2026/03/10 更新

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カミヤ トシオ
神谷 利夫
KAMIYA TOSHIO
所属
総合研究院 元素戦略MDX研究センター 教授
職名
教授
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News & Topics

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学位

  • 博士(工学) ( 東京工業大学 )

研究キーワード

  • Electronic structure

  • Electrical properties: electronic conduction

  • データ科学

  • シミュレーション

  • 固体デバイス

  • 電子構造

  • 電気物性:電子伝導

  • Solid-state devices

研究分野

  • ナノテク・材料 / 無機材料、物性

  • ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性

  • ナノテク・材料 / 応用物性

  • ナノテク・材料 / 無機物質、無機材料化学

  • ナノテク・材料 / 結晶工学

  • 情報通信 / 計算科学

  • 自然科学一般 / 半導体、光物性、原子物理

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学歴

  • 東京工業大学

    - 1991年

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  • 東京工業大学大学院   理工学研究科   無機材料工学専攻

    - 1991年

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    国名: 日本国

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  • 東京工業大学   工学部   無機材料工学科

    - 1990年

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    国名: 日本国

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経歴

  • 東京工業大学   科学技術創成研究院   副研究院長

    2017年4月 - 2021年3月

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    国名:日本国

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  • 東京工業大学   科学技術創成研究院 フロンティア材料研究所   研究所長

    2017年4月 - 2021年3月

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    国名:日本国

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  • 東京工業大学   大学院総合理工学研究科 物質創造科学専攻   専攻長

    2016年4月 - 2017年3月

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    国名:日本国

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  • 東京工業大学   元素戦略研究センター   副センター長

    2012年12月 - 2022年9月

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    国名:日本国

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  • 東京工業大学   応用セラミックス研究所   教授

    2010年10月 - 現在

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    国名:日本国

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  • 東京工業大学   応用セラミックス研究所   助教授

    2003年12月 - 2010年7月

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  • -:東京工業大学 助教授

    2003年

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  • -:

    2003年

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  • :東京工業大学 講師

    2002年 - 2003年

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  • :

    2002年 - 2003年

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  • :東京工業大学 助手

    1991年 - 2002年

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  • :

    1991年 - 2002年

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所属学協会

論文

  • Strong Phonon Scattering and Enhanced Thermoelectric Performance in SrTiO3 Polycrystals by Simultaneous Hydrogen Substitution and Oxygen Vacancy Formation

    Xinyi He, Takehito Komatsu, Takayoshi Katase, Terumasa Tadano, Takashi Honda, Masayoshi Miyazaki, Masaaki Kitano, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

    ACS Applied Energy Materials   8 ( 15 )   11447 - 11455   2025年7月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:American Chemical Society (ACS)  

    DOI: 10.1021/acsaem.5c01610

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  • Simultaneous Realization of Single-Crystal-Like Electron Transport and Strong Phonon Scattering in Polycrystalline SrTiO3–xHx

    Takayoshi Katase, Seiya Nomoto, Xinyi He, Suguru Kitani, Takashi Honda, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

    ACS Applied Electronic Materials   6 ( 10 )   7424 - 7429   2024年9月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:American Chemical Society (ACS)  

    DOI: 10.1021/acsaelm.4c01306

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  • Room‐Temperature Possible Current‐Induced Transition in Ca2RuO4 Thin Films Grown Through Intercalation‐Like Cation Diffusion in the A2BO4 Ruddlesden–Popper Structure

    Atsushi Fukuchi, Takayoshi Katase, Toshio Kamiya

    Small Methods   2024年9月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Wiley  

    Abstract

    Cation deficiency tuning is a central issue in thin‐film epitaxy of functional metal oxides, as it is typically more difficult than anion deficiency tuning, as anions can be readily supplied from gas sources. Here, highly effective internal deficiency compensation of Ru cations is demonstrated for Ca2RuO4 epitaxial films based on diffusive transfer of metal cations in the A2BO4 Ruddlesden–Popper lattice from solid‐phase cation sources. Through detailed structural characterization of Ca2RuO4/LaAlO3 (001) thin films grown with external cation sources by solid‐phase epitaxy, the occurrence of intercalation‐like, interstitial diffusion of La cations (from the substrates) in the A2BO4 structure is revealed, and that of Ru cations is also suggested. Relying on the interstitial‐type diffusion, an optimized Ru deficiency compensation method, which does not induce the formation of Can+1RunO3n+1 Ruddlesden–Popper impurity phases with higher n, is proposed for Ca2RuO4 epitaxial films. In the Ca2RuO4/LaAlO3 (001) thin films grown with Ru deficiency compensation, record‐high resistivity values (102–10−1 Ω cm) and a large (more than 200 K) increase in the temperature range of the nonlinear transport properties are demonstrated by transport measurements, demonstrating the possible advantages of this method in the control of the current‐induced quantum phase transition of Ca2RuO4.

    DOI: 10.1002/smtd.202400264

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  • Wide-Gap p-Type Layered Oxychalcogenides AE2CuInO3Ch (AE: Alkaline Earth; Ch: Chalcogen): Unusually Low Residual Carrier Concentration and Green-to-Red Emission 査読

    Chemistry of Materials   2024年6月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acs.chemmater.4c00724

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  • Hydrogen-included plasma-assisted reactive sputtering for conductivity control of ultra-wide bandgap amorphous gallium oxide 査読

    Kosuke Takenaka, Hibiki Komatsu, Taichi Sagano, Keisuke Ide, Susumu Toko, Takayoshi Katase, Toshio Kamiya, Yuichi Setsuhara

    Japanese Journal of Applied Physics   63 ( 4 )   04SP65/1 - 04SP65/5   2024年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IOP Publishing  

    Abstract

    Conductivity control of a-Ga2Ox films by cation/anion off-stoichiometry such as oxygen vacancy formation and hydrogen doping have been achieved by hydrogen-included plasma-assisted reactive sputter deposition system and physical and electrical properties of a-Ga2Ox films formed by this system have been investigated. The change in resistivity of a-Ga2Ox thin films deposited by the hydrogen-included plasma-assisted reactive sputtering was then investigated by changing the H2 flow rate ratio H2/(Ar + H2). The a-Ga2Ox thin films with semiconducting properties with a resistivity as low as 102 Ωcm was demonstrated using the plasma-assisted reactive sputtering system with addition to H2. Along with the low resistivity, the a-GaOx thin films with high film density and band gap energy of 5.2 g cm−3 and 4.8 eV were realized. The electrical resistivity of the a-Ga2Ox thin films can be controlled from 102 Ωcm to 105 Ωcm by appropriately controlling the amount of hydrogen introduced from the plasma. The results indicate that the hydrogen acts as a shallow donor, which increases the carrier concentration, can be efficiently introduced by using the plasma-assisted reactive sputtering system with addition to H2.

    DOI: 10.35848/1347-4065/ad364e

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    その他リンク: https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ad364e/pdf

  • Inverse‐Perovskite Ba3BO (B = Si and Ge) as a High Performance Environmentally Benign Thermoelectric Material with Low Lattice Thermal Conductivity 査読

    Xinyi He, Shigeru Kimura, Takayoshi Katase, Terumasa Tadano, Satoru Matsuishi, Makoto Minohara, Hidenori Hiramatsu, Hiroshi Kumigashira, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

    Advanced Science   - 2307058   2023年12月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/advs.202307058

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  • Significant effects of epitaxial strain on the nonlinear transport properties in Ca2RuO4 thin films with the current-driven transition 査読

    Keiji Tsubaki, Masashi Arita, Takayoshi Katase, Toshio Kamiya, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi, Yasuo Takahashi

    Japanese Journal of Applied Physics   2023年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/acf2a3

    Web of Science

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  • Dynamics of an Electrically Driven Phase Transition in Ca2RuO4 Thin Films: Nonequilibrium High‐Speed Resistive Switching in the Absence of an Abrupt Thermal Transition

    Keiji Tsubaki, Atsushi Tsurumaki‐Fukuchi, Takayoshi Katase, Toshio Kamiya, Masashi Arita, Yasuo Takahashi

    Advanced Electronic Materials   2023年4月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Wiley  

    DOI: 10.1002/aelm.202201303

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  • Hydride Anion Substitution Boosts Thermoelectric Performance of Polycrystalline SrTiO 3 via Simultaneous Realization of Reduced Thermal Conductivity and High Electronic Conductivity 査読

    Xinyi He, Seiya Nomoto, Takehito Komatsu, Takayoshi Katase, Terumasa Tadano, Suguru Kitani, Hideto Yoshida, Takafumi Yamamoto, Hiroshi Mizoguchi, Keisuke Ide, Hidenori Hiramatsu, Hitoshi Kawaji, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

    Advanced Functional Materials   2023年4月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/adfm.202213144

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  • Local electronic structure of dilute hydrogen in <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML"><mml:mrow><mml:mi>β</mml:mi><mml:mtext>−</mml:mtext><mml:msub><mml:mi>Ga</mml:mi><mml:mn>2</mml:mn></mml:msub><mml:msub><mml:mi mathvariant="normal">O</mml:mi><mml:mn>3</mml:mn></mml:msub></mml:mrow></mml:math> probed by muons

    M. Hiraishi, H. Okabe, A. Koda, Ryosuke Kadono, Takeo Ohsawa, Naoki Ohashi, Keisuke Ide, T. Kamiya, H. Hosono

    Physical Review B   107 ( 4 )   2023年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:American Physical Society ({APS})  

    DOI: 10.1103/physrevb.107.l041201

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  • Low-temperature-processable amorphous-oxide-semiconductor-based phosphors for durable light-emitting diodes 査読

    Keisuke Ide, Naoto Watanabe, Takayoshi Katase, Masato Sasase, Junghwan Kim, Shigenori Ueda, Koji Horiba, Hiroshi Kumigashira, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

    Applied Physics Letters   2022年11月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/5.0115384

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  • Design, Synthesis, and Optoelectronic Properties of the High-Purity Phase in Layered AETMN2 (AE = Sr, Ba; TM = Ti, Zr, Hf) Semiconductors

    Akihiro Shiraishi, Shigeru Kimura, Xinyi He, Naoto Watanabe, Takayoshi Katase, Keisuke Ide, Makoto Minohara, Kosuke Matsuzaki, Hidenori Hiramatsu, Hiroshi Kumigashira, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

    Inorganic Chemistry   2022年5月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:American Chemical Society ({ACS})  

    DOI: 10.1021/acs.inorgchem.2c00604

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  • Degenerated Hole Doping and Ultra-Low Lattice Thermal Conductivity in Polycrystalline SnSe by Nonequilibrium Isovalent Te Substitution 査読

    Xinyi He, Haoyun Zhang, Takumi Nose, Takayoshi Katase, Terumasa Tadano, Keisuke Ide, Shigenori Ueda, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

    ADVANCED SCIENCE   9 ( 13 )   2022年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/advs.202105958

    Web of Science

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  • High-Mobility Metastable Rock-Salt Type (Sn,Ca)Se Thin Film Stabilized by Direct Epitaxial Growth on a YSZ (111) Single-Crystal Substrate

    Xinyi He, Jinshuai Chen, Takayoshi Katase, Makoto Minohara, Keisuke Ide, Hidenori Hiramatsu, Hiroshi Kumigashira, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

    ACS Applied Materials &amp; Interfaces   2022年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:American Chemical Society ({ACS})  

    DOI: 10.1021/acsami.2c01464

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  • Photoinduced transient states of antiferromagnetic orderings in La1/3Sr2/3FeO3 and SrFeO3-delta thin films observed through time-resolved resonant soft x-ray scattering

    Kohei Yamamoto, Tomoyuki Tsuyama, Suguru Ito, Kou Takubo, Iwao Matsuda, Niko Pontius, Christian Schuessler-Langeheine, Makoto Minohara, Hiroshi Kumigashira, Yuichi Yamasaki, Hironori Nakao, Youichi Murakami, Takayoshi Katase, Toshio Kamiya, Hiroki Wadati

    NEW JOURNAL OF PHYSICS   24 ( 4 )   2022年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1367-2630/ac5f31

    Web of Science

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  • Effect of intentional chemical doping on crystallographic and electric properties of the pyrochlore Bi2Sn2O7 査読

    Makoto Minohara, Naoto Kikuchi, Kouhei Tsukuda, Yuka Dobashi, Akane Samizo, Keishi Nishio, Xinyi He, Takayoshi Katase, Toshio Kamiya, Yoshihiro Aiura

    MATERIALS & DESIGN   216   2022年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.matdes.2022.110549

    Web of Science

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  • Electronic and Lattice Thermal Conductivity Switching by 3D-2D Crystal Structure Transition in Nonequilibrium (Pb1-xSnx)Se 査読

    Yusaku Nishimura, Xinyi He, Takayoshi Katase, Terumasa Tadano, Keisuke Ide, Suguru Kitani, Kota Hanzawa, Shigenori Ueda, Hidenori Hiramatsu, Hitoshi Kawaji, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

    ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS   2022年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/aelm.202200024

    Web of Science

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  • Tuning of Hole Carrier Density in p-type α-SnWO4 by Exploiting Oxygen Defects

    Makoto Minohara, Makoto Minohara, Yuka Dobashi, Naoto Kikuchi, Akane Samizo, Takashi Honda, Xinyi He, Takayoshi Katase, Toshio Kamiya, Keishi Nishio, Yoshihiro Aiura

    Materials Advances   2022年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Royal Society of Chemistry ({RSC})  

    <jats:p>The development of p-type oxide semiconductors has shown promise in overcoming limitations restricting the practical usage of oxide semiconductors and the realization of innovative functional devices. Through numerous studies based...</jats:p>

    DOI: 10.1039/d2ma00815g

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  • Low Residual Carrier Density and High In-Grain Mobility in Polycrystalline Zn3N2Films on a Glass Substrate 査読

    Li, K., Shimizu, A., He, X., Ide, K., Hanzawa, K., Matsuzaki, K., Katase, T., Hiramatsu, H., Hosono, H., Zhang, Q., Kamiya, T.

    ACS Applied Electronic Materials   4 ( 4 )   2022年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acsaelm.2c00181

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  • Breaking of Thermopower-Conductivity Trade-Off in LaTiO3 Film around Mott Insulator to Metal Transition

    Takayoshi Katase, Xinyi He, Terumasa Tadano, Jan M. Tomczak, Takaki Onozato, Keisuke Ide, Bin Feng, Tetsuya Tohei, Hidenori Hiramatsu, Hiromichi Ohta, Yuichi Ikuhara, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

    ADVANCED SCIENCE   8 ( 23 )   2021年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/advs.202102097

    Web of Science

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  • Large phonon drag thermopower boosted by massive electrons and phonon leaking in LaAlO3/LaNiO3/LaAlO3 heterostructure

    Masatoshi Kimura, Xinyi He, Takayoshi Katase, Terumasa Tadano, Jan M. Tomczak, Makoto Minohara, Ryotaro Aso, Hideto Yoshida, Keisuke Ide, Shigenori Ueda, Hidenori Hiramatsu, Hiroshi Kumigashira, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

    NANO LETTERS   21 ( 21 )   9240 - 9246   2021年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acs.nanolett.1c03143

    Web of Science

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  • Ion Substitution Effect on Defect Formation in Two-Dimensional Transition Metal Nitride Semiconductors, AETiN(2) (AE = Ca, Sr, and Ba)

    Xinyi He, Takayoshi Katase, Keisuke Ide, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

    INORGANIC CHEMISTRY   60 ( 14 )   10227 - 10234   2021年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acs.inorgchem.1c00526

    Web of Science

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  • Local Structure Properties of Hydrogenated and Nonhydrogenated Amorphous In–Ga–Zn–O Thin Films Using XAFS and High-Energy XRD

    Loku Singgappulige Rosantha Kumara, Kyohei Ishikawa, Keisuke Ide, Hideo Hosono, Toshio Kamiya, Osami Sakata

    The Journal of Physical Chemistry C   125 ( 24 )   13619 - 13628   2021年6月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:American Chemical Society (ACS)  

    DOI: 10.1021/acs.jpcc.1c02437

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  • Publisher's Note: “Hard x-ray photoemission study on strain effect in LaNiO3 thin films” [Appl. Phys Lett. 118, 161601 (2021)]

    Yasushi Hotta, Akira Yasui, Takayoshi Katase, Yasumasa Takagi, Kohei Yamagami, Keisuke Ikeda, A. Hariki, Toshio Kamiya, Yujun Zhang, Hiroki Wadati

    Applied Physics Letters   118   2021年6月

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    出版者・発行元:AIP Publishing  

    DOI: 10.1063/5.0055404

    CiNii Research

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  • Hard x-ray photoemission study on strain effect in LaNiO3 thin films 査読

    Kohei Yamagami, Keisuke Ikeda, Atushi Hariki, Yujun Zhang, Akira Yasui, Yasumasa Takagi, Takayoshi Katase, Toshio Kamiya, Hiroki Wadati

    Appl. Phys. Lett.   118 ( 16 )   161601 - 161601   2021年4月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/5.0044047

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  • Reversible 3D-2D structural phase transition and giant electronic modulation in nonequilibrium alloy semiconductor, lead-tin-selenide

    Takayoshi Katase, Yudai Takahashi, Xinyi He, Terumasa Tadano, Keisuke Ide, Hideto Yoshida, Shiro Kawachi, Jun-ichi Yamaura, Masato Sasase, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

    Science Advances   7 ( 12 )   eabf2725 - eabf2725   2021年3月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:American Association for the Advancement of Science (AAAS)  

    Material properties depend largely on the dimensionality of the crystal structures and the associated electronic structures. If the crystal-structure dimensionality can be switched reversibly in the same material, then a drastic property change may be controllable. Here, we propose a design route for a direct three-dimensional (3D) to 2D structural phase transition, demonstrating an example in (Pb1−<italic>x</italic>Sn<italic>x</italic>)Se alloy system, where Pb2+ and Sn2+ have similar <italic>n</italic>s2 pseudo-closed shell configurations, but the former stabilizes the 3D rock-salt-type structure while the latter a 2D layered structure. However, this system has no direct phase boundary between these crystal structures under thermal equilibrium. We succeeded in inducing the direct 3D-2D structural phase transition in (Pb1−<italic>x</italic>Sn<italic>x</italic>)Se alloy epitaxial films by using a nonequilibrium growth technique. Reversible giant electronic property change was attained at <italic>x</italic> ~ 0.5 originating in the abrupt band structure switch from gapless Dirac-like state to semiconducting state.

    DOI: 10.1126/sciadv.abf2725

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  • Double Charge Polarity Switching in Sb-Doped SnSe with Switchable Substitution Sites

    Chihiro Yamamoto, Xinyi He, Takayoshi Katase, Keisuke Ide, Yosuke Goto, Yoshikazu Mizuguchi, Akane Samizo, Makoto Minohara, Shigenori Ueda, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

    ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS   31 ( 8 )   2021年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/adfm.202008092

    Web of Science

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  • Understanding and controlling electronic defects in amorphous oxide semiconductor

    Keisuke Ide, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

    Digest of Technical Papers - SID International Symposium   52 ( 1 )   97 - 99   2021年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:John Wiley and Sons Inc  

    DOI: 10.1002/sdtp.14389

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  • Shallow Valence Band of Rutile GeO2 and P-type Doping

    Christian A. Niedermeier, Keisuke Ide, Takayoshi Katase, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

    JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C   124 ( 47 )   25721 - 25728   2020年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acs.jpcc.0c07757

    Web of Science

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  • Stable and Tunable Current-Induced Phase Transition in Epitaxial Thin Films of Ca2RuO4 査読

    Atsushi Tsurumaki-Fukuchi, Keiji Tsubaki, Takayoshi Katase, Toshio Kamiya, Masashi Arita, Yasuo Takahashi

    ACS Applied Materials & Interfaces   2020年5月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:American Chemical Society (ACS)  

    DOI: 10.1021/acsami.0c05181

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  • Thermoelectric (BaxSr1-x)Si-2 films prepared by sputtering method over the barium solubility limit

    Kodai Aoyama, Takao Shimizu, Hideto Kuramochi, Masami Mesuda, Ryo Akiike, Keisuke Ide, Takayoshi Katase, Toshio Kamiya, Yoshisato Kimura, Hiroshi Funakubo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59   2020年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab645b

    Web of Science

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  • Phonon scattering limited mobility in the representative cubic perovskite semiconductors SrGeO3 , BaSnO3 , and SrTiO3 査読

    Christian A. Niedermeier, Yu Kumagai, Keisuke Ide, Takayoshi Katase, Fumiyasu Oba, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

    Physical Review B   101 ( 12 )   2020年3月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:American Physical Society (APS)  

    DOI: 10.1103/physrevb.101.125206

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    その他リンク: https://link.aps.org/article/10.1103/PhysRevB.101.125206

  • 熱起電力と導電率のトレードオフの関係を破る酸化物熱電材料LaNiO3の高出力特性

    樋口 雄飛, 片瀬 貴義, 只野 央将, 藤岡 淳, 井手 啓介, 平松 秀典, 細野 秀雄, 神谷 利夫

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2020.1   3583 - 3583   2020年2月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2020.1.0_3583

    CiNii Research

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  • Fabrication and characterization of (CaxSr1-x)Si2 films prepared by co-sputtering method 査読

    K. Aoyama, T. Shimizu, H. Kuramochi, M. Mesuda, R. Akiike, K. Ide, T. Katase, T. Kamiya, Y. Kimura, H. Funakubo

    MRS Advances   5 ( 10 )   451 - 458   2020年1月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1557/adv.2020.67

    Web of Science

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  • Electronic defects in amorphous oxide semiconductor and recent development

    Keisuke Ide, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

    2020 TWENTY-SEVENTH INTERNATIONAL WORKSHOP ON ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAYS AND DEVICES (AM-FPD 20): TFT TECHNOLOGIES AND FPD MATERIALS   2020年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    Web of Science

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  • 二元同時スパッタ法で作製したAeSi2膜の作製

    青山 航大, 清水 荘雄, 倉持 豪人, 召田 雅実, 秋池 良, 井手 啓介, 片瀬 貴義, 神谷 利夫, 木村 好里, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2019.2   2999 - 2999   2019年9月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_2999

    CiNii Research

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  • New crystal structure built from a GeO6-GeO5 polyhedra network with high thermal stability: b-SrGe2O5 査読

    Christian A. Niedermeier, Junichi Yamaura, Jiazhen Wu, Xinyi He, Takayoshi Katase, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

    ACS Appl. Electron. Mater.   1   1989 - 1993   2019年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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  • New Amorphous In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistor-Based Optical Pixel Sensor for Optical Input Signal With Short Wavelength

    Chia-En Wu, Keisuke Ide, Takayoshi Katase, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Chih-Lung Lin, Toshio Kamiya

    IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES   66 ( 9 )   3848 - 3853   2019年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/TED.2019.2925091

    Web of Science

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  • Symmetric Ambipolar Thin-Film Transistors and High-Gain CMOS-like Inverters Using Environmentally Friendly Copper Nitride 査読

    Kosuke Matsuzaki, Takayoshi Katase, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

    ACS Appl. Mater. Interfaces   11   35132 - 35137   2019年8月

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    記述言語:英語  

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  • Intrinsic and Extrinsic Defects in Layered Nitride Semiconductor SrTiN2

    Xinyi He, Zewen Xiao, Takayoshi Katase, Keisuke Ide, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

    JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C   123 ( 32 )   19307 - 19314   2019年8月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acs.jpcc.9b03643

    Web of Science

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  • Effects of Base Pressure on Growth and Optoelectronic Properties of Amorphous In-Ga-Zn-O: Ultralow Optimum Oxygen Supply and Bandgap Widening

    Keisuke Ide, Kyohei Ishikawa, Haochun Tang, Takayoshi Katase, Hidenori Hiramatsu, Hideya Kumomi, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   216 ( 5 )   2019年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssa.201700832

    Web of Science

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  • Multiple Color Inorganic Thin-Film Phosphor, RE-Doped Amorphous Gallium Oxide (RE = Rare Earth: Pr, Sm, Tb, and Dy), Deposited at Room Temperature

    Naoto Watanabe, Keisuke Ide, Junghwan Kim, Takayoshi Katase, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   216 ( 5 )   2019年3月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssa.201700833

    Web of Science

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  • Electronic Defects in Amorphous Oxide Semiconductors: A Review

    Keisuke Ide, Kenji Nomura, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   216 ( 5 )   2019年3月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssa.201800372

    Web of Science

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  • 共スパッタ法で作製したBaxSr1-xSi2膜の熱電特性

    青山 航大, 清水 荘雄, 倉持 豪人, 召田 雅実, 秋池 良, 井出 啓介, 片瀬 貴義, 神谷 利夫, 木村 好里, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2019.1   1843 - 1843   2019年2月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2019.1.0_1843

    CiNii Research

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  • Insulator-like behavior coexisting with metallic electronic structure in strained FeSe thin films grown by molecular beam epitaxy 査読

    半沢幸太, 山口祐太, 小畑由紀子, 松石聡, 平松秀典, 神谷利夫, 細野秀雄

    PHYSICAL REVIEW B   99 ( 035148 )   2019年1月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.99.035148

    Web of Science

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  • Electronic structure of interstitial hydrogen in In-Ga-Zn-O semiconductor simulated by muon 査読

    Kojima, K.M., Hiraishi, M., Okabe, H., Koda, A., Kadono, R., Ide, K., Matsuishi, S., Kumomi, H., Kamiya, T., Hosono, H.

