Binarized Neural Network Accelerator Macro Using Ultralow-Voltage Retention SRAM for Energy Minimum-Point Operation

Yusaku Shiotsu, Satoshi Sugahara

IEEE JOURNAL ON EXPLORATORY SOLID-STATE COMPUTATIONAL DEVICES AND CIRCUITS   8 ( 2 )   134 - 144   2022年12月

Ultralow-Voltage Retention SRAM With a Power Gating Cell Architecture Using Header and Footer Power-Switches

Hayato Yoshida, Yusaku Shiotsu, Daiki Kitagata, Shuu'ichirou Yamamoto, Satoshi Sugahara

IEEE OPEN JOURNAL OF CIRCUITS AND SYSTEMS   2   520 - 533   2021年

Proactive useless data flush architecture for nonvolatile SRAM using magnetic tunnel junctions

Daiki Kitagata, Shuu'ichirou Yamamoto, Satoshi Sugahara

IEICE ELECTRONICS EXPRESS   17 ( 5 )   2020年3月

Design and energy-efficient architectures for nonvolatile static random access memory using magnetic tunnel junctions

Daiki Kitagata, Shuu'ichirou Yamamoto, Satoshi Sugahara

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58   2019年4月

Inverse-magnetostriction-induced switching current reduction of STT-MTJs and its application for low-voltage MRAM 査読

Yota Takamura, Yusuke Shuto, Shu'uichiro Yamamoto, Hiroshi Funakubo, Minoru Kuribayashi Kurosawa, Shigeki Nakagawa, Satoshi Sugahara

SOLID-STATE ELECTRONICS   128   194 - 199   2017年2月

Analysis of spin accumulation in a Si channel using CoFe/MgO/Si spin injectors 査読

Taiju Akushichi, Daiki Kitagata, Yusuke Shuto, Satoshi Sugahara

2017 IEEE ELECTRON DEVICES TECHNOLOGY AND MANUFACTURING CONFERENCE (EDTM)   204 - 205   2017年

Analysis of break-even time for nonvolatile SRAM with SOTB technology 査読

Daiki Kitagata, Yusuke Shuto, Shuu'ichirou Yamamoto, Satoshi Sugahara

2017 IEEE ELECTRON DEVICES TECHNOLOGY AND MANUFACTURING CONFERENCE (EDTM)   72 - 74   2017年

Design and implementation of nonvolatile power-gating SRAM using SOTB technology 査読

Yusuke Shuto, Shuu'ichirou Yamamoto, Satoshi Sugahara

ISLPED '16: PROCEEDINGS OF THE 2016 INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON LOW POWER ELECTRONICS AND DESIGN   338 - 343   2016年8月

Spin-Transistor Technology for Spintronics/CMOS Hybrid Logic Circuits and Systems 査読

Satoshi Sugahara, Yusuke Shuto, Shuu'ichirou Yamamoto

Nanomagnetic Devices and Phenomena for Energy-Efficient Computing   65 - 90   2016年2月

Energy performance of nonvolatile power-gating SRAM using SOTB technology 査読

Yusuke Shuto, Shuu'ichirou Yamamoto, Satoshi Sugahara

2016 46TH EUROPEAN SOLID-STATE DEVICE RESEARCH CONFERENCE (ESSDERC)   87 - 90   2016年

Nonvolatile power-gating architecture for SRAM using SOTB technology 査読

Y. Shuto, S. Yamamoto, S. Sugahara

2016 IEEE SILICON NANOELECTRONICS WORKSHOP (SNW)   166 - 167   2016年

Energy performance of nonvolatile power-gating SRAM using SOTB technology 査読

Yusuke Shuto, Shuu'ichirou Yamamoto, Satoshi Sugahara

ESSCIRC CONFERENCE 2016   95 - 98   2016年

New power-gating architectures using nonvolatile retention: Comparative study of nonvolatile power-gating (NVPG) and normally-off architectures for SRAM 査読

Yusuke Shuto, Shuu'ichirou Yamamoto, Satoshi Sugahara

2016 INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICROELECTRONIC TEST STRUCTURES (ICMTS)   136 - 141   2016年

Quantitative comparison of power-gating architectures for FinFET-based nonvolatile SRAM using spintronics retention technology 査読

Yusuke Shuto, Shuu'Ichirou Yamamoto, Satoshi Sugahara

2015 4th Berkeley Symposium on Energy Efficient Electronic Systems, E3S 2015 - Proceedings   2015年11月

Field-effect spin-transistors 査読

Satoshi Sugahara, Yota Takamura, Yusuke Shuto, Shuu'ichirou Yamamoto

Handbook of Spintronics   1243 - 1279   2015年9月

Spin accumulation in Si channels using CoFe/MgO/Si and CoFe/AlOx/Si tunnel contacts with high quality tunnel barriers prepared by radical-oxygen annealing

Taiju Akushichi, Yota Takamura, Yusuke Shuto, Satoshi Sugahara

Vol. 117 ( No. 17 )   2015年5月

Analysis and design of nonlocal spin devices with electric-field-induced spin-transport acceleration 査読

Yota Takamura, Taiju Akushichi, Yusuke Shuto, Satoshi Sugahara

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   117 ( 17 )   2015年5月

Fabrication and characterization of spin injector using a high-quality B2-ordered-Co2FeSi0.5Al0.5/MgO/Si(100) tunnel contact 査読

Yu Kawame, Taiju Akushichi, Yota Takamura, Yusuke Shuto, Satoshi Sugahara

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   117 ( 17 )   2015年5月

Structural and magnetic properties of ferromagnetic Fe1-xSix (0.18 <= x <= 0.33) films formed by rapid thermal annealing on silicon-on-insulator substrates 査読

R. Nakane, S. Sugahara, M. Tanaka

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   117 ( 13 )   2015年4月

Comparative study of power-gating architectures for nonvolatile FinFET-SRAM using spintronics-based retention technology 査読

Yusuke Shuto, Shuu'ichirou Yamamoto, Satoshi Sugahara

2015 DESIGN, AUTOMATION & TEST IN EUROPE CONFERENCE & EXHIBITION (DATE)   866 - 871   2015年

Fabrication of pseudo-spin-MOSFETs using a multi-project wafer CMOS chip

R. Nakane, Y. Shuto, H. Sukegawa, Z. C. Wen, S. Yamamoto, S. Mitani, M. Tanaka, K. Inomata, S. Sugahara

SOLID-STATE ELECTRONICS   102   52 - 58   2014年12月

Analysis of Hanle-effect signals observed in Si-channel spin accumulation devices 査読

Yota Takamura, Taiju Akushichi, Adiyudha Sadano, Takao Okishio, Yusuke Shuto, Satoshi Sugahara

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   115 ( 17 )   2014年5月

Near-threshold voltage operation of a nonvolatile SRAM cell based on pseudo-spin-FinFET architecture 査読

Y. Shuto, S. Yamamoto, S. Sugahara

2014 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S)   2014年

0.5V operation and performance of nonvolatile SRAM cell based on pseudo-spin-FinFET architecture 査読

Yusuke Shuto, Shuu'ichirou Yamamoto, Satoshi Sugahara

2014 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES (SISPAD)   305 - 308   2014年

Comparative study of power-gating architectures for nonvolatile SRAM cells based on spintronics technology 査読

Yusuke Shuto, Shuu'ichirou Yamamoto, Satoshi Sugahara

2014 IEEE ASIA PACIFIC CONFERENCE ON CIRCUITS AND SYSTEMS (APCCAS)   699 - 702   2014年

Nonvolatile flip-flop based on pseudo-spin-transistor architecture and its nonvolatile power-gating applications for low-power CMOS logic 査読

Shuu'ichirou Yamamoto, Yusuke Shuto, Satoshi Sugahara

EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS   63 ( 1 )   2013年7月

Monolithic integration of pseudo-spin-MOSFETs using a custom CMOS chip fabricated through multi-project wafer service 査読

R. Nakane, Y. Shuto, H. Sukegawa, Z. C. Wen, S. Yamamoto, S. Mitani, M. Tanaka, K. Inomata, S. Sugahara

2013 PROCEEDINGS OF THE EUROPEAN SOLID-STATE DEVICE RESEARCH CONFERENCE (ESSDERC)   272 - 275   2013年

FinFET-based pseudo-spin-transistor: Design and performance 査読

Yusuke Shuto, Shuu'Ichirou Yamamoto, Satoshi Sugahara

2013 IEEE International Semiconductor Conference Dresden - Grenoble: Technology, Design, Packaging, Simulation and Test, ISCDG 2013   2013年

Nonvolatile Power-Gating Field-Programmable Gate Array Using Nonvolatile Static Random Access Memory and Nonvolatile Flip-Flops Based on Pseudo-Spin-Transistor Architecture with Spin-Transfer-Torque Magnetic Tunnel Junctions 査読

Shuu'ichirou Yamamoto, Yusuke Shuto, Satoshi Sugahara

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   51 ( 11 )   2012年11月

Fabrication of High-Quality Co2FeSi/SiO (x) N (y) /Si(100) Tunnel Contacts Using Radical-Oxynitridation-Formed SiO (x) N (y) Barrier for Si-Based Spin Transistors 査読

Yota Takamura, Kengo Hayashi, Yusuke Shuto, Satoshi Sugahara

JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS   41 ( 5 )   954 - 958   2012年5月

Evaluation and Control of Break-Even Time of Nonvolatile Static Random Access Memory Based on Spin-Transistor Architecture with Spin-Transfer-Torque Magnetic Tunnel Junctions 査読

Yusuke Shuto, Shuu'ichirou Yamamoto, Satoshi Sugahara

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   51 ( 4 )   2012年4月

Nonvolatile power-gating FPGA based on pseudo-spin-transistor architecture with spin-transfer-torque MTJs 査読

