2025/12/06 更新

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フナクボ ヒロシ
舟窪 浩
FUNAKUBO HIROSHI
所属
物質理工学院 教授
職名
教授
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News & Topics
  • 高電圧処理不要で高い性能を示す圧電体膜の低温作製に成功 高性能の圧力・加速度センサや、振動発電の実現に期待

    2020/10/13

    掲載言語: 日本語

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    要点-高電圧処理を必要としない圧電体膜の作製に成功-酸化物膜では最高値であり、窒化物膜にも匹敵するセンサ性能定数を達成-力を利用したセンサおよびエナジーハーベスタ(振動発電機)への応用に期待概要東京工業大学物質理工学院材料系の舟窪浩教授(元素戦略研究センター兼任)、舘山明紀大学院生(博士後期課程2年

  • 高い強誘電性を有する窒化物強誘電体の薄膜化に成功 低消費電力の不揮発性メモリへの応用に期待

    2020/09/23

    掲載言語: 日本語

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    要点-高い強誘電性を有する窒化アルミニウムスカンジウムで、これまでよりさらに強誘電性が高い膜の作製に成功。-10万分の1ミリメートル以下の薄い窒化アルミニウムスカンジウム薄膜でも強誘電性を示すことを世界で初めて確認。-低消費電力で動作する、不揮発性メモリへ

  • 圧電体の複雑な結晶構造変化の高速応答を直接測定 ―IoTセンサーの高性能化に期待―

    2017/08/30

    掲載言語: 日本語

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    IoTセンサー等で利用される圧電体の結晶構造が高速で変化する様子を観察 圧電性の発現機構解明に貢献 新規の圧電性物質の探索や非鉛圧電体材料の開発を加速

  • High-speed switching for ultrafast electromechanical switches and sensors

    2017/08/30

    掲載言語: 英語

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    Scientists at Tokyo Tech, Nagoya University, Japan Synchrotron Radiation Research Institute (JASRI), National Institute for Materials Science (NIMS) and University of New South Wales have observed high-speed switching in Pb(Zr0.4Ti0.6)O3 thin films under applied rectangular electric field pulses. Unlike the slow ferroelastic domain switching expected for ceramics, high-speed sub-microsecond ferroelastic domain switching and simultaneous lattice deformation are directly observed for the Pb(Zr0.4Ti0.6)O3 thin films. This exciting finding paves the way for high-frequency ultrafast electromechanical switches and sensors.

  • 振動発電の高効率化に新展開:強誘電体材料のナノサイズ化による新たな特性制御手法を発見

    2017/07/13

    掲載言語: 日本語

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    名古屋大学 大学院工学研究科(研究科長:新美智秀)兼 科学技術振興機構さきがけ研究者の山田智明(やまだ ともあき)准教授らの研究グループは、物質・材料研究機構 技術開発・共用部門の坂田修身(さかた おさみ)ステーション長、東京工業大学 物質理工学院の舟窪浩(ふなくぼ ひろし)教授、愛知工業大学 工学部の生津資大(なまづ たかひろ)教授、静岡大学 電子工学研究所の脇谷尚樹(わきや なおき)教授、スイス連邦工科大学 ローザンヌ校 材料研究所のNava Setter(ナバ・セッター)名誉教授らの研究グループと共同で、振動発電の効率向上につながる強誘電体材料の新たな特性制御手法を発見しました。

  • Ultra-thin ferroelectric material for next-generation electronics

    2016/10/12

    掲載言語: 英語

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    Scientists at Tokyo Tech have demonstrated the potential of a new, thin-film ferroelectric material that could improve the performance of next-generation sensors and semi-conductors.

  • 酸化ハフニウム基強誘電体の基礎特性を解明―超高密度で高速動作する不揮発性メモリー実現に道―

    2016/09/12

    掲載言語: 日本語

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    概要 東京工業大学 元素戦略研究センター(センター長 細野秀雄教授)の清水荘雄特任助教と物質理工学院兼同センターの舟窪浩教授、東北大学 金属材料研究所の今野豊彦教授と木口賢紀准教授、物質・材料研究機構 技術開発・共用部門 坂田修身ステーション長らの研究グループは、スマホやパソコンのトランジスタ(スイッチ)に使われている酸化ハフニウムを基本組成とした、強誘電体の電源を切った時に貯められる電気の量や、使用可能な温度範囲といった基礎特性を解明した。結晶方位を制御した単結晶薄膜を電極上に作製することにより、これまで明らかになっていなかった特性の解明に成功した。その結果、酸化ハフニウム基の強誘電体が従来使用されてきた強誘電体に匹敵する特性を有することが明らかになった。強誘電体を用いたメモリーは、交通機関の定期券等に使用されている非接触式ICカード(電子マネー)として実用化されている。今回の成果によって明らかになった優れた特性と、これまでの物質では不可能であった薄膜化しても特性が劣化しない特性を活用すれば、メモリーの飛躍的な高密度化が期待できる。今回の研究成果はネイチャー誌の姉妹誌である学術誌「サイエンティフィックレポート(Scientific Reports)」オンライン版に9月9日付で掲載された。

  • Dynamics of nuclear fission at low excitation energy

    2015/08/24

    掲載言語: 英語

  • 強誘電体の極薄単結晶膜を世界で初めて作製

    2015/07/30

    掲載言語: 日本語

  • 広く使用されている圧電体の圧電基礎特性の測定に成功 ―60年間の問題に決着、新規非鉛圧電体開発に道―

    2014/07/28

    掲載言語: 日本語

  • 鉛を排除したマイクロデバイス用圧電体薄膜の開発 -毒性元素やプロセス汚染元素を使わず、過去最高の使用温度を実現-

    2012/03/14

    掲載言語: 日本語

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    東京工業大学総合理工学研究科の舟窪浩准教授とキヤノン、上智大学理工学部の内田寛准教授らの研究グループは、毒性元素の鉛を使わずに、過去最高の使用可能温度と鉛系圧電体に匹敵する特性を有する圧電体薄膜(用語1)の開発に成功した。しかも開発した圧電体薄膜は半導体に悪影響を及ぼすナトリウムやカリウムも含有しないため、シリコンを用いたマイクロデバイス(MEMS(用語2))にも使用可能である。従来、高圧下でしか合成できなかった亜鉛酸チタン酸ビスマス[Bi(Zn1/2Ti1/2)O3]を、他のビスマス含有ペロブスカイトと固溶(用語3)させることで安定化することに成功した。半導体プロセスへの圧電体組み込みだけでなく、鉛を含まないため特に安全性が重視される医療分野への展開も期待できるなど、圧電MEMSの応用分野を飛躍的に広げる可能性が見込まれる。

  • ナノドメイン構造を有する圧電体薄膜の超高速応答を実証

    2011/12/13

    掲載言語: 日本語

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    高輝度光科学研究センター(JASRI)、東京工業大学、物質・材料研究機構(NIMS)及び京都大学は、動作の切り替え(スイッチング)の更なる高速化を可能にすると期待されている、ナノドメイン と呼ばれる微小領域を有する新しい圧電体薄膜が200ナノ秒(*1、1千万分の2秒)という超高速でスイッチング可能であることを世界で初めて確認しました。圧電体薄膜(*2)は、電気信号により構造が変化する性質を活かして、インクジェットプリンタで使用されるマイクロデバイス(Micro Electro Mechanical Systems、MEMS*3)等の動力源として利用されています。現在の圧電体薄膜では、スイッチング時間を十分制御できていません。高速のスイッチングが実現できれば産業応用への広がりやより高性能な製品の開発を期待できます。

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学位

  • 博士(工学) ( 東京工業大学 )

論文

  • No-heating deposition of ferroelectric epitaxial Hf0.5Zr0.5O2 films using a sputtering method with precise RF power density and thickness control

    Takanori Mimura, Yoshiko Nakamura, Yutaro Tsuchiya, Kazuki Okamoto, Hiroshi Funakubo

    Journal of Materiomics   12 ( 1 )   2026年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jmat.2025.101129

    Web of Science

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  • Thickness Scaling of Integrated Pt/(Al0.9Sc0.1)N/Pt Capacitor Stacks to 30 nm

    Soshun Doko, Naoko Matsui, Toshikazu Irisawa, Koji Tsunekawa, Nana Sun, Yoshiko Nakamura, Kazuki Okamoto, Hiroshi Funakubo

    Advanced Electronic Materials   2025年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/aelm.202500451

    Web of Science

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  • Ferroelectric-paraelectric phase transition in Ba(ZrxTi1_x)O3 epitaxial films on MgO substrates for enhanced tunable dielectric properties

    Ryo Takahashi, Yosuke Hamasaki, Shinya Sawai, Yasuyuki Hirata, Yoshihiro Miyauchi, Shintaro Yasui, Hiroshi Funakubo, Yoshitaka Ehara, Ken Nishida

    JOURNAL OF THE CERAMIC SOCIETY OF JAPAN   133 ( 11 )   663 - 669   2025年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.2109/jcersj2.25071

    Web of Science

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  • Beyond Optimization: Exploring Novelty Discovery in Autonomous Experiments

    Ralph Bulanadi, Jawad Chowdhury, Hiroshi Funakubo, Maxim Ziatdinov, Rama Vasudevan, Arpan Biswas, Yongtao Liu

    ACS Nanoscience Au   2025年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acsnanoscienceau.5c00106

    Web of Science

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  • Direct observation of pulse poling effect on reversible 90° domain wall motion in tetragonal Pb(Zr,Ti)O3 thin films

    Yoshitaka Ehara, Ayumi Wada, Hitoshi Morioka, Takeshi Kobayashi, Shintaro Yasui, Hiroshi Funakubo

    JOURNAL OF THE CERAMIC SOCIETY OF JAPAN   133 ( 9 )   542 - 547   2025年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.2109/jcersj2.25024

    Web of Science

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  • Growth of wurtzite ferroelectrics

    Simon Fichtner, Masato Uehara, Isabel Streicher, Samuel Yang, Jon-Paul Maria, Zetian Mi, Stefano Leone, Hiroshi Funakubo

    MRS BULLETIN   50 ( 9 )   1079 - 1093   2025年9月

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  • Ultra-low-strain ferroelectric PbTiO3 films achieved via well-lattice-matched low-temperature epitaxy 査読

    Yuxian Hu, Kazuki Okamoto, Hiroshi Funakubo

    Acta Materialia   296   2025年9月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.actamat.2025.121315

    Web of Science

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  • High Power Factor with Compositional and Temperature Stabilities in (CaxSr1–x)Si2 Thin Films near Room Temperature

    Kodai Aoyama, Takao Shimizu, Takayoshi Katase, Yoshisato Kimura, Hiroshi Funakubo

    ACS Applied Energy Materials   8 ( 16 )   12092 - 12098   2025年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acsaem.5c01558

    Web of Science

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  • Effect of Sc content on the polarity of AlScN thin films deposited on indium tin oxide by radio frequency-magnetron sputtering

    Xuankun Liu, Kotoko Abe, Xueyou Yuan, Kazuki Okamoto, Hiroshi Funakubo, Shinya Kondo, Tomoaki Yamada

    Japanese Journal of Applied Physics   64 ( 8 )   2025年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/adf7b2

    Web of Science

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  • Composition dependence of electro-optic effect in (111)/(11−1)-oriented epitaxial rhombohedral Pb(Zr x Ti1−x )O3 thin films prepared by chemical solution deposition

    Shinya Kondo, Tatsuki Utsunomiya, Kazuki Okamoto, Miki Nakahata, Osamu Ikeda, Tomotaka Nakatani, Rosantha Kumara, tomoyuki koganezawa, Hiroshi Funakubo, Osami Sakata, Takashi TERANISHI, Akira Kishimoto, Tomoaki Yamada

    Japanese Journal of Applied Physics   64 ( 8 )   2025年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/adf4f0

    Web of Science

    researchmap

  • Kinetic Understanding of Field-Induced Phase Transition from Tetragonal to Ferroelectric Orthorhombic Phase in Ferroelectric CeO2-HfO2-ZrO2 Films. 国際誌

    Kohei Shimonosono, Yoshiki Maekawa, Nachi Chaya, Kazuki Okamoto, Wakiko Yamaoka, Yasushi Kawashima, Yukari Inoue, Pochun Hsieh, Akash Saha, Albert Suceava, Sankalpa Hazra, Hiroko Yokota, Venkatraman Gopalan, Hiroshi Funakubo

    ACS applied electronic materials   7 ( 14 )   6273 - 6280   2025年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acsaelm.5c00262

    Web of Science

    PubMed

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  • Ferroelectric behavior of divalent cation‒doped LiGaO2 with a distorted wurtzite-type structure

    Sou Yasuhara, Yuto Tomizawa, Kazuki Okamoto, Masaki Tozuka, Ayato Nakagawa, Shintaro Yasui, Hiroshi Funakubo, Takuya Hoshina

    Japanese Journal of Applied Physics   64 ( 8 )   2025年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/adefe9

    Web of Science

    researchmap

  • Dependence of the dielectric tunability in Ba(Zr0.2Ti0.8)O3 films deposited on (001) SrTiO3 substrates on film thickness and temperature

    Ryo Takahashi, Yosuke Hamasaki, Shinya Sawai, Nikola Novak, Shintaro Yasui, Hiroshi Funakubo, Yoshitaka Ehara, Ken Nishida

    JOURNAL OF THE CERAMIC SOCIETY OF JAPAN   133 ( 7 )   2025年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.2109/jcersj2.25014

    Web of Science

    researchmap

  • Effect of Ce/(Hf plus Ce) ratio on ferroelectric and piezoelectric properties and effect of film thickness on ferroelectricity for thick CeO2-HfO2 films deposited by sputtering method without substrate heating

    Yu-Ta Chen, Kazuki Okamoto, Nana Sun, Yuxian Hu, Nachi Chaya, Kohei Shimonosono, Miki Nakahata, Hiroyuki Ono, Wakiko Yamaoka, Yukari Inoue, Hiroshi Funakubo

    JOURNAL OF THE CERAMIC SOCIETY OF JAPAN   133 ( 7 )   308 - 314   2025年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.2109/jcersj2.25009

    Web of Science

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  • Beyond 100% Contribution of Domain Switching to Piezoelectric Response in (100)/(001)-Oriented Tetragonal Multidomain Pb(Zr, Ti)O3 Films Epitaxially Grown on Si substrates

    Miki Nakahata, Kazuki Okamoto, Keisuke Ishihama, Tomoaki Yamada, Hiroshi Funakubo

    ACS Applied Electronic Materials   7 ( 12 )   5570 - 5576   2025年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acsaelm.5c00556

    Web of Science

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  • Polarization switching on the open surfaces of the wurtzite ferroelectric nitrides: ferroelectric subsystems and electrochemical reactivity

    Yongtao Liu, Anton V. Ievlev, Eugene A. Eliseev, Nana Sun, Kazuki Okamoto, Hiroshi Funakubo, Anna N. Morozovska, Sergei Kalinin

    ADVANCED MATERIALS   2025年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/adma.202511001

    Web of Science

    arXiv

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    その他リンク: http://arxiv.org/pdf/2506.14452v1

  • Domain Switching on the Pareto Front: Multi-Objective Deep Kernel Learning in Automated Piezoresponse Force Microscopy

    Yu Liu, Utkarsh Pratiush, Kamyar Barakati, Hiroshi Funakubo, Ching-Che Lin, Jaegyu Kim, Lane W. Martin, Sergei V. Kalinin

    2025年6月

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    Ferroelectric polarization switching underpins the functional performance of
    a wide range of materials and devices, yet its dependence on complex local
    microstructural features renders systematic exploration by manual or grid-based
    spectroscopic measurements impractical. Here, we introduce a multi-objective
    kernel-learning workflow that infers the microstructural rules governing
    switching behavior directly from high-resolution imaging data. Applied to
    automated piezoresponse force microscopy (PFM) experiments, our framework
    efficiently identifies the key relationships between domain-wall configurations
    and local switching kinetics, revealing how specific wall geometries and defect
    distributions modulate polarization reversal. Post-experiment analysis projects
    abstract reward functions, such as switching ease and domain symmetry, onto
    physically interpretable descriptors including domain configuration and
    proximity to boundaries. This enables not only high-throughput active learning,
    but also mechanistic insight into the microstructural control of switching
    phenomena. While demonstrated for ferroelectric domain switching, our approach
    provides a powerful, generalizable tool for navigating complex,
    non-differentiable design spaces, from structure-property correlations in
    molecular discovery to combinatorial optimization across diverse imaging
    modalities.

    arXiv

    researchmap

    その他リンク: http://arxiv.org/pdf/2506.08073v1

  • Exploring Domain Wall Pinning in Ferroelectrics via Automated High Throughput AFM

    Kamyar Barakati, Yu Liu, Hiroshi Funakubo, Sergei V. Kalinin

    ACS Applied Materials & Interfaces   17 ( 47 )   65262 - 65269   2025年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acsami.5c14008

    Web of Science

    arXiv

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    その他リンク: http://arxiv.org/pdf/2505.24062v1

  • Effect of H2 heat treatment on the switching behavior of ferroelectric AlScN capacitors

    Nana Sun, Kazuki Okamoto, Shinnosuke Yasuoka, Soshun Doko, Naoko Matsui, Toshikazu Irisawa, Koji Tsunekawa, Haidong Lu, Alexei Gruverman, Hiroshi Funakubo

    APL Materials   13 ( 5 )   2025年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/5.0268889

    Web of Science

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  • Curiosity Driven Exploration to Optimize Structure-Property Learning in Microscopy

    Aditya Vatsavai, Ganesh Narasimha, Yongtao Liu, Jawad Chowdhury, Jan-Chi Yang, Hiroshi Funakubo, Maxim Ziatdinov, Rama Vasudevan

    DIGITAL DISCOVERY   4 ( 8 )   2188 - 2197   2025年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1039/d5dd00119f

    Web of Science

    arXiv

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    その他リンク: http://arxiv.org/pdf/2504.20011v2

  • Impact of film composition on crystal structure and ferroelectricity in (Al1−x−yGaxScy)N ternary wurtzite thin films

    Reika Ota, Nana Sun, Kazuki Okamoto, Shinnosuke Yasuoka, Yoshihiro Ueoka, Daiki Shono, Masami Mesuda, Hiroshi Funakubo

    APL Materials   13 ( 4 )   2025年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/5.0261572

    Web of Science

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  • Probing of Polarization Reversal in Ferroelectric (Al,Sc)N Films Using Single‐ and Tri‐Layered Structures With Different Sc/(Al+Sc) Ratio 査読

    Shinnosuke Yasuoka, Takao Shimizu, Kazuki Okamoto, Nana Sun, Soshun Doko, Naoko Matsui, Toshikazu Irisawa, Koji Tsunekawa, Alexei Gruverman, Hiroshi Funakubo

    Advanced Materials Interfaces   12 ( 2400627 )   2025年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/admi.202400627

    Web of Science

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  • Advances and challenges in novel non-perovskite-based ferroelectrics film for memory device applications. 査読 国際誌

    HIROSHI FUNAKUBO, Kazuki Okamoto, Takanori Mimura

    Japanese Journal of Applied Physic   Vol. 64 ( 3 )   030001   2025年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/adb46c

    Web of Science

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  • Realization of Non‐Equilibrium Wurtzite Structure in Heterovalent Ternary MgSiN2 Film Grown by Reactive Sputtering

    Sotaro Kageyama, Kazuki Okamoto, Shinnosuke Yasuoka, Keisuke Ide, Kota Hanzawa, Yoshiomi Hiranaga, Pochun Hsieh, Sankalpa Harza, Albert Suceava, Akash Saha, Hiroko Yokota, Kei Shigematsu, Masaki Azuma, Venkatraman Gopalan, Hiroshi Uchida, Hidenori Hiramatsu, Hiroshi Funakubo

    Advanced Electronic Materials   11 ( 9 )   2025年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/aelm.202400880

    Web of Science

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  • Invariant discovery of features across multiple length scales: Applications in microscopy and autonomous materials characterization

    Aditya Raghavan, Utkarsh Pratiush, Mani Valleti, Richard (Yu) Liu, Reece Emery, Hiroshi Funakubo, Yongtao Liu, Philip Rack, Sergei Kalinin

    Journal of Applied Physics   137 ( 3 )   2025年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/5.0233070

    Web of Science

    arXiv

    researchmap

    その他リンク: http://arxiv.org/pdf/2408.00229v1

  • Constructing Morphotropic Phase Boundary in Epitaxial BiFeO3 on SrTiO3 by Suppression of Strain Relaxation

    Yue-Yu-Shan Cheng, Yuxian Hu, Taichi Murashita, Yu Song, Hongliang Wang, Kazuki Okamoto, Lisha Liu, Yi-Xuan Liu, Xin Zhang, Houbing Huang, Jing-Feng Li, Hiroshi Funakubo

    ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS   35 ( 1 )   2025年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/adfm.202409240

    Web of Science

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  • Low-temperature film deposition of all-proportional PbZrO<sub>3</sub>-PbTiO<sub>3</sub> system using microwave-assisted hydrothermal reaction

    Kohei Noji, Yukie Yokota, Hiromi Shima, Hiroshi Funakubo, Hiroshi Uchida

    Journal of the Ceramic Society of Japan   133 ( 7 )   281 - 287   2025年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.2109/jcersj2.25011

    Web of Science

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  • Excellent piezoelectric and ferroelectric properties of ScxGa1−xN alloy with high Sc concentration

    Masato Uehara, Kenji Hirata, Yoshiko Nakamura, Sri Ayu Anggraini, Kazuki Okamoto, Hiroshi Yamada, Hiroshi Funakubo, Morito Akiyama

    APL Materials   12 ( 12 )   2024年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/5.0236507

    Web of Science

    researchmap

  • SANE: Strategic Autonomous Non-Smooth Exploration for Multiple Optima Discovery in Multi-modal and Non-differentiable Black-box Functions

    Arpan Biswas, Rama Vasudevan, Rohit Pant, Ichiro Takeuchi, Hiroshi Funakubo, Yongtao Liu

    DIGITAL DISCOVERY   4 ( 3 )   853 - 867   2024年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1039/d4dd00299g

    Web of Science

    arXiv

    researchmap

    その他リンク: http://arxiv.org/pdf/2409.12295v1

  • Bayesian Conavigation: Dynamic Designing of the Material Digital Twins via Active Learning 国際誌

    Boris N. Slautin, Yongtao Liu, Hiroshi Funakubo, Rama K. Vasudevan, Maxim Ziatdinov, Sergei V. Kalinin

    ACS Nano   18 ( 36 )   24898 - 24908   2024年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acsnano.4c05368

    Web of Science

    PubMed

    arXiv

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    その他リンク: http://arxiv.org/pdf/2404.12899v1

  • Ta5+-substitution effects on crystal structure and ferroelectric property in HfO2-based films

    Yoshiki Maekawa, Takanori Mimura, Yoshiyuki Inaguma, Hiroshi Uchida, Yuxian Hu, Kazuki Okamoto, Hiroshi Funakubo

    Japanese Journal of Applied Physics   63 ( 9 )   2024年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ad6fa9

    Web of Science

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    その他リンク: https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ad6fa9/pdf

  • Scientific Exploration with Expert Knowledge (SEEK) in Autonomous Scanning Probe Microscopy with Active Learning

    Utkarsh Pratiush, Hiroshi Funakubo, Rama Vasudevan, Sergei V. Kalinin, Yongtao Liu

    DIGITAL DISCOVERY   4 ( 1 )   252 - 263   2024年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1039/d4dd00277f

    Web of Science

    arXiv

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    その他リンク: http://arxiv.org/pdf/2408.02071v1

  • Strain Control of (001)-Polar-Axis-Oriented Epitaxial Y-Doped HfO2 Thin Films

    Yoshiki Maekawa, Koji Hirai, Kazuki Okamoto, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo

    ACS Applied Electronic Materials   6 ( 8 )   5525 - 5535   2024年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acsaelm.4c00368

    Web of Science

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  • High stability of the ferroelectricity against hydrogen gas in (Al,Sc)N thin films

    NANA SUN, Kazuki Okamoto, Shinnosuke Yasuoka, Soshun Doko, NAOKO, Toshikazu Irisawa, Koji Tsunekawa, Takayoshi Katase, tomoyuki koganezawa, Tomotaka Nakatani, Loku Singgappulige Rosantha Kumara, Osami Sakata, Hiroshi Funakubo

    Applied Physics Letters   125 ( 3 )   2024年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/5.0202063

    Web of Science

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  • Effects of the alkaline solution concentration and deposition temperature on film thickness, crystal structure and ferroelectric properties of epitaxial PbTiO<sub>3</sub> films grown by hydrothermal method

    Yuxian Hu, Rurika Kubota, Kazuki Okamoto, Takahisa Shiraishi, Hiroshi Funakubo

    Journal of the Ceramic Society of Japan   132 ( 7 )   295 - 303   2024年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.2109/jcersj2.23207

    Web of Science

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  • Post heat treatment e ff ect on crystal structure and ferroelectricity of (1-x)(Bi,K)TiO3 - xCaTiO3 solid solution epitaxial fi lms grown by hydrothermal method

    Taichi Murashita, Yuxian Hu, Yuma Takahashi, Reika Ota, Kazuki Okamoto, Hiroshi Funakubo

    JOURNAL OF THE CERAMIC SOCIETY OF JAPAN   132 ( 7 )   324 - 329   2024年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.2109/jcersj2.23210

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  • Data-Driven Analysis of High-Resolution Hyperspectral Image Data Sets through Nanoscale Capacitance–Voltage Measurements to Visualize Ferroelectric Domain Dynamics

    Yoshiomi Hiranaga, Yuki Noguchi, Takanori Mimura, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo, Yasuo Cho

    ACS Applied Nano Materials   7 ( 8 )   8525 - 8536   2024年4月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:American Chemical Society (ACS)  

    DOI: 10.1021/acsanm.3c04636

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  • Unraveling the impact of initial choices and in-loop interventions on learning dynamics in autonomous scanning probe microscopy

    Boris N. Slautin, Yongtao Liu, Hiroshi Funakubo, Sergei V. Kalinin

    Journal of Applied Physics   2024年4月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    The current focus in Autonomous Experimentation (AE) is on developing robust
    workflows to conduct the AE effectively. This entails the need for well-defined
    approaches to guide the AE process, including strategies for hyperparameter
    tuning and high-level human interventions within the workflow loop. This paper
    presents a comprehensive analysis of the influence of initial experimental
    conditions and in-loop interventions on the learning dynamics of Deep Kernel
    Learning (DKL) within the realm of AE in Scanning Probe Microscopy. We explore
    the concept of 'seed effect', where the initial experiment setup has a
    substantial impact on the subsequent learning trajectory. Additionally, we
    introduce an approach of the seed point interventions in AE allowing the
    operator to influence the exploration process. Using a dataset from
    Piezoresponse Force Microscopy (PFM) on PbTiO3 thin films, we illustrate the
    impact of the 'seed effect' and in-loop seed interventions on the effectiveness
    of DKL in predicting material properties. The study highlights the importance
    of initial choices and adaptive interventions in optimizing learning rates and
    enhancing the efficiency of automated material characterization. This work
    offers valuable insights into designing more robust and effective AE workflows
    in microscopy with potential applications across various characterization
    techniques. The analysis code that supports the funding is publicly available
    at https://github.com/Slautin/2024_Seed_effect_DKL_BO.

    DOI: 10.1063/5.0198316

    arXiv

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    その他リンク: http://arxiv.org/pdf/2402.00071v2

  • Phase Identification of 850 nm Thick 7%YO1.5–93%HfO2 Films by Surface and Cross-Sectional Raman Spectroscopies

    Takanori Mimura, Yuma Takahashi, Takahisa Shiraishi, Masanori Kodera, Reijiro Shimura, Keisuke Ishihama, Kazuki Okamoto, Hiroki Moriwake, Ayako Taguchi, Takao Shimizu, Yasuhiro Fujii, Akitoshi Koreeda, Hiroshi Funakubo

    ACS Applied Electronic Materials   6 ( 4 )   2500 - 2506   2024年4月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:American Chemical Society (ACS)  

    DOI: 10.1021/acsaelm.4c00134

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  • The ferroelectric and piezoelectric properties of (Hf1−x Ce x )O2 films on indium tin oxide/Pt/TiO x /SiO2/(100)Si substrates obtained using a no-heating radio-frequency magnetron sputtering deposition method

    Nachi Chaya, Kazuki Okamoto, Koji Hirai, Shinnosuke Yasuoka, Yukari Inoue, Wakiko Yamaoka, Hiroshi Funakubo

    Japanese Journal of Applied Physics   63 ( 4 )   2024年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ad3a71

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  • Polarization reversal dynamics of ferroelastic nanodomains in Pb(Zr,Ti)O3 thin film

    Je Oh Choi, Bo Wang, Hiroshi Funakubo, Ji Hye Lee, Su Yong Lee, Long-Qing Chen, Tae Won Noh, Ji Young Jo, Hyeon Jun Lee

    Acta Materialia   2024年3月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.actamat.2024.119688

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  • Orientation-Controlled 400 nm Thick Ferroelectric PbTiO3 Films with Low Strain Directly Grown below the Curie Temperature by the Hydrothermal Method

    Yuxian Hu, Rurika Kubota, Kazuki Okamoto, Takahisa Shiraishi, Hiroshi Funakubo

    Crystal Growth & Design   2024年2月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:American Chemical Society (ACS)  

    DOI: 10.1021/acs.cgd.3c01367

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  • Domain structures of PbTiO3 and Pb(Zr,Ti)O3 thin films controlled by tensile strain induced by a Sr(Zr,Ti)O3 buffer layer

    Tomohide Morikawa, Masanori Kodera, Takao Shimizu, Keisuke Ishihama, Yoshitaka Ehara, Osami Sakata, Hiroshi Funakubo

    Applied Physics Letters   2024年1月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/5.0180449

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  • Achieving High Piezoelectric Performance across a Wide Composition Range in Tetragonal (Bi,Na)TiO3–BaTiO3 Films for Micro-electromechanical Systems 国際誌

    Keisuke Ishihama, Takao Shimizu, Kazuki Okamoto, Akinori Tateyama, Wakiko Yamaoka, Risako Tsurumaru, Shintaro Yoshimura, Yusuke Sato, Hiroshi Funakubo

    ACS Applied Materials & Interfaces   16 ( 1 )   1308 - 1316   2024年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Tetragonal (1-x)(Bi,Na)TiO3-xBaTiO3 films exhibit enhanced piezoelectric properties due to domain switching over a wide composition range. These properties were observed over a significantly wider composition range than the morphotropic phase boundary (MPB), which typically has a limited composition range of 1-2%. The polarization axis was found to be along the in-plane direction for the tetragonal composition range x = 0.06-1.0, attributed to the tensile thermal strain from the substrate during cooling after the film formation. A "two-step increase" in remanent polarization against an applied maximum electric field was observed at the high-field region due to the domain switching, and a very high piezoelectric response (effective d33 value, denoted as d33,f) over 220 pm/V was achieved for a wide composition range of x = 0.2-0.5 with high tetragonality, exceeding previously reported values for bulk ceramics. Moreover, a transverse piezoelectric coefficient, e31,f, of 19 C/m2 measured using a cantilever structure was obtained for a composition range of at least 10 atom % (for both x = 0.2 and 0.3). This value is the highest reported for Pb-free piezoelectric thin films and is comparable to the best data for Pb-based thin films. Reversible domain switching eliminates the need for conventional MPB compositions, allowing an improvement in the piezoelectric properties over a wider composition range. This strategy could provide a guideline for the development of environmentally acceptable lead-free piezoelectric films with composition-insensitive piezoelectric performance to replace Pb-based materials with MPB composition, such as PZT.

    DOI: 10.1021/acsami.3c13302

    PubMed

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  • Evaluation of ferroelectricity in a distorted wurtzite-type structure of Sc-doped LiGaO2 国際誌

    Sou Yasuhara, Ayato Nakagawa, Kazuki Okamoto, Takahisa Shiraishi, Hiroshi Funakubo, Shintaro Yasui, Mitsuru Itoh, Takaaki Tsurumi, Takuya Hoshina

    RSC Advances   14 ( 20 )   13900 - 13904   2024年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1039/D4RA02296C

    Web of Science

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  • Thickness Dependence of Ferroelectricity for Thin (Al0.9Sc0.1)N-based FeRAM

    Soshun Doko, Naoko Matsui, Toshikazu Irisawa, Koji Tsunekawa, Nana Sun, Yoshiko Nakamura, Kazuki Okamoto, Hiroshi Funakubo

    2024 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI, IMFEDK 2024   2024年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1109/IMFEDK64776.2024.10814248

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  • Analysis of Nanoscale Ferroelectric Domain Dynamics Based on Image Processing of Local C-V Maps

    Yohiomi Hiranaga, Takanori Mimura, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo, Yasuo Cho

    2024 IEEE ULTRASONICS, FERROELECTRICS, AND FREQUENCY CONTROL JOINT SYMPOSIUM, UFFC-JS 2024   2024年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1109/UFFC-JS60046.2024.10793582

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  • Development of Integrated Measurement System for Local C-V Mapping and Piezoresponse Force Microscopy

    Yuki Noguchi, Takanori Mimura, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo, Yohiomi Hiranaga

    2024 IEEE ULTRASONICS, FERROELECTRICS, AND FREQUENCY CONTROL JOINT SYMPOSIUM, UFFC-JS 2024   2024年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1109/UFFC-JS60046.2024.10794165

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  • Introduction of strain-relaxed 90° domain structure by lattice mismatch in tetragonal ferroelectric (Bi,K)TiO3 epitaxial films grown hydrothermally below Curie temperature

    Rurika Kubota, Yuxian Hu, Takahisa Shiraishi, Akinori Tateyama, Yoshiharu Ito, Minoru Kurosawa, Hiroshi Funakubo

    Journal of Applied Physics   134 ( 23 )   2023年12月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AIP Publishing  

    Epitaxial (Bi, K)TiO3 films with 800- to 900-nm thicknesses were grown hydrothermally at 200 °C on SrTiO3 substrates covered with SrRuO3 layers. Perfectly (001)-oriented films grew on (100)SrTiO3 due to good lattice matching. Films on (110)SrTiO3 had mixed orientations of dominant (110) and minor (101), while three types of (111) orientations with in-plane 120° rotation were observed for the film on (111)SrTiO3. The (101) and (110) orientations of the film deposited on (110)SrTiO3 were tilted by approximately 2.6° and 1.6°, respectively, from surface normal due to the formation of a 90° domain with a twinning plane. The plane-view measurement for the film deposited on (111)SrTiO3 showed nine spots. These are explained by the presence of 15 possible spots resulting from the relaxed 90° domain combination and by overlapping. The lattice parameters of these films explain the tilting angles of these domains. These results reveal the formation of perfectly relaxed 90° domain structures for films grown on (110) and (111)SrTiO3. This differs from our previous data for tetragonal Pb(Zr,Ti)O3 films grown above TC on (110) and (111)SrTiO3 because the present films directly grow the ferroelectric films below TC without phase change. The tilting angle of the polar-axis and the volume fraction of the 90° domain can explain the piezoelectric responses of these films assuming that films have purely an up-state. This suggests that these films show almost pure up-state polarization without 180° domains, at least along surface-normal directions. These data show that these films have domain structures different from the well-known ones for the tetragonal Pb(Zr,Ti)O3 films.

    DOI: 10.1063/5.0176337

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  • Unconventional polarization fatigue in van der Waals layered ferroelectric ionic conductor CuInP2S6. 国際誌

    Ziwen Zhou, Shun Wang, Zhou Zhou, Yiqi Hu, Qiankun Li, Jinshuo Xue, Zhijian Feng, Qingyu Yan, Zhongshen Luo, Yuyan Weng, Rujun Tang, Xiaodong Su, Fengang Zheng, Kazuki Okamoto, Hiroshi Funakubo, Lixing Kang, Liang Fang, Lu You

    Nature communications   14 ( 1 )   8254 - 8254   2023年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Recent progress in two-dimensional ferroelectrics greatly expands the versatility and tunability in van der Waals heterostructure based electronics. However, the switching endurance issue that widely plagues conventional ferroelectrics in practical applications is hitherto unexplored for van der Waals layered ferroelectrics. Herein, we report the observation of unusual polarization fatigue behaviors in van der Waals layered CuInP2S6, which also possesses finite ionic conductivity at room temperature. The strong intertwinement of the short-range polarization switching and long-range ionic movement in conjunction with the van der Waals layered structure gives rise to unique morphological and polarization evolutions under repetitive electric cycles. With the help of concerted chemical, structural, lattice vibrational and dielectric analyses, we unravel the critical role of the synergy of ionic migration and surface oxidation on the anomalous polarization enhancement and the eventual polarization degradation. This work provides a general insight into the polarization fatigue characteristics in ionically-active van der Waals ferroelectrics and delivers potential solutions for the realization of fatigue-free capacitors.

    DOI: 10.1038/s41467-023-44132-y

    PubMed

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  • Scalable ferroelectricity of 20 nm-thick (Al0.8Sc0.2)N thin films sandwiched between TiN electrodes

    Reika Ota, Shinnosuke Yasuoka, Ryoichi Mizutani, Takahisa Shiraishi, Kazuki Okamoto, Kuniyuki Kakushima, Tomoyuki Koganezawa, Osami Sakata, Hiroshi Funakubo

    Journal of Applied Physics   134 ( 21 )   2023年12月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AIP Publishing  

    Ferroelectric (Al, Sc)N thin films have the potential for use in low-power memory applications. This study demonstrates the thickness scalability of ferroelectricity down to an approximately 20 nm-thick (Al0.8Sc0.2)N film sandwiched between microfabricable TiN electrodes. The impact of the deposition gas atmosphere during the sputtering process and the top electrode materials on the crystal structures and ferroelectric properties was investigated for 20–30 nm-thick (Al0.8Sc0.2)N thin films deposited on Si substrates covered with a TiN layer by radio frequency magnetron sputtering. The deposition atmosphere did not strongly affect the crystal structures of the 30 nm-thick (Al0.8Sc0.2)N films but significantly affected their ferroelectric properties. The leakage current density decreased for films deposited under pure N2 gas compared to the films deposited under a gas mixture of 0.67Ar + 0.33N2. The ferroelectric properties of 20 nm-thick (Al0.8Sc0.2)N films were changed by the top electrode materials; both the switching electric field and its maximum applicable electric field increased for the TiN top electrodes compared with the Pt top electrodes, improving the saturation characteristics of the remnant polarization (Pr) against the applied electric field. Consequently, the 20 nm-thick (Al0.8Sc0.2)N film sandwiched between the microfabricable TiN top and bottom electrodes showed ferroelectricity without noticeable degradation with decreasing film thickness; the film maintained large Pr values of over 100 μC/cm2 in the temperature range from room temperature to 150 °C. The present data open the door to scalable ferroelectric random-access memories using almost thickness-degradation-free thin (Al, Sc)N films with microfabricable TiN electrodes.

    DOI: 10.1063/5.0166288

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  • Impact of proteinuria on long-term prognosis in patients with coronary artery disease. 国際誌

    Hiroshi Funakubo, Akihito Tanaka, Akihiro Tobe, Takeshige Kunieda, Yoshiaki Kubota, Naoki Yoshioka, Satoshi Otsuka, Nobutaka Kudo, Yoshinori Shirai, Kenji Furusawa, Hideki Ishii, Toyoaki Murohara

    Journal of cardiovascular medicine (Hagerstown, Md.)   24 ( 12 )   900 - 905   2023年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    BACKGROUND: This study aimed to investigate the association between proteinuria and long-term prognosis in patients with coronary artery disease. METHODS: This was a single-center observational study. A total of 1351 patients were identified who underwent percutaneous coronary intervention, and whose urine data were available. Patients were divided into two groups according to the presence (n = 245) or absence (n = 1106) of proteinuria. All-cause and cardiovascular deaths were primarily evaluated. RESULTS: The prevalence rates of hypertension and diabetes were significantly higher, and the baseline estimated glomerular filtration rate (eGFR) was lower in patients with proteinuria than in those without proteinuria. During the median follow-up of 4.1 years (interquartile range, 1.7-6.8 years), the occurrences of all-cause and cardiovascular deaths were significantly higher in patients with proteinuria. Multivariable Cox regression analysis indicated that the presence of proteinuria was a significant predictor of cardiovascular death as well as age, BMI, reduced eGFR, and left ventricular ejection fraction. When stratified into four groups based on eGFR category (eGFR <60 or ≥60 ml/min/1.73 m2) and absence or presence of proteinuria, the incidence rates of all-cause and cardiovascular deaths were highest in patients with proteinuria and eGFR less than 60 ml/min/1.73 m2. Furthermore, the incidence rates of all-cause and cardiovascular deaths were significantly higher in patients with proteinuria among both diabetic and nondiabetic patients. CONCLUSION: Proteinuria is associated with the long-term prognosis, and all-cause and cardiovascular deaths in patients with coronary artery disease, regardless of eGFR and the presence or absence of diabetes mellitus.

    DOI: 10.2459/JCM.0000000000001573

    PubMed

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  • Invariant polarization switching kinetics in an (Al0.8Sc0.2)N film with frequency and temperature

    Shinnosuke Yasuoka, Ryoichi Mizutani, Reika Ota, Takahisa Shiraishi, Takao Shimizu, Kazuki Okamoto, Masato Uehara, Hiroshi Yamada, Morito Akiyama, Hiroshi Funakubo

    Applied Physics Letters   123 ( 20 )   2023年11月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AIP Publishing  

    In this study, the switching kinetics in a (001)-out-of-plane-oriented (Al0.8Sc0.2)N thin film were systematically investigated as a function of temperature and frequency. The switching behavior followed the Kolmogorov–Avrami–Ishibashi model within the temperature and write-pulse width ranges of 300–473 K and 10 Hz–600 kHz, respectively. The switching speed increased linearly with the electric field, even at high electric fields. The frequency dependence of the coercive field (Ec) evaluated at room temperature revealed that the scaling regime of the domain-wall propagation did not transition to the flow regime, and the switching velocity of the domain increased linearly with the electric field even at high frequencies up to 600 kHz. The invariant domain-wall motion regime implies the potential of using (Al,Sc)N films for high-frequency applications. In addition, a formula for estimating the coercive field of an (Al,Sc)N film was derived by fitting the parameters obtained from the study of switching behavior. The formula indicated that the switching electric field tends to become insensitive to frequency as temperature increases. Moreover, the frequency dependency of the field was minimal even at room temperature. This is a useful index for estimating the drive voltage at the operating frequency and temperature.

    DOI: 10.1063/5.0171108

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  • Preparation of {100}-oriented (1−x)(Bi,K)TiO3−xCaTiO3 solid-solution epitaxial films by the hydrothermal method and their ferroelectric and piezoelectric properties

    Taichi Murashita, Yuxian Hu, Yuma Takahashi, Reika Ota, Kazuki Okamoto, Hiroshi Funakubo

    Japanese Journal of Applied Physics   2023年11月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ace3ce

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  • In situ X-ray diffraction analysis of intrinsic and extrinsic piezoelectric response in (100)/(001)-oriented tetragonal multidomain Pb(Zr, Ti)O3 films epitaxially grown on Si substrates

    Miki Nakahata, Kazuki Okamoto, Keisuke Ishihama, Tomoaki Yamada, Hiroshi Funakubo

    Japanese Journal of Applied Physics   2023年11月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ace330

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  • Heterogeneous Carotid Plaque Predicts Cardiovascular Events after Percutaneous Coronary Intervention.

    Akihiro Tobe, Akihito Tanaka, Kenji Furusawa, Yoshinori Shirai, Hiroshi Funakubo, Satoshi Otsuka, Yoshiaki Kubota, Takeshige Kunieda, Naoki Yoshioka, Sara Sato, Nobutaka Kudo, Hideki Ishii, Toyoaki Murohara

    Journal of atherosclerosis and thrombosis   30 ( 9 )   1187 - 1197   2023年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    AIM: The relationship between carotid artery ultrasound findings and clinical outcomes in patients who undergo percutaneous coronary intervention (PCI) has not been completely elucidated. METHODS: This single-center retrospective study investigated 691 patients who underwent PCI and carotid ultrasound testing. Maximum carotid intima-media thickness (CIMT) was defined as the greatest CIMT at the maximally thick point among the common carotid artery, carotid bulb, and internal carotid artery. A carotid plaque was defined as vessel wall thickening with a CIMT ≥ 1.5 mm. The characteristics of carotid plaque (heterogeneity, calcification, or irregular/ulcerated surface) were evaluated visually. Patients were divided into those with and without heterogeneous carotid plaque (maximum CIMT ≥ 1.5 mm and heterogeneous texture). The endpoint was the incidence of a major adverse cardiovascular event (MACE) defined as a composite of cardiovascular (CV) death, myocardial infarction, and ischemic stroke. RESULTS: Among 691 patients, 309 were categorized as having a heterogeneous plaque. Patients with heterogeneous plaques were at a higher risk of MACE than those without (p=0.002). A heterogeneous plaque was independently associated with MACE after adjusting for covariates (hazard ratio [HR], 1.71; 95% confidence interval [CI], 1.01-2.90; p=0.046). Calcified or irregular/ulcerated plaques were correlated with a higher incidence of MACE, but both were not independently associated with MACE (HR, 1.35; 95% CI, 0.69-2.64, p=0.38 and HR, 0.98; 95% CI, 0.57-1.69; p=0.95, respectively). CONCLUSION: The presence of a heterogeneous carotid plaque in patients who underwent PCI predicted future CV events. These patients may require more aggressive medical therapy and careful follow-up.

    DOI: 10.5551/jat.63622

    PubMed

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  • Roadmap on ferroelectric hafnia- and zirconia-based materials and devices

    José P. B. Silva, Ruben Alcala, Uygar E. Avci, Nick Barrett, Laura Bégon-Lours, Mattias Borg, Seungyong Byun, Sou-Chi Chang, Sang-Wook Cheong, Duk-Hyun Choe, Jean Coignus, Veeresh Deshpande, Athanasios Dimoulas, Catherine Dubourdieu, Ignasi Fina, Hiroshi Funakubo, Laurent Grenouillet, Alexei Gruverman, Jinseong Heo, Michael Hoffmann, H. Alex Hsain, Fei-Ting Huang, Cheol Seong Hwang, Jorge Íñiguez, Jacob L. Jones, Ilya V. Karpov, Alfred Kersch, Taegyu Kwon, Suzanne Lancaster, Maximilian Lederer, Younghwan Lee, Patrick D. Lomenzo, Lane W. Martin, Simon Martin, Shinji Migita, Thomas Mikolajick, Beatriz Noheda, Min Hyuk Park, Karin M. Rabe, Sayeef Salahuddin, Florencio Sánchez, Konrad Seidel, Takao Shimizu, Takahisa Shiraishi, Stefan Slesazeck, Akira Toriumi, Hiroshi Uchida, Bertrand Vilquin, Xianghan Xu, Kun Hee Ye, Uwe Schroeder

    APL Materials   11 ( 8 )   2023年8月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AIP Publishing  

    Ferroelectric hafnium and zirconium oxides have undergone rapid scientific development over the last decade, pushing them to the forefront of ultralow-power electronic systems. Maximizing the potential application in memory devices or supercapacitors of these materials requires a combined effort by the scientific community to address technical limitations, which still hinder their application. Besides their favorable intrinsic material properties, HfO2–ZrO2 materials face challenges regarding their endurance, retention, wake-up effect, and high switching voltages. In this Roadmap, we intend to combine the expertise of chemistry, physics, material, and device engineers from leading experts in the ferroelectrics research community to set the direction of travel for these binary ferroelectric oxides. Here, we present a comprehensive overview of the current state of the art and offer readers an informed perspective of where this field is heading, what challenges need to be addressed, and possible applications and prospects for further development.

    DOI: 10.1063/5.0148068

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  • Enhanced polarization properties of one-axis-oriented PZT thin films on transparent glass substrates by controlling chemical composition

    Yusuke Yamasaki, Yukie Yokota, Hiromi Shima, Hiroshi Funakubo, Hiroshi Uchida

    Journal of the Ceramic Society of Japan   131 ( 7 )   229 - 235   2023年7月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Ceramic Society of Japan  

    DOI: 10.2109/jcersj2.22154

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  • No‐Heating Deposition of Ferroelectric x%YO1.5–(100−x%)(Hf1−yZry)O2 Films

    Takanori Mimura, Reijiro Shimura, Akinori Tateyama, Yoshiko Nakamura, Takahisa Shiraishi, Hiroshi Funakubo

    physica status solidi (a)   2023年7月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Wiley  

    DOI: 10.1002/pssa.202300100

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  • Enhanced Thermoelectric Properties of SrSi2 Composite Films with Cubic and Layered Polymorphs

    Kodai Aoyama, Takao Shimizu, Hideto Kuramochi, Masami Mesuda, Ryo Akiike, Takayoshi Katase, Yoshisato Kimura, Hiroshi Funakubo

    ACS Applied Energy Materials   2023年6月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acsaem.3c00577

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  • Systematic Investigation of Ferroelectric Properties in x%YO1.5–(100–x%)Hf1–yZryO2 Films

    Takanori Mimura, Yuki Tashiro, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo

    ACS Applied Electronic Materials   2023年3月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acsaelm.2c01658

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  • Simultaneous high-frequency measurement of direct and inverse transverse piezoelectric coefficients of thin films using longitudinal vibration

    Akinori Tateyama, Yuichiro Orino, Yoshiharu Ito, Takahisa Shiraishi, Takao Shimizu, Minoru Kuribayashi Kurosawa, Hiroshi Funakubo

    Sensors and Actuators A: Physical   114265 - 114265   2023年2月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Elsevier BV  

    DOI: 10.1016/j.sna.2023.114265

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  • Effect of film thickness on output power of a piezoelectric vibration energy harvester using hydrothermally synthesized (K,Na)NbO3 film

    Akinori Tateyama, Yoshiharu Ito, Takahisa Shiraishi, Minoru Kurosawa, Hiroshi Funakubo

    Japanese Journal of Applied Physics   2023年1月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IOP Publishing  

    Abstract

    The dependence of the output power of piezoelectric vibration energy harvesters on film thickness was systematically investigated using {100}c-oriented epitaxial (K,Na)NbO3 films prepared on single-crystal SrTiO3 substrates by the hydrothermal deposition technique. First, we measured the vibration energy harvesting properties by a unimorph Pt/(K,Na)NbO3//SrRuO3//SrTiO3 cantilever. Based on the fact that the elastic stiffness of (K,Na)NbO3 is lower than that of SrTiO3 substrate, it can be understood that increasing film thickness leads to decreasing Qm, resulting in the decrease in output power as film thickness increased under the same input acceleration condition. In the next step, these cantilevers were attached to an Al plate having a much larger volume than the Pt/(K,Na)NbO3//SrRuO3//SrTiO3 cantilever. The output power of this type of harvester was more than 400% greater when the film thickness was increased from 3.5 μm to 22.3 μm due to the almost constant Qm value.

    DOI: 10.35848/1347-4065/acaa79

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    その他リンク: https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/acaa79/pdf

  • Comparative study of fractional flow reserve and diastolic pressure ratio using a guidewire with a sensor for measuring intravascular pressure. 国際誌

    Hiroki Kojima, Hideki Ishii, Akihito Tanaka, Hiroshi Funakubo, Toshiaki Kato, Yusaku Shimbo, Toshiki Kawamiya, Yachiyo Kuwatsuka, Masahiko Ando, Toyoaki Murohara

    Medicine   101 ( 52 )   e32578   2022年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    PURPOSE: This study aimed to evaluate the correlation and diagnostic agreement between diastolic pressure ratio (dPR) and fractional flow reserve (FFR) in a Japanese real-world setting. DESIGN: Prospective multicenter observational study. METHODS: This study included 100 patients with intermediate coronary artery stenosis at 4 Japanese hospitals. For these lesions, FFR and dPR were measured using a guidewire with a sensor and a monitor to measure intravascular pressure. The correlation and diagnostic agreement between FFR and dPR were assessed. When both FFR and dPR were negative or positive, the results were considered to be concordant. When one was positive and the other was negative, the result was regarded as discordant (positive discordance, FFR > 0.80 and dPR ≤ 0.89; negative discordance, FFR ≤ 0.80 and dPR > 0.89). RESULTS: Overall, the FFR and dPR were well-correlated (R = 0.841). FFR and dPR were concordant in 89% of cases (concordant normal, 43%; concordant abnormal, 46%) and discordant in 11% (positive discordance, 7%; negative discordance, 4%). No significant difference was observed in the rate of concordant results between patients with and without diabetes mellitus. The diagnostic concordance rate was significantly different among the 3 coronary arteries (right coronary artery, 93.3%; left anterior descending artery, 93.2%; and left circumflex artery, 58.3%; P = .001). Additionally, the rate of concordant results tended to be higher when using intravenous administration of adenosine than when using intracoronary bolus injection of nicorandil (adenosine, 95.1%; nicorandil, 84.7%; P = .103). CONCLUSION: We found that dPR was highly correlated with FFR, and diagnostic discordance was observed in 11% of the lesions. Several factors, including lesion location and medication for hyperemia, may cause the diagnostic discordance between dPR and FFR.

    DOI: 10.1097/MD.0000000000032578

    PubMed

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  • Film thickness dependence of in-plane ferroelastic domain structure in constrained tetragonal PbTiO3 films induced by isotropic tensile strain

    Yoshitaka Ehara, Takaaki Nakashima, Daichi Ichinose, Shimizu Takao, Takahisa Shiraishi, OSAMI SAKATA, Tomoaki Yamada, Shintaro Yasui, ken nishida, HIROSHI FUNAKUBO

    Appl. Phys. Lett.   121 ( 26 )   262901 - 262901   2022年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AIP Publishing  

    In this study, the ferroelectric phase of PbTiO3 (PTO) thin films was grown on cubic single-crystal KTaO3 (KTO) substrates using metal–organic chemical vapor deposition. X-ray diffraction (XRD) was used to reveal an a1 /a2 domain structure, which remained unchanged down to a film thickness of 2 nm. The a1 and a2 polydomains do not have a simple tetragonal symmetry because aa∥ and aa do not have the same values. The crystallographic tilt angle, α, is defined based on the rotation angle of the PTO lattice with respect to the cubic phase of KTO substrates. The in-plane tetragonal distortion ( ca∥/ aa∥) and α decreased with the decrease in the film thickness, following the in-plane tetragonal geometric equation: [Formula: see text]. The isotropic tensile strains induced in-plane polarization directions along the [100] and [010] axes of the substrates. These axes are formed via the a1/ a2 polydomain of the tetragonal-like phase. Moreover, synchrotron in-plane grazing incidence XRD and piezoelectric force microscopy were used to reveal the thickness dependency of the periodic domain width of the ferroelastic a1/ a2 domain. The periodic domain width in the PTO films decreased, following Kittel's law, with the reduction in the film thickness.

    DOI: 10.1063/5.0119843

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  • On the switching dynamics of epitaxial ferroelectric CeO2-HfO2 thin film capacitors. 国際誌

    Felix Cüppers, Koji Hirai, Hiroshi Funakubo

    Nano convergence   9 ( 1 )   56 - 56   2022年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Epitaxial layers of ferroelectric orthorhombic HfO2 are frequently investigated as model systems for industrially more relevant polycrystalline films. The recent success in stabilizing the orthorhombic phase in the solid-solution cerium oxide - hafnium oxide system allows detailed investigations of external influences during fabrication. This report analyzes the ferroelectric properties of two thin film capacitors, which were post-deposition annealed in N2 and O2 atmospheres to achieve the orthorhombic phase after room temperature deposition. The samples, which exhibit very similar constituent phase, appear identical in conventional polarization-field hysteresis measurements. However, a significant switching speed difference is observed in pristine devices. Continued field cycling reduces the difference. Deeper analysis of switching transients based on the Nucleation Limited Switching model suggests that the O2 heat treatment atmosphere results in an altered oxygen vacancy profile, which is reverted during ferroelectric cycling.

    DOI: 10.1186/s40580-022-00344-4

    PubMed

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  • Tunable Ferroelectric Properties in Wurtzite (Al0.8Sc0.2)N via Crystal Anisotropy

    Shinnosuke Yasuoka, Ryoichi Mizutani, Reika Ota, Takahisa Shiraishi, Takao Shimizu, Masato Uehara, Hiroshi Yamada, Morito Akiyama, Hiroshi Funakubo

    ACS Applied Electronic Materials   2022年11月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:American Chemical Society (ACS)  

    DOI: 10.1021/acsaelm.2c00999

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  • Composition dependence of ferroelectric properties in (111)-oriented epitaxial HfO2-CeO2 solid solution films

    Koji Hirai, Takahisa Shiraishi, Wakiko Yamaoka, Risako Tsurumaru, Yukari Inoue, Hiroshi Funakubo

    Japanese Journal of Applied Physics   2022年11月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IOP Publishing  

    Abstract

    The composition dependence of ferroelectric properties was investigated for (111)-oriented epitaxial HfO2-CeO2 solid solution films. Twenty-nanometer-thick films with different compositions were prepared on (111)ITO//(111)YSZ substrates at room temperature by pulsed laser deposition and subsequent heat treatment at 1000 oC under atmospheric N2 and O2 flows. All of the films had fluorite structures, and their crystal symmetries changed from monoclinic to tetragonal/cubic through orthorhombic phases as the (Hf1-xCex)O2 (x =0.12-0.25) increased in the film. The orthorhombic phase was confirmed for films with x = 0.15 and 0.17. On the other hand, ferroelectric properties were observed in films with x = 0.15-0.20, suggesting that a field-induced phase transition for films with x = 0.20. The film composition showing ferroelectricity was the widest for the reported epitaxial HfO2-based films. Their remanent polarization (Pr) and coercive field (Ec) were almost the same, at 17-19 μC/cm2 and 2.0-3.0 MV/cm, respectively. This wide ferroelectric composition range with relatively similar ferroelectricity is due to the solid solution of the same fluorite structure of HfO2 and CeO2 with monoclinic and cubic symmetries, that is respectively lower and higher crystal symmetries of the ferroelectric orthorhombic phase.

    DOI: 10.35848/1347-4065/ac80e9

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    その他リンク: https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ac80e9/pdf

  • Nanoscale mapping to assess the asymmetry of local C–V curves obtained from ferroelectric materials

    Yoshiomi Hiranaga, Takanori Mimura, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo, Yasuo Cho

    Japanese Journal of Applied Physics   61 ( SN )   SN1014 - SN1014   2022年11月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IOP Publishing  

    Abstract

    The asymmetry in the capacitance–voltage (C–V) curves obtained from a ferroelectric material can provide information concerning the internal microstructure of a specimen. The present study visualized nanoscale switching of a HfO2-based ferroelectric thin film in real space based on assessing asymmetry using a local C–V mapping method. Several parameters were extracted from the local C–V curves at each point. The parameter Vi, indicating the lateral shift of the local C–V curve, was employed as an indicator of local imprint. In addition, the differences in the areas between the C–V curves for the forward and reverse sweeps, Sf − Sr, provided another slightly different indicator of nanoscale switching asymmetry. These parameters obtained from asymmetric C–V curves are thought to be related to internal electric fields and local stress caused by defects in the film. The work reported here also involved a cluster analysis of the extracted parameters using the k-means method.

    DOI: 10.35848/1347-4065/ac7f7a

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    その他リンク: https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ac7f7a/pdf

  • Effect of film thickness on piezoelectric vibrator using hydrothermally synthesized epitaxial (K0.88Na0.12)NbO3 film

    Akinori Tateyama, Yoshiharu Ito, Takahisa Shiraishi, Minoru Kurosawa, Mutsuo Ishikawa, Hiroshi Funakubo

    Japanese Journal of Applied Physics   61 ( SN )   SN1016 - SN1016   2022年11月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IOP Publishing  

    Abstract

    Two types of vibrators using hydrothermally synthesized ferroelectric (K, Na)NbO3 films were fabricated on SrTiO3 substrates. Cantilever piezoelectric vibrators with film thicknesses of 3.5–22.3 μm were used under low-frequency and no resonance drive. The obtained output displacement increased almost linearly as the film thickness increased under both unipolar and bipolar drives. The obtained transverse piezoelectric coefficient, e31,f, was almost independent of film thickness, ≈−5 C m−2. On the other hand, a longitudinal piezoelectric vibrator was used under the resonance of half-length longitudinal vibration. The electromechanical coupling factor, keff2, and the mechanical quality factor, Qm, were evaluated. keff2 and Qm respectively increased from 0.14% to 1.23% and decreased from 556 to 224 as the film thickness increased from 2.5 to 26 μm. By applying a large voltage of 50 V0-p, a large vibration velocity of 1.5 m s−1 was obtained for the vibrator with a film thickness of 26 μm.

    DOI: 10.35848/1347-4065/ac8046

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    その他リンク: https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ac8046/pdf

  • Quantification of the Electromechanical Measurements by Piezoresponse Force Microscopy. 国際誌

    Pratyush Buragohain, Haidong Lu, Claudia Richter, Tony Schenk, Pamenas Kariuki, Sebastjan Glinsek, Hiroshi Funakubo, Jorge Íñiguez, Emmanuel Defay, Uwe Schroeder, Alexei Gruverman

    Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)   34 ( 47 )   e2206237   2022年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Piezoresponse force microscopy (PFM) is widely used for characterization and exploration of the nanoscale properties of ferroelectrics. However, quantification of the PFM signal is challenging due to the convolution of various extrinsic and intrinsic contributions. Although quantification of the PFM amplitude signal has received considerable attention, quantification of the PFM phase signal has not been addressed. A properly calibrated PFM phase signal can provide valuable information on the sign of the local piezoelectric coefficient-an important and nontrivial issue for emerging ferroelectrics. In this work, two complementary methodologies to calibrate the PFM phase signal are discussed. The first approach is based on using a standard reference sample with well-known independently measured piezoelectric coefficients, while the second approach exploits the electrostatic sample-cantilever interactions to determine the parasitic phase offset. Application of these methodologies to studies of the piezoelectric behavior in ferroelectric HfO2 -based thin-film capacitors reveals intriguing variations in the sign of the longitudinal piezoelectric coefficient, d33,eff . It is shown that the piezoelectric properties of the HfO2 -based capacitors are inherently sensitive to their thickness, electrodes, as well as deposition methods, and can exhibit wide variations including a d33,eff sign change within a single device.

    DOI: 10.1002/adma.202206237

    PubMed

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  • Preferential growth of (001)-oriented Bi2SiO5 thin films deposited on (101)-oriented rutile substrates and their ferroelectric and dielectric properties. 国際誌

    Masanori Kodera, Keisuke Ishihama, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo

    Scientific reports   12 ( 1 )   15204 - 15204   2022年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Ferroelectric thin films are important because of their great potential for use in various electric devices such as ferroelectric random-access memory. It was expected that Bi2SiO5, a Si-containing ferroelectric material, would show improved ferroelectricity by targeting a film with the (001)-orientation (polar-axis) on the substrate. Although there was a narrow process window for the deposition of the (010)/(001)-oriented Bi2SiO5 thin film, it was successfully prepared on a (101)-oriented TiO2 single substrate using the pulsed layer deposition technique. The optimum film deposition conditions and film thickness were found, and in this material, the volume fraction of the (001)-oriented domain reached about 70%. By controlling film orientation to the polar axis, the remanent polarization value of this film was 4.8 μC cm-2, which is the highest value among reported Bi2SiO5.

    DOI: 10.1038/s41598-022-19058-y

    PubMed

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  • In-situ observation of reversible 90°-domain switching in Pb(Zr, Ti)O3 films for microcantilever structure

    Yoshitaka Ehara, Hitoshi Morioka, Takeshi Kobayashi, Shintaro Yasui, ken nishida, HIROSHI FUNAKUBO

    Japanese Journal of Applied Physics   61   2022年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ac819a

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  • Suppression of Pressure-Induced Phase Transitions in a Monoclinically Distorted LiNbO3-Type CuNbO3 by Preference for a CuO3 Triangular Coordination Environment 国際誌

    Masayuki Fukuda, Hidenobu Murata, Takumi Nishikubo, Qiumin Liu, Koomok Lee, Takehiro Koike, Yuma Takahashi, Saori I. Kawaguchi, Naohisa Hirao, Hiroshi Funakubo, Masaki Azuma

    Inorganic Chemistry   61 ( 32 )   12719 - 12725   2022年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:American Chemical Society (ACS)  

    Pressure-induced phase transitions in a monoclinically distorted LiNbO3-type CuNbO3 with triangularly coordinated Cu and octahedrally coordinated Nb were experimentally and computationally investigated. Phase transitions into GdFeO3-type or NaIO3-type structures generally observed in LiNbO3-type compounds below 30 GPa were not detected in CuNbO3 even at the maximum experimental pressure, 32.4 GPa. Our density functional theory calculations revealed that the phase transition is suppressed by the preference for the CuO3 triangular coordination environment, which reduces the total internal energy. This study clarifies that the change in the coordination environment of given ions can affect the pressure-induced phase transition.

    DOI: 10.1021/acs.inorgchem.2c01766

    PubMed

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  • Lower ferroelectric coercive field of ScGaN with equivalent remanent polarization as ScAlN

    Masato Uehara, Ryouichi Mizutani, Shinnosuke Yasuoka, Takao Shimizu, Hiroshi Yamada, Morito Akiyama, Hiroshi Funakubo

    Applied Physics Express   2022年8月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1882-0786/ac8048

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  • Crystal structure and piezoelectric properties of hydrothermally deposited (K,Na,Li)NbO&lt;sub&gt;3&lt;/sub&gt; epitaxial thick films

    Takahisa Shiraishi, Akinori Tateyama, Hiroshi Uchida, Hiroshi Funakubo

    Journal of the Ceramic Society of Japan   130 ( 8 )   621 - 626   2022年8月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Ceramic Society of Japan  

    DOI: 10.2109/jcersj2.22029

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  • Machine Learning-Driven Automated Scanning Probe Microscopy for Ferroelectrics

    Yongtao Liu, Kyle P. Kelley, Rama K. Vasudevan, Hiroshi Funakubo, Shelby S. Fields, Takanori Mimura, Susan Trolier-McKinstry, Jon F. Ihlefeld, Maxim Ziatdinov, Sergei V. Kalinin

    Microscopy and Microanalysis   28 ( S1 )   2924 - 2926   2022年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Oxford University Press ({OUP})  

    DOI: 10.1017/s1431927622010972

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  • Process window for growth of polar-axis-oriented tetragonal (Bi, K)TiO3 epitaxial films on (100)cSrRuO3//(100)SrTiO3 substrates by the hydrothermal method

    Rurika Kubota, Akinori Tateyama, Yoshiharu Ito, Hu Yuxian, Takahisa Shiraishi, Minoru Kurosawa, Hiroshi Funakubo

    Journal of Materials Science   2022年8月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Springer Science and Business Media LLC  

    DOI: 10.1007/s10853-022-07484-2

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    その他リンク: https://link.springer.com/article/10.1007/s10853-022-07484-2/fulltext.html

  • Learning the right channel in multimodal imaging: automated experiment in Piezoresponse Force Microscopy

    Yongtao Liu, Rama K. Vasudevan, Kyle P. Kelley, Hiroshi Funakubo, Maxim Ziatdinov, Sergei V. Kalinin

    2022年7月

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    We report the development and experimental implementation of the automated
    experiment workflows for the identification of the best predictive channel for
    a phenomenon of interest in spectroscopic measurements. The approach is based
    on the combination of ensembled deep kernel learning for probabilistic
    predictions and a basic reinforcement learning policy for channel selection. It
    allows the identification of which of the available observational channels,
    sampled sequentially, are most predictive of selected behaviors, and hence have
    the strongest correlations. We implement this approach for multimodal imaging
    in Piezoresponse Force Microscopy (PFM), with the behaviors of interest
    manifesting in piezoresponse spectroscopy. We illustrate the best predictive
    channel for polarization-voltage hysteresis loop and frequency-voltage
    hysteresis loop areas is amplitude in the model samples. The same workflow and
    code are universal and applicable for any multimodal imaging and local
    characterization methods.

    arXiv

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    その他リンク: http://arxiv.org/pdf/2207.03039v2

  • Evaluation of bulk and surface acoustic waves propagation properties of (K,Na)NbO3 films deposited by hydrothermal synthesis or RF magnetron sputtering methods

    Kazuma Yoshizawa, Masashi Suzuki, Shoji Kakio, Yoshiharu Ito, Akinori Tateyama, Takahisa Shiraishi, Hiroshi Funakubo, Tsuyoshi Wakabayashi, Kenji Shibata

    Japanese Journal of Applied Physics   61 ( SG )   SG1077 - SG1077   2022年7月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IOP Publishing  

    In this study, the bulk and surface acoustic waves (BAW and SAW) propagation properties of (K,Na)NbO3 (KNN) films deposited by hydrothermal synthesis or RF magnetron sputtering methods were evaluated to investigate the applicability of such films to high-frequency devices. For the {100}c-oriented KNN epitaxial films deposited by the hydrothermal synthesis method, a BAW phase velocity of 6900 m s−1 and an electromechanical coupling coefficient kt2 of 8.4% were obtained. From the measured Rayleigh-type SAW properties, a large electromechanical coupling coefficient K2 of 4.0% in the 1st mode was obtained in the {110}c-oriented KNN epitaxial films. On the other hand, for the preferentially {100}c-oriented KNN film deposited on Pt(111) by RF magnetron sputtering, a BAW phase velocity of 7850 m s−1 and kt2 of 7.4% were obtained. For the 0th mode of the Rayleigh-type SAW, a propagation loss of 0.13 dB/λ (λ: wavelength) at 440 MHz and a temperature coefficient of frequency of –42 ppm °C−1 were obtained for the {100}c-oriented KNN epitaxial film deposited on STO(100) by the RF magnetron sputtering method.

    DOI: 10.35848/1347-4065/ac4db9

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    その他リンク: https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ac4db9/pdf

  • 3Pa3-1 Pt 結晶膜上へのTa2O5 圧電薄膜の成膜と評価

    松浦 佳祐, 鈴木 雅視, 垣尾 省司, 小寺 正徳, 舟窪 浩

    超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム講演論文集   42   n/a   2022年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:特定非営利活動法人 超音波エレクトロニクス協会  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ac5722

    CiNii Research

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  • Preparation of orthorhombic Y-doped TaON film

    Takanori Mimura, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo

    Journal of the Ceramic Society of Japan   130 ( 7 )   432 - 435   2022年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Ceramic Society of Japan  

    DOI: 10.2109/jcersj2.22002

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  • Enhancement of crystal anisotropy and ferroelectricity by decreasing thickness in (Al,Sc)N films

    Shinnosuke Yasuoka, Ryoichi Mizutani, Reika Ota, Takahisa Shiraishi, Takao Shimizu, Shintaro Yasui, Yoshitaka Ehara, Ken Nishida, Masato Uehara, Hiroshi Yamada, Morito Akiyama, Yasuhiko Imai, Osami Sakata, Hiroshi Funakubo

    Journal of the Ceramic Society of Japan   130 ( 7 )   436 - 441   2022年7月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Ceramic Society of Japan  

    DOI: 10.2109/jcersj2.21184

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  • Automated Experiments of Local Non-linear Behavior in Ferroelectric Materials 国際誌

    Yongtao Liu, Kyle P. Kelley, Rama K. Vasudevan, Wanlin Zhu, John Hayden, Jon-Paul Maria, Hiroshi Funakubo, Maxim A. Ziatdinov, Susan Trolier-McKinstry, Sergei V. Kalinin

    Small (Weinheim an der Bergstrasse, Germany)   18 ( 48 )   e2204130   2022年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    We develop and implement an automated experiment in multimodal imaging to
    probe structural, chemical, and functional behaviors in complex materials and
    elucidate the dominant physical mechanisms that control device function. Here
    the emergence of non-linear electromechanical responses in piezoresponse force
    microscopy (PFM) is explored. Non-linear responses in PFM can originate from
    multiple mechanisms, including intrinsic material responses often controlled by
    domain structure, surface topography that affects the mechanical phenomena at
    the tip-surface junction, and, potentially, the presence of surface
    contaminants. Using an automated experiment to probe the origins of non-linear
    behavior in model ferroelectric lead titanate (PTO) and ferroelectric
    Al0.93B0.07N films, it was found that PTO showed asymmetric nonlinear behavior
    across a/c domain walls and a broadened high nonlinear response region around
    c/c domain walls. In contrast, for Al0.93B0.07N, well-poled regions showed high
    linear piezoelectric responses paired with low non-linear responses and regions
    that were multidomain indicated low linear responses and high nonlinear
    responses. We show that formulating dissimilar exploration strategies in deep
    kernel learning as alternative hypotheses allows for establishing the
    preponderant physical mechanisms behind the non-linear behaviors, suggesting
    that this approach automated experiments can potentially discern between
    competing physical mechanisms. This technique can also be extended to electron,
    probe, and chemical imaging.

    DOI: 10.1002/smll.202204130

    PubMed

    arXiv

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    その他リンク: http://arxiv.org/pdf/2206.15110v1

  • Exploring Physics of Ferroelectric Domain Walls in Real Time: Deep Learning Enabled Scanning Probe Microscopy 国際誌

    Yongtao Liu, Kyle P. Kelley, Hiroshi Funakubo, Sergei V. Kalinin, Maxim Ziatdinov

    Advanced science (Weinheim, Baden-Wurttemberg, Germany)   9 ( 31 )   e2203957   2022年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    The functionality of ferroelastic domain walls in ferroelectric materials is
    explored in real-time via the in-situ implementation of computer vision
    algorithms in scanning probe microscopy (SPM) experiment. The robust deep
    convolutional neural network (DCNN) is implemented based on a deep residual
    learning framework (Res) and holistically-nested edge detection (Hed), and
    ensembled to minimize the out-of-distribution drift effects. The DCNN is
    implemented for real-time operations on SPM, converting the data stream into
    the semantically segmented image of domain walls and the corresponding
    uncertainty. We further demonstrate the pre-selected experimental workflows on
    thus discovered domain walls, and report alternating high- and low-
    polarization dynamic (out-of-plane) ferroelastic domain walls in a (PbTiO3) PTO
    thin film and high polarization dynamic (out-of-plane) at short ferroelastic
    walls (compared with long ferroelastic walls) in a lead zirconate titanate
    (PZT) thin film. This work establishes the framework for real-time DCNN
    analysis of data streams in scanning probe and other microscopies and
    highlights the role of out-of-distribution effects and strategies to ameliorate
    them in real time analytics.

    DOI: 10.1002/advs.202203957

    PubMed

    arXiv

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    その他リンク: http://arxiv.org/pdf/2206.11457v1

  • Ferroelectric and piezoelectric properties of 100 nm-thick CeO2-HfO2 epitaxial films

    Takahisa Shiraishi, Toyohiko J. Konno, Hiroshi Funakubo

    Applied Physics Letters   120 ( 13 )   132901 - 132901   2022年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:{AIP} Publishing  

    Scaling up the film thickness of HfO2-based ferroelectrics is an important factor leading to their potential application in piezoelectric devices. In this paper, we report the ferroelectric and piezoelectric properties of 100 nm-thick 0.1CeO2-0.9HfO2 films, epitaxially grown on (001) indium-tin-oxide//(001)yttria-stabilized zirconia substrates. The crystal structure was investigated using x-ray diffraction and scanning transmission electron microscopy (STEM). These analyses revealed that the polar orthorhombic phase was stabilized, even at a thickness of 100 nm, whereas the formation of a nonpolar monoclinic phase was suppressed. In addition, the elemental mappings obtained by STEM–energy dispersive x-ray spectroscopy revealed that the film was compositionally uniform across its thickness. The chemical state of Ce in the polar orthorhombic domain was investigated using STEM–electron energy loss spectroscopy, which revealed the coexistence of Ce4+ and Ce3+. In addition, pinched polarization-electric field loops were observed, and their shapes were found to remain unaltered even after 109 electric field cycles. The strain-electric field curves originating from ferroelectricity were observed before and after the electric field cycling, and the high-field observed strain, Smax/ Emax, was found to be approximately 7.2 pm/V. These results demonstrate that thicker CeO2-HfO2 ferroelectric films are promising candidates for use as piezoelectric materials.

    DOI: 10.1063/5.0088491

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  • Film thickness dependence of ferroelectric properties in polar-axis oriented epitaxial (Bi,K)TiO3 films prepared by Hydrothermal method

    Rurika Kubota, Akinori Tateyama, Takahisa Shiraishi, Yoshiharu Ito, Minoru Kurosawa, Hiroshi Funakubo

    AIP Adv.   Vol. 12 ( 3 )   035241 - 035241   2022年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AIP Publishing  

    Tetragonal (00l)-oriented epitaxial (Bi,K)TiO3 films were grown at 240 °C on (100) cSrRuO3//(100)SrTiO3 substrates by the hydrothermal method. KOH aqueous solutions and Bi(NO3)3 · 5H2O and TiO2 powders were used as the starting materials. Film thickness was controlled from 33 to 1200 nm by changing the deposition time, and the Bi/(Bi+K) ratio in the A-site of perovskite ABO3 was almost constant for all film thicknesses. Polar-axis (00l)-oriented epitaxial (Bi,K)TiO3 films were obtained without a secondary phase and/or other orientation for all thickness ranges. Large ferroelectricity with the remanent polarization ( Pr) of about 84 µC/cm2, comparable to previously reported lead-based ferroelectric films, was observed for (Bi,K)TiO3 films down to 33 nm in thickness. On the other hand, Ec increased with decreasing film thickness, but did not show strong film thickness dependence like other perovskite ferroelectric films. These data are very useful for understanding the degradation mechanism of ferroelectric thin films.

    DOI: 10.1063/5.0084170

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  • Domain structures induced by tensile thermal strain in epitaxial PbTiO3 films on silicon substrates

    Tomoya Sato, Masanori Kodera, Daichi Ichinose, Takanori Mimura, Takao Shimizu, Tomoaki Yamada, Hiroshi Funakubo

    Journal of Applied Physics   Vol. 131   2022年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/5.0074884

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  • No-Heating Deposition of 1-μm-Thick Y-Doped HfO2 Ferroelectric Films with Good Ferroelectric and Piezoelectric Properties by Radio Frequency Magnetron Sputtering Method

    Reijiro Shimura, Takanori Mimura, Akinori Tateyama, Takahisa Shiraishi, Takao Shimizu, Tomoaki Yamada, Yoshitomo Tanaka, Yukari Inoue, Hiroshi Funakubo

    Phys. Status Solidi RRL   Early View   2100574 - 2100574   2022年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Wiley  

    DOI: 10.1002/pssr.202100574

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    その他リンク: https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full-xml/10.1002/pssr.202100574

  • Polar-axis oriented epitaxial tetragonal (Bi,K)TiO3 films deposited below Curie temperature by hydrothermal method

    Yoshiharu Ito, Akinori Tateyama, Rurika Kubota, Takahisa Shiraish, Takao Shimizu, Osami Sakata, Jaemyung Kim, Minoru Kurosawa, Hiroshi Funakubo

    Appl. Phys. Lett.   Vol. 120 ( 2 )   022903 - 022903   2022年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AIP Publishing  

    DOI: 10.1063/5.0075014

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  • Lower-Temperature Processing of Potassium Niobate Films by Microwave-Assisted Hydrothermal Deposition Technique

    Masaki Okura, Yoshiharu Ito, Takahisa Shiraishi, Takanori Kiguchi, Toyohiko J. Konno, Hiroshi Funakubo, Hiroshi Uchida

    J. Ceram. Soc. Jpn.   Vol. 130 ( No. 1 )   123 - 130   2022年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Ceramic Society of Japan  

    DOI: 10.2109/jcersj2.21115

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  • The Influence of Eicosapentaenoic Acid to Arachidonic Acid Ratio on Long-term Cardiovascular Events Following Percutaneous Coronary Intervention.

    Kiyoshi Niwa, Akihito Tanaka, Hiroshi Funakubo, Satoshi Otsuka, Naoki Yoshioka, Nobutaka Kudo, Akihiro Tobe, Keisuke Sakakibara, Yusuke Miki, Takashi Kataoka, Kenji Furusawa, Hideki Ishii, Toyoaki Murohara

    Internal medicine (Tokyo, Japan)   60 ( 24 )   3865 - 3871   2021年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Objective The relationship between cardiovascular disease and the serum polyunsaturated fatty acid parameters has been reported. The aim of the present study was to investigate the association between the eicosapentaenoic acid and arachidonic acid (EPA/AA) ratio and long-term cardiovascular events in patients with coronary artery disease. Methods We identified a total of 831 patients who underwent percutaneous coronary intervention and whose EPA/AA ratio was available. The patients were divided into two groups according to their serum EPA/AA ratio (median, 0.29; interquartile range 0.19-0.47): those in the lower quartile of EPA/AA ratios (Low EPA/AA group; n=231) and all other subjects (High EPA/AA group; n=600). The primary endpoints included a composite of cardiovascular death, myocardial infarction, and ischemic stroke. Results Patients in the Low EPA/AA group were significantly younger (66.0±12.6 years vs. 69.9±9.3 years, p<0.001), current smokers (33.3% vs. 22.7%, p=0.002), and had a history of myocardial infarction (20.3% vs. 12.3%, p=0.003). During the follow-up (median, 1,206 days; interquartile range, 654-1,910 days), the occurrence of the primary endpoint was significantly higher in the Low EPA/AA group than in the High EPA/AA group. Of note, the rate of cardiovascular death was significantly higher in the Low EPA/AA group, and the rates of myocardial infarction and stroke tended to be higher. Conclusion A low EPA/AA ratio was associated with long-term adverse cardiovascular events in Japanese patients with coronary artery disease.

    DOI: 10.2169/internalmedicine.7336-21

    PubMed

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  • Thickness dependence of phase stability in epitaxial (HfxZr1-x)O2 films

    Takanori Mimura, Takao Shimizu, Yoshio Katsuya, Osami Sakata, Hiroshi Funakubo

    Physical review materials   Vol. 5 ( 11 )   2021年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevMaterials.5.114407

    Scopus

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  • Thermal stability of self-polarization in a (K,Na)NbO3 film prepared by the hydrothermal method

    Akinori Tateyama, Yoshiharu Ito, Takahisa Shiraishi, Yuichiro Orino, Minoru Kurosawa, Hiroshi Funakubo

    Japanese Journal of Applied Physics   Vol. 60 ( SF )   SFFB03 - SFFB03   2021年11月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:{IOP} Publishing  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ac10f8

    researchmap

    その他リンク: https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ac10f8/pdf

  • Effect of film microstructure on the polarization switching behavior in ferroelectric Y:HfO2 thin films

    Pratyush Buragohain, Adam Erickson, Takanori Mimura, Hiroshi Funakubo, Alexei Gruverman

    Adv Functional Material   32 ( No. 2108876 )   2021年11月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/adfm.202108876

    Web of Science

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  • Piezoelectric responses beyond Pb(Zr,TiO)3 in Pb-free perovskite thin films by ferroelastic domain switching: Free from Pb and MPB 国際誌

    Takao Shimizu, Miyu Hasegawa, Keisuke Ishihama, Akinori Tateyama, Wakiko Yamaoka, Risako Tsurumaru, Shintaro Yoshimura, Yusuke SATO, Hiroshi Funakubo

    ACS Appl. Mater. Interfaces 2021   Vol. 13 ( 48 )   57532 - 57539   2021年11月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:American Chemical Society ({ACS})  

    Strong electromechanical coupling is observed in tetragonal Pb-free 0.7(Bi0.5Na0.5)TiO3-0.3BaTiO3 films, which is far from the morphotropic phase boundary, prepared by pulsed laser deposition on a Si substrate. The tensile strain induced during cooling causes in-plane polarization in an oriented film on a Si substrate, while an epitaxial film grown on a SrTiO3 substrate exhibits out-of-plane polarization. S-E curve analysis reveals that the obtained piezoelectric coefficient for the film on the Si substrate (d33,f ≈ 275 pm/V) is approximately eight times higher than that for the epitaxial film on the SrTiO3 substrate (d33,f ≈ 34 pm/V). In situ X-ray diffraction analysis confirms the occurrence of domain switching under an electric field from in-plane to out-of-plane polarization. An effective piezoelectric stress coefficient, e31,eff, of ∼19 C/m2 is obtained from a Si cantilever sample, which is the highest among the reported values for Pb-free piezoelectric films and is comparable to those for Pb-based films. The significant piezoelectric response produced by domain switching in the Pb-free materials with the composition far from the morphotropic phase boundary will expand future applications due to their both outstanding properties and environmental sustainability.

    DOI: 10.1021/acsami.1c15713

    PubMed

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  • Demonstration of ferroelectricity in ScGaN thin film using sputtering method

    Masato Uehara, Ryoichi Mizutani, Shinnosuke Yasuoka, Takahisa Shiraishi, Takao Shimizu, Hiroshi Yamada, Morito Akiyama, Hiroshi Funakubo

    Applied Physics Letters   Vol. 119 ( 17 )   172901 - 172901   2021年10月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AIP Publishing  

    DOI: 10.1063/5.0068059

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  • Composition dependencies of crystal structure and electrical properties of epitaxial tetragonal (Bi, Na)TiO3-BaTiO3 films grown on (100)cSrRuO3//(100)SrTiO3 substrates by pulsed laser depositions

    Keisuke Ishihama, Takao Shimizu, Wakiko Yamaoka, Risako Tsurumaru, Shintaro Yoshimura, Yusuke Sato, Hiroshi Funakubo

    J. Appl. Phys.   Vol. 130   2021年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/5.0063385

    researchmap

  • Impact of deposition temperature on crystal structure and ferroelectric properties of (Al1-xScx)N films prepared by sputtering method

    Shinnosuke Yasuoka, Takao Shimizu, Masato Uehara, Hiroshi Yamada, Morito Akiyama, Hiroshi Funakubo

    Phys. Status Solidi A 2021   218 ( 17 )   2100302 - 2100302   2021年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Wiley  

    DOI: 10.1002/pssa.202170049

    researchmap

    その他リンク: https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full-xml/10.1002/pssa.202100302

  • Evaluation of BAW and SAW Properties of (K, Na)NbO3 Thin Films Deposited by RF Sputtering

    Kazuma Yoshizawa, Masashi Suzuki, Shoji Kakio, Yoshiharu Ito, Akinori Tateyama, Hiroshi Funakubo, Tsuyoshi Wakabayashi, Kenji Shibata

    2021 IEEE International Ultrasonics Symposium (IUS)   2021年9月

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    掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:IEEE  

    DOI: 10.1109/ius52206.2021.9593374

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  • Thickness scaling of (Al0.8Sc0.2)N films with remanent polarization beyond 100 μC/cm2 around 10 nm in thickness

    Ryoichi Mizutani, Shinnosuke Yasuoka, Takahisa Shiraishi, Takao Shimizu, Masato Uehara, Hiroshi Yamada, Morito Akiyama, Osami Sakata, Hiroshi Funakubo

    Appl. Phys. Exp.   Vol. 14 ( 10 )   105501 - 105501   2021年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:{IOP} Publishing  

    DOI: 10.35848/1882-0786/ac2261

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    その他リンク: https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1882-0786/ac2261/pdf

  • Experimental discovery of structure-property relationships in ferroelectric materials via active learning

    Yongtao Liu, Kyle P. Kelley, Rama K. Vasudevan, Hiroshi Funakubo, Maxim A. Ziatdinov, Sergei V. Kalinin

    2021年8月

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    Emergent functionalities of structural and topological defects in
    ferroelectric materials underpin an extremely broad spectrum of applications
    ranging from domain wall electronics to high dielectric and electromechanical
    responses. Many of these have been discovered and quantified via local scanning
    probe microscopy methods. However, the search for these functionalities has
    until now been based by either trial and error or using auxiliary information
    such as topography or domain wall structure to identify potential objects of
    interest based on the intuition of operator or preexisting hypotheses, with
    subsequent manual exploration. Here, we report the development and
    implementation of a machine learning framework that actively discovers
    relationships between local domain structure and polarization switching
    characteristics in ferroelectric materials encoded in the hysteresis loop. The
    latter and descriptors such as nucleation bias, coercive bias, hysteresis loop
    area, or more complex functionals of hysteresis loop shape and corresponding
    uncertainties are used to guide the discovery via automated piezoresponse force
    microscopy (PFM) and spectroscopy experiments. As such, this approach combines
    the power of machine learning methods to learn the correlative relationships
    between high dimensional data, and human-based physics insights encoded in the
    acquisition function. For ferroelectric, this automated workflow demonstrates
    that the discovery path and sampling points of on-field and off-field
    hysteresis loops are largely different, indicating the on-field and off-field
    hysteresis loops are dominated by different mechanisms. The proposed approach
    is universal and can be applied to a broad range of modern imaging and
    spectroscopy methods ranging from other scanning probe microscopy modalities to
    electron microscopy and chemical imaging.

    arXiv

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    その他リンク: http://arxiv.org/pdf/2108.06037v2

  • High-precision Local C-V Mapping for Ferroelectrics Using Principal Component Analysis

    Hiranaga Yoshiomi, Mimura Takanori, Shimizu Takao, Funakubo Hiroshi, Cho Yasuo

    Jpn. J. Appl. Phys.   Vol. 60 ( SF )   SFFB09 - SFFB09   2021年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IOP Publishing  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ac13d9

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    その他リンク: https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ac13d9/pdf

  • Influence of orientation on electro-optic effect in epitaxial Y-doped HfO2 ferroelectric thin films

    Shinya Kondo, Reijiro Shimura, Takashi Teranishi, Akira Kishimoto, Takanori Nagasaki, Hiroshi Funakubo, Tomoaki Yamada

    Jpn. J. Appl. Phys.   Vol. 60   2021年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IOP Publishing  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ac17e0

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    その他リンク: https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ac17e0/pdf

  • Influence of cooling rate on ferroelastic domain structure for epitaxial (100)/(001)-oriented Pb(Zr, Ti)O3 thin films under tensile strain

    Yoshitaka Ehara, Daichi Ichinose, Masanori Kodera, Takahisa Shiraishi, Takao Shimizu, Tomoaki Yamada, Ken Nishida, Hiroshi Funakubo

    Jpn. J. Appl. Phys.   Vol. 60 ( SF )   SFFB07 - SFFB07   2021年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IOP Publishing  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ac10f7

    researchmap

    その他リンク: https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ac10f7/pdf

  • Growth of 0.1(Bi, Na)TiO3-0.9BaTiO3 epitaxial films by pulsed laser deposition and their electric properties

    Keisuke Ishihama, Masanori Kodera, Takao Shimizu, Wakiko Yamaoka, Risako Tsurumaru, Shintaro Yoshimura, Yusuke Sato, Hiroshi Funakubo

    J.Ceram. Soc. Jpn.   Vol. 129 ( No. 7 )   2021年7月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.2109/jcersj2.21002

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  • Autonomous Experiments in Scanning Probe Microscopy and Spectroscopy: Choosing Where to Explore Polarization Dynamics in Ferroelectrics 国際誌

    Vasudevan Rama, Kelley Kyle, Hinkle Jacob, Funakubo Hiroshi, Jesse Stephe, Kalinin Sergei, Ziatdinov Maxim

    ACS Nano 2021   Vol. 15 ( 7 )   11253 - 11262   2021年7月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Polarization dynamics in ferroelectric materials are explored via the
    automated experiment in Piezoresponse Force Spectroscopy. A Bayesian
    Optimization framework for imaging is developed and its performance for a
    variety of acquisition and pathfinding functions is explored using previously
    acquired data. The optimized algorithm is then deployed on an operational
    scanning probe microscope (SPM) for finding areas of large electromechanical
    response in a thin film of PbTiO3, with metrics showing gains of ~3x in the
    sampling efficiency. This approach opens the pathway to perform more complex
    spectroscopies in SPM that were previously not possible due to time constraints
    and sample stability, tip wear, and/or stochastic sample damage that occurs at
    specific, a priori unknown spatial positions. Potential improvements to the
    framework to enable the incorporation of more prior information and improve
    efficiency further are discussed.

    DOI: 10.1021/acsnano.0c10239

    PubMed

    arXiv

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    その他リンク: http://arxiv.org/pdf/2011.13050v2

  • Linear electro-optic effect in CMOS-compatible ferroelectric HfO2-based epitaxial thin films

    Shinya Kondo, Reijiro Shimura, Takashi Teranishi, Akira Kishimoto, Takanori Nagasaki, Hiroshi Funakubo, Tomoaki Yamada

    Jpn. J. Appl. Phys. RAPID COMMUNICATION   Vol. 60 ( 7 )   070905 - 070905   2021年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IOP Publishing  

    <title>Abstract</title>
    Electro-optic (EO) modulators for silicon photonics using CMOS-compatible materials and processes are in great demand. In this study, epitaxial (100)-undoped HfO2 and Y-doped HfO2 thin films were fabricated on Sn-doped In2O3/yttria-stabilized zirconia(100) substrates at room temperature via magnetron sputtering. EO measurement of the Y-HfO2 film using modulation ellipsometry showed that the phase was changed by 180° after application of positive and negative poling biases, and the modulation amplitude increased linearly with increasing AC electric field, indicating a linear EO effect based on ferroelectricity. The observed results indicate that ferroelectric HfO2-based films are viable candidates for CMOS-compatible EO devices.

    DOI: 10.35848/1347-4065/ac087d

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    その他リンク: https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ac087d/pdf

  • Comprehensive study on the kinetic formation of the orthorhombic ferroelectric phase in epitaxial Y-doped ferroelectric HfO2 thin films

    Yuki Tashiro, Takao Shimizu, Takanori Mimura, Hiroshi Funakubo

    ACS Applied Electronic Materials 2021   Vol. 3 ( No. 7 )   3123 - 3130   2021年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acsaelm.1c00342

    Web of Science

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  • Local C-V Characterization for Ferroelectric Films

    Yoshiomi Hiranaga, Takanori Mimura, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo, Yasuo Cho

    IEEE International Symposium on Applications of Feeroelectric, ISAF 2021, International Symposium on Integrated Functionalities, ISIF 2021 and Piezoresponse Force Microscopy Workshop, PFM 2021 - Proceedings   2021年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.  

    DOI: 10.1109/ISAF51943.2021.9477316

    Scopus

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  • Electric‐Field‐Induced Ferroelectricity in 5%Y‐doped Hf0.5Zr0.5O2: Transformation from the Paraelectric Tetragonal Phase to the Ferroelectric Orthorhombic Phase

    Takao Shimizu, Yuki Tashiro, Takanori Mimura, Takanori Kiguchi, Takahisa Shiraishi, Toyohiko J. Konnno, Osami Sakata, Hiroshi Funakubo

    physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters   15 ( 5 )   2170023 - 2170023   2021年5月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Wiley  

    DOI: 10.1002/pssr.202170023

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  • Electric‐Field‐Induced Ferroelectricity in 5%Y‐doped Hf0.5Zr0.5O2: Transformation from the Paraelectric Tetragonal Phase to the Ferroelectric Orthorhombic Phase

    Takao Shimizu, Yuki Tashiro, Takanori Mimura, Takanori Kiguchi, Takahisa Shiraishi, Toyohiko J. Konnno, Osami Sakata, Hiroshi Funakubo

    physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters   vol. 15 ( no. 5 )   2000589 - 2000589   2021年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssr.202000589

    Web of Science

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  • Large thermal hysteresis of ferroelectric transition in HfO2-based ferroelectric films

    Takanori Mimura, Takao Shimizu, Osami Sakata, Hiroshi Funakubo

    Applied Physics Letters   vol. 118 ( 11 )   2021年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/5.0040934

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  • Preparation of 1 μm thick Y-doped HfO2 ferroelectric films on (111)Pt/TiO x /SiO2/(001)Si substrates by a sputtering method and their ferroelectric and piezoelectric properties

    Reijiro Shimura, Takanori Mimura, Akinori Tateyama, Takao Shimizu, Tomoaki Yamada, Yoshitomo Tanaka, Yukari Inoue, Hiroshi Funakubo

    Japanese Journal of Applied Physics   60 ( 3 )   031009 - 031009   2021年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/abe72e

    Web of Science

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  • Relationship between epicardial adipose tissue volume and coronary artery spasm. 国際誌

    Takashi Kataoka, Ken Harada, Akihito Tanaka, Tomohiro Onishi, Shun Matsunaga, Hiroshi Funakubo, Kazuhiro Harada, Tomoyuki Nagao, Norihiro Shinoda, Nobuyuki Marui, Kiyoshi Niwa, Hiroshi Tashiro, Yusuke Hitora, Kenji Furusawa, Hideki Ishii, Tetsuya Amano, Toyoaki Murohara

    International journal of cardiology   324   8 - 12   2021年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    BACKGROUND: Epicardial adipose tissue (EAT) is considered to play a critical role in vascular endothelial function. Coronary artery spasm has been postulated to be a causal factor in vascular endothelial abnormalities and atherosclerosis. This study aimed to investigate the relationship between coronary artery spasm and EAT volume, total abdominal adipose tissue (AAT) area, and abdominal visceral adipose tissue (AVAT) area. METHOD: Among patients undergoing coronary computed tomography (CT) to evaluate coronary artery disease, we identified 110 patients who did not have significant coronary artery stenosis and underwent a coronary spasm provocation test with cardiac catheterization. They were divided into two groups according to the results of the spasm provocation test: spasm-positive and spasm-negative. EAT volume, total AAT area, and AVAT area were evaluated using CT images. RESULTS: Seventy-seven patients were included in the spasm-positive group and 33 patients in the spasm-negative group. There were no significant differences in baseline clinical characteristics between the two groups, except for the prevalence of current smoking (48% vs. 27%, p = 0.04). EAT volume was significantly higher in the spasm-positive group (108 ± 38 mL vs. 87 ± 34 mL, p = 0.007), while no significant difference was seen in total AAT area (280 ± 113 cm2 vs. 254 ± 128 cm2, p = 0.32) or AVAT area (112 ± 54 cm2 vs. 98 ± 55 cm2, p = 0.27). Multivariate logistic analysis indicated that EAT volume (per 10 cm3) (odds ratio, 1.198; 95% confidence interval, 1.035-1.388; p = 0.016) was a significant predictor of coronary artery spasm. CONCLUSION: Our results suggest that EAT has a strong association with coronary artery spasm, while AAT may not.

    DOI: 10.1016/j.ijcard.2020.09.074

    PubMed

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  • Domain structure transition in compressively strained (100)/(001) epitaxial tetragonal PZT film

    Daichi Ichinose, Takao Shimizu, Osami Sakata, Tomoaki Yamada, Yoshitaka Ehara, Hiroshi Funakubo

    Journal of Applied Physics   vol. 129 ( 2 )   2021年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/5.0031803

    Web of Science

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  • Local C–V mapping for ferroelectrics using scanning nonlinear dielectric microscopy

    Yoshiomi Hiranaga, Takanori Mimura, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo, Yasuo Cho

    Journal of Applied Physics   vol. 128 ( 24 )   244105 - 244105   2020年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AIP Publishing  

    DOI: 10.1063/5.0029630

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  • Author Correction: Tensor factorization for elucidating mechanisms of piezoresponse relaxation via dynamic Piezoresponse Force Spectroscopy (npj Computational Materials, (2020), 6, 1, (113), 10.1038/s41524-020-00384-6)

    Kyle P. Kelley, Linglong Li, Yao Ren, Yoshitaka Ehara, Hiroshi Funakubo, Suhas Somnath, Stephen Jesse, Ye Cao, Ramakrishnan Kannan, Rama K. Vasudevan, Sergei V. Kalinin

    npj Computational Materials   6 ( 1 )   2020年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Nature Research  

    DOI: 10.1038/s41524-020-00405-4

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  • 2Pb4-4 水熱合成圧電結晶膜を用いた高周波強力超音波トランスデューサによる液滴吐出と評価

    石河 睦生, 塚本 絢穂, 齋藤 直, 安井 伸太郎, 田原 麻梨江, 舟窪 浩, 黒澤 実

    超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム講演論文集   41   n/a   2020年11月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:特定非営利活動法人 超音波エレクトロニクス協会  

    DOI: 10.24492/use.41.0_2pb4-4

    CiNii Research

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  • Crystal structure, ferroelectric and piezoelectric properties of epitaxial (1−x)(Bi0.5Na0.5)TiO3–x(Bi0.5K0.5)TiO3 films grown by hydrothermal method

    Yu Huang, Yoshiharu Ito, Akinori Tateyama, Minoru Kurosawa, Hiroshi Funakubo

    Japanese Journal of Applied Physics   vol. 59 ( SP )   2020年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/abad45

    Web of Science

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  • Dependency of direct and inverse transverse piezoelectric properties on composition in self-polarized epitaxial (K x Na1−x )NbO3 films grown via a hydrothermal method

    Akinori Tateyama, Yoshiharu Ito, Takao Shimizu, Yuichiro Orino, Minoru Kurosawa, Takeshi Yoshimura, Hiroshi Funakubo

    Japanese Journal of Applied Physics   vol. 59 ( SP )   2020年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/aba9b3

    Web of Science

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  • Composition Dependence of Crystal Structures and Electrical Properties of Ca-Mg-Si Films Prepared by Sputtering

    Atsuo Katagiri, Mutsuo Uehara, Mao Kurokawa, Kensuke Akiyama, Takao Shimizu, Masaaki Matsushima, Hiroshi Uchida, Yoshisato Kimura, Hiroshi Funakubo

    Journal of ELECTRONIC MATERIALS   vol. 49 ( no. 12 )   7509 - 7517   2020年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Springer Science and Business Media LLC  

    DOI: 10.1007/s11664-020-08510-2

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    その他リンク: https://link.springer.com/article/10.1007/s11664-020-08510-2/fulltext.html

  • Effects of deposition conditions on the ferroelectric properties of (Al1-xScx)N thin films

    Shinnosuke Yasuoka, Takao Shimizu, Masato Uehara, Hiroshi Yamada, Morito Akiyama, Yoshiomi Hiranaga, Yasuo Cho, Hiroshi Funakubo

    J. Appl. Phys.   vol. 128 ( 11 )   114103 - 114103   2020年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AIP Publishing  

    DOI: 10.1063/5.0015281

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  • Modeling and Design of a New Piezoelectronic Transistor for Ultralow-Voltage High-Speed Integrated Circuits

    Yusaku Shiotsu, Shuu'Ichirou Yamamoto, Yusuke Shuto, Hiroshi Funakubo, Minoru Kuribayashi Kurosawa, Satoshi Sugahara

    IEEE Transactions on Electron Devices   67 ( 9 )   3852 - 3860   2020年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.  

    DOI: 10.1109/TED.2020.3008891

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  • Epitaxial Crystal Growth of Bismuth Silicate Driven by Fluorite-Like Layers

    Masanori Kodera, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo

    Cryst. Growth Des.   vol. 20 ( 11 )   7163 - 7169   2020年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:American Chemical Society ({ACS})  

    DOI: 10.1021/acs.cgd.0c00754

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  • Good piezoelectricity of self-polarized thick epitaxial (K,Na)NbO3 films grown below the Curie temperature (240°C) using a hydrothermal method

    Akinori Tateyama, Yoshiharu Ito, Yoshiko Nakamura, Takao Shimizu, Yuichiro Orino, Minoru Kurosawa, Hiroshi Uchida, Takahisa Shiraishi, Takanori Kiguchi, Toyohiko J. Konno, Takeshi Yoshimura, Hiroshi Funakubo

    Appl. Phys. Lett.   vol. 117 ( 14 )   142903 - 142903   2020年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AIP Publishing  

    DOI: 10.1063/5.0017990

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  • Tensor factorization for elucidating mechanisms of piezoresponse relaxation via dynamic piezoresponse force spectroscopy 査読

    Kyle Kelley, Linglong Li, Yao Ren, Yoshitaka Ehara, Hiroshi Funakubo, Suhas Somnath, Stephen Jesse, Ye Cao, Ramakrishnan Kannan, Rama Vasudevan, Sergei Kalinin

    npj Computational Materials   vol. 6 ( 1 )   2020年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Springer Science and Business Media LLC  

    DOI: 10.1038/s41524-020-00384-6

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    その他リンク: http://www.nature.com/articles/s41524-020-00384-6

  • Bayesian inference in band excitation Scanning Probe Microscopy for optimal dynamic model selection in imaging

    Rama K. Vasudevan, Kyle P. Kelley, Eugene Eliseev, Stephen Jesse, Hiroshi Funakubo, Anna Morozovska, Sergei V. Kalinin

    J. Appl. Phys.   vol. 128   2020年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    The universal tendency in scanning probe microscopy (SPM) over the last two
    decades is to transition from simple 2D imaging to complex detection and
    spectroscopic imaging modes. The emergence of complex SPM engines brings forth
    the challenge of reliable data interpretation, i.e. conversion from detected
    signal to descriptors specific to tip-surface interactions and subsequently to
    materials properties. Here, we implemented a Bayesian inference approach for
    the analysis of the image formation mechanisms in band excitation (BE) SPM.
    Compared to the point estimates in classical functional fit approaches,
    Bayesian inference allows for the incorporation of extant knowledge of
    materials and probe behavior in the form of corresponding prior distribution
    and return the information on the material functionality in the form of readily
    interpretable posterior distributions. We note that in application of Bayesian
    methods, special care should be made for proper setting on the problem as model
    selection vs. establishing practical parameter equivalence. We further explore
    the non-linear mechanical behaviors at topological defects in a classical
    ferroelectric material, PbTiO3. We observe the non-trivial evolution of Duffing
    resonance frequency and the nonlinearity of the sample surface, suggesting the
    presence of the hidden elements of domain structure. These observations suggest
    that the spectrum of anomalous behaviors at the ferroelectric domain walls can
    be significantly broader than previously believed and can extend to
    non-conventional mechanical properties in addition to static and microwave
    conductance.

    DOI: 10.1063/5.0005323

    arXiv

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    その他リンク: http://arxiv.org/pdf/2002.08391v1

  • Dynamic Manipulation in Piezoresponse Force Microscopy: Creating Nonequilibrium Phases with Large Electromechanical Response 査読 国際誌

    Kyle P. Kelley, Yao Ren, Anna, N. Morozovska, Eugene A. Eliseev, Yoshitaka Ehara, Hiroshi Funakubo, Thierry Giamarchi, Nina Balke, Rama K. Vasudevan, Ye Cao, Stephen Jesse, Sergei V. Kalinin

    ACS Nano 2020   vol. 14 ( 8 )   10569 - 10577   2020年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:American Chemical Society (ACS)  

    Domains walls and topological defects in ferroelectric materials have emerged
    as a powerful new paradigm for functional electronic devices including memory
    and logic. Similarly, wall interactions and dynamics underpin a broad range of
    mesoscale phenomena ranging from giant electromechanical responses to memory
    effects. Exploring the functionalities of individual domain walls, their
    interactions, and controlled modifications of the domain structures is crucial
    for applications and fundamental physical studies. However, the dynamic nature
    of these features severely limits studies of their local physics since
    application of local biases or pressures in piezoresponse force microscopy
    induce wall displacement as a primary response. Here, we introduce a
    fundamentally new approach for the control and modification of domain
    structures based on automated experimentation whereby real space image-based
    feedback is used to control the tip bias during ferroelectric switching,
    allowing for modification routes conditioned on domain states under the tip.
    This automated experiment approach is demonstrated for the exploration of
    domain wall dynamics and creation of metastable phases with large
    electromechanical response.

    DOI: 10.1021/acsnano.0c04601

    PubMed

    arXiv

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  • High yield preparation of (100)c-oriented (K,Na)NbO3 thick films by hydrothermal method using amorphous niobium source 査読

    Yoshiharu Ito, Akinori Tateyama, Yoshiko Nakamura, Takao Shimizu, Minoru Kurosawa, Hiroshi Uchida, Takahisa Shiraishi, Takanori Kiguchi, Toyohiko J. Konno, Mutsuo Ishikawa, Nobuhiro Kumada, Hiroshi Funakubo

    J. Ceram. Soc. Jpn.   vol. 128 ( no. 8 )   512 - 517   2020年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Ceramic Society of Japan  

    DOI: 10.2109/jcersj2.20023

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  • Optimization of deposition conditions of Y doped-SrZrO3 thin films fabricated by pulsed laser deposition

    Hiroki Tanaka, Kiyoshi Uchiyama, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo

    J. Ceram. Soc. Jpn.   vol. 128 ( no. 8 )   436 - 440   2020年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Ceramic Society of Japan  

    DOI: 10.2109/jcersj2.19234

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  • Preparation of near-1-μm-thick {100}-oriented epitaxial Y-doped HfO2 ferroelectric films on (100)Si substrates by an RF magnetron sputtering method

    Hiroshi Funakubo

    J.Ceram. Soc. Jpn   128 ( 8 )   539 - 543   2020年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.2109/jcersj2.20019

    Web of Science

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  • Enhanced intrinsic piezoelectric response in (001)-epitaxial single c-domain Pb(Zr,Ti)O3 nanorods

    Kazuki Okamoto, Tomoaki Yamada, Kentaro Nakamura, Hidenori Takana, Osami Sakata, Mick Phillips, Takanori Kiguchi, Masahito Yoshino, Hiroshi Funakubo, Takanori Nagasaki

    Applied Physics Letters   vol. 117 ( 4 )   2020年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/5.0012998

    Web of Science

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  • Structural and electrical characterization of hydrothermally deposited piezoelectric (K,Na)(Nb,Ta)O3 thick films 査読

    Takahisa Shiraishi, Yuta Muto, Yoshiharu Ito, Takanori Kiguchi, Kazuhisa Sato, Masahiko Nishijima, Hidehiro Yasuda, Hiroshi Funakubo, Toyohiko J. Konno

    Journal of Materials Science   55 ( 21 )   8829 - 8842   2020年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Springer Science and Business Media {LLC}  

    DOI: 10.1007/s10853-020-04663-x

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  • Barkhausen noise analysis of thin film ferroelectrics

    Keisuke Yazawa, Benjamin Ducharne, Hiroshi Uchida, Hiroshi Funakubo, John E. Blendell

    Applied Physics Letters   Vol. 117 ( 1 )   2020年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/5.0012635

    Web of Science

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  • Temperature dependence on the domain structure of epitaxial PbTiO3 films grown on single-crystal substrates with different lattice parameters

    Yoshitaka Ehara, Takaaki Nakashima, Daichi Ichinose, Takao Shimizu, Tomoaki Yamada, Ken Nishida, Hiroshi Funakubo

    Jpn. J. Appl. Phys.   vol. 59   2020年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:{IOP} Publishing  

    DOI: 10.35848/1347-4065/aba2bf

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  • Rapid deposition of (K,Na)NbO3 thick films using microwave-assisted hydrothermal technique 査読

    Hiroshi Uchida, Masaki Okura, Yoshiharu Ito, Takahisa Shiraishi, Takanori Kiguchi, Toyohiko J. Konno, Hiroshi Funakubo

    Jpn. J. Appl. Phys.   vol. 59 ( SP )   SPPB02 - SPPB02   2020年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:{IOP} Publishing  

    DOI: 10.35848/1347-4065/aba50e

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    その他リンク: https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/aba50e/pdf

  • Large electromechanical responses driven by electrically induced dense ferroelastic domains:beyond morphotropic phase boundary 査読

    Mitsumasa Nakajima, Takao Shimizu, Hiroshi Nakaki, Tomoaki Yamada, Ayumi Wada, Takaaki Nakashima, Yoshitaka Ehara, Hiroshi Funakubo

    ACS Appl. Electron. Mater. 2020   vol. 2 ( 7 )   1908 - 1916   2020年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:American Chemical Society (ACS)  

    DOI: 10.1021/acsaelm.0c00220

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  • NiSi2 as a Bottom Electrode for Enhanced Endurance of Ferroelectric Y-doped HfO2 Thin Films

    Joel Molina-Reyes, Takuya Hoshii, Shun-Ichiro Ohmi, Hiroshi Funakubo, Atsushi Hori, Ichiro Fujiwara, Hitoshi Wakabayashi, Kazuo Tsutsui, Kuniyuki Kakushima

    Jpn. J. Appl. Phys.   Vol. 59   2020年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ab6b7c

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  • Thickness- and orientation- dependences of Curie temperature in ferroelectric epitaxial Y doped HfO2 films

    Takanori Mimura, Takao Shimizu, Yoshio Katsuya, Osami Sakata, Hiroshi Funakubo

    Jpn. J. Appl. Phys.   Vol. 59   2020年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ab6d84

    Web of Science

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  • Room-temperature deposition of ferroelectric HfO2-based films by the sputtering metho

    Takanori Mimura, Takao Shimizu, Hiroshi Uchida, Hiroshi Funakubo

    Appl. Phys. Lett.   Vol. 116 ( 6 )   2020年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.5140612

    Web of Science

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  • Preparation of iridium metal films by spray chemical vapor deposition

    Yoshiyuki Seki, Yutaka Sawada, Hiroshi Funakubo, Kazuhisa Kawano, Noriaki Oshima

    MRS Advances   2020年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1557/adv.2020.99

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  • Epitaxial growth of Mg2Si films on (111) Si substrates covered with epitaxial SiC layers

    Atsuo Katagiri, Shota Ogawa, Takao Shimizu, Masaaki Matsushima, Kensuke Akiyama, Hiroshi Uchida, Hiroshi Funakubo

    Jpn. J. Appl. Phys.   Vol. 59   2020年1月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab65b0

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  • Thermoelectric (BaxSr1–x)Si2 films prepared by sputtering method over the barium solubility limit

    Kodai Aoyama, Takao Shimizu, Hideto Kuramochi, Masami Mesuda, Ryo Akiike, Keisuke Ide, Takayoshi Katase, Toshio Kamiya, Yoshisato Kimura, Hiroshi Funakubo

    Jpn. J. Appl. Phys.   vol. 59   2020年1月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab645b

    Web of Science

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  • Fabrication and characterization of (CaxSr1-x)Si-2 films prepared by co-sputtering method

    Kodai Aoyama, Takao Shimizu, Hideto Kuramochi, Masami Mesuda, Ryo Akiike, Keisuke Ide, Takayoshi Katase, Toshio Kamiya, Yoshisato Kimura, Hiroshi Funakubo

    MRS ADVANCES   5 ( 10 )   451 - 458   2020年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1557/adv.2020.67

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  • Fabrication and characterization of ReO3-type dielectric films

    Masanori Kodera, Ayako Taguchi, Takao Shimizu, Hiroki Moriwake, Hiroshi Funakubo

    Journal of Materials Chemistry C   8 ( 14 )   4680 - 4684   2020年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1039/D0TC00821D

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  • Bayesian Microscopy: Model Selection for Extracting Weak Nonlinearities from Scanning Probe Microscopy Data

    Rama Vasudevan, Kyle Kelley, Eugene Eliseev, Hiroshi Funakubo, Stephen Jesse, Anna Morozovska, Sergei Kalinin

    Microscopy and Microanalysis   2126 - 2127   2020年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Cambridge University Press  

    DOI: 10.1017/S1431927620020528

    Scopus

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  • 3J1-1 圧電性結晶膜を用いた高周波強力超音波トランスデューサの開発とその評価

    石河 睦生, 塚本 絢穂, 齋藤 直, 遠藤 聡人, 安井 伸太郎, 田原 麻梨江, 舟窪 浩, 黒澤 実

    超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム講演論文集   40   n/a   2019年11月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:特定非営利活動法人 超音波エレクトロニクス協会  

    DOI: 10.24492/use.40.0_3j1-1

    CiNii Research

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  • Electric-Field-Driven Nanosecond Ferroelastic-Domain Switching Dynamics in Epitaxial Pb(Zr,Ti)O3 Film 国際誌

    Hyeon Jun Lee, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo, Yasuhiko Imai, Osami Sakata, Seung Hyun Hwang, Tae Yeon Kim, Changjae Yoon, Cheng Dai, Long, Q. Chen, Su Yong Lee, Ji Young Jo

    Phys. Rev. Lett.   Vol. 123 ( 21 )   217601 - 217601   2019年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevLett.123.217601

    Web of Science

    PubMed

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  • Effect of Ta-substitution on the deposition of (K,Na)(Nb,Ta)O3 films by hydrothermal method 査読

    Yuta Muto, Takahisa Shiraishi, Yoshiharu Ito, Akinori Tateyama, Hiroshi Uchida, Takanori Kiguchi, Hiroshi Funakubo, Toyohiko J. Konno

    Japanese Journal of Applied Physics   Vol. 58   SLLB12-1 - SLLB12-5   2019年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab3a18

    Web of Science

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  • Ferroelectric properties of epitaxial Bi2SiO5 thin films grown on SrTiO3 substrates with various orientations 査読

    Masanori Kodera, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo

    Japanese Journal of Applied Physics   Vol. 58   2019年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japan Society of Applied Physics  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab36cf

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  • Electric field-induced change in the crystal structure of MOCVD-Pb(Zr,Ti)O3 films near the phase boundary 査読

    Hidehisa Inoue, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo

    Japanese Journal of Applied Physics   Vol. 58   2019年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japan Society of Applied Physics  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab37ef

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  • Epitaxial growth of (Bi,K)TiO3-Bi(Mg,Ti)O3 (001) films and their ferroelectric and piezoelectric properties

    Junpei Morishita, Hirokazu Kazama, Yusuke Sato, Hiroshi Funakubo

    Jpn. J. Appl. Phys.   Vol. 58   2019年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab3a11

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  • Growth of epitaxial (K, Na)NbO3 films with various orientations by hydrothermalmethod and their properties 査読

    Yoshiharu Ito, Akinori Tateyama, Yoshiko Nakamura, Takao Shimizu, Minoru Kurosawa, Hiroshi Uchida, Takahisa Shiraishi, Takanori Kiguchi, Toyohiko J. Konno, Mutsuo Ishikawa, Hiroshi Funakubo

    Jpn. J. Appl. Puys.   Vol. 58   SLLB14-1 - SLLB14-8   2019年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab3958

    Web of Science

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  • Ferroelastic domain motion by pulsed electric field in (111)/(11¯1 ) rhombohedral epitaxial Pb(Zr0.65Ti0.35)O3 thin films: Fast switching and relaxation 査読

    Y. Ehara, T. Shimizu, S. Yasui, T. Oikawa, T. Shiraishi, H. Tanaka, N. Kanenko, R. Maran, T. Yamada, Y. Imai, O. Sakata, N. Valanoor, H. Funakubo

    Phys. Rev. B   100 ( 10 )   104116-1 - 104116-7   2019年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.100.104116

    Web of Science

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  • Kinetics of Interfacial Microstructural Variation across Insulator-Thermoelectric Semiconductor interface and its Effects on Thermoelectric Properties of Magnesium Silicide Thin Films 査読

    P.S. Sankara, Rama Krishnan, Anna N. Morozovska, Eugene A. Eliseev, Shota Ogawa, Atsuo Katagiri, Masaaki Matsushima, Kensuke Akiyama, Hiroshi Uchida, Hiroshi Funakubo

    Materialia   Vol. 7   pp. 100340   2019年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.mtla.2019.100375

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  • Growth of (110)-one-axis-oriented perovskite-type oxide thin films with local epitaxy on (111)SrTiO3 single crystal substrates 査読

    Tomoya Sato, Takanor Kiguchi, Toyohiko Konno, Junichi Kimura, Daichi Ichinose, Takanori Mimura, Hiroshi Funakubo, Kiyoshi Uchiyama

    Jpn. J. Appl. Phys.   Vol. 58 ( SL )   SLLB01-1 - SLLB01-5   2019年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IOP Publishing  

    Thin films of BaCe0.8Y0.2O3−δ (BCYO) and SrZr0.8Y0.2O3-δ (SZYO) with a perovskite structure were deposited on (111)Pt//(111)SrTiO3 (STO) single crystal substrates by an RF-magnetron sputtering method. X-ray diffraction revealed that the BCYO and SZYO thin films were polycrystalline but highly (110)-one-axis oriented with local epitaxy on (111)Pt//(111)STO in the 〈110〉-direction. However, these films have six-fold symmetric domains and each domain showed in-plane rotations because of the lattice mismatches between (110)BCYO or (110)SZYO and (111)Pt. Especially, the BCYO film showed larger in-plane rotation than that of SZYO because of its larger lattice mismatch.

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab361f

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    その他リンク: http://iopscience.iop.org/article/10.7567/1347-4065/ab361f/pdf

  • Ferroelectricity in YO1.5-HfO2 films around 1 μm in thickness 査読

    Takanori Mimura, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo

    Applied Physics Letters   Vol. 115 ( 3 )   pp. 032901   2019年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.5097880

    Web of Science

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  • Deposition of orientation-controlled thick (K, Na)NbO3 films on metal substrates by repeated hydrothermal deposition technique 査読

    Yoshiharu ITO, Akinori TATEYAMA, Yoshiko NAKAMURA, Takao SHIMIZU, Minoru KUROSAWA, Hiroshi UCHIDA, Takahisa SHIRAISHI, Takanori KIGUCHI, Toyohiko J. KONNO, Mutsuo ISHIKAWA, Hiroshi FUNAKUBO

    Journal of the Ceramic Society of Japan   Vol. 127 ( No. 7 )   pp. 478 - 484   2019年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.2109/jcersj2.19008

    Web of Science

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  • Formation of the orthorhombic phase in CeO2-HfO2 solid solution epitaxial thin films and their ferroelectric properties 査読

    T. Shiraishi, S. Choi, T. Kiguchi, T. Shimizu, H. Funakubo, T. J. Konno

    Applied Physics Letters   Vol. 14   pp. 232902 - 1   2019年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.5097980

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  • Low-temperature deposition of Li substituted (K,Na)NbO3 films by a hydrothermal method and their structural and ferroelectric properties 査読

    Takahisa SHIRAISHI, Yuta MUTO, Yoshiharu ITO, Akinori TATEYAMA, Hiroshi UCHIDA, Takanori KIGUCHI, Minoru K. KUROSAWA, Hiroshi FUNAKUBO, Toyohiko. J., KONNO

    Journal of the Ceramic Society of Japan   Vol. 127 ( No. 6 )   pp. 388 - 393   2019年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.2109/jcersj2.19041

    Web of Science

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  • Evaluation of phase and thermoelectric properties of thin film SrSi2 査読

    Kodai AOYAMA, Takao SHIMIZU, Hideto KURAMOCHI, Masami MESUDA, Ryo AKIIKE, Yoshisato KIMURA, Hiroshi FUNAKUBO

    Journal of the Ceramic Society of Japan   Vol. 127 ( No. 6 )   pp. 394 - 398   2019年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.2109/jcersj2.19016

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  • Origin of giant negative piezoelectricity in a layered van der Waals ferroelectric 国際誌

    Lu Yo, Yang Zhang, Shuang Zhou, Apoorva Chaturvedi, Samuel A. Morris, Fucai Liu, Lei Chang, Daichi Ichinose, Hiroshi Funakubo, Weijin Hu, Tom Wu, Zheng Liu, Shuai Dong, Junling Wang

    Science Advances   Vol. 5 ( No. 4 )   eaav3780   2019年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Recent research on piezoelectric materials is predominantly devoted to enhancing the piezoelectric coefficient, but overlooks its sign, largely because almost all of them exhibit positive longitudinal piezoelectricity. The only experimentally known exception is ferroelectric polymer poly(vinylidene fluoride) and its copolymers, which condense via weak van der Waals (vdW) interaction and show negative piezoelectricity. Here we report quantitative determination of giant intrinsic negative longitudinal piezoelectricity and electrostriction in another class of vdW solids-two-dimensional (2D) layered ferroelectric CuInP2S6. With the help of single crystal x-ray crystallography and density-functional theory calculations, we unravel the atomistic origin of negative piezoelectricity in this system, which arises from the large displacive instability of Cu ions coupled with its reduced lattice dimensionality. Furthermore, the sizable piezoelectric response and negligible substrate clamping effect of the 2D vdW piezoelectric materials warrant their great potential in nanoscale, flexible electromechanical devices.

    DOI: 10.1126/sciadv.aav3780

    PubMed

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  • Effects of starting materials on the deposition behavior of hydrothermally synthesized {100}c -oriented epitaxial (K,Na)NbO3 thick films and their ferroelectric and piezoelectric properties 査読

    Hiroshi Funakubo

    J. Crystal Growth   511   1 - 7   2019年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2019.01.019

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  • Strain-induced resistance change in V2O3 films on piezoelectric ceramic disks 査読

    Joe Sakai, Maxime Bavencoffe, Beatrice Negulescu, Patrice Limelette, Jérôme Wolfman, Akinori Tateyama, Hiroshi Funakubo

    Journal of Applied Physics   Vol. 125 ( 11 )   2019年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.5083941

    Scopus

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  • Preparation of CaMgSi and Ca7Mg7.25Si14 single phase films and their thermoelectric properties 査読

    Mutsuo Uehara, Atsuo Katagiri, Mao Kurokawa, Kensuke Akiyama, Takao Shimizu, Masaaki Matsushima, Hiroshi Uchida, Yoshisato Kimura, Hiroshi Funakubo

    MRS Adv.   Vol. 4 ( No. 25-26 )   1503 - 1508   2019年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1557/adv.2019.129

    Web of Science

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  • Impact of stress on the crystal structural nonuniformity along the film thickness direction by microfabrication of Pb(Zr, Ti)O3 island with morphotropic phase boundary composition

    Masamichi NISHIDE, Shintaro YOKOYAMA, Hiroshi FUNAKUBO, Takashi KATODA, Ken NISHIDA

    Journal of the Ceramic Society of Japan   Vol. 127 ( No. 2 )   2019年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.2109/jcersj2.18178

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  • Effects of heat treatment and in-situ high temperature XRD study on the formation of ferroelectric epitaxial Y doped HfO2 film. 査読

    Takanori Mimura, Takao Shimizu, Takanori Kiguchi, Akihiro Akama, Toyohiko J. Konno, Yoshio Katsuya, Osami Sakata, Hiroshi Funakubo

    Jpn. J. Appl. Phys.   Vol. 58   SBBB09-1 - SBBB09-5   2019年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/aafed1

    Web of Science

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  • Structural origin of temperature-dependent ferroelectricity

    Min Hyuk Park, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo, Uwe Schroeder

    Ferroelectricity in Doped Hafnium Oxide: Materials, Properties and Devices   193 - 216   2019年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:論文集(書籍)内論文   出版者・発行元:Elsevier  

    DOI: 10.1016/B978-0-08-102430-0.00012-7

    Scopus

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  • Epitaxial growth of doped HfO2 ferroelectric materials

    Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo

    Ferroelectricity in Doped Hafnium Oxide: Materials, Properties and Devices   173 - 192   2019年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:論文集(書籍)内論文   出版者・発行元:Elsevier  

    DOI: 10.1016/B978-0-08-102430-0.00004-8

    Scopus

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  • Superdomain structure and high conductivity at the vertices in the (111)-oriented epitaxial tetragonal Pb(Zr,Ti)O3 thin film 査読

    Sang Mo Yang, Yeong Jae Shin, Yoshitaka Ehara, Hiroshi Funakubo, Jong-Gul Yoon, James F. Sco, Tae Won Noh

    Current Applied Physics   Vol. 19 ( No. 4 )   418 - 423   2019年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.cap.2019.01.010

    Web of Science

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  • MOCVD growth of β-FeSi<inf>2</inf> film on modified Si surface by silver and enhancement of luminescence 査読

    Kensuke Akiyama, Kensuke Akiyama, Sakiko Nojima, Ryo Takahashi, Yoshihisa Matsumoto, Hiroshi Funakubo

    Journal of Crystal Growth   Vol. 506   131 - 134   2019年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2018.10.022

    Scopus

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  • Metal-insulator transition in V2O3 thin film caused by tip-induced strain 査読

    N. Alyabyeva, J. Sakai, M. Bavencoffe, J. Wolfman, P. Limelette, H. Funakubo, A. Ruyter

    APPLIED PHYSICS LETTERS   Vol. 113 ( 24 )   2018年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.5063712

    Scopus

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  • Formation of polar phase in Fe-doped ZrO2 epitaxial thin films 査読

    S. Choi, T. Shiraishi, T. Kiguchi, T. Shimizu, H. Funakubo, T. J. Konno

    Appl. Phys. Lett.   Vol. 113   262903-1 - 262903-5   2018年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.5063757

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  • Ferroelectricity mediated by ferroelastic domain switching in HfO2-based epitaxial thin films 査読

    Takao Shimizu, Takanori Mimura, Takanori Kiguchi, Takahisa Shiraishi, Toyohiko Konno, Yoshio Katsuya, Osami Sakata, Hiroshi Funakubo

    Appl. Phys. Lett.   Vol. 113 ( 21 )   212901-1 - 212901-5   2018年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.5055258

    Web of Science

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  • Evaluation of Strain Components in PbTiO3 Thin Films by Micro-Raman Spectroscopy

    Masamichi Nishide, Masashi Matsuoka, Takashi Katoda, Satoru Utsugi, Hiroshi Funakubo, Hiromi Shima, Ken Nishida, Takashi Yamamoto

    J. Ceram. Soc. Jpn.   Vol. 126 ( No. 11 )   2018年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.2109/jcersj2.18149

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  • Growth of Epitaxial Bismuth Ruthenate Pyrochlore Films on Yttria-stabilized Zirconia (YSZ) and YSZ-buffered Si Substrates by Metal-organic Chemical Vapor Deposition 査読

    Hirokazu Chiba, Rikyu Ikariyama, Shintaro Yasui, HIROSHI FUNAKUBO

    Thin Solid Films   Vol. 669 ( No. 1 )   471 - 474   2018年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2018.10.052

    Web of Science

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  • Clinical Characteristics of Nonobese Patients with Acute Coronary Syndrome and Increased Epicardial Fat Volume.

    Ken Harada, Hitomi Suzuki, Shun Matsunaga, Tomohiro Onishi, Yoshinori Nishikawa, Hiroshi Funakubo, Kumiko Mamiya, Tomoyuki Nagao, Norihiro Shinoda, Shinichi Sakai, Masataka Kato, Nobuyuki Marui, Hideki Ishii, Tetsuya Amano, Tatsuaki Matsubara, Toyoaki Murohara

    Journal of atherosclerosis and thrombosis   25 ( 10 )   1044 - 1052   2018年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    AIM: Increased epicardial fat volume (EFV) is an independent risk factor for acute coronary syndrome (ACS). Although EFV increases with body mass index (BMI), some ACS patients have an increased EFV but normal BMI. We here investigated the clinical characteristics of nonobese ACS patients with an increased EFV. METHODS: A total of 197 Japanese patients hospitalized for ACS was evaluated for EFV, abdominal visceral fat area (VFA), and lipid and glucose profiles. Control subjects comprised 141 individuals who were suspected of having ACS but whose coronary computed tomography findings were normal. RESULTS: EFV was increased in ACS patients compared with control subjects (120±47 versus 95±45 mL, P<0.01). ACS patients were divided into four groups based on average EFV (120 mL) and a BMI obesity cutoff of 25 kg/m2. For the 30 nonobese ACS patients with an above-average EFV, EFV was positively correlated with VFA (r=0.23, P=0.031). These individuals were significantly older (74±10 years) and tended to have a higher homeostasis model assessment-insulin resistance value (5.5±3.8) compared with other ACS patients. Among nonobese study subjects, EFV was independently associated with ACS (odds ratio=2.01, P=0.021) and correlated with abdominal circumference (r=0.26, P=0.017). CONCLUSION: Nonobese ACS patients with an increased EFV were elderly and tended to manifest insulin resistance. Measurement of EFV may prove informative for evaluation of ACS risk among elderly nonobese individuals with an increased abdominal girth.

    DOI: 10.5551/jat.42663

    PubMed

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  • Hydrothermal Deposition of KNbO3 Films on Metal Substrates having Three-Dimensional Structure 査読

    Takahisa SHIRAISHI, Noriyuki KANEKO, Minoru K. KUROSAWA, Hiroshi UCHIDA, Hiroshi FUNAKUBO

    J. Jpn. Soc. Powder Powder Metallurgy   Vol. 65 ( No. 10 )   673 - 677   2018年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.2497/jjspm.65.673

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  • Epitaxial ferroelectric Y-doped HfO2 film grown by the RF magnetron sputtering 査読

    Taisei Suzuki, Takao Shimizu, Takanori Mimura, Hiroshi Uchida, Hiroshi Funakubo

    Jpn. J. Appl. Phys.   Vol. 57 ( 11S )   11UF15   2018年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.11UF15

    Web of Science

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  • Domain orientation relationship of orthorhombic and coexisting monoclinic phases of YO1.5-doped HfO2 epitaxial thin films 査読

    Takanori Kiguchi, Takahisa Shiraishi, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo, Toyohiko J. Konno

    Jpn. J. Appl. Phys.   Vol. 57 ( 11S )   11UF16-1 - 11UF16-7   2018年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.11UF16

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  • Crystallization Behavior and Ferroelectric Property of HfO2–ZrO2 Films Fabricated by Chemical Solution Deposition 査読

    Shuhei NAKAYAMA, Hiroshi FUNAKUBO, Hiroshi UCHIDA

    Japanese Journal of Applied Physics   Vol. 57 ( 11S )   11UF06-1 - 11UF06-5   2018年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.11UF06

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  • Thickness-dependent crystal structure and electric properties of epitaxial ferroelectric Y2O3-HfO2 films 査読

    Takanori Mimura, Takao Shimizu, Hiroshi Uchida, Osami Sakata, Hiroshi Funakubo

    Appl. Phys. Lett.   Vol. 113 ( 10 )   102901-1 - 102901-4   2018年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.5040018

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  • Domain structure transition from two to three dimensions in tensile strained (100)/ (001)-oriented epitaxial tetragonal PZT film 査読

    Daichi Ichinose, Takao Shimizu, Osami Sakata, Tomoaki Yamada, Hiroshi Funakubo

    Appl. Phys. Lett.   Vol. 113 ( 13 )   132905-1 - 132905-5   2018年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.5042470

    Web of Science

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  • Epitaxial growth of perovskite-type oxide thin film on (111)SrTiO3 substrate using (101)PdO as a buffer layer 査読

    Hiroki Tanaka, Kiyoshi Uchiyama, Takahiro Oikawa, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo

    Jpn. J. Appl. Phys.   Vol. 57 ( 11S )   11UF04 - 11UF04   2018年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japan Society of Applied Physics  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.11UF04

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  • Fabrication of ferroelectric Fe doped HfO2 epitaxial thin films by ion-beam sputtering method and their characterization 査読

    Takahisa Shiraishi, Sujin Choi, Takanori Kiguchi, Takao Shimizu, Hiroshi Uchida, Hiroshi Funakubo, Toyohiko J. Konno

    Jpn. J. Appl. Phys.   Vol. 57   11UF02-1 - 11UF02-5   2018年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.11UF02

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  • Time response demonstration of in-situ lattice deformation under an applied electric field using synchrotron-based time-resolved XRD in polar-axis-oriented epitaxial Pb(Zr,Ti)O3 film 査読

    Tomoya Sato, Daichi Ichinose, Naoya Oshima, Takanori Mimura, Yuichi Nemoto, Takao Shimizu, Yasuhiko Imai, Hiroshi Uchida, Osami Sakata, Hiroshi Funakubo

    Jpn. J. Appl. Phys.   Vol. 57 ( 9 )   0902B8-1 - 0902B8-5   2018年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.0902B8

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  • Solid-solution Thin Films of Ternary BaTiO_3_-Bi(Mg_1/2_Ti_1/2_)O_3_-BiFeO_3_ System Epitaxially Grown on SrRuO_3_//SrTiO_3_ Substrates via Chemical Solution Process 査読

    Hiroshi Uchida, Noriyuki Kaneko, Shintaro Yasui, Hiroshi Funakubo

    Japanese Journal of Applied Physics   vol. 57 ( 9 )   2018年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.0902B5

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  • Thickness and temperature dependences of dielectric properties of {111}-oriented epitaxial Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 and 0.6Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 ー 0.4PbTiO3 films

    Hiroshi Funakubo

    Jpn. J. Appl. Phys.   2018年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.0902BA

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  • Stability of orthorhombic phase in (111)-oriented YO1.5-substituted HfO2 films 査読

    Takao Shimizu, Kiliha Katayama, Hiroshi Funakubo

    J. Ceram. Soc. Jpn.   vol. 126 ( no. 5 )   269 - 275   2018年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.2109/jcersj2.17247

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  • Preparation of {001}c-oriented epitaxial (K, Na)NbO3 thick films by repeated hydrothermal deposition technique 査読

    Hiroshi Funakubo

    J. Ceram. Soc. Jpn.   126 ( 5 )   281 - 285   2018年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.2109/jcersj2.17251

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  • Growth of (111)-oriented epitaxial magnesium silicide (Mg2Si) films on (001) Al2O3 substrates by RF magnetron sputtering and their properties 査読

    Atsuo Katagiri, Shota Ogawa, Mutsuo Uehara, P. S. Sankara, Rama Krishnan, Mao Kurokawa, Masaaki Matsushima, Takao Shimizu, Kensuke Akiyama, Hiroshi Funakubo

    J. Mater. Sic.   vol. 53 ( no. 7 )   5151 - 5158   2018年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1007/s10853-017-1902-z

    Web of Science

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  • Control of p- and n-type Conduction in Thermoelectric Non-doped Mg2Si Thin Films Prepared by Sputtering Method 査読

    Mao Kurokawa, Takao Shimizu, Mutsuo Uehara, Atsuo Katagiri, Kensuke Akiyama, Masaaki Matsushima, Hiroshi Uchida, Yoshisato Kimura, Hiroshi Funakubo

    MRS Advances   vol. 3 ( no. 24 )   1355 - 1359   2018年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1557/adv.2018.150

    Web of Science

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  • Evaluation of Chemical Stability in Perovskite-Type Proton-Conductive Oxide Thin-Films

    Tomoya Sato, Daichi Ichinose, Takaaki Inoue, Mutsuo Uehara, Kiriha Katayama, Hiroshi Funakubo, Kiyoshi Uchiyama

    Science of Advanced Materials   vol. 10 ( 1 )   8 - 11   2018年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:American Scientific Publishers  

    DOI: 10.1166/sam.2018.2852

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  • Room temperature photoluminescence spectrum from β-FeSi2 films 査読

    Kensuke Akiyama, Yoshihisa Matsumoto, Hiroshi Funakubo

    Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering   10554   2018年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:SPIE  

    DOI: 10.1117/12.2289984

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  • On the Use of 31Mg for b-Detected NMR Studies of Solids 査読

    R. M, L. McFadden, A. Chatzichristos, M. H. Dehn, D. Fujimoto, H. Funakubo, A. Gottberg, T. Hitosugi, V. L. Karner, R. F. Kiefl, M. Kurokawa, J. Lassen, C. D. Philip Levy, R. Li, G. D. Morris, M. R. Pearson, S. Shiraki, M. Stachura, J. Sugiyama, D. M. Szunyogh, W. A. MacFarlane

    JPS Conference Proceedings   21   011407   2018年

  • Effect of substrate type and temperature on the growth of thin Ru films by metal organic chemical vapor deposition 査読

    Hirokazu Chiba, Masaki Hirano, Kazuhisa Kawano, Noriaki Oshima, Hiroshi Funakubo

    Materials Science in Semiconductor Processing   vol. 70   73 - 77   2017年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.mssp.2016.11.032

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  • Effect of the film thickness on the crystal structure and ferroelectric properties of (Hf0.5Zr0.5)O2 thin films deposited on various substrates 査読

    Takahisa Shiraishi, Kiliha Katayama, Tatsuhiko Yokouchi, Takao Shimizu, Takahiro Oikawa, Osami Sakata, Hiroshi Uchida, Yasuhiko Imai, Takanori Kiguchi, Toyohiko J. Konno, Hiroshi Funakubo

    Materials Science in Semiconductor Processing   vol. 70   239 - 245   2017年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.mssp.2016.12.008

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  • Low Temperature Operation of Solid Oxide Fuel Cells (SOFCs) with Proton Conductive Electrolyte Deposited on Pd Foil Substrates

    Tetsuro Kariya, Hiroki Tanaka, Kiyoshi Uchiyama, Tomoki Hirono, Tetsuji Kuse, Mitsunori Henmi, Mitsutaka Hirose, Isao Kimura, Koukou Suu, Hiroshi Funakubo

    Science of Advanced Materials   9 ( 10 )   1797 - 1800   2017年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:American Scientific Publishers  

    DOI: 10.1166/sam.2017.2805

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  • Influence of Internal Strains of (110)-One-Axis-Oriented (Ba0.5Sr0.5)TiO3 (BST) Thin Films on Their Dielectric Behaviors 査読

    Oshima Naoya, Uchiyama Kiyoshi, Ehara Yoshitaka, Oikawa Takahiro, Tanaka Hiroki, Sato Tomoya, Uchida Hiroshi, Yamada Tomoaki, Funakubo Hiroshi

    SCIENCE OF ADVANCED MATERIALS   9 ( 10 )   1806 - 1809   2017年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1166/sam.2017.2808

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  • Fabrication and characterization of {110}-oriented Pb(Zr, Ti)O-3 thin films on Pt/SiO2/Si substrates using PdO//Pd buffer layer 査読

    Naoya Oshima, Kiyoshi Uchiyama, Yoshitaka Ehara, Takahiro Oikawa, Daichi Ichinose, Hiroki Tanaka, Tomoya Sato, Hiroshi Uchida, Hiroshi Funakubo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 ( 10 )   2017年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.10PF09

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  • In-plane orientation and composition dependences of crystal structure and electrical properties of {100}-oriented Pb(Zr, Ti)O-3 films grown on (100) Si substrates by metal organic chemical vapor deposition 査読

    Shoji Okamoto, P. S. Sankara Rama Krishnan, Satoshi Okamoto, Shintaro Yokoyama, Kensuke Akiyama, Hiroshi Funakubo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 ( 10 )   2017年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.10PF12

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  • Dynamic observation of ferroelectric domain switching using scanning nonlinear dielectric microscopy 査読

    Yoshiomi Hiranaga, Takanori Mimura, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo, Yasuo Cho

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 ( 10 )   2017年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.10PF16

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  • Experimental study of effect of strain on electrocaloric effect in (001)-epitaxial (Ba,Sr)TiO

    Yamada Tomoaki, Matsuo Shogo, Kamo Takafumi, Funakubo Hiroshi, Yoshino Masahito, Nagasaki Takanori

    Jpn. J. Appl. Phys.   56 ( 10 )   10PF15   2017年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Institute of Physics  

    The effect of strain on the electrocaloric effect in (001)-epitaxial (Ba,Sr)TiO<inf>3</inf>(BST) thin films was experimentally investigated via indirect estimation by measuring the electric field dependence of polarization at various temperatures. Compressively strained (Ba<inf>0.3</inf>Sr<inf>0.7</inf>)TiO<inf>3</inf>films were deposited on (001)cSrRuO<inf>3</inf>/(001)SrTiO<inf>3</inf>and (001)cSrRuO<inf>3</inf>/(001)(La<inf>0.3</inf>Sr<inf>0.7</inf>)(Al<inf>0.65</inf>Ta<inf>0.35</inf>)O<inf>3</inf>(LSAT) by RF magnetron sputtering. The BST film on (001)cSrRuO<inf>3</inf>/(001)SrTiO<inf>3</inf>showed a higher ferroelectric-to-paraelectric phase transition temperature than that on (001)cSrRuO<inf>3</inf>/(001)LSAT owing to the larger compressive strain. It was revealed that the electrocaloric effect is maximized at around the ferroelectric-to-paraelectric phase transition temperature modified by the compressive strain in the films.

