2025/07/29 更新

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ニシヤマ　ノブヒコ
西山　伸彦
NISHIYAMA NOBUHIKO
所属
工学院 教授
職名
教授
外部リンク

News & Topics

学位

  • 博士（工学） （ 東京工業大学 ）

研究キーワード

  • Photonics

  • Quantum Electronics

  • 量子エレクトロニクス

  • フォトニクス

  • 光ネットワーク

  • 光デバイス

  • Optical Networks

  • Optical Devices

研究分野

  • ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 通信工学

  • ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器

学歴

  • 東京工業大学   総合理工学研究科   物理情報システム創造専攻

    - 2001年

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    国名： 日本国

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  • 東京工業大学

    - 2001年

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経歴

  • 東京工業大学   工学院電気電子系   教授

    2020年4月 - 現在

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    国名：日本国

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  • :コーニングインコーポレーティド サイエンス アンド テクノロジー リサーチアソシエート

    2001年 - 2006年

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  • :Corning Incorporated Science and Technology Research Associate

    2001年 - 2006年

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所属学協会

委員歴

  • 電子情報通信学会東京支部委員  

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  • 電子情報通信学会シリコン・フォトニクス時限研究委員会幹事(H20-)  

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  • IEEE LEOS Japan Chapter幹事 (H19-H20)  

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  • JJAP編集委員 (H19-)  

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論文

  • Wafer and chip-level characterization of edge-coupled photonic integrated circuits by cascaded grating couplers and spot-size converters

    Moataz Eissa, Ryuya Sasaki, Tsuyoshi Horikawa, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers   63 ( 7 )   2024年7月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.35848/1347-4065/ad5fd5

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  • Precise waveguide loss extraction using 300-mm wafer-level OFDR for optical process control monitoring

    Tsuyoshi Horikawa, Atsushi Kitamura, Masanori Yatani, Nobuhiko Nishiyama

    2024 IEEE SILICON PHOTONICS CONFERENCE, SIPHOTONICS   2024年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1109/SiPhotonics60897.2024.10543392

    Web of Science

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  • Peak Frequency Control of Photon-Photon Resonance GaInAsP Membrane DR Lasers on Si with Rear-Side Spacer Waveguide

    N. Takahashi, S. Yoshida, Y. Oiso, T. Horikawa, K. Tsutsui, K. Nishimura, S. Nimura, H. Takahashi, M. Suzuki, N. Nishiyama

    Conference Digest - IEEE International Semiconductor Laser Conference   2024年

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    掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1109/ISLC57752.2024.10717408

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  • Deep learning improves performance of topological bending waveguides

    Sakamoto, I., Okada, S., Nishiyama, N., Hu, X., Amemiya, T.

    Optics Express   32 ( 2 )   2024年

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1364/OE.507479

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  • Monolithic integration of various-type III-V epitaxial structures on silicon-photonics platform using chip-on-wafer hydrophilic bonding process

    Takehiko Kikuchi, Munetaka Kurokawa, Naoki Fujiwara, Naoko Inoue, Takuya Mitarai, Hidenari Fujikata, Takuo Hiratani, Toshiyuki Nitta, Yuhki Itoh, Tohma Watanabe, Chang-Yong Lee, Akira Furuya, Tsuyoshi Horikawa, Nobuhiko Nishiyama, Hideki Yagi

    2024 IEEE SILICON PHOTONICS CONFERENCE, SIPHOTONICS   2024年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1109/SiPhotonics60897.2024.10543539

    Web of Science

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  • Coupling structure for enabling both wafer- and chip-level characterization of silicon photonic integrated circuits

    Moataz Eissa, Ryuya Sasaki, Tsuyoshi Horikawa, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama

    2024 IEEE SILICON PHOTONICS CONFERENCE, SIPHOTONICS   2024年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1109/SiPhotonics60897.2024.10543844

    Web of Science

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  • Extraction of Reflection Coefficient in Silicon Waveguides using Multiple Reflection Signals in OFDR

    Tsuyoshi Horikawa, Atsushi Kitamura, Masanori Yatani, Nobuhiko Nishiyama

    CLEO: Applications and Technology, CLEO: A and T 2024 in Proceedings CLEO 2024 - Part of Conference on Lasers and Electro-Optics   2024年

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    掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • High thermal performance hybrid GaInAsP/SOI ridge waveguide lasers with enhanced heat dissipation structure

    Eissa, M., Kikuchi, T., Oiso, Y., Amemiya, T., Nishiyama, N.

    Japanese Journal of Applied Physics   62 ( 1 )   2023年1月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.35848/1347-4065/acacdb

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  • Demonstration of a highly efficient topological vertical coupler

    Okada, S., Kagami, H., Nishiyama, N., Hu, X., Amemiya, T.

    Optics Express   31 ( 21 )   2023年

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1364/OE.500091

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  • Inverse Design of Low Back Reflection Grating Coupler

    Yuduan Wang, Tsuyoshi Horikawa, Yoshitaka Ohiso, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama

    JSAP-Optica Joint Symposia in Proceedings JSAP-Optica Joint Symposia 2023 Abstracts, JSAP 2023   2023年

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    掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • III-V gain region/Si waveguide hybrid lasers by chip-on-wafer hydrophilic bonding process using UV-ozone treatment

    Kikuchi, T., Kurokawa, M., Fujiwara, N., Inoue, N., Hiratani, T., Nitta, T., Mitarai, T., Itoh, Y., Lee, C.-Y., Furuya, A., Oiso, Y., Nishiyama, N., Yagi, H.

    Japanese Journal of Applied Physics   62 ( 12 )   2023年

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.35848/1347-4065/acfcf9

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  • High-speed modulation in a waveguide magneto-optical switch with impedance-matching electrode

    Yajima, S., Nishiyama, N., Shoji, Y.

    Optics Express   31 ( 10 )   2023年

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1364/OE.480835

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  • High-temperature and high-efficiency operation of a membrane optical link with a buried-ridge-waveguide bonded on a Si substrate. 国際誌

    Weicheng Fang, Naoki Takahashi, Tsuyoshi Horikawa, Yoshitaka Ohiso, Ruihao Xue, Shunto Katsumi, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama

    Optics express   30 ( 19 )   34420 - 34428   2022年9月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    We demonstrate a membrane photonic integrated circuit (MPIC) that includes a membrane distributed feedback (DFB) laser and a p-i-n photodiode with a buried-ridge-waveguide (BRW) on a Si substrate, using a-Si nanofilm-assisted room-temperature surface activated bonding (SAB) for on-chip optical interconnection. The BRW structure enhanced the lateral optical confinement compared with that of the conventional flat structure. The directly bonded membrane DFB laser using SAB had a lower thermal resistance and higher output power than the previous structure using a benzocyclobutene (BCB) bonding layer. The DFB laser had a low threshold current of 0.27 mA at 25 °C. The maximum detected photocurrent and slope efficiency were 0.95 mA and 0.203 mA/mA, respectively, at 25 °C. The MPIC was successfully operated at temperatures up to 120 °C. The 3-dB bandwidths of 16.8 GHz and 10.1 GHz were achieved at 25 °C and 80 °C, respectively, and 25 Gbps and 15 Gbps non-return-to-zero (NRZ) 215-1 pseudo-random bit sequence signals were recorded at 25 °C and 80 °C, respectively.

    DOI： 10.1364/OE.468192

    PubMed

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  • High-speed infrared photonic band microscope using hyperspectral Fourier image spectroscopy. 国際誌

    Tomohiro Amemiya, Sho Okada, Hibiki Kagami, Nobuhiko Nishiyama, Yuanzhao Yao, Kazuaki Sakoda, Xiao Hu

    Optics letters   47 ( 10 )   2430 - 2433   2022年5月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    In this study, we developed a photonic band microscope based on hyperspectral Fourier image spectroscopy. The developed device constructs an infrared photonic band structure from Fourier images for various wavelength obtained by hyperspectral imaging, which make it possible to speedily measure the dispersion characteristics of photonic nanostructures. By applying the developed device to typical photonic crystals and topological photonic crystals, we succeeded in obtaining band structures in good agreement with the theoretical prediction calculated by the finite element method. This device facilitates the evaluation of physical properties in various photonic nanostructures, and is expected to further promote related fields.

    DOI： 10.1364/OL.454865

    PubMed

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  • Design and characteristics of reflectivity tunable mirror with MZI and loop waveguide on SOI

    Makihara, Y., Eissa, M., Amemiya, T., Nishiyama, N.

    Japanese Journal of Applied Physics   61   2022年5月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.35848/1347-4065/ac465b

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  • III-V gain region/Si waveguide hybrid lasers with InP-based two-storied ridge structure by direct bonding technology

    Kikuchi, T., Hiratani, T., Fujiwara, N., Inoue, N., Nitta, T., Eissa, M., Mitarai, T., Wang, Y., Oiso, Y., Nishiyama, N., Yagi, H.

    Japanese Journal of Applied Physics   61 ( 5 )   2022年5月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：{IOP} Publishing  

    DOI： 10.35848/1347-4065/ac56fd

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  • Selective excitation of optical vortex modes with specific charge numbers in band-tuned topological waveguides. 国際誌

    Hibiki Kagami, Tomohiro Amemiya, Sho Okada, Yahui Wang, Nobuhiko Nishiyama, Xiao Hu

    Optics letters   47 ( 9 )   2190 - 2193   2022年5月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    We propose a method for selectively propagating optical vortex modes with specific charge numbers in a photonic integrated circuit (PIC) by using a topological photonic system. Specifically, by performing appropriate band tuning in two photonic structures that comprise a topological waveguide, one specific electromagnetic mode at the Γ point of a band diagram can be excited. Based on theoretical analysis, we successfully propagated optical vortex modes with specific charge numbers over a wide range in the C band in the proposed topological waveguide. The proposed method could be useful in controlling optical vortex signals at the chip level in future orbital angular momentum multiplexing technologies.

    DOI： 10.1364/OL.454946

    PubMed

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  • Reduced Thermal Resistance of Membrane Fabry-Perot Laser Bonded on Si Through Room-Temperature, Surface-Activated Bonding Assisted by a-Si Nano-Film

    Fang, W., Takahashi, N., Ohiso, Y., Amemiya, T., Nishiyama, N.

    IEEE Journal of Quantum Electronics   58 ( 2 )   1 - 8   2022年4月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers ({IEEE})  

    DOI： 10.1109/JQE.2022.3145870

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  • Special Issue on Advanced Ultra-High Speed Optoelectronic Devices

    Shi, J.-W., Beling, A., Nishiyama, N.

    Photonics   9 ( 5 )   2022年

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.3390/photonics9050312

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  • High Temperature Operation of Membrane Photonic Integrated Circuits with Buried-Ridge-Waveguide on Si

    Weicheng Fang, Naoki Takahashi, Tsuyoshi Horikawa, Yoshitaka Ohiso, Ruihao Xue, Shunto Katsumi, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama

    Conference Digest - IEEE International Semiconductor Laser Conference   2022-October   2022年

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    掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.23919/ISLC52947.2022.9943308

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  • Discussion on fabrication accuracy of infrared topological photonic structures using hyperspectral Fourier image spectroscopy

    Okada, S., Amemiya, T., Kagami, H., Wang, Y., Nishiyama, N., Hu, X.

    Journal of the Optical Society of America B: Optical Physics   39 ( 9 )   2022年

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1364/JOSAB.454949

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  • Optical ReLU using membrane lasers for an all-optical neural network

    Takahashi, N., Fang, W., Xue, R., Okada, S., Ohiso, Y., Amemiya, T., Nishiyama, N.

    Optics Letters   47 ( 21 )   2022年

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1364/OL.471603

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  • Lateral confinement enhanced membrane laser on Si with a buried-ridge-waveguide structure

    Naoki Takahashi, Weicheng Fang, Yoshitaka Ohiso, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama

    JOURNAL OF THE OPTICAL SOCIETY OF AMERICA B-OPTICAL PHYSICS   38 ( 11 )   3340 - 3345   2021年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1364/JOSAB.438329

    Web of Science

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  • Highly efficient vertical coupling to a topological waveguide with defect structure. 国際誌

    Hibiki Kagami, Tomohiro Amemiya, Sho Okada, Nobuhiko Nishiyama, Xiao Hu

    Optics express   29 ( 21 )   32755 - 32763   2021年10月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    In this study, we propose a defect structure that enhances the vertical coupling efficiency of circularly polarized light incident on topological waveguides consisting of triangle nanoholes with C6v symmetry arranged in honeycomb lattice. The defect structure was formed by removing triangle nanoholes from a certain hexagonal unit cell around the topological waveguide. As a result of comparing the coupling efficiency with and without the defect structure through three-dimensional finite-difference time-domain analysis, significant improvement in the vertical coupling efficiency was observed over the entire telecom C band (4460%@1530 nm). In addition, it was also found that the wavelength showing maximum coupling efficiency can be controlled over the entire C band by changing the arrangement of the dielectric around the defect structure.

    DOI： 10.1364/OE.432964

    PubMed

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  • On-Silicon Photonic Integrated Circuit toward On-chip Interconnection and Distributed Computing

    Nobuhiko Nishiyama, Tomohiro Amemiya

    IEEE Symposium on VLSI Circuits, Digest of Technical Papers   2021-   2021年6月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.  

    DOI： 10.23919/VLSICircuits52068.2021.9492356

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  • Lateral Optical Confinement Enhanced GaInAsP Membrane Laser on Si for On-chip Optical Interconnection

    Naoki Takahashi, Weicheng Fang, Yoshitaka Ohiso, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama

    27TH INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR LASER CONFERENCE (ISLC 2021)   2021年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1109/ISLC51662.2021.9615765

    Web of Science

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  • Fabrication of Si photonic waveguides by electron beam lithography using improved proximity effect correction

    Eissa, M., Mitarai, T., Amemiya, T., Miyamoto, Y., Nishiyama, N.

    Japanese Journal of Applied Physics   59 ( 12 )   126502 - 126502   2020年12月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：{IOP} Publishing  

    DOI： 10.35848/1347-4065/abc78d

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  • Magneto-Optical Microring Switch Based on Amorphous Silicon-on-Garnet Platform for Photonic Integrated Circuits

    Murai, T., Shoji, Y., Nishiyama, N., Mizumoto, T.

    IEICE Transactions on Electronics   E103.C ( 11 )   645 - 652   2020年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Institute of Electronics, Information and Communications Engineers ({IEICE})  

    DOI： 10.1587/transele.2019OCP0003

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  • Design and measurement of broadband loop mirror with curved directional coupler based on Si waveguides

    Mitarai, T., Moataz, E., Miyazaki, T., Amemiya, T., Nishiyama, N.

    Japanese Journal of Applied Physics   59 ( 11 )   112002 - 112002   2020年11月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：{IOP} Publishing  

    DOI： 10.35848/1347-4065/abbe68

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  • Topological converter for high-efficiency coupling between Si wire waveguide and topological waveguide. 国際誌

    Hibiki Kagami, Tomohiro Amemiya, Shou Okada, Nobuhiko Nishiyama, Xiao Hu

    Optics express   28 ( 22 )   33619 - 33631   2020年10月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    Replacing part of a conventional optical circuit with a topological photonic system allows for various controls of optical vortices in the optical circuit. As an underlying technology for this, in this study, we have realized a topological converter that provides high coupling efficiency between a normal silicon wire waveguide and a topological edge waveguide. After expanding the waveguide width while maintaining single-mode transmission from the Si wire waveguide, the waveguides are gradually narrowed from both sides by using a structure in which nanoholes with C6 symmetry are arranged in a honeycomb lattice. On the basis of the analysis using the three-dimensional finite-difference time-domain method, we actually fabricated a device in which a Si wire waveguide and a topological edge waveguide were connected via the proposed topological converter and evaluated its transmission characteristics. The resulting coupling efficiency between the Si wire waveguide and the topological edge waveguide through the converter was -4.49 dB/taper, and the coupling efficiency was improved by 5.12 dB/taper compared to the case where the Si wire waveguide and the topological edge waveguide were connected directly.

    DOI： 10.1364/OE.398421

    PubMed

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  • Nonvolatile magneto-optical switches integrated with a magnet stripe array

    Murai, T., Shoji, Y., Nishiyama, N., Mizumoto, T.

    Optics Express   28 ( 21 )   31675 - 31675   2020年10月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：The Optical Society  

    DOI： 10.1364/OE.403129

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  • Control of slow-light effect in a metamaterial-loaded Si waveguide

    Makoto Tanaka, Tomohiro Amemiya, Hibiki Kagami, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    OPTICS EXPRESS   28 ( 16 )   23198 - 23208   2020年8月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1364/OE.389996

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  • High-quality, room-temperature, surface-activated bonding of GaInAsP/InP membrane structure on silicon

    Weicheng Fang, Naoki Takahashi, Yoshitaka Ohiso, Tomohiro Amemiya, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Nobuhiko Nishiyama

    Japanese Journal of Applied Physics   59 ( 6 )   2020年7月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Institute of Physics Publishing  

    DOI： 10.35848/1347-4065/ab958a

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  • Magneto-Optical Isolator and Self-Holding Optical Switch Integrated with Thin-Film Magnet

    Toshiya Murai, Yuya Shoji, Nobuhiko Nishiyama, Tetsuya Mizumoto

    Conference Proceedings - Lasers and Electro-Optics Society Annual Meeting-LEOS   2020-   2020年5月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.  

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  • Optical Vortex Beam Splitter using Topological Edge State Waveguide

    Sho Okada, Tomohiro Amemiya, Hibiki Kagami, Koichi Saito, Makoto Tanaka, Nobuhiko Nishiyama, Xiao Hu

    Conference Proceedings - Lasers and Electro-Optics Society Annual Meeting-LEOS   2020-   2020年5月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.  

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  • 1020-nm-Band Optical Cloak using Double-Layered Metamaterial Film

    Tomohiro Amemiya, Hibiki Kagami, Makoto Tanaka, Sho Okada, Nobuhiko Nishiyama, Mayu Takagi, Tatsuhiro Urakami

    Conference Proceedings - Lasers and Electro-Optics Society Annual Meeting-LEOS   2020-   2020年5月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.  

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  • High-quality InP/SOI heterogeneous material integration by room temperature surface-activated bonding for hybrid photonic devices

    Yuning Wang, Kumi Nagasaka, Takuya Mitarai, Yoshitaka Ohiso, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 ( 5 )   2020年5月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.35848/1347-4065/ab8434

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  • Enhanced bonding strength of InP/Si chip-on-wafer by plasma-activated bonding using stress-controlled interlayer

    Takehiko Kikuchi, Liu Bai, Takuya Mitarai, Hideki Yagi, Masato Furukawa, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    Japanese Journal of Applied Physics   59   2020年2月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Institute of Physics Publishing  

    DOI： 10.7567/1347-4065/ab4b11

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  • Continuous-wave operation of a 1.3 μm wavelength npn AlGaInAs/InP transistor laser up to 90 °c

    Yoshitomi, S., Yamanaka, K., Goto, Y., Yokomura, Y., Nishiyama, N., Arai, S.

    Japanese Journal of Applied Physics   59 ( 4 )   2020年

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.35848/1347-4065/ab7ef2

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  • Metamaterial infrared refractometer for determining broadband complex refractive index. 国際誌

    Hibiki Kagami, Tomohiro Amemiya, Makoto Tanaka, Yuning Wang, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    Optics express   27 ( 20 )   28879 - 28890   2019年9月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    Infrared refractive index is an indispensable parameter for various fields including infrared photonics. To date, critical-angle refractometers, V-block refractometers, and spectroscopic ellipsometry have been commonly used to measure the refractive index. Although every method has an accuracy of four decimal places for the refractive index, a measurable wavelength region is limited up to about 2 µm. In this study, we demonstrated a metamaterial infrared refractometer for determining broadband complex refractive index. Using the device, a broadband (40-120 THz; wavelength 2.5-7.5 µm) and high-precision(< 5 ×10-3) complex refractive index of polymethyl methacrylate was measured for the first time.

    DOI： 10.1364/OE.27.028879

    PubMed

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  • Broadband Si waveguide loop mirror with curved directional coupler

    Takuya Mitarai, Moataz Eissa, Takayuki Miyazaki, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    OECC/PSC 2019 - 24th OptoElectronics and Communications Conference/International Conference Photonics in Switching and Computing 2019   2019年7月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.  

    DOI： 10.23919/PS.2019.8818153

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  • Wavelength-tunable operation of magneto-optical switch consisting of amorphous silicon microring resonator on garnet

    Murai, T., Shoji, Y., Nishiyama, N., Mizumoto, T.

    Japanese Journal of Applied Physics   58 ( 7 )   072006 - 072006   2019年7月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：{IOP} Publishing  

    DOI： 10.7567/1347-4065/ab2a19

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  • Magneto-Optical Microring Switch of Amorphous Silicon Waveguide on Garnet

    Toshiya Murai, Yuya Shoji, Nobuhiko Nishiyama, Tetsuya Mizumoto

    OECC/PSC 2019 - 24th OptoElectronics and Communications Conference/International Conference Photonics in Switching and Computing 2019   2019年7月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.  

    DOI： 10.23919/PS.2019.8817876

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  • Demonstration of slow-light effect in silicon-wire waveguides combined with metamaterials. 国際誌

    Tomohiro Amemiya, Satoshi Yamasaki, Makoto Tanaka, Hibiki Kagami, Keisuke Masuda, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    Optics express   27 ( 10 )   15007 - 15017   2019年5月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    We demonstrated a novel slow-light Si-wire waveguide combined with metamaterials, which can be easily integrated with other Si photonics devices. The slow-light effect can be produced simply by placing metamaterials at an appropriate position on a Si-wire waveguide. It was confirmed that the large group index of more than 40 could be obtained because of a steep and discontinuous change of dispersion relation near the resonance frequency of metamaterials.

    DOI： 10.1364/OE.27.015007

    PubMed

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  • High Yield Chip-on-wafer Low Temperature Plasma Activated Bonding for III-V/Si Hybrid Photonic Integration

    Takehiko Kikuchi, Liu Bai, Takuya Mitarai, Hideki Yagi, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    Proceedings of 2019 6th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, LTB-3D 2019   8   2019年5月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.  

    DOI： 10.23919/LTB-3D.2019.8735148

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  • Orbital Angular Momentum Mux/Demux Module using Vertically Curved Si Waveguides

    Tomohiro Amemiya, Tomoya Yoshida, Yuki Atsumi, Nobuhiko Nishiyama, Yasuyuki Miyamoto, Youichi Sakakibara, Shigehisa Arai

    2019 Optical Fiber Communications Conference and Exhibition, OFC 2019 - Proceedings   2019年4月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.  

    DOI： 10.1364/ofc.2019.m1c.7

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  • Design of GaInAs/InP membrane p-i-n photodiodes with back-end distributed Bragg reflector

    Xu Zheng, Tomohiro Amemiya, Zhichen Gu, Koichi Saito, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    JOURNAL OF THE OPTICAL SOCIETY OF AMERICA B-OPTICAL PHYSICS   36 ( 4 )   1054 - 1061   2019年4月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1364/JOSAB.36.001054

    Web of Science

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  • Investigation of Photoluminescence property of InP/SOI wafer after bonding experiment using Surface Activated Bonding based on Fast Atom Beam

    Yuning Wang, Moataz Eissa, Takuya Mitarai, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama

    Optics InfoBase Conference Papers   2019   2019年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：OSA - The Optical Society  

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  • Investigation of InP/Si bonding condition for optimizing Photoluminescence property by Surface Activated Bonding based on Fast Atom Beam

    Yuning Wang, Takuya Mitarai, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    2019 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW)   2019年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Control of slow-light effect in metamaterial-loaded Si waveguide

    Makoto Tanaka, Tomohiro Amemiya, Satoshi Yamasaki, Hibiki Kagami, Keisuke Masuda, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    2019 CONFERENCE ON LASERS AND ELECTRO-OPTICS (CLEO)   2019年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Metamaterial infrared refractometer for detecting broadband complex refractive index of liquid material

    Hibiki Kagami, Tomohiro Amemiya, Keisuke Masuda, Makoto Tanaka, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    Optics InfoBase Conference Papers   2019   2019年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：OSA - The Optical Society  

    DOI： 10.1364/CLEO_SI.2019.SM4F.3

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  • Investigation of bonding strength between (InP, Si)/SiO2 and Si by Surface Activated Bonding based on Fast Atom Beam assisted by Si nano-film

    Weicheng Fang, Yuning Wang, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama

    Optics InfoBase Conference Papers   2019   2019年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：OSA - The Optical Society  

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  • Buried-ridge-waveguide Type GaInAsP/InP Membrane Distributed-Reflector Lasers for Reduction of Differential Resistance

    Naoki Takahashi, Nagisa Nakamura, Takamasa Yoshida, Weicheng Fang, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    2019 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW)   2019年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Analysis of an I/O metal grating coupler for organic membrane photonic integrated circuits

    Keisuke Masuda, Tomohiro Amemiya, Hibiki Kagami, Makoto Tanaka, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    Japanese Journal of Applied Physics   58 ( 5 )   2019年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Institute of Physics Publishing  

    DOI： 10.7567/1347-4065/ab1336

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  • Fabrication of Si photonics waveguides by thick resist-mask electron beam lithography proximity effect correction

    Moataz Eissa, Takuya Mitarai, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Yasuyuki Miyamoto

    Optics InfoBase Conference Papers   2019   2019年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：OSA - The Optical Society  

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  • Optical-Response Analysis of Voltage-Modulated 1.3 μm Wavelength AlGaInAs/InP Transistor Laser

    Yusei Goto, Shoichi Yoshitomi, Kentaro Yamanaka, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    Asia Communications and Photonics Conference, ACP   2018-   2018年12月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：OSA - The Optical Society  

    DOI： 10.1109/ACP.2018.8596033

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  • Low Threshold Current and High-speed Operation of Membrane Lasers

    Shigehisa Arai, Nobuhiko Nishiyama, Tomohiro Amemiya

    31st Annual Conference of the IEEE Photonics Society, IPC 2018   2018年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.  

    DOI： 10.1109/IPCon.2018.8527206

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  • 90°C CW Operation of 1.3-μm Wavelength npn-AlGaInAs/InP Transistor Lasers by Thick and Wide Base-Electrode

    Shoichi Yoshitomi, Kentaro Yamanaka, Yusei Goto, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    Conference Digest - IEEE International Semiconductor Laser Conference   2018-   43 - 44   2018年10月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.  

    DOI： 10.1109/ISLC.2018.8516157

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  • High Power, 14xx-nm Eye-safe, Epitaxially Stacked Pulse Laser for Detection and Ranging Applications

    Yasutaka Higa, Masahiro Yoshida, Nobuhiko Nishiyama, Yasuyuki Miyamoto, Nobuyuki Kagi

    Conference Digest - IEEE International Semiconductor Laser Conference   2018-   237 - 238   2018年10月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.  

    DOI： 10.1109/ISLC.2018.8516254

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  • Energy Cost Analysis of Ridge-Waveguide Type Membrane Distributed-Reflector Lasers for On-chip Application

    Nagisa Nakamura, Takamasa Yoshida, Weicheng Fang, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    Conference Digest - IEEE International Semiconductor Laser Conference   2018-   153 - 154   2018年10月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.  

