2026/08/07 更新

写真a

カクシマ　クニユキ
角嶋　邦之
KAKUSHIMA KUNIYUKI
所属
工学院 准教授
職名
准教授
外部リンク

News & Topics

  • 半導体の少数キャリア寿命を正確に測定する手法開発 シリコンパワーデバイスの製造プロセス評価が可能に

    2018/06/22

    掲載言語： 日本語

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    少数キャリア寿命[用語1]を電気的に評価するテストパターンを提案 少数キャリアの二次元的拡散によるウエハーの抵抗変化量から寿命を抽出 IGBT製造工程であるゲート絶縁膜形成プロセスの評価を実施 IGBTと同じウエハーに作り込め実デバイスに近い少数キャリア寿命を評価

  • 高誘電率ゲート絶縁膜のリーク電流を大幅削減

    2010/06/15

    掲載言語： 日本語

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    東京工業大学の角嶋邦之助教と岩井洋教授はシリコンCMOSトランジスタのゲート絶縁膜を薄膜化しながらもリーク電流を大幅削減するプロセス技術を開発した。トランジスタの性能向上と低消費電力を両立させる技術で，次世代ＬＳＩ実現にめどをつけると同時に2020年に必要と見込まれるＬＳＩの性能を実現するキープロセスになると期待される。　開発したのは高誘電率ゲート絶縁膜（用語①）とシリコン基板を直接接合するプロセス技術。同技術を用い，等価酸化膜膜厚(EOT，用語②)は2013年に必要とされる0.64nmで，１平方当たり0.65アンペア（A/cm2）という極めて小さなリーク電流を確認した。この値は国際半導体ロードマップ（ＩＴＲＳ，用語④）で要求される値の1000分の1である。

  • 等価換算膜厚0.37nmのHigh-kゲート絶縁膜トランジスタの良好な動作を確認

    2008/11/07

    掲載言語： 日本語

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    東京工業大学大学院総合理工学研究科の角嶋邦之助教，フロンティア研究センターの岩井洋教授らは，LSI微細化のネックとなっていたゲート絶縁膜の薄膜化に成功した．回路線幅16nm以降の次世代LSI実現の道を開く成果といえる．　微細シリコンCMOSトランジスタの性能向上と低消費電力化のためにHigh-k(高誘電率)ゲート絶縁膜の更なる薄膜化が必須の技術である．しかしながら，ITRS（国際半導体ロードマップ）2007ではゲート絶縁膜の薄膜化は2012年に0.5nmの等価換算膜厚(EOT)に到達し，それ以降は薄膜化が進まないということになっており，その後のCMOS微細化による性能向上に関し大きな懸念となっていた．

研究分野

  • ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性

論文

  • Cooling-trajectory-controlled cation redistribution in spinel CoFe2O4 for photooxidation and peroxide-assisted oxidation 査読

    Yu-Hao Chen, Xinyu Jin, Shota Kitaoka, Tomoyuki Kurioka, Chun-Yi Chen, Kuniyuki Kakushima, Sangaraju Shanmugam, Masato Sone, Yung-Jung Hsu, Satoshi Okamoto, Tso-Fu Mark Chang

    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS   333   2026年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/j.mseb.2026.119726

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  • Ferroelectric switching of AlBN films formed by pulse CVD method 査読

    Yuukou Katou, Takuya Hoshii, Hitoshi Wakabayashi, Kuniyuki Kakushima

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   65 ( 14 )   2026年7月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.35848/1347-4065/ae8454

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  • On the enhancement of capacitive memory window for ferroelectric AlScN films using metal-capping oxidation (MCO) process 査読

    Si-Meng Chen, Shun Komai, Takuya Hoshii, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi, Kuniyuki Kakushima

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   65 ( 12 )   2026年6月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.35848/1347-4065/ae760a

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  • Polarity-dependent time-dependent dielectric breakdown in ferroelectric AlScN 査読

    Kazuki Goshima, Haruro Inoue, Yuki Yamada, Yoshiharu Kirihara, Kuniyuki Kakushima, Hiroshi Nohira, Yuichiro Mitani

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   65 ( 8 )   2026年4月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.35848/1347-4065/ae549f

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  • Area and polarity-dependent switching in AlScN ferroelectric capacitors 査読

    Hirofumi Nishida, Si-Meng Chen, Takuya Hoshii, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi, Kuniyuki Kakushima

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   65 ( 6 )   2026年3月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.35848/1347-4065/ae4a2f

