東京工業大学   応用セラミックス研究所   助教

2015年1月 - 2016年3月

シャープ株式会社   ディスプレイデバイス開発本部

2012年4月 - 2014年12月

SSDM（国際固体素子カンファレンス） 論文委員  

2020年 - 現在   

応用物理学会   学術講演会 プログラム編集委員  

2018年 - 2023年   

独立行政法人日本学術振興会 166委員会 委員長補佐  

2015年1月 - 2017年3月   

日本学術振興会   産学協力研究委員会 １６６委員会  

2015年 - 2022年   

Reversible Thermal Conductivity Modulation of Non-equilibrium (Sn1-xPbx)S by 2D-3D Structural Phase Transition above Room Temperature 査読 国際誌

Zhongxu Hu, Mari Hiramatsu, Xinyi He, Takayoshi Katase, Terumasa Tadano, Keisuke Ide, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

ACS Appl. Energy Mater.   Vol. 6   3504   2023年3月

Local electronic structure of dilute hydrogen in Beta-Ga2O3 probed by muons 査読 国際誌

M. Hiraishi, H. Okabe, A. Koda, R. Kadono, T. Ohsawa, N. Ohashi, Keisuke Ide, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

Phys. Rev. B   107 ( 4 )   2023年1月

Low-temperature-processable amorphous-oxide-semiconductor-based phosphors for durable light-emitting diodes 査読 国際誌

Keisuke Ide, Naoto Watanabe, Takayoshi Katase, Masato Sasase, Junghwan Kim, Shigenori Ueda, Koji Horiba, Hiroshi Kumigashira, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

Appl. Phys. Lett.   Vol. 121 ( 19 )   192108   2022年11月

Low Residual Carrier Density and High In-Grain Mobility in Polycrystalline Zn3N2 Films on a Glass Substrate 査読 国際誌

Kaiwen Li, Atsushi Shimizu, Xinyi He, Keisuke Ide, Kota Hanzawa, Kosuke Matsuzaki, Takayoshi Katase, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Q. Zhang, Toshio Kamiya

ACS Appl. Electron. Mater.   Vol. 4 ( 4 )   2026   2022年4月

Design, Synthesis, and Optoelectronic Properties of the High-Purity Phase in Layered AETMN2 (AE = Sr, Ba; TM = Ti, Zr, Hf) Semiconductors 査読 国際誌

Akihiro Shiraishi, Shigeru Kimura, Xinyi He, Naoto Watanabe, Takayoshi Katase, Keisuke Ide, Makoto Minohara, Kosuke Matsuzaki, Hidenori Hiramatsu, Hiroshi Kumigashira, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

INORG. CHEM.   61 ( 17 )   6650-6659 - 6659   2022年4月

High-Mobility Metastable Rock-Salt Type (Sn,Ca)Se Thin Film Stabilized by Direct Epitaxial Growth on a YSZ (111) Single-Crystal Substrate 査読 国際誌

Xinyi He, Jinshuai Chen, Takayoshi Katase, Makoto Minohara, Keisuke Ide, Hidenori Hiramatsu, Hiroshi Kumigashira, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

ACS Appl. Mater. Interfaces   14 ( 16 )   18682–18689 - 18689   2022年4月

Degenerated Hole Doping and Ultra-Low Lattice Thermal Conductivity in Polycrystalline SnSe by Nonequilibrium Isovalent Te Substitution 査読 国際誌

Xinyi He, Haoyun Zhang, Takumi Nose, Takayoshi Katase, Terumasa Tadano, Keisuke Ide, Shigenori Ueda, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

Advanced Science   Vol. 9 ( 13 )   202105958   2022年3月

Electronic and Lattice Thermal Conductivity Switching by 3D−2D Crystal Structure Transition in Nonequilibrium (Pb1−xSnx)Se 査読 国際誌

Yusaku Nishimura, Xinyi He, Takayoshi Katase, Terumasa Tadano, Keisuke Ide, Suguru Kitani, Kota Hanzawa, Shigenori Ueda, Hidenori Hiramatsu, Hitoshi Kawaji, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

Advanced Electronic Materials   32   2200024 (1 of 9)   2022年2月

Breaking of thermopower – conductivity trade-off in LaTiO3 film around Mott insulator to metal transition 査読 国際誌

Takayoshi Katase*, Xinyi He, Terumasa Tadano, Jan M. Tomczak, Takaki Onozato, Keisuke Ide, Bin Feng, Tetsuya Tohei, Hidenori Hiramatsu, Hiromichi Ohta, Yuichi Ikuhara, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

Advanced Science   Vol. 8 ( 23 )   202102097   2021年10月

Large phonon drag thermopower boosted by massive electrons and phonon leaking in LaAlO3/LaNiO3/LaAlO3 heterostructure 査読 国際誌

Masatoshi Kimura, Xinyi He, Takayoshi Katase*, Terumasa Tadano, Jan M. Tomczak, Makoto Minohara, Ryotaro Aso, Hideto Yoshida, Keisuke Ide, Shigenori Ueda, Hidenori Hiramatsu, Hiroshi Kumigashira, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

Nano Letters   Vol. 21 ( 21 )   9240 - 9246   2021年10月

Ion substitution effect on defect formation in two-dimensional transition metal nitrides semiconductor, AETiN2 (AE = Ca, Sr, Ba) 査読 国際誌

Xinyi He, Takayoshi Katase*, Keisuke Ide, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

Inorg. Chem.   Vol. 60 ( 14 )   10227 - 10234   2021年7月

Local Structure Properties of Hydrogenated and Nonhydrogenated Amorphous In-Ga-Zn-O Thin Films Using XAFS and High-Energy XRD 査読 国際誌

Loku Singgappulige Rosantha Kumara, Kyohei Ishikawa, Keisuke Ide, Hideo Hosono, Toshio Kamiya, Osami Sakata

The Journal of Physical Chemistry C   125 ( 24 )   13619–13628 - 13628   2021年6月

Reversible 3D-2D structural phase transition and giant electronic modulation in nonequilibrium alloy semiconductor, lead-tin-selenide 査読 国際誌

Takayoshi Katase, Yudai Takahashi, Xinyi He, Terumasa Tadano, Keisuke Ide, Hideto Yoshida, Shiro Kawachi, Jun-ichi Yamaura, Masato Sasase, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

SCIENCE ADVANCES   Vol. 7 ( 12 )   eabf2725 - eabf2725   2021年3月

Origins of the coloration from structure and valence state of bismuth oxide glasses 査読 国際誌

Akira Saitoh, Katsuki Hayashi, Kota Hanzawa, Shigenori Ueda, Shiro Kawachi, Jun-ichi Yamaura, Keisuke Ide, Junghwan Kim, Gregory Tricot, Satoru Matsuishi, Kazuki Mitsui, Tatsuki Shimizu, Masami Mori, Hideo Hosono, Hidenori Hiramatsu

J. NON-CRYST. SOLIDS.   560   120720-1 - 120720-14   2021年2月

Double charge polarity switching in Sb-doped SnSe with switchable substitution sites 査読 国際誌

Chihiro Yamamoto, Xinyi He, Takayoshi Katase, Keisuke Ide, Yosuke Goto, Yoshikazu Mizuguchi, Akane Samizo, Makoto Minohara, Shigenori Ueda, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

Adv. Funct. Mater.   31 ( 8 )   202008092   2020年12月

Shallow valence band of rutile GeO2 and p-type doping 査読 国際誌

Christian A. Niedermeier, Keisuke Ide, Takayoshi Katase, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

J. Phys. Chem. C   vol. 124 ( 47 )   25721 - 25728   2020年11月

Phonon scattering limited mobility in the representative cubic perovskite semiconductors SrGeO3, BaSnO3, and SrTiO3 査読 国際誌