    DOI： 10.1109/ISLC.2018.8516212

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  • Highly efficient double-taper-type coupler between III-V/silicon-on-insulator hybrid device and silicon waveguide

    Junichi Suzuki, Fumihito Tachibana, Kumi Nagasaka, Moataz S. A. M. Eissa, Liu Bai, Takuya Mitarai, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 ( 9 )   2018年9月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/JJAP.57.094101

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  • Si-Photonics-Based Layer-to-Layer Coupler Toward 3D Optical Interconnection 査読

    Nishiyama Nobuhiko, Kang JoonHyun, Kuno Yuki, Itoh Kazuto, Atsumi Yuki, Amemiya Tomohiro, Arai Shigehisa

    IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS   E101C ( 7 )   501 - 508   2018年7月

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  • Analysis of the slow-light effect in silicon wire waveguides with metamaterials

    Satoshi Yamasaki, Tomohiro Amemiya, Zhichen Gu, Junichi Suzuki, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    JOURNAL OF THE OPTICAL SOCIETY OF AMERICA B-OPTICAL PHYSICS   35 ( 4 )   797 - 804   2018年4月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1364/JOSAB.35.000797

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  • 20 Gbps operation of membrane-based GaInAs/InP waveguide-type p-i-n photodiode bonded on Si substrate 査読

    Zhichen Gu, Daisuke Inoue, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    Applied Physics Express   11 ( 2 )   2018年2月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Japan Society of Applied Physics  

    DOI： 10.7567/APEX.11.022102

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  • Lasing characteristics of 1.3-mu m npn-AlGaInAs transistor-laser with narrower-bandgap p-GaInAsP base layer on semi-insulating InP substrate 査読

    Shoichi Yoshitomi, Shotaro Tadano, Kentaro Yamanaka, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 ( 1 )   2018年1月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/JJAP.57.012102

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  • Self-Holding Magneto-Optical Switch Integrated with Thin-Film Magnet 査読

    Okazeri, K., Muraoka, K., Shoji, Y., Nakagawa, S., Nishiyama, N., Arai, S., Mizumoto, T.

    IEEE Photonics Technology Letters   30 ( 4 )   371 - 374   2018年1月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/LPT.2018.2791924

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  • 20-Gbit/s direct modulation of GaInAsP/InP membrane distributed-reflector laser with energy cost of less than 100 fJ/bit

    Takahiro Tomiyasu, Daisuke Inoue, Takuo Hiratani, Kai Fukuda, Nagisa Nakamura, Tatsuya Uryu, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   11 ( 1 )   2018年1月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/APEX.11.012704

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  • Directly modulated 1.3 μm quantum dot lasers epitaxially grown on silicon

    Inoue, D., Jung, D., Norman, J., Wan, Y., Nishiyama, N., Arai, S., Gossard, A.C., Bowers, J.E.

    Optics Express   26 ( 6 )   2018年

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1364/OE.26.007022

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  • Low-dark current 10 Gbit/s operation of InAs/InGaAs quantum dot p-i-n photodiode grown on on-axis (001) GaP/Si

    Inoue, D., Wan, Y., Jung, D., Norman, J., Shang, C., Nishiyama, N., Arai, S., Gossard, A.C., Bowers, J.E.

    Applied Physics Letters   113 ( 9 )   2018年

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1063/1.5041908

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  • Self-holding operation of magneto-optical switch using thin-film magnet 査読

    Ken Okazeri, Kenji Muraoka, Yuya Shoji, Shigeki Nakagawa, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai, Tetsuya Mizumoto

    Optics InfoBase Conference Papers   2018   2018年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：OSA - The Optical Society  

    DOI： 10.1364/OFC.2018.Th3C.2

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  • Design of GaInAs/InP membrane p-i-n photodiode with back-end distributed-Bragg-reflector (DBR)

    Xu Zheng, Zhichen Gu, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    Optics InfoBase Conference Papers   2018   2018年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：OSA - The Optical Society  

    DOI： 10.1364/cleopr.2018.tu2h.5

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  • Slow-light Si-wire Waveguide with Metamaterial

    Satoshi Yamasaki, Tomohiro Amemiya, Zhichen Gu, Junichi Suzuki, Keisuke Masuda, Hibiki Kagami, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    2018 CONFERENCE ON LASERS AND ELECTRO-OPTICS (CLEO)   2018年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • High-efficiency strip-loaded waveguide based silicon Mach-Zehnder modulator with vertical p-n junction phase shifter 査読

    Yuriko Maegami, Guangwei Cong, Morifumi Ohno, Makoto Okano, Kazuto Itoh, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai, Koji Yamada

    OPTICS EXPRESS   25 ( 25 )   31407 - 31416   2017年12月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1364/OE.25.031407

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  • High Efficiency Operation of GaInAsP/InP Membrane Distributed-Reflector Laser on Si 査読

    Takuo Hiratani, Daisuke Inoue, Takahiro Tomiyasu, Kai Fukuda, Nagisa Nakamura, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS   29 ( 21 )   1832 - 1835   2017年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/LPT.2017.2753263

    Web of Science

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  • Integrated Optical Link on Si Substrate Using Membrane Distributed-Feedback Laser and p-i-n Photodiode 査読

    Daisuke Inoue, Takuo Hiratani, Kai Fukuda, Takahiro Tomiyasu, Zhichen Gu, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS   23 ( 6 )   2017年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/JSTQE.2017.2716184

    Web of Science

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  • High-Efficiency Operation of Membrane Distributed-Reflector Lasers on Silicon Substrate 査読

    Takuo Hiratani, Daisuke Inoue, Takahiro Tomiyasu, Kai Fukuda, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS   23 ( 6 )   2017年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/JSTQE.2017.2704289

    Web of Science

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  • On-chip membrane-based GaInAs/InP waveguide-type p-i-n photodiode fabricated on silicon substrate 査読

    Zhichen Gu, Tatsuya Uryu, Nagisa Nakamura, Daisuke Inoue, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    APPLIED OPTICS   56 ( 28 )   7841 - 7848   2017年10月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1364/AO.56.007841

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  • Optically Driven Terahertz Wave Modulator Using Ring- haped Microstripline With GaInAs Photoconductive Mesa Structure

    Satoshi Yamasaki, Akio Yasui, Tomohiro Amemiya, Kentaro Furusawa, Shinsuke Hara, Issei Watanabe, Atsushi Kanno, Norihiko Sekine, Zhichen Gu, Nobuhiko Nishiyama, Akifumi Kasamatsu, Shigehisa Arai

    IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS   23 ( 4 )   2017年7月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/JSTQE.2017.2662660

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  • High-differential quantum efficiency operation of GaInAsP/InP membrane distributed-reflector laser on Si 査読

    Takahiro Tomiyasu, Takuo Hiratani, Daisuke Inoue, Nagisa Nakamura, Kai Fukuda, Tatsuya Uryu, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   10 ( 6 )   2017年6月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/APEX.10.062702

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  • Introduction of AlInAs-oxide current-confinement structure into GaInAsP/SOI hybrid Fabry-Perot laser 査読

    Junichi Suzuki, Yusuke Hayashi, Satoshi Inoue, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 ( 6 )   2017年6月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/JJAP.56.062103

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  • Waveguide loss reduction of lateral-current-injection type GaInAsP/InP membrane Fabry-Perot laser 査読

    Takahiro Tomiyasu, Takuo Hiratani, Daisuke Inoue, Nagisa Nakamura, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 ( 5 )   2017年5月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/JJAP.56.050311

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  • 90 degrees C continuous-wave operation of GaInAsP/InP membrane distributed-reflector laser on Si substrate 査読

    Takuo Hiratani, Daisuke Inoue, Takahiro Tomiyasu, Kai Fukuda, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   10 ( 3 )   2017年3月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/APEX.10.032702

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  • Analysis of plasmonic phase modulator with furan-thiophene chromatophore electro-optic polymer 査読

    Naoya Hojo, Tomohiro Amemiya, Kazuto Itoh, Zhichen Gu, Chiyumi Yamada, Toshiki Yamada, Junichi Suzuki, Yusuke Hayashi, Nobuhiko Nishiyama, Akira Otomo, Shigehisa Arai

    APPLIED OPTICS   56 ( 8 )   2053 - 2059   2017年3月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1364/AO.56.002053

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  • Study of a slow-light-enhanced membrane photodetector for realizing on-chip interconnection with low power consumption 査読

    Zhichen Gu, Takuo Hiratani, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    JOURNAL OF THE OPTICAL SOCIETY OF AMERICA B-OPTICAL PHYSICS   34 ( 2 )   440 - 446   2017年2月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1364/JOSAB.34.000440

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  • Preliminary reliability test of lateral-current-injection GaInAsP/InP membrane distributed feedback laser on Si substrate fabricated by adhesive wafer bonding 査読

    Kai Fukuda, Daisuke Inoue, Takuo Hiratani, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 ( 2 )   2017年2月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/JJAP.56.028002

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  • Amorphous-Si waveguide on a garnet magneto-optical isolator with a TE mode nonreciprocal phase shift 査読

    Eiichi Ishida, Kengo Miura, Yuya Shoji, Hideki Yokoi, Tetsuya Mizumoto, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    OPTICS EXPRESS   25 ( 1 )   452 - 462   2017年1月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1364/OE.25.000452

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  • N-2-Plasma Activated Bonding for GaInAsP/SOI Hybrid Lasers 査読

    Nobuhiko Nishiyama, Yusuke Hayashi, Junichi Suzuki, Shigehisa Arai

    2017 5TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON LOW TEMPERATURE BONDING FOR 3D INTEGRATION (LTB-3D)   29 - 29   2017年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • 直接接合法を利用したSOI基板上III-V族半導体光デバイス作製技術

    西山 伸彦

    エレクトロニクス実装学会誌   20 ( 6 )   396 - 400   2017年

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人エレクトロニクス実装学会  

    DOI： 10.5104/jiep.20.396

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  • High-efficiency Silicon Mach-Zehnder Modulator with Vertical PN Junction Based on Fabrication-friendly Strip-loaded Waveguide

    Maegami, Yuriko, Cong, Guangwei, Ohno, Morifumi, Okano, Makoto, Itoh, Kazuto, Nishiyama, Nobuhiko, Arai, Shigehisa, Yamada, Koji, IEEE

    2017 Ieee 14th International Conference on Group Iv Photonics (Gfp)   2017年

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  • Progress of hybrid III-V lasers on Si and SOI substrates

    Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    Optics InfoBase Conference Papers   2017   2017年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：OSA - The Optical Society  

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  • Double Taper-type Mode Convertor for Direct Bonded III-V/SOI Hybrid Photonic Devices 査読

    Satoshi Inoue, Yusuke Hayashi, Junichi Suzuki, Kazuto Itoh, Kumi Nagasaka, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    2017 5TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON LOW TEMPERATURE BONDING FOR 3D INTEGRATION (LTB-3D)   74 - 74   2017年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • III-V/Si Low Temperature Direct Bonding Technology for Photonic Device Integration on SOI 査読

    Nobuhiko Nishiyama, Yusuke Hayashi, Junichi Suzuki, Shigehisa Arai

    2017 IEEE ELECTRON DEVICES TECHNOLOGY AND MANUFACTURING CONFERENCE (EDTM)   44 - 45   2017年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Crystalline/Amorphous Si Integrated Optical Couplers for 2D/3D Interconnection 査読

    Kazuto Itoh, Yuki Kuno, Yusuke Hayashi, Junichi Suzuki, Naoya Hojo, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS   22 ( 6 )   2016年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/JSTQE.2016.2566263

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  • GaInAsP/silicon-on-insulator hybrid laser with ring-resonator-type reflector fabricated by N-2 plasma-activated bonding 査読

    Yusuke Hayashi, Junichi Suzuki, Satoshi Inoue, Shovon Muhammad Tanvir Hasan, Yuki Kuno, Kazuto Itoh, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 ( 8 )   2016年8月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/JJAP.55.082701

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  • Low-bias current 10 Gbit/s direct modulation of GaInAsP/InP membrane DFB laser on silicon 査読

    Daisuke Inoue, Takuo Hiratani, Kai Fukuda, Takahiro Tomiyasu, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    OPTICS EXPRESS   24 ( 16 )   18571 - 18579   2016年8月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1364/OE.24.018571

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  • Magneto-optical switch with amorphous silicon waveguides on magneto-optical garnet 査読

    Eiichi Ishida, Kengo Miura, Yuya Shoji, Tetsuya Mizumoto, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    Japanese Journal of Applied Physics   55 ( 8 )   088002 - 88002   2016年7月

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    記述言語：英語   出版者・発行元：Institute of Physics  

    We fabricated a magneto-optical (MO) switch with a hydrogenated amorphous silicon waveguide on an MO garnet. The switch is composed of a 2 × 2 Mach–Zehnder interferometer (MZI). The switch state is controlled by an MO phase shift through a magnetic field generated by a current flowing in an electrode located on the MZI. The switching operation was successfully demonstrated with an extinction ratio of 11.7 dB at a wavelength of 1550 nm.

    DOI： 10.7567/JJAP.55.088002

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  • Improvement in the current-gain of a 1.3-mu m npn-AlGaInAs/InP transistor laser using a thin p-GaInAsP base layer 査読

    Takaaki Kaneko, Takumi Yoshida, Shotaro Tadano, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 ( 7 )   2016年7月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/JJAP.55.070301

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  • Metafilm: Metamaterial Array Embedded in Organic Thin Film 査読

    Tomohiro Amemiya, Toru Kanazawa, Tatsuhiro Urakami, Atsushi Ishikawa, Naoya Hojo, Akio Yasui, Nobuhiko Nishiyama, Takuo Tanaka, Shigehisa Arai

    2016 CONFERENCE ON LASERS AND ELECTRO-OPTICS (CLEO)   2016年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Impedance Analysis of High-speed Lateral-current-injection Membrane DFB Laser on Silicon 査読

    Daisuke Inoue, Takuo Hiratani, Kai Fukuda, Takahiro Tomiyasu, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    2016 INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR LASER CONFERENCE (ISLC)   2016年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Analysis of Voltage Dependence on Lasing Characteristics of 1.3-mu m npn-AlGaInAs/InP Transistor Lasers 査読

    Shotaro Tadano, Takaaki Kaneko, Kentaro Yamanaka, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS)   2016年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • 10 Gbps Operation of Membrane DFB Laser on Silicon with Record High Modulation Efficiency 査読

    Daisuke Inoue, Takuo Hiratani, Kai Fukuda, Takahiro Tomiyasu, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS)   2016年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Membrane Distributed-reflector Lasers 査読

    Shigehisa Arai, Nobuhiko Nishiyama, Tomohiro Amemiya, Takuo Hiratani, Daisuke Inoue

    2016 21ST OPTOELECTRONICS AND COMMUNICATIONS CONFERENCE (OECC) HELD JOINTLY WITH 2016 INTERNATIONAL CONFERENCE ON PHOTONICS IN SWITCHING (PS)   2016年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Highly efficient circular holes added a-Si: H grating coupler with metal mirror for 3D optical interconnects 査読

    JoonHyun Kang, Yuki Kuno, Kazuto Ito, Yusuke Hayashi, Junichi Suzuki, Il-Ki Han, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    2016 21ST OPTOELECTRONICS AND COMMUNICATIONS CONFERENCE (OECC) HELD JOINTLY WITH 2016 INTERNATIONAL CONFERENCE ON PHOTONICS IN SWITCHING (PS)   2016年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Vertical Trident Coupler for 3D Optical Interconnection 査読

    Kazuto Itoh, Kuno Yusuki, Yusuke Hayashi, Junichi Suzuki, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    2016 IEEE 13TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON GROUP IV PHOTONICS (GFP)   60 - 61   2016年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • High Asymmetric Light Output Characteristics of Membrane Distributed-Reflector Laser on Si Substrate 査読

    Takuo Hiratani, Daisuke Inoue, Takahiro Tomiyasu, Kai Fukuda, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    2016 INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR LASER CONFERENCE (ISLC)   2016年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • GaInAsP/InP Membrane Lasers 査読

    Shigehisa Arai, Nobuhiko Nishiyama, Tomohiro Amemiya, Takuo Hiratani, Daisuke Inoue

    2016 CONFERENCE ON LASERS AND ELECTRO-OPTICS (CLEO)   2016年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • GaInAsP/SOI Hybrid Laser with AlInAs-oxide Confinement Structure Fabricated by Plasma Activated Bonding 査読

    Junichi Suzuki, Satoshi Inoue, Shovon M. D. Tanvir Hasan, Yusuke Hayashi, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS)   2016年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • 10 Gbit/s Data Transmission through Optical Link by Using Membrane DFB Laser and PIN-PD 査読

    Daisuke Inoue, Takuo Hiratani, Kai Fukuda, Gu Zhichen, Takahiro Tomiyasu, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    2016 IEEE PHOTONICS CONFERENCE (IPC)   538 - 539   2016年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Monolithic Integration of Membrane-Based Butt-Jointed Built-in DFB Lasers and p-i-n Photodiodes Bonded on Si Substrate 査読

    Daisuke Inoue, Takuo Hiratani, Yuki Atsuji, Takahiro Tomiyasu, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS   21 ( 6 )   2015年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/JSTQE.2015.2435898

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  • Room-temperature continuous-wave operation of membrane distributed-reflector laser 査読

    Takuo Hiratani, Daisuke Inoue, Takahiro Tomiyasu, Yuki Atsuji, Kai Fukuda, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   8 ( 11 )   2015年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/APEX.8.112701

    Web of Science

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  • High-modulation efficiency operation of GaInAsP/InP membrane distributed feedback laser on Si substrate 査読

    Daisuke Inoue, Takuo Hiratani, Kai Fukuda, Takahiro Tomiyasu, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    OPTICS EXPRESS   23 ( 22 )   29024 - 29031   2015年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1364/OE.23.029024

    Web of Science

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  • Energy Cost Analysis of Membrane Distributed-Reflector Lasers for On-Chip Optical Interconnects 査読

    Takuo Hiratani, Takahiko Shindo, Kyohei Doi, Yuki Atsuji, Daisuke Inoue, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS   21 ( 6 )   2015年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/JSTQE.2015.2456334

    Web of Science

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  • Optical transmission between III-V chips on Si using photonic wire bonding 査読

    Zhichen Gu, Tomohiro Amemiya, Atsushi Ishikawa, Takuo Hiratani, Junichi Suzuki, Nobuhiko Nishiyama, Takuo Tanaka, Shigehisa Arai

    OPTICS EXPRESS   23 ( 17 )   22394 - 22403   2015年8月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1364/OE.23.022394

    Web of Science

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  • Low-threshold-current operation of membrane distributed-feedback laser with surface grating bonded on Si substrate 査読

    Yuki Atsuji, Kyohei Doi, Takuo Hiratani, Daisuke Inoue, Jieun Lee, Yuki Atsumi, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   54 ( 8 )   2015年8月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/JJAP.54.080301

    Web of Science

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  • Investigation of Optical Interconnection by using Photonic Wire Bonding 査読

    ZhiChen Gu, Tomohiro Amemiya, Atsushi Ishikawa, Yuki Atsumi, JoonHyun Kang, Takuo Hiratani, Yusuke Hayashi, Junichi Suzuki, Nobuhiko Nishiyama, Takuo Tanaka, Shigehisa Arai

    JOURNAL OF LASER MICRO NANOENGINEERING   10 ( 2 )   148 - 153   2015年5月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.2961/jlmn.2015.02.0007

    Web of Science

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  • Thermal properties of lateral-current-injection semiconductor membrane Fabry-Perot laser under continuous-wave operation 査読

    Takuo Hiratani, Kyohei Doi, Jieun Lee, Daisuke Inoue, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   54 ( 4 )   2015年4月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/JJAP.54.042701

    Web of Science

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  • Design of apodized hydrogenated amorphous silicon grating couplers with metal mirrors for inter-layer signal coupling: Toward three-dimensional optical interconnection 査読

    Yuki Kuno, JoonHyun Kang, Yusuke Hayashi, Junichi Suzuki, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   54 ( 4 )   2015年4月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/JJAP.54.04DG04

    Web of Science

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  • Permeability-controlled optical modulator with Tri-gate metamaterial: Control of permeability on InP-based photonic integration platform 査読

    Amemiya, T., Ishikawa, A., Kanazawa, T., Kang, J., Nishiyama, N., Miyamoto, Y., Tanaka, T., Arai, S.

    Scientific Reports   5   8985   2015年3月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1038/srep08985

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  • Sub-milliampere threshold operation of butt-jointed built-in membrane DFB laser bonded on Si substrate 査読

    Daisuke Inoue, Jieun Lee, Takuo Hiratani, Yuki Atsuji, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    OPTICS EXPRESS   23 ( 6 )   7771 - 7778   2015年3月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1364/OE.23.007771

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  • Optical Interconnection between III-V Chips on Si by using Photonic Wire Bonding 査読

    Zhichen Gu, Tomohiro Amemiya, Atsushi Ishikawa, Takuo Hiratani, Junichi Suzuki, Nobuhiko Nishiyama, Takuo Tanaka, Shigehisa Arai

    2015 IEEE OPTICAL INTERCONNECTS CONFERENCE   120 - 121   2015年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Membrane Photonic Integration on Si Platform 査読

    Tomohiro Amemiyal, Takuo Hiratani, Daisuke Inoue, Takahiro Tomiyasu, Kai Fukuda, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    2015 OPTO-ELECTRONICS AND COMMUNICATIONS CONFERENCE (OECC)   2015年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    Web of Science

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  • Introduction to Issue on Semiconductor Lasers

    Mawst, L.J., Chrostowski, L., Coleman, A.C., H{\"o}fling, S., Nishiyama, N., Shterengas, L.

    IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics   21 ( 6 )   2015年

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/JSTQE.2015.2500205

    Scopus

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  • High Modulation Efficiency of Sub-milliampere Threshold GaInAsP/InP Membrane DFB Laser 査読

    Daisuke Inoue, Takuo Hiratani, Kai Fukuda, Takahiro Tomiyasu, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    2015 PHOTONICS CONFERENCE (IPC)   2015年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    Web of Science

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  • Integration of Membrane-based DFB Laser and PIN Photodiode on Si Substrate toward On-chip Interconnection 査読

    Daisuke Inoue, Takuo Hiratani, Takahiro Tomiyasu, Yuki Atsuji, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    2015 IEEE OPTICAL INTERCONNECTS CONFERENCE   124 - 125   2015年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • GaInAsP/InP-based optical modulator consisting of gap-surface-plasmon-polariton waveguide: theoretical analysis 査読

    Tomohiro Amemiya, Eijun Murai, Zhichen Gu, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    JOURNAL OF THE OPTICAL SOCIETY OF AMERICA B-OPTICAL PHYSICS   31 ( 11 )   2908 - 2913   2014年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1364/JOSAB.31.002908

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  • Surface assessment after removing III-V layer on III-V/silicon-on-insulator wafer fabricated by plasma activated bonding 査読

    Junichi Suzuki, Yusuke Hayashi, Yuki Kuno, JoonHyun Kang, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   53 ( 11 )   2014年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/JJAP.53.118003

    Web of Science

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  • Amorphous-Silicon Inter-Layer Grating Couplers With Metal Mirrors Toward 3-D Interconnection 査読

    JoonHyun Kang, Yuki Atsumi, Yusuke Hayashi, Junichi Suzuki, Yuki Kuno, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS   20 ( 4 )   2014年7月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/JSTQE.2014.2300058

    Web of Science

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  • Room-temperature continuous-wave operation of GaInAsP/InP lateral-current-injection membrane laser bonded on Si substrate 査読

    Daisuke Inoue, Jieun Lee, Kyohei Doi, Takuo Hiratani, Yuki Atsuji, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   7 ( 7 )   2014年7月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/APEX.7.072701

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  • Analysis of higher-order mode suppressed transmission in low-loss silicon multimode waveguides on silicon-on-insulator substrates 査読

    Yuki Atsumi, JoonHyun Kang, Yusuke Hayashi, Junichi Suzuki, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   53 ( 7 )   2014年7月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/JJAP.53.078002

    Web of Science

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  • Loss reduction of Si optical waveguides by beam step-size fracturing technique in electron beam lithography 査読

    Yuki Atsumi, Nit Taksatorn, Nobuhiko Nishiyama, Yasuyuki Miyamoto, Shigehisa Arai

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   53 ( 6 )   2014年6月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/JJAP.53.06JB04

    Web of Science

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  • Thermal Analysis of Lateral-Current-Injection Membrane Distributed Feedback Laser 査読

    Kyohei Doi, Takahiko Shindo, Jieun Lee, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS   50 ( 5 )   321 - 326   2014年5月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/JQE.2014.2309700

    Web of Science

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  • 50 Gbps data transmission through amorphous silicon interlayer grating couplers with metal mirrors 査読

    Joon Hyun Kang, Yuki Atsumi, Yusuke Hayashi, Junichi Suzuki, Yuki Kuno, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   7 ( 3 )   2014年3月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/APEX.7.032202

    Web of Science

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  • Investigation of High Temperature Process for III-V/SOI Hybrid Photonic Devices with AlInAs Oxidation Current Confinement Layer 査読

    Yusuke Hayashi, Junich Suzuki, Yuki Kuno, JoonHyun Kang, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    2014 4TH IEEE INTERNATIONAL WORKSHOP ON LOW TEMPERATURE BONDING FOR 3D INTEGRATION (LTB-3D)   17 - 17   2014年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • High Quality Quantum-well Intermixing for InP-based Membrane Photonic Integration on Si 査読

    Jieun Lee, Kyohei Doi, Takuo Hiratani, Daisuke Inoue, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    26TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS (IPRM)   2014年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Low-Power and High-Speed Operation Capabilities of Semiconductor Membrane Lasers - Energy Cost Limited by Joule Heat 査読

    Takuo Hiratani, Kyohei Doi, Yuki Atsuji, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    26TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS (IPRM)   2014年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Low-threshold-current Operation of Lateral Current Injection Membrane Distributed-feedback Laser Bonded on Si 査読

    Yuki Atsuji, Kyohei Doi, Jieun Lee, Yuki Atsumi, Takuo Hiratani, Daisuke Inoue, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    26TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS (IPRM)   2014年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Membrane hybrid optical devices and related technologies toward On-Si photonic integrated circuits 査読

    Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    26TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS (IPRM)   2014年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Light Propagation Properties of Si Waveguides after Removing III-V Layer on a III-V/SOI Wafer Fabricated by Plasma Activated Bonding 査読

    Junichi Suzuki, Yusuke Hayashi, Yuki Kuno, JoonHyun Kang, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    2014 4TH IEEE INTERNATIONAL WORKSHOP ON LOW TEMPERATURE BONDING FOR 3D INTEGRATION (LTB-3D)   20 - 20   2014年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • GaInAsP/InP Lateral-Current-Injection Membrane DFB Laser Integrated with GaInAsP Waveguides on Si Substrate 査読

    Daisuke Inoue, Jieun Lee, Takuo Hiratani, Yuki Atsuji, Amemiya Tomohiro, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    2014 24TH IEEE INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR LASER CONFERENCE (ISLC 2014)   32 - 33   2014年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1109/ISLC.2014.106

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  • Electrode Position Dependence of Energy Cost in Lateral-Current-Injection Membrane Distributed Reflector Laser 査読

    Takuo Hiratani, Yuki Atsuji, Jieun Lee, Daisuke Inoue, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    2014 24TH IEEE INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR LASER CONFERENCE (ISLC 2014)   111 - 112   2014年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1109/ISLC.2014.105

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  • Spectral characteristics of a 1.3-mu m npn-AIGalnAs/IlnP transistor laser under various operating conditions 査読

    Masashi Yukinari, Noriaki Sato, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    IEICE ELECTRONICS EXPRESS   11 ( 18 )   2014年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1587/elex.11.20140679

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  • Lasing characteristics of 1.3-mu m npn-AlGaInAs/InP Transistor Laser - dependence of the base layer structure 査読

    Takumi Yoshida, Masashi Yukinari, Takaaki Kaneko, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    26TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS (IPRM)   2014年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • 10 Gbps Operation of Top Air-Clad Lateral Junction Waveguide-Type Photodiodes 査読

    Takahiko Shindo, Takayuki Koguchi, Mitsuaki Futami, Kyouhei Doi, Yoshiyuki Yamahara, Jieun Lee, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 ( 11 )   2013年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/JJAP.52.118002

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  • Design and Characterization of AlGaInAs/InP Buried Heterostructure Transistor Lasers Emitting at 1.3-mu m Wavelength

    Noriaki Sato, Mizuki Shirao, Takashi Sato, Masashi Yukinari, Nobuhiko Nishiyama, Tomohiro Amemiya, Shigehisa Arai

    IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS   19 ( 4 )   2013年7月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/JSTQE.2013.2250490

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  • Lateral-Current-Injection Type Membrane DFB Laser With Surface Grating 査読