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  • Polarity-dependent asymmetric switching of ferroelectric AlScN thin films 査読

    Hirofumi Nishida, Si-Meng Chen, Takuya Hoshii, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi, Kuniyuki Kakushima

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   65 ( 5 )   2026年3月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.35848/1347-4065/ae4863

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  • Interpretation of ferroelectric behavior in AlScN films with TiN and Ta bottom electrodes 査読

    Ting-Tzu Kuo, Ting-Mao Feng, Si-Meng Chen, Hitomi Hasegawa, Jia-Hong Lin, Takuya Hoshii, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi, Ying-Chung Chen, Ting-Chang Chang, Kuniyuki Kakushima

    APPLIED PHYSICS LETTERS   128 ( 9 )   2026年3月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1063/5.0312701

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  • Zirconium disulfide film improved by hydrogen-sulfide annealing at BEOL-compatible temperature with less surface residual sulfur 査読

    Taiga Fuse, Naoki Matsunaga, Masaki Otomo, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   65 ( 3 )   2026年2月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.35848/1347-4065/ae361b

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  • Stoichiometric and high-crystallinity H2S-annealed MoS2 films via controlled PVD deposition pressure 査読

    Naoki Matsunaga, Jaehyo Jang, Soma Ito, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   65 ( 1 )   2026年1月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.35848/1347-4065/ae2c92

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  • N-type charge-transfer doping to physical-vapor-deposited MoS2 films using atomic-layer-deposited HfO2 films 査読

    Shunsuke Nozawa, Jaehyo Jang, Naoki Matsunaga, Taiga Fuse, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   65 ( 1 )   2026年1月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.35848/1347-4065/ae2c93

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  • Magnetism control of thin CoFeB layers by ferroelectric polarization 査読

    Yan Wu, Kazushi Onimura, Hiroyuki Kobayashi, Satoshi Okamoto, Kuniyuki Kakushima

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   18 ( 3 )   2025年3月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.35848/1882-0786/adbf65

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  • Interface properties of SiC MOS devices with NH3 plasma nitridation of ultrathin SiO2 interfacial layer 査読

    An Li, Takuya Hoshii, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi, Kuniyuki Kakushima

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   64 ( 3 )   2025年3月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.35848/1347-4065/adb8b0

    Web of Science

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  • Fabrication of n-type and p-type WSe2 field-effect transistors and their low-voltage CMOS inverter operation 査読

    Takamasa Kawanago, Iriya Muneta, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   64 ( 2 )   2025年2月

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  • Crystallinity improvement of physical-vapor-deposited WS2 films by controlling particle energy 査読

    Soma Ito, Kaede Teraoka, Shinya Imai, Naoki Matsunaga, Jaehyo Jang, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   64 ( 2 )   2025年2月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.35848/1347-4065/ada2f5

    Web of Science

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  • Improvement of MoS2 film quality using sputtering processes controlling particle- and energy-flux followed by sulfur-vapor annealing 査読

    Shinya Imai, Tetsuya Tatsumi, Shigetaka Tomiya, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   64 ( 2 )   2025年2月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.35848/1347-4065/ada9df

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  • Improvement of MoS2 Film Quality by Low Flux of Sputtered Particles Using a Molybdenum Grid 査読

    Shinya Imai, Ryo Ono, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Tetsuya Tatsumi, Shigetaka Tomiya, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

    IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY   13   15 - 23   2025年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/JEDS.2024.3502922

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  • Investigation of Asymmetric Ferroelectric Switching in AlScN MFM Capacitors 査読

    Hirofumi Nishida, Si-Meng Chen, Takuya Hoshii, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi, Kuniyuki Kakushima

    2025 SILICON NANOELECTRONICS WORKSHOP, SNW   88 - 89   2025年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Impact of Underlying Insulators on the Crystallinity and Antisite Defect Formation in PVD-MoS2 Films 査読

    Naoki Matsunaga, Shinya Imai, Takanori Shirokura, Yasuhide Mochizuki, Kazuaki Kuwahata, Kazuo Tsutsui, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi

    IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY   13   883 - 891   2025年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/JEDS.2024.3472062

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  • P-Type Doping of Solid-Phase Crystallized PVD-MoS2 Film Using Nitrogen Annealing Accelerated by Hydrogen 査読