    Applied Physics Letters   115 ( 12 )   2019年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.5117771

    Scopus

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  • Metal oxide semiconductor thin-films and related devices

    Mamoru Furuta, Mutsumi Kimura, Toshio Kamiya, Yukiharu Uraoka

    Japanese Journal of Applied Physics   58 ( 9 )   2019年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Institute of Physics Publishing  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab148c

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  • Transition metal-doped amorphous oxide semiconductor thin-film phosphor, chromium-doped amorphous gallium oxide 査読

    Keisuke Ide, Yuki Futakado, Naoto Watanabe, Junghwan Kim, Takayoshi Katase, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

    physica status solidi (a)   1800198   2018年8月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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  • Multiple states and roles of hydrogen in p-type SnS semiconductors

    Zewen Xiao, Fan-Yong Ran, Min Liao, Hidenori Hiramatsu, Keisuke Ide, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

    PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS   20 ( 32 )   20952 - 20956   2018年8月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1039/c8cp02261e

    Web of Science

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  • Effects of impurity hydrogen in amorphous In-Ga-Zn-O: ultralow optimum oxygen supply for ultrahigh vacuum sputtering and bandgap widening by impurity hydrogen 査読

    Keisuke Ide, Kyohei Ishikawa, Haochun Tang, Takayoshi Katase, Hidenori Hiramatsu, Hideya Kumomi, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

    physica status solidi (a)   8   1700832   2018年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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  • Multi-color light-emitting thin films based on ultra-wide bandgap amorphous oxide semiconductor deposited at room temperature on glass 査読

    Naoto Watanabe, Keisuke Ide, Junghwan Kim, Takayoshi Katase, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

    physica status solidi (a)   8   1700833   2018年1月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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  • An Exceptionally Narrow Band-Gap (∼4 eV) Silicate Predicted in the Cubic Perovskite Structure: BaSiO3 査読

    56 ( 17 )   10535 - 10542   2017年9月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acs.inorgchem.7b01510

    Web of Science

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  • The Unique Electronic Structure of Mg2Si: Shaping the Conduction Bands of Semiconductors with Multicenter Bonding 査読

    Hiroshi Mizoguchi, Yoshinori Muraba, Daniel C. Fredrickson, Satoru Matsuishi, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

    ANGEWANDTE CHEMIE-INTERNATIONAL EDITION   56 ( 34 )   10135 - 10139   2017年8月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/anie.201701681

    Web of Science

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  • Key Factors for Insulator-Superconductor Transition in FeSe Thin Films by Electric Field 査読

    Kota Hanzawa, Hikaru Sato, Hidenori Hiramatsu, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

    IEEE TRANSACTIONS ON APPLIED SUPERCONDUCTIVITY   27 ( 4 )   2017年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/TASC.2016.2639738

    Web of Science

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  • P-187: Electronic Structures of Various Color Light-Emitting Amorphous Oxide Semiconductor Thin Films

    Naoto Watanabe, Junghwan Kim, Keisuke Ide, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

    SID Symposium Digest of Technical Papers   48 ( 1 )   1974 - 1976   2017年5月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Wiley-Blackwell  

    DOI: 10.1002/sdtp.12047

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  • Electron effective mass and mobility limits in degenerate perovskite stannate BaSnO3 査読

    Christian A. Niedermeier, Sneha Rhode, Keisuke Ide, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya, Michelle A. Moram

    PHYSICAL REVIEW B   95 ( 16 )   2017年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.95.161202

    Web of Science

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  • BaFe2(As1-xPx)(2) (x=0.22-0.42) thin films grown on practical metal-tape substrates and their critical current densities 査読

    Hidenori Hiramatsu, Hikaru Sato, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

    SUPERCONDUCTOR SCIENCE & TECHNOLOGY   30 ( 4 )   2017年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1361-6668/aa621c

    Web of Science

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  • Effects of working pressure and annealing on bulk density and nanopore structures in amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistors

    Keisuke Ide, Mitsuho Kikuchi, Masato Ota, Masato Sasase, Hidenori Hiramatsu, Hideya Kumomi, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 ( 3 )   2017年3月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.03BB03

    Web of Science

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  • Conversion of an ultra-wide bandgap amorphous oxide insulator to a semiconductor 査読

    Junghwan Kim, Takumi Sekiya, Norihiko Miyokawa, Naoto Watanabe, Koji Kimoto, Keisuke Ide, Yoshitake Toda, Shigenori Ueda, Naoki Ohashi, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

    NPG ASIA MATERIALS   9   2017年3月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1038/am.2017.20

    Web of Science

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  • Transparent amorphous oxide semiconductors for organic electronics: Application to inverted OLEDs 査読

    Hideo Hosono, Junghwan Kim, Yoshitake Toda, Toshio Kamiya, Satoru Watanabe

    PROCEEDINGS OF THE NATIONAL ACADEMY OF SCIENCES OF THE UNITED STATES OF AMERICA   114 ( 2 )   233 - 238   2017年1月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1073/pnas.1617186114

    Web of Science

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  • Publisher's Note: Amorphous Gallium Oxide as an Improved Host for Inorganic Light-Emitting Thin Film Semiconductor Fabricated at Room Temperature on Glass (vol 6, pg P410, 2017) 査読

    Naoto Watanabe, Junghwan Kim, Keisuke Ide, Hidenori Hiramatsu, Hiroshi Kumigashira, Shigenori Ueda, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

    ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY   6 ( 8 )   XI - XI   2017年

     詳細を見る

  • Amorphous Gallium Oxide as an Improved Host for Inorganic Light-Emitting Thin Film Semiconductor Fabricated at Room Temperature on Glass (vol 6, pg P410, 2017) 査読

    Naoto Watanabe, Junghwan Kim, Keisuke Ide, Hidenori Hiramatsu, Hiroshi Kumigashira, Shigenori Ueda, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

    ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY   6 ( 7 )   X1 - X1   2017年

     詳細を見る

  • Amorphous Gallium Oxide as an Improved Host for Inorganic Light-Emitting Thin Film Semiconductor Fabricated at Room Temperature on Glass 査読

    Naoto Watanabe, Junghwan Kim, Keisuke Ide, Hidenori Hiramatsu, Hiroshi Kumigashira, Shigenori Ueda, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

    ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY   6 ( 7 )   P410 - P414   2017年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1149/2.0181707jss

    Web of Science

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  • Multiple Roles of Hydrogen Treatments in Amorphous In-Ga-Zn-O Films 査読

    Haochun Tang, Yosuke Kishida, Keisuke Ide, Yoshitake Toda, Hidenori Hiramatsu, Satoru Matsuishi, Shigenori Ueda, Naoki Ohashi, Hideya Kumomi, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

    ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY   6 ( 7 )   P365 - P372   2017年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1149/2.0071707jss

    Web of Science

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  • Amorphous pnictide semiconductor BaZn2As2 exhibiting high hole mobility 査読

    Zewen Xiao, Fan-Yong Ran, Min Liao, Shigenori Ueda, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

    APPLIED PHYSICS LETTERS   109 ( 24 )   2016年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4972039

    Web of Science

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  • Enhanced critical-current in P-doped BaFe2As2 thin films on metal substrates arising from poorly aligned grain boundaries 査読

    Hikaru Sato, Hidenori Hiramatsu, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

    SCIENTIFIC REPORTS   6   2016年11月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1038/srep36828

    Web of Science

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  • Preface 査読

    David Ginley, Claes-G. Granqvist, George Kiriakidis, Andreas Klein, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

    Thin Solid Films   614   43   2016年9月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Elsevier B.V.  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2016.07.054

    Scopus

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  • Effects of thermal annealing on elimination of deep defects in amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistors 査読

    Haochun Tang, Keisuke Ide, Hidenori Hiramatsu, Shigenori Ueda, Naoki Ohashi, Hideya Kumomi, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

    THIN SOLID FILMS   614   73 - 78   2016年9月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2016.03.005

    Web of Science

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  • Ultrawide band gap amorphous oxide semiconductor, Ga-Zn-O 査読

    Junghwan Kim, Norihiko Miyokawa, Takumi Sekiya, Keisuke Ide, Yoshitake Toda, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

    THIN SOLID FILMS   614   84 - 89   2016年9月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2016.03.003

    Web of Science

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  • Novel solid-phase epitaxy for multi-component materials with extremely high vapor pressure elements: An application to KFe2As2 査読

    Taisuke Hatakeyama, Hikaru Sato, Hidenori Hiramatsu, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   9 ( 5 )   2016年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/APEX.9.055505

    Web of Science

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  • Transparent amorphous oxide semiconductor thin film phosphor, In-Mg-O:Eu 査読

    Junghwan Kim, Norihiko Miyokawa, Keisuke Ide, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

    JOURNAL OF THE CERAMIC SOCIETY OF JAPAN   124 ( 5 )   532 - 535   2016年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.2109/jcersj2.15283

    Web of Science

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  • 69-4: NBIS-Stable Oxide Thin-Film Transistors Using Ultra-Wide Bandgap Amorphous Oxide Semiconductors

    Junghwan Kim, Nobuhiro Nakamura, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

    SID Symposium Digest of Technical Papers   47 ( 1 )   951 - 953   2016年5月

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Wiley-Blackwell  

    DOI: 10.1002/sdtp.10883

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  • N-type conduction in SnS by anion substitution with Cl 査読

    Hiroshi Yanagi, Yuki Iguchi, Taiki Sugiyama, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

    Applied Physics Express   9 ( 5 )   2016年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IOP Publishing  

    DOI: 10.7567/APEX.9.051201

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  • Solid phase epitaxial growth of high mobility La: BaSnO3 thin films co-doped with interstitial hydrogen 査読

    Christian A. Niedermeier, Sneha Rhode, Sarah Fearn, Keisuke Ide, Michelle A. Moram, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

    APPLIED PHYSICS LETTERS   108 ( 17 )   2016年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4948355

    Web of Science

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  • Electric field-induced superconducting transition of insulating FeSe thin film at 35 K 査読

    Kota Hanzawa, Hikaru Sato, Hidenori Hiramatsu, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

    PROCEEDINGS OF THE NATIONAL ACADEMY OF SCIENCES OF THE UNITED STATES OF AMERICA   113 ( 15 )   3986 - 3990   2016年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1073/pnas.1520810113

    Web of Science

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  • Nonequilibrium Rock-Salt-Type Pb-Doped SnSe with High Carrier Mobilities approximate to 300 cm(2)/(Vs) 査読

    Takeshi Inoue, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

    CHEMISTRY OF MATERIALS   28 ( 7 )   2278 - 2286   2016年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acs.chemmater.6b00307

    Web of Science

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  • Oxide TFTs 査読

    Toshio Kamiya, Hideo Hosono

    Handbook of Visual Display Technology   1111 - 1144   2016年1月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:論文集(書籍)内論文   出版者・発行元:Springer International Publishing  

    DOI: 10.1007/978-3-319-14346-0_52

    Scopus

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  • SnS thin films prepared by H2S-free process and its p-type thin film transistor 査読

    Fan-Yong Ran, Zewen Xiao, Hidenori Hiramatsu, Keisuke Ide, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

    AIP ADVANCES   6 ( 1 )   2016年1月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4940931

    Web of Science

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  • Room-temperature fabrication of light-emitting thin films based on amorphous oxide semiconductor 査読

    Junghwan Kim, Norihiko Miyokawa, Keisuke Ide, Yoshitake Toda, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

    AIP ADVANCES   6 ( 1 )   2016年1月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4939939

    Web of Science

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  • Why high-pressure sputtering must be avoided to deposit a-In-Ga-Zn-O films 査読

    Keisuke Ide, Mitsuho Kikuchi, Masato Sasase, Hidenori Hiramatsu, Hideya Kumomi, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

    2016 23RD INTERNATIONAL WORKSHOP ON ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAYS AND DEVICES (AM-FPD)   298 - 301   2016年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    Web of Science

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  • Difficulty of carrier generation in orthorhombic PbO 査読

    Liao Min, Takemoto Seiji, Xiao Zewen, Toda Yoshitake, Tada Tomofumi, Ueda Shigenori, Kamiya Toshio, Hosono Hideo

    Journal of Applied Physics   119 ( 16 )   2016年

  • Electron Confinement in Channel Spaces for One-Dimensional Electride 査読

    Yaoqing Zhang, Zewen Xiao, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

    JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY LETTERS   6 ( 24 )   4966 - 4971   2015年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acs.jpclett.5b02283

    Web of Science

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  • Heteroepitaxial growth of SnSe films by pulsed laser deposition using Se-rich targets 査読

    Takeshi Inoue, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   118 ( 20 )   2015年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4936202

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  • Effects of residual hydrogen in sputtering atmosphere on structures and properties of amorphous In-Ga-Zn-O thin films 査読

    Haochun Tang, Kyohei Ishikawa, Keisuke Ide, Hidenori Hiramatsu, Shigenori Ueda, Naoki Ohashi, Hideya Kumomi, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   118 ( 20 )   2015年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4936552

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  • Ligand-Hole in [SnI6] Unit and Origin of Band Gap in Photovoltaic Perovskite Variant Cs2SnI6 査読

    Zewen Xiao, Hechang Lei, Xiao Zhang, Yuanyuan Zhou, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

    BULLETIN OF THE CHEMICAL SOCIETY OF JAPAN   88 ( 9 )   1250 - 1255   2015年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1246/bcsj.20150110

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  • Analyses of Surface and Interfacial Layers in Polycrystalline Cu2O Thin-Film Transistors 査読

    Fan-Yong Ran, Masataka Taniguti, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

    JOURNAL OF DISPLAY TECHNOLOGY   11 ( 9 )   720 - 724   2015年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/JDT.2015.2432752

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  • Detection of dead layers and defects in polycrystalline Cu2O thin-film transistors by x-ray reflectivity and photoresponse spectroscopy analyses 査読

    Fan-Yong Ran, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya, Masataka Taniguti

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B   33 ( 5 )   2015年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1116/1.4929445

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  • Effects of sulfur substitution in amorphous InGaZnO4: optical properties and first-principles calculations 査読

    Junghwan Kim, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

    JOURNAL OF THE CERAMIC SOCIETY OF JAPAN   123 ( 1439 )   537 - 541   2015年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.2109/jcersj2.123.537

    Web of Science

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  • Fabrication and opto-electrical properties of amorphous (Zn, B) O thin film by pulsed laser deposition 査読

    Hao-Chun Tang, Junghwan Kim, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

    JOURNAL OF THE CERAMIC SOCIETY OF JAPAN   123 ( 1439 )   523 - 526   2015年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.2109/jcersj2.123.523

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  • Origin of Lower Film Density and Larger Defect Density in Amorphous In-Ga-Zn-O Deposited at High Total Pressure 査読

    Jakub Grochowski, Yuichiro Hanyu, Katsumi Abe, Jakub Kaczmarski, Jan Dyczewski, Hidenori Hiramatsu, Hideya Kumomi, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

    JOURNAL OF DISPLAY TECHNOLOGY   11 ( 6 )   523 - 527   2015年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/JDT.2014.2359746

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  • Vortex Pinning Properties of Phosphorous-Doped BaFe2As2 Epitaxial Films: Comparison Between (La, Sr)(Al, Ta)O-3 and MgO Substrates 査読

    Hikaru Sato, Hidenori Hiramatsu, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

    IEEE TRANSACTIONS ON APPLIED SUPERCONDUCTIVITY   25 ( 3 )   2015年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/TASC.2014.2368073

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  • n-type conversion of SnS by isovalent ion substitution: Geometrical doping as a new doping route 査読

    Fan-Yong Ran, Zewen Xiao, Yoshitake Toda, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

    SCIENTIFIC REPORTS   5   2015年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1038/srep10428

    Web of Science

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  • Route to n-type doping in SnS 査読

    Zewen Xiao, Fan-Yong Ran, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

    APPLIED PHYSICS LETTERS   106 ( 15 )   2015年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4918294

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  • Widely bandgap tunable amorphous Cd-Ga-O oxide semiconductors exhibiting electron mobilities ≥10-cm2-V-1-s-1 査読

    Yanagi, H., Sato, C., Kimura, Y., Suzuki, I., Omata, T., Kamiya, T., Hosono, H.

    Applied Physics Letters   106 ( 8 )   82106   2015年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4913691

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  • Advances in oxide thin-film transistors in recent decade and their future 査読

    Hideya Kumomi, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

    ECS Transactions   67 ( 1 )   3 - 8   2015年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:Electrochemical Society Inc.  

    DOI: 10.1149/06701.0003ecst

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  • Effects of Pb Doping on Hole Transport Properties and Thin-Film Transistor Characteristics of SnO Thin Films 査読

    Min Liao, Zewen Xiao, Fan-Yong Ran, Hideya Kumomi, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

    ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY   4 ( 3 )   Q26 - Q30   2015年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1149/2.0231503jss

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  • Intrinsic defects in a photovoltaic perovskite variant Cs2SnI6 査読

    Zewen Xiao, Yuanyuan Zhou, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

    PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS   17 ( 29 )   18900 - 18903   2015年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1039/c5cp03102h

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  • Effects of High-Temperature Annealing on Operation Characteristics of a-In-Ga-Zn-O TFTs 査読

    Yuichiro Hanyu, Katsumi Abe, Kay Domen, Kenji Nomura, Hidenori Hiramatsu, Hideya Kumomi, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

    JOURNAL OF DISPLAY TECHNOLOGY   10 ( 11 )   979 - 983   2014年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/JDT.2014.2352860

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  • Two-Dimensional Transition-Metal Electride Y2C 査読

    Xiao Zhang, Zewen Xiao, Hechang Lei, Yoshitake Toda, Satoru Matsuishi, Toshio Kamiya, Shigenori Ueda, Hideo Hosono

    CHEMISTRY OF MATERIALS   26 ( 22 )   6638 - 6643   2014年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/cm503512h

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  • Positive-Bias Stress Test on Amorphous In-Ga-Zn-O Thin Film Transistor: Annealing-Temperature Dependence 査読

    Kay Domen, Takaya Miyase, Katsumi Abe, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

    JOURNAL OF DISPLAY TECHNOLOGY   10 ( 11 )   975 - 978   2014年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/JDT.2014.2350518

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  • Narrow Bandgap in beta-BaZn2As2 and Its Chemical Origins 査読

    Zewen Xiao, Hidenori Hiramatsu, Shigenori Ueda, Yoshitake Toda, Fan-Yong Ran, Jiangang Guo, Hechang Lei, Satoru Matsuishi, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

    JOURNAL OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY   136 ( 42 )   14959 - 14965   2014年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/ja507890u

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  • Growth of c-Axis-Oriented Superconducting KFe2As2 Thin Films 査読

    Hidenori Hiramatsu, Shogo Matsuda, Hikaru Sato, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

    ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES   6 ( 16 )   14293 - 14301   2014年8月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/am5036016

    Web of Science

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  • Positive Gate Bias Instability Induced by Diffusion of Neutral Hydrogen in Amorphous In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistor 査読

    Kay Domen, Takaya Miyase, Katsumi Abe, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

    IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS   35 ( 8 )   832 - 834   2014年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/LED.2014.2327234

    Web of Science

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  • Fabrication and characterization of ZnS:(Cu,Al) thin film phosphors on glass substrates by pulsed laser deposition 査読

    Junghwan Kim, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

    THIN SOLID FILMS   559   18 - 22   2014年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2013.11.058

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  • High critical-current density with less anisotropy in BaFe2(As,P)(2) epitaxial thin films: Effect of intentionally grown c-axis vortex-pinning centers 査読

    Hikaru Sato, Hidenori Hiramatsu, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

    APPLIED PHYSICS LETTERS   104 ( 18 )   2014年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4875956

    Web of Science

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  • Epitaxial growth and electronic structure of a layered zinc pnictide semiconductor, beta-BaZn2As2 査読

    Zewen Xiao, Fan-Yong Ran, Hidenori Hiramatsu, Satoru Matsuishi, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

    THIN SOLID FILMS   559   100 - 104   2014年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2013.10.135

    Web of Science

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  • Mobility-and temperature-dependent device model for amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistors 査読

    Katsumi Abe, Ayumu Sato, Kenji Takahashi, Hideya Kumomi, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

    THIN SOLID FILMS   559   40 - 43   2014年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2013.11.066

    Web of Science

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  • Critical factor for epitaxial growth of cobalt-doped BaFe2As2 films by pulsed laser deposition 査読

    Hiramatsu, Hidenori, Sato, Hikaru, Katase, Takayoshi, Kamiya, Toshio, Hosono, Hideo

    Applied Physics Letters   104 ( 17 )   72602   2014年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4874609

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  • Electric double-layer transistor using layered iron selenide Mott insulator TlFe1.6Se2 査読

    Katase, Takayoshi, Hiramatsu, Hidenori, Kamiya, Toshio, Hosono, Hideo

    Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America   111 ( 11 )   3979 - 3983   2014年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1073/pnas.1318045111

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  • Film Texture, Hole Transport and Field-Effect Mobility in Polycrystalline SnO Thin Films on Glass 査読

    Po-Ching Hsu, Chung-Chih Wu, Hidenori Hiramatsu, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

    ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY   3 ( 9 )   Q3040 - Q3044   2014年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1149/2.009409jss

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  • Magnetic structure and electromagnetic properties of LnCrAsO with a ZrCuSiAs-type structure (Ln = La, Ce, Pr, and Nd) 査読

    Park, S.-W., Mizoguchi, H., Kodama, K., Shamoto, S.-I., Otomo, T., Matsuishi, S., Kamiya, T., Hosono, H.

