2026/04/22 更新

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ヤスイ シンタロウ
安井 伸太郎
YASUI SHINTARO
所属
総合研究院 ゼロカーボンエネルギー研究所 准教授
職名
准教授
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News & Topics

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学位

  • 博士(工学) ( 東京工業大学 )

研究キーワード

  • 単結晶成長

  • 強的秩序

  • イオン伝導体

  • リチウムイオン電池

  • 薄膜成長

  • セラミックス合成

  • 圧電体

  • マルチフェロイック

  • 強誘電体

  • 材料リサイクルプロセス

  • エネルギー材料

研究分野

  • エネルギー / 原子力工学

  • ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性

  • ナノテク・材料 / エネルギー化学

  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電子デバイス、電子機器

  • ナノテク・材料 / 複合材料、界面

  • ナノテク・材料 / 無機材料、物性

  • ナノテク・材料 / 無機物質、無機材料化学

  • ナノテク・材料 / グリーンサステイナブルケミストリー、環境化学

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学歴

  • 東京工業大学   大学院総合理工学研究科   物質科学創造専攻

    2006年4月 - 2011年3月

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  • 上智大学   理工学部   化学科

    2001年4月 - 2006年3月

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経歴

  • 東京工業大学   科学技術創成研究院 ゼロカーボンエネルギー研究所   准教授

    2024年4月 - 現在

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    国名:日本国

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  • 独立行政法人日本学術振興会   卓越研究員

    2019年11月 - 2024年3月

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  • 東京工業大学   科学技術創成研究院 ゼロカーボンエネルギー研究所   テニュアトラック助教

    2019年11月 - 2024年3月

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    国名:日本国

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  • 東京工業大学   科学技術創成研究院 フロンティア材料研究所   助教

    2016年4月 - 2019年10月

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  • 東京工業大学   応用セラミックス研究所   助教

    2013年4月 - 2016年3月

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  • National Institute of Standards and Technology   Guest Researcher

    2012年4月 - 2013年3月

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  • University of Maryland   Collage Park   Researcher

    2012年4月 - 2013年3月

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  • 日本学術振興会   特別研究員(PD)

    2011年4月 - 2013年3月

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  • 日本学術振興会   特別研究員(DC2)

    2009年4月 - 2011年3月

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所属学協会

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委員歴

  • 日本金属学会、第9領域   委員  

    2023年4月 - 現在   

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    団体区分:学協会

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  • 日本セラミックス協会, 基礎科学部会   役員  

    2023年1月 - 現在   

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    団体区分:学協会

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  • 日本セラミックス協会 電子材料部会   役員  

    2022年4月 - 現在   

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    団体区分:学協会

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  • 応用物理学会 強的秩序とその操作に関わる研究会   副委員長  

    2021年 - 現在   

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  • ICYRAM 2022   Local organizer committee  

    2021年 - 2022年   

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  • 日本セラミックス協会 科学技術委員会   委員  

    2020年7月 - 現在   

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    団体区分:学協会

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  • 日本物理学会   領域10誘電体世話人  

    2020年4月 - 2021年3月   

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  • 日本鉄鋼協会   高温物性値フォーラム 庶務会計  

    2020年3月 - 2023年3月   

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  • 日本セラミックス協会 電子材料部会   副庶務  

    2020年 - 2022年   

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    団体区分:学協会

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  • 応用物理学会   代議員  

    2019年 - 2021年   

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  • 日露CISバルチック誘電体会議(RCBJSF-2020)   Program committee  

    2019年 - 2020年   

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  • 日本セラミックス協会 SJT委員会   委員長  

    2018年 - 現在   

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  • 科学技術・学術政策研究所 (NISTEP)   専門調査員  

    2017年 - 2023年   

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    団体区分:政府

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  • 応用物理学会   新領域 強的秩序とその操作に関わる研究グループ 代表代理/副代表  

    2015年 - 2021年   

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    団体区分:学協会

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  • 日本セラミックス協会   秋期シンポジウムオーガナイザ  

    2014年 - 2017年   

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論文

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MISC

  • 安全でリサイクル可能な大気下作製二次電池 : 水系準固体リチウムイオン電池への挑戦

    白鳥 洋介, 安井 伸太郎

    クリーンエネルギー / クリーンエネルギー編集委員会 編   35 ( 2 )   37 - 46   2026年2月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:東京 : 日本工業出版  

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    その他リンク: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I034567483

  • Evaluation of Cathode α-NaFeO2 for Sodium-Ion Batteries

    Koki Imabayashi, Yoshinao Kobayashi, Shintaro Yasui

    ECS Meeting Abstracts   2024年11月

  • 高成形性・高イオン伝導性を有する固体電解質の開発とシート型全固体電池への応用—Development of Solid Electrolytes Having High Formability and Ionic Conductivity and Application to Sheet-Type All-Solid-State Batteries

    安井 伸太郎

    科学と工業 = Science and industry / 科学と工業編集委員会 編   98 ( 8 )   199 - 204   2024年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:大阪 : 大阪工研協会  

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    その他リンク: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I033687190

  • 水を利用して作製した低コスト固体電解質と全固体電池

    安井 伸太郎

    Fine ceramics report   42 ( 3 )   92 - 96   2024年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:東京 : 日本ファインセラミックス協会  

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    その他リンク: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I033622929

  • SrTiO3単結晶基板上にエピタキシャル成長させたBa(Zr0.2Ti0.8)O3薄膜の成長基板による誘電チューナブル特性への影響

    高橋良, 江原祥隆, 澤井眞也, 濱嵜容丞, 西田謙, 安井伸太郎, 舟窪浩, NOVAK Nicola

    日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(Web)   37th   2024年

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  • 全固体電池のゲームチェンジャー : 嫌われている水と向き合うことで得られる新しい固体電解質—Game-changing material for all-solid-state batteries

    安井 伸太郎

    応用物理   92 ( 11 )   673 - 677   2023年11月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:応用物理学会  

    リチウムイオン2次電池は我々の生活に欠かせないエネルギーストレージであるが,より安全に使用するという観点から全固体化が進められている.現在使用している有機溶媒を用いた液系リチウムイオン2次電池は製造プロセスを含めて最適化が進んでいるためにコストパフォーマンスに優れる.全固体化するにあたり液系に変わって使用するためにはさまざまなメリットが絶対的に必要となり,本稿では今までの電池作製とは全く異なる視点から開発した,厳重な露点管理が不要な大気ハンドリングできる全固体電池を提案したい.

