bottom electrodes

Miki Nakahata, Keisuke Ishihama, Yoshitaka Ehara, Takao Shimizu, Lingling Xie, Daisuke Kan, Tomoaki Yamada, Kazuki Okamoto, Hiroshi Funakubo

Japanese Journal of Applied Physics 2026年7月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.35848/1347-4065/ae8603

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Bulk Amorphous Alumina: The Density-Driven Interplay of Pentahedral Pyramids and Octahedra for High Dielectric Permittivity

Hideki Hashimoto, Yohei Onodera, Rei Okuno, Masashi Miyakawa, Hitoshi Yusa, Takashi Taniguchi, Sho Kakizawa, Shuya Sato, Takao Shimizu, Taro Kuwano, Takato Abe, Naoki Takata, Dasom Kim, Koji Yazawa, Kenzo Deguchi, Shinobu Ohki, Koji Kimoto, Shunsuke Shimizu, Yuto Okawara, Yuta Nishina, Aiko Shimada, Ryuichi Maekawa, Koji Ohara, Yuta Shuseki, Hidetoshi Morita, Tomoko Sato, Hiroyo Segawa, Hiroki Taniguchi, Atsunobu Masuno, Takeharu Yoshii, Koji Kawada, Toshinori Okura, Shinji Kohara

Journal of the American Chemical Society 2026年4月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1021/jacs.5c22344

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High Power Factor with Compositional and Temperature Stabilities in (Ca_xSr_1-x)Si₂ Thin Films near Room Temperature

Kodai Aoyama, Takao Shimizu, Takayoshi Katase, Yoshisato Kimura, Hiroshi Funakubo

ACS APPLIED ENERGY MATERIALS 8 ( 16 ) 12092 - 12098 2025年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1021/acsaem.5c01558

Web of Science

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Changes in the electronic structure of BaTiO3 due to ferroelectric phase transition investigated via polarization-dependent hard x-ray photoemission spectroscopy

Takeo Ohsawa, Shigenori Ueda, Takao Shimizu, Naoki Ohashi

Physical Review B 2025年4月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1103/PhysRevB.111.165153

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Probing of Polarization Reversal in Ferroelectric (Al,Sc)N Films Using Single‐ and Tri‐Layered Structures With Different Sc/(Al+Sc) Ratio 査読

Shinnosuke Yasuoka, Takao Shimizu, Kazuki Okamoto, Nana Sun, Soshun Doko, Naoko Matsui, Toshikazu Irisawa, Koji Tsunekawa, Alexei Gruverman, Hiroshi Funakubo

Advanced Materials Interfaces 12 ( 2400627 ) 2025年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1002/admi.202400627

Web of Science

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Strain Control of (001)-Polar-Axis-Oriented Epitaxial Y-Doped HfO₂ Thin Films

Yoshiki Maekawa, Koji Hirai, Kazuki Okamoto, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo

ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS 6 ( 8 ) 5525 - 5535 2024年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1021/acsaelm.4c00368

Web of Science

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Data-Driven Analysis of High-Resolution Hyperspectral Image Data Sets through Nanoscale Capacitance–Voltage Measurements to Visualize Ferroelectric Domain Dynamics

Yoshiomi Hiranaga, Yuki Noguchi, Takanori Mimura, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo, Yasuo Cho

ACS Applied Nano Materials 7 ( 8 ) 8525 - 8536 2024年4月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：American Chemical Society (ACS)

DOI： 10.1021/acsanm.3c04636

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Phase Identification of 850 nm Thick 7%YO_1.5–93%HfO₂ Films by Surface and Cross-Sectional Raman Spectroscopies

Takanori Mimura, Yuma Takahashi, Takahisa Shiraishi, Masanori Kodera, Reijiro Shimura, Keisuke Ishihama, Kazuki Okamoto, Hiroki Moriwake, Ayako Taguchi, Takao Shimizu, Yasuhiro Fujii, Akitoshi Koreeda, Hiroshi Funakubo

ACS Applied Electronic Materials 6 ( 4 ) 2500 - 2506 2024年4月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：American Chemical Society (ACS)

DOI： 10.1021/acsaelm.4c00134

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Domain structures of PbTiO3 and Pb(Zr,Ti)O3 thin films controlled by tensile strain induced by a Sr(Zr,Ti)O3 buffer layer

Tomohide Morikawa, Masanori Kodera, Takao Shimizu, Keisuke Ishihama, Yoshitaka Ehara, Osami Sakata, Hiroshi Funakubo

Applied Physics Letters 2024年1月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/5.0180449

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Achieving High Piezoelectric Performance across a Wide Composition Range in Tetragonal (Bi,Na)TiO3-BaTiO3 Films for Micro-electromechanical Systems. 国際誌

Keisuke Ishihama, Takao Shimizu, Kazuki Okamoto, Akinori Tateyama, Wakiko Yamaoka, Risako Tsurumaru, Shintaro Yoshimura, Yusuke Sato, Hiroshi Funakubo

ACS applied materials & interfaces 16 ( 1 ) 1308 - 1316 2024年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Tetragonal (1-x)(Bi,Na)TiO3-xBaTiO3 films exhibit enhanced piezoelectric properties due to domain switching over a wide composition range. These properties were observed over a significantly wider composition range than the morphotropic phase boundary (MPB), which typically has a limited composition range of 1-2%. The polarization axis was found to be along the in-plane direction for the tetragonal composition range x = 0.06-1.0, attributed to the tensile thermal strain from the substrate during cooling after the film formation. A "two-step increase" in remanent polarization against an applied maximum electric field was observed at the high-field region due to the domain switching, and a very high piezoelectric response (effective d33 value, denoted as d33,f) over 220 pm/V was achieved for a wide composition range of x = 0.2-0.5 with high tetragonality, exceeding previously reported values for bulk ceramics. Moreover, a transverse piezoelectric coefficient, e31,f, of 19 C/m2 measured using a cantilever structure was obtained for a composition range of at least 10 atom % (for both x = 0.2 and 0.3). This value is the highest reported for Pb-free piezoelectric thin films and is comparable to the best data for Pb-based thin films. Reversible domain switching eliminates the need for conventional MPB compositions, allowing an improvement in the piezoelectric properties over a wider composition range. This strategy could provide a guideline for the development of environmentally acceptable lead-free piezoelectric films with composition-insensitive piezoelectric performance to replace Pb-based materials with MPB composition, such as PZT.

DOI： 10.1021/acsami.3c13302

PubMed

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Development of Integrated Measurement System for Local C-V Mapping and Piezoresponse Force Microscopy

Yuki Noguchi, Takanori Mimura, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo, Yohiomi Hiranaga

2024 IEEE ULTRASONICS, FERROELECTRICS, AND FREQUENCY CONTROL JOINT SYMPOSIUM, UFFC-JS 2024 2024年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/UFFC-JS60046.2024.10794165

Web of Science

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Invariant polarization switching kinetics in an (Al0.8Sc0.2)N film with frequency and temperature

Shinnosuke Yasuoka, Ryoichi Mizutani, Reika Ota, Takahisa Shiraishi, Takao Shimizu, Kazuki Okamoto, Masato Uehara, Hiroshi Yamada, Morito Akiyama, Hiroshi Funakubo

Applied Physics Letters 123 ( 20 ) 2023年11月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：AIP Publishing

In this study, the switching kinetics in a (001)-out-of-plane-oriented (Al0.8Sc0.2)N thin film were systematically investigated as a function of temperature and frequency. The switching behavior followed the Kolmogorov–Avrami–Ishibashi model within the temperature and write-pulse width ranges of 300–473 K and 10 Hz–600 kHz, respectively. The switching speed increased linearly with the electric field, even at high electric fields. The frequency dependence of the coercive field (Ec) evaluated at room temperature revealed that the scaling regime of the domain-wall propagation did not transition to the flow regime, and the switching velocity of the domain increased linearly with the electric field even at high frequencies up to 600 kHz. The invariant domain-wall motion regime implies the potential of using (Al,Sc)N films for high-frequency applications. In addition, a formula for estimating the coercive field of an (Al,Sc)N film was derived by fitting the parameters obtained from the study of switching behavior. The formula indicated that the switching electric field tends to become insensitive to frequency as temperature increases. Moreover, the frequency dependency of the field was minimal even at room temperature. This is a useful index for estimating the drive voltage at the operating frequency and temperature.

DOI： 10.1063/5.0171108

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Full polarization reversal at room temperature in unsubstituted AlN

Kota Hasegawa, Takao Shimizu, Takeo Ohsawa, Isao Sakaguchi, Naoki Ohashi

Applied Physics Letters 2023年11月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/5.0174236

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Roadmap on ferroelectric hafnia- and zirconia-based materials and devices

José P. B. Silva, Ruben Alcala, Uygar E. Avci, Nick Barrett, Laura Bégon-Lours, Mattias Borg, Seungyong Byun, Sou-Chi Chang, Sang-Wook Cheong, Duk-Hyun Choe, Jean Coignus, Veeresh Deshpande, Athanasios Dimoulas, Catherine Dubourdieu, Ignasi Fina, Hiroshi Funakubo, Laurent Grenouillet, Alexei Gruverman, Jinseong Heo, Michael Hoffmann, H. Alex Hsain, Fei-Ting Huang, Cheol Seong Hwang, Jorge Íñiguez, Jacob L. Jones, Ilya V. Karpov, Alfred Kersch, Taegyu Kwon, Suzanne Lancaster, Maximilian Lederer, Younghwan Lee, Patrick D. Lomenzo, Lane W. Martin, Simon Martin, Shinji Migita, Thomas Mikolajick, Beatriz Noheda, Min Hyuk Park, Karin M. Rabe, Sayeef Salahuddin, Florencio Sánchez, Konrad Seidel, Takao Shimizu, Takahisa Shiraishi, Stefan Slesazeck, Akira Toriumi, Hiroshi Uchida, Bertrand Vilquin, Xianghan Xu, Kun Hee Ye, Uwe Schroeder

APL Materials 11 ( 8 ) 2023年8月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：AIP Publishing

Ferroelectric hafnium and zirconium oxides have undergone rapid scientific development over the last decade, pushing them to the forefront of ultralow-power electronic systems. Maximizing the potential application in memory devices or supercapacitors of these materials requires a combined effort by the scientific community to address technical limitations, which still hinder their application. Besides their favorable intrinsic material properties, HfO2–ZrO2 materials face challenges regarding their endurance, retention, wake-up effect, and high switching voltages. In this Roadmap, we intend to combine the expertise of chemistry, physics, material, and device engineers from leading experts in the ferroelectrics research community to set the direction of travel for these binary ferroelectric oxides. Here, we present a comprehensive overview of the current state of the art and offer readers an informed perspective of where this field is heading, what challenges need to be addressed, and possible applications and prospects for further development.

DOI： 10.1063/5.0148068

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Enhanced Thermoelectric Properties of SrSi2 Composite Films with Cubic and Layered Polymorphs

Kodai Aoyama, Takao Shimizu, Hideto Kuramochi, Masami Mesuda, Ryo Akiike, Takayoshi Katase, Yoshisato Kimura, Hiroshi Funakubo

ACS Applied Energy Materials 2023年6月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1021/acsaem.3c00577

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Systematic Investigation of Ferroelectric Properties in x%YO1.5–(100–x%)Hf1–yZryO2 Films

Takanori Mimura, Yuki Tashiro, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo

ACS Applied Electronic Materials 2023年3月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1021/acsaelm.2c01658

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Simultaneous high-frequency measurement of direct and inverse transverse piezoelectric coefficients of thin films using longitudinal vibration

Akinori Tateyama, Yuichiro Orino, Yoshiharu Ito, Takahisa Shiraishi, Takao Shimizu, Minoru Kuribayashi Kurosawa, Hiroshi Funakubo

Sensors and Actuators A: Physical 114265 - 114265 2023年2月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Elsevier BV

DOI： 10.1016/j.sna.2023.114265

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Film thickness dependence of in-plane ferroelastic domain structure in constrained tetragonal PbTiO₃ films induced by isotropic tensile strain

Yoshitaka Ehara, Takaaki Nakashima, Daichi Ichinose, Takao Shimizu, Takahisa Shiraishi, Osami Sakata, Tomoaki Yamada, Shintaro Yasui, Ken Nishida, Hiroshi Funakubo

Applied Physics Letters 121 ( 26 ) 262901 - 262901 2022年12月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：AIP Publishing

In this study, the ferroelectric phase of PbTiO₃ (PTO) thin films was grown on cubic single-crystal KTaO₃ (KTO) substrates using metal–organic chemical vapor deposition. X-ray diffraction (XRD) was used to reveal an a₁ /a₂ domain structure, which remained unchanged down to a film thickness of 2 nm. The a₁ and a₂ polydomains do not have a simple tetragonal symmetry because a_a∥ and a_a_⊥ do not have the same values. The crystallographic tilt angle, α, is defined based on the rotation angle of the PTO lattice with respect to the cubic phase of KTO substrates. The in-plane tetragonal distortion ( c_a∥/ a_a∥) and α decreased with the decrease in the film thickness, following the in-plane tetragonal geometric equation: [Formula: see text]. The isotropic tensile strains induced in-plane polarization directions along the [100] and [010] axes of the substrates. These axes are formed via the a₁/ a₂ polydomain of the tetragonal-like phase. Moreover, synchrotron in-plane grazing incidence XRD and piezoelectric force microscopy were used to reveal the thickness dependency of the periodic domain width of the ferroelastic a₁/ a₂ domain. The periodic domain width in the PTO films decreased, following Kittel's law, with the reduction in the film thickness.

DOI： 10.1063/5.0119843

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Nanoscale mapping to assess the asymmetry of local C–V curves obtained from ferroelectric materials

Yoshiomi Hiranaga, Takanori Mimura, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo, Yasuo Cho

Japanese Journal of Applied Physics 61 ( SN ) SN1014 - SN1014 2022年11月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：IOP Publishing

Abstract

The asymmetry in the capacitance–voltage (C–V) curves obtained from a ferroelectric material can provide information concerning the internal microstructure of a specimen. The present study visualized nanoscale switching of a HfO₂-based ferroelectric thin film in real space based on assessing asymmetry using a local C–V mapping method. Several parameters were extracted from the local C–V curves at each point. The parameter V_i, indicating the lateral shift of the local C–V curve, was employed as an indicator of local imprint. In addition, the differences in the areas between the C–V curves for the forward and reverse sweeps, S_f − S_r, provided another slightly different indicator of nanoscale switching asymmetry. These parameters obtained from asymmetric C–V curves are thought to be related to internal electric fields and local stress caused by defects in the film. The work reported here also involved a cluster analysis of the extracted parameters using the k-means method.

DOI： 10.35848/1347-4065/ac7f7a

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その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ac7f7a/pdf
Tunable Ferroelectric Properties in Wurtzite (Al_0.8Sc_0.2)N via Crystal Anisotropy

Shinnosuke Yasuoka, Ryoichi Mizutani, Reika Ota, Takahisa Shiraishi, Takao Shimizu, Masato Uehara, Hiroshi Yamada, Morito Akiyama, Hiroshi Funakubo

ACS Applied Electronic Materials 2022年10月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：American Chemical Society (ACS)

DOI： 10.1021/acsaelm.2c00999

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Preferential growth of (001)-oriented Bi2SiO5 thin films deposited on (101)-oriented rutile substrates and their ferroelectric and dielectric properties. 国際誌

Masanori Kodera, Keisuke Ishihama, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo

Scientific reports 12 ( 1 ) 15204 - 15204 2022年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Ferroelectric thin films are important because of their great potential for use in various electric devices such as ferroelectric random-access memory. It was expected that Bi2SiO5, a Si-containing ferroelectric material, would show improved ferroelectricity by targeting a film with the (001)-orientation (polar-axis) on the substrate. Although there was a narrow process window for the deposition of the (010)/(001)-oriented Bi2SiO5 thin film, it was successfully prepared on a (101)-oriented TiO2 single substrate using the pulsed layer deposition technique. The optimum film deposition conditions and film thickness were found, and in this material, the volume fraction of the (001)-oriented domain reached about 70%. By controlling film orientation to the polar axis, the remanent polarization value of this film was 4.8 μC cm-2, which is the highest value among reported Bi2SiO5.

DOI： 10.1038/s41598-022-19058-y

PubMed

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Lower ferroelectric coercive field of ScGaN with equivalent remanent polarization as ScAlN

Masato Uehara, Ryouichi Mizutani, Shinnosuke Yasuoka, Takao Shimizu, Hiroshi Yamada, Morito Akiyama, Hiroshi Funakubo

Applied Physics Express 2022年8月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.35848/1882-0786/ac8048

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Enhancement of crystal anisotropy and ferroelectricity by decreasing thickness in (Al,Sc)N films

Shinnosuke Yasuoka, Ryoichi Mizutani, Reika Ota, Takahisa Shiraishi, Takao Shimizu, Shintaro Yasui, Yoshitaka Ehara, Ken Nishida, Masato Uehara, Hiroshi Yamada, Morito Akiyama, Yasuhiko Imai, Osami Sakata, Hiroshi Funakubo

Journal of the Ceramic Society of Japan 130 ( 7 ) 436 - 441 2022年7月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Ceramic Society of Japan

DOI： 10.2109/jcersj2.21184

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Preparation of orthorhombic Y-doped TaON film

Mimura, T., Shimizu, T., Funakubo, H.

Journal of the Ceramic Society of Japan 130 ( 7 ) 432 - 435 2022年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Ceramic Society of Japan

DOI： 10.2109/JCERSJ2.22002

Scopus

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Effect of Film Microstructure on Domain Nucleation and Intrinsic Switching in Ferroelectric Y:HfO2 Thin Film Capacitors

Pratyush Buragohain, Adam Erickson, Takanori Mimura, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo, Alexei Gruverman

ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS 32 ( 9 ) 2022年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1002/adfm.202108876

Web of Science

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Domain structures induced by tensile thermal strain in epitaxial PbTiO3 films on silicon substrates

Tomoya Sato, Masanori Kodera, Daichi Ichinose, Takanori Mimura, Takao Shimizu, Tomoaki Yamada, Hiroshi Funakubo

Journal of Applied Physics 2022年1月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/5.0074884

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No‐Heating Deposition of 1‐μm‐Thick Y‐Doped HfO 2 Ferroelectric Films with Good Ferroelectric and Piezoelectric Properties by Radio Frequency Magnetron Sputtering Method

Reijiro Shimura, Takanori Mimura, Akinori Tateyama, Takahisa Shiraishi, Takao Shimizu, Tomoaki Yamada, Yoshitomo Tanaka, Yukari Inoue, Hiroshi Funakubo

physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters 2100574 - 2100574 2022年1月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Wiley

DOI： 10.1002/pssr.202100574

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その他リンク： https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full-xml/10.1002/pssr.202100574
Polar-axis-oriented epitaxial tetragonal (Bi,K)TiO3 films with large remanent polarization deposited below Curie temperature by a hydrothermal method

Yoshiharu Ito, Akinori Tateyama, Rurika Kubota, Takahisa Shiraishi, Takao Shimizu, Jaemyung Kim, Okkyun Seo, Osami Sakata, Minoru Kurosawa, Hiroshi Funakubo

Applied Physics Letters 120 ( 2 ) 022903 - 022903 2022年1月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：AIP Publishing

DOI： 10.1063/5.0075014

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Lattice deformation and phase transition of aluminum nitride studied by density functional theory calculations

Hasegawa, K., Shimizu, T., Ohashi, N.