Shuu'ichirou Yamamoto, Yusuke Shuto, Satoshi Sugahara

Materials Research Society Symposium Proceedings   1430   55 - 60   2012年

Static noise margin and power-gating efficiency of a new nonvolatile SRAM cell based on pseudo-spin-transistor architecture 査読

Yusuke Shuto, Shuu'ichirou Yamamoto, Satoshi Sugahara

2012 4TH IEEE INTERNATIONAL MEMORY WORKSHOP (IMW)   2012年

Nonvolatile flip-flop using pseudo-spin-transistor architecture and its power-gating applications 査読

Shuu'Ichirou Yamamoto, Yusuke Shuto, Satoshi Sugahara

IEEE 2012 International Semiconductor Conference Dresden-Grenoble, ISCDG 2012   17 - 20   2012年

Analysis of static noise margin and power-gating efficiency of a new nonvolatile SRAM cell using pseudo-spin-MOSFETs 査読

Yusuke Shuto, Shuu'ichirou Yamamoto, Satoshi Sugahara

2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2012   2012年

Design and performance of pseudo-spin-MOSFETs using nano-CMOS devices 査読

Y. Shuto, S. Yamamoto, H. Sukegawa, Z. C. Wen, R. Nakane, S. Mitani, M. Tanaka, K. Inomata, S. Sugahara

Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM   29.6.4   2012年

Structural and magnetic properties of Ge1−xMnx thin films grown on Ge (001) substrates 査読

Shinsuke Yada, Pham Nam Hai, Satoshi Sugahara, Masaaki Tanaka

Journal of Applied Physics   110 ( 7 )   073903   2011年10月

Nonvolatile delay flip-flop using spin-transistor architecture with spin transfer torque MTJs for power-gating systems 査読

S. Yamamoto, Y. Shuto, S. Sugahara

ELECTRONICS LETTERS   47 ( 18 )   1027 - U1562   2011年9月

Epitaxial germanidation of full-Heusler Co2FeGe alloy thin films formed by rapid thermal annealing 査読

Yota Takamura, Takuya Sakurai, Ryosho Nakane, Yusuke Shuto, Satoshi Sugahara

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   109 ( 7 )   2011年4月

Channel direction, effective field, and temperature dependencies of hole mobility in (110)-oriented Ge-on-insulator p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors fabricated by Ge condensation technique 査読

Sanjeewa Dissanayake, Yi Zhao, S. Sugahara, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   109 ( 3 )   2011年2月

Analysis and Design of Hanle-Effect Spin Transistors at 300 K 査読

Yota Takamura, Satoshi Sugahara

IEEE MAGNETICS LETTERS   2   2011年

Nonvolatile delay flip-flop based on spin-transistor architecture and its power-gating applications 査読

Shuu'ichirou Yamamoto, Satoshi Sugahara

Japanese Journal of Applied Physics   49 ( 9 )   2010年9月

III-V and Group-IV-Based Ferromagnetic Semiconductors for Spintronics 査読

M. Tanaka, S. Ohya, S. Yada, Y. Shuto, S. Sugahara

Comprehensive Nanoscience and Technology   1-5   447 - 462   2010年1月

A new spin-functional metal-oxide-semiconductor field-effect transistor based on magnetic tunnel junction technology: Pseudo-spin-mosfet

Yusuke Shuto, Yusuke Shuto, Ryosho Nakane, Ryosho Nakane, Wenhong Wang, Wenhong Wang, Hiroaki Sukegawa, Hiroaki Sukegawa, Shuu'ichirou Yamamoto, Shuu'ichirou Yamamoto, Masaaki Tanaka, Masaaki Tanaka, Koichiro Inomata, Koichiro Inomata, Satoshi Sugahara, Satoshi Sugahara

Applied Physics Express   3   2010年1月

Nonvolatile Static Random Access Memory Using Resistive Switching Devices: Variable-Transconductance Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor Approach 査読

Shuu'ichirou Yamamoto, Yusuke Shuto, Satoshi Sugahara

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   49 ( 4 )   2010年

High Performance Ultrathin (110)-Oriented Ge-on-Insulator p-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors Fabricated by Ge Condensation Technique 査読

Dissanayake Sanjeewa, Tomiyama Kentaro, Sugahara Satoshi, Takenaka Mitsuru, Takagi Shinichi

APPLIED PHYSICS EXPRESS   3 ( 4 )   2010年

Nonvolatile static random access memory based on spin-transistor architecture 査読

Yusuke Shuto, Shuu'ichirou Yamamoto, Satoshi Sugahara

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   105 ( 7 )   2009年4月

Evaluation of Electron and Hole Mobility at Identical Metal-Oxide-Semiconductor Interfaces by using Metal Source/Drain Ge-on-Insulator Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors 査読

Morii Kiyohito, Dissanayake Sanjeewa, Tanabe Satoshi, Nakane Ryosho, Takenaka Mitsuru, Sugahara Satoshi, Takagi Shinichi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   48 ( 4 )   2009年4月

Nonvolatile SRAM (NV-SRAM) Using Functional MOSFET Merged with Resistive Switching Devices 査読

Shuu'ichirou Yamamoto, Yusuke Shuto, Satoshi Sugahara

PROCEEDINGS OF THE IEEE 2009 CUSTOM INTEGRATED CIRCUITS CONFERENCE   531 - +   2009年

(110) Ultrathin GOI layers fabricated by Ge condensation method 査読

Dissanayake Sanjeewa, Shuto Yusuke, Sugahara Satoshi, Takenaka Mitsuru, Takagi Shinichi

THIN SOLID FILMS   517 ( 1 )   178 - 180   2008年11月

Magnetoresistance in MOSFETs with ferromagnetic MnAs source and drain contacts: Spin injection and transport in Si MOS channels 査読

R. Nakane, T. Harada, K. Sugiura, S. Sugahara, M. Tanaka

Device Research Conference - Conference Digest, DRC   227 - 228   2008年

Magneto-optical and magnetotransport properties of amorphous ferromagnetic semiconductor Ge1-xMnx thin films 査読

Shinsuke Yada, Satoshi Sugahara, Masaaki Tanaka

Applied Physics Letters   93 ( 19 )   2008年

Epitaxial lateral overgrowth of InGaAs on SiO2 from (111) Si micro channel areas 査読

Hoshii Takuya, Deura Momoko, Sugiyama Masakazu, Nakane Ryosho, Sugahara Satoshi, Takenaka Mitsuru, Nakano Yoshiaki, Takagi Shinichi

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 5, NO 9   5 ( 9 )   2733 - +   2008年

Schottky barrier MOSFETs with epitaxial ferromagnetic MnAs/Si(001) source and drain: Post-growth annealing and transport characteristics 査読

K. Sugiura, R. Nakane, S. Sugahara, M. Tanaka

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   301   611 - 614   2007年4月

Erratum: Schottky barrier height of ferromagnet/ Si(001) junctions (Applied Physics Letters (2006) 89 (072110)) 査読

Kuniaki Sugiura, Ryosho Nakane, Satoshi Sugahara, Masaaki Tanaka

Applied Physics Letters   90 ( 2 )   2007年

Erratum: High Temperature Ferromagnetism in GaAs-Based Heterostructures with MnδDoping [Phys. Rev. Lett.95, 017201 (2005)] 査読

A. M. Nazmul, T. Amemiya, Y. Shuto, S. Sugahara, M. Tanaka

Physical Review Letters   96 ( 14 )   2006年4月

Schottky barrier height of ferromagnet/Si(001) junctions 査読

Kuniaki Sugiura, Ryosho Nakane, Satoshi Sugahara, Masaaki Tanaka

Applied Physics Letters   89 ( 7 )   2006年

Spin devices for integrated circuits

M. Tanaka, S. Sugahara

INTERMAG ASIA 2005: Digests of the IEEE International Magnetics Conference   786   2005年

Spin MOSFETs using ferromagnetic Schottky barrier contacts for the source and drain 査読

S. Sugahara, M. Tanaka

Device Research Conference - Conference Digest, DRC   2005   211 - 212   2005年

Novel reconfigurable logic gates using spin metal-oxide-semiconductor field-effect transistors 査読

T Matsuno, S Sugahara, M Tanaka

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   43 ( 9A )   6032 - 6037   2004年9月

Spin-filter transistor 査読

S Sugahara, M Tanaka

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS   43 ( 7A )   L838 - L841   2004年7月

A novel spin transistor based on spin-filtering in ferromagnetic barriers: a spin-filter transistor 査読

S Sugahara, M Tanaka

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES   21 ( 2-4 )   996 - 1001   2004年3月

Electrical and Optical Control of Ferromagnetism in III-V Semiconductor Heterostructures at High Temperature (∼100 K) 査読

Ahsan M. Nazmul, Shigeki Kobayashi, Satoshi Sugahara, Masaaki Tanaka

Japanese Journal of Applied Physics   43 ( No. 2A )   L233   2004年1月

Ferromagnetism and high Curie temperature in semiconductor heterostructures with Mn δ-doped GaAs andp-type selective doping 査読

Ahsan M. Nazmul, S. Sugahara, M. Tanaka

Physical Review B   67 ( 24 )   2003年6月

Spin-polarized tunneling in fully epitaxial semiconductor-based magnetic tunnel junctions 査読

M Tanaka, Y Higo, S Sugahara

JOURNAL OF SUPERCONDUCTIVITY   16 ( 2 )   241 - 248   2003年4月

Spin-polarized tunneling in fully epitaxial semiconductor-based magnetic tunnel junctions

M. Tanaka, Y. Higo, S. Sugahara

Journal of Superconductivity and Novel Magnetism   16 ( 2 )   241 - 248   2003年

Transport properties of Mn δ-doped GaAs and the effect of selective doping 査読

Ahsan M. Nazmul, S. Sugahara, M. Tanaka

Applied Physics Letters   80 ( 17 )   3120   2002年4月

Growth characteristics and tunneling magnetoresistance of MnAs/AlAs/MnAs trilayer heterostructures grown on vicinal GaAs(111)B substrates 査読