    DOI: 10.11470/oubutsu.92.11_673

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  • レーザ指向性エネルギー堆積法で造形したWC-HEA超硬合金の微細組織と硬度

    海老原魁人, 桜井健也, 桜井健也, 山下順広, 安井伸太郎, 國峯崇裕

    日本金属学会講演大会(Web)   173rd   2023年

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  • Sm-La融体中酸素溶解度と平衡酸化物相の温度依存性

    山田真琴, 中沢亮太, 伊藤あゆみ, 安井伸太郎, 阿部太一, 小林能直

    日本金属学会講演大会(Web)   173rd   2023年

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  • PLD法によるLaTaO4エピタキシャル薄膜の作製

    森井颯大, 浜嵜容丞, 江原祥隆, 安井伸太郎, 澤井眞也

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   70th   2023年

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  • 沸騰水型軽水炉過酷事故条件におけるSUS304-B4C溶融固化物の水蒸気酸化反応評価

    井上皓介, 伊藤あゆみ, 安井伸太郎, 安井伸太郎, 小林能直, 小林能直

    日本金属学会講演大会(Web)   172nd   2023年

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  • 溶融金属-窒素プラズマ反応による鉄スクラップ脱銅プロセス

    鈴木彩香, 伊藤あゆみ, 安井伸太郎, 安井伸太郎, 小林能直, 小林能直, 田中高太郎

    材料とプロセス(CD-ROM)   36 ( 2 )   2023年

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  • 1600±δにおけるFe-Zr液相中のZrの活性に及ぼすNi添加の影響の熱力学的研究【JST・京大機械翻訳】

    YANG Weirong, 伊藤あゆみ, 安井伸太郎, 安井伸太郎, 小林能直, 小林能直

    日本金属学会講演大会(Web)   172nd   2023年

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  • 希土類金属精錬の高効率化を目指したSm-La-O系融体中酸素の熱力学的性質

    山田真琴, 中沢亮太, 伊藤あゆみ, 安井伸太郎, 安井伸太郎, 小林能直, 小林能直

    日本金属学会講演大会(Web)   172nd   2023年

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  • 強誘電体の傾斜したバンド構造 : 絶縁体描像から極性半導体描像へ—Ferroelectric Skewed Electronic Band Structure : New Way of Ferroic Semiconductor

    狩野 旬, 押目 典宏, 池永 英司, 安井 伸太郎

    日本物理学会誌 = Butsuri   77 ( 7 )   469 - 474   2022年7月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:日本物理学会  

    「誘電体」という言葉は「電気を誘う物体」を指すような印象を与えるかもしれないが,実際は電荷を誘う物体の方が正しい.強誘電体は,強的な秩序が形成された誘電体を意味する.強誘電体の結晶では表面と裏面でそれぞれ正と負の電荷を帯電させ,結晶内部に電場を形成させる.電場は正電荷から負電荷に引いたベクトルであるが,逆に負電荷から正電荷に引いたベクトルは電気分極と呼ばれる.つまり電気分極を有する強誘電体は,外部から電圧を印加させることなく電場を内包させた物質である.結晶の表面と裏面に正負の電荷を分離存在できるのは,結晶の相転移に伴う反転対称性の破れにより陽・陰イオンが相対変位し,結晶格子内の電荷バランスが崩れることで微視的には電気双極子モーメントが規則配列され,巨視的に電気分極が形成されるからである.

    最初に発見された強誘電体が水溶性の水素結合を有した塩であったことで,永らく研究者の認識は強誘電体=絶縁体であった.そのために結晶内に存在するすべての電子は,格子を形成する原子の核と重心を同じにする束縛電子しか存在しないと理解され,古典物理学での取り扱いで十分だと思われていた.磁性体の相転移が電子論を礎に置いた量子統計力学での取り扱いが可能だったことに対し,誘電体の構造相転移は古典物理学に立脚した統計力学的機構の基本的理解によって発展を続けてきた所以である.BaTiO3が第二次世界大戦中に発見されて以来,ペロブスカイト型結晶を中心とし酸化物強誘電体が広く研究され,その過程において電子構造の理解が大切なはずだと,半導体としての取り扱いがゆっくりではあるが確実に進展し続けた.

    強誘電体の半導体としての取り扱いが可能ならば,電子構造を眺めてやれば電子論からの理解が可能かもしれない.強誘電体の電子バンド構造はどのようなものだろうか?

    電子構造は電気分極由来の電場により変調されるはずで,分極方向に沿って結晶内でポテンシャルが傾斜した構造をもつことが予想される.筆者らは,結晶内部を深さ方向にスキャン可能な硬X線角度分解光電子分光法で原子層レベルに精密合成された強誘電体薄膜を測定して,傾斜したバンド構造の観測に初めて成功した.各イオンのバンド傾斜のエネルギーシフトの大小はボルンの有効電荷,またソフトモードの構成イオンに対応し,電気分極由来による傾斜したバンド構造がフォノンダイナミクスと紐付けられることがわかった.

    電気分極で制御された傾斜したバンド構造は,強誘電体に特異な整流性を発現させる.金属–半導体もしくは半導体–半導体接合時に2つの物質のフェルミ準位を合わせるバンドアライメントはよく知られているが,強誘電体と接合した金属や半導体とのバンドアライメントでは,傾斜したバンド構造に影響され特異な電子構造の変調を接合金属・半導体に対して引き起こす.筆者らにより,BaTiO3に接合させたPd酸化物が一般にとりやすいPd2+ではなくPd4+の価数状態を実現させることがわかった.これからは強誘電体=絶縁体という古典描像を捨て,傾斜したバンド構造のような電子構造を探求する強誘電体研究を目指すのはいかがだろうか.

    DOI: 10.11316/butsuri.77.7_469

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  • 失われた陶磁器の作製技術~Missinglink~

    甲賀ゆうこ, 安井伸太郎, 磯部敏宏, 吉川英見

    日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(Web)   35th   2022年

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  • MgO単結晶基板上にエピタキシャル成長させたBa(Zr,Ti)O3膜の結晶構造と温度安定性

    高橋良, 江原祥隆, 澤井眞也, 濱嵜容丞, 西田謙, 安井伸太郎, 白石貴久, 舟窪浩

    日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(Web)   35th   2022年

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  • 誘電体界面を導入した酸化物系全固体電池の作製

    樋口拓実, 浜田果周, 寺西貴志, 安井伸太郎, 安原颯, 近藤真矢, 岸本昭

    日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(Web)   35th   2022年

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  • 水溶性犠牲層を用いたSrTiO3(001)基板上エピタキシャルPb(Zr,Ti)O3膜の剥離

    高橋和大, 吉野正人, 長崎正雅, 安井伸太郎, 安原颯, 山田智明

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   83rd   2022年

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  • (100)MgO基板上に製膜したBa(ZrxTi1-x)O3の結晶構造と誘電特性

    高橋良, 江原祥隆, 浜嵜容丞, 澤井眞也, 安井伸太郎, 安岡慎之介, 舟窪浩, 西田謙

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   83rd   2022年

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  • 薄膜化による(Al,Sc)N膜の結晶異方性及び強誘電特性の向上

    安岡慎之介, 水谷涼一, 大田怜佳, 白石貴久, 清水荘雄, 清水荘雄, 清水荘雄, 安井伸太郎, 江原祥隆, 西田謙, 上原雅人, 山田浩志, 秋山守人, 今井康彦, 坂田修身, 舟窪浩

