2026/03/05 更新

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ムネタ　イリヤ
宗田　伊理也
MUNETA IRIYA
所属
工学院 助教
職名
助教
外部リンク

学位

  • 博士(工学) （ 2014年3月   東京大学 ）

研究キーワード

  • 二次元層状物質

  • スピントロニクス

研究分野

  • ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学

  • ナノテク・材料 / 応用物性

  • 自然科学一般 / 磁性、超伝導、強相関系

学歴

  • 東京大学   大学院工学系研究科   電気系工学専攻

    2011年4月 - 2014年3月

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    国名： 日本国

    備考： 博士課程

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  • 東京大学   大学院工学系研究科   電気系工学専攻

    2009年4月 - 2011年3月

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    国名： 日本国

    備考： 修士課程

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  • 東京大学   工学部   電子工学科

    2007年4月 - 2009年3月

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    国名： 日本国

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所属学協会

  • 応用物理学会

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  • 米国電気電子学会 (IEEE)

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  • フラーレン・ナノチューブ・グラフェン学会 (FNTG)

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論文

  • Ferromagnetism modulation by ultralow current in a two-dimensional polycrystalline molybdenum disulphide atomic layered structure 査読

    Iriya Muneta, Takanori Shirokura, Pham Nam Hai, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

    Scientific Reports   12   15387   2022年10月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Springer Science and Business Media {LLC}  

    DOI： 10.1038/s41598-022-22113-3

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  • Strong edge-induced ferromagnetism in sputtered MoS2 film treated by post-annealing 査読

    Takanori Shirokura, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

    Applied Physics Letters   115 ( 19 )   192404   2019年11月

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    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1063/1.5118913

    Web of Science

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  • Reduction of conductance mismatch in Fe/Al2O3/MoS2 system by tunneling-barrier thickness control 査読

    Naoki Hayakawa, Iriya Muneta, Takumi Ohashi, Kentaro Matsuura, Jun'ichi Shimizu, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

    Japanese Journal of Applied Physics   57 ( 4S )   04FP13   2018年4月

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    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/JJAP.57.04FP13

    Web of Science

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  • Artificial control of the bias-voltage dependence of tunnelling-anisotropic magnetoresistance using quantization in a single-crystal ferromagnet 査読

    Iriya Muneta, Toshiki Kanaki, Shinobu Ohya, Masaaki Tanaka

    Nature Communications   8   15387   2017年5月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1038/ncomms15387

    Web of Science

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  • Sudden restoration of the band ordering associated with the ferromagnetic phase transition in a semiconductor 査読 国際誌

    Iriya Muneta, Shinobu Ohya, Hiroshi Terada, Masaaki Tanaka

    Nature Communications   7   12013   2016年6月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1038/ncomms12013

    Web of Science

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    その他リンク： http://www.nature.com/articles/ncomms12013

  • Anomalous Fermi level behavior in GaMnAs at the onset of ferromagnetism 査読

    Iriya Muneta, Hiroshi Terada, Shinobu Ohya, Masaaki Tanaka

    Applied Physics Letters   103 ( 3 )   032411   2013年7月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1063/1.4816133

    Web of Science

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  • Spin-dependent tunneling transport in a ferromagnetic GaMnAs and un-doped GaAs double-quantum-well heterostructure 査読

    Iriya Muneta, Shinobu Ohya, Masaaki Tanaka

    Applied Physics Letters   100 ( 16 )   162409   2012年4月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1063/1.4704154

    Web of Science

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  • Fabrication of n-type and p-type WSe2 field-effect transistors and their low-voltage CMOS inverter operation

    Takamasa Kawanago, Iriya Muneta, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

    Japanese Journal of Applied Physics   64 ( 2 )   020803 - 020803   2025年2月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IOP Publishing  

    Abstract

    This paper describes the concepts for achieving n-type and p-type WSe2 field-effect transistors (FETs) and their complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) inverter operation. First, n-type and p-type WSe2 FETs were demonstrated using molecular chemistry approaches that offer the manipulation of WSe2 properties through low-temperature, low-energy processes. Next, the advancement in device technology was explained to achieve symmetric characteristics in n-type and p-type WSe2 FETs. WSe2 single-channel CMOS offers a promising pathway for simplifying device integration to suppress variability and fluctuations in FET characteristics, although many challenges remain to be addressed. Further fundamental research holds the potential to advance the development of WSe2 single-channel CMOS devices.

    DOI： 10.35848/1347-4065/adb43a

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    その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/adb43a/pdf

  • Reduction of contact resistance to PVD-MoS film using aluminum-scandium alloy (AISc) edge contact

    Shinya Imai, Ryosuke Kajikawa, Takamasa Kawanago, Iriya Muneta, Kazuo Tsutsui, Tetsuya Tatsumi, Shigetaka Tomiya, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi

    IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference: Strengthening the Globalization in Semiconductors, EDTM 2024   2024年

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    掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1109/EDTM58488.2024.10511604

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  • Chemical states of PVD-ZrS2 film underneath scaled high-k film with self-oxidized ZrO2 film as interfacial layer

    Masaki Otomo, Masaya Hamada, Ryo Ono, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

    Japanese Journal of Applied Physics   62 ( SC )   SC1015 - SC1015   2023年1月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IOP Publishing  

    Abstract

    Zirconium disulfide (ZrS2)—an attractive next-generation channel material because of its high mobility—is stabilized in the air by a zirconium dioxide (ZrO2) film which functions as a high-k film in MISFET. We fabricated high-k/PVD-ZrS2 stacks with a self-oxidized ZrO2 film as an interfacial layer; their chemical properties were analyzed to clarify how each fabrication process affects the ZrS2 under the oxide film. The results clarified that sulfur vapor annealing (SVA) is critical for fabricating high-quality physical vapor deposition (PVD) ZrS2 films and that the change in surface potential of the ZrS2 films due to interface dipoles between the high-k and Zr-compound films is suppressed with scaling of high-k thickness. The SVA with high-k films also prevents degradation of crystallinity and stoichiometry, enhancing the quality of the ZrS2 films without affecting their surface potential. These achievements enable us to control the threshold voltage in ZrS2 MISFETs.

    DOI： 10.35848/1347-4065/aca7cf

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    その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/aca7cf/pdf

  • Doping-Free Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Inverter Based on N-Type and P-Type Tungsten Diselenide Field-Effect Transistors With Aluminum-Scandium Alloy and Tungsten Oxide for Source/Drain Contact

    Takamasa Kawanago, Ryosuke Kajikawa, Kazuto Mizutani, Sung-Lin Tsai, Iriya Muneta, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

    IEEE Journal of the Electron Devices Society   11   15 - 21   2023年

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)  

    DOI： 10.1109/jeds.2022.3224206

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  • Positive Seebeck coefficient of niobium-doped MoS2 film deposited by sputtering and activated by sulfur vapor annealing

    Taiga Horiguchi, Takuya Hamada, Masaya Hamada, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Tetsuya Tatsumi, Shigetaka Tomiya, Hitoshi Wakabayashi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   61 ( 7 )   2022年7月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.35848/1347-4065/ac7621

    Web of Science

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  • High Seebeck coefficient in PVD-WS2 film with grain size enlargement

    Takuya Hamada, Masaya Hamada, Taiga Horiguchi, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Tetsuya Tatsumi, Shigetaka Tomiya, Hitoshi Wakabayashi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   61 ( SC )   2022年5月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.35848/1347-4065/ac3a93

    Web of Science

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  • Experimental demonstration of high-gain CMOS inverter operation at low V ( dd ) down to 0.5 V consisting of WSe2 n/p FETs

    Takamasa Kawanago, Takahiro Matsuzaki, Ryosuke Kajikawa, Iriya Muneta, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   61 ( SC )   2022年5月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.35848/1347-4065/ac3a8e

    Web of Science

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  • Self-aligned-TiSi2 bottom contact with APM cleaning and post-annealing for sputtered-MoS2 film

    Satoshi Igarashi, Yusuke Mochizuki, Haruki Tanigawa, Masaya Hamada, Kentaro Matsuura, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

    Japanese Journal of Applied Physics   60   2021年5月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IOP Publishing Ltd  

    DOI： 10.35848/1347-4065/abd535

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  • ZrS2 symmetrical-ambipolar FETs with near-midgap TiN film for both top-gate electrode and Schottky-barrier contact