    Takahiko Shindo, Mitsuaki Futami, Tadashi Okumura, Ryo Osabe, Takayuki Koguchi, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS   25 ( 13 )   1282 - 1285   2013年7月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/LPT.2013.2261980

    Web of Science

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  • Design of Lateral-Current-Injection-Type Membrane Distributed-Feedback Lasers for On-Chip Optical Interconnections

    Takahiko Shindo, Mitsuaki Futami, Kyohei Doi, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS   19 ( 4 )   2013年7月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/JSTQE.2013.2244573

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  • Low threshold current density operation of a GaInAsP/Si hybrid laser prepared by low-temperature N2 plasma activated bonding 査読

    Yusuke Hayashi, Ryo Osabe, Keita Fukuda, Yuki Atsumi, JoonHyun Kang, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    Japanese Journal of Applied Physics   52 ( 6 )   2013年6月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/JJAP.52.060202

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  • Lateral Current Injection Type Membrane DFB lasers

    Arai, Shigehisa, Nishiyama, Nobuhiko, Amemiya, Tomohiro, Shindo, Takahiko, Futami, Mitsuaki, Doi, Kyohei, IEEE

    2013 Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim (Cleo-Pr)   2013年

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

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  • Ultraviolet-induced Wavelength Trimming of BCB-buried Athermal Si Slot Wavelength Filters 査読

    Yuki Atsumi, Takeshi Sifer, JoonHyun Kang, Yusuke Hayashi, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    2013 CONFERENCE ON LASERS AND ELECTRO-OPTICS PACIFIC RIM (CLEO-PR)   2013年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Inter-Layer Grating Coupler with Metal Mirrors for 3D Optical Interconnects 査読

    JoonHyun Kang, Yuki Atsumi, Takeshi Sifer, Yusuke Hayashi, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    2013 CONFERENCE ON LASERS AND ELECTRO-OPTICS PACIFIC RIM (CLEO-PR)   2013年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Design of Multi-Functional GaInAsP/Si Hybrid Semiconductor Optical Amplifier Array with AlInAs-Oxide Current Confinement Layer 査読

    Yusuke Hayashi, Keita Fukuda, Ryo Osabe, Jun-ichi Suzuki, Yuki Atsumi, JoonHyun Kang, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    2013 INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS (IPRM)   2013年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Low-Threshold Operation of LCI-Membrane-DFB Lasers with Be-doped GaInAs Contact Layer 査読

    Mitsuaki Futami, Takahiko Shindo, Kyohei Doi, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    2012 INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS (IPRM)   285 - 288   2013年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Spectral Characteristics under Various Operation Conditions of 1.3-mu m npn-AlGaInAs/InP Transistor Laser 査読

    Masashi Yukinari, Noriaki Sato, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    2013 CONFERENCE ON LASERS AND ELECTRO-OPTICS PACIFIC RIM (CLEO-PR)   2013年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Electrically-driven Permeability-controlled Optical Modulator using Mach-Zehnder Interferometer with Metamaterial 査読

    Tomohiro Amemiya, Toru Kanazawa, Atsushi Ishikawa, Seiji Myoga, Eijun Murai, Takahiko Shindo, JoonHyung Kang, Nobuhiko Nishiyama, Yasuyuki Miyamoto, Takuo Tanaka, Shigehisa Arai

    2013 CONFERENCE ON LASERS AND ELECTRO-OPTICS (CLEO)   2013年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Room-temperature continuous-wave operation of npn-algainas transistor laser emitting at 1.3-μ m wavelength 査読

    Noriaki Sato, Mizuki Shirao, Takashi Sato, Masashi Yukinari, Nobuhiko Nishiyama, Tomohiro Amemiya, Shigehisa Arai

    IEEE Photonics Technology Letters   25 ( 8 )   728 - 730   2013年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/LPT.2013.2249508

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  • Multi-stacked silicon wire waveguides and couplers toward 3D optical interconnects

    J. Kang, N. Nishiyama, Y. Atsumi, T. Amemiya, S. Arai

    OPTOELECTRONIC INTERCONNECTS XIII   8630   2013年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1117/12.2009456

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  • Compact InP-based 1x2 MMI Splitter on Si Substrate with BCB Wafer Bonding for Membrane Photonic Circuits 査読

    Jieun Lee, Yoshiaki Yamahara, Yuki Atsumi, Takahiko Shindo, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    2012 INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS (IPRM)   8 - 11   2013年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Bandgap Wavelength Shift in Quantum Well Intermixing using Different SiO2 masks for Photonic Integration 査読

    Jieun Lee, Yoshiaki Yamahara, Mitsuaki Futami, Takahiko Shindo, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    2013 INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS (IPRM)   2013年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Semiconductor Membrane Photonic Devices for Ultra-low Power Consumption Operation 査読

    Shigehisa Arai, Nobuhiko Nishiyama, Tomohiro Amemiya, Takahiko Shindo, Jieun Lee, Mitsuaki Futami, Kyohei Doi, Takuo Hiratani

    2013 IEEE PHOTONICS SOCIETY SUMMER TOPICAL MEETING SERIES   48 - +   2013年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Room-temperature Continuous-wave Operation of Lateral Current Injection Membrane Laser 査読

    Kyohei Doi, Takahiko Shindo, Mitsuaki Futami, Jieun Lee, Takuo Hiratani, Daisuke Inoue, Shu Yang, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    2013 INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS (IPRM)   2013年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Layer-to-Layer Grating Coupler Based on Hydrogenated Amorphous Silicon for Three-Dimensional Optical Circuits 査読

    Joonhyun Kang, Yuki Atsumi, Manabu Oda, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   51 ( 12 )   2012年12月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1143/JJAP.51.120203

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  • Simultaneous retrieval of fluidic refractive index and surface adsorbed molecular film thickness using silicon wire waveguide biosensors 査読

    Yuki Atsumi, Dan-Xia Xu, Andre Delage, Jens H. Schmid, Martin Vachon, Pavel Cheben, Siegfried Janz, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    OPTICS EXPRESS   20 ( 24 )   26969 - 26977   2012年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1364/OE.20.026969

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  • Improved Regrowth Interface of AlGaInAs/InP-Buried-Heterostructure Lasers by In-Situ Thermal Cleaning 査読

    Yuta Takino, Mizuki Shirao, Noriaki Sato, Takashi Sato, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS   48 ( 8 )   971 - 979   2012年8月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/JQE.2012.2196410

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  • Carrier-concentration-dependent resonance frequency shift in a metamaterial loaded semiconductor 査読

    Seiji Myoga, Tomohiro Amemiya, Atsushi Ishikawa, Nobuhiko Nishiyama, Takuo Tanaka, Shigehisa Arai

    JOURNAL OF THE OPTICAL SOCIETY OF AMERICA B-OPTICAL PHYSICS   29 ( 8 )   2110 - 2115   2012年8月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

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  • GaInAsP/InP Lateral Current Injection Laser With Uniformly Distributed Quantum-Well Structure 査読

    Mitsuaki Futami, Takahiko Shindo, Takayuki Koguchi, Keisuke Shinno, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS   24 ( 11 )   888 - 890   2012年6月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/LPT.2012.2190053

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  • Permeability retrieval in InP-based waveguide optical device combined with metamaterial 査読

    Tomohiro Amemiya, Seiji Myoga, Takahiko Shindo, Eijun Murai, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    OPTICS LETTERS   37 ( 12 )   2301 - 2303   2012年6月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

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  • Carrier-Transport-Limited Modulation Bandwidth in Distributed Reflector Lasers With Wirelike Active Regions 査読

    Daisuke Takahashi, SeungHun Lee, Mizuki Shirao, Takahiko Shindo, Keisuke Shinno, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS   48 ( 5 )   688 - 695   2012年5月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/JQE.2012.2190822

    Web of Science

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  • Low-Loss GaInAsP Wire Waveguide on Si Substrate with Benzocyclobutene Adhesive Wafer Bonding for Membrane Photonic Circuits 査読

    Jieun Lee, Yasuna Maeda, Yuki Atsumi, Yuta Takino, Nobuhiko Nishiyama, Sigehisa Arai

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   51 ( 4 )   2012年4月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1143/JJAP.51.042201

    Web of Science

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  • Room-temperature operation of npn-AlGaInAs/InP multiple quantum well transistor laser emitting at 1.3-mu m wavelength 査読

    Mizuki Shirao, Takashi Sato, Noriaki Sato, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    OPTICS EXPRESS   20 ( 4 )   3983 - 3989   2012年2月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1364/OE.20.003983

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  • Athermal Wavelength Filters toward Optical Interconnection to LSIs 査読

    Yuki Atsumi, Manabu Oda, Joonhyun Kang, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS   E95C ( 2 )   229 - 236   2012年2月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1587/transele.E95.C.229

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  • Foreword: Special section on photonic devices using nanofabrication technology and their applications 査読

    Eiji Higurashi, Nobuhiko Nishiyama, Takeru Amano, Akio Higo, Hiroyuki Ishii, Jun Mizuno, Masashi Nakao, Takahito Ono, Shinichi Saito, Takanori Shimizu, Yoshimasa Sugimoto, Junichi Takahara, Masayuki Izutsu

    IEICE Transactions on Electronics   E95-C ( 2 )   117   2012年

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

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  • Compact Optical/THz Signal Converter using Photo-generated Carrier Gate in THz Waveguide 査読

    Daisuke Take, Mizuki Shirao, Kaoru Maruyama, Nobuhiko Nishiyama, Masahiro Asada, Shigehisa Arai

    2012 IEEE PHOTONICS CONFERENCE (IPC)   157 - +   2012年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • GaInAsP/Si Hybrid Fabry-Perot Laser using N-2 Plasma Activated Low Temperature Bonding 査読

    Yusuke Hayashi, Ryo Osabe, Keita Fukuda, Yuki Atsumi, JoonHyun Kang, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    2012 IEEE PHOTONICS CONFERENCE (IPC)   818 - 819   2012年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Theoretical analysis of the damping effect on a transistor laser 査読

    Mizuki Shirao, Nobuhiko Nishiyama, Noriaki Sato, Shigehisa Arai

    IEICE ELECTRONICS EXPRESS   9 ( 23 )   1792 - 1798   2012年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1587/elex.9.1792

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  • Room-Temperature Continuous-Wave Operation of a 1.3-mu m npn-AlGaInAs/InP Transistor Laser 査読

    Noriaki Sato, Mizuki Shirao, Takashi Sato, Masashi Yukinari, Nobuhiko Nishiyama, Tomohiro Amemiya, Shigehisa Arai

    2012 23RD IEEE INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR LASER CONFERENCE (ISLC)   18 - +   2012年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • AlInAs selective oxidation for GaInAsP/Si hybrid semiconductor laser using surface activated bonding

    Yusuke Hayashi, Ryo Osabe, Keita Fukuda, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    Proceedings of 2012 3rd IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, LTB-3D 2012   93   2012年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1109/LTB-3D.2012.6238058

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  • Direct intensity modulation and wireless data transmission characteristics of terahertz-oscillating resonant tunnelling diodes

    Ishigaki, K., Shiraishi, M., Suzuki, S., Asada, M., Nishiyama, N., Arai, S.

    Electronics Letters   48 ( 10 )   2012年

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1049/el.2012.0849

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  • Modulation Bandwidth of GaInAsP/InP Lateral-Current-Injection Membrane Laser 査読

    Takahiko Shindo, Mitsuaki Futami, Kyohei Doi, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    2012 23RD IEEE INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR LASER CONFERENCE (ISLC)   106 - +   2012年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Low-Loss Amorphous Silicon Multilayer Waveguides Vertically Stacked on Silicon-on-Insulator Substrate 査読

    JoonHyun Kang, Yuki Atsumi, Manabu Oda, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   50 ( 12 )   2011年12月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1143/JJAP.50.120208

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  • GaInAsP/InP Membrane Lasers for Optical Interconnects 査読

    Shigehisa Arai, Nobuhiko Nishiyama, Takeo Maruyama, Tadashi Okumura

    IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS   17 ( 5 )   1381 - 1389   2011年9月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/JSTQE.2011.2128859

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  • Lateral-Current-Injection Distributed Feedback Laser With Surface Grating Structure 査読

    Takahiko Shindo, Tadashi Okumura, Hitomi Ito, Takayuki Koguchi, Daisuke Takahashi, Yuki Atsumi, Joonhyun Kang, Ryo Osabe, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS   17 ( 5 )   1175 - 1182   2011年9月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/JSTQE.2011.2131636

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  • Low-Power-Consumption High-Eye-Margin 10-Gb/s Operation by GaInAsP/InP Distributed Reflector Lasers With Wirelike Active Regions 査読

    SeungHun Lee, Daisuke Takahashi, Takahiko Shindo, Keisuke Shinno, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS   23 ( 18 )   1349 - 1351   2011年9月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/LPT.2011.2160938

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  • Bonding and Photoluminescence Characteristics of GaInAsP/InP Membrane Structure on Silicon-on-Insulator Waveguides by Surface Activated Bonding 査読

    Ryo Osabe, Tadashi Okumura, Simon Kondo, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   50 ( 8 )   2011年8月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1143/JJAP.50.088005

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  • Regrowth Interface Quality Dependence on Thermal Cleaning of AlGaInAs/InP Buried-Heterostructure Lasers 査読

    Yuta Takino, Mizuki Shirao, Takashi Sato, Nobuhiko Nishiyama, Tomohiro Amemiya, Shigehisa Arai

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   50 ( 7 )   2011年7月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1143/JJAP.50.070203

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  • Room-Temperature Continuous-Wave Operation of 1.3-mu m Transistor Laser with AlGalnAs/InP Quantum Wells 査読

    Mizuki Shirao, Takashi Sato, Yuta Takino, Noriaki Sato, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   4 ( 7 )   2011年7月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1143/APEX.4.072101

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  • Nonunity permeability in metamaterial-based GaInAsP/InP multimode interferometers

    T. Amemiya, T. Shindo, D. Takahashi, S. Myoga, N. Nishiyama, S. Arai

    OPTICS LETTERS   36 ( 12 )   2327 - 2329   2011年6月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1364/OL.36.002327

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  • Magnetic Interactions at Optical Frequencies in an InP-Based Waveguide Device with Metamaterial 査読

    Tomohiro Amemiya, Takahiko Shindo, Daisuke Takahashi, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS   47 ( 5 )   736 - 744   2011年5月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/JQE.2011.2108268

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  • Injection-Type GaInAsP/InP Membrane Buried Heterostructure Distributed Feedback Laser with Wirelike Active Regions 査読

    Tadashi Okumura, Takayuki Koguchi, Hitomi Ito, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   4 ( 4 )   2011年4月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1143/APEX.4.042101

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  • Large-Signal Analysis of a Transistor Laser 査読

    Mizuki Shirao, SeungHun Lee, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS   47 ( 3 )   359 - 367   2011年3月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/JQE.2010.2090341

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  • Lateral Junction Waveguide-Type Photodiode Grown on Semi-Insulating InP Substrate 査読

    Tadashi Okumura, Daisuke Kondo, Hitomi Ito, SeungHun Lee, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   50 ( 2 )   2011年2月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1143/JJAP.50.020206

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  • GaInAsP/InP lateral-current-injection distributed feedback laser with a-Si surface grating 査読

    Takahiko Shindo, Tadashi Okumura, Hitomi Ito, Takayuki Koguchi, Daisuke Takahashi, Yuki Atsumi, Joonhyun Kang, Ryo Osabe, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    OPTICS EXPRESS   19 ( 3 )   1884 - 1891   2011年1月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1364/OE.19.001884

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  • Lateral Current Injection Laser with Uniformly Distributed Quantum-Well Structure 査読

    Takahiko Shindo, Mitsuaki Futami, Ryo Osabe, Takayuki Koguchi, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    2011 IEEE PHOTONICS CONFERENCE (PHO)   678 - +   2011年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Numerical analysis of optical gain of a 3-terminal HBT-SOA

    Mizuki Shirao, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    Optics InfoBase Conference Papers   1857 - 1858   2011年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Lasing operation of long-wavelength transistor laser using AGaInAs/InP quantum well active region

    Mizuki Shirao, Takashi Sato, Yuta Takino, Noriaki Sato, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    Conference Proceedings - International Conference on Indium Phosphide and Related Materials   2011年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Uniform BCB bonding process toward low propagation loss in GaInAsP photonic wire waveguide on Si wafer

    Yasuna Maeda, Jieun Lee, Yuki Atsumi, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    Conference Proceedings - International Conference on Indium Phosphide and Related Materials   2011年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Carrier Concentration Dependent Resonance Frequency Shift in Metamaterial Loaded Semiconductor 査読

    Seiji Myoga, Tomohiro Amemiya, Atsushi Ishikawa, Nobuhiko Nishiyama, Takuo Tanaka, Shigehisa Arai

    2011 IEEE PHOTONICS CONFERENCE (PHO)   785 - +   2011年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Membrane InP-based Lasers and Related Devices for On-chip Interconnection 査読

    Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    2011 IEEE PHOTONICS CONFERENCE (PHO)   397 - 398   2011年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Non-unity Permeability in InP-based Mach-Zehnder Interferometer with Metamaterial 査読

    Tomohiro Amemiya, Takahiko Shindo, Seiji Myoga, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    2011 IEEE PHOTONICS CONFERENCE (PHO)   743 - +   2011年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Room-Temperature Lasing Operation of a 1.3-mu m npn-AlGaInAs/InP Transistor Laser 査読

    Takashi Sato, Mizuki Shirao, Yuta Takino, Noriaki Sato, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    2011 IEEE PHOTONICS CONFERENCE (PHO)   648 - 649   2011年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Low power consumption semiconductor lasers for optical interconnections 査読

    Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    2010 15TH OPTOELECTRONICS AND COMMUNICATIONS CONFERENCE (OECC)   536 - 537   2010年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Investigation of Bonding Strength and Photoluminescence Properties of InP/Si Surface Activated Bonding 査読

    Simon Kondo, Tadashi Okumura, Ryo Osabe, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    2010 22ND INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS (IPRM)   2010年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Low-Loss Si-Slot Waveguides and Ring Resonator Embedded with Benzocyclobutene 査読

    Yuki Atsumi, Joonhyun Kang, Yasuna Maeda, Manabu Oda, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    2010 23RD ANNUAL MEETING OF THE IEEE PHOTONICS SOCIETY   232 - 233   2010年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Lateral Junction Waveguide Type Photodiode for Membrane Photonic Circuits 査読

    Daisuke Kondo, Tadashi Okumura, Hitomi Ito, SeungHun Lee, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    2010 22ND INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS (IPRM)   2010年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Bandwidth Enhancement of Distributed Reflector Lasers at Low Bias Current by Optical Injection Locking 査読

    SeungHun Lee, Devang Parekh, Takahiko Shindo, Weijian Yang, Peng Guo, Daisuke Takahashi, Noriaki Tajima, Nobuhiko Nishiyama, Connie J. Chang-Hasnain, Shigehisa Arai

    2010 CONFERENCE ON OPTICAL FIBER COMMUNICATION OFC COLLOCATED NATIONAL FIBER OPTIC ENGINEERS CONFERENCE OFC-NFOEC   2010年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • First Lasing Operation of Injection Type Membrane GaInAsP DFB Laser With Lateral Current Injection BH Structure 査読

    Tadashi Okumura, Takayuki Koguchi, Hitomi Ito, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    22ND IEEE INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR LASER CONFERENCE   137 - 138   2010年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Investigation of Regrowth Interface Quality of AlGaInAs/InP Buried Heterostructure Lasers 査読

    Yuta Takino, Mizuki Shirao, Takashi Sato, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    2010 22ND INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS (IPRM)   2010年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Membrane DFB lasers on SOI 査読

    Shigehisa Arai, Nobuhiko Nishiyama, Tadashi Okumura

    2010 Asia Communications and Photonics Conference and Exhibition, ACP 2010   48 - 49   2010年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1109/ACP.2010.5682841

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  • Metamaterial-based Control of Permeability in GaInAsP/InP Multimode-Interferometers 査読

    Tomohiro Amemiya, Takahiko Shindo, Daisuke Takahashi, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    2010 23RD ANNUAL MEETING OF THE IEEE PHOTONICS SOCIETY   445 - +   2010年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Large Signal Analysis of AlGaInAs/InP Laser Transistor 査読

    Mizuki Shirao, Nobuhiko Nishiyama, SeungHun Lee, Shigehisa Arai

    2010 CONFERENCE ON LASERS AND ELECTRO-OPTICS (CLEO) AND QUANTUM ELECTRONICS AND LASER SCIENCE CONFERENCE (QELS)   2010年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Thin-Film GaInAsP/InP Lateral Current Injection Type Fabry-Perot Laser - Improved Quantum Efficiency Operation 査読

    Hitomi Ito, Tadashi Okumura, Daisuke Kondo, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    2010 22ND INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS (IPRM)   2010年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • All-optical Switch Consisting of Multimode Interferometer Combined with Metamaterials: Device Design 査読

    Tomohiro Amemiya, Takahiko Shindo, Daisuke Takahashi, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    2010 22ND INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS (IPRM)   2010年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • High Optical-Feedback Tolerance of Distributed Reflector Lasers With Wirelike Active Regions for Isolator-Free Operation 査読

    Seung Hun Lee, Noriaki Tajima, Takahiko Shindo, Daisuke Takahashi, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS   21 ( 20 )   1529 - 1531   2009年10月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/LPT.2009.2029075

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  • Properties of High index-Contrast Wired GaInAsP Waveguides with Benzocyclobutene on Si Substrate 査読

    Haruki Enomoto, Keita Inoue, Tadashi Okumura, Hanh Duc Nguyen, Nobuhiko Nishiyama, Yuki Atsumi, Simon Kondo, Shigehisa Arai

    2009 IEEE 21ST INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM)   347 - 350   2009年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Room-Temperature CW Operation of Lateral Current Injection Lasers with Thin Film Lateral Cladding Layers 査読

    Tadashi Okumura, Munetaka Kurokawa, Hitomi Ito, Daisuke Kondo, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    2009 IEEE 21ST INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM)   298 - +   2009年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Low-threshold and High-efficiency Operation of Distributed Reflector Laser with Wirelike Active Regions by Reduced Waveguide Loss 査読

    SeungHun Lee, Takahiko Shindo, Daisuke Takahashi, Noriaki Tajima, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    2009 IEEE 21ST INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM)   174 - +   2009年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Lateral Current Injection Type GaInAsP/InP DFB Lasers on SI-InP Substrate 査読

    Tadashi Okumura, Munetaka Kurokawa, Daisuke Kondo, Hitomi Ito, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    2009 IEEE 21ST INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM)   178 - +   2009年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • III-V/SOI heterogeneous photonic integrated devices for optical interconnection in LSI 査読

    Nobuhiko Nishiyama, Takeo Naruyama, Shigehisa Arai

    2009 IEEE 21ST INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM)   210 - +   2009年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Variation of the morphology of strained AlGaInAs quantum wells with substrate orientation 査読

    Catherine Caneau, Rajaram Bhat, Nobuhiko Nishiyama

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   310 ( 7-9 )   2345 - 2352   2008年4月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.002

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  • Optical Compensation of Fiber Nonlinearity Using Vertical Micro-cavity Saturable Absorber 査読

    Satoshi Suda, Fumio Koyama, Nobuhiko Nishiyama, Catherine Caneau, Chung-En Zah

    2008 IEEE 21ST INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR LASER CONFERENCE   63 - 64   2008年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • RIE-PLASMA INDUCED OPTICAL PROPERTY DEGRADATION IN GaInAsP/InP QUANTUM-WELL STRUCTURES 査読

    Munetaka Kurokawa, Dhanorm Plumwongrot, Koji Ozawa, Takeo Maruyama, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Ara

    2008 IEEE 20TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS (IPRM)   256 - +   2008年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • INJECTION TYPE GaInAsP/InP/Si DFB LASERS DIRECTLY BONDED ON SOI SUBSTRATE 査読

    Tadashi Okumura, Takeo Maruyama, Hidenori Yonezawa, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    2008 IEEE 20TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS (IPRM)   434 - +   2008年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • BIT-ERROR-RATE MEASUREMENT OF GaInAsP/InP DISTRIBUTED REFLECTOR LASER WITH WIRELIKE ACTIVE REGIONS 査読

    SeungHun Lee, Saeed Mahmud Ullah, Takahiko Shindo, Kyle Spencer Davis, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    2008 IEEE 20TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS (IPRM)   216 - +   2008年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Tunable Optical Equalizer Based on 1.55 mu m VCSEL for Modulation Bandwidth Enhancement 査読

    Satoshi Soda, Xiaoxue Zhao, Fumio Koyama, Connie J. Chang-Hasnain, Nobuhiko Nishiyama, Catherine Caneau, Chung-En Zah

    2008 IEEE 21ST INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR LASER CONFERENCE   179 - 180   2008年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Reduction of RIE induced damage of GaInAsP/InP DQW lasers fabricated by 2-step growth - art. no. 69090C

    Plumwongrot, D., Kurokawa, M., Okumura, T., Nishimoto, Y., Maruyama, T., Nishiyama, N., Arai, S., Belyanin, AA, Smowton, PM

    Novel in-Plane Semiconductor Lasers Vii   6909   2008年

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  • Comparison of wafer bonding methods of membrane GaInAsp wired waveguides on Si substrate

    Haruki Enomoto, Hai Duc Nguyen, Keita Inoue, Shinichi Sakamoto, Tadasshi Okumura, Nobuhiko Nishiyama, Shimon Kondo, Shigehisa Arai

    2008 Int. Nano-Optoelectronics Workshop, iNOW 2008 in Cooperation With Int. Global-COE Summer School (Photonics Integration-Core Electronics: PICE) and 31st Int. Symposium on Optical Communications   289 - 290   2008年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1109/INOW.2008.4634549

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  • Evaluation of Si wire waveguide fabricated by parallel plate RIE process using double layered EB resist containing C60 査読

    Keita Inoue, Nobuhiko Nishiyama, Haruki Enomoto, Shigeo Tamura, Takeo Maruyama, Shigehisa Arai

    2008 Int. Nano-Optoelectronics Workshop, iNOW 2008 in Cooperation With Int. Global-COE Summer School (Photonics Integration-Core Electronics: PICE) and 31st Int. Symposium on Optical Communications   283 - 284   2008年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1109/INOW.2008.4634546

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  • Length dependences of in-plane polarizations anisotropy in GaInAsP/InP quantum-wire structures fabricated by dry etching and regrowth process - art. no. 690205

    Plumwongrot, D., Tamura, Y., Nishimoto, Y., Kurokawa, M., Okumura, T., Maruyama, T., Nishiyama, N., Arai, S., Eyink, KG, Szmulowicz, F, Huffaker, DL

    Quantum Dots, Particles, and Nanoclusters V   6902   90205 - 90205   2008年

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  • Bandwidth Enhancement with Tunable Optical Equalizer for High Speed Intensity Modulation 査読

    Koichi Hasebe, XiaoUe Zhao, Takahiro Saksguchi, Fumio Koyama, Connie J. Chang-Hasnain, Nobuhiko Nishiyama, Catherine Caneau, Chung-En Zah

    2008 CONFERENCE ON LASERS AND ELECTRO-OPTICS & QUANTUM ELECTRONICS AND LASER SCIENCE CONFERENCE, VOLS 1-9   430 - +   2008年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • 80 degrees C CW operation of GaInAsP/InP membrane BH-DFB laser with air-bridge structure 査読

    Hideyuki Naitoh, Shinichi Sakamoto, Mamoru Ohtake, Tadashi Okumura, Takeo Maruyama, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    2007 INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS, CONFERENCE PROCEEDINGS   476 - 479   2007年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Sub-milliampere operation of 1540 nm wavelength distributed reflector laser with wirelike active regions 査読

    Saeed Mahmud Ullah, Ryo Suemitsu, Seung-Hun Lee, Masato Otake, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    2007 INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS, CONFERENCE PROCEEDINGS   506 - 509   2007年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • IMPROVED TEMPERATURE DEPENDENCES OF GaInAsP/InP DFB LASERS WITH WIRELIKE ACTIVE REGIONS BY Bragg WAVELENGTH DETUNING 査読

    Yoshifumi Nishimoto, Dhanorm Plumwongrot, Saeed Mahmud Ullah, Yosuke Tamura, Munetaka Kurokawa, Takeo Maruyama, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    2007 INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS, CONFERENCE PROCEEDINGS   513 - 516   2007年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • High Speed Response of Optical Nonlinear Phase Shifter Based on 1.55 mu m VCSEL 査読

    Satoshi Suda, Fumio Koyama, Nobuhiko Nishiyama, Catherine Caneau, Chung-En Zah

    2007 CONFERENCE ON LASERS & ELECTRO-OPTICS/QUANTUM ELECTRONICS AND LASER SCIENCE CONFERENCE (CLEO/QELS 2007), VOLS 1-5   193 - +   2007年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Slow light waveguide detector slowing light in bragg reflector waveguide

    Keisuke Kuroki, Go Hirano, Fumio Koyama, Koichi Hasebe, Takahiro Sakaguchi, Nobuhiko Nishiyama, Catherine Caneau, Chung-En Zah

    2007 33rd European Conference and Exhibition of Optical Communication, ECOC 2007   2007年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.  

