研究者詳細 - 渡辺　正裕

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ワタナベ　マサヒロ

渡辺　正裕

WATANABE MASAHIRO

所属

工学院准教授

外部リンク

学位

工学博士（東京工業大学）

研究キーワード

半導体デバイス、フォトニクス、量子電子工学、結晶工学

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学

学歴

東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻

1988年4月 - 1993年3月

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国名：日本国

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東京工業大学

- 1993年

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東京工業大学工学部電気電子工学

1984年4月 - 1988年3月

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国名：日本国

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経歴

東京科学大学工学院准教授

2024年10月 - 現在

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国名：日本国

備考：旧東京工業大学と旧東京医科歯科大学との大学統合による大学名変更

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-:東京工業大学助教授

1995年

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-:

1995年

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-:東京工業大学助手

1993年

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-:

1993年

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所属学協会

電子情報通信学会

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応用物理学会

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委員歴

一般財団法人電気技術者試験センター第一種・第二種電気主任技術者試験員

2016年7月 - 現在

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団体区分：その他

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応用物理学会機関誌編集委員

2005年4月 - 2006年3月

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団体区分：学協会

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電子情報通信学会和文論文誌編集委員

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団体区分：学協会

電子情報通信学会

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論文

Electroluminescence of 1.65 μm near-infrared wavelength quantum cascade lasers using Si/CaF₂ heterostructures 査読

Zhiyuan Fan, Haibo Wang, Hyuma Suzuki, Masahiro Watanabe

Journal of Luminescence 293 121786 - 121786 2026年5月

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担当区分：最終著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Elsevier BV

DOI： 10.1016/j.jlumin.2026.121786

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Electroluminescence of 1.27 μm near-infrared quantum cascade lasers using Si/CaF ₂ heterostructures on SOI substrate 査読

Zhiyuan Fan, Hyuma Suzuki, Haibo Wang, Masahiro Watanabe

Japanese Journal of Applied Physics 2026年3月

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担当区分：最終著者,　責任著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：IOP Publishing

Abstract

We have proposed and analyzed a quantum cascade laser operating at λ = 1.27 μm based on a Si/CaF2 heterostructure, and successfully demonstrated room-temperature electroluminescence (EL). Threshold current density was calculated as a balance of optical gain and loss according to waveguide structure design; population inversion was confirmed by analyzing inter-subband relaxation time τ_21 and extraction time τ_1 (τ_21 ∶ τ_1=2:1). Two periods of active layer were epitaxially grown on an n-Si (111) layer of a silicon-on-insulator (SOI) substrate equipped with conduction layer for electron injection and waveguide by molecular beam epitaxy (MBE). Fourier-transform infrared spectroscopy confirmed a distinct three-peak EL emission, with intensity increasing nearly linearly with the injected current density; and centered around 1.25 μm because of thickness ±1 ML fluctuation of thin films, which is suspected to be caused in process of epitaxy. Furthermore, a systematic wavelength shift of the emission peaks under increasing applied voltages was clearly identified, which can be consistently explained by the Stark shift in the transition quantum well induced by the applied bias that tilts the barrier tops, effectively making the barriers thinner at higher bias, producing the same effect as reducing the barrier thickness and leading to a wavelength shift.

DOI： 10.35848/1347-4065/ae5115

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その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ae5115/pdf
Design and analysis of Si/CaF ₂ near-infrared ( λ ∼ 1.05 μm) DFB quantum cascade laser with wide transition layer 査読

Zhiyuan Fan, Haibo Wang, Masahiro Watanabe

Japanese Journal of Applied Physics 65 ( 5 ) 05SP19 - 05SP19 2026年3月

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担当区分：最終著者,　責任著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：IOP Publishing

Abstract

In this paper, we have designed and analyzed a room temperature near-infrared quantum cascade laser with wavelength of μm from Si/CaF ₂ heterojunction and distributed feedback conduction layer (CL). The designed device contains multi-Si/CaF ₂ active layer on n-Si (111) layer of a silicon-on-insulator substrate, forming a single-mode propagation waveguide in transverse magnetic mode. We innovatively designed the active layer structure that consists of a 12-monolayer (ML) transition layer quantum well (QW), quad-injector-barrier and a 4-ML blocking layer, with transition from 4th state to 1st state in QW. The minimum threshold current density of 7.32 kA cm ⁻² was obtained at waveguide width of 0.25 μm, period number of 15, and CL thickness of 25 nm, which is lower than calculated injection current density of 31 kA cm ⁻² ; in addition, the inter-subband relaxation time from 4th state to 1st state and the lifetime of 1st state , are roughly estimated to be 1.5 ps and 0.7 ps, which ensures population inversion. The analysis above indicated the possibility of laser oscillation.

DOI： 10.35848/1347-4065/ae4636

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その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ae4636/pdf
Near-infrared (λ ∼ 1.2 μm) intersubband electroluminescence in Si/CaF₂ quantum cascade structures 査読

Gensai Tei, Yohei Koyanagi, Long Liu, Masahiro Watanabe

Japanese Journal of Applied Physics 62 ( 7 ) 072004 - 072004 2023年7月

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担当区分：最終著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：IOP Publishing

Abstract

A clear electroluminescence (EL) from a Si/CaF₂ quantum cascade structure has been successfully observed. The structure was equipped with 15 periods of an active region comprising of Si/CaF₂ multi-quantum wells and a waveguide grown on the silicon-on-insulator substrate by MBE-based technique. As a result of an optical spectrum measurement by Fourier transform IR spectroscopy, a clear EL spectrum with a peak at λ ∼ 1.2 μm was observed. The EL spectrum is reasonably explained by fitting it with a Lorentzian model that considers the thickness fluctuation of a single monoatomic layer of a Si quantum well, the intra- and inter-subband scattering times, and the carrier escape time. These results indicate that the EL was generated by intersubband transitions in the Si quantum well.

DOI： 10.35848/1347-4065/ace2a1

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その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ace2a1/pdf
Design and Analysis of Si/CaF₂ Near-Infrared (λ∼1.7µm) DFB Quantum Cascade Laser for Silicon Photonics 査読

Gensai TEI, Long LIU, Masahiro WATANABE

IEICE Transactions on Electronics E106.C ( 5 ) 157 - 164 2023年5月

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担当区分：最終著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Institute of Electronics, Information and Communications Engineers (IEICE)

DOI： 10.1587/transele.2022ecp5045

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Design, Fabrication, and Evaluation of Waveguide Structure Using Si/CaF₂ Heterostructure for Near- and Mid- Infrared Silicon Photonics 査読

Long LIU, Gensai TEI, Masahiro WATANABE

IEICE Transactions on Electronics E106.C ( 1 ) 1 - 6 2023年1月

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担当区分：最終著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Institute of Electronics, Information and Communications Engineers (IEICE)

DOI： 10.1587/transele.2022ecp5007

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Room temperature near-infrared electroluminescence of Si/CaF₂ quantum cascade laser structures grown on an SOI substrate 査読

Gensai Tei, Long Liu, Yohei Koyanagi, Masahiro Watanabe

Japanese Journal of Applied Physics 60 ( SB ) SBBE03 - SBBE03 2021年3月

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担当区分：最終著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：IOP Publishing

Abstract

Room temperature near-infrared electroluminescence (EL) from Si/CaF₂ quantum cascade laser structures has been demonstrated. The structure was equipped with 25 periods of the active region comprised of Si/CaF₂ multi quantum-wells and single-mode waveguide grown by molecular beam epitaxy-based technique on the silicon-on-insulator (SOI) substrate. EL spectra with multiple peaks around the near-infrared region were obtained at room temperature and the EL intensity response with injection current clearly confirmed the EL emission was originated from the current injection. Moreover, it was found that EL peak shift by changing applied bias was reasonably explained by energy shift due to the electric field applied to the Si quantum-well of the active region.

DOI： 10.35848/1347-4065/abe998

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その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/abe998/pdf
Bipolar Transistor Test Structures for Extracting Minority Carrier Lifetime in IGBTs 査読

Kiyoshi Takeuchi, Munetoshi Fukui, Takuya Saraya, Kazuo Itou, Toshihiko Takakura, Shinichi Suzuki, Yohichiroh Numasawa, Naoyuki Shigyo, Kuniyuki Kakushima, Takuya Hoshii, Kazuyoshi Furukawa, Masahiro Watanabe, Hitoshi Wakabayashi, Kazuo Tsutsui, Hiroshi Iwai, Atsushi Ogura, Wataru Saito, Shin-Ichi Nishizawa, Masanori Tsukuda, Ichiro Omura, Hiromichi Ohashi, Toshiro Hiramoto

IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing 33 ( 2 ) 159 - 165 2020年5月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)

DOI： 10.1109/tsm.2020.2972369

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Negative differential resistance of CaF₂/Si double barrier resonant tunneling diodes fabricated using plasma etching mesa isolation process 査読

Yoshiro Kumagai, Satoshi Fukuyama, Hiroki Tonegawa, Kizashi Mikami, Kodai Hirose, Kanta Tomizawa, Kensuke Ichikawa, Masahiro Watanabe

Japanese Journal of Applied Physics 59 ( SI ) SIIE03 - SIIE03 2020年4月

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担当区分：最終著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：IOP Publishing

DOI： 10.35848/1347-4065/ab82a8

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その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ab82a8/pdf
Vertical Bipolar Transistor Test Structure for Measuring Minority Carrier Lifetime in IGBTs

K. Takeuchi, M. Fukui, T. Saraya, K. Itou, T. Takakura, S. Suzuki, Y. Numasawa, K. Kakushima, T. Hoshii, K. Furukawa, M. Watanabe, N. Shigyo, H. Wakabayashi, M. Tsukuda, A. Ogura, K. Tsutsui, H. Iwai, S. Nishizawa, I. Omura, H. Ohashi, T. Hiramoto

2019 IEEE 32nd International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS) 98 - 101 2019年3月

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）出版者・発行元：IEEE

DOI： 10.1109/icmts.2019.8730922

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Verification of the Injection Enhancement Effect in IGBTs by Measuring the Electron and Hole Currents Separately

T. Hoshii, K. Furukawa, K. Kakushima, M. Watanabe, N. Shigvo, T. Saraya, T. Takakura, K. Ltou, M. Fukui, S. Suzuki, K. Takeuchi, I. Muneta, H. Wakabayashi, S. Nishizawa, K. Tsutsui, T. Hiramoto, H. Ohashi, H. Lwai

2018 48th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC) 26 - 29 2018年9月

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）出版者・発行元：IEEE

DOI： 10.1109/essderc.2018.8486870

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New Methodology for Evaluating Minority Carrier Lifetime for Process Assessment

K. Kakushima, T. Hoshii, M. Watanabe, N. Shizyo, K. Furukawa, T. Saraya, T. Takakura, K. Ltou, M. Fukui, S. Suzuki, K. Takeuchi, I. Muneta, H. Wakabayashi, Y. Numasawa, A. Ogura, S. Nishizawa, K. Tsutsui, T. Hiramoto, H. Ohashi, H. Iwai

2018 IEEE Symposium on VLSI Circuits 105 - 106 2018年6月

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）出版者・発行元：IEEE

DOI： 10.1109/vlsic.2018.8502399

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Resistance switching memory characteristics of CaF₂/Si/CaF₂ resonant-tunneling quantum-well heterostructures sandwiched by nanocrystalline Si secondary barrier layers 査読

Yuya Kuwata, Keita Suda, Masahiro Watanabe

APPLIED PHYSICS EXPRESS 9 ( 7 ) 2016年7月

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担当区分：最終著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/APEX.9.074001

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Analysis of single- and double-barrier tunneling diode structures using ultrathin CaF₂/CdF₂/Si multilayered heterostructures grown on Si 査読

Keita Suda, Yuya Kuwata, Masahiro Watanabe

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 54 ( 4 ) 2015年4月

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担当区分：最終著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.54.04DJ05

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Resistance switching memory characteristics of Si/CaF₂/CdF₂/CaF₂/Si resonant-tunneling quantum-well structures 査読

Junya Denda, Kazuya Uryu, Keita Suda, Masahiro Watanabe

APPLIED PHYSICS EXPRESS 7 ( 4 ) 044103-1 - 044103-4 2014年4月

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担当区分：最終著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/APEX.7.044103

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Resistance Switching Memory Characteristics of Si/CaF₂CdF₂ Quantum-Well Structures Grown on Metal (CoSi₂) Layer 査読

Junya Denda, Kazuya Uryu, Masahiro Watanabe

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 52 ( 4 ) 04CJ07-1 - 04CJ07-4 2013年4月

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担当区分：最終著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.52.04CJ07

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Suppression of leakage current of CdF₂/CaF₂ resonant tunneling diode structures grown on Si(100) substrates by nanoarea local epitaxy 査読

Tohru Kanazawa, Atsushi Morosawa, Ryo Fujii, Takafumi Wada, Yusuke Suzuki, Masahiro Watanabe, Masahiro Asada

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 46 ( 6A ) 3388 - 3390 2007年6月

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担当区分：最終著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.46.3388

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Room temperature negative differential resistance of CdF₂/CaF₂ double-barrier resonant tunneling diode structures grown on Si(100) substrates 査読

Tohru Kanazawa, Ryo Fujii, Takafumi Wada, Yusuke Suzuki, Masahiro Watanabe, Masahiro Asada

APPLIED PHYSICS LETTERS 90 ( 9 ) 092101 2007年2月

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担当区分：最終著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.2709508

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Improvement of electroluminescence from CdF₂/CaF₂ intersubband transition light-emitting structure by trench patterning and hydrogen annealing of Si substrate 査読

Keisuke Jinen, Kaoru Uchida, Shinji Kodaira, Masahiro Watanabe, Masahiro Asada

IEICE ELECTRONICS EXPRESS 3 ( 23 ) 493 - 498 2006年12月

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担当区分：最終著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1587/elex.3.493

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Room-temperature electroluminescence from single-period (CdF₂/CaF₂) inter-subband quantum cascade structure on si substrate 査読

K Jinen, T Kikuchi, M Watanabe, M Asada

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 45 ( 4B ) 3656 - 3658 2006年4月

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担当区分：最終著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.45.3656

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Optically pumped ultraviolet lasing of BeMgZnSe based quantum well laser structures 査読

Y Niiyama, T Murata, M Watanabe

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 3, NO 4 3 ( 4 ) 878 - + 2006年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1002/pssc.200564684

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Near-infrared electroluminescence from multilayered CdF₂/CaF₂ quantum heterostructure grown on trench-patterned Si(111) substrate 査読

Keisuke Jinen, Kaotu Uchida, Shinji Kodaira, Masahiro Watanabe, Masahiro Asada

2006 3RD IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON GROUP IV PHOTONICS 128 - + 2006年

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担当区分：最終著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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BeMgZnSe-based ultraviolet lasers 査読

Y Niiyama, M Watanabe

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY 20 ( 12 ) 1187 - 1197 2005年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1088/0268-1242/20/12/008

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Ultraviolet lasing from optically pumped BeMgZnSe quantum-well laser structures 査読

Y Niiyama, T Murata, M Watanabe

APPLIED PHYSICS LETTERS 87 ( 14 ) 142106 2005年10月

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担当区分：最終著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.2081121

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Improvement of crystalline quality of BeZnSe using buffer layer by migration enhanced epitaxy on GaP(001) substrate 査読

T Yokoyama, Y Niiyama, T Murata, M Watanabe

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS 44 ( 1-7 ) L75 - L77 2005年

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担当区分：最終著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.44.L75

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Epitaxial growth and optical properties for ultraviolet region of BeMgZnSe on GaP(001) substrate 査読

Y Niiyama, T Yokoyama, M Watanabe

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH 241 ( 3 ) 479 - 482 2004年3月

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担当区分：最終著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/pssb.200304158

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Effect of buffer layer on epitaxial growth of high-magnesium-content BeMgZnSe lattice matched to GaP(001) substrate 査読

Y Niiyama, T Yokoyama, M Watanabe

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS 42 ( 6A ) L599 - L602 2003年6月

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担当区分：最終著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.42.L599

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Crystal Growth of High-Mg-Content BeMgZnSe Lattice Matched to GaP(001) Substrate Using BeZnSe Buffer Layer

Y. Niiyama, T. Yokoyama, M. Watanabe

First Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors, P118 302 - 303 2003年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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Epitaxial growth of BeZnSe on CaF₂/Si(111) substrate 査読

T Maruyama, N Nakamura, M Watanabe

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS 41 ( 8A ) L876 - L877 2002年8月

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担当区分：最終著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.41.L876

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Room-temperature ultraviolet photoluminescence of BeZnSe on GaP(001) 査読

Y Niiyama, T Maruyama, N Nakamura, M Watanabe

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS 41 ( 7A ) L751 - L753 2002年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.41.L751

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Room Temperature Negative Differential Resistance of CdF₂/CaF₂ Resonant Tunneling Diode grown on Si using Nanoarea Local Epitaxy 査読

WATANABE M.