Christian A. Niedermeier, Yu Kumagai, Keisuke Ide, Takayoshi Katase, Fumiyasu Oba, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

Phys. Rev. B   101 ( 12 )   125206-1-10   2020年3月

Fabrication and characterization of CaxSr1-x)Si2 films prepared by co-sputtering method 査読 国際誌

Kodai Aoyama, Takao Shimizu, Hideto Kuramochi, Masami Mesuda, Ryo Akiike, Keisuke Ide, Takayoshi Katase, Toshio Kamiya, Yoshisato Kimura, Hiroshi Funakubo

MRS Advances   5 ( 10 )   451 - 458   2020年1月

Thermoelectric (BaxSr1–x)Si2 films prepared by sputtering method over the barium solubility limit 査読

Kodai Aoyama, Takao Shimizu, Hideto Kuramochi, Masami Mesuda, Ryo Akiike, Keisuke Ide, Takayoshi Katase, Toshio Kamiya, Yoshisato Kimura, Hiroshi Funakubo

Jpn. J. Appl. Phys.   vol. 59 ( SF )   SFFB02-1-6   2020年1月

二元同時スパッタ法で作製したAeSi₂膜の作製

青山 航大, 清水 荘雄, 倉持 豪人, 召田 雅実, 秋池 良, 井手 啓介, 片瀬 貴義, 神谷 利夫, 木村 好里, 舟窪 浩

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2019.2   2999 - 2999   2019年9月

Electronic structure of interstitial hydrogen in In-Ga-Zn-O semiconductor simulated by muon 査読 国際誌

Kenji M. Kojima, Masatoshi Hiraishi, Hirotaka Okabe, Akihiro Koda, Rryosuke Kadono, Keisuke Ide, Satoru Matsuishi, Hideya Kumomi, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

Applied Physics Letters   115 ( 12 )   122104-1-5   2019年9月

New Amorphous In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistor-Based Optical Pixel Sensor for Optical Input Signal with Short Wavelength 査読 国際誌

Chia-En Wu, Keisuke Ide, Takayoshi Katase, Hidenori Hiramastu, Hideo Hosono, Chih-Lung Lin, Toshio Kamiya

IEEE Transactions on Electron Devices   vol. 66 ( 9 )   3841 - 3846   2019年7月

Intrinsic and Extrinsic Defects in Layered Nitride Semiconductor, SrTiN2 査読 国際誌

Xinyi He, Zewen Xiao, Takayoshi Katase, Keisuke Ide, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

Journal of Physical Chemistry C   vol. 123 ( 32 )   32 - 19314   2019年7月

Multiple Color Inorganic Thin‐Film Phosphor, RE‐Doped Amorphous Gallium Oxide (RE = Rare Earth: Pr, Sm, Tb, and Dy), Deposited at Room Temperature 査読 国際誌

Naoto Watanabe, Keisuke Ide, Junghwan Kim, Takayoshi Katase, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

physica status solidi (a)   Vol. 216 ( No. 5 )   1700833   2019年3月

共スパッタ法で作製したBa_xSr_1-xSi₂膜の熱電特性

青山 航大, 清水 荘雄, 倉持 豪人, 召田 雅実, 秋池 良, 井出 啓介, 片瀬 貴義, 神谷 利夫, 木村 好里, 舟窪 浩

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2019.1   1843 - 1843   2019年2月

Transition metal-doped amorphous oxide semiconductor thin film phosphor, chromium-doped amorphous gallium oxide 査読 国際誌

Keisuke Ide, Yuki Futakado, Naoto Watanabe, Junghwan Kim, Takayoshi Katase, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

Phys. Status Solidi A   216 ( 5 )   1800198   2018年8月

(Invited) Depth Analysis of Near Valence Band Maximum Defect States in Amorphous Oxide Semiconductors: Amorphous in-Ga-Zn-O

Keisuke Ide, Masato Ota, Takayoshi Katase, Hidenori Hiramatsu, Shigenori Ueda, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

ECS Meeting Abstracts   2018年7月

Multiple states and roles of hydrogen in p-type SnS semiconductors 査読 国際誌

Zewen Xiao, Fan-Yong Ran, Min Liao, Hidenori Hiramatsu, Keisuke Ide, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS   30 ( 32 )   4498 - 4502   2018年7月

Effects of Base Pressure on Growth and Optoelectronic Properties of Amorphous In‐Ga‐Zn‐O: Ultralow Optimum Oxygen Supply and Bandgap Widening 査読 国際誌

Keisuke Ide, * Kyohei Ishikawa, Haochun Tang, Takayoshi Katase, Hidenori Hiramatsu, Hideya Kumomi, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

physica status solidi (a)   216 ( 1700832 )   1 - 6   2018年2月

Amorphous Gallium Oxide as an Improved Host for Inorganic Light-Emitting Thin Film Semiconductor Fabricated at Room Temperature on Glass 査読 国際誌

Naoto Watanabe, Junghwan Kim, Keisuke Ide, Hidenori Hiramatsu, Hiroshi Kumigashira, Shigenori Ueda, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

ECS Journal of Solid State Science and Technology   Vol. 6 ( 7 )   410 - 414   2017年5月

Multiple Roles of Hydrogen Treatments in Amorphous In-Ga-Zn-O Films 査読 国際誌

Haochun Tang, Yosuke Kishida, Keisuke Ide, Yoshitake Toda, Hidenori Hiramatsu, Satoru Matsuishi, Shigenori Ueda, Naoki Ohashi, Hideya Kumomi, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

ECS J. Sol. State Sci. Technol.   6 ( 7 )   365 - 372   2017年5月

Electron effective mass and mobility limits in degenerate perovskite stannate BaSnO₃ 査読 国際誌

Christian A. Niedermeier, Sneha Rhode, Keisuke Ide, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya, Michelle A. Moram

Physical Review B Rapid Communications   95 ( 95 )   161202(R)-1 - 6   2017年4月

Conversion of an ultra-wide bandgap amorphous oxide insulator to a semiconductor 査読 国際誌

Junghwan Kim, Takumi Sekiya, Norihiko Miyokawa, Naoto Watanabe, Koji Kimoto, Keisuke Ide, Yoshitake Toda, Shigenori Ueda, Naoki Ohashi, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

NPG Asia Materials   vol. 9 ( 3 )   e359   2017年3月

Effects of working pressure and annealing on bulk density and nanopore structures in amorphous In–Ga–Zn–O thin-film transistors 査読 国際誌

Keisuke Ide, Mitsuho Kikuchi, Masato Ota, Masato Sasase, Hidenori Hiramatsu, Hideya Kumomi, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

Jpn. J. Appl. Phys.   Vol. 56 ( 3 )   03BB03-1 - 5   2017年1月

Amorphous Gallium Oxide as an Improved Host for Inorganic Light-Emitting Thin Film Semiconductor Fabricated at Room Temperature on Glass (vol 6, pg P410, 2017) 査読

Naoto Watanabe, Junghwan Kim, Keisuke Ide, Hidenori Hiramatsu, Hiroshi Kumigashira, Shigenori Ueda, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY   6 ( 7 )   X1 - X1   2017年

Ultrawide band gap amorphous oxide semiconductor, Ga–Zn–O 査読 国際誌

Junghwan Kim, Norihiko Miyokawa, Takumi Sekiya, Keisuke Ide, Yoshitake Toda, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

Thin Solid Films   Vol. 614   84 - 89   2016年9月

Room-temperature fabrication of light-emitting thin films based on amorphous oxide semiconductor 査読 国際誌

Junghwan Kim, Norihiko Miyokawa, Keisuke Ide, Yoshitake Toda, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