    DOI: 10.7567/JJAP.56.10PF15

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  • Polarization switching behavior of one-axis-oriented lead zirconate titanate films fabricated on metal oxide nanosheet layer 査読

    H. Uchida, D. Ichinose, T. Shiraishi, H. Shima, T. Kiguchi, A. Akama, K. Nishida, T.J. Konno, H.Funakubo

    Japanese Journal of Applied Physics   56 ( 10 )   10PF10-1 - 10PF10-5   2017年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Institute of Physics  

    For the application of electronic devices using ferroelectric/piezoelectric components, one-axis-oriented tetragonal Pb(Zr<inf>0.40</inf>Ti<inf>0.60</inf>)O<inf>3</inf>(PZT) films with thicknesses of up to 1 µm were fabricated with the aid of a Ca<inf>2</inf>Nb<inf>3</inf>O<inf>10</inf>nanosheet (ns-CN) template for preferential crystal growth for evaluating their polarization switching behavior. The ns-CN template was supported on ubiquitous silicon (Si) wafer by a simple dip coating technique, followed by the repetitive chemical solution deposition (CSD) of PZT films. The PZT films were grown successfully with preferential crystal orientation of PZT(100) up to the thickness of 1020 nm. The (100)-oriented PZT film with ∼1 µm thickness exhibited unique polarization behavior of ferroelectric polarization, i.e., a marked increase in remanent polarization (P<inf>r</inf>) up to approximately 40 µC/cm2induced by domain switching under high electric field, whereas the film with a lower thickness showed only a lower P<inf>r</inf>of approximately 11 µC/cm2even under a high electric field. The ferroelectric property of the (100)-oriented PZT film after domain switching on ns-CN/Pt/Si can be comparable to those of (001)/(100)-oriented epitaxial PZT films.

    DOI: 10.7567/JJAP.56.10PF10

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  • Characterization of (111)-oriented epitaxial (K0.5Na0.5)NbO3 thick films deposited by hydrothermal method 査読

    Takahisa Shiraishi, Mutsuo Ishikawa, Hiroshi Uchida, Takanori Kiguchi, Minoru K. Kurosawa, Hiroshi Funakubo, Toyohiko J. Konno

    Japanese Journal of Applied Physics   56 ( 10 )   10PF04-1 - 10PF04-5   2017年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Institute of Physics  

    (111)-oriented epitaxial (K<inf>0.5</inf>Na<inf>0.5</inf>)NbO<inf>3</inf>films of 2 µm thickness were deposited at 240 °C on (111)<inf>c</inf>SrRuO<inf>3</inf>//(111)SrTiO<inf>3</inf>substrates by a hydrothermal method. Scanning transmission electron microscopy-energy-dispersive X-ray spectroscopy (STEM-EDS) mapping revealed that a K-rich interfacial region existed in the obtained films. Although the as-deposited films were annealed between 240 and 600 °C in O<inf>2</inf>atmosphere, the crystal structure did not markedly change. On the other hand, the leakage current density drastically decreased from 10−2–100to 10−6A/cm2at ±80 kV/cm after annealing above 240 °C. In addition, the relative dielectric constant (ε<inf>r</inf>), remanent polarization (P<inf>r</inf>), and piezoelectric constant (d<inf>33,PFM</inf>) increased with increasing annealing temperature from 300 to 600 °C, and their values were respectively 840, 5.7 µC/cm2, and 64 pm/V for the films annealed at 600 °C.

    DOI: 10.7567/JJAP.56.10PF04

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  • In-situ observation of ultrafast 90° domain switching under application of an electric field in (100)/(001)-oriented tetragonal epitaxial Pb(Zr0.4Ti0.6)O3 thin films 査読 国際誌

    Y. Ehara, S. Yasui, T. Oikawa, T. Shiraishi, T. Shimizu, H. Tanaka, N. Kanenko, R. Maran, T. Yamada, Y. Imai, O. Sakata, N.n Valanoor, H. Funakubo

    Sci. Rep.   7 ( 9641 )   1 - 7   2017年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1038/s41598-017-09389-6

    Web of Science

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  • Electric-field-induced lattice distortion in epitaxial BiFeO<inf>3</inf>thin films as determined by in situ time-resolved x-ray diffraction 査読

    Seiji Nakashima, Osami Sakata, Hiroshi Funakubo, Takao Shimizu, Daichi Ichinose, Kota Takayama, Yasuhiko Imai, Hironori Fujisawa, Masaru Shimizu

    Applied Physics Letters   111 ( 8 )   2017年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.5000495

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  • Crystal structure and dielectric / ferroelectric properties of CSD-derived HfO2-ZrO2 solid solution films 査読

    C. Abe, S. Nakayama, M. Shiokawa, H. Kawashima, K. Katayama, T. Shiraishi, T. Shimizu, H. Funakubo, H. Uchida

    Ceram. Int   43   S501 - S505   2017年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.ceramint.2017.05.253

    Web of Science

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  • Charge screening strategy for domain pattern control in nano-scale ferroelectric systems 査読 国際誌

    Tomoaki Yamada, Daisuke Ito, Tomas Sluka, Osami Sakata, Hidenori Tanaka, Hiroshi Funakubo, Takahiro Namazu, Naoki Wakiya, Masahito Yoshino, Takanori Nagasaki, Nava Setter

    SCIENTIFIC REPORTS   7 ( 1 )   5236-1 - 5236-9   2017年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1038/s41598-017-05475-x

    Web of Science

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  • Enhancement of photoluminescence from iron disilicide on Si(111) substrates with Au layers by controlling microstructures 査読

    Kensuke Akiyama, Yoshimisa Matsumoto, Hiroshi Funakubo

    Japanese Journal of Applied Physics   56 ( 6 )   2017年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:Japan Society of Applied Physics  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.06HE03

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  • The microstructural evolution in high sodium epitaxial sodium potassium niobate films deposited by low-temperature hydro-thermal method 査読

    P. S, S. R. Krishnan, T. Shiraishi, H. Funakubo

    J. Mater. Sic   52 ( 12 )   6950 - 6961   2017年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1007/s10853-017-0927-7

    Web of Science

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  • Effect of microstructures on electrical conduction properties of beta-FeSi2 epitaxial films 査読

    Kensuke Akiyama, Teiko Kadowaki, Yasuo Hirabayashi, Hiroshi Funakubo

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   468   744 - 748   2017年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.12.032

    Web of Science

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  • Preparation of preferentially (111)-oriented Mg2Si thin films on (001)Al2O3 and (100)CaF2 substrates and their thermoelectric properties 査読

    Mao Kurokawa, Mutsuo Uehara, Daichi Ichinose, Takao Shimizu, Kensuke Akiyama, Masaaki Matsushima, Hiroshi Uchida, Yoshisato Kimura, Hiroshi Funakubo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 ( 5 )   2017年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.56.05DC02

    Web of Science

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  • Asymmetry in mechanical polarization switching 査読

    Haidong Lu, Shi Liu, Ziyu Ye, Shintaro Yasui, Hiroshi Funakubo, Andrew M. Rappe, Alexei Gruverman

    APPLIED PHYSICS LETTERS   110 ( 22 )   222903   2017年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4983381

    Web of Science

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  • Direct Imaging of the Relaxation of Individual Ferroelectric Interfaces in a Tensile-Strained Film 査読 国際共著

    舟窪 浩

    Adv. Elect. Mater   なし ( 4 )   2017年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/aelm.201600508

    Web of Science

    CiNii Research

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  • Preparation of preferentially (111)-oriented Mg

    Kurokawa Mao, Uehara Mutsuo, Ichinose Daichi, Shimizu Takao, Akiyama Kensuke, Matsushima Masaaki, Uchida Hiroshi, Kimura Yoshisato, Funakubo Hiroshi

    Jpn. J. Appl. Phys.   56 ( 5 )   05DC02   2017年3月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:Institute of Physics  

    Mg<inf>2</inf>Si thin films were deposited at 320 °C on (001)Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf>and (100)CaF<inf>2</inf>substrates by radio-frequency magnetron sputtering. Both films showed a preferential (111) out-of-plane orientation with an in-plane random orientation irrespective of post-heat treatment. Mg<inf>2</inf>Si films on (001)Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf>substrates were under in-plane tensile strain, while those on (100)CaF<inf>2</inf>substrates were under in-plane compressive strain both before and after heat treatment. Heat-treated films showed p-type conduction up to 500 °C. Their electrical conductivity and Seebeck coefficient were almost independent of the kind of substrate within the limit of the present study, from 0.22% compressive strain to 0.34% tensile strain at room temperature.

    DOI: 10.7567/JJAP.56.05DC02

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  • Probing Oxygen Vacancies in BaTiO3 Powders and Single Crystals by Micro-Raman Scattering 査読

    Hiroaki FUKUSHIMA, Hirotaka OKA, Hiroki MORIWAKE, Hiroshi UCHIDA, Hiroshi FUNAKUBO, Ken NISHIDA

    Advanced Structured Materials   65   65 - 75   2017年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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  • Effect of in-plane tensile strain in (100)/(001)-oriented epitaxial PbTiO3 films on their phase transition temperature and tetragonal distortion 査読

    Takaaki Nakashima, Daichi Ichinose, Yoshitaka Ehara, Takao Shimizu, Takeshi Kobayashi, Tomoaki Yamada, Hiroshi Funakubo

    APPLIED PHYSICS LETTERS   110 ( 12 )   2017年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4978649

    Web of Science

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  • Inverse-magnetostriction-induced switching current reduction of STT-MTJs and its application for low-voltage MRAM 査読

    Yota Takamura, Yusuke Shuto, Shu'uichiro Yamamoto, Hiroshi Funakubo, Minoru Kuribayashi Kurosawa, Shigeki Nakagawa, Satoshi Sugahara

    SOLID-STATE ELECTRONICS   128 ( no. Supplement C )   194 - 199   2017年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.sse.2016.10.007

    Web of Science

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  • Orientation change with substrate type and composition in (100)/(001)-oriented epitaxial tetragonal Pb(ZrxTi1-x)O-3 films 査読

    Daichi Ichinose, Takaaki Nakashima, Yoshitaka Ehara, Takahiro Oikawa, Takao Shimizu, Osami Sakata, Tomoaki Yamada, Hiroshi Funakubo

    JOURNAL OF THE CERAMIC SOCIETY OF JAPAN   125 ( 6 )   458 - 462   2017年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.2109/jcersj2.16326

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  • Indirect measurements of electrocaloric effect in ferroelectric thin films by positive-up-negative-down method 査読

    Shogo Matsuo, Tomoaki Yamada, Takafumi Kamo, Hiroshi Funakubo, Masahito Yoshino, Takanori Nagasaki

    JOURNAL OF THE CERAMIC SOCIETY OF JAPAN   125 ( 6 )   441 - 444   2017年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.2109/jcersj2.16283

    Web of Science

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  • 網羅的ソフトモードフォノン探索によるHfO2薄膜の強誘電性の理論計算

    森分 博紀, 小西 綾子, 東後 篤史, 清水 荘雄, 舟窪 浩

    日本物理学会講演概要集   72   2282 - 2282   2017年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人 日本物理学会  

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.72.2.0_2282

    CiNii Research

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  • Epitaxial growth of YO1.5 doped HfO2 films on (100) YSZ substrates with various concentrations 査読

    Takao Shimizu, Kiliha Katayama, Hiroshi Funakubo

    FERROELECTRICS   512 ( 1 )   105 - 110   2017年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1080/00150193.2017.1349994

    Web of Science

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  • Evaluation of oxygen vacancies in ZnO single crystals and powders by micro-Raman spectroscopy 査読

    Hiroaki Fukushima, Hiroshi Uchida, Hiroshi Funakubo, Takashi Katoda, Ken Nishida

    JOURNAL OF THE CERAMIC SOCIETY OF JAPAN   125 ( 6 )   445 - 448   2017年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.2109/jcersj2.16262

    Web of Science

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  • Synthesis and Photocatalytic Properties of Iron Disilicide/SiC Composite Powder 査読

    Kensuke Akiyama, Yuu Motoizumi, Tetsuya Okuda, Hiroshi Funakubo, Hiroshi Irie, Yoshihisa Matsumoto

    MRS Advances   2 ( 8 )   471 - 476   2017年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1557/adv.2017.221

    Web of Science

    Scopus

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  • Fabrication of Tetragonal Pb(Zr,Ti)O-3 Nanorods by Focused Ion Beam and Characterization of the Domain Structure 査読

    Daisuke Ito, Tomoaki Yamada, Osami Sakata, Junki Kuroishi, Takahiro Namazu, Hiroshi Funakubo, Masahito Yoshino, Takanori Nagasaki

    IEEE TRANSACTIONS ON ULTRASONICS FERROELECTRICS AND FREQUENCY CONTROL   63 ( 10 )   1642 - 1646   2016年10月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/TUFFC.2016.2569625

    Web of Science

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  • Angular dependence of Raman spectrum for Pb(Zr,Ti)O-3 epitaxial films 査読

    Hiroaki Fukushima, Daichi Ichinose, Hiroshi Funakubo, Hiroshi Uchida, Hiromi Shima, Ken Nishida

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 ( 10 )   2016年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.55.10TC07

    Web of Science

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  • Composition dependences of crystal structure and electrical properties of epitaxial Pb(Zr,Ti)O-3 films grown on Si and SrTiO3 substrates 査読

    Shoji Okamoto, Satoshi Okamoto, Shintaro Yokoyama, Kensuke Akiyama, Hiroshi Funakubo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 ( 10 )   2016年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.55.10TA08

    Web of Science

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  • Fabrication of (110)-one-axis-oriented perovskite-type oxide thin films and their application to buffer layer 査読

    Tomoya Sato, Daichi Ichinose, Junichi Kimura, Takaaki Inoue, Takanori Mimura, Hiroshi Funakubo, Kiyoshi Uchiyama

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 ( 10 )   2016年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.55.10TA19

    Web of Science

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  • Fabrication and characterization of (111)-epitaxial Pb(Zr0.35Ti0.65)O3/Pb(Zr0.65Ti0.35)O3 artificial superlattice thin films 査読

    Tomoaki Yamada, Youhei Ebihara, Takanori Kiguchi, Osami Sakata, Hitoshi Morioka, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo, Toyohiko J. Konno, Masahito Yoshino, Takanori Nagasaki

    Japanese Journal of Applied Physics   55 ( 10 )   10TA20-1 - 10TA20-5   2016年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Institute of Physics  

    Artificial superlattice thin films consisting of two different compositions of Pb(Zr,Ti)O<inf>3</inf>(PZT), which are in tetragonal and rhombohedral phases at room temperature in the bulk state, were grown on (111)<inf>c</inf>SrRuO<inf>3</inf>/(111)SrTiO<inf>3</inf>by pulsed laser deposition. Fairly perfect periodicity with sharp interfaces was observed by X-ray diffraction and scanning transmission electron microscopy. It was found that the film with each layer of 5 nm thickness had a single-domain structure for both PZT layers, which would arise from the strong mechanical and electrical coupling between PZT layers. The fabricated superlattice thin films showed saturated P–E hysteresis curves. Larger electromechanical response was observed in the films with smaller layer thickness.

    DOI: 10.7567/JJAP.55.10TA20

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  • Orientation control of barium titanate films using metal oxide nanosheet layer 査読

    Hiroshi Uchida, Tomotake Oi, Keito Noguchi, Shota Moki, Jin Woon Kim, Hiromi Shima, Ken Nishida, Takanori Kiguchi, Akihiko Akama, Toyohiko J. Konno, Hiroshi Funakubo

    Japanese Journal of Applied Physics   55 ( 10 )   10TA15-1 - 10TA15-7   2016年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Institute of Physics  

    In the present work, we aim to achieve the preferred crystal orientation of chemical solution deposition (CSD)-derived BaTiO<inf>3</inf>films on ubiquitous Si wafers with the assistance of Ca<inf>2</inf>Nb<inf>3</inf>O<inf>10</inf>nanosheet (ns-CN) template layers. The ns-CN on platinized Si (Pt/Si) substrates aligned the BaTiO<inf>3</inf>(100) plane to the substrate surface, because of the favorable lattice matching of the ns-CN (001) plane. The CSD process in air required a high crystallization temperature of 900 °C for the preferred crystal orientation of BaTiO<inf>3</inf>(100) because of the BaCO<inf>3</inf>byproduct generated during the combustion reaction of the precursor gel. The processing in vacuum to remove CO<inf>2</inf>species enhanced the crystal orientation even at the crystallization temperature of 800 °C, although it can generate oxygen vacancies ([Formula: see text]) that cause distorted polarization behavior under an applied field higher than approximately 150 kV/cm. The relative dielectric constant (ε<inf>r</inf>) of the (100)-oriented BaTiO<inf>3</inf>film on the ns-CN-supported Pt/Si substrate (ns-CN/Pt/Si) was generally larger than that of the randomly oriented film on Pt/Si, depending on the degree of crystal orientation.

    DOI: 10.7567/JJAP.55.10TA15

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  • Growth of (111)-oriented epitaxial and textured ferroelectric Y-doped HfO2 films for 査読

    K. Katayama, T. Shimizu, O. Sakata, T. Shiraishi, S. Nakamura, T. Kiguchi, A. Akama, T. J. Konno, H. Uchida, H. Funakubo

    Appl. Phys. Lett.   109 ( 109 )   112901-1 - 112901-5   2016年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4962431

    Web of Science

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  • The demonstration of significant ferroelectricity in epitaxial Y-doped HfO2 film 査読 国際誌

    T. Shimizu, K. Katayama, T. Kiguchi, A. Akama, T.J Konno, O. Sakata, H. Funakubo

    Scientific Report   6   32931-1 - 32931-8   2016年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1038/srep32931

    Web of Science

    PubMed

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  • Formation of (111) orientation-controlled ferroelectric orthorhombic HfO2 thin films from solid phase via annealing 査読

    Takanori Mimura, Kiliha Katayama, Takao Shimizu, Hiroshi Uchida, Takanori Kiguchi, Akihiro Akama, Toyohiko J. Konno, Osami Sakata, Hiroshi Funakubo

    Applied Physics Letters   109 ( 5 )   052903-1 - 052903-4   2016年8月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4960461

    Web of Science

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  • Enhancement of Dielectric Properties in Epitaxial Bismuth Ferrite-Bismuth Samarium Ferrite Superlattices 査読

    Ronald Maran, Shintaro Yasui, Eugene Eliseev, Anna Morozovska, Hiroshi Funakubo, Ichiro Takeuchi, Nagarajan Valanoor

    ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS   2 ( 8 )   2016年8月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/aelm.201600170

    Web of Science

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  • Increased expression of the adipocytokine omentin in the epicardial adipose tissue of coronary artery disease patients. 国際誌

    Ken Harada, Rei Shibata, Noriyuki Ouchi, Yoshiyuki Tokuda, Hiroshi Funakubo, Mayu Suzuki, Takashi Kataoka, Tomoyuki Nagao, Satoshi Okumura, Norihiro Shinoda, Bunichi Kato, Shinichi Sakai, Masataka Kato, Nobuyuki Marui, Hideki Ishii, Tetsuya Amano, Tatsuaki Matsubara, Toyoaki Murohara

    Atherosclerosis   251   299 - 304   2016年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    BACKGROUND AND AIMS: Omentin, an adipocytokine secreted by visceral adipose tissue, protects against obesity-linked cardiovascular complications. However, little is known about its role in epicardial adipose tissue (EAT) and coronary artery disease (CAD). We investigated the expression of omentin in EAT from CAD subjects. METHODS: EAT, subcutaneous adipose tissue (SCAT), and plasma samples were collected from CAD (n = 15; 23.3 ± 3.1 kg/m(2)) and non-CAD patients (n = 10; 20.8 ± 3.9 kg/m(2)). Omentin mRNA expression was measured using real-time PCR, while plasma concentrations were measured using an ELISA. EAT volume was determined with 64-slice computed tomography. RESULTS: Omentin expression in EAT and EAT volume were higher in CAD patients compared with controls (2.49 ± 2.6 vs. 0.85 ± 0.3, p = 0.002 and 113 ± 58 ml vs. 92.4 ± 30 ml, p = 0.045, respectively). Omentin expression in SCAT was similar between CAD and control patients (1.37 ± 0.84 vs. 1.07 ± 0.55, p = 0.267). Plasma omentin levels were lower in CAD patients compared with controls (343 ± 158 ng/ml vs. 751 ± 579 ng/ml, p = 0.025), and were negatively associated with the expression of omentin in EAT, in patients with CAD (β = -0.78, p = 0.049). On the other hand, there was no association between omentin in EAT and clinical variables in patients with non-CAD. CONCLUSIONS: Omentin expression increases in the EAT of non-obese CAD patients, despite a decrease in plasma levels, suggesting that omentin may play a role in the pathogenesis of CAD.

    DOI: 10.1016/j.atherosclerosis.2016.07.003

    PubMed

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  • Impact of mechanical stress on ferroelectricity in (Hf0.5Zr0.5)O2 thin films 査読

    Takahisa Shiraishi, Kiliha Katayama, Tatsuhiko Yokouchi, Takao Shimizu, Takahiro Oikawa, Osami Sakata, Hiroshi Uchida, Yasuhiko Imai, Takanori Kiguchi, Toyohiko J. Konno, Hiroshi Funakubo

    Appl. Phys. Lett.   108 ( 26 )   262904-1 - 262904-5   2016年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4954942

    Web of Science

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  • Metal-organic chemical vapor deposition growth of beta-FeSi2/Si composite powder via vapor-liquid-solid method and its photocatalytic properties 査読

    Kensuke Akiyama, Yuu Motoizumi, Hiroshi Funakubo, Hiroshi Irie, Yoshihisa Matsumoto

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 ( 6 )   2016年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.55.06HC02

    Web of Science

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  • Effects of substrate surface composition and deposition temperature on deposition of flat and continuous Ru thin films 査読

    Hirokazu Chiba, Masaki Hirano, Kazuhisa Kawano, Noriaki Oshima, Hiroshi Funakubo

    JOURNAL OF THE CERAMIC SOCIETY OF JAPAN   124 ( 6 )   694 - 696   2016年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.2109/jcersj2.16024

    Web of Science

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  • Dielectric properties of BaTiO3-Bi(Mg1/2Ti1/2)O-3 films with preferential crystal orientation 査読

    Shota Moki, Junichi Kimura, Hiroshi Funakubo, Hiroshi Uchida

    JOURNAL OF THE CERAMIC SOCIETY OF JAPAN   124 ( 6 )   648 - 652   2016年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.2109/jcersj2.15321

    Web of Science

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  • Large irreversible non-180° domain switching after poling treatment in Pb(Zr, Ti)O3 films 査読

    Y. Ehara, S. Yasui, T. Oikawa, T. Shiraishi, N. Oshima, T. Yamada, Y. Imai, O. Sakata, H. Funakubo

    Appl. Phys. Lett.   108 ( 21 )   212901-1 - 212901-5   2016年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4951672

    Web of Science

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  • Low temperature MOCVD of Ta2O5 dielectric thin films from Ta[NC(CH3)(3)][OC(CH3)(3)](3) and O-2 査読

    Hirokazu Chiba, Ken-ichi Tada, Taishi Furukawa, Toshiki Yamamoto, Tadahiro Yotsuya, Noriaki Oshima, Hiroshi Funakubo

    JOURNAL OF THE CERAMIC SOCIETY OF JAPAN   124 ( 5 )   510 - 514   2016年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.2109/jcersj2.15245

    Web of Science

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  • Orientation control and domain structure analysis of {100}-oriented epitaxial ferroelectric orthorhombic HfO2-based thin films 査読

    Kiliha Katayama, Takao Shimizu, Osami Sakata, Takahisa Shiraishi, Shogo Nakamura, Takanori Kiguchi, Akihiro Akama, Toyohiko J. Konno, Hiroshi Uchida, Hiroshi Funakubo

    Journal of Applied Physics   119   134101-1 - 134101-7   2016年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4945029

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  • Crystal Structure and Compositional Analysis of Epitaxial (K0.56Na0.44)NbO3 Films Prepared by Hydrothermal Method 査読

    Takahisa Shiraishi, Hiro Einishi, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo, Minoru Kurosawa, Hiroshi Uchida, Takanori Kiguchi, Toyohiko J. Konno, Nobuhiro Kumada

    Journal of Material Research   31 ( 6 )   693 - 701   2016年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1557/jmr.2016.56

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  • Thermally stable dielectric responses in uniaxially (001)-oriented CaBi4Ti4O15 nanofilms grown on a Ca2Nb3O10- nanosheet seed layer 査読 国際誌

    Junichi Kimura, Itaru Takuwa, Masaaki Matsushima, Takao Shimizu, Hiroshi Uchida, Takanori Kiguchi, Takahisa Shiraishi, Toyohiko J. Konno, Tatsuo Shibata, Minoru Osada, Takayoshi Sasaki, Hiroshi Funakubo

    Scientific Reports   6   20713-1 - 20713-9   2016年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1038/srep20713

    PubMed

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  • Fabrication of highly (110)-oriented BaCeO3-based proton-conductive oxide thin films by RF magnetron sputtering method 査読

    Tomoya Sato, Takaaki Inoue, Daichi Ichinose, Hiroshi Funakubo, Kiyoshi Uchiyama

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 ( 2 )   2016年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.55.02BC19

    Web of Science

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  • Fabrication of highly (110)-oriented BaCeO

    Sato Tomoya, Inoue Takaaki, Ichinose Daichi, Funakubo Hiroshi, Uchiyama Kiyoshi

    Jpn. J. Appl. Phys.   55 ( 2 )   02BC19   2016年1月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:Institute of Physics  

    A proton-conductive BaCe<inf>0.9</inf>Y<inf>0.1</inf>O<inf>3−δ</inf>(BCYO) thin-film, one of the candidates for the electrolyte of intermediate-temperature solid oxide fuel cells (IT-SOFCs), was deposited on (111)Pt/TiO<inf>2</inf>/SiO<inf>2</inf>/(100)Si substrate by the RF magnetron sputtering method. The sputtering conditions, i.e., deposition temperature, pressure, and sputtering gases, were examined to improve the crystallinity of the films. The BCYO films deposited at more than 500 °C were well crystallized and showed only 110 diffraction. The addition of O<inf>2</inf>into the sputtering gas causes adverse results of lower crystallinity and lower deposition rates. A wide-range XRD reciprocal space mapping also revealed that the (110)-oriented BCYO films can be obtained on (111)Pt/TiO<inf>2</inf>/SiO<inf>2</inf>/(100)Si substrates without the need to use any buffer layers. We consider that this BCYO film possibly shows high proton conductivity and may be a suitable material for the SOFC electrolyte because of its high crystallinity.

    DOI: 10.7567/JJAP.55.02BC19

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  • Simultaneous achievement of high dielectric constant and low temperature dependence of capacitance in (111)-oriented BaTiO3-Bi(Mg0.5Ti0.5)O-3-BiFeO3 solid solution thin films 査読

    Junichi Kimura, Mohamed-Tahar Chentir, Takao Shimizu, Hiroshi Uchida, Hiroshi Funakubo

    AIP ADVANCES   6 ( 1 )   015304   2016年1月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4939818

    Web of Science

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  • Development of a novel cell structure for low-temperature SOFC using porous stainless steel support combined with hydrogen permeable Pd layer and thin film proton conductor 査読

    Tetsuro Kariya, Hiroki Tanaka, Tomoki Hirono, Tetsuji Kuse, Katsu Yanagimoto, Kiyoshi Uchiyama, Mitsunori Henmi, Mitsutaka Hirose, Isao Kimura, Koukou Suu, Hiroshi Funakubo

    JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS   654   171 - 175   2016年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jallcom.2015.09.109

    Web of Science

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  • Epitaxial Growth and Photoluminescence Properties of beta-FeSi2 Grains Using Liquid Phase Obtained by Au-Si Eutectic Reaction 査読

    Kensuke Akiyama, Hiroshi Funakubo

    LIGHT-EMITTING DIODES: MATERIALS, DEVICES, AND APPLICATIONS FOR SOLID STATE LIGHTING XX   9768   2016年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1117/12.2212057

    Web of Science

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  • High temperature stability of the dielectric and insulating properties of Ca(Ti, Zr)SiO5 ceramics 査読

    Kimura Junichi, Taniguchi Hiroki, Iijima Takashi, Shimizu Takao, Yasui Shintaro, Itoh Mitsuru, Funakubo Hiroshi

    Applied Physics Letters   108 ( 6 )   062902   2016年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4941803

    Web of Science

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  • Preparation of Ca-Si Films on (001) Al2O3 Substrates by an RF Magnetron Sputtering Method and Their Electrical Properties 査読

    Uehara Mutsuo, Akiyama Kensuke, Shimizu Takao, Matsushima Masaaki, Uchida Hiroshi, Kimura Yoshisato, Funakubo Hiroshi

    Journal of Electronic Materials   45 ( 6 )   3121 - 3126   2016年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1007/s11664-016-4404-x

    Web of Science

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  • Growth of epitaxial tetragonal (Bi, K)TiO3 films and their ferroelectric and piezoelectric properties 査読

    Nemoto Yuichi, Ichinose Daichi, Shimizu Takao, Uchida Hiroshi, Yamaoka Wakiko, Sato Yusuke, Funakubo Hiroshi

    Japanese Journal of Applied Physics   55 ( 10 )   10TA13   2016年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.55.10TA13

    Web of Science

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  • Growth of {110}-one-axis-oriented perovskite-type oxide films using self-aligned epitaxial (101)PdO//(111) Pd double layers 査読

    Tanaka Hiroki, Kariya Tetsuro, Shimizu Takao, Uchiyama Kiyoshi, Funakubo Hiroshi

    Thin Solid Films   599   133 - 137   2016年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2015.12.067

    Web of Science

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  • Transport properties and c/a ratio of V<inf>2</inf>O<inf>3</inf> thin films grown on C- and R-plane sapphire substrates by pulsed laser deposition 査読

    Joe Sakai, Patrice Limelette, Hiroshi Funakubo

    Applied Physics Letters   107 ( 24 )   2015年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4937456

    Scopus

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  • Ba(ZrxTi1-x)O-3 thin films for tunable microwave applications 査読

    Jinwoong Kim, Shima Hiromi, Yamamoto Takashi, Yasui Shintaro, Funakubo Hiroshi, Yamada Tomoaki, Nishida Ken

    Ceramics International   41 ( No. 41, Supplement 1 )   S323 - S330   2015年11月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.ceramint.2015.03.184

    Web of Science

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  • Fabrication and characterization of (110)-oriented (Ba-0.5,Sr-0.5)TiO3 thin films using PdO//Pd buffer layer 査読

    Oshima Naoya, Uchiyama Kiyoshi, Ehara Yoshitaka, Oikawa Takahiro, Tanaka Hiroki, Sato Tomoya, Uchida Hiroshi, Yamada Tomoaki, Funakubo Hiroshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   54 ( 10 )   10NA15 - 10NA15   2015年10月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.54.10NA15

    Web of Science

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    その他リンク: http://stacks.iop.org/1347-4065/54/i=10S/a=10NA15?key=crossref.6af14dd16c2b05830cc0242152b24d2e

  • Domain structure of tetragonal Pb(Zr,T)O3 nanorods and its size dependence 査読

    T. Yamada, D. Ito, O. Sakata, J. Kuroishi, T. Namazu, Y. Imai, T. Shiraishi, T. Shimizu, H. Funakubo, M. Yoshino, T. Nagasaki

    Jpn. J. Appl. Phys.   54 ( 10 )   10NA07-1 - 10NA07-4   2015年9月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.54.10NA07

    Web of Science

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  • Orientation and film thickness dependencies of (100)- and (111)-oriented epitaxial Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 films grown by metal organic chemical vapor deposition 査読

    Hiroshi Funakubo, Satoshi Okamaoto, Shintaro Yokoyama, Shoji Okamoto, Junichi Kimura, Hiroshi Uchida

    Journal of Materiomics   1 ( 3 )   188 - 195   2015年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Chinese Ceramic Society  

    DOI: 10.1016/j.jmat.2015.07.004

    Scopus

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  • Stabilizing the ferroelectric phase in doped hafnium oxide 査読

    M. Hoffmann, U. Schroeder, T. Schenk, T. Shimizu, H. Funakubo, O. Sakata, D. Pohl, M. Drescher, C. Adelmann, R. Materlik, A. Kersch, T. Mikolajick

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   118 ( 7 )   072006-1 - 072006-9   2015年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    The ferroelectric properties and crystal structure of doped HfO2 thin films were investigated for different thicknesses, electrode materials and annealing conditions. Metal-ferroelectric-metal capacitors containing Gd:HfO2 showed no reduction of the polarization within the studied thickness range, in contrast to hafnia films with other dopants. A qualitative model describing the influence of basic process parameters on the crystal structure of HfO2 was proposed. The influence of different structural parameters on the field cycling behavior was examined. This revealed the wake-up effect in doped HfO2 to be dominated by interface induced effects, rather than a field induced phase transition.

    DOI: 10.1063/1.4927805

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  • Negligible substrate clamping effect on piezoelectric response in (111)-epitaxial tetragonal Pb(Zr, Ti)O3 films 査読

    Tomoaki Yamada, Jun Yasumoto, Daisuke Ito, Osami Sakata, Yasuhiko Imai, Takanori Kiguchi, Takahisa Shiraishi, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo, Masahito Yoshino, Takanori Nagasaki

    Journal of Applied Physics   118 ( 7 )   072012-1 - 072012-6   2015年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4927810

    Web of Science

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  • Vibration-energy-harvesting properties of hydrothermally synthesized (K,Na)NbO3 films deposited on flexible metal foil substrates 査読

    T. Shiraishi, N. Kaneko, M. Kurosawa, H. Uchida, Y. Suzuki, T. Kobayashi, H. Funakubo

    Jpn. J. Appl. Phys.   54 ( 10 )   10ND06-1 - 10ND06-6   2015年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.54.10ND06

    Web of Science

    CiNii Research

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  • Growth of epitaxial orthorhombic YO1.5 -substituted HfO2 thin film 査読

    Takao Shimizu, Kiliha Katayama, Takanori Kiguchi, Akihiro Akama, Toyohiko J. Konno, Hiroshi Funakubo

    Applied Physics Letter   107   032910-1 - 032910-5   2015年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4927450

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  • Polar-axis-oriented crystal growth of tetragonal PZT films on stainless steel substrate using pseudo-perovskite nanosheet buffer layer 査読

    Y. Minemura, K. Nagasaka, J.W. Kim, H. Shima, K. Nishida, T. Kiguchi, T.J. Konno, N. Oshima, H. Funakubo, H. Uchida

    AIP ADVANCES   5 ( 7 )   077139-1 - 077139-8   2015年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4927208

    Web of Science

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  • Orientation control of epitaxial tetragonal Pb(ZrxTi1−x)O3 thin films grown on (100)KTaO3 substrates by tuning the Zr/(Zr + Ti) ratio 査読

    Daichi Ichinose, Takaaki Nakashima, Yoshitaka Ehara, Takahiro Oikawa, Takao Shimizu, Osami Sakata, Tomoaki Yamada, Hiroshi Funakubo

    APPLIED PHYSICS LETTERS   107 ( 2 )   022902-1 - 022902-5   2015年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4926963

    Web of Science

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  • Structural characterization of epitaxial Mg2Si films grown on MgO and MgO-buffered Al2O3 substrates 査読

    Atsuo Katagiri, Shota Ogawa, Takahiro Oikawa, Masaaki Matsushima, Kensuke Akiyama, P. S. Sankara Rama Krishnan, Hiroshi Funakubo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   54 ( 7 )   2015年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.54.07JC01

    Web of Science

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  • Phase transitions associated with competing order parameters in compressively strainedSrTiO3thin films 査読

    Tomoaki Yamada, Benjamin Wylie-van Eerd, Osami Sakata, Alexander K. Tagantsev, Hitoshi Morioka, Yoshitaka Ehara, Shintaro Yasui, Hiroshi Funakubo, Takanori Nagasaki, H. J. Trodahl

    PHYSICAL REVIEW B   91 ( 21 )   214101-1 - 214101-10   2015年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/physrevb.91.214101

    Web of Science

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  • Fabrication of tetragonal Pb(Zr,T)O3 nanorods by focused ion beam and characterization the domain structure 査読

    D. Ito, T. Yamada, O. Sakata, J. Kuroishi, T. Namazu, T. Shiraishi, T. Shimizu, H. Funakubo, M. Yoshino, T. Nagasaki

    Proc. IEEE-ISAF/ISIF/PFM-2015   175 - 177   2015年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1109/ISAF.2015.7172698

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  • Effects of porous flow field type separators using sintered Ni-based alloy powders on interfacial contact resistances and fuel cell performances

    Tetsuro Kariya, Katsu Yanagimoto, Hiroshi Funakubo, Toshio Shudo

    Energy   Vol. 87   2015年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.energy.2015.04.060

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  • Fabrication of (100)-oriented Mn-doped bismuth ferrite films on silicon and stainless steel substrates using calcium niobate nanosheets 査読

    K. Nagasaka, N Oshima, J.W. Kim, H. Shima, A. Akama, T. Kiguchi, K. Nishida, T.J. Konno, H. Funakubo, H Uchida

    Journal of the Ceramics Society Japan   123 ( 5 )   322 - 328   2015年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.2109/jcersj2.123.322

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  • The effect of electrolyte concentration on silicon nanoparticles prepared by laser ablation in liquid 査読

    Pattarin Chewchinda, Yoshitaka Kitamoto, Hiroshi Funakubo, Michikazu Hara, Osamu Odawara, Hiroyuki Wada

    2015年5月

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  • Epitaxial PbZrxTi1-xO3 Ferroelectric Bilayers with Giant Electromechanical Properties 査読

    H. H. Huang, Q. Zhang, E. Huang, R. Maran, O. Sakata, Y. Ehara, T. Shiraishi, H. Funakubo, P. Munroe, N. Valanoor

    Adv. Mater. Interfaces   2 ( 8 )   1 - 12   2015年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/admi.201500075

    Web of Science

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  • Contribution of oxygen vacancies to the ferroelectric behavior of Hf0.5Zr0.5O2 thin films 査読

    T. Shimizu, T Yokouchi, T. Oikawa, T. Shiraishi, T. Kiguchi, A. Akama, T.J. Konno, A. Gruverman, H. Funakubo

    Applied Physics Letter   106   112904-1 - 112904-5   2015年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4915336

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  • Growth and evaluation of epitaxial BaTiO3 thin films of less than 100 nm thickness by metal-organic chemical vapor deposition 査読

    Kenji Yoshiizumi, Takeshi Tai, Masamichi Nishide, Hiromi Shima, Hiroshi Funakubo, Ken Nishida, Takashi Yamamoto

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   54 ( 3 )   2015年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.54.035501

    Web of Science

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  • Pulse poling within 1 second enhance the piezoelectric property of PZT thin films

    T. Kobayashi, Y. Suzuki, N. Makimoto, H. Funakubo, R. Maeda

    Proceedings of the IEEE International Conference on Micro Electro Mechanical Systems (MEMS)   2015- ( February )   1098 - 1101   2015年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.  

    DOI: 10.1109/MEMSYS.2015.7051155

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  • Growth and evaluation of epitaxial BaTiO

    Yoshiizumi Kenji, Tai Takeshi, Nishide Masamichi, Shima Hiromi, Funakubo Hiroshi, Nishida Ken, Yamamoto Takashi

    Jpn. J. Appl. Phys.   54 ( 3 )   35501 - 35501   2015年1月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:Institute of Physics  

    Epitaxial BaTiO<inf>3</inf>(BTO) thin films of less than 100 nm thickness were grown on Pt(001)/MgO(001) substrates at growth temperatures of 500–700 °C with a low deposition rate of about 25 nm/h by metal–organic chemical vapor deposition (MOCVD). The BaTiO<inf>3</inf>thin films were epitaxialy grown with (001) orientation. These films show quadrangular grains and a dense cross-sectional structure. The relative permittivities of these films grown at 500, 600, and 700 °C with thicknesses of 62, 65, and 82 nm were 338, 455, and 566 at 1 kHz, respectively. These relative permittivities were higher than those of BTO films prepared by other methods and BTO ceramics with thicknesses less than 100 nm.

    DOI: 10.7567/JJAP.54.035501

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  • 液中レーザーアブレーションによるシリコンナノ粒子の作製と太陽電池への応用 査読

    小林 宏輝, Pattarin Chewchinda, 大谷 弘之, 舟窪 浩, 小田原 修, 和田 裕之

    2015年1月

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  • Chemical fluid deposition of Hf-Zr-O-based thin films using supercritical carbon dioxide fluid

    Shiokawa, M., Izaki, K., HIROSHI FUNAKUBO, Uchida, H.

    Materials Research Society Symposium Proceedings   Vol. 1729   2015年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1557/opl.2015.95

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  • Control of iron disilicide crystal structure by using liquid phase obtained by Au-Si eutectic reaction 査読

    Kensuke Akiyama, Yuu Motoizumi, Hiroshi Funakubo

    Materials Research Society Symposium Proceedings   1760   139 - 144   2015年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:Materials Research Society  

    DOI: 10.1557/opl.2015.54

    Scopus

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  • Evaluation of Oxygen Vacancy in ZnO using Raman Spectroscopy 査読

    Hiroaki Fukushima, Tomomi Kozu, Hiromi Shima, Hiroshi Funakubo, Hiroshi Uchida, Takashi Katoda, Ken Nishida

    2015 JOINT IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON THE APPLICATIONS OF FERROELECTRIC, INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON INTEGRATED FUNCTIONALITIES AND PIEZOELECTRIC FORCE MICROSCOPY WORKSHOP (ISAF/ISIF/PFM)   28 - 31   2015年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    Web of Science

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  • Epitaxial Growth of Luminescent beta-FeSi2 on modified Si(111) Surface by Silver 査読

    Kensuke Akiyama, Hiroshi Funakubo

    Smart Photonic and Optoelectronic Integrated Circuits XVII   9366   2015年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1117/12.2079405

    Web of Science

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  • Intermediate-temperature operation of solid oxide fuel cells (IT-SOFCs) with thin film proton conductive electrolyte 査読

    T. Kariya, K. Uchiyama, H. Tanaka, T. Hirono, T. Kuse, K. Yanagimoto, M. Henmi, M. Hirose, I. Kimura, K. Suu, H. Funakubo

    15TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICRO AND NANOTECHNOLOGY FOR POWER GENERATION AND ENERGY CONVERSION APPLICATIONS (POWERMEMS 2015)   660   2015年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1088/1742-6596/660/1/012057

    Web of Science

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  • Photocatalytic hydrogen evolution over beta-iron silicide under infrared-light irradiation 査読 国際誌

    Masaharu Yoshimizu, Ryoya Kobayashi, Makoto Saegusa, Toshihiro Takashima, Hiroshi Funakubo, Kensuke Akiyama, Yoshihisa Matsumoto, Hiroshi Irie

    CHEMICAL COMMUNICATIONS   51 ( 14 )   2818 - 2820   2015年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1039/c4cc08093a

    Web of Science

    PubMed

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  • Reactive Sputtering Process and Properties of Ba(ZrxTi1-x)O-3 Films for High Frequency Applications 査読

    Kim J. W, Shima H, Yamamoto T, Yasui S, Funakubo H, Yamada T, Nishida K, IEEE

    2015 Joint Ieee International Symposium on the Applications of Ferroelectric, International Symposium on Integrated Functionalities and Piezoelectric Force Microscopy Workshop (Isaf/isif/pfm)   48 - 51   2015年

  • High power piezoelectric characteristics of KNbO3 thick films by hydrothermal method 査読

    Mutsuo Ishikawa, Yosuke Uchida, Nobuaki Kosuge, Hiroshi Funakubo, Minoru Kurosawa

    2015 IEEE INTERNATIONAL ULTRASONICS SYMPOSIUM (IUS)   2015年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1109/ULTSYM.2015.0369

    Web of Science

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  • Effect of incubation time on preparation of continuous and flat Ru films 査読

    H. Funakubo, T. Shiraishi, T. Oikawa, M. Hirano, H. Chiba, K. Kawano

    J. Vau. Sci. Technol. A   33 ( 1 )   01A149-1 - 01A149-6   2014年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1116/1.4904494

    Web of Science

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  • Interface control of a morphotropic phase boundary in epitaxial samarium modified bismuth ferrite superlattices 査読

    Ronald Maran, Shintaro Yasui, Eugene A. Eliseev, Maya D. Glinchuk, Anna N. Morozovska, Hiroshi Funakubo, Ichiro Takeuchi, Valanoor Nagarajan

    PHYSICAL REVIEW B   90 ( 24 )   2014年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.90.245131

    Web of Science

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  • Laser Wavelength Effect on Size and Morphology of Silicon Nanoparticles Prepared by Laser Ablation in Liquid (vol 52, 025001, 2013) 査読

    Chewchinda Pattarin, Tsuge Takeharu, Funakubo Hiroshi, Odawara Osamu, Wada Hiroyuki

    Japanese Journal of Applied Physics   53 ( 3 )   p. 54 - 59   2014年12月

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  • Impact of pulse poling on static and dynamic ferroelastic-domain contributions in tetragonal Pb( Ti, Zr)O-3 films determined by in-situ x-ray diffraction analysis 査読

    Mitsumasa Nakajima, Ayumi Wada, Tomoaki Yamada, Yoshitaka Ehara, Takeshi Kobayashi, Hiroshi Funakubo

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   116 ( 19 )   2014年11月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4898321

    Web of Science

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  • Influence of pulse poling on the piezoelectric property of Pb(Zr-0.52, Ti-0.48)O-3 thin films

    Takeshi Kobayashi, Yasuhiro Suzuki, Natsumi Makimoto, Hiroshi Funakubo, Ryutaro Maeda

    AIP ADVANCES   4 ( 11 )   2014年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4901912

    Web of Science

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  • Study on Effect of Heat Treatment Condition of MOCVD deposited Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 Thin Film on Ir Electrode 査読

    T. Shimizu, T. Yokouchi, T. Shiraishi, T. Oikawa, P. S. Sankara, Rama Krishnan, H. Funakubo

    Jpn. J. Appl. Phys.   53 ( 9 )   09PA04-1 - 09PA04-6   2014年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.53.09PA04

    Web of Science

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    その他リンク: http://stacks.iop.org/1347-4065/53/i=9S/a=09PA04?key=crossref.2dcaceba4805327c3de7ac9dacfb9af0

  • Lead- and alkali-metal-free BaTiO

    Kimura Junichi, Mohamed-Tahar Chentir, Shimizu Takao, Uchida Hiroshi, Funakubo Hiroshi

    Jpn. J. Appl. Phys.   53 ( 9 )   09PA12   2014年9月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:Institute of Physics  

    Lead- and alkali-metal-free BaTiO<inf>3</inf>–Bi(Mg<inf>0.5</inf>Ti<inf>0.5</inf>)O<inf>3</inf>–BiFeO<inf>3</inf>solid-solution thin films were prepared on (111)<inf>c</inf>SrRuO<inf>3</inf>/(111)Pt/TiO<inf>2</inf>/SiO<inf>2</inf>/(100)Si substrates by chemical solution deposition (CSD) and their crystal structure and dielectric properties were investigated. The lattice spacing as a function of z/(x + z) in xBaTiO<inf>3</inf>–0.1Bi(Mg<inf>0.5</inf>Ti<inf>0.5</inf>)O<inf>3</inf>–zBiFeO<inf>3</inf>indicated the existence of phase boundaries (pseudocubic/rhombohedral) in the range of z/(x + z) = 0.33–0.56, where the relatively high relative dielectric constant, ε<inf>r</inf>, of above 800 was obtained. On the other hand, dielectric loss, tan δ, of below 0.2 was confirmed in the range z/(x + z) = 0–0.87, which rapidly increased toward z/(x + z) = 1.0. The relatively high ε<inf>r</inf>values of these films deposited on Si substrates by a solution-based process suggest that they can be used as alternative to Pb(Zr,Ti)O<inf>3</inf>, KNbO<inf>3</inf>, and (Bi<inf>1/2</inf>Na<inf>1/2</inf>)TiO<inf>3</inf>-based films.

    DOI: 10.7567/JJAP.53.09PA12

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  • Ferroelectric and piezoelectric properties of KNbO3 films deposited on flexible organic substrate by hydrothermal method 査読

    T. Shiraishi, N. Kaneko, M. Ishikawa, M. Kurosawa, H. Uchida, H. Funakubo

    Jpn. J. Appl. Phys.   53 ( 9 )   09PA10-1 - 09PA10-4   2014年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.53.09PA10

    Web of Science

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  • Structural and dielectric properties of BaTiO

    Moki Shota, Kimura Junichi, Kaneko Noriyuki, Funakubo Hiroshi, Uchida Hiroshi

    Jpn. J. Appl. Phys.   53 ( 9 )   09PA11   2014年9月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:Institute of Physics  

    Thin films of the BaTiO<inf>3</inf>–Bi(Mg<inf>1/2</inf>Ti<inf>1/2</inf>)O<inf>3</inf>(BT–BMT) solid-solution system were fabricated with the aim of achieving a stable temperature coefficient of capacitance (TCC) favorable for high-temperature electronics. A single perovskite phase with pseudocubic symmetry was obtained for the films fabricated by chemical solution deposition on (111)Pt/TiO<inf>2</inf>/(100)Si substrates in the composition range of x = 0–0.80 for (1 − x)BT–xBMT. BMT added to the BaTiO<inf>3</inf>-based films enhanced the crystallinity of the perovskite phase and resulted in saturated P–E hysteresis behavior with remanent polarization of up to 13 µC/cm2. BMT addition led to gradual dielectric relaxation, which also resulted in stable TCC behavior with a relative dielectric constant of approximately 400 in the temperature range of RT − 400 °C, especially for the BT–BMT films with x = 0.20–0.40.

    DOI: 10.7567/JJAP.53.09PA11

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  • Structural and dielectric properties of BaTiO3-Bi(Mg1/2Ti1/2)O-3 thin films fabricated by chemical solution deposition 査読

    Shota Moki, Junichi Kimura, Noriyuki Kaneko, Hiroshi Funakubo, Hiroshi Uchida

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   53 ( 9 )   2014年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.53.09PA11

    Web of Science

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  • Lead- and alkali-metal-free BaTiO 3 –Bi(Mg 0.5 Ti 0.5 )O 3 –BiFeO 3 solid-solution thin films with high dielectric constant prepared on Si substrates by solution-based method 査読

    Kimura Junichi, Mohamed-Tahar Chentir, Shimizu Takao, Uchida Hiroshi, Funakubo Hiroshi

    Japanese Journal of Applied Physics   53 ( 9 )   09PA12   2014年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.53.09PA12

    Web of Science

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  • Preparation and characterization of Ba(ZrxTi1-x)O-3 thin films for high-frequency applications 査読

    Kim Jin Woong, Hiromi Shima, Takashi Yamamoto, Shintaro Yasui, Hiroshi Funakubo, Tomoaki Yamada, Ken Nishida

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   53 ( 9 )   2014年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.53.09PB04

    Web of Science

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  • Dependence of e31,f on polar axis texture for tetragonal Pb(Zrx,Ti1-x)O3 thin films 査読

    舟窪 浩

    J. Appl. Phys.   116 ( 10 )   2014年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4895339

    Web of Science

    CiNii Research

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  • Structural and tunable characteristics of Ba(ZrxTi1-x)O-3 films prepared by RF-magnetron sputtering using a metal target 査読

    Jin-Woong Kim, Hiromi Shima, Ken Nishida, Takashi Yamamoto, Hiroshi Funakubo

    JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY   65 ( 3 )   275 - 280   2014年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.3938/jkps.65.275

    Web of Science

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  • Direct observation of intrinsic piezoelectricity of Pb(Zr,Ti)O-3 by time-resolved x-ray diffraction measurement using single-crystalline films 査読

    Takashi Fujisawa, Yoshitaka Ehara, Shintaro Yasui, Takafumi Kamo, Tomoaki Yamada, Osami Sakata, Hiroshi Funakubo

    APPLIED PHYSICS LETTERS   105 ( 1 )   012905-1 - 012905-5   2014年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4889803

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  • Dielectric Peoperty of (001) One-axis Oriented CaBi4Ti4O15-based Thin Films and Its Temperature Dependence 査読

    Y. Kondoh, S. Ogawa, J. Kimura, T. Kiguchi, T.J. Konno, H. Funakubo, H. Uchida

    Journal of Ceramics Society Japan   122 ( 6 )   477 - 482   2014年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.2109/jcersj2.122.477

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  • Chemical and Structural Effects at Columnar Grain Boundary in Yttria-Stabilized Zirconia Thin Film on Ionic Conductivity 査読

    Takanori Kiguchi, Yumiko Kodama, Toyohiko J. Konno, Hiroshi Funakubo, Osamu Sakurai, Kazuo Shinozaki

    Journal of Ceramics Society Japan   122 ( 6 )   430 - 435   2014年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.2109/jcersj2.122.430

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  • Electrical Properties of (110)-Oriented Nondoped Mg2Si Films with p-Type Conduction Prepared by RF Magnetron Sputtering Method 査読

    Shota Ogawa, Atsuo Katagiri, Takao Shimizu, Masaaki Matsushima, Kensuke Akiyama, Yoshisato Kimura, Hiroshi Uchida, Hiroshi Funakubo

    JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS   43 ( 6 )   2269 - 2273   2014年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1007/s11664-014-3040-6

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  • Characterizations of epitaxial Bi(Mg1/2Ti1/2)O-3-Bi(Zn1/2Ti1/2)O-3 solid solution films grown by pulsed laser deposition 査読

    Takahiro L. Oikawa, Shintaro Yasui, Takayuki Watanabe, Hisato Yabuta, Takeshi Kobayashi, Kaoru Miura, Hiroshi Funakubo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   53 ( 5 )   2014年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.53.05FE06

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  • Characterizations of epitaxial Bi(Mg

    Oikawa Takahiro, Yasui Shintaro, Watanabe Takayuki, Yabuta Hisato, Kobayashi Takeshi, Miura Kaoru, Funakubo Hiroshi

    Jpn. J. Appl. Phys.   53 ( 5 )   05FE06   2014年4月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:Institute of Physics  

    DOI: 10.7567/JJAP.53.05FE06

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  • Crystal orientation dependency of ferroelectric property in rhombohedral Pb(Zr,Ti)O-3 films 査読

    Yoshitaka Ehara, Satoru Utsugi, Takahiro Oikawa, Tomoaki Yamada, Hiroshi Funakubo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   53 ( 4 )   2014年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.53.04ED06

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  • Effect of heat treatment on electrical and electromechanical properties of hydrothermally synthesized epitaxial (K0.5Na0.5)NbO3 films 査読

    T. Shiraishi, N. Kaneko, M. Kurosawa, H. Uchida, T. Hirayama, H. Funakubo

    Jpn. J. Appl. Phys.   53 ( 5 )   05FE02-1 - 05FE02-6   2014年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.53.05FE02

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  • Columnar Grain Boundary Coherence in Yttria-Stabilized Zirconia Thin Film: Effects on Ionic Conductivity 査読

    Takanori Kiguchi, Toyohiko J. Konno, Hiroshi Funakubo, Osamu Sakurai, Kazuo Shinozaki

    Journal of Ceramics Society Japan   122 ( 1 )   72 - 77   2014年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    This study elucidated the effects of coherence of grain boundary of 6 mol % Y2O3-doped ZrO2 (YSZ) thin films on ionic conductivity. The YSZ thin films were deposited with several orientation textures on MgO (100) and Al2O3 (102) substrates using metal–organic chemical vapor deposition (MOCVD). Impedance measurements revealed that the total ionic conductivity of the thin films was restricted by the columnar grain boundary. The orientation degree, defined by the average full width at half maximum (FWHM) of 100 pole of the YSZ thin films, mainly determines the ionic conductivity across the columnar grain boundary because of the degree of the crystallographic coherence. Films with a strongly oriented columnar structure showed ionic conductivity of about 30 times higher than that of nanocrystalline films having random orientation. The activation energy of the ionic conduction across the columnar grain boundaries simply increased concomitantly with decreasing degree of orientation of the columnar grains of the films. HRTEM analyses revealed that the small tilt angle grain boundary with low lattice defect density and with no second phase at grain boundaries showed superior properties. Consequently, a columnar structure with high coherence is preferred for use as a thin film ionic conductor.

    DOI: 10.2109/jcersj2.122.72

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  • Photovoltaic properties of Si-based quantum-dot-sensitized solar cells prepared using laser plasma in liquid 査読

    Hiroki Kobayashi, Pattarin Chewchinda, Yasunori Inoue, Hiroshi Funakubo, Michikazu Hara, Masaie Fujino, Osamu Odawara, Hiroyuki Wada

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   53 ( 1 )   010208   2014年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.53.010208

    Web of Science

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  • Dielectric tunability analysis of pyrochlore Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7 using epitaxial films on pyrochlore Bi2Ru2O7 conductive layers 査読

    Mitsumasa Nakajima, Rikyu Ikariyama, P. S. Sankara Rama Krishnan, Tomoaki Yamada, Hiroshi Funakubo

    APPLIED PHYSICS LETTERS   104 ( 2 )   2014年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4861221

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  • Impact of thermal expansion of substrates on phase transition temperature of VO2 films 査読

    J. Sakai, M. Zaghrioui, M. Matsushima, H. Funakubo, K. Okimura

    Journal of Applied Physics   116   123510 - 1325   2014年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4896500

    CiNii Research

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  • High Temperature Reproducible Preparation of Mg2Si Films on (001)Al2O3 substrates Using RF Magnetron Sputtering Method 査読

    Katagiri Atsuo, Ogawa Shota, Shimizu Takao, Matsushima Masaaki, Akiyama Kensuke, Funakubo Hiroshi

    MRS Proceedings   1642   mrsf13 - 1642   2014年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1557/opl.2014.447

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    その他リンク: http://orcid.org/0000-0001-9508-7601

  • Measurement of transient photoabsorption and photocurrent of BiFeO<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML"><mml:msub><mml:mrow /><mml:mn>3</mml:mn></mml:msub></mml:math>thin films: Evidence for long-lived trapped photocarriers 査読

    山田, 泰裕, 中村, 透, 安井, 伸太郎, 舟窪, 浩, 金光, 義彦

    89 ( 3 )   035133   2014年

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  • Effects of the porous structures in the porous flow field type separators on fuel cell performances

    Tetsuro Kariya, Tomoki Hirono, Toshio Shudo, Hiroshi Funakubo

    International Journal of Hydrogen Energy   Vol. 39   2014年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.ijhydene.2014.07.070

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  • Low temperature preparation of KNbO3 films by hydrothermal method and there characterization 査読

    N. Kaneko, T. Shiraishi, M. Kurosawa, T. Shimizu, H. Funakubo

    Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   1659   49 - 54   2014年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1557/opl.2014.180

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  • Structural and Electrical Properties of Ba(ZrxTi1-x)O-3 Films Prepared by RF-magnetron Sputtering Using Metal Targets 査読

    Jin Woong Kim, Hiromi Shima, Hiroshi Funakubo, Ken Nishida, Takashi Yamamoto

    INTEGRATED FERROELECTRICS   157 ( 1 )   101 - 113   2014年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1080/10584587.2014.912110

    Web of Science

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  • One-axis-oriented crystal growth of lead zirconate titanate thin films on metal substrates using perovskite-type oxide nanosheet layer 査読

    Y. Minemura, Y. Kondoh, H. Funakubo, H. Uchida

    ELECTROCERAMICS IN JAPAN XVI   582   15 - +   2014年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/KEM.582.15

    Web of Science

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  • In-situ Raman Spectroscopic Investigation of the Effect of Cooling Speed on Domain Formation in PbTiO3 Films 査読

    M. Matsuoka, M. Nishide, T. Tai, J. W. Kim, H. Shima, T. Katoda, H. Funakubo, K. Nishida, T. Yamamoto

    INTEGRATED FERROELECTRICS   157 ( 1 )   39 - 46   2014年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1080/10584587.2014.911626

    Web of Science

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  • Preparation of Bismuth Based Perovskite Oxides and Their Electric Properties 査読

    Ichiro Fujii, Atsushi Shimamura, Kouichi Nakashima, Nobuhiro Kumada, Hiroshi Funakubo, Yoshihiro Kuroiwa, Satoshi Wada

    ELECTROCERAMICS IN JAPAN XVI   582   71 - +   2014年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/KEM.582.71

    Web of Science

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  • Activation of piezoelectric property of PZT thin films by pulse poling

    T. Kobayashi, Y. Suzuki, N. Makimoto, H. Funakubo, R. Maeda

    Journal of Physics: Conference Series   557 ( 1 )   2014年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:Institute of Physics Publishing  

    DOI: 10.1088/1742-6596/557/1/012130

    Scopus

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  • 巨大正方晶強誘電体薄膜 査読

    安井伸太郎, 舟窪 浩, 坂田 修身

    Ceramic Data Book   vol. 41 ( No. 95 )   153 - 157   2013年12月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    CiNii Research

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  • 新規ペロブスカイト型ビスマス圧電体薄膜の作製とその特性評価 査読

    安井伸太郎, 舟窪 浩, 坂田修身

    日本結晶学会誌   vol. 55 ( No. 5 )   296 - 301   2013年12月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:The Crystallographic Society of Japan  

    Novel perovskite-type Bi-based piezoelectric materials which was discovered by high pressuresynthesis were fabricated by MOCVD method. We also suggested a piezoresponse measurementsystem using synchrotron X-ray for In-situ measurement of “Polarization - Lattice strain - Electric field” at a same time.

    DOI: 10.5940/jcrsj.55.296

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    CiNii Research

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    その他リンク: https://jlc.jst.go.jp/DN/JALC/10025149493?from=CiNii

  • Epitaxial growth of Mg2Si films on strontium titanate single crystals 査読

    Kensuke Akiyama, Atsuo Katagiri, Shota Ogawa, Masaaki Matsushima, Hiroshi Funakubo

    Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics   10 ( 12 )   1688 - 1691   2013年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/pssc.201300332

    Scopus

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  • Direct Observation of Atomic Arrangement around 90° Domain Wall in Lead Titanate Thin Film. 査読

    Takanori Kiguchi, Toyohiko J. Konno, Yoshitaka Ehara, Tomoaki Yamada, Hiroshi Funakubo

    Materials Research Society Symposium Proceeding   1515   mrsf12-1515-II05-02-01 - mrsf12-1515-II05-02-06   2013年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1557/opl.2013.1094

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  • Fabrication and Evaluation of One-axis Oriented Lead Zirconate Titanate Films using Metal-oxide Nanosheet Interface Layer 査読

    Yoshiki Minemura, Kohei Nagasaka, Takanori Kiguchi, Toyohiko J. Konno, Hiroshi Funakubo, Hiroshi Uchida

    Japanese Journal of Applied Physics   52 ( 9 )   09KA04-1 - 09KA04-7   2013年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:The Japan Society of Applied Physics  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.09KA04

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  • Crystal Structure for Hydrothermally-synthesized Epitaxial (KxNa1-x)NbO3 films 査読

    Takahisa Shiraishi, Noriyuki Kaneko, Hiro Einishi, Takao Shimizu, Minoru Kurosawa, Hiroshi Uchida, Takeshi Kobayashi, Takanori Kiguchi, Toyohiko J. Konno, Hiroshi Funakubo

    Japanese Journal of Applied Physics   52 ( 9 )   09KA11-1 - 09KA11-5   2013年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.09KA11

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  • Effects of Bipolar Pulse Poling on the Ferroelectric and Piezoelectric Properties of Tetragonal Composition Pb(Zr-0.3,Ti-0.7)O-3 Thin Films on Microelectromechanical Systems Microcantilevers 査読

    Takeshi Kobayashi, Natsumi Makimoto, Yasuhiro Suzuki, Hiroshi Funakubo, Takahiro Oikawa, Auyumi Wada, Ryutaro Maeda

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 ( 9 )   2013年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.09KA01

    Web of Science

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  • Investigation of PbTiO3 thin films with reduced and re-oxidized treatment using Raman spectroscopy 査読

    Nishida Ken, Osada Minoru, Moriwake Hiroki, Sakai Joe, Ito Nobuaki, Nishide Masamichi, Oka Hirotaka, Matsuoka Masashi, Ikariyama Rikyu, Funakubo Hiroshi, Katoda Takashi, Yamamoto Takashi

    JOURNAL OF THE CERAMIC SOCIETY OF JAPAN   121 ( 1417 )   859 - 862   2013年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.2109/jcersj2.121.859

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  • Phase Boundary Shift by Thermal Strain in {100}-Oriented Epitaxial Pb(ZrxTi1-x)O-3 Film Grown on CaF2 Substrates 査読

    Ehara Yoshitaka, Oikawa Takahiro, Yamada Tomoaki, Funakubo Hiroshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 ( 9 )   09KA02 - 1-5   2013年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.09KA02

    Web of Science

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  • Composition dependence of crystal structure, electrical and piezoelectric properties for hydrothermally-synthesized 3 um-thickness (KxNa1-x)NbO3 films 査読

    T. Shiraishi, H. Einishi, S. Yasui, M. Ishikawa, T. Hasegawa, M. Kurosawa, H. Uchida, Y. Sakashita, H. Funakubo

    J. Ceram. Soc. Jpn.   121 ( 1416 )   627 - 631   2013年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.2109/jcersj2.121.627

    Web of Science

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  • Oxygen vacancies in PbTiO3 thin films probed by resonant Raman spectroscopy 査読

    Nishida Ken, Osada Minoru, Sakai Joe, Ito Nobuaki, Katoda Takashi, Ikariyama Rikyu, Funakubo Hiroshi, Moriwake Hiroki, Yamamoto Takashi

    JOURNAL OF THE CERAMIC SOCIETY OF JAPAN   121 ( 1416 )   598 - 601   2013年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.2109/jcersj2.121.598

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  • Unusual 90 degrees domain structure in (2/3)Bi(Zn1/2Ti1/2)O-3-(1/3)BiFeO3 epitaxial films with giant 22% tetragonal distortion 査読

    Yasui Shintaro, Yazawa Keisuke, Matsushima Masaaki, Yamada Tomoaki, Morioka Hitoshi, Uchida Hiroshi, Iijima Takashi, You Lu, Wang Junling, Yamamoto Takahisa, Ikuhara Yuichi, Funakubo Hiroshi

    APPLIED PHYSICS LETTERS   103 ( 4 )   2013年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4816420

    Web of Science

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  • Temperature and electric field stabilities of dielectric and insulating properties for c-axis-oriented CaBi4Ti4O15 films 査読

    Kimura Junichi, Takuwa Itaru, Matsushima Masaaki, Yasui Shintaro, Yamada Tomoaki, Funakubo Hiroshi

    Journal of Applied Physics   114 ( 2 )   2013年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4811816

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  • Nano-structure around 90° domain wall and elastic interaction with misfit dislocation in PbTiO3 thin film 査読

    T. Kiguchi, K. Aoyagi, Y. Ehara, H. Funakubo, T. Yamada, N. Usami, T.J. Konno

    Key Engineering Materials   566   167 - 170   2013年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/KEM.566.167

    Web of Science

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  • Ferroelectric and Piezoelectric Properties of (K,Na)NbO3 Thick Films Prepared on Metal Substrates by Hydrothermal Method 査読

    T. Shiraishi, H. Einishi, S. Yasui, T. Hasegawa, M. Kurosawa, M. Ishikawa, H. Uchida, Y. Sakashita, H. Funakubo

    J. Korean Phys. Soc.   62 ( 7 )   1055 - 1059   2013年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.3938/jkps.62.1055

    Web of Science

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  • Squareness Control in Polarization-Electric Field Hysteresis Curves in Rhombohedral Pb(Zr, Ti)O-3 Films 査読

    Sumi Akihiro, Oikawa Takahiro, Morioka Hitoshi, Okamoto Shoji, Yokoyama Shintaro, Watanabe Takayuki, Ehara Yoshitaka, Funakubo Hiroshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 ( 4 )   04CD09 - 04CD09-5   2013年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.04CD09

    Web of Science

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  • Growth of (111) One-Axis-Oriented Bi(Mg1/2Ti1/2)O-3 Films on (100) Si Substrates 査読

    Oikawa Takahiro, Yasui Shintaro, Watanabe Takayuki, Ishii Koji, Ehara Yoshitaka, Yabuta Hisato, Kobayashi Takeshi, Fukui Tetsuro, Miura Kaoru, Funakubo Hiroshi

    Japanese Journal of Applied Physics   52 ( 4 )   2013年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.04CH09

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  • Small-strain (100)/(001)-oriented epitaxial PbTiO3 films with film thickness ranging from nano- to micrometer order grown on (100)CaF2 substrates by metal organic chemical vapor deposition 査読

    Chentir Mohamed-Tahar, Utsugi Satoru, Fujisawa Takashi, Ehara Yoshitaka, Ishikawa Mutsuo, Morioka Hitoshi, Yamada Tomoaki, Matsushima Masaaki, Funakubo Hiroshi

    JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH   28 ( 5 )   696 - 701   2013年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1557/jmr.2012.441

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  • Nanoscale Origins of Nonlinear Behavior in Ferroic Thin Films 査読

    Vasudevan Rama K, Okatan M. Baris, Duan Chen, Ehara Yoshitaka, Funakubo Hiroshi, Kumar Amit, Jesse Stephen, Chen Long-Qing, Kalinin Sergei V, Nagarajan Valanoor

    ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS   23 ( 1 )   81 - 90   2013年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/adfm.201201025

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  • Crystal Structure Change with Applied Electric Field for (100)/(001)-oriented Polycrystalline Lead Zirconate Titanate Films 査読

    A. Wada, Y. Ehara, S. Yasui, T. Oikawa, M. Nakajima, M. Wada, P. S, S. R. Krishnan, S. Okamura, K. Nishida, T. Yamamoto, T. Kobayashi, H. Morioka, H. Funakubo

    Proceedings of the Materials Research Society   1507   mrsf12-1507-aa12-21   2013年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1557/opl.2013.161

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  • 液中レーザーアブレーションによるシリコンナノ粒子を用いた量子ドット増感太陽電池への検討 査読

    小林 宏輝, Pattarin Chewchinda, 大谷 弘之, 舟窪 浩, 小田原 修, 和田 裕之

    2013年

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  • Preparation of Bismuth-Based Perovskites with Non-integer A and B Site Valence and Their Properties: 査読

    Fujii Ichiro, Shimamura Atsushi, Nakashima Kouichi, Kumada Nobuhiro, Funakubo Hiroshi, Kuroiwa Yoshihiro, Wada Satoshi

    Transactions of the Materials Research Society of Japan   38 ( 1 )   49 - 52   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:The Materials Research Society of Japan  

    Non-integer A and B site cation valence perovskite oxides with bismuth and niobium cations were synthesized. Using the tolerance factor, some single phase perovskite oxides were obtained. For the A1+xB5-xO3 type (Bix/2K-x/2+1)(TixNb1-x)O3 ceramics, the Curie temperature increased from approximately 200 to 350 °C with increasing x from 0.5 to 0.9. These results were discussed with the Abrahams relations.

    DOI: 10.14723/tmrsj.38.49

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  • Leakage current characteristics of new SrBi<inf>4</inf>Ti<inf>4</inf>O <inf>15</inf>/CaBi<inf>4</inf>Ti<inf>4</inf>O<inf>15</inf> thin-film capacitor with excellent electric stability

    Hideaki Kawahara, Naoya Tahara, Shuhei Nomura, Kaoru Yamashita, Minoru Noda, Hiroshi Uchida, Hiroshi Funakubo

    IMFEDK 2013 - 2013 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai   80 - 81   2013年

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    掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1109/IMFEDK.2013.6602250

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  • Control of volume fraction of non-180° domains by thermal strain in epitaxial rhombohedral Pb(Zr, Ti)O3 thick films 査読

    Yoshitaka Ehara, Satoru Utsugi, Takahiro Oikawa, Tomoaki Yamada, Hiroshi Funakubo

    Materials Research Society Symposium Proceedings   1507   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:Materials Research Society  

    DOI: 10.1557/opl.2013.514

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  • Crystal Structure Analysis of Hydrothermally-synthesized Epitaxial (KxNa1-x)NbO3 Film

    Takahisa Shiraishi, Noriyuki Kaneko, Hiro Einishi, Takao Shimizu, Minoru Kurosawa, Hiroshi Uchida, Takeshi Kobayashi, Takanori Kiguchi, Toyohiko J. Konno, Hiroshi Funakubo

    Jpn. J. Appl. Phys.   Vol. 52   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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  • Analysis of lattice defects in an epitaxial PbTiO3 thick film by transmission electron microscopy 査読

    Kenta Aoyagi, Takanori Kiguchi, Yoshitaka Ehara, Hiroshi Funakubo, Toyohiko J. Konno

    Key Engineering Materials   566   171 - 174   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/KEM.566.171

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  • Fabrication of BiFeO3-Bi(Zn1/2Ti1/2)O-3 Solid Solution Thin Films using Perovskite-type Oxide Interface Layer 査読

    Hayashi Mari, Yasui Shintaro, Funakubo Hiroshi, Uchida Hiroshi

    ELECTROCERAMICS IN JAPAN XV   566   163 - 166   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/KEM.566.163

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  • Growth of 130 um Thick Epitaxial KNbO3 Film by Hydrothermal Method 査読

    T. Shiraishi, H. Einishi, M. Ishikawa, T. Hasegawa, M. Kurosawa, H. Funakubo

    Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   1494   1 - 6   2013年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1557/opl.2013.50

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  • Molecular Dynamics Simulation of 90˚ Ferroelectric Domains in PbTiO3 査読

    Takeshi Nishimatsu, Kenta Aoyagi, Takanori Kiguchi, Toyohiko J. Konno, Yoshiyuki Kawazoe, Hiroshi Funakubo, Anil Kumar, Umesh V. Waghmare

    Journal of the Physical Society of Japan   81 ( 12 )   124702-1 - 124702-5   2012年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:The Physical Society of Japan  

    DOI: 10.1143/JPSJ.81.124702

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  • Complex domain structure in relaxed PbTiO3 thick films grown on (100)(c)SrRuO3//(100)SrTiO3 substrates 査読

    Yasui Shintaro, Ehara Yoshitaka, Utsugi Satoru, Nakajima Mitsumasa, Funakubo Hiroshi, Gruverman Alexei

    Journal of Applied Physics   112 ( 5 )   2012年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4746078

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  • Dynamic piezoresponse force microscopy: Spatially resolved probing of polarization dynamics in time and voltage domains 査読

    A. Kumar, Y. Ehara, A. Wada, H. Funakubo, F. Griggio, S. Trolier-Mckinstry, S. Jesse, S. V. Kalinin

    Journal of Applied Physics   112 ( 5 )   2012年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1063/1.4746080

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  • Preparation and Characterization of Ba(ZrxTi1-x)O-3 Thin Films Using Reactive Sputtering Method 査読

    Jin Woong Kim, Tsuyoshi Osumi, Masashi Mastuoka, Takeshi Tai, Masamichi Nishide, Hiroshi Funakubo, Hiromi Shima, Ken Nishida, Takashi Yamamoto

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   51 ( 9 )   2012年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.51.09LA01

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  • Charge trapping-detrapping induced resistive switching in Ba0.7Sr0.3TiO3 査読

    Xi Zou, Hock Guan Ong, Lu You, Weigang Chen, Hui Ding, Hiroshi Funakubo, Lang Chen, Junling Wang

    AIP ADVANCES   2 ( 3 )   2012年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4754150

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  • Dielectric Property of Silicate-Doped CaBi4Ti4O15 Thin Films 査読

    Shota Ogawa, Yohta Kondoh, Junichi Kimura, Hiroshi Funakubo, Hiroshi Uchida

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   51 ( 9 )   2012年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.51.09LA16

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  • Investigation of Sputtering Damage in SrRuO3 Films Prepared by Sputtering with Raman and X-ray Photoemission Spectroscopies 査読

    Takeshi Tai, Masamichi Nishide, Masashi Matsuoka, Takafumi Kamo, Hiroshi Funakubo, Takashi Katoda, Hiromi Shima, Ken Nishida, Takashi Yamamoto

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   51 ( 9 )   2012年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.51.09LA19

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  • Effects of A-Site Occupancy of Bismuth Ions on the Dielectric Tunable Properties of Pyrochlore Bismuth Zinc Niobate Films 査読

    Mitsumasa Nakajima, Tomoaki Yamada, Shingo Okaura, Hiroshi Funakubo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   51 ( 9 )   2012年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.51.09LA10

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  • Anisotropic electrical properties in bismuth layer structured dielectrics with natural super lattice structure 査読

    Takashi Kojima, Junichi Kimura, Muneyasu Suzuki, Kenji Takahashi, Takahiro Oikawa, Yukio Sakashita, Kazumi Kato, Takayuki Watanabe, Tadashi Takenaka, Tomoaki Yamada, Hiroshi Funakubo

    APPLIED PHYSICS LETTERS   101 ( 1 )   2012年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4733326

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  • Noncontact probing method for estimation of ferroelectric properties of PbTiO3-based films for microelectromechanical systems 査読

    Ehara Yoshitaka, Utsugi Satoru, Nakajima Mitsumasa, Chentir Mohamed-Tahar, Yamada Tomoaki, Iijima Takashi, Nishida Ken, Yamamoto Takashi, Funakubo Hiroshi

    JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH   27 ( 11 )   1430 - 1435   2012年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1557/jmr.2012.100

    Web of Science

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  • Domain tuning in mixed-phase BiFeO3 thin films using vicinal substrates 査読

    You Lu, Yasui Shintaro, Ehara Yoshitaka, Zou Xi, Ding Hui, Chen Zuhuang, Chen Weigang, Chen Lang, Funakubo Hiroshi, Wang Junling

    Applied Physics Letters   100 ( 20 )   2012年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4717986

    Web of Science

    arXiv

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  • Stacking faults in an epitaxially grown PbTiO3 thick film and their size distribution 査読

    Kenta Aoyagi, Yumiko Kodama, Takanori Kiguchi, Yoshitaka Ehara, Hiroshi Funakubo, Toyohiko J. Konno

    Materials Science and Engineering B   177 ( 7 )   528 - 531   2012年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.mseb.2012.01.013

    Web of Science

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  • Growth of (111)-oriented BaTiO3-Bi(Mg0.5Ti0.5)O-3 epitaxial films and their crystal structure and electrical property characterizations 査読

    Tanaka Hidenori, Chentir Mohamed-Tahar, Yamada Tomoaki, Yasui Shintaro, Ehara Yoshitaka, Yamato Keisuke, Kashiwagi Yuta, Theng Chua Ngeah, Wang Junling, Okamura Soichiro, Uchida Hiroshi, Iijima Takashi, Wada Satoshi, Funakubo Hiroshi

    Journal of Applied Physics   111 ( 8 )   2012年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4704384

    Web of Science

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  • Effect of point defects on lattice constant in MgO thin film deposited on silicon(001) substrate 査読

    S. Kaneko, T. Nagano, T. Ito, M. Yasui, T. Ozawa, M. Soga, Y. Motoizumi, H. Funakubo, M. Yoshimoto

    EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS   58 ( 1 )   2012年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1051/epjap/2012110247

    Web of Science

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  • 90-degree Ferroelectric Domains in PbTiO3: Experimental Observation and Molecular Dynamics Simulations

    Kenta Aoyagi, Takeshi Nishimatsu, Takanori Kiguchi, Toyohiko J. Konno, Yoshiyuki Kawazoe, Hiroshi Funakubo, Anil Kumar, Umesh V. Waghmare

    2012年2月

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    We report observation of 90-degree ferroelectric domain structures in
    transmission electron microscopy (TEM) of epitaxially-grown films of PbTiO3.
    Using molecular dynamics (MD) simulations based on first-principles effective
    Hamiltonian of bulk PbTiO3, we corroborate the occurance of such domains
    showing that it arises as metastable states only in cooling simulations (as the
    temperature is lowered) and establish characteristic stability of 90-degree
    domain structures in PbTiO3. In contrast, such domains do not manifest in
    similar simulations of BaTiO3. Through a detailed analysis based on energetics
    and comparison between PbTiO3 and BaTiO3, we find that 90-degree domain
    structures are energetically favorable only in the former, and the origin of
    their stability lies in the polarization-strain coupling. Our analysis suggests
    that they may form in BaTiO3 due to special boundary condition and/or
    defect-related inhomogeneities.

    arXiv

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    その他リンク: http://arxiv.org/pdf/1202.3893v1

  • Preparation of InP Nanoparticles by Laser Ablation in Liquid 査読

    Kagaya S, Ehara Y, Kitamoto Y, FUnakubo H, Hara M, Yamazaki Y, Odawara O, Wada H

    The Review of Laser Engineering   40 ( 2 )   117 - 121   2012年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:一般社団法人 レーザー学会  

    DOI: 10.2184/lsj.40.2_117

    CiNii Books

    CiNii Research

    J-GLOBAL

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  • Film Thickness Dependence of Ferroelectric Properties of (111)-Oriented Epitaxial Bi(Mg1/2Ti1/2)O-3 Films 査読

    Oikawa Takahiro, Yasui Shintaro, Watanabe Takayuki, Yabuta Hisato, Ehara Yoshitaka, Fukui Tetsuro, Funakubo Hiroshi

    Japanese Journal of Applied Physics   51 ( 9 )   09LA04 - 09LA04-4   2012年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:The Japan Society of Applied Physics  

    The origin of the ferroelectricity of Bi(Mg1/2Ti1/2)O3 films was investigated. Epitaxial Bi(Mg1/2Ti1/2)O3 films with film thicknesses of 50 to 800 nm were grown on (111)\text{cSrRuO3/(111)SrTiO3 substrates by pulsed laser deposition. A Bi(Mg1/2Ti1/2)O3 film was not strongly clamped from the substrate and identified to have rhombohedral symmetry with a = 0.398 nm and \alpha = 89.8°, which was independent of film thickness within 100 to 800 nm. The relative dielectric constant, remanent polarization, and coercive field of the Bi(Mg1/2Ti1/2)O3 films at room temperature were almost constant at about 250, 60 μC/cm2, and 240 kV/cm, respectively, for film thicknesses above 200 nm. These data suggest that Bi(Mg1/2Ti1/2)O3 films are ferroelectric.

    DOI: 10.1143/jjap.51.09la04

    CiNii Books

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  • Epitaxial PZT fi lms for MEMS printing applications 査読

    HIROSHI FUNAKUBO, Dekkers, M., Sambri, A., Gariglio, S., Shklyarevskiy, I., Rijnders, G.

    MRS Bulletin   Vol. 37 ( No. 11 )   1030 - 1038   2012年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1557/mrs.2012.271

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  • ペロブスカイト型酸化物界面層を用いたBiFeO3薄膜の一軸配向成長

    内田 寛, 林 真里, 笹嶋 慶一, 峰村 佳輝, 安井 伸太郎, 舟窪 浩

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2012   318 - 318   2012年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    BiFeO3はPb含有強誘電体を代替する有力な材料の候補として、近年その研究開発が急速に進められている。本研究では酸化物単結晶基板よりも汎用性の高いSiウェハ上での材料合成を念頭に置き、LaNiO3層ならびにCa2Nb3O10ナノシートなど、同じくペロブスカイト型結晶構造を有する界面層を成長核として利用したBiFeO3薄膜材料の結晶性向上と結晶配向性の制御を試みた。BiFeO3薄膜試料は界面層を形成した (111)Pt/TiO2/(100)Si基板上に化学溶液法により堆積された。その結果、良好な結晶性を有する(100)BiFeO3結晶が基板面方位に対して一軸配向成長する事が確認された。

    DOI: 10.14853/pcersj.2012S.0.318.0

    CiNii Research

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  • Enhancement of 1.55 m luminescence of -FeSi2 grown from solvent phase by Cu-Si and Au-Si eutectic reaction on Si substrate

    Kensuke Akiyama, Satoru Kaneko, Hiroshi Funakubo, Masaru Itakura

    Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   Vol. 1396   2012年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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  • Distribution of Crystal Structure in Epitaxial Pb(Zr-0.42,Ti-0.58)O-3 Film Grown on (111)(c)SrRuO3//(111)SrTiO3 Substrate 査読

    Masamichi Nishide, Shintaro Yokoyama, Hiroshi Funakubo, Takashi Katoda, Hiromi Shima, Ken Nishida, Takashi Yamamoto

    INTEGRATED FERROELECTRICS   133   54 - 60   2012年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1080/10584587.2012.664063

    Web of Science

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  • Preparation and Characterization of BaTiO3 Thin Films Using Reactive Sputtering Method with Metal Target 査読

    Tsuyoshi Osumi, Masamichi Nishide, Hiroshi Funakubo, Hiromi Shima, Ken Nishida, Takashi Yamamoto

    INTEGRATED FERROELECTRICS   133   42 - 48   2012年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1080/10584587.2012.664029

    Web of Science

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  • Development of Novel Pb, Li, Na and K-free Piezoelectric Materials for Si-based MEMS Application 査読

    Funakubo Hiroshi, Yasui Shintaro, Yazawa Keisuke, Nagata Junichi, Oikawa Takahiro, Yamada Tomoaki, Uchida Hiroshi, IEEE

    2012 International Symposium on Applications of Ferroelectrics Held Jointly With 11th Ieee Ecapd and Ieee Pfm (Isaf/ecapd/pfm)   2012年

  • Film Thickness Dependence of Crystal Structure in {100}-Oriented Epitaxial Pb(Zr0.65Ti0.35)O-3 Films Grown on Single-Crystal Substrates with Different Thermal Expansion Coefficients 査読

    Ehara Yoshitaka, Yasui Shintaro, Ishii Koji, Funakubo Hiroshi

    Japanese Journal of Applied Physics   51 ( 9 )   09LA14 - 09LA14-5   2012年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:The Japan Society of Applied Physics  

    {100}-oriented epitaxial Pb(Zr0.65Ti0.35)O3 films with various film thicknesses from 0.1 to 3 μm were grown on (100)cSrRuO3 \varparallel (100)SrTiO3 and (100)cSrRuO3 \varparallel (100)LaNiO3 \varparallel (001)CaF2 substrates. The out-of-plane/in-plane lattice parameter ratio of the films on the CaF2 substrates was larger than that on the SrTiO3 substrates up to 1.1 μm film thickness, while (90{\degree}-\alpha) (\alpha was defined as the internal tilt angle) was almost 0°. Results of analysis of Raman spectra and piezoresponse images suggest that the 1.1-μm-thick film grown on the (100)cSrRuO3 \varparallel (100)LaNiO3 \varparallel (001)CaF2 substrate had tetragonal symmetry with a polar-axis orientation. Moreover, the saturation polarization values of the films measured from P--E hysteresis loops correspond to the two P_{\text{s } } values estimated from the thermodynamic theory, assuming the change in the polar direction due to the symmetry change to tetragonal, and from the crystal distortion in tetragonal symmetry. This can be explained by the large compressive stress from the CaF2 substrate having a large thermal expansion coefficient.

    DOI: 10.1143/jjap.51.09la14

    CiNii Books

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  • Improved ferroelectric property of very thin Mn-doped BiFeO3 films by an inlaid Al2O3 tunnel switch 査読

    Hyun Ju Lee, Min Hyuk Park, Yu Jin Kim, Cheol Seong Hwang, Jeong Hwan Kim, Hiroshi Funakubo, Hiroshi Ishiwara

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   110 ( 7 )   2011年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.3647777

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  • Ultrafast switching of ferroelastic nanodomains in bilayered ferroelectric thin films 査読

    Y. Ehara, S. Yasui, J. Nagata, D. Kan, V. Anbusathaiah, T. Yamada, O. Sakata, H. Funakubo, V. Nagarajan

    APPLIED PHYSICS LETTERS   99 ( 18 )   182906-1 - 182906-3   2011年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.3657468

    Web of Science

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  • Preparation and Characteristics of Bi0.5Na0.5TiO3 Single-Crystalline Films by a Solid-State Process 査読

    Daiji Ijuu, Toshio Kimura, Tomoaki Yamada, Hiroshi Funakubo

    JOURNAL OF THE AMERICAN CERAMIC SOCIETY   94 ( 10 )   3291 - 3295   2011年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1111/j.1551-2916.2011.04569.x

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  • Controlled Polarizability of One-Nanometer-Thick Oxide Nanosheets for Tailored, High-kappa Nanodielectrics 査読

    Osada Minoru, Takanashi Genki, Li Bao-Wen, Akatsuka Kosho, Ebina Yasuo, Ono Kanta, Funakubo Hiroshi, Takada Kazunori, Sasaki Takayoshi

    ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS   21 ( 18 )   3482 - 3487   2011年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/adfm.201100580

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  • Growth of epitaxial {100}-oriented KNbO3 - NaNbO3 solid solution films on (100)cSrRuO3//(100)SrTiO3 by hydrothermal method and their characterization 査読

    T. Shiraishi, H. Einishi, S. Yasui, M. Ishikawa, T. Hasegawa, M. Kurosawa, H. Uchida, Y. Sakashita, H. Funakubo

    Jpn. J. Appl. Phys.   50 ( 9 )   09ND11-1 - 09ND11-4   2011年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.50.09ND11

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  • Erratum: Spontaneous polarization estimation from the soft mode in strain-free epitaxial polar axis-oriented Pb(Zr,Ti)O<inf>3</inf> thick films with tetragonal symmetry (Applied Physics Letters (2011) 98 (141914)) 査読

    Yoshitaka Ehara, Satoru Utsugi, Mitsumasa Nakajima, Tomoaki Yamada, Takashi Iijima, Hiroki Taniguchi, Mitsuru Itoh, Hiroshi Funakubo

    Applied Physics Letters   99 ( 12 )   2011年9月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.3643039

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  • X-ray diffraction study of electric-field-induced strains in polycrystalline BiFeO<inf>3</inf>thin films at low temperatures by using synchrotron radiation 査読

    Seiji Nakashima, Hironori Fujisawa, Masaru Shimizu, Osami Sakata, Osami Sakata, Tomoaki Yamada, Hiroshi Funakubo, Jung Min Park, Takeshi Kanashima, Masanori Okuyama

    Journal of the Korean Physical Society   59 ( 31 )   2556 - 2559   2011年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.3938/jkps.59.2556

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  • Crystal Orientation Control of Bismuth Layer-Structured Dielectric Films Using Interface Layers of Perovskite-Type Oxides 査読

    Yohta Kondoh, Keiichi Sasajima, Mari Hayashi, Junichi Kimura, Itaru Takuwa, Yoshitaka Ehara, Hiroshi Funakubo, Hiroshi Uchida

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   50 ( 9 )   2011年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.50.09NA04

    Web of Science

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  • Preferential Crystal Growth of (100)-Oriented BiFeO3 Films on Si Substrate 査読

    Mari HAYASHI, Shintaro YASUI, Hiroshi FUNAKUBO, Hiroshi UCHIDA

    IOP Conference Series: Materials Science and Engineering   18 ( 9 )   092033 - 1-4   2011年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:Institute of Physics  

    DOI: 10.1088/1757-899X/18/9/092033

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  • Buffer-layer-enhanced growth of a single-domain LaB6 (100) epitaxial thin film on a MgO (100) substrate via pulsed laser deposition 査読

    Y. Kato, H. Arai, R. Yamauchi, N. Tsuchimine, S. Kobayashi, K. Saeki, N. Takezawa, S. Kaneko, M. Mitsuhashi, H. Funakubo, M. Yoshimoto

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   330 ( 1 )   39 - 42   2011年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2011.07.001

    Web of Science

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  • Crystal Orientation Control of Bismuth Layer-Structured Dielectric Films Using Interface Layers of Perovskite-Type Oxides 査読

    Yohta KOHDOH, Keiichi SASAJIMA, Mari HAYASHI, Junichi KIMURA, Itaru TAKUWA, Yoshitaka EHARA, Hiroshi FUNAKUBO, Hiroshi UCHIDA

    Japanese journal of applied physics   50 ( 9 )   09NA04-1 - 09NA04-5   2011年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics  

    DOI: 10.1143/JJAP.50.09NA04

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  • Fabrication and Evaluation of Mn-Substituted Ba(Cu 1/3 Nb 2/3 )O 3 Ceramics 査読

    Yusuke KAMIMURA, Bong-Yeon LEE, Keisuke YAZAWA, Hiroshi FUNAKUBO, Takashi IIJIMA, Hiroshi UCHIDA

    IOP Conference Series: Materials Science and Engineering   18 ( 9 )   092038 - 1-4   2011年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:Institute of Physics  

    DOI: 10.1088/1757-899X/18/9/092038

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  • High Fatigue Endurance and Large Remanent Polarization in Pt/SrRuO3/BiFe0.95Mn0.05O3/SrRuO3/Pt Ferroelectric Capacitors Formed on SiO2-Coated Si Substrates 査読

    Jeong Hwan Kim, Hiroshi Funakubo, Hiroshi Ishiwara

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   4 ( 8 )   2011年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/APEX.4.081501

    Web of Science

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  • TEM Observation on Ferroelectric Domain Structures of PbTiO3 Epitaxial Films 査読

    Kenta Aoyagi, Takanori Kiguchi, Yoshitaka Ehara, Hiroshi Funakubo, Toyohiko J. Konno

    Key Engineering Materials   485   179 - 182   2011年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/KEM.485.179

    CiNii Research

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  • Ferroelectric Domain Configuration and Local Elastic Interaction with Misfit Dislocation in PbTiO3/SrTiO3 Epitaxial Thin Film 査読

    Takanori Kiguchi, Kenta Aoyagi, Yoshitaka Ehara, Hiroshi Funakubo, Tomoaki Yamada, Noritaka Usami, Toyohiko J. Konno

    Science and Technology of Advanced Materials   12 ( 3 )   034413-1 - 034413-9   2011年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1468-6996/12/3/034413

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  • Diffraction contrast analysis of 90º and 180º ferroelectric domain structures of PbTiO3 thin films 査読 国際誌

    Kenta Aoyagi, Takanori Kiguchi, Yoshitaka Ehara, Tomoaki Yamada, Hiroshi Funakubo, Toyohiko J. Konno

    Science and Technology of Advanced Materials   12 ( 3 )   034403-1 - 034403-6   2011年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/1468-6996/12/3/034403

    Web of Science

    PubMed

    CiNii Research

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  • Strong growth orientation dependence of strain relaxation in epitaxial (Ba,Sr)TiO3 films and the resulting dielectric properties 査読

    Tomoaki Yamada, Takafumi Kamo, Hiroshi Funakubo, Dong Su, Takashi Iijima

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   109 ( 9 )   2011年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.3581203

    Web of Science

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  • Thickness-dependent ferroelectric properties of Mn-doped BiFeO3 films formed on Pt and SrRuO3/Pt electrodes by RF Sputtering 査読

    Jeong Hwan Kim, Hiroshi Funakubo, Yoshihiro Sugiyama, Hiroshi Ishiwara

    CURRENT APPLIED PHYSICS   11 ( 3 )   S228 - S231   2011年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.cap.2010.11.062

    Web of Science

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  • Enhancement of piezoelectric response in(100)/(001) oriented tetragonal PZT films by controlling tetragonality and volume fraction of the(001) orientation 査読

    舟窪 浩

    J. Appl. Phys.   109 ( 9 )   2011年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.3581190

    Web of Science

    CiNii Research

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  • Comparison of Ferroelectric and Insulating Properties of Mn-Doped BiFeO3 Films Formed on Pt, SrRuO3/Pt, and LaNiO3/Pt Bottom Electrodes by Radio-Frequency Sputtering 査読

    Jeong Hwan Kim, Hiroshi Funakubo, Hiroshi Ishiwara

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   50 ( 5 )   2011年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.50.051501

    Web of Science

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  • Measurement of Piezoelectric Transverse and Longitudinal Displacement with Atomic Force Microscopy for PZT Thick Films 査読

    Y. Kashiwagi, T. Iijima, T. Aiso, T. Yamamoto, K. Nishida, H. Funakubo, T. Nakajima, S. Okamura

    Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   1318   mrsf10-1318-vv03-12   2011年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1557/opl.2011.280

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  • Synthesis of Mica Thin Film by Pulsed Laser Deposition 査読

    Nakasone Yuta, Nakai Hirokazu, Miyake Yumiko, Yamauchi Ryosuke, Tsuchimine Nobuo, Kobayashi Susumu, Sano Yoshifumi, Takezawa Nobutaka, Mitsuhashi Masahiko, Kaneko Satoru, Funakubo Hiroshi, Yoshimoto Mamoru

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   4 ( 5 )   55502 - 055502-3   2011年5月

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  • Nano-strip grating lines self-organized by a high speed scanning CW laser 査読 国際誌

    Kaneko Satoru, Ito Takeshi, Akiyama Kensuke, Yasui Manabu, Kato Chihiro, Tanaka Satomi, Hirabayashi Yasuo, Mastuno Akira, Nire Takashi, Funakubo Hiroshi, Yoshimoto Mamoru

    NANOTECHNOLOGY   22 ( 17 )   175307 - 175307   2011年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/0957-4484/22/17/175307

    Web of Science

    PubMed

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  • Enhancement of magnetization at morphotropic phase boundary in epitaxial BiCoO3-BiFeO3 solid solution films grown on SrTiO3 (100) substrates 査読

    Hiroshi Naganuma, Shintaro Yasui, Ken Nishida, Takashi Iijima, Hiroshi Funakubo, Soichiro Okamura

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   109 ( 7 )   07D917-1 - 07D917-3   2011年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.3561776

    Web of Science

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  • Application of synchrotron-based reciprocal-space mapping at a fixed angular position to identification of crystal symmetry of Bi4Ti3O12 epitaxial thin films 査読

    Osami Sakata, Takayuki Watanabe, Hiroshi Funakubo

    JOURNAL OF APPLIED CRYSTALLOGRAPHY   44 ( 2 )   385 - 391   2011年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1107/S0021889811003980

    Web of Science

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  • Spontaneous polarization estimation from the soft mode in strain-free epitaxial polar axis-oriented Pb(Zr,Ti)O-3 thick films with tetragonal symmetry 査読

    Yoshitaka Ehara, Satoru Utsugi, Mitsumasa Nakajima, Tomoaki Yamada, Takashi Iijima, Hiroki Taniguchi, Mitsuru Itoh, Hiroshi Funakubo

    APPLIED PHYSICS LETTERS   98 ( 14 )   2011年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.3575565

    Web of Science

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  • Effect of CW laser annealing on silicon surface for application of power device 査読

    Satoru Kaneko, Takeshi Ito, Kensuke Akiyama, Manabu Yasui, Chihiro Kato, Satomi Tanaka, Yasuo Hirabayashi, Takeshi Ozawa, Akira Matsuno, Takashi Nire, Hiroshi Funakubo, Mamoru Yoshimoto

    World Academy of Science, Engineering and Technology   74   335 - 337   2011年2月

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  • Epitaxial growth of (100)-oriented beta-FeSi2 film on 3C-SiC(100) plane 査読

    Akiyama Kensuke, Kadowaki Teiko, Hirabayashi Yasuo, Yoshimoto Mamoru, Funakubo Hiroshi, Kaneko Satoru

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   316 ( 1 )   10 - 14   2011年2月

  • Effect of CW laser annealing on silicon surface for application of power device

    Satoru Kaneko, Takeshi Ito, Kensuke Akiyama, Manabu Yasui, Chihiro Kato, Satomi Tanaka, Yasuo Hirabayashi, Takeshi Ozawa, Akira Matsuno, Takashi Nire, Hiroshi Funakubo, Mamoru Yoshimoto

    World Academy of Science, Engineering and Technology   50   330 - 332   2011年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Scopus

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  • Growth of (111)-oriented epitaxial Bi(Mg<inf>0.5</inf>Ti <inf>0.5</inf>)O<inf>3</inf> films and their characterization

    Tanaka, H., Yamada, T., Yasui, S., Yamato, K., Wada, S., Funakubo, H.

    Key Engineering Materials   485   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Key Engineering Materials  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/KEM.485.195

    Scopus

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  • A New SrBi4Ti4O15/CaBi4Ti4O15 Thin Film Capacitor for Excellent Electric Stability 査読

    Shuhei Nomura, Kaoru Yamashita, Minoru Noda, Hiroshi Uchida, Hiroshi Funakubo

    2011 INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON APPLICATIONS OF FERROELECTRICS (ISAF/PFM) AND 2011 INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON PIEZORESPONSE FORCE MICROSCOPY AND NANOSCALE PHENOMENA IN POLAR MATERIALS   Vol. 59 ( No. 9 )   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

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  • Preferential Crystal Growth of (100)-Oriented BiFeO3 Films on Si Substrate 査読

    M. Hayashi, S. Yasui, H. Funakubo, H. Uchida

    3RD INTERNATIONAL CONGRESS ON CERAMICS (ICC3): ADVANCES IN ELECTRO CERAMICS   18   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1088/1757-899X/18/9/092033

    Web of Science

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  • Growth of Orientation-Controlled Epitaxial KNbO3 Thin Film by Hydrothermal Method 査読

    Hiro Einishi, Mutsuo Ishikawa, Mitsumasa Nakajima, Shintaro Yasui, Tomoaki Yamada, Minoru Kurosawa, Hiroshi Funakubo

    ELECTROCERAMICS IN JAPAN XIV   485   199 - +   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/KEM.485.199

    Web of Science

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  • Intrinsic Characteristics of Bi(Zn1/2Ti1/2)O-3 - substituted Pb(Zr0.4Ti0.6)O-3 Thin Films 査読

    M. T. Chentir, Yoshitaka Ehara, Y. Sugiyama, Y. Tasaki, H. Ishiwara, H. Funakubo

    3RD INTERNATIONAL CONGRESS ON CERAMICS (ICC3): ADVANCES IN ELECTRO CERAMICS   18   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1088/1757-899X/18/9/092008

    Web of Science

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  • Dielectric Properties of Bismuth Layer-Structured Oxide Thin Films with Preferential Crystal Orientation at High-Temperature 査読

    Yuki Mizutani, Junichi Kimura, Itaru Takuwa, Tomoaki Yamada, Hiroshi Funakubo, Hiroshi Uchida

    ELECTROCERAMICS IN JAPAN XIV   485   191 - +   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/KEM.485.191

    Web of Science

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  • Rapid and high sensitive structure evaluation of ferroelectric films using micro-Raman spectroscopy: In-situ observation of stress accumulation and release in PbTiO3 films during first cooling process

    M. Nishide, M. Matsuoka, T. Tai, T. Katoda, H. Funakubo, K. Nishida, T. Yamamoto

    Materials Science and Engineering   Vol. 18   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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  • Real-space mapping of dynamic phenomena during hysteresis loop measurements: Dynamic switching spectroscopy piezoresponse force microscopy

    A. Kumar, O. S.Ovchinnikov, H. Funakubo, S. Jesse, S. V. Kalinin

    Appl. Phys. Lett.   Vol. 98   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.3590919

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  • Fabrication and Evaluation of Mn-Substituted Ba(Cu1/3Nb2/3)O-3 Ceramics 査読

    Y. Kamimura, B. -Y. Lee, K. Yazawa, H. Funakubo, T. Iijima, H. Uchida

    3RD INTERNATIONAL CONGRESS ON CERAMICS (ICC3): ADVANCES IN ELECTRO CERAMICS   18   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1088/1757-899X/18/9/092038

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  • 高圧相材料を用いた新規圧電体における巨大圧電性の設計

    安井 伸太郎, 長田 潤一, 森岡 仁, 内田 寛, 黒澤 実, 舟窪 浩

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2011   317 - 317   2011年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    PZTを超える新規非鉛圧電体材料を探索するためには、その端成分である正方晶圧電体が重要であるが、これまでの研究はチタン酸バリウム[BaTiO3]やチタン酸ビスマスカリウム[(Bi,K)TiO3]等に限定されていた。本研究では、2006年に正方晶強誘電体であることが報告されたコバルト酸ビスマス[BiCoO3]および亜鉛酸チタン酸ビスマス[Bi(Zn1/2Ti1/2)O3]の2種類のビスマス正方晶強誘電体に注目した。これらのビスマス系正方晶強誘電体は、高温高圧を用いないと作製できないことから、これまで圧電性に着目した研究は未だ多くはない。本研究ではMOCVD法を用いて、BiCoO3およびBi(Zn1/2Ti1/2)O3を含有するエピタキシャル薄膜を作製した。得られた薄膜について、結晶構造解析と電気特性および圧電特性を調査し、従来の鉛系圧電体膜と比較検討を行うことで、新規圧電体材料の設計指針を検討した。

    DOI: 10.14853/pcersj.2011F.0.317.0

    CiNii Research

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  • Incubation Time Free CVD-TiO2 Film Preparation Using Novel Precursor of Ti-DOT.

    Hirokazu Chiba, Ken-ichi Tada, Toshiki Yamamoto, Kohei Iwanaga, Atsushi Maniwa, Tadahiro Yotsuya, Noriaki Oshima, Hiroshi Funakubo

    Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   Vol. 1288   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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  • Identification of crystal symmetry of Bi4Ti3O12 epitaxial thin films with (100)/(010) orientations by amodifiedmethod of synchrotron-based reciprocal-space mapping

    Osami Sakata, Takayuki Watanabe, Hiroshi Funakubo

    J. Appl. Cryst.   Vol. 44   2011年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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  • 化学溶液堆積法によるBiFeO3-Bi(Zn1/2Ti1/2)O3薄膜の作製

    林 真里, 内田 寛, 安井 伸太郎, 舟窪 浩

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2011   306 - 306   2011年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    PZTに代わる非鉛含有強誘電体材料の候補として、本研究ではビスマス系ペロブスカイト型酸化物BiFeO3 (BFO) およびBi(Zn1/2Ti1/2)O3 (BZT) からなる固溶体薄膜x BFO- (1-x) BZTを作製した。薄膜試料は化学溶液堆積法を用いて(100)配向LaNiO3層を表面に導入した(111)Pt/(100)Si基板上に作製された。XRD評価より、LaNiO3層を導入していない基板上の薄膜試料ではペロブスカイト相の結晶化は進行しなかったが、LaNiO3層を導入した基板上では、x = 0.2以上の領域においてペロブスカイト相の形成が認められた。x = 0.2-0.3の領域では第二相を伴った正方晶ペロブスカイト、x = 0.35-0.45の領域では正方晶ペロブスカイトの単一相、x = 0.7-1.0では菱面体晶ペロブスカイトの単一相が生成することをそれぞれ確認した。強誘電特性については当日に報告する。

    DOI: 10.14853/pcersj.2011F.0.306.0

    CiNii Research

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  • Antiferrodistortive Structural Phase Transition in Compressively-strained Epitaxial SrTiO3 Film Grown on (La, Sr)(Al, Ta)O3 Substrate 査読

    T. Yamada, T. Kiguchi, A.K. Tagantsev, H. Morioka, T. Iijima, H. Ohsumi. Kimura, M. Osada, N. Setter, H. Funakubo

    Integrated Ferroelectrics   115   57 - 62   2010年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1080/10584587.2010.488545

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  • One-axis Oriented CaBi4Ti4O15 and SrBi4Ti4O15 Films Prepared on Silicon Wafer by Chemical Solution Deposition Technique 査読

    Yuki MIZUTANI, Hiroshi UCHIDA, Hiroshi FUNAKUBO, Seiichiro KODA

    Materials Research Society Symposium Proceedings   1199   147 - 152   2010年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:Materials Research Society  

    DOI: 10.1557/PROC-1199-F03-14

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  • Erratum: “Single crystal-like selection rules for unipolar-axis oriented tetragonal Pb(Zr,Ti)O3 thick epitaxial films” †Appl. Phys. Lett. 97, 11901 (2010) 査読

    Mitsumasa Nakajima, Takashi Fujisawa, Yoshitaka Ehara, Tomoaki Yamada, Hiroshi Funakubo, Hiroshi Naganuma, Soichiro Okamura, Ken Nishida, Takashi Yamamoto, Minoru Osada

    APPLIED PHYSICS LETTERS   97   189901 - 189901   2010年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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  • In situ Raman spectroscopy for characterization of the domain contributions to electrical and piezoelectric responses in Pb(Zr, Ti)O-3 films 査読

    Nakajima Mitsumasa, Nakaki Hiroshi, Ehara Yoshitaka, Yamada Tomoaki, Nishida Ken, Yamamoto Takashi, Osada Minoru, Funakubo Hiroshi

    APPLIED PHYSICS LETTERS   97 ( 18 )   2010年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.3502591

    Web of Science

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  • Synchrotron X-ray diffraction study on a single nanowire of PX-phase lead titanate 査読

    Yamada Tomoaki, Wang Jin, Sakata Osami, Sandu Cosmin S, He Zhanbing, Kamo Takafumi, Yasui Shintaro, Setter Nava, Funakubo Hiroshi

    Journal of the European Ceramic Society   30 ( 15 )   3259 - 3262   2010年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jeurceramsoc.2010.07.014

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  • Engineered Interfaces of Artificial Perovskite Oxide Super lattices via Nanosheet Deposition Process 査読 国際誌

    Li Bao-Wen, Osada Minoru, Ozawa Tadashi C, Ebina Yasuo, Akatsuka Kosho, Ma Renzhi, Funakubo Hiroshi, Sasaki Takayoshi

    ACS NANO   4 ( 11 )   6673 - 6680   2010年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/nn102144s

    Web of Science

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  • Growth of polar axis oriented tetragonal Pb(Zr,Ti)O-3 films on CaF2 substrates with transparent (La0.07Sr0.93)SnO3 査読

    Utsugi Satoru, Ehara Yoshitaka, Tanaka Hidenori, Yamada Tomoaki, Funakubo Hiroshi, Uchida Hiroshi

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   312 ( 21 )   3127 - 3130   2010年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2010.07.032

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  • MOCVD growth and characterization of BiFeO3-Bi(Zn1/2Ti1/2)O-3 ferroelectric films 査読

    Yazawa Keisuke, Yasui Shintaro, Matsushima Masaaki, Uchida Hiroshi, Funakubo Hiroshi

    Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials   173 ( 1-3 )   14 - 17   2010年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.mseb.2009.12.019

    Web of Science

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  • Electrical properties and x-ray photoelectron spectroscopy studies of Bi(Zn0.5Ti0.5)O-3 doped Pb(Zr0.4Ti0.6)O-3 thin films 査読

    M. H. Tang, J. Zhang, X. L. Xu, H. Funakubo, Y. Sugiyama, H. Ishiwara, J. Li

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   108 ( 8 )   2010年10月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.3499305

    Web of Science

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  • Effect of Grain Size on Mechanical Properties of Full-Dense Pb(Zr,Ti)O3 Ceramics

    Miyoshi Tetsu, Funakubo Hiroshi

    Jpn J Appl Phys   49 ( 9 )   09MD13 - 09MD13-6   2010年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics  

    The grain size dependence of mechanical properties was investigated in full-dense Pb(Zr,Ti)O3 (PZT) ceramics using a microindentation fracture method. Full-dense PZT ceramics with an average grain size ranging from 0.09 to 2.3 μm were successfully prepared by a novel compaction method based on aerosol deposition (AD). Vickers hardness ($H_{\text{v } }$) increased with decreasing grain size and the Hall–Petch relationship ($H_{\text{v } }=H_{\text{v0 } }+kd^{-1/2}$) was confirmed over almost the entire grain size range investigated, which indicates that grain size could be the determining factor of hardness in full-dense PZT ceramics. On the other hand, fracture toughness ($K_{\text{C } }$) decreased with decreasing grain size below the critical grain size of 1.0 μm. The critical grain size was consistent with that below which the volume fraction of the tetragonal phase ($V_{\text{Tet } }$) decreased with decreasing grain size, which indicates that ferroelastic 90° domain switching is a viable toughening mechanism in PZT ceramics. In this study, we have demonstrated that, with suitable microstructural control, the PZT ceramics with ultra-high strength for contact situations can be realized without any sacrifice in piezoelectric properties.

    DOI: 10.1143/JJAP.49.09MD13

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  • Crystal Structure and Dielectric Property of Bismuth Layer-Structured Dielectric Films with c-Axis Preferential Crystal Orientation 査読

    Y. Mizutani, T. Kiguchi, T. J. Konno, H. Funakubo, H. Uchida

    Japanese Journal of Applied Physics   49 ( 9 )   09MA02-1 - 09MA02-6   2010年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics  

    Thin films of bismuth layer-structured dielectrics (BLSDs), CaBi4Ti4O15, and SrBi4Ti4O15, were prepared by a chemical solution deposition (CSD) technique on various substrates, such as (111)Pt/TiO2/(100)Si, (100)LaNiO3/(111)Pt/TiO2/(100)Si, and $\text{(100)SrRuO$_{3}$}\parallel \text{(100)SrTiO$_{3}$}$ substrates. Conductive perovskite oxide LaNiO3 with (100) preferential crystal orientation was introduced into the interface between the BLSD film and the (111)Pt/TiO2/(100)Si substrate to control the crystal orientation of BLSD by lattice matching between pseudo-perovskite blocks in the BLSD crystal and the (100)LaNiO3 plane with the perovskite structure. The ($00l$) planes of BLSD crystals were preferentially oriented on the substrate surface of the (100)LaNiO3/(111)Pt/TiO2/(100)Si, whereas randomly-oriented BLSD crystals with lower crystallinity were only obtained on the surface of (111)Pt/TiO2/(100)Si substrate. The (001)-oriented BLSD films exhibited the leakage current densities below $10^{-7}$ A/cm2 at $\pm 50$ kV/cm, which is significantly lower than those for randomly-oriented films, above $10^{-6}$ A/cm2, The room-temperature dielectric constants ($\varepsilon_{\text{r } }$) of CaBi4Ti4O15 and SrBi4Ti4O15 thin films on the (100)LaNiO3/(111)Pt/TiO2/(100)Si substrate were both approximately 250, while those on the $\text{(100)SrRuO$_{3}$}\parallel \text{(100)SrTiO$_{3}$}$ substrate were approximately 220. The temperature dependence of the capacitances for the CaBi4Ti4O15 and SrBi4Ti4O15 films on the (100)LaNiO3/(111)Pt/TiO2/(100)Si substrate were approximately +17 and +10%, respectively, in the temperature range from 25 to 400 °C. These values were slightly larger than those of epitaxial BLSD films, but smaller than those of (Ba,Sr)TiO3 films.

    DOI: 10.1143/JJAP.49.09MA02

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  • Effect Of Films Thickness and Crystal Orientation on the Constituent Phase in Epitaxial BiFeO3-BiCoO3 Films Grown on SrTiO3 Substrates 査読

    Shintaro YASUI, Keisuke YAZAWA, Tomoaki YAMADA, Ken NISHIDA, Hiroshi UCHIDA, Masaki AZUMA, Hiroshi FUNAKUBO

    Japanese journal of applied physics   49 ( 9 )   09MB04-1 - 09MB04-5   2010年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics  

    DOI: 10.1143/JJAP.49.09MB04

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  • Robust High-kappa Response in Molecularly Thin Perovskite Nanosheets 査読 国際誌

    Osada Minoru, Akatsuka Kosho, Ebina Yasuo, Funakubo Hiroshi, Ono Kanta, Takada Kazunori, Sasaki Takayoshi

    ACS NANO   4 ( 9 )   5225 - 5232   2010年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/nn101453v

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  • Piezoelectric anomalies at the ferroelastic phase transitions of lead-free tungsten bronze ferroelectrics 査読

    Takayuki WATANABE, Jumpei HAYASHI, Takanori MATSUDA, Toshihiro IFUKU, Bong-Yeon LEE, Takashi IIJIMA, Hiroshi FUNAKUBO, Houzhona YU, Nobuhiro KUMADA

    J. Ceram. Soc. Japan   118 ( 8 )   717 - 721   2010年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    IF:1.023

    DOI: 10.2109/jcersj2.118.717

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    その他リンク: https://jlc.jst.go.jp/DN/JALC/00354198194?from=CiNii

  • Composition dependence of crystal structure and electrical properties for epitaxial films of Bi(Zn1/2Ti1/2)O-3-BiFeO3 solid solution system 査読

    Yazawa Keisuke, Yasui Shintaro, Morioka Hitoshi, Yamada Tomoaki, Uchida Hiroshi, Gruverman Alexei, Funakubo Hiroshi

    Journal of the Ceramic Society of Japan   118 ( 1380 )   659 - 663   2010年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.2109/jcersj2.118.659

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  • Large Lattice Misfit on Epitaxial Thin Film: Coincidence Site Lattice Expanded on Polar Coordinate System 査読

    Kaneko Satoru, Akiyama Kensuke, Ito Takeshi, Yasui Manabu, Soga Masayasu, Hirabayashi Yasuo, Funakubo Hiroshi, Yoshimoto Mamoru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   49 ( 8 )   2010年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.49.08JE02

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  • In-situ observation of a MEMS-based Pb(Zr,Ti)O-3 micro cantilever using micro-Raman spectroscopy 査読

    Masamichi Nishide, Maresuke Kuzuhara, Takeshi Tai, Takashi Katoda, Hitoshi Morioka, Hiroshi Funakubo, Ken Nishida, Takashi Yamamoto

    JOURNAL OF THE CERAMIC SOCIETY OF JAPAN   118 ( 1380 )   644 - 647   2010年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.2109/jcersj2.118.644

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  • Orientation control of (001) and (101) in epitaxial tetragonal Pb(Zr,Ti)O-3 films with (100)/(001) and (110)/(101) mixture orientations 査読

    Utsugi Satoru, Fujisawa Takashi, Ehara Yoshitaka, Yamada Tomoaki, Yasui Shintaro, Chentir Mohamed-Tahar, Morioka Hitoshi, Iijima Takashi, Funakubo Hiroshi

    Journal of the Ceramic Society of Japan   118 ( 1380 )   627 - 630   2010年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.2109/jcersj2.118.627

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  • Geometric Phase Analysis of Nano-Scale Strain Fields Around 90° Domains in PbTiO3/SrTiO3 Epitaxial Thin Film 査読

    Takanori Kiguchi, Kenta Aoyagi, Toyohiko J. Konno, Satoru Utsugi, Tomoaki Yamada, Hiroshi Funakubo

    Materials Research Society Symposium Proceeding   1199   1199-F09-08-01 - 1199-F09-08-06   2010年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1557/PROC-1199-F09-08

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  • A-Site-Modified Perovskite Nanosheets and Their Integration into High-kappa Dielectric Thin Films with a Clean Interface 査読

    Li Bao-Wen, Osada Minoru, Ozawa Tadashi C, Akatsuka Kosho, Ebina Yasuo, Ma Renzi, Ono Kanta, Funakubo Hiroshi, Sasaki Takayoshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   49 ( 9 )   09MA01 - 09MA01-5   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.49.09MA01

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  • Effect of Film Thickness and Crystal Orientation on the Constituent Phase in Epitaxial BiFeO3-BiCoO3 Films Grown on SrTiO3 Substrates 査読

    Yasui Shintaro, Yazawa Keisuke, Yamada Tomoaki, Nishida Ken, Uchida Hiroshi, Azuma Masaki, Funakubo Hiroshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   49 ( 9 )   09MB04 - 09MB04-5   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics  

    The crystal symmetries of epitaxial ($1-x$)BiFeO3–$x$BiCoO3 films ($x=0--0.46$) grown on (100)SrTiO3, (110)SrTiO3, and (111)SrTiO3 substrates covered with/without SrRuO3 layers were systematically investigated as a function of film thickness and the crystal orientation of the substrates. Raman analysis was an effective method of crystal symmetry research on epitaxial BiFeO3–BiCoO3 films. Crystal symmetry was changed from being rhombohedral to tetragonal through the mixture of these symmetries with increasing BiCoO3 content irrespective of film thickness and the crystal orientation. However, the constituent phase was strongly depended on film and the crystal orientation of the substrates. The perovskite single phase was observed up to a higher $x$ for the films grown on (100)SrTiO3 substrates than for those grown on (110)SrTiO3 and (111)SrTiO3 substrates. On the other hand, the constituent phase of the films grown on (111)SrTiO3 substrates was similar to that of the strain free powders obtained by high-pressure synthesis.

    DOI: 10.1143/JJAP.49.09MB04

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  • Electronic, Structural, and Piezoelectric Properties of BiFe1-xCoxO3 査読

    Miura Kaoru, Kubota Makoto, Azuma Masaki, Funakubo Hiroshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   49 ( 9 )   09ME07 - 09ME07-4   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics  

    The electronic, structural, and piezoelectric properties of perovskite BiFe1-xCoxO3 (BFCO) have been investigated using a first-principles calculation with optimized structures. Our calculated results show that the most stable structure changes from rhombohedral to monoclinic to tetragonal as $x$ increases and that piezoelectric constants show maximums at the rhombohedral structure. These results are qualitatively in good agreement with the experimental results. However, even with the randomness of Fe and Co atoms, the piezoelectric constants do not show maximums at the monoclinic structure. This result suggests that the morphotropic phase boundary (MPB) does not appear in BFCO owing to a much larger $c/a$ ratio in monoclinic and tetragonal structures.

    DOI: 10.1143/JJAP.49.09ME07

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  • Structural Property and Electric Field Response of a Single Perovskite PbTiO3 Nanowire Using Micro X-ray Beam 査読

    Yamada Tomoaki, Wang Jin, Sakata Osami, Tanaka Hidenori, Ehara Yoshitaka, Yasui Shintaro, Setter Nava, Funakubo Hiroshi

    Japanese Journal of Applied Physics   49 ( 9 )   09MC09 - 09MC09-4   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics  

    The structural property and electric field response of a single perovskite PbTiO3 nanowire were investigated by means of synchrotron X-ray diffraction (XRD) with a micro X-ray beam. XRD $\theta$–$2\theta$ patterns and Raman spectra confirmed the formation of the perovskite phase of PbTiO3 by annealing the PX-phase of Pb–Ti–O nanowires at 600 °C. In addition, the obtained nanowires showed multi-domain/grain features. By focusing the micro X-ray beam on a single perovskite PbTiO3 nanowire, both ends of which are connected to electrodes, the lattice distortion under the electric field was observed.

    DOI: 10.1143/jjap.49.09mc09

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  • Single-crystal-like Selection Rules for Unipolar-axis Oriented Tetragonal Pb(Zr,Ti)O3 Thick Epitaxial Films 査読

    M.Nakajima, T.Fujisawa, Y.Ehara T.Yamada, H.Funakubo, H.Naganuma, S.Okamura, K.Nishida, T.Yamamoto, M.Osada

    Applied Physics Letters   97   111901   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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  • Chemical Vapor Deposition of Ferroelectric Thin Films: a Critical Review 査読 国際誌

    Hiroshi Funakubo, Shintaro Yasui, Mutsuo Ishikawa, Tomoaki Yamada

    Ferroelectric Thin Films at Microwave Frequencies   172 - 182   2010年

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    記述言語:英語  

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  • Process-dependent coercive fields in undoped and Mn-doped BiFeO3 films formed on SrRuO3/Pt(111) electrodes by rf sputtering

    Jeong Hwan Kim, Hiroshi Funakubo, Yoshihiro Sugiyama, Hiroshi Ishiwara

    Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   Vol. 1199   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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  • Effect of Deposition Time on Film Thickness and Their Properties for Hydrothermally-Grown Epitaxial KNbO3 Thick Films 査読

    Mutsuo Ishikawa, Hiro Einishi, Mitsumasa Nakajima, Tomohito Hasegawa, Takeshi Morita, Yoshifumi Saijo, Minoru Kurosawa, Hiroshi Funakubo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   49 ( 7 )   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.49.07HF01

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  • エピタキシャルBi(Zn1/2Ti1/2)O3-BiFeO3系薄膜の添加物による歪制御

    安井 伸太郎, 矢澤 慶祐, 山田 智明, 森岡 仁, 内田 寛, 舟窪 浩

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2010   2P015 - 2P015   2010年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    現在使用されている鉛系材料は正方晶強誘電体のPbTiO3を端成分としており、非鉛の正方晶強誘電体の材料探索が非鉛圧電体材料探索のkey pointであると考えられている。その候補の一つとして、我々はBi(Zn1/2Ti1/2)O3に着目した。これは、巨大正方晶性(c/a = 1.21)を有しており大体材料として非常に有望であるが、高圧相であるために常圧合成は非常に困難である。我々は常圧相のBiFeO3との固溶体であるBi(Zn1/2Ti1/2)O3-BiFeO3をMOCVD法で合成することにより、c/a = 1.22 を有する正方晶性薄膜の作製に成功した[2]。しかし、PbTiO3(c/a = 1.06)に比べて大きな正方晶性歪を有することにより、高い抗電界による分極反転の困難さが予想される。そこで我々は添加物によって正方晶性歪を制御した。

    DOI: 10.14853/pcersj.2010S.0.2P015.0

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  • Solution-Based Fabrication of Perovskite Nanosheet Films and Their Dielectric Properties 査読

    Li Bao-Wen, Osada Minoru, Ozawa Tadashi C, Ma Renzhi, Akatsuka Kosho, Ebina Yasuo, Funakubo Hiroshi, Ueda Shigenori, Kobayashi Keisuke, Sasaki Takayoshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   48 ( 9 )   09KA15 - 09KA15-5   2009年9月

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  • Preparation and Characterization of BiFeO_3_ Based Thin Films Grown by MOCVD 査読 国際誌

    Hiroshi Funakubo, Shintaro Yasui, Tomoaki Yamada, Mutsuo Ishikawa

    Mater. Integ.   vol. 22 ( No. 2 )   25 - 31   2009年

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    記述言語:英語  

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  • Solution-Based Fabrication of High-k Dielectrics Using Oxide Nanosheets 査読

    Osada Minoru, Akatsuka Kosho, Ebina Yasuo, Funakubo Hiroshi, Takada Kazunori, Sasaki Takayoshi

    PHYSICS AND TECHNOLOGY OF HIGH-K GATE DIELECTRICS 7   25 ( 6 )   349 - 352   2009年

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    掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1149/1.3206633

    Web of Science

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  • Evaluation of Relative Volume Fraction of Tetragonal Phase and Rhombohedral Phase in Pb(Zr,Ti)O-3 Film by Raman Spectroscopy 査読

    Nishide Masamichi, Takeuchi Hiroshige, Tai Takeshi, Katoda Takashi, Yokoyama Shintaro, Yasui Shintaro, Funakubo Hiroshi, Nishida Ken, Yamamoto Takashi

    Integrated Ferroelectrics   112   33 - 41   2009年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1080/10584587.2009.484672

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  • Degradation-free dielectric property using bismuth layer-structured dielectrics having natural superlattice structure(<Special Article>The 62th CerSJ Awards for Academic Achievement in Ceramic Science and Technology)

    Funakubo Hiroshi

    Journal of the Ceramic Society of Japan   116 ( 1360 )   1249 - 1254   2008年12月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:公益社団法人日本セラミックス協会  

    Degradation -free dielectric property was obtained by using films of bismuth layer-structured dielectrics (BLSDs) having a natural superlattice structure. Investigation of the effects of the stack direction of the bismuth oxide and pseudoperovskite layers on the dielectric properties of c-axis-oriented epitaxial BLSD films revealed that those with an even number of octahedra in the pseudoperovskite layer did not show significant degradation in the dielectric constant and retained good insulating characteristics when the film thickness was decreased despite the increased strain applied to the film. This was found not only in epitaxially grown films but also in one-axis-oriented ones with in-plane random orientation. In addition, films with a-/b-axis-oriented epitaxial BLSDs can be used a mold with a periodic nano-structure.

    DOI: 10.2109/jcersj2.116.1249

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    その他リンク: https://jlc.jst.go.jp/DN/JALC/00321804714?from=CiNii

  • Epitaxially grown ferroelectric thin films for memory applications (ferroelectric random access memories) 査読 国際誌

    Funakubo Hiroshi, Oikawa Takahiro, Yokoyama Shintaro, Nagashima Kuniharu, Nakaki Hiroshi, Fujisawa Takashi, Ikariyama Rikyu, Yasui Shintaro, Saito Keisuke, Morioka Hitoshi, Han Hee, Baik Sunggi, Kim Yong Kwan, Suzuki Toshimasa

    Phase Transitions   vol. 81 ( No. 7 )   667 - 678   2008年

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  • Degradation free Dielectric Property Using Bismuth Layer structure Dielectrics Having Natural Superlattice Structure 査読

    舟窪 浩

    J. Ceram. Soc. Jpn 116(12)   2008年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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  • X線逆格子イメージング法を用いた表界面ナノ構造評価

    坂田 修身, 吉本 護, 三木 一司, 中村 将志, 舟窪 浩

    日本結晶学会誌   49 ( 5 )   292 - 299   2007年10月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:The Crystallographic Society of Japan  

    We have developed a nondestructive analysis method, which is named X-ray reciprocallattice space imaging, based on synchrotron diffraction for quickly characterizing a crystalline nanometer-scale structure in a non-vacuum environment. The basic idea behind the method is that the reciprocal lattice of 1 D or 2D structures are an array of sheets or rods, respectively. Thus the reciprocal-lattice space can be recorded for a fixed sample with a 2D X-ray detector fixed. We successfully demonstrated that the method was applicable to structural evaluation of ultrathin NiO wires on a sapphire surface in air, Bi nanolines buried in Si, an interfacial structure of a Au electrode in solution, and a thinfilm of Bi4Ti3O12.

    DOI: 10.5940/jcrsj.49.292

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    その他リンク: https://jlc.jst.go.jp/DN/JALC/00303281090?from=CiNii

  • [国際会議proceedings] Influence of Pb and La Contents on the Lattice Configuration of La-Substituted Pb(Zr0.65, Ti0.35)O3 Films 査読

    Hiromi Shima, Ken Nishida, Hiroshi Funakubo, Takashi Iijima, Takashi Katoda, Hiroshi Naganuma, Soichiro Okamura

    Proceedings of the 16th International Symposium on the Application of Ferroelectrics   29PS   B-8   2007年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1109/ISAF.2007.4393175

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  • Analysis of domain structure of epitaxial Pb(Zr,Ti)O3 films applied electric field by 2D-XRD 査読

    Hitoshi Morioka, Keisuke Saito, Toshiyuki Kurosawa, Hiroshi Nakaki, Rikyu Ikariyama, Hiroshi Funakubo

    IEEE International Symposium on Applications of Ferroelectrics   340 - 343   2007年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1109/ISAF.2007.4393259

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  • Bi-based ferroelectric thin films with enhanced polarization by rare-earth modification 査読

    Hiroshi Uchida, Ken Nishida, Minoru Osada, Funakubo, Seiichiro Koda

    2007 SIXTEENTH IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON THE APPLICATIONS OF FERROELECTRICS, VOLS 1 AND 2   138 - +   2007年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1109/ISAF.2007.4393194

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  • Substrate effects on the novel domain structure of (100)/(001)-oriented epitaxial PbTiO3 thick films 査読

    Rikyu Ikariyarna, Hiroshi Nakaki, Yong Kwan Kim, Ken Nishida, Keisuke Saito, Hiroshi Funakubo

    2007 SIXTEENTH IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON THE APPLICATIONS OF FERROELECTRICS, VOLS 1 AND 2   357 - +   2007年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

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  • Structural analysis in (100)/(001)-oriented epitaxial lead titanate thick films grown by MOCVD for MEMS application 査読

    Hiroshi Nakaki, Rikyu Ikariyama, Yong Kwan Kim, Shintaro Yokoyama, Ken Nishida, Alexei Gruverman, Stephen Streiffer, Keisuke Saito, Hiroshi Funakubo

    2007 SIXTEENTH IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON THE APPLICATIONS OF FERROELECTRICS, VOLS 1 AND 2   469 - +   2007年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

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  • High Performance in PIezoelectric and Advanced Applied Technology 査読 国際誌

    Hiroshi Funakubo, Shintaro Yasui

    MOCVD Method Chaper 2, Section 6   168 - 178   2007年

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    記述言語:英語  

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  • Structural and ferroelectric properties of BiFeO3-BiCoO3 solid solution films 査読

    Naganuma Hiroshi, Shimura Nozomi, Shima Hiromi, Yasui Shintaro, Nishida Ken, Iijima Takashi, Funakubo Hiroshi, Okamura Soichiro, IEEE

    2007 Sixteenth Ieee International Symposium on the Applications of Ferroelectrics, Vols 1 and 2   428 - +   2007年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1109/ISAF.2007.4393288

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  • Effect of the strain from the substrate on tunability of (100) one-axis oriented (Ba0.5Sr0.5)TiO3 thin films 査読

    Shinichi Ito, Hiroshi Funakubo, Ivoyl P. Koutsaroff, Marina Zelner, Andrew Cervin-Lawry

    2007 SIXTEENTH IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON THE APPLICATIONS OF FERROELECTRICS, VOLS 1 AND 2   198 - +   2007年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

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  • Preparation and characterization of Bi-perovskite oxide films for piezo applications 査読

    Yasui Shintaro, Naganuma Hiroshi, Okamura Soichiro, Iijima Takashi, Nishida Ken, Katoda Takashi, Uchida Hiroshi, Koda Seiichiro, Funakubo Hiroshi, IEEE

    2007 Sixteenth Ieee International Symposium on the Applications of Ferroelectrics, Vols 1 and 2   102 - +   2007年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1109/ISAF.2007.4393180

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  • Formation of BiFeO3-BiScO3 thin films and their electrical properties 査読

    Yasui Shintaro, Uchida Hiroshi, Nakaki Hiroshi, Funakubo Hiroshi, Koda Seiichiro

    Japanese Journal of Applied Physics Part 1-Regular Papers Brief Communications & Review Papers   45 ( 9B )   7321 - 7324   2006年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.45.7321

    DOI: 10.1143/jjap.45.7321

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  • Impact of SrRuO3/LaNiO3 doubly-stacked bottom electrode on the characteristics of c-axis-oriented CaBi4Ti 4O15 films

    Kenji Takahashi, Muneyasu Suzuki, Shoji Okamoto, Hiroshi Funakubo

    Ceramic Transactions   174   155 - 164   2006年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

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  • Effect of thermal treatment on oxygen stoichiometry and transport properties of SrRuO<inf>3</inf> thin films 査読

    Joe Sakai, Nobuaki Ito, Shin Ichi Ito, Kenji Takahashi, Hiroshi Funakubo

    Applied Physics Letters   89 ( 24 )   2006年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.2408649

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  • 多次元検出器と高分解能X線回折装置を用いた薄膜材料解析 査読

    斎藤 啓介, 黒澤 利行, 植木 定雄, 舟窪 浩

    真空   49 ( 2 )   90 - 96   2006年

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    記述言語:英語   出版者・発行元:一般社団法人 日本真空学会  

    DOI: 10.3131/jvsj.49.90

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    その他リンク: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I7860723

  • ペロブスカイト酸化物基強誘電体薄膜における巨大分極誘起への挑戦 招待 査読

    内田寛, 舟窪浩, 幸田清一郎

    未来材料   5 ( 11 )   44 - 50   2005年11月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:エヌ・ティー・エス  

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  • 薄膜コンデンサ材料の開発

    舟窪浩, 高橋健治, 小島隆志, 渡辺隆之, 鈴木宗泰

    化學工業   56 ( 7 )   525 - 529   2005年7月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:化学工業  

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    その他リンク: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I7400090

  • Ferroelectric Thin Films XⅡ

    Susanne Hoffmann, Hiroshi Funakubo, Vikram Joshi, Angus I. Kingon, Ivo P. Koutsaroff

    2004年

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    記述言語:英語   出版者・発行元:MRS, Vol. 784 from the MRS Symposium Proceedings Series  

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  • 完全分極軸配向PZT薄膜による自発分極値の見積もり

    舟窪浩, 森岡仁, 及川貴弘, 横山信太郎

    32   2004年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:工業製品技術協会, セラミックデータブック2004, 工業と製品  

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  • Sample geometry effects on electric-field-induced displacements in piezoelectric thin films measured by atomic force microscopy 査読

    H Okino, H Matsuda, T Iijima, S Yokoyama, H Funakubo, T Yamamoto

    FERROELECTRIC THIN FILMS XII   784   559 - 564   2004年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

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  • Ti-site substitution using the higher-valent cation for enhancing the ferroelectric properties of Nd3+-substituted bismuth titanate thin films 査読

    H Uchida, S Koda, H Matsuda, T Iijima, T Watanabe, H Funakubo

    FERROELECTRIC THIN FILMS XII   784   207 - 212   2004年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

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  • Effect of Deposition Temperature on the Characteristics of Hafnium Oxide Films Deposited by MOCVD using Amide Precursor 査読

    K.Takahashi, H.Funakubo, S.Hino, M.Nakayama, N.Oohashi, T.Kiguchi, E.Tokumitsu

    Journal of Material Research   19 ( 2 )   584 - 589   2004年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1557/jmr.2004.19.2.584

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  • Property design of SrBi2Ta2O9 by defect engineering

    Noguchi, Y, Miyayama, M, HoffmannEifert, S, Funakubo, H, Joshi, V, Kingon, AI, Koutsaroff, IP

    Ferroelectric Thin Films Xii   784   2004年

  • Fatigue-free RuO2/Pb(Zr,Ti)O-3/RuO2 capacitor prepared by metalorganic chemical vapor deposition at 395 degrees C 査読

    G Asano, H Morioka, H Funakubo, T Shibutami, N Oshima

    APPLIED PHYSICS LETTERS   83 ( 26 )   5506 - 5508   2003年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.1635964

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  • Bi_<3-x>M_xTiTaO_9(M=La or Nd) Ceramics With High Mechanical Quality Factor Q_m 査読

    舟窪 浩

    Jpn.J.Appl.Phys. 42, 1(9B)   42 ( 9B )   6090 - 6093   2003年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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  • Electrical properties of (Ca,Sr)Bi4Ti4O15 thin films fabricated using a chemical solution deposition method 査読

    H Uchida, K Sakurai, Okada, I, H Matsuda, T Iijima, T Kojima, T Watanabe, H Funakubo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   42 ( 9B )   5990 - 5993   2003年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.42.5990

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  • Compositional dependence of electrical properties of highly (100)-/(001)-oriented Pb(Zr,Ti)O-3 thick films prepared on Si-substrates by metalorganic chemical vapor deposition 査読

    S Yokoyama, Y Honda, H Morioka, G Asano, T Oikawa, T Iijima, H Matsuda, H Funakubo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   42 ( 9B )   5922 - 5926   2003年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.42.5922

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  • Synthesis and Electrical Properties of Sr- and Nb-Cosubstituted Bi4-xSrxTi3-xNbxO12 Polycrystalline Thin Films 査読

    Hirofumi MATSUDA, Takashi IIJIMA, Hiroshi UCHIDA, Isao OKADA, Takayuki WATANABE, Hiroshi FUNAKUBO, Minoru OSADA, Masato KAKIHANA

    Jpn. J. Apply. Phys.   42 ( 8 )   949 - 952   2003年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:INSTITUTE OF PURE AND APPLIED PHYSICS  

    DOI: 10.1143/JJAP.42.L949

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  • Long-Range Lattice Matching between (100)/(010) Bismuth-Layered Perovskite Structure and (101) Rutile Structure 査読

    T. Watanabe, K. Saito, M. Osada, T. Suzuki, M. Fujimoto, M. Yoshimoto, A. Sasaki, J. Liu, M. Kakihana, H. Funakubo

    Mat. Res. Soc. Symp. Proc.   748   U2.4.1 - 6   2003年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

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  • Fabrication of Ion-Cosubstituted Bismuth Titanate Thin Films by Chemical Solution Deposition Method 査読

    舟窪 浩

    Integ.Ferro. 52   52   41 - 54   2003年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1080/10584580390254105

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  • Self-organized (100)-/(001)-preferred orientation in Pb(Zr,Ti)O-3 films grown on polycrystalline substrates by metalorganic chemical vapor deposition 査読

    S Yokoyama, T Ozeki, T Oikawa, H Funakubo

    INTEGRATED FERROELECTRICS   59   1429 - 1436   2003年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1080/10584580390259885

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  • In-situ Observation of the Domain Dynamics of Piezoelectric Films Under Applied Electric Field

    Hiroshi Funakubo, Shintaro Yokoyama

    12   2003年

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    記述言語:英語   出版者・発行元:JASRI, SPring-8 User Experiment Report No.12 (2003B)  

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  • Capacitor Applications of c-Axis-Oriented Bismuth Layer Structured Ferroelectric Thin Films 査読

    舟窪 浩

    Ceramic Engineering and Science 24(4)   24 ( 4 )   57 - 64   2003年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

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  • Film thickness dependence of electrical properties for Pb(Zr,Ti)O-3 thin films prepared on (111)Ir/TiO2/SiO2/Si and (111)Pt/TiO2/SiO2/Si substrates by pulsed-metalorganic chemical vapor deposition 査読

    T Oikawa, H Funakubo, H Morioka, K Saito

    INTEGRATED FERROELECTRICS   59   1421 - 1428   2003年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1080/10584580390259867

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  • Low temperature preparation of high-quality Pb(Zr,Ti)O-3 films by metal organic chemical vapor deposition with high reproducibility 査読

    H Funakubo, K Nagashima, M Aratani, K Tokita, T Oikawa, T Ozeki, G Asano, K Saito

    FERROELECTRIC THIN FILMS X   688   3 - 13   2002年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

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  • Hetero-epitaxial growth of (1, 0, m+1) one axis-oriented bismuth layered structured ferroelectrics thin films directly crystallized by MOCVD 査読

    N Nukaga, T Watanabe, T Sakai, T Suzuki, Y Nishi, M Fujimoto, H Funakubo

    FERROELECTRIC THIN FILMS X   688   35 - 40   2002年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

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  • Fabrication of V-substituted (Bi,M)(4)Ti3O12 [M = lanthanoids] thin films by chemical solution deposition method 査読

    H Uchida, H Yoshikawa, Okada, I, H Matsuda, T Iijima, T Watanabe, H Funakubo

    FERROELECTRIC THIN FILMS X   688   41 - 46   2002年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

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  • Synthesis and ferroelectric properties of Sr- and Nb-codoped Bi4-xSrxTi3-xNbxO12 thin films by sol-gel method 査読

    H Matsuda, T Iijima, H Uchida, Okada, I, T Watanabe, H Funakubo

    FERROELECTRIC THIN FILMS X   688   107 - 111   2002年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

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  • Photoluminescence quenching by optical bias in AlGaAs/GaAs single quantum wells

    Tomohiro Sakai, Takayuki Watanabe, Yasuo Cho, Kaori Matsuura, Hiroshi Funakubo

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers   40 ( 11 )   6477 - 6480   2001年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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  • Epitaxial-grade polycrystalline Pb(Zr,Ti)O-3 film deposited at low temperature by pulsed-metalorganic chemical vapor deposition 査読

    M Aratani, T Oikawa, T Ozeki, H Funakubo

    APPLIED PHYSICS LETTERS   79 ( 7 )   1000 - 1002   2001年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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  • Preparation of Bi2WO6 thin films by metalorganic chemical vapor deposition and their electrical properties 査読

    K Ishikawa, T Watanabe, H Funakubo

    THIN SOLID FILMS   392 ( 1 )   128 - 133   2001年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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  • Growth of beta-FeSi2 thin film on Si (111) by metal-organic chemical vapor deposition 査読

    K Akiyama, S Ohya, H Takano, N Kieda, H Funakubo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS   40 ( 5A )   L460 - L462   2001年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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  • Domain structure and residual-strain characterization of epitaxial Pb(ZrxTi1-x)O-3 Thin films 査読

    K Saito, Yamaji, I, T Akai, M Aratani, K Nagashima, H Funakubo

    PROCEEDINGS OF THE 2001 12TH IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON APPLICATIONS OF FERROELECTRICS, VOLS I AND II   913 - 916   2001年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

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  • Orientation dependence of ferroelectricity of epitaxially grown Pb(ZrxTi1-x)O-3 thin films prepared by metalorganic chemical vapor deposition 査読

    H Funakubo, K Nagashima, M Aratani

    PROCEEDINGS OF THE 2001 12TH IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON APPLICATIONS OF FERROELECTRICS, VOLS I AND II   953 - 956   2001年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

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  • Characteristics of Pb(Zr,Ti)O-3 thin films prepared on various substrates by source gas pulse-introduced metalorganic chemical vapor deposition 査読

    M Aratani, H Funakubo

    FERROELECTRICS   260 ( 1-4 )   413 - 418   2001年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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  • Thermal stability of Pb(C11H19O2)(2) used as the lead source in MOCVD 査読

    K Nagashima, H Funakubo, S Seki, Y Sawada, Y Miura, N Higuchi, H Matchida

    CHEMICAL VAPOR DEPOSITION   6 ( 6 )   311 - 314   2000年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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  • Thermal stability of Pb(C<inf>11</inf>H<inf>19</inf>O<inf>2</inf>)<inf>2</inf> used as the lead source in MOCVD

    K. Nagashima, H. Funakubo, S. Seki, Y. Sawada, Y. Miura, N. Higuchi, H. Matchida

    Advanced Materials   12 ( 22 )   311 - 314   2000年11月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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  • Synthesis of new liquid mixed Sr-Ta and Sr-Nb alkoxides as CVD precursors for metal oxide thin films 査読

    N Kadokura, Y Okuhara, M Mitsuya, H Funakubo

    CHEMICAL VAPOR DEPOSITION   6 ( 5 )   225 - +   2000年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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  • Improvement of property of Pb(ZrxTi1-x)O-3 thin film prepared by source gas pulse-introduced metalorganic chemical vapor deposition 査読

    K Nagashima, M Aratani, H Funakubo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS   39 ( 10A )   L996 - L998   2000年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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  • Synthesis of new liquid mixed Sr-Ta and Sr-Nb alkoxides as CVD precursors for metal oxide thin films

    H. Kadokura, Y. Okuhara, M. Mitsuya, H. Funakubo

    Advanced Materials   12 ( 19 )   225 - 227   2000年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Wiley-VCH Verlag Berlin GmbH  

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  • Orientation control of metalorganic chemical vapor deposition-Bi4Ti3O12 thin film by sequential source gas supply method 査読

    T Watanabe, H Funakubo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   39 ( 9A )   5211 - 5216   2000年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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  • Composition control of Pb(ZrxTi1-x)O-3 thin films prepared by metalorganic chemical vapor deposition 査読

    K Nagashima, H Funakubo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   39 ( 1 )   212 - 216   2000年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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  • Preparation of SrRuO3 and CaRuO3 films by MOCVD and its application to electrodes for ferroelectric thin films 査読

    N Okuda, N Higashi, K Ishikawa, N Nukaga, H Funakubo

    FERROELECTRIC THIN FILMS VIII   596   79 - 84   2000年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

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  • Ferroelectric property improvement of Pb(ZrxTi1-x)O3 films by source gas pulse-introduced MOCVD

    Hiroshi Funakubo, Kuniharu Nagashima

    IEEE International Symposium on Applications of Ferroelectrics   1   67 - 70   2000年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

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  • Orientation control of ZnO thin film prepared by CVD 査読

    H Funakubo, N Mizutani, M Yonetsu, A Saiki, K Shinozaki

    JOURNAL OF ELECTROCERAMICS   4   25 - 32   1999年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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  • Effect of deposition temperature and composition on the microstructure and electrical property of SrBi2Ta2O9 thin films prepared by metalorganic chemical vapor deposition 査読

    N Nukaga, K Ishikawa, H Funakubo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   38 ( 9B )   5428 - 5431   1999年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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  • Preparation of bi-layered ferroelectric thin film by thermal MOCVD 査読

    H Funakubo, N Nukaga, K Ishikawa, H Kokubun, H Machida, K Shinozaki, N Mizutani

    FERROELECTRICS   232 ( 1-4 )   1003 - 1008   1999年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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  • Preparation of Pb(Zr,Ti)O-3 film by laser-assisted CVD 査読

    H Funakubo, K Kuroyanagi, K Shinozaki, N Mizutani

    JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY   32   S1386 - S1389   1998年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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  • Effect of calcium modification on the microstructure and oxidation property of submicron spherical palladium powders 査読

    SL Che, O Sakurai, H Funakubo, K Shinozaki, N Mizutani

    JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH   12 ( 2 )   392 - 397   1997年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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  • La添加SrTiO_3の粒成長に与えるTi/Sr比の影響

    古川 有紀子, 桜井 修, 船窪 浩, 篠崎 和夫, 水谷 惟恭

    日本セラミックス協会学術論文誌 : Nippon Seramikkusu Kyokai gakujutsu ronbunshi   104 ( 1207 )   190 - 195   1996年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人日本セラミックス協会  

    The effect of Ti/Sr ratio on the grain growth of La-doped SrTiO_3 ceramics sintered at 1400-1490℃ for 2h in 5%H_2-95%N_2 with precisely controlled Ti/Sr ratio of 0.96-1.04 was investigated. The grain size was maximum at Ti/Sr ratio of 1.000 and remarkably decreased with excess amounts of Sr and Ti above 1470℃. However, the grain size was 2μm and almost constant below 1440℃ regardless of the composition. The bulk density was almost constant(97%)in the Ti excess region, but decreased remarkably by addition of excess Sr. The microstructure was divided into three types depending on the Ti/Sr ratio and sintering temperature;(1)Sr rich region, (2)Ti/Sr&gnE;1 and above 1470℃, (3)Ti/Sr&gnE;1 and below 1440℃. In the early stage, the nuclei of remarkably grown grains were formed and their amount and the grain growth rate were dependent on the Ti/Sr ratios.