Journal of the Ceramic Society of Japan 130 ( 7 ) 2022年

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.2109/JCERSJ2.21190

Scopus

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Large Piezoelectric Response in Lead-Free (Bi0.5Na0.5)TiO3-Based Perovskite Thin Films by Ferroelastic Domain Switching: Beyond the Morphotropic Phase Boundary Paradigm

Takao Shimizu, Miyu Hasegawa, Keisuke Ishihama, Akinori Tateyama, Wakiko Yamaoka, Risako Tsurumaru, Shintaro Yoshimura, Yusuke Sato, Hiroshi Funakubo

ACS Applied Materials & Interfaces 2021年12月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：American Chemical Society ({ACS})

DOI： 10.1021/acsami.1c15713

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Thickness dependence of phase stability in epitaxial (HfxZr1−x)O2 films

Takanori Mimura, Takao Shimizu, Osami Sakata, Hiroshi Funakubo

Physical Review Materials 5 ( 11 ) 2021年11月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1103/PhysRevMaterials.5.114407

Scopus

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High-precision local C–V mapping for ferroelectrics using principal component analysis

Yoshiomi Hiranaga, Takanori Mimura, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo, Yasuo Cho

Japanese Journal of Applied Physics 60 ( SF ) SFFB09 - SFFB09 2021年11月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：IOP Publishing

DOI： 10.35848/1347-4065/ac13d9

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その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ac13d9/pdf
Influence of cooling rate on ferroelastic domain structure for epitaxial (100)/(001)-oriented Pb(Zr, Ti)O3 thin films under tensile strain

Yoshitaka Ehara, Daichi Ichinose, Masanori Kodera, Takahisa Shiraishi, Takao Shimizu, Tomoaki Yamada, Ken Nishida, Hiroshi Funakubo

Japanese Journal of Applied Physics 60 ( SF ) SFFB07 - SFFB07 2021年11月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：IOP Publishing

DOI： 10.35848/1347-4065/ac10f7

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その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ac10f7/pdf
Demonstration of ferroelectricity in ScGaN thin film using sputtering method

Masato Uehara, Ryoichi Mizutani, Shinnosuke Yasuoka, Takahisa Shiraishi, Takao Shimizu, Hiroshi Yamada, Morito Akiyama, Hiroshi Funakubo

Applied Physics Letters 119 ( 17 ) 172901 - 172901 2021年10月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：AIP Publishing

DOI： 10.1063/5.0068059

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Composition dependencies of crystal structure and electrical properties of epitaxial tetragonal (Bi, Na)TiO3–BaTiO3 films grown on (100)cSrRuO3//(100)SrTiO3 substrates by pulsed laser depositions

Keisuke Ishihama, Takao Shimizu, Wakiko Yamaoka, Risako Tsurumaru, Shintaro Yoshimura, Yusuke Sato, Hiroshi Funakubo

Journal of Applied Physics 2021年10月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/5.0063385

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Thickness scaling of (Al0.8Sc0.2)N films with remanent polarization beyond 100 μC cm−2 around 10 nm in thickness

Ryoichi Mizutani, Shinnosuke Yasuoka, Takahisa Shiraishi, Takao Shimizu, Masato Uehara, Hiroshi Yamada, Morito Akiyama, Osami Sakata, Hiroshi Funakubo

Applied Physics Express 14 ( 10 ) 105501 - 105501 2021年10月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：IOP Publishing

DOI： 10.35848/1882-0786/ac2261

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その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1882-0786/ac2261/pdf
Impact of Deposition Temperature on Crystal Structure and Ferroelectric Properties of (Al _{1− x} Sc _x )N Films Prepared by Sputtering Method

Shinnosuke Yasuoka, Takao Shimizu, Akinori Tateyama, Masato Uehara, Hiroshi Yamada, Morito Akiyama, Hiroshi Funakubo

physica status solidi (a) 218 ( 17 ) 2100302 - 2100302 2021年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1002/pssa.202100302

Web of Science

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その他リンク： https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full-xml/10.1002/pssa.202100302
Comprehensive Study on the Kinetic Formation of the Orthorhombic Ferroelectric Phase in Epitaxial Y-Doped Ferroelectric HfO2 Thin Films

Yuki Tashiro, Takao Shimizu, Takanori Mimura, Hiroshi Funakubo

ACS Applied Electronic Materials 3 ( 7 ) 3123 - 3130 2021年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1021/acsaelm.1c00342

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Growth of 0.1(Bi, Na)TiO3-0.9BaTiO3 epitaxial films by pulsed laser deposition and their electric properties

Keisuke Ishihama, Masanori Kodera, Takao Shimizu, Wakiko Yamaoka, Risako Tsurumaru, Shintaro Yoshimura, Yusuke Sato, Hiroshi Funakubo

J.Ceram. Soc. Jpn. Vol. 129 ( No. 7 ) 2021年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.2109/jcersj2.21002

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Local C-V Characterization for Ferroelectric Films

Yoshiomi Hiranaga, Takanori Mimura, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo, Yasuo Cho

IEEE International Symposium on Applications of Feeroelectric, ISAF 2021, International Symposium on Integrated Functionalities, ISIF 2021 and Piezoresponse Force Microscopy Workshop, PFM 2021 - Proceedings 2021年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

DOI： 10.1109/ISAF51943.2021.9477316

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Electric‐Field‐Induced Ferroelectricity in 5%Y‐doped Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 : Transformation from the Paraelectric Tetragonal Phase to the Ferroelectric Orthorhombic Phase

Takao Shimizu, Yuki Tashiro, Takanori Mimura, Takanori Kiguchi, Takahisa Shiraishi, Toyohiko J. Konnno, Osami Sakata, Hiroshi Funakubo

physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters 15 ( 5 ) 2000589 - 2000589 2021年5月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Wiley

DOI： 10.1002/pssr.202000589

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Large thermal hysteresis of ferroelectric transition in HfO2-based ferroelectric films

Takanori Mimura, Takao Shimizu, Osami Sakata, Hiroshi Funakubo

Applied Physics Letters 118 ( 11 ) 2021年3月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/5.0040934

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Preparation of 1 μm thick Y-doped HfO2 ferroelectric films on (111)Pt/TiO x /SiO2/(001)Si substrates by a sputtering method and their ferroelectric and piezoelectric properties

Reijiro Shimura, Takanori Mimura, Akinori Tateyama, Takao Shimizu, Tomoaki Yamada, Yoshitomo Tanaka, Yukari Inoue, Hiroshi Funakubo

Japanese Journal of Applied Physics 60 ( 3 ) 031009 - 031009 2021年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.35848/1347-4065/abe72e

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Domain structure transition in compressively strained (100)/(001) epitaxial tetragonal PZT film

Daichi Ichinose, Takao Shimizu, Osami Sakata, Tomoaki Yamada, Yoshitaka Ehara, Hiroshi Funakubo

Journal of Applied Physics 129 ( 2 ) 2021年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/5.0031803

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Lamellar-like nanostructure in a relaxor ferroelectrics Pb(Mg<inf>1/3</inf>Nb<inf>2/3</inf>)O<inf>3</inf>

Yukio Sato, Syota Fujinaka, Syo Yamaguchi, Ryo Teranishi, Kenji Kaneko, Takao Shimizu, Hiroki Taniguchi, Hiroki Moriwake

Journal of Materials Science 56 ( 2 ) 1231 - 1241 2021年1月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1007/s10853-020-05417-5

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Local C–V mapping for ferroelectrics using scanning nonlinear dielectric microscopy

Yoshiomi Hiranaga, Takanori Mimura, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo, Yasuo Cho

Journal of Applied Physics 128 ( 24 ) 244105 - 244105 2020年12月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：AIP Publishing

DOI： 10.1063/5.0029630

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A computational search for wurtzite-structured ferroelectrics with low coercive voltages

Hiroki Moriwake, Rie Yokoi, Ayako Taguchi, Takafumi Ogawa, Craig A. J. Fisher, Akihide Kuwabara, Yukio Sato, Takao Shimizu, Yosuke Hamasaki, Hiroshi Takashima, Mitsuru Itoh

APL Materials 8 ( 12 ) 121102 - 121102 2020年12月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：AIP Publishing

DOI： 10.1063/5.0023626

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Composition Dependence of Crystal Structures and Electrical Properties of Ca-Mg-Si Films Prepared by Sputtering

Atsuo Katagiri, Mutsuo Uehara, Mao Kurokawa, Kensuke Akiyama, Takao Shimizu, Masaaki Matsushima, Hiroshi Uchida, Yoshisato Kimura, Hiroshi Funakubo

Journal of Electronic Materials 49 ( 12 ) 7509 - 7517 2020年12月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Springer Science and Business Media LLC

DOI： 10.1007/s11664-020-08510-2

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その他リンク： https://link.springer.com/article/10.1007/s11664-020-08510-2/fulltext.html
Epitaxial Crystal Growth of Bismuth Silicate Driven by Fluorite-like Layers

Masanori Kodera, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo

Crystal Growth & Design 20 ( 11 ) 7163 - 7169 2020年11月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：American Chemical Society ({ACS})

DOI： 10.1021/acs.cgd.0c00754

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Dependency of direct and inverse transverse piezoelectric properties on composition in self-polarized epitaxial (K x Na1−x )NbO3 films grown via a hydrothermal method

Akinori Tateyama, Yoshiharu Ito, Takao Shimizu, Yuichiro Orino, Minoru Kurosawa, Takeshi Yoshimura, Hiroshi Funakubo

Japanese Journal of Applied Physics 59 ( SP ) 2020年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.35848/1347-4065/aba9b3

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Temperature dependence on the domain structure of epitaxial PbTiO3 films grown on single crystal substrates with different lattice parameters

Yoshitaka Ehara, Takaaki Nakashima, Daichi Ichinose, Takao Shimizu, Tomoaki Yamada, Ken Nishida, Hiroshi Funakubo

Japanese Journal of Applied Physics 2020年11月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：{IOP} Publishing

DOI： 10.35848/1347-4065/aba2bf

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Good piezoelectricity of self-polarized thick epitaxial (K,Na)NbO3 films grown below the Curie temperature (240 °C) using a hydrothermal method

Akinori Tateyama, Yoshiharu Ito, Yoshiko Nakamura, Takao Shimizu, Yuichiro Orino, Minoru Kurosawa, Hiroshi Uchida, Takahisa Shiraishi, Takanori Kiguchi, Toyohiko J. Konno, Takeshi Yoshimura, Hiroshi Funakubo

Applied Physics Letters 117 ( 14 ) 142903 - 142903 2020年10月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：AIP Publishing

DOI： 10.1063/5.0017990

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Effects of deposition conditions on the ferroelectric properties of (Al1−xScx)N thin films

Shinnosuke Yasuoka, Takao Shimizu, Akinori Tateyama, Masato Uehara, Hiroshi Yamada, Morito Akiyama, Yoshiomi Hiranaga, Yasuo Cho, Hiroshi Funakubo

Journal of Applied Physics 128 ( 11 ) 114103 - 114103 2020年9月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：AIP Publishing

DOI： 10.1063/5.0015281

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Optimization of deposition conditions of yttrium doped-SrZrO₃ thin films fabricated by pulsed laser deposition

Hiroki TANAKA, Kiyoshi UCHIYAMA, Takao SHIMIZU, Hiroshi FUNAKUBO

Journal of the Ceramic Society of Japan 128 ( 8 ) 436 - 440 2020年8月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Ceramic Society of Japan

DOI： 10.2109/jcersj2.19234

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High yield preparation of (100)_c-oriented (K,Na)NbO₃ thick films by hydrothermal method using amorphous niobium source 査読

Yoshiharu ITO, Akinori TATEYAMA, Yoshiko NAKAMURA, Takao SHIMIZU, Minoru KUROSAWA, Hiroshi UCHIDA, Takahisa SHIRAISHI, Takanori KIGUCHI, Toyohiko J. KONNO, Mutsuo ISHIKAWA, Nobuhiro KUMADA, Hiroshi FUNAKUBO

Journal of the Ceramic Society of Japan 128 ( 8 ) 512 - 517 2020年8月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Ceramic Society of Japan

DOI： 10.2109/jcersj2.20023

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Preparation of near-1-mu m-thick {100}-oriented epitaxial Y-doped HfO2 ferroelectric films on (100)Si substrates by a radio-frequency magnetron sputtering method

Reijiro Shimura, Takanori Mimura, Takao Shimizu, Yoshitomo Tanaka, Yukari Inoue, Hiroshi Funakubo

JOURNAL OF THE CERAMIC SOCIETY OF JAPAN 128 ( 8 ) 539 - 543 2020年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.2109/jcersj2.20019

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Roles of polyunsaturated fatty acids, from mediators to membranes

Takeshi Harayama, Takao Shimizu

Journal of Lipid Research 61 ( 8 ) 1150 - 1160 2020年8月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Elsevier {BV}

DOI： 10.1194/jlr.R120000800

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Large Electromechanical Responses Driven by Electrically Induced Dense Ferroelastic Domains: Beyond Morphotropic Phase Boundaries 査読

Mitsumasa Nakajima, Takao Shimizu, Hiroshi Nakaki, Tomoaki Yamada, Ayumi Wada, Takaaki Nakashima, Yoshitaka Ehara, Hiroshi Funakubo

ACS Applied Electronic Materials 2 ( 7 ) 1908 - 1916 2020年7月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：American Chemical Society (ACS)

DOI： 10.1021/acsaelm.0c00220

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Thermoelectric (Ba x Sr1–x )Si2 films prepared by sputtering method over the barium solubility limit

Kodai Aoyama, Takao Shimizu, Hideto Kuramochi, Masami Mesuda, Ryo Akiike, Keisuke Ide, Takayoshi Katase, Toshio Kamiya, Yoshisato Kimura, Hiroshi Funakubo

Japanese Journal of Applied Physics 59 2020年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/1347-4065/ab645b

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Thickness- and orientation- dependences of Curie temperature in ferroelectric epitaxial Y doped HfO2 films

Takanori Mimura, Takao Shimizu, Yoshio Katsuya, Osami Sakata, Hiroshi Funakubo

Japanese Journal of Applied Physics 59 2020年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.35848/1347-4065/ab6d84

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Epitaxial growth of Mg2Si films on (111) Si substrates covered with epitaxial SiC layers

Atsuo Katagiri, Shota Ogawa, Takao Shimizu, Masaaki Matsushima, Kensuke Akiyama, Hiroshi Uchida, Hiroshi Funakubo

Japanese Journal of Applied Physics 2020年4月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：{IOP} Publishing

DOI： 10.7567/1347-4065/ab65b0

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Fabrication and characterization of ReO3-type dielectric films

Masanori Kodera, Ayako Taguchi, Takao Shimizu, Hiroki Moriwake, Hiroshi Funakubo

JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C 8 ( 14 ) 4680 - 4684 2020年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1039/d0tc00821d

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Fabrication and characterization of ReO<inf>3</inf>-type dielectric films

Masanori Kodera, Ayako Taguchi, Takao Shimizu, Hiroki Moriwake, Hiroshi Funakubo

Journal of Materials Chemistry C 8 ( 14 ) 4680 - 4684 2020年4月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1039/d0tc00821d

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Room-temperature deposition of ferroelectric HfO2-based films by the sputtering method

Takanori Mimura, Takao Shimizu, Hiroshi Uchida, Hiroshi Funakubo

Applied Physics Letters 116 ( 6 ) 2020年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.5140612

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Electric field-induced change in the crystal structure of MOCVD-Pb(Zr,Ti)O3 films near the phase boundary 査読

Hidehisa Inoue, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo

Japanese Journal of Applied Physics 2019年11月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Japan Society of Applied Physics

DOI： 10.7567/1347-4065/ab37ef

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Ferroelectric properties of epitaxial Bi2SiO5 thin films grown on SrTiO3 substrates with various orientations 査読

Masanori Kodera, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo

Japanese Journal of Applied Physics 2019年11月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Japan Society of Applied Physics

DOI： 10.7567/1347-4065/ab36cf

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Growth of epitaxial (K, Na)NbO3 films with various orientations by hydrothermal method and their properties 査読

YOSHIHARU ITO, Akinori Tateyama, Yoshiko Nakamura, Takao Shimizu, Minoru Kuribayashi KUROSAWA, Hiroshi UCHIDA, Takahisa Shiraishi, Takanori KIGUCHI, Toyohiko J Konno, Mutsuo Ishikawa, Hiroshi FUNAKUBO

Japanese Journal of Applied Physics 58 2019年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/1347-4065/ab3958

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Electric-Field-Driven Nanosecond Ferroelastic-Domain Switching Dynamics in Epitaxial Pb(Zr,Ti)O-3 Film

Hyeon Jun Lee, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo, Yasuhiko Imai, Osami Sakata, Seung Hyun Hwang, Tae Yeon Kim, Changjae Yoon, Cheng Dai, Long Q. Chen, Su Yong Lee, Ji Young Jo

PHYSICAL REVIEW LETTERS 123 ( 21 ) 2019年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1103/PhysRevLett.123.217601

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Interface structure of Pb(Zr,Ti)O3/MgO(001) epitaxial thin film in early stage of Stranski–Krastanov growth mode 査読

T. Kiguchi, Y. Kodama, T. Shimizu, T. Shiraishi, N. Wakiya, T. J. Konno

Jpn. J. Appl. Phys. 58 SLLA08-1 - SLLA08-11 2019年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/1347-4065/ab3b13

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Ferroelastic domain motion by pulsed electric field in (111)/(111¯) rhombohedral epitaxial Pb(Zr0.65Ti0.35)O3 thin films: Fast switching and relaxation 査読

Physical Review B 100 ( 10 ) 2019年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1103/PhysRevB.100.104116

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Deposition of orientation-controlled thick (K,Na)NbO3 films on metal substrates by repeated hydrothermal deposition technique 査読

Yoshiharu ITO, Akinori TATEYAMA, Yoshiko NAKAMURA, Takao SHIMIZU, Minoru KUROSAWA, Hiroshi UCHIDA, Takahisa SHIRAISHI, Takanori KIGUCHI, Toyohiko J. KONNO, Mutsuo ISHIKAWA, Hiroshi. FUNAKUBO

J. Ceram. Soc. Jpn. 127 ( 7 ) 478 - 484 2019年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.2109/jcersj2.

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Ferroelectricity in YO1.5-HfO2 films around 1 μm in thickness 査読

Applied Physics Letters 115 ( 3 ) 2019年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.5097880

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Formation of the orthorhombic phase in CeO2-HfO2 solid solution epitaxial thin films and their ferroelectric properties 査読

T. Shiraishi, S. Choi, T. Kiguchi, T. Shimizu, H. Funakubo, T. J. Konno

Applied Physics Letters 2019年6月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.5097980

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Evaluation of phase and thermoelectric properties of thin film SrSi₂ 査読

Aoyama, K., Shimizu, T., Kuramochi, H., Mesuda, M., Akiike, R., Kimura, Y., Funakubo, H.