    Masaya Hamada, Kentaro Matsuura, Takuya Hamada, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

    Japanese Journal of Applied Physics   60   2021年5月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IOP Publishing Ltd  

    DOI： 10.35848/1347-4065/abd6d7

    Scopus

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  • Importance of crystallinity improvement in MoS2 film by compound sputtering even followed by post sulfurization

    Shinya Imai, Takuya Hamada, Masaya Hamada, Takanori Shirokura, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Tetsuya Tatsumi, Shigetaka Tomiya, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   60 ( SB )   2021年5月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.35848/1347-4065/abdcae

    Web of Science

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  • WS2 Film by Sputtering and Sulfur-Vapor Annealing, and its pMISFET With TiN/HfO2 Top-Gate Stack, TiN Bottom Contact, and Ultra-Thin Body and Box

    Takuya Hamada, Masaya Hamada, Satoshi Igarashi, Taiga Horiguchi, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Tetsuya Tatsumi, Shigetaka Tomiya, Hitoshi Wakabayashi

    IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY   9   1117 - 1124   2021年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/JEDS.2021.3108882

    Web of Science

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  • WS2 pMISFETs by Sputtering and Sulfur-Vapor Annealing with TiN/HfO2-Top-Gate-Stack, TiN Contact and Ultra-Thin Body and Box

    Takuya Hamada, Masaya Hamada, Satoshi Igarashi, Taiga Horiguchi, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Tetsuya Tatsumi, Shigetaka Tomiya, Hitoshi Wakabayashi

    2021 5TH IEEE ELECTRON DEVICES TECHNOLOGY & MANUFACTURING CONFERENCE (EDTM)   2021年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1109/EDTM50988.2021.9420925

    Web of Science

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  • Hall-effect mobility enhancement of sputtered MoS(2)film by sulfurization even through Al(2)O(3)passivation film simultaneously preventing oxidation

    Masaya Hamada, Kentaro Matsuura, Takuro Sakamoto, Haruki Tanigawa, Iriya Muneta, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 ( 10 )   2020年10月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.35848/1347-4065/abb324

    Web of Science

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  • Normally-off sputtered-MoS(2)nMISFETs with TiN top-gate electrode all defined by optical lithography for chip-level integration

    Kentaro Matsuura, Masaya Hamada, Takuya Hamada, Haruki Tanigawa, Takuro Sakamoto, Atsushi Hori, Iriya Muneta, Takamasa Kawanago, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Atsushi Ogura, Hitoshi Wakabayashi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 ( 8 )   2020年8月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.35848/1347-4065/aba9a3

    Web of Science

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  • Enhancement-mode accumulation capacitance-voltage characteristics in TiN/ALD-Al2O3/sputtered-MoS2 top-gated stacks

    Haruki Tanigawa, Kentaro Matsuura, Iriya Muneta, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59   2020年7月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.35848/1347-4065/ab7fea

    Web of Science

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  • Self-heating-aware cell design for p/n-vertically-integrated nanowire on FinFET beyond 3 nm technology node

    Tomohiko Yamagishi, Atsushi Hori, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

    Japanese Journal of Applied Physics   59   2020年4月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Institute of Physics Publishing  

    DOI： 10.35848/1347-4065/ab6d83

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  • Control of anisotropy of a redox-active molecule-based film leads to non-volatile resistive switching memory

    Jaejun Kim, Hiroyoshi Ohtsu, Taizen Den, Krittanun Deekamwong, Iriya Muneta, Masaki Kawano

    CHEMICAL SCIENCE   10 ( 47 )   10888 - 10893   2019年12月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1039/c9sc04213j

    Web of Science

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  • スパッタ法と硫黄雰囲気アニールで成膜した高いホール効果移動度を持つ層状ZrS2膜

    濱田 昌也, 松浦 賢太朗, 宗田 伊理也, 星井 拓也, 角嶋 邦之, 筒井 一生, 若林 整

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2019.2   3901 - 3901   2019年9月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人 応用物理学会  

    DOI： 10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_3901

    CiNii Research

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  • 正の閾値電圧のMetal-Top-Gate/High-k/スパッタMoS2の蓄積容量特性

    谷川 晴紀, 松浦 賢太朗, 宗田 伊理也, 星井 拓也, 角嶋 邦之, 筒井 一生, 若林 整

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2019.2   3889 - 3889   2019年9月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人 応用物理学会  

    DOI： 10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_3889

    CiNii Research

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  • Normally-off sputtered-MoS<inf>2</inf> nMISFETs with MoSi<inf>2</inf> contact by sulfur powder annealing and ALD Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf> gate dielectric for chip level integration 査読

    K. Matsuura, M. Hamada, T. Hamada, H. Tanigawa, T. Sakamoto, W. Cao, K. Parto, A. Hori, I. Muneta, T. Kawanago, K. Kakushima, K. Tsutsui, A. Ogura, K. Banerjee, H. Wakabayashi

    19th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2019   2019年6月

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    掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.23919/IWJT.2019.8802622

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  • High Hall-Effect Mobility of Atomic-Layered Polycrystalline-ZrS2 Film using Sputtering and Sulfur Annealing

    Masaya Hamada, Kentaro Matsuura, Takuro Sakamoto, Iriya Muneta, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

    2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2019   194 - 196   2019年3月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.  

    DOI： 10.1109/EDTM.2019.8731243

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  • Low-Temperature MoS2 Film Formation Using Sputtering and H2S Annealing

    Jun'ichi Shimizu, Takumi Ohashi, Kentaro Matsuura, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Nobuyuki Ikarashi, Hitoshi Wakabayashi

    IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY   7 ( 1 )   2 - 6   2019年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/JEDS.2018.2854633

    Web of Science

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  • High Hall-Effect Mobility of Large-Area Atomic-Layered Polycrystalline ZrS2 Film Using UHV RF Magnetron Sputtering and Sulfurization

    Masaya Hamada, Kentaro Matsuura, Takuro Sakamoto, Iriya Muneta, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

    IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY   7 ( 1 )   1258 - 1263   2019年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/JEDS.2019.2943609

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  • New Methodology for Evaluating Minority Carrier Lifetime for Process Assessment

    K. Kakushima, T. Hoshii, M. Watanabe, N. Shizyo, K. Furukawa, T. Saraya, T. Takakura, K. Itou, M. Fukui, S. Suzuki, K. Takeuchi, I. Muneta, H. Wakabayashi, Y. Numasawa, A. Ogura, S. Nishizawa, K. Tsutsui, T. Hiramoto, H. Ohashi, H. Iwai

    IEEE Symposium on VLSI Circuits, Digest of Technical Papers   2018-June   105 - 106   2018年10月

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  • Verification of the injection enhancement effect in IGBTs by measuring the electron and hole currents separately 査読

    T. Hoshii, K. Furukawa, K. Kakushima, M. Watanabe, N. Shigvo, T. Saraya, T. Takakura, K. Ltou, M. Fukui, S. Suzuki, K. Takeuchi, I. Muneta, H. Wakabayashi, Shinichi Nishizawa, K. Tsutsui, T. Hiramoto, H. Ohashi, H. Lwai

    48th European Solid-State Device Research Conference, ESSDERC 2018 2018 48th European Solid-State Device Research Conference, ESSDERC 2018   26 - 29   2018年10月

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    記述言語：英語  

    The injection enhancement effect in IGBTs was experimentally verified by separately measuring emitter electron-and hole-currents for the first time. Finger contacts were employed as ladder-like periodic n+ and p+ emitters to allow the independent measurement of these currents. Both reducing the mesa width and increasing the cell pitch were found to increase electron injection from the emitter, demonstrating the injection enhancement effect. These experimental results agreed well with the simulation results.

