2026/03/17 更新

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ナカツジ カン
中辻 寬
NAKATSUJI KAN
所属
物質理工学院 准教授
職名
准教授
外部リンク

学位

  • 博士(工学) ( 1998年3月   大阪大学 )

研究キーワード

  • 表面物理

  • 表面物性

  • 放射光

  • 走査トンネル顕微鏡

  • 光電子分光

  • 表面原子構造

  • 表面電子状態

研究分野

  • 自然科学一般 / 半導体、光物性、原子物理

  • ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性

  • 自然科学一般 / 磁性、超伝導、強相関系

学歴

  • 大阪大学   大学院基礎工学研究科   物理系専攻 物性学分野

    - 1998年3月

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    国名: 日本国

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  • 大阪大学   基礎工学部   物性物理工学科

    - 1993年3月

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    国名: 日本国

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経歴

  • 東京科学大学   物質理工学院 材料系 材料コース   准教授

    2024年10月 - 現在

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  • 東京工業大学   物質理工学院 材料系 材料コース   准教授

    2017年4月 - 2024年9月

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  • 東京工業大学   大学院総合理工学研究科 材料物理科学専攻   准教授

    2012年3月 - 2017年3月

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  • 理化学研究所   客員研究員 (兼任)

    2006年4月 - 2009年3月

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  • 東京大学   物性研究所   助手 (助教)

    1998年9月 - 2012年2月

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  • 科学技術振興事業団CREST   博士研究員

    1998年4月 - 1998年9月

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  • 理化学研究所   ジュニアリサーチアソシエイト

    1996年10月 - 1998年3月

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▼全件表示

所属学協会

委員歴

  • 日本放射光学会   会誌編集委員  

    2024年10月 - 現在   

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  • 日本表面真空学会   協議員  

    2021年5月 - 現在   

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  • 日本表面真空学会   教育・育成委員  

    2011年4月 - 現在   

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    団体区分:学協会

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  • 日本物理学会 領域9 世話人  

    2007年 - 2008年   

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論文

  • Width-dependent band gap of arm-chair graphene nanoribbons formed on vicinal SiC substrates by MBE 査読

    Takushi Iimori, Toshio Miyamachi, Takashi Kajiwara, Kazuhiko Mase, Satoru Tanaka, Fumio Komori, Kan Nakatsuji

    Journal of Physics: Condensed Matter   35 ( 45 )   455002 - 455002   2023年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IOP Publishing  

    Abstract

    Formation and electronic states of graphene nanoribbons with arm-chair edges (AGNR) are studied on the SiC(0001) vicinal surfaces toward the [$1\bar{1}00$] direction. The surface step and terrace structures of both 4H and 6H-SiC substrates are used as the growth templates of one-dimensional arrays of AGNRs, which are prepared using the carbon molecular beam epitaxy followed by hydrogen intercalation. A band gap is observed above the π-band maximum by angle-resolved photoelectron spectroscopy (ARPES) for the both samples. The average widths of the AGNRs are 6 and 10 nm, and the estimated average band gaps are 0.40 and 0.28 eV for the 4H- and 6H- substrates, respectively. A simple and phenomenological inverse relation between the energy gap and AGNR width works in the analyses of the ARPES data.

    DOI: 10.1088/1361-648x/aced30

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    その他リンク: https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-648X/aced30/pdf

  • Nitrogen Adsorption on Cu(001): Mechanisms of Stress Relief and Coexistence of Two Domains 査読

    Masamichi Yamada, Kan Nakatsuji, Fumio Komori

    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology   21 ( 4 )   337 - 343   2023年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Surface Science Society Japan  

    DOI: 10.1380/ejssnt.2023-044

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  • Structural transition at the subsurface of few-layer Bi(110) film during the growth 査読

    Tetsuroh Shirasawa, Wolfgang Voegeli, Etsuo Arakawa, Ryota Ushioda, Kan Nakatsuji, Hiroyuki Hirayama

    Physical Review Materials   7 ( 3 )   2023年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:American Physical Society (APS)  

    DOI: 10.1103/physrevmaterials.7.033404

    DOI: 10.5796/denkikagaku.23-te0006_references_DOI_AINLFoEXiM38IspjOvCh87ek5GV

    CiNii Research

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    その他リンク: http://harvest.aps.org/v2/journals/articles/10.1103/PhysRevMaterials.7.033404/fulltext

  • Growth kinetics of a perfectly flat Bi(110) film during low-temperature deposition and subsequent annealing 査読

    Maimi Shimura, Tetsuroh Shirasawa, Ryota Ushioda, Kan Nakatsuji, Hiroyuki Hirayama

    Surface Science   728   122210   2023年2月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:Elsevier BV  

    DOI: 10.1016/j.susc.2022.122210

    CiNii Research

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  • Superconductivity in a two monolayer thick indium film on Si(111)√3×√3-B 査読

    Takahiro Ogino, Insung Seo, Hiroo Tajiri, Masashi Nakatake, Sho-ichi Takakura, Yudai Sato, Yukio Hasegawa, Yoshihiro Gohda, Kan Nakatsuji, Hiroyuki Hirayama

    Physical Review B   106 ( 4 )   2022年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:American Physical Society (APS)  

    DOI: 10.1103/physrevb.106.045423

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    その他リンク: http://harvest.aps.org/v2/journals/articles/10.1103/PhysRevB.106.045423/fulltext

  • Local (111)-like reconstruction on highly-compressed Cu(001) regions 査読

    Masamichi Yamada, Kazuma Yagyu, Shinya Ohno, Takushi Iimori, Kan Nakatsuji, Fumio Komori

    Surface Science   721   122063 - 122063   2022年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Elsevier BV  

    DOI: 10.1016/j.susc.2022.122063

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  • Growth-rate dependence of the structural transition of bismuth islands on Si(111) substrates 査読

    Ryota Ushioda, Maimi Shimura, Kan Nakatsuji, Hiroyuki Hirayama

    Physical Review Materials   6 ( 4 )   2022年4月

  • Bismuth Intercalation at the Graphene/Cu(111) Interface with [2012] Long-Range Ordering 査読

    Tsuyoshi Yamagami, Taiga Kasai, Kan Nakatsuji, Hiroyuki Hirayama

    Journal of the Physical Society of Japan   91 ( 4 )   2022年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Physical Society of Japan  

    DOI: 10.7566/jpsj.91.043601

    CiNii Research

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  • Electronic structure of 3 degrees-twisted bilayer graphene on 4H-SiC(0001) 査読

    Takushi Iimori, Anton Visikovskiy, Hitoshi Imamura, Toshio Miyamachi, Miho Kitamura, Koji Horiba, Hiroshi Kumigashira, Kazuhiko Mase, Kan Nakatsuji, Satoru Tanaka, Fumio Komori

    PHYSICAL REVIEW MATERIALS   5 ( 5 )   2021年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevMaterials.5.L051001

    Web of Science

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  • Effective quantum-well width of confined electrons in ultrathin Ag(111) films on Si(111)7 ×  7 substrates 査読

    Kishu Sugawara, Insung Seo, Shiro Yamazaki, Kan Nakatsuji, Yoshihiro Gohda, Hiroyuki Hirayama

    Surface Science   704   121745   2021年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Elsevier BV  

    Abstract Ag(111) islands nucleate on a one-monolayer-thick wetting layer with an aperiodic arrangement of Ag atoms on a Si(111)7 × 7 substrate. Recent X-ray diffraction studies have revealed that the Ag wetting layer is crystallized under the Ag islands. We examined whether this wetting layer contributes to the formation of the quantum-well states (QWSs) in the Ag(111) islands by measuring the relation between the energy E of the QWSs and the height of the Ag islands w from the wetting layers using scanning tunneling microscopy and dz/dV spectroscopy. The E-w relation on the Si(111)7 × 7 substrate was found to be shifted by plus one monolayer relative to that for Ag islands on the Si(111)√3 × √3-B substrate, for which nucleation occurs directly on the substrate without the involvement of a wetting layer. The subsurface B atoms on the Si(111)√3 × √3-B substrate were confirmed not to be responsible for the shift in the E-w relation through density functional theory calculations. These results indicate that the wetting layer was incorporated into the Ag(111) islands and contributed to the formation of the QWSs as the bottom part of the crystalline Ag(111) layers.

    DOI: 10.1016/j.susc.2020.121745

    CiNii Research

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    その他リンク: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-17K19052/

  • Variation of the 4 × 1 to 8 × 2 structural transition temperature of quasi-one-dimensional indium chains upon carrier doping from Si(111) substrates 査読 国際誌

    Takahiro Ogino, Valentin Motoi Kuzumo, Shiro Yamazaki, Kan Nakatsuji, Hiroyuki Hirayama

    Journal of Physics: Condensed Matter   32 ( 41 )   415001   2020年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IOP Publishing  

    We investigated the 4 × 1 to 8 × 2 structural transition temperature of quasi-one-dimensional indium chains on the (111) surface of Si substrates possessing various carrier concentrations via low-energy electron diffraction. The transition temperature was found to decrease from 120 K to below 77 K with increasing carrier concentration on both n- and p-type Si(111) substrates. This decrease in the transition temperature was found to be proportional to the shift of the Fermi level, which was numerically evaluated using a one-dimensional charge transfer model of the interface. The obtained results demonstrate that doping of the surface state with both electrons and holes can be readily controlled by judicious selection of Si substrates with appropriate carrier type and concentration.

    DOI: 10.1088/1361-648X/ab97e1

    PubMed

    CiNii Research

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    その他リンク: https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-648X/ab97e1/pdf

  • Growth of extremely flat Bi(110) films on a Si(111)√3 × √3-B substrate 査読

    Kentaro Nagase, Ryota Ushioda, Kan Nakatsuji, Tetsuroh Shirasawa, Hiroyuki Hirayama

    Applied Physics Express   13 ( 8 )   085506   2020年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IOP Publishing  

    DOI: 10.35848/1882-0786/aba0df

    DOI: 10.1088/1361-648x/ac5e06_references_DOI_UGVutvqRsxC0MBvA6Md3OzQM9fL

    CiNii Research

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    その他リンク: https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1882-0786/aba0df/pdf

  • Twisted bilayer graphene fabricated by direct bonding in a high vacuum 査読

    Hitoshi Imamura, Anton Visikovskiy, Ryosuke Uotani, Takashi Kajiwara, Hiroshi Ando, Takushi Iimori, Kota Iwata, Toshio Miyamachi, Kan Nakatsuji, Kazuhiko Mase, Tetsuroh Shirasawa, Fumio Komori, Satoru Tanaka

    Applied Physics Express   13 ( 7 )   075004 - 075004   2020年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IOP Publishing  

    DOI: 10.35848/1882-0786/ab99d1

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    その他リンク: https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1882-0786/ab99d1/pdf

  • Structure and growth of Bi(110) islands on Si(111)√3 ×√3-B substrates 査読

    Kentaro Nagase, Ikuya Kokubo, Shiro Yamazaki, Kan Nakatsuji, Hiroyuki Hirayama

    Physical Review B   97 ( 19 )   2018年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:American Physical Society (APS)  

    DOI: 10.1103/physrevb.97.195418

    CiNii Research

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    その他リンク: http://harvest.aps.org/v2/journals/articles/10.1103/PhysRevB.97.195418/fulltext

  • Surface electronic states of Au-induced nanowires on Ge(001) 査読 国際共著

    Yaji Koichiro, Yukawa Ryu, Kim Sunghun, Ohtsubo Yoshiyuki, Le Fevre Patrick, Bertran Francois, Taleb-Ibrahimi Amina, Matsuda Iwao, Nakatsuji Kan, Shin Shik, Komori Fumio

    JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER   30 ( 7 )   2018年2月

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  • X-ray structural analysis of an epitaxially grown Ag film/Si(111) √3×√3-B substrate interface 査読

    Y. Yoshiike, H. Tajiri, S. Yamazaki, K. Nakatsuji, H. Hirayama

    Japanese Journal of Applied Physics   57 ( 7 )   075701 - (1-8)   2018年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IOP Publishing  

    DOI: 10.7567/jjap.57.075701

    DOI: 10.35848/1882-0786/aba0df_references_DOI_Ro7xv6nvQj6lzzRAuXwuWhYOnPY

    CiNii Research

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    その他リンク: http://stacks.iop.org/1347-4065/57/i=7/a=075701?key=crossref.72531c138db0f4bec0771d93b5ce49c4

  • Triangular lattice atomic layer of Sn(1 × 1) at graphene/SiC(0001) interface 査読

    Shingo Hayashi, Anton Visikovskiy, Takashi Kajiwara, Takushi Iimori, Tetsuroh Shirasawa, Kan Nakastuji, Toshio Miyamachi, Shuhei Nakashima, Koichiro Yaji, Kazuhiko Mase, Fumio Komori, Satoru Tanaka

    Applied Physics Express   11 ( 1 )   015202 - 015202   2017年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IOP Publishing  

    DOI: 10.7567/apex.11.015202

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    その他リンク: http://stacks.iop.org/1882-0786/11/i=1/a=015202?key=crossref.381207881dd6f146ca2da4417158d3e4

  • Size, shape, and number density of deposits in the graphene solution liquid droplet method 査読

    Yuka Takagi, Shiro Yamazaki, Kan Nakatsuji, Hiroyuki Hirayama

    Materials Today Communications   13   65 - 71   2017年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Elsevier BV  

    Abstract The size, shape, and number density of deposits were investigated in the deposition of graphene on highly oriented pyrolytic graphite substrates by the graphene solution liquid droplet method. Block-shaped aggregates of graphene and sheet-like graphene deposits were observed. The number density of the block-shaped graphene was about 50 times larger than that of the sheet-like graphene due to the aggregation of the graphene films in the pristine graphene solution. Ultrasonication fragmented the block-shaped graphene and increased the number density of sheet-like graphene by about ten times. The remaining block-shaped graphene with heights greater than 25 nm was almost eliminated selectively by centrifugation.

    DOI: 10.1016/j.mtcomm.2017.08.009

    CiNii Research

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    その他リンク: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-17K19052/

  • Interaction of Stark-shifted image potential states with quantum well states in ultrathin Ag(111) islands on Si(111)√3×√3-B substrates 査読

    Kishu Sugawara, Kentaro Nagase, Shiro Yamazaki, Kan Nakatsuji, Hiroyuki Hirayama

    Physical Review B   96 ( 7 )   2017年8月

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  • Modulation of Electron-Phonon Coupling in One-Dimensionally Nanorippled Graphene on a Macrofacet of 6H-SiC 査読

    Ienaga Koichiro, Iimori Takushi, Yaji Koichiro, Miyamachi Toshio, Nakashima Shuhei, Takahashi Yukio, Fukuma Kohei, Hayashi Shingo, Kajiwara Takashi, Visikovskiy Anton, Mase Kazuhiko, Nakatsuji Kan, Tanaka Satoru, Komori Fumio

    NANO LETTERS   17 ( 6 )   3527 - 3532   2017年6月

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  • 6H-SiC(0001)表面上のナノファセットに形成したグラフェンの電子状態について II

    飯盛 拓嗣, 中辻 寛, 宮町 俊生, 家永 紘一郎, 豊久 宗玄, 福間 洸平, 森田 康平, 林 真吾, 梶原 隆司, 田中 悟, 間瀬 一彦, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集   72.1   2628 - 2628   2017年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人 日本物理学会  

    ナノファセット配列を形成した微傾斜6H-SiC(0001)表面上に、熱分解法を用いてグラフェンを作成した。これまで角度分解光電子分光法を用いて、ナノファセットの1次元的周期構造に由来したグラフェンのレプリカ電子状態を観測したことを報告した。今回、形成過程と構造について情報を得るために、熱分解を途中で止めた試料について光電子分光を行った結果について報告する。

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.72.1.0_2628

    CiNii Research

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  • 6H-SiC(0001)表面上のナノファセットに形成したグラフェンの電子-フォノン相互作用

    飯盛 拓嗣, 家永 紘一郎, 宮町 俊生, 中島 脩平, 高橋 文雄, 矢治 光一郎, 中辻 寛, 間瀬 一彦, 福間 洸平, 林 真吾, 梶原 隆司, 田中 悟, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集   72.2   2177 - 2177   2017年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人 日本物理学会  

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.72.2.0_2177

    CiNii Research

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  • SiCファセット上サブ2次元グラフェンの構造制御

    福間 洸平, 林 真吾, 梶原 隆司, Visikovskiy Anton, 飯盛 拓嗣, 家永 紘一郎, 矢治 光一郎, 中辻 寛, 小森 文夫, 田中 宏和, 神田 晶申, 田中 悟

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2016.1   3889 - 3889   2016年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3889

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  • Si growth at graphene surfaces on 6H-SiC(0001) substrates 査読

    Junki Sone, Tsuyoshi Yamagami, Kan Nakatsuji, Hiroyuki Hirayama

    Japanese Journal of Applied Physics   55 ( 3 )   035502   2016年3月

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  • Ribbon-like nanopattern formed on nitrogen-adsorbed vicinal Cu(001) 査読

    Masamichi Yamada, Norikazu Kawamura, Kan Nakatsuji, Fumio Komori

    e-Journal of Surface Science and Nanotechnology   14   43 - 47   2016年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:Surface Science Society of Japan  

    DOI: 10.1380/ejssnt.2016.43

    Scopus

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  • SiCファセット上のグラフェン横方向超格子の形成と物性(1)

    田中 悟, 福間 洸平, 林 真吾, 梶原 隆司, Visikovskiy Anton, 飯盛 拓嗣, 家永 紘一郎, 矢治 光一郎, 中辻 寛, 小森 文夫, 田中 宏和, 神田 晶申, Cuong Nguyen Thanh, 岡田 晋

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2015.2   3439 - 3439   2015年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2015.2.0_3439

    CiNii Research

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  • SiCファセット上のグラフェン横方向超格子の形成と物性(2)

    福間 洸平, 林 真吾, 梶原 隆司, Visikovskiy Anton, 田中 悟, 飯盛 拓嗣, 家永 紘一郎, 矢治 光一郎, 中辻 寛, 小森 文夫, 田中 宏和, 神田 晶申, Cuong Nguyen Thanh, 岡田 晋

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2015.2   3440 - 3440   2015年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2015.2.0_3440

    CiNii Research

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  • Ultrathin Bi(110) films on Si(111)√3 ×√3-B substrates 査読

    Ikuya Kokubo, Yusaku Yoshiike, Kan Nakatsuji, Hiroyuki Hirayama

    Physical Review B   91 ( 7 )   2015年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/physrevb.91.075429

    Web of Science

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    その他リンク: http://harvest.aps.org/v2/journals/articles/10.1103/PhysRevB.91.075429/fulltext

  • Scanning tunneling spectroscopy study of quasiparticle interference on the dual topological insulator Bi1-xSbx 査読

    Yoshizawa Shunsuke, Nakamura Fumitaka, Taskin Alexey A, Iimori Takushi, Nakatsuji Kan, Matsuda Iwao, Ando Yoichi, Komori Fumio

    PHYSICAL REVIEW B   91 ( 4 )   2015年1月

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  • 21pPSB-5 Cu(001)表面上に成長したMnN超構造の電子状態

    中辻 寛, 飯盛 拓嗣, 高木 康多, 横山 利彦, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集   70   2532 - 2532   2015年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.70.1.0_2532

    CiNii Books

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  • 24aAS-6 表面一次元原子鎖Au/Ge(001)の二次元電子状態

    矢治 光一郎, 湯川 龍, 金 聖憲, 大坪 嘉之, Le Fevre Patrick, Bertran Francois, Taleb-Ibrahimi Amina, 松田 巌, 中辻 寛, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集   70   2653 - 2653   2015年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.70.1.0_2653