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   69th   2022年

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  • BaTiO3担持リチウムイオン薄膜電池の固体電解質界面(SEI)形成に対する電解液依存性 II

    七澤太梧, 安原颯, 寺西貴志, 伊藤あゆみ, 小林能直, 安井伸太郎

    日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(Web)   35th   2022年

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  • 液相合成法を用いたアモルファスイオン伝導体のボトムアップ合成

    武井奏介, 鎌田慶吾, 安井伸太郎

    日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(Web)   35th   2022年

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  • Zircaloy/SUSおよびInconel反応によるBWR構造物初期溶融反応実験

    伊藤あゆみ, 安井伸太郎, 小林能直, 坂本寛, 伊東賢一, 平井睦, 溝上暢人

    日本原子力学会春の年会予稿集(CD-ROM)   2022   2022年

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  • BWR過酷事故を模した高温水蒸気雰囲気によるSUS304-B4C固化物におけるホウ素再分配挙動評価

    佐久間真之介, 伊藤あゆみ, 安井伸太郎, 小林能直, 伊東賢一, 平井睦, 溝上暢人

    日本原子力学会春の年会予稿集(CD-ROM)   2022   2022年

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  • 電解質支持型酸化物系全固体リチウムイオン電池の高性能化

    浜田果周, 本林秀文, 樋口拓実, 寺西貴志, 安井伸太郎, 安原颯, 近藤真矢, 田崎雄三, 中村亨, 岸本昭

    日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(Web)   35th   2022年

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  • SrTiO3薄膜の歪み誘起分極の電場応答

    猫本勇輝, 中島伸夫, 加藤盛也, 安井伸太郎, 足立純一, 丹羽尉博, 仁谷浩明, 武市泰男

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)   77 ( 1 )   2022年

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  • グラフェン/L10-規則合金界面に誘起された異方的軌道モーメント

    永沼 博, 西嶋 雅彦, 安達 隼人, 植本 光治, 新屋 ひかり, 安井 伸太郎, 森岡 仁, Bruno Dlubak, Pierre Seneor, 雨宮 健太

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2021.2   1964 - 1964   2021年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2021.2.0_1964

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  • 強誘電体の電子構造 : 反電場効果により傾斜するバンド構造—Electronic Structure of Ferroelectrics : Skewed Band Structure Induced by the Depolarizing Field—特集 Society5.0に貢献する誘電体材料・デバイス研究の新展開

    狩野 旬, 押目 典宏, 池永 英司, 安井 伸太郎, 日隈 聡士, 保井 晃

    Ceramics Japan = セラミックス : bulletin of the Ceramic Society of Japan   56 ( 7 )   463 - 466   2021年7月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:日本セラミックス協会  

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  • 軽水炉過酷事故条件のZr-O-(Fe,Cr,Ni)系界面反応における物質移動評価

    伊藤あゆみ, 萩原遼太郎, 安井伸太郎, 小林能直

    材料とプロセス(CD-ROM)   34 ( 2 )   2021年

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  • X線吸収分光法によるチタン酸ストロンチウム薄膜の歪み誘起強誘電性の研究

    中島伸夫, 熊谷学人, 安井伸太郎, 安井伸太郎

    量子ビームサイエンスフェスタ(Web)   2020   2021年

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  • 負極Li4Ti5O12エピタキシャル薄膜上への三相界面導入

    安原颯, 安井伸太郎, 保科拓也, 鶴見敬章, 寺西貴志, 伊藤満

    日本セラミックス協会年会講演予稿集(Web)   2021   2021年

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  • MgO基板上に(100)配向したエピタキシャルBZT薄膜の結晶構造と電気的特性

    高橋良, 江原祥隆, 西田謙, 安井伸太郎, 白石貴久, 舟窪浩

    日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(Web)   34th   2021年

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  • Zircaloy/Steel反応によるBWR構造物初期溶融反応実験

    萩原遼太郎, 伊藤あゆみ, 安井伸太郎, 小林能直, 坂本寛, 伊東賢一, 平井睦, 溝上暢人

    日本原子力学会春の年会予稿集(CD-ROM)   2021   2021年

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  • 超高速イオン輸送を示す強誘電体アシスト界面のモデル研究

    安井伸太郎, 寺西貴志

    村田学術振興財団年報   ( 35 )   2021年

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  • 誘電体を介したリチウムイオン電池界面の高速電荷移動

    寺西貴志, 山中亮治, 近藤真矢, 岸本昭, 三村憲一, 加藤一実, 安原颯, 安井伸太郎

    日本セラミックス協会年会講演予稿集(Web)   2021   2021年

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  • κ-Al2O3型構造マルチフェロイック薄膜の構造と物性

    安井伸太郎, 安井伸太郎

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   82nd   2021年

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  • 高分解能X線吸収分光法による抵抗スイッチング材料Pt/AlFeO3/Nb:SrTiO3ヘテロ膜の電子状態測定

    遠藤優理, 加藤盛也, 中島伸夫, RAO Badari Narayana, 安井伸太郎, 大沢仁志, 河村直己

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   82nd   2021年

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  • Society5.0に貢献する誘電体材料・デバイス研究の新展開 強誘電体の電子構造-反電場効果により傾斜するバンド構造-

    狩野旬, 押目典宏, 池永英司, 安井伸太郎, 日隈聡士, 保井晃

    セラミックス   56 ( 7 )   2021年

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  • 2Pb4-4 水熱合成圧電結晶膜を用いた高周波強力超音波トランスデューサによる液滴吐出と評価

    石河 睦生, 塚本 絢穂, 齋藤 直, 安井 伸太郎, 田原 麻梨江, 舟窪 浩, 黒澤 実

    超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム講演論文集   41   n/a   2020年11月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:特定非営利活動法人 超音波エレクトロニクス協会  

    DOI: 10.24492/use.41.0_2pb4-4

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  • (La0.3Sr0.7)(Al0.65Ta0.35)O3基板上にエピタキシャル成長させたBiFeO3膜の成長機構と強誘電体ドメイン構造

    In-Tae Bae, 安井 伸太郎, 一ノ瀬 智浩, 伊藤 満, 白石 貴久, 木口 賢紀, 永沼 博

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2020.1   1253 - 1253   2020年2月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2020.1.0_1253

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  • BaTiO3-LiCoO2-電解液三相界面近傍のSEI観察

    安原颯, 安井伸太郎, 保科拓也, 鶴見敬章, 寺西貴志, 伊藤満

    日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(CD-ROM)   33rd   2020年

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  • ε-Fe2O3ナノ粒子へのLi+挿入とその挿入過程の調査

    安原颯, 浜嵜容丞, 阿尾貴博, 稲熊宜之, 北條元, 安井伸太郎, 伊藤満

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   67th   383 - 383   2020年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2020.1.0_383