    DOI： 10.1109/ESSDERC.2018.8486870

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  • Siを導入したHfO2のMIMキャパシタの容量特性

    岩塚 春樹, 星井 拓也, 宗田 伊理也, 若林 整, 筒井 一生, 角嶋 邦之

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2018.2   2865 - 2865   2018年9月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人 応用物理学会  

    DOI： 10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_2865

    CiNii Research

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  • CeOxを挿入したMIMキャパシタの静電容量の過渡応答特性

    久恒 和也, 星井 拓也, 宗田 伊理也, 若林 整, 筒井 一生, 角嶋 邦之

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2018.2   1871 - 1871   2018年9月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人 応用物理学会  

    DOI： 10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_1871

    CiNii Research

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  • 酸化セリウムを挿入したMIMキャパシタの充放電特性

    佐々 康平, 久恒 和也, 星井 拓也, 宗田 伊理也, 若林 整, 筒井 一生, 角嶋 邦之

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2018.2   2866 - 2866   2018年9月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人 応用物理学会  

    DOI： 10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_2866

    CiNii Research

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  • スパッタMoS2膜の HfO2膜越し硫化における表面残留硫黄除去

    谷川 晴紀, 松浦 賢太朗, 濱田 昌也, 坂本 拓朗, 宗田 伊理也, 星井 拓也, 角嶋 邦之, 筒井 一生, 若林 整

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2018.2   3719 - 3719   2018年9月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人 応用物理学会  

    DOI： 10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_3719

    CiNii Research

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  • n型SiCのエピタキシャル層の正孔ライフタイムがpnダイオード特性に与える影響

    佐々木 杏民, 星井 拓也, 宗田 伊理也, 若林 整, 筒井 一生, 角嶋 邦之

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2018.2   2784 - 2784   2018年9月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人 応用物理学会  

    DOI： 10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_2784

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  • Chip-Level-Integrated nMISFETs with Sputter-Deposited-MoS<inf>2</inf> Thin Channel Passivated by Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf> Film and TiN Top Gate

    Kentaro Matsuura, Jun'Ichi Shimizu, Mayato Toyama, Takumi Ohashi, Iriya Muneta, Seiya Ishihara, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Atsushi Ogura, Hitoshi Wakabayashi

    2018 IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2018 - Proceedings   104 - 106   2018年7月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1109/EDTM.2018.8421491

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  • Self-Heating-Effect-Free p/n-Stacked-NW on Bulk-FinFETs and 6T-SRAM Layout

    Eisuke Anju, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

    2018 IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2018 - Proceedings   346 - 348   2018年7月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.  

    DOI： 10.1109/EDTM.2018.8421428

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  • Ohmic contact between titanium and sputtered MoS2 films achieved by forming-gas annealing

    Mayato Toyama, Takumi Ohashi, Kentaro Matsuura, Jun'ichi Shimizu, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 ( 7 )   2018年7月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/JJAP.57.07MA04

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  • Low-Carrier-Density Sputtered MoS2 Film by Vapor-Phase Sulfurization

    Kentaro Matsuura, Takumi Ohashi, Iriya Muneta, Seiya Ishihara, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Atsushi Ogura, Hitoshi Wakabayashi

    JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS   47 ( 7 )   3497 - 3501   2018年7月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1007/s11664-018-6191-z

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  • Photovoltaic properties of lateral ultra-thin Si p-i-n structure 査読

    Suguru Tatsunokuchi, I. Muneta, T. Hoshii, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, H. Iwai, K. Kakushima

    China Semiconductor Technology International Conference 2018, CSTIC 2018   1 - 3   2018年5月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.  

    DOI： 10.1109/CSTIC.2018.8369314

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  • Active-performance benchmark for advanced 3D-CMOS devices 査読

    Hitoshi Wakabayashi, Eisuke Anju, Iriya Muneta

    China Semiconductor Technology International Conference 2018, CSTIC 2018   1 - 4   2018年5月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.  

    DOI： 10.1109/CSTIC.2018.8369202

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  • Characterization of β-Ga2O3 Schottky barrier diodes

    T. Kaneko, I. Muneta, T. Hoshii, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, H. Iwai, K. Kakushima

    2018 18th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2018   2018-   1 - 3   2018年4月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.  

    DOI： 10.1109/IWJT.2018.8330290

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  • Low-Carrier-Density Sputter-MoS2 Film by Vapor-Phase Sulfurization

    K. Matsuura, T. Ohashi, I. Muneta, S. Ishihara, K. Kakushima, K. Tsutsui, A. Ogura, H. Wakabayashi

    Journal of Electrical Materials   Vol. 47 ( No. 7 )   2018年3月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1007/s11664-018-6191-z

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  • 3D scaling for insulated gate bipolar transistors (IGBTs) with low Vce(sat)

    K. Tsutsui, K. Kakushima, T. Hoshii, A. Nakajima, S. Nishizawa, H. Wakabayashi, I. Muneta, K. Sato, T. Matsudai, W. Saito, T. Saraya, K. Itou, M. Fukui, S. Suzuki, M. Kobayashi, T. Takakura, T. Hiramoto, A. Ogura, Y. Numasawa, I. Omura, H. Ohashi, H. Iwai

    Proceedings of International Conference on ASIC   2017-   1137 - 1140   2018年1月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：IEEE Computer Society  

    DOI： 10.1109/ASICON.2017.8252681

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  • Hall-Effect Mobility Enhancement of Sputtered MoS2 Film by Vapor Phase Sulfurization through Al2O3 Passivation Film

    Masaya Hamada, Kentaro Matsuura, Takuro Sakamoto, Haruki Tanigawa, Takumi Ohashi, Iriya Muneta, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

    2018 IEEE SOI-3D-SUBTHRESHOLD MICROELECTRONICS TECHNOLOGY UNIFIED CONFERENCE (S3S)   2018年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Interface state density of atomic layer deposited AI2O3 on J3-Gai03

    C. Y. Su, T. Hoshii, I. Muneta, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, H. Iwai, K. Kakushima

    ECS Transactions   85 ( 7 )   27 - 30   2018年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：Electrochemical Society Inc.  

    DOI： 10.1149/08507.0027ecst

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  • Relaxation of Self-Heating-Effect for Stacked-Nanowire FET and p/n-Stacked 6T-SRAM Layout

    Eisuke Anju, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

    IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY   6 ( 1 )   1239 - 1245   2018年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/JEDS.2018.2882406

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  • Mechanism for High Hall-Effect Mobility in Sputtered-MoS2 Film Controlling Particle Energy

    Takuro Sakamoto, Takumi Ohashi, Kentaro Matsuura, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Yuuta Suzuki, Nobuyuki Ikarashi, Hitoshi Wakabayashi

    2018 IEEE SOI-3D-SUBTHRESHOLD MICROELECTRONICS TECHNOLOGY UNIFIED CONFERENCE (S3S)   2018年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Sputter-Deposited-MoS2 nMISFETs With Top-Gate and Al2O3 Passivation Under Low Thermal Budget for Large Area Integration

    Kentaro Matsuura, Jun'ichi Shimizu, Mayato Toyama, Takumi Ohashi, Iriya Muneta, Seiya Ishihara, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Atsushi Ogura, Hitoshi Wakabayashi

    IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY   6 ( 1 )   1246 - 1252   2018年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/JEDS.2018.2883133

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  • La2O3を積層したCeOx/SiO2の抵抗変化メモリ動作

    水谷 一翔, 宗田 伊理也, 星井 拓也, 若林 整, 筒井 一生, 岩井 洋, 角嶋 邦之

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2017.2   2985 - 2985   2017年8月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人 応用物理学会  

    DOI： 10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_2985

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  • GaNエピウエハ内部の欠陥密度抽出法の提案

    片岡 寛明, 星井 拓也, 宗田 伊理也, 若林 整, 筒井 一生, 岩井 洋, 角嶋 邦之, 山本 大貴

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2017.2   3082 - 3082   2017年8月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人 応用物理学会  

    DOI： 10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_3082

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  • 酸化セリウムを用いたMIMキャパシタの電気特性評価

    高久 淑考, 宗田 伊理也, 星井 拓也, 若林 整, 筒井 一生, 岩井 洋, 角嶋 邦之

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2017.2   2986 - 2986   2017年8月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人 応用物理学会  

    DOI： 10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_2986

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  • TiNを用いたGa2O3ショットキーバリアダイオードの電気特性

    金子 喬, 宗田 伊里也, 星井 拓也, 若林 整, 筒井 一生, 岩井 洋, 角嶋 邦之

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2017.2   3014 - 3014   2017年8月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人 応用物理学会  

    DOI： 10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_3014

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  • Mo2C 電極を用いた SiC ショットキーバリアダイオードの通電試験

    齋藤 大樹, 岩井 洋, 筒井 一生, 角嶋 邦之, 若林 整, 星井 拓也, 宗田 伊理也

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2017.2   3488 - 3488   2017年8月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人 応用物理学会  

