2026/04/28 更新

写真a

マツダ アキフミ
松田 晃史
MATSUDA AKIFUMI
所属
物質理工学院 准教授
職名
准教授
プロフィール
所属学会等:日本セラミックス協会、応用物理学会、Materials Research Society (米国材料学会)、電気学会、日本熱電学会
外部リンク

学位

  • 博士(工学) ( 東京工業大学 )

研究キーワード

  • 熱ナノインプリント

  • 原子レベルパターニング

  • 薄膜

  • 機能性セラミックス

  • エピタキシャル成長

  • ナノ材料

  • グリーンプロセッシング

研究分野

  • ナノテク・材料 / 無機材料、物性  / 電子機能性セラミックス

  • ナノテク・材料 / 材料加工、組織制御  / ナノインプリント

  • ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性  / エピタキシャル薄膜

学歴

  • 東京工業大学   大学院総合理工学研究科   物質科学創造専攻 博士後期課程

    2005年4月 - 2008年3月

      詳細を見る

  • 東京工業大学   大学院総合理工学研究科   物質科学創造専攻 修士課程

    2003年4月 - 2005年3月

      詳細を見る

  • 東京工業大学   工学部   無機材料工学科

    2000年4月 - 2003年3月

      詳細を見る

  • 東京工業大学   工学部   第2類

    1999年4月 - 2000年3月

      詳細を見る

経歴

  • 東京科学大学   物質理工学院   准教授

    2024年10月 - 現在

      詳細を見る

    国名:日本国

    researchmap

  • 東京工業大学   物質理工学院   准教授

    2022年4月 - 2024年9月

      詳細を見る

    国名:日本国

    researchmap

  • 東京工業大学   物質理工学院 材料系   講師

    2016年4月 - 2022年3月

      詳細を見る

  • 東京工業大学   総合理工学研究科 物質科学創造専攻   講師

    2015年3月 - 2016年3月

      詳細を見る

  • 東京工業大学   総合理工学研究科 物質科学創造専攻   助教

    2011年9月 - 2015年2月

      詳細を見る

  • 株式会社 日立製作所   研究開発本部 日立研究所   研究員

    2008年4月 - 2011年8月

      詳細を見る

▼全件表示

所属学協会

▼全件表示

委員歴

  • 日本セラミックス協会   教育委員会  

    2023年4月 - 現在   

      詳細を見る

    団体区分:学協会

    researchmap

  • 日本セラミックス協会   関東支部 普及・啓発委員会  

    2020年4月 - 現在   

      詳細を見る

    団体区分:学協会

    researchmap

  • 日本セラミックス協会   関東支部 常任幹事  

    2020年4月 - 現在   

      詳細を見る

    団体区分:学協会

    researchmap

  • 日本MRS   日本MRSニュース編集委員  

    2019年6月 - 現在   

      詳細を見る

    団体区分:学協会

    researchmap

論文

▼全件表示

書籍等出版物

  • ナノインプリント: -次世代微細加工技術の最前線- (エレクトロニクスシリーズ)

    平井義彦, 鈴木健太, 谷口 淳, 大井秀雄, 柳下 崇, 山岸里緒, 竹井 敏, 山内一美, 江本顕雄, 菅野智士, 松川晴香, 渡邉有希, 新井 翔, 岸本 章, 雨宮智宏, 森 莉紗子, 藤井 恭, 浅井隆宏, 塩田 大, 西山伸彦, 松田晃史, 大西有希, 浅田邦彦, 米川雅見, 幡野正之, 竹内史和, Thomas UHRMANN, 黒瀧宏和, 関口 淳, 魚津吉弘, 遠藤達郎, 青木元秀, 朱彦北, 沖野晃俊, 梅村知也( 担当: 共著)