    CiNii Books

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  • 16pCA-4 SiC(0001)表面上のナノファセットに形成したグラフェンの光電子分光

    飯盛 拓嗣, 中辻 寛, 宮町 俊生, 家永 紘一郎, 金 聖憲, 田村 匡, 豊久 宗玄, 福間 洸平, 森田 康平, 梶原 隆司, 林 真吾, 田中 悟, 間瀬 一彦, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集   70.2   2239   2015年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人 日本物理学会  

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.70.2.0_2239

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  • Absence of Luttinger liquid behavior in Au-Ge wires: A high-resolution scanning tunneling microscopy and spectroscopy study 査読 国際共著

    Park Jewook, Nakatsuji Kan, Kim Tae-Hwan, Song Sun Kyu, Komori Fumio, Yeom Han Woong

    PHYSICAL REVIEW B   90 ( 16 )   2014年10月

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  • Surfactant role of Ag atoms in the growth of Si layers on Si(111)√3×√3-Ag substrates 査読

    Tsuyoshi Yamagami, Junki Sone, Kan Nakatsuji, Hiroyuki Hirayama

    Applied Physics Letters   105 ( 15 )   2014年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4898063

    Web of Science

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    その他リンク: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-26286048/

  • Epitaxial growth of silicene on ultra-thin Ag(111) films 査読

    Junki Sone, Tsuyoshi Yamagami, Yuki Aoki, Kan Nakatsuji, Hiroyuki Hirayama

    New Journal of Physics   16 ( 9 )   095004   2014年9月

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  • Regular ripples at the surfaces of heteroepitaxially grown Ag(111) ultra-thin films on Si(111) √3 × √3-B substrates 査読

    Yusaku Yoshiike, Hiroyuki Fukumoto, Ikuya Kokubo, Yuki Aoki, Kan Nakatsuji, Hiroyuki Hirayama

    Applied Physics Letters   104 ( 19 )   2014年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4878323

    Web of Science

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  • Fabrication and characterization of strain-driven self-assembled CrN nanoislands on Cu(001) 査読

    P. Krukowski, T. Iimori, K. Nakatsuji, M. Yamada, F. Komori

    Journal of Applied Physics   113 ( 17 )   2013年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1063/1.4803690

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  • Initial stage of Ag growth on Bi/Ag(111)√3 × √3 surfaces

    Hiroyuki Fukumoto, Masaru Miyazaki, Yuki Aoki, Kan Nakatsuji, Hiroyuki Hirayama

    Surface Science   611   49 - 53   2013年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Elsevier BV  

    Abstract We investigated the initial stage of Ag growth on Bi/Ag(111)√3 × √3 substrates at room temperature. The nucleation of small one-monolayer-high islands on the substrates was observed by scanning tunneling microscopy (STM). The islands extended laterally and coalesced to form a continuous layer with further deposition. The growth proceeded in a layer-by-layer mode via the repeated nucleation and coalescence of monolayer islands. The top surfaces were always covered by a √3 × √3 reconstruction during this growth. dI/dV images and scanning tunneling spectra (STS) revealed that the electronic structure of the grown surfaces was identical to that of the Bi/Ag(111)√3 × √3 substrate surfaces. The surfactant action of the Bi atoms reasonably explains the layer-by-layer growth of Ag films with a √3 × √3 surface reconstruction.

    DOI: 10.1016/j.susc.2013.01.013

    DOI: 10.1103/physrevb.89.241403_references_DOI_1pNAiY79L6XyTiUur8DrBBJMhh1

    CiNii Research

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    その他リンク: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-25600095/

  • Graphene nanoribbons on vicinal SiC surfaces by molecular beam epitaxy 査読

    Takashi Kajiwara, Yuzuru Nakamori, Anton Visikovskiy, Takushi Iimori, Fumio Komori, Kan Nakatsuji, Kazuhiko Mase, Satoru Tanaka

    Phys. Rev. B   87 ( 12 )   121407(R)-1 - 121407(R)-4   2013年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.87.121407

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  • Selective doping in a surface band and atomic structures of the Ge(111) (root 3 x root 3)R30 degrees-Au surface 査読

    Nakatsuji Kan, Motomura Yuya, Niikura Ryota, Komori Fumio

    JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER   25 ( 4 )   2013年1月

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  • Growth and structure of CrN nanoislands on Cu(001) studied by scanning tunneling microscopy and X-ray photoemission spectroscopy 査読

    P. Krukowski, T. Iimori, K. Nakatsuji, M. Yamada, F. Komori

    Thin Solid Films   531   251 - 254   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2012.12.026

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  • Elucidation of Rh-induced In-gap states of Rh:SrTiO<inf>3</inf>visible-light-driven photocatalyst by soft X-ray spectroscopy and first-principles calculations

    Seiji Kawasaki, Kazuto Akagi, Kan Nakatsuji, Susumu Yamamoto, Iwao Matsuda, Yoshihisa Harada, Jun Yoshinobu, Fumio Komori, Ryota Takahashi, Mikk Lippmaa, Chikako Sakai, Hideharu Niwa, Masaharu Oshima, Katsuya Iwashina, Akihiko Kudo

    Journal of Physical Chemistry C   116   24445 - 24448   2012年12月

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    The occupied and unoccupied in-gap electronic states of a Rh-doped SrTiO3photocatalyst were investigated by X-ray emission spectroscopy and X-ray absorption spectroscopy for different Rh impurity valence states and doping levels. An unoccupied midgap Rh4+acceptor state was found 1.5 eV below the SrTiO3conduction band minimum. Both Rh4+and Rh3+dopants were found to have an occupied donor level close to the valence band maximum of SrTiO3. The density of states obtained from first-principles calculations show that all observed spectral features can be assigned to electronic states of substitutional Rh at the Ti site and that Rh:SrTiO3is an unusual titanate compound with a characteristic p-type electronic structure. The Rh doping results in a large decrease of the bandgap energy, making Rh:SrTiO3an attractive material for use as a visible-light-driven H2-evolving photocatalyst in a solar water splitting reaction. ? 2012 American Chemical Society.

    DOI: 10.1021/jp3082529

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  • Epitaxial Rh-doped SrTiO3 thin lm photocathode for water splitting under visible light irradiation 査読

    S. Kawasaki, K. Nakatsuji, J. Yoshinobu, F. Komori, R. Takahashi, M. Lippmaa, K. Mase, A. Kudo

    APPLIED PHYSICS LETTERS   101   033910   2012年7月

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    記述言語:英語  

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  • Uniaxial deformation of graphene Dirac cone on a vicinal SiC substrate 査読

    Nakatsuji Kan, Yoshimura Tsuguo, Komori Fumio, Morita Kouhei, Tanaka Satoru

    PHYSICAL REVIEW B   85 ( 19 )   2012年5月

  • Debate over dispersion direction in a Tomonaga-Luttinger-liquid system

    K. Nakatsuji, F. Komori

    NATURE PHYSICS   8 ( 3 )   174 - 174   2012年3月

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  • Nanostructures made by mixing Rh atoms on N-adsorbed Cu(001) surface 査読

    Nakatsuji Kan, Iwasaki Yuma, Iimori Takushi, Yamada Masamichi, Komori Fumio

    SURFACE SCIENCE   605 ( 19-20 )   1818 - 1825   2011年10月

  • Shape of metallic band at single-domain Au-adsorbed Ge(001) surface studied by angle-resolved photoemission spectroscopy 査読

    Nakatsuji Kan, Motomura Yuya, Niikura Ryota, Komori Fumio

    PHYSICAL REVIEW B   84 ( 11 )   2011年9月

  • Electronic structure of Si(110)-(16 x 2) studied by scanning tunneling spectroscopy and density functional theory 査読

    Martin Setvin, Veronika Brazdova, David R. Bowler, Kota Tomatsu, Kan Nakatsuji, Fumio Komori, Kazushi Miki

    PHYSICAL REVIEW B   84 ( 11 )   2011年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.84.115317

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  • Anisotropic splitting and spin polarization of metallic bands due to spin-orbit interaction at the Ge(111)(root 3 x root 3)R30 degrees-Au surface 査読

    Nakatsuji Kan, Niikura Ryota, Shibata Yuki, Yamada Masamichi, Iimori Takushi, Komori Fumio

    PHYSICAL REVIEW B   84 ( 3 )   2011年7月

  • Local atomic and electronic structure of Au-adsorbed Ge(001) surfaces: Scanning tunneling microscopy and x-ray photoemission spectroscopy 査読

    Niikura Ryota, Nakatsuji Kan, Komori Fumio

    PHYSICAL REVIEW B   83 ( 3 )   2011年1月

  • Boundaries between square-shaped, nitrogen-adsorbed islands on Cu(001): Two relief mechanism of the stress induced by atomic adsorbates 査読

    M. Yamada, S. Ohno, Y. Iwasaki, K. Yagyu, K. Nakatsuji, F. Komori

    Surf. Sci.   604   1961 - 1971   2010年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.susc.2010.08.005

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  • Polarization dependent soft X-ray emission spectroscopy of cobalt nano-islands on a nitrogen-adsorbed Cu(001) surface

    Kan Nakatsuji, Yasumasa Takagi, Yoshihide Yoshimoto, Takushi Iimori, Koichiro Yaji, Kota Tomatsu, Yoshihisa Harada, Tomoyuki Takeuchi, Takashi Tokushima, Yasutaka Takata, Shik Shin, Tetsuya Ishikawa, Fumio Komori

    JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY AND RELATED PHENOMENA   181 ( 2-3 )   225 - 228   2010年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.elspec.2010.01.007

    Web of Science

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  • Erratum: Direct mapping of the spin-filtered surface bands of a three-dimensional quantum spin hall insulator (Physical Review B 81, 041309(R) (2010)) 査読

    Akinori Nishide, Alexey A. Taskin, Yasuo Takeichi, Taichi Okuda, Akito Kakizaki, Toru Hirahara, Kan Nakatsuji, Fumio Komori, Yoichi Ando, Iwao Matsuda

    Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics   82 ( 3 )   2010年7月

  • Shape, width, and replicas of pi bands of single-layer graphene grown on Si-terminated vicinal SiC(0001)

    Kan Nakatsuji, Yuki Shibata, Ryota Niikura, Fumio Komori, Kouhei Morita, Satoru Tanaka

    PHYSICAL REVIEW B   82 ( 4 )   045428   2010年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.82.045428

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  • Spin-polarized surface bands of a three-dimensional topological insulator studied by high-resolution spin- and angle-resolved photoemission spectroscopy 査読

    Nishide, Akinori, Takeichi, Yasuo, Okuda, Taichi, Taskin, Alexey A, Hirahara, Toru, Nakatsuji, Kan, Komori, Fumio, Kakizaki, Akito, Ando, Yoichi, Matsuda, Iwao

    NEW JOURNAL OF PHYSICS   12   2010年6月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IOP PUBLISHING LTD  

    The spin-polarized surface band structure of the three-dimensional (3D) quantum spin Hall phase of Bi1-xSbx (x = 0.12-0.13) was studied by spin- and angle-resolved photoemission spectroscopy (SARPES) using a high-yield spin polarimeter equipped with a high-resolution electron spectrometer. The spin-integrated spectra were also measured and compared to those of Bi1-xSbx with x = 0.04. Band dispersions of the edge states were fully elucidated between the two time-reversal-invariant points, (Gamma) over bar and (M) over bar, of the (111) surface Brillouin zone. The observed spin-polarized band dispersions at x = 0.12-0.13 indicate an odd number of the band crossing at the Fermi energy, giving unambiguous evidence that this system is a 3D strong topological insulator, and determine the &#039;mirror chirality&#039; to be -1, which excludes the existence of a Dirac point in the middle of the (Gamma) over bar-(M) over bar line. The present research demonstrates that the SARPES measurement with energy resolution &lt;= 50 meV is one of the critical techniques for complementing the topological band theory for spins and spin currents.

    DOI: 10.1088/1367-2630/12/6/065011

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  • Atomic and nanostructures of monolayer c(2 x 2)NiN on Cu(001) 査読

    Hashimoto Yoichiro, Nakatsuji Kan, Iimori Takushi, Komori Fumio

    SURFACE SCIENCE   604 ( 3-4 )   451 - 457   2010年2月

  • Direct mapping of the spin-filtered surface bands of a three-dimensional quantum spin Hall insulator 査読

    Akinori Nishide, Alexey A. Taskin, Yasuo Takeichi, Taichi Okuda, Akito Kakizaki, Toru Hirahara, Kan Nakatsuji, Fumio Komori, Yoichi Ando, Iwao Matsuda

    Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics   81 ( 4 )   2010年1月

  • Local Vibrational Excitation through Extended Electronic States at a Germanium Surface 査読

    Tomatsu Kota, Nakatsuji Kan, Yamada Masamichi, Komori Fumio, Yan Binghai, Yam Chiyung, Frauenheim Thomas, Xu Yong, Duan Wenhui

    PHYSICAL REVIEW LETTERS   103 ( 26 )   2009年12月

  • Anisotropic two-dimensional metallic state of Ge(001)c(8x2)-Au surfaces: An angle-resolved photoelectron spectroscopy 査読

    Nakatsuji Kan, Niikura Ryota, Shibata Yuki, Yamada Masamichi, Iimori Takushi, Komori Fumio

    PHYSICAL REVIEW B   80 ( 8 )   2009年8月

  • Multiple Electronic Excitation Using Scanning Tunneling Microscopy on Ge(001) 査読

    Takagi Yasumasa, Tomatsu Kota, Nakatsuji Kan, Komori Fumio

    JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN   78 ( 6 )   2009年6月

  • Flip motion of heterogeneous buckled dimers on Ge(001) by electron injection from STM tip 査読

    Tomatsu Kota, Yan Binghai, Yamada Masamichi, Nakatsuji Kan, Zhou Gang, Duan Wenhui, Komori Fumio

    SURFACE SCIENCE   603 ( 5 )   781 - 787   2009年3月

  • Dissociative adsorption of oxygen on clear Cr(001) surface 査読

    K. Yagyu, X. Liu, Y. Yoshimoto, K. Nakatsuji, F. Komori

    J. Phys. Chem. C   113   5541 - 5546   2009年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/jp808542z

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  • Phase transition for a 3/8-monolayer Sn-adsorbed Cu(001) bimetallic surface alloy 査読

    Yaji Koichiro, Nakayama Ryuichi, Nakatsuji Kan, Iimori Takushi, Komori Fumio

    PHYSICAL REVIEW B   79 ( 11 )   2009年3月

  • Ordered structures of tin-adsorbed Cu(001) surfaces with over 1/2 monolayer coverage 査読

    Yaji Koichiro, Nakayama Ryuichi, Nakatsuji Kan, Iimori Takushi, Komori Fumio

    SURFACE SCIENCE   603 ( 2 )   341 - 348   2009年1月

  • Surface restructuring process on a Ag/Ge(001) surface studied by photoelectron spectroscopy

    Kan Nakatsuji, Takushi Iimori, Yasumasa Takagi, Daiichiro Sekiba, Shunsuke Doi, Masamichi Yamada, Taichi Okuda, Ayumi Harasawa, Toyohiko Kinoshita, Fumio Komori

    APPLIED SURFACE SCIENCE   254 ( 23 )   7638 - 7641   2008年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.apsusc.2008.01.128

    Web of Science

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  • Scattering potentials at Si-Ge and Sn-Ge impurity dimers on Ge(001) studied by scanning tunneling microscopy and ab initio calculations 査読

    Tomatsu Kota, Yamada Masamichi, Nakatsuji Kan, Komori Fumio, Yan Binghai, Wang Chenchen, Zhou Gang, Duan Wenhui

    PHYSICAL REVIEW B   78 ( 8 )   2008年8月

  • Fullerene on nitrogen-adsorbed Cu(001) nanopatterned surfaces: From preferential nucleation to layer-by-layer growth 査読

    Lu Bin, Iimori Takushi, Sakamoto Kazuyuki, Nakatsuji Kan, Rosei Federico, Komori Fumio

    JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C   112 ( 27 )   10187 - 10192   2008年7月

  • Phase transition and electronic state modification by lattice strain in 0.5-monolayer Sn/Cu(001) 査読

    Yaji Koichiro, Nara Yuki, Nakatsuji Kan, Iimori Takushi, Yagyu Kazuma, Nakayama Ryuichi, Nemoto Naoki, Komori Fumio

    PHYSICAL REVIEW B   78 ( 3 )   2008年7月

  • Soft X-ray emission spectroscopy of Co nanoislands on a nitrogen-adsorbed Cu(001) surface 査読

    Takagi Yasumasa, Nakatsuji Kan, Yoshimoto Yoshihide, Iimori Takushi, Yaji Koichiro, Tomatsu Kota, Harada Yoshihisa, Takeuchi Tomoyuki, Tokushima Takashi, Takata Yasutaka, Shin Shik, Ishikawa Tetsuya, Komori Fumio

    SURFACE SCIENCE   602 ( 12 )   L65 - L68   2008年6月

  • Electron correlation effects in Co nanoscale islands on a nitrogen-covered Cu(001) surface

    Kan Nakatsuji, Yoshihide Yoshimoto, Daiichiro Sekiba, Shunsuke Doi, Takushi Iimori, Kazuma Yagyu, Yasumasa Takagi, Shin-ya Ohno, Hideharu Miyaoka, Masamichi Yamada, Fumio Komori, Kenta Amemiya, Daiju Matsumura, Toshiaki Ohta

    PHYSICAL REVIEW B   77 ( 23 )   235436   2008年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.77.235436

    Web of Science

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  • Growth and self-assembly of MnN overlayers on Cu(001) 査読

    Xiangdong Liu, Bin Lu, Takushi Iimori, Kan Nakatsuji, Fumio Komori

    SURFACE SCIENCE   602 ( 10 )   1844 - 1851   2008年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.susc.2008.03.043

    Web of Science

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  • Comment on "Surfactant-Mediated growth revisited"

    X. -D. Liu, T. Iimori, K. Nakatsuji, F. Komori

    PHYSICAL REVIEW LETTERS   100 ( 8 )   2008年2月

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  • Enhancement of optical second harmonic generation bynitrogen adsorption on Cu(001) 査読

    H, Sano M. Miyaoka, T., Iimori, D., Sakiba, K., Nakatsuji, W., Wolf, R., Podloucky, N., Kawamura, G., Mizutani, F., Komori, 関場, 大一郎

    Applied Surface Science   255   3289-3293   2008年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Elsevier  

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  • Fabrication and characterization of self-organized MnN superstructures on Cu(001) surfaces 査読

    Lu Bin, Liu Xiangdong, Nakatsuji Kan, Iimori Takushi, Komori Fumio

    PHYSICAL REVIEW B   76 ( 24 )   2007年12月

  • STM observation of surface phases of Sn/Cu(001) 査読

    Nara Yuki, Yaji Koichiro, Iimori Takushi, Nakatsuji Kan, Komori Fumio

    SURFACE SCIENCE   601 ( 22 )   5170 - 5172   2007年11月

  • Nanopattern formation on Cu(001) surface coadsorbed with nitrogen and oxygen 査読

    K. Yagyu, K. Nakatsuji, Y. Yoshimoto, S. Tsuneyuki, F. Komori

    Surf. Sci.   601   4837 - 4842   2007年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.susc.2007.07.023

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  • STM observation of initial growth of Sn atoms on Ge(001) surface 査読

    Tomatsu Kota, Nakatsuji Kan, Iimori Takushi, Komori Fumio

    SURFACE SCIENCE   601 ( 7 )   1736 - 1746   2007年4月

  • Epitaxial silicon oxynitride layer on a 6H-SiC(0001) surface 査読

    Shirasawa Tetsuroh, Hayashi Kenjiro, Mizuno Seigi, Tanaka Satoru, Nakatsuji Kan, Komori Fumio, Tochihara Hiroshi

    PHYSICAL REVIEW LETTERS   98 ( 13 )   2007年3月

  • An Atomic Seesaw Switch Formed by Tilted Asymmetric Sn-Ge Dimers on a Ge (001) Surface

    K. Tomatsu, K. Nakatsuji, T. Iimori, Y. Takagi, H. Kusuhara, A. Ishii, F. Komori

    Science   315 ( 5819 )   1696 - 1698   2007年3月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:American Association for the Advancement of Science (AAAS)  

    When tin (Sn) atoms are deposited on a clean germanium (Ge) (001) surface at room temperature, buckled dimers originating from the Sn atoms are formed at the Ge-dimer position. We identified the dimer as a heterogeneous Sn-Ge dimer by reversing its buckling orientation with a scanning tunneling microscope (STM) at 80 kelvin. An atomic seesaw switch was formed for one-dimensional electronic conduction in the Ge dimer–row direction by using the STM to reversibly flip the buckling orientation of the Sn-Ge dimer and to set up standing-wave states.