S Sugahara, M Tanaka

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES   13 ( 2-4 )   582 - 588   2002年3月

Atomic-scale surface morphology of epitaxial ferromagnetic MnAs thin films grown on vicinal GaAs(111)B substrates 査読

S Sugahara, M Tanaka

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   89 ( 11 )   6677 - 6679   2001年6月

超低電圧リテンションSRAMのパワーゲーティング性能とアーキテクチャ

矢野 広気, 塩津 勇作, 菅原 聡, 山本 修一郎

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2022.1   2356 - 2356   2022年2月

ULVR-SRAMを用いたBNNアクセラレータの提案と性能予測

塩津 勇作, 山本 修一郎, 菅原 聡

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2021.2   2648 - 2648   2021年8月

ニアスレッショルド電圧動作ULVR-SRAMマクロの設計と解析

原 拓実, 塩津 勇作, 山本 修一郎, 菅原 聡

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2021.2   2647 - 2647   2021年8月

ボディバイアス制御ULVR-SRAMの設計と解析

原 拓実, 斎藤 修平, 塩津 勇作, 菅原 聡, 山本 修一郎

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2021.2   2646 - 2646   2021年8月

ULVR-SRAMを用いたキャッシュのパワーゲーティング性能

吉田 隼, 塩津 勇作, 菅原 聡, 山本 修一郎

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2021.1   2351 - 2351   2021年2月

超低電圧リテンションSRAM (ULVR-SRAM)のエネルギー極小点動作

塩津 勇作, 菅原 聡, 山本 修一郎

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2021.1   2350 - 2350   2021年2月

ニアスレッショルド電圧動作ULVR-SRAMセルの設計

原 拓実, 山本 修一郎, 塩津 勇作, 菅原 聡, 吉田 隼

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2021.1   2349 - 2349   2021年2月

バルクデバイスを用いた超低電圧リテンションFlip-Flopの設計と解析

松崎翼, 塩津勇作, 山本修一郎, 菅原聡

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   82nd   2021年

新型超低電圧リテンションSRAMセルの設計と解析

北形 大樹, 吉田 隼, 塩津 勇作, 山本 修一郎, 菅原 聡

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2020.2   1847 - 1847   2020年8月

新型超低電圧リテンションSRAMマクロの設計と解析

塩津 勇作, 北形 大樹, 山本 修一郎, 菅原 聡

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2020.2   1848 - 1848   2020年8月

各種リテンションSRAMのパワーゲーティングにおける電力削減効率に関する電源遮断可能時間分布の影響

吉田 隼, 北形 大樹, 山本 修一郎, 菅原 聡

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2020.2   1849 - 1849   2020年8月

ニアスレッショルド電圧動作擬似不揮発SRAMセルの設計と解析

原 拓実, 吉田 隼, 北形 大樹, 山本 修一郎, 菅原 聡

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2020.1   2720 - 2720   2020年2月

新型擬似不揮発性SRAMセルの提案

吉田 隼, 北形 大樹, 山本 修一郎, 菅原 聡

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2020.1   2719 - 2719   2020年2月

各種リテンション技術を用いたSRAMのパワーゲーティング性能

原 拓実, 吉田 隼, 山本 修一郎, 菅原 聡, 北形 大樹

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2019.2   3110 - 3110   2019年9月

不揮発/擬似不揮発記憶を用いたSRAMのパワーゲーティング性能

北形 大樹, 吉田 隼, 山本 修一郎, 菅原 聡

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2019.2   3108 - 3108   2019年9月

NV-SRAMを用いたUseless dataの積極的破棄による不揮発性パワーゲーティング

菅原 聡, 山本 修一郎, 北形 大樹

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2019.2   3111 - 3111   2019年9月

デュアルパワースイッチを用いた擬似不揮発性SRAMの設計と解析

吉田 隼, 山本 修一郎, 北形 大樹, 菅原 聡

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2019.1   2806 - 2806   2019年2月

新構造ピエゾエレクトロニックトランジスタの低リーク設計とそのSRAMへの応用

塩津 勇作, 舟窪 浩, 山本 修一郎, 菅原 聡, 黒澤 実

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2019.1   2807 - 2807   2019年2月

デュアルモードインバータを用いた擬似不揮発性SRAMの設計と解析

吉田 隼, 北形 大樹, 山本 修一郎, 菅原 聡

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2018.2   2936 - 2936   2018年9月

新構造ピエゾエレクトロニックトランジスタの設計方法

塩津 勇作, 山本 修一郎, 舟窪 浩, 黒澤 実, 菅原 聡

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2018.2   2950 - 2950   2018年9月

階層型ストアフリー電源遮断を用いた不揮発性SRAMのエネルギー性能

北形 大樹, 菅原 聡, 山本 修一郎

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2018.1   3205 - 3205   2018年3月

ピエゾエレクトロニック磁気抵抗デバイスとその低電圧MRAMへの応用

高村 陽太, 山本 修一郞, 舟窪 浩, 黒沢 実, 中川 茂樹, 菅原 聡

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2018.1   3210 - 3210   2018年3月

新構造ピエゾエレクトロニックトランジスタの設計とそのデバイス・回路性能

塩津 勇作, 山本 修一郎, 周藤 悠介, 舟窪 浩, 黒澤 実, 菅原 聡

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2018.1   3209 - 3209   2018年3月

強磁性トンネル接合を用いた不揮発性SRAMの待機時電力削減能力

北形 大樹, 山本 修一郎, 菅原 聡

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2017.2   2988 - 2988   2017年8月

依頼講演 不揮発性SRAMのアーキテクチャとエネルギー性能—Architectures and energy performance of nonvolatile SRAM for core-level nonvolatile power-gating—集積回路

北形 大樹, 周藤 悠介, 菅原 聡, 山本 修一郎

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   117 ( 9 )   51 - 56   2017年4月

不揮発性SRAMの設計とエネルギー性能の解析

菅原 聡, 周藤 悠介, 山本 修一郎, 北形 大樹

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2017.1   3033 - 3033   2017年3月

不揮発性SRAMを用いたパワーゲーティングアーキテクチャの定量比較

周藤 悠介, 山本 修一郎, 菅原 聡

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2015.2   2750 - 2750   2015年8月

FinFETを用いた擬似スピンMOSFETとその不揮発性SRAMへの応用

周藤 悠介, 山本 修一郎, 菅原 聡

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2014.1   2859 - 2859   2014年3月

ナノCMOS技術を用いた擬似スピンMOSFETおよび不揮発性SRAMセルの性能と設計

山本 修一郎, 菅原 聡, 周藤 悠介

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2013.1   2738 - 2738   2013年3月

擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性デュアルポートSRAMセルの提案とNVPG応用

山本 修一郎, 周藤 悠介, 菅原 聡

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2013.1   2739 - 2739   2013年3月

ナノCMOSデバイスを用いた擬似スピンMOSFETの設計と性能 (シリコン材料・デバイス・IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

周藤 悠介, 山本 修一郎, 介川 裕章, Wen ZhenChao, 中根 了昌, 三谷 誠司, 田中 雅明, 猪俣 浩一郎, 菅原 聡

電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報   112 ( 421 )   43 - 46   2013年1月

擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性SRAM:スリープモード動作とその応用

周藤 悠介, 山本 修一郎, 菅原 聡

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2012.2   2797 - 2797   2012年8月

擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性SRAMのスタティックノイズマージンとエネルギー性能の解析—Static noise margin and energy performance analyses of a nonvolatile SRAM cell using pseudo-spin-MOSFET—シリコン材料・デバイス

周藤 悠介, 山本 修一郎, 菅原 聡

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   112 ( 169 )   65 - 70   2012年8月

擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性SRAM:スタティックノイズマージン評価

周藤 悠介, 山本 修一郎, 菅原 聡

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2012.1   3058 - 3058   2012年2月

招待講演 CMOS/スピントロニクス融合技術による不揮発性ロジックシステムの展望—Nonvolatile logic systems based on CMOS/spintronics hybrid technology : An overview

山本 修一郎, 菅原 聡, 周藤 悠介

映像情報メディア学会技術報告 = ITE technical report   35 ( 38 )   63 - 70   2011年10月

招待講演 CMOS/スピントロニクス融合技術による不揮発性ロジックシステムの展望—Nonvolatile logic systems based on CMOS/spintronics hybrid technology : An overview—磁気記録・情報ストレージ

菅原 聡, 周藤 悠介, 山本 修一郎

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   111 ( 233 )   63 - 70   2011年10月

擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性SRAM：スリープ時リーク電流削減効果

周藤 悠介, 山本 修一郎, 菅原 聡

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2011.2   2451 - 2451   2011年8月

CMOS/スピントロニクス融合技術による不揮発性ロジックシステムの展望—Nonvolatile logic systems based on CMOS/spintronics hybrid technology: an overview—特集 CMOSロジックの将来を切り拓く磁気技術

菅原 聡, 周藤 悠介, 山本 修一郎

まぐね = Magnetics Japan   6 ( 1 )   5 - 15   2011年

擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性SRAM：ストア時の書き込み電流制御

周藤 悠介, 菅原 聡, 山本 修一郎

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2010.2   1825 - 1825   2010年8月

擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性SRAM：セルリーク電流とBETの削減

周藤 悠介, 山本 修一郎, 菅原 聡

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2010.2   2696 - 2696   2010年8月

不揮発性メモリ素子を用いた不揮発性/ばらつき補償SRAM技術

菅原 聡, 山本 修一郎, 周藤 悠介

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2010.2   169 - 169   2010年8月

擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性SRAMと不揮発性DFFのFPGA応用

山本 修一郎, 周藤 悠介, 菅原 聡

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2010.2   1824 - 1824   2010年8月