Journal of the Ceramic Society of Japan 127 ( 6 ) pp. 394 - 398 2019年6月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.2109/jcersj2.19016

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Effects of heat treatment and in situ high-temperature X-ray diffraction study on the formation of ferroelectric epitaxial Y-doped HfO2 film 査読

Takanori Mimura, Takao Shimizu, Takanori Kiguchi, Akihiro Akama, Toyohiko J. Konno, Yoshio Katsuya, Osami Sakata, Hiroshi Funakubo

Japanese Journal of Applied Physics 58 SBBB09-1 - SBBB09-5 2019年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/1347-4065/aafed1

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Epitaxial growth of doped HfO2 ferroelectric materials

Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo

Ferroelectricity in Doped Hafnium Oxide: Materials, Properties and Devices 173 - 192 2019年1月

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記述言語：英語掲載種別：論文集(書籍)内論文出版者・発行元：Elsevier

DOI： 10.1016/B978-0-08-102430-0.00004-8

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Effects of starting materials on the deposition behavior of hydrothermally synthesized {1 0 0} _c -oriented epitaxial (K,Na)NbO ₃ thick films and their ferroelectric and piezoelectric properties 査読

Tateyama, A., Ito, Y., Nakamura, Y., Shimizu, T., Orino, Y., Kurosawa, M., Uchida, H., Shiraishi, T., Kiguchi, T., Konno, T.J., Kumada, N., Funakubo, H.

Journal of Crystal Growth 511 1 - 7 2019年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2019.01.019

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Structural origin of temperature-dependent ferroelectricity

Park, M.H., Shimizu, T., Funakubo, H., Schroeder, U.

Ferroelectricity in Doped Hafnium Oxide: Materials, Properties and Devices 2019年

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/B978-0-08-102430-0.00012-7

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Formation of polar phase in Fe-doped ZrO2 epitaxial thin films 査読

S. Choi, T. Shiraishi, T. Kiguchi, T. Shimizu, H. Funakubo, T. J. Konno

Applied Physics Letters 113 ( 26 ) 262903 - 262903 2018年12月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：{AIP} Publishing

DOI： 10.1063/1.5063757

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Ferroelectricity mediated by ferroelastic domain switching in HfO2-based epitaxial thin films 査読

Takao Shimizu, Takanori Mimura, Takanori Kiguchi, Takahisa Shiraishi, Toyohiko Konno, Yoshio Katsuya, Osami Sakata, Hiroshi Funakubo

Applied Physics Letters 113 ( 21 ) 212901 - 212901 2018年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.5055258

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Epitaxial growth of perovskite-type oxide thin film on (111)SrTiO3 substrate using (101)PdO as a buffer layer 査読

Hiroki Tanaka, Kiyoshi Uchiyama, Takahiro Oikawa, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo

Japanese Journal of Applied Physics 57 ( 11S ) 11UF04 - 11UF04 2018年11月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Japan Society of Applied Physics

DOI： 10.7567/JJAP.57.11UF04

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Epitaxial ferroelectric Y-doped HfO2 film grown by the RF magnetron sputtering 査読

Taisei Suzuki, Takao Shimizu, Takanori Mimura, Hiroshi Uchida, Hiroshi Funakubo

Japanese Journal of Applied Physics 57 ( 11S ) 11UF15 2018年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.57.11UF15

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Domain orientation relationship of orthorhombic and coexisting monoclinic phases of YO_1.5-doped HfO₂ epitaxial thin films 査読

Kiguchi, T., Shiraishi, T., Shimizu, T., Funakubo, H., Konno, T.J.

Japanese Journal of Applied Physics 57 ( 11 ) 11UF16-1 - 11UF16-7 2018年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.57.11UF16

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Thickness-dependent crystal structure and electric properties of epitaxial ferroelectric Y2O3-HfO2 films 査読

Takanori Mimura, Takao Shimizu, Hiroshi Uchida, Osami Sakata, Hiroshi Funakubo

Applied Physics Letters 113 ( 10 ) 102901 - 102901 2018年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.5040018

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Domain structure transition from two to three dimensions in tensile strained (100)/(001)-oriented epitaxial tetragonal PZT film 査読

Daichi Ichinose, Takao Shimizu, Osami Sakata, Tomoaki Yamada, Hiroshi Funakubo

Applied Physics Letters 113 ( 13 ) 132905 - 132905 2018年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.5042470

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Fabrication of ferroelectric Fe doped HfO₂ epitaxial thin films by ion-beam sputtering method and their characterization 査読

Shiraishi, T., Choi, S., Kiguchi, T., Shimizu, T., Uchida, H., Funakubo, H., Konno, T.J.

Japanese Journal of Applied Physics 57 ( 11 ) 11UF02-1 - 11UF02-5 2018年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.57.11UF02

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Time response demonstration of in situ lattice deformation under an applied electric field by synchrotron-based time-resolved X-ray diffraction in polar-axis-oriented epitaxial Pb(Zr,Ti)O3 film 査読

Tomoya Sato, Daichi Ichinose, Naoya Oshima, Takanori Mimura, Yuichi Nemoto, Takao Shimizu, Yasuhiko Imai, Hiroshi Uchida, Osami Sakata, Hiroshi Funakubo

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 57 ( 9 ) 0902B8-1 - 0902B8-5 2018年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/jjap.57.0902b8

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Stability of the orthorhombic phase in (111)-oriented YO1.5-substituted HfO2 films 査読

Takao Shimizu, Kiliha Katayama, Hiroshi Funakubo

Journal of the Ceramic Society of Japan 126 ( 5 ) 269 - 275 2018年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.2109/jcersj2.17247

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Growth of (111)-oriented epitaxial magnesium silicide (Mg2Si) films on (001) Al2O3 substrates by RF magnetron sputtering and their properties 査読

Atsuo Katagiri, Shota Ogawa, Mutsuo Uehara, P. S. Sankara Rama Krishnan, Mao Kurokawa, Masaaki Matsushima, Takao Shimizu, Kensuke Akiyama, Hiroshi Funakubo

Journal of Materials Science 53 ( 7 ) 5151 - 5158 2018年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1007/s10853-017-1902-z

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In situ observation of crystal structure dynamics in ferroelectric films under application of an electric field 査読

FUNAKUBO Hiroshi, SHIMIZU Takao, 坂田修身

SPring-8/SACLA Research Frontiers 2017 36 - 37 2018年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（大学，研究機関等紀要）

Ferroelectric materials have a switchable spontaneous polarization and also have pyroelectric and piezoelectric properties. Using such properties, they have been widely applied to many electronic devices, including sensors and actuators. Recently, they have also been applied to energy harvesting devices using mechanical vibration from an environmental source. Therefore, they have become one of the key materials for sensor network systems to a sustain an aging society, for example, by monitoring the movements of elderly people living alone.

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Ferroelectricity in HfO₂ and related ferroelectrics

Shimizu, T.

Journal of the Ceramic Society of Japan 126 ( 9 ) 2018年

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.2109/jcersj2.18104

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Effect of the film thickness on the crystal structure and ferroelectric properties of (Hf0.5Zr0.5)O-2 thin films deposited on various substrates 査読

Takahisa Shiraishi, Kiliha Katayama, Tatsuhiko Yokouchi, Takao Shimizu, Takahiro Oikawa, Osami Sakata, Hiroshi Uchida, Yasuhiko Imai, Takanori Kiguchi, Toyohiko J. Konno, Hiroshi Funakubo

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING 70 239 - 245 2017年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.mssp.2016.12.008

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Dynamic observation of ferroelectric domain switching using scanning nonlinear dielectric microscopy 査読

Yoshiomi Hiranaga, Takanori Mimura, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo, Yasuo Cho

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56 ( 10 ) 2017年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.56.10PF16

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Electric-field-induced lattice distortion in epitaxial BiFeO<inf>3</inf> thin films as determined by in situ time-resolved x-ray diffraction 査読

Seiji Nakashima, Osami Sakata, Hiroshi Funakubo, Takao Shimizu, Daichi Ichinose, Kota Takayama, Yasuhiko Imai, Hironori Fujisawa, Masaru Shimizu

Applied Physics Letters 111 ( 8 ) 2017年8月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.5000495

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In-situ observation of ultrafast 90 degrees domain switching under application of an electric field in (100)/(001)-oriented tetragonal epitaxial Pb(Zr0.4Ti0.6)O-3 thin films 査読

Yoshitaka Ehara, Shintaro Yasui, Takahiro Oikawa, Takahisa Shiraishi, Takao Shimizu, Hiroki Tanaka, Noriyuki Kanenko, Ronald Maran, Tomoaki Yamada, Yasuhiko Imai, Osami Sakata, Nagarajan Valanoor, Hiroshi Funakubo

SCIENTIFIC REPORTS 7 2017年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1038/s41598-017-09389-6

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Crystal structure and magnetism in kappa-Al2O3-type AlxFe2-xO3 films on SrTiO3(111) 査読

Yosuke Hamasaki, Takao Shimizu, Shintaro Yasui, Takahisa Shiraishi, Akihiro Akama, Takanori Kiguchi, Tomoyasu Taniyama, Mitsuru Itoh

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 122 ( 1 ) 2017年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4990947

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Preparation of preferentially (111)-oriented Mg2Si thin films on (001)Al2O3 and (100)CaF2 substrates and their thermoelectric properties 査読

Mao Kurokawa, Mutsuo Uehara, Daichi Ichinose, Takao Shimizu, Kensuke Akiyama, Masaaki Matsushima, Hiroshi Uchida, Yoshisato Kimura, Hiroshi Funakubo

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56 ( 5 ) 2017年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.56.05DC02

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Preparation of preferentially (111)-oriented Mg

Kurokawa Mao, Uehara Mutsuo, Ichinose Daichi, Shimizu Takao, Akiyama Kensuke, Matsushima Masaaki, Uchida Hiroshi, Kimura Yoshisato, Funakubo Hiroshi

Jpn. J. Appl. Phys. 56 ( 5 ) 05DC02 2017年3月

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記述言語：英語出版者・発行元：Institute of Physics

Mg<inf>2</inf>Si thin films were deposited at 320 °C on (001)Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf>and (100)CaF<inf>2</inf>substrates by radio-frequency magnetron sputtering. Both films showed a preferential (111) out-of-plane orientation with an in-plane random orientation irrespective of post-heat treatment. Mg<inf>2</inf>Si films on (001)Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf>substrates were under in-plane tensile strain, while those on (100)CaF<inf>2</inf>substrates were under in-plane compressive strain both before and after heat treatment. Heat-treated films showed p-type conduction up to 500 °C. Their electrical conductivity and Seebeck coefficient were almost independent of the kind of substrate within the limit of the present study, from 0.22% compressive strain to 0.34% tensile strain at room temperature.

DOI： 10.7567/JJAP.56.05DC02

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Effect of in-plane tensile strain in (100)/(001)-oriented epitaxial PbTiO3 films on their phase transition temperature and tetragonal distortion 査読

Takaaki Nakashima, Daichi Ichinose, Yoshitaka Ehara, Takao Shimizu, Takeshi Kobayashi, Tomoaki Yamada, Hiroshi Funakubo

APPLIED PHYSICS LETTERS 110 ( 12 ) 2017年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4978649

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Orientation change with substrate type and composition in (100)/(001)-oriented epitaxial tetragonal Pb(ZrxTi1-x)O-3 films 査読

Daichi Ichinose, Takaaki Nakashima, Yoshitaka Ehara, Takahiro Oikawa, Takao Shimizu, Osami Sakata, Tomoaki Yamada, Hiroshi Funakubo

JOURNAL OF THE CERAMIC SOCIETY OF JAPAN 125 ( 6 ) 458 - 462 2017年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.2109/jcersj2.16326

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Epitaxial growth of YO1.5 doped HfO2 films on (100) YSZ substrates with various concentrations 査読

Takao Shimizu, Kiliha Katayama, Hiroshi Funakubo

FERROELECTRICS 512 ( 1 ) 105 - 110 2017年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1080/00150193.2017.1349994

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Crystal structure and dielectric/ferroelectric properties of CSD-derived HfO2-ZrO2 solid solution films 査読

Chihoko Abe, Shuhei Nakayama, Marina Shiokawa, Hiroaki Kawashima, Kiliha Katayama, Takahisa Shiraishi, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo, Hiroshi Uchida

CERAMICS INTERNATIONAL 43 S501 - S505 2017年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.ceramint.2017.05.253

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網羅的ソフトモードフォノン探索によるHfO₂薄膜の強誘電性の理論計算

森分博紀, 小西綾子, 東後篤史, 清水荘雄, 舟窪浩

日本物理学会講演概要集 72 2282 - 2282 2017年

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

DOI： 10.11316/jpsgaiyo.72.2.0_2282

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Evidence of ferroelectricity in ferrimagnetic kappa-Al2O3-type In0.25Fe1.75O3 films 査読

Yosuke Hamasaki, Takao Shimizu, Shintaro Yasui, Tomoyasu Taniyama, Mitsuru Itoh

APPLIED PHYSICS LETTERS 109 ( 16 ) 2016年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4964826

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Growth of epitaxial tetragonal (Bi, K)TiO3 films and their ferroelectric and piezoelectric properties 査読

Yuichi Nemoto, Daichi Ichinose, Takao Shimizu, Hiroshi Uchida, Wakiko Yamaoka, Yusuke Sato, Hiroshi Funakubo

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55 ( 10 ) 2016年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.55.10TA13

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Fabrication and characterization of (111)-epitaxial Pb(Zr0.35Ti0.65)O-3/Pb(Zr0.65Ti0.35)O-3 artificial superlattice thin films 査読

Tomoaki Yamada, Youhei Ebihara, Takanori Kiguchi, Osami Sakata, Hitoshi Morioka, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo, Toyohiko J. Konno, Masahito Yoshino, Takanori Nagasaki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55 ( 10 ) 2016年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.55.10TA20

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Growth of epitaxial tetragonal (Bi,K)TiO

Nemoto Yuichi, Ichinose Daichi, Shimizu Takao, Uchida Hiroshi, Yamaoka Wakiko, Sato Yusuke, Funakubo Hiroshi

Jpn. J. Appl. Phys. 55 ( 10 ) 10TA13 2016年9月

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記述言語：英語出版者・発行元：Institute of Physics

(Bi,K)TiO<inf>3</inf>films were grown on (001)<inf>c</inf>SrRuO<inf>3</inf>// (100)SrTiO<inf>3</inf>substrates by pulsed laser deposition (PLD) at various temperatures. The K/Ti and Bi/Ti ratios of the films were almost the same at 350 and 500 °C, but decreased markedly at 650 °C. The ferroelectric property was ascertained for epitaxial tetragonal (Bi,K)TiO<inf>3</inf>films grown at 500 °C from polarization–electric field relationships, and their saturation polarization (P<inf>sat</inf>) and coercive field (E<inf>c</inf>) at a maximum electric field of 800 kV/cm were 18 µC/cm²and 300 kV/cm, respectively. To improve the ferroelectric property, the films were heat-treated at 650 °C while keeping the films in the PLD chamber after film deposition. These films also maintained a (001)-oriented epitaxy and had a tetragonal symmetry. The P<inf>sat</inf>and E<inf>c</inf>obtained at an electric field of 800 kV/cm were changed to 22 µC/cm²and 95 kV/cm, respectively. Moreover, these P<inf>sat</inf>and E<inf>c</inf>values increased to 31 µC/cm²and 165 kV/cm, respectively, at a maximum electric field of 1500 kV/cm. These heat-treated (Bi,K)TiO<inf>3</inf>films showed piezoelectricity with an apparent piezoelectric coefficient (d<inf>33(AFM)</inf>) of 22 pm/V.

DOI： 10.7567/JJAP.55.10TA13

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The demonstration of significant ferroelectricity in epitaxial Y-doped HfO2 film 査読

Takao Shimizu, Kiliha Katayama, Takanori Kiguchi, Akihiro Akama, Toyohiko J. Konno, Osami Sakata, Hiroshi Funakubo

SCIENTIFIC REPORTS 6 2016年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1038/srep32931

Web of Science

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Mechanism of polarization switching in wurtzite-structured zinc oxide thin films 査読

Ayako Konishi, Takafumi Ogawa, Craig A. J. Fisher, Akihide Kuwabara, Takao Shimizu, Shintaro Yasui, Mitsuru Itoh, Hiroki Moriwake

APPLIED PHYSICS LETTERS 109 ( 10 ) 150 - 153 2016年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4962440

Web of Science

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Growth of (111)-oriented epitaxial and textured ferroelectric Y-doped HfO2 films for downscaled devices 査読

Kiliha Katayama, Takao Shimizu, Osami Sakata, Takahisa Shiraishi, Syogo Nakamura, Takanori Kiguchi, Akihiro Akama, Toyohiko J. Konno, Hiroshi Uchida, Hiroshi Funakubo

APPLIED PHYSICS LETTERS 109 ( 11 ) 2016年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4962431

Web of Science

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Crystal Isomers of ScFeO3 査読

Yosuke Hamasaki, Takao Shimizu, Shintaro Yasui, Tomoyasu Taniyama, Osami Sakata, Mitsuru Itoh

CRYSTAL GROWTH & DESIGN 16 ( 9 ) 5214 - 5222 2016年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1021/acs.cgd.6b00770

Web of Science

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Formation of (111) orientation-controlled ferroelectric orthorhombic HfO2 thin films from solid phase via annealing 査読

Takanori Mimura, Kiliha Katayama, Takao Shimizu, Hiroshi Uchida, Takanori Kiguchi, Akihiro Akama, Toyohiko J. Konno, Osami Sakata, Hiroshi Funakubo

APPLIED PHYSICS LETTERS 109 ( 5 ) 2016年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4960461

Web of Science

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Impact of mechanical stress on ferroelectricity in (Hf0.5Zr0.5)O-2 thin films 査読

Takahisa Shiraishi, Kiliha Katayama, Tatsuhiko Yokouchi, Takao Shimizu, Takahiro Oikawa, Osami Sakata, Hiroshi Uchida, Yasuhiko Imai, Takanori Kiguchi, Toyohiko J. Konno, Hiroshi Funakubo

APPLIED PHYSICS LETTERS 108 ( 26 ) 262904 - 262904 2016年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4954942

Web of Science

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Preparation of Ca-Si Films on (001) Al2O3 Substrates by an RF Magnetron Sputtering Method and Their Electrical Properties 査読

Mutsuo Uehara, Kensuke Akiyama, Takao Shimizu, Masaaki Matsushima, Hiroshi Uchida, Yoshisato Kimura, Hiroshi Funakubo

JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS 45 ( 6 ) 3121 - 3126 2016年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1007/s11664-016-4404-x

Web of Science

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Orientation control and domain structure analysis of {100}-oriented epitaxial ferroelectric orthorhombic HfO2-based thin films 査読