    DOI： 10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_3488

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  • Resistivity reduction of low-carrier-density sputtered-MoS2 film using fluorine gas 査読

    Yasunori Okada, Shimpei Yamaguchi, Takumi Ohashi, Iriya Muneta, Kuniyuki Kasushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

    17th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2017   44 - 46   2017年6月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.23919/IWJT.2017.7966510

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  • High-mobility and low-carrier-density sputtered MoS2 film formed by introducing residual sulfur during low-temperature in 3%-H-2 annealing for three-dimensional ICs

    Jun'ichi Shimizu, Takumi Ohashi, Kentaro Matsuura, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 ( 4 )   2017年4月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/JJAP.56.04CP06

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  • Quantitative relationship between sputter-deposited-MoS2 properties and underlying-SiO2 surface roughness

    Takumi Ohashi, Iriya Muneta, Kentaro Matsuura, Seiya Ishihara, Yusuke Hibino, Naomi Sawamoto, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Atsushi Ogura, Hitoshi Wakabayashi

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   10 ( 4 )   2017年4月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/APEX.10.041202

    Web of Science

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  • High-mobility and low-carrier-density sputtered MoS

    Shimizu Jun’ichi, Ohashi Takumi, Matsuura Kentaro, Muneta Iriya, Kakushima Kuniyuki, Tsutsui Kazuo, Wakabayashi Hitoshi

    Jpn. J. Appl. Phys.   56 ( 4 )   04CP06   2017年3月

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    記述言語：英語   出版者・発行元：Institute of Physics  

    We investigate the low-temperature formation of MoS<inf>2</inf>films by radio frequency (RF) sputtering. This work is focused on reducing the number of sulfur defects and the improving electrical characteristics of sputtered MoS<inf>2</inf>films by low-temperature annealing in various atmospheres. 10 nm MoS<inf>2</inf>films were synthesized by the RF sputtering at 300 °C and followed by annealing in nitrogen or forming gas (FG: 3% hydrogen in N<inf>2</inf>) at 200–400 °C. As a result, the compensation for sulfur defects in FG anneal process using residual sulfur gave better results that in N<inf>2</inf>annealing. Eventually, a high Hall-effect mobility of 36 cm2V−1s−1and a low carrier density of 1014cm−3were achieved.

    DOI： 10.7567/JJAP.56.04CP06

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  • 横型Siナノウォール太陽電池の発電特性に関する検討

    龍口 傑, 星井 拓也, 宗田 伊理也, 若林 整, 筒井 一生, 岩井 洋, 角嶋 邦之

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2017.1   3703 - 3703   2017年3月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人 応用物理学会  

    DOI： 10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_3703

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  • Experimental verification of a 3D scaling principle for low Vce(sat) IGBT

    K. Kakushima, T. Hoshii, K. Tsutsui, A. Nakajima, S. Nishizawa, H. Wakabayashi, I. Muneta, K. Sato, T. Matsudai, W. Saito, T. Saraya, K. Itou, M. Fukui, S. Suzuki, M. Kobayashi, T. Takakura, T. Hiramoto, A. Ogura, Y. Numasawa, I. Omura, H. Ohashi, H. Iwai

    Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM   10.6.1 - 10.6.4   2017年1月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.  

    DOI： 10.1109/IEDM.2016.7838390

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  • Crystallinity Improvement using Migration-Enhancement Methods for Sputtered-MoS2 Films 査読

    Shin Hirano, Jun'ichi Shimizu, Kentaro Matsuura, Takumi Ohashi, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

    2017 IEEE ELECTRON DEVICES TECHNOLOGY AND MANUFACTURING CONFERENCE (EDTM)   234 - 235   2017年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1109/EDTM.2017.7947578

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  • Low-carrier density sputtered-MoS2 film by H2S annealing for normally-off accumulation-mode FET 査読

    Jun'ichi Shimizu, Takumi Ohashi, Kentaro Matsuura, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Nobuyuki Ikarashi, Hitoshi Wakabayashi

    2017 IEEE ELECTRON DEVICES TECHNOLOGY AND MANUFACTURING CONFERENCE (EDTM)   222 - 223   2017年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1109/EDTM.2017.7947572

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  • Electronic structure near the Fermi level in the ferromagnetic semiconductor GaMnAs studied by ultrafast time-resolved light-induced reflectivity measurements

    Tomoaki Ishii, Tadashi Kawazoe, Yusuke Hashimoto, Hiroshi Terada, Iriya Muneta, Motoichi Ohtsu, Masaaki Tanaka, Shinobu Ohya

    PHYSICAL REVIEW B   93 ( 24 )   2016年6月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1103/PhysRevB.93.241303

    Web of Science

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  • Unveiling the impurity band induced ferromagnetism in the magnetic semiconductor (Ga,Mn)As

    Masaki Kobayashi, Iriya Muneta, Yukiharu Takeda, Yoshihisa Harada, Atsushi Fujimori, Juraj Krempasky, Thorsten Schmitt, Shinobu Ohya, Masaaki Tanaka, Masaharu Oshima, Vladimir N. Strocov

    PHYSICAL REVIEW B   89 ( 20 )   2014年5月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1103/PhysRevB.89.205204

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  • Digging up bulk band dispersion buried under a passivation layer

    Masaki Kobayashi, Iriya Muneta, Thorsten Schmitt, Luc Patthey, Sinobu Ohya, Masaaki Tanaka, Masaharu Oshima, Vladimir N. Strocov

    APPLIED PHYSICS LETTERS   101 ( 24 )   2012年12月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1063/1.4770289

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  • Valence-band structure of ferromagnetic semiconductor (In,Ga,Mn)As

    Shinobu Ohya, Iriya Muneta, Yufei Xin, Kenta Takata, Masaaki Tanaka

    PHYSICAL REVIEW B   86 ( 9 )   2012年9月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1103/PhysRevB.86.094418

    Web of Science

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  • Valence-Band Structure of the Ferromagnetic Semiconductor GaMnAs Studied by Spin-Dependent Resonant Tunneling Spectroscopy

    Shinobu Ohya, Iriya Muneta, Pham Nam Hai, Masaaki Tanaka

    PHYSICAL REVIEW LETTERS   104 ( 16 )   2010年4月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1103/PhysRevLett.104.167204

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  • Quantum-level control in a III-V-based ferromagnetic-semiconductor heterostructure with a GaMnAs quantum well and double barriers

    Shinobu Ohya, Iriya Muneta, Masaaki Tanaka

    APPLIED PHYSICS LETTERS   96 ( 5 )   2010年2月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1063/1.3298358

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  • GaMnAs-based magnetic tunnel junctions with an AlMnAs barrier

    Shinobu Ohya, Iriya Muneta, Pham Nam Hai, Masaaki Tanaka

    APPLIED PHYSICS LETTERS   95 ( 24 )   2009年12月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1063/1.3254218

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MISC

  • TMDCを用いたFETおよびLSIについて—TMDC for FET and LSI application—2次元層状物質研究の最前線

    川那子 高暢, 宗田 伊理也, 星井 拓也, 角嶋 邦之, 筒井 一生, 若林 整

    応用電子物性分科会誌 = Bulletin of solid state physics and applications / 応用物理学会応用電子物性分科会 編   30 ( 1 )   29 - 34   2024年

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：[東京] : 応用物理学会  

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    その他リンク： https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I033350652

  • スパッタMoS2膜に対するエッジ金属コンタクトの電流電圧特性

    今井慎也, 梶川亮介, 川那子高暢, 宗田伊理也, 角嶋邦之, 辰巳哲也, 冨谷茂隆, 筒井一生, 若林整

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   84th   2023年

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  • トップゲートに自己整合したWOxS/Dを用いた30-50nm膜厚WSe2バックチャネルpFET

    梶川亮介, 川那子高暢, 宗田伊理也, 星井拓也, 角嶋邦之, 筒井一生, 若林整

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   84th   2023年

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  • MoS2膜質のスパッタ成膜レート依存性調査

    今井慎也, 小野凌, 宗田伊理也, 角嶋邦之, 辰巳哲也, 冨谷茂隆, 筒井一生, 若林整

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   83rd   2022年

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  • WSe2n/p FETsを用いた低電圧動作CMOSインバータ