26th International Conference on the Physics of Semiconductors (Scotland, UK), 2002 54 - 55 2002年

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担当区分：筆頭著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

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Theoretical analysis of the threshold current density in BeMgZnSe quantum-well ultraviolet lasers 査読

T Maruyama, N Nakamura, M Watanabe

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 40 ( 12 ) 6872 - 6873 2001年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.40.6872

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Epitaxial Growth and Electrical Characteristics of CaF₂/Si/CaF₂ Resonant Tunneling Diode Structures Grown on Si(111)1°-off Substrate 査読

Watanabe Masahiro, Iketani Yoshifumi, Asada Masahiro

Japanese journal of applied physics. Pt. 2, Letters 39 ( 10A ) L964 - L967 2000年10月

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担当区分：筆頭著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/jjap.39.L964

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CaF₂/CdF₂ double-barrier resonant tunneling diode with high room-temperature peak-to-valley ratio 査読

M Watanabe, T Funayama, T Teraji, N Sakamaki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS 39 ( 7B ) L716 - L719 2000年7月

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担当区分：筆頭著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/jjap.39.L716

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Epitaxial growth and ultraviolet photoluminescence of CaF₂/ZnO/CaF₂ heterostructures on Si(111) 査読

M Watanabe, Y Maeda, S Okano

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS 39 ( 6A ) L500 - L502 2000年6月

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担当区分：筆頭著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/jjap.39.L500

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Improvement of the visible electroluminescence from nanocrystalline silicon embedded in CaF₂ on Si(111) substrate prepared by rapid thermal annealing 査読

T Maruyama, N Nakamura, M Watanabe

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 39 ( 4B ) 1996 - 2000 2000年4月

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担当区分：最終著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.39.1996

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Resonant tunneling diodes in Si/CaF₂ heterostructures grown by molecular beam epitaxy 査読

M Tsutsui, M Watanabe, M Asada

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS 38 ( 8B ) L920 - L922 1999年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/jjap.38.L920

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Visible electroluminescence from nanocrystalline silicon embedded in single-crystalline CaF₂/Si(111) with rapid thermal anneal 査読

T Maruyama, N Nakamura, M Watanabe

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS 38 ( 8B ) L904 - L906 1999年8月

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担当区分：最終著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/jjap.38.L904

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Shortening of detection time for observation of hot electron spatial distribution by scanning hot electron microscopy 査読

N Kikegawa, BY Zhang, Y Ikeda, N Sakai, K Furuya, M Asada, M Watanabe, W Saito

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 38 ( 4A ) 2108 - 2113 1999年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.38.2108

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Negative differential resistance of CaF₂/CdF₂ triple-barrier resonant-tunneling diode on Si(111) grown by partially ionized beam epitaxy 査読

M Watanabe, Y Aoki, W Saito, M Tsuganezawa

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS 38 ( 2A ) L116 - L118 1999年2月

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担当区分：筆頭著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/jjap.38.L116

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Epitaxial growth of nanometer-thick CaF₂/CdF₂ heterostructures using partially ionized beam epitaxy 査読

M Watanabe, W Saitoh, Y Aoki, J Nishiyama

SOLID-STATE ELECTRONICS 42 ( 7-8 ) 1627 - 1630 1998年7月

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担当区分：筆頭著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S0038-1101(98)00083-5

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Electroluminescence of nanocrystal Si embedded in single-crystal CaF₂/Si(111) 査読

M Watanabe, T Matsunuma, T Maruyama, Y Maeda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS 37 ( 5B ) L591 - L593 1998年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/jjap.37.L591

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Light emission from Si nanocrystals embedded in CaF₂ epilayers on Si(111): Effect of rapid thermal annealing 査読

Masahiro Watanabe, Takeo Maruyama, Soichiro Ikeda

Journal of Luminescence 80 ( 1-4 ) 253 - 256 1998年

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担当区分：筆頭著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S0022-2313(98)00107-0

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Reduction of electrical resistance of nanometer-thick CoSi₂ film on CaF₂ by pseudomorphic growth of CaF₂ on Si(111) 査読

W Saitoh, K Mori, H Sugiura, T Maruyama, M Watanabe, M Asada

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 36 ( 7A ) 4470 - 4471 1997年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.36.4470

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Seventy-nm-pitch patterning on CaF₂ by e-beam exposure 査読

H Hongo, T Hattori, Y Miyamoto, K Furuya, T Matsunuma, M Watanabe, M Asada

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 35 ( 12A ) 6342 - 6343 1996年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.35.6342

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Visible light emission from nanocrystalline silicon embedded in CaF₂ layers on Si(111) 査読

M Watanabe, F Iizuka, M Asada

IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS E79C ( 11 ) 1562 - 1567 1996年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

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Detection of hot electron current with scanning hot electron microscopy 査読

F Vazquez, D Kobayashi, Kobayashi, I, Y Miyamoto, K Furuya, T Maruyama, M Watanabe, M Asada

APPLIED PHYSICS LETTERS 69 ( 15 ) 2196 - 2198 1996年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.117163

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Proposal and analysis of very short channel field effect transistor using vertical tunneling with new heterostructures on silicon 査読

W Saitoh, K Yamazaki, M Asada, M Watanabe

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS 35 ( 9A ) L1104 - L1106 1996年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/jjap.35.L1104

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Transfer efficiency of hot electrons in a metal(CoSi2)/insulator(CaF2) quantum interference transistor 査読

T Suemasu, W Saitoh, Y Khono, K Mori, M Watanabe, M Asada

SURFACE SCIENCE 361 ( 1-3 ) 209 - 212 1996年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

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THEORETICAL AND MEASURED CHARACTERISTICS OF METAL(COSI2)-INSULATOR(CAF2) RESONANT-TUNNELING TRANSISTORS AND THE INFLUENCE OF PARASITIC ELEMENTS 査読

T SUEMASU, Y KOHNO, W SAITOH, M WATANABE, M ASADA

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 42 ( 12 ) 2203 - 2210 1995年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/16.477780

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METAL (COSI2)/INSULATOR (CAF2) HOT-ELECTRON TRANSISTOR FABRICATED BY ELECTRON-BEAM LITHOGRAPHY ON A SI SUBSTRATE 査読

W SAITOH, T SUEMASU, Y KOHNO, M WATANABE, M ASADA

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS 34 ( 10A ) L1254 - L1256 1995年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/jjap.34.L1254

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METAL (COSI2)/INSULATOR (CAF2) HOT-ELECTRON TRANSISTOR FABRICATED BY ELECTRON-BEAM LITHOGRAPHY ON A SI SUBSTRATE 査読

W SAITOH, T SUEMASU, Y KOHNO, M WATANABE, M ASADA

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS 34 ( 10A ) L1254 - L1256 1995年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

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FORMATION OF SILICON AND COBALT SILICIDE NANOPARTICLES IN CAF2 査読

M WATANABE, F IIZUKA, M ASADA

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 34 ( 8B ) 4380 - 4383 1995年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.34.4380

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MULTIPLE NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE DUE TO QUANTUM INTERFERENCE OF HOT-ELECTRON WAVES IN METAL (COSI2) INSULATOR (CAF2) HETEROSTRUCTURES AND INFLUENCE OF PARASITIC CIRCUIT ELEMENTS 査読

W SAITOH, T SUEMASU, Y KOHNO, M WATANABE, M ASADA

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 34 ( 8B ) 4481 - 4484 1995年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.34.4481

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FORMATION OF SILICON AND COBALT SILICIDE NANOPARTICLES IN CAF2 査読

M WATANABE, F IIZUKA, M ASADA

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 34 ( 8B ) 4380 - 4383 1995年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.34.4380

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Metal (CoSi2)/insulator (CaF2) hot elelectron transistor using electron-beam lithography on Si substrate

W. Saitoh, T. Suemasu, Y. Kohno, M. Watanabe, M. Asada

European Solid-State Device Research Conference 631 - 634 1995年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）出版者・発行元：IEEE Computer Society

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QUANTUM INTERFERENCE OF ELECTRON-WAVE IN METAL (COSI2) INSULATOR (CAF2) RESONANT-TUNNELING HOT-ELECTRON TRANSISTOR STRUCTURE 査読

T SUEMASU, Y KOHNO, W SAITOH, N SUZUKI, M WATANABE, M ASADA

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS 33 ( 12B ) L1762 - L1765 1994年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/jjap.33.L1762

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QUANTUM INTERFERENCE OF ELECTRON-WAVE IN METAL (COSI2) INSULATOR (CAF2) RESONANT-TUNNELING HOT-ELECTRON TRANSISTOR STRUCTURE 査読

T SUEMASU, Y KOHNO, W SAITOH, N SUZUKI, M WATANABE, M ASADA

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS 33 ( 12B ) L1762 - L1765 1994年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/jjap.33.L1762

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DIFFERENT CHARACTERISTICS OF METAL (COSI₂) INSULATOR (CAF₂) RESONANT-TUNNELING TRANSISTORS DEPENDING ON BASE QUANTUM-WELL LAYER 査読

T SUEMASU, Y KOHNO, N SUZUKI, M WATANABE, M ASADA

IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS E77C ( 9 ) 1450 - 1454 1994年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

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METAL(COSI₂)/INSULATOR(CAF₂) RESONANT-TUNNELING DIODE 査読

T SUEMASU, M WATANABE, J SUZUKI, Y KOHNO, M ASADA, N SUZUKI

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 33 ( 1A ) 57 - 65 1994年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.33.57

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REFLECTION HIGH-ENERGY ELECTRON-DIFFRACTION OSCILLATION DURING CAF2 GROWTH ON SI(111) BY PARTIALLY IONIZED BEAM EPITAXY 査読

M WATANABE, N SUZUKI, M ASADA

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 32 ( 2 ) 940 - 941 1993年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.32.L940

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NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE OF METAL (COSI2)/INSULATOR (CAF2) TRIPLE-BARRIER RESONANT TUNNELING DIODE 査読

M WATANABE, T SUEMASU, S MURATAKE, M ASADA

APPLIED PHYSICS LETTERS 62 ( 3 ) 300 - 302 1993年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

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EPITAXIAL-GROWTH AND ELECTRICAL CONDUCTANCE OF METAL(COSI2) INSULATOR(CAF2) NANOMETER-THICK LAYERED STRUCTURES ON SI(111) 査読

M WATANABE, S MURATAKE, T SUEMASU, H FUJIMOTO, S SAKAMORI, M ASADA, S ARAI

JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS 21 ( 8 ) 783 - 789 1992年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1007/BF02665516

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EPITAXIAL-GROWTH AND ELECTRICAL CONDUCTANCE OF METAL(COSI2) INSULATOR(CAF2) NANOMETER-THICK LAYERED STRUCTURES ON SI(111) 査読

M WATANABE, S MURATAKE, T SUEMASU, H FUJIMOTO, S SAKAMORI, M ASADA, S ARAI

JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS 21 ( 8 ) 783 - 789 1992年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.31.L116

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ROOM-TEMPERATURE NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE OF METAL (COSI2) INSULATOR (CAF2) RESONANT TUNNELING DIODE 査読

T SUEMASU, M WATANABE, M ASADA, N SUZUKI

ELECTRONICS LETTERS 28 ( 15 ) 1432 - 1434 1992年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

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TRANSISTOR ACTION OF METAL (COSI2) INSULATOR (CaF₂) HOT-ELECTRON TRANSISTOR STRUCTURE 査読

S MURATAKE, M WATANABE, T SUEMASU, M ASADA

ELECTRONICS LETTERS 28 ( 11 ) 1002 - 1004 1992年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

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Epitaxial Growth of Metal(CoSi₂)/Insulator(CaF₂) Nanometer-Thick Layered Structure on Si(111) 査読

Watanabe Masahiro, Muratake Shigeki, Fujimoto Hiromasa, Sakamori Shigenori, Asada Masahiro, Arai Shigehisa

Jpn J Appl Phys 31 ( 2 ) L116 - L118 1992年2月

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担当区分：筆頭著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：社団法人応用物理学会

Epitaxial growth of a metal(CoSi2)/insulator(CaF2) nanometer-thick layered structure on Si(111) was demonstrated. An epitaxial CoSi2 layer on CaF2 was obtained by the two-step growth technique, i.e., solid phase epitaxy with the epitaxial Si layer grown in the first step and Co deposited in the second step. This technique was shown to be effective in avoiding the Co agglomeration on the CaF2 layer observed in the co-evaporation of Si and Co. An epitaxial CaF2 layer was formed on CoSi2/CaF2 at low substrate temperature (450°C) with a partially ionized and accelerated CaF2 beam, to avoid Co agglomeration in the CoSi2/CaF2 underlayer as well. Obtained results showed a single-crystalline nature in reflection high-energy electron diffraction (RHEED) and transmission electron microscopy (TEM) observations.

DOI： 10.1143/JJAP.31.L116

CiNii Books

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PROPOSAL AND ANALYSIS OF QUANTUM-INTERFERENCE HIGH-SPEED ELECTRON DEVICES USING METAL-INSULATOR HETEROSTRUCTURE 査読

T SAKAGUCHI, M WATANABE, M ASADA

IEICE TRANSACTIONS ON COMMUNICATIONS ELECTRONICS INFORMATION AND SYSTEMS 74 ( 10 ) 3326 - 3333 1991年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Web of Science

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Low Temperature (~420℃) Epitaxial Growth of Ca₂/Si(111) by Ionized-Cluster-Beam Technique 査読

WATANABE Masahiro, MUGURUMA Hitoshi, ASADA Masahiro, ARAI Shigehisa

Japanese journal of applied physics. Pt. 1, Regular papers & short notes 29 ( 9 ) 1803 - 1804 1990年9月

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担当区分：筆頭著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.29.1803

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MISC

5Vゲート駆動による3300VスケーリングIGBTの動作実証—3300V Scaled IGBTs Driven by 5V Gate Voltage—電子デバイス半導体電力変換合同研究会・パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術

更屋拓哉, 伊藤一夫, 高倉俊彦, 福井宗利, 鈴木慎一, 竹内潔, 附田正則, 沼沢陽一郎, 佐藤克己, 末代知子, 齋藤渉, 角嶋邦之, 星井拓也, 古川和由, 渡辺正裕, 執行直之, 若林整, 筒井一生, 岩井洋, 小椋厚志, 西澤伸一, 大村一郎, 大橋弘通, 平本俊郎

電気学会研究会資料. SPC = The papers of technical meeting on semiconductor power converter, IEE Japan / 半導体電力変換研究会 [編] 2019 ( 161-172 ) 61 - 65 2019年11月

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記述言語：日本語出版者・発行元：東京 : 電気学会

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その他リンク： https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I030119332
招待講演トレンチゲート型Si-IGBTの3次元精密TCADシミュレーション—Three-dimensional accurate TCAD simulation of trench-gate Si-IGBTs—シリコン材料・デバイス

渡辺正裕, 執行直之, 星井拓也, 古川和由, 角嶋邦之, 佐藤克己, 末代知子, 更屋拓哉, 高倉俊彦, 伊藤一夫, 福井宗利, 鈴木慎一, 竹内潔, 宗田伊里也, 若林整, 中島昭, 西澤伸一, 筒井一生, 平本俊郎, 大橋弘通, 岩井洋

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 119 ( 273 ) 45 - 48 2019年11月

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記述言語：日本語出版者・発行元：東京 : 電子情報通信学会

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その他リンク： https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I030128987
依頼講演 5Vゲート駆動による3300VスケーリングIGBTのスイッチング動作—3300V Scaled IGBT Switched by 5V Gate Drive—シリコン材料・デバイス

平本俊郎, 更屋拓哉, 伊藤一夫, 高倉俊彦, 福井宗利, 鈴木慎一, 竹内潔, 附田正則, 沼沢陽一郎, 佐藤克己, 末代知子, 齋藤渉, 角嶋邦之, 星井拓也, 古川和由, 渡辺正裕, 執行直之, 若林整, 筒井一生, 岩井洋, 小椋厚志, 西澤伸一, 大村一郎, 大橋弘通