    Jaehyo Jang, Shinya Imai, Naoki Matsunaga, Soma Ito, Kaede Teraoka, Md Iftekharul Alam, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Akinobu Teramoto, Hitoshi Wakabayashi

    IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY   13   1288 - 1298   2025年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/JEDS.2025.3619018

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  • Ferroelectricity Engineered AlScN Thin Films Prepared by Hydrogen Included Reactive Sputtering for Analog Applications 査読

    Si-Meng Chen, Hirofumi Nishida, Takuya Hoshii, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi, Edward Yi Chang, Kuniyuki Kakushima

    2024 IEEE SILICON NANOELECTRONICS WORKSHOP, SNW 2024   29 - 30   2024年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1109/SNW63608.2024.10639233

    Web of Science

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  • Scalable ferroelectricity of 20 nm-thick (Al0.8Sc0.2)N thin films sandwiched between TiN electrodes 査読

    Reika Ota, Shinnosuke Yasuoka, Ryoichi Mizutani, Takahisa Shiraishi, Kazuki Okamoto, Kuniyuki Kakushima, Tomoyuki Koganezawa, Osami Sakata, Hiroshi Funakubo

    Journal of Applied Physics   134 ( 21 )   2023年12月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AIP Publishing  

    Ferroelectric (Al, Sc)N thin films have the potential for use in low-power memory applications. This study demonstrates the thickness scalability of ferroelectricity down to an approximately 20 nm-thick (Al0.8Sc0.2)N film sandwiched between microfabricable TiN electrodes. The impact of the deposition gas atmosphere during the sputtering process and the top electrode materials on the crystal structures and ferroelectric properties was investigated for 20–30 nm-thick (Al0.8Sc0.2)N thin films deposited on Si substrates covered with a TiN layer by radio frequency magnetron sputtering. The deposition atmosphere did not strongly affect the crystal structures of the 30 nm-thick (Al0.8Sc0.2)N films but significantly affected their ferroelectric properties. The leakage current density decreased for films deposited under pure N2 gas compared to the films deposited under a gas mixture of 0.67Ar + 0.33N2. The ferroelectric properties of 20 nm-thick (Al0.8Sc0.2)N films were changed by the top electrode materials; both the switching electric field and its maximum applicable electric field increased for the TiN top electrodes compared with the Pt top electrodes, improving the saturation characteristics of the remnant polarization (Pr) against the applied electric field. Consequently, the 20 nm-thick (Al0.8Sc0.2)N film sandwiched between the microfabricable TiN top and bottom electrodes showed ferroelectricity without noticeable degradation with decreasing film thickness; the film maintained large Pr values of over 100 μC/cm2 in the temperature range from room temperature to 150 °C. The present data open the door to scalable ferroelectric random-access memories using almost thickness-degradation-free thin (Al, Sc)N films with microfabricable TiN electrodes.

    DOI： 10.1063/5.0166288

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  • Chemical states of PVD-ZrS2 film underneath scaled high-k film with self-oxidized ZrO2 film as interfacial layer 査読

    Masaki Otomo, Masaya Hamada, Ryo Ono, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

    Japanese Journal of Applied Physics   62 ( SC )   SC1015 - SC1015   2023年1月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IOP Publishing  

    Abstract

    Zirconium disulfide (ZrS2)—an attractive next-generation channel material because of its high mobility—is stabilized in the air by a zirconium dioxide (ZrO2) film which functions as a high-k film in MISFET. We fabricated high-k/PVD-ZrS2 stacks with a self-oxidized ZrO2 film as an interfacial layer; their chemical properties were analyzed to clarify how each fabrication process affects the ZrS2 under the oxide film. The results clarified that sulfur vapor annealing (SVA) is critical for fabricating high-quality physical vapor deposition (PVD) ZrS2 films and that the change in surface potential of the ZrS2 films due to interface dipoles between the high-k and Zr-compound films is suppressed with scaling of high-k thickness. The SVA with high-k films also prevents degradation of crystallinity and stoichiometry, enhancing the quality of the ZrS2 films without affecting their surface potential. These achievements enable us to control the threshold voltage in ZrS2 MISFETs.