    DOI: 10.2109/jcersj.104.190

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    その他リンク: https://jlc.jst.go.jp/DN/JALC/00370916130?from=CiNii

  • RESIDUAL STRAIN IN EPITAXIALLY-GROWN PBTIO3 AND PZT FILMS PREPARED ON (100)MGO SUBSTRATES BY MOCVD 査読

    M OTSU, H FUNAKUBO, T HIOKE, T AKAI, K SHINOZAKI, N MIZUTANI

    NIPPON KAGAKU KAISHI   ( 10 )   789 - 795   1995年10月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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  • Preparation of PZT film on (100)Pt/(100) MgO substrate by CVD and its properties

    Masato Otsu, Hiroshi Funakubo, Kazuo Shinozaki, Hiroshi Henmi, Nobuyasu Mizutani

    Journal of the Ceramic Society of Japan. International ed.   102 ( 2 )   127 - 131   1994年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Fuji Marketing Research Co Ltd  

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  • MOCVD法による磁性および誘電性セラミックス薄膜の合成と性質に関する研究

    HIROSHI FUNAKUBO

    1994年

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    掲載種別:学位論文(博士)  

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  • Microstructure of iron nitride-titanium nitride films prepared by CVD

    Hiroshi Funakubo, Nobuo Kieda, Kazuo Shinozaki, Nobuyasu Mizutani

    Journal of the Ceramic Society of Japan. International ed.   101 ( 7 )   714 - 717   1993年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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  • MOCVD法による磁性および誘電性セラミックス薄膜の合成と性質に関する研究

    舟窪浩

    1993年2月

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    記述言語:日本語   掲載種別:学位論文(博士)  

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  • Bi2O3を拡散したBaTiO3BLコンデンサの粒界構造 査読

    山本 浩貴, 舟窪 浩, 篠崎 和夫, 水谷 惟恭

    Journal of the Ceramic Society of Japan (日本セラミックス協会学術論文誌)   100 ( 10 )   1266 - 1270   1992年10月

  • CVD 法による PLZT エピタキシャル薄膜の育成(セラミック・レター)

    船窪 浩, 今下 勝博, 水谷 惟恭

    日本セラミックス協会学術論文誌 : Nippon Seramikkusu Kyokai gakujutsu ronbunshi   99 ( 1155 )   1169 - 1171   1991年11月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:公益社団法人日本セラミックス協会  

    (Pb, La) (Zr, Ti)O3 films were prepared by CVD using Pb(DPM)2, La(DPM)3, Zr(O⋅t-Bu)4, Ti(O⋅i-Pr)4 and O2 as starting materials. PLZT films were grown with almost complete epitaxy on (100) MgO substrates. The deposition rate of the film was about 50-100nm/min. Some optical properties were almost the same as those of PLZT ceramics.

    DOI: 10.2109/jcersj.99.1169

    CiNii Books

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    その他リンク: https://jlc.jst.go.jp/DN/JALC/00370932970?from=CiNii

  • Growth of epitaxial PLZT film by CVD

    Hiroshi Funakubo, Katsuhiro Imashita, Nobuyasu Mizutani

    Journal of the Ceramic Society of Japan. International ed.   99 ( 11 )   1130 - 1132   1991年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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  • CVD法によるPb(Zr,Ti)O_3エピタキシャル薄膜の合成

    舟窪 浩, 今下 勝博, 木枝 暢夫, 水谷 惟恭

    日本セラミックス協会学術論文誌 : Nippon Seramikkusu Kyokai gakujutsu ronbunshi   99 ( 1147 )   248 - 250   1991年3月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:公益社団法人日本セラミックス協会  

    Pb_x(Zr_y, Ti_<1-y>)O_3 films were prepared by CVD using Pb(DPM)_2, Zr(O・t-Bu)_4, Ti(O・i-Pr)4, and O_2 as starting materials. Metal alkoxide was selected for both Ti and Zr starting Materials, which were effective for controlling Ti and Zr contents in the films. PZT films with the composition, x = ca. 1.0 and y = ca. 0.5, were grown reproducibly with almost complete epitaxy on (100) MgO substrates. Deposition rate of film was about 200-300 nm/min.

    DOI: 10.2109/jcersj.99.248

    CiNii Books

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    その他リンク: https://jlc.jst.go.jp/DN/JALC/00370931225?from=CiNii

  • Formation of epitaxial Pb(Zr, Ti)O3 film by CVD

    Hiroshi Funakubo, Katsuhiro Imashita, Nobuo Kieda, Nobuyasu Mizutani

    Journal of the Ceramic Society of Japan. International ed.   99 ( 3 )   63 - 65   1991年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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  • DEPOSITION CHARACTERISTICS AND PROPERTIES OF IRON NITRIDE FILMS BY CVD USING ORGANOMETALLIC COMPOUND 査読

    H FUNAKUBO, N KIEDA, M KATO, N MIZUTANI, T TATSUNO

    JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE   25 ( 12 )   5303 - 5312   1990年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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  • PREPARATION OF TIO2-ZRO2 FILMS BY MOCVD 査読

    K IMASHITA, H FUNAKUBO, N KIEDA, M KATO, N MIZUTANI

    NIPPON KAGAKU KAISHI   ( 12 )   1395 - 1401   1990年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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  • PREPARATION AND DEPOSITION MECHANISM OF TANTALUM NITRIDE FILMS BY CVD 査読

    H FUNAKUBO, M KOBAYASHI, N KIEDA, M KATO, N MIZUTANI

    KAGAKU KOGAKU RONBUNSHU   16 ( 3 )   430 - 437   1990年5月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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  • PREPARATION OF TANX-TIN FILMS BY CVD 査読

    H FUNAKUBO, M KOBAYASHI, N KIEDA, M KATO, N MIZUTANI

    NIPPON SERAMIKKUSU KYOKAI GAKUJUTSU RONBUNSHI-JOURNAL OF THE CERAMIC SOCIETY OF JAPAN   98 ( 2 )   168 - 173   1990年

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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  • HOSPITAL AND NURSING HOMES, ROBOTS

    FUNAKUBO H.

    INTERNATIONAL ENCYCLOPEDIA OF ROBOTICS〜APPLICATION AND AUTOMATION〜   1   638 - 642   1988年

  • CVD法による窒化ニオブ薄膜の合成(2. 気相反応法)(<特集>新技術によるセラミックスの合成と評価(I))

    舟窪 浩, 木枝 暢夫, 水谷 惟恭, 加藤 誠軌

    窯業協會誌   95 ( 1097 )   55 - 58   1987年1月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:公益社団法人日本セラミックス協会  

    Niobium nitride films were deposited on fused silica substrates by the CVD process using reactant gas mixtures of NbCl5, N2, H2 and Ar at a deposition temperature from 700° to 1100°C. The effects of deposition parameters on the film properties were investigated, and the deposition mechanism was discussed. Two regions with different rate-determining steps were found under the experimental conditions studied. At 1000°C and at a total gas flow rate from 1000 to 4000ml/min, the deposition rate was controlled by the mass transport in the gas phase, and the nitrogen content in the deposits increased with increasing deposition temperature and increasing mole ratio of N2 to NbCl5.

    DOI: 10.2109/jcersj1950.95.65

    CiNii Books

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    その他リンク: https://jlc.jst.go.jp/DN/JALC/00370902898?from=CiNii

  • Japanese Research and Development of Potable Microcomputer System for Cooperative Control of movement of Electrical Prosthesis

    FUNAKUBO H.

    International Conference on Telemanipulators for the Physically Handicapped   193 - 202   1979年

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書籍等出版物

  • 強誘電体薄膜におけるサイトエンジニアリングコンセプト

    表面科学  2005年 

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  • ペロブスカイト酸化物基強誘電体薄膜における巨大分極誘起への挑戦

    ㈱エヌ・ティー・エス, 未来材料  2005年 

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  • Site Engineering Concept of Ferroelectric Thin Films

    Journal of Surface Science Society of Japan, HYOMEN KAGAKU  2005年 

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  • Spontaneous Polarization and Crystal Orientation Control of MOCVD PZT and Bi4Ti3O12-Based Films

    Springer, Ferroelectric Thin Films  2005年 

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  • 化学気相成長法によるβ-FeSi2薄膜の結晶成長とPL発光特性

    シーエムシー出版, 月刊 機能材料  2005年 

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  • Spontaneous Polarization and Crystal Orientation Control of MOCVD PZT and Bi4Ti3O12-Based Films

    Springer, Ferroelectric Thin Films  2005年 

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  • Crystal Growth of b-FeSi2 Thin Film by CVD and Photoluminescence Properties

    2005年 

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  • 薄膜コンデンサ材料の開発

    化学工業  2005年 

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  • Ferroelectric Thin Films XⅡ

    MRS, Vol. 784 from the MRS Symposium Proceedings Series  2004年 

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  • 完全分極軸配向PZT薄膜による自発分極値の見積もり

    工業製品技術協会, セラミックデータブック2004, 工業と製品  2004年 

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  • Ferroelectric Thin Films XⅡ

    MRS, Vol. 784 from the MRS Symposium Proceedings Series  2004年 

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  • Recent Development in the Preparation of Ferroelectric Thin Films by MOCVD

    Springer, Ferroelectric Random Access Memories  2003年 

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  • In-situ Observation of the Domain Dynamics of Piezoelectric Films Under Applied Electric Field

    JASRI, SPring-8 User Experiment Report No.12 (2003B)  2003年 

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  • Recent Development in the Preparation of Ferroelectric Thin Films by MOCVD

    Springer, Ferroelectric Random Access Memories  2003年 

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  • Advanced X-ray Analysis of Ferroelectrics

    POLAR OXIDES PROPERTIES, CHARACTERIZATION AND IMAGING  2003年 

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  • PZTの物性はどこまでわかっているのか―エピタキシャルPZT薄膜の研究からわかること―

    電気学会電子材料研究会資料  2003年 

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  • MOCVD法による強誘電体薄膜の形成

    機能材料  2003年 

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  • Advanced X-ray Analysis of Ferroelectrics

    POLAR OXIDES PROPERTIES, CHARACTERIZATION AND IMAGING  2003年 

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  • Electrical Property of PZT Films-Research from Epitaxial PZT films-

    2003年 

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  • A Novel Ruthenium Precursor for MOCVD without Seed Ruthenium Layer

    2003年 

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  • A Novel Ruthenium Precursor for MOCVD without Seed Ruthenium Layer

    2003年 

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  • In-situ Observation of the Domain Dynamics of Piezoelectric Films Under Applied Electric Field

    JASRI, SPring-8 User Experiment Report No.12 (2003B)  2003年 

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  • X線回折逆格子空間マッピング法を用いた強誘電体薄膜中のドメイン構造の観察

    機能材料  2002年 

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  • エピタキシャル薄膜を用いたPZT薄膜の結晶構造と特性評価

    電気学会電子材料研究会資料  2002年 

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  • サイトエンジニアリングコンセプトに基づくBi_4_Ti_3_O_12_基強誘電体の設計

    工業材料50  2002年 

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  • 強誘電体薄膜材料における非鉛化実現の可能性

    表面  2002年 

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  • エキシマレーザMOCVD法によるPbTiO_3_薄膜の低温合成

    材料科学誌  1999年 

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  • Sr-Bi-Ta-Oエピタキシャル薄膜のMOCVD合成とその結晶構造

    第37回セラミックス基礎科学討論会講演要旨集  1999年 

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  • セラミックス薄膜の配向制御と特性発現

    セラミックスデータブック  1997年 

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  • MOCVD法による酸化物薄膜の合成

    セラミックデータブック94  1994年 

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MISC

  • MgSiN2薄膜の作製と特性評価

    影山壮太郎, 岡本一輝, 安岡慎之介, 上岡義弘, 召田雅実, 舟窪浩

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   71st   2024年

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  • AlN薄膜の電気光学効果に及ぼすSc添加の影響

    山田智明, 山田智明, 安部琴子, YUAN Xueyou, 岡本一輝, 舟窪浩, 吉野正人, 長崎正雅

    日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(Web)   37th   2024年

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  • RFマグネトロンスパッタ法によるSi基板直上へのY添加強誘電体HfO2薄膜の作製

    小野友慈, 近藤真矢, 寺西貴志, 寺西貴志, 岡本一輝, 舟窪浩, 山田智明, 山田智明, 岸本昭

    日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(Web)   37th   2024年

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  • SrTiO3単結晶基板上にエピタキシャル成長させたBa(Zr0.2Ti0.8)O3薄膜の成長基板による誘電チューナブル特性への影響

    高橋良, 江原祥隆, 澤井眞也, 濱嵜容丞, 西田謙, 安井伸太郎, 舟窪浩, NOVAK Nicola

    日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(Web)   37th   2024年

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  • CeO2-HfO2-ZrO2薄膜の格子間隔と強誘電性の評価

    下野園航平, 前川芳輝, 茶谷那知, 岡本一輝, 山岡和希子, 川島康, 井上ゆか梨, 舟窪浩

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   85th   2024年

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  • (100)/(001)配向正方晶Pb(Zr,Ti)O3膜における圧電応答の周波数依存性

    中畑美紀, 岡本一輝, 石濱圭佑, 清水荘雄, 小金澤智之, KUMARA Rosantha, 仲谷友孝, 池田理, 坂田修身, 山田智明, 山田智明, 舟窪浩

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   85th   2024年

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  • 水熱法で作製した自己分極(001)配向エピタキシャル(Bi,K)TiO3-PbTiO3膜の結晶構造及び強誘電特性

    HU Yuxian, 村下太一, 岡本一輝, 舟窪浩

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   85th   2024年

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  • FeRAM向け(Al,Sc)N膜における強誘電特性の膜厚依存性評価

    道古宗俊, 松井尚子, 入澤寿和, 恒川孝二, SUN Nana, 中村美子, 岡本一輝, 舟窪浩

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   85th   2024年

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  • 局所C-Vマップの画像処理に基づくナノスケール強誘電分極反転ダイナミクスの解析

    平永良臣, 三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩, 長康雄

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   71st   2024年

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  • Ga添加によるAlNへのSc固溶量の増加とその強誘電性および圧電性への影響

    大田怜佳, 安岡慎之介, 中村美子, 岡本一輝, 原浩之, 正能大起, 上岡義弘, 召田雅実, 舟窪浩

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   71st   2024年

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  • 局所C-Vマッピングと圧電応答顕微鏡の統合計測システムの開発

    野口雄貴, 三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩, 平永良臣

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   71st   2024年

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  • CeO2-HfO2-ZrO2薄膜の結晶構造と強誘電性の評価

    下野園航平, 前川芳輝, 茶谷那知, 岡本一輝, 山岡和希子, 川島康, 井上ゆか梨, 舟窪浩

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   71st   2024年

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  • 水熱法で作製したPbTiO3エピタキシャル膜のキュリー温度及び歪み緩和

    HU Yuxian, 岡本一輝, 舟窪浩

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   71st   2024年

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  • スパッタリング法で作製した高Sc濃度ScGaN膜の圧電・強誘電特性

    上原雅人, 平田研二, 中村美子, 安岡慎之介, ANGGRAINI Sri Ayu, 岡本一輝, 山田浩志, 舟窪浩, 秋山守人

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   71st   2024年

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  • Pt下部電極の膜厚がAlScNの膜特性に及ぼす影響

    道古宗俊, 松井尚子, 入澤寿和, 恒川孝二, 中村美子, 岡本一輝, 舟窪浩

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   71st   2024年

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  • (100)/(001)配向正方晶Pb(Zr,Ti)O3膜における結晶構造のその場観察

    中畑美紀, 岡本一輝, 石濱圭佑, 清水荘雄, 小金澤智之, 仲谷友孝, 坂田修身, 山田智明, 山田智明, 舟窪浩

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   71st   2024年

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  • 水熱合成法で作製した(Bi,K)TiO3基薄膜の熱処理効果

    村下太一, 高橋雄真, 窪田るりか, 伊東良晴, 藤井康裕, 是枝聡肇, 岡本一輝, 舟窪浩

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   84th   2023年

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    担当区分:責任著者   記述言語:日本語   掲載種別:講演資料等(セミナー,チュートリアル,講習,講義他)  

    J-GLOBAL

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  • JFCCにおける第一原理計算を基盤とするMIからMDXへの取り組み

    森分博紀, 設樂一希, 横井里江, 加藤丈晴, 小林俊介, 仲山啓, 吉田竜視, 黄馨慧, 神谷利夫, 舟窪浩, 大場史康, 高橋亮, 大橋直樹, 清水荘雄, 山田智明, 吉野正人

    JFCC研究成果集   2023   2023年

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  • 水熱法による強誘電体PbTiO3エピタキシャル膜の合成とそのドメイン構造評価

    HU Y.X., 窪田るりか, 岡本一輝, 舟窪浩, 白石貴久

    電子材料研究討論会プログラム講演予稿集(CD-ROM)   43rd   2023年

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  • 水熱合成法で作製した(Bi,K)TiO3基強誘電体薄膜の熱処理効果とそれらの局所構造評価

    村下太一, 岡本一輝, 高橋雄真, 窪田るりか, 伊東良晴, 藤井康裕, 是枝聡肇, 清水荘雄, 小林俊介, 加藤丈晴, HUANG Hsin-Hui, 森分博紀, 幾原雄一, 幾原雄一, 舟窪浩

    電子材料研究討論会プログラム講演予稿集(CD-ROM)   43rd   2023年

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  • 金属酸化物テンプレート上における化学溶液堆積法由来PZT薄膜の結晶成長機構の解明

    内田寛, 山崎佑介, 横田幸恵, 島宏美, 白石貴久, 木口賢紀, 舟窪浩

    電子材料研究討論会プログラム講演予稿集(CD-ROM)   43rd   2023年

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  • 3Pb3-3 3D形状圧電結晶膜の製膜と超音波デバイスへの応用

    石河 睦生, 吉田 馨, 相川 優人, 肝付 兼梧, 齋藤 直, 田原 麻梨江, 中村 健太郎, 黒澤 実, 舟窪 浩

    超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム講演論文集   43   439   2022年11月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:特定非営利活動法人 超音波エレクトロニクス協会  

    DOI: 10.24492/use.43.0_3pb3-3

    CiNii Research

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  • 3Pa3-3 Pt/Si基板上のTa2O5圧電薄膜の低レートにおける成膜と評価

    松浦 佳祐, 鈴木 雅視, 垣尾 省司, 小寺 正徳, 舟窪 浩

    超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム講演論文集   43   369   2022年11月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:特定非営利活動法人 超音波エレクトロニクス協会  

    DOI: 10.24492/use.43.0_3pa3-3

    CiNii Research

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  • 第31回日本MRS年次大会開催報告、B-4「Recent development of novel ferroelectric materials, from fundamentals to applications」

    舟窪 浩

    日本MRSニュース   Vol. 34 ( No. 1 )   2022年3月

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    記述言語:日本語   掲載種別:速報,短報,研究ノート等(大学,研究機関紀要)   出版者・発行元:一般社団法人 日本MRS  

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  • 面内配向及び熱歪による(Al,Sc)N薄膜の強誘電特性の制御

    安岡 慎之介, 水谷 涼一, 大田 怜佳, 白石 貴久, 清水 荘雄, 上原 雅人, 山田 浩志, 秋山 守人, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2022.1   1143 - 1143   2022年2月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_1143

    CiNii Research

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  • ドーピングした鉄シリサイド膜のフォトルミネッセンス発光特性

    秋山 賢輔, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2022.1   2515 - 2515   2022年2月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2515

    CiNii Research

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  • SRO/Pt/Si基板上のTa2O5圧電薄膜の成膜と評価

    松浦 佳祐, 鈴木 雅視, 垣尾 省司, 小寺 正徳, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2022.1   371 - 371   2022年2月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_371

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  • 水熱法による配向制御されたPbTiO3エピタキシャル膜の低温製膜とその結晶構造評価

    胡 雨弦, 窪田 るりか, 白石 貴久, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2022.1   1130 - 1130   2022年2月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_1130

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  • PLD法による(111)配向エピタキシャル(Hf,Ce)O2強誘電体膜の作製とその特性評価

    平井 浩司, 白石 貴久, 山岡 和希子, 鶴丸 理沙子, 井上 ゆか梨, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2022.1   1126 - 1126   2022年2月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_1126

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  • 種々の電極を用いた(Al1-xScx)N薄膜の強誘電性評価

    大田 怜佳, 安岡 慎之介, 水谷 涼一, 白石 貴久, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2022.1   1142 - 1142   2022年2月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_1142

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  • 薄膜化による(Al,Sc)N膜の結晶異方性及び強誘電特性の向上

    安岡慎之介, 水谷涼一, 大田怜佳, 白石貴久, 清水荘雄, 清水荘雄, 清水荘雄, 安井伸太郎, 江原祥隆, 西田謙, 上原雅人, 山田浩志, 秋山守人, 今井康彦, 坂田修身, 舟窪浩

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   69th   1144 - 1144   2022年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_1144

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  • MgO単結晶基板上にエピタキシャル成長させたBa(Zr,Ti)O3膜の結晶構造と温度安定性

    高橋良, 江原祥隆, 澤井眞也, 濱嵜容丞, 西田謙, 安井伸太郎, 白石貴久, 舟窪浩

    日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(Web)   35th   2022年

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  • HfO2基強誘電体の相転移における熱履歴

    三村和仙, 清水荘雄, 清水荘雄, 坂田修身, 坂田修身, 舟窪浩

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)   77 ( 1 )   2022年

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  • (100)MgO基板上に製膜したBa(ZrxTi1-x)O3の結晶構造と誘電特性

    高橋良, 江原祥隆, 浜嵜容丞, 澤井眞也, 安井伸太郎, 安岡慎之介, 舟窪浩, 西田謙

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   83rd   2022年

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  • PZT薄膜の化学溶液堆積における選択的結晶成長と低温結晶化

    山崎佑介, 横田幸恵, 島宏美, 舟窪浩, 内田寛

    電子材料研究討論会プログラム講演予稿集(CD-ROM)   42nd   2022年

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  • ハフニア基強誘電体薄膜の電気光学効果

    近藤真矢, 舟窪 浩, 山田智明

    セラミックスデータブック 2021/22   工業と製品 Vol. 49 ( No. 103 )   68 - 72   2021年12月

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)   出版者・発行元:工業製品技術協会(株式会社テクノプラザ)  

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  • 1Pa3-2 水熱合成または高周波スパッタリングにより成膜された(K,Na)NbO3 膜のSAW 伝搬特性

    吉澤 宗眞, 鈴木 雅視, 垣尾 省司, 伊東 良晴, 舘山 明紀, 舟窪 浩, 若林 剛, 柴田 憲治

    超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム講演論文集   42   n/a   2021年10月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:特定非営利活動法人 超音波エレクトロニクス協会  

    DOI: 10.24492/use.42.0_1pa3-2

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  • 水熱合成(K,Na)NbO3膜のSAW伝搬特性の評価

    吉澤 宗眞, 鈴木 雅視, 垣尾 省司, 伊東 良晴, 舘山 明紀, 舟窪 浩, 若林 剛

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2021.2   408 - 408   2021年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2021.2.0_408

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  • 水熱合成法で作製した(K,Na)NbO3膜の圧電特性における方位依存性

    舘山 明紀, 伊東 良晴, 白石 貴久, 折野 裕一郎, 黒澤 実, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2021.2   1228 - 1228   2021年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2021.2.0_1228

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  • 水熱合成法による分極軸配向した(Bi,K)TiO3薄膜の電気特性

    伊東 良晴, 舘山 明紀, 窪田 るりか, 白石 貴久, 黒澤 実, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2021.2   1232 - 1232   2021年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2021.2.0_1232

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  • 水熱合成法で作製した(K,Na)NbO3厚膜の振動特性及び発電特性の膜厚依存性

    舘山 明紀, 伊東 良晴, 白石 貴久, 折野 裕一郎, 黒澤 実, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2021.2   1230 - 1230   2021年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2021.2.0_1230

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  • 分極軸配向正方晶PZTエピタキシャル膜の圧電評価

    大越 春香, 舘山 明紀, 白石 貴久, 江原 祥隆, 西田 謙, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2021.2   1236 - 1236   2021年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2021.2.0_1236

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  • Y添加HfO2強誘電体エピタキシャル薄膜の電気光学効果

    近藤 真矢, 志村 礼次郎, 寺西 貴志, 岸本 昭, 長崎 正雅, 舟窪 浩, 山田 智明

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2021.2   1240 - 1240   2021年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2021.2.0_1240

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  • 水熱合成法を用いて(001), (110), (111)SrTiO3上に製膜した正方晶(Bi,K)TiO3の構造及び強誘電性

    窪田 るりか, 舘山 明紀, 伊東 良晴, 白石 貴久, 黒澤 実, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2021.2   1233 - 1233   2021年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2021.2.0_1233

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  • 正方晶(1-x)(Bi,Na)TiO3- xBaTiO3エピタキシャル膜の結晶構造及び電気的特性の組成依存性

    石濱 圭佑, 清水 荘雄, 佐藤 祐介, 山岡 和希子, 鶴丸 理沙子, 吉村 真太郎, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2021.2   1234 - 1234   2021年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2021.2.0_1234

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  • 圧電体および強誘電体薄膜における脱ペロブスカイト構造

    舟窪 浩, 白石 貴久, 清水 荘雄

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2021.2   135 - 135   2021年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2021.2.0_135

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  • Pt結晶膜上のTa2O5圧電薄膜の成膜とSAW伝搬特性の解析

    松浦 佳祐, 鈴木 雅視, 垣尾 省司, 小寺 正徳, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2021.2   409 - 409   2021年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2021.2.0_409

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  • 金属基板に堆積した一軸配向(K,Na,Li)(Nb,Ta)O3厚膜の結晶構造および電気特性評価

    白石 貴久, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2021.2   1227 - 1227   2021年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2021.2.0_1227

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  • HfO2基材料における強誘電性の発現機構

    清水 荘雄, 三村 和仙, 舟窪 浩

    セラミックス   Vol. 56 ( No. 7 )   455 - 458   2021年7月

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)   出版者・発行元:東京 : 日本セラミックス協会  

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    その他リンク: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I031967994

  • 高速電界印加時の ドメイン構造変化を 利用した高性能 PZT 薄膜の開発

    江原 祥隆, 清水 荘雄, 舟窪 浩

    セラミックス   Vol. 56 ( No. 7 )   2021年7月

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)  

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  • ウルツ鉱構造窒化物の強誘電性

    舟窪 浩, 安岡 慎之介, 水谷 涼一, 清水 荘雄

    セラミックス   Vol. 56 ( No. 7 )   443 - 446   2021年7月

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)   出版者・発行元:東京 : 日本セラミックス協会  

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    その他リンク: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I031967967

  • ウルツ鉱構造窒化物の強誘電性 ―強誘電体の脱ペロブスカイト構造酸化物―

    舟窪 浩, 安岡 慎之介, 清水 荘雄

    FINE CERAMICS REPORT 2021 夏号   Vol. 39 ( No. 3 )   92 - 95   2021年7月

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)   出版者・発行元:日本ファインセラミックス協会  

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    その他リンク: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I031626445

  • 高速電界印加時のドメイン構造変化を利用した高性能PZT薄膜の開発—Development of High-performance PZT Thin Films Utilizing Ferroelastic Domain Switching Induced by Applying a High-speed Electric Field—特集 Society5.0に貢献する誘電体材料・デバイス研究の新展開

    江原 祥隆, 清水 荘雄, 舟窪 浩

    Ceramics Japan = セラミックス : bulletin of the Ceramic Society of Japan   56 ( 7 )   459 - 462   2021年7月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:東京 : 日本セラミックス協会  

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    その他リンク: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I031968000

  • コロナ禍における大学と無機材料分野の近況

    舟窪 浩

    無機材会会誌   8 - 9   2021年5月

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    記述言語:日本語   掲載種別:速報,短報,研究ノート等(大学,研究機関紀要)   出版者・発行元:無機材会  

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  • これからセラミックスを始める人のための概論

    舟窪 浩

    2021年度セラミックス大学 ベーシックコーステキスト   1 - 10   2021年5月

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)   出版者・発行元:公益社団法人日本セラミックス協会  

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  • 振動発電用環境適応型圧電体の低温作製と評価

    伊東良晴, 舘山明紀, 舟窪浩

    クリーンエネルギー(3月号)   vol. 30 ( no. 3 )   37 - 41   2021年3月

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    記述言語:日本語   掲載種別:機関テクニカルレポート,技術報告書,プレプリント等   出版者・発行元:東京 : 日本工業出版  

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    その他リンク: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I031322425

  • RFスパッタリングにより成膜された(K,Na)NbO3膜のBAW・SAW特性

    吉澤 宗眞, 鈴木 雅視, 垣尾 省司, 伊東 良晴, 舘山 明紀, 舟窪 浩, 若林 剛, 柴田 憲治

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2021.1   390 - 390   2021年2月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_390

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  • エピタキシャル(Al1-xScx)N膜の作製と強誘電性評価

    安岡 慎之介, 清水 荘雄, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2021.1   1187 - 1187   2021年2月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_1187

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  • (ScxAl1-x)N薄膜の強誘電性の温度依存性

    水谷 涼一, 安岡 慎之介, 清水 荘雄, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2021.1   1188 - 1188   2021年2月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_1188

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  • 0.1CeO2-0.9HfO2膜の電気特性および圧電特性の調査

    白石 貴久, 木口 賢紀, 今野 豊彦, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2021.1   1190 - 1190   2021年2月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_1190

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  • 100℃以下で作製した (Bi,K)TiO3薄膜の圧電特性評価

    伊東 良晴, 舘山 明紀, 窪田 るりか, 白石 貴久, 黒澤 実, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2021.1   1183 - 1183   2021年2月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_1183

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  • β-FeSi2/TiO2複合粒子の作製条件と光触媒効果による水分解特性

    秋山 賢輔, 本泉 佑, 長沼 康弘, 舟窪 浩, 入江 寛

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2021.1   345 - 345   2021年2月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_345

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  • 種々の基板上に成長した正方晶(1-x)(Bi,Na)TiO3- xBaTiO3膜の特性評価

    石濱 圭佑, 舘山 明紀, 清水 荘雄, 佐藤 祐介, 山岡 和希子, 鶴丸 理沙子, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2021.1   1181 - 1181   2021年2月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_1181

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  • 水熱合成(Bi,K)TiO3薄膜作成における原料の影響

    窪田 るりか, 舘山 明紀, 伊東 良晴, 白石 貴久, 黒澤 実, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2021.1   1182 - 1182   2021年2月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_1182

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  • 局所C-Vマッピングにおける主成分分析によるノイズ除去

    平永良臣, 三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩, 長康雄

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   82nd   1247 - 1247   2021年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2021.2.0_1247

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  • 種々の格子定数を有するSr(Zr,Ti)O3バッファー層上に製膜したPbTiO3薄膜のドメイン構造に関する検討

    森川友秀, 小寺正徳, 清水荘雄, 江原祥隆, 舟窪浩

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   68th   1196 - 1196   2021年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_1196

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  • 種々のZr/(Zr+Ti)比を有する分極軸配向正方晶PZTエピタキシャル膜の特性評価

    大越春香, 森川友秀, 舘山明紀, 小寺正徳, 白石貴久, 江原祥隆, 舟窪浩

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   68th   1197 - 1197   2021年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_1197

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  • 強誘電体薄膜における分極反転挙動のナノスケールマッピング

    平永良臣, 三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩, 長康雄

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   68th   1167 - 1167   2021年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_1167

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  • Y-置換HfO2基材料の強誘電性の発現

    清水荘雄, 清水荘雄, 田代裕貴, 三村和仙, 舟窪浩

    日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(Web)   34th   2021年

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  • HfO2基強誘電体膜のラマン分光測定

    高橋雄真, 白石貴久, 小寺正徳, 志村礼司郎, 三村和仙, 森分博紀, 田口綾子, 舟窪浩

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   82nd   1245 - 1245   2021年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2021.2.0_1245

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  • スパッタリング法によるY-HZO強誘電体厚膜の室温製膜とその電気特性および圧電特性評価

    志村礼司郎, 三村和仙, 舘山明紀, 清水荘雄, 清水荘雄, 白石貴久, 舟窪浩

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   68th   1191 - 1191   2021年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_1191

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  • MgO基板上に(100)配向したエピタキシャルBZT薄膜の結晶構造と電気的特性

    高橋良, 江原祥隆, 西田謙, 安井伸太郎, 白石貴久, 舟窪浩

    日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(Web)   34th   2021年

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  • 2Pa3-3 水熱合成(K,Na)NbO3膜の電気機械結合係数の評価

    吉澤 宗眞, 鈴木 雅視, 垣尾 省司, 伊東 良晴, 舘山 明紀, 舟窪 浩, 若林 剛

    超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム講演論文集   41   n/a - 295   2020年11月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:特定非営利活動法人 超音波エレクトロニクス協会  

    DOI: 10.24492/use.41.0_2pa3-3

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  • HfO2およびZrO2基強誘電体膜の厚膜化と室温合成

    三村和仙, 志村礼司郎, 舟窪浩, 清水荘雄

    超音波TECHNO   2020年9-10号 ( 5 )   41 - 45   2020年9月

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)   出版者・発行元:東京 : 日本工業出版  

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    その他リンク: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I030664182

  • 新規非鉛圧電体の時間分解X線回折による電場応答の観察

    清水荘雄, 舟窪浩

    文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業 微細構造解析プラットフォーム 利用報告書 実施機関 国立研究開発法人物質・材料研究機構   令和元年度   A-19-NM-0004   2020年9月

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    記述言語:日本語   掲載種別:速報,短報,研究ノート等(学術雑誌)  

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  • PZT膜の電圧印可による結晶構造変化

    井上英久, 清水荘雄, 舟窪浩

    文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業 微細構造解析プラットフォーム 利用報告書 実施機関 国立大学法人 東北大学   令和元年度   A-19-TU-0003   2020年9月

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    記述言語:日本語   掲載種別:速報,短報,研究ノート等(学術雑誌)  

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  • 2相共存PZTにおける電場有機相転移の観察

    清水荘雄, 舟窪浩

    文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業 微細構造解析プラットフォーム 利用報告書 実施機関 国立研究開発法人物質・材料研究機構   令和元年度   A-19-NM-0086   2020年9月

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    記述言語:日本語   掲載種別:速報,短報,研究ノート等(学術雑誌)  

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  • 窒化物圧電体膜の微構造評価

    安岡慎之介, 清水荘雄, 舟窪浩

    文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業 微細構造解析プラットフォーム 利用報告書 実施機関 国立大学法人 東北大学   令和元年度   A-19-TU-0048   2020年9月

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    記述言語:日本語   掲載種別:速報,短報,研究ノート等(学術雑誌)  

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  • 強誘電体膜のドメイン構造解析とその形成機構

    舟窪浩

    文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業 微細構造解析プラットフォーム 利用報告書 実施機関 国立大学法人 東北大学   令和元年度   A-19-TU-0034   2020年9月

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    記述言語:日本語   掲載種別:速報,短報,研究ノート等(学術雑誌)  

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  • スパッタリング法で室温合成した(Al1-xScx)N膜の強誘電性評価

    安岡 慎之介, 清水 荘雄, 上原 雅人, 山田 浩志, 秋山 守人, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2020.2   886 - 886   2020年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2020.2.0_886

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  • 化学気相堆積法及び水熱合成法を用いた(Bi,K)TiO3薄膜作製の検討

    窪田 るりか, 伊東 良晴, 黒澤 実, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2020.2   887 - 887   2020年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2020.2.0_887

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  • 縦振動を用いた薄膜の正逆圧電応答同時評価法の提案

    舘山 明紀, 伊東 良晴, 清水 荘雄, 折野 裕一郎, 黒澤 実, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2020.2   877 - 877   2020年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2020.2.0_877

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  • 水熱合成法を用いた(Bi,K)TiO3薄膜の低温製膜

    伊東 良晴, 舘山 明紀, 黄 宇, 窪田 るりか, 黒澤 実, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2020.2   888 - 888   2020年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2020.2.0_888

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  • Ca-Mg-Si三元系熱電材料におけるSi含有量変化に伴う導電型の制御

    片桐 淳生, 上原 睦雄, 黒川 満央, 秋山 賢輔, 松島 正明, 内田 寛, 木村 好里, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2020.2   1251 - 1251   2020年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2020.2.0_1251

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  • 光触媒効果による水分解に向けたルチルTiO2とb-FeSi2との複合粒子合成

    秋山 賢輔, 高橋 亮, 本泉 佑, 舟窪 浩, 入江 寛

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2020.1   389 - 389   2020年2月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2020.1.0_389

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  • Bi2SiO5エピタキシャル薄膜の結晶成長に関する検討

    小寺 正徳, 清水 荘雄, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2020.1   1230 - 1230   2020年2月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2020.1.0_1230

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  • (Al1-xScx)N薄膜の強誘電特性に及ぼす製膜条件の影響

    安岡 慎之介, 清水 荘雄, 上原 雅人, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2020.1   1228 - 1228   2020年2月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2020.1.0_1228

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  • マイクロ波加熱式水熱合成プロセスによる(K,Na)NbO3厚膜の堆積

    大倉 雅貴, 伊東 良晴, 白石 貴久, 木口 賢紀, 今野 豊彦, 舟窪 浩, 内田 寛

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2020.1   1249 - 1249   2020年2月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2020.1.0_1249

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  • 水熱合成法で作製した(KxNa1-x)NbO自己分極膜の縦振動を用いた正逆圧電応答の同時評価

    舘山 明紀, 伊東 良晴, 清水 荘雄, 折野 裕一郎, 黒澤 実, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2020.1   1251 - 1251   2020年2月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2020.1.0_1251

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  • スパッタリング法で作製したGaNおよびSc添加GaN薄膜の強誘電性評価

    上原 雅人, 安岡 慎之介, 清水 荘雄, 山田 浩志, 秋山 守人, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2020.1   1229 - 1229   2020年2月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2020.1.0_1229

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  • PLD法で作製した正方晶(1-x)(Bi,Na)TiO3-xBaTiO3膜の評価

    石濱 圭佑, 舘山 明紀, 清水 荘雄, 佐藤 裕介, 山岡 和希子, 石田 未来, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2020.1   1252 - 1252   2020年2月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2020.1.0_1252

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  • ReO3構造酸フッ化物薄膜の誘電体応用可能性

    小寺正徳, 舟窪浩, 清水荘雄, 田口綾子, 森分博紀

    日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(CD-ROM)   33rd   2020年

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  • スパッタリング法によるHfO2基強誘電体厚膜の室温製膜とその電気特性評価

    志村礼司郎, 三村和仙, 舘山明紀, 清水荘雄, 舟窪浩

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   67th   1239 - 1239   2020年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2020.1.0_1239

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  • エピタキシャルHfO2基膜を用いた直方晶相安定化の調査

    三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   67th   1237 - 1237   2020年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2020.1.0_1237

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  • スパッタリング法によるHfO2基強誘電体厚膜のシリコン基板上への室温製膜とその電気特性および圧電特性評価

    志村礼司郎, 三村和仙, 舘山明紀, 清水荘雄, 舟窪浩

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   81st   900 - 900   2020年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2020.2.0_900

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  • HfO2基薄膜のZr,Yドープによる結晶相変化と強誘電相の安定性

    田代裕貴, 三村和仙, 清水荘雄, 勝矢良雄, 坂田修身, 木口賢紀, 白石貴久, 今野豊彦, 舟窪浩

    セラミックス基礎科学討論会講演要旨集   58th   2020年

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  • 歪フリーなPb(ZrxTi1-x)O3薄膜の作製法の検討

    森川友秀, 小寺正徳, 江原祥隆, 清水荘雄, 舟窪浩

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   81st   875 - 875   2020年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2020.2.0_875

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  • 面内分極配向したPbTiO3薄膜のa1/a2ドメイン構造の膜厚依存

    江原祥隆, 中島崇明, 一ノ瀬大地, 清水荘雄, 西田謙, 山田智明, 舟窪浩

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   67th   1244 - 1244   2020年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2020.1.0_1244

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  • ReO3構造を有する酸フッ化物薄膜の誘電特性

    小寺正徳, 舟窪浩, 清水荘雄, 田口綾子, 森分博紀

    日本セラミックス協会年会講演予稿集(CD-ROM)   2020   2020年

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  • 圧電体のドメイン構造変化の時間応答

    清水荘雄, 舟窪浩

    高輝度放射光ステーション年次報告書2018   2018B4900   2019年10月

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    記述言語:日本語   掲載種別:速報,短報,研究ノート等(学術雑誌)  

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  • Time resolved x-ray diffraction studies of ultrafast 90°domain switching in (100)(001) oriented tetragonal PZT thin films

    HIROSHI FUNAKUBO, Osami Sakata, Kim Jaemyung

    高輝度放射光ステーション年次報告書2018   2018A4905   2019年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:速報,短報,研究ノート等(学術雑誌)  

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  • 二元同時スパッタ法で作製したAeSi2膜の作製

    青山 航大, 清水 荘雄, 倉持 豪人, 召田 雅実, 秋池 良, 井手 啓介, 片瀬 貴義, 神谷 利夫, 木村 好里, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2019.2   2999 - 2999   2019年9月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_2999

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  • 組成相境界近傍組成のPZT膜の電界による構造変化と圧電性の評価

    井上 英久, 清水 荘雄, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2019.2   1399 - 1399   2019年9月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_1399

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  • (K,Na)(Nb,Ta)O3厚膜の結晶構造および電気特性の調査

    白石 貴久, 舘山 明紀, 伊東 良晴, 木口 賢紀, 内田 寛, 舟窪 浩, 今野 豊彦

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2019.2   1382 - 1382   2019年9月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_1382

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  • (PbxSr1-x)TiO3薄膜における組成及び膜厚がドメイン構造に及ぼす影響

    太田 悠登, 山田 智明, 吉野 正人, 清水 荘雄, 舟窪 浩, 長崎 正雅

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2019.2   1397 - 1397   2019年9月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_1397

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  • 蛍石構造強誘電体薄膜の組成による結晶構造変化の観察

    三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩

    文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業 微細構造解析プラットフォーム 利用報告書 実施機関 国立大学法人 東北大学   平成30年度   A-18-TU-0042   2019年9月

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    記述言語:日本語   掲載種別:速報,短報,研究ノート等(学術雑誌)  

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  • 圧電体膜における電界印加による結晶構造変化観察

    井上英久, 清水荘雄, 舟窪浩

    文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業 微細構造解析プラットフォーム 利用報告書 実施機関 国立大学法人 東北大学   平成30年度   A-18-TU-0043   2019年9月

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    記述言語:日本語   掲載種別:速報,短報,研究ノート等(学術雑誌)  

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  • (K,Na)NbO3 基圧電体の水熱製膜 招待

    白石貴久, 木口賢紀, 今野豊彦, 舟窪浩

    セラミックス   第54巻 ( 8月号 )   540 - 543   2019年8月

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)   出版者・発行元:東京 : 日本セラミックス協会  

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    その他リンク: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I030547692

  • これからセラミックスを始める人のための概論

    舟窪浩

    2019年度セラミックス大学 ベーシックコーステキスト   1 - 15   2019年5月

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)   出版者・発行元:公益社団法人日本セラミックス協会  

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  • 新構造ピエゾエレクトロニックトランジスタの低リーク設計とそのSRAMへの応用

    塩津 勇作, 山本 修一郎, 舟窪 浩, 黒澤 実, 菅原 聡

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2019.1   2807 - 2807   2019年2月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2019.1.0_2807

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  • 光触媒効果による水分解に向けたSiCとβ-FeSi2半導体との複合粒子合成

    秋山 賢輔, 野島 咲子, 高橋 亮, 舟窪 浩, 入江 寛

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2019.1   350 - 350   2019年2月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2019.1.0_350

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  • 共スパッタ法で作製したBaxSr1-xSi2膜の熱電特性

    青山 航大, 清水 荘雄, 倉持 豪人, 召田 雅実, 秋池 良, 井出 啓介, 片瀬 貴義, 神谷 利夫, 木村 好里, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2019.1   1843 - 1843   2019年2月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2019.1.0_1843

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  • 強誘電体(Hf,Ce)O2薄膜の作製とその結晶構造評価

    白石 貴久, Choi Sujin, 清水 荘雄, 木口 賢紀, 舟窪 浩, 今野 豊彦

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2019.1   1225 - 1225   2019年2月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2019.1.0_1225

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  • 組成相境界近傍組成を有するPZT膜の電界下X線回折測定

    井上 英久, 一ノ瀬 大地, 清水 荘雄, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2019.1   1235 - 1235   2019年2月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2019.1.0_1235

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  • 強誘電体の最近の話題から、―メモリ、MEMS から IoT への展開

    舟窪浩

    2019年2月

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)  

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  • Ferroelectricity in doped hafnium oxide: Materials, properties and devices

    Uwe Schroeder, Cheol Seong Hwang, Hiroshi Funakubo

    Ferroelectricity in Doped Hafnium Oxide: Materials, Properties and Devices   1 - 570   2019年1月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:Elsevier  

    DOI: 10.1016/C2017-0-01145-X

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  • 強誘電性ハフニア薄膜におけるドメイン構造のイメージング

    木口賢紀, 白石貴久, 清水荘雄, 三村和仙, 舟窪浩, 今野豊彦

    日本金属学会講演概要(CD-ROM)   164th   2019年

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  • HfO2基薄膜の相安定性と機能発現

    清水荘雄, 三村和仙, 舟窪浩

    セラミックス基礎科学討論会講演要旨集   57th   2019年

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  • 直方晶相ハフニア薄膜におけるドメイン構造

    木口賢紀, 白石貴久, 三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩, 今野豊彦

    日本セラミックス協会年会講演予稿集(CD-ROM)   2019   2019年

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  • PLD法を用いたY,ZrドープHfO2薄膜の作製と評価

    田代裕貴, 三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩

    セラミックス基礎科学討論会講演要旨集   57th   2019年

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  • 水熱合成法で作製した(KxNa1-x)NbO3自己分極膜の圧電特性の評価

    舘山明紀, 伊東良晴, 清水荘雄, 折野裕一郎, 黒澤実, 吉村武, 舟窪浩

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   80th   1381 - 1381   2019年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_1381

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  • 水熱合成法で作製した(K,Na)NbO3配向膜の圧電定数,e31,f,の評価

    舘山明紀, 伊東良晴, 中村美子, 清水荘雄, 折野裕一郎, 黒澤実, 内田寛, 白石貴久, 木口賢紀, 今野豊彦, 熊田伸弘, 吉村武, 舟窪浩

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   66th   1237 - 1237   2019年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2019.1.0_1237

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  • PLD法を用いたY,ZrドープHfO2薄膜の作製と評価

    田代裕貴, 三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   66th   1226 - 1226   2019年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2019.1.0_1226

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  • スパッタリング法により配向制御したHfO2基強誘電体厚膜の作製およびその電気特性評価

    志村礼司郎, 三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   66th   1223 - 1223   2019年

     詳細を見る

    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2019.1.0_1223

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  • スパッタリング法を用いたY:HfO2強誘電体膜の室温成膜

    三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   80th   1372 - 1372   2019年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_1372

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  • HfO2基薄膜の電界誘起相転移

    田代裕貴, 三村和仙, 清水荘雄, 勝矢良雄, 坂田修身, 木口賢紀, 白石貴久, 今野豊彦, 舟窪浩

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   80th   1371 - 1371   2019年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_1371

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  • 高周波強力超音波トランスデューサ用圧電結晶膜の製膜とその評価

    石河睦生, 内田庸助, 塚本絢穂, 齋藤直, 遠藤聡人, 安井伸太郎, 田原麻梨江, 舟窪浩, 黒澤実

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   80th   366 - 366   2019年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_366

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  • スパッタリング法を用いたY:HfO2強誘電体厚膜の作製とその電気特性評価

    志村礼司郎, 三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩

    電子材料研究討論会講演予稿集   39th   2019年

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  • 酸化ハフニウム基強誘電体の基礎特性の解明 招待 査読

    舟窪浩, 三村和仙, 清水荘雄, 木口賢紀

    応用物理   87 ( 12 )   921 - 925   2018年12月

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    HfO2基の強誘電体は,従来の強誘電体と異なり,シリコンプロセスとの高い親和性を有し,膜厚を20nm以下に薄膜化しても強誘電性が劣化しないことから,大きな関心を集めている.本研究では,従来の多結晶で不純物相の混入していた膜に代わって,高品質の方位制御されたエピタキシャル膜を作製した.その結果,強誘電性の起源が結晶の対称中心のない直方晶相であることを実験的に明らかにした.この膜を用いて,最大の残留分極値である自発分極値と,使用温度限界であるキュリー温度を見積もった.その結果,現在強誘電体メモリに使用されているPb(Zr0.4Ti0.6)O3やSr0.8Bi2.2Ta2O9と遜色がない特性を有することを初めて明らかにした.

    DOI: 10.11470/oubutsu.87.12_921

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    その他リンク: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I029389332

  • 水熱合成法で作製した(K,Na)NbO配向膜の圧電特性評価

    舘山 明紀, 伊東 良晴, 中村 美子, 清水 荘雄, 折野 裕一郎, 黒澤 実, 内田 寛, 白石 貴久, 木口 賢紀, 今野 豊彦, 石河 睦生, 熊田 伸弘, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2018.2   1315 - 1315   2018年9月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_1315

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  • MOCVD合成したβ-FeSi2薄膜におけるエネルギーバンド変調

    秋山 賢輔, 野島 咲子, 高橋 亮, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2018.2   3107 - 3107   2018年9月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_3107

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  • HfO2基強誘電体の相安定性と特性制御

    舟窪 浩, 清水 荘雄, 三村 和仙

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2018.2   239 - 239   2018年9月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_239

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  • PLD法を用いた(Bi,Na)TiO3-BaTiO3系厚膜の作製とその特性評価

    長谷川 光勇, 清水 荘雄, 佐藤 祐介, 山岡 和希子, 石田 未来, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2018.2   1302 - 1302   2018年9月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_1302

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  • 新構造ピエゾエレクトロニックトランジスタの設計方法

    塩津 勇作, 山本 修一郎, 舟窪 浩, 黒澤 実, 菅原 聡

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2018.2   2950 - 2950   2018年9月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_2950

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  • 水熱合成法によるTa置換(K,Na)NbO3膜の低温合成

    武藤 優太, 白石 貴久, 木口 賢紀, 今野 豊彦, 舘山 明紀, 伊東 良晴, 黒澤 実, 舟窪 浩, 内田 寛, 石河 睦生

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2018.2   1313 - 1313   2018年9月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_1313

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  • 水熱合成(K,Na,Li)NbO3膜の結晶構造と電気特性調査

    白石 貴久, 武藤 優太, 舘山 明紀, 伊東 良晴, 木口 賢紀, 内田 寛, 舟窪 浩, 今野 豊彦

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2018.2   1314 - 1314   2018年9月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_1314

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  • 片持ち梁型圧電振動発電の分布定数系解析 : 材料特性による発電性能への影響 (超音波)

    折野 裕一郎, 伊東 良晴, 舟窪 浩, 黒澤 実

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   118 ( 14 )   1 - 6   2018年4月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:電子情報通信学会  

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  • HfO₂系強誘電体薄膜—HfO₂-based Ferroelectric Thin Films—特集 セラミックス電子材料最前線2018

    舟窪 浩, 清水 荘雄

    Ceramics Japan = セラミックス : bulletin of the Ceramic Society of Japan   53 ( 4 )   243 - 247   2018年4月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:東京 : 日本セラミックス協会  

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    その他リンク: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I029636275

  • 水熱合成によるフレキシブル基板への圧電体成膜

    舟窪 浩, 伊東 良晴, 舘山 明紀, 中村 美子, 清水 荘雄, 黒澤 実, 内田 寛, 白石 貴久, 木口 賢紀, 今野 豊彦, 石河 睦生

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2018.1   153 - 153   2018年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2018.1.0_153

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  • 窒素(N)ドーピングした鉄シリサイドのPL発光特性

    秋山 賢輔, 高橋 亮, 松本 佳久, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2018.1   3386 - 3386   2018年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2018.1.0_3386

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  • 化学溶液堆積法によるCa2+添加HfO2強誘電体薄膜の作製

    中山 周平, 舟窪 浩, 内田 寛

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2018.1   1435 - 1435   2018年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2018.1.0_1435

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  • 新構造ピエゾエレクトロニックトランジスタの設計とそのデバイス・回路性能

    塩津 勇作, 山本 修一郎, 周藤 悠介, 舟窪 浩, 黒澤 実, 菅原 聡

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2018.1   3209 - 3209   2018年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2018.1.0_3209

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  • エピタキシャルCeO2-ZrO2薄膜の作製とその結晶構造評価

    白石 貴久, Sujin Choi, 清水 荘雄, 木口 賢紀, 舟窪 浩, 今野 豊彦

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2018.1   1411 - 1411   2018年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2018.1.0_1411

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  • スパッタリング法によるSr-Si膜の作製

    青山 航大, 清水 荘雄, 倉持 豪人, 召田 雅実, 秋池 良, 木村 好里, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2018.1   3055 - 3055   2018年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2018.1.0_3055

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  • ピエゾエレクトロニック磁気抵抗デバイスとその低電圧MRAMへの応用

    高村 陽太, 山本 修一郞, 舟窪 浩, 黒沢 実, 中川 茂樹, 菅原 聡

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2018.1   3210 - 3210   2018年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2018.1.0_3210

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  • 圧電ナノジェネレータに向けた強誘電体ナノロッドの成長と物性制御

    山田 智明, 岡本 一輝, 伊藤 大介, Song Jundong, Sluka Tomas, Setter Nava, 坂田 修身, 舟窪 浩, 吉野 正人, 長崎 正雅

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2018.1   213 - 213   2018年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2018.1.0_213

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  • PLD法を用いた(Bi,Na)TiO3-BaTiO3系薄膜の作製と評価

    長谷川 光勇, 清水 荘雄, 佐藤 祐介, 山岡 和希子, 石田 未来, 内田 寛, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2018.1   1425 - 1425   2018年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2018.1.0_1425

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  • 種々のNb原料から水熱合成法で作製した(K,Na)NbO配向膜の合成と特性評価

    舘山 明紀, 伊東 良晴, 中村 美子, 清水 荘雄, 折野 裕一郎, 黒澤 実, 内田 寛, 白石 貴久, 木口 賢紀, 今野 豊彦, 石河 睦生, 熊田 伸弘, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2018.1   1418 - 1418   2018年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2018.1.0_1418

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  • 整合界面をもつ強誘電体薄膜のドメイン構造形成に及ぼす局所弾性場の影響

    木口賢紀, 舟窪浩, 今野豊彦

    まてりあ   57 ( 3 )   97 - 105   2018年3月

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)   出版者・発行元:公益社団法人 日本金属学会  

    DOI: 10.2320/materia.57.97

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  • スパッタリング法によるHfO2基強誘電体の厚膜化とその電気特性評価

    志村礼司郎, 三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   79th   1328 - 1328   2018年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_1328

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  • 直方晶相ハフニア薄膜のドメイン構造の電子エネルギー損失分光

    木口賢紀, CHOI Sujin, 白石貴久, 三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩, 今野豊彦

    日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(CD-ROM)   31st   2018年

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  • エピタキシャル成長したHfO2基強誘電体膜における結晶構造の膜厚依存性

    三村和仙, 清水荘雄, 木口賢紀, 赤間章裕, 今野豊彦, 勝矢良雄, 坂田修身, 舟窪浩

    日本セラミックス協会年会講演予稿集(CD-ROM)   2018   2018年

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  • 時間分解放射光X線回折を用いた菱面体晶PZTにおける非180°ドメインスイッチングの周波数応答特性の評価

    清水荘雄, 江原祥隆, 三村和仙, 安井伸太郎, 山田智明, 今井康彦, 勝矢良雄, 坂田修身, 舟窪浩

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   79th   1310 - 1310   2018年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_1310

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  • 網羅的ソフトモードフォノン探索によるHfO2薄膜の強誘電性の理論計算

    森分博紀, 森分博紀, 小西綾子, 小西綾子, 東後篤史, 清水荘雄, 舟窪浩

    日本セラミックス協会年会講演予稿集(CD-ROM)   2018   2018年

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  • 一軸加圧下熱処理によるBi2VO5+δ薄膜の配向性固相結晶化と特性評価

    伊藤翔陽, 難波諒太郎, 三村和仙, 金子智, 金子智, 舟窪浩, 松田晃史, 吉本護

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   65th   1631 - 1631   2018年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2018.1.0_1631

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  • エピタキシャルHfO2基強誘電体における強誘電特性の膜厚依存性

    三村和仙, 清水荘雄, 勝矢良雄, 坂田修身, 舟窪浩

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   65th   1410 - 1410   2018年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2018.1.0_1410

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  • STEM-EELS法による直方晶相ハフニア薄膜の結晶構造評価

    木口賢紀, 白石貴久, 三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩, 今野豊彦

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   79th   244 - 244   2018年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_244

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  • 導電性AFMを用いた局所圧力印加によるV2O3薄膜の絶縁体化

    坂井 穣, アリャビエワ ナタリア, ヴォルフマン ジェローム, リムレット パトリス, リュイテール アントワーヌ, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2017.2   1395 - 1395   2017年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_1395

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  • 化学溶液堆積法によるチタン酸バリウム厚膜の作製とナノシートテンプレートを用いた結晶配向性制御

    村瀬 勝裕, 舟窪 浩, 内田 寛

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2017.2   1240 - 1240   2017年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_1240

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  • PL発光強度増大化へのSi(111)基板上β-FeSi2成長の低温度化検討

    秋山 賢輔, 松本 佳久, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2017.2   3139 - 3139   2017年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_3139

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  • HfO2-ZrO2薄膜の結晶化挙動に及ぼす熱処理条件の影響

    中山 周平, 舟窪 浩, 内田 寛

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2017.2   1239 - 1239   2017年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_1239

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  • 固相エピタキシー法による強誘電体HfO2基薄膜の作製

    白石 貴久, Choi Sujin, 清水 荘雄, 舟窪 浩, 木口 賢紀, 今野 豊彦

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2017.2   1255 - 1255   2017年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_1255

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  • HfO2-ZrO2エピタキシャル薄膜における斜方晶相の安定性

    木口 賢紀, 白石 貴久, チェ スジン, 舟窪 浩, 今野 豊彦

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2017.2   1254 - 1254   2017年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_1254

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  • 水熱法を用いた(K,Na)NbO3配向体の低温作製とその特性評価

    舟窪 浩, 伊東 良晴, 舘山 明紀, 中村 美子, 清水 荘雄, 黒澤 実, 内田 寛, 白石 貴久, 木口 賢紀, 今野 豊彦, 石河 睦生

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2017.2   1263 - 1263   2017年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_1263

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  • ドーパント添加ZrO2エピタキシャル薄膜の結晶構造と電気特性調査

    崔 ス珍, 白石 貴久, 木口 賢紀, 清水 荘雄, 舟窪 浩, 今野 豊彦

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2017.2   1253 - 1253   2017年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_1253

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  • Nonlinear Electric Field Dependence of Electrocaloric Effect in (001)-epitaxial (Ba, Sr)TiO3 Thin Films

    S. Matsuo, T. Yamada, M. Yoshino, T. Nagasaki, T. Kamo, H. Funakubo

    Proc. IEEE ISAF-IWATMD-PFM 2017   68-70   2017年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究発表ペーパー・要旨(全国大会,その他学術会議)  

    DOI: 10.1109/ISAF.2017.8000214

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  • β-FeSi2薄膜のPL発光特性に及ぼす成長温度の影響

    秋山 賢輔, 松本 佳久, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2017.1   3192 - 3192   2017年3月

     詳細を見る

    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_3192

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  • Positive-up-negative-down法による(Ba,Sr)TiO3薄膜の電気熱量効果の間接的評価

    山田 智明, 松尾 翔吾, 加茂 崇史, 舟窪 浩, 吉野 正人, 長崎 正雅

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2017.1   1286 - 1286   2017年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_1286

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  • エピタキシャルFe:HfO2薄膜の作製と特性評価

    白石 貴久, Choi Sujin, 清水 荘雄, 舟窪 浩, 木口 賢紀, 今野 豊彦

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2017.1   1301 - 1301   2017年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_1301

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  • 網羅的ソフトモードフォノン探索によるHfO2薄膜の強誘電性の理論計算

    森分博紀, 東後篤史, 舟窪浩, 清水荘雄

    JFCC研究成果集   2017   2017年

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  • エピタキシャルBiFeO3薄膜における電場印加下の格子歪

    中嶋誠二, 藤沢浩訓, 坂田修身, 舟窪浩, 清水莊雄, 一ノ瀬大地, 今井康彦, 清水勝

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   78th   1245 - 1245   2017年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_1245

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  • スパッタリング法による{100}配向Y2O3-HfO2強誘電体エピタキシャル薄膜の作製とその評価

    鈴木大生, 三村和仙, 清水荘雄, 内田寛, 舟窪浩

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   78th   1256 - 1256   2017年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_1256

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  • 網羅的ソフトモードフォノン探索によるHfO2薄膜の強誘電性の理論計算

    森分博紀, 森分博紀, 小西綾子, 小西綾子, 東後篤史, 清水荘雄, 舟窪浩

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)   72 ( 2 )   2017年

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  • Y2O3-HfO2エピタキシャル薄膜の構成相の決定因子

    鈴木大生, 三村和仙, 清水荘雄, 内田寛, 舟窪浩, 舟窪浩

    セラミックス基礎科学討論会講演要旨集   55th   2017年

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  • スパッタリング法によるY2O3-HfO2強誘電体エピタキシャル薄膜作製とその評価

    鈴木大生, 三村和仙, 清水荘雄, 内田寛, 舟窪浩

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   64th   1296 - 1296   2017年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_1296

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  • HfO2基強誘電体のドメイン構造と電場誘起スイッチング

    清水荘雄, 三村和仙, 木口賢紀, 白石貴久, 赤間章裕, 今野豊彦, 坂田修身, 勝矢良雄, 舟窪浩

    エレクトロセラミックス研究討論会講演予稿集   37th   2017年

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  • Y添加HfO2エピタキシャル薄膜における負の電気熱量効果

    松尾翔吾, 山田智明, 三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩, 吉野正人, 長崎正雅

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   78th   1270 - 1270   2017年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_1270

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  • 強誘電性HfO2薄膜におけるナノスケール分極反転ドット書き込み

    平永良臣, 三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩, 長康雄

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   78th   1259 - 1259   2017年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_1259

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  • Y2O3-HfO2強誘電体の温度安定性

    三村和仙, 清水荘雄, 木口賢紀, 赤間章裕, 今野豊彦, 勝矢良雄, 坂田修身, 舟窪浩

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   78th   1257 - 1257   2017年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_1257

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  • 走査型非線形誘電率顕微鏡を用いたナノスケール分極反転過程の動的観察

    平永良臣, 三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩, 長康雄

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   64th   1294 - 1294   2017年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_1294

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  • 電界印加下における正方晶Pb(Zr,Ti)O3膜の結晶構造の時間応答

    佐藤智也, 一ノ瀬大地, 三村和仙, 根本祐一, 清水荘雄, 今井康彦, 内田寛, 坂田修身, 舟窪浩

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   64th   1269 - 1269   2017年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_1269

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  • エピタキシャルPZT膜におけるマルチドメイン構造と面内歪の緩和

    佐藤智也, 一ノ瀬大地, 三村和仙, 清水荘雄, 山田智明, 舟窪浩

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   78th   1266 - 1266   2017年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_1266

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  • エピタキシャルHfO2基膜における強誘電相の安定性-RE2O3-HfO2vs ZrO2-HfO2-

    三村和仙, 片山きりは, 清水荘雄, 木口賢紀, 赤間章裕, 今野豊彦, 坂田修身, 舟窪浩

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   64th   1297 - 1297   2017年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_1297

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  • Y添加HfO₂薄膜における強誘電ドメイン反転のSNDM観察 (磁気記録・情報ストレージ)

    平永 良臣, 長 康雄, 三村 和仙, 清水 荘雄, 舟窪 浩

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   116 ( 348 )   35 - 39   2016年12月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:電子情報通信学会  

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  • Y添加HfO₂薄膜における強誘電ドメイン反転のSNDM観察 (マルチメディアストレージ)

    平永 良臣, 長 康雄, 三村 和仙, 清水 荘雄, 舟窪 浩

    映像情報メディア学会技術報告 = ITE technical report   40 ( 44 )   35 - 39   2016年12月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:映像情報メディア学会  

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  • 東工大と東北大など、酸化ハフニウム基強誘電体の基礎特性を解明酸化ハフニウム基強誘電体の基礎特性を解明 ―超高密度で高速動作する不揮発性メモリー実現に道―

    清水荘雄, 舟窪浩, 今野豊彦, 木口賢紀, 坂田修身

    日経プレスリリース   2016年9月

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(商業誌、新聞、ウェブメディア)  

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  • ピエゾ素子上に転写したV2O3薄膜の歪み誘起抵抗変調

    坂井 穣, ネグレスク ベアトリス, バヴァンコッフ マキシム, リムレット パトリス, ヴォルフマン ジェローム, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2016.2   1308 - 1308   2016年9月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_1308

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  • 熱処理がMg2Si薄膜の伝導型に与える影響

    黒川 満央, 上原 睦雄, 清水 荘雄, 秋山 賢輔, 松島 正明, 内田 浩, 木村 好里, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2016.2   2658 - 2658   2016年9月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2658

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  • β-FeSi2/SiC複合粒子の作製と光触媒効果による水からの水素生成

    秋山 賢輔, 本泉 佑, 奥田 徹也, 舟窪 浩, 入江 寛, 松本 佳久

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2016.2   3367 - 3367   2016年9月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_3367

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  • PLD法による配向制御したエピタキシャル(Bi,K)TiO3膜の作製

    根本 祐一, 一ノ瀬 大地, 清水 荘雄, 内田 寛, 佐藤 祐介, 山岡 和希子, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2016.2   1232 - 1232   2016年9月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_1232

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  • 強誘電体Pb(Zr,Ti)O3ナノロッドの電荷遮蔽によるドメイン制御

    山田 智明, 伊藤 大介, Sluka Tomas, Setter Nava, 坂田 修身, 生津 資大, 舟窪 浩, 吉野 正人, 長崎 正雅

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2016.2   1230 - 1230   2016年9月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_1230

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  • β-FeSi2薄膜の低温でのフォトルミネッセンス発光

    秋山 賢輔, 松本 佳久, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2016.2   2917 - 2917   2016年9月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2917

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  • 依頼講演 HfO₂基強誘電体薄膜の作製と特性評価 (シリコン材料・デバイス)

    舟窪 浩, 清水 荘雄, 片山 きりは, 三村 和仙

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   116 ( 118 )   5 - 8   2016年6月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:電子情報通信学会  

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  • 強誘電性Y:HfO₂薄膜におけるナノスケールドメイン反転 (磁気記録・情報ストレージ)

    陳 舟, 平永 良臣, 清水 荘雄, 片山 きりは, 三村 和仙, 舟窪 浩, 長 康雄

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   115 ( 490 )   29 - 32   2016年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:電子情報通信学会  

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  • ナノシート界面層を利用した配向性PZT厚膜の作製

    宮崎 竜斗, 一ノ瀬 大地, 金 鎭雄, 島 宏美, 赤間 章裕, 木口 賢紀, 西田 謙, 金野 豊彦, 舟窪 浩, 内田 寛

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2016.1   1217 - 1217   2016年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1217

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  • Mg2Si薄膜の熱電特性に及ぼす歪みの影響

    黒川 満央, 上原 睦雄, 一ノ瀬 大地, 清水 荘雄, 秋山 賢輔, 松島 正明, 内田 寛, 木村 好里, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2016.1   1927 - 1927   2016年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1927

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  • 正方晶/菱面体晶Pb(ZrxTi1-x)O3人工超格子薄膜における圧電応答の層厚依存性

    山田 智明, 海老原 洋平, 坂田 修身, 森岡 仁, 木口 賢紀, 清水 荘雄, 舟窪 浩, 吉野 正人, 長崎 正雅

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2016.1   1218 - 1218   2016年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1218

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  • β-FeSi2薄膜のPL発光特性に及ぼすアニール処理の影響

    秋山 賢輔, 松本 佳久, 木口 賢紀, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2016.1   2876 - 2876   2016年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_2876

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  • PLD法による正方晶(Bi,K)TiO3エピタキシャル膜作製と圧電特性評価

    根本 祐一, 一ノ瀬 大地, 清水 荘雄, 内田 寛, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2016.1   1227 - 1227   2016年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1227

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  • 強誘電性Y:HfO₂薄膜におけるナノスケールドメイン反転—Nanoscale Domain Inversion in Ferroelectric Y:HfO₂ Thin Film

    陳 舟, 平永 良臣, 清水 荘雄, 片山 きりは, 三村 和仙, 舟窪 浩, 長 康雄

    映像情報メディア学会技術報告 = ITE technical report   40 ( 7 )   29 - 32   2016年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:東京 : 映像情報メディア学会  

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    その他リンク: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I027221348

  • 面内分極軸優先配向Pb(Zr,Ti)O3薄膜のドメイン構造

    一ノ瀬大地, 江原祥隆, 清水荘雄, 坂田修身, 坂田修身, 坂田修身, 山田智明, 山田智明, GRUVERMAN Alexei, 舟窪浩

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   77th   1217 - 1217   2016年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_1217

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  • 正方晶Pb(Zr,Ti)O3薄膜ドメイン構造の配向及び歪み制御

    一ノ瀬大地, 中島崇明, 江原祥隆, 江原祥隆, 及川貴弘, 清水荘雄, 坂田修身, 坂田修身, 山田智明, 山田智明, 舟窪浩

    エレクトロセラミックス研究討論会講演予稿集   36th   2016年

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  • 強誘電体薄膜の90°ドメインと整合界面の弾性相互作用 査読

    木口 賢紀, 青柳 健大, 白石 貴久, 今野 豊彦, 舟窪浩

    まてりあ   Vol. 55 ( No. 12 )   585 - 585   2016年

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)   出版者・発行元:公益社団法人 日本金属学会  

    DOI: 10.2320/materia.55.585

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    その他リンク: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-15H04118/

  • 固相成長法を用いた強誘電体HfO2基薄膜のエピタキシャル成長と特性評価:

    三村和仙, 片山きりは, 清水荘雄, 内田寛, 木口賢紀, 赤間章裕, 今野豊彦, 舟窪浩

    セラミックス基礎科学討論会講演要旨集   54th   2016年

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  • エピタキシャルおよび配向性YドープHfO2薄膜の強誘電性

    清水荘雄, 片山きりは, 三村和仙, 木口賢紀, 白石貴久, 赤間章裕, 今野豊彦, 坂田修身, 舟窪浩

    日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(CD-ROM)   29th   2016年

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  • 走査型非線形誘電率顕微鏡における強誘電性Y:HfO2薄膜のドメイン反転

    CHEN Zhou, 平永良臣, 清水荘雄, 片山きりは, 三村和仙, 舟窪浩, 長康雄

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   63rd   1237 - 1237   2016年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1237

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  • {110}一軸配向ペロブスカイト型酸化物薄膜の作製と結晶構造解析

    佐藤智也, 木村純一, 一ノ瀬大地, 三村和仙, 舟窪浩, 内山潔

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   63rd   1231 - 1231   2016年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1231

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  • 配向制御したHfO2基強誘電体の作製とその強誘電特性評価

    舟窪浩, 清水荘雄, 片山きりは, 三村和仙, 木口賢紀, 赤間章裕, 今野豊彦, 内田寛

    日本セラミックス協会年会講演予稿集(CD-ROM)   2016   2016年

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  • 電界印加による面内分極軸優先配向Pb(Zr,Ti)O3薄膜のドメイン構造変化

    一ノ瀬大地, 江原祥隆, 清水荘雄, 坂田修身, 坂田修身, 坂田修身, 山田智明, 山田智明, 舟窪浩

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   63rd   1219 - 1219   2016年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1219

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  • 電界印加によるYO1.5-HfO2基薄膜の結晶構造変化

    清水荘雄, 三村和仙, 片山きりは, 木口賢紀, 赤間章裕, 今野豊彦, 坂田修身, 舟窪浩

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   77th   1229 - 1229   2016年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_1229

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  • 固相成長による配向制御したHfO2基強誘電体薄膜の作製と特性評価

    三村和仙, 片山きりは, 清水荘雄, 内田寛, 木口賢紀, 赤間章裕, 今野豊彦, 坂田修身, 舟窪浩, 舟窪浩

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   63rd   1236 - 1236   2016年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1236

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  • HfO2薄膜における強誘電相転移に関する第一原理計算

    森分博紀, 小西綾子, 桑原彰秀, 東後篤史, 清水荘雄, 舟窪浩

    日本セラミックス協会年会講演予稿集(CD-ROM)   2016   2016年

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  • HfO2基強誘電体の結晶構造と特性の熱処理温度依存性

    三村和仙, 清水荘雄, 内田寛, 木口賢紀, 赤間章裕, 今野豊彦, 坂田修身, 舟窪浩

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   77th   1231 - 1231   2016年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_1231

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  • ラマン分光法を用いたBaTiO3の酸素欠陥の評価

    福島浩晃, 岡廣隆, 神津知己, 舟窪浩, 内田寛, 森分博紀, 島宏美, 西田謙

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   63rd   1212 - 1212   2016年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1212

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  • 3P4-13 水熱合成KNbO3膜を用いた超音波トランスデューサの大振幅特性

    石河 睦生, 内田 庸助, 小菅 信章, 澁谷 素子, 舟窪 浩, 黒澤 実

    超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム講演論文集   36   "3P4 - 13-1"-"3P4-13-2"   2015年11月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム運営委員会  

    DOI: 10.24492/use.36.0__3p4-13-1_

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  • Interfacial Dislocations in (111) Oriented (Ba0.7Sr0.3)TiO3 Films on SrTiO3 Single Crystal 査読

    X.Shen, T.Yamada, R.Lin, T.Kamo, H.Funakubo, D.Wu, H.L.Xin, D.Su

    Applied Physics Letters   107   141605-1-5   2015年10月

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    記述言語:英語  

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  • Si基板上への斜方晶エピタキシャルHfO2基薄膜の作製

    片山 きりは, 清水 荘雄, 木口 賢紀, 赤間 章裕, 今野 豊彦, 内田 寛, 坂田 修身, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2015.2   1182 - 1182   2015年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2015.2.0_1182

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  • ナノシート界面層を利用したBaTiO3薄膜の選択配向成長

    野口 慶人, 茂木 翔太, 舟窪 浩, 内田 寛

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2015.2   1166 - 1166   2015年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2015.2.0_1166

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  • RFマグネトロンスパッタリング法による{110}高配向Ba(Ce,Y)O3ぺロブスカイト薄膜の作製

    佐藤 智也, 一ノ瀬 大地, 舟窪 浩, 内山 潔

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2015.2   1165 - 1165   2015年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2015.2.0_1165

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  • PLD法で作製したV2O3薄膜の相転移特性とc/a軸長比

    坂井 穣, リムレット パトリス, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2015.2   1299 - 1299   2015年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2015.2.0_1299

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  • 斜方晶エピタキシャルHfO2基薄膜のドメイン構造

    清水 荘雄, 片山 きりは, 木口 賢紀, 赤間 章裕, 今野 豊彦, 内田 寛, 坂田 修身, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2015.2   1183 - 1183   2015年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2015.2.0_1183

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  • スパッタリング法によるCa-Mg-Si基膜の作製と特性評価

    上原 睦雄, 黒川 満央, 秋山 賢輔, 松島 正明, 内田 寛, 木村 好里, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2015.2   2650 - 2650   2015年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2015.2.0_2650

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  • {100}, {111}配向Pb(Zr,Ti)O3ナノロッドのドメイン構造とそのサイズ依存性

    山田 智明, 伊藤 大介, 坂田 修身, 黒石 隼輝, 生津 資大, 清水 荘雄, 舟窪 浩, 吉野 正人, 長崎 正雅

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2015.2   1177 - 1177   2015年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2015.2.0_1177

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  • 東工大と東北大、薄膜でも特性劣化しない強誘電体エピタキシャル膜を作製

    清水荘雄, 舟窪浩, 今野豊彦, 木口賢紀

    日刊工業新聞   2015年7月

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(商業誌、新聞、ウェブメディア)  

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  • HfO2基エピタキシャル薄膜の強誘電性

    清水 荘雄, 片山 きりは, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2015.1   107 - 107   2015年2月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_107

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  • スパッタリング法によるCa-Si膜の作製と熱電特性評価

    上原 睦雄, 新井 洋樹, 小川 正太, 秋山 賢輔, 松島 正明, 内田 寛, 木村 好里, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2015.1   1827 - 1827   2015年2月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_1827

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  • 斜方晶相を含むエピタキシャルHfO2基薄膜の結晶構造解析

    片山 きりは, 清水 荘雄, 横内 達彦, 白石 貴久, 及川 貴弘, 木口 賢紀, 赤間 章裕, 今野 豊彦, 内田 寛, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2015.1   1187 - 1187   2015年2月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_1187

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  • 水熱合成(K,Na)NbO3膜を用いたフレキシブル圧電素子の作製と特性評価

    白石 貴久, 金子 祈之, 黒澤 実, 内田 寛, 鈴木 靖弘, 小林 健, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2015.1   1197 - 1197   2015年2月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_1197

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  • 化学溶液堆積法によるHfO2-ZrO2極薄膜の作製と特性評価

    阿部 千穂子, 塩川 真里奈, 白石 貴久, 清水 荘雄, 舟窪 浩, 内田 寛

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2015.1   1186 - 1186   2015年2月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_1186

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  • AuコートSi上に合成した鉄シリサイドのPL発光特性

    秋山 賢輔, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2015.1   2756 - 2756   2015年2月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_2756

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  • Suppressed Polar Distortion with Enhanced Curie Temperature in In-plane 90º-domain Structure of a-axis Oriented PbTiO3 Film 査読

    H.Morioka, T.Yamada, A.K.Tagantsev, R.Ikariyama, T.Nagasaki, T.Kurosawa, H.Funakubo

    Applied Physics Letters   106   042905-1-5   2015年1月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1063/1.4906861

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  • Photoluminescent iron disilicide on modified Si surface by using silver

    Kensuke Akiyama, Kensuke Akiyama, Shinichi Motomura, Masaru Itakura, Yasuhiro Naganuma, Hiroshi Funakubo

    Japanese Journal of Applied Physics   54 ( 7 )   07JB04   2015年1月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:Institute of Physics  

    DOI: 10.7567/JJAP.54.07JB04

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  • KTaO3基板上Pb(Zr,Ti)O3薄膜のZr/(Zr+Ti)比による分極軸制御

    一ノ瀬大地, 中島崇明, 江原祥隆, 及川貴弘, 清水荘雄, 山田智明, 山田智明, 舟窪浩

    セラミックス基礎科学討論会講演要旨集   53rd   2015年

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  • PdO//Pdバッファ層を用いた{110}配向Pb(Zr,Ti)O3(PZT)薄膜の作製と評価

    内山潔, 大島直也, 田中宏樹, 江原祥隆, 及川貴弘, 佐藤智也, 内田寛, 舟窪浩

    日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(CD-ROM)   28th   2015年

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  • (100)/(001)配向エピタキシャルPbTiO3膜におけるドメイン構造に及ぼす温度と格子歪みの影響

    中島崇明, 一ノ瀬大地, 江原祥隆, 中島光雅, 清水荘雄, 小林健, 飯島高志, 山田智明, 山田智明, 舟窪浩

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   76th   1178 - 1178   2015年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2015.2.0_1178

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  • PZT膜における温度によるドメイン構造転移

    舟窪浩, 舟窪浩, 一ノ瀬大地, 中島崇明, 江原祥隆, 及川貴弘, 清水荘雄, 山田智明, 山田智明

    エレクトロセラミックス研究討論会講演予稿集   35th   2015年

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  • Zr/(Zr+Ti)比によるPb(Zr,Ti)O3薄膜のドメイン制御

    一ノ瀬大地, 中島祟明, 江原祥隆, 及川貴弘, 清水荘雄, 山田智明, 山田智明, 舟窪浩

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   62nd   1175 - 1175   2015年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_1175

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  • 正方晶Pb(Zr,Ti)O3薄膜におけるZr/(Zr+Ti)比のドメイン構造への影響

    一ノ瀬大地, 中島祟明, 江原祥隆, 清水荘雄, 坂田修身, 坂田修身, 坂田修身, 山田智明, 山田智明, 舟窪浩

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   76th   1179 - 1179   2015年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2015.2.0_1179

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  • XRD測定による(100)/(001)配向正方晶Pb(Zr,Ti)O3膜の電界印加下の結晶構造変化の定量分析

    大島直也, 清水荘雄, 中島光雅, 江原祥隆, 及川貴弘, 内田寛, 舟窪浩

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   76th   1181 - 1181   2015年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2015.2.0_1181

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  • 配向制御によるMOCVD製Pb(Zr,Ti)O3薄膜の圧電特性向上

    大島直也, 江原祥隆, 及川貴弘, 内田寛, 舟窪浩

    セラミックス基礎科学討論会講演要旨集   53rd   2015年

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  • Perovskite型構造圧電体薄膜の開発~未来材料へ向けて~

    安井伸太郎, 伊藤満, 舟窪浩

    日本セラミックス協会年会講演予稿集(CD-ROM)   2015   2015年

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  • a軸優先配向エピタキシャルPbTiO3膜の特性

    中島崇明, 一ノ瀬大地, 江原祥隆, 清水荘雄, 小林健, 飯島高志, 山田智明, 山田智明, 舟窪浩

    セラミックス基礎科学討論会講演要旨集   53rd   2015年

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  • 1P3-4 ニオブ酸カリウム圧電単結晶膜を用いたマトリクスアレイ超音波トランスデューサの開発(ポスターセッション)

    石河 睦生, 情野 瑞希, 遠藤 聡人, 白石 貴久, 黒澤 実, 舟窪 浩

    超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム講演論文集   35   85 - 86   2014年12月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム運営委員会  

    DOI: 10.24492/use.35.0_85

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  • J2240201 PZT薄膜及びナノロッドの圧電特性に及ぼす基板拘束の影響([J224-02]『マイクロ・ナノ機械の信頼性』のための材料創製・測定・解析技術 マイクロ・ナノ実験力学と機能材料)

    山田 智明, 安本 洵, 坂田 修身, 吉野 正人, 長崎 正雅, 舟窪 浩

    年次大会 : Mechanical Engineering Congress, Japan   2014   "J2240201 - 1"-"J2240201-2"   2014年9月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本機械学会  

    Large piezoelectricity in Pb(Zr_xTi_<1-x>)O_3 (PZT) attracts attentions for developing small energy conversion devices such as micro actuators and sensors. It has been theoretically and experimentally shown that the piezoelectric response in the PZT film is strongly suppressed as the film is mechanically clamped by the substrate. In this presentation, we tried two different approaches to solve this problem. We first investigated the orientation dependence of the clamping effect. It was found that the (111) film showed a negligibly small clamping effect unlike the (001) film. Another approach was to grow nanorods, which were almost free from the substrate clamping. The (001) nanorods showed twice larger piezoelectric constant as compared with the (001) film.

    DOI: 10.1299/jsmemecj.2014._j2240201-

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  • 斜方晶構造を持つエピタキシャルHfO2系薄膜の作製と評価

    清水 荘雄, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2014.2   3922 - 3922   2014年9月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2014.2.0_3922

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  • (Hf,Zr)O2薄膜の電気特性と結晶構造の評価

    白石 貴久, 片山 きりは, 横内 達彦, 清水 荘雄, 及川 貴弘, 内田 寛, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2014.2   3923 - 3923   2014年9月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2014.2.0_3923

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  • 正方晶PZT薄膜とナノロッドにおける逆圧電特性の結晶方位依存性

    山田 智明, 安本 洵, 伊藤 大介, 坂田 修身, 今井 康彦, 白石 貴久, 清水 荘雄, 舟窪 浩, 吉野 正人, 長崎 正雅

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2014.2   3885 - 3885   2014年9月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2014.2.0_3885

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  • パルスポーリングしたPZT 薄膜を集積化した圧電MEMS カンチレバーのユニポーラ駆動特性

    小林 健, 牧本 なつみ, 鈴木 靖弘, 舟窪 浩, 前田 龍太郎

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2014.2   3889 - 3889   2014年9月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2014.2.0_3889

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  • バッファー層導入によるビスマスフェライト薄膜の配向性制御と特性評価

    長坂 康平, 金 鎭雄, 島 宏美, 西田 謙, 大島 直也, 舟窪 浩, 内田 寛

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2014.2   3900 - 3900   2014年9月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2014.2.0_3900

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  • パルスポーリングを行ったPZT薄膜の圧電特性と微細構造の経時変化

    牧本 なつみ, 鈴木 靖弘, 前田 龍太郎, 舟窪 浩, 小林 健

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2014.2   3863 - 3863   2014年9月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2014.2.0_3863

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  • スパッタ法を用いたプロトン伝導性酸化物薄膜の成膜条件依存性

    佐藤 智也, 舟窪 浩, 井上 貴明, 内山 潔

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2014.2   3864 - 3864   2014年9月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2014.2.0_3864

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  • 化学溶液堆積法による配向性BaTiO3-Bi(Mg1/2Ti1/2)O3固溶体薄膜の作製

    茂木 翔太, 金子 祈之, 木村 純一, 舟窪 浩, 内田 寛

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2014.2   3860 - 3860   2014年9月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2014.2.0_3860

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  • Bi(Mg1/2Ti1/2)O3–Bi(Zn1/2Ti1/2)O3固溶体薄膜における結晶相の安定性

    及川 貴弘, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2014.2   3881 - 3881   2014年9月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2014.2.0_3881

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  • Surface modification of Y2O3:Er,Yb upconversion nanoparticles prepared by laser ablation in water

    Kobayashi Hiroki, P. CHEWCHINDA, Chewchinda Pattarin, inoue yasunori, FUNAKUBO HIROSHI, HARA MICHIKAZU, ODAWARA OSAMU, Wada Hiroyuki

    Japanese Journal of Applied Physics   53 ( 5 )   2014年5月

  • Si粒子表面に形成したβ-FeSi2の光触媒効果による水素生成

    秋山 賢輔, 高橋 亮, 吉水 暢治, 舟窪 浩, 入江 寛, 松本 佳久

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2014.1   2949 - 2949   2014年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_2949

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  • HfO2基薄膜の強誘電性

    舟窪 浩, 清水 荘雄, 横内 達彦, 及川 貴弘, 白石 貴久

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2014.1   134 - 134   2014年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_134

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  • 振動型エネルギーハーベスタ用PZT薄膜の分極方向の検討

    鈴木 靖弘, 牧本 なつみ, 舟窪 浩, 前田 龍太郎, 小林 健

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2014.1   1140 - 1140   2014年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_1140

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  • Deposition of Crystallized Proton Conductive Oxide by RF Magnetron Sputtering

    Sato Tomoya, Uchiyama Kiyoshi, Funakubo Hiroshi

    JSAP Annual Meetings Extended Abstracts   2014.1   1374 - 1374   2014年3月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:The Japan Society of Applied Physics  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_1374

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  • (Hf0.5Zr0.5)O2薄膜の強誘電性評価

    横内 達彦, 清水 荘雄, 及川 貴弘, 白石 貴久, 舟窪 浩, 木口 賢紀, 赤間 章裕, 今野 豊彦

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2014.1   1179 - 1179   2014年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_1179

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  • パルスポーリング条件が微細加工したPZT薄膜の圧電特性に与える影響

    牧本 なつみ, 鈴木 靖弘, 前田 龍太郎, 及川 貴弘, 舟窪 浩, 小林 健

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2014.1   1139 - 1139   2014年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_1139

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  • フレキシブル金属箔上に作製された水熱合成(K,Na)NbO3膜の発電特性

    白石 貴久, 金子 祈之, 黒澤 実, 内田 寛, 鈴木 靖弘, 小林 健, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2014.1   1152 - 1152   2014年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_1152

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  • 低次元酸素八面体構造を有するシリケート誘電体における誘電特性の高温安定性

    木村純一, 谷口博基, 飯島高志, 清水荘雄, 安井伸太郎, 伊藤満, 舟窪浩

    日本セラミックス協会年会講演予稿集(CD-ROM)   2014   2014年

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  • 28aAM-1 強誘電体・反強誘電体相境界におけるエピタキシャル薄膜の圧電応答挙動(28aAM 誘電体(ドメイン,リラクサ),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

    安井 伸太郎, Takeuchi Ichiro, 江原 祥隆, 白石 貴久, 清水 荘雄, 舟窪 浩, 今井 康彦, 田尻 寛男, 坂田 修身, 伊藤 満

    日本物理学会講演概要集   69 ( 0 )   923 - 923   2014年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人 日本物理学会  

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.69.1.4.0_923_4

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  • ドメイン体積分率制御した(100)/(001)配向Pb(Zr,Ti)O3膜の圧電挙動の観察

    大島直也, 江原祥隆, 及川貴弘, 舟窪浩, 内田寛

    セラミックス基礎科学討論会講演要旨集   52nd   2014年

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  • {100}配向エピタキシャルPbTiO3膜におけるドメイン構造転移

    中島崇明, 一ノ瀬大地, 江原祥隆, 清水荘雄, 小林健, 山田智明, 山田智明, 舟窪浩

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   75th   3884 - 3884   2014年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2014.2.0_3884

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  • (101)PdO//(111)Pdバッファー層を用いた{110}一軸配向ペロブスカイト型酸化物薄膜の合成とその評価

    大島直也, 江原祥隆, 及川貴弘, 田中宏樹, 内田寛, 内山潔, 舟窪浩

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   75th   3903 - 3903   2014年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2014.2.0_3903

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  • チタン酸ストロンチウム薄膜における歪み誘起AFD,FE相転移の観察

    山田智明, 山田智明, 山田智明, WYLIE-VAN EERD B., 坂田修身, 坂田修身, TAGANTSEV A.K., TAGANTSEV A.K., 森岡仁, 森岡仁, 江原祥隆, 安井伸太郎, 舟窪浩, 長崎正雅, TRODAHL J.

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   61st   1168 - 1168   2014年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_1168

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  • 面内分極PbTiO3エピタキシャル膜におけるドメイン構造の膜厚依存性

    中島崇明, 江原祥隆, 清水荘雄, 舟窪浩

    セラミックス基礎科学討論会講演要旨集   52nd   2014年

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  • 共鳴ラマン分光法によるBaTiO3単結晶の酸素欠損の評価

    岡廣隆, 舟窪浩, 森分博紀, 島宏美, 西田謙, 山本孝

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   61st   1177 - 1177   2014年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_1177

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  • ドメイン体積分率制御した(100)/(001)配向正方晶Pb(Zr,Ti)O3薄膜の圧電挙動の評価

    大島直也, 江原祥隆, 及川貴弘, 内田寛, 舟窪浩

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   61st   1151 - 1151   2014年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_1151

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  • エピタキシャル歪みによるPbTiO3膜のキュリー温度制御

    中島崇明, 江原祥隆, 清水荘雄, 小林建, 舟窪浩

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   61st   1165 - 1165   2014年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_1165

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  • Evaluation of β-FeSi<inf>2</inf>/Si-interface using Ag-coating on Si surface

    Kensuke Akiyama, Shunichi Motomura, Gohei Hayashi, Hiroshi Funakubo, Masaru Itakura

    Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics   10 ( No. 12 )   1684 - 1687   2013年12月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1002/pssc.201300331

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  • Epitaxial growth of (010)-oriented β-FeSi<inf>2</inf>film on Si(110) substrate

    Kensuke Akiyama, Hiroshi Funakubo, Masaru Itakura

    Materials Research Society Symposium Proceedings   1493   189 - 194   2013年11月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1557/opl.2013.407

    Scopus

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  • 1P3-6 水熱合成法を用いたKNbO3薄膜の製膜と超音波トランスデューサへの応用(ポスターセッション)

    大関 誠也, 保崎 誠, 亀山 大輔, 石田 智美, 白石 貴久, 舟窪 浩, 黒澤 実, 石河 陸生

    超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム講演論文集   34   141 - 142   2013年11月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム運営委員会  

    DOI: 10.24492/use.34.0_141

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  • Pb(Zr₀.₃,Ti₀.₇)O₃及びPb(Zr₀.₅₂,Ti₀.₄₈)O₃薄膜を用いた圧電MEMS振動型エネルギーハーベスタ (第5回 集積化MEMSシンポジウム)

    鈴木 靖弘, 牧本 なつみ, 舟窪 浩

    「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム論文集 電気学会センサ・マイクロマシン部門 [編]   30   1 - 6   2013年11月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:Institute of Electrical Engineers of Japan  

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  • ビスマス層状誘電体の誘電性の結晶方位依存性と高温対応コンデンサへの応用検討 査読

    舟窪浩, 木村 純一, 清水荘雄, 松島 正明, 安井伸太郎, 内田 寛, 山田 智明

    Journal of the Society of Inorganic Materials, Japan : セッコウ・石灰・セメント・地球環境の科学   Vol. 20 ( No. 367 )   403 - 407   2013年11月

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)   出版者・発行元:無機マテリアル学会  

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  • Strain-Stable Nonlinear Dielectric Responses in Pyrochlore Bismuth Zinc Niobate Thin Films 査読

    M.Nakajima, T.Yamada, S.Okaura, H.Funakubo

    Japanese Journal of Applied Physics   52 ( 9 )   09KA13 - 1-5   2013年9月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:The Japan Society of Applied Physics  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.09KA13

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  • Bi4Ti3O12 Nanowall Growth Driven by Anisotropic Growth Rate and Size Control 査読

    T.Yamada, T.Shibata, K.Ishii, J.Kimura, H.Funakubo, M.Yoshino, T.Nagasaki

    Japanese Journal of Applied Physics   52 ( 9 )   09KA09 - 1-4   2013年9月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:The Japan Society of Applied Physics  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2013.1.0_1159

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  • 金属基板上における一軸配向性Pb(Zr,Ti)O3薄膜の作製におよぶ界面反応の影響

    峯村 佳輝, 長坂 康平, 金 鎭雄, 西田 謙, 舟窪 浩, 内田 寛

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2013.2   2085 - 2085   2013年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2013.2.0_2085

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  • スパッタ法により合成した高結晶性Mg2Si膜の電気特性

    小川 正太, 片桐 淳生, 松島 正明, 秋山 賢輔, 木村 好里, 内田 寛, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2013.2   3673 - 3673   2013年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2013.2.0_3673

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  • (110)Si基板上への鉄シリサイド薄膜のエピタキシャル成長

    秋山 賢輔, 高橋 亮, 松本 佳久, 本村 俊一, 林 剛平, 舟窪 浩, 板倉 賢

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2013.2   3663 - 3663   2013年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2013.2.0_3663

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  • Wake-up処理電圧が微細加工したMPB,Tetra組成PZT薄膜の圧電特性に与える影響

    牧本 なつみ, 鈴木 靖弘, 前田 龍太郎, 及川 貴弘, 舟窪 浩, 小林 健

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2013.2   2077 - 2077   2013年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2013.2.0_2077

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  • PZT薄膜の最適化による自己検知圧電MEMSカンチレバーの出力電圧向上

    小林 健, 小山 昌二, 牧本 なつみ, 舟窪 浩, 前田 龍太郎

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2013.2   3649 - 3649   2013年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2013.2.0_3649

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  • 異なる面方位を持つSrTiO3基板上に成長したBaTiO3薄膜における相転移

    清水 荘雄, 諏訪間 大, 谷口 博基, 谷山 智康, 舟窪 浩, 伊藤 満

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2013.2   2094 - 2094   2013年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2013.2.0_2094

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  • 種々の温度で水熱合成したKNbO3膜の特徴

    金子 祈之, 白石 貴久, 石河 睦生, 黒澤 実, 内田 寛, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2013.2   2091 - 2091   2013年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2013.2.0_2091

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  • テトラ組成PZT薄膜を用いた振動センサへの電圧印加による影響

    鈴木 靖弘, 牧本 なつみ, 舟窪 浩, 前田 龍太郎, 小林 健

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2013.2   2088 - 2088   2013年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2013.2.0_2088

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  • 化学溶液堆積法によって作製した(111)配向Ba-Biペロブスカイト固溶体薄膜の誘電特性

    木村 純一, 清水 荘雄, 内田 寛, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2013.2   2096 - 2096   2013年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2013.2.0_2096

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  • Influence of Ba/Sr Ratio in Compressively-Strained (Ba,Sr)TiO3(001) Films on the Ferroelectric Phase Transition 査読

    T.Yamada, I.Takuwa, T.Kamo, T.Iijima, M.Yoshino, T.Nagasaki, H.Funakubo

    Journal of the Ceramic Society of Japan   121 ( No. 8 )   690-692 - 1277   2013年8月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2012.1.0_1277

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  • 高温使用可能な新規非鉛圧電材料 査読

    安井伸太郎, 黒澤 実, 舟窪 浩, 内田 寛

    超音波 TECHNO   vol. 25 ( No. 4 )   64 - 69   2013年7月

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)   出版者・発行元:日本工業出版  

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  • Growth of Epitaxial Potassium Niobate Thick Films by Hydrothermal Method and Their Electrical and Ferroelectrical Properties

    ( 28 )   107 - 110   2013年6月

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  • Identification of the occupation site of Dy- or Y-substituted PZT films and the correlation between occupation site and ferroelectric property

    Ken Nishida, Minoru Osada, Hiroshi Uchida, Hiroshi Nakaki, Hiroshi Funakubo, Hiromi Shima, Masamichi Nishide, Takeshi Tai, Kim Jin Woonhg, Masashi Matsuoka, Takashi Katoda, Takashi Yamamoto

    Integrated Ferroelectrics   141   1 - 8   2013年6月

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  • スパッタリング法によるエピタキシャルMg2Si膜の作製

    片桐 淳生, 小川 正太, 松島 正明, 秋山 賢輔, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2013.1   2828 - 2828   2013年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2013.1.0_2828

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  • テトラ組成PZT薄膜を用いた圧電MEMS加速度センサ

    小林 健, 鈴木 靖弘, 牧本 なつみ, 前田 龍太郎, 及川 貴弘, 和田 亜由美, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2013.1   3731 - 3731   2013年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2013.1.0_3731

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  • PLD法を用いたエピタキシャル雲母薄膜の作製条件の検討

    吉田 彬, 山内 涼輔, 譚 ゴオン, 土嶺 信男, 舟窪 浩, 金子 智, 松田 晃史, 吉本 護

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2013.1   1370 - 1370   2013年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2013.1.0_1370

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  • テトラ組成PZT薄膜の配向性、強誘電・圧電特性に高電圧印加が与える影響

    牧本 なつみ, 前田 龍太郎, 及川 貴弘, 和田 亜由美, 舟窪 浩, 小林 健

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2013.1   1140 - 1140   2013年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2013.1.0_1140

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  • マイクロカンチレバー上MPB組成PZT薄膜に対する高電圧印加の影響

    水嵜 英明, 牧本 なつみ, 前田 龍太郎, 及川 貴弘, 和田 亜由美, 舟窪 浩, 小林 健

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2013.1   1142 - 1142   2013年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2013.1.0_1142

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  • 水熱合成(KxNa1-x)NbO3膜の作製と結晶構造評価

    白石 貴久, 金子 祈之, 栄西 弘, 石河 睦生, 黒澤 実, 内田 寛, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2013.1   1151 - 1151   2013年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2013.1.0_1151

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  • 微細加工したMPB組成PZT薄膜の圧電特性に高電圧印加が与える影響

    小林 健, 牧本 なつみ, 前田 龍太郎, 及川 貴弘, 和田 亜由美, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2013.1   1141 - 1141   2013年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2013.1.0_1141

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  • スパッタリング法によるMg2Si膜の作製と評価

    小川 正太, 片桐 淳生, 松島 正明, 秋山 賢輔, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2013.1   2829 - 2829   2013年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2013.1.0_2829

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  • 添加物に基づくビスマス層状構造誘電体薄膜の絶縁性向上

    近藤 陽太, 小川 正太, 木村 純一, 舟窪 浩, 内田 寛

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2013.1   1160 - 1160   2013年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2013.1.0_1160

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  • AgコートしたSi上への高品質鉄シリサイド薄膜の形成

    秋山 賢輔, 高橋 亮, 松本 佳久, 舟窪 浩, 板倉 賢

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2013.1   2819 - 2819   2013年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2013.1.0_2819

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  • Laser Wavelength Effect on Size and Morphology of Silicon Nanoparticles Prepared by Laser Ablation in Liquid

    Chewchinda Pattarin, Tsuge Takeharu, Funakubo Hiroshi

    Japanese journal of applied physics : JJAP   52 ( 2 )   25001 - 1-4   2013年2月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.025001

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  • PLD法によるBi(Mg1/2Ti1/2)O3基固溶体膜の作製と評価

    及川貴弘, 安井伸太郎, 真鍋直人, 渡邉隆之, 薮田久人, 三浦薫, 小林健, 舟窪浩

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   60th   1158 - 1158   2013年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2013.1.0_1158

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  • KTaO3及びMgAl2O4基板上に作製した(100)配向PbTiO3エピタキシャル薄膜のドメイン構造

    江原祥隆, 中島崇明, 山田智明, 山田智明, 舟窪浩

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   74th   2084 - 2084   2013年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2013.2.0_2084

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  • 強誘電体-反強誘電体相境界を有する(Bi,Sm)FeO3エピタキシャル薄膜の電界印加時における圧電挙動の観察

    安井伸太郎, 安井伸太郎, 江原祥隆, 白石貴久, 清水荘雄, 舟窪浩, 伊藤満, 今井康彦, 田尻寛男, 坂田修身, 坂田修身, TAKEUCHI Ichiro

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   74th   2102 - 2102   2013年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2013.2.0_2102

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  • 正方晶(111)Pb(Zr,Ti)O3薄膜の圧電特性に及ぼすクランピングの影響

    安本洵, 山田智明, 山田智明, 坂田修身, 坂田修身, 今井康彦, 木口賢紀, 今野豊彦, 江原祥隆, 白石貴久, 及川貴弘, 舟窪浩, 吉野正人, 長崎正雅

    日本セラミックス協会年会講演予稿集(CD-ROM)   2013   2013年

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  • 強誘電体BiFeO3における長寿命伝導キャリアの観測

    中村透, 山田泰裕, 安井伸太郎, 舟窪浩, 金光義彦

    光物性研究会論文集   24th   2013年

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  • 白色ポンプ・プローブ法によるBiFeO3薄膜の過渡吸収ダイナミクス

    中村透, 山田泰裕, 安井伸太郎, 舟窪浩, 金光義彦

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   60th   1312 - 1312   2013年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2013.1.0_1312

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  • 1P3-5 KNbO_3圧電結晶薄膜を用いた高周波超音波プローブの開発(ポスターセッション)

    石田 智美, 保崎 誠, 亀山 大輔, 大関 誠也, 白石 貴久, 舟窪 浩, 黒澤 実, 山口 匡, 石河 陸生

    超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム講演論文集   34 ( 0 )   139 - 140   2013年

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    記述言語:英語   出版者・発行元:特定非営利活動法人 超音波エレクトロニクス協会  

    DOI: 10.24492/use.34.0_139

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  • 水熱合成法の特徴を活かした非鉛圧電体膜の作製と応用 招待 査読

    舟窪浩, 白石貴久

    Ceramic Data Book   41   1XX-118 - 1XX-121   2013年

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(その他)  

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  • 放射光X線を用いた(111)/(11-1)配向菱面体晶エピタキシャルPb(Zr,Ti)O3膜の電場印加による非分極軸ドメインスイッチングのその場観察

    江原祥隆, 安井伸太郎, 及川貴弘, 白石貴久, 山田智明, 今井康彦, 田尻寛男, 坂田修身, 舟窪浩

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   60th   1133 - 1133   2013年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2013.1.0_1133

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  • 面内分極軸配向した(100)PbTiO3エピタキシャル薄膜のドメイン構造

    江原祥隆, 山田智明, 山田智明, 舟窪浩

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   60th   1134 - 1134   2013年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2013.1.0_1134

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  • 強誘電体-反強誘電体相境界を有する(Bi,Sm)FeO3エピタキシャル薄膜の電界印加時における圧電挙動の観察

    安井伸太郎, 安井伸太郎, 江原祥隆, 白石貴久, 清水荘雄, 舟窪浩, 伊藤満, 今井康彦, 田尻寛男, 坂田修身, TAKEUCHI Ichiro

    日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(CD-ROM)   26th   2013年

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  • 繰り返し電界印加によるMEMS用Pb(Zr,Ti)O3膜の特性評価

    和田亜由美, 江原祥隆, 安井伸太郎, 中島光雅, 及川貴弘, 小林健, 森岡仁, 舟窪浩

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   60th   1139 - 1139   2013年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2013.1.0_1139

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  • CaTiSiO5基セラミックスの合成と誘電特性評価

    木村純一, 谷口博基, 谷口博基, 清水荘雄, 安井伸太郎, 伊藤満, 舟窪浩

    日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(CD-ROM)   26th   2013年

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  • 圧電MEMS用Pb(Zr,Ti)O3膜の信頼性評価

    和田亜由美, 江原祥隆, 安井伸太郎, 中島光雅, 及川貴弘, 小林健, 西田謙, 西出正道, 松岡将史, 山本孝, 森岡仁, 舟窪浩

    セラミックス基礎科学討論会講演要旨集   51st   2013年

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  • 1004 圧電MEMS振動発電素子用PZT薄膜の特性向上(OS7 オーガナイズドセッション《精密/微細加工と評価,マイクロ・ナノ工学》)

    鈴木 靖弘, 牧本 なつみ, 舟窪 浩, 前田 龍太郎, 小林 健

    茨城講演会講演論文集   2013.21   227 - 228   2013年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人 日本機械学会  

    DOI: 10.1299/jsmeibaraki.2013.21.227

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  • c軸単一配向SrBi4Ti4O15,CaBi4Ti4O15薄膜MIMダイオードの電気伝導特性

    田原直也, 河原英彰, 内田寛, 山下馨, 舟窪浩, 野田実

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   73rd   ROMBUNNO.13P-C10-18 - 1193   2012年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2010.1.0_1193

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  • スパッタリング法によるMg2Si膜の配向制御とその評価

    片桐 淳生, 小川 正太, 秋山 賢輔, 松島 正明, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2012.2   2882 - 2882   2012年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2012.2.0_2882

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  • 「薄膜・表面分科内招待講演」第一原理計算及び現象論による非鉛圧電材料の圧電特性解析

    三浦 薫, 今永 俊治, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2012.2   1173 - 1173   2012年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2012.2.0_1173

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  • MOCVD法で合成したβ-FeSi2薄膜のフォトルミネッセンス発光特性

    秋山 賢輔, 平林 康男, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2012.2   2859 - 2859   2012年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2012.2.0_2859

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  • 様々な降温条件におけるPbTiO3膜中のドメイン形成のその場観察

    松岡 将史, 西出 正道, 田井 丈嗣, 金 鎭雄, 島 宏美, 河東田 隆, 舟窪 浩, 西田 謙, 山本 孝

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2012.2   1207 - 1207   2012年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2012.2.0_1207

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  • ゾルゲル成膜テトラPZT薄膜への電圧印加によるc軸配向性の向上

    牧本 なつみ, 小林 健, 前田 龍太郎, 及川 貴弘, 和田 亜由美, 森岡 仁, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2012.2   1199 - 1199   2012年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2012.2.0_1199

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  • 顕微ラマン分光法を用いたPbTiO3薄膜の歪成分評価

    西出 正道, 松岡 将史, 田井 丈嗣, 金 鎭雄, 河東田 隆, 宇津木 覚, 舟窪 浩, 島 宏美, 西田 謙, 山本 孝

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2012.2   1208 - 1208   2012年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2012.2.0_1208

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  • c軸配向MBi4Ti4O15 (M: Sr, Ca)膜における誘電特性の温度依存性

    木村 純一, 松島 正明, 内田 寛, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2012.2   1204 - 1204   2012年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2012.2.0_1204

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  • 圧電MEMS上テトラPZT薄膜の圧電特性に電圧印加が与える影響

    小林 健, 牧本 なつみ, 前田 龍太郎, 及川 貴弘, 和田 亜由美, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2012.2   1198 - 1198   2012年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2012.2.0_1198

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  • 1.54μm luminescence of β-FeSi 2 grown on Au-coated Si substrates

    Kensuke Akiyama, Hiroshi Funakubo, Masaru Itakura

    Materials Research Society Symposium Proceedings   1396   71 - 76   2012年8月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1557/opl.2012.85

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  • Temperature and Frequency Dependencies of Ferroelectric Properties in Rhombohedral Epitaxial Pb(Zr,Ti)O3 Films with Perfect (111) Orientations Grown on CaF2 Substrates 査読

    Y.Ehara, T.Yamada, T.Iijima, N.Valanoor, H.Funakubo

    Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   1397   mrsf11-1397-p15-02   2012年4月

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    記述言語:英語  

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  • SrBi4Ti4O15/CaBi4Ti4O15BLSD薄膜キャパシタ素子における電気的特性

    田原直也, 野村修平, 内田寛, 山下馨, 舟窪浩, 野田実

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)   59th   ROMBUNNO.18A-F5-11 - 1296   2012年2月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2012.1.0_1296

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  • スパッタリング法によるMg-Si膜の作製

    片桐 淳生, 松島 正明, 秋山 賢輔, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2012.1   3141 - 3141   2012年2月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2012.1.0_3141

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  • Au及びCuで表面改質したSi基板上のβ-FeSi2のPL発光

    秋山 賢輔, 平林 康男, 舟窪 浩, 板倉 賢

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2012.1   3150 - 3150   2012年2月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2012.1.0_3150

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  • 一軸配向Bi(Zn1/2Ti1/2)O3系圧電体薄膜の作製と圧電性評価

    安井伸太郎, 及川貴弘, 長田潤一, 内田寛, 渡邉隆之, 薮田久人, 三浦薫, 黒澤実, 舟窪浩

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)   59th   1298 - 1298   2012年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2012.1.0_1298

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  • 放射光X線を用いた(111)/(11-1)配向菱面体晶エピタキシャルPb(Zr,Ti)O3膜の電場印加による非分極軸ドメインスイッチングのその場観察

    江原祥隆, 安井伸太郎, 及川貴弘, 白石貴久, 山田智明, 今井康彦, 田尻寛男, 坂田修身, 舟窪浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   73rd   2012年

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  • 正方晶およびMPB組成のPZT膜の圧電機構の比較検討

    和田亜由美, 江原祥隆, 安井伸太郎, 中島光雅, 及川貴弘, 白石貴久, 西田謙, 西出正道, 山本孝, 小林健, 森岡仁, 坂田修身, 今井康彦, 山田智明, 山田智明, GRUVERMAN Alexei, 舟窪浩

    エレクトロセラミックス研究討論会講演予稿集   32nd   2012年

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  • 正方晶および菱面体晶エピタキシャルPb(Zr,Ti)O3膜の圧電特性と強誘電特性

    江原祥隆, 安井伸太郎, 及川貴弘, 舟窪浩, 山田智明, 山田智明

    日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(CD-ROM)   25th   2012年

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  • 過渡吸収分光による強誘電体BiFeO3の光キャリアダイナミクス

    中村透, 山田泰裕, 安井伸太郎, 舟窪浩, 金光義彦

    光物性研究会論文集   23rd   2012年

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  • 過渡吸収分光による強誘電体BiFe1-xCoxO3の光キャリアダイナミクス

    中村透, 山田泰裕, 安井伸太郎, 舟窪浩, 金光義彦

    日本物理学会講演概要集   67 ( 2 )   2012年

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  • 18pPSB-19 過渡吸収分光による強誘電体BiFe_<1-x>Co_xO_3の光キャリアダイナミクス(18pPSB 領域5ポスターセッション(放射光・非線形光学・超高速現象),領域5(光物性))

    中村 透, 山田 泰裕, 安井 伸太郎, 舟窪 浩, 金光 義彦

    日本物理学会講演概要集   67 ( 0 )   685 - 685   2012年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人 日本物理学会  

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.67.2.4.0_685_2

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  • ビスマス正方晶強誘電体を用いた組成相境界を有する圧電体膜の探索

    舟窪浩, 安井伸太郎, 長田潤一, 矢澤慶祐, 内田寛

    日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(CD-ROM)   25th   2012年

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  • CaF2基板上の作製したエピタキシャルPb(Zr,Ti)O3膜の結晶構造および強誘電特性のZr/(Zr+Ti)比依存性

    江原祥隆, 安井伸太郎, 森岡仁, 山田智明, 舟窪浩

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)   59th   1282 - 1282   2012年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2012.1.0_1282

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  • 高圧合成法で作製したBi(Zn1/2Ti1/2)O3-Bi(Mg1/2Ti1/2)O3-BiFeO3系における単斜晶相の特徴

    真鍋直人, 安井伸太郎, 坂口智可, 岡研吾, 東正樹, 舟窪浩

    エレクトロセラミックス研究討論会講演予稿集   32nd   2012年

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  • 菱面体晶系Pb(Zr,Ti)O3エピタキシャル薄膜微細組織の電子顕微鏡観察

    青柳健大, 木口賢紀, 今野豊彦, 和田亜由美, 江原祥隆, 舟窪浩

    日本セラミックス協会年会講演予稿集   2012   673 - 673   2012年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    菱面体菱系Pb(Zr,Ti)O3 (PZT) 薄膜は正方晶系PZT薄膜に比べてわずかに残留分極が小さいが,非常に小さな抗電界を示す.しかし,菱面体晶系PZT薄膜の組織は明らかにされていない.本研究では,菱面体晶系 PZTエピタキシャル薄膜の組織・構造およびその膜厚増加による変化を透過電子顕微鏡 (TEM) により解析した.膜厚1m以下では,ドメインサイズが数100nmの非常に粗大なコラム状ドメインサイズを有していた.膜厚が1mを越えると,基板近傍においてコラム状ドメイン内にドメインサイズ10nmの微細なドメインが形成された.これの結果は,膜厚増加でドメインサイズが増加する正方晶系薄膜と対照的であった.

    DOI: 10.14853/pcersj.2012s.0.673.0

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  • 分極軸配向エピタキシャルPb(Zr,Ti)O3膜の強誘電特性

    江原祥隆, 安井伸太郎, 及川貴弘, 山田智明, 山田智明, 山田智明, 飯島高志, 坂田修身, 坂田修身, 舟窪浩

    日本セラミックス協会年会講演予稿集   2012   797 - 797   2012年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    分極軸配向のPZT膜を作製し、その強誘電性を調査した。得られた膜の自発分極値は、現象論的の予測と良く一致した。

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2011.2.0_797

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  • PLD法を用いたエピタキシャルPb(Zr,Ti)O3ナノロッドの成長過程の観察とその強誘電及び圧電特性

    山田智明, 山田智明, 中村健太郎, 田中秀典, 江原祥隆, 安井伸太郎, 及川貴弘, 坂田修身, 舟窪浩, 吉野正人, 長崎正雅

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   73rd   1201 - 1201   2012年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2012.2.0_1201

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  • MPB組成Pb(Zr,Ti)O3エピタキシャル厚膜における変調構造

    青柳健大, 木口賢紀, 今野豊彦, 和田亜由美, 江原祥隆, 舟窪浩

    日本セラミックス協会年会講演予稿集   2012   672 - 672   2012年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    組成相境界 (MPB) 近傍Pb(Zr,Ti)O3 (PZT) は巨大圧電特性を示すが,その組織・構造に関しては様々な議論がある.本研究では,バルクに近い格子定数を有する膜厚1m以上のMPB近傍PZTエピタキシャル厚膜の組織・構造を透過電子顕微鏡 (TEM) により解析した.ペロブスカイト単位胞の7.4~7.5倍の周期,つまり非整数倍周期を有するストライプ状のドメインが観察された.ドメイン境界が擬立方晶表示で{100}pcに平行であるため,菱面体晶系のドメインであると考えられる.この非整数倍周期を有するドメインはMPB近傍PZT厚膜においてのみ形成されていたことから,MPB近傍PZTにおける巨大圧電特性に関係していると考えられる.

    DOI: 10.14853/pcersj.2012s.0.672.0

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  • PbTiO3薄膜における90°ドメイン底部境界構造の解明

    木口賢紀, 青柳健大, 今野豊彦, 江原祥隆, 舟窪浩

    日本セラミックス協会年会講演予稿集   2012   2012年

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  • MPB近傍PZT薄膜の90°ドメインと帯電した菱面体晶ドメイン境界

    青柳健大, 木口賢紀, 今野豊彦, 和田亜由美, 江原祥隆, 舟窪浩

    日本セラミックス協会年会講演予稿集   2012   2012年

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  • 電界印加に伴うPb(Zr,Ti)O3膜の結晶構造変化の解析

    和田亜由美, 江原祥隆, 安井伸太郎, 中島光雅, 和田芽句, 谷口博基, 伊藤満, 岡村総一郎, 西田謙, 山本孝, 小林健, 森岡仁, 舟窪浩

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)   59th   1283 - 1283   2012年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2012.1.0_1283

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  • MPB近傍PZT厚膜におけるインコメンシュレート相の発見

    青柳健大, 木口賢紀, 今野豊彦, 和田亜由美, 江原祥隆, 舟窪浩

    日本セラミックス協会年会講演予稿集   2012   2012年

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  • 水熱合成法の特徴を生かして作製された(KxNa1-x)NbO3膜の特性評価

    白石貴久, 榮西弘, 石河睦生, 石河睦生, 安井伸太郎, 長谷川智仁, 黒澤実, 内田寛, 坂下幸雄, 舟窪浩

    セラミックス基礎科学討論会講演要旨集   50th   2012年

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  • 化学溶液法による導電性La基ペロブスカイト型酸化物薄膜の作製と評価

    笹嶋慶一, 安井伸太郎, 舟窪浩, 内田寛

    セラミックス基礎科学討論会講演要旨集   50th   2012年

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  • MOCVD法で作製したBi(Zn1/2Ti1/2)O3基エピタキシャル薄膜の結晶構造と電気特性

    長田潤一, 安井伸太郎, 真鍋直人, 内田寛, 坂田修身, 舟窪浩

    セラミックス基礎科学討論会講演要旨集   50th   2012年

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  • ナノシート界面層を利用したPb(Zr,Ti)O3薄膜の選択配向成長

    峯村佳輝, 近藤陽太, 安井伸太郎, 舟窪浩, 内田寛

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)   59th   1281 - 1281   2012年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2012.1.0_1281

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  • 水熱合成エピタキシャル(K0.5Na0.5)NbO3膜のアニール温度依存

    白石貴久, 石河睦生, 石河睦生, 安井伸太郎, 黒澤実, 内田寛, 平山泰生, 舟窪浩

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)   59th   1288 - 1288   2012年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2012.1.0_1288

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  • シリコン基板上に作製したビスマス基圧電体膜の特性評価

    及川貴弘, 安井伸太郎, 真鍋直人, 小林健, 渡邉隆之, 薮田久人, 三浦薫, 舟窪浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   73rd   1184 - 1184   2012年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2012.2.0_1184

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  • 化学溶液堆積法によるBa-Bi系ペロブスカイト薄膜の作製と特性評価

    金子祈之, 金子祈之, 安井伸太郎, 舟窪浩, 内田寛

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   73rd   1183 - 1183   2012年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2012.2.0_1183

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  • 高圧合成法で作製したBi(Zn1/2Ti1/2)O3-Bi(Mg1/2Ti1/2)O3-BiFeO3系における組成による結晶相の変化

    真鍋直人, 安井伸太郎, 長田潤一, 岡研吾, 東正樹, 舟窪浩

    セラミックス基礎科学討論会講演要旨集   50th   2012年

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  • ペロブスカイト型酸化物テンプレートを用いた(001)高配向性BiFeO3薄膜の選択的成長

    林真里, 安井伸太郎, 舟窪浩, 内田寛

    セラミックス基礎科学討論会講演要旨集   50th   2012年

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  • PLD法で作製したBi(Mg1/2Ti1/2)O3膜の特性

    及川貴弘, 安井伸太郎, 渡邉隆之, 藪田久人, 福井哲朗, 舟窪浩

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)   59th   1297 - 1297   2012年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2012.1.0_1297

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  • 新規ビスマス - d0遷移金属系ペロブスカイト型強誘電体の開発とその電気特性

    島村 篤, 藤井 一郎, 中島 光一, 和田 智志, 黒岩 芳弘, 舟窪 浩

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2012S   510 - 510   2012年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    現在、チタン酸ジルコン酸鉛 (Pb(Zr,Ti)O3、PZT) 系圧電材料はその優れた特性のため多くの分野で用いられている。これは490℃という高いキュリー温度を持つチタン酸鉛 (PbTiO3、PT) に依存していると言っても過言ではない。従って、鉛フリーでPTよりも高いキュリー温度を持つ強誘電体を合成することができれば、環境負荷を大幅に低減すると同時にPZTを超える圧電材料の開発が可能となる。そこで、ペロブスカイト構造のA-siteに酸素との共有結合性が強いBi3+イオン、B-siteにd0電子状態のイオンを含む新規組成に関して研究を行ってきた。現在までに、B-siteに5価と価数が高く、イオン半径が64.0 pm と比較的小さいNb5+イオンを含む (Bi1/2K1/2)(Cu1/3Nb2/3)O3 が強誘電体である可能性がわかっている。同様に、A-siteにBiイオン、B-siteにイオン半径が60.5 pm とNb5+イオンよりも小さいTi4+イオンを含む組成に関しても研究を行った。B-siteイオンのイオン半径や価数の違いによる圧電特性の変化をNbイオンとTiイオンを用いて比較・検討した。

    DOI: 10.14853/pcersj.2012s.0.510.0

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  • SrBi4Ti4O15/CaBi4Ti4O15薄膜キャパシタの電気的特性

    王洲, 野村修平, 内田寛, 山下馨, 舟窪浩, 野田実

    電気関係学会関西連合大会講演論文集(CD-ROM)   2011   ROMBUNNO.30P4-2   2011年10月

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    記述言語:日本語  

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  • ラマン分光法によるスパッタSrRuO3薄膜の構造評価とスパッタダメージが特性に及ぼす影響

    田井 丈嗣, 宮崎 亘, 大住 剛, 金 鎭雄, 西出 正道, 加茂 嵩史, 舟窪 浩, 島 宏美, 西田 謙, 山本 孝

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2011.2   948 - 948   2011年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2011.2.0_948

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  • 半絶縁性4H-SiC基板上β-FeSi2薄膜の電気伝導特性

    秋山 賢輔, 金子 智, 小沢 武, 舟窪 浩, 平林 康男

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2011.2   2474 - 2474   2011年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2011.2.0_2474

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  • MgO Prepared on Si(001) Substrate: Epitaxial Film & Nano Cube

    JSAP Annual Meetings Extended Abstracts   2011.2   1000 - 1000   2011年8月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:The Japan Society of Applied Physics  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2011.2.0_1000

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  • AFMを用いたPZT膜の縦方向および横方向変位測定

    飯島 高志, 柏木 悠太, 岡村 総一郎, 相蘇 亨, 舟窪 浩, 島 宏美, 西田 謙, 山本 孝

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2011.2   800 - 800   2011年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2011.2.0_800

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  • Investigation of SrBi4Ti4O15/CaBi 4Ti4O15 thin film capacitor for excellent electric stability

    Shuhei Nomura, Syu Ou, Kaoru Yamashita, Minoru Noda, Hiroshi Uchida, Hiroshi Funakubo

    IMFEDK 2011 - 2011 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai   108 - 109   2011年8月

  • Configuration and Local Elastic Interaction of Ferroelectric Domains and Misfit Dislocation in PbTiO3/SrTiO3 Epitaxial Thin Films 査読 国際誌

    T.Kiguchi, K.Aoyagi, Y.Ehara, H.Funakubo, T.Yamada, N.Usami, T.J.Konno

    Science and Technology of Advanced Materials   12 ( 3 )   034413-1-9 - 034413   2011年6月

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  • Structure Determination and Compositional Modification of Body-centered Tetragonal PX-Phase Lead Titanate 査読

    J.Wang, K.Schenk, A.Carvalho, B.W.Eerd, J.Trodahl, C.S.Sandu, M.Bonin, I.Gregora, Z.He, T.Yamada, H.Funakubo, P.R.Briddon, N.Setter

    Chemistry of Materials   23   2529-2535   2011年4月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1021/cm1030206

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  • SrBi4Ti4O15薄膜キャパシタの電気的特性

    野村修平, 内田寛, 山下馨, 舟窪浩, 野田実

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)   58th   ROMBUNNO.24A-BE-15 - 1306   2011年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2011.1.0_1306

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  • シリコン基板上に成長した短い格子定数の酸化マグネシウム

    金子 智, 伊藤 健, 秋山 賢輔, 曽我 雅康, 本泉 佑, 安井 学, 平林 康男, 永野 隆敏, 舟窪 浩, 吉本 護

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2011.1   1519 - 1519   2011年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2011.1.0_1519

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  • バッファ層を用いてc軸一軸配向させたビスマス層状構造誘電体の高温電気特性

    木村 純一, 多久和 至, 松島 正明, 山田 智明, 内田 寛, 柴田 竜雄, 長田 実, 佐々木 高義, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2011.1   1305 - 1305   2011年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2011.1.0_1305

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  • 反応性スパッタ法を用いたBaTiO3薄膜の作製及び評価

    大住 剛, 西出 正道, 舟窪 浩, 西田 謙, 山本 孝

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2011.1   1337 - 1337   2011年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2011.1.0_1337

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  • Improvement of coercive voltage and fatigue endurance in Mn-doped BiFeO3 capacitors using Pt/SrRuO3 top electrode

    JSAP Annual Meetings Extended Abstracts   2011.1   1294 - 1294   2011年3月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:The Japan Society of Applied Physics  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2011.1.0_1294

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  • 水熱合成法による(K, Na)NbO3厚膜の金属板上での配向制御とその特性評価

    白石 貴久, 榮西 弘, 石河 睦生, 長谷川 智仁, 黒澤 実, 内田 寛, 坂下 幸雄, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2011.1   1329 - 1329   2011年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2011.1.0_1329

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  • 酸化物ナノシートを利用した層状ペロブスカイト型酸化物薄膜の選択配向成長

    内田 寛, 近藤 陽太, 木村 純一, 多久和 至, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2011.1   1307 - 1307   2011年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2011.1.0_1307

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  • ペロブスカイト界面層を利用したBiFeO3薄膜の選択配向成長

    林真里, 笹嶋慶一, 峯村佳輝, 安井伸太郎, 舟窪浩, 内田寛

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   72nd   761 - 761   2011年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2011.2.0_761

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  • 水熱合成法を用いたエピタキシャル(K,Na)NbO3厚膜の合成

    榮西弘, 白石貴久, 安井伸太郎, 石河睦生, 黒澤実, 内田寛, 坂下幸雄, 舟窪浩

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)   58th   1330 - 1330   2011年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2011.1.0_1330

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  • 新規圧電体における巨大圧電性を設計するための指針

    安井伸太郎, 長田潤一, 山田智明, 内田寛, 東正樹, 東正樹, 舟窪浩

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)   58th   1303 - 1303   2011年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2011.1.0_1303

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  • 水熱合成法によるエピタキシャル(KxNa1-x)NbO3膜の組成依存性

    白石貴久, 榮西弘, 石河睦生, 石河睦生, 安井伸太郎, 長谷川智仁, 黒澤実, 内田寛, 坂下幸雄, 舟窪浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   72nd   807 - 807   2011年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2011.2.0_807

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  • 新規正方晶Biペロブスカイト圧電体薄膜の作製と評価

    長田潤一, 安井伸太郎, 内田寛, 舟窪浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   72nd   803 - 803   2011年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2011.2.0_803

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  • 化学溶液法により作製したLaNiO3薄膜の一軸結晶配向成長

    笹嶋慶一, 内田寛, 安井伸太郎, 舟窪浩, 木口賢紀

    日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集   24th   2011年

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  • LaNiO3界面層を利用したBiFeO3薄膜の選択配向成長

    林真里, 安井伸太郎, 舟窪浩, 内田寛

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)   58th   1300 - 1300   2011年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2011.1.0_1300

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  • Bi(Zn1/2Ti1/2)O3系圧電体薄膜における圧電性と結晶構造の関係

    安井伸太郎, 長田潤一, 内田寛, 黒澤実, 舟窪浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   72nd   804 - 804   2011年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2011.2.0_804

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  • エピタキシャルBi(Zn1/2Ti1/2)O3-Bi(Mg1/2Ti1/2)O3-BiFeO3薄膜の作製と評価

    長田潤一, 安井伸太郎, 山田智明, 内田寛, 東正樹, 東正樹, 薮田久人, 渡邉隆之, 三浦薫, 舟窪浩

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)   58th   1302 - 1302   2011年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2011.1.0_1302

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  • 分極軸配向エピタキシャルPb(Zr,Ti)O3膜の強誘電特性

    江原祥隆, 安井伸太郎, 中島光雅, 山田智明, 山田智明, 飯島高志, 舟窪浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   72nd   2011年

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  • ミスフィット転位との弾性相互作用によるPbTiO3薄膜90°ドメインの核生成・成長メカニズム

    木口賢紀, 青柳健大, 江原祥隆, 舟窪浩, 山田智明, 山田智明, 宇佐美徳隆, 今野豊彦

    日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集   24th   785 - 785   2011年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    PbTiO3/SrTiO3エピタキシャル薄膜の原子分解能HRTEM観察と弾性歪みマッピングにより、90°ドメインとミスフィット転位との弾性相互作用により楔型回位(wedge disclination)と逆位相境界(APB)が導入されドメイン境界や基板界面との原子配列の整合性を保ちつつ核生成・成長することを明らかにした。

    DOI: 10.14853/pcersj.2011f.0.785.0

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  • PbTiO3薄膜の90°ドメイン境界の構造とミスフィット転位との弾性相互作用

    木口賢紀, 青柳健大, 江原祥隆, 舟窪浩, 山田智明, 山田智明, 宇佐美徳隆, 今野豊彦

    エレクトロセラミックス研究討論会講演予稿集   31st   2011年

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  • PbTiO3厚膜における格子欠陥のTEM解析

    青柳健大, 木口賢紀, 今野豊彦, 江原祥隆, 舟窪浩

    エレクトロセラミックス研究討論会講演予稿集   31st   2011年

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  • 積層欠陥を含むPbTiO3厚膜の組織解析

    青柳健大, 兒玉裕美子, 木口賢紀, 宇佐美徳隆, 今野豊彦, 江原祥隆, 舟窪浩, 山田智明, 山田智明

    日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集   24th   387 - 387   2011年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    PbTiO3エピタキシャル膜のドメイン構造は膜厚に依存し、1000nm以上の膜厚では歪みのない特有のドメイン構造を有することが知られている。本研究では、この残留歪み緩和機構を理解するために、PbTiO3厚膜の組織を透過型電子顕微鏡により解析した。その結果、厚膜では薄膜に比較して多数の積層欠陥が観察され、それらの積層欠陥は(001)面に平行であった。積層欠陥の形成は歪みエネルギーの解放につながると考えられるため、この積層欠陥形成がPbTiO3厚膜における残留歪み緩和に寄与しているものと考えられる。

    DOI: 10.14853/pcersj.2011f.0.387.0

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  • PbTiO3膜における積層欠陥形成による歪み緩和

    青柳健大, 兒玉裕美子, 木口賢紀, 宇佐美徳隆, 今野豊彦, 江原祥隆, 舟窪浩, 山田智明, 山田智明

    日本セラミックス協会年会講演予稿集   2011   482 - 482   2011年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    本研究では、エピタキシャルPbTiO3膜における膜厚増加による残留歪緩和機構の調査を行った。透過型電子顕微鏡(TEM, Transmission Electron Microscopy)を用いて350nmおよび1000nmの膜厚を有する2種類のPbTiO3膜の微細組織を観察・解析し、両者の比較を行った。その結果、膜厚の増加に伴い膜内に積層欠陥が形成されることが明らかになった。これらの積層欠陥面は(001)面に平行であった。また、膜厚1000nmの膜の高分解能電子顕微鏡(HRTEM, High-resolution TEM)観察から90°ドメイン境界近傍に積層欠陥の存在しない領域が存在することが分かった。<BR>
    以上の結果から、膜厚の増加に伴い積層欠陥が形成され、膜の残留歪を緩和していることが示された。

    DOI: 10.14853/pcersj.2011s.0.482.0

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  • 化学溶液堆積法によるLaNiO3薄膜の一軸配向結晶成長

    笹嶋 慶一, 内田 寛, 安井 伸太郎, 舟窪 浩, 木口 賢紀

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2011 ( 0 )   310 - 310   2011年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    LaNiO&lt;SUB&gt;3&lt;/SUB&gt; (LNO) 薄膜は強誘電体キャパシタの分極疲労を緩和する電極材料として利用されるほか、近年はキャパシタ層の選択的結晶配向成長を促す界面層としても注目されている。本研究では種々の条件下でLNO薄膜を作製し、その選択的な結晶配向成長のメカニズムについて考察する。硝酸ランタン六水和物、酢酸ニッケル四水和物および2-メトキシエタノールを用いて調製したLNO前駆体溶液を(100)Si, (111)Pt/TiO&lt;SUB&gt;2&lt;/SUB&gt;/(100)SiおよびSiO&lt;SUB&gt;2&lt;/SUB&gt;ガラス基板上にスピンコートし、結晶化の熱処理を施すことで結晶質LNO薄膜を作製した。XRD分析の結果、いずれの基板上においてもLNO(&lt;I&gt;h&lt;/I&gt;00)面が基板面方位に配向している事が確認され、LNOの選択的な結晶配向成長は基板表面との格子整合性に依存しない自発的な結晶成長の現象である事がわかった。

    DOI: 10.14853/pcersj.2011F.0.310.0

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  • 様々な基板上へのハーフメタル酸化物Sr2FeMoO6薄膜の合成と物性

    門田祥悟, 安井伸太郎, 舟窪浩, 松本祐司, 笹川崇男

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)   58th   1450 - 1450   2011年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2011.1.0_1450

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  • ハーフメタル酸化物Sr2FeMoO6薄膜における物性の膜厚依存性

    門田祥悟, 安井伸太郎, 舟窪浩, 松本祐司, 笹川崇男

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)   58th   1451 - 1451   2011年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2011.1.0_1451

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  • フラックスエピタキシー:C60六角板状結晶の生成とその成長過程

    武山洋子, 丸山伸伍, 安井伸太郎, 舟窪浩, 角谷正友, 谷口博基, 伊藤満, 上野啓司, 松本祐司

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   72nd   1775 - 1775   2011年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2011.2.0_1775

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  • PLD法によるBi(Mg1/2Ti1/2)O3薄膜の作製と評価

    及川貴弘, 安井伸太郎, 舟窪浩, 渡邉隆之, 薮田久人, 福井哲朗

    エレクトロセラミックス研究討論会講演予稿集   31st   2011年

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  • ペロブスカイト型酸化物界面層を利用したBiFeO3-Bi(Zn1/2Ti1/2)O3固溶体薄膜の作製

    林真里, 安井伸太郎, 舟窪浩, 内田寛

    エレクトロセラミックス研究討論会講演予稿集   31st   2011年

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  • Pb系強誘電体薄膜における極性構造の原子分解能観察

    木口賢紀, 青柳健大, 中村崇昭, 宇佐美徳隆, 今野豊彦, 江原祥隆, 舟窪浩, 山田智明, 山田智明

    日本セラミックス協会年会講演予稿集   2011   2011年

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  • 菱面体晶Pb(ZrTi)O3エピタキシャル膜の結晶構造と強誘電特性

    江原祥隆, 宇津木覚, 中島光雅, 山田智明, 舟窪浩, 飯島高志

    日本セラミックス協会年会講演予稿集   2011   303 - 303   2011年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    Pb(Zr,Ti)O3 [以後PZT]は代表的な強誘電体および圧電体材料であり、様々な用途で実用化されている。しかし単結晶作製の困難さから、基礎的な特性の実験的な研究は必ずしも十分とは言えない。我々は正方晶PZTにおいて、CaF2基板上にPZTをエピタキシャル成長させることで完全分極軸配向したPZT作製に成功し、基礎的な特性の評価を報告している。一方で、Zr/(Zr+Ti)比が大きな菱面体晶については、従来のエピタキシャル膜では、分極軸方向の(111)単一配向エピタキシャル膜の作製を試みても、(111)と(11-1)の配向が共存してしまい、分極軸単一配向膜を作製することには成功していなかった。本研究では、熱膨張係数の大きなCaF2基板上にPZTを完全に(111)に配向したPZTの作製に成功した。

    DOI: 10.14853/pcersj.2011s.0.303.0

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  • PbTiO3膜における90°ドメイン境界近傍の無積層欠陥帯

    青柳健大, 兒玉裕美子, 木口賢紀, 今野豊彦, 江原祥隆, 舟窪浩, 山田智明, 山田智明

    日本セラミックス協会年会講演予稿集   2011   2011年

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  • エピタキシャルPbTiO3薄膜の圧電応答マッピング像

    安井伸太郎, 江原祥隆, 舟窪浩

    日本セラミックス協会年会講演予稿集   2011   2011年

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  • ミスフィット転位上への強誘電体90°ドメインの核生成

    木口賢紀, 青柳健大, 今野豊彦, 江原祥隆, 舟窪浩, 山田智明

    日本セラミックス協会年会講演予稿集   2011   2011年

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  • 高周波誘導加熱法による結晶化チタン酸バリウム層の低温作製

    松下 伸広, 立道 諭, 勝又 健一, 舟窪 浩, 山田 智明, 岡田 清

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2011F   400 - 400   2011年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    本研究では高周波誘導加熱を活用した新規溶液プロセスを開発し、100℃以下という低温での作製でチタン酸バリウム層の作製に成功した。回転式攪拌機の先端に固定したTi基板あるいはスパッタ法で作製したTi膜をBa2+イオンを含むアルカリ溶液中で高周波磁界(120kHz, 120 Oe)により1時間誘導加熱したところ、結晶化したチタン酸バリウム層がえられた。これらのチタン酸バリウム層の誘電特性を評価したところ、10 kHzにおいて実数誘電率 ε' が250程度、誘電損失 tan δ が0.1であり、水熱法により作製されたチタン酸バリウム膜の ε' = 80 とtan δ = 0.25に比べて優れた特性を示していた。

    DOI: 10.14853/pcersj.2011f.0.400.0

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  • ペロブスカイト型酸化物界面層を用いた一軸配向性MBi4Ti4O15薄膜(M = Ca, Sr)の作製

    内田 寛, 近藤 陽太, 木村 純一, 多久和 至, 舟窪 浩

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2011S   476 - 476   2011年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    本研究では(擬)ペロブスカイト型結晶構造を有した界面層の導入によりSi基板上に高い結晶配向性を有するMBi4Ti4O15薄膜 (BLSD;M = Ca, Sr)を作製した。結晶配向性を制御する界面層としてLaNiO3薄膜およびCa2Nb3O10ナノシートを採用し、これらを担持したPt電極付きSi基板上に化学溶液法を用いて目的の薄膜試料を成膜した。基板上に直接作製した試料ではBLSD結晶がランダムな配向性を有していた。一方、界面層として導入した試料ではBLSD(00l)に対応する回折線が選択的に認められ、良好な結晶性を有するBLSD結晶が基板面方位に対して一軸配向成長したことが確認された。

    DOI: 10.14853/pcersj.2011s.0.476.0

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  • 酸化物ナノシートによるビスマス層状構造酸化物誘電体薄膜の結晶配向性制御

    近藤 陽太, 内田 寛, 木村 純一, 多久和 至, 舟窪 浩

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2011F   684 - 684   2011年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    高温利用可能なキャパシタ用材料として、周囲の温度変化に対する誘電特性の依存性が小さい一軸配向性のビスマス層状構造酸化物誘電体 (BLSD) 薄膜の利用が近年注目されている。本研究ではBLSDの一種であるMBi4Ti4O15 (MBTi, M=Ca,Sr) 薄膜を形成する際、堆積基板上に擬ペロブスカイト型結晶構造を有する酸化物ナノシート(Ca2Nb3O10,ns-CN)を界面層として導入することでBLSD薄膜の結晶配向性を制御することを試みた。その結果、界面層の導入によりc軸方位への一軸結晶配向性を有したMBTi薄膜を得ることに成功した。作製された薄膜試料は約200の比誘電率を有する一方、室温から基板温度200℃までの静電容量変化は約7%と低く他材料よりも有意に優れた性能を示した。

    DOI: 10.14853/pcersj.2011f.0.684.0

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  • Ba(Cu1/3,Ta2/3)O3-Sr(Cu1/3,Ta2/3)O3バルクの作製と誘電特性評価

    李 鳳淵, 飯島 高志, 舟窪 浩, 内田 寛, 岡村 総一郎

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2011F   288 - 288   2011年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    To investigate the lead-free piezoelectric materials, we have tried to make BCT-SCT solid solution system because the BCT-SCT system is expected to show a high Tc and a low leakage current density. The BCT-SCT ceramic disks were prepared using the conventional ceramic processes and fired between 1100 ~ 1250 oC. The tetragonal structure was observed in the prepared compositions. The prepared BCT-SCT samples showed better dielectric and leakage properties than the BCT samples.