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 119 ( 161 ) 31 - 34 2019年8月

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記述言語：日本語出版者・発行元：東京 : 電子情報通信学会

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その他リンク： https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I029947188
招待講演 5Vゲート駆動1200V級スケーリングIGBTの動作実証とスイッチング損失の低減—シリコン材料・デバイス

更屋拓哉, 伊藤一夫, 高倉俊彦, 福井宗利, 鈴木慎一, 竹内潔, 附田正則, 沼沢陽一郎, 佐藤克己, 末代知子, 齋藤渉, 角嶋邦之, 星井拓也, 古川和由, 渡辺正裕, 執行直之, 筒井一生, 岩井洋, 小椋厚志, 西澤伸一, 大村一郎, 大橋弘通, 平本俊郎

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 118 ( 429 ) 39 - 44 2019年1月

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記述言語：日本語出版者・発行元：東京 : 電子情報通信学会

CiNii Books

CiNii Research

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その他リンク： https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I029501951
3300V Scaled IGBTs Driven by 5V Gate Voltage 国際誌

Saraya, Takuya, Itou, Kazuo, Takakura, Toshihiko, Fukui, Munetoshi, Suzuki, Shinichi, Takeuchi, Kiyoshi, Tsukuda, Masanori, Numasawa, Yohichiroh, Satoh, Katsumi, Matsudai, Tomoko, Saito, Wataru, Kakushima, Kuniyuki, Hoshii, Takuya, Furukawa, Kazuyoshi, Watanabe, Masahiro, Shigyo, Naoyuki, Wakabayashi, Hitoshi, Tsutsui, Kazuo, Iwai, Hiroshi, Ogura, Atsushi, Nishizawa, Shin-ichi, Omura, Ichiro, Ohashi, Hiromichi, Hiramoto, Toshiro

2019 31ST INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES AND ICS (ISPSD) 43 - 46 2019年

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記述言語：英語掲載種別：記事・総説・解説・論説等（国際会議プロシーディングズ）

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トレンチゲート型si-IGBTの3次元精密TCADシミュレーション

渡辺正裕, 執行直之, 星井拓也, 古川和由, 角嶋邦之, 佐藤克己, 末代知子, 更屋拓哉, 高倉俊彦, 伊藤一夫, 福井宗利, 鈴木慎一, 竹内潔, 宗田伊里也, 若林整, 中島昭, 西澤伸一, 筒井一生, 平本俊郎, 大橋弘通, 岩井洋

電子情報通信学会技術研究報告 119 ( 273(SDM2019 68-79) ) 311 - 314 2019年

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記述言語：英語

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J-GLOBAL

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少数キャリアライフタイムによる半導体プロセスの評価手法の提案

角嶋邦之, 星井拓也, 渡辺正裕, 執行直之, 古川和由, 更屋拓哉, 高倉俊彦, 伊藤一夫, 福井宗利, 鈴木慎一, 竹内潔, 宗田伊理也, 若林整, 沼沢陽一郎, 小椋厚志, 西澤伸一, 筒井一生, 平本俊郎, 大橋弘通, 岩井洋

電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集(CD-ROM) 2018 2018年

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J-GLOBAL

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ローカルエピタキシー法によるCoSi₂/CaF₂三重障壁共鳴トンネルダイオードの微分負性抵抗特性

渡辺正裕, 田村信平, 金澤徹, 自念圭輔, 浅田雅洋

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 104 ( 622 ) 7 - 10 2005年1月

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担当区分：筆頭著者記述言語：日本語掲載種別：機関テクニカルレポート，技術報告書，プレプリント等出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

シリコン基板上にエピタキシャル成長可能な弗化物系絶縁物弗化カルシウム(CaF_2)とシリサド系金属コバルトシリサイド(CoSi_2)を組み合わせたヘテロ量子構造は、共鳴トンネルやサブバンドを利用し、なおかつ、室温で動作可能な量子効果機能素子の材料系として魅力的である。CoSi_2/CaF_2の接合界面には大きな伝導帯バンド不連続(&acd;3eV相当)があるため、本材料構成で共鳴トンネルダイオードを構成すると、室温においても極めて顕著な微分負性抵抗が期待できる。近年、著者らは弗化物ヘテロ構造の精密結晶成長法として、100nm以下の微小孔中にエピタキシャル成長を行うローカルエピタキシー法を提案し、CdF_2/CaF_2共鳴トンネルダイオードの微分負性抵抗の精密制御を達成してきたが、今回、本手法をCoSi_2/CaF_2ヘテロ構造に適用し、三重障壁共鳴トンネルダイオード構造を作製・評価したところ、室温におけるpeak to valley比の大幅な改善が見られたので報告する。

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Si(100) 基板上に形成されたCdF₂/CaF₂超ヘテロ構造による共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性

渡辺正裕, 金澤徹, 自念圭輔, 浅田雅洋

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 103 ( 631 ) 25 - 28 2004年1月

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担当区分：筆頭著者記述言語：日本語掲載種別：機関テクニカルレポート，技術報告書，プレプリント等出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

シリコン基板上にエピタキシャル成長可能な弗化物系絶縁物CdF_2/CaF_2超ヘテロ構造は、共鳴トンネル伝導やサブバンド間光-電子相互作用を基本原理とし、室温で動作可能な量子効果機能素子の材料系として有望である。 CdF_2/CaF_2の接合界面には大きな(〜2.9eV)の伝導帯バンド不連続があるため、本材料構成で共鳴トンネルダイオードを構成すると、室温においても極めて顕著な微分負性抵抗が期待できる。これまで、基板面方位としてはシリコン(111)基板が選択されることが多く、主に表面エネルギーの観点からSi(100)基板は弗化物系材料の薄膜エピタキシャル成長に不利とされてきたが、近年、著者らは、水素終端化処理や傾斜基板のステップ制御を導入することにより、Si(100)基板上にCdF_2/CaF_2量子構造が形成可能であることを見出した。本報告では、Si(100) 2°off基板上に形成した2重障壁共鳴トンネルダイオード構造の結晶成長と、その室温微分負性特性、および、その量子井戸層厚依存性に関して議論する。

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ナノ領域成長によるSi(111)及びSi(100)基板上CdF₂/CaF₂共鳴トンネルダイオード

渡辺正裕, 石川達也, 松田克己, 金澤徹, 浅田雅洋

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 101 ( 618 ) 65 - 70 2002年1月

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担当区分：筆頭著者記述言語：日本語掲載種別：機関テクニカルレポート，技術報告書，プレプリント等出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

シリコン基板上に積層エピタキシャル成長可能な弗化物系絶縁体弗化カルシウム(CaF_2)と弗化カドミウム(CdF_2)を用いたヘテロ接合は、その接合界面に大きな(〜2.9eV)の伝導帯バンド不連続を有するため、これらの材料で構成した薄膜超格子を用いると、室温においても極めて顕著な微分負性抵抗を示す共鳴トンネルデバイスの実現が期待される。今回我々は、CdF_2/CaF_2ヘテロ構造の結晶成長を原子層厚レベルで制御するため、結晶成長領域を100nm程度の微細な領域に限定するナノ領域エピタキシーを提案し、CdF_2-CaF_2二重障壁共鳴トンネルダイオード(DBRTD)の微分負性抵抗特性評価を行った。また、この方法を適用してシリコン(100)基板上に作成したCdF_2/CaF_2RTDにおいて、はじめて室温微分負性抵抗特性を観測したので報告する。

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金属/絶縁体ヘテロ接合電子デバイス

渡辺正裕, 末益崇, 浅田雅洋

應用物理 63 ( 2 ) 124 - 131 1994年2月

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記述言語：日本語出版者・発行元：応用物理学会

DOI： 10.11470/oubutsu1932.63.124

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講演・口頭発表等

イオンビームエピタキシー法における加速電圧最適化によるSi/CaF₂二重障壁共鳴トンネルダイオードのリーク電流低減

服部堅, 斎藤恵多, 猪狩秀, 小林隆弘, 石川友志, 渡辺正裕

第73回応用物理学会春季学術講演会, 17p-PA5-9 2026年3月

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開催年月日： 2026年3月

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

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Si/CaF₂四重障壁共鳴トンネル構造を用いた不揮発性抵抗変化メモリの立ち上がり電圧制御

齋藤恵多, 服部堅, 猪狩秀, 小林隆弘, 山下怜央, 渡辺正裕

第73回応用物理学会春季学術講演会, 17p-PA5-8 2026年3月

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開催年月日： 2026年3月

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

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Electroluminescence of 1.27μm Near-Infrared Quantum Cascade Lasers using Si/CaF₂ Heterostructures on SOI Substrate 国際会議

Zhiyuan Fan, Hyuma Suzuki, Haibo Wang, Masahiro Watanabe

The 2025 International Conference on Solid State Devices and Materials 2025年9月 The Japan Society of Applied Physics

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開催年月日： 2025年9月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：PACIFICO YOKOHAMA, Yokohama, Kanagawa 国名：日本国

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Si/CaF₂ヘテロ構造を用いた近赤外波長量子カスケードレーザの理論解析

王海波, 范志遠, 祁樹堂, 渡辺正裕

第86回応用物理学会秋季学術講演会, 9p-P12-1 2025年9月公益社団法人応用物理学会

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開催年月日： 2025年9月

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：名城大学天白キャンパス, 名古屋, 愛知県国名：日本国

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反応性イオンエッチングによる微小孔中に形成したSi/CaF₂ n型二重障壁共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性

猪狩秀, 小林隆弘, 服部堅, 渡辺正裕

第86回応用物理学会秋季学術講演会, 8p-P04-6 2025年9月公益社団法人応用物理学会

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開催年月日： 2025年9月

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：名城大学天白キャンパス, 名古屋, 愛知県国名：日本国

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CaF₂埋め込み構造を用いたn型Si/CaF₂二重障壁共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性

小林隆弘, 宇佐見遼也, 村上寛太, 服部堅, 渡辺正裕

第86回応用物理学会秋季学術講演会, 8p-P04-5 2025年9月公益社団法人応用物理学会

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開催年月日： 2025年9月

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：名城大学天白キャンパス, 名古屋, 愛知県国名：日本国

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Analysis of 1.27μm Near-Infrared Quantum Cascade Lasers using Si/CaF₂ Heterostructures on SOI Substrate

范志遠, 鈴木飛雄馬, 王海波, 渡辺正裕

第72回応用物理学会春季学術講演会, 16a-P08-1 2025年3月公益社団法人応用物理学会

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開催年月日： 2025年3月

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：東京理科大, 野田キャンパス, 千葉国名：日本国

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Analysis of 4.1μm Quantum Cascade Lasers using Si/CaF₂ Heterostructures on SOI Substrate

范志遠, 鈴木飛雄馬, 王海波, 渡辺正裕

第85回応用物理学会秋季学術講演会, 18a-P04-1 2024年9月公益社団法人応用物理学会

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開催年月日： 2024年9月

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：朱鷺メッセ, 新潟国名：日本国

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Si/CaF₂ ヘテロ構造を用いたホール駆動型近赤外波長量子カスケードレーザの理論解析

鈴木飛雄馬, 范志遠, 王海波, 渡辺正裕

第85回応用物理学会秋季学術講演会, 18a-P04-2 2024年9月公益社団法人応用物理学会

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開催年月日： 2024年9月

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：朱鷺メッセ, 新潟国名：日本国

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Si/CaF₂ 四重障壁共鳴トンネル構造を用いたReRAMの電荷保持特性

星野麻衣子, 宇佐見遼也, 村上寛太, 塩路冬弥, 渡辺正裕

第71回応用物理学会春季学術講演会, 25a-12K-9 2024年3月公益社団法人応用物理学会

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開催年月日： 2024年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東京都市大学, 世田谷キャンパス国名：日本国

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CaF₂/Si ヘテロ構造を用いた近赤外波長量子カスケードレーザの低電界化に向けた構造提案

杉山裕汰, 鈴木飛雄馬, 范志遠, 渡辺正裕

第84回応用物理学会秋季学術講演会, 21p-P20-3 2023年9月公益社団法人応用物理学会

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：熊本城ホール, 熊本国名：日本国

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Si/CaF₂ 四重障壁共鳴トンネル構造を用いた抵抗変化メモリ素子の室温パルス応答特性

星野麻衣子, 宇佐見遼也, 村上寛太, 渡辺正裕

第84回応用物理学会秋季学術講演会, 20p-A301-15 2023年9月公益社団法人応用物理学会

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：熊本城ホール, 熊本国名：日本国

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Si/CaF₂ n型三重障壁共鳴トンネルダイオードの電流密度向上

村上寛太, 宇佐見遼也, 星野麻衣子, 渡辺正裕

第84回応用物理学会秋季学術講演会, 22p-P09-2 2023年9月公益社団法人応用物理学会

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：熊本城ホール, 熊本国名：日本国

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CaF₂埋め込み構造を用いたp型 Si/CaF₂二重障壁共鳴トンネルダイオードのバレー電流低減

宇佐見遼也, 星野麻衣子, 村上寛太, 渡辺正裕

第84回応用物理学会秋季学術講演会, 22p-P09-3 2023年9月公益社団法人応用物理学会

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：熊本城ホール, 熊本国名：日本国

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Si/CaF₂ 四重障壁共鳴トンネル構造を用いた抵抗変化メモリ素子の室温スイッチング特性

星野麻衣子, 伊藤滉悟, 鈴木優輔, 宇佐見遼也, 村上寛太, 鄭源宰, 渡辺正裕

第70回応用物理学会春季学術講演会, 15p-D411-4 2023年3月公益社団法人応用物理学会

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開催年月日： 2023年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

開催地：上智大学, 東京国名：日本国

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TCAD simulation of trench-gate IGBTs for prediction of carrier lifetime requirements for future scaled devices 招待国際会議

Masahiro Watanabe

2021 IEEE 14th International Conference on ASIC (ASICON 2021) 2021年10月

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開催年月日： 2021年10月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（招待・特別）

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Proposal and Analysis of Si/CaF₂ Distributed Feedback Waveguide for near- and mid- infrared applications 国際会議

Gensai Tei, Kenta Kitamura, Long Liu, Yohei Koyanagi, Daiki Sugawara, Masahiro Watanabe

26th MICROOPTICS CONFERENCE (MOC2021) 2021年9月

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開催年月日： 2021年9月

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

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Accurate TCAD simulation of trench-gate IGBTs and its application to prediction of carrier lifetime requirements for future scaled devices 招待国際会議

Masahiro Watanabe, Naoyuki Shigyo, Takuya Hoshii, Kazuyoshi Furukawa, Kuniyuki Kakushima, Katsumi Satoh, Tomoko Matsudai, Takuya Saraya, Toshihiko Takakura, Iriya Muneta, Hitoshi Wakabayashi, Akira Nakajima, Shin-ichi Nishizawa, Kazuo Tsutsui, Toshiro Hiramoto, Hiromichi Ohashi, Hiroshi Iwai

The 5th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM2021) 2021年4月

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開催年月日： 2021年4月

記述言語：英語会議種別：口頭発表（招待・特別）

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Room Temperature Near Infrared Electroluminescence of Si/CaF₂ Quantum Cascade Laser Structures grown on SOI Substrate 国際会議

Gensai Tei, Liu Long, Yohei Koyanagi, Masahiro Watanabe

The 2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2020) 2020年9月 The Japan Society of Applied Physics

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開催年月日： 2020年9月

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

国名：日本国

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Negative Differential Resistance in CaF₂/Si Double Barrier Resonant Tunneling Diodes via Plasma Etching Mesa Isolation process 国際会議

Yoshiro Kumagai, Satoshi Fukuyama, Hiroki Tonegawa, Kizashi Mikami, Kodai Hirose, Kanta Tomizawa, Keisuke Ichikawa, Masahiro Watanabe

32nd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2019) 2019年10月

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開催年月日： 2019年10月

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Hiroshima, Japan

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Design, fabrication, and evaluation of waveguide structure for Si/CaF₂ quantum-well intersubband transition lasers 国際会議

Long Liu, Soichiro Ono, Gensai Tei, Masahiro Watanabe

The 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019) 2019年9月 The Japan Society of Applied Physics

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開催年月日： 2019年9月

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：Nagoya, Japan 国名：日本国

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Impact of three-dimensional current flow on accurate TCAD simulation for trench-gate IGBTs 国際会議