    シーエムシー出版  2024年7月  ( ISBN:478131810X

     詳細を見る

    総ページ数:216  

    ASIN

    researchmap

MISC

  • ナノパターンポリマー基板上におけるリン酸Ca系薄膜の初期成長過程

    金子奈帆, 前田優斗, 大賀友瑛, 林智広, MONDARTE Evan Angelo Quimada, 金子智, 金子智, 松田晃史, 吉本護

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   82nd   2021年

     詳細を見る

  • 一軸加圧下熱処理によるBi2VO5+δ薄膜の配向性固相結晶化と特性評価

    伊藤翔陽, 難波諒太郎, 三村和仙, 金子智, 金子智, 舟窪浩, 松田晃史, 吉本護

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   65th   2018年

     詳細を見る

  • 炭酸ガスによる酸化雰囲気でのグラフェン成長

    金子智, 金子智, 安原重雄, 佐藤和郎, 安井学, 黒内正仁, 田中聡美, 加藤千尋, 松田晃史, 吉本護

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   78th   2017年

     詳細を見る

  • 4.ナノインプリント手法によるガラスやポリマー上での単原子レベル極微細パターン形成

    松田 晃史, 吉本 護

    Electrochemistry   83 ( 11 )   1016 - 1020   2015年

     詳細を見る

    記述言語:日本語   出版者・発行元:The Electrochemical Society of Japan  

    DOI: 10.5796/electrochemistry.83.1016

    CiNii Books

    researchmap

  • パルスレーザー堆積した室温成長エピタキシャル薄膜における熱処理後のナノ溝配列形成に及ぼす原子ステップ単結晶基板の影響

    松田 晃史, 笠原 正靖, 吉本 護

    電気学会論文誌. C   135 ( 9 )   1096 - 1097   2015年

     詳細を見る

    記述言語:日本語   出版者・発行元:The Institute of Electrical Engineers of Japan  

    DOI: 10.1541/ieejeiss.135.1096

    Scopus

    researchmap

  • Numerical simulation of plasma confinement in DC magnetron sputtering under different magnetic fields and anode structures

    Kageyama Junichi, Yoshimoto Mamoru, Matsuda Akifumi

    旭硝子研究報告   65   131 - 133   2015年

     詳細を見る

    記述言語:英語   出版者・発行元:旭硝子中央研究所  

    CiNii Books

    researchmap

  • Influence of shield roughness on Mo/Si defect density for extreme ultraviolet lithography mask blanks

    Kageyama Junichi, Yoshimoto Mamoru, Matsuda Akifumi

    旭硝子研究報告   64   61 - 65   2014年

     詳細を見る

    記述言語:英語   出版者・発行元:旭硝子中央研究所  

    CiNii Books

    researchmap

  • Refractive index change of multicomponent glass films for bismuthate erbium-doped waveguide amplifiers prepared by radio-frequency magnetron sputtering under different magnetic fields of cathode

    Kageyama Junichi, Yoshimoto Mamoru, Matsuda Akifumi

    旭硝子研究報告   64   55 - 60   2014年

     詳細を見る

    記述言語:英語   出版者・発行元:旭硝子中央研究所  

    CiNii Books

    researchmap

  • 研究最先端 V₂O₅-P₂O₅ガラスをベースとした新規熱電半導体の創製

    松田 晃史

    New glass   28 ( 3 )   35 - 38   2013年11月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   出版者・発行元:ニューガラスフォーラム  

    CiNii Books

    researchmap

  • 原子ステップ基板上への酸化物エピタキシャル薄膜のPLD室温成長とナノ構造構築

    山内 涼輔, 譚 ゴオン, 塩尻 大士, 小山 浩司, 金子 智, 松田 晃史, 吉本 護

    電気学会研究会資料. OQD, 光・量子デバイス研究会   2012 ( 1 )   31 - 35   2012年3月

     詳細を見る

    記述言語:日本語  

    CiNii Books

    researchmap

  • レーザーMBE法による機能性セラミックス薄膜の室温エピタキシャル成長

    松田 晃史, 舘田 典浩, 秋葉 周作, 原 和香奈, 佐々木 敦, 吉本 護

    電気学会研究会資料. OQD, 光・量子デバイス研究会   2005 ( 1 )   11 - 16   2005年3月

     詳細を見る

    記述言語:日本語  

    CiNii Books

    researchmap

▼全件表示

講演・口頭発表等

▼全件表示

受賞

  • 日本セラミックス協会賞 進歩賞

    2018年12月   日本セラミックス協会   ワイドギャップ酸化物半導体薄膜の室温エピタキシャル合成

    松田 晃史

     詳細を見る

    受賞国:日本国

    researchmap

  • 第26回日本MRS年次大会 奨励賞

    2016年12月   日本MRS-J   Buffer-induced room-temperature epitaxy of β-Ga2O3 thin films by excimer laser annealing

    松田 晃史

     詳細を見る

  • 2016年年会優秀ポスター発表賞 優秀賞

    2016年3月   日本セラミックス協会   一軸圧縮下の熱処理によるVOX薄膜の相選択的エピタキシーと導電特性

    松田 晃史

     詳細を見る

  • JCS-JAPAN優秀総説賞

    2014年6月   日本セラミックス協会   Room-temperature synthesis of epitaxial oxide thin films for development of unequilibrium structure and novel electronic functionalization