    Inorganic Chemistry   52 ( 23 )   13363 - 13368   2013年12月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/ic401487q

    Web of Science

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  • Unusual pressure effects on the superconductivity of indirectly electron-doped (Ba1-xLax)Fe2As2 epitaxial films 査読

    Katase, T., Sato, H., Hiramatsu, H., Kamiya, T., Hosono, H.

    Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics   88 ( 14 )   503   2013年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.88.140503

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  • Anomalous scaling behavior in a mixed-state Hall effect of a cobalt-doped BaFe2As2 epitaxial film with a high critical current density over 1 MA/cm(2) 査読

    Sato, Hikaru, Katase, Takayoshi, Kang, Won Nam, Hiramatsu, Hidenori, Kamiya, Toshio, Hosono, Hideo

    Physical Review B   87 ( 6 )   064504   2013年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.87.064504

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  • Magnetic scattering and electron pair breaking by rare-earth-ion substitution in BaFe2As2 epitaxial films 査読

    Katase, T., Hiramatsu, H., Kamiya, T., Hosono, H.

    New Journal of Physics   15   073019   2013年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1367-2630/15/7/073019

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  • Superconducting Properties and Phase Diagram of Indirectly Electron-Doped (Sr1-xLax)Fe2As2 Epitaxial Films Grown by Pulsed Laser Deposition 査読

    Hiramatsu, Hidenori, Katase, Takayoshi, Kamiya, Toshio, Hosono, Hideo

    Ieee Transactions on Applied Superconductivity   23 ( 3 )   7300405   2013年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/TASC.2012.2234935

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  • 3-D Stacked complementary TFT devices using n-Type a-IGZO and p-Type F8T2 TFTs comparison between stacked and sided configurations

    Takayuki Hasegawa, Masashi Inoue, Tokiyoshi Matsuda, Mutsumi Kimura, Kenji Nomura, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

    Proceedings of the International Display Workshops   1   331 - 332   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:International Display Workshops  

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  • Doping effects in amorphous oxides 査読

    Funabiki, Fuji, Kamiya, Toshio, Hosono, Hideo

    Journal of the Ceramic Society of Japan   120 ( 1407 )   447 - 457   2012年11月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.2109/jcersj2.120.447

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  • Band alignment of InGaZnO4/Si interface by hard x-ray photoelectron spectroscopy 査読

    Lee, Kyeongmi, Nomura, Kenji, Yanagi, Hiroshi, Kamiya, Toshio, Ikenaga, Eiji, Sugiyama, Takeharu, Kobayashi, Keisuke, Hosono, Hideo

    Journal of Applied Physics   112 ( 3 )   2012年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:American Institute of Physics  

    DOI: 10.1063/1.4744983

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  • Operation model with carrier-density dependent mobility for amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistors 査読

    Katsumi Abe, Kenji Takahashi, Ayumu Sato, Hideya Kumomi, Kenji Nomura, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

    THIN SOLID FILMS   520 ( 10 )   3791 - 3795   2012年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2011.10.060

    Web of Science

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  • Stability and high-frequency operation of amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistors with various passivation layers 査読

    Kenji Nomura, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

    THIN SOLID FILMS   520 ( 10 )   3778 - 3782   2012年3月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2011.10.068

    Web of Science

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  • Electron injection barriers between air-stable electride with low work function, C12A7:e−, and pentacene, C60 and copper phthalocyanine 招待 査読

    Hiroshi Yanagi, Toshifumi Kuroda, Ki-Beom Kim, Yoshitake Toda, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

    Journal of Materials Chemistry (Communication)   22 ( 10 )   4278 - 4281   2012年1月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Royal Society of Chemistry  

    DOI: 10.1039/c2jm14966d

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  • Thin film growth by pulsed laser deposition and properties of 122-type iron-based superconductor AE(Fe1-xCox)(2)As-2 (AE = alkaline earth) 査読

    Katase, Takayoshi, Hiramatsu, Hidenori, Kamiya, Toshio, Hosono, Hideo

    Superconductor Science & Technology   25 ( 8 )   084015   2012年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/0953-2048/25/8/084015

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  • Microstructure and transport properties of [0 0 1]-tilt bicrystal grain boundaries in iron pnictide superconductor, cobalt-doped BaFe 2As 2 査読

    Hiramatsu, H., Katase, T., Ishimaru, Y., Tsukamoto, A., Kamiya, T., Tanabe, K., Hosono, H.

    Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology   177 ( 7 )   515 - 519   2012年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.mseb.2011.12.009

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  • Identical effects of indirect and direct electron doping of superconducting BaFe2As2 thin films 査読

    Katase, Takayoshi, Iimura, Soshi, Hiramatsu, Hidenori, Kamiya, Toshio, Hosono, Hideo

    Physical Review B   85 ( 14 )   140516   2012年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.85.140516

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  • Light Irradiation History Sensor Using Amorphous In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistor Exposed to Ozone Annealing 査読

    Kimura, Mutsumi, Hasegawa, Takayuki, Ide, Keisuke, Nomura, Kenji, Kamiya, Toshio, Hosono, Hideo

    Ieee Electron Device Letters   33 ( 3 )   384 - 386   2012年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    March 2012

    DOI: 10.1109/LED.2011.2179111

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  • Maximum applied voltage detector using amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistor exposed to ozone annealing 査読

    Kimura, Mutsumi, Hasegawa, Takayuki, Ide, Keisuke, Nomura, Kenji, Kamiya, Toshio, Hosono, Hideo

    Solid-State Electronics   75   74 - 76   2012年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Sept. 2012

    DOI: 10.1016/j.sse.2012.04.037

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  • Photovoltaic properties of n-type amorphous In–Ga–Zn–O and p-type single crystal Si heterojunction solar cells: Effects of Ga content 査読

    Kyeongmi Lee, Kenji Nomura, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

    Thin Solid Films   520 ( 10 )   3808 - 3812   2012年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Elsevier  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2011.10.066

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  • Biaxially textured cobalt-doped BaFe2As2 films with high critical current density over 1 MA/cm(2) on MgO-buffered metal-tape flexible substrates 査読

    Katase, Takayoshi, Hiramatsu, Hidenori, Matias, Vladimir, Sheehan, Chris, Ishimaru, Yoshihiro, Kamiya, Toshio, Tanabe, Keiichi, Hosono, Hideo

    Applied Physics Letters   98 ( 24 )   242510   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.3599844

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  • Effects of excess oxygen on operation characteristics of amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistors 査読

    Ide, Keisuke, Kikuchi, Yutomo, Nomura, Kenji, Kimura, Mutsumi, Kamiya, Toshio, Hosono, Hideo

    Applied Physics Letters   99 ( 9 )   093507   2011年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Aug. 2011

    DOI: 10.1063/1.3633100

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  • Advantageous grain boundaries in iron pnictide superconductors 査読

    Katase, Takayoshi, Ishimaru, Yoshihiro, Tsukamoto, Akira, Hiramatsu, Hidenori, Kamiya, Toshio, Tanabe, Keiichi, Hosono, Hideo

    Nature Communications   2   409   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1038/ncomms1419

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  • Involvement of oxidative stress and mucosal addressin cell adhesion molecule-1 (MAdCAM-1) in inflammatory bowel disease

    Tanida, Satoshi, Mizoshita, Tsutomu, Mizushima, Takashi, Sasaki, Makoto, Shimura, Takaya, Kamiya, Takeshi, Kataoka, Hiromi, Joh, Takashi

    Journal of Clinical Biochemistry and Nutrition   48 ( 2 )   2011年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.3164/jcbn.10-41

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  • Electronic Structure and Photovoltaic Properties of n-Type Amorphous In-Ga-Zn-O and p-Type Single Crystal Si Heterojunctions 査読

    Kyeongmi Lee, Kenji Nomura, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

    ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS   14 ( 8 )   H346 - H349   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1149/1.3595741

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  • Origins of Hole Doping and Relevant Optoelectronic Properties of Wide Gap p-Type Semiconductor, LaCuOSe 査読

    Hiramatsu, Hidenori, Kamiya, Toshio, Tohei, Tetsuya, Ikenaga, Eiji, Mizoguchi, Teruyasu, Ikuhara, Yuichi, Kobayashi, Keisuke, Hosono, Hideo

    Journal of the American Chemical Society   132 ( 42 )   15060 - 15067   2010年10月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/ja107042r

    Web of Science

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  • Electrical and magnetic properties of quaternary compounds LnMnPO (Ln = Nd, Sm, Gd) with ZrCuSiAs-type structure 査読

    Yanagi, Hiroshi, Fukuma, Katsutoshi, Kamiya, Toshio, Hirano, Masahiro, Hosono, Hideo

    Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials   173 ( 1-3 )   47 - 50   2010年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Elsevier  

    DOI: 10.1016/j.mseb.2010.01.004

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  • Electronic structures of MnP-based crystals: LaMnOP, BaMn2P2, and KMnP 査読

    Kamiya, Toshio, Yanagi, Hiroshi and, Watanabe, Takumi, Hirano, Masahiro, Hosono, Hideo

    Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials   173 ( 1-3 )   239 - 243   2010年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Elsevier  

    DOI: 10.1016/j.mseb.2010.02.007

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  • Short-channel nanowire transistor using a nanoporous crystal semiconductor 12CaO·7Al2O3 査読

    Y. Nishio, K. Nomura, H. Yanagi, T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono

    Materials Science and Engineering B   173 ( 1-3 )   37 - 40   2010年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Elsevier  

    DOI: 10.1016/j.mseb.2009.12.018

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  • Nitric oxide mitigates apoptosis in human endothelial cells induced by 9,10-phenanthrenequinone: Role of proteasomal function

    Matsunaga, Toshiyuki, Arakaki, Marina, Kamiya, Tetsuro, Haga, Mariko, Endo, Satoshi, El-Kabbani, Ossama, Hara, Akira

    Toxicology   268 ( 3 )   2010年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tox.2009.12.015

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  • Three-dimensionally stacked flexible integrated circuit: Amorphous oxide/polymer hybrid complementary inverter using n-type a-In-Ga-Zn-O and p-type poly-(9,9-dioctylfluorene-co-bithiophene) thin-film transistors

    Nomura, Kenji, Aoki, Takashi, Nakamura, Kiyoshi, Kamiya, Toshio, Nakanishi, Takashi, Hasegawa, Takayuki, Kimura, Mutsumi, Kawase, Takeo, Hirano, Masahiro, Hosono, Hideo

    Applied Physics Letters   96 ( 26 )   263509   2010年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.3458799

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  • Impurities in FeAs-based superconductor, SrFe2As2, studied by first-principles calculations 査読

    Kamiya, Toshio, Hiramatsu, Hidenori, Katase, Takayoshi, Hirano, Masahiro, Hosono, Hideo

    Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials   173 ( 1-3 )   244 - 247   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.mseb.2010.01.051

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  • Intrinsic carrier mobility in amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistors determined by combined field-effect technique

    Kimura, Mutsumi, Kamiya, Toshio, Nakanishi, Takashi, Nomura, Kenji, Hosono, Hideo

    Applied Physics Letters   96 ( 26 )   262105   2010年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.3455072

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  • Fabrication of nanowires by varying energy microbeam lithography using heavy ions at the TIARA

    Kamiya, T., Takano, K., Ishii, Y., Satoh, T., Oikawa, M., Ohkubo, T., Haga, J., Nishikawa, H., Furuta, Y., Uchiya, N., Seki, S., Sugimoto, M.

    Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B-Beam Interactions With Materials and Atoms   267 ( 12-13 )   2009年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.nimb.2009.03.043

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  • Comparative study of transient current induced in SiC p(+)n and n(+)p diodes by heavy ion micro beams

    Ohshima, Takeshi, Iwamoto, Naoya, Onoda, Shinobu, Kamiya, Tomihiro, Kawano, Katsuyasu

    Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B-Beam Interactions With Materials and Atoms   267 ( 12-13 )   2009年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.nimb.2009.03.056

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  • Itinerant ferromagnetism in the layered crystals LaCoOX (X=P,As) 査読

    Yanagi, Hiroshi, Kawamura, Ryuto, Kamiya, Toshio, Kamihara, Yoichi, Hirano, Masahiro, Nakamura, Tetsuya, Osawa, Hitoshi, Hosono, Hideo

    Physical Review B   77 ( 22 )   2008年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:American Physical Society  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.77.224431

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  • Electromagnetic properties and electronic structure of the iron-based layered superconductor LaFePO 査読

    Kamihara, Yoichi, Hirano, Masahiro, Yanagi, Hiroshi, Kamiya, Toshio, Saitoh, Yuji, Ikenaga, Eiji, Kobayashi, Keisuke, Hosono, Hideo

    Physical Review B   77 ( 21 )   2008年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:American Physical Society  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.77.214515

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  • Apparent bipolarity and Seebeck sign inversion in a layered semiconductor: LaZnOP 査読

    Kayanuma, Kentaro, Hiramatsu, Hidenori, Hirano, Masahiro, Kawamura, Ryuto, Yanagi, Hiroshi, Kamiya, Toshio, Hosono, Hideo

    Physical Review B   76 ( 19 )   2007年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:American Physical Society  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.76.195325

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  • Anion Incorporation-Induced Cage Deformation in 12CaO・7Al2O3

    Takatoshi Nomura, Katsuro Hayashi, Yoshiki Kubota, Masaki Takata, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    Chem. Lett.   36 ( 7 )   902 - 903   2007年7月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1246/cl.2007.902

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  • Sn 0.9 In 0.1 P 2 O 7 -based organic/inorganic composite membranes

    Heo, P., Nagao, M., Kamiya, T., Sano, M., Tomita, A., Hibino, T.

    Journal of the Electrochemical Society   154 ( 1 )   2007年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1149/1.2388737

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  • Novel room temperature stable electride 12SrO · 7Al 2O3 thin films: Fabrication, optical and electron transport properties

    Miyakawa, M., Ueda, N., Kamiya, T., Hirano, M., Hosono, H.

    Nippon Seramikkusu Kyokai Gakujutsu Ronbunshi/Journal of the Ceramic Society of Japan   115 ( 1345 )   2007年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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  • Intermediate-temperature proton conduction in Al 3+ -doped Sn P 2O 7

    Tomita, A., Kajiyama, N., Kamiya, T., Nagao, M., Hibino, T.

    Journal of the Electrochemical Society   154 ( 12 )   2007年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1149/1.2789296

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  • Combinatorial study on In-Ga-Zn-O semiconductor films as active-channel layers for thin-film transistor

    T. Iwasaki, N. Itagaki, T. Den, H. Kumomi, K. Nomura, T. Kamiya, H. Hosono

    Materials Research Society Symposium Proceedings   928   80 - 85   2006年12月

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  • Opto-electronic properties and light-emitting device application of widegap layered oxychalcogenides: LaCuOCh (Ch = chalcogen) and La2CdO2Se2

    Hidenori Hiramatsu, Hayato Kamioka, Kazushige Ueda, Hiromichi Ohta, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   203 ( 11 )   2800 - 2811   2006年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssa.200669665

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  • Iron-based layered superconductor: LaOFeP 査読

    Kamihara, Yoichi, Hiramatsu, Hidenori, Hirano, Masahiro, Kawamura, Ryuto, Yanagi, Hiroshi, Kamiya, Toshio, Hosono, Hideo

    Journal of the American Chemical Society   128 ( 31 )   10012 - 10013   2006年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:American Chemical Society  

    DOI: 10.1021/ja063355c

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  • Synthesis, structure and physical properties of layered semiconductors MCuFCh (M = Sr, Eu, Ch = S, Se) 査読

    Motomitsu, E., Yanagi, H., Kamiya, T., Hirano, M., Hosono, H.

    Journal of Solid State Chemistry   179 ( 6 )   1668 - 1673   2006年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Elsevier  

    DOI: 10.1016/j.jssc.2006.02.031

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  • Proton conduction in In 3+-doped SnP 2O 7 at intermediate temperatures

    Nagao, M., Kamiya, T., Heo, P., Tomita, A., Hibino, T., Sano, M.

    Journal of the Electrochemical Society   153 ( 8 )   2006年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1149/1.2210669

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  • The role of high-injection effects on the transient ion beam induced current response of high-speed photodetectors

    Laird, JS, Hirao, T., Onoda, S., Kamiya, T.

    Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B-Beam Interactions With Materials and Atoms   219   2004年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.nimb.2004.01.206

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  • Photoemission spectroscopic studies on oxide/SiC interfaces formed by dry and pyrogenic oxidation

    Hijikata, Y., Yaguchi, H., Ishida, Y., Yoshikawa, M., Kamiya, T., Yoshida, S., Madar, R., Camassel, J.

    Silicon Carbide and Related Materials 2003, Prts 1 and 2   457-460   2004年

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  • N-channel MOSFETs fabricated on homoepitaxy-grown 3C-SiC films

    Lee, KK, Ishida, Y., Ohshima, T., Kojima, K., Tanaka, Y., Takahashi, T., Okumura, H., Arai, K., Kamiya, T.

    Ieee Electron Device Letters   24 ( 7 )   2003年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/LED.2003.815006

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  • The electrical characteristics of metal-oxide-semiconductor field effect transistors fabricated on cubic silicon carbide

    Ohshima, T., Lee, KK, Ishida, Y., Kojima, K., Tanaka, Y., Takahashi, T., Yoshikawa, M., Okumura, H., Arai, K., Kamiya, T.

    Japanese Journal of Applied Physics Part 2-Letters   42 ( 6B )   2003年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.42.L625

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  • Thin film fabrication of nano-porous 12CaO center dot 7Al(2)O(3) crystal and its conversion into transparent conductive films by light illumination

    Toda, Y., Miyakawa, M., Hayashi, K., Kamiya, T., Hirano, M., Hosono, H.

    Thin Solid Films   445 ( 2 )   2003年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/S0040-6090(03)01170-2

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  • Observation of single-ion induced charge collection in diode by a heavy ion microbeam system

    Kamiya, T., Oikawa, M., Ohshima, T., Hirao, T., Lee, KK, Onoda, S., Laird, JS

    Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B-Beam Interactions With Materials and Atoms   210   2003年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/S0168-583X(03)01071-1

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書籍等出版物

  • Transparent Conductive Oxide Thin Films 2007

    2008年 

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  • 薄膜トランジスタ

    コロナ社  2008年 

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  • Transparent Conductive Oxide Thin Films 2007

    2008年 

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  • 酸化物薄膜トランジスタ: 透明結晶TFTからフレキシブルアモルファスTFTまで

    シーエムシー出版  2007年 

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  • 透明導電膜の技術 改訂第2版 第4章 透明導電膜の新しい展開

    オーム社  2006年 

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  • 透明酸化物の電子構造概論

    シーエムシー出版  2006年 

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  • 透明金属が拓く驚異の世界 不可能に挑むナノテクノロジーの錬金術

    ソフトバンク クリエイティブ株式会社  2006年 

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  • p型アモルファス酸化物半導体と室温で形成したpn接合ダイオード 「透明酸化物機能材料とその応用」

    2006年 

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  • 自然超格子構造をもつ透明酸化物半導体の単結晶薄膜成長と透明トランジスタへの応用 「材料開発のための顕微鏡法と応用写真集」

    日本金属学会  2006年 

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  • 2.2 電子状態の理解はセラミックスの研究にどう役立つか ~酸化物半導体のバンドラインアップを例として~

    社団法人 日本セラミックス協会  2006年 

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  • Chap. 4 Ceramics, in Hartree-Fock-Slater Method for Materials Science -The DV-X Alpha Method for Design and Characterization of Materials- (Eds. Hirohiko Adachi, Takeshi Mukoyama, Jun Kawai)

    Springer  2005年 

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  • 単一電子デバイス 実験化学講座 第5版 28巻 ナノテクノロジーの化学

    日本化学会編、丸善株式会社  2005年 

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  • Chap. 4 Ceramics, in Hartree-Fock-Slater Method for Materials Science -The DV-X Alpha Method for Design and Characterization of Materials- (Eds. Hirohiko Adachi, Takeshi Mukoyama, Jun Kawai)

    Springer  2005年 

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  • 透明ナノポ-ラス結晶:12CaO・7Al_2_O_3_

    オプトロニクス 「機能性透明酸化物とオプトエレクトロニクス -ERATO細野透明電子活性プロジェクト成果」  2004年 

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  • 透明酸化物半導体: 材料設計からデバイス応用まで

    セラミックデータブック  2004年 

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  • ナノ構造を利用した透明酸化物の高機能化 -ユビキタス元素を使って新機能に迫る-

    セラミックスと建築材料 (応用セラミックス研究所 創立70周年記  2004年 

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  • 透明酸化物半導体とデバイスへの展開

    オプトロニクス「機能性透明酸化物とオプトエレクトロニクス -ERATO細野透明電子活性プロジェクト成果」  2004年 

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  • 透明酸化物のナノ構造を活用した機能開拓

    化学工業  2004年 

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  • 電子状態の理解はセラミックスの研究にどう役立つか ~酸化物半導体のバンドラインナップを例として~

    セラミックス  2003年 

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  • 台湾工業技術研究院に招かれて

    東工大クロニクル  2003年 

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  • Control of bandgap and network structure in hydrogenated amorphous silicon

    Recent Developments in Non-Crystalline Solids (Transworld Research Network, Kerala, India)  2002年 

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  • Control of bandgap and network structure in hydrogenated amorphous silicon

    Recent Developments in Non-Crystalline Solids (Transworld Research Network, Kerala, India)  2002年 

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  • Carrier transport across a few grain boudnaries in polycrystallien silicon

    FEMD News Letter  2001年 

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  • Room temperature single-electron effects in nanostructured silicon

    FEMD News Letter  2001年 

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  • Room temperature single-electron effects in nanostructured silicon

    FEMD News Letter  2001年 

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  • Carrier transport across a few grain boudnaries in polycrystallien silicon

    FEMD News Letter  2001年 

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  • 分光エリプソメトリによる多(微)結晶Si成長のその場観察

    学術振興会薄膜第131委員会第189回研究会資料  1997年 

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  • 強誘電性ペロブスカイト酸化物の材料設計と計算機シミュレーション

    セラミックスデータブック1993  1993年 

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  • ペロブスカイト強誘電体物性のシミュレーション

    セラミックス  1992年 

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MISC

  • プラズマ支援反応性スパッタリングによるアモルファス酸化ガリウム薄膜形成

    竹中弘祐, 小松響, 藤村知輝, 都甲将, 井手啓介, 江部明憲, 神谷利夫, 節原裕一

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   70th   2023年

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  • 硬X線光電子分光を用いたLaNiO3薄膜の電子構造の基板応力依存性

    山神光平, 池田啓祐, ZHANG Yujun, ZHANG Yujun, 保井晃, 高木康多, 片瀬貴義, 神谷利夫, 和達大樹, 和達大樹

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   67th   2020年

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  • Josephson junction in cobalt-doped BaFe2As2 epitaxial thin films on (La,Sr)(Al,Ta)O-3 bicrystal substrates