AIP Advances   Vol. 6 ( 1 )   015106   2016年

Transparent amorphous oxide semiconductor thin film phosphor, In–Mg–O:Eu 査読 国際誌

Junghwan KIM, Norihiko MIYOKAWA, Keisuke IDE, Hidenori HIRAMATSU, Hideo HOSONO, Toshio KAMIYA

J. Cerm. Soc. Jpn.   Vol. 124 ( 5 )   532 - 535   2016年

Effects of thermal annealing on elimination of deep defects in amorphous In–Ga–Zn–O thin-film transistors 査読 国際誌

Haochun Tang, Keisuke Ide, Hidenori Hiramatsu, Shigenori Ueda, Naoki Ohashi, Hideya Kumomi, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

Thin Solid Films   Vol. 614   73 - 78   2016年

Solid phase epitaxial growth of high mobility La:BaSnO₃ thin films co-doped with interstitial hydrogen 査読 国際誌

Christian A. Niedermeier, Sneha Rhode, Sarah Fearn, Keisuke Ide, Michelle A. Moram, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

Appl. Phys. Lett.   Vol. 108 ( 17 )   172101-1 -5   2016年

SnS thin films prepared by H2S-free process and its p-type thin film transistor 査読 国際誌

Fan-Yong Ran, Zewen Xiao, Hidenori Hiramatsu, Keisuke Ide, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

AIP Adv.   Vol. 6 ( 1 )   015112-1 - 6   2016年

Effects of residual hydrogen in sputtering atmosphere on structures and properties of amorphous In-Ga-Zn-O thin films 査読 国際誌

Haochun Tang, Kyohei Ishikawa, Keisuke Ide, Hidenori Hiramatsu, Shigenori Ueda, Naoki Ohashi, Hideya Kumomi, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

J. Appl. Phys.   Vol. 118 ( 20 )   205703-1-6   2015年

Light Irradiation History Sensor Using Amorphous In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistor Exposed to Ozone Annealing 査読 国際誌

Mutsumi Kimura, Takayuki Hasegawa, Keisuke Ide, Kenji Nomura, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

IEEE Electron Dev. Lett.   Vol. 33 ( No. 3 )   384 - 386   2012年2月

Structural relaxation in amorphous oxide semiconductor 査読 国際誌

Keisuke Ide, Kenji Nomura, Hidenori Hiramatsu, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

J. Appl. Phys   Vol. 111 ( No. 073513 )   1 - 6   2012年

Maximum applied voltage detector using amorphous In-Ga-Zn-O thin film transistor exposed to ozone annealing 査読 国際誌

Mutsumi Kimura, Takayuki Hasegawa, Keisuke Ide, Kenji Nomura, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

Solid-State Electronics   Vol. 75   74 - 76   2012年

Effects of low-temperature ozone annealing on operation characteristics of amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistors 査読 国際誌

Keisuke Ide, Yutomo Kikuchi, Kenji Nomura, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

Thin Solid Films   Vol. 520 ( 10 )   3787 - 3790   2012年

Effects of excess oxygen on operation characteristics of amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistors 査読 国際誌

Keisuke Ide, Yutomo Kikuchi, Kenji Nomura, Mutsumi Kimura, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

Appl. Phys. Lett   Vol. 99 ( No. 093507 )   1 - 3   2011年

Novel Structured Metallic and Inorganic Materials

Toshio Kamiya, Hidenori Hiramatsu, Keisuke Ide, Takayoshi Katase, Hideo Hosono（ 担当： 分担執筆 範囲: Exotic Crystal Structures and Electronic Structures in Novel Structured Inorganic Materials (pp. 107-120)）

Springer Singapore  2019年 

Novel Structured Metallic and Inorganic Materials

Toshio Kamiya, Kenji Nomura, Keisuke Ide, Junghwan Kim, Hidenori Hiramatsu, Hideya Kumomi, Hideo Hosono（ 担当： 分担執筆 範囲: Amorphous oxide semiconductor thin-film transistors (pp. 573-587)）

2019年 

（受賞記念講演）Electronic Structures and Defects Analysis of Amorphous Oxide Semiconductor toward IGZO Display Application 招待

Keisuke Ide

International Display Workshops  2022年12月 

（招待講演）アモルファス酸化物半導体における機能開拓の最前線 招待

井手啓介, 細野秀雄, 神谷利夫

第70回応用物理学会 春季学術講演会 シンポジウム  2023年3月 

（招待講演）Rare-earth and transition metal doping for amorphous oxide semiconductor 招待

Keisuke Ide, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

Material Research Meeting 2021  2021年12月 

（招待講演）Electronic defects in AOS and recent development 招待

Keisuke Ide, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

The 27th International Workshop on Active-Matrix Flat panel Displays and Devices  2020年6月 

（招待講演）Present status of amorphous oxide semiconductor: Electronic defects and material development 招待

Keisuke Ide, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

ISPlasma/IC-PLANTS2021  2021年3月 

（招待講演）Development of new amorphous oxide semiconductors 招待

Keisuke Ide, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

International Conference on Display Technology 2020  2020年3月 

（招待講演）Depth Analysis of Near VBM Defect in Amorphous Oxide Semiconductor 招待

Keisuke Ide, Masato Ota, Takayoshi Katase, Hidenori Hiramatsu, Shigenori Ueda, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

Intl. Meeting on Electrochem. and Solid-State Science  2018年9月 

（招待講演）アモルファス酸化物半導体を用いた新規デバイスの開拓 招待

井手啓介, 金正煥, 片瀬貴義, 細野秀雄, 神谷利夫

第１６回薄膜材料デバイス研究会  2019年10月 

（招待講演）アモルファス酸化物半導体の欠陥・物性に関する理解とデバイス応用の現状 招待

井手啓介, 金正煥, 片瀬貴義, 平松秀典, 雲見日出也, 細野秀雄, 神谷利夫

電子情報通信学会 2017年 ソサイエティ大会  2017年9月 

（受賞記念講演）全反射硬X線光電子分光法によるアモルファス酸化物半導体の価電子帯直上欠陥の深さ方向分布 招待

井手啓介, 太田雅人, 岸田陽介, 片瀬貴義, 平松秀典, 上田茂典, 雲見日出也, 細野秀雄, 神谷利夫

第65回応用物理学会春季学術講演会  2018年3月 

(招待講演) Amorphous Oxide Semiconductors for Optoelectronic Applications 招待

Keisuke Ide

2025年5月 

（講師）ＩＧＺＯのスパッタ成膜と新規物性 招待

井手啓介

日本真空学会SP部会 第181回定例研究会  2025年3月 

(111)配向非平衡岩塩型(Sn,Ca)Seエピタキシャル薄膜のドメイン境界の電気特性

片瀬貴義, ホ シンイ, チェン ジンシュアイ, 井手啓介, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫

日本セラミックス協会第42回電子材料研究討論会  2022年11月 

非平衡(Sn1-xPbx)S固溶体の格子間Snによる高濃度電子ドーピング

フゾンシュ, 平松茉莉, ホシンイ, 片瀬貴義, 井手啓介, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫

日本セラミックス協会第42回電子材料研究討論会  2022年11月 

高移動度岩塩型(Sn,Ca)Se準安定相のエピタキシャル薄膜成長とキャリア輸送特性

片瀬貴義, ホ シンイ, チェン ジンシュアイ, 井手啓介, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫

第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年9月 

準安定(Pb1-xSnx)Se固溶体の2次元-3次元構造転移に伴う熱伝導率変調

片瀬貴義, 西村優作, ホ シンイ, 只野央将, 井手啓介, 気谷卓, 半沢幸太, 平松秀典, 川路均, 細野秀雄, 神谷利夫

第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年9月 

準安定(Pb1-xSnx)Se固溶体の合成：2次元-3次元構造転移の誘起と電気・熱伝導率変調

片瀬貴義, ホ シンイ, チェン ジンシュアイ, 井手啓介, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫

