2026/03/28 更新

写真a

オオトモ アキラ
大友 明
OHTOMO AKIRA
所属
物質理工学院 教授
職名
教授
外部リンク

News & Topics

学位

  • 修士 (工学) ( 東京工業大学 )

  • 博士 (工学) ( 東京工業大学 )

研究キーワード

  • 無機固体化学、材料化学、結晶工学、固体物性、デバイス工学、酸化物エレクトロニクス

  • Quantum well devices

  • Field-effect transistors

  • 酸化物エレクトロニクス

  • 量子井戸デバイス

  • 電界効果トランジスタ

  • Oxide electronics

研究分野

  • ナノテク・材料 / 機能物性化学

  • ナノテク・材料 / 応用物性

  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電気電子材料工学

学歴

  • 東京工業大学   大学院総合理工学研究科   物質科学創造専攻

    1997年4月 - 2000年3月

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    国名: 日本国

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  • 東京工業大学

    - 2000年

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  • 東京工業大学

    - 1998年

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  • 東京工業大学   大学院総合理工学研究科   材料科学専攻

    1995年4月 - 1997年3月

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    国名: 日本国

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  • 東京工業大学   工学部   無機材料工学科

    1991年4月 - 1995年3月

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    国名: 日本国

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経歴

  • 東京科学大学   物質理工学院応用化学系   教授

    2024年10月 - 現在

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    国名:日本国

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  • 東京工業大学物質理工学院応用化学系   教授

    2016年4月 - 2024年9月

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  • 東京工業大学大学院理工学研究科   教授

    2009年11月 - 2016年3月

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  • 東北大学金属材料研究所   准教授

    2009年9月 - 2009年10月

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  • - 東北大学金属材料研究所   助教

    2007年4月 - 2009年9月

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  • 国立研究開発法人科学技術振興機構

    2003年 - 2007年

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  • 科学技術振興機構さきがけ研究(個人型)「ナノと物性」領域

    2003年 - 2007年

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  • 東北大学金属材料研究所   助手

    2002年6月 - 2007年3月

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  • COMET, National Institute for Research in Inorganic Materials

    2002年 - 2006年

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  • 物質・材料研究機構COMETプロジェクト

    2002年 - 2006年

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  • ルーセントテクノロジー社ベル研究所   物理部門   博士研究員

    2000年4月 - 2002年5月

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  • Lucent Technologies, Bell Laboratories

    2000年 - 2002年

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所属学協会

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委員歴

  • 応用物理学会   プログラム編集員  

    2007年   

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    団体区分:学協会

    応用物理学会

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論文

  • Au-Nanoparticle-Assisted Pulsed-Laser Deposition of Ga2(O1–xSx)3 Epitaxial Films

    Weiqi Zhou, Akira Ohtomo

    Crystal Growth & Design   2026年2月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acs.cgd.5c01584

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  • Strongly Correlated van der Waals Oxide: 2H-NbO2

    Aya Sato, Takuto Soma, Hiroshi Kumigashira, Kohei Yoshimatsu, Akira Ohtomo

    ACS Nano   2025年7月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acsnano.5c05513

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  • Structural and electrical properties of (100) β-(ScxGa1−x)2O3/Ga2O3 heterojunctions

    Kazuki Koreishi, Takuto Soma, Akira Ohtomo

    Journal of Applied Physics   2025年7月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/5.0277701

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  • (100) β-Ga2O3基板上のβ-(ScxGa1−x)2O3薄膜のエピタキシャル成長とバンドオフセット 査読 国際誌

    是石 和樹, 相馬 拓人, 組頭 広志, 大友 明

    125 ( 15 )   6   2024年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/5.0226675

    Scopus

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  • Electrochemical modulation of electronic states in strongly correlated transition-metal oxides 招待 査読 国際誌

    Akira Ohtomo, Takuto Soma, Kohei Yoshimatsu

    JSAP Review   Volume 2022 ( 1 )   220202-1 - 220202-8   2022年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.11470/jsaprev.220202

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  • 強相関遷移金属酸化物の電気化学的な電子状態の変調 査読

    大友 明, 相馬 拓人

    応用物理   Vol. 91 ( No. 6 )   340 - 345   2022年6月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.11470/oubutsu.91.6_340

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  • Epitaxial growth of MoO3 polymorphs and impacts of Li-ion electrochemical reactions on their structural and electronic properties 査読 国際誌

    Shuxin Zhang, Tatsuya Yajima, Takuto Soma, Akira Ohtomo

    Applied Physics Express   Volume 15 ( Number 5 )   055505   2022年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:{IOP} Publishing  

    DOI: 10.35848/1882-0786/ac6aae

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  • Two-dimensional superconductivity in single-band correlated <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML"><mml:mrow><mml:mn>2</mml:mn><mml:mi>H</mml:mi></mml:mrow></mml:math> -type <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML"><mml:mrow><mml:mi>Nb</mml:mi><mml:msub><mml:mi mathvariant="normal">O</mml:mi><mml:mn>2</mml:mn></mml:msub></mml:mrow></mml:math> layers 国際誌

    Takuto Soma, Kohei Yoshimatsu, Koji Horiba, Hiroshi Kumigashira, Akira Ohtomo

    Physical Review B   105 ( 10 )   2022年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:American Physical Society (APS)  

    DOI: 10.1103/physrevb.105.104504

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    その他リンク: http://harvest.aps.org/v2/journals/articles/10.1103/PhysRevB.105.104504/fulltext

  • Enhancement of transparency in epitaxially-grown p-type SnO films by surface-passivation treatment in a Na2S aqueous solution 査読 国際誌

    Suguri Uchida, Takuto Soma, Miho Kitamura, HIroshi Kumigashira, Akira OHTOMO

    Japanese Journal of Applied Physics   61   050903   2022年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IOP Publishing  

    <title>Abstract</title>
    We report on the epitaxial growth of (001)-oriented SnO films on yttria-stabilized zirconia (100) substrates by pulsed-laser deposition and the impact of surface-passivation treatment on the optical transparency. The films immersed in a Na2S aqueous solution exhibited average visible transmittance higher than that of the as-grown ones by ~18% despite negligibly small variations in crystalline structure, p-type conductivity, and composition. Based on these results, the enhanced visible transmittance can be attributed to the suppression of midgap states near the film surface. The extended treatment resulted in conversion to a SnS phase, demonstrating a facile anion-exchange reaction.

    DOI: 10.35848/1347-4065/ac56fa

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    その他リンク: https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ac56fa/pdf

  • Heavy-fermion metallic state and Mott transition induced by Li-ion intercalation in LiV2O4 epitaxial films 査読 国際誌

    矢島 達也, 相馬 拓人, 吉松 公平, 栗田 伸之, 渡邊 正理, 大友 明

    Physical Review B   104 ( 24 )   245104   2021年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:American Physical Society  

    DOI: 10.1103/physrevb.104.245104

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    その他リンク: http://harvest.aps.org/v2/journals/articles/10.1103/PhysRevB.104.245104/fulltext

  • Optical properties of LiNbO2 thin films 国際誌

    T. Kurachi, T. Yamaguchi, E. Kobayashi, T. Soma, A. Ohtomo, T. Makino

    Physica B: Condensed Matter   621   413259 - 413259   2021年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Elsevier BV  

    DOI: 10.1016/j.physb.2021.413259

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  • Epitaxial Stabilization of Complete Solid-solution β-(Al<inf>x</inf>Ga<inf>1- x</inf>)<inf>2</inf>O<inf>3</inf>(100) Films by Pulsed-laser Deposition 国際誌

    Ryo Wakabayashi, Kohei Yoshimatsu, Mai Hattori, Jung Soo Lee, Osami Sakata, Akira Ohtomo

    Crystal Growth and Design   21 ( 5 )   2844 - 2849   2021年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acs.cgd.1c00030

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  • 物質理工学院応用化学系大友研究室2020年度研究報告 層状岩塩型LiNiO2のエピタキシャル成長と電気伝導性

    矢島 達也, 相馬 拓人, 大友 明

    東京工業大学極低温研究支援センターだより   2021年3月

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    記述言語:日本語  

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  • Superconducting Dome Underlying Bipolaronic Insulating State in Charge-doped Ti4O7 Epitaxial Films 査読 国際誌

    Takuto Soma, Tomohiro Kobayashi, Kohei Yoshimatsu, Akira Ohtomo

    Journal of the Physical Society of Japan   Vol. 90 ( No. 2 )   023705 - 023705   2021年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Physical Society of Japan  

    DOI: 10.7566/JPSJ.90.023705

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  • Epitaxial Thin Film Growth of Europium Dihydride 査読 国際誌

    Yuya Komatsu, Ryota Shimizu, Markus Wilde, Shigeru Kobayashi, Yuki Sasahara, Kazunori Nishio, Kei Shigematsu, Akira Ohtomo, Katsuyuki Fukutani, Taro Hitosugi

    Crystal Growth and Design   20 ( 9 )   5903 - 5907   2020年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:American Chemical Society  

    DOI: 10.1021/acs.cgd.0c00602

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  • p-type transparent superconductivity in a layered oxide 査読 国際誌

    Takuto Soma, Kohei Yoshimatsu, Akira Ohtomo

    Science Advances   6 ( 29 )   eabb8570 - eabb8570   2020年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:American Association for the Advancement of Science (AAAS)  

    Development of p-type transparent conducting materials has been a challenging issue. The known p-type transparent conductors unsatisfy both of high transparency and high conductivity nor exhibit superconductivity. Here, we report on epitaxial synthesis, excellent p-type transparent conductivity, and two-dimensional superconductivity of Li1−<italic>x</italic>NbO2. The LiNbO2 epitaxial films with NbO2 sheets parallel to (111) plane of cubic MgAl2O4 substrates were stabilized by heating amorphous films. The hole doping associated with Li+ ion deintercalation triggered superconductivity below 4.2 kelvin. Optical measurements revealed that the averaged transmittance to the visible light of ~100-nanometer-thick Li1−<italic>x</italic>NbO2 was ~77%, despite the large number of hole carriers exceeding 1022 per cubic centimeter. These results indicate that Li1−<italic>x</italic>NbO2 is a previously unknown p-type transparent superconductor, in which strongly correlated electrons at the largely isolated Nb 4d<italic>z</italic>2 band play an important role for the high transparency.

    DOI: 10.1126/sciadv.abb8570

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  • Optical and structural investigations on titanium oxynitride films for visible-UV photocatalytic applications 国際誌

    Jun Mizushiro, Kohei Yoshimatsu, Naoki Ohashi, Masahiko Tanaka, Osami Sakata, Akira Ohtomo

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   127 ( 13 )   6   2020年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.5143609

    Web of Science

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  • 物質理工学院応用化学系大友研究室2019年度研究報告 Liイオン挿入反応による重い電子系スピネル型構造LiV2O4エピタキシャル薄膜の電気伝導性変調

    矢島 達也, 相馬 拓人, 大友 明

    東京工業大学極低温研究支援センターだより   2020年3月

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    記述言語:日本語  

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  • Exchange bias and spin glass states driven by antisite disorder in the double perovskite compound LaSrCoFeO 6 国際誌

    R. C. Sahoo, Yu Takeuchi, Akira Ohtomo, Z. Hossain

    Physical Review B   Vol. 100 ( Issue 21 )   9   2019年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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  • Magnetic and electronic properties of B -site-ordered double-perovskite oxide La2CrMnO6 thin films 査読 国際誌

    K. Yoshimatsu, J. Ishimaru, K. Watarai, K. Yamamoto, Y. Hirata, H. Wadati, Y. Takeda, K. Horiba, H. Kumigashira, O. Sakata, A. Ohtomo

    Physical Review B   99 ( 23 )   235129   2019年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:American Physical Society (APS)  

    DOI: 10.1103/physrevb.99.235129

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    その他リンク: http://harvest.aps.org/v2/journals/articles/10.1103/PhysRevB.99.235129/fulltext

  • Electronic properties across metal-insulator transition in β-pyrochlore-type CsW2O6 epitaxial films 査読 国際誌

    相馬 拓人, 吉松 公平, 堀場 弘司, 組頭 広志, 大友 明

    Vol. 2 ( 11 )   8   2018年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevMaterials.2.115003

    Web of Science

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  • Large anisotropy in conductivity of Ti2O3 films 査読 国際誌

    K. Yoshimatsu, H. Kurokawa, K. Horiba, H. Kumigashira, A. Ohtomo

    APL Materials   6   101101   2018年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.5050823

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  • Band alignment at β-(AlxGa1−x)2O3/β-Ga2O3 (100) interface fabricated by pulsed-laser deposition 査読 国際誌

    Ryo Wakabayashi, Mai Hattori, Kohei Yoshimatsu, Koji Horiba, Hiroshi Kumigashira, Akira Ohtomo

    Applied Physics Letters   112 ( 23 )   2018年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.5027005

    Web of Science

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  • Superconductivity in Ti4O7 and γ-Ti3O5 films 査読 国際誌

    K. Yoshimatsu, Osami Sakata, A. Ohtomo

    Scientific Reports   7   12544   2017年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1038/s41598-017-12815-4

    Web of Science

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  • Epitaxial structure and electronic property of?β-Ga2O3?films grown on MgO (100) substrates by pulsed-laser deposition 国際誌

    Ryo Wakabayashi, K. Yoshimatsu, Mai Hattori, A. Ohtomo

    111 ( 16 )   162101   2017年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4990779

    Web of Science

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  • TiO2(100)面上のCaFe2O4薄膜のエピタキシャル成長 査読

    西山奈菜, 増子尚徳, 吉松 公平, 堀場弘司, 組頭 広志, 大友 明

    Vol. 638   406 - 409   2017年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2017.08.003

    Web of Science

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  • Hetero-epitaxial growth control of single-crystalline anatase TiO2 nanosheets predominantly exposing the {001} facet on oriented crystalline substrates 査読 国際誌

    M. M. Maitani, K. Tanaka, H. Satou, T. Oshima, A. Ohtomo, Y. Wada

    CRYSTENGCOMM   19 ( 32 )   4734 - 4741   2017年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1039/c7ce00754j

    Web of Science

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  • Effects of phase fraction on superconductivity of low-valence eutectic titanate films 国際誌

    Hikaru Kurokawa, Kohei Yoshimatsu, Osami Sakata, Akira Ohtomo

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   122 ( 5 )   2017年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4997443

    Web of Science

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  • Electronic Structures and Photoanodic Properties of Ilmenite-type MTiO3 Epitaxial Films (M = Mn, Fe, Co, Ni) 査読 国際誌

    K. Yoshimatsu, H. Mashiko, N. Umezawa, K. Horiba, H. Kurnigashira, A. Ohtomo

    JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C   121 ( 34 )   18717 - 18724   2017年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acs.jpcc.7b06076

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  • Microwave Effects on Co-Pi Co-catalysts Deposited on α-Fe2O3 for Application to Photocatalytic Oxygen Evolution 査読 国際誌

    Masato Maitani, Takuya Yamada, Hisanori Mashiko, Kohei Yoshimatsu, Takayoshi OSHIMA, A. Ohtomo, Yuji Wada

    9 ( 12 )   10349 - 10354   2017年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acsami.6b16319

    Web of Science

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  • Formation of indium-tin oxide ohmic contacts for beta-Ga2O3 査読 国際誌

    Oshima Takayoshi, Wakabayashi Ryo, Hattori Mai, Hashiguchi Akihiro, Kawano Naoto, Sasaki Kohei, Masui Takekazu, Kuramata Akito, Yamakoshi Shigenobu, Yoshimatsu Kohei, Ohtomo Akira, Oishi Toshiyuki, Kasu Makoto

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 ( 12 )   1202B7   2016年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.55.1202B7

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  • Epitaxial growth and electric properties of gamma-Al2O3(110) films on beta-Ga2O3(010) substrates 査読 国際誌

    Hattori Mai, Oshima Takayoshi, Wakabayashi Ryo, Yoshimatsu Kohei, Sasaki Kohei, Masui Takekazu, Kuramata Akito, Yamakoshi Shigenobu, Horiba Koji, Kumigashira Hiroshi, Ohtomo Akira

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 ( 12 )   1202B6   2016年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.55.1202B6

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  • Epitaxial synthesis and physical properties of double-perovskite oxide Sr2CoRuO6 thin films 査読 国際誌

    Keisuke Watarai, K. Yoshimatsu, Koji Horiba, Hiroshi Kumigashira, Osami Sakata, A. Ohtomo

    Journal of Physics: Condensed Matter   Vol. 28 ( No. 48 )   2016年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/0953-8984/28/43/436005

    Web of Science

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  • Impact of built-in potential across LaFeO3/SrTiO3 heterojunctions on photocatalytic activity 査読 国際誌

    Kentarou Nakamura, Hisanori Mashiko, Kohei Yoshimatsu, Akira Ohtomo

    APPLIED PHYSICS LETTERS   108 ( 21 )   211605   2016年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4952736

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  • Strain-induced metal-insulator transition in t(2g) electron system of perovskite titanate Sm0.5Ca0.5TiO3 films 査読 国際誌

    K. Yoshimatsu, H. Okabe, T. Oshima, S. Ueda, A. Ohtomo

    PHYSICAL REVIEW B   93 ( 19 )   195159   2016年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.93.195159

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  • Fabrication and Characterization of Semiconductor Photoelectrodes with Orientation-Controlled α-Fe2O3 Thin Films 査読 国際誌

    H. Mashiko, K. Yoshimatsu, T. Oshima, A. Ohtomo

    Vol. 120 ( No. 5 )   2747–2752   2016年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acs.jpcc.5b10838

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  • Insulator to metal transition of WO3 epitaxial films induced by electrochemical Li-ion intercalaion 査読 国際誌

    K. Yoshimatsu, Takuto Soma, A. Ohtomo

    Appl. Phys. Express   9 ( 7 )   75802 - 75802   2016年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Institute of Physics  

    We investigated the systematic evolution of the structural and electronic properties of Li<inf>x</inf>WO<inf>3</inf>films induced by Li-ion electrochemical reactions. Chronoamperometric Li-ion intercalation could control the Li content up to x ∼ 0.5. The resistivity decreased abruptly with increasing x, and the films underwent an insulator-to-metal transition (IMT) within a range of 0.2 < x < 0.24, which was consistent with the IMT of cubic Na<inf>x</inf>WO<inf>3</inf>. X-ray diffraction analyses revealed the coexistence of tetragonal and cubic phases across the IMT, suggesting that the alkaline ion content was the primary factor in the metallic conductivity of the ReO<inf>3</inf>-type WO<inf>3</inf>system.

    DOI: 10.7567/APEX.9.075802

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  • Epitaxial growth of hexagonal tungsten bronze CsxWO3 films in superconducting phase region exceeding bulk limit 査読 国際誌

    Takuto Soma, K. Yoshimatsu, A. Ohtomo

    Appl. Phys. Express   9 ( 7 )   75801 - 75801   2016年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Institute of Physics  

    We report epitaxial synthesis of superconducting Cs<inf>x</inf>WO<inf>3</inf>(x = 0.11, 0.20, and 0.31) films on Y-stabilized ZrO<inf>2</inf>(111) substrates. The hexagonal crystal structure was verified not only for the composition within the stable region of the bulk (x = 0.20 and 0.31), but also for the out-of-range composition (x = 0.11). The onset of the superconducting transition was recorded at 5.8 K for x = 0.11. We found a strong correlation between the superconducting transition temperature (T<inf>C</inf>) and the c-axis length, irrespective of the Cs content. These results indicated that the hidden superconducting phase region of hexagonal tungsten bronze is accessible using epitaxial synthesis of lightly doped films.

    DOI: 10.7567/APEX.9.075801

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  • Reversible superconductor-insulator transition in LiTi2O4 induced by Li-ion electrochemical reaction 査読 国際誌

    K. Yoshimatsu, M. Niwa, H. Mashiko, T. Oshima, A. Ohtomo

    SCIENTIFIC REPORTS   5 ( 16325 )   2015年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1038/srep16325

    Web of Science

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  • 酸素ラジカル支援PLD法による β-(AlxGa1-x)2O3薄膜の作製 査読

    若林 諒, 服部 真依, 大島 孝仁, 向井 章, 佐々木 公平, 増井 建和, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 吉松 公平, 大友 明

    Vol. 424   77 - 79   2015年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2015.05.005

    Web of Science

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  • Conducting Si-doped γ-Ga2O3 epitaxial films grown by pulsed-laser deposition 査読 国際誌

    Takayoshi Oshima, Keitarou Matsuyama, Kohei Yoshimatsu, Akira Ohtomo

    Journal of Crystal Growth   Volume 421   23 - 26   2015年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2015.04.011

    Web of Science

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  • Pulsed-laser deposition of superconducting LiTi2O4 ultrathin films 査読 国際誌

    T. Oshima, M. Niwa, K. Yokoyama, A. Ohtomo

    Journal of Crystal Growth   Volume 419   153 - 157   2015年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2015.03.029

    Web of Science

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  • Direct growth of metallic TiH2 thin films by pulsed laser deposition 査読 国際誌

    Yoshimatsu Kohei, Suzuki Takayuki, Tsuchimine Nobuo, Horiba Koji, Kumigashira Hiroshi, Oshima Takayoshi, Ohtomo Akira

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   8 ( 3 )   35801 - 35801   2015年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/APEX.8.035801

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  • Synthesis and magnetic properties of double-perovskite oxide La2MnFeO6 thin films 査読 国際誌

    K. Yoshimatsu, K. Nogami, K. Watarai, K. Horiba, H. Kumigashira, O. Sakata, T. Oshima, A. Ohtomo

    PHYSICAL REVIEW B   91 ( 5 )   054421   2015年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.91.054421

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  • Epitaxial growth of wide-band-gap ZnGa2O4 films by mist chemical vapor deposition 査読 国際誌

    T. Oshima, M. Niwa, A. Mukai, T. Nagami, T. Suyama, A. Ohtomo

    Journal of Crystal Growth   Volume 386   190 - 193   2014年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2013.10.012

    Web of Science

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  • Surface and interface engineering of ZnO based heterostructures fabricated by pulsed-laser deposition 国際誌

    A. Tsukazaki, A. Ohtomo, M. Kawasaki

    Journal of Physics D: Applied Physics   Volume 47 ( Number 3 )   034003   2013年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IOP Publishing  

    ZnO and related alloys are an important class of materials to realize transparent electronics because of their characteristic wide band-gap and high mobility, and also because of their
    practical advantages, such as: vailable n-type materials and bulk single crystals, low-cost production, and absence of toxicity. Our studies have been conducted for more than a decade
    and they have enabled surface and interface engineering on an atomic scale, presenting a promising technology for developing electrical devices of various kinds. The quality of the epitaxial films was improved drastically when grown on high-temperature annealed buffer layers prepared on lattice-matched ScAlMgO4 substrates using pulsed-laser deposition. We carefully investigated the growth temperature dependence of surface morphology and
    electrical properties. Electron mobility was recorded as 440 cm2 V−1 s−1 at room temperature
    and 5500 cm2 V−1 s−1 at 1 K, leading to observation of the integer quantum Hall-effect (QHE) in abrupt ZnO/MgxZn1−xO interfaces. Two-dimensional electron gas (2DEG) was formed spontaneously in the interface because of the polarization mismatch between the layers. The observation of QHE enables us to access the direct determination of the interfacial electronic structure. In addition, the field-effect control of 2DEG has been demonstrated using lattice-matched interfaces as high-mobility channels.

    DOI: 10.1088/0022-3727/47/3/034003

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  • Improved visible light driven photoelectrochemical properties of 3C-SiC semiconductor with Pt nanoparticles for hydrogen generation 査読 国際誌

    Jun Tae Song, Hisanori Mashiko, Masayuki Kamiya, Yoshifumi Nakamine, Akira Ohtomo, Takayuki Iwasaki, Mutsuko Hatano

    APPLIED PHYSICS LETTERS   103 ( 21 )   213901 (5 pages)   2013年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.4832333

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  • beta-Ga2O3 Single Crystal as a Photoelectrode for Water Splitting 査読 国際誌

    Oshima Takayoshi, Kaminaga Kenichi, Mashiko Hisanori, Mukai Akira, Sasaki Kohei, Masui Takekazu, Kuramata Akito, Yamakoshi Shigenobu, Ohtomo Akira

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 ( 11 )   111102 - 1-4   2013年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.111102

    Web of Science

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  • Epitaxial Synthesis and Electronic Properties of Double-Perovskite Sr2TiRuO6 Films 査読 国際誌

    Nogami Kengo, Yoshimatsu Kohei, Mashiko Hisanori, Sakai Enju, Kumigashira Hiroshi, Sakata Osami, Oshima Takayoshi, Ohtomo Akira

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   6 ( 10 )   105502 - 1-4   2013年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/APEX.6.105502

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  • Formation of Semi-Insulating Layers on Semiconducting beta-Ga2O3 Single Crystals by Thermal Oxidation 査読 国際誌

    Oshima Takayoshi, Kaminaga Kenichi, Mukai Akira, Sasaki Kohei, Masui Takekazu, Kuramata Akito, Yamakoshi Shigenobu, Fujita Shizuo, Ohtomo Akira

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 ( 5 )   51101 - 051101-5   2013年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/JJAP.52.051101

    Web of Science

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  • Spontaneous atomic ordering and magnetism in epitaxially stabilized double perovskites 査読 国際誌

    A. Ohtomo, S. Chakraverty, H. Mashiko, T. Oshima, M. Kawasaki

    Journal of Materials Research   Volume 28 ( 5 )   689 - 695   2013年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1557/jmr.2012.438

    Web of Science

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  • 金属酸化物ヘテロ接合の界面伝導

    大友 明

    應用物理   81 ( 12 )   1002 - 1008   2012年12月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:応用物理学会  

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  • Spontaneous atomic ordering and magnetism in epitaxially stabilized double-perovskites 査読 国際誌

    Akira Ohtomo, Akira Ohtomo, Suvankar Chakraverty, Hisanori Mashiko, Takayoshi Oshima, Masashi Kawasaki, Masashi Kawasaki, Masashi Kawasaki

    Materials Research Society Symposium Proceedings   1454   3 - 13   2012年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1557/opl.2012.923

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  • Epitaxial growth of gamma-Ga2O3 films by mist chemical vapor deposition 査読 国際誌

    Oshima Takayoshi, Nakazono Taishi, Mukai Akira, Ohtomo Akira

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   359   60 - 63   2012年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2012.08.025

    Web of Science

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  • Epitaxial Structures of Band-Gap-Engineered alpha-(CrxFe1-x)(2)O-3 (0 <= x <= 1) Films Grown on C-Plane Sapphire 査読 国際誌

    Mashiko Hisanori, Oshima Takayoshi, Ohtomo Akira

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   51 ( 11 )   11PG11 - 11PG11-5   2012年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.51.11PG11

    Web of Science

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  • Band-gap narrowing in α-(CrxFe1-x)2O3 solid-solution films 査読 国際誌

    H. Mashiko, T. Oshima, A. Ohtomo

    Applied Physics Letters   Vol. 99 ( 24 )   241904-1-3   2011年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.3669704

    Web of Science

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  • Magnetic properties of Sr2FeTaO6 double perovskite epitaxially grown by pulsed-laser deposition 国際誌

    S. Chakraverty, M. Saito, S. Tsukimoto, Y. Ikuhara, A. Ohtomo, M. Kawasaki

    APPLIED PHYSICS LETTERS   99 ( 22 )   223101 - 223103   2011年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.3663214

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  • Magnetic and electronic properties of ordered double-perovskite La 2VMnO6 thin films 査読

    S. Chakraverty, K. Yoshimatsu, Y. Kozuka, H. Kumigashira, M. Oshima, T. Makino, A. Ohtomo, M. Kawasaki

    Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics   84 ( 13 )   2011年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.84.132411

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  • Magnetic and electronic properties of ordered double-perovskite La2VMnO6 thin films 査読 国際誌

    K. Yoshimatsu, S. Chakraverty, Y. Kozuka, H. Kumigashira, M. Oshima, T. Makino, A. Ohtomo, M. Kawasaki

    Physical Review B   Vol. 84 ( 13 )   132411-1-4   2011年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.84.132411

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  • Ferrimagnetism and spontaneous ordering of transition metals in double perovskite La2CrFeO6 films 査読 国際誌

    S. Chakraverty, A. Ohtomo, D. Okuyama, M. Saito, M. Okude, R. Kumai, T. Arima, Y. Tokura, S. Tsukimoto, Y. Ikuhara, M. Kawasaki

    Physical Review B   Vol. 84 ( 6 )   064436-1-5   2011年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.84.064436

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  • Improvement of Electron Mobility above 100,000 cm(2) V-1 s(-1) in MgxZn1-xO/ZnO Heterostructures 査読 国際誌

    Shunsuke Akasaka, Atsushi Tsukazaki, Ken Nakahara, Akira Ohtomo, Masashi Kawasaki

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   50 ( 8 )   080215-1-3   2011年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.50.080215

    Web of Science

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  • Preparation of an Epitaxy-Ready Surface of a ZnO(0001) Substrate 査読 国際誌

    Shunsuke Akasaka, Ken Nakahara, Hiroyuki Yuji, Atsushi Tsukazaki, Akira Ohtomo, Masashi Kawasaki

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   4 ( 3 )   035701-1-3   2011年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/APEX.4.035701

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  • Electric-field control of two-dimensional electrons in polymer-gated oxide semiconductor heterostructures 査読 国際誌

    M. Nakano, A. Tsukazaki, A. Ohtomo, K. Ueno, S. Akasaka, H. Yuji, K. Nakahara, T. Fukumura, M. Kawasaki

    Advanced Materials   22 ( No. 8 )   876 - 879   2010年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/adma.200902162

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  • Controlled B-site ordering in Sr2CrReO6 double perovskite films by using pulsed laser interval deposition 国際誌

    S. Chakraverty, A. Ohtomo, M. Kawasaki

    APPLIED PHYSICS LETTERS   97 ( 24 )   243107 - 243109   2010年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.3525578

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  • Dimensionality-driven insulator–metal transition in A-site excess non-stoichiometric perovskites 査読 国際誌

    Z. Wang, M. Okude, M. Saito, S. Tsukimoto, A. Ohtomo, M. Tsukada, M. Kawasaki, Y. Ikuhara

    Nature Communications   Vol. 1   106-1-7   2010年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1038/ncomms1111

    Web of Science

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  • Observation of the fractional quantum Hall effect in an oxide 査読 国際誌

    A. Tsukazaki, S. Akasaka, K. Nakahara, Y. Ohno, H. Ohno, D. Maryenko, A. Ohtomo, M. Kawasaki

    Nature Materials   Vol. 9 ( No. 11 )   889 - 893   2010年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Nature Publishing Group  

    The quantum Hall effect arises from the cyclotron motion of charge carriers in two-dimensional systems. However, the ground states related to the integer and fractional quantum Hall effect, respectively, are of entirely different origin. The former can be explained within a single-particle picture; the latter arises from electron correlation effects governed by Coulomb interaction. The prerequisite for the observation of these effects is extremely smooth interfaces of the thin film layers to which the charge carriers are confined. So far, experimental observations of such quantum transport phenomena have been limited to a few material systems based on silicon, III–V compounds and graphene. In ionic materials, the correlation between electrons is expected to be more pronounced than in the conventional heterostructures, owing to a large effective mass of charge carriers. Here we report the observation of the fractional quantum Hall effect in MgZnO/ZnO heterostructures grown by molecular-beam epitaxy, in which the electron mobility exceeds 180,000 cm<2> V<−1> s<−1>. Fractional states such as ν=4/3, 5/3 and 8/3 clearly emerge, and the appearance of the ν=2/5 state is indicated. The present study represents a technological advance in oxide electronics that provides opportunities to explore strongly correlated phenomena in quantum transport of dilute carriers.