    DOI： 10.1049/ic:20070439

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  • Slow light modulator with Bragg reflector waveguide

    Go Hirano, Fumio Koyama, Koichi Hasebe, Takahiro Sakaguchi, Nobuhiko Nishiyama, Catherine Caneau, Chung-En Zah

    Optics InfoBase Conference Papers   2007年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：Optical Society of America  

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  • Fabrication of GaInAsP/InP arbitrary shaped low dimensional quantum structures 査読

    Dhanorm Plumwongrot, Yosuke Tamura, Takeo Maruyama, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    MICROPROCESSES AND NANOTECHNOLOGY 2007, DIGEST OF PAPERS   156 - 157   2007年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • InP-based long wavelength VCSELs: Their characteristics and applications - art. no. 67820M

    Nishiyama, N., Caneau, C., Sauer, M., Kobyakov, A., Zah, C. E., Nakano, Y

    Optoelectronic Materials and Devices Ii   6782   2007年

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  • Transient behaviour of nonlinear optical compensator based on vertical micro-cavity saturable absorber

    Satoshi Suda, Fumio Koyama, Nobuhiko Nishiyama, Catherine Caneau, Chung-En Zah

    2007 33rd European Conference and Exhibition of Optical Communication, ECOC 2007   2007年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.  

    DOI： 10.1049/ic:20070432

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  • Integration of front power monitor with distributed reflector laser through deep etched narrow groove isolation 査読

    Ryo Suemitsu, Saeed Mahmud Ullah, Seung-Hun Lee, Masato Otake, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    2007 INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS, CONFERENCE PROCEEDINGS   47 - 50   2007年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • 10-Gbps 1.3 and 1.55-mu m InP-based VCSELs: 85 degrees C 10-km error-free transmission and room temperature 40-km transmission at 1.55-mu m with EDC

    Nishiyama, N., Caneau, C., Downie, J. D., Sauer, M., Zah, C. -E., IEEE

    2006 Optical Fiber Communication Conference/national Fiber Optic Engineers Conference, Vols 1-6   2006年

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

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  • Optical nonlinear-effect compensator based on vertical-cavity saturable absorber

    Satoshi Suda, Go Hirano, Fumio Koyama, Nobuhiko Nishiyama, Catherine Caneau, Chung-En Zah

    2006 European Conference on Optical Communications Proceedings, ECOC 2006   2006年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1109/ECOC.2006.4800942

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  • High optical reflection resistance of 1.3-mu m InP-based isolator-free VCSELs: 10-Gbps error-free transmission under reflection

    Nishiyama, N, Caneau, C, Tsuda, S, Guryanov, G, Hu, M, Bhat, R, Zah, CE, IEEE

    2005 Pacific Rim Conference on Lasers and Electro-Optics   2005年

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

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  • InP-based vertical cavity surface emitting lasers for 10G applications - art. no. 602001

    Nishiyama, N, Caneau, C, Zah, CE, Tsuji, S, Buus, J, Luo, Y

    Optoelectronic Materials and Devices for Optical Communications   6020   2001 - 2001   2005年

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  • Polarization stable 1.3-m InP based VCSELs grown on (311)A substrates

    Caneau, C, Nishiyama, N, Guryanov, G, Zah, CE, Hall, B, Bhat, R, IEEE

    2005 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials   2005年

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  • All-optical regeneration based on vertical-cavity surface-emitting lasers

    Onishi, Y, Nishiyama, N, Caneau, C, Koyama, F, Zah, CE, IEEE

    2005 Pacific Rim Conference on Lasers and Electro-Optics   2005年

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

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  • Measurement of intrinsic dynamics of SOA using outband optical modulation

    Hu, M.H., Caneau, C., Liu, X., Nishiyama, N., Nguyen, H.K., Leblanc, H., Visovsky, N., Zah, C.-E.

    Electronics Letters   40 ( 12 )   2004年

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1049/el:20040465

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  • Semiconductor optical amplifier for amplification and switching applications

    Hu, MH, Caneau, C, Leblanc, H, Liu, VX, Nguyen, HK, Nishiyama, N, Tsuda, S, Zah, CE, ChangHasnain, CJ, Huang, D, Nakano, Y, Ren, XM

    Apoc 2003: Asia-Pacific Optical and Wireless Communications; Materials, Active Devices, and Optical Amplifiers, Pts 1 and 2   5280   2004年

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  • Temperature, modulation and reliability characteristics of 1.3 mu m-VCSELs on InP with AlGaInAs/InP lattice matched DBR

    Nishiyama, N, Caneau, C, Hall, B, Guryanov, G, Hu, M, Liu, XS, Bhat, R, Zah, CE, Messe, K

    2004 Ieee 19th International Semiconductor Laser Conference, Conference Digest   2004年

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/ISLC.2004.1382783

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  • High power 1060-nm raised-ridge strained single-quantum-well lasers

    Zah, CE, Li, YB, Bhat, R, Song, KC, Visovsky, N, Nguyen, HK, Liu, XS, Hu, M, Nishiyama, N, Messe, K

    2004 Ieee 19th International Semiconductor Laser Conference, Conference Digest   2004年

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

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  • 1.3 and 1.5 mu m InP-based vertical cavity surface emitting lasers

    Nishiyama, N, Caneau, C, Zah, CE, ieee

    2004 Ieee Leos Annual Meeting Conference Proceedings, Vols 1 and 2   2004年

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  • Long wavelength VCSELs on InP grown by MOCVD

    Nishiyama, N, Caneau, C, Zah, CE, Dutta, AK, Awwal, AAS, Dutta, NK, Fujiura, K

    Active and Passive Optical Components For Wdm Communications Iii   5246   2003年

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  • Optical near field by vertical cavity surface emitting laser 査読

    Satoshi Shinada, Fumio Koyama, Nobuhiko Nishiyama, Masakazu Arai, Akihiro Matsutani, Kenya Goto, Kenichi Iga

    Electronics and Communications in Japan, Part II: Electronics (English translation of Denshi Tsushin Gakkai Ronbunshi)   85 ( 2 )   43 - 53   2002年2月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1002/ecjb.1092

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  • Temperature characteristics of 1.16 mu m highly strained GaInAs/GaAs VCSELs. 査読

    T Kondo, M Arai, N Nishiyama, M Azuchi, A Matsutani, T Miyamoto, F Koyama, K Iga

    VERTICAL-CAVITY SURFACE-EMITTING LASERS VI   4649   39 - 49   2002年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Wide wavelength control of highly strained GaInAs/GaAs QWs on patterned substrate for multiwavelength VCSEL array

    Arai, M, Kondo, T, Nishiyama, N, Azuchi, M, Miyamoto, T, Koyama, F, Iga, K, Arakawa, Y, Hirayama, Y, Kishino, K, Yamaguchi, H

    Compound Semiconductors 2001   2002年

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  • Single high-order transverse mode surface emitting laser with micromachined surface relief

    Satoshi Shinada, Fumio Koyama, Nobuhiko Nishiyama, Masakazu Arai

    IEICE Transactions on Electronics   E85-C ( 4 )   995 - 1000   2002年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Institute of Electronics, Information and Communication, Engineers, IEICE  

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  • Highly strained GaInAs-GaAs quantum-well vertical-cavity surface-emitting laser on GaAs (311)B substrate for stable polarization operation

    Nishiyama, N., Arai, M., Shinada, S., Azuchi, M., Miyamoto, T., Koyama, F., Iga, K.

    IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics   7 ( 2 )   242 - 248   2001年3月

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    記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics  

    DOI： 10.1109/2944.954136

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  • GaInAs/GaAs Single Mode Vertical Cavity Surface Emitting Laser (VCSEL) Array on GaAs (311)B 査読

    Masakazu Arai, Nobuhiko Nishiyama, Munechika Azuchi, Satoshi Shinada, Akihiro Matsutani, Fumio Koyama, Kenichi Iga

    IEICE TRANS. ELECTRON.   E84–C ( 3 )   331 - 338   2001年3月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    We have demonstrated a dynamically stable polarization operation of GaInAs/GaAs vertical-cavity surfaceemitting laser (VCSEL) array grown on a GaAs (311) B substrate. A fabricated 3×3 VCSEL array consists of devices with an oxide aperture of 3.4μm×3.4μm. The threshold current was 0.61 ± 0.05mA and the threshold voltage was 1.79±0.03V. All of the devices exhibited single-transverse mode operation with an injection current up to three times the threshold. The side-mode suppression ratio (SMSR) is larger than 30 dB. The array also exhibited stable-polarization operation with an orthogonal polarization suppresson ratio (OPSR) of over 25dB. We measured the time-resolved OPSR under square-wave direct modulation. It was found that the orthogonal non-lasing mode was suppressed even at the first peak of relaxation oscillation with OPSR >17dB. In an experiment of 5Gb/s non-return-tozero (NRZ) pseudo-random bit sequence (PRBS) modulation, the OPSR was maintained being greater than 27dB. These observed stable and single polarization characteristics were originated from the anisotropic optical gain of sterained GaInAs/GaAs quantum wells formed on (311) B substrate. We also carried out an intensity noise measurement under single-transverse and stable polarization operation for the first time. The relative intensity noise (RIN) of-140dB/Hz was obtained. In addition, we achieved 2.5Gb/s data transmission through a 100m multi-mode fiber. No error floor was observed at-20dBm of received power level. The minimum received power is determined by the thermal noise.

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  • Analysis and fabrication of microaperture GaAs-GaAlAs surface-emitting laser for near-field optical data storage

    Shinada, S., Koyama, F., Nishiyama, N., Arai, M., Iga, K.

    IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics   7 ( 2 )   365 - 370   2001年3月

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    記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics  

    DOI： 10.1109/2944.954151

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  • Room temperature continuous-wave operation of GaInNAs/GaAs VCSELs grown by chemical beam epitaxy with output power exceeding 1mW 査読

    T Kageyama, T Miyamoto, S Makino, Y Ikenaga, N Nishiyama, A Matsutani, F Koyama, K Iga

    ELECTRONICS LETTERS   37 ( 4 )   225 - 226   2001年2月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

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  • 1.1-1.2 pin multiple-wavelength vertical cavity surface emitting laser array with highly strained GaInAs/GaAs QWs on patterned substrate

    Arai, M, Kondo, T, Nishiyama, N, Matsutani, A, Miyamoto, T, Koyama, F, Iga, K, IEEE

    Leos 2001: 14th Annual Meeting of the Ieee Lasers & Electro-Optics Society, Vols 1 and 2, Proceedings   2001年

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  • Far field pattern control of single high order transverse mode VCSEL with micronmachined surface relief

    Shinada, S, Nishiyama, N, Arai, M, Koyama, F, IEEE

    Leos 2001: 14th Annual Meeting of the Ieee Lasers & Electro-Optics Society, Vols 1 and 2, Proceedings   2001年

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  • Modulation characteristics of highly strained 1100 nm GaInAs/GaAs vertical cavity surface emitting laser on GaAs (311)B

    Arai, M, Nishiyama, N, Azuchi, M, Matsutani, A, Koyama, F, Iga, K, IEEE

    Cleo(R)/pacific Rim 2001, Vol Ii, Technical Digest   2001年

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

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  • Room temperature continuous-wave operation of GaInNAs/GaAs VCSELs grown by chemical beam epitaxy with output power exceeding 1mW 査読

    S Makino, T Miyamoto, T Kageyama, Y Ikenaga, N Nishiyama, A Matsutani, F Koyama, K Iga

    CLEO(R)/PACIFIC RIM 2001, VOL II, TECHNICAL DIGEST   608 - 609   2001年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    Web of Science

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  • High-temperature operation up to 170 degrees C of GaInNAs-GaAs quantum-well lasers grown by chemical beam epitaxy 査読

    T Kageyama, T Miyamoto, S Makino, N Nishiyama, F Koyama, K Iga

    IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS   12 ( 1 )   10 - 12   2000年1月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

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  • Micromachined GaAlAs/GaAs vertical cavity for multiple wavelength filter and VCSEL array 査読

    T Amano, F Koyama, N Nishiyama, A Matsutani, K Iga

    LEOS 2000 - IEEE ANNUAL MEETING CONFERENCE PROCEEDINGS, VOLS. 1 & 2   56 - 57   2000年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Single-transverse mode and stable-polarization operation of GaInAs/GaAs vertical-cavity surface-emitting laser array on GaAs (311)B 査読

    M Arai, N Nishiyama, S Shinada, A Matsutani, F Koyama, K Iga

    LEOS 2000 - IEEE ANNUAL MEETING CONFERENCE PROCEEDINGS, VOLS. 1 & 2   728 - 729   2000年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • A highly strained (lambda=1.12 mu m) GaInAs/GaAs VCSEL on GaAs (311)B substrate exhibiting stable polarization

    Nishiyama, N, Arai, M, Shinada, S, Miyamoto, T, Koyama, F, Iga, K, IEEE

    2000 Ieee 17th International Semiconductor Laser Conference, Conference Digest   2000年

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

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  • Multiple wavelength micro-machined GaAlAs/GaAs vertical cavity filter array

    Amano, T, Koyama, F, Nishiyama, N, Iga, K, IEEE

    2000 Ieee/leos International Conference on Optical Mems   2000年

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/OMEMS.2000.879608

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  • Near-field characterization of micro-aperture surface emitting laser for near field data storage

    Shinada, S, Koyama, F, Nishiyama, N, Arai, M, Iga, K, IEEE

    Leos 2000 - Ieee Annual Meeting Conference Proceedings, Vols. 1 & 2   2000年

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  • Continuous-wave operation of GaInNAs/GaAs lasers grown by chemical beam epitaxy

    Kageyama, T, Miyamoto, T, Makino, S, Nishiyama, N, Koyama, F, Iga, K, IEEE

    2000 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, Conference Proceedings   2000年

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  • GaInNAs/GaAs quantum dots grown by chemical beam epitaxy

    Makino, S., Miyamoto, T., Kageyama, T., Nishiyama, N., Koyama, F., Iga, K.

    Journal of Crystal Growth   221 ( 1-4 )   2000年

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/S0022-0248(00)00778-8

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  • AlAs選択酸化膜形成技術

    小山 二三夫, 西山 伸彦, 荒井 昌和, 伊賀 健一

    応用物理   69 ( 11 )   1339 - 1340   2000年

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    出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics  

    DOI： 10.11470/oubutsu1932.69.1339

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  • Lasing characteristics of InGaAs-GaAs polarization controlled vertical-cavity surface-emitting laser grown on GaAs (311) B substrate 査読

    Nobuhiko Nishiyama, Akimasa Mizutani, Nobuaki Hatori, Masakazu Arai, Fumio Koyama, Kenichi Iga

    IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics   5 ( 3 )   530 - 536   1999年5月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IEEE  

    DOI： 10.1109/2944.788415

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  • P-type delta-doped InGaAs/GaAs quantum well vertical-cavity surface-emitting lasers 査読

    Nobuaki Hatori, Akimasa Mizutani, Nobuhiko Nishiyama, Fumichika Motomura, Fumio Koyama, Kenichi Iga

    Electronics and Communications in Japan, Part II: Electronics (English translation of Denshi Tsushin Gakkai Ronbunshi)   82 ( 4 )   54 - 60   1999年4月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Scripta Technica Inc  

    DOI： 10.1002/(SICI)1520-6432(199904)82:4<54::AID-ECJB7>3.0.CO;2-S

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  • Single-transverse mode and stable-polarization operation under high-speed modulation of InGaAs-GaAs vertical-cavity surface-emitting laser grown on GaAs (311) B substrate 査読

    N Nishiyama, A Mizutani, N Hatori, M Arai, F Koyama, K Iga

    IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS   10 ( 12 )   1676 - 1678   1998年12月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

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  • A low-threshold polarization-controlled vertical-cavity surface-emitting laser grown on GaAs (311)B substrate 査読

    A Mizutani, N Hatori, N Nishiyama, F Koyama, K Iga

    IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS   10 ( 5 )   633 - 635   1998年5月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

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  • InGaAs/GaAs vertical-cavity surface emitting laser on GaAs (311)B substrate using carbon auto-doping 査読

    A Mizutani, N Hatori, N Nishiyama, F Koyama, K Iga

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   37 ( 3B )   1408 - 1412   1998年3月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

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  • An over 10-Gb/s transmission experiment using a p-type delta-doped InGaAs-GaAs quantum-well vertical-cavity surface-emitting laser 査読

    N Hatori, A Mizutani, N Nishiyama, A Matsutani, T Sakaguchi, F Motomura, F Koyama, K Iga

    IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS   10 ( 2 )   194 - 196   1998年2月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

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  • P-type AlAs growth on a GaAs (311)B substrate using carbon auto-doping for low resistance GaAs/AlAs distributed Bragg reflectors 査読

    A Mizutani, N Hatori, N Ohnoki, N Nishiyama, N Ohtake, F Koyama, K Iga

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   36 ( 11 )   6728 - 6729   1997年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

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  • Threshold reduction of p-type δ-doped InGaAs/GaAs quantum well lasers by using auto-doping of carbon

    Hatori, N., Mizutani, A., Nishiyama, N., Koyama, F., Iga, K.

    Electronics Letters   33 ( 12 )   1997年

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1049/el:19970710

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  • MOCVD grown InGaAs/GaAs vertical cavity surface emitting laser on GaAs (311)B substrate

    Mizutani, A., Hatori, N., Nishiyama, N., Koyama, F., Iga, K.

    Electronics Letters   33 ( 22 )   1997年

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1049/el:19971285

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MISC

  • UVナノインプリントリソグラフィを用いた大面積集積フォトニクスプロセスの開発

    雨宮智宏, 岡田祥, 高橋直樹, 佐々木龍耶, 堀川剛, 渥美裕樹, 小田悠貴, 原悠太, 野田真司, 山本宏, UHRMANN Thomas, KNEIDINGER Andrea, 森莉紗子, 藤井恭, 浅井隆宏, 塩田大, 西山伸彦

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   84th   2023年

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  • 異種材料集積光回路に向けた大気圧プラズマジェットによるシリコンの表面状態の観測

    日原弘喜, 山内素明, 沖野晃俊, 沖野晃俊, 西山伸彦, 西山伸彦, 西山伸彦

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   70th   2023年

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  • 異種材料集積光回路に向けた大気圧プラズマによる半導体親水化の検討

    日原弘喜, EISSA Moataz, 山口圭太, 小野寺広夢, 大礒義孝, 雨宮智宏, 雨宮智宏, 沖野晃俊, 沖野晃俊, 西山伸彦, 西山伸彦, 西山伸彦

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   83rd   2022年

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  • InP membrane integrated photonics research

    Yuqing Jiao, Nobuhiko Nishiyama, Jos Van Der Tol, Jorn Van Engelen, Vadim Pogoretskiy, Sander Reniers, Amir Abbas Kashi, Yi Wang, Victor Dolores Calzadilla, Marc Spiegelberg, Zizheng Cao, Kevin Williams, Tomohiro Amemiya, Shigehisa Arai

    Semiconductor Science and Technology   36 ( 1 )   2020年10月

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    記述言語：英語   掲載種別：書評論文，書評，文献紹介等   出版者・発行元：IOP Publishing Ltd  

    DOI： 10.1088/1361-6641/abcadd

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  • Comparison of FMCW-LiDAR system with optical- And electrical-domain swept light sources toward self-driving mobility application

    Napat J. Jitcharoenchai, Nobuhiko Nishiyama, Tomohiro Amemiya, Shigehisa Arai

    19th Coherent Laser Radar Conference, CLRC 2018   2018年1月

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  • Infrared invisibility cloak using rolled metamaterial film

    Tomohiro Amemiya, Satoshi Yamasaki, Toru Kanazawa, Zhichen Gu, Daisuke Inoue, Atsushi Ishikawa, Nobuhiko Nishiyama, Takuo Tanaka, Tatsuhiro Urakami, Shigehisa Arai

    Optics InfoBase Conference Papers   2018   2018年

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    記述言語：英語   出版者・発行元：OSA - The Optical Society  

    DOI： 10.1364/CLEO_QELS.2018.FM3J.7

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  • Si導波路上金属メタマテリアルを利用した光バッファ用遅延構造の設計 (光通信システム)

    山﨑 理司, 雨宮 智宏, 顧 之琛, 鈴木 純一, 西山 伸彦, 荒井 滋久

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   117 ( 263 )   81 - 86   2017年10月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：電子情報通信学会  

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  • Ⅲ-Ⅴ/SOIハイブリッドデバイスとSi導波路接続用テーパ型モード変換器構造の検討 (光通信システム)

    鈴木 純一, 永坂 久美, エイッサ モータズ, 立花 文人, 白 柳, 御手洗 拓矢, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   117 ( 263 )   13 - 18   2017年10月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：電子情報通信学会  

    CiNii Books

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  • ブラッグ波長離調を用いた半導体薄膜DFB/DRレーザのしきい値電流温度依存性 (機構デバイス)

    井上 大輔, 福田 快, 平谷 拓生, 冨安 高弘, 瓜生 達也, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   117 ( 192 )   51 - 54   2017年8月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：電子情報通信学会  

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  • Si基板上オンチップ光配線に向けたInP系薄膜受光器の設計 (レーザ・量子エレクトロニクス)

    顧 之琛, 平谷 拓生, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   116 ( 389 )   145 - 150   2017年1月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：電子情報通信学会  

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  • Si基板上オンチップ光配線に向けたInP系薄膜受光器の設計 (光エレクトロニクス)

    顧 之琛, 平谷 拓生, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   116 ( 388 )   145 - 150   2017年1月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：電子情報通信学会  

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  • High Efficiency Operation of Membrane Distributed-Reflector Laser with Reduced Index Coupling Coefficient Structure

    Takuo Hiratani, Daisuke Inoue, Takahiro Tomiyasu, Kai Fukuda, Nagisa Nakamura, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    2017 CONFERENCE ON LASERS AND ELECTRO-OPTICS PACIFIC RIM (CLEO-PR)   2017-January   1 - 2   2017年

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  • Novel a-Si on Garnet Nonreciprocal Phase Shift Optical Isolator with TE Mode Operation 査読

    E. Ishida, K. Miura, Y. Shoji, H. Yokoi, T. Mizumoto, N. Nishiyama, S. Arai

    2017 OPTICAL FIBER COMMUNICATIONS CONFERENCE AND EXHIBITION (OFC)   2017年

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  • Impedance analysis of high-speed lateral-current-injection membrane DFB laser on silicon

    Daisuke Inoue, Takuo Hiratani, Kai Fukuda, Takahiro Tomiyasu, Tomohiro Amemiya, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai, Shigehisa Arai

    Conference Digest - IEEE International Semiconductor Laser Conference   2016年12月

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  • High asymmetric light output characteristics of membrane distributed-reflector laser on Si substrate

    Takuo Hiratani, Daisuke Inoue, Takahiro Tomiyasu, Kai Fukuda, Tomohiro Amemiya, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai, Shigehisa Arai

    Conference Digest - IEEE International Semiconductor Laser Conference   2016年12月

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  • AlInAs酸化狭窄構造を有するGaInAsP/SOIハイブリッドFPレーザの作製 (光エレクトロニクス)

    鈴木 純一, 林 侑介, 井上 慧史, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   116 ( 194 )   9 - 14   2016年8月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：電子情報通信学会  

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  • InP半導体薄膜構造による1.55μm帯レーザーの低しきい値・高速動作 (「微小レーザーおよび光源の最前線」特集号)

    西山 伸彦, 荒井 滋久, 平谷 拓生, 井上 大輔, 雨宮 智宏

    レーザー研究 = The review of laser engineering : レーザー学会誌   44 ( 8 )   508 - 513   2016年8月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：レーザー学会  

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  • Analysis of plasmonic Mach-Zehnder modulator with metal taper structure embedded in FTC-EO polymer

    Naoya Hojo, Tomohiro Amemiya, Zhichen Gu, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    2015 11th Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim, CLEO-PR 2015   4   2016年1月

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    記述言語：英語   出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.  

    DOI： 10.1109/CLEOPR.2015.7376328

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  • Room-temperature continuous-wave operation of λ/4-shifted membrane distributed feedback lasers

    Takahiro Tomiyasu, Daisuke Inoue, Takuo Hiratani, Yuki Atsuji, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai, Shigehisa Arai

    2015 11th Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim, CLEO-PR 2015   4   2016年1月

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  • Apodized amorphous silicon grating coupler with metal mirrors for 3D optical interconnection

    Yuki Kuno, Joonhyun Kang, Kazuto Itoh, Yusuke Hayashi, Junichi Suzuki, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    2015 11th Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim, CLEO-PR 2015   1   2016年1月

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    記述言語：英語   出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.  

    DOI： 10.1109/CLEOPR.2015.7375916

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  • Waveguide Optical-to-THz Signal Converter using Ringshaped Microstripline

    Satoshi Yamasaki, Akio Yasui, Tomohiro Amemiya, Kentaro Furusawa, Shinsuke Hara, Issei Watanabe, Norihiko Sekine, Nobuhiko Nishiyama, Akifumi Kasamatsu, Shigehisa Arai

    2016 CONFERENCE ON LASERS AND ELECTRO-OPTICS (CLEO)   2016年

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  • B-10-15 量子ドットレーザによる1.3μm帯伝送最適化マルチモードファイバ伝送特性における励起位置依存性(B-10.光通信システムA(光ファイバ伝送路),一般セッション)

    金子 貴晃, 西山 伸彦, 荒井 滋久

    電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集   2015 ( 2 )   179 - 179   2015年8月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

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  • C-4-2 1.3μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザにおけるコレクタ-ベース間電圧変調動作特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)

    金子 貴晃, 吉田 匠, 只野 翔太郎, 西山 伸彦, 荒井 滋久

    電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集   2015 ( 1 )   139 - 139   2015年8月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

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  • C-3-19 磁気光学効果を用いたa-Si:H/Ce:YIG導波路型光スイッチの実証(光スイッチ(2),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)

    石田 瑛一, 三浦 謙悟, 庄司 雄哉, 水本 哲弥, 西山 伸彦, 荒井 滋久

    電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集   2015 ( 1 )   93 - 93   2015年8月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

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  • C-3-61 異種混載光回路に向けたクリスタル/アモルファスSi導波路間カプラ(シリコンフォトニクス(2),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)

    伊東 憲人, 久能 雄輝, 林 侑介, 鈴木 純一, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久

    電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集   2015 ( 1 )   135 - 135   2015年8月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

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  • C-4-5 λ/4位相シフトGaInAsP/InP半導体薄膜DFBレーザの室温連続動作(C4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)

    井上 大輔, 平谷 拓生, 冨安 高弘, 厚地 祐輝, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久

    電子情報通信学会総合大会講演論文集   2015 ( 1 )   201 - 201   2015年2月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

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  • C-4-13 薄膜BJB構造によるλ/4位相シフトDFBレーザとPIN-PDのモノリシック集積(C4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)

    井上 大輔, 平谷 拓生, 冨安 高弘, 厚地 祐輝, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久

    電子情報通信学会総合大会講演論文集   2015 ( 1 )   209 - 209   2015年2月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

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  • C-3-58 クリスタル/アモルファスSi光回路の同一平面内集積に向けた二導波路間結合構造の検討(光導波路回路,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)

    伊東 憲人, 久能 雄輝, 姜 〓〓, 林 侑介, 鈴木 純一, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久

    電子情報通信学会総合大会講演論文集   2015 ( 1 )   182 - 182   2015年2月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

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  • a-Si/Ce:YIG導波路型光アイソレータの実証と偏波無依存化の検討 (レーザ・量子エレクトロニクス)

    石田 瑛一, 三浦 謙悟, 平澤 崇佳, 庄司 雄哉, 姜 〓〓, 岡田 幸大, 横井 秀樹, 西山 伸彦, 荒井 滋久, 水本 哲弥

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   114 ( 432 )   41 - 45   2015年1月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    磁気光学効果による非相反移相効果は,導波路型光アイソレータの実現に有効である.大きな磁気光学効果を持つ単結晶磁気光学ガーネットをSi上に成長することは結晶の格子定数の違いから困難であるため,我々はSiと磁気光学ガーネット(YCe)_3Fe_5O_&lt;12&gt;(Ce:YIG)間を直接接合法により接合して光アイソレータを製作してきた.また,現在製作されている導波路型光アイソレータはその構造上TMモードでのみ動作し,TEモードもしくはTE,TMモードの両偏波で動作する導波路型光アイソレータは実現されていない.今回,我々は単結晶Ce:YIG上に成長したアモルファスシリコン(a-Si)を導波路コアとする光アイソレータを実現した.この結果を基に,a-Siを用いた新たな導波路構造を提案し,TE,TMモードの両偏波で等しい非相反移相効果を得ることが可能な設計を行ったのでご報告する.