    DOI: 10.14853/pcersj.2011f.0.288.0

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  • PbTiO3薄膜における極性構造の原子分解能観察

    木口 賢紀, 青柳 健大, 中村 崇昭, 江原 祥隆, 舟窪 浩, 山田 智明, 宇佐美 徳隆, 今野 豊彦

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2011S   483 - 483   2011年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    強誘電体の誘電特性には、自発分極が揃ったドメインの結晶構造と極性、並びにドメイン境界が重要な役割を果たしている。個々の極性領域の構造を調べるには電子顕微鏡(TEM)が有効であったが、従来の汎用型TEMでは軽元素の分解能の制約により酸素原子を含めた結像は困難であった。本研究は、収差補正HRTEM像による極性を含めたドメイン構造並びにドメイン境界における分極回転メカニズムについて詳細に調べた。ドメイン境界は厚さ約4単位格子分の約1.5nmの構造遷移層を持ち、この中では正方相から対称性の低下した歪んだ構造をとっている。しかし、カチオンと酸素原子の相対的な変位方向、つまり自発分極の方向は僅かに1°程度回転するもののドメイン内部とほぼ同じむきを向いている。しかし、ドメイン境界の中心線を境にして、酸素原子の変位方向が約90°回転しており、自発分極の向きが連続的に回転するのではなく、急激に変化することを示している。よって、ドメイン境界中心の格子に大きな歪みが集中していると言える。

    DOI: 10.14853/pcersj.2011s.0.483.0

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  • (平成21年度進歩賞受賞講演) ボトムアップ手法によるペロブスカイト型薄膜成長と誘電特性設計

    山田 智明, 多久和 至, 加茂 嵩史, 飯島 高志, Nava Setter, 舟窪 浩, 長崎 正雅

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2011S   217 - 217   2011年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    ペロブスカイト型酸化物は多種多様な機能を示し、薄膜化により様々な応用が実現・期待されている。その中で(BaxSr1-x)TiO3 [BST]は、高い誘電率、低い誘電損失、大きな誘電率の電界依存性(チューナビリティ)を示し、薄膜を用いたDRAMや可変容量素子への応用が期待されている。しかし一方で、BST薄膜の残留歪みがその誘電特性に大きな影響を与える事が知られている。これまで我々は、基板や薄膜/基板界面を利用したボトムアップ手法により、BST薄膜の成長と誘電特性の制御を試みてきた。本講演では、まず(1)2段階成長と(2)基板と薄膜の熱膨張係数差を利用した2つのアプローチによりBST薄膜の歪みと誘電特性との関係を明らかにする。次に、成長界面における(3)自己選択性と(4)自己組織化を利用したボトムアップ手法による3次元構造の作製の試みについて報告する。

    DOI: 10.14853/pcersj.2011s.0.217.0

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  • パルスレーザーアブレーション成膜を用いた雲母薄膜の作製

    中曽根 祐太, 山内 涼輔, 中井 裕和, 舟窪 浩, 宮宅 ゆみ子, 土嶺 信男, 小林 晋, 佐野 善史, 吉本 護

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2011S   447 - 447   2011年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    雲母は高絶縁性や耐熱性を有し、絶縁材料やガラス繊維への複合材料等に利用されている。しかし、薄膜化の研究はほとんど行われていない。そこで本研究では、雲母を利用した新規電子デバイス材料開発の可能性に向けて、PLD法による雲母薄膜作製の可能性を検討した。その結果、薄膜作製後に真空アニールすると、黒雲母のc軸配向由来と考えられるピークがXRDにより観測された。また、ラマン分光測定より、八面体シートを形成する陽イオンの並進運動、四面体シートを形成するSi-Ob-Siボンドの振動、Si-Onbの伸縮モード、OHの伸縮モードをそれぞれ確認した。以上から、黒雲母薄膜の合成に成功していると考えられる。

    DOI: 10.14853/pcersj.2011s.0.447.0

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  • Pb(Zr,Ti)O3ナノロッド集合体の基板上へのエピタキシャル成長とその圧電特性

    山田 智明, 田中 秀典, 舟窪 浩, 兒玉 裕美子, 木口 賢紀, 今野 豊彦, 吉野 正人, 長崎 正雅

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2011F   845 - 845   2011年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    圧電体の薄膜を用いたナノ・マイクロデバイスの実現が期待されている。しかし、圧電体を薄膜化すると、その支持体である基板のクランピング効果により、圧電特性が大きく抑制される事が知られている。そこで、薄膜のような2次元構造ではなく、ナノロッドと呼ばれる基板に拘束されない1次元構造が注目されている。本講演では、我々が最近実現しつつあるPb(Zr,Ti)O3ナノロッドのエピタキシャル成長技術と、ナノロッド化がもたらす圧電特性への影響を報告すると共に、更なるスケールダウンによって期待されるサイズ効果について展望を紹介する。

    DOI: 10.14853/pcersj.2011f.0.845.0

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  • シリコン基板上に成長した酸素欠損MgO薄膜

    金子 智, 永野 隆敏, 秋山 賢輔, 伊藤 健, 安井 学, 曽我 雅康, 平林 康男, 舟窪 浩, 吉本 護

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2010.2   1115 - 1115   2010年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2010.2.0_1115

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  • Comparison of Pt, SrRuO3, and Pt/SrRuO3 top electrodes in rf-sputtered Mn-doped BiFeO3 capacitors

    JSAP Annual Meetings Extended Abstracts   2010.2   1018 - 1018   2010年8月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:The Japan Society of Applied Physics  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2010.2.0_1018

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  • チタン酸ジルコン酸鉛厚膜の結晶構造の面内サイズ依存性

    西出 正道, 田井 丈詞, 河東田 隆, 横山 信太郎, 舟窪 浩, 西田 謙, 山本 孝

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2010.2   1038 - 1038   2010年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2010.2.0_1038

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  • C軸配向ビスマス層状構造誘電体薄膜の高温用キャパシタ特性の検討

    多久和 至, 木村 純一, 水谷 佑樹, 山田 智明, 内田 寛, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2010.2   1021 - 1021   2010年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2010.2.0_1021

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  • Large constriction of lattice constant in epitaxial magnesium oxide thin film: Effect of point defects on lattice constant

    Satoru Kaneko, Takatoshi Nagano, Kensuke Akiyama, Takeshi Ito, Manabu Yasui, Yasuo Hirabayashi, Hiroshi Funakubo, Mamoru Yoshimoto

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   107 ( 7 )   073523-1-3   2010年4月

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  • PLD法で作製したBaTiO3-Bi(Mg0.5Ti0.5)O0.5エピタキシャル薄膜の結晶構造と電気特性評価

    田中 秀典, 山田 智明, 安井 伸太郎, 大和 慶祐, 柏木 悠太, 岡村 総一郎, 内田 寛, 和田 智志, 飯島 高志, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2010.1   1192 - 1192   2010年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2010.1.0_1192

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  • ラマン分光法を用いたチタン酸鉛膜のドメイン形成過程のその場観察

    西出 正道, 松岡 将史, 田井 丈詞, 西田 謙, 山本 孝, 舟窪 浩, 河東田 隆

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2010.1   1165 - 1165   2010年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2010.1.0_1165

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  • 幾何学的位相解析によるPbTiO3薄膜90ドメインの局所歪み場解析

    木口 賢紀, 今野 豊彦, 青柳 健大, 宇津木 悟, 山田 智明, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2010.1   1214 - 1214   2010年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2010.1.0_1214

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  • PbTiO3のコヒーレントフォノン計測

    小口 寛彬, 高橋 弘史, 中島 光雅, 宇津木 覚, 舟窪 浩, 中村 一隆

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2010.1   1157 - 1157   2010年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2010.1.0_1157

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  • Characteristics of Mn-doped BiFeO3 films formed on bottom LaNiO3/Pt(111) and SrRuO3/Pt(111) electrodes by rf-sputtering

    JSAP Annual Meetings Extended Abstracts   2010.1   1171 - 1171   2010年3月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:The Japan Society of Applied Physics  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2010.1.0_1171

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  • 歪みエピタキシャル(Ba,Sr)TiO3薄膜における誘電特性の配向依存性

    山田 智明, 多久和 至, 加茂 嵩史, 飯島 高志, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2010.1   1189 - 1189   2010年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2010.1.0_1189

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  • Pt,LaNiO3,SrRuO3を電極として用いたCrドープBiFeO3薄膜の強誘電性、絶縁性の評価

    古川 晋, 金 正恒, 舟窪 浩, 石原 宏

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2010.1   1172 - 1172   2010年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2010.1.0_1172

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  • CVD用新規チタン錯体Ti-DOTの成膜特性

    摩庭 篤, 千葉 洋一, 岩永 宏平, 山本 俊樹, 肆矢 忠寛, 大島 憲昭, 多田 賢一, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2010.1   2846 - 2846   2010年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2010.1.0_2846

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  • シリコン基板上に成長した短い格子定数のMgO薄膜

    金子 智, 永野 隆敏, 秋山 賢輔, 伊藤 健, 安井 学, 曽我 雅康, 平林 康男, 舟窪 浩, 吉本 護

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2010.1   1348 - 1348   2010年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2010.1.0_1348

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  • Experimental evidence for orientation property of Pb(Zr0.35Ti0.65)O-3 by manipulating polar axis angle using CaF2 substrate

    Satoru Utsugi, Takashi Fujisawa, Yoshitaka Ehara, Tomoaki Yamada, Masaaki Matsushima, Hitoshi Morioka, Hiroshi Funakubo

    APPLIED PHYSICS LETTERS   96 ( 10 )   1029051 - 3   2010年3月

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  • 水熱合成法によるKNbO3エピタキシャル膜の作製と特性評価 査読

    石河睦生, 矢澤慶祐, 藤澤隆志, 安井伸太郎, 長谷川智仁, 黒澤実, 舟窪浩, 森田剛

    超音波 TECHNO   vol. 22 ( no. 3 )   87 - 91   2010年3月

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)   出版者・発行元:日本工業出版  

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  • Electronic and structural properties of BaTiO3: A proposal about the role of Ti 3s and 3p states for ferroelectricity

    Kaoru Miura, Tatsuo Furuta, Hiroshi Funakubo

    SOLID STATE COMMUNICATIONS   150 ( 3-4 )   205 - 208   2010年1月

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  • Electronic and structural properties of ABO3: Role of the B-O coulomb repulsions for ferroelectricity 査読 国際誌

    Miura, K., Masaki Azuma, HIROSHI FUNAKUBO

    Materials   Vol. 4 ( No. 1 )   260 - 273   2010年

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  • Influence of Epitaxial Growth Orientation on Residual Strain and Dielectric Properties of (Ba0.3Sr0.7)TiO3 Films Grown on In-plane Compressive Substrates 査読

    T.Yamada, T.Kamo, D.Su, T.Iijima, H.Funakubo

    Ferroelectrics   405   262   2010年

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    記述言語:英語  

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  • Comparison of BST Film Microwave Tunable Devices based on (100) and (111) MgO Substrates 査読

    M.Noda, T.Yamada, K.Seki, T.Kamo, K.Yamashita, H.Funakubo, M.Okuyama

    IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control   57 ( 10 )   2221 - 2227   2010年

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  • Si基板上における(001)高配向性BiFeO3薄膜の作製

    林 真里, 内田 寛, 安井 伸太郎, 舟窪 浩

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2010 ( 0 )   3B09 - 3B09   2010年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    本研究ではビスマスフェライトBiFeO&lt;sub&gt;3&lt;/sub&gt;(BFO)薄膜を広く半導体デバイスへと応用するためにSi基板上での材料合成を念頭に置き、一軸配向性LaNiO&lt;sub&gt;3&lt;/sub&gt;(LNO)層を核形成層として利用した選択的結晶成長によりSi基板上での薄膜材料の結晶性向上と結晶配向性制御をを試みた。薄膜試料は化学溶液法により(111)Pt/TiO&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt;/(100)Siおよび(100)LNO/(111)Pt/TiO&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt;/(100)Si基板上に合成された。(100)LNO上に作製した薄膜試料では基板面方位に対して(001)BFOの結晶格子面が選択的に一軸配向成長した。これは配向成長したLNO層の結晶上にBFO結晶が良好な整合性を維持しつつ成長した結果であると推察される。

    DOI: 10.14853/pcersj.2010S.0.3B09.0

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  • PbTiO3より3倍以上大きな正方晶歪を有する誘電体薄膜の作製と特性評価

    舟窪 浩, 山田 智明, 山本 剛久, 幾原 雄一, 矢澤 慶祐, 安井 伸太郎, 松島 正明, 内田 寛, 飯島 高志, Wang Junling, Lu You, 森岡 仁

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2010 ( 0 )   3A24 - 3A24   2010年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    正方晶強誘電体は、最も基本的な強誘電体材料であるが、近年、高圧合成法を中心に、良く知られている正方晶PbTiO3と比較して、3倍以上の大きな正方晶歪 [c軸とa軸の格子定数をaとcとした場合のc/a-1]を有する非鉛物質がいくつか発見されている。これらの物質は、大きな強誘電性と共に、これを端成分にしたMPBの発見が期待されている。我々は、大きな正方晶が報告されているBi(Zn1/2Ti1/2)O3について、BiFeO3との固溶体を作製することで、単体のBi(Zn1/2Ti1/2)O3より大きな正方晶性を得ることを試みた。これは、正方晶を有するBaTiO3およびPbTiO3については、BiFeO3を固溶することによって、より大きな正方晶性が報告されているからである。結果として、大きなc/aと室温での分極反転が確認された

    DOI: 10.14853/pcersj.2010S.0.3A24.0

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  • (La0.07Sr0.93)SnO3透明電極を用いたCaF2基板上Pb(Zr,Ti)O3膜のエピタキシャル成長と分極軸制御

    宇津木覚, 山田智明, 江原祥隆, 田中秀典, 内田寛, 舟窪浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   71st   1046 - 1046   2010年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2010.2.0_1046

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  • 90°ドメインウォール密度の制御による(100)/(001)配向PZTエピタキシャル膜の圧電特性向上

    中島光雅, 中木寛, 江原祥隆, 山田智明, 森岡仁, 森岡仁, 舟窪浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   71st   1006 - 1006   2010年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2010.2.0_1006

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  • In-situ Lattice-Strain Analysis of a Ferroelectric Thin Film under an Applied Pulse Electric Field 査読

    O.Sakata, S.Yasui, T.Yamada, M.Yabashi, S.Kimura, H.Funakubo

    AIP Conference Proceedings   1234   151   2010年

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    記述言語:英語  

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  • Determination Factors of Strain-relaxed Complex Domain Structure Observed in Thick Epitaxial Pb(Zr, Ti)O3 Films 査読

    H.Nakaki, S.Utsugi, T.Fujisawa, M.Nakajima, Y.Ehara, T.Yamada, H.Morioka, T.Ifuku, H.Funakubo

    Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   1199   1199-F08-08   2010年

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    記述言語:英語  

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  • Investigation of Oxygen vacancies in Micro-patterned PZT Thin Films using Raman spectroscopy

    舟窪 浩

    Key Eng. Mater.   421-422   135 - +   2010年

  • エピタキシャルBi(M1/2Ti1/2)O3-BiFeO3薄膜(M=Zn,Mg)の強誘電性評価(I)

    長田潤一, 安井伸太郎, 山田智明, 内田寛, 薮田久人, 渡邉隆之, 三浦薫, 舟窪浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   71st   1010 - 1010   2010年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2010.2.0_1010

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  • エピタキシャルBi(M1/2Ti1/2)O3-BiFeO3薄膜(M=Zn,Mg)の強誘電性評価(II)

    安井伸太郎, 長田潤一, 山田智明, 内田寛, 薮田久人, 渡邉隆之, 三浦薫, 舟窪浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   71st   1011 - 1011   2010年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2010.2.0_1011

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  • PLD法で作製したBaTiO3-Bi(Mg0.5Ti0.5)O3エピタキシャル薄膜の結晶構造と電気特性評価

    田中秀典, 山田智明, 安井伸太郎, 大和慶祐, 柏木悠太, 柏木悠太, 岡村総一郎, 内田寛, 飯島高志, 和田智志, 舟窪浩

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)   57th   2010年

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  • PLD法を用いたエピタキシャルPb(Zr,Ti)O3ナノロッド作製の検討

    田中秀典, 山田智明, 安井伸太郎, 山本孝, 西田謙, 飯島高志, 篠崎和夫, 舟窪浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   71st   1039 - 1039   2010年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2010.2.0_1039

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  • Bi(Mg0.5,Ti0.5)O3添加によるBaTiO3エピタキシャル膜のTc制御

    田中秀典, 山田智明, 安井伸太郎, 大和慶祐, 和田智志, 内田寛, 舟窪浩

    セラミックス基礎科学討論会講演要旨集   48th   2010年

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  • エピタキシャルBi(Zn1/2Ti1/2)O3-BiFeO3系薄膜の正方晶性制御

    安井伸太郎, 矢澤慶祐, 山田智明, 森岡仁, 森岡仁, 内田寛, 舟窪浩

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)   57th   1179 - 1179   2010年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2010.1.0_1179

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  • 水熱合成法を用いたエピタキシャルKNbO3薄膜の方位制御

    榮西弘, 石河睦生, 中島光雅, 安井伸太郎, 山田智明, 黒澤実, 舟窪浩

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)   57th   1188 - 1188   2010年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2010.1.0_1188

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  • 分極軸単一配向した歪みの少ないエピタキシャル正方晶Pb(Zr,Ti)O3厚膜を用いたソフトモードによる強誘電性の見積もり

    江原祥隆, 宇津木覚, 中島光雅, 山田智明, 飯島高志, 舟窪浩

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)   57th   1156 - 1156   2010年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2010.1.0_1156

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  • CaF2基板上の作製した菱面体組成エピタキシャルPb(Zr,Ti)O3膜の結晶構造および強誘電特性

    江原祥隆, 宇津木覚, 中島光雅, 森岡仁, 森岡仁, 山田智明, 舟窪浩

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)   57th   1185 - 1185   2010年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2010.1.0_1185

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  • 菱面体晶Pb(Zr,Ti)O3エピタキシャル膜の結晶構造と強誘電特性

    江原祥隆, 宇津木覚, 中島光雅, 山田智明, 飯島高志, 舟窪浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   71st   1047 - 1047   2010年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2010.2.0_1047

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  • Effect of incubation time on deposition behavior of Ruthenium films by MOCVD using (2,4-Dimethylpentadienyl)(ethylcyclopentadienyl)Ruthenium

    Masaki Hirano, Kazuhisa Kawano, Hiroshi Funakubo

    ASIAN CERAMIC SCIENCE FOR ELECTRONICS III AND ELECTROCERAMICS IN JAPAN XII   421-422   87 - 90   2010年

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  • Investigation of Oxygen vacancies in Micro-patterned PZT Thin Films using Raman spectroscopy

    Ken Nishida, Minoru Osada, Shintaro Yokoyama, Takafumi Kamo, Takashi Fujisawa, Keisuke Saito, Hiroshi Funakubo, Takashi Katoda, Takashi Yamamoto

    Key Engineering Materials   421-422   135 - 138   2010年

  • Dielectric Properties of Highly (001)-plane Oriented SrBi4Ti4O15 Thin Films

    Yuki Mizutani, Hiroshi Uchida, Hiroshi Funakubo, Seiichiro Koda

    ELECTROCERAMICS IN JAPAN XIII   445   131 - +   2010年

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  • Polarized Raman study for epitaxial PZT thick film with the mixture orientation of(100)/(001) 査読

    舟窪 浩

    Key Eng.Mater. 421-422   421-422   99 - 102   2010年

  • Effect of incubation time on deposition behavior of Ruthenium films by MOCVD using (2,4-Dimethy lpentadienyl) (ethylcyclopentadienyl) Ruthenium

    Masaki Hirano, Kazuhisa Kawano, Hiroshi Funakubo

    Key Engineering Materials   421-422   87 - 90   2010年

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  • Polarized Raman study for epitaxial PZT thick film with the mixture orientation of (100)/(001)

    Mitsumasa Nakajima, Takashi Fujisawa, Ken Nishida, Takashi Yamamoto, Minoru Osada, Hiroshi Naganuma, Soichiro Okamura, Hiroshi Funakubo

    ASIAN CERAMIC SCIENCE FOR ELECTRONICS III AND ELECTROCERAMICS IN JAPAN XII   421-422   99 - +   2010年

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  • Large constriction of lattice constant in epitaxial magnesium oxide thin film: Effect of point defects on lattice constant

    Satoru Kaneko, Takatoshi Nagano, Kensuke Akiyama, Takeshi Ito, Manabu Yasui, Yasuo Hirabayashi, Hiroshi Funakubo, Mamoru Yoshimoto

    J. Appl.Phys.   107   073523-1-3   2010年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1063/1.3361482

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  • Self-assembled ferroelectric-dielectric nanocomposite films for tunable applications

    T. Yamada, C. S. Sandu, M. Gureev, A. K. Tagantsev, P. Muralt, H. Funakubo, N. Setter

    FUNDAMENTALS AND TECHNOLOGY OF MULTIFUNCTIONAL OXIDE THIN FILMS (SYMPOSIUM G, EMRS 2009 SPRING MEETING)   8   012010-1-7   2010年

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  • Experimental evidence for orientation property of Pb(Zr0.35Ti0.65) O3 by manipulating polar axis angle using CaF2 substrate

    Satoru Utsugi, Takashi Fujisawa, Yoshitaka Ehara, Tomoaki Yamada, Masaaki Matsushima, Hitoshi Morioka, Hiroshi Funakubo

    Appl. Phys. Lett.   96   1029051 - 3   2010年

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  • Dielectric Properties of Highly (001)-plane Oriented SrBi4Ti4O15 Thin Films

    Yuki Mizutani, Hiroshi Uchida, Hiroshi Funakubo, Seiichiro Koda

    Key Eng. Mater.   445   131 - 134   2010年

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  • 歪みエピタキシャル(Ba,Sr)TiO3薄膜の強誘電相転移温度の配向依存性

    山田 智明, 多久和 至, 加茂 嵩史, 飯島 高志, 舟窪 浩

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2010S   2A06 - 2A06   2010年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    (Ba,Sr)TiO3は、高い誘電率や誘電率の電界依存性(チューナビリティ)を示し、DRAMや可変容量素子への薄膜応用が期待されている。しかし、薄膜の残留歪みが(Ba,Sr)TiO3の誘電特性に大きな影響を与えることが知られており、例えば約1%の歪みで強誘電相転移温度が200K以上変化するという報告例もある。
    しかし、従来の研究のほとんどは (100)配向膜か多結晶膜で議論されており、歪みの配向依存性についてはあまり注目されてこなかった。本研究では、(100)配向および(111)配向を有するエピタキシャル(Ba0.3Sr0.7)TiO3薄膜における歪みの強誘電相転移温度に与える影響を、理論的・実験的に検証した。

    DOI: 10.14853/pcersj.2010s.0.2a06.0

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  • PbTiO3/SrTiO3薄膜における90° ドメイン構造の歪み場イメージング

    木口 賢紀, 青柳 健大, 今野 豊彦, 宇津木 悟, 山田 智明, 舟窪 浩

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2010S   1J26 - 1J26   2010年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    PbTiO3強誘電体エピタキシャル薄膜の90° ドメインは、強誘電性・強弾性の双方の性質を持つため薄膜/基板界面のミスフィット転位と相互作用しドメイン境界の移動を妨げることが知られている。本研究は、HAADF-STEM像の幾何学的位相解析により、PbTiO3/SrTiO3薄膜における90°ドメイン近傍の局所歪み場を定量化すると共に、90° ドメイン間およびミスフィット転位との弾性的な相互作用について検討した。

    DOI: 10.14853/pcersj.2010s.0.1j26.0

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  • RF-sputtered BST film microwave tunable device on comparison between MgO(111) and (100) substrate

    M. Noda, M. Noda, T. Yamada, T. Torii, T. Kamo, K. Yamashita, K. Yamashita, H. Funakubo, M. Okuyama

    IEEE International Symposium on Applications of Ferroelectrics   2009年12月

  • 2P5-1 VHF帯超音波イメージングを目的としたKNbO_3配向制御膜トランスデューサ(ポスターセッション)

    石河 睦生, 榮西 弘, 長谷川 智仁, 森田 剛, 西條 芳文, 黒澤 実, 舟窪 浩

    超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム講演論文集   30   321 - 322   2009年11月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム運営委員会  

    DOI: 10.24492/use.30.0_321

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  • Effect of film thickness on ferroelectric domain structure and properties of Pb(Zr0.35Ti0.65)O-3/SrRuO3/SrTiO3 heterostructures

    Hitoshi Morioka, Keisuke Saito, Shintaro Yokoyama, Takahiro Oikawa, Toshiyuki Kurosawa, Hiroshi Funakubo

    JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE   44 ( 19 )   5318 - 5324   2009年10月

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  • Orientation controlled deposition of Pb(Zr,Ti)O-3 films using a micron-size patterned SrRuO3 buffer layer

    Ken Nishida, Takashi Yamamoto, Minoru Osada, Osami Sakata, Shigeru Kimura, Keisuke Saito, Masamichi Nishide, Takashi Katoda, Shintaro Yokoyama, Hiroshi Funakubo

    JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE   44 ( 19 )   5339 - 5344   2009年10月

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  • Effects of Substrate Clamping on Electrical Properties of Polycrystalline Piezoelectric Films

    Tetsu Miyoshi, Mitsumasa Nakajima, Hiroshi Funakubo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   48 ( 9 )   09KD09-1-6   2009年9月

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  • In situ Observation of the Fatigue-Free Piezoelectric Microcantilever by Two-Dimensional X-ray Diffraction

    Hitoshi Morioka, Keisuke Saito, Takeshi Kobayashi, Shintaro Yasui, Toshiyuki Kurosawa, Hiroshi Funakubo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   48 ( 9 )   09KA03-1-5   2009年9月

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  • 分極軸配向正方晶Pb(Zr,Ti)O3厚膜の作製と評価

    舟窪浩, 藤澤隆志, 宇津木覚, 山田智明, 石河睦夫, 飯島高志

    マテリアル インテグレーション TIC   22 ( 9-10 )   17-24 - 24   2009年9月

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)   出版者・発行元:ティー・アイ・シィー  

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  • Preparation of (001)-Oriented CaBi4Ti4O15 and SrBi4Ti4O15 Films Using LaNiO3 Nucleation Layer on Pt-passivated Si Wafer

    Yuki Mizutani, Hiroshi Uchida, Hiroshi Funakubo, Seiichiro Koda

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   48 ( 9 )   09KA10-1-4   2009年9月

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  • Electric-Field-Induced Transverse Displacement in Pt/Pb(Zr,Ti)O-3 Film/Pt/Si Structure

    Takashi Yamamoto, Mitsutaka Yamamoto, Ken Nishida, Hiroshi Funakubo, Takashi Iijima, Toru Aiso, Yasuko Ichikawa

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   48 ( 9 )   09KA04-1-4   2009年9月

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  • Growth of Epitaxial KNbO3 Thick Films by Hydrothermal Method and Their Characterization

    Mutsuo Ishikawa, Keisuke Yazawa, Takashi Fujisawa, Shintaro Yasui, Tomoaki Yamada, Tomohito Hasegawa, Takeshi Morita, Minoru Kurosawa, Hiroshi Funakubo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   48 ( 9 )   09KA14-1-4   2009年9月

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  • Raman Spectroscopy Evaluation of Oxygen Vacancy Migration by Electrical Field in Multilayer Ceramic Capacitors

    Ken Nishida, Hiroshi Kishi, Minoru Osada, Hiroshi Funakubo, Masamichi Nishide, Hironari Takeuchi, Takashi Katoda, Takashi Yamamoto

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   48 ( 9 )   09KF11-1-4   2009年9月

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  • Piezoelectric Properties of {100}-Oriented Epitaxial BiCoO3-BiFeO3 Films Measured Using Synchrotron X-ray Diffraction

    Shintaro Yasui, Osami Sakata, Mitsumasa Nakajima, Satoru Utsugi, Keisuke Yazawa, Tomoaki Yamada, Hiroshi Funakubo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   48 ( 9 )   09KD06-1-4   2009年9月

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  • Characteristics of Undoped and Mn-Doped BiFeO3 Films Formed on Pt and SrRuO3/Pt Electrodes by Radio-Frequency Sputtering

    Jeong Hwan Kim, Hiroshi Funakubo, Yoshihiro Sugiyama, Hiroshi Ishiwara

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   48 ( 9 )   09KB02-1-4   2009年9月

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  • Electronic and Structural Properties of BiZn0.5Ti0.5O3

    Kaoru Miura, Makoto Kubota, Masaki Azuma, Hiroshi Funakubo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   48 ( 9 )   09KF05-1-4   2009年9月

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  • KNbO_3エピタキシャル膜の製膜と圧電特性の評価

    石河 睦生, 榮西 弘, 長谷川 智仁, 矢澤 慶裕, 安井 伸太郎, 山田 智明, 黒澤 実, 森田 剛, 舟窪 浩

    電子情報通信学会技術研究報告. US, 超音波   109 ( 135 )   11 - 13   2009年7月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    スパッタリング法を用いて、絶縁体であるSrTiO_3基板上に導電性酸化物であるSrRuO_3結晶膜を製膜し、SrRuO_3上に水熱合成法を用いてKNbO_3圧電結晶膜を16μmの厚さでエピタキシャル成長させた。スパッタリング法では基板温度を400度に加熱し、水熱合成法ではオートクレーブを240度に加熱して製膜を行った。得られたKNbO_3//SrRuO_3//SrTiO_3上に直径100μm及び200μmのPt電極を電子線ビーム蒸着法により製膜し、誘電特性および圧電定数め測定を行った。分極値の測定結果から、分極-電界ヒステリシスカーブが観察され、良好な強誘電体としての特性を有していることが分かった。また、振動変位の測定結果から、良好かつ明確な電圧-変位バタフライループが確認された。以上の結果から、製膜したPt/KNbO_3//SR SrRuO_3//SrTiO_3の圧電定数は86pm/V,抗電界は45kV/cm,残留分極値は20μC/cm^2と、圧電薄膜として非常に優れる値を示し、超音波トランスデューサ材料として有望であることが分かった。

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  • Combinatorial preparation process of Pb(Zr1-xTix)O-3 thin films by chemical solution deposition method

    Gang He, Takashi Iijima, Hiroshi Funakubo

    JOURNAL OF THE CERAMIC SOCIETY OF JAPAN   117 ( 1365 )   698 - 702   2009年5月

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  • 巨大圧電性を目指したPb(Zr,Ti)O3単結晶膜の作製

    舟窪浩, 藤澤隆志, 山田智明, 石河睦夫

    自動車技術   63 ( 4 )   94-95 - 95   2009年4月

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)  

    CiNii Books

    CiNii Research

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  • Influence of Pb and La Contents on the Lattice Configuration of La-Substituted Pb(Zr,Ti)O-3 Films Fabricated. by CSD Method 国際誌

    Hiromi Shima, Ken Nishida, Hiroshi Funakubo, Takashi Iijima, Takashi Katoda, Hiroshi Naganuma, Soichiro Okamura

    IEEE TRANSACTIONS ON ULTRASONICS FERROELECTRICS AND FREQUENCY CONTROL   56 ( 4 )   687 - 692   2009年4月

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  • Impact of 90 degrees-Domain Wall Motion in Pb(Zr0.43Ti0.57)O-3 Film on the Ferroelectricity Induced by an Applied Electric Field

    Hitoshi Morioka, Keisuke Saito, Hiroshi Nakaki, Rikyu Ikariyama, Toshiyuki Kurosawa, Hiroshi Funakubo

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   2 ( 4 )   041401-1 -3   2009年4月

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  • Low-Temperature Preparation of (111)-oriented Pb(Zr,Ti)O-3 Films Using Lattice-Matched (111)SrRuO3/Pt Bottom Electrode by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition

    Hiroki Kuwabara, Akihiro Sumi, Shoji Okamoto, Hiromasa Hoko, Jeffrey S. Cross, Hiroshi Funakubo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   48 ( 4 )   04C067-1-4   2009年4月

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  • Crystal structure and electrical property comparisons of epitaxial Pb(Zr,Ti)O-3 thick films grown on (100)CaF2 and (100)SrTiO3 substrates

    Takashi Fujisawa, Hiroshi Nakaki, Rikyu Ikariyama, Tomoaki Yamada, Mutsuo Ishikawa, Hitoshi Morioka, Hiroshi Funakubo

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   105 ( 6 )   061614-1-5   2009年3月

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  • Effect of bottom electrode on dielectric property of sputtered-(Ba,Sr)TiO3 films

    Shinichi Ito, Tomoaki Yamada, Kenji Takahashi, Shoji Okamoto, Takafumi Kamo, Hiroshi Funakubo, Ivoyl Koutsaroff, Marina Zelner, Andrew Cervin-Lawry

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   105 ( 6 )   061606-1-4   2009年3月

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  • Composition control and thickness dependence of {100}-oriented epitaxial BiCoO3-BiFeO3 films grown by metalorganic chemical vapor deposition

    Shintaro Yasui, Mitsumasa Nakajima, Hiroshi Naganuma, Soichiro Okamura, Ken Nishida, Takashi Yamamoto, Takashi Iijima, Masaki Azuma, Hitoshi Morioka, Keisuke Saito, Mutsuo Ishikawa, Tomoaki Yamada, Hiroshi Funakubo

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   105 ( 6 )   061620-1-5   2009年3月

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  • プラズマプロセスを用いた溶液気化MOCVD法によるSrBi_2Ta_2O_9薄膜の作製

    神保 武人, 佐野 春行, 舟窪 浩, 徳光 永輔, 石原 宏

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス   98 ( 591 )   7 - 12   2009年2月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    Sr及びTaのダブルアルコラートを原料に用いて溶液気化MOCVD法によりSrBi_2Ta_2O_9強誘電体薄膜を作製した。成膜温度、反応室圧力等の成膜条件を変化させ薄膜の組成制御を行い、400℃で成膜後、酸素雰囲気中750℃でポストアニールすることにより、強誘電性を有するSrBi_2Ta_2O_9薄膜を作製することができた。この時の残留分極、抗電界は2.0μC/cm^2、45kV/cmであった。また、成膜中にRFプラズマを印加して成膜温度の低温化を試みたが、sr/Ta比が化学量論組成に近づく400℃では結晶化は困難であった。そこで400℃で成膜後、酸素プラズマ中でアニールすることにより結晶化温度の低温化を試みた。RF出力150W、650℃の酸素プラズマアニールにより、強誘電性を有するSrBi_2Ta_2O_9薄膜を作製することができた。作製した膜の残留分極、抗電界は1.5μC/cm^2、45kV/cmであった。

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  • Domain structure of (100)/(001)-oriented epitaxial PbTiO3 thick films with various volume fraction of (001) orientation grown by metal organic chemical vapor deposition

    Satoru Utsugi, Takashi Fujisawa, Rikyu Ikariyama, Shintaro Yasui, Hiroshi Nakaki, Tomoaki Yamada, Mutsuo Ishikawa, Masaaki Matsushima, Hitoshi Morioka, Hiroshi Funakubo

    APPLIED PHYSICS LETTERS   94 ( 5 )   1 - 3   2009年2月

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  • Fabrication of conductive oxide polycrystalline BaPbO3 films by chemical solution deposition and their electrical resistivity

    Hiroshi Naganuma, Kayoko Yamada, Hiromi Shima, Kensuke Akiyama, Takashi Iijima, Hiroshi Funakubo, Soichiro Okamura

    JOURNAL OF ELECTROCERAMICS   22 ( 1-3 )   78 - 81   2009年2月

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  • MOCVD法によるBiFeO3基薄膜の合成と評価 (特集 マルチフェロイクス材料の作製と応用(1))

    舟窪 浩, 安井 伸太郎, 山田 智明

    マテリアルインテグレ-ション   22 ( 2 )   25 - 31   2009年2月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:ティー・アイ・シィー  

    CiNii Books

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  • Deposition of undoped indium oxide thin films on stripe-patterned substrates by spray CVD

    T. Kondo, H. Funakubo, K. Akiyama, H. Enta, Y. Seki, M. H. Wang, T. Uchida, Y. Sawada

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   311 ( 3 )   642 - 646   2009年1月

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  • Strain-relaxed structure in (001)/(100)-oriented epitaxial Pb(Zr, Ti)O-3 films grown on (100) SrTiO3 substrates by metal organic chemical vapor deposition

    Hiroshi Nakaki, Yong Kwan Kim, Shintaro Yokoyama, Rikyu Ikariyama, Hiroshi Funakubo, Ken Nishida, Keisuke Saito, Hitoshi Morioka, Osami Sakata, Hee Han, Sunggi Baik

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   105 ( 1 )   1 - 5   2009年1月

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  • 放射光X線回折を用いたエピタキシャル酸化物薄膜の圧電特性の解析

    安井伸太郎, 藤澤隆志, 加茂嵩史, 中島光雅, 宇津木覚, 矢澤慶祐, 山田智明, 森岡仁, 森岡仁, 西田謙, 山本孝, 坂田修身, 坂田修身, 舟窪浩

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集   56th ( 2 )   2009年

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  • Effects of Substrate Clamping on Electrical Properties of Polycrystalline Piezoelectric Films

    Tetsu Miyoshi, Mitsumasa Nakajima, Hiroshi Funakubo

    Jpn. J.Appl. Phys.   48 ( 55 )   09KD09-1-6 - 84   2009年

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    記述言語:英語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    基板上の圧電膜の性能がバルク圧電体に劣る原因としては、「基板と膜との反応」や「基板からの拘束」等が考えられるが、YSZのような高耐熱基板を用いた場合においては、純粋に基板拘束のみが圧電性能に影響すると考えられる。そこで本研究では、「バルク」と「膜」を両方作製可能なエアロゾルデポジション法(AD法)に着目し、バルク圧電体とYSZ基板上に作製した圧電膜との比較実験を行うことで、純粋に基板拘束が多結晶圧電膜の電気特性に及ぼす影響を調査した。

    DOI: 10.1143/JJAP.48.09KD09

    CiNii Books

    CiNii Research

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    その他リンク: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I10883304

  • Piezoelectric Properties of {100}-Oriented Epitaxial BiCoO3窶釘iFeO3 Films Measured Using Synchrotron X-ray Diffraction

    Shintaro Yasui, Osami Sakata, Mitsumasa Nakajima, Satoru Utsugi, Keisuke Yazawa, Tomoaki Yamada, Hiroshi Funakubo

    Jpn. J. Appl.Phys.   48   09KD06-1-4   2009年

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  • Raman Spectroscopy Evaluation of Oxygen Vacancy Migration by Electrical Field in Multilayer Ceramic Capacitors

    Ken Nishida, Hiroshi Kishi, Minoru Osada, Hiroshi Funakubo, Masamichi Nishide, Hironari Takeuchi, Takashi Katoda, Takashi Yamamoto

    Jpn. J.Appl. Phys.   48   09KF11-1-4   2009年

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  • Electronic and Structural Properties of BiZn0:5Ti0:5O3

    Kaoru Miura, Makoto Kubota, Masaki Azuma, Hiroshi Funakubo

    Jpn. J. Appl. Phys.   48   09KF05-1-4   2009年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1143/JJAP.48.09KF05

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  • Characteristics of Undoped and Mn-Doped BiFeO3 Films Formed on Pt and SrRuO3/Pt Electrodes by Radio-Frequency Sputtering

    Jeong Hwan Kim, Hiroshi Funakubo, Yoshihiro Sugiyama, Hiroshi Ishiwara

    Jpn. J.Appl. Phys.   48   09KB02-1-4   2009年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1143/JJAP.48.09KB02

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  • Growth of Epitaxial KNbO3 Thick Films by Hydrothermal Method and Their Characterization

    Mutsuo Ishikawa, Keisuke Yazawa, Takashi Fujisawa, Shintaro Yasui, Tomoaki Yamada, Tomohito Hasegawa, Takeshi Morita, Minoru Kurosawa, Hiroshi Funakubo

    Jpn. J. Appl. Phys.   48   09KA14-1-4   2009年

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  • Ligand Structure Effect on A Divalent Ruthenium Precursor for MOCVD

    Kazuhisa Kawano, Hiroaki Kosuge, Noriaki Oshima, Tadashi Arii, Yutaka Sawada, Hiroshi Funakubo

    Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   1155   1155-C09-11   2009年

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  • Composition dependency of epitaxial Pb(Zr,Ti)O3 films with different film thickness

    Shintaro Yokoyama, Hiroshi Funakubo, Hitoshi Morioka, Keisuke Saito, Tomoaki Yamada, Mutsuo Ishikawa

    Ferroelectrics   389 ( 1 )   10 - 17   2009年

  • Growth of Epitaxial KNbO3 Thick Films by Hydrothermal Method and Their Characterization

    M. Ishikawa, K. Yazawa, S. Yasui, T. Fujisawa, T. Hasegawa, T. Yamada, T. Morita, M. Kurosawa, H. Funakubo

    Jpn. J. Appl. Phys.   48 ( 9 )   09KA14-1 -09KA14-5   2009年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1143/JJAP.48.09KA14

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  • Electronic and structure propeties of BaTiO3: Propsal about the role of Ti3s and 3p states for ferroelectricity

    Kaoru Miura, Tatsuo Furuta, Hiroshi Funakubo

    Solid State Commun.   150   205 - 208   2009年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1016/j.ssc.2009.10.037

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  • Growth of Epitaxial Pb(Zr,Ti)O-3 Thick Films on (100)CaF2 Substrates with Perfect Polar-axis-orientation and Their Electrical and Mechanical Property Characterization

    Takashi Fujisawa, Hiroshi Nakaki, Rikyu Ikariyama, Mitsumasa Nakajima, Tomoaki Yamada, Mutsuo Ishikawa, Hitoshi Morioka, Takashi Iijima, Hiroshi Funakubo

    MATERIALS AND DEVICES FOR SMART SYSTEMS III   1129   39 - 44   2009年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

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  • Crystal Structure and Electrical Property Comparisons of Epitaxial Pb(Zr, Ti)O3 Thick Films Grown on (100)CaF2 and (100)SrTiO3 Substrates

    Takashi Fujisawa, Hiroshi Nakaki, Rikyu Ikariyama, Tomoaki Yamada, Mutsuo Ishikawa, Hiroshi Funakubo, Hitoshi Morioka

    J.Appl.Phys.   105   061614-1-5   2009年

     詳細を見る

  • Combinatorial Preparation Process of Pb(Zr1-xTix)O3 Thin Films by Chemical Solution Deposition Methods

    Gang He, Takashi Iijima, Hiroshi Funakubo

    J. Ceram. Soc. Jpn.   117 ( 5 )   698 - 702   2009年

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    DOI: 10.2109/jcersj2.117.698

    researchmap

  • Low Temperature Preparation of (111)-oriented Pb(Zr, Ti)O3 Films Using Lattice 窶骭€ matched (111)SrRuO3/Pt Bottom Electrode by Metal Organic Chemical Vapor Deposition

    Hiroki Kuwabara, Akihiro Sumi, Shoji Okamoto, Hiromasa Hoko, Jeffrey S. Cross, Hiroshi Funakubo

    Jpn. J. Appl. Phys.   48 ( 4 )   04C067-1-4   2009年

     詳細を見る

  • Effect of bottom electrode on dielectric property of sputtered-(Ba,Sr) TiO3 films

    Shinichi Ito, Tomoaki Yamada, Kenji Takahashi, Shoji Okamoto, Takafumi Kamo, Hiroshi Funakubo, Ivoyl Koutsaroff, Marina Zelner, Andrew Cervin-Lawry

    J.Appl.Phys.   105   061606-1-4   2009年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1063/1.3058998

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  • Preparation of (001)-Oriented CaBi4Ti4O15 and SrBi4Ti4O15 Films Using LaNiO3 Nucleation Layer on Pt-passivated Si Wafer

    Yuki Mizutani, Hiroshi Uchida, Hiroshi Funakubo, Seiichiro Koda

    Jpn. J. Appl. Phys.   48   09KA10-1-4   2009年

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  • Effect of film thickness on ferroelectric domain structure and properties of Pb(Zr_<0.35>Ti_<0.65>)O_3/SrRuO_3/SrTiO_3 heterostructures 査読

    舟窪 浩

    J.Mater.Sci. 44   44   5318 - 5324   2009年

  • The Effect of Precursor Ligands on the Deposition Characteristics of Ru Films by MOCVD

    Kazuhisa Kawano, Hiroaki Kosuge, Noriaki Oshima, Hiroshi Funakubo

    Electrochem. Solid-State Lett.   12 ( 10 )   D80-D83   2009年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1149/1.3191715

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  • Electric-Field-Induced Transverse Displacement in Pt/Pb(Zr,Ti)O3 Film/Pt/Si Structure

    Takashi Yamamoto, Mitsutaka Yamamoto, Ken Nishida, Hiroshi Funakubo, Takashi Iijima, Toru Aiso, Yasuko Ichikawa

    Jpn. J. Appl. Phys.   48   09KA04-1-4   2009年

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  • Orientation controlled deposition of Pb(Zr,Ti)O3 films using micron-size patterned SrRuO3 buffer layer

    Ken Nishida, Takashi Yamamoto, Minoru Osada, Osami Sakata, Shigeru Kimura, Keisuke Saito, Masamichi Nishide, Takashi Katoda, Shintaro Yokoyama, Hiroshi Funakubo

    J. Mater.Sci.   44   5339 - 5344   2009年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1007/s10853-009-3683-5

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  • Effect of the Annealing Temperature on Dielectric Properties of Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7 Films Prepared by MOCVD

    Hiroshi Funakubo, Shingo Okaura, Muneyasu Suzuki, Hiroshi Uchida, Seiichiro Koda

    ELECTROCERAMICS IN JAPAN XI   388   175 - +   2009年

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  • Growth of epitaxial KNbO3 thick films by hydrothermal method and their characterization

    Mutsuo Ishikawa, Keisuke Yazawa, Takashi Fujisawa, Shintaro Yasui, Tomoaki Yamada, Tomohito Hasegawa, Takeshi Morita, Minoru Kurosawa, Hiroshi Funakubo

    Japanese Journal of Applied Physics   48 ( 9 )   09 - KA145   2009年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1143/JJAP.48.09KA14

    Scopus

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  • Deposition of undoped indium oxide thin films on stripe-patterned substrates by spray CVD

    T.Kondo, H.Funakubo, K.Akiyama, H.Enta, Y.Seki, M.H.Wang, T.Uchida, Y.Sawada

    J. Crystal Growth   311   642 - 646   2009年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2008.09.043

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  • Strain-relaxed structure in (001)/(100)-oriented epitaxial Pb(Zr,Ti)O3 films grown on (100) SrTiO3 substrates by metal organic chemical vapor deposition

    Hiroshi Nakaki, Yong Kwan Kim, Shintaro Yokoyama, Rikyu Ikariyama, Hiroshi Funakubo, Ken Nishida, Keisuke Saito, Hitoshi Morioka, Osami Sakata, Hee Han, Sunggi Baik

    J. Appl. Phys.   105 ( 014107 )   1 - 5   2009年

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  • Influence of Pb and La Contents on the Lattice Configuration of La-Substituted Pb(Zr,Ti)O3 Films Fablicated by CSD Method

    Hiromi Shima, Ken Nishida, Hiroshi Funakubo, Takashi Iijima, Takashi Katoda, Hiroshi Naganuma, Souichiro Okamura

    IEEE Trans. Urtla, Ferro. Freq. Control   56 ( 4 )   687 - 692   2009年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1109/TUFFC.2009.1091

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  • Composition control and thickness dependence of {100}-oriented epitaxial BiCoO3-BiFeO3 films grown by metalorganic chemical vapor deposition

    Shintaro Yasui, Mitsumasa Nakajima, Hiroshi Naganuma, Soichiro Okamura, Ken Nishida, Takashi Yamamoto, Takashi Iijima, Masaki Azuma, Hitoshi Morioka, Keisuke Saito, Mutsuo Ishikawa, Tomoaki Yamada, Hiroshi Funakubo

    J.Appl.Phys.   105   061620-1-5   2009年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1063/1.3073824

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  • Fabrication of conductive oxide polycrystalline BaPbO3 films by chemical solution deposition and their electrical resistivity

    Hiroshi Naganuma, Kayoko Yamada, Hiromi Shima, Kensuke Akiyama, Takashi Iijima, Hiroshi Funakubo, SoichiroOkamura

    J Electroceram   22   78 - 81   2009年

  • Growth of Epitaxial Potassium Niobate Film on (100)SrRuO3/(100)SrTiO3 by Hydrothermal Method and their Electromechanical Properties

    Mutsuo Ishikawa, Shintaro Yasui, Satoru Utsugi, Takashi Fujisawa, Tomoaki Yamada, Takeshi Morita, Minoru Kurosawa, Hiroshi Funakubo

    MICROELECTROMECHANCIAL SYSTEMS - MATERIALS AND DEVICES II   1139 ( 1139-GG03-52 )   187 - 192   2009年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

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  • Impact of 90o Domain Wall Motion in Pb(Zr0:43Ti0:57)O3 Film on the Ferroelectricity Induced by an Applied Electric Field

    Hitoshi Morioka, Keisuke Saito, Hiroshi Nakaki, Rikyu Ikariyama, Toshiyuki Kurosawa, Hiroshi Funakubo

    Applied Physics Express 2   041401-1 -3   2009年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1143/APEX.2.041401

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  • Good conformability of indium-tin-oxide thin films prepared by spray chemical vapor deposition

    Takeshi Kondo, Yutaka Sawada, Hiroshi. Funakubo, Kensuke Akiyama, Takanori Kiguchi, Meihan Wang Wang, Takayuki Uchida

    Electrochem. Solid-State Lett.   12 ( 5 )   D42-D44   2009年

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  • CaF2基板上への(001),(101),(111)配向エピタキシャルPb(Zr0.35,Ti0.65)O3膜の作製と評価

    宇津木覚, 藤澤隆志, 江原祥隆, 安井伸太郎, 森岡仁, 森岡仁, 石河睦生, 山田智明, 飯島高志, 舟窪浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   70th ( 2 )   2009年

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  • CaF2基板上に作製したPbTiO3膜で観察される巨大強誘電性

    舟窪 浩, 宇津木 覚, 藤澤 隆志, 安井 伸太郎, 森岡 仁, 石河 睦生, 松島 正明, 山田 智明

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2009 ( 0 )   2L17 - 2L17   2009年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    強誘電性の発現はドメインの反転が出来るかにかかっており、そのためには、電極と強誘電体の界面の構造やドメイン壁の構造が大きく影響すると考えられる。本研究では、PbTiO3を作製する際に、熱歪の少ないCaF2を用いることで、広い膜厚範囲で大きな強誘電性の発現に成功したので報告する。

    DOI: 10.14853/pcersj.2009F.0.2L17.0

    CiNii Research

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  • Bi(Zn1/2Ti1/2)O3基強誘電体エピタキシャル膜の作製と評価

    舟窪 浩, 矢澤 慶祐, 安井 伸太郎, 松島 正明, 内田 寛

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2009 ( 0 )   1A19 - 1A19   2009年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    Bi(Zn1/2Ti1/2)O3は大きな強誘電体c/a比を有する正方晶強誘電体として知られており、これを母材とした強誘電体や圧電体は、大きな残留分極や圧電性が期待できる。本件旧では、BiFeO3との固溶体膜を作製し、その結晶構造および特性評価を行ったので、報告する。

    DOI: 10.14853/pcersj.2009F.0.1A19.0

    CiNii Research

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  • Composition dependency of epitaxial Pb(Zr, Ti)O_3 films with different film thickness

    舟窪 浩, 山田 智明

    Ferroelectrics 389(1)   389 ( 1 )   10 - 17   2009年

  • The Effect of Precursor Ligands on the Deposition Characteristics of Ru Films by MOCVD

    Kazuhisa Kawano, Hiroaki Kosuge, Noriaki Oshima, Hiroshi Funakubo

    ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS   12 ( 10 )   D80 - D83   2009年

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  • Ligand Structure Effect on A Divalent Ruthenium Precursor for MOCVD

    Kazuhisa Kawano, Hiroaki Kosuge, Noriaki Oshima, Tadashi Arii, Yutaka Sawada, Hiroshi Funakubo

    Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   1155   1155-C09-11   2009年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1557/proc-1155-c09-11

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  • Strain-relaxed structure in(001)/(100)-oriented epitaxial Pb(Zr, Ti) O_3 films grown on(100) SrTiO_3 substrates by metal organic chemical vapor deposition

    舟窪 浩

    J. Appl. Phys.   105 ( 014107 )   1 - 5   2009年

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  • Good Conformability of Indium-Tin Oxide Thin Films Prepared by Spray Chemical Vapor Deposition

    Takeshi Kondo, Yutaka Sawada, Hiroshi Funakubo, Kensuke Akiyama, Takanori Kiguchi, Meihan Wang, Takayuki Uchida

    ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS   12 ( 5 )   D42 - D44   2009年

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  • Bi(Zn1/2Ti1/2)O3基強誘電体エピタキシャル膜の作製と評価

    矢澤慶祐, 安井伸太郎, 松島正明, 内田寛, 岡村総一郎, 飯島高志, 舟窪浩

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集   56th ( 2 )   2009年

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  • 分極軸配向したジルコン酸チタン酸鉛厚膜の結晶構造と特性評価

    舟窪浩, 藤澤隆志, 山田智明, 石河睦生, 加茂嵩史, 中島光雅, 安井伸太郎, 森岡仁, 坂田修身, 坂田修身, 飯島高志

    日本金属学会講演概要   144th   2009年

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  • エピタキシャルPbTiO3膜のドメイン構造と電気特性の膜厚依存

    宇津木覚, 藤澤隆志, 安井伸太郎, 森岡仁, 森岡仁, 石河睦生, 山田智明, 舟窪浩

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集   56th ( 2 )   2009年

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  • 電場印加下でのその場X線回折用温度制御試料チャンバ

    坂田修身, 山田智明, 安井伸太郎, 中嶋誠二, 清水勝, 舟窪浩

    日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム予稿集   23rd   2009年

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  • 強誘電体薄膜の電歪決定法:ナノ秒オーダーの時分割シンクロトロン回折と電気分極のその場測定

    坂田修身, 安井伸太郎, 山田智明, 舟窪浩

    日本結晶学会年会講演要旨集   2009   2009年

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  • CaF2基板上に作製したエピタキシャルPb(Zr,Ti)O3厚膜の強誘電特性の組成依存

    江原祥隆, 宇津木覚, 中島光雅, 森岡仁, 森岡仁, 山田智明, 舟窪浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   70th ( 2 )   2009年

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  • 多結晶BiFeO3薄膜における電界誘起歪の時分割X線回折測定

    中嶋誠二, 坂田修身, 坂田修身, PARK J.M., 後藤田文也, 金島岳, 舟窪浩, 奥山雅則

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集   56th ( 2 )   2009年

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  • 巨大正方晶歪みを有するBi(Zn1/2Ti1/2)O3-BiFeO3エピタキシャル膜の作製と評価

    矢澤慶祐, 安井伸太郎, 松島正明, 内田寛, 飯島高志, 山田智明, 舟窪浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   70th ( 2 )   2009年

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  • 強誘電体薄膜の電歪決定のためのナノ秒時分割X線回折

    坂田修身, 坂田修身, 矢橋牧名, 春木理恵, 春木理恵, 木村滋, 安井伸太郎, 舟窪浩

    日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム予稿集   22nd   2009年

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  • エピタキシャルPb(Zr,Ti)O3膜のドメイン構造と電気特性の膜厚依存

    宇津木覚, 藤澤隆志, 安井伸太郎, 森岡仁, 森岡仁, 石河睦生, 山田智明, 舟窪浩

    セラミックス基礎科学討論会講演要旨集   47th   2009年

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  • MOCVD法で作成したエピタキシャルBiFeO3-BiCoO3薄膜の電気特性の結晶方位依存性

    安井伸太郎, 矢澤慶祐, 森岡仁, 森岡仁, 内田寛, 岡村総一郎, 飯島高志, 山田智明, 舟窪浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   70th ( 2 )   2009年

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  • エピタキシャル(Ba,Sr)TiO3薄膜における残留歪みの配向依存性とその誘電特性

    山田 智明, 加茂 嵩史, 舟窪 浩

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2009F   2E23 - 2E23   2009年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    (Ba,Sr)TiO3は、その高い誘電率や低い誘電損失、誘電率の大きな電界依存性(チューナビリティ)等により、DRAMや可変容量素子への薄膜応用が期待されている。しかし従来の研究から、(Ba,Sr)TiO3薄膜の残留歪みがその誘電応答に大きな影響を与える事がよく知られている。例えばHaeniらは、常誘電体であるSrTiO3の(100)エピタキシャル薄膜に面内圧縮歪みを印加すると、室温で強誘電性が発現することを報告しており、これらの現象は理論的にも示されている。
    一方で、従来の研究のほとんどは多結晶膜か(100)配向膜で議論されており、歪みと誘電特性の配向依存性についてはこれまでほとんど報告されていない。本研究では、(100)配向および(111)配向を有するエピタキシャル(Ba,Sr)TiO3薄膜を同じ格子ミスマッチを持つ基板上に成長させ、その歪み緩和過程、および残留歪みの誘電特性への影響を調べた。その結果、(100)エピタキシャル薄膜では、残留歪みにより強誘電体相転移温度が150K以上上昇したのに対し、(111)エピタキシャル薄膜では成長中の歪み緩和過程が非常に速く、強誘電体相転移温度に大きな変化はみられなかった。

    DOI: 10.14853/pcersj.2009f.0.2e23.0

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  • 酸化物薄膜におけるナノ歪み場の幾何学的位相解析

    木口 賢紀, 青柳 健大, 今野 豊彦, 脇谷 尚樹, 篠崎 和夫, 宇津木 悟, 山田 智明, 舟窪 浩

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2009F   2E01 - 2E01   2009年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    薄膜における残留歪みや残留応力は物性や構造に大きな影響を及ぼすため、その評価が重要であり、従来XRDやラマン分光法が用いられてきた。しかし、得られるのはmm-μmといったマクロからミクロの領域における平均的な情報である。一方、ナノ領域の歪みの定量解析法としてはCBED法による手法が確立されているが、複雑な解析や種々の分析上の困難を伴う。これに対し、近年画像の空間周波数の局所的変調を解析する幾何学的位相解析(GPA)が注目されている[1]。本研究では、収差や干渉の影響の小さい収差補正TEM法並びにHAADF-STEM法で撮影した高分解能像にGPAを行い酸化物薄膜中に存在する歪み場と格子欠陥・界面との関係について得られた知見について報告する。

    DOI: 10.14853/pcersj.2009f.0.2e01.0

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  • Ba‐Cu‐Mg‐Nb系ペロブスカイト型酸化物焼結体の作製

    上村 佑輔, 李 鳳淵, 矢澤 慶祐, 舟窪 浩, 飯島 高志, 内田 寛

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2009F   1PA24 - 1PA24   2009年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    新規のBa系ペロブスカイト型酸化物固溶体Ba(Cu1/3Nb2/3)O3-Ba(Mg1/3Nb2/3)O3の焼結体を作製した。 (CH3COO)2Ba, Mg(O・C2H5)2, Cu(O・CH3)2およびNb(O・C2H5)5を出発原料としてBa(Cux/3Mg(1-x)/3Nb2/3)O3x = 0 - 1.0)粉体試料を合成したのち、それを成形および焼成することで焼結体を得た。バインダー利用による成形および目的化合物の熱分解反応の抑制をすることで、最終的に相対密度98%以上の緻密な焼結体の作製に成功した。

    DOI: 10.14853/pcersj.2009f.0.1pa24.0

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  • Si基板上における(001)高配向性(Ca,Sr)Bi4Ti4O15薄膜の作製

    水谷 佑樹, 内田 寛, 舟窪 浩, 幸田 清一郎

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2009S   5 - 5   2009年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    SrBi4Ti4O15およびCaBi4Ti4O15は、優れた誘電特性を有するビスマス層状構造誘電体(BLSD)であり、新規キャパシタ用材料の有力な候補として注目されている。本研究では電子デバイスとしての実用を念頭に置き、より汎用性の高い化学溶液法プロセスによって、単結晶Si基板上に高い結晶配向性を有するSrBi4Ti4O15およびCaBi4Ti4O15薄膜を作製するための手法を検討し、それらの電気特性を評価した。作製したBLSD薄膜は001方向に強い選択配向性を示し、これら(001)配向性SrBi4Ti4O15およびCaBi4Ti4O15薄膜の室温での比誘電率はそれぞれ240および250程度であった。各薄膜の静電容量は測定温度領域内(室温~200℃)で緩やかな上昇を示したが、その変化量は5%程度の小さな値であった。

    DOI: 10.14853/pcersj.2009s.0.5.0

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  • マイクロX線ビームを用いたPX相Pb-Ti-O単結晶ナノワイヤの構造解析

    山田 智明, Wang Jin, Sandu Cosmin, He Zhanbing, Setter Nava, 坂田 修身, 加茂 嵩史, 舟窪 浩

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2009S   169 - 169   2009年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    ペロブスカイト構造を有する強誘電体は、優れた圧電特性を示す事で知られている。これらの針状結晶(ナノワイヤ)は究極の小型圧電材料として使用できる可能性があるが、代表的な強誘電体PbTiO3は、水熱合成法でナノワイヤの作製を行うと、ペロブスカイト構造ではなくPXと呼ばれる別の構造が生成することが報告されている。本研究では、高輝度のX線を用いることによりナノワイヤの配向性を検討するとともに、X線をマイクロメーターサイズに集光する事で単一のナノワイヤにおける格子定数の測定を行った。その結果、ナノワイヤの長手方向が[001]軸である事、(100)および(010)面間隔は同一であり単位格子は正方晶である事が確認された。

    DOI: 10.14853/pcersj.2009s.0.169.0

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  • 自己組織化を利用したBaTiO3-CeO2配向ナノコンポジット薄膜の作製とそのチューナブル誘電特性

    山田 智明, Sandu Cosmin, Gureev Maxim, Tagantsev Alexander, Setter Nava, 舟窪 浩

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2009F   2A20 - 2A20   2009年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    近年、電圧印加により誘電率が変化する「チューナブル特性」を示す強誘電体が注目されているが、薄膜キャパシタにおけるインピーダンスマッチングなどの観点から、より低い誘電率を持つチューナブル材料の開発が期待されている。しかし、強誘電体の大きなチューナビリティの本質はその高い誘電率がもたらす特性であり、強誘電体において上記の実現は本質的に困難である。
    そこで我々は、強誘電体に低誘電率材料を加えた配向コンポジット構造の可能性に注目した。配向コンポジットの場合、各相の精密な位置決めよりも均一に配向分散していることが重要であるため、簡便なボトムアップ手法が好ましい。本研究では、パターニングのいらないボトムアップ手法として、BaTiO3とCeO2の自己組織化を利用した配向ナノコンポジット薄膜を作製し、その誘電応答をモデルと比較した。その結果、CeO2の増加に伴ってコンポジットの配向様式が大きく変化し、CeO2体積割合が大きな領域では、初期成長核のファセット面を起点として、基板に対して40-60º傾斜した構造が得られることが明らかになった。得られたコンポジット薄膜は、CeO2の存在により誘電率が大きく減少し、かつBaTiO3相の基板垂直成分によって大きなチューナブル特性を示した。非線形定数は、代表的なチューナブル強誘電体(Ba,Sr)TiO3のそれに比べ最大で25倍まで上昇し、モデルとも一致した。

    DOI: 10.14853/pcersj.2009f.0.2a20.0

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  • ペロブスカイト型酸化物バッファー層を用いたc軸配向性(Ca,Sr)Bi4Ti4O15誘電体薄膜の選択配向成長

    水谷 佑樹, 内田 寛, 舟窪 浩, 幸田 清一郎

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2009F   1PE04 - 1PE04   2009年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    SrRuO3およびLaNiO3をバッファー層として利用して、Pt/Si基板上にCaBi4Ti4O15およびSrBi4Ti4O15薄膜を選択配向成長させた。各薄膜を化学溶液法によって堆積した。X線回折測定の結果、バッファー層上に堆積したCaBi4Ti4O15およびSrBi4Ti4O15薄膜はビスマス層状構造ペロブスカイト相から成り、(00l)格子面が基板面方位に選択的に配向していることがわかった。SrTiO3単結晶基板上でのエピタキシャル薄膜作製と同様、Pt/Si基板上においてもバッファー層の利用によりc軸配向性CaBi4Ti4O15およびSrBi4Ti4O15薄膜の作製に成功した。

    DOI: 10.14853/pcersj.2009f.0.1pe04.0

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  • (平成19年度学術受賞講演) MOCVD法を用いた誘電体薄膜の作製と物性に関する研究

    舟窪 浩

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2009S   154 - 154   2009年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    強誘電体や圧電体を含む誘電体の研究は、これまでの焼結体での応用に加えて、強誘電体メモリ(FeRAM)やマイクロマシンでのアクチュエータ(MEMS)等に代表される膜形状での応用も大きく広がりつつある。膜では基板を有効に用いることで結晶配向が実現できるといった焼結体とは異なる利点がある。我々は薄膜作製方法として、MOCVDを選択した。この作製方法は他の気相からの作製方法と比較して、
    a) 平衡状態に近い条件で製膜することから、欠陥の少ない高品質の膜を得られる。特に酸化物では高酸素分圧下で作製できるため、酸素欠陥を低減できる。
    b) 比較的低真空を用いることから、原料濃度が高くでき、高い成膜速度が達成でき、厚膜の作製が可能である。
    c) 基板上での化学反応による製膜であることから、複雑形状の基材への均一成膜が可能である。
    d) 原料ガス組成を制御することによって、広い組成範囲の膜作製ができる。
    といった多くの利点を有している。
    本講演ではこうした利点を用いた研究成果のいくつかについて紹介する。

    DOI: 10.14853/pcersj.2009s.0.154.0

    CiNii Research

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  • Property improvement of PLZT capacitor using CaRuO3 top electrode: The 27th electronics seminar ; マイクロデバイス用のペロブスカイト酸化物電極材料の取捨選択

    27   15 - 20   2008年11月

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  • 1J1-3 水熱合成法によるKNbO_3エピタキシャル膜の作製と特性評価(超音波物性・材料・フォノン物理)

    石河 睦生, 宇津木 覚, 藤澤 隆志, 安井 伸太郎, 山田 智明, 黒澤 実, 森田 剛, 舟窪 浩

    超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム講演論文集   29   5 - 6   2008年11月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム運営委員会  

    High quality epitaxial KNbO_3 films were successfully grown on (100)SrRuO_3//(100)SrTiO_3 substrates by hydrothermal method. The KNbO_3 or KNbO_3-based materials are one of the promising lead-free piezoelectric materials as an environmental friendly material; however, the main interest in the KNbO_3-based piezoelectric materials have limited on bulk ceramics materials owing to the difficulty in thin or thick films preparation. Therefore the hydrothermal method has utilized for the growth of KNbO_3 films. Because, hydrothermal method has number of advantages for fabrication method of ultrasonic transducers; low deposition temperature, good conformability, high-purity deposition on a substrate. In this study, epitaxial SrRuO_3 film was used as bottom electrodes, which were grown on (100) SrTiO_3 substrate by sputter method. KNbO_3 films were prepared on (100) SrRrO_3//SrTiO_3 substrates at 210 ℃ by hydrothermal method. The KNbO_3 films were 7.5 μm thicknesses, and the K/Nb ratio measured by EDS was 50/50. The piezoelectric performance and material constants of the prepared KNbO_3 thick film were measured.

    DOI: 10.24492/use.29.0_5

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  • Dimensionality-Controlled Insulator-Metal Transition and Correlated Metallic State in 5d Transition Metal Oxides Srn+1IrnO3n+1 (n=1, 2, and infinity)

    S. J. Moon, H. Jin, K. W. Kim, W. S. Choi, Y. S. Lee, J. Yu, G. Cao, A. Sumi, H. Funakubo, C. Bernhard, T. W. Noh

    PHYSICAL REVIEW LETTERS   101 ( 22 )   1 - 4   2008年11月

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  • Bandwidth-Controlled Insulator-Metal Transition and Correlated Metallic State in 5dTransition Metal Oxides Srn+1IrnO3n+1 (n=1, 2, and∞)

    S.J. Moon, H. Jin, K.W. Kim, W.S. Choi, Y.S. Lee, J. Yu, G. Cao, A. Sumi, H. Funakubo, C. Bernhard, T.W. Noh

    Pys. Rev.Lett   101 ( 22 )   1 - 4   2008年11月

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  • 1 V saturated Pb(Zr, Ti)O-3 films with (111) orientation using lattice-matched (111)SrRuO3/(111)Pt bottom electrode prepared by pulsed metal organic chemical vapor deposition

    Hiroki Kuwabara, Nicolas Menou, Hiroshi Funakubo

    APPLIED PHYSICS LETTERS   93 ( 15 )   152901-1 - 3   2008年10月

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  • “1V - Saturated Pb(Zr, Ti)O3 films with (111) orientation using lattice-matched (111)SrRuO3/(111)Pt bottom electrode prepared by pulsed metal organic chemical vapor deposition”

    Hiroki Kuwabara, Nicolas Menou, Hiroshi Funakubo

    Appl.Phys.Lett   93 ( 15 )   152901-1 - 3   2008年10月

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  • “Langmuir-Blodgett Fabrication of Nanosheet-Based Dielectric Films without an Interfacial Dead Layer”

    Minoru Osada, Kosho Akatsuka, Yasuo Ebina, Yoshinori Kotani, Kanta Ono, Hiroshi Funakubo, Shigenori Ueda, Keisuke Kobayashi, Kazunori Takada, Takayoshi Sasaki

    Jpn. J. Appl. Phys.   47 ( 9 )   7556 - 7560   2008年9月

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  • “Annealing Temperature Dependences of Ferroelectric and Magnetic Propertiesin Polycrystalline Co-Substituted BiFeO3 Films”

    Hiroshi Naganuma, Jun Miura, Mitsumasa Nakajima, Hiromi Shima, Soichiro Okamura, Shintaro Yasui, Hiroshi Funakubo, Ken Nishida, Takashi Iijima, Masaki Azuma, Yasuo Ando, Kenji Kamishima, Koichi Kakizaki, Nobuyuki Hiratsuka

    Jpn. J. Appl. Phys.   47 ( 9 )   7574 - 7578   2008年9月

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  • “Raman Spectroscopy Study of Oxygen Vacancies in PbTiO3 Thin Films Generated Heat-treated in Hydrogen Atmosphere”

    Ken Nishida, Minoru Osada, Hironari Takeuchi, Yoshiaki Ishimoto, Joe Sakai, Nobuaki Ito, Rikyu Ikariyama, Takafumi Kamo, Takashi Fujisawa, Hiroshi Funakubo, Takashi Kotoda, Takashi Yamamoto

    Jpn. J. Appl. Phys.   47 ( 9 )   7510 - 7513   2008年9月

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  • “In-Plane Lattice Strain Evaluation in Piezoelectric Microcantilever By Two-Dimentional X-Ray Diffraction”

    Hitoshi Morioka, Keisuke Saito, Takeshi Kobayashi, Toshiyuki Kurosawa, Hiroshi Funakubo

    Jpn. J. Appl. Phys.   47 ( 9 )   7537 - 7540   2008年9月

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  • “Crystal Structure and Electrical Properties of {100}-Oriented Epitaxial BiCoO3-BiFeO3 Films Grown By Metalorganic Chemical Vapor Deposition”

    Shintaro Yasui, Hiroshi Naganuma, Soichiro Okamura, Ken Nishida, Takashi Yamamoto, Takashi Iijima, Masaki Azuma, Hitoshi Morioka, Keisuke Saito, Mutsuo Ishikawa, Tomoaki Yamada, Hiroshi Funakubo

    Jpn. J. Appl. Phys.,   47 ( 9 )   7582 - 7585   2008年9月

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  • In-plane lattice strain evaluation in piezoelectric microcantilever by two-dimensional X-ray diffraction

    Hitoshi Morioka, Keisuke Saito, Takeshi Kobayashi, Toshiyuki Kurosawa, Hiroshi Funakubo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   47 ( 9 )   7537 - 7540   2008年9月

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  • Rhombohedral-tetragonal phase boundary with high curie temperature in (1-x)BiCoO3-xBiFeO(3) solid solution

    Masaki Azuma, Seiji Niitaka, Naoaki Hayashi, Kengo Oka, Mikio Takano, Hiroshi Funakubo, Yuichi Shimakawa

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   47 ( 9 )   7579 - 7581   2008年9月

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  • Experimental evidence of strain relaxed domain structure,in (100)/(001) oriented epitaxial lead titanate thick films grown by metalorganic the mical vapor deposition 査読

    舟窪 浩

    J. Appl. Phys 104   104 ( 6 )   064121-1 - 6   2008年9月

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  • Electrooptic and piezoelectric properties of (Pb,La)(Zr,Ti)O-3 films with various Zr/Ti ratios

    Hiromi Shima, Takashi Iijima, Hiroshi Funakubo, Takashi Nakajima, Hiroshi Naganuma, Soichiro Okamura

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   47 ( 9 )   7541 - 7544   2008年9月

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  • ペロブスカイト構造酸化物の薄膜化技術の最新動向

    舟窪 浩, 山田 智明

    セラミックス   43 ( 8 )   634 - 638   2008年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:日本セラミックス協会  

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  • Thick epitaxial Pb(Zr-0.35,Ti-0.65)O-3 films grown on (100)CaF2 substrates with polar-axis-orientation

    Takashi Fujisawa, Hiroshi Nakaki, Rikyu Ikariyama, Hitoshi Morioka, Tomoaki Yamada, Keisuke Saito, Hiroshi Funakubo

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   1 ( 8 )   085001-1-3   2008年8月

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  • “Step coverage study of indium-tin-oxide thin films by spray CVD on non-flat substrates at different temperatures”

    T. Kondo, Yutaka Sawada, Kensuke Akiyama, HIROSHI FUNAKUBO, TAKANORI KIGUCHI, S. Seki, M.H. Wang, T. Uchida

    Thin Solid Films,   516 ( 17 )   5864 - 5867   2008年7月

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  • “Supercell Structure on Continuous Growth of Bi2Sr2Ca1Cu2Ox Film”

    Satoru KANEKO, Kensuke AKIYAMA, Takeshi ITO, Yasuo HIRABAYASHI, Hiroshi FUNAKUBO, Mamoru YOSHIMOTO

    J. J. Appl. Phys.   47 ( 7 )   5602 - 5604   2008年7月

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  • “Low strain sensitivity of the dielectric property of pryrochlore Bi-Zn-Nb-O films”

    Hiroshi Funakubo, Shingo Okaura, Muneyau Suzuki, Hiroshi Uchida, Seiichiro Koda, Rikyu Ikariyama, Tomoaki Yamada

    Appl.Phys.Lett.   92 ( 18 )   182901-1 - 3   2008年5月

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  • Single domain epitaxial growth of yttria-stabilized zirconia on Si(111) substrate

    S. Kaneko, K. Akiyama, T. Ito, Y. Hirabayashi, S. Ohya, T. Oguni, Y. Sawada, H. Funakubo, M. Yoshimoto

    CERAMICS INTERNATIONAL   34 ( 4 )   1047 - 1050   2008年5月

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  • “Structural modulation in bismuth cuprate superconducting film with continuous epitaxial growth”

    Satoru Kaneko, Kensuke Akiyama, Takeshi Ito, Yoshitada Shimizu, Yasuo Hirabayashi, Seishiro Ohya, Hiroshi Funakubo, Mamoru Yoshimoto

    J. Crystal Growth,   310 ( 7-9 )   1713 - 1717   2008年4月

  • Enhancement of ferroelectric and magnetic properties in BiFeO(3) films by small amount of cobalt addition

    Hiroshi Naganuma, Nozomi Shimura, Jun Miura, Hiromi Shima, Shintaro Yasui, Ken Nishida, Takashi Katoda, Takashi Iijima, Hiroshi Funakubo, Soichiro Okamura

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   103 ( 7 )   07E314-1-3   2008年4月

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  • Epitaxial growth of (100) Fe3Si thin films on insulating substrates

    Kensuke Akiyama, Teiko Kadowaki, Satoru Kaneko, Azusa Kyoduka, Yutaka Sawada, Hiroshi Funakubo

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   310 ( 7-9 )   1703 - 1707   2008年4月

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  • “Preparation of (111)-Oriented SrRuO3/Pt Electrodes for Pb(Zr,Ti)O3-Based Ferroelectric Capacitors:Grain Size and Roughness Impact”

    Nicolas Menou, Hiroshi Funakubo

    Jpn. J. Appl. Phys.   47 ( 2 )   1003 - 1007   2008年2月

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  • Morphology of sol-gel produced composite films for optical oxygen sensors

    S. Anastasova, M. Milanova, E. Kashchieva, H. Funakubo, T. Kamo, N. Grozev, P. Stefanov, D. Todorovsk

    APPLIED SURFACE SCIENCE   254 ( 6 )   1545 - 1558   2008年1月

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  • “Epitaxial Growth of Ferromagnetic Iron Silicide Thin Films on Silicon with Yttria-Stabilized Zirconia Buffer Layer”

    Kensuke Akiyama, Satoru Kaneko, Teiko Kadowaki, Yasuo Hirabayashi, Hiroshi Funakubo

    Jpn. J. Appl. Phys.   47 ( 1 )   577 - 579   2008年1月

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  • “Effect of Strain on Supercell Structure of Bismuth Cuprate Superconducting Film”

    Satoru Kaneko, Kensuke Akiyama, Masahiko Mitsuhashi, Takeshi Ito, Masao Kumagai, Hiroshi Funakubo, Mamoru Yoshimoto

    Jpn. J. Appl. Phys.   47 ( 1 )   664 - 666   2008年1月

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  • “In situ gas-phase FTIR monitoring of liquid delivery MOCVD process for PZT film preparation”

    Hiroshi Funakubo, Gouji Asano, Kazuaki Tonari, Yukichi Takamatsu, Kunio Ohtsuki, Tsukasa Satake

    Chemical Engineering Journal,   135 ( 1-2 )   10 - 14   2008年1月

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  • 偏光ラマン分光法を用いた分極軸単一配向した正方晶PZT厚膜の評価

    中島光雅, 藤沢隆志, 加茂嵩史, 安井伸太郎, 長田実, 西田謙, 山本孝, 河東田隆, 永沼博, 岡村総一郎, 舟窪浩

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集   55th ( 2 )   2008年

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  • “Morphology of sol窶堵el produced composite films for optical oxygen sensors”

    S. Anastasova, M. Milanova, E. Kashchieva, HIROSHI FUNAKUBO, Takafumi Kamo, N. Grozev, P. Stefanov, D. Todorovsky

    Applied Surface Science,   254   1545窶骭€1558.   2008年

  • "Single domain epitaxial growth of yttria-stabilized zirconia on Si(111) substrate"

    S. Kaneko, K. Akiyama, T. Ito, Y. Hirabayashi, S. Ohya, T. Oguni, Y. Sawada, H. Funakubo, M. Yoshimoto

    Ceramics International   34 ( 4 )   1047 - 1050   2008年

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  • “In-Plane Rotated Crystal Structure in Continuous Growth of BismuthCuprate Superconducting Film”

    Satoru Kaneko, Kensuke Akiyama, Takeshi Ito, Yasuo Hirabayashi, Hiroshi Funakubo, Mamoru Yoshimoto

    Solid State Phenomena   139   53 - 58   2008年

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  • “Epitaxial growth of (1 0 0) Fe3Si thin films on insulating substrates”

    Kensuke Akiyama, Teiko Kadowaki, Satoru Kaneko, Azusa Kyoduka, Yutaka Sawada, Hiroshi Funakubo

    J. Crystal Growth   310   1703窶骭€1707   2008年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.076

    researchmap

  • “Temperature Dependency of Dielectric Properties in Epitaxially Grown SrBi4Ti4O15 Films with Different Orientation”

    HIROSHI FUNAKUBO, Muneyasu Suzuki, Kenji Takahashi, Takayuki Watanabe

    Key Engineering Materials   368-372   1811 - 1813   2008年

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  • Cubic-on-cubic growth of a MgO(001) thinfilm prepared on Si(001) substrate at lowambient pressure by the sputtering method

    Satoru Kaneko, HIROSHI FUNAKUBO, T. Kadowaki, Y. Hirabayashi, Kensuke Akiyama

    EPL   81   46001-1-5   2008年

  • Tin Oxide Thin Films Deposited by Spray CVD Using Ethanol Solution of Tin (II) Chloride

    Takeshi Kondo, Hiroshi Funakubo, Kensuke Akiyama, Meihan Wang, Takayuki Uchida, Yutaka Sawada

    Trans. Mater. Soc. Jpn.   33 ( 4 )   1363 - 1366   2008年

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    記述言語:英語  

    researchmap

  • Growth Mechanism of Indium-Tin-Oxide Transparent Conducting Films Prepared by Spray CVD

    Takeshi Kondo, Takeshi Aoyama, Chikako Kobayashi, Shigeyuki Seki, Takayuki Uchida, Yoshiyuki Seki, Hiroyuki Enta, Hiroshi Funakubo, Kouji Ninomiya, Aki Iwasawa, Riko Ozao, Toetsu Shishido, Yutaka Sawada

    J. Flux Growth,   3 ( 1 )   14 - 17   2008年

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    記述言語:英語  

    researchmap

  • “Rhombohedral-Tetragonal Phase Boundary with High Curie Temperature in (1-x) BiCoO3 窶骭€ xBiFeO3 Solid Solution”

    Masaki Azuma, Seiji Niitaka, Naoaki Hayashi, Kengo Oka, Mikio Takano, Hiroshi Funakubo, Yuichi Shimakawa

    Jpn. J. Appl. Phys.   47   7579 - 7581   2008年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1143/JJAP.47.7579

    researchmap

  • X-ray diffraction study of polycrystalline BiFeO3 thin film under electric field

    Seiji Nakashima, Osami Sakata, Yoshitaka Nakamura, Takeshi Kanashima, Hiroshi Funakubo, Masanori Okuyama

    Apply. Phy. Lett.   93 ( 4 )   042907-1-3   2008年

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  • Thick epitaxial Pb(Zr0.35,Ti0.65)O3 films grown on (100)CaF2 substrates with polar-axis-orientation

    Takashi Fujisawa, Hiroshi Nakaki, Rikyu Ikariyama, Hitoshi Morioka, Tomoaki Yamada, Keisuke Saito, Hiroshi Funakubo

    Apply. Phy. Express.   1   085001-1-3   2008年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1143/APEX.1.085001

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  • “In-situ observation of strain accumulation and relaxation in PbTiO3 film during thermal process using Raman spectroscopy”

    Ken Nishida, Hiroshi Funakubo, Takashi Yamamoto, Takashi Katoda

    Integ. Ferro.   99   23 - 30   2008年

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  • “Novel Highly Volatile MOCVD Precursors for Ta2O5 and Nb2O5 Thin Films”

    T. Yotsuya, H. Chiba, T. Furukawa, T. Yamamoto, K. Inaba, K. Tada, T. Suzuki, K. Fujimoto, H. Funakubo, T. Yamakawa, N. Oshima

    ECS Transactions, 16   16 ( 5 )   243 - +   2008年

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  • Experimental evidence of strain relaxed domain structure in (100)/(001)-oriented epitaxial lead titanate thick films grown by metalorganic chemical vapor deposition

    Hiroshi Nakaki, Yong Kwan Kim, Shintaro Yokoyama, Rikyu Ikariyama, Hiroshi Funakubo, S.K. Streiffer, Ken Nishida, Keisuke Saito, Alexei Gruverman

    J. Appl. Phys.   104   064121-1 - 6   2008年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1063/1.2981193

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  • “Electrooptic And Piezoelectric Properties Of (Pb,La)(Zr,Ti)O3 Filmswith Various Zr/Ti Ratios”

    Hiromi Shima, Takashi Iijima, Hiroshi Funakubo, Takashi Nakajima, Hiroshi Naganuma, Soichiro Okamura

    Jpn. J. Appl. Phys.   47   7541 - 7544   2008年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1143/JJAP.47.7541

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  • “Epitaxial Growth of Fe3Si Thin Films on (100) Magnesia Substrates”

    Kensuke Akiyama, Satoru Kaneko, Teiko Kadowaki, Yasuo Hirabayashi, Azusa Kyoduka, Yutaka Sawada, Yoshihiko Kobayashi, Kichizo Asai, Hiroshi Funakubo

    Mater. Res.Soc.Proc.   1032   1032-I14-10-1 - 1032-I14-10-5.   2008年

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  • “X-ray Analysis of Strain Relaxed Domain Structure in (100)/(001)-oriented epitaxial PbTiO3 thick films grown on (100)SrTiO3 substrates”

    Hiroshi Nakaki, Yong Kwan Kim, Shintaro Yokoyama, Rikyu Ikariyama, Hiroshi Funakubo, S. K. Streiffer, Ken Nishida, Keisuke Saito

    Mater. Res.Soc.Proc.   1034   1034-K10-35   2008年

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  • Enhancement of ferroelectric and magnetic properties in BiFeO3 films by small amount of cobalt addition

    Hiroshi Naganuma, Nozomi Shimura, Jun Miura, Hiromi Shima, Shintaro Yasui, Ken Nishida, Takashi Katoda, Takashi Iijima, Hiroshi Funakubo, Soichiro Okamura

    J.Appl.Phys.   103   07E314-1-3   2008年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1063/1.2836971

    researchmap

  • “Epitaxial Growth of Ferromagnetic Iron Silicide Thin Films on Silicon with Yttria-Stabilized Zirconia Buffer Layer”

    Kensuke Akiyama, Satoru Kaneko, Teiko Kadowaki, Yasuo Hirabayashi, Hiroshi Funakubo

    Jpn. J. Appl. Phys.   47 ( 1 )   577-579.   2008年

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  • “Effect of Strain on Supercell Structure of Bismuth Cuprate Superconducting Film”

    Satoru Kaneko, Kensuke Akiyama, Masahiko Mitsuhashi, Takeshi Ito, Masao Kumagai, Hiroshi Funakubo, Mamoru Yoshimoto

    Jpn. J. Appl. Phys.   47 ( 1 )   664 - 666   2008年

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  • “In situ gas-phase FTIR monitoring of liquid delivery MOCVD process for PZT film preparation”

    Hiroshi Funakubo, Gouji Asano, Kazuaki Tonari, Yukichi Takamatsu, Kunio Ohtsuki, Tsukasa Satake

    Chemical Engineering Journal,   135   10窶骭€14.   2008年

  • “Step coverage study of indium-tin-oxide thin films by spray CVD on non-flat substrates at different temperatures”

    T. Kondo, Yutaka Sawada, Kensuke Akiyama, HIROSHI FUNAKUBO, TAKANORI KIGUCHI, S. Seki, M.H. Wang, T. Uchida

    Thin Solid Films,   516   5864窶骭€5867   2008年

  • In-Plane Rotated Crystal Structure in Continuous Growth of Bismuth Cuprate Superconducting Film

    金子 智, 秋山 賢輔, 舟窪 浩, 吉本 護

    Thin Solid Phenomena 139   139   53 - 58   2008年

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  • “Structural modulation in bismuth cuprate superconducting film with continuous epitaxial growth”

    Satoru Kaneko, Kensuke Akiyama, Takeshi Ito, Yoshitada Shimizu, Yasuo Hirabayashi, Seishiro Ohya, Hiroshi Funakubo, Mamoru Yoshimoto

    J. Crystal Growth,   310   1713 - 1717   2008年

  • “Temperature Dependency of Dielectric Properties in Epitaxially Grown SrBi4Ti4O15 Films with Different Orientation”

    HIROSHI FUNAKUBO, Muneyasu Suzuki, Kenji Takahashi, Takayuki Watanabe

    Key Engineering Materials   368-372   1811 - 1813   2008年

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  • “Preparation of (111)-Oriented SrRuO3/Pt Electrodes for Pb(Zr,Ti)O3-Based Ferroelectric Capacitors:Grain Size and Roughness Impact”

    Nicolas Menou, Hiroshi Funakubo

    Jpn. J. Appl. Phys.   47 ( 2 )   1003 - 1007   2008年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1143/JJAP.47.1003

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  • Cubic-on-cubic growth of a MgO(001) thin film prepared on Si(001) substrate at low ambient pressure by the sputtering method

    金子 智, 秋山 賢輔, 舟窪 浩, 吉本 護

    Europhyscis Letters 81   81 ( 4 )   46001-1-5   2008年

  • エピタキシャル膜を用いた新規圧電体探索方法の提案

    舟窪 浩, 森岡 仁, 斉藤 啓介, 内田 寛, 安井 伸太郎, 中島 光雅, 永沼 博, 岡村 総一郎, 西田 謙, 山本 孝, 飯島 高志, 東 正樹

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2008 ( 0 )   431 - 431   2008年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    非鉛圧電体の探索、特にMPB探索は電子セラミックスの急務な課題である。これまでの研究で探索できなかった新材料を探索する方法として、我々はエピタキシャル薄膜を用いた探索方法を提案する。この方法は従来の焼結体を用いる方法と比較して、_丸1_高圧相のような従来まったく検討されていない組成系を探索できる、_丸2_焼結密度に左右されないで評価できる、_丸3_大きな電界を印加した評価が容易である、_丸4_結晶方位依存性の探索が容易できるといった利点がある。反面、_丸1_基板からの拘束による構成相の変化といった懸念点がある。本発表ではれらに関して、実例を照会しながら紹介する。

    DOI: 10.14853/pcersj.2008F.0.431.0

    CiNii Research

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  • “Crystal Structure and Electrical Properties of {100}-Oriented Epitaxial BiCoO3-BiFeO3 Films Grown By Metalorganic Chemical Vapor Deposition”

    Shintaro Yasui, Hiroshi Naganuma, Soichiro Okamura, Ken Nishida, Takashi Yamamoto, Takashi Iijima, Masaki Azuma, Hitoshi Morioka, Keisuke Saito, Mutsuo Ishikawa, Tomoaki Yamada, Hiroshi Funakubo

    Jpn. J. Appl. Phys.,   47   7582 - 7585   2008年

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  • X-ray diffraction study of polycrystalline BiFe O3 thin films under electric field

    Seiji Nakashima, Osami Sakata, Yoshitaka Nakamura, Takeshi Kanashima, Hiroshi Funakubo, Masanori Okuyama

    Applied Physics Letters   93 ( 4 )   042907-1-3   2008年

  • “Supercell Structure on Continuous Growth of Bi2Sr2Ca1Cu2Ox Film”

    Satoru KANEKO, Kensuke AKIYAMA, Takeshi ITO, Yasuo HIRABAYASHI, Hiroshi FUNAKUBO, Mamoru YOSHIMOTO

    J. J. Appl. Phys.   47 ( 7 )   5602 - 5604   2008年

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  • “In-situ observation of strain accumulation and relaxation in PbTiO3 film during thermal process using Raman spectroscopy”

    Ken Nishida, Hiroshi Funakubo, Takashi Yamamoto, Takashi Katoda

    Integ. Ferro.   99   23 - 30   2008年

  • “Novel Highly Volatile MOCVD Precursors for Ta2O5 and Nb2O5 Thin Films”

    T. Yotsuya, H. Chiba, T. Furukawa, T. Yamamoto, K. Inaba, K. Tada, T. Suzuki, K. Fujimoto, H. Funakubo, T. Yamakawa, N. Oshima

    ECS Transactions, 16   16 ( 5 )   243 - 251   2008年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1149/1.2981607

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  • “Raman Spectroscopy Study of Oxygen Vacancies in PbTiO3 Thin Films Generated Heat-treated in Hydrogen Atmosphere”

    Ken Nishida, Minoru Osada, Hironari Takeuchi, Yoshiaki Ishimoto, Joe Sakai, Nobuaki Ito, Rikyu Ikariyama, Takafumi Kamo, Takashi Fujisawa, Hiroshi Funakubo, Takashi Kotoda, Takashi Yamamoto

    Jpn. J. Appl. Phys.   47   7510 - 7513   2008年

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  • “Langmuir-Blodgett Fabrication of Nanosheet-Based Dielectric Films without an Interfacial Dead Layer”

    Minoru Osada, Kosho Akatsuka, Yasuo Ebina, Yoshinori Kotani, Kanta Ono, Hiroshi Funakubo, Shigenori Ueda, Keisuke Kobayashi, Kazunori Takada, Takayoshi Sasaki

    Jpn. J. Appl. Phys.   47   7556 - 7560   2008年

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  • “Annealing Temperature Dependences of Ferroelectric and Magnetic Propertiesin Polycrystalline Co-Substituted BiFeO3 Films”

    Hiroshi Naganuma, Jun Miura, Mitsumasa Nakajima, Hiromi Shima, Soichiro Okamura, Shintaro Yasui, Hiroshi Funakubo, Ken Nishida, Takashi Iijima, Masaki Azuma, Yasuo Ando, Kenji Kamishima, Koichi Kakizaki, Nobuyuki Hiratsuka

    Jpn. J. Appl. Phys.   47   7574 - 7578   2008年

     詳細を見る

  • “Epitaxial Growth of Fe3Si Thin Films on (100) Magnesia Substrates”

    Kensuke Akiyama, Satoru Kaneko, Teiko Kadowaki, Yasuo Hirabayashi, Azusa Kyoduka, Yutaka Sawada, Yoshihiko Kobayashi, Kichizo Asai, Hiroshi Funakubo

    Mater. Res.Soc.Proc.   1032   1032-I14-10-1 - 1032-I14-10-5.   2008年

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    researchmap

  • “X-ray Analysis of Strain Relaxed Domain Structure in (100)/(001)-oriented epitaxial PbTiO3 thick films grown on (100)SrTiO3 substrates”

    Hiroshi Nakaki, Yong Kwan Kim, Shintaro Yokoyama, Rikyu Ikariyama, Hiroshi Funakubo, S. K. Streiffer, Ken Nishida, Keisuke Saito

    Mater. Res.Soc.Proc.   1034   1034-K10-35   2008年

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    記述言語:英語  

    researchmap

  • “Low strain sensitivity of the dielectric property of pryrochlore Bi-Zn-Nb-O films”

    Hiroshi Funakubo, Shingo Okaura, Muneyau Suzuki, Hiroshi Uchida, Seiichiro Koda, Rikyu Ikariyama, Tomoaki Yamada

    Appl.Phys.Lett.   92   182901-1 - 3   2008年

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  • Co-BiFeO3薄膜における抗電界の低減および自発磁化の発現

    永沼博, 三浦淳, 志村希, 安井伸太郎, 西田謙, 飯島高志, 舟窪浩, 岡村総一郎

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集   55th ( 2 )   2008年

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  • MOCVD法で作製したエピタキシャルBiFeO3-BiCoO3膜の結晶相と電気特性

    安井伸太郎, 永沼博, 岡村総一郎, 西田謙, 山本孝, 飯島高志, 東正樹, 森岡仁, 森岡仁, 斎藤啓介, 舟窪浩

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集   55th ( 2 )   2008年

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  • MPBを有するBiFcO3-BiCoO3エピタキシャル薄膜の磁性と強誘電性

    永沼博, 安井伸太郎, 西田謙, 舟窪浩, 飯島高志, 安藤康夫, 岡村総一郎

    日本磁気学会学術講演概要集   32nd   2008年

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  • 放射光X線を用いた(001)配向エピタキシャルBiFeO3薄膜の電界印加による結晶構造変化の直接観察

    安井伸太郎, 加茂嵩史, 藤澤隆志, 山田智明, 坂田修身, 坂田修身, 舟窪浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   69th ( 2 )   2008年

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  • パイロクロア構造導電体Bi2Ru2O7のエピタキシャル膜のMOCVD合成と(Bi1.5Zn0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7用電極としての検討

    碇山理究, 舟窪浩, 安井伸太郎, 山田智明, 森岡仁, 森岡仁, 斉藤啓介, 小林義彦, 小林義彦, 金子徹也, 浅井吉蔵

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   69th ( 2 )   2008年

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  • ナノ秒オーダーパルス電場下の強誘電体薄膜からの格子歪解析のためのシンクロトロンX線回折法の開発

    坂田 修身, 安井 伸太郎, 藤澤 隆志, 加茂 嵩史, 中嶋 誠二, 奥山 雅則, 舟窪 浩

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2008 ( 0 )   119 - 119   2008年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    ナノ秒オーダーのパルス電場によって薄膜内で誘起される格子歪を検出する時分割X線測定と誘電率の高速測定を組み合わせた新しいシンクロトロン回折法を開発した。エピタキシャル成長させた強誘電体単結晶薄膜(Pb(Zr&lt;SUB&gt;x&lt;/SUB&gt;Ti&lt;SUB&gt;1-x&lt;/SUB&gt;)O&lt;SUB&gt;3&lt;/SUB&gt;(PZT)、BiFeO&lt;SUB&gt;3&lt;/SUB&gt;(BFO))やBFO多結晶薄膜の構造評価にその方法を適用した。すなわち、パルス状の入射単色X線と試料への印加電場をタイミング制御し、生じるブラッグ反射近傍の回折強度を角度、時間の関数として記録した。その結果、ナノ秒オーダーの電場印加によって誘起される格子歪(約0.01%レベルまで)を検出できた。さらに、回折ピークシフトから圧電定数d&lt;SUB&gt;33&lt;/SUB&gt;を見積った。

    DOI: 10.14853/pcersj.2008F.0.119.0

    CiNii Research

    J-GLOBAL

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  • 放射光を用いた時分割X線回折による多結晶BiFeO3薄膜の電界誘起歪測定

    中嶋誠二, 坂田修身, 坂田修身, 金島岳, 舟窪浩, 奥山雅則

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   69th ( 2 )   2008年

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  • Observation of 1D and 2D nanostructures using the X-ray reciprocal-lattice space imaging method

    Osami Sakata, Wataru Yashiro, David R. Bowler, Kunihiro Sakamoto, Kazushi Miki, Masashi Nakamura, Hiroshi Funakubo

    ACTA CRYSTALLOGRAPHICA A-FOUNDATION AND ADVANCES   64   C548 - C549   2008年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究発表ペーパー・要旨(国際会議)  

    DOI: 10.1107/S0108767308082378

    Web of Science

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  • ナノ秒オーダー時分割シンクロトロンその場X線回折:強誘電体薄膜の電歪測定への適用

    坂田修身, 坂田修身, 安井伸太郎, 藤澤隆志, 加茂嵩史, 中嶋誠二, 木村滋, 奥山雅則, 舟窪浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   69th ( 2 )   2008年

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  • BiFeO3-BiCoO3固溶体薄膜の磁気特性および強誘電性

    永沼博, 安井伸太郎, 西田謙, 飯島高志, 舟窪浩, 岡村総一郎, 安藤康夫

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   69th ( 2 )   2008年

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  • MOCVD法によるエピタキシャルパイロクロア導電膜の作製とこれを用いたキャパシタの評価

    碇山理究, 安井伸太郎, 舟窪浩, 斎藤啓介, 森岡仁, 森岡仁

    セラミックス基礎科学討論会講演要旨集   46th   2008年

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  • MOCVD法によるBiFeO3-BiCoO3膜の作製と特性評価

    安井伸太郎, 舟窪浩, 永沼博, 岡村総一郎, 西田謙, 山本孝, 飯島高志, 森岡仁, 斎藤啓介

    セラミックス基礎科学討論会講演要旨集   46th   2008年

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  • スプレーCVD 法で作製したスズ添加酸化インジウム透明導電膜の成長メカニズム

    舟窪 浩, 澤田 豊

    3 ( 1 )   14 - 17   2008年

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  • Tin Oxide Thin Films Deposited by Spray CVD Using Ethanol Solution of Tin (II) Chloride

    Takeshi Kondo, Hiroshi Funakubo, Kensuke Akiyama, Meihan Wang, Takayuki Uchida, Yutaka Sawada

    Trans. Mater. Soc. Jpn.   33 ( 4 )   1363 - 1366   2008年

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  • Effect of the Annealing Temperature on Dielectric Properties of Bi_<1.5>Zn_<1.0>Nb_<1.5>O_7 Films Prepared by MOCVD 査読

    舟窪 浩

    Key Eng. Mater. (掲載決定)   2008年

  • Strain-stability of dielectric property in Bi-Zn-Nb-O films 査読

    舟窪 浩

    Appl. Phys. Lett. (掲載決定)   2008年

  • PUND測定を用いたリーク電流の大きな非鉛圧電体の電気特性評価

    岡村 総一郎, 永沼 博, 中嶋 宇史, 島 宏美, 志村 希, 舟窪 浩, 飯島 高志, 井上 洋介

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2008F   437 - 437   2008年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    環境問題あるいは資源問題に関する意識の高まりから、有害元素や希少元素を含む材料の置き換えが大きな注目を集めている。非常に高性能であるが、有害である鉛を含むPb(Zr,Ti)O3系圧電材料の代替品探索もそのひとつである。現在、新しい非鉛圧電材料の研究が盛んに行われているが、一般にリーク電流が大きく、その素性を見極めることも困難な状況である。我々は、そういった試料に関しても、PUND測定を用いれば、パルス電圧印加時の電気変位からリーク電流密度を、またそれを取り去った時の電気変位の変化から常誘電成分を、更にパルスを印加した瞬間の電気変位の変化からその常誘電成分を差し引くことで真の反転電荷量を大まかに見積もることができることを明らかにした。

    DOI: 10.14853/pcersj.2008f.0.437.0

    CiNii Research

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  • 歪みチタン酸ストロンチウム薄膜の強誘電相転移と誘電特性

    山田 智明, 舟窪 浩, 木村 滋, 大隅 寛幸, Taganstev Alexander, Setter Nava

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2008F   112 - 112   2008年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    強誘電体薄膜と基板との機械的相互作用は、膜の誘電応答に非常に大きな影響を与える事が知られている。その最たる例はチタン酸ストロンチウム(SrTiO3)であり、Haeniらは、常誘電体であるSrTiO3の薄膜に、面内引張りの格子歪みを印加する事により、室温で強誘電性が発現することを報告している。 また、歪みと強誘電相転移との関係は、その他の例でも示されている。一方SrTiO3においては、ペロブスカイト格子の酸素8面体の微小回転に伴う構造相転移も存在し、これが歪み誘起の強誘電相転移にも大きな影響を与える可能性がある。本研究では、SrTiO3薄膜をレーザー堆積法およびスパッタリング法で種々の基板上に成長させ、酸素8面体の回転に伴う構造相転移と強誘電特性との関連性を、放射光を用いた格子定数の温度依存性、誘電特性および理論計算から比較検討する。

    DOI: 10.14853/pcersj.2008f.0.112.0

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  • 完全分極軸配向正方晶PZT厚膜の合成

    舟窪 浩, 藤澤 隆志, 中木 寛, 碇山 理究, 斉藤 啓介, 森岡 仁

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2008S   1C31L - 1C31L   2008年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    PZTは最も広く使われている圧電体で、最近ではデーゼルエンジンの噴射ノズルに採用され、環境問題の解決にも寄与している。PZTは1954年に大きな圧電性が見つかって以来、多結晶のセラミクスが使用されているが、単結晶を得るのが難しいため、圧電特性の結晶方位や組成依存性はこれまで明らかになっていない。我々は膜厚100 nmの分極軸配向PZT膜の作製に成功し、強誘電性については組成依存性等を初めて明らかにした[1,2]。しかし圧電性を評価するにはより厚いサンプルが必要であった。本研究ではCaF2基板を用いることで、膜厚3.6μmまでの分極軸配向膜の作製を確認したので報告する。

    DOI: 10.14853/pcersj.2008s.0.1c31l.0

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  • チューナブルBaTiO3-CeO2配向ナノコンポジット薄膜の自己組織化成長と巨大非線形誘電特性

    山田 智明, Sandu Cosmin, Gureev Maxim, Tagantsev Alexander, Setter Nava, 舟窪 浩

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2008S   2P028 - 2P028   2008年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    (Ba,Sr)TiO3をはじめとする強誘電体は誘電率の大きな電界依存性(チューナビリティ)を示し、薄膜バラクターへの応用が期待されている。一方でこれらの材料は誘電率が高く、高周波でのインピーダンスマッチングの観点からその使用が限られている。そこで、低誘電率材料を加えて配向コンポジット構造とする事で、チューナビリティを保持しながら誘電率の大幅な減少が見込める可能性がある。本研究では、自己組織化を利用してBaTiO3とCeO2からなる配向ナノコンポジット薄膜を作製し、その誘電応答をモデルと比較した。得られたコンポジット薄膜は大きな非線形特性を示し、E=αP+βP3で与えられる非線形定数βは(Ba,Sr)TiO3のそれに比べ最大で25倍まで上昇した。これらの誘電応答はモデルとも一致した。

    DOI: 10.14853/pcersj.2008s.0.2p028.0

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  • 化学溶液法によるBa-Cu-Mg-Nb-O系酸化物固溶体粉体の合成と評価

    矢澤 慶祐, 中島 光雅, 舟窪 浩, 和田 智志, 熊田 伸弘, 東 正樹, 岡村 総一郎, 西田 謙, 山本 孝, 飯島 高志, 取消 取消, 内田 寛

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2008F   288 - 288   2008年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    本研究では、Ba含有ペロブスカイト型酸化物によるPZT代替材料の開発を検討するため、PbTiO3およびPbZrO3と類似の結晶構造を有する正方晶Ba(Cu1/3Nb2/3)O3(BCN)および擬立方晶Ba(Mg1/3Nb2/3)O3(BMN)から構成される固溶体材料(BCMN)を合成し、それらの結晶構造および相転移挙動を評価した。本研究においてはゾルゲル法によりBa(Cux/3Mg(1-x)/3Nb2/3)O3x = 0~1.0)の組成を有する粉体試料を合成し、X線回折により各粉体試料における結晶相および格子定数を求めた。その結果、BCN粉体試料(x = 1.0)では約600℃に相転移点が存在し、BMNの固溶に伴い相転移温度は連続的に低下することが確認された。

    DOI: 10.14853/pcersj.2008f.0.288.0

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  • タングステンブロンズ構造圧電体のMPB探索

    渡邉 隆之, 齋藤 宏, 松田 堅義, 伊福 俊博, 李 鳳淵, 飯島 高志, 舟窪 浩, 于 厚忠, 熊田 伸弘

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2008F   436 - 436   2008年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    非鉛圧電材料の開発方法の一つは、構造の異なる複数の非鉛(圧電体)材料を固溶させて組成相境界(MPB)を形成し、MPB近傍での圧電性を評価することである。チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)と同じペロブスカイト構造圧電材料では、既にいくつかの材料でMPBが確認されているものの、PZTに匹敵する圧電体は得られていない。そこで、圧電性向上を目指した材料探索は引き続き必要であるが、材料ごとに有する圧電性以外の長所を生かした材料開発も必要である。タングステンブロンズ構造圧電体は、ペロブスカイト構造圧電体と並んでMPBを形成することが知られている。さらに、鉛含有材料ではあるが800pC/Nを超える圧電定数が報告されなど潜在能力の高い材料である。本発表では、タングステンブロンズ構造圧電体の長所と、非鉛MPBの可能性を検討したので報告する。

    DOI: 10.14853/pcersj.2008f.0.436.0

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  • レーザー変位計を用いた圧電変位の温度依存性測定

    李 鳳淵, 飯島 高志, 渡邉 隆之, 斎藤 宏, 松田 堅義, 伊福 俊博, 舟窪 浩, 于 厚忠, 熊田 伸弘

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2008F   287 - 287   2008年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    近年、環境意識の高まりから、鉛の毒性に対する懸念が広がっており、非鉛系圧電材料に関心が集まっている。非鉛系圧電材料を開発するためには、その強誘電・圧電特性の評価が必須であるが、広く材料探索を行うためには、室温でリーク電流が高いために圧電特性測定が出来ない試料についても、液体窒素温度まで冷却することでリーク成分を押さえて電気特性を評価することが有効であると考えられる。そこで、ツインレーザー変位計システムに、透過型真空チャンバーを組み合わせて-190℃~200℃の範囲で強誘電特性と微小変位特性の同時測定が可能な評価システムを開発し、タングステンブロンズ系材料について測定を試みた。

    DOI: 10.14853/pcersj.2008f.0.287.0

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  • “(111)-oriented Pb(Zr,Ti)O3 films deposited on SrRuO3/Pt electrodes: Reproducible preparation by metal organic chemical vapor deposition, top electrode influence, and reliability”

    Nicolas Menou, Hiroshi Funakubo

    J. Appl. Phys.   102 ( 11 )   114105-1-5.   2007年12月

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  • Structural characterization by electronic transport properties on Fe3Si films

    Y. Kobayashi, T. Kaneko, M. Kamogawa, K. Asai, K. Akiyama, H. Funakubo

    JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS   40 ( 22 )   6873 - 6878   2007年11月

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  • “Evaluation of Residual Strain and Oxygen Vacancy in Multilayer Ceramic Capacitor Using Laser Raman Spectroscopy”

    Ken Nishida, Hiroshi Kishi, Hiroshi Funakubo, Hironari Takeuchi, Takashi Katoda, Takashi Yamamoto

    Jpn. J. Appl. Phys.   46 ( 10B )   7005 - 7007   2007年10月

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  • “RF Magnetron Sputtering Growth of Epitaxial SrRuO3 Films with High Conductivity”

    Takafumi Kamo, Ken Nishida, Kensuke Akiyama, Joe Sakai, Takashi Katoda, Hiroshi Funakubo

    Jpn. J. Appl. Phys.   46 ( 10B )   6987 - 6990   2007年10月

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  • “Solution-Based Fabrication of High-κ Dielectric Nanofilms Using Titania Nanosheets as a Building Block”

    Minoru Osada, Kosho Akatsuka, Yasuo Ebina, Hiroshi Funakubo, Takanori Kiguchi, Kazunori Takada, Takayoshi Sasaki

    Jpn. J. Appl. Phys.   46 ( 10B )   6979 - 6983   2007年10月

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  • “Satellite peaks amplified by modulation in bismuth cuprate thin film”

    Satoru Kaneko, Kensuke Akiyama, T. Ito, Y. Hirabayashi, K. Seo, HIROSHI FUNAKUBO, MAMORU YOSHIMOTO

    Physica C,   463 ( No. )   935 - 938   2007年10月

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  • Crystal structure analysis of epitaxial BiFeO3-BiCoO3 solid solution films grown by metalorganic chemical vapor deposition

    Shintaro Yasui, Ken Nishida, Hiroshi Naganuma, Soichiro Okamura, Takashi Iijima, Hiroshi Funakubo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   46 ( 10B )   6948 - 6951   2007年10月

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  • “Strain-relaxed structure in (001)/(100)-oriented epitaxial PbTiO3 films grown on (100) SrTiO3 substrates by metal organic chemical vapor deposition”

    Hiroshi Nakaki, Yong Kwan Kim, Shintaro Yokoyama, Rikyu Ikariyama, Hiroshi Funakubo, Ken Nishida, Keisuke Saito

    Appl. Phys. Lett.   91 ( 11 )   112904-1-3.   2007年9月

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  • “Effect of source materials on film thickness and compositional uniformity of MOCVD-P(Zr,Ti)O3 films”

    Hiroshi Funakubo, Atsushi Nagai, Gouji Asano, June-Mo Koo, Sang-Min Shin, Youngsoo Park

    Surface & Coatings Technology,   201 ( 22-23 )   9279 - 9284   2007年9月

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  • β-FeSi2 growth on Cu-mediated Si substrate and enhancement of photoluminescence

    Kensuke Akiyama, Masaru Itakura, Satoru Kaneko, Hiroshi Funakubo, Yoshihito Maeda

    Thin Solid Films   515 ( 22 )   8144 - 8148   2007年8月

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  • “β-FeSi2 growth on Cu-mediated Si substrate and enhancement of photoluminescence”

    Kensuke Akiyama, Masaru Itakura, Satoru Kaneko, Hiroshi Funakubo, Yoshihito Maeda

    Thin Solid Films,   515 ( 22 )   8144 - 8148   2007年8月

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  • “1.54 μm photoluminescence from ・「-FeSi2 as-deposited film”

    Kensuke Akiyama, Satoru Kaneko, Hiroshi Funakubo, Masaru Itakura

    Appl. Phys. Lett.   91 ( 7 )   071903-1-3.   2007年8月

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  • “Analysis for crystal structure of Bi(Fe,Sc)O3 thin films and their electrical properties”

    Shintaro Yasui, Hiroshi Uchida, Hiroshi Nakaki, Ken Nishida, Hiroshi Funakubo, Seiichiro Koda

    Appl. Phys. Lett.   91 ( 2 )   022906-1-3.   2007年7月

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  • “Enhancement of field-induced strain by La substitution in epitaxial Pb(Zr,Ti)O3 films grown by metal organic chemical vapor deposition”

    Ken Nishida, Yoshihisa Honda, Shintaro Yokoyama, Hiroshi Funakubo, Takashi Yamamoto, Keisuke Saito, Takashi Katoda

    Appl. Phys. Lett.   90 ( 26 )   262902-1-3.   2007年6月

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  • “Oxygen Content and Magnetic Properties of SrRuO3-δ Thin Films”

    Joe Sakai, Nobuaki Ito, ShinIchi Ito, Kenji Takahashi, Hiroshi Funakubo

    IEEE Transactions on Magnetics,   43 ( 6 )   3073 - 3075   2007年6月

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  • “(111)-textured Mn-substituted BiFeO3 thin films on SrRuO3 /Pt/Ti/SiO2/Si structures”

    kumar singh_sushil, Nicolas Menou, HIROSHI FUNAKUBO, K. Maruyama, HIROSHI ISHIWARA

    Appl. Phys. Lett.   90 ( 24 )   242914-1-3.   2007年6月

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  • “Crystal structure and microstructure of epitaxial Pb(Zr,Ti)O3 films consisting of mixed phases with tetragonal and rhombohedral symmetries grown on (100)cSrRuO3//(100)SrTiO3 substrate by metalorganic chemical vapor deposition”

    Shintaro Yokoyama, Hitoshi Morioka, Yong Kwan Kim, Hiroshi Nakaki, Hiroshi Funakubo, Keisuke Saito, Ken Nishida, Takashi Katoda

    J. Mater. Res.   22 ( 6 )   1551 - 1557   2007年6月

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  • “Characterization of zinc-modified lithium tantalate thin films fabricated by chemical solution deposition method”

    Hiroshi Uchida, Katsumi Onofuji, Hiroshi Funakubo, Seiichiro Koda

    J Sol-Gel Sci Techn,   42 ( 3 )   265 - 269   2007年6月

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  • Effect of oxygen annealing on ferroelectricity of BiFeO3 thin films formed by pulsed laser deposition

    Hyun-young Go, Naoki Wakiya, Hiroshi Funakubo, Keisuke Satoh, Masao Kondo, Jeffrey S. Cross, Kenji Maruyama, Nobuyasu Mizutani, Kazuo Shinozaki

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   46 ( 6A )   3491 - 3494   2007年6月

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  • “Strain and in-plane orientation effects on the ferroelectricity of (111)-oriented tetragonal Pb(Zr0.35Ti0.65)O3 thin films prepared by metal organic chemical vapor deposition”

    Hiroki Kuwabara, Nicolas Menou, Hiroshi Funakubo

    Appl. Phys. Lett.   90 ( 22 )   222901-1-3.   2007年5月

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  • Effect of the thermal expansion matching on the dielectric tenability of(100)-one-axis-oriented(Ba_<0.5>Sr_<0.5>)TiO_3 thin films 査読

    舟窪 浩

    Appl. Phys. Lett. 90   90 ( 14 )   142910-1-3   2007年4月

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  • “Impact of (111)-Oriented SrRuO3/Pt Tailored Electrode for Highly Reproducible Preparation of Metal Organic Chemical Vapour Deposited Pb(Zr,Ti)O3 Films for High Density Ferroelectric Random Access Memory Applications”,

    Nicolas Menou, Hiroki Kuwabara, Hiroshi Funakubo

    Jpn. J. Appl. Phys.   46 ( 4B )   2139 - 2142   2007年4月

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  • ビスマス層状誘電体のナノレイヤー積層方向に見られる新規誘電特性—Novel dielectric characteristics of bismuth layered dielectrics along nanolayer stack direction—特集 強誘電体薄膜研究の新局面

    舟窪 浩

    Ceramics Japan = セラミックス : bulletin of the Ceramic Society of Japan   42 ( 3 )   169 - 174   2007年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:東京 : 日本セラミックス協会  

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  • “Probing intrinsic polarization properties in bismuth-layered ferroelectric films”

    Takayuki Watanabe, Hiroshi Funakubo, Minoru Osada, Hiroshi Uchida, Isao Okada, Brian J. Rodriguez, Alexei Gruverman

    Appl. Phys. Lett.   90 ( 11 )   112914-1-1-3   2007年3月

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  • “Domain structures in highly (100)-oriented epitaxial Pb(Zr0.35,Ti0.65)O3 thin films”

    Yong Kwan Kim, Hitoshi Morioka, Hiroshi Funakubo

    J. Appl. Phys.   101 ( 6 )   064112   2007年3月

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  • Single-phase Pb(Zn1/3Nb2/3)O-3 thin films grown by metalorganic chemical vapor deposition: Effects of growth sequence and substrates

    Ken Nishida, Shintaro Yokoyama, Satoshi Okamoto, Keisuke Saito, Hiroshi Uchida, Seiichiro Koda, Takashi Katoda, Hiroshi Funakubo

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   298 ( No. )   495 - 499   2007年1月

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  • 圧電応用を目指した一軸配向Biペロブスカイト酸化物厚膜のMOCVD法作製とその特性評価

    安井伸太郎, 永沼博, 岡村総一郎, 飯島高志, 西田謙, 舟窪浩

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集   54th ( 2 )   2007年

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  • Bi(Fex,Co1-x)O3薄膜の強誘電性

    志村 希, 永沼 博, 島 宏美, 安井 伸太郎, 西田 謙, 飯島 高志, 舟窪 浩, 岡村 総一郎

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2007 ( 0 )   304 - 304   2007年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    環境への配慮から鉛の使用が規制されはじめたため鉛に代替する新規非鉛圧電物質の探索が必要となってきた。本研究では高い残留分極値を有するBiFeO&lt;SUB&gt;3&lt;/SUB&gt;、および高い正方晶歪みを有するBiCoO&lt;SUB&gt;3&lt;/SUB&gt;を選択し、BiFeO&lt;SUB&gt;3&lt;/SUB&gt;-BiCoO&lt;SUB&gt;3&lt;/SUB&gt;系におけるMPB探索を行なった。X線構造解析の結果、Fe組成比が0.9では主にBiFeO&lt;SUB&gt;3&lt;/SUB&gt;相に起因した回折ピークが観測されるが、Fe組成比が0.8のときBiFeO&lt;SUB&gt;3&lt;/SUB&gt;相に起因した回折ピークは消失して結晶構造が急激に変化していることがわかった。PUND測定(@80K)の結果、Fe組成比が0.8-1.0まで比較的高い残留分極を示すが、Fe組成比が0.7のとき残留分極は急激に低下した。このことから結晶構造が変化し、かつ強誘電性を示したFe組成比が0.8-0.9の間にMPBが存在している可能性が示唆された。

    DOI: 10.14853/pcersj.2007S.0.304.0

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  • Bi(COxFe1-x)O3薄膜の構造,強誘電性および磁気特性

    三浦淳, 永沼博, 志村希, 島宏美, 安井伸太郎, 西田謙, 河東田隆, 舟窪浩, 飯島高志, 岡村総一郎

    日本応用磁気学会学術講演概要集   31st   2007年

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  • “1.54 μm photoluminescence from ・「-FeSi2 as-deposited film”

    Kensuke Akiyama, Satoru Kaneko, Hiroshi Funakubo, Masaru Itakura

    Appl. Phys. Lett.   91   071903-1-3.   2007年

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  • “Probing intrinsic polarization properties in bismuth-layered ferroelectric films”

    Takayuki Watanabe, Hiroshi Funakubo, Minoru Osada, Hiroshi Uchida, Isao Okada, Brian J. Rodriguez, Alexei Gruverman

    Appl. Phys. Lett.   90   112914-1-1-3   2007年

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  • 高密度強誘電体メモリ用のMOCVD合成Pb(Zr,Ti)O_3の高再現性作製のための(111)配向したSrRuO_3/Pt下部電極

    メヌー ニコラス, 桑原 弥紀, 舟窪 浩

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス   106 ( 593 )   21 - 26   2007年

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    記述言語:英語   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    Ferroelectric memories (FeRAM) are used in the microelectronic industry since they provide non volatility, high speed and low power consumption. Actual technologies are mainly based on Pb(Zr,Ti)O_3 ("so-called PZT") which ensures a high remnant polarization and a low coercive field. Nevertheless, the development of next generation PZT-based FeRAM requires the preparation of highly reliable ferroelectric capacitors which combine good electric properties with good resistance to reliability issues (fatigue, imprint and retention). In the present paper we report a comparative study of the structural, morphologic, and electric properties of Pb(Zr,Ti)O_3 films, deposited by pulsed metal-organic chemical vapour deposition (MOCVD), on different (111)-oriented bottom-electrode stacks (SrRuO_3/Pt, Pt, and Ir substrates). The Pb input ratio in the MOCVD chamber was systematically modified for each deposition run to obtain PZT films with various compositions within the Pb process window. Our results clearly demonstrate that only PZT films deposited on SrRuO_3 show high quality and reproducible properties throughout the process window, i.e., high (111) texture, low roughness (<4 nm), high Pr (〜40μC/cm^2), and low V_c (<1 V). This study provides further evidence that SrRuO_3/Pt substrates are good candidates for integration in next-generation high-density FeRAM.

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  • Fabrication of ZnO microstructures by anisotropic wet-chemical etching

    Naoki Ohashi, Kenji Takahashi, Shunichi Hishita, Isao Sakaguchi, Hiroshi Funakubo, Hajime Haneda

    JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY   154 ( 2 )   D82 - D87   2007年

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  • “La Content Dependence of Piezoelectric Properties of Polycrystalline (Pb, La(Zr0.65, Ti0.35)O3 Films”

    H.Shima, Hiroshi Naganuma, Takashi Iijima, HIROSHI FUNAKUBO, Shouji Okamura

    Transactions of the Materials Research of Japan,   32 ( 1 )   79-82.   2007年

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  • “Low-Temperature Preparation of Metallic Ruthenium Films by MOCVD Using Bis(2,4-dimethylpentadienyl)ruthenium”

    Kazuhisa Kawano, Hiroaki Kosuge, Noriaki Oshima, Hiroshi Funakubo

    Electrochem. Solid-State Lett.   10 ( 6 )   D60 - D62   2007年

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  • Crystal Growth of β-FeSi2 Thin Film on (100), (110) and (111) Plane of Si and Yittria-Stabilized Zirconia Substrates”

    Kensuke Akiyama, Satoru Kaneko, Takanori Kiguchi, Takashi Suemasu, Takeshi Kimura, Hiroshi Funakubo

    Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   980   0980-II05-47   2007年

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  • The Influence of Acceptor Doping on the Structure and Electrical Properties of Sol-Gel Derived BiFeO3 Thin Films

    K. Brinkman, T. Iijima, K. Nishida, T. Katoda, H. Funakubo

    Ferroelectrics, 357   357   35窶骭€40   2007年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1080/00150190701527597

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  • Structural characterization by electronic transport properties on Fe3Si films

    Y Kobayashi, T Kaneko, M Kamogawa, K Asai, Kensuke Akiyama, HIROSHI FUNAKUBO

    J. Phys. D: Appl. Phys.   40 ( No. )   6873窶骭€6878.   2007年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1088/0022-3727/40/22/003

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  • “Crystal Structure Analysis of Epitaxial BiFeO3窶釘iCoO3 Solid Solution Films Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition”

    Shintaro Yasui, Ken Nishida, Hiroshi Naganuma, Soichiro Okamura, Takashi Iijima, Hiroshi Funakubo

    Jpn. J. Appl. Phys   46 ( 10B )   6948 - 6951   2007年

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  • “Bottom Electrodes Dependence of Ferroelectric Properties in Epitaxial BiFeO3/SrRuO3/SrTiO3 Structures”

    S.K.Sungh, Yong Kwan Kim, H.Kuwabara, HIROSHI FUNAKUBO, HIROSHI ISHIWARA

    Integrated Ferroelectrics,   87 ( No. )   42 - +   2007年

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  • “高密度強誘電体メモリ用のMOCVD合成Pb(Zr, Ti)O3の高再現性作成のための(111)配向したSrRuO3/Pt下部電極”

    ニコラス・メヌー, 桑原裕紀, 舟窪 浩

    社団法人 電子情報通信学会, 信学技報,   106 ( 593 )   21 - 26   2007年

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    記述言語:英語   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    Ferroelectric memories (FeRAM) are used in the microelectronic industry since they provide non volatility, high speed and low power consumption. Actual technologies are mainly based on Pb(Zr,Ti)O_3 ("so-called PZT") which ensures a high remnant polarization and a low coercive field. Nevertheless, the development of next generation PZT-based FeRAM requires the preparation of highly reliable ferroelectric capacitors which combine good electric properties with good resistance to reliability issues (fatigue, imprint and retention). In the present paper we report a comparative study of the structural, morphologic, and electric properties of Pb(Zr,Ti)O_3 films, deposited by pulsed metal-organic chemical vapour deposition (MOCVD), on different (111)-oriented bottom-electrode stacks (SrRuO_3/Pt, Pt, and Ir substrates). The Pb input ratio in the MOCVD chamber was systematically modified for each deposition run to obtain PZT films with various compositions within the Pb process window. Our results clearly demonstrate that only PZT films deposited on SrRuO_3 show high quality and reproducible properties throughout the process window, i.e., high (111) texture, low roughness (<4 nm), high Pr (〜40μC/cm^2), and low V_c (<1 V). This study provides further evidence that SrRuO_3/Pt substrates are good candidates for integration in next-generation high-density FeRAM.