    Takayoshi Katase, Yoshihiro Ishimaru, Akira Tsukamoto, Hidenori Hiramatsu, Toshio Kamiya, Keiichi Tanabe, Hideo Hosono

    APPLIED PHYSICS LETTERS   96 ( 14 )   142507   2010年4月

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  • Steady-state photoconductivity of amorphous In-Ga-Zn-O

    Dong Hee Lee, Ken-ichi Kawamura, Kenji Nomura, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    THIN SOLID FILMS   518 ( 11 )   3000 - 3003   2010年3月

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  • Steady-state photoconductivity of amorphous In窶敵a窶纏n窶徹

    Dong Hee Lee, Ken-ichi Kawamura, Kenji Nomura, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    Thin Solid Films   518 ( 11 )   3000 - 3003   2010年3月

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  • Fabrication of GaN epitaxial thin film on InGaZnO4 single-crystalline buffer layer

    Tomomasa Shinozaki, Kenji Nomura, Takayoshi Katase, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    THIN SOLID FILMS   518 ( 11 )   2996 - 2999   2010年3月

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  • Device characteristics improvement of a-In窶敵a窶纏n窶徹 TFTs by low-temperature annealing

    Yutomo Kikuchi, Kenji Nomura, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    Thin Solid Films   518 ( 11 )   3017 - 3021   2010年3月

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  • Comprehensive studies on the stabilities of a-In-Ga-Zn-O based thin film transistor by constant current stress

    Kenji Nomura, Toshio Kamiya, Yutomo Kikuchi, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    THIN SOLID FILMS   518 ( 11 )   3012 - 3016   2010年3月

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  • Fabrication of Atomically Flat ScAlMgO4 Epitaxial Buffer Layer and Low-Temperature Growth of High-Mobility ZnO Films

    Takayoshi Katase, Kenji Nomura, Hiromichi Ohta, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    CRYSTAL GROWTH & DESIGN   10 ( 3 )   1084 - 1089   2010年3月

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  • Origin of definite Hall voltage and positive slope in mobility-donor density relation in disordered oxide semiconductors

    Toshio Kamiya, Kenji Nomura, Hideo Hosono

    APPLIED PHYSICS LETTERS   96 ( 12 )   122103   2010年3月

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  • Device characteristics improvement of a-In-Ga-Zn-O TFTs by low-temperature annealing

    Yutomo Kikuchi, Kenji Nomura, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    THIN SOLID FILMS   518 ( 11 )   3017 - 3021   2010年3月

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  • Fabrication and electron transport properties of epitaxial lms of electron-doped 12CaO窶「7Al2O3 and 12SrO窶「7Al2O3

    Masashi Miyakawa, Hidenori Hiramatsu, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    Journal of Solid State Chemistry   183 ( 2 )   385 - 391   2010年2月

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  • Fabrication and electron transport properties of epitaxial films of electron-doped 12CaO center dot 7Al(2)O(3) and 12SrO center dot 7Al(2)O

    Masashi Miyakawa, Hidenori Hiramatsu, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    JOURNAL OF SOLID STATE CHEMISTRY   183 ( 2 )   385 - 391   2010年2月

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  • Material characteristics and applications of transparent amorphous oxide semiconductors

    Toshio Kamiya, Hideo Hosono

    NPG Asia Mater.   2   1522   2010年

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  • High Critical Current Density 4 MA/cm(2) in Co-Doped BaFe2As2 Epitaxial Films Grown on (La, Sr)(Al, Ta)O-3 Substrates without Buffer Layers

    Takayoshi Katase, Hidenori Hiramatsu, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   3 ( 6 )   063101   2010年

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  • 酸化物半導体新材料の設計とアモルファス酸化物TFT開発の現状

    神谷利夫, 細野秀雄

    鉱山   63 ( 3 )   20 - 30   2010年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:金属鉱山会  

    CiNii Books

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  • Origin of denite Hall voltage and positive slope in mobility-donor density relation in disordered oxide semiconductors

    Toshio Kamiya, Kenji Nomura, Hideo Hosono

    Appl. Phys. Lett.   96 ( 12 )   122103   2010年

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  • Material characteristics and applications of transparent amorphous oxide semiconductors

    Kamiya, Toshio, Hosono, Hideo

    Npg Asia Materials   2 ( 1 )   1522   2010年

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  • Atomically-flat, chemically-stable, superconducting epitaxial thin film of iron-based superconductor, cobalt-doped BaFe2As2

    Takayoshi Katase, Hidenori Hiramatsu, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    SOLID STATE COMMUNICATIONS   149 ( 47-48 )   2121 - 2124   2009年12月

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  • Electronic structures above mobility edges in crystalline and amorphous In-Ga-Zn-O: Percolation conduction examined by analytical model

    Toshio Kamiya, Kenji Nomura, Hideo Hosono

    IEEE/OSA Journal of Display Technology   5 ( 12 )   462 - 467   2009年12月

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  • Electronic Structures Above Mobility Edges in Crystalline and Amorphous In-Ga-Zn-O: Percolation Conduction Examined by Analytical Model

    Toshio Kamiya, Kenji Nomura, Hideo Hosono

    JOURNAL OF DISPLAY TECHNOLOGY   5 ( 12 )   462 - 467   2009年12月

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  • Amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistor with coplanar homojunction structure

    Ayumu Sato, Mikio Shimada, Katsumi Abe, Ryo Hayashi, Hideya Kumomi, Kenji Nomura, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    THIN SOLID FILMS   518 ( 4 )   1309 - 1313   2009年12月

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  • Tin monoxide as an s-orbital-based p-type oxide semiconductor: Electronic structures and TFT application

    Yoichi Ogo, Hidenori Hiramatsu, Kenji Nomura, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, Mutsumi Kimura, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science   206 ( 9 )   2187 - 2191   2009年9月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1002/pssa.200881792

    Scopus

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  • Effects of post-annealing on (110) Cu(2)O epitaxial films and origin of low mobility in Cu(2)O thin-film transistor

    Kosuke Matsuzaki, Kenji Nomura, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   206 ( 9 )   2192 - 2197   2009年9月

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  • Tin monoxide as an s-orbital-based p-type oxide semiconductor: Electronic structures and TFT application

    Yoichi Ogo, Hidenori Hiramatsu, Kenji Nomura, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, Mutsumi Kimura, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   206 ( 9 )   2187 - 2191   2009年9月

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  • Water-induced superconductivity in SrFe2As2

    Hidenori Hiramatsu, Takayoshi Katase, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    PHYSICAL REVIEW B   80 ( 5 )   052501   2009年8月

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  • Origins of threshold voltage shifts in room-temperature deposited and annealed a-In-Ga-Zn-O thin-film transistors

    Kenji Nomura, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    APPLIED PHYSICS LETTERS   95 ( 1 )   013502   2009年7月

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  • Origins of threshold voltage shifts in room-temperature deposited and annealed a-In窶敵a窶纏n窶徹 thin-film transistors

    Kenji Nomura, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    Appl. Phys. Lett.   95 ( 1 )   013502   2009年7月

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  • Electronic structure of the amorphous oxide semiconductor a-InGaZnO4窶度: Tauc窶鏑orentz optical model and origins of subgap states

    Toshio Kamiya, Kenji Nomura, Hideo Hosono

    Phys. Status Solidi A   206 ( 5 )   860 - 867   2009年5月

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  • Electronic structure of the amorphous oxide semiconductor a-lnGaZnO 4-x: Tauc-Lorentz optical model and origins of subgap states

    Toshio Kamiya, Kenji Nomura, Hideo Hosono

    Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science   206 ( 5 )   860 - 867   2009年5月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1002/pssa.200881303

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  • First-principles study of native point defects in crystalline indium gallium zinc oxide

    Hideyuki Omura, Hideya Kumomi, Kenji Nomura, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   105 ( 9 )   093712   2009年5月

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  • Antiferromagnetic bipolar semiconductor LaMnPO with ZrCuSiAs-type structure

    Hiroshi Yanagi, Takumi Watanabe, Katsuaki Kodama, Satoshi Iikubo, Shin-ichi Shamoto, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   105 ( 9 )   093916   2009年5月

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  • Heteroepitaxial film growth of layered compounds with the ZrCuSiAs-type and ThCr2Si2-type structures: From Cu-based semiconductors to Fe-based superconductors

    Hidenori Hiramatsu, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    PHYSICA C-SUPERCONDUCTIVITY AND ITS APPLICATIONS   469 ( 9-12 )   657 - 666   2009年5月

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  • Bistable resistance switching in surface 窶登xidized C12A7:e-single-crystal

    Y.Adachi, S-W.Kim, T.Kamiya, H.Hosono

    Mater.Sci. & Eng.B   161 ( 1-3 )   76 - 79   2009年4月

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  • Epitaxial film growth and optoelectrical properties of layered semiconductors, LaMnXO (X=P, As, and Sb)

    Kentaro Kayanuma, Hidenori Hiramatsu, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   105 ( 7 )   073903   2009年4月

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  • Bistable resistance switching in surface-oxidized C12A7:e(-) single-crystal

    Yutaka Adachi, Sung-Wng Kim, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS   161 ( 1-3 )   76 - 79   2009年4月

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  • Large domain growth of GaN epitaxial films on lattice-matched buffer layer ScAlMgO4

    Takayoshi Katase, Kenji Nomura, Hiromichi Ohta, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS   161 ( 1-3 )   66 - 70   2009年4月

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  • Amorphous In-Ga-Zn-O coplanar homojunction thin-film transistor

    Ayumu Sato, Katsumi Abe, Ryo Hayashi, Hideya Kumomi, Kenji Nomura, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    APPLIED PHYSICS LETTERS   94 ( 13 )   133502   2009年3月

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  • Amorphous In窶敵a窶纏n窶徹 coplanar homojunction thin-film transistor

    Ayumu Sato, Katsumi Abe, Ryo Hayashi, Hideya Kumomi, Kenji Nomura, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    Appl. Phys. Lett.   94 ( 13 )   133502   2009年3月

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  • Layered mixed-anion compounds: Epitaxial growth, active function exploration, and device application

    Hidenori Hiramatsu, Yoichi Kamihara, Hiroshi Yanagi, Kazushige Ueda, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    JOURNAL OF THE EUROPEAN CERAMIC SOCIETY   29 ( 2 )   245 - 253   2009年1月

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  • Layered mixed-anion compounds: Epitaxial growth, active function exploration, and device application

    Hidenori Hiramatsu, Yoichi Kamihara, Hiroshi Yanagi, Kazushige Ueda, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    Journal of the European Ceramic Society   29 ( 2 )   245 - 253   2009年1月

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  • Pressure effects on T-c of Iron-based Layered Superconductor LaTMPO (TM = Fe, Ni)

    K. Igawa, K. Arii, Y. Takahashi, H. Okada, H. Takahashi, Y. Kamihara, M. Hirano, H. Hiramatsu, T. Watanabe, H. Yanagi, T. Kamiya, H. Hosono, K. Matsubayashi, Y. Uwatoko

    25TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON LOW TEMPERATURE PHYSICS (LT25), PART 5   150   052075-052078   2009年

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  • Electromagnetic properties of undoped LaFePnO (Pn = P, As)

    Y. Kamihara, T. Watanabe, T. Nomura, S. W. Kim, T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono

    25TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON LOW TEMPERATURE PHYSICS (LT25), PART 5   150   052090   2009年

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  • アモルファス酸化物半導体の物性とデバイス開発の現状

    神谷利夫, 野村研二, 細野秀雄

    固体物理   44 ( 9 )   621 - 633   2009年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:アグネ技術センタ-  

    CiNii Books

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  • Low Threshold Voltage and Carrier Injection Properties of Inverted Organic Light-Emitting Diodes with [Ca24Al28O64]4+(4e-)Cathode and Cu2-xSe Anode

    Hiroshi Yanagi, Ki-Beom Kim, Ikue Koizumi, Maiko Kikuchi, Hidenori Hiramatsu, Masashi Miyakawa, Toshi Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    J.Phys.Chem.C,   113 ( 42 )   18379 - 18384   2009年

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  • Humidity-Sensitive Electrical Conductivity in Ca12Al14-xSixO32Cl2+x (0 &lt;= x &lt;= 3.4) Ceramics

    Katsuro Hayashi, Hiroki Muramatsu, Satoru Matsuishi, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

    ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS   12 ( 2 )   J11 - J13   2009年

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  • Tin monoxide as an s-orbital-based p-type semiconductor:Electronic structures and TFT application

    Yoichi Ogo, Hidenori Hiramatsu, Kenji Nomura, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, Mutsumi Kimura, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    Physics Status Solidi A   1 - 5   2009年

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  • Origins of High Mobility and Low Operation Voltage of Amorphous Oxide TFTs: Electronic Structure, Electron Transport, Defects and Doping

    Toshio Kamiya, Kenji Nomura, Hideo Hosono

    J. Displ. Technol.   5   273   2009年

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  • Layered mixed-anion compounds: Epitaxial growth, active function exploration, and device application

    Hidenori Hiramatsu, Yoichi Kamihara, Hiroshi Yanagi, Kazushige Ueda, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    J. Euro. Ceram. Soc.   29 ( 2 )   245 - 253   2009年

  • Low Threshold Voltage and Carrier Injection Properties of Inverted Organic Light-Emitting Diodes with [Ca24Al28O64]4+(4e-)Cathode and Cu2-xSe Anode

    Hiroshi Yanagi, Ki-Beom Kim, Ikue Koizumi, Maiko Kikuchi, Hidenori Hiramatsu, Masashi Miyakawa, Toshi Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    J.Phys.Chem.C,   113 ( 42 )   18379 - 18384   2009年

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  • Two-Dimensional Spin Dynamics in the Itinerant Ferromagnet LaCoPO Revealed by Magnetization and 31P-NMR Measurements

    Hitoshi Sugawara, Kenji Ishida, Yusuke Nakai, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, Yoichi Kamihara, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    Journal of the Physical Society of Japan   78   113705 - 113708   2009年

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  • Tin monoxide as an s-orbital-based p-type semiconductor:Electronic structures and TFT application

    Yoichi Ogo, Hidenori Hiramatsu, Kenji Nomura, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, Mutsumi Kimura, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    Physics Status Solidi A   1 - 5   2009年

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  • Humidity-sensitive electrical conductivity in Ca12 Al14-x Six O32 Cl2+x (0≤x≤3.4) ceramics

    Katsuro Hayashi, Hiroki Muramatsu, Satoru Matsuishi, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

    Electrochemical and Solid-State Letters   12 ( 2 )   J11 - J13   2009年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1149/1.3032908

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  • Origins of High Mobility and Low Operation Voltage of Amorphous Oxide TFTs: Electronic Structure, Electron Transport, Defects and Doping

    Toshio Kamiya, Kenji Nomura, Hideo Hosono

    J. Displ. Technol.   5   273   2009年

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  • Two-Dimensional Spin Dynamics in the Itinerant Ferromagnet LaCoPO Revealed by Magnetization and 31P-NMR Measurements

    Hitoshi Sugawara, Kenji Ishida, Yusuke Nakai, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, Yoichi Kamihara, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    Journal of the Physical Society of Japan   78   113705 - 113708   2009年

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  • Antiferromagnetic bipolar semiconductor LaMnPO with ZrCuSiAs-type structure

    Hiroshi Yanagi, Takumi Watanabe, Katsuaki Kodama, Satoshi Iikubo, Shin-ichi Shamoto, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    J. Appl. Phys   105 ( 9 )   093916   2009年

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  • Large domain growth of GaN epitaxial films on lattice-matched buffer layer ScAlMgO4

    Takayoshi Katase, Kenji Nomura, Hiromichi Ohta, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    Mater. Sci. & Eng. B   161   66 - 70   2009年

  • Characterization of copper selenide thin film hole-injection layers deposited at room temperature for use with p-type organic semiconductors

    Hidenori Hiramatsu, Ikue Koizumi, Ki-Beom Kim, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Noriaki Matsunami, Hideo Hosono

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   104 ( 11 )   113723   2008年12月

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  • Defect passivation and homogenization of amorphous oxide thin-film transistor by wet O(2) annealing

    Kenji Nomura, Toshio Kamiya, Hiromichi Ohta, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    APPLIED PHYSICS LETTERS   93 ( 19 )   192107   2008年11月

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  • Epitaxial growth of high mobility Cu(2)O thin films and application to p-channel thin film transistor

    Kosuke Matsuzaki, Kenji Nomura, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    APPLIED PHYSICS LETTERS   93 ( 20 )   202107   2008年11月

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  • ZnO-Based Semiconductors as Building Blocks for Active Devices

    Toshio Kamiya, Masashi Kawasaki

    MRS BULLETIN   33 ( 11 )   1061 - 1066   2008年11月

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    記述言語:英語  

    Web of Science

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  • Electronic and magnetic properties of layered LnFePO (Ln = La and Ce)

    Yoichi Kamihara, Hidenori Hiramatsu, Masahiro Hirano, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

    JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS   69 ( 11 )   2916 - 2918   2008年11月

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  • Solid State Syntheses of 12SrO center dot 7Al(2)O(3) and Formation of High Density Oxygen Radical Anions, O- and O-2(-)

    Katsuro Hayashi, Naoto Ueda, Satoru Matsuishi, Masahiro Hirano, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

    CHEMISTRY OF MATERIALS   20 ( 19 )   5987 - 5996   2008年10月

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  • Superconductivity in Epitaxial Thin Films of Co-Doped SrFe2As2 with Bilayered FeAs Structures and their Magnetic Anisotropy

    Hidenori Hiramatsu, Takayoshi Katase, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   1 ( 10 )   101702   2008年10月

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  • Low and small resistance hole-injection barrier for NPB realized by wide-gap p-type degenerate semiconductor, LaCuOSe : Mg

    Hiroshi Yanagi, Maiko Kikuchi, Ki-Beom Kim, Hidenori Hiramatsu, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    ORGANIC ELECTRONICS   9 ( 5 )   890 - 894   2008年10月

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  • Heteroepitaxial growth and optoelectronic properties of layered iron oxyarsenide, LaFeAsO

    Hidenori Hiramatsu, Takayoshi Katase, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    APPLIED PHYSICS LETTERS   93 ( 16 )   162504   2008年10月

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  • Solid State Syntheses of 12SrO・7Al2O3 and Formation of High Density Oxygen Radical Anions, O-and O2-

    Katsuro Hayashi, Naoto Ueda, Satoru Matsuishi, Masahiro Hirano, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

    Chemstry of Materials,   20 ( 19 )   5987 - 5996   2008年10月

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  • Fabrication and Transport Properties of 12CaO窶「7Al2O3 (C12A7) Electride Nanowire

    Yoshimasa Nishio, Kenji Nomura, Masashi Miyakawa, Katsuro Hayashi, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    phys. stat. solidi (a)   205 ( 8 )   2047 - 2051   2008年8月

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  • Nickel-based layered superconductor, LaNiOAs

    Takumi Watanabe, Hiroshi Yanagi, Yoichi Kamihara, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    JOURNAL OF SOLID STATE CHEMISTRY   181 ( 8 )   2117 - 2120   2008年8月

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  • Amorphous Sn-Ga-Zn-O channel thin-film transistors

    Youichi Ogo, Kenji Nomura, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   205 ( 8 )   1920 - 1924   2008年8月

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  • Electrical and optical properties of copper-based chalcogenide thin films deposited by pulsed laser deposition at room temperature: Toward p-channel thin film transistor fabricable at room temperature

    Hidenori Hiramatsu, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Noriaki Matsunami, Ken-ichi Shimizu, Hideo Hosono

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   205 ( 8 )   2007 - 2012   2008年8月

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  • Fabrication and transport properties of 12CaO center dot 7Al(2)O(3) (C12A7) electride nanowire

    Y. Nishio, K. Nomura, M. Miyakawa, K. Hayashi, H. Yanagi, T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   205 ( 8 )   2047 - 2051   2008年8月

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  • Zn-ln-O based thin-film transistors: Compositional dependence

    N. Itagaki, T. Iwasaki, H. Kumomi, T. Den, K. Nomura, T. Kamiya, H. Hosono

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   205 ( 8 )   1915 - 1919   2008年8月

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  • Interface electronic structures of zinc oxide and metals: First-principle study

    T. Kamiya, K. Tajima, K. Nomura, Hiroshi Yanagi, H. Hosono

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   205 ( 8 )   1929 - 1933   2008年8月

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  • Relationship between non-localized tail states and carrier transport in amorphous oxide semiconductor, In-Ga-Zn-O

    K. Nomura, T. Kamiya, H. Ohta, K. Shimizu, M. Hirano, H. Hosono

    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   205 ( 8 )   1910 - 1914   2008年8月

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  • Heteroepitaxial growth of layered semiconductors, LaZnOPn (Pn = P and As)

    Kentaro Kayanuma, Ryuto Kawamura, Hidenori Hiramatsu, Hiroshi Yanagi, Masahiro Hirano, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

    THIN SOLID FILMS   516 ( 17 )   5800 - 5804   2008年7月

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  • p-channel thin-film transistor using p-type oxide semiconductor, SnO

    Yoichi Ogo, Hidenori Hiramatsu, Kenji Nomura, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    APPLIED PHYSICS LETTERS   93 ( 3 )   032113   2008年7月

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  • Nickel-based phosphide superconductor with infinite-layer structure, BaNi2P2

    Takashi Mine, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, Yoichi Karnihara, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    SOLID STATE COMMUNICATIONS   147 ( 3-4 )   111 - 113   2008年7月

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  • Fabrication of ScAlMgO4 epitaxial thin films using ScGaO3(ZnO)(m) buffer layers and its application to lattice-matched buffer layer for ZnO epitaxial growth

    Takayoshi Katase, Kenji Noinura, Hirornichi Ohta, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    THIN SOLID FILMS   516 ( 17 )   5842 - 5846   2008年7月

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  • Control of carrier concentration and surface flattening of CuGaO2 epitaxial films for a p-channel transparent transistor

    Takashi Mine, Hiroshi Yanagi, Kenji Nomura, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    THIN SOLID FILMS   516 ( 17 )   5790 - 5794   2008年7月

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  • Specific contact resistances between amorphous oxide semiconductor In窶敵a窶纏n窶徹 and metallic electrodes

    Yasuhiro Shimura, Kenji Nomura, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    Thin Solid Films   516 ( 17 )   5899 - 5902   2008年7月

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  • Specific contact resistances between amorphous oxide semiconductor In-Ga-Zn-O and metallic electrodes

    Yasuhiro Shimura, Kenji Nomura, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    THIN SOLID FILMS   516 ( 17 )   5899 - 5902   2008年7月

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  • Itinerant ferromagnetism in the layered crystals LaCoOX (X=P,As)

    Hiroshi Yanagi, Ryuto Kawamura, Toshio Kamiya, Yoichi Kamihara, Masahiro Hirano, Tetsuya Nakamura, Hitoshi Osawa, Hideo Hosono

    PHYSICAL REVIEW B   77 ( 22 )   224431   2008年6月

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  • Electromagnetic properties and electronic structure of the iron-based layered superconductor LaFePO

    Yoichi Kamihara, Masahiro Hirano, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, Yuji Saitoh, Eiji Ikenaga, Keisuke Kobayashi, Hideo Hosono