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  • フォトニックワイヤボンディングによるSi基板上Ⅲ-Ⅴチップ間の光伝搬 (光エレクトロニクス)

    顧 之琛, 雨宮 智宏, 石川 篤, 渥美 裕樹, 姜 〓〓, 平谷 拓生, 林 侑介, 鈴木 純一, 西山 伸彦, 田中 拓男, 荒井 滋久

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   114 ( 377 )   21 - 26   2014年12月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    本稿ではフレキシブルなチップ間光伝送実現に向け、紫外線硬化樹脂を用いた三次元光配線法であるフォトニックワイヤボンディング(PWB)の高効率接続のための形状設計と作製技術の検討を行った。まず、SU8を用いるフェムト秒レーザの二光子吸収によるフォトニックワイヤボンディングの作製条件を明らかにすると共に、結合損失を理論解析から明らかにした。次に、このフォトニックワイヤボンディングを用いてSi基板上にフリップチップ貼り付けしたレーザチップおよび光検出器チップ間の光接続を行い、150μm間隔のチップ間光伝送を実現した。

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  • フォトニックワイヤボンディングによるSi基板上Ⅲ-Ⅴチップ間の光伝搬 (レーザ・量子エレクトロニクス)

    顧 之琛, 雨宮 智宏, 石川 篤, 渥美 裕樹, 姜 〓〓, 平谷 拓生, 林 侑介, 鈴木 純一, 西山 伸彦, 田中 拓男, 荒井 滋久

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   114 ( 378 )   21 - 26   2014年12月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    本稿ではフレキシブルなチップ間光伝送実現に向け、紫外線硬化樹脂を用いた三次元光配線法であるフォトニックワイヤボンディング(PWB)の高効率接続のための形状設計と作製技術の検討を行った。まず、SU8を用いるフェムト秒レーザの二光子吸収によるフォトニックワイヤボンディングの作製条件を明らかにすると共に、結合損失を理論解析から明らかにした。次に、このフォトニックワイヤボンディングを用いてSi基板上にフリップチップ貼り付けしたレーザチップおよび光検出器チップ間の光接続を行い、150μm間隔のチップ間光伝送を実現した。

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  • GaInAsP/InP lateral-current-injection membrane DFB laser integrated with GaInAsP waveguides on Si substrate

    Daisuke Inoue, Jieun Lee, Takuo Hiratani, Yuki Atsuji, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    Conference Digest - IEEE International Semiconductor Laser Conference   32 - 33   2014年12月

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    記述言語：英語   出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.  

    DOI： 10.1109/ISLC.2014.149

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  • Electrode position dependence of energy cost in lateral-current-injection membrane distributed reflector laser

    Takuo Hiratani, Yuki Atsuji, Jieun Lee, Daisuke Inoue, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    Conference Digest - IEEE International Semiconductor Laser Conference   111 - 112   2014年12月

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    記述言語：英語   出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.  

    DOI： 10.1109/ISLC.2014.188

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  • ギャッププラズモンとITOを利用したGaInAsP/InP吸収型光変調器の特性解析 (光通信システム)

    雨宮 智宏, 村井 英淳, 顧 之琛, 西山 伸彦, 荒井 滋久

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   114 ( 281 )   169 - 174   2014年10月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    本稿では、III-V族半導体ベースのプラズモン回路においてモノリシックに集積可能なプラズモン吸収変調器の提案およびその理論解析を行った。本素子の特徴は、ギャッププラズモン構造とFINFET-likeなトランジスタ構造を組み合わせることで、高い変調効率を実現しながら、金属損失を減らすことができる点にある。有限要素法による光モード解析と半導体デバイスシミュレータを用いたキャリア解析により、5.0Vの電圧印加時に4.5dB/μmの消光比が得られることが見積もられた。また、無バイアス時の伝搬損失は1.5dB/μmとなっており、性能指数(伝搬損に対する消光比の割合)は3となり、他のSi系プラズモン変調器に比べて極めて大きい値を示すことがわかった。

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  • C-3-49 光ファイバ接続用金属装荷アポダイズドグレーティングカプラの数値解析(C3.光エレクトロニクス,一般セッション)

    姜 唆鉉, 久能 雄輝, 林 惰介, 鈴木 純一, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久

    電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集   2014 ( 1 )   146 - 146   2014年9月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

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  • C-4-14 Si基板上導波路集積型GalnAsP/InP半導体薄膜分布帰還レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)

    井上 大輔, 李 智恩, 平谷 拓生, 厚地 祐輝, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久

    電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集   2014 ( 1 )   168 - 168   2014年9月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

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  • C-4-12 透磁率制御メタマテリアルを装荷した光変調器(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)

    雨宮 智宏, 金澤 徹, 石川 篤, 姜 唆鉉, 顧 之琿, 西山 伸彦, 宮本 恭幸, 田中 拓男, 荒井 滋久

    電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集   2014 ( 1 )   166 - 166   2014年9月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

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  • C-3-50 3次元シリコン光配線結合用金属ミラー装荷グレーティングカプラの広波長帯域化(C3.光エレクトロニクス,一般セッション)

    久能 雄輝, 姜 唆鉉, 林 惰介, 鈴木 純一, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久

    電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集   2014 ( 1 )   147 - 147   2014年9月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

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  • C-4-13 フォトニックワイヤボンディングによるSi上III-V族素子間の光接続(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)

    顧 之屎, 雨宮 智宏, 石川 篤, 姜 唆鉉, 平谷 拓生, 林 侑介, 鈴木 純一, 西山 伸彦, 田中 拓男, 荒井 滋久

    電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集   2014 ( 1 )   167 - 167   2014年9月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

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  • C-4-15 プラズマ活性化貼付法を用いたリング共振器ミラー装荷型GalnAsP/SOIハイプリッドレーザの作製(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)

    林 侑介, 鈴木 純一, 井上 慧史, 姜 〓〓, 久能 雄輝, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久

    電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集   2014 ( 1 )   169 - 169   2014年9月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    CiNii Books

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  • 磁気光学結晶上a‐Si:H導波路光アイソレータ

    三浦謙悟, 平澤崇佳, KAN Joon Hyun, 庄司雄哉, 岡田幸大, 横井秀樹, 西山伸彦, 荒井滋久, 水本哲弥

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   75th   ROMBUNNO.18A-A18-7   2014年9月

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    記述言語：日本語  

    J-GLOBAL

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  • オンチップ光配線に向けたシリコン温度無依存波長フィルター (特集 シリコン・フォトニクスの展望)

    渥美 裕樹, 西山 伸彦, 荒井 滋久

    O plus E : Optics・Electronics   36 ( 9 )   1020 - 1024   2014年9月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：アドコム・メディア  

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  • BCB貼り付けによるSi基板上集積導波路形半導体薄膜DFBレーザ (電子部品・材料)

    井上 大輔, 李 智恩, 平谷 拓生, 厚地 祐輝, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   114 ( 185 )   17 - 22   2014年8月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    集積回路の微細化に伴う配線遅延や発熱の増大を解決する方法として、銅電気グローバル配線を光配線に代替するオンチップ光配線技術が期待されている。我々は、オンチップ光配線用レーザ光源に要求される極低消費電力動作を達成できる構造として、半導体薄膜DFBレーザを提案している。今回、BCB貼り付けを用いてSi基板上に直接貼り付けした半導体薄膜レーザの室温連続動作を実現し、共振器長350μm、ストライプ幅0.7μmの素子においてしきい値電流2.5mA、前端面からの外部微分量子効率22%を実現した。このファブリ・ペロー共振器構造薄膜レーザの外部微分量子効率の共振器長依存性より、内部量子効率は75%、導波路損失は42cm^<-1>と見積もられた。また、半導体薄膜レーザと光導波路の集積化に向けてButt-Joint再成長技術を用いて、Si基板上にBCB貼り付けした導波路集積形の半導体薄膜DFBレーザを試作した結果、共振器長50μm、ストライプ幅0.8μmの素子において、しきい値電流250μAでの室温連続動作を実現した。

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  • BCB貼り付けによるSi基板上集積導波路形半導体薄膜DFBレーザ (信頼性)

    井上 大輔, 李 智恩, 平谷 拓生, 厚地 祐輝, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   114 ( 183 )   17 - 22   2014年8月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    集積回路の微細化に伴う配線遅延や発熱の増大を解決する方法として、銅電気グローバル配線を光配線に代替するオンチップ光配線技術が期待されている。我々は、オンチップ光配線用レーザ光源に要求される極低消費電力動作を達成できる構造として、半導体薄膜DFBレーザを提案している。今回、BCB貼り付けを用いてSi基板上に直接貼り付けした半導体薄膜レーザの室温連続動作を実現し、共振器長350μm、ストライプ幅0.7μmの素子においてしきい値電流2.5mA、前端面からの外部微分量子効率22%を実現した。このファブリ・ペロー共振器構造薄膜レーザの外部微分量子効率の共振器長依存性より、内部量子効率は75%、導波路損失は42cm^<-1>と見積もられた。また、半導体薄膜レーザと光導波路の集積化に向けてButt-Joint再成長技術を用いて、Si基板上にBCB貼り付けした導波路集積形の半導体薄膜DFBレーザを試作した結果、共振器長50μm、ストライプ幅0.8μmの素子において、しきい値電流250μAでの室温連続動作を実現した。

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  • 東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター : 荒井・西山研究室

    荒井 滋久, 西山 伸彦, 雨宮 智宏

    光アライアンス   25 ( 5 )   54 - 60   2014年5月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：日本工業出版  

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  • C-3-12 シリコン多層導波路間光結合に向けた金属ミラー装荷アポダイズドグレーティングカプラの検討(グレーティング・ホログラム,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)

    久能 雄輝, 姜 〓〓, 渥美 裕樹, 林 侑介, 鈴木 純一, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久

    電子情報通信学会総合大会講演論文集   2014 ( 1 )   167 - 167   2014年3月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

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  • C-4-32 横方向電流注入半導体薄膜分布反射型レーザにおけるエネルギーコストの電極位置依存性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)

    平谷 拓生, 厚地 祐輝, 李 智恩, 土居 恭平, 井上 大輔, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久

    電子情報通信学会総合大会講演論文集   2014 ( 1 )   268 - 268   2014年3月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

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  • Optical Isolator with Amorphous Silicon Waveguide Core on Magneto-Optical Garnet

    K. Miura, T. Hirasawa, J. Kang, Y. Shoji, Y. Okada, H. Yokoi, N. Nishiyama, S. Arai, T. Mizumoto

    2014 IEEE 11TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON GROUP IV PHOTONICS (GFP)   116 - 117   2014年

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  • メタマテリアルを用いたInP系プラットフォームにおける透磁率制御 (光エレクトロニクス)

    雨宮 智宏, 金澤 徹, 石川 篤, 姜 〓〓, 西山 伸彦, 宮本 恭幸, 田中 拓男, 荒井 滋久

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   113 ( 370 )   45 - 50   2013年12月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    本研究グループでは、従来の化合物半導体をベースとしたInP系光集積プラットフォームにおいて、誘電率に加えて'透磁率'の概念を導入することを目指している。その一つとして今回、'透磁率'を制御することによる光変調器を試作した。変調器はGaInAsP/InP系マッハツェンダー(MZ)導波路の各アームに金属微細共振器(メタマテリアル)が一列に埋め込まれた構造となっている。金属微細共振器構造と化合物半導体を特殊な形で組み合わせることで、デバイス上部から電圧を印加することにより透磁率の制御が行えるような導波路構造となっている。最終的に、透磁率を制御することによって1550nm帯で6.9dBの消光比を観測することに成功した。

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  • 3次元光インターコネクトに向けた金属ミラー付き層間グレーティングカプラ (光エレクトロニクス)

    姜 晙炫, 渥美 裕樹, 林 侑介, 鈴木 純一, 久能 雄輝, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   113 ( 370 )   25 - 30   2013年12月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    シリコンフォトニクスによる光インターコネクトは多層構造を導入することで更なる高伝送密度化が可能である。本研究では多層間の信号伝送用構造として採用しているグレーティングカプラの上下を金属ミラーで挟むことにより、1回の回折格子結合では捕捉しきれない成分を反射させることによる高効率結合化を目指した。3次元FDTDを用いて構造設計を行った結果、金属ミラーを用いない場合の約3倍となる結合効率90%が見積もられた。作製プロセスはa-Si:Hをコアとする導波路形成を含めすべて300℃以下で行い、回折格子周期数20の素子で結合効率83%が得られた。

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  • C-3-14 高効率多層アモルファスシリコン導波路間グレーティングカプラ(シリコンフォトニクス(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)

    姜 唆舷, 渥美 裕樹, 林 侑介, 鈴木 純一, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久

    電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集   2013 ( 1 )   136 - 136   2013年9月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

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  • C-4-9 オンチップ光配線に向けた半導体薄膜レーザの極低消費電力構造の検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)

    平谷 拓生, 土居 恭平, 厚地 祐輝, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久

    電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集   2013 ( 1 )   217 - 217   2013年9月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

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  • C-3-41 金属ミラー付き多層アモルファスシリコン導波路間グレーティングカプラ(C-3.光エレクトロニクス)

    姜 唆〓, 渥美 裕樹, サイファー 豪士, 林 侑介, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久

    電子情報通信学会総合大会講演論文集   2013 ( 1 )   201 - 201   2013年3月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

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  • Butt-Joint Built-in (BJB) Structure for Membrane Photonic Integration

    Daisuke Inoue, Jieun Lee, Takahiko Shindo, Mitsuaki Futami, Kyohei Doi, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    2013 INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS (IPRM)   2013年

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  • オンチップ光回路のためのBCB貼り付けを用いたSi基板上InP薄膜受動素子の特性 (光エレクトロニクス)

    李 智恩, 山原 桂晃, 渥美 裕樹, 西山 伸彦, 荒井 滋久

    電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報   112 ( 371 )   39 - 44   2012年12月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    Si-LSI上InP系薄膜光集積回路の実現のために、その基本要素である細線導波路とそれを利用した受動素子の設計と作製法の検討を行った。BCB(Benzocyclobutene) を介してSi基板上に形成したGaInAsP薄膜に、電子線描画法とドライエッチングで作製したGaInAsP細線導波路の側壁粗さと伝搬損失の関係を明らかにし、低損失化技術の検証を行った。その結果、Si基板上化合物細線導波路において最小値となる4 dB/cmの伝搬損失を達成した。次に、この作製法を用いて、光信号を2分岐する多モード干渉導波路の構造設計・作製を行い、c-band内で平均挿入損失3dB を得た。また、レーザと細線導波路間のモード分布の不一致による結合損失を計算し、各素子間にテーパ型モード変換器を挿入することにより結合効率を99%に向上する集積素子の構造設計を行った。

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  • GaInAsP/InP横方向電流注入型半導体薄膜レーザの低しきい値動作化 (レーザ・量子エレクトロニクス)

    進藤 隆彦, 二見 充輝, 土居 恭平, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久

    電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報   112 ( 356 )   9 - 14   2012年12月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    LSIの微細化・高速化に伴い、素子間の配線におけるRC遅延や発熱といった問題が将来的にLSI全体の性能を律速すると懸念されている。その解決策の一つとしてグローバル配線層を光配線に代替することが有望視されている。オンチップ光配線用の光源として半導体薄膜(membrane)レーザは高屈折率差による強い光閉じ込め効果により高いモード利得が得られることから極低しきい値での動作が期待されている。これまでに、我々は横方向電流注入構造を導入することにより半導体薄膜レーザの電流注入動作を実現してきた。今回、横方向電流注入型半導体薄膜レーザの動作特性の理論解析を行い、コア層厚150 nmを有する半導体薄膜レーザにおいて、オンチップ光配線への応用に向け十分な光出力強度と10 Gb/s以上の高速変調特性を1 mA以下の動作電流で実現可能である事を示した。さらに、半導体薄膜レーザの極低しきい値動作の実現に向け、Be-ドープコンタクト層を導入したコア層厚450 nmを有する半導体薄膜レーザを試作し、しきい値電流値3.8 mAの低しきい値動作化に成功したのでご報告する。

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  • C-3-93 InP系横接合型半導体薄膜能動光素子と細線光導波路のテーパー結合(導波路解析,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)

    李 智恩, 山原 佳晃, 進藤 隆彦, 二見 充輝, 土居 恭平, 西山 伸彦, 荒井 滋久

    電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集   2012 ( 1 )   210 - 210   2012年8月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

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  • C-4-15 GaInAsP横方向接合型薄膜フォトダイオードの特性評価(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)

    山原 佳晃, 二見 充輝, 進藤 隆彦, 李 智恩, 土居 恭平, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久

    電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集   2012 ( 1 )   225 - 225   2012年8月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

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  • C-3-59 金属ミラー付き多層アモルファスシリコン細線導波路間のグレーティングカプラ(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)

    姜 〓〓, 渥美 裕樹, サイファー 豪志, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久

    電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集   2012 ( 1 )   176 - 176   2012年8月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

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  • GaInAsP/InP半導体薄膜DFBレーザの電流注入動作と熱特性解析

    土居 恭平, 進藤 隆彦, 二見 充輝, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久

    電子情報通信学会技術研究報告. R, 信頼性   112 ( 180 )   41 - 46   2012年8月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    我々は、オンチップ光インターコネクション用の光源として半導体薄膜(membrane)DFBレーザを提案してきた。半導体薄膜レーザでは、クラッド層に低屈折材料を用いた強い光閉じ込め効果により極低しきい値での動作が期待されている。これまでに、コア層厚450nm、共振器長300μmの半導体薄膜DFBレーザを試作し、しきい値電流値11mAの室温パルス発振を得た。しかし、室温連続動作には至っておらず、この原因を検討するため熱分布シミュレーションによる熱特性の解析を行った。その結果、試作した構造における熱抵抗値は1100K/Wと見積もられ、室温連続発振が困難であることが明らかとなった。そこで、将来的に極低しきい値動作が期待されるコア層厚150nmを有する半導体薄膜レーザについても同様の理論解析を行った。動作電流1mAにおいて熱抵抗値は7000K/Wと大幅に上昇するが、強い光閉じ込め効果に伴う極低しきい値動作が可能となるため、室温連続動作条件下で10Gbit/sのオンチップ光インターコネクションを行うのに十分な光出力を得られることを示した。

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  • C-4-17 横方向電流注入型半導体薄膜レーザの直接変調帯域の検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)

    進藤 隆彦, 二見 充輝, 信野 圭祐, 小口 貴之, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久

    電子情報通信学会総合大会講演論文集   2012 ( 1 )   268 - 268   2012年3月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

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  • C-3-39 温度無依存BCB埋め込みSiスロットリング共振器を用いたドロップフィルタ(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)

    小田 学, 渥美 裕樹, サイファー 豪志, 姜 〓〓, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久

    電子情報通信学会総合大会講演論文集   2012 ( 1 )   188 - 188   2012年3月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

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  • C-3-38 多層アモルファスシリコン細線導波路間の信号伝送用グレーティングカプラ(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)

    姜 〓〓, 西川 佳宏, 渥美 裕樹, 小田 学, 雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久

    電子情報通信学会総合大会講演論文集   2012 ( 1 )   187 - 187   2012年3月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

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  • C-3-91 金属側壁層を有するInP系プラズモニック導波路の作製評価(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)

    村井 英淳, 雨宮 智宏, 進藤 隆彦, 姜 〓〓, 明賀 聖慈, 西山 伸彦, 荒井 滋久

    電子情報通信学会総合大会講演論文集   2012 ( 1 )   240 - 240   2012年3月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

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  • Improved quantum efficiency of GaInAsP/InP top air-clad lateral current injection lasers

    Mitsuaki Futami, Keisuke Shinno, Takahiko Shindo, Kyohei Doi, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    2012 Optical Interconnects Conference, OIC 2012   34 - 35   2012年

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  • Modulation bandwidth of GaInAsP/InP lateral-current-injection membrane laser

    Takahiko Shindo, Mitsuaki Futami, Kyohei Doi, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    Conference Digest - IEEE International Semiconductor Laser Conference   106 - 107   2012年

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  • Room-temperature continuous-wave operation of a 1.3-μm npn-AlGaInAs/InP transistor laser

    Noriaki Sato, Mizuki Shirao, Takashi Sato, Masashi Yukinari, Nobuhiko Nishiyama, Tomohiro Amemiya, Shigehisa Arai, Shigehisa Arai

    Conference Digest - IEEE International Semiconductor Laser Conference   18 - 19   2012年

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  • Amorphous Silicon grating-type layer-to-layer couplers for intra-chip connection

    Joon Hyun Kang, Yoshihiro Nishikawa, Yuki Atsumi, Manabu Oda, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    2012 Optical Interconnects Conference, OIC 2012   52 - 53   2012年

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  • アモルファスシリコンを用いた多層光導波路作製法の検討

    姜 〓〓, 渥美 裕樹, 小田 学, 西山 伸彦, 荒井 滋久

    電子情報通信学会技術研究報告. OPE, 光エレクトロニクス   111 ( 358 )   27 - 32   2011年12月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    LSIの高速化の限界を乗り越えるため、シリコンフォトニクスを用いた光インターコネクト技術が注目を浴びている。アモルファスシリコン(a-Si)はplasma-enhanced chemical-vapor-deposition(PECVD)法により300℃程度と比較的低温での成膜が可能であり、LSIの電子回路とバックエンドプロセスでの融合が容易である。また、a-SiとSiO_2の積層構造は高密度集積回路としても有効である。本研究ではSOI基板上に3層までの多層導波路を作製・評価することにより、a-Si導波路の伝搬損失と表面及び側壁粗さとの関係を明らかにし、材料損失ではなく粗さの大きさに強く影響を受けることを示した。さらに両者の粗さを低減させることにより、3層目のa-Si導波路でも3.7dB/cmの低損失化を実現した。

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  • Low-power consumption and high-eye-margin 10 Gbit/s operation of distributed reflector laser with wirelike active regions

    Daisuke Takahash, Seunghun Lee, Takahiko Shindo, Keisuke Shinno, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai, Shigehisa Arai

    Conference Proceedings - International Conference on Indium Phosphide and Related Materials   2011年12月

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  • Lateral current injection distributed feedback laser with wirelike active regions

    Takahiko Shindo, Tadashi Okumura, Mitsuaki Futam, Ryo Osabe, Hitomi Ito, Takayuki Koguchi, Tomohiro Amemiya, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai, Shigehisa Arai

    Conference Proceedings - International Conference on Indium Phosphide and Related Materials   2011年12月

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  • Lasing operation of lateral-current-injection membrane DFB laser with surface grating

    T. Shindo, M. Futami, T. Okumura, R. Osabe, T. Koguchi, T. Amemiya, N. Nishiyama, S. Arai

    16th Opto-Electronics and Communications Conference, OECC 2011   287 - 288   2011年10月

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  • Stripe width dependence of internal quantum efficiency and carrier injection delay in lateral current injection GaInAsP/InP lasers

    M. Futami, T. Shindo, T. Okumura, R. Osabe, D. Takahashi, T. Koguchi, T. Amemiya, N. Nishiyama, S. Arai

    16th Opto-Electronics and Communications Conference, OECC 2011   468 - 469   2011年10月

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  • CI-3-6 オンチップ光通信に向けたInP/Si貼り付け技術とその光デバイス特性(CI-3.接合技術を用いた新規集積光デバイス,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)

    雨宮 智宏, 西山 伸彦, 荒井 滋久

    電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集   2011 ( 2 )   "SS - 26"-"SS-27"   2011年8月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

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  • シリコン/3-5族半導体ハイブリッド集積光デバイス (特集 進化するシリコンフォトニクス)

    西山 伸彦

    オプトロニクス   30 ( 2 )   117 - 120   2011年2月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：オプトロニクス社  

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  • Semiconductor DFB laser with plasmonic metal layers for subwavelength confinement of light

    Tomohiro Amemiya, Takahiko Shindo, Daisuke Takahashi, Seiji Myoga, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    2011 Int. Quantum Electron. Conf., IQEC 2011 and Conf. Lasers and Electro-Optics, CLEO Pacific Rim 2011 Incorporating the Australasian Conf. Optics, Lasers and Spectroscopy and the Australian Conf.   863 - 865   2011年

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  • Bandwidth enhancement of injection-locked distributed reflector lasers with wirelike active regions

    SeungHun Lee, Devang Parekh, Takahiko Shindo, Weijian Yang, Peng Guo, Daisuke Takahashi, Nobuhiko Nishiyama, Connie J. Chang-Hasnain, Shigehisa Arai

    OPTICS EXPRESS   18 ( 16 )   16370 - 16378   2010年8月

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  • Athermal Wavelength Characteristics of Si Slot Ring Resonator Embedded with Benzocyclobutene for Optoelectronic Integrated Circuits

    Yuki Atsumi, Keita Inoue, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   49 ( 5 )   050206-1-3   2010年5月

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  • 半絶縁性基板上GaInAsP/InP横注入薄膜コアレーザの室温連続動作

    奥村忠嗣, 伊藤瞳, 近藤大介, 西山伸彦, 荒井滋久

    IEICE-LQE2009-147   49 ( 4 )   040205   2010年

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  • Continuous Wave Operation of Thin Film Lateral Current Injection Lasers Grown on Semi-Insulating InP Substrate

    Tadashi Okumura, Hitomi Ito, Daisuke Kondo, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   49 ( 4 )   040205   2010年

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  • 負の屈折率層を有する導波路型光デバイスの検証 ～ 金SRRアレイを有するInPベースの1×1MMIにおける透過特性 ～

    雨宮 智宏, 進藤 隆彦, 高橋 大佑, 西山 伸彦, 荒井 滋久

    電気学会研究会資料. EMT, 電磁界理論研究会   109 ( 401 )   123 - 128   2010年

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    記述言語：日本語  

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  • Low-Threshold and High-Efficiency Operation of Distributed Reflector Laser With Wirelike Active Regions

    Takahiko Shindo, SeungHun Lee, Daisuke Takahashi, Noriaki Tajima, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS   21 ( 19 )   1414 - 1416   2009年10月

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  • Preliminary Experiment for Direct Media Conversion to Sub-Terahertz Wave Signal from 1.55-μm Optical Signal Using Photon-generated Free Carriers

    Mizuki Shirao, Yuki Numajiri, Ryo Yokoyama, Nobuhiko Nishiyama, Masahiro Asada, Shigehisa Arai