    CiNii Research

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  • 六方晶GdFeO3マルチフェロイック薄膜の合成

    笠原淳, 片山司, 毛司辰, 近松彰, 安井伸太郎, 伊藤満, 長谷川哲也

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   67th   1354 - 1354   2020年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2020.1.0_1354

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  • ペロブスカイト型酸窒化物強誘電体BaTaO2N微結晶の作製

    細野新, 鱒渕友治, 安井伸太郎, 武貞正樹, 樋口幹雄, 伊藤満, 吉川信一

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   67th   1695 - 1695   2020年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2020.1.0_1695

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  • 電子線回折および第一原理計算を用いた新規結晶相の構造解析

    永沼博, 永沼博, 永沼博, 永沼博, 一ノ瀬智浩, ZHAO H. J., INIGUEZ J., 安井伸太郎, BAE In-Tae

    応用物理学会東北支部学術講演会(CD-ROM)   75th   2020年

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  • 非鉛圧電体薄膜における電界印加中の結晶構造変化の解析

    安井伸太郎, 竹内一郎, 坂田修身

    SPring-8/SACLA利用研究成果集(Web)   8 ( 1 )   10 - 12   2020年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益財団法人 高輝度光科学研究センター  

    本研究は、電界印加下時間分解放射光X線回折法を用いて、反強誘電体エッジ組成が示す巨大な圧電性について調査を行った。その結果、電界を印加することで反強誘電相は強誘電相へ相転移を起こし、それらは可逆的に動作することが理解できた。しかしながら、全てのドメインが相転移を起こしている訳ではなく、一部にとどまった。相転移が引き起こす歪みから計算した圧電定数は最大で 240 pm/V になることが分かった。

    DOI: 10.18957/rr.8.1.10

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  • ジルコニウム-鉄合金の酸素溶解度の評価

    松井将都, 萩原遼太郎, 伊藤あゆみ, 安井伸太郎, 磯部敏宏, 小林能直

    日本金属学会講演大会(Web)   167th   2020年

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  • 時間分解XAFSを用いた交流電場下におけるBaTiO3の誘電応答

    加藤盛也, 中島伸夫, 安井伸太郎, 安井伸太郎, 足立純一, 仁谷浩明, 武市泰男

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)   75 ( 1 )   2272 - 2272   2020年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人 日本物理学会  

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.75.1.0_2272

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  • 誘電体界面がリチウムイオン電池の電荷移動機構に与える影響

    香西海星, 石田国大, 安原颯, 安井伸太郎, 寺西貴志, 岸本昭, 中山将伸, 伊藤満

    セラミックス基礎科学討論会講演要旨集   58th   2020年

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  • 誘電体界面がリチウムイオン電池の電荷移動機構に与える効果

    寺西貴志, 香西海星, 岸本昭, 石田国大, 中山将伸, 安原颯, 安井伸太郎, 伊藤満

    日本セラミックス協会年会講演予稿集(CD-ROM)   2020   2020年

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  • チタン酸ストロンチウム薄膜の格子歪みによる強誘電性の研究

    熊谷学人, 中島伸夫, 藤井康裕, 安井伸太郎, 安井伸太郎

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)   75 ( 1 )   2249 - 2249   2020年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人 日本物理学会  

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.75.1.0_2249

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  • SDDタイムスタンプを活用した時間分解X線吸収分光法によるチタン酸バリウムの電子状態の電場応答

    加藤盛也, 中島伸夫, 足立純一, 仁谷浩明, 武市泰男, 丹羽尉博, 安井伸太郎, 安井伸太郎

    量子ビームサイエンスフェスタ(Web)   2019   2020年

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  • 超高分解能超音波エコーを目指した圧電体材料の開発

    安井伸太郎, 安井伸太郎

    上原記念生命科学財団研究報告集(CD-ROM)   34   1 - 4   2020年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:上原記念生命科学財団  

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    その他リンク: https://search.jamas.or.jp/link/ui/2021172411

  • 3J1-1 圧電性結晶膜を用いた高周波強力超音波トランスデューサの開発とその評価

    石河 睦生, 塚本 絢穂, 齋藤 直, 遠藤 聡人, 安井 伸太郎, 田原 麻梨江, 舟窪 浩, 黒澤 実

    超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム講演論文集   40   n/a   2019年11月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:特定非営利活動法人 超音波エレクトロニクス協会  

    DOI: 10.24492/use.40.0_3j1-1

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  • Short range biaxial strain relief mechanism within epitaxially grown BiFeO3

    Bae In-Tae, Yasui Shintaro, Ichinose Tomohiro, Ito Mitsuru, Shiraishi Takahisa, Kiguchi Takanori, Naganuma Hiroshi

    JSAP Annual Meetings Extended Abstracts   2019.2   1361 - 1361   2019年9月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:The Japan Society of Applied Physics  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_1361

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  • Lattice mismatch effect on biaxial strain exerted on epitaxially-grown BiFeO3

    Naganuma Hiroshi, Bae In-Tae, Yasui Sintaro, Ito Mitsuru, Shiraishi Takahisa, Kiguchi Takanori, Ichinose Tomohiro

    JSAP Annual Meetings Extended Abstracts   2019.1   1215 - 1215   2019年2月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:The Japan Society of Applied Physics  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2019.1.0_1215

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  • 極性磁性体h-ScFeO3薄膜の強誘電性と界面構造

    浜嵜容丞, 安井伸太郎, 白石貴久, 赤間章裕, 木口賢紀, 谷山智康, 伊藤満

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   66th   1229 - 1229   2019年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2019.1.0_1229

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  • ヘテロエピタキシャルYMnO3型ScFeO3薄膜の界面構造

    浜嵜容丞, 安井伸太郎, 白石貴久, 赤間章裕, 木口賢紀, 谷山智康, 伊藤満

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   80th   1374 - 1374   2019年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_1374

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  • 酸化物に接合された金属薄膜への分子吸着挙動

    狩野旬, 押目典宏, 廣瀬哲, 上田剛慈, 安井伸太郎, 浜嵜容丞, 伊藤満, 三上仁志, 池田直, 藤井達生, 柏原浩大, SCHNEIDER Julien

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)   74 ( 2 )   2103 - 2103   2019年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人 日本物理学会  

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.74.2.0_2103

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  • 交流電場と同期した時間分解X線吸収分光法によるBaTiO3薄膜の誘電応答

    加藤盛也, 中島伸夫, 廣森慧太, 石本賢太郎, 安井伸太郎, 足立純一, 仁谷浩明, 武市泰男

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)   74 ( 2 )   2239 - 2239   2019年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人 日本物理学会  

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.74.2.0_2239

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  • κ-Al2O3型(Ga1-x/2Fe1-x/2)ScxO3単結晶の磁性と誘電性(2)磁性

    立山昂輝, 太宰卓朗, 安井伸太郎, YU Jianding, ZHANG Yang, WANG Hui, XIA Zhaoyang, FANG Jinghong, FU Desheng, 谷山智康, 伊藤満