Masahiro Watanabe, Naoyuki Shigyo, Takuya Hoshii, Kazuyoshi Furukawa, Kuniyuki Kakushima, Katsumi Satoh, Tomoko Matsudai, Takuya Saraya, Toshihiko Takakura, Kazuo Itou, Munetoshi Fukui, Shin-ichi Suzuki, Kiyoshi Takeuchi, Iriya Muneta, Hitoshi Wakabayashi, Akira Nakajima, Shin-ichi Nishizawa, Kazuo Tsutsui, Toshiro Hiramoto, Hiromichi Ohashi, Hiroshi Iwai

The 31st IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and Ics 2019年3月

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開催年月日： 2019年3月

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

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Transmission Electron Microscopy Analysis of CaF₂/CdF₂/CaF₂ Resonant Tunneling Diode Structures grown on Si(100) Substrate 国際会議

M. Watanabe, T. Kanazawa, M. Asada

The 34th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2007), TuD P8 2007年10月

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開催年月日： 2007年10月

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

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Resistance switching memory using Si/CaF₂/CdF₂ quantum-well structures 国際会議

Masahiro Watanabe, Ryo Hirasawa, Yuukou Nakashouji

The 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2009), K-2-6 2009年10月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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Enhancement of Multiexciton Generation using Epitaxial Silicon/Fluoride Quantum-dot Structures 国際会議

Masahiro Watanabe, Hiroshi Oogi

International Symposium on Innovative Solar Cells 2009, T-2 2009年3月

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記述言語：英語会議種別：シンポジウム・ワークショップパネル（公募）

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Retention characteristics of resistance switching memory using Si/CaF₂/CdF₂ quantum-well structures 国際会議

Masahiro Watanabe, Kazuya Uryu

The 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2011), P-9-14 2011年9月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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Switching voltage reduction of resistance switching memory using Si/CaF₂/CdF₂ quantum-well structures 国際会議

Masahiro Watanabe, Yuhkou Nakashouji, Kazuya Tsuchiya

The 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2010), F-5-2 2010年9月 The Japan Society of Applied Physics

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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Near Infrared (λ～1.5μm) Room Temperature Electroluminescence from Si/CaF₂ Intersubband Transition Laser Structures Grown on Silicon-on-Insulator Substrate 国際会議

Minato Segawa, Tatsuya Ohci, Yuya Koshita, Keita Suda, Masahiro Watanabe

18th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics, and Nanostructures (EDISON18), TH3-5 2013年7月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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Resistance switching memory characteristics of Si/CaF₂/CdF₂ quantum-well structures grown on metal (CoSi₂) Layer 国際会議

Junya Denda, Kazuya Uryu, Masahiro Watanabe

The 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2012), PS-9-6 2012年9月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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Pulsed operation of resistance switching memory of Si/CaF₂/CdF₂ resonant-tunneling quantum-well structures 国際会議

Junya Denda, Keita Suda, Yuya Kuwata, Masahiro Watanabe

The 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2013), A-8-4 2013年9月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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Near-infrared Electroluminescence from Multilayered CdF₂/CaF₂ Quantum Heterostructure Grown on Trench-Patterned Si(111) Substrate

3rd IEEE International Conference of GroupIV Photonics, P29 2006年

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Si基板上(CdF₂/CaF₂)サブバンド間遷移レーザ構造のEL発光特性(光・電子ナノデバイス)

自念圭輔, 菊池毅, 内田薫, 小平新志, 渡辺正裕, 浅田雅洋

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 2006年1月

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記述言語：日本語

弗化カルシウム(CdF₂)、弗化カドミウム(CdF₂)はシリコン(Si)基板上にエピタキシャル成長可能であり、これを用いた共鳴トンネルダイオード(RTD)やサブバンド間遷移(ISBT)を用いた光デバイスは、高速・高機能な量子効果デバイスを構成する材料系として有望である。CdF₂/CaF₂ヘテロ界面には?2.9eVの伝導体バンド不連続があるため、従来のサブバンド間遷移レーザでは不可能であった近赤外領域での発光が期待できる。我々は(CdF₂/CaF₂)を活性層に用いたサブバンド間遷移レーザ(量子カスケードレーザ)を提案し、しきい値電流密度の解析及び作製した(CdF₂/CaF₂)活性層からEL発光を観測した。本報告では、CdF₂/CaF₂サブバンド間遷移レーザ構造からのEL発光特性について述べる。

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ナノ領域成長を用いたSi(100)基板上弗化物系共鳴トンネルダイオード(光・電子ナノデバイス)

金澤徹, 諸澤篤史, 藤井諒, 和田宇史, 渡辺正裕, 浅田雅洋

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 2006年1月

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記述言語：日本語

共鳴トンネルダイオード(RTD)は強い非線形性と高速動作性から高周波回路・高機能論理回路への応用が期待されている。CaF₂/CdF₂ヘテロ構造は2.3eV以上の大きな伝導帯バンド不連続をもちシリコン基板上にエピタキシャル成長が可能な材料であり、Si-LSIとRTDとの集積化の実現へ向けて大ききな可能性を持った材料である。Si-LSIとの集積化を行うためにはSi(100)基板上へのヘテロ構造形成が必要となるが、(111)面に比べ良好な結晶性が得にくくPVCRが小さいという問題があった。今回CaF₂障壁層のアニールとナノ領域成長を併用することで10^6という(111)と同等の大きなPVCRを得ることができた。

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ナノ領域成長を用いたSi(100)基板上弗化物系共鳴トンネルダイオード(光・電子ナノデバイス)

金澤徹, 諸澤篤史, 藤井諒, 和田宇史, 渡辺正裕, 浅田雅洋

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 2006年1月

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記述言語：日本語

共鳴トンネルダイオード(RTD)は強い非線形性と高速動作性から高周波回路・高機能論理回路への応用が期待されている。CaF₂/CdF₂ヘテロ構造は2.3eV以上の大きな伝導帯バンド不連続をもちシリコン基板上にエピタキシャル成長が可能な材料であり、Si-LSIとRTDとの集積化の実現へ向けて大ききな可能性を持った材料である。Si-LSIとの集積化を行うためにはSi(100)基板上へのヘテロ構造形成が必要となるが、(111)面に比べ良好な結晶性が得にくくPVCRが小さいという問題があった。今回CaF₂障壁層のアニールとナノ領域成長を併用することで10^6という(111)と同等の大きなPVCRを得ることができた。

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Si基板上(CdF₂/CaF₂)サブバンド間遷移レーザ構造のEL発光特性(光・電子ナノデバイス)

自念圭輔, 菊池毅, 内田薫, 小平新志, 渡辺正裕, 浅田雅洋

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 2006年1月

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記述言語：日本語

弗化カルシウム(CdF₂)、弗化カドミウム(CdF₂)はシリコン(Si)基板上にエピタキシャル成長可能であり、これを用いた共鳴トンネルダイオード(RTD)やサブバンド間遷移(ISBT)を用いた光デバイスは、高速・高機能な量子効果デバイスを構成する材料系として有望である。CdF₂/CaF₂ヘテロ界面には?2.9eVの伝導体バンド不連続があるため、従来のサブバンド間遷移レーザでは不可能であった近赤外領域での発光が期待できる。我々は(CdF₂/CaF₂)を活性層に用いたサブバンド間遷移レーザ(量子カスケードレーザ)を提案し、しきい値電流密度の解析及び作製した(CdF₂/CaF₂)活性層からEL発光を観測した。本報告では、CdF₂/CaF₂サブバンド間遷移レーザ構造からのEL発光特性について述べる。

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Mid-infrared (～4μm) Electroluminescence from CdF₂/CaF₂ Intersubband transition structures grown on Si(111) substrate 国際会議

H. Sano, K. Jinen, S. Kodaira, K. Uchida, M. Kumei, Y. Fujihisa, M. Watanabe, M. Asada

15th International Conference on Nonequilibrium carrier Dynamics in Semiconductors (HCIS15), MoP-31 2007年

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記述言語：英語会議種別：ポスター発表

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Si基板上弗化物系サブバンド間遷移レーザの理論解析

自念圭輔, 内田薫, 小平新志, 渡辺正裕, 浅田雅洋

電子情報通信学会技術研究報告. ITS 2007年2月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

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Si基板上弗化物系サブバンド間遷移レーザの理論解析(シリコン系量子効果デバイス,量子効果デバイス及び関連技術)

自念圭輔, 内田薫, 小平新志, 渡辺正裕, 浅田雅洋

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 2007年1月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

弗化物系ヘテロ構造CdF₂/CaF₂はSi基板上にエピタキシャル成長可能であり、伝導帯バンド不連続が非常に大きいため、Si基板上サブバンド間遷移光デバイス実現へ向け非常に有望な材料系である。今回、この材料系を用いたサブバンド間遷移レーザ構造を具体的に考案し、理論解析によりレーザのしきい値電流密度を計算した。低温におけるしきい値電流密度は、活性層の周期数が約10周期以上で5kA/cm^2以下となった。

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Fabrication and Characterization of CdF₂/CaF₂ Resonant Tunneling Floating Gate Metal-oxide-semiconductor Field Effect Transistor Structures 国際会議

Masahiro Watanabe, Takafumi Wada

The 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2008), H-9-3 2008年9月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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Feasibility study of CdF₂/CaF₂ intersubband transition lasers

Masahiro Watanabe, Naoto, Sakamaki, Tatsuya Ishikawa

The 4th Pacific Rim Conference on Lasers and Electro-Optics, WC1-5, Chiba Japan. 2001年

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Fine-Area Epitaxy of CdF₂/CaF₂ Resonant Tunneling Diode on Si

Masahiro Watanabe, Naoto, Sakamaki, Tatsuya Ishikawa

the First International Workshop on Quantum Nonplanar Nanostructureｓ & Nanoelectronics '01 (QNN '01), TuP-29, Tsukuba, Japan 2001年

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Si(111)上CdF₂-CaF₂二重障壁共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性

渡辺正裕, 舟山敏之, 寺地耐志, 酒巻直人

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 2000年6月

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記述言語：英語

シリコン基板上にエピタキシャル成長可能な弗化物系絶縁体弗化カルシウム(CaF₂)及び弗化カドミウム(CdF₂)を用いたヘテロ接合は、その接合界面に2.9eVの伝導帯バンド不連続を有するため、これらの材料で構成した薄膜超格子を用いると、室温においても極めて顕著な微分負性抵抗を示す共鳴トンネルデバイスの実現が期待される。今回我々は、リーク電流抑制のため、CaF₂薄膜のピンホール密度を低減させるための結晶成長技術の改善を行い、CdF₂-CaF₂二重障壁共鳴トンネルダイオード(DBRTD)を用いた微分負性抵抗特性の評価を行ったところ、室温で10^5を超えるPeak to valley ratio (PVR)を得たので報告する。

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CaF₂/CdF₂ Resonant Tunneling Devices with High Peak-to-Valley Ratio on Silicon Substrate (Invited)

Masahiro Watanabe, Masahiro Asada

Frontier Science Research Conference, Science and Technology of Silicon Materials, S-II, La Jolla/CA, U.S.A. 2001年

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エピタキシャルCaF₂を用いたMIS電子トンネルエミッタのエミッション電流安定化およびta-Cによる電子放出閾価電圧の低下

大島一好, 宮本恭幸, 斎藤渉, 丸山武男, 渡辺正裕

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 1998年12月

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記述言語：日本語

ホットエレクトロントランジスタと類似した構造で、低電圧動作、高効率の期待できるMIS電子トンネルエミッタとして、エピタキシャルCaF₂を絶縁体とし表面を低仕事関数のテトラヘドラルスペースアモルファスカーボン(ta-C)で終端させたn-Si/CaF₂/PtSi/Pt/ta-c構造のMIS電子トンネルエミッタの研究を行った。まず、n-Si/CaF₂/PtSi/Pt構造のMIS電子トンネルエミッタを作製した。CaF₂と金属層との密着性を向上させることによりフィラメントの形成を抑制出来、素子の大気放出の前後で安定したエミッション電流を観測できた。次にこの素子上にta-Cを成膜したところ, 成膜直後の測定のみ電子放出が低印可電圧で観測出来たが、その後は成膜前の特性に戻った。

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Visible Electroluminescence from Silicon Nanocrystals Embedded in CaF₂ Epilayers on Si(111) with Rapid Thermal Anneal

MARUYAMA Takeo, NAKAMURA Naoto, WATANABE Masahiro

Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials 1999年9月

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記述言語：英語

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Si基板上Si/CdF₂量子井戸構造を用いた電界効果型量子効果デバイス

齋藤渉, 筒井将史, 青木雄一, 山崎克之, 西山淳, 渡辺正裕, 浅田雅洋

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 1997年4月

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記述言語：日本語

Si基板上に結晶成長が可能な金属/絶縁体(CoSi₂、CdF₂、CaF₂)ヘテロ構造の組み合わせを用いて、極微細化が可能な電界制御型量子効果デバイスの提案と理論解析を行った。量子効果デバイスの基本構造となるトンネル電界効果型トランジスタの解析を行ない、チャネル長5nmにおいても飽和型電流電圧特性となること、および遮断周波数1THz程度が見積られた。このトランジスタ構造に、電子波の結合導波路と電子の伝播を制御するゲート構造を加えたデバイスの提案と解析を行ない、ゲート長40nmにおいて複数の微分負性抵抗特性を有する特性が得られた。これらのデバイスの実現のために、Si/CdF₂/CaF₂ヘテロ構造をSi基板上に結晶成長行ない、CdF₂上における0.9nm以上のSiは2段階成長を行なう事により平坦な単結晶成長が可能な事を示した。

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Si基板上Si/CdF₂量子井戸構造を用いた電界効果型量子効果デバイス

齋藤渉, 筒井将史, 青木雄一, 山崎克之, 西山淳, 渡辺正裕, 浅田雅洋

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 1997年4月

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記述言語：日本語

Si基板上に結晶成長が可能な金属/絶縁体(CoSi₂、CdF₂、CaF₂)ヘテロ構造の組み合わせを用いて、極微細化が可能な電界制御型量子効果デバイスの提案と理論解析を行った。量子効果デバイスの基本構造となるトンネル電界効果型トランジスタの解析を行ない、チャネル長5nmにおいても飽和型電流電圧特性となること、および遮断周波数1THz程度が見積られた。このトランジスタ構造に、電子波の結合導波路と電子の伝播を制御するゲート構造を加えたデバイスの提案と解析を行ない、ゲート長40nmにおいて複数の微分負性抵抗特性を有する特性が得られた。これらのデバイスの実現のために、Si/CdF₂/CaF₂ヘテロ構造をSi基板上に結晶成長行ない、CdF₂上における0.9nm以上のSiは2段階成長を行なう事により平坦な単結晶成長が可能な事を示した。

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ED2000-56 / SDM2000-56 Si(111)上CdF₂-CaF₂二重障壁共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性

渡辺正裕, 舟山敏之, 寺地耐志, 酒巻直人

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 2000年6月

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記述言語：英語

シリコン基板上にエピタキシャル成長可能な弗化物系絶縁体弗化カルシウム(CaF₂)及び弗化カドミウム(CdF₂)を用いたヘテロ接合は、その接合界面に2.9eVの伝導帯バンド不連続を有するため、これらの材料で構成した薄膜超格子を用いると、室温においても極めて顕著な微分負性抵抗を示す共鳴トンネルデバイスの実現が期待される。今回我々は、リーク電流抑制のため、CaF₂薄膜のピンホール密度を低減させるための結晶成長技術の改善を行い、CdF₂-CaF₂二重障壁共鳴トンネルダイオード(DBRTD)を用いた微分負性抵抗特性の評価を行ったところ、室温で10^5を超えるPeak to valley ratio(PVR)を得たので報告する。

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Si-CaF₂及びCdF₂-CaF₂ヘテロ接合を用いたシリコン基板上共鳴トンネルダイオード

渡辺正裕, 筒井将史, 浅田雅洋

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 2000年2月

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記述言語：日本語

シリコン基板上にエピタキシャル成長可能な弗化物系絶縁体弗化カルシウム(CaF₂)及び弗化カドミウム(CdF₂)を用いたヘテロ接合は、その接合界面に2.9eVの伝導帯バンド不連続を有するため、これらの材料で構成した薄膜超格子を用いると、室温においても極めて顕著な微分負性抵抗を示す共鳴トンネルデバイスの実現が期待される。今回我々は、リーク電流抑制のため、CaF₂薄膜のピンホール密度を低減させるための結晶成長技術の改善を行い、Si-CaF₂及びCdF₂CaF₂二重障壁共鳴トンネルダイオード(DBRTD)を用いた微分負性抵抗特性の評価を行ったところ、特にCaF₂-CdF₂RTDにおいて、室温で10^5を超えるPeak to valley ratio(PVR)を得たので報告する。