    Japanese Journal of Applied Physics   48 ( 9 )   090203-1-3   2009年9月

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  • Preliminary Experiment on Direct Media Conversion from a 1.55 mu m Optical Signal to a Sub-Terahertz Wave Signal Using Photon-Generated Free Carriers

    Mizuki Shirao, Yuki Numajiri, Ryo Yokoyama, Nobuhiko Nishiyama, Masahiro Asada, Shigehisa Arai

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   48 ( 9 )   090203-1-3   2009年9月

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  • Lateral current injection GaInAsP/InP laser on semi-insulating substrate for membrane-based photonic circuits

    Tadashi Okumura, Munetaka Kurokawa, Mizuki Shirao, Daisuke Kondo, Hitomi Ito, Nobuhiko Nishiyama, Takeo Maruyama, Shigehisa Arai

    OPTICS EXPRESS   17 ( 15 )   12564 - 12570   2009年7月

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  • Wavelength Modulation Over 500 kHz of Micromechanically Tunable InP-Based VCSELs With Si-MEMS Technology

    Tetsuo Yano, Hiroki Saitou, Nobuhiko Kanbara, Ryuichiro Noda, Shin-ichirou Tezuka, Naoyuki Fujimura, Masaya Ooyama, Tetsuya Watanabe, Takaaki Hirata, Nobuhiko Nishiyama

    IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS   15 ( 3 )   528 - 534   2009年5月

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  • CI-2-4 シリコン基板上半導体レーザ・発光デバイスの現状(CI-2.シリコンフォトニクス:ビルディングブロック開発からアプリケーション構築へのステップアップ,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)

    西山 伸彦, 丸山 武男, 荒井 滋久

    電子情報通信学会総合大会講演論文集   2009 ( 1 )   "SS - 34"-"SS-35"   2009年3月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

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  • Injection-type GaInAsP-InP-Si distributed-feedback laser directly bonded on silicon-on-insulator substrate

    Tadashi Okumura, Takeo Maruyama, Hidenori Yonezawa, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    IEEE Photonics Technology Letters   21 ( 5 )   283 - 285   2009年3月

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  • Loss Reduction of Si Wire Waveguide Fabricated by Edge-Enhancement Writing for Electron Beam Lithography and Reactive Ion Etching Using Double Layered Resist Mask with C-60

    Keita Inoue, Dhanorm Plumwongrot, Nobuhiko Nishiyama, Shinichi Sakamoto, Haruki Enomoto, Shigeo Tamura, Takeo Maruyama, Shigehisa Arai

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   48 ( 3 )   030208   2009年3月

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  • High Optical Feedback-Tolerance of Distributed Reflector Lasers with Wire-like Active Regions for High Speed Isolator-Free Operation

    SeungHun Lee, Noriaki Tajima, Takahiko Shindo, Daisuke Takahashi, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    2009 CONFERENCE ON LASERS AND ELECTRO-OPTICS AND QUANTUM ELECTRONICS AND LASER SCIENCE CONFERENCE (CLEO/QELS 2009), VOLS 1-5   21 ( 20 )   1419 - +   2009年

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  • Injection-type GaInAsP-InP-Si Distributed-feedback Laser Directly Bonded on Silicon-on-insulator Substrate

    Tadashi Okumura, Takeo Maruyama, HIDENORI YONEZAWA, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI

    IEEE Photonics Technol. Lett.   21 ( 5 )   283 - 285   2009年

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  • 光通信帯における左手系光制御素子の設計

    雨宮 智宏, 進藤 隆彦, 高橋 大佑, 西山 伸彦, 荒井 滋久

    109 ( 353 )   19 - 24   2009年

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  • Tunable Optical Equalizer Using Diffraction Grating Filters

    Xiaoxue Zhao, Koichi Hasebe, Takahiro Sakaguchi, Fumio Koyama, Connie J. Chang-Hasnain, Nobuhiko Nishiyama, Catherine Caneau, Chung-En Zah

    IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS   20 ( 17-20 )   1590 - 1592   2008年9月

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  • SOI基板への直接貼り付け法によるGaInAsP/InP DFBレーザ

    奥村 忠嗣, 丸山 武男, 米澤 英徳, 西山 伸彦, 荒井 滋久

    電子情報通信学会技術研究報告. OPE, 光エレクトロニクス   108 ( 113 )   45 - 50   2008年6月

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    記述言語：日本語  

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  • GaInAsP/InP distributed reflector lasers and integration of front power monitor by using lateral quantum confinement effect

    Saeed Mahmud Ullah, SeungHun Lee, Ryo Suemitsu, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   47 ( 6 )   4558 - 4565   2008年6月

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  • C-4-27 InP系長波長帯面発光レーザの現状(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)

    西山 伸彦, 香野 花沙鈴, 石 鐘恩

    電子情報通信学会総合大会講演論文集   2008 ( 1 )   310 - 310   2008年3月

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    記述言語：英語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

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  • C-4-29 細線状活性層を有する分布反射型レーザの直接変調特性(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)

    李 承勲, ウラ サイド・マムド, 進藤 隆彦, デイビス カイル・スペンサー, 西山 伸彦, 荒井 滋久

    電子情報通信学会総合大会講演論文集   2008 ( 1 )   312 - 312   2008年3月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

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  • High speed response of nonlinear optical phase-shifter based on vertical micro-cavity saturable absorber

    Satoshi Suda, Fumio Koyama, Nobuhiko Nishiyama, Catherine Caneau, Chung-En Zah

    IEICE ELECTRONICS EXPRESS   5 ( 4 )   131 - 135   2008年2月

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  • GaInAsP/InP membrane buried heterostructure distributed feedback laser with air-bridge structure

    Hideyuki Naitoh, Shinichi Sakamoto, Mamoru Ohtake, Tadashi Okumura, Takeo Maruyama, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS   46 ( 45-49 )   L1158 - L1160   2007年12月

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  • 85 degrees C continuous-wave operation of GaInAsP/InP-membrane buried heterostructure distributed feedback lasers with polymer cladding layer

    Shinichi Sakamoto, Hideyuki Naitoh, Mamoru Ohtake, Yoshifumi Nishimoto, Takeo Maruyama, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS   46 ( 45-49 )   L1155 - L1157   2007年12月

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  • Bragg wavelength detuning in GaInAsP/InP distributed feedback lasers with wirelike active regions

    Dhanorm Plumwongrot, Yoshifumi Nishimoto, Saeed Mahmud Ullah, Yosuke Tamura, Mumetaka Kurokawa, Takeo Maruyama, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS   46 ( 45-49 )   L1090 - L1092   2007年12月

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  • 85°C Continuous-Wave Operation of GaInAsP/InP-Membrane Buried Heterostructure Distributed Feedback Lasers with Polymer Cladding Layer

    S. Sakamoto, H. Naitoh, M. Ohtake, Y. Nishimoto, T. Maruyama, N. Nishiyama, S. Arai

    Jpn. J. Appl. Phys.   46 ( 45-49 )   L1155 - L1157   2007年12月

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  • Low-threshold-current operation of high-mesa stripe distributed reflector laser emitting at 1540nm

    Saeed Mahmud Ullah, Ryo Suemitsu, SeungHun Lee, Masato Otake, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS   46 ( 41-44 )   L1068 - L1070   2007年11月

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  • Very high electric isolation resistance between distributed reflector laser and front power monitor through deeply etched narrow groove

    SeungHun Lee, Ryo Suemitsu, Saeed Mahmud Ullah, Masato Otake, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS   46 ( 36-40 )   L954 - L956   2007年10月

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  • Strongly index-coupled membrane BH-DFB lasers with surface corrugation grating

    Shinichi Sakamoto, Hideyuki Naitoh, Mamoru Ohtake, Yoshifumi Nishimoto, Shigeo Tamura, Takeo Maruyama, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai

    IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS   13 ( 5 )   1135 - 1141   2007年9月

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  • エアブリッジ構造を用いたGaInAsP/InP半導体薄膜BH-DFBレーザ

    内藤 秀幸, 阪本 真一, 大竹 守, 奥村 忠嗣, 丸山 武男, 西山 伸彦, 荒井 滋久

    電子情報通信学会技術研究報告. OPE, 光エレクトロニクス   107 ( 124 )   19 - 22   2007年6月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    半導体薄膜導波路構造を用いるDFBレーザは、量子効果による利得増強効果と併せて従来にない極低電力動作、BCB等の屈折率の温度依存性が負となる材料をクラッド層とすることによる発振波長の温度無依存化が期待できる。これまでの作製法で大面積化・再現性が問題となっていた貼り付け法ではなく、薄膜導波路構造下に予め成長した犠牲層の横方向選択エッチングによるエアブリッジ構造を用いて半導体薄膜BH-DFBレーザを試作した結果、光励起下で10℃〜80℃までの連続発振を実現した。最低しきい値励起光強度は20℃で4.3mW、また、レーザの発振波長の励起パワー依存性より見積もった熱抵抗値は11K/mWであった。

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  • エアブリッジ構造を用いたGaInAsP/InP半導体薄膜BH-DFBレーザ

    内藤 秀幸, 阪本 真一, 大竹 守, 奥村 忠嗣, 丸山 武男, 西山 伸彦, 荒井 滋久

    電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス   107 ( 125 )   19 - 22   2007年6月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    半導体薄膜導波路構造を用いるDFBレーザは、量子効果による利得増強効果と併せて従来にない極低電力動作、BCB等の屈折率の温度依存性が負となる材料をクラッド層とすることによる発振波長の温度無依存化が期待できる。これまでの作製法で大面積化・再現性が問題となっていた貼り付け法ではなく、薄膜導波路構造下に予め成長した犠牲層の横方向選択エッチングによるエアブリッジ構造を用いて半導体薄膜BH-DFBレーザを試作した結果、光励起下で10℃〜80℃までの連続発振を実現した。最低しきい値励起光強度は20℃で4.3mW、また、レーザの発振波長の励起パワー依存性より見積もった熱抵抗値は11K/mWであった。

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  • Low Threshold Current DR Laser with Wirelike Active Regions and Integration of EAM with High Electrical Isolation

    Ullah Saeed Mahmud, Suemitsu Ryo, Lee Seung-Hun, OTAKE Masato, NISHIYAMA Nobuhiko, ARAI Shigehisa

    電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス   106 ( 404 )   61 - 65   2006年12月

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    記述言語：英語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    A sub-mA threshold current operation of a distributed reflector (DR) laser with wirelike active DFB section and passive DBR section was realized at room temperature continuous wave (RT-CW) condition. To monolithically integrate other photonic devices with the DR laser, a very high electrical isolation resistance of 60 MΩ has been achieved by a deep (3.8μm) and narrow (0.5μm) groove etching while keeping moderately high optical transmitivity of about 93%.

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  • 小さな波長温度係数を有するマイクロマシン面発光レーザ及び共振型フォトディテクタ

    ジャント ウィガネス, 長谷部 浩一, 西山 伸彦, 香野 花沙鈴, 坂口 孝浩, 松谷 晃宏, 小山 二三夫, 石 鍾恩

    電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料   106 ( 213 )   119 - 122   2006年8月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    本研究では,マイクロマシン構造を用いた長波長帯面発光レーザおよび共振型フォトディテクタを提案し,片持ち梁構造の熱膨張層を導入することにより,波長温度無依存動作の可能性を示した.通常の半導体材料では,温度変化に伴い屈折率が変化するため、半導体レーザや共振型光検出器の波長安定化が課題となる.一方,片持ち梁構造においては,温度上昇によるバイモルフ効果によって,共振器長を制御することが可能となり,適切な片持ち梁構造を設計することで共振波長の温度係数を抑制し,その安定化が期待される.本稿では,片持ち梁長85μmのマイクロマシン面発光レーザ構造を用いることで,温度変化に対する波長シフト量が面発光レーザの発振特性およびフォトディテクタの共振特性おいて,0.04nm/Kおよび0.031nm/Kであることをそれぞれ観測した.典型的な半導体レーザの波長シフト量が0.1nm/K程度であるため,片持ち梁構造によって,温度無依存動作の可能性が確認された.

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  • 可飽和吸収体を有する垂直微小共振器構造を用いた光非線形位相補償デバイス

    須田 悟史, 平野 豪, 小山 二三夫, 西山 伸彦, 香野 花沙鈴, 石 鍾恩

    電子情報通信学会技術研究報告. OPE, 光エレクトロニクス   106 ( 133 )   39 - 42   2006年6月

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    記述言語：英語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    40Gb/sを超える光通信システムではファイバ中の非線形光学効果(自己位相変調,相互位相変調,四光波混合等)と波長分散によって生じる波形の劣化が深刻である.このうち波長分散は線形であるため,分散補償によってパルスを修復する事ができるが,光カー効果によって生じたパワーに依存した位相は補償できない.従ってこれらの非線形位相シフトを逆の位相で補償する非線形位相補償デバイスが必要となる.我々は可飽和吸収体を有した垂直微小共振構造を用いた非線形位相補償デバイスを提案した.また,このデバイスのQ値を操作する事によって,正・負両方の非線形位相シフトが得られる事が分かった.

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  • All-optical regeneration using transverse mode switching in long-wavelength vertical-cavity surface-emitting lasers

    Y Onishi, N Nishiyama, C Caneau, F Koyama, CE Zah

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS   45 ( 17-19 )   L467 - L468   2006年5月

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  • 107-mW low-noise green-light emission by frequency doubling of a reliable 1060-nm DFB semiconductor laser diode

    HK Nguyen, MH Hu, N Nishiyama, NJ Visovsky, YB Li, KC Song, XS Liu, J Gollier, LC Hughes, R Bhat, CE Zah

    IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS   18 ( 5-8 )   682 - 684   2006年3月

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  • High-power high-modulation-speed 1060-nm DBR lasers for green-light emission

    MH Hu, HK Nguyen, KC Song, YB Li, NJ Visovsky, XS Liu, N Nishiyama, S Coleman, LC Hughes, J Gollier, W Miller, R Bhat, CE Zah

    IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS   18 ( 1-4 )   616 - 618   2006年1月

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  • CS-4-9 低コスト10Gモジュールのため長波長帯AlGaInAs面発光レーザ(CS-4. 応用分野が広がる面発光レーザ(VCSEL)技術の最新動向, エレクトロニクス1)

    西山 伸彦, 香野 花沙鈴, 石 鍾恩

    電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集   2005 ( 1 )   "S - 49"-"S-50"   2005年9月

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    記述言語：英語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

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  • All-optical inverter based on long-wavelength vertical-cavity surface-emitting laser

    Y Onishi, N Nishiyama, C Caneau, F Koyama, CE Zah

    IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS   11 ( 5 )   999 - 1005   2005年9月

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  • Long-wavelength vertical-cavity surface-emitting lasers on InP with lattice matched AlGaInAs-InP DBR grown by MOCVD

    N Nishiyama, C Caneau, B Hall, G Guryanov, MH Hu, XS Liu, MJ Li, R Bhat, CE Zah

    IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS   11 ( 5 )   990 - 998   2005年9月

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  • 10-Gbps error-free transmission under optical reflection using isolator-free 1.3-μm InP-based vertical cavity surface emitting lasers

    N. Nishiyama C. Caneau, S. Tsuda, G. Guryanov, M. Hu, R. Bhat, C. E. Zah

    IEEE Photon. Techno. Letters   17 ( 8 )   1605 - 1607   2005年8月

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  • 10-Gb/s error-free transmission under optical reflection using isolator-free 1.3-mu m InP-based vertical-cavity surface-emitting lasers

    N Nishiyama, C Caneau, S Tsuda, G Guryanov, M Hu, R Bhat, CE Zah

    IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS   17 ( 8 )   1605 - 1607   2005年8月

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  • Low-voltage operation of vertical-cavity intensity modulator using InP-based surface-emitting laser structure

    A Onodera, Y Onishi, N Nishiyama, C Caneau, F Koyama, CE Zah

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS   43 ( 6B )   L806 - L807   2004年6月

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  • Dynamic behavior of an all-optical inverter using transverse mode switching in 1.55 μm vertical-cavity surface-emitting lasers

    Yutaka Onishi, Nobuhiko Nishiyama, Catherine Caneau, Fumio Koyama, Chung-en Zah

    IEEE Photon. Technol. Lett.   16 ( 5 )   1236 - 1238   2004年5月

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  • Dynamic behavior of an all-optical inverter using transverse-mode switching in 1.55-mu m vertical-cavity surface-emitting lasers

    Y Onishi, N Nishiyama, C Caneau, F Koyama, CE Zah

    IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS   16 ( 5 )   1236 - 1238   2004年5月

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  • Nonlinear optical input-output characteristics of 1.55 μm injection-locked vertical-cavity surface-emitting lasers

    Yutaka Onishi, Nobuhiko Nishiyama, Catherine Caneau, Fumio Koyama, Chung-en Zah

    Appl. Phys. Lett.   84 ( 17 )   3247 - 3249   2004年4月

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  • Nonlinear optical input-output characteristics of 1.55 mu m injection-locked vertical-cavity surface-emitting lasers

    Y Onishi, F Koyama, N Nishiyama, C Caneau, CE Zah

    APPLIED PHYSICS LETTERS   84 ( 17 )   3247 - 3249   2004年4月

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  • Light-induced transverse-mode switching of a vertical-cavity surface-emitting laser for optical signal processing

    Y Onishi, N Nishiyama, C Caneau, F Koyama, CE Zah

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS   43 ( 2A )   L187 - L189   2004年2月

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  • High efficiency long wavelength VCSEL on InP grown by MOCVD

    N Nishiyama, C Caneau, G Guryanov, XS Liu, M Hu, CE Zah

    ELECTRONICS LETTERS   39 ( 5 )   437 - 439   2003年3月

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  • Monolithic formation of metal organic chemical vapor deposition grown multi-wavelength vertical cavities with highly strained GaInAs/GaAs quantum wells on GaAs (311)B

    M Arai, N Nishiyama, M Azuchi, A Matsutani, F Koyama, K Iga

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   40 ( 6A )   4056 - 4057   2001年6月

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  • Temperature Insensitive Micromachined GaAlAs/GaAs Vertical Cavity Wavelength Filter

    AMANO Takeru, KOYAMA Fumio, NISHIYAMA Nobuhiko, MATSUTANI Akihiro, IGA Kenichi

    IEICE transactions on electronics   84 ( 5 )   678 - 684   2001年5月

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    記述言語：英語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    A novel temperature insensitive wavelength filter consisting of GaAlAs/GaAs distributed Bragg reflectors (DBRs) has been demonstrated. This micromachined DBR is mechanically tuned by differential thermal expansion. The strain-induced displacement of one mirror can generate wave-length tuning and trimming functions with an adjustable temperature dependence. We succeeded in the control of temperature dependence in this micromachined semiconductor filter by properly designing a vertical cavity structure. The achieved temperature dependence was as small as +0.01 nm/K, which is one-tenth of that of conventional semiconductor based optical filters. Also, a wavelength trimming of over 20 nm was demonstrated after completing the device fabrication. In addition, we demonstrated a 4×4 multiple wavelength micromachined vertical cavity filter array. The multi-wavelength filter array with a wavelength span of 45 nm was fabricated by partially etching off a GaAs wavelength control layer loaded on the top surface of device.

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  • Temperature Insensitive Micromachined GaAlAs/GaAs Vertical Cavity Wavelength Filter

    AMANO Takeru, KOYAMA Fumio, NISHIYAMA Nobuhiko, MATSUTANI Akihiro, IGA Kenichi

    IEICE transactions on communications   84 ( 5 )   1304 - 1310   2001年5月

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    記述言語：英語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    A novel temperature insensitive wavelength filter consisting of GaAlAs/GaAs distributed Bragg reflectors (DBRs) has been demonstrated. This micromachined DBR is mechanically tuned by differential thermal expansion. The strain-induced displacement of one mirror can generate wave-length tuning and trimming functions with an adjustable temperature dependence. We succeeded in the control of temperature dependence in this micromachined semiconductor filter by properly designing a vertical cavity structure. The achieved temperature dependence was as small as +0.01 nm/K, which is one-tenth of that of conventional semiconductor based optical filters. Also, a wavelength trimming of over 20 nm was demonstrated after completing the device fabrication. In addition, we demonstrated a 4×4 multiple wavelength micromachined vertical cavity filter array. The multi-wavelength filter array with a wavelength span of 45 nm was fabricated by partially etching off a GaAs wavelength control layer loaded on the top surface of device.

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  • 1.12 mu m polarization controlled highly strained GaInAs vertical-cavity surface-emitting lasers on GaAs(311)B by metal organic chemical vapor deposition

    N Nishiyama, M Arai, S Shinada, M Azuchi, A Matsutani, T Miyamoto, F Koyama, K Iga

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS   40 ( 5A )   L437 - L439   2001年5月

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  • 1.12μm polarization controlled highly strained GaInAs vertical-cavity surface-emitting lasers on GaAs (311)B by metal organic chemical vapor deposition

    Nobuhiko Nishiyama, Masakazu Arai, Satoshi Shinada, Munechika Azuchi, Akihiro Matsutani, Tomoyuki Miyamoto, Fumio Koyama, Kenichi Iga

    Jpn. J. Appl. Phys.   40 ( 5A )   L437 - L439   2001年5月

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  • Monolithic formation of metal organic chemical vapor deposition grown multi-wavelength vertical cavities with highly strained GaInAs/GaAs quantum wells on GaAs (311)B

    Masakazu Arai, Nobuhiko Nishiyama, Munechika Azuchi, Akihiro Matsutani, Fumio Koyama, Kenichi Iga

    Jpn. J. Appl. Phys.   40 ( 6A )   4056 - 4057   2001年

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  • Monolithic formation of metal organic chemical vapor deposition grown multi-wavelength vertical cavities with highly strained GaInAs/GaAs quantum wells on GaAs (311)B

    Arai, M., Nishiyama, N., Azuchi, M., Matsutani, A., Koyama, F., Iga, K.

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers   40 ( 6 A )   4056 - 4057   2001年

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  • Growth and optical properties of highly strained GaInAs/GaAs quantum wells on (311)B GaAs by MOCVD

    N Nishiyama, M Arai, S Shinada, T Miyamoto, F Koyama, K Iga

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   221   530 - 534   2000年12月

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  • Continuous wave operation of 1.26μm GaInNAs/GaAs vertical-cavity surface-emitting lasers grown by metalorganic chemical vapour deposition

    Shunichi Sato, Nobuhiko Nishiyama, Tomoyuki Miyamoto, Takashi Takahashi, Naoto Jikutani, Masakazu Arai, Akihiro Matsutani, Fumio Koyama, Kenichi Iga

    Electron. Lett.   36 ( 24 )   2018 - 2019   2000年11月

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  • Continuous wave operation of 1.26 mu m GaInNAs/GaAs vertical-cavity surface-emitting lasers grown by metalorganic chemical vapour deposition

    S Sato, N Nishiyama, T Miyamoto, T Takahashi, N Jikutani, M Arai, A Matsutani, F Koyama, K Iga

    ELECTRONICS LETTERS   36 ( 24 )   2018 - 2019   2000年11月

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  • 1.15μm lasing operation of highly strained GaInAs/GaAs on GaAs (311)B substrate with high characteristic temperature (T_0_=210 K)

    Nobuhiko Nishiyama, Masakazu Arai, Satoshi Shinada, Tomoyuki Miyamoto, Fumio Koyama, Kenichi Iga

    Jpn. J. Appl. Phys.   39 ( 10B )   L1046 - L1047   2000年10月

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  • Highly stable single polarization operation of GaInAs/GaAs vertical-cavity surface-emitting laser on GaAs (311)B substrate under high-speed modulation

    M Arai, N Nishiyama, S Shinada, A Matsutani, F Koyama, K Iga

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS   39 ( 8B )   L858 - L860   2000年8月

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  • 2 x 2 multiwavelength micromachined AlGaAs/GaAs vertical cavity filter array with wavelength control layer

    T Amano, F Koyama, N Nishiyama, K Iga

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS   39 ( 7A )   L673 - L674   2000年7月

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  • AlAs oxidation system with H2O vaporizer for oxide-confined surface emitting lasers

    M Arai, N Nishiyama, S Shinada, F Koyama, K Iga

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   39 ( 6A )   3468 - 3469   2000年6月

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  • Vertical-cavity surface-emitting laser array on GaAs(311)B substrate exhibiting single-transverse mode and stable-polarization operation

    M Arai, N Nishiyama, S Shinada, A Matsutani, F Koyama, K Iga

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS   39 ( 6B )   L588 - L590   2000年6月

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  • Multi-oxide layer structure for single-mode operation in vertical-cavity surface-emitting lasers

    N Nishiyama, M Arai, S Shinada, K Suzuki, F Koyama, K Iga

    IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS   12 ( 6 )   606 - 608   2000年6月

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  • Temperature-insensitive micromachined AlGaAs-GaAs vertical cavity filter

    T Amano, F Koyama, N Nishiyama, K Iga

    IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS   12 ( 5 )   510 - 512   2000年5月

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  • Micromachined semiconductor vertical cavity for temperature insensitive surface emitting lasers and optical filters

    F Koyama, T Amano, N Furukawa, N Nishiyama, M Arai, K Iga

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   39 ( 3B )   1542 - 1545   2000年3月

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  • Micromachined AlGaAs/GaAs vertical cavity filter with adjustable temperature dependence and wavelength trimming ability

    T Amano, F Koyama, N Furukawa, N Nishiyama, A Matsutani, K Iga

    ELECTRONICS LETTERS   36 ( 1 )   74 - 76   2000年1月

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  • 1.15 mu m lasing operation of highly strained GaInAs/GaAs on GaAs (311)B substrate with high characteristic temperature (T-0=210 K)

    Nishiyama, N, Arai, M, Shinada, S, Miyamoto, T, Koyama, F, Iga, K

    Japanese Journal of Applied Physics Part 2-Letters   39 ( 10B )   L1046 - L1047   2000年

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  • 1.15μm lasing operation of highly strained GaInAs/GaAs on GaAs (311)B substrate with high characteristic temperature (T<small>0</small>=210 K)

    Nobuhiko Nishiyama, Masakazu Arai, Satoshi Shinada, Tomoyuki Miyamoto, Fumio Koyama, Kenichi Iga

    Jpn. J. Appl. Phys.   39 ( 10B )   L1046 - L1047   2000年

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  • 1.15μm lasing operation of highly strained GaInAs/GaAs on GaAs (311)B substrate with high characteristic temperature (T<small>0</small>=210 K)

    Nobuhiko Nishiyama, Masakazu Arai, Satoshi Shinada, Tomoyuki Miyamoto, Fumio Koyama, Kenichi Iga

    Jpn. J. Appl. Phys.   39 ( 10B )   L1046 - L1047   2000年

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  • Vertical-cavity surface-emitting laser array on GaAs(311)B substrate exhibiting single-transverse mode and stable-polarization operation

    Masakazu Arai, Nobuhiko Nishiyama, Satoshi Shinada, Akihiro Matsutani, Fumio Koyama, Kenichi Iga

    Jpn. J. Appl. Phys.   39 ( 6B )   L588 - L590   2000年

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  • AlAs oxidation system with H_2_O vaporizer for oxide-confined surface emitting lasers

    Masakazu Arai, Nobuhiko Nishiyama, Satoshi Shinada, Fumio Koyama, Kenichi Iga

    Jpn. J. Appl. Phys.   39 ( 6A )   3468 - 3469   2000年

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  • $2\times 2$ Multiwavelength Micromachined AlGaAs/GaAs Vertical Cavity Filter Array with Wavelength Control Layer

    Amano Takeru, Koyama Fumio, Nishiyama Nobuhiko, Iga Kenichi

    Japanese journal of applied physics. Pt. 2, Letters   39 ( 7A )   L673 - L674   2000年

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    記述言語：英語   出版者・発行元：社団法人応用物理学会  

    We have demonstrated a novel $2\times 2$ multiwavelength micromachined vertical cavity filter array consisting of a pair of AlGaAs/GaAs distributed Bragg reflectors (DBR). The $2\times 2$ multiwavelength micromachined vertical cavity filter array with a wavelength span of 12 nm was fabricated by partly etching off a GaAs wavelength control layer loaded on the top surface of a device. The resonant wavelength can be adjusted by controlling the thickness of the wavelength control layer of each filter in the 2D array.