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)   74 ( 2 )   2208 - 2208   2019年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人 日本物理学会  

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.74.2.0_2208

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  • κ-Al2O3型(Ga1-x/2Fe1-x/2)ScxO3単結晶の磁性と誘電性(1)誘電性

    立山昂輝, 太宰卓朗, 安井伸太郎, YU Jianding, ZHANG Yang, WANG Hui, XIA Zhaoyang, FANG Jinghong, FU Desheng, 谷山智康, 伊藤満

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)   74 ( 2 )   2019年

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  • 混合原子価ホモロガス相酸化物CaFe2O4・nFeO(n=2)の構造相転移

    寺口健斗, 安井伸太郎, 森吉千佳子, 黒岩芳弘, 森茂生, 谷山智康, 谷山智康, 伊藤満

    日本セラミックス協会年会講演予稿集(CD-ROM)   2019   2019年

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  • Sc置換GaFeO3単結晶の磁気特性

    立山昂輝, 太宰卓朗, 安井伸太郎, YU Jianding, ZHANG Yang, WANG Hui, XIA Zhaoyang, FANG Jinghong, 谷山智康, 伊藤満

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   80th   2138 - 2138   2019年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_2138

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  • 高周波強力超音波トランスデューサ用圧電結晶膜の製膜とその評価

    石河睦生, 内田庸助, 塚本絢穂, 齋藤直, 遠藤聡人, 安井伸太郎, 田原麻梨江, 舟窪浩, 黒澤実

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   80th   366 - 366   2019年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_366

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  • マルチフェロイックFe2Mo3O8薄膜における磁気転移温度の向上

    MO S., 片山司, 近松彰, 芝田悟朗, 芝田悟朗, 藤森淳, 安井伸太郎, 伊藤満, 長谷川哲也

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   80th   1376 - 1376   2019年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_1376

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  • 音響エネルギー式インクジェット法による有機無機ペロブスカイト結晶層の成膜

    塚本絢穂, 石河睦生, 遠藤聡人, 安井伸太郎, 池上和志, 宮坂力

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   80th   2738 - 2738   2019年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_2738

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  • 水溶性Sr3Al2O6薄膜を用いたフリースタンディングPSCTO単結晶薄膜の作製とその蛍光特性

    太宰卓朗, 安井伸太郎, 片山司, 谷山智康, 谷山智康, 伊藤満

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   66th   1439 - 1439   2019年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2019.1.0_1439

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  • 充放電サイクル後の「LiCoO2-BaTiO3-電解液」三相界面の観察

    安原颯, 吉川祐未, 寺西貴志, 坂田修身, 安井伸太郎, 谷山智康, 谷山智康, 伊藤満

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   66th   1348 - 1348   2019年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2019.1.0_1348

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  • 金属-酸化物薄膜接合系におけるエネルギーバンドアライメント

    狩野旬, 押目典宏, 廣瀬哲, 上田剛慈, 安井伸太郎, 浜嵜容丞, 伊藤満, 三上仁志, 池田直, 藤井達生, 柏原浩大, SCHNEIDER Julien

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   80th   1366 - 1366   2019年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_1366

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  • SDDタイムスタンプを利用した時間分解X線吸収分光法によるチタン酸バリウム薄膜の電子状態の電場応答

    加藤盛也, 中島伸夫, 足立純一, 仁谷浩明, 武市泰男, 安井伸太郎

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   80th   1379 - 1379   2019年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_1379

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  • マルチフェロイックh-DyFeO3薄膜の誘電・磁気特性

    笠原淳, 片山司, MO S., 近松彰, 安井伸太郎, 伊藤満, 長谷川哲也

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   80th   1375 - 1375   2019年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_1375

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  • 電気化学的手法によりLi挿入したε-Fe2O3ナノ粒子の磁性

    安原颯, 浜嵜容丞, 阿尾貴博, 稲熊宜之, 北條元, 安井伸太郎, 伊藤満

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   80th   2128 - 2128   2019年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_2128

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  • 化学等量性のよいLuFe2O4の酸素欠損と磁性

    奥田洋平, 藤原孝将, 清宮僚人, 横山景祐, 沖本洋一, 腰原伸也, 安井伸太郎, 加倉井和久, 加倉井和久, 池田直

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)   74 ( 1 )   2514 - 2514   2019年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人 日本物理学会  

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.74.1.0_2514

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  • κ-Al2O3型(Ga1-x/2Fe1-x/2)ScxO3単結晶の磁性と誘電性:(1)結晶構造と誘電性

    立山 昂輝, 太宰 卓朗, 安井 伸太郎, 符 徳勝, 谷山 智康, 伊藤 満

    日本物理学会講演概要集   74.2   2207 - 2207   2019年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人 日本物理学会  

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.74.2.0_2207

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  • Elucidation of crystal symmetry and strain of BiFeO3 epitaxial films on various substrates by structural calculation and electron diffraction

    Naganuma Hiroshi, In-Tae Bae, Ichinose Tomohiro, Kovacs Andras, Yasui Shintaro, Zhao Hong, Iniguez Jorge, Han Myung-Geun

    JSAP Annual Meetings Extended Abstracts   2018.2   1305 - 1305   2018年9月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:The Japan Society of Applied Physics  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_1305

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  • Structural analyses and first-principles simulation for new crystal symmetric BiFeO3 grown on LaAlO3 substrates

    Naganuma Hiroshi, Bae In-Tae, Kovacs Andras, Zhao Hong Jian, Iniguez Jorge, Yasui Shintaro, Ichinose Tomohiro

    JSAP Annual Meetings Extended Abstracts   2018.2   1335 - 1335   2018年9月

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    記述言語:英語   出版者・発行元:The Japan Society of Applied Physics  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_1335

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  • 単結晶SrRuO3シートの合成

    Gu Ke, 片山 司, 安井 伸太郎, 近松 彰, 伊藤 満, 長谷川 哲也

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2018.2   1505 - 1505   2018年9月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_1505

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  • 分極効果で変調される強誘電体BaTiO3薄膜の電子構造

    押目典宏, 狩野旬, 狩野旬, 池永英司, 安井伸太郎, 日隈聡士, 池田直, 浜嵜容丞, 安原颯, 横谷尚睦, 伊藤満, 藤井達生, 保井晃

    日本セラミックス協会年会講演予稿集(CD-ROM)   2018   1434 - 1434   2018年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2018.1.0_1434

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  • 電場印加前後でのBaTiO3内殻原子軌道のエネルギー準位計測

    押目 典宏, 伊藤 満, 藤井 達生, 保井 晃, 狩野 旬, 池永 英司, 安井 伸太郎, 日隈 聡士, 池田 直, 濱嵜 容丞, 安原 颯, 横谷 尚睦

    日本物理学会講演概要集   73 ( 1 )   2571 - 2571   2018年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人 日本物理学会  

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.73.1.0_2571

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  • スピネル型ZnGa2O4:Mn蛍光体薄膜におけるZn量が蛍光特性に与える影響

