2025/05/22 更新

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ハタノ　ムツコ
波多野　睦子
HATANO MUTSUKO
所属
役員、執行部 理事・副学長
職名
理事・副学長
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News & Topics

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News & Media

学位

  • ジョセフソン素子の三端子化に関する基礎的研究 （ 慶應義塾大学 ）

研究キーワード

  • 電子物性

  • ディスプレイ

  • 応用物理

  • 電子/光材料・プロセス・デバイス・回路

  • 薄膜

  • 環境エレクトロニクス

  • ナノエレクトロニクス

研究分野

  • ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器

学歴

  • 慶應義塾大学   工学部   電気工学科

    - 1983年

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    国名： 日本国

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経歴

  • カリフォルニア大学バークリー校(UCB)客員研究員（３年間）

    1997年9月 - 2000年8月

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  • から現在 （株）日立製作所中央研究所

    1983年

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  • （株）日立製作所 中央研究所 日立製作所中央研究所   主管研究員 兼 室長

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所属学協会

委員歴

  • 日本学術会議   連携会員  

    2007年   

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    団体区分：学協会

    日本学術会議

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  • IEEE   IEEE International Electron Devices Meeting ＤＳＭ（Display Sensor MEMS)session committee  

    2006年 - 2008年   

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    団体区分：学協会

    IEEE

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  • Society for Information Display   プログラム委員  

    2000年   

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    団体区分：学協会

    Society for Information Display

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  • 日本物理学会   編集委員  

    1995年   

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    団体区分：学協会

    日本物理学会

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  • ・日本電子工業振興協会 微細構造プロセスデバイス専門委員会委員  

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  • ・AM-FPD 実行副委員長  

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  • 日本応用物理学会   理事  

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    団体区分：学協会

    日本応用物理学会

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  • 過去担当の委員  

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  • ・総務省 電波防護指針委員  

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  • ・応用物理学会 Ｓｉテクノロジー分科会幹事  

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  • ・応用物理学会 理事  

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  • 代議員  

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  • 評議員  

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  • JJAP編集委員、  

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  • ・応用物理学会  

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  • 男女共同参画委員会委員  

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  • ・日本物理学会編集委員  

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  • 論文賞委員  

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  • ・IEEE International Electron Devices Meeting ＤＳＭ（Display Sensor MEMS)session committee  

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  • ・日本学術会議会員（連携）  

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  • 現在担当の委員など  

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  • ・JST さきがけ 選考委員、「革新的次世代デバイスを目指す材料とプロセス」領域アドバイザ  

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  • ・Electrochemical Sciety 国際会議 ＴＦＴセッションのオーガナイザ  

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  • ・NEDO 若手グランド選考委員、電子デバイス選考委員  

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書籍等出版物

  • 分担執筆4件 解説記事など15件

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MISC

  • Experiments on quasiparticle-waves interference using Si/Nb boundary

    Mutsuko Hatano, Toshikazu Nishino, Kazuo Saito, Kazumasa Takagi

    Journal of Applied Physics   75 ( 10 )   5205 - 5209   1994年

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    記述言語：英語  

    Experiments on interference in solids analogous to the Michelson interferometer can be achieved using a specific mirror of Si/Nb boundary. Current is changed periodically by interference between quasiparticle waves with path length difference. Oscillation in differential conductance by interference due to changes in quasiparticle wavelength is observed. These measured results are found to be caused by the phase difference in quasiparticle waves.

    DOI： 10.1063/1.355718

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  • Characteristics of phase-controlled superconducting device based on Andreev reflection and superconducting proximity effect at Nb-Si boundary

    Mutsuko Hatano, Kazuo Saito, Toshikazu Nishino, Kazumasa Takagi

    Applied Physics Letters   61 ( 21 )   2604 - 2606   1992年

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    記述言語：英語  

    A phase-controlled superconducting device, employing an interferometer in solids analogous to the Michelson interferometer, is proposed and its operation is confirmed experimentally. In the device, a Nb-Si boundary is used as a mirror for electron waves in Si, and path-length difference between electron waves is artificially controlled by shifting the actual boundary position due to the superconducting proximity effect. Interference peaks are observed in the differential resistance curves and the energies of these peaks are controlled by gate voltage.