日本セラミックス協会第42回電子材料研究討論会  2022年11月 

(Sn1-xPbx)S固溶体の非平衡合成と熱・電気特性制御

フゾンシュ, 平松茉莉, ホシンイ, 片瀬貴義, 井手啓介, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫

応用物理学会第6回フォノンエンジニアリング研究会  2022年7月 

Degenerated hole doping and enhanced thermoelectric figure-of-merit ZT in layered SnSe by isovalent Te ion substitution

Xinyi He, Zhang Haoyun, Takumi Nose, Takayoshi Katase, Terumasa Tadano, Keisuke Ide, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年9月 

(111)配向非平衡岩塩型(Sn,Ca)Seエピタキシャル薄膜のドメイン境界の電気特性

ホシンイ, チェン ジンシュアイ, 片瀬貴義, 井手啓介, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫

日本セラミックス協会 第35回秋季シンポジウム  2022年9月 

層状SnSe非平衡相のエピタキシャル膜による安定化と構造・電気特性

樋口龍生, 片瀬貴義, 半沢幸太, 井手啓介, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫

日本セラミックス協会 第35回秋季シンポジウム  2022年9月 

非平衡(Sn,Pb)S固溶体の合成: 格子間Snによる電子ドーピングと強フォノン散乱

フゾンシュ, 平松茉莉, ホシンイ, 片瀬貴義, 井手啓介, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫

日本セラミックス協会 第35回秋季シンポジウム  2022年9月 

第一原理計算による環境調和型熱電変換材料の探索システム構築

南島悠人, ホシンイ, 井手啓介, 片瀬貴義, 神谷利夫

薄膜材料デバイス研究会第20回研究集会「薄膜材料デバイス研究会が見据える次世代技術・未来デバイス」  2023年11月 

Thermal conductivity modulation using morphotropic phase boundary of 2D-3D chalcogenide semiconductors 国際会議

Takayoshi Katase, Xinyi He, Yusaku Nishimura, Keisuke Ide, Hidenori Hiramatsu, Toshio Kamiya

The 3rd International Symposium on Design & Engineering by Joint Inverse Innovation for Materials Architecture  2023年10月 

Amorphous-oxide-semiconductor-based phosphors for inorganic light-emitting diodes 国際会議

Keisuke Ide, Takayoshi Katase, Toshio Kamiya

The 3rd International Symposium on Design & Engineering by Joint Inverse Innovation for Materials Architecture  2023年10月 

Search of optimal deposition conditions and regression model of a-In-Ga-Zn-O by machine learning 国際会議

Atsushi Shimizu, Keisuke Ide, Takayoshi Katase, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

The 23rd International Meeting on Information Display  2023年8月 

ZnO中の水素複合欠陥

ホ シンイ, 片瀬貴義, 井手啓介, 細野秀雄, 神谷利夫

薄膜材料デバイス研究会 第19回研究集会「新半導体材料・デバイス：SDGs実現へ向けて」  2022年11月 

アモルファス 12CaO・7Al2O3 を用いた ReRAM

門野太助, 井手啓介, 片瀬貴義, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫

薄膜材料デバイス研究会 第19回研究集会「新半導体材料・デバイス：SDGs実現へ向けて」  2022年11月 

Mobility analysis for polycrystalline and amorphous oxide semiconductors using Seto model combined with in-grain scattering factors 国際会議

Keisuke Ide, Tasuke Kadono, Atsushi Shimizu, Koji Yamaguchi, Emi Kawashima, Yuki Tsuruma, Takayoshi Katase, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

The 23rd International Meeting on Information Display  2023年8月 

Suppressing Hydrogen Diffusion and Enhancing Reliability of Short-Channel InGaZnO Thin Film Transistors by Bottom-Gate Oxide Engineering

K. Zhou, Keisuke Ide, Takayoshi Katase, Toshio Kamiya, B. Huang, P. Yen, T. Chang, S. M. Sze

薄膜材料デバイス研究会 第19回研究集会「新半導体材料・デバイス：SDGs実現へ向けて」  2022年11月 

超高真空スパッタリング装置を用いた高移動度多結晶 Zn3N2 薄膜

清水篤, 井手啓介, 片瀬貴義, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫

薄膜材料デバイス研究会 第19回研究集会「新半導体材料・デバイス：SDGs実現へ向けて」  2022年11月 

スパッタリング法によるアモルファス酸化ガリウム薄膜の作製とダイオー ド特性の評価

嵯峨野太一, 井手啓介, 片瀬貴義, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫

薄膜材料デバイス研究会 第19回研究集会「新半導体材料・デバイス：SDGs実現へ向けて」  2022年11月 

Device characteristics of rare-earth doped amorphous oxide semiconductors 国際会議

T. Kamiya, K. Ide, K. Takenaka, Y. Setsuhara, A. Hiraiwa, H. Kawarada, T. Katase, H. Hiramatsu, H. Hosono

The 3rd International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-3)  2018年9月 

Why Poly-OS IGO Exhibits Mobilities > 50cm2/Vs 国際会議

Y. Tsuruma, K. Yamaguchi, D. Sasaki, E. Kawashima, T. Kadono, K. Ide, T. Katase, M. Kimura, T. Kamiya

PRiME 2024  2024年10月 

Electric double layer transistor and electron-transport properties of (Tl,K)2Fe4Se5 thin films 国際会議

T. Katase, K. Ide, H. Hiramatsu, H. Hosono, T. Kamiya

The 3rd International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-3)  2018年9月 

Tandem neural network for direct solution of multivalued inverse problem 国際会議

Toshio Kamiya, Masatoshi Kimura, Keisuke Ide, Takayoshi Katase

The 4th International Symposium on Design & Engineering by Joint Inverse Innovation for Materials Architecture (DEJI2MA2024)  2024年10月 

Electrical characteristics of microfabricatd ferromagneticl material La0.67Sr0.33MnO3 国際会議

Yasuo Azuma, Yusaku Kobayashi, Keisuke Ide, Takayoshi Katase, Toshio Kamiya

The 3rd International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development  2018年9月 

What determines electron effective mass and structural stability in crystalline semiconductors with InGaZnO4 isostructures 国際会議

Tomoya Suzuki, Keisuke Ide, Takayoshi Katase, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

IMID 2024  2024年8月 

遷移金属元素を発光中心としたアモルファス酸化物半導体蛍光体薄膜の探索

二角勇毅, 渡邉脩人, 井手啓介, 金正煥, 片瀬貴義, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫

第56回 セラミックス基礎科学討論会  2018年1月 

InGaZnO4 型ホモロガス酸化物における高移動度半導体の設計

鈴木朝也, 井手啓介, 片瀬貴義, 細野秀雄, 神谷利夫

薄膜材料デバイス研究会第20回研究集会「薄膜材料デバイス研究会が見据える次世代技術・未来デバイス」  2023年11月 

機械学習を用いたアモルファス In-Ga-Zn-O トランジスタの高速特性予測および欠陥解析

木村公俊, K. Zhou, 井手啓介, 片瀬貴義, 平松秀典, 細野秀雄, T. Chang, 神谷利夫

薄膜材料デバイス研究会第20回研究集会「薄膜材料デバイス研究会が見据える次世代技術・未来デバイス」  2023年11月 

機械学習による多孔質アモルファス In-Ga-Zn-O 薄膜の成膜条件最適化

清水篤, 井手啓介, 片瀬貴義, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫

薄膜材料デバイス研究会第20回研究集会「薄膜材料デバイス研究会が見据える次世代技術・未来デバイス」  2023年11月 

機械学習による多値逆問題解析:アモルファス酸化物半導体トランジスタの欠陥分布・電子輸送を例に

木村 公俊, Kuan-Ju Zhou, 井手 啓介, 片瀬 貴義, 平松 秀典, 細野 秀雄, Ting-Chang Chang, 神谷 利夫

応用物理学会第71回春季学術講演会  2024年3月 

元素置換InGaZnO4の構造安定性と電子構造の支配因子

鈴木 朝也, 井手 啓介, 片瀬 貴義, 細野 秀雄, 神谷 利夫

応用物理学会第71回春季学術講演会  2024年3月 

Strain-induced modulation of thermopower and electrical conductivity of LaTiO3 epitaxial films on LaAlO3 substrate 国際会議