    太宰卓朗, 安井伸太郎, 谷山智康, 伊藤満

    日本セラミックス協会年会講演予稿集(CD-ROM)   2018   2018年

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  • 虎の門病院におけるJCI認証への取り組みについて

    安井伸太郎, 山田哲, 清水栄二郎, 石井健, 弘田裕, 中山浩

    共済医報   67 ( Supplement )   2018年

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  • 混合原子価ホモロガス相酸化物CaFe2O4・nFeO(n=2)の金属絶縁体転移と構造相転移

    寺口健斗, 安井伸太郎, 森吉千佳子, 黒岩芳弘, 谷山智康, 伊藤満

    日本セラミックス協会年会講演予稿集(CD-ROM)   2018   2018年

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  • GaFeO3単結晶基板を用いたSc0.5Fe1.5O3薄膜の単ドメイン化

    立山昂輝, 片山司, 越阪部拓也, 太宰卓朗, YU Jianding, HE Huan, WANG Hui, 濱嵜容丞, 安井伸太郎, 谷山智康, 伊藤満

    セラミックス基礎科学討論会講演要旨集   56th   2018年

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  • 巨大誘電特性を示すTiO2:(In,Nb)薄膜の作製及び電気的特性の評価

    藤田俊樹, 安井伸太郎, 谷山智康, 伊藤満

    セラミックス基礎科学討論会講演要旨集   56th   2018年

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  • アジ科カイワリ属魚類の2未記載種と2名義種の有効性

    木村清志, 吉川晟弘, 安井伸太郎

    日本魚類学会年会講演要旨   51st   2018年

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  • 誘電体界面を利用した急速充放電型Liイオン電池の開発

    吉川祐未, 寺西貴志, 勝治直人, 岸本昭, 安原颯, 安井伸太郎, 伊藤満

    日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(CD-ROM)   31st   2018年

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  • 酸化物ドットを担持したLiCoO2エピタキシャル薄膜の作製とその高速充放電特性のドット種依存性

    安原颯, 吉川祐未, 寺西貴志, 安井伸太郎, 谷山智康, 伊藤満

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   65th   2018年

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  • Al置換したε-FeO3薄膜の構造と物性

    浜嵜容丞, 浜嵜容丞, 白石貴久, 赤間章裕, 木口賢紀, 清水荘雄, 安井伸太郎, 谷山智康, 伊藤満

    日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(CD-ROM)   31st   2018年

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  • 酸化物ドットを担持したLiCoO2エピタキシャル薄膜の作製とその高速充放電特性のドット種依存性

    安原颯, 吉川祐未, 寺西貴志, 安井伸太郎, 谷山智康, 谷山智康, 伊藤満

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   79th   1416 - 1416   2018年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_1416

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  • 単純組成で創る強誘電体

    安井伸太郎, 伊藤満, 森分博紀

    村田学術振興財団年報   ( 32 )   2018年

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  • 傾斜組成Bi1-xSmxFeO3薄膜の分極反転挙動

    穴田柚冬, 丸山伸伍, 安井伸太郎, 永沼博, 伊藤満, 松本祐司

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   79th   1304 - 1304   2018年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_1304

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  • パルスレーザー堆積法によるFe2Mo3O8エピタキシャル膜の合成

    毛司辰, 片山司, 近松彰, 安井伸太郎, 伊藤満, 長谷川哲也

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   79th   1319 - 1319   2018年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_1319

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  • κ-Al2O3型構造材料におけるユニークな強誘電特性

    安井伸太郎, 片山司, 浜嵜容丞, 田口綾子, 森分博紀, 白石貴久, 赤間章裕, 木口賢紀, 伊藤満

    エレクトロセラミックス研究討論会講演予稿集   38th   2018年

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  • 強誘電体BaTiO3薄膜の分極反転時における電子構造変化

    押目典宏, 狩野旬, 池永英司, 安井伸太郎, 日隈聡士, 池田直, 浜嵜容丞, 安原颯, 横谷尚睦, 伊藤満, 藤井達生, 保井晃, 大沢仁志

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   79th   1334 - 1334   2018年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_1334

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  • 時間分解放射光X線回折を用いた菱面体晶PZTにおける非180°ドメインスイッチングの周波数応答特性の評価

    清水荘雄, 江原祥隆, 三村和仙, 安井伸太郎, 山田智明, 今井康彦, 勝矢良雄, 坂田修身, 舟窪浩

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   79th   1310 - 1310   2018年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_1310

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  • κ-Al2O3型構造GaFeO3薄膜の強誘電性とフェリ磁性

    安井伸太郎, 越阪部拓也, 伊藤満, 片山司, 片山司, 浜嵜容丞, 田口綾子, 森分博紀, 白石貴久, 赤間章裕, 木口賢紀

    日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(CD-ROM)   31st   2018年

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  • k-アルミナ型マルチフェロイックスのドメイン構造と強誘電性

    伊藤 満, 片山 司, 安井 伸太郎, 木口 賢紀, 白石 貴久, 赤間 章裕, 森分 博紀, 小西 綾子

    日本物理学会講演概要集   73 ( 1 )   2547 - 2547   2018年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人 日本物理学会  

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.73.1.0_2547

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  • SDDタイムスタンプを利用したサブマイクロ秒時分割XAFSの試み

    加藤 盛也, 小野 颯太, 中島 伸夫, 足立 純一, 仁谷 浩明, 丹羽 尉博, 武市 泰男, 安井 伸太郎

    日本物理学会講演概要集   73 ( 1 )   1544 - 1544   2018年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人 日本物理学会  

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.73.1.0_1544

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  • Pb(Zr,Ti)O3薄膜の圧電動作下における時分割XAFS測定

    加藤 盛也, 倉持 慶太郎, 中島 伸夫, 安井 伸太郎, 足立 純一, 仁谷 浩明, 武市 泰男

    日本物理学会講演概要集   73 ( 2 )   2081 - 2081   2018年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人 日本物理学会  

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.73.2.0_2081

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  • 磁性も備え、室温動作マルチフェロイックス新展開へ

    伊藤満, 片山司, 安井伸太郎, 木口賢紀

    日本経済新聞   2017年12月

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    記述言語:日本語   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(商業誌、新聞、ウェブメディア)  

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  • κ-Al2O3型(A,Fe)2O3(A=Al,Ga,Fe,Rh,Sc,In)薄膜の磁性と強誘電性

    伊藤満, 濱嵜容丞, 片山司, 安井伸太郎, 谷山智康

    日本化学会春季年会講演予稿集(CD-ROM)   97th   2017年

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  • 分極効果で変調される強誘電体BaTiO3の電子構造

    押目 典宏, 伊藤 満, 藤井 達生, 保井 晃, 狩野 旬, 池永 英司, 安井 伸太郎, 日隈 聡士, 池田 直, 濱嵜 容丞, 安原 颯, 横谷 尚睦

    日本物理学会講演概要集   72 ( 2 )   2307 - 2307   2017年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人 日本物理学会  