Nonvolatile Static Random Access Memory Using Magnetic Tunnel Junctions with Current-Induced Magnetization Switching Architecture

Shuu'ichirou Yamamoto, Satoshi Sugahara

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   48 ( 4 )   043001/1-7   2009年4月

Analysis of L2(1)-ordering in full-Heusler Co2FeSi alloy thin films formed by rapid thermal annealing

Yota Takamura, Ryosho Nakane, Satoshi Sugahara

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   105 ( 7 )   07B109/1-3.   2009年4月

スピン機能MOSFETによる新しいエレクトロニクスの展開

菅原 聡

応用物理   78 ( 3 )   236 - 241   2009年3月

Nonvolatile SRAM architecture using MOSFET-based spin-transistors

Yusuke Shuto, Shuu'ichirou Yamamoto, Satoshi Sugahara

J. Appl. Phys.   105   07C933/1-3   2009年

スピン機能MOSFETによる不揮発性ロック 不揮発性パワーゲーティング・ロジックへの応用 不揮発性SRAM/フリップフロップの可能性を検証

菅原聡, 周藤悠介, 山本修一郎

46 - 49   2009年

スピン機能CMOSによる不揮発性高機能・高性能ロジック

山本修一郎, 周藤悠介, 菅原聡

スピントロニクスの基礎と材料・応用技術の最前線   ( 27章 )   319 - 330   2009年

Nonvolatile SRAM and flip-flop architectures using magnetic tunnel junctions with current-induced magnetization switching technology

Shuu'ichirou Yamamoto, Satoshi Sugahara

Jpn. J. Appl. Phys.   48 ( 4 )   043001-1-7   2009年

Nonvolatile SRAM architecture using MOSFET-based spin-transistors

Yusuke Shuto, Shuu'ichirou Yamamoto, Satoshi Sugahara

J. Appl. Phys.   105   07C933/1-3   2009年

Nonvolatile Static Random Access Memory (NV-SRAM) Using Magnetic Tunnel Junctions with Current-Induced Magnetization Switching Architecture

S. Yamamoto, S. Sugahara

Jpn. J. Appl. Phys.   48 ( 4 )   043001/1-7   2009年

Nonvolatile SRAM and flip-flop architectures using magnetic tunnel junctions with current-induced magnetization switching technology

Shuu'ichirou Yamamoto, Satoshi Sugahara

Jpn. J. Appl. Phys.   48 ( 4 )   043001-1-7   2009年

Epitaxial growth and magnetic properties of ferromagnetic semiconductor Ge1-xFex thin films epitaxially grown on Si(001) substrates

Yusuke Shuto, Masaaki Tanaka, Satoshi Sugahara

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   47 ( 9 )   7108 - 7112   2008年9月

微小領域選択成長によるSi(111)基板上へのInAsピラーの形成

星井拓也, 出浦桃子, 杉山正和, 中根了昌, 菅原聡, 竹中充, 中野義昭, 高木信一

応用物理学関係連合講演会講演予稿集   55th ( 1 )   360   2008年3月

微小領域選択MOVPEにおけるSi上InGaAsの横方向成長に対するGa組成の影響

出浦桃子, 星井拓也, 杉山正和, 中根了昌, 竹中充, 菅原聡, 高木信一, 中野義昭

応用物理学関係連合講演会講演予稿集   55th ( 1 )   359   2008年3月

微小領域選択MOVPEにより作製したSi(111)面上InGaAsの構造解析

杉山正和, 出浦桃子, 星井拓也, 山本剛久, 幾原雄一, 田尻寛男, 坂田修身, 木村滋, 中根了昌, 竹中充, 菅原聡, 高木信一, 中野義昭

応用物理学関係連合講演会講演予稿集   55th ( 1 )   359   2008年3月

Carrier-transport-enhanced channel CMOS for improved power consumption and performance

Shinichi Takagi, Toshifurni Irisawa, Tsutomu Tezuka, Toshinori Numata, Shu Nakaharai, Norio Hirashita, Yoshihiko Moriyama, Koji Usuda, Eiji Toyoda, Sanjeewa Dissanayake, Masato Shichijo, Ryosho Nakane, Satoshi Sugahara, Mitsuru Takenaka, Naoharu Sugiyama

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES   55 ( 1 )   21 - 39   2008年1月

Germanium-based ferromagnetic semiconductor Ge1-xFex for silicon spintronics

Yusuke Shuto, Masaaki Tanaka, Satoshi Sugahara

SIGE, GE, AND RELATED COMPOUNDS 3: MATERIALS, PROCESSING, AND DEVICES   16 ( 10 )   953 - +   2008年

Formation of Si- and Ge-based Full-Heusler Alloy Thin Films Using SOI and GOI Substrates for the Half-Metallic Source and Drain of Spin Transistors

Y. Takamura, A. Nishijima, Y. Nagahama, R. Nakane, S. Sugahara

SIGE, GE, AND RELATED COMPOUNDS 3: MATERIALS, PROCESSING, AND DEVICES   16 ( 10 )   945 - +   2008年

微小領域選択成長によるSi上III/V化合物半導体層の形成

出浦 桃子, 星井 拓也, 杉山 正和, 中根 了昌, 菅原 聡, 竹中 充, 高木 信一, 中野 義昭

化学工学会 研究発表講演要旨集   2008 ( 0 )   208 - 208   2008年

微小孔を介したSi基板上InGaAs成長におけるモフォロジー向上

星井拓也, 出浦桃子, 杉山正和, 中根了昌, 菅原聡, 竹中充, 中野義昭, 高木信一

応用物理学会学術講演会講演予稿集   68th ( 1 )   343   2007年9月

Si上III/V族化合物半導体の選択MOVPEにおける初期核発生過程の観察と制御

出浦桃子, 杉山正和, 星井拓也, 中根了昌, 竹中充, 菅原聡, 高木信一, 中野義昭

応用物理学会学術講演会講演予稿集   68th ( 1 )   343   2007年9月

Fabrication of III-V on insulator structures on si using microchannel epitaxy with a two-step growth technique

Masato Shichijo, Ryosho Nakane, Satoshi Sugahara, Shinichi Takagi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   46 ( 9A )   5930 - 5934   2007年9月

Gate dielectric formation and MIS interface characterization on Ge

S. Takagi, T. Maeda, N. Taoka, M. Nishizawa, Y. Morita, K. Ikeda, Y. Yamashita, M. Nishikawa, H. Kumagai, R. Nakane, S. Sugahara, N. Sugiyama

MICROELECTRONIC ENGINEERING   84 ( 9-10 )   2314 - 2319   2007年9月

MOS-based spin devices for reconfigurable logic

Masaaki Tanaka, Satoshi Sugahara

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES   54 ( 5 )   961 - 976   2007年5月

Device structures and carrier transport properties of advanced CMOS using high mobility channels

S. Takagi, T. Tezuka, T. Irisawa, S. Nakaharai, T. Numata, K. Usuda, N. Sugiyama, M. Shichijo, R. Nakane, S. Sugahara

SOLID-STATE ELECTRONICS   51 ( 4 )   526 - 536   2007年4月

Effect of tensile strain on gate current of strained-Si n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

Takuya Hoshii, Satoshi Sugahara, Shin-ichi Takagi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   46 ( 4B )   2122 - 2126   2007年4月

Effect of tensile strain on gate current of strained-Si n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

Takuya Hoshii, Satoshi Sugahara, Shin-ichi Takagi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   46 ( 4B )   2122 - 2126   2007年4月

Ultrathin Ge-on-insulator metal source/drain P-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors fabricated by low-temperature molecular-beam epitaxy

Takashi Uehara, Hiroshi Matsubara, Ryosho Nakane, Satoshi Sugahara, Shin-ichi Takagi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   46 ( 4B )   2117 - 2121   2007年4月

Si基板上へのInGaAsの成長におけるInPバッファーの有効性

星井拓也, 出浦桃子, 七条真人, 杉山正和, 菅原聡, 中野義昭, 高木信一

応用物理学関係連合講演会講演予稿集   54th ( 1 )   365   2007年3月

Structural and magnetic properties of epitaxially grown Ge1-xFex thin films: Fe concentration dependence

Yusuke Shuto, Masaaki Tanaka, Satoshi Sugahara

APPLIED PHYSICS LETTERS   90 ( 13 )   132512/1-3   2007年3月

Preparation and characterization of ferromagnetic DO3-phase Fe3Si thin films on silicon-on-insulator substrates for Si-based spin-electronic device applications

Ryosho Nakane, Masaaki Tanaka, Satoshi Sugahara

APPLIED PHYSICS LETTERS   89 ( 19 )   192503/1-3   2006年11月

Spin MOSFETs as a basis for spintronics

Satoshi Sugahara, Masaaki Tanaka

ACM Transactions on Storage   2 ( 2 )   197 - 219   2006年5月

Magneto-optical properties of group-IV ferromagnetic semiconductor Ge1-xFex grown by low-temperature molecular beam epitaxy

Yusuke Shuto, Masaaki Tanaka, Satoshi Sugahara

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   99 ( 8 )   08D516/1-3   2006年4月

Magneto-Optical Properties of a New Group IV Ferromagnetic Semiconductor Ge1-xFex Grown by Low-Temperature Molecular Beam Epitaxy”, . vol.99, no.8, 2006, pp.08D516/1-3

S.Shuto, M.Tanaka, S.Sugahara

J. Appl. Phys   99 ( 8 )   08D516/1-3   2006年4月

ひずみSi MOSFETのゲートトンネル電流に与えるひずみの効果

星井拓也, 菅原聡, 高木信一

応用物理学関係連合講演会講演予稿集   53rd ( 2 )   940   2006年3月

Epitaxial growth and magnetic properties of a new group-IV ferromagnetic semiconductor: Ge1-xFex