    川那子高暢, 松崎貴広, 梶川亮介, 宗田伊理也, 星井拓也, 角嶋邦之, 筒井一生, 若林整

    電子情報通信学会技術研究報告(Web)   122 ( 84(SDM2022 24-32) )   2022年

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  • アルミニウムスカンジウム合金(AlSc)と酸化タングステン(WOx)をソース/ドレイン電極に用いたWSe2n/p FETとCMOSインバータ応用

    川那子高暢, 梶川亮介, 水谷一翔, TSAI SungLin, 宗田伊理也, 星井拓也, 角嶋邦之, 筒井一生, 若林整

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   83rd   2022年

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  • 希土類酸化物キャッピングによるY:HfO2キャパシタの信頼性改善

    水谷一翔, 星井拓也, 川那子高暢, 宗田伊理也, 若林整, 筒井一生, 角嶋邦之

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   83rd   2022年

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  • Impact of three-dimensional current flow on accurate TCAD simulation for trench-gate IGBTs

    Watanabe, Masahiro, Shigyo, Naoyuki, Hoshii, Takuya, Furukawa, Kazuyoshi, Kakushima, Kuniyuki, Satoh, Katsumi, Matsudai, Tomoko, Saraya, Takuya, Takakura, Toshihiro, Itou, Kazuo, Fukui, Munetoshi, Suzuki, Shinichi, Takeuchi, Kiyoshi, Muneta, Iriya, Wakabayashi, Hitoshi, Nakajima, Akira, Nishizawa, Shin-ichi, Tsutsui, Kazuo, Hiramoto, Toshiro, Ohashi, Hiromichi, Iwai, Hiroshi

    2019 31ST INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES AND ICS (ISPSD)   311 - 314   2019年

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    記述言語：英語  

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  • 少数キャリアライフタイムによる半導体プロセスの評価手法の提案

    角嶋邦之, 星井拓也, 渡辺正裕, 執行直之, 古川和由, 更屋拓哉, 高倉俊彦, 伊藤一夫, 福井宗利, 鈴木慎一, 竹内潔, 宗田伊理也, 若林整, 沼沢陽一郎, 小椋厚志, 西澤伸一, 筒井一生, 平本俊郎, 大橋弘通, 岩井洋

    電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集(CD-ROM)   2018   2018年

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  • 酸化セリウムを用いたMIMキャパシタの過渡応答特性

    久恒和也, 佐々康平, 星井拓也, 宗田伊理也, 若林整, 筒井一生, 角嶋邦之

    半導体・集積回路技術シンポジウム(CD-ROM)   82nd   2018年

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  • スパッタリング法で堆積したMoS2薄膜へのコンタクト抵抗と熱処理依存性

    外山真矢人, 大橋匠, 松浦賢太朗, 清水淳一, 宗田伊理也, 星井拓也, 角嶋邦之, 筒井一生, 若林整

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   64th   2017年

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  • ショットキーバリアダイオードを用いたβ-Ga2O3のドナー濃度の抽出

    金子喬, 宗田伊理也, 星井拓也, 若林整, 筒井一生, 岩井洋, 角嶋邦之

    半導体・集積回路技術シンポジウム(CD-ROM)   81st   2017年

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  • Mo2C電極を用いたSiCショットキーバリアダイオードのTEM解析

    齋藤大樹, 宗田伊理也, 星井拓也, 若林整, 筒井一生, 岩井洋, 角嶋邦之

    半導体・集積回路技術シンポジウム(CD-ROM)   81st   2017年

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  • 横型Siナノウォール太陽電池の発電特性に関する検討

    龍口傑, 星井拓也, 宗田伊理也, 若林整, 筒井一生, 岩井洋, 角嶋邦之

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   64th   2017年

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講演・口頭発表等

  • Ferromagnetism modulation by ultralow current in a two-dimensional polycrystalline molybdenum disulfide atomic layered structure

    Iriya Muneta, Takanori Shirokura, Pham Nam Hai, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

    Intermag 2023  2023年5月 

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    開催年月日： 2023年5月

    会議種別：口頭発表（一般）  

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  • Sudden restoration of the band ordering at the onset of ferromagnetic transition and magnetic anisotropy control by the quantum size effect in a ferromagnetic semiconductor 招待

    Iriya Muneta, Hiroshi Terada, Toshiki Kanaki, Shinobu Ohya, Masaaki Tanaka

    62nd Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials  2017年11月 

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    開催年月日： 2017年11月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

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  • 微結晶MoS2膜への硫黄雰囲気アニールによる結晶性向上

    小野 凌, 今井 慎也, 宗田 伊理也, 角嶋 邦之, 筒井 一生, 若林 整

    第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年9月 

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    開催年月日： 2023年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

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  • アルミニウムスカンジウム合金(AlSc)と酸化タングステン(WOx)をソース/ドレイン電極に用いたWSe2 n/p FETとCMOSインバータ応用

    川那子 高暢, 梶川 亮介, 水谷 一翔, Tsai Sung Lin, 宗田 伊理也, 星井 拓也, 角嶋 邦之, 筒井 一生, 若林 整

    第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年9月 

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    開催年月日： 2023年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

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  • 希土類酸化物キャッピングによるY:HfO2キャパシタの信頼性改善

    水谷 一翔, 星井 拓也, 川那子 高暢, 宗田 伊理也, 若林 整, 筒井 一生, 角嶋 邦之

    第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年9月 

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    開催年月日： 2023年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

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  • アニール処理によるWS2-Niエッジコンタクト特性の向上

    立松 真一, 濱田 昌也, 濱田 拓也, 宗田 伊理也, 角嶋 邦之, 筒井 一生, 若林 整

    第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年9月 

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    開催年月日： 2023年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

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  • MoS2膜質のスパッタ成膜レート依存性調査

    今井 慎也, 小野 凌, 宗田 伊理也, 角嶋 邦之, 辰巳 哲也, 冨谷 茂隆, 筒井 一生, 若林 整

    第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年9月 

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    開催年月日： 2023年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

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  • Ni/Al2O3/スパッタWS2コンタクトの電流電圧特性

    寺岡 楓, 今井 慎也, 黒原 啓太, 伊東 壮真, 川那子 高暢, 宗田 伊理也, 角嶋 邦之, 若林 整

    第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023年9月 

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    開催年月日： 2023年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

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  • MoS2極薄膜における磁化特性の層数依存性

    岡村 俊吾, 宗田 伊理也, 白倉 孝典, 若林 整

    第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023年9月 

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    開催年月日： 2023年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

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  • トップゲートに自己整合したWOx S/Dを用いた30-50 nm膜厚WSe2バックチャネルpFET

    梶川 亮介, 川那子 高暢, 宗田 伊理也, 星井 拓也, 角嶋 邦之, 筒井 一生, 若林 整

    第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023年9月 

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    開催年月日： 2023年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

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  • スパッタMoS2膜に対するエッジ金属コンタクトの電流電圧特性

    今井 慎也, 梶川 亮介, 川那子 高暢, 宗田 伊理也, 角嶋 邦之, 辰巳 哲也, 冨谷 茂隆, 筒井 一生, 若林 整

    第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023年9月 

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    開催年月日： 2023年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

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  • スパッタ成膜MoS2の基板上での原子分解能電子顕微鏡観察

    武田 高志, 小野 凌, 草間 優太, 狩野 絵美, 宗田 伊理也, 若林 整, 五十嵐 信行

    第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023年9月 

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    開催年月日： 2023年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

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  • ZrS2 symmetrical-ambipolar FETs with near-midgap TiN film for both top-gate electrode and Schottky-barrier contact 招待

    濱田 昌也, 松浦 賢太朗, 濱田 拓也, 宗田 伊理也, 角嶋 邦之, 筒井 一生, 若林 整

    第70回応用物理学会春季学術講演会  2023年3月 

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    開催年月日： 2023年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

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  • Self-heating and Short-Channel Effect Immunity with Partial-Bottom-Dielectric-Isolation for Gate-All-Around Nano-Sheet FETs

    Peilong Wang, Atsushi Hori, Iriya Muneta, Takamasa Kawanago, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

    70th JSAP Spring meeting  2023年3月 

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    開催年月日： 2023年3月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

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  • Grain-Size Enlargement of MoS2 Film by Low-Rate Sputtering with Molybdenum Grid

    Shinya Imai, Ryo Ono, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Tetsuya Tatsumi, Shigetaka Tomiya, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

    IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM)  2023年3月 

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    開催年月日： 2023年3月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