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.72.2.0_2307

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  • κ-アルミナ型酸化物強誘電体の構造と強誘電性

    伊藤 満, 濱嵜 容丞, 片山 司, 安井 伸太郎, 谷山 智康, 森分 博紀, 小西 綾子, 木口 賢紀, 白石 貴久, 赤間 章裕

    日本物理学会講演概要集   72 ( 2 )   2321 - 2321   2017年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人 日本物理学会  

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.72.2.0_2321

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  • GaFeO3型マルチフェロイック材料のドメイン構造

    片山司, 安井伸太郎, 浜嵜容丞, 森分博紀, 小西綾子, 木口賢紀, 白石貴久, 赤間章裕, 伊藤満

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   78th   1278 - 1278   2017年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_1278

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  • 高速充放電Liイオン電池に向けた誘電体SEIの開発

    吉川祐未, 勝治直人, 安原颯, 安井伸太郎, 寺西貴志, 林秀考, 岸本昭, 伊藤満

    エレクトロセラミックス研究討論会講演予稿集   37th   2017年

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  • 未来を担う若手セラミスト2017 強誘電体材料の未来を見据えて

    安井伸太郎

    セラミックス   52 ( 7 )   2017年

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  • 面内強誘電分極を有するエピタキシャルBaTiO3薄膜の格子定数の温度依存性

    小松克伊, 鈴木一平, 青木巧, 浜嵜容丞, 安井伸太郎, 伊藤満, 谷山智康

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   64th   1285 - 1285   2017年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_1285

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  • 元素置換サイト設計による室温マルチフェロイックGaFeO3型酸化物薄膜の磁気誘電特性制御

    片山司, 安井伸太郎, 浜嵜容丞, 越阪部拓也, 伊藤満

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   64th   1290 - 1290   2017年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_1290

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  • 面内強誘電BaTiO3薄膜上に作製したCu/Ni多層膜における垂直磁気異方性

    小松克伊, 鈴木一平, 青木巧, 浜嵜容丞, 安井伸太郎, 伊藤満, 谷山智康

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   78th   1843 - 1843   2017年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_1843

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  • マルチフェロイックGaFeO3薄膜の磁気及び強誘電特性へのCr置換効果

    越阪部拓也, 片山司, 安井伸太郎, 谷山智康, 伊藤満

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   78th   1461 - 1461   2017年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_1461

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  • 反強誘電体(Bi,Sm)FeO3薄膜の相転移と圧電性の関係

    安井伸太郎, TAKEUCHI Ichiro, 伊藤満

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   78th   1264 - 1264   2017年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_1264

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  • BaTiO3のバンドベンディング構造

    押目典宏, 狩野旬, 狩野旬, 池永英司, 安井伸太郎, 日隈聡士, 池田直, 浜嵜容丞, 安原颯, 横谷尚睦, 伊藤満, 藤井達生, 保井晃

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   78th   1242 - 1242   2017年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_1242

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  • 様々な表面形状を有するLiCoO2エピタキシャル薄膜の高速充放電特性

    安原颯, 安井伸太郎, 谷山智康, 伊藤満

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   78th   1439 - 1439   2017年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_1439

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  • 時間分解X線吸収スペクトルによる交流電場下におけるチタン酸バリウム薄膜の誘電応答

    小野颯太, LU Cong, 加藤盛也, 中島伸夫, 足立純一, 丹羽尉博, 安井伸太郎

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   78th   1273 - 1273   2017年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_1273

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  • k-Al2O3型(A,Fe)2O3(A=Al,Ga,Fe,Sc,Rh,In)酸化物の強誘電性と磁性

    伊藤 満, 濱嵜 容丞, 片山 司, 越阪部 拓也, 安井 伸太郎, 谷山 智康

    日本物理学会講演概要集   72 ( 0 )   2681 - 2681   2017年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人 日本物理学会  

    <p>k−Al2O3型マルチフェロイック酸化物(A,Fe)O3(A=Al,Ga, Fe, Sc, Rh,,In)の強誘電性と磁性を評価して報告する.</p>

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.72.1.0_2681

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  • 強誘電性シリケートBi2SiO5のLa置換効果

    帯刀 信吾, 酒井 雄樹, 藤井 康裕, 是枝 聡肇, 安井 伸太郎, 東 正樹, 田辺 賢士, 寺崎 一郎, 谷口 博基

    日本物理学会講演概要集   72 ( 0 )   2719 - 2719   2017年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人 日本物理学会  

    <p>Bi_2_SiO_5_は室温以上で強誘電性を示すシリケート化合物である。本研究ではBi_2_SiO_5_中のBiをLaで1%〜10%置換した試料を作製し、誘電率測定を行った。その結果、La置換による相転移のブロード化が観測され、置換率3%で相転移が消失した。相転移が消失した試料では100〜500 Kにわたって温度変化がほとんどない、高誘電率(ε' 〜 100)が得られた。講演では、誘電応答の起源を格子ダイナミクスの観点から議論する予定である。</p>

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.72.1.0_2719

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  • BaTiO3におけるバンドベンディング構造の直接観測

    押目 典宏, 狩野 旬, 池永 英司, 安井 伸太郎, 日隈 聡士, 池田 直, 横谷 尚睦, 藤井 達生

    日本物理学会講演概要集   72 ( 0 )   2725 - 2725   2017年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人 日本物理学会  

    <p>自発分極は試料内部の静電ポテンシャルを傾斜させる。強誘電体の原子軌道エネルギーはこの傾斜に応じて系統的に変化すると考えられる。この現象はバンドベンディングと呼ばれ40年以上に渡り予想されてきた。今回,BaTiO_3_においてバンドベンディング現象を直接的に観測したので報告する。本研究において得られた実験結果は,エピタキシャル製膜された強誘電体薄膜試料と深さ分解光電子分光実験を組み合わせることで初めて達成できた。</p>

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.72.1.0_2725

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  • 分極効果で変調される強誘電体BaTiO3の電子構造

    押目典宏, 狩野旬, 狩野旬, 池永英司, 安井伸太郎, 日隈聡士, 池田直, 浜嵜容丞, 安原颯, 横谷尚睦, 伊藤満, 藤井達生, 保井晃

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)   72 ( 2 )   2017年

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  • ウルツ鉱型結晶構造ZnO薄膜の強誘電性

    森分 博紀, 小西 綾子, 小川 貴史, Fisher Craig, 桑原 彰秀, 清水 高雄, 安井 伸太郎, 伊藤 満

    日本物理学会講演概要集   72 ( 0 )   2668 - 2668   2017年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人 日本物理学会  

    <p>ウルツ鉱型結晶構造ZnO薄膜の強誘電性について第一原理計算により検討した結果を報告する.</p>

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.72.1.0_2668

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  • κ-Al2O3型(A,Fe)2O3(A=Al,Ga,Fe,Sc,Rh,In)酸化物の強誘電性と磁性