Kiliha Katayama, Takao Shimizu, Osami Sakata, Takahisa Shiraishi, Shogo Nakamura, Takanori Kiguchi, Akihiro Akama, Toyohiko J. Konno, Hiroshi Uchida, Hiroshi Funakubo

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 119 ( 13 ) 134101 - 134101 2016年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4945029

Web of Science

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正方晶/菱面体晶Pb(Zr_xTi_1-x)O₃人工超格子薄膜における圧電応答の層厚依存性

山田智明, 海老原洋平, 坂田修身, 森岡仁, 木口賢紀, 清水荘雄, 舟窪浩, 吉野正人, 長崎正雅

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2016.1 1218 - 1218 2016年3月

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記述言語：日本語出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

DOI： 10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1218

CiNii Research

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Crystal structure and compositional analysis of epitaxial (K0.56Na0.44) NbO3 films prepared by hydrothermal method 査読

Takahisa Shiraishi, Hiro Einishi, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo, Minoru Kurosawa, Hiroshi Uchida, Nobuhiro Kumada, Takanori Kiguchi, Toyohiko J. Konno

JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH 31 ( 6 ) 693 - 701 2016年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1557/jmr.2016.56

Web of Science

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Thermally stable dielectric responses in uniaxially (001)-oriented CaBi4Ti4O15 nanofilms grown on a Ca2Nb3O10− nanosheet seed layer 査読

Kimura Junichi, Takuwa Itaru, Matsushima Masaaki, Shimizu Takao, Uchida Hiroshi, Kiguchi Takanori, Shiraishi Takahisa, Konno Toyohiko J, Shibata Tatsuo, Osada Minoru

Scientific reports 6 2016年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1038/srep20713

Web of Science

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High temperature stability of the dielectric and insulating properties of Ca(Ti, Zr)SiO5 ceramics 査読

Junichi Kimura, Hiroki Taniguchi, Takashi Iijima, Takao Shimizu, Shintaro Yasui, Mitsuru Itoh, Hiroshi Funakubo

APPLIED PHYSICS LETTERS 108 ( 6 ) 062902 - 062902 2016年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4941803

Web of Science

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Growth of {110}-one-axis-oriented perovskite-type oxide films using self-aligned epitaxial (101)PdO//(111) Pd double layers 査読

Hiroki Tanaka, Tetsuro Kariya, Takao Shimizua, Kiyoshi Uchiyama, Hiroshi Funakubo

THIN SOLID FILMS 599 133 - 137 2016年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2015.12.067

Web of Science

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Simultaneous achievement of high dielectric constant and low temperature dependence of capacitance in (111)-oriented BaTiO3-Bi(Mg0.5Ti0.5)O-3-BiFeO3 solid solution thin films 査読

Junichi Kimura, Mohamed-Tahar Chentir, Takao Shimizu, Hiroshi Uchida, Hiroshi Funakubo

AIP ADVANCES 6 ( 1 ) 015304 - 015304 2016年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4939818

Web of Science

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Domain structure of tetragonal Pb(Zr,Ti)O-3 nanorods and its size dependence 査読

Tomoaki Yamada, Daisuke Ito, Osami Sakata, Junki Kuroishi, Takahiro Namazu, Yasuhiko Imai, Takahisa Shiraishi, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo, Masahito Yoshino, Takanori Nagasaki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 54 ( 10 ) 10NA07 2015年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.54.10NA07

Web of Science

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斜方晶エピタキシャルHfO₂基薄膜のドメイン構造

清水荘雄, 片山きりは, 木口賢紀, 赤間章裕, 今野豊彦, 内田寛, 坂田修身, 舟窪浩

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2015.2 1183 - 1183 2015年8月

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記述言語：日本語出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

DOI： 10.11470/jsapmeeting.2015.2.0_1183

CiNii Research

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{100}, {111}配向Pb(Zr,Ti)O₃ナノロッドのドメイン構造とそのサイズ依存性

山田智明, 伊藤大介, 坂田修身, 黒石隼輝, 生津資大, 清水荘雄, 舟窪浩, 吉野正人, 長崎正雅

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2015.2 1177 - 1177 2015年8月

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記述言語：日本語出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

DOI： 10.11470/jsapmeeting.2015.2.0_1177

CiNii Research

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Si基板上への斜方晶エピタキシャルHfO₂基薄膜の作製

片山きりは, 清水荘雄, 木口賢紀, 赤間章裕, 今野豊彦, 内田寛, 坂田修身, 舟窪浩

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2015.2 1182 - 1182 2015年8月

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記述言語：日本語出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

DOI： 10.11470/jsapmeeting.2015.2.0_1182

CiNii Research

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Negligible substrate clamping effect on piezoelectric response in (111)-epitaxial tetragonal Pb(Zr, Ti)O-3 films 査読

Tomoaki Yamada, Jun Yasumoto, Daisuke Ito, Osami Sakata, Yasuhiko Imai, Takanori Kiguchi, Takahisa Shiraishi, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo, Masahito Yoshino, Takanori Nagasaki

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 118 ( 7 ) 072012 - 6 2015年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4927810

Web of Science

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Stabilizing the ferroelectric phase in doped hafnium oxide 査読

M. Hoffmann, U. Schroeder, T. Schenk, T. Shimizu, H. Funakubo, O. Sakata, D. Pohl, M. Drescher, C. Adelmann, R. Materlik, A. Kersch, T. Mikolajick

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 118 ( 7 ) 72006 - 72006 2015年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4927805

Web of Science

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Orientation control of epitaxial tetragonal Pb(ZrxTi1-x)O-3 thin films grown on (100)KTaO3 substrates by tuning the Zr/(Zr plus Ti) ratio 査読

Daichi Ichinose, Takaaki Nakashima, Yoshitaka Ehara, Takahiro Oikawa, Takao Shimizu, Osami Sakata, Tomoaki Yamada, Hiroshi Funakubo

APPLIED PHYSICS LETTERS 107 ( 2 ) 2015年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.49269631

Web of Science

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Growth of epitaxial orthorhombic YO1.5-substituted HfO2 thin film 査読

Takao Shimizu, Kiliha Katayama, Takanori Kiguchi, Akihiro Akama, Toyohiko J. Konno, Hiroshi Funakubo

APPLIED PHYSICS LETTERS 107 ( 3 ) 032910 - 032910 2015年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4927450

Web of Science

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Contribution of oxygen vacancies to the ferroelectric behavior of Hf0.5Zr0.5O2 thin films 査読

Takao Shimizu, Tatsuhiko Yokouchi, Takahiro Oikawa, Takahisa Shiraishi, Takanori Kiguchi, Akihiro Akama, Toyohiko J. Konno, Alexei Gruverman, Hiroshi Funakubo

APPLIED PHYSICS LETTERS 106 ( 11 ) 112904 - 112904 2015年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4915336

Web of Science

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Fabrication of Tetragonal Pb(Zr,Ti)O-3 Nanorods by Focused Ion Beam and Characterization of the Domain Structure 査読

D. Ito, T. Yamada, M. Yoshino, T. Nagasaki, O. Sakata, J. Kuroishi, T. Namazu, T. Shiraishi, T. Shimizu, H. Funakubo

2015 JOINT IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON THE APPLICATIONS OF FERROELECTRIC, INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON INTEGRATED FUNCTIONALITIES AND PIEZOELECTRIC FORCE MICROSCOPY WORKSHOP (ISAF/ISIF/PFM) 175 - 177 2015年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/ISAF.2015.7172698

Web of Science

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Lead- and alkali-metal-free BaTiO

Kimura Junichi, Mohamed-Tahar Chentir, Shimizu Takao, Uchida Hiroshi, Funakubo Hiroshi

Jpn. J. Appl. Phys. 53 ( 9 ) 09PA12 2014年9月

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記述言語：英語出版者・発行元：Institute of Physics

Lead- and alkali-metal-free BaTiO<inf>3</inf>–Bi(Mg<inf>0.5</inf>Ti<inf>0.5</inf>)O<inf>3</inf>–BiFeO<inf>3</inf>solid-solution thin films were prepared on (111)<inf>c</inf>SrRuO<inf>3</inf>/(111)Pt/TiO<inf>2</inf>/SiO<inf>2</inf>/(100)Si substrates by chemical solution deposition (CSD) and their crystal structure and dielectric properties were investigated. The lattice spacing as a function of z/(x + z) in xBaTiO<inf>3</inf>–0.1Bi(Mg<inf>0.5</inf>Ti<inf>0.5</inf>)O<inf>3</inf>–zBiFeO<inf>3</inf>indicated the existence of phase boundaries (pseudocubic/rhombohedral) in the range of z/(x + z) = 0.33–0.56, where the relatively high relative dielectric constant, ε<inf>r</inf>, of above 800 was obtained. On the other hand, dielectric loss, tan δ, of below 0.2 was confirmed in the range z/(x + z) = 0–0.87, which rapidly increased toward z/(x + z) = 1.0. The relatively high ε<inf>r</inf>values of these films deposited on Si substrates by a solution-based process suggest that they can be used as alternative to Pb(Zr,Ti)O<inf>3</inf>, KNbO<inf>3</inf>, and (Bi<inf>1/2</inf>Na<inf>1/2</inf>)TiO<inf>3</inf>-based films.

DOI： 10.7567/JJAP.53.09PA12

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正方晶PZT薄膜とナノロッドにおける逆圧電特性の結晶方位依存性

山田智明, 安本洵, 伊藤大介, 坂田修身, 今井康彦, 白石貴久, 清水荘雄, 舟窪浩, 吉野正人, 長崎正雅

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2014.2 3885 - 3885 2014年9月

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記述言語：日本語出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

DOI： 10.11470/jsapmeeting.2014.2.0_3885

CiNii Research

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Study on the effect of heat treatment conditions on metalorganic-chemical-vapor-deposited ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 thin film on Ir electrode 査読

Takao Shimizu, Tatsuhiko Yokouchi, Takahisa Shiraishi, Takahiro Oikawa, P. S. Sankara Rama Krishnan, Hioshi Funakubo

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 53 ( 9 ) 09PA04 2014年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.53.09PA04

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Lead- and alkali-metal-free BaTiO 3 –Bi(Mg 0.5 Ti 0.5 )O 3 –BiFeO 3 solid-solution thin films with high dielectric constant prepared on Si substrates by solution-based method 査読

Kimura Junichi, Mohamed-Tahar Chentir, Shimizu Takao, Uchida Hiroshi, Funakubo Hiroshi

Japanese Journal of Applied Physics 53 ( 9 ) 09PA12 2014年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.53.09PA12

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Ferroelectricity in wurtzite structure simple chalcogenide 査読

Hiroki Moriwake, Ayako Konishi, Takafumi Ogawa, Koji Fujimura, Craig A. J. Fisher, Akihide Kuwabara, Takao Shimizu, Shintaro Yasui, Mitsuru Itoh

APPLIED PHYSICS LETTERS 104 ( 24 ) 242909 - 242909 2014年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4884596

Web of Science

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Electrical Properties of (110)-Oriented Nondoped Mg2Si Films with p-Type Conduction Prepared by RF Magnetron Sputtering Method 査読

Shota Ogawa, Atsuo Katagiri, Takao Shimizu, Masaaki Matsushima, Kensuke Akiyama, Yoshisato Kimura, Hiroshi Uchida, Hiroshi Funakubo

JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS 43 ( 6 ) 2269 - 2273 2014年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1007/s11664-014-3040-6

Web of Science

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High Temperature Reproducible Preparation of Mg₂Si Films on (001)Al₂O₃ substrates Using RF Magnetron Sputtering Method

Atsuo Katagiri, Shota Ogawa, Takao Shimizu, Masaaki Matsushima, Kensuke Akiyama, Hiroshi Funakubo

MRS Proceedings 1642 2014年5月

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）出版者・発行元：Springer Science and Business Media LLC

DOI： 10.1557/opl.2014.447

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Raman Tensor Analysis of Crystalline Lead Titanate by Quantitative Polarized Spectroscopy 査読

Y. Fujii, M. Noju, T. Shimizu, H. Taniguchi, M. Itoh, I. Nishio

FERROELECTRICS 462 ( 1 ) 120 - 125 2014年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1080/00150193.2014.890470

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Epitaxial growth of metastable multiferroic AlFeO3 film on SrTiO3 (111) substrate 査読

Yosuke Hamasaki, Takao Shimizu, Hiroki Taniguchi, Tomoyasu Taniyama, Shintaro Yasui, Mitsuru Itoh

APPLIED PHYSICS LETTERS 104 ( 8 ) 082906 - 082906 2014年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4866798

Web of Science

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Low temperature preparation of KNbO3 films by hydrothermal method and their characterization 査読

N. Kaneko, T. Shiraishi, M. Kurosawa, T. Shimizu, H. Funakubo

Materials Research Society Symposium Proceedings 1659 mrsf13 - 1659 2014年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）出版者・発行元：Materials Research Society

DOI： 10.1557/opl.2014.180

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その他リンク： http://orcid.org/0000-0001-9508-7601
Crystal Structure Analysis of Hydrothermally Synthesized Epitaxial (KxNa1-x)NbO3 Films 査読

Takahisa Shiraishi, Noriyuki Kaneko, Hiro Einishi, Takao Shimizu, Minoru Kurosawa, Hiroshi Uchida, Takeshi Kobayashi, Takanori Kiguchi, Toyohiko J. Konno, Hiroshi Funakubo

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 52 ( 9 ) 09KA11 - 1 2013年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.52.09KA11

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Comparative study of phase transitions in BaTiO3 thin films grown on (001)- and (110)-oriented SrTiO3 substrate 査読

Takao Shimizu, Dai Suwama, Hiroki Taniguchi, Tomoyasu Taniyama, Mitsuru Itoh

JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER 25 ( 13 ) 132001 - 132001 2013年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1088/0953-8984/25/13/132001

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Structural Modification and Domain Structure in a BaTiO3 Film on (110) SrTiO3 査読

Takao Shimizu, Dai Suwama, Hiroki Taniguchi, Tomoyasu Taniyama, Mitsuru Itoh

APPLIED PHYSICS EXPRESS 6 ( 1 ) 015803 - 015803 2013年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/APEX.6.015803

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Origin of the dielectric response in Ba0.767Ca0.233TiO3 査読

Takao Shimizu, Desheng Fu, Hiroki Taniguchi, Tomoyasu Taniyama, Mitsuru Itoh

APPLIED PHYSICS LETTERS 100 ( 10 ) 102908 - 102908 2012年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.3693524

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Mechanism for suppression of ferroelectricity in Cd<inf>1-x</inf>Ca <inf>x</inf>TiO<inf>3</inf> 査読

Hiroki Taniguchi, Hwee Ping Soon, Takao Shimizu, Hiroki Moriwake, Yue Jin Shan, Mitsuru Itoh

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics 84 ( 17 ) 2011年11月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1103/PhysRevB.84.174106

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Mechanism for suppression of ferroelectricity in Cd <math display="inline"> <msub> <mrow/> <mrow> <mn>1</mn> <mo>−</mo> <mi>x</mi> </mrow> </msub> </math> Ca <math 査読

Taniguchi Hiroki, Soon Hwee Ping, Shimizu Takao, Moriwake Hiroki, Shan Yue Jin, Itoh Mitsuru

Physical Review B 84 ( 17 ) 174106 - 174106 2011年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1103/PhysRevB.84.174106

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Phonon Dynamics in BiFeO3 Studied by Raman Scattering 査読

Takao Shimizu, Takuro Era, Hiroki Taniguchi, Desheng Fu, Tomoyasu Taniyama, Mitsuru Itoh

FERROELECTRICS 403 ( 1 ) 187 - 190 2010年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1080/00150191003751422

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Ferroelectric phase transition of <math display="inline"> <mrow> <msub> <mrow> <mtext>Cd</mtext> </mrow> <mn>2</mn> </msub> <msub> <mrow> <mtext>Nb</mtext> </mrow> <mn>2</mn> </msub> <msub> <mtext>O</mtext> <mn>7</mn> </msub> </mrow> </math> studied by Ra 査読

Taniguchi, Hiroki, Shimizu, Takao, Kawaji, Hitoshi, Atake, Tooru, Itoh, Mitsuru, Tachibana, Makoto

Physical Review B 77 ( 22 ) 224104 - 224104 2008年

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1103/PhysRevB.77.224104

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Analysis of Nanoscale Ferroelectric Domain Dynamics Based on Image Processing of Local C-V Maps

Yohiomi Hiranaga, Takanori Mimura, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo, Yasuo Cho

2024 IEEE Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control Joint Symposium (UFFC-JS) 1 - 3 2024年9月

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出版者・発行元：IEEE

DOI： 10.1109/uffc-js60046.2024.10793582

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(100)/(001)配向正方晶Pb(Zr,Ti)O₃膜における結晶構造のその場観察

中畑美紀, 岡本一輝, 石濱圭佑, 清水荘雄, 小金澤智之, 仲谷友孝, 坂田修身, 山田智明, 山田智明, 舟窪浩

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 71st 2024年

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面内分極配向BaTiO₃基エピタキシャル薄膜の作製

清水荘雄, 岡本一輝, 舟窪浩, 小金澤智之, 仲谷友孝, 坂田修身

日本セラミックス協会年会講演予稿集(Web) 2024 2024年

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ReO₃型酸フッ化物NbO₂Fの誘電特性発現機構

田口綾子, 森分博紀, 小寺正徳, 舟窪浩, 清水荘雄

JFCC研究成果集 2024 2024年

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(100)/(001)配向正方晶Pb(Zr,Ti)O₃膜における圧電応答の周波数依存性

中畑美紀, 岡本一輝, 石濱圭佑, 清水荘雄, 小金澤智之, KUMARA Rosantha, 仲谷友孝, 池田理, 坂田修身, 山田智明, 山田智明, 舟窪浩

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 85th 2024年

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強誘電体ドメイン構造制御に向けたペロブスカイト型Sr(Zr,Ti)O₃バッファ層の作製

石濱圭佑, 岡本一輝, 森川友秀, 舟窪浩, 小寺正徳, 小寺正徳, 清水荘雄, 小金澤智之, 仲谷友孝, 坂田修身

日本セラミックス協会年会講演予稿集(Web) 2024 2024年

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局所C-Vマップの画像処理に基づくナノスケール強誘電分極反転ダイナミクスの解析

平永良臣, 三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩, 長康雄

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 71st 2024年

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局所C-Vマッピングと圧電応答顕微鏡の統合計測システムの開発

野口雄貴, 三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩, 平永良臣

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 71st 2024年

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強誘電体薄膜のドメイン構造制御に向けたSr(Zr,Ti)O₃バッファ層の検討

石濱圭佑, 岡本一輝, 小寺正徳, 小寺正徳, 森川友秀, 清水荘雄, 清水荘雄, 舟窪浩

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 84th 2023年

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水熱合成法で作製した(Bi,K)TiO₃基強誘電体薄膜の熱処理効果とそれらの局所構造評価

村下太一, 岡本一輝, 高橋雄真, 窪田るりか, 伊東良晴, 藤井康裕, 是枝聡肇, 清水荘雄, 小林俊介, 加藤丈晴, HUANG Hsin-Hui, 森分博紀, 幾原雄一, 幾原雄一, 舟窪浩