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  • Improvement of MoS2 Film Quality by Solid-Phase Crystallization from PVD Amorphous MoSx Film

    Ryo Ono, Shinya Imai, Takamasa Kawanago, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Tetsuya Tatsumi, Shigetaka Tomiya, Hitoshi Wakabayashi

    IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM)  2023年3月 

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    開催年月日： 2023年3月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

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  • 強磁性を示す二次元多結晶層状物質MoS2における非対称線形磁気抵抗

    宗田 伊理也, 白倉 孝典, ファム ナムハイ, 角嶋 邦之, 筒井 一生, 若林 整

    第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年9月 

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    開催年月日： 2022年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

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  • Ferromagnetism and current control of magnetoresistance in two-dimensional polycrystalline MoS2

    宗田 伊理也, 白倉 孝典, PHAM NAM HAI, 角嶋 邦之, 筒井 一生, 若林 整

    第63回フラーレン・ナノチューブ･グラフェン総合シンポジウム  2022年8月 

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    開催年月日： 2022年8月 - 2022年9月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

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  • 二次元多結晶二硫化モリブデン原子層状膜における超低電流強磁性変調

    宗田 伊理也, 白倉 孝典, ファム ナム ハイ, 角嶋 邦之, 筒井 一生, 若林 整

    第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月 

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    開催年月日： 2022年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

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  • Grain Size Enlargement in 2D WS2 Film with Low-Power RF-Magnetron Sputtering

    Takuya Hamada, Taiga Horiguchi, Masaya Hamada, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Tetsuya Tatsumi, Shigetaka Tomiya, Hitoshi Wakabayashi

    International Conference on Solid State Devices and Materials  2021年9月 

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    開催年月日： 2021年9月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

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  • Experimental Demonstration of High-Gain CMOS Inverter at Low Vdd Down to 0.5 V Consisting of WSe2 n/p FETs

    Takamasa Kawanago, Takahiro Matsuzaki, Ryosuke Kajikawa, Iriya Muneta, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

    International Conference on Solid State Devices and Materials  2021年9月 

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    開催年月日： 2021年9月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

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  • Growth Mechanism of PVD MoS2 Film from Sub-Monolayer Region

    Ryo Ono, Shinya Imai, Yuta Kusama, Takuya Hamada, Masaya Hamada, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Nobuyuki Ikarashi, Hitoshi Wakabayashi

    International Conference on Solid State Devices and Materials  2021年9月 

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    開催年月日： 2021年9月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

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  • Accurate TCAD simulation of trench-gate IGBTs and its application to prediction of carrier lifetime requirements for future scaled devices 招待

    Masahiro Watanabe, Naoyuki Shigyo, Takuya Hoshii, Kazuyoshi Furukawa, Kuniyuki Kakushima, Katsumi Satoh, Tomoko Matsudai, Takuya Saraya, Iriya Muneta, Hitoshi Wakabayashi, Akira Nakajima, Shin-ichi Nishizawa, Kazuo Tsutsui, Toshiro Hiramoto, Hiromichi Ohashi, Hiroshi Iwai

    IEEE 5th Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM 2021)  2021年4月 

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    開催年月日： 2021年4月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

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  • 電源電圧0.5V動作の高ゲインWSe2CMOSインバータの実証

    川那子高暢, 松崎貴広, 梶川亮介, 宗田伊理也, 星井拓也, 角嶋邦之, 筒井一生, 若林整

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  2021年 

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    開催年月日： 2021年

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  • ZrS2 Ambipolar FETs with Schottky Barrier to Near-Midgap TiN Contact Controlled by Top Gate TiN/Al2O3 Stack

    Masaya Hamada, Kentaro Matsuura, Takuya Hamada, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

    International Conference of Solid State Devices and Materials (SSDM)  2020年9月 

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    開催年月日： 2020年9月

    会議種別：口頭発表（一般）  

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  • Low Contact Resistance at Interface between Sputtered-MoS2 Film and TiSi2 Contact Treated by Higher-Temperature Forming-Gas Annealing

    Satoshi Igarashi, Yusuke Mochiduki, Haruki Tanigawa, Masaya Hamada, Kentaro Matsuura, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

    International Conference of Solid State Devices and Materials (SSDM)  2020年9月 

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    開催年月日： 2020年9月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

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  • Importance of MoS2-Compound Sputtering even with Sulfur-Vapor Anneal for Chip-Size Fabrication

    Shinya Imai, Takuya Hamada, Masaya Hamada, Takanori Shirokura, Shigetaka Tomiya, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Tetsuya Tatsumi, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

    International Conference of Solid State Devices and Materials (SSDM)  2020年9月 

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    開催年月日： 2020年9月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

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  • 大面積集積化に向けたスパッタ堆積ノーマリーオフMoS2-nMISFETs

    松浦賢太朗, 濱田昌也, 濱田拓也, 谷川晴紀, 坂本拓朗, 堀敦, 宗田伊理也, 川那子高暢, 角嶋邦之, 筒井一生, 小椋厚志, 若林整

    第67回応用物理学会春季学術講演会  2020年3月 

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    開催年月日： 2020年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

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  • Edge induced ferromagnetism in sputtered MoS2 film controlled by annealing

    Takanori Shirokura, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

    The 80th JSAP Autumn meeting  2019年9月 

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    開催年月日： 2019年9月

    記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

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  • Normally-off sputtered-MoS<inf>2</inf> nMISFETs with MoSi<inf>2</inf> contact by sulfur powder annealing and ALD Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf> gate dielectric for chip level integration

    K. Matsuura, M. Hamada, T. Hamada, H. Tanigawa, T. Sakamoto, W. Cao, K. Parto, A. Hori, I. Muneta, T. Kawanago, K. Kakushima, K. Tsutsui, A. Ogura, K. Banerjee, H. Wakabayashi

    19th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2019  2019年6月 

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    開催年月日： 2019年6月

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  • Mechanism for high hall-effect mobility in sputtered-MoS2 film controlling particle energy

    Takuro Sakamoto, Takumi Ohashi, Kentaro Matsuura, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Yuuta Suzuki, Nobuyuki Ikarashi, Hitoshi Wakabayashi

    2018 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference, S3S 2018  2019年2月 

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    開催年月日： 2019年2月

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  • Hall-effect mobility enhancement of sputtered MoS2 film by vapor phase sulfurization through Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf> passivation film

    Masaya Hamada, Kentaro Matsuura, Takuro Sakamoto, Haruki Tanigawa, Takumi Ohashi, Iriya Muneta, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

    2018 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference, S3S 2018  2019年2月 

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    開催年月日： 2019年2月

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  • Impact of three-dimensional current flow on accurate TCAD simulation for trench-gate IGBTs

    Masahiro Watanabe, Naoyuki Shigyo, Takuya Hoshii, Kazuyoshi Furukawa, Kuniyuki Kakushima, Katsumi Satoh, Tomoko Matsudai, Takuya Saraya, Toshihiro Takakura, Kazuo Itou, Munetoshi Fukui, Shinichi Suzuki, Kiyoshi Takeuchi, Iriya Muneta, Hitoshi Wakabayashi, Akira Nakajima, Shin-ichi Nishizawa, Kazuo Tsutsui, Toshiro Hiramoto, Hiromichi Ohashi, Hiroshi Iwai

    2019 31ST INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES AND ICS (ISPSD)  2019年 

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    開催年月日： 2019年

    記述言語：英語  

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  • Magnetic property in sputtered MoS2 thin film on growth temperature

    白倉孝典, 宗田伊理也, 角嶋邦之, 筒井一生, 若林整

    第23回 半導体におけるスピン工学の基礎と応用（PASPS-23)  2018年12月 

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    開催年月日： 2018年12月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

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  • New Methodology for Evaluating Minority Carrier Lifetime for Process Assessment

    K. Kakushima, T. Hoshii, M. Watanabe, N. Shizyo, K. Furukawa, T. Saraya, T. Takakura, K. Itou, M. Fukui, S. Suzuki, K. Takeuchi, I. Muneta, H. Wakabayashi, Y. Numasawa, A. Ogura, S. Nishizawa, K. Tsutsui, T. Hiramoto, H. Ohashi, H. Iwai

    IEEE Symposium on VLSI Circuits, Digest of Technical Papers  2018年10月 

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    開催年月日： 2018年10月

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  • Verification of the injection enhancement effect in IGBTs by measuring the electron and hole currents separately

    T. Hoshii, K. Furukawa, K. Kakushima, M. Watanabe, N. Shigvo, T. Saraya, T. Takakura, K. Ltou, M. Fukui, S. Suzuki, K. Takeuchi, I. Muneta, H. Wakabayashi, Shinichi Nishizawa, K. Tsutsui, T. Hiramoto, H. Ohashi, H. Lwai

    48th European Solid-State Device Research Conference, ESSDERC 2018 2018 48th European Solid-State Device Research Conference, ESSDERC 2018  2018年10月 

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    開催年月日： 2018年10月

    記述言語：英語  

    The injection enhancement effect in IGBTs was experimentally verified by separately measuring emitter electron-and hole-currents for the first time. Finger contacts were employed as ladder-like periodic n+ and p+ emitters to allow the independent measurement of these currents. Both reducing the mesa width and increasing the cell pitch were found to increase electron injection from the emitter, demonstrating the injection enhancement effect. These experimental results agreed well with the simulation results.