Yusuke Shuto, Masaaki Tanaka, Satoshi Sugahara

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 3, NO 12   3 ( 12 )   4110 - 4114   2006年

Perspective on field-effect spin-transistors

Satoshi Sugahara

Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics   3 ( 12 )   4405 - 4413   2006年

Spin MOSFETs As a Basis for Spintronics

S.Sugahara, M.Tanaka

ACM Trans. on Storage   2 ( 2 )   197 - 219   2006年

Perspective on field-effect spin-transistors

Satoshi Sugahara

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 3, NO 12   3 ( 12 )   4405 - 4413   2006年

Ge上極薄Siのプラズマ酸化によるSiO₂/Ge MISキャパシタの作製と電気特性

熊谷寛, 七条真人, 石川寛人, 星井拓也, 菅原聡, 高木信一

応用物理学会学術講演会講演予稿集   66th ( 2 )   673   2005年9月

Spin metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (spin MOSFETs) for integrated spin electronics

S Sugahara

IEE PROCEEDINGS-CIRCUITS DEVICES AND SYSTEMS   152 ( 4 )   355 - 365   2005年8月

High temperature ferromagnetism in GaAs-based heterostructures with Mn delta doping

AM Nazmul, T Amemiya, Y Shuto, S Sugahara, M Tanaka

PHYSICAL REVIEW LETTERS   95 ( 1 )   2005年7月

High temperature ferromagnetism in GaAs-Based heterostructures with Mn δ doping

A. M. Nazmul, T. Amemiya, Y. Shuto, S. Sugahara, M. Tanaka

Phys. Rev. Lett.   95 ( 1 )   2005年7月

A spin metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (spin MOSIFET) with a ferromagnetic semiconductor for the channel

S Sugahara, M Tanaka

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   97 ( 10 )   10D503/1-3   2005年5月

Growth and magnetic properties of epitaxial MnAs/NiAs/MnAs hetero structures grown on exact GaAs(111)B substrates

R Nakane, J Kondo, MW Yuan, S Sugahara, M Tanaka

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   278 ( 1-4 )   649 - 654   2005年5月

エピタキシャルMnAs/NiAs/MnAsヘテロ構造におけるスピン注入磁化反転効果

中根 了昌, 近藤 潤, 菅原 聡, 田中 雅明

電気学会研究会資料. MAG, マグネティックス研究会   2005 ( 12 )   13 - 18   2005年3月

スピントランジスタ

菅原聡

電子情報通信学会誌   88 ( 7 )   541 - 550   2005年

Precipitation of amorphous ferromagnetic semiconductor phase in epitaxially grown Mn-doped Ge thin films

S Sugahara, KL Lee, S Yada, M Tanaka

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS   44 ( 46-49 )   L1426 - L1429   2005年

Spin Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors (Spin MOSFETs) for Spin-Electronic Integrated Circuits

S. Sugahara

IEE Proc. Circuits, Device-Systems   152 ( 4 )   355 - 365   2005年

Effect of postgrowth annealing on the morphology and magnetic properties of MnAs thin films grown on GaAs(001) substrates

R Nakane, S Sugahara, M Tanaka

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   95 ( 11 )   6558 - 6561   2004年6月

29pXH-4 III-V族半導体ヘテロ構造における磁性制御 : Mnデルタドーピングとp型選択ドーピング(領域10シンポジウム : ナノスケール構造を利用した物質創製-材料種の枠を超えて)(領域10)

田中 雅明, ナズムル アーサン, 菅原 聡

日本物理学会講演概要集   59 ( 1 )   974 - 974   2004年3月

A spin metal-oxide-semiconductor field-effect transistor using half-metallic-ferromagnet contacts for the source and drain

S Sugahara, M Tanaka

APPLIED PHYSICS LETTERS   84 ( 13 )   2307 - 2309   2004年3月

Control of ferromagnetism in Mn delta-doped GaAs-based semiconductor heterostructures

Ahsan M. Nazmul, S. Kobayashi, S. Sugahara, M. Tanaka

Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures   21 ( 2-4 )   937 - 942   2004年3月

Growth and magnetoresistance of epitaxial metallic MnAs/NiAs/MnAs trilayers on GaAs (001) substrates

R Nakane, S Sugahara, M Tanaka

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES   21 ( 2-4 )   991 - 995   2004年3月

Mnデルタドープ GaAs とそのヘテロ構造 : 強磁性転移温度と磁性制御

田中 雅明, ナズムル アーサン M., 菅原 聡

日本応用磁気学会誌 = Journal of Magnetics Society of Japan   28 ( 2 )   66 - 71   2004年2月

スピンMOSFETとその応用

菅原 聡, 田中 雅明

日本応用磁気学会研究会資料   134   93 - 100   2004年1月

Epitaxial growth and magnetic properties of single-crystal MnAs/AlAs/MnAs magnetic tunnel junctions on exact (111)B GaAs substrates: the effect of ultrathin GaAs buffer layers

S Sugahara, M Tanaka

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   251 ( 1-4 )   317 - 322   2003年4月

半導体をベースとしたエピタキシャル強磁性ヘテロ構造におけるトンネル磁気抵抗効果とその応用可能性

田中 雅明, 肥後 豊, 菅原 聡

日本応用磁気学会学術講演概要集 = Digest of ... annual conference on magnetics in Japan   26   278 - 279   2002年9月

MnδドープGaAsをベースとした半導体ヘテロ構造の物性と高い強磁性転移温度(-172K)

ナズムル アーサン M., 菅原 聡, 田中 雅明

電気学会研究会資料. MAG, マグネティックス研究会   2002 ( 28 )   17 - 21   2002年3月

Tunneling magnetoresistance in fully epitaxial MnAs/AlAs/MnAs ferromagnetic tunnel junctions grown on vicinal GaAs(111)B substrates

S Sugahara, M Tanaka

APPLIED PHYSICS LETTERS   80 ( 11 )   1969 - 1971   2002年3月

Variability-Tolerant CMOS Gates Using Functional MOSFETs with Resistive Switching Devices

Extended Abstracts of the 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials  2009年 

擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性SRAMの提案と解析

第13回半導体スピン工学の基礎と応用(PASPS-13)  2009年 

Analysis and Design of Nonvolatile SRAM Using MOSFET-Based Spin-Transistors

Intermag 2009  2009年 

Nonvolatile SRAM(NV-SRAM) Using Functional MOSFET Merged with Resistive Switching Devices

Proceedings of IEEE 2009 Custom Integrated Circuits Conference (CICC)  2009年 

Preparation and characterization of full-Heusler Co2FeSi alloy thin films on amorphous insulator films

IEEE International Magnetics Conference (INTERMAG 09)  2009年 

Nonvolatile delay flip-flop using magnetic tunnel junctions with current-induced magnetization switching architecture

IEEE International Magnetics Conference  2009年 

Variability-Tolerant CMOS Gates Using Functional MOSFETs with Resistive Switching Devices

Extended Abstracts of the 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials  2009年 

Nonvolatile Logic Technologies for Green IT

The 2009 International Meeting for Future of Electron Devices Kansai (IMFEDK)  2009年 

Analysis and design of nonvolatile SRAM using spintronics technology

Non-volatile Memory Technology Symposium 2009 (NVMTS09)  2009年 

Half-metallic ferromagnet technologies for spin-functional MOSFETs

Intl. Conf. “Silicon Nano Devices in 2030: Prospects by world’s leading scientists  2009年 

超薄膜(110)面GOI p型MOSFETの電気的特性

平成21年秋季 第70回応用物理学会学術講演会  2009年 

Spin-functional MOSFETs

Intl. Symp. Silicon Nanodevices in 2030: Prospects by world's leading scientists  2009年 

スピン機能MOSFETとその集積回路応用

日本磁気学会第168回研究会第26回スピンエレクトロニクス専門研究会  2009年 

Nonvolatile power-gating microprocessor concepts using nonvolatile SRAM and flip-flop

International Symposium on Silicon Nano Devices in 2030  2009年 

Fabrication and characterization of pseudo-spin-MOSFETs

Intl. Conf. Silicon Nano Devices in 2030  2009年 

Analysis and Design of Nonvolatile SRAM Using MOSFET-Based Spin-Transistors

Intermag 2009  2009年 

スピントランジスタによる新しいエレクトロニクスの展開

電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会（SDM) テーマ：低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用  2009年 

Nonvolatile delay flip-flop using magnetic tunnel junctions with current-induced magnetization switching architecture

IEEE International Magnetics Conference  2009年 

マイクロプロセッサにおけるエマージングメモリデバイスへの期待

第70回応用物理学会学術講演会  2009年 

Nonvolatile SRAM(NV-SRAM) Using Functional MOSFET Merged with Resistive Switching Devices

Proceedings of IEEE 2009 Custom Integrated Circuits Conference (CICC)  2009年 

エマージングメモリデバイスとCMOSの機能融合による新しいコンピュータアーキテクチャの基礎：イントロダクトリートーク

平成21年秋季 第70回応用物理学会学術講演会  2009年 

Spin-RAM/ReRAM技術を用いた機能MOSFETとその不揮発性SRAM/フリップフロップへの応用

平成21年秋季 第70回応用物理学会学術講演会  2009年 

擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性DFF：バルーンDFFとの比較

第70回応用物理学会学術講演会  2009年 

Co線源X線回折を用いたフルホイスラー合金の不規則構造評価法の提案

第70回応用物理学会学術講演会  2009年 

Fabrication and characterization of pseudo-spin-MOSFETs

Intl. Conf. Silicon Nano Devices in 2030  2009年 

Pseudo-spin-MOSFETを用いた不揮発性SRAM：情報ストア動作解析

第56回応用物理学関連連合講演会  2009年 

極薄絶縁膜上へのフルホイスラー合金Co_2_FeSiの形成とその評価

第56回応用物理学関連連合講演会  2009年 

ノンポーラ型抵抗変化素子のSPICEモデル

第56回応用物理学関連連合講演会  2009年 

酸化濃縮法を用いたGe PDとGe-on-Insulator MOSFETの集積化の検討

第56回応用物理学関連連合講演会  2009年 

ノンポーラ型抵抗変化素子を用いた不揮発性SRAM

第56回応用物理学関連連合講演会  2009年 

抵抗変化素子を用いたFunctional MOSFET/CMOS

第56回応用物理学関連連合講演会  2009年 

SOI-Based Spin-Transistor Technologies

2009年 

Preparation and characterization of full-Heusler Co2FeSi alloy thin films on amorphous insulator films