電子材料研究討論会プログラム講演予稿集(CD-ROM) 43rd 2023年

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NbN電極上に作製したエピタキシャル(Al,Sc)N膜の電気特性評価

安岡慎之介, 大田怜佳, 岡本一輝, 清水荘雄, 清水荘雄, 舟窪浩

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 70th 2023年

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局所C-Vマップの機械学習解析に基づくグレイン境界と強誘電ドメイン挙動の相関に関する統計的評価

平永良臣, 野口雄貴, 三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩, 長康雄

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 70th 2023年

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格子整合によるY添加HfO₂強誘電体薄膜の配向制御

前川芳輝, 平井浩司, 岡本一輝, 清水荘雄, 舟窪浩

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 84th 2023年

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種々の組成の(Al,Sc)N多層膜のスイッチング特性評価

安岡慎之介, 岡本一輝, 清水荘雄, 清水荘雄, 松井尚子, 入澤寿和, 恒川孝二, 舟窪浩

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 84th 2023年

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様々な基板上におけるY:HfO₂エピタキシャル膜の合成と評価

前川芳輝, 平井浩司, 安岡慎之介, 岡本一輝, 清水荘雄, 舟窪浩

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 70th 2023年

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引張歪み(Pb_xSr_1-x)TiO₃極薄膜の特異なドメイン構造と相転移

山田智明, 山田智明, YUAN Xueyou, 太田悠登, 清水荘雄, 岡本一輝, 吉野正人, 舟窪浩, 長崎正雅

日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(Web) 36th 2023年

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面内配向及び熱歪による(Al,Sc)N薄膜の強誘電特性の制御

安岡慎之介, 水谷涼一, 大田怜佳, 白石貴久, 清水荘雄, 上原雅人, 山田浩志, 秋山守人, 舟窪浩

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2022.1 1143 - 1143 2022年2月

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記述言語：日本語出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

DOI： 10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_1143

CiNii Research

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薄膜化による(Al,Sc)N膜の結晶異方性及び強誘電特性の向上

安岡慎之介, 水谷涼一, 大田怜佳, 白石貴久, 清水荘雄, 清水荘雄, 清水荘雄, 安井伸太郎, 江原祥隆, 西田謙, 上原雅人, 山田浩志, 秋山守人, 今井康彦, 坂田修身, 舟窪浩

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 69th 2022年

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J-GLOBAL

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HfO₂基強誘電体の相転移における熱履歴

三村和仙, 清水荘雄, 清水荘雄, 坂田修身, 坂田修身, 舟窪浩

日本物理学会講演概要集(CD-ROM) 77 ( 1 ) 2022年

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J-GLOBAL

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メモリ応用に向けた(Al,Sc)N膜の薄膜化の検討

安岡慎之介, 大田怜佳, 岡本一輝, 石濱圭佑, 清水荘雄, 清水荘雄, 角嶋邦之, 上原雅人, 山田浩志, 秋山守人, 小金澤智之, KUMARA L. S. R., SEO O., 坂田修身, 舟窪浩

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 83rd 2022年

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J-GLOBAL

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局所C-Vマッピング法による強誘電体薄膜のナノスケール分極反転ダイナミクスのクラスタ解析

平永良臣, 三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩, 長康雄

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 83rd 2022年

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J-GLOBAL

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圧電体および強誘電体薄膜における脱ペロブスカイト構造

舟窪浩, 白石貴久, 清水荘雄

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2021.2 135 - 135 2021年8月

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記述言語：日本語出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

DOI： 10.11470/jsapmeeting.2021.2.0_135

CiNii Research

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HfO₂基材料における強誘電性の発現機構—Mechanism for Emergence of Ferroelectricity in HfO₂-based Materials—特集 Society5.0に貢献する誘電体材料・デバイス研究の新展開

清水荘雄, 三村和仙, 舟窪浩

Ceramics Japan = セラミックス : bulletin of the Ceramic Society of Japan 56 ( 7 ) 455 - 458 2021年7月

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記述言語：日本語出版者・発行元：東京 : 日本セラミックス協会

CiNii Books

CiNii Research

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その他リンク： https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I031967994
ウルツ鉱構造窒化物の強誘電性—Ferroelectric Properties of Wurtzite-structured Nitride Films—特集 Society5.0に貢献する誘電体材料・デバイス研究の新展開

舟窪浩, 安岡慎之介, 水谷涼一, 清水荘雄

Ceramics Japan = セラミックス : bulletin of the Ceramic Society of Japan 56 ( 7 ) 443 - 446 2021年7月

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記述言語：日本語出版者・発行元：東京 : 日本セラミックス協会

CiNii Books

CiNii Research

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その他リンク： https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I031967967
種々の基板上に成長した正方晶(1-x)(Bi,Na)TiO₃- xBaTiO₃膜の特性評価

石濱圭佑, 舘山明紀, 清水荘雄, 佐藤祐介, 山岡和希子, 鶴丸理沙子, 舟窪浩

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2021.1 1181 - 1181 2021年2月

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記述言語：日本語出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

DOI： 10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_1181

CiNii Research

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エピタキシャル(Al_1-xSc_x)N膜の作製と強誘電性評価

安岡慎之介, 清水荘雄, 舟窪浩

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2021.1 1187 - 1187 2021年2月

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記述言語：日本語出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

DOI： 10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_1187

CiNii Research

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(Sc_xAl_1-x)N薄膜の強誘電性の温度依存性

水谷涼一, 安岡慎之介, 清水荘雄, 舟窪浩

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2021.1 1188 - 1188 2021年2月

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記述言語：日本語出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

DOI： 10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_1188

CiNii Research

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種々の格子定数を有するSr(Zr,Ti)O₃バッファー層上に製膜したPbTiO₃薄膜のドメイン構造に関する検討

森川友秀, 小寺正徳, 清水荘雄, 江原祥隆, 舟窪浩

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 68th 2021年

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Y-置換HfO₂基材料の強誘電性の発現

清水荘雄, 清水荘雄, 田代裕貴, 三村和仙, 舟窪浩

日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(Web) 34th 2021年

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強誘電体薄膜における分極反転挙動のナノスケールマッピング

平永良臣, 三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩, 長康雄

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 68th 2021年

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スパッタリング法によるY-HZO強誘電体厚膜の室温製膜とその電気特性および圧電特性評価

志村礼司郎, 三村和仙, 舘山明紀, 清水荘雄, 清水荘雄, 白石貴久, 舟窪浩

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 68th 2021年

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局所C-Vマッピングにおける主成分分析によるノイズ除去

平永良臣, 三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩, 長康雄

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 82nd 2021年

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Society5.0に貢献する誘電体材料・デバイス研究の新展開 HfO₂基材料における強誘電性の発現機構

清水荘雄, 三村和仙, 舟窪浩

セラミックス 56 ( 7 ) 2021年

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Society5.0に貢献する誘電体材料・デバイス研究の新展開高速電界印加時のドメイン構造変化を利用した高性能PZT薄膜の開発

江原祥隆, 清水荘雄, 舟窪浩

セラミックス 56 ( 7 ) 2021年

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ウルツ鉱型強誘電体のマテリアルズインフォマティクス

森分博紀, 横井里江, 田口綾子, 小川貴文, FISHER Craig, 桑原彰秀, 佐藤幸生, 清水荘雄, 浜嵜容丞, 高島浩, 伊藤満

JFCC研究成果集 2021 2021年

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ウルツ鉱構造窒化物の強誘電性 : 強誘電体の脱ペロブスカイト構造酸化物

舟窪浩, 安岡慎之介, 清水荘雄

Fine ceramics report 39 ( 3 ) 92 - 95 2021年

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記述言語：日本語出版者・発行元：東京 : 日本ファインセラミックス協会

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その他リンク： https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I031626445
縦振動を用いた薄膜の正逆圧電応答同時評価法の提案

舘山明紀, 伊東良晴, 清水荘雄, 折野裕一郎, 黒澤実, 舟窪浩

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2020.2 877 - 877 2020年8月

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記述言語：日本語出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

DOI： 10.11470/jsapmeeting.2020.2.0_877

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スパッタリング法で室温合成した(Al_1-xSc_x)N膜の強誘電性評価

安岡慎之介, 清水荘雄, 上原雅人, 山田浩志, 秋山守人, 舟窪浩

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2020.2 886 - 886 2020年8月

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記述言語：日本語出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

DOI： 10.11470/jsapmeeting.2020.2.0_886

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Bi₂SiO₅エピタキシャル薄膜の結晶成長に関する検討

小寺正徳, 清水荘雄, 舟窪浩

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2020.1 1230 - 1230 2020年2月

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記述言語：日本語出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

DOI： 10.11470/jsapmeeting.2020.1.0_1230

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(Al_1-xSc_x)N薄膜の強誘電特性に及ぼす製膜条件の影響

安岡慎之介, 清水荘雄, 上原雅人, 舟窪浩

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2020.1 1228 - 1228 2020年2月

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記述言語：日本語出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

DOI： 10.11470/jsapmeeting.2020.1.0_1228

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スパッタリング法で作製したGaNおよびSc添加GaN薄膜の強誘電性評価

上原雅人, 安岡慎之介, 清水荘雄, 山田浩志, 秋山守人, 舟窪浩

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2020.1 1229 - 1229 2020年2月

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記述言語：日本語出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

DOI： 10.11470/jsapmeeting.2020.1.0_1229

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水熱合成法で作製した(K_xNa_1-x)NbO_３自己分極膜の縦振動を用いた正逆圧電応答の同時評価

舘山明紀, 伊東良晴, 清水荘雄, 折野裕一郎, 黒澤実, 舟窪浩

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2020.1 1251 - 1251 2020年2月

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記述言語：日本語出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

DOI： 10.11470/jsapmeeting.2020.1.0_1251

CiNii Research

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PLD法で作製した正方晶(1-x)(Bi,Na)TiO₃-xBaTiO₃膜の評価

石濱圭佑, 舘山明紀, 清水荘雄, 佐藤裕介, 山岡和希子, 石田未来, 舟窪浩

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2020.1 1252 - 1252 2020年2月

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記述言語：日本語出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

DOI： 10.11470/jsapmeeting.2020.1.0_1252

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HfO₂基薄膜のZr,Yドープによる結晶相変化と強誘電相の安定性

田代裕貴, 三村和仙, 清水荘雄, 勝矢良雄, 坂田修身, 木口賢紀, 白石貴久, 今野豊彦, 舟窪浩

セラミックス基礎科学討論会講演要旨集 58th 2020年

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ReO₃構造酸フッ化物薄膜の誘電体応用可能性

小寺正徳, 舟窪浩, 清水荘雄, 田口綾子, 森分博紀

日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(CD-ROM) 33rd 2020年

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歪フリーなPb(Zr_xTi_1-x)O₃薄膜の作製法の検討

森川友秀, 小寺正徳, 江原祥隆, 清水荘雄, 舟窪浩

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 81st 2020年

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エピタキシャルHfO₂基膜を用いた直方晶相安定化の調査

三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 67th 2020年

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スパッタリング法によるHfO₂基強誘電体厚膜の室温製膜とその電気特性評価

志村礼司郎, 三村和仙, 舘山明紀, 清水荘雄, 舟窪浩

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 67th 2020年

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スパッタリング法によるHfO₂基強誘電体厚膜のシリコン基板上への室温製膜とその電気特性および圧電特性評価

志村礼司郎, 三村和仙, 舘山明紀, 清水荘雄, 舟窪浩

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 81st 2020年

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圧電材料の研究と応用 HfO₂およびZrO₂基強誘電体膜の厚膜化と室温合成

三村和仙, 志村礼司郎, 舟窪浩, 清水荘雄

超音波Techno 32 ( 5 ) 2020年

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ReO₃構造を有する酸フッ化物薄膜の誘電特性

小寺正徳, 舟窪浩, 清水荘雄, 田口綾子, 森分博紀

日本セラミックス協会年会講演予稿集(CD-ROM) 2020 2020年

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面内分極配向したPbTiO₃薄膜のa₁/a₂ドメイン構造の膜厚依存

江原祥隆, 中島崇明, 一ノ瀬大地, 清水荘雄, 西田謙, 山田智明, 舟窪浩

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 67th 2020年

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Fabrication and characterization of (CaxSr1-x)Si-2 films prepared by co-sputtering method

Kodai Aoyama, Takao Shimizu, Hideto Kuramochi, Masami Mesuda, Ryo Akiike, Keisuke Ide, Takayoshi Katase, Toshio Kamiya, Yoshisato Kimura, Hiroshi Funakubo

MRS ADVANCES 5 ( 10 ) 451 - 458 2020年

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記述言語：英語

DOI： 10.1557/adv.2020.67

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二元同時スパッタ法で作製したAeSi₂膜の作製

青山航大, 清水荘雄, 倉持豪人, 召田雅実, 秋池良, 井手啓介, 片瀬貴義, 神谷利夫, 木村好里, 舟窪浩

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2019.2 2999 - 2999 2019年9月

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記述言語：日本語出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

DOI： 10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_2999

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組成相境界近傍組成のPZT膜の電界による構造変化と圧電性の評価

井上英久, 清水荘雄, 舟窪浩

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2019.2 1399 - 1399 2019年9月

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記述言語：日本語出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

DOI： 10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_1399

CiNii Research

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(Pb_xSr_1-x)TiO₃薄膜における組成及び膜厚がドメイン構造に及ぼす影響

太田悠登, 山田智明, 吉野正人, 清水荘雄, 舟窪浩, 長崎正雅

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2019.2 1397 - 1397 2019年9月

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記述言語：日本語出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

DOI： 10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_1397

CiNii Research

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共スパッタ法で作製したBa_xSr_1-xSi₂膜の熱電特性

青山航大, 清水荘雄, 倉持豪人, 召田雅実, 秋池良, 井出啓介, 片瀬貴義, 神谷利夫, 木村好里, 舟窪浩

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2019.1 1843 - 1843 2019年2月

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記述言語：日本語出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

DOI： 10.11470/jsapmeeting.2019.1.0_1843

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組成相境界近傍組成を有するPZT膜の電界下X線回折測定

井上英久, 一ノ瀬大地, 清水荘雄, 舟窪浩

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2019.1 1235 - 1235 2019年2月

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記述言語：日本語出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

DOI： 10.11470/jsapmeeting.2019.1.0_1235

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強誘電体(Hf,Ce)O₂薄膜の作製とその結晶構造評価

白石貴久, Choi Sujin, 清水荘雄, 木口賢紀, 舟窪浩, 今野豊彦

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2019.1 1225 - 1225 2019年2月

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記述言語：日本語出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

DOI： 10.11470/jsapmeeting.2019.1.0_1225

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Preparation of CaMgSi and Ca7Mg7.25Si14 Single Phase Films and Their Thermoelectric Properties” 査読

Matsuo UEHARA, Atsuo KATAGIRI, Mao KUROKAWA, Kensuke AKIYAMA, Takao SHIMIZU, Masaaki MATSUMOTO, Hiroshi UCHIDA, Yoshihisa KIMURA, Hiroshi FUNAKUBO

MRS Adv. 4 ( 25-26 ) 1503 - 1508 2019年2月

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記述言語：英語

DOI： 10.1557/adv.2019.129

Web of Science

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水熱合成法で作製した(K_xNa_1-x)NbO₃自己分極膜の圧電特性の評価

舘山明紀, 伊東良晴, 清水荘雄, 折野裕一郎, 黒澤実, 吉村武, 舟窪浩

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 80th 2019年

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PLD法を用いたY,ZrドープHfO₂薄膜の作製と評価

田代裕貴, 三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩

セラミックス基礎科学討論会講演要旨集 57th 2019年

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スパッタリング法により配向制御したHfO₂基強誘電体厚膜の作製およびその電気特性評価

志村礼司郎, 三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 66th 2019年

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PLD法を用いたY,ZrドープHfO₂薄膜の作製と評価

田代裕貴, 三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 66th 2019年

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HfO₂基薄膜の電界誘起相転移

田代裕貴, 三村和仙, 清水荘雄, 勝矢良雄, 坂田修身, 木口賢紀, 白石貴久, 今野豊彦, 舟窪浩

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 80th 2019年

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スパッタリング法を用いたY:HfO₂強誘電体膜の室温成膜

三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 80th 2019年

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水熱合成法で作製した(K,Na)NbO₃配向膜の圧電定数,e_31,f,の評価

舘山明紀, 伊東良晴, 中村美子, 清水荘雄, 折野裕一郎, 黒澤実, 内田寛, 白石貴久, 木口賢紀, 今野豊彦, 熊田伸弘, 吉村武, 舟窪浩

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 66th 2019年

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強誘電性ハフニア薄膜におけるドメイン構造のイメージング

木口賢紀, 白石貴久, 清水荘雄, 三村和仙, 舟窪浩, 今野豊彦

日本金属学会講演概要(CD-ROM) 164th 2019年

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スパッタリング法を用いたY:HfO₂強誘電体厚膜の作製とその電気特性評価

志村礼司郎, 三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩

電子材料研究討論会講演予稿集 39th 2019年

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直方晶相ハフニア薄膜におけるドメイン構造

木口賢紀, 白石貴久, 三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩, 今野豊彦

日本セラミックス協会年会講演予稿集(CD-ROM) 2019 2019年

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HfO₂基薄膜の相安定性と機能発現

清水荘雄, 三村和仙, 舟窪浩

セラミックス基礎科学討論会講演要旨集 57th 2019年

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酸化ハフニウム基強誘電体の基礎特性の解明招待査読

舟窪浩, 三村和仙, 清水荘雄, 木口賢紀

応用物理 87 ( 12 ) 921 - 925 2018年12月

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記述言語：日本語掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）

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水熱合成法で作製した(K,Na)NbO_３配向膜の圧電特性評価

舘山明紀, 伊東良晴, 中村美子, 清水荘雄, 折野裕一郎, 黒澤実, 内田寛, 白石貴久, 木口賢紀, 今野豊彦, 石河睦生, 熊田伸弘, 舟窪浩

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2018.2 1315 - 1315 2018年9月

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記述言語：日本語出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

DOI： 10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_1315

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PLD法を用いた(Bi,Na)TiO₃-BaTiO₃系厚膜の作製とその特性評価

長谷川光勇, 清水荘雄, 佐藤祐介, 山岡和希子, 石田未来, 舟窪浩

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2018.2 1302 - 1302 2018年9月

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記述言語：日本語出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

DOI： 10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_1302

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HfO₂系強誘電体薄膜—HfO₂-based Ferroelectric Thin Films—特集セラミックス電子材料最前線2018

舟窪浩, 清水荘雄

Ceramics Japan = セラミックス : bulletin of the Ceramic Society of Japan 53 ( 4 ) 243 - 247 2018年4月

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記述言語：日本語出版者・発行元：東京 : 日本セラミックス協会

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その他リンク： https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I029636275
エピタキシャルCeO₂-ZrO₂薄膜の作製とその結晶構造評価

白石貴久, Sujin Choi, 清水荘雄, 木口賢紀, 舟窪浩, 今野豊彦

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2018.1 1411 - 1411 2018年3月

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記述言語：日本語出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