    DOI: 10.1126/science.1137848

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  • Superstructure manipulation on a clean Ge(001) surface by carrier injection using an STM 査読

    Takagi Y, Nakatsuji K, Yoshimoto Y, Komori F

    PHYSICAL REVIEW B   75 ( 11 )   2007年3月

  • Self-assembled MnN superstructure 査読

    Xiangdong Liu, Bin Lu, Takushi Iimori, Kan Nakatsuji, Fumio Komori

    PHYSICAL REVIEW LETTERS   98 ( 6 )   2007年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevLett.98.066103

    Web of Science

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  • Strain-induced change in electronic structure of Cu(100) 査読

    D., Sekiba, Y., Yoshimoto, K., Nakatsuji, Y., Takagi, T., Iimori, S., Doi, F., Komori

    Physical Review B   75   115404   2007年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:American Physical Society  

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  • Invasive growth of Co on (root 2x2 root 2)R45 degrees reconstructed O/Cu(001) 査読

    XD Liu, T Iimori, K Nakatsuji, F Komori

    APPLIED PHYSICS LETTERS   88 ( 13 )   2006年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.2189190

    Web of Science

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  • Enhancement of electron correlation in Co thin clusters grown on S/GaAs (001) 査読

    Harasawa A, Okuda T, Wakita T, Tohyama T, Eguchi T, Nakatsuji K, Ueno N, Nath K.G, Kinoshita T

    Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics   73 ( 20 )   2006年

  • Co/N/Cu(001)表面の電子状態

    中辻 寛, 飯盛 拓嗣, 関場 大一郎, 土肥 俊介, 柳生 数馬, 高木 康多, 大野 真也, 宮岡 秀治, 山田 正理, 雨宮 健太, 松村 大樹, 太田 俊明, 小森 文夫

    表面科学講演大会講演要旨集   26   202 - 202   2006年

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    出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

    窒素吸着銅(001)表面にコバルトを蒸着して形成されるコバルトナノドットの電子状態について、窒素K吸収端及びコバルトL吸収端における軟X線吸収スペクトルを用いて調べた結果を報告する。光電子分光及び走査トンネル顕微鏡を用いて最近明らかになったコバルトドットの成長過程と比較し、界面の存在やドットサイズによる電子状態への影響について議論する。

    DOI: 10.14886/sssj.26.0.202.0

    CiNii Books

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  • Electronic states of the clean Ge(001) surface near Fermi energy 査読

    Nakatsuji K, Takagi Y, Komori F, Kusuhara H, Ishii A

    PHYSICAL REVIEW B   72 ( 24 )   2005年12月

  • Nonlocal Manipulation of Dimer Motion at Ge(001) Clean Surface via Hot Carriers in Surface States

    Yasumasa Takagi, Yoshihide Yoshimoto, Kan Nakatsuji, Fumio Komori

    Journal of the Physical Society of Japan   74 ( 12 )   3143 - 3146   2005年12月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Physical Society of Japan  

    DOI: 10.1143/jpsj.74.3143

    arXiv

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  • Role of a topological defect in the local structure transformation on clean Ge(001) surface by STM 査読

    Takagi Y, Yoshimoto Y, Nakatsuji K, Komori F

    SURFACE SCIENCE   593 ( 1-3 )   133 - 138   2005年11月

  • Electronic structures of Ag/Ge(001) surfaces

    K Nakatsuji, Y Takagi, M Yamada, Y Naitoh, F Komori

    SURFACE SCIENCE   591 ( 1-3 )   108 - 116   2005年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.susc.2005.06.025

    Web of Science

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  • Direct observation of strain-induced change in surface electronic structure 査読

    D., Sekiba, K., Nakatsuji, Y., Yoshimoto, F., Komori

    Physical Review Letters   94   16808   2005年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:American Physical Society  

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  • Reinvestigation of Co 2p satellite peak on the Co ultrathin film: Screening channel at interface 査読

    D., Sekiba, K., Nakatsuji, F., Komori

    Journal of the Physical Society of Japan   74   2868-2869   2005年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:The Physical Society of Japan  

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  • Effects of strain field in nitrogen-mediated Co film growth on Cu(001): segregation and electronic structure change 査読

    D., Sekiba, S., Doi, K., Nakatsuji, F., Komori

    Surface Science   590   138-145   2005年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Elsevier  

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  • Lattice deformation and strain-dependent atom processes at nitrogen-modified Cu(001) surfaces 査読

    Komori F, Ohno SY, Nakatsuji K

    PROGRESS IN SURFACE SCIENCE   77 ( 1-2 )   1 - 36   2004年11月

  • Ground state of the Si(001) surface revisited - is seeing believing?

    T UDA, H SHIGEKAWA, Y SUGAWARA, S MIZUNO, H TOCHIHARA, Y YAMASHITA, J YOSHINOBU, K NAKATSUJI, H KAWAI, F KOMORI

    Progress in Surface Science   76 ( 6-8 )   147 - 162   2004年10月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Elsevier BV  

    DOI: 10.1016/j.progsurf.2004.05.015

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  • Reversible local-modification of surface structure on clean Ge(001) by scanning tunneling microscopy below 80 K 査読

    Y Takagi, Y Yoshimoto, K Nakatsuji, F Komori

    SURFACE SCIENCE   559 ( 1 )   1 - 15   2004年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/k/susc.2004.04.010

    Web of Science

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  • Atomic-scale control of surface reconstruction on Ge(001) by scanning tunneling microscopy at 80 K 査読

    Takagi Y, Nakatsuji K, Yamada M, Komori F

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS   43 ( 3B )   L386 - L389   2004年3月

  • Rewritable nanopattern on a Ge(001) surface utilizing p(2x2)-to-c(4x2) transition of surface reconstruction induced by a scanning tunneling microscope 査読

    Y Takagi, M Yamada, K Nakatsuji, F Komori

    APPLIED PHYSICS LETTERS   84 ( 11 )   1925 - 1927   2004年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.1668324

    Web of Science

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  • Dissociation preference of oxygen molecules on an inhomogeneously strained Cu(001) surface 査読

    S. Ohno, K. Yagyu, K. Nakatsuji, F. Komori

    Surf. Sci.   554   183 - 192   2004年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.susc.2004.01.063

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  • Local and Reversible Change of the Reconstruction on Ge(001) Surface betweenc(4×2) andp(2×2) by Scanning Tunneling Microscopy

    Yasumasa Takagi, Yoshihide Yoshimoto, Kan Nakatsuji, Fumio Komori

    Journal of the Physical Society of Japan   72 ( 10 )   2425 - 2428   2003年10月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Physical Society of Japan  

    DOI: 10.1143/jpsj.72.2425

    arXiv

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  • Distribution of lattice-strain on partly nitrogen-covered Cu(001) surface 査読

    S. Ohno, K. Yagyu, K. Nakatsuji, F. Komori

    Surf. Sci.   547   L871 - L876   2003年10月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.susc.2003.10.025

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  • Initial growth of Fe nano-islands on Cu(001)-c(2 x 2)N surfaces 査読

    S Ohno, K Nakatsuji, F Komori

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   42 ( 7B )   4701 - 4705   2003年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.42.4701

    Web of Science

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  • Growth mechanism of Fe nanoisland array on Cu(001)-c(2 x 2)N surfaces 査読

    Ohno S, Nakatsuji K, Komori F

    SURFACE SCIENCE   523 ( 1-2 )   189 - 198   2003年1月

  • Arrays of magnetic nanodots on nitrogen-modified Cu(001) surfaces 査読

    Komori F, Ohno S, Nakatsuji K

    JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER   14 ( 35 )   8177 - 8197   2002年9月

  • One-dimensional self-organized patterns on vicinal Cu(001)-c(2x2)N Surfaces 査読

    S. Ohno, K. Yagyu, K. Nakatsuji, F. Komori

    Jpn. J. Appl. Phys.   41   L1243 - L1246   2002年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.41.L1243]

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  • Correlated motion of small Ag clusters and Ge dimer-buckling on Ge(001) 査読

    Naitoh Y, Nakatsuji K, Komori F

    JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS   117 ( 6 )   2832 - 2835   2002年8月

  • Formation process of very thin Ag structures on Ge(001) surface below RT 査読

    Y Naitoh, K Nakatsuji, F Komori

    SURFACE SCIENCE   513 ( 1 )   1 - 8   2002年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

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  • Direct evidence for itinerant magnetite above and below the Verwey transition temperature 査読

    YQ Cai, K Nakatsuji, S Ohno, T Iimori, M Yamada, F Komori

    SURFACE REVIEW AND LETTERS   9 ( 2 )   907 - 912   2002年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

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  • Electronic structure of Ag thin films on a Ge(001) surface

    K Nakatsuji, M Yamada, S Ohno, Y Naitoh, T Iimori, T Okuda, A Harasawa, T Kinoshita, F Komori

    SURFACE REVIEW AND LETTERS   9 ( 2 )   681 - 686   2002年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1142/S0218625X02002890

    Web of Science

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  • Anomalous electro-migration of oxygen vacancies in reduced TiO2 査読

    Hideharu Miyaoka, Goro Mizutani, Haruyuki Sano, Miki Omote, Kan Nakatsuji, Fumio Komori

    Solid State Communications   123 ( 9 )   399 - 404   2002年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/S0038-1098(02)00349-6

    Web of Science

    CiNii Research

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  • Growth of ferromagnetic dot arrays on Cu(001)-c(2 x 2)N surfaces 査読

    S Ohno, K Nakatsuji, F Komori

    SURFACE SCIENCE   493 ( 1-3 )   539 - 546   2001年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

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  • Quantized conductance through iron point contacts 査読

    F Komori, K Nakatsuji

    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY   84 ( 1-2 )   102 - 106   2001年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

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  • Growth and magnetism of Co nanometer-scale dots squarely arranged on a Cu(001)-c(2X2)N surface 査読

    Komori F, Lee KD, Nakatsuji K, Iimori T, Cai YQ

    PHYSICAL REVIEW B   63 ( 21 )   2001年6月

  • Quantized conductance through atomic-sized iron contacts at 4.2 K 査読

    F Komori, K Nakatsuji

    JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN   68 ( 12 )   3786 - 3789   1999年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

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  • Photoinduced products in a C60 monolayer on Si(111)(√3×√3)-Ag: An STM study

    T. NAKAYAMA, J. ONOE, K. NAKATSUJI, J. NAKAMURA, K. TAKEUCHI, M. AONO

    Surface Review and Letters   06 ( 06 )   1073 - 1078   1999年12月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:World Scientific Pub Co Pte Lt  

    Irradiation of ultraviolet-visible light onto a C 60 monolayer on [Formula: see text] resulted in a chemical reaction between adjacent C 60 molecules, as confirmed by scanning tunneling microscopy (STM) images. The major photoinduced products were double-bonded (two covalent C–C bonds between molecules) C 60 dimers and linear trimers. We also found single-bonded (single covalent bond between molecules) C 60 dimers and linear trimers, and two-dimensional C 60 oligomers as minor products. Observed atomic geometry of the nonbonding contact between a C 60 dimer (or a trimer) and a neighboring dimer (or a trimer), which are parallel to each other regarding their axes, is different from that reported between C 60 molecules in three-dimensional C 60 crystals, where there is no interaction with a substrate.

    DOI: 10.1142/s0218625x99001177

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  • Deduction of atomic orbitals in a valence band by two-dimensional angular distribution of photoelectrons

    H Daimon, M Kotsugi, K Nakatsuji, T Okuda, K Hattori

    SURFACE SCIENCE   438 ( 1-3 )   214 - 222   1999年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/S0039-6028(99)00572-5

    Web of Science

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  • Two-dimensional band mapping of 2H-TaSe2 using a display-type photoelectron spectrometer

    Taichi Okuda, Kan Nakatsuji, Shigemasa Suga, Yasuhisa Tezuka, Shik Shin, Hiroshi Daimon

    Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena   101-103   355 - 360   1999年6月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Elsevier BV  

    DOI: 10.1016/s0368-2048(98)00387-9

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  • Symmetry Analysis of the Fermi Surface States of Sr2RuO4 by Display-Type Photoelectron Spectroscopy

    Okuda, Taichi, Okuda, Taichi, Kotsugi, Masato, Nakatsuji, Kan, Fujikawa, Masao, Suga, Shigemasa, Tezuka, Yasuhisa, Shin, Shik, Kasai, Masahiro, Tokura, Yoshinori, Daimon, Hiroshi

    Journal of the Physical Society of Japan   68 ( 4 )   1398 - 1403   1999年4月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    The Fermi surface of the noncuprate superconductor Sr2RuO4 has been studied in detail by two-dimensional angle resolved photoelectron spectroscopy (2D-ARPES) using a display-type electron spectrometer and a linearly polarized synchrotron radiation. The existence of the large Fermi surfaces agrees with previous band calculations and conventional ARPES measurements. From the comparison of the observed photoelectron intensity distribution of the Fermi surface with that of the simulation for atomic orbitals, the symmetry of the atomic orbitals composing the Fermi surfaces is revealed to be the dε;dxy, dyz, dzx-like in contrast to the dx2-y2-like orbital in the cuprate high-Tc super conductor. The possibility of the existence of the extended van-Hove singularity just below the Fermi level, which was suggested by recent conventional ARPES measurements, is also discussed.

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  • Two-dimensional angle-resolved resonance photoelectron spectroscopy of 1T-TaS2

    Okuda, T, Okuda, T, Daimon, H, Nakatsuji, K, Kotsugi, M, Suga, S, Tezuka, Y, Shin, S, Hasegawa, T, Kitazawa, K

    Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena   88-91   287 - 292   1998年3月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Angle-resolved photoelectron spectroscopy on IT-TaS2 has been performed in full solid angles by using a display-type hemispherical mirror analyzer. We obtained a very clear dependence of the photoelectron angular distribution (PEAD) pattern on the incident photon polarization. The difference between the observed and calculated PEAD patterns is discussed. In addition, we have investigated the effect of Ta 5p-5d resonance photoemission process on the photoelectron angular distribution patterns. Some new strong photoemission peaks were observed in the resonance photoemission condition. © 1998 Elsevier Science B.V.

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  • Symmetry analysis of the Fermi surface of Bi2Sr2CaCu2O8 by display analyzer

    Kotsugi, Masato, Daimon, Hiroshi, Daimon, Hiroshi, Nakatsuji, Kan, Okuda, Taichi, Furuhata, Takeo, Fujikawa, Masao, Takagi, Hiroshi, Tezuka, Yasuhisa, Shin, Shik, Kitahama, Katsuki, Kawai, Tomoji, Suga, Shigemasa

    Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena   88-91   489 - 493   1998年3月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    We have directly observed the Fermi surface of Bi2Sr2CaCu2O8(Bi(2212)) by a display-type angle-resolved photoelectron spectrometer. The experiment was done at room temperature by using linearly-polarized synchrotron radiation (SR). The photon energy was 32 eV and the incident angle of the photon was perpendicular to the sample surface. Photoelectron angular distribution (PEAD) patterns were measured at various azimuthal angles φ from 0° to 135° in steps of 22.5°, where φ is the angle between the direction of the electric vector of the photon and the sample Cu-O bond direction. The observed shape of the Fermi surface is consistent with the band calculation by the FLAPW method [S. Massidda et al., Physica C 152 (1988) 251]. We confirmed the symmetry of the atomic orbital constituting the Fermi surface to be dx2-y2 by &#039;orbital determination by angular distribution&#039; (ODAD). © 1998 Elsevier Science B.V.

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  • Fermi surface of Sr2RuO4 studied by two-dimensional angle resolved photoelectron spectroscopy

    Okuda, Taichi, Okuda, Taichi, Daimon, Hiroshi, Kotsugi, Masato, Nakatsuji, Kan, Fujikawa, Masao, Suga, Shigemasa, Tezuka, Yasuhisa, Shin, Shik, Kasai, Masahiro, Tokura, Yoshinori

    Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena   88-91   473 - 477   1998年3月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    The shape of the Fermi surface of the Sr2RuO4, the first noncuprate superconductor, has been directly observed by two-dimensional angle resolved photoelectron spectroscopy (2D-ARPES) technique using a display-type hemispherical mirror analyzer. The gross shape of the Fermi surface agrees with previous band calculations. The photoelectron angular distribution pattern of the Fermi level shows that the Fermi surface is composed of orbitals with dxy, dyz, and dzx-like symmetries which agree well with those predicted by previous band calculations and are in contrast to dx2-y2 symmetry of the high-TC superconductors. © 1998 Elsevier Science B.V.