    PHYSICAL REVIEW B   77 ( 21 )   214515   2008年6月

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  • Subgap states in transparent amorphous oxide semiconductor, In窶敵a窶纏n窶徹, observed by bulk sensitive x-ray photoelectron spectroscopy

    Kenji Nomura, Toshio Kamiya, Hiroshi Yanagi, Eiji Ikenaga, Ke Yang, Keisuke Kobayashi, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    Appl. Phys. Lett.   92 ( 20 )   202117   2008年5月

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  • Subgap states in transparent amorphous oxide semiconductor, In-Ga-Zn-O, observed by bulk sensitive x-ray photoelectron spectroscopy

    Kenji Nomura, Toshio Kamiya, Hiroshi Yanagi, Eiji Ikenaga, Ke Yang, Keisuke Kobayashi, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    APPLIED PHYSICS LETTERS   92 ( 20 )   202117   2008年5月

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  • Modeling of amorphous InGaZnO(4) thin film transistors and their subgap density of states

    Hsing-Hung Hsieh, Toshio Kamiya, Kenji Nomura, Hideo Hosono, Chung-Chih Wu

    APPLIED PHYSICS LETTERS   92 ( 13 )   133503   2008年3月

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  • Optical and electrical properties of amorphous zinc tin oxide thin films examined for thin film transistor application

    Madambi K. Jayaraj, Kachirayil J. Saji, Kenji Nomura, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B   26 ( 2 )   495 - 501   2008年3月

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  • Localized and delocalized electrons in room-temperature stable electride [Ca24Al28O64](4+)(O2-)(2-x)(e(-))(2x): Analysis of optical reflectance spectra

    Satoru Matsuishi, Sung Wng Kim, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C   112 ( 12 )   4753 - 4760   2008年3月

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  • Trap densities in amorphous-InGaZnO(4) thin-film transistors

    Mutsumi Kimura, Takashi Nakanishi, Kenji Nomura, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

    APPLIED PHYSICS LETTERS   92 ( 13 )   133512   2008年3月

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  • Amorphous oxide channel TFTs

    Hideya Kumomi, Kenji Nomura, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

    THIN SOLID FILMS   516 ( 7 )   1516 - 1522   2008年2月

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  • Crystal structures, optoelectronic properties, and electronic structures of layered oxychalcogenides MCuOCh (M = Bi, La; Ch = S, Se, Te): Effects of electronic configurations of M3+ ions

    Hidenori Hiramatsu, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, Kazushige Ueda, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    CHEMISTRY OF MATERIALS   20 ( 1 )   326 - 334   2008年1月

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  • Factors controlling electron transport properties in transparent amorphous oxide semiconductors

    Hosono, Hideo, Nomura, Kenji, Ogo, Youichi, Uruga, Tomoya, Kamiya, Toshio

    Journal of Non-Crystalline Solids   354 ( 19-25 )   2796 - 2800   2008年

  • ZnO-Based Semiconductors as Building Blocks for Active Devices

    Kamiya, Toshio, Kawasaki, Masashi

    Mrs Bulletin   33 ( 11 )   1061 - 1066   2008年

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  • Electronic structure of oxygen deficient amorphous oxide semiconductor a-InGaZnO4-x: Optical analyses and first-principle calculations

    Toshio Kamiya, Kenji Nomura, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics   5 ( 9 )   3098 - 3100   2008年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1002/pssc.200779300

    Scopus

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  • Localized and Delocalized Electrons in Room-Temperature Stable Electride [Ca24Al28O64]4+(O2-)2-x(e-)2x: Analysis of Optical Reflectance Spectra

    Satoru Matsuishi, Sung Wng Kim, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    Journal of Physical Chemistry C   112 ( 12 )   4753 - 4760   2008年

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  • Thin film and bulk fabrication of room-temperature-stable electride C12A7 : e(-) utilizing reduced amorphous 12CaO center dot 7Al(2)O(3)(C12A7)

    Hosono, Hideo, Kim, Sung Wang, Miyakawa, Masashi, Matsuishi, Satoru, Kamiya, Toshio

    Journal of Non-Crystalline Solids   354 ( 19-25 )   2772 - 2776   2008年

  • Defect passivation and homogenization of amorphous oxide thin-film transistor by wet O2 annealing

    Kenji Nomura, Toshio Kamiya, Hiromichi Ohta, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    Appl. Phys. Lett.   93 ( 19 )   192107   2008年

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  • Pressure effects on superconducting and structural properties for nickel-based superconductors LaNiXO (X = P and As)

    Hironari OKADA, Yuki TAKAHASHI, Kazumi IGAWA, Kazunobu ARII, Hiroki TAKAHASHI, Takumi WATANABE, Hiroshi YANAGI, Yoichi KAMIHARA, Toshio KAMIYA, Masahiro HIRANO, Hideo HOSONO, Satoshi NAKANO, Takumi KIKEGAWA

    J. Phys. Soc. Jpn. Suppl. C   77   119 - 120   2008年

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  • Electromagnetic properties and electronic structure of the iron-based layered superconductor LaFePO

    Yoichi Kamihara, Masahiro Hirano, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, Yuji Saitoh, Eiji Ikenaga, Keisuke Kobayashi, Hideo Hosono

    Phys. Rev. B   77 ( 21 )   214515   2008年

  • Itinerant ferromagnetism in the layered crystals LaCoOX (X = P,As)

    Hiroshi Yanagi, Ryuto Kawamura, Toshio Kamiya, Yoichi Kamihara, Masahiro Hirano, Tetsuya Nakamura, Hitoshi Osawa, Hideo Hosono

    Physical Review B   77 ( 22 )   224431   2008年

  • Optical and Carrier Transport Properties of Cosputtered Zn窶的n窶鉄n窶徹 Films and Their Applications to TFTs

    Kachirayil J. Saji, Madambi K. Jayaraj, Kenji Nomura, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

    J. Electrochem. Soc.   155 ( 6 )   H390 - H395   2008年

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  • ワイドギャップp型半導体LaCuOSeの高濃度正孔ドーピングと発光デバイス応用

    平松秀典, 神谷利夫, 平野正浩, 細野秀雄

    機能材料   28 ( 3月号 )   34 - 41   2008年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:シーエムシー出版  

    CiNii Books

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  • 酸化物が電気を流す!

    神谷利夫

    化学と教育   56 ( 12 )   598 - 601   2008年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本化学会  

    私たちの周りには,窓ガラス,コンクリート,茶碗など,酸化物があふれている。多くの人がこれらから受ける酸化物の印象は,「透明(白い)」「硬い」「電気を流さない」ではないだろうか。酸化物はコンピュータなどの電子機器にも使われているが,特に最後の「電気的に面白い特性をもたない」という性質のため,機器の構造を支えたり電気的な絶縁をしたりするための脇役でしかなかった。酸化物に電気を流せないのは,それらがイオン性物質であるからでも透明であるからでもなく,電子を余計に加えたり,抜いたりすることがうまくいかなかったからなのである。材料の構成元素をうまく選び,作り方や微量不純物の加え方を工夫することで,酸化物でも高い電気伝導性を得ることができる。このような材料は「透明導電性酸化物」と呼ばれ,平面テレビや太陽電池に不可欠な材料であるだけでなく,次世代有機ELテレビの電子素子としても開発が進められている。

    DOI: 10.20665/kakyoshi.56.12_598

    CiNii Books

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  • Interface electronic structures of zin oxide and metals: First-principle study

    T. Kamiya, K. Tajima, K. Nomura, Hiroshi Yanagi, H. Hosono

    phys. stat. solidi (a)   205   1929   2008年

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  • バンド構造を用いた材料開発(実践編)

    神谷利夫

    第14回結晶工学スクールテキスト   2008年

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  • Thin film and bulk fabrication of room-tenperature-stable electride C12A7:e- utilizing reduced amorphous 12CaO・7Al2O3(C12A7)

    Hideo Hosono, SungWng Kim, Masashi Miyakawa, Satoru Matsuishi, Toshio Kamiya

    J. Non-Cryst. Sol.   354 ( 19-25 )   2772 - 2776   2008年

  • Electronic structure of oxygen deficient amorphous oxide semiconductor a-InGaZnO4-x: Optical analyses and first-principle calculations

    Toshio Kamiya, Kenji Nomura, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 5, NO 9   5 ( 9 )   3098 - +   2008年

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  • 酸化物半導体の薄膜トランジスタへの応用

    野村研二, 神谷利夫, 太田裕道, 平野正浩, 細野秀雄

    機能材料   28 ( 3月号 )   42 - 53   2008年

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  • Pressure effects on superconducting and structural properties for nickel-based superconductors LaNiXO (X = P and As)

    Hironari OKADA, Yuki TAKAHASHI, Kazumi IGAWA, Kazunobu ARII, Hiroki TAKAHASHI, Takumi WATANABE, Hiroshi YANAGI, Yoichi KAMIHARA, Toshio KAMIYA, Masahiro HIRANO, Hideo HOSONO, Satoshi NAKANO, Takumi KIKEGAWA

    J. Phys. Soc. Jpn. Suppl. C   77   119 - 120   2008年

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  • ナノ構造を利用したセメント鉱物C12A7の金属化: 高透光性導電体薄膜の作製と停止後と関数を利用した電子注入電極への応用

    宮川仁, 金起範, 神谷利夫, 平野正浩, 細野秀雄

    表面科学   29 ( 1 )   2 - 9   2008年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:日本表面科学会  

    DOI: 10.1380/jsssj.29.2

    CiNii Books

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  • Nickel-based oxyphosphide superconductor with a layered crystal structure, LaNiOP

    Takumi Watanabe, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, Yoichi Kamihara, Hidenori Hiramatsu, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    INORGANIC CHEMISTRY   46 ( 19 )   7719 - 7721   2007年9月

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  • Heavy hole doping of epitaxial thin films of a wide gap p-type semiconductor, LaCuOSe, and analysis of the effective mass

    Hidenori Hiramatsu, Kazushige Ueda, Hiromichi Ohta, Masahiro Hirano, Maiko Kikuchi, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

    APPLIED PHYSICS LETTERS   91 ( 1 )   012104   2007年7月

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  • Photoelectron spectroscopic study of C12A7 : e(-) and Alq(3) interface: The formation of a low electron-injection barrier

    Ki-Beom Kim, Maiko Kikuchi, Masashi Miyakawa, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C   111 ( 24 )   8403 - 8406   2007年6月

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  • Metallic state in a lime-alumina compound with nanoporous structure

    Sung Wng Kim, Satoru Matsuishi, Takatoshi Nomura, Yoshiki Kubota, Masaki Takata, Katsuro Hayashi, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    Nano Letters   7 ( 5 )   1138 - 1143   2007年5月

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  • Epitaxial film growth, optical, electrical, and magnetic properties of layered oxide In3FeTi2O10

    Youichi Ogo, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, Kenji Nomura, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   101 ( 10 )   103714   2007年5月

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  • Metallic state in a lime-alumina compound with nanoporous structure

    Sung Wng Kim, Satoru Matsuishi, Takatoshi Nomura, Yoshiki Kubota, Masaki Takata, Katsuro Hayashi, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    NANO LETTERS   7 ( 5 )   1138 - 1143   2007年5月

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  • Development of latent images due to transient free carrier electrons by femtosecond laser pulses and its application to grating shape trimming

    Ken-ichi Kawamura, Takukazu Otsuka, Masahiro Hirano, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

    APPLIED PHYSICS LETTERS   90 ( 1 )   011107   2007年1月

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  • Structural and photo-induced properties of Eu2+-doped Ca2ZnSi2O7: A red phosphor for white light generation by blue ray excitation

    Hayato Kamioka, Takashi Yamaguchi Masahiro Hirano, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

    J. Luminescence   122-123   355   2007年

  • Novel room temperature stable electride 12SrO center dot 7Al(2)O(3) thin films: Fabrication, optical and electron transport properties

    Miyakawa, Masashi, Ueda, Naoto, Kamiya, Toshio, Hirano, Masahiro, Hosono, Hideo

    Journal of the Ceramic Society of Japan   115 ( 1345 )   567 - 570   2007年

  • High electron doping to a wide band gap semiconductor 12CaO center dot 7Al(2)O(3) thin film

    Miyakawa, Masashi, Hirano, Masahiro, Kamiya, Toshio, Hosono, Hideo

    Applied Physics Letters   90 ( 18 )   182105   2007年

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  • Combinatorial approach to thin-film transistors using multicomponent semiconductor channels: An application to amorphous oxide semiconductors in In-Ga-Zn-O system

    Iwasaki, Tatsuya, Itagaki, Naho, Den, Tohru, Kumomi, Hideya, Nomura, Kenji, Kamiya, Toshio, Hosono, Hideo

    Applied Physics Letters   90 ( 24 )   242114   2007年

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  • Local coordination structure and electronic structure of the large electron mobility amorphous oxide semiconductor In-Ga-Zn-O: Experiment and ab initio calculations

    Nomura, Kenji, Kamiya, Toshio, Ohta, Hiromichi, Uruga, Tomoya, Hirano, Masahiro, Hosono, Hideo

    Physical Review B   75 ( 3 )   035212   2007年

  • Fast thin-film transistor circuits based on amorphous oxide semiconductor

    Ofuji, Masato, Abe, Katsumi, Shimizu, Hisae, Kaji, Nobuyuki, Hayashi, Ryo, Sano, Masafumi, Kumomi, Hideya, Nomura, Kenji, Kamiya, Toshio, Hosono, Hideo

    Ieee Electron Device Letters   28 ( 4 )   273 - 275   2007年

  • Structural and photo-induced properties of Eu2+-doped Ca2ZnSi2O7: A red phosphor for white light generation by blue ray excitation

    Hayato Kamioka, Takashi Yamaguchi Masahiro Hirano, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

    J. Luminescence   122-123   355   2007年

  • Work function of a room- temperature stable electride [Ca24Al28O64]4+(e-)4: a low intrinsic value (2.4 eV) and bias-induced negative work function

    Yoshitake Toda, Hiroshi Yanagi, Eiji Ikenaga, Jung Jin Kim, Masaaki Kobata, Sigenori Ueda, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Keisuke Kobayashi, Hideo Hosono

    Adv. Mater.   19 ( 21 )   3564 - 3569   2007年

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  • Work function of a room- temperature stable electride [Ca24Al28O64]4+(e-)4: a low intrinsic value (2.4 eV) and bias-induced negative work function

    Yoshitake Toda, Hiroshi Yanagi, Eiji Ikenaga, Jung Jin Kim, Masaaki Kobata, Sigenori Ueda, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Keisuke Kobayashi, Hideo Hosono

    Adv. Mater.   19 ( 21 )   3564 - 3569   2007年

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  • n型透明導電性酸化物の特徴と進展

    柳博 神谷利夫

    セラミックス   42   37   2007年

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  • Optoelectronic properties and electronic structure of YCuOSe

    Ueda, Kazushige, Takafuji, Kouhei, Yanagi, Hiroshi, Kamiya, Toshio, Hosono, Hideo, Hiramatsu, Hidenori, Hirano, Masahiro, Hamada, Noriaki

    Journal of Applied Physics   102 ( 11 )   113714   2007年

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  • Self-adjusted, three-dimensional lattice-matched buffer layer for growing ZnO epitaxial film: Homologous series layered oxide, InGaO3(ZnO)(5)

    Toshio Kamiya, Yujiro Takeda, Kenji Nomura, Hiromichi Ohta, Hiroshi Yanagi, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    CRYSTAL GROWTH & DESIGN   6 ( 11 )   2451 - 2456   2006年11月

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  • Photoluminescence of Au+ formed in 12CaO・7Al2O3 single crystal by Au+-implantation

    M. Miyakawa, H. Kamioka, M. Hirano, T. Kamiya, H. Hosono

    Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B   250   368 - 371   2006年9月

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  • Large conductivity enhancement in polycrystalline 12CaO・7Al2O3 thin films induced by extrusion of clathrated O2 ions by hot Au+ implantation and ultraviolet light illumination

    M. Miyakawa, M. Hirano, T. Kamiya, H. Hosono

    Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B   250   155 - 158   2006年9月

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  • High-mobility thin-film transistor with amorphous InGaZnO4 channel fabricated by room temperature rf-magnetron sputtering

    Hisato Yabuta, Masafumi Sano, Katsumi Abe, Toshiaki Aiba, Tohru Den, Hideya Kumomi, Kenji Nomura, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

    APPLIED PHYSICS LETTERS   89 ( 11 )   112123-1 - 3   2006年9月

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  • Photoluminescence of Au- formed in 12CaO center dot 7Al(2)O(3) single crystal by Au+-implantation

    A. Miyakawa, H. Kamioka, A. Hirano, T. Kamiya, H. Hosono

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   250   368 - 371   2006年9月

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  • Magnetic and carrier transport properties of Mn-doped p-type semiconductor LaCuOSe: An investigation of the origin of ferromagnetism

    Hiroshi Yanagi, Shuichi Ohno, Toshio Kamiya, Hidenori Hiramatsu, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   100 ( 3 )   033717-1 - 5   2006年8月

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  • Femtosecond-laser-encoded distributed-feedback color center laser in lithium fluoride single crystal

    Ken-ich Kawamura, Masahiro Hirano, Toshio Kamiya, Heido Hosono

    JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS   352 ( 23-25 )   2347 - 2350   2006年7月

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  • Photoluminescence from Au ion-implanted nanoporous single-crystal 12CaO center dot 7Al(2)O(3)

    Masashi Miyakawa, Hayato Kamioka, Masahiro Hirano, Toshio Kamiya, Peter V. Sushko, Alexander L. Shluger, Noriaki Matsunami, Hideo Hosono

    PHYSICAL REVIEW B   73 ( 20 )   205108   2006年5月

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  • Amorphous oxide semiconductors for high-performance flexible thin-film transistors

    K Nomura, A Takagi, T Kamiya, H Ohta, M Hirano, H Hosono

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   45 ( 5B )   4303 - 4308   2006年5月

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  • Growth and structure of heteroepitaxial thin films of homologous compounds RAO3(MO)m by reactive solid-phase epitaxy: Applicability to a variety of materials and epitaxial template layers

    Youichi Ogo, Kenji Nomura, Hiroshi Yanagi, Hiromichi Ohta, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    Thin Solid Films   496 ( 1 )   64 - 69   2006年2月

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  • Growth and structure of heteroepitaxial thin films of homologous compounds RAO(3)(MO)(m) by reactive solid-phase epitaxy: Applicability to a variety of materials and epitaxial template layers

    Y Ogo, K Nomura, H Yanagi, H Ohta, T Kamiya, M Hirano, H Hosono

    THIN SOLID FILMS   496 ( 1 )   64 - 69   2006年2月

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  • Growth, structure and carrier transport properties of Ga2O3 epitaxial film examined for transparent field-effect transistor

    K Matsuzaki, H Hiramatsu, K Nomura, H Yanagi, T Kamiya, M Hirano, H Hosono

    THIN SOLID FILMS   496 ( 1 )   37 - 41   2006年2月

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  • Field-induced current modulation in epitaxial film of deep-ultraviolet transparent oxide semiconductor Ga2O3

    K Matsuzaki, H Yanagi, T Kamiya, H Hiramatsu, K Nomura, M Hirano, H Hosono

    APPLIED PHYSICS LETTERS   88 ( 9 )   092106-1 - 3   2006年2月

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  • Wide-gap layered oxychalcogenide semiconductors: Materials, electronic structures and optoelectronic properties

    K Ueda, H Hiramatsu, M Hirano, T Kamiya, H Hosono

    THIN SOLID FILMS   496 ( 1 )   8 - 15   2006年2月

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  • Function cultivation of transparent oxides utilizing built-in nanostructure

    H Hosono, T Kamiya, M Hirano

    BULLETIN OF THE CHEMICAL SOCIETY OF JAPAN   79 ( 1 )   1 - 24   2006年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:書評論文,書評,文献紹介等  

    DOI: 10.1246/bcsj.79.1

    Web of Science

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  • Recent progress in device applications of transparent oxide semiconductors

    T. Kamiya, H. Hosono

    Proceedings of International Conference on Optoelectronic Materials and Thin Films for Advanced Technology (OMTAT 2005) (24-27, Oct., 2005, Kochi, India)   217 - 234   2006年

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  • Opto-electronic properties and light-emitting device application of widegap layered oxychalcogenides: LaCuOCh (Ch = chalcogen) and La2CdO2Se2

    Hidenori Hiramatsu, Hayato Kamioka, Kazushige Ueda, Hiromichi Ohta, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    phys. stat. sol. (a)   203 ( 11 )   2800 - 2811   2006年

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  • Photoluminescence from Au ion-implanted nanoporous single-crystal 12CaO・7Al2O3

    Masashi Miyakawa Hayato, Kamioka Masahiro Hirano, Toshio Kamiya, Peter V. Sushko Alexander L. Shluger Noriaki, Matsunami, Hideo Hosono

    Phys. Rev. B   73 ( 20 )   205108   2006年

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  • Opto-electronic properties and light-emitting device application of widegap layered oxychalcogenides: LaCuOCh (Ch = chalcogen) and La2CdO2Se2

    Hidenori Hiramatsu, Hayato Kamioka, Kazushige Ueda, Hiromichi Ohta, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    phys. stat. sol. (a)   203 ( 11 )   2800 - 2811   2006年

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  • Recent progress in device applications of transparent oxide semiconductors

    T. Kamiya, H. Hosono

    Proceedings of International Conference on Optoelectronic Materials and Thin Films for Advanced Technology (OMTAT 2005) (24-27, Oct., 2005, Kochi, India)   217 - 234   2006年

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  • Function Cultivation of Transparent Oxides Utilizing Built-In Nanostructure

    Hosono Hideo, Kamiya Toshio, Hirano Masahiro

    Bulletin of the Chemical Society of Japan   79 ( 1 )   1 - 24   2006年

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    記述言語:英語   出版者・発行元:Chemical Society of Japan  

    DOI: 10.1246/bcsj.79.1

    CiNii Books

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  • Large conductivity enhancement in polycrystalline 12CaO・7Al2O3 thin films induced by extrusion of clathrated O2 ions by hot Au+ implantation and ultraviolet light illumination

    M. Miyakawa, M. Hirano, T. Kamiya, H. Hosono

    Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B   250   155 - 158   2006年

  • Electron field emission from TiO2 nanotube arrays synthesized by hydrothermal reaction

    Masahiro Miyauchi Hiromasa Tokudome, Yoshitake Toda, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

    Appl. Phys. Lett.   88   043114-1 - 3   2006年

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  • Integrated circuits based on amorphous indium-gallium-zinc-oxide-channel thin-film transistors

    M. Ofuji, K. Abe, N. Kaji, R. Hayashi, M. Sano, H. Kumomi, K. Nomura, T. Kamiya, H. Hosono

    ECS Transactions   3 ( 8 )   293 - 300   2006年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1149/1.2356366

    Scopus

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  • Electron field emission from TiO2 nanotube arrays synthesized by hydrothermal reaction

    Masahiro Miyauchi Hiromasa Tokudome, Yoshitake Toda, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

    Appl. Phys. Lett.   88   043114-1 - 3   2006年

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  • Field-induced current modulation in nanoporous semiconductor, electron-doped 12CaO·7Al2O3