DOI： 10.11470/jsapmeeting.2018.1.0_1411

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水熱合成によるフレキシブル基板への圧電体成膜

舟窪浩, 伊東良晴, 舘山明紀, 中村美子, 清水荘雄, 黒澤実, 内田寛, 白石貴久, 木口賢紀, 今野豊彦, 石河睦生

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2018.1 153 - 153 2018年3月

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記述言語：日本語出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

DOI： 10.11470/jsapmeeting.2018.1.0_153

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種々のNb原料から水熱合成法で作製した(K,Na)NbO_３配向膜の合成と特性評価

舘山明紀, 伊東良晴, 中村美子, 清水荘雄, 折野裕一郎, 黒澤実, 内田寛, 白石貴久, 木口賢紀, 今野豊彦, 石河睦生, 熊田伸弘, 舟窪浩

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2018.1 1418 - 1418 2018年3月

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記述言語：日本語出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

DOI： 10.11470/jsapmeeting.2018.1.0_1418

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スパッタリング法によるSr-Si膜の作製

青山航大, 清水荘雄, 倉持豪人, 召田雅実, 秋池良, 木村好里, 舟窪浩

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2018.1 3055 - 3055 2018年3月

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記述言語：日本語出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

DOI： 10.11470/jsapmeeting.2018.1.0_3055

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PLD法を用いた(Bi,Na)TiO₃-BaTiO₃系薄膜の作製と評価

長谷川光勇, 清水荘雄, 佐藤祐介, 山岡和希子, 石田未来, 内田寛, 舟窪浩

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2018.1 1425 - 1425 2018年3月

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記述言語：日本語出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

DOI： 10.11470/jsapmeeting.2018.1.0_1425

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直方晶相ハフニア薄膜のドメイン構造の電子エネルギー損失分光

木口賢紀, CHOI Sujin, 白石貴久, 三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩, 今野豊彦

日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(CD-ROM) 31st 2018年

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エピタキシャル成長したHfO₂基強誘電体膜における結晶構造の膜厚依存性

三村和仙, 清水荘雄, 木口賢紀, 赤間章裕, 今野豊彦, 勝矢良雄, 坂田修身, 舟窪浩

日本セラミックス協会年会講演予稿集(CD-ROM) 2018 2018年

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Al置換したε-FeO₃薄膜の構造と物性

浜嵜容丞, 浜嵜容丞, 白石貴久, 赤間章裕, 木口賢紀, 清水荘雄, 安井伸太郎, 谷山智康, 伊藤満

日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(CD-ROM) 31st 2018年

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エピタキシャルHfO₂基強誘電体における強誘電特性の膜厚依存性

三村和仙, 清水荘雄, 勝矢良雄, 坂田修身, 舟窪浩

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 65th 2018年

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スパッタリング法によるHfO₂基強誘電体の厚膜化とその電気特性評価

志村礼司郎, 三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 79th 2018年

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STEM-EELS法による直方晶相ハフニア薄膜の結晶構造評価

木口賢紀, 白石貴久, 三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩, 今野豊彦

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 79th 2018年

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網羅的ソフトモードフォノン探索によるHfO₂薄膜の強誘電性の理論計算

森分博紀, 森分博紀, 小西綾子, 小西綾子, 東後篤史, 清水荘雄, 舟窪浩

日本セラミックス協会年会講演予稿集(CD-ROM) 2018 2018年

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時間分解放射光X線回折を用いた菱面体晶PZTにおける非180°ドメインスイッチングの周波数応答特性の評価

清水荘雄, 江原祥隆, 三村和仙, 安井伸太郎, 山田智明, 今井康彦, 勝矢良雄, 坂田修身, 舟窪浩

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 79th 2018年

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HfO₂基強誘電体の相安定性と特性制御

舟窪浩, 清水荘雄, 三村和仙

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 79th 2018年

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Control of p- and n-type Conduction in Thermoelectric Non-doped Mg2Si Thin Films Prepared by Sputtering Method 査読

Mao Kurokawa, Takao Shimizu, Mutsuo Uehara, Atsuo Katagiri, Kensuke Akiyama, Masaaki Matsushima, Hiroshi Uchida, Yoshisato Kimura, Hiroshi Funakubo

MRS Advances 3 ( 24 ) 1355 - 1359 2018年

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記述言語：英語

DOI： 10.1557/adv.2018.150

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水熱法を用いた(K,Na)NbO₃配向体の低温作製とその特性評価

舟窪浩, 伊東良晴, 舘山明紀, 中村美子, 清水荘雄, 黒澤実, 内田寛, 白石貴久, 木口賢紀, 今野豊彦, 石河睦生

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2017.2 1263 - 1263 2017年8月

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記述言語：日本語出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

DOI： 10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_1263

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固相エピタキシー法による強誘電体HfO₂基薄膜の作製

白石貴久, Choi Sujin, 清水荘雄, 舟窪浩, 木口賢紀, 今野豊彦

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2017.2 1255 - 1255 2017年8月

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記述言語：日本語出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

DOI： 10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_1255

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ドーパント添加ZrO₂エピタキシャル薄膜の結晶構造と電気特性調査

崔ス珍, 白石貴久, 木口賢紀, 清水荘雄, 舟窪浩, 今野豊彦

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2017.2 1253 - 1253 2017年8月

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記述言語：日本語出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

DOI： 10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_1253

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エピタキシャルFe:HfO₂薄膜の作製と特性評価

白石貴久, Choi Sujin, 清水荘雄, 舟窪浩, 木口賢紀, 今野豊彦

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2017.1 1301 - 1301 2017年3月

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記述言語：日本語出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

DOI： 10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_1301

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網羅的ソフトモードフォノン探索によるHfO₂薄膜の強誘電性の理論計算

森分博紀, 東後篤史, 舟窪浩, 清水荘雄

JFCC研究成果集 2017 2017年

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スパッタリング法による{100}配向Y₂O₃-HfO₂強誘電体エピタキシャル薄膜の作製とその評価

鈴木大生, 三村和仙, 清水荘雄, 内田寛, 舟窪浩

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 78th 2017年

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エピタキシャルBiFeO₃薄膜における電場印加下の格子歪

中嶋誠二, 藤沢浩訓, 坂田修身, 舟窪浩, 清水莊雄, 一ノ瀬大地, 今井康彦, 清水勝

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 78th 2017年

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網羅的ソフトモードフォノン探索によるHfO₂薄膜の強誘電性の理論計算

森分博紀, 森分博紀, 小西綾子, 小西綾子, 東後篤史, 清水荘雄, 舟窪浩

日本物理学会講演概要集(CD-ROM) 72 ( 2 ) 2017年

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ウルツ鉱型結晶構造ZnO薄膜の強誘電性

森分博紀, 小西綾子, 小川貴史, Fisher Craig, 桑原彰秀, 清水高雄, 安井伸太郎, 伊藤満

日本物理学会講演概要集 72 ( 0 ) 2668 - 2668 2017年

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

<p>ウルツ鉱型結晶構造ZnO薄膜の強誘電性について第一原理計算により検討した結果を報告する．</p>

DOI： 10.11316/jpsgaiyo.72.1.0_2668

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Y₂O₃-HfO₂エピタキシャル薄膜の構成相の決定因子

鈴木大生, 三村和仙, 清水荘雄, 内田寛, 舟窪浩, 舟窪浩

セラミックス基礎科学討論会講演要旨集 55th 2017年

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HfO₂基強誘電体のドメイン構造と電場誘起スイッチング

清水荘雄, 三村和仙, 木口賢紀, 白石貴久, 赤間章裕, 今野豊彦, 坂田修身, 勝矢良雄, 舟窪浩

エレクトロセラミックス研究討論会講演予稿集 37th 2017年

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スパッタリング法によるY₂O₃-HfO₂強誘電体エピタキシャル薄膜作製とその評価

鈴木大生, 三村和仙, 清水荘雄, 内田寛, 舟窪浩

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 64th 2017年

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電界印加下における正方晶Pb(Zr,Ti)O₃膜の結晶構造の時間応答

佐藤智也, 一ノ瀬大地, 三村和仙, 根本祐一, 清水荘雄, 今井康彦, 内田寛, 坂田修身, 舟窪浩

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 64th 2017年

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走査型非線形誘電率顕微鏡を用いたナノスケール分極反転過程の動的観察

平永良臣, 三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩, 長康雄

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 64th 2017年

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エピタキシャルHfO₂基膜における強誘電相の安定性-RE₂O₃-HfO₂vs ZrO₂-HfO₂-

三村和仙, 片山きりは, 清水荘雄, 木口賢紀, 赤間章裕, 今野豊彦, 坂田修身, 舟窪浩

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 64th 2017年

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エピタキシャルPZT膜におけるマルチドメイン構造と面内歪の緩和

佐藤智也, 一ノ瀬大地, 三村和仙, 清水荘雄, 山田智明, 舟窪浩

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 78th 2017年

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強誘電性HfO₂薄膜におけるナノスケール分極反転ドット書き込み

平永良臣, 三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩, 長康雄

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 78th 2017年

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Y添加HfO₂エピタキシャル薄膜における負の電気熱量効果

松尾翔吾, 山田智明, 三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩, 吉野正人, 長崎正雅

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 78th 2017年

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Y₂O₃-HfO₂強誘電体の温度安定性

三村和仙, 清水荘雄, 木口賢紀, 赤間章裕, 今野豊彦, 勝矢良雄, 坂田修身, 舟窪浩

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 78th 2017年

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(111)正方晶PbZr_0.35Ti_0.65O₃ナノロッドのサイズ制御による圧電特性の増大

岡本一輝, 山田智明, 山田智明, 坂田修身, 坂田修身, 清水荘雄, 舟窪浩, 吉野正人, 長崎正雄

エレクトロセラミックス研究討論会講演予稿集 37th 2017年

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Y添加HfO₂薄膜における強誘電ドメイン反転のSNDM観察 (磁気記録・情報ストレージ)

平永良臣, 長康雄, 三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116 ( 348 ) 35 - 39 2016年12月

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記述言語：日本語出版者・発行元：電子情報通信学会

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Y添加HfO₂薄膜における強誘電ドメイン反転のSNDM観察 (マルチメディアストレージ)

平永良臣, 長康雄, 三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩

映像情報メディア学会技術報告 = ITE technical report 40 ( 44 ) 35 - 39 2016年12月

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記述言語：日本語出版者・発行元：映像情報メディア学会

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東工大と東北大など、酸化ハフニウム基強誘電体の基礎特性を解明酸化ハフニウム基強誘電体の基礎特性を解明 ―超高密度で高速動作する不揮発性メモリー実現に道―

清水荘雄, 舟窪浩, 今野豊彦, 木口賢紀, 坂田修身

日経プレスリリース 2016年9月

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記述言語：日本語掲載種別：記事・総説・解説・論説等（商業誌、新聞、ウェブメディア）

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PLD法による配向制御したエピタキシャル(Bi,K)TiO₃膜の作製

根本祐一, 一ノ瀬大地, 清水荘雄, 内田寛, 佐藤祐介, 山岡和希子, 舟窪浩

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2016.2 1232 - 1232 2016年9月

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記述言語：日本語出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

DOI： 10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_1232

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熱処理がMg₂Si薄膜の伝導型に与える影響

黒川満央, 上原睦雄, 清水荘雄, 秋山賢輔, 松島正明, 内田浩, 木村好里, 舟窪浩

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2016.2 2658 - 2658 2016年9月

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記述言語：日本語出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

DOI： 10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2658

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依頼講演 HfO₂基強誘電体薄膜の作製と特性評価 (シリコン材料・デバイス)

舟窪浩, 清水荘雄, 片山きりは, 三村和仙

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116 ( 118 ) 5 - 8 2016年6月

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記述言語：日本語出版者・発行元：電子情報通信学会

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強誘電性Y:HfO₂薄膜におけるナノスケールドメイン反転 (磁気記録・情報ストレージ)

陳舟, 平永良臣, 清水荘雄, 片山きりは, 三村和仙, 舟窪浩, 長康雄

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 115 ( 490 ) 29 - 32 2016年3月

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記述言語：日本語出版者・発行元：電子情報通信学会

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PLD法による正方晶(Bi,K)TiO₃エピタキシャル膜作製と圧電特性評価

根本祐一, 一ノ瀬大地, 清水荘雄, 内田寛, 舟窪浩

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2016.1 1227 - 1227 2016年3月

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記述言語：日本語出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

DOI： 10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1227

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Mg₂Si薄膜の熱電特性に及ぼす歪みの影響

黒川満央, 上原睦雄, 一ノ瀬大地, 清水荘雄, 秋山賢輔, 松島正明, 内田寛, 木村好里, 舟窪浩

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2016.1 1927 - 1927 2016年3月

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記述言語：日本語出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

DOI： 10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1927

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強誘電性Y:HfO₂薄膜におけるナノスケールドメイン反転 (マルチメディアストレージ)

陳舟, 平永良臣, 清水荘雄, 片山きりは, 三村和仙, 舟窪浩, 長康雄

映像情報メディア学会技術報告 = ITE technical report 40 ( 7 ) 29 - 32 2016年3月

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記述言語：日本語出版者・発行元：映像情報メディア学会

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正方晶Pb(Zr,Ti)O₃薄膜ドメイン構造の配向及び歪み制御

一ノ瀬大地, 中島崇明, 江原祥隆, 江原祥隆, 及川貴弘, 清水荘雄, 坂田修身, 坂田修身, 山田智明, 山田智明, 舟窪浩

エレクトロセラミックス研究討論会講演予稿集 36th 2016年

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HfO₂薄膜における強誘電相転移に関する第一原理計算

森分博紀, 小西綾子, 桑原彰秀, 東後篤史, 清水荘雄, 舟窪浩

日本セラミックス協会年会講演予稿集(CD-ROM) 2016 2016年

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κ-Al₂O₃型酸化物薄膜の分極反転と強誘電性(II)

浜嵜容丞, 安井伸太郎, 谷山智康, 伊藤満, 清水荘雄, 小西綾子, 森分博紀, 白石貴久, 赤間章裕, 木口賢紀

日本セラミックス協会年会講演予稿集(CD-ROM) 2016 2016年

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κ-Al₂O₃型酸化物薄膜の分極反転と強誘電性(I)

浜嵜容丞, 安井伸太郎, 谷山智康, 伊藤満, 清水荘雄, 小西綾子, 森分博紀, 白石貴久, 赤間章裕, 木口賢紀

日本セラミックス協会年会講演予稿集(CD-ROM) 2016 2016年

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κ-Al₂O₃型Me_xFe_2-xO₃エピタキシャル薄膜の構造と強誘電性(I)

浜嵜容丞, 安井伸太郎, 谷山智康, 清水荘雄, 小西綾子, 森分博紀, 白石貴久, 赤間章裕, 木口賢紀, 伊藤満

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 63rd 2016年

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電界印加による面内分極軸優先配向Pb(Zr,Ti)O₃薄膜のドメイン構造変化

一ノ瀬大地, 江原祥隆, 清水荘雄, 坂田修身, 坂田修身, 坂田修身, 山田智明, 山田智明, 舟窪浩

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 63rd 2016年

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面内分極軸優先配向Pb(Zr,Ti)O₃薄膜のドメイン構造

一ノ瀬大地, 江原祥隆, 清水荘雄, 坂田修身, 坂田修身, 坂田修身, 山田智明, 山田智明, GRUVERMAN Alexei, 舟窪浩

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 77th 2016年

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ScFeO₃アイソマー

濱嵜容丞, 清水荘雄, 安井伸太郎, 谷山智康, 伊藤満

日本化学会春季年会講演予稿集(CD-ROM) 96th 2016年

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配向制御したHfO₂基強誘電体の作製とその強誘電特性評価

舟窪浩, 清水荘雄, 片山きりは, 三村和仙, 木口賢紀, 赤間章裕, 今野豊彦, 内田寛

日本セラミックス協会年会講演予稿集(CD-ROM) 2016 2016年

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エピタキシャルおよび配向性YドープHfO₂薄膜の強誘電性

清水荘雄, 片山きりは, 三村和仙, 木口賢紀, 白石貴久, 赤間章裕, 今野豊彦, 坂田修身, 舟窪浩

日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(CD-ROM) 29th 2016年

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固相成長法を用いた強誘電体HfO₂基薄膜のエピタキシャル成長と特性評価:

三村和仙, 片山きりは, 清水荘雄, 内田寛, 木口賢紀, 赤間章裕, 今野豊彦, 舟窪浩

セラミックス基礎科学討論会講演要旨集 54th 2016年

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走査型非線形誘電率顕微鏡における強誘電性Y:HfO₂薄膜のドメイン反転

CHEN Zhou, 平永良臣, 清水荘雄, 片山きりは, 三村和仙, 舟窪浩, 長康雄

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 63rd 2016年

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固相成長による配向制御したHfO₂基強誘電体薄膜の作製と特性評価

三村和仙, 片山きりは, 清水荘雄, 内田寛, 木口賢紀, 赤間章裕, 今野豊彦, 坂田修身, 舟窪浩, 舟窪浩

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 63rd 2016年

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電界印加によるYO_1.5-HfO₂基薄膜の結晶構造変化

清水荘雄, 三村和仙, 片山きりは, 木口賢紀, 赤間章裕, 今野豊彦, 坂田修身, 舟窪浩

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 77th 2016年

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HfO₂基強誘電体の結晶構造と特性の熱処理温度依存性

三村和仙, 清水荘雄, 内田寛, 木口賢紀, 赤間章裕, 今野豊彦, 坂田修身, 舟窪浩

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 77th 2016年

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κ-Al₂O₃型Me_xFe_2-xO₃エピタィシャル薄膜の構造と強誘電性(II)

浜嵜容丞, 安井伸太郎, 谷山智康, 清水荘雄, 小西綾子, 森分博紀, 白石貴久, 赤間章裕, 木口賢紀, 伊藤満

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 63rd 2016年

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角度分解偏光ラマン分光による結晶性試料の振動モード解析

藤井康裕, 清水荘雄, 谷口博基, 是枝聡肇

日本結晶学会誌 57 ( 5 ) 285-290 - 290 2015年10月

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記述言語：日本語出版者・発行元：The Crystallographic Society of Japan

Phonon properties of lead titanate were investigated by measuring polarization-direction dependence of Raman intensities. Quantitative angle-resolved Raman spectroscopy is advantageous for detecting anisotropic nature of the sample material since that reflects the symmetry of vibrational modes. In this study, a broadband half-waveplate was utilized to establish high quantitativity, stability, and spatial reliability of the angle-resolved measurement.