    伊藤満, 濱嵜容丞, 片山司, 越阪部拓也, 安井伸太郎, 谷山智康

    日本物理学会講演概要集(CD-ROM)   72 ( 1 )   2017年

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  • 強誘電体-活物質ナノ積層正極膜の電池特性評価

    茶島圭介, 寺西貴志, 林秀考, 岸本昭, 安原颯, 安井伸太郎, 伊藤満

    セラミックス基礎科学討論会講演要旨集   55th   2017年

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  • 非ペロブスカイト型酸化物強誘電体開発 (特集 強誘電体・誘電体材料研究最前線 2016)

    伊藤 満, 濵嵜 容丞, 安井 伸太郎

    Ceramics Japan = セラミックス : bulletin of the Ceramic Society of Japan   51 ( 10 )   661 - 665   2016年10月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:日本セラミックス協会  

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  • 第一原理計算によるκ‐Al2O3型強誘電体の分極反転経路解析

    小西綾子, 森分博紀, 濱嵜容丞, 安井伸太郎, 伊藤満

    JFCC研究成果集   2016   11   2016年

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    記述言語:日本語  

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  • κ-Al2O3型酸化物薄膜の分極反転と強誘電性(I)

    浜嵜容丞, 安井伸太郎, 谷山智康, 伊藤満, 清水荘雄, 小西綾子, 森分博紀, 白石貴久, 赤間章裕, 木口賢紀

    日本セラミックス協会年会講演予稿集(CD-ROM)   2016   2016年

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  • 第一原理計算による強誘電性k-Al2O3型結晶構造の分極反転経路解析

    小西綾子, 小川貴史, FISHER Craig, 桑原彰秀, 森分博紀, 濱嵜容丞, 安井伸太郎, 伊藤満

    日本金属学会講演概要(CD-ROM)   159th   2016年

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  • 四面体型強誘電体薄膜の作製と分極反転の可能性

    安井伸太郎, 高橋竜太, LIPPMAA Mikk, 小西綾子, 森分博紀, 伊藤満

    日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(CD-ROM)   29th   2016年

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  • マルチフェロイックGaxFe2-xO3薄膜の磁気誘電特性

    片山司, 浜嵜容丞, 安井伸太郎, 伊藤満

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   77th   1320 - 1320   2016年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_1320

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  • ε-Fe2O3薄膜の構造と磁気特性へのRh置換効果

    越阪部拓也, 浜嵜容丞, 片山司, 安井伸太郎, 谷山智康, 伊藤満

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   77th   1434 - 1434   2016年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_1434

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  • Y3GaO6:Eu3+赤色残光体における共添加元素の効果

    太宰卓朗, 安井伸太郎, 谷山智康, 伊藤満

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   77th   2950 - 2950   2016年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2950

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  • チタン酸バリウム薄膜における電子状態のパルス電場応答

    小野颯太, LU Cong, 中島伸夫, 足立純一, 丹羽尉博, 安井伸太郎

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   77th   1773 - 1773   2016年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_1773

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  • κ-Al2O3型MexFe2-xO3エピタキシャル薄膜の構造と強誘電性(I)

    浜嵜容丞, 安井伸太郎, 谷山智康, 清水荘雄, 小西綾子, 森分博紀, 白石貴久, 赤間章裕, 木口賢紀, 伊藤満

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   63rd   1238 - 1238   2016年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1238

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  • κ-Al2O3型MexFe2-xO3エピタィシャル薄膜の構造と強誘電性(II)

    浜嵜容丞, 安井伸太郎, 谷山智康, 清水荘雄, 小西綾子, 森分博紀, 白石貴久, 赤間章裕, 木口賢紀, 伊藤満

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   63rd   1239 - 1239   2016年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1239

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  • κ-Al2O3型酸化物薄膜の分極反転と強誘電性(II)

    浜嵜容丞, 安井伸太郎, 谷山智康, 伊藤満, 清水荘雄, 小西綾子, 森分博紀, 白石貴久, 赤間章裕, 木口賢紀

    日本セラミックス協会年会講演予稿集(CD-ROM)   2016   2016年

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  • 第一原理計算によるGaFeO3型強誘電体の分極反転経路解析

    小西綾子, 小川貴史, FISHER Craig A. J., 桑原彰秀, 森分博紀, 濱嵜容丞, 安井伸太郎, 伊藤満

    日本セラミックス協会年会講演予稿集(CD-ROM)   2016   2016年

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  • BaTiO3/LiCoO2エピタキシャル薄膜の作製と正極特性の評価

    安原颯, 安井伸太郎, 寺西貴志, 伊藤満

    セラミックス基礎科学討論会講演要旨集   54th   2016年

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  • エピタキシャルBaTiO3/LiCoO2薄膜の界面状態と正極特性

    安原颯, 茶島圭介, 寺西貴志, 勝矢良雄, 坂田修身, 安井伸太郎, 谷山智康, 伊藤満

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   77th   1375 - 1375   2016年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_1375

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  • 時間分解X線吸収分光によるチタン酸バリウム薄膜のパルス電場応答測定

    小野颯太, 佐野瑛彦, 中島伸夫, 足立純一, 丹羽尉博, 安井伸太郎

    量子ビームサイエンスフェスタ(Web)   2015   2016年

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  • Ln3GaO6(Ln=Y,Gd):Eu3+赤色蛍光体の残光特性評価

    太宰卓朗, 浜嵜容丞, 安井伸太郎, 谷山智康, 伊藤満

    日本セラミックス協会年会講演予稿集(CD-ROM)   2016   2016年

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  • ScFeO3アイソマー

    濱嵜容丞, 清水荘雄, 安井伸太郎, 谷山智康, 伊藤満

    日本化学会春季年会講演予稿集(CD-ROM)   96th   2016年

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  • 強誘電体-活物質ナノ積層正極膜の電池特性評価

    茶島圭介, 寺西貴志, 林秀考, 岸本昭, 安原颯, 安井伸太郎, 伊藤満

    日本セラミックス協会年会講演予稿集(CD-ROM)   2016   2016年

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  • BaTiO3-LiCoO2ナノ積層正極膜における高出力特性

    茶島圭介, 寺西貴志, 林秀考, 岸本昭, 安原颯, 安井伸太郎, 伊藤満

    日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(CD-ROM)   29th   2016年

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  • チタン酸バリウム薄膜における電子状態のパルス電場応答性

    小野颯太, CONG Lu, 中島伸夫, 足立純一, 丹羽尉博, 安井伸太郎

    日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(CD-ROM)   29th   2016年

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  • バッファー層の挿入によるマグネタイト薄膜の欠陥制御

    寺口健斗, 清水荘雄, 浜嵜容丞, 安井伸太郎, 谷山智康, 伊藤満

    セラミックス基礎科学討論会講演要旨集   53rd   2015年

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  • Perovskite型構造圧電体薄膜の開発~未来材料へ向けて~

    安井伸太郎, 伊藤満, 舟窪