    DOI: 10.1038/nmat2874

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  • Nitrogen doped MgxZn1-xO/ZnO single heterostructure ultraviolet light-emitting diodes on ZnO substrates 査読 国際誌

    K. Nakahara, S. Akasaka, H. Yuji, K. Tamura, T. Fujii, Y. Nishimoto, D. Takamizu, A.Sasaki, T. Tanabe, H. Takasu, H. Amaike, T. Onuma, S. F. Chichibu, A.Tsukazaki, A. Ohtomo, M. Kawasaki

    Applied Physics Letters   97 ( 1 )   013501(1) - (3)   2010年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    6106

    DOI: 10.1063/1.3459139

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  • 酸化亜鉛系分極不整合界面の2次元伝導と導電性高分子を用いた伝導性制御

    塚崎敦, 中野匡規, 大友明, 上野和紀, 赤坂俊輔, 湯地洋行, 中原健, 福村知昭, 川崎雅司

    まてりあ   49 ( 7月 )   312 - 313   2010年7月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:The Japan Institute of Metals and Materials  

    DOI: 10.2320/materia.49.312

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  • Optimization of the Growth Conditions for Molecular Beam Epitaxy of MgxZn1-xO (0 ≤ x ≤ 0.12) Films on Zn-polar ZnO Substrates 査読 国際誌

    H. Yuji, K. Nakahara, K. Tamura, S. Akasaka, Y. Nishimoto, D. Takamizu, T. Onuma, S. F. Chichibu, A. Tsukazaki, A. Ohtomo, M. Kawasaki

    Japanese Journal of Applied Physics   49 ( 7 )   071104 1 - 5   2010年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics  

    6121

    DOI: 10.1143/JJAP.49.071104

    CiNii Books

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  • Hydrogenation-Induced Surface Polarity Recognition and Proton Memory Behavior at Protic-Ionic-Liquid/Oxide Electric-Double-Layer Interfaces 査読 国際誌

    Hongtao Yuan, Hidekazu Shimotani, Atsushi Tsukazaki, Akira Ohtomo, Masashi Kawasaki, Yoshihiro Iwasa

    Journal of the American Chemical Society   132 ( 19 )   6672 - 6678   2010年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/ja909110s

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  • Electronic-Field Control of Two-Dimensional Electrons in Polymer-Gated-Oxide Semiconductor Heterostructures (vol 22, pg 876, 2010) 査読

    Masaki Nakano, Atsushi Tsukazaki, Akira Ohtomo, Kazunori Ueno, Shunsuke Akasaka, Hiroyuki Yuji, Ken Nakahara, Tomoteru Fukumura, Masashi Kawasaki

    ADVANCED MATERIALS   22 ( 14 )   1553 - 1553   2010年4月

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    記述言語:英語  

    Web of Science

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  • Spatial distribution of two-dimensional electron gas in a ZnO/Mg0.2Zn0.8O geterostructure probed with a conducting polymer Schottky contact 査読 国際誌

    M. Nakano, A. Tsukazaki, K. Ueno, R. Y. Gunji, A. Ohtomo, T. Fukumura, M. Kawasaki

    Applied Physics Letters   96 ( No. 5 )   052116-1 - 052116-3   2010年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.3309699

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  • MgxZn1-xO Films with a Low Residual Donor Concentration (&lt; 10(15) cm(-3)) Grown by Molecular Beam Epitaxy 査読 国際誌

    Shunsuke Akasaka, Ken Nakahara, Atsushi Tsukazaki, Akira Ohtomo, Masashi Kawasaki

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   3 ( 7 )   071101-1-3   2010年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/APEX.3.071101

    Web of Science

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  • Epitaxial Structure of (001) and (111)-Oriented Perovskite Ferrate Films Grown by Pulsed-Laser Deposition 国際誌

    CHAKRAVERTY Suvankar, OHTOMO Akira, OKUDE Masaki, UENO Kazunori, KAWASAKI Masashi, KAWASAKI Masashi

    Cryst. Growth Des.   10 ( 4 )   1725 - 1729   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/cg901355c

    PubMed

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  • Excitonic characteristics in direct wide band-gap CuScO2 epitaxial thin films 査読 国際誌

    H. Hiraga, T. Makino, T. Fukumura, A. Ohtomo, M. Kawasaki

    Appl. Phys. Lett.   95 ( 211908 )   1 - 3   2009年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.3268476

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    その他リンク: http://orcid.org/0000-0002-8957-3520

  • Magneto-optical study of n-type modulation-doped ZnO/MgxZn1-xO single quantum well structures 査読 国際誌

    T. Makino, Y. Furuta, Y. Segawa, A. Tsukazaki, A. Ohtomo, Y. Hirayama, R. Shen, S. Takeyama, Y. Takagi, M. Kawasaki

    Physical Review B   80 ( No. 15 )   155333-1 - 155333-5   2009年10月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.80.155333

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  • Optical and magnetic properties of CuMnO2 epitaxial thin films with a delafossite-derivative structure 国際誌

    H. Hiraga, T. Fukumura, A. Ohtomo, T. Makino, A. Ohkubo, H. Kimura, M. Kawasaki

    APPLIED PHYSICS LETTERS   95 ( 3 )   032109-1-032109-3   2009年7月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.3186790

    Web of Science

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  • High-Density Carrier Accumulation in ZnO Field-Effect Transistors Gated by Electric Double Layers of Ionic Liquids 国際誌

    Hongtao Yuan, Hidekazu Shimotani, Atsushi Tsukazaki, Akira Ohtomo, Masashi Kawasaki, Yoshihiro Iwasa

    ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS   19 ( 7 )   1046 - 1053   2009年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/adfm.200801633

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  • 酸化亜鉛系薄膜トランジスタ

    大友 明, 川崎 雅司

    月刊ディスプレイ   15 ( 4 )   26 - 31   2009年4月

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    記述言語:日本語  

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  • Crystal Structure and Valence Distribution of [(LaMnO3)(m)(SrMnO3)(m)](n) Artificial Superlattices 国際誌

    Hironori Nakao, Jun Nishimura, Youichi Murakami, Akira Ohtomo, Tomoteru Fukumura, Masashi Kawasaki, Takashi Koida, Yusuke Wakabayashi, Hiroshi Sawa

    JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN   78 ( 2 )   024602-1-024602-10   2009年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JPSJ.78.024602

    Web of Science

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  • MgxZn1-xO-Based Schottky Photodiode for Highly Color-Selective Ultraviolet Light Detection 国際誌

    Masaki Nakano, Takayuki Makino, Atsushi Tsukazaki, Kazunori Ueno, Akira Ohtomo, Tomoteru Fukumura, Hiroyuki Yuji, Yoshio Nishimoto, Shunsuke Akasaka, Daiju Takamizu, Ken Nakahara, Tetsuhiro Tanabe, Akira Kamisawa, Masashi Kawasaki

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   1 ( 12 )   121201-1-121201-3   2008年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/APEX.1.121201

    Web of Science

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  • Spin susceptibility and effective mass of two-dimensional electrons in MgxZn1-xO/ZnO heterostructures 国際誌

    A. Tsukazaki, A. Ohtomo, M. Kawasaki, S. Akasaka, H. Yuji, K. Tamura, K. Nakahara, T. Tanabe, A. Kamisawa, T. Gokmen, J. Shabani, M. Shayegan

    PHYSICAL REVIEW B   78 ( 23 )   233308-1-233308-4   2008年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.78.233308

    Web of Science

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  • Photoexcitation screening of the built-in electric field in ZnO single quantum wells 国際誌

    T. Makino, Y. Segawa, A. Tsukazaki, A. Ohtomo, M. Kawasaki

    APPLIED PHYSICS LETTERS   93 ( 12 )   121907-1-121907-3   2008年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.2981523

    Web of Science

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  • Plasma-assisted molecular beam epitaxy of high optical quality MgZnO films on Zn-polar ZnO substrates 国際誌

    Yoshio Nishimoto, Ken Nakahara, Daiju Takamizu, Atsushi Sasaki, Kentaro Tamura, Shunsuke Akasaka, Hiroyuki Yuji, Tetsuo Fujii, Tetsuhiro Tanabe, Hidemi Takasu, Atsushi Tsukazaki, Akira Ohtomo, Takeyoshi Onuma, Shigefusa F. Chichibu, Masashi Kawasaki

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   1 ( 9 )   091202-1-091202-3   2008年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/APEX.1.091202

    Web of Science

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  • Transparent polymer Schottky contact for a high performance visible-blind ultraviolet photodiode based on ZnO 国際誌

    M. Nakano, T. Makino, A. Tsukazaki, K. Ueno, A. Ohtomo, T. Fukumura, H. Yuji, S. Akasaka, K. Tamura, K. Nakahara, T. Tanabe, A. Kamisawa, M. Kawasaki

    APPLIED PHYSICS LETTERS   93 ( 12 )   123309-1-123309-3   2008年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.2989125

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  • Epitaxial synthesis of Srn+1TinO3n+1 (n=2-5) Ruddlesden-Popper homologous series by pulsed-laser deposition 国際誌

    Masaki Okude, Akira Ohtomo, Takuji Kita, Masashi Kawasaki

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   1 ( 8 )   081201-1-081201-3   2008年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/APEX.1.081201

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  • Effect of in situ annealed SnO(2) buffer layer on structural and electrical properties of (001) SnO(2)/TiO(2) heterostructures 国際誌

    Masaki Okude, Kazunori Ueno, Shun Itoh, Masae Kikuchi, Akira Ohtomo, Masashi Kawasaki

    JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS   41 ( 12 )   125309-1-125309-4   2008年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/0022-3727/41/12/125309

    Web of Science

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  • Quantitative conductivity mapping of SrTiO3-LaAlO3-LaTiO3 ternary composition-spread thin film by scanning microwave microscope 国際誌

    Sohei Okazaki, Noriaki Okazaki, Yasushi Hirose, Jun Nishimura, Kazunori Ueno, Akira Ohtomo, Masashi Kawasaki, Hideomi Koinuma, Tetsuya Hasegawa

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   1 ( 5 )   055003-1-055003-3   2008年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/APEX.1.055003

    Web of Science

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  • High electron mobility exceeding 10(4) cm(2) V-1 s(-1) in MgxZn1-xO/ZnO single heterostructures grown by molecular beam epitaxy 国際誌

    Atsushi Tsukazaki, Hiroyuki Yuji, Shunsuke Akasaka, Kentaro Tamura, Ken Nakahara, Tetsuhiro Tanabe, Hidemi Takasu, Akira Ohtomo, Masashi Kawasaki

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   1 ( 5 )   055004-1-055004-3   2008年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/APEX.1.055004

    Web of Science

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  • High-throughput screening for combinatorial thin-film library of thermoelectric materials 国際誌

    Masaki Watanabe, Takuji Kita, Tornoteru Fukumura, Akira Ohtomo, Kazunori Ueno, Masashi Kawasaki

    JOURNAL OF COMBINATORIAL CHEMISTRY   10 ( 2 )   175 - 178   2008年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/cc700094a

    Web of Science

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  • ペロブスカイト酸化物界面の原子層成長制御

    大友 明

    機能材料   28 ( 3 )   15 - 20   2008年2月

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    記述言語:日本語  

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  • ZnOヘテロ接合の表面・界面制御と量子伝導

    大友 明, 塚崎 敦, 川崎 雅司

    日本表面科学会 表面科学   29 ( 1 )   10 - 17   2008年

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(研究会,シンポジウム資料等)   出版者・発行元:日本表面科学会  

    DOI: 10.1380/jsssj.29.10

    CiNii Books

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  • Atomic-layer growth control of perovskite oxide heterointerface

    CMC Publishing Co., Ltd.,Function & Materials   28 ( 3 )   15 - 20   2008年

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  • Polymer Schottky contact on O-polar ZnO with silane coupling agent as surface protective layer

    R. Y. Gunji, M. Nakano, A. Tsukazaki, A. Ohtomo, T. Fukumura, M. Kawasaki

    Applied Physics Letters   93 ( 1 )   012104-1-012104-3   2008年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.2956419

    Scopus

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  • Electric-field-induced superconductivity in an insulator 国際誌

    K. Ueno, S. Nakamura, H. Shimotani, A. Ohtomo, N. Kimura, T. Nojima, H. Aoki, Y. Iwasa, M. Kawasaki

    Nat. Mater.   7 ( 11 )   855 - 858   2008年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1038/nmat2298

    PubMed

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  • MgxZn1-xO epitaxial films grown on ZnO substrates by molecular beam epitaxy 国際誌

    H. Yuji, K. Nakahara, K. Tamura, S. Akasaka, A. Sasaki, T. Tanabe, H. Takasu, T. Onuma, S. F. Chichibu, A. Tsukazaki, A. Ohtomo, M. Kawasaki

    ZINC OXIDE MATERIALS AND DEVICES III   6895   68950D   2008年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1117/12.774974

    Web of Science

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  • Photoinduced insulator-to-metal transition in ZnO/Mg0.15Zn0.85O heterostructures

    Appl. Phys. Lett.   92   052105-1-052105-3   2008年

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  • 1.Low-temperature field-effect and magnetotransport properties in a ZnO based heterostructure with atomic-layer-deposited gate dielectric 国際誌

    Appl. Phys. Lett.   93 ( No. 24 )   241905-1-241905-3   2008年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.3035844

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  • Epitaxial Growth and Transport Properties of High-Mobility ZnO-Based Heterostructures 査読

    A. Tsukazaki, A. Ohtomo, M. Kawasaki

    FRONTIERS IN MATERIALS RESEARCH   10   77 - +   2008年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    Web of Science

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  • Parallel syntheses and thermoelectric properties of Ce-doped SrTiO3 thin films

    Y. F. Yamada, A. Ohtomo, M. Kawasaki

    Applied Surface Science   254 ( 3 )   768 - 771   2007年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.apsusc.2007.04.089

    Scopus

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  • Combinatorial synthesis and high throughput evaluation of thermoelectric power factor in Mg-Si-Ge ternary compounds 国際誌

    M. Watanabe, T. Kita, T. Fukumura, A. Ohtomo, K. Ueno, M. Kawasaki

    APPLIED SURFACE SCIENCE   254 ( 3 )   777 - 780   2007年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.apsusc.2007.05.095

    Web of Science

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  • Schottky contact on a ZnO (0001) single crystal with conducting polymer 国際誌

    M. Nakano, A. Tsukazaki, R. Y. Gunji, K. Ueno, A. Ohtomo, T. Fukumura, M. Kawasaki

    APPLIED PHYSICS LETTERS   91 ( 14 )   142113-1-142113-3   2007年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.2789697

    Web of Science

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  • Growth mode control of the free carrier density in SrTiO3-delta films 国際誌

    A. Ohtomo, H. Y. Hwang

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   102 ( 8 )   83704-1-83704-6   2007年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.2798385

    Web of Science

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  • 目に見えない電子回路につながる半導体技術 -透明な酸化物半導体の量子ホール効果を世界で初めて観測-

    大友 明

    電子情報通信学会誌   90 ( 7 )   563 - 564   2007年7月

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    記述言語:日本語  

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  • Invisible electronics now in sight

    Akira Ohtomo

    The Japan Journal   4 ( 3 )   27 - 27   2007年7月

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    記述言語:英語  

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  • Recombination dynamics of excitons in Mg0.11Zn0.89O alloy films grown using the high-temperature-annealed self-buffer layer by laser-assisted molecular-beam epitaxy 国際誌

    Masashi Kubota, Takeyoshi Onuma, Atsushi Tsukazaki, Akira Ohtomo, Masashi Kawasaki, Takayuki Sota, Shigefusa F. Chichibu

    APPLIED PHYSICS LETTERS   90 ( 14 )   141903-1-141903-3   2007年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.2719168

    Web of Science

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  • Quantum hall effect in polar oxide heterostructures 国際誌

    A. Tsukazaki, A. Ohtomo, T. Kita, Y. Ohno, H. Ohno, M. Kawasaki

    Science   315 ( 5817 )   1388 - 1391   2007年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1126/science.1137430

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  • ZnO/MgZnO界面における量子ホール効果

    塚崎 敦, 大友 明, 北 智洋

    アグネ技術センター 固体物理   42 ( 9 )   559 - 567   2007年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:アグネ技術センタ-  

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  • A semiconductor technology towards realizing invisible electronics -The world first observation of quantum Hall effect in a transparent oxide semiconductor-

    The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers (IEICE),The Journal of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers (J. IEICE)   90 ( 7 )   563 - 564   2007年

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  • Insulator-to-metal transition in ZnO by electric double layer gating 国際誌

    Hidekazu Shimotani, Haruhiko Asanuma, Atsushi Tsukazaki, Akira Ohtomo, Masashi Kawasaki, Yoshihiro Iwasa

    Applied Physics Letters   91 ( 8 )   082106-1-082106-3   2007年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.2772781

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  • Quantum Hall effect in ZnO based heterostructures 国際誌

    A. Tsukazaki, A. Ohtomo, S. Akasaka, K. Nakahara, Y. Ohno, H. Ohno, M. Kawasaki

    Japanese Society of Applied Physics (Division of Solid State Physics and Application),Bulletin of Solid State Physics and Application   13 ( 2 )   73 - 78   2007年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

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  • Nanoparticle technology handbook

    Elsevier   2007年

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  • Hole transport in p-type ZnO

    Takayuki Makino, Atsushi Tsukazaki, Akira Ohtomo, Masashi Kawasaki, Hideomi Koinuma

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers   45 ( 8 A )   6346 - 6351   2006年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.45.6346

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  • Photo-irresponsive thin-film transistor with MgxZn1-xO channel 国際誌

    Akira Ohtomo, Shingo Takagi, Kentaro Tamura, Takayuki Makino, Yusaburo Segawa, Hideomi Koinuma, Masashi Kawasaki

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS   45 ( 24-28 )   L694 - L696   2006年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.45.L694

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  • Shifting donor-acceptor photoluminescence in N-doped ZnO 国際誌

    Takayuki Makino, Atsushi Tsukazaki, Akira Ohtomo, M. Kawasaki, Hideomi Koinuma

    JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN   75 ( 7 )   073701-1-073701-4   2006年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JPSJ.75.073701

    Web of Science

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  • Electronic transport properties in SrTiO3-LaAiO3 solid-solution films

    A. Ohtomo, J. Nishimura, Y. Murakami, M. Kawasaki

    Applied Physics Letters   88 ( 23 )   232107-1-232107-3   2006年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.2210297

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  • Improvements in quantum efficiency of excitonic emissions in ZnO epilayers by the elimination of point defects

    S. F. Chichibu, T. Onuma, M. Kubota, A. Uedono, T. Sota, A. Tsukazaki, A. Ohtomo, M. Kawasaki

    Journal of Applied Physics   99 ( 9 )   093505-1-093505-6   2006年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.2193162

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  • A high-mobility electron gas at the LaAlO3/SrTiO3 heterointerface (vol 427, pg 423, 2004)

    A Ohtomo, HY Hwang

    NATURE   441 ( 7089 )   120 - 120   2006年5月

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  • High-mobility electronic transport in ZnO thin films 国際誌

    A. Tsukazaki, A. Ohtomo, M. Kawasaki

    Applied Physics Letters   88 ( 15 )   152106-1-152106-3   2006年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.2193727

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  • Field-effect modulation of transport properties of charge-ordered La1/3Sr2/3FeO3 thin films 国際誌

    K Ueno, A Ohtomo, F Sato, M Kawasaki

    PHYSICAL REVIEW B   73 ( 16 )   165103-1-165103-5   2006年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.73.165103

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  • Monte Carlo simulation of localization dynamics of excitons in ZnO and CdZnO quantum well structures 国際誌

    T Makino, K Saito, A Ohtomo, M Kawasaki, RT Senger, KK Bajaj

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   99 ( 6 )   066108-1-066108-3   2006年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.2181431

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  • High-throughput synthesis and characterization of Mg1-xCaxO films as a lattice and valence-matched gate dielectric for ZnO based field effect transistors 国際誌

    J Nishii, A Ohtomo, M Ikeda, Y Yamada, K Ohtani, H Ohno, M Kawasaki

    APPLIED SURFACE SCIENCE   252 ( 7 )   2507 - 2511   2006年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.apsusc.2005.06.040

    Web of Science

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  • Analysis on reflection spectra in strained ZnO thin films 国際誌

    T Makino, Y Segawa, M Kawasaki, A Ohtomo

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   287 ( 1 )   124 - 127   2006年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2005.10.054

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  • Development of high-throughput combinatorial terahertz time-domain spectrometer and its application to ternary composition-spread film

    M Ohtani, T Hitosugi, Y Hirose, J Nishimura, A Ohtomo, M Kawasaki, R Inoue, M Tonouchi, T Shimada, T Hasegawa

    APPLIED SURFACE SCIENCE   252 ( 7 )   2622 - 2627   2006年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.apsuse.2005.06.039

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  • Combinatorial synthesis and optical characterization of alloy and superlattice films based on SrTiO3 and LaAlO3 国際誌

    A Ohkubo, A Ohtomo, J Nishimura, T Makino, Y Segawa, M Kawasaki

    APPLIED SURFACE SCIENCE   252 ( 7 )   2488 - 2492   2006年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.apsusc.2005.03.234

    Web of Science

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  • Self-assembled ZnO nano-crystals and exciton lasing at room temperature 国際誌

    ZK Tang, M Kawasaki, A Ohtomo, H Koinuma, Y Segawa

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   287 ( 1 )   169 - 179   2006年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2005.10.062

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  • Majority-carrier mobilities in undoped and n-type doped ZnO epitaxial layers 国際誌

    T Makino, Y Segawa, A Tsukazaki, A Ohtomo, M Kawasaki

    PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 3, NO 4   3 ( 4 )   956 - +   2006年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1002/pssc.200564636

    Web of Science

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  • Analysis of time-resolved donor-acceptor photoluminescence of N-doped ZnO

    Makino Takayuki, Tsukazaki Atsushi, Ohtomo Akira, Kawasaki M., Koinuma Hideomi

    J. Phys. Soc. Jpn.   75 ( 9 )   095001-1-095001-3 - 095001-3   2006年

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    記述言語:英語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

    DOI: 10.1143/jpsj.75.095001

    CiNii Books

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    その他リンク: https://jlc.jst.go.jp/DN/JALC/00335894046?from=CiNii

  • Two different features of ZnO: transparent ZnO : Ga electrodes for InGaN-LEDs and homoepitaxial ZnO films for UV-LEDs

    K. Nakahara, H. Yuji, K. Tamura, S. Akasaka, H. Tampo, S. Niki, A. Tsukazaki, A. Ohtomo, M. Kawasaki

    ZINC OXIDE MATERIALS AND DEVICES   6122   61220N   2006年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1117/12.660552

    Web of Science

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  • Spectral shape analysis of ultraviolet luminescence in n-type ZnO : Ga 国際誌

    T Makino, Y Segawa, S Yoshida, A Tsukazaki, A Ohtomo, M Kawasaki, H Koinuma

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   98 ( 9 )   093520-1-093520-4   2005年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.2127167

    Web of Science

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  • ZnO青色発光ダイオード

    塚崎 敦, 大友 明, 川崎 雅司

    応用物理   74 ( 10 )   1359 - 1364   2005年10月

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    記述言語:日本語  

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  • Free-carrier effects on zero- and one-phonon absorption onsets of n-type ZnO 国際誌

    T Makino, Y Segawa, S Yoshida, A Tsukazaki, A Ohtomo, M Kawasaki, H Koinuma

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   44 ( 10 )   7275 - 7280   2005年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.44.7275

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  • High-mobility field-effect transistors based on single-crystalline ZnO channels

    Junya Nishh, Akira Ohtomo, Keita Ohtani, Hideo Ohno, Masashi Kawasaki

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters   44 ( 37-41 )   L1193 - L1195   2005年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.44.L1193

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  • Electron transport in ZnO thin films 国際誌

    T Makino, Y Segawa, A Tsukazaki, A Ohtomo, M Kawasaki

    APPLIED PHYSICS LETTERS   87 ( 2 )   022101-1-022101-3   2005年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.1991994

    Web of Science

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  • Pulsed laser deposition of thin films and superlattices based on ZnO

    Akira Ohtomo, Atsushi Tsukazaki

    Semiconductor Science and Technology   20 ( 4 )   S1 - S12   2005年4月

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  • Exciton-polariton spectra and limiting factors for the room-temperature photoluminescence efficiency in ZnO 国際誌

    SF Chichibu, A Uedono, A Tsukazaki, T Onuma, M Zamfirescu, A Ohtomo, A Kavokin, G Cantwell, CW Litton, T Sota, M Kawasaki

    SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY   20 ( 4 )   S67 - S77   2005年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/0268-1242/20/4/009

    Web of Science

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  • Fabrication of ternary phase composition-spread thin film libraries and their high-throughput characterization: Ti1-x-yZrxHfyO2 for bandgap engineering 国際誌

    Y Yamada, T Fukumura, M Ikeda, M Ohtani, H Toyosaki, A Ohtomo, F Matsukura, H Ohno, M Kawasaki

    JOURNAL OF SUPERCONDUCTIVITY   18 ( 1 )   109 - 113   2005年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1007/s10948-005-2160-x

    Web of Science

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  • 酸化亜鉛電界効果デバイスの進展と課題

    大友 明, 川崎 雅司, 大野 英男

    応用電子物性分科会誌   11 ( 1 )   26 - 33   2005年1月

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    記述言語:日本語  

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  • バッファー層による酸化物ヘテロエピタキシーの格子不整合エンジニアリング(<小特集>Buffer層を中心としたエピタキシーの新展開)

    川崎 雅司, 寺井 恒太, 塚崎 敦, 大西 剛, 大友 明, リプマー ミック

    日本結晶成長学会誌   32 ( 2 )   74 - 81   2005年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:日本結晶成長学会  

    バッファー層というのは便利なものである.基板と化学的に異質な材料を薄膜成長するときに表面の濡れ性を制御する「のり」の役目を果たすし,基板と格子不整合を有する薄膜を成長する前に導入することで不整合を緩和する役目も果たす.本稿では後者について,酸化物のヘテロエピタキシーを舞台に,厳密にバッファー層の格子工学を検討した結果を紹介する.まず,格子不整合による薄膜中の歪みと界面に導入されるミスフィット転位について平衡論と速度論の観点から説明する.応用の観点からも重要な材料として,強誘電体であるBaTiO_3と紫外発光材料であるZnOのヘテロエピタキシャル薄膜をとりあげ,格子歪みとその緩和メカニズムを詳しく調べた.それらの知見をもとに,わずかな格子不整合を完全に歪みとして薄膜に取り込んで面内の格子が基板と完全にそろった「コヒーレント界面」と,格子不整合を界面のミスフィット転位で全て吐き出した「完全緩和界面」を作り分けることに成功した.双方の間に存在する活性化エネルギーの山を越える新しい手法も紹介する.この完全緩和薄膜をバッファー層として利用すれば,薄膜の歪み制御による格子工学に新しい可能性が広がる.