DOI： 10.5940/jcrsj.57.285

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その他リンク： https://jlc.jst.go.jp/DN/JLC/20016787160?from=CiNii
東工大と東北大、薄膜でも特性劣化しない強誘電体エピタキシャル膜を作製

清水荘雄, 舟窪浩, 今野豊彦, 木口賢紀

日刊工業新聞 2015年7月

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記述言語：日本語掲載種別：記事・総説・解説・論説等（商業誌、新聞、ウェブメディア）

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斜方晶相を含むエピタキシャルHfO₂基薄膜の結晶構造解析

片山きりは, 清水荘雄, 横内達彦, 白石貴久, 及川貴弘, 木口賢紀, 赤間章裕, 今野豊彦, 内田寛, 舟窪浩

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2015.1 1187 - 1187 2015年2月

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記述言語：日本語出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

DOI： 10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_1187

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化学溶液堆積法によるHfO₂-ZrO₂極薄膜の作製と特性評価

阿部千穂子, 塩川真里奈, 白石貴久, 清水荘雄, 舟窪浩, 内田寛

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2015.1 1186 - 1186 2015年2月

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記述言語：日本語出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

DOI： 10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_1186

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HfO₂基エピタキシャル薄膜の強誘電性

清水荘雄, 片山きりは, 舟窪浩

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2015.1 107 - 107 2015年2月

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記述言語：日本語出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

DOI： 10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_107

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PZT膜における温度によるドメイン構造転移

舟窪浩, 舟窪浩, 一ノ瀬大地, 中島崇明, 江原祥隆, 及川貴弘, 清水荘雄, 山田智明, 山田智明

エレクトロセラミックス研究討論会講演予稿集 35th 2015年

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バッファー層の挿入によるマグネタイト薄膜の欠陥制御

寺口健斗, 清水荘雄, 浜嵜容丞, 安井伸太郎, 谷山智康, 伊藤満

セラミックス基礎科学討論会講演要旨集 53rd 2015年

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極性構造を有するGaFeO₃型Al_xFe_2-xO₃固溶体薄膜の作製と物性評価

浜嵜容丞, 清水荘雄, 安井伸太郎, 谷山智康, 伊藤満

日本セラミックス協会年会講演予稿集(CD-ROM) 2015 2015年

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KTaO₃基板上Pb(Zr,Ti)O₃薄膜のZr/(Zr+Ti)比による分極軸制御

一ノ瀬大地, 中島崇明, 江原祥隆, 及川貴弘, 清水荘雄, 山田智明, 山田智明, 舟窪浩

セラミックス基礎科学討論会講演要旨集 53rd 2015年

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a軸優先配向エピタキシャルPbTiO₃膜の特性

中島崇明, 一ノ瀬大地, 江原祥隆, 清水荘雄, 小林健, 飯島高志, 山田智明, 山田智明, 舟窪浩

セラミックス基礎科学討論会講演要旨集 53rd 2015年

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Zr/(Zr+Ti)比によるPb(Zr,Ti)O₃薄膜のドメイン制御

一ノ瀬大地, 中島祟明, 江原祥隆, 及川貴弘, 清水荘雄, 山田智明, 山田智明, 舟窪浩

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 62nd 2015年

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XRD測定による(100)/(001)配向正方晶Pb(Zr,Ti)O₃膜の電界印加下の結晶構造変化の定量分析

大島直也, 清水荘雄, 中島光雅, 江原祥隆, 及川貴弘, 内田寛, 舟窪浩

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 76th 2015年

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正方晶Pb(Zr,Ti)O₃薄膜におけるZr/(Zr+Ti)比のドメイン構造への影響

一ノ瀬大地, 中島祟明, 江原祥隆, 清水荘雄, 坂田修身, 坂田修身, 坂田修身, 山田智明, 山田智明, 舟窪浩

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 76th 2015年

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(100)/(001)配向エピタキシャルPbTiO₃膜におけるドメイン構造に及ぼす温度と格子歪みの影響

中島崇明, 一ノ瀬大地, 江原祥隆, 中島光雅, 清水荘雄, 小林健, 飯島高志, 山田智明, 山田智明, 舟窪浩

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 76th 2015年

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(Hf,Zr)O₂薄膜の電気特性と結晶構造の評価

白石貴久, 片山きりは, 横内達彦, 清水荘雄, 及川貴弘, 内田寛, 舟窪浩

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2014.2 3923 - 3923 2014年9月

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記述言語：日本語出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

DOI： 10.11470/jsapmeeting.2014.2.0_3923

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斜方晶構造を持つエピタキシャルHfO₂系薄膜の作製と評価

清水荘雄, 舟窪浩

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2014.2 3922 - 3922 2014年9月

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記述言語：日本語出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

DOI： 10.11470/jsapmeeting.2014.2.0_3922

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First-Principles Calculations of Ferroelectricity in Wurtzite-Structured Simple Chalcogenides

KONISHI Ayako, MORIWAKE Hiroki, OGAWA Takafumi, FUJIMURA Koji, FISHER Craig A. J, KUWABATA Akihide, SHIMIZU Takao, YASUI Shintaro, ITOH Mitsuru

AMTC Lett 4 102 - 103 2014年5月

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記述言語：英語

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(Hf_0.5Zr_0.5)O₂薄膜の強誘電性評価

横内達彦, 清水荘雄, 及川貴弘, 白石貴久, 舟窪浩, 木口賢紀, 赤間章裕, 今野豊彦

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2014.1 1179 - 1179 2014年3月

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記述言語：日本語出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

DOI： 10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_1179

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HfO₂基薄膜の強誘電性

舟窪浩, 清水荘雄, 横内達彦, 及川貴弘, 白石貴久

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2014.1 134 - 134 2014年3月

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記述言語：日本語出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

DOI： 10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_134

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六方晶チタン酸バリウム単結晶の熱電特性

安井伸太郎, 石本雄介, 清水荘雄, 谷山智康, 伊藤満

日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(CD-ROM) 27th 2014年

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PLD法を用いて作製した準安定相In_xFe_2-xO₃薄膜の結晶構造制御

浜嵜容丞, 清水荘雄, 安井伸太郎, 谷山智康, 伊藤満

日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(CD-ROM) 27th 2014年

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GaFeO₃型Al_xFe_2-xO₃薄膜の作製と磁気特性

浜嵜容丞, 清水荘雄, 安井伸太郎, 谷山智康, 伊藤満

日本セラミックス協会年会講演予稿集(CD-ROM) 2014 2014年

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ZnGa₂O₄をバッファー層に用いたマグネタイト薄膜の作製

寺口健斗, 清水荘雄, 浜嵜容丞, 安井伸太郎, 谷山智康, 伊藤満

セラミックス基礎科学討論会講演要旨集 52nd 2014年

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エピタキシャルAl_2-xFe_xO₃薄膜の強誘電性と磁性

浜嵜容丞, 清水荘雄, 安井伸太郎, 谷山智康, 伊藤満

日本物理学会講演概要集 69 ( 1 ) 2014年

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低次元酸素八面体構造を有するシリケート誘電体における誘電特性の高温安定性

木村純一, 谷口博基, 飯島高志, 清水荘雄, 安井伸太郎, 伊藤満, 舟窪浩

日本セラミックス協会年会講演予稿集(CD-ROM) 2014 2014年

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熱電材料のための六方晶チタン酸バリウム単結晶の育成とその特性評価

安井伸太郎, 石本雄介, 清水荘雄, 谷山智康, 伊藤満

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 75th 2014年

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ウルツァイト型結晶構造単純カルコゲナイドの強誘電性

小西綾子, 森分博紀, 小川貴史, 藤村幸司, FISHER Craig A.J., 桑原彰秀, 清水荘雄, 安井伸太郎, 伊藤満

日本セラミックス協会年会講演予稿集(CD-ROM) 2014 2014年

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面内分極PbTiO₃エピタキシャル膜におけるドメイン構造の膜厚依存性

中島崇明, 江原祥隆, 清水荘雄, 舟窪浩

セラミックス基礎科学討論会講演要旨集 52nd 2014年

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エピタキシャル歪みによるPbTiO₃膜のキュリー温度制御

中島崇明, 江原祥隆, 清水荘雄, 小林建, 舟窪浩

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 61st 2014年

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{100}配向エピタキシャルPbTiO₃膜におけるドメイン構造転移

中島崇明, 一ノ瀬大地, 江原祥隆, 清水荘雄, 小林健, 山田智明, 山田智明, 舟窪浩

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 75th 2014年

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第一原理計算によるウルツァイト型結晶構造の強誘電性解析

森分博紀, 小西綾子, 清水荘雄, 安井伸太郎, 伊藤満

JFCC研究成果集 2014 11 2014年

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記述言語：日本語

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28aAM-1 強誘電体・反強誘電体相境界におけるエピタキシャル薄膜の圧電応答挙動(28aAM 誘電体(ドメイン,リラクサ),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

安井伸太郎, Takeuchi Ichiro, 江原祥隆, 白石貴久, 清水荘雄, 舟窪浩, 今井康彦, 田尻寛男, 坂田修身, 伊藤満

日本物理学会講演概要集 69 ( 0 ) 2014年

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

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27pPSA-15 エピタキシャルAl_<2-x>Fe_xO_3膜の強誘電性と磁性(27pPSA 領域10ポスターセッション(誘電体,フォノン,格子欠陥・ナノ構造),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

濱嵜容丞, 清水荘雄, 安井伸太郎, 谷山智康, 伊藤満

日本物理学会講演概要集 69 ( 0 ) 918 - 918 2014年

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

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30aAM-9 ウルツァイト型カルコゲナイドにおける強誘電相転移の第一原理計算(30aAM 誘電体,フォノン(ペロブスカイト系,フォノン),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

森分博紀, 小西綾子, 小川貴史, 藤村幸司, Fisher Craig A. J, 桑原彰秀, 清水荘雄, 安井伸太郎, 伊藤満

日本物理学会講演概要集 69 ( 0 ) 948 - 948 2014年

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

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導電性六方晶BaTiO₃の合成と熱電特性評価

石本雄介, 清水荘雄, 安井伸太郎, 谷山智康, 伊藤満

セラミックス基礎科学討論会講演要旨集 52nd 2014年

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ビスマス層状誘電体の誘電性の結晶方位依存性と高温対応コンデンサへの応用検討

舟窪浩, 木村純一, 清水荘雄, 松島正明, 安井伸太郎, 内田寛, 山田智明

Journal of the Society of Inorganic Materials, Japan : セッコウ・石灰・セメント・地球環境の科学 20 ( 367 ) 403 - 407 2013年11月

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記述言語：日本語出版者・発行元：無機マテリアル学会

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異なる面方位を持つSrTiO₃基板上に成長したBaTiO₃薄膜における相転移

清水荘雄, 諏訪間大, 谷口博基, 谷山智康, 舟窪浩, 伊藤満

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2013.2 2094 - 2094 2013年8月

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記述言語：日本語出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

DOI： 10.11470/jsapmeeting.2013.2.0_2094

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化学溶液堆積法によって作製した(111)配向Ba-Biペロブスカイト固溶体薄膜の誘電特性

木村純一, 清水荘雄, 内田寛, 舟窪浩

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2013.2 2096 - 2096 2013年8月

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記述言語：日本語出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

DOI： 10.11470/jsapmeeting.2013.2.0_2096

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26aPS-114 Fe/BaTiO_3薄膜の磁気特性における電場効果(26aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))

村岡敬庸, 濱嵜容丞, 白幡泰浩, 清水荘雄, 伊藤満, 谷山智康

日本物理学会講演概要集 68 ( 0 ) 524 - 524 2013年

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

DOI： 10.11316/jpsgaiyo.68.1.3.0_524_4

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26pKE-13 定量的偏光ラマン分光法によるBi_2WO_6のラマンテンソル解析(誘電体(ペロブスカイト,量子常誘電性),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

藤井康裕, 能重昌嗣, 清水荘雄, 谷口博基, 伊藤満, 西尾泉

日本物理学会講演概要集 68 ( 0 ) 864 - 864 2013年

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

DOI： 10.11316/jpsgaiyo.68.2.4.0_864_4

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26aPS-144 定量的偏光ラマン分光法による単結晶試料のラマンテンソル解析(26aPS 領域10ポスターセッション(誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

藤井康裕, 能重昌嗣, 清水荘雄, 谷口博基, 伊藤満, 西尾泉

日本物理学会講演概要集 68 ( 0 ) 1020 - 1020 2013年

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

DOI： 10.11316/jpsgaiyo.68.1.4.0_1020_2

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CaTiSiO₅基セラミックスの合成と誘電特性評価

木村純一, 谷口博基, 谷口博基, 清水荘雄, 安井伸太郎, 伊藤満, 舟窪浩

日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(CD-ROM) 26th 2013年

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強誘電体-反強誘電体相境界を有する(Bi,Sm)FeO₃エピタキシャル薄膜の電界印加時における圧電挙動の観察

安井伸太郎, 安井伸太郎, 江原祥隆, 白石貴久, 清水荘雄, 舟窪浩, 伊藤満, 今井康彦, 田尻寛男, 坂田修身, TAKEUCHI Ichiro

日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(CD-ROM) 26th 2013年

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強誘電体-反強誘電体相境界を有する(Bi,Sm)FeO₃エピタキシャル薄膜の電界印加時における圧電挙動の観察

安井伸太郎, 安井伸太郎, 江原祥隆, 白石貴久, 清水荘雄, 舟窪浩, 伊藤満, 今井康彦, 田尻寛男, 坂田修身, 坂田修身, TAKEUCHI Ichiro

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 74th 2013年

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SrTiO₃（110）基板上に成長させたBaTiO₃薄膜における特異な構造

清水荘雄, 谷口博基, 谷山智康, 伊藤満

日本結晶学会誌 55 ( 5 ) 290 - 295 2013年

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記述言語：日本語出版者・発行元：日本結晶学会

An unconventional pseudo-tetragonal crystal structure is found in a BaTiO₃ epitaxial thin film grown on a （110）SrTiO₃ substrate. The unique crystal structure of the BaTiO₃ film, which is markedly different from the bulk tetragonal structure, is caused by the nearly uniaxial strain due to the different strain relaxation along ［001］ and ［1<span style="text-decoration: overline;">1</span>0］ axes.

DOI： 10.5940/jcrsj.55.290

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25aPS-10 広帯域波長板を用いた定量的偏光ラマン分光(25aPS 領域10ポスターセッション(誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

藤井康裕, 能重昌嗣, 清水荘雄, 谷口博基, 伊藤満, 西尾泉

日本物理学会講演概要集 67 ( 0 ) 997 - 997 2012年

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

DOI： 10.11316/jpsgaiyo.67.1.4.0_997_4

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25aPS-9 Bi_2WO_6の定量的偏光ラマン分光(25aPS 領域10ポスターセッション(誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

能重昌嗣, 藤井康裕, 清水荘雄, 谷口博基, 符徳勝, 伊藤満, 西尾泉

日本物理学会講演概要集 67 ( 0 ) 997 - 997 2012年

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

DOI： 10.11316/jpsgaiyo.67.1.4.0_997_3

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21pGN-5 CdTiO_3の強誘電性におけるCa置換の効果(21pGN リラクサー・光散乱,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

谷口博基, Soon, 森分博紀, 単躍進, 清水荘雄, 伊藤満

日本物理学会講演概要集 66 ( 0 ) 974 - 974 2011年

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

DOI： 10.11316/jpsgaiyo.66.2.4.0_974_4

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ラマン散乱によるCdTiO₃におけるCa置換効果の研究

谷口博基, SOON Hwee Ping, 清水荘雄, 伊藤満, 森分博紀, SHAN Yue Jin

日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集 24th 2011年

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26aPS-113 強誘電体Ba_<1-x>Ca_xTiO_3における相転移機構(26aPS 領域10ポスターセッション(誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

清水荘雄, 符徳勝, 谷口博基, 谷山智康, 伊藤満

日本物理学会講演概要集 66 ( 0 ) 969 - 969 2011年

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

DOI： 10.11316/jpsgaiyo.66.1.4.0_969_4

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26aPS-117 酸化物強誘電体の偏光ラマン分光(26aPS 領域10ポスターセッション(誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

藤井康裕, 能重昌嗣, 西尾泉, 清水荘雄, 谷口博基, 伊藤満

日本物理学会講演概要集 66 ( 0 ) 970 - 970 2011年

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

DOI： 10.11316/jpsgaiyo.66.1.4.0_970_4

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26aPS-122 (Ba_<1-x>Ca_x)TiO_3の透過型電子顕微鏡における微細構造評価(26aPS 領域10ポスターセッション(誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

小山司, 尾崎友厚, 森茂生, 符徳勝, 清水荘雄, 谷口博基, 伊藤満

日本物理学会講演概要集 66 ( 0 ) 972 - 972 2011年

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

DOI： 10.11316/jpsgaiyo.66.1.4.0_972_1

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25aWY-6 ラマン散乱によるBa_<1-x>Ca_xTiO_3の構造相転移の研究(25aWY 酸化物系,領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))

清水荘雄, 符徳勝, 谷口博基, 谷山智康, 伊藤満

日本物理学会講演概要集 65 ( 0 ) 916 - 916 2010年

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

DOI： 10.11316/jpsgaiyo.65.2.4.0_916_1

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24aPS-130 透過型電子顕微鏡法による(Ba_<1-x>Ca_x)TiO_3の微細構造評価(24aPS 領域10ポスターセッション,領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))

小山司, 尾崎友厚, 森茂生, 符徳勝, 清水荘雄, 谷口博基, 伊藤満

日本物理学会講演概要集 65 ( 0 ) 902 - 902 2010年

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

DOI： 10.11316/jpsgaiyo.65.2.4.0_902_2

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27pPSB-14 Ba_<0.767>Ca_<0.233>TiO_3の格子振動ダイナミクス(領域10ポスターセッション(誘電体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)

清水荘雄, 符徳勝, 谷口博基, 谷山智康, 伊藤満

日本物理学会講演概要集 64 ( 0 ) 886 - 886 2009年

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

DOI： 10.11316/jpsgaiyo.64.2.4.0_886_3

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30pRF-4 ラマン散乱によるペロブスカイト型誘電体酸化物の構造相転移の研究(30pRF 誘電体(ペロブスカイト),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))

谷口博基, Soon Hwee Ping, 清水荘雄, 藤井康裕, 橘信, 符徳勝, 伊藤満

日本物理学会講演概要集 64 ( 0 ) 984 - 984 2009年

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

DOI： 10.11316/jpsgaiyo.64.1.4.0_984_3

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27pPSB-11 Pb(Mg_<1/3>Nb_<2/3>)O_3におけるソフトモードダイナミクス(領域10ポスターセッション(誘電体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)

谷口博基, 清水荘雄, 符徳勝, 伊藤満

日本物理学会講演概要集 64 ( 0 ) 885 - 885 2009年

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

DOI： 10.11316/jpsgaiyo.64.2.4.0_885_4

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21pVE-2 (K_<1-x>Rb_x)_3H(SeO_4)_2の中性子粉末構造解析(21pVE 誘電体(水素結合系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))

鹿内文仁, 神山崇, 鬼柳亮嗣, 谷口博基, 清水荘雄, Richardson J. W. Jr.J. W. Jr., 狩野旬, 小島誠治, 伊藤晋一, 池田進

日本物理学会講演概要集 63 ( 0 ) 877 - 877 2008年

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

DOI： 10.11316/jpsgaiyo.63.2.4.0_877_3

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25pYE-1 パイロクロア型強誘電体Cd_2Nb_2O_7におけるソフトモードの臨界挙動と相転移(誘電体(酸化物系),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)