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Si-CaF₂及びCdF₂-CaF₂ヘテロ接合を用いたシリコン基板上共鳴トンネルダイオード

渡辺正裕, 筒井将史, 浅田雅洋

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 2000年2月

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記述言語：日本語

シリコン基板上にエピタキシャル成長可能な弗化物系絶縁体弗化カルシウム(CaF₂)及び弗化カドミウム(CdF₂)を用いたヘテロ接合は、その接合界面に2.9eVの伝導帯バンド不連続を有するため、これらの材料で構成した薄膜超格子を用いると、室温においても極めて顕著な微分負性抵抗を示す共鳴トンネルデバイスの実現が期待される。今回我々は、リーク電流抑制のため、CaF₂薄膜のピンホール密度を低減させるための結晶成長技術の改善を行い、Si-CaF₂及びCdF₂-CaF₂二重障壁共鳴トンネルダイオード(DBRTD)を用いた微分負性抵抗特性の評価を行ったところ、特にCaF₂-CdF₂RTDにおいて、室温で10^5を越える Peak to valley ratio(PVR)を得たので報告する。

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金属(CoSi₂)/絶縁体(CaF₂)/Siヘテロ接合量子効果デバイス

浅田雅洋, 渡辺正裕, 末益崇, 河野義史, 斎藤渉, 森郁

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 1996年4月

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記述言語：日本語

Si(111)基板上に金属(CoSi₂)/絶縁体(CaF₂)極薄膜ヘテロ構造のエピタキシャル成長を行い、量子効果デバイスを作製した。結晶成長は、CaF₂上のCoSi₂に対してはSi層をエピタキシャル成長した後にCoの落着と室温固相成長を用いる2段階成長法、CoSi₂上のCaF₂に対してはCaF₂ビームのイオン化加速による450℃の低温成長により行った。この多層構造を用いて共鳴トンネルトランジスタを作製し、室温においてピークバレー比約19の微分負性抵抗を有するトランジスタ動作を達成した。また、金属層に挟まれた絶縁層の伝導帯におけるホットエレクトロンの干渉を用いた量子干渉トランジスタを作製し、室温において干渉による多重微分負性抵抗特性を観測した。最後に、入力インピーダンスの点で回路構成に有利な電界制御型量子効果デバイスの基礎となる素子として、CoSi₂/CaF₂/CdF₂/Siヘテロ構造による短チャネルトンネルトランジスタの提案と動作解析について示す。

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シリコン基板上に形成した金属/絶縁体量子効果デバイス

浅田雅洋, 渡辺正裕, 齋藤渉, 森郁, 河野義史

電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 1996年9月

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記述言語：日本語

金属/絶縁体ヘテロ構造を用いた量子効果デバイスは、ヘテロ界面の非常に大きなバンド不連続(?10_eV)による顕著な量子効果や金属の高キャリア濃度と絶縁体の低誘電率を利用できることから、高速・多機能デバイスの可能性を持つ。我々はSi基板とほぼ格子整合する材料系として金属にCoSi₂、絶縁体にCaF₂を選択し、金属/絶縁体超格子のエピタキシャル成長を達成し、この系を用いて共鳴トンネルトランジスタなどの量子効果デバイスの動作を実証してきた。本報告では、Si基板上への金属(CoSi₂)/絶縁体(CaF₂)共鳴トンネルトランジスタおよび量子干渉トランジスタの形成と室温動作について述べる。

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金属(CoSi₂)/絶縁体(CaF₂)共鳴トンネルホットエレクトロントランジスタの等価回路モデルによる特性評価

齋藤渉, 末益崇, 河野義史, 漉辺正裕, 浅田雅洋

電子情報通信学会秋季大会講演論文集 1994年9月

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記述言語：日本語

金属/絶縁体ヘテロ構造は、金属の高キャリア濃度及び絶縁体の低い誘電率といった高速電子デバイスの材料としての可能性を持ち、また、ヘテロ界面での大きな伝導体バンド不連続(10eV)により、半導体に比べ顕著な量子干渉効果が期待されることから、我々は量子干渉を用いた超高速電子デバイスを提案するとともに、単結晶成長技術を確立し、これまでに共鳴トンネルダイオード、共鳴トンネルトランジスタの動作を確認し、さらにコレクタ障壁(OaF_2)の伝導体での共鳴現象によりコレクタ電流が複数の微分負性抵抗を持つ共鳴トンネルホットエレクトロントランジスタの作製を行った。作製したトランジスタは理論特性と異なり、微分負性抵抗のP/V比が小さく、コレクタ電圧の高い領域でしか発生しなかった。本報告では、作製したトランジスタを理想的な素子と寄生素子を組み合わせた等価回路に見立てて、この等価回路の特性を評価することにより寄生素子の見積もりとその影響を

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Near-infrared Electroluminescence from Multilayered CdF₂/CaF₂ Quantum Heterostructure Grown on Trench-Patterned Si(111) Substrate

3rd IEEE International Conference of GroupIV Photonics, P29 2006年

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ローカルエピタキシー法によるCoSi₂/CaF₂三重障壁共鳴トンネルダイオードの微分負性抵抗特性(量子効果デバイス及び関連技術)

渡辺正裕, 田村信平, 金澤徹, 自念圭輔, 浅田雅洋

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 2005年1月

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記述言語：日本語

シリコン基板上にエピタキシャル成長可能な弗化物系絶縁物弗化カルシウム(CaF₂)とシリサド系金属コバルトシリサイド(CoSi₂)を組み合わせたヘテロ量子構造は、共鳴トンネルやサブバンドを利用し、なおかつ、室温で動作可能な量子効果機能素子の材料系として魅力的である。CoSi₂/CaF₂の接合界面には大きな伝導帯バンド不連続(&acd;3eV相当)があるため、本材料構成で共鳴トンネルダイオードを構成すると、室温においても極めて顕著な微分負性抵抗が期待できる。近年、著者らは弗化物ヘテロ構造の精密結晶成長法として、100nm以下の微小孔中にエピタキシャル成長を行うローカルエピタキシー法を提案し、CdF₂/CaF₂共鳴トンネルダイオードの微分負性抵抗の精密制御を達成してきたが、今回、本手法をCoSi₂/CaF₂ヘテロ構造に適用し、三重障壁共鳴トンネルダイオード構造を作製・評価したところ、室温におけるpeak to valley比の大幅な改善が見られたので報告する。

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ローカルエピタキシー法によるCoSi₂/CaF₂三重障壁共鳴トンネルダイオードの微分負性抵抗特性(量子効果デバイス及び関連技術)

渡辺正裕, 田村信平, 金澤徹, 自念圭輔, 浅田雅洋

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 2005年1月

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記述言語：日本語

シリコン基板上にエピタキシャル成長可能な弗化物系絶縁物弗化カルシウム(CaF₂)とシリサド系金属コバルトシリサイド(CoSi₂)を組み合わせたヘテロ量子構造は、共鳴トンネルやサブバンドを利用し、なおかつ、室温で動作可能な量子効果機能素子の材料系として魅力的である。CoSi₂/CaF₂の接合界面には大きな伝導帯バンド不連続(&acd;3eV相当)があるため、本材料構成で共鳴トンネルダイオードを構成すると、室温においても極めて顕著な微分負性抵抗が期待できる。近年、著者らは弗化物ヘテロ構造の精密結晶成長法として、100nm以下の微小孔中にエピタキシャル成長を行うローカルエピタキシー法を提案し、CdF₂/CaF₂共鳴トンネルダイオードの微分負性抵抗の精密制御を達成してきたが、今回、本手法をCoSi₂/CaF₂ヘテロ構造に適用し、三重障壁共鳴トンネルダイオード構造を作製・評価したところ、室温におけるpeak to valley比の大幅な改善が見られたので報告する。

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Room temperature electroluminescence of CdF₂/CaF₂ intersubband transition laser structures grown on Si substrate

2005 International conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2005),G-4-3 2005年

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Optically pumped ultraviolet lasing of BeMgZnSe based quantum well laser structures

12th International Conference on II-VI Compounds 2005年

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Si(100)基板上に形成されたCdF₂/CaF₂超ヘテロ構造による共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性(量子効果デバイス及び関連技術)

渡辺正裕, 金澤徹, 自念圭輔, 浅田雅洋

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 2004年1月

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記述言語：日本語

シリコン基板上にエピタキシャル成長可能な弗化物系絶縁物CdF₂/CaF₂超ヘテロ構造は、共鳴トンネル伝導やサブバンド間光-電子相互作用を基本原理とし、室温で動作可能な量子効果機能素子の材料系として有望である。 CdF₂/CaF₂の接合界面には大きな(?2.9eV)の伝導帯バンド不連続があるため、本材料構成で共鳴トンネルダイオードを構成すると、室温においても極めて顕著な微分負性抵抗が期待できる。これまで、基板面方位としてはシリコン(111)基板が選択されることが多く、主に表面エネルギーの観点からSi(100)基板は弗化物系材料の薄膜エピタキシャル成長に不利とされてきたが、近年、著者らは、水素終端化処理や傾斜基板のステップ制御を導入することにより、Si(100)基板上にCdF₂/CaF₂量子構造が形成可能であることを見出した。本報告では、Si(100) 2°off基板上に形成した2重障壁共鳴トンネルダイオード構造の結晶成長と、その室温微分負性特性、および、その量子井戸層厚依存性

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Optically pumped ultraviolet lasing of BeMgZnSe based quantum well laser structures

12th International Conference on II-VI Compounds 2005年

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High peak-to-valley current ratio of CdF₂/CaF₂ resonant tunneling diode grown on Si(100) substrates,

2005 International conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2005),G-1-7 2005年

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High peak-to-valley current ratio of CdF₂/CaF₂ resonant tunneling diode grown on Si(100) substrates,

2005 International conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2005),G-1-7 2005年

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Room temperature electroluminescence of CdF₂/CaF₂ intersubband transition laser structures grown on Si substrate

2005 International conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2005),G-4-3 2005年

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Negative Differential Resistance of CdF₂/CaF₂ Resonant Tunneling Diode Grown on Si(100) Substrate,

2004 Silicon Nanoelectronics Workshop 2004年

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Si(100)基板上に形成されたCdF₂/CaF₂超ヘテロ構造による共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性(量子効果デバイス及び関連技術)

渡辺正裕, 金澤徹, 自念圭輔, 浅田雅洋

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 2004年1月

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記述言語：日本語

シリコン基板上にエピタキシャル成長可能な弗化物系絶縁物CdF₂/CaF₂,超ヘテロ構造は、共鳴トンネル伝導やサブバンド間光一電子相互作用を基本原理とし、室温で動作可能な量子効果機能素子の材料系として有望である。CdF₂/CaF₂の接合界面には大きな(?2.9eV)の伝導帯バンド不連続があるため、本材料構成で共鳴トンネルダイオードを構成すると、室温においても極めて顕著な微分負性抵抗が期待できる。これまで、基板面方位としてはシリコン(111)基板が選択されることが多く、主に表面エネルギーの観点からSi(100)基板は弗化物系材料の薄膜エピタキシャル成長に不利とされてきたが、近年、著者らは、水素終端化処理や傾斜基板のステップ制御を導入することにより、Si(100)基板上にCdF₂/CaF₂量子構造が形成可能であることを見出した。本報告では、Si(100)2° off 基板上に形成した2重障壁共鳴トンネルダイオード構造の結晶成長と、その室温微分負性特性、および、その量子井戸層厚依存

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ローカルエピタキシー法により形成されたシリコン基板上CdF₂/CaF₂共鳴トンネルダイオード微分負性抵抗特性の構造依存性

渡辺正裕, 松田克己, 藤岡裕智, 金澤徹, 浅田雅洋

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 2003年2月

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記述言語：日本語

本研究では、共鳴トンネル伝導やサブバンド間光-電子相互作用を基本原理とし、室温で動作可能な量子効果機能素子の材料系としてシリコン基板上にエピタキシャル成長可能な弗化物系絶縁物CdF₂/CaF₂超ヘテロ構造に注目し、その結晶成長技術の開発と量子機能制御に関する研究を行ってきた。CdF₂/CaF₂の接合界面には大きな(?2.9eV)の伝導帯バンド不連続があるため、本材料構成で共鳴トンネルダイオードを構成すると、室温においても極めて顕著な微分負性抵抗が期待できる。特に本研究では、量子機能制御に必要不可欠な数原子層オーダーの層厚制御性と、結晶欠陥を究極的に抑制した完全ヘテロ結晶を実現するための基本コンセプトとして、結晶成長領域を相互作用のない境界でナノサイズに限定するナノエリア・ローカルエピタキシー法を提案し、これまでに2重障壁共鳴トンネルダイオード構造において顕著な室温微分負性特性の制御性向上効果を確認した。今回、本手法を用い

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Negative Differential Resistance of CdF₂/CaF₂ Resonant Tunneling Diode Grown on Si(100) Substrate,

2004 Silicon Nanoelectronics Workshop 2004年

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Memory Effect of CdF₂/CaF₂ Resonant Tunneling Diode grown on p-type Silicon Substrate

The 11th International Conference on Modulated Semiconductor Structures -MSS11- 2003年

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会議種別：ポスター発表

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Structure Dependence of Negative Differential Resistance Characteristics of CdF₂/CaF₂ Resonant Tunneling Diode grown by Local Epitaxy on Silicon 国際会議

Masahiro Watanabe, Masaki Matsuda Hirotoshi, Fujioka Tohru Kanazawa, Masahiro Asada

2003 Silicon Nanoelectronics Workshop, 8-07 2003年

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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Structure Dependence of Negative Differential Resistance Characteristics of CdF2/CaF2 Resonant Tunneling Diode grown by Local Epitaxy on Silicon

Masahiro Watanabe, Masaki Matsuda Hirotoshi, Fujioka Tohru Kanazawa, Masahiro Asada

2003 Silicon Nanoelectronics Workshop, 8-07 2003年

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記述言語：英語

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ローカルエピタキシー法により形成されたシリコン基板上CdF₂/CaF₂共鳴トンネルダイオード微分負性抵抗特性の構造依存性

渡辺正裕, 松田克己, 藤岡裕智, 金澤徹, 浅田雅洋

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 2003年2月

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記述言語：日本語

本研究では、共鳴トンネル伝導やサブバンド間光-電子相互作用を基本原理とし、室温で動作可能な量子効果機能素子の材料系としてシリコン基板上にエピタキシャル成長可能な弗化物系絶縁物CdF₂/CaF₂超ヘテロ構造に注目し、その結晶成長技術の開発と量子機能制御に関する研究を行ってきた。CdF₂/CaF₂の接合界面には大きな(?2.9eV)の伝導帯バンド不連続があるため、本材料構成で共鳴トンネルダイオードを構成すると、室温においても極めて顕著な微分負性抵抗が期待できる。特に本研究では、量子機能制御に必要不可欠な数原子層オーダーの層厚制御性と、結晶欠陥を究極的に抑制した完全ヘテロ結晶を実現するための基本コンセプトとして、結晶成長領域を相互作用のない境界でナノサイズに限定するナノエリア・ローカルエピタキシー法を提案し、これまでに2重障壁共鳴トンネルダイオード構造において顕著な室温微分負性特性の制御性向上効果を確認した。今回、本手法を用い

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Memory Effect of CdF₂/CaF₂ Resonant Tunneling Diode grown on p-type Silicon Substrate

The 11th International Conference on Modulated Semiconductor Structures -MSS11- 2003年

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会議種別：ポスター発表

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Crystal Growth of High-Mg-Content BeMgZnSe Lattice Matched to GaP(001) Substrate Using BeZnSe Buffer Layer

Y. Niiyama, T. Yokoyama, M. Watanabe

First Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors, P118 2003年

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記述言語：英語

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Room Temperature Negative Differential Resistance of CdF₂/CaF₂ Resonant Tunneling Diode grown on Si using Nanoarea Local Epitaxy

Masahiro Watanabe, Tatsuya Ishikawa, Masaki Matsuda Tohru Kanazawa, Masahiro Asada