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  • Observation of circular dichroism in angular distribution of the valence band photoelectron from Si(001) in UPS region

    K. Nakatsuji, H. Daimon, T. Furuhata, H. Takagi, M. Fujikawa, S. Suga, T. Miyahara, A. Yagishita, C.-H. Solterbeck, W. Schattke

    Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena   88-91   213 - 218   1998年3月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/s0368-2048(97)00130-8

    Web of Science

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  • 25p-YP-18 2H-TaSe_2の二次元角度分解光電子分光

    奥田 太一, 中辻 寛, 菅 滋正, 手塚 泰久, 辛 埴, 大門 寛

    日本物理学会講演概要集   53.2.2   219   1998年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人 日本物理学会  

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.53.2.2.0_219_2

    CiNii Research

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  • Dichroism in Core Photoelectron Diffraction Spectra of Si(001) and Dependence on the Photon Polarization

    Peter Rennert, Angelika Chassé, Takeshi Nakatani, Kan Nakatsuji, Hiroshi Daimon, Shigemasa Suga

    Journal of the Physical Society of Japan   66 ( 2 )   396 - 400   1997年2月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Physical Society of Japan  

    DOI: 10.1143/jpsj.66.396

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  • 7p-T-2 Bi_2Sr_2CaCu_2O_8のFermi面近傍における角度分解光電子分光

    小嗣 真人, 大門 寛, 中辻 寛, 奥田 太一, 古畑 武夫, 藤川 正雄, 高木 博司, 菅 滋正, 手塚 泰久, 辛 埴, 北浜 克煕, 川合 知二

    日本物理学会講演概要集   52.2.3   673   1997年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人 日本物理学会  

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.52.2.3.0_673_1

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  • 5a-H-4 Si(111)-√<3>×√<3>-Ag表面準位の二次元角度分解光電子分光II

    中辻 寛, 古畑 武夫, 小嗣 真人, 菅 滋正, 手塚 泰久, 辛 植, 大門 寛

    日本物理学会講演概要集   52.2.2   334   1997年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人 日本物理学会  

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.52.2.2.0_334_2

    CiNii Research

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  • 5a-G-12 2次元角度分解光電子分光によるSr_2RuO_4のフェミル面

    奥田 太一, 大門 寛, 中辻 寛, 小嗣 正人, 藤川 正雄, 菅 滋正, 手塚 泰久, 辛 埴, 葛西 昌弘, 十倉 好紀

    日本物理学会講演概要集   52.2.2   199   1997年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人 日本物理学会  

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.52.2.2.0_199_1

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  • Energy barrier for ion desorption due to discrete surface dipoles

    Takuya Yonezawa, H. Daimon, K. Nakatsuji, K. Sakamoto, S. Suga

    Surface Science   365 ( 2 )   489 - 494   1996年9月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Elsevier BV  

    DOI: 10.1016/0039-6028(96)00628-0

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  • Adsorption and desorption processes of Cl on a Si(100) surface

    K Nakatsuji, K Matsuda, T Yonezawa, H Daimon, S Suga

    SURFACE SCIENCE   363 ( 1-3 )   321 - 325   1996年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/0039-6028(96)00154-9

    Web of Science

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  • Electron- and photon-stimulated desorption of the NO/Si(111) surface

    K Sakamoto, K Nakatsuji, H Daimon, T Yonezawa, S Suga, H Namba, T Ohta

    Surface Science   359 ( 1-3 )   147 - 154   1996年7月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Elsevier BV  

    DOI: 10.1016/0039-6028(96)00346-9

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  • Photon-stimulated desorption study of the NO/Si(111) surface 査読

    K Sakamoto, K Nakatsuji, H Daimon, T Yonezawa, S Suga, H Namba, T Ohta

    JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY AND RELATED PHENOMENA   80   125 - 128   1996年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/0368-2048(96)02938-6

    Web of Science

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  • 1T-TaS_2の2次元角度分解共鳴光電子分光

    奥田 太一, 中辻 寛, 菅 滋正, 手塚 泰久, 辛 埴, 長谷川 哲也, 北沢 宏一, 大門 寛

    日本物理学会講演概要集. 秋の分科会   1996.2   262   1996年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人 日本物理学会  

    DOI: 10.11316/jpsgaiyoj.1996.2.0_262_1

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  • 30a-PS-1 放射光を用いた2次元光電子分光

    奥田 太一, 中谷 健, 中辻 寛, 篠田 潤, 室 隆桂之, 大門 寛, 菅 滋正, 手塚 泰久, 辛 埴

    日本物理学会講演概要集. 秋の分科会   1995.2   509   1995年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人 日本物理学会  

    DOI: 10.11316/jpsgaiyoj.1995.2.0_509_2

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  • Adsorption and desorption processes of Cl on a Si (111) 7 × 7 surface

    T. Yonezawa, H. Daimon, K. Nakatsuji, K. Sakamoto, S. Suga

    Applied Surface Science   79-80   95 - 99   1994年5月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Elsevier BV  

    DOI: 10.1016/0169-4332(94)90394-8

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  • Photon-Stimulated Desorption Mechanism of Cl+Ions from Cl/Si(111) Surface

    Takuya Yonezawa Takuya Yonezawa, Hiroshi Daimon Hiroshi Daimon, Kan Nakatsuji Kan Nakatsuji, Kazuyuki Sakamoto Kazuyuki Sakamoto, Shigemasa Suga Shigemasa Suga, Hidetoshi Namba Hidetoshi Namba, Toshiaki Ohta Toshiaki Ohta

    Japanese Journal of Applied Physics   33 ( 4S )   2248 - 2248   1994年4月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IOP Publishing  

    Photon-stimulated desorption (PSD) of Cl+ions from a Cl/Si(111) surface was studied using synchrotron radiation. The kinetic energy distribution of Cl+ions in PSD agreed with our previous results of electron-stimulated desorption (ESD). The excitation energy threshold of Cl+desorption also agreed within the experimental error. Hence, the desorption mechanisms in both PSD and ESD were considered to be the same. We studied the excitation (photon) energy dependence of the Cl+yield more precisely than ESD to elucidate the excitation mechanism for ion desorption. We found that the lower threshold photon energy was 17eV. Comparison with the ultraviolet photoelectron spectroscopy (UPS) spectrum showed that this energy corresponded to the excitation from the Cl 3s state to the Fermi level. Hence, this PSD process was explained by the KF model, where the Cl 3s core hole was filled by electrons of the Cl-Si bond through the Auger-like process, and then Cl+ions desorbed by repulsive Coulomb force from the adjacent Si+.

    DOI: 10.1143/jjap.33.2248

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    その他リンク: https://iopscience.iop.org/article/10.1143/JJAP.33.2248/pdf

  • Electron-stimulated desorption (ESD) of the O2/Si(111) surface 査読

    Sakamoto Kazuyuki, Nakatsuji Kan, Daimon Hiroshi, Yonezawa Takuya, Suga Shigemasa

    SURFACE SCIENCE   306   93 - 98   1994年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/0039-6028(94)91189-4

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MISC

  • SiC基板上バッファー層への水素インターカレーション初期状態の電子状態

    飯盛拓嗣, 田中夏帆, 片野達貴, 加賀大暉, 小澤健一, 間瀬一彦, VISIKOVSKIY Anton, 田中悟, 小森文夫, 中辻寛

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)   79 ( 2 )   2024年

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  • 4H-SiC m面上1次元リップルグラフェンの作製と構造評価

    今村均, VISIKOVSKIY Anton, 碇智徳, 飯盛拓嗣, 中辻寛, 小森文夫, 田中悟

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)   79 ( 1 )   2024年

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  • Si(111)√3×√3-Ag基板上のBi超薄膜の表面構造と電子状態

    織田孝幸, 長尾俊佑, 笹川直希, 大内拓実, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 平山博之, 中辻寛

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)   79 ( 1 )   2024年

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  • SiC m面1次元周期リップル上の単層グラフェンの電子状態

    飯盛拓嗣, 今村均, 片野達貴, SEO Insung, 小澤健一, 間瀬一彦, VISIKOVSKIY Anton, 田中悟, 小森文夫, 中辻寛

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)   79 ( 1 )   2024年

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  • Cu(001)基板上のPd超薄膜における合金化と電子状態

    河添理央, 片野達貴, 大島尚樹, 加賀大暉, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 平山博之, 中辻寛

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)   79 ( 1 )   2024年

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  • Si(111)√3×√3-Ag表面上Bi(110)超薄膜の電子状態

    長尾俊佑, 大内拓実, 瓜生瞳美, 織田孝幸, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 平山博之, 中辻寛

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)   78 ( 1 )   2023年

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  • SiC(0001)基板上に成長したグラフェンへのFeインターカレーション

    竹村晃一, 片野達貴, 河添理央, SEO Insung, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 小澤健一, 間瀬一彦, 合田義弘, 平山博之, 中辻寛

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)   78 ( 1 )   2023年

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  • (Bi,In)/Si(111)表面の原子構造

    瓜生瞳美, 長尾俊祐, 平山博之, 中辻寛

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)   78 ( 1 )   2023年

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  • SiC基板上の1度以下のツイスト3層グラフェンの電子状態

    飯盛拓嗣, 今村均, 宮町俊生, 中辻寛, 北村未歩, 堀場弘司, 間瀬一彦, VISIKOVSKIY Anton, 田中悟, 小森文夫

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)   78 ( 1 )   2023年

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  • Si(111)7×7基板上のIn薄膜における結晶成長と埋もれた界面の研究

    笹川直希, 板倉悠太, 木崎京香, 中辻寛, 平山博之

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)   77 ( 1 )   2022年

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  • SiC基板上の1度以下のツイスト2層グラフェンの電子状態

    飯盛拓嗣, 今村均, 宮町俊生, 中辻寛, 北村未歩, 堀場弘司, 間瀬一彦, VISIKOVSKIY Anton, 田中悟, 小森文夫

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)   77 ( 1 )   2022年

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  • Cu(001)c(4×2)-Bi表面の構造形成と電子状態

    森井七生, 永友慶, 竹村晃一, 河添理央, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 平山博之, 中辻寛

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)   77 ( 1 )   2022年

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  • Si(111)√3×√3-B表面上のBi(110)超薄膜の電子状態における基板依存性

    大内拓実, 長尾俊祐, 中村玲雄, 竹村晃一, 志村舞望, 潮田亮太, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 平山博之, 中辻寛

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)   77 ( 1 )   2022年

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  • PdCu表面合金層の電子構造と水素曝露が及ぼす影響

    永友慶, 森井七生, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 平山博之, 中辻寛

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)   77 ( 1 )   2022年

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  • 二段階成長における平坦な黒燐構造Bi(110)超薄膜の成長過程

    志村舞望, 潮田亮太, 中辻寛, 平山博之

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)   77 ( 1 )   2022年

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  • SiC基板‐グラフェン界面に形成したスズ単原子層の電子状態

    小森文夫, 飯盛拓嗣, 宮町俊生, 矢治光一郎, 中島修平, 林信吾, VISIKOVSKY Anton, 梶原隆司, 中辻寛, 白澤徹郎, 間瀬一彦, 間瀬一彦, 田中悟

    KEK Progress Report (Web)   ( 2018-7 )   ROMBUNNO.262 (WEB ONLY)   2018年12月

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    記述言語:日本語  

    J-GLOBAL

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  • Si(111)√3×√3-B基板上のAg(111)超薄膜のSTM像に現れる埋もれた界面構造 招待 査読

    福元博之, 吉池雄作, 田尻 寛男, 山崎詩郎, 中辻寛, 平山博之

    表面と真空   61   657 - 662   2018年

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    記述言語:日本語  

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  • 6H-SiC基板のマクロファセットにできた1次元ナノリップルグラフェンの電子状態と電子格子相互作用

    小森文夫, 家永紘一郎, 飯盛拓嗣, 矢治光一郎, 宮町俊生, 中島修平, 高橋文雄, 福間洸平, 林信吾, 梶原隆司, VISIKOVSLIY Anton, 間瀬一彦, 間瀬一彦, 中辻寛, 田中悟

    KEK Progress Report (Web)   ( 2017-10 )   2017年

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  • 22aAJ-4 SiC(0001)ナノファセット基板上グラフェンの構造と電子状態

    飯盛 拓嗣, Visikovsliy Anton, 間瀬 一彦, 田中 悟, 小森 文夫, 中辻 寛, 家永 紘一郎, 宮町 俊生, 矢治 光一郎, 福間 洸平, 森田 康平, 林 真吾, 梶原 隆司

    日本物理学会講演概要集   71 ( 0 )   2625 - 2625   2016年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人 日本物理学会  

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.71.1.0_2625

    CiNii Books

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  • エピタキシャルグラフェンの成長と電子物性

    田中 悟, 中辻 寛, 小森 文夫, 日比野 浩樹

    觸媒 = Catalyst   54 ( 6 )   386 - 391   2012年10月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:触媒学会  

    CiNii Books

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  • 角度分解光電子分光によるFeSi (001) およびCoSi (001) の価電子帯構造の研究

    武市 泰男, 西出 聡悟, 中辻 寛, 奥田 太一, 森 文夫, 吉信 淳, 近藤 寛, 松田 巌, BERTRAN F, FEVRE P. Le, TALEB-IBRAHIMI A, 山上 浩志, 柿崎 明人

    放射光   23 ( 2 )   115 - 116   2010年3月

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  • 窒素吸着Cu(001)表面に形成されたナノサイズCo島の電子状態

    中辻寛, 高木康多, 吉本芳英, 関場大一郎, 飯盛拓嗣, 小森文夫

    表面科学   30 ( 9 )   524-531 (J-STAGE)   2009年

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    記述言語:日本語  

    DOI: 10.1380/jsssj.30.524

    J-GLOBAL

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  • STM探針からの電子・正孔注入による電子輸送制御

    富松 宏太, 中辻 寛, 小森 文夫

    まてりあ : 日本金属学会会報   47 ( 12 )   649 - 649   2008年12月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本金属学会  

    DOI: 10.2320/materia.47.649

    CiNii Books

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  • 格子歪が誘起する金属表面の電子状態変化

    関場 大一郎, 吉本 芳英, 中辻 寛, 小森 文夫

    真空   51 ( 5 )   285 - 290   2008年5月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:The Vacuum Society of Japan  

    We have studied the electronic structure of the partially N-adsorbed Cu(100) surface, where a lattice contraction is spontaneously induced on the clean Cu region. As a result, an increase of the d-band width due to the lattice constant reduction on the clean Cu region was experimentally confirmed. The shift of the sp-state above the Fermi level was also observed. The experimental facts were well reproduced by first-principles calculations for the strained Cu(100) surface. An interpretation of the strain-induced change on the surface electronic structure in terms of tight-binding model, suggested here, will be useful to discuss the surface chemical reaction change due to the lattice strain.<br>

    DOI: 10.3131/jvsj2.51.285

    CiNii Books

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    その他リンク: https://jlc.jst.go.jp/DN/JALC/00314647519?from=CiNii

  • トンネルキャリア注入とその伝播によるナノスケール遠隔原子操作

    小森文夫, 高木康多, 中辻寛, 吉本芳英

    固体物理   42 ( 1 )   19-27,HYOSHI   2007年1月

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    記述言語:日本語  

    J-GLOBAL

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  • SiC(0001)上のエピタキシャルSiON超薄膜

    白澤 徹郎, 林 賢二郎, 中辻 寛, 坂本 一之, 水野 清義, 小森 文夫, 田中 悟, 栃原 浩

    表面科学講演大会講演要旨集   27 ( 0 )   171 - 171   2007年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本表面科学会  

    SiCは次世代半導体材料として近年特に注目されている。重要な開発課題の1つが良質な絶縁膜及び界面の作製である。本研究ではSiC(0001)上に秩序SiON超薄膜がエピタキシャル成長することを見出し、その結晶構造と電子状態を調べた。その結果、膜中と界面にダングリングボンドはなく、界面準位も存在しないことが明らかになった。SiCの界面問題の解消に非常に重要な物質となることが期待される。

    DOI: 10.14886/sssj.27.0.171.0

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  • トンネル注入したキャリアーの表面伝播による非局所相転移誘起

    高木康多, 中辻寛, 小森文夫

    日本物理学会誌   61 ( 3 )   176 - 180   2006年3月

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    記述言語:日本語  

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  • Ge(001)表面における表面構造の操作

    中辻寛, 高木康多, 吉本芳英, 小森文夫

    表面科学   26 ( 6 )   315 - 321   2005年6月

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    記述言語:日本語  

    DOI: 10.1380/jsssj.26.315

    J-GLOBAL

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  • 2次元角度分解光電子分光によるBi(2212)のFermi面のODAD(Orbital Determination by Angular Distribution)

    小嗣真人, 大門寛, 中辻寛, 奥田太一, 古畑武夫, 手塚泰久, 辛埴, 北浜克き, 川合知二

    日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム予稿集   11th   1998年

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講演・口頭発表等

  • SiC m面1次元周期リップル上の単層グラフェンの電子状態

    飯盛拓嗣, 今村均, 片野達貴, SEO Insung, 小澤健一, 間瀬一彦, VISIKOVSKIY Anton, 田中悟, 小森文夫, 中辻寛

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  2024年 

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    開催年月日: 2024年

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  • 雰囲気制御型硬X線光電子分光によるPd/Ni薄膜ヘテロ構造の水素吸蔵特性その場観察

    筒井健三郎, 小野広喜, 河添理央, 山本航平, 石山修, SEO Okkyun, 中辻寛, 高木康多, 横山利彦, 水口将輝, 水口将輝, 宮町俊生, 宮町俊生

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  2024年 

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    開催年月日: 2024年

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  • SiC基板上バッファー層への水素インターカレーション初期状態の電子状態

    飯盛拓嗣, 田中夏帆, 片野達貴, 加賀大暉, 小澤健一, 間瀬一彦, VISIKOVSKIY Anton, 田中悟, 小森文夫, 中辻寛

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  2024年 

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    開催年月日: 2024年

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  • Cu(001)基板上のPd超薄膜における合金化と電子状態

    河添理央, 片野達貴, 大島尚樹, 加賀大暉, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 平山博之, 中辻寛

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  2024年 

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    開催年月日: 2024年

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  • Si(111)√3×√3-Ag基板上のBi超薄膜の表面構造と電子状態

    織田孝幸, 長尾俊佑, 笹川直希, 大内拓実, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 平山博之, 中辻寛

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  2024年 

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    開催年月日: 2024年

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  • 4H-SiC m面上1次元リップルグラフェンの作製と構造評価

    今村均, VISIKOVSKIY Anton, 碇智徳, 飯盛拓嗣, 中辻寛, 小森文夫, 田中悟

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  2024年 

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    開催年月日: 2024年

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  • SiC(0001)基板上に成長したグラフェンへのFeインターカレーション

    竹村晃一, 片野達貴, 河添理央, SEO Insung, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 小澤健一, 間瀬一彦, 合田義弘, 平山博之, 中辻寛

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  2023年 

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    開催年月日: 2023年

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • SiC基板上の1度以下のツイスト3層グラフェンの電子状態

    飯盛拓嗣, 今村均, 宮町俊生, 中辻寛, 北村未歩, 堀場弘司, 間瀬一彦, VISIKOVSKIY Anton, 田中悟, 小森文夫

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  2023年 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年

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  • Si(111)√3×√3-Ag表面上Bi(110)超薄膜の電子状態

    長尾俊佑, 大内拓実, 瓜生瞳美, 織田孝幸, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 平山博之, 中辻寛

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  2023年 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年

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  • (Bi,In)/Si(111)表面の原子構造

    瓜生瞳美, 長尾俊祐, 平山博之, 中辻寛

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  2023年 

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    開催年月日: 2023年

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  • Electronic structure of In ultrathin films adsorbed on Si(111)√3×√3-B surfaces 国際会議

    Insung Seo, Kan Nakatsuji, Hiroyuki Hirayama, Yoshihiro Gohda

    European Conference on Surface Science 35  2022年8月 

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    開催年月日: 2022年8月 - 2022年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Esch-sur-Alzette  

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  • Si(111)√3×√3-B表面上のBi(110)超薄膜の電子状態における基板依存性

    大内拓実, 長尾俊祐, 中村玲雄, 竹村晃一, 志村舞望, 潮田亮太, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 平山博之, 中辻寛

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  2022年 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年

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  • 二段階成長における平坦な黒燐構造Bi(110)超薄膜の成長過程

    志村舞望, 潮田亮太, 中辻寛, 平山博之

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  2022年 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • Si(111)7×7基板上のIn薄膜における結晶成長と埋もれた界面の研究

    笹川直希, 板倉悠太, 木崎京香, 中辻寛, 平山博之

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  2022年 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • SiC基板上の1度以下のツイスト2層グラフェンの電子状態

    飯盛拓嗣, 今村均, 宮町俊生, 中辻寛, 北村未歩, 堀場弘司, 間瀬一彦, VISIKOVSKIY Anton, 田中悟, 小森文夫

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  2022年 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年

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  • Cu(001)c(4×2)-Bi表面の構造形成と電子状態

    森井七生, 永友慶, 竹村晃一, 河添理央, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 平山博之, 中辻寛

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  2022年 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • PdCu表面合金層の電子構造と水素曝露が及ぼす影響

    永友慶, 森井七生, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 平山博之, 中辻寛

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  2022年 

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    開催年月日: 2022年

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • 6H-SiC(0001)表面上のナノファセットに形成したグラフェンの電子-フォノン相互作用