谷口博基, 清水荘雄, 橘信, 川路均, 阿竹徹, 伊藤満

日本物理学会講演概要集 63 ( 0 ) 944 - 944 2008年

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

DOI： 10.11316/jpsgaiyo.63.1.4.0_944_2

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Ferroelectric Phase Transition of Cd_2_Nb_2_O_7_ Studied by Raman Scattering

Hiroki Taniguchi, Takao Shimizu, Hitoshi Kawaji, Tooru Atake, Mitsuru Itoh, Makoto Tachibana

Physical Review B 77 ( 22 ) 224104 2008年

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DOI： 10.1103/PhysRevB.77.224104

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20aXA-9 強誘電体をマトリックスとする新しい希釈磁性体単結晶Fe-ドープc-(Ba,Ca)TiO_3(誘電体(BaTiO_3系),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)

清水荘雄, 符徳勝, Ray Sugata, 谷口博基, 谷山智康, 腰原伸也, 松尾陽太郎, 伊藤満

日本物理学会講演概要集 62 ( 0 ) 965 - 965 2007年

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

DOI： 10.11316/jpsgaiyo.62.1.4.0_965_1

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講演・口頭発表等

種々のNb原料から水熱合成法で作製した(K,Na)NbO_３配向膜の合成と特性評価

舘山明紀, 伊東良晴, 中村美子, 清水荘雄, 折野裕一郎, 黒澤実, 内田寛, 白石貴久, 木口賢紀, 今野豊彦, 石河睦生, 熊田伸弘, 舟窪浩

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2018年3月公益社団法人応用物理学会

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開催年月日： 2018年3月

記述言語：日本語

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エピタキシャルCeO₂-ZrO₂薄膜の作製とその結晶構造評価

白石貴久, Sujin Choi, 清水荘雄, 木口賢紀, 舟窪浩, 今野豊彦

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2018年3月公益社団法人応用物理学会

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開催年月日： 2018年3月

記述言語：日本語

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スパッタリング法によるSr-Si膜の作製

青山航大, 清水荘雄, 倉持豪人, 召田雅実, 秋池良, 木村好里, 舟窪浩

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2018年3月公益社団法人応用物理学会

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開催年月日： 2018年3月

記述言語：日本語

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PLD法を用いた(Bi,Na)TiO₃-BaTiO₃系薄膜の作製と評価

長谷川光勇, 清水荘雄, 佐藤祐介, 山岡和希子, 石田未来, 内田寛, 舟窪浩

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2018年3月公益社団法人応用物理学会

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開催年月日： 2018年3月

記述言語：日本語

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水熱合成によるフレキシブル基板への圧電体成膜

舟窪浩, 伊東良晴, 舘山明紀, 中村美子, 清水荘雄, 黒澤実, 内田寛, 白石貴久, 木口賢紀, 今野豊彦, 石河睦生

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2018年3月公益社団法人応用物理学会

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開催年月日： 2018年3月

記述言語：日本語

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水熱法を用いた(K,Na)NbO₃配向体の低温作製とその特性評価

舟窪浩, 伊東良晴, 舘山明紀, 中村美子, 清水荘雄, 黒澤実, 内田寛, 白石貴久, 木口賢紀, 今野豊彦, 石河睦生

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2017年8月公益社団法人応用物理学会

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開催年月日： 2017年8月

記述言語：日本語

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固相エピタキシー法による強誘電体HfO₂基薄膜の作製

白石貴久, Choi Sujin, 清水荘雄, 舟窪浩, 木口賢紀, 今野豊彦

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2017年8月公益社団法人応用物理学会

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開催年月日： 2017年8月

記述言語：日本語

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ドーパント添加ZrO₂エピタキシャル薄膜の結晶構造と電気特性調査

崔ス珍, 白石貴久, 木口賢紀, 清水荘雄, 舟窪浩, 今野豊彦

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2017年8月公益社団法人応用物理学会

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開催年月日： 2017年8月

記述言語：日本語

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エピタキシャルFe:HfO₂薄膜の作製と特性評価

白石貴久, Choi Sujin, 清水荘雄, 舟窪浩, 木口賢紀, 今野豊彦

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2017年3月公益社団法人応用物理学会

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開催年月日： 2017年3月

記述言語：日本語

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PLD法による配向制御したエピタキシャル(Bi,K)TiO₃膜の作製

根本祐一, 一ノ瀬大地, 清水荘雄, 内田寛, 佐藤祐介, 山岡和希子, 舟窪浩

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2016年9月公益社団法人応用物理学会

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開催年月日： 2016年9月

記述言語：日本語

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熱処理がMg₂Si薄膜の伝導型に与える影響

黒川満央, 上原睦雄, 清水荘雄, 秋山賢輔, 松島正明, 内田浩, 木村好里, 舟窪浩

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2016年9月公益社団法人応用物理学会

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開催年月日： 2016年9月

記述言語：日本語

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正方晶/菱面体晶Pb(Zr_xTi_1-x)O₃人工超格子薄膜における圧電応答の層厚依存性

山田智明, 海老原洋平, 坂田修身, 森岡仁, 木口賢紀, 清水荘雄, 舟窪浩, 吉野正人, 長崎正雅

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2016年3月公益社団法人応用物理学会

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開催年月日： 2016年3月

記述言語：日本語

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PLD法による正方晶(Bi,K)TiO₃エピタキシャル膜作製と圧電特性評価

根本祐一, 一ノ瀬大地, 清水荘雄, 内田寛, 舟窪浩

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2016年3月公益社団法人応用物理学会

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開催年月日： 2016年3月

記述言語：日本語

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Mg₂Si薄膜の熱電特性に及ぼす歪みの影響

黒川満央, 上原睦雄, 一ノ瀬大地, 清水荘雄, 秋山賢輔, 松島正明, 内田寛, 木村好里, 舟窪浩

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2016年3月公益社団法人応用物理学会

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開催年月日： 2016年3月

記述言語：日本語

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{100}, {111}配向Pb(Zr,Ti)O₃ナノロッドのドメイン構造とそのサイズ依存性

山田智明, 伊藤大介, 坂田修身, 黒石隼輝, 生津資大, 清水荘雄, 舟窪浩, 吉野正人, 長崎正雅

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2015年8月公益社団法人応用物理学会

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開催年月日： 2015年8月

記述言語：日本語

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斜方晶エピタキシャルHfO₂基薄膜のドメイン構造

清水荘雄, 片山きりは, 木口賢紀, 赤間章裕, 今野豊彦, 内田寛, 坂田修身, 舟窪浩

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2015年8月公益社団法人応用物理学会

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開催年月日： 2015年8月

記述言語：日本語

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Si基板上への斜方晶エピタキシャルHfO₂基薄膜の作製

片山きりは, 清水荘雄, 木口賢紀, 赤間章裕, 今野豊彦, 内田寛, 坂田修身, 舟窪浩

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2015年8月公益社団法人応用物理学会

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開催年月日： 2015年8月

記述言語：日本語

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HfO₂基エピタキシャル薄膜の強誘電性

清水荘雄, 片山きりは, 舟窪浩

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2015年2月公益社団法人応用物理学会

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開催年月日： 2015年2月

記述言語：日本語

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化学溶液堆積法によるHfO₂-ZrO₂極薄膜の作製と特性評価

阿部千穂子, 塩川真里奈, 白石貴久, 清水荘雄, 舟窪浩, 内田寛

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2015年2月公益社団法人応用物理学会

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開催年月日： 2015年2月

記述言語：日本語

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斜方晶相を含むエピタキシャルHfO₂基薄膜の結晶構造解析

片山きりは, 清水荘雄, 横内達彦, 白石貴久, 及川貴弘, 木口賢紀, 赤間章裕, 今野豊彦, 内田寛, 舟窪浩

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2015年2月公益社団法人応用物理学会

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開催年月日： 2015年2月

記述言語：日本語

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正方晶PZT薄膜とナノロッドにおける逆圧電特性の結晶方位依存性

山田智明, 安本洵, 伊藤大介, 坂田修身, 今井康彦, 白石貴久, 清水荘雄, 舟窪浩, 吉野正人, 長崎正雅

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2014年9月公益社団法人応用物理学会

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開催年月日： 2014年9月

記述言語：日本語

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斜方晶構造を持つエピタキシャルHfO₂系薄膜の作製と評価

清水荘雄, 舟窪浩

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2014年9月公益社団法人応用物理学会

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開催年月日： 2014年9月

記述言語：日本語

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(Hf,Zr)O₂薄膜の電気特性と結晶構造の評価

白石貴久, 片山きりは, 横内達彦, 清水荘雄, 及川貴弘, 内田寛, 舟窪浩

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2014年9月公益社団法人応用物理学会

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開催年月日： 2014年9月

記述言語：日本語

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(Hf_0.5Zr_0.5)O₂薄膜の強誘電性評価

横内達彦, 清水荘雄, 及川貴弘, 白石貴久, 舟窪浩, 木口賢紀, 赤間章裕, 今野豊彦

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2014年3月公益社団法人応用物理学会

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開催年月日： 2014年3月

記述言語：日本語

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HfO₂基薄膜の強誘電性

舟窪浩, 清水荘雄, 横内達彦, 及川貴弘, 白石貴久

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2014年3月公益社団法人応用物理学会

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開催年月日： 2014年3月

記述言語：日本語

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異なる面方位を持つSrTiO₃基板上に成長したBaTiO₃薄膜における相転移

清水荘雄, 諏訪間大, 谷口博基, 谷山智康, 舟窪浩, 伊藤満

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2013年8月公益社団法人応用物理学会

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開催年月日： 2013年8月

記述言語：日本語

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化学溶液堆積法によって作製した(111)配向Ba-Biペロブスカイト固溶体薄膜の誘電特性

木村純一, 清水荘雄, 内田寛, 舟窪浩

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2013年8月公益社団法人応用物理学会

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開催年月日： 2013年8月

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共同研究・競争的資金等の研究課題

ウルツ鉱型強誘電体における分極反転ドメイン境界の解明と欠陥エンジニアリング

研究課題/領域番号：24K01170 2024年4月 - 2027年3月

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B)

清水荘雄

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配分額：18590000円（直接経費：14300000円、間接経費：4290000円）

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ウルツ鉱型強誘電体の抗電界低減を可能とする置換カチオン探索

研究課題/領域番号：23H04124 2023年4月 - 2025年3月

日本学術振興会科学研究費助成事業学術変革領域研究(A)

清水荘雄

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配分額：6500000円（直接経費：5000000円、間接経費：1500000円）

ウルツ鉱型材料は、巨大な自発分極を示すことから大きな注目を集めているが、分極反転に必要な電界(抗電界)が大きく、実用化には大きな課題が残っている。本研究課題では、ウルツ鉱型強誘電体における抗電界が、固溶体の形成つまり元素置換によって顕著に低下することに着目し、この置換元素の構造を超秩序構造とみなして、抗電界低減を可能とするこの置換元素種の探索と局所構造解明を行う。2023年は、無置換AlNにおける強誘電性と、(Al, Sc)NにおけるScの局所構造解明を行ったので、以下に報告する。
従来の報告によれば、(Al, Sc)Nにおいては、Sc濃度10%以上の領域において強誘電性の発現が確認されているが、無置換のAlNにおいては室温での分極反転の報告はなかった。そこで本研究では、AlNにおける強誘電性の発現について研究を行った。はじめに、450℃で成膜したAlN膜の強誘電性について調査したところ、140 ℃以上の温度においては明瞭な強誘電性を確認できたのに対して、室温においては絶縁破壊が起こるため十分な電界を印加することができず、部分的な分極反転にとどまっていた。そこで、成膜温度を変化させることによって、絶縁破壊電界の改善を行ったところ、250 ℃での成膜によって8 MV/cm以上の絶縁破壊電界を得ることができ、室温での強誘電性の確認に成功した。
置換元素による抗電界の役割を理解するためには、置換元素の局所構造の解明が必要である。そこで、2023年度は蛍光X線ホログラフィー(XFH)測定およびX線吸収微細構造(XAFS)解析を行った。予備的な解析結果から、ScがAlが本来占めている原子位置よりも、窒素四面体の底面近傍に位置していることを示唆する結果を得ている。また。XAFS測定の解析によっても、Sc-N間の距離が長くなっていることが示唆されており、XFHの結果を支持する結果である。

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電場によって誘起されるドメイン界面の解明とそれを用いた機能発現

研究課題/領域番号：20H05185 2020年4月 - 2022年3月

日本学術振興会科学研究費助成事業新学術領域研究(研究領域提案型)

清水荘雄

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配分額：5980000円（直接経費：4600000円、間接経費：1380000円）

2年目にあたる2021年度は、(1)PbTiO3薄膜におけるドメイン構造、(2)非鉛圧電体におけるドメイン構造変化(3)HfO2基強誘電体における電場誘起相転移に関して研究を行った。
(1) PbTiO3薄膜におけるドメイン構造については、SiおよびKTaO3基板上のPbTiO3エピタキシャル膜に関してドメイン構造を検討した。熱膨張率の小さなSi上の薄膜においては、電場誘起ドメインスイッチングを用いた巨大圧電応答が発現することがわかっている。SiとPbTiO3に挟まれたSrTiO3バッファ層の影響によって、膜厚が小さい場合は分極が面直方向を向いたcドメインが形成されるが、膜厚が大きくなるにつれて、a/cドメインとa/aドメインが複合的に形成される構造に変化し、aドメインが優勢になることを明らかにした。また、KTaO3基板上のPbTiO3エピタキシャル膜に関しては成膜後の冷却過程でドメイン構造が変化することを見出した。
(2) 非鉛圧電体におけるドメイン構造変化については、チタン酸ビスマスナトリウム-チタン酸バリウムにおいて、高電圧ポーリング処理によって巨大圧電性が生じることを見出し、またこの圧電性がドメインスイッチングによるものであることを明らかにした。
(3)HfO2基強誘電体における電場誘起相転移に関しては、非ペロブスカイト型結晶構造の強誘電体において電場誘起構造変化が特性に大きく影響する例として研究を行った。HfO2基強誘電体においては、冷却過程においてクエンチされた正方晶の常誘電体相から、より安定な強誘電体相に電場誘起構造相転移が起こり、強誘電性が発現しうることを明らかにした。

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ウルツ鉱型極性材料による強誘電トンネル接合素子の創製と物性解明

研究課題/領域番号：20344735 2020年 - 2023年

科学技術振興機構戦略的な研究開発の推進/戦略的創造研究推進事業/さきがけ

清水荘雄

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ウルツ鉱型強誘電体材料の持つ、巨大な自発分極、大きな抗電界、異方性結晶構造という特徴を生かして、小さな膜厚でも分極を保持しつつ、大きな抵抗オンオフ比を持つ強誘電体トンネル接合素子の実現をエピタキシャル薄膜成長を行うことによって目指す。さらに、分極反転メカニズムの解明や新物質探索を通して、信頼性の向上や物性の制御、さらに集積化に対する可能性を検証する。

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可逆強弾性ドメインスイッチングによるMPBフリー圧電体の創成

研究課題/領域番号：19K15288 2019年4月 - 2022年3月

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究

清水荘雄

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配分額：4160000円（直接経費：3200000円、間接経費：960000円）

本研究では、モルフォトロピック相境界探索という従来手法を用いずに膜形態材料の圧電特性を向上する手法として、ドメインスイッチングを利用したコンセプトを提案した。高電圧印加によってドメイン構造を微細化することによって、鉛系の圧電材料であるチタン酸ジルコン酸鉛の圧電特性が、電圧印加前よりも約4倍程度まで向上することを見出した。このメカニズムはより安定なドメイン構造を電圧印加によって実現することにより発現することをシミュレーションによって解明した。さらにこのメカニズムを非鉛圧電体材料であるチタン酸ビスマスナトリウムーチタン酸バリウム固溶体に適用し、非鉛圧電体膜として高い圧電性を得ることに成功した。

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エピタキシャル膜を用いた蛍石構造強誘電体の特性支配因子の解明

研究課題/領域番号：18H01701 2018年4月 - 2021年3月

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B)

舟窪浩, 清水荘雄

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配分額：17420000円（直接経費：13400000円、間接経費：4020000円）

(1) 膜厚依存性：膜厚14-111nmの0.07YO1.5-0.9+3HfO2膜では、膜厚に依存せず強誘電性が確認でき、大きな膜厚依存は認められなかった。(2) 相転移温度：組成、結晶方位、膜厚にかかわらず、昇温と降温時の相転移温度に大きな温度差があることを見出した。(3) 相転移：0.05YO1.5-0.95(0.5HfO2-0.5ZrO2)膜は正方晶であったが、電界印加で直方晶相となる電界誘起の相転移が確認された。(4) 低温合成：スパッタ法を用いて非加熱合成で作製した0.07YO1.5-0.9+3HfO2膜では、1000℃で加熱した後と遜色ない強誘電性が確認できた。

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ドメイン・相共存を利用した蛍石型強誘電体の機能創発

研究課題/領域番号：17K14807 2017年4月 - 2019年3月

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(B)

清水荘雄

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配分額：4290000円（直接経費：3300000円、間接経費：990000円）

新規蛍石型構造強誘電体であるHfO2基材料を主とした対象として、新規機能性開発を行った。結果として、HfO2基強誘電体において自発分極の方向が電場によって回転する、電場誘起ドメインスイッチングの確認や、これまで100nm以下の薄膜における特性と思われていた強誘電性を1マイクロメートル程度の膜でも確認するなどの新規な特性を確認することができた。

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“基板のクランプ効果による可逆配向スイッチング機構”を用いた巨大圧電体膜の創成

研究課題/領域番号：15H04121 2015年4月 - 2018年3月

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B)

舟窪浩, 清水荘雄

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配分額：16510000円（直接経費：12700000円、間接経費：3810000円）

(100)/(001)配向したPb(Zr0.5Ti0.5)O3膜をSi、SrTiO3およびCaF2基板上に作製した。電界印加時には、可逆な格子の伸長と(100)配向から(001)配向へのドメインスイッチングが確認された。格子の伸長はすべての膜でほぼ同様に観察されたのに対し、ドメインスイッチングはSi基板上で最大となった。これが、Si基板上の膜の大きな圧電性の起源であると考えられる。

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非ペロブスカイト型ジルコニア基強誘電体の強弾性を用いた巨大圧電性の発現

研究課題/領域番号：25889024 2013年8月 - 2015年3月

日本学術振興会科学研究費助成事業研究活動スタート支援

清水荘雄

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配分額：2730000円（直接経費：2100000円、間接経費：630000円）

蛍石型酸化物材料であるHfO2基薄膜材料において強誘電性が発見されたことを受けて、Siテクノロジーとの親和性の高い非ペロブスカイト強誘電体の巨大圧電性の実現を目指した研究を行った。結果として強誘電性を発現していると考えられる斜方晶相が単斜晶相、正方晶相と非常に生成エネルギーが近く結晶化条件の変化によって出現相を変化させうることが分かった。また強誘電性が構造由来であることを確認するため結晶化時の雰囲気の比較や低温での測定を行った。結果として、酸素欠陥のような荷電欠陥の移動が介在しておらず構造由来であり圧電性が期待できることが分かった。

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