    Toshio Kamiya, Shouzou Aiba, Masashi Miyakawa, Kenji Nomura, Satoru Matsuishi, Katsuro Hayashi, Kazushige Ueda, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    Chemistry of Materials   17 ( 25 )   6311 - 6316   2005年12月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1021/cm051904s

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  • Intense thermal field electron emission from room-temperature stable electride

    Y Toda, SW Kim, K Hayashi, M Hirano, T Kamiya, H Hosono, T Haraguchi, H Yasuda

    APPLIED PHYSICS LETTERS   87 ( 25 )   254103   2005年12月

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  • Field-induced current modulation in nanoporous semiconductor, electron-doped 12CaO center dot 7Al(2)O(3)

    T Kamiya, S Aiba, M Miyakawa, K Nomura, S Matsuishi, K Hayashi, K Ueda, M Hirano, H Hosono

    CHEMISTRY OF MATERIALS   17 ( 25 )   6311 - 6316   2005年12月

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  • Excitonic blue luminescence from p-LaCuOSe/n-InGaZn5O8 light-emitting diode at room temperature

    H Hiramatsu, K Ueda, H Ohta, T Kamiya, M Hirano, H Hosono

    APPLIED PHYSICS LETTERS   87 ( 21 )   211107   2005年11月

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  • Two-dimensional electronic structure and multiple excitonic states in layered oxychalcogenide semiconductors, LaCuOCh (Ch=S, Se, Te): Optical properties and relativistic ab initio study

    T Kamiya, K Ueda, H Hiramatsu, H Kamioka, H Ohta, M Hirano, H Hosono

    THIN SOLID FILMS   486 ( 1-2 )   98 - 103   2005年8月

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  • Carrier transport and electronic structure in amorphous oxide semiconductor, a-InGaZnO4

    A Takagi, K Nomura, H Ohta, H Yanagi, T Kamiya, M Hirano, H Hosono

    THIN SOLID FILMS   486 ( 1-2 )   38 - 41   2005年8月

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  • Growth of epitaxial ZnO thin films on lattice-matched buffer layer: Application of InGaO3(ZnO)(6) single-crystalline thin film

    Y Takeda, K Nomura, H Ohta, H Yanagi, T Kamiya, M Hirano, H Hosono

    THIN SOLID FILMS   486 ( 1-2 )   28 - 32   2005年8月

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  • Electrical properties and structure of p-type amorphous oxide semiconductor xZnO・Rh2O3

    T. Kamiya, S. Narushima, H. Mizoguchi, K. Shimizu, K. Ueda, H. Ohta, M. Hirano, H. Hosono

    Adv. Funct. Mater.   15 ( 6 )   968 - 974   2005年6月

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  • Electrical properties and structure of p-type amorphous oxide semiconductor xZnO center dot Rh2O3

    T Kamiya, S Narushima, H Mizoguchi, K Shimizu, K Ueda, H Ohta, M Hirano, H Hosono

    ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS   15 ( 6 )   968 - 974   2005年6月

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  • Excitonic properties related to valence band levels split by spin-orbit interaction in layered oxychalcogenide LaCuOCh(Ch = S,Se)

    H Kamioka, H Hiramatsu, M Hirano, K Ueda, T Kamiya, H Hosono

    JOURNAL OF LUMINESCENCE   112 ( 1-4 )   66 - 70   2005年4月

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  • Creation of new functions in transparent oxides utilizing nanostructures embedded in crystal and artificially encoded by laser pulses

    T Kamiya, H Hosono

    SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY   20 ( 4 )   S92 - S102   2005年4月

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  • Formation of inorganic electride thin films via site-selective extrusion by energetic inert gas ions

    Masashi Miyakawa, Yoshitake Toda, Katsuro Hayashi, Masahiro Hirano, Toshio Kamiya, Noriaki Matsunami, Hideo Hosono

    Journal of Applied Physics   97 ( 2 )   023510   2005年1月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1063/1.1829151

    Scopus

    researchmap

  • Formation of inorganic electride thin films via site-selective extrusion by energetic inert gas ions

    M Miyakawa, Y Toda, K Hayashi, M Hirano, T Kamiya, N Matsunami, H Hosono

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   97 ( 2 )   023510   2005年1月

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  • Electronic insulator-conductor conversion in hydride ion-doped 12CaO center dot 7Al(2)O(3) by electron-beam irradiation

    K Hayashi, Y Toda, T Kamiya, M Hirano, M Yamanaka, Tanaka, I, T Yamamoto, H Hosono

    APPLIED PHYSICS LETTERS   86 ( 2 )   022109   2005年1月

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  • Built-in Quantum Dots in Nano-Porous Crystal 12CaO・7Al2O3: Simplified Views for Electronic Structure and Carrier Transport

    Toshio Kamiya, Hideo Hosono

    Jpn. J. Appl. Phys.   44 ( 1B )   774 - 782   2005年1月

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  • Electronic Insulator-Conductor Conversion in Hydride Ion-Doped 12CaO・7Al2O3 by Electron-Beam Irradiation

    K. Hayashi, Y. Toda, T. Kamiya, M. Hirano M, Yamanaka I, Tanaka, T, Yamamoto, H. Hosono

    Appl. Phys. Lett.   86 ( 2 )   022109   2005年1月

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  • Transparent High Performance FET using Amorphous Oxide Semiconductors

    Hideo Hosono, Toshiob Kamiya, Kenji Nomura

    Digest of Technical papers of AM-LCD   83   2005年

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  • Formation of inorganic electride thin films via site-selective extrusion by energetic inert gas ions

    Masashi Miyakawa, Yoshitake Toda, Katsuro, Hayashi Masahiro Hirano, Toshio Kamiya, Noriaki, Matsunami, Hideo Hosono

    J. Appl. Phys.   79   023510   2005年

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  • アモルファス酸化物半導体を能動層とする透明フレキシブルトランジスタ

    細野秀雄, 神谷利夫, 野村研二

    応用物理   74 ( 7 )   910 - 916   2005年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:応用物理学会  

    CiNii Books

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  • 高性能フレキシブルTFT用材料としてのアモルファス酸化物半導体の材料探索とTFT特性

    野村研二, 神谷利夫, 細野秀雄

    第32回アモルファスセミナー テキスト   17   2005年

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  • ZnO基半導体を使った透明トランジスタ

    細野秀雄, 神谷利夫, 野村研二

    応用物理学会応用電子物性分科会誌   11   16   2005年

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  • Interaction of femto/UV lasers with transparent dielectrics

    Ken-ichi Kawamura, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    Materials Processing for Properties and Performance (MP3) (Ed. K.A. Khor, K. Hanada, T. Sano, A. Matsumuro and T. Eiju)   4   285   2005年

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  • Built-in Quantum Dots in Nano-Porous Crystal 12CaO・7Al2O3: Simplified Views for Electronic Structure and Carrier Transport

    Toshio Kamiya, Hideo Hosono

    Jpn. J. Appl. Phys.   44 ( 1B )   774 - 782   2005年

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  • Interaction of femto/UV lasers with transparent dielectrics

    Ken-ichi Kawamura, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    Materials Processing for Properties and Performance (MP3) (Ed. K.A. Khor, K. Hanada, T. Sano, A. Matsumuro and T. Eiju)   4   285   2005年

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  • Formation of inorganic electride thin films via site-selective extrusion by energetic inert gas ions

    Masashi Miyakawa, Yoshitake Toda, Katsuro, Hayashi Masahiro Hirano, Toshio Kamiya, Noriaki, Matsunami, Hideo Hosono

    J. Appl. Phys.   79   023510   2005年

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  • Intense Thermal Field Electron Emission From Room Temperature Stable Electride

    Y. Toda, S.W. Kim, K, Hayashi M. Hirano, T. Kamiya, H, Hosono T, Haraguchi H. Yasuda

    Appl. Phys. Lett.   87   254103   2005年

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  • Field-Induced Current Modulation in Nanoporous Semiconductor, Electron-Doped 12CaO・7Al2O3

    T. Kamiya, S. Aiba, M. Miyakawa, K. Nomura, S. Matsuishi K, Hayashi K, Ueda, M. Hirano, H. Hosono

    Chem. Mater.   17 ( 25 )   6311 - 6316   2005年

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  • 透明酸化物半導体:透明導電性酸化物から拓けた新しいフロンティア

    神谷利夫

    機能材料   10   2005年

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  • 高性能フレキシブルTFT実現に向けたアモルファス酸化物半導体の材料探索とフレキシブルTFT特性

    野村研二, 神谷利夫, 細野秀雄

    成形加工(プラスチック成形加工学会誌)   17 ( 9 )   588 - 592   2005年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:プラスチック成形加工学会  

    CiNii Books

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  • アモルファス透明酸化物半導体を用いた高性能フレキシブル薄膜トランジスタの室温形成

    神谷利夫, 野村研二, 細野秀雄

    マテリアルステージ   85   2005年

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  • Electronic structures and device applications of transparent oxide semiconductors: What is the real merit of oxide semiconductors?

    T Kamiya, H Hosono, T Kamiya, H Hosono, H Hosono

    INTERNATIONAL JOURNAL OF APPLIED CERAMIC TECHNOLOGY   2 ( 4 )   285 - 294   2005年

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  • 透明酸化物半導体を使った高性能な薄膜トランジスタ

    神谷利夫, 野村研二, 細野秀雄

    電子ペーパー実用化最前線   267 - 280   2005年

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  • Transparent High Performance FET using Amorphous Oxide Semiconductors

    Hideo Hosono, Toshiob Kamiya, Kenji Nomura

    Digest of Technical papers of AM-LCD   83   2005年

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  • 透明酸化物半導体を用いた透明電界効果トランジスタ

    野村研二, 太田裕道, 神谷利夫, 平野正浩, 細野秀雄

    マテリアルインテグレーション   18   3   2005年

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  • Optical properties and two-dimensional electronic structure in wide-gap layered oxychalcogenide: La2CdO2Se2

    H Hiramatsu, K Ueda, T Kamiya, H Ohta, M Hirano, H Hosono

    JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY B   108 ( 45 )   17344 - 17351   2004年11月

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  • Carrier transport in transparent oxide semiconductor with intrinsic structural randomness probed using single-crystalline InGaO3(ZnO)(5) films

    K Nomura, T Kamiya, H Ohta, K Ueda, M Hirano, H Hosono

    APPLIED PHYSICS LETTERS   85 ( 11 )   1993 - 1995   2004年9月

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  • Fabrication of heteroepitaxial thin films of layered oxychalcogenides LnCuOCh (Ln = La-Nd; Ch = S-Te) by reactive solid-phase epitaxy

    H Hiramatsu, K Ueda, K Takafuji, H Ohta, M Hirano, T Kamiya, H Hosono

    JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH   19 ( 7 )   2137 - 2143   2004年7月

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  • Natural nanostructures in ionic semiconductors

    T Kamiya, H Ohta, H Hiramatsu, K Hayashi, K Nomura, S Matsuishi, K Ueda, M Hirano, H Hosono

    MICROELECTRONIC ENGINEERING   73-4   620 - 626   2004年6月

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  • Nano-fabrication of optical devices in transparent dielectrics: volume gratings in SiO2 and DFB color center laser in LiF

    KI Kawamura, D Takamizu, T Kurobori, T Kamiya, M Hirano, H Hosono

    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   218   332 - 336   2004年6月

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  • High electric field response of wide bandgap a-Si : H photodiodes probed by transient current measurements

    T Sugawara, W Futako, T Kamiya, Shimizu, I

    JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS   338   802 - 805   2004年6月

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  • Growth mechanism for single-crystalline thin film of InGaO3(ZnO)(5) by reactive solid-phase epitaxy

    K Nomura, H Ohta, K Ueda, T Kamiya, M Orita, M Hirano, T Suzuki, C Honjyo, Y Ikuhara, H Hosono

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   95 ( 10 )   5532 - 5539   2004年5月

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  • All oxide transparent MISFET using high-k dielectrics gates

    K Nomura, H Ohta, HA Masahiro, K Ueda, T Kamiya, M Hirano, H Hosono

    MICROELECTRONIC ENGINEERING   72 ( 1-4 )   294 - 298   2004年4月

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  • Nanosilicon for single-electron devices

    H Mizuta, Y Furuta, T Kamiya, YT Tan, ZAK Durrani, S Amakawa, K Nakazato, H Ahmed

    CURRENT APPLIED PHYSICS   4 ( 2-4 )   98 - 101   2004年4月

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  • Single-atomic-layered quantum wells built in wide-gap semiconductors LnCuOCh (Ln=lanthanide, Ch=chalcogen)

    K Ueda, H Hiramatsu, H Ohta, M Hirano, T Kamiya, H Hosono

    PHYSICAL REVIEW B   69 ( 15 )   155305   2004年4月

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  • Field emission of electron anions clathrated in subnanometer-sized cages in [Ca24Al28O64](4+)(4e(-))

    Y Toda, S Matsuishi, K Hayashi, K Ueda, T Kamiya, M Hirano, H Hosono

    ADVANCED MATERIALS   16 ( 8 )   685 - +   2004年4月

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  • Mechanism for heteroepitaxial growth of transparent P-type semiconductor: LaCuOS by reactive solid-phase epitaxy

    H Hiramatsu, H Ohta, T Suzuki, C Honjo, Y Ikuhara, K Ueda, T Kamiya, M Hirano, H Hosono

    CRYSTAL GROWTH & DESIGN   4 ( 2 )   301 - 307   2004年3月

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  • Li-doped NiO epitaxial thin film with atomically flat surface

    T Kamiya, H Ohta, M Kamiya, K Nomura, K Ueda, M Hirano, H Hosono

    JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH   19 ( 3 )   913 - 920   2004年3月

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  • Femtosecond-laser-encoded distributed-feedback color center laser in lithium fluoride single crystals

    K Kawamura, M Hirano, T Kurobori, D Takamizu, T Kamiya, H Hosono

    APPLIED PHYSICS LETTERS   84 ( 3 )   311 - 313   2004年1月

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  • Enhancement of third-order optical nonlinearity due to room temperature exciton in layered compounds LaCuOS/Se

    H. Kamioka, H. Hiramatsu, H. Ohta, H. Hirano, K, Ueda, T. Kamiya, H. Hosono

    Appl. Phys. Lett.   84 ( 6 )   879 - 881   2004年

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  • Design of highly conductive n-type amorphous chalcogenide: large mobility and carrier generation in a-In_2_S_3-x_

    Satoru Narushima, Masanori Hiroki Kazushige Ueda Ken-ichi Shimizu Toshio Kamiya Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    Phil. Mag. Lett. accepted   84   665   2004年

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  • Design of highly conductive n-type amorphous chalcogenide: large mobility and carrier generation in a-In_2_S_3-x_

    Satoru Narushima, Masanori Hiroki Kazushige Ueda Ken-ichi Shimizu Toshio Kamiya Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    Phil. Mag. Lett. accepted   84   665   2004年

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  • Heteroepitaxial growth of wide gap p-type semiconductors: LnCuOCh (Lr=La, Pr and Nd; Ch=S or Se) by reactive solid-phase epitaxy

    H. Hiramatsu, K. Ueda, K. Takafuji, H. Ohta, M. Hirano, T. Kamiya, H. Hosono

    Appl. Phys. A   79   1517   2004年

     詳細を見る

  • Room-Temperature Fabrication of Transparent Flexible Thin Film Transistors Using Amorphous Oxide Semiconductor

    Kenji Nomura, Hiromichi Ohta Akihiro, Takagi, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    Nature   488   432   2004年

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  • Carrier transport of extended and localized states in InGaO_3_(ZnO)_5_

    Kenji Nomura, Hiromichi Ohta, Kazushige Ueda, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   811   E2.9   2004年

     詳細を見る

  • Degenerate electrical conductive and excitonic photoluminescence properties of epitaxial films of wide gap p-type layered oxychalcogenides, LnCuOCh (Ln = La, Pr and Nd; Ch = S or Se)

    H. Hiramatsu, K. Ueda, K. Takafuji, H. Ohta, M. Hirano, T. Kamiya, H. Hosono

    Appl. Phys. A   79   1521   2004年

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  • Two-Dimensional Electronic Structures in Layered Oxychalcogenide Semiconductors, LaCuOCh (Ch=S, Se, Te) and La2CdO2Se2

    Toshio Kamiya, Kazushige Ueda, Hidenori Hiramatsu, Hiromichi Ohta Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   811   E4.10   2004年

     詳細を見る

  • Persistent electronic conduction in 12CaO 7Al2O3 thin films produced by Ar ion implantation: Selective kick-out effect leads to electride thin films

    Masashi Miyakawa, Katsuro Hayashi, Yoshitake Toda, Toshio Kamiya, Masahiro Hiirano, Hideo Hosono

    Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   811   E2.7   2004年

     詳細を見る

  • Quantum beat between two excitonic levels split by spin-orbit interaction in oxychalcogenide LaCuOS

    Hayato Kamioka, Hidenori Hiramatsu Masahiro Hirano, Kazushige Ueda, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

    Opt. Lett.   29 ( 14 )   1659 - 1661   2004年

  • High-quality epitaxial film growth of transparent oxide semiconductors

    H. Ohta, K. Nomura, H. Hiramatsu, T, Suzuki K, Ueda T. Kamiya, M. Hirano, Y. Ikuhara, H. Hosono

    J. Ceram. Soc. Jpn. Suppl.   112   S602   2004年

  • Enhancement of third-order optical nonlinearity due to room temperature exciton in layered compounds LaCuOS/Se

    H. Kamioka, H. Hiramatsu, H. Ohta, H. Hirano, K, Ueda, T. Kamiya, H. Hosono

    Appl. Phys. Lett.   84 ( 6 )   879 - 881   2004年

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  • Degenerate electrical conductive and excitonic photoluminescence properties of epitaxial films of wide gap p-type layered oxychalcogenides, LnCuOCh (Ln = La, Pr and Nd; Ch = S or Se)

    H. Hiramatsu, K. Ueda, K. Takafuji, H. Ohta, M. Hirano, T. Kamiya, H. Hosono

    Appl. Phys. A   79   1521   2004年

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  • Heteroepitaxial growth of wide gap p-type semiconductors: LnCuOCh (Lr=La, Pr and Nd; Ch=S or Se) by reactive solid-phase epitaxy

    H. Hiramatsu, K. Ueda, K. Takafuji, H. Ohta, M. Hirano, T. Kamiya, H. Hosono

    Appl. Phys. A   79   1517   2004年

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  • Carrier transport of extended and localized states in InGaO_3_(ZnO)_5_

    Kenji Nomura, Hiromichi Ohta, Kazushige Ueda, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   811   E2.9   2004年

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  • Synthesis of single-phase layered oxychalcogenide La2CdO2Se2: crystal structure, optical and electrical properties

    H Hiramatsu, K Ueda, T Kamiya, H Ohta, M Hirano, H Hosono

    JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY   14 ( 19 )   2946 - 2950   2004年

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  • Two-Dimensional Electronic Structures in Layered Oxychalcogenide Semiconductors, LaCuOCh (Ch=S, Se, Te) and La2CdO2Se2

    Toshio Kamiya, Kazushige Ueda, Hidenori Hiramatsu, Hiromichi Ohta Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   811   E4.10   2004年

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  • Persistent electronic conduction in 12CaO 7Al2O3 thin films produced by Ar ion implantation: Selective kick-out effect leads to electride thin films

    Masashi Miyakawa, Katsuro Hayashi, Yoshitake Toda, Toshio Kamiya, Masahiro Hiirano, Hideo Hosono

    Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   811   E2.7   2004年

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  • Quantum beat between two excitonic levels split by spin-orbit interaction in oxychalcogenide LaCuOS

    Hayato Kamioka, Hidenori Hiramatsu Masahiro Hirano, Kazushige Ueda, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

    Opt. Lett.   29 ( 14 )   1659 - 1661   2004年

  • High-quality epitaxial film growth of transparent oxide semiconductors

    H. Ohta, K. Nomura, H. Hiramatsu, T, Suzuki K, Ueda T. Kamiya, M. Hirano, Y. Ikuhara, H. Hosono

    J. Ceram. Soc. Jpn. Suppl.   112   S602   2004年

  • Room-Temperature Fabrication of Transparent Flexible Thin Film Transistors Using Amorphous Oxide Semiconductor

    Kenji Nomura, Hiromichi Ohta Akihiro, Takagi, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    Nature   488   432   2004年

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  • フェムト秒レーザーのシングルパルス干渉による透明物質のナノ加工

    河村賢一, 平野正浩, 神谷利夫, 細野秀雄

    光アライアンス   15   41   2004年

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  • 高移動度(>10cm^2^(Vs)^-1^)を有するアモルファス酸化物半導体と薄膜トランジスタの室温形成

    神谷利夫, 野村研二, 細野秀雄

    第31回アモルファス物質の物性と応用セミナ―テキスト   1   2004年

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  • 一枚の写真:セメントからつくる電界電子放射発光デバイス

    細野秀雄, 神谷利夫

    26   367   2004年

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  • 自然ナノ構造を利用した新機能開拓―安定なエレクトライドの合成と冷電子源としての応用―

    神谷利夫, 戸田喜丈, 細野秀雄

    ファインケミカル   33   22   2004年

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  • Wide gap p-type degenerate semiconductor: Mg-doped LaCuOSe

    Hidenori Hiramatsu, Kazushige Ueda, Hiromichi Ohta, Masahiro Hirano, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

    Thin Solid Films   445 ( 2 )   304 - 308   2003年12月

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  • Wide gap p-type degenerate semiconductor: Mg-doped LaCuOSe

    H Hiramatsu, K Ueda, H Ohta, M Hirano, T Kamiya, H Hosono

    THIN SOLID FILMS   445 ( 2 )   304 - 308   2003年12月

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  • UV-detector based on pn-heteroj unction diode composed of transparent oxide semiconductors, p-NiO/n-ZnO

    H Ohta, M Kamiya, T Kamaiya, M Hirano, H Hosono

    THIN SOLID FILMS   445 ( 2 )   317 - 321   2003年12月

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  • Frontier of transparent oxide semiconductors

    H Ohta, K Nomura, H Hiramatsu, K Ueda, T Kamiya, M Hirano, H Hosono

    SOLID-STATE ELECTRONICS   47 ( 12 )   2261 - 2267   2003年12月

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  • Intrinsic excitonic photoluminescence and band-gap engineering of wide-gap p-type oxychalcogenide epitaxial films of LnCuOCh (Ln=La, Pr, and Nd; Ch=S or Se) semiconductor alloys

    H Hiramatsu, K Ueda, K Takafuji, H Ohta, M Hirano, T Kamiya, H Hosono

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   94 ( 9 )   5805 - 5808   2003年11月

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  • A p-type amorphous oxide semiconductor and room temperature fabrication of amorphous oxide p-n heterojunction diodes

    S Narushima, H Mizoguchi, K Shimizu, K Ueda, H Ohta, M Hirano, T Kamiya, H Hosono

    ADVANCED MATERIALS   15 ( 17 )   1409 - 1413   2003年9月

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  • Electrical and optical properties and electronic structures of LnCuOS (Ln = La similar to Nd)

    K Ueda, K Takafuji, H Hiramatsu, H Ohta, T Kamiya, M Hirano, H Hosono

    CHEMISTRY OF MATERIALS   15 ( 19 )   3692 - 3695   2003年9月

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  • High-density electron anions in a nanoporous single crystal: [Ca24Al28O64]4+ (4e-)