    DOI： 10.35848/1347-4065/aca7cf

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    その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/aca7cf/pdf

  • Doping-Free Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Inverter Based on N-Type and P-Type Tungsten Diselenide Field-Effect Transistors With Aluminum-Scandium Alloy and Tungsten Oxide for Source/Drain Contact

    Takamasa Kawanago, Ryosuke Kajikawa, Kazuto Mizutani, Sung-Lin Tsai, Iriya Muneta, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

    IEEE Journal of the Electron Devices Society   11   15 - 21   2023年

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)  

    DOI： 10.1109/jeds.2022.3224206

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  • Ferromagnetism modulation by ultralow current in a two-dimensional polycrystalline molybdenum disulphide atomic layered structure

    Iriya Muneta, Takanori Shirokura, Pham Nam Hai, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

    Scientific Reports   12 ( 1 )   2022年10月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Springer Science and Business Media {LLC}  

    DOI： 10.1038/s41598-022-22113-3

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  • Positive Seebeck coefficient of niobium-doped MoS2 film deposited by sputtering and activated by sulfur vapor annealing

    Taiga Horiguchi, Takuya Hamada, Masaya Hamada, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Tetsuya Tatsumi, Shigetaka Tomiya, Hitoshi Wakabayashi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   61 ( 7 )   2022年7月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.35848/1347-4065/ac7621

    Web of Science

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  • Experimental demonstration of high-gain CMOS inverter operation at low V ( dd ) down to 0.5 V consisting of WSe2 n/p FETs

    Takamasa Kawanago, Takahiro Matsuzaki, Ryosuke Kajikawa, Iriya Muneta, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   61 ( SC )   2022年5月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.35848/1347-4065/ac3a8e

    Web of Science

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  • High Seebeck coefficient in PVD-WS2 film with grain size enlargement

    Takuya Hamada, Masaya Hamada, Taiga Horiguchi, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Tetsuya Tatsumi, Shigetaka Tomiya, Hitoshi Wakabayashi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   61 ( SC )   2022年5月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.35848/1347-4065/ac3a93

    Web of Science

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  • Importance of crystallinity improvement in MoS2 film by compound sputtering even followed by post sulfurization

    Shinya Imai, Takuya Hamada, Masaya Hamada, Takanori Shirokura, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Tetsuya Tatsumi, Shigetaka Tomiya, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   60 ( SB )   2021年5月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.35848/1347-4065/abdcae

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  • WS2 Film by Sputtering and Sulfur-Vapor Annealing, and its pMISFET With TiN/HfO2 Top-Gate Stack, TiN Bottom Contact, and Ultra-Thin Body and Box

    Takuya Hamada, Masaya Hamada, Satoshi Igarashi, Taiga Horiguchi, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Tetsuya Tatsumi, Shigetaka Tomiya, Hitoshi Wakabayashi

    IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY   9   1117 - 1124   2021年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/JEDS.2021.3108882

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  • WS2 pMISFETs by Sputtering and Sulfur-Vapor Annealing with TiN/HfO2-Top-Gate-Stack, TiN Contact and Ultra-Thin Body and Box

    Takuya Hamada, Masaya Hamada, Satoshi Igarashi, Taiga Horiguchi, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Tetsuya Tatsumi, Shigetaka Tomiya, Hitoshi Wakabayashi

    2021 5TH IEEE ELECTRON DEVICES TECHNOLOGY & MANUFACTURING CONFERENCE (EDTM)   2021年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1109/EDTM50988.2021.9420925

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  • Hall-effect mobility enhancement of sputtered MoS(2)film by sulfurization even through Al(2)O(3)passivation film simultaneously preventing oxidation

    Masaya Hamada, Kentaro Matsuura, Takuro Sakamoto, Haruki Tanigawa, Iriya Muneta, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 ( 10 )   2020年10月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.35848/1347-4065/abb324

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  • Enhancement-mode accumulation capacitance-voltage characteristics in TiN/ALD-Al2O3/sputtered-MoS2 top-gated stacks

    Haruki Tanigawa, Kentaro Matsuura, Iriya Muneta, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59   2020年7月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.35848/1347-4065/ab7fea

    Web of Science

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  • Strong edge-induced ferromagnetism in sputtered MoS2 film treated by post-annealing

    Takanori Shirokura, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

    APPLIED PHYSICS LETTERS   115 ( 19 )   2019年11月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1063/1.5118913

    Web of Science

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  • Analysis of back-gate effect on threshold voltage of p-channel GaN MOSFETs on polarization-junction substrates 査読

    Takuya Hoshii, Akira Nakajima, Shin-ichi Nishizawa, Hiromichi Ohashi, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, Kazuo Tsutsui

    Japanese Journal of Applied Physics   58 ( 6 )   061006 - 061006   2019年6月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/1347-4065/ab1c78