    松田 晃史

     詳細を見る

    受賞区分:学会誌・学術雑誌による顕彰  受賞国:日本国

    researchmap

  • 第26回秋季シンポジウム 優秀賞

    2013年9月   日本セラミックス協会   室温合成エピタキシャル酸化物薄膜の水素還元による磁気抵抗型積層薄膜の作製

    松田 晃史

     詳細を見る

    受賞区分:国内学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:日本国

    researchmap

  • 2006年年会優秀ポスター発表賞 最優秀賞

    2006年3月   日本セラミックス協会   金属酸化物薄膜の水素還元による[強磁性金属/酸化物半導体]ハイブリッドナノ材料の作製と評価

    松田 晃史

     詳細を見る

    受賞区分:国内学会・会議・シンポジウム等の賞  受賞国:日本国

    researchmap

  • 土肥賞

    2005年3月   東京工業大学   PLD合成酸化物薄膜の水素還元による金属エピタキ シャル薄膜の作製と評価

    松田 晃史

     詳細を見る

▼全件表示

共同研究・競争的資金等の研究課題

  • エピタキシャル薄膜を用いた無限構造ニッケル酸塩における異原子価置換効果の解明

    研究課題/領域番号:20H02435  2020年4月 - 2023年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業 基盤研究(B)  基盤研究(B)

    松田 晃史

      詳細を見る

    配分額:17810000円 ( 直接経費:13700000円 、 間接経費:4110000円 )

    本研究は,Ni-O無限構造をもつニッケル酸塩結晶について,カチオンの異原子価イオン置換が異方性の高い特異なNi-O無限構造と電子物性に及ぼす影響を追究するものである。
    平面正方配位NiO4型の無限層構造を含む結晶構造を示すエピタキシャル薄膜の創製,その構造・物性における異原子価イオンによるLa3+置換効果の解明を目的として,非平衡条件下の薄膜合成および固相反応による相(層数)選択的なエピタキシー,および構造・カチオン価数と物性制御について検討した。
    KrFパルスエキシマレーザ(波長248nm,5eV相当)を用いたパルスレーザ堆積(PLD)法によりRuddlesden-Popper(RP)相Lan+1NinO3n+1薄膜をペロブスカイト型NdGaO3およびLaAlO3単結晶基板上に合成し,O2雰囲気中でのアニーリングによる固相エピタキシャル薄膜合成を行った。ここでは成膜温度・O2圧をパラメータとした検討を行い,Ni2+からNi2.66+のカチオンからなる2層型La3Ni2O7および3層型La4Ni3O10のエピタキシャル薄膜を得た。アニーリング温度・O2圧を条件とした熱処理により,LaNiO3エピタキシャル薄膜も合成し,2層から無限層までの相選択的なRP層薄膜合成とNiカチオン価数制御を得た。
    La3+に対する異原子価Sn4+およびHf4+の共ドーピングを行い,ドーパントによる構造歪みの導入と導電性変化を見出した。
    また,単純NiOリファレンス薄膜を用い,エキシマ光照射によるNi2+→Ni3+の制御および構造制御,またH2を用いたトポタキシャル還元,すなわちNiカチオン価数制御のプロセスを見出した。一方,薄膜の高真空・高温H2アニーリングによるNiイオン価数の過大な還元となり,アニーリング条件のさらなる最適化の要求が示された。

    researchmap

  • サブナノスケール形状転写を用いたフレキシブル基板上のエピタキ シャル状電子光学素子の創製

    2018年5月 - 2019年4月

    村田学術振興財団  研究助成 

    松田 晃史

      詳細を見る

    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

    researchmap

  • 単原子層ステップを持つ有機系ナノパターン基板の作製と新規ナノ構造の創製

    研究課題/領域番号:16K13636  2016年4月 - 2019年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業 挑戦的萌芽研究  挑戦的萌芽研究

    吉本 護, 金子 智, 松田 晃史, 嶋田 航大, 後藤 りさ, 木下 太一郎, 山田 志織, 岩佐 健

      詳細を見る

    配分額:3640000円 ( 直接経費:2800000円 、 間接経費:840000円 )

    高耐熱性ポリイミドなどのフレキシブルポリマー基板上に単原子層レベル(約0.3nm)高さの原子ステップ構造を熱ナノインプリントにより形成して、シリコン単結晶並みの超平坦な有機系基板を独自に作製し、その基板上での特異な無機系や金属系のナノ構造の構築を目的として研究を行った。ポリマー基板上に種々のナノ構造を構築するために、パルスレーザー堆積法とナノコンタクトプリント転写法を併用した。ナノピラー配列およびナノホール配列したモールド面に金やZnOの極薄膜を堆積し、それを原子ステップ型超平坦ポリマー基板上に押しつけて極薄膜をプリント転写し、ナノメッシュ状やナノドット状の配列パターンを得ることができた。

    researchmap

  • 多波長レーザー照射と基板ナノ構造制御による紫外発光型単結晶性酸化物薄膜の室温成長

    研究課題/領域番号:15K20988  2015年4月 - 2019年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業 若手研究(B)  若手研究(B)