    飯盛 拓嗣, 林 真吾, 梶原 隆司, Visikovsliy A, 田中 悟, 小森 文夫, 家永 紘一郎, 宮町 俊生, 中島 脩平, 高橋 文雄, 矢治 光一郎, 中辻 寛, 間瀬 一彦, 福間 洸平

    日本物理学会講演概要集  2017年  一般社団法人 日本物理学会

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    開催年月日: 2017年

    記述言語:日本語  

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  • SiCファセット上サブ2次元グラフェンの構造制御

    福間 洸平, 林 真吾, 梶原 隆司, Visikovskiy Anton, 飯盛 拓嗣, 家永 紘一郎, 矢治 光一郎, 中辻 寛, 小森 文夫, 田中 宏和, 神田 晶申, 田中 悟

    応用物理学会学術講演会講演予稿集  2016年3月  公益社団法人 応用物理学会

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    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語  

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  • 6H-SiC(0001)表面上のナノファセットに形成したグラフェンの電子状態について

    飯盛 拓嗣, 中辻 寛, 宮町 俊生, 家永 紘一郎, 豊久 宗玄, 福間 洸平, 森田 康平, 林 真吾, 梶原 隆司, Visikovsliy A., 田中 悟, 間瀬 一彦, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2016年  一般社団法人 日本物理学会

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    開催年月日: 2016年

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    <p>ナノファセット配列を形成した微傾斜6H-SiC(0001)表面上に、熱分解法を用いて単層グラフェンを作成した。ファセット上に形成されたグラフェンの原子構造をSTMを用いて、K点での電子状態について角度分解光電子分光法を用いて調べた結果を報告する。ナノファセットの1次元的周期構造に由来したグラフェンの電子状態を観測した。</p>

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  • 22aAJ-4 SiC(0001)ナノファセット基板上グラフェンの構造と電子状態

    飯盛 拓嗣, Visikovsliy Anton, 間瀬 一彦, 田中 悟, 小森 文夫, 中辻 寛, 家永 紘一郎, 宮町 俊生, 矢治 光一郎, 福間 洸平, 森田 康平, 林 真吾, 梶原 隆司

    日本物理学会講演概要集  2016年  一般社団法人 日本物理学会

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    開催年月日: 2016年

    記述言語:日本語  

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  • SiCファセット上のグラフェン横方向超格子の形成と物性(1)

    田中悟, 福間洸平, 林真吾, 梶原隆司, Visikovskiy,Anton, 飯盛拓嗣, 家永紘一郎, 矢治光一郎, 中辻寛, 小森文夫, 田中宏和, 神田,晶申, Cuong,Nguyen Thanh, 岡田晋

    第76回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集  2015年9月 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語  

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  • SiCファセット上のグラフェン横方向超格子の形成と物性(2)

    福間洸平, 林真吾, 梶原隆司, Visikovskiy,Anton, 田中悟, 飯盛拓嗣, 家永紘一郎, 矢治光一郎, 中辻寛, 小森文夫, 田中宏和, 神田,晶申, Cuong,Nguyen Thanh, 岡田晋

    第76回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集  2015年9月 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語  

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  • Quasi-one-dimensional graphene nanostructure on corrugated SiC surfaces 国際会議

    S.,Tanaka, K.,Fukuma, K.,Morita, S.,Hayashi, T.,Kajiwara, A.,Visikovskiy, T.,Iimori, K.,Ienaga, K.,Yaji, K.,Nakatsuji, F.,Komori, H.,Tanaka, Kanda,Akinobu, N.,T. Cuong, S.,Okada

    Joint Conference EP2DS-M21/MSS-17 Abstracts  2015年7月 

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    開催年月日: 2015年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • Electron Transport in Graphene Nanoribbons Placed on a Corrugated SiC Surface

    H.,Tanaka, K.,Fukuma, K.,Morita, S.,Hayashi, T.,Kajiwara, A.,Visikovskiy, T.,Iimori, K.,Ienaga, K.,Yaji, K.,Nakatsuji, F.,Komori, N.,T. Cuong, S.,Okada, S.,Tanaka, Kanda,Akinobu

    Joint Conference EP2DS-M21/MSS-17 Abstracts  2015年7月 

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    開催年月日: 2015年7月

    記述言語:英語  

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  • 16pCA-4 SiC(0001)表面上のナノファセットに形成したグラフェンの光電子分光

    飯盛 拓嗣, 中辻 寛, 宮町 俊生, 家永 紘一郎, 金 聖憲, 田村 匡, 豊久 宗玄, 福間 洸平, 森田 康平, 梶原 隆司, 林 真吾, 田中 悟, 間瀬 一彦, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2015年  一般社団法人 日本物理学会

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    開催年月日: 2015年

    記述言語:日本語  

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  • 21pPSB-51 微傾斜SiC上のファセットに形成したグラフェンの電子状態

    飯盛 拓嗣, 中辻 寛, 宮町 俊生, 金 聖憲, 田村 匡, 森田 康平, 梶原 隆司, Visikovsliy Anton, 田中 悟, 間瀬 一彦, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2015年  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2015年

    記述言語:日本語  

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  • 21pPSB-5 Cu(001)表面上に成長したMnN超構造の電子状態

    中辻 寛, 飯盛 拓嗣, 高木 康多, 横山 利彦, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2015年  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2015年

    記述言語:日本語  

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  • 24aAS-6 表面一次元原子鎖Au/Ge(001)の二次元電子状態

    矢治 光一郎, 湯川 龍, 金 聖憲, 大坪 嘉之, Le Fevre Patrick, Bertran Francois, Taleb-Ibrahimi Amina, 松田 巌, 中辻 寛, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2015年  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2015年

    記述言語:日本語  

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  • 8aAS-8 微傾斜SiC上のグラフェン・ナノリボンの電子状態の幅依存性について(8aAS グラフェン・シリセン,領域9(表面・界面,結晶成長))

    飯盛 拓嗣, 中辻 寛, 宮町 俊生, 金 聖憲, 田村 匡, 梶原 隆司, Visikovsliy Anton, 田中 悟, 間瀬 一彦, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2014年8月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2014年8月

    記述言語:日本語  

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  • 28pPSA-76 微傾斜SiC(0001)表面上のMBEグラフェン.ナノリボンの電子状態(28pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面・結晶成長))

    飯盛 拓嗣, 中辻 寛, 宮町 俊生, 金 聖憲, 梶原 隆司, Visikovsliy Anton, 田中 悟, 間瀬 一彦, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2014年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語  

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  • 27aJA-11 MBE成長したナノリボン・グラフェンのπ電子状態(表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))

    飯盛 拓嗣, 中辻 寛, 金 聖憲, 梶原 隆司, Visikovsliy Anton, 田中 悟, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2013年8月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2013年8月

    記述言語:日本語  

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  • 26aXZA-8 銅(001)表面上の窒化クロム超薄膜の形成II(26aXZA 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))

    Krukowski Pawel, 中辻 寛, 飯盛 拓嗣, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2013年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語  

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  • 27aXK-1 微傾斜SiC上に形成したグラフェンナノリボンのπ電子状態(27aXK グラフェン・半導体,領域9(表面・界面,結晶成長))

    中辻 寛, 飯盛 拓嗣, 金 聖憲, 吉村 継生, 梶原 隆司, Visikovsliy Anton, 田中 悟, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2013年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語  

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  • 20pPSA-45 Structure of carbon-rich SiC(0001)-(√3x√3) surface investigated by LEED I-V analysis

    VISIKOVSKIY Anton, KAJIWARA Takashi, TANAKA Satoru, NAKATSUJI Kan, YOSHIZAWA Shinsuke, KOMORI Fumio

    日本物理学会講演概要集  2012年8月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2012年8月

    記述言語:英語  

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  • 19aEC-1 微傾斜SiC上のMBEグラフェンのπ電子状態(19aEC 領域7,領域9合同 グラフェン(分光・構造),領域7(分子性固体・有機導体))

    飯盛 拓嗣, 吉村 継生, 元村 勇也, 山田 正理, 中辻 寛, 梶原 隆司, Visikovsliy Anton, 田中 悟, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2012年8月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2012年8月

    記述言語:日本語  

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  • 20pPSA-38 エピタキシャルグラフェンにおけるDバンド,Gバンドラマン分光特性(20pPSA 領域9 ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長)

    中森 弓弦, 梶原 隆司, Visikovskiy Anton, 田中 悟, 中辻 寛, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2012年8月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2012年8月

    記述言語:日本語  

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  • 19aFE-8 窒素吸着Cu(001)表面における超構造形成のその場観察(19aFE 表面界面構造・水素ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長)

    河村 紀一, 飯盛 拓嗣, 山田 正理, 中辻 寛, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2012年8月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2012年8月

    記述言語:日本語  

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  • 19aFE-6 N/Cu(001)微傾斜領域に形成されるストライプ状配列構造(19aFE 表面界面構造・水素ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長)

    山田 正理, 河村 紀一, 中辻 寛, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2012年8月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2012年8月

    記述言語:日本語  

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  • 25pCK-5 Co吸着Bi_<1-x>Sb_x (111)表面の走査トンネル分光(25pCK トポロジカル絶縁体,領域9(表面・界面,結晶成長))

    吉澤 俊介, 中村 史一, 飯盛 拓嗣, 中辻 寛, Taskin Alexey A., 安藤 陽一, 松田 巌, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2012年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:日本語  

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  • 26pPSB-15 グラフェンナノ構造の顕微ラマン分光(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))

    中森 弓弦, 梶原 隆次, 萩原 好人, 栗栖 悠輔, 田中 悟, 中辻 寛, 小森 文夫, 橋本 明弘

    日本物理学会講演概要集  2012年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:日本語  

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  • 26pPSB-46 窒素吸着銅表面上におけるナノ構造形成過程の観測(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))

    河村 紀一, 飯盛 拓嗣, 中辻 寛, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2012年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:日本語  

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  • 26pSB-13 微傾斜SiC上グラフェンπ電子状態の時間分解光電子分光II(26pSB 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))

    中辻 寛, 飯盛 拓嗣, 吉村 継生, 石田 行章, 山本 貴士, 辛 埴, 金井 輝人, 渡部 俊太郎, 栗栖 悠輔, 梶原 隆司, 田中 悟, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2012年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:日本語  

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  • 26pSB-12 微傾斜SiC上水素化グラフェンのπ電子状態(26pSB 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))

    吉村 継生, 中辻 寛, 梶原 隆司, 高木 勝也, 田中 悟, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2012年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:日本語  

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  • 24pCC-1 Ge(111)微傾斜面のAu蒸着量に依る1次元原子構造の変化(24pCC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))

    元村 勇也, 中辻 寛, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2012年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:日本語  

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  • 26pPSB-25 銅(001)表面上の窒化クロム超薄膜の形成(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))

    Krukowski Pawel, 中辻 寛, 飯盛 拓嗣, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2012年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:日本語  

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  • 26pPSB-24 穏和な表面窒化のための低速イオン源の製作(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))

    山田 正理, 中辻 寛, 河村 紀一, 飯盛 拓嗣, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2012年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:日本語  

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  • 22aTE-2 微傾斜SiC上グラフェンπ電子状態の異方性(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))

    吉村 継生, 中辻 寛, 森田 康平, 上原 直也, 栗栖 悠輔, 田中 悟, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2011年8月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2011年8月

    記述言語:日本語  

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  • 23aJB-1 窒素飽和吸着Cu(001)面における圧縮応力の緩和機構(23aJB 表面界面構造(金属・無機化合物),領域9(表面・界面,結晶成長))

    山田 正理, 中辻 寛, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2011年8月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2011年8月

    記述言語:日本語  

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  • 22pRC-6 Ge(001)-Au表面における1次元鎖構造の電子バンド形状(22pRC 表面界面電子物性(表面伝導・光電子分光),領域9(表面・界面,結晶成長))

    中辻 寛, 元村 勇也, 新倉 涼太, 飯盛 拓嗣, 吉村 継生, 岩崎 悠真, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2011年8月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2011年8月

    記述言語:日本語  

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  • 21pHA-5 Au/Ge(111)表面のSTMによる原子構造研究(21pHA 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))

    元村 勇也, 中辻 寛, 新倉 涼太, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2011年8月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2011年8月

    記述言語:日本語  

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  • 25pTG-6 Au/Ge(111)表面のSTM観察(25pTG 表面界面構造(半導体・無機化合物),領域9(表面・界面,結晶成長))

    元村 勇也, 中辻 寛, 新倉 涼太, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2011年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:日本語  

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  • 25aTH-3 微傾斜Ge(001)-Au表面における1次元鎖構造と電子状態(25aTH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))

    中辻 寛, 元村 勇也, 新倉 涼太, 飯森 拓嗣, 吉村 継生, 岩崎 悠真, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2011年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:日本語  

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  • 27pPSA-24 窒素飽和吸着Cu(001)面上に形成されるトレンチの構造モデル(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))

    山田 正理, 岩崎 悠真, 中辻 寛, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2011年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:日本語  

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  • 27pPSA-44 Ge(001)表面上の不純物ダイマーにおける振動励起II(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))

    新倉 涼太, 中辻 寛, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2011年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:日本語  

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  • 27pPSA-25 Rh/N/Cu(001)面の構造(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))

    岩崎 悠真, 中辻 寛, 山田 正理, 飯盛 拓嗣, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2011年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:日本語  

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  • 26aTA-7 微傾斜SiC上グラフェンの電子状態(26aTA 領域7,領域9合同 グラフェン(ラマン分光/端状態),領域7(分子性固体・有機導体))

    吉村 継生, 中辻 寛, 森田 康平, 上原 直也, 栗栖 悠輔, 田中 悟, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2011年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:日本語  

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  • 26aTA-6 傾斜SiC上の埋め込まれたグラフェンナノリボンのラマン分光特性(26aTA 領域7,領域9合同 グラフェン(ラマン分光/端状態),領域7(分子性固体・有機導体))

    上原 直也, 森田 康平, 栗栖 悠輔, 田中 悟, 中辻 寛, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2011年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:日本語  

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  • 24pWS-1 Ge(001)表面上の不純物ダイマーにおける振動励起(24pWS 表面ダイナミクス・水素,ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))

    新倉 涼太, 中辻 寛, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2010年8月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2010年8月

    記述言語:日本語  

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  • 23aWX-1 Ge(111)√<3>×√<3>-Au表面の電子状態II(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))

    中辻 寛, 新倉 涼太, 元村 勇也, 柴田 祐樹, 山田 正理, 飯盛 拓嗣, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2010年8月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2010年8月

    記述言語:日本語  

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  • 25pWS-1 傾斜Sic上埋め込まれたグラフェンナノリボンの構造とラマン分光特性(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))

    上原 直也, 森田 康平, 中辻 寛, 吉村 継生, 小森 文夫, 田中 悟

    日本物理学会講演概要集  2010年8月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2010年8月

    記述言語:日本語  

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  • 25aWS-4 Cu(001)面上への窒素吸着に伴う応力の2種類の緩和機構(25aWS 表面界面構造(金属・酸化物),領域9(表面・界面,結晶成長))

    山田 正理, 大野 真也, 岩崎 悠真, 柳生 数馬, 中辻 寛, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2010年8月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2010年8月

    記述言語:日本語  

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  • 25pWS-2 傾斜SiC上グラフェンの角度分解光電子分光(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))

    中辻 寛, 吉村 継生, 柴田 祐樹, 森田 康平, 上原 直也, 田中 悟, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2010年8月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2010年8月

    記述言語:日本語  

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  • 25aWS-3 Rh/N/Cu(001)面の構造(25aWS 表面界面構造(金属・酸化物),領域9(表面・界面,結晶成長))

    岩崎 悠真, 中辻 寛, 山田 正理, 飯盛 拓嗣, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2010年8月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2010年8月

    記述言語:日本語  

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  • 22pGQ-1 Au/Ge(001)表面に形成される一次元構造のSTM観察II(22pGQ 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))

    新倉 涼太, 中辻 寛, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2010年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:日本語  

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  • 21pPSA-14 Rh/N/Cu(001)面の構造(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))

    岩崎 悠真, 中辻 寛, 山田 正理, 飯盛 拓嗣, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2010年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:日本語  

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  • 20aGQ-5 Ge(111)√<3>×√<3>-Au表面の電子状態(20aGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))

    中辻 寛, 新倉 涼太, 柴田 祐樹, 山田 正理, 飯盛 拓嗣, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2010年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:日本語  

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  • 27aYG-1 Au/Ge(001)及び(111)表面の電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)

    中辻 寛, 新倉 涼太, 柴田 祐樹, 岩崎 悠真, 山田 正理, 飯盛 拓嗣, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2009年8月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2009年8月

    記述言語:日本語  

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  • 27pYG-4 銅(001)基板上のc(2x2)-窒化ニッケル単原子層の構造(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)

    飯盛 拓嗣, 橋本 陽一郎, 中辻 寛, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2009年8月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2009年8月

    記述言語:日本語  

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  • 26pPSB-25 傾斜SiC上グラフェンの空間層厚制御と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)

    森田 康平, 日比野 浩樹, 中辻 寛, 小森 文夫, 水野 清義, 田中 悟

    日本物理学会講演概要集  2009年8月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2009年8月

    記述言語:日本語  

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  • 25aYH-5 Ge(001)表面における局所ホール注入によるGeダイマーの振動励起(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)

    富松 宏太, Yan Binghai, Yam Chiyung, 中辻 寛, 山田 正理, Rosa Andreia Luisa da, Xu Yong, Frauenheim Thomas, Duan Wenhui, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2009年8月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2009年8月

    記述言語:日本語  

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  • 29pPSB-43 Cu(001)面上の窒素吸着ドメイン間に形成されるCu細線の構造モデル(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))

    山田 正理, 大野 真也, 中辻 寛, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2009年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2009年3月

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  • 29pPSB-44 Ge(001)表面擬1次元系に埋め込まれた不純物IV族元素の散乱ポテンシャル(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))

    富松 宏太, Yan Binghai, 山田 正理, 中辻 寛, Zhou Gang, Duan Wenhui, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2009年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2009年3月

    記述言語:日本語  

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  • 29pPSB-51 Au/Ge(001)表面に形成される1次元構造のSTM観察(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))

    新倉 涼太, 中辻 寛, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2009年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2009年3月

    記述言語:日本語  

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  • 29pPSB-42 強磁性金属を混入したMnN/Cu(001)超構造の構造変化(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))

    橋本 陽一朗, 飯盛 拓嗣, 中辻 寛, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2009年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2009年3月

    記述言語:日本語  

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  • 29pPSB-39 表面歪みにより誘起される局所仕事関数の変化(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))

    柳生 数馬, 中辻 寛, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2009年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2009年3月

    記述言語:日本語  

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  • 28aYH-2 傾斜SiC表面上のグラフェン形成機構(28aYH 領域7,領域9合同 グラフェン構造・表面物性,領域7(分子性固体・有機導体))

    田中 悟, チェンダ スレイ, 萩原 好人, 森田 康平, 林 賢二郎, 水野 清義, 小森 文夫, 中辻 寛, 日比野 浩樹

    日本物理学会講演概要集  2009年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2009年3月

    記述言語:日本語  

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  • 28aYH-8 数層グラフェン電子状態のSTMによる研究(28aYH 領域7,領域9合同 グラフェン構造・表面物性,領域7(分子性固体・有機導体))

    中辻 寛, 新倉 涼太, 柴田 祐樹, 森田 康平, 水野 清義, 田中 悟, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2009年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2009年3月

    記述言語:日本語  

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  • 29pPSB-54 光電子分光による微斜面SiC上の数層grapheneの電子状態測定(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))