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  • “Single-phase Pb(Zn1/3Nb2/3)O3 thin .lms grown by metalorganic chemical vapor deposition: Effects of growth sequence and substrates”

    HIROSHI FUNAKUBO, Ken Nishida, Shintaro Yokoyama, Satoshi Okamoto, Keisuke Saito, Hiroshi Uchida, Seiichiro Koda, Takashi Katoda

    Journal of Crystal Growth   298   495 - 499   2007年

  • Fabrication of ZnO Microstructures by AnisotropicWet-Chemical Etching

    Naoki OHASHI, Kenji Takahashi, HIROSHI FUNAKUBO

    Journal of The Electrochemical Society   154 ( 2 )   D82-D87   2007年

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  • The influence of acceptor doping on the structure and electrical properties of sol-gel derived BiFeO3 thin films

    K. Brinkman, T. Iijima, K. Nishida, T. Katoda, H. Funakubo

    FERROELECTRICS   357   35 - 40   2007年

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  • Effect of Oxygen Annealing on Ferrroelectricity of BiFeO_3_ Thin Films formed by Pulsed Laser Deposition

    Hyun-young Go, Naoki Wakiya, Hiroshi Funakubo, Keisuke Satoh, Masao Kondo, Jeffrey A. Cross, Kenji Maruyama, Nobuyasu Mizutani, Kazuo Shinozaki

    Jpn. J. Appl. Phys.   46 ( 6A )   3491 - 3494   2007年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1143/JJAP.46.3491

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  • “La Content Dependence of Piezoelectric Properties of Polycrystalline (Pb, La(Zr0.65, Ti0.35)O3 Films”

    H.Shima, Hiroshi Naganuma, Takashi Iijima, HIROSHI FUNAKUBO, Shouji Okamura

    Transactions of the Materials Research of Japan,   32 ( 1 )   79-82.   2007年

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    記述言語:英語  

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  • “Enhancement of field-induced strain by La substitution in epitaxial Pb(Zr,Ti)O3 films grown by metal organic chemical vapor deposition”

    Ken Nishida, Yoshihisa Honda, Shintaro Yokoyama, Hiroshi Funakubo, Takashi Yamamoto, Keisuke Saito, Takashi Katoda

    Appl. Phys. Lett.   90   262902-1-3.   2007年

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  • “(111)-textured Mn-substituted BiFeO3 thin films on SrRuO3 /Pt/Ti/SiO2/Si structures”

    kumar singh_sushil, Nicolas Menou, HIROSHI FUNAKUBO, K. Maruyama, HIROSHI ISHIWARA

    Appl. Phys. Lett.   90   242914-1-3.   2007年

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  • “Strain and in-plane orientation effects on the ferroelectricity of (111)-oriented tetragonal Pb(Zr0.35Ti0.65)O3 thin films prepared by metal organic chemical vapor deposition”

    Hiroki Kuwabara, Nicolas Menou, Hiroshi Funakubo

    Appl. Phys. Lett.   90   222901-1-3.   2007年

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  • “Crystal structure and microstructure of epitaxial Pb(Zr,Ti)O3 films consisting of mixed phases with tetragonal and rhombohedral symmetries grown on (100)cSrRuO3//(100)SrTiO3 substrate by metalorganic chemical vapor deposition”

    Shintaro Yokoyama, Hitoshi Morioka, Yong Kwan Kim, Hiroshi Nakaki, Hiroshi Funakubo, Keisuke Saito, Ken Nishida, Takashi Katoda

    J. Mater. Res.   22 ( 6 )   1551-1557.   2007年

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  • “Low-Temperature Preparation of Metallic Ruthenium Films by MOCVD Using Bis(2,4-dimethylpentadienyl)ruthenium”

    Kazuhisa Kawano, Hiroaki Kosuge, Noriaki Oshima, Hiroshi Funakubo

    Electrochem. Solid-State Lett.   10 ( 6 )   D60-D62   2007年

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  • “Effect of the thermal expansion matching on the dielectric tenability of (100)-one-axis-oriented (Ba0.5Sr0.5)TiO3 thin films”,

    Shinichi Ito, Hiroshi Funakubo, Ivoyl P. Koutsaroff, Marina Zelner, Andrew Cervin-Lawry

    Appl. Phys. Lett.   90 ( No. )   142910-1-3   2007年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1063/1.2719621

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  • Crystal Growth of β-FeSi2 Thin Film on (100), (110) and (111) Plane of Si and Yittria-Stabilized Zirconia Substrates”

    Kensuke Akiyama, Satoru Kaneko, Takanori Kiguchi, Takashi Suemasu, Takeshi Kimura, Hiroshi Funakubo

    Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   980 ( No. )   0980-II05-47   2007年

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    記述言語:英語  

    null

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  • “Domain structures in highly (100)-oriented epitaxial Pb(Zr0.35,Ti0.65)O3 thin films”

    Yong Kwan Kim, Hitoshi Morioka, Hiroshi Funakubo

    J. Appl. Phys.   101   064112   2007年

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  • “Impact of (111)-Oriented SrRuO3/Pt Tailored Electrode for Highly Reproducible Preparation of Metal Organic Chemical Vapour Deposited Pb(Zr,Ti)O3 Films for High Density Ferroelectric Random Access Memory Applications”,

    Nicolas Menou, Hiroki Kuwabara, Hiroshi Funakubo

    Jpn. J. Appl. Phys.   46 ( 4B )   2139-2142.   2007年

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  • “Characterization of zinc-modified lithium tantalate thin films fabricated by chemical solution deposition method”

    Hiroshi Uchida, Katsumi Onofuji, Hiroshi Funakubo, Seiichiro Koda

    J Sol-Gel Sci Techn,   42   265窶骭€269.   2007年

  • “Strain-relaxed structure in (001)/(100)-oriented epitaxial PbTiO3 films grown on (100) SrTiO3 substrates by metal organic chemical vapor deposition”

    Hiroshi Nakaki, Yong Kwan Kim, Shintaro Yokoyama, Rikyu Ikariyama, Hiroshi Funakubo, Ken Nishida, Keisuke Saito

    Appl. Phys. Lett.   91   112904-1-3.   2007年

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  • “Satellite peaks amplified by modulation in bismuth cuprate thin film”

    Satoru Kaneko, Kensuke Akiyama, T. Ito, Y. Hirabayashi, K. Seo, HIROSHI FUNAKUBO, MAMORU YOSHIMOTO

    Physica C,   463-465   935 - 938   2007年

  • “(111)-oriented Pb(Zr,Ti)O3 films deposited on SrRuO3/Pt electrodes: Reproducible preparation by metal organic chemical vapor deposition, top electrode influence, and reliability”

    Nicolas Menou, Hiroshi Funakubo

    J. Appl. Phys.   102   114105-1-5.   2007年

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  • “Evaluation of Residual Strain and Oxygen Vacancy in Multilayer Ceramic Capacitor Using Laser Raman Spectroscopy”

    Ken Nishida, Hiroshi Kishi, Hiroshi Funakubo, Hironari Takeuchi, Takashi Katoda, Takashi Yamamoto

    Jpn. J. Appl. Phys.   46 ( 10B )   7005 - 7007   2007年

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  • “RF Magnetron Sputtering Growth of Epitaxial SrRuO3 Films with High Conductivity”

    Takafumi Kamo, Ken Nishida, Kensuke Akiyama, Joe Sakai, Takashi Katoda, Hiroshi Funakubo

    Jpn. J. Appl. Phys.   46 ( 10B )   6987-6990.   2007年

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  • “Solution-Based Fabrication of High-κ Dielectric Nanofilms Using Titania Nanosheets as a Building Block”

    Minoru Osada, Kosho Akatsuka, Yasuo Ebina, Hiroshi Funakubo, Takanori Kiguchi, Kazunori Takada, Takayoshi Sasaki

    Jpn. J. Appl. Phys.   46 ( 10B )   6979-6983.   2007年

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  • “Effect of source materials on film thickness and compositional uniformity of MOCVD-P(Zr,Ti)O3 films”

    Hiroshi Funakubo, Atsushi Nagai, Gouji Asano, June-Mo Koo, Sang-Min Shin, Youngsoo Park

    Surface & Coatings Technology,   201   9279窶骭€9284   2007年

  • “Bottom Electrodes Dependence of Ferroelectric Properties in Epitaxial BiFeO3/SrRuO3/SrTiO3 Structures”

    S.K.Sungh, Yong Kwan Kim, H.Kuwabara, HIROSHI FUNAKUBO, HIROSHI ISHIWARA

    Integrated Ferroelectrics,   87   42窶骭€49   2007年

  • “Analysis for crystal structure of Bi(Fe,Sc)O3 thin films and their electrical properties”

    Shintaro Yasui, Hiroshi Uchida, Hiroshi Nakaki, Ken Nishida, Hiroshi Funakubo, Seiichiro Koda

    Appl. Phys. Lett.   91   022906-1-3.   2007年

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  • “Oxygen Content and Magnetic Properties of SrRuO3-δ Thin Films”

    Joe Sakai, Nobuaki Ito, ShinIchi Ito, Kenji Takahashi, Hiroshi Funakubo

    IEEE Transactions on Magnetics,   43 ( 6 )   3073-3075.   2007年

  • 酸化物薄mlの界面研究の進展・実N化への観点からみた進展

    舟窪 浩, 坂田 修身

    セラミックデータベース 35   47 - 52   2007年

  • (100)/(001)配向PbTiO3エピタキシャル膜の新規ドメイン構造

    舟窪 浩, 中木 寛, 碇山 理究, 金 容寛, 横山 信太郎, 西田 謙, 斎藤 啓介

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2007S   7 - 7   2007年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    (100)/(001)PbTiO3膜のドメイン構造は、1990年代に精力的に研究された。しかし1ミクロンを超える膜厚では、さらなる応力緩和のために、これまで知られていない新規なドメイン構造が存在することを見出したので報告する。

    DOI: 10.14853/pcersj.2007s.0.7.0

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  • 18aPS-45 Fe_3Siの電子輸送現象(18aPS 領域3ポスターセッション(磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))

    金子 徹也, 鴨川 征史, 小林 義彦, 秋山 賢輔, 舟窪 浩, 浅井 吉蔵

    日本物理学会講演概要集   62.1.3   412   2007年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人 日本物理学会  

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.62.1.3.0_412_2

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  • La置換Pb(Zr,Ti)O3膜の電気光学特性とLa置換サイト

    島 宏美, 西田 謙, 舟窪 浩, 飯島 高志, 河東田 隆, 永沼 博, 岡村 総一郎

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2007S   172 - 172   2007年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    化学溶液堆積法によりLa置換Pb(Zr0.65,Ti0.35)O3膜(以下、La-PZT膜)を作製し、その電気光学特性とLaイオンのサイト占有率との関係を調べた。La-PZT(X-Y/65/35)において、X=0~12%、Yは化学量論組成に対して125%とした。焼結は、700℃で10分間RTA にて行った。電圧印加に伴う反射率スペクトルの共鳴波長シフトすなわち電気光学特性は、La量の増加に対して単調に減少した。ラマン分光法により測定したスペクトルのシフト量より見積もった、Laのサイト占有率より、PZT膜にLaを添加すると、3%まではLaイオンはA-siteのPbイオンを選択的に置換するが、それ以降はLa量を増やしてもA-siteの置換量は増えずに、B-siteに置換するということがわかった。この結果より、La-PZT膜の電気光学特性がバルクと異なる傾向を示すのは、Laイオンが選択的にA-siteに入っていないことが一つの原因と考えられる。

    DOI: 10.14853/pcersj.2007s.0.172.0

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  • 酸化物ナノシートのボトムアップ集積による誘電素子の作製

    長田 実, 赤塚 公章, 海老名 保男, 舟窪 浩, 高田 和典, 佐々木 高義

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2007F   182 - 182   2007年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    酸化物ナノシートを用いて、ボトムアップ集積により高機能の誘電素子を作製する新しいアプローチについて紹介する。最近開発した高誘電性チタニアナノシートを基本ブロックに利用し、Layer-by-Layer集積およびLangmuir-Blogett法により原子平滑電極上に不純物や欠陥のない高品位の積層ナノ薄膜の作製に成功した。これらの積層ナノ薄膜について誘電特性を検討した結果、100以上の高い誘電率と共に、膜厚に依存しない優れた誘電特性(サイズ効果フリー)が実現することが明らかとなった。

    DOI: 10.14853/pcersj.2007f.0.182.0

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  • BaTiO3-BiCoO3薄膜の構造、強誘電特性および磁気特性

    高岩 徳寿, 永沼 博, 島 宏美, 飯島 高志, 舟窪 浩, 岡村 総一郎

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2007S   305 - 305   2007年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    マルチフェロイック物質であり正方晶ペロブスカイト構造をもつBiCoO3は、c/aが1.27と高い正方晶歪みを有する物質であることから大きな圧電定数が期待されている。しかし、BiCoO3の作製には一般に高圧合成が必要であるため、これまで薄膜の作製例は報告されていない。一方、同じ正方晶ペロブスカイト構造のBaTiO3については比較的容易に薄膜試料を作製できるが、正方晶歪み(c/a)が1.01とかなり小さく優れた圧電特性は期待できない。そこで本研究では、高い正方晶歪みを有する強誘電体薄膜試料を得るため、BaTiO3にBiCoO3を混ぜた固溶体薄膜を作製し、その構造および圧電特性について調べた。

    DOI: 10.14853/pcersj.2007s.0.305.0

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  • 3次元PZTキャパシタのMOCVD合成

    舟窪 浩, 永井 篤史, 南館 純, Choi Chel Jong, Koo June-Mo, Park Youngsoo

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2007F   798 - 798   2007年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    PZTの3次元キャパシタ作製をMOCVD法で試みたので報告する。膜厚の均一性のみならず、組成の均一を確保するため、原料の選択、製膜条件、電極とPZTの最適化を行った。

    DOI: 10.14853/pcersj.2007f.0.798.0

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  • “Twin-Free Epitaxial Films Lateral Relation between YSZ(111) and Si(111)”,

    HIROSHI FUNAKUBO, Satoru Kaneko, Kensuke Akiyama, Taku Oguni, Takeshi Ito, Yasuo Hirabayashi, Seishiro Ohya, Koichi Seo, Yutaka Sawada, Mamoru Yoshimoto

    Jpn. J. Appl. Phys.   45 ( 46-50 )   L1328 - L1330   2006年12月

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  • Strong dependence on thickness of room-temperature dielectric constant of (100)-oriented Pb(Mg1/3Nb2/3)O-3 epitaxial films grown by metal organic chemical vapor deposition

    Satoshi Okamoto, Shintaro Yokoyama, Shoji Okamoto, Keisuke Saito, Hiroshi Uchida, Seiichiro Koda, Hiroshi Funakubo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS   45 ( 37-41 )   L1074 - L1076   2006年10月

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  • “Strong Dependence on Thickness of Room-Temperature Dielectric Constant of (100)-Oriented Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 Epitaxial Films Grown by Metal Organic Chemical Vapor Deposition”

    HIROSHI FUNAKUBO

    Jpn. J. Appl. Phys.   45 ( 37-41 )   L1074 - L1076   2006年10月

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  • Crystal structure, electrical properties, and mechanical response of (100)-/(001)-oriented epitaxial Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 films grown on (100)cSrRuO3 // (100)SrTiO3 substrates by metal-organic chemical vapor deposition

    Shintaro Yokoyama, Satoshi Okamoto, Hiroshi, Funakubo Takashi Iijima Keisuke, Saito Hirotake, Okino, Takashi Yamamoto Ken, Nishida Takashi, Katoda Joe Sakai

    J. Appl. Phys.   100 ( 5 )   054110.   2006年9月

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  • Structural characterization of BiFeO3 thin films by reciprocal space mapping

    Keisuke Saito, Alexander Ulyanenkov, Volkmar Grossmann, Heiko Ress, Lutz Bruegemann, Hideo Ohta, Toshiyuki Kurosawa, Sadao Ueki, Hiroshi Funakubo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   45 ( 9B )   7311 - 7314   2006年9月

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  • Controlled crystal growth of layered-perovskite thin films as an approach to study their basic properties

    Takayuki Watanabe, Hiroshi Funakubo

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   100 ( 5 )   051602-1-11.   2006年9月

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  • c軸配向ビスマス層状化合物膜の誘電特性 (特集 エレクトロニクセラミックス薄膜)

    舟窪 浩, 高橋 健治, 渡辺 隆之

    マテリアルインテグレ-ション   19 ( 9 )   3 - 7   2006年9月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:ティー・アイ・シィー  

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  • Site occupancy analysis on the enhancement in Dy-substituted Pb(Zr,Ti)O-3 film

    Ken Nishida, Minoru Osada, Hiroshi Uchida, Hiroshi Nakaki, Seiichiro Koda, Hiroshi Funakubo, Takashi Katoda

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   45 ( 9B )   7548 - 7551   2006年9月

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  • Thickness dependence of dielectric properties in bismuth layer-structured dielectrics

    Kenji Takahashi, Muneyasu Suzuki, Takashi Kojima, Takayuki Watanabe, Yukio Sakashita, Kazumi Kato, Osami Sakata, Kazushi Sumitani, Hiroshi Funakubo

    APPLIED PHYSICS LETTERS   89 ( 8 )   082901-1-3.   2006年8月

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  • Strain-amplified structural modulation of Bi-cuprate high-T-c superconductors

    Satoru Kaneko, Kensuke Akiyama, Hiroshi Funakubo, Mamoru Yoshimoto

    PHYSICAL REVIEW B   74 ( 5 )   054503-1-4.   2006年8月

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  • Fatigue Properties of Epitaxial Pb(Zr0:35Ti0:65)O3 Films with Various Volume Fractions of 90° Domains Grown on (100)cSrRuO3/(100)SrTiO3 Substrates

    Yong Kwan, Kim Hitoshi Morioka, Hiroshi Funakubo

    Jpn. J. Appl. Phys.   45 ( 8A )   6382 - 6384   2006年8月

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  • Crystal structure and ferroelectric properties of rare-earth substituted BiFeO3 thin films

    Hiroshi Uchida, Risako Ueno, Hiroshi Funakubo, Seiichiro Koda

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   100 ( 1 )   014106-1-9.   2006年7月

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  • Preparation and Structural Analysis of Micro-patterned Pb(Zr, Ti)O_3 Film by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

    舟窪 浩

    Jpn.J.Appl.Phys. 45(6A)   45 ( 6A )   5102 - 5106   2006年6月

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  • Photoluminescence properties of Si/beta-FeSi2/Si double heterostructure

    Kensuke Akiyama, Satoru Kaneko, Yasuo Hirabayashi, Hiroshi Funakubo

    THIN SOLID FILMS   508 ( 1-2 )   380 - 384   2006年6月

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  • "Domain Structures and piezoelectric properties in epitaxial Pb(Zr_0.35,Ti_0.65)O_3 thin films",

    舟窪 浩

    Appl. Phys. Lett., 88   88 ( 25 )   252904-1-3.   2006年6月

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  • MOCVDプロセスにおけるin-situモニタリングの重要性と今後の展望—特集 第2回堀場雅夫賞

    舟窪 浩

    Readout : Horiba technical reports   ( 32 )   54 - 59   2006年5月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:京都 : 堀場製作所  

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    その他リンク: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I8049593

  • High-k dielectric nanofilms fabricated from Titania nanosheets

    M Osada, Y Ebina, H Funakubo, S Yokoyama, T Kiguchi, K Takada, T Sasaki

    ADVANCED MATERIALS   18 ( 8 )   1023 - +   2006年4月

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  • Epitaxial BiFeO3 thin films fabricated by chemical solution deposition

    SK Singh, YK Kim, H Funakubo, H Ishiwara

    APPLIED PHYSICS LETTERS   88 ( 16 )   162904-1-3.   2006年4月

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  • Effect of template layer on formation of flat-surface beta-FeSi2 epitaxial films on (111) Si by metal-organic chemical vapor deposition

    K Akiyama, Y Hirabayashi, S Kaneko, T Kimura, S Yokoyama, H Funakubo

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   289 ( 1 )   37 - 43   2006年3月

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  • In situ FTIR investigation of the effect of gas-phase reaction on the deposition of Pb(ZrTi)O-3 films by MOCVD

    G Asano, T Satake, K Ohtsuki, H Funakubo

    THIN SOLID FILMS   498 ( 1-2 )   277 - 281   2006年3月

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  • MOCVD of single-axis c-oriented strontium bismuth titanate thin films and their electrical properties

    K Takahashi, M Suzuki, T Oikawa, T Kojima, T Watanabe, H Funakubo

    CHEMICAL VAPOR DEPOSITION   12 ( 2-3 )   136 - 142   2006年3月

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  • Growth behavior of c-axis-oriented epitaxial SrBi2Ta2O9 films on SrTiO3 substrates with atomic scale step structure

    K Takahashi, M Suzuki, M Yoshimoto, H Funakubo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS   45 ( 4-7 )   L138 - L141   2006年2月

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  • Metalorganic chemical vapor deposition of epitaxial perovskite SrIrO3 films on (100)SrTiO3 substrates

    YK Kim, A Sumi, K Takahashi, S Yokoyama, S Ito, T Watanabe, K Akiyama, S Kaneko, K Saito, H Funakubo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS   45 ( 1-3 )   L36 - L38   2006年1月

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  • Structural modulation in bismuth cuprate superconductor observed by X-ray reciprocal space mapping

    S Kaneko, K Akiyama, Y Shimizu, Y Hirabayashi, S Ohya, H Funakubo, M Yoshimoto

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   287 ( 2 )   483 - 485   2006年1月

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  • Horizontal growth of epitaxial (100) β-FeSi_2 templates by metal-organic chemical vapor deposition

    舟窪 浩

    Journal of Crystal Glowth 287   287 ( 2 )   694 - 697   2006年1月

  • 化学溶液法によるBiFeO3-BiScO3薄膜の作製

    安井伸太郎, 内田寛, 中木寛, 舟窪浩, 幸田清一郎

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集   53rd ( 2 )   2006年

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  • “Intrinsic Properties of (100)/(001)-Oriented Epitaxial PZT Thin Films Grown on (100)Si and (100)SrTiO3 Substrates”

    Yong Kwan, Kim, Hitoshi Morioka, Shoji Okamoto, Shintaro Yokoyama, Hiroshi Funakubo

    Integ. Ferro.   78   223-232.   2006年

  • Seed layer free conformal ruthenium film deposition on hole substrates by MOCVD using (2,4-dimethylpentadienyl)(ethylcyclopentadienyl)ruthenium

    Kazuhisa Kawano, Atsushi Nagai, Hiroaki Kosuge, Tetsuo Shibutami, Noriaki Oshima, Hiroshi Funakubo

    ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS   9 ( 7 )   C107 - C109   2006年

     詳細を見る

  • MOCVD growth of epitaxial pyrochlore Bi2Ti2O7 thin film

    Muneyasu Suzuki, Takayuki Watanabe, Tadashi Takenaka, Hiroshi Funakubo

    JOURNAL OF THE EUROPEAN CERAMIC SOCIETY   26 ( 10-11 )   2155 - 2159   2006年

     詳細を見る

  • Ion Modification for Improvement of Electrical Properties of Perovskite-based Ferroelectric Thin Films Fabricated by Chemical Solution Deposition Method

    Hiroshi Uchida Shintaro, Yasui Risako, Ueno, Hiroshi, Nakaki Ken, Nishida Minoru, Osada Hiroshi Funakubo Takashi Katoda Seiichiro Koda

    Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   902E   0902-T04-10.1-6.   2006年

     詳細を見る

    記述言語:英語  

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  • Investigation of Sr-Ru-O/Ru multilayer-electrodes prepared by MOCVD

    Jun Minamidate, Atsushi Nagai, Hiroki Kuwabara, Hiroshi Funakubo, June Mo Koo, Suk Pil Kim, Youngsoo Park

    INTEGRATED FERROELECTRICS   81   249 - 260   2006年

     詳細を見る

  • Trial for making three dimensional PZT capacitor for high density ferroelectric random access memory

    Hiroshi Funakubo, Atsushi Nagai, Jun Minamidate, June Mo Koo, Suk Pil Kim, Youngsoo Park

    INTEGRATED FERROELECTRICS   81   219 - 226   2006年

     詳細を見る

  • A new method to characterize a relative volume to the c-domain in PZT films based on Raman spectra

    K Nishida, M Osada, S Wada, S Okamoto, R Ueno, H Funakubo, T Katoda

    INTEGRATED FERROELECTRICS   78   281 - 287   2006年

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  • Observation of Domain Switching in Fatigued Epitaxial Pb(Zr, Ti)O_3 Thin Films

    舟窪 浩

    Mater.Res.Soc.Symp.Proc. 902E   902E ( No. )   0902-T10-67.1-6.   2006年

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    CiNii Research

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  • Electric-Field-Induced Displacements in Pt/PZT/Pt/SiO_2/Si System Investigated by Finite Element Method : Material-Constant Dependences

    舟窪 浩

    Mater.Res.Soc.Symp.Proc. 902E   902E ( No. )   0902-T03-49.1-6.   2006年

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    CiNii Research

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  • Initial Growth Behavior of Ultra-Thin c-Axis-Oriented Epitaxial SrBi2Ta2O9 films on SrTiO3

    Kenji Takahashi, Muneyasu Suzuki, Mamoru Yoshimoto, Hiroshi Funakubo

    Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   902E ( No. )   0902-T03-39.1-6.   2006年

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    記述言語:英語  

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  • “Twin-Free Epitaxial Films Lateral Relation between YSZ(111) and Si(111)”,

    HIROSHI FUNAKUBO, Satoru Kaneko, Kensuke Akiyama, Taku Oguni, Takeshi Ito, Yasuo Hirabayashi, Seishiro Ohya, Koichi Seo, Yutaka Sawada, Mamoru Yoshimoto

    Jpn. J. Appl. Phys.   45 ( 50 )   L1328-L1330   2006年

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  • “Strong Dependence on Thickness of Room-Temperature Dielectric Constant of (100)-Oriented Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 Epitaxial Films Grown by Metal Organic Chemical Vapor Deposition”

    HIROSHI FUNAKUBO

    Jpn. J. Appl. Phys.   45 ( 40 )   L1074-L1076   2006年

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  • “Properties of a Novel Bismuth Percursor for MOCVD”

    T. Furukawa, N. Oshima, M. Suzuki, Shouji Okamura, HIROSHI FUNAKUBO

    Integ. Ferro.   84 ( No. )   197 - 202   2006年

  • Crystal structure, electrical properties, and mechanical response of (100)-/(001)-oriented epitaxial Pb(Mg_<1/3>Nb_<2/3>)O_3-PbTiO_3 films grown on (100)_cSrRuO_3 / (100)SrTiO_3 substrates by metal-organic chemical vapor deposition

    舟窪 浩

    J.Appl.Phys. 100   100   054110.   2006年

  • Metalorganic Chemical Vapor Deposition of Epitaxial Perovskite SrIrO3 Films on (100)SrTiO3 substrates

    Yong Kwan Kim, Akihiro Sumi, Kenji Takahashi, Shintaro Yokoyama, Shinichi Ito, Takayuki Watanabe, Kensuke Akiyama, Satoru Kaneko, Keisuke Saito, Hiroshi Funakubo

    Jpn. J. Appl. Phys.   45 ( 01 )   L36-L38.   2006年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1143/JJAP.45.L36

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  • Conformality of Pb(Zr, Ti)O3 Films Deposited on Trench Structures Having Submicrometer Diameter and Various Aspect Ratios

    Atsushi Nagai, Jun Minamidate, Gouji Asano, Chel Jong Choi, Choong-Rae Cho, Youngsoo Park, Hiroshi Funakubo

    Electrochem. Solid-State Lett.   9 ( 1 )   C15-C18   2006年

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    DOI: 10.1149/1.2137470

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  • Conformability of ruthenium dioxide films prepared on substrates with capacitor holes by MOCVD and modification by annealing

    Kazuhisa Kawano, Hiroaki Kosuge, Noriaki Oshima, Hiroshi Funakubo

    ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS   9 ( 11 )   C175 - C177   2006年

     詳細を見る

  • Strain-amplified structural modulation of Bi-cuprate high- Tc superconductors

    Satoru Kaneko, Kensuke Akiyama, Hiroshi Funakubo, Mamoru Yoshimoto

    Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics   74 ( 5 )   054503-1-4.   2006年

     詳細を見る

  • Fatigue Properties of Epitaxial Pb(Zr0:35Ti0:65)O3 Films with Various Volume Fractions of 90° Domains Grown on (100)cSrRuO3/(100)SrTiO3 Substrates

    Yong Kwan, Kim Hitoshi Morioka, Hiroshi Funakubo

    Jpn. J. Appl. Phys.   45 ( 8A )   6382-6384.   2006年

     詳細を見る

  • Formation of stoichiometric SrRuO3 electrodes for PZT capacitors by pulsed-MOCVD

    Jun Minamidate, Atsushi Nagai, Sukpil Kim, June-mo Koo, Sangmin Shin, Youngsoo Park, Hiroshi Funakubo

    ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS   9 ( 10 )   C164 - C166   2006年

     詳細を見る

  • In situ FTIR investigation of the effect of gas-phase reaction on the deposition of Pb(Zr,Ti)O3 films by MOCVD

    Gouji Asano, Tsukasa Satake Kunio, Ohtsuki Hiroshi Funakubo

    Thin Solid Films   498   277 - 281   2006年

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2005.07.126

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  • Conformality of Pb(Zr, Ti)O-3 films deposited on trench structures having submicrometer diameter and various aspect ratios

    A Nagai, J Minamidate, G Asano, CJ Choi, CR Cho, Y Park, H Funakubo

    ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS   9 ( 1 )   C15 - C18   2006年

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  • Characteristic Comparison Of Epitaxial PZT And PMN-PT Films Grown On (100)cSrRuO3//(100)SrTiO3 Substrates By Metalorganic Chemical Vapor Deposition

    Shintaro Yokoyama, Satoshi Okamoto, Keisuke Saito, Takashi Iijima Hirotake, Okino, Takashi Yamamoto Ken, Nishida Takashi, Katoda Joe, Sakai, Hiroshi Funakubo

    Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   902E   0902-T03-29.1-6.   2006年

     詳細を見る

    記述言語:英語  

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  • Dielectric Property Controls Using Crystal Structure Anisotropy In Bismuth Layer-Structured Dielectrics

    Muneyasu Suzuki Kenji, Takahashi Takayuki Watanabe, Tadashi Takenaka, Hiroshi Funakubo

    Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   902E   0902-T02-06.1-6.   2006年

     詳細を見る

    記述言語:英語  

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  • DOMINANT FACTOR OF SQUARENESS IN P-E HSYTERESIS LOOPS OF MOCVD-PZT FILMS

    Hiroshi Funakubo Akihiro Sumi Hitoshi Morioka, Shoji Okamoto, Shintaro Yokoyama

    Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   902E   0902-T04-04.1-6   2006年

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    記述言語:英語  

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  • Horizontal growth of epitaxial (100) β-FeSi2 templates by metal-organic chemical vapor deposition

    Kensuke Akiyama, Satoru Kaneko, Yasuo Hirabayashi, Takashi Suemasu, Hiroshi Funakubo

    Journal of Crystal Growth   287 ( No. )   694 - 697   2006年

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2005.10.097

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  • Control of β-FeSi2/Si(100) Interface Structure by Cu Layer

    Kensuke Akiyama, Masaru Itakura, Satoru Kaneko, Hiroshi Funakubo, Yoshihito Maeda

    Proc. The 16th International Microscopy Congress   1348   2006年

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  • 希土類置換ビスマスフェライト薄膜の結晶構造と電気特性

    内田 寛, 安井 伸太郎, 舟窪 浩, 幸田 清一郎

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2006 ( 0 )   448 - 448   2006年

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    出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    BiFeO&lt;SUB&gt;3&lt;/SUB&gt; (BFO) は優れた分極特性を有する巨大分極材料であると同時に,強誘電性と強磁性を併せ持つマルチフェロイク材料の有力な候補である.本研究では,希土類置換によるBFO基薄膜の結晶構造および相転移挙動の変化,ならびにそれらと強誘電特性との関係について調査し,希土類置換に伴う特性改善のメカニズムを明らかにする.化学溶液法により作製されたLaおよびNd置換BFO薄膜では希土類イオン置換に伴い格子異方性および相転移温度が低下し,それに対応した残留分極値の減少が確認された.しかしながら,これらの試料では無置換BFO薄膜に比較して大幅な絶縁性の改善が認められた.

    DOI: 10.14853/pcersj.2006S.0.448.0

    CiNii Research

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  • Growth Behavior of c-Axis-Oriented Epitaxial SrBi2Ta2O9 Films on SrTiO3 Substrates with Atomic Scale Step Structure

    Kenji Takahashi, Muneyasu Suzuki Mamoru Yoshimoto, Hiroshi Funakubo

    Jpn. J. Appl. Phys.   45 ( 5 )   L138-141   2006年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1143/JJAP.45.L138

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  • Structural Characterization of BiFeO3 Thin Films by Reciprocal Space Mapping

    Keisuke Saito Alexander, Ulyanenkov Volkmar Grossmann, Heiko Ress Lutz, Bruegemann Hideo Ohta Toshiyuki Kurosawa, Sadao Ueki, Hiroshi Funakubo

    Jpn. J. Appl. Phys.   45 ( 9B )   7311-7314.   2006年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1143/JJAP.45.7311

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  • Electrical properties of perovskite-based ferroelectric thin films modified using rare-earth elements

    Hiroshi Uchida, Hiroshi Nakaki, Hiroshi Funakubo, Seiichiro Koda

    ELECTROCERAMICS IN JAPAN IX   320   49 - 52   2006年

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  • Controlled crystal growth of layered-perovskite thin films as an approach to study their basic properties

    Takayuki Watanabe, Hiroshi Funakubo

    J. Appl. Phys.   100   051602-1-11.   2006年

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    DOI: 10.1063/1.2337357

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  • Conformability of Ruthenium Dioxide Films Prepared on Substrates with Capacitor Holes by MOCVD and Modification by Annealing

    Kazuhisa Kawano, Hiroaki, Kosuge, Noriaki Oshima, Hiroshi Funakubo

    Electrochem. Solid-State Lett.   9 ( 11 )   C175-C177.   2006年

     詳細を見る

  • Formation of Stoichiometric SrRuO3 Electrodes for PZT Capacitors by Pulsed-MOCVD

    Jun Minamidate, Atsushi Nagai Sukpil, Kim June-mo Koo, Sangmin, Shin Youngsoo, Park, Hiroshi Funakubo

    Electrochem. Solid-State Lett.   9 ( 10 )   C164-C166.   2006年

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    DOI: 10.1149/1.2221768

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  • Photoluminescence properties of Si/-FeSi2/Si double heterostructure

    Kensuke Akiyama, Satoru Kaneko, Yasuo Hirabayashi, Hiroshi Funakubo

    Thin Solid Films   508   380-384.   2006年

  • Investigation of Sr-Ru-O/Ru Multilayer-Electrodes Prepared by MOCVD

    Jun Minamidate, Atsushi Nagai, Hiroki Kuwabara, Hiroshi Funakubo June, Mo Koo Suk, Pil, Kim Youngsoo Park

    Integ. Ferro.   81   249-260.   2006年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1080/10584580600660538

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  • Trial for Making Three Dimensional PZT Capacitor for High Density Ferroelectric Random Access Memory

    Hiroshi Funakubo, Atsushi Nagai Jun, Minamidate June, Mo Koo Suk, Pil, Kim Youngsoo Park

    Integ. Ferro.   81   219-226.   2006年

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    DOI: 10.1080/10584580600660488

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  • Ruthenium and Ruthenium Oxide Films Deposition by MOCVD Using Ru(DMPD)2

    Kazuhisa Kawano, Hiroaki, Kosuge, Noriaki Oshima, Hiroshi Funakubo

    ECS Trans   1 ( 5 )   139.   2006年

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    DOI: 10.1149/1.2209263

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  • Crystal structure and ferroelectric properties of rare-earth substituted BiFeO3 thin films

    Hiroshi Uchida Risako Ueno, Hiroshi Funakubo Seiichiro Koda

    Jpn. J. Appl. Phys.   100   014106-1-9.   2006年

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    DOI: 10.1063/1.2210167

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  • MOCVD of Single-Axis c-Oriented Strontium Bismuth Titanate Thin Films and Their Electrical Properties

    Kenji Takahashi, Muneyasu Suzuki Takahiro Oikawa, Takashi Kojima, Takayuki Watanabe, Hiroshi Funakubo

    Chem. Vap. Deposition,   12   136-142.   2006年

     詳細を見る

  • Ion Modification for Improvement of Electrical Properties of Perovskite-based Ferroelectric Thin Films Fabricated by Chemical Solution Deposition Method

    Hiroshi Uchida Shintaro, Yasui Risako, Ueno, Hiroshi, Nakaki Ken, Nishida Minoru, Osada Hiroshi Funakubo Takashi Katoda Seiichiro Koda

    Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   902E   0902-T04-10.1-6.   2006年

     詳細を見る

  • Observation of Domain Switching in Fatigued Epitaxial Pb(Zr,Ti)O3 Thin Films

    Yong Kwan, Kim Shintaro Yokoyama Risako Ueno, Hitoshi Morioka, Osami Sakata, Shigeru Kimura, Keisuke Saito, Hiroshi Funakubo

    Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   902E   0902-T10-67.1-6.   2006年

     詳細を見る

  • “Properties of a Novel Bismuth Percursor for MOCVD”

    T. Furukawa, N. Oshima, M. Suzuki, Shouji Okamura, HIROSHI FUNAKUBO

    Integ. Ferro.   84 ( No. )   197 - 202   2006年

     詳細を見る

  • Strong Dependence on Thickness of Room-Temperature Dielectric Constant of (100)-Oriented Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 Epitaxial Films Grown by Metal Organic Chemical Vapor Deposition

    Satoshi Okamoto, Shintaro Yokoyama, Shoji Okamoto, Keisuke Saito, Hiroshi Uchida Seiichiro Koda, Hiroshi Funakubo

    Jpn. J. Appl. Phys.,   45 ( 40 )   pp.L1074-L1076.   2006年

     詳細を見る

  • Initial Growth Behavior of Ultra-Thin c-Axis-Oriented Epitaxial SrBi2Ta2O9 films on SrTiO3

    Kenji Takahashi, Muneyasu Suzuki, Mamoru Yoshimoto, Hiroshi Funakubo

    Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   902E   0902-T03-39.1-6.   2006年

     詳細を見る

  • Characteristic Comparison Of Epitaxial PZT And PMN-PT Films Grown On (100)cSrRuO3//(100)SrTiO3 Substrates By Metalorganic Chemical Vapor Deposition

    Shintaro Yokoyama, Satoshi Okamoto, Keisuke Saito, Takashi Iijima Hirotake, Okino, Takashi Yamamoto Ken, Nishida Takashi, Katoda Joe, Sakai, Hiroshi Funakubo

    Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   902E   0902-T03-29.1-6.   2006年

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  • Dielectric Property Controls Using Crystal Structure Anisotropy In Bismuth Layer-Structured Dielectrics

    Muneyasu Suzuki Kenji, Takahashi Takayuki Watanabe, Tadashi Takenaka, Hiroshi Funakubo

    Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   902E   0902-T02-06.1-6.   2006年

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  • DOMINANT FACTOR OF SQUARENESS IN P-E HSYTERESIS LOOPS OF MOCVD-PZT FILMS

    Hiroshi Funakubo Akihiro Sumi Hitoshi Morioka, Shoji Okamoto, Shintaro Yokoyama

    Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   902E   0902-T04-04.1-6   2006年

     詳細を見る

  • Electric-Field-Induced Displacements in Pt/PZT/Pt/SiO2/Si System Investigated by Finite Element Method: Material-Constant Dependences

    Hirotake Okino, Masahiro Hayashi, Takashi Iijima, Shintaro Yokoyama, Hiroshi Funakubo, Nava Setter, Takashi Yamamoto

    Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   902E   0902-T03-49.1-6.   2006年

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  • In situ FTIR investigation of the effect of gas-phase reaction on the deposition of Pb(Zr,Ti)O3 films by MOCVD

    Gouji Asano, Tsukasa Satake Kunio, Ohtsuki Hiroshi Funakubo

    Thin Solid Films   498   277 - 281   2006年

  • Effect of template layer on formation of flat-surface -FeSi2 epitaxial films on (111) Si by Metal-organic chemical vapor deposition

    Kensuke Akiyama, Yasuo Hirabayashi, Satoru Kaneko, Takeshi Kimura, Shintaro Yokoyama, Hiroshi Funakubo

    Journal of Crystal Growth   289   37 - 43   2006年

  • Structural modulation in bismuth cuprate superconductor observed by X-ray reciprocal space mapping

    Satoru Kaneko, Kensuke Akiyama, Yoshitada Shimizu, Yasuo Hirabayashi, Seishiro Ohya Hiroshi Funakubo, Mamoru Yoshimoto

    Journal of Crystal Growth   287 ( No. )   483 - 485   2006年

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2005.11.063

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  • Thickness dependence of dielectric properties in bismuth layer-structured dielectrics

    Kenji Takahashi, Muneyasu Suzuki Takashi Kojima Takayuki Watanabe Yukio, Sakashita Kazumi Kato, Osami Sakata, Kazushi Sumitani, Hiroshi Funakubo

    Appl. Phys. Lett.   89 ( No. )   082901-1-3.   2006年

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    DOI: 10.1063/1.2336626

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  • Crystal Orientation Anisotropy of Epitaxial Pb(Mg_<1/3>Nb_<2/3>)O_3-PbTiO_3 Thick Films Grown by MOCVD

    舟窪 浩

    Integ.Ferro. 80   80 ( No. )   67 - 76   2006年

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  • A New Method to Characterize a Relative Volume to the c-Domain in PZT Films Based on Raman Spectra

    K. Nishida, M. Osada S. Wada, S. Okamoto, R, Ueno, H. Funakubo, T. Katoda

    Integ. Ferro.   78   281-287.   2006年

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    DOI: 10.1080/10584580600663425

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  • “Intrinsic Properties of (100)/(001)-Oriented Epitaxial PZT Thin Films Grown on (100)Si and (100)SrTiO3 Substrates”

    Yong Kwan, Kim, Hitoshi Morioka, Shoji Okamoto, Shintaro Yokoyama, Hiroshi Funakubo

    Integ. Ferro.   78   223 - 232   2006年

     詳細を見る

  • Domain structures and piezoelectric properties in epitaxial Pb(Zr0.35,Ti0.65)O3 thin films

    Yong Kwan, Kim Hitoshi, Morioka Risako Ueno, Shintaro Yokoyama, Hiroshi Funakubo, Kilho Lee Sunggi Baik

    Appl. Phys. Lett.,   88 ( No. )   252904-1-3.   2006年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1063/1.2214169

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  • High- Dielectric Nanofilms Fabricated from Titania Nanosheets”,

    Minoru Osada, Yasuo Ebina, Hiroshi Funakubo Shintaro Yokoyama Takanori Kiguchi Kazunori Takada Takayoshi Sasaki

    Advanced Materials,   18   1023-1027.   2006年

     詳細を見る

  • MOCVD growth of epitaxial pyrochlore Bi2Ti2O7 thin film

    Muneyasu Suzuki, Takayuki Watanabe, Tadashi Takenaka, Hiroshi Funakubo

    J. European Ceram. Soc.   26 ( No. )   2155-2159.   2006年

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  • Investigation of Domain Distribution in Patterned PZT Thin Films Using Raman Spectroscopy

    舟窪 浩

    Trans.Mater.Res.Soc.Jpn. 31(1)   31 ( 1 )   27 - 30   2006年

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  • Electronic structure in the valence band of (Pb,La)(Zr,Ti)O-3 thin films probed by soft-X-ray emission spectroscopy

    Tohru Higuchi, Takeyo Tsukamoto, Takeshi Hattori, Yoshihisa Honda, Shintaro Yokoyama, Hiroshi Funakubo

    TRANSACTIONS OF THE MATERIALS RESEARCH SOCIETY OF JAPAN, VOL 31, NO 1   31 ( 1 )   23 - +   2006年

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    Web of Science

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  • Preparation and Structural Analysis of Micro-patterned Pb(Zr,Ti)O3 Film by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

    Shintaro Yokoyama, Kenji Takahashi, Shoji Okamoto, Atsushi, Nagai Jun, Minamidate, Keisuke Saito, Naoki Ohashi, Hajime Haneda, Osami Sakata, Shigeru Kimura Ken, Nishida Takashi Katoda, Hiroshi Funakubo

    Jpn. J. Appl. Phys.   45 ( 6A )   pp.5102-5106.   2006年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1143/JJAP.45.5102

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  • Seed Layer Free Conformal Ruthenium Film Deposition on Hole Substrates by MOCVD Using (2,4-Dimethylpentadienyl)(ethylcyclopentadienyl)ruthenium

    Kazuhisa Kawano, Atsushi Nagai, Hiroaki Kosuge, Tetsuo, Shibutami Noriaki Oshima, Hiroshi Funakubo

    Electrochem. Solid-State Lett.   9 ( 7 )   C107-C109   2006年

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  • Epitaxial BiFeO3 thin films fabricated by chemical solution deposition

    S. K. Singh, Y. K. Kim, H. Funakubo, H. Ishiwara

    Appl. Phys. Lett.,   88 ( No. )   162904-1-3.   2006年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1063/1.2196477

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  • MOCVD合成したエピタキシャルPZT膜とPMN-PT膜の圧電特性比較

    舟窪 浩, 横山 信太郎, 中木 寛

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2006F   5 - 5   2006年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    PZTとPMN-PTは大きな圧電性を有する代表的な圧電体である。本報告ではSrTiO3単結晶基板上に作製した、両者のエピタキシャル膜の特性評価を行い、その違いについて検討し報告する。

    DOI: 10.14853/pcersj.2006f.0.5.0

    CiNii Research

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  • 酸化物ナノシートの積層集積による高誘電体デバイスの作製

    長田 実, 海老名 保男, 舟窪 浩, 木口 賢紀, 高田 和典, 佐々木 高義

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2006F   40 - 40   2006年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    本グループでは、層状化合物の単層剥離により得られる酸化物ナノシートを構築単位に用いて、ナノ組織体を設計的に構築する技術の確立と高度な電磁気機能の創製を目指した研究を進めている。本研究では、最近開発した高誘電体チタニアナノシートを利用したユニークなデバイス作製技術と、高誘電体デバイスへの応用の可能性について検討する。溶液プロセスを用いたLayer-by-Layer積層集積により、超平滑電極上に不純物や欠陥のない積層ナノ薄膜の作製に成功した。その結果、従来のバルク体や薄膜では到達困難な薄膜化と高容量化が実現し、膜厚5?15nmの超薄膜では世界最高レベルの漏れ電流特性と高誘電率を有する高容量誘電体素子の開発に成功した(尚、本内容はNHKおはよう日本でも紹介された)。

    DOI: 10.14853/pcersj.2006f.0.40.0

    CiNii Research

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  • アニール処理されたSrRuO3薄膜の酸素含有量と電気特性

    坂井 穣, 伊藤 暢晃, 伊藤 信一, 高橋 健治, 舟窪 浩

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2006F   22 - 22   2006年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    様々な条件でアニール処理されたSrRuO3 (SRO) 薄膜の酸素含有量と結晶構造、電気特性との関連を調べた。SRO 薄膜はスパッタ法にて (100) SrTiO3 基板上に堆積させた後、圧力 50 mTorr、温度 Ta のAr雰囲気中で10分間アニール処理した。各薄膜試料について、酸素含有量を非ラザフォード弾性共鳴散乱法 (NRERS) により定量するとともに、X線回折法による構造評価と4端子法による ρ-T 測定を行なった。結果、酸素含有量は Ta = 500℃のとき顕著に減少するが600℃以上では再び増加した。一方電気抵抗率は Ta とともに単調増加した。すなわち高 Ta 領域では酸素量と導電性の間に相関はなく、むしろ結晶構造の崩壊が導電性劣化の直接要因であることが示唆された。

    DOI: 10.14853/pcersj.2006f.0.22.0

    CiNii Research

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  • MOCVDによる(111)一軸配向正方晶Pb(Zr,Ti)O3膜の合成

    舟窪 浩, 桑原 弥紀, 横山 信太郎, 西田 謙, 河東田 隆

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2006S   2 - 2   2006年

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    出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    強誘電体のメモリに用いるPZT膜の要求項目として、動作電圧を下げるための低電圧化がある。このためには薄膜化は不可欠であるが、これまで安定した特性が得られるとされる(111)配向の多結晶薄膜に関して、薄膜化を試みた緩急はほとんどなかった。今回は(111)配向した導電性SrRuO3をバッファー層に用いることで、33nmまでの薄膜化に成功したので報告する。

    DOI: 10.14853/pcersj.2006s.0.2.0

    CiNii Research

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  • Domain distributions in tetragonal Pb(Zr, Ti)O_3 thin films probed by polarized Raman spectroscopy

    舟窪 浩

    Appl.Phys.Lett. 87   87 ( 23 )   232902-1-3.   2005年12月

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  • “Dependence of Ferroelectric Properties on Thickness of BiFeO3 Thin Films Fabricated by Chemical Solution Deposition”

    Sushil K. Singh, Risako Ueno, Hiroshi Funakubo Hiroshi Uchida Seiichiro Koda, Hiroshi Ishiwara

    Jpn. J. Appl. Phys.   44 ( 12 )   8525 - 8527   2005年12月

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  • Dependence of electrical properties of epitaxial Pb(Zr, Ti)O_3 thick films on crystal orientation and Zr/(Zr+Ti) ratio

    舟窪 浩

    J.Appl.Phys. 98   98 ( 9 )   094106   2005年11月

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  • Comparison of electrical properties of (100)/(001)-oriented epitaxial Pb(Zr_<0.35>,Ti_<0.65>)O_3 thin films with the same (001) domain fraction grown on (100)Si and

    舟窪 浩

    Appl.Phy.Lett. 87   87 ( 18 )   182907   2005年10月

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  • Enhancement of spontaneous polarization in lead zirconate titanate thin films by Dy3+ substitution

    H Nakaki, H Uchida, S Koda, S Okamoto, H Funakubo, K Nishida, T Katoda, K Saito

    APPLIED PHYSICS LETTERS   87 ( 18 )   182906   2005年10月

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  • 化学気相成長法によるβ-FeSi2薄膜の結晶成長とPL発光特性 (特集 シリサイド半導体の最新動向)

    秋山 賢輔, 舟窪 浩

    機能材料   25 ( 10 )   41 - 46   2005年10月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:シーエムシー出版  

    CiNii Books

    CiNii Research

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  • PbTiO3 content dependence of crystal structure and electrical properties of (100)-/(001)-oriented epitaxial Pb(Mg1/3Nb2/3)O-3-PbTiO3 films grown by metalorganic chemical vapor deposition

    S Yokoyama, S Okamoto, S Okamoto, H Funakubo, H Matsuda, T Iijima, K Saito, H Okino, T Yamamoto

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   98 ( 8 )   086112-1-3   2005年10月

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  • Electronic structure of (Pb,La)(Zr,Ti)O-3 thin film probed by soft-X-ray spectroscopy

    T Higuchi, T Tsukamoto, T Hattori, Y Honda, S Yokoyama, H Funakubo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   44 ( 9B )   6923 - 6926   2005年9月

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  • Enhancement of polarization property of PZT film by ion-substitution using rare-earth elements

    H Nakaki, H Uchida, K Nishida, M Osada, H Funakubo, T Katoda, S Koda

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   44 ( 9B )   6905 - 6909   2005年9月

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  • Orientation dependence of epitaxial and one-axis-oriented (Ba0.5Sr0.5)TiO3 films prepared by RF magnetron sputtering

    S Ito, K Takahashi, S Okamoto, IP Koutsaroff, A Cervin-Lawry, H Funakubo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   44 ( 9B )   6881 - 6884   2005年9月

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  • MOCVD growth of Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7 (BZN) epitaxial thin films and their electrical properties

    S Okaura, M Suzuki, S Okamoto, H Uchida, S Koda, H Funakubo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   44 ( 9B )   6957 - 6959   2005年9月

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  • MOCVD growth of epitaxial SrIrO3 films on (111)SrTiO3 substrates

    A Sumi, YK Kim, N Oshima, K Akiyama, K Saito, H Funakubo

    THIN SOLID FILMS   486 ( 1-2 )   182 - 185   2005年8月

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  • Effect of oxygen pressure on structural modulation observed by X-ray reciprocal space mapping in epitaxial bismuth cuprate superconducting.

    S Kaneko, K Akiyama, M Mitsuhashi, Y Hirabayashi, S Ohya, K Seo, H Funakubo, A Matsuda, M Yoshimoto

    EUROPHYSICS LETTERS   71 ( 4 )   686 - 691   2005年8月

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  • Metalorganic chemical vapor deposition of atomically flat SrRuO3 films on stepped SrTiO3 substrates

    A Sumi, K Takahashi, S Yokoyama, H Morioka, H Funakubo, M Yoshimoto

    APPLIED PHYSICS LETTERS   87 ( 5 )   052112   2005年8月

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  • Micro-patterning of ZnO single crystal surface by anisotropic wet-chemical etching

    K Takahashi, H Funakubo, N Ohashi, H Haneda

    THIN SOLID FILMS   486 ( 1-2 )   42 - 45   2005年8月

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  • Field-induced strain of (Pb, La)(Zr, Ti)O-3 epitaxial films grown by metal organic chemical vapor deposition

    Y Honda, S Yokoyama, H Funakubo, K Saito

    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY   120 ( 1-3 )   161 - 165   2005年7月

     詳細を見る

  • The effects of neodymium content and site occupancy on spontaneous polarization of epitaxial (Bi4-xNdx)Ti3O12 films

    T Watanabe, H Funakubo, M Osada, H Uchida, Okada, I

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   98 ( 2 )   024110   2005年7月

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  • Epitaxial Pt films with different orientations grown on (100)Si substrates by RF magnetron sputtering

    S Okamoto, T Watanabe, K Akiyama, S Kaneko, H Funakubo, S Horita

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   44 ( 7A )   5102 - 5106   2005年7月

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  • Structural modulation on multilayered bismuth cuprate observed by x-ray reciprocal space mapping

    S Kaneko, K Akiyama, Y Shimizu, H Yuasa, Y Hirabayashi, S Ohya, K Saito, H Funakubo, M Yoshimoto

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   97 ( 10 )   103904   2005年5月

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  • Domain structure control of (001)/(100)-oriented epitaxial Pb(Zr,Ti)O_3 films grown on (100)_cSrRuO_3/(100)SrTiO_3 substrates,

    舟窪 浩

    Appl.Phys.Lett. 86   86 ( 21 )   212905   2005年5月

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  • 強誘電体薄膜におけるサイトエンジニアリングコンセプト

    舟窪 浩, 渡辺 隆之

    表面科学 = Journal of The Surface Science Society of Japan   26 ( 4 )   215 - 219   2005年4月

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  • Preparing Pb(Zr,Ti)O-3 films less than 100 nm thick by low-temperature metalorganic chemical vapor deposition

    A Nagai, H Morioka, G Asano, H Funakubo, A Saiki

    APPLIED PHYSICS LETTERS   86 ( 14 )   142906   2005年4月

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  • Epitaxial Growth of (100)-Oriented β-FeSi2 Thin Film on Insulating Substrates

    Kensuke Akiyama, Satoru Kaneko, Takeshi Kimura, Hiroshi Funakubo

    Japanese Journal of Applied Physics   44 ( 4B )   2496 - 2501   2005年4月

     詳細を見る

  • Polarization comparison of Pb(ZrTi)O-3 and Bi4Ti3O12-based ferroelectrics

    H Funakubo, T Watanabe, H Morioka, A Nagai, T Oikawa, M Suzuki, H Uchida, S Kouda, K Saito

    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY   118 ( 1-3 )   23 - 27   2005年4月

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  • Epitaxial growth map for Bi4Ti3O12 films: a determining factor for crystal orientation

    T Watanabe, H Funakubo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   44 ( 3 )   1337 - 1343   2005年3月

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  • Selective reaction and chemical anisotropy in epitaxial bismuth layer-structured ferroelectric thin films

    T Watanabe, H Funakubo

    JOURNAL OF SOLID STATE CHEMISTRY   178 ( 1 )   64 - 71   2005年1月

     詳細を見る

  • Structural modulation in oxygen deficient epitaxial Bi2Sr2Ca1Cu2OX observed by X-ray reciprocal space mapping

    S Kaneko, K Akiyama, Y Shimizu, Y Hirabayashi, K Saito, T Kimura, H Funakubo, M Yoshimoto, S Ohya

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   44 ( 1A )   156 - 157   2005年1月

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  • PbTiO3 content dependence of crystal structure and electrical properties of (100)-/(001)-oriented epitaxial Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 films grown by metalorganic chemical vapor deposition

    Shintaro Yokoyama, Satoshi Okamoto, Shoji Okamoto, Hiroshi Funakubo Hirofumi, Matsuda Takashi Iijima Keisuke, Saito Hirotake Okino, Takashi Yamamoto

    Jpn. J. Appl. Phys.   98   086112-1-3   2005年

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  • Effects of Sample Geometry on Electric-Field-Induced Displacements in Pt/PZT/Pt/SiO2/Si System Investigated by Finite Element Method

    Hirotake Okino, K. Nakamura, Hirofumi, Matsuda Takashi Iijima Shintaro Yokoyama, Hiroshi Funakubo, Takashi Yamamoto

    Trans. Mater. Res. Soc. Jpn.   30   47 - 50   2005年

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  • Thermal Stability of Epitaxial SrRuO3 Bottom Electrodes and Their Contribution to the Characteristics of (Ba0.5Sr0.5)TiO3 Films Grown on Them

    Shinichi Ito, Kenji Takahashi, Shoji Okamoto, I, P. Koutsaroff, Andrew Cervin-Lawry, J. Sakai, N. Ito, Hiroshi Funakubo

    Integ. Ferro.   77 ( No. )   3 - 11   2005年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1080/10584580500413616

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  • Local Epitaxial Growth” of Tetragonal (111)-Oriented Pb(Zr,Ti)O3 Thin Film

    Hiroki Kuwabara, Akihiro Sumi, Shoji Okamoto, Shintaro Yokoyama, Hiroshi Funakubo

    Integ. Ferro.   75   3 - 9   2005年

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  • Structural and Electrical Properties of Polycrystalline Bi_<4-x>Nd_xTi_3O_<12> Ferroelectric Thin Films with in-Plane c-Axis Orientations

    舟窪 浩

    Jpn.J.Appl.Phys. 44(9)   44 ( 8-11 )   L292 - L294   2005年

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  • Dependence of electrical properties of epitaxial Pb(Zr,Ti)O3 thick films on crystal orientation and Zr/(Zr+Ti) ratio

    Shintaro Yokoyama, Yoshihisa Honda, Hitoshi Morioka, Shoji Okamoto, Hiroshi Funakubo Takashi Iijima Hirofumi, Matsuda Keisuke Saito, Takashi Yamamoto, Hirotake Okino, Osami Sakata, Shigeru Kimura

    Journal of Applied Physics   98 ( No. )   094106   2005年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1063/1.2126156

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  • Comparison of electrical properties of (100)/(001)-oriented epitaxial Pb(Zr0.35,Ti0.65)O3 thin films with the same (001) domain fraction grown on (100)Si and (100)SrTiO3 substrates

    Yong Kwan, Kim, Hitoshi Morioka, Shoji Okamoto, Takayuki Watanabe, Shintaro Yokoyama Akihiro, Sumi Hiroshi Funakubo, Keisuke Saito

    Applied Physics Letters   87   182907   2005年

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  • Enhancement of spontaneous polarization in lead zirconate titanate thin films by Dy3+ substitution

    Hiroshi Nakaki, Hiroshi Uchida Seiichiro Koda, Shoji Okamoto, Hiroshi Funakubo Ken, Nishida Takashi Katoda, Keisuke Saito

    Applied Physics Letters   87   182906   2005年

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  • Epitaxial Pt Films with Different Orientations Grown on (100)Si Substrates by RF Magnetron Sputtering

    Shoji Okamoto, Takayuki Watanabe, Kensuke Akiyama, Satoru Kaneko, Hiroshi Funakubo Susumu Horita

    Japanese Journal of Applied Physics   44 ( 7A )   5102 - 5106   2005年

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  • Domain distributions in tetragonal Pb(Zr,Ti)O3 thin films probed by polarized Raman spectroscopy

    Minoru Osada Ken, Nishida Syunshuke Wada, Shoji Okamoto, Risako Ueno, Hiroshi Funakubo, Takashi Katoda

    Applied Physics Letters   87   232902-1-3. - 232902.3   2005年

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  • Perovskite Single Phase Growth of Epitaxial Pb(Zn1/3Nb2/3)O3 Films by Alternative-Source-Gas-Introduced Metalorganic Chemical Vapor Deposition

    Shintaro Yokoyama, Satoshi Okamoto, Keisuke Saito, Hiroshi Uchida Seiichiro Koda, Hiroshi Funakubo

    Jpn. J. Appl. Phys.   44 ( 48 )   L1452 - L1455   2005年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1143/jjap.44.L1452

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  • Domain structure control of (001)/(100)-oriented epitaxial Pb(Zr,Ti)O3 films grown on (100)cSrRuO3/(100)SrTiO3 substrates

    Yong Kwan, Kim Hitoshi, Morioka Risako Ueno, Shintaro Yokoyama, Hiroshi Funakubo

    Applied Physics Letters   86   212905 - 212905   2005年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1063/1.1938250

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  • Field-induced Strain of (Pb, La)(Zr, Ti)O3 Epitaxial Films Grown by Metal Organic Chemical Vapor Deposition

    Yoshihisa Honda, Shintaro Yokoyama, Hiroshi Funakubo, Keisuke Saito

    Materials Science and Engineering B   120   161 - 165   2005年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1016/j.mseb.2005.02.030

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  • Structural modulation on multilayered bismuth cuprate observed by x-ray reciprocal space mapping

    Satoru Kaneko, Kensuke Akiyama, Yoshitada Shimizu Hiroyasu Yuasa, Yasuo Hirabayashi Seishiro Ohya Keisuke Saito, Hiroshi Funakubo, Mamoru Yoshimoto

    Journal of Applied Physics   97 ( No. )   103904   2005年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1063/1.1896441

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  • Polarization comparison of Pb(Zr, Ti)O3 and Bi4Ti3O12-based ferroelectrics

    Hiroshi Funakubo, Takayuki Watanabe, Hitoshi Morioka, Atsushi Nagai, Takahiro Oikawa, Muneyasu Suzuki Hiroshi Uchida Seiichiro, Kouda, Keisuke Saito

    Materials Science and Engineering B   118 ( No. )   23 - 27   2005年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1016/j.mseb.2004.12.087

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  • Raman Spectroscopic Characterization of Tetragonal PbZrxTi1-xO3 Thin Films: A Rapid Evaluation Method for c-Domain Volume

    Ken Nishida Minoru, Osada Syunsyuke Wada, Shoji Okamoto Risako Ueno, Hiroshi Funakubo, Takashi Katoda

    Japanese Journal of Applied Physics   44 ( 25 )   L827-L829   2005年

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  • Effect of oxygen pressure on structural modulation observed by X-ray reciprocal space mapping in epitaxial bismuth cuprate superconducting film

    S. Kaneko, K. Akiyama, M. Mitsuhashi, Y. Hirabayashi, S. Ohya, K. Seo, H. Funakubo, A, Matsuda M. Yoshimoto

    Europhysics Letters   71 ( 4 )   686 - 691   2005年

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    DOI: 10.1209/epl/i2005-10128-9

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  • Orientation Dependence of Epitaxial and One-Axis-Oriented (Ba0.5Sr0.5)TiO3 Films Prepared by RF Magnetron Sputtering

    Shinichi Ito, Kenji, Takahashi Shoji, Okamoto Ivoyl, P. Koutsaroff, Andrew Cervin-Laury, Hiroshi Funakubo

    Japanese Journal of Applied Physics   44 ( 9B )   6881 - 6884   2005年

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  • Metalorganic chemical vapor deposition of atomically flat SrRuO3 films on stepped SrTiO3 substrates

    Akihiro Sumi, Kenji Takahashi Shintaro Yokoyama, Hitoshi Morioka, Hiroshi Funakubo, Mamoru Yoshimoto

    Applied Physics Letters   87   052112 - 052112   2005年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1063/1.2006989

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  • MOCVD Growth of Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7 (BZN) Epitaxial Thin Films and Their Electrical Properties

    Shingo Okaura, Muneyasu Suzuki, Shoji Okamoto, Hiroshi Uchida Seiichiro Koda, Hiroshi Funakubo

    Japanese Journal of Applied Physics   44 ( 9B )   6957 - 6959   2005年

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  • Electronic Structure of (Pb,La)(Zr,Ti)O3 Thin Film Probed by Soft-X-Ray Spectroscopy

    Tohru Higuchi Takeyo, Tsukamoto, Takeshi Hattori, Yoshihisa Honda, Shintaro Yokoyama, Hiroshi Funakubo

    Japanese Journal of Applied Physics   44 ( 9B )   6923 - 6926   2005年

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  • Enhancement of Polarization Property of PZT Film by Ion-Substitution Using Rare-Earth Elements

    Hiroshi Nakaki, Hiroshi, Uchida Ken, Nishida Minoru, Osada Hiroshi Funakubo Takashi Katoda Seiichiro Koda

    Japanese Journal of Applied Physics   44 ( 9B )   6905 - 6909   2005年

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  • Crystal Structure and Electrical Properties of Epitaxial BiFeO3 Thin Films Grown by Metal Organic Chemical Vapor Deposition

    Risako Ueno, Shingo Okaura, Hiroshi Funakubo, Keisuke Saito

    Japanese Journal of Applied Physics   44 ( 39 )   L1231-L1233   2005年

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  • Micro-patterning of ZnO single crystal surface by anisotropic wet-chemical etching

    Kenji Takahashi, Hiroshi Funakubo, Naoki Ohashi, Hajime Haneda

    Thin Solid Films   486   42 - 45   2005年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2004.11.221

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  • MOCVD growth of epitaxial SrIrO3 films on (111)SrTiO3 substrates

    A. Sumi, Y, K. Kim, N. Oshima, K. Akiyama, K. Saito, H. Funakubo

    Thin Solid Films   486   182 - 185   2005年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2004.11.244

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  • The effects of neodymium content and site occupancy on spontaneous polarization of epitaxial (Bi4-xNdx)Ti3O12 films

    Takayuki Watanabe, Hiroshi Funakubo Minoru, Osada Hiroshi Uchida Isao Okada

    Journal of Applied Physics   98   024110   2005年

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  • Photoluminescence Properties from β-FeSi_2 Fikm Epitaxially Grown on Si, YSZ and Si//YSZ,

    舟窪 浩

    Jpn.J.Appl.Phys 44(10)   44 ( 8-11 )   L303 - L305   2005年

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  • Structural and Electrical Properties of Polycrystalline Bi4-xNdxTi3O12 Ferroelectric Thin Films with in-Plane c-Axis Orientations

    Hirofumi Matsuda Masahiro Kurachi Hiroshi Uchida Takayuki Watanabe, Takashi Iijima Seiichiro Koda, Hiroshi Funakubo

    Japanese Journal of Applied Physics   44 ( 9 )   L292-L294   2005年

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  • Selective reaction and chemical anisotropy in epitaxial bismuth layer-structured ferroelectric thin films

    Takayuki Watanabe, Hiroshi Funakubo

    Journal of Solid State Chemistry   178   64 - 71   2005年

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  • Effect of deposition temperature and post-heat-treatment condition on the characteristics of (100)-self-orientation LaNiO3 films prepared by RF magnetron sputter deposition

    K Takahashi, M Suzuki, T Oikawa, HD Chen, H Funakubo

    Materials, Integration and Packaging Issues for High-Frequency Devices II   833   35 - 40   2005年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

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  • Ion Modification for Improvement of Insulating and Ferroelectric Properties of BiFeO3 Thin Films Fabricated by Chemical Solution Deposition

    Hiroshi Uchida Risako Ueno, Hiroshi, Nakaki Hiroshi Funakubo Seiichiro Koda

    Japanese Journal of Applied Physics   44 ( 18 )   L561-L563   2005年

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  • Preparing Pb(Zr, Ti)O3 films less than 100 nm thich by low-temperature metalorganic chemical vapor deposition

    Atsushi Nagai, Hitoshi Morioka Gouji Asano, Hiroshi Funakubo, Atsushi Saiki

    Applied Physics Letters   86   142906   2005年

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  • Epitaxial Growth Map for Bi4Ti3O12 Films: a Determining Factor for Crystal Orientation

    Takayuki Watanabe, Hiroshi Funakubo

    Japanese Journal of Applied Physics   44 ( 3 )   1337 - 1343   2005年

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  • Enhanced spontaneous polarization of dysprosium-substituted lead zirconate titanate thin films by a chemical solution deposition method

    H Uchida, H Nakaki, S Okamoto, S Yokoyama, H Funakubo, S Koda

    Materials and Processes for Nonvolatile Memories   830   331 - 336   2005年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

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  • Improvement of ferroelectric properties of lead zirconate titanate thin films by ion-substitution using rare-earth cations

    H Nakaki, H Uchida, S Okamoto, S Yokoyama, H Funakubo, S Koda

    Materials and Processes for Nonvolatile Memories   830   141 - 146   2005年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

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  • Structural Modulation in Oxygen Deficient Epitaxial Bi2Sr2Ca1Cu2Ox Observed by X-ray Reciproca Space Mapping

    Satoru Kaneko, Kensuke Akiyama, Yoshitada Shimizu, Yasuo Hirabayashi, Keisuke Saito, Takeshi Kimura, Hiroshi Funakubo, Mamoru Yoshimoto, Seishiro Ohya

    Japanese Journal of Applied Physics   44 ( 1A )   156 - 157   2005年

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  • Spontaneous polarization and crystal orientation control of MOCVD PZT and Bi4Ti3O12-based films

    H Funakubo

    FERROELECTRIC THIN FILMS   98   77 - 89   2005年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

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  • 希土類置換ビスマスフェライトの相転移挙動と強誘電特性

    内田寛, 安井伸太郎, 上野梨紗子, 舟窪浩, 幸田清一郎

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   66th ( 2 )   2005年

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  • Step coverage and composition of Pb(Zr,Ti)O-3 capacitors prepared on sub-micron three-dimensional trench structure by metalorganic chemical vapor deposition

    A Nagai, G Asano, J Minamidate, CJ Choi, CR Cho, Y Park, H Funakubo

    MATERIALS AND PROCESSES FOR NONVOLATILE MEMORIES   830   77 - 82   2005年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

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  • Crystal structure and electrical properties of epitaxial BiFeO3 thin films grown by metal organic chemical vapor deposition

    R Ueno, S Okaura, H Funakubo, K Saito

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS   44 ( 37-41 )   L1231 - L1233   2005年

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  • Raman Spectroscopic Characterization of Tetragonal PbZrxTil-xO3 Thin Films : A Rapid Evaluation Method for c-Domain Volume,

    舟窪 浩

    Jpn.J.Appl.Phys., 44(25)   44 ( 24-27 )   L827 - L829   2005年

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  • “Dependence of Ferroelectric Properties on Thickness of BiFeO3 Thin Films Fabricated by Chemical Solution Deposition”

    Sushil K. Singh, Risako Ueno, Hiroshi Funakubo Hiroshi Uchida Seiichiro Koda, Hiroshi Ishiwara

    Jpn. J. Appl. Phys.   44 ( 12 )   8525 - 8527   2005年

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  • Perovskite single-phase growth of epitaxial Pb(Zn1/3Nb2/3)O-3 films by alternative-source-gas-introduced metalorganic chemical vapor deposition

    S Yokoyama, S Okamoto, K Saito, H Uchida, S Koda, H Funakubo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS   44 ( 46-49 )   L1452 - L1455   2005年

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  • Epitaxial Growth of(100)-Oriented β-FeSi_2 Thin Film on Insulating Substrates

    舟窪 浩

    Jpn.J.Appl.Phys 44(4B)   44 ( 4B )   2496 - 2501   2005年

  • Ion modification for improvement of insulating and ferroelectric properties of BiFeO3 thin films fabricated by chemical solution deposition

    H Uchida, R Ueno, H Nakaki, H Funakubo, S Koda

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS   44 ( 16-19 )   L561 - L563   2005年

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  • Ruthenium and ruthenium oxide film deposition by MOCVD using Ru(DMPD) 2

    Kazuhisa Kawano, Hiroaki Kosuge, Noriaki Oshima, Hiroshi Funakubo

    ECS Transactions   1 ( 5 )   139 - 144   2005年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1149/1.2209263

    Scopus

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  • Effects of Sample Geometry on Electric-Field-Induced Displacements in Pt/PZT/Pt/SiO2/Si System Investigated by Finite Element Method

    Hirotake Okino, K. Nakamura, Hirofumi, Matsuda Takashi Iijima Shintaro Yokoyama, Hiroshi Funakubo, Takashi Yamamoto

    Trans. Mater. Res. Soc. Jpn.   30   47 - 50   2005年

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  • Thermal stability of epitaxial SrRuO3 bottom electrodes and their contribution to the characteristics of (Ba0.5Sr0.5)TiO3 films grown on them

    S Ito, K Takahashi, S Okamoto, IP Koutsaroff, A Cervin-Lawry, J Sakai, N Ito, H Funakubo

    INTEGRATED FERROELECTRICS   77   3 - 11   2005年

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  • Local Epitaxial Growth” of Tetragonal (111)-Oriented Pb(Zr,Ti)O3 Thin Film

    Hiroki Kuwabara, Akihiro Sumi, Shoji Okamoto, Shintaro Yokoyama, Hiroshi Funakubo

    Integ. Ferro.   75   3 - 9   2005年

  • Photoluminescence Properties from β-FeSi2 Film Epitaxially Grown on Si, YSZ and Si//YSZ

    Kensuke Akiyama, Satoru Kaneko, Yoshikazu Terai Yoshihito Maeda, Hiroshi Funakubo

    Japanese Journal of Applied Physics   44 ( 10 )   L303-L305   2005年

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  • ビスマス層状誘電体薄膜のサイズ効果フリー特性の起源

    舟窪 浩, 小嶌 隆志, 渡辺 隆之, 高橋 健治, 鈴木 宗泰, 坂下 幸雄, 及川 貴弘, 加藤 一美

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2005S   144 - 144   2005年

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    出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    現在薄膜キャパシタには、ペロブスカイト構造を有する物質が などが用いられているが、これらの材料には誘電率が膜厚の減少に伴う低下や印加電界の増加に伴って誘電率が低下するという大きな問題がある。われわれは、ぺロブスカイト構造を酸化ビスマス層で積層したビスマス層状誘電体が、膜厚の減少にともなう誘電率の低下が見られない“サイズ効果フリー特性”を有することを見出した。本発表では、種々の方位の薄膜を作成し、特性評価を行った。その結果、積層方向のみが“”サイズ効果フリー特性”を有することが明らかになった。このことは、この積層が特性に重要な影響を及ぼしていることを示した。

    DOI: 10.14853/pcersj.2005s.0.144.0

    CiNii Research

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  • MOCVD法によるBi-Zn-Nb-O薄膜の合成とその特性評価

    舟窪 浩, 岡浦 伸吾, 鈴木 宗泰, 岡本 庄司, 内田 寛, 幸田 清一郎

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2005F   400 - 400   2005年

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    出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    マイクロ波用の薄膜誘電体材料としては、(Ba,Sr)TiO3が最も広く検討されているが、組成やプロセス敏感性や高いことから、必ずしも最適な物質がとはいえず、他の物質の可能性に興味がもたれる。特にペロブスカイト構造以外の物質の可能性は、今後の材料探索範囲を決める上で重要になる。本研究では、ペロブスカイト構造より低温製膜が期待できるBi-Zn-Nb-O薄膜を取り上げ、その可能性について検討したので、報告する。

    DOI: 10.14853/pcersj.2005f.0.400.0

    CiNii Research

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  • Spontaneous polarization change with Zr/(Zr plus Ti) ratios in perfectly polar-axis-orientated epitaxial tetragonal Pb(Zr,Ti)O-3 films

    H Morioka, S Yokoyama, T Oikawa, H Funakubo, K Saito

    APPLIED PHYSICS LETTERS   85 ( 16 )   3516 - 3518   2004年10月

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  • Epitaxial Growth of β-FeSi_2 on Single Crystal Insulator

    AKIYAMA Kensuke, KANEKO Satoru, FUNAKUBO Hiroshi

    Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials   2004   826 - 827   2004年9月

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    記述言語:英語  

    CiNii Books

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  • Thickness scaling of polycrystalline Pb(Zr,Ti)O-3 films down to 35 nm prepared by metalorganic chemical vapor deposition having good ferroelectric properties

    T Oikawa, H Morioka, A Nagai, H Funakubo, K Saito

    APPLIED PHYSICS LETTERS   85 ( 10 )   1754 - 1756   2004年9月

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  • Ferroelectric properties of dysprosium-substituted lead zirconate titanate thin films fabricated by chemical solution deposition

    H Nakaki, H Uchida, S Yokoyama, H Funakubo, S Koda

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   43 ( 9B )   6558 - 6561   2004年9月

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  • Crystal orientation dependence on electrical properties of Pb(Zr,Ti)O-3 thick films grown on si substrates by metalorganic chemical vapor deposition

    S Okamoto, S Yokoyama, Y Honda, G Asano, H Funakubo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   43 ( 9B )   6567 - 6570   2004年9月

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  • Modulation derived satellite peaks in x-ray reciprocal mapping on bismuth cuprate superconductor film

    S Kaneko, Y Shimizu, K Akiyama, T Ito, M Mitsuhashi, S Ohya, K Saito, H Funakubo, M Yoshimoto

    APPLIED PHYSICS LETTERS   85 ( 12 )   2301 - 2303   2004年9月

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  • Preparation of β-FeSi_2 thin Film by metal organic chemical vapor deposition using iron-carbonyl and mono-silane

    舟窪 浩

    Thin Solid Films 461   461 ( 1 )   40 - 43   2004年8月

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  • Self-organized one-axis-oriented PZT films with nano-domain structure

    H Funakubo, S Yokoyama, T Ozeki, A Nagai, T Oikawa

    SCIENCE AND TECHNOLOGY OF ADVANCED MATERIALS   5 ( 4 )   431 - 435   2004年7月

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  • Ferroelectric property of an epitaxial lead zirconate titanate thin film deposited by a hydrothermal method

    Takeshi Morita, Yasuo Wagatsuma, Hitoshi Morioka, Hiroshi Funakubo, Nava Setter, Yasuo Cho

    Journal of Materials Research   19 ( 6 )   1862 - 1868   2004年6月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1557/JMR.2004.0243

    Scopus

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  • Ferroelectric properties of an epitaxial lead zirconate titanate thin film deposited by a hydrothermal method below the Curie temperature

    T Morita, Y Wagatsuma, YS Cho, H Morioka, H Funakubo, N Setter

    APPLIED PHYSICS LETTERS   84 ( 25 )   5094 - 5096   2004年6月

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  • Ferroelectric property of an epitaxial lead zirconate titanate thin film deposited by a hydrothermal method

    T Morita, Y Wagatsuma, H Morioka, H Funakubo, N Setter, Y Cho

    JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH   19 ( 6 )   1862 - 1868   2004年6月

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  • Charge-Compensative Ion Substitution of La^<3+>-Substituted Bismuth Titanate Thin Films for Enhancement of Remanent Polarization

    舟窪 浩

    Jpn.J.Appl.Phys. 43(5A)   43 ( 5A )   2636 - 2639   2004年5月

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  • Growth of epitaxial beta-FeSi2 thin film on Si(001) by metal-organic chemical vapor deposition

    K Akiyama, T Kimura, T Suemasu, F Hasegawa, Y Maeda, H Funakubo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS   43 ( 4B )   L551 - L553   2004年4月

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  • Effect of buffer layer on epitaxial growth of YSZ deposited on Si substrate by slower Q-switched 266 nm YAG laser

    S Kaneko, K Akiyama, Y Shimizu, T Ito, S Yasaka, M Mitsuhashi, S Ohya, K Saito, T Watanabe, S Okamoto, H Funakubo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   43 ( 4A )   1532 - 1535   2004年4月

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  • Composition and orientation dependence of electrical properties of epitaxial Pb(ZrxTi1-x)O-3 thin films grown using metalorganic chemical vapor deposition

    T Oikawa, M Aratani, H Funakubo, K Saito, M Mizuhira

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   95 ( 6 )   3111 - 3115   2004年3月

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  • Spontaneous polarization of neodymium-substituted Bi4Ti3O12 estimated from epitaxially grown thin films with in-plane c-axis orientations

    T Watanabe, T Kojima, H Uchida, Okada, I, H Funakubo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS   43 ( 2B )   L309 - L311   2004年2月

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  • Comparison of the Ferroelectricity for 70-80 nm Thick Pb(Zr, Ti)O3 Films Deposited on (111)Ir Bottom Electrodes at Different Temperatures by MOCVD

    Atsushi Nagai, Hitoshi Morioka, Gouji Asano, A. Saiki, Hiroshi Funakubo

    Integrated Ferroelectrics   68   147 - 154   2004年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1080/10584580490895851

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  • Effect of Thermal Strain on Domain Fraction in a-/b-axis-oriented Epitaxial Bi_4Ti_3O_<12> Films

    舟窪 浩

    Mater.Res.Soc.Proc. 784   784 ( C4.2 )   109 - 114   2004年

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  • Growth of epitaxial tetragonal Pb(Zr, Ti)O3 thin films with 100% polar-axis-orientation and their electrical properties

    Hitoshi Morioka, Shintaro Yokoyama, Takahiro Oikawa, Keisuke Saito, Hiroshi Funakubo

    Mater. Res. Soc. Proc   784 ( C6.2 )   429 - 434   2004年

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  • Source Gas Pulse-Introduced MOCVD of HfO2 Thin Films using Hf(O-t-C4H9)4

    Makoto Nakayama, Kenji Takahashi, Shiro Hino, Hiroshi Funakubo EISUKE, TOKUMITSU

    Journal of The Electrochemical Society,   151 ( 11 )   C698-C701   2004年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1149/1.1802152

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  • Growth of Pyrochlore Bi2Ti2O7 Epitaxial Films and Their Electrical Characterization

    Muneyasu Suzuki, Takayuki Watanabe, Tadashi Takenaka, Hiroshi Funakubo

    Integrated Ferroelectrics   67   201 - 209   2004年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1080/10584580490899082

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  • Comparison Study of (001)-/(100)-Oriented Epitaxial and Fiber-Textured Pb(Zr,Ti)O3 Thick Films Prepared by MOCVD

    Shintaro Yokoyama, Yoshihisa Honda, Hitoshi Morioka, Shoji Okamoto, Takashi Iijima Hirofumi, Matsuda Keisuke Saito, Hiroshi Funakubo

    Integrated Ferroelectrics   64   217 - 225   2004年

  • Composition and Orientation Dependence of Electrical Properties of Epitaxial Pb(ZrxTi1-x)O3 Thin Films Grown Using Metalorganic Chemical Vapor Deposition

    Takahiro Oikawa, Masanori Aratani, Hiroshi Funakubo, Keisuke Saito, Manabu Mizuhira

    J. Appl. Phys   95 ( 6 )   3111 - 3115   2004年

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  • Effect of Buffer Layer on Epitaxial Growth of YSZ Deposited on Si Substrate by Slower Q-switched 266 nm YAG Laser

    S.Kaneko, K.Akiyama, Y.Shimizu, T.Ito, S.Yasaka, Mitsuhashi S.Ohya, K.Saito, T.Watanabe, S.Okamoto, H.Funakubo

    Jpn. J. Appl. Phys   43 ( 4A )   1532 - 1535   2004年

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  • Effect of Solvent on MOCVD of Pb(Zr, Ti)O3 Films with Liquid-Delivery Source Supply Method

    Hiroshi Funakubo, Gouji, Asano Tomohiko Ozeki Hideaki Machida Takeo Yoneyama, Yukichi Takamatsu

    Journal of The Electrochemical Society   151 ( 7 )   C463-C467   2004年

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  • Property Improvement of MOCVD-PZT Films Deposited below 400 ℃

    H.Funakubo, G.Asano, A.Nagai, H.Morioka, S.Yokoyama, T.Shibutami, N.Oshima K.Akiyama

    Mater. Res. Soc. Proc   784 ( C4.3 )   115 - 120   2004年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

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  • Recent development in the preparation of ferroelectric thin films by MOCVD

    H Funakubo

    FERROELECTRIC RANDOM ACCESS MEMORIES FUNDAMENTALS AND APPLICATIONS   93   95 - 103   2004年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

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  • Comparison of the ferroelectricity for 70-80 nm thick Pb(ZrTi)O-3 films deposited on (111)Ir bottom electrodes at different temperatures by MOCVD

    A Nagai, H Morioka, G Asano, A Saiki, H Funakubo

    INTEGRATED FERROELECTRICS   68   147 - 154   2004年

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  • Epitaxial Yttria-stabilized Zirconia (YSZ) Film Deposited on Si(100) Substrate by YAG Laser

    S.Kaneko, K.Akiyama, T.Ito, H.Yusa, S.Yasuda, M.Mitsuhashi, Y.Shimizu S.Ohya, K.Saito, T.Watanabe, S.Okamoto, H.Funakubo

    Journal of the Vacuum Society of Japan   47 ( 7 )   581 - 584   2004年

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  • Source gas pulse-introduced MOCVD of HfO2 thin films using Hf(O-t-C4H9)(4)

    M Nakayama, K Takahashi, S Hino, H Funakubo, E Tokumitsu

    JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY   151 ( 11 )   C698 - C701   2004年

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  • Growth of pyrochlore Bi2Ti2O7 epitaxial films and their electrical characterization

    M Suzuki, T Watanabe, T Takenaka, H Funakubo

    INTEGRATED FERROELECTRICS   67   201 - 209   2004年

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  • Comparison study of (001)-/(100)-oriented epitaxial and fiber-textured Pb(Zr,Ti)O-3 thick films prepared by MOCVD

    S Yokoyama, Y Honda, H Morioka, S Okamoto, T Iijima, H Matsuda, K Saito, H Funakubo

    INTEGRATED FERROELECTRICS   64   217 - 225   2004年

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  • Growth of Epitaxial -FeSi2 Thin Film on Si(001) by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition

    Kensuke Akiyama, Takeshi Kimura, Takashi Suemasu Fumio, Hasegawa Yoshihito Maeda, Hiroshi Funakubo

    Jpn. J. Appl. Phys   43 ( 4B )   L551-L553   2004年

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  • Effect of solvent on MOCVD of Pb(Zr, Ti)O-3 films with liquid-delivery source supply method

    H Funakubo, G Asano, T Ozeki, H Machida, T Yoneyama, Y Takamatsu

    JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY   151 ( 7 )   C463 - C467   2004年

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  • Ferroelectric property of an epitaxial lead zirconate titanate thin film deposited by a hydrothermal method

    Takeshi Morita, Yasuo Wagatsuma, Hitoshi Morioka, Hiroshi Funakubo Nava Setter, Yasuo Cho

    J. Mater. Res   19 ( 6 )   1862 - 1868   2004年

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  • Property improvement of MOCVD-PZT films deposited below 400 degrees C.

    H Funakubo, G Asano, A Nagai, H Morioka, S Yokoyama, T Shibutami, N Oshima, K Akiyama

    FERROELECTRIC THIN FILMS XII   784 ( C4.3 )   115 - 120   2004年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

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  • Growth of epitaxial tetragonal Pb(ZrTi)O-3 thin films with 100% polar-axis-orientation and their electrical properties

    H Morioka, S Yokoyama, T Oikawa, K Saito, H Funakubo

    FERROELECTRIC THIN FILMS XII   784 ( C6.2 )   429 - 434   2004年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

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  • Ferroelectric property of an epitaxial lead zirconate titanate thin film deposited by a hydrothermal method

    Takeshi Morita, Yasuo Wagatsuma, Yasuo Cho, Hitoshi Morioka, Hiroshi Funakubo, Setter Nava

    Mater. Res. Soc. Proc   784   C11.31.1-C11.31.6   2004年

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  • Ferroelectric properties of an epitaxial lead zirconate titanate thin film deposited by a hydrothermal method below the Curie temperature

    Takeshi Morita, Yasuo Wagatsuma, Yasuo Cho, Hitoshi Morioka, Hiroshi Funakubo Nava Sette

    Appl. Phys. Lett.   84 ( 25 )   5094 - 5096   2004年

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  • Synthesis and Properties of Nd-substituted Bismuth Titanate Polycrystalline Thin Films with Polar-axis Orientation

    Masahiro Kurachi, Hirofumi Matsuda Takashi Iijima Hiroshi Uchida Seiichiro Koda, Takayuki Watanabe, Hiroshi Funakubo

    Key. Eng. Mater   269   53 - 56   2004年

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  • Electrical Properties of β-FeSi2 Thin Films on Insulating Substrates

    Kensuke Akiyama, Takeshi Kimura, Shin Nishiyama Takeo Hattori, Naoki Ohashi, Hiroshi Funakubo

    Mater. Res. Soc. Proc   796 ( V2.10 )   121 - 126   2004年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

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  • Self-organized one-axis-oriented PZT films with nano-domain structure

    Hiroshi Funakubo, Shintaro Yokoyama Tomohiko Ozeki, Atsushi Nagai, Takahiro Oikawa

    Science and Technology of Advanced Materials   5   431 - 435   2004年

  • Preparation of -FeSi2 thin film by metal organic chemical vapor deposition using iron-carbonyl and mono-silane

    Kensuke Akiyama, Seishiro Ohya, Hiroshi Funakubo

    Thin Solid Films   461   40 - 43   2004年

  • Ferroelectric property of an epitaxial lead zirconate titanate thin film deposited by a hydrothermal method

    Takeshi Morita, Yasuo Wagatsuma, Hitoshi Morioka, Hiroshi Funakubo Nava Setter, Yasuo Cho

    J. Mater. Res   Vol.19 ( 6 )   1862 - 1868   2004年

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  • Crystal Orientation Dependence on Electrical Properties of Pb(Zr,Ti)O3 Thick Films Grown on Si Substrates by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

    Shoji Okamoto, Shintaro Yokoyama, Yoshihisa Honda, Gouji Asano, Hiroshi Funakubo

    Jpn. J. Appl. Phys   43 ( 9B )   6567 - 6570   2004年

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  • Modulation derived satellite peaks in x-ray reciprocal mapping on bismuth cuprate superconductor film

    Satoru Kaneko, Yoshitada Shimizu Kensuke Akiyama Takeshi Ito, Masahiko Mitsuhashi Seishiro Ohya Keisuke Saito, Hiroshi Funakubo, Mamoru Yoshimoto

    Appl. Phys. Lett   85 ( 12 )   2301 - 2303   2004年

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  • Thickness scaling of polycrystalline Pb(Zr, Ti)O3 films down to 35 nm prepared by metalorganic chemical vapor deposition having good ferroelectric properties

    Takahiro Oikawa, Hitoshi Morioka, Atsushi Nagai, Hiroshi Funakubo, Keisuke Saito

    Appl. Phys. Lett   85 ( 10 )   1754 - 1756   2004年

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  • Spontaneous polarization change with Zr/(Zr+Ti) ratios in perfectly polar-axis-orientated epitaxial tetragonal Pb(Zr,Ti)O3 films

    Hitoshi Morioka, Shintaro Yokoyama, Takahiro Oikawa, Hiroshi Funakubo, Keisuke Saito

    Appl. Phys. Lett   85 ( 16 )   3516 - 3518   2004年

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  • Ferroelectric Properties of Dysprosium-Substituted Lead Zirconate Titanate Thin Films Fabricated by Chemical Solution Deposition

    Hiroshi Nakaki, Hiroshi Uchida Shintaro Yokoyama, Hiroshi Funakubo, Seiichiro Koda

    Jpn. J. Appl. Phys   43 ( 9B )   6558 - 6561   2004年

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  • Electrical properties of beta-FeSi2 thin films on insulating substrates

    K Akiyama, T Kimura, S Nishiyama, T Hattori, N Ohashi, H Funakubo

    CRITICAL INTERFACIAL ISSUES IN THIN-FILM OPTOELECTRONIC AND ENERGY CONVERSION DEVICES   796 ( V2.10 )   121 - 126   2004年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

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  • Synthesis and Properties of Nd-substituted Bismuth Titanate Polycrystalline Thin Films with Polar-axis Orientation

    舟窪 浩

    Key.Eng.Mater. 269   269   53 - 56   2004年

  • Epitaxial Yttria-stabilized Zirconia (YSZ) film deposited on Si(100) substrate by YAG laser

    Satoru Kaneko, Kensuke Akiyama, Takeshi Ito, Hiroyasu Yuasa, Shinji Yasaka, Masahiko Mitsuhashi, Yoshitada Shimizu, Seishiro Ohya, Keisuke Saito, Takayuki Watanabe, Shoji Okamoto, Hiroshi Funakubo

    Shinku/Journal of the Vacuum Society of Japan   47 ( 7 )   581 - 584   2004年

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    記述言語:英語   掲載種別:書評論文,書評,文献紹介等   出版者・発行元:Vacuum Society of Japan  

    DOI: 10.3131/jvsj.47.581

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  • 菱面体晶Pb(Zr,Ti)O3薄膜のヒステリシス形状の考察

    角 章弘, 森岡 仁, 本田 佳久, 横山 信太郎, 岡本 庄司, 舟窪 浩

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2004F   138 - 138   2004年

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    出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    菱面体晶PZTは抗電界、リーク電流が小さいといった利点があるにもかかわらず、角形が悪いため、実用化の検討はなされてこなかった。我々はこれまでに、菱面体晶PZT でもエピタキシャル薄膜の角形は、多結晶薄膜に比べ良好であることを報告した。このことは、ドメイン構造がヒステリシス曲線の角形に大きな影響を与えていることを示唆している。本研究では膜厚の異なるサンプルについて、構造解析及び電気特性の温度依存性の測定を行うことによって、ヒステリシス曲線の形状に対するドメインの寄与について調べた。

    DOI: 10.14853/pcersj.2004f.0.138.0

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  • MOCVD法によるSi基板上への配向制御PZT厚膜の作製と評価

    岡本 庄司, 横山 信太郎, 本田 佳久, 浅野 剛司, 舟窪 浩

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2004F   137 - 137   2004年

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    出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    これまで我々は種々の結晶方位のSrRuO3(/SUB>//SrTiO3基板上に異なった配向のエピタキシャル成長PZT膜を作製し、結晶方位に依存した分極特性や圧電特性の異方性を報告してきた。エピタキシャル成長PZT厚膜では、{111}配向膜が{100},{110}配向膜と比較して大きな圧電性を有することを見出しており、PZTを高性能圧電デバイスへ応用するために配向制御は不可欠である。MOCVD法でPZTは{100}/{001}に自然配向してしまうため、{111}に一軸配向した厚膜を作製することが困難であった。今回はSrRuO<sub>3バッファを用いることで、{111}に一軸配向したPZT厚膜を作製したので報告する。

    DOI: 10.14853/pcersj.2004f.0.137.0

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  • セラミックスインテグレーションのための酸化亜鉛単結晶表面の微細加工 -湿式エッチング挙動の検討-

    高橋 健治, 大橋 直樹, 舟窪 浩, 羽田 肇

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2004F   586 - 586   2004年

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    出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    種々の有用な機能を持つ酸化亜鉛(ZnO)単結晶を素子応用する上で、その微細加工が必要である。そこで特に、生産性に優れた化学エッチング処理による微細加工の可能性について検討した。種々の面方位を持ったZnO単結晶上にレジスト膜を作製し、電子線リソグラフィーによってパターンを描画した後、室温にて塩酸および酢酸溶液でエッチングした。レーザー顕微鏡および電子顕微鏡による評価の結果、エッチング後に現れる安定面が用いる酸によって異なり、エッチング挙動に大きなエッチャント依存性があることが明らかになった。また、エッチング跡の凹凸形状によって溶け残る面が異なることから、エッチングが周囲の影響を受けて進行することが示唆された。

    DOI: 10.14853/pcersj.2004f.0.586.0

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  • 完全分極軸配向した薄膜を用いた正方晶PZTの自発分極値の直接測定

    舟窪 浩, 森岡 仁, 横山 信太郎, 及川 貴弘, 斉藤 啓介

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2004S   36 - 36   2004年

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    出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    種々のZr/(Zr+Ti)比を有する完全c軸配向PZT薄膜をMOCVD法により、SrRuO3//SrTiO3基板上に作成した。得られた薄膜はどれも良く飽和したP-E特性を示し、これから自発分極値(Ps)を見積もった。その結果、結晶の正方晶歪み(c/a-1)とPsの間には良い相関が見られ、今回見積もったPsの値は妥当であることが明らかになった。

    DOI: 10.14853/pcersj.2004s.0.36.0

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  • 薄膜コンデンサ材料としてのc軸配向Bi層状構造化合物薄膜の開発

    坂下 幸雄, 及川 貴弘, 小嶌 隆志, 舟窪 浩

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2004F   163 - 163   2004年

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    出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    Bi層状構造化合物はa軸方向に分極軸を有する材料であり、近年その薄膜材料は劣化特性に優れているため不揮発性メモリー材料として注目されている。一方、擬ペロブスカイト層が偶数層の場合、c軸方向にはミラー面があるため強誘電性は発現しない。我々は、MOCVD法によりc軸配向Bi層状構造化合物薄膜を作製し、その特性を評価した。その結果、誘電率は比較的高く、常誘電的性質(誘電率のdcバイアス依存小、温度係数小)を示し、リーク特性も良好で、かつ誘電率の膜厚依存も小さいという薄膜コンデンサ材料として有望な特性を有することがわかった。

    DOI: 10.14853/pcersj.2004f.0.163.0

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  • 湿式エッチングによる酸化亜鉛単結晶表面の微細加工

    高橋 健治, 大橋 直樹, 坂口 勲, 菱田 俊一, 舟窪 浩, 羽田 肇

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2004S   47 - 47   2004年

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    出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    種々の有用な機能を持つ酸化亜鉛(ZnO)単結晶を素子応用する上で、その微細加工が必要である。そこで。特に、生産性に優れた化学エッチング処理による微細加工の可能性について検討した。種々の面方位を持ったZnO単結晶にレジストを塗布し、電子線リソグラフィーによってパターンを描画した後、室温にて0.001MのHCl溶液でエッチングした。その結果、000-1面において、結晶構造から予想される六角形の構造以外にも、円形、四角形の構造も作製可能であることがわかった。レーザー顕微鏡、表面粗さ計、電子顕微鏡、AFMを用いた微視的評価から、結晶の対称性を満たさない六角形以外の形状が現れる機構に関する考察を述べる。

    DOI: 10.14853/pcersj.2004s.0.47.0

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  • MOCVD法による多成分誘電体薄膜の合成

    舟窪 浩, 渡辺 隆之, 横山 信太郎, 高橋 健治, 鈴木 宗泰, 永井 篤史, 岡本 庄司, 岡本 賢, 本田 佳久

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2004F   127 - 127   2004年

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    出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    MOCVD法による最近の多成分酸化物の成膜状況について、総説し今後の展望を述べる。

    DOI: 10.14853/pcersj.2004f.0.127.0

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  • MOCVD合成エピタキシャルPZT膜の結晶構造および電気特性

    横山 信太郎, 本田 佳久, 森岡 仁, 岡本 庄司, 角 章弘, 飯島 高志, 松田 弘文, 斎藤 啓介, 山本 孝, 沖野 裕丈, 舟窪 浩

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2004F   135 - 135   2004年

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    出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    MOCVD法で合成したPZT膜の結晶構造評価および電気特性の評価を行なった。X線を用いた構造解析によりZr/Ti=50/50付近の組成(MPB近傍組成)のPZTは正方晶および菱面体晶の共存となっていることが分かった。また、これら2相共存となっているPZT膜は正方晶もしくは菱面体晶の単相となっているPZT膜よりも大きな電界誘起歪みを示すことが分かった。

    DOI: 10.14853/pcersj.2004f.0.135.0

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  • 3次元構造PZTキャパシタの作製と段差被覆性

    永井 篤史, 浅野 剛司, 朴 永洙, 申 尙旻, 金 錫必, 具 俊謨, 舟窪 浩

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2004F   141 - 141   2004年

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    出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    高密度FeRAMの実現に向けて、良好な段差被覆性が期待できるMOCVD法を用いた3次元構造強誘電体キャパシタの構築が検討されている。我々はこれまでMOCVD法を用いて多結晶PZT膜の成膜温度の低温化1)、薄膜化2)及びそれらの両立3)の可能性について検討してきた。今回はトレンチ構造を有した基板上にPZT膜を用いた強誘電体キャパシタの作製を試みたので報告する。

    DOI: 10.14853/pcersj.2004f.0.141.0

    CiNii Research

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  • Good ferroelectricity of Pb(Zr,Ti)O-3 thin films fabricated by highly reproducible deposition on bottom Ir electrode at 395 degrees C (vol 42, pg 1085, 2003)

    G Asano, T Oikawa, H Funakubo, K Saito

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS   42 ( 11A )   L1346 - L1346   2003年11月

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  • Characterization of hafnium oxide thin films by source gas pulse introduced metalorganic chemical vapor deposition, using amino-family Hf precursors

    S Hino, M Nakayama, K Takahashi, H Funakubo, E Tokumitsu

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   42 ( 9B )   6015 - 6018   2003年9月

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  • Ruthenium film with high nuclear density deposited by MOCVD using a novel liquid precursor

    T Shibutami, K Kawano, N Oshima, S Yokoyama, H Funakubo

    ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS   6 ( 9 )   C117 - C119   2003年9月

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  • Good Ferroelectricity of Pb(Zr, Ti)O3 Thin Film with Highly-Reproducibility Deposited on Ir Bottom Electrode at 395℃

    Gouji Asano, Takahiro Oikawa, Hiroshi Funakubo, Keisuke Saito

    Jpn. J. Appl. Phys.   42 ( 9AB )   L1083 - L1086   2003年9月

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  • Large piezoelectric response in (111)-oriented epitaxial Pb(Zr,Ti)O-3 films consisting of mixed phases with rhombohedral and tetragonal symmetry

    S Yokoyama, Y Honda, H Morioka, T Oikawa, H Funakubo, T Iijima, H Matsuda, K Saito

    APPLIED PHYSICS LETTERS   83 ( 12 )   2408 - 2410   2003年9月

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  • Good ferroelectricity of Pb(Zr,Ti)O-3 thin films fabricated by highly reproducible deposition on bottom Ir electrode at 395 degrees C

    G Asano, T Oikawa, H Funakubo, K Saito

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS   42 ( 9AB )   L1083 - L1086   2003年9月

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  • Synthesis and electrical properties of Sr- and Nb-cosubstituted Bi4-xSrxTi3-xNbxO12 polycrystalline thin films

    H Matsuda, T Iijima, H Uchida, Okada, I, T Watanabe, H Funakubo, M Osada, M Kakihana

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS   42 ( 8A )   L949 - L952   2003年8月

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  • Crystal Structure Analysis of Metalorganic Chemical Vapor Deposition-β-FeSi2 Thin Film by X-ray Diffraction Measurement

    Takeshi Kimura, Kensuke Akiyama, Takayuki Watanabe, Keisuke Saito, Hiroshi Funakubo

    Jpn. J. Appl. Phys.   42 ( 8 )   4943 - 4948   2003年8月

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  • MOCVD法による強誘電体薄膜の形成—〔機能材料〕創刊22周年特集 強誘電体メモリーの動向と展望

    舟窪 浩, 渡辺 隆之, 酒井 朋裕

    機能材料   23 ( 8 )   13 - 21   2003年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:東京 : シーエムシー出版  

    CiNii Books

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    その他リンク: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I6640309

  • Substrate effect on the crystal structure and ferroelectricity of low-temperature-deposited Pb(Zr, Ti)O-3 thin films by metalorganic chemical vapor deposition

    K Tokita, M Aratani, H Funakubo

    APPLIED PHYSICS LETTERS   82 ( 23 )   4122 - 4124   2003年6月

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  • Large remanent polarization of 100% polar-axis-oriented epitaxial tetragonal Pb(Zr0.35Ti0.65)O-3 thin films

    H Morioka, G Asano, T Oikawa, H Funakubo, K Saito

    APPLIED PHYSICS LETTERS   82 ( 26 )   4761 - 4763   2003年6月

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  • Preparation of hafnium oxide films from oxygen-free Hf[N(C2H5)(2)](4) precursor and their properties

    K Takahashi, M Nakayama, S Yokoyama, T Kimura, E Tokumitsu, H Funakubo

    APPLIED SURFACE SCIENCE   216 ( 1-4 )   296 - 301   2003年6月

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  • Highly-reproducible preparation of Pb(Zr, Ti)O-3 films at low deposition temperature by metal organic chemical vapor deposition

    G Asano, T Oikawa, H Funakubo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   42 ( 5A )   2801 - 2804   2003年5月

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  • Crystal Structure and Ferroelectric Property of Tungsten-substituted Bi_4Ti_3O_<12> Thin Films Prepared by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition

    舟窪 浩

    Jpn.J.Appl.Phys. 42(5A)   42 ( 5A )   2850 - 2852   2003年5月

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  • Property Design of Bi_4Ti_3O_<12>-Based Thin Films Using a Site-Engineered Concept

    舟窪 浩

    J.Crystal Growth 248   248   180 - 185   2003年2月

  • Quantitative Effects of Preferred Orientation and Impurity Phases on Ferroelectric Properties of SrBi_2(Ta_<1-x>Nb_x)_2O_9 Thin Films by X-Ray Diffraction Reciprocal Space Mapping

    舟窪 浩

    Jpn.J.Appl.Phys. 42(2A)   42 ( 2A )   539 - 543   2003年2月

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  • Ferroelectric properties of lanthanide-substituted Bi4Ti3O12 epitaxial thin films grown by metalorganic chemical vapor deposition

    T Kojima, T Watanabe, H Funakubo, K Saito, M Osada, M Kakihana

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   93 ( 3 )   1707 - 1712   2003年2月

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  • Effect of La substitution on electrical properties of highly oriented Bi4Ti3O12 films prepared by metalorganic chemical vapor deposition

    T Sakai, T Watanabe, H Funakubo, K Saito, M Osada

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   42 ( 1 )   166 - 169   2003年1月

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  • Structural Characterization and 90° Domain Contribution to Ferroelectricity of Epitaxial Pb(Zr0.35,Ti0.65)O3 Thin Films

    Keisuke Saito Toshiyuki Kurosawa, Takao Akai, Takahiro Oikawa, Hiroshi Funakubo

    J. Appl. Phys.   93 ( 1 )   545 - 550   2003年1月

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  • Growth Of Epitaxial Site-Engineered Bi4Ti3O12-Based Thin Films by MOCVD and Their Characterization

    Hiroshi Funakubo, Tomohiro, Sakai Takayuki Watanabe Minoru, Osada Masato Kakihana Keisuke Saito, Yuji Noguchi, Masaru Miyayama

    Proc. Mater. Res. Soc.   748 ( U2.2 )   63 - 68   2003年

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  • Ferroelectric Properties of Lanthanide-Substituted Bi4Ti3O12 Epitaxial Thin Films Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

    Takashi Kojima, Takayuki Watanabe, Hiroshi Funakubo Keisuke, Saito Minoru, Osada Masato Kakihana

    J. Appl. Phys.   93 ( 3 )   1707 - 1712   2003年

  • Property Design of Bi_4Ti_3O_<12>-Based Thin Films Using a Site-Engineered Concept

    舟窪 浩

    J.Crystal Growth 248   248   180 - 185   2003年

  • Enhancement of remanent polarization of BIT-based thin films by Ti-site substitution using ions with higher charge valences

    H Uchida, Okada, I, H Matsuda, T Iijima, T Watanabe, H Funakubo

    FERROELECTRIC THIN FILMS XI   748 ( U12.1.1-U12.1.11 )   87 - 97   2003年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

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  • Characterization of Epitaxial Pb(Zrx,Ti1-x)O3 Thin Films with Composition near the Morphotropic Phase Boundary

    Keisuke Saito, Toshiyuki Kurosawa, Takao Akai, Shintaro Yokoyama, Hitoshi Morioka, Takahiro Oikawa, Hiroshi Funakubo

    Proc. Mater. Res. Soc.   748 ( U13.4.1-U13.4.6 )   399 - 404   2003年

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  • Novel candidate of c-axis-oriented BLSF thin films for high-capacitance condenser

    T Kojima, Y Sakashita, T Watanabe, K Kato, H Funakubo

    FERROELECTRIC THIN FILMS XI   748 ( U15.2 )   451 - 456   2003年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

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  • 全MOCVDによるRuO2/PZT/RuO2キャパシタの低温合成とその特性評価

    舟窪浩, 浅野剛司, 森岡仁, 横山信太郎, 渋多美哲也, 大島憲明

    第23回電子材料研究討論会   ( 2A-04 )   35   2003年

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  • Effect of Solvent on the Deposition Behavior of MOCVD-Pb(Zr,Ti)O3 Films Using Liquid-Deliver Source Supply System

    Hiroshi Funakubo, Gouji, Asano Tomihiko Ozeki, Hideaki Machida Takeo Yoneyama, Yukichi Takamatsu

    Electrochem. Soc. Proc.   8   1411 - 1418   2003年

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  • Characterization of PLZT Thick Film Prepared by MOCVD

    Yoshihisa Honda, Shintaro Yokoyama, Hiroshi Funakubo

    Trans. Mat. Res. Soc. Jpn.   28 ( 1 )   157 - 160   2003年

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  • Characterization of epitaxial Pb(Zr-x,Ti1-x)O-3 thin films with composition near the morphotropic phase boundary

    K Saito, T Kurosawa, T Akai, S Yokoyama, H Morioka, T Oikawa, H Funakubo

    FERROELECTRIC THIN FILMS XI   748 ( U13.4.1-U13.4.6 )   399 - 404   2003年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

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  • Growth Of Epitaxial Site-Engineered Bi4Ti3O12-Based Thin Films by MOCVD and Their Characterization

    Hiroshi Funakubo, Tomohiro, Sakai Takayuki Watanabe Minoru, Osada Masato Kakihana Keisuke Saito, Yuji Noguchi, Masaru Miyayama

    Proc. Mater. Res. Soc.   748 ( U2.2 )   63 - 68   2003年

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  • Structural Characterization and 90° Domain Contribution to Ferroelectricity of Epitaxial Pb(Zr0.35,Ti0.65)O3 Thin Films

    Keisuke Saito Toshiyuki Kurosawa, Takao Akai, Takahiro Oikawa, Hiroshi Funakubo

    J. Appl. Phys.   93 ( 1 )   545 - 550   2003年

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  • Crystal Structure Analysis of Metalorganic Chemical Vapor Deposition-β-FeSi2 Thin Film by X-ray Diffraction Measurement

    Takeshi Kimura, Kensuke Akiyama, Takayuki Watanabe, Keisuke Saito, Hiroshi Funakubo

    Jpn. J. Appl. Phys.   42, 1 ( 8 )   4943 - 4948   2003年

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  • X-ray Photoelectron and UV Photoyield Spectroscopic Studies on SrxBiyTa2O9 Films

    M. Takahashi, K. Kodama, M. Noda, M. Okuyama, Takayuki Watanabe, Hiroshi Funakubo

    Journal of Korean Physical Society,   42   S1399-S1403   2003年

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  • Piezoelectric Properties of Lanthanum Modified Bi3TiTaO9 Ceramics

    Muneyasu Suzuki, Hajime Nagata, Hiroshi Funakubo, Tadashi Takenaka

    Key Eng. Mater.   248   11 - 14   2003年

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  • Investigation of Gas-Phase Reaction Effective on Deposition Behavior in MOCVD-Pb(Zr,Ti)O3 Film Using In-Situ-Monitored by Fourier Transform Infrared Spectroscopy

    Gouji Asano, Tsukasa Satake Kunio, Ohtsuki, Hiroshi Funakubo

    Electrochem. Soc. Proc.   8   471 - 478   2003年

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  • Change of Domain Structure and Characteristics of Epitaxial Pb(ZrxTi1-x)O3 Films with Decreasing Film Thickness Down to 100nm

    Hitoshi Morioka, Shintaro Yokoyama, Takahiro Oikawa, Keisuke Saito, Hiroshi Funakubo

    11th US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics   2003年

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  • Advanced X-ray Analysis of Ferroelectrics

    Keisuke Saito, Toshiyuki Kurosawa, Takao Akai, Shintaro Yokoyama, Hitoshi Morioka, Hiroshi Funakubo

    POLAR OXIDES PROPERTIES, CHARACTERIZATION AND IMAGING   2003年

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  • Low Temperature Deposition of Ruthenium Films Using Novel MOCVD Precursors

    Noriaki Oshima Tetsuo, Shibutami kazuhisa Kawano, Shintaro yokoyama Hiiroshi Funakubo

    The Electrochemical Society 203rd Meeting   PS-61   2146   2003年

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  • Investigation of Gas-phase Reaction Effect on Deposition Behavior in MOCVD-Pb(Zr,Ti)O3 Film Using in-situ Monitored by Fourier Transform Infrared Spectroscopy

    Gouji Asano, Tsukasa, Satake Kunihiro, Ohtsuki, Hiroshi Funakubo

    The Electrochemical Society 203rd Meeting   PS-61   2169   2003年

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  • Property Design of Bi4Ti3O12-Based Thin Films Using a Site-Engineering Concept

    Hiroshi Funakubo, Takayuki Watanabe, Takashi, Kojima Tomohiro, Sakai Yuji Noguchi, Masaru Miyayama Minoru, Osada Keisuke Saito

    Technical Rep.   ( IEICESDM-265 )   19 - 24   2003年

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  • HfO2 Thin Films with Low Residua Impurity Concentrations Grown on Si Substrates by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition Using Hf(O-t-C4H9)4 and H2O

    Eisuke Tokumitsu, K. Takahashi, M. Nakayama, S. Hino, Hiroshi Funakubo

    The IEEE 2003 International Meeting for Future of Electron Devices   ( E-3 )   2003年

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  • Crystal Orientation Dependence of Field-induced Strain for Epitaxial PZT Thick Films Grown by MOCVD

    Shintaro Yokoyama, Yoshihisa Honda, Hitoshi Morioka, Takahiro Oikawa, Tadashi Iijima Hirofumi, Matsuda Keisuke Saito, Hiroshi Funakubo

    11th US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics   2003年

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  • Farrication of Ion-cosubstituted Bismuth Titanate Thin films by Chemical Solution Deposition Method

    Hiroshi Uchida Isao Okada, Hifumi Matsuda Takashi iijima, Takayuki Watanabe, Hiroshi Funakubo

    Int. Symp. Integ. Ferro   10.1.7.-C   486 - 487   2003年

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  • Ferreoelectric and PiezoelectricPiezoelectric Properties of (100)-/(001)-Oriented Pb(Zr,Ti)O3 Thick Films Prepared by Metal Organic Chemical Vapor Deposition

    Shintaro Yokoyama, Yoshihisa Honda, Takashi Iijima Hirofumi, Matsuda, Hiroshi Funakubo

    Int. Symp. Integ. Ferro   8.1.7-C   384 - 385   2003年

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  • Domain Structure of Epitaxial Pb(Zrx,Ti1-x)O3 Thin Films With MPB Composition

    Keisuke Saito, Toshiyuki Kurosawa, Takao Akai, Shintaro Yokoyama, Takahiro Oikawa, Hitoshi Morioka, Hiroshi Funakubo

    Int.Symp. Integ. Ferro   9.1.3-C   434 - 435   2003年

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  • Quantitative Effects of Preferred Orientation and Impurity Phases on Ferroelectric Properties of SrBi2(Ta1-xNbx)2O9 Thin Films by X-Ray Diffraction Reciprocal Space Mapping,

    Keisuke Saito, Isao, Yamaji, Takao Akai, Masatoshi Mitsuya, Hiroshi Funakubo

    Jpn. J. Appl. Phys.   42 ( 2A )   539 - 543   2003年

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  • PZT薄膜用MOCVD原料のFTIRインラインモニタリング

    佐竹司, 大槻久仁夫, 浅野剛司, 舟窪浩

    化学工学第68回年会   J308   2003年

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  • FTIRによるMOCVD-Pb(Zr,Ti)O3 系気相反応が析出に及ぼす効果

    浅野剛司, 佐竹司, 大槻久仁夫, 舟窪浩

    化学工学第68回年会   J309   2003年

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  • Domain Structure of Epitaxial Pb(Zrx,Ti1-x)O3 Thin Films With MPB Composition

    Keisuke Saito, Toshiyuki Kurosawa, Takao Akai, Shintaro Yokoyama, Takahiro Oikawa, Hitoshi Morioka, Hiroshi Funakubo

    Int.Symp. Integ. Ferro   9.1.3-C   434 - 435   2003年

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  • 絶縁体基板上へのエピタキシャルβ-FeSi2薄膜の合成とその基礎特性

    木村武, 秋山賢輔, 大橋直樹, 舟窪浩

    第41回セラミックス基礎科学討論会   1E-11   232   2003年

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  • 交互供給MOCVD法によるゲート絶縁膜用HfO2薄膜の作成と評価

    中山誠, 高橋健治, 日野史郎, 舟窪浩, 徳光永輔

    応用物理学会薄膜・表面分科会(第8回研究会)   2003 ( 2 )   66 - 66   2003年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    CiNii Books

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  • Bi層状強誘電体薄膜の最近の進展

    舟窪浩, 渡辺隆之, 森岡仁, 浅野剛司

    2003年秋季第64回応用物理学会学術講演会   31p-V-7   33   2003年

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  • Nd置換Bi4Ti3O12薄膜の面内c軸配向エピタキシャル成長

    渡辺隆之, 舟窪浩, 長田実, 野口祐二, 宮山勝, 劉進, 佐々木敦, 吉本護, 垣花眞人, 鈴木利昌, 藤本正之

    日本セラミックス協会年会   2M08   588 - 588   2003年

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    出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    析出温度700℃で(101)TiO_2上に合成したa,b軸配向Bi_4Ti_30_<12>薄膜の高分解能断面TEM像である。(Bi_2O_2)^<2+>層と擬ペロブス力イト層のスタック構造が観察され、その格子間隔はBi_4Ti_30_<12>の1/2c 軸長に相当する。面内にc軸が配向した(110)配向BNTV薄膜のP-E特性では、飽和分極値は41μC/cm^2となり、a軸方向の自発分極値は58μC/cm^2と見積もられた。この値は、a,b軸配向BNTV薄膜の飽和分極値から見積もられる値とも一致し、La置換BIT薄膜のa軸方向の自発分極値35-38μC/cm^2、及びBIT単結晶について報告されている50μC/cm^2よりも大きな値となった。

    DOI: 10.14853/pcersj.2003s.0.588.0

    CiNii Research

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  • Farrication of Ion-cosubstituted Bismuth Titanate Thin films by Chemical Solution Deposition Method

    Hiroshi Uchida Isao Okada, Hifumi Matsuda Takashi iijima, Takayuki Watanabe, Hiroshi Funakubo

    Int. Symp. Integ. Ferro   10.1.7.-C   486 - 487   2003年

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  • Growth of hafnium oxide films by metalorganic chemical vapor deposition using oxygen-free Hf[N(C2H5)(2)](4) precursor and their properties

    K Takahashi, M Nakayama, S Hino, E Tokumitsu, H Funakubo

    INTEGRATED FERROELECTRICS   57   1185 - 1192   2003年

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  • Ferreoelectric and PiezoelectricPiezoelectric Properties of (100)-/(001)-Oriented Pb(Zr,Ti)O3 Thick Films Prepared by Metal Organic Chemical Vapor Deposition

    Shintaro Yokoyama, Yoshihisa Honda, Takashi Iijima Hirofumi, Matsuda, Hiroshi Funakubo

    Int. Symp. Integ. Ferro   8.1.7-C   384 - 385   2003年

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  • A novel ruthenium precursor for MOCVD without seed ruthenium layer

    T Shibutami, K Kawano, N Oshima, S Yokoyama, H Funakubo

    FERROELECTRIC THIN FILMS XI   748   111 - 116   2003年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

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  • Growth of Hafnium Oxide Films by Metalorganic Chemical Vapor Deposition Using Oxygen-Free Hf[N(C2H5)2]4 Precursor and Their Properties

    Kenji Takahashi, Makoto Nakayama, Shiro Hino, Eisuke Tokumitsu, Hiroshi Funakubo

    Integrated Ferroelectrics   57   1185 - 1192   2003年

  • Bi2Sr2Ca1Cu2OX thin film deposition by q-switched YAG laser

    Satoru Kaneko, Yoshitada Shimizu, Hiroyasu Yuasa, Masahiko Mitsuhashi, Seishiro Ohya, Keisuke Saito, Kenji Takahashi, Takeshi Kimura, Hiroshi Funakubo

    Shinku/Journal of the Vacuum Society of Japan   46 ( 5 )   453 - 456   2003年

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    記述言語:英語   出版者・発行元:Vacuum Society of Japan  

    DOI: 10.3131/jvsj.46.453

    Scopus

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  • Highly-Reproducible Preparation of Pb(Zr, Ti)O3 Films at Low Deposition Temperature by Metal Organic Chemical Vapor Deposition

    Gouji Asano, Takahiro Oikawa, Hiroshi Funakubo

    Jpn. J. Appl. Phys.   42 ( 5A )   2801 - 2804   2003年

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  • Effect of Solvent on the Deposition Behavior of MOCVD-Pb(Zr,Ti)O3 Films Using Liquid-Deliver Source Supply System

    Hiroshi Funakubo, Gouji, Asano Tomihiko Ozeki, Hideaki Machida Takeo Yoneyama, Yukichi Takamatsu

    Electrochem. Soc. Proc.   8   1411 - 1418   2003年

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  • Characterization of PLZT Thick Film Prepared by MOCVD

    Yoshihisa Honda, Shintaro Yokoyama, Hiroshi Funakubo

    Trans. Mat. Res. Soc. Jpn.   28 ( 1 )   157 - 160   2003年

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  • a,b軸配向エピタキシャル成長BLSF薄膜を用いた2次元ナノ構造の構築

    渡辺隆之, 舟窪浩

    応用物理学会2003年春講演会   27p-Q-9   575   2003年

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  • 化学溶液法によるランタノイド置換PZT薄膜の作製と評価

    中木寛, 内田寛, 幸田清一郎, 松田弘文, 飯島高志, 舟窪浩

    第64回応用物理学会学術講演会   1p-V-3   497   2003年

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  • 強誘電体薄膜の歪み-電圧特性から正確な圧電定数を求める測定条件

    沖野裕丈, 松田弘文, 飯島高志, 横山信太郎, 舟窪浩 山本孝

    第64回応用物理学会学術講演会   1a-V-8   496   2003年

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  • エピタキシャルPLZT厚膜の圧電性に及ぼす結晶方位の効果

    本田佳久, 横山信太郎, 舟窪浩

    第64回応用物理学会学術講演会   2a-V-3   504   2003年

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  • MOCVD合成エピタキシャルPZT厚膜の電界誘起歪みの結晶方位および組成依存性

    横山信太郎, 本田佳久, 森岡仁, 飯島高志, 松田弘文, 斎藤啓介, 舟窪浩

    第64回応用物理学会学術講演会   2a-V-2   503   2003年

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  • a軸優先配向エピタキシャル正方晶PZT薄膜の作製と評価

    森岡仁, 永井篤史, 横山信太郎, 本田佳久, 岡本庄司, 渡辺隆之, 斎藤啓介, 舟窪浩

    第64回応用物理学会学術講演会   2a-V-1   503   2003年

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  • 水熱合成法によるエピタキシャルPZT薄膜の強誘電特性の測定

    森田剛, 我妻康夫, 森岡仁, 舟窪浩, NAVASetter 長康雄

    第64回応用物理学会学術講演会   1p-V-7   499   2003年

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  • MOCVD法合成Bi4Ti3O12基薄膜の(100)Si基板上での配向制御

    渡辺隆之, 岡本庄司, 舟窪浩

    第64回応用物理学会学術講演会   31a-V-7   492   2003年

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  • パイロクロア構造酸化物薄膜のエピタキシャル成長とその電気特性評価

    鈴木宗泰, 渡辺隆之, 竹中正 舟窪浩

    第64回応用物理学会学術講演会   31a-T-8   488   2003年

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  • Advanced X-ray Analysis of Ferroelectrics

    Keisuke Saito, Toshiyuki Kurosawa, Takao Akai, Shintaro Yokoyama, Hitoshi Morioka, Hiroshi Funakubo

    POLAR OXIDES PROPERTIES, CHARACTERIZATION AND IMAGING   2003年

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  • 交互供給MOCVD法によるゲート絶縁膜用HfO2薄膜の作製と評価

    中山誠, 高橋健治, 日野史郎, 舟窪浩, 徳光永輔

    電子情報通信学会総合大会   2003 ( 2 )   66 - 66   2003年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    CiNii Books

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  • MOCVD合成エピタキシャルBi層状構造化合物(m=4)薄膜の電気的特性

    及川貴弘, 小嶌隆志, 坂下幸雄, 舟窪浩

    第64回応用物理学会学術講演会   31a-V-10   493   2003年

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  • Crystal Orientation Dependence of Field-induced Strain for Epitaxial PZT Thick Films Grown by MOCVD

    Shintaro Yokoyama, Yoshihisa Honda, Hitoshi Morioka, Takahiro Oikawa, Tadashi Iijima Hirofumi, Matsuda Keisuke Saito, Hiroshi Funakubo

    11th US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics   2003年

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  • Change of Domain Structure and Characteristics of Epitaxial Pb(ZrxTi1-x)O3 Films with Decreasing Film Thickness Down to 100nm

    Hitoshi Morioka, Shintaro Yokoyama, Takahiro Oikawa, Keisuke Saito, Hiroshi Funakubo

    11th US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics   2003年

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  • YSZ(111)基板を用いたβ-FeSi2(202)/(220)ドメイン制御

    秋山賢輔, 木村武, 金子智, 寺井慶和, 前田佳均, 舟窪浩

    第64回応用物理学会学術講演会   1p-ZB-11   1238   2003年

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  • Effect of La Substitution on Electrical Properties of Highly Oriented Bi4Ti3O12 Films Prepared by Metalorganic Chemical Vapor Deposition,

    Tomohiro Sakai, Takayuki Watanabe, Hiroshi Funakubo, Keisuke Saito, Minoru Osada

    Jpn. J. Appl. Phys.   42 ( 1 )   166 - 169   2003年

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  • サイトエンジニアリングコンセプトを用いたBi_4Ti_3O_<12>基薄膜特性の設計

    舟窪浩

    電子情報通信学会研究報告   ( IEICESDM-265 )   19 - 24   2003年

  • Large Remanent Polarization of 100% Polar-Axis-Oriented Epitaxial Tetragonal Pb(Zr0.35Ti0.65)O_3_ Thin Films

    Hitoshi Morioka, Gouji Asano, Takahiro Oikawa, Hiroshi Funakubo, Keisuke Saito

    Appl. Phys. Lett.   82 ( 26 )   4761 - 4763   2003年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1063/1.1586993

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  • HfO2 Thin Films with Low Residua Impurity Concentrations Grown on Si Substrates by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition Using Hf(O-t-C4H9)4 and H2O

    Eisuke Tokumitsu, K. Takahashi, M. Nakayama, S. Hino, Hiroshi Funakubo

    The IEEE 2003 International Meeting for Future of Electron Devices   ( E-3 )   2003年

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  • MOCVD法によるステップ構造を有する超平坦SrRuO3薄膜の作製と評価

    角章弘, 横山信太郎, 森岡仁, 吉本護, 舟窪浩

    第64回応用物理学会学術講演会   2p-V-5   508   2003年

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  • Si基板上でのエピタキシャル強誘電体薄膜の配向制御法の確立

    岡本庄司, 渡辺隆之, 森岡仁, 横山信太郎, 秋山賢輔, 村中一樹, 堀田將, 舟窪浩

    第64回応用物理学会学術講演会   2a-V-8   505   2003年

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  • 3次元構造FeRAMを目指したPZT薄膜のMOCVD合成

    永井篤史, 森岡仁, 浅野剛司, 舟窪浩

    第64回応用物理学会学術講演会   2a-V-5   504   2003年

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  • 低温成膜を目指したアルコキシド系Zr及びTi原料を用いた溶液気化MOCVD法によるPb(Zr,Ti)O3薄膜の合成

    浅野剛司, 十七里和昭, 高松勇吉, 舟窪浩

    第64回応用物理学会学術講演会   2a-V-4   504   2003年

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  • アミン系原料を用いたパルス供給MOCVD法によるHfO2薄膜の作製と特性評価

    日野史郎, 中山誠, 高橋健治, 舟窪浩, 徳光永輔

    第50回応用物理学会   28a-ZX-3   875   2003年

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  • 接触共振モードAFMによる歪み-電圧特性測定

    沖野裕丈, 歳谷賢司, 和佐清孝, 横山信太郎, 舟窪浩 山本孝

    第50回応用物理学会   30p-R-6   611   2003年

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  • MOCVD法により合成したエピタキシャルPZT厚膜電界誘起歪みの結晶方位依存性

    横山信太郎, 本田佳久, 飯島高志, 松田弘文, 斎藤啓介, 舟窪浩

    応用物理学会2003年春講演会   29R-18   575   2003年

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  • エピタキシャルPb(ZrxTi1-x)O3膜の薄膜化によるドメイン構造と特性変化

    森岡仁, 横山信太郎, 及川貴弘, 斎藤啓介, 舟窪浩

    応用物理学会2003年春講演会   29p-R-11   603   2003年

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  • c軸配向BLSF薄膜キャパシタにおけるthickness-dependence-freeの起源の探索

    小嶌隆志, 坂下幸雄, 加藤一実, 舟窪浩

    応用物理学会2003年春講演会   29a-R-1   596   2003年

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  • 高品質エピタキシャルPLZT厚膜の特性に及ぼすLa含有量効果

    本田佳久, 横山信太郎, 舟窪浩

    応用物理学会2003年春講演会   28a-R-3   591   2003年

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  • 化学溶液法による(Ca,Sr)Bi4Ti4O15薄膜の作成と電気特性

    内田寛, 桜井恵子, 岡田繁, 松田弘文, 飯島高志, 小島隆志, 渡辺隆之, 舟窪浩

    応用物理学会2003年春講演会   28a-R-2   587   2003年

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  • MOCVD法によるRu薄膜の成膜とそのメカニズム

    小菅博明, 渋多見哲夫, 大島憲昭, 有井忠, 澤田豊, 渕上高正, 小島隆志, 横山信太郎, 舟窪浩

    応用物理学会2003年春講演会   27p-R-2   581   2003年

     詳細を見る

  • 溶液気化供給MOCVD-Pb(Zr,Ti)O3 系原料のFTIR によるin-situ モニタリング

    十七里和昭, 山口隆弘, 難波徹, 佐竹司, 高松勇吉, 日高健一, 井上喜央, 大槻久仁夫, 町田英明, 浅野剛司, 舟窪浩

    応用物理学会2003年春講演会   29p-R-7   602   2003年

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  • 溶液気化MOCVD-Pb(Zr,Ti)O3成膜時の溶媒効果のFTIRによる検討

    浅野剛司, 尾関朝彦, 佐竹司, 大槻久仁夫, 十七里和昭, 高松勇吉, 難波徹, 山口隆弘, 町田英明, 舟窪浩

    応用物理学会2003年春講演会   29p-R-6   601   2003年

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  • Bi堆積層を用いたゾルゲル(Bi,La)4Ti3O12薄膜の結晶性制御

    井関邦江, 藤崎芳久, 渡辺隆之, 舟窪浩, 石原宏

    第50回応用物理学会   29a-R-7   598   2003年

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  • アミン系原料を用いたHfO2のMOCVD成膜と評価

    日野史郎, 中山誠, 徳光英輔, 高橋健治, 舟窪浩

    第20回強誘電体応用会議   28-T-2   15   2003年

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  • HfO2のMOCVD成膜におけるH2O酸化剤の効果

    徳光永輔, 中山誠, 日野史郎, 高橋健治, 舟窪浩

    電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会   2003年

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  • 高い機械的品質係数Qmを持つBi3-xMxTiTaO9(M=La,Nd)セラミックス

    鈴木宗泰, 大原仁, 永田肇, 舟窪浩, 竹中正

    第20回強誘電体応用会議   30-P-15   109 - 110   2003年

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  • 化学溶液法により作製した(Ca,Sr)Bi4Ti4O15薄膜の電気的特性

    内田寛, 桜井恵子, 岡田勲, 松田弘文, 飯島高志, 小島隆志, 渡邊隆之, 舟窪浩

    第20回強誘電体応用会議   29-T-27   87 - 88   2003年

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  • MOCVD法によりSi基板上に作成したPb(Zr,Ti)O3厚膜の電気特性の組成依存性

    横山信太郎, 本田佳久, 森岡仁, 浅野剛司, 飯島高志, 松田弘文, 舟窪浩

    第20回強誘電体応用会議   29-T-13   47 - 48   2003年

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  • Si(111)基板上へMOCVD合成したβ-FeSi2膜のPL発光に及ぼす歪みの影響

    秋山賢輔, 木村武, 大屋誠志郎, 前田佳均, 舟窪浩

    第50回応用物理学会   29p-ZD-5   1448   2003年

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  • RDE法による(100)配向β-FeSi2初期層を用いてMOCVD合成したβ-FeSi2膜のPL発光

    秋山賢輔, 木村武, 大屋誠志郎, 小沼誠司, 末益崇, 長谷川文夫, 舟窪浩

    第50回応用物理学会   29p-ZD-5   1448   2003年

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  • 種々基板上の(100)及び(111)配向エピタキシャルb-FeSi2薄膜の格子整合の解明とその評価

    木村武, 秋山賢輔, 渡辺隆之, 高橋健治, 大屋誠志郎, 大橋直樹, 舟窪浩

    第50回応用物理学会   29p-ZD-4   1447   2003年

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  • Hf[N(C2H5)2]4よりMOCVD合成したHf-O薄膜に及ぼす析出温度の効果

    高橋健治, 中山誠, 日野史郎, 徳光永輔, 舟窪浩

    第50回応用物理学会   28a-ZX-4   875   2003年

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  • Low Temperature Deposition of Ruthenium Films Using Novel MOCVD Precursors

    Noriaki Oshima Tetsuo, Shibutami kazuhisa Kawano, Shintaro yokoyama Hiiroshi Funakubo

    The Electrochemical Society 203rd Meeting   PS-61   2146   2003年

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  • Investigation of Gas-phase Reaction Effect on Deposition Behavior in MOCVD-Pb(Zr,Ti)O3 Film Using in-situ Monitored by Fourier Transform Infrared Spectroscopy

    Gouji Asano, Tsukasa, Satake Kunihiro, Ohtsuki, Hiroshi Funakubo

    The Electrochemical Society 203rd Meeting   PS-61   2169   2003年

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  • PZTの物性はどこまでわかっているのか―エピタキシャルPZT薄膜の研究からわかること―

    舟窪浩, 森岡仁, 及川貴弘, 斎藤啓介

    第37回日本セラミックス協会基礎科学部会セミナー   5 - 10   2003年

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  • 完全c軸配向正方晶PZT薄膜の合成と評価

    舟窪浩, 森岡仁, 浅野剛司, 及川貴弘, 斎藤啓介

    日本セラミックス協会2003年年会   2M06   586 - 586   2003年

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    出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    MOCVD法により、PZT薄膜を作成した。成膜温度を上昇させ膜厚を薄くすることによって、PZT h00の回折の全く見られない薄膜が得られた。X線逆格子マッピング解析の結果、薄膜は分極軸である完全c軸のみに配向していることを確認した。膜厚50 nmの薄膜では、1V以下の電圧で飽和する良好な飽和特性を有していることが分かった。得られた薄膜の1.2VでのP_rとE_cの値はそれぞれ90μC/cm^2と140 kV/cmであった。このP_rの値は90 ドメインの存在する正方晶エピタキシャル薄膜のドメイン解析から見積もった薄膜の自発分極値とよく一致した。このことは、90゜ドメインが存在する薄膜では、a軸配向したドメインは分極に寄与していないことを裏付ける結果と言える。一方E_c値は、同じ膜厚で90 ドメインの存在するものとほぼ同じであり、90゜ドメインの効果は小さいと考えられる。

    DOI: 10.14853/pcersj.2003s.0.586.0

    CiNii Research

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  • エピタキシャル薄膜を用いたBi4Ti3O12基薄膜の評価

    舟窪浩

    第4回FeRAM総合調査委員会   2003年

     詳細を見る

  • Piezoelectric properties of lanthanum modified Bi3TiTaO9 ceramics

    M Suzuki, H Nagata, H Funakubo, T Takenaka

    ELECTROCERAMICS IN JAPAN VI   248   11 - 14   2003年

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    Web of Science

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  • Preparation of Hafnium Oxide Films from Oxygen-Free Hf[N(C2H5)2]4 Precursor and Their Properties

    Kenji Takahashi, Makoto Nakayama Shintaro Yokoyama, Takeshi Kimura Eisuke Tokumitsu, Hiroshi Funakubo

    Appl. Surf. Sci.   216   296 - 301   2003年

  • Substrate Effect on The Crystal Structure and Ferroelectricity of Low-temperature-deposited Pb(Zr,Ti)O3 Thin Films by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

    Kouji Tokita, Masanori Aratani, Hiroshi Funakubo

    Appl. Phys Lett.   82 ( 23 )   4122 - 4124   2003年

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  • Investigation of Gas-Phase Reaction Effective on Deposition Behavior in MOCVD-Pb(Zr,Ti)O3 Film Using In-Situ-Monitored by Fourier Transform Infrared Spectroscopy

    Gouji Asano, Tsukasa Satake Kunio, Ohtsuki, Hiroshi Funakubo

    Electrochem. Soc. Proc.   8   471 - 478   2003年

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  • Large Piezoelectric Response in (111)-oriented Epitaxial Pb(Zr, Ti)O3 Films Consisting of Mixed Phases with Rhombohedral and Tetragonal Symmetry

    Shintaro Yokoyama, Yoshihisa Honda, Hitoshi Morioka, Takahiro Oikawa, Hiroshi Funakubo, Takashi Iijima Hirohumi, Matsuda Keisuke Saito

    Appl. Phys. Lett.   83 ( 12 )   2408 - 2410   2003年

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  • Low Temperature Deposition of Bi_4Ti_3O_<12>-Based Ferroelectric Thin Films Using Site Engineering Concept

    舟窪 浩

    Ceramic Transactions (136)   136   407 - 415   2003年

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  • X-ray Photoelectron and UV Photoyield Spectroscopic Studies on SrxBiyTa2O9 Films

    M. Takahashi, K. Kodama, M. Noda, M. Okuyama, Takayuki Watanabe, Hiroshi Funakubo

    Journal of Korean Physical Society,   42   S1399-S1403   2003年

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  • Effect of starting materials on deposition behavior, crystal structure and electrical properties of MOCVD-PZT films

    H Funakubo, T Ozeki

    ELECTROCERAMICS IN JAPAN VI   248   57 - 60   2003年

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    記述言語:英語  

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  • BIT 基薄膜の強誘電特性に及ぼす高価数イオン置換の影響

    内田 寛, 岡田 勲, 松田 弘文, 飯島 高志, 渡邊 隆之, 舟窪 浩

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2003S   595 - 595   2003年

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    出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    本研究ではV5+やW6+などの高価数イオン置換によりチタン酸ビスマス(BIT)基薄膜の強誘電特性を改善することを目的とし,化学溶液法を用いた薄膜組成の制御により置換イオン種および置換量の最適化を検討する.ランタン置換チタン酸ビスマス薄膜Bi3.25La0.75Ti3.00O12 (BLT)の残留分極(Pr)は8μC/cm2であったが, V5+およびW6+を置換したBLT薄膜[Bi3.24La0.75Ti2.97V0.03O12 およびBi3.23La0.75Ti2.97W0.03O12 (V-およびW-BLT)]のPrはそれぞれ13および12μC/cm2まで向上した.一方, Zr4+を置換したBLT薄膜Bi3.25La0.75Ti2.97Zr0.03O12(Zr-BLT)のPrはBLTのものとほぼ同じ値(9 μC/cm2)であり, 同価数イオン置換による特性改善の影響は認められなかった. 更に, BIT基薄膜における高価数イオン置換は残留分極値の向上だけでなく,漏れ電流量の低減にも寄与することが確認された.