    DOI: 10.19009/jjacg.32.2_74

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  • Recent progresses and issues of ZnO-based field-effect transistors

    Japanese Society of Applied Physics (Division of Solid State Physics and Application),Bulletin of Solid State Physics and Application   11 ( 1 )   26 - 33   2005年

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  • Fabrication of ternary phase composition-spread thin film libraries and their high-throughput characterization: Ti1-x-yZrxHf yO2 for bandgap engineering 査読

    Y. Yamada, T. Fukumura, M. Ikeda, M. Ohtani, H. Toyosaki, A. Ohtomo, F. Matsukura, H. Ohno, M. Kawasaki

    Journal of Superconductivity and Novel Magnetism   18 ( 1 )   109 - 113   2005年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1007/s10948-005-2160-x

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  • ZnO light-emitting diodes - Improved crystallline quality gave a new application to an old materials

    The Ceramic Society of Japan,Bulletin of the Ceramic Society of Japan   40 ( 9 )   749 - 751   2005年

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  • 酸化亜鉛発光ダイオード-結晶品質の向上がもたらした古い材料の新たな応用-

    塚崎 敦, 大友 明, 川崎 雅司

    日本セラミックス協会 セラミックス   40 ( 9 )   749 - 751   2005年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:日本セラミックス協会  

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  • Repeated temperature modulation epitaxy for p-type doping and light-emitting diode based on ZnO

    TSUKAZAKI A, OHTOMO A, ONUMA T, MAKINO T, SUMIYA M, CHICHIBU S F, FUKE S, SEGAWA Y, KOINUMA H

    Nature Mater.   4 ( 1 )   42 - 46   2005年

  • 酸化亜鉛電界効果デバイス

    大友 明, 川崎 雅司, 大野 英男

    アグネ技術センター 固体物理   40 ( 6 )   407 - 414   2005年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:アグネ技術センタ-  

    CiNii Books

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  • Blue light-emitting diode based on ZnO

    Atsushi Tsukazaki, Masashi Kubota, Akira Ohtomo, Takeyoshi Onuma, Keita Ohtani, Hideo Ohno, Shigefusa F. Chichibu, Masashi Kawasaki

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters   44 ( 20-23 )   L643 - L645   2005年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.44.L643

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  • Hall and field-effect mobilities of electrons accumulated at a lattice-matched ZnO/ScAIMgO(4) heterointerface 国際誌

    TI Suzuki, A Ohtomo, A Tsukazaki, F Sato, J Nishii, H Ohno, M Kawasaki

    ADVANCED MATERIALS   16 ( 21 )   1887 - +   2004年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/adma.200401018

    Web of Science

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  • Gallium concentration dependence of room-temperature near-band-edge luminescence in n-type ZnO : Ga 国際誌

    T Makino, Y Segawa, S Yoshida, A Tsukazaki, A Ohtomo, M Kawasaki

    APPLIED PHYSICS LETTERS   85 ( 5 )   759 - 761   2004年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.1776630

    Web of Science

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  • Atomic-scale imaging of nanoengineered oxygen vacancy profiles in SrTiO3 国際誌

    DA Muller, N Nakagawa, A Ohtomo, JL Grazul, HY Hwang

    NATURE   430 ( 7000 )   657 - 661   2004年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1038/nature02756

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  • Controlled carrier generation at a polarity-discontinued perovskite heterointerface 国際誌

    J Nishimura, A Ohtomo, A Ohkubo, Y Murakami, M Kawasaki

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS   43 ( 8A )   L1032 - L1034   2004年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.43.L1032

    Web of Science

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  • SrTiO_3_ヘテロ構造の高移動度電子輸送

    大友 明, ファン ハロルド

    応用物理   73 ( 5 )   605 - 609   2004年5月

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    記述言語:日本語  

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  • Emission from the higher-order excitons in ZnO films grown by laser molecular-beam epitaxy 国際誌

    A Tsukazaki, A Ohtomo, M Kawasaki, T Makino, CH Chia, Y Segawa, H Koinuma

    APPLIED PHYSICS LETTERS   84 ( 19 )   3858 - 3860   2004年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.1748847

    Web of Science

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  • 一格子層の結晶成長から生まれる新しい物理

    大友 明, ファン ハロルド

    パリティ   19 ( 5 )   18 - 25   2004年5月

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    記述言語:日本語  

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  • High-mobility electrons in SrTiO3 heterostructures 国際誌

    HY Hwang, A Ohtomo, N Nakagawa, DA Muller, JL Grazul

    PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES   22 ( 1-3 )   712 - 716   2004年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.physe.2003.12.106

    Web of Science

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  • Internal electric field effect on luminescence properties of ZnO/(Mg,Zn)O quantum wells 国際誌

    T Makino, A Ohtomo, CH Chia, Y Segawa, H Koinuma, M Kawasaki

    PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES   21 ( 2-4 )   671 - 675   2004年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.physe.2003.11.110

    Web of Science

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  • Modeling of grain boundary barrier modulation in ZnO invisible thin film transistors 国際誌

    FM Hossain, J Nishii, S Takagi, T Sugihara, A Ohtomo, T Fukumura, H Koinuma, H Ohno, M Kawasaki

    PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES   21 ( 2-4 )   911 - 915   2004年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.physe.2003.11.149

    Web of Science

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  • Surface depletion in doped SrTiO3 thin films

    A Ohtomo, HY Hwang

    APPLIED PHYSICS LETTERS   84 ( 10 )   1716 - 1718   2004年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.1668329

    Web of Science

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  • Second harmonic generation in self-assembled ZnO microcrystallite thin films 国際誌

    XQ Zhang, ZK Tang, M Kawasaki, A Ohtomo, H Koinuma

    THIN SOLID FILMS   450 ( 2 )   320 - 323   2004年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2003.11.225

    Web of Science

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  • SIMS analysis of ZnO films co-doped with N and Ga by temperature gradient pulsed laser deposition 国際誌

    M Sumiya, A Tsukazaki, S Fuke, A Ohtomo, H Koinuma, M Kawasaki

    APPLIED SURFACE SCIENCE   223 ( 1-3 )   206 - 209   2004年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/S0169-4332(03)00923-1

    Web of Science

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  • A high-mobility electron gas at the LaAlO3/SrTiO3 heterointerface 国際誌

    A Ohtomo, HY Hwang

    NATURE   427 ( 6973 )   423 - 426   2004年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1038/nature02308

    Web of Science

    PubMed

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  • Optical gain in self-assembled ZnO microcrysallite thin films 国際誌

    XQ Zhang, Z Tang, M Kawasaki, A Ohtomo, H Koinuma

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   259 ( 3 )   286 - 290   2003年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2003.07.004

    Web of Science

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  • Modeling and simulation of polycrystalline ZnO thin-film transistors 国際誌

    FM Hossain, J Nishii, S Takagi, A Ohtomo, T Fukumura, H Fujioka, H Ohno, H Koinuma, M Kawasaki

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   94 ( 12 )   7768 - 7777   2003年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.1628834

    Web of Science

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  • Layer-by-layer growth of high-optical-quality ZnO film on atomically smooth and lattice relaxed ZnO buffer layer 国際誌

    A Tsukazaki, A Ohtomo, S Yoshida, M Kawasaki, CH Chia, T Makino, Y Segawa, T Koida, SF Chichibu, H Koinuma

    APPLIED PHYSICS LETTERS   83 ( 14 )   2784 - 2786   2003年10月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.1615834

    Web of Science

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  • Resonant exciton second-harmonic generation in self-assembled ZnO microcrystallite thin films 国際誌

    XQ Zhang, ZK Tang, M Kawasaki, A Ohtomo, H Koinuma

    JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER   15 ( 30 )   5191 - 5196   2003年8月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1088/0953-8984/15/30/301

    Web of Science

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  • Temperature quenching of exciton luminescence intensity in ZnO/(Mg,Zn)O multiple quantum wells 国際誌

    T Makino, K Tamura, CH Chia, Y Segawa, M Kawasaki, A Ohtomo, H Koinuma

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   93 ( 10 )   5929 - 5933   2003年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.1563295

    Web of Science

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  • High mobility thin film transistors with transparent ZnO channels 国際誌

    J Nishii, FM Hossain, S Takagi, T Aita, K Saikusa, Y Ohmaki, Ohkubo, I, S Kishimoto, A Ohtomo, T Fukumura, F Matsukura, Y Ohno, H Koinuma, H Ohno, M Kawasaki

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS   42 ( 4A )   L347 - L349   2003年4月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/JJAP.42.L347

    Web of Science

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  • Quantitative control and detection of heterovalent impurities in ZnO thin films grown by pulsed laser deposition

    M. Sumiya, S. Fuke, A. Tsukazaki, K. Tamura, A. Ohtomo, M. Kawasaki, H. Koinuma

    Journal of Applied Physics   93 ( 5 )   2562 - 2569   2003年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.1542938

    Scopus

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  • Confinement-enhanced biexciton binding energy in ZnO/ZnMgO multiple quantum wells 国際誌

    CH Chia, T Makino, K Tamura, Y Segawa, M Kawasaki, A Ohtomo, H Koinuma

    APPLIED PHYSICS LETTERS   82 ( 12 )   1848 - 1850   2003年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.1561158

    Web of Science

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  • 最近の研究から バンド絶縁体--モット絶縁体界面の電荷変調と金属伝導

    大友 明

    日本物理学会誌   58 ( 6 )   425 - 429   2003年

     詳細を見る

    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人日本物理学会  

    複合酸化物中における電荷スクリーニングを本質的に調べることは,ペロブスカイト酸化物が示す複雑な電荷整列現象や多結晶粒界・単結晶薄膜のヘテロ界面の電子構造を理解するための重要な知見を与える.筆者らは,原子スケールの分解能を持つ特殊な電子分光法を用いて,バンド絶縁体とモット絶縁体の界面の電子構造を調べた.2つの絶縁体からなる急峻な界面は,電荷変調に起因した金属伝導を示すことが明らかになった.

    DOI: 10.11316/butsuri1946.58.425

    CiNii Books

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  • Size dependence of exciton-longitudinal-optical-phonon coupling in ZnO/Mg0.27Zn0.73O quantum wells 国際誌

    T Makino, K Tamura, CH Chia, Y Segawa, M Kawasaki, A Ohtomo, H Koinuma

    PHYSICAL REVIEW B   66 ( 23 )   233305-1-233305-3   2002年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.66.233305

    Web of Science

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  • Photoluminescence properties of ZnO epitaxial layers grown on lattice-matched ScAlMgO4 substrates 国際誌

    T Makino, K Tamura, CH Chia, Y Segawa, M Kawasaki, A Ohtomo, H Koinuma

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   92 ( 12 )   7157 - 7159   2002年12月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.1519336

    Web of Science

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  • Effect of MgZnO-layer capping on optical properties of ZnO epitaxial layers 国際誌

    T Makino, K Tamura, CH Chia, Y Segawa, M Kawasaki, A Ohtomo, H Koinuma

    APPLIED PHYSICS LETTERS   81 ( 12 )   2172 - 2174   2002年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.1506783

    Web of Science

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  • Radiative recombination of electron-hole pairs spatially separated due to quantum-confined Stark and Franz-Keldish effects in ZnO/Mg0.27Zn0.73O quantum wells 国際誌

    T Makino, K Tamura, CH Chia, Y Segawa, M Kawasaki, A Ohtomo, H Koinuma

    APPLIED PHYSICS LETTERS   81 ( 13 )   2355 - 2357   2002年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.1507606

    Web of Science

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  • Artificial charge-modulation in atomic-scale perovskite titanate superlattices 国際誌

    A Ohtomo, DA Muller, JL Grazul, HY Hwang

    NATURE   419 ( 6905 )   378 - 380   2002年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1038/nature00977

    Web of Science

    PubMed

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  • Epitaxial growth and electronic structure of LaTiOx films 国際誌

    A Ohtomo, DA Muller, JL Grazul, HY Hwang

    APPLIED PHYSICS LETTERS   80 ( 21 )   3922 - 3924   2002年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.1481767

    Web of Science

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  • Phonon replicas in ZnO/ZnMgO multiquantum wells 国際誌

    HD Sun, Y Segawa, M Kawasaki, A Ohtomo, K Tamura, H Koinuma

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   91 ( 10 )   6457 - 6460   2002年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.1467627

    Web of Science

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  • High-throughput optical characterization for the development of a ZnO-based ultraviolet semiconductor-laser

    T. Makino, C. H. Chia, Y. Segawa, M. Kawasaki, A. Ohtomo, K. Tamura, Y. Matsumoto, H. Koinuma

    Applied Surface Science   189 ( 3-4 )   277 - 283   2002年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1016/S0169-4332(01)01001-7

    Scopus

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  • Optical properties of ZnO:Al epilayers: Observation of room-temperature many-body absorption-edge singularity

    T. Makino, T. Makino, K. Tamura, K. Tamura, C. H. Chia, C. H. Chia, Y. Segawa, Y. Segawa, M. Kawasaki, M. Kawasaki, A. Ohtomo, H. Koinuma

    Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics   65 ( 12 )   1212011 - 1212014   2002年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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  • Optical properties of ZnO : Al epilayers: Observation of room-temperature many-body absorption-edge singularity 国際誌

    T Makino, K Tamura, CH Chia, Y Segawa, M Kawasaki, A Ohtomo, H Koinuma

    PHYSICAL REVIEW B   65 ( 12 )   121201(R)-1-121201(R)-4   2002年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.65.121201

    Web of Science

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  • Enhancement of exciton binding energies in ZnO/ZnMgO multiquantum wells

    HD Sun, T Makino, Y Segawa, M Kawasaki, A Ohtomo, K Tamura, H Koinuma

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   91 ( 4 )   1993 - 1997   2002年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.1445280

    Web of Science

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  • Observation of biexciton emission in ZnO/ZnMgO multi-quantum wells 国際誌

    HD Sun, Y Segawa, T Makino, CH Chia, M Kawasaki, A Ohtomo, K Tamura, H Koinuma

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH   229 ( 2 )   867 - 870   2002年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/1521-3951(200201)229:2<867::AID-PSSB867>3.0.CO;2-O

    Web of Science

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  • Optical properties of ZnO : Al epilayers and of undoped epilayers capped by wider-gap MgZnO grown by laser MBE 国際誌

    T Makino, K Tamura, CH Chia, Y Segawa, M Kawasaki, A Ohtomo, H Koinuma

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   229 ( 2 )   853 - 857   2002年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/1521-3951(200201)229:2<853::AID-PSSB853>3.0.CO;2-7

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  • Well-width dependence of radiative and nonradiative lifetimes in ZnO-based multiple quantum wells 国際誌

    CH Chia, T Makino, Y Segawa, M Kawasaki, A Ohtomo, K Tamura, H Koinuma

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH   229 ( 2 )   863 - 866   2002年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/1521-3951(200201)229:2<863::AID-PSSB863>3.0.CO;2-3

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  • High throughput x-ray diffractometer for combinatorial epitaxial thin films 国際誌

    M Ohtani, T Fukumura, A Ohtomo, T Kikuchi, K Omote, H Koinuma, M Kawasaki

    COMBINATORIAL AND ARTIFICIAL INTELLIGENCE METHODS IN MATERIALS SCIENCE   700 ( No. )   125 - 130   2002年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

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  • Exciton localization in (Cd,Zn)O epilayers and (Cd,Zn)O/(Mg,Zn)O multi-quantum wells on lattice matched substrates 国際誌

    T Makino, NT Tuan, CH Chia, Y Segawa, M Kawasaki, A Ohtomo, K Tamura, H Koinuma

    INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B   15 ( 28-30 )   3853 - 3856   2001年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1142/s0217979201008834

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  • Concurrent x-ray diffractometer for high throughput structural diagnosis of epitaxial thin films 国際誌

    M Ohtani, T Fukumura, M Kawasaki, K Omote, T Kikuchi, J Harada, A Ohtomo, M Lippmaa, T Ohnishi, D Komiyama, R Takahashi, Y Matsumoto, H Koinuma

    APPLIED PHYSICS LETTERS   79 ( 22 )   3594 - 3596   2001年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.1415402

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  • Well-width dependence of radiative and nonradiative recombination times in ZnO/Mg0.12Zn0.88O multiple quantum wells 国際誌

    CH Chia, T Makino, Y Segawa, M Kawasaki, A Ohtomo, K Tamura, H Koinuma

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   90 ( 7 )   3650 - 3652   2001年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.1396827

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  • Strain effects on exciton resonance energies of ZnO epitaxial layers 国際誌

    T Makino, T Yasuda, Y Segawa, A Ohtomo, K Tamura, M Kawasaki, H Koinuma

    APPLIED PHYSICS LETTERS   79 ( 9 )   1282 - 1284   2001年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.1398328

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  • Parallel integration and characterization of nanoscaled epitaxial lattices by concurrent molecular layer epitaxy and diffractometry 国際誌

    T Ohnishi, D Komiyama, T Koida, S Ohashi, C Stauter, H Koinuma, A Ohtomo, M Lippmaa, N Nakagawa, M Kawasaki, T Kikuchi, K Omote

    APPLIED PHYSICS LETTERS   79 ( 4 )   536 - 538   2001年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.1385587

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  • Biexciton emission from ZnO/Zn0.74Mg0.26O multiquantum wells 国際誌

    HD Sun, T Makino, Y Segawa, M Kawasaki, A Ohtomo, K Tamura, H Koinuma

    APPLIED PHYSICS LETTERS   78 ( 22 )   3385 - 3387   2001年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.1375830

    Web of Science

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  • Temperature dependence of near ultraviolet photoluminescence in ZnO/(Mg, Zn)O multiple quantum wells 国際誌

    T Makino, NT Tuan, HD Sun, CH Chia, Y Segawa, M Kawasaki, A Ohtomo, K Tamura, T Suemoto, H Akiyama, M Baba, S Saito, T Tomita, H Koinuma

    APPLIED PHYSICS LETTERS   78 ( 14 )   1979 - 1981   2001年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.1357451

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  • Temperature dependence of excitonic absorption spectra in ZnO/Zn0.88Mg0.12O multiquantum wells grown on lattice-matched substrates 国際誌

    HD Sun, T Makino, NT Tuan, Y Segawa, M Kawasaki, A Ohtomo, K Tamura, H Koinuma

    APPLIED PHYSICS LETTERS   78 ( 17 )   2464 - 2466   2001年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.1367300

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  • Band gap engineering based on MgxZn1-xO and CdyZn1-yO ternary alloy films 国際誌

    T Makino, Y Segawa, M Kawasaki, A Ohtomo, R Shiroki, K Tamura, T Yasuda, H Koinuma

    APPLIED PHYSICS LETTERS   78 ( 9 )   1237 - 1239   2001年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.1350632

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  • Well-width dependence of exciton-phonon coupling strength in ZnO/(Mg,Zn)O multiple quantum wells grown by combinatorial laser molecular-beam epitaxy

    T Makino, HD Sun, TT Nguyen, Y Segawa, CH Chia, M Kawasaki, A Ohtomo, K Tamura, H Koinuma

    COMBINATORIAL AND COMPOSITION SPREAD TECHNIQUES IN MATERIALS AND DEVICE DEVELOPMENT II   4281   59 - 67   2001年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1117/12.424746

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  • Stimulated emission spectra from ZnO/Zn1-xMgxO multi-quantum wells

    HD Sun, T Makino, NT Tuan, Y Segawa, ZK Tang, GKL Wong, M Kawasaki, A Ohtomo, K Tamura, H Koinuma

    PROCEEDINGS OF THE 25TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, PTS I AND II   87   1555 - 1556   2001年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

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  • Optically pumped stimulated emission in ZnO/ZnMgO multiple quantum wells prepared by combinatorial techniques

    HD Sun, T Makino, NT Tuan, Y Segawa, ZK Tang, GKL Wong, M Kawasaki, A Ohtomo, K Tamura, H Koinuma

    COMBINATORIAL AND COMPOSITION SPREAD TECHNIQUES IN MATERIALS AND DEVICE DEVELOPMENT II   4281   68 - 76   2001年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1117/12.424747

    Web of Science

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  • T

    Proceedings of 25th International conference on Physics of Semiconductors   2   1551 - 1551   2001年

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  • High Throughput Research on ZnO Films and Superlattices by Combinatorial Methodology

    M. Kawasaki, A. Ohtomo, K. Tamura, T. Fukumura, Zhengwu Ji, H. Kimura, A. Tsukazaki, H. Saito, C. Hirose, Y. Matsumoto, H. Koinuma, T, Makino H, D. Sun, Y. Se

    13th Int’l Conf. on Crystal Growth in Conjunction with 11th Int’l Conf. on Vapor Growth and Epitaxy   590   2001年

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  • Time-resolved luminescence spectra in (Cd,Zn)O/(Mg,Zn)O multi-quantum wells on lattice-matched substrates

    T Makino, NT Tuan, Y Segawa, CH Chia, M Kawasaki, A Ohtomo, K Tamura, H Koinuma

    PROCEEDINGS OF THE 25TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, PTS I AND II   87   1551 - 1552   2001年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

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  • Exciton localization in (Cd,Zn)O epilayers and (Cd,Zn)O/(Mg,Zn)O multi-quantum wells on lattice-matched substrates 査読

    T Makino, NT Tuan, CH Chia, Y Segawa, M Kawasaki, A Ohtomo, K Tamura, H Koinuma

    PROCEEDINGS OF THE 2000 INTERNATIONAL CONFERENCE ON EXCITONIC PROCESSES IN CONDENSED MATTER   285 - 288   2001年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

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  • Stimulated emission induced by exciton-exciton scattering in ZnO/ZnMgO multiquantum wells up to room temperature 国際誌

    HD Sun, T Makino, NT Tuan, Y Segawa, ZK Tang, GKL Wong, M Kawasaki, A Ohtomo, K Tamura, H Koinuma

    APPLIED PHYSICS LETTERS   77 ( 26 )   4250 - 4252   2000年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.1333687

    Web of Science

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  • Novel semiconductor technologies of ZnO films towards ultraviolet LEDs and invisible FETs 国際誌

    A Ohtomo, M Kawasaki

    IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS   E83C ( 10 )   1614 - 1617   2000年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

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  • Room-temperature stimulated emission of excitons in ZnO/(Mg, Zn)O superlattices 国際誌

    A Ohtomo, K Tamura, M Kawasaki, T Makino, Y Segawa, ZK Tang, GKL Wong, Y Matsumoto, H Koinuma

    APPLIED PHYSICS LETTERS   77 ( 14 )   2204 - 2206   2000年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.1315340

    Web of Science

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  • In-plane anisotropic strain of ZnO closely packed microcrystallites grown on tilted (0001) sapphire 国際誌

    F Siah, Z Yang, ZK Tang, GKL Wong, M Kawasaki, A Ohtomo, H Koinuma, Y Segawa

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   88 ( 5 )   2480 - 2483   2000年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.1287527

    Web of Science

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  • Radiative and nonradiative recombination processes in lattice-matched (Cd,Zn)O/(Mg,Zn)O multiquantum wells 国際誌

    T Makino, CH Chia, NT Tuan, Y Segawa, M Kawasaki, A Ohtomo, K Tamura, H Koinuma

    APPLIED PHYSICS LETTERS   77 ( 11 )   1632 - 1634   2000年9月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.1308540

    Web of Science

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  • Erratum: Exciton spectra of ZnO epitaxial layers on lattice-matched substrates grown with laser-molecular-beam epitaxy (Appl. Phys. Lett. (2000) 76 (3549) (10.1063/1.126703)) 査読

    T. Makino, C. H. Chia, N. T. Tuan, Y. Segawa, M. Kawasaki, A. Ohtomo, K. Tamura, H. Koinuma

    Applied Physics Letters   77 ( 9 )   1405   2000年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.1290276

    Scopus

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  • C-V Characteristics of ZnO Thin-Film Field Effect Transistor Structures Formed on Glass Substrates

    OHMAKI Y., KISHIMOTO S., OHNO Y., MATSUKURA F., OHNO H., SAIKUSA K., AITA T., OHTOMO A., KAWASAKI M.

    Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials   2000   132 - 133   2000年8月

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    記述言語:英語  

    CiNii Books

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  • Exciton spectra of ZnO epitaxial layers on lattice-matched substrates grown with laser-molecular-beam epitaxy (vol 76, pg 3549, 2000

    T Makino, CH Chia, NT Tuan, Y Segawa, M Kawasaki, A Ohtomo, K Tamura, H Koinuma

    APPLIED PHYSICS LETTERS   77 ( 9 )   1405 - 1405   2000年8月

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    記述言語:英語  

    Web of Science

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  • Room-temperature luminescence of excitons in ZnO/(Mg, Zn)O multiple quantum wells on lattice-matched substrates 国際誌

    T Makino, CH Chia, NT Tuan, HD Sun, Y Segawa, M Kawasaki, A Ohtomo, K Tamura, H Koinuma

    APPLIED PHYSICS LETTERS   77 ( 7 )   975 - 977   2000年8月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.1289066

    Web of Science

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  • Growth mode and surface morphology of a GaN film deposited along the N-face polar direction on c-plane sapphire substrate 国際誌

    M Sumiya, K Yoshimura, T Ito, K Ohtsuka, S Fuke, K Mizuno, M Yoshimoto, H Koinuma, A Ohtomo, M Kawasaki

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   88 ( 2 )   1158 - 1165   2000年7月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.373791

    Web of Science

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  • Optical spectra in ZnO thin films on lattice-matched substrates grown with laser-MBE method

    T. Makino, G. Isoya, Y. Segawa, C. H. Chia, T. Yasuda, M. Kawasaki, A. Ohtomo, K. Tamura, H. Koinuma

    Journal of Crystal Growth   214   289 - 293   2000年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Elsevier Science B.V.  

    DOI: 10.1016/S0022-0248(00)00094-4

    Scopus

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  • Combinatorial laser MBE synthesis of 3d ion doped epitaxial ZnO thin films 国際誌

    ZW Jin, M Murakami, T Fukumura, Y Matsumoto, A Ohtomo, M Kawasaki, H Koinuma

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   214   55 - 58   2000年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/S0022-0248(00)00058-0

    Web of Science

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  • Lateral grain size and electron mobility in ZnO epitaxial films grown on sapphire substrates 国際誌

    A Ohtomo, H Kimura, K Saito, T Makino, Y Segawa, H Koinuma, M Kawasaki

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   214   284 - 288   2000年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/S0022-0248(00)00093-2

    Web of Science

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  • Epitaxial growth of ZnO films on lattice-matched ScAlMgO4(0001) substrates 国際誌

    K Tamura, A Ohtomo, K Saikusa, Y Osaka, T Makino, Y Segawa, M Sumiya, S Fuke, H Koinuma, M Kawasaki

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   214   59 - 62   2000年6月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/S0022-0248(00)00059-2

    Web of Science

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  • Concept and development of combinatorial laser MBE for oxide electronics 国際誌

    H Koinuma, M Kawasaki, T Itoh, A Ohtomo, M Murakami, ZW Jin, Y Matsumoto

    PHYSICA C   335 ( 1-4 )   245 - 250   2000年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/S0921-4534(00)00178-7

    Web of Science

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  • Temperature dependence of four-wave-mixing spectra in ZnO thin films on sapphire substrates grown with laser MBE 国際誌

    T Makino, NT Tuan, Y Segawa, CH Chia, A Ohtomo, M Kawasaki, H Koinuma

    JOURNAL OF LUMINESCENCE   87-9   210 - 212   2000年5月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/S0022-2313(99)00264-1

    Web of Science

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  • Optical and photoelectrical properties of oriented ZnO films 国際誌

    JW Tomm, B Ullrich, XG Qiu, Y Segawa, A Ohtomo, M Kawasaki, H Koinuma

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   87 ( 4 )   1844 - 1848   2000年2月

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.372101

    Web of Science

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  • A convergent beam, parallel detection X-ray diffraction system for characterizing combinatorial epitaxial thin films

    K Omote, T Kikuchi, J Harada, M Kawasaki, A Ohtomo, M Ohtani, T Ohnishi, D Komiyama, H Koinuma

    COMBINATORIAL AND COMPOSITION SPREAD TECHNIQUES IN MATERIALS AND DEVICE DEVELOPMENT   3941   84 - 91   2000年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    Web of Science

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  • Exciton spectra of ZnO thin films on lattice-matched substrates grown with laser MBE method

    MAKINO T, CHIA C H, TUAN N T, SEGAWA Y, KAWASAKI M, OHTOMO A, TAMURA K, KOINUMA H

    Appl. Phys. Lett.   76 ( 24 )   3549 - 3551   2000年

     詳細を見る

  • Investigation of ZnO/sapphire interface and formation of ZnO nanocrystalline by laser MBE

    I. Ohkubo, Y. Matsumoto, A. Ohtomo, T. Ohnishi, A. Tsukazaki, M. Lippmaa, H. Koinuma, M. Kawasaki

    Applied Surface Science   159   514 - 519   2000年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Elsevier Science Publishers B.V.  

    DOI: 10.1016/S0169-4332(00)00138-0

    Scopus

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  • The use of parallel synthesis and characterization techniques in thin film growth dynamics studies

    Proceedings of 4th Symposium on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics   4   431 - 436   2000年

     詳細を見る

  • Optical characterization for combinatorial systems based on semiconductor ZnO

    T Makino, G Isoya, Y Segawa, CH Chia, T Yasuda, M Kawasaki, A Ohtomo, K Tamura, Y Matsumoto, H Koinuma

    COMBINATORIAL AND COMPOSITION SPREAD TECHNIQUES IN MATERIALS AND DEVICE DEVELOPMENT   3941   28 - 35   2000年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    Web of Science

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  • High throughput optimizations of alloy and doped films based on ZnO and parallel synthesis of ZnO/MgxZn1-xO quantum wells using combinatorial laser MBE towards ultraviolet laser

    A Ohtomo, T Makino, K Tamura, Y Matsumoto, Y Segawa, ZK Tang, GKL Wong, H Koinuma, M Kawasaki

    COMBINATORIAL AND COMPOSITION SPREAD TECHNIQUES IN MATERIALS AND DEVICE DEVELOPMENT   3941   70 - 81   2000年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    Web of Science

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  • Can ZnO Eat Market in Optoelectronic Applications?