IEEE International Magnetics Conference (INTERMAG 09)  2009年 

スピン注入磁化反転MTJを用いた不揮発性Dフリップフロップ

第56回応用物理学関係連合講演会  2009年 

Nonvolatile Logic Technologies for Green IT

The 2009 International Meeting for Future of Electron Devices Kansai (IMFEDK)  2009年 

不純物偏析技術を用いたCo_2_FeSiソース/ドレインMOSFETの作製と評価

第56回応用物理学関連連合講演会  2009年 

Spin-functional MOSFETs

Intl. Symp. Silicon Nanodevices in 2030: Prospects by world's leading scientists  2009年 

Nonvolatile power-gating microprocessor concepts using nonvolatile SRAM and flip-flop

International Symposium on Silicon Nano Devices in 2030  2009年 

RTAを用いて作製したフルホイスラー合金Co_2_FeSi、Co_2_FeGeの構造

第55回応用物理学会関連連合講演会  2008年 

強磁性半導体Ge_1-x_Fe_x_薄膜におけるアニール効果

第55回応用物理学関係連合講演会  2008年 

間接遷移型の障壁層を含むAlGaAs-GaAsヘテロ構造におけるスピン輸送

2008年春季第55回応用物理学関係連合講演会  2008年 

酸化濃縮法による(110)面超薄膜GOIpMOSFETデバイス作製

第68回応用物理学会学術講演会  2008年 

メタルソース・ドレインnチャネルGOI MOSFETのチャネル電子移動度測定

第55回応用物理学関係連合講演会  2008年 

GOI pMOSFETの正孔反転層における移動度の評価

第55回応用物理学関係連合講演会  2008年 

スピン注入磁化反転MTJを用いた不揮発性SRAM：通常動作時消費電力の削減

第69回応用物理学会学術講演会  2008年 

スピンMOSFET を用いたスピントランジスタ・エレクトロニクス

第69回応用物理学会学術講演会  2008年 

Spin transport across depletion region and energy barriers in GaAs-AlGaAs heterostructures

5th Intern’l Conf. on Physics and Applications of Spin-related Phenomena in Semiconductors (PASPS-V)  2008年 

Spin transport across indirect gap barriers in GaAs-AlGaAs heterostructures

The 2008 Intern’l Conf. on Solid State Devices and Materials  2008年 

Formation of Si- and Ge-based Full-Heusler Alloy Thin Films Using SOI and GOI Substrates for the Half-Metallic Source and Drain of Spin Transistors

Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science (PRiME2008)  2008年 

Novel nonvolatile SRAM architecture using MOSFET-based spin-transistors

53rd Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials (MMM2008)  2008年 

Analysis and design of nonvolatile SRAM using magnetic tunnel junctions with current-induced magnetization switching technology

53rd Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials (MMM2008)  2008年 

Germanium-based ferromagnetic semiconductor Ge1-xFex for silicon spintronics

Hawaii, USA  2008年 

Analysis of L2_1_-ordering in full-Heusler Co_2_FeSi alloy thin films formed by rapid thermal annealing

53rd Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials (MMM2008)  2008年 

スピン機能MOSFETとその高機能ロジックへの展開－電荷とスピンの融合による新しい高性能・高機能集積回路技術－

JST Innovation Bridge  2008年 

スピン注入磁化反転MTJを用いた不揮発性SRAM：仮想接地セルアーキテクチャ

第55回応用物理学会関連連合講演会  2008年 

スピン注入磁化反転MTJを用いたpseudo-spin-MOSFETの動作解析

第55回応用物理学関係連合講演会  2008年 

スピンMOSFETとその高機能ロジックへの応用

STRJワークショップ2007  2008年 

スピン注入磁化反転MTJを用いた不揮発性SRAM：Vhalfの影響

第55回応用物理学会関連連合講演会  2008年 

Operating analysis of pseudo-spin-MOSFETs using MTJ with current-induced magnetization switching

The 55th Spring Meeting, 2008; The Japan Society of Applied Physics and Related Scieties  2008年 

Spin transport across depletion region and energy barriers in GaAs-AlGaAs heterostructures

5th Intern’l Conf. on Physics and Applications of Spin-related Phenomena in Semiconductors (PASPS-V)  2008年 

Spin transport across indirect gap barriers in GaAs-AlGaAs heterostructures

The 2008 Intern’l Conf. on Solid State Devices and Materials  2008年 

RTAによって作製したフルホイスラー合金Co_2_FeSiの規則度

第69回応用物理学会学術講演会  2008年 

Analysis and design of nonvolatile SRAM using magnetic tunnel junctions with current-induced magnetization switching technology

53rd Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials (MMM2008)  2008年 

Formation of Si- and Ge-based Full-Heusler Alloy Thin Films Using SOI and GOI Substrates for the Half-Metallic Source and Drain of Spin Transistors

Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science (PRiME2008)  2008年 

Germanium-based ferromagnetic semiconductor Ge1-xFex for silicon spintronics

Hawaii, USA  2008年 

スピン機能MOSFETを用いた不揮発性高機能・高性能ロジック

応用物理学会応用電子物性分科会・スピントロニクス研究会例会  2008年 

スピン機能MOSFETによるスピントランジスタ・エレクトロニクス

応用物理学会応用電子物性分科会・スピントロニクス研究会共同主催研究会  2008年 

Analysis of L2_1_-ordering in full-Heusler Co_2_FeSi alloy thin films formed by rapid thermal annealing

53rd Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials (MMM2008)  2008年 

Novel nonvolatile SRAM architecture using MOSFET-based spin-transistors

53rd Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials (MMM2008)  2008年 

非晶質絶縁膜上に形成したフルホイスラー合金Co_2_FeSiの結晶構造評価

第69回応用物理学会学術講演会  2008年 

化濃縮法で作成された超薄膜(110)面GOIp-MOSFETの電気的特性

第69回応用物理学会学術講演会  2008年 

シリコンMOS反転層へのスピン注入とスピンMOSFETへの応用

第69回応用物理学会学術講演会  2008年 

シリコン・スピンエレクトロニクス ～材料・デバイス・回路～

日本半導体製造装置協会(SEAJ)講演会  2007年 

Effects of Atomic Hydrogen Annealing on Reduction of Leakage Current in Ultrathin Si/Ge/Si-On-Insulator Metal Source/Drain p-Channel MOSFETs

4th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2007)  2007年 

Effect of Annealing on (100) and (110) Oriented pseudo-GOI pMOSFETs Fabricated by Ge Condensation Method

The 5th Intl. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces -for Next Generation ULSI Process Integrations- (ISCSI-V)  2007年 

Crystallographic and magnetic properties of epitaxially grown Ge1-xFex thin films on Si(001) substrates

52nd Annual Conf. on Magnetism and Magnetic Materials (MMM2007)  2007年 

Superior MOS Interface Properties of GeO2/Ge Structures Fabricated by Ozone Oxidation

The 5th Intl. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces -for Next Generation ULSI Process Integrations- (ISCSI-V)  2007年 

Si(001)基板上にエピタキシャル成長した強磁性半導体Ge1-xFex薄膜の結晶性と磁性

第68回応用物理学会学術講演会  2007年 

シリコン・スピンエレクトロニクス -材料・デバイス・回路-

第10回シリサイド系半導体研究会夏の学校, 掛川,  2007年 

Germanium-on-insulator (GOI)基板を用いたホイスラー合金の作製とその評価

第68回応用物理学会学術講演会  2007年 

強磁性トンネル接合を用いたpseudo spin-MOSFETの提案と理論解析

第68回応用物理学会学術講演会  2007年 

Dependence of Layer Thickness on Magnetism and Electrical Conduction in Ferromagnetic (In,Mn)As/GaSb Heterostructures

Narrow Gap Semiconductors 2007  2007年 

RTAを用いた非晶質絶縁膜上へのホイスラー合金の形成とその評価

第68回応用物理学会学術講演会  2007年 

酸化濃縮法で作成された(110)面GOI基板ヘのアニール効果

第68回応用物理学会学術講演会  2007年 

微小孔を介したSi 基板上InGaAs 成長におけるモフォロジー向上

第68回応用物理学会学術講演会  2007年 

pseudo spin-MOSFET/spin-MOSFETの不揮発性SRAM/ラッチ回路への応用

第68回応用物理学会学術講演会  2007年 

スピン注入磁化反転MTJを用いた不揮発性SRAM/ラッチ回路

第68回応用物理学会学術講演会  2007年 

Structural and Magnetic Properties of Self-Organized Ge1-xMnx Nanocolumns in Epitaxially Grown Mn-Doped Ge Thin Films

4th Intl. School and Conference on Spintronics and Quantum Information Technology (Spintech IV), Maui, Hawaii, USA,  2007年 

Gate Dielectric Formation and MIS Interface Characterization on Ge

The 15th Biennial Conf. on Insulatring Films on Semiconductors (INFOS2007), Athene, Greece,  2007年 