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  • Chip-Level-Integrated nMISFETs with Sputter-Deposited-MoS<inf>2</inf> Thin Channel Passivated by Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf> Film and TiN Top Gate

    Kentaro Matsuura, Jun'Ichi Shimizu, Mayato Toyama, Takumi Ohashi, Iriya Muneta, Seiya Ishihara, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Atsushi Ogura, Hitoshi Wakabayashi

    2018 IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2018 - Proceedings  2018年7月 

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    開催年月日： 2018年7月

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  • Active-performance benchmark for advanced 3D-CMOS devices

    Hitoshi Wakabayashi, Eisuke Anju, Iriya Muneta

    China Semiconductor Technology International Conference 2018, CSTIC 2018  2018年5月  Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

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    開催年月日： 2018年5月

    記述言語：英語  

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  • Photovoltaic properties of lateral ultra-thin Si p-i-n structure

    Suguru Tatsunokuchi, I. Muneta, T. Hoshii, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, H. Iwai, K. Kakushima

    China Semiconductor Technology International Conference 2018, CSTIC 2018  2018年5月  Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

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    開催年月日： 2018年5月

    記述言語：英語  

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  • Mechanism for High Hall-Effect Mobility in Sputtered-MoS2 Film Controlling Particle Energy

    Takuro Sakamoto, Takumi Ohashi, Kentaro Matsuura, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Yuuta Suzuki, Nobuyuki Ikarashi, Hitoshi Wakabayashi

    2018 IEEE SOI-3D-SUBTHRESHOLD MICROELECTRONICS TECHNOLOGY UNIFIED CONFERENCE (S3S)  2018年 

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    開催年月日： 2018年

    記述言語：英語  

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  • Chip-Level-Integrated nMISFETs with Sputter-Deposited-MoS2 Thin Channel Passivated by Al2O3 Film and TiN Top Gate

    Kentaro Matsuura, Jun'ichi Shimizu, Mayato Toyama, Takumi Ohashi, Iriya Muneta, Seiya Ishihara, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Atsushi Ogura, Hitoshi Wakabayashi

    2018 IEEE 2ND ELECTRON DEVICES TECHNOLOGY AND MANUFACTURING CONFERENCE (EDTM 2018)  2018年 

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    開催年月日： 2018年

    記述言語：英語  

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  • Hall-Effect Mobility Enhancement of Sputtered MoS2 Film by Vapor Phase Sulfurization through Al2O3 Passivation Film

    Masaya Hamada, Kentaro Matsuura, Takuro Sakamoto, Haruki Tanigawa, Takumi Ohashi, Iriya Muneta, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

    2018 IEEE SOI-3D-SUBTHRESHOLD MICROELECTRONICS TECHNOLOGY UNIFIED CONFERENCE (S3S)  2018年 

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    開催年月日： 2018年

    記述言語：英語  

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  • Resistivity reduction of low-carrier-density sputtered-MoS<inf>2</inf> film using fluorine gas

    Yasunori Okada, Shimpei Yamaguchi, Takumi Ohashi, Iriya Muneta, Kuniyuki Kasushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

    17th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2017  2017年6月 

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    開催年月日： 2017年6月

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  • Low temperature ohmic contact for p-type GaN using Mg electrodes

    K. Kakushima, Y. Ikeuchi, T. Hoshii, I. Muneta, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, H. Iwai, T. Kikuchi, S. Ishikawa

    17th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2017  2017年6月  Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

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    開催年月日： 2017年6月

    記述言語：英語  

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  • Formation of Mo<inf>2</inf>C electrodes using stacked sputtering process for thermally stable SiC Schottky barrier diodes

    K. Kakushima, T. Suzuki, T. Hoshii, I. Muneta, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, H. Iwai, H. Nohira

    17th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2017  2017年6月 

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    開催年月日： 2017年6月

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  • Crystallinity improvement using migration-enhancement methods for sputtered-MoS<inf>2</inf> films

    Shin Hirano, Jun'Ichi Shimizu, Kentaro Matsuura, Takumi Ohashi, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

    2017 IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2017 - Proceedings  2017年6月 

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    開催年月日： 2017年6月

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  • Low-carrier density sputtered-MoS<inf>2</inf> film by H<inf>2</inf>S annealing for normally-off accumulation-mode FET

    Jun'Ichi Shimizu, Takumi Ohashi, Kentaro Matsuura, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Nobuyuki Ikarashi, Hitoshi Wakabayashi

    2017 IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2017 - Proceedings  2017年6月 

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    開催年月日： 2017年6月

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  • Experimental verification of a 3D scaling principle for low Vce(sat) IGBT

    K. Kakushima, T. Hoshii, K. Tsutsui, A. Nakajima, S. Nishizawa, H. Wakabayashi, I. Muneta, K. Sato, T. Matsudai, W. Saito, T. Saraya, K. Itou, M. Fukui, S. Suzuki, M. Kobayashi, T. Takakura, T. Hiramoto, A. Ogura, Y. Numasawa, I. Omura, H. Ohashi, H. Iwai

    Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM  2017年1月  Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

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    開催年月日： 2017年1月

    記述言語：英語  

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  • Resistivity Reduction of Low-Carrier-Density Sputtered-MoS2 Film using Fluorine Gas

    Yasunori Okada, Shimpei Yamaguchi, Takumi Ohashi, Iriya Muneta, Kuniyuki Kasushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

    2017 17TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON JUNCTION TECHNOLOGY (IWJT)  2017年 

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    開催年月日： 2017年

    記述言語：英語  

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  • Crystallinity Improvement using Migration-Enhancement Methods for Sputtered-MoS2 Films

    Shin Hirano, Jun'ichi Shimizu, Kentaro Matsuura, Takumi Ohashi, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

    2017 IEEE ELECTRON DEVICES TECHNOLOGY AND MANUFACTURING CONFERENCE (EDTM)  2017年 

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    開催年月日： 2017年

    記述言語：英語  

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  • 3D Scaling for Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) with Low V-ce(sat)

    K. Tsutsui, K. Kakushima, T. Hoshii, A. Nakajima, S. Nishizawa, H. Wakabayashi, I. Muneta, K. Sato, T. Matsudai, W. Saito, T. Saraya, K. Itou, M. Fukui, S. Suzuki, M. Kobayashi, T. Takakura, T. Hiramoto, A. Ogura, Y. Numasawa, I. Omura, H. Ohashi, H. Iwai

    2017 IEEE 12TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON ASIC (ASICON)  2017年 

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    開催年月日： 2017年

    記述言語：英語  

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受賞

  • 研究奨励賞

    2018年3月   応用物理学会シリコンテクノロジー分科会   Artificial control of the bias-voltage dependence of tunnelling-anisotropic magnetoresistance using quantization in a single-crystal ferromagnet

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共同研究・競争的資金等の研究課題

  • 二次元層状半導体MoS2の4d軌道エッジ強磁性の電気的制御

    研究課題/領域番号：24K07557  2024年4月 - 2027年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(C)

    宗田伊理也

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    担当区分：研究代表者 

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  • ナローギャップハバードバンド強磁性体の電気的制御

    研究課題/領域番号：KJ-3313  2024年4月 - 2025年3月

    公益財団法人 加藤科学振興会  研究助成事業 

    宗田伊理也

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    担当区分：研究代表者 

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  • 遷移金属カルコゲナイド二次元層状多結晶の強磁性とその応用