    DOI: 10.14853/pcersj.2003s.0.595.0

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  • サイトエンジニアリングコンセプトを用いたBi_4Ti_3O_<12>基薄膜特性の設計

    舟窪浩

    電子情報通信学会技術研究報告   SDM02 - 3   2003年

  • Ferroelectricity of one-axis-preferred-oriented polycrystalline Pb(Zr,Ti)O-3 films prepared by pulsed-metalorganic chemical vapor deposition

    H Funakubo, M Aratani, T Oikawa, K Tokita, K Saito

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   92 ( 11 )   6768 - 6772   2002年12月

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  • X線回折逆格子空間マッピング法を用いた強誘電体薄膜中のドメイン構造の観察 (特集 強誘電体におけるドメインエンジニアリングの最新動向)

    斎藤 啓介, 舟窪 浩

    機能材料   22 ( 12 )   28 - 33   2002年12月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:シーエムシー出版  

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  • Ferroelectric property of a-/b-axis-oriented epitaxial Sr0.8Bi2.2Ta2O9 thin films grown by metalorganic chemical vapor deposition

    T Watanabe, T Sakai, H Funakubo, K Saito, M Osada, M Yoshimoto, A Sasaki, J Liu, M Kakihana

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS   41 ( 12B )   L1478 - L1481   2002年12月

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  • Preparation of orientation-controlled polycrystalline Pb(Zr, Ti)O-3 thick films on (100)Si substrates by metalorganic chemical vapor deposition and their electrical properties

    S Yokoyama, T Ozeki, T Oikawa, H Funakubo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   41 ( 11B )   6705 - 6708   2002年11月

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  • Comparison of crystal structure and electrical properties of tetragonal and rhombohedral Pb(Zr,Ti)O-3 films prepared at low temperature by pulsed-metalorganic chemical vapor deposition

    H Funakubo, K Tokita, T Oikawa, M Aratani, K Saito

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   92 ( 9 )   5448 - 5452   2002年11月

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  • 強誘電体薄膜材料における非鉛化実現の可能性

    舟窪 浩, 渡辺 隆之, 小島 隆志

    表面   40 ( 11 )   50 - 58   2002年11月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:広信社  

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  • Thermal stability of SrRuO3 bottom electrode and electric property of Pb(Zr,Ti)O-3 thin film deposited on SrRuO3

    K Takahashi, T Oikawa, K Saito, H Fujisawa, M Shimizu, H Funakubo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   41 ( 11B )   6873 - 6876   2002年11月

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  • Direct crystallization and characterization of Bi3TiTaO9 thin films prepared by metalorganic chemical vapor deposition

    M Suzuki, H Nagata, N Nukaga, T Watanabe, H Funakubo, T Takenaka

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   41 ( 11B )   6825 - 6828   2002年11月

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  • Fabrication of M3+-substituted and M3+/V5+-cosubstituted bismuth titanate thin films [M = lanthanoid] by chemical solution deposition technique

    H Uchida, H Yoshikawa, Okada, I, H Matsuda, Takashi, I, T Watanabe, H Funakubo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   41 ( 11B )   6820 - 6824   2002年11月

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  • Role of non-180 degrees domain switching in electrical properties of Pb(Zr-0.35, Ti-0.65)O-3 thin films

    K Saito, T Oikawa, T Kurosawa, T Akai, H Funakubo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   41 ( 11B )   6730 - 6734   2002年11月

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  • Approach for enhanced polarization of polycrystalline bismuth titanate films by Nd3+/V5+ cosubstitution

    H Uchida, H Yoshikawa, Okada, I, H Matsuda, T Iijima, T Watanabe, T Kojima, H Funakubo

    APPLIED PHYSICS LETTERS   81 ( 12 )   2229 - 2231   2002年9月

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  • New preparation process of Pb(ZrxTi1-x)O-3 thin films from PbZrO3 and PbTiO3 multilayers

    G He, T Iijima, H Funakubo

    JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH   17 ( 9 )   2217 - 2226   2002年9月

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  • Large remanent polarization of Bi4Ti3O12-based thin films modified by the site engineering technique

    T Watanabe, T Kojima, T Sakai, H Funakubo, M Osada, Y Noguchi, M Miyayama

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   92 ( 3 )   1518 - 1521   2002年8月

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  • Room-temperature epitaxial growth of indium tin oxide thin films on Si substrates with an epitaxial CeO2 ultrathin buffer

    J Tashiro, A Sasaki, S Akiba, S Satoh, T Watanabe, H Funakubo, M Yoshimoto

    THIN SOLID FILMS   415 ( 1-2 )   272 - 275   2002年8月

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  • Preparation and characterization of a- and b-axis-oriented epitaxially grown Bi4Ti3O12-based thin films with long-range lattice matching

    T Watanabe, H Funakubo, K Saito, T Suzuki, M Fujimoto, M Osada, Y Noguchi, M Miyayama

    APPLIED PHYSICS LETTERS   81 ( 9 )   1660 - 1662   2002年8月

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  • Effect of strain in epitaxially grown SrRuO3 thin films on crystal structure and electric properties

    K Takahashi, T Oikawa, K Saito, S Kaneko, H Fujisawa, M Shimizu, H Funakubo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   41 ( 8 )   5376 - 5380   2002年8月

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  • Effect of atmosphere during heating of substrate on the low temperature deposition of metalorganic chemical vapor deposited Pb(Zr-x,Ti1-x)O-3 thin films

    K Tokita, M Aratani, H Funakubo

    APPLIED PHYSICS LETTERS   81 ( 5 )   898 - 900   2002年7月

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  • CVD法によるゲート絶縁膜用HfO_2薄膜の作製

    中山 誠, 高橋 健治, 舟窪 浩, 徳光 永輔

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス   102 ( 178 )   149 - 153   2002年6月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    Hf原料にHTB(Hf(O-tC_4H_9)_4)を用いてCVD法によりp型si(100)上にHfO_2薄膜を堆積した。物理膜厚2.5nmのHfO_2薄膜を用いてAl/HfO_2/SiO_2/Si/Ag(MIS)構造の作製しC-V特性を測定したところ、ヒステリシスの小さいC-V曲線が得られ、SiO_2換算膜厚(EOT)1.8nmが得られた。HRTEMによる断面観察では、SiとHfO_2間に1.4nmの界面層の形成が確認された。EOTのHfO_2薄膜の物理膜厚依存性からHfO_2薄膜の比誘電率は19.7、界面層のEOTは1.4nmであった。

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  • Preparation of SrBi2Ta2O9 thin films consisting of uniform grains at low temperature by metalorganic chemical vapor deposition

    N Nukaga, M Saito, K Okuwada, H Funakubo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS   41 ( 6B )   L710 - L712   2002年6月

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  • Preparation of SrBi2(Ta0.7Nb0.3)(2)O-9-Bi3TaTiO9 solid solution films by MOCVD and their properties

    M Mitsuya, M Osada, K Saito, H Funakubo

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   237   473 - 477   2002年4月

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  • Highly-conducting indium-tin-oxide transparent films fabricated by spray CVD using ethanol solution of indium (III) chloride and tin (II) chloride

    Y Sawada, C Kobayashi, S Seki, H Funakubo

    THIN SOLID FILMS   409 ( 1 )   46 - 50   2002年4月

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  • New control method of low deposition temperature limit of metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) by the introduction of organ vapor - Application to SrRuO3 film preparation

    N Higashi, Y Murakami, H Machida, S Seki, Y Sawada, H Funakubo

    THIN SOLID FILMS   409 ( 1 )   33 - 36   2002年4月

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  • New control method for low temperature deposition limit of metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) by the introduction of organic vapor-application to ZrO2 film preparation

    N Higashi, Y Murakami, H Machida, S Seki, Y Sawada, H Funakubo

    THIN SOLID FILMS   409 ( 1 )   23 - 27   2002年4月

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  • Large remanent polarization of (Bi,Nd)(4)Ti3O12 epitaxial thin films grown by metalorganic chemical vapor deposition

    T Kojima, T Sakai, T Watanabe, H Funakubo, K Saito, M Osada

    APPLIED PHYSICS LETTERS   80 ( 15 )   2746 - 2748   2002年4月

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  • Composition dependence of constituent phase of Fe-Si thin film prepared by MOCVD

    K Akiyama, S Ohya, S Konuma, K Numata, H Funakubo

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   237   1951 - 1955   2002年4月

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  • Domain structures in epitaxial Pb(Zr-0.68,Ti-0.32)O-3 thin films

    K Saito, T Oikawa, Yamaji, I, T Akai, H Funakubo

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   237   464 - 467   2002年4月

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  • Fabrication of lead zirconate titanate thin films using a diffusion process of lead zirconate and lead titanate multilayer films

    T Iijima, G He, H Funakubo

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   236 ( 1-3 )   248 - 252   2002年3月

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  • 新材料開発 サイトエンジニアリングコンセプトに基づくBi4Ti3O12基強誘電体の設計

    舟窪 浩, 渡辺 隆之

    工業材料 = Engineering materials   50 ( 3 )   101 - 105   2002年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:東京 : 日刊工業新聞社  

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    その他リンク: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I6070274

  • Metal organic chemical vapor deposition growth of epitaxial SrRuO3 and CaRuO3 thin films with different orientations as the bottom electrode for epitaxial ferroelectric thin film

    H Funakubo, T Oikawa, N Higashi, K Saito

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   235 ( 1-4 )   401 - 406   2002年2月

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    記述言語:英語  

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  • Orientation of Bi4Ti3O12-based ferroelectric thin films prepared on various kinds of substrates by metalorganic chemical vapor deposition

    T Watanabe, K Saito, H Funakubo

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   235 ( 1-4 )   389 - 393   2002年2月

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  • Preparation and characterization of a- and b-axis-oriented epitaxially grown Bi<inf>4</inf>Ti<inf>3</inf>O<inf>12</inf>-based thin films on rutile-type oxides

    Takayuki Watanabe, Keisuke Saito, Minoru Osada, Hiroshi Funakubo

    Materials Research Society Symposium - Proceedings   688   155 - 160   2002年1月

     詳細を見る

  • Effect of cosubstitution of La and V in Bi4Ti3O12 thin films on the low-temperature deposition

    T Watanabe, H Funakubo, M Osada, Y Noguchi, M Miyayama

    APPLIED PHYSICS LETTERS   80 ( 1 )   100 - 102   2002年1月

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  • Role of non-180o Domain Switching in Electrical Porperties of Pb(Zr,Ti)O_3_ Thin Films

    K.Saito, T.Oikawa, T.Kurosawa, T.Akai, H.Funakubo

    IFFF2002   30H-TB-13P   261   2002年

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  • MOCVD法によるPLZT厚膜作製と特性評価

    本田佳久, 横山信太郎, 舟窪浩

    応用物理学会2002年秋講演会   26a-P10-27   471   2002年

     詳細を見る

  • 正方晶組成Pb(Zr,Ti)O_3_薄膜の電気特性に及ぼすaドメインの効果

    森岡仁, 浅野剛司, 及川貴弘, 舟窪浩

    応用物理学会2002年秋講演会   26a-P10-22   469   2002年

     詳細を見る

  • 液体供給MOCVD-Pb(Zr,Ti)O_3_系原料のFT-IRによるin-situ

    十七里和昭, 高松勇吉, 佐竹司, 大槻久仁夫, 浅野剛司, 舟窪浩

    応用物理学会2002年秋講演会   26a-P10-14   467   2002年

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  • PZT薄膜用MOCVD原料のFTIRインラインモニタリングの検討

    佐竹司, 大槻久仁夫, 浅野剛司, 岡田清, 舟窪浩

    応用物理学会2002年春講演会   28a-ZA-4   520   2002年

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  • 高純度FeRAMを目指したSrBi_2_Ta_2_O_9_―下部電極間清浄界面の実現

    額賀紀全, 舟窪浩

    応用物理学会2002年春講演会   28a-ZA-9   526   2002年

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  • Bi層状構造強誘電体薄膜コンデンサへの応用

    小島隆志, 坂下幸雄, 渡辺隆之, 斎藤啓介, 舟窪浩

    応用物理学会2002年春講演会   28a-ZA-10   522   2002年

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  • MOCVD-PZT析出に及ぼす溶媒の効果の検討

    尾関朝彦, 横山信太郎, 町田英明, 米山岳夫, 高松勇吉, 舟窪浩

    応用物理学会2002年春講演会   27p-ZA-2   511   2002年

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  • MOCVD法によるPZT厚膜の合成と評価

    横山信太郎, 尾関朝彦, 及川貴弘, 舟窪浩

    応用物理学会2002年春講演会   27a-ZA-8   509   2002年

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  • MOCVD法によるPZT極薄膜の作成

    及川貴弘, 横山信太郎, 尾関朝彦, 石田純一, 斎藤啓介, 渡邊厚仁, 舟窪浩

    応用物理学会2002年春講演会   27a-ZA-6   508   2002年

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  • FTIRによるMOCVD-Pb(Zr,Ti)O_3_系気相反応モニタリング

    浅野剛司, 佐竹司, 大槻久仁夫, 岡田清 舟窪浩

    応用物理学会2002年春講演会   28a-ZA-5   521   2002年

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  • a,b軸配向エピタキシャルBi_4_Ti_3_O_12_基薄膜の合成と特性評価

    渡辺隆之, 伊佐寛, 佐々木敦, 吉本護, 長田実, 野口祐二, 宮山勝, 斎藤啓介, 鈴木利昌, 藤本正之, 舟窪浩

    応用物理学会2002年春講演会   28p-ZA-17   528   2002年

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  • MOCVD合成したβ-FeSi_2_薄膜の結晶性と電気特性の関係

    木村武, 秋山啓輔, 舟窪浩

    日本セラミックス協会基礎討論会   1A-13   28   2002年

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  • 高速成膜したPZT厚膜の配向制御とその特性評価

    横山信太郎, 尾関朝彦, 舟窪浩

    日本セラミックス協会基礎討論会   1A-13   26   2002年

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  • Approach for enhanced Polarization of Polycrystalline Bismuth Titanete Films by Nd_3_+/V_5_+ Cosubstitution

    Hiroshi Uchida, Hiroki Yoshikawa Isao Okada, Hifumi Matsuda Takashi Iijima Takayuki Watanabe, Takashi Kojima, Hiroshi Funakubo

    Appl.Phys.Lett.   81 ( 12 )   2229 - 2231   2002年

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  • 構造中に酸素を含まないHfを用いたMOCVD法によるHfO_2_薄膜の合成と評価

    高橋健治, 中山誠, 水平学, 徳光永輔, 舟窪浩

    応用物理学会2002年春講演会   28p-A-11   821   2002年

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  • a,b軸配向エピタキシャルSBT薄膜の合成と評価

    酒井朋裕, 渡辺隆之, 額賀紀全, 高橋健治, 小島隆志, 斎藤啓介, 舟窪浩

    応用物理学会2002年春講演会   28a-ZA-16   528   2002年

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  • XRDを用いたエピタキシャルPb(Zrx, Ti1-x)O_3_薄膜における相境界近傍の結晶構造

    斎藤啓介, 及川貴弘, 黒澤利行, 赤井孝夫, 舟窪浩

    応用物理学会2002年春講演会   28a-ZA-6   521   2002年

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  • 化学溶液法によるV置換(Bi,Ln)4Ti_3_O_12_薄膜[Ln=ランタノイド]の作製

    内田寛, 吉川博樹, 岡田勲, 松田弘文, 飯島高志, 渡辺隆之, 舟窪浩

    物理学会2002年春講演会   29p-ZA-3   533   2002年

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  • 室温でのTC(ITO or ZnO)/CeO_2_/Si(111)オールエピタキシャル構造の形成と光電特性(II)

    田代純一, 秋葉周作, 佐藤周平, 渡辺隆之, 舟窪浩, 吉本護

    応用物理学会2002年春講演会   30p-YA-5   .633   2002年

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  • X線回折によるSi(111)基板上のβ-FeSi_2_(202)と(220)ドメインの定量的評価

    秋山賢輔, 木村武, 大屋誠志郎, 栗原幸男, 渡辺隆之, 舟窪浩

    応用物理学会2002年春講演会   29p-V-12   1362   2002年

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  • Si(100)基板上のβ-FeSi_2_バッファー上へMOCVD合成したβ- FeSi_2_薄膜の結晶構造解析

    木村武, 秋山賢輔, 末益崇, 長谷川文夫, 斎藤啓介, 渡辺隆之, 舟窪浩

    応用物理学会2002年春講演会   29p-V-12   1362   2002年

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  • Hf(O・t-C_4_H_9_)_4_ を用いたMOCVD法によるHfO_2_薄膜の作製と特性評価

    中山誠, 高橋健治, 舟窪浩, 徳光永輔

    応用物理学会2002年春講演会   28p-A-12   821   2002年

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  • 溶液法によるBi_4_-xSr_3_-xTi_3_-xNbxO_12_薄膜の合成と強誘電特性

    松田弘文, 飯島高志, 内田寛, 岡田勲, 渡辺隆之, 舟窪浩

    応用物理学会2002年春講演会   29p-ZA-2   533   2002年

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  • MOCVDによるRu薄膜の成膜と評価(2)

    河野和久, 渋田見哲夫, 大島憲昭, 横山信太郎, 舟窪浩

    応用物理学会2002年春講演会   29p-ZA-6   534   2002年

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  • MOCVDによるRu薄膜の成膜と評価(1)

    渋田見哲夫, 河野和久, 大島憲昭, 横山信太郎, 舟窪浩

    応用物理学会2002年春講演会   29p-ZA-7   534   2002年

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  • Preparation and characterization of c-axis oriented epitaxial Bi2VO5.5 thin films prepared by metalorganic chemical vapor deposition

    K Ishikawa, T Sakai, T Watanabe, H Funakubo

    ASIAN CERAMIC SCIENCE FOR ELECTRONICS I   214-2   189 - 192   2002年

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    記述言語:英語  

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  • a,b軸配向エピタキシャルBi4Ti3O12基薄膜の合成と特性評価

    社団法人 電気通信学会 信学技報   SDM- 2001 ( 254 )   1 - 5   2002年

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  • サイトエンジニアリングコンセプトを用いた4BiTi3O12基薄膜特性の設計

    舟窪 浩, 渡辺 隆之, 酒井 朋裕

    社団法人 電気通信学会 信学技報   SDM-2001 ( 254 )   19 - 24   2002年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:東京 : 電子情報通信学会  

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    その他リンク: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I6142132

  • Conduction mechanism of La-, Nb-doped BaTiO3 thin films by doping MOCVD

    D Nagano, M Sugiura, N Wakiya, H Funakubo, K Shinozaki, N Mizutani

    ELECTROCERAMICS IN JAPAN IV   216   87 - 90   2002年

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    記述言語:英語  

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  • Preparation and Characterization of a-and c-axis-oriented Epitaxially Grown Bi_4_Ti_3_O_12_-Based Thin Films on Rutile-type Oxides

    Takayuki Watanabe, Keisuke Saito Minoru, Osada Hiroshi Funakubo Takayuki Watanabe Keisuke Saito Minoru, Osada, Hiroshi Funakubo

    Proc. Mater.Res.Soc   688 ( C6.2 )   1 - 6   2002年

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  • Low Temperature Preparation of High-quolity Pb(Zr,Ti)O_3_ Films by Metal Organic Chemical Vapor Deposition With High Quolity

    Hiroshi Funakubo Kuniharu Nagashima Masanori Aratani, Kouji Tokita, Takahiro Oikawa Tomohiko Ozeki, Keisuke Saito

    Proc. Metar.Res.Soc.   688 ( C1.1 )   1 - 11   2002年

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  • Preparation of SrBi2Ta2O9 thin films by liquid-delivery MOCVD without additional solvents

    N Nukaga, H Ono, T Shida, H Machida, T Suzuki, H Funakubo

    INTEGRATED FERROELECTRICS   45   215 - 222   2002年

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  • Growth of Environmental-Friendly b-FeSi2 Semiconductor Thin Film and Control of Electrical Property Using Si Doant

    K. Akiyama, T. Kimura, H. Funakubo

    MRS-J   G2-O03-D   156   2002年

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  • Electrical properties of polycrystalline and epitaxially grown PZT thin films

    K Tokita, M Aratani, T Ozeki, H Funakubo

    ELECTROCERAMICS IN JAPAN IV   216   83 - 86   2002年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

    researchmap

  • Metal Organic Chemical Vapor Deposition Growth of Epitaxial (Sr,Ca)RuO_3_ Thin Films with Different Orientations as Bottom Electrode for Epitaxial Ferroelectric Thin Film

    Hiroshi Funakubo, Takahiro Oikawa Noriyuki Higashi, Keisuke Saito

    J.Crystal Growth   235   401 - 406   2002年

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  • Compostion Dependence of Ferroelectric Property of Epitaxial Pb(Zr,Ti)O_3_ Thin Films Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

    Takahiro Oikawa, Masanori Aratani Kesuke Saito, Hiroshi Funakubo

    J.Crystal Growth   237-240   455 - 458   2002年

  • New Control Methods of Low Temperature Deposition Limit of Metal Organic Chemical Vapor Deposition(MOCVD) by The Introduction of Organic Vapor - Application to SrRuO_3_ Film Preparation

    Noriyuki Higashi, Yasushi Murakami, Hideki Machida, Shigeyuki Seki, Yutaka Sawada, Hiroshi Funakubo

    Thin Solid Films   409   33 - 36   2002年

  • Ferroelectricity of epitaxial and polycrystalline PZT films prepared by pulsed-MOCVD

    H Funakubo, T Oikawa, K Nagashima, M Aratani, K Saito

    ASIAN CERAMIC SCIENCE FOR ELECTRONICS II AND ELECTROCERAMICS IN JAPAN V, PROCEEDINGS   228-2   69 - 73   2002年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

    researchmap

  • Effect of Strain in Epitaxially-Grown SrRuO_3_ Thin Films On the Crystal Structure and the Electrical Properties

    Kenji Tkahashi, Takayuki Oikawa, Kesiuke Saito, Tomoji, Kaneko HirofumiFujisawa Masanori Shimizu, Hiroshi Funakubo

    Jpn.J.Appl.Phys.   41 ( 8 )   5376 - 5380   2002年

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  • Large remanant polarization of Bi_4_Ti_3_O_12_-based Thin Films Modified by Site Engineering technique

    Takayuki Watanabe, Takashi, Kojima Tomohiro, Sakai Hioshi, Funakubo Minoru, Osada Yuuji Noguchi, Masaru Miyayama

    J.Appl.Phys   92 ( 3 )   1518 - 1521   2002年

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  • Effect of Atmospehere During Heating Substrate on Low Temperature Deposition of Metal-organic Chemical Vapor Deposited PZT Thin Films

    Kouji Tokita, Masanori Aratani, Hiroshi Funakubo

    Appl.Phys.Lett.   81 ( 5 )   898 - 900   2002年

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  • Large Remanent polarization of (Bi,Nd)Ti_3_O_12_ Epitaxial Thin Films Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

    Takashi Kojima Tomohiro, Sakai Takayuki Watanabe, Hiroshi Funakubo, Keisuke Saito, Minoru Osada

    Appl.Phys.Lett.   80 ( 15 )   2746 - 2748   2002年

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  • Synthesis and Ferroerectlic Properties of Sr- and Nb-codoped Bi_4_-xSrxTi_3_-xNbxO_12_ Thin Films by Sol-Gel-Methods

    Hifumi Matsuda, Takashi Iijima Hiroshi Uchida Isao, Okada Takayuki Watanab, Hiroshi Funakubo

    Proc. Mater Res.Soc.   688 ( C4.14 )   1 - 5   2002年

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  • Fabrication of V-substituted (Bi,M)_4_Ti_3_O_12_[M=Lanthanoides] Thin Films by Chemical Solution Deposition Methods

    H.Uchida, H.Toshikawa, I.Okada, H.Matsuda, T.Iijima T.Watanabe, H.Funakubo

    Proc. Mater Res.Soc.   688 ( C2.3 )   1 - 6   2002年

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  • Hetero-epitaxial Growth of (1,0,m+1) one-axis-oriented Bithmuth Layered Structured Ferroelectrics Thin Films Diectly Crystallized by MOCVD

    Norimasa Nukaga, Takayuki Watanabe Tomohiro, Sakai Toshimasa Suuzuki, Yuji Nishi, Masayuki Fujimoto, Hiroshi Funakubo

    Proc. Mater.Res.Soc.   688 ( C2.21 )   1 - 6   2002年

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  • New Control Methods of Low Temperature Deposition Limit of Metal Organic Chemical Vapor Deposition(MOCVD) by The Introduction of Organic Vapor-Application to ZrO_2_ Film Preparation

    Noriyuki Higashi, Yasushi Murakami, Hideki Machida, Shigeyuki Seki, Yutaka Sawada, Hiroshi Funakubo

    Thin Solid Films   409   23 - 27   2002年

  • “Size effect” of Ferroelectric Thin Films. -Comparison of Simple Perovskite Ferroelectric and Bismuth Layer Structured Ferroelectric.

    Hiroshi Funakubo, Takayuki Watanabe, Takashi Kojima Hitoshi Morioka Gouji, Asano, Takahiro Oikawa, Keisuke Saito

    MRS-J   22   2002年

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  • Preparation and characterization of a-/b-axis-oriented epitaxually grown bismuth layer-structured ferroelectrics

    TakayukiWatanabe Tomohiro, Sakai, Hiroshi Funakubo

    8th international Conference on Electric Ceramics and Their Apploications   TF-033-P   242   2002年

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  • X-ray Photoelectron and Photoyield Spectroscopic Studies on Barrier Height of SBT Films

    M.Takahashi, K.Kodama, T.Watanabe, H.Funakubo, M.Noda, M.Okuyama

    The 4th Japan-Korea Conference on ferroelectrics   P2-52   131   2002年

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  • Doping effects in Layer structured Bi_4_Ti_3_O_12_ Ferroelectrics: Lattice Dynamics and Property Desighn Investigation by Ramana Spectroscopy

    Minoru Osada, Masato Kakihana, Yuji Noguchi, Masaru Miyayama, Takayuki Watanabe, Hiroshi Funakubo

    IFFF2002   31C-CH-3C   291   2002年

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  • Crystallization and Characterization of Bi_3_TiTaO_9_ and Bi_3_-xLaxTiTaO_9_ Thin Films Prepared by MOCVD

    M.Suzuki, M.Masatoshi, N.Nukagawa, T, watanabe, N.Hajime, T.Takenaka, H.Funakubo

    IFFF2002   30H-TB-15P   262   2002年

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  • Composition and Orientation Dependences of Dielectric and Ferroelectric Properties of Epitaxial PZT Thin Films Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

    T. Oikawa, K.Saito, H.Funakubo

    IFFF2002   29H-TP1-25P   139   2002年

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  • Large Remanent Polarization of (Bi,Nd)_4_Ti_3_O_12_ Epitaxial Thin Films Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

    T. Kojima, T.Sakai, T.Watanabe, H.Funakubo

    IFFF2002   31G-EL-6P   360   2002年

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  • Ferroelectricity of (Bi, Ln)_4_Ti_3_O_12_ (Ln: Lantanoide) Epitaxiual Thin Films Grown by Metalorganic Chemical Vapor Depositionn.

    T.Kojima, T.Sakai, T.Watanabe, H.Funakubo, K.Saito, M.Osada

    The 4th Japan-Korea Conference on ferroelectrics   P2-33   112   2002年

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  • Wide Process Window of Low-Temparature-Deposited Pb(Z,Ti)O_3_ Films by Pulsed-MOCVD

    G.Asanao, T.Oikawa, K.Okada, H.Funakubo

    The 4th Japan-Korea Conference on ferroelectrics   P2-29   108   2002年

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  • Effect of V-sbstitution on the Ferroelectric Proerties of Bi_4_Ti_3_O_12_ and (Bi,M)_4_Ti_3_O_12_ [M=Lantanoid] Films Fabricated by Chemical Solution Deposition Technique

    H.Uchida, H.Yoshikawa, I.Okada, H.Matsuda, T.Iijima T, watanabe, H.Funakubo

    IFFF2002   30H-TB-9P   .259   2002年

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  • Role of non-180o Domain Switching in Electrical Porperties of Pb(Zr,Ti)O_3_ Thin Films

    K.Saito, T.Oikawa, T.Kurosawa, T.Akai, H.Funakubo

    IFFF2002   30H-TB-13P   261   2002年

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  • Piezoelectric Properties of Orientation-controlled PZT Thick Films prepared by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

    S.Yokoyama, Y. Honda, T. Iijima, H, Matsuda, H. Funakubo

    MRS-J   K2-P12-M   215   2002年

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  • Characterization of PLZT Thick Film Prepared by MOCVD

    Yoshihisa Honda, S.Yokoyama, H. Funakubo

    MRS-J   K2-P11-M   215   2002年

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  • Contribution to a-domain on The Electrical Properties of Tetragonal Pb(Zr,Ti)O3 Thin Films

    Hitoshi Morioka, Gouji Asano, Takahiro Oikawa, Keisuke Saito, Hiroshi Funakubo

    MRS-J   K2-P08-M   214   2002年

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  • A Novel Ruthenium Precursors for MOCVD Without Seed Ruthenium Layer

    Tetsuo Shibutami Kazuhisa Kawano, Noriaki Ooshima Shintaro yokoyama, Hiroshi Funakubo

    Proc. Mater. Res. Soc.   U12.7.   462   2002年

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  • Dopimg Effects

    Minoru Osada, Masato Kakihana, Yuji Noguchi, Marau Miyayama, Takayuki Watanabe, Hiroshi Funakubo

    Proc. Mater. Res. Soc.   U2.4   445   2002年

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  • In-plane Long Lattice Matching of a-/b- axis Oriented Ferroelectric Bisumuth Layer-Structured Ferreoelectric Thin Films

    Takayuki Watanabe, Tomohiko, Sakai, Hiroshi Funakubo, Minor, Osada Masato Kakihana, Yuji Noguchi, Marau Miyayama

    Proc. Mater. Res. Soc.   ( U2.4 )   445   2002年

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  • Seed Layer Free Rutehenium Precursor for MO-CVD

    N. Ohshima T, Shibutami, K. Kawao, S. Yokoyama, H. Funakubo

    202nd Meeting of Electrochmical Society   403   2002年

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  • Characterization of HfO2 Films Grown on Silicon Substrate by metal-organic Chemical Vapor Deposition

    Eisuke Tokumitsu, Kenji Takahashi, Makoto Nakayam, Hiroshi Funakubo

    Fourth International Symposium on Control of Semiconductor Interface   2 - 10   2002年

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  • Tetragonal and Rhombohedral Mixture Phase Composition in Pb(ZrxTi1-x)O3 System

    Keisuke Saito, toshiyuki Kurosawa, Takao Akai, Takahiro Oikawa, shintaro Yokoyama, Hiroshi Funakubo

    Proc. Mater. Res. Soc.,   U13.4.   221   2002年

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  • Novel Candidate of c-axis-Oriented BLSF Thin Films for High-Capacitance Condenser

    舟窪 浩

    Proe.Mater.Res.Soc. 748   U15.1   221   2002年

  • Enhancemant of Remanent Polarization of BIT-Based Thin Films by Ti-site Substitution Using Ions with High Charge Valences

    Hiroshi Uchida Iaso Okada Hirofumi, Matsuda Takashi Iijima, Takayuki Watanabe, Hiroshi Funakubo

    Mater. Res. Soc.   U12.1   460   2002年

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  • Preparation and Characterization of a- and b-axis oriented epitaxially grown Bi_4_Ti_3_O_12_-based Thin Films

    Takayuki Watanabe, Hiroshi Isa Atsushi, Sasaki Mamoru, Yoshimoto Minoru, Osada Yuji Noguchi, Masaru Miyayama Keisuke Saito Toshimasa Suzuki, Masayuki nFujimo

    Technical Rep. IEICE   SDM- 2001 ( 254 )   1 - 5   2002年

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  • Property Design of Bi_4_Ti_3_O_12_-based Thin Films Using Site-Engineering Concept

    Hiroshi Funakubo, Takayuki Watanabe Tomohiro, Sakai Takashi, Kojima Minoru, Osada Yuji Noguchi, Masaru Miyayama Takashi Iijima Hirofumi, Matsuda, Hiroshi Uchi

    Technical Rep. IEICE   SDM-2001 ( 254 )   19 - 24   2002年

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  • Effect of co-substitution of La and V in Bi_4_Ti_3_O_12_ Thin Films on the Low Temperature Deposition

    Takayuki Watanabe, Hiroshi Funakubo, Minoru, Osada Yuji Noguchi, Masaru Miyayama

    Appl.Phys.Lett.   80 ( 1 )   100 - 103   2002年

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  • Low Temperature Preparation of High-quolity Pb(Zr,Ti)O_3_ Films by Metal Organic Chemical Vapor Deposition With High Quolity

    Hiroshi Funakubo Kuniharu Nagashima Masanori Aratani, Kouji Tokita, Takahiro Oikawa Tomohiko Ozeki, Keisuke Saito

    Proc. Metar.Res.Soc.   688 ( C1.1 )   1 - 11   2002年

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  • Conductive mechanism of La-, Nb-doped BaTiO_3_ Thin Films by Doping MOCVD

    Daisuke Nagano, Mitsunori Sugiura, Naoki Wakiya, Hiroshi Funakubo, Kazuo, Shinozaki Nobuyasu Mizutani

    Key.Eng.Mater.   216   87 - 90   2002年

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  • Preparation and Characterization of c-axis Oriented Epitaxial Bi_2_VO_5.5_ Thin Films Prepared by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

    Katsuyuki Ishikawa Tomohiro, Sakai Takayuki Watanabe, Hiroshi Funakubo

    Key.Eng.Mater.   214-215   189 - 192   2002年

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  • Orientation of Bi_4_Ti_3_O_12_ based Ferroelectric Thin Film Prepared on Various Kinds of Substrates by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

    Takayuki Watanabe, Keisuke Saito, Hiroshi Funakubo

    J.Crystal Growth   235   389 - 393   2002年

  • Preparation and Characterization of a-and c-axis-oriented Epitaxially Grown Bi_4_Ti_3_O_12_-Based Thin Films on Rutile-type Oxides

    Takayuki Watanabe, Keisuke Saito Minoru, Osada Hiroshi Funakubo Takayuki Watanabe Keisuke Saito Minoru, Osada, Hiroshi Funakubo

    Proc. Mater.Res.Soc   688 ( C6.2 )   1 - 6   2002年

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  • Preparation of SrBi_2_Ta_2_O_9_ thin films by liquid-delivery MOCVD without addition of solvents

    Norimasa Nukaga, Hirofumi Ono Yataya, Shida Hideaki Machida Toshie Suzuki, Hiroshi Funakubo

    IFFF2002   30H-TS-1P   252   2002年

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  • Ln (Ln=La, Pr, Nd, Sm) Dependence On Ferroelectric Property of (Bi_3.25_Ln_0.75_)(Ti_2.97_V_0.03_)O_12_ Thin Films Prepared at low Deposition Temperature

    T. Sakai, T.Watanabe, T.Kojima, M.Osada, Y.Noguchi, M.Miyayama, Hiroshi Funakubo

    IFFF2002   29A-TF3-2C   42   2002年

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  • Wide process window of low-temperature-deposited Pb(Zr,Ti)O_3_ films by pulsed-MOCVD

    G. Asano, T.Oikawa, K.Okada, H.Funakubo

    IFFF2002   29H-TP-23P   138   2002年

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  • Preparation of SrBi2(Ta0.7Nb0.3)2O9-Bi 3TaTiO9 solid solution films by MOCVD and their properties

    Masatoshi Mitsuya, Minoru Osada, Keisuke Saito, Hiroshi Funakubo

    Journal of Crystal Growth   237-239 ( 1 )   473 - 477   2002年

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  • Synthesis and Ferroerectlic Properties of Sr- and Nb-codoped Bi_4_-xSrxTi_3_-xNbxO_12_ Thin Films by Sol-Gel-Methods

    Hifumi Matsuda, Takashi Iijima Hiroshi Uchida Isao, Okada Takayuki Watanab, Hiroshi Funakubo

    Proc. Mater Res.Soc.   688 ( C4.14 )   1 - 5   2002年

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  • Fabrication of V-substituted (Bi,M)_4_Ti_3_O_12_[M=Lanthanoides] Thin Films by Chemical Solution Deposition Methods

    H.Uchida, H.Toshikawa, I.Okada, H.Matsuda, T.Iijima T.Watanabe, H.Funakubo

    Proc. Mater Res.Soc.   688 ( C2.3 )   1 - 6   2002年

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  • Hetero-epitaxial Growth of (1,0,m+1) one-axis-oriented Bithmuth Layered Structured Ferroelectrics Thin Films Diectly Crystallized by MOCVD

    Norimasa Nukaga, Takayuki Watanabe Tomohiro, Sakai Toshimasa Suuzuki, Yuji Nishi, Masayuki Fujimoto, Hiroshi Funakubo

    Proc. Mater.Res.Soc.   688 ( C2.21 )   1 - 6   2002年

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  • Orientation control of Pb(Zr,Ti)O_3_(PZT) thick film prepared by high-speed deposition and their property

    S. Yokoyama, T.Ozeki, T.Oikawa, Y.Ichikawa, Y.Yamashitra, T.Ochiai, H.Funakubo

    IFFF2002   29B-P12-6C   52   2002年

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  • Thermal Stability of SrRuO_3_-Bottom-Electrode and the Crystal Structure and the Electrical Property of PZT Thin Films Deposited on SrRuO_3_

    Kenji Takahashi, Takahiro Oikawa, Keisuke Saito Hironori Fujisawa, Masaru Shimizu, Hiroshi Funakubo

    IFFF2002   31G-EL-6P   360   2002年

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  • Preparation and characterization of site-engineered Bi_4_Ti_3_O_12_-based thin films by MOCVD

    T. Watanabe, T.Kojima, T.Sakai, H.Funakubo, M.Osada K.Saito

    IFFF2002   30H-TB-13P   261   2002年

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  • Composition dependence of ferroelectric properties of epitaxial Pb(ZrxTi1-x)O3 thin films grown by metalorganic chemical vapor deposition

    Takahiro Oikawa, Masanori Aratani, Keisuke Saito, Hiroshi Funakubo

    Journal of Crystal Growth   237-239 ( 1 )   455 - 458   2002年

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  • Low-leakage epitaxial PZT thin films grown on Ir/MgO substrates by metalorganic chemical vapor deposition

    T Oikawa, K Takahashi, J Ishida, Y Ichikawa, T Ochiai, K Saito, A Sawabe, H Funakubo

    INTEGRATED FERROELECTRICS   46   55 - 64   2002年

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  • Preparation of SrBi_2_Ta_2_O_9_ thin films by liquid-delivery MOCVD without addition of solvents

    Norimasa Nukaga, Hirofumi Ono Yataya, Shida Hideaki Machida Toshie Suzuki, Hiroshi Funakubo

    IFFF2002   30H-TS-1P   252   2002年

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  • Ln (Ln=La, Pr, Nd, Sm) Dependence On Ferroelectric Property of (Bi_3.25_Ln_0.75_)(Ti_2.97_V_0.03_)O_12_ Thin Films Prepared at low Deposition Temperature

    T. Sakai, T.Watanabe, T.Kojima, M.Osada, Y.Noguchi, M.Miyayama, Hiroshi Funakubo

    IFFF2002   29A-TF3-2C   42   2002年

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  • Wide process window of low-temperature-deposited Pb(Zr,Ti)O_3_ films by pulsed-MOCVD

    G. Asano, T.Oikawa, K.Okada, H.Funakubo

    IFFF2002   29H-TP-23P   138   2002年

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  • Doping effects in Layer structured Bi_4_Ti_3_O_12_ Ferroelectrics: Lattice Dynamics and Property Desighn Investigation by Ramana Spectroscopy

    Minoru Osada, Masato Kakihana, Yuji Noguchi, Masaru Miyayama, Takayuki Watanabe, Hiroshi Funakubo

    IFFF2002   31C-CH-3C   291   2002年

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  • Crystallization and Characterization of Bi_3_TiTaO_9_ and Bi_3_-xLaxTiTaO_9_ Thin Films Prepared by MOCVD

    M.Suzuki, M.Masatoshi, N.Nukagawa, T, watanabe, N.Hajime, T.Takenaka, H.Funakubo

    IFFF2002   30H-TB-15P   262   2002年

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  • Composition and Orientation Dependences of Dielectric and Ferroelectric Properties of Epitaxial PZT Thin Films Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

    T. Oikawa, K.Saito, H.Funakubo

    IFFF2002   29H-TP1-25P   139   2002年

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  • Large Remanent Polarization of (Bi,Nd)_4_Ti_3_O_12_ Epitaxial Thin Films Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

    T. Kojima, T.Sakai, T.Watanabe, H.Funakubo

    IFFF2002   31G-EL-6P   360   2002年

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  • Orientation control of Pb(Zr,Ti)O_3_(PZT) thick film prepared by high-speed deposition and their property

    S. Yokoyama, T.Ozeki, T.Oikawa, Y.Ichikawa, Y.Yamashitra, T.Ochiai, H.Funakubo

    IFFF2002   29B-P12-6C   52   2002年

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  • Thermal Stability of SrRuO_3_-Bottom-Electrode and the Crystal Structure and the Electrical Property of PZT Thin Films Deposited on SrRuO_3_

    Kenji Takahashi, Takahiro Oikawa, Keisuke Saito Hironori Fujisawa, Masaru Shimizu, Hiroshi Funakubo

    IFFF2002   31G-EL-6P   360   2002年

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  • Preparation and characterization of site-engineered Bi_4_Ti_3_O_12_-based thin films by MOCVD

    T. Watanabe, T.Kojima, T.Sakai, H.Funakubo, M.Osada K.Saito

    IFFF2002   30H-TB-13P   261   2002年

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  • XPSと紫外線光電子分光を用いたMOCVD-SBT薄膜のバリアハイトの考察

    高橋光恵, 渡辺隆之, 舟窪浩, 野田実, 奥山雅則

    応用物理学会2002年秋講演会   27a-P14-5   474   2002年

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  • Preparation of SrBi2Ta2O9 Thin Films by Liquid-Delivery MOCVD without Additional Solvents

    Norimasa Nukaga, Hirofumi, Ono Takuya, Shida Hideaki Machida Toshie Suzuki Hiroshi Funakubo

    Integ. Ferro.   45   215 - 222   2002年

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  • Low-Leakage Epitaxial PZT Thin Films Grown on Ir/MgO Substrates by Metalorganic Chemical Vapor Deposition,

    Takahiro Oikawa, Kenji Takahashi Junich, Ishida Y. Ichikawa, T. Ochiai, Keisuke Saito, A. Sawabe, Hiroshi Funakubo

    Integ. Ferro.   46   55 - 64   2002年

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  • Fabrication of M3+-Substituted and M3+/V5+-Cosubstituted Bismuth Titanate Thin Films [M = Lanthanoid] by Chemical Solution Deposition Technique

    Hiroshi Uchida, Hiroki Yoshikawa Isao Okada Hirofumi, Matsuda Takashi Iijima, Takayuki Watanabe, Hiroshi Funakubo

    Jpn. J. Appl. Phys.   41 ( 11B )   6820 - 6824   2002年

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  • Role of Non-180o Domain Switching in Electrical Properties of Pb(Zr0.35Ti0.65)O3 Thin Films

    Keisuke Saito, Takahiro Oikawa Toshiyuki Kurosawa, Takao Akai, Hiroshi Funakubo

    Jpn. J. Appl. Phys.   41 ( 11B )   6730 - 6734   2002年

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    記述言語:英語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    Pb(Zr<FONT SIZE="-1">0.35</FONT>, Ti<FONT SIZE="-1">0.65</FONT>)O<FONT SIZE="-1">3</FONT> (PZT) thin films were deposited on platinum-coated silicon substrate at deposition temperatures ranging from 350°C to 580°C by pulsed metal organic chemical vapor deposition. The deposition temperature dependence of the film orientation was precisely determined by employing X-ray diffraction reciprocal space mapping and was compared to the remanent polarization obtained from polarization-electric field (P-E) hysteresis measurement. It was found that the film orientation changed from strong {111} to strong {100} with decreasing the deposition temperature and the ratios of the obtained remanent polarizations of the film were consistently explained by the estimated ratios of the remanent polarizations calculated from the film orientations assuming that non-180<FONT SIZE="-1">º</FONT> domains are strongly pinned and do not contribute to the obtained remanent polarization. The films deposited below approximately 400°C showed smaller remanent polarizations than those expected from the film orientations and this is attributed to the presence of an amorphous phase and the reduction of grain size.

    DOI: 10.1143/JJAP.41.6730

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  • Preparation of Orientation-Controlled Polycrystalline Pb(Zr,Ti)O3 Thick Films on (100)Si Substrates by Metalorganic Chemical Vapor Deposition and Their Electrical Properties

    Shintaro Yokoyama Tomohiko Ozeki, Takahiro Oikawa, Hiroshi Funakubo

    Jpn. J. Appl. Phys.   41 ( 11B )   6705 - 6708   2002年

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    記述言語:英語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    2.0-μm-thick Pb(Zr<FONT SIZE="-1">x</FONT>Ti<FONT SIZE="-1">1-x</FONT>)O<FONT SIZE="-1">3</FONT> (PZT) films were grown with the deposition rate of 1.5 μm/h on (111)Pt/TiO<FONT SIZE="-1">2</FONT>/SiO<FONT SIZE="-1">2</FONT>/Si substrates at 600°C by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). Moreover, their electrical properties were investigated as a function of the film thickness and the Zr/(Zr + Ti) ratio, x. The deposited films were preferentially (001)- and/or (100)-oriented regardless of x in the film. When the film thickness increased from 0.12 to 3.5 μm, the dielectric constant measured at room temperature increased from 500 to 1050 for Pb(Zr<FONT SIZE="-1">0.6</FONT>Ti<FONT SIZE="-1">0.4</FONT>)O<FONT SIZE="-1">3</FONT>, while it maintained an almost constant value of 500 for Pb(Zr<FONT SIZE="-1">0.35</FONT>Ti<FONT SIZE="-1">0.65</FONT>)O<FONT SIZE="-1">3</FONT>. Well-saturated P-E hysteresis loops were observed irrespective of x. Remanent polarization value was almost constant and was above 30 μC/cm<FONT SIZE="-1">2</FONT> in the film thickness range of 0.05 to 3.5 μm. On the other hand, the coercive field decreased monotonically with increasing film thickness and at about 2.0 μm thickness, it attained an almost constant value equivalent to the reported value for the PZT bulk ceramics.

    DOI: 10.1143/JJAP.41.6705

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  • Ferroelectricity of One-Axis-Preferred-Oriented Polycrystalline Pb(Zr,Ti)O3 Films Prepared by Pulsed-Metalorganic Chemical Vapor Deposition

    Hiroshi Funakubo, Masanori Aratani, Takahiro Oikawa, Kouji Tokita, Keisuke Saito

    J. Appl. Phys.   92 ( 11 )   6768 - 6772   2002年

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  • Room-Temperature Epitaxial Growth of Indium Tin Oxide Thin Films on Si Substrates with an Epitaxial CeO2 Ultrathin Buffer

    J. Tashiro, A. Sasaki, S. Akiba, S. Satoh, T, Watanabe, H, Funakubo, M. Yoshimoto

    Thin Solid Films   ( 415 )   272 - 275   2002年

  • Thermal Stability of SrRuO3 Bottom Electrode and Electrical Property of Pb(Zr,Ti)O3 Thin Film Deposited on SrRuO3

    Kenji Takahashi, Takahiro Oikawa, Keisuke Saito Hironori Fujisawa, Masaru Shimizu, Hiroshi Funakubo

    Jpn. J. Appl. Phys   41 ( 11B )   6873 - 6876   2002年

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  • Direct Crystallization and Characterization of Bi3TiTaO9 Thin Films Prepared by Metalorganic Chemical Vapor Depositions

    Muneyasu Suzuki, Hajime Nagata, Norimasa, Nukaga Takayuki Watanabe, Hiroshi Funakubo, Tadashi Takenaka

    Jpn. J. Appl. Phys.   41 ( 11B )   6825 - 6828   2002年

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    記述言語:英語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    Bi<FONT SIZE="-1">3</FONT>TiTaO<FONT SIZE="-1">9</FONT> (BTT) thin films were prepared on (111)Pt/Ti/SiO<FONT SIZE="-1">2</FONT>/Si substrate by electron cyclotron resonance plasma-enhanced metalorganic chemical vapor deposition (ECR-MOCVD). BTT thin films deposited at 550°C were found to consist of a single phase of bismuth layer structure by X-ray diffraction (XRD). This temperature was lower than that reported in the data for obtaining single phase SrBi<FONT SIZE="-1">2</FONT>Ta<FONT SIZE="-1">2</FONT>O<FONT SIZE="-1">9</FONT> (SBT) thin films prepared by MOCVD. Furthermore, the reciprocal space mapping of BTT thin films showed the (103)-preferred orientation of this film, as well as the orientation of SBT thin films. The dielectric constant, ε<FONT SIZE="-1">r</FONT>, and loss tangent, tan δ, of the BTT thin film were 180 and 3% at 1 MHz, respectively. An abrupt increase of the leakage current of this film was observed at about 280 kV/cm.

    DOI: 10.1143/JJAP.41.6825

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  • In-plane Long Lattice Matching of a-/b- axis Oriented Ferroelectric Bisumuth Layer-Structured Ferreoelectric Thin Films

    Takayuki Watanabe, Tomohiko, Sakai, Hiroshi Funakubo, Minor, Osada Masato Kakihana, Yuji Noguchi, Marau Miyayama

    Proc. Mater. Res. Soc.   ( U2.4 )   445   2002年

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  • Seed Layer Free Rutehenium Precursor for MO-CVD

    N. Ohshima T, Shibutami, K. Kawao, S. Yokoyama, H. Funakubo

    202nd Meeting of Electrochmical Society   403   2002年

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  • Characterization of HfO2 Films Grown on Silicon Substrate by metal-organic Chemical Vapor Deposition

    Eisuke Tokumitsu, Kenji Takahashi, Makoto Nakayam, Hiroshi Funakubo

    Fourth International Symposium on Control of Semiconductor Interface   2 - 10   2002年

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  • MOCVD-PZT薄膜の電気特性に及ぼす出発原料の影響

    舟窪浩, 尾関朝彦

    第22回電子材料研究討論会   1B-09   30   2002年

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  • X線回折法によるSi(111)基板上エピタキシャルβ-FeSi_2_薄膜の内部歪評価

    秋山賢輔, 木村武, 大屋誠志郎, 斉藤啓介, 舟窪浩

    応用物理学会2002年秋講演会   26p-ZC-18   1196   2002年

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  • β-FeSi_2_初期層を用いたSi(100)およびSi(001)基板上へのβ-FeSi_2_薄膜のMOCVD合成

    木村武, 秋山賢輔, 金子智, 大屋誠志郎, 小沼誠司, 末益宗, 長谷川文夫, 舟窪浩

    応用物理学会2002年秋講演会   26p-ZC-17   1195   2002年

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  • Hf[(C_2_H_5_)_2_]_4_から合成した高誘電率界面層を有するHfO_2_薄膜の特性評価

    高橋健治, 中山誠, 日野史郎, 舟窪浩, 徳光永輔

    応用物理学会2002年秋講演会   25a-C-2   721   2002年

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  • Bi3TaTiO9のランタノイド置換による圧電性評価

    鈴木宗泰, 永井浩肇, 舟窪浩 竹中正

    第22回電子材料研究討論会   2A-03   36   2002年

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  • “Size effect” of Ferroelectric Thin Films. -Comparison of Simple Perovskite Ferroelectric and Bismuth Layer Structured Ferroelectric.

    Hiroshi Funakubo, Takayuki Watanabe, Takashi Kojima Hitoshi Morioka Gouji, Asano, Takahiro Oikawa, Keisuke Saito

    MRS-J   22   2002年

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  • 環境適用型強誘電体の開発

    舟窪浩

    第36回CVD研究会講演会,   2002年

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  • 環境適用型強誘電体の開発

    舟窪浩, 小島隆志, 酒井朋裕, 渡辺隆之

    第22回表面科学講演大会   1B01   29   2002年

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  • Comparison of Crystal Structure and Electrical Properties of Tetragonal and Rhombohedral Pb(Zr,Ti)O3 Films Prepared at Low Temperature by Pulsed-Metalorganic Chemical Vapor Deposition, 92(9)(2002)

    Hiroshi Funakubo, Kouji Tokita, Takahiro Oikawa, Masanori Aratani, Keisuke Saito

    J. Appl. Phys.   92 ( 9 )   5448 - 5452   2002年

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  • Preparation and characterization of a- and b-axis-oriented epitaxially-grown Bi_4_Ti_3_O_12_-Based Thin Films with Long Range Lattice Matching

    Takayuki Watanabe, Hiroshi Funakubo Toshimasa Suzuki Masayuki Fujimoto Minoru, Osada Yuji Noguchi, Masaru Miyayama

    Appl. Phy. Letter.   81 ( 9 )   1660 - 1662   2002年

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1063/1.1503850

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  • Growth of Environmental-Friendly b-FeSi2 Semiconductor Thin Film and Control of Electrical Property Using Si Doant

    K. Akiyama, T. Kimura, H. Funakubo

    MRS-J   G2-O03-D   156   2002年

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  • Tetragonal and Rhombohedral Mixture Phase Composition in Pb(ZrxTi1-x)O3 System

    Keisuke Saito, toshiyuki Kurosawa, Takao Akai, Takahiro Oikawa, shintaro Yokoyama, Hiroshi Funakubo

    Proc. Mater. Res. Soc.,   U13.4.   221   2002年

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  • Novel Candidate of c-axis oriented BLsf thin films for high-capacitance condenser

    Takashi Kojima Yukio, Sakashita, Takayuki Watanabe, Kazumi Kato, Hiroshi Funakubo

    Proc. Mater. Res. Soc.   U15.1   221   2002年

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  • Enhancemant of Remanent Polarization of BIT-Based Thin Films by Ti-site Substitution Using Ions with High Charge Valences

    Hiroshi Uchida Iaso Okada Hirofumi, Matsuda Takashi Iijima, Takayuki Watanabe, Hiroshi Funakubo

    Mater. Res. Soc.   U12.1   460   2002年

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  • Dopimg Effects

    Minoru Osada, Masato Kakihana, Yuji Noguchi, Marau Miyayama, Takayuki Watanabe, Hiroshi Funakubo

    Proc. Mater. Res. Soc.   U2.4   445   2002年

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  • Piezoelectric Properties of Orientation-controlled PZT Thick Films prepared by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

    S.Yokoyama, Y. Honda, T. Iijima, H, Matsuda, H. Funakubo

    MRS-J   K2-P12-M   215   2002年

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  • Characterization of PLZT Thick Film Prepared by MOCVD

    Yoshihisa Honda, S.Yokoyama, H. Funakubo

    MRS-J   K2-P11-M   215   2002年

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  • Contribution to a-domain on The Electrical Properties of Tetragonal Pb(Zr,Ti)O3 Thin Films

    Hitoshi Morioka, Gouji Asano, Takahiro Oikawa, Keisuke Saito, Hiroshi Funakubo

    MRS-J   K2-P08-M   214   2002年

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  • A Novel Ruthenium Precursors for MOCVD Without Seed Ruthenium Layer

    Tetsuo Shibutami Kazuhisa Kawano, Noriaki Ooshima Shintaro yokoyama, Hiroshi Funakubo

    Proc. Mater. Res. Soc.   U12.7.   462   2002年

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  • MOCVD法によるRu薄膜の低温成長

    渋田見哲夫, 小菅博明, 大島憲昭, 小島隆志, 横山新太郎, 舟窪浩

    応用物理学会2002年秋講演会   25p-P6-6   454   2002年

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  • 原子間力顕微鏡を用いた歪みー電圧特性測定の精密化

    沖野祐文, 歳谷賢司, 和佐清孝, 横山信太郎, 舟窪浩 山本孝

    応用物理学会2002年秋講演会   24p-P4-28   452   2002年

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  • 顕微ラマン分光法法による強誘電体材料の微視的評価

    長田実, 垣花眞人, 野口祐二, 宮山勝, 渡辺隆之, 舟窪浩

    応用物理学会2002年秋講演会   24p-P4-27   451   2002年

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  • Ferroelectricity of (Bi, Ln)_4_Ti_3_O_12_ (Ln: Lantanoide) Epitaxiual Thin Films Grown by Metalorganic Chemical Vapor Depositionn.

    T.Kojima, T.Sakai, T.Watanabe, H.Funakubo, K.Saito, M.Osada

    The 4th Japan-Korea Conference on ferroelectrics   P2-33   112   2002年

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  • Wide Process Window of Low-Temparature-Deposited Pb(Z,Ti)O_3_ Films by Pulsed-MOCVD

    G.Asanao, T.Oikawa, K.Okada, H.Funakubo

    The 4th Japan-Korea Conference on ferroelectrics   P2-29   108   2002年

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  • Effect of V-sbstitution on the Ferroelectric Proerties of Bi_4_Ti_3_O_12_ and (Bi,M)_4_Ti_3_O_12_ [M=Lantanoid] Films Fabricated by Chemical Solution Deposition Technique

    H.Uchida, H.Yoshikawa, I.Okada, H.Matsuda, T.Iijima T, watanabe, H.Funakubo

    IFFF2002   30H-TB-9P   .259   2002年

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  • Bi_3_TiTaO_9_の強誘電性に及ぼすランタノイド置換効果

    鈴木宗泰, 永田肇, 舟窪浩, 竹中正

    応用物理学会2002年秋講演会   26p-V-5   156   2002年

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  • 高品質β-FeSi_2_薄膜の成長機構とその特性評価

    木村武, 秋山賢輔, 舟窪浩

    日本セラミックス協会2002年秋季シンポジウム   3J17   252 - 473   2002年

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    出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    (111)Si基板上とβ-FeSi2初期層上にMOCVD法でβ-FeSi2エピタキシャル薄膜の作製を行った。Si基板上にMOCVD法で直接成膜を行うと、XRDの結果は(101)/(110)強配向な薄膜が得られるものの、他の配向のピークも確認された。そこで、Feターゲットを用いたRFマグネトロンスパッタリング法で作製したβ-FeSi2初期層上にMOCVD法で成膜を行った。初期層は(101)/(110)配向しており、粒形の細かい緻密な層であった。オーバーグロースの結果、初期層の配向を維持したまま明解な粒が確認できない均一な薄膜が得られた。またこの薄膜の表面凹凸は初期層の無いものよりも小さくなっていた。

    DOI: 10.14853/pcersj.2002f.0.473.0

    CiNii Research

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  • Preparation and characterization of a-/b-axis-oriented epitaxually grown bismuth layer-structured ferroelectrics

    TakayukiWatanabe Tomohiro, Sakai, Hiroshi Funakubo

    8th international Conference on Electric Ceramics and Their Apploications   TF-033-P   242   2002年

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  • X-ray Photoelectron and Photoyield Spectroscopic Studies on Barrier Height of SBT Films

    M.Takahashi, K.Kodama, T.Watanabe, H.Funakubo, M.Noda, M.Okuyama

    The 4th Japan-Korea Conference on ferroelectrics   P2-52   131   2002年

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  • パルス供給MOCVD法によるHfO_2_薄膜の作製と特性評価

    中山誠, 高橋健治, 日野史郎, 舟窪浩, 徳光永輔

    応用物理学会2002年秋講演会   25a-C-1   720   2002年

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  • 面内c軸配向したエピタキシャルBi_4_Ti_3O_12_基薄膜の合成と特性評価

    渡辺孝之, 伊佐寛, 佐々木敦, 吉本護, 長田実, 垣花眞人, 野口祐二, 宮山勝, 斉藤啓介, 舟窪浩

    応用物理学会2002年秋講演会   27a-P14-17   478   2002年

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  • 化学溶液法による高価数イオン置換BIT基薄膜の作製

    内田寛, 岡田勲, 松田弘文, 飯島高志, 渡辺孝之, 舟窪浩

    応用物理学会2002年秋講演会   27a-P14-13   476   2002年

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  • 相境界近傍Pb(Zr,Ti)O_3_薄膜における正方晶、菱面体晶混在比の膜厚依存性

    斉藤啓介, 横山信太郎, 及川貴弘, 黒沢利行, 赤井孝夫, 舟窪浩

    応用物理学会2002年秋講演会   26a-P10-11   466   2002年

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  • MOCVD法のより合成した(100)(001)配向PZT厚膜の圧電特性

    横山信太郎, 本田佳久, 飯島高志, 松田弘文, 舟窪浩

    応用物理学会2002年秋講演会   26a-P10-3   463   2002年

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  • MOCVD法のみによるRuO_2_/Pb(Zr,Ti)O_3_/RuO_2_キャパシタの作成と評価

    浅野剛司, 森岡仁, 横山信太郎, 渋田見哲夫, 大島憲昭, 舟窪浩

    応用物理学会2002年秋講演会   26a-P10-2   463   2002年

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  • 高容量薄膜コンデンサー用Bi層状構造強誘電体の探索

    小島隆志, 坂下幸雄, 渡辺隆之, 加藤一美, 舟窪浩

    応用物理学会2002年秋講演会   25a-P6-10   456   2002年

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  • チルベント内溶湯流動長に及ぼす金型材質の影響

    八百川 盾, 舟窪 辰也, 安斎 浩一, 安田 真人, 板村 正行

    鋳造工学 全国講演大会講演概要集   140   150 - 151   2002年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本鋳造工学会  

    DOI: 10.11279/jfeskouen.140_150

    CiNii Research

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  • Site definition and characterization of La-substituted Bi4Ti3O12 thin films prepared by metalorganic chemical vapor deposition

    Takayuki Watanabe, Hiroshi Funakubo, Manabu Mizuhira, Minoru Osada

    Journal of Applied Physics   90 ( 12 )   6533 - 6535   2001年12月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1063/1.1417988

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  • Site definition and characterization of La-substituted Bi4Ti3O12 thin films prepared by metalorganic chemical vapor deposition

    T Watanabe, H Funakubo, M Mizuhira, M Osada

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   90 ( 12 )   6533 - 6535   2001年12月

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  • Internal microstructure and formation mechanism of surface protrusions in Pb-Ti-Nb-O thin films prepared by MOCVD

    XD Liu, H Funakubo, S Noda, H Komiyama

    CHEMICAL VAPOR DEPOSITION   7 ( 6 )   253 - 259   2001年11月

  • Characterization of ferroelectric property of c-axis- and non-c-axis-oriented epitaxially grown Bi2VO5.5 thin films

    T Sakai, T Watanabe, Y Cho, K Matsuura, H Funakubo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   40 ( 11 )   6481 - 6486   2001年11月

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  • Low leakage current and good ferroelectric properties of SrBi<inf>2</inf>(Ta<inf>0.7</inf>Nb<inf>0.3</inf>)<inf>2</inf>O <inf>9</inf>-Bi<inf>3</inf>TiTaO<inf>9</inf> solid solution thin film

    Masatoshi Mitsuya, Norimasa Nukaga, Takayuki Watanabe, Hiroshi Funakubo, Keisuke Saito, Minoru Osada

    Applied Physics Letters   79   2067 - 2069   2001年9月

  • Local epitaxial growth of (103) one-axis-oriented SrBi2Ta2O9 thin films prepared at low deposition temperature by metalorganic chemical vapor deposition and their electrical properties

    N Nukaga, M Mitsuya, T Suzuki, Y Nishi, M Fujimoto, H Funakubo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   40 ( 9B )   5595 - 5598   2001年9月

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  • Cation distribution and structural instability in Bi4-xLaxTi3O12

    M Osada, M Tada, M Kakihana, T Watanabe, H Funakubo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   40 ( 9B )   5572 - 5575   2001年9月

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  • 解説 高品質強誘電体薄膜の低温合成--パルスMOCVD法によるチタン酸ジルコン酸鉛[Pb(Zr,Ti)O3]薄膜の合成

    舟窪 浩

    応用物理   70 ( 9 )   1061 - 1066   2001年9月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:東京 : 応用物理学会  

    強誘電体メモリー材料であるPb(Zr,Ti)O3薄膜作成に関して,高集積化;を実現する新しい有機金属化学気相成長法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition: MOOVD法);を開発したので紹介する.この方法は原料混舎ガスを反応室に間欠に導入することで,リーク電流の低減,膜表面の平滑化,超薄膜の特性発現に効果があり,"パルスMOCV口法"と名づけた.さ:らに,この方法は低温化にも有効で, 415°Cという低温で作成した多結晶薄膜でも,高温で作成したエピタキシャル成長薄膜とほぼ同L大きさの強誘電特性を発現することが明らかになった.

    DOI: 10.11470/oubutsu1932.70.1061

    CiNii Books

    CiNii Research

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  • Epitaxial-grade polycrystalline Pb(Zr,Ti)O3 film deposited at low temperature by pulsed-metalorganic chemical vapor deposition

    Masanori Aratani, Takahiro Oikawa, Tomohiko Ozeki, Hiroshi Funakubo

    Applied Physics Letters   79 ( 7 )   1000 - 1002   2001年8月

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    記述言語:英語  

    DOI: 10.1063/1.1391229

    Scopus

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  • Raman spectroscopic fingerprint of ferroelectric SrBi2Ta2O9 thin films: A rapid distinction method for fluorite and pyrochlore phases

    M Osada, M Kakihana, M Mitsuya, T Watanabe, H Funakubo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS   40 ( 8B )   L891 - L893   2001年8月

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  • Crystal structure comparison between conductive SrRuO3 and CaRuO3 thin films

    N Higashi, T Watanabe, K Saito, Yamaji, I, T Akai, H Funakubo

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   229 ( 1 )   450 - 456   2001年7月

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  • Property improvement of 75 nm-thick directly-crystallized SrBi2Ta2O9 thin films by pulse-introduced metalorganic chemical vapor deposition at low temperature

    M Mitsuya, N Nukaga, T Watanabe, H Funakubo, K Saito

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS   40 ( 7B )   L758 - L760   2001年7月

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  • Chemical stability of SrBi2Ta2O9 thin films prepared by metalorganic chemical vapor deposition

    N Nukaga, M Mitsuya, H Funakubo

    IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS   E84C ( 6 )   791 - 795   2001年6月

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    記述言語:英語  

    Web of Science

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  • Low temperature direct crystallization of SrBi2(Ta1-xNbx)(2)O-9 thin films by thermal metalorganic chemical vapor deposition and their properties

    M Mitsuya, N Nukaga, K Saito, M Osada, H Funakubo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   40 ( 5A )   3337 - 3342   2001年5月

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    記述言語:英語  

    Web of Science

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  • Orientation dependence of ferroelectricity of epitaxially grown Pb(ZrxTi1-x)O-3 thin films prepared by metalorganic chemical vapor deposition

    K Nagashima, M Aratani, H Funakubo

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   89 ( 8 )   4517 - 4522   2001年4月

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  • Low temperature deposition of Pb(Zr,Ti)O-3 film by source gas pulse-introduced metalorganic chemical vapor deposition

    M Aratani, T Ozeki, H Funakubo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS   40 ( 4A )   L343 - L345   2001年4月

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  • Film thickness dependence of ferroelectric properties of c-axis-oriented epitaxial Bi4Ti3O12 thin films prepared by metalorganic chemical vapor deposition

    T Watanabe, A Saiki, K Saito, H Funakubo

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   89 ( 7 )   3934 - 3938   2001年4月

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  • Influence of deposition temperature on the microstructure of Pb-Ti-Nb-O thin films by metallorganic chemical vapor deposition

    XD Liu, H Funakubo, S Noda, H Komiyama

    JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY   148 ( 3 )   C227 - C230   2001年3月

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  • 技術講演会 強誘電体薄膜研究の最先端における計測・制御

    舟窪 浩

    Readout : Horiba technical reports   ( 22 )   31 - 35   2001年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:京都 : 堀場製作所  

    CiNii Books

    CiNii Research

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  • 有機金属化学気相法による強誘電体メモリー薄膜作製—特集 高機能を付与する成膜技術最前線 ; 開発事例編

    舟窪 浩, 荒谷 政則

    工業材料 = Engineering materials   49 ( 3 )   54 - 57   2001年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:東京 : 日刊工業新聞社  

    CiNii Books

    CiNii Research

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    その他リンク: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I5667235

  • Ferroelectric property of epitaxial Bi4Ti3O12 films prepared by metalorganic chemical vapor deposition

    T Watanabe, H Funakubo, K Saito

    JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH   16 ( 1 )   303 - 307   2001年1月

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  • 材料プロセッシングにおける形体・構造制御のためのエキスパートシステムの開発

    野田優, 辻佳子, 大沢利男, 小宮山宏, 奥山喜久夫, 島田学, 江頭靖幸, 松方正彦, 野村幹弘, 舟窪浩 KimHeeJoon, 井原学, 高見誠一

    化学工学会第65回年会   2001年

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  • New Control Method of Low Temaperature Deposition of Metal Oreganic Chemical Vapor Deposition. (2) ZrO2 Film Preparation

    Noriyuki Higashi, Yasushi Murakami, Hideaki Matchida, Hiroshi Funakubo

    The Second Asian Conference on Chemical Vapor Deposition   207-1209.   2001年

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  • New Control Method of Low Temaperature Deposition of Metal Oreganic Chemical Vapor Deposition. (1) SrRuO3 Film Preparation

    Noriyuki Higashi, Yasushi Murakami, Hideaki Matchida, Hiroshi Funakubo

    The Second Asian Conference on Chemical Vapor Deposition   169 - 171   2001年

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  • Property Improvement of SrBi2Ta2O9 Thin Film Prepared at 600oC by “pulse MOCVD

    Hiroshi Funakubo, Masatoshi Mitsuya Takayuki Watanabe

    13th International Symposium on Integtared Ferroelectrcs March 13 Colorado Spring   36 ( 1-4 )   103 - 110   2001年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

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  • Preparation of Bi2WO6 Thin Films by MOCVD and its Electrical Character

    Katsuyuki Ishikawa, Takayuki Watanabe, Hiroshi Funakubo

    Thin Solid Films   392   128 - 133   2001年

  • Pb(ZrxTi1-x)O3薄膜の強誘電特性の組成および結晶方位依存性

    及川貴弘, 荒谷政則, 斎藤啓介, 舟窪浩

    応用物理学会春期予稿集   574   2001年

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  • Low temperature Deposition of Epitaxial-Grade PZT Films by MOCVD

    Hiroshi Funakubo, Masnori Aratani Takahiro Oikawa, Keisuke Saito

    The 10 th US-Japan Seminor on Dielectrics and Piezoelectric Ceramics   Providence   131 - 134   2001年

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  • Preparation of SrBi2(Ta0,7Nb0.3)2O9-Bi3TiTaO9 Solid Solution Films by MOCVD and Their Property

    Msasatoshi Mitsuya, Hiroshi Funakubo

    ICCGG-13/ICVGE-11   TG07 ( 02 )   .444.   2001年

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  • Metal Organic Chemical Vapor Deposition Growth of Epitaxial (Sr,Ca)RuO3 Thin Films with different Orientation as Bottom Electrode for Epitaxail Ferroelectric Thin Film

    Hiroshi Funakubo, Takahiro Oikawa Boriyuki Higashi, Keisuke Saito

    ICCGG-13/ICVGE-11   TG07 ( 01 )   328   2001年

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  • Property of V- and W substituted Bi4Ti3O12 Thin Films by MOCVD and Their Electyrical Property

    Tomohiro Sakai, Takayuki Watanabe, Minoru, Osada Yuuji Noguchi, Masaru Miyayama, Hiroshi Funakubo

    ICCGG-13/ICVGE-11   03a-S11-14   444   2001年

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  • Composition and Orienatation Dependence of Ferroelerectric Properties of Pb(ZrxTi1-x)O3 Thin Films Grwon by MOCVD

    Takahiro Oikawa, Masanori Aratani Keisuke Saito, Hiroshi Funakubo

    ICCG-13/ ICVGE-11   02a-S11-12   329   2001年

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  • Property Desighn of the BiT-based Ferroelectric Thin Films by Site Engineering

    Takayuki Watanabe Tomohiro, Sakai Minoru, Osada Yuuji Noguchi, Masaru Miyayama, Hiroshi Funakubo

    ICCGG-13/ICVGE-11   03a-S11-14   445   2001年

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  • Highly Conducting Indium-Tin-Oxide Transparent Films Favricated by Spray CVD Using Ethanol Solution of Indium(III) Chloride and Tin(II) Chloride

    Yutaka Sawada, Chikako Kobayashi, Shigeyuki Seki, Hiroshi Funakubo

    The Second Asian Conference on Chemical Vapor Deposition Gyeongju   Asaian-CVD   120 - 121   2001年

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  • 走査型非線型誘電率顕微鏡を用いた強誘電体層状化合物の原子分解測定

    長康雄, 松浦かおり, 舟窪浩, 入江寛, 宮山勝, 野口祐ニ

    応用物理学会春期発表会   30p-YC-2   563   2001年

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  • MOCVD合成したFe-Si系薄膜特性のFe/Si組成依存

    秋山賢輔, 大屋誠志郎, 熊谷正夫, 沼田乾, 小沼誠司, 薮田湖納美, 木枝暢夫, 舟窪浩

    応用物理学会春期発表会   30p-YA-14   561   2001年

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  • 基板昇温雰囲気のPb(Zr,Ti)O3成膜温度に及ぼす影響

    時田浩司, 荒谷政則, 舟窪浩

    応用物理学会春期発表会   31a-YA-4   573   2001年

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  • La置換Bi4Ti3O12のサイト選択性と構造転移

    長田実, 渡辺隆之, 舟窪浩, 多田大, 垣花眞人

    応用物理学会春期発表会   30p-YA-14   561   2001年

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  • ローカルエピタキシャル成長を用いた(1,0,m+1)単配向Bi層状強誘電体薄膜の低温合成とその特性評価

    額賀紀全, 三矢昌俊, 鈴木利昌, 西湯ニ, 藤本正之, 舟窪浩

    強誘電体応用会議   1-T-31   117 - 118   2001年

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  • Bi4-xLaxTi3O12のサイト選択性と構造相転移

    長田実, 多田大, 垣花眞人, 渡辺隆之, 舟窪浩

    強誘電体応用会議   1-B-2   143 - 144   2001年

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  • Pb(ZrxTi1-x)O3用MOCVD原料系の検討

    尾関朝彦, 荒谷政則, 東典行 舟窪浩

    応用物理学会春期予稿集   31-Ya-3   573   2001年

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  • Pb(Zr_0.35_Ti_0.65_)O_3_薄膜における90°ドメインの挙動121

    斎藤啓介, 黒澤利行, 赤井孝夫, 及川貴弘, 舟窪浩

    13 th Symposium of The MRS Japan   F2-004   121   2001年

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  • Preparation and Characterization of 1-and c-axis oriented Epitaxially Grown Bi_4_Ti_3_O_12_ Based Thin Films With Long Range Lattice Matching

    Takayuki Watanaba, Hiroshi Funakubo

    Mater.Res.Soc.Meeting   Nov.22(2001) Boston ( c4.15 )   53   2001年

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  • Fabrication of Vanadium-Substituted (Bi,M)_4_Ti_3_O_12_[M=lanthanoide] Thin Films By Chemical Solution Deposition Methods Nov., p.50

    Hiroshi Uchida, Hiroki Yoshikawa, Kana, Okamura Isao, Okada Takayuki Hirofumi, Matsuda Takashi Iijima Watanaba, Hiroshi Funakubo

    Mater.Res.Soc.Meeting   21(2001) Boston, ( c4.15 )   50   2001年

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  • Syntheisi and Ferroerectricirty of Sr- and Nd-Doped Bi_4_-xSrxTi_3_-xNbyO_12_ Thin Films by Sol-Gel Methods

    Hirofumi Matsuda, Takashi Iijima Hiroshi Uchida Isao, Okada Takayuki Watanaba, Hiroshi Funakubo

    Mater.Res.Soc.Meeting   Nov.21(2001) Boston ( c4.14 )   49   2001年

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  • 低温でのMOCVD法によるPZT薄膜の低圧合成

    浅野剛司, 岡田清, 及川貴弘, 尾関朝彦, 時田浩司, 舟窪浩

    13 th Symposium of The MRS Japan   F2-P09 ( B )   122   2001年

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  • Large Remanet Polarization of (Bi,Nd)_4_Ti_3_O_12_ Epitaxial Thin Films Grownby Metal Organic Chemical Vapor Deposition

    Takashi Kojima, Takayuki Watanabe Tomohiro, Sakai Hiroshi Funakubo Keisuke Saito, Minoru Osada

    FeRAM 2001   2001. Nov.19-21 ( Gotenba, Japan )   93 - 94   2001年

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  • Catioic Modification of Bi_4_Ti_3_O_12_ Ferroerectrics and Property Desighn by Raman Spectroscopy

    Minoru Osada, Masato Kakihana, Takayuki Watanaba, Hiroshi Funakubo

    Mater.Res.Soc.Meeting   Nov.21(2001) Boston ( c4.10 )   49   2001年

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  • Heteroepitaxial Growth of (1,0,m+1) One-axis Oriented BLSF Thin Films Directly Crystallized by MOCVD

    Norimasa Nukaga, Takayuki Watanaba, Hiroshi Funakubo

    Mater.Res.Soc.Meeting   Nov.21(2001) Boston ( c2.2 )   45   2001年

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  • Orientation Dependence of Electrical Properties of Low Temperature-grown Pb(Zr_0.35_Ti_0.65_)O_3_ Thin Films by MOCVD

    Keisuke Saito, Takahiro Oikawa Toshiyuki Kurosawa, Takao Akai, Hiroshi Funakubo

    FeRAM 2001   2001. Nov.19-21 ( Gotenba, Japan )   86 - 87   2001年

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  • Effect of Strain in SrRuO_3_ Bottom Electrode on the Crystal Structure and the Electric Property of PZT Thin Film

    Kenji Takahashi, Takahiro Oikawa, Keisuke Saito Hironori Fujisawa, Masaru Shimizau, Hiroshi Funakubo

    FeRAM 2001   2001. Nov.19-21 ( Gotenba, Japan )   122 - 123   2001年

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  • Application Study for the Vapor Phase Monitoring in MOCVD PZT Process by FTIR

    Tsukasa Satake, Hiroshi Funakubo

    The Second Asian Conference on Chemical Vapor Deposition Gyeongju   Asaian-CVD   120 - 121   2001年

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  • Pb(Zr_0.35_Ti_0.65_)O_3_薄膜における90°ドメインの挙動/

    酒井朋裕, 渡辺隆之, 小島隆志, 長田実, 水平学, 舟窪浩

    13 th Symposium of The MRS Japan   F2-P10-   123   2001年

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  • MOCVD法によるBi3TiTaO9薄膜の直接合成及び評価

    鈴木宗泰, 三矢昌俊, 額賀紀全, 渡辺隆之, 竹中正

    応用物理学会春期発表会   30p-YA-9   560.   2001年

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  • Composition Dependence of Phase and Epitaxial Property of Fe-Si Thin Film Prepared by MOCVD

    K.Akiyama, H. Funakubo

    ICCGG-13/ICVGE-11   G04-4   323   2001年

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  • Domain Switching in Pb(Zr_0.65_Ti_0.35_)O_3_ Thin Films

    Keisuke Saito, Takahiro Oikawa Toshiyuki Kurosawa, Takao Akai, Hiroshi Funakubo

    Tarns.Mater.Res.Soc.Jpn.   27 ( 1 )   215 - 218   2001年

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    記述言語:英語  

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  • Low-Pressure Deposition of Pb(Zr,Ti)O_3_ Films by MOCVD at Low temperature

    Gouji Asano, Takahiro Oikawa, Kouji Tokita, Kiyoshi Okada, Hiroshi Funakubo

    Trans Mater.Res.Soc.Jpn.   27 ( 1 )   223 - 226   2001年

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  • Compositon Control of Lead Zirconate Titanate Thin Films Using Mixed Solutions of PbTiO_3_ and PbZrO_3_

    Takashi Iijima, G.He, Hiroshi Funakubo

    Integ.Ferr.   36   255 - 263   2001年

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  • エピタキシャルPZT薄膜の強誘電性の組成および結晶方位依存性”

    及川貴弘, 斎藤啓介, 舟窪浩

    日本セラミックス協会、電子材料研究討論   2B-01   17   2001年

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  • Bi_4_Ti_3_O_12_強誘電体の元素置換効果とソフトモードによる特性デザイン

    長田実, 渡辺隆之, 舟窪浩, 多田大, 垣花眞人

    第14回日本セラミックス協会秋季シンポジウム   1E13   40   2001年

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  • ローカルエピキシャル成長を利用した単配向Bi層状強誘電体薄膜の低温合成

    額賀紀全, 三矢昌俊, 舟窪浩, 鈴木利昌, 西湯ニ 藤本正之

    第14回日本セラミックス協会秋季シンポジウム   3D05   239   2001年

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  • ランタノイド置換チタン酸ビスマス薄膜のMOCVD合成と評価』

    渡辺隆之, 舟窪浩

    第14回日本セラミックス協会秋季シンポジウム   3F07   239   2001年

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  • Property Improvement of SrBi_2_Ta_2_O_9_ Thin Films Prepared at 600oC by Pulse-MOCVD”

    Hiroshi Funakubo, Masatoshi Mitsuya Takayuki Watanabe, Norimasa Nukaga

    Integ.Ferro.   36 ( 1-4 )   103 - 110   2001年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

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  • Characterization of Pb(Zr,Ti)O_3_ Thin Films Prepared on Various Substrates by Source Gas Pules-Introduced Metalorganic Organic Chemical Vapor Deposition

    Masanori Aratani Kuniharu Nagashima Hiroshi Funakubo

    Ferroelectrics   260   69 - 74   2001年

  • Effect of composition of MOCVD-SrRuO3 top electrode of (Pb,La)(Zr,Ti)O-3 capacitor on H-2 degradation

    N Okuda, N Higashi, T Watanabe, H Funakubo

    FERROELECTRICS   260 ( 1-4 )   401 - 406   2001年

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  • Characterization of low temperature preparation of SrBi2Ta2O9 thin films by ECR plasma enhanced metalorganic chemical vapor deposition

    N Nukaga, M Mitsuya, H Machida, H Funakubo

    FERROELECTRICS   260 ( 1-4 )   395 - 400   2001年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

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  • Comparison of Epitaxial and Polycrystalline (001)- and (100)- oriented Tetragonal PZT Films Prepared by MOCVD

    Tomohiko Ozeki, Shintaro Yokoyama, Kenji Takahashi Takahiro Oikawa, Yasuko Ichikawa, Hiroshi Funakubo

    FeRAM 2001   2001. Nov.20 ( Gotenba, Japan )   93 - 94   2001年

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  • Preparation and characterization of a-and b-axes oriented epitaxially grown Bi_4_Ti_3_O_12_-based Thin Films with Long-range lattice matching

    Takayuki Watanabe, Hiroshi Funakubo

    FeRAM 2001   2001. Nov.19-21 ( Gotenba, Japan )   164 - 165   2001年

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  • MOCVD法で作製したPZT薄膜における電気特性の結晶方位依存性

    時田浩司, 荒谷政則, 尾関朝彦, 舟窪浩

    日本セラミックス協会、電子材料研究討論会   2B-02   72   2001年

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  • (Bi4-xPrx)4(Ti3-yVy)3O12薄膜の成長温度の低温化と特性改善

    酒井朋裕, 渡辺隆之, 小島隆志, 長田実, 水平学, 舟窪浩

    応用物理学会2001年秋   12p-ZR-5   387   2001年

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  • B及びPのドーピングによるβ-FeSi2薄膜の電気伝導特性制御

    秋山賢輔, 木村武, 大屋誠志郎, 栗原幸男, 熊谷正夫, 薮田湖納美, 高野弘道, 舟窪浩

    応用物理学会2001年秋   12p-YA-5   1024   2001年

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  • MOCVD合成したβ-FeSi2薄膜の結晶性と電気特性の関係

    木村武, 秋山賢輔, 大屋誠志郎, 栗原幸男, 熊谷正夫, 薮田湖納美, 高野弘道, 舟窪浩

    応用物理学会2001年秋   12p-YA-4   1024   2001年

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  • Bi4Ti3O12強誘電体の元素置換効果とソフトモードによる設計

    長田実, 渡辺隆之, 酒井朋裕, 舟窪浩, 多田大, 垣花眞人

    応用物理学会2001年秋   12p-ZR-7   388   2001年

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  • 長周期格子マチング成長したa,b軸配向エピタキシャルBLSF薄膜の合成と特性評価

    渡辺隆之, 高橋健治, 及川貴弘, 斎藤啓介, 舟窪浩

    応用物理学会2001年秋   12p-ZR-6   387   2001年

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  • 化学的溶液法によるV置換(Bi,La)4Ti3O12薄膜の作製

    内田寛, 岡田烈, 松田弘文, 飯島高志, 渡辺隆之, 舟窪浩

    応用物理学会2001年秋   12p-ZR-2   386   2001年

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  • 単原料ボトルからの溶液器化MOCVD法によるSrBi2Ta2O9薄膜の高再現合成

    額賀紀全, 町田英明, 鈴木淑恵, 小野弘文, 志田卓也, 舟窪浩

    応用物理学会2001年秋   12a-ZR-4   384   2001年

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  • Fabrication of Lead Ziroconium Titaniium Thin Films Usding a Different Process of Lead Zirconium and Lead Titanium Multi Layer Films

    Gang He, Takahashi Iijima, Hiroshi Funakubo

    ICCGG-13/ICVGE-11   02a-S11-16   331   2001年

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  • Domain Structures and Ferroelectric Propertuies of Epitaxial Pb(Zr,Ti)O3 Thin Films

    Keisuke Saito, Takahiro Oikawa, Isao, Yamaji Takao Akai, Hiroshi Funakubo

    ICCGG-13/ICVGE-11   03a-S11-06   440   2001年

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  • (Bi, L)4(Ti, V)3O12エピタキシャル薄膜を用いた置換効果の評価

    小島隆志, 渡辺隆之, 酒井朋裕, 水平学, 斎藤啓輔介, 舟窪浩

    応用物理学会2001年秋   12p-ZR-4   387   2001年

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  • 多結晶(Bi,Nd)4(Ti,V)3O12薄膜のMOCVD合成と特性評価

    渡辺隆之, 小島隆志, 酒井朋裕, 長田実, 野口祐ニ, 宮山勝 舟窪浩

    応用物理学会2001年秋   12p-ZR-3   387   2001年

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  • Characterization of Ferroelectric Property of c-axis and non-c-axis Oriented Epitaxially Grown Bismuth Layer-Structured Ferrolectric Thin Films with Different m-number Prepared by MOCVD

    Takayuki Watanabe Tomohiro, Sakai Atsushi, Saiki Keisuke, Saito Toyuhiko Chikyo, Hiroshi Funakubo

    Proc.Mater Res.Soc.   655   cc1.9.1- cc1.9.6.   2001年

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  • エピタキシャル成長Pb(Zr,Ti)O3圧膜のMOCVD合成

    尾関朝彦, 横山信太郎, 高橋健冶, 及川貴弘, 舟窪浩

    応用物理学会2001年秋   13p-ZR-5   396   2001年

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  • Dependence of crystallographic orientation for rhombohedral PZT thin films on their electrical properties

    Kouji Tokita, Masanori Aratani, Hiroshi Funakubo

    Ferroelectrics   260 ( 1 )   45 - 50   2001年

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  • Internal Microstructure and Formation Mechanism of Surface Protrusions in Pb-Ti-Nb-O Thin Films Prepared by MOCVD

    Xue-Dond Liu, Hiroshi Funakubo Sururu Noda, Hiroshi Komiyama

    Chem.Vapor Deposition   7 ( 6 )   253 - 259   2001年

  • Leakage Property Improvement of PLZT Capacitor Using CaRuO_3_ Top Electrode

    Hiroshi Funakubo, Norikazu Okuda Noriyuki Higashi

    Proc.Mater Res.Soc.   655   cc4.6   2001年

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  • Preparation and Characterization of Epitaxial SrBi_2_Ta_2_O_9_ Thin Films

    Nisi Masayuki Fujimoto Masanori, Nukaga Isao, Yamaji Takao Akai, Hiroshi Funakubo

    Proc.Mater Res.Soc.   655   cc10.13   2001年

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  • Pt/Ti/SiO2/Si基板上に成膜したPb(Zr,Ti)O3薄膜の結晶配向と電気特性の相関

    斎藤啓介, 及川貴弘, 山路功, 赤井孝夫, 舟窪浩

    応用物理学会2001年秋   13p-ZR-3   396   2001年

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  • 正方晶および菱面体晶Pb(Zr,Ti)O3薄膜の低温合成

    時田浩司, 荒谷正則, 浅野剛司, 尾関朝彦, 舟窪浩

    応用物理学会2001年秋   13p-ZR-2   395   2001年

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  • 低温合成MOCVD-PZT薄膜の高再現性の検討

    浅野剛治, 及川貴弘, 時田浩司, 岡田清, 舟窪浩

    応用物理学会2001年秋   13p-ZR-1   395   2001年

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  • エピタキシャル成長SrRuO3薄膜特性の成長法依存性

    高橋健治, 及川貴弘, 斎藤啓介, 舟窪浩

    応用物理学会2001年秋   13a-ZR-8   394   2001年

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  • エピタキシャル成長Pb(Zr,Ti)O3薄膜の強誘電特性の基板種および電極種依存性

    及川貴弘, 高橋健治, 石田純一, 斎藤啓介, 澤邊厚仁, 舟窪浩

    応用物理学会2001年秋   13p-ZR-4   .396   2001年

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  • Pb(ZrxTi1-x)O3のエピタキシャル薄膜における結晶ドメイン構造2

    斎藤啓介, 及川貴弘, 山路功, 赤井孝夫, 舟窪浩

    応用物理学会春期予稿集   552   2001年

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  • MOCVD成長エピタキシャル薄膜を用いたBLSF(m=3)の電機特性評価

    酒井朋裕, 渡辺隆之, 長田実, 野口裕ニ, 宮山勝, 斎藤啓介, 舟窪浩

    応用物理学会春期発表会   30p-YA-13   561   2001年

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  • Domain Switching in Epitaxial Grown Pb(Zr,Ti)O3 Thin Films

    K.Saito, M.Aratani, I.Yamaji, T.Akai, H.Funakubo

    ISIF 2001   7.1.2C   315   2001年

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  • Characteristics of Pb(Zr, Ti)O3 thin films prepared on various substrates by source gas pulse-introduced metalorganic chemical vapor deposition

    Masanori Aratani, Hiroshi Funakubo

    Ferroelectrics   260 ( 1 )   69 - 74   2001年

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  • Characterization of low temperature Preparation of SrBi_2_Ta_2_O_9_ This Films by ECR Plasma Enhanced Metal Organic Chemical Vapor Deposition

    Norimasa Nukaga, Masanori Mitsuya Hioroshi Funakubo, Hideaki Matchida

    Ferroelectrics   260   51 - 60   2001年

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  • Residual strain analysis of epitaxial grown SBT thin films prepared by MOCVD

    K Saito, K Ishikawa, A Saiki, Yamaji, I, T Akai, H Funakubo

    INTEGRATED FERROELECTRICS   33 ( 1-4 )   59 - 69   2001年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

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  • Effect of composition of MOCVD-SrRuO3 top electrode of (Pb, La)(Zr, Ti)O3 capacitor on H2 degradation

    Norikazu Okuda, Noriyuki Higashi, Takayuki Watanabe, Hiroshi Funakubo

    Ferroelectrics   260 ( 1 )   57 - 62   2001年

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  • Composition Control of Lead Zirconium Titanium Thin Films Using Mixed Solution of PbTiO3 and PbZrO3

    T.Iijima G.He, H.Funakubo

    ISIF 2001   P2.2.14   254   2001年

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  • New Combinatorial experimental methods for Preparaton of PZT Thin Film from Pb, Zr, Ti metal organic Chemical Sources

    Gang He, Takashi Iijima, Hiroshi Funakubo, Zheng Wang

    SPIE, San Jose   4281-04   34   2001年

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  • Low Temperature Deposition of High Quolity SrBi2Ta2O9 Thin Films and its orientation Control

    Technical Report of Institute of Electronics, Information and Communication Engineering   SDM-237 ( (2001-3) )   7 - 12   2001年

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  • Preparation of Pb(ZrxTi1-x)O3 Film by Source gas Pulse-induced MOCVD

    Masanori Aratani Kuniharu Nagashima Hiroshi Funakubo

    Japn.J.Appl.Phys   40 ( 6A )   4126 - 4130   2001年

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  • Low temperature Direct Crystallization SrBi2(Ta,Nb)2O9 Thin Films by Thermal MOCVD and Their Properties

    Masatoshi Mitsuya Norimasa Nukaga, Hiroshi Funakubo

    Jpn.J.Appl.Phys   40 ( 5A )   3337 - 3342   2001年

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  • Chemical Stability of SrBi2Ta2O9 Thin Film Prepared By Metalorganic Chemical Vapor Deposition

    Norimasa Nukaga, Masatoshi Mitasuya Hiroshi Funakubo Ferroelectrics

    IEICE Trans. Electron   E84-C ( 6 )   791 - 795   2001年

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  • Metal Organic Chemical Vapor Deposition Growth of Epitaxial (Sr,Ca)RuO3 Thin Films with different Orientation as Bottom Electrode for Epitaxail Ferroelectric Thin Film

    Hiroshi Funakubo, Takahiro Oikawa Boriyuki Higashi, Keisuke Saito

    ICCGG-13/ICVGE-11   TG07 ( 01 )   328   2001年

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  • New Control Method of Low Temaperature Deposition of Metal Oreganic Chemical Vapor Deposition. (2) ZrO2 Film Preparation

    Noriyuki Higashi, Yasushi Murakami, Hideaki Matchida, Hiroshi Funakubo

    The Second Asian Conference on Chemical Vapor Deposition   207-1209.   2001年

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  • New Control Method of Low Temaperature Deposition of Metal Oreganic Chemical Vapor Deposition. (1) SrRuO3 Film Preparation

    Noriyuki Higashi, Yasushi Murakami, Hideaki Matchida, Hiroshi Funakubo

    The Second Asian Conference on Chemical Vapor Deposition   169 - 171   2001年

     詳細を見る

  • Preparation of Bi2WO6 Thin Films by MOCVD and its Electrical Character

    Katsuyuki Ishikawa, Takayuki Watanabe, Hiroshi Funakubo

    Thin Solid Films   392   128 - 133   2001年

  • MOCVD Growth and Structure Analysis of High Conductive Epitaxial SrRuO3 Thin films With Different Orientation

    Takahiro Oikawa, Noriyuki Higashi Masahiro Aratani, Keisuke Saito, Hiroshi Funakubo

    Tras Matre Res Soc   26 ( 1 )   27 - 30   2001年

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  • Combinatorial Approach for Ferroelerectric Thin Film Using Solution Based Process

    Hiroshi Funakubo, Takashi Iijima Gang He, Zheng Whang

    SPIE   4281-12   36   2001年

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  • Low Leakage and High Ferroerectricity of Defect-free SBTN Based Ferroelectric Material

    Masanori Mitsuya Norimasa Nukaga Takayuki Watanabe, Hiroshi Funakubo

    Appl.Phys.Lett.,   79 ( 13 )   2067 - 2069   2001年

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  • Preparation of SrBi2(Ta0,7Nb0.3)2O9-Bi3TiTaO9 Solid Solution Films by MOCVD and Their Property

    Msasatoshi Mitsuya, Hiroshi Funakubo

    ICCGG-13/ICVGE-11   TG07 ( 02 )   .444.   2001年

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  • MOCVD法によるBi層状強誘電体(m=2)薄膜の新組成探索

    三矢昌俊, 額賀紀全, 渡辺隆之, 舟窪浩

    応用物理学会春期発表会   31p-YA-7   559   2001年

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  • パルスMOCVD法で合成した(Zr,Ti)O3薄膜の低温合成

    荒谷政則, 時田浩司, 及川貴弘, 尾関朝彦, 舟窪浩

    応用物理学会春期発表会   31a-YA-5   573   2001年

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  • サイトエンジニアリングによるBIT基薄膜の特性設計

    渡辺隆之, 酒井朋簸裕, 野口裕ニ, 宮山勝, 水平学, 舟窪浩

    応用物理学会春期発表会   30p-YA-12   561   2001年

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  • New Combinatorial experimental methods for Preparaton of PZT Thin Film from Pb, Zr, Ti metal organic Chemical Sources

    Gang He, Takashi Iijima, Hiroshi Funakubo, Zheng Wang

    SPIE, San Jose   4281-04   34   2001年

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  • 厚膜PZT成膜用MOCVD法の開発

    尾関朝彦, 荒谷政則, 東典行, 舟窪浩, 佐仲正守

    日本セラミックス協会基礎討論会   34 - 35   2001年

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  • 触媒ガスを用いたMOCVD原料ガスの分解温度制御法の開発

    東典行, 舟窪浩, 村上泰, 町田英明

    日本セラミックス協会基礎討論会   384 - 385   2001年

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  • パルスMOCVD法によるPZT薄膜の特性改善

    荒谷政則, 尾関朝彦, 時田浩司, 舟窪浩

    日本セラミックス協会基礎討論会   32-33.   2001年

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  • (103)単配向高純度SrBi2Ta2O9薄膜の低温合成と評価

    額賀記全, 三矢昌俊, 舟窪浩

    応用物理学会春期発表会   30p-YA-2   557   2001年

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  • Domain Switching in Epitaxial Grown Pb(Zr,Ti)O3 Thin Films

    K.Saito, M.Aratani, I.Yamaji, T.Akai, H.Funakubo

    ISIF 2001   7.1.2C   315   2001年

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  • Composition Control of Lead Zirconium Titanium Thin Films Using Mixed Solution of PbTiO3 and PbZrO3

    T.Iijima G.He, H.Funakubo

    ISIF 2001   P2.2.14   254   2001年

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  • 高品質SrBi2Ta2O9薄膜の低温合成と配向制御

    額賀紀全, 三矢昌俊, 舟窪浩

    電気通信学会シリコン・デバイス研究会   2001年

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  • Preparation of Pb(ZrxTi1-x)O3 Film by Source gas Pulse-induced MOCVD

    Masanori Aratani Kuniharu Nagashima Hiroshi Funakubo

    Japn.J.Appl.Phys   40 ( 6A )   4126 - 4130   2001年

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  • Influence of Deposition Temperature on the Microstructure of Pb-Ti-Nb-O Thin Films by Metallorganic Chemical Vapor Deposition

    Xue-Dong Liu, Hiroshi Funakubo Suguru Noda, Hiroshi Komiyama

    J.Electrocem.Soc.   148 ( 3 )   C227-230   2001年

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  • Combinatorial approach for ferroelectric thin film using solution based process

    H Funakubo, G He, T Iijima

    COMBINATORIAL AND COMPOSITION SPREAD TECHNIQUES IN MATERIALS AND DEVICE DEVELOPMENT II   4281   77 - 86   2001年

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  • Low Leakage and High Ferroerectricity of Defect-free SBTN Based Ferroelectric Material

    Masanori Mitsuya Norimasa Nukaga Takayuki Watanabe, Hiroshi Funakubo

    Appl.Phys.Lett.,   79 ( 13 )   2067 - 2069   2001年

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  • Crystal Structure Comparison Between Conductive SrRuO3 and CaRuO3 Thin Films

    N.Higashi T.Watanabe, K.Saito, Y.Yamaji, T.Akai, H.Funakubo

    J.Cryst.Growth   229   450 - 456   2001年

  • 触媒反応を用いたMOCVD原料の分解温度制御

    東典行, 尾関朝彦, 村上泰, 町田英明, 舟窪浩

    応用物理学会春期発表会   30p-YA-9   560   2001年

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  • A new combinatorial experimental method for preparation of PZT thin films from Pb, Zr and Ti metal organic chemical sauces

    G He, T Iijima, H Funakubo, Z Wang

    COMBINATORIAL AND COMPOSITION SPREAD TECHNIQUES IN MATERIALS AND DEVICE DEVELOPMENT II   4281   27 - 35   2001年

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  • MOCVD Growth and Structure Analysis of High Conductive Epitaxial SrRuO3 Thin films With Different Orientation

    Takahiro Oikawa, Noriyuki Higashi Masahiro Aratani, Keisuke Saito, Hiroshi Funakubo

    Tras Matre Res Soc   26 ( 1 )   27 - 30   2001年

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  • コンビナトリアル手法を用いたLead-TitaniumとLead Zirconium 金属有機溶液によるPZT薄膜の作製(2)

    何崗 飯島高志, 舟窪浩

    158) 応用物理学会春期発表会   29p-YA-10   .551   2001年

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  • コンビナトリアル手法を用いたLead-TitaniumとLead Zirconium 金属有機溶液によるPZT薄膜の作製(1)

    何崗 飯島高志, 舟窪浩

    応用物理学会春期発表会   29p-YA-9   550   2001年

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  • Heteroepitaxial Growth of (1,0,m+1) One-axis Oriented BLSF Thin Films Directly Crystallized by MOCVD

    Norimasa Nukaga, Takayuki Watanaba, Hiroshi Funakubo

    Mater.Res.Soc.Meeting   Nov.21(2001) Boston ( c2.2 )   45   2001年

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  • Orientation Dependence of Electrical Properties of Low Temperature-grown Pb(Zr_0.35_Ti_0.65_)O_3_ Thin Films by MOCVD

    Keisuke Saito, Takahiro Oikawa Toshiyuki Kurosawa, Takao Akai, Hiroshi Funakubo

    FeRAM 2001   2001. Nov.19-21 ( Gotenba, Japan )   86 - 87   2001年

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  • Effect of Strain in SrRuO_3_ Bottom Electrode on the Crystal Structure and the Electric Property of PZT Thin Film

    Kenji Takahashi, Takahiro Oikawa, Keisuke Saito Hironori Fujisawa, Masaru Shimizau, Hiroshi Funakubo

    FeRAM 2001   2001. Nov.19-21 ( Gotenba, Japan )   122 - 123   2001年

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  • Large Remanet Polarization of (Bi,Nd)_4_Ti_3_O_12_ Epitaxial Thin Films Grownby Metal Organic Chemical Vapor Deposition

    Takashi Kojima, Takayuki Watanabe Tomohiro, Sakai Hiroshi Funakubo Keisuke Saito, Minoru Osada

    FeRAM 2001   2001. Nov.19-21 ( Gotenba, Japan )   93 - 94   2001年

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  • Composition control of lead zirconate titanate thin films using mixed solutions of PbTiO3 and PbZrO3

    T Iijima, G He, H Funakubo

    INTEGRATED FERROELECTRICS   36 ( 1-4 )   255 - 263   2001年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

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  • Property improvement of SrBi2Ta2O9 thin films prepared at 600 degrees C by pulse-MOCVD

    H Funakubo, M Mitsuya, T Watanabe, N Nukaga

    INTEGRATED FERROELECTRICS   36 ( 1-4 )   103 - 110   2001年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

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  • Comparison of Epitaxial and Polycrystalline (001)- and (100)- oriented Tetragonal PZT Films Prepared by MOCVD

    Tomohiko Ozeki, Shintaro Yokoyama, Kenji Takahashi Takahiro Oikawa, Yasuko Ichikawa, Hiroshi Funakubo

    FeRAM 2001   2001. Nov.20 ( Gotenba, Japan )   93 - 94   2001年

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  • Preparation and characterization of a-and b-axes oriented epitaxially grown Bi_4_Ti_3_O_12_-based Thin Films with Long-range lattice matching

    Takayuki Watanabe, Hiroshi Funakubo

    FeRAM 2001   2001. Nov.19-21 ( Gotenba, Japan )   164 - 165   2001年

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  • Domain Switching in Pb(Zr_0.65_Ti_0.35_)O_3_ Thin Films

    Keisuke Saito, Takahiro Oikawa Toshiyuki Kurosawa, Takao Akai, Hiroshi Funakubo

    Tarns.Mater.Res.Soc.Jpn.   27 ( 1 )   215 - 218   2001年

     詳細を見る

    記述言語:英語  

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  • Low-Pressure Deposition of Pb(Zr,Ti)O_3_ Films by MOCVD at Low temperature

    Gouji Asano, Takahiro Oikawa, Kouji Tokita, Kiyoshi Okada, Hiroshi Funakubo

    Trans Mater.Res.Soc.Jpn.   27 ( 1 )   223 - 226   2001年

     詳細を見る

    記述言語:英語  

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  • Orientation Dependence of Ferroelerectricity of Epitaxially Grown Pb(Zr,Ti)O3 Thin Film Prepared by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

    K.Nagashima, Masanori Aratani, Hiroshi Funakubo

    J.Appl.Phys   89 ( 8 )   4517 - 4522   2001年

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  • Ferroelectric Property of Epitaxial Bi4Ti3O12 Films Prepared by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

    Takayuki Watanabe, Hiroshi Funakubo, Keisuke Saito

    J.Mater.Res   16 ( 1 )   303 - 307   2001年

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  • 高品質SrBi2Ta2O9薄膜の低温合成と配向制御

    NorimasaNukaga MasatoshiMitsuya HiroshiFunakubo

    社団法人 電気通信学会 信学技報   SDM-237 ( (2001-3) )   7 - 12   2001年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:東京 : 電子情報通信学会  

    CiNii Books

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    その他リンク: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I5732040

  • Fabrication of Vanadium-Substituted (Bi,M)_4_Ti_3_O_12_[M=lanthanoide] Thin Films By Chemical Solution Deposition Methods Nov., p.50

    Hiroshi Uchida, Hiroki Yoshikawa, Kana, Okamura Isao, Okada Takayuki Hirofumi, Matsuda Takashi Iijima Watanaba, Hiroshi Funakubo

    Mater.Res.Soc.Meeting   21(2001) Boston, ( c4.15 )   50   2001年

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  • Syntheisi and Ferroerectricirty of Sr- and Nd-Doped Bi_4_-xSrxTi_3_-xNbyO_12_ Thin Films by Sol-Gel Methods

    Hirofumi Matsuda, Takashi Iijima Hiroshi Uchida Isao, Okada Takayuki Watanaba, Hiroshi Funakubo

    Mater.Res.Soc.Meeting   Nov.21(2001) Boston ( c4.14 )   49   2001年

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  • Catioic Modification of Bi_4_Ti_3_O_12_ Ferroerectrics and Property Desighn by Raman Spectroscopy

    Minoru Osada, Masato Kakihana, Takayuki Watanaba, Hiroshi Funakubo

    Mater.Res.Soc.Meeting   Nov.21(2001) Boston ( c4.10 )   49   2001年

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  • Residual Strain Analysis of Epitaxial Grown SBT Films Prepared by MOCVD

    Keisuke Saito, Katsuyuki Ishikawa, Atsushi Saiki Isao, Yamaji Takao Akai, Hiroshi Funakubo

    Integ.Ferro   33   59 - 69   2001年

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  • Composition Dependence of Phase and Epitaxial Property of Fe-Si Thin Film Prepared by MOCVD

    K.Akiyama, H. Funakubo

    ICCGG-13/ICVGE-11   G04-4   323   2001年

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  • Application Study for the Vapor Phase Monitoring in MOCVD PZT Process by FTIR

    Tsukasa Satake, Hiroshi Funakubo

    The Second Asian Conference on Chemical Vapor Deposition Gyeongju   Asaian-CVD   120 - 121   2001年

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  • Preparation and Characterization of 1-and c-axis oriented Epitaxially Grown Bi_4_Ti_3_O_12_ Based Thin Films With Long Range Lattice Matching

    Takayuki Watanaba, Hiroshi Funakubo

    Mater.Res.Soc.Meeting   Nov.22(2001) Boston ( c4.15 )   53   2001年

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  • Domain Structures and Ferroelectric Propertuies of Epitaxial Pb(Zr,Ti)O3 Thin Films

    Keisuke Saito, Takahiro Oikawa, Isao, Yamaji Takao Akai, Hiroshi Funakubo

    ICCGG-13/ICVGE-11   03a-S11-06   440   2001年

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  • Property of V- and W substituted Bi4Ti3O12 Thin Films by MOCVD and Their Electyrical Property

    Tomohiro Sakai, Takayuki Watanabe, Minoru, Osada Yuuji Noguchi, Masaru Miyayama, Hiroshi Funakubo

    ICCGG-13/ICVGE-11   03a-S11-14   444   2001年

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  • Composition and Orienatation Dependence of Ferroelerectric Properties of Pb(ZrxTi1-x)O3 Thin Films Grwon by MOCVD

    Takahiro Oikawa, Masanori Aratani Keisuke Saito, Hiroshi Funakubo

    ICCG-13/ ICVGE-11   02a-S11-12   329   2001年

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  • Property Desighn of the BiT-based Ferroelectric Thin Films by Site Engineering

    Takayuki Watanabe Tomohiro, Sakai Minoru, Osada Yuuji Noguchi, Masaru Miyayama, Hiroshi Funakubo

    ICCGG-13/ICVGE-11   03a-S11-14   445   2001年

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  • Leakage Property Improvement of PLZT Capacitor Using CaRuO_3_ Top Electrode

    Hiroshi Funakubo, Norikazu Okuda Noriyuki Higashi

    Proc.Mater Res.Soc.   655   cc4.6   2001年

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  • Preparation and Characterization of Epitaxial SrBi_2_Ta_2_O_9_ Thin Films

    Nisi Masayuki Fujimoto Masanori, Nukaga Isao, Yamaji Takao Akai, Hiroshi Funakubo

    Proc.Mater Res.Soc.   655   cc10.13   2001年

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  • Characterization of Ferroelectric Property of c-axis and non-c-axis Oriented Epitaxially Grown Bismuth Layer-Structured Ferrolectric Thin Films with Different m-number Prepared by MOCVD

    Takayuki Watanabe Tomohiro, Sakai Atsushi, Saiki Keisuke, Saito Toyuhiko Chikyo, Hiroshi Funakubo

    Proc.Mater Res.Soc.   655   cc1.9.1- cc1.9.6.   2001年

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  • Fabrication of Lead Ziroconium Titaniium Thin Films Usding a Different Process of Lead Zirconium and Lead Titanium Multi Layer Films

    Gang He, Takahashi Iijima, Hiroshi Funakubo

    ICCGG-13/ICVGE-11   02a-S11-16   331   2001年

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  • Highly Conducting Indium-Tin-Oxide Transparent Films Favricated by Spray CVD Using Ethanol Solution of Indium(III) Chloride and Tin(II) Chloride

    Yutaka Sawada, Chikako Kobayashi, Shigeyuki Seki, Hiroshi Funakubo

    The Second Asian Conference on Chemical Vapor Deposition Gyeongju   Asaian-CVD   120 - 121   2001年

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  • Low temperature Deposition of Epitaxial-Grade PZT Films by MOCVD

    Hiroshi Funakubo, Masnori Aratani Takahiro Oikawa, Keisuke Saito

    The 10 th US-Japan Seminor on Dielectrics and Piezoelectric Ceramics   Providence   131 - 134   2001年

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  • Method of distinguishing SrBi2Ta2O9 phase from fluorite phase using X-ray diffraction reciprocal space mapping

    K Saito, M Mitsuya, N Nukaga, Yamaji, I, T Akai, H Funakubo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   39 ( 9B )   5489 - 5495   2000年9月

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  • Comparison of deposition behavior of Pb(Zr,Ti)O3 films and its end-member-oxide films prepared by MOCVD

    Hiroshi Funakubo, Kuniharu Nagashima, Kazuo Shinozaki, Nobuyasu Mizutani

    Thin Solid Films   368 ( 2 )   261 - 265   2000年6月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:Elsevier Sequoia SA  

    DOI: 10.1016/S0040-6090(00)00778-1

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  • Preparation and characterization of SrBi2(Ta1-xNbx)(2)O-9 thin films by metalorganic chemical vapor deposition from two organometallic source bottles

    M Mitsuya, K Ishikawa, N Nukaga, H Funakubo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS   39 ( 6B )   L620 - L622   2000年6月

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  • Simultaneous observation of ferroelectric domain patterns by scanning nonlinear dielectric microscope and surface morphology by atomic force microscope

    H Odagawa, Y Cho, H Funakubo, K Nagashima

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   39 ( 6B )   3808 - 3810   2000年6月

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  • Preparation of Al-doped PbTiO3 thin films by metalorganic chemical vapor deposition and their characterization

    M Aratani, K Nagashima, T Iijima, M Mizuhira, H Funakubo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   39 ( 6A )   3591 - 3595   2000年6月

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  • Preparation of Bismuth Layer-structured Ferroelectric Thin Films by MOCVD and their Characterization

    FUNAKUBO H.

    Adv. Mater. Opt. Electron.   10 ( 3-5 )   193 - 200   2000年5月

  • Metalorganic chemical vapor deposition of conductive CaRuO3 thin films

    N Higashi, N Okuda, H Funakubo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   39 ( 5A )   2780 - 2783   2000年5月

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  • Growth of epitaxial SrBi2Ta2O9 thin films by metalorganic chemical vapor deposition

    K Ishikawa, A Saiki, H Funakubo

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   39 ( 4B )   2102 - 2109   2000年4月

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  • MOCVD法によるエピタキシャル成長SrBi2Ta2O9薄膜の合成とその電気特性評価

    舟窪浩, 石川勝之, 渡辺隆之, 三矢昌俊, 額賀紀全

    日本結晶成長学会   Vol. 27 ( No. 3 )   111 - 116   2000年

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)   出版者・発行元:日本結晶成長学会  

    SrBi_2Ta_O_9 (SBT) thin films were epitaxially grown on SrTiO_3 single crystals by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) . c-axis-oriented SBT film was deposited on (100) SrTiO_3 substrate above 620℃. On the other hand, (1 16)-oriented SBT film was grown on (110) SrTi03 substrate at 820℃. The remanent polarization and the coercive field of (116)-oriented SBT film were 11.4μC/cm^2 and 80 kV/cm, respectively. On the other hand, the (001) -oriented SBT film showed no ferroelectricity. These ferroelectric annisotropy of SBT agreed with the estimation from the crystal anysotropy of SBT.

    DOI: 10.19009/jjacg.27.3_111

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  • Property Improvement of PZT film prepared by Source gas Pulse-introduced metalorganoc Chemical Vapor Deposition

    Kuniharu Nagashima, Masanori Aratani, Hiroshi Funakubo

    Jpn.J.Appl.Phys.   39   L996-L998   2000年

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  • Orientation Control of MOCVD-Bi4Ti3O12 Thin Film by Sequence Source Gas Supply Method

    Takayuki Watanabe, Hiroshi Funakubo, J.Mater.Res

    J.Mater. Res.   39   5211 - 5216   2000年

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  • Direct Preparation of Crystalline SrBi2(Ta1-xNbx)2O9 Thin Films by Thermal Metalorganic Chemical Vapor Deposition at Low Temperature

    Mitsuya Masatoshi, Nukaga Norimasa, Funakubo Hiroshi

    Japanese journal of applied physics. Pt. 2, Letters   39 ( 8A )   L822-L824 - L824   2000年

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    記述言語:英語   出版者・発行元:社団法人応用物理学会  

    Polycrystalline SrBi2(Ta1-xNbx)2O9 (SBTN) thin films with large ferroelectricity were directly prepared on Pt/Ti/SiO2/Si substrates even at 585°C by thermal metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). Thin films mainly consisting of the SBTN phase were obtained even at 585°C. The (103)-oriented film changed to a (001)-oriented one when the deposition temperature increased. The 200-nm-thick film deposited at 585°C had large ferroelectricity, i.e., two times the remanent polarization (2Pr) and two times the coercive field (2Ec) of 12.2 $\mu$C/cm2 and 160 kV/cm, respectively. When the deposition temperature was increased to 670°C, the 2Pr and 2Ec values increased to 23.8 $\mu$C/cm2 and 190 kV/cm, respectively.

    DOI: 10.1143/jjap.39.L822

    CiNii Books

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    その他リンク: https://jlc.jst.go.jp/DN/JALC/00068728212?from=CiNii

  • Composition Control of YSZ Thin Film Prepared by MOCVD

    Tomokazu Matsuzaki, Hiroshi Funakubo, Norikazu, Okuda KazuoShinozaki Nobuyasu Mizutani

    J.Ceram.Soc.Korea   6 ( 2 )   134 - 137   2000年

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  • Simultanious Pbservation of Ferroelectric Domain Patterns by Scanning Nonlinear dielectric Microscope and Surface Morphorogy by Atomic Force Microscopy,

    Hiroshi Odagawa, Yasuo Cho, Hiroshi Funakubo, Kuniharu Nagashima

    Jpn.J.Appl.Phys   39 ( 6B )   3808 - 3810   2000年

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  • Low-Temperature Deposition of SrRuO3 Thin Film Prepared by Metalorganic Chemical Vapor Deposition.

    Okuda Norikazu, Saito Keisuke, Funakubo Hiroshi

    Japanese Journal of Applied Physics   39 ( 2A )   572 - 576   2000年

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    記述言語:英語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    SrRuO<FONT SIZE="-1">3</FONT> thin films were prepared on (100) LaAlO<FONT SIZE="-1">3</FONT> substrates by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) at various deposition temperatures from 550°C to 750°C. The composition of the film can be controlled by monitoring the composition of the input source gas. Below 600°C, the degree of a-axis orientation of the film gradually decreased with decreasing deposition temperature. However, the resistivity of the film was almost the same for that reported for the single crystal and was independent of the deposition temperature when the Ru/(Ru+Sr) ratio of the film was 0.5. The film had almost the same value for the film thickness from 30 to 250 nm deposited at 750°C. Moreover, it increased with the Ru/(Ru+Sr) ratio below 0.45.

    DOI: 10.1143/JJAP.39.572

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  • Composition Control of Pb(Zr,Ti)O3 Thin Films by MOCVD

    Kuniharu Nagashima, Hiroshi Funakubo

    Jpn.J.Appl.Phys.   39 ( 1 )   212 - 216   2000年

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  • Synthesis of a New Liquid Double Alkoxide Sr[TaOC2H5)5(OC2H4OCH3)]2 and the Oxide Film by CVD

    Hidekimi Kadokura, Yumie Okuhara, Masatoshi Mitsuya, Hiroshi Funakubo

    Chemical Vapor Deposition   6,5   225 - 227   2000年

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  • Crystal Structure Comparison between Cnductive SrRuO3 and CaRuO3 Thin Films

    N.Higashi T.Watanabe, K.Saito, T.Akai, I.Yamaji, H.funakubo

    The 1st Asian Conferencw on Crystal Growth and Crystal Technology   CaRuO3 Thin T-P-90   506   2000年

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  • FeSi2 Thin Film Preparation by ECR plasma-enhanced MOCVD

    K.Akiyama, S.Oya, H.Funakubo

    Proc.Japan-UK Joint Worjshop on Kankyo-Semiconductor   Vol. 28 ( No. 3 )   48 - 50   2000年

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    記述言語:英語  

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  • Orientation Dependence of Ferroelectric Properties of Epitaxially Grown Pb(Zr,Ti)O3 Films

    H.Funakubo, K.Nagashima M.Aratani

    12th International Symposium on the Applications of Ferroelectrics   July 31_August   189   2000年

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  • Ferroelectric Property Improvement of pb(Zr,Ti)O3 Films Prepared by Source Gas Pulsed-Introduced MOCVD

    H.Funakubo, K.Nagashima

    12th International Symposium on the Applications of Ferroelectrics   MOCVDJuly 31_August   19   2000年

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  • MOCVD Preparation of SBTN Thin Films From Two Organometallic Source Bottles

    H.Funakubo, Masatoshi Mitsuya Norimasa Nukaga, Katsuyuki Ishikawa

    12 th International Symposium on Integrated Ferroelectrics   March 12, 2000   311   2000年

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  • Low-Temperature Preparation of SrBi2Ta2O9 Thin Films by Electron Cyclotron Resonance Plasma-Enhanced Metalorganic Chemical Vapor Deposition and Their Electrical Properties.

    Nukaga Norimasa, Mitsuya Masatoshi, Funakubo Hiroshi

    Japanese Journal of Applied Physics   39 ( 9 )   5496 - 5500   2000年

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    記述言語:英語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    A SrBi<FONT SIZE="-1">2</FONT>Ta<FONT SIZE="-1">2</FONT>O<FONT SIZE="-1">9</FONT> (SBT) thin film was prepared by electron cyclotron resonance plasma-enhanced metalorganic chemical vapor deposition (ECR-MOCVD). The deposition temperature dependence of the composition of the film was lesser than that of films prepared by conventional thermal MOCVD. An almost single phase of SBT was obtained at 610°C. The crystallinity of this film was higher than that of the film prepared by thermal MOCVD at 500°C and subsequent heat treatment at 800°C. The leakage current density of this film was small, on the order of 10<FONT SIZE="-1">-8</FONT> A/cm<FONT SIZE="-1">2</FONT> up to 240 kV/cm. Moreover, two fold the remanent polarization and the coercive field at an applied electric field of 400 kV/cm were 14.5 μC/cm<FONT SIZE="-1">2</FONT> and 77 kV/cm, respectively. These values were larger than those of the film prepared by thermal MOCVD at 500°C with heat treatment at 800°C.

    DOI: 10.1143/JJAP.39.5496

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  • Characterization of Residual Strain in Epitaxial Pb(ZrxTi1-x)O3 Thin Film Orepared by Pulsed-Introduced MOCVD

    K.Saito, I.Yamaji, TAkai K.Ishikawa, K.nagashima, H.Funakubo

    12th IEEE International Symposium on the Applications of Ferroelectrics   ( P254 )   184   2000年

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  • Characterization of Residual Stress Free (001)- and (116)- oriented SrBi2Ta2O9 Thin Films Epitaxially grown on (001) and (110) SrTiO3 Sungle Crystal

    K.Saitou, T.Akai, T.Suzuki, Y.Nishi, K.Ishikawa, H.Funakubo

    Iint.Symp.Integ.Ferro   ( Aahen, Germany, Marc )   71   2000年

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  • Orientation Control of Pb(Zr,Ti)O3 Thin Films

    H.Funakubo, M.Aratani K.Tokita

    The First International Symposium on Nanoarchitectonics Using Suprainteractions   November 13-15   13p29,138   2000年

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  • Preparation of Bi2VO5.5 Thin Films by MOCVD and Their Electrical Properties

    H.Funakubo, T.Sakai, T.Watanabe, K Ishikawa

    13th Fall Meeting of The Ceramic Society of Japan   2PA ( 06 )   52   2000年

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  • Preparation of Bi2VO5.5 Thin Films by MOCVD and Their Electrical Propertries

    Hiroshi Funakubo, Tomohiro, Sakai Takayuki Watanabe, Katsuyuki Ishikawa

    1th Asian Meeting of Electroceram   第20回電子材料討論会   52   2000年

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  • MOCVD合成エピタキシャルSrRuO3薄膜の構造解析

    及川貴弘, 東典行, 荒谷政則, 佐伯淳, 斉藤啓介, 舟窪浩

    応用物理学会   5p-G-7   440   2000年

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  • MOCVD-SrRuO3 薄膜の析出過程の新制御法

    東典行, 村上泰, 町田英明, 舟窪浩

    応用物理学会   5p-G-6   440   2000年

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  • SrRuO3 非c軸成長B2VO5.5薄膜のMOCVD合成とその評価

    酒井朋裕, 渡辺隆之, 舟窪浩

    応用物理学会   5a-G-11   438   2000年

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  • Crystal Structure Comparison between Cnductive SrRuO3 and CaRuO3 Thin Films

    N.Higashi T.Watanabe, K.Saito, T.Akai, I.Yamaji, H.funakubo

    The 1st Asian Conferencw on Crystal Growth and Crystal Technology   CaRuO3 Thin T-P-90   506   2000年

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  • エピタキシャル成長SrBi2Ta2O9薄膜のMOCVD合成とその電気特性

    舟窪浩, 石川勝之, 額賀紀全, 斉藤啓介, 佐伯淳, 鈴木俊昌, 西湯二

    日本セラミックス協会基礎討論会   2D-11   354 - 355   2000年

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  • Orientation Control of Pb(Zr,Ti)O3 Thin Films

    H.Funakubo, M.Aratani K.Tokita

    The First International Symposium on Nanoarchitectonics Using Suprainteractions   November 13-15   13p29,138   2000年

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  • Preparation of Bi2VO5.5 Thin Films by MOCVD and Their Electrical Properties

    H.Funakubo, T.Sakai, T.Watanabe, K Ishikawa

    13th Fall Meeting of The Ceramic Society of Japan   2PA ( 06 )   52   2000年

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  • Orientation Dependence of Ferroelectric Properties of Epitaxially Grown Pb(Zr,Ti)O3 Films

    H.Funakubo, K.Nagashima M.Aratani

    12th International Symposium on the Applications of Ferroelectrics   July 31_August   189   2000年

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  • Property Improvement of PZT film prepared by Source gas Pulse-introduced metalorganoc Chemical Vapor Deposition

    Kuniharu Nagashima, Masanori Aratani, Hiroshi Funakubo

    Jpn.J.Appl.Phys.   39   L996-L998   2000年

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  • Orientation Control of MOCVD-Bi4Ti3O12 Thin Film by Sequence Source Gas Supply Method

    Takayuki Watanabe, Hiroshi Funakubo, J.Mater.Res

    J.Mater. Res.   39   5211 - 5216   2000年

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  • Electrical properties of SrBi2Ta2O9 (SBT) thin film prepared by metalorganic chemical vapor deposition

    N Nukaga, H Funakubo, K Ishikawa, E Shigeno, Y Sawada

    ELECTROCERAMICS IN JAPAN III   181-1   93 - 97   2000年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

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  • Direct Preparation of SrBi2(Ta,Nb)O9 Thin Film prepared by metal organic chemical vapor deposition at low temeperture

    Masatohi Mitsuya Norimasa Nukaga, Katuyuki Ishkawa, Hiroshi Funakubo

    Jpn.J.Appl.Phys.   39 ( 8A )   L822-L824 - L824   2000年

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    記述言語:英語   出版者・発行元:社団法人応用物理学会  

    Polycrystalline SrBi2(Ta1-xNbx)2O9 (SBTN) thin films with large ferroelectricity were directly prepared on Pt/Ti/SiO2/Si substrates even at 585°C by thermal metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). Thin films mainly consisting of the SBTN phase were obtained even at 585°C. The (103)-oriented film changed to a (001)-oriented one when the deposition temperature increased. The 200-nm-thick film deposited at 585°C had large ferroelectricity, i.e., two times the remanent polarization (2Pr) and two times the coercive field (2Ec) of 12.2 $\mu$C/cm2 and 160 kV/cm, respectively. When the deposition temperature was increased to 670°C, the 2Pr and 2Ec values increased to 23.8 $\mu$C/cm2 and 190 kV/cm, respectively.

    DOI: 10.1143/jjap.39.L822

    CiNii Books

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    その他リンク: https://jlc.jst.go.jp/DN/JALC/00068728212?from=CiNii

  • Ferroelectric Property Improvement of pb(Zr,Ti)O3 Films Prepared by Source Gas Pulsed-Introduced MOCVD

    H.Funakubo, K.Nagashima

    12th International Symposium on the Applications of Ferroelectrics   MOCVDJuly 31_August   19   2000年

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  • MOCVD preparation of SBTN thin films from two organometallic source bottles

    H Funakubo, M Mitsuya, N Nukaga, K Ishikawa

    INTEGRATED FERROELECTRICS   30 ( 1-4 )   225 - 234   2000年

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    記述言語:英語  

    Web of Science

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  • Low temperture Preoaration of SrBi2Ta2O9 Thin Film by Electrin Resonance Plasma Enhanced Metal Organic Chemical Vapor Deposition and Their Electrical Properties

    Norimasa Nukaga, Masatoshi Mitsuya, Hiroshi Funakubo

    Jpn.J.Appl.Phys.   39 ( 9 )   5496 - 5500   2000年

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    記述言語:英語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    A SrBi<FONT SIZE="-1">2</FONT>Ta<FONT SIZE="-1">2</FONT>O<FONT SIZE="-1">9</FONT> (SBT) thin film was prepared by electron cyclotron resonance plasma-enhanced metalorganic chemical vapor deposition (ECR-MOCVD). The deposition temperature dependence of the composition of the film was lesser than that of films prepared by conventional thermal MOCVD. An almost single phase of SBT was obtained at 610°C. The crystallinity of this film was higher than that of the film prepared by thermal MOCVD at 500°C and subsequent heat treatment at 800°C. The leakage current density of this film was small, on the order of 10<FONT SIZE="-1">-8</FONT> A/cm<FONT SIZE="-1">2</FONT> up to 240 kV/cm. Moreover, two fold the remanent polarization and the coercive field at an applied electric field of 400 kV/cm were 14.5 μC/cm<FONT SIZE="-1">2</FONT> and 77 kV/cm, respectively. These values were larger than those of the film prepared by thermal MOCVD at 500°C with heat treatment at 800°C.

    DOI: 10.1143/JJAP.39.5496

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  • SrBi2Ta2O9薄膜におけるSrBi2Ta2O9相とフローライト相の判別法

    斉藤啓介, 石川勝之, 額賀紀全, 山路功, 赤井孝夫, 舟窪浩

    応用物理学会   30a-P11-13   529   2000年

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  • MOCVD法によるSrBi2Ta2O9薄膜の合成

    額賀紀全, 三矢昌俊, 舟窪浩

    応用物理学会   30a-P11-20   531   2000年

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  • SrBi2(Ta1-xNbx)2O9薄膜の直接合成による低温下

    三矢昌俊, 石川勝之, 額賀紀全, 渡部隆之, 舟窪浩

    応用物理学会   30a-P11-19   531   2000年

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  • 導電性CaRuO3, SrRuO3薄膜の結晶構造比較

    東典行, 奥田律一, 斉藤啓介, 水平學, 舟窪浩

    応用物理学会   30a-P11-17   530   2000年

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  • SrBi2(Ta1-xNbx)O9(SBTN)薄膜の波長分散型蛍光X線分析装置による組成分析

    水平學, 三矢昌俊, 山路功, 赤井孝夫, 舟窪浩

    応用物理学会   30a-P11-14   529   2000年

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  • パルスMOCVD法によるPb(Zr,Ti)O3薄膜の特性評価

    荒谷則則, 長島邦治, 東典行 舟窪浩

    応用物理学会   29a-P7-1   514   2000年

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  • Characterization of Residual Stress Free (001)- and (116)- oriented SrBi2Ta2O9 Thin Films Epitaxially grown on (001) and (110) SrTiO3 Sungle Crystal

    K.Saitou, T.Akai, T.Suzuki, Y.Nishi, K.Ishikawa, H.Funakubo

    Iint.Symp.Integ.Ferro   ( Aahen, Germany, Marc )   71   2000年

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  • MOCVD合成されたSrBi2Ta2O9エピタキシャル薄膜の結晶構造評価

    斉藤啓介, 赤井孝夫, 石川勝之, 舟窪浩

    日本セラミックス協会基礎討論会   2D-11   354 - 355   2000年

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  • 種々の配向をもつエピタキシャル成長Pb(Zr,Ti)O3薄膜の特性評価

    長島邦治, 奥田律一, 舟窪浩, 斉藤啓介

    日本セラミックス協会基礎討論会   2D-10   352 - 353   2000年

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  • Sr、Ta新原料を用いた溶液気化MOCVD法によるSBT薄膜の作成

    藤井俊成, 神保武人, 舟窪浩, 徳光永輔, 石原宏

    応用物理学会   30a-P11-10   528   2000年

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  • コンビナトリアルケミストリーの手法を用いた溶液法によるPZT薄膜の作成方法の検討

    何荷 飯島高志, 舟窪浩, 王征 真田徳雄

    応用物理学会   29a-P7-2   514   2000年

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  • Characterization of Ferroelectric Property of c-axis and non-c-axis Oriented Epitaxial Grown BLSF Thin Films

    Tomohiro Sakai, Takayuki Watanabe, Hiroshi Funakubo

    12th Mater. Rer. Soc. Jpn   KSP ( E1-008 )   2000年

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  • Characteristic of Pb(Zr,Ti)O3 Thin Films Prepared by Source Gas Pulse-Introduced MOCVD

    M Aratani, K.Nagashima, H.Funakubo

    AMF2   2000年

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  • MOCVD Growth and Structural Analysis of High Conductive Epitaxial SrRuO3 Thin Films with Different orientations

    T.Oikawa, N.Higashi, M.Aratani, K.Saito, H.Funakubo

    12th Mater. Rer. Soc. Jpn.   KSP ( E1-001. )   2000年

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  • Distinction Method between Ferroelectric SrBi2Ta2O9 Phase and Paraelectlic Fluorite and Pyrochlore Impurity Phase

    K.Saito, I.Yamaji, T.Akai, P.Munk, M.Mitsuya, N.Nukaga, H.Funakubo

    M.R.S.   2000年

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  • Characterization of Ferroelectric Property of Epitaxially Grown Bismuth Layer-Structured Ferroelectric Thin Films with Different m-numbers Prepared by MOCVD

    T.Watanabe, T.Sakai, H.Funakubo

    Proc. Mater.Res.Soc   cc1.9   538   2000年

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  • A New Combinatorial Process to Fabricate PZT Thin Film from Chemical Sauces

    G.He T.Iijima, H.Funakubo, Z.Wang, N.Sanada

    12th IEEE International Symposium on the Applications of Ferroelectrics   July 31_August 2   Hawaii   2000年

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  • Thermal Stability of Pb(DPM)2 Used for the Lead Source of MOCVD of Lead-based Ferroelectric Thin Film

    Kuniharu Nagashima, Hiroshi Funakubo

    Chemical Vapor Deposition   6 ( (6) )   311 - 313   2000年

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  • Dependence of Crystallgraphic prientation for Rhombohedral PZT Thin Films on Their Electrical Properties

    K.Tokita, M.Aratani, H.Funakubo

    Asian Meeting of Ferroelectrics   D3p ( 06 )   366   2000年

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  • Ferroelectric Property of Epitaxial Bi4Ti3O12 Films Prepared by MOCVD

    T.Watanabe, A.saiki, K.Saito, H.Funakubo

    AFM2   2000年

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  • Low Temperature Preparation of SrBi2Ta2O9 Thin Films by ECR Plasma Enhanced Metal Organic Chemical vapor Deposition

    N.Nukaga, M.Mitsuya, H.Funakubo

    AFM2   2000年

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  • The Stability of Bi element in SrBi2Ta2O9 Thin Film and The Property of The film prepared by MOCVD

    N.Nukaga, H.Funakubo, E.Shigeno, Y.Sawada

    AMF2   2000年

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  • Composition Control of YSZ Thin Film Prepared by MOCVD

    Tomokazu Matsuzaki, Hiroshi Funakubo, Norikazu, Okuda KazuoShinozaki Nobuyasu Mizutani

    J.Ceram.Soc.Korea   6 ( 2 )   134 - 137   2000年

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  • Comparison of Deposition Behavior of Pb(Zr,Ti)O3 Films and Its End-Member-Oxide Films

    Hiroshi Funakubo, Kuniharu, Nagashima Kazuo, Shinozaki Nobuyasu Mizutani

    Thin Solid Films   368   261 - 265   2000年

  • Crystal structure and electrical properties of epitaxial SrBi2Ta2O9 films

    Katsuyuki Ishikawa, Hiroshi Funakubo, Keisuke Saito, Toshimasa Suzuki, Yuji Nishi, Masayuki Fujimoto

    Journal of Applied Physics   87 ( 11 )   8018 - 8023   2000年

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    記述言語:英語   出版者・発行元:American Institute of Physics Inc.  

    DOI: 10.1063/1.373490

    Scopus

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  • 51MOCVD Preparation of SBTN Thin Films From Two Organometallic Source Bottles

    H.Funakubo, Masatoshi Mitsuya Norimasa Nukaga, Katsuyuki Ishikawa

    12 th International Symposium on Integrated Ferroelectrics   March 12, 2000,Aahe ( P.262. )   311   2000年

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  • Growth of -FeSi2 Thin Film on Si(111) by Metal Organic Chemical Vapor Deposition

    Kensuke Akiyama Seishiro Oya, Hiromichi Takano, Nobuo, Kieda, Hiroshi Funakubo

    Jpn.J.Appl.Phys   40   L460-L462   2000年

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  • Leakage Property Improvement of PLZT Capacitor Using CaRuO3 Top Electrode

    H.Funakubo, N.Okuda, N.Higashi

    MRS Fall Meeting   cc4 ( 6 )   .543   2000年

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  • エピタキシャルSrBi_2Ta_2O_9薄膜の界面構造

    鈴木 利昌, 西 湯二, 藤本 正之, 石川 勝之, 舟窪 浩

    電子顕微鏡   35   433   2000年

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  • Low Temperture Deposition of SrRuO3 Thin Film Prepared by MOCVD

    Norikazu Okuda, Hiroshi Funakubo

    Jpn.J.App.Phys.   39 ( 2A )   572 - 576   2000年

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    記述言語:英語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    SrRuO<FONT SIZE="-1">3</FONT> thin films were prepared on (100) LaAlO<FONT SIZE="-1">3</FONT> substrates by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) at various deposition temperatures from 550°C to 750°C. The composition of the film can be controlled by monitoring the composition of the input source gas. Below 600°C, the degree of a-axis orientation of the film gradually decreased with decreasing deposition temperature. However, the resistivity of the film was almost the same for that reported for the single crystal and was independent of the deposition temperature when the Ru/(Ru+Sr) ratio of the film was 0.5. The film had almost the same value for the film thickness from 30 to 250 nm deposited at 750°C. Moreover, it increased with the Ru/(Ru+Sr) ratio below 0.45.