III-V族化合物半導体n-MOSFETとSi・Ge n-MOSFETの電流駆動力の比較

第54回応用物理学関係連合講演会, 相模原,  2007年 

Silicon-on-insulator (SOI) 基板を用いたホイスラー合金の作製とその磁性評価

第54回応用物理学関係連合講演会  2007年 

酸化濃縮法により作製された超薄膜(110)面GOI p-MOSFET

第54回応用物理学関係連合講演会, 相模原,  2007年 

GOI(Ge-On-Insulater)MOSチャネル中の正孔の速度-電界特性

第54回応用物理学関係連合講演会, 相模原,  2007年 

(110) Ultra-thin GOI p-MOSFETs Fabricated by Ge Condensation Method

The 5th International Conference on SiGe(C) Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5), Marseille, France,  2007年 

Magneto-Optical and Magneto-Transport Properties of Ferromagnetic Ge1-xFex Thin Films Grown on Si (001) Substrates

4th Intl. School and Conference on Spintronics and Quantum Information Technology (Spintech IV), Maui, Hawaii, USA,  2007年 

Perspective on Spin-Transistor Electronics

The 2007 International Meeting for Future of Electron Devices Kansai, Osaka, Japan,  2007年 

Perspective on Si-Based Spin-Transistor Electronics

3rd Intl. Nanotechnology Conf. on Communication and Cooperation (INC3), Brussels, Belgium,  2007年 

低温コンダクタンス法によるSiO2/Ge MIS界面準位の特性評価

第54回応用物理学関係連合講演会, 相模原,  2007年 

Ge上極薄Siのプラズマ酸化によるSiO2/Ge MISキャパシタの電気特性

第54回応用物理学関係連合講演会, 相模原,  2007年 

オゾン酸化及び熱酸化により作製されたGe酸化膜/Ge MOS構造の電気特性

第54回応用物理学関係連合講演会, 相模原,  2007年 

Preparation of full-Heusler alloys on silicon-on-insulator substrates employing rapid thermal annealing

52nd Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials (MMM2007)  2007年 

原子状水素アニールによるSi/Ge/SOI構造メタルS/D pMOSFETの特性改善

第54回応用物理学関係連合講演会, 相模原,  2007年 

Si上高品質III/V族化合物半導体薄膜形成に向けたMOVPEバッファ層の初期成長過程観察

第54回応用物理学関係連合講演会, 相模原,  2007年 

Epitaxial Growth and Properties of Ferromagnetic Ge1-xFex Thin Films on Si (001)

10th Joint MMM/Intermag Conference, Baltimore, USA,  2007年 

Si(001)基板上への強磁性半導体Ge1-xFex薄膜のMBE成長と評価

第54回応用物理学関係連合講演会, 相模原,  2007年 

エピタキシャル成長した強磁性Ge1-xMnx薄膜の構造と磁性の評価

第54回応用物理学関係連合講演会, 相模原,  2007年 

Si基板上へのInGaAsの成長におけるInPバッファーの有効性

第54回応用物理学関係連合講演会, 相模原,  2007年 

シリコン中へのスピン注入とデバイス応用

第54回応用物理学関係連合講演会, 相模原,  2007年 

Effect of Annealing on (100) and (110) Oriented pseudo-GOI pMOSFETs Fabricated by Ge Condensation Method

The 5th Intl. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces -for Next Generation ULSI Process Integrations- (ISCSI-V)  2007年 

Kinetically-Controlled Epitaxial Growth of Ferromagnetic Ge1-xMnx Thin Films

10th Joint MMM/Intermag Conference, Baltimore, USA,  2007年 

Crystallographic and magnetic properties of epitaxially grown Ge1-xFex thin films on Si(001) substrates

52nd Annual Conf. on Magnetism and Magnetic Materials (MMM2007)  2007年 

Superior MOS Interface Properties of GeO2/Ge Structures Fabricated by Ozone Oxidation

The 5th Intl. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces -for Next Generation ULSI Process Integrations- (ISCSI-V)  2007年 

Proposal and theoretical analysis of pseudo spin-MOSFETs using MTJ devices

The 68th Autumn Meeting, 2007; The Japan Society of Applied Physics  2007年 

Application of pseudo spin-MOSFET/spin-MOSFET for non-volatile SRAM/latch circuits

The 68th Autumn Meeting, 2007; The Japan Society of Applied Physics  2007年 

Nonvolatile SRAM and flip-flop architectures using magnetic tunnel junctions with current-induced magnetization switching technology

52nd Annual Conf. on Magnetism and Magnetic Materials  2007年 

Preparation of full-Heusler alloys on silicon-on-insulator substrates employing rapid thermal annealing

52nd Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials (MMM2007)  2007年 

Non-volatile SRAM/latch circuits using MTJ devices with spin transfer torque magnetization switching

The 68th Autumn Meeting, 2007; The Japan Society of Applied Physics  2007年 

Effects of Atomic Hydrogen Annealing on Reduction of Leakage Current in Ultrathin Si/Ge/Si-On-Insulator Metal Source/Drain p-Channel MOSFETs

4th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2007)  2007年 

Structural and Magnetic Properties of Self-Organized Ge1-xMnx Nanocolumns in Epitaxially Grown Mn-Doped Ge Thin Films

4th Intl. School and Conference on Spintronics and Quantum Information Technology (Spintech IV), Maui, Hawaii, USA,  2007年 

Gate Dielectric Formation and MIS Interface Characterization on Ge

The 15th Biennial Conf. on Insulatring Films on Semiconductors (INFOS2007), Athene, Greece,  2007年 

(110) Ultra-thin GOI p-MOSFETs Fabricated by Ge Condensation Method

The 5th International Conference on SiGe(C) Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5), Marseille, France,  2007年 

Magneto-Optical and Magneto-Transport Properties of Ferromagnetic Ge1-xFex Thin Films Grown on Si (001) Substrates

4th Intl. School and Conference on Spintronics and Quantum Information Technology (Spintech IV), Maui, Hawaii, USA,  2007年 

Dependence of Layer Thickness on Magnetism and Electrical Conduction in Ferromagnetic (In,Mn)As/GaSb Heterostructures

Narrow Gap Semiconductors 2007  2007年 

Perspective on Spin-Transistor Electronics

The 2007 International Meeting for Future of Electron Devices Kansai, Osaka, Japan,  2007年 

Perspective on Si-Based Spin-Transistor Electronics

3rd Intl. Nanotechnology Conf. on Communication and Cooperation (INC3), Brussels, Belgium,  2007年 

Kinetically-Controlled Epitaxial Growth of Ferromagnetic Ge1-xMnx Thin Films

10th Joint MMM/Intermag Conference, Baltimore, USA,  2007年 

Epitaxial Growth and Properties of Ferromagnetic Ge1-xFex Thin Films on Si (001)

10th Joint MMM/Intermag Conference, Baltimore, USA,  2007年 

Si(001),Si(110),Si(111)基板上へのMnドープGe薄膜のエピタキシャル成長と磁性

第68回応用物理学会学術講演会  2007年 

Siキャップ層による強磁性Fe3Si薄膜形成温度の低温化

第68回応用物理学会学術講演会  2007年 

Nonvolatile SRAM and flip-flop architectures using magnetic tunnel junctions with current-induced magnetization switching technology

52nd Annual Conf. on Magnetism and Magnetic Materials  2007年 

Comparative Study on Influence of Subband Structures on Electrical Characteristics of III-V Semiconductor, Ge and Si Channel n-MISFETs

2006 Intl. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM 2006), Yokohama, Japan,  2006年 

Ge1-xMnx薄膜の成長速度制御による相分離抑止エピタキシャル成長とその磁性

第67回応用物理学会学術講演会, 草津,  2006年 

エピタキシャル強磁性半導体Ge1-xFeｘ薄膜の結晶性および磁性

第53回応用物理学関係連合講演会, 東京,  2006年 

Silicon-on-snsulator (SOI) 基板上の強磁性Fe1-xSiｘ薄膜の磁性と構造評価

第53回応用物理学関係連合講演会, 東京,  2006年 

強磁性半導体Ge1-xFexにおける結晶構造と強磁性との相関

第67回応用物理学会学術講演会, 草津,  2006年 

IV族ベース・スピントロニクスデバイスと再構成可能な論理回路

第67回応用物理学会学術講演会, 草津,  2006年 

ひずみSi MOSFETのゲート トンネル電流に与えるひずみの効果

第53回応用物理学関係連合講演会, 東京,  2006年 

オーミックコンタクト合金を用いたメタル・ソース/ドレインMOSFET

第53回応用物理学関係連合講演会, 東京,  2006年 

III-V on insulator (III-V-OI)MOSFET応用に向けたSi基板上のIII-V族化合物半導体エピタキシャル成長法

第53回応用物理学関係連合講演会, 東京,  2006年 

III-V族化合物半導体n-MOSFETの電気特性の比較

第53回応用物理学関係連合講演会, 東京,  2006年 

低温MBE成長を用いた超薄膜Ge-on-insulator (GOI) p-channel メタルS/D MOSFET

第53回応用物理学関係連合講演会, 東京,  2006年 

Fabrication of SiO2/Ge MIS Structures by Plasma Oxidation of Ultrathin Si Films Grown on Ge

2006 Intl. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM 2006), Yokohama, Japan,  2006年 

Ferromagnetism in Epitaxially Grown Fe-Doped Ge Thin Films on Ge(001) Substrates

17th Intl. Conf. on Magnetism (ICM-2006), Kyoto, Japan,  2006年 

Ultra-Thin Ge-on-Insulator(GOI) Metal S/D p-Channel MOSFETs Fabricated by Low Temperature MBE Growth

2006 Intl. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM 2006), Yokohama, Japan,  2006年 

Effect of Tensile Strain on Gate and Substrate Currents of Strained-Si n-MOSFETs

2006 Intl. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM 2006), Yokohama, Japan,  2006年 

Structural and Magnetic Properties of Ferromagnetic Semiconductor Ge1-xFex Thin Films Grown by LT-MBE