26th International Conference on the Physics of Semiconductors, P157 2002年

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記述言語：英語

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ナノ領域成長によるSi(111)及びSi(100)基板上CdF₂/CaF₂共鳴トンネルダイオード

渡辺正裕, 石川達也, 松田克己, 金澤徹, 浅田雅洋

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 2002年1月

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記述言語：日本語

シリコン基板上に積層エピタキシャル成長可能な弗化物系絶縁体弗化カルシウム(CaF₂)と弗化カドミウム(CdF₂)を用いたヘテロ接合は、その接合界面に大きな(?2.9eV)の伝導帯バンド不連続を有するため、これらの材料で構成した薄膜超格子を用いると、室温においても極めて顕著な微分負性抵抗を示す共鳴トンネルデバイスの実現が期待される。今回我々は、CdF₂/CaF₂ヘテロ構造の結晶成長を原子層厚レベルで制御するため、結晶成長領域を100nm程度の微細な領域に限定するナノ領域エピタキシーを提案し、CdF₂-CaF₂二重障壁共鳴トンネルダイオード(DBRTD)の微分負性抵抗特性評価を行った。また、この方法を適用してシリコン(100)基板上に作成したCdF₂/CaF₂RTDにおいて、はじめて室温微分負性抵抗特性を観測したので報告する。

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Room Temperature Negative Differential Resistance of CdF₂/CaF₂ Resonant Tunneling Diode grown on Si(100) substrate using Nanoarea Local Epitaxy

Masahiro Watanabe, Tatsuya Ishikawa, Masaki Matsuda Tohru Kanazawa, Masahiro Asada

44th 2002 Electronic Materials Conference, Z5 2002年

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Systematic variation of negative differential resistance characteristics of CdF₂/CaF₂ Resonant Tunneling Diode on Si(111) grown by Nanoarea Local Epitaxy

Masahiro Watanabe, Tatsuya, Ishikawa Masahiro, Matsuda Tohru Kanazawa, Masahiro Asada

The Second International Workshop on Quantum Nonplanar Nanostructures & Nanoelectronics '02 (QNN '02), Tu4-3 2002年

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記述言語：英語

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ナノ領域成長によるSi(111)及びSi(100)基板上CdF₂/CaF₂共鳴トンネルダイオード

渡辺正裕, 石川達也, 松田克己, 金澤徹, 浅田雅洋

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 2002年1月

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記述言語：日本語

シリコン基板上に積層エピタキシャル成長可能な弗化物系絶縁体弗化カルシウム(CaF₂)と弗化カドミウム(CdF₂)を用いたへテロ接合は、その接合界面に大きな(?2.9eV)の伝導帯バンド不連続を有するため、これらの材料で構成した薄膜超格子を用いると、室温においても極めて顕著な微分負性抵抗を示す共鳴トンネルデバイスの実現が期待される。今回我々は、CdF₂/CaF₂ヘテロ構造の結晶成長を原子層厚レベルで制御するため、結晶成長領域を100nm程度の微細な領域に限定するナノ領域エピタキシーを提案し、CdF₂-CaF₂二重障壁共鳴トンネルダイオード(DBRTD)の微分負性抵抗特性評価を行った。また、この方法を適用してシリコン(100)基板上に作成したCdF₂/CaF₂RTDにおいて、はじめて室温微分負性抵抗特性を観測したので報告する。

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Epitaxial growth of BeZnSe on CaF₂/Si(111) substrate

Takeo Maruyama, Naoto Nakamura, Masahiro Watanabe

43rd 2001 Electronic Materials Conference, Y3, Notre Dame, U.S.A. 2001年

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記述言語：英語

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Systematic variation of negative differential resistance characteristics of CdF₂/CaF₂ Resonant Tunneling Diode on Si(111) grown by Nanoarea Local Epitaxy

Masahiro Watanabe, Tatsuya, Ishikawa Masahiro, Matsuda Tohru Kanazawa, Masahiro Asada

The Second International Workshop on Quantum Nonplanar Nanostructures & Nanoelectronics '02 (QNN '02), Tu4-3 2002年

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Room Temperature Negative Differential Resistance of CdF₂/CaF₂ Resonant Tunneling Diode grown on Si using Nanoarea Local Epitaxy

Masahiro Watanabe, Tatsuya Ishikawa, Masaki Matsuda Tohru Kanazawa, Masahiro Asada

26th International Conference on the Physics of Semiconductors, P157 2002年

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Selective growth of CdF₂/CaF₂ resonant tunneling diode nanostructure on Si

Masahiro Watanabe, Naoto, Sakamaki, Tatsuya Ishikawa, Daisuke Okamoto

43rd 2001 Electronic Materials Conference, Y4, Notre Dame, U.S.A. 2001年

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記述言語：英語

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Room Temperature Negative Differential Resistance with High Peak-to-Valley Crrent Ratio of CdF₂/CaF₂ Resonant Tunneling Diode on Silicon

Masahiro Watanabe, Naoto, Sakamaki, Tatsuya Ishikawa

Thirteenth International Conference on Indiumu Phosphide and Related Materials (IPRM'01), WP-30, Nara, Japan 2001年

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記述言語：英語

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Room Temperature Negative Differential Resistance with High Peak-to-Valley Crrent Ratio of CdF₂/CaF₂ Resonant Tunneling Diode on Silicon

Masahiro Watanabe, Naoto, Sakamaki, Tatsuya Ishikawa

Thirteenth International Conference on Indiumu Phosphide and Related Materials (IPRM'01), WP-30, Nara, Japan 2001年

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CaF₂/CdF₂ Resonant Tunneling Devices with High Peak-to-Valley Ratio on Silicon Substrate (Invited) 招待

Masahiro Watanabe, Masahiro Asada

Frontier Science Research Conference, Science and Technology of Silicon Materials, S-II, La Jolla/CA, U.S.A. 2001年

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記述言語：英語

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Epitaxial growth of BeZnSe on CaF₂/Si(111) substrate

Takeo Maruyama, Naoto Nakamura, Masahiro Watanabe

43rd 2001 Electronic Materials Conference, Y3, Notre Dame, U.S.A. 2001年

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Selective growth of CdF₂/CaF₂ resonant tunneling diode nanostructure on Si

Masahiro Watanabe, Naoto, Sakamaki, Tatsuya Ishikawa, Daisuke Okamoto

43rd 2001 Electronic Materials Conference, Y4, Notre Dame, U.S.A. 2001年

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Feasibility study of CdF₂/CaF₂ intersubband transition lasers

Masahiro Watanabe, Naoto, Sakamaki, Tatsuya Ishikawa

The 4th Pacific Rim Conference on Lasers and Electro-Optics, WC1-5, Chiba Japan. 2001年

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記述言語：英語

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Fine-Area Epitaxy of CdF₂/CaF₂ Resonant Tunneling Diode on Si

Masahiro Watanabe, Naoto, Sakamaki, Tatsuya Ishikawa

the First International Workshop on Quantum Nonplanar Nanostructureｓ & Nanoelectronics '01 (QNN '01), TuP-29, Tsukuba, Japan 2001年

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記述言語：英語

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Si (100)基板上CdF₂/CaF₂ナノ領域成長共鳴トンネルダイオードのI-V特性制御

金澤徹, 藤井諒, 和田宇史, 鈴木雄介渡辺正裕, 浅田雅洋

第67回応用物理学会学術講演会, 30p-RE-14 2006年8月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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(CdF₂/CaF₂)量子構造におけるサブバンド間遷移時間の理論解析

自念圭輔, 内田薫, 小平新志, 粂井正也, 佐野洋, 渡辺正裕, 浅田雅洋

第67回応用物理学会学術講演会, 30p-RE-17 2006年8月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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Si(111)基板上CdF₂/CaF₂量子へテロ構造からの中赤外(～4μm) EL発光

佐野洋, 自念圭輔, 内田薫, 小平新志, 粂井正也, 藤久雄己, 渡辺正裕, 浅田雅洋

第54回応用物理学会関係連合講演会, 29p-T-19 2007年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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Si基板上CdF₂/CaF₂サブバンド間遷移レーザに向けたナノエリア微小孔によるリーク電流低減

藤久雄己, 粂井正也, 梶浦俊祐, 佐々木雄祐, 渡辺正裕, 浅田雅洋

第68回応用物理学会学術講演会, 5a-N-5 2007年9月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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CdF₂/CaF₂共鳴トンネルゲート構造を用いた3端子集積デバイスの作製と評価

和田宇史, 鈴木雄介, 平澤亮, 渡辺正裕

第55回応用物理学会関係連合講演会, 30p-E-2 2008年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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シリコン／弗化物共鳴トンネル構造を用いた抵抗スイッチング素子の特性評価

平澤亮, 仲正路友康, 渡辺正裕

第56回応用物理学会関係連合講演会, 30a-ZB-5 2009年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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エピタキシャルCaF₂/Si量子ドット構造の光電流測定

大木洋, 渡辺正裕

第57回応用物理学会関係連合講演会, 20a-TG-10 2010年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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シリコン／弗化物共鳴トンネル構造を用いた抵抗スイッチング素子の低電圧化

仲正路友康, 土屋和哉, 渡辺正裕

第71回応用物理学会学術講演会, 16a-NC-1 2010年9月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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Si基板上(CdF₂/CaF₂)量子ヘテロ構造のEL発光特性

自念圭輔, 菊池毅, 渡辺正裕, 浅田雅洋

第66回応用物理学会学術講演会, 9a-W-6 2005年9月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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Si(100)基板上CaF₂/CdF₂/CaF₂量子井戸構造の成長温度依存性

金澤徹, 諸澤篤志, 藤井諒, 和田宇史, 渡辺正裕, 浅田雅洋

第66回応用物理学会学術講演会, 9a-W-5 2005年9月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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Si基板上フッ化物系サブバンド間遷移レーザに向けた基板表面制御

小平新志, 自念圭輔, 内田薫, 粂井正也, 佐野洋, 渡辺正裕, 浅田雅洋

第67回応用物理学会学術講演会, 30p-RE-15 2006年8月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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弗化物系サブバンド間遷移レーザのためのSOI構造プラズモン導波路の作製

内田薫, 自念圭輔, 小平新志, 粂井正也, 佐野洋, 渡辺正裕, 浅田雅洋

第67回応用物理学会学術講演会, 30p-RE-16 2006年8月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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分光エリプソメトリを用いたBeMgZnSeの屈折率測定

新山勇樹, 村田奉之, 渡辺正裕

第65回応用物理学会学術講演会, 2a-ZQ-10 2004年9月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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BeMgZnSeにおける室温最短波PL発光(λ=329nm)

村田奉之, 新山勇樹, 渡辺正裕

第65回応用物理学会学術講演会, 2a-ZQ-9 2004年9月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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BeMgZnSe 系紫外線量子井戸レーザの理論解析 – クラッド層Mg 含有量依存性 –

新山勇樹, 横山毅, 村田奉之, 丸山武男, 渡辺正裕

第64回応用物理学会学術講演会, 30p-B-13 2003年8月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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BeMgZnSe 混晶のPL 発光エネルギーの温度依存性

新山勇樹, 横山毅, 村田奉之, 渡辺正裕

第64回応用物理学会学術講演会, 30p-B-12 2003年8月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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MEE 法によるGaP(001)基板上BeZnSe 混晶の表面モフォロジ

横山毅, 新山勇樹, 渡辺正裕

第64回応用物理学会学術講演会, 30p-B-11 2003年8月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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Si (100)基板上CdF₂/CaF₂ 共鳴トンネルダイオードの微分負性抵抗特性の構造依存性

金澤徹, 松田克己, 渡辺正裕, 浅田雅洋

第64回応用物理学会学術講演会, 30p-ZF-14 2003年8月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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MEEバッファ層上にMBE成長したBeZnSe膜の発光特性の向上

横山毅, 新山勇樹, 村田奉之, 渡辺正裕

第51回応用物理学会関係連合講演会, 29p-P12-13 2004年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

国名：日本国

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BeMgZnSe系化合物を用いた光励起用導波路構造の設計と作製

新山勇樹, 横山毅, 村田奉之, 渡辺正裕

第51回応用物理学会関係連合講演会, 29p-P12-12 2004年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

国名：日本国

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BeMgZnSe におけるバンド間遷移過程の組成比依存性

新山勇樹, 横山毅, 丸山武男, 渡辺正裕

第50回応用物理学会関係連合講演会, 29p-X-2 2003年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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GaP(001)基板上への高Mg 含有BeMgZnSe の結晶成長

横山毅, 新山勇樹, 渡辺正裕

第50回応用物理学会関係連合講演会, 29p-X-1 2003年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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ダブルステップ化Si(100) 2°off基板上CdF₂/CaF₂ 共鳴トンネルダイオードの作製と評価

金澤徹, 松田克己, 渡辺正裕, 浅田雅洋

第50回応用物理学会関係連合講演会, 29a-ZE-3 2003年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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CdF₂/CaF₂ 共鳴トンネルダイオードの電荷蓄積による特性変化

松田克己, 金澤徹, 渡辺正裕, 浅田雅洋

第50回応用物理学会関係連合講演会, 29a-ZE-5 2003年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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GaP(001)基板上へのBeMgZnSeエピタキシャル成長

中村尚人, 丸山武男, 新山勇樹, 渡辺正裕

第62回応用物理学会学術講演会, 11a-P1-3 2001年9月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

国名：日本国

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GaP(001)基板上に成長したBeZnSeからの室温紫外線PL発光

丸山武男, 中村尚人, 新山勇樹, 渡辺正裕

第62回応用物理学会学術講演会, 11a-P1-2 2001年9月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

国名：日本国

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Si(100)基板上CdF₂/CaF₂共鳴トンネルダイオードの作製と評価

松田克己, 石川達也, 金澤徹, 渡辺正裕, 浅田雅洋

第49回応用物理学会関係連合講演会, 27p-YH-3 2002年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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縦型MOSFETとRTDによる微細素子の作成

藤岡裕智, 筒井将史, 石川達也, 渡辺正裕, 浅田雅洋

第49回応用物理学会関係連合講演会, 30a-H-8 2002年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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CdF₂/CaF₂共鳴トンネルダイオード微分負性抵抗特性の量子井戸厚依存性

松田克己, 金澤徹, 渡辺正裕, 浅田雅洋

第63回応用物理学会学術講演会, 25p-P9-11 2002年9月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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GaP(001)基板上BeMgZnSe-BeZnSe DH構造における紫外線PL発光

新山勇樹, 丸山武男, 渡辺正裕

第63回応用物理学会学術講演会, 26p-YE-7 2002年9月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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SOI 基板上弗化物系超ヘテロ構造を用いたサブバンド間遷移レーザの解析

自念圭輔, 渡辺正裕, 浅田雅洋

第50回応用物理学会関係連合講演会, 28p-ZE-4 2003年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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ナノ領域選択成長によるCdF₂/CaF₂ 共鳴トンネルダイオードの作製と評価

石川達也, 酒巻直人, 岡本大輔, 渡辺正裕

第48回応用物理学会関係連合講演会, 29a-YD-2 2001年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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CaF₂/Si(111)基板上ZnO薄膜のN.Gaコドーピング法による不純物制御

岡野俊一, 鈴木充典, 渡辺正裕

第48回応用物理学会関係連合講演会, 31a-YL-3 2001年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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CaF₂/Si基板上ZnO薄膜の酸素雰囲気中アニール

鈴木充典, 岡野俊一, 渡辺正裕

第48回応用物理学会関係連合講演会, 31a-YL-2 2001年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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Si/CaF₂超格子によるサブバンド間遷移レーザレーザの解析

長田勝玄, 青木雄一, 津金澤みか, 渡辺正裕

第45回応用物理学会関係連合講演会, 30p-R-4 1998年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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テラス幅を制御したSi(111)1゜off 基板上へのCaF₂イオンビームエピタキシャル成長

池谷吉史, 渡辺正裕, 浅田雅洋

第60回応用物理学会学術講演会, 1p-T-4 1999年9月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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Si/CaF₂ヘテロ構造共鳴トンネルダイオードの作製と評価

筒井将史, 渡辺正裕, 浅田雅洋

第60回応用物理学会学術講演会, 2p-ZL-9 1999年9月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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CaF₂/Si(111)薄膜中Si微結晶からのEL発光

中村尚人, 丸山武男, 渡辺正裕

第60回応用物理学会学術講演会, 3p-ZN-15 1999年9月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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Si(111)1°off基板上Si/CaF₂二重障壁共鳴トンネルダイオードの作製と評価