    DOI: 10.1143/JJAP.39.572

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  • Composition Control of Pb(Zr,Ti)O3 Thin Films by MOCVD

    Kuniharu Nagashima, Hiroshi Funakubo

    Jpn.J.Appl.Phys.   39 ( 1 )   212 - 216   2000年

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  • Surface Protrusions on Pb-Ti-Nb-O Thin Film

    2000年

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  • MOCVD-SRBi2Ta2O9薄膜のBiの安定性とその特性

    額賀紀全, 石川勝之, 佐伯淳, 斉藤啓介, 舟窪浩

    応用物理学会   30a-P11-25   532   2000年

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  • Synthesis of a New Liquid Double Alkoxide Sr[TaOC2H5)5(OC2H4OCH3)]2 and the Oxide Film by CVD

    Hidekimi Kadokura, Yumie Okuhara, Masatoshi Mitsuya, Hiroshi Funakubo

    Chemical Vapor Deposition   6,5   225 - 227   2000年

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  • 低温合成MOCVD-SrBi2Ta2O9薄膜の特性改善

    三矢昌俊, 額賀紀全, 渡辺隆之, 舟窪浩

    応用物理学会   7p-G-7   459   2000年

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  • ラマン分光法によるビスマス層状構造強誘電体の評価

    長田実, 三矢昌俊, 渡辺隆之, 舟窪浩, 垣花眞人

    応用物理学会   6p-G-11   451   2000年

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  • ECR-MOCVD法による低温合成SrBi2Ta2O9薄膜の高品質化

    額賀紀全, 三矢昌俊, 町田英明, 舟窪浩

    応用物理学会   6p-G-8   459   2000年

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  • MOCVD Preparation of SBTN Thin Films From Two Organometallic Source Bottles

    Hiroshi Funakubo, Masatoshi Mitsuya Norimasa Nukaga, Katsuyuki Ishikawa

    Integ.Ferro   30   225 - 234   2000年

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  • Thermal Stability of Pb(DPM)2 Used for the Lead Source of MOCVD of Lead-based Ferroelectric Thin Film

    Kuniharu Nagashima, Hiroshi Funakubo

    Chemical Vapor Deposition   6 ( (6) )   311 - 313   2000年

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  • La置換Bi4Ti3O12薄膜のMOCVD合成と電気特性

    渡辺隆之, 水平学, 斉藤啓介, 舟窪浩

    応用物理学会   6p-G-4   449   2000年

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  • パルスMOCVD法で合成したPBZrTiO3薄膜の表面平滑性

    荒谷政則, 尾関朝彦, 舟窪浩

    応用物理学会   5p-G-12   442   2000年

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  • Pb(ZrxTi1-x)O3エピタキシャル薄膜における結晶ドメイン構造

    斉藤啓介, 長島邦治, 山路功, 赤井孝夫, 舟窪浩

    応用物理学会   5p-G-10   441   2000年

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  • PZT薄膜用MOCVD原料のFTIRによる気相計測

    佐竹司 舟窪浩

    応用物理学会   5p-G-9   441   2000年

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  • SrBi2(Ta1-xNBx)2O9薄膜におけるフローライト構造の判別法と評価

    斉藤啓介, 三宅まり子, 山路功, 赤井孝夫, 三矢昌俊, 石川勝之, 額賀紀全, 舟窪浩

    第17回強誘電体応用会議   25-T-15   2000年

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  • CaRuO3及びSrRuO3薄膜の上部電極特性比較

    奥田律一, 東典行, 舟窪浩

    応用物理学会   31a-P18-2   536   2000年

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  • 溶液気化MOCVD法により作成したSrBi2Ta2O9薄膜の評価と膜質改善

    神保武人, 藤井俊成, 磯部武揚, 舟窪浩, 徳光永輔, 石原宏

    応用物理学会   30a-P11-31   535   2000年

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  • FeSi2 Thin Film Preparation by ECR plasma-enhanced MOCVD

    K.Akiyama, S.Oya, H.Funakubo

    Proc.Japan-UK Joint Worjshop on Kankyo-Semiconductor   48 - 50   2000年

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  • Characterization of Residual Strain in Epitaxial Pb(ZrxTi1-x)O3 Thin Film Orepared by Pulsed-Introduced MOCVD

    K.Saito, I.Yamaji, TAkai K.Ishikawa, K.nagashima, H.Funakubo

    12th IEEE International Symposium on the Applications of Ferroelectrics   ( P254 )   184   2000年

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  • ECRプラズマMOCVD法によるβ-FeSi2薄膜の作成

    秋山賢輔, 大屋誠志郎, 舟窪浩

    応用物理学会   30a-YC-3   908   2000年

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  • エピタキシャル成長Pb(Zr,Ti)O3薄膜における強誘電特性の結晶方位依存性

    長島邦治, 東典行, 舟窪浩

    応用物理学会   31a-P18-3   536   2000年

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  • エピタキシャル成長Bi4Ti3O12薄膜のMOCVD合成と電気特性評価(1)、c軸配向

    渡部隆之, 佐伯淳, 斉藤啓介, 舟窪浩

    応用物理学会   30a-P11-25   533   2000年

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  • c軸配向エピタキシャルBi2WO6薄膜のMOCVD合成とその評価

    石川勝之, 佐伯淳, 斉藤啓介, 水平学, 舟窪浩

    応用物理学会   30a-P11-24   .532   2000年

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  • エピタキシャル成長Bi4Ti3O12薄膜のMOCVD合成と電気特性評価(1)、c軸配向

    渡部隆之, 佐伯淳, 斉藤啓介, 舟窪浩

    応用物理学会   30a-P11-23   .532   2000年

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  • c軸配向エピタキシャルBi2VO5.5薄膜のMOCVD合成とその評価

    石川勝之, 佐伯淳, 斉藤啓介, 水平学, 舟窪浩

    応用物理学会   30a-P11-22   532   2000年

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  • 工業用Al-Si 基合金の流動性と流動停止機構

    舟窪 辰也, 安斎 浩一, 久保 紘

    鋳造工学 全国講演大会講演概要集   136   26 - 26   2000年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本鋳造工学会  

    DOI: 10.11279/jfeskouen.136_15

    CiNii Research

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講演・口頭発表等

  • ウルツ鉱構造(Mg,Si)N-AlN固溶体薄膜の作製と評価”、第72回応用物理学会春季学術講演会

    影山壮太郎, 岡本一輝, 平永良臣, 舟窪浩

    第72回応用物理学会春季学術講演会  2025年3月 

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    開催年月日: 2025年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:千葉県 野田市  

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  • Switching kinetics in wurtzite Zn(Ce,Mn)O ferroelectric films

    Nana SUN, Atsuhiro Tamai, Kazuki Okamoto, Hideaki Adachi, Isaku Kanno, HIROSHI FUNAKUBO

    第72回応用物理学会春季学術講演会  2025年3月 

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    開催年月日: 2025年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:千葉県 野田市  

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  • Characterization of Ferroelectricity in M-polar ScAlN and N-polar ScGeAlN Thin Films

    Sri Ayu Anggraini, M. Uehara, K. Okamoto, 中村美子, Kenji Hirata, Tomoaki Yamada, Kensuke Akiyama, H. Funakubo

    第72回応用物理学会春季学術講演会  2025年3月 

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    開催年月日: 2025年3月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:千葉県 野田市  

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  • 希土類元素ドープエピタキシャルHfO2薄膜の結晶構造と強誘電特性評価

    土屋裕太郎, 下野園航平, 岡本一輝, 井上ゆか梨, 舟窪浩

    第72回応用物理学会春季学術講演会  2025年3月 

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    開催年月日: 2025年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:千葉県 野田市  

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  • AlScN薄膜のITO透明電極上へのエピタキシャル成長と極性のSc量依存性

    劉センコン, 安部琴子, Yuan Xueyou, 岡本一輝, 舟窪浩, 山田智明

    第72回応用物理学会春季学術講演会  2025年3月 

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    開催年月日: 2025年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:千葉県 野田市  

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  • 大気圧40 ºC合成した自己分極(001)配向正方晶強誘電体エピタキシャル薄膜の作製とその特性評価

    古賀彩月, 胡雨弦, 白石貴久, 岡本一輝, 舟窪浩

    第72回応用物理学会春季学術講演会、  2025年3月 

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    開催年月日: 2025年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:千葉県 野田市  

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  • 薄膜化した (Al1-xScx)N膜における結晶性・強誘電特性のSc組成比依存性

    道古宗俊, 松井尚子, 入澤寿和, 恒川孝二, Nana Sun, 中村美子, 岡本一輝, 舟窪浩

    第72回応用物理学会春季学術講演会  2025年3月 

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    開催年月日: 2025年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:千葉県 野田市  

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  • ウルツ鉱構造異原子価3元系窒化物MgSiN2薄膜の作製と評価

    影山壮太郎, 岡本一輝, 平永良臣, 上岡義弘, 召田雅実, 舟窪浩

    第72回応用物理学会春季学術講演会  2025年3月 

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    開催年月日: 2025年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:千葉県 野田市  

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  • Effects of thickness scaling on switching kinetics in (Al,Sc)N ferroelectric films

    Nana Sun, Kazuki Okamoto, Soshun Doko, Naoko Matsui, Toshikazu Irisawa, Koji Tsunekawa, Hiroshi Funakubo

    第72回応用物理学会春季学術講演会  2025年3月 

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    開催年月日: 2025年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:千葉県 野田市  

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  • (Al,Sc)N強誘電体薄膜におけるスイッチング特性の結晶構造依存性

    河野駿平, 岡本一輝, 影山壮太郎, 孫納納, 安岡慎之介, 舟窪浩

    第72回応用物理学会春季学術講演会  2025年3月 

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    開催年月日: 2025年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:千葉県 野田市  

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  • 大気圧100℃以下低温合成した自己分極(001)配向正方晶強誘電体エピタキシャル薄膜の作製と評価

    古賀彩月, 胡雨弦, 白石貴久, 岡本一輝, 舟窪浩

    第63回セラミックス基礎科学討論会  2025年1月 

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    開催年月日: 2025年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:新潟県 新潟市  

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  • 異原子価3元系窒化物MgSiN2薄膜の2段階成膜による結晶化温度の低減

    影山壮太郎, 岡本一輝, 平永良臣, 舟窪浩

    第63回セラミックス基礎科学討論会  2025年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2025年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:新潟県 新潟市  

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  • TaとCeをco-dopeしたHfO2薄膜の作製と強誘電性評価

    下野園航平, 岡本一輝, 山岡和希子, 川島康, 井上ゆか梨, 舟窪浩

    第63回セラミックス基礎科学討論会  2025年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2025年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:新潟県 新潟市  

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  • (Al,Sc)N強誘電体薄膜の結晶構造及び電気特性に及ぼす成膜条件の影響

    河野駿平, 岡本一輝, 影山壮太郎, 孫納納, 舟窪浩

    第63回セラミックス基礎科学討論会  2025年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2025年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:新潟県 新潟市  

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  • {111}配向した希土類元素ドープエピタキシャルHfO2薄膜の結晶構造と強誘電特性評価

    土屋裕太郎, 下野園航平, 岡本一輝, 井上ゆか梨, 舟窪浩

    第63回セラミックス基礎科学討論会  2025年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2025年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:新潟県 新潟市  

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  • ウルツ構造を有する窒化物薄膜の結晶構造と強誘電性

    舟窪浩, 安岡慎之介, 岡本一輝, SUN Nana, 白石貴久, 上原雅人, 清水荘雄

    第34回日本MRS年次大会  2024年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2024年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:横浜市  

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  • ナノクロスポイントYドープHfO2強誘電トンネル接合

    真島豊, SUN Zhongzheng, 中村美子, 岡本一輝, 伊澤誠一郎, 舟窪浩

    第34回日本MRS年次大会  2024年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2024年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川 横浜市  

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  • Effect of Ce/(Hf+Ce) ratio on ferroelectric and piezoelectric properties of thick xCeO2-(1-x)HfO2 films deposited by sputtering method without substrate heating

    Yu-Ta Chen, Kazuki Okamoto, Kohei Shimonosono, Nachi Chaya, Nana Sun, Miki Nakahata, Wakiko Yamaoka, Yukari Inoue, Hiroshi Funakubo

    第44回電子材料研究討論会  2024年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2024年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川  

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  • Thickness Dependence of Ferroelectricity for Thin (Al0.9Sc0.1)N-based FeRAM 国際会議

    Soshun Doko, Naoko Matsui, Toshikazu Irisawa, Nana Sun, Yoshiko Nakamura, Kazuki Okamoto, Hiroshi Funakubo, Koji Tsunekawa

    The 2024 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai  2024年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2024年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Kyoto  

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  • マイクロ波加熱式水熱堆積法により作製したチタン酸ジルコン酸鉛膜の特性評価

    野地航平, 横田幸恵, 島宏美, 舟窪浩, 内田寛

    第44回電子材料研究討論会  2023年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2024年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川  

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  • パルスレーザー堆積法を用いたZnO基固溶体薄膜の作製と電気光学特性

    藤田隼輔, 近藤真矢, 寺西貴志, 岡本一輝, 舟窪浩, 山田智明, 岸本昭

    第44回電子材料研究討論会  2024年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2024年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神奈川  

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  • Si直上への極薄Y-Hfバッファ層の導⼊がY添加HfO2薄膜の配向性及び強誘電性 へ及ぼす影響

    ⼩野友慈, 近藤真⽮, 寺⻄貴志, 岡本⼀輝, ⾈窪浩, ⼭⽥智明, 岸本昭

    第12回(2024年)日本化学会中国四国支部大会 岡山大会 化学教育研究発表会  2024年11月 

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    開催年月日: 2024年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:岡山  

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  • Stable high-switching speed in (Al,Sc)N films heat-treated under H2 atmosphere 国際会議

    Nana Sun, Kazuki Okamoto, Shinnosuke Yasuoka, Soshun Doko, Naoko Matsui, Toshikazu Irisawa, Koji Tsunekawa, Hiroshi Funakubo

    37th International Microprocesses and Nanotechnology Conference  2024年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2024年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Kyoto  

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  • Low-temperature Growth of (001)/(100)-oriented PZT Films on Glass Substrates Using Metal-Oxide Nanosheet Buffer Layer 国際会議

    Hiroshi Uchida, Yusuke Yamasaki, Yukie Yokota, Hiromi Shima, Hiroshi Funakubo

    21st US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics  2024年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2024年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Kofu, Yamanashi  

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  • Strain Relaxation and Temperature Evolution of the Structure Properties of (101)-, (111)-oriented PbTiO3 Epitaxial Film Grown by Hydrothermal Method 国際会議

    Yuxian Hu, Kazuki Okamoto, Takahisa Shiraishi, Hiroshi Funakubo

    21st US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics  2024年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2024年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Kofu, Yamanashi  

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  • Composition Dependences of Ferroelectric Properties and Curie Temperature in Epitaxial CeO2-HfO2-ZrO2 Films 国際会議

    Kohei Shimonosono, Yoshiki Maekawa, Nachi Chaya, Kazuki Okamoto, Wakiko Yamaoka, Yasushi Kawashima, Yukari Inoue, Hiroshi Funakubo

    21st US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics  2024年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2024年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Kofu, Yamanashi  

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  • Fabrication of (Mg,Si)N Films by Reactive RF Magnetron Sputtering Method and Their Structure and Electric Properties 国際会議

    Sotaro Kageyama, Kazuki Okamoto, Shinnosuke Yasuoka, Yoshiomi Hiranaga, Yoshihiro Ueoka, Masami Mesuda, Hiroshi Funakubo

    21st US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics  2024年10月 

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    開催年月日: 2024年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Kofu, Yamanash  

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  • Preparation and Characterization of Ba(Zr,Ti)O3 Films for Microwave Tunable Application 国際会議

    Ryo Takahashi, Yoshitaka Ehara, Yosuke Hamasaki, Shinya Sawai, Shintaro Yasui, Hiroshi Funakubo, Ken Nishida

    21st US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics  2024年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2024年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Kofu, Yamanashi  

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  • High Piezoelectric Performance Across a Wide Composition Range in Tetragonal (Bi,Na)TiO3-BaTiO3 Films 国際会議

    Keisuke Ishihama, Takao Shimizu, Kazuki Okamoto, Akinori Tateyama, Wakiko Yamaoka, Risako Tsurumaru, Shintaro Yoshimura, Yusuke Sato, Hiroshi Funakubo

    21st US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics  2024年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2024年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Kofu, Yamanashi  

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  • Growth of Heterovalent Ternary Nitride, (Mg,Si)N, Thin Films and Their Piezoelectricity 国際会議

    Sotaro Kageyama, Kazuki Okamoto, Shinnosuke Yasuoka, Yoshiomi Hiranaga, Hiroshi Uchida, Hiroshi Funakubo

    STAC14 2024 (The fourteenth International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics)  2024年10月 

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    開催年月日: 2024年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Yokohama  

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  • Ferroelectric properties and Curie temperature of epitaxial CeO2-HfO2-ZrO2 films deposited by PLD 国際会議

    Kouhei Shimonosono, Yoshiki Maekawa, Nachi Chaya, Kazuki Okamoto, Wakiko Yamaoka, Yasushi Kawashima, Yukari Inoue, Hiroshi Funakubo

    STAC14 2024 (The fourteenth International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics)  2024年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2024年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Yokohama  

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  • Nano-Cross-Point Ferroelectric Tunneling Junctions based on Scandium-Doped AlN 国際会議

    Zhongzheng Sun, Riku Shikauchi, Yoshiko Nakamura, Kazuki Okamoto, Seiichiro Izawa, Hiroshi Funakubo, Yutaka Majima

    DEJI2MA2024 (The 4th International Symposium on Design & Engineering by Joint Inverse Innovation for Materials Architecture)  2024年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2024年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Tokyo  

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  • (Ba, Sr, Ca)Si2膜の作製と熱電特性評価

    青山航大, 清水荘雄, 倉持豪人, 召田雅実, 秋池良, 片瀬貴義, 木村好里, 舟窪浩

    第21回日本熱電学会学術講演会 (TSJ2024)  2024年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2024年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:つくば市  

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  • Stable Switching of Ferroelectric (Al0.8Sc0.2)N Films as a Function of Temperature and Frequency

    HIROSHI FUNAKUBO, Shinnosuke Yasuoka, Ryoichi Mizutani, Reika Ota, Takahisa Shiraishi, Takao Shimizu, Kazuki Okamoto, Masato Uehara, Hiroshi Yamada, Morito Akiyama, Hisohi Funakubo

    IEEE UFFC-JS 2024 (IEEE Ultrasocinc, Ferroelectrics, and Frequency Control Joint Symposium)  2024年9月 

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    開催年月日: 2024年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Taipei  

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  • Effect of Ce/(Hf+Ce) Ratio on Ferroelectric Properties of Thick xCeO2-(1-x) HfO2 Films Deposited by Sputtering Method Without Substrate Heating 国際会議

    Yu-Ta Chen, Kazuki Okamoto, Kohei Shimonosono, Nachi Chaya, Miki Nakahata, Wakiko Yamaoka, Yukari Inoue, Hiroshi Funakubo

    IEEE UFFC-JS 2024 (IEEE Ultrasocinc, Ferroelectrics, and Frequency Control Joint Symposium)  2024年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2024年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Taipei  

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  • Analysis of Nanoscale Ferroelectric Domain Dynamics Based on Image Processing of Local C-V Maps 国際会議

    Yoshiomi Hiranaga, Takanori Mimura, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo, Yasuo Cho

    IEEE UFFC-JS 2024 (IEEE Ultrasocinc, Ferroelectrics, and Frequency Control Joint Symposium)  2024年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2024年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Taipei  

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  • Development of Integrated Measurement System for Local C-V Mapping and Piezoresponse Force Microscopy 国際会議

    Yuki Noguchi, Takanori Mimura, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo, Yoshiomi Hiranaga

    IEEE UFFC-JS 2024 (IEEE Ultrasocinc, Ferroelectrics, and Frequency Control Joint Symposium)  2024年9月 

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    開催年月日: 2024年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Taipei  

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  • Structural Characterization and Ferroelectric Properties of Self-Polarized Epitaxial Tetragonal (Bi,K)TiO3-PbTiO3 Films Grown by Hydrothermal Method 国際会議

    Yuxian Hu, Taichi Murashita, Kazuki Okamoto, Hiroshi Funakubo

    IEEE UFFC-JS 2024 (IEEE Ultrasocinc, Ferroelectrics, and Frequency Control Joint Symposium)  2024年9月 

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    開催年月日: 2024年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Taipei  

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  • Impact of Substrate on Dielectric Tunable Properties in Epitaxial Ba(Zr,Ti)O3 Films with Different Thickness 国際会議

    Ryo Takahashi, Yoshitaka Ehara, Yosuke Hamasaki, Shinya Sawai, Shintaro Yasui, Hiroshi Funakubo, Ken Nishida

    IEEE UFFC-JS 2024 (IEEE Ultrasocinc, Ferroelectrics, and Frequency Control Joint Symposium)  2024年9月 

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    開催年月日: 2024年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Taipei  

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  • Electro-Optic Effect in Ferroelectric Thin Films: From Classical Perovskites to Emerging Fluorites and Wurtzites 国際会議

    Tomoaki Yamada, Shinya Kondo, Xueyou Yuan, Kotoko Abe, Kazuki Okamoto, Hiroshi Funakubo, Lei Meng, Takanori Nagasaki

    IEEE UFFC-JS 2024 (IEEE Ultrasocinc, Ferroelectrics, and Frequency Control Joint Symposium)  2024年9月 

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    開催年月日: 2024年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Taipei  

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  • 水熱法で作製した自己分極(001)配向エピタキシャル(Bi,K)TiO3-PbTiO3膜の結晶構造及び強誘電特性

    胡雨弦, 村下太一, 岡本一輝, 舟窪浩

    第85回応用物理学会秋季学術講演会  2024年9月 

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    開催年月日: 2024年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:日本  

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  • CeO2-HfO2-ZrO2薄膜の格子間隔と強誘電性の評価

    下野園航平, 前川芳輝, 茶谷那知, 岡本一輝, 山岡和希子, 川島康, 井上ゆか梨, 舟窪浩

    第85回応用物理学会秋季学術講演会  2024年9月 

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    開催年月日: 2024年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:日本  

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  • FeRAM向け (Al,Sc)N膜における強誘電特性の膜厚依存性評価

    道古宗俊, 松井尚子, 入澤寿和, 恒川孝二, Nana Sun, 中村美子, 岡本一輝, 舟窪浩

    第85回応用物理学会秋季学術講演会  2024年9月 

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    開催年月日: 2024年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:日本  

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  • (100)/(001)配向正方晶Pb(Zr,Ti)O3膜における圧電応答の周波数依存性

    中畑美紀, 岡本一輝, 石濱圭佑, 清水荘雄, 小金澤智之, Rosantha Kumara, 仲谷友孝, 池田理, 坂田修身, 山田智明, 舟窪浩

    第85回応用物理学会秋季学術講演会  2024年9月 

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    開催年月日: 2024年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:日本  

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  • High stability of the ferroelectricity against hydrogen gas in (Al,Sc)N thin films

    Nana Sun, Kazuki Okamoto, Shinnosuke Yasuoka, Soshun Doko, Naoko Matsui, Toshikazu Irisawa, Koji Tsunekawa, Hiroshi Funakubo

    SSDM2024 (2024 International Conference on Solid State Devices and Materials)  2024年9月 

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    開催年月日: 2024年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Himeji  

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  • Impact of domain switching to lattice deformation under applying an electric field in tetragonal (100)/(001)-oriented Pb(Zr,Ti)O3 epitaxial films

    Miki Nakahata, Kazuki Okamoto, Takao Shimizu, Keisuke Ishihama, Tomoyuki Koganezawa, Rosantha Kumara, Tomotaka Nakatani, Osamu Ikeda, Osami Sakata, Tomoaki Yamada, Hiroshi Funakubo

    JKC-FE14 (The 14th Japan-Korea Conference on Ferroelectricity)  2024年8月 

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    開催年月日: 2024年8月 - 2024年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Shiga  

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  • Orientation-Controlled Ferroelectric PbTiO3 Films with Low Strain Directly Grown below the Curie Temperature

    Y. X. Hu, K. Okamoto, T. Shiraishi, H. Funakubo

    JCFMA-16 (The 16th Japan-China Symposium on Ferroelectric Materials and Their Applications)  2024年7月 

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    開催年月日: 2024年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Shimane  

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  • In-situ XRD observation of crystal structure under an electric field in (100)/(001)-oriented Pb(Zr0.35, Ti0.65)O3 films

    Miki Nakahata, Keisuke Ishihama, Tomoaki Ymada, Kazuki Okamoto, Hiroshi Funakubo

    ECAPD 2024 (2024 European Conference on Applications of Polar Dielectrics)  2024年6月 

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    開催年月日: 2024年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Trondheim  

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  • 成長基板によるエピタキシャルBa(Zr,Ti)O3薄膜の誘電チューナブル特性への影響

    高橋良, 江原祥隆, 濱嵜容丞, 澤井眞也, 安井伸太郎, 舟窪浩, 西田謙

    第41回強誘電体会議  2025年6月 

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    開催年月日: 2024年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都市  

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  • CeO2-HfO2-ZrO2エピタキシャル薄膜の作製と強誘電性評価

    下野園航平, 前川芳輝, 茶谷那知, 岡本一輝, 山岡和希子, 川島康, 井上ゆか梨, 舟窪浩

    第41回強誘電体会議  2025年6月 

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    開催年月日: 2024年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都市  

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  • CeO2-HfO2膜の基板非加熱での作製とその強誘電性評価

    茶谷那知, 山岡和希子, 川島康, 井上ゆか梨, 岡本一輝, 舟窪浩

    第41回強誘電体会議  2025年6月 

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    開催年月日: 2024年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都市  

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  • Ferroelectricity in TaxHf1-xO2+δfilms

    前川 芳輝, 三村 和仙, Yoshiyuki Inaguma, 岡本 一輝, 舟窪 浩

    第41回強誘電体会議  2025年6月 

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    開催年月日: 2024年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都市  

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  • 局所C-Vマッピングと圧電応答顕微鏡の統合計測システムによる強誘電体薄膜の解析

    野口雄貴, 三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩, 平永良臣

    第41回強誘電体会議  2025年6月 

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    開催年月日: 2024年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都市  

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  • Stable ferroelectric property at high temperature under nydrogen gas in (Al, Sc)N thin films

    Nana Sun, Kazuki Okamoto, Shinnnosuke Yasuoka, Soshun Doko, Naoko Matsui, Toshikazu Irisawa, Koji Tsunekawa, Hiroshi Funakubo

    第41回強誘電体会議  2025年6月 

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    開催年月日: 2024年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都市  

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  • 新規強誘電体は強誘電体をメインメモリにしうるか?―強誘電体材料の進捗―

    舟窪浩

    プラズマソサイエティ サタデーモーニング講座  2024年6月 

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    開催年月日: 2024年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • Thickness-dependency of ferroelectric and piezoelectric properties in HfO2-CeO2 film 国際会議

    Kazuki Okamoto, Koji Hirai, Takahisa Shiraishi, Wakiko Yamaoka, Risako Tsurumaru, Yukari Inoue, Hiroshi Funakubo

    IWATMD 2024 (2024 International Workshop on Acoustic Transduction Materials & Devices)  2025年5月 

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    開催年月日: 2024年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:State College, PA,  

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  • Thickness-dependency of ferroelectric and piezoelectric properties in HfO2-CeO2 film

    Kazuki Okamoto, Koji Hirai, Takahisa Shiraishi, Wakiko Yamaoka, Risako Tsurumaru, Yukari Inoue, Hiroshi Funakubo

    IWATMD 2024 (2024 International Workshop on Acoustic Transduction Materials & Devices)  2024年5月 

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    開催年月日: 2024年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:State College, PA  

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  • ScAlNの強誘電体としての可能性

    舟窪浩

    ワイドギャップ半導体学会 第16回研究会  2024年4月 

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    開催年月日: 2024年4月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋市  

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  • 局所C-Vマップの画像処理に基づくナノスケール強誘電分極反転ダイナミクスの解析

    平永良臣, 三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩, 長康雄

    第71回応用物理学会春季学術講演会  2024年3月 

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    開催年月日: 2024年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • High stability of ferroelectricity against hydrogen gas in (Al,Sc)N thin films

    Nana SUN, Kazuki Okamoto, Shinnosuke Yasuoka, Naoko Matsui, Toshikazu Irisawa, Koji Tsunekawa, Soshun Doko, Hiroshi Funakubo

    第71回応用物理学会春季学術講演会  2024年3月 

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    開催年月日: 2024年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • 水熱法で作製したPbTiO3エピタキシャル膜のキュリー温度及び歪み緩和

    HU Yuxian, 岡本一輝, 舟窪浩

    第71回応用物理学会春季学術講演会  2024年3月 

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    開催年月日: 2024年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • 局所C-Vマッピングと圧電応答顕微鏡の統合計測システムの開発

    野口雄貴, 三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩, 平永良臣

    第71回応用物理学会春季学術講演会  2024年3月 

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    開催年月日: 2024年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • Pt下部電極の膜厚がAlScNの膜特性に及ぼす影響

    道古宗俊, 松井尚子, 入澤寿和, 恒川孝二, 中村美子, 岡本一輝, 舟窪浩

    第71回応用物理学会春季学術講演会  2024年3月 

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    開催年月日: 2024年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • スパッタリング法で作製した高Sc濃度ScGaN膜の圧電・強誘電特性

    上原雅人, 平田研二, 中村美子, 安岡慎之介, スリ アユ アンガライニ, 岡本一輝, 山田浩志, 舟窪浩, 秋山守人

    第71回応用物理学会春季学術講演会  2024年3月 

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    開催年月日: 2024年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • (100)/(001)配向正方晶Pb(Zr,Ti)O3膜における結晶構造のその場観察

    中畑美紀, 岡本一輝, 石濱圭佑, 清水荘雄, 小金澤智之, 仲谷友孝, 坂田修身, 山田智明, 舟窪浩

    第71回応用物理学会春季学術講演会  2024年3月 

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    開催年月日: 2024年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • MgSiN2薄膜の作製と特性評価

    影山壮太郎, 岡本一輝, 安岡慎之介, 上岡義弘, 召田雅実, 舟窪浩

    第71回応用物理学会春季学術講演会  2024年3月 

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    開催年月日: 2024年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • Ga添加によるAlNへのSc固溶量の増加とその強誘電性および圧電性への影響

    大田怜佳, 安岡慎之介, 中村美子, 岡本一輝, 原浩之, 正能大起, 上岡義弘, 召田雅実, 舟窪浩

    第71回応用物理学会春季学術講演会  2024年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2024年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • CeO2-HfO2-ZrO2薄膜の結晶構造と強誘電性の評価

    下野園航平, 前川芳輝, 茶谷那知, 岡本一輝, 山岡和希子, 川島康, 井上ゆか梨, 舟窪浩

    第71回応用物理学会春季学術講演会  2024年3月 

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    開催年月日: 2024年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • 強誘電体ドメイン構造制御に向けたペロブスカイト型Sr(Zr,Ti)O3バッファ層の作製

    石濱圭佑, 岡本一輝, 森川友秀, 舟窪浩, 小寺正徳, 清水荘雄, 小金澤智之, 仲谷友孝, 坂田修身

    日本セラミックス協会 2024年年会  2024年3月 

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    開催年月日: 2024年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:熊本市  

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  • 面内分極配向BaTiO3基エピタキシャル薄膜の作製

    清水荘雄, 岡本一輝, 舟窪浩, 小金澤智之, 仲谷友孝, 坂田修身

    日本セラミックス協会 2024年年会  2024年3月 

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    開催年月日: 2024年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:熊本市  

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  • Progress of Research on None-Perovskite Dielectric Materials 国際会議

    Hiroshi Funakubo, Kazuki Okamoto, Takao Shimizu, Tomoaki Yamada

    STAC-D2MatE 2024 (The International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics – Data Driven Materials Research for Electronics 2024)  2024年2月 

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    開催年月日: 2024年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Tsukuba  

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  • Ferroelectric Tunnel Junctions based on 7% Yttrium doped HfO2 (YHO7) 国際会議

    Zhongzheng Sun, Yoshiko Nakamura, Ryosuke Nitta, Seiichiro Izawa, Hiroshi Funakubo, Yutaka Majima

    STAC-D2MatE 2024 (The International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics – Data Driven Materials Research for Electronics 2024)  2024年2月 

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    開催年月日: 2024年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Tsukuba  

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  • PLD法によるCeO2-HfO2-ZrO2薄膜の作製と評価

    下野園航平, 前川芳輝, 茶谷那知, 岡本一輝, 井上ゆか梨, 舟窪浩

    第62回セラミックス基礎科学討論会  2024年1月 

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    開催年月日: 2024年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • チューナブルデバイス応用へ向けたBa(Zr,Ti)O3膜の作製と評価

    髙橋良, 江原祥隆, 竹尾勇司, 濱嵜容丞, 澤井眞也, 平田靖透, 宮内良広, 安井伸太郎, 安岡慎之介, 舟窪浩, 西田謙

    第62回セラミックス基礎科学討論会  2024年1月 

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    開催年月日: 2024年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • スパッタリング法によるAlN-(Mg, Si)N膜の作製とその特性評価

    影山壮太郎, 岡本一輝, 安岡慎之介, 舟窪浩

    第62回セラミックス基礎科学討論会  2024年1月 

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    開催年月日: 2024年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • スパッタリング法によるHfO2-CeO2強誘電体薄膜のYSZ基板上への非加熱合成

    舟窪浩, 茶谷那知, 平井浩司, 安岡慎之介, 岡本一輝, 山岡和希子, 井上ゆか梨

    第62回セラミックス基礎科学討論会  2024年1月 

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    開催年月日: 2024年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • Ta添加HfO2薄膜の合成と強誘電性評価

    前川芳輝, 三村和仙, 稲熊宜之, 岡本一輝, 舟窪浩

    第62回セラミックス基礎科学討論会  2024年1月 

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    開催年月日: 2024年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • Effect of gas annealing on the ferroelectric property of (Al0.8Sc0.2)N thin film

    Nana Sun, Kazuki Okamoto, Shinnosuke Yasuoka, Naoko Matsui, Toshikazu Irisawa, Koji Tsunekawa, Hiroshi Funakubo

    第62回セラミックス基礎科学討論会  2024年1月 

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    開催年月日: 2024年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • Ferroelectric and Piezoelectric Properties of Non-perovskite Simple Oxide 国際会議

    Hiroshi Funakubo, Takao Shimizu, Takanori Mimura, Kazuki Okamoto

    MRM2023/IUMRS-ICA2023  2023年12月 

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    開催年月日: 2023年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(基調)  

    開催地:Kyoto  

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  • Preparation of {100}-Oriented Epitaxial (1-x)(Bi,K)TiO3-xCaTiO3 Solid Solution Films by Hydrothermal Method and Their Ferroelectric Property 国際会議

    Taichi Murashita, Hu Yuxian, Yuma Takahashi, Reika Ota, Kazuki Okamoto, Hiroshi Funakubo

    2023 MRS Fall Meeting & Exhibit  2023年11月 

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    開催年月日: 2023年11月 - 2023年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Boston  

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  • Ferroelectric Property Improvement of (Al1-x-yGaxScy)N Ternary Thin Films 国際会議

    Reika Ota, Shinnosuke Yasuoka, Kazuki Okamoto, Yoshihiro Ueoka, Yoshiro Kususe, Masami Mesuda, Hiroshi Funakubo

    2023 MRS Fall Meeting & Exhibit  2023年11月 

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    開催年月日: 2023年11月 - 2023年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Boston  

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  • Characterization of Ferroelectric Switching Properties for (Al,Sc)N Films with Various Composition 国際会議

    Shinnosuke Yasuoka, Kazuki Okamoto, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo

    2023 MRS Fall Meeting & Exhibit  2023年11月 

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    開催年月日: 2023年11月 - 2023年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Boston  

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  • Exploring the Impact of Sr(Zr,Ti)O3 Buffer Layers for Controlling Domain Structure of Ferroelectric Thin Films 国際会議

    Keisuke Ishihama, Kazuki Okamoto, Masanori Kodera, Tomohide Morikawa, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo

    2023 MRS Fall Meeting & Exhibit  2023年11月 

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    開催年月日: 2023年11月 - 2023年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Boston  

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  • Influence of Thickness and Composition Dependence on Dielectric Tunability in Ba(ZrxTi1-x)O3 Films Grown on MgO Substrate 国際会議

    Ryo Takahashi, Yoshitaka Ehara, Yosuke Hamasaki, Shinya Sawai, Shintaro Yasui, Shinnosuke Yasuoka, Hiroshi Funakubo, Ken Nishida

    2023 MRS Fall Meeting & Exhibit  2023年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年11月 - 2023年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Boston  

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  • RFマグネトロンスパッタリング法によるSi基板上への強誘電体HfO2基薄膜の作製

    小野友慈, 近藤真矢, 寺西貴志, 岡本一輝, 舟窪浩, 山田智明, 岸本昭

    第29回ヤングセラミスト・ミーティング  2023年11月 

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    開催年月日: 2023年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:岡山市  

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  • パルスレーザー堆積法を用いたウルツ鉱型強誘電体ZnO基固溶体薄膜の作製

    藤田隼輔, 近藤真矢, 寺西貴志, 岡本一輝, 舟窪浩, 山田智明, 岸本昭

    第29回ヤングセラミスト・ミーティング  2023年11月 

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    開催年月日: 2023年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:岡山市  

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  • Crystal structure and electrical properties of (Al, Ga, Sc)N temary thin films prepared by RF sputtering 国際会議

    Kazuki Okamoto, Reika Ota, Shinnosuke Yasuoka, Yoshihiro Ueoka, Yoshiro Kususe, Masami Mesuda, Hiroshi Funakubo

    MNC 2023 (36th International Microprocesses and Nanotechnology Conference)  2023年11月 

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    開催年月日: 2023年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Sapporo  

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  • No heating deposition of CeO2-HfO2 ferroelectric thick films by sputtering method 国際会議

    Nachi Chaya, Koji Hirai, Shinnosuke Yasuoka, Kazuki Okamoto, Wakiko Yamaoka, Yukari Inoue, Hiroshi Funakubo

    MNC 2023 (36th International Microprocesses and Nanotechnology Conference)  2023年11月 

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    開催年月日: 2023年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Sapporo  

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  • 水熱合成法で作製した(Bi, K)TiO3基強誘電体薄膜の熱処理効果とそれらの局所構造評価

    村下太一, 岡本一輝, 高橋雄真, 窪田るりか, 伊東良晴, 藤井康裕, 是枝聡肇, 清水荘雄, 小林俊介, 加藤丈晴, 黄馨慧, 森分博紀, 幾原雄一, 舟窪浩

    第43回電子材料研究討論会  2023年11月 

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    開催年月日: 2023年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:横浜市  

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  • 水熱法による強誘電体PbTiO3エピタキシャル膜の合成とそのドメイン構造評価

    HUYUXIAN, 窪田るりか, 岡本一輝, 白石貴久, 舟窪浩

    第43回電子材料研究討論会  2023年11月 

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    開催年月日: 2023年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:横浜市  

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  • 金属酸化物テンプレート上における化学溶液堆積法由来PZT薄膜の結晶成長機構の解明

    内田寛, 山崎佑介, 横田幸惠, 島宏美, 白石貴久, 木口賢紀, 舟窪浩

    第43回電子材料研究討論会  2023年11月 

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    開催年月日: 2023年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:横浜市  

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  • 液相プロセスによる非鉛圧電材料(Bi, K)TiO3粉末および膜合成

    伊東良晴, 石井武, 中釜達朗, 舟窪浩

    第59回熱測定討論会  2023年10月 

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    開催年月日: 2023年10月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東京都  

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  • Stabilization and Identification of Ferroelectric HfO2 Thin Films 国際会議

    Hiroshi Funakubo, Yuma Takahashi, Takahisa Shiraishi, Kodera Masanori, Reijiro Shimura, Takanori Mimura, Keisuke Ishihama, Kazuki Okamoto, Hiroki Moriwake, Ayako Taguchi, Takao Shimizu, Yasuhiro Fujii, Akitoshi Koreeda

    IWDTF2023 (2023 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices - Science and Technology)  2023年10月 

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    開催年月日: 2023年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Ishikawa  

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  • Orientation Control of {100}-oriented Epitaxial Y-doped HfO2 Thin Films Using Lattice Matching 国際会議

    Yoshiki Maekawa, Koji Hirai, Kazuki Okamoto, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo

    IWDTF2023 (2023 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices - Science and Technology)  2023年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Ishikawa  

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  • Nano-cross-point Ferroelectric Tunnel Junctions based on ultrathin 7% Yttrium doped HfO2 (YHO7) 国際会議

    Zhongzheng Sun, Yoshiko Nakamura, Ryosuke Nitta, Seiichiro Izawa, Hiroshi Funakubo, Yutaka Majima

    DEJI2MA-3 (The 3rd International Symposium on Design & Engineering by Joint Inverse Innovation for Materials Architecture)  2023年10月 

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    開催年月日: 2023年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Tokyo  

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  • ペロブスカイト型圧電結晶膜の水熱エピタキシャル合成と超音波センサへの応用に向けた検討

    吉田馨, 湊丈俊, 三嶋竜弥, 黒澤実, 舟窪浩, 池上和志, 石河睦生

    第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023年9月 

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    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:熊本市  

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  • ペロブスカイト型圧電単結晶膜を用いた超小型センサの開発とその応用

    水沼 拓也, 入山 瑞希, 湊 丈俊, 黒澤 実, 舟窪 浩, 池上 和志, 石河 睦生

    第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023年9月 

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    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:熊本市  

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  • Domain architecture engineering of tensile-strained (PbxSr1-x)TiO3 thin films

    Xueyou Yuan, Yuto Ota, Daichi Ichinose, Takao Shimizu, Kazuki Okamoto, Yoshitaka Ehara, Masahito Yoshino, Takanori Nagasaki, Hiroshi Funakubo, Tomoaki Yamada

    第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023年9月 

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    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:熊本市  

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  • Impact of electric field on crystal structure and properties of HfO2-based ferroelectric films 国際会議

    H. Funakubo, T. Shimizu, T. Mimura, T. Shiraishi, K. Okamoto

    E-MRS 2023 Fall Meeting  2023年9月 

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    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Warsaw  

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  • Ferroelectric thin films of post-perovskite-based materials 国際会議

    Hiroshi Funakubo

    Ferroelectric Thin Films (The webinar is presented jointly by the Materials Research Society and the Japan Society for Applied Physics)  2023年9月 

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    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

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  • 引張歪み(PbxSr1-x)TiO3極薄膜の特異なドメイン構造と相転移

    山田智明, Yuan Xueyou, 太田悠登, 清水荘雄, 岡本一輝, 吉野正人, 舟窪浩, 長崎正雅

    日本セラミックス協会第36回秋季シンポジウム  2023年9月 

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    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都市  

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  • 二相共存 SrSi2における熱電特性

    清水荘雄, 青山航大, 倉持豪人, 召田雅実, 秋池良, 片瀬貴義, 木村好里, 舟窪浩

    日本セラミックス協会第36回秋季シンポジウム  2023年9月 

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    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都市  

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  • MgO単結晶基板上にエピタキシャル成長させたBa(Zr,Ti)O3膜の結晶構造の膜厚及び組成依存性

    高橋良, 江原祥隆, 濱嵜容丞, 澤井眞也, 安井伸太郎, 安岡慎之介, 舟窪浩, 西田謙

    日本セラミックス協会第36回秋季シンポジウム  2023年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都市  

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  • Ferroelectric Tunnel Junctions based on AlScN 国際会議

    Riku Shikauchi, Zhongzheng Sun, Shinnosuke Yasuoka, Ryosuke Nitta, Seiichiro Izawa, Hiroshi Funakubo, Yutaka Majima

    KJF-ICOMEP 2023 (KJF International Conference on Organic Materials for Electronics and Photonics 2023)  2023年8月 

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    開催年月日: 2023年8月 - 2023年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Fukuoka  

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  • Nano-cross-point Ferroelectric Tunnel Junctions based on 3nm 7% Yttrium doped HfO2 (YHO7) 国際会議

    Zhongzheng Sun, Yoshiko Nakamura, Ryosuke Nitta, Seiichiro Izawa, Hiroshi Funakubo, Yutaka Majima

    KJF-ICOMEP 2023 (KJF International Conference on Organic Materials for Electronics and Photonics 2023)  2023年8月 

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    開催年月日: 2023年8月 - 2023年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Fukuoka  

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  • Research on Correlation Between Grain Boundaries and Ferroelectric Switching Behaviors Through Statistical Analysis of Local C-V Map Datasets 国際会議

    Yoshiomi Hiranaga, Yuki Noguchi, Takanori Mimura, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo, Yasuo Cho

    ISAF 2023 (IEEE International Symposium on Applications of Ferroelectrics)  2023年7月 

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    開催年月日: 2023年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Cleveland, Ohio  

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  • Characterization of Piezoelectric (K, Na)NbO3 Films for MEMS Applications 国際会議

    Hiroshi Funakubo, Akinori Tateyama, Yuichiro Orino, Yoshiharu Ito, Takahisa Shiraishi, Takao Shimizu, Minoru Kurosawa

    ISAF 2023 (IEEE International Symposium on Applications of Ferroelectrics)  2023年6月 

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    開催年月日: 2023年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Cleveland, Ohio  

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  • ガラス基板上におけるPZT 膜の選択配向成⻑と低温結晶化

    山崎佑介, 横田幸恵, 島宏美, 中村美子, 舟窪浩, 内田寛

    第40回強誘電体会議(FMA40)  2023年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都市  

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  • 局所C-V マッピング法を用いたグレイン境界と強誘電分極反転挙動の関係に関する解析

    平永良臣, 野口雄貴, 三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩, 長康雄

    第40回強誘電体会議(FMA40)  2023年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都市  

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  • 正⽅晶Pb(Zr,Ti)O3膜における内因的及び外因的な圧電応答の膜厚依存性

    中畑美紀, 岡本一輝, 石濱圭佑, 山田智明, 舟窪浩

    第40回強誘電体会議(FMA40)  2023年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都市  

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  • 水熱合成法を用いた(Bi,K)TiO3-CaTiO3 固溶体薄膜の作製とそのアニール効果

    村下太一, HUYUXIAN, 高橋雄真, 大田怜佳, 岡本一輝, 舟窪浩

    第40回強誘電体会議(FMA40)  2023年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都市  

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  • Growth of Bismuth Ferrite-Based Epitaxial Films by Hydrothermal Method and Their Characterization

    Yueyushan Cheng, Yuxian Hu, Taichi Murashita, Kazuki Okamoto, HIROSHI FUNAKUBO

    第40回強誘電体会議(FMA40)  2023年5月 

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    開催年月日: 2023年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都市  

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  • ガラス基板上に作製された一軸配向性PZT薄膜の分極および圧電特性の改善

    山崎佑介, 横田幸恵, 島宏美, 中村美子, 舟窪浩, 内田寛

    第70回応用物理学会春季学術講演会  2023年3月 

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    開催年月日: 2023年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • 局所C-Vマップの機械学習解析に基づくグレイン境界と強誘電ドメイン挙動の相関に関する統計的評価

    平永良臣, 野口雄貴, 三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩, 長康雄

    第70回応用物理学会春季学術講演会  2023年3月 

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    開催年月日: 2023年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • 水熱法で低温作製したPbTiO3エピタキシャル膜のドメイン構造の特徴

    舟窪浩, 胡雨弦, 岡本一輝, 窪田るりか, 白石貴久

    日本セラミックス協会2023年年会  2023年3月 

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    開催年月日: 2023年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:横浜市  

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  • SRO/Pt/Si基板上のTa2O5圧電薄膜の成膜と評価

    松浦佳祐, 鈴木雅視, 垣尾省司, 小寺正徳, 舟窪浩

    圧電材料・デバイスシンポジウム2023  2023年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:浜松市  

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  • 水熱合成法によるPbTiO3エピタキシャル膜の作製と評価

    胡雨弦, 岡本一輝, 舟窪浩

    第61回セラミックス基礎科学討論会  2023年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:岡山市  

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  • Crystal Structure and Electric Properties of (100) Ba(ZrxTi1-x)O3 Thin Films on MgO Substrates by Pulse Laser Deposition Technique 国際会議

    Ryo Takahashi, Yoshitaka Ehara, Yosuke Hamasaki, Shintaro Yasui, Shinnosuke Yasuoka, Hiroshi Funakubo, Shinya Sawai, Ken Nishida

    2022 MRS Fall Meeting & Exhibit  2022年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Boston, MA  

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  • Demonstration of Ferroelectric Properties in GaN Alloyed with Sc 国際会議

    Masato Uehara, Ryoichi Mizutani, Shinnosuke Yasuoka, Takao Shimizu, Hiroshi Yamada, Morito Akiyama, Hiroshi Funakubo

    2022 MRS Fall Meeting & Exhibit  2022年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Boston, MA  

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  • Thickness Scaling and Low Voltage Operation of Ferroelectric (Al1-xScx)N Films Prepared by Sputtering Method 国際会議

    Hiroshi Funakubo, Shinnosuke Yasuoka, Ryoichi Mizutani, Takahisa Shiraishi, Akinori Tateyama, Reika Ota, Kazuki Okamoto, Takao Shimizu, Masato Uehara, Hiroshi Yamada, Morito Akiyama

    2022 MRS Fall Meeting & Exhibit  2022年11月 

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    開催年月日: 2022年11月 - 2022年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Boston, MA  

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  • Luminescent Epitaxial β-FeSi2 Film Growth by MOCVD 国際会議

    K. Akiyama, H. Funakubo

    DPS2022 (43rd International Symposium on Dry Process)  2022年11月 

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    開催年月日: 2022年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Osaka  

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  • Ultra-Resolution Volumetric Properties of Piezoelectrics and Dielectrics via Tomographic AFM 国際会議

    K. Del Cid-Ledezma, L. Ortiz, J. Kaszas, Y. Zhu, R. Ramesh, D. Meier, H. Funakubo, T. Hosokura, K. Suzuki, B. D. Huey

    2022 U.S.-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics  2022年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Charleston, SC  

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  • Ferroelectricity of 20-nm Thick (Al0.8Sc0.2)N Thin Films with TiN Electrodes 国際会議

    Reika Ota, Shinnosuke Yasuoka, Ryoichi Mizutani, Takahisa Shiraishi, Kuniyuki Kakushima, Hiroshi Funakubo

    2022 U.S.-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics  2022年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Charleston, SC  

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  • In-situ Observation of 90º-domain Switching for Piezoelectric Pb(Zr, Ti)O3 Microcantilevers 国際会議

    Yoshitaka Ehara, Hitoshi Morioka, Takeshi Kobayashi, Shintaro Yasui, Ken Nishida, Hiroshi Funakubo

    2022 U.S.-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics  2022年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Charleston, SC  

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  • Ferroelectricity of Polar-axis Oriented Epitaxial (Bi, K)TiO3 Thin Films Grown by Hydrothermal Method 国際会議

    Hiroshi Funakubo, Rurika Kubota, Yoshiharu Ito, Akinori Tateyama, Yuxian Hu, Minoru Kurosawa

    2022 U.S.-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics  2022年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Charleston, SC  

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  • PZT 薄膜の化学溶液堆積における選択的結晶成長と低温結晶化

    内田寛, 山崎佑介, 横田幸惠, 島宏美, 舟窪浩

    第42回電子材料研究討論会  2023年11月 

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    開催年月日: 2022年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:横浜市  

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  • ペロブスカイト基強誘電体と比較したHfO2 やAlN 基強誘電体の特徴

    舟窪浩, 清水荘雄, 白石貴久, 岡本一輝

    第42回電子材料研究討論会  2022年11月 

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    開催年月日: 2022年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:横浜市  

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  • Pt/Si基板上のTa2O5圧電薄膜の低レートにおける成膜と評価

    松浦佳祐, 鈴木雅視, 垣尾省司, 小寺正徳, 舟窪浩

    第43回超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム  2022年11月 

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    開催年月日: 2022年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:京都市  

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  • Deposition and Evaluation of Highly Crystallized Ta2O5 Piezoelectric Thin Film on Pt Crystal Film 国際会議

    Keisuke Matsuura, Masashi Suzuki, Shoji Kakio, Masanori Kodera, Hiroshi Funakubo

    2022 IEEE IUS (International Ultrasonics Symposium)  2022年10月 

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    開催年月日: 2022年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Venice  

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  • Materials Aspects of New Ferroelectrics with Simple Crystal Structure 国際会議

    T. Shimizu, H. Funakubo, N. Ohashi

    242nd ECS Meeting  2022年10月 

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    開催年月日: 2022年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Atlanta, GA  

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  • Kinetic formation and field induced phase transition in ferroelectric HfO2- based materials 国際会議

    Takao Shimizu, Yuki Tashiro, Takanori Mimura, Hiroshi Funakubo

    KJC-FE13 (The 13th Korea-Japan Conference on Ferroelectrics)  2022年9月 

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    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Busan  

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  • Composition dependence of ferroelectric properties in (111)-oriented epitaxial HfO2-CeO2 solid solution films 国際会議

    K. Hirai, T. Shiraishi, W. Yamaoka, R. Tsurumaru, Y. Inoue, H. Funakubo

    KJC-FE13 (The 13th korea-Japan Conference on Ferroelectrics)  2022年9月 

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    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Busan  

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  • Sc添加GaN薄膜の強誘電性へのSc濃度と温度の影響

    上原雅人, 水谷涼一, 安岡慎之介, 清水荘雄, 山田浩志, 秋山守人, 舟窪浩

    第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年9月 

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    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:仙台市  

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  • SRO/Pt/Si基板上のTa2O5圧電薄膜の低レートにおける成膜と評価

    松浦佳祐, 鈴木雅視, 垣尾省司, 小寺正徳, 舟窪浩

    第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年9月 

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    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:仙台市  

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  • 局所C-Vマッピング法による強誘電体薄膜のナノスケール分極反転ダイナミクスのクラスタ解析

    平永良臣, 三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩, 長康雄

    第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年9月 

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    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:仙台市  

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  • MgO基板上に製膜したBa(ZrxTi1-x)O3の結晶構造と誘電特性

    高橋良, 江原祥隆, 濵嵜容丞, 澤井眞也, 安井伸太郎, 安岡慎之介, 舟窪浩, 西田謙

    第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年9月 

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    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:仙台市  

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  • HfO2-CeO2膜の強誘電性の膜厚依存性

    平井浩司, 白石貴久, 山岡和希子, 鶴丸理沙子, 井上ゆか梨, 舟窪浩

    第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年9月 

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    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:仙台市  

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  • ガラス基板上における一軸配向PZT薄膜の組成制御による分極特性の改善

    山崎佑介, 横田幸恵, 島宏美, 舟窪浩, 内田寛

    第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年9月 

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    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:仙台市  

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  • 放射光時間分解XRDによる強誘電体ナノ構造の電場応答の解明と制御

    山田智明, 舟窪浩, 坂田修身

    第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年9月 

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    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:仙台市  

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  • Sc置換したLiGaO2の強誘電性評価

    安原颯, 中川絢人, 白石貴久, 舟窪浩, 伊藤満, 保科拓也, 鶴見敬章

    日本セラミックス協会第35回秋季シンポジウム  2022年9月 

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    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:徳島市  

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  • 3D形状圧電結晶膜を用いた高周波強力超音波トランスデューサ―の開発とその応用

    石河睦生, 齋藤直, 吉田馨, 相川優人, 肝付兼梧, 田原麻梨江, 黒澤実, 舟窪浩

    日本セラミックス協会第35回秋季シンポジウム  2022年9月 

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    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:徳島市  

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  • MgO単結晶基板上にエピタキシャル成長させたBa(Zr, Ti)O3膜の結晶構造とその温度安定性

    髙橋良, 江原祥隆, 澤井眞也, 濱嵜容丞, 西田謙, 安井伸太郎, 白石貴久, 舟窪浩

    日本セラミックス協会第35回秋季シンポジウム  2022年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:徳島市  

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  • 時間分解X線回折によるPZTのドメインスイッチングにおける周期電場の影響の研究

    清水荘雄, 江原祥隆, 坂田修身, 舟窪浩

    日本物理学会2022年秋季大会 物性  2022年9月 

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    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • Electrical study on ferroelectric Ce doped HfO2 epitaxial thin film capacitors 国際会議

    Felix Cueppers, Koji Hirai, Hiroshi Funakubo

    ISFD-15 (15th International Symposium on Ferroic Domains & Micro- to Nano-scopic Structures)  2022年8月 

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    開催年月日: 2022年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Kofu, Yamanashi  

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  • Domain structure change by applying an electric field in dominantly in-plane-polarized (100)/(001)-oriented tetragonal Pb(Zr,Ti)O3 films 国際会議

    Hiroshi Funakubo, Daichi Ichinose, Yoshitaka Ehara, Takao Shimizu, Osami Sakata, Tomoaki Yamada

    ISFD-15 (15th International Symposium on Ferroic Domains & Micro- to Nano-scopic Structures)  2022年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Kofu, Yamanashi  

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  • Domain Structure and Properties of Epitaxial PbTiO3 Films Deposited below Curie Temperature by Hydrothermal Method 国際会議

    Yuxian Hu, Kazuki Okamoto, Takahisa Shiraishi, Hiroshi Funakubo

    ISFD-15 (15th International Symposium on Ferroic Domains & Micro- to Nano-scopic Structures)  2022年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

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  • Domain Structure Evolution in Tensile-strained (PbxSr1-x)TiO3 Thin Films below 50 nm Thickness 国際会議

    Tomoaki Yamada, Yuto Ota, Xueyou Yuan, Daisuke Ichinose, Yoshitaka Ehara, Takao Shimizu, Masahito Yoshino, Hiroshi Funakubo, Takanori Nagasaki

    ISFD-15 (15th International Symposium on Ferroic Domains & Micro- to Nano-scopic Structures)  2022年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Kofu, Yamanashi  

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  • Experimental discovery of structure-property relationships in ferroelectric materials via active learning: polarization switching and ferroelectric nonlinearities 国際会議

    Yongtao Liu, Kyle P. Kelley, Rama K. Vasudevan, Hiroshi Funakubo, Susan Trolier-McKinstry, Maxim Ziatdinov, Sergei V. Kalinin

    2022 ISAF-PFM-ECAPD Joint Conference  2022年6月 

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    開催年月日: 2022年6月 - 2022年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Tours  

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  • Structural Characterization of Orientation-controlled Epitaxial PbTiO3 Films Deposited below Curie temperature by Hydrothermal Method 国際会議

    Hu Yuxian, Rurika Kubota, Takahisa Shiraishi, Hiroshi Funakubo

    2022 ISAF-PFM-ECAPD Joint Conference  2022年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年6月 - 2022年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Tours  

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  • Observation of Negative Piezoelectricity in HfO2-Based Thin Film Capacitors 国際会議

    Pratyush Buragohain, Sangita Dutta, Haidong Lu, Sebastjan Glinšek, Hugo Aramberri, Claudia Richter, Terrence Mittmann, Pamenas Kariuki, Takanori Mimura, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo, Uwe Schroeder, Emmanuel Defay

    2022 ISAF-PFM-ECAPD Joint Conference  2022年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年6月 - 2022年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Tours  

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  • Domain structure of epitaxial tetragonal (Bi,K)TiO3 films grown below Curie temperature by hydrothermal method 国際会議

    Rurika Kubota, Yoshiharu Ito, Akinori Tateyama, Takahisa Shiraishi, Minoru Kurosawa, Hiroshi Funakubo

    2022 ISAF-PFM-ECAPD Joint Conference  2022年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年6月 - 2022年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Tours  

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  • 新規非ペロブスカイト型強誘電体の開発

    清水荘雄, 舟窪浩, 大橋直樹

    第39回強誘電体応用会議(FMA39)  2022年6月 

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    開催年月日: 2022年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都市  

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  • 局所C-V 曲線の非対称性に関するナノスケールマッピング

    平永良臣, 三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩, 長康雄

    第39回強誘電体応用会議(FMA39)  2022年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都市  

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  • 水熱合成法を用いて種々の合成条件で作製した(Bi,K)TiO3薄膜の結晶構造および電気特性

    窪田るりか, 舘山明紀, 白石貴久, 黒澤実, 舟窪浩, 伊東良晴

    第39回強誘電体応用会議(FMA39)  2022年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都市  

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  • 圧電マイクロカンチレバー上のPZT 膜における電圧印加下時の90°ドメイン構造変化のその場観察

    江原祥隆, 森岡仁, 小林健, 安井伸太郎, 舟窪浩, 西田謙

    第39回強誘電体応用会議(FMA39)  2022年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都市  

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  • 水熱合成法で作製した(K,Na)NbO3厚膜の振動特性及び発電特性の膜厚依存性

    舘山明紀, 伊東良晴, 白石貴久, 折野裕一郎, 黒澤実, 舟窪浩

    第39回強誘電体応用会議(FMA39)  2022年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都市  

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  • (111)配向エピタキシャル(Hf,Ce)O2 膜における強誘電性の組成依存性の調査

    平井浩司, 白石貴久, 山岡和希子, 鶴丸理沙子, 井上ゆか梨, 舟窪浩

    第39回強誘電体応用会議(FMA39)  2022年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都市  

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  • Demonstration of Ferroelectricity of YHO7 Thin Films through Piezoelectric Force Microscopy 国際会議

    Zhongzheng Sun, Shurong Miao, Hiroshi Funakubo, Yutaka Majima

    ISOME 2022 (12th International Symposium on Organic Molecular Electronics)  2022年5月 

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    開催年月日: 2022年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Yokohama  

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  • Observation of Negative Piezoelectricity in HfO2-Based Thin-Film Capacitors 国際会議

    Pratyush P. Buragohain, Sangita Dutta, Haidong Lu, Sebastjan Glinsek, Hugo Aramberri, Claudia Richter, Pamenas Kariuki, Terence Mittmann, Takanori Mimura, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo, Uwe Schroeder, Emmanuel Defay, Jorge Iniguez, Alexei Gruverman

    2022 MRS Spring Meeting & Exhibit  2022年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Honolulu, Hawai’i  

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  • Intrinsic Switching in Ferroelectric Y:HfO2 Thin Film Capacitors 国際会議

    Pratyush P. Buragohain, Adam Erickson, Takanori Mimura, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo, Alexei Gruverman

    2022 MRS Spring Meeting & Exhibit  2022年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Honolulu, Hawai’i  

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  • Establishment of Control Method for Ferroelectric Properties in (Al1-xScx)N Films 国際会議

    Shinnosuke Yasuoka, Ryoichi Mizutani, Reika Ota, Takahisa Shiraishi, Takao Shimizu, Masato Uehara, Hiroshi Yamada, Morito Akiyama, Hiroshi Funakubo

    2022 MRS Spring Meeting & Exhibit  2022年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Honolulu, Hawai’i  

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  • PLD法による(111)配向エピタキシャル(Hf,Ce)O2強誘電体膜の作製とその特性評価

    平井浩司, 白石貴久, 山岡和希子, 鶴丸理沙子, 井上ゆか梨, 舟窪浩

    第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月 

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    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:相模原市  

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  • 水熱法による配向制御されたPbTiO3エピタキシャル膜の低温製膜とその結晶構造評価

    HUYUXIAN, 窪田るりか, 白石貴久, 舟窪浩

    第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月 

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    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:相模原市  

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  • 薄膜化による(Al,Sc)N膜の結晶異方性及び強誘電特性の向上

    安岡慎之介, 水谷涼一, 大田怜佳, 白石貴久, 清水荘雄, 安井伸太郎, 江原祥隆, 西田謙, 上原雅人, 山田浩志, 秋山守人, 今井康彦, 坂田修身, 舟窪浩

    第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:相模原市  

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  • SRO/Pt/Si基板上のTa2O5圧電薄膜の成膜と評価

    松浦佳祐, 鈴木雅視, 垣尾省司, 小寺正徳, 舟窪浩

    第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:相模原市  

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  • 面内配向及び熱歪による(Al,Sc)N薄膜の強誘電特性の制御

    安岡慎之介, 水谷涼一, 大田怜佳, 白石貴久, 清水荘雄, 上原雅人, 山田浩志, 秋山守人, 舟窪浩

    第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:相模原市  

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  • 種々の電極を用いた(Al1-x,Scx)N薄膜の強誘電性評価

    大田怜佳, 安岡慎之介, 水谷涼一, 白石貴久, 舟窪浩

    第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:相模原市  

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  • ドーピングした鉄シリサイド膜のフォトルミネッセンス発光特性

    秋山賢輔, 舟窪浩

    第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:相模原市  

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  • HfO2基強誘電体の相転移における熱履歴

    三村和仙, 清水荘雄, 坂田修身, 舟窪浩

    日本物理学会第77回年次大会  2022年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • Active Learning Driven Automated Scanning Probe Microscopy Enables Discovery of Structure-Property Relationship 国際会議

    Yongtao Liu, Kyle P. Kelley, Rama K. Vasudevan, Hiroshi Funakubo, Susan Trolier-McKinstry, Maxim Ziatdinov, Sergei V. Kalinin

    The 2022 APS March Meeting  2022年3月 

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    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Chicago, IL  

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  • 水熱法を用いた種々の原料投入量比における(Bi,K)TiO3薄膜の合成

    伊東良晴, 窪田るりか, 舘山明紀, 白石貴久, 黒澤実, 舟窪浩

    日本セラミックス協会2022年年会  2022年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • 水熱法を用いてキュリー温度以下で(001), (110), および(111)SrTiO3基板上合成したエピタキシャル(Bi,K)TiO3薄膜のドメイン構造

    窪田るりか, 舘山明紀, 白石貴久, 黒澤実, 舟窪浩, 伊東良晴

    日本セラミックス協会2022年年会  2022年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • SrRuO3/Pt/Si基板上のTa2O5圧電薄膜の成膜と評価

    松浦佳祐, 鈴木雅視, 垣尾省司, 小寺正徳, 舟窪浩

    弾性波素子技術コンソーシアム 第6回総会  2022年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • Pt結晶膜上へのTa2O5圧電薄膜の成膜と評価

    松浦佳祐, 鈴木雅視, 垣尾省司, 小寺正徳, 舟窪浩

    圧電材料・デバイスシンポジウム  2022年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • 水熱合成または高周波スパッタリングにより成膜された (K,Na)NbO3膜のBAW・SAW伝搬特性

    吉澤宗眞, 鈴木雅視, 垣尾省司, 伊東良晴, 舘山明紀, 白石貴久, 舟窪浩, 若林剛, 柴田憲治

    圧電材料・デバイスシンポジウム  2022年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • Nanoscale Domain Dynamics Characterization Using Local C-V Mapping 国際会議

    Hiranaga Y., Mimura T., Shimizu T., Funakubo H., Cho Y.

    ISyDMA’6 (Sixth International Symposium on Dielectric Materials and Applications)  2021年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Calais  

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  • Advancement of electro-optic effect in ferroelectric thin films: controlling classical ferroelectrics and exploring emerging ferroelectrics 国際会議

    T. Yamada, S. Kondo, H. Funakubo, T. Nagasaki

    PacRim 14 (14th Pacific Rim Conference on Ceramic and Glass Technology)  2021年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

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  • Rapid and Low-Temperature Processing for Deposition of (K,Na)NbO3 Thick Films Using Microwave-Assisted Hydrothermal Reaction 国際会議

    Hiroshi Uchida, Masaki Okura, Yoshiharu Ito, Takahisa Shiraishi, Takanori Kiguchi, Toyohiko J. Konno, Hiroshi Funakubo

    MRM 2021 (Materials Research Meeting 2021),  2021年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Yokohama  

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  • Characterization of ferroelectric film in CeO2-HfO2 system 国際会議

    Takahisa Shiraishi, Takanori Kiguchi, Toyohiko J. Konno, Hiroshi Funakubo

    MRM 2021 (Materials Research Meeting 2021)  2021年12月 

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    開催年月日: 2021年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Yokohama  

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  • Ferroelectricity induced by the kinetic formation in Y-HfO2 epitaxial films 国際会議

    Takao Shimizu, Yuki Tashiro, Takanori Mimura, Hiroshi Funakubo

    MRM 2021 (Materials Research Meeting 2021)  2021年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Yokohama  

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  • Temperature dependence of ferroelectricity in (Al1-xScx)N thin films 国際会議

    Ryoichi Mizutani, Shinnosuke Yasuoka, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo

    2021年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Yokohama  

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  • Growth of tetragonal (Bi,K)TiO3 epitaxial films from various input source ratio by hydrothermal method 国際会議

    Rurika Kubota, Akinori Tateyama, Takahisa Shiraishi, Yoshiharu Ito, Minoru Kurosawa, Hiroshi Funakubo

    MRM 2021 (Materials Research Meeting 2021)  2021年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Yokohama  

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  • Electro-optic properties in ferroelectric HfO2-based epitaxial thin films 国際会議

    Shinya Kondo, Reijiro Shimura, Takashi Teranishi, Akira Kishimoto, Takanori Nagasaki, Hiroshi Funakubo, Tomoaki Yamada

    MRM 2021 (Materials Research Meeting 2021)  2021年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Yokohama  

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  • Phase Transition Behavior and Ferroelectric Property of Chemical Solution Deposition-Derived HfO2-ZrO2 Thin Films 国際会議

    Ryohei Okamoto, Hiroshi Funakubo, Hiroshi Uchida

    MRM 2021 (Materials Research Meeting 2021)  2021年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Yokohama  

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  • Control of Ferroelectric Property in (Al1-xScx)N Films Prepared by Sputtering Method 国際会議

    Hiroshi Funakubo, Shinnosuke Yasuoka, Ryoichi Mizutani, Takahisa Shiraishi, Akinori Tateyama, Takao Shimizu, Masato Uehara, Hiroshi Yamada, Morito Akiyama, Yoshiomi Hiranaga, Yasuo Cho

    2021 MRS Fall Meeting & Exhibit  2021年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年11月 - 2021年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Boston, MA  

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  • 強誘電体(Al1-xScx)N薄膜の結晶構造と電気特性の関係

    安岡慎之介, 水谷涼一, 大田怜佳, 白石貴久, 清水荘雄, 上原雅人, 山田浩志, 秋山守人, 舟窪浩

    第41回電子材料研究討論会  2021年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

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  • マイクロ波加熱式水熱プロセスにおける(KxNa1-x)NbO3膜および粉体の析出挙動の解析

    大倉雅貴, 伊東良晴, 白石貴久, 木口賢紀, 今野豊彦, 舟窪浩, 内田寛

    第41回電子材料研究討論会  2021年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • 水熱合成または高周波スパッタリングにより成膜された(K,Na)NbO3膜のSAW伝搬特性

    吉澤宗眞, 鈴木雅視, 垣尾省司, 伊東良晴, 舘山明紀, 舟窪浩, 若林剛, 柴田憲治

    第42回超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム  2021年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • Pt結晶膜上へのTa2O5圧電薄膜の成膜と評価

    松浦佳祐, 鈴木雅視, 垣尾省司, 小寺正徳, 舟窪浩

    第42回超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム  2021年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • HfO2基強誘電体の基礎特性と圧電応用の可能性

    舟窪浩

    第181回電子セラミック・プロセス研究会  2021年10月 

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    開催年月日: 2021年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

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  • Pt結晶膜上へのTa2O5圧電薄膜の成膜と評価

    松浦佳祐, 鈴木雅視, 垣尾省司, 小寺正徳, 舟窪浩

    第50回EMシンポジウム  2021年9月 

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    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • Low temperature preparation of thick Y-HfO2 ferroelectric films 国際会議

    Funakubo, H., Shimura, R., Mimura, T., Tateyama, A., Nakamura, Y., Shimizu, T., Yamada, T., Tanaka, Y., Inoue, Y.

    E-MRS (2021 Fall Meeting of the European Materials Research Society)  2021年9月 

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    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • Field-Induced Structural Change in HfO2-Based Ferroelectric Materials 国際会議

    Shimizu, T., Tashiro Y., Takanori M., Shiraishi T., Kiguchi T., Konno T. J., Sakata O., Funakubo H.

    E-MRS (2021 Fall Meeting of the European Materials Research Society)  2021年9月 

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    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • 変位型強誘電体の最前線

    舟窪浩, 白石貴久, 清水荘雄

    日本物理学会2021年秋季大会 [物性]  2021年9月 

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    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

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  • Evaluation of BAW and SAW Properties of (K,Na)NbO3 Thin Films Deposited by RF Sputtering 国際会議

    Kazuma Yoshizawa, Masashi Suzuki, Shoji Kakio, Yoshiharu Ito, Akinori Tateyama, Hiroshi Funakubo, Tsuyoshi Wakabayashi, Kenji shibata

    IEEE IUS 2021  2021年9月 

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    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • HfO2基強誘電体膜のラマン分光測定

    高橋雄真, 白石貴久, 小寺正徳, 志村礼司郎, 三村和仙, 森分博紀, 田口綾子, 舟窪浩

    第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月 

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    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • 水熱合成法で作製した(K,Na)NbO3厚膜の振動特性及び発電特性の膜厚依存性

    舘山明紀, 伊東良晴, 白石貴久, 折野裕一郎, 黒澤実, 舟窪浩

    第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月 

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    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • Y添加HfO2強誘電体エピタキシャル薄膜の電気光学効果

    近藤真矢, 志村礼司郎, 寺西貴志, 岸本昭, 長崎正雅, 舟窪浩, 山田智明

    第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月 

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    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • 水熱合成法による分極軸配向した(Bi,K)TiO3薄膜の電気特性

    伊東良晴, 舘山明紀, 窪田るりか, 白石貴久, 黒澤実, 舟窪浩

    第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月 

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    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

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  • 正方晶(1-x)(Bi,Na)TiO3- xBaTiO3エピタキシャル膜の結晶構造及び電気的特性の組成依存性

    石濱圭佑, 清水荘雄, 佐藤祐介, 山岡和希子, 鶴丸理沙子, 吉村真太郎, 舟窪浩

    第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月 

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    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • 圧電体および強誘電体薄膜における脱ペロブスカイト構造

    舟窪浩, 白石貴久, 清水荘雄

    第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月 

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    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • 水熱合成(K,Na)NbO3膜のSAW伝搬特性の評価

    吉澤宗眞, 鈴木雅視, 垣尾省司, 伊東良晴, 舘山明紀, 舟窪浩, 若林剛

    第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月 

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    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • 分極軸配向正方晶PZTエピタキシャル膜の圧電評価

    大越春香, 舘山明紀, 白石貴久, 江原祥隆, 西田謙, 舟窪浩

    第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月 

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    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • 水熱合成法を用いて(001), (110), (111)SrTiO3上に製膜した正方晶(Bi,K)TiO3の構造及び強誘電性

    窪田るりか, 舘山明紀, 伊東良晴, 白石貴久, 黒澤実, 舟窪浩

    第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月 

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    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • 局所C-Vマッピングにおける主成分分析によるノイズ除去

    平永良臣, 三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩, 長康雄

    第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月 

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    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • Pt結晶膜上のTa2O5圧電薄膜の成膜とSAW伝搬特性の解析

    松浦佳祐, 鈴木雅視, 垣尾省司, 小寺正徳, 舟窪浩

    第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月 

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    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • 水熱合成法で作製した(K,Na)NbO3膜の圧電特性における方位依存性

    舘山明紀, 伊東良晴, 白石貴久, 折野裕一郎, 黒澤実, 舟窪浩

    第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月 

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    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • 金属基板に堆積した一軸配向(K,Na,Li)(Nb,Ta)O3厚膜の結晶構造および電気特性評価

    白石貴久, 舟窪浩

    第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月 

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    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • MgO単結晶基板上に(100)配向したエピタキシャルBa(ZrxTi1-x)O3薄膜の結晶構造と電気的特性

    高橋良, 江原祥隆, 安井伸太郎, 白石貴久, 舟窪浩, 西田謙

    日本セラミックス協会第34回秋季シンポジウム  2021年9月 

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    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • Development of non-perovskite ferroelectric thin films

    FUNAKUBO Hiroshi, SHIMIZU Takao, SHIRAISHI Takahisa

    日本セラミックス協会第34回秋季シンポジウム  2021年9月 

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    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

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  • マイクロ波加熱式水熱堆積プロセスによるペロブスカイト型ニオブ酸塩配向体の高速成長

    大倉雅貴, 伊東良晴, 白石貴久, 木口賢紀, 今野豊彦, 舟窪浩, 内田寛

    日本セラミックス協会第34回秋季シンポジウム  2021年9月 

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    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • Y-置換HfO2基材料の強誘電性の発現

    清水荘雄, 田代裕貴, 三村和仙, 舟窪浩

    日本セラミックス協会第34回秋季シンポジウム  2021年9月 

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    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • Phase stability of ferroelectric HfO2-based films 国際会議

    Hiroshi Funakubo, Yuki Tashiro, Takanori Mimura, Takao Shimizu

    AWAD 2021 (2021 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices)  2021年8月 

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    開催年月日: 2021年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

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  • Composition dependencies of crystal structure and electrical properties of epitaxial tetragonal (Bi,Na)TiO3-BaTiO3 films 国際会議

    Keisuke Ishihama, Takao Shimizu, Wakiko Yamaoka, Risako Tsurumaru, Shintaro Yoshimura, Yusuke Sato, Hiroshi Funakubo

    STAC12 (The twelfth International conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics)  2021年7月 

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    開催年月日: 2021年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • Crystal structures, microstructures, and electrical properties of hydrothermally-deposited (K,Na,Li)(Nb,Ta)O3 epitaxial films 国際会議

    Takahisa Shiraishi, Hiroshi Funakubo

    STAC12 (The twelfth International conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics)  2021年7月 

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    開催年月日: 2021年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • 面内引張り歪みを持つ正方晶 Pb(Zr, Ti)O3エピタキシャル薄膜の冷却条件によるドメイン構造への影響

    江原祥隆, 一ノ瀬大地, 小寺正徳, 森川友秀, 白石貴久, 清水荘雄, 山田智明, 舟窪浩, 西田謙

    第38回強誘電体会議(FMA 38)  2021年6月 

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    開催年月日: 2021年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • 正方晶 (1-x)(Bi, Na)TiO3-xBaTiO3膜における圧電特性の組成依存性

    石濱圭佑, 舘山明紀, 清水荘雄, 佐藤祐介, 山岡和希子, 鶴丸理沙子, 舟窪浩

    第38回強誘電体会議(FMA 38)  2021年6月 

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    開催年月日: 2021年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • 局所C-V曲線で観るナノスケール強誘電分極反転挙動

    平永良臣, 三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩, 長康雄

    第38回強誘電体会議(FMA 38)  2021年6月 

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    開催年月日: 2021年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • エピタキシャルHfO2基強誘電体薄膜の電気光学特性

    近藤真矢, 志村礼司郎, 舟窪浩, 寺西貴志, 岸本昭, 山田智明

    第38回強誘電体会議(FMA 38)  2021年6月 

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    開催年月日: 2021年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • 水熱合成法 (K, Na)NbO3膜の最適作製条件

    伊東良晴, 舘山明紀, 黒澤実, 内田寛, 白石貴久, 舟窪浩

    第38回強誘電体会議(FMA 38)  2021年6月 

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    開催年月日: 2021年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • 水熱合成法で合成した (K, Na)NbO3膜における圧電特性の周波数依存性

    舘山明紀, 伊東良晴, 白石貴久, 清水荘雄, 黒澤実, 折野裕一郎, 山田智明, 舟窪浩

    第38回強誘電体会議(FMA 38)  2021年6月 

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    開催年月日: 2021年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • Effects of composition and thickness on the domain structure in tensile-strained (PbxSr1-x)TiO3 thin films

    Xueyou Yuan, Yuto Ota, Masahito Yoshino, Takanori Nagasaki, Yoshitaka Ehara, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo, Tomoaki Yamada

    第38回強誘電体会議(FMA 38)  2021年6月 

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    開催年月日: 2021年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • Phase transition in HfO2 ferroelectric materials investigated by XRD study 国際会議

    Shimizu, T., Mimura, T., Tashiro, Y., Sakata, O., Funakubo, H

    E-MRS (2021 Spring Meeting of the European Materials Research Society)  2021年5月 

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    開催年月日: 2021年5月 - 2021年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

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  • Field-induced structural change in HfO2-based ferroelectric materials 国際会議

    Takao Shimizu, Takanori Mimura, Yuki Tashiro, Takanori Kiguchi, Takahisa Shiraishi, Toyohiko J. Konno, Osami Sakata, Hiroshi Funakubo

    2021 ISAF-ISIF-PFM Joint Conference  2021年5月 

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    開催年月日: 2021年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • Downscaling and low temperature deposition of ferroelectric (Al1-xScx)N thin films deposited by dual sputtering 国際会議

    Shinnosuke Yasuoka, Takao Shimizu, Masato Uehara, Hiroshi Yamada, Morito Akiyama, Yoshiomi Hiranaga, Yasuo Cho, Hiroshi Funakubo

    2021 ISAF-ISIF-PFM Joint Conference  2021年5月 

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    開催年月日: 2021年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • Local C-V Characterization for Ferroelectric Films 国際会議

    Yoshiomi Hiranaga, Takanori Mimura, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo, Yasuo Cho

    2021 ISAF-ISIF-PFM Joint Conference  2021年5月 

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    開催年月日: 2021年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • Dynamic Manipulation in Piezoresponse Force Microscopy: Creating Non-Equilibrium Phases with Large Electromechanical Response 国際会議

    Kyle Kelley, Yao Ren, Anna Morozovska, Eugene Eliseev, Yoshitaka Ehara, Hiroshi Funakubo, Thierry Giamarchi, Nina Balke, Rama K. Vasudevan, Ye Cao, Stephen Jesse, Sergei V. Kalinin

    2021 ISAF-ISIF-PFM Joint Conference  2021年5月 

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    開催年月日: 2021年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • Two-step Phase Transition Behavior in Tensile-strained (PbxSr1-x)TiO3 Thin Films below 50 nm Thickness 国際会議

    Tomoaki Yamada, Yuto Ota, Masahito Yoshino, Daisuke Ichinose, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo, Takanori Nagasaki

    2021 ISAF-ISIF-PFM Joint Conference  2021年5月 

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    開催年月日: 2021年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • Film thickness dependence of ferroelectric properties in polar-axis oriented epitaxial (Bi, K)TiO3 films prepared by hydrothermal method 国際会議

    Rurika Kubota, Yoshiharu Ito, Akinori Tateyama, Minoru Kurosawa, Hiroshi Funakubo

    2021 ISAF-ISIF-PFM Joint Conference  2021年5月 

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    開催年月日: 2021年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • Structure Change in the HfO2 Ferroelectric Materials Induced by an Electric Field 国際会議

    Takao Shimizu, Takanori Mimura, Yuki Tashiro, Takahisa Shiraishi, Takanori Kiguchi, Toyohiko J. Konno, Osami Sakata, Yoshio Katsuya, Hiroshi Funakubo

    ICC8 (8th International Congress on Ceramics)  2021年4月 

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    開催年月日: 2021年4月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

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  • Stability and Room Temperature Deposition of Ferroelectric Phase in Y-Doped (Hf, Zr)O2 Films 国際会議

    Hiroshi Funakubo, Takanori Mimura, Reijiro Shimura, Yoshiko Nakamura, Takao Shimizu

    2021 Virtual MRS Spring Meeting & Exhibit  2021年4月 

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    開催年月日: 2021年4月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

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  • 強誘電体材料の最近の発展-脱ペロブスカイト構造を目指して-

    舟窪浩

    透明酸化物光・電子材料第166回委員会 第89回研究会  2021年4月 

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    開催年月日: 2021年4月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • 水熱合成法で作製した分極軸配向(Bi, K)TiO3膜の結晶構造と電気特性評価

    伊東良晴, 舘山明紀, 窪田るりか, 白石貴久, 黒澤実, 舟窪浩

    日本セラミックス協会2021年年会  2021年3月 

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • 水熱合成(K,Na,Li)NbO3厚膜におけるLi置換効果

    白石貴久, 舟窪浩, 木口賢紀, 今野豊彦

    日本セラミックス協会2021年年会  2021年3月 

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • 種々のZr/(Zr+Ti)比を有する分極軸配向正方晶PZTエピタキシャル膜の特性評価

    大越春香, 森川友秀, 舘山明紀, 小寺正徳, 白石貴久, 江原祥隆, 舟窪浩

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月 

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • 種々の格子定数を有するSr(Zr, Ti)O3バッファー層上に製膜したPbTiO3薄膜のドメイン構造に関する検討

    森川 友秀, 小寺 正徳, 清水 荘雄, 江原 祥隆, 舟窪 浩

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月 

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • 0.1CeO2-0.9HfO2膜の電気特性および圧電特性の調査

    白石貴久, 木口賢紀, 今野豊彦, 舟窪浩

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月 

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • 水熱合成(Bi,K)TiO3薄膜作成における原料の影響

    窪田るりか, 舘山明紀, 伊東良晴, 白石貴久, 黒澤実, 舟窪浩

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月 

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • RFスパッタリングにより成膜された(K,Na)NbO3膜のBAW・SAW特性

    吉澤宗眞, 鈴木雅視, 垣尾省司, 伊東良晴, 舘山明紀, 舟窪浩, 若林剛, 柴田憲治

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月 

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • エピタキシャル(Al1-xScx)N膜の作製と強誘電性評価

    安岡慎之介, 清水荘雄, 舟窪浩

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月 

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • 100℃以下で作製した (Bi,K)TiO3薄膜の圧電特性評価

    伊東良晴, 舘山明紀, 窪田るりか, 白石貴久, 黒澤実, 舟窪浩

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月 

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • β-FeSi2/TiO2複合粒子の作製条件と光触媒効果による水分解特性

    秋山賢輔, 本泉佑, 長沼康弘, 舟窪浩, 入江寛

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月 

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • (ScxAl1-x)N薄膜の強誘電性の温度依存性

    水谷涼一, 安岡慎之介, 清水荘雄, 舟窪浩

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月 

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • スパッタリング法によるY-HZO強誘電体厚膜の室温製膜とその電気特性および圧電特性評価

    志村礼司郎, 三村和仙, 舘山明紀, 清水荘雄, 白石貴久, 舟窪浩

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月 

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • Pt結晶膜上へのTa2O5圧電薄膜の成膜と評価

    松浦佳祐, 鈴木雅視, 垣尾省司, 小寺正徳, 舟窪浩

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月 

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • 強誘電体膜における分極反転挙動のナノスケールマッピング

    平永良臣, 三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩, 長康雄

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月 

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • Y2O3-HfO2強誘電体薄膜を搭載したMEMSユニモルフカンチレバーの作製と特性評価

    海老原凌, 吉田慎哉, 志村礼司郎, 舟窪浩, 田中秀治

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • 種々の基板上に成長した正方晶(1-x)(Bi,Na)TiO3-xBaTiO3膜の特性評価

    石濱圭佑, 舘山明紀, 清水荘雄, 佐藤祐介, 山岡和希子, 石田未来, 舟窪浩

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • 水熱合成(K,Na)NbO3膜の電気機械結合係数の評価

    吉澤宗眞, 鈴木雅視, 垣尾省司, 伊東良晴, 舘山明紀, 舟窪浩, 若林剛

    圧電・デバイスシンポジウム2021  2021年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • Thickness and composition dependences of epitaxial ferroelectric HfO2 based films 国際会議

    Takanori Mimura, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo

    EMA2021 (Electronic Materials and Applications 2021)  2021年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • 時間分解XRD測定による周期電界下における菱面体PZTの(111)/(-111)ドメイン構造の観察

    清水荘雄, 江原祥隆, 三村和仙, 安井伸太郎, 山田智明, 今井康彦, 坂田修身, 舟窪浩

    第14回物性科学領域横断研究会(領域合同研究会)  2020年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • 水熱合成(K,Na)NbO3膜の電気機械結合係数の評価 国際会議

    吉澤宗眞, 鈴木雅視, 垣尾省司, 伊東良晴, 舘山明紀, 舟窪浩, 若林剛

    第41回超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム(USE 2020)  2020年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

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  • HfO2基材料における強誘電相生成機構

    清水荘雄, 田代裕貴, 三村和仙, 舟窪浩

    第40回電子材料研究討論会  2020年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • マイクロ波加熱式水熱プロセスにおけるニオブ酸カリウム基膜の堆積挙動の解析

    大倉雅貴, 伊東良晴, 白石貴久, 木口賢紀, 今野豊彦, 舟窪浩, 内田寛

    第40回電子材料研究討論会  2020年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • 正方晶 (1-x)(Bi, Na)TiO3-xBaTiO3膜の評価

    石濱圭佑, 舘山明紀, 佐藤祐介, 山岡和希子, 石田未来, 清水荘雄, 舟窪浩

    第40回電子材料研究討論会  2020年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • マイクロ波加熱式水熱合成によるニオブ酸カリウム膜堆積のプロセス低温化

    大倉雅貴, 伊東良晴, 白石貴久, 木口賢紀, 今野豊彦, 舟窪浩, 内田寛

    第40回電子材料研究討論会  2020年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • 水熱法により作製した(K,Na)NbO3基膜の結晶構造および電気特性の評価

    白石貴久, 佐野真太郎, 伊東良晴, 舘山明紀, 内田寛, 木口賢紀, 舟窪浩, 今野豊彦

    第40回電子材料研究討論会  2020年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • 縦振動を用いた薄膜の正逆圧電応答同時評価法の提案

    舘山明紀, 伊東良晴, 清水荘雄, 折野裕一郎, 黒澤実, 舟窪浩

    第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • 歪フリーなPb(Zrx,Ti1-x)O3薄膜の作製法の検討

    森川友秀, 小寺正徳, 江原祥隆, 清水荘雄, 舟窪浩

    第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • スパッタリング法で室温合成した(Al1-xScx)N膜の強誘電性評価

    安岡慎之介, 清水荘雄, 上原雅人, 山田浩志, 秋山守人, 舟窪浩

    第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • 化学気相堆積法及び水熱合成法を用いた(Bi,K)TiO3薄膜作製の検討

    窪田るりか, 伊東良晴, 黒澤実, 舟窪浩

    第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • 水熱合成法を用いた(Bi,K)TiO3薄膜の低温製膜

    伊東良晴, 舘山明紀, 黄宇, 窪田るりか, 黒澤実, 舟窪浩

    第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • スパッタリング法によるHfO2基強誘電体厚膜のシリコン基板上への室温製膜とその電気特性および圧電特性評価

    志村礼司郎, 三村和仙, 舘山明紀, 清水荘雄, 舟窪浩

    第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • Ca- Mg-Si三元系熱電材料におけるSi含有量変化に伴う導電型の制御

    片桐淳生, 上原睦雄, 黒川満央, 秋山賢輔, 松島正明, 内田寛, 木村好里, 舟窪浩

    第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • 水熱合成(K,Na)NbO3膜の電気機械結合係数の評価

    吉澤宗眞, 鈴木雅視, 垣尾省司, 伊東良晴, 舘山明紀, 舟窪浩, 若林剛

    第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • ReO3構造酸フッ化物薄膜の誘電体応⽤可能性

    小寺正徳, 舟窪浩, 田口綾子, 森分博紀, 清水荘雄

    日本セラミックス協会第33回秋季シンポジウム  2020年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • High stability of Ferroelectric phase in Y-doped HfO2 films 国際会議

    Hiroshi Funakubo, Takanori Mimura, Takao Shimizu

    Electroceramics XVII  2020年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

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  • Formation of Ferroelectric Y-doped HfO2 though Atomic Layer Deposition and Low Temperature Post Annealing 国際会議

    Kazuto Mizutani, Yu Wei Lin, Takuya Hoshii, Hiroshi Funakubo, Hitoshi Wakabayashi, Kazuto Tsutsui, Kuniyuki Kakushima

    2020 VLSI-TSA Symposium (The 2020 International Symposium on VLSI Technology, System and Applications)  2020年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • Domain structure change by applying electric field in dominantly in-plane-polarized (100)/(001)-oriented tetragonal Pb(Zr,Ti)O3 thin film 国際会議

    Hiroshi Funakubo

    IEEE IFCS ISAF 2020 (Joint conference of the IEEE International Frequency Control Symposium & IEEE International Symposium on Applications of Ferroelectrics)  2020年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

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  • Lead-free Potassium-Sodium-Bismuth Titanate Epitaxial Films Synthesized by Hydrothermal Method

    Yu Huang, Yoshiharu Ito, Akinori Tateyama, Minoru Kurosawa, Hiroshi Funakubo

    第37回強誘電体会議(FMA 37)  2020年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • マイクロ波加熱式水熱合成プロセスによるニオブ酸カリウム基厚膜の高速堆積

    大倉雅貴, 伊東良晴, 白石貴久, 木口賢紀, 今野豊彦, 舟窪浩, 内田寛

    第37回強誘電体会議(FMA 37)  2020年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • 格子定数の異なる単結晶基板上に作成したPbTiO3 エピタキシャル薄膜の構造変化

    江原祥隆, 一ノ瀬大地, 中島崇明, 清水荘雄, 山田智明, 舟窪浩, 西田謙

    第37回強誘電体会議(FMA 37)  2020年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • 二次元スパッタリング法により作製した(Al1-xScx)N 薄膜の強誘電特性

    安岡 慎之介, 清水 荘雄, 上原雅人, 山田浩志, 秋山守人, 舟窪 浩

    第37回強誘電体会議(FMA 37)  2020年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • 水熱合成法で作製した自己分極(K,Na)NbO3 膜の正・逆圧電特性評価

    舘山明紀, 伊東良晴, 清水荘雄, 黒澤実, 折野裕一郎, 吉村武, 舟窪浩

    第37回強誘電体会議(FMA 37)  2020年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • Interface engineering of BEOL compatible ferroelectric Y:HfO2 device for enhanced endurance 国際会議

    J. Molina, T. Mimura, Y. Nakamura, T. Shimizu, H. Funakubo, I. Fujiwara, T. Hoshii, S. Ohmi, A. Hori, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, K. Kakushima

    2020 IMW (The 12th International Memory Workshop)  2020年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • ReO3構造を有する酸フッ化物薄膜の誘電特性

    小寺正徳, 田口綾子, 清水荘雄, 森分博紀, 舟窪 浩

    日本セラミックス協会2020年年会  2020年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • 水熱合成由来ニオブ酸カリウム-ナトリウム材料における不純物の分析

    内田寛, 大久保定晃, 白石貴久, 木口賢紀, 今野豊彦, 伊東良晴, 舟窪浩

    日本セラミックス協会2020年年会  2020年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • マイクロ波加熱式水熱合成によるニオブ酸カリウム配向体の堆積

    大倉雅貴, 内田寛, 白石貴久, 木口賢紀, 今野豊彦, 伊東良晴, 舟窪浩

    日本セラミックス協会2020年年会  2020年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • 水熱合成法を用いたエピタキシャル(Bi, K)TiO3薄膜の合成と評価

    伊東良晴, 舘山明紀, 清水荘雄, 黒澤実, 舟窪浩

    日本セラミックス協会2020年年会  2020年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • 面内分極配向したPbTiO3薄膜のa1/a2ドメイン構造の膜厚依存

    江原祥隆, 中島崇明, 一ノ瀬大地, 清水荘雄, 西田謙, 山田智明, 舟窪浩

    第67回応用物理学会春季学術講演会  2020年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • スパッタリング法によるHfO2基強誘電体厚膜の室温製膜とその電気特性評価

    志村礼司郎, 三村和仙, 舘山明紀, 清水荘雄, 舟窪浩

    第67回応用物理学会春季学術講演会  2020年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • 光触媒効果による水分解に向けたルチルTiO2とb-FeSi2との複合粒子合成

    秋山賢輔, 高橋亮, 本泉佑, 舟窪浩, 入江寛

    第67回応用物理学会春季学術講演会  2020年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • PLD法で作製した正方晶(1-x)(Bi,Na)TiO3-xBaTiO3膜の評価

    石濱圭佑, 舘山明紀, 清水荘雄, 佐藤裕介, 山岡和希子, 石田未来, 舟窪浩

    第67回応用物理学会春季学術講演会  2020年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • Bi2SiO5エピタキシャル薄膜の結晶成長に関する検討

    小寺正徳, 清水荘雄, 舟窪浩

    第67回応用物理学会春季学術講演会  2020年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • エピタキシャルHfO2基膜を用いた直方晶相安定化の調査

    三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩

    第67回応用物理学会春季学術講演会  2020年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • (Al1-xScx)N薄膜の強誘電特性に及ぼす製膜条件の影響

    安岡慎之介, 清水荘雄, 上原雅人, 舟窪浩

    第67回応用物理学会春季学術講演会  2020年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • スパッタリング法で作製したGaNおよびSc添加GaN薄膜の強誘電性評価

    上原雅人, 安岡慎之介, 清水荘雄, 山田浩志, 秋山守人, 舟窪浩

    第67回応用物理学会春季学術講演会  2020年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • 水熱合成法で作製した(KxNa1-x)NbO3自己分極膜の縦振動を用いた正逆圧電応答の同時評価

    舘山明紀, 伊東良晴, 清水荘雄, 折野裕一郎, 黒澤実, 舟窪浩

    第67回応用物理学会春季学術講演会  2020年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • マイクロ波加熱式水熱合成プロセスによる(K,Na)NbO3厚膜の堆積

    大倉雅貴, 伊東良晴, 白石貴久, 木口賢紀, 今野豊彦, 舟窪浩, 内田寛

    第67回応用物理学会春季学術講演会  2020年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • Bi2SiO5エピタキシャル薄膜の作製と強誘電性

    小寺正徳, 舟窪浩, 清水荘雄

    第4回元素戦略シンポジウム―産学連携研究新展開―  2020年2月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年2月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • パワーデバイスやIoT用途の誘電体材料の創出

    舟窪浩, 伊藤満, 和田智志, 大橋直樹, 谷口博基, 清水荘雄

    第4回元素戦略シンポジウム―産学連携研究新展開―  2020年2月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年2月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • HfO2基強誘電体の相安定性と厚膜化

    清水荘雄, 三村和仙, 舟窪浩

    第4回元素戦略シンポジウム―産学連携研究新展開―  2020年2月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年2月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • PLD法で作製した正方晶(1-x)(Bi,Na)TiO3-xBiTiO3膜の作製と評価

    石濱圭佑, 舘山明紀, 清水荘雄, 佐藤裕介, 山岡和季子, 石田未来, 舟窪浩

    第58回セラミックス基礎科学討論会  2020年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋市  

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  • HfO2基薄膜のZr, Yドープによる結晶相変化と強誘電相の安定性

    田代裕貴, 三村和仙, 清水荘雄, 勝矢良雄, 坂田修身, 木口賢紀, 白石貴久, 今野豊彦, 舟窪浩

    第58回セラミックス基礎科学討論会  2020年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋市  

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  • 二元同時スパッタリング法によるAl1-xScxN薄膜の作製と強誘電性評価

    安岡慎之介, 清水荘雄, 上原雅人, 舟窪浩

    第58回セラミックス基礎科学討論会  2020年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋市  

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  • MOCVD法で作製した組成相境界近傍組成を有するエピタキシャルPZT膜の結晶構造および圧電性評価

    井上英久, 舘山明紀, 清水荘雄, 舟窪浩

    第58回セラミックス基礎科学討論会  2020年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋市  

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  • 組成相境界近傍組成のPZT膜の電界による構造変化と圧電特性の評価

    舟窪浩, 井上英久, 舘山明紀, 清水荘雄

    東北大学金属材料研究所 共同利用・共同研究ワークショップ 強誘電体関連物質の機能発現に関する構造科学の新展開  2019年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:仙台市  

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  • マイクロ波加熱式水熱合成によるニオブ酸カリウム膜の高速エピタキシャル成長

    大倉雅貴, 内田寛, 白石貴久, 木口賢紀, 今野豊彦, 伊東良晴, 舟窪浩

    東北大学金属材料研究所 共同利用・共同研究ワークショップ 強誘電体関連物質の機能発現に関する構造科学の新展開  2019年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:仙台市  

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  • Dielectric properties of ReO3-type oxyfluorides prepared by hydrothermal synthesis 国際会議

    M. Kodera, A. Taguchi, T. Shimizu, H. Moriwake, H. Funakubo

    MRM2019 (Materials Resezrh Meeting 2019)  2019年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Yokohama  

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  • Phase stability and property control of ferroelectric HfO2 films 国際会議

    Hiroshi Funakubo, Takanori Mimura, Takao Shimizu

    MRM2019 (Materials Resezrh Meeting 2019)  2019年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Yokohama  

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  • The Domain Switching in Rhombohedral PZT Observed by In Situ X-Ray Diffraction Study by Various Frequencies 国際会議

    Takao Shimizu, Yoshitaka Ehara, Takanori Mimura, Shintaro Yasui, Tomoaki Yamada, Yasuhiko Imai, Yoshio Katsuya, Osami Sakata, Hiroshi Funakubo

    2019 MRS Fall Meeting & Exhibi  2019年12月 

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    開催年月日: 2019年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Boston  

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  • Crystal Structure Change with Electric Field for Pb(Zr,Ti)O3 Films with Near Phase Transition Composition Prepared by MOCVD 国際会議

    Hidehisa Inoue, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo

    2019 MRS Fall Meeting & Exhibit,  2019年12月 

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    開催年月日: 2019年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Boston  

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  • Good Step Coverage of Iridium Metal Films by Spray CVD 国際会議

    Kazuhisa Kawano, Yoshiyuki Seki, Yutaka Sawada, Hiroshi Funakubo, Noriaki Oshima

    2019 MRS Fall Meeting & Exhibit  2019年12月 

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    開催年月日: 2019年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Boston  

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  • スパッタリング法を用いたY:HfO2強誘電体厚膜の作製とその電気特性評価

    志村礼司郎, 三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩

    第39回電子材料研究討論会  2019年11月 

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    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋市  

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  • 引張応力下(PbXSr1-X)TiO3薄膜の膜厚がドメイン構造に与える影響

    太田悠登, 山田智明, 吉野正人, 清水荘雄, 舟窪浩, 長崎正雅

    第39回電子材料研究討論会  2019年11月 

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    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:名古屋市  

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  • Lead-free tetragonal ferroelectric material: Bi(Zn1/2Ti1/2)O2-based 国際会議

    Shintaro Yasui, Hiroshi Funakubo

    JK-Ceramics 36 (The 36th International Japan-Korea Seminar on Ceramics)  2019年11月 

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    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Tottori  

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  • Crystal Structure Change of Tetragonal {100}-oriented Pb(Zr,Ti)O3 Films by Poling Process and under Applying Electric Field 国際会議

    Hidehisa Inoue, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo

    19th US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics  2019年11月 

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    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Tsukuba  

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  • In-situ Piezoelectric Response Measurememnts of Lead-free, Bismuth-based Piezoelectric Thin Films 国際会議

    A. Fox, H. Funakubo, B. J. Gibbons

    19th US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics  2019年11月 

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    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Tsukuba  

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  • Preparation and Characterization of Y, Zr-doped HfO2 Thin Film by PLD Method 国際会議

    Yu-ki Tashiro, Takanori Mimura, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo

    19th US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics  2019年11月 

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    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Tsukuba  

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  • Recent Progress on Ferroelectric HfO2 Epitaxial Films 国際会議

    Takao Shimizu, Takanori Mimura, Hiroshi Funakubo

    19th US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics  2019年11月 

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    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Tsukuba  

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  • Stability of Ferroelectric Orthorhombic Phase in Epitaxial HfO2-based Films 国際会議

    Takanori Mimura, Takao Shimizu, Yoshio Katsuya, Osami Sakata, Hiroshi Funakubo

    19th US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics  2019年11月 

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    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Tsukuba  

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  • Hydrothermal deposition of epitaxial (K,Na,Li)(Nb,Ta)O3 films 国際会議

    Takahisa Shiraishi, Yoshiharu Ito, Akinori Tateyama, Takanori Kiguchi, Hiroshi Uchida, Hiroshi Funakubo, Toyohiko. J. Konno

    PACRIM13 (The 13th Pacific Rim Conference of Ceramic Societies)  2019年10月 

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    開催年月日: 2019年10月 - 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Okinawa  

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  • The phase stability and epitaxial growth of HfO2-based ferroelectric materials 国際会議

    Takao Shimizu, Takanori Mimura, Hiroshi Funakubo

    PACRIM13 (The 13th Pacific Rim Conference of Ceramic Societies)  2019年10月 

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    開催年月日: 2019年10月 - 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Okinawa  

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  • Low-temperature deposition of potassium niobate films by microwave-assisted hydrothermal process 国際会議

    Masaki Okura, Takahisa Shiraishi, Yoshiharu Ito, Takanori Kiguchi, Minoru Kurosawa, Toyohiko J. Konno, Hiroshi Funakubo, Hiroshi Uchida

    PACRIM13 (The 13th Pacific Rim Conference of Ceramic Societies)  2019年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年10月 - 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Okinawa  

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  • Nanodomain Structure of Ferroelectric HfO2-Based Epitaxial Thin Films 国際会議

    Takanori Kiguchi, Takahisa Shiraishi, Takanori Mimura, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo, Toyohiko J. Konno

    PACRIM13 (The 13th Pacific Rim Conference of Ceramic Societies)  2019年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年10月 - 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Okinawa  

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  • Preparation of ferroelecttic HfO2 film with a nm-order thickness 国際会議

    Takao Shimizu, Takanori Mimura, HIROSHI FUNAKUBO

    CJFMA11 (The 11th China and Japan Symposium on Ferroelectric Materials and TheirApplications)  2019年9月 

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    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nanjing  

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  • Preparation and characterization of Y, Zr-doped HfO2 thin films by PLD method 国際会議

    Yu-ki Tashiro, Takanori Mimura, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo

    CJFMA11 (The 11th China and Japan Symposium on Ferroelectric Materials and TheirApplications)  2019年9月 

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    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nanjing  

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  • HfO2基薄膜の電界誘起相転移

    田代裕貴, 三村和仙, 清水荘雄, 勝矢良雄, 坂田修身, 木口賢紀, 白石貴久, 今野豊彦, 舟窪浩

    第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年9月 

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    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:札幌市  

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  • スパッタリング法を用いたY: HfO2強誘電体膜の室温成膜

    三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩

    第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年9月 

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    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:札幌市  

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  • (K,Na)(Nb,Ta)O3厚膜の結晶構造および電気特性の調査

    白石貴久, 舘山明紀, 伊東良晴, 木口賢紀, 内田寛, 舟窪浩, 今野豊彦

    第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年9月 

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    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:札幌市  

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  • 組成相境界近傍組成のPZT膜の電界による構造変化と圧電性の評価

    井上英久, 清水荘雄, 舟窪浩

    第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年9月 

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    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:札幌市  

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  • リン(P)ドーピングした鉄シリサイドのPL発光特性

    秋山賢輔, 野島咲子, 高橋亮, 舟窪浩

    第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年9月 

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    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:札幌市  

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  • (PbxSr1-x)TiO3薄膜における組成及び膜厚がドメイン構造に及ぼす影響

    太田悠登, 山田智明, 吉野正人, 清水荘雄, 舟窪浩, 長崎正雅

    第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:札幌市  

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  • 水熱合成法で作製した(KxNa1-x)NbO3自己分極膜の圧電特性の評価

    舘山明紀, 伊東良晴, 清水荘雄, 折野裕一郎, 黒澤実, 吉村武, 舟窪浩

    第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:札幌市  

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  • Thickness- and orientationdependence of Curie temperature of ferroelectric epitaxial HfO2 based films 国際会議

    T. Mimura, T. Shimizu, Y. Katsuya, O. Sakata, H. Funakubo

    SSDM 2019 (2019 International Conference on Solid State Devices and Materials)  2019年9月 

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    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Aichi  

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  • Nanostructure Analyses of Hafnia-Based Ferroelectric Thin Films by Aberration-Corrected Electron Microscopy 国際会議

    Takanori Kiguchi, Takahisa Shiraishi, Takanori Mimura, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo, Toyohiko J. Konno

    PRICM 10 (The 10th International Conference Pacific Rim on Advanced Materials and Processing)  2019年8月 

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    開催年月日: 2019年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Xi’an  

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  • Fundamental Characteristics of Ferroelectric HfO2 Using Epitaxial Films 国際会議

    Hiroshi Funakubo, Takanori Mimura, Takao Shimizu

    Asia-Pacific PFM 2019  2019年8月 

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    開催年月日: 2019年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Seoul  

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  • Thickness-dependent crystal structure of epitaxial ferroelectric 0.07YO1.5-0.93HfO2 and HZO films 国際会議

    Takanori Mimura, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo

    ISIF 2019 (7th International Symposium on Intagrated Functionalities)  2019年8月 

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    開催年月日: 2019年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Dublin  

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  • Ferroelectricity in thick HfO2-based films 国際会議

    Takao Shimizu, Takanori Mimura, Hiroshi Funakubo

    ISIF 2019 (7th International Symposium on Intagrated Functionalities)  2019年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Dublin  

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  • Pb-free perovskite thin films nad their piezoelectricity at MPB 国際会議

    Shintaro Yasui, Hiroshi Funakubo

    Asia-Pacific PFM 2019  2019年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Seoul  

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  • 水熱合成法で作製した自己配向性(K,Na)NbO3厚膜の作製と評価

    舟窪 浩, 伊東 良晴, 舘山 明紀, 清水 荘雄, 黒澤 実, 内田 寛, 白石 貴久

    日本ゾル-ゲル学会 第17回討論会  2019年8月 

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    開催年月日: 2019年8月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:東京都  

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  • Enhancement of piezoelectric response in {100}-oriented films using extrinsic contribution 国際会議

    Hiroshi Funakubo, Naoya Oshima, Hidehisa Inoue, Yoshitaka Ehara, Takao Shimizu, Hiroshi Uchida

    GFMAT-2/Bio-4 (2nd Global Forum on Advanced Materials and Technologies for Sustainable Development / 4th International Conference on Innovations in Biomaterials, Biomanufacturing, and Biotechnologies)  2019年7月 

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    開催年月日: 2019年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Toronto  

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  • Preparation of Mg2Si-based thin films and these properties 国際会議

    A. Katagiri, M. Uehara, T. Shimizu, M. Matsushima, K. Akiyama, H. Uchida, Y. Kimura, H. Funakubo

    APAC-SILICIDE 2019 (The Fifth Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials)  2019年7月 

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    開催年月日: 2019年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Miyazaki  

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  • Characterization of Piezoelectric Coefficient E31, F for {100}-Oriented (K, Na)NbO3 Films Prepared by Hydrothermal Method 国際会議

    Akinori Tateyama, Yoshiharu Ito, Yoshiko Nakamura, Takao Shimizu, Yuichiro Orino, Minoru Kurosawa, Hiroshi Uchida, Takahisa Shiraishi, Takanori Kiguchi, Toyohiko Konno, Nobuhiro Kumada, Takeshi Yoshimura, Hiroshi Funakubo

    F2cπ2 2019 (Joint ISAF-ICE-EMF-IWPM-PFM meeting 2019)  2019年7月 

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    開催年月日: 2019年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Lausanne  

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  • Robust Ferroelectricity in Y-Doped HfO2 Films 国際会議

    Takao Shimizu, Takanori Mimura, Hiroshi Funakubo

    F2cπ2 2019 (Joint ISAF-ICE-EMF-IWPM-PFM meeting 2019)  2019年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Lausanne  

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  • Crystal Structure Change with Applying an Electric Filed in Pb(Zr, Ti)O3 Films for MEMS Applications 国際会議

    Hiroshi Funakubo, Naoya Ohshima, Hidehisa Inoue, Yoshitaka Ehara, Takao Shimizu, Hiroshi Uchida

    F2cπ2 2019 (Joint ISAF-ICE-EMF-IWPM-PFM meeting 2019)  2019年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Lausanne  

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  • Piezoelectric Responses in Tetragonal (Bi, Na)TiO3-BaTiO3 Films 国際会議

    Miyu Hasegawa, Takao Shimizu, Yusuke Sato, Wakiko Yamaoka, Mirai Ishida, Hiroshi Funakubo

    F2cπ2 2019 (Joint ISAF-ICE-EMF-IWPM-PFM meeting 2019)  2019年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年7月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Lausanne  

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  • Robust ferroelectricity in thick HfO2-based film 国際会議

    Takao Shimizu, Takanori Mimura, Hiroshi funakubo

    STAC-11 (The 11th International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics)  2019年7月 

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    開催年月日: 2019年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Tsukuba  

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  • The Crystallographic Origin of Giant Negative Piezoelectricity in a Layered Ferroelectric 国際会議

    Samuel Alexander Morris, Lu You, Apoorva Chaturvedi, Yang Zhang, Shaung Zhou, Fucai Liu, Lei Chang, Daichi Ichinose, Hiroshi Funakubo, Weijin Hu, Tom Wu, Zheng Liu, Shuai Dong, Junling Wang

    ICMAT 2019 (10th International Conference on Materials for Advanced Technologies)  2019年6月 

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    開催年月日: 2019年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Singapore  

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  • Property Control of Ferroelectric HfO2 Films 国際会議

    Hiroshi Funakubo, Takanori Mimura, Takao Shimizu

    EM-NANO 2019 (The Seventh International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies)  2019年6月 

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    開催年月日: 2019年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Nagano  

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  • STEM-EELS法によるHfO2薄膜の結晶相・配向性の評価

    木口賢紀, 白石貴久, 三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩, 今野豊彦

    日本顕微鏡学会第75回学術講演会  2019年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋市  

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  • NiSi2 as a Promotor of Ferroelectricity in Si-doped HfO2 Thin Films after Low-Thermal Budget Processing 国際会議

    Joel Molina-Reyes, Haruki Iwatsuka, Takuya Hoshii, Shun-Ichiro Ohmi, Hiroshi Funakubo, Atsushi Hori, Ichiro Fujiwara, Hitoshi Wakabayashi, Kazuo Tsutsui, Kuniyuki Kakushima

    VLSI 2019 (2019 Symposia on VLSI Technology and Circuits)  2019年6月 

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    開催年月日: 2019年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Kyoto  

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  • 水熱合成法による(K,Na,Li)(Nb,Ta)O3膜の作製とその結晶構造および電気特性の評価

    白石貴久, 舘山明紀, 伊東良晴, 木口賢紀, 内田寛, 黒澤実, 舟窪浩, 今野豊彦

    第36回強誘電体応用会議  2019年5月 

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    開催年月日: 2019年5月 - 2019年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都市  

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  • MOCVD法で作製した組成相境界近傍組成PZT膜の電界下X線回折測定

    井上英久, 清水荘雄, 舟窪浩

    第36回強誘電体応用会議  2019年5月 

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    開催年月日: 2019年5月 - 2019年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都市  

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  • 水熱合成法を用いた(K,Na)NbO3膜の原料の高効率化

    伊東良晴, 舘山明紀, 中村美子, 清水荘雄, 黒澤実, 舟窪浩, 内田寛, 白石貴久, 木口賢紀, 今野豊彦, 熊田伸弘

    第36回強誘電体応用会議  2019年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年5月 - 2019年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都市  

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  • PLD法を用いて作製したBi2SiO5エピタキシャル薄膜の強誘電特性

    小寺正徳, 清水荘雄, 舟窪浩

    第36回強誘電体応用会議  2019年5月 

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    開催年月日: 2019年5月 - 2019年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都市  

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  • PLD法による(Bi,K)TiO3-Bi(Mg,Ti)O3系エピタキシャル圧電薄膜の作製と評価

    森下純平, 佐藤祐介, 舟窪浩

    第36回強誘電体応用会議  2019年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年5月 - 2019年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都市  

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  • 一軸配向(BaSr)TiO3薄膜を用いた電気特性の結晶方位依存性評価

    内山潔, 大島直也, 江原祥隆, 及川貴弘, 田中宏樹, 内田寛, 舟窪浩

    第36回強誘電体応用会議  2019年5月 

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    開催年月日: 2019年5月 - 2019年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都市  

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  • Enhancement of Piezoelectric Response in (100) -oriented Films using Extrinsic Contribution 国際会議

    H. Funakubo, N. Oshima, H. Inoue, Y. Ehara, T. Shimizu, H. Uchida

    2019 IWATMD (2019 International Workshop on Acoustic Transduction Materials and Devices)  2019年5月 

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    開催年月日: 2019年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:PA  

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  • 直方晶相ハフニア薄膜におけるドメイン構造

    木口賢紀, 白石貴久, 三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩, 今野豊彦

    日本セラミックス協会2019年年会  2019年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • 水熱合成(K,Na)(Nb,Ta)O3 の製膜機構の調査

    白石貴久, 武藤優太, 木口賢紀, 今野豊彦, 舘山明紀, 伊東良晴, 舟窪浩, 内田寛

    日本セラミックス協会2019年年会  2019年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • 水熱合成法を用いたReO3構造を有する酸フッ化物薄膜の作製と誘電特性評価

    小寺正徳, 清水荘雄, 舟窪浩

    日本セラミックス協会2019年年会  2019年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • 半導体複合粒子による水分解用光触媒の作製

    秋山賢輔, 野島咲子, 高橋亮, 舟窪浩, 入江寛

    半導体複合粒子による水分解用光触媒の作製  2019年3月 

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    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神戸市  

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  • 水熱合成法で作製した(K,Na)NbO3配向膜の圧電定数,e31,f, の評価

    舘山明紀, 伊東良晴, 中村美子, 清水荘雄, 折野裕一郎, 黒澤実, 内田寛, 白石貴久, 木口賢紀, 今野豊彦, 熊田伸弘, 吉村 武, 舟窪浩

    第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年3月 

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    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • 共スパッタ法で作製したBaxSr1-xSi2膜の熱電特性

    青山航大, 清水荘雄, 倉持豪人, 召田雅実, 秋池良, 井出啓介, 片瀬貴義, 神谷利夫, 木村好里, 舟窪浩

    第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年3月 

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    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • スパッタリング法により配向制御したHfO2基強誘電体厚膜の作製およびその電気特性評価

    志村礼司郎, 三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩

    第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年3月 

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    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • 光触媒効果による水分解に向けたSiCとβ-FeSi2半導体との複合粒子合成

    秋山賢輔, 野島咲子, 高橋亮, 舟窪浩, 入江寛

    第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年3月 

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    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • 共スパッタ法で作製したBaxSr1-xSi2膜の熱電特性

    青山航大, 清水荘雄, 倉持豪人, 召田雅実, 秋池良, 井出啓介, 片瀬貴義, 神谷利夫, 木村好里, 舟窪浩

    第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年3月 

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    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • 組成相境界近傍組成を有するPZT膜の電界下X線回折測定

    井上 英久, 一ノ瀬大地, 清水荘雄, 舟窪浩

    第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年3月 

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    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • PLD法を用いたY, ZrドープHfO2薄膜の作製と評価

    田代裕貴, 三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩

    第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年3月 

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    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • 強誘電体(Hf,Ce)O2薄膜の作製とその結晶構造評価

    白石貴久, Choi Sujin, 清水荘雄, 木口賢紀, 舟窪浩, 今野豊彦

    第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年3月 

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    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • Preferential crystal growth of BaTiO3 thick film using nanosheet templates interface layer 国際会議

    K. Murase, T. Shiraishi, T. Kiguchi, T. J. Konno, H. Funakubo, H. Uchida

    EMA 2019 (Electronic Materials and Applications 2019)  2019年1月 

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    開催年月日: 2019年1月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Orlando, FL  

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  • Ferroelectric HfO2 thin films with abundant dopants 国際会議

    S. Nakayama, H. Funakubo, H. Uchida

    EMA 2019 (Electronic Materials and Applications 2019)  2019年1月 

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    開催年月日: 2019年1月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Orlando, FL  

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  • PLD法を用いたY, ZrドープHfO2薄膜の作製と評価

    田代裕貴, 三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩

    第57回セラミックス基礎科学討論会  2019年1月 

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    開催年月日: 2019年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:仙台市  

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  • 共スパッタ法で作製したBaxSr1-xSi2膜の作製と熱電特性評価

    青山航大, 清水荘雄, 倉持豪人, 召田雅実, 秋池良, 井出啓介, 片瀬貴義, 神谷利夫, 木村好里, 舟窪浩

    第57回セラミックス基礎討論会  2019年1月 

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    開催年月日: 2019年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:仙台市  

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  • 正方晶(Bi,Na)TiO3-BaTiO3膜の90°ドメインスイッチングによる圧電特性

    長谷川光勇, 清水荘雄, 佐藤祐介, 山岡和希子, 石田未来, 舟窪浩

    2019年1月 

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    開催年月日: 2019年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:仙台市  

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  • 組成相境界近傍組成のPZT膜のMOCVD合成とその圧電性評価

    井上英久, 一ノ瀬大地, 清水荘雄, 舟窪浩

    第57回セラミックス基礎科学討論会  2019年1月 

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    開催年月日: 2019年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:仙台市  

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  • HfO2基薄膜の相安定性と機能発現

    清水荘雄, 三村和仙, 舟窪浩

    第57回セラミックス基礎討論会  2019年1月 

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    開催年月日: 2019年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:仙台市  

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  • 共スパッタ法で作製したBaxSr1-xSi2膜の作製と熱電特性評価

    青山航大, 清水荘雄, 倉持豪人, 召田雅実, 秋池良, 井出啓介, 片瀬貴義, 神谷利夫, 木村好里, 舟窪浩

    第57回セラミックス基礎討論会  2019年1月 

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    開催年月日: 2019年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:仙台市  

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  • Synthesis of functional inorganic materials for energy issues

    Masanori Kodera, Hiroshi Funakubo

    第1回若手研究者ワークショップ「材料科学の新領域を切り拓く」  2018年12月 

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    開催年月日: 2018年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:草津市  

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  • Composition Dependency of Thermoelectric Properties in Ca-Mg-Si System Using Thin Films Prepared by RF Magnetron Sputtering Method 国際会議

    Hiroshi Funakubo, Mutsuo Uehara, Mao Kurokawa, Atsuo Katagiri, Kensuke Akiyama, Takao Shimizu, Masaaki Matsusima, Hiroshi Uchida, Yoshisato Kimura

    2018 MRS Fall Meeting  2018年11月 

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    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Boston  

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  • Synthesis and Photocatalytic Properties of Semiconducting Composite Powder 国際会議

    Kensuke Akiyama, Sakiko Nojima, Ryo Takahashi, Hiroshi Funakubo, Hiroshi Irie

    2018 MRS Fall Meeting  2018年11月 

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    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Bostom  

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  • Fabrication of Ferroelectric CeO2-HfO2 Solid Solution Thin Films and Their Characterization 国際会議

    Takahisa Shiraishi, Sujin Choi, Takao Shimizu, Takanori Kiguchi, HIROSHI FUNAKUBO, Toyohiko Konno

    2018 MRS Fall Meeting  2018年11月 

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    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Boston  

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  • Growth of Orientation-Controlled (K,Na)NbO3 Thick Films at 240oC by Hydrothermal Method and Their Piezoelectric Applications 国際会議

    Hiroshi Funakubo, Akinori Tateyama, Yoshiharu Ito, Yoshiko Nakamura, Takao Shimizu, Yuichiro Orino, Minoru Kurosawa, Hiroshi Uchida, Takahisa Shiraishi, Takanori Kiguchi, Toyohiko Konno, Nobuhiro Kumada

    2018 MRS Fall Meeting  2018年11月 

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    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Boston  

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  • Characterization Crystal Phase and Thermoelectric Properties of Thin Film SrSi2 国際会議

    Kodai Aoyama, Takao Shimizu, Hideto Kuramochi, Masami Mesuda, Ryo Akiike, Yoshisato Kimura, Hiroshi Funakubo

    2018 MRS Fall Meeting  2018年11月 

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    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Boston  

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  • 水熱法で作製する非鉛圧電体圧膜

    舟窪浩, 舘山明紀, 伊東良晴, 中村美子, 折野裕一郎, 黒澤実, 清水荘雄, 内田寛, 白石貴久, 木口賢紀, 今野豊彦, 石河睦生, 熊田伸弘

    第21回日本セラミックス協会北陸支部秋季研究発表会  2018年11月 

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    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:富山市  

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  • 水熱法による(K,Na)(Nb,Ta)O3合成メカニズムの調査

    武藤優太, 白石貴久, 舘山明紀, 伊東良晴, 木口賢紀, 内田寛, 舟窪浩, 今野豊彦

    第17回日本金属学会東北支部研究発表大会  2018年11月 

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    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:盛岡市  

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  • 水熱合成法による (KxNa1-x)NbO3厚膜のフレキシブル基材への製膜

    伊東良晴, 舘山明紀, 中村美子, 清水荘雄, 黒澤実, 舟窪浩, 内田寛, 白石貴久, 木口賢紀, 今野豊彦, 熊田伸弘, 石河睦生

    第38回エレクトロセラミックス研究討論会  2018年11月 

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    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:川崎市  

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  • HfO2基強誘電体厚膜の作製と電気特性制御

    清水荘雄, 三村和仙, 舟窪浩

    2018年度セラミックス総合研究会  2018年11月 

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    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:千歳市  

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  • 水熱合成法を用いたKNN膜の合成と物性

    伊東良晴, 舘山明紀, 中村美子, 清水荘雄, 黒澤実, 舟窪浩, 内田寛, 白石貴久, 木口賢紀, 今野豊彦, 熊田伸弘, 石河睦生

    第54回熱測定討論会  2018年10月 

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    開催年月日: 2018年10月 - 2018年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:横浜市  

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  • Phase Stability of HfO2-based Ferroelectric Materials and Their Property Control 国際会議

    Hiroshi Funakubo, Takao Shimizu, Takanori Mimura

    2018 KPS Fall Meeting  2018年10月 

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    開催年月日: 2018年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Changwon  

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  • ゾルゲル法で作成したLa doped PbTiO3薄膜の結晶化時間に対する結晶構造及び電気特性の相関

    沼野覇豪, 西出正道, 牧野碧, 西田謙, 内田寛, 舟窪浩

    第34回日本セラミックス協会関東支部 研究発表会  2018年9月 

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:桐生市  

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  • (111)SrRuO3/SrTiO3基板上に成長したエピタキシャルPZT膜の膜厚方向に対する結晶構造変化

    西出正道, 河東田隆, 西田謙, 舟窪浩

    第34回日本セラミックス協会関東支部 研究発表会  2018年9月 

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:桐生市  

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  • Preparation of Orientation-controlled (K, Na)NbO3 Thick Films by Hydrothermal Method and Their Properties 国際会議

    Hiroshi Funakubo, Akinori Tateyama, Yoshiharu Ito, Takao Shimizu, Yoshiko Nakamura, Minoru Kurosawa, Hiroshi Uchida, Takanori Kiguchi, Takahisa Shiraishi, Toyohiko J. Konno, Mutsuo Ishikawa

    The 10th China-Japan Symposium on Ferroelectric Materials and Their Applications  2018年9月 

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    開催年月日: 2018年9月

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Inuyama  

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  • MOCVD合成したβ-FeSi2薄膜におけるエネルギーバンド変調

    秋山賢輔, 野島咲子, 高橋亮, 舟窪浩

    第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年9月 

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋市  

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  • 水熱合成(K,Na,Li)NbO3膜の結晶構造と電気特性調査

    白石貴久, 武藤優太, 舘山明紀, 伊東良晴, 木口賢紀, 内田寛, 舟窪浩, 今野豊彦

    第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年9月 

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋市  

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  • PLD法を用いた(Bi,Na)TiO3-BaTiO3系厚膜の作製とその特性評価

    長谷川光勇, 清水荘雄, 佐藤祐介, 山岡和希子, 石田未来, 舟窪浩

    第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋市  

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  • 時間分解放射光X線回折を用いた菱面体晶 PZTにおける非180˚ドメインスイッチングの周波数応答 特性の評価

    清水荘雄, 江原祥隆, 三村和仙, 安井伸太郎, 山田智明, 今井康彦, 勝矢良雄, 坂田修身, 舟窪浩

    第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年9月 

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋市  

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  • 水熱合成法によるTa置換(K,Na)NbO3膜の低温合成

    武藤優太, 白石貴久, 木口賢紀, 今野豊彦, 舘山明紀, 伊東良晴, 黒澤実, 舟窪浩, 内田寛, 石河睦生

    第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年9月 

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋市  

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  • 水熱合成法で作製した(K,Na)NbO3配向膜の圧電特性評価

    舘山明紀, 伊東良晴, 中村美子, 清水荘雄, 折野裕一郎, 黒澤実, 内田寛, 白石貴久, 木口賢紀, 今野 豊彦, 石河睦生, 熊田伸弘, 舟窪浩

    第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋市  

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  • HfO2基強誘電体の相安定性と特性制御

    舟窪浩, 清水荘雄, 三村和仙

    第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年9月 

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:名古屋市  

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  • スパッタリング法によるHfO2基強誘電体の厚膜化とその電気特性評価

    志村礼司郎, 三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩

    第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋市  

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  • S T E M - E E L S 法による直方晶相ハフニア薄膜の結晶構造評価

    木口賢紀, 白石貴久, 三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩, 今野豊彦

    第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年9月 

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋市  

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  • Exact distributed-parameter analysis of piezoelectricity dependence on the resonance output power of a piezoelectric bimorph cantilever energy harvester 国際会議

    Minoru Kuribayashi Kurosawa, Yuichiro Orino, Yoshiharu Ito, Hiroshi Funakubo

    IWPMA2018  2018年9月 

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Kobe  

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  • 振動発電用圧電バイモルフの機械的損失係数による影響の解析

    黒澤実, 折野裕一郎, 伊東良晴, 舟窪浩

    2018年電子情報通信学会ソサイエティ大会  2018年9月 

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:石川県  

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  • Effects of heat treatment and in situ high temperature XRD study on the formation of ferroelectric epitaxial HfO2 based film 国際会議

    Takanori Mimura, Takao Shimizu, Takanori Kiguchi, Akihiro Akama, Toyohiko J. Konno, Yoshio Katsuya, Osami Sakata, Hiroshi Funakubo

    SSDM 2018 (2018 International Conference on Solid State Devices and Materials)  2018年9月 

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Tokyo  

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  • Growth of epitaxial Y2O3-doped ferroelectric HfO2 films by sputtering method and their characterization 国際会議

    Taisei Suzkuki, Takanori Mimura, Takao Shimizu, Hiroshi Uchida, Hiroshi Funakubo

    SSDM 2018 (2018 International Conference on Solid State Devices and Materials)  2018年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Tokyo  

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  • 水熱合成(K,Na)NbO3 膜の厚膜化の検討

    舟窪浩, 舘山明紀, 伊東良晴, 中村美子, 折野裕一郎, 黒澤実, 清水荘雄, 内田寛, 白石貴久, 木口賢紀, 今野豊彦, 石河睦生, 熊田伸弘

    日本セラミックス協会 第31回秋季シンポジウム  2018年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋市  

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  • パルスレーザー堆積法による圧電Pb(Zr,Ti)O3ナノロッドの成長および物性制御

    山田智明, 岡本一輝, 坂田修身, 舟窪浩, 吉野正人, 長崎正雅

    日本セラミックス協会 第31回秋季シンポジウム  2018年9月 

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋市  

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  • 直方晶相ハフニア薄膜のドメイン構造の電子エネルギー損失分光

    木口賢紀, 崔瓍珍, 白石貴久, 三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩, 今野豊彦

    日本セラミックス協会 第31回秋季シンポジウム  2018年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋市  

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  • マイクロ波加熱式水熱合成プロセスによるニオブ酸カリウム-ナトリウム膜の堆積と組成制御

    内田寛, 白石貴久, 木口賢紀, 赤間章裕, 今野豊彦, 石河睦生, 伊東良晴, 黒澤実, 舟窪浩

    日本セラミックス協会 第31回秋季シンポジウム  2018年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋市  

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  • 水熱合成法による(K,Na,Li)NbO3膜の低温作製

    白石貴久, 武藤優太, 木口賢紀, 今野豊彦, 舘山明紀, 伊東良晴, 黒澤実, 舟窪浩, 内田寛, 石河睦生

    日本セラミックス協会 第31回秋季シンポジウム  2018年9月 

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋市  

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  • Fabrication and evaluation of (Bi, Na)TiO3-BaTiO3 based thin film by using PLD method 国際会議

    Miyu Hasegawa, Takao Shimizu, Yusuke Sato, Wakiko Yamaoka, Mirai Ishida, Hiroshi Uchida, Hiroshi Funakubo

    12th Japan-Korea Conference on Ferroelectrics  2018年8月 

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    開催年月日: 2018年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Nara  

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  • Phase transition and ferroelectric property of Ca doped HfO2 thin films 国際会議

    S. Nakayama, H. Funakubo, H. Uchida

    12th Japan-Korea Conference on Ferroelectrics  2018年8月 

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    開催年月日: 2018年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Nara  

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  • Growth of Mg-Ca-Si thick flms by RF sputtering method and their thermoelectric property 国際会議

    Hiroshi Funakubo, Mutsuo Uehara, Mao Kurokawa, Atsuo Katagiri, Kensuke Akiyama, Takao Shimizu, Masaaki Matsusima, Hiroshi Uchida, Yoshisato Kimura

    ICT 2018 (2018 International and European Conference on Thermoelectrics)  2018年7月 

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    開催年月日: 2018年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Caen  

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  • MOCVD growth of Luminescent β-FeSi2 Film on Treated Si Surface by Silver 国際会議

    Kensuke Akiyama, Ryo Takahashi, Yoshihisa Matsumoto, Hiroshi Funakubo

    ICMOVPE-ⅩⅨ (19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy)  2018年6月 

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    開催年月日: 2018年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nara  

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  • In-situ Piezoelectric Response Measurements of Lead-free, Bismuth-based Piezoelectric Thin Films 国際会議

    A. Fox, H. Funakubo, B. J. Gibbons

    IFAAP 2018 (2018 ISAF-FMA-AMF-AMEC-PFM Joint Conference)  2018年5月 

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    開催年月日: 2018年5月 - 2018年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Hiroshima  

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  • Temperature Stability of Ferroelectric Phase of Epitaxial Y-doped HfO2 Films 国際会議

    T. Mimura, T. Shimizu, T. Kiguchi, A. Akama, T. J. Konno, Y. Katsuya, O. Sakata, H. Funakubo

    IFAAP 2018 (2018 ISAF-FMA-AMF-AMEC-PFM Joint Conference)  2018年5月 

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    開催年月日: 2018年5月 - 2018年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Hiroshima  

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  • Charge Screening Strategy for Controlling Domain Structure and Piezoelectric Property in Ferroelectric Nano-Rods 国際会議

    T. Yamada, D. Ito, T. Sluka, O. Sakata, H. Funakubo, T. Namazu, M. Yoshino, N. Setter, T. Nagasaki

    IFAAP 2018 (2018 ISAF-FMA-AMF-AMEC-PFM Joint Conference)  2018年5月 

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    開催年月日: 2018年5月 - 2018年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Hiroshima  

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  • Fabrication of CeO2-ZrO2 Solid Solution Ultrathin Films with Polar Phase 国際会議

    T. Shiraishi, S. Choi, T. Shimizu, T. Kiguchi, H. Funakubo, T. J. Konno

    IFAAP 2018 (2018 ISAF-FMA-AMF-AMEC-PFM Joint Conference)  2018年5月 

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    開催年月日: 2018年5月 - 2018年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Hiroshima  

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  • Domain Structure and Electric Field Induced Domain Switching in HfO2 Ferroelectrics

    T. Shimizu, T. Mimura, T. Kiguchi, A. Akama, T. J. Konno, Y. Katsuya, O. Sakata, H. Funakubo

    IFAAP 2018 (2018 ISAF-FMA-AMF-AMEC-PFM Joint Conference)  2018年5月 

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    開催年月日: 2018年5月 - 2018年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Hiroshima  

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  • Crystallization Behavior and Ferroelectric Property of HfO2-ZrO2 Films Fabricated by Chemical Solution Deposition 国際会議

    S. Nakayama, H. Funakubo, H. Uchida

    IFAAP 2018 (2018 ISAF-FMA-AMF-AMEC-PFM Joint Conference)  2018年5月 

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    開催年月日: 2018年5月 - 2018年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Hiroshima  

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  • Epitaxial Growth of (101)Pd on (111)SrTiO3 Substrate as a Buffer Layer for Perovskite-Type Oxide Thin Films 国際会議

    K. Uchiyama, H. Tanaka, T. Oikawa, T. Shimizu, T. Kariya, H. Funakubo

    IFAAP 2018 (2018 ISAF-FMA-AMF-AMEC-PFM Joint Conference)  2018年5月 

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    開催年月日: 2018年5月 - 2018年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Hiroshima  

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  • Electron Microscopic Study on Domain Structure in HfO2 国際会議

    T. Kiguchi, T. Shiraishi, T. Shimizu, T. Mimura, H. Funakubo, T. J. Konn

    IFAAP 2018 (2018 ISAF-FMA-AMF-AMEC-PFM Joint Conference)  2018年5月 

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    開催年月日: 2018年5月 - 2018年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Hiroshima  

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  • Theoretical Caluculations of Ferroelectricity in Thin-Film HfO2 Using Comprehensive Soft-Mode Analysis 国際会議

    H. Moriwake, A. Konishi, A. Togo, T. Shimizu, H. Funakubo

    IFAAP 2018 (2018 ISAF-FMA-AMF-AMEC-PFM Joint Conference)  2018年5月 

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    開催年月日: 2018年5月 - 2018年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Hiroshima  

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  • Fabrication of Orientation-Controlled BaTiO3 Thick Films by Chemical Solution Deposition Using Nanosheet Interface Layer 国際会議

    K. Murase, T. Shiraishi, T. Kiguchi, A. Akama, T. J. Konno, H. Funakubo, H. Uchida

    IFAAP 2018 (2018 ISAF-FMA-AMF-AMEC-PFM Joint Conference)  2018年5月 

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    開催年月日: 2018年5月 - 2018年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Hiroshima  

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  • Effect of Starting Material on the Deposition Behavior and Their Film Properties in Orientation-Controlled (K,Na)NbO3 Thick Films Prepared by Hydrothermal Method 国際会議

    A. Tateyama, Y. Ito, Y. Nakamura, T. Shimizu, Y. Orino, M. Kurosawa, H. Uchida, T. Shiraishi, T. Kiguchi, T.J. Konno, N. Kumada, H. Funakubo

    IFAAP 2018 (2018 ISAF-FMA-AMF-AMEC-PFM Joint Conference)  2018年5月 

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    開催年月日: 2018年5月 - 2018年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Hiroshima  

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  • Strain-induced resistance change in a V2O3 film transferred onto a piezoelectric disk 国際会議

    Joe Sakai, Maxime Bavencoffe, Beatrice Negulescu, Patrice Limelette, Jérôme Wolfman, Hiroshi Funakubo

    2018 MRS Spring Meeting & Exhibit  2018年4月 

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    開催年月日: 2018年4月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Phoenix, AZ  

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  • 振動発電用圧電バイモルフにおける負荷抵抗特性の周波数領域解析

    折野裕一郎, 伊東良晴, 舟窪浩, 黒澤実

    2018年電子情報通信学会総合大会  2018年3月 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • PLD法を用いた(Bi,Na)TiO3-BaTiO3系薄膜の作製と評価

    長谷川光勇, 清水荘雄, 佐藤祐介, 山岡和希子, 石田未来, 内田寛, 舟窪浩

    第65回応用物理学会春季学術講演会  2018年3月 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • 新構造ピエゾエレクトロニックトランジスタの設計とそのデバイス・回路性能

    塩津勇作, 山本修一郎, 周藤悠介, 舟窪浩, 黒澤実, 菅原聡

    第65回応用物理学会春期学術講演会  2018年3月 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京  

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  • 一軸加圧下熱処理によるBi2VO5+δ薄膜の配向性固相結晶化と特性評価

    伊藤翔陽, 難波諒太郎, 三村和仙, 金子智, 舟窪浩, 松田晃史, 吉本護

    2018年 第65回 応用物理学会春季学術講演会  2018年3月 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東京都  

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  • 化学溶液堆積法によるCa2+添加HfO2強誘電体薄膜の作製

    中山周平, 舟窪浩, 内田寛

    第65回応用物理学会春季学術講演会  2018年3月 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • 種々のNb原料から水熱合成法で作製した(K,Na)NbO3配向膜の合成と特性評価

    舘山明紀, 伊東良晴, 中村美子, 清水荘雄, 折野裕一郎, 黒澤実, 内田寛, 白石貴久, 木口賢紀, 今野 豊彦, 石河睦生, 熊田伸弘, 舟窪浩

    第65回応用物理学会春季学術講演会  2018年3月 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • 圧電ナノジェネレータに向けた強誘電体ナノロッドの成長と物性制御

    山田智明, 岡本一輝, 伊藤大介, Song Jundong, Sluka Tomas, Setter Nava, 坂田修身, 舟窪浩, 吉野正人, 長崎正雅

    第65回応用物理学会春季学術講演会  2018年3月 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • スパッタリング法によるSr-Si膜の作製

    青山航大, 清水荘雄, 倉持豪人, 召田雅実, 秋池良, 木村好里, 舟窪浩

    第65回応用物理学会春季学術講演会  2018年3月 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • ピエゾエレクトロニック磁気抵抗デバイスとその低電圧MRAMへの応用

    高村 陽太, 山本 修一郞, 舟窪 浩, 黒沢 実, 中川 茂樹, 菅原 聡

    第65回応用物理学会春期学術講演会  2018年3月 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • エピタキシャルCeO2-ZrO2薄膜の作製とその結晶構造評価

    白石貴久, Sujin Choi, 清水荘雄, 木口賢紀, 舟窪浩, 今野豊彦

    第65回応用物理学会春季学術講演会  2018年3月 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • 窒素(N)ドーピングした鉄シリサイドのPL発光特性

    秋山賢輔, 高橋亮, 松本佳久, 舟窪浩

    第65回応用物理学会春季学術講演会  2018年3月 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • 水熱合成によるフレキシブル基板への圧電体成膜

    舟窪浩, 伊東良晴, 舘山明紀, 中村美子, 清水荘雄, 黒澤実, 内田寛, 白石貴久, 木口賢紀, 今野豊彦, 石河睦生

    第65回応用物理学会春季学術講演会  2018年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • エピタキシャルHfO2基強誘電体における強誘電特性の膜厚依存性

    三村和仙, 清水荘雄, 勝矢良雄, 坂田修身, 舟窪浩

    第65回応用物理学会春季学術講演会  2018年3月 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • ZrO2 薄膜の結晶構造に対するドーパント効果

    崔瓍珍, 白石貴久, 木口賢紀, 今野豊彦, 清水荘雄, 舟窪浩

    日本セラミックス協会 2018年年会  2018年3月 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:仙台市  

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  • 水熱合成法によるLi 置換(K,Na)NbO3 膜の作製

    白石貴久, 武藤優太, 木口賢紀, 今野豊彦, 伊東良晴, 黒澤実, 舟窪浩, 内田寛, 石河睦生

    日本セラミックス協会 2018年年会  2018年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:仙台市  

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  • 水熱合成(K,Na)(Nb,Ta)O3 膜の作製と結晶構造評価

    武藤優太, 白石貴久, 木口賢紀, 今野豊彦, 伊東良晴, 黒澤実, 舟窪浩, 内田寛, 石河睦生

    日本セラミックス協会 2018年年会  2018年3月 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:仙台市  

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  • 蛍石構造酸化物のアニオン制御による“直接特性制御型強誘電体”の創成

    舟窪 浩

    新学術領域研究「ナノ構造情報のフロンティア開拓―材料科学の新展開」第5回公開シンポジウム  2018年3月 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都市  

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  • Fabrication of HfO2-based ferroelectric ultrathin films

    T. Shiraishi, S. Choi, T. Shimizu, T. Kiguchi, H. Funakubo, T. J. Konno

    Kich-off Symposium for World Leading Research Center –Materials Science and spintronics-  2018年2月 

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    開催年月日: 2018年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Sendai  

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  • 圧電厚膜の諸特性が振動発電デバイスの性能に及ぼす影響に関する理論的検討

    折野裕一郎, 伊東良晴, 舟窪浩, 黒澤実

    圧電材料・デバイスシンポジウム2018  2018年2月 

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    開催年月日: 2018年2月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:仙台市  

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  • Room temperature photoluminescence spectrum from β-FeSi2 films 国際会議

    Kensuke Akiyama, Yoshihisa Matsumoto, Hiroshi Funakubo

    SPIE. Photonics West  2018年1月 

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    開催年月日: 2018年1月 - 2018年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:San Francisco, CA  

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  • Domain switching in epitaxial ferroelectric HfO2 films 国際会議

    T. Shimizu, T. Mimura, T. Kiguchi, T. Shiraishi, A. Akama, T. J. Konno, O. Sakata, K. Yoshio, H. Funakubo

    2018 Conference on Electronic and Advanced Materials  2018年1月 

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    開催年月日: 2018年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:FL  

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  • In-situ Piezoelectric Response Measurements of Lead-free, Bismuth-based, Piezoelectric Thin Films 国際会議

    A. Fox, B. Gibbons, H. Funakubo

    2018 Conference on Electronic and Advanced Materials  2018年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:FL  

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  • Growth of orientation-controlled epitaxial (K, Na)NbO3 thick films and their ferroelectric and piezoelectric properties 国際会議

    Y. Ito, A. Tateyama, Y. Nakamura, T. Shimizu, M. Kurosawa, H. Funakubo, H. Uchida, T. Shiraishi, T. Kiguchi, T. J. Konno, M. Ishikawa

    2018 PiezoMEMS Workshop  2018年1月 

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    開催年月日: 2018年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:FL  

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  • Direct and qualitative characterization of the 90° domain switching under applying electric field in tetragonal Pb(Zr, Ti)O3 film 国際会議

    T. Shimizu, N. Oshima, T. Sato, D. Ichinose, T. Yamada, O. Sakata, H. Funakubo

    2018 PiezoMEMS Workshop  2018年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:FL  

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  • Novel Bi-based perovskite piezoelectric materials as an alternative to PZT 国際会議

    Shintaro Yasui, Hiroshi Uchida, Hiroshi Funakubo

    2018 PiezoMEMS Workshop  2018年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:FL  

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  • 水熱合成法で作製した配向制御された(K, Na)NbO3膜の析出挙動に及ぼす出発原料の影響と得られた膜の特性評価

    舘山明紀, 伊東良晴, 中村美子, 清水荘雄, 折野裕一郎, 黒澤実, 内田寛, 白石貴久, 木口賢紀, 今野豊彦, 熊田伸弘, 舟窪浩

    第56回セラミックス基礎科学討論会  2018年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:つくば市  

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  • PLD法を用いた(Bi, Na)TiO3-BaTiO3系薄膜の作製と評価

    長谷川光勇, 清水荘雄, 佐藤祐介, 山岡和希子, 内田寛, 舟窪浩

    第56回セラミックス基礎科学討論会  2018年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:つくば市  

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  • Development of Proton Concoctive Perovskite-type Oxide Thin Films for Fuel Cell Application

    K. Uchiyama, H. Tanaka, T. Shimizu, H. Funakubo

    第27回日本MRS年次大会  2017年12月 

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    開催年月日: 2017年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:横浜市  

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  • Piezoelectric Response Induced Phase Transition in Perovskite Thin Films 国際会議

    Hyeon Jun Lee, Chan-Ho Yang, Hiroshi Funakubo, Ji Young Jo

    2017 MRS Fall Meeting  2017年11月 

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    開催年月日: 2017年11月 - 2017年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Boston, MA  

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  • Control of P-Type and N-Type Conduction in Thermoelectric Mg2Si Thin Films Prepared by Sputtering Method 国際会議

    Mao Kurokawa, Mutsuo Uehara, Daichi Ichinose, Takao Shimizu, Kensuke Akiyama, Masaaki Matsushima, Hiroshi Uchida, Yoshisato Kimura, Atsuo Katagiri, Hiroshi Funakubo

    2017 MRS Fall Meeting  2017年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月 - 2017年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Boston, MA  

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  • HfO2基強誘電体への期待:現状と将来

    舟窪浩

    応用物理学会システムデバイスロードマップ委員会 ERM / BC 合同ワークショップ  2017年11月 

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    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • Domain structure change by applying electric field of dominantly in-plane-polarized (100)/(001)-oriented tetragonal Pb(Zr, Ti)O3 thin film 国際会議

    Daichi Ichinose, Yoshitaka Ehara, Takao Shimizu, Osami Sakata, Tomoaki Yamada, Hiroshi Funakubo

    18th US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Materials  2017年11月 

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    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Santa Fe, New Mexico  

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  • Domain pattern control in Pb(Zr, Ti)O3 nanorods via charge screening strategy 国際会議

    Tomoaki Yamada, Daisuke Ito, Tomas Sluka, Osami Sakata, Hiroshi Funakubo, Takahiro Namazu, Masahito Yoshino, Takanori Nagasaki, Nava Setter

    18th US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Materials  2017年11月 

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    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Santa Fe, New Mexico  

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  • Preparation of Orientation-controlled (K, Na)NbO3 Thick Films by Hydrothermal Method and Their Properties 国際会議

    Hiroshi Funakubo, Yoshiharu Ito, Takao Shimizu, Yoshiko Nakamura, Minoru Kurosawa, Hiroshi Uchida, Takanori Kiguchi, Takahisa Shiraishi, Toyohiko J. Konno, Mutsuo Ishikawa

    18th US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Materials  2017年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Santa Fe  

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  • 水熱法による酸化物厚膜の成長

    舟窪浩, 伊東良晴, 舘山明紀, 中村美子, 清水荘雄, 黒澤実, 内田寛, 白石 貴久, 木口賢紀, 今野豊彦, 石河睦生

    第37回エレクトロセラミックス研究討論会  2017年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:川崎市  

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  • (111)正方晶PbZr0.35Ti0.65O3 ナノロッドのサイズ制御による圧電特性の増大

    岡本一輝, 山田智明, 坂田修身, 清水荘雄, 舟窪浩, 吉野正人, 長崎正雅

    第37回エレクトロセラミックス研究討論会  2017年10月 

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    開催年月日: 2017年10月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:川崎市  

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  • HfO2基強誘電体のドメイン構造と電場誘起スイッチング

    清水荘雄, 三村和仙, 木口賢紀, 白石貴久, 赤間章裕, 今野豊彦, 坂田修身, 勝矢良雄, 舟窪浩

    第37回エレクトロセラミックス研究討論会  2017年10月 

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    開催年月日: 2017年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:川崎市  

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  • HfO2基強誘電体の相安定性とその特性制御

    舟窪浩, 清水荘雄, 三村和仙

    2017年度セラミックス総合研究会  2017年9月 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:高知市  

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  • 網羅的ソフトモードフォノン探索によるHfO2薄膜の強誘電性の理論計算

    森分博紀, 小西綾子, 東後篤史, 清水荘雄, 舟窪浩

    日本物理学会2017年秋季大会  2017年9月 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:岩手県盛岡市  

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  • 水熱合成法による配向性チタン酸ジルコン酸鉛膜の作製

    内田寛, 戸次雄一, 中村美子, 舟窪浩

    日本セラミックス協会第30回秋季シンポジウム  2017年9月 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神戸市  

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  • 水熱合成(K,Na)NbO3膜の電気特性および圧電特性の向上

    白石貴久, 伊東良晴, 石河睦生, 内田寛, 木口賢紀, 黒澤実, 舟窪浩, 今野豊彦

    日本セラミックス協会第30回秋季シンポジウム  2017年9月 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神戸市  