    Satoru Matsuishi, Yoshitake Toda, Masashi Miyakawa, Katsuro Hayashi, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Isao Tanaka, Hideo Hosono

    Science   301 ( 5633 )   626 - 629   2003年8月

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  • Fabrication and photoresponse of a pn-heterojunction diode composed of transparent oxide semiconductors, p-NiO and n-ZnO

    H Ohta, M Hirano, K Nakahara, H Maruta, T Tanabe, M Kamiya, T Kamiya, H Hosono

    APPLIED PHYSICS LETTERS   83 ( 5 )   1029 - 1031   2003年8月

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  • Room temperature nanocrystalline silicon single-electron transistors

    YT Tan, T Kamiya, ZAK Durrani, H Ahmed

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   94 ( 1 )   633 - 637   2003年7月

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  • Reduction of grain-boundary potential barrier height in polycrystalline silicon with hot H2O-vapor annealing probed using point-contact devices

    T Kamiya, ZAK Durrani, H Ahmed, T Sameshima, Y Furuta, H Mizuta, N Lloyd

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B   21 ( 3 )   1000 - 1003   2003年5月

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  • Thin-film transistor fabricated in single-crystalline transparent oxide semiconductor

    K Nomura, H Ohta, K Ueda, T Kamiya, M Hirano, H Hosono

    SCIENCE   300 ( 5623 )   1269 - 1272   2003年5月

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  • Degenerate p-type conductivity in wide-gap LaCuOS1-xSex (x=0-1) epitaxial films

    H Hiramatsu, K Ueda, H Ohta, M Hirano, T Kamiya, H Hosono

    APPLIED PHYSICS LETTERS   82 ( 7 )   1048 - 1050   2003年2月

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  • Fabrication and characterization of heteroepitaxial p-n junction diode composed of wide-gap oxide semiconductors p-ZnRh2O4/n-ZnO

    H Ohta, H Mizoguchi, M Hirano, S Narushima, T Kamiya, H Hosono

    APPLIED PHYSICS LETTERS   82 ( 5 )   823 - 825   2003年2月

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  • Effects of Oxidation and Annealing Temperature on Grain Boundary Properties in Polycrystalline Silicon Probed Using Nanometre-Scale Point-Contact Devices

    Toshio Kamiya, Yoshikazu Furuta Yong-Tsong Tan, Z.A.K. Durrani, Hiroshi Mizuta, Haroon Ahmed

    Solid State Phenomena   93   4192   2003年

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  • Thin film fabrication of 12CaO・7Al2O3 with zeolitic structure

    Y. Toda, M, Miyakawa K, Hayashi T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono

    Thin Solid Films   445   309 - 312   2003年

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  • Transparent MISFETs using homologous compounds, RMO3(ZnO)m (R=In, Lu; M= In, Ga; m=integer) single crystalline thin films

    K. Nomura, H. Ohta, K, Ueda, T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono

    Thin Solid Films   445   322 - 326   2003年

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  • The fabrication of highly conductive 12CaO・7Al_2_O_3_ thin films containing hydride ions by proton implantation

    M. Miyakawa, K, Hayashi M. Hirano, Y. Toda, T. Kamiya, H. Hosono

    Adv. Mater.   15 ( 13 )   1100 - 1103   2003年

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  • High Density Electron Anion in a Nano-porous Single Crystal: [Ca_24_Al_28_O_64_]^4+^(4e^-^)

    Satoru Matsuishi, Yoshitake Toda, Masashi Miyakawa Katsuro, Hayashi Toshio Kamiya Masahiro Hirano Isao Tanaka, Hideo Hosono

    Science   301 ( 5633 )   626 - 629   2003年

  • Fabrication of transparent MISFET using InGaO3(ZnO)5 single crystalline thin film with normally insulating nature

    Kenji Nomura, Hiromichi Ohta, Kazushige Ueda, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   747   267   2003年

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  • X-ray Amorphous P-type Conductive Oxide; ZnRh_2_O_4_

    Satoru Narushima, Hiroshi Mizoguchi Hiromichi Ohta Masahiro Hirano, Ken-ichi Shimizu Kazushige Ueda, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

    Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   747   235   2003年

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  • Single-electron charging phenomena in nano/polycrystalline silicon point contact transistors

    H. Mizuta, Y. Furuta, T. Kamiya, Y. T. Ta, Z.A.K. Durrani, K. Nakazato, H. Ahmed

    Solid State Phenomena   93   419   2003年

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  • Eelctronic structure of oxygen dangling bond in glassy SiO2: The role of hyperconjugation

    Takenobu Suzuki Linards Skuja Koichi Kajihara Masahiro Hirano, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

    Phys. Rev. Lett.   90   186404   2003年

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  • Photo-Induced Insulator-Semiconductor Transition in 12CaO・7Al2O3 (C12A7)

    Katsuro Hayashi, Satoru Matsuishi, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    MSR Symposium Proceedings   747   247 - 256   2003年

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  • Effects of Oxidation and Annealing Temperature on Grain Boundary Properties in Polycrystalline Silicon Probed Using Nanometre-Scale Point-Contact Devices

    Toshio Kamiya, Yoshikazu Furuta Yong-Tsong Tan, Z.A.K. Durrani, Hiroshi Mizuta, Haroon Ahmed

    Solid State Phenomena   93   4192   2003年

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  • Fabrication of MISFET exhibiting normally-off characteristics using a single-crystalline InGaO3(ZnO)(5) thin film

    Nomura, K., Ohta, H., Ueda, K., Kamiya, T., Hirano, M., Hosono, H., Ginley, D., Guha, S., Carter, S., Chambers, SA, Droopad, R., Paine, DC, Schlom, DG, Tate, J.

    Crystalline Oxide-Silicon Heterostructures and Oxide Optoelectronics   747   267   2003年

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  • High-density electron anions in a nanoporous single crystal: [Ca24Al28O64](4+)(4e(-))

    Matsuishi, S., Toda, Y., Miyakawa, M., Hayashi, K., Kamiya, T., Hirano, M., Tanaka, I., Hosono, H.

    Science   301 ( 5633 )   626 - 629   2003年

  • Transparent MISFETs using homologous compounds, RMO3(ZnO)m (R=In, Lu; M= In, Ga; m=integer) single crystalline thin films

    K. Nomura, H. Ohta, K, Ueda, T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono

    Thin Solid Films   445   322 - 326   2003年

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  • Photo-induced insulator-semiconductor transition in 12CaO.7Al2O3 (C12A7)

    Katsuro Hayashi Satoru Matsuishi Tohsio Kamiya Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   747   247   2003年

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  • The fabrication of highly conductive 12CaO・7Al_2_O_3_ thin films containing hydride ions by proton implantation

    M. Miyakawa, K, Hayashi M. Hirano, Y. Toda, T. Kamiya, H. Hosono

    Adv. Mater.   15 ( 13 )   1100 - 1103   2003年

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  • Thin film fabrication of 12CaO・7Al2O3 with zeolitic structure

    Y. Toda, M, Miyakawa K, Hayashi T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono

    Thin Solid Films   445   309 - 312   2003年

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  • Fabrication of transparent MISFET using InGaO3(ZnO)5 single crystalline thin film with normally insulating nature

    Kenji Nomura, Hiromichi Ohta, Kazushige Ueda, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   747   267   2003年

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  • X-ray Amorphous P-type Conductive Oxide; ZnRh_2_O_4_

    Satoru Narushima, Hiroshi Mizoguchi Hiromichi Ohta Masahiro Hirano, Ken-ichi Shimizu Kazushige Ueda, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

    Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   747   235   2003年

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  • Single-electron charging phenomena in nano/polycrystalline silicon point contact transistors

    H. Mizuta, Y. Furuta, T. Kamiya, Y. T. Ta, Z.A.K. Durrani, K. Nakazato, H. Ahmed

    Solid State Phenomena   93   419   2003年

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  • Eelctronic structure of oxygen dangling bond in glassy SiO2: The role of hyperconjugation

    Takenobu Suzuki Linards Skuja Koichi Kajihara Masahiro Hirano, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

    Phys. Rev. Lett.   90   186404   2003年

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  • Photo-induced insulator-semiconductor transition in 12CaO center dot 7Al(2)O(3) (C12A7)

    K Hayashi, S Matsuishi, T Kamiya, M Hirano, H Hosono

    CRYSTALLINE OXIDE-SILICON HETEROSTRUCTURES AND OXIDE OPTOELECTRONICS   747   247 - 255   2003年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

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  • High-Density Electron Anions in a Nanoporous Single Crystal: [Ca24Al28O64]4+(e-)4

    Satoru Matsuishi, yoshitake toda, masashi miyakawa, KATSURO HAYASHI, TOSHIO KAMIYA, Masahiro Hirano, Isao Tanaka, HIDEO HOSONO

    Science   301 ( 5633 )   626 - 629   2003年

  • Photo-Induced Insulator-Semiconductor Transition in 12CaO・7Al2O3 (C12A7)

    Katsuro Hayashi, Satoru Matsuishi, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

    MSR Symposium Proceedings   747   247 - 256   2003年

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  • Light-induced conversion of an insulating refractory oxide into a persistent electronic conductor

    K Hayashi, S Matsuishi, T Kamiya, M Hirano, H Hosono

    NATURE   419 ( 6906 )   462 - 465   2002年10月

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  • Control of grain-boundary tunneling barriers in polycrystalline silicon

    T Kamiya, ZAK Durrani, H Ahmed

    APPLIED PHYSICS LETTERS   81 ( 13 )   2388 - 2390   2002年9月

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  • Holographic writing of volume-type microgratings in silica glass by a single chirped laser pulse

    K Kawamura, M Hirano, T Kamiya, H Hosono

    APPLIED PHYSICS LETTERS   81 ( 6 )   1137 - 1139   2002年8月

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  • Single-electron charging in nanocrystalline silicon point-contacts

    ZAK Durrani, T Kamiya, YT Tan, H Ahmed, N Lloyd

    MICROELECTRONIC ENGINEERING   63 ( 1-3 )   267 - 275   2002年8月

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  • Characterization of tunnel barriers in polycrystalline silicon point-contact single-electron transistors

    Y Furuta, H Mizuta, K Nakazato, T Kamiya, YT Tan, ZAK Durrani, K Taniguchi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   41 ( 4B )   2675 - 2678   2002年4月

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  • Modification of the tunneling barrier in a nanocrystalline silicon single-electron transistor

    T. Kamiya, Y.T. Ta, Z.A.K. Durrani, H. Ahmed

    J. Non-Cryst. Solids   299/302 ( Pt.A )   405 - 410   2002年

  • Modification of the tunneling barrier in a nanocrystalline silicon single-electron transistor

    T. Kamiya, Y.T. Ta, Z.A.K. Durrani, H. Ahmed

    J. Non-Cryst. Solids   299/302 ( Pt.A )   405 - 410   2002年

  • 英国ケンブリッジ滞在記

    神谷利夫

    セラミックス   37   120   2002年

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  • 英国ケンブリッジ大学における協同研究

    神谷利夫

    プラズマエレクトロニクス分科会会報   36   14   2002年

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  • P型アモルファス酸化物の発見とアモルファス酸化物PN接合の形成

    鳴島暁, 溝口拓, 折田政寛, 太田裕道, 平野正浩, 神谷利夫, 清水健一, 細野秀雄

    第29回アモルファス物質の物性と応用セミナーテキスト   2002年

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  • 英国ケンブリッジ滞在記

    神谷利夫

    東工大クロニクル   366   11   2002年

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  • 孤独な(?)材料屋の英国ケンブリッジ留学記

    神谷利夫

    現代化学   376   47   2002年

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  • Structure and transport properties of p-type polycrystalline silicon fabricated from fluorinated source gas

    T Kamiya, K Nakahata, K Ro, Shimizu, I

    THIN SOLID FILMS   394 ( 1-2 )   230 - 236   2001年8月

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    記述言語:英語  

    Web of Science

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  • Growth, structure, and transport properties of thin (&gt; 10 nm) n-type microcrystalline silicon prepared on silicon oxide and its application to single-electron transistor

    T Kamiya, K Nakahata, YT Tan, ZAK Durrani, Shimizu, I

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   89 ( 11 )   6265 - 6271   2001年6月

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  • High-quality narrow gap (similar to 1.52 eV) a-Si : H with improved stability fabricated by excited inert gas treatment

    H Sato, K Fukutani, W Futako, T Kamiya, CM Fortmann, Shimizu, I

    SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS   66 ( 1-4 )   321 - 327   2001年2月

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  • Improved p-i-n solar cells structure for narrow bandgap a-Si : H prepared by Ar* chemical annealing at high temperatures

    T Komaru, H Sato, W Futako, T Kamiya, CM Fortmann, Shimizu, I

    SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS   66 ( 1-4 )   329 - 335   2001年2月

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  • Microstructure control of very thin polycrystalline silicon layers on glass substrate by plasma enhanced CVD

    D Matsuura, T Kamiya, CM Fortmann, Simizu, I

    SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS   66 ( 1-4 )   305 - 311   2001年2月

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  • In situ hydrogen plasma treatment for improved transport of (400) oriented polycrystalline silicon films

    A Suemasu, K Nakahata, K Ro, T Kamiya, CM Fortmann, Shimizu, I

    SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS   66 ( 1-4 )   313 - 320   2001年2月

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  • Free carrier optical absorption used to analyze the electrical properties of polycrystalline silicon films formed by plasma enhanced chemical vapor deposition

    T Watanabe, T Sameshima, K Nakahata, T Kamiya, Shimizu, I

    THIN SOLID FILMS   383 ( 1-2 )   248 - 250   2001年2月

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  • Stability of a-Si : H solar cells deposited by Ar-treatment or by ECR techniques

    K Ohkawa, S Shimizu, H Sato, T Komaru, W Futako, T Kamiya, CM Fortmann, Shimizu, I

    SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS   66 ( 1-4 )   297 - 303   2001年2月

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  • Improvement of transport properties for polycrystalline silicon prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition

    Toshio Kamiya, Atsushi, Suemasu Tadashi Watanabe Toshiyuki Sameshima, Isamu Shimizu

    Appl. Phys. A   73   151   2001年

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  • Single-electron devices and nanostructures in silicon

    T. Kamiya, Y.T. Ta, Z.A.K. Durrani, H. Ahmed

    Proc. 7th Internaational Symposium on Advanced Physical Fields   16   2001年

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  • Properties of amorphous silicon solar cells fabricated from SiH_2_Cl_2_

    Satoshi Shimizu, Kojiro Okawa, Toshio Kamiya, C.M. Fortman, Isamu Shimizu

    Solar Energy Materials and Solar Cells   66 ( 1/4 )   289 - 295   2001年

  • Carrier transport across a few grain boundaries in highly doped polycrystalline silicon

    Yoshikazu Furuta, Hiroshi Mizuta Kazuo Nakazato Yong, Tsong Tan, Toshio Kamiya Zahid, A.K. Durrani, Haroon Ahmed, Kenji Taniguchi

    Jpn. J. Appl. Phys.   40 ( 6B )   L615 - L617   2001年

     詳細を見る

  • Carrier transport in ultra-thin nano/polycrystalline silicon films and nanowires

    T. Kamiya, Y.T. Ta, Y. Furuta, H.Mizuta, Z.A.K. Durrani, H. Ahmed

    Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   664   A16.2.1   2001年

     詳細を見る

  • Improvement of transport properties for polycrystalline silicon prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition

    Toshio Kamiya, Atsushi, Suemasu Tadashi Watanabe Toshiyuki Sameshima, Isamu Shimizu

    Appl. Phys. A   73   151   2001年

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  • Single-electron effects in side-gated point contacts fabricated in low-temperature deposited nanocrystalline silicon films

    Y.T. Ta, T. Kamiya, Z.A.K. Durrani, H. Ahmed

    Appl. Phys. Lett.   78 ( 8 )   1083 - 1085   2001年

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  • Properties of amorphous silicon solar cells fabricated from SiH_2_Cl_2_

    Satoshi Shimizu, Kojiro Okawa, Toshio Kamiya, C.M. Fortman, Isamu Shimizu

    Solar Energy Materials and Solar Cells   66 ( 1/4 )   289 - 295   2001年

  • ナノ結晶シリコン単電子トランジスタ

    神谷利夫, Y.T.Tan, Z.A.K.Durrani, H.Ahmed

    第28回アモルファス物質の物性と応用セミナーテキスト   31   2001年

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  • Carrier transport in ultra-thin nano/polycrystalline silicon films and nanowires

    T. Kamiya, Y.T. Ta, Y. Furuta, H.Mizuta, Z.A.K. Durrani, H. Ahmed

    Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   664   A16.2.1   2001年

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  • Single-electron devices and nanostructures in silicon

    T. Kamiya, Y.T. Ta, Z.A.K. Durrani, H. Ahmed

    Proc. 7th Internaational Symposium on Advanced Physical Fields   16   2001年

     詳細を見る

  • Single-electron effects in side-gated point contacts fabricated in low-temperature deposited nanocrystalline silicon films

    Y.T. Ta, T. Kamiya, Z.A.K. Durrani, H. Ahmed

    Appl. Phys. Lett.   78 ( 8 )   1083 - 1085   2001年

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  • Carrier transport across a few grain boundaries in highly doped polycrystalline silicon

    Yoshikazu Furuta, Hiroshi Mizuta Kazuo Nakazato Yong, Tsong Tan, Toshio Kamiya Zahid, A.K. Durrani, Haroon Ahmed, Kenji Taniguchi

    Jpn. J. Appl. Phys.   40 ( 6B )   L615 - L617   2001年

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  • High electric field photocurrent of Vidicon and diode devices using wide band gap a-Si : H prepared with intentional control of silicon network by chemical annealing

    W Futako, T Sugawara, T Kamiya, Shimizu, I

    JOURNAL OF ORGANOMETALLIC CHEMISTRY   611 ( 1-2 )   525 - 530   2000年10月

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  • The structure of 1.5-2.0 eV band gap amorphous silicon films prepared by chemical annealing

    W Futako, T Kamiya, CM Fortmann, Shimizu, I

    JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS   266 ( Pt.A )   630 - 634   2000年5月

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  • Anisotropic carrier transport in preferentially oriented polycrystalline silicon films fabricated by very-high-frequency plasma enhanced chemical vapor deposition using fluorinated source gas

    K Nakahata, T Kamiya, CM Fortmann, Shimizu, I, H Stuchlikova, A Fejfar, J Kocka

    JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS   266 ( Pt.A )   341 - 346   2000年5月

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  • Microstructure and photovoltaic properties of low temperature polycrystalline silicon solar cells fabricated by VHF-GD CVD using fluorinated gas

    K Ro, K Nakahata, T Kamiya, CM Fortmann, Shimizu, I

    JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS   266 ( Pt.B )   1088 - 1093   2000年5月

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  • Structural properties of polycrystalline silicon films having varied textures fabricated with intentional control of surface reactions using SiF4/H-2/SiH4 mixing gas

    T Kamiya, K Nakahata, CM Fortmann, Shimizu, I

    JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS   266 ( Pt.A )   120 - 124   2000年5月

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  • Optical absorption and Hall effect in (220) and (400) oriented polycrystalline silicon films

    T. Kamiya, K, Nakahata T, Sameshima T, Watanabe, T, Mouri, I. Shimizu

    J. Appl. Phys.   88 ( 6 )   3310 - 3315   2000年

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  • Fabrication of Polycrystalline Silicon Films from SiF_4_/H_2_/SiH_4_ Mixture Gases Using Very High Frequency Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition with In Situ Plasma Diagnostics and Their Structural Properties

    K. Nakahata, K.Ro, A.Suemasu, T. Kamiya, C.M.Fortmann, I. Shimizu

    Jpn. J. Appl. Phys.   39 ( 6A )   3294 - 3301   2000年

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  • Growth and Transport Property of Polycrystalline Silicon Fabricated with Intentional Orientation Control on Glass

    Toshio Kamiya, Kouichi Nakahata Toshiyuki Sameshima Kazuyoshi Ro Atsushi, Suemasu Charles M. Fortmann, Isamu Shimi

    Key Engineering Materials   181   125   2000年

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  • Transparent Conductive Oxide for Solar Cells Having Resistance to High Density Hydrogen Plasma and/or High Temperature

    Toshio Kamiya, Takashi Komaru, Satoshi Shimizu Mika Kanbe Charles M. Fortmann, Isamu Shimizu

    Key Engineering Materials   181   125   2000年

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  • Fabrication of Polycrystalline Silicon Films from SiF_4_/H_2_/SiH_4_ Mixture Gases Using Very High Frequency Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition with In Situ Plasma Diagnostics and Their Structural Properties

    K. Nakahata, K.Ro, A.Suemasu, T. Kamiya, C.M.Fortmann, I. Shimizu

    Jpn. J. Appl. Phys.   39 ( 6A )   3294 - 3301   2000年

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  • Transport properties of polycrystalline silicon with various textures and microstructures

    Toshio Kamiya, Kouichi Nakahata Atsushi, Suemasu Kazuyoshi Ro Charles M. Fortmann, Isamu Shimizu

    Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   609   A27.1   2000年

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  • Transparent Conductive Oxide for Solar Cells Having Resistance to High Density Hydrogen Plasma and/or High Temperature

    Toshio Kamiya, Takashi Komaru, Satoshi Shimizu Mika Kanbe Charles M. Fortmann, Isamu Shimizu

    Key Engineering Materials   181   125   2000年

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  • Optical absorption and Hall effect in (220) and (400) oriented polycrystalline silicon films

    T. Kamiya, K, Nakahata T, Sameshima T, Watanabe, T, Mouri, I. Shimizu

    J. Appl. Phys.   88 ( 6 )   3310 - 3315   2000年

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  • Growth and Transport Property of Polycrystalline Silicon Fabricated with Intentional Orientation Control on Glass

    Toshio Kamiya, Kouichi Nakahata Toshiyuki Sameshima Kazuyoshi Ro Atsushi, Suemasu Charles M. Fortmann, Isamu Shimi

    Key Engineering Materials   181   125   2000年

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  • Transport properties of polycrystalline silicon with various textures and microstructures

    Toshio Kamiya, Kouichi Nakahata Atsushi, Suemasu Kazuyoshi Ro Charles M. Fortmann, Isamu Shimizu

    Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   609   A27.1   2000年

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  • Carrier transport, structure and orientation in polycrystalline silicon on glass

    K Nakahata, A Miida, T Kamiya, CM Fortmann, Shimizu, I

    THIN SOLID FILMS   337 ( 1-2 )   45 - 50   1999年1月

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  • High rates and very low temperature fabrication of polycrystalline silicon from fluorinated source gas

    T. Kamiya, K. Nakahata, K. Ro, C, M. Fortman, I. Shimizu

    Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   557   513   1999年

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  • High rates and very low temperature fabrication of polycrystalline silicon from fluorinated source gas

    T. Kamiya, K. Nakahata, K. Ro, C, M. Fortman, I. Shimizu

    Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   557   513   1999年

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  • Amorphous Silicon Solar Cell Techniques for High Temperature and/or Reactive Deposition Conditions

    M. Kanbe, T. Komaru, K. Fukutani, T. Kamiya, C.M. Fortmann, I. Shimizu

    Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   557   767   1999年

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  • Amorphous silicon solar cells techniques for reactive conditions

    Satoshi Shimizu, Kojiro Okawa, Toshio Kamiya, C.M.Fortmann, Isamu Shimizu

    Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   557   791   1999年

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  • Comparison of Microstructure and Crystal Structure of Polycrystalline Silicon Exhibiting Varied Textures Fabricated by Microwave and Very High Frequency Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition and their transport properties

    Toshio KAMIYA, Kouichi, NAKAHATA Kazuyoshi RO Charles Michael FORTMANN, Isamu SHIMIZU

    Jpn. J. Appl. Phys.   38 ( 10 )   5750 - 5756   1999年

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  • Fabrication of Solar Cells Having SiH_2_Cl_2_ Based I-layer Materials

    Satoshi Shimizu, Takashi Komaru, Kojiro Okawa, Toshio Kamiya, C.M.Fortmann, Isamu Shimizu

    Jpn. J. Appl. Phys.   38 ( 12A )   6617 - 6623   1999年

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  • Optimization of Transparent Conductive Oxide for Improved Resistance to Reactive and/or High Temperature Optoelectronic Device Processing

    Takashi KOMARU, Satoshi SHIMIZU Mika KANBE Yoshiteru, MAEDA Toshio, KAMIYA Charles Michael FORTMANN I. SHIMIZU

    Jpn. J. Appl. Phys.   38 ( 10 )   5796 - 5804   1999年

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  • Role of Seed Crystal Layer in Two-Step-Growth Procedure for Low Temperature Growth of Polycrystalline Silicon Thin Film from SiF4 by a Remote-Type Microwave Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition

    Toshio KAMIYA, Kazuyoshi RO Charles Michael FORTMANN, Isamu SHIMIZU

    Jpn. J. Appl. Phys   38 ( 10 )   5762 - 5767   1999年

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  • Structure control of polycrystalline silicon films on glass substrates and their properties

    Kamiya, T., Nakahata, K., Ro, K., Tohti, J., Fortmann, C.M., Shimizu, I.