    柴田 祐樹, 中辻 寛, 白澤 徹郎, 森田 康平, 水野 清義, 田中 悟, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2009年  一般社団法人 日本物理学会

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    開催年月日: 2009年

    記述言語:日本語  

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  • 22pPSB-10 スズ吸着銅(001)表面のSTM観測II(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))

    矢治 光一郎, 中山 龍一, 中辻 寛, 飯盛 拓嗣, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2008年8月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2008年8月

    記述言語:日本語  

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  • 22pPSB-12 Cu(001)表面における酸素の解離吸着(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))

    柳生 数馬, Liu Xiangdong, 中辻 寛, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2008年8月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2008年8月

    記述言語:日本語  

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  • 22aXA-2 Au/Ge(001)表面の電子状態(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))

    中辻 寛, 柴田 祐樹, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2008年8月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2008年8月

    記述言語:日本語  

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  • 20pXB-2 STMによるGe(001)ダイマー表面におけるフリップフロップ運動の実時間測定(20pXB 表面界面ダイナミクス,領域9,領域4合同招待講演,領域9(表面・界面,結晶成長))

    富松 宏太, 中辻 寛, 飯盛 拓嗣, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2008年8月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2008年8月

    記述言語:日本語  

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  • 24pPSA-21 In蒸着Ge(001)表面のSTM・RHEED観察(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)

    根本 直樹, 中辻 寛, 山田 正理, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2008年2月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2008年2月

    記述言語:日本語  

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  • 24aTD-10 Cu(001)表面上のMnN超構造の成長過程(表面界面ダイナミクス,表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)

    Liu Xiangdong, Lu Bin, 飯盛 拓嗣, 中辻 寛, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2008年2月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2008年2月

    記述言語:日本語  

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  • 24aTD-11 低温でのCu(001)表面における酸素吸着のSTM観察(3)(表面界面ダイナミクス,表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)

    柳生 数馬, Liu Xiangdong, 中辻 寛, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2008年2月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2008年2月

    記述言語:日本語  

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  • 24pPSA-5 スズ吸着銅(001)表面の構造と電子状態(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)

    中山 龍一, 矢治 光一郎, 中辻 寛, 飯盛 拓嗣, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2008年2月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2008年2月

    記述言語:日本語  

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  • 24pPSA-9 5d遷移金属/Ge(001)表面の電子状態(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)

    中辻 寛, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2008年2月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2008年2月

    記述言語:日本語  

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  • 26pTD-1 3/8原子層スズ吸着した銅(001)表面の構造と電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)

    矢治 光一郎, 中山 龍一, 中辻 寛, 飯盛 拓嗣, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2008年2月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2008年2月

    記述言語:日本語  

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  • 24pPSA-7 STM探針からのキャリア注入によるSi吸着Ge(001)表面の構造遷移II(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)

    富松 宏太, 中辻 寛, 飯盛 拓嗣, 山田 正理, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2008年2月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2008年2月

    記述言語:日本語  

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  • 21aXJ-4 低温でのCu(001)表面における酸素吸着のSTM観察(2)(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)

    柳生 数馬, Liu Xiangdong, 中辻 寛, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2007年8月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2007年8月

    記述言語:日本語  

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  • 21pXL-1 STM探針からのキャリア注入によるSi吸着Ge(001)表面の構造遷移(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)

    富松 宏太, 中辻 寛, 飯盛 拓嗣, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2007年8月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2007年8月

    記述言語:日本語  

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  • 22aXK-7 スズ吸着銅(001)表面の電子状態の研究(表面磁性,表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)

    矢治 光一郎, 中辻 寛, 飯盛 拓嗣, 柳生 数馬, 中山 龍一, 根本 直樹, 奥田 太一, 原沢 あゆみ, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2007年8月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2007年8月

    記述言語:日本語  

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  • 24aTK-5 N/Cu(001)表面上のCoナノドットの電子状態(光電子分光・MCD,領域5,光物性)

    中辻 寛, 飯盛 拓嗣, 関場 大一郎, 土肥 俊介, 柳生 数馬, 高木 康多, 大野 真也, 宮岡 秀治, 山田 正理, 吉本 芳英, 雨宮 健太, 松村 大樹, 太田 俊明, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2007年8月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2007年8月

    記述言語:日本語  

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  • 21aXJ-7 スズ吸着銅(001)表面のSTM観察(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)

    中山 龍一, 奈良 裕樹, 矢治 光一郎, 中辻 寛, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2007年8月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2007年8月

    記述言語:日本語  

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  • 21aWH-3 STM探針からのキャリア注入によるSn吸着Ge(001)表面の構造遷移II(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)

    富松 宏太, 飯盛 拓嗣, 中辻 寛, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2007年2月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2007年2月

    記述言語:日本語  

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  • 18aTG-9 窒素吸着銅(001)表面上のスズの表面構造と電子状態の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)

    矢治 光一郎, 奈良 裕樹, 中辻 寛, 飯盛 拓嗣, 下山田 篤史, 石坂 香子, 辛 埴, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2007年2月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2007年2月

    記述言語:日本語  

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  • 20aPS-25 Fabrication and characterization of MnN superstructure on Cu(001) surfaces

    Lu Bin, Liu Xiangdong, Iimori Takushi, Nakatsuji Kan, Komori Fumio

    日本物理学会講演概要集  2007年2月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2007年2月

    記述言語:英語  

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  • 19aTG-3 低温でのCu(001)表面における酸素吸着のSTM観察(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)

    柳生 数馬, 中辻 寛, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2007年2月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2007年2月

    記述言語:日本語  

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  • 20aPS-24 スズ吸着銅(001)表面の蒸着量依存構造変化(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)

    奈良 裕樹, 矢治 光一郎, 飯盛 拓嗣, 中辻 寛, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2007年2月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2007年2月

    記述言語:日本語  

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  • 19pWH-4 Atomic Manipulation Through Tunneling Carrier Injection on Clean Ge(001)(Atom Dynamics and Formation of Nano-objects by Electronic Excitations)

    中辻 寛, Takagi Yasumasa, Yoshimoto Yoshihide, Komori Fumio

    日本物理学会講演概要集  2007年2月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2007年2月

    記述言語:英語  

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  • 22pPSA-102 In/Si(111)-(4×1)表面上に形成したC_<60>超薄膜の構造と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)

    馬渡 健児, 中辻 寛, 小森 文夫, Eriksson P.E.J, Uhrberg R.I.G, 坂本 一之

    日本物理学会講演概要集  2007年  一般社団法人 日本物理学会

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    開催年月日: 2007年

    記述言語:日本語  

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  • SiC(0001)上のエピタキシャルSiON超薄膜

    白澤 徹郎, 林 賢二郎, 中辻 寛, 坂本 一之, 水野 清義, 小森 文夫, 田中 悟, 栃原 浩

    表面科学講演大会講演要旨集  2007年  公益社団法人 日本表面科学会

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    開催年月日: 2007年

    記述言語:日本語  

    SiCは次世代半導体材料として近年特に注目されている。重要な開発課題の1つが良質な絶縁膜及び界面の作製である。本研究ではSiC(0001)上に秩序SiON超薄膜がエピタキシャル成長することを見出し、その結晶構造と電子状態を調べた。その結果、膜中と界面にダングリングボンドはなく、界面準位も存在しないことが明らかになった。SiCの界面問題の解消に非常に重要な物質となることが期待される。

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  • 20pZA-10 Co/N/Cu(001)表面の軟X線発光分光II(光電子分光・逆光電子分光・軟X線発光・理論,領域5,光物性)

    中辻 寛, 高田 恭孝, 辛 埴, 石川 哲也, 小森 文夫, 吉本 芳英, 高木 康多, 富松 宏太, 矢治 光一郎, 飯盛 拓嗣, 原田 慈久, 徳島 高, 竹内 智之

    日本物理学会講演概要集  2007年 

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    開催年月日: 2007年

    記述言語:日本語  

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  • 22pPSA-19 SiC(0001)上にエピタキシャル成長したSiON超薄膜の電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)

    白澤 徹郎, 田中 悟, 小森 文夫, 栃原 浩, 林 賢二郎, 今井 彩子, 角田 治哉, 馬渡 健児, 谷治 光一郎, 中辻 寛, 水野 清義, 坂本 一之

    日本物理学会講演概要集  2007年  一般社団法人 日本物理学会

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    開催年月日: 2007年

    記述言語:日本語  

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  • 23pYC-4 格子歪によるCu(100)ショックレー状態の変化(23pYC 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))

    関場 大一郎, 吉本 芳英, 中辻 寛, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2006年8月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2006年8月

    記述言語:日本語  

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  • 24aYH-7 スズ吸着銅(001)表面の構造と熱処理による変化(24aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))

    奈良 裕樹, 矢治 光一郎, 飯盛 拓嗣, 中辻 寛, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2006年8月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2006年8月

    記述言語:日本語  

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  • 24aYH-4 STM探針からのキャリア注入によるSn吸着Ge(001)表面の構造遷移II(24aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))

    富松 宏太, 飯盛 拓嗣, 中辻 寛, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2006年8月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2006年8月

    記述言語:日本語  

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  • 25aYH-7 Ge(001)表面電子状態へのトンネルキャリアー注入による非局所構造変化(25aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))

    高木 康多, 吉本 芳英, 中辻 寛, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2006年8月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2006年8月

    記述言語:日本語  

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  • 24aYH-9 銅(001)面上の窒化マンガン規則ナノ構造形成(24aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))

    小森 文夫, 劉 何東, 呂 斌, 飯盛 拓嗣, 中辻 寛

    日本物理学会講演概要集  2006年8月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2006年8月

    記述言語:英語  

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  • 27pXJ-3 格子歪のある酸素吸着Cu(100)表面の光電子分光(27pXJ 表面ダイナミックス(金属表面),領域9(表面・界面,結晶成長))

    関場 大一郎, 吉本 芳英, 中辻 寛, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2006年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2006年3月

    記述言語:日本語  

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  • 27pYB-4 STM探針からのキャリア注入によるSn吸着Ge(001)表面の構造遷移(27pYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))

    富松 宏太, 飯盛 拓嗣, 中辻 寛, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2006年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2006年3月

    記述言語:日本語  

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  • 27pYB-5 Ge(001)表面のトンネルキャリアー注入による構造変化II(27pYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))

    高木 康多, 吉本 芳英, 中辻 寛, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2006年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2006年3月

    記述言語:日本語  

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  • 27pYB-7 窒素吸着銅(001)表面上のスズ原子配列のSTM観測(27pYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))

    奈良 裕樹, 中辻 寛, 飯盛 拓嗣, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2006年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2006年3月

    記述言語:日本語  

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  • Co/N/Cu(001)表面の電子状態

    中辻 寛, 飯盛 拓嗣, 関場 大一郎, 土肥 俊介, 柳生 数馬, 高木 康多, 大野 真也, 宮岡 秀治, 山田 正理, 雨宮 健太, 松村 大樹, 太田 俊明, 小森 文夫

    表面科学講演大会講演要旨集  2006年  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2006年

    窒素吸着銅(001)表面にコバルトを蒸着して形成されるコバルトナノドットの電子状態について、窒素K吸収端及びコバルトL吸収端における軟X線吸収スペクトルを用いて調べた結果を報告する。光電子分光及び走査トンネル顕微鏡を用いて最近明らかになったコバルトドットの成長過程と比較し、界面の存在やドットサイズによる電子状態への影響について議論する。

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  • 26aYH-10 Co/N/Cu(001)表面の軟X線発光分光(26aYH 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))

    高木 康多, 高田 恭孝, 辛 埴, 石川 哲也, 富松 宏太, 矢治 光一郎, 飯盛 拓嗣, 中辻 寛, 小森 文夫, 原田 慈久, 徳島 高, 竹内 智之

    日本物理学会講演概要集  2006年 

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    開催年月日: 2006年

    記述言語:日本語  

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  • 21aPS-16 Ge(001)c(4×2)清浄表面の電子状態III(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))

    中辻 寛, 高木 康多, 楠原 秀昭, 石井 晃, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2005年8月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2005年8月

    記述言語:日本語  

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  • 22aXF-6 境界移動で観測したGe(001)表面状態伝導の解析(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))

    高木 康多, 吉本 芳英, 中辻 寛, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2005年8月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2005年8月

    記述言語:日本語  

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  • 21aPS-30 Ge(001)表面におけるSn dimer配列の温度依存性(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))

    富松 宏太, 中辻 寛, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2005年8月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2005年8月

    記述言語:日本語  

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  • 25pWB-6 Ge(001)c(4×2)清浄表面の電子状態II(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))

    中辻 寛, 高木 康多, 楠原 秀昭, 石井 晃, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2005年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2005年3月

    記述言語:日本語  

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  • 25aXD-10 Sn吸着Ge(001)表面のSTM観察(表面・界面構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))

    富松 宏太, 中辻 寛, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2005年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2005年3月

    記述言語:日本語  

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  • 25aXD-2 局所歪みのあるCu(001)表面におけるIn/Cu構造のSTM観察(表面・界面構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))

    土肥 俊介, 中辻 寛, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2005年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2005年3月

    記述言語:日本語  

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  • 25aXD-9 Ge(001)清浄表面でのバイアス電圧パルスによるc(4×2), p(2×2)構造の境界の移動(II)(表面・界面構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))

    高木 康多, 吉本 芳英, 中辻 寛, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2005年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2005年3月

    記述言語:日本語  

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  • 14aXG-5 Ge(001)c(4×2) 清浄表面の電子状態(表面界面電子物性, 領域 9)

    中辻 寛, 高木 康多, 楠原 秀昭, 石井 晃, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2004年8月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2004年8月

    記述言語:日本語  

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  • 15pXG-10 Ge(001) 清浄表面でのバイアス電圧パルスによる c(4×2), p(2×2) 構造の境界の移動(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)

    高木 康多, 吉本 芳英, 中辻 寛, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2004年8月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2004年8月

    記述言語:日本語  

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  • 15aPS-38 ガス吸着による表面パターンの制御(領域 9)

    土肥 俊介, 柳生 数馬, 中辻 寛, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2004年8月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2004年8月

    記述言語:日本語  

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  • 27aWP-2 Ag/Ge(001)表面における表面合金形成過程(表面界面電子物性(半導体・無機))(領域9)

    中辻 寛, 高木 康多, 山田 正理, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2004年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2004年3月

    記述言語:日本語  

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  • 30aWR-6 窒素飽和吸着銅(001)表面上のコバルトドットの界面電子状態(領域9,領域3合同 : 表面磁性)(領域9)

    飯盛 拓嗣, 中辻 寛, 大野 真也, 柳生 数馬, 高木 康多, 土肥 俊介, 宮岡 秀治, 山田 正理, 雨宮 健太, 松村 大樹, 北川 聡一郎, 横山 利彦, 太田 俊明, 室隆 桂之, 脇田 高徳, 木村 昭夫, 今田 真, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2004年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2004年3月

    記述言語:日本語  

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  • 28pWP-9 Ge(001)清浄面のバイアス電圧パルスによる局所的構造変化(表面界面構造(半導体))(領域9)

    高木 康多, 山田 正理, 中辻 寛, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2004年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2004年3月

    記述言語:日本語  

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  • 28pWP-10 Ge(001)清浄面の局所的構造変化のモデル(表面界面構造(半導体))(領域9)

    高木 康多, 吉本 芳英, 中辻 寛, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2004年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2004年3月

    記述言語:日本語  

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  • 30aWR-6 窒素飽和吸着銅(001)表面上のコバルトドットの界面電子状態(領域9,領域3合同 表面磁性)(領域3)

    飯盛 拓嗣, 中辻 寛, 大野 真也, 柳生 数馬, 高木 康多, 土肥 俊介, 宮岡 秀治, 山田 正理, 雨宮 健太, 松村 大樹, 北川 総一郎, 横山 利彦, 太田 俊明, 室 隆佳之, 脇田 高徳, 木村 昭夫, 今田 真, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2004年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2004年3月

    記述言語:日本語  

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  • 23aYD-3 STM による Ge(001) 清浄面の超構造制御 (II)

    高木 康多, 吉本 芳英, 中辻 寛, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2003年8月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2003年8月

    記述言語:日本語  

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  • 22aYE-6 Cu(001) 表面における窒素・酸素の共吸着

    柳生 数馬, 大野 真也, 中辻 寛, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2003年8月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2003年8月

    記述言語:日本語  

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  • 20aTA-3 Co ドットの X 線吸収スペクトル

    中辻 寛, 大野 真也, 柳生 数馬, 飯盛 拓嗣, 高木 康多, 宮岡 秀治, 山田 正理, 雨宮 健太, 松村 大樹, 横山 利彦, 太田 俊明, 室 隆桂之, 脇田 高徳, 木村 昭夫, 今田 真, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2003年8月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2003年8月

    記述言語:日本語  

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  • 22pYE-6 低温 STM による Ge(001) 面超構造制御

    中辻 寛, 高木 康多, 吉本 芳英, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2003年8月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2003年8月

    記述言語:日本語  

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  • 31pZF-3 Ge(001) 表面上 Ag2 次元島の低温 STM/STS

    高木 康多, 中辻 寛, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2003年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2003年3月

    記述言語:日本語  

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  • 28aWD-5 窒素吸着により Cu(001) 微斜面上に形成されるナノパターン : モデル

    山田 正理, 大野 真也, 中辻 寛, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2003年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2003年3月

    記述言語:日本語  

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  • 31aWD-7 STM による Ge(001) 清浄面の超構造制御

    高木 康多, 吉本 芳英, 中辻 寛, 常行 真司, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2003年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2003年3月

    記述言語:日本語  

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  • 31pZF-2 N/Cu(001) と Fe/N/Cu(001) 表面における酸素吸着

    柳生 数馬, 大野 真也, 中辻 寛, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2003年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2003年3月

    記述言語:日本語  

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  • 7aSM-11 Si(001)-(2×2)Agの形成過程--Ge(001)-Agとの比較(表面界面構造・電子物性,領域9)

    宮岡 秀治, 内藤 賀公, 中辻 寛, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2002年8月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2002年8月

    記述言語:日本語  

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  • 6aSN-5 Cu(001)-c(2×2)N表面におけるFeの埋め込み過程(表面ナノ構造量子物性,領域9)

    大野 真也, 中辻 寛, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2002年8月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2002年8月

    記述言語:日本語  

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  • 6aSN-6 Co/N/Cu(001)表面における軟X線内殻吸収スペクトル(表面ナノ構造量子物性,領域9)

    中辻 寛, 大野 真也, 飯盛 拓嗣, 宮岡 秀治, 山田 正理, 高木 康多, 柳生 数馬, 雨宮 健太, 松村 大樹, 北川 聡一郎, 横山 利彦, 太田 俊明, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2002年8月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2002年8月

    記述言語:日本語  

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  • 25pYF-1 Cu(001)-c(2×2)N表面におけるFe初期成長過程(25pYF 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))

    大野 真也, 中辻 寛, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2002年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2002年3月

    記述言語:日本語  

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  • 27pYL-1 N/Cu(001)表面上のCoナノドットのX線磁気円二色性(27pYL 磁性ドット・細線,領域3(磁性,磁気共鳴分野))

    中辻 寛, 大野 真也, 飯盛 拓嗣, 宮岡 秀治, 山田 正理, 小森 文夫, 雨宮 健太, 松村 大樹, 横山 利彦, 北川 聡一郎, 太田 俊明

    日本物理学会講演概要集  2002年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2002年3月

    記述言語:日本語  

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  • 25pPSB-37 Si(100)表面におけるAg初期吸着過程の低温STM観察(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))