T. Katase, K. Ide, H. Hiramatsu, H. Hosono, T. Kamiya

10th International Symposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics (TOEO-10)  2017年7月 

Optimization of deposition parameters for porous a-IGZO thin films using machine learning regression 国際会議

Atsushi Shimizu, Keisuke Ide, Takayoshi Katase, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

STAC - D2MatE 2024  2024年2月 

Exploration of New Oxide Light-Emitting Semiconductor Thin Films Using Transition Metals 国際会議

Y. Futakado, N. Watanabe, K. Ide, J. Kim, T. Katase, H. Hiramats, H. Hosono, T. Kamiya

10th International Symposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics  2017年7月 

Reversible thermal conductivity modulation above room temperature by 2D-3D structural phase transition in non-equilibrium (Sn1-xPbx)S solid solution 国際会議

Zhongxu Hu, Mari Hiramatsu, Xinyi He, Takayoshi Katase, Keisuke Ide, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

STAC - D2MatE 2024  2024年2月 

Structural Relaxation, Crystallization, and Defect Passivation in Amorphous In-Ga-Zn-O 国際会議

T. Kamiya, K. Ide, K. Nomura, H. Kumomi, H. Hosono

Proc. IDW'13  2013年12月 

FeSb2薄膜のヘテロエピタキシャル成長と熱電特性

山本千紘, 半沢幸太, 井手啓介, 片瀬貴義, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫:

薄膜材料デバイス研究会 第15回研究集会  2018年11月 

エピタキシャル歪により増強されるLaNiO3極薄膜のフォノンドラッグ熱電特性

樋口雄飛, 井手啓介, Christian A. Niedermeier, 片瀬貴義, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫

薄膜材料デバイス研究会 第15回研究集会  2018年11月 

層状半導体Sr2CuMO3S(M= Ga, In)の合成と光電子物性

森大介, 渡邊脩人, 井手啓介, 片瀬貴義, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫

薄膜材料デバイス研究会 第15回研究集会  2018年11月 

ガラス上に成長させた層状セレン化スズ薄膜の電気特性と薄膜トランジスタ

松尾健志, 井手啓介, 片瀬貴義, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫

薄膜材料デバイス研究会 第15回研究集会  2018年11月 

超ワイドバンドギャップアモルファス酸化物半導体a-Ga-Oを用いたショットキーダイオードの作製

笠井悠莉華, 井手啓介, 片瀬貴義, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫

薄膜材料デバイス研究会 第15回研究集会  2018年11月 

Depth Analysis of Near Valence Band Mximum Defect States in Amorphous Oxide Semiconductors: In-Ga-Zn-O 国際会議

Keisuke Ide, Masato Ota, Takayoshi Katase, Hidenori Hiramatsu, Shigenori Ueda, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

Americas international Meeting on Electrochemistry and Solid state science (AiMES)  2018年9月 

第一原理計算による層状 (AE = Ca, Sr, Ba)の電子構造と欠陥生成・キャリアドーピング機構の理論解析

ホシンイ, シャオチーウェン, 片瀬貴義, 井手啓介, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫

薄膜材料デバイス研究会 第15回研究集会  2018年11月 

Cr添加アモルファス酸化ガリウム薄膜のフォトルミネッセンス特性

井手啓介, 二角勇毅, 渡邉脩人, 金正煥, 片瀬貴義, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫

薄膜材料デバイス研究会 第15回研究集会  2018年11月 

希土類添加アモルファス酸化物半導体の電気物性とトランジスタ特性

西間木祐紀, 井手啓介, 渡邊脩人, 金正煥, 片瀬貴義, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫

薄膜材料デバイス研究会 第15回研究集会  2018年11月 

アモルファス酸化物半導体をホストとする蛍光体を用いた直流駆動型発光素子の室温形成

渡邊脩人, 井手啓介, 片瀬貴義, 笹瀬雅人, 戸田喜丈, 金正煥, 上田茂典, 堀場弘司, 組頭広志, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫

薄膜材料デバイス研究会 第15回研究集会  2018年11月 

熱起電力と導電率のトレードオフの関係を破る酸化物熱電材料LaNiO3の高出力特性

樋口 雄飛, 片瀬 貴義, 只野 央将, 藤岡 淳, 井手 啓介, 平松 秀典, 細野 秀雄, 神谷 利夫

第67回応用物理学会春季学術講演会  2020年3月 

層状結晶半導体SrTiN2の高純度試料合成と光電子輸送特性

渡邉 脩人, 白石 明浩, ホ シンイ, 片瀬 貴義, 井手 啓介, 松崎 功佑, 平松 秀典, 細野 秀雄, 神谷 利夫

第67回応用物理学会春季学術講演会  2020年3月 

Sb添加SnSeのゼーベック・ホール係数の二重極性反転機構

山本 千紘, ホ シンイ, 橋本 幸花, 片瀬 貴義, 井手 啓介, 平松 秀典, 上田 茂典, 細野 秀雄, 神谷 利夫

第67回応用物理学会春季学術講演会  2020年3月 

モット絶縁体LaNiO3超薄膜に発現する巨大フォノンドラッグ熱電効果

木村 公俊, 樋口 雄飛, 片瀬 貴義, 蓑原 誠人, 麻生 亮太郎, 吉田 秀人, 井手 啓介, 平松 秀典, 上田 茂典, 組頭 広志, 細野 秀雄, 神谷 利夫

第67回応用物理学会春季学術講演会  2020年3月 

LaNiO3極薄膜の金属-絶縁体転移に伴う巨大フォノンドラッグ熱電効果の発現

木村公俊, 樋口雄飛, 片瀬貴義, 井手啓介, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫

日本セラミックス協会 第40回電子材料研究討論会  2020年11月 

LaNiO3超薄膜の表面終端処理によるフォノンドラッグ熱電能の増強効果

木村公俊, 片瀬貴義, 井手啓介, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫

薄膜材料デバイス研究会 第17回研究会「薄膜デバイスの原点」  2020年11月 

超ワイドギャップa-Ga-O薄膜トランジスタへの水素プラズマ処理効果

加藤昭宏, 笠井悠莉華, 井手啓介, 片瀬貴義, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫

薄膜材料デバイス研究会 第17回研究会「薄膜デバイスの原点」  2020年11月 

水素ドープアモルファス酸化ガリウムを用いた薄膜トランジスタ

加藤昭宏, 笠井悠莉華, 井手啓介, 片瀬貴義, 平松 秀典, 細野 秀雄, 神谷 利夫

第67回応用物理学会春季学術講演会  2020年3月 

Power-factor enhancement by breaking trade-off relation of electrical conductivity and thermopower in strain-controlled transition metal oxide

Takayoshi Katase, Yuhi Higuchi, Terumasa Tadano, Jun Fujioka, Keisuke Ide, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