    Key Engineering Materials   169   171   1999年

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  • Control of orientation from randome to(220) or (400) orientation in polycrystalline silicon films

    T. Kamiya, K. Nakahata, A. Miida, C. M. Fortmann, I.Shimizu

    Thin Solid Films   337 ( 1/2 )   18 - 22   1999年

  • Amorphous Silicon Solar Cell Techniques for High Temperature and/or Reactive Deposition Conditions

    M. Kanbe, T. Komaru, K. Fukutani, T. Kamiya, C.M. Fortmann, I. Shimizu

    Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   557   767   1999年

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  • Amorphous silicon solar cells techniques for reactive conditions

    Satoshi Shimizu, Kojiro Okawa, Toshio Kamiya, C.M.Fortmann, Isamu Shimizu

    Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   557   791   1999年

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  • Comparison of Microstructure and Crystal Structure of Polycrystalline Silicon Exhibiting Varied Textures Fabricated by Microwave and Very High Frequency Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition and their transport properties

    Toshio KAMIYA, Kouichi, NAKAHATA Kazuyoshi RO Charles Michael FORTMANN, Isamu SHIMIZU

    Jpn. J. Appl. Phys.   38 ( 10 )   5750 - 5756   1999年

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  • Fabrication of Solar Cells Having SiH_2_Cl_2_ Based I-layer Materials

    Satoshi Shimizu, Takashi Komaru, Kojiro Okawa, Toshio Kamiya, C.M.Fortmann, Isamu Shimizu

    Jpn. J. Appl. Phys.   38 ( 12A )   6617 - 6623   1999年

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  • Optimization of Transparent Conductive Oxide for Improved Resistance to Reactive and/or High Temperature Optoelectronic Device Processing

    Takashi KOMARU, Satoshi SHIMIZU Mika KANBE Yoshiteru, MAEDA Toshio, KAMIYA Charles Michael FORTMANN I. SHIMIZU

    Jpn. J. Appl. Phys.   38 ( 10 )   5796 - 5804   1999年

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  • Role of Seed Crystal Layer in Two-Step-Growth Procedure for Low Temperature Growth of Polycrystalline Silicon Thin Film from SiF4 by a Remote-Type Microwave Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition

    Toshio KAMIYA, Kazuyoshi RO Charles Michael FORTMANN, Isamu SHIMIZU

    Jpn. J. Appl. Phys   38 ( 10 )   5762 - 5767   1999年

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  • Control of orientation from randome to(220) or (400) orientation in polycrystalline silicon films

    T. Kamiya, K. Nakahata, A. Miida, C. M. Fortmann, I.Shimizu

    Thin Solid Films   337 ( 1/2 )   18 - 22   1999年

  • Structure Control of Polycrystalline Silicon Films on Glass Substrates and their properties

    Toshio KAMIYA, Kouichi, NAKAHATA Kazuyoshi, RO Jurat, TOHTI Charles Michael FORTMANN, Isamu SHIMIZU

    Key Engineering Materials   169-170   171   1999年

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  • ガラス基板上に低温成長させた多結晶シリコン薄膜の構造に与えるハロゲンの影響

    神谷利夫, 前田佳輝, 中畑浩一, 小丸貴史, C.M.Fortmann 清水勇

    日本セラミックス協会学術論文誌   107 ( 1251 )   1099 - 1104   1999年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人日本セラミックス協会  

    Polycrystalline silicon thin films were fabricated by VHF(100-144 MHz)plasma enhanced chemical vapor deposition. Three different source materials were used to grow the films on glass substrates : (1)SiH_2Cl_2/H_2, (2)SiF_4/H_2 and(3)SiH_4/H_2 mixing gases. It was found that the gas mixing ratio where crystal silicon grows strongly depends on the selection of source gas : i.e., crystal growth occurred at mixing ratios(SiF_4/H_2)smaller than 30/10 sccm while the crystal growth in SiH_4/H_2 system required much smaller mixing ratios, such as =1/50 sccm. Microstructures of the films were also strongly influenced by the source material. (220)orientation structures were easily obtained when SiF_4, SiH_2Cl_2 or B_2H_6 were used, compared to SiH_4. In addition, (400)preferentially oriented film grew on glass when the film was grown at a gas mixing ratio of SiF_4/H_2=30/10 sccm and a substrate temperature of 200°C. Chlorinated source gases including SiH_nCl_m(n+m=4)are also expected to produce(400)oriented growth.

    DOI: 10.2109/jcersj.107.1099

    CiNii Books

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    その他リンク: https://jlc.jst.go.jp/DN/JALC/00064206509?from=CiNii

  • Photoconductivity gain over 10 at a large electric field in wide gap a-Si : H

    W Futako, T Kamiya, CM Fortmann, Shimizu, I

    JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS   227 ( Pt.A )   220 - 224   1998年5月

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  • Band gap tuning of a-Si : H from 1.55 eV to 2.10 eV by intentionally promoting structural relaxation

    K Fukutani, M Kanbe, W Futako, B Kaplan, T Kamiya, CM Fortmann, Shimizu, I

    JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS   227 ( Pt.A )   63 - 67   1998年5月

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  • Narrow Bandgap Amorphous Silicon-Based Solar Cells Prepared by High-Temperature Processing

    M. Kambe, Y.Yamamoto, K.Fukutani, T.Kamiya, C.M.Fortmann, I. Shimizu

    Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   507   205   1998年

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  • Narrow Bandgap Amorphous Silicon-Based Solar Cells Prepared by High-Temperature Processing

    M. Kambe, Y.Yamamoto, K.Fukutani, T.Kamiya, C.M.Fortmann, I. Shimizu

    Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   507   205   1998年

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  • Stable Solar Cells Prepared from Dichlorosilane

    Y.Yamamoto, W. Futako, K.Fukutani, M.Hagino, T. Sugawara, T.Kamiya, C.M.Fortmann, I. Shimizu

    Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   507   199   1998年

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  • Control of Orientation for Polycrystalline Silicon Thin Films Fabricated from Fluorinated Source Gas

    Kouichi NAKAHATA, Atsushi MIIDA Toshio, KAMIYA Yoshiteru, MAEDA Charles Michael FORTMANN, Isamu SHIMIZU

    Jpn. J. Appl. Phys. Lett.,   37 ( 9A/B )   L1026 - L1029   1998年

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  • Extremely Narrow Band Gap, ~1.50eV, Amorphous Silicon

    Kazuhiko FUKUTANI Tatsuya, SUGAWARA Wataru FUTAKO Toshio, KAMIYA Charles Michael FORTMANN, Isamu SHIMIZU

    Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   507   211   1998年

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  • Wide Band Gap a-Si:H-Based High Gain Visicon Devices Prepared by Chemical Annealing

    Wataru FUTAKO Tatsuya, SUGAWARA Toshio, KAMIYA Charles Michael FORTMANN, Isamu SHIMIZU

    Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   507   357   1998年

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  • Control of Orientation for Polycrystalline Silicon Thin Films Fabricated from Fluorinated Source Gas

    Kouichi NAKAHATA, Atsushi MIIDA Toshio, KAMIYA Yoshiteru, MAEDA Charles Michael FORTMANN, Isamu SHIMIZU

    Jpn. J. Appl. Phys. Lett.,   37 ( 9A/B )   L1026 - L1029   1998年

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  • Wide Band Gap a-Si:H-Based High Gain Visicon Devices Prepared by Chemical Annealing

    Wataru FUTAKO Tatsuya, SUGAWARA Toshio, KAMIYA Charles Michael FORTMANN, Isamu SHIMIZU

    Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   507   357   1998年

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  • Stable Solar Cells Prepared from Dichlorosilane

    Y.Yamamoto, W. Futako, K.Fukutani, M.Hagino, T. Sugawara, T.Kamiya, C.M.Fortmann, I. Shimizu

    Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   507   199   1998年

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  • Extremely Narrow Band Gap, ~1.50eV, Amorphous Silicon

    Kazuhiko FUKUTANI Tatsuya, SUGAWARA Wataru FUTAKO Toshio, KAMIYA Charles Michael FORTMANN, Isamu SHIMIZU

    Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   507   211   1998年

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  • Progress in Growth of High Quality Amorphous Silicon Materials

    W.Futako, K, Fukutani M, Kannbe, T. Kamiya, C.M.Fortmann, I. Shimizu

    Proc. IEEE 26th PVSC   581   1997年

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  • Frequency, electric field and temperature dependence of piezoelectric constant of Pb(Zr,Ti)O3 based ceramics under high electric field

    Toshio KAMIYA, Takaaki TSURUMI, Ryuichi MISHIMA Etsuo, SAKAI Masaki DAIMON

    Ferroelectrics   196   277   1997年

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  • Frequency, electric field and temperature dependence of piezoelectric constant of Pb(Zr,Ti)O3 based ceramics under high electric field

    Toshio KAMIYA, Takaaki TSURUMI, Ryuichi MISHIMA Etsuo, SAKAI Masaki DAIMON

    Ferroelectrics   196   277   1997年

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  • Progress in Growth of High Quality Amorphous Silicon Materials

    W.Futako, K, Fukutani M, Kannbe, T. Kamiya, C.M.Fortmann, I. Shimizu

    Proc. IEEE 26th PVSC   581   1997年

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  • Determination of Interatomic Potential by Ab-Initio Periodic Calculation for MgO

    T. KAMIYA

    Jpn. J. Appl. Phys.   35 ( 6A )   3688 - 3694   1996年

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  • Calculation of Crystal Structure, Dielectric and Piezoelectric Properties of Wurtzite-Type Crystals Using Ab-initio Periodic Hartree-Fock Method

    T.KAMIYA

    Jpn. J. Appl. Phys.   35 ( 8 )   4421 - 4426   1996年

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  • Detection of 90degrees Domain Rotation in PZT Ceramics by X-ray Diffraction Method

    Yutaka Kumano, Takaaki Tsurumi, Toshio Kamiya

    Trans. Mater. Res Soc. Jpn.   20   656   1996年

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  • Determination of Interatomic Potential by Ab-Initio Periodic Calculation for MgO

    T. KAMIYA

    Jpn. J. Appl. Phys.   35 ( 6A )   3688 - 3694   1996年

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  • 分子系分散剤によるエーライトの分散

    坂井悦郎, 田中丈士, 神谷利夫, 大門正機

    セメント・コンクリート論文集   886   1996年

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  • Detection of 90degrees Domain Rotation in PZT Ceramics by X-ray Diffraction Method

    Yutaka Kumano, Takaaki Tsurumi, Toshio Kamiya

    Trans. Mater. Res Soc. Jpn.   20   656   1996年

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  • Calculation of Crystal Structure, Dielectric and Piezoelectric Properties of Wurtzite-Type Crystals Using Ab-initio Periodic Hartree-Fock Method

    T.KAMIYA

    Jpn. J. Appl. Phys.   35 ( 8 )   4421 - 4426   1996年

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  • 無機粉体の特性とセメントペーストの流動性

    坂井悦郎, 星野清一, 大場陽子, 神谷利夫, 大門正機

    第23回セメント・コンクリート研究討論会論文報告集   104   1996年

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  • 石灰石微粉末の反応性と流動性

    坂井悦郎, 大門正機, 大場陽子, 神谷利夫

    第22回セメント・コンクリート研究討論会論文報告集   73   1995年

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  • Dielectric Dispersion of Relaxor Ferroelectrics

    Takaaki Tsurumi, Kouji Soejima, Toshio Kamiya, Masaki Daimon

    Trans. Mater. Res. Soc. Jpn.   14B   1694   1994年

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  • Growth of Bismuth Silicate Thin Film on Si and Its Dielectric Properties

    Jong Hee, Kim, Takaaki, Tsurumi, Toshio Kamiya, Masaki Daimon

    J. Appl. Phys.   75 ( 6 )   2924 - 2928   1994年

     詳細を見る

  • Mechanism of Diffuse Phase Transition in Relaxor Ferroelectrics

    Takaaki Tsurumi, Kouji Soejima, Toshio Kamiya, Masaki Daimon

    Jpn. J. Appl. Phys.   33 ( 4A )   1959 - 1964   1994年

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  • Dielectric Dispersion of Relaxor Ferroelectrics

    Takaaki Tsurumi, Kouji Soejima, Toshio Kamiya, Masaki Daimon

    Trans. Mater. Res. Soc. Jpn.   14   1691   1994年

     詳細を見る

  • Calculation of Band Structures for Perovskite-Type Crystals Using Discrete variational Xa Method;

    T. KAMIYA, T, TANAKA T. TSURUMI, M. DAIMON

    Jpn. J. Appl. Phys.   33 ( 7A )   3965 - 3970   1994年

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  • Dielectric Dispersion of Relaxor Ferroelectrics

    Takaaki Tsurumi, Kouji Soejima, Toshio Kamiya, Masaki Daimon

    Trans. Mater. Res. Soc. Jpn.   14B   1694   1994年

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  • Crystal Structure and Hydration of Belite

    Takaaki Tsurumi, Masaki Daimon, Toshio Kamiya, Yoshinobu Hirano

    Ceramic Transaction   40   19   1994年

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  • 高炉スラグ微粉末を混合したセメント硬化体の炭酸化反応

    大門正機, 坂井悦郎, 大場陽子, 神谷利夫, 金尚杢

    第21回セメント・コンクリート研究討論会論文報告集   29   1994年

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  • Dielectric Dispersion of Relaxor Ferroelectrics

    Takaaki Tsurumi, Kouji Soejima, Toshio Kamiya, Masaki Daimon

    Trans. Mater. Res. Soc. Jpn.   14   1691   1994年

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  • Growth of Bismuth Silicate Thin Film on Si and Its Dielectric Properties

    Jong Hee, Kim, Takaaki, Tsurumi, Toshio Kamiya, Masaki Daimon

    J. Appl. Phys.   75 ( 6 )   2924 - 2928   1994年

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  • Calculation of Band Structures for Perovskite-Type Crystals Using Discrete variational Xa Method;

    T. KAMIYA, T, TANAKA T. TSURUMI, M. DAIMON

    Jpn. J. Appl. Phys.   33 ( 7A )   3965 - 3970   1994年

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  • Mechanism of Diffuse Phase Transition in Relaxor Ferroelectrics

    Takaaki Tsurumi, Kouji Soejima, Toshio Kamiya, Masaki Daimon

    Jpn. J. Appl. Phys.   33 ( 4A )   1959 - 1964   1994年

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  • Crystal Structure and Hydration of Belite

    Takaaki Tsurumi, Masaki Daimon, Toshio Kamiya, Yoshinobu Hirano

    Ceramic Transaction   40   19   1994年

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  • Quantum Calculation of molecular orbital for PZT solid Solutions

    TOSHIO KAMIYA

    Computer Aided Innovation of New Materials II   225   1993年

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  • Diffuse Phase Transition of Pb(Mg1/3Nb2/3)O3

    Takaaki Tsurumi, Kouji Soejima, Toshio Kamiya, Masaki Daimon

    Ext. Abs. The 6th US-Jpn Seminar Dielectr. Piezo. Ceram.   215   1993年

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  • Mechanism of Temperature Dependence of Piezoelectric Properties for Pb(Zr, Ti)O3

    Toshio KAMIYA, Ryuuichi MISHIMA, Takaaki TSURUMI, Masaki DAIMON

    Jpn. J. Appl. Phys.   32 ( 9B )   4223   1993年

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  • Preparation of Bismuth Silicate Films on Si Wafer by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

    Jong Hee, Kim, Takaaki Tsurumi, Hideyuki Hirano, Toshio Kamiya, Nobuyasu Mizutani, Masaki Daimon

    Jpn. J. Appl. Phys.   32   135   1993年

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  • Diffuse Phase Transition of Pb(Mg1/3Nb2/3)O3

    Takaaki Tsurumi, Kouji Soejima, Toshio Kamiya, Masaki Daimon

    Ext. Abs. The 6th US-Jpn Seminar Dielectr. Piezo. Ceram.   215   1993年

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  • Mechanism of Temperature Dependence of Piezoelectric Properties for Pb(Zr, Ti)O3

    Toshio KAMIYA, Ryuuichi MISHIMA, Takaaki TSURUMI, Masaki DAIMON

    Jpn. J. Appl. Phys.   32 ( 9B )   4223   1993年

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  • Quantum Calculation of molecular orbital for PZT solid Solutions

    TOSHIO KAMIYA

    Computer Aided Innovation of New Materials II   225   1993年

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  • Preparation of Bismuth Silicate Films on Si Wafer by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

    Jong Hee, Kim, Takaaki Tsurumi, Hideyuki Hirano, Toshio Kamiya, Nobuyasu Mizutani, Masaki Daimon

    Jpn. J. Appl. Phys.   32   135   1993年

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  • Effects of Manganese addition on piezoelectric properties of Pb(Zr_0.5_Ti_0.5_)O_3_

    TOSHIO KAMIYA

    Jpn. J. Appl. Phys.   31   3058   1992年

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  • Effects of Manganese addition on piezoelectric properties of Pb(Zr_0.5_Ti_0.5_)O_3_

    TOSHIO KAMIYA

    Jpn. J. Appl. Phys.   31   3058   1992年

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講演・口頭発表等

  • 固体酸化物を放出源とした真空中への原子状酸素の発生とその照射効果

    応用物理学会2009年秋季 学術講演会  2009年 

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    会議種別:ポスター発表  

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  • Impact of Subgap States on Peculiar Characteristics of Amorphous Oxide Thin-Film Transistor

    Proc. IDW'09  2009年 

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  • Low Temperature Oxidation of Si Using Novel Ceramic Atomic Oxygen Source

    The Third International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC-3)  2009年 

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    会議種別:ポスター発表  

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  • Defects and doping in amorphous oxide semiconductor studied by first-principles calculations

    Ext. Abstract of the 26th Int. Japan-Korea Seminar on Ceramics  2009年 

     詳細を見る

  • Electronic structures of defects and impurities in layered mixed anion compounds

    Ext. Abstract of the 26th Int. Japan-Korea Seminar on Ceramics  2009年 

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  • What have been clarified for amorphous oxide semiconductors?

    IDMC窶「3DSA窶「Asia Display'09  2009年 

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  • Amorphous oxide semiconductor: Factors determining TFT performance and stability

    9th Int. Meeting on Inf. Display (IMID2009)  2009年 

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  • Low Temperature Oxidation of Si Using Novel Ceramic Atomic Oxygen Source

    The Third International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC-3)  2009年 

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    会議種別:ポスター発表  

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  • Interfacial electronic structure and electron injection property at C12A7:e- cathode/Alq3 interface.

    E-MRS 2007 Spring Meeting  2007年 

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  • Photosensitivity of Amorphous IGZO TFTs for Active-Matrix Flat-Panel Displays

    SID '08 Proc.  2008年 

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  • Interfacial electronic structure and electron injection property at C12A7:e- cathode/Alq3 interface.

    E-MRS 2007 Spring Meeting  2007年 

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  • Impact of Subgap States on Peculiar Characteristics of Amorphous Oxide Thin-Film Transistor

    Proc. IDW'09  2009年 

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  • Photosensitivity of Amorphous IGZO TFTs for Active-Matrix Flat-Panel Displays

    SID '08 Proc.  2008年 

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  • Defects and doping in amorphous oxide semiconductor studied by first-principles calculations

    Ext. Abstract of the 26th Int. Japan-Korea Seminar on Ceramics  2009年 

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  • Electronic structures of defects and impurities in layered mixed anion compounds

    Ext. Abstract of the 26th Int. Japan-Korea Seminar on Ceramics  2009年 

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  • What have been clarified for amorphous oxide semiconductors?

    IDMC窶「3DSA窶「Asia Display'09  2009年 

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  • Amorphous oxide semiconductor: Factors determining TFT performance and stability

    9th Int. Meeting on Inf. Display (IMID2009)  2009年 

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Works(作品等)

  • CREST, 「ネオシリコン創製に向けた構造制御と機能探索」

    1999年 - 2002年

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    作品分類:芸術活動  

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  • CREST, "Neosilicon: A Novel Functional Material for Future Electronics"

    1999年 - 2002年

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    作品分類:芸術活動  

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  • 物質・材料の自己組織化機構の解析と制御に関する研究

    1996年 - 2000年

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    作品分類:芸術活動  

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受賞

  • H19年度 科学技術分野の文部科学大臣表彰 若手科学者賞

    2007年  

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    受賞国:日本国

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  • The Commendation for Science and Technology by the Minister of Education, Culture, Sports, Science and Technology, The Young Scientists' Prize

    2007年  

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  • 第19回(2005年度)独創性を拓く 先端技術大賞 企業・産学部門 特別賞

    2005年  

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    受賞国:日本国

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  • 薄膜材料デバイス研究会ベストペーパーアワード

    2005年  

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    受賞国:日本国

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  • DV-Xα研究協会 研究奨励賞

    1998年  

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    受賞国:日本国

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共同研究・競争的資金等の研究課題

  • ナノデバイス

    2004年

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    資金種別:競争的資金

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  • nanodevice

    2004年

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    資金種別:競争的資金

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  • 半導体

    2002年

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    資金種別:競争的資金

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  • semiconductor

    2002年

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    資金種別:競争的資金

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  • 第一原理計算による材料物性評価

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    資金種別:競争的資金

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  • Calculation of Properties by ab-initio method

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    資金種別:競争的資金

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