    Web of Science

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    その他リンク： http://iopscience.iop.org/article/10.7567/1347-4065/ab1c78/pdf

  • Normally-off sputtered-MoS<inf>2</inf> nMISFETs with MoSi<inf>2</inf> contact by sulfur powder annealing and ALD Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf> gate dielectric for chip level integration 査読

    K. Matsuura, M. Hamada, T. Hamada, H. Tanigawa, T. Sakamoto, W. Cao, K. Parto, A. Hori, I. Muneta, T. Kawanago, K. Kakushima, K. Tsutsui, A. Ogura, K. Banerjee, H. Wakabayashi

    19th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2019   2019年6月

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    掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.23919/IWJT.2019.8802622

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  • High Hall-Effect Mobility of Atomic-Layered Polycrystalline-ZrS2 Film using Sputtering and Sulfur Annealing

    Masaya Hamada, Kentaro Matsuura, Takuro Sakamoto, Iriya Muneta, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

    2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM)   194 - 196   2019年3月

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    掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：IEEE  

    DOI： 10.1109/edtm.2019.8731243

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  • Low-Temperature MoS2 Film Formation Using Sputtering and H2S Annealing

    Jun'ichi Shimizu, Takumi Ohashi, Kentaro Matsuura, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Nobuyuki Ikarashi, Hitoshi Wakabayashi

    IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY   7 ( 1 )   2 - 6   2019年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/JEDS.2018.2854633

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  • High Hall-Effect Mobility of Large-Area Atomic-Layered Polycrystalline ZrS2 Film Using UHV RF Magnetron Sputtering and Sulfurization

    Masaya Hamada, Kentaro Matsuura, Takuro Sakamoto, Iriya Muneta, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

    IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY   7 ( 1 )   1258 - 1263   2019年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/JEDS.2019.2943609

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  • New Methodology for Evaluating Minority Carrier Lifetime for Process Assessment

    K. Kakushima, T. Hoshii, M. Watanabe, N. Shizyo, K. Furukawa, T. Saraya, T. Takakura, K. Itou, M. Fukui, S. Suzuki, K. Takeuchi, I. Muneta, H. Wakabayashi, Y. Numasawa, A. Ogura, S. Nishizawa, K. Tsutsui, T. Hiramoto, H. Ohashi, H. Iwai

    IEEE Symposium on VLSI Circuits, Digest of Technical Papers   2018-June   105 - 106   2018年10月

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  • Verification of the injection enhancement effect in IGBTs by measuring the electron and hole currents separately 査読

    T. Hoshii, K. Furukawa, K. Kakushima, M. Watanabe, N. Shigvo, T. Saraya, T. Takakura, K. Ltou, M. Fukui, S. Suzuki, K. Takeuchi, I. Muneta, H. Wakabayashi, Shinichi Nishizawa, K. Tsutsui, T. Hiramoto, H. Ohashi, H. Lwai

    48th European Solid-State Device Research Conference, ESSDERC 2018 2018 48th European Solid-State Device Research Conference, ESSDERC 2018   26 - 29   2018年10月

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    記述言語：英語  

    The injection enhancement effect in IGBTs was experimentally verified by separately measuring emitter electron-and hole-currents for the first time. Finger contacts were employed as ladder-like periodic n+ and p+ emitters to allow the independent measurement of these currents. Both reducing the mesa width and increasing the cell pitch were found to increase electron injection from the emitter, demonstrating the injection enhancement effect. These experimental results agreed well with the simulation results.

    DOI： 10.1109/ESSDERC.2018.8486870

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  • Low-Carrier-Density Sputtered MoS2 Film by Vapor-Phase Sulfurization 査読

    Kentaro Matsuura, Takumi Ohashi, Iriya Muneta, Seiya Ishihara, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Atsushi Ogura, Hitoshi Wakabayashi

    Journal of Electronic Materials   47 ( 7 )   3497 - 3501   2018年7月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1007/s11664-018-6191-z

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  • Ohmic contact between titanium and sputtered MoS2 films achieved by forming-gas annealing

    Mayato Toyama, Takumi Ohashi, Kentaro Matsuura, Jun'ichi Shimizu, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 ( 7 )   2018年7月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/JJAP.57.07MA04

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  • Photovoltaic properties of lateral ultra-thin Si p-i-n structure 査読

    Suguru Tatsunokuchi, I. Muneta, T. Hoshii, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, H. Iwai, K. Kakushima

    China Semiconductor Technology International Conference 2018, CSTIC 2018   1 - 3   2018年5月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.  