    DOI： 10.1063/1.108141

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  • Study of superconducting proximity effect by measuring interference effect of Andreev-reflected quasiparticles

    Mutsuko Hatano, Toshikazu Nishino, Haruhiro Hasegawa, Fumio Murai, Tokuo Kure, Hideaki Nakane

    Journal of Applied Physics   69 ( 11 )   7720 - 7722   1991年

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    記述言語：英語  

    The change in pair potential for the Al-Nb proximity system is reconstructed by measuring the dependence of differential resistance on incident energy using a lithographic point contact on the Al-Nb bilayer. The bound states due to the interference effect of Andreev-reflected quasiparticles, shift to higher-energy levels. This can be explained by the position dependence of the pair potential near the Al-Nb interface.

    DOI： 10.1063/1.347546

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  • 0.1-μm Gate-Length Superconducting FET

    T. Nishino, M. Hatano, H. Hasegawa, F. Murai, T. Kure, A. Hiraiwa, K. Yagi, U. Kawabe

    IEEE Electron Device Letters   10 ( 2 )   61 - 63   1989年

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    記述言語：英語  

    A superconducting field-effect transistor (FET) with a 0.1- m-length gate electrode was fabricated and tested at liquid-helium temperature. Two superconducting electrodes (source and drain) were formed on the same Si substrate surface with an oxide-insulated gate electrode by a self-aligned fabrication process. Superconducting current flowing through the semiconductor (Si) between the two superconducting electrodes (Nb) was controlled by a gate-bias voltage. © 1989 IEEE

    DOI： 10.1109/55.32429

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講演・口頭発表等

  • リスト作成中

    査読付き国際会議論文 33件 招待講演（国際会議）9件 招待講演(国内)8件 国内学会や研究会など33件 

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受賞

  • 応用物理学科フェロー（2008）

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    受賞国：日本国

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共同研究・競争的資金等の研究課題

  • 環境エレクトロニクス

    2008年

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    資金種別：競争的資金

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  • レーザアニールによるSi薄膜溶融，結晶化過程の実時間観測と結晶の高品質化

    1997年 - 2000年

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    資金種別：競争的資金

    (1) レーザアニールによるSi薄膜溶融、結晶化過程の解明を目的として、温度履歴、相転移を
    含めた現象を実時間で観測。約100 nsの短い時間内に起こり、過冷却度は約200Kと
    低く、横方向結晶化速度は約７m/sであることを示した。
    （学術論文5件、発表5件）

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  • 薄膜材料・プロセス、トランジスタ、及びシステムインディスプレイ（有機EL、LCD)、大面積用材料・エレクトロニクスに関する研究

    1995年 - 2009年

    その他の試験研究機関 

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    資金種別：競争的資金

    システムインディスプレイのコンセプト提案と産業化を目的として、高機能回路を構成する擬似単結晶デバイスを提案。結晶の高品質化、デバイス物理の解明、それに基づく高性能化、高信頼化に関しての成果を挙げ、産業化に貢献。（学術論文16件、発表論文28件、解説など12件）

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  • 超伝伝導体、半導体、及びそれらの界面における量子効果現象の解明と新機能デバイス化に関する研究

    1983年 - 1997年

    その他の研究制度 

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    資金種別：競争的資金

    高速、高感度で新機能を有する次世代超伝導体－半導体デバイス開発を目的として、ナノ微細半導体加工技術を用いた量子効果デバイスの研究に取り組んだ。特に、超伝導近接効果を原理とする超高速・超低電力トランジスタ、ならびに超伝導体/半導体界面でのアンドレイフ反射を用いた多機能な位相制御電子波干渉デバイスなどは、その代表的な業績であり、学界で高く評価されている。（学術論文15件、発表7件、解説5件）

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