4th Intl. Conf. on Physics and Application of Spin-Related Phenomena in Semiconductors (PASPS-IV), Sendai, Japan,  2006年 

スピントランジスタ

日本応用磁気学会第１４５回研究会, 東京,  2006年 

Spin MOSFETs As a Basis for Silicon-Based Spin-Electronics

4th Intl. Conf. on Physics and Application of Spin-Related Phenomena in Semiconductors (PASPS-IV), Sendai, Japan,  2006年 

Ferromagnetism in Mn-Doped Amorphous Ge Thin Films

4th Intl. Conf. on Physics and Application of Spin-Related Phenomena in Semiconductors (PASPS-IV), Sendai, Japan,  2006年 

GeおよびSi基板上への強磁性半導体Ge1-xFex薄膜のエピタキシャル成長

第11回「半導体スピン工学の基礎と応用」研究会, 柏,  2006年 

(110)面SiGe/SOI構造の酸化濃縮による(110)GOI基板の作製

2006年 

スピントランジスタの研究動向

応用物理学会薄膜・表面物理分科会主催第34回薄膜・表面セミナー, 東京,  2006年 

Fabrication of III-V-O-I(III-V on Insulator) Structures on Si Using Micro-Channel Epitaxy with a Two-Step Growth Technique

2006 Intl. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM 2006), Yokohama, Japan,  2006年 

Ge上極薄膜Siのプラズマ酸化によるSiO2/Ge MISキャパシタの作製と界面特性評価

応用物理学会薄膜・表面物理分科会シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会―材料・プロセス・評価の物理―」第11回研究会, 三島,  2006年 

Effect of Tensile Strain on Gate and Substrate Currents of Strained-Si n-MOSFETs

2006 Intl. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM 2006), Yokohama, Japan,  2006年 

Fabrication of SiO2/Ge MIS Structures by Plasma Oxidation of Ultrathin Si Films Grown on Ge

2006 Intl. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM 2006), Yokohama, Japan,  2006年 

Ultra-Thin Ge-on-Insulator(GOI) Metal S/D p-Channel MOSFETs Fabricated by Low Temperature MBE Growth

2006 Intl. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM 2006), Yokohama, Japan,  2006年 

Ferromagnetism in Mn-Doped Amorphous Ge Thin Films

4th Intl. Conf. on Physics and Application of Spin-Related Phenomena in Semiconductors (PASPS-IV), Sendai, Japan,  2006年 

Structural and Magnetic Properties of Ferromagnetic Semiconductor Ge1-xFex Thin Films Grown by LT-MBE

4th Intl. Conf. on Physics and Application of Spin-Related Phenomena in Semiconductors (PASPS-IV), Sendai, Japan,  2006年 

Ferromagnetism in Epitaxially Grown Fe-Doped Ge Thin Films on Ge(001) Substrates

17th Intl. Conf. on Magnetism (ICM-2006), Kyoto, Japan,  2006年 

Spin MOSFETs As a Basis for Silicon-Based Spin-Electronics

4th Intl. Conf. on Physics and Application of Spin-Related Phenomena in Semiconductors (PASPS-IV), Sendai, Japan,  2006年 

Comparative Study on Influence of Subband Structures on Electrical Characteristics of III-V Semiconductor, Ge and Si Channel n-MISFETs

2006 Intl. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM 2006), Yokohama, Japan,  2006年 

Fabrication of III-V-O-I(III-V on Insulator) Structures on Si Using Micro-Channel Epitaxy with a Two-Step Growth Technique

2006 Intl. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM 2006), Yokohama, Japan,  2006年 

Ge(100)基板上にエピタキシャル成長したMnドープGe薄膜における強磁性の起源

第52回応用物理学関係連合講演会, さいたま,  2005年 

スピントランジスタ

応用物理学会スピンエレクトロニクス研究会, 東京,  2005年 

スピン素子の現状と今後の展望

電気学会「超微細・低電力デバイス集積技術調査専門委員会」「超高速デバイス・回路技術調査専門委員会」合同調査専門委員会, 東京,  2005年 

Spin MOSFETs using ferromagnetic Schottky barrier contacts for the source and drain

63rd Device Research Conf. (DRC), Santa Barbara, USA,  2005年 

Spin MOSFETs for Integrated Spin-Electronics

6th Intl Workshop on Future Information Processing Technologies (IWFIPT), Asheville, USA,  2005年 

Examination of the Universality of Hole Mobility in Strained-Si p-MOSFETs

2005 Intl. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM2005), Kobe, Japan,  2005年 

Ferromagnetism in Epitaxially Grown Ge1-xMnx Thin Films on Ge(001) substrates

The 3rd Intl. School and Conf. on Spintronics and Quantum Information Technology (Spintech III), Awaji Island, Japan,  2005年 

Epitaxial Growth and Magnetic Properties of a New Group IV Ferromagnetic Semiconductor Ge1-xFex

50th Annual Conf. on Magnetism and magnetic materials (MMM2005), San Jose, USA,  2005年 

MOSFET Type of Spin Transistor As a Beyond-CMOS Device Using Spin Degrees of Freedom

2005 Intl Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM2005), Kobe, Japan,Rump session: Beyond the Scaling Limit-Innovative Devices and Materials-,  2005年 

Formation and Characterization of Ferromagnetic Silicide Fe1-xSix for Si-Based Spintronic Devices

47th Annual TMS Electronic Materials Conf. (EMC), Santa Barbara, USA,  2005年 

Current-Induced Magnetization Switching in Epitaxial MnAs/NiAs/MnAs Heterostructures on GaAs Substrates

The 3rd Intl. School and Conf. on Spintronics and Quantum Information Technology (Spintech III), Awaji Island, Japan,  2005年 

Spin MOSFETs As a Basis for Integrated Spin Electronics

5th IEEE conf. on Nanotechnology (IEEE-NANO 2005), Nagoya, Japan,  2005年 

Preparation of Ferromagnetic Silicide Fe1-xSix Using Silicon-on-Insulator Substrates for Si-Based Spin-Electronic Devices

50th Annual Conf. on Magnetism and magnetic materials (MMM2005), San Jose, USA,  2005年 

Current-Induced Magnetization Switching in Epitaxial MnAs/NiAs/MnAs Heterostructures on GaAs Substrates

The 3rd Intl. School and Conf. on Spintronics and Quantum Information Technology (Spintech III), Awaji Island, Japan,  2005年 

Spin MOSFETs As a Basis for Integrated Spin Electronics

5th IEEE conf. on Nanotechnology (IEEE-NANO 2005), Nagoya, Japan,  2005年 

Spin MOSFETs for Integrated Spin-Electronics

6th Intl Workshop on Future Information Processing Technologies (IWFIPT), Asheville, USA,  2005年 

Formation and Characterization of Ferromagnetic Silicide Fe1-xSix for Si-Based Spintronic Devices

47th Annual TMS Electronic Materials Conf. (EMC), Santa Barbara, USA,  2005年 

Spin MOSFETs using ferromagnetic Schottky barrier contacts for the source and drain

63rd Device Research Conf. (DRC), Santa Barbara, USA,  2005年 

MOSFET Type of Spin Transistor As a Beyond-CMOS Device Using Spin Degrees of Freedom

2005 Intl Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM2005), Kobe, Japan,Rump session: Beyond the Scaling Limit-Innovative Devices and Materials-,  2005年 

Examination of the Universality of Hole Mobility in Strained-Si p-MOSFETs

2005 Intl. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM2005), Kobe, Japan,  2005年 

Preparation of Ferromagnetic Silicide Fe1-xSix Using Silicon-on-Insulator Substrates for Si-Based Spin-Electronic Devices

50th Annual Conf. on Magnetism and magnetic materials (MMM2005), San Jose, USA,  2005年 

Epitaxial Growth and Magnetic Properties of a New Group IV Ferromagnetic Semiconductor Ge1-xFex

50th Annual Conf. on Magnetism and magnetic materials (MMM2005), San Jose, USA,  2005年 

Ferromagnetism in Epitaxially Grown Ge1-xMnx Thin Films on Ge(001) substrates

The 3rd Intl. School and Conf. on Spintronics and Quantum Information Technology (Spintech III), Awaji Island, Japan,  2005年 

CrドープSi薄膜のエピタキシャル成長と磁性評価

第52回応用物理学関係連合講演会, さいたま,  2005年 

ひずみSi p-MOSFETにおける反転層正孔移動度のユニバーサリティ

第52回応用物理学関係連合講演会, さいたま,  2005年 

SiN/Ge MIS キャパシタのCV特性に与える基板タイプの影響

第52回応用物理学関係連合講演会, さいたま,  2005年 

強磁性金属-Si接合におけるショットキー障壁高さの評価

第52回応用物理学関係連合講演会, さいたま,  2005年 

Ge系MOSトランジスタへの期待

第52回応用物理学関係連合講演会, さいたま,  2005年 

Silicon-on-snsulator (SOI) 基板を用いた強磁性Fe1-xSiｘの作製と磁気特性

第66回応用物理学会学術講演会, 徳島,  2005年 

Ge上薄膜Siのプラズマ酸化によるSiO2/Ge MISキャパシタの作製と電気特性

第66回応用物理学会学術講演会, 徳島,  2005年 

強磁性Ge1-xMnx薄膜のエピタキシャル成長と磁気特性

第66回応用物理学会学術講演会, 徳島,  2005年 

アモルファスGe1-xMnx薄膜の磁性評価

第66回応用物理学会学術講演会, 徳島,  2005年 

強磁性Fe1-xSixをショットキー・ソース/ドレインに用いたスピンMOSFETの作製

第52回応用物理学関係連合講演会, さいたま，  2005年 

External Control of Ferromagnetism in Mn delta-doped GaAs-based Heterostructures

9th Joint MMM-Intermag Conference (MMM-2004)  2004年