    宮岡 秀治, 内藤 賀公, 中辻 寛, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2002年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2002年3月

    記述言語:日本語  

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  • 30pYQ-5 Ge(001)表面上のAg薄膜の電子状態

    中辻 寛, 山田 正理, 大野 真也, 内藤 賀公, 飯盛 拓嗣, 小森 文夫, 奥田 太一, 原沢 あゆみ, 木下 豊彦

    日本物理学会講演概要集  2001年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2001年3月

    記述言語:日本語  

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  • 28aXE-3 C(2×2)-N/Cu(001)表面における遷移金属超薄膜の成長

    大野 真也, 中辻 寛, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2001年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2001年3月

    記述言語:日本語  

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  • 22aXC-11 Fe_3O_4(111)薄膜のスピン分解光電子分光

    中辻 寛, Cai Y. Q., 大野 真也, 飯盛 拓嗣, 山田 正理, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2000年9月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2000年9月

    記述言語:日本語  

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  • 24pPSB-22 Pt(111)表面上のFe_3O_4(111)薄膜の成長とバンド構造

    大野 真也, Cai Y. O., 中辻 寛, 飯盛 拓嗣, 山田 正理, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2000年9月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2000年9月

    記述言語:日本語  

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  • 24aE-9 窒素吸着Cu(001)面上のCo微小ドット2次元配列の磁性

    Lee Ki-dong, 飯盛 拓嗣, 中辻 寛, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  2000年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2000年3月

    記述言語:日本語  

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  • 25pY-9 Fe細線の量子化コンダクタンス

    中辻 寛, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  1999年9月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 1999年9月

    記述言語:日本語  

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  • 26aPS-16 N-Cu(001)表面におけるFe、Co、Niの超薄膜構造

    大野 真也, 中辻 寛, Lee Ki-Dong, 飯盛 拓嗣, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  1999年9月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 1999年9月

    記述言語:日本語  

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  • 28p-PSA-5 Fe蒸着BSCCO表面におけるSTS

    新井 紳太郎, 中辻 寛, 大野 真也, 小森 文夫

    日本物理学会講演概要集  1999年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 1999年3月

    記述言語:日本語  

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  • 31p-F-1 Si(001)価電子帯からの光電子角度分布の円2色性II

    中辻 寛, 古畑 武夫, 高木 博司, 藤川 正雄, 菅 滋正, 宮原 恒〓, 柳下 明, 大門 寛, Solterbeck C.H, Schattke W

    日本物理学会講演概要集  1997年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 1997年3月

    記述言語:日本語  

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  • 電子衝撃イオン脱離によるO2/Si(111)の研究 II

    坂本一之, 中辻寛, 米沢卓也, 大門寛, 菅滋正

    日本物理学会講演概要集(年会)  1994年3月 

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    開催年月日: 1994年3月

    記述言語:日本語  

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  • Cl/Si(111)の放射光による光刺激脱離

    米沢卓也, 大門寛, 中辻寛, 坂本一之, 菅滋正, 難波秀利, 太田俊明

    日本物理学会講演概要集(分科会)  1993年9月 

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    開催年月日: 1993年9月

    記述言語:日本語  

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  • 電子衝撃イオン脱離によるO2/Si(111)の研究

    坂本一之, 中辻寛, 米沢卓也, 大門寛, 菅滋正

    日本物理学会講演概要集(年会)  1993年3月 

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    開催年月日: 1993年3月

    記述言語:日本語  

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  • SiC(0001)ナノファセット基板上グラフェンの構造と電子状態

    飯盛拓嗣, 中辻寛, 家永紘一郎, 宮町俊生, 矢治光一郎, 福間洸平, 森田康平, 林真吾, 梶原隆司, Visikovskiy Anton, 間瀬一彦, 田中悟, 小森文夫

    日本物理学会第71回年次大会  2016年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:宮城県  

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  • ビスマス原子を吸着させたグラフェン/Cu(111)表面における原子構造・電子状態

    山上剛史, 中辻寛, 平山博之

    日本物理学会第76回年次大会  2021年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • Si(111)√3×√3-(Bi,In)表面の電子状態

    勝俣錬, 中村玲雄, 金野達, 木村彰博, 大内拓実, 永友慶, 田中和也, 下川裕理, 小澤健一, 間瀬一彦, 小森文夫, 飯盛拓嗣, 平山博之, 中辻寛

    日本物理学会第76回年次大会  2021年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

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  • Si(110)3×2-Bi表面の構造解析

    諸貫 亮太, 大内 拓実, 永友 慶, 森井 七生, 金野 達, 白澤 徹郎, 平山 博之, 中辻 寛

    日本物理学会第76回年次大会  2021年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

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  • 黒燐構造Bi 超薄膜の成長過程と構造相転移の蒸着レート制御

    潮田 亮太, 志村 舞望, 笠井 大雅, 笹川 直希, 長瀬 謙太郎, 中辻 寛, 平山 博之

    日本物理学会第76回年次大会  2021年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • n-type Si(111)√3×√3-B 表面上のBi(110)超薄膜の電子状態

    中村玲雄, 勝俣錬, 潮田亮太, 大内拓実, 小森文夫, 飯盛拓嗣, 平山博 之, 中辻寛

    日本物理学会第76回年次大会  2021年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

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  • Si(111)表面上における黒リン構造Bi(110)超薄膜の低温蒸着による成長過程

    志村 舞望, 潮田 亮太, 中辻 寛, 平山 博之

    日本物理学会第76回年次大会  2021年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • X線CTR散乱による√7×√3-In-rect/Si(111)√3×√3-Bの界面構造の測定

    荻野嵩大, 田尻寛男, 中辻寛, 平山博之

    日本物理学会第76回年次大会  2021年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • 表面X線散乱による低温蒸着した黒燐構造Bi超薄膜の成長過程観察

    白澤 徹郎, 潮田 亮太, 中辻 寛, 平山 博之

    日本物理学会第76回年次大会  2021年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • Cu(001)表面上のFe薄膜に及ぼす酸素・窒素サーファクタントの影響

    木村 彰博, 森井 七生, 佐藤 圭介, 永友 慶, 小澤 健一, 小森 文夫, 飯盛 拓嗣, 平山 博之, 中辻 寛

    日本物理学会第76回年次大会  2021年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

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  • Biをインターカレートさせたグラフェン/Bi[2012]/Cu(111)のSTM観測

    笠井大雅, 山上剛史, 中辻寛, 平山博之

    日本物理学会2021年秋季大会  2021年9月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • Si(111)7×7基板上に低温蒸着させたビスマス超薄膜の構造相転移の臨界点におけるBi(111)テラスの構造

    笹川直希, 潮田亮太, 中辻寛, 平山博之

    日本物理学会2021年秋季大会  2021年9月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • Electronic structure of Bi(110) ultra-thin films grown on n-type Si(111)√3×√3-B substrates 国際会議

    T. Ouchi, L. Nakamura, K. Takemura, M. Shimura, R. Ushioda, T. Iimori, F. Komori, H. Hirayama, K. Nakatsuji

    13th International Symposium on Atomic Level Characterization for New Materials and Devices (ALC’21)  2021年10月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

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  • Electronic structure of Cu(001)c(4×2)-Bi surface 国際会議

    N. Morii, K. Nagatomo, K. Takemura, T. Ouchi, H. Uryu, S. Nagao, R. Kawazoe, T. Iimori, F. Komori, H. Hirayama, K. Nakatsuji

    13th International Symposium on Atomic Level Characterization for New Materials and Devices (ALC’21)  2021年10月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

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  • Electronic structure of PdCu surface alloy 国際会議

    Kei Nagatomo, N. Morii, K. Takemura, T. Iimori, F. Komori, H. Hirayama, K. Nakatsuji

    13th International Symposium on Atomic Level Characterization for New Materials and Devices (ALC’21)  2021年10月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

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  • Si(111)√3×√3-B表面上のBi(110)超薄膜の電子状態

    大内拓実, 中村玲雄, 竹村晃一, 志村舞望, 潮田亮太, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 平山博之, 中辻寛

    2021年日本表面真空学会学術講演会  2021年11月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

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  • PdCu表面合金層の電子構造

    永友慶, 森井七生, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 平山博之, 中辻寛

    2021年日本表面真空学会学術講演会  2021年11月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • Cu(001)c(4×2)-Bi表面の電子状態

    森井七生, 永友慶, 竹村晃一, 大内拓実, 瓜生瞳美, 長尾俊佑, 河添理央, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 平山博之, 中辻寛

    2021年日本表面真空学会学術講演会  2021年11月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

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  • Structure of Bi(111) terraces nucleated on the Bi(110) island 国際会議

    Naoki Sasagawa, Ryota Ushioda, Kan Nakatsuji, Hiroyuki Hirayama

    The 9th International Symposium on Surface Science (ISSS9)  2021年11月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

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  • STM observation of Bi-intercalated graphene/Bi/Cu(111) 国際会議

    Taiga Kasai, Tsuyoshi Yamagami, Kan Nakatsuji, Hiroyuki Hirayama

    The 9th International Symposium on Surface Science (ISSS9)  2021年11月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

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  • Nucleation of ultrathin Bi(110) film on the Si(111)√3×√3-B substrate in the two step growth 国際会議

    Maimi Shimura, Ryota Ushioda, Kan Nakatsuji, Hiroyuki Hirayama

    The 9th International Symposium on Surface Science (ISSS9)  2021年11月 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • First-principles study of In double layers on Si(111) √3 × √3 -B substrates 国際会議

    I. Seo, K. Nakatsuji, H. Hirayama, Y. Gohda

    The 9th International Symposium on Surface Science  2021年12月 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • Si(111)√3×√3-B 表面上のBi(110)超薄膜の電子状態における基板依存性

    大内拓実, 長尾俊祐, 中村玲雄, 竹村晃一, 志村舞望, 潮田亮太, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 平山博之, 中辻寛

    日本物理学会第76回年次大会  2022年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

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  • Structural and Electronic Properties of In Double Layers on Si(111)√3×√3-B 国際会議

    Insung Seo, Kan Nakatsuji, Hiroyuki Hirayama, Yoshihiro Gohda

    The 2022 MRS Spring Meeting  2022年5月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Honolulu, Hawaii  

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  • Intrinsic superconductivity of two monolayer thick Indium film 国際会議

    T. Ogino, I. Seo, H. Tajiri, M. Nakatake, S. Takakura, Y. Sato, Y. Hasegawa, Y. Gohda, K. Nakatsuji, H. Hirayama

    The 22nd International Vacuum Congress  2022年9月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Sapporo  

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  • Observation of the buried interface under the ultrathin In film on the Si(111)7x7 substrate; Revisit 国際会議

    N. Sasagawa, Y. Itakura, K. Kizaki, K. Nakatsuji, H. Hirayama

    The 22nd International Vacuum Congress  2022年9月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Sapporo  

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  • Bi Intercalation at the Graphene/Cu(111) Interface 国際会議

    T. Kasai, T. Yamagami, K. Nakatsuji, H. Hirayama

    The 22nd International Vacuum Congress  2022年9月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Sapporo  

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  • Interfacial Structures of In Double Layers on Si(111)√3×√3-B Substrates 国際会議

    Insung Seo, Kan Nakatsuji, Hiroyuki Hirayama, Yoshihiro Gohda

    The 22nd International Vacuum Congress  2022年9月 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Sapporo, Hokkaido  

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  • Electronic structure and interactions of In thin film on Si(111)√3×√3-B 国際会議

    Insung Seo, Kan Nakatsuji, Hiroyuki Hirayama, Yoshihiro Gohda

    14th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices '22  2022年10月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Okinawa  

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  • Si(111)√3×√3-Ag 表面上のBi(110)超薄膜の電子状態

    長尾俊佑, 大内拓実, 瓜生瞳美, 織田孝幸, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 中辻寛, 平山博之

    日本物理学会2023年春季大会  2023年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • Si(111)√3x√3-B表面上に成長したBi(110)超薄膜の構造

    長瀬謙太郎, 小久保郁也, 山崎詩郎, 中辻寛, 平山博之

    SPRUC顕微ナノ材料科学研究会・表面科学会放射光部会・プローブ顕微鏡研究部会合同シンポジウム  2018年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

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  • Ag超薄膜中の量子閉じ込めにおけるwetting layerの効果

    板倉悠太, 菅原喜周, 山崎詩郎, 中辻寛, 平山博之

    日本表面科学会 第3回関東支部講演大会  2018年4月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • Si(111)√3x√3-B基板上のIn吸着表面超構造

    車尾ヴァレンティン基, 荻野嵩大, 山崎詩郎, 中辻寛, 平山博之

    日本表面科学会 第3回関東支部講演大会  2018年4月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • SiC ファセット上サブ 2 次元グラフェンの構造制御

    福間 洸平, 林 真吾, 梶原 隆司, Anton Visikovskiy, 飯盛 拓嗣, 家永 紘一郎, 矢治 光一郎, 中辻 寛, 小森 文夫, 田中 宏和, 神田 晶申, 田中 悟

    第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • Ag超薄膜/Si(111)基板界面wetting layerの結晶化に伴う量子井戸準位のエネルギーシフト

    菅原喜周, 板倉悠太, 山崎詩郎, 中辻寛, 平山博之

    2018年9月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

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  • Si(111)√3x√3-B基板上に低温吸着したビスマス超薄膜のアニールによる構造変化

    長瀬謙太郎, 山崎詩郎, 中辻寛, 平山博之

    日本物理学会2018年秋季大会  2018年9月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • Suppression of Metal-Insulator Transition by Electron Doping from Substrates to Indium Atomic Wires: Si(111)4×1-In 国際会議

    T. Ogino, S. Yamazaki, K. Nakatsuji, H. Hirayama

    14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14)  2018年10月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Sendai  

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  • Electronic Structure of Bi(110) Islands Grown on a Si(111)Root3×Root3-B Substrate 国際会議

    K. Nakatsuji, Y. Shimokawa, T. Fujiwara, K. Nagase, S. Yamazaki, Y. Watanabe, K. Mase, K. Takahashi, H. Hirayama

    14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14)  2018年10月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Sendai  

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  • Si(111)基板上におけるBi-In表面合金の構造と電子状態

    田中和也, 金野達, 下川裕理, 佐藤圭介, 山崎詩郎, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 間瀬一彦, 平山博之, 中辻寛

    日本物理学会第74回年次大会  2019年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:博多  

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  • 酸素サーファクタントを用いてCu(001)表面上に作製したFe薄膜の表面構造と電子状態

    佐藤圭介, 金野達, 木村彰博, 渡邊瞳, 田中和也, 山崎詩郎, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 平山博之, 中辻寛

    日本物理学会第74回年次大会  2019年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:博多  

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  • Si(111)基板上Ag(111)超薄膜の有効量子井戸幅評価

    菅原喜周, 板倉悠太, 山崎詩郎, 中辻寛, 平山博之

    日本物理学会第74回年次大会  2019年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:博多  

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  • Electronic structure of Bi(110) ultra-thin films grown on a Si(111)√3 x √3-B substrate 国際会議

    K. Nakatsuji, Y. Shimokawa, T. Fujiwara, K. Nagase, S. Yamazaki, Y. Watanabe, K. Mase, K. Takahashi, H. Hirayama

    21st International Vacuum Congress  2019年7月 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • Cu(111)上に成長させたh-BN膜における成長様式・電子状態の層数依存性

    山上剛史, 四ツ谷壮一郎, 山崎詩郎, 中辻寛, 平山博之

    日本物理学会2019年秋季大会  2019年9月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:岐阜  

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  • Si(111)√3×√3-B基板上に低温蒸着したビスマス超薄膜の室温アニールによる構造変化(2)

    長瀬謙太郎, 山崎詩郎, 中辻寛, 平山博之

    日本物理学会2019年秋季大会  2019年9月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:岐阜  

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  • Characterization of Mono- and multilayer hexagonal Boron Nitride on Cu (111) substrate 国際会議

    T. Yamagami, S. Yotsutani, S. Yamazaki, K. Nakatsuji, H. Hirayama

    12th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices (ALC-19)  2019年10月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Kyoto  

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  • Structural change of Bi ultrathin films in the two-step growth on Si(111)√3 x √3-B substrates 国際会議

    K. Nagase, S. Yamazaki, K. Nakatsuji, H. Hirayama

    12th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices (ALC-19)  2019年10月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Kyoto  

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  • シリコン基板上に成長したBi超薄膜の構造と電子状態

    中辻 寛

    日本表面真空学会2019年学術講演会  2019年10月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

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  • Atomic and electronic structures of Bi(110) islands grown on Si substrates 国際会議

    Kan Nakatsuji

    IMR+MAX IV 2020  2020年1月 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

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  • Si(110)3x2-Bi表面の電子状態

    金野達, 勝俣錬, 木村彰博, 中村玲雄, 山崎詩郎, 小澤健一, 間瀬一彦, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 平山博之, 中辻寛

    日本物理学会第75回年次大会  2020年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋  

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  • SiC(0001)上のツイストグラフェンの電子状態のツイスト角度依存性

    飯盛拓嗣, 今村均, 魚谷亮介, 宮町俊生, 服部琢磨, 中辻寛, 北村未歩, 堀場弘司, 間瀬一彦, 梶原隆司, Visikovskiy Anton, 田中悟, 小森文夫

    日本物理学会 2020年秋季大会  2020年9月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • Si(110)3×2-Bi表面の電子状態

    金野達, 勝俣錬, 木村彰博, 中村玲雄, 諸貫亮太, 山崎詩郎, 小澤健一, 間瀬一彦, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 平山博之, 中辻寛

    2020年日本表面真空学会学術講演会  2020年11月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • 6H-SiC(0001)表面上のナノファセットに形成したグラフェンの電子状態について II

    飯盛拓嗣, 中辻寛, 宮町俊生, 家永紘一郎, 豊久宗玄, 福間洸平, 森田康平, 林真吾, 梶原隆司, Anton Visikovsliy, 田中悟, 間瀬一彦, 小森文夫

    日本物理学会第72回年次大会  2017年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • Si(111)√3×√3-B 表面上Ag(111)超薄膜のImage Potential Stateの測定

    菅原喜周, 長瀬謙太郎, 山崎詩郎, 中辻寛, 平山博之

    日本物理学会第72回年次大会  2017年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

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  • Si(111)√3×√3-B表面上に形成されるBi(110)超薄膜の電子状態(II)

    長瀬 謙太郎, 渡辺 成栄, 山崎 詩郎, 合田 義弘, 中辻 寛, 平山 博之

    日本物理学会第72回年次大会  2017年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大阪府  

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  • Si(111)√3×√3-B 表面上のBi(110)超薄膜の成長と電子状態

    藤原翼, 下川裕理, 長瀬謙太郎, 山崎詩郎, 間瀬一彦, 渡辺義夫, 仲武昌史, 中辻寛, 平山博之

    日本物理学会第72回年次大会  2017年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

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  • Ag(111)超薄膜中の量子井戸準位と真空中の鏡像準位におけるavoided crossingの測定

    菅原喜周, 長瀬謙太郎, 山崎詩郎, 中辻寛, 平山博之

    第37回表面科学学術講演会  2017年8月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • Bi(110)超薄膜の膜厚偶奇性と電子状態

    長瀬謙太郎, 山崎詩郎, 中辻寛, 平山博之

    第37回表面科学学術講演会  2017年8月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • Si(111)4x1-In表面における電子ドーピングによる金属―絶縁体転移の操作

    荻野嵩大, 平山博之, 中辻寛, 山崎詩郎

    第37回表面科学学術講演会  2017年8月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

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  • 6H-SiC(0001)表面上のナノファセットに形成したグラフェンの電子 フォノン相互作用