池谷吉史, 渡辺正裕, 浅田雅洋

第47回応用物理学会関係連合講演会, 30a-YD-8 2000年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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CdF₂/CaF₂共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性

舟山敏之, 寺地耐志, 渡辺正裕

第47回応用物理学会関係連合講演会, 30a-YD-7 2000年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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Si(111)上ZnO/CaF₂ヘテロエピタキシャル構造からのPL紫外線発光

鈴木充典, 岡野俊一, 渡辺正裕

第61回応用物理学会学術講演会, 3p-ZK-1 2000年9月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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CaF₂/Si(111)基板上へのBeSe成長

丸山武男, 中村尚人, 渡辺正裕

第61回応用物理学会学術講演会, 4p-Z-8 2000年9月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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CdF₂/CaF₂共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性

酒巻直人, 渡辺正裕

第61回応用物理学会学術講演会, 6a-ZR-9 2000年9月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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CaF₂/Si(111)薄膜中に形成されたSi微結晶からのPL発光スペクトルのRTA雰囲気依存性

丸山武男, 中村尚人, 渡辺正裕

第59回応用物理学会学術講演会, 16a-ZE-8 1998年9月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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Si(111)基板上CaF₂/ZnO/CaF₂ヘテロエピタキシャル構造からのEL紫外線発光

岡野俊一, 前田泰久, 渡辺正裕

第46回応用物理学会関係連合講演会, 28a-ZA-9 1999年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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CaF₂上極薄膜CoSi₂電気抵抗のCaF₂結晶依存性

齋藤渉, 森郁, 杉浦秀和, 丸山武男, 渡辺正裕, 浅田雅洋

第57回応用物理学会学術講演会, 8p-ZE-17 1996年9月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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CaF₂ナノクリスタルシリコンからのEL発光スペクトル

松沼健司, 丸山武男, 渡辺正裕, 浅田雅洋

第57回応用物理学会学術講演会, 8p-V-15 1996年9月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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近接効果補正露光による量子細線構造のサイズ揺らぎの低減

賈学英, 小島隆, 早船嘉典, 田村茂雄, 渡辺正裕, 荒井滋久

第44回応用物理学会関係連合講演会, 29a-X-4 1997年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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Si基板上Si/CdF₂/CaF₂ヘテロ構造エピタキシャル成長

齋藤渉, 青木雄一, 西山淳, 渡辺正裕, 浅田雅洋

第44回応用物理学会関係連合講演会, 30a-A-3 1997年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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CaF₂/Si(111)基板上ZnOナノ構造形成とPL発光スペクトル

山田淳, 前田泰久, 渡辺正裕

第58回応用物理学会学術講演会, 3a-ZH-9 1997年10月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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イオンビームアシストを用いた低オフ角Si(111) 基板上へのCaF₂エピタキシャル成長

渡辺正裕, 池谷吉史, 杉浦秀和, 吉田和史

第58回応用物理学会学術講演会, 4p-V-16 1997年10月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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イオンビーム法を用いたCaF₂/CdF₂ヘテロ超格子の低温エピタキシャル成長

青木雄一, 齋藤渉, 西山淳, 渡辺正裕

第58回応用物理学会学術講演会, 5a-ZF-2 1997年10月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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CaF₂/CdF₂ヘテロ超格子による3重障壁共鳴トンネルダイオードの微分負性抵抗

青木雄一, 津金澤みか, 齋藤渉, 渡辺正裕

第45回応用物理学会関係連合講演会, 28a-R-2 1998年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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CaF₂/Si(111)薄膜中に形成されたSi微結晶からのPL発光スペクトルの成長条件依存性

丸山武男, 池田総太郎, 渡辺正裕

第45回応用物理学会関係連合講演会, 29a-p-8 1998年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

国名：日本国

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CaF₂/Si(111)基板上ZnOナノ構造からのEL発光スペクトル

前田泰久, 山田淳, 渡辺正裕

第45回応用物理学会関係連合講演会, 29a-S-2 1998年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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CaF₂/CdF₂ヘテロ接合を用いた量子井戸サブバンド間遷移レーザの解析

青木雄一, 西山淳, 齋藤渉, 渡辺正裕, 浅田雅洋

第44回応用物理学会関係連合講演会, 28a-ZA-6 1997年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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金属（CoSi₂）／絶縁体（CaF₂）共鳴トンネルホットエレクトロントランジスタの作製（II）

末益崇, 河野義史, 齋藤渉, 渡辺正裕, 浅田雅洋

第55回応用物理学会学術講演会, 19p-T-9 1994年9月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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CaF₂/Si/CaF₂共鳴トンネル量子井戸構造を用いた抵抗スイッチング特性の理論解析

金子拓海, 熊谷佳郎, 廣瀬皓大, 利根川啓希, 三上萌, 冨澤勘太, 佐藤穂波, 渡辺正裕

第67回応用物理学会春季学術講演会, 13a-PA5-8 2020年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

国名：日本国

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CaF₂/Si(111)上への金属Co微粒子の形成

渡辺正裕, 浅田雅洋

第55回応用物理学会学術講演会, 20p-MF-14 1994年9月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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Si/CaF₂ p型三重障壁共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性

佐藤穂波, 熊谷佳郎, 三上萌, 利根川啓希, 廣瀬皓大, 冨澤勘太, 金子拓海, 渡辺正裕

第67回応用物理学会春季学術講演会, 13a-PA5-7 2020年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

国名：日本国

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Si微粒子を分散したCaF₂/Si(111)薄膜のフォトルミネッセンス

渡辺正裕, 飯塚文隆, 浅田雅洋

第42回応用物理学会関係連合講演会, 29a-H-10 1995年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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金属（CoSi₂）／絶縁体（CaF₂）微細ホットエレクトロントランジスタの作製と室温動作

齋藤渉, 末益崇, 河野義史, 渡辺正裕, 浅田雅洋

第42回応用物理学会関係連合講演会, 30p-ZK-7 1995年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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Si/CaF₂ p型三重障壁共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性

佐藤穂波, 熊谷佳郎, 冨澤勘太, 金子拓海, 渡辺正裕

第68回応用物理学会春季学術講演会, 18p-Z23-7 2021年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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Metal(CoSi₂)/ Insulator(CaF₂) 共鳴トンネルホットエレクトロントランジスタの低電圧動作化

末益崇, 河野義史, 齋藤渉, 森郁, 渡辺正裕, 浅田雅洋

第42回応用物理学会関係連合講演会, 30p-ZK-6 1995年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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Si/CaF₂ヘテロ構造を用いた分布帰還型導波路の設計とグレーティング構造形成プロセス

北村研太, 鄭源宰, 劉龍, 小柳陽平, 菅原大暉, 渡辺正裕

第82回応用物理学会学術講演会, 23a-P11-16 2021年9月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

国名：日本国

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CaF₂/Si(111)薄膜中に形成されたナノメータSi微結晶

渡辺正裕, 浅田雅洋, 松沼健司

第56回応用物理学会学術講演会, 26p-ZD-11 1995年9月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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単一障壁p型トンネルダイオードを用いたSi/CaF₂界面における価電子帯障壁高さ(∆E_V)の評価

菅原大暉, 劉龍, 鄭源宰, 小柳陽平, 北村研太, 渡辺正裕

第82回応用物理学会学術講演会, 23a-P11-18 2021年9月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

国名：日本国

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極微細金属（CoSi₂）／絶縁体（CaF₂）量子干渉トランジスタの作製と室温特性

森郁, 齋藤渉, 末益崇, 河野義史, 渡辺正裕, 浅田雅洋

第56回応用物理学会学術講演会, 28p-ZM-9 1995年9月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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p型単一障壁トンネルダイオード及び2重障壁共鳴トンネルダイオードを用いたSi/CaF₂界面における価電子帯障壁高さ(∆E_V)の評価

菅原大暉, 劉龍, 鄭源宰, 小柳陽平, 北村研太, 渡辺正裕

第69回応用物理学会春季学術講演会, 22p-P02-1 2022年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

国名：日本国

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電子ビーム露光によるCaF₂無機レジスト70nm周期パターニング

服部哲也, 本郷廣生, 宮本恭幸, 古屋一仁, 松沼健司, 渡辺正裕, 浅田雅洋

第43回応用物理学会関係連合講演会, 26a-SZW-27 1996年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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CaF₂上に成膜したSi薄膜の表面平坦性に対するAs照射効果

齊藤雅高, 鄭源宰, 劉龍, 小柳陽平, 菅原大暉, 渡辺正裕

第69回応用物理学会春季学術講演会, 24p-E103-9 2022年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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CaF₂ナノクリスタルシリコンからのEL発光の成長条件依存性

松沼健司, 丸山武男, 渡辺正裕, 浅田雅洋

第43回応用物理学会関係連合講演会, 26a-ZF-5 1996年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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サーファクタントエピタキシー法により形成した Si/CaF₂二重障壁共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性

鈴木優輔, 伊藤滉悟, 齊藤雅高, 星野麻衣子, 宇佐見遼也, 村上寛太, 渡辺正裕

第83回応用物理学会学術講演会, 22p-P14-2 2022年9月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

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金属／絶縁体ヘテロ構造を用いた電界制御型トンネルトランジスタの理論解析

齋藤渉, 山崎克之, 浅田雅洋, 渡辺正裕

第43回応用物理学会関係連合講演会, 26a-W-6 1996年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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CaF₂埋め込み構造によるSi/CaF₂ p型共鳴トンネルダイオードのリーク電流低減

伊藤滉悟, 鈴木優輔, 星野麻衣子, 宇佐見遼也, 村上寛太, 渡辺正裕

第83回応用物理学会学術講演会, 22p-P14-1 2022年9月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

国名：日本国

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CoSi₂/CaF₂量子干渉トランジスタの微分負性抵抗を用いたホットエレクトロン輸送効率導出

末益崇, 齋藤渉, 森郁, 河野義史, 渡辺正裕, 浅田雅洋

第43回応用物理学会関係連合講演会, 28p-W-11 1996年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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Si/CaF₂ヘテロ構造を用いた波長1.6 µm帯量子カスケードレーザの理論解析

鄭源宰, 劉龍, 齊藤雅高, 松浦耕洋, 杉山裕汰, 渡辺正裕

第83回応用物理学会学術講演会, 22p-P05-1 2022年9月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

国名：日本国

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CaF₂/Siヘテロ構造を用いた近赤外波長量子カスケードレーザの理論解析

小柳陽平, 鄭源宰, 劉龍, 渡辺正裕

第81回応用物理学会学術講演会, 9a-Z04-3 2020年9月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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金属(CoSi₂)/絶縁体(CaF₂)共鳴トンネルホットエレクトロントランジスタの作製

鈴木信弘, 河野義史, 末益崇, 渡辺正裕, 浅田雅洋

第40回応用物理学会関係連合講演会, 1a-D-3 1993年4月公益社団法人応用物理学会

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国名：日本国

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Si/CaF₂二重障壁共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性

廣瀬皓大, 福山聡史, 熊谷佳郎, 利根川啓希, 渡辺正裕

第79回応用物理学会学術講演会, 21p-PB4-3 2018年9月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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金属(CoSi₂)/絶縁体(CaF₂)共鳴トンネルダイオードにおける共鳴電圧制御

末益崇, 渡辺正裕, 鈴木淳, 浅田雅洋, 鈴木信弘

第40回応用物理学会関係連合講演会, 1a-D-2 1993年4月公益社団法人応用物理学会

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国名：日本国

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原子層薄膜CaF₂/Siヘテロ構造を用いた単一障壁トンネルダイオードの電流電圧特性評価

福山聡史, 渡辺正裕

第79回応用物理学会学術講演会, 21p-PB4-4 2018年9月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

国名：日本国

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Si/CaF₂/Si(111)断面のSTM観察

末益崇, 薗田大資, 渡辺正裕, 浅田雅洋, 古屋一仁

第54回応用物理学会学術講演会, 29p-ZX-7 1993年9月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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ドライエッチングプロセスによるCaF₂/Si/CaF₂共鳴トンネル構造の室温微分負性抵抗特性

熊谷佳郎, 大野綜一郎, 廣瀬皓大, 福山聡史, 利根川啓希, 渡辺正裕

第79回応用物理学会学術講演会, 21p-PB4-5 2018年9月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

国名：日本国

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金属(CoSi₂)/絶縁体(CaF₂)微細ホットエレクトロントランジスタの作製

鈴木信弘, 末益崇, 渡辺正裕, 浅田雅洋, 河野義史

第54回応用物理学会学術講演会, 29p-ZX-6 1993年9月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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金属をエミッタとするシリコン／フッ化物多重障壁共鳴トンネルダイオードの理論解析

市川研佑, 利根川啓希, 廣瀬皓大, 三上萌, 福山聡史, 熊谷佳郎, 渡辺正裕

第66回応用物理学会春季学術講演会, 10p-PA4-6 2019年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

国名：日本国

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金属(CoSi₂)/絶縁体(CaF₂)共鳴トンネルトランジスタ

末益崇, 河野義史, 鈴木信弘, 渡辺正裕, 浅田雅洋

第54回応用物理学会学術講演会, 29p-ZX-5 1993年9月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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原子層薄膜CaF₂/Siヘテロ構造を用いたp 型共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性

三上萌, 福山聡史, 渡辺正裕

第66回応用物理学会春季学術講演会, 10p-PA4-7 2019年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

国名：日本国

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金属／絶縁体ヘテロ接合を用いた量子効果デバイス

浅田雅洋, 渡辺正裕, 末益崇, 鈴木信弘, 河野義史

第41回応用物理学会関係連合講演会, 29p-MA-6, (Symposium) 1994年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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CaF₂/Siヘテロ構造を用いた近赤外波長量子カスケードレーザの理論解析

鄭源宰, 大野綜一郎, 劉龍, 渡辺正裕

第66回応用物理学会春季学術講演会, 12a-PB4-22 2019年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

国名：日本国

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絶縁体CaF₂上への金属Co微粒子の形成

渡辺正裕, 岩井浩, 浅田雅洋

第41回応用物理学会関係連合講演会, 30p-S-17 1994年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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CaF₂/Siヘテロ構造を用いた近赤外波長量子カスケードレーザの作製プロセス

鄭源宰, 劉龍, 小柳陽平, 渡辺正裕

第80回応用物理学会学術講演会, 20p-PB3-7 2019年9月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

国名：日本国

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金属（CoSi₂）／絶縁体（CaF₂）微細ホットエレクトロントランジスタの作製（II）

鈴木信弘, 末益崇, 渡辺正裕, 浅田雅洋, 河野義史

第41回応用物理学会関係連合講演会, 30p-S-16 1994年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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Si/CaF₂バイポーラ二重障壁共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性

廣瀬皓大, 熊谷佳郎, 利根川啓希, 冨澤勘太, 金子拓海, 佐藤穂波, 渡辺正裕

第80回応用物理学会学術講演会, 20p-PB3-6 2019年9月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

国名：日本国

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新プロセスによる金属(CoSi₂)/絶縁体(CaF₂)トンネルホットエレクトロン共鳴トランジスタの作製

河野義史, 末益崇, 鈴木信弘, 渡辺正裕, 浅田雅洋

第41回応用物理学会関係連合講演会, 30p-S-15 1994年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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原子層薄膜CaF₂/Siヘテロ構造を用いたホール駆動共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性

三上萌, 熊谷佳郎, 廣瀬皓大, 冨澤勘太, 利根川啓希, 金子拓海, 佐藤穂波, 渡辺正裕

第80回応用物理学会学術講演会, 20p-PB3-5 2019年9月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

国名：日本国

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金属（CoSi₂）／絶縁体（CaF₂）共鳴トンネルホットエレクトロントランジスタの作製

末益崇, 河野義史, 鈴木信弘, 齋藤渉, 渡辺正裕, 浅田雅洋

第41回応用物理学会関係連合講演会, 30p-S-14 1994年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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CaF₂/Si/SiO₂二重障壁共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性

冨澤勘太, 熊谷佳郎, 利根川啓希, 三上萌, 廣瀬皓大, 金子拓海, 佐藤穂波, 渡辺正裕

第80回応用物理学会学術講演会, 20p-PB3-4 2019年9月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

国名：日本国

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金属（CoSi₂）／絶縁体（CaF₂）トンネルホットエレクトロン共鳴トランジスタ