    松田 晃史

      詳細を見る

    配分額:4160000円 ( 直接経費:3200000円 、 間接経費:960000円 )

    本研究では深紫外域のワイドギャップ酸化物半導体である酸化ガリウムについて、複合的な紫外レーザープロセスを用いることにより、光学的バンドギャップ4.9eVを示すβ-Ga2O3(-201)エピタキシャル薄膜の室温合成を得た。
    基板表面の原子ステップが核形成サイトとして機能する結晶化様式を実験的に明らかにし、面内対称性および格子定数に加えて一様な面間隔をもつ岩塩型結晶(111)面のバッファ層効果を示す結果が得られた。ワイドギャップ単結晶性酸化物薄膜の室温成長における、基板モフォロジーやバッファ層材料・結晶面などの設計要素を見出した。

    researchmap

  • 非晶質−結晶性材料における極微細構造の自己組織化誘発と形態制御および形成機構の解明

    2012年5月 - 2013年2月

    日本科学協会  笹川科学研究助成 

    松田 晃史

      詳細を見る

    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

    researchmap

  • 一軸圧縮下での表面ナノ修飾基板上固相結晶化による特異な酸化物構造誘起と超機能創出

    研究課題/領域番号:24360269  2012年4月 - 2016年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業 基盤研究(B)  基盤研究(B)

    吉本 護, 淀 徳男, 松田 晃史

      詳細を見る

    配分額:14950000円 ( 直接経費:11500000円 、 間接経費:3450000円 )

    一軸圧縮下での固相結晶化による特異な酸化物構造誘起をねらった本研究では、主に非晶質酸化物(VOxやMoOx)薄膜を表面ナノパターン加工された基板に堆積した後に、上下から加圧下挟み込みでの熱処理による固相結晶化過程を検討した。その結果、低加圧ではエピタキシャルVO2薄膜となり、高加圧下ではエピタキシャルV2O3薄膜という相選択的固相成長が達成された。これは一軸圧縮下加熱時のVOx層状構造内での酸素脱離が重要な役割を果たしていることが示唆された。

    researchmap

  • 非晶質材料表面への天然素材ナノパターンの原子レベルでの超精密転写

    研究課題/領域番号:24655188  2012年4月 - 2015年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業 挑戦的萌芽研究  挑戦的萌芽研究

    吉本 護, 松田 晃史

      詳細を見る

    配分額:3640000円 ( 直接経費:2800000円 、 間接経費:840000円 )

    本研究では熱ナノインプリントを利用して、天然物表面ナノ構造の原子レベル転写を検討した。酸化物ガラスやアクリルなどの有機系非晶質基板を加熱しながら、サファイア単結晶鉱物の原子ステップ形状や雲母劈開面における六角形状の原子レベル天然ナノ構造パタ-ンを有する鋳型を、基板表面上に適当な圧力で押し付けた。その結果、石英ガラス基板およびアクリル、ポリカーボネート、ポリイミドなどの樹脂基板上に、0.3nm程度の原子ステップ配列パターンを形成することに成功した。さらに、ソーダライムシリカガラス基板上に、雲母劈開面における約0.5nm間隔の周期的な凹凸パターンを転写することができた。

    researchmap

  • 金属酸化物の還元反応を利用した酸化物半導体/強磁性金属ハイブリッドナノ構造の作製と新機能探索

    2006年4月 - 2007年2月

    日本科学協会  笹川科学研究助成 

    松田 晃史

      詳細を見る

    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

    researchmap

▼全件表示

担当経験のある科目(授業)

  • 無機化学基礎

    2024年 - 現在 機関名:東京工業大学

     詳細を見る

  • ナノ構造薄膜特論

    2024年 - 現在 機関名:東京科学大学

     詳細を見る

  • エネルギーマテリアル論第一

    2023年 - 現在 機関名:東京工業大学

     詳細を見る

  • セラミックス概論

    2018年4月 - 現在 機関名:東京工業大学

     詳細を見る

  • 無機エネルギー変換材料特論

    2017年 - 現在 機関名:東京工業大学

     詳細を見る

  • 先進材料概論

    2016年 - 現在 機関名:東京工業大学

     詳細を見る

  • エネルギーマテリアル論第一

    2016年 - 2022年 機関名:東京工業大学

     詳細を見る

  • 材料科学セミナー

    2016年 - 2018年 機関名:東京工業大学

     詳細を見る

  • 材料開発特論第二

    2015年 - 現在 機関名:東京工業大学

     詳細を見る

▼全件表示