    研究課題/領域番号：21K14193  2021年4月 - 2024年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業 若手研究  若手研究

    宗田 伊理也

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    担当区分：研究代表者 

    配分額：4680000円 （ 直接経費：3600000円 、 間接経費：1080000円 ）

    MoS2薄膜の(1)磁化測定と(2)磁気抵抗測定の二つの研究テーマを学部学生と協力して平行して実施した。(1) MoS2薄膜の磁化特性の測定については、研究開始当初からの懸念事項として、基板の反磁性の影響が大きく、適切な磁化測定が阻害される問題があった。これは、基板の厚さがコンマ数ミリであるのに対し、MoS2薄膜は数nm程度と桁違いに薄いためである。まず、これに対する対策を講じた。方法は、通常用いられるシリコン基板(0.3 mm - 0.7 mm)ではなく、一桁薄い0.03mmの極薄基板を特注し、これを用いて薄膜を成膜することによって、磁化を適切に測定することに成功した。その結果、飽和磁化が成膜温度、及び、測定温度に依存して変化することが分かった。測定点を増やし、傾向と系統性を明確にすることで、論文化が可能であると考えられる。(2) MoS2薄膜の磁気抵抗測定については、ノンドープ半導体は4Kにおいては抵抗が非常に大きくなるため、まず低抵抗薄膜の作製方法を模索する必要があった。その方策として、膜厚をやや厚めの7 nm - 8 nmに設定し、表面とボトムからの空乏化の影響を抑止した。さらに、成膜時基板温度を低下させ、また、成膜時のAr分圧を下げることで結晶欠陥を生じさせ、キャリアドーピングを施した。加えて、電極材料を選定した。その理由は、電極材料によってコンタクト抵抗が異なることが知られているからである。仕事関数が真空準位とMoS2の伝導体下端の差に近いものが良いとされていることから、アルミニウムと銀を試行した。アルミニウムでは低温で抵抗の発散がみられたが、銀を用いると抵抗は増大したが、電流を流すことが可能な範囲であった。これにより、4Kで磁気抵抗を再現性よく測定することに成功した。

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  • 二次元層状物質遷移金属カルコゲナイドの磁化特性と電気伝導特性

    研究課題/領域番号：KJ20050048  2020年4月 - 2022年3月

    みずほ学術振興財団  工学研究助成 

    宗田 伊理也

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    担当区分：研究代表者 

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  • 二次元層状物質における強磁性と磁気伝導特性の解明

    研究課題/領域番号：0311055-A  2019年4月 - 2020年3月

    池谷科学技術振興財団  単年度研究助成 

    宗田 伊理也

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    担当区分：研究代表者 

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  • 二次元層状物質を用いたドーピングフリー強磁性半導体の開発

    研究課題/領域番号：18K13785  2018年4月 - 2021年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業 若手研究  若手研究

    宗田 伊理也

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    担当区分：研究代表者 

    配分額：4160000円 （ 直接経費：3200000円 、 間接経費：960000円 ）

    今年度は、まず、二次元層状半導体の主な物質であるMoS2をスパッタ堆積法を用いてCaF2基板上に堆積した。堆積時の基板温度は450度とした。堆積後の基板を目視すると黄色の薄膜が形成されていることが分かった。さらに、透過型電子顕微鏡による断面観察の結果、層状構造のMoS2膜が形成されていることを確認することができた。原子間力顕微鏡を用いて表面の凹凸を観測した結果、表面のラフネスは1nm程度と推察される。スパッタ堆積した薄膜におけるラマン分光測定の結果、CaF2のピークと、MoS2のピークが観測され、MoS2の六方晶ハニカム構造が形成されていることを確認した。以上のことから、CaF2基板上にMoS2をスパッタ法で堆積することが可能であることが分かった。
    磁気力顕微鏡を用いてCaF2基板上のMoS2薄膜MFMの表面の磁気勾配の測定を実施した。形状像と似た表面のパターンを観測することに成功した。このパターンが磁気的な相互作用によるものであるかどうかを確認するために、非磁性体カンチレバーを用いて同様な測定を実施したところ、何も観測されなかった。これにより、磁気力顕微鏡で観測されたパターン像は磁気的な相互作用である可能性が高いことを確認することが出来た。
    また、SiO2/Si基板上にMoS2をスパッタ法により薄膜を堆積し、試料の加熱による結晶のクオリティの向上が磁性に与える影響を測定した。加熱による結晶のクオリティの向上は、ラマン分光法によって確認している。また、X線光電子分光法によると、二硫化モリブデン薄膜試料中の硫黄とモリブデンの原子数比が1:2に近いことから、理想的な結晶構造に近いことを確認した。クオリティの向上した試料において磁化測定を実施し、飽和磁化を測定した。その結果、飽和磁化が向上していることが分かり、クオリティの向上による飽和磁化の向上に成功した。

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  • 自己発熱効果フリー超高集積p/n積層NW/FinFETと6T-SRAM

    研究課題/領域番号：18K04258  2018年4月 - 2021年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業 基盤研究(C)  基盤研究(C)

    若林 整, 宗田 伊理也

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    担当区分：研究分担者 

    配分額：4420000円 （ 直接経費：3400000円 、 間接経費：1020000円 ）

    IoTエッジデバイスへ応用する超高集積・超低消費電力LSI向けMOSFET技術について、FinFETを凌駕する低消費電力化を達成するため、Nano-wire (NW)構造による微細化が必要である。しかし自己発熱による駆動電流低下と信頼性劣化が大きな問題であり、高集積化の妨げとなっている。そこでn型FinFET上にn型NW-FETを積層することで、NWからコンタクトを経由して基板へ 通じる放熱経路を確保して自己発熱効果を抑制する。またこのために可能となる高集積化技術として、n型NW-FET上にp型NW-FETを積層する。これにより、自己発熱効果フリーな超高集積p/n積層NW-FET on FinFET 構造を基礎とするインバータおよび SRAM を設計し、性能を実 証する。そこで1年目は熱/デバイスシミュレーションにより放熱・デバイス性能を向上できる FET 構造を設計した。特に、SRAMだけではなく、Transfer gateやInverter, NOR, NAND, さらに多入力NORおよびNANDについて、Self-heating effectの影響の明確化と面積の削減割合を提示し、トレードオフの関係に基いたLogic LSI化の将来性について明らかにした。

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  • 強磁性半導体ＧａＭｎＡｓにおけるバンド構造と強磁性

    研究課題/領域番号：13J08851  2013年4月 - 2015年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業 特別研究員奨励費  特別研究員奨励費

    宗田 伊理也

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    担当区分：研究代表者 

    配分額：2530000円 （ 直接経費：2200000円 、 間接経費：330000円 ）

    電子は電荷の自由度を持つと同時にスピン自由度を持ち、これらは結合している。したがって、電荷の自由度を操作し電子構造を制御するバンドエンジニアリングは、スピンに由来する磁性をも制御可能であることが期待される。本研究では、強磁性半導体GaMnAsを電極にしたトンネル接合素子において、量子サイズ効果によって価電子帯の正孔の波動関数を変調しながら、トンネル輸送特性の磁化方向依存性を測定した。トンネル接合は、分子線エピタキシー法を用いて作製した。GaMnAsの膜厚に傾斜をつけることで、同一のウェーハー上に井戸幅の異なるトンネル接合素子の列を作製し、量子サイズ効果が素子ごとに異なるようにした。外部から磁場を印加し、印加する方向を変えることで磁化方向を制御した。トンネルコンダクタンスの磁化方向依存性を測定した結果、その対称性が井戸幅によって異なることが分かった。井戸幅が広く、量子サイズ効果が生じない場合におけるトンネルコンダクタンスの磁化方向依存性は、二回対称であった。井戸幅が狭く、量子サイズ効果が生じる場合は、四回対称であった。これらの結果が示していることは、量子サイズ効果を利用してバンド構造および波動関数という電子の電荷の性質をエンジニアリングすることで、トンネルコンダクタンスの磁化方向依存性という磁気的な性質を変化させることが出来るということである。磁性材料の組成を変える従来の方法とは異なり、組成を変えずに電子構造を変えることによって磁性を設計するという新しい方法の確立が期待される。この方法は、次世代機能性スピンデバイスの実現に繋がる。

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