    DOI： 10.1143/jjap.39.L673

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  • Micromachined semiconductor vertical cavity for temperature insensitive surface emitting lasers and optical filters

    Koyama, F., Amano, T., Furukawa, N., Nishiyama, N., Arai, M., Iga, K.

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers   39 ( 3 B )   1542 - 1545   2000年

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  • Temperature-insensitive micromachined AlGaAs-GaAs vertical cavity filter

    Takeru Amano, Fumio Koyama, Nobuhiko Nishiyama, Kenichi Iga

    IEEE Photon. Technol. Lett.   12 ( 5 )   510 - 512   2000年

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  • マイクロマシーニングによる波長温度無依存Add/Dropフィルタ/面発光レーザの可能性

    小山 二三夫, 天野 建, 西山 伸彦

    電子情報通信学会技術研究報告   99 ( 465 )   19 - 24   1999年11月

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    記述言語：英語   出版者・発行元：電子情報通信学会  

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  • マイクロマシーニングによる波長温度無依存Add/Dropフィルタ/面発光レーザの可能性

    小山 二三夫, 天野 健, 西山 伸彦

    電子情報通信学会技術研究報告   99 ( 467 )   19 - 24   1999年11月

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    記述言語：英語   出版者・発行元：電子情報通信学会  

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  • Fabrication of micro-aperture surface emitting laser for near field optical data storage

    S Shinada, F Koyama, N Nishiyama, M Arai, K Goto, K Iga

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS   38 ( 11B )   L1327 - L1329   1999年11月

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  • Micro-Aperture GaAs Surface Emitting Laser for Near Field Optical Data Storage

    SHINADA S., KOYAMA F., NISHIYAMA N., ARAI M., GOTO K., IGA K.

    Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials   1999   290 - 291   1999年9月

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    記述言語：英語  

    CiNii Books

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  • GaInNAs/GaAs Quantum Well Lasers Grown by Chemical Beam Epitaxy

    KAGEYAMA T., MIYAMOTO T., MAKINO S., NISHIYAMA N., KOYAMA F., IGA K.

    Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials   1999   298 - 299   1999年9月

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    記述言語：英語  

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  • 金属微小開口をもつ面発光レｰザの近接場解析

    品田 聡, 小山 二三夫, 鈴木 耕一, 西山 伸彦, 伊賀 健一

    電気学会研究会資料. : The Papers of Technical Meeting on Electromagnetic Theory, IEE Japan. EMT, 電磁界理論研究会   1999 ( 1 )   19 - 24   1999年1月

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    記述言語：日本語  

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  • MOCVDによるGaAs(311)B基板上低しきい値偏波制御面発光 レーザ

    水谷 章成, 羽鳥 伸明, 西山 伸彦, 小山 二三夫, 伊賀 健一

    電子情報通信学会論文誌. C-1, エレクトロニクス 1-光・波動   81 ( 8 )   460 - 465   1998年8月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    GaAs(311)B基板上面発光レーザは面内に非対称な利得をもち, 安定な偏波特性が期待できる.有機金属気相成長法によるGaAs(311)B基板上InGaAs面発光レーザの実現と, その高性能化を行った.まず, 成長条件の確立を行い, 面発光レーザの低抵抗化に有効な技術としてAlAsの炭素オートドーピング法を確立し2×10^<19>cm^<-3>の高濃度ドーピングを得た.また, 実際に選択酸化電流狭搾構造の面発光レーザを製作し, 傾斜基板上発光レーザで最低のしきい値電流である250μAを達成した.また, 安定な偏波特性や, 低抵抗化(抵抗率で1.2×10^<-4>Ω・cm^2)等の高性能化の見通しを得た.

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  • A completely single-mode and single-polarization vertical-cavity surface emitting lasers grown on GaAs (311)B substrate

    N Nishiyama, A Mizutani, N Hatori, F Koyama, K Iga

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS   37 ( 6A )   L640 - L642   1998年6月

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  • MOCVDによるGaAs(311)B基板上低しきい値偏波制御面発光レーザ

    水谷 章成, 羽鳥 伸明, 西山 伸彦, 小山 二三夫, 伊賀 健一

    電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス   97 ( 543 )   31 - 36   1998年2月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    GaAs (311) B基板上面発光レーザは面内の非対称な利得を持ち, 安定な偏波特性が期待できる.有機金属気相成長法によるGaAs (311) B基板上InGaAs面発光レーザの実現と, その高性能化を行った.まず, 成長条件の確立を行い, 面発光レーザの低抵抗化に有効な技術としてAlAsの炭素オートドーピング法を確立し2×10^<19>cm^<-3>の高濃度ドーピングを得た.また, 実際に面発光レーザを製作し, 傾斜基板上面発光レーザで最低のしきい値電流である250μAを達成した.また, 安定な偏波特性や, 低抵抗化(抵抗率で1.2×10^<-4>Ω・cm^2)等の高性能化の見通しを得た.

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  • A completely single-mode and single polarization vertical-cavity surface emitting lasers grown on GaAs (311)B substrate

    Nobuhiko Nishiyama, Akimasa Mizutani, Nobuaki Hatori, Fumio Koyama, Kenichi Iga

    Jpn. J. Appl. Phys.   37 ( 6A )   L640 - L642   1998年

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講演・口頭発表等

  • Wire-Length Dependence of Polarization Anisotropy in GaInAsP/InP Quantum-Wire Structures

    2007年 

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  • 10-Gbps 1.3 and 1.55-μm InP-based VCSELs: 85°C 10-km Error-free Transmission and Room Temp. 40-km Transmission at 1.55-μm with EDC

    Optical Fiber Conference 2006  2006年 

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  • All-optical Polarization Controller Using Elliptical-Apertured 1.5μm VCSEL

    Conference on Lasers and Electro-Optics（CLEO 2006）  2006年 

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  • Optical Nonliner Phase Shifter Using Vertical Microcavity with Saturable Absorber

    Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO 2006  2006年 

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  • Micromachined Resonant-Cavity Photodetectors with Low Temperature Dependence

    Extended Abstracts (The 67nd Autumn Meeting) of Jpn. Soc. Appl. Phys.  2006年 

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  • Tunable Optical Delay and Nonlinear Phase Shift using 1.55 μm VCSEL

    EEE ISLC2006  2006年 

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  • Low threshold current DR laser with wirelike active regions and integration of EAM with high electrical isolation

    電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会  2006年 

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  • InP系温度無依存面発光レーザのためのバイモルフ効果を用いた片持ち梁の製作・評価

    2006年春季第53回応用物理学関連連合講演会  2006年 

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  • All-optical Polarization Controller Using Elliptical-Apertured 1.5μm VCSEL

    Conference on Lasers and Electro-Optics（CLEO 2006）  2006年 

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  • Optical Nonliner Phase Shifter Using Vertical Microcavity with Saturable Absorber

    Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO 2006  2006年 

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  • Athermal operation of 1.55 μm InP-based VCSEL with thermally-actuated cantilever structure

    20th International Semiconductor Laser Conference  2006年 

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  • Injection-locked vertical-cavity surface-emitting lasers for optical signal processing

    OptoElectronics and Communications Conference/International Conference on Optical Internet  2004年 

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  • Low voltage operation of vertical-cavity intensity modulator using InP-based surface-emitting laser structure

    OptoElectronics and Communications Conference/International Conference on Optical Internet  2004年 

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  • Dynamic behavior of 1.55 μm vertical-cavity surface-emitting laser with external light injection

    Conference on Lasers & Electro-Optics/International Quantum Electronics Conference  2004年 

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  • Injection-locked vertical-cavity surface-emitting lasers for optical signal processing

    OptoElectronics and Communications Conference/International Conference on Optical Internet  2004年 

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  • Low voltage operation of vertical-cavity intensity modulator using InP-based surface-emitting laser structure

    OptoElectronics and Communications Conference/International Conference on Optical Internet  2004年 

    　詳細を見る

  • Dynamic behavior of 1.55 μm vertical-cavity surface-emitting laser with external light injection

    Conference on Lasers & Electro-Optics/International Quantum Electronics Conference  2004年 

    　詳細を見る

  • Athermal operation of 1.55 μm InP-based VCSEL with thermally-actuated cantilever structure

    20th International Semiconductor Laser Conference  2006年 

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  • マイクロマシン構造を用いた温度無依存共振型フォトディテクタ

    2006年秋季第67回応用物理学会学術講演会  2006年 

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  • Tunable Optical Delay and Nonlinear Phase Shift using 1.55 μm VCSEL

    EEE ISLC2006  2006年 

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  • Low threshold current DR laser with wirelike active regions and integration of EAM with high electrical isolation

    電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会  2006年 

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  • Optical inverter using a vertical-cavity surface-emitting laser with external light injection

    he 16th Annual Meeting of the IEEE Lasers and Electro-Optics Society  2003年 

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  • Lasing characteristic of 1.2μm highly strained GaInAs/GaAs vertical cavity surface emitting lasers

    The 62nd Autumn Meeting of The Japan Society of Applied Physics  2001年 

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    会議種別：ポスター発表  

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  • Room temperature continuous-wave operation of GaInNAs/GaAs VCSELs grown by chemical beam epitaxy with output power exceeding 1mW

    The Pacific Rim Conf. on Lasers and Electro-Optics 2001  2001年 

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    会議種別：ポスター発表  

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  • Room temperature continuous-wave operation of GaInNAs/GaAs VCSELs grown by chemical beam epitaxy with output power exceeding 1mW

    Electron. Lett.  2001年 

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  • Highly strained GaInAs/GaAs quantum well vertical-cavity surface-emitting laser on GaAs (311)B substrate for stable polarization operation

    IEEE J. Select. Top. Quantum Electron.  2001年 

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  • Analysis and fabrication of micro-aperture GaAs/GaAlAs surface emitting laser for near field optical data storage

    IEEE J. Select. Top. Quantum Electron.  2001年 

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  • Optical inverter using a vertical-cavity surface-emitting laser with external light injection

    he 16th Annual Meeting of the IEEE Lasers and Electro-Optics Society  2003年 

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  • Single high-order transverse mode surface emitting laser with micromachined surface relief

    IEICE  2002年 

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  • Single high-order transverse mode surface emitting laser with micromachined surface relief

    IEICE  2002年 

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  • Far field pattern control of single high order transverse mode VCSEL with micromachined surface relief

    IEEE Lasers and Electro-Optics Society 2001 Annual Meeting  2001年 

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  • Investigation of Regrowth Interface Quality of AlGaInAs/InP Buried Heterostructure Lasers

    22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2010)  2010年 

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    会議種別：ポスター発表  

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  • Structure Dependence on the Modulation Efficiency of a Long Wavelength Laser

    2010年 

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  • Investigation of Bonding Strength and Photoluminescence Properties of InP/Si Surface Activated Bonding

    International Conference on Indium Phosphide and Related Materials  2010年 

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  • Lateral Junction Waveguide Type Photodiode for Membrane Photonic Circuits

    International Conference on Indium Phosphide and Related Materials  2010年 

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  • Stabilization on Fabrication of GaInAsP/InP Membrane Structure on SOI waveguide by Surface Activated Bonding

    2010年 

    　詳細を見る

    会議種別：ポスター発表  

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  • Direct Measurements of Characteristics of GaInAsP/InP Bragg Gratings with Periodically Etched Quantum Wells

    The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2010)  2010年 

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    会議種別：ポスター発表  

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  • Dynamic Characteristics of Lateral Current Injection Laser

    The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2010)  2010年 

    　詳細を見る

  • Large Signal Analysis of AlGaInAs/InP Laser Transistor

    Conference on Lasers and Electro Optics/International Quantum Electronics Conference (CLEO/IQEC) 2010  2010年 

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  • Thin-Film GaInAsP/InP Lateral Current Injection Type Fabry-Perot Laser Improved Quantum Efficiency Operation

    The 22th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2010)  2010年 

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  • Si/III-V Hybrid Optical Devices and Related Technologies

    2010年 

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  • Effect of Thermal Cleaning for Regrowth Interface Quality

    2010年 

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  • Low power consumption semiconductor lasers for optical interconnections

    15th OptoElectronics and Communications Conference  2010年 

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  • First Lasing Operation of Injection Type Membrane GaInAsP DFB Laser With Lateral Current Injection BH Structure

    the 22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference  2010年 

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  • Loss Measurement of Multiple Layer a-Si Waveguides

    SSDM  2010年 

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  • Current Status of III-V/Si Hybrid Optical Devices

    15th OproElectronics and Communications Conference  2010年 

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  • Loss Reduction of Si-Slot Ring Resonator Embedded with Benzocyclobutene

    2010年 

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  • Theoretical analysis of integrated twin guide laser on SOI substrate

    2010年 

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  • Lateral Current Injection DFB Laser with a-Si Surface Grating

    2010年 

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  • Fabrication of GaInAsP/InP Membrane Structure on SOI waveguide by Surface

    2010年 

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  • Lasing Operation of an Injection Type Membrane DFB Laser

    2010年 

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  • All-optical Switch Consisting of Multimode Interferometer Combined with Metamaterials: Device Design

    The 22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM-2010)  2010年 

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    会議種別：ポスター発表  

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  • Lateral Current Injection Type GaInAsP/InP DFB Laser with a-Si Surface Grating

    The 23rd Annual Meeting of the IEEE Photonics Society  2010年 

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  • 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの光注入同期

    IEICE-LQE2009-169  2010年 

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  • メタマテリアルを有するInP導波路型デバイスにおける光周波数領域での磁気応答

    第57回春季応用物理学関係連合講演会  2010年 

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    会議種別：ポスター発表  

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  • Characteristics of Transmittance and Reflectance Spectra of GaInAsP/InP DBR with wirelike active region

    2010年 

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  • Improvement of the bonding quality of GaInAsP Membrane Stricture toword III-V Membrane Photonic Circuit on Si substrate with BCB Bonding

    2010年 

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  • 光注入同期による活性層分離型分布反射型レーザの変調帯域増大

    電子情報通信学会 2010年総合大会  2010年 

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  • Bandwidth Enhancement of Distributed Reflector Lasers at Low Bias Current by Optical Injection Locking

    OFC/NFOEC 2010  2010年 

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    会議種別：ポスター発表  

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  • BCB埋め込みSiスロット導波路の光伝搬損失の評価

    第57回応用物理学関係連合講演会  2010年 

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    会議種別：ポスター発表  

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  • SOI基板上多層a-Si細線導波路の伝搬特性の評価

    2010年 

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    会議種別：ポスター発表  

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  • Investigation of Regrowth Interface Quality of AlGaInAs/InP Buried Heterostructure Lasers

    22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2010)  2010年 

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    会議種別：ポスター発表  

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  • AlGaInAs量子井戸活性層を有する長波長帯レーザトランジスタ変調効率の構造依存性

    第57回応用物理学関係連合講演会  2010年 

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  • Investigation of Bonding Strength and Photoluminescence Properties of InP/Si Surface Activated Bonding

    International Conference on Indium Phosphide and Related Materials  2010年 

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  • Lateral Junction Waveguide Type Photodiode for Membrane Photonic Circuits

    2010年 

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  • AlGaInAs/InP 埋め込みヘテロ構造レーザにおける再成長界面品質のサーマルクリーニング依存性

    2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会  2010年 

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  • 表面活性化貼付法を用いたInP/Si接合とフォトルミネッセンス特性

    第57回春季応用物理学会学術講演会  2010年 

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    会議種別：ポスター発表  

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  • 横方向電流注入レーザの変調特性

    第57回応用物理学関係連合講演会  2010年 

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  • Low-threshold and High-efficiency Operation of Distributed Reflector Laser with Wirelike Active Regions by Reduced Waveguide Loss

    The 21st International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM'09)  2009年 

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  • BCB埋め込みSiスロット導波路による波長フィルタの温度無依存化の検討

    第56回春季応用物理学会学術講演会  2009年 

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  • 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの低しきい値・高効率動作

    第56回応用物理学関係連合講演会  2009年 

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  • 光生成キャリア変調による光信号からサブテラヘルツ信号への直接変換速度特性

    第56回春季応用物理学会学術講演会  2009年 

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    会議種別：ポスター発表  

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  • 横方向電流注入型ファブリ・ペローレーザの室温連続動作

    第56回応用物理学関係連合講演会  2009年 

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  • 半絶縁性基板上の横方向注入型DFB レーザ

    第56回応用物理学関係連合講演会  2009年 

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  • ブラック反射鏡導恥デバイスのスローライト伝搬の評価

    第56回応用物理学関係連合講演会  2009年 

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  • 細線状活性層を有する分布反射型レーザの反射戻り光耐性

    電子情報通信学会 2009年総合大会  2009年 

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  • Si上BCB貼付型強光閉じ込めGaInAsP細線導波路の特性

    第56回春季応用物理学会学術講演会  2009年 

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  • シリコン基板上半導体レーザ・発光デバイスの現状

    2009年電子情報通信学会総合大会  2009年 

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  • BCB埋め込みSiスロット導波路構造を用いた温度無依存波長フィルタ

    電子情報通信学会技術研究報告  2009年 

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  • Athermal Wavelength Property of Si-Slot Ring Resonator Embedded with Benzocyclobutene

    The 6th International Conference on Group Ⅳ Photonics  2009年 

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  • High Optical Feedback-Tolerance of Distributed Reflector Lasers with Wire-like Active Regions for High Speed Isolator-Free Operation

    Conference on Lasers and Electro Optics/International Quantum Electronics Conference (CLEO/IQEC) 2009  2009年 

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  • 横方向電流注入型ファブリ・ペローレーザの微分量子効率改善

    第70回応用物理学会学術講演  2009年 

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  • High External Feedback Tolerance of Distributed Reflector Lasers with Wirelike Active Regions

    International Nano-Optoelectronics Workshop, 2009 (i-NOW 2009)  2009年 

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    会議種別：ポスター発表  

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  • III-V/SOI heterogeneous photonic integrated devices for optical interconnection in LSI

    IPRM 2009  2009年 

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  • Room-Temperature CW Operation of Lateral Current Injection Lasers with Thin Film Lateral

    2009年 

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    会議種別：ポスター発表  

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  • 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの進展 ～ 高効率・低しきい値動作と強戻り光耐性 ～

    IEICE-LQE2009-3  2009年 

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  • Properties of High index-Contrast Wired GaInAsP Waveguides with Benzocyclobutene on Si Substrate

    The 21th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2009)  2009年 

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  • Lateral Current Injection Type GaInAsP/InP DFB Lasers on SI-InP Substrate

    The 21st International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2009)  2009年 

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  • Dynamic Characteristics of Lateral Current Injection Laser

    The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2010)  2010年 

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  • Large Signal Analysis of AlGaInAs/InP Laser Transistor

    Conference on Lasers and Electro Optics/International Quantum Electronics Conference (CLEO/IQEC) 2010  2010年 

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  • Si/III-Vハイブリッド光デバイスと関連技術

    日本学術振興会半導体界面制御技術第１５４委員会研究会  2010年 

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  • AlGaInAs/InP 埋め込みヘテロ構造レーザにおけるサーマルクリーニング中雰囲気の再成長界面品質に対する影響

    2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会  2010年 

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  • Low power consumption semiconductor lasers for optical interconnections

    15th OptoElectronics and Communications Conference  2010年 

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  • First Lasing Operation of Injection Type Membrane GaInAsP DFB Laser With Lateral Current Injection BH Structure

    the 22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference  2010年 

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  • Loss Measurement of Multiple Layer a-Si Waveguides

    SSDM  2010年 

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  • Direct Measurements of Characteristics of GaInAsP/InP Bragg Gratings with Periodically Etched Quantum Wells

    The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2010)  2010年 

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    会議種別：ポスター発表  

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  • Thin-Film GaInAsP/InP Lateral Current Injection Type Fabry-Perot Laser Improved Quantum Efficiency Operation

    The 22th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2010)  2010年 

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  • Current Status of III-V/Si Hybrid Optical Devices

    15th OproElectronics and Communications Conference  2010年 

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  • Stabilization on Fabrication of GaInAsP/InP Membrane Structure on SOI waveguide by Surface Activated Bonding

    2010年 

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    会議種別：ポスター発表  

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  • SOI基板上集積二重導波路構造レーザの理論検討

    第71回応用物理学会学術講演  2010年 

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  • a-Si表面回折格子を用いた横方向電流注入型DFBレーザ

    第71回応用物理学会学術講演  2010年 

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  • Left-handed Light Controlling Device for Optical Frequency

    International Symposium on Quantum Nanophotonics and Nanoelectronics (ISQNN-2009)  2009年 

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  • Lateral Current Injection Type GaInAsP/InP DFB Laser with a-Si Surface Grating

    The 23rd Annual Meeting of the IEEE Photonics Society  2010年 

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  • Characterization of Slow Light in Bragg Reflector Waveguide Device

    The 56th Spring Meeting of Japan Society of Applied Physics  2009年 

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  • External Optical Feedback Tolerance of Distributed Reflector Lasers with Wirelike Active Regions

    2009年 

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  • BCB埋め込みスロットリング共振器の低損失化

    第71回応用物理学会学術講演  2010年 

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  • 表面活性化接合法によるSOI導波路上GaInAsP薄膜構造の形成

    第70回応用物理学会学術講演  2010年 

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  • GaInAsP/InP細線状活性層を有するDBRの透過反射スペクトル特性

    第71回応用物理学会学術講演  2010年 

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  • III-V族薄膜光回路実現のためのSi基板上BCB貼付GaInAsP薄膜構造品質の改善

    2010年秋季 応用物理学会学術講演会  2010年 

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  • 半導体薄膜DFBレーザの電流注入動作

    第70回応用物理学会学術講演  2010年 

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  • Status of semiconductor lasers and emitting devices of Si Substrate

    2009年 

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  • III-V/SOI heterogeneous photonic integrated devices for optical interconnection in LSI

    IPRM 2009  2009年 

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  • Room-Temperature CW Operation of Lateral Current Injection Lasers with Thin Film Lateral

    2009年 

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    会議種別：ポスター発表  

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  • Progress in Distributed-Reflector(DR) Lasers with Wirelke Active Regions

    IEICE-LQE2009-3  2009年 

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  • Properties of High index-Contrast Wired GaInAsP Waveguides with Benzocyclobutene on Si Substrate

    The 21th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2009)  2009年 

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  • Room-Temperature Continuous-Wave Operation of Lateral Current Injection Type Fabry-Perot Lasers

    2009年 

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  • Lateral Current Injection Type DFB Lasers on Semi-Insulating Substrate

    2009年 

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  • Lateral Current Injection Type GaInAsP/InP DFB Lasers on SI-InP Substrate

    The 21st International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2009)  2009年 

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  • Low-threshold and High-efficiency Operation of Distributed Reflector Laser with Wirelike Active Regions by Reduced Waveguide Loss

    The 21st International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM'09)  2009年 

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  • Low Threshold and High Efficiency Operation of Distributed-Reflector Laser with Wirelike Active Regions

    2009年 

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  • Properties of High Index Contrast Wired GaInAsP Waveguides with Benzocyclobutene on Si Substrate

    2009年 

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  • Athermal Wavelength Operation of Si-Slot Ring Resonator Embedded with Benzocyclobutene

    2009年 

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    会議種別：ポスター発表  

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  • Improved Quantum Efficiency of Lateral Current Injection Type Fabry-Perot Lasers

    International Symposium on Quantum Nanophotonics and Nanoelectronics  2009年 

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  • Left-handed Light Controlling Device for Optical Frequency

    International Symposium on Quantum Nanophotonics and Nanoelectronics (ISQNN-2009)  2009年 

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  • Athermal Wavelength Filter by Si-Slot Waveguide Embedded with Benzocyclobute

    2009年 

    　詳細を見る

  • Improved Differential Quantum Efficiency of Lateral Current Injection Type Fabry-Perot Lasers

    2009年 

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  • Atheoretical analysis of AlGaInAs laser transistors by rate equations

    2009年 

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  • Lateral Junction Type Photodiode Toward Membrane Photonic Integrated Circuits

    2009年 

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  • High Optical Feedback-Tolerance of Distributed Reflector Lasers with Wire-like Active Regions for High Speed Isolator-Free Operation

    Conference on Lasers and Electro Optics/International Quantum Electronics Conference (CLEO/IQEC) 2009  2009年 

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  • High External Feedback Tolerance of Distributed Reflector Lasers with Wirelike Active Regions

    International Nano-Optoelectronics Workshop, 2009 (i-NOW 2009)  2009年 

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    会議種別：ポスター発表  

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  • Athermal Wavelength Property of Si-Slot Ring Resonator Embedded with Benzocyclobutene

    The 6th International Conference on Group Ⅳ Photonics  2009年 

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  • Observation of RIE Induced Damage on Lasing Properties of GaInAsP/InP MQW Lasers Fabricated by 2-step Growths

    The 34th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2007)  2007年 

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    会議種別：ポスター発表  

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  • Direct Modulation of Sub-Teraherz Waves by 1.55-μm Optical Signal

    iNOW2008  2008年 

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    会議種別：ポスター発表  

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  • Electrically pumped GaInAsP/InP DFB Laser on SOI Substrate by Direct Wafer Bonding

    2008年 

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  • Injection Type GaInAsP/InP/Si DFB Lasers Directly Bonded on SOI Substrate

    The 20th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2008)  2008年 

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  • Bit-Error-Rate Measurement of GaInAsP/InP Distributed Reflector Laser with Wirelike Active Regions

    The 20th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2008)  2008年 

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  • Bandwidth Enhancement of Directly Modulated DFB Lasers and EML Lasers using Optical Equalizers

    Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO  2008年 

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  • RIE-plasma Induced Optical Property Degradation in GaInAsP/InP Quantum-Well Structures

    The 20th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2008)  2008年 

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    会議種別：ポスター発表  

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  • A sub-mA Threshold Current Operation of Distributed-Reflector (DR) Laser

    Nano-Optoelectronics Workshop, 2008 (i-NOW 2008)  2008年 

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    会議種別：ポスター発表  

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  • Comparison of Wafer Bonding Methods of Membrane GaInAsP WiredWaveguides on Si Substrate

    2008 International Nano-Optoelectronics Workshop  2008年 

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  • GaInAsP/InP Lateral Current Injection Laser Grown on SI-InP Substrate

    2008年 

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    会議種別：ポスター発表  

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  • Enhancement of Modulation Bandwidth in Distributed Reflector Lasers

    Nano-Optoelectronics Workshop, 2008 (i-NOW 2008)  2008年 

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    会議種別：ポスター発表  

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  • Evaluation of Si Wire Waveguide Fabricated by Parallel Plate RIE Process using Double Layered EB Resist Containing C60

    iNOW 2008  2008年 

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    会議種別：ポスター発表  

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  • Low threshold current distributed-reflector laser with phase-shifted active DFB section and passive DBR section

    2008年 

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    会議種別：ポスター発表  

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  • Direct Conversion from Optical Signal to THz and Sub-THz Signals by Photogenerated Carrier Modulation

    2008年 

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  • Injection Type GaInAsP/InP DFB Lasers

    2008 International Nano-Optoelectronics Workshop  2008年 

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  • The Base Layer Design of Long Wavelength Laser Transistor

    2008年 

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    会議種別：ポスター発表  

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  • Enhancement of Modulation Bandwidth in DR Lasers by Self-Injection-Locking

    2008年 

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    会議種別：ポスター発表  

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  • Top-Air-Cladding GaInAsP/InP Lateral Current Injection Type Lasers

    IEEE Nanotechnology Materials and Device Conference 2008  2008年 

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  • Loss Reduction of SiWireWaveguide on SOI Substrate Prepared by Parallel Plate RIE using Double Layered Resist Mask with C60

    The IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference 2008  2008年 

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    会議種別：ポスター発表  

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  • Direct Conversion to Sub-THz Signal from 1.55-μm Optical Signal Using Photon-Generated Free-Carriers

    2008 LEOS Annual Meeting  2008年 

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  • Wavelength Modulation over 500 kHz of Micromechanically TunableInP-Based VCSELs with Si-MEMS Technology

