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Executive Vice Presidents
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HATANO MUTSUKO
News & Topics
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量子の渦、数えます！ ダイヤモンド量子センサによる超伝導研究の新手法
2023/09/26
Languages： Japanese
要点-ダイヤモンド量子センサを用いて超伝導体中の量子渦の広視野イメージングに成功。-数多くの量子渦の磁場を定量的に調べ、磁束の量子化を実証。-量子渦を評価する新手法として超伝導研究の発展や超伝導材料開発への貢献が期待。[image:超伝導体における
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2022/09/07
Languages： English
The issue of battery usage inefficiency in electric vehicles resulting from an inaccurate battery charge measurement may finally get resolved, thanks to a diamond quantum sensor prototype developed in
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電池の充放電電流を広い電流レンジで高精度に計測するダイヤモンド量子センサを世界で初めて開発 電気自動車搭載電池容量の削減により環境負荷を軽減し、カーボンニュートラル社会に貢献
2022/09/07
Languages： Japanese
要点 電気自動車（EV）の電池のポテンシャルを引き出し、電費を向上させるためには、小電流から大電流まで広範囲な電流を高精度に計測する技術が求められる。 このたび、±1,000 Aの電流計測レンジで10 mAの精度を有するダイヤモンド量子センサを世界で初めて開発。 EV用電池の充放電電流計測に適用し、WLTC走行モードで想定される電流レンジ・変化パターンを10 mAの精度で計測で
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Measuring Currents in the Heart at Millimeter Resolution with a Diamond Quantum Sensor
2022/08/24
Languages： English
Imperfect current propagation in the heart is at the root of most cardiac diseases. Thanks to a novel magnetocardiography technique developed in the
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ダイヤモンド量子イメージング、心臓が作る磁場をミリメートルスケールで可視化 心疾患の発生機構解明に向けた新たなツール
2022/08/24
Languages： Japanese
要点-ラットの心臓鼓動が作る磁場を、ミリメートルスケールで可視化することに成功-ミリメートルスケールという高い分解能は、小型ヘッドに搭載したダイヤモンド量子センサを、心臓表面から1ミリメートルの距離で走査しながら磁場を測定することで実現-本技術は、不整頻脈等の心疾患の発生・成長の機構を解明するための
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How Flawed Diamonds Lead to Flawless Quantum Networks
2021/10/07
Languages： English
Lead-based vacancy centers in diamonds that form after high-pressure and high-temperature treatment are ideal for quantum networks, find Tokyo Instit
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重いIV族元素を用いたダイヤモンド量子光源の光学特性を解明 量子ネットワークへの応用に期待
2021/10/05
Languages： Japanese
要点-ダイヤモンド結晶内で重いIV族元素である鉛（Pb）原子を用いた量子光源（PbV中心）を形成。-2,000℃を超える加熱処理による高品質形成に成功するとともに、光学特性を世界で初めて解明。-優れた光学特性とスピン特性が両立する可能性から、量子ネットワークへの応用に期待。概要東京工業大学工学院電気
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小型・集積化につながるダイヤモンド量子センサのスピン情報の電気的読み出しに成功 量子センサの社会実装を加速する成果
2021/06/28
Languages： Japanese
要点-量子センサである窒素－空孔（NV）センタの信号をダイオード構造を用いて電気的に検出-光電検出磁気共鳴（PDMR）により、量子センサのスピン情報の電気的検出を実証-集積固体量子センサへの応用に期待概要東京工業大学工学院電気電子系の岩﨑孝之准教授と波多野睦子教授、産業技術総合研究所先進パワーエレク
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高温で安定化する新しいダイヤモンド量子発光体の作製に成功 ―量子ネットワークへの応用に期待―
2017/12/26
Languages： Japanese
ダイヤモンド結晶内でスズ（Sn）と空孔（V）[用語1]からなるSnVカラーセンターを発見 2,000℃を超える高温高圧条件で加熱処理することにより、選択的にSnVセンターのみを形成 長い記憶時間を有する量子メモリーなど量子ネットワークへの応用に期待
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2017/02/03
Languages： English
Researchers develop a method for sensing the electric field generated in semiconductor devices during operation. The technique is demonstrated for a diamond device, with nitrogen?vacancy centers acting as local electric-field probes, subject to bias voltages up to 150 volt.
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パワーデバイス内部の電界を正確に計測することに成功―さらなる省エネ化に期待―
2017/01/27
Languages： Japanese
ポイント 窒素-空孔センターの電子スピンレベルの変化を使った新たな電界センサーを開発し、デバイス内部の電界を直接観察することに成功した。原子レベルセンサーをデバイス内部に形成することで、デバイス性能を損なわず、定量的かつ高空間分解能計測を実現した。ワイドバンドギャップ半導体による省エネルギーパワーデバイス開発の促進が期待できる。
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ゲルマニウム導入し光るダイヤを開発―バイオマーカーや量子暗号通信への応用へ期待―
2015/08/19
Languages： Japanese
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The diamond age of transistors
2012/11/30
Languages： English
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ダイヤモンド半導体による接合型電界効果トランジスターの動作に成功
2012/08/24
Languages： Japanese
JST課題達成型基礎研究の一環として、東京工業大学の波多野 睦子教授と産業技術総合研究所の山崎 聡主幹研究員らのグループは、ダイヤモンド半導体を用いた接合型電界効果トランジスターを作製し、動作させることに世界で初めて成功しました。グリーンイノベーションの一環として、スマートグリッドの開発が進められていますが、そのキーテクノロジーとして1.0kVを超える高い電圧に耐え、低損失でオン・オフできる小型の半導体パワーデバイスの開発が求められています。ダイヤモンド半導体は、半導体の中で最も高い絶縁耐圧と最も高い熱伝導率という優れた特性を持つため、候補材料として大いに期待されています。しかし、これまで、p型とn型が横方向に隣り合う横型pn接合を形成することの難しさ、特に特定の位置を選択して低抵抗のn型ダイヤモンド半導体を作ることの困難さから、パワーデバイスである接合型電界効果トランジスターは...