    KAWASAKI M., TAMURA K., SAIKUSA K., AITA T., TSUKAZAKI A., OHTOMO A., JIN Z. G., MATSUMOTO Y., FUKUMURA T., KOINUMA H., OHMAKI Y., KISHIMOTO S., OHNO Y., MATSUKURA F., OHNO H., MAKINO T., TUAN N. T., SUN H. D., CHIA C. H., SEGAWA Y., TANG Z. K., WANG G. K. L.

    Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials   ,128-129   128 - 129   2000年

     詳細を見る

    記述言語:英語  

    CiNii Books

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  • Exploration of new properties of oxides by the growth control using pulsed laser epitaxy

    H Koinuma, T Koida, D Komiyama, M Lippmaa, A Ohtomo, M Kawasaki

    MATERIALS SCIENCE OF NOVEL OXIDE-BASED ELECTRONICS   623   329 - 340   2000年

     詳細を見る

    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    Web of Science

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  • Thermal stability of supersaturated MgxZn1-xO alloy films and MgxZn1-xO/ZnO heterointerfaces 国際誌

    A Ohtomo, R Shiroki, Ohkubo, I, H Koinuma, M Kawasaki

    APPLIED PHYSICS LETTERS   75 ( 26 )   4088 - 4090   1999年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.125545

    Web of Science

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  • In-plane and polar orientations of ZnO thin films grown on atomically flat sapphire 国際誌

    Ohkubo, I, A Ohtomo, T Ohnishi, Y Mastumoto, H Koinuma, M Kawasaki

    SURFACE SCIENCE   443 ( 1-2 )   L1043 - L1048   1999年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/S0039-6028(99)01024-9

    Web of Science

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  • An oxide-diluted magnetic semiconductor: Mn-doped ZnO 国際誌

    T Fukumura, ZW Jin, A Ohtomo, H Koinuma, M Kawasaki

    APPLIED PHYSICS LETTERS   75 ( 21 )   3366 - 3368   1999年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.125353

    Web of Science

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  • Single crystalline ZnO films grown on lattice-matched ScAlMgO4(0001) substrates 国際誌

    A Ohtomo, K Tamura, K Saikusa, K Takahashi, T Makino, Y Segawa, H Koinuma, M Kawasaki

    APPLIED PHYSICS LETTERS   75 ( 17 )   2635 - 2637   1999年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.125102

    Web of Science

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  • Structure and optical properties of ZnO/Mg0.2Zn0.8O superlattices 国際誌

    A Ohtomo, M Kawasaki, Ohkubo, I, H Koinuma, T Yasuda, Y Segawa

    APPLIED PHYSICS LETTERS   75 ( 7 )   980 - 982   1999年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.124573

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  • Combinatorial laser molecular beam epitaxy (MBE) growth of Mg-Zn-O alloy for band gap engineering 国際誌

    Y Matsumoto, M Murakami, ZW Jin, A Ohtomo, M Lippmaa, M Kawasaki, H Koinuma

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS   38 ( 6AB )   L603 - L605   1999年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1143/jjap.38.L603

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  • An efficient way of doping experiments: Combinatorial laser MBE synthesis of epitaxial ZnO thin film doped with Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, and Cu

    Extended Abstracts of 5th Symposium on the Physics and Application of Spin-related Phenomena in Semiconductors   ,46-49   1999年

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  • ZnMnO as novel diluted magnetic semiconductor system

    Proceedings of 3rd Symposium on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics   3   157 - 160   1999年

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  • Epitaxial growth of single-crystalline ZnO films towards novel transparent opt-electronics

    Proceedings of 3rd Symposium on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics   3   147 - 150   1999年

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  • Control of the polarity and surface morphology of GaN films deposited on C-plane sapphire

    M Sumiya, T Ohnishi, M Tanaka, A Ohtomo, M Kawasaki, M Yoshimoto, H Koinuma, K Ohtsuka, S Fuke

    MRS INTERNET JOURNAL OF NITRIDE SEMICONDUCTOR RESEARCH   4   U642-U649   1999年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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  • ZnO ultraviolet lasers

    Technical Information Center,Material Integration   12 ( 12 )   9 - 14   1999年

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  • ZnO/MgxZn1-xO quantum structures

    Extended Abstracts of 1st international Workshop on ZnO   ,17-17   1999年

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  • GaN growth on ozonized sapphire(0001) substrates by MOVPE 国際誌

    T Honda, A Inoue, M Mori, T Shirasawa, N Mochida, K Saotome, T Sakaguchi, A Ohtomo, M Kawasaki, H Koinuma, F Koyama, K Iga

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   195 ( 1-4 )   319 - 322   1998年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/S0022-0248(98)00692-7

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  • Atom technology for Josephson tunnel junctions: SrTiO3 substrate surface 国際誌

    M Lippmaa, K Takahashi, A Ohtomo, S Ohashi, T Ohnishi, N Nakagawa, T Sato, M Iwatsuki, H Koinuma, M Kawasaki

    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY   56 ( 2-3 )   111 - 116   1998年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/S0921-5107(98)00225-6

    Web of Science

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  • Coaxial impact-collision ion scattering spectroscopy analysis of ZnO thin films and single crystals 国際誌

    T Ohnishi, A Ohtomo, Ohkuboa, I, M Kawasaki, M Yoshimoto, H Koinuma

    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY   56 ( 2-3 )   256 - 262   1998年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/S0921-5107(98)00241-4

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  • Fabrication of alloys and superlattices based on ZnO towards ultraviolet laser 国際誌

    A Ohtomo, M Kawasaki, Y Sakurai, Ohkubo, I, R Shiroki, Y Yoshida, T Yasuda, Y Segawa, H Koinuma

    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY   56 ( 2-3 )   263 - 266   1998年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/S0921-5107(98)00218-9

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  • Excitonic ultraviolet laser emission at room temperature from naturally made cavity in ZnO nanocrystal thin films 国際誌

    M Kawasaki, A Ohtomo, Ohkubo, I, H Koinuma, ZK Tang, P Yu, GKL Wong, BP Zhang, Y Segawa

    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY   56 ( 2-3 )   239 - 245   1998年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/S0921-5107(98)00248-7

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  • Observation of SrTiO(3) step edge dynamics by real-time high-temperature STM 国際誌

    M Lippmaa, M Kawasaki, A Ohtomo, T Sato, M Iwatsuki, H Koinuma

    APPLIED SURFACE SCIENCE   130   582 - 586   1998年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/S0169-4332(98)00119-6

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  • Room-temperature ultraviolet laser emission from self-assembled ZnO microcrystallite thin films 国際誌

    ZK Tang, GKL Wong, P Yu, M Kawasaki, A Ohtomo, H Koinuma, Y Segawa

    APPLIED PHYSICS LETTERS   72 ( 25 )   3270 - 3272   1998年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.121620

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  • Room temperature ultraviolet laser emission from ZnO nanocrystal thin films grown by laser MBE 国際誌

    A Ohtomo, M Kawasaki, Y Sakurai, Y Yoshida, H Koinuma, P Yu, ZK Tang, GKL Wong, Y Segawa

    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY   54 ( 1-2 )   24 - 28   1998年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/S0921-5107(98)00120-2

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  • Dimension controlled epitaxy of quantum functional oxide thin films by pulsed-laser processes 国際誌

    H Koinuma, XG Qiu, R Tsuchiya, N Kanda, J Nishino, A Ohtomo, M Kawasaki

    APPLIED SURFACE SCIENCE   127   403 - 409   1998年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/S0169-4332(97)00664-8

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  • MgxZn1-xO as a II-VI widegap semiconductor alloy 国際誌

    A Ohtomo, M Kawasaki, T Koida, K Masubuchi, H Koinuma, Y Sakurai, Y Yoshida, T Yasuda, Y Segawa

    APPLIED PHYSICS LETTERS   72 ( 19 )   2466 - 2468   1998年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.121384

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  • Room-temperature gain spectra and lasing in microcrystalline ZnO thin films 国際誌

    P Yu, ZK Tang, GKL Wong, M Kawasaki, A Ohtomo, H Koinuma, Y Segawa

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   184   601 - 604   1998年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/S0022-0248(98)80126-7

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  • Determination of surface polarity of c-axis oriented ZnO films by coaxial impact-collision ion scattering spectroscopy

    T Ohnishi, A Ohtomo, M Kawasaki, K Takahashi, M Yoshimoto, H Koinuma

    APPLIED PHYSICS LETTERS   72 ( 7 )   824 - 826   1998年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.120905

    Web of Science

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  • Fabrication of oxide based ultraviolet laser

    Maruzen,Parity   13 ( 1 )   48 - 52   1998年

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  • Romm temperature excitonic laser emission form ZnO nanocrystals

    Agne Gijyutsu Center,Solid State Physics   33 ( 1 )   59 - 64   1998年

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  • ZnO alloy system and quantum structures towards ultraviolet laser

    Proceedings of 2nd International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes   ,711-714   1998年

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  • Excitonic ultraviolet laser emission at room temperature from naturally made cavity in ZnO nanocrystalline thin films

    Proceedings of 2nd Symposium on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics   2   225 - 231   1998年

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  • Excitonic gain and laser emission in ZnO microcrystallites at room temperature 国際誌

    P Yu, ZK Tang, GKL Wong, M Kawasaki, A Ohtomo, H Koinuma, Y Segawa

    PHYSICS OF LOW-DIMENSIONAL STRUCTURES   1-2   243 - 251   1998年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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  • Ultraviolet excitonic laser action at room temperature in ZnO nanocrystalline epitaxial films 国際誌

    M Kawasaki, A Ohtomo, H Koinuma, Y Sakurai, Y Yoshida, ZK Tang, P Yu, GKL Wang, Y Segawa

    SILICON CARBIDE, III-NITRIDES AND RELATED MATERIALS, PTS 1 AND 2   264-2 ( 268 )   1459 - 1462   1998年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.264-268.1459

    Web of Science

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  • ZnO quantum structures towards UV diode lasers

    Extended Abstracts of 1998 International Conference on Sold State Devices and Materials   356 ( 357 )   1998年

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  • Double heterostructure based on ZnO and MgxZn1-xO 国際誌

    A. Ohtomo, M. Kawasaki, T. Koida, H. Koinuma, Y. Sakurai, Y. Yoshida, M. Sumiya, S. Fuke, T. Yasuda, Y. Segawa

    Materials Science Forum, Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials   264-268   1463 - 1466   1998年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    We propose a widegap semiconductor, MgxZn1-xO, as a barrier layer for ultraviolet light emitting devices based on ZnO. MgxZn1-xO single layer films and double heterostructures of MgxZn1-xO / ZnO /MgxZn1-xO were fabricated by pulsed laser deposition on sapphire (0001) substrates. The: photoluminescence peak of MgxZn1-xO shifted from 3.36 eV (x=0) to 3.87 eV (x=0.25) with increasing x. Epitaxial double heterostructures were successfuly grown as veryfied by X-ray diffraction and secoundary ion mass spectrometry. Clear exciton emission in double heterostructure indicates that this alloy system is promising for the light emitting devices.

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.264-268.1463

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  • A novel oxide DMS: Mn doped ZnO

    Extended Abstracts of 4th Symposium on the Physics and Application of Spin-related Phenomena in Semiconductors   ,109-112   1998年

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  • A study of SrTiO3 surface dynamics during wet etching and high-temperature annealing

    Proceedings of 2nd Symposium on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics   2   205 - 210   1998年

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  • Alloys and superlattices of ZnO based oxide semiconductors towards ultraviolet emitting devices

    Extended Abstracts of the 17th Electric Materials Symposium   ,79-80   1998年

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  • Ultraviolet spontaneous and stimulated emissions from ZnO microcrystallite thin films at room temperature 国際誌

    P Zu, ZK Tang, GKL Wong, M Kawasaki, A Ohtomo, H Koinuma, Y Segawa

    SOLID STATE COMMUNICATIONS   103 ( 8 )   459 - 463   1997年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/S0038-1098(97)00216-0

    Web of Science

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  • Growth of ZnO thin film by laser MBE: Lasing of exciton at room temperature 国際誌

    Y Segawa, A Ohtomo, M Kawasaki, H Koinuma, ZK Tang, P Yu, GKL Wong

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH   202 ( 2 )   669 - 672   1997年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1002/1521-3951(199708)202:2<669::AID-PSSB669>3.0.CO;2-T

    Web of Science

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  • Construction and superfunction of metal-oxide nanostructures and interfaces 国際誌

    M Kawasaki, R Tsuchiya, N Kanda, A Ohtomo, H Koinuma

    SCIENCE REPORTS OF THE RESEARCH INSTITUTES TOHOKU UNIVERSITY SERIES A-PHYSICS CHEMISTRY AND METALLURGY   44 ( 2 )   207 - 210   1997年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    Web of Science

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  • Laser MBE of ceramic thin films for future electronics 国際誌

    H Koinuma, N Kanda, J Nishino, A Ohtomo, H Kubota, M Kawasaki, M Yoshimoto

    APPLIED SURFACE SCIENCE   109   514 - 519   1997年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/S0169-4332(96)00627-7

    Web of Science

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  • Study of SrTiO_3_ surface dynamics by real-time STM at high temperatures

    Mikk Lippmaa, Akira Ohtomo, Masashi Kawasaki

    1997年1月

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    記述言語:英語  

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  • ZnOの量子構造の形成と室温レーザー発振

    川崎 雅司, 大友 明, 鯉沼 秀臣, 湯 子康, P. Yu, G. K. L. Wong, 瀬川 勇三朗

    日本学術振興会第162委員会 第6回研究会資料   1997年1月

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    記述言語:日本語  

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  • 表面界面・ハイヤーオーダーエピタキシ

    大友 明, 川崎 雅司

    1997年1月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:電子協酸化物エレクトロニクス研究報告書  

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  • Oxide quantum structures for future electro-photonics

    M Kawasaki, A Ohtomo, R Tsuchiya, J Nishino, H Koinuma

    EPITAXIAL OXIDE THIN FILMS III   474   303 - 312   1997年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

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  • Transmission electron microscopy study of room temperature lasing epitaxial ZnO films on sapphire

    Material Research Society Symposium Proceedings   482   423   1997年

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  • Room temperature ultraviolet laser emission from microstructured ZnO thin film

    Nonlinear Optics   18   355 - 362   1997年

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  • Atomic control of SrTiO3 surface for perfect epitaxy of perovskite oxides 国際誌

    M Kawasaki, A Ohtomo, T Arakane, K Takahashi, M Yoshimoto, H Koinuma

    APPLIED SURFACE SCIENCE   107   102 - 106   1996年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/S0169-4332(96)00512-0

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  • Advanced processing and characterization of SrTiO3 single crystals and bicrystals for high-T-c superconducting film substrate 国際誌

    K Takahashi, A Ohtomo, M Kawasaki, H Koinuma

    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY   41 ( 1 )   152 - 156   1996年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/S0921-5107(96)01643-1

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  • Room temperature luminescence and stimulated UV emission from ZnO

    Proceedings of The 23rd International Conference on The Physics of Semiconductors   ,1453-1456   1996年

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書籍等出版物

  • 材料系の固体物理学

    Zolotoyabko, Emil, 大友, 明, 鵜沼, 毅也, 早水, 裕平, 山田, 智明

    東京化学同人  2024年4月  ( ISBN:9784807920426

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    総ページ数:xiii, 221p   記述言語:日本語  

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  • 固体材料の科学

    Tilley, R. J. D., 滝沢, 博胤, 田中, 勝久, 大友, 明, 貝沼, 亮介

    東京化学同人  2015年6月  ( ISBN:9784807908585

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    総ページ数:xvi, 284p   記述言語:日本語  

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  • 次世代半導体としての酸化物半導体の信頼性と可能性

    大友 明

    ポストシリコン半導体―ナノ成膜ダイナミクスと基板・界面効果―  2013年6月  ( ISBN:9784864690591

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    記述言語:日本語  

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  • 酸化物界面が創成する新機能

    大友 明

    独立行政法人 日本学術振興会  2013年4月 

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    記述言語:日本語  

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  • バンドギャップエンジニアリング ―次世代高効率デバイスへの挑戦―

    大友 明

    シーエムシー出版  2011年12月  ( ISBN:9784781305080

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    記述言語:日本語  

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  • 人工格子が切り拓く酸化物エレクトロニクス

    大友明

    社団法人 蔵前工業会  2011年11月 

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    記述言語:日本語  

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  • STEMによるLaドープSrTiO_3人工超格子薄膜の原子構造解析

    斎藤 光浩, 着本 享, 王 中長, 幾原 雄一, 溝口 照康, 奥出 正樹, 大友 明, 川崎 雅司, 木太 拓志

    The Japan Institute of Metals and Materials  2009年12月 

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  • Optical and electrical properties of ZnO and related hetero-structures

    Vietnam Academic Press Proceedings of the International Workshop on Photonics and Applications (Advances in Optics, Photonics, Spectroscopy & Applications V, edited by P. Brechignac, K. Hakuta, H. Lim, N.V. Hieu, N.D. Hung and V. A. Orlovich)  2009年 

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  • Optical and electrical properties of ZnO and related hetero-structures

    Vietnam Academic Press Proceedings of the International Workshop on Photonics and Applications (Advances in Optics, Photonics, Spectroscopy & Applications V, edited by P. Brechignac, K. Hakuta, H. Lim, N.V. Hieu, N.D. Hung and V. A. Orlovich)  2009年 

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  • Epitaxial growth and transport properties of high-mobility ZnO-based heterostructures

    Springer Advances in Materials Research  2008年 

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  • Engineering of ZnO based quantum well structures towards a solid state lighting device

    JFE 21st Century Foundation,Proceedings of Academic Research in 2007 founded by JFE 21st Century Foundation  2008年 

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  • Epitaxial growth and transport properties of high-mobility ZnO-based heterostructures

    Springer Advances in Materials Research  2008年 

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  • 固体照明光源に最適化したZnO量子井戸の設計と作製

    財団法人JFE21世紀財団 財団法人JFE21世紀財団2007年度大学研究助成技術研究報告書  2008年 

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  • Evaluation methods for heterostructures

    Akira Ohtomo

    Nanoparticle Technology Handbook  2007年10月 

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    記述言語:英語  

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  • 未来は若い探究心の中から生まれてくる -最先端科学の荒海を風にのって渡っていく-

    大友 明

    東北大学(100周年記念出版)  2007年8月 

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    記述言語:日本語  

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  • Invisible electronics now in sight

    2007年 

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  • The future springs from inquiring young minds - Riding on the wind across the rough seas of leading-edge science -

    Tohoku University,Tohoku University  2007年 

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  • The future springs from inquiring young minds -Riding on the wind across the rough seas of leading-edge science-

    Tohoku University Tohoku University  2007年 

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  • The future springs from inquiring young minds -Riding on the wind across the rough seas of leading-edge science-

    Tohoku University Tohoku University  2007年 

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  • Wide bandgap semiconductors and related optoelectronic devices

    Springer-Verlag GmbH  2007年 

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  • Wide bandgap semiconductors and related optoelectronic devices

    Springer-Verlag GmbH  2007年 

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  • 未来は若い探究心の中から生まれてくる ? 最先端科学の荒海を風にのって渡っていく ?

    東北大学 東北大学  2007年 

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  • 非磁性絶縁体の境界が強磁性金属に

    Levi Barbara Goss, 大友 明

    丸善  2007年 

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    記述言語:日本語  

    CiNii Books

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  • Nanoparticle technology handbook

    2007年 

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  • 薄膜の構造測定法

    大友 明

    ナノパーティクルテクノロジーハンドブック  2006年4月 

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    記述言語:日本語  

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  • ZnO系LED

    大友 明

    ワイドギャップ半導体光・電子デバイス  2006年4月 

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    記述言語:日本語  

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  • 21世紀を照らす光 -酸化亜鉛発光ダイオード

    大友 明, 塚崎 敦, 川崎 雅司

    2006年1月 

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    記述言語:日本語  

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  • ナノパーティクルテクノロジーハンドブック

    日刊工業新聞社  2006年 

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  • Nanoparticle Technology Handbook

    The Nikkan Kogyo Shinbun, Ltd  2006年 

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  • ワイドギャップ半導体光・電子デバイス

    2006年 

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  • チタン酸ストロンチウム

    大友 明

    物理学辞典 3訂版  2005年9月 

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    記述言語:日本語  

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  • バッファー層による酸化物へテロエピタキシーの格子不整合エンジニアリング

    川崎 雅司, 寺井 恒太, 塚崎 敦, 大西 剛, 大友 明, リプマー ミック

    日本結晶成長学会  2005年 

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    記述言語:日本語  

    バッファー層というのは便利なものである.基板と化学的に異質な材料を薄膜成長するときに表面の濡れ性を制御する「のり」の役目を果たすし,基板と格子不整合を有する薄膜を成長する前に導入することで不整合を緩和する役目も果たす.本稿では後者について,酸化物のヘテロエピタキシーを舞台に,厳密にバッファー層の格子工学を検討した結果を紹介する.まず,格子不整合による薄膜中の歪みと界面に導入されるミスフィット転位について平衡論と速度論の観点から説明する.応用の観点からも重要な材料として,強誘電体であるBaTiO_3と紫外発光材料であるZnOのヘテロエピタキシャル薄膜をとりあげ,格子歪みとその緩和メカニズムを詳しく調べた.それらの知見をもとに,わずかな格子不整合を完全に歪みとして薄膜に取り込んで面内の格子が基板と完全にそろった「コヒーレント界面」と,格子不整合を界面のミスフィット転位で全て吐き出した「完全緩和界面」を作り分けることに成功した.双方の間に存在する活性化エネルギーの山を越える新しい手法も紹介する.この完全緩和薄膜をバッファー層として利用すれば,薄膜の歪み制御による格子工学に新しい可能性が広がる.

    DOI: 10.19009/jjacg.32.2_74

    CiNii Books

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  • 物理学辞典(3訂版)

    2005年 

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  • ZnO量子井戸構造の迅速最適化

    大友 明

    コンビナトリアルテクノロジー 明日を開く“もの作り”の新世界  2004年8月 

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    記述言語:日本語  

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  • Combinatorial Technology

    2004年 

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  • コンビナトリアルテクノロジー -明日を開く“もの作り”の新世界

    2004年 

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  • 科学のびっくり箱-ベル研究所物理部門

    大友 明

    東京化学同人  2003年 

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    記述言語:日本語  

    CiNii Books

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  • レーザ分子線エピタキシ法によるZnO量子構造の作製および紫外線発光素子への応用

    大友 明

    2000年3月 

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    記述言語:英語  

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  • 酸化亜鉛紫外レーザー

    田村 謙太郎, 大友 明, 川崎 雅司

    1999年12月 

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    記述言語:日本語  

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  • 酸化物で紫外線レーザーを創る

    大友 明, 川崎 雅司

    1998年3月 

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    記述言語:日本語  

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  • ZnOナノ結晶からの室温励起子レーザー発振

    川崎 雅司, 大友 明

    The Laser Society of Japan  1998年1月 

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  • Epitaxial growth of alloys and superlattices based on ZnO 査読

    A Ohtomo, Ohkubo, I, M Kawasaki, H Koinuma, G Isoya, T Yasuda, Y Segawa

    1998年 

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    記述言語:英語  

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  • Lasing of exciton at room temperature in ZnO quantum dots thin films

    1998年 

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  • ZnOナノ結晶からの室温励起子レーザー発振

    川崎 雅司, 大友 明

    アグネ技術センタ-  1998年 

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    記述言語:日本語  

    CiNii Books

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  • Lasing of exciton at room temperature in ZnO quantum dots thin films

    1998年 

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  • Study of SrTiO3 surface dynamics by real-time STM at high temperatures

    未来開拓研究ニュースレター  1997年 

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  • ZnO excitonic laser

    1997年 

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  • Study of SrTiO3 surface dynamics by real-time STM at high temperatures

    未来開拓研究ニュースレター  1997年 

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  • ZnO量子構造の形成と室温レーザー発振

    未来開拓研究ニュースレター  1997年 

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  • ZnOエキシトンレーザー

    第25回応物薄膜・表面セミナー  1997年 

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  • ZnOの量子構造の形成と室温レーザー発振

    日本学術振興会 日本学術振興会第162委員会―第6回研究会資料  1997年 

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  • 表面界面・ハイヤーオーダーエピタキシ

    電子協酸化物エレクトロニクス研究報告書II  1997年 

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  • Thin film technology directed towards Josephson tunnel junction

    1996年 

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  • Thin film technology directed towards Josephson tunnel junction

    1996年 

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  • Room temperature luminescence and stimulated UV emission from ZnO

    1996年 

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  • 新機能―光物性

    電子協酸化物エレクトロニクス研究報告書I  1996年 

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  • 酸化物表面の電子構造

    電子協酸化物エレクトロニクス研究報告書I  1996年 

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MISC

  • EMISSION BLUESHIFT OF ZnO/MgZnO SINGLE QUANTUM WELLS WITH N-TYPE DOPING TO BARRIER LAYERS

    T. Makino, Y. Furuta, Y. Segawa, A. Tsukazaki, A. Ohtomo, Y. Hirayama, R. Shen, S. Takeyama, Y. Takagi, M. Kawasaki

    11TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON OPTICS OF EXCITONS IN CONFINED SYSTEMS (OECS11)   210   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究発表ペーパー・要旨(国際会議)  

    Web of Science

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講演・口頭発表等

  • θ-Al2O3バッファー層上に成長した(100)配向β-Ga2O3薄膜における歪み誘起バンドギャップ拡張

    是石 和樹, 尾沼 猛儀, 相馬 拓人, 大友 明

    2025年3月 

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    開催年月日: 2025年3月

    記述言語:英語  

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  • コンビナトリアルスパッタリング法による多元系窒化物エピタキシャル薄膜の一括合成

    相馬 拓斗, 吉松 公平, 大友 明

    2025年3月 

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    開催年月日: 2025年3月

    記述言語:日本語  

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  • 水素化した窒化ニオブ単結晶薄膜の合成と超伝導特性

    平出 悠士, 相馬 拓人, 吉松 公平, 大友 明

    2025年3月 

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    開催年月日: 2025年3月

    記述言語:日本語  

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  • β-Ga2O3基板上に成長した(AlxScyGa1−x−y)2O3混晶薄膜の格子整合性

    是石 和樹, 相馬 拓人, 大友 明

    2025年3月 

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    開催年月日: 2025年3月

    記述言語:日本語  

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  • LiV2O4/LiTi2O4エピタキシャル接合における自発的Li移動と光学的評価

    北村 尚之, 相馬 拓人, 吉松 公平, 大友 明

    2025年3月 

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    開催年月日: 2025年3月

    記述言語:日本語  

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  • 異常高原子価ペロブスカイト酸化物人工超格子におけるリガンドホール磁性金属状態の不安定性

    相馬 拓人, 本田 裕貴, 新津 甲大, 望月 泰英, べ ソンミン, 吉松 公平, 組頭 広志, 大友 明

    2025年3月 

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    開催年月日: 2025年3月

    記述言語:日本語  

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  • 層状三元系窒化物 LiWN2のアンモノリシスによる合成と結晶構造解析

    小穴 裕貴, 相馬 拓斗, 吉松 公平, 三浦 章, 大友 明

    2025年3月 

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    開催年月日: 2025年3月

    記述言語:日本語  

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  • V2O3薄膜の固相合成と電子相転移挙動の観測

    木下 裕貴, 浅岡 峻哉, 相馬 拓人, 吉松 公平, 大友 明

    2025年3月 

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    開催年月日: 2025年3月

    記述言語:日本語  

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  • (ScxGa1−x)2O3/β-Ga2O3界面における変調ドープ構造の実現

    是石和樹, 相馬拓人, 大友明

    2024年11月 

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    開催年月日: 2024年11月

    記述言語:日本語  

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  • 多層構造と相互拡散を利用した窒化物と水素 化物の合金化:ZrNxHy 薄膜の作製と組成制御

    宮崎大地, 吉松公平, 相馬拓人, 大友明

    2024年10月 

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    開催年月日: 2024年10月

    記述言語:日本語  

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  • Superconductivity and quantum criticality in two-dimensional NbO2 layers

    Takuto Soma, Kohei Yoshimatsu, Akira Ohtomo

    2024年10月 

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    開催年月日: 2024年10月

    記述言語:英語  

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  • 交互ターゲットPLD 法により作製したZrNxHy薄膜の仕事関数評価

    宮崎 大地, 相馬 拓人, 吉松 公平, 組頭 広志, 大友 明

    2024年9月 

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    開催年月日: 2024年9月

    記述言語:日本語  

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  • p-チャネルトランジスタに向けた非晶質Ga-O-S 薄膜の作製

    船田 貴光, 是石 和樹, 相馬 拓人, 吉松 公平, 大友 明

    2024年9月 

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    開催年月日: 2024年9月

    記述言語:日本語  

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  • チタン酸化物薄膜Ti3O5の圧力効果

    氏原克海, 三嶽晶弘, 高橋博樹, 吉松公平, 相馬拓人, 大友明

    2024年9月 

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    開催年月日: 2024年9月

    記述言語:日本語  

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  • Quest for p-type transparent conducting oxides

    Akira Ohtomo

    2024年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2024年9月

    記述言語:英語  

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  • 層状三元系窒化物MgMoN2 薄膜の固相合成

    細川 紳, 相馬 拓人, 吉松 公平, 大友 明

    2024年9月 

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    開催年月日: 2024年9月

    記述言語:日本語  

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  • LaTiO3 エピタキシャル薄膜の輸送特性における基板と膜厚の影響

    金 榮牛, 相馬 拓人, 吉松 公平, 大友 明

    2024年9月 

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    開催年月日: 2024年9月

    記述言語:日本語  

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  • Characterization of (100) β-(ScxGa1−x)2O3 / β-Ga2O3 heterostructures grown by pulsed-laser deposition