    21th International Semiconductor Laser Conference  2008年 

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  • Optical Compensation of Fiber Nonlinearity Using Vertical Micro-cavity Saturable Absorber

    ISLC2008  2008年 

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  • Tunable Optical Equalizer Based on l.55nm VCSEL for Modulation Bandwidth Enhancement

    The 69th Autumn Meeting of JSAP  2008年 

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  • Direct Conversion from Optical Signal to Terahertz signal Using Photon Generated Free Carriers

    Technical Group on Electron Devices  2008年 

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  • InP-based long wavelength VCSELs: Their Characteristics and Applications

    Asia-Pacific Optical Communications 2007  2008年 

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  • Length dependencies of in-plane polarizations anisotropy in GaInAsP/InP quantum-wire structures fabricated by dry etching and regrowth process

    OPTO2008 (part of SPIE Photonics West 2008)  2008年 

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  • Lateral current injection type GaInAsP laser on Semi-insulating Substrate for Semiconductor Membrane Laser

    2008年 

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  • 直接貼付法によるSOI基板上注入形GaInAsP/InP DFB レーザ

    第55回応用物理学関係連合講演会  2008年 

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  • 低温現像によるGaInAsP/InP量子細線構造の線幅ばらつきの低減

    第55回応用物理学関係連合講演会  2008年 

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  • C60含有と非含有EBレジストZEPの重ね塗りによるSi導波路ドライエッチング形状の向上

    第55回応用物理学関係連合講演会  2008年 

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  • GaInAsP/InP量子井戸構造のRIEプラズマによるPL強度劣化とアニールによる回復

    第55回応用物理学関係連合講演会  2008年 

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    会議種別：ポスター発表  

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  • Reduction of RIE Induced Damage on Lasing Properties of GaInAsP/InP DQW Lasers Fabricated by 2-step Growths

    OPTO2008 (part of SPIE Photonics West 2008)  2008年 

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  • InP 系長波長帯面発光レーザの現状

    電子情報通信学会 ２００８年総合大会  2008年 

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  • GaInAsP/InP Distributed Feedback and Distributed Reflector Lasers with Fine Wirelike Active Regions

    Photonics WEST Optoelectronics 2008  2008年 

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  • 光イコライザを用いた面発光レーザの直接変調帯域の増大

    第５５回応用物理学関係連合講演会  2008年 

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  • 細線状活性層を有する分布反射型レーザの直接変調特性

    電子情報通信学会 2008年総合大会  2008年 

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  • Bit-Error-Rate Measurement of GaInAsP/InP Distributed Reflector Laser with Wirelike Active Regions

    The 20th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2008)  2008年 

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  • フラーレン含有の二層構造の電子線レジストを用い、平行平板型反応性イオンエッチングで作製したシリコン細線導波路の評価

    2008年 

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    会議種別：ポスター発表  

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  • 1.55μm帯を用いた光信号によるサブテラヘルツ波の直接変調

    2008年 

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    会議種別：ポスター発表  

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  • A sub-mA Threshold Current Operation of Distributed-Reflector (DR) Laser

    Nano-Optoelectronics Workshop, 2008 (i-NOW 2008)  2008年 

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    会議種別：ポスター発表  

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  • Comparison of Wafer Bonding Methods of Membrane GaInAsP WiredWaveguides on Si Substrate

    2008 International Nano-Optoelectronics Workshop  2008年 

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  • RIE-plasma Induced Optical Property Degradation in GaInAsP/InP Quantum-Well Structures

    The 20th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2008)  2008年 

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    会議種別：ポスター発表  

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  • Injection Type GaInAsP/InP/Si DFB Lasers Directly Bonded on SOI Substrate

    The 20th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2008)  2008年 

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  • SOI基板への直接貼り付け法によるGaInAsP/InP DFBレーザ

    電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会.  2008年 

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  • Bandwidth Enhancement of Directly Modulated DFB Lasers and EML Lasers using Optical Equalizers

    Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO  2008年 

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  • シリコン上薄膜光回路のための横方向接合導波路型フォトダイオード

    第70回応用物理学会学術講演  2009年 

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  • レート方程式によるAlGaInAs長波長帯レーザトランジスタの動作解析

    第７０回応用物理学会学術講演会  2009年 

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  • Si基板上ハイブリッドIII-V族半導体薄膜光デバイス

    第７０回応用物理学会学術講演会  2009年 

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  • Length dependencies of in-plane polarizations anisotropy in GaInAsP/InP quantum-wire structures fabricated by dry etching and regrowth process

    OPTO2008 (part of SPIE Photonics West 2008)  2008年 

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  • 表面活性化接合によるInP/Si接合とフォトルミネセンス特性評価

    2009年 

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    会議種別：ポスター発表  

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  • Reduction of RIE Induced Damage on Lasing Properties of GaInAsP/InP DQW Lasers Fabricated by 2-step Growths

    OPTO2008 (part of SPIE Photonics West 2008)  2008年 

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  • 薄膜光回路にむけた横方向接合導波路型フォトダイオード

    2009年 

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    会議種別：ポスター発表  

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  • 光配線のための薄膜半導体光源に向けた横注入型レーザ

    2009年 

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    会議種別：ポスター発表  

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  • Athermal Wavelength Operation of Si-Slot Ring Resonator Embedded with Benzocyclobutene

    2009年 

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    会議種別：ポスター発表  

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  • Improved Quantum Efficiency of Lateral Current Injection Type Fabry-Perot Lasers

    International Symposium on Quantum Nanophotonics and Nanoelectronics  2009年 

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  • Status of InP-based vertical-cavity surface-emitting lasers

    IEICE Annual Meeting 2008  2008年 

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  • GaInAsP/InP Distributed Feedback and Distributed Reflector Lasers with Fine Wirelike Active Regions

    Photonics WEST Optoelectronics 2008  2008年 

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  • Bandwidth enhancement with tunable optical equalizer for directly modulated VCSELs

    The 55th Spring Meeting of JSAP  2008年 

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  • Direct Modulation Characteristics of Distributed Reflector Laser with Wirelike Active Regions

    2008年 

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  • Evaluation of the Structure Dependence of the Light Propagation Loss with Si-Slot Waveguide Embedded with Benzocyclobutene

    2010年 

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    会議種別：ポスター発表  

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  • Evaluation of a-Si waveguides characteristics on SOI wafer with multiple layers

    2010年 

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    会議種別：ポスター発表  

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  • Modulation characteristics of lateral current injection laser

    2010年 

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  • Regrowth Interface Quality Dependence on Thermal Cleaning of AlGaInAs/InP Buried Heterostructure Lasers

    2010年 

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  • Optical Injection Locking of Distributed Reflector Lasers with Wirelike Active Regions

    IEICE-LQE2009-169  2010年 

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  • All-optical Switch Consisting of Multimode Interferometer Combined with Metamaterials: Device Design

    The 22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM-2010)  2010年 

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    会議種別：ポスター発表  

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  • Modulation Bandwidth Enhancement of Distributed Reflector Lasers with Wirelike Active Regions by Optical Injection Locking

    2010年 

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  • Bandwidth Enhancement of Distributed Reflector Lasers at Low Bias Current by Optical Injection Locking

    OFC/NFOEC 2010  2010年 

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    会議種別：ポスター発表  

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  • GaInAsP/InP Lateral Current Injection Laser Grown on SI-InP Substrate

    2008年 

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    会議種別：ポスター発表  

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  • Enhancement of Modulation Bandwidth in Distributed Reflector Lasers

    Nano-Optoelectronics Workshop, 2008 (i-NOW 2008)  2008年 

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    会議種別：ポスター発表  

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  • 面発光レーザを用いた可変光イコライザによる変調帯域の拡大

    第69回応用物理学会学術講演会  2008年 

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  • 位相シフトDFB領域と受動DBR領域を有する分布反射型(DR)レーザの低電流動作

    第69回応用物理学会学術講演会  2008年 

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    会議種別：ポスター発表  

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  • Loss Reduction of SiWireWaveguide on SOI Substrate Prepared by Parallel Plate RIE using Double Layered Resist Mask with C60

    The IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference 2008  2008年 

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    会議種別：ポスター発表  

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  • Optical Compensation of Fiber Nonlinearity Using Vertical Micro-cavity Saturable Absorber

    ISLC2008  2008年 

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  • OMVPE再成長法による薄膜クラッド層を有する横方向電流注入型レーザ

    2008年 

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    会議種別：ポスター発表  

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  • 光生成キャリア変調による光信号のテラヘルツ・サブテラヘルツ信号への直接変換

    第69回応用物理学会学術講演会  2008年 

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  • 長波長帯レーザトランジスタ実現へ向けたベース層の構造設計

    第69回応用物理学会学術講演会  2008年 

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    会議種別：ポスター発表  

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  • 自己注入同期による分布反射型(DR)レーザの直接変調帯域の増大

    第69回応用物理学会学術講演会  2008年 

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    会議種別：ポスター発表  

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  • Injection Type GaInAsP/InP DFB Lasers

    2008 International Nano-Optoelectronics Workshop  2008年 

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  • Top-Air-Cladding GaInAsP/InP Lateral Current Injection Type Lasers

    IEEE Nanotechnology Materials and Device Conference 2008  2008年 

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  • 85℃ continuous wave operation of membrane BH-DFB Laser cladded by benzocyclobutene

    10th International Symposium on Contemporary Photonics Technology (CPT 2007)  2007年 

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    会議種別：ポスター発表  

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  • シリコンフォトニクス光源

    シリコンフォトニクス技術分科会  2008年 

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  • Slow light modulator with Bragg reflector waveguide

    Optical Fiber Communications Conference 2007  2007年 

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  • 1.3 and 1.55-μm InP-based VCSELs for digital and radio signal transmission

    OFC 2007  2007年 

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  • SOI上の半導体薄膜レーザ

    2008年 

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  • InP-based long wavelength VCSELs: Their Characteristics and Applications

    Asia-Pacific Optical Communications 2007  2008年 

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  • 半導体薄膜レーザ実現に向けた半絶縁性基板上GaInAsP薄膜への横注入型レーザ

    電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会  2008年 

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  • テラヘルツ信号の光生成キャリアによる光信号からの直接変換

    電子デバイス研究会  2008年 

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  • 光励起自由キャリアを用いた1.55μm光信号からサブTHz信号への直接変換

    2008年 

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  • Wavelength Modulation over 500 kHz of Micromechanically TunableInP-Based VCSELs with Si-MEMS Technology

    21th International Semiconductor Laser Conference  2008年 

    　詳細を見る

  • Observation of RIE Induced Damage on Lasing Properties of GaInAsP/InP MQW Lasers Fabricated by 2-step Growths

    The 34th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2007)  2007年 

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    会議種別：ポスター発表  

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  • Transverse-mode and Polarization Characteristics of 1.55 μm Micromachined VCSELs

    12th Optoelectronics and Communications Conference/16th International Conference on Integrated Optics and Optical Fiber Communication, OECC/IOOC2007  2007年 

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  • Wire-Length Dependence of Polarization Anisotropy in GaInAsP/InP Quantum-Wire Structures

    2007年 

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  • Sub milliampere operation of 1540 nm wavelength Distributed Reflector Laser with Wirelike Active Regions

    The 19th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2007)  2007年 

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  • Integration of Front Power Monitor with Distributed Reflector Laser through Deep Etched Narrow Groove Isolation

    The 19th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2007)  2007年 

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  • 80 oC CW Operation of GaInAsP/InP Membrane BH-DFB Laser With Air-Bridge Structure

    The 19th Indium Phosphide and Related Material (IPRM 2007)  2007年 

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  • High Speed Response of Optical Nonlinear Phase Shifter Based on 1.55 μm VCSEL

    CLEO 2007  2007年 

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  • Athermal Operation of Micromachined VCSELs using Bimorph Effect

    The 54th Spring Meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies  2007年 

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  • Improved Temperature Dependence of GaInAsP/InP DFB Lasers with Wirelike Active Regions by Bragg Wavelength Detuning

    The 19th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2007)  2007年 

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  • High Speed Response of Optical Nonlinear Phase Shifter Based On 1.55 μm VCSEL

    The 54th Spring Meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies  2007年 

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  • Slow light modulator with Bragg reflector waveguide

    Optical Fiber Communications Conference 2007  2007年 

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  • 細線状活性層の線幅変調による電界吸収変調器集積DRレーザ

    第54回応用物理学関係連合講演会  2007年 

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  • 85℃ continuous wave operation of membrane BH-DFB Laser cladded by benzocyclobutene

    10th International Symposium on Contemporary Photonics Technology (CPT 2007)  2007年 

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    会議種別：ポスター発表  

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  • Fabrication of GaInAsP/InP Arbitrary Shaped Low Dimensional Quantum Structures

    The 20th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2007)  2007年 

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    会議種別：ポスター発表  

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  • 深い極微溝による電気的分離を利用したDRレーザ前端面へのパワーモニターの集積

    第54回応用物理学関係連合講演会  2007年 

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  • 1.3 and 1.55-μm InP-based VCSELs for digital and radio signal transmission

    OFC 2007  2007年 

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  • Transient Behavior of Nonliner optical Compensator Based On Vertical Micro-Cavity Saturable Absorber

    The 68th Autumn Meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies  2007年 

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  • Transient Behavior of Nonlinear Optical Compensator Based on Vertical Micro-Cavity Saturable Absorber

    33th European Conference and Exhibition on Optical Communication, ECOC07  2007年 

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  • Transverse-mode and Plarization Characteristics of 1.55μm Micromachined VCSELs

    The 68th Autumn Meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies  2007年 

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  • Slow Light Detector with Bragg Reflector Waveguide

    The 68th Autumn Meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies  2007年 

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  • Transverse-mode and Polarization Characteristics of 1.55 μm Micromachined VCSELs

    12th Optoelectronics and Communications Conference/16th International Conference on Integrated Optics and Optical Fiber Communication, OECC/IOOC2007  2007年 

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  • Sub milliampere operation of 1540 nm wavelength Distributed Reflector Laser with Wirelike Active Regions

    The 19th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2007)  2007年 

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  • High Speed Response of Optical Nonlinear Phase Shifter Based on 1.55 μm VCSEL

    CLEO 2007  2007年 

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  • 80 oC CW Operation of GaInAsP/InP Membrane BH-DFB Laser With Air-Bridge Structure

    The 19th Indium Phosphide and Related Material (IPRM 2007)  2007年 

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  • エアブリッジ構造を用いたGaInAsP/InP半導体薄膜BH-DFBレーザ

    電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会  2007年 

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  • バイモルフ効果によるマイクロマシン面発光レーザの波長温度無依存動作

    第54回応用物理学会春季講演会  2007年 

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  • 1.55 μm VCSELを用いた非線形位相シフタの高速パルス応答

    第54回応用物理学会春季講演会  2007年 

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  • Improved Temperature Dependence of GaInAsP/InP DFB Lasers with Wirelike Active Regions by Bragg Wavelength Detuning

    The 19th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2007)  2007年 

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  • Integration of Front Power Monitor with Distributed Reflector Laser through Deep Etched Narrow Groove Isolation

    The 19th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2007)  2007年 

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  • エアブリッジ構造を用いたGaInAsP/InP半導体薄膜BH-DFBレーザ

    第54回応用物理学関係連合講演会  2007年 

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  • Far field pattern control of single high order transverse mode VCSEL with micromachined surface relief

    IEEE Lasers and Electro-Optics Society 2001 Annual Meeting  2001年 

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  • Room temperature continuous-wave operation of GaInNAs/GaAs VCSELs grown by chemical beam epitaxy with output power exceeding 1mW

    The Pacific Rim Conf. on Lasers and Electro-Optics 2001  2001年 

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    会議種別：ポスター発表  

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  • Optical near field by vertical cavity surface emitting laser

    Trans. IEICE  2000年 

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  • Highly strained GaInAs/GaAs quantum well lasers emitting at 1.2μm wavelength

    Frontier Science Research Conf.  2000年 

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    会議種別：ポスター発表  

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  • Optical near field by vertical cavity surface emitting laser

    Trans. IEICE  2000年 

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  • Highly strained GaInAs/GaAs quantum well lasers emitting at 1.2μm wavelength

    Frontier Science Research Conf.  2000年 

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    会議種別：ポスター発表  

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  • Room temperature continuous-wave operation of GaInNAs/GaAs VCSELs grown by chemical beam epitaxy with output power exceeding 1mW

    Electron. Lett.  2001年 

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  • Highly strained GaInAs/GaAs quantum well vertical-cavity surface-emitting laser on GaAs (311)B substrate for stable polarization operation

    IEEE J. Select. Top. Quantum Electron.  2001年 

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  • Analysis and fabrication of micro-aperture GaAs/GaAlAs surface emitting laser for near field optical data storage

    IEEE J. Select. Top. Quantum Electron.  2001年 

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  • 1.2μm帯高歪GaInAs/GaAs量子井戸面発光レーザの発振特性

    第62回応用物理学会学術講演会  2001年 

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    会議種別：ポスター発表  

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  • Lasing characteristics of InGaAs-GaAs polarization controlled vertical-cavity surface-emitting laser grown on GaAs (311)B substrate

    IEEE J. Select. Top. Quantum Electron  1999年 

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  • Lasing characteristics of InGaAs-GaAs polarization controlled vertical-cavity surface-emitting laser grown on GaAs (311)B substrate

    IEEE J. Select. Top. Quantum Electron  1999年 

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  • 1.55μm帯MEMS構造面発光レーザの横モード・偏光特性

    第68回応用物理学会秋季講演会  2007年 

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  • Fabrication of GaInAsP/InP Arbitrary Shaped Low Dimensional Quantum Structures

    The 20th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2007)  2007年 

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    会議種別：ポスター発表  

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  • Fabrication and Characterization of InP/GaInAsP based Self-Adjustable Cantilever for Temperature-Insensitive VCSELs

    The 53th Spring Meeting of Jpn. Soc. Appl. Phys.  2006年 

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  • 10-Gbps 1.3 and 1.55-μm InP-based VCSELs: 85°C 10-km Error-free Transmission and Room Temp. 40-km Transmission at 1.55-μm with EDC

    Optical Fiber Conference 2006  2006年 

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  • 2段階OMVPE成長GaInAsP/InP量子井戸レーザにおけるRIEプラズマ損傷とその低減

    第68回応用物理学会学術講演会  2007年 

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  • Transient Behavior of Nonlinear Optical Compensator Based on Vertical Micro-Cavity Saturable Absorber

    33th European Conference and Exhibition on Optical Communication, ECOC07  2007年 

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  • 可飽和吸収体を有する垂直微小共振構造を用いた非線形光学効果補償デバイスの高速応答性

    第68回応用物理学会秋季講演会  2007年 

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  • ブラッグ反射鏡導波路による低群速度光検出器

    第68回応用物理学会秋季講演会  2007年 

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受賞

  • 文部科学大臣表彰若手科学者賞

    2009年  

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    受賞国：日本国

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共同研究・競争的資金等の研究課題

  • 大幅なデータ伝送エネルギーコスト低減を目指す高効率Si基板上半導体薄膜レーザ実現

    研究課題/領域番号：20H02200  2020年4月 - 2023年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(B)

    西山 伸彦

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    配分額：17810000円 （ 直接経費：13700000円 、 間接経費：4110000円 ）

    2年目となる2021年度において、研究目的 1.メンブレンレーザにおける「最適」な光閉じ込め構造の提案、2.Siナノフィルムを利用した直接接合によるシリコン基板上メンブレンレーザ熱抵抗低減について達成し、従来よりも低いしきい値電流を有するメンブレンレーザの実現、また、環境温度110度までの連続発振の実現を行った。
    具体的には、しきい値電流を低減するために従来のλ/4シフトと呼ばれる高光閉じ込め構造をメンブレンレーザの共振器方向に導入すると、そもそもメンブレン構造の光閉じ込めの高さに加わることから閉じ込めが高すぎる結果となり、ホールバーニングという効果によって、素子特性が劣化するという問題があった。これを解決するため、共振器方向の光閉じ込め方向を適切に調整可能な方法であるACPM( asymmetric corrugation-pitch-modulated)回折格子を導入することによって、従来の最低しきい値を更新することに成功した。
    それに加え、1年目に達成した新たな接合方法であるBCBを利用しないa-Siナノフィルムアシスト型室温表面活性化接合を利用したメンブレンレーザを実際に作製し、大幅に熱抵抗を低減することによって110度までの室温連続発振を実現するとともに、より高い電流値まで熱飽和なしで動作させることに成功し、結果として高い出力を得た。

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  • 長波長帯トランジスタレーザによる新たな波長安定光出力制御・変調帯域拡大手法の開拓

    研究課題/領域番号：17H03247  2017年4月 - 2020年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(B)

    西山 伸彦

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    配分額：17680000円 （ 直接経費：13600000円 、 間接経費：4080000円 ）

    短中距離光通信での直接変調レーザへの要求に対応するため、1.3ミクロン帯トランジスタレーザの光出力・発振スペクトル・変調帯域を制御する手法を確立することで、高い機能を合わせ持つ光通信デバイスを実現することを目的とし研究を行った。まず、複雑な特性実測データと一致するような理論計算を実現した。これを利用することによりトランジスタレーザの設計指針を明らかにした。次に実際の作製において、電気帯域の向上と放熱特性の向上を目標として電極構造を新たに提案し、それを導入したトランジスタレーザで、世界最高発振温度となる95度で動作するデバイスを実現した。また、安定した小信号特性を得ることに成功した。

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  • 電子の走行と遷移が融合したテラヘルツ放射の解明によるデバイス限界の打破

    研究課題/領域番号：16H06292  2016年4月 - 2021年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  特別推進研究

    浅田 雅洋, 宮本 恭幸, 鈴木 左文, 西山 伸彦

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    配分額：537810000円 （ 直接経費：413700000円 、 間接経費：124110000円 ）

    本研究は、テラヘルツ周波数帯の半導体光源について、共鳴トンネルダイオード発振器をもとに、その物理解明、高性能化、応用展開を目的とした。物理解明ではテラヘルツ波に対する応答理論の構築、高性能化では、室温電子デバイスで最高の1.98THz発振の達成と約2.8THzまで発振可能な新構造の提案、アレイ構造による1THzで0.7mWの高出力の達成、周波数可変機能および1Hzの狭線幅発振の達成、応用展開では、分光、大容量通信、レーダー、3次元イメージングの基本動作実証など多くの成果が得られた。

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  • オンチップ光配線のための超低消費電力半導体薄膜光回路の構築

    研究課題/領域番号：15H05763  2015年5月 - 2019年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(S)

    荒井 滋久, 松尾 慎治, 硴塚 孝明, 西山 伸彦, 雨宮 智宏

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    配分額：199160000円 （ 直接経費：153200000円 、 間接経費：45960000円 ）

    集積回路を高速動作化する際に金属配線での消費電力が急増する金属配線ボトルネック問題を解決することを目的として、超高速信号を光信号に替えて伝送するための低消費電力光デバイス実現とその光回路化を目指した研究を行った。研究代表者が提案した半導体薄膜構造を用いることにより、光ファイバ通信に用いられているレーザより１桁低い低消費電力で超高速動作する半導体レーザ源および光検出器を実現することに成功した。

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  • 長波長帯トランジスタレーザ特性制御手法の確立と新世代ネットワークへの適応性実証

    研究課題/領域番号：25709026  2013年4月 - 2017年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  若手研究(A)

    西山 伸彦

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    配分額：24960000円 （ 直接経費：19200000円 、 間接経費：5760000円 ）

    将来におけるネットワークの高速化に対応するため、従来の半導体レーザの限界を超えうる直接変調レーザの実現が求められている。この回答として長波長帯トランジスタレーザの高性能化とその高速性能を明らかにすることを目的として研究を行った。
    理論検討によって、電圧変調方式のトランジスタレーザで、従来問題であった素子の寄生容量を低減するための設計指針を明らかにし、実際に作製した半絶縁基板上1.3um帯トランジスタレーザにおいて、静特性の向上と理論通りの動特性の改善効果を確認し、理論検討の有効性を明らかにした。
    これにより、ネットワークの高速化に対応可能な性能を実現できる見通しを示した。

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  • 新世代光ネットワークのための長波長帯レーザトランジスタの実現

    研究課題/領域番号：22360138  2010年 - 2012年

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(B)

    西山 伸彦

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    配分額：18460000円 （ 直接経費：14200000円 、 間接経費：4260000円 ）

    AlGaInAs量子井戸埋め込み構造を有する長波長帯トランジスタレーザ(TL)の実現に向け、その理論解析・素子作製を行った。作製方法として埋め込みヘテロ(BH)構造形成法に関する検討を行い、世界最高水準の性能を有するAlGaInAs/InP-BH-LD作製に成功した。この作製技術を利用し、世界で初めてとなる室温連続発振を実現した。さらにベース-コレクタ間電圧を変化させ、光出力を制御可能であることも明らかにした。

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  • テラヘルツ波による大容量無線通信実現の為のデバイス・システムの開拓

    研究課題/領域番号：21226010  2009年5月 - 2014年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(S)

    浅田 雅洋, 宮本 恭幸, 西山 伸彦, 鈴木 左文

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    配分額：213330000円 （ 直接経費：164100000円 、 間接経費：49230000円 ）

    未開拓のテラヘルツ周波数帯を用いた大容量無線通信の実現を目指し、テラヘルツ波の発振と変調、および無線伝送の研究を行った。発振デバイスでは、電子遅延を短縮した共鳴トンネルダイオードにより、半導体電子デバイスでは最高周波数の1.55THz室温発振を達成するとともに、集積微細アンテナの構造最適化による高出力動作および高速直接変調を達成した。光信号照射によるテラヘルツ波変調デバイス、変調用の高電流駆動能力トランジスタも得られた。また、共鳴トンネルダイオード送信器とショットキーバリアダイオード受信器を用いた無線伝送実験を行い、テラヘルツ波による大容量通信の見通しを得た。

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  • Si系LSI内広帯域配線層の為のInP系メンブレン光・電子デバイス

    研究課題/領域番号：19002009  2007年 - 2011年

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  特別推進研究

    荒井 滋久, 丸山 武男, 浅田 雅洋, 宮本 恭幸, 西山 伸彦, 浅田 雅洋, 宮本 恭幸, 西山 伸彦

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    配分額：551720000円 （ 直接経費：424400000円 、 間接経費：127320000円 ）

    将来の集積回路の高速化および高機能化のボトルネックとなると考えられる金属配線での遅延および電力消費を低減するために、LSIチップ上ならびにLSIチップ間を広帯域・低消費電力で信号伝送するためのInP系メンブレン光・電子デバイスの研究を行った。低消費電力光デバイスとして独自に考案したメンブレン半導体レーザおよび光検出器の電流駆動動作を実現すると共に、チップ間高速信号伝送に向けたテラヘルツ素子を実現することに成功した。

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  • 高性能長波長帯レーザトランジスタの実現

    研究課題/領域番号：19686023  2007年 - 2009年

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  若手研究(A)

    西山 伸彦

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    配分額：24960000円 （ 直接経費：19200000円 、 間接経費：5760000円 ）

    ヘテロバイポーラトランジスタのベース層内に量子井戸を有するレーザトランジスタの動作機構を解明するための大信号特性の解析に初めて成功し、40Gbpsの信号においても、レーザダイオードに比べ良好なアイ開口が得られることを見出した。
    また、レーザトランジスタを実現するために必要なAlGaInAs量子井戸埋め込みヘテロレーザダイオード構造を利用して、自然放出光の比較より非発光再結合速度を定量化することにより再成長法の確立を行った。

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  • New functional longwavelength laser transistor and their applications

    2007年

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    資金種別：競争的資金

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  • シリコン上３次元光回路

    2007年

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    資金種別：競争的資金

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  • 長波長帯半導体レーザトランジスタの新機能発現とその応用

    2007年

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    資金種別：競争的資金

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  • 3D Silicon Photonics Circuit

    2007年

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    資金種別：競争的資金

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  • 超並列光伝送のためのInGaAs/GaAs面発光レーザアレイ

    研究課題/領域番号：99J06616  1999年 - 2000年

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  特別研究員奨励費

    西山 伸彦

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    配分額：1800000円 （ 直接経費：1800000円 ）

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