    DOI： 10.1109/CSTIC.2018.8369314

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  • Reduction of conductance mismatch in Fe/Al2O3/MoS2 system by tunneling-barrier thickness control 査読

    Naoki Hayakawa, Iriya Muneta, Takumi Ohashi, Kentaro Matsuura, Jun'ichi Shimizu, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

    Japanese Journal of Applied Physics   57 ( 4 )   2018年4月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.7567/JJAP.57.04FP13

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  • Sputter-deposited-MoS <inf>2</inf> n MISFETs with top-gate and Al <inf>2</inf> O <inf>3</inf> passivation under low thermal budget for large area integration

    Kentaro Matsuura, Jun'Ichi Shimizu, Mayato Toyama, Takumi Ohashi, Iriya Muneta, Seiya Ishihara, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Atsushi Ogura, Hitoshi Wakabayashi

    IEEE Journal of the Electron Devices Society   6 ( 1 )   1251 - 1257   2018年1月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/JEDS.2018.2883133

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  • Mechanism for High Hall-Effect Mobility in Sputtered-MoS2 Film Controlling Particle Energy

    Takuro Sakamoto, Takumi Ohashi, Kentaro Matsuura, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Yuuta Suzuki, Nobuyuki Ikarashi, Hitoshi Wakabayashi

    2018 IEEE SOI-3D-SUBTHRESHOLD MICROELECTRONICS TECHNOLOGY UNIFIED CONFERENCE (S3S)   2018年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • Relaxation of Self-Heating-Effect for Stacked-Nanowire FET and p/n-Stacked 6T-SRAM Layout

    Eisuke Anju, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

    IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY   6 ( 1 )   1239 - 1245   2018年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/JEDS.2018.2882406

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  • Hall-Effect Mobility Enhancement of Sputtered MoS2 Film by Vapor Phase Sulfurization through Al2O3 Passivation Film

    Masaya Hamada, Kentaro Matsuura, Takuro Sakamoto, Haruki Tanigawa, Takumi Ohashi, Iriya Muneta, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

    2018 IEEE SOI-3D-SUBTHRESHOLD MICROELECTRONICS TECHNOLOGY UNIFIED CONFERENCE (S3S)   2018年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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  • 酸化セリウムを用いたMIMキャパシタの電気特性評価

    高久 淑考, 宗田 伊理也, 星井 拓也, 若林 整, 筒井 一生, 岩井 洋, 角嶋 邦之

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2017.2   2986 - 2986   2017年8月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人 応用物理学会  

    DOI： 10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_2986

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  • Low temperature ohmic contact for p-type GaN using Mg electrodes 査読

    K. Kakushima, Y. Ikeuchi, T. Hoshii, I. Muneta, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, H. Iwai, T. Kikuchi, S. Ishikawa

    17th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2017   85 - 86   2017年6月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.  

    DOI： 10.23919/IWJT.2017.7966523

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  • Quantitative relationship between sputter-deposited-MoS2 properties and underlying-SiO2 surface roughness 査読

    Takumi Ohashi, Iriya Muneta, Kentaro Matsuura, Seiya Ishihara, Yusuke Hibino, Naomi Sawamoto, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Atsushi Ogura, Hitoshi Wakabayashi

    Applied Physics Express   10 ( 4 )   2017年4月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/APEX.10.041202

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  • High-mobility and low-carrier-density sputtered MoS2 film formed by introducing residual sulfur during low-temperature in 3%-H-2 annealing for three-dimensional ICs 査読

    Jun'ichi Shimizu, Takumi Ohashi, Kentaro Matsuura, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 ( 4 )   2017年4月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/JJAP.56.04CP06

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  • High-mobility and low-carrier-density sputtered MoS

    Shimizu Jun’ichi, Ohashi Takumi, Matsuura Kentaro, Muneta Iriya, Kakushima Kuniyuki, Tsutsui Kazuo, Wakabayashi Hitoshi

    Jpn. J. Appl. Phys.   56 ( 4 )   04CP06   2017年3月

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    記述言語：英語   出版者・発行元：Institute of Physics  

    We investigate the low-temperature formation of MoS<inf>2</inf>films by radio frequency (RF) sputtering. This work is focused on reducing the number of sulfur defects and the improving electrical characteristics of sputtered MoS<inf>2</inf>films by low-temperature annealing in various atmospheres. 10 nm MoS<inf>2</inf>films were synthesized by the RF sputtering at 300 °C and followed by annealing in nitrogen or forming gas (FG: 3% hydrogen in N<inf>2</inf>) at 200–400 °C. As a result, the compensation for sulfur defects in FG anneal process using residual sulfur gave better results that in N<inf>2</inf>annealing. Eventually, a high Hall-effect mobility of 36 cm2V−1s−1and a low carrier density of 1014cm−3were achieved.