河野義史, 末益崇, 齋藤渉, 渡辺正裕, 浅田雅洋

第55回応用物理学会学術講演会, 19p-T-10 1994年9月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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Si/CaF₂三重障壁共鳴トンネルダイオードの高ピーク電流密度を有する室温微分負性抵抗特性

利根川啓希, 熊谷佳郎, 三上萌, 廣瀬皓大, 冨澤勘太, 金子拓海, 佐藤穂波, 渡辺正裕

第80回応用物理学会学術講演会, 20p-PB3-3 2019年9月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

国名：日本国

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ICB法による CaF₂/CoSi₂/CaF₂/Si(111) エピタキシャル成長

渡辺正裕, 六車仁志, 村竹茂樹, 浅田雅洋, 荒井滋久

第51回応用物理学会学術講演会, 28a-T-11 1990年9月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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CaF₂/Si量子井戸へテロ構造からのEL発光特性

望月雅人, 須田慶太, 渡辺正裕

第76回応用物理学会学術講演会, 13p-PA6-1 2015年9月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

国名：日本国

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金属/絶縁体へテロ構造を用いた量子サイズ効果高速電子デバイスの理論解析

坂口知明, 渡辺正裕, 浅田雅洋

電子通信学会全国大会, C-410 1990年10月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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CaF₂/Si/CaF₂共鳴トンネル構造の室温微分性抵抗特性

田辺直之, 望月雅人, 須田慶太, 島中智史, 渡辺正裕

第63回応用物理学会春季学術講演会, 20a-S223-7 2016年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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金属(CoSi₂)/絶縁体(CaF₂)超格子のエネルギーバンド構造

六車仁志, 渡辺正裕, 浅田雅洋, 荒井滋久

第38回応用物理学会関係連合講演会, 29p-M-3 1991年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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CoSi₂上に形成したSi/CaF₂共鳴トンネル量子井戸構造の室温抵抗スイッチング特性

櫻井文裕, 渡辺正裕

第77回応用物理学会学術講演会, 14p-P20-2 2016年9月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

国名：日本国

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CaF₂/Si(111)上CoSi₂薄膜の抵抗率測定

渡辺正裕, 村竹茂樹, 藤本寛正, 坂森重則, 浅田雅洋, 荒井滋久

第38回応用物理学会関係連合講演会, 29p-ZF-3 1991年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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Si/CaF₂量子カスケードレーザの導波路構造設計

近藤弘規, 齋藤侑祐, 田辺直之, 渡辺正裕

第64回応用物理学会春季学術講演会, 14p-P8-8 2017年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

国名：日本国

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Siの電子ビーム蒸着によるCaF₂/Si(111)上へのCoSi₂エピタキシャル成長

末益崇, 渡辺正裕, 村竹茂樹, 浅田雅洋

第52回応用物理学会学術講演会, 9p-Z-12 1991年10月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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薄膜物性値補正を考慮した Si/CaF₂量子カスケードレーザの活性層設計

齋藤侑祐, 田辺直之, 近藤弘規, 渡辺正裕

第64回応用物理学会春季学術講演会, 16p-P7-36 2017年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

国名：日本国

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金属(CoSi₂)/絶縁体(CaF₂)超格子構造のエピタキシャル成長

渡辺正裕, 村竹茂樹, 藤本寛正, 浅田雅洋

第52回応用物理学会学術講演会, 9p-Z-11 1991年10月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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Si/CaF₂量⼦カスケードレーザの導波路構造作製と評価

近藤弘規, 齋藤侑祐, 渡辺正裕

第78回応用物理学会学術講演会, 7p-PA2-11 2017年9月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

国名：日本国

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CoSi₂/CaF₂/Si を用いたMISトンネルダイオードの試作

村竹茂樹, 渡辺正裕, 浅田雅洋

第52回応用物理学会学術講演会, 12a-N-7 1991年10月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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CF4/O2混合ガスプラズマを⽤いたCaF₂単結晶およびCaF₂/Siヘテロ構造の反応性イオンエッチング

熊⾕佳郎, 渡辺正裕

第78回応用物理学会学術講演会, 8p-PA2-3 2017年9月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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金属(CoSi₂)/絶縁体(CaF₂)共鳴トンネルダイオードの負性抵抗特性

渡辺正裕, 末益崇, 村竹茂樹, 浅田雅洋, 鈴木信弘

第39回応用物理学会関係連合講演会, 28a-T-5 1992年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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Si/CaF₂三重障壁共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性

利根川啓希, 渡辺正裕

第65回応用物理学会春季学術講演会, 18a-P8-3 2018年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

国名：日本国

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Si(111)基板上CaF₂エピタキシーにおけるRHEED強度振動

渡辺正裕, 鈴木信弘, 村竹茂樹, 末益崇, 浅田雅洋

第39回応用物理学会関係連合講演会, 29a-ZC-5 1992年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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原子層薄膜CaF₂/Siヘテロ界面の価電子帯バンド不連続評価

福山聡史, 渡辺正裕

第65回応用物理学会春季学術講演会, 18p-P6-14 2018年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

国名：日本国

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金属(CoSi₂)/絶縁体(CaF₂)ホットエレクトロントランジスタの電流増幅動作

渡辺正裕, 村竹茂樹, 末益崇, 浅田雅洋

第53回応用物理学会学術講演会, 16a-SZC-17 1992年9月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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Si/CaF₂量子井戸サブバンド間遷移レーザの近赤外波長活性層設計

大野綜一郎, 劉龍, 齋藤侑祐, 近藤弘規, 渡辺正裕

第65回応用物理学会春季学術講演会, 19p-P9-1 2018年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

国名：日本国

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金属(CoSi₂)/絶縁体(CaF₂)共鳴トンネルダイオードの室温動作と微分負性抵抗特性

末益崇, 渡辺正裕, 浅田雅洋, 鈴木信弘

第53回応用物理学会学術講演会, 17a-ZB-7 1992年9月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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CaF₂/Si量子カスケード構造からの室温電流注入発光

齋藤侑祐, 近藤弘規, 渡辺正裕

第65回応用物理学会春季学術講演会, 19p-P9-2 2018年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

国名：日本国

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CaF₂/Si 量子ドット超格子を用いたp-i-n セル構造の光電変換特性

小池進, 渡辺正裕

第74回応用物理学会学術講演会, 19p-A2-13 2013年9月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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ナノクリスタルシリコン/CaF₂ 共鳴トンネルダイオードの微分負性抵抗特性

越田悠太, 須田慶太, 桑田友哉, 傳田純也, 小池進, 瀬川美奈人, 渡辺正裕

第74回応用物理学会学術講演会, 19p-P9-2 2013年9月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

国名：日本国

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Si/CaF₂/CdF₂ 共鳴トンネル量子井戸構造のパルス応答特性

傳田純也, 須田慶太, 桑田友哉, 渡辺正裕

第74回応用物理学会学術講演会, 19p-P9-3 2013年9月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

国名：日本国

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Si/CaF₂量子へテロ構造の近赤外EL発光

梶浦俊祐, 芦川典士, 渡辺正裕

第56回応用物理学会関係連合講演会, 30p-ZB-2 2009年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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エピタキシャルCaF₂/Si量子ドット構造の光学特性評価

大木洋, 渡辺正裕

第56回応用物理学会関係連合講演会, 31p-TF-4 2009年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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Si/CaF₂/CdF₂ 量子井戸構造を用いた抵抗スイッチング素子の理論解析

須田慶太, 傳田純也, 桑田友哉, 渡辺正裕

第74回応用物理学会学術講演会, 19p-P9-4 2013年9月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

国名：日本国

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Si/CaF₂共鳴トンネル量子井戸構造の高ピーク電流密度抵抗スイッチング特性

越田悠太, 須田慶太, 桑田友哉, 傳田純也, 渡辺正裕

第61回応用物理学会春季学術講演会, 18p-PG2-3 2014年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

国名：日本国

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Al/CaF₂/Si MIS 構造のトンネル電流評価

須田慶太, 傳田純也, 桑田友哉, 越田悠太, 渡辺正裕

第61回応用物理学会春季学術講演会, 18p-PG2-2 2014年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

国名：日本国

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ICB-CaF₂膜における絶縁耐圧の加速電圧依存性

渡辺正裕, 六車仁志, 浅田雅洋, 荒井滋久

第36回応用物理学会関係連合講演会, 3p-L-1 1989年4月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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Si/CaF₂共鳴トンネル構造を用いた抵抗スイッチング素子のパルス応答特性

桑田友哉, 須田慶太, 傳田純也, 越田悠太, 渡辺正裕

第61回応用物理学会春季学術講演会, 18p-PG2-1 2014年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

国名：日本国

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ナノメータ絶縁膜を用いたLSI用新デバイスの可能性

浅田雅洋, 坂口知明, 渡辺正裕

電子通信学会全国大会 (シンポジウム), SC-6-4 1989年9月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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Si/CaF₂/CdF₂サブバンド間遷移レーザ構造におけるCdF₂高速引き抜き層の導入とEL増大効果

望月雅人, 金子大志, 須田慶太, 渡辺正裕

第75回応用物理学会学術講演会, 19a-A27-2 2014年9月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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ICB法によるCaF₂膜の低温エピタキシャル成長

渡辺正裕, 六車仁志, 浅田雅洋, 荒井滋久

第50回応用物理学会学術講演会, 28a-H-5 1989年9月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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Si/CaF₂/CdF₂ RTD構造における電流電圧特性の理論解析

須田慶太, 桑田友哉, 渡辺正裕

第75回応用物理学会学術講演会, 19a-A27-1 2014年9月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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空間電荷制限金属/絶縁体電子デバイスのグリッドバリアモード解析

坂口知明, 渡辺正裕, 浅田雅洋

電子通信学会全国大会, C-546 1990年3月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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Si/CaF₂共鳴トンネル構造を用いた抵抗スイッチング素子のパルス応答特性

桑田友哉, 須田慶太, 渡辺正裕

第62回応用物理学会春季学術講演会, 12p-P13-2 2015年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

国名：日本国

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ICB法によるCaF₂(111)薄膜上へのCoSi₂エピタキシャル成長

渡辺正裕, 六車仁志, 村竹茂樹, 浅田雅洋, 荒井滋久

第37回応用物理学会関係連合講演会, 29a-PC-18 1990年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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CaF₂/CdF₂ /CaF₂共鳴トンネル量子井戸構造を用いた抵抗スイッチング特性の理論解析

須田慶太, 桑田友哉, 渡辺正裕

第62回応用物理学会春季学術講演会, 12p-A24-6 2015年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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CoSi₂ 上弗化物共鳴トンネル構造を用いた抵抗スイッチング素子の作製と特性評価

仲正路友康, 瓜生和也, 渡辺正裕

第58回応用物理学会関係連合講演会, 26a-KV-6 2011年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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CaF₂/CdF₂/Si ヘテロ接合量子井戸構造を用いた抵抗スイッチング素子の保持特性評価

瓜生和也, 渡辺正裕

第72回応用物理学会学術講演会, 31p-P16-14 2011年8月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

国名：日本国

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CaF₂/Si 量子ドット超格子を用いたp-i-n セル構造の作製

古関千寛, 大木洋, 渡辺正裕

第72回応用物理学会学術講演会, 31a-ZH-5 2011年8月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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CoSi₂上CaF₂/CdF₂/Siヘテロ接合量子井戸構造を用いたクロスポイント型抵抗スイッチング素子の作製

瓜生和也, 傳田純也, 渡辺正裕

第59回応用物理学会関係連合講演会, 18a-E1-7 2012年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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金属CoSi₂上に形成したSi/CaF₂/CdF₂共鳴トンネル量子井戸構造の抵抗スイッチング特性

傳田純也, 瓜生和也, 渡辺正裕

第73回応用物理学会学術講演会, 12p-PA1-13 2012年9月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

国名：日本国

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CaF₂/Si 量子ドット構造におけるημτ積の分光感度特性

倉地祐輝, 渡辺正裕

第73回応用物理学会学術講演会, 12a-F7-6 2012年9月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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Si/CaF₂ 量子カスケードレーザ構造からの室温近赤外EL発光

越智達也, 渡辺正裕

第73回応用物理学会学術講演会, 12p-PA1-12 2012年9月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

国名：日本国

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Si/CaF₂サブバンド間遷移レーザ構造からの室温近赤外(λ～1.5μm)EL発光

瀬川美奈人, 越智達也, 越田悠太, 渡辺正裕

第60回応用物理学会春季学術講演会, 28p-G5-15 2013年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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Si/CaF₂/CdF₂共鳴トンネル量子井戸構造の抵抗スイッチング特性

傳田純也, 瓜生和也, 須田慶太, 渡辺正裕

第60回応用物理学会春季学術講演会, 29a-PB6-9 2013年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

国名：日本国

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CoSi₂上CaF₂/CdF₂/Si量子井戸構造を用いたクロスポイント型抵抗スイッチング素子の保持特性評価

瓜生和也, 傳田純也, 須田慶太, 桑田友哉, 渡辺正裕

第60回応用物理学会春季学術講演会, 29a-PB6-8 2013年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

国名：日本国

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Si/CaF₂共鳴トンネル構造を用いた抵抗スイッチング素子の作製

桑田友哉, 瓜生和也, 傳田純也, 須田慶太, 渡辺正裕

第60回応用物理学会春季学術講演会, 29a-PB6-7 2013年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

国名：日本国

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ナノ領域エピタキシー法によるCoSi₂/CaF₂三重障壁共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性

田村信平, 渡辺正裕, 浅田雅洋

第51回応用物理学会関係連合講演会, 30a-ZE-8 2004年3月公益社団法人応用物理学会

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国名：日本国

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Si(100)基板上CdF₂/CaF₂共鳴トンネルダイオード構造の成長温度依存性

金澤徹, 渡辺正裕, 浅田雅洋

第65回応用物理学会学術講演会, 2a-ZK-4 2004年9月公益社団法人応用物理学会

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国名：日本国

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Si基板上(CdF₂/CaF₂)量子へテロ構造の近赤外EL発光

自念圭輔, 村田博, 渡辺正裕, 浅田雅洋

第65回応用物理学会学術講演会, 4a-ZK-6 2004年9月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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BeMgZnSe系化合物を用いた光励起による紫外線レーザ発振(λ=373nm)

新山勇樹, 村田奉之, 渡辺正裕

第52回応用物理学会関係連合講演会, 31p-ZN-7 2005年3月公益社団法人応用物理学会

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国名：日本国

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プラズモン導波路を用いた弗化物系サブバンド間遷移レーザの理論解析

菊池毅, 自念圭輔, 内田薫, 小平新志, 渡辺正裕, 浅田雅洋

第66回応用物理学会学術講演会, 9a-W-8 2005年9月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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ナノ領域成長によるSi(100)基板上CdF₂/CaF₂共鳴トンネルダイオードの微分負性抵抗特性

諸澤篤志, 金澤徹, 藤井諒, 和田宇史, 渡辺正裕, 浅田雅洋

第66回応用物理学会学術講演会, 9a-W-7 2005年9月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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Be-Zn同時照射を用いたBeZnSe系ひずみ量子井戸構造の結晶成長と光学特性

村田奉之, 新山勇樹, 横山毅, 渡辺正裕

第51回応用物理学会関係連合講演会, 29p-P12-11 2004年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

国名：日本国

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CoSi₂-プラズモン導波路を用いた弗化物系サブバンド間遷移レーザの理論解析

自念圭輔, 村田博, 渡辺正裕, 浅田雅洋

第51回応用物理学会関係連合講演会, 30p-ZE-1 2004年3月公益社団法人応用物理学会

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

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受賞

文部科学大臣表彰科学技術賞理解増進部門

2006年4月文部科学省

末松良一, 浅田雅洋, 渡辺正裕, 山内健治, 大井文高

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平成16年度「東工大挑戦的研究賞」

2004年東京工業大学

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受賞国：日本国

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丸文研究奨励賞

2002年財団法人丸文研究交流財団

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受賞国：日本国

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丹羽保次郎記念論文賞

1994年東京電機大学

渡辺正裕

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受賞国：日本国

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共同研究・競争的資金等の研究課題

シリコン基板上へのヘテロ構造エピタキシャル成長に関する研究

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資金種別：競争的資金

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Study on Quantum Photonic and Electron Devices

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資金種別：競争的資金

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量子効果光電子デバイスに関する研究

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資金種別：競争的資金

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Study on Epitaxial growth of heterostructures on Silicon substrate

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資金種別：競争的資金

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