    Kazuki Koreishi, Takuto Soma, Hiroshi Kumigashira, Akira Ohtomo

    2024年5月 

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    開催年月日: 2024年5月

    記述言語:英語  

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  • (ScxGa1−x)2O3薄膜の偏光反射分光とバンド端構造の異方性

    是石 和樹, 尾沼 猛儀, 相馬 拓人, 大友 明

    2024年3月 

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    開催年月日: 2024年3月

    記述言語:日本語  

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  • Cu(II)原料を用いたパルスレーザ堆積法によるCuFeO2薄膜の作製

    木下 裕貴, 相馬 拓人, 吉松 公平, 大友 明

    2024年3月 

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    開催年月日: 2024年3月

    記述言語:日本語  

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  • Epitaxial Growth of Ultrawide Bandgap β-(ScxGa1–x)2O3 Films on β-Ga2O3 (100) Substrate by Pulsed-Laser Deposition

    Kazuki Koreishi, Takuto Soma, Akira Ohtomo

    2023年12月 

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    開催年月日: 2023年12月

    記述言語:英語  

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  • Fabrication of Zirconium Nitride Hydride Epitaxial Films by Alternating-Target Pulsed-Laser Deposition

    Daichi Miyazaki, Ziyang Cao, Takuto Soma, Akira Ohtomo

    2023年12月 

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    開催年月日: 2023年12月

    記述言語:英語  

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  • Strain engineering of β-Ga2O3: Pulsed-laser deposition on (100) θ-Al2O3 templates and impacts of compressive strain on physical properties

    Kazuki Koreishi, Takuto Soma, Motohisa 幹尚, Akira Ohtomo

    2023年10月 

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    開催年月日: 2023年10月

    記述言語:英語  

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  • β-(ScxGa1−x)2O3薄膜の電子状態およびバンドオフセット評価

    是石 和樹, 相馬 拓人, 組頭 広志, 大友 明

    2023年9月 

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    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:日本語  

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  • 異常高原子価ダブルペロブスカイト型LaSrFeNiO6薄膜の合成

    本田 裕貴, 相馬 拓人, 大友 明

    2023年9月 

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    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:日本語  

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  • ターゲット交互積層法によるZrNxHy薄膜の作製と金属-絶縁体転移

    宮崎 大地, 相馬 拓人, 大友 明

    2023年9月 

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    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:日本語  

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  • 歪みLaxSr1-xVO3薄膜における非Fermi液体的挙動と反強磁性Mott転移

    小川 茉白, 相馬 拓人, 大友 明

    2023年9月 

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    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:日本語  

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  • 二次元MoO3/三次元WO3エピタキシャル積層膜の作製とLi挿入挙動

    細川 紳, 相馬 拓人, 大友 明

    2023年9月 

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    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:日本語  

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  • 強磁性Fe4N/超伝導NbN接合における超伝導特性と近接効果

    吉田 悠真, 相馬 拓人, 大友 明

    2023年9月 

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    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:日本語  

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  • 面内圧縮歪みを有するβ-(ScxGa1−x)2O3 薄膜のエピタキシャル成長

    是石 和樹, 相馬 拓人, 大友 明

    2023年9月 

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    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:日本語  

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  • van der Waals酸化物2H-NbO2: ハーフフィルドMott絶縁体

    相馬 拓人, 佐藤 礼, 大友 明

    2023年9月 

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    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:日本語  

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  • Emergent properties of transition‐metal oxides with low valence and metastable structures

    Akira Ohtomo

    2023年6月 

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    開催年月日: 2023年6月

    記述言語:英語  

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  • Strongly correlated superconductivity in two-dimensional 2H-NbO2 layers

    Takuto Soma, Kohei Yoshimatsu, Akira Ohtomo

    2023年6月 

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    開催年月日: 2023年6月

    記述言語:英語  

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  • ミスカット基板上に作製したダブルペロブスカイト型酸化物薄膜の物性

    南野 龍樹, 相馬 拓人, 大友 明

    2023年3月 

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    開催年月日: 2023年3月

    記述言語:日本語  

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  • β-パイロクロア型酸化物における金属-絶縁体転移とラットリング運動

    相馬 拓人, 吉松 公平, 堀場 弘司, 組頭 広志, 大友 明

    2023年3月 

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    開催年月日: 2023年3月

    記述言語:日本語  

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  • 遷移金属水素化物の薄膜成長と電子機能開発

    大友 明

    2023年3月 

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    開催年月日: 2023年3月

    記述言語:日本語  

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  • Li1–xNbO2薄膜のトポケミカル反応と深さ方向Li組成分析

    佐藤 礼, 相馬 拓人, 大友 明

    2022年10月 

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    開催年月日: 2022年10月

    記述言語:日本語  

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  • 格子歪み印加によるSrVO3の電気伝導性の変調

    小川 茉白, 相馬 拓人, 大友 明

    2022年10月 

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    開催年月日: 2022年10月

    記述言語:日本語  

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  • 二次元三角格子2H-NbO2層における強相関電子と超伝導

    相馬 拓人, 吉松 公平, 堀場 弘司, 組頭 広志, 大友 明

    2022年9月 

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    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:日本語  

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  • パルスレーザ体積法によるGdMnO3/LaNiO3超格子構造の作製

    山岸 祐太, サフーラムチャンドラ, 相馬 拓人, 大友 明

    2022年9月 

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    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:日本語  

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  • 溶液処理による超伝導Li1–xNbO2薄膜のLi組成制御

    佐藤 礼, 相馬 拓人, 組頭 広志, 大友 明

    2022年9月 

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    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:日本語  

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  • 強磁性Fe4N/超伝導NbN 接合のエピタキシーと伝導特性

    吉田 悠真, 相馬 拓人, 大友 明

    2022年9月 

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    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:日本語  

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  • Tunable exchange bias effect in manganese- and nickel-based artificial perovskite superlattice structures

    Ramchandra Sahoo, Ryuki Nanno, Yuta Yamagishi, Takuto Soma, Akira Ohtomo

    2022年9月 

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    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:英語  

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  • 面内圧縮歪みを有するβ-Ga2O3薄膜のエピタキシャル成長

    是石 和樹, 相馬 拓人, 加渡Kado, 大友 明

    2022年9月 

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    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:日本語  

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  • Impact of Au surfactant on composition and optical properties of gallium oxysulfide films.

    Zhou Weiqi, Takuto Soma, Akira Ohtomo

    2022年9月 

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    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:英語  

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  • パルスレーザ堆積法による(111)配向LaHx薄膜の作製と水素量制御

    CAOZIYANG, 相馬 拓人, 大友 明

    2022年9月 

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    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:日本語  

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  • 分極界面を有するSrFeO3/LaNiO3ヘテロ構造の作製と伝導特性

    本田 裕貴, 相馬 拓人, 大友 明

    2022年9月 

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    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:日本語  

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  • AMoO2 (A = Li, Na, K): Two-dimensional Mott insulators with tunable MoO2 interlayer distance

    Zhang Shuxin, Takuto Soma, Akira Ohtomo

    2022年9月 

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    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:英語  

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  • 二次元NbO2層における超伝導ドームと磁気量子臨界挙動

    相馬 拓人, 吉松 公平, 大友 明

    2022年9月 

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    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:日本語  

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  • Heteroepitaxial growth of molybdenum bronzes for exploring dimensionality- and composition-controlled electronic properties

    Zhang Shuxin, Takuto Soma, Akira Ohtomo

    2022年8月 

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    開催年月日: 2022年8月

    記述言語:英語  

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  • Li イオン脱挿入による強相関電子系遷移金属酸化物薄膜の物性変調

    矢島 達也, 張 書馨, 佐藤礼, 相馬 拓人, 大友 明

    2022年3月 

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    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:日本語  

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  • IV族遷移金属水素化物および窒化物の薄膜成長と仕事関数評価

    CAOZIYANG, 林 遼一郎, 相馬 拓人, 大友 明

    2022年3月 

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    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:日本語  

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  • Magnetic frustration of multiple phases in LaMnO3/LaNiO3 superlattices

    Ramchandra Sahoo, 張 樹桐, 大友 明

    2022年3月 

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    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:英語  

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  • ダブルペロブスカイト型 La2MnCoO6 薄膜における B アンチサイト欠陥が生むスピングラス的挙動と巨大交換バイアス

    張 樹桐, サフーラムチャンドラ, 相馬 拓人, 大友 明

    2022年3月 

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    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:日本語  

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  • エピタキシャル歪みによるSrVO3薄膜のバンド幅制御と有効質量の発散

    小川 茉白, 相馬 拓人, 大友 明

    2022年3月 

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    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:日本語  

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  • Electrical Conductivity of LiNiO2 Films with Two-dimensional NiO2 Layers

    矢島 達也, 相馬 拓人, 大友 明

    2021年12月 

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    開催年月日: 2021年12月

    記述言語:英語  

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  • アニオンエンジニアリングによる金属的なIV族化合物の仕事関数制御

    CAOZIYANG, 林 遼一郎, 相馬 拓人, 大友 明

    2021年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年12月

    記述言語:英語  

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  • P型SnO薄膜のエピタキシャル成長とソフト化学的な硫化

    内田 直理, 相馬 拓人, 大友 明

    2021年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年12月

    記述言語:英語  

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  • Ti4O7エピタキシャル薄膜のバイポーラロン絶縁体=超伝導相から金属相への転移における異方的圧力効果

    菊池 佑斗, 川島 千弦, 石田 康平, 上岡 隼人, 高橋 博樹, 吉松 公平, 相馬 拓人, 大友 明

    2021年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年11月

    記述言語:英語  

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  • マグネリ相チタン酸化物の異方的圧力効果

    菊池 佑斗, 川幡 武, 川島 千弦, 石田 康平, 上岡 隼人, 高橋 博樹, 吉松 公平, 相馬 拓人, 大友 明

    2021年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年10月

    記述言語:日本語  

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  • 異常原子価を有する層状ニッケル酸リチウム薄膜のエピタキシャル成長と電気伝導性

    矢島 達也, 相馬 拓人, 大友 明

    2021年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年10月

    記述言語:日本語  

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  • Layer-by-layer growth of (111)-oriented LaMnO3 and LaNiO3 films

    Ramchandra Sahoo, S. Zhang, Y. Takeuchi, A. Ohtomo

    2021年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:英語  

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  • ペロブスカイト型 V 酸化物の電子状態におけるエピタキシャル歪みの効 果:フェルミ液体論とバンド計算による解析

    相馬 拓人, 岡部 宏和, 大友 明

    2021年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:日本語  

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  • トポケミカル反応による層状 NbO2の薄膜合成に関する検討

    佐藤 礼, 相馬 拓人, 大友 明

    2021年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:日本語  

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  • p型透明SnO薄膜の作製と溶液反応による硫化プロセスの検討

    内田 直理, 相馬 拓人, 大友 明

    2021年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:日本語  

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  • ダブルペロブスカイト型 La2MnCoO6薄膜のBアンチサイト欠陥の制御と交換バイアスの観測

    張 樹桐, サフーラムチャンドラ, 相馬 拓人, 北村 未歩, 堀場 弘司, 組頭 広志, 坂田 修身, 大友 明

    2021年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:日本語  

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  • LiV2O4エピタキシャル薄膜へのLiイオン挿入とその場構造解析

    矢島 達也, 相馬 拓人, 大友 明

    2021年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:日本語  

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  • 2次元超伝導を示すP型透明導電性酸化物

    相馬 拓人, 大友 明

    2021年4月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年4月

    記述言語:英語  

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  • Investigation of impact of orientation on electronic properties in epitaxially grown MoO2 films

    Shuxin Zhang, Takuto Soma, Akira Ohtomo

    2021年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:英語  

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  • 層状岩塩型LiNiO­2薄膜のエピタキシャル成長

    矢島 達也, 相馬 拓人, 大友 明

    2021年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語  

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  • スピネル・層状岩塩型構造バナジウム酸リチウムのエピタキシャル成長と電気化学的イオン脱挿入

    矢島 達也, 相馬 拓人, 大友 明

    2020年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年12月

    記述言語:日本語  

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  • LiNbO2のモデル誘電関数の研究

    倉地司, 山口 拓真, 相馬 拓人, 大友 明, 牧野 哲征

    2020年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語  

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  • 電気化学反応を用いたフィリング制御による「電子の重さ」の変調

    矢島 達也, 相馬 拓人, 大友 明

    2020年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年10月

    記述言語:日本語  

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  • 巨大交換バイアスの実現に向けたLa2MnCoO6 薄膜のBサイト秩序度制御による磁気特性の変調

    張 樹桐, 武内 優, 相馬 拓人, 大友 明

    2020年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年10月

    記述言語:日本語  

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  • パルスレーザ堆積法によるHfH2+x薄膜の直接合成

    林 遼一郎, 大友 明

    2020年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語  

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  • ペロブスカイト型La2FeCoO6人工超格子薄膜の作製

    武内 優, 坂田 修身, 大友 明

    2020年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語  

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  • 透明Li1−xNbO2薄膜におけるシングルバンド二次元ホール超伝導

    相馬 拓人, 吉松 公平, 堀場 弘司, 組頭 広志, 大友 明

    2020年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語  

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  • 熱硝酸によるβ-Ga2O3 (010)表面のSi不純物除去

    亀井 海聖, 斉藤 拓海, 加渡Kado, 大友 明

    2020年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語  

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  • 窒素ドープ酸化ガリウム薄膜の成長とバンド構造評価

    斉藤 拓海, 加渡Kado, 大友 明

    2020年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語  

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  • パルスレーザ堆積法で成長したCrN薄膜の電子物性 Ⅱ

    横山 竜, 大友 明

    2020年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語  

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  • 金属酸化物人工超格子を前駆体に用いた規則合金薄膜への転換法の検討

    野口 裕太郎, 相馬 拓人, 吉松 公平, 坂田 修身, 大友 明

    2020年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語  

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  • パルスレーザ堆積法による ScN 薄膜のエピタキシャル成長

    佐藤 大知, 横山 竜, 相馬 拓人, 大友 明

    2020年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語  

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  • GaS 原料を用いた Ga2O3系混晶の PLD 成長

    青山 航平, 斉藤 拓海, 亀井 海聖, 高橋 瑞人, 相馬 拓人, 加渡Kado, 大友 明

    2020年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語  

    researchmap

  • 巨大交換バイアスの実現に向けたLa2MnCoO6の非平衡薄膜成長と磁気特性の制御

    張 樹桐, 武内 優, 相馬 拓人, 大友 明

    2020年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語  

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  • 遷移金属水素化物・窒化物の薄膜成長と物性評価

    大友 明

    2020年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語  

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  • Ti4O7薄膜の酸化状態と超伝導の関係

    小林 知央, 相馬 拓人, 吉松 公平, 大友 明

    2020年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語  

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  • LiNbO2 as a p-type transparent superconducting oxide

    Akira ohtomo

    2020年2月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年2月

    記述言語:英語  

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  • エピタキシャル安定化と電気化学ドーピングによって準安定なチタン酸化物を超伝導体にする

    吉松 公平, 大友 明

    2019年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年12月

    記述言語:英語  

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  • Li1−xNbO2における透明で二次元的なホール超伝導

    相馬 拓人, 吉松 公平, 大友 明

    2019年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年12月

    記述言語:英語  

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  • PLD法によるエピタキシャル薄膜成長:層状岩塩型LiVO2とスピネル型LiV2O4の選択的結晶合成

    矢島 達也, 相馬 拓人, 大友 明

    2019年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年10月

    記述言語:日本語  

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  • 薄膜形状のγ-Ti3O5およびTi4O7における超伝導

    吉松 公平, 坂田 修身, 大友 明

    2019年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:英語  

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  • 透明なLi1−xNbO2エピタキシャル薄膜における二次元ホール超伝導

    相馬 拓人, 吉松 公平, 大友 明

    2019年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:英語  

    researchmap

  • 準安定なβ型MoO3薄膜のエピタキシャル安定化とLiイオン挿入

    Shuxin Zhang, 相馬 拓人, 矢島 達也, 大友 明

    2019年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:英語  

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  • 前周期遷移金属酸化物超伝導体への電気化学ドーピング

    相馬 拓人, 矢島 達也, Shuxin Zhang, 大友 明

    2019年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:英語  

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  • Highly reversible Li-ion (de)intercalation to metastable β-MoO3

    Shuxin Zhang, Takuto Soma, Tatsuya Yajima, Akira Ohtomo

    2019年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:英語  

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  • PLD法による層状岩塩型LiVO2とスピネル型LiV2O4の選択的薄膜成長

    矢島 達也, 相馬 拓人, 大友 明

    2019年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:日本語  

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  • High Concentration N-Doping into Ga2O3 Films by Using Pulsed-Laser Deposition with NO Plasma

    J. S. Lee, R. Wakabayashi, T. Saito, K. Yoshimatsu, M. Kado, A. Ohtomo

    2019 Compound Semiconductor Week, CSW 2019 - Proceedings  2019年5月  Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年5月

    記述言語:英語  

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  • Suppression of Parallel Conduction at the Interface in β-Ga2O3 Homoepitaxial Layer Using Semi-Insulating Intermediate Layer

    Takumi Saito, Ryo Wakabayashi, Jung-Soo Lee, Kaisei Kamei, Kohei Yoshimatsu, Motohisa Kado, Akira Ohtomo

    2019年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年5月

    記述言語:英語  

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  • パルスレーザ堆積法で成長したCrN薄膜の電子物性

    横山 竜, 水城 淳, 大友 明

    2019年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語  

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  • 層状LiNbO2におけるp型透明超伝導:NbO6三角柱が創る新規電子状態

    相馬 拓人, 吉松 公平, 堀場 弘司, 組頭 広志, 大友 明

    2019年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語  

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  • 層状p型半導体LiRhO2の薄膜成長と電気伝導性制御

    相馬 拓人, 吉松 公平, 大友 明

    2019年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語  

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  • パルスレーザ堆積法を用いたZrH2薄膜の作製:水素不定比の制御

    西 暁登, 吉松 公平, 大友 明

    2019年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語  

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  • 半絶縁性中間層によるβ-Ga2O3ホモエピタキシャル層の界面伝導の抑制

    斉藤 拓海, 若林 諒, 李 政洙, 亀井 海聖, 吉松 公平, 加渡Kado, 大友 明

    2019年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語  

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  • Emergent electronic states in metal-oxide heterostructures

    Akira Ohtomo

    2019年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:英語  

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  • PLD法による窒素ドープ酸化ガリウム薄膜の成長と電気特性評価

    李 政洙, 若林 諒, 斉藤 拓海, 吉松 公平, 加渡Kado, 大友 明

    2019年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語  

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  • Ti4O7薄膜における超伝導特性の高圧下測定

    関口 修平, 白石 卓也, 三浦 響太, 川島 千弦, 吉松 公平, 大友 明, 上岡 隼人, 高橋 博樹

    2019年2月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年2月

    記述言語:英語  

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  • 遷移金属酸化物エピタキシャル薄膜における電子相を制御するための電気化学的Liイオン挿入

    相馬 拓人, 吉松 公平, 大友 明

    2018年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:英語  

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  • 電気化学反応による重い電子系スピネルLiV2O4薄膜の電気伝導性変調

    矢島 達也, 相馬拓人, 吉松 公平, 大友 明

    2018年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年10月

    記述言語:日本語  

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  • Electrochemical Reaction Induced Superconducting Transitions in Metal Oxide Films

    Akira Ohtomo, Takuto Soma, Kohei Yoshimatsu

    2018年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年10月

    記述言語:英語  

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  • CaH2還元によるNi薄膜のトポタクティック低温合成

    野口 裕太郎, 吉松 公平, 大友 明

    2018年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語  

    researchmap

  • Ti4O7薄膜の電子物性制御:膜厚依存性

    小林 知央, 吉松 公平, 大友 明

    2018年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語  

    researchmap

  • PLD法によるβ-(Ga1-yScy)2O3薄膜成長とバンドギャップ変調

    若林 諒, 吉松 公平, 大友 明

    2018年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語  

    researchmap

  • 重い電子系スピネルLiV2O4の薄膜成長と電気化学的Li挿入

    矢島 達也, 相馬拓人, 吉松 公平, 大友 明

    2018年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語  

    researchmap

  • 層状LiNbO2の薄膜合成とLi充放電反応を用いた超伝導特性の制御

    相馬 拓人, 吉松 公平, 大友 明

    2018年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語  

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  • Thin-film synthesis of functional inorganic materials for energy and environmental issues

    A. Ohtomo

    2018年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年5月

    記述言語:英語  

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  • ウェットエチングを用いたβ-Ga2O3(100)基板表面のSi不純物除去

    李政洙, 若林諒, 吉松 公平, 大友 明

    2018年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語  

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  • 水素ラジカル支援パルスレーザ堆積法を用いたZrH2薄膜の作製

    西 暁登, 吉松 公平, 大友 明

    2018年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語  

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  • β-Ga203(100)上に成長したβ-(AlxGal-x)203薄膜のバンドギャップ評価

    服部真依, 若林諒, 佐々木公平, 増井建和, 倉又朗人, 山腰茂伸, 堀場弘司, 組頭広志, 吉松公平, 大友明

    2018年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語  

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  • βパイロクロア型CsW2O6単結晶薄膜のエピタキシャル成長と磁気輸送特性

    相馬拓人, 吉松公平, 堀場弘司, 組頭広志, 大友明

    2018年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語  

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  • Ti4O7, Ti3O5の高圧下電気抵抗測定

    関口 修平, 川島 千弦, 上岡 隼人, 高橋 博樹, 吉松公平, 大友明

    2018年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語  

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  • 電気化学的に活性な金属酸化物デバイス

    大友 明, 増子 尚徳, 丹羽 三冬, 黒川 輝, 吉松 公平

    2018年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:英語  

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  • 時間分解X 線磁気円二色性測定で明らかにするダブルペロブスカイト酸化物薄膜の超高速スピンダイナミクス

    平田靖透, 山本 航平, 山本 真吾, N. Pontius, C. Schussler-Langeheine, 吉松 公平, 大久保 勇男, 北村 未歩, 尾嶋 正治, 大友 明, 松田 巌, 和達 大樹

    2018年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語  

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  • βパイロクロア型CsW2O6金属-絶縁体転移におけるホールドープ効果

    相馬 拓人, 吉松 公平, 堀場 弘司, 組頭 広志, 大友 明

    2018年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語  

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  • 擬2次元SrTiO3極薄膜への電界効果キャリアドーピング

    東條 尚志, 吉松 公平, 大友 明

    2018年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語  

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  • 新規ワイドギャップ混晶半導体β-(Ga1-yScy)2O3

    若林 諒, 吉松 公平, 大友 明

    2018年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語  

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  • 水素ラジカル支援パルスレーザ堆積法を用いたTiH2薄膜の作製

    西暁登, 吉松公平, 大友明

    2018年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語  

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  • 電気化学的インターカレーションによるタングステン酸化物の可逆的電子相制御

    相馬 拓人, 吉松 公平, 大友 明

    2017年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年10月

    記述言語:日本語  

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  • チタン酸窒化物の薄膜合成と可視光応答型半導体光電極作製に向けた光学特性評価

    水城 淳, 吉松 公平, 大友 明

    2017年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年10月

    記述言語:日本語  

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  • パルスレーザ堆積法を用いたβ-Ga2O3系ヘテロ構造の成長

    若林 諒, 服部 真依, 吉松 公平, 堀場弘司, 組頭 広志, 大友 明

    2017年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:英語  

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  • 全Al組成β -(Alx Ga1-x )2O3 (0 ≤ x ≤ 1)薄膜のエピタキシャル成⻑

    若林諒, 服部真依, 吉松 公平, 大友 明

    2017年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語  

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  • パルスレーザ堆積法を⽤いたチタン酸窒化物薄膜の作製

    水城淳, 井上 忠彦, 吉松 公平, 大橋直樹, 大友 明

    2017年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語  

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  • SrTiO3/LaTiOx人工超格子構造の電気二重層トランジスタ特性

    東條尚志, 吉松 公平, 大友 明

    2017年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語  

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  • βパイロクロア型CsW2O6の金属-絶縁体転移と電子構造

    相馬拓人, 吉松 公平, 堀場弘司, 組頭 広志, 大友 明

    2017年9月 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語  

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  • ダブルペロブスカイト型酸化物La2VFeO6の薄膜合成と物性

    石丸純也, 吉松 公平, 堀場弘司, 組頭 広志, 大友 明

    2017年9月 

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    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語  

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  • Eletrochemical modulation of electronic states for tungsten oxides epitaxial films

    Takuto Soma, K. Yoshimatsu, A. Ohtomo

    2017年8月 

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    開催年月日: 2017年8月

    記述言語:英語  

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  • Graphoepitaxy of In2O3 by quasi-VLS growth

    A. Ohtomo

    2017年8月 

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    開催年月日: 2017年8月

    記述言語:英語  

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  • Epitaxial growth of low valence transition – Metal oxides exhibiting novel electronic states

    A. Ohtomo

    2017年8月 

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    開催年月日: 2017年8月

    記述言語:英語  

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  • Epitaxial growth and physical properties of La2CrMnO6 double-perovskite films

    Junya Ishimaru, K. Yoshimatsu, Koji Horiba, Hiroshi Kumigashira, A. Ohtomo

    2017年8月 

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    開催年月日: 2017年8月

    記述言語:英語  

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  • Superconductivity in higher titanium oxides

    K. Yoshimatsu, O.Sakata, A.ohtomo

    2017年7月 

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    開催年月日: 2017年7月

    記述言語:英語  

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  • V溝パターン基板上の擬VSL法によるIn203グラフォエピタキシャル成長

    呉東広平, 吉松公平, 大友明

    2017年3月 

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    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語  

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  • 特異な電気伝導性を発現する前周期遷移金属酸化物の薄膜合成戦略

    大友明

    2017年3月 

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    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語  

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  • βパイロクロア型CsW2O6エピタキシャル薄膜の作製と物性

    相馬拓人, 吉松 公平, 大友 明

    2017年3月 

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    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語  

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  • ペロブスカイト型V酸化物の電気特性における格子歪み

    岡部宏和, 吉松 公平, 大友 明

    2017年3月 

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    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語  

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  • MgO(100)基板上のβ-Ga203:Si(100)薄膜の低温成長

    若林諒, 吉松公平, 大友明

    2017年3月 

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    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語  

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  • Heteroepitaxy of functional materials for environmental and energy applications

    A. Ohtomo

    2017年2月 

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    開催年月日: 2017年2月

    記述言語:英語  

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  • β-Ga2O3用ITOオーミック電極

    大島孝仁, 若林諒, 服部真依, 橋口 明広, 河野 直士, 佐々木 公平, 増井 建和, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 吉松 公平, 大友 明

    2016年9月 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語  

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  • 擬VLS法によるIn2O3のグラフォエピタキシャル成長

    呉 東広平, 吉松 公平, 大友 明

    2016年9月 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語  

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  • Low-temperature growth of β-Ga2O3:Si (100) films on MgO (100) substrates

    R. Wakabayashi, K. Yoshimatsu, A. Ohtomo

    2016年9月 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:英語  

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  • ダブルペロブスカイト型酸化物La2CrMnO6の薄膜合成と物性

    石丸純也, 吉松 公平, 堀場弘司, 組頭 広志, 大友 明

    2016年9月 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語  

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  • 立方晶Mgx Zn1−x O 混晶薄膜および超格子構造の深紫外CL 発光特性

    今別府秀行, 大島孝仁, 服部真依, 中谷 道人, 須山 敏尚, 吉松 公平, 大友 明

    2016年9月 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語  

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  • ITO ohmic contacts for β-Ga2O3

    T. Oshima, R. Wakabayashi, M. Hattori, Akihiro Hashiguchi, Naoto Kawano, K. Sasaki, T. Masui, A. Kuramata, S. Yamakoshi, K. Yoshimatsu, A. Ohtomo, Toshiyuki Oishi, Makoto Kasu

    2016年9月 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:英語  

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  • Control of superconducting properties of CsxWO3 films by electrochemical ion intercalation

    Takuto Soma, K. Yoshimatsu, A. Ohtomo

    2016年8月 

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    開催年月日: 2016年8月

    記述言語:英語  

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  • Graphoepitaxy of In2O3 microcrystals by quasi-VLS method

    Tokohei Go, K. Yoshimatsu, A. Ohtomo

    2016年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年8月

    記述言語:英語  

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  • Tuning The Electronic Properties of Oxide-Semiconductor Heterostructures

    A. Ohtomo

    2016年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年6月

    記述言語:英語  

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  • 高品質γ-Ti3O5薄膜の合成と超伝導特性

    吉松 公平, 坂田 修身, 大友 明

    2016年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語  

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  • CsxWO3 エピタキシャル薄膜の作製と超伝導特性の変調

    相馬拓人, 吉松 公平, 大友 明

    2016年3月 

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    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語  

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  • TiO,Ti2O3,γ -Ti3O5 共晶薄膜の超伝導

    黒川 輝, 吉松 公平, 大友 明

    2016年3月 

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    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語  

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  • グラフォエピタキシャルZnO薄膜におけるホール移動度の向上

    工藤徹也, 大島孝仁, 吉松 公平, 大友 明

    2016年3月 

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    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:日本語  

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  • 高分解能軟X線発光分光で観測したLaCoO3薄膜のスピン状態とエピタキシャル歪みの関係

    横山 優一, 平田 靖透, 山本 航平, 田久保 耕, 宮脇 淳, 原田 慈久, 朝倉 大輔, 池永 英司, 山崎 裕一, 藤岡 淳, 中村 優男, 白木 將, 一杉 太郎, 吉松 公平, 大友 明, 近松 彰, 長谷川 哲也, 田口 宗孝, 田中 新, 川崎 雅司, 十倉 好紀, 和達 大樹