日本セラミックス協会 第58回セラミックス基礎科学討論会  2020年1月 

準安定(Pb1-xSnx)Se固溶体バルク試料の合成と2次元-3次元構造転移に伴う巨大電子物性変調

西村優作, ホーシンイ, 片瀬貴義, 井手啓介, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫

日本セラミックス協会 第40回電子材料研究討論会  2020年11月 

準安定(Pb1-xSnx)Se薄膜の2次元-3次元構造転移と巨大電子物性変調

高橋 雄大, 片瀬 貴義, ホ シンイ, 只野 央将, 井手 啓介, 吉田 秀人, 河智 史朗, 山浦 淳一, 笹瀬 雅人, 平松 秀典, 細野 秀雄, 神谷 利夫

2021年第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月 

超ワイドギャップアモルファス酸化物半導体を用いたショットキーバリアダイオードの逆バイアス特性

井手啓介, 笠井悠莉華, 片瀬貴義, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫

2021年第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月 

超ワイドギャップアルカリ土類酸化物への電子ドーピングの理論的検討

橋本幸花, ホーシンイ, 片瀬貴義, 井手啓介, 細野秀雄, 神谷利夫

日本セラミックス協会 第40回電子材料研究討論会  2020年11月 

2次元層状半導体AETMN2 (AE = Sr, Ba, TM = Ti, Zr, Hf)の高純度試料合成と電気・磁気特性

白石明浩, ホー シンイ, 渡邉脩人, 片瀬貴義, 井手啓介, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫

日本セラミックス協会 第40回電子材料研究討論会  2020年11月 

Phonon-drag driven giant anisotropic thermopower in epitaxially strained LaNiO3 (110) ultra-thin films 国際会議

Masatoshi Kimura, Xinyi He, Takayoshi Katase, Terumasa Tadano, Keisuke Ide, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

The Twelfth International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC12)  2021年7月 

Electronic structures and electro-optical properties of layered oxychalcogenide semiconductor, AE2CuInO3Ch (AE: Alkaline earth, Ch: Chalcogen) 国際会議

Xinyi He, Tatsuya Cho, Takayoshi Katase, Keisuke Ide, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

The Twelfth International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC12)  2021年7月 

High electron conductivity and extremely low thermal conductivity of layered SnS semiconductor by geometrical Pb doping 国際会議

Mari Hiramatsu, Xinyi He, Takayoshi Katase, Keisuke Ide, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

The Twelfth International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC12)  2021年7月 

Degenerate hole conduction and ultra-low lattice thermal conductivity of SnSe by nonequilibrium isovalent Te substitution 国際会議

Takumi Nose, Xinyi He, Haoyun Zhang, Takayoshi Katase, Terumasa Tadano, Keisuke Ide, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

The Twelfth International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC12)  2021年7月 

Density functional study on electronic structure, defect formation and carrier doping control of AETMN2 (AE=Ca,Sr,Ba, TM=Ti,Zr,Hf)

ホーシンイ, 片瀬貴義, 井手啓介, 細野秀雄, 神谷利夫

日本セラミックス協会 第40回電子材料研究討論会  2020年11月 

層状半導体AE2CuInO3Ch (AE :アルカリ土類、Ch :カルコゲン)の光電子物性と両極性伝導制御の可能性

長達也, ホーシンイ, 森大介, 片瀬貴義, 井手啓介, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫

日本セラミックス協会 第40回電子材料研究討論会  2020年11月 

Effect of hydrogen doping on transport property of ultrawide bandgap amorphous oxide semiconductor, amorphous Ga-O 国際会議

Keisuke Ide, Yukari Kasai, Akihiro Kato, Takayoshi Katase, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

The Twelfth International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC12)  2021年7月 

Origin of high-density hole doping by isovalent Te substitution in SnSe 国際会議

Xinyi He, Haoyun Zhang, Takumi Nose, Takayoshi Katase, Keisuke Ide, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

The Twelfth International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC12)  2021年7月 

Fabrication of Zn3N2 electric double layer transistor by ionic liquid gating 国際会議

Kaiwen Li, Kota Hanzawa, Keisuke Ide, Kosuke Matsuzaki, Takayoshi Katase, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Qun Zhang, Toshio Kamiya

The Twelfth International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC12)  2021年7月 

Effect of hydrogen doping on transport property of ultrawide bandgap amorphous oxide semiconductor, amorphous Ga-O 国際会議

Keisuke Ide, Yukari Kasai, Akihiro Kato, Takayoshi Katase, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

The Twelfth International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC12)  2021年7月 

逆ペロブスカイト型酸化物Ba3(Si,Ge)Oの高純度バルク合成と電気特性評価

木村茂, ホ シンイ, 片瀬 貴義, 井手 啓介, 平松 秀典, 細野 秀雄, 神谷 利夫

薄膜材料デバイス研究会 第18回研究集会  2021年11月 

Room-temperature fabrication of ionic liquid gated Zn3N2 electric double layer transistors with non-degenerate channel electron density 国際会議

Kaiwen Li, Kota Hanzawa, Keisuke Ide, Kosuke Matsuzaki, Takayoshi Katase, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Zhang Qun, Toshio Kamiya

2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2021)  2021年9月 

Room-temperature fabrication of ionic liquid gated Zn3N2 electric double layer transistors with non-degenerate channel electron density 国際会議

Kaiwen Li, Kota Hanzawa, Keisuke Ide, Kosuke Matsuzaki, Takayoshi Katase, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Zhang Qun, Toshio Kamiya

2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2021)  2021年9月 

Strain-induced large power-factor enhancement by breaking thermoelectric trade-off relation in lanthanum nickel oxide 国際会議

Masatoshi Kimura, Yuhi Higuchi, Xinyi He, Takayoshi Katase, Terumasa Tadano, Keisuke Ide, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

The Twelfth International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC12)  2021年7月 

3D-2D structural phase transition and giant electronic conductivity modulation in non-equilibrium hetero-structural alloy, (Pb1-xSnx)Se 国際会議

Takayoshi Katase, Xinyi He, Terumasa Tadano, Keisuke Ide, Hideto Yoshida, Shiro Kawachi, Junichi Yamaura, Masato Sasase, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

The Twelfth International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC12)  2021年7月 

Thermoelectric properties of non-equilibrium SnSe thin films stabilized by epitaxial strain 国際会議

Ryusei Higuchi, Takayoshi Katase, Kota Hanzawa, Shintaro Yasui, Keisuke Ide, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

The Twelfth International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC12)  2021年7月 

Transport properties of Zn3N2 investigated by ionic liquid gated electric-double-layer transistors 国際会議

Kaiwen Li, Kota Hanzawa, Keisuke Ide, Kosuke Matsuzaki, Takayoshi Katase, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Zhang Qun, Toshio Kamiya

Materials Research Meeting 2021  2021年12月 

Appearance and large enhancement of phonon drag thermopower by epitaxial strain and phonon leaking from LaAlO3 in LaNiO3 国際会議

Masatoshi Kimura, Xinyi He, Takayoshi Katase, Terumasa Tadano, Jan M. Tomczak, Makoto Minohara, Ryotaro Aso, Hideto Yoshida, Keisuke Ide, Shigenori Ueda, Hidenori Hiramatsu, Hiroshi Kumigashira, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

Materials Research Meeting 2021  2021年12月 

Enhanced thermoelectric figure-of-merit ZT in layered SnSe doped with isovalent Te and its origin clarified by density functional theory 国際会議

Xinyi He, Haoyun Zhang, Takumi Nose, Takayoshi Katase, Terumasa Tadano, Keisuke Ide, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

Materials Research Meeting 2021  2021年12月 

Fabrication and characterization of resistive random-access memory device using amorphous 12CaO·7Al2O3 国際会議

Tasuke Kadono, Keisuke Ide, Takayoshi Katase, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

Materials Research Meeting 2021  2021年12月 

Local bonding structures in amorphous oxide semiconductors studied by DFT and machine-learning potential

Liwei Li, Keisuke Ide, Takayoshi Katase, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