News & Media
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NHK Eテレ「サイエンスZERO」に波多野睦子教授、岩﨑孝之准教授が出演
2019/02/24 23:30
Languages： Japanese
TV： NHK 「サイエンスZERO」
Degree
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ジョセフソン素子の三端子化に関する基礎的研究 ( 慶應義塾大学 )
Research Interests
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電子物性
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ディスプレイ
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応用物理
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電子/光材料・プロセス・デバイス・回路
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薄膜
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環境エレクトロニクス
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ナノエレクトロニクス
Research Areas
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Manufacturing Technology (Mechanical Engineering, Electrical and Electronic Engineering, Chemical Engineering) / Electron device and electronic equipment
Education
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Keio University
- 1983
Country： Japan
Research History
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カリフォルニア大学バークリー校(UCB)客員研究員（３年間）
1997.9 - 2000.8
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から現在 （株）日立製作所中央研究所
1983
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Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory
Professional Memberships
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Society for Information Display
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日本物理学会
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日本応用物理学会
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日本学術会議
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IEEE
Committee Memberships
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日本学術会議 連携会員
2007
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IEEE IEEE International Electron Devices Meeting ＤＳＭ（Display Sensor MEMS)session committee
2006 - 2008
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Society for Information Display プログラム委員
2000
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日本物理学会 編集委員
1995
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・日本電子工業振興協会 微細構造プロセスデバイス専門委員会委員
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・AM-FPD 実行副委員長
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日本応用物理学会 理事
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過去担当の委員
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・総務省 電波防護指針委員
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・応用物理学会 Ｓｉテクノロジー分科会幹事
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・応用物理学会 理事
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代議員
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評議員
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JJAP編集委員、
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・応用物理学会
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男女共同参画委員会委員
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・日本物理学会編集委員
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論文賞委員
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・IEEE International Electron Devices Meeting ＤＳＭ（Display Sensor MEMS)session committee
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・日本学術会議会員（連携）
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現在担当の委員など
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・JST さきがけ 選考委員、「革新的次世代デバイスを目指す材料とプロセス」領域アドバイザ
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・Electrochemical Sciety 国際会議 ＴＦＴセッションのオーガナイザ
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・NEDO 若手グランド選考委員、電子デバイス選考委員
Books
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分担執筆4件 解説記事など15件
MISC
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Experiments on quasiparticle-waves interference using Si/Nb boundary
Mutsuko Hatano, Toshikazu Nishino, Kazuo Saito, Kazumasa Takagi
Journal of Applied Physics 75 ( 10 ) 5205 - 5209 1994
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Characteristics of phase-controlled superconducting device based on Andreev reflection and superconducting proximity effect at Nb-Si boundary
Mutsuko Hatano, Kazuo Saito, Toshikazu Nishino, Kazumasa Takagi
Applied Physics Letters 61 ( 21 ) 2604 - 2606 1992
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Study of superconducting proximity effect by measuring interference effect of Andreev-reflected quasiparticles
Mutsuko Hatano, Toshikazu Nishino, Haruhiro Hasegawa, Fumio Murai, Tokuo Kure, Hideaki Nakane
Journal of Applied Physics 69 ( 11 ) 7720 - 7722 1991
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0.1-μm Gate-Length Superconducting FET
T. Nishino, M. Hatano, H. Hasegawa, F. Murai, T. Kure, A. Hiraiwa, K. Yagi, U. Kawabe
IEEE Electron Device Letters 10 ( 2 ) 61 - 63 1989
Presentations
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リスト作成中
査読付き国際会議論文 33件 招待講演（国際会議）9件 招待講演(国内)8件 国内学会や研究会など33件
Awards
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応用物理学科フェロー（2008）
Research Projects
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環境エレクトロニクス
2008
Grant type：Competitive
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レーザアニールによるSi薄膜溶融，結晶化過程の実時間観測と結晶の高品質化
1997 - 2000
Grant type：Competitive
(1) レーザアニールによるSi薄膜溶融、結晶化過程の解明を目的として、温度履歴、相転移を
含めた現象を実時間で観測。約100 nsの短い時間内に起こり、過冷却度は約200Kと
低く、横方向結晶化速度は約７m/sであることを示した。
（学術論文5件、発表5件） -
薄膜材料・プロセス、トランジスタ、及びシステムインディスプレイ（有機EL、LCD)、大面積用材料・エレクトロニクスに関する研究
1995 - 2009
その他の試験研究機関
Grant type：Competitive
システムインディスプレイのコンセプト提案と産業化を目的として、高機能回路を構成する擬似単結晶デバイスを提案。結晶の高品質化、デバイス物理の解明、それに基づく高性能化、高信頼化に関しての成果を挙げ、産業化に貢献。（学術論文16件、発表論文28件、解説など12件）
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超伝伝導体、半導体、及びそれらの界面における量子効果現象の解明と新機能デバイス化に関する研究
1983 - 1997
その他の研究制度
Grant type：Competitive
高速、高感度で新機能を有する次世代超伝導体－半導体デバイス開発を目的として、ナノ微細半導体加工技術を用いた量子効果デバイスの研究に取り組んだ。特に、超伝導近接効果を原理とする超高速・超低電力トランジスタ、ならびに超伝導体/半導体界面でのアンドレイフ反射を用いた多機能な位相制御電子波干渉デバイスなどは、その代表的な業績であり、学界で高く評価されている。（学術論文15件、発表7件、解説5件）