    日本物理学会講演概要集  2016年  一般社団法人 日本物理学会

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    開催年月日: 2016年

    記述言語:日本語  

    ペロブスカイト型のLaCoO3エピタキシャル薄膜は、基板からのエピタキシャル歪みによって、コバルトのスピン状態変化が期待されている。我々は、SPring-8のBL07LSU HORNETにおいて高分解能の軟X線発光分光を行って電子状態を直接的に調べ、スピン状態がエピタキシャル歪みによって変化することを観測した。発表では、実験と理論計算によるスピン状態の解析結果を示し、歪みとスピン状態の関係について議論する。

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  • 19pBP-8 ダブルペロブスカイト酸化物薄膜の時間分解X線磁気円二色性測定

    平田 靖透, 山本 航平, 山本 真吾, Pontius N., Schussler-Langeheine C., 吉松 公平, 大久保 勇男, 北村 未歩, 尾嶋 正治, 大友 明, 松田 巌, 和達 大樹

    日本物理学会講演概要集  2016年  一般社団法人日本物理学会

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年

    記述言語:日本語  

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  • 電池の中で超伝導を測る-電気化学反応によって誘起される超伝導-絶縁体転移-

    大友明

    2015年12月 

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    開催年月日: 2015年12月

    記述言語:英語  

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  • Evaluation of Band Offset at β-(AlxGa1-x)2O3/β-Ga2O3 Heterointerface

    M. Hattori, R. Wakabayashi, T. Oshima, K. Sasaki, T. Masui, A. Kuramata, S. Yamakoshi, K. Yoshimatsu, A. Ohtomo

    2015年11月 

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    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:英語  

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  • Epitaxial Relationship and Capacitance-Voltage Characteristicsof γ-Al2O3 Films Grown on (010) β-Ga2O3 Substrates

    M. Hattori, T. Oshima, R. Wakabayashi, K. Sasaki, T. Masui, A. Kuramata, S. Yamakoshi, K. Yoshimatsu, A. Ohtomo

    2015年11月 

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    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:英語  

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  • Growth and Electric Properties of Conductive β-(AlxGa1-x)2O3 Films

    R. Wakabayashi, T. Oshima, M. Hattori, K. Sasaki, T. Masui, A. Kuramata, S. Yamakoshi, K. Yoshimatsu, A. Ohtomo

    2015年11月 

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    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:英語  

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  • Co-Pi所触媒粒子形成過程へのマイクロ波効果による光触媒能の向上

    山田拓也, 米谷真人, 増子尚徳, 吉松公平, 大島孝仁, 大友明, 椿俊太郎, 鈴木榮一, 和田雄二

    2015年11月 

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    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:日本語  

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  • N-type doping of γ-Ga2O3 epitaxial film

    Takayoshi Oshima, Keitarou Matsuyama, Kohei Yoshimatsu, Akira Ohtomo

    2015年11月 

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    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:英語  

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  • Strong Fermi-Level Pinning at Metal/β-Ga2O3 (̅201) Interface

    R. Wakabayashi, T. Oshima, M. Hattori, K. Sasaki, T. Masui, A. Kuramata, S. Yamakoshi, K. Yoshimatsu, A. Ohtomo

    2015年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:英語  

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  • Metallization of WO3 epitaxial films using Li-ion electrochemical intercalation

    Takuto Soma, K. Yoshimatsu, T. Oshima, A. Ohtomo

    2015年10月 

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    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:英語  

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  • 界面終端面を制御した金属酸化物ヘテロ接合の可視光水分解特性

    中村 研太郎, 増子尚徳, 吉松公平, 大島孝仁, 大友 明

    2015年10月 

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    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:日本語  

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  • マグネリ相Ti酸化物薄膜の超伝導

    吉松 公平, 坂田 修身, 大友 明

    2015年9月 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語  

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  • ガラス上の3 次元高配向薄膜成長に向けたナノスケール周期微細構造の

    大橋 一輝, 工藤 徹也, 大島 孝仁, 吉松 公平, 大友 明

    2015年9月 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語  

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  • ZnO グラフォエピタキシャル薄膜の電気特性評価

    工藤 徹也, 大島 孝仁, 大橋 一輝, 吉松 公平, 大友 明

    2015年9月 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語  

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  • β-Ga2O3上γ-Al2O3膜のエピタキシャル構造と容量電圧特性評価

    服部 真依, 大島 孝仁, 若林 諒, 佐々木 公平, 増井 建和, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 吉松 公平, 大友 明

    2015年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語  

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  • ペロブスカイト型Ti 酸化物の金属- 絶縁体転移における格子歪みの効

    岡部 宏和, 吉松 公平, 大島 孝仁, 大友 明

    2015年9月 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語  

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  • Ti2O3 エピタキシャル薄膜の合成と異方性伝導

    黒川 輝, 吉松 公平, 大島 孝仁, 大友 明

    2015年9月 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語  

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  • Growth control of CoPi co-catalysts on Fe2O3 by microwave interfacial heating

    Masato Maitani, Takuya Yamada, Hisanori Mashiko, Kohei Yoshimatsu, Takayoshi OSHIMA, Shuntaro Tsubaki, EIICHI SUZUKI, A. Ohtomo, Yuji Wada

    2015年9月 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:英語  

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  • 金属/β-Ga2O3 (̅201)界面における強いフェルミ準位ピンニング効果

    若林 諒, 大島 孝仁, 服部 真依, 佐々木 公平, 増井 建和, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 吉松 公平, 大友 明

    2015年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語  

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  • γ-Ti3O5 薄膜の超伝導

    吉松 公平, 坂田 修身, 大友 明

    2015年9月 

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    開催年月日: 2015年9月

    記述言語:日本語  

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  • β-(AlxGa1-x)2O3/β-Ga2O3ヘテロ接合におけるタイプI型バンドラインナップ

    大島 孝仁, 服部 真依, 若林 諒, 佐々木 公平, 増井 建和, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 堀場 弘司, 組頭 広志, 吉松 公平, 大友 明

    2015年7月 

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    開催年月日: 2015年7月

    記述言語:日本語  

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  • 酸素ラジカル支援パルスレーザ堆積法による酸化ガリウム系混晶薄膜の成長

    若林 諒, 大島 孝仁, 服部 真依, 佐々木 公平, 増井 建和, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 吉松 公平, 大友 明

    2015年7月 

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    開催年月日: 2015年7月

    記述言語:日本語  

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  • ナノパターンガラス基板上の配向膜成長

    大友 明

    2015年6月 

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    開催年月日: 2015年6月

    記述言語:日本語  

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  • CaxSm1-xTiO3エピタキシャル薄膜の作製と電気特性評価

    岡部宏和, 吉松 公平, 大島 孝仁, 大友 明

    2015年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:日本語  

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  • ダブルペロブスカイト型Sr2CoRuO6の薄膜成長と物性

    渡会 啓介, 吉松 公平, 大島 孝仁, 大友 明

    2015年3月 

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    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:日本語  

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  • 配向を制御したα-Fe2O3薄膜のインピーダンス測定評価

    増子 尚徳, 吉松 公平, 大島 孝仁, 大友 明

    2015年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:日本語  

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  • β-(AlxGa1-x)2O3/β-Ga2O3/ヘテロ接合のバンドオフセット評価

    服部 真依, 若林 諒, 大島 孝仁, 佐々木 公平, 増井 建和, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 堀場 弘司, 組頭 広志, 吉松 公平, 大友 明

    2015年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:日本語  

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  • 電気化学的Li挿入によるWO3エピタキシャル薄膜の金属化

    相馬 拓人, 吉松 公平, 丹羽 三冬, 大島 孝仁, 大友 明

    2015年3月 

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    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:日本語  

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  • 酸素ラジカル支援PLD法による酸化ガリウム系混晶薄膜の成長

    若林 諒, 服部 真依, 大島 孝仁, 佐々木 公平, 増井 建和, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 吉松 公平, 大友 明

    2015年3月 

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    開催年月日: 2015年3月

    記述言語:日本語  

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  • ダブルペロブスカイト型Sr2CoRuO6の薄膜合成と物性

    渡会 啓介, 吉松 公平, 大島 孝仁, 大友 明

    2015年 

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    開催年月日: 2015年

    記述言語:日本語  

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  • Fabrication and Characterization of Semiconductor-Photoelectrodes Based on Earth-Abundant Fe2O3 with Various Crystalline Orientations

    H. Mashiko, K. Yoshimatsu, T. Oshima, A. Ohtomo

    2014年12月 

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    開催年月日: 2014年12月

    記述言語:英語  

    α-Fe2O3 is known as a visible-light-driven photoelectrode. We report the orientation dependence of semiconductor-photoelectrode characteristics using epitaxial α-Fe2O3 thin films.

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  • Graphoepitaxy of ZnO: novel selection rule of domain formation on nanopatterned glass surface

    A. Ohtomo, M. Irino, K. Ohashi, T. Oshima

    2014年12月 

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    開催年月日: 2014年12月

    記述言語:英語  

    ZnO and related materials have excellent optical and electronic properties, and recent advancements in epitaxial growth technique have spurred the investigation of these materials for applications such as ultraviolet light-emitting diodes and invisible transistors. Although reliable technique for p-type doping into ZnO is not yet completed, the crystalline quality and materials purity is now approaching ultimate limits− the fractional quantum Hall effect has been observed in ultraclean ZnO/MgZnO interfaces. The majority of the applications presently envisaged can essentially be realized if single-crystalline layers glow on low-cost glass and polymer substrates in a fashion of graphoepitaxy. The notion of graphoepitaxy has been applied for many classes of materials, including semiconductors, metals, molecular compounds, and alkali halides. A rational mechanism of crystal orientations is induced by the fact that nucleation occurs under geometric constraint in a grating lithographically fabricated on the glass surface. Here we study this for the ionic oxide semiconductor, hexagonal ZnO on a quartz substrate with a square-wave relief grating structure. The epitaxial structure was obtained by two-step growth; pulsed-laser deposition (PLD) of a c-axis oriented, homogeneous nucleation layer, followed by mist chemical vapor deposition (Mist CVD) of an in-plane oriented, a few microns domains (a few microns). Surprisingly, rotational symmetry of the domains was found to be twisted by 90º from right angles commonly found in graphoepitaxy (i.e., crystal facet m-planes parallel to the side walls). We investigated surface morphology for the growth-interrupted films to identify that the m-plane facets indeed appeared perpendicular to side walls. The details of novel selection rule of the domain formation and the electronic properties of the obtained films will be presented.

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  • 伝導性γ相酸化ガリウム薄膜の作製

    松山 慶太朗, 大島 孝仁, 吉松 公平, 大友 明

    2014年9月 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:日本語  

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  • 高機能薄膜のグラフォエピタキシーに向けたガラス基板のナノパターニング

    大橋 一輝, 入野 将昂, 大島 孝仁, 吉松 公平, 大友 明

    2014年9月 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:日本語  

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  • Synthesis and spectroscopic study on double-perovskite oxide thin films

    K. Yoshimatsu, K. Nogami, K. Watarai, H. Mashiko, E. Sakai, H. Kumigashira, O. Sakata, T. Oshima, A. Ohtomo

    2014年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:英語  

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  • 配向を制御したα-Fe2O3薄膜の半導体光電極特性

    増子 尚徳, 吉松 公平, 大島 孝仁, 大友 明

    2014年9月 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:日本語  

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  • TiOx薄膜の合成と物性

    吉松 公平, 大島 孝仁, 大友 明

    2014年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:日本語  

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  • LaFeO3/SrTiO3ヘテロ構造の半導体光電極特性

    中村 研太郎, 増子 尚徳, 吉松 公平, 大島 孝仁, 大友 明

    2014年9月 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:日本語  

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  • LaGaO3エピタキシャル薄膜の成長と深紫外カソードルミネッセンス特性評価

    向井 章, 大島 孝仁, 吉松 公平, 藤井 俊輔, 須山 敏尚, 大友 明

    2014年9月 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:日本語  

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  • Li脱挿入によるLiTi2O4超伝導-絶縁状態間の可逆的スイッチング

    丹羽 三冬, 吉松 公平, 大島 孝仁, 大友 明

    2014年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:日本語  

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  • ダブルペロブスカイト型La2TiFeO6の薄膜成長と物性

    渡会 啓介, 吉松 公平, 大島 孝仁, 大友 明

    2014年9月 

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    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:日本語  

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  • 酸化物基板上におけるTiH2のlayer-by-layer成長 国際会議

    鈴木 崇之, 吉松 公平, 土嶺 信男, 大島 孝仁, 堀場 弘司, 組頭 広志, 大友 明

    第8回先進セラミックスの科学・技術国際会議  2014年6月 

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    開催年月日: 2014年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:横浜市  

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  • ミストCVD法によるZnGa2O4のエピタキシャル成長 国際会議

    丹羽 三冬, 向井 章, 大島 孝仁, 長見 知史, 須山 敏尚, 大友 明

    第8回先進セラミックスの科学・技術国際会議  2014年6月 

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    開催年月日: 2014年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:横浜市  

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  • パターンガラス基板上に成長したZnO薄膜のエピタキシャル構造 国際会議

    大橋 一輝, 入野 将昴, 大島 孝仁, 大友 明

    第8回先進セラミックスの科学・技術国際会議  2014年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:横浜市  

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  • パルスレーザ堆積法を用いたTiH2薄膜の作製

    鈴木 崇之, 土嶺 信男, 大島 孝仁, 吉松 公平, 大友 明

    2014年3月 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語  

    TiH2は水素吸蔵合金として研究されてきたが、単結晶合成や物性に関する知見がほとんどない。PLDを用いてアルゴン雰囲気中比較的低温でTiH2焼結体からエピタキシャル薄膜を得ることに成功した。RHEED強度振動が観測され、室温から極低温まで金属伝導を示すことが分かった。

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  • ダブルペロブスカイト型La2MnFeO6の薄膜成長と磁化特性

    野上 顕悟, 吉松 公平, 渡会 啓介, 大島 孝仁, 大友 明

    2014年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語  

    La2MnFeO6はバルクでは無秩序な固溶体であり,ダブルペロブスカイト秩序相の磁性は明らかにされていない.我々は,秩序相を有するLa2MnFeO6の薄膜合成に成功し,その磁気的基底状態がフェリ磁性であることを明らかにしたので報告する.

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  • 酸化物表面・界面の実態に迫るナノテクノロジー

    大友明

    2014年3月 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語  

    近年、酸化物表面・界面の真の姿を先端ナノ計測技術によってみようという意識が高まっており、酸化物半導体を中心にいくつかの研究例をレビューする。

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  • ZnOグラフォエピタキシャル薄膜の成長機構

    入野 将昂, 大島 孝仁, 大友 明

    2014年3月 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:日本語  

    ガラス基板表面微細パターニングにより面内配向を示す機能性酸化物薄膜を得ることは、デバイス製造コスト低減のために非常に有用である。我々は,ガラス基板パターン上で面内配向を示すZnO薄膜を合成し,その配向機構に関する知見を得ることに成功したので報告する。

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  • Epitaxial growth and interface properties of oxide heterostructures for renewable energy devices

    A. Ohtomo

    2014年3月 

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    開催年月日: 2014年3月

    記述言語:英語  

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  • Enhanced visible-light water photolysis in iron oxide-based epitaxial photoanodes with staggered band alignment

    H. Mashiko, T. Oshima, A. Ohtomo

    2014年2月 

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    開催年月日: 2014年2月

    記述言語:英語  

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  • Doping control in device-grade β-Ga2O3 homoepitaxial films grown by pulsed-laser deposition

    A. Mukai, T. Oshima, K. Sasaki, T. Masui, A. Kuramata, S. Yamakoshi, A. Ohtomo

    2013年12月 

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    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:英語  

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  • 酸化物半導体材料・デバイスの基礎と最新動向~酸化物半導体・透明導電膜・デバイス応用を詳解~

    大友 明

    2013年12月 

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    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:日本語  

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  • A systematic study of (CrxFe1-x)2O3 solid-solution photoelectrodes for visible-light-driven water splitting

    H. Mashiko, T. Oshima, K. Yoshimatsu, E. Sakai, H. Kumigashira, J. T. Song, T. Iwasaki, M. Hatano, A. Ohtomo

    2013年12月 

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    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:英語  

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  • 遷移金属酸化物のバンド構造制御と光電極特性

    大友 明

    2013年11月 

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    開催年月日: 2013年11月

    記述言語:日本語  

    光化学反応を利用した太陽光エネルギー変換は,究極のグリーンテクノロジーとして期待されてい る.特に水の完全光分解反応は重要であり,その鍵となるのが新しい可視光応答型光触媒材料の開 発と光電子移動システムの高効率化である.二酸化チタンに代表されるd0 遷移金属酸化物を基に 多様な酸窒化物が合成されてきた.窒素2p バンドの価電子帯が酸素より浅いことを利用して紫外 から可視へ吸収帯を拡張するコンセプトに基づいており,例えばZnO-GaN の混晶系でも有効であ る [1].一方,dn 遷移金属酸化物の多くは,それ自体が可視光吸収体であるが,水溶液中における 価数搖動と高い溶解度のためほとんど注目されていなかった.我々は,異なる遷移金属のd バンド オフセットが大きいことに注目し,一方の金属からもう一方の金属への電荷移動遷移が新たな可視 光吸収帯を形成することを見出した [2].すなわち,Fe2O3 (2.1 eV)とCr2O3 (3.0 eV)の混晶系のバ ンドギャップが1.7 eV に狭帯化することを明らかにした.光電子分光法・X 線吸収分光法による電 子構造の同定と水分解反応の分光感度特性について述べる.また,dn 遷移金属酸化物を用いたバン ド構造制御の可能性について,いくつかの混晶系の実験結果を示しつつ議論する. 本研究は,増子尚徳,大島孝仁,吉松公平,坂井延寿,組頭広志,尾嶋正治,宋浚太,岩崎孝之, 波多野睦子各氏との共同研究であり,JST-ALCA ならびに文部科学省「元素戦略プロジェクト<研 究拠点形成型>の支援により実施された. [1] K. Maeda et al. Nature 440, 295 (2006). [2] H. Mashiko, T. Oshima, A. Ohtomo, Appl. Phys. Lett. 99, 241904 (2011).

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  • ワイドギャップガリウム系酸化物薄膜のエピタキシャル成長と物性

    大島 孝仁, 中園 敦巳, 丹羽 三冬, 向井 章, 大友 明

    2013年10月 

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    開催年月日: 2013年10月

    記述言語:日本語  

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  • PLD法による(201)面β-Ga2O3ホモエピタキシャル成長の温度依存性

    向井 章, 大島 孝仁, 佐々木 公平, 増井 建和, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 大友 明

    2013年9月 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語  

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  • β-Ga2O3単結晶光電極の特性評価

    大島 孝仁, 神永 健一, 増子 尚徳, 向井 章, 佐々木 公平, 増井 建和, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 大友 明

    2013年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語  

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  • ミストCVD法によるZnGa2O4薄膜のエピタキシャル成長

    丹羽 三冬, 向井 章, 大島 孝仁, 長見 知史, 須山 敏尚, 大友 明

    2013年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語  

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  • ZnOのグラフォエピタキシーに向けたガラス基板表面の加工と初期成長観察

    入野 将昂, 大島 孝仁, 大友 明

    2013年9月 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:日本語  

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  • β-Al2XGa2-2XO3 thin films for β-Ga2O3 hetero-device applications

    T. Oshima, A. Mukai, K. Sasaki, T. Masui, A. Kuramata, S. Yamakoshi, A. Ohtomo

    2013年9月 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語  

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  • Nano-scale patterning of glass surface with block copolymer self-assembly

    T. Kudoh, T. Oshima, A. Ohtomo

    2013年8月 

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    開催年月日: 2013年8月

    記述言語:英語  

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  • 酸化物半導体結晶のエピタキシャル成長とその界面物性

    大友 明

    ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会第85回研究会資料集  2013年7月  独立行政法人 日本学術振興会

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    開催年月日: 2013年7月

    記述言語:日本語  

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  • 熱酸化による導電性 β-Ga2O3単結晶表面の半絶縁層形成

    大島 孝仁, 神永 健一, 向井 章, 佐々木 公平, 増井 建和, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 藤田 静雄, 大友 明

    2013年7月 

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    開催年月日: 2013年7月

    記述言語:英語  

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  • 遷移金属酸化物の電子構造制御による光エネルギー変換材料への展開

    大島 孝仁, 増子 尚徳, 野上 顕悟, 吉松 公平, 坂井 延寿, 組頭 広志, 坂田 修身, 大友 明

    ISSPセミナー(Polar oxides for energy conversion)  2013年6月 

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    開催年月日: 2013年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:千葉県柏市  

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  • 可視光光触媒活性の改善を目的としたα-(CrXFe1-X)2O3混晶における電子構造変調 国際会議

    増子 尚徳, 大島 孝仁, 吉松 公平, 坂井 延寿, 組頭 広志, 大友 明

    2013年6月 

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    開催年月日: 2013年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:横浜市  

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  • Epitaxial synthesis and electronic properties of double-perovskite Sr2TiRuO6 国際会議

    K. Nogami, H. Mashiko, K. Yoshimatsu, E. Sakai, H. Kumigashira, O. Sakata, T. Oshima, A. Ohtomo

    The Seventh International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC-7)  2013年6月 

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    開催年月日: 2013年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Yokohama  

    We have studied Sr2TiRuO6 (STRO) system, which consists of SrTiO3 (a diamagnetic band insulator) and SrRuO3 (a ferromagnetic metal). We have succeeded in growing highly ordered double-perovskite STRO films for the first time. Their electronic properties were revealed to strongly depend on degree of Ti/Ru order.

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  • Cathodoluminescence properties of β-Al2xGa2-2xO3

    A. Mukai, T. Oshima, T. Nagami, K. Fukuda, T. Suyama, A. Ohtomo

    2013年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年5月

    記述言語:英語  

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  • Semi-insulation of conducting β-Ga2O3 single crystal surfaces by thermal oxidation

    T. Oshima, K. Kaminaga, A. Mukai, K. Sasaki, T. Masui, A. Kuramata, S. Yamakoshi, S. Fujita, A. Ohtomo

    2013年5月 

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    開催年月日: 2013年5月

    記述言語:英語  

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  • Interface engineering of transition-metal oxides for energy technologies

    A. Ohtomo

    2013年4月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年4月

    記述言語:英語  

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  • Oxide photonics and electronics

    A. Ohtomo

    2013年4月 

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    開催年月日: 2013年4月

    記述言語:英語  

    Among oxide materials, zinc oxide (ZnO) has outstanding optical and electronic properties, such as large exciton-binding energy, excellent luminescent properties, high electron mobility, piezoelectricity, and a direct wide bandgap. All of these features and the relatively easy growth of ZnO nanostructures have spurred the investigation of these materials for a large scope of photonics and electronics applications, including light-emitting diodes (LEDs), photodetectors, and transparent field-effect transistors.

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  • 熱酸化によるβ-Ga2O3単結晶表面の半絶縁層形成

    大島 孝仁, 神永 健一, 向井 章, 佐々木 公平, 増井 建和, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 藤田 静雄, 大友 明

    2013年3月 

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語  

    β型酸化ガリウム(β-Ga2O3)は,酸化物半導体最大のバンドギャップ(4.7 ~ 5.0 eV) を有し,融液法による単結晶の高品質化,大口径化,導電性制御が飛躍的に進展し,薄膜成長, デバイスプロセス技術の開発と共に,研究が加速している半導体材料である[1,2].我々は,この 導電性単結晶に対して簡便処理である熱酸化により,表面近傍が半絶縁化することを見出した[3]. これを利用すれば,基板の絶縁化,素子のパッシベーション,受光素子の受光層形成などに応用 できると考えている.今回半絶縁層形成のメカニズムを明らかにしたので報告する.[1] M. Higashiwaki, et., al., APL 100 (2012) 013504. [2] K. Sasaki, et. al., APEX 5 (2012) 035502. [3] T. Oshima, et. al., APEX 1 (2008) 011202.

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  • α-(CrxFe1-x)2O3薄膜の半導体光電極評価

    増子 尚徳, 宋 浚太, 岩崎 孝之, 波多野 睦子, 大島 孝仁, 大友 明

    2013年3月 

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語  

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  • β-Ga2O3 (201)基板上のAl2xGa2-2xO3薄膜の成長制御

    向井 章, 大島 孝仁, 佐々木 公平, 増井 建和, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 大友 明

    2013年3月 

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語  

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  • LiTi2O4薄膜における超伝導特性の膜厚依存性

    横山 耕祐, 大島 孝仁, 大友 明

    2013年3月 

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語  

    【はじめに】近年注目されている超伝導・常伝導状態間の電界効果スイッチングにおいて,低キ ャリア濃度の超伝導材料を検討することは本質的に重要である.我々はその候補としてLiTi2O4 (バルクTc = 13.8 K)に着目した[1].電界効果によるキャリア濃度変調は極薄膜で行う必要があ るが,29 nm より薄い薄膜では超伝導が消失するという実験結果が報告されている[2].我々はさ らに薄い薄膜でも超伝導転移を観測したので報告する. 【実験】MgAl2O4(111)基板上に,パルスレーザ堆積法で薄膜を成長した.膜厚は段差計により測 定した.抵抗率の温度依存性は,自作の測定装置を用いて四端子法により調べた. 【結果と考察】抵抗率の温度依存性をFig. 1 に示す.8 nm の薄膜は半導体的であるが,11 ~ 19 nm の薄膜は超伝導転移を示した.全て多段階転移であり残留抵抗も確認されたことから,超伝導パ スを阻害する不均一状態が存在していると考えられる.より均質な薄膜を得るため,表面平坦性 の高い基板を使用したところ完全な転移が観測された.厚さ11 nm の薄膜の表面モフォロジーと 超伝導特性をFig. 2 に示す.基板を含めた成長条件を最適化し,二次元性成長を促進することに よって,さらに薄い薄膜でも超伝導の発現が期待できる. 【謝辞】液体He を用いた測定装置設計に関してご指導いただきました,東京大学物性研究所リッ プマーミック准教授,高橋竜太助教,原田尚之博士に深く感謝いたします. [1] 横山耕祐 他, 第73 回応用物理学会学術講演会 13p-C13-17 (2012 秋 愛媛・松山大学). [2] Rajesh V. Chopdekar, Elke Arenholz and Yuri Suzuki, arXiv:0707.0522 [cond-mat.supr-con], Nov. 1, (2009).

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  • ダブルペロブスカイト型Sr2TiRuO6の薄膜成長と物性

    野上 顕悟, 増子 尚徳, 坂井 延寿, 組頭 広志, 大島 孝仁, 大友 明

    2013年3月 

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    開催年月日: 2013年3月

    記述言語:日本語  

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  • 酸化物半導体材料・デバイスの基礎と最新動向

    大友 明

    2012年9月 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語  

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  • カソードルミネッセンス法によるAl2xGa2-2xO3薄膜の発光特性評価

    向井 章, 大島 孝仁, 大友 明

    2012年9月 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語  

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  • パルスレーザ堆積法によるLiTi2O4 薄膜のエピタキシャル成長

    横山 耕祐, 丹羽 三冬, 大島 孝仁, 大友 明

    2012年9月 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語  

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  • 機能性酸化物界面とナノ材料のエピタキシャル合成

    大友 明

    2012年9月 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語  

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  • 遷移金属酸化物混晶におけるバンドギャップ狭帯化の起源

    増子 尚徳, 坂井 延寿, 組頭 広志, 大島 孝仁, 大友 明

    2012年9月 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:日本語  

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  • Mist chemical vapor deposition of γ-phase Ga2O3 thin films

    T. Oshima, T. Nakazono, A. Mukai, A. Ohtomo

    2012年8月 

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    開催年月日: 2012年8月

    記述言語:英語  

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  • ミストCVD法によるγ型Ga2O3のエピタキシャル安定化

    大島 孝仁, 中園 敦巳, 向井 章, 大友 明

    2012年7月 

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    開催年月日: 2012年7月

    記述言語:日本語  

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  • Design and synthesis of ubiquitous-elements-based novel magnetic oxides

    A. Ohtomo, S. Chakraverty, H. Mashiko, T. Oshima, M. Kawasaki

    2012年6月 

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    開催年月日: 2012年6月

    記述言語:英語  

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  • 薄膜積層構造による遷移金属酸化物の光電変換機能開発

    大友 明

    2012年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年6月

    記述言語:日本語  

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  • 酸化物半導体の基礎と薄膜・デバイス研究動向

    大友 明

    2012年6月 

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    開催年月日: 2012年6月

    記述言語:日本語  

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  • ワイドギャップ半導体酸化ガリウムの基本特性と応用

    藤田 静雄, 東脇 正高, 佐々木 公平, 倉又 朗人, 増井 建和, 山腰 茂伸, 大島 孝仁, 大友明

    2012年4月 

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    開催年月日: 2012年4月

    記述言語:日本語  

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  • 酸化ガリウム半導体の機能とデバイス応用

    藤田 静雄, 東脇 正高, 佐々木 公平, 倉又 朗人, 増井 建和, 山脇 茂伸, 大島 孝仁, 大友 明

    2012年3月 

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    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:日本語  

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  • α-(V1-xCrx)2O3薄膜の作製と光学特性評価

    野田 淳, 増子 尚徳, 大島 孝仁, 大友 明

    2012年3月 

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    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:日本語  

    我々は,これまで可視光領域で光学遷移を示 す3dn (n > 0)遷移金属酸化物固溶体に着目し, α-(Cr1-xFex)2O3(コランダム型構造)混晶薄膜の可視光応答特性について報告した [1].α-Cr2O3 とα-Fe2O3 の接合界面がタイプⅡのバンド不連続を有することに起因して,固溶体を形成したときに新たなバンド間遷移(Cr t2g およびO 2p → Fe t2g*)が生じることで,バンドギャップが狭くなることを見出した [2].今回,同様の現象が,異なるカチオンの組み合わせであるα-(V1-xCrx)2O3(コランダム型構造)においても実現できるか検討した. c 面sapphire 基板上に,PLD 法を用いてα-(V1-xCrx)2O3 (0 ≤ x ≤ 0.5)エピタキシャル薄膜を成膜した.まずV2O3 に対して,最適な成膜条件を探索したところ,成膜温度900ºC,酸素分圧1.0 × 10-6 Torr で高い結晶性が得られたので,この条件下で混晶薄膜を作製した.Fig. 1にα-(V1-xCrx)2O3 薄膜のXRD パターンを示す. 単相でかつ良好な結晶性のエピタキシャル薄膜が得られていることが分かる.Fig. 2 にx =0.0 およびx = 0.48 の薄膜のAFM 像を示す.表面ラフネスが数nm 程度であることから,光学散乱の影響を受けない吸収スペクトルが得られた.[1] 増子尚徳 他, 第58 回応用物理学関係連合講演会 25p-BZ-11 (2011 春 神奈川工科大学). [2] H. Mashiko et al., Appl. Phys. Lett. 99, 241904 (2011). [3] W. R. Robinson, Acta Cryst. B 31, 1153 (1975). [4] T. Grygar et al., Ceram.-Silikáty 47, 32 (2003).