第60回日本セラミックス協会 セラミックス基礎科学討論会  2022年1月 

High-purity bulk synthesis and electronic properties of a two-dimensional layered semiconductor, alkaline earth transition metal nitrides 国際会議

Shigeru Kimura, Akihiro Shiraishi, Xinyi He, Takayoshi Katase, Keisuke Ide, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

Materials Research Meeting 2021  2021年12月 

Double charge polarity conversion by Sb doping in layered SnSe with switchable substitution sites 国際会議

Xinyi He, Chihiro Yamamoto, Takayoshi Katase, Keisuke Ide, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

2021 Materials Research Society Fall Meeting & Exhibit  2021年11月 

Large phonon drag thermopower enhancement by epitaxial strain and phonon leaking in LaAlO3 / LaNiO3 / LaAlO3 heterostructure 国際会議

Masatoshi Kimura, Xinyi He, Takayoshi Katase, Keisuke Ide, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

2021 Materials Research Society Fall Meeting & Exhibit  2021年11月 

Two-dimensional layered semiconductors AETMN2 (AE = Sr, Ba; TM = Ti, Zr, Hf); high-purity bulk synthesis and electronic property characterization 国際会議

Shigeru Kimura, Akihiro Shiraishi, Xinyi He, Takayoshi Katase, Keisuke Ide, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

2021 Materials Research Society Fall Meeting & Exhibit  2021年11月 

300cm2/Vs以上の粒内正孔移動度を示す非平衡岩塩型(Sn,Ca)Seエピタキシャル薄膜

ホ シンイ, チェン ジンシュアイ, 片瀬 貴義, 井手 啓介, 平松 秀典, 細野 秀雄, 神谷 利夫

薄膜材料デバイス研究会 第18回研究集会  2021年11月 

Epitaxial structure and thickness dependent phonon-drag thermoelectric properties of LaNiO3 thin film on LaAlO3 (001) substrate 国際会議

Masatoshi Kimura, Yuhi Higuchi, Takayoshi Katase, Keisuke Ide, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

11th International Symposium on Transparent Oxide Thin Films for Electronics and Optics (TOEO-11)  2019年10月 

Biaxial-strain induced power-factor enhancement in metallic strongly correlated transition metal oxide LaNiO3 国際会議

Yuhi Higuchi, Takayoshi Katase, Keisuke Ide, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

11th International Symposium on Transparent Oxide Thin Films for Electronics and Optics (TOEO-11)  2019年10月 

Synthesis and opto-electronic properties of layered oxychalcogenides, AE2CuInO3Ch (AE = Ca, Sr, Ba, and Ch = S, Se, Te) 国際会議

Tatsuya Cho, Daisuke Mori, Xiyi He, Keisuke Ide, Takayoshi Katase, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

11th International Symposium on Transparent Oxide Thin Films for Electronics and Optics (TOEO-11)  2019年10月 

アモルファス酸化ガリウムを用いたショットキーバリアダイオード特性と光応答

笠井悠莉華, 井手啓介, 片瀬貴義, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫

薄膜材料デバイス研究会 第16回研究集会「新時代に向けた薄膜材料のデバイス技術」  2019年11月 

Low-temperature fabrication of phosphor thin-film and light emitting device using amorphous oxide semiconductor 国際会議

Keisuke Ide, Naoto Watanabe, Takayoshi Katase, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS2019)  2019年11月 

Single crystal growth of cubic SrGeO3 and estimation of intrinsic electron mobility 国際会議

Christian A. Niedermeier, Yu Kumagai, Keisuke Ide, Takayoshi Katase, Fumiyasu Oba, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

11th International Symposium on Transparent Oxide Thin Films for Electronics and Optics (TOEO-11)  2019年10月 

Optoelectrical properties and thin-film transistor operation of rare-earth-doped amorphous oxide semiconductors 国際会議

Keisuke Ide, Yuki Nishimagi, Naoto Watanabe, Takayoshi Katase, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

11th International Symposium on Transparent Oxide Thin Films for Electronics and Optics (TOEO-11)  2019年10月 

アモルファス酸化ガリウム薄膜への電子ドーピングとショットキーダイオード

笠井悠莉華, 井手啓介, 片瀬貴義, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫

日本セラミックス協会 第39回電子材料研究討論会  2019年11月 

Silicon doping and N2 ambient annealing effects on Zn3N2 thin film transistors

Kaiwen Li, Keisuke Ide, Takayoshi Katase, Toshio Kamiya, Dong Lin, Jinhua Ren, Qun Zhang

薄膜材料デバイス研究会 第16回研究集会「新時代に向けた薄膜材料のデバイス技術」  2019年11月 

アモルファス酸化物半導体を用いた新規デバイスの開拓

井手啓介, 金正煥, 片瀬貴義, 細野秀雄, 神谷利夫

薄膜材料デバイス研究会 第16回研究集会「新時代に向けた薄膜材料のデバイス技術」  2019年11月 

Structures and Electronic States of Hydrogen in Inorganic Semiconductors with Different Anions 国際会議

Toshio Kamiya, Xinyi He, Zewen Xiao, Keisuke Ide, Takayoshi Katase, Hideo Hosono

Materials Research Meeting 2019  2019年12月 

Hydrogen doping in ultra-widegap amorphous oxide semiconductor, amorphous Ga-O 国際会議

Keisuke Ide, Yurika Kasai, Takayoshi Katase, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

Materials Research Meeting 2019  2019年12月 

Expansion of Ba and Ca solubility limit into SrSi2 thin film and their thermoelectric properties 国際会議

Kodai Aoyama, Takao Shimizu, Hideto Kuramochi, Masami Mesuda, Ryo Akiike, Keisuke Ide, Takayoshi Katase, Toshio Kamiya, Yoshisato Kimura, Hiroshi Funakubo

2019 MRS Fall Meeting & Exhibit  2019年12月 

希土類添加アモルファス酸化物蛍光体薄膜の作製と発光素子への応用

井手啓介, 渡邉脩人, 片瀬貴義, 笹瀬雅人, 金正煥, 上田茂典, 堀場弘司, 組頭広志, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫

日本セラミックス協会 第39回電子材料研究討論会  2019年11月 

Single crystal growth and intrinsic electron mobility of cubic SrGeO3 国際会議

Christian A. Niedermeier, Yu Kumagai, Keisuke Ide, Takayoshi Katase, Fumiyasu Oba, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

Materials Research Meeting 2019  2019年12月 

Enhanced thermoelectric power-factors by strain control in stongly correlated lanthunum titanate 国際会議

Takayoshi Katase, Keisuke Ide, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

Materials Research Meeting 2019  2019年12月 

Density Functional Study on Defects and Doping for Layered Ternary Nitride, SrTiN2 国際会議

Xinyi He, Zewen Xiao, Takayoshi Katase, Keisuke Ide, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

Materials Research Meeting 2019  2019年12月 

Structural phase transition and opto-electronic properties of oxide semiconductor solid solution, (Ba,Sr)(Sn,Ti)O3 国際会議

Yutaro Kobayashi, Keisuke Ide, Takayoshi Katase, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

Materials Research Meeting 2019  2019年12月 

トレードオフの相関を破る酸化物熱電材料の高出力特性

片瀬貴義, 樋口雄飛, 只野 央将, 藤岡 淳, 井手 啓介, 平松 秀典, 細野 秀雄, 神谷 利夫

応用物理学会新領域、第10回強的秩序とその操作に関わる研究グループ研究会  2020年1月 

Light emitting diodes on glass using amorphous oxide semiconductor thin-film phosphors, rare-earth doped a-Ga-O 国際会議

Naoto Watanabe, Keisuke Ide, Takayoshi Katase, Junghwan Kim, Shigenori Ueda, Koji Horiba, Hiroshi Kumigashira, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