    飯盛拓嗣, 家永紘一郎, 宮町俊生, 中島脩平, 高橋文雄, 矢治光一郎, 中辻寛, 間瀬一彦, 福間洸平, 林真吾, 梶原隆司, Anton Visikovsliy, 田中悟, 小森文夫

    日本物理学会2017年秋期大会  2017年9月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:岩手県  

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  • アンモニアボラン分子蒸着による銅表面上での六方晶窒化ホウ素の合成

    山上剛史, 高木優香, 山崎詩郎, 中辻寛, 平山博之

    日本物理学会2017年秋季大会  2017年9月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

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  • キャリアドーピングによるSi(111)4xi-In表面の金属―絶縁体転移の制御

    荻野嵩大, 山崎詩郎, 中辻寛, 平山博之

    日本物理学会2017年秋季大会  2017年9月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

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  • Si(111)√3x√3-B表面上に成長した数層Bi(110)薄膜の電子状態

    下川裕理, 藤原翼, 長瀬謙太郎, 山崎詩郎, 渡辺義夫, 仲武昌史, 間瀬一彦, 高橋和敏, 中辻寛, 平山博之

    日本物理学会2017年秋季大会  2017年9月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

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  • グラファイト表面上のモアレ構造部分におけるdz/dVスペクトル測定

    石綿慈, 山崎詩郎, 中辻寛, 平山博之

    日本物理学会2017年秋季大会  2017年9月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

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  • 低温蒸着によるBi超薄膜の構造と電子状態

    長瀬謙太郎, 山崎詩郎, 中辻寛, 平山博之

    日本物理学会2017年秋季大会  2017年9月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • Interaction of Image-Potential States with Quantum-Well State in Ultra-thin Ag(111) films on Si(111)Root3xRoot3-B substrate 国際会議

    K. Sugawara, K. Nagase, S. Yamazaki, K. Nakatsuji, H. Hirayama

    The 8th International Symposium on Surface Science (ISSS-8)  2017年10月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

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  • Electron doping induced control of Metal-Insulator transition on Si(111)4x1-In surface 国際会議

    T.Ogino, S. Yamazaki, K. Nakatsuji, H. Hirayama

    The 8th International Symposium on Surface Science (ISSS-8)  2017年10月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

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  • Even-odd-parity and electronic structure of Bi(110) ultra-thin films 国際会議

    K. Nagase, S. Yamazaki, K. Nakatsuji, H. Hirayama

    The 8th International Symposium on Surface Science (ISSS-8)  2017年10月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Tsukuba  

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  • Electronic structure of Bi(110) ultra-thin films grown on Si(111)Root3×Root3-B surfaces 国際会議

    Y. Shimokawa, T. Fujiwara, K. Nagase, S. Yamazaki, Y. Watanabe, M. Nakatake, K. Mase, K. Takahashi, K. Nakatsuji, H. Hirayama

    The 8th International Symposium on Surface Science (ISSS-8)  2017年10月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

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  • Si(111)√3x√3-B表面のIn吸着構造

    車尾ヴァレンティン基, 荻野嵩大, 山崎詩郎, 中辻寛, 平山博之

    日本物理学会第73回年次大会  2018年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

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  • Bi/Si(111)4×1-In表面の構造と電子状態

    下川裕理, 田中和也, 佐藤圭介, 渡邊瞳, 山崎詩郎, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 間瀬一彦, 平山博之, 中辻寛

    日本物理学会第73回年次大会  2018年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

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  • 表面X線回折によるAg/Si(111)√3x√3-B界面構造の研究

    吉池雄作, 田尻寛男, 山崎詩郎, 中辻寛, 平山博之

    日本物理学会第73回年次大会  2018年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • SiC(0001)表面上のナノファセットに形成したグラフェンの角度分解光電子分光

    飯盛拓嗣, 中辻寛, 宮町俊生, 家永紘一郎, 金聖憲, 田村匡, 豊久宗玄, 福間洸平, 森田康平, 梶原隆司, 林真吾, Anton Visikovsliy, 田中悟, 間瀬一彦, 小森文夫

    日本物理学会2015年秋季大会  2015年9月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:大阪府  

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受賞

  • "第10回日本物理学会論文賞" (共同受賞)

    2005年  

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    受賞国:日本国

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  • "Best Student Presentation Award" at 7th International conference on Electron Spectroscopy (ICES-7)

    1997年  

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共同研究・競争的資金等の研究課題

  • 黒リン構造ビスマス層状物質の創製と電子状態制御

    研究課題/領域番号:20H02617  2020年4月 - 2023年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(B)

    中辻 寛, 平山 博之

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    配分額:9100000円 ( 直接経費:7000000円 、 間接経費:2100000円 )

    本研究では、2次元トポロジカル絶縁体転移が理論予測されている黒リン(BP-like)構造のBi(110)超薄膜を半導体基板上に均一に成長させる条件を見出し、その成長過程・原子構造・電子構造を、走査トンネル顕微鏡(STM)と角度分解光電子分光(ARPES)等の実験手法を用いて詳細に明らかにするため、以下の課題に取り組む。(a) Si(111)傾斜基板を用いたり、成長温度や成長速度を制御したりすることで、回転ドメイン数が少なく膜厚の揃った試料を作製し、電子状態の詳細な測定を行う。(b) Bi(110)超薄膜と基板との界面のwetting layerの原子構造ならびに超薄膜最表面の原子構造を明らかにする。(c) 界面における基板との電荷移動の詳細を明らかにし、Bi(110)超薄膜への電荷ドーピング制御の可能性を検討する。
    令和2年度は次の成果を得た。(a) 9.5°傾斜Si(111)基板にメタほう酸(HBO2)を蒸着して作製した√3-B構造に成長したBi(110)超薄膜ではドメイン数が減少することをLEEDで確認した。一方フラットSi(111)√3-B基板に100 K程度でBiを蒸着後に室温までアニールする2段階成長で、あるいは、室温でBiを速い蒸着レートで蒸着することで、膜厚の良く揃ったBi(110)超薄膜が得られることをSTMで確認した。(b) 2段階成長で得られたBi(110)超薄膜のwetting layerを含む原子構造をXRDにて明らかにした。(c) ドーピング条件の異なるSi(111)基板に作製したBi(110)超薄膜の電子状態にわずかながらも電荷ドーピングの違いがあることをARPESにて明らかにした。

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  • ビスマス原子による黒リン構造層状物質の電子状態

    研究課題/領域番号:17K05493  2017年4月 - 2022年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(C)

    中辻 寛, 平山 博之

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    配分額:4550000円 ( 直接経費:3500000円 、 間接経費:1050000円 )

    黒リン(BP-like)構造をもつBi(110)超薄膜は、2次元トポロジカル絶縁体の電子物性が予測される興味深い系である。本研究ではシリコン基板上に作製したBi(110)超薄膜の構造と電子状態を角度分解光電子分光と走査トンネル顕微鏡を用いて系統的に調べ、8原子層程度以下の薄膜内部の構造がBP-likeであること、基板からの電荷移動によりホールドープされていること、Biを100 K程度で蒸着後に室温まで加熱する2段階成長によって高さの揃った超薄膜を広範囲に作製可能であることを明らかにした。

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  • ビスマス原子による2次元ハニカム格子層状物質

    研究課題/領域番号:15K13360  2015年4月 - 2017年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  挑戦的萌芽研究

    平山 博之, 中辻 寛

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    配分額:3900000円 ( 直接経費:3000000円 、 間接経費:900000円 )

    Si(111)√3x√3-B基板表面にBi原子を室温蒸着することにより、表面にBi(110)超薄膜島が形成される。これらのBi(110)島は、Si(111)√3x√3-B基板格子に整合する形で6つの特徴的な方向に成長する。ただしこれらの島がA7構造あるいはBP構造のいずれの結晶構造を持つかは、表面のBi原子配列の走査トンネル顕微鏡観察からは決定できない。このためこれらの島の電子状態の、走査トンネル分光、および角度分解光電子分光による計測を行った。実験の結果、得られたBi(110)島はBP構造を持つ可能性が高いことが明らかになった。

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  • 単原子層半導体新物質「シリゲルマネン」の創生とその機能制御

    研究課題/領域番号:26286048  2014年4月 - 2017年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(B)

    平山 博之, 齋藤 晋, 中辻 寛

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    配分額:16250000円 ( 直接経費:12500000円 、 間接経費:3750000円 )

    シリセンやゲルマネンなどのIV族単原子層物質は、基板へのエピタキシャル成長によってのみ形成可能である。しかしシリセン成長基板として使われるAg(111)表面ではシリコン原子と銀原子の交換を伴う複雑な過程により成長が進行すること、および銀基板との強い電子相互作用のため、成長したシリセンのDirac電子状態が破壊されてしまうことが明らかになった。こうした問題を解決するためには、電子相互作用の小さな成長基板を探索することが重要である。これに関して、グラフェンを基板に用いた場合の検証、およびシリコン基板上に直接hBNを形成してこれを基板に用いる可能性の検討を行った。

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  • Cu(001)表面に形成した遷移金属窒化物ナノ構造の電子状態

    研究課題/領域番号:24510142  2012年4月 - 2015年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(C)

    中辻 寛, 小森 文夫, 飯盛 拓嗣, 山田 正理, 髙木 康多, 横山 利彦

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    配分額:5460000円 ( 直接経費:4200000円 、 間接経費:1260000円 )

    本研究では金属表面上のナノスケール磁性体として、Cu(001)基板上に成長した単原子層高さのマンガン窒化物(MnN)およびクロム窒化物(CrN)の自己集積ナノパターン構造をとりあげ、それぞれ、電子状態と磁性、および原子レベルでの成長過程について調べた。MnNについては、Mnが磁気モーメントを持ち、反強磁性あるいは常磁性を示すこと、電子状態には1原子層膜であることを反映した異方性があることを明らかにした。CrNの成長メカニズムはMnNと同様だが、2種類のCrN島が成長することがわかった。

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  • ゲルマニウム基板上に構築した金属ナノワイヤ構造とその電子物性

    研究課題/領域番号:22710095  2010年 - 2011年

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  若手研究(B)

    中辻 寛, 小森 文夫, 山田 正理, 飯盛 拓嗣, 新倉 涼太, 柴田 祐樹, 岩崎 悠真, 元村 勇也, 吉村 継生, 石井 晃, 小田 泰丈

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    配分額:4030000円 ( 直接経費:3100000円 、 間接経費:930000円 )

    本研究では、半導体基板上に形成されるナノ構造として、ゲルマニウム(001)および(111)表面に金を1原子層程度蒸着することで形成されるナノワイヤ(1次元)構造および2次元構造について、その原子構造と電子状態を明らかにした。ナノワイヤ構造においては、構造から予測される1次元電子系ではなく、ワイヤ垂直方向に小さい有効質量をもつ金属的な表面状態があることを明らかにした。また2次元構造においては、大きなスピン軌道相互作用にともなうラシュバ型のスピン分裂した電子状態をもつことを明らかにした。

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  • 表面電子励起状態および吸着子のダイナミクス

    研究課題/領域番号:21244048  2009年 - 2011年

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(A)

    小森 文夫, 中辻 寛, 田中 悟, 渡部 俊太郎, 辛 埴

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    配分額:48750000円 ( 直接経費:37500000円 、 間接経費:11250000円 )

    固体表面に局在した低次元電子状態を対象に、表面原子および電子状態の知識を基礎として、電子と原子の動き方を調べる研究を行った。新たに創製した1次元的なナノ構造をもつ表面系では、それらの電子状態分布と電子運動量の緩和時間に一軸性の異方性があることをみいだした。表面電子系が局所的にエネルギーを受け取り、そのエネルギーが表面原子系に移り、その振動を引き起こし、最終的に表面原子移動に至ることを明らかにした。

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  • Cu(001)表面におけるマンガン窒化物ナノ構造の成長、電子状態と磁性

    研究課題/領域番号:18740177  2006年 - 2007年

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  若手研究(B)

    中辻 寛

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    配分額:3600000円 ( 直接経費:3600000円 )

    19年度は、Cu(001)表面上におけるマンガン窒化物(MnN)ナノパッチの周期構造の成長過程と原子構造、電子状態と磁性を、走査トンネル顕微鏡(STM)観察、X線光電子分光(XPS)、軟X線吸収分光(XAS)と磁気円二色性(XMCD)と磁気円二色性(XMCD)測定を用いて調べた。XASとXMCD測定は、高エネルギー加速器研究機構と分子科学研究所の放射光施設にて行った。STM観察では、MnNの低被覆率から飽和被覆率に至るまでの過程を詳細に調べ、ナノ周期構造形成のメカニズムぶ、MnNナノパッチが下地Cuに誘起する歪みを緩和するものとして理解できることを明らかにした。この歪み緩和は表面第2層目までで起きており、これまでに知られている弾性歪み緩和モデルとは異なるメカニズムである。この結果をまとめた論文が厩に受理されている。次に、Mn2p内殻吸収端でのXMCD測定を4K、5Tの極低温強磁場下で行ったが、MCDシグナルはゼロであり、強磁性ではないことがわかった。また、Mnは2価イオンのような振る舞いを示すこともわかった。スペクトル形状には入射光偏光依存性が見られたので、これが反強磁性を反映した線二色性(XMLD)なのか、電子状態の異方性を反映しているのかを調べるために、バルクMnN結晶のネール点付近の温度でのXAS測定を行った。これらの結果と、XPS測定によるMn2p,2s内殻スペクトルとを、配置間相互作用を取り入れたクラスター計算によって再現し、電子状態の詳細な情報を議論するべく、現在解析中である。本年度は、国外も含めて3件の学会発表を行い、昨年度の成果をまとめた報文1報も出版された。

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  • 窒素吸着銅表面ナノパターンを利用した磁性ナノドット配列の構造と磁性

    研究課題/領域番号:15510088  2003年 - 2004年

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(C)

    小森 文夫, 中辻 寛

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    配分額:3900000円 ( 直接経費:3900000円 )

    <100>方向に1°微傾斜した銅(001)面上に平均0.3原子層の窒素を吸着させ、アニールすると一辺5nm程度の正方形の窒素吸着パッチが、清浄表面を介して<010>方向に延びたステップエッジに平行に1次元的に配列する。この表面上にコバルトを蒸着した系の構造をSTMで観測し、その強磁性を超高真空中で磁気カー効果によって調べた。この系では、平均膜厚が1.5-2.0原子層程度のとき、2,3原子層高さのコバルト微粒子が一次元的に配列する。その磁気ヒステリシス曲線を観察すると、平坦な表面上に2次元的に配列したコバルトドット配列と比べて磁気異方性が強く、磁化容易軸がステップに平行となることが明らかとなった。
    コバルトドット配列の微視的構造と磁性を調べるために、軟X線吸収分光と軟X線磁気2色性分光測定を行った。界面ではコバルトと窒素の結合があること、および、コバルトドットの軌道磁気モーメントはドットが小さくなると大きくなることがわかった
    窒素吸着面でのコバルト微粒子成長には、窒素パッチ生成によってできた銅清浄表面格子歪みが大きな影響を与えていると考えられる。そこで、格子歪による表面電子状態変化を光電子分光によって測定し、第一原理計算と比較した。精密測定が可能であるM点のタム状態では、格子歪みによる電子状態変化が観測され、計算結果と定量的に一致した。さらに、この表面上に蒸着されたコバルト微粒子の成長について、STMとXPSを用いて調べた。その結果、窒素吸着面上の微粒子の大きさが4nm2以上となると、コバルト微粒子表面に窒素が析出することがわかつた。
    また、大阪大学工学研究科笠井研究室と共同で、銅表面上の強磁性鉄ナノ構造の電気伝導よび電子状態について理論的解析を行い、今後の実験研究を推進する上での指針や、デバイスへ応用の可能性を議論した。

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  • 極低温走査トンネル顕微鏡によって作られる金属ナノワイヤーの量子化された電気伝導

    研究課題/領域番号:12440097  2000年 - 2001年

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(B)

    小森 文夫, 中辻 寛

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    配分額:3300000円 ( 直接経費:3300000円 )

    金属表面に走査トンネル顕微鏡(STM)の金属探針の先端を接触させた後に、表面と探針との距離を離すと、表面と探針の間に原子サイズの金属細線が形成できる。このとき、細線を構成する原子自体のスピンまで含めた電子状態の違いと原子配列の微細な変化に起因して、多様な電気伝導が観測される。本研究では、超高真空中の清浄な金属表面とSTM探針との間に形成される各種金属細線の電気伝導を、広い温度範囲で測定する方法を開発し、強磁性金属を用いてその電気伝導を調べた。
    1.本研究の装置開発として、既設装置に試料加熱用の電子ビーム加熱装置を取り付け、最高1200℃の試料熱により、ニッケルなどの単結晶金属表面清浄化ができる極低温STMを完成した。また、この研究に適した新たな極低温走査トンネル顕微鏡本体の設計および製作を行なった。
    2.鉄金属薄膜を用いて金属ナノワイヤーを作製する研究では、4.2Kでの電気伝導度の磁場依存性の詳しい研究を行った。ワイヤーの伸び縮みに伴い、電気伝導度は階段状に変化するが、その平坦な点でワイヤーの長さを固定した時には、磁場変化による電気伝導度の変化は小さいが、そのステップ近傍でワイヤーの長さを固定すると、電気伝導度が急激に変化する。詳しい解析により、磁歪効果によりワイヤーの長さが磁場によって変化したと結論した。
    3.清浄化したニッケル(111)単結晶表面上とニッケル薄膜上で作成した細線の電気伝導の比較を行なった。4.2Kでの磁気抵抗効果に違いが観測され、基板の磁化過程が細線の磁気抵抗に影響を与えることが明らかとなった。

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  • Ag/Ge(100)表面の構造、電子状態と超伝導

    研究課題/領域番号:11740169  1999年 - 2000年

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  奨励研究(A)

    中辻 寛

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    配分額:2100000円 ( 直接経費:2100000円 )

    本研究は、極低温において超伝導を示すといわれるAg/Ge(100)表面について光電子分光及び極低温STM/STS測定を行い、表面にのみ存在する超伝導の表面構造と電子状態との相関を明らかにしようとするものである。平成12年度には以下のことを行った。まず、Ag島の電子状態を知るために、高エネルギー加速器研究機構・放射光研究施設の共同利用実験(PAC No.99G153)として、Ge3dおよびAg4dの表面内殻準位シフトと価電子帯の角度分解光電子分光測定を、蒸着温度と蒸着量で決まるいくつかの表面構造の試料について行った。この結果、Ag島、特に2次元的な島は下地Geと強く相互作用してGe清浄表面の表面準位をなくし、代りに新たないくつかの状態を作っている様子や、3次元的な島では既にAgがバルク的な振る舞いを見せることが分かった。これらはこれまでのSTM観察と矛盾しない結果である。またAg島の成長のメカニズムを知るため、室温STM観察を高空間分解能で行い、Agの初期吸着サイトの候補をいくつかに絞ることができた。第一原理計算による安定構造・STM像のシミュレーションにも協力し、実験結果と比較することでいくつかの知見が得られた。さらに、極低温でのSTM/STS観察を高分解能で行うため、新たに導入された極低温STM装置の立ち上げを行い、光電子分光実験で用いたものと同様の試料について、すでに測定にとりかかっている。

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  • Study of surface electronic structure using photoelectron spectroscopy

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    資金種別:競争的資金

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  • Control of the surface structure by STM

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    資金種別:競争的資金

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  • 光電子分光による表面電子状態の研究

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    資金種別:競争的資金

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  • 走査トンネル顕微鏡による表面構造制御

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    資金種別:競争的資金

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