    DOI： 10.7567/JJAP.56.04CP06

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  • Experimental verification of a 3D scaling principle for low Vce(sat) IGBT

    K. Kakushima, T. Hoshii, K. Tsutsui, A. Nakajima, S. Nishizawa, H. Wakabayashi, I. Muneta, K. Sato, T. Matsudai, W. Saito, T. Saraya, K. Itou, M. Fukui, S. Suzuki, M. Kobayashi, T. Takakura, T. Hiramoto, A. Ogura, Y. Numasawa, I. Omura, H. Ohashi, H. Iwai

    Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM   10.6.1 - 10.6.4   2017年1月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.  

    DOI： 10.1109/IEDM.2016.7838390

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  • Crystallinity Improvement using Migration-Enhancement Methods for Sputtered-MoS2 Films 査読

    Shin Hirano, Jun'ichi Shimizu, Kentaro Matsuura, Takumi Ohashi, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

    2017 IEEE ELECTRON DEVICES TECHNOLOGY AND MANUFACTURING CONFERENCE (EDTM)   234 - 235   2017年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1109/EDTM.2017.7947578

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  • Low-carrier density sputtered-MoS2 film by H2S annealing for normally-off accumulation-mode FET 査読

    Jun'ichi Shimizu, Takumi Ohashi, Kentaro Matsuura, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Nobuyuki Ikarashi, Hitoshi Wakabayashi

    2017 IEEE ELECTRON DEVICES TECHNOLOGY AND MANUFACTURING CONFERENCE (EDTM)   222 - 223   2017年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.1109/EDTM.2017.7947572

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  • 3D Scaling for Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) with Low V-ce(sat)

    K. Tsutsui, K. Kakushima, T. Hoshii, A. Nakajima, S. Nishizawa, H. Wakabayashi, I. Muneta, K. Sato, T. Matsudai, W. Saito, T. Saraya, K. Itou, M. Fukui, S. Suzuki, M. Kobayashi, T. Takakura, T. Hiramoto, A. Ogura, Y. Numasawa, I. Omura, H. Ohashi, H. Iwai

    2017 IEEE 12TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON ASIC (ASICON)   1137 - 1140   2017年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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MISC

  • Impact of three-dimensional current flow on accurate TCAD simulation for trench-gate IGBTs

    Watanabe, Masahiro, Shigyo, Naoyuki, Hoshii, Takuya, Furukawa, Kazuyoshi, Kakushima, Kuniyuki, Satoh, Katsumi, Matsudai, Tomoko, Saraya, Takuya, Takakura, Toshihiro, Itou, Kazuo, Fukui, Munetoshi, Suzuki, Shinichi, Takeuchi, Kiyoshi, Muneta, Iriya, Wakabayashi, Hitoshi, Nakajima, Akira, Nishizawa, Shin-ichi, Tsutsui, Kazuo, Hiramoto, Toshiro, Ohashi, Hiromichi, Iwai, Hiroshi

    2019 31ST INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES AND ICS (ISPSD)   311 - 314   2019年

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    記述言語：英語  

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  • Mo2C電極を用いたSiCショットキーバリアダイオードの通電試験

    齋藤大樹, 宗田伊理也, 星井拓也, 若林整, 筒井一生, 岩井洋, 角嶋邦之

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   78th   ROMBUNNO.6a‐A201‐7 - 3488   2017年8月

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    記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人 応用物理学会  

    DOI： 10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_3488

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    J-GLOBAL

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共同研究・競争的資金等の研究課題

  • 高感度・高速X線センサーの開発

    研究課題/領域番号：17938159  2017年

    科学技術振興機構  産学が連携した研究開発成果の展開/研究成果展開事業/地域産学バリュープログラム

    角嶋 邦之

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  • -

    The Other Research Programs 

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    資金種別：競争的資金

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  • ‐

    その他の研究制度 

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    資金種別：競争的資金

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