Materials Research Meeting 2019  2019年12月 

Epitaxial structure and phonon-drag thermoelectric properties of FeSb2 thin film on SrTiO3 (001) substrate 国際会議

Chihiro Yamamoto, Kota Hanzawa, Takayoshi Katase, Keisuke Ide, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

The 11th International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC-11)  2019年7月 

Structural phase transition and optoelectronic properties of Ba(Sn,Ce)O3 oxide semiconductor solid-solution system 国際会議

Yutaro Kobayashi, Keisuke Ide, Takayoshi Katase, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

The 11th International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC-11)  2019年7月 

Density functional study on intrinsic and impurity defect formation in layered SrTiN2

Xinyi He, Zewen Xiao, Takayoshi Katase, Keisuke Ide, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年3月 

共スパッタ法で作製したBaxSr1-xSi2膜の熱電特性

青山 航大, 清水 荘雄, 倉持 豪人, 召田 雅実, 秋池 良, 井手 啓介, 片瀬 貴義, 神谷 利夫, 木村 好里, 舟窪 浩

第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年3月 

アモルファス酸化物半導体薄膜トランジスタの希土類添加効果

西間木祐紀, 井手啓介, 渡邉脩人, 金正煥, 片瀬貴義, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫

第57回セラミックス基礎科学討論会  2019年1月 

共スパッタ法で作製したBaxSr1-xSi2膜の作製と熱電特性評価

青山航大, 清水荘雄, 倉持豪人, 召田雅実, 秋池良, 井手啓介, 片瀬貴義, 神谷利夫, 木村好里, 舟窪 浩

第57回セラミックス基礎科学討論会  2019年1月 

Intrinsic and Extrinsic Defects in Layered Nitride Semiconductor", SrTiN2 国際会議

Xinyi He, Zewen Xiao, Takayoshi Katase, Keisuke Ide, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

The 11th International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC-11)  2019年7月 

Transition Metal-Doped Amorphous Oxide Semiconductor Thin-Film Phosphor, Chromium-Doped Amorphous Gallium Oxide 国際会議

Keisuke Ide, Yuki Futakado, Naoto Watanabe, Junghwan Kim, Takayoshi Katase, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

The 11th International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC-11)  2019年7月 

アモルファス酸化ガリウムへの水素ドープ効果とキャリア輸送特性

笠井悠莉華, 井手啓介, 片瀬貴義, 平松 秀典, 細野 秀雄, 神谷 利夫

第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年3月 

アモルファス酸化物半導体a-GaOxをホストとする蛍光体を用いた直流駆動型発光素子の低温作製

渡邉脩人, 井手啓介, 片瀬貴義, 笹瀬雅人, 戸田喜丈, 金正煥, 上田茂典, 堀場弘司, 組頭広志, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫

第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年3月 

Power-factor enhancement by breaking trade-off relation of thermopower and electrical conductivity in epitaxially strained lanthanum nickelate 国際会議

Yuhi Higuchi, Takayoshi Katase, Keisuke Ide, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

The 11th International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC-11)  2019年7月 

Epitaxial structure and phonon-drag thermoelectric properties of strain controlled LaNiO3 thin films 国際会議

Takayoshi Katase, Yuhi Higuchi, Keisuke Ide, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

The 4th International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-4)  2019年10月 

Low-temperature fabrication of direct-current driven electroluminescent device using amorphous oxide semiconductor thin-film phosphor 国際会議

Naoto Watanabe, Keisuke Ide, Takayoshi Katase, Junghwan Kim, Shigenori Ueda, Koji Horiba, Hiroshi Kumigashira, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

The 11th International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC-11)  2019年7月 

SrGeO3 single crystal growth and optical phonon spectrum analysis 国際会議

Christian A. Niedermeier, Yu Kumagai, Keisuke Ide, Takayoshi Katase, Fumiyasu Oba, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

The 11th International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC-11)  2019年7月 

Hydrogen doping and carrier transport properties of amorphous Ga-O 国際会議

Yurika Kasai, Keisuke Ide, Takayoshi Katase, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

The 11th International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC-11)  2019年7月 

Epitaxial strain-induced enhancement of thermoelectric power-factors 国際会議

Takayoshi Katase, Keisuke Ide, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

The 11th International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC-11)  2019年7月 

Temperature dependence of thermoelectric properties of Ge1−xSnx layers grown by molecular beam epitaxy 国際会議

Masashi Kurosawa, Masaya Nakata, Keisuke Ide, Takayoshi Katase, Toshio Kamiya

The 4th International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-4)  2019年10月 

Effect of hydrogen plasma treatment for ultra-wide bandgap amorphous oxide semiconductor, amorphous Ga-O 国際会議

Keisuke Ide, Yurika Kasai, Kosuke Takenaka, Yuichi Setsuhara, Atsushi Hiraiwa, Hiroshi Kawarada, Takayoshi Katase, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

The 4th International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Development (iLIM-4)  2019年10月 

二元同時スパッタ法で作製したAeSi2膜の作製

青山 航大, 清水 荘雄, 倉持 豪人, 召田 雅実, 秋池 良, 井手 啓介, 片瀬 貴義, 神谷 利夫, 木村 好里, 舟窪 浩

第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年9月 

Thermoelectric property of MxSr1-xSi2 (M = Ca, Ba) film prepared by co-sputtering method 国際会議

Kodai Aoyama, Takao Shimizu, Hideto Kuramochi, Masami Mesuda, Ryo Akiike, Keisuke Ide, Takayoshi Katase, Toshio Kamiya, Yoshisato Kimura, Hiroshi Funakubo

The Fifth Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicates and Related Materials  2019年7月 

Liquid crystal display panel and method for producing same

Semiconductor device including a silicon nitride dielectric layer and method for producing same

Semiconductor device including a plurality of thin-film transistors with one thin-film transistor including two gate electrodes

Semiconductor device

Semiconductor apparatus, method of manufacturing same, and liquid crystal display apparatus

2020年度 フロンティア材料研究所 若手研究者発表会 優秀講演賞

2021年1月  

2019年度 フロンティア材料研究所 若手研究者発表会 優秀講演賞

2019年11月  

2018年度 フロンティア材料研究所 若手研究者発表会 優秀講演賞

2019年3月  

第15回研究集会 スチューデントアワード

2018年11月   薄膜材料デバイス研究会  

第43回 応用物理学会 講演奨励賞

2018年3月  

2017年度 フロンティア材料研究所 若手研究者発表会 優秀講演賞

2017年12月  

ICMaSS 2017: Outstanding Presentation Awards

2017年9月  

Best Presentation Award

2017年9月   2nd International Symposium on Creation of Life Innovation Materials for Interdisciplinary and International Researcher Develpment  

第78回応用物理学会学術講演会

2017年9月   応用物理学会学術講演会  

Silver Poster Award

2017年6月   10th International Symposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics  

若手研究者発表会優秀講演賞

2017年   平成29年度フロンティア材料研究所  

ECS Japan Section| Young Researcher Award

2016年7月  

Poster Paper Award

2016年2月   International Thin-Film Transistor Conference  

第12回研究集会 スチューデントアワード

2015年10月   薄膜材料デバイス研究会  

電子化物のコンセプトと応用の新展開

研究課題/領域番号：17H06153  2017年5月 - 2022年3月

（科研費 ）  基盤研究(S)

細野 秀雄, 松石 聡, 多田 朋史, 金 正煥, 井手 啓介, 飯村 壮史

アモルファス酸化物半導体の双安定性と不安定性の起源解明および応用開拓

研究課題/領域番号：15H06207  2015年8月 - 2017年3月

（科研費 ）  研究活動スタート支援

井手 啓介