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  • Ga2O3の結晶多形とヘテロエピ構造:β-Ga2O3/(0001)α-Al2O3

    向井 章, 中園 敦巳, 大島 孝仁, 大友明

    2012年3月 

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    開催年月日: 2012年3月

    記述言語:日本語  

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  • ペロブスカイト型鉄酸化物薄膜の原子秩序構造と磁性

    大友 明

    2012年2月 

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    開催年月日: 2012年2月

    記述言語:日本語  

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  • Quantum transport at polar oxide interfaces

    A. Ohtomo

    2012年1月 

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    開催年月日: 2012年1月

    記述言語:英語  

    Atomic-scale control of oxide heteroepitaxy is of growing importance from the viewpoints of fundamental physics and device applications. Many of intriguing physical phenomena occur in naturally layered structures of transition-metal oxides, leading to recent focuses on "epitaxial" design of new compounds upon the layer-by-layer growth of artificial superstructures. We have been studying magnetotransport properties of high-mobility electrons at polar oxide heterointerfaces. In the first case, we have created a metallic state in atomically abrupt heterointerface between two band insulators, SrTiO3 and LaAlO3 [1], in which naturally arising polarity discontinuity introduces high-mobility electrons in SrTiO3. Dramatic magnetoresistance oscillations appeared at low temperatures. Moreover, electric-field induced metal-insulator and superconductor-insulator transitions have been demonstrated. The second example is ZnO/MgZnO heterostructures, in which we have recently succeeded in observing fractional quantum Hall effect [2]. These results have implications for all oxide heteroepitaxial devices. In particular, the high mobilities achieved present the possibility to combine the world of oxides (superconductors, multiferroics, colossal magnetoresistance) with the world of semiconductor heterostructures. [1] A. Ohtomo and H. Y. Hwang, Nature 427, 423-426 (2004). [2] A. Tsukazaki, A. Ohtomo, M. Kawasaki, et al. Nat. Mater. 9, 889-893 (2010)

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  • Ferrimagnetism induced by spontaneous atomic ordering in epitaxial double-perovskite films

    Akira Ohtomo

    2011年12月 

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    開催年月日: 2011年12月

    記述言語:英語  

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  • パルスレーザ堆積法によるLiNbO3のホモエピタキシャル成長

    横山 耕祐, 大島 孝仁, 大友 明

    2011年9月 

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    開催年月日: 2011年9月

    記述言語:日本語  

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  • (CrxFe1-x)2O3薄膜の作製と光学的特性

    増子 尚徳, 大島 孝仁, 大友 明

    2011年7月 

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    開催年月日: 2011年7月

    記述言語:日本語  

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  • PLD 法によるAl2xGa2-2xO3薄膜の作製と光学的特性

    向井 章, 大島 孝仁, 大友 明

    2011年7月 

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    開催年月日: 2011年7月

    記述言語:日本語  

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  • ペロブスカイト鉄酸化物エピタキシャル薄膜の秩序構造と磁性

    大友 明

    2011年3月 

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    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:日本語  

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  • (Fe1-XCrx)2O3薄膜の作製と光学特性評価

    増子 尚徳, 大島孝仁, 大友 明

    2011年3月 

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    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:日本語  

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  • Al2XGa2-2XO3コンポジションスプレッド薄膜のPLD成長と光学特性評価

    向井 章, 大島孝仁, 大友明

    2011年3月 

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    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:日本語  

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  • La2CrFeO6薄膜におけるCr/Feの自発的再配列とフェリ磁性

    大友 明

    2011年1月 

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    開催年月日: 2011年1月

    記述言語:日本語  

    We find spontaneous ordering of B-site transition-metals in pulsed-laser deposited epitaxial La2CrFeO6 films. The highest ordered sample exhibits a fraction of antisite disorder of only 0.05 and a saturation magnetization of ~2mu_B per formula unit at 5 K. Magnetic ground state of this double perovskite that has been long debate is unambiguously revealed to be ferrimagnetic for the first time.

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  • Observation of next nearest neighbor interaction in the magnetic state of epitaxially grown Sr2TaFeO6 double perovskites

    S. Chakraverty, A. Ohtomo, M. Saito, S. Tsukimoto, Y. Ikuhara, M. Kawasaki

    2010年9月 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:英語  

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  • 酸化物界面の二次元伝導

    大友 明

    2010年6月 

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    開催年月日: 2010年6月

    記述言語:日本語  

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  • 究極の透明酸化物半導体デバイス創製を目指して~現状と今後の展望~

    大友 明

    2010年5月 

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    開催年月日: 2010年5月

    記述言語:日本語  

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  • 21aHL-4 デラフォサイト型CuTMO_2薄膜の励起子物性(21aHL 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))

    牧野 哲征, 劉 富才, 平賀 広貴, 福村 知昭, 大友 明, 孔 勇発, 川崎 雅司

    日本物理学会講演概要集  2010年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:日本語  

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  • 22pGS-6 Highly-Charged Electric-Double-Layer Interfaces : from Electrochemistry to Electrostatics

    Yuan H. T., Shimotani H., Ye J. T., Yoon S. J., Tsukazaki A., Ohtomo A., Kawasaki M., Iwasa Y.

    日本物理学会講演概要集  2010年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:英語  

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  • Structural analysis of electron-doped Ruddlesden-Popper homologous series thin films

    M. Okude, M. Saito, S. Tsukimoto, Z. Wang, T. Mizoguchi, Y. Ikuhara, A. Ohtomo, T. Kita, M. Kawasaki

    2010年3月 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:英語  

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  • Collective effects in magneto-optical spectra of high-density electron system in modulation-doped ZnO/Mg_x_Zn_1-x_O quantum wells

    T. Makino, Y. Furuta, A. Tsukazaki, A. Ohtomo, Y. Segawa, R. Shen, S. Takeyama, Y. Takagi, M. Kawasaki

    2010年3月 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:英語  

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  • Fractional quantum Hall effect in MgZnO/ZnO heterostructures

    A. Tsukazaki, S. Akasaka, K. Nakahara, A. Kamisawa, Y. Ohno, H. Ohno, A. Ohtomo, M. Kawasaki

    2010年3月 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:英語  

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  • 絶縁体表面・界面の金属伝導とエレクトロニクス応用

    大友 明

    2010年3月 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:日本語  

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  • Structural and magnetic properties of double perovskites

    S. Chakraverty, A. Ohtomo, M. Kawasaki

    2010年3月 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:英語  

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  • Conducting polymer Schottky contact on ZnO with interfacial self-assembled monolayer

    R. Y. Gunji, H. Hiraga, A. Ohtomo, T. Makino, T. Fukumura, M. Kawasaki

    2010年3月 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:英語  

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  • In_2_O_3_単結晶薄膜の電子濃度制御

    小田 聖翔, 奥出 正樹, 大友 明, 川崎 雅司

    2010年3月 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:日本語  

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  • Coexistence of excitonic and magnetic properties in natural superlattices composed of Cu_2_O and transition metal oxides

    H. Hiraga, T. Makino, T. Fukumura, A. Ohtomo, M. Kawasaki

    2010年3月 

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    開催年月日: 2010年3月

    記述言語:英語  

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  • Spontaneous atomic ordering in epitaxial double perovskite: La_2_FeCrO_6_ revisited

    S. Chakraverty, M. Okude, A. Ohtomo, H. Hiraga, M. Kawasaki

    2010年2月 

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    開催年月日: 2010年2月

    記述言語:英語  

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  • EMISSION BLUESHIFT OF ZnO/MgZnO SINGLE QUANTUM WELLS WITH N-TYPE DOPING TO BARRIER LAYERS

    T. Makino, Y. Furuta, Y. Segawa, A. Tsukazaki, A. Ohtomo, Y. Hirayama, R. Shen, S. Takeyama, Y. Takagi, M. Kawasaki

    11TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON OPTICS OF EXCITONS IN CONFINED SYSTEMS (OECS11)  2010年 

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    開催年月日: 2010年

    記述言語:英語  

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  • Metallic conduction in Sr_n+1_Ti_n_O_3n+1_ thin films grown by pulsed-laser deposition

    M. Okude, M. Saito, S. Tsukimoto, Z. Wang, T. Mizoguchi, Y. Ikuhara, A. Ohtomo, T. Kita, M. Kawasaki

    2009年12月 

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    開催年月日: 2009年12月

    記述言語:英語  

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  • Spontaneous atomic ordering in epitaxial double perovskites: Sr_2_FeTaO_6_ , La_2_FeCrO_6_

    S. Chakraverty, M. Okude, A. Ohtomo, H. Hiraga, M. Kawasaki

    2009年12月 

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    開催年月日: 2009年12月

    記述言語:英語  

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  • デラフォサイト型遷移金属酸化物エピタキシャル薄膜の作製と特異な励起子物性

    平賀 広貴, 牧野 哲征, 福村 知昭, 大友 明, 大久保 昭, 木村 久道, 川崎 雅司

    2009年11月 

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    開催年月日: 2009年11月

    記述言語:日本語  

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  • カルボキシル結合基を有するフッ素系自己組織化単分子膜の酸化物基板上への形成

    郡司 遼佑, 平賀 広貴, 大友 明, 牧野 哲征, 福村 知昭, 川崎 雅司

    2009年11月 

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    開催年月日: 2009年11月

    記述言語:日本語  

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  • カルボキシル結合基を有するフッ素系自己組織化単分子膜の酸化物基板上への形成

    郡司 遼佑, 平賀 広貴, 大友 明, 牧野 哲征, 福村 知昭, 川崎 雅司

    2009年11月 

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    開催年月日: 2009年11月

    記述言語:日本語  

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  • Spontaneous atomic ordering in epitaxial double perovskites: Sr_2_FeTaO_6_ and La_2_FeCrO_6_

    S. Chakraverty, M. Okude, A. Ohtomo, H. Hiraga, M. Kawasaki

    2009年10月 

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    開催年月日: 2009年10月

    記述言語:英語  

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  • Epitaxial synthesis of metallic Sr_n+1_Ti_n_O_3n+1_

    M. Okude, M. Saito, S. Tsukimoto, Z. Wang, T. Mizoguchi, Y. Ikuhara, A. Ohtomo, T. Kita, M. Kawasaki

    2009年10月 

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    開催年月日: 2009年10月

    記述言語:英語  

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  • Excitonic and magnetic properties in natural superlattices composed of Cu_2_O and transition metal oxides

    H. Hiraga, T. Makino, T. Fukumura, A. Ohtomo, M. Kawasaki

    2009年10月 

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    開催年月日: 2009年10月

    記述言語:英語  

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  • Charged exciton emission in n-type modulation-doped ZnO/MgZnO single quantum wells

    T. Makino, Y. Furuta, Y. Segawa, A. Tsukazaki, A. Ohtomo, Y. Hirayama, R. Shen, S. Takeyama, Y. Takagi, M. Kawasaki

    2009年10月 

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    開催年月日: 2009年10月

    記述言語:英語  

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  • デラフォサイト型CuTMO_2_薄膜のエピタキシャル成長と光学的性質

    平賀広貴, 福村 知昭, 大友 明, 牧野 哲征, 大久保 昭, 木村久道, 川崎雅司

    2009年9月 

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    開催年月日: 2009年9月

    記述言語:日本語  

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  • 2DEG移動度100,000 cm^2^V^-1^s^-1^を越えるMgZnO/ZnO界面の実現

    塚崎 敦, 赤坂 俊輔, 中原 健, 神澤 公, 大野 裕三, 大野 英男, 大友 明, 川崎雅司

    2009年9月 

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    開催年月日: 2009年9月

    記述言語:日本語  

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  • バッファー層を用いたYSZ基板上In_2_O_3_薄膜のヘテロエピタキシャル成長

    小田 聖翔, 奥出 正樹, 大友 明, 川崎 雅司

    2009年9月 

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    開催年月日: 2009年9月

    記述言語:日本語  

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  • 酸化物基板上への高極性カルボン酸系SAMの形成

    郡司 遼佑, 平賀広貴, 大友 明, 牧野 哲征, 福村 知昭, 川崎雅司

    2009年9月 

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    開催年月日: 2009年9月

    記述言語:日本語  

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  • クロージングリマーク:社会の持続的発展を目指す酸化物研究開発の現状と未来

    大友 明

    2009年9月 

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    開催年月日: 2009年9月

    記述言語:日本語  

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  • 26aYD-5 Tunable Frohlich Polaron in ZnO Electric-Double-Layer Transistors by Using Ionic-Liquid Dielectrics

    Yuan H. T., Shimotani H., Ohtomo A., Tsukazaki A., Kawasaki M., Iwasa I.

    日本物理学会講演概要集  2009年8月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2009年8月

    記述言語:英語  

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  • 28aXB-10 ZnO単一ヘテロ構造における磁気発光特性(励起子・ポラリトン,領域5,光物性)

    牧野 哲征, 瀬川 勇三郎, 塚崎 敦, 大友 明, 沈 睿, 嶽山 正二郎, 赤坂 俊輔, 中原 健, 川崎 雅司

    日本物理学会講演概要集  2009年8月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2009年8月

    記述言語:日本語  

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  • 準安定ペロブスカイト酸化物自然超格子構造のエピタキシャル成長とマクロ物性

    大友 明, Chakraverty Suvankar, 奥出 正樹, 川崎雅司

    2009年8月 

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    開催年月日: 2009年8月

    記述言語:日本語  

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  • Epitaxial synthesis of metallic Ruddlesden-Popper homologous series thin films grown by pulsed-laser deposition

    M. Okude, M. Saito, S. Tsukimoto, Z. Wang, T. Mizoguchi, Y. Ikuhara, A. Ohtomo, T. Kita, M. Kawasaki

    2009年8月 

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    開催年月日: 2009年8月

    記述言語:英語  

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  • Transistor operation at MgZnO/ZnO interface by Schottky gating with conducting polymer

    A. Tsukazaki, M. Nakano, S. Akasaka, K. Nakahara, A. Kamisawa, A. Ohtomo, M. Kawasaki

    2009年7月 

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    開催年月日: 2009年7月

    記述言語:英語  

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  • 電子ドープしたRuddlesden-Popper相薄膜の微細原子構造解析

    奥出 正樹, 斎藤 光浩, 着本 享, 王 中長, 溝口 照康, 幾原 雄一, 大友 明, 木太 拓志, 川崎 雅司

    2009年5月 

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    開催年月日: 2009年5月

    記述言語:日本語  

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  • Field-effect modulation of superconductivity in non-doped SrTiO_3_ single crystal with double gate configuration

    K. Ueno, S. Nakamura, H. Shimotani, A. Ohtomo, N. Kimura, T. Nojima, H. Aoki, Y. Iwasa, M. Kawasaki

    2009年4月 

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    開催年月日: 2009年4月

    記述言語:英語  

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  • Electric-field control of two dimensional transport at MgZnO/ZnO interfaces by conducting polymer Schottky gate

    A. Tsukazaki, M. Nakano, S. Akasaka, K. Nakahara, A. Kamisawa, A. Ohtomo, M. Kawasaki

    2009年4月 

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    開催年月日: 2009年4月

    記述言語:英語  

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  • 28pVA-6 ZnO変調ドープ量子井戸における励起子発光・反射の偏光特性(28pVA 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))

    古田 洋平, 牧野 哲征, 塚崎 敦, 大友 明, 瀬川 勇三郎, 平山 康博, 沈 睿, 嶽山 正二郎, 高木 芳弘, 川崎 雅司

    日本物理学会講演概要集  2009年3月  一般社団法人日本物理学会

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年3月

    記述言語:日本語  

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  • 29pYG-2 Let H_2O Feel ZnO polarity : Water Effect in Protic-Ionic-Liquid Gated ZnO Electric-Double-Layer Transistors

    Yuan H. T., Shimotani H., Ohtomo A., Tsukazaki A., Kawasaki M., Iwasa Y.

    日本物理学会講演概要集  2009年3月  一般社団法人日本物理学会

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年3月

    記述言語:英語  

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  • Epitaxial synthesis of double perovskite oxides

    S. Chakraverty, A. Ohtomo, M. Kawasaki

    2009年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年3月

    記述言語:英語  

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  • Phase diagram of superconductivity in non-doped SrTiO_3_ single crystalmodulated by electric field-effect

    K. Ueno, S. Nakamura, H. Shimotani, A. Ohtomo, N. Kimura, T. Nojima, H. Aoki, Y. Iwasa, M. Kawasaki

    2009年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年3月

    記述言語:英語  

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  • Epitaxial growth and properties of delafossite (CuTMO_2_) thin films on MgAl_2_O_4_and α-Al_2_O_3_ substrates

    H. Hiraga, T. Fukumura, T. Makino, A. Ohtomo, M. Kawasaki

    2009年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年3月

    記述言語:英語  

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  • Self-assembled stearic acid monolayer on oxide surfaces

    R. Y. Gunji, H. Hiraga, M. Nakano, A. Ohtomo, T. Makino, T. Fukumura, M. Kawasaki

    2009年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年3月

    記述言語:英語  

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  • LaドープしたRuddlesden-Popper相薄膜の微細原子構造解析

    奥出 正樹, 斎藤 光浩, 着本 享, 王 中長, 溝口 照康, 幾原 雄一, 大友 明, 木太 拓志, 川崎 雅司

    2009年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年3月

    記述言語:日本語  

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  • 酸化物基板上へのステアリン酸SAMの形成

    郡司 遼佑, 平賀 広貴, 中野 匡規, 大友 明, 牧野 哲征, 福村 知昭, 川崎 雅司

    2009年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年3月

    記述言語:日本語  

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  • High-mobility two-dimensional electron gas in polar oxide interfaces

    Akira Ohtomo

    unpublished  2009年3月 

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    開催年月日: 2009年3月

    記述言語:英語  

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  • Synthesis of electron-doped Ruddlesden-Popper homologous series thin films by pulsed-laser deposition

    M. Okude, A. Ohtomo, T. Kita, M. Kawasaki

    2009年3月 

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    開催年月日: 2009年3月

    記述言語:英語  

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  • In_2_O_3_単結晶薄膜の作製とバンドギャップ制御

    小田 聖翔, 奥出 正樹, 大友 明, 川崎 雅司

    2009年3月 

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    開催年月日: 2009年3月

    記述言語:日本語  

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  • ダブルゲート構造を用いたSrTiO_3_の超伝導制御析

    上野 和紀, 中村 慎太郎, 下谷 秀和, 大友 明, 野島 勉, 木村 憲彰, 青木 晴善, 岩佐 義宏, 川崎 雅司

    2009年3月 

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    開催年月日: 2009年3月

    記述言語:日本語  

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  • Quantum-confined Stark and Franz–Keldysh effects in ZnO/Mg_x_Zn_1-x_O quantum well structures

    T. Makino, Y. Furuta, A. Tsukazaki, A. Ohtomo, Y. Segawa, Y. Takagi, M. Kawasaki

    2009年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年3月

    記述言語:英語  

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  • デラフォサイト型遷移金属酸化物エピタキシャル薄膜の作製と物性評価

    平賀 広貴, 岩崎 洋介, 福村 知昭, 大友 明, 牧野 哲征, 大久保 昭, 木村 久道, 川崎 雅司

    2009年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年3月

    記述言語:日本語  

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  • Self-assembled octadecanoic acid monolayer on oxide surfaces

    R. Y. Gunji, H. Hiraga, M. Nakano, A. Ohtomo, T. Makino, T. Fukumura, M. Kawasaki

    2009年2月 

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    開催年月日: 2009年2月

    記述言語:英語  

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  • Optical and electrical properties of ZnO and related hetero-structures

    T. Makino, A. Tsukazaki, A. Ohtomo, M. Kawasaki, Y. Segawa

    Proceedings of the International Workshop on Photonics and Applications (Advances in Optics, Photonics, Spectroscopy & Applications V, edited by P. Brechignac, K. Hakuta, H. Lim, N.V. Hieu, N.D. Hung and V. A. Orlovich)  2009年2月  Vietnam Academic Press

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    開催年月日: 2009年2月

    記述言語:英語  

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  • Metallic conduction in Ruddlesden-Popper homologous series thin films grown by pulsed-laser deposition

    M. Okude, A. Ohtomo, T. Kita, M. Kawasaki

    2009年2月 

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    開催年月日: 2009年2月

    記述言語:英語  

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  • Electrostatic tuning of superconductivity in non-doped SrTiO_3_ with double gate configuration

    K. Ueno, H. Shimotani, A. Ohtomo, T. Nojima, H. Aoki, Y. Iwasa, M. Kawasaki

    2009年1月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2009年1月

    記述言語:英語  

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  • ヘテロ固体界面が生み出す革新物性

    大友 明

    2009年1月 

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    開催年月日: 2009年1月

    記述言語:日本語  

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  • Electrical tuning of two-dimensional electron gas at polar oxide junctions, part I

    Akira Ohtomo

    2008年12月 

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    開催年月日: 2008年12月

    記述言語:英語  

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  • Electrical tuning of two-dimensional electron gas at polar oxide junctions, part II

    Akira Ohtomo

    2008年12月 

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    開催年月日: 2008年12月

    記述言語:英語  

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  • Two-dimensional magnetotransport in oxide quantum wells

    Akira Ohtomo

    2008年11月 

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    開催年月日: 2008年11月

    記述言語:英語  

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  • ワイドギャップ酸化物半導体材料とデバイス

    大友 明

    2008年10月 

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    開催年月日: 2008年10月

    記述言語:日本語  

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  • 21pQC-2 電気二重層トランジスタの低温挙動(21pQC 領域8,領域7合同 電界効果・Ti酸化物,領域7(分子性固体・有機導体))

    Yuan Hongtao, 下谷 秀和, 岩佐 義宏, 大友 明, 塚崎 敦, 川崎 雅司

    日本物理学会講演概要集  2008年8月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2008年8月

    記述言語:日本語  

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  • 21pQC-2 電気二重層トランジスタの低温挙動(21pQC 領域8,領域7合同 電界効果・Ti酸化物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))

    Yuan Hongtao, 下谷 秀和, 岩佐 義宏, 大友 明, 塚崎 敦, 川崎 雅司

    日本物理学会講演概要集  2008年8月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2008年8月

    記述言語:日本語  

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  • 21pQC-3 電気二重層ゲートによるSrTiO_3の表面量子化準位(21pQC 領域8,領域7合同 電界効果・Ti酸化物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))

    上野 和紀, 下谷 秀和, 大友 明, 岩佐 義宏, 川崎 雅司

    日本物理学会講演概要集  2008年8月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2008年8月

    記述言語:日本語  

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  • 21pQC-3 電気二重層ゲートによるSrTiO_3の表面量子化準位(21pQC 領域8,領域7合同 電界効果・Ti酸化物,領域7(分子性固体・有機導体))

    上野 和紀, 下谷 秀和, 大友 明, 岩佐 義宏, 川崎 雅司

    日本物理学会講演概要集  2008年8月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2008年8月

    記述言語:日本語  

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  • High-mobility electron transport at polar oxide heterointerfaces

    Akira Ohtomo

    2008年8月 

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    開催年月日: 2008年8月

    記述言語:英語  

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  • 透明ナノ界面の制御とデバイス応用

    大友 明

    2008年7月 

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    開催年月日: 2008年7月

    記述言語:日本語  

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  • 透明酸化物エレクトロニクスの実現に向けて

    大友 明

    2008年7月 

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    開催年月日: 2008年7月

    記述言語:日本語  

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  • Surface and interface engineering of polar oxide heterostructures

    Akira Ohtomo

    2008年7月 

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    開催年月日: 2008年7月

    記述言語:英語  

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  • High-mobility electron gas at polar oxide heterointerfaces

    Akira Ohtomo

    2008年6月 

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    開催年月日: 2008年6月

    記述言語:英語  

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  • High-mobility electron gas at polar oxide heterointerfaces

    Akira Ohtomo

    2008年6月 

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    開催年月日: 2008年6月

    記述言語:英語  

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  • High-mobility electron gas at polar oxide heterointerfaces

    Akira Ohtomo

    2008年6月 

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    開催年月日: 2008年6月

    記述言語:英語  

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  • High-mobility electron gas at polar oxide heterointerfaces

    Akira Ohtomo

    2008年6月 

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    開催年月日: 2008年6月

    記述言語:英語  

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  • 酸化物へテロ界面の原子レベルエピタキシーと量子化伝導

    大友 明

    2008年3月 

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    開催年月日: 2008年3月

    記述言語:日本語  

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  • Quantum Hall effect in ZnO

    A. Ohtomo, A. Tsukazaki, T. Kita, Y. Ohno, H. Ohno, K. Nakahara, H. Yuji, K. Tamura, S. Akasaka, H. Takasu, M. Kawasaki

    2008年2月 

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    開催年月日: 2008年2月

    記述言語:英語  

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  • 透明酸化物界面の高移動度伝導

    大友 明

    2008年1月 

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    開催年月日: 2008年1月

    記述言語:日本語  

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  • 分極した酸化物界面における高移動度電子ガスの形成

    大友 明

    2008年1月 

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    開催年月日: 2008年1月

    記述言語:日本語  

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  • Epitaxial Growth and Transport Properties of High-Mobility ZnO-Based Heterostructures

    A. Tsukazaki, A. Ohtomo, M. Kawasaki

    FRONTIERS IN MATERIALS RESEARCH  2008年 

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    開催年月日: 2008年

    記述言語:英語  

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  • Quantized electronic states in polar oxide heterointerfaces

    Akira Ohtomo

    2007年11月 

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    開催年月日: 2007年11月

    記述言語:英語  

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  • High-mobility electron gas at polar oxide heterointerfaces

    Akira Ohtomo

    2007年11月 

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    開催年月日: 2007年11月

    記述言語:英語  

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  • Oxide semiconductor quantum electronics

    Akira Ohtomo

    2007年10月 

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    開催年月日: 2007年10月

    記述言語:英語  

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  • 23pPSA-2 MgO/Si(001)及びSrTiO_3/LaAlO_3における界面の反射率差分光法を用いた研究(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)

    谷川 真一, 古田 洋平, 牧野 哲征, 高木 芳弘, 山田 良則, 大友 明, 川崎 雅司

    日本物理学会講演概要集  2007年8月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2007年8月

    記述言語:日本語  

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  • 22pWF-8 電気2重層ゲートによるSrTIO_3の超伝導(Ti酸化物,電界効果,領域8,強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など)

    上野 和紀, 下谷 秀和, 大友 明, 岩佐 義宏, 川崎 雅司, 中村 慎太郎, 木村 憲彰, 野島 勉, 青木 晴善

    日本物理学会講演概要集  2007年8月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2007年8月

    記述言語:日本語  

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  • 21pRJ-5 電気二重層ゲートFETによりZnO単結晶表面に高濃度誘起されたキャリアのホール効果測定(有機FET2,領域7,分子性固体・有機導体)

    下谷 秀和, 浅沼 春彦, 塚崎 敦, 大友 明, 川崎 雅司, 岩佐 義宏

    日本物理学会講演概要集  2007年2月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2007年2月

    記述言語:日本語  

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  • 電気二重層トランジスタを用いたSrTiO3単結晶の絶縁体-超伝導転移

    上野和紀, 中村慎太郎, 下谷秀和, 大友明, 野島勉, 木村憲彰, 青木晴善, 岩佐義宏, 岩佐義宏, 川崎雅司, 川崎雅司

    応用物理学会学術講演会講演予稿集  2007年 

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    開催年月日: 2007年

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  • Combinatorial technology towards ZnO-based light-emitting diodes

    A. Ohtomo, A. Tsukazaki, M. Kawasaki

    2006年9月 

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    開催年月日: 2006年9月

    記述言語:英語  

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  • Electronic structures of polar oxide heterointerfaces

    A. Ohtomo, P. Murugan, T. Nishimatsu, Y. Kawazoe, M. Kawasaki

    2006年9月 

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    開催年月日: 2006年9月

    記述言語:英語  

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  • Conducting interfaces between two insulating oxides

    A. Ohtomo

    2005年11月 

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    開催年月日: 2005年11月

    記述言語:英語  

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  • Integrated thin film and device libraries based on conducting wide-gap oxides

    A. Ohtomo, A. Tsukazaki, J. Nishimura, M. Kawasaki

    2005年11月 

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    開催年月日: 2005年11月

    記述言語:英語  

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  • 27aYT-9 ドナーまたはアクセプター添加ZnO薄膜における電気的・光学的性質(化合物半導体・アモルファス,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))

    牧野 哲征, 瀬川 勇三郎, 塚崎 敦, 吉田 伸, 大友 明, 川崎 雅司

    日本物理学会講演概要集  2005年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2005年3月

    記述言語:日本語  

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  • 25aWE-6 FET構造を用いたLa_<0.33>Sr_<0.67>FcO_3の電荷注入効果(遷移金属酸化物(ペロブスカイト),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))

    上野 和紀, 鈴木 崇雄, 佐藤 二美, 大友 明, 川崎 雅司

    日本物理学会講演概要集  2005年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2005年3月

    記述言語:日本語  

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  • 12pRB-1 (SrTiO_3)_<1-x>(LaAlO_3)_x 混晶薄膜の結晶構造および電気特性(その他の遷移金属化合物, 領域 8)

    西村 潤, 大友 明, 大久保 敦史, 村上 洋一, 川崎 雅司

    日本物理学会講演概要集  2004年8月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2004年8月

    記述言語:日本語  

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  • 14pTL-5 SrTiO_3 ヘテロ構造の高移動度電子輸送(主題 : 誘電体研究のフロンティア : 物質探索と測定技術, 領域 10)

    大友 明, Hwang H. Y., Muller D. A.