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  • KNN配向膜の高速成膜法の検討

    伊東良晴, 中村美子, 清水荘雄, 黒澤実, 舟窪浩, 内田寛, 木口賢紀, 白石貴久, 今野豊彦, 石河睦生

    日本セラミックス協会第30回秋季シンポジウム  2017年9月 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神戸大学 六甲台地区  

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  • HfO2基材料における強誘電相発現要因の検討

    清水荘雄, 三村和仙, 木口賢紀, 赤間章裕, 今野豊彦, 坂田修身, 舟窪浩

    日本セラミックス協会第30回秋季シンポジウム  2017年9月 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神戸市  

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  • PbTiO3/SrTiO3エピタキシャル薄膜の界面構造

    木口賢紀, 範滄宇, 赤間章裕, 白石貴久, 舟窪浩, 今野豊彦

    日本セラミックス協会第30回秋季シンポジウム  2017年9月 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:神戸市  

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  • ペロブスカイト型および蛍石型強誘電体薄膜の電気熱量効果

    山田智明, 松尾翔吾, 加茂崇史, 三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩, 吉野正人, 長崎正雅

    2017年強的秩序とその操作に関する第5回研究会  2017年9月 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:福岡県宮若市  

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  • 強誘電体材料の比較 –ペロブスカイト基構造 vs. 蛍石基構造-

    舟窪浩, 清水荘雄

    2017年強的秩序とその操作に関する第5回研究会  2017年9月 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡県宮若市  

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  • 溶液法由来HfO2-ZrO2極薄膜の結晶化挙動および特性に関する研究

    内田寛, 中山周平, 舟窪浩

    2017年強的秩序とその操作に関する第5回研究会  2017年9月 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:福岡県宮若市  

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  • 水熱法を用いた(K,Na)NbO3配向体の低温作製とその特性評価

    舟窪浩, 伊東良晴, 舘山明紀, 中村美子, 清水荘雄, 黒澤実, 内田寛, 白石貴久, 木口賢紀, 今野豊彦, 石河睦生

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2018年9月 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡市  

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  • 導電性AFMを用いた局所圧力印加によるV2O3薄膜の絶縁体化

    坂井穣, アリャビエワ ナタリア, ヴォルフマン ジェローム, リムレット パトリス, リュイテール アントワーヌ, 舟窪浩

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年9月 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡市  

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  • HfO2-ZrO2エピタキシャル薄膜における斜方晶相の安定性

    木口賢紀, 白石貴久, チェ スジン, 舟窪浩, 今野豊彦

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年9月 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡市  

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  • ドーパント添加ZrO2エピタキシャル薄膜の結晶構造と電気特性調査

    崔ス珍, 白石貴久, 木口賢紀, 清水荘雄, 舟窪浩, 今野豊彦

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年9月 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡市  

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  • エピタキシャルBiFeO3薄膜における電場印加下の格子歪

    中嶋誠二, 藤沢浩訓, 坂田修身, 舟窪浩, 清水荘雄, 一ノ瀬大地, 今井康彦, 清水勝

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年9月 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡市  

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  • PL発光強度増大化へのSi(111)基板上β-FeSi2成長の低温度化検討

    秋山賢輔, 松本佳久, 舟窪浩

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年9月 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡市  

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  • HfO2-ZrO2薄膜の結晶化挙動に及ぼす熱処理条件の影響

    中山周平, 舟窪浩, 内田寛

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年9月 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡市  

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  • スパッタリング法による{100}配向Y2O3-HfO2強誘電体エピタキシャル薄膜の作製とその評価

    鈴木大生, 三村和仙, 清水荘雄, 内田寛, 舟窪浩

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年9月 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡市  

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  • 固相エピタキシー法による強誘電体HfO2基薄膜の作製

    白石貴久, Choi Sujin, 清水荘雄, 舟窪浩, 木口賢紀, 今野豊彦

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年9月 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡市  

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  • 強誘電性HfO2薄膜におけるナノスケール分極反転ドット書き込み

    平永良臣, 三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩, 長康雄

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年9月 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡市  

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  • “化学溶液堆積法によるチタン酸バリウム厚膜の作製とナノシートテンプレートを用いた結晶配向性制御

    村瀬勝裕, 舟窪浩, 内田寛

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年9月 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡市  

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  • エピタキシャルPZT膜におけるマルチドメイン構造と面内歪の緩和

    佐藤智也, 一ノ瀬大地, 三村和仙, 清水荘雄, 山田智明, 舟窪浩

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年9月 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡市  

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  • Y2O3-HfO2強誘電体の温度安定性

    三村和仙, 清水荘雄, 木口賢紀, 赤間章裕, 今野豊彦, 勝矢良雄, 坂田修身, 舟窪浩

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年9月 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡市  

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  • Y添加HfO2エピタキシャル薄膜における負の電気熱量効果

    松尾翔吾, 山田智明, 三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩, 吉野正人, 長崎正雅

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年9月 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡市  

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  • Thickness-dependent phase stability of epitaxial ferroelectric HfO2-based films 国際会議

    Takanori Mimura, Kiriha Katayama, Takao Shimizu, Takanori Kiguchi, Akihiro Akama, Toyohiko J. Konno, Osami Sakata, Hiroshi Funakubo

    STAC-10 (The Tenth International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics)  2017年8月 

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    開催年月日: 2017年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Yokohama  

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  • Time Response of Crystal Structure in Tetragonal Pb(Zr,Ti)O3 Films Under an Applied Electric Field 国際会議

    Tomoya Sato, Daichi Ichinose, Naoya Oshima, Takanori Mimura, Yuichi Nemoto, Takao Shimizu, Yasuhiko Imai, Hiroshi Uchida, Osami Sakata, Hiroshi Funakubo

    STAC-10 (The Tenth International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics)  2017年8月 

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    開催年月日: 2017年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Yokohama  

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  • Domain structure change by applying electric field of dominantly in-plane-polarized Pb(Zr,Ti)O3 thin film 国際会議

    Daichi Ichinose, Yoshitaka Ehara, Takao Shimizu, Osami Sakata, Tomoaki Yamada, Alexei. Gruverman, Hiroshi Funakubo

    STAC-10 (The Tenth International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics)  2017年8月 

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    開催年月日: 2017年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Yokohama  

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  • 蛍石構造強誘電体の相安定性

    舟窪浩

    新学術領域研究 「ナノ構造情報のフロンティア開拓―材料科学の新展開」 第9回全体会議  2017年7月 

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    開催年月日: 2017年7月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都市  

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  • On the use of 31Mg (I = 1/2, Tβ = 334 ms) for β-detected NMR studies of condensed matter 国際会議

    Ryan Mcfadden, Andrew Macfarlane, Aris Chatzichristos, Martin Dehn, FDerek ujimoto, Hiroshi Funakubo, Alexander Gottberg, Taro Hitosugi, Victoria Karner, Robert Kiefl, Mao Kurokawa, Jens Lassen, Phil Levy, Rhohong Li, Matthew Pearson, Gerald Morris, Susumu Shiraki, Monika Stachura, Jun Sugiyama, Daniel Szunyogh

    μSR2017 (The 14th International Conference on Muon Spin Rotation, Relaxation and Resonance)  2017年6月 

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    開催年月日: 2017年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Sapporo  

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  • ナノシート界面層上に作製された一軸配向性チタン酸ジルコン酸膜の特性評価

    内田寛, 一ノ瀬大地, 島宏美, 白石貴久, 木口賢紀, 赤間章裕, 西田謙, 今野豊彦, 舟窪浩

    第34回強誘電体応用会議(FMA34)  2017年5月 

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    開催年月日: 2017年5月 - 2017年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都市  

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  • (001)エピタキシャル(Ba,Sr)TiO3薄膜における電気熱量効果の電場依存性

    山田智明, 松尾翔吾, 加茂崇史, 舟窪浩, 吉野正人, 長﨑正雅

    第34回強誘電体応用会議(FMA34)  2017年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年5月 - 2017年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都市  

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  • HfO2基強誘電体エピタキシャル薄膜研究の最近の進展

    清水荘雄, 三村和仙, 舟窪浩

    第34回強誘電体応用会議(FMA34)  2017年5月 

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    開催年月日: 2017年5月 - 2017年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都市  

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  • PdO//Pdバッファ層を用いた{110}配向Pb(Zr,Ti)O3薄膜の作製とその物性評価

    内山潔, 大島直也, 江原祥隆, 及川貴弘, 一ノ瀬大地, 田中宏樹, 佐藤智也, 内田寛, 舟窪浩

    第34回強誘電体応用会議(FMA34)  2017年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年5月 - 2017年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都市  

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  • SNDMによる分極反転過程の動的観察

    平永良臣, 三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩, 長康雄

    第34回強誘電体応用会議(FMA34)  2017年5月 

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    開催年月日: 2017年5月 - 2017年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都市  

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  • MOCVD法でSi基板上に作製した面内配向制御して作製したPZT薄膜における電気特性の組成依存性

    岡本庄司, 岡本賢, 横山信太郎, 舟窪浩, 秋山賢輔

    第34回強誘電体応用会議(FMA34)  2017年5月 

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    開催年月日: 2017年5月 - 2017年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都市  

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  • 水熱合成法による方位制御さ れたエピタキシャル(K0.5Na0.5)NbO3厚膜の作製と特性評価

    白石貴久, 石河睦生, 内田寛, 木口賢紀, 黒澤実, 舟窪浩, 今野豊彦

    第34回強誘電体応用会議(FMA34)  2017年5月 

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    開催年月日: 2017年5月 - 2017年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都市  

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  • 強誘電体エピタキシャル薄膜の界面構造

    木口賢紀, 範滄宇, 白石貴久, 舟窪浩, 今野豊彦

    第73回日本顕微鏡学会学術講演会  2017年5月 

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    開催年月日: 2017年5月 - 2017年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:札幌市  

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  • Domain formation in Pb(Zr,Ti)O3 nanorods driven by depolarizing field 国際会議

    Tomoaki Yamada, Daisuke Ito, Tomas Sluka, Nava Setter, Osami Sakata, Takahiro Namazu, Hiroshi Funakubo, Masahito Yoshino, Takanori Nagasaki

    ICE2017(8th International Conference on Electroceramics)  2017年5月 

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    開催年月日: 2017年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya  

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  • Ferroelectric property of one-axis-oriented lead zirconate titanate films under different in-plane stress conditions 国際会議

    Hiroshi Uchida, Daichi Ichinose, Hiromi Shima, Takahisa Shiraishi, Takanori Kiguchi, Akihiro Akama, Ken Nishida, Toyohiko J. Konno, Hiroshi Funakubo

    ICE2017(8th International Conference on Electroceramics)  2017年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Nagoya  

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  • Phase stability and Property design in HfO2-based ferroelectric thin films 国際会議

    Hiroshi Funakubo, Takao Shimizu, Kiliha Katayama, Takanori Mimura, Takanori Kiguchi, Takahisa Shiraishi, Akihiro Akama, Toyohiko J. Konno, Osami Sakata

    ICE 2017 (8th International Conference on Electroceramics)  2017年5月 

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    開催年月日: 2017年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Nagoya  

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  • Indirect measurements of electrocaloric effect in (001) (Ba, Sr)TiO3 thin films by positive-up-negative-down method 国際会議

    Shogo Matsuo, Tomoaki Yamada, Takafumi Kamo, Hiroshi Funakubo, Masahito Yoshino, Takanori Nagasaki

    ICE2017(8th International Conference on Electroceramics)  2017年5月 

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    開催年月日: 2017年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Nagoya  

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  • Domain Structure propagation of tensile-strained {100}-oriented epitaxial tetragonal Pb(Zr, Ti)O3 films 国際会議

    Hiroshi Funakubo, Daichi Ichinose, Tomoya Sato, Takao Shimizu, Osami Sakata, Tomoaki Yamada

    PACRIM 12 (12th Pacific Rim Conference on Ceramic and Glass Technology)  2017年5月 

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    開催年月日: 2017年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Hawaii  

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  • Manipulation of Domain Structure in {100} Tetragonal Pb(Zr, Ti)O3 Nanorods by Charge Screening 国際会議

    Tomoaki Yamada, D. Ito, T. Sluka, N. Setter, O. Sakata, T. Namazu, H. Funakubo, M. Yoshino, T. Nagasaki

    2017 Joint IEEE ISAF-IWATMD-PFM Conference  2017年5月 

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    開催年月日: 2017年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Atlanta, GA  

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  • Stability of Ferroelectric Phase in Epitaxial HfO2-based Films 国際会議

    Takanori Mimura, Kiriha Katayama, Takao Shimizu, Takanori Kiguchi, Akihiko Akama, Toyohiko J. Konno, Osami Sakata, Hiroshi Funakubo

    2017 Joint IEEE ISAF-IWATMD-PFM Conference  2017年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Atlanta, GA  

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  • Ferroelectric Probe Data Storage Using HfO2-Based Thin-Film Recording Media 国際会議

    Y. Hiranaga, T. Mimura, T. Shimizu, H. Funakubo, Y. Cho

    2017 Joint IEEE ISAF-IWATMD-PFM Conference  2017年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Atlanta, GA  

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  • A Proposal of New Buffer Layer for Depositing (110)-oriented Perovskite Thin Films on (111)Pt/SiO2/Si Substrates 国際会議

    Kiyoshi Uchiyama, T. Sato, A. Akama, T. Kiguchi, T.J. Konno, N. Oshima, D. Ichinose, H. Funakubo

    2017年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Atlanta, GA  

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  • Dynamic Observation of Nanoscale Domain Switching Behaviors in Ferroelectric HfO2 films Using Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy 国際会議

    Y. Hiranaga, T. Mimura, T. Shimizu, H. Funakubo, Y. Cho

    2017 Joint IEEE ISAF-IWATMD-PFM Conference  2017年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Atlanta, GA  

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  • Nonlinear electric field dependence of electrocaloric effect in (001)-epitaxial (Ba, Sr) TiO3 thin films 国際会議

    S. Matsuo, T. Yamada, T. Kamo, H. Funakubo, M. Yoshino, T. Nagasaki

    2017 Joint IEEE ISAF-IWATMD-PFM Conference  2017年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Atlanta, GA  

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  • 蛍石構造酸化物のアニオン制御による“直接特性制御型強誘電体”の創成

    舟窪浩

    新学術領域研究「ナノ構造情報のフロンティア開拓―材料科学の新展開」第4回公開シンポジウム  2017年3月 

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    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都府  

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  • 水熱法を用いた(K,Na)NbO3配向体の作製とその特性評価

    舟窪浩, 清水荘雄, 黒澤実, 内田寛, 白石貴久, 木口賢紀, 今野豊彦, 石河睦生

    日本セラミックス協会2017年年会  2017年3月 

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    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • PbTiO3エピタキシャル薄膜における90˚ドメイン間の弾性相互作用

    木口賢紀, 範滄宇, 赤間章裕, 白石貴久, 舟窪浩, 今野豊彦

    日本セラミックス協会2017年年会  2017年3月 

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    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • 電界印加下における正方晶Pb(Zr,Ti)O3膜の結晶構造の時間応答

    佐藤智也, 一ノ瀬大地, 三村和仙, 根本祐一, 清水荘雄, 今井康彦, 内田寛, 坂田修身, 舟窪浩

    第64回応用物理学会春季学術講演会  2017年3月 

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    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:横浜市  

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  • Positive-up-negative-down法による(Ba,Sr)TiO3薄膜の電気熱量効果の間接的評価

    山田智明, 松尾翔吾, 加茂崇史, 舟窪浩, 吉野正人, 長﨑正雅

    第64回応用物理学会春季学術講演会  2017年3月 

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    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:横浜市  

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  • 走査型非線形誘電率顕微鏡を用いたナノスケール分極反転過程の動的観察

    平永良臣, 三村和仙, 清水 荘雄, 舟窪浩, 長康雄

    第64回応用物理学会春季学術講演会  2017年3月 

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    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:横浜市  

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  • β-FeSi2薄膜のPL発光特性に及ぼす成長温度の影響

    秋山賢輔, 松本佳久, 舟窪 浩

    第64回応用物理学会春季学術講演会  2017年3月 

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    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:横浜市  

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  • スパッタリング法によるY2O3-HfO2強誘電体エピタキシャル薄膜作製とその評価

    鈴木大生, 三村和仙, 清水荘雄, 内田寛, 舟窪浩

    第64回応用物理学会春季学術講演会  2017年3月 

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    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:横浜市  

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  • エピタキシャルFe:HfO2薄膜の作製と特性評価

    白石貴久, Choi Sujin, 清水 荘雄, 舟窪 浩, 木口賢紀, 今野豊彦

    第64回応用物理学会春季学術講演会  2017年3月 

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    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:横浜市  

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  • エピタキシャルHfO2基膜における強誘電相の安定性 -RE2O3-HfO2 vs ZrO2-HfO2-

    三村和仙, 片山きりは, 清水荘雄, 木口賢紀, 赤間章裕, 今野豊彦, 坂田修身, 舟窪浩

    第64回応用物理学会春季学術講演会  2017年3月 

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    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:横浜市  

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  • Growth of epitaxial orthorhomibic doped HfO2 thin films 国際会議

    T. Shimizu, H. Funakubo

    Novel High k Application Workshop 2017  2017年3月 

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    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Dresden  

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  • Y2O3-HfO2エピタキシャル薄膜の構成相の決定因子

    鈴木大生, 三村和仙, 清水荘雄, 内田寛, 舟窪浩

    第55回セラミックス協会基礎科学討論会  2017年1月 

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    開催年月日: 2017年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:岡山市  

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  • PLD法による正方晶(Bi, K)TiO3エピタキシャル膜の作製とポストアニールが強誘電性に与える影響

    根本祐一, 佐藤智也, 一ノ瀬大地, 清水荘雄, 内田寛, 木口賢紀, 佐藤祐介, 山岡和希子, 舟窪浩

    第55回セラミックス協会基礎科学討論会  2017年1月 

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    開催年月日: 2017年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:岡山市  

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  • Positive-up-negative-down 法を用いた強誘電体薄膜の電気熱量効果の間接的評価

    松尾翔吾, 山田智明, 加茂崇史, 舟窪浩, 吉野正人, 長﨑正雅

    第48回日本原子力学会中部支部研究発表会  2016年12月 

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    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋市  

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  • Y添加HfO2薄膜における強誘電ドメイン反転のSNDM観察

    平永良臣, 長康雄, 三村和仙, 清水荘雄, 舟窪浩

    電子情報通信学会 磁気記録・情報ストレージ研究会(MR)  2016年12月 

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    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:松山市  

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  • Chemical Solution Deposition of Hafnia-Zirconia Ultrathin Films for Ferroelectric Capacitor 国際会議

    Hiroshi Uchida, Syuhei Nakayama, Hiroaki Kawashima, Takahisa Shiraishi, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo

    AMEC 2016 (The 10th Asian Meeting on Electroceramics)  2016年12月 

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    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Taipei  

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  • Structural and piezoelectric properties in (111) tetragonal/rhombohedral Pb(Zr,Ti)O3 artificial superlattice thin films 国際会議

    Y. Ebihara, T. Yamada, O. Sakata, T. Kiguchi, H. Morioka, T. Shimizu, H. Funakubo, T. J. Konno, M. Yoshino, T. Nagasaki

    AMEC 2016 (The 10th Asian Meeting on Electroceramics)  2016年12月 

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    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Taipei  

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  • Domain Pattern Control in Pb(Zr,Ti)O3 Nanorods by Charge Screening 国際会議

    T. Yamada, D. Ito, T. Sluka, N. Setter, O. Sakata, T. Namazu, H. Funakubo, M. Yoshino, T. Nagasaki

    AMEC 2016 (The 10th Asian Meeting on Electroceramics)  2016年12月 

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    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Taipei  

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  • Orientation Controlled HfO2-Based Ferroelectric Films Prepared by Solid Phase Local Epitaxial Technique for High Density Memory Applications 国際会議

    Hiroshi Funakubo, Takanori Mimura, Takao Shimizu, Kiliha Katayama, Hiroshi Uchida, Takanori Kiguchi, Akihiro Akama, Toyohiko Konno, Osami Sakata

    2016 MRS Fall Meeting & Exhibit  2016年11月 

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    開催年月日: 2016年11月 - 2016年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Boston  

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  • Synthesis and Photocatalytic Properties of Iron-Disilicide/SiC Composite Powder 国際会議

    Kensuke Akiyama, Yuu Motoizumi, Tetsuya Okuda, Hiroshi Funakubo, Hiroshi Irie, Yoshihisa Matsumoto

    2016 MRS Fall Meeting & Exhibit  2016年11月 

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    開催年月日: 2016年11月 - 2016年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Boston  

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  • nverse-Magnetostriction-Induced Switching Current Reduction Technique for Spin-Transfer Torque MTJs and Its Low-Power MRAM Applications 国際会議

    Yota Takamura, Yusuke Shuto, Shu'uichiro Yamamoto, Hiroshi Funakubo, Minoru Kurosawa, Shigeki Nakagawa, Satoshi Sugahara

    2016 MRS Fall Meeting & Exhibit  2016年11月 

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    開催年月日: 2016年11月 - 2016年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Boston  

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  • Interfacial Dislocations in (111) Oriented (Ba0.7Sr0.3)TiO3 Films on SrTiO3 Single Crystal 国際会議

    Xuan Shen, Tomoaki Yamada, Ruoqian Lin, Hiroshi Funakubo, Di Wu, Huolin Xin, Dong Su

    2016 MRS Fall Meeting & Exhibit  2016年11月 

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    開催年月日: 2016年11月 - 2016年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Boston  

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  • Epitaxial Growth of Ferroelectric HfO2-based films 国際会議

    Takao Shimizu, Kiliha Katayama, Takanori Mimura, Takanori Kiguchi, Akihiro Akama, Toyohiko J. Konno, Osami Sakata, Hiroshi Funakubo

    ICTAM-AFM10 (International Conference on Technologically Advanced Materials & Asian Meeting on Ferroelectricity)  2016年11月 

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    開催年月日: 2016年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:New Delhi  

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  • High Quality Deposition of Proton Conductive Oxide Thin Films and its Application to Fuel Cells 国際会議

    Kiyoshi Uchiyama, Tomoya Sato, Hiroki Tanaka, Tetsuro Kariya, Hiroshi Funakubo

    ICTAM-AMF10 (International Conference on Technologically Advanced Materials & Asian Meeting on Ferroelectricity)  2016年11月 

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    開催年月日: 2016年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:New Delhi  

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  • 正方晶PZT薄膜のドメイン構造の配向及び歪制御

    一ノ瀬大地, 中島祟明, 江原祥隆, 及川貴弘, 清水荘雄, 坂田修身, 山田智明, 舟窪浩

    第36回エレクトロセラミックス研究討論会  2016年10月 

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    開催年月日: 2016年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:川崎市  

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  • ナノシート界面層上におけるPZT膜の一軸配向成長

    宮崎竜斗, 一ノ瀬大地, 金鎭雄, 島 宏美, 木口賢紀, 赤間章裕, 西田謙, 今野豊彦, 舟窪浩, 内田寛

    第36回エレクトロセラミックス研究討論会  2016年10月 

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    開催年月日: 2016年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:川崎市  

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  • ピタキシャル(Ba, Sr)TiO3薄膜の残留歪み及び印加電界が電気熱量効果に与える影響

    松尾翔吾, 山田智明, 加茂崇史, 舟窪浩, 吉野正人, 長埼正雅

    第36回エレクトロセラミックス研究討論会  2016年10月 

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    開催年月日: 2016年10月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:川崎市  

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  • マイクロラマン分光法を用いたZnO単結晶及び粉末の酸素欠陥評価

    福島浩晃, 内田寛, 舟窪浩, 河東田隆, 西田謙

    第36回エレクトロセラミックス研究討論会  2016年10月 

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    開催年月日: 2016年10月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:川崎市  

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  • Solid solution films in BaTiO3-Bi(Mg1/2Ti1/2)O3 system with stable temperature coefficient of capacitance 国際会議

    H. Uchida, S. Moki, K. Murase, J. Kimura, H. Funakubo

    JCFMA8 (The 8th Japan-China Symposium on Ferroelectric Materials and Their Applications)  2016年9月 

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    開催年月日: 2016年9月 - 2016年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Tsukuba  

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  • High temperature dielectric properties of orientation controlled bismuth layer-structured dielectric films 国際会議

    H. Funakubo, J. Kimura, I. Takuwa, M. Matsushima, T. Shimizu, H. Uchida

    JCFMA8  2016年9月 

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    開催年月日: 2016年9月 - 2016年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Tsukuba  

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  • 薄膜電解質を応用した燃料電池の開発

    内山潔, 舟窪浩

    一般社団法人日本鉄鋼協会第172回秋季講演大会  2016年9月 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:豊中市  

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  • HfO2基強誘電体の結晶構造と特性の熱処理温度依存性

    三村和仙, 清水荘雄, 内田寛, 木口賢紀, 赤間章裕, 今野豊彦, 坂田修身, 舟窪 浩

    第77回応用物理学会秋季学術講演会  2016年9月 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:新潟市  

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  • 電界印加によるYO1.5-HfO2基薄膜の結晶構造変化

    清水荘雄, 三村和仙, 片山きりは, 木口賢紀, 赤間章裕, 今野豊彦, 坂田修身, 舟窪浩

    第77回応用物理学会秋季学術講演会  2016年9月 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:新潟市  

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  • ピエゾ素子上に転写したV2O3薄膜の歪み誘起抵抗変調

    坂井穣, ネグレスク・ベアトリス, バヴァンコッフ・マキシム, リムレット・パトリス, ヴォルフマン・ジェローム, 舟窪浩

    第77回応用物理学会秋季学術講演会  2016年9月 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:新潟市  

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  • 強誘電体Pb(Zr,Ti)O3ナノロッドの電荷遮蔽によるドメイン制御

    山田智明, 伊藤大介, Sluka Tomas, Setter Nava, 坂田修身, 生津資大, 舟窪浩, 吉野正人, 長崎正雅

    第77回応用物理学会秋季学術講演会  2016年9月 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:新潟市  

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  • β-FeSi2薄膜の低温でのフォトルミネッセンス発光

    秋山賢輔, 松本佳久, 舟窪浩

    第77回応用物理学会秋季学術講演会  2016年9月 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:新潟市  

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  • 熱処理がMg2Si薄膜の伝導型に与える影響

    黒川満央, 上原睦雄, 清水荘雄, 秋山賢輔, 松島正明, 内田寛, 木村好里, 舟窪浩

    第77回応用物理学会秋季学術講演会  2016年9月 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:新潟市  

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  • 面内分極軸優先配向Pb(Zr,Ti)O3薄膜のドメイン構造

    一ノ瀬大地, 江原祥隆, 清水荘雄, 坂田修身, 山田智明, Alexei Gruverman, 舟窪浩

    第77回応用物理学会秋季学術講演会  2016年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:新潟市  

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  • PLD法による配向制御したエピタキシャル(Bi,K)TiO3膜の作製

    根本祐一, 一ノ瀬 大地, 清水荘雄, 内田寛, 佐藤祐介, 山岡和希子, 舟窪浩

    第77回応用物理学会秋季学術講演会  2016年9月 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:新潟市  

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  • β-FeSi2/SiC複合粒子の作製と光触媒効果による水からの水素生成

    秋山賢輔, 本泉佑, 奥田徹也, 舟窪浩, 入江寛, 松本佳久

    第77回応用物理学会秋季学術講演会  2016年9月 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:新潟市  

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  • 強誘電体(Ba, Sr)TiO₃薄膜の電気熱量効果の電界依存性

    松尾翔吾, 山田智明, 加茂嵩史, 舟窪浩, 吉野正人, 長﨑正雅

    日本セラミックス協会第29回秋季シンポジウム  2016年9月 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

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  • Fe 添加されたZrO₂超薄膜の結晶構造調査

    崔瓍珍, 白石貴久, 清水荘雄, 舟窪浩, 木口賢紀, 今野豊彦

    日本セラミックス協会第29回秋季シンポジウム  2016年9月 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

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  • エピタキシャルおよび配向性YドープHfO₂薄膜の強誘電性

    清水荘雄, 片山きりは, 三村和仙, 木口賢紀, 白石貴久, 赤間章裕, 今野豊彦, 坂田修身, 舟窪浩

    日本セラミックス協会第29回秋季シンポジウム  2016年9月 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • 高温使用に対応した新規誘電体材料の探索

    舟窪浩, 木村純一, 清水荘雄

    日本セラミックス協会第29回秋季シンポジウム  2016年9月 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:広島県  

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  • Metal-Insulator Transition Evidenced By Atomic Force Microscopy In V2O3 Thin Films 国際会議

    Natalia Alyabyeva, Joe Sakai, Jerome Wolfman, Patrice Limelette, Hiroshi Funakubo, Antoine Ruyter

    ECOSS 32 (the 32nd European Conference On Surface Science)  2016年8月 

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    開催年月日: 2016年8月 - 2016年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Grenoble  

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  • Fundamental Understanding of Ferroelectricity in HfO2-based Ferroelectrics 国際会議

    Hiroshi Funakubo, Takao Shimizu, Kiliha Katayama, Takanori Kiguchi, Akihiro Akama, Toyohiko J Konno, Osami Sakata

    ISAF/ECAPD/PFM 2016  2016年8月 

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    開催年月日: 2016年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Darmstadt  

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  • Ferroelectric nanodomain observation in yttrium-doped HfO2 using scanning nonlinear dielectric microscopy 国際会議

    Z. Chen, Y. Hiranaga, T. Shimizu, K. Katayama, T. Mimura, H. Funakubo, Y. Cho

    ISAF/ECAPD/PFM 2016 (2016 Joint IEEE International Symposium on the Applications of Ferroelectrics, European Conference on Applications of Polar Dielectrics & Workshop on Piezoresponse Force Microscopy)  2016年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Darmstadt  

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  • Formation process of epitaxial tetragonal Pb(Zr, Ti)O3 thin film 国際会議

    Daichi Ichinose, Takaaki Nakashima, Yoshitaka Ehara, Takao Shimizu, Osami Sakata, Tomoaki Yamada, Hiroshi Funakubo

    ISAF/ECAPD/PFM 2016 (2016 Joint IEEE International Symposium on the Applications of Ferroelectrics, European Conference on Applications of Polar Dielectrics & Workshop on Piezoresponse Force Microscopy)  2016年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Darmstadt  

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  • Domain Formation of Epitaxial Tetragonal Pb(Zr, Ti)O3 Thin Films Grown Under Tensile Strain 国際会議

    Hiroshi Funakubo, Daichi Ichinose, Takaaki Nakashima, Yoshitaka Ehara, Takao Shimizu, Osami Sakata, Tomoaki Yamada

    TOPO 2016  2016年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Dresden  

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  • Growth of {110}-oriented Perovskite-type Proton Conductive Oxide Thin Films by RF Magnetron Sputtering Method 国際会議

    T. Sato, T. Kiguchi, T.J. Konno, J. Kimura, D. Ichinose, T. Mimura, H. Funakubo, K. Uchiyama

    ICCGE-18 (The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy)  2016年8月 

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    開催年月日: 2016年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Nagoya  

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  • Epitaxial Growth of Iron Disilicide Thin Film on 4H-SiC 国際会議

    K. Akiyama, T. Kadowaki, Y. Hirabayashi, Y. Matsumoto, H. Funakubo

    ICCGE-18 (The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy)  2016年8月 

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    開催年月日: 2016年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Nagoya  

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  • Ferroelectricity in epitaxial and well-oriented texutured Y-doped HfO2 films 国際会議

    Takao Shimizu, Kiliha Katayama, Takanori Mimura, Takanori Kiguchi, Takahisa Shiraishi, Akihiro Akama, Toyohiko J. Konno, Osami Sakata, Hiroshi Funakubo

    KJCFE 11th (11th Korea-Japan Conference on Ferroelectrics)  2016年8月 

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    開催年月日: 2016年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

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  • Manipulation of Domain Structure in Pb(Zr,Ti)O3 Nanorods by Charge Screening 国際会議

    Tomoaki Yamada, Daisuke Ito, Osami Sakata, Hiroshi Funakubo, Takahiro Namazu, Masahito Yoshino, Takanori Nagasaki

    KJCFE 11th (11th Korea-Japan Conference on Ferroelectrics)  2016年8月 

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    開催年月日: 2016年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

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  • ポストアニール法による配向制御したHfO2基強誘電体の作成とその特性評価

    三村和仙, 舟窪浩

    新学術領域研究「ナノ構造情報のフロンティア開拓―材料科学の新展開」第4回若手の会  2016年7月 

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    開催年月日: 2016年7月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:茨城県  

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  • Preparation of Mg2Si Thin Films on Various Kinds of Substrates and their Thermoelectric Properties 国際会議

    Mao Kurokawa, Mutsuo Uehara, Daichi Ichinose, Takao Shimizu, Kensuke Akiyama, Masaaki Matsushima, Hiroshi Uchida, Yoshisato Kimura, Hiroshi Funakubo

    APAC-SILICIDE 2016 (Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials)  2016年7月 

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    開催年月日: 2016年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Fukuoka  

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  • 蛍石構造酸化物のアニオン制御による“直接特性制御型強誘電体”の創成

    舟窪浩

    新学術領域研究「ナノ構造情報のフロンティア開拓―材料科学の新展開」第7回全体会議  2016年7月 

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    開催年月日: 2016年7月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都府  

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  • Optimization of Deposition Conditions of Y-doped SrZrO3 Thin Films Fabricated by Pulsed Laser Deposition Method 国際会議

    Kiyoshi Uchiyama, Hiroki Tanaka, Takahiro Oikawa, Hiroshi Funakubo

    IUMRS-ICEM2016 (International Union of Materials Research Societies - International Conference on Electronic Materials)  2016年7月 

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    開催年月日: 2016年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • Probing of Oxygen Vacancies in BaTiO3 Powder and Single Crystal by Micro-Raman Scattering 国際会議

    H. Fukushima, H. Oka, H. Funakubo, H. Uchida, H. Moriwake, H. Shima, K. Nishida

    MDA 2016 (1st International Conference on Materials Design and Applisations)  2016年6月 

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    開催年月日: 2016年6月 - 2016年7月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Porto  

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  • 配向制御したHfO2基強誘電体薄膜の作製と特性評価

    舟窪 浩, 清水荘雄, 片山きりは, 三村和仙

    応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 第192回研究集会  2016年6月 

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    開催年月日: 2016年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • Growth of orientation-controlled ferroelectric HfO2 thin films by solid phase crystallization and their characterization 国際会議

    Takanori Mimura, Kiriha Katayama, Takao Shimizu, Hiroshi Uchida, Takanori Kiguchi, Akihiro Akama, Toyohiko J. Konno, Osami Sakata, Hiroshi Funakubo

    2016 Joint RCBJSF-IWRF Conference  2016年6月 

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    開催年月日: 2016年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Shimane  

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  • Preparation of fluorite-structured ferroelectric thin films and their characterization 国際会議

    Takao Shimizu, Kiliha Katayama, Takanori Kiguchi, Akihiro Akama, Toyohiko J. Konno, Osami Sakata, Hiroshi Funakubo

    2016 Joint RCBJSF-IWRF Conference  2016年6月 

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    開催年月日: 2016年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Shimane  

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  • Impact of Incubation Time on Deposition of Flat Ru Thin Film on Various Kinds of Substrates at Different Temperature 国際会議

    Hirokazu Chiba, Masaki Hirano, Kazuhisa Kawano, Noriaki Oshima, Hiroshi Funakubo

    ISCSI-Ⅶ/ISTDM 2016  2016年6月 

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    開催年月日: 2016年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Nagoya  

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  • Growth of Orientation-Controlled Ferroelectric HfO2 Thin Films for Next Generation Ferroelectric Devices 国際会議

    Hiroshi Funakubo, Takanori Mimura, Kiriha Katayama, Takao Shimizu, Hiroshi Uchida, Takanori Kiguchi, Akihiro Akama, Toyohiko Konno, Osami Sakata

    ISCSI-Ⅶ/ISTDM 2016  2016年6月 

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    開催年月日: 2016年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Nagoya  

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  • 正方晶/菱面体晶Pb(ZrxTi1-x)O3人工超格子界面における電荷補償が圧電特性に与える影響

    山田智明, 海老原洋平, 坂田修身, 森岡 仁, 木口賢紀, 清水荘雄, 舟窪 浩, 吉野正人, 長崎正雅

    第33回強誘電体応用会議(FMA 33)  2016年5月 

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    開催年月日: 2016年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都府  

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  • Zr/(Zr+Ti)比によって歪量を連続的に制御して作成したPb(Zr,Ti)O3 エピタキシャル薄膜の構造変化

    一ノ瀬大地, 中島祟明, 江原祥隆, 及川貴弘, 清水荘雄, 坂田修身, 山田智明, 舟窪 浩

    第33回強誘電体応用会議(FMA 33)  2016年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都府  

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  • Pt/Si基板上への{110}高配向ぺロブスカイト薄膜の直接成膜

    内山潔, 佐藤智也, 一ノ瀬大地, 木村純一, 井上貴明, 三村和仙, 舟窪浩

    第33回強誘電体応用会議(FMA33)  2016年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都府  

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  • Pb(Zr,Ti)O3エピタキシャル膜におけるラマンスペクトルの角度依存性

    福島浩晃, 舟窪 浩, 内田 寛, 島 宏美, 西田 謙

    第33回強誘電体応用会議(FMA 33)  2016年5月 

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    開催年月日: 2016年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都府  

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  • PLD法による正方晶(Bi,K)TiO3エピタキシャル膜作製と圧電特性評価

    根本 祐一, 一ノ瀬 大地, 清水 荘雄, 内田 寛, 舟窪 浩

    第33回強誘電体応用会議(FMA 33)  2016年5月 

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    開催年月日: 2016年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都府  

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  • Si基板およびSrTiO3基板上エピタキシャルPZT薄膜の電気特性および結晶構造の組成依存性

    岡本 庄司, 岡本 賢, 横山 慎太郎, 舟窪 浩, 秋山 賢輔

    第33回強誘電体応用会議(FMA 33)  2016年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都府  

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  • 電場印加下のエピタキシャルBiFeO3薄膜における格子歪のその場観察

    中嶋誠二, 坂田修身, 舟窪 浩, 高山幸太, 藤沢浩訓, 清水荘雄, 一ノ瀬大地, 今井康彦, 清水 勝

    第33回強誘電体応用会議(FMA 33)  2016年5月 

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    開催年月日: 2016年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都府  

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  • 金属酸化物ナノシート界面層を利用したチタン酸バリウム薄膜の結晶配向性制御

    大井智雄, 野口慶人, 茂木翔太, 金 鎭雄, 島 宏美, 西田 謙, 木口賢紀, 赤間章裕, 今野豊彦, 舟窪 浩, 内田 寛

    第33回強誘電体応用会議(FMA 33)  2016年5月 

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    開催年月日: 2016年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都府  

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  • Fabrication of Flexible Piezoelectric Devices using Hydrothermal Method 国際会議

    T. Shiraishi, M. Kurosawa, H. Uchida, Y. Suzuki, T. Kobayashi, H. Funakubo, T. J. Konno

    SMS 2016 (Summit of Materials Science, 100th Anniversary of Institute for Materials Research)  2016年5月 

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    開催年月日: 2016年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Sendai  

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  • Piezoelectric Materials for MEMS Application 国際会議

    HIROSHI FUNAKUBO

    MEMS Engineer Forum  2016年5月 

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    開催年月日: 2016年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Ryogoku  

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  • β-FeSi2薄膜のPL発光特性に及ぼすアニール処理の影響

    秋山賢輔, 松本佳久, 木口賢紀, 舟窪 浩

    第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年3月 

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    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • 走査型非線形誘電率顕微鏡における強誘電性Y:HfO2薄膜のドメイン反転

    陳 舟, 平永良臣, 清水荘雄, 片山きりは, 三村和仙, 舟窪 浩, 長 康雄

    第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年3月 

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    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • 固相成長による配向制御したHfO2基強誘電体薄膜の作製と特性評価

    三村和仙, 片山きりは, 清水荘雄, 内田 寛, 木口賢紀, 赤間章裕, 今野豊彦, 坂田修身, 舟窪 浩

    第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年3月 

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    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • PLD法による正方晶(Bi,K)TiO3エピタキシャル膜作製と圧電特性評価

    根本祐一, 一ノ瀬大地, 清水荘雄, 内田 寛, 舟窪 浩

    第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • 方晶/菱面体晶Pb(ZrxTi1-x)O3人工超格子薄膜における圧電応答の層厚依存性

    山田智明, 海老原洋平, 坂田修身, 森岡 仁, 木口賢紀, 清水荘雄, 舟窪 浩, 吉野正人, 長崎正雅

    第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • 界印加による面内分極軸優先配向Pb(Zr,Ti)O3薄膜のドメイン構造変化

    一ノ瀬大地, 江原祥隆, 清水荘雄, 坂田修身, 山田智明, 舟窪 浩

    第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • {110}一軸配向ペロブスカイト型酸化物薄膜の作製と結晶構造解析

    佐藤智也, 木村純一, 一ノ瀬大地, 三村和仙, 舟窪 浩, 内山 潔

    第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年3月 

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    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • ラマン分光法を用いたBaTiO3の酸素欠陥の評価

    福島浩晃, 岡 廣隆, 神津知己, 舟窪 浩, 内田 寛, 森分博紀, 島 宏美, 西田 謙

    第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年3月 

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    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • Mg2Si薄膜の熱電特性に及ぼす歪みの影響

    黒川満央, 上原睦雄, 一ノ瀬大地, 清水荘雄, 秋山賢輔, 松島正明, 内田 寛, 舟窪浩

    第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • ナノシート界面層を利用した配向性PZT厚膜の作製

    宮崎竜斗, 一ノ瀬大地, 金 鎭雄, 島 宏美, 赤間章裕, 木口賢紀, 西田 謙, 今野豊彦, 舟窪 浩, 内田 寛

    第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • 化学溶液堆積法で作製された配向性チタン酸バリウム薄膜の結晶化挙動に及ぼす熱処理プロセスの影響

    大井智雄, 野口慶人, 茂木翔太, 内田寛, 金鎭雄, 島宏美, 西田謙, 木口賢紀, 赤間章裕, 今野豊彦, 舟窪浩

    日本セラミックス協会 2016年年会  2016年3月 

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    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東京都  

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  • 配向制御したHfO2基強誘電体の作製とその強誘電特性評価

    舟窪浩, 清水荘雄, 片山きりは, 三村和仙, 木口賢紀, 赤間章裕, 今野豊彦, 内田寛

    日本セラミックス協会 2016年年会  2016年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • HfO2薄膜における強誘電相転移に関する第一原理計算

    森分博紀, 小西綾子, 桑原彰秀, 東後篤史, 清水荘雄, 舟窪浩

    日本セラミックス協会 2016年年会  2016年3月 

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    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • 固相エピタキシー法による斜方晶相HfO2-ZrO2固溶体薄膜の作製

    木口賢紀, 中村奨梧, 範滄宇, 白石貴久, 今野豊彦, 清水荘雄, 舟窪浩

    日本セラミックス協会 2016年年会  2016年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • 蛍石構造を有する薄膜の強誘電性発現機構の解明と新規強誘電体物質群の創出

    舟窪 浩

    新学術領域研究「ナノ構造情報のフロンティア開拓―材料科学の新展開」第3回公開シンポジウム  2016年3月 

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    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • 酸化物薄膜の構造解析~HfO2基極薄膜の斜方晶相について~

    白石貴久, 中村奨梧, 範滄宇, 片山きりは, 清水荘雄, 舟窪浩, 木口賢紀, 今野豊彦

    共用・計測 合同シンポジウム2016 微細構造解析プラットフォーム・ワークショップ NIMS先端計測シンポジウム2016 合同シンポジウム  2016年3月 

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    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:つくば市  

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  • 強誘電性Y:HfO2薄膜におけるナノスケールドメイン反転

    陳舟, 平永良臣, 清水荘雄, 片山きりは, 三村和仙, 舟窪浩, 長康雄

    電子情報通信学会研究会  2016年 

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    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋市  

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  • Growth and photoluminescence properties of Au- or N-doped iron disilicide 国際会議

    Kensuke Akiyama, Hiroshi Funakubo

    2016 SPIE. PHORONICS WEST.  2016年2月 

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    開催年月日: 2016年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:San Francisco  

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  • High temperature dielectric properties of c-axis oriented bismuth layer-structured dielectric films prepared on Si and Glass substrates using nanosheets buffer layer 国際会議

    H. Funakubo, J. Kimura, I. Takuwa, M. Matsushima, T. Shimizu, H. Uchida, T. Shibata, M. Osada, T. Sasaki

    EMA 2016  2016年1月 

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    開催年月日: 2016年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Orlando, Florida  

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  • Thermoelectric characterization of sputtered Ca-Mg-Si films 国際会議

    M. Uehara, M. Kurokawa, K. Akiyama, T. Shimizu, M. Matsushima, H. Uchida, Y. Kimura, H. Funakubo

    EMA 2016  2016年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Orlando, Florida  

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  • 固相成長法を用いた強誘電体HfO2 基薄膜のエピタキシャル成長と特性評価

    三村和仙, 片山きりは, 清水荘雄, 舟窪浩, 内田寛, 木口賢紀, 赤間章裕, 今野豊彦

    第54回セラミックス基礎科学討論会  2016年1月 

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    開催年月日: 2016年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:佐賀市  

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  • PLD 法による正方晶(Bi,,K)TiO3 エピタキシャル膜作製と圧電特性評価

    根本祐一, 一ノ瀬大地, 清水荘雄, 内田寛, 舟窪浩

    第54回セラミックス基礎科学討論会  2016年1月 

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    開催年月日: 2016年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:佐賀市  

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  • スパッタリング法によるCa-Mg-Si 基膜熱電材料の特性評価

    上原睦雄, 黒川満央, 秋山賢輔, 清水荘雄, 松島正明, 内田寛, 木村好里, 舟窪浩

    第54回セラミックス基礎科学討論会  2016年1月 

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    開催年月日: 2016年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:佐賀市  

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  • Mg2Si 薄膜の熱電特性に及ぼす種々の因子の影響

    黒川満央, 上原睦雄, 秋山賢輔, 松島正明, 内田寛, 木村好里, 舟窪浩

    第54回セラミックス基礎科学討論会  2016年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:佐賀市  

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  • HfO2 基エピタキシャル薄膜における強誘電相の安定化

    片山きりは, 清水荘雄, 木口賢紀, 赤間章裕, 今野豊彦, 内田寛, 舟窪浩

    第54回セラミックス基礎科学討論会  2016年1月 

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    開催年月日: 2016年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:佐賀市  

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  • 正方晶/菱面体晶Pb(Zr,Ti)O3 人工超格子薄膜の構造及び圧電特性の層厚依存性

    海老原洋平, 山田智明, 坂田修身, 森岡仁, 木口賢紀, 今井康彦, 清水荘雄, 舟窪浩, 吉野正人, 長﨑正雅

    第54回セラミックス基礎科学討論会  2016年1月 

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    開催年月日: 2016年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:佐賀市  

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  • Domain structure and piezoelectric response of self-assembled tetragonal Pb(Zr,Ti)O3 Nanorods 国際会議

    Tomoaki Yamada, Daisuke Ito, Osami Sakata, Takanori Kiguchi, Takahisa Shiraishi, Takao Shimizu, MasahitoYoshino, Hiroshi Funakubo, Takanori Nagasaki

    Pacifichem 2015  2015年12月 

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    開催年月日: 2015年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Honolulu, Hawaii  

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  • Ferroelectricity in HfO2-based epitaxial thin film 国際会議

    Takao Shimizu, Kiriha Katayama, Takahisa Shiraishi, Takanori Kiguchi, Shogo Nakamura, Toyohiko Konno, Hiroshi Funakubo

    Pacifichem 2015  2015年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Honolulu, Hawaii  

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  • High frequency tunable property of Ba(ZrxTi1-x)O3 films grown by reactive sputtering 国際会議

    Jinwoong Kim, Hiroshi Funakubo, Tomoaki Yamada, Ken Nishida

    Pacifichem 2015  2015年12月 

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    開催年月日: 2015年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Honolulu, Hawaii  

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  • Low Temperature Deposition of Epitaxial (K,Na)NbO3 Films using Hydrothermal Method 国際会議

    Takahisa Shiraishi, Hiro Einishi, Minoru Kurosawa, Hiroshi Uchida, Nobuhiro Kumada, Takanori Kiguchi, Hiroshi Funakubo

    EMN 3CG 2015  2015年12月 

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    開催年月日: 2015年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Kowloon, Hong Kong  

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  • 正方晶/菱面体晶P b(Zr,Ti)O3人工超格子薄膜の作製と圧電特性の評価

    海老原洋平, 山田智明, 坂田修身, 森岡仁, 木口賢紀, 今井康彦, 清水荘雄, 舟窪浩, 吉野正人, 長﨑正雅

    平成27年度日本セラミックス協会東海支部学術研究発表会  2015年12月 

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    開催年月日: 2015年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋市  

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  • Lattice Strain and Resistance Switching Properties of Pulsed Laser-Deposited V2O3 Thin Films 国際会議

    Joe Sakai, Antoine Ruyter, Beatrice Negulescu, Patrice Limelette, Hiroshi Funakubo

    2015 MRS Fall Meeting & Exhbit  2015年12月 

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    開催年月日: 2015年11月 - 2015年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Boston  

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  • Effect of Stress on Ferroelectricity of (Hf0.5Zr0.5)O2 Thin Films 国際会議

    Hiroshi Funakubo, Takahisa Shiraishi, Tatsuhiko Yokouchi, Takahiro Oikawa, Hiroshi Uchida

    2015 MRS Fall Meeting & Exhbit  2015年11月 

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    開催年月日: 2015年11月 - 2015年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Boston, MA  

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  • Growth of Epitaxial Orthorhombic YO1.5-Substituted HfO2 Thin Film 国際会議

    Takao Shimizu, Kiliha Katayama, Takanori Kiguchi, Akihiro Akama, Shougo Nakamura, Takahisa Shiraishi, Toyohiko J. Konno, Osami Sakata, Hiroshi Funakubo

    17th US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics  2015年11月 

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    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Matsumoto  

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  • Growth and Structural Analysis of Epitaxial Orthorhombic YO1.5-HfO2 Thin Films 国際会議

    Kiliha Katayama, Takao Shimizu, Osami Sakata, Takanori Kiguchi, Akihiro Akama, Toyohiko J. Konno, Syogo Nakamura, Hiroshi Uchida, Hiroshi Funakubo

    17th US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics  2015年11月 

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    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Matsumoto  

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  • Preferential Crystal Growth of BiFeO3-Based Thin Films Using Metal-Oxide Nanosheet Templates 国際会議

    Hiroshi Uchida, Kohei Nagasaka, Jin Woong Kim, Hiromi Shima, Akihiro Akama, Takanori Kiguchi, Ken Nishida, Toyohiko J. Konno, Hiroshi Funakubo

    17th US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics  2015年11月 

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    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Matsumoto  

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  • Micro-Area X-Ray Diffraction for Ferroelectric Thin Films by Laboratory-Based X-Ray Diffractometer 国際会議

    Hitoshi Morioka, Kazuo Shinozaki, Hiroshi Funakubo

    17th US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics  2015年11月 

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    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Matsumoto  

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  • Orientation Control of Epitaxial Tetragonal Pb(Zr, Ti)O3 Thin Films Grown on (100)KTaO3 Substrates by Tuning the Zr/(Zr+Ti) Ratio 国際会議

    Daichi Ichinose, Takaaki Nakashima, Yoshitaka Ehara, Takahiro Oikawa, Takao Shimizu, Osami Sakata, Tomoaki Yamada, Hiroshi Funakubo

    17th US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics  2015年11月 

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    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Matsumoto  

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  • Size Dependence of Domain Structure in Tetragonal Pb(Zr,Ti)O3 Nanorods 国際会議

    T. Yamada, D. Ito, O. Sakata, T. Kiguchi, T. Shiraishi, T. Shimizu, H. Funakubo, M. Yoshino, T. Nagasaki

    17th US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics  2015年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Matsumoto  

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  • MOCVD growth of β-FeSi2 on Si via vapor-liquid-solid method using Au-Si liquids phase 国際会議

    K. Akiyama, H. Funakubo

    DPS 2015  2015年11月 

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    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Awaji Island  

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  • Preparation of Fluorite-Structured Ferroelectric Thin Films and Their Characterization 国際会議

    Takao Shimizu, Kiriha Katayama, Tatsuhiko Yokouchi, Takahiro Oikawa, Takahisa Shiraishi, Takanori Kiguchi, Toyohiko Konno, Hiroshi Uchida, Hiroshi Funakubo

    015 International Workshop on Dielectric Thin Films for future electron devices-science and technology  2015年11月 

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    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Tokyo  

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  • Fabrication of Highly Oriented Proton Conductive Oxide Thin Films 国際会議

    Tomoya Sato, Daichi Ichinose, Hiroshi Funakubo, Kiyoshi Uchiyama

    IUMRS-ICAM 2015  2015年10月 

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    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Jeju  

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  • Domain Structure and Piezoelectric Response in One-dimensional PZT Nanostructure 国際会議

    T. Yamada, D. Ito, O. Sakata, H. Funakubo, M. Yoshino, T. Nagasaki

    IUMRS-ICAM 2015  2015年10月 

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    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Jeju  

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  • Electric Property of {110}-one-axis oriented (Ba0.5Sr0.5)TiO3 (BST) Thin Films Fabricated by RF-magnetron Sputtering Method 国際会議

    K. Uchiyama, N. Oshima, Y. Ehara, T. Oikawa, H. Tanaka, T. Sato, H. Uchida, T. Yamada, H. Funakubo

    IUMRS-ICAM 2015  2015年10月 

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    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Jeju  

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  • PZT膜における温度によるドメイン構造転移

    舟窪 浩, 一ノ瀬大地, 中島崇明, 江原祥隆, 及川貴弘, 清水荘雄, 山田智明

    第35回エレクトロセラミックス研究討論会  2015年10月 

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    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • 種々の基板上に作製した (Hf0.5Zr 0.5)O2薄膜の特性

    白石貴久, 片山きりは, 横内達彦, 清水荘雄, 及川貴弘, 内田 寛, 舟窪 浩, 木口賢紀, 今野豊彦

    第35回エレクトロセラミックス研究討論会  2015年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京都  

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  • 化学溶液堆積法により作製したエピタキシャルBaTiO3-Bi(Mg1/2Ti 1/2)O3薄膜の誘電特性

    茂木翔太, 木村純一, 舟窪 浩, 内田 寛

    第35回エレクトロセラミックス研究討論会  2015年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東京都  

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  • Low Temperature MOCVD deposited Ta2O5 films with good dielectric property from Ta(NtBu)(OtBu)3 and O2 国際会議

    Hirokazu Chiba, Ken-ichi Tada, Taishi Furukawa, Toshiki Yamamoto, Tadahiro Yotsuya, Noriaki Oshima, Hiroshi Funakubo

    STAC-9 & TOEO-9  2015年10月 

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    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Ibaraki  

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  • シリコン上への金属層導入による鉄シリサイド半導体の微細構造制御と光触媒特性

    秋山賢輔, 舟窪浩

    材料シンポジウムワークショップ - 日本材料学会  2015年10月 

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    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都市  

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  • Modification of c/a ratio on pulsed laser-deposited V2O3 thin films 国際会議

    Joe Sakai, Patrice Limelette, Hiroshi Funakubo

    WOE22  2015年10月 

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    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Paris  

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  • Effect of Stress on Ferroelectricity of (Hf0.5Zr0.5)O2 Thin Films 国際会議

    H.Funakubo, T.Shiraishi, T.Shimizu, T.Yokouchi, T.Oikawa, H.Uchida

    SSDM 2015  2015年9月 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Sapporo  

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  • 水熱合成法によるKNbO₃圧電結晶膜の厚み縦振動を利用する超音波トランスデューサの特性評価

    石河睦生, 内田庸助, 亀山大輔, 小菅信章, 澁谷素子, 舟窪浩, 黒澤実

    日本セラミックス協会第28回秋季シンポジウム  2015年9月 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:富山市  

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  • PdO//Pd バッファ層を用いた{110} 配向Pb(Zr,Ti)O3(PZT)薄膜の作製と評価

    内山潔, 大島直也, 田中宏樹, 江原祥隆, 及川貴弘, 佐藤智也, 内田寛, 舟窪浩

    日本セラミックス協会第28回秋季シンポジウム  2015年9月 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:富山市  

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  • (Hf0.5Zr0.5)O2 薄膜の強誘電性に及ぼす歪の効果

    舟窪 浩, 白石 貴久, 片山 きりは, 横内 達彦, 清水 荘雄, 及川 貴弘, 内田 寛

    日本金属学会2015年秋期講演大会  2015年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:福岡市  

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  • BaTiO3-Bi(Mg1/2Ti1/2)O3エピタキシャル薄膜の作製とその特性評価

    茂木翔太, 内田寛, 木村純一, 舟窪浩

    日本セラミックス協会第28回秋季シンポジウム  2015年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:富山市  

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  • 正方晶Pb(Zr,Ti)O3ナノロッドのドメイン構造に及ぼす脱分極電界の影響

    山田智明, 伊藤大介, 坂田修身, 黒石隼輝, 生津資大, 清水荘雄, 舟窪浩, 木口賢紀, 吉野正人, 長崎正雅

    日本セラミックス協会第28回秋季シンポジウム  2015年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:富山市  

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  • ABF-STEM 法を用いた斜方晶HfO2の分極構造の解析

    中村奨梧, 範滄宇, 白石貴久, 木口賢紀, 今野豊彦, 片山きりは, 清水荘雄, 横内達彦, 及川貴弘, 舟窪浩

    日本セラミックス協会第28回秋季シンポジウム  2015年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:富山市  

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  • ナノシート界面層を利用したBaTiO3薄膜の選択配向成長

    野口 慶人, 茂木 翔太, 舟窪 浩, 内田 寛

    第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年9月 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋市  

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  • XRD測定による (100)/(001)配向正方晶Pb(Zr,Ti)O3膜の電界印加下の結晶構造変化の定量分析

    舟窪 浩, 大島 直也, 清水 荘雄, 中島 光雅, 江原 祥隆, 及川 貴弘, 内田 寛

    第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年9月 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋市  

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  • Si基板上への斜方晶エピタキシャルHfO2基薄膜の作製

    片山 きりは, 清水 荘雄, 木口 賢紀, 赤間 章裕, 今野 豊彦, 内田 寛, 坂田 修身, 舟窪 浩

    第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋市  

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  • 正方晶Pb(Zr,Ti)O3薄膜におけるZr/(Zr+Ti)比のドメイン構造への影響

    一ノ瀬 大地, 中島 崇明, 江原 祥隆, 清水 荘雄, 坂田 修身, 山田 智明, 舟窪 浩

    第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋市  

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  • 斜方晶エピタキシャルHfO2基薄膜のドメイン構造

    清水 荘雄, 片山 きりは, 木口 賢紀, 赤間 章裕, 今野 豊彦, 内田 寛, 坂田 修身, 舟窪 浩

    第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋市  

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  • {100}, {111}配向Pb(Zr,Ti)O3ナノロッドのドメイン構造とそのサイズ依存性

    山田 智明, 伊藤 大介, 坂田 修身, 黒石 隼輝, 生津 資大, 清水 荘雄, 舟窪 浩, 吉野 正人, 長崎 正雅

    第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋市  

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  • RFマグネトロンスパッタリング法による{110}高配向Ba(Ce,Y)O3ぺロブスカイト薄膜の作製

    佐藤 智也, 一ノ瀬 大地, 舟窪 浩, 内山 潔

    第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋市  

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  • スパッタリング法によるCa-Mg-Si基膜の作製と特性評価

    上原 睦雄, 黒川 満央, 秋山 賢輔, 松島 正明, 内田 寛, 木村 好里, 舟窪 浩

    第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋市  

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  • (100)/(001)配向エピタキシャルPbTiO3膜におけるドメイン構造に及ぼす温度と格子歪みの影響

    舟窪 浩, 中島 崇明, 一ノ瀬 大地, 江原 祥隆, 中島 光雅, 清水 荘雄, 小林 健, 飯島 高志, 山田 智明

    第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋市  

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  • 窒素(N)ドーピングした鉄シリサイドのPL発光特性

    秋山 賢輔, 高橋 亮, 松本 佳久, 舟窪 浩

    第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋市  

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  • PLD法で作製したV2O3薄膜の相転移特性とc/a軸長比

    坂井 穣, リムレット パトリス, 舟窪 浩

    第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年9月 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:名古屋市  

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  • HfO2基強誘電体のエピタキシャル成長とその特性評価

    舟窪浩

    新学術領域研究「ナノ構造情報のフロンティア開拓―材料科学の新展開」第5回全体会議  2015年7月 

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    開催年月日: 2015年7月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都市  

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  • Phase Identification of Ca-Si Films prepared on (001) Al2O3 Substrates Using X-ray Diffraction Wide Area Reciprocal Space Mapping Method 国際会議

    M. Uehara, K. Akiyama, M. Matsushima, T. Shimizu, H. Uchida, Y. Kimura, H. Funakubo

    2015年7月 

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    開催年月日: 2015年7月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Tsukuba  

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  • Growth and structural analysis of epitaxial orthorhombic YO1.5-HfO2 thin films 国際会議

    K. Katayama, T. Shimizu, O. Sakata, T. Kiguchi, A. Akama, T. J. Konno, S. Nakamura, H. Uchida, H. Funakubo

    NIMS Conference 2015  2015年7月 

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    開催年月日: 2015年7月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Tsukuba  

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  • Electric Measurement of Proton Conductive Perovskite Thin Films Deposited by RF Magnetron Sputtering 国際会議

    Tomoya SATO, Takaaki INOUE, Hiroshi FUNAKUBO, Kiyoshi UCHIYAMA

    EM-NANO 2015  2015年6月 

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    開催年月日: 2015年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Niigata  

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  • Domain Structure and Piezoelectric Response in Epitaxial PZT 1D-Nanorods and 2D-Thin Films 国際会議

    T. Yamada, D. Ito, O. Sakata, J. Yasumoto, T. Shiraishi, T. Shimizu, M. Yoshino, H. Funakubo, T. Nagasaki

    EM-NANO 2015  2015年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Niigata  

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  • The effect of electrolyte concentration on silicon nanoparticles prepared by laser ablation in liquid 国際会議

    Pattarin Chewchinda, Yoshitaka Kitamoto, Hiroshi Funakubo, Michikazu Hara, Osamu Odawara, Hiroyuki Wada

    LAMP2015  2015年5月 

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    開催年月日: 2015年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Kitakyushu  

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  • Reactive Sputtering Process and Properties of Ba(ZrxTi1-x)O3 Films for High Frequency Applications 国際会議

    Jinwoong KIM, Hiromi SHIMA, T. YAMAMOTO, Shintaro YASUI, Hiroshi FUNAKUBO, Tomoaki YAMADA, Ken NISHIDA

    ISAF-ISIF-PFM 2015  2015年5月 

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    開催年月日: 2015年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • Evaluation of Oxygen Vacancy in ZnO Using Raman Spectroscopy 国際会議

    Hiroaki FUKUSHIMA, Tomomi KOZU, Hiromi SHIMA, Hiroshi FUNAKUBO, Hiroshi UCHIDA, Takashi KATODA, Ken NISHIDA

    ISAF-ISIF-PFM 2015  2015年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • Fabrication of Tetragonal Pb(Zr,Ti)O3 Nanorods by Focused Ion Beam and Characterization of the Domain Structure 国際会議

    Daisuke ITO, Tomoaki YAMADA, Osami SAKATA, Junki KUROISHI, Takahiro NAMAZU, Takahisa SHIRAISHI, Takao SHIMIZU, Hiroshi FUNAKUBO, Masahito YOSHINO, Takanori NAGASAKI

    ISAF-ISIF-PFM 2015  2015年5月 

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    開催年月日: 2015年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • Searching for the Origin of the Ferroelectric Phase in HfO2 国際会議

    Uwe SCHROEDER, Tony SCHENK, Claudia RICHTER, M. HOFFMANN, Dominik MARTIN, T. SHIMIZU, Hiroshi FUNAKUBO, Darius POHL, Christoph ADELMANN, R. MATERLIK, Alfred KERSCH, X. SANG, James LEBEAU, Sergei V. KALININ, Thomas MIKOLAJICK

    ISAF-ISIF-PFM 2015  2015年5月 

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    開催年月日: 2015年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • Large Piezoelectricity Driven by Electrically-Induced High-Density Ferroelastic Domains in Tetragonal Pb(Zr, Ti)O3 Films 国際会議

    Hiroshi FUNAKUBO, Mitsumasa NAKAJIMA, Hiorshi NAKAKI, Tomoaki YAMADA, Ayumi WADA, Takahiro OIKAWA, Takaaki NAKASHIMA, Yohitaka EHARA, Naoya OSHIMA, Alexei GRUVERMAN

    ISAF-ISIF-PFM 2015  2015年5月 

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    開催年月日: 2015年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

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  • Piezoelectric Response in Epitaxial PZT 1D-Nanorods and 2D-Thin Films 国際会議

    Tomoaki YAMADA, Jun YASUMOTO, Daisuke ITO, Osami SAKATA, Takanori KIGUCHI, Hidenori TANAKA, Yoshitaka EHARA, Shintaro YASUI, Takahiro OIKAWA, Hiroshi FUNAKUBO, Masahito YOSHINO, Takanori NAGASAKI

    ISAF-ISIF-PFM 2015  2015年5月 

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    開催年月日: 2015年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • CSD 由来HfO2-ZrO2 固溶体薄膜の結晶構造と誘電特性

    阿部千穂子, 塩川真里奈, 片山きりは, 白石貴久, 清水荘雄, 舟窪 浩, 内田 寛

    第32回強誘電体応用会議(FMA 32)  2015年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都市  

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  • Zr/(Zr+Ti)比によるPb(Zr,Ti)O3 薄膜のドメイン制御

    一ノ瀬大地, 中島祟明, 江原祥隆, 及川貴弘, 清水荘雄, 山田智明, 舟窪 浩

    第32回強誘電体応用会議(FMA 32)  2015年5月 

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    開催年月日: 2015年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都市  

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  • 斜方晶相を含むエピタキシャルHfO2 基薄膜の作製と評価

    片山きりは, 清水荘雄, 白石貴久, 及川貴弘, 木口賢紀, 赤間章裕, 今野豊彦, 中村奨梧, 内田 寛, 舟窪 浩

    第32回強誘電体応用会議(FMA 32)  2015年5月 

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    開催年月日: 2015年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都市  

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  • PdO/Pd バッファ層を用いた{110}配向ペロブスカイト薄膜の作製とその物性評価

    内山 潔, 大島直也, 江原祥隆, 及川貴弘, 田中宏樹, 佐藤智也, 内田 寛, 舟窪 浩

    第32回強誘電体応用会議(FMA 32)  2015年5月 

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    開催年月日: 2015年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都市  

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  • 正方晶Pb(Zr,Ti)O3 ナノロッドのドメイン構造とそのサイズ依存性

    山田智明, 伊藤大介, 坂田修身, 黒石隼輝, 生津資大, 白石貴久, 清水荘雄, 舟窪 浩, 吉野正人, 長崎正雅

    第32回強誘電体応用会議(FMA 32)  2015年5月 

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    開催年月日: 2015年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都市  

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  • 水熱合成(K0.5Na0.5)NbO3 膜の結晶構造と製膜メカニズムの調査

    白石貴久, 黒澤 実, 舟窪 浩, 内田 寛, 木口賢紀, 今野豊彦

    第32回強誘電体応用会議(FMA 32)  2015年5月 

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    開催年月日: 2015年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:京都市  

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  • Ferroelectricity of HfO2-based thin Films 国際会議

    T. Shimizu, H. Funakubo

    International Workshop on Topological Structures in Ferroic Materials 2015  2015年5月 

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    開催年月日: 2015年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:New South Wales  

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  • Strain effect on transport properties of pulsed laser deposited V2O3 thin films 国際会議

    Joe Sakai, Hiroshi Funakubo

    Joint Workshop GDRi CNRS MECANO and GDR CNRS OXYFUN  2015年4月 

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    開催年月日: 2015年4月

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Louvain-la-Neuve  

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  • 液中レーザーアブレーションによるシリコンナノ粒子の作製と太陽電池への応用

    小林 宏輝, Pattarin Chewchinda, 大谷 弘之, 舟窪 浩, 小田原 修, 和田 裕之

    レーザー学会学術講演会第35回年次大会  2015年1月 

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    開催年月日: 2015年1月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東京港区  

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  • 液中レーザーアブレーションによるシリコンナノ粒子を用いた量子ドット増感太陽電池への検討

    小林 宏輝, Pattarin Chewchinda, 大谷 弘之, 舟窪 浩, 小田原 修, 和田 裕之

    電気化学会第80回大会  2013年 

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:仙台  

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  • 高周波誘導加熱法による結晶化チタン酸バリウム層の低温作製

    松下伸広, 立道諭, 勝又健一, 舟窪浩, 岡田清, 山田智明

    2011年秋季シンポジウム  2011年9月 

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    開催年月日: 2011年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:札幌  

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  • 高いd33のためのエピタキシャルPb(Zr,Ti)O3薄膜のドメインエンジニアリング

    Y.K. Kim, R. Ueno, H. Morioka, S. Yokoyama, S. Okamoto, M. Osada, H. Funakubo

    2005年春季第52回応用物理学関係連合講演会  2005年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:埼玉大学  

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  • MOCVD法によるBi-Fe-O薄膜の作製

    上野梨紗子, 岡浦慎吾, 岡本庄司, 近藤正雄, 丸山研二, 舟窪 浩

    2005年春季第52回応用物理学関係連合講演会  2005年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:埼玉大学  

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  • 3次元構造PZTキャパシタ用上部電極の検討

    南舘 純, 永井篤史, June-Mo Koo, Choong-Rae Cho, SukPil Kim, Youngsoo Park, 舟窪 浩

    2005年春季第52回応用物理学関係連合講演会  2005年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:埼玉大学  

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  • Evaluation for Polar c-Domain Volume in Tetragonal PbZrxTi1-xO3 Thin Films Using Polarized Raman Spectroscopy 国際会議

    Ken Nishida, M. Osada, S. Wada, S. Okamoto, R. Ueno, H. Funakubo, T. Katoda

    12th US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics  2005年11月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Annapolis, Maryland, USA  

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  • Enhancement of Insulating and Ferroelectric Properties of Bismuth Ferrite Thin Films by Ionsubstitution 国際会議

    Hiroshi Uchida, Shintaro Yasui, Risako Ueno, Hiroshi Funakubo, Seiichiro Koda

    12th US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics  2005年11月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Annapolis, Maryland, USA  

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  • Controlling the domain structures of epitaxial Pb(Zr,Ti)O3 film on SrRuO3(001)/SrTiO3(001) substrates

    The 43rd Symposium on Basic Science of Ceramics  2005年 

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    会議種別:ポスター発表  

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  • 酸化物薄膜の作製と評価の最前線-測定ツールの活用が研究・開発スピードを決める-

    舟窪浩

    薄膜分析技術セミナー  2005年1月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:株式会社堀場製作所(東京セールスオフィス)  

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  • Control Factor of Squareness in P-E Hsyteresis of MOCVD-PZT Films 国際会議

    Hiroshi Funakubo, Akihiro Sumi, Shoji Okamoto, Yoshihisa Honda, Shintaro Yokoyama

    2005年11月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Hynes Convention Center and Sheraton Boston Hotel, Boston, MA, U.S.A.  

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  • 顕微ラマン分光法による強誘電体PZT薄膜中のcドメイン体積比率の評価

    西田謙, 和田俊介, 長田実, 岡本庄司, 上野梨紗子, 舟窪浩, 河東田隆

    2005年春季第52回応用物理学関係連合講演会  2005年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:埼玉大学  

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  • MOCVD法により作製したBi1.5Zn1.0Nb1.5O7(BZN)薄膜の評価

    岡浦伸吾, 鈴木宗泰, 岡本庄司, 内田 寛, 幸田清一郎, 舟窪 浩

    2005年春季第52回応用物理学関係連合講演会  2005年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:埼玉大学  

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  • ビスマス層状誘電体薄膜のサイズ効果フリー特性の起源

    舟窪浩, 小嶌隆志, 渡辺隆之, 高橋健治, 鈴木宗泰, 坂下幸雄, 及川貴弘, 加藤一美

    日本セラミックス協会2005年年会  2005年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:岡山大学  

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  • XRDを用いた強誘電体ドメイン体積分率変化の印加電界依存性に関する評価

    斎藤啓介, 岡本庄司, 横山信太郎, 黒澤利行, 植木定雄, 舟窪 浩

    2005年春季第52回応用物理学関係連合講演会  2005年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:埼玉大学  

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  • ローカルエピタキシャル成長した(111)配向(Ba,Sr)TiO3薄膜の作製と評価

    伊藤信一, 高橋健治, 岡本庄司, 掘露伊保龍, 舟窪 浩

    2005年春季第52回応用物理学関係連合講演会  2005年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:埼玉大学  

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  • Impact of 90°-Domain Switching On High d33 in (100)-Oriented Epitaxial Pb(ZrxTi1-x)O3 Films Grown On (100)SrRuO3/(100)SrTiO3 Substrates 国際会議

    Yong Kwan Kim, Risako Ueno, Shintaro Yokoyama, Hitoshi Morioka, Hiroshi Funakubo

    2005年4月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Hotel Equatorial, Shanghai, China  

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  • Compositional Dependence of Piezoelectric Response on Epitaxial Pb(Zr1-x, Tix)O3 and (1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-(x)PbTiO3 Thick Films grown by MOCVD 国際会議

    Shintaro Yokoyama, Satoshi Okamoto, Shoji Okamoto, Keisuke Saito, Hirofumi Matsuda, Takashi Iijima, Hirotake Okino, Takashi Yamamoto, Hiroshi Funakubo

    2005年4月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Hotel Equatorial, Shanghai, China  

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  • Structural And Electrical Properties Of BiFeO3 Thin Films 国際会議

    S. K. Singh, H. Funakubo, H. Uchida, H. Ishiwara

    2005年4月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Hotel Equatorial, Shanghai, China  

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  • A New Method To Characterize A Relative Volume To The C-Domain In PZT Films Based On The Raman Spectra 国際会議

    Ken Nishida, Syunsuke Wada, Minoru Osada, Shoji Okamoto, Risako Ueno, Hiroshi Funakubo, Takashi Katoda

    2005年4月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Hotel Equatorial, Shanghai, China  

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  • Temperature Dependency of P-E hysteresis Loops of Rhombohedral PZT films 国際会議

    Hiroshi Funakubo, Akihiro Sumi, Hitoshi Morioka, Shoji Okamoto, Shintaro Yokoyama

    12th US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics  2005年11月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Annapolis, Maryland, USA  

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  • Structural Modulation in Bismuth Cuprate Supeconductor Observed by X-ray Reciprocal Space Mapping 国際会議

    Satoru Kaneko, Kensuke Akiyama, Yoshitada Shimizu, Yasuo Hirabayashi, Seishiro Ohya, Hiroshi Funakubo, Mamoru Yoshimoto

    16th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy  2005年7月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Montana, USA  

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  • Low critical current density in BiFeO3 thin films fabricating by chemical solution method

    S. K. Singh, R. Ueno, H. Funakubo, H. Uchida, S. Kado, H. Ishiwara

    第22回強誘電体応用会議(FMA-22)  2005年5月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:コープイン京都  

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  • Photoluminescence Enhancement of beta-FeSi2 by Si/beta-FeSi2/Si Double-Heterostructure 国際会議

    Kensuke Akiyama, Satoru Kaneko, Hiroshi Funakubo

    2005年5月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Awaji Island, Hyogo, Japan  

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  • Growth of Flat-surface β-FeSi2 Epitaxial Films on (100) and (111) Si substrates by MOCVD 国際会議

    Kensuke Akiyama, Satoru Kaneko, Takashi Suemasu, Hiroshi Funakubo

    16th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy  2005年7月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Montana, USA  

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  • In-Plane Orientation Dependence on the Electrical Properties of (100)/(001)-Oriented Pb(Zr, Ti)O3 Films Grown on (100)Si and (100)SrTiO3 Substrates 国際会議

    H.Funakubo, S.Okamoto, S.Yokoyama

    2005年7月 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Montana, USA  

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  • Epitaxial Growth and Magnetic Properties of Fe3Si Thin Films

    2006 MRS Fall Meeting  2006年 

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    会議種別:ポスター発表  

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  • Controlling the domain structures of epitaxial Pb(Zr,Ti)O3 film on SrRuO3(001)/SrTiO3(001) substrates

    Yong Kwan Kim, Hitoshi Morioka, Risako Ueno, Shintaro Yokoyama, Hiroshi Funakubo

    The 43rd Symposium on Basic Science of Ceramics  2005年1月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:新日鐵幕張研修センター(千葉市)  

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  • Direct Observation of Domain Formation in PbTiO3 Film using in-situ Raman-CVD Combined Equipment

    2006 MRS Fall Meeting  2006年 

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    会議種別:ポスター発表  

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  • Performance Of SrRu O3/Ru Tailored Electrodes For 3D Ferroelectric Capacitor 国際会議

    Jun Minamidate, Atsushi Nagai, Hiroshi Funakubo

    2005年4月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Hotel Equatorial, Shanghai, China  

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  • Dielectric Property of BST Films Prepared on SrRu O3/Pt Hybrid Electrode 国際会議

    Shin-ichi Ito, Kenji Takahashi, Shoji Okamoto, I.P.Koutsaroff, A.Cervin-Lawry, Joe Sakai, Nobuaki Ito, Hiroshi Funakubo

    2005年4月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Hotel Equatorial, Shanghai, China  

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  • Effect Of In-Plane Orientations And Strain On Electrical Properties Of (111)-Oriented Tetragonal PZT Thin Films 国際会議

    Hiroki Kuwabara, Akihiro Sumi, Shoji Okamoto, Shintaro Yokoyama, Hiroshi Funakubo

    2005年4月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Hotel Equatorial, Shanghai, China  

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  • Ferroelectric and Electrode Fabrication for 3D structure 国際会議

    Hiroshi Funakubo

    2005年4月 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Shanghai, China  

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  • Origin of Size Effect Free Characteristics of Bismuth Layer Structured Dielectrics Thin Films 国際会議

    H. Funakubo, T. Kojima, T. Watanabe, M. Suzuki, K. Takahashi

    2005年4月 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Baltimore Marriott Waterfront, Baltimore, Maryland, U.S.A.  

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  • Ferroelectric Properties of Rare-Earth Substituted Bismuth Iron Oxide Thin Films Fabricated By Chemical Solution Deposition Method 国際会議

    Hiroshi Uchida, Risako Ueno, Hiroshi Nakaki, Masao Kondo, Kenji Maruyama, Hiroshi Funakubo, Seiichiro Koda

    The International Symposium on Integrated Ferroelectrics (ISIF 2005)  2005年4月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Hotel Equatorial, Shanghai, China  

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  • Preparation of 3D Ferroelectric Capacitor Using MOCVD-Pb(Zr, Ti)O3 Film 国際会議

    Hiroshi Funakubo, Atsushi Nagai, Gouji Asano, Jun Minamidate

    2005年4月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Hotel Equatorial, Shanghai, China  

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  • Control of s-FeSi2/Si Interface Structure by Cu Thin Layer

    The 16th International Microscopy Congress (IMC16)  2006年 

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    会議種別:ポスター発表  

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  • MOCVD合成したエピタキシャルPZT膜とPMN-PT膜の圧電特性比較

    舟窪浩, 横山信太郎, 中木寛

    日本セラミックス協会第19回秋季シンポジウム  2006年9月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:山梨大学(甲府キャンパス)  

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  • 圧電膜の新規巨大圧電性発現機構の可能性

    舟窪浩

    セラミックス総合研究会  2006年10月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:飛騨地域地場産業振興センター(岐阜県高山市)  

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  • Thickness-Degradation-Free Deielectric Thin Films”

    JSPS日中セラミックス科学セミナー  2006年 

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    会議種別:ポスター発表  

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  • 自然超格子構造を用いたサイズ効果フリー誘電体キャパシタ

    舟窪浩

    第47回真空に関する連合講演会  2006年11月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:大阪大学コンベンションセンター(大阪府吹田市)  

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  • 強誘電体/新材料アプリケーションの最新動向

    舟窪浩

    圧電膜評価及びマルチフェロイックデバイス等新材料評価の最前線セミナー  2006年10月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:株式会社東陽テクニカ営業第二部  

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  • Impact of (111)-Oriented SrRuO3/Pt Tailored Electrode for Highly Reporoducible Preparation of MOCVD-PZT Film for High Density FeRAM

    2006 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2006)  2006年 

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    会議種別:ポスター発表  

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  • Highly Reproducible MOCVD Deposition of (111)-oriented PZT Films on SrRuO3/Pt/TiO2/SiO2/Si: Structure and Electric Properties within MOCVD Process Window

    The 5th Asian Meeting on Ferroelectrics (AMF-5)  2006年 

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    会議種別:ポスター発表  

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  • 酸化物ナノシートの積層集積による高誘電体デバイスの作製

    長田実, 海老名保男, 舟窪浩, 木口賢紀, 高田和典, 佐々木高義

    日本セラミックス協会第19回秋季シンポジウム  2006年9月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:山梨大学(甲府キャンパス)  

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  • アニール処理されたSrRuO3薄膜の酸素含有量と電気特性

    坂井穣, 伊藤暢晃, 伊藤信一, 高橋健治, 舟窪浩

    日本セラミックス協会第19回秋季シンポジウム  2006年9月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:山梨大学(甲府キャンパス)  

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  • X線逆格子マッピングによるBi系超伝導薄膜の超構造評価

    金子智, 秋山賢輔, 平林康男, 舟窪浩, 吉本護

    2006年春季第53回応用物理学関係連合講演会  2006年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:武蔵工業大学(世田谷キャンパス)  

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  • 化学溶液法によるBiFeO3-BiScO3薄膜の作製

    安井伸太郎, 内田寛, 中木寛, 舟窪浩, 幸田清一郎

    2006年春季第53回応用物理学関係連合講演会  2006年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:武蔵工業大学(世田谷キャンパス)  

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  • In Situ Domain Dynamics Of Epitaxial Pb(Zr,Ti)O3 Films In A Simultaneous Raman And Electrical Experiment”

    International Symposium on Integrated Ferroelectrics 2006 (ISIF2006)  2006年 

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    会議種別:ポスター発表  

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  • Fatigue Properties In Epitaxial Pb(Zr0.35Ti0.65)O3 Films With Various Volume Fractions Of 90° Domains Grown On (100)cSrRuO3/(100)SrTiO3 Substrates

    International Symposium on Integrated Ferroelectrics 2006 (ISIF2006)  2006年 

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    会議種別:ポスター発表  

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  • Dy置換PZT薄膜におけるサイト占有率と分極特性と相関

    西田謙, 長田実, 内田寛, 中木寛, 幸田清一郎, 舟窪浩, 河東田隆

    第23回強誘電体応用会議(FMA-23)  2006年5月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:コープイン京都  

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  • MOCVD合成したBi-Zn-Nb-O薄膜の誘電特性に及ぼす基板種および組成の効果

    岡浦伸吾, 内田寛, 幸田清一郎, 長田実, 舟窪浩

    第23回強誘電体応用会議(FMA-23)  2006年5月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:コープイン京都  

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  • Development Of Low Voltage-Saturated Polycrystalline (111)-One-Axis-Oriented PZT Films

    The International Symposium on Integrated Ferroelectrics (ISIF 2006)  2006年 

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  • β-FeSi2 /Si(100)界面構造に及ぼすCuの影響

    秋山賢輔, 金子智, 板倉賢, 舟窪浩, 前田佳均

    2006年春季第53回応用物理学関係連合講演会  2006年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:武蔵工業大学(世田谷キャンパス)  

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  • Strain Effect Due To The Bottom Electrodes In Epitaxial BiFeO3 Films Formed By Chemical Solution Deposition

    International Symposium on Integrated Ferroelectrics 2006 (ISIF2006)  2006年 

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    会議種別:ポスター発表  

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  • Properties Of A Novel Bismuth Percursor For MOCVD

    International Symposium on Integrated Ferroelectrics 2006 (ISIF2006)  2006年 

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    会議種別:ポスター発表  

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  • 多結晶(Pb,La)(Zr0.65,Ti0.35)O3膜における圧電特性のLa量依存性/

    第17回日本MRS学術シンポジウム  2006年 

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    会議種別:ポスター発表  

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  • ラマン・電気特性同時測定によるエピタキシャルPZT薄膜のドメイン構造のその場評価

    長田実, 金容寛, 横山信太郎, 舟窪浩

    2006年春季第53回応用物理学関係連合講演会  2006年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:武蔵工業大学(世田谷キャンパス)  

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  • MOCVD成長エピタキシャルPZT膜の新規ドメイン構造

    中木寛, 金容寛, 横山信太郎, 西田謙, 河東田隆, 舟窪浩

    2006年春季第53回応用物理学関係連合講演会  2006年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:武蔵工業大学(世田谷キャンパス)  

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  • Dy置換されたPZT薄膜のサイト選択性とその強誘電性

    西田謙, 長田実, 内田寛, 中木寛, 幸田清一郎, 舟窪浩, 河東田隆

    2006年春季第53回応用物理学関係連合講演会  2006年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:武蔵工業大学(世田谷キャンパス)  

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  • 正方晶と菱面体晶が共存するMPB近傍組成を有するPb(Zr,Ti)O3エピタキシャル膜のドメイン構造

    横山信太郎, 西田謙, 河東田隆, 斎藤啓介, 舟窪浩

    2006年春季第53回応用物理学関係連合講演会  2006年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:武蔵工業大学(世田谷キャンパス)  

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  • MOCVD法によるエピタキシャルPZN-PT膜の合成

    舟窪浩, 横山信太郎, 岡本賢, 岡本庄司, 斎藤啓介, 内田寛, 幸田清一郎

    第44回セラミックス基礎科学討論会  2006年1月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:高知市文化プラザかるぽーと(高知市)  

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  • 顕微ラマン分光法によるPZT薄膜の評価偏光解析によるドメイン構造と分極特性の評価

    西田謙, 長田実, 舟窪浩, 河東田隆

    第44回セラミックス基礎科学討論会  2006年1月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:高知市文化プラザかるぽーと(高知市)  

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  • 希土類置換ビスマスフェライト薄膜の結晶構造と電気特性

    内田寛, 安井伸太郎, 舟窪浩, 幸田清一郎

    日本セラミックス協会2006年年会  2006年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東京大学(駒場キャンパス)  

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  • MOCVDによる(111)一軸配向正方晶PZT膜の合成

    舟窪浩, 桑原弥紀, 横山信太郎, 西田謙, 河東田隆

    日本セラミックス協会2006年年会  2006年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東京大学(駒場キャンパス)  

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  • ラマン分光及びマイクロビームX線回折を用いたマイクロパターニングPZT薄膜の構造解析

    西田謙, 横山信太郎, 長田実, 斉藤啓介, 坂本修身, 木村滋, 舟窪浩, 河東田隆

    2006年春季第53回応用物理学関係連合講演会  2006年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:武蔵工業大学(世田谷キャンパス)  

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  • Highly Reproducible MOCVD Deposition of (111)-oriented PZT Films on SrRuO3/Pt/TiO2/SiO2/Si: Structure and Electric Properties within MOCVD Process Window 国際会議

    Nicolas Menou, Hiroki Kuwabara, Hiroshi Funakubo

    The 5th Asian Meeting on Ferroelectrics (AMF-5)  2006年9月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Tokyo University of Science, Noda, Japan,  

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  • Control of s-FeSi2/Si Interface Structure by Cu Thin Layer

    The 16th International Microscopy Congress (IMC16)  2006年 

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    会議種別:ポスター発表  

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  • Thickness-Degradation-Free Deielectric Thin Films”

    90)Hiroshi Funakubo, Kenji Takahashi, Takashi Kojima, Takayuki Watanabe, Osami Sakata, Kazushi Sumitani, Yukio Sakashita, Muneyasu Suzuki, Kazumi Kato

    JSPS日中セラミックス科学セミナー  2006年9月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:名鉄犬山ホテル(愛知県犬山市)  

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  • Impact of (111)-Oriented SrRuO3/Pt Tailored Electrode for Highly Reporoducible Preparation of MOCVD-PZT Film for High Density FeRAM 国際会議

    N. Menou, H. Kuwabara, H. Funakubo

    2006 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2006)  2006年9月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:PACIFICO YOKOHAMA, Japan  

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  • (111)SrRuO3/(111)Pt/Tio2/SiO2/Si基板を用いた、(111)配向PZT強誘電体キャパシタの高再現性製膜

    N. Menou, H. Kuwabara, J. Cross, K. Maruyama, 舟窪 浩

    2006年8月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

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  • Domain Structure of Pb(Zr,Ti)O3 Thick Films Near MPB Composition Consisting of Mixture of Tetragonal and Rhombohedral Phases 国際会議

    Shintaro Yokoyama, Ken Nishida, Takashi Katoda, Keisuke, Saito, Hiroshi Funakubo

    15th IEEE International Symposium on the Applications of Ferroelectrics (ISAF2006)  2006年8月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:The Seatrail Golf Resort and Conference Center, Sunset Beach, North Carolina  

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  • Expansion Trial of "Size-Effect-Free" Dielectric Thin Film to the Real Application 国際会議

    Hiroshi Funakubo, Kenji Takahshi

    International Workshop on Advanced Ceramics (IWAC)  2006年 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

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  • In-Situ Gas-Phase FTIR Monitoring of Liquid Delivery MOCVD Process for PZT Films Preparation 国際会議

    Hiroshi Funakubo, Gouji Asano, Kazuaki Tonari, Yukichi Takamatsu, Kunio Ohtsuki, Tsukasa Satake

    Process Intensification and Innovation Process (PI)2 Conference II Cleaner, Sustainable, Efficient Technologies for the Future  2006年9月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Chateau on the Park, Christchurch, New Zealand  

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  • Direct Observation of Domain Formation in PbTiO3 Film using in-situ Raman-CVD Combined Equipment 国際会議

    Ken Nishida, Hiroshi Funakubo, Takashi Katoda

    2006 MRS Fall Meeting  2006年12月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Hynes Convention Center and Sheraton Boston Hotel, Boston, MA  

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  • Epitaxial Growth and Magnetic Properties of Fe3Si Thin Films 国際会議

    66)Kensuke Akiyama, Satoru Kaneko, Yasuo Hirabayashi, Azusa Kyoduka, Yutaka Sawada, Hiroshi Funakubo

    2006 MRS Fall Meeting  2006年11月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Hynes Convention Center and Sheraton Boston Hotel, Boston, MA  

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  • Fatigue Properties In Epitaxial Pb(Zr0.35Ti0.65)O3 Films With Various Volume Fractions Of 90° Domains Grown On (100)cSrRuO3/(100)SrTiO3 Substrates 国際会議

    Yong Kwan Kim, Hitoshi Morioka, Osami Sakata, Shigeru Kimura, Hiroshi Funakubo

    International Symposium on Integrated Ferroelectrics 2006 (ISIF2006)  2006年4月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Marriott Waikiki Beach Resort and Spa, Honolulu  

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  • Strain Effect Due To The Bottom Electrodes In Epitaxial BiFeO3 Films Formed By Chemical Solution Deposition 国際会議

    S. K. Singh, Y. K. Kim, H. Kuwabara, H. Funakubo, H. Ishiwara

    International Symposium on Integrated Ferroelectrics 2006 (ISIF2006)  2006年4月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Marriott Waikiki Beach Resort and Spa, Honolulu  

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  • Single-Phase Pb(Zn1/3Nb2/3)O3 Thin Films Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition: -Effects of Growth Sequence and Kinds of Substrates- 国際会議

    K. Nishida, S. Yokoyama, S. Okamoto, K. Saito, H. Uchida, S. Koda, T. Katoda, H. Funakubo

    13th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIII)  2006年5月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Phoenix Seagaia Resort, Miyazaki Japan  

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  • In Situ Domain Dynamics Of Epitaxial Pb(Zr,Ti)O3 Films In A Simultaneous Raman And Electrical Experiment” 国際会議

    Osada Minoru, Kim Yong Kwan, Yokoyama Shintaro, Funakubo Hiroshi

    International Symposium on Integrated Ferroelectrics 2006 (ISIF2006)  2006年4月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Marriott Waikiki Beach Resort and Spa, Honolulu  

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  • 多結晶(Pb,La)(Zr0.65,Ti0.35)O3膜における圧電特性のLa量依存性/

    島宏美, 永沼博, 岡村総一郎, 飯島高志, 舟窪浩

    第17回日本MRS学術シンポジウム  2006年 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:日本大学(駿河台校舎)  

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  • Properties Of A Novel Bismuth Percursor For MOCVD 国際会議

    T.Furukawa, N.Oshima, M.Suzuki, S.Okaura, H.Funakubo

    International Symposium on Integrated Ferroelectrics 2006 (ISIF2006)  2006年4月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Marriott Waikiki Beach Resort and Spa, Honolulu  

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  • Development Of Low Voltage-Saturated Polycrystalline (111)-One-Axis-Oriented PZT Films 国際会議

    Hiroshi Funakubo, Hiroki Kuwabara, Shintaro Yokoyama

    The International Symposium on Integrated Ferroelectrics (ISIF 2006)  2006年4月 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Marriott Waikiki Beach Resort and Spa, Honolulu, Hawaii  

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  • Control of -FeSi2/Si Interface Structure by Cu Layer

    Science and Technology Towards Sustainable Optoelectronics (APAC-SILICIDE 2006)  2006年 

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    会議種別:ポスター発表  

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  • Structural Characterization of BiFeO3 Thin Films 国際会議

    斎藤啓介, 黒澤利行, 植木定雄, 舟窪浩

    第23回強誘電体応用会議(FMA-23)  2006年5月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:コープイン京都  

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  • Strain Relaxation in Eptaxial Thick PbTiO3 Films Grown by MOCVD 国際会議

    Hiroshi Nakaki, Yong Kwan Kim, Shintaro Yokoyama, Ken Nishida, Takashi Katoda, Keisuke Saito, Hiroshi Funakubo

    15th IEEE International Symposium on the Applications of Ferroelectrics (ISAF2006)  2006年7月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:The Seatrail Golf Resort and Conference Center, Sunset Beach, North Carolina  

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  • SrRuO_3_/Pt(111)とPt(111)の上にスパッタで形成されたBiFeO_3_膜の電気特性評価

    2008年(平成20年)秋季第69回応用物理学会学術講演会  2008年 

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  • Growth of Epitaxial Potassium Niobate Film on (100)SrRuO3/(100)SrTiO3 by Hydrothermal Method and Their Electromechanical Properties

    Proc. 2008 Materials Research Society Fall Meeting  2008年 

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  • 水熱合成法によるKNbO3エピタキシャル膜の作製と特性評価

    第29回超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム  2008年 

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  • 配向制御したPZT 単結晶厚膜の振動特性に関する検討

    日音講論集  2008年 

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  • VHF帯超音波イメージングを目的としたKNbO3配向制御膜トランスデューサ

    2009年 

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    会議種別:ポスター発表  

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  • 酸化物薄膜におけるナノ歪み場の幾何学的位相解析

    木口賢紀, 青柳健大, 今野豊彦, 脇谷尚樹, 篠崎和夫, 宇津木悟, 山田智明, 舟窪浩

    第22回日本セラミックス協会 秋季シンポジウム  2009年9月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:愛媛大学,愛媛  

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  • “Degradation Free Characteristics of c-axis Oriented Bismuth Layer-Structured Dielectrics”

    International Symposium on Integrated Ferroelectrics (ISIF 2007)  2007年 

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  • Growth of Epitaxial Potassium Niobate Film on (100)SrRuO3/(100)SrTiO3 by Hydrothermal Method and Their Electromechanical Properties

    Proc. 2008 Materials Research Society Fall Meeting  2008年 

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  • “Degradation Free Characteristics of c-axis Oriented Bismuth Layer-Structured Dielectrics”

    International Symposium on Integrated Ferroelectrics (ISIF 2007)  2007年 

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  • (100)/(001)配向PbTiO3エピタキシャル膜の新規ドメイン構造

    舟窪浩, 中木寛, 碇山理究, 金容寬, 横山信太郎, 西田謙, 斎藤啓介

    日本セラミックス協会2007年年会  2007年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:武蔵工業大学(世田谷キャンパス)  

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  • 水熱合成法を用いたエピタキシャルKNbO3薄膜の方位制御

    第57回応用物理学関係連合講演会講演予稿集  2010年 

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  • エピタキシャルKNbO3膜の水熱合成とアニールによる特性改善

    第48回セラミックス基礎科学討論会講演論文集  2010年 

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  • KNbO3 エピタキシャル膜の製膜と圧電特性の評価

    信学技報  2009年 

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  • 水熱合成PZT多結晶膜を用いた小型超音波プローブの特性

    圧電材料・デバイスシンポジウム2009  2009年 

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  • Geometric phase analysis of nano-strain field in oxide thin films

    22nd Fall Meeting of The Ceramic Society of Japan  2009年 

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  • 水熱合成法を用いたKNbO3厚膜の成膜

    第26回強誘電体応用会議講演論文集  2009年 

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  • 水熱合成PZT多結晶膜による超小型超音波プローブの開発-超音波イメージングと分解能の検討-

    日音講論集  2009年 

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  • MOCVD成長エピタキシャル正方晶PZT膜の応力緩和

    中木寛, 金容寛, 横山信太郎, 西田謙, 斎藤啓介, 舟窪浩

    2006年秋季第67回応用物理学会学術講演会  2006年8月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:立命館大学びわこ・くさつキャンパス(滋賀県草津市)  

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  • 新規ドメイン構造を有するPbTiO3膜の応力緩和

    碇山理究, 中木寛, 金容寛, 西田謙, 斎藤啓介, 舟窪浩

    2006年秋季第67回応用物理学会学術講演会  2006年8月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:立命館大学びわこ・くさつキャンパス(滋賀県草津市)  

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  • (111)SrRuO3/(111)Pt/Tio2/SiO2/Si基板を用いた、(111)配向PZT強誘電体キャパシタの高再現性製膜

    2006年秋季第67回応用物理学会学術講演会  2006年 

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    会議種別:ポスター発表  

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  • In-situラマン分光-CVDコンビネーション装置によるPbTiO3薄膜のドメイン生成過程の直接観測

    西田謙, 舟窪浩, 河東田隆

    2006年秋季第67回応用物理学会学術講演会  2006年8月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:立命館大学びわこ・くさつキャンパス(滋賀県草津市)  

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  • Expansion Trial of "Size-Effect-Free" Dielectric Thin Film to the Real Application

    International Workshop on Advanced Ceramics (IWAC)  2006年 

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  • In-Situ Gas-Phase FTIR Monitoring of Liquid Delivery MOCVD Process for PZT Films Preparation

    Process Intensification and Innovation Process (PI)2 Conference II Cleaner, Sustainable, Efficient Technologies for the Future  2006年 

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    会議種別:ポスター発表  

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  • X線逆格子イメージ法によるBi4Ti3O12薄膜の構造観察

    坂田修身, 渡辺隆之, 舟窪浩

    2006年秋季第67回応用物理学会学術講演会  2006年8月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:立命館大学びわこ・くさつキャンパス(滋賀県草津市)  

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  • MgO基板上RFスパッタBST薄膜コプレーナ線路構造の高周波チューナブル特性 国際会議

    野田実, 伊藤信一, ダニエルポポビッチ, 奥山雅則, 舟窪浩

    2006年秋季第67回応用物理学会学術講演会  2006年8月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:立命館大学びわこ・くさつキャンパス(滋賀県草津市)  

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  • エピタキシャルFe3Si薄膜の成長及び磁気特性に及ぼす格子不整合率の影響

    秋山賢輔, 経塚梓, 金子智, 平林康男, 澤田豊, 舟窪浩

    2006年秋季第67回応用物理学会学術講演会  2006年8月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:立命館大学びわこ・くさつキャンパス(滋賀県草津市)  

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  • スプレーCVD法によるITO薄膜の非平坦基板への堆積

    近藤剛史, 王美涵, 関成之, 内田孝幸, 大塚正男, 澤田豊, 舟窪浩

    2006年秋季第67回応用物理学会学術講演会  2006年8月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:立命館大学びわこ・くさつキャンパス(滋賀県草津市)  

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  • Single-Phase Pb(Zn1/3Nb2/3)O3 Thin Films Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition: -Effects of Growth Sequence and Kinds of Substrates-

    13th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIII)  2006年 

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    会議種別:ポスター発表  

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  • Structural Characterization of BiFeO3 Thin Films

    第23回強誘電体応用会議(FMA-23)  2006年 

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    会議種別:ポスター発表  

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  • PLD法によるBiFeO3薄膜の合成とアニールによる強誘電性の向上 国際会議

    高鉉龍, 脇谷尚樹, 舟窪浩, 佐藤桂輔, 近藤正雄, Jeffrey S. Cross, 丸山研二, 水谷惟恭, 篠崎和夫

    第23回強誘電体応用会議(FMA-23)  2006年5月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:コープイン京都  

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  • (100) 一軸配向した(Ba0.5Sr0.5)TiO3 膜のチューナビリテーに及ぼす基板からの歪の効果

    伊藤信一, 掘露伊保龍, 舟窪浩

    2006年秋季第67回応用物理学会学術講演会  2006年8月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:立命館大学びわこ・くさつキャンパス(滋賀県草津市)  

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  • CVD法による圧電体圧膜合成と評価

    舟窪浩

    第43回CVD研究会(第17回夏季セミナー)  2006年8月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:滋賀県立長浜ドーム宿泊研修館  

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  • 高分解能面内XRD法によるBiFeO3薄膜結晶構造の深さ方向分析

    斎藤啓介, 黒澤利行, 植木定雄, 舟窪浩

    2006年秋季第67回応用物理学会学術講演会  2006年8月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:立命館大学びわこ・くさつキャンパス(滋賀県草津市)  

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  • Control of -FeSi2/Si Interface Structure by Cu Layer

    Science and Technology Towards Sustainable Optoelectronics (APAC-SILICIDE 2006)  2006年 

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    会議種別:ポスター発表  

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  • BiFeO3-BiScO3薄膜の結晶構造と強誘電特性 国際会議

    安井伸太郎, 内田寛, 中木寛, 舟窪浩, 幸田清一郎

    第23回強誘電体応用会議(FMA-23)  2006年5月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:コープイン京都  

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  • Domain Structure of Pb(Zr,Ti)O3 Thick Films Near MPB Composition Consisting of Mixture of Tetragonal and Rhombohedral Phases

    15th IEEE International Symposium on the Applications of Ferroelectrics (ISAF2006)  2006年 

     詳細を見る

    会議種別:ポスター発表  

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  • Strain Relaxation in Eptaxial Thick PbTiO3 Films Grown by MOCVD

    15th IEEE International Symposium on the Applications of Ferroelectrics (ISAF2006)  2006年 

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    会議種別:ポスター発表  

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  • 下部電極上に堆積した3次元構造PZT膜の評価

    永井篤史, 南舘 純, Chel Jong Choi, June-Mo Koo, Youngsoo Park, 舟窪 浩

    2005年春季第52回応用物理学関係連合講演会  2005年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:埼玉大学  

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  • Growth and Characterization of Degradation-Free c-Axis-Oriented (Cax, Sr1-x)Bi4Ti4O15 Thin-Film Capacitors

    2004年 

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    会議種別:ポスター発表  

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  • Step Coverage and Composition of Pb(Zr,Ti)O3 Capacitors Prepared on Sub-Micron Three-Dimensional Trench Structure by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

    2004年 

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    会議種別:ポスター発表  

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  • Application of Chemical Lithography and Chemical Etching on Fabrication of ZnO Based Microstructures.

    2004年 

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    会議種別:ポスター発表  

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  • Enhanced Spontaneous Polarization of Dysprosium-substituted Lead Zirconate Titanate Thin Films by a Chemical Solution Deposition Method.

    2004 MRS Fall Meeting  2004年 

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    会議種別:ポスター発表  

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  • Contribution of gas phase reaction to the Pb(Zr,Ti)O3 Film Deposition Prepared by MOCVD

    2004年 

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    会議種別:ポスター発表  

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  • Fabrication of micro-patterns on ZnO single crystals by wet-chemical-etching

    2004年 

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    会議種別:ポスター発表  

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  • Improvement of Ferroelectric Properties of Lead Zirconate Titanate Thin Films by Ion-substitution using Various Rare-earth Cations

    2004 MRS Fall Meeting  2004年 

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    会議種別:ポスター発表  

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  • In-situ Gas-Phase FT-IR Monitoring of Liquid Delivery MOCVD Process: PZT Films Preparation

    2004年 

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    会議種別:ポスター発表  

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  • ランタノイド添加BiFeO3薄膜の作成と特性評価

    The 15th Symposium of The Materials Research Society of Japan  2004年 

     詳細を見る

    会議種別:ポスター発表  

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  • Contribution of a-domain on the ferroelectric property of (100)/(001)-oriented epitaxial PZT films

    2004年 

     詳細を見る

    会議種別:ポスター発表  

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  • トレンチ基板上に作製したPZT膜の特性評価

    永井篤史, 南舘純, Chel Jong Choi, Choong-Rae Cho, Young Soo Park, 舟窪浩

    2004年9月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東北学院大学(泉キャンパス)  

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  • SrIrO3エピタキシャル薄膜の成長と評価

    角章弘, 高橋健治, 伊藤信一, 大島憲昭, 秋山賢輔, 斎藤啓介, 舟窪浩

    2004年9月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東北学院大学(泉キャンパス)  

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  • MOCVD法による(Bi1.5Zn0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7[BZN]薄膜の作製

    岡浦伸吾, 鈴木宗泰, 舟窪浩

    2004年9月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東北学院大学(泉キャンパス)  

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  • 3次元構造キャパシタ用Ru基積層電極の検討

    南舘純, 永井篤史, 舟窪浩

    2004年9月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東北学院大学(泉キャンパス)  

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  • 電極バッファ層を用いたSi基板上へのPZT膜のマイクロパターニングと構造解析

    横山信太郎, 上野梨紗子, 高橋健治, 岡本庄司, 斎藤啓介, 黒澤利行, 植木定雄, 舟窪浩

    2004年9月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東北学院大学(泉キャンパス)  

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  • 誘電体電極材料SrRuO3の熱的安定性

    伊藤信一, 高橋健治, 岡本庄司, 舟窪浩

    2004年9月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東北学院大学(泉キャンパス)  

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  • MOCVD合成エピタキシャルPMN-PT厚膜の電気特性

    横山信太郎, 岡本賢, 岡本庄司, 斎藤啓介, 松田弘文, 飯島高志, 沖野裕丈, 山本孝, 舟窪浩

    2004年9月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東北学院大学(泉キャンパス)  

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  • Growth of the High Quality Epitaxial Pyrochlore Thin Films Deposited by MOCVD

    2004年 

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    会議種別:ポスター発表  

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  • MOCVD合成したPLZT薄膜の特性の組成および結晶方位依存性

    舟窪浩, 本田佳久, 横山信太郎, 岡本庄司

    2004年10月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東京工業大学(大岡山)  

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  • SrIrO3 epitaxial thin films by MOCVD

    2004年 

     詳細を見る

    会議種別:ポスター発表  

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  • CVD法による(101)/(110)配向β-FeSi2薄膜上へのSi薄膜作製

    秋山賢輔, 金子智, 舟窪浩

    2004年9月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東北学院大学(泉キャンパス)  

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  • MOCVD合成エピタキシャルPZT膜の結晶構造および電気特性

    横山信太郎, 本田佳久, 森岡仁, 岡本庄司, 角章弘, 舟窪浩, 飯島高志, 松田弘文, 斎藤啓介, 沖野裕丈, 山本孝

    2004年9月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:北陸先端科学技術大学院大学・石川ハイテク交流センター  

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  • MOCVD合成Si基板上c軸配向Bi層状構造化合物薄膜(m=4)の電気的特性

    坂下幸雄, 及川貴弘, 舟窪浩

    2004年9月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東北学院大学(泉キャンパス)  

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  • 化学溶液法によるエピタキシャル希土類置換Pb(Zr,Ti)O3薄膜の作製

    中木寛, 内田寛, 岡本庄司, 舟窪浩, 幸田清一郎

    2004年9月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東北学院大学(泉キャンパス)  

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  • MOCVD法によるSi基板上への配向制御PZT厚膜の作製と評価

    岡本庄司, 渡辺隆之, 横山信太郎, 浅野剛司, 本田佳久, 森岡仁, 秋山賢輔, 舟窪浩

    2004年3月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東京工科大学  

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  • ビスマス層状誘電体薄膜の誘電率の低バイアス依存性

    鈴木宗泰, 高橋健治, 渡辺隆之, 竹中正, 舟窪浩

    2004年9月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東北学院大学(泉キャンパス)  

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  • 疲労したPZT薄膜における微小部2次元XRD評価

    斎藤啓介, 横山信太郎, 角章弘, 岡本庄司, 黒澤利行, 植木定雄, 舟窪浩

    2004年9月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東北学院大学(泉キャンパス)  

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  • 強誘電体薄膜の歪み-電圧特性から正確なd33を求める測定条件(III)

    沖野裕丈, 中村和生, 松田弘文, 飯島高志, 横山信太郎, 舟窪浩, 山本孝

    2004年9月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東北学院大学(泉キャンパス)  

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  • 正方晶PZT薄膜の特性に及ぼす面内-面外配向の効果

    桑原弥紀, 角章弘, 岡本庄司, 横山信太郎, 舟窪浩

    2004年9月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東北学院大学(泉キャンパス)  

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  • MOCVD法により作製したSi基板上面内配向制御PZT厚膜の特性評価

    岡本庄司, 横山信太郎, 岡本賢, 秋山賢輔, 舟窪浩

    2004年9月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東北学院大学(泉キャンパス)  

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  • MOCVD法による多成分誘電体薄膜の合成

    舟窪 浩, 渡辺隆之, 横山信太郎, 高橋健治, 鈴木宗泰, 永井篤史, 岡本賢, 岡本庄司, 本田佳久

    2004年9月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:北陸先端科学技術大学院大学・石川ハイテク交流センター  

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  • Growth of High Quality PLZT Thick Films for Optical Application

    2004年 

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  • セラミックスインテグレーションのための酸化亜鉛単結晶表面の微細加工 ―湿式エッチング挙動の検討―

    高橋健治, 大橋直樹, 舟窪浩, 羽田肇

    2004年9月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:北陸先端科学技術大学院大学・石川ハイテク交流センター  

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  • 薄膜コンデンサ材料としてのc軸配向Bi層状構造化合物薄膜の開発

    坂下幸雄, 及川貴弘, 小嶌隆志, 舟窪浩

    2004年9月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:北陸先端科学技術大学院大学・石川ハイテク交流センター  

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  • エピタキシャル薄膜を用いたPZT薄膜の結晶構造と特性評価

    舟窪浩, 及川貴弘, 斎藤啓介

    電子材料研究会  2004年6月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東京工業大学(大岡山)  

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  • c軸配向(Ca,Sr)Bi4Ti4O15薄膜の面内配向制御

    高橋健治, 鈴木宗泰, 岡本庄司, 坂下幸雄, Haydn Chen, 舟窪浩

    2004年9月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東北学院大学(泉キャンパス)  

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  • 菱面体晶Pb(Zr,Ti)O3薄膜のヒステリシス形状の考察

    2004年 

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    会議種別:ポスター発表  

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  • 3次元構造PZTキャパシタの作製と段差被覆性

    永井篤史, 浅野剛司, Chel Jong Choi, Choong-Rae Cho, Young Soo Park, 舟窪浩

    2004年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東京工科大学  

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  • c軸配向(Ca,Sr)Bi4Ti4O15薄膜の電気特性に及ぼす面内・面外配向の効果

    高橋健治, 鈴木宗泰, 岡本庄司, 舟窪浩

    2004年9月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東北学院大学(泉キャンパス)  

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  • 方位制御したリラクサー型強誘電体Pb(Mg1/3Nb2/3)O3高品質エピタキシャル厚膜のMOCVD合成

    岡本賢, 横山信太郎, 岡本庄司, 角章弘, 斎藤啓介, 内田寛, 幸田清一郎, 舟窪浩

    2004年9月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東北学院大学(泉キャンパス)  

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  • サイトエンジニアリングによる欠陥制御と自発分極の相関

    渡辺隆之, 森岡仁, 舟窪浩, 長田実

    2004年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東京工科大学  

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  • エピタキシャルPLZT薄膜の光学特性及びその構造

    本田佳久, 横山信太郎, 岡本庄司, 舟窪浩

    2004年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東京工科大学  

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  • Electrical Properties of Polar-Axis-Oriented Tetragonal Pb(Zr,Ti)O3 Films

    2004年 

     詳細を見る

  • 湿式エッチングによる酸化亜鉛単結晶表面の微細加工

    高橋健治, 大橋直樹, 坂口勲, 菱田俊一, 舟窪浩, 羽田肇

    2004年3月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:湘南工科大学  

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  • MOCVD法によりSi基板上で配向制御したPb(Zr,Ti)O3厚膜の電気特性の配向依存性

    岡本庄司, 横山信太郎, 本田佳久, 浅野剛司, 舟窪浩, 齋藤啓介

    2004年5月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:コープイン京都  

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  • 希土類置換PZT薄膜の電気特性評価

    中木寛, 内田寛, 横山信太郎, 舟窪浩, 幸田清一郎

    2004年5月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:コープイン京都  

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  • Characterization and Crystallizatoin of the Epitaxial Growth of Pyrochlore Structure

    2004年 

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    会議種別:ポスター発表  

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  • Thickness Downscaling of Pb(Zr,Ti)O3 Films to Sub-100 nm at Low Depositon Temperature by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

    2004年 

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    会議種別:ポスター発表  

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  • Performance Comparison of PZT and Bi4Ti3O12-Based Ferroelectric Thin Films for FERAM Application

    E-MRS Spring Meeting 2004, SYMPOSIUM D, Functional oxides for advanced semiconductor technologies  2004年 

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  • Crystal Orientation and Compositional Dependences of Field-Induced Strain on Epitaxial PZT Thick Films Grown by MOCVD

    2004年 

     詳細を見る

    会議種別:ポスター発表  

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  • 微小部X線回折装置を用いた白金ドット電極下PZT薄膜中の応力分布解析

    斎藤啓介, 浅野剛司, 森岡仁, 横山信太郎, 黒沢利行, 植木定雄, 舟窪浩

    2004年3月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東京工科大学  

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  • 強誘電体薄膜の歪み-電圧特性から正確なd33を求める測定条件(II)

    沖野裕丈, 松田弘文, 飯島高志, 横山信太郎, 舟窪浩, 山本孝

    2004年3月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東京工科大学  

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  • MOCVD用Ru錯体(DER)によるRuO2薄膜の成膜

    小菅博明, 古川泰志, 渋田見哲夫, 大島憲昭, 舟窪浩

    2004年3月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東京工科大学  

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  • 溶液気化MOCVD-Pb(Zr,Ti)O3薄膜の析出機構に及ぼす気相反応の影響

    浅野剛司, 永井篤史, 舟窪浩

    2004年3月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東京工科大学  

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  • エピタキシャルPZT薄膜の電気特性に及ぼす歪みの効果

    森岡 仁, 角章弘, 岡本庄司, 横山信太郎, 渡辺隆之, 斎藤啓介, 舟窪浩

    2004年3月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東京工科大学  

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  • エピタキシャルPZT膜の正方晶・菱面体晶共存が電気的特性に及ぼす効果

    横山信太郎, 本田佳久, 森岡仁, 岡本庄司, 飯島高志, 松田弘文, 斎藤啓介, 沖野裕丈, 山本孝, 舟窪浩

    2004年3月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東京工科大学  

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  • c軸配向ビスマス層状構造誘電体薄膜キャパシタの特性に及ぼす強誘電性の効果

    鈴木宗泰, 舟窪浩, 渡辺隆之, 竹中正

    2004年3月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東京工科大学  

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  • 絶縁基板上β-FeSi2薄膜の電気伝導特性評価

    秋山賢輔, 金子智, 木村武, 西山伸, 服部豪夫, 大橋直樹, 舟窪浩

    2004年3月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東京工科大学  

    researchmap

  • 菱面体晶Pb(Zr,Ti)O3薄膜のヒステリシス形状の考察

    角章弘, 森岡仁, 本田佳久, 横山信太郎, 岡本庄司, 舟窪浩

    2004年3月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東京工科大学  

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  • 低温合成SrRuO3バッファを用いた溶液気化MOCVD-PZT薄膜の(111)配向制御

    浅野剛司, 岡本庄司, 舟窪浩

    2004年3月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東京工科大学  

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  • Step Coverage and Composition of Pb(Zr,Ti)O3 Capacitors Prepared on Sub-Micron Three-Dimensional Trench Structure by Metalorganic Chemical Vapor Deposition 国際会議

    Atsushi Nagai, Gouji Asano, Jun Minamidate, Chel Jong Choi, Choong-Rae Cho, Youngsoo Park, Hiroshi Funakubo

    2004年12月 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

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  • Enhanced Spontaneous Polarization of Dysprosium-substituted Lead Zirconate Titanate Thin Films by a Chemical Solution Deposition Method. 国際会議

    Hiroshi Uchida, Hiroshi Nakaki, Shoji Okamoto, Shintaro Yokoyama, Hiroshi Funakubo, Seiichiro Koda

    2004 MRS Fall Meeting  2004年12月 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Hynes Convention Center and Sheraton Boston Hotel, Boston, MA, U.S.A.  

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  • Growth and Characterization of Degradation-Free c-Axis-Oriented (Cax, Sr1-x)Bi4Ti4O15 Thin-Film Capacitors 国際会議

    Kenji Takahashi, Shoji Okamoto, Yukio Sakashita, Haydn Chen, Hiroshi Funakubo

    2004年12月 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

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  • 鉄シリサイド薄膜のSi上および異種基板上への結晶成長

    舟窪浩, 秋山賢輔, 木村武, 金子智

    2004年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東京工科大学  

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  • Effect of deposition temperature on the characteristics of hafnium oxide films deposited by metalorganic chemical vapor deposition using amide precursor

    J. Mater. Res  2004年 

     詳細を見る

  • 分極軸配向ネオジウム置換チタン酸ビスマス多結晶薄膜の合成と物性

    倉地雅大, 松田弘文, 飯島高志, 内田寛, 幸田清一郎, 渡辺隆之, 舟窪浩

    2004年3月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東京工科大学  

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  • 完全分極軸配向した薄膜を用いた正方晶PZTの自発分極値の直接測定

    舟窪浩, 森岡仁, 横山信太郎, 及川貴弘, 斎藤啓介

    日本セラミックス協会2004年年会  2004年3月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:湘南工科大学  

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  • Contribution of a-domain on the ferroelectric property of (100)/(001)-oriented epitaxial PZT films 国際会議

    Hiroshi Funakubo, Hitoshi Morioka, Risako Ueno, Shintaro Yokoyama, Keisuke Saito

    2004年12月 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Hynes Convention Center and Sheraton Boston Hotel, Boston, MA, U.S.A.  

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  • Application of Chemical Lithography and Chemical Etching on Fabrication of ZnO Based Microstructures. 国際会議

    Kenji Takahashi, Takeshi Ohgaki, Hiroshi Funakubo, Hajime Haneda, Naoki Ohashi

    2004年12月 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Hynes Convention Center and Sheraton Boston Hotel, Boston, MA, U.S.A.  

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  • エピタキシャル成長PLZT厚膜の特性評価

    本田佳久, 横山信太郎, 舟窪浩

    2004年1月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:長岡グランドホテル(長岡市)  

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  • ランタノイド添加BiFeO3薄膜の作成と特性評価

    上野梨紗子, 大門正機, 中木寛, 内田寛, 幸田清一郎, 舟窪浩

    The 15th Symposium of The Materials Research Society of Japan  2004年12月 

     詳細を見る

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:日本大学  

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  • Crystal Orientation and Compositional Dependences of Field-Induced Strain on Epitaxial PZT Thick Films Grown by MOCVD 国際会議

    Shintaro Yokoyama, Yoshihisa Honda, Hitoshi Morioka, Hiroshi Funakubo, Takashi Iijima, Hirofumi Matsuda, Keisuke Saito

    2004年4月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Hotel Hyundai Gyeongju, Gyeongju, Korea  

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  • Contribution of gas phase reaction to the Pb(Zr,Ti)O3 Film Deposition Prepared by MOCVD 国際会議

    Gouji Asano, Tsukasa Satake, Kunio Ohtsuki, Hiroshi Funakubo

    2004年11月 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Howard International House, Taipei, Taiwan  

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  • Fabrication of micro-patterns on ZnO single crystals by wet-chemical-etching 国際会議

    Kenji Takahashi, Naoki Ohashi, Hiroshi Funakubo, Hajime Haneda

    2004年10月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:パレスホテル箱根  

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  • Improvement of Ferroelectric Properties of Lead Zirconate Titanate Thin Films by Ion-substitution using Various Rare-earth Cations 国際会議

    Hiroshi Nakaki, Hiroshi Uchida, Shoji Okamoto, Shintaro Yokoyama, Hiroshi Funakubo, Seiichiro Koda

    2004 MRS Fall Meeting  2004年12月 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

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  • In-situ Gas-Phase FT-IR Monitoring of Liquid Delivery MOCVD Process: PZT Films Preparation 国際会議

    Hiroshi Funakubo, Gouji Asano, Kazuaki Tonari, Yukichi Takamatsu, Kunio Ohtsuki, Tsukasa Satake

    2004年11月 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Howard International House, Taipei, Taiwan  

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  • Growth of High Quality PLZT Thick Films for Optical Application 国際会議

    Hiroshi Funakubo, Yoshihisa Honda, Shintaro Yokoyama, Keisuke Saito

    2004年8月 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

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  • Performance Comparison of PZT and Bi4Ti3O12-Based Ferroelectric Thin Films for FERAM Application 国際会議

    Hiroshi Funakubo, Takayuki Watanabe, Hitoshi Morioka, Hiroshi Uchida, Seiichiro Koda, Keisuke Saito

    E-MRS Spring Meeting 2004, SYMPOSIUM D, Functional oxides for advanced semiconductor technologies  2004年5月 

     詳細を見る

    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Palais de la Musique et des Congr&egrave;s, Strasbourg (France)  

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  • SrIrO3 epitaxial thin films by MOCVD 国際会議

    Akihiro Sumi, Kenji Takahashi, Kim Yong Kwan, N. Oshima, Kensuke Akiyama, Keisuke Saito, Hiroshi Funakubo

    2004年10月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:パレスホテル箱根  

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  • Growth of the High Quality Epitaxial Pyrochlore Thin Films Deposited by MOCVD 国際会議

    Muneyasu Suzuki, Takayuki Watanabe, Tadashi Takenaka, Hiroshi Funakubo

    2004年10月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Inuyama Internatinal Sightseeing Center “FREUDE”, 犬山(愛知)  

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  • Ba/Ta比を制御したBaBi2Ta2O9薄膜の特性評価

    鈴木宗泰, 高橋健治, 渡辺隆之, 竹中正, 舟窪浩

    第25回エレクトロセラミックス研究討論会  2005年10月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東京工業大学(大岡山)  

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  • Temperature Dependency of P-E hysteresis Loops of Rhombohedral PZT films

    12th US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics  2005年 

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    会議種別:ポスター発表  

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  • 希土類イオン修飾されたペロブスカイト基酸化物強誘電体薄膜の電気特性

    内田 寛, 中木 寛, 舟窪 浩, 幸田清一郎

    第25回エレクトロセラミックス研究討論会  2005年10月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東京工業大学(大岡山)  

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  • Thickness Downscaling of Pb(Zr,Ti)O3 Films to Sub-100 nm at Low Depositon Temperature by Metalorganic Chemical Vapor Deposition 国際会議

    Atsushi Nagai, Hitoshi Morioka, Gouji Asano, Atsushi Saiki, Hiroshi Funakubo

    2004年4月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Hotel Hyundai Gyeongju, Gyeongju, Korea  

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  • Electrical Properties of Polar-Axis-Oriented Tetragonal Pb(Zr,Ti)O3 Films 国際会議

    Hiroshi Funakubo, Hitoshi Morioka, Akihiro Sumi, Keisuke Saito

    2004年4月 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Hotel Hyundai Gyeongju, Gyeongju, Korea  

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  • Characterization and Crystallizatoin of the Epitaxial Growth of Pyrochlore Structure 国際会議

    Muneyasu Suzuki, Takayuki Watanabe, Hiroshi Funakubo, Tadashi Takenaka

    2004年4月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Hotel Hyundai Gyeongju, Gyeongju, Korea  

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  • Enhancement of Insulating and Ferroelectric Properties of Bismuth Ferrite Thin Films by Ionsubstitution

    12th US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics  2005年 

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    会議種別:ポスター発表  

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  • Control Factor of Squareness in P-E Hsyteresis of MOCVD-PZT Films

    2005年 

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    会議種別:ポスター発表  

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  • Effect of deposition temperature on the characteristics of hafnium oxide films deposited by metalorganic chemical vapor deposition using amide precursor

    J. Mater. Res  2004年 

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  • Evaluation for Polar c-Domain Volume in Tetragonal PbZrxTi1-xO3 Thin Films Using Polarized Raman Spectroscopy

    12th US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics  2005年 

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    会議種別:ポスター発表  

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  • MOCVD合成エピタキシャルPMN-PT膜と単結晶との誘電特性比較

    岡本 賢, 横山信太郎, 内田 寛, 幸田清一郎, 斉藤啓介, 沖野裕丈, 山本 孝, 西田 謙, 河東田 隆, 舟窪 浩

    2005年秋季第66回応用物理学会学術講演会  2005年9月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:徳島大学  

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  • MOCVD合成エピタキシャルPZTおよびPMN-PT厚膜の特性比較

    横山信太郎, 岡本 賢, 斎藤啓介, 飯島高志, 沖野裕丈, 山本 孝, 舟窪 浩

    2005年秋季第66回応用物理学会学術講演会  2005年9月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:徳島大学  

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  • MOCVD法により作製したエピタキシャルBiFeO3薄膜の結晶構造及び電気特性評価

    上野梨紗子, 岡浦伸吾, 近藤正雄, 丸山研二, 舟窪 浩, 斉藤啓介

    2005年秋季第66回応用物理学会学術講演会  2005年9月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:徳島大学  

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  • 高分解能XRDを用いたBiFeO3薄膜の結晶構造解析

    斎藤啓介, 上野梨紗子, 黒澤利行, 植木定雄, 舟窪 浩

    2005年秋季第66回応用物理学会学術講演会  2005年9月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:徳島大学  

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  • Si(100)上β-FeSi2の結晶成長及びフォトルミネッセンス特性に及ぼすCuの影響

    秋山賢輔, 小国 琢, 澤田 豊, 舟窪 浩, 寺井慶和, 前田佳均

    2005年秋季第66回応用物理学会学術講演会  2005年9月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:徳島大学  

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  • 希土類置換ビスマスフェライトの相転移挙動と強誘電特性

    内田 寛, 安井伸太郎, 上野梨紗子, 舟窪 浩, 幸田清一郎

    2005年秋季第66回応用物理学会学術講演会  2005年9月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:徳島大学  

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  • 低電圧駆動を目指した正方晶PZT(111)一軸配向膜の薄膜化

    桑原弥紀, 舟窪 浩

    2005年秋季第66回応用物理学会学術講演会  2005年9月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:徳島大学  

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  • PZT上部電極用SrRuO3薄膜の低温MOCVD合成

    南舘 純, 永井篤史, 伊藤信一, 桑原弥紀, 高橋健治, June-Mo Koo, Sangmin Shin, Sukpil Kim, Youngsoo Park, 舟窪 浩

    2005年秋季第66回応用物理学会学術講演会  2005年9月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:徳島大学  

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  • 顕微ラマン分光法によるDy置換PZT薄膜のサイト選択性の評価

    和田俊輔, 西田 謙, 長田 実, 内田 寛, 中木 寛, 幸田清一郎, 舟窪 浩, 河東田 隆

    2005年秋季第66回応用物理学会学術講演会  2005年9月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:徳島大学  

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  • (100)高配向したエピタキシャルPb(Zr,Ti)O3薄膜のドメイン構造

    Y.K. Kim, 森岡 仁, 舟窪 浩

    2005年秋季第66回応用物理学会学術講演会  2005年9月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:徳島大学  

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  • In-Plane Orientation Dependence on the Electrical Properties of (100)/(001)-Oriented Pb(Zr, Ti)O3 Films Grown on (100)Si and (100)SrTiO3 Substrates

    2005年 

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  • c軸配向エピタキシャルSrBi4Ti4O15薄膜の誘電特性における面内応力の効果

    高橋健治, 鈴木宗泰, 小嶌隆志, 舟窪 浩

    2005年秋季第66回応用物理学会学術講演会  2005年9月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:徳島大学  

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  • (Bi1.5Zn0.5)(Zn0.5Nb1.5)[BZN]薄膜の誘電特性における結晶性およびアニール依存

    岡浦伸吾, 鈴木宗泰, 内田 寛, 幸田清一郎, 舟窪 浩

    2005年秋季第66回応用物理学会学術講演会  2005年9月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:徳島大学  

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  • ビスマス層状構造誘電体の結晶構造異方性を利用した誘電特性の制御

    鈴木宗泰, 高橋健治, 渡辺隆之, 竹中 正, 舟窪 浩

    2005年秋季第66回応用物理学会学術講演会  2005年9月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:徳島大学  

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  • c軸配向エピタキシャルSrBi2Ta2O9薄膜の成長機構

    高橋健治, 鈴木宗泰, 吉本 護, 舟窪 浩

    2005年秋季第66回応用物理学会学術講演会  2005年9月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:徳島大学  

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  • Growth of Flat-surface β-FeSi2 Epitaxial Films on (100) and (111) Si substrates by MOCVD

    16th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy  2005年 

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    会議種別:ポスター発表  

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  • 高・強誘電体における歪みの効果

    舟窪浩

    第9回シリサイド系半導体夏の学校  2005年7月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:湯河原万葉荘  

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  • SrRuO3バッファにより(111)方向に配向制御された(Ba0.5,Sr0.5)TiO3薄膜の特性評価

    伊藤信一, 高橋健治, 掘露伊保龍, 舟窪 浩

    2005年秋季第66回応用物理学会学術講演会  2005年9月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:徳島大学  

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  • Structural Modulation in Bismuth Cuprate Supeconductor Observed by X-ray Reciprocal Space Mapping

    16th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy  2005年 

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    会議種別:ポスター発表  

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  • MOCVD成長エピタキシャルチタン酸鉛厚膜で観察される新規ドメイン構造

    中木 寛, 金 容寛, 横山信太郎, 舟窪 浩

    2005年秋季第66回応用物理学会学術講演会  2005年9月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:徳島大学  

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  • 希土類元素置換PZT薄膜の結晶構造と強誘電特性

    内田寛, 中木寛, 西田謙, 長田実, 舟窪浩, 幸田清一郎

    第22回強誘電体応用会議(FMA-22)  2005年5月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:コープイン京都  

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  • Photoluminescence Enhancement of beta-FeSi2 by Si/beta-FeSi2/Si Double-Heterostructure

    2005年 

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    会議種別:ポスター発表  

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  • MOCVD法による立方晶Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7(BZN)エピタキシャル薄膜の作製とその電気特性

    岡浦伸吾, 鈴木宗泰, 岡本庄司, 内田寛, 幸田清一郎, 舟窪浩

    第22回強誘電体応用会議(FMA-22)  2005年5月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:コープイン京都  

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  • 軟X線分光による(Pb,La)(Zr,Ti)O3薄膜の電子構造

    樋口透, 塚本桓世, 服部武志, 本田佳久, 横山信太郎, 舟窪浩

    第22回強誘電体応用会議(FMA-22)  2005年5月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:コープイン京都  

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  • Impact of 90°-Domain Switching On High d33 in (100)-Oriented Epitaxial Pb(ZrxTi1-x)O3 Films Grown On (100)SrRuO3/(100)SrTiO3 Substrates

    2005年 

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    会議種別:ポスター発表  

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  • Compositional Dependence of Piezoelectric Response on Epitaxial Pb(Zr1-x, Tix)O3 and (1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-(x)PbTiO3 Thick Films grown by MOCVD

    2005年 

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    会議種別:ポスター発表  

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  • Structural And Electrical Properties Of BiFeO3 Thin Films

    2005年 

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    会議種別:ポスター発表  

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  • A New Method To Characterize A Relative Volume To The C-Domain In PZT Films Based On The Raman Spectra

    2005年 

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    会議種別:ポスター発表  

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  • MOCVDプロセスにおけるin-situモニタリングの重要性と今後の展望

    舟窪浩

    株式会社堀場製作所、堀場雅夫賞審査員による講演会  2005年6月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:株式会社堀場製作所  

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  • Low critical current density in BiFeO3 thin films fabricating by chemical solution method

    第22回強誘電体応用会議(FMA-22)  2005年 

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    会議種別:ポスター発表  

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  • Ferroelectric and Electrode Fabrication for 3D structure

    2005年 

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  • Origin of Size Effect Free Characteristics of Bismuth Layer Structured Dielectrics Thin Films

    2005年 

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  • Ferroelectric Properties of Rare-Earth Substituted Bismuth Iron Oxide Thin Films Fabricated By Chemical Solution Deposition Method

    The International Symposium on Integrated Ferroelectrics (ISIF 2005)  2005年 

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    会議種別:ポスター発表  

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  • Preparation of 3D Ferroelectric Capacitor Using MOCVD-Pb(Zr, Ti)O3 Film

    2005年 

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    会議種別:ポスター発表  

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  • 化学溶液法による希土類置換ビスマスフェライト薄膜の作製

    内田 寛, 上野梨紗子, 中木 寛, 近藤正雄, 丸山研二, 舟窪 浩, 幸田清一郎

    2005年春季第52回応用物理学関係連合講演会  2005年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:埼玉大学  

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  • エピタキシャルFe3Si薄膜の作製と構造解析

    秋山賢輔, 金子 智, 木村 武, 岡本庄司, 舟窪 浩

    2005年春季第52回応用物理学関係連合講演会  2005年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:埼玉大学  

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  • 軟X線分光によるエピタキシャルPZT薄膜の電子構造

    樋口 透, 塚本桓世, 服部武志, 本田佳久, 舟窪 浩

    2005年春季第52回応用物理学関係連合講演会  2005年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:埼玉大学  

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  • Performance Of SrRu O3/Ru Tailored Electrodes For 3D Ferroelectric Capacitor

    2005年 

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    会議種別:ポスター発表  

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  • Dielectric Property of BST Films Prepared on SrRu O3/Pt Hybrid Electrode

    2005年 

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    会議種別:ポスター発表  

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  • Effect Of In-Plane Orientations And Strain On Electrical Properties Of (111)-Oriented Tetragonal PZT Thin Films

    2005年 

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    会議種別:ポスター発表  

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  • 正方晶PZT(111)一軸配向薄膜の低温成膜と評価

    桑原弥紀, 角 章弘, 岡本庄司, 永井篤史, 鉾 宏真, クロスジェフリー, 舟窪 浩

    2005年春季第52回応用物理学関係連合講演会  2005年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:埼玉大学  

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  • 強誘電体薄膜の歪み-電圧特性から正確なd33を求める測定条件(IV)

    沖野裕丈, 中村和生, 松田弘文, 飯島高志, 横山信太郎, 舟窪 浩, 山本 孝

    2005年春季第52回応用物理学関係連合講演会  2005年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:埼玉大学  

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  • MOCVD法によるエピタキシャルPZN-PT膜の合成と特性評価

    横山信太郎, 岡本 賢, 岡本庄司, 斎藤啓介, 内田 寛, 幸田清一郎, 舟窪 浩

    2005年春季第52回応用物理学関係連合講演会  2005年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:埼玉大学  

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  • 高品質エピタキシャルPb(Mg1/3Nb2/3)O3膜を用いたリラクサー特性の膜厚依存性

    岡本 賢, 横山信太郎, 岡本庄司, 内田 寛, 幸田清一郎, 舟窪 浩

    2005年春季第52回応用物理学関係連合講演会  2005年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:埼玉大学  

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  • PZT膜のヒステリシス形状の温度依存性

    角 章弘, 岡本庄司, 横山信太郎, 本田佳久, 舟窪 浩

    2005年春季第52回応用物理学関係連合講演会  2005年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:埼玉大学  

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  • PZT厚膜の大きな圧電特性発現への新提案

    岡本庄司, 横山信太郎, 岡本 賢, 金 容寛, 秋山賢輔, 斎藤啓介, 長田 実, 舟窪 浩

    2005年春季第52回応用物理学関係連合講演会  2005年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:埼玉大学  

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  • Thermoelectric property of MxSr1-xSi2 (M = Ca, Ba) film prepared by co-sputtering method 国際会議

    Kodai Aoyama, Takao Shimizu, Hideto Kuramochi, Masami Mesuda, Ryo Akiike, Keisuke Ide, Takayoshi Katase, Toshio Kamiya, Yoshisato Kimura, Hiroshi Funakubo

    The Fifth Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicates and Related Materials  2019年7月 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • 二元同時スパッタ法で作製したAeSi2膜の作製

    青山 航大, 清水 荘雄, 倉持 豪人, 召田 雅実, 秋池 良, 井手 啓介, 片瀬 貴義, 神谷 利夫, 木村 好里, 舟窪 浩

    第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年9月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • Expansion of Ba and Ca solubility limit into SrSi2 thin film and their thermoelectric properties 国際会議

    Kodai Aoyama, Takao Shimizu, Hideto Kuramochi, Masami Mesuda, Ryo Akiike, Keisuke Ide, Takayoshi Katase, Toshio Kamiya, Yoshisato Kimura, Hiroshi Funakubo

    2019 MRS Fall Meeting & Exhibit  2019年12月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Boston  

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  • 2次元ナノレイヤー積層による新規誘電特性の発現-サイズ効果フリー高誘電体の創製-

    舟窪浩

    JSTさきがけ合同研究報告会  2006年12月 

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    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東京大学武田先端知ビル武田ホール(東京都文京区)  

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  • 薄膜化した (Al1-xScx)N膜における結晶性・強誘電特性のSc組成比依存性

    道古 宗俊, 松井 尚子, 入澤 寿和, 恒川 孝二, Nana Sun, 中村 美子, 岡本 一輝, 舟窪 浩

    第72回応用物理学会春季学術講演会  2025年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • Effects of thickness scaling on switching kinetics in (Al,Sc)N ferroelectric films

    Nana Sun, Kazuki Okamoto, Soshun Doko, Naoko Matsui, Toshikazu Irisawa, Koji Tsunekawa, Hiroshi Funakubo

    The 72nd JSAP Spring Meeting  2025年3月 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • High stability of ferroelectricity against hydrogen gas in (Al,Sc)N thin films

    Nana Sun, Kazuki Okamoto, Shinnosuke Yasuoka, Naoko Matsui, Toshikazu Irisawa, Koji Tsunekawa, Soshun Doko, Hiroshi Funakubo

    The 71st JSAP Spring Meeting  2024年3月 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • Pt下部電極の膜厚がAlScNの膜特性に及ぼす影響

    道古 宗俊, 松井 尚子, 入澤 寿和, 恒川 孝二, 中村 美子, 岡本 一輝, 舟窪 浩

    第71回応用物理学会春季学術講演会  2024年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • FeRAM向け (Al,Sc)N膜における強誘電特性の膜厚依存性評価

    道古 宗俊, 松井 尚子, 入澤 寿和, 恒川 孝二, Nana Sun, 中村 美子, 岡本 一輝, 舟窪 浩

    第85回応用物理学会秋季学術講演会  2024年9月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • (Ba,Sr,Ca)Si2膜の作製と熱電特性評価

    青山航大, 清水荘雄, 倉持豪人, 召田雅実, 秋池良, 片瀬貴義, 木村好里, 舟窪浩

    第21回 日本熱電学会学術講演会  2024年9月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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  • Control of &#61538;-FeSi2/Si Interface Structure by Cu Layer 国際会議

    K. Akiyama, M. Itakura, S. Kaneko, H. Funakubo, Y. Maeda

    Science and Technology Towards Sustainable Optoelectronics (APAC-SILICIDE 2006)  2006年7月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:The Clock Tower Centennial International Hall, Kyoto University, Kyoto, Japan,  

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  • Control of &szlig;-FeSi2/Si Interface Structure by Cu Thin Layer 国際会議

    Kensuke Akiyama, Masaru Itakura, Satoru Kaneko, Hiroshi Funakubo, Yoshihito Maeda

    The 16th International Microscopy Congress (IMC16)  2006年9月 

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    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Sapporo Convention Center, Sapporo, Japan,  

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  • Development of novel Pb, Li, Na and K-free piezoelectric materials for Si-based MEMS application 国際会議

    HIROSHI FUNAKUBO, Shintaro Yasui, Yazawa, K., Nagata, J., Oikawa, T., Yamada, T., Uchida, H.

    2012年 

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    記述言語:英語   会議種別:口頭発表(招待・特別)  

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