    日本物理学会講演概要集  2004年8月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2004年8月

    記述言語:日本語  

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  • 14pXC-13 ドナードープ n 型 ZnO 薄膜における励起子フォノン複合体吸収帯の多体吸収端特異性(励起子・ポラリトン, 領域 5)

    牧野 哲征, 瀬川 勇三郎, 川崎 雅司, 大友 明, 吉田 伸, 塚崎 敦

    日本物理学会講演概要集  2004年8月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2004年8月

    記述言語:日本語  

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  • 27aZP-10 エピタキシャルペロブスカイト酸化物電界効果トランジスタの作製(領域7,領域8合同 分子デバイスI)(領域8)

    大友 明, 西村 潤, 大久保 敦史, 村上 洋一, 川崎 雅司

    日本物理学会講演概要集  2004年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2004年3月

    記述言語:日本語  

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  • 30aPS-29 ZnO/(Mg,Zn)O多重量子井戸における励起子発光の温度消光(領域5ポスターセッション)(領域5)

    牧野 哲征, チアチンハウ, 瀬川 勇三郎, 川崎 雅司, 大友 明, 鯉沼 秀臣

    日本物理学会講演概要集  2004年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2004年3月

    記述言語:日本語  

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  • 27aZP-10 エピタキシャルペロブスカイト酸化物電界効果トランジスタの作製(領域7,領域8合同 : 分子デバイスI)(領域7)

    大友 明, 西村 潤, 大久保 敦史, 村上 洋一, 川崎 雅司

    日本物理学会講演概要集  2004年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2004年3月

    記述言語:日本語  

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  • 28pXB-10 人工超格子[(LaMnO_3)_m(SrMnO_3)_m]_n におけるMnの電荷状態の研究(Mn系 スピン電荷軌道結合)(領域8)

    中尾 裕則, 西村 潤, 児玉 崇吉, 佐藤 直, 村上 洋一, 大友 明, 福村 知昭, 川崎 雅司, 鯉田 崇

    日本物理学会講演概要集  2004年3月  社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2004年3月

    記述言語:日本語  

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  • 21pTP-2 ペロブスカイト酸化物電荷不整合界面の原子層制御と電子物性

    西村 潤, 大久保 敦史, 大友 明, 村上 洋一, 川崎 雅司

    日本物理学会講演概要集  2003年8月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2003年8月

    記述言語:日本語  

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  • ZnO/LiGaO2/GaNヘテロ構造の作製

    福崎正志, 西井潤弥, 塚崎敦, 大友明, 福村知昭, 大西剛, 角谷正友, 大野英男, 川崎雅司

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集  2003年3月 

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    開催年月日: 2003年3月

    記述言語:日本語  

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  • 28pYF-9 ZnO : Al 薄膜の光学的性質 : 室温多体吸収端特異性の観測?

    牧野 哲征, チアチンハウ, 田村 謙太郎, 瀬川 勇三郎, 川崎 雅司, 大友 明, 鯉沼 秀臣

    日本物理学会講演概要集  2003年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2003年3月

    記述言語:日本語  

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  • Search for Ferromagnetic Ordering in p- and n-type II-VI Diluted Magnetic Semiconductors

    T. Andrearczyk, J. Jaroszynski, G. Grabecki, M. Sawicki, Le Van Khoi, T. Dietl, D. Ferrand, C. Bourgognon, J. Cibert, S. Tatarenko, T. Fukumura, Zhengwu Jin, A. Ohtomo, H. Koinuma, M. Kawasaki

    Abstract of Int. School of Semiconductor Compounds, Jaszowiec, Poland  2000年9月 

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    開催年月日: 2000年9月

    記述言語:英語  

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  • 収束ビームX線回折法によるコンビナトリアルエピタキシャル薄膜の同時評価

    表和彦, 菊池哲夫, 原田仁平, 大友明, 大谷亮, 川崎雅司, 大西剛, 小宮山大輔, 鯉沼秀臣

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集  2000年3月 

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    開催年月日: 2000年3月

    記述言語:日本語  

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  • 23aK-2 希薄磁性酸化物半導体Zn_<1-x>Mn_xO薄膜の磁気特性

    福村 知昭, 金 政武, ユー ヨンジョ, 長谷川 邦明, 大友 明, 庄野 知至, 長谷川 哲也, 鯉沼 秀臣, 川崎 雅司

    日本物理学会講演概要集  2000年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 2000年3月

    記述言語:日本語  

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  • 26pYC-4 格子整合基板上に成膜したZnO薄膜における光学スペクトルの温度変化

    謝 振豪, 牧野 哲征, 磯谷 玄, 瀬川 勇三郎, 安田 隆, 川崎 雅司, 大友 明, 田村 謙太郎, 鯉沼 秀臣

    日本物理学会講演概要集  1999年9月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 1999年9月

    記述言語:日本語  

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  • 酸化物人工格子のパラレル合成と評価

    川崎雅司, 大西剛, 小宮山大輔, 鯉田崇, 大友明, 福村知昭, 松本祐司, LIPPMAA M, 鯉沼秀臣

    応用物理学会学術講演会講演予稿集  1999年9月 

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    開催年月日: 1999年9月

    記述言語:日本語  

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  • コンビナトリアルlaser MBE法によるSrVO3/SrTiO3超格子薄膜の作製

    小宮山大輔, 大西剛, LIPPMAA M, 大友明, 川崎雅司, 鯉沼秀臣

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集  1999年3月 

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    開催年月日: 1999年3月

    記述言語:日本語  

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  • 29a-ZG-8 ZnO半導体薄膜構造における励起子共鳴四光波混合スペクトル

    牧野 哲征, Tuan N.T., 瀬川 勇三郎, 大友 明, 川崎 雅司, 鯉沼 秀臣

    日本物理学会講演概要集  1999年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 1999年3月

    記述言語:日本語  

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  • 29a-ZG-7 酸化亜鉛ナノ結晶薄膜の構築と紫外エキシトンレーザー発振

    川崎 雅司, 大友 明

    日本物理学会講演概要集  1999年3月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 1999年3月

    記述言語:日本語  

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  • 7p-J-16 レーザーMBE製作ZnO薄膜の室温励起子レーザー発振

    瀬川 勇三郎, Tang Z.K., Wong K.L., 大友 明, 川崎 雅司, 鯉沼 秀臣

    日本物理学会講演概要集  1997年9月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 1997年9月

    記述言語:日本語  

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  • 7p-J-17 透過型電子顕微鏡を用いたZnO成長薄膜のカソードルミネッセンス

    山辺 純一郎, 山本 直紀, 大友 明, 川崎 雅司

    日本物理学会講演概要集  1997年9月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 1997年9月

    記述言語:日本語  

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  • CAICISSによるウルツ鉱型ZnOの最表面構造の原子レベル解析

    大西剛, 大友明, 吉田憲治, 佐々木権治, 川崎雅司, 吉本護, 鯉沼秀臣

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集  1997年3月 

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    開催年月日: 1997年3月

    記述言語:日本語  

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  • ZnOの量子構造の形成と室温レーザー発振

    大友 明, 川崎 雅司, 鯉沼 秀臣, 湯 子康, Yu Ping, Wong Goerge K. L., 瀬川 勇三朗

    未来開拓研究ニュースレター  1997年1月 

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    開催年月日: 1997年1月

    記述言語:日本語  

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  • ZnOエキシトンレーザー

    川崎 雅司, 大友 明, 鯉沼 秀臣, 湯 子康, Yu Ping, Wong Goerge K. L., 瀬川 勇三朗

    第25回応物薄膜・表面セミナー  1997年1月 

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    開催年月日: 1997年1月

    記述言語:日本語  

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  • レーザーMBE法成長ZnO量子ドット薄膜の発光スペクトル

    瀬川 勇三郎, 大友 明, 川崎 雅司, 鯉沼 秀臣, Tang A.K., Wong K.L.

    日本物理学会講演概要集. 秋の分科会  1996年9月  一般社団法人日本物理学会

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    開催年月日: 1996年9月

    記述言語:日本語  

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  • 酸化物表面の電子構造

    川崎 雅司, 大橋 智, 大友 明, 北嶋 敏和

    1996年1月  電子協酸化物エレクトロニクス研究報告書

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    開催年月日: 1996年1月

    記述言語:日本語  

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  • 新機能 -光物性

    大友 明, 川崎 雅司

    1996年1月  電子協酸化物エレクトロニクス研究報告書

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    開催年月日: 1996年1月

    記述言語:日本語  

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  • 熱刺激電流測定法による有機電気光学デバイスの熱安定性の評価Ⅲ

    杵村和彦, 池本龍馬, 山田俊樹, 大友明, 田口大, 間中孝彰, 岩本光正

    2014年(平成26年)春季 第61回応用物理学会春季学術講演会  2014年3月 

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    記述言語:日本語   会議種別:口頭発表(一般)  

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産業財産権

  • 酸化ガリウム系半導体の製造方法

    大友明, 相馬拓人, 是石和樹, 加渡 幹尚

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    出願人:国立大学法人東京工業大学, トヨタ自動車株式会社

    出願番号:特願2022-134426  出願日:2022年8月

    公開番号:特開2024-031100  公開日:2024年3月

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  • 酸化ガリウム系半導体の製造方法

    大友明, 相馬拓人, 加渡 幹尚

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    出願人:国立大学法人東京工業大学, トヨタ自動車株式会社

    出願番号:特願2020-156405  出願日:2020年9月

    公開番号:特開2022-050042  公開日:2022年3月

    特許番号/登録番号:特許第7477407号  登録日:2024年4月 

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  • 酸化ガリウムの製造方法

    大友明, 若林諒, 李政洙, 加渡 幹尚

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    出願人:国立大学法人東京工業大学, トヨタ自動車株式会社

    出願番号:特願2019-030421  出願日:2019年2月

    公開番号:特開2020-117430  公開日:2020年8月

    特許番号/登録番号:特許第7176977号  登録日:2022年11月 

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  • 金属化合物結晶性膜およびその製造方法

    大友明, 吉松公平, 呉東広平

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    出願人:国立大学法人東京工業大学

    出願番号:特願2016-154759  出願日:2016年8月

    公開番号:特開2018-020946  公開日:2018年2月

    特許番号/登録番号:特許第6945215号  登録日:2021年9月 

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  • 超伝導酸化物薄膜およびその製造方法

    吉松公平, 大友明

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    出願人:国立大学法人東京工業大学

    出願番号:特願2015-162168  出願日:2015年8月

    公開番号:特開2017-039621  公開日:2017年2月

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  • 電気化学反応装置

    大島孝仁, 大友明, 佐々木 公平

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    出願人:国立大学法人東京工業大学, 株式会社タムラ製作所

    出願番号:特願2013-085494  出願日:2013年4月

    公開番号:特開2014-205899  公開日:2014年10月

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  • Ga2O3系HEMT

    大友明, 大島孝仁, 藤田 静雄, 東脇 正高, 佐々木 公平

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    出願人:国立大学法人東京工業大学, 株式会社タムラ製作所, 国立大学法人京都大学, 独立行政法人情報通信研究機構

    出願番号:特願2013-532669  出願日:2012年9月

    公開番号:特開(再表)2013/035841  公開日:2015年3月

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  • 発光素子及びその製造方法

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    出願番号:特願2003-335898 

    公開番号:特開2005-108869 

    特許番号/登録番号:特許第3787635号 

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  • ワイドギャップ導電性酸化物混晶及びそれを用いた光デバイス

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    出願番号:特願2004-231061 

    公開番号:特開2006-49704 

    特許番号/登録番号:特許第4243689号 

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  • 光半導体素子及びその製造方法

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    出願人:科学技術振興事業団

    出願番号:特願平9-68978 

    公開番号:特開平10-256673 

    特許番号/登録番号:第2996928号 

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  • コバルトドープニ酸化チタン薄膜の作製方法、コバルトドープニ酸化チタン膜、及び多層膜構造

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    出願番号:特願2004-015502 

    公開番号:特開2005-206890 

    特許番号/登録番号:特許第3944584号 

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  • II族-酸化物を含む光半導体素子

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    出願人:科学技術振興事業団

    出願番号:特願平9-72003 

    公開番号:特開平10-270749 

    特許番号/登録番号:特許第3380422号 

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  • 半導体デバイス

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    出願人:科学技術振興事業団

    出願番号:特願平11-82043 

    公開番号:特開2000-277534 

    特許番号/登録番号:特許第3423896号 

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  • 薄膜及びp型酸化亜鉛薄膜製造方法と半導体デバイス

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    出願番号:特願2004-31194 

    公開番号:特開2005-223219 

    特許番号/登録番号:特許第3834658号 

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  • 混晶化ニ酸化チタン、多層膜構造体、及び素子構造

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    出願番号:特願2004-46540 

    公開番号:特開2005-231979 

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Works(作品等)

  • 酸化物量子井戸構造を用いた発光素子及び光非線形性素子の開発

    2003年 - 2006年

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受賞

  • 船井学術賞

    2013年4月   船井情報科学振興財団   透明酸化物半導体界面の高品質化と量子化伝導に関する研究

    大友 明

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  • 日本学士院学術奨励賞

    2013年1月   日本学士院   高品質酸化物絶縁体界面での金属伝導

    大友 明

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  • 日本学術振興会賞

    2012年12月   日本学術振興会   高品質酸化物絶縁体界面での金属伝導

    大友 明

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  • ゴットフリード・ワグネル賞

    2011年5月   ドイツ・イノベーション・アワード   原子レベル制御による金属酸化物界面の創製と 高移動度電子デバイス応

    大友 明

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  • 日本表面科学会会誌賞

    2009年10月   日本表面科学会  

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  • 科学技術分野の文部科学大臣表彰若手科学者賞

    2009年4月   文部科学省  

    大友 明

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    受賞国:日本国

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  • サー・マーティン・ウッド賞

    2007年11月   ミレニアム・サイエンス・フォーラム   原子レベル制御による酸化物界面の創製と物性開拓

    大友 明

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  • 原田研究奨励賞

    2003年10月  

    大友 明

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    受賞国:日本国

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  • 安藤博記念学術奨励賞

    2003年7月  

    大友 明

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    受賞国:日本国

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  • 手島記念研究賞(博士論文賞)

    2001年3月   財団法人手島工業教育資金団  

    大友 明

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    受賞国:日本国

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  • 応用物理学会講演奨励賞

    1997年  

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    受賞国:日本国

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  • 日本MRS学術シンポジウム優秀賞

    1994年  

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    受賞国:日本国

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共同研究・競争的資金等の研究課題

  • 電気化学的な電子状態変調による低原子価・準安定酸化物界面の機能開拓

    研究課題/領域番号:24H00480  2024年4月 - 2027年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(A)

    大友 明

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    配分額:49140000円 ( 直接経費:37800000円 、 間接経費:11340000円 )

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  • 低原子価・準安定構造を有する遷移金属酸化物の機能創発

    研究課題/領域番号:21H02026  2021年4月 - 2024年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(B)

    大友 明

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    配分額:17290000円 ( 直接経費:13300000円 、 間接経費:3990000円 )

    本年度は,薄膜試料の合成と基礎物性の評価に注力し,溶液中の酸化還元反応によって前周期遷移金属酸化物の準安定相が得られる合成条件の範囲を明らかにすることを目的とした。パルスレーザ堆積法により,種々の基板上にLiNbO2やLiV2O4などの薄膜をエピタキシャル成長することにより,原料ターゲット中の過剰リチウム量や薄膜合成中のガス種・圧力が,得られた薄膜の組成,結晶構造,表面形状に対してどのように影響するか詳しく調べた。また,得られた薄膜を種々の溶液や電解質に浸漬し,リチウムをトポタクティックに脱離・挿入させる酸化還元反応の条件を検討した。LiNbO2に対して,高温の濃硝酸を用いると,薄膜中のリチウムをほぼ完全に取り除いたNbO2相が得られた。この結晶相は、p型透明導電性と超伝導を示すLi1-xNbO2の母相と考えられ,構造的に現在注目を集めている二次元物質MoS2と同じであることから,その基礎物性には興味が持たれる。LiV2O4薄膜については,電気化学セルを用いてリチウムを挿入し,極低温下における抵抗率の温度依存性を測定した。温度の二乗に比例して抵抗率が変化するフェルミ液体理論のモデルに従って電子相関の強さを解析した。その結果,リチウム組成の増加とともに電子相関の度合いが増加し,Li+xV2O4がこれまでに知られている遷移金属酸化物の中では最大の電子相関を示すことを明らかにした。このことはバルク体を用いた先行研究では明らかにされておらず,エピタキシャル成長した薄膜状の試料と電気化学セルを用いて初めて明らかにされた成果である。

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  • ダブルペロブスカイト型酸化物の接合界面における巨大磁気応答特性

    研究課題/領域番号:21F20054  2021年4月 - 2023年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  特別研究員奨励費

    大友 明, SAHOO RAMCHANDRA

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    配分額:2300000円 ( 直接経費:2300000円 )

    本年度は,反強磁性相と強磁性相からなるダブルペロブスカイト型La2MnCoO6(LMCO)薄膜を作製し,バルク多結晶体で発現する巨大な磁気応答の一つである交換バイアスを薄膜構造で再現することを目的とした。交換バイアスは磁化曲線が磁場に対してシフトする現象であり,ハードディスクなどの磁気デバイスに欠かせない重要な磁気的効果である。多結晶体における巨大な交換バイアスの起源は,遷移金属サイトのアンチサイト欠陥やAサイト組成の分布によって生じた反強磁性ドメインの共存とされているが,実験的には十分に検証されていない。そこで,パルスレーザ堆積法を用いて異なるアンチサイト欠陥量を有するLMCO薄膜を作製し,アンチサイト欠陥量と交換バイアスとの関係を明らかにすることとした。高い結晶性を維持したまま異なるアンチサイト欠陥量を有するLMCO薄膜を作製することに成功した。放射光X線回折法を用いてアンチサイト欠陥量定量的に評価した。アンチサイト欠陥量が増えると飽和磁化が線形に減少することを見出した。また,磁気異方性モデルを用いて,キャントしたアンチサイトCoのスピンモーメントが交換バイアスとスピングラス的な挙動の起源に深く関わることを明らかにした。その根拠としてアンチサイト欠陥量が増えるとLMCO薄膜の単位格子の体積が増加する傾向を見出した。格子体積の増加によってアンチサイトCoの反強磁性スピンモーメントがキャントした結果,原子レベルの磁気揺らぎが生じ交換バイアスが発現したと考えられる。さらに,本系の交換バイアスは従来の長距離相互作用がもたらす交換バイアスとは異なり,原子レベルの短距離相互作用に由来することを明らかにした。

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  • ダブルペロブスカイト型酸化物の接合界面における巨大磁気応答特性

    研究課題/領域番号:20F40054  2020年11月 - 2023年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  特別研究員奨励費

    大友 明, SAHOO RAMCHANDRA

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    配分額:2200000円 ( 直接経費:2200000円 )

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  • ダブルペロブスカイト型酸化物の接合界面における巨大磁気応答特性

    研究課題/領域番号:20F02054  2020年7月 - 2023年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  特別研究員奨励費

    大友 明, SAHOO RAMCHANDRA

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    配分額:2300000円 ( 直接経費:2300000円 )

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  • ダブルペロブスカイト型酸化物の接合界面における巨大磁気応答特性

    研究課題/領域番号:20F20054  2020年4月 - 2022年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  特別研究員奨励費

    大友 明, SAHOO RAMCHANDRA

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    配分額:2300000円 ( 直接経費:2300000円 )

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  • 電気化学的な電子状態変調による遷移金属酸化物薄膜超伝導体の創製

    研究課題/領域番号:18H03925  2018年4月 - 2021年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(A)

    大友 明

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    配分額:45500000円 ( 直接経費:35000000円 、 間接経費:10500000円 )

    超伝導体は,超低消費電力の輸送技術や超高感度センサーなどに広く応用されている。本研究では,超伝導体になることが期待されていながら構造が不安定なため合成できない遷移金属酸化物に着目し,薄膜化によって安定化することで期待通りの超伝導体を創り出した。また,リチウムイオン電池の原理を応用して電気化学的に超伝導体にキャリアを導入した結果,これまでに知られていなかった超伝導体の意外な性質を明らかにした。

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  • 遷移金属酸化物のエピタキシーと電子相解析による電極活物質の開発

    研究課題/領域番号:15H03881  2015年4月 - 2018年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(B)

    大友 明, 松本 祐司, 組頭 広志, 吉松 公平, 増子 尚徳, 中村 研太郎, 黒川 輝, 相馬 拓人

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    配分額:17940000円 ( 直接経費:13800000円 、 間接経費:4140000円 )

    遷移金属酸化物は,無毒性や化学的安定性のため,種々の電気化学セルに利用されている。本研究では,薄膜技術と電子相図を用いた解析手法とを組み合わせて,遷移金属酸化物の新しい電気化学的機能を見出すことを目的とした.主な研究成果は以下の通りである.(1)鉄系薄膜からなる光電極構造を様々に工夫した結果,水の光電気化学分解反応の効率が大幅に向上した.(2)チタン酸リチウム薄膜の完全かつ可逆的な超伝導体-絶縁体転移をリチウムイオンの電気化学ドーピングにより実現した.(3)酸化チタン薄膜における新しい超伝導相を発見した.我々の研究方法は,持続可能な社会の構築に役立つ新材料・新機能を見つける強力な方法といえる.

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  • 光化学活性を有する超構造磁性酸化物の創製

    研究課題/領域番号:24245035  2012年4月 - 2015年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(A)

    大友 明, 組頭 広志, 藤森 淳, 大島 孝仁, 吉松 公平

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    配分額:45240000円 ( 直接経費:34800000円 、 間接経費:10440000円 )

    異なる遷移金属原子が高い秩序度をもって配列したダブルペロブスカイト型酸化物を合成し,磁気秩序の基底状態を明らかにした.また,遷移金属酸化物混晶のエピタキシャル薄膜からなる光電極を作製し,金属間の電荷移動に起因する可視光応答型水分解反応を実証した.さらに,リチウムを含むTi化合物を合成し,電気化学ドーピングの手法を用いて可逆的な超伝導-絶縁体転移を実現した.これらの研究は,いずれも酸化物エレクトロニクスの研究に新しい知見をもたらすものであり,金属酸化物特有の電子構造に基づく機能性材料の開発につながると期待される.

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  • 透明酸化物の微細構造における量子物性の開拓

    研究課題/領域番号:20685013  2008年 - 2010年

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  若手研究(A)

    大友 明

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    配分額:26130000円 ( 直接経費:20100000円 、 間接経費:6030000円 )

    環境にやさしい透明酸化物半導体を用いてクリーンな二次元電子系を作りだし,電界効果超伝導スイッチングや分数量子ホール効果の観測に成功した.これらは量子化された複合粒子どうしの静電的な相互作用に基づく現象であり,革新的コンピュータの基盤となり得るものである.本研究で用いた材料は,従来の半導体に比べて電子間の相互作用が強い.本研究の延長にさらにエキゾチックな物性が発現することが期待される.

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  • 高効率酸化亜鉛系青色・紫外発光素子の開発

    研究課題/領域番号:18350092  2006年 - 2007年

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(B)

    大友 明

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    配分額:16540000円 ( 直接経費:15100000円 、 間接経費:1440000円 )

    酸化亜鉛(ZnO)系紫外発光ダイオード(LED)は,すでに市販されている窒化物系青色LEDに比べ,安価な材料費,大型単結晶基板の存在,紫外領域における高い発光効率など,産業上多くの利点を有すると考えられている.2005年に我々の研究グループが世界で初めてZnO系LEDを実現してから,国際的な研究開発競争が加速した.本研究では,従来の絶縁性基板に替えて導電性単結晶基板を,パルスレーザ堆積法に替えて分子線エピタキシー法を採用することで,実用上優位な縦型電極配置のダブルヘテロLED構造を作製し,発光特性の高効率化を目指した.結果として,バンド端発光のみからなる高効率紫外発光を実現し実用化に道を拓いた.また,研究計画で挙げた透明p型金属材料の探索では,仕事関数が大きい透明導電性高分子が材料特性・作製プロセス上の利便性の両面で優れていることを見出した.さらに同材料は,n型ZnOに対して良好なショットキー電極を形成することを明らかにした.今後の課題として,正孔濃度を正しく評価すること,およびアクセプタである窒素の添加効率を向上することが挙げられる.本研究に係る別の観点の成果では,MgZnO/ZnO界面における量子ホール効果の観測(2007年Science誌掲載),およびMgZnO薄膜の室温発光寿命の延長(ともに世界最高水準の結晶品質を実証)が特筆に値する.全体として,当初の研究計画に見合う研究成果を上げられた自己評価する.また,本研究を通じて,次の展開(酸化物半導体低次元構造の伝導特性に関する研究)につながる基盤技術が得られた.

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  • 酸化物量子井戸構造を用いた発光素子及び光非線形性素子の開発

    2003年 - 2006年

    JST戦略的創造研究推進制度(個人研究型) (個人研究推進事業:さきがけ研究21‐PRESTO) 

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    資金種別:競争的資金

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  • Exploration of oxide semiconductor quantum well structures towards light emitting and non-linear optical devices

    2003年 - 2006年

    JST Basic Research Programs (Precursory Research for Embryonic Science and Technology :PRESTO) 

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    資金種別:競争的資金

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  • Field Effect Transistors and Ultraviolet Light Emitting Devices Based on ZnO

    2003年 - 2004年

    Grant-in-Aid for Scientific Research 

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    資金種別:競争的資金

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  • 酸化亜鉛電界効果ドーピングと紫外発光素子

    2003年 - 2004年

    科学研究費補助金 

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    資金種別:競争的資金

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  • 非平衡透明酸化物のパラレル合成による光、電子、磁気機能の高効率探索とデバイス実証

    研究課題/領域番号:14GS0204  2002年 - 2006年

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  学術創成研究費

    川崎 雅司, 川添 良幸, 福村 知昭, 大友 明, 松倉 文礼, 大谷 啓太, 阿藤 敏行

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    配分額:572000000円 ( 直接経費:467600000円 、 間接経費:104400000円 )

    酸化物高温超伝導体の発見により一気に加速した酸化物薄膜研究は、超伝導に留まらず強誘電性や巨大磁気抵抗効果など酸化物の多彩な電子機能を活用した新デバイス開発と、原子レベルで制御されたへテロ構造による精緻な物性研究へと進展してきた。また、透明な酸化物半導体を用いれば、通常の半導体では不可能な機能やデバイスを実現すると期待できる。
    本研究では、ZnOやTiO_2などの酸化物半導体を対象として、多数の薄膜試料を一括に作製するパラレル合成法を用い、物性制御や機能探索を行った。ZnO紫外発光ダイオード、ZnO透明トランジスタ、CoドープTiO_2磁気トンネル接合などの雛形デバイス実証に成功し、酸化物で初めての量子ホール効果の観測にも成功した。成果の要点は以下の通り。
    光機能
    1.ZnOのp型化を達成するために基板温度傾斜法と称するパラレル合成法を駆使して真性半導体の品質を極限まで高めた。
    2.p型ドーパントである窒素を効率的に取り込んで活性化する手法として、新たに反復温度変調法を考案し、p型化に成功した。
    3.明瞭な発光が観測できるpn接合発光ダイオードを実現した。
    電子機能
    4.ZnO-薄膜トランジスタの高性能化を達成するために、多結晶薄膜における粒界の効果をシミュレーションにより明らかにした。
    5.単結晶チャネルトランジスタで、200cm^2/Vsを超える電界効果移動度を実現した。
    6.酸化物で初めて量子ホール効果を実現した。
    磁気機能
    7.TiO_2:Coの磁気光学効果や異常ホール効果の強磁性的な磁場依存性を観測して電子のスピン偏極を実証した。
    8.TiO_2:Coを用いた磁気トンネル接合の動作に成功した。ワイドギャップ強磁性半導体では初めての成功例である。
    9.計算科学と連携してTiO_2:Coなどの物性の解析と物質探索への電子構造解析を行った。

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  • Optical Properties of Oxide Quantum Confinement Structures

    2002年

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    資金種別:競争的資金

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  • 酸化物量子閉じ込め構造の創製と光物性についての研究

    2002年

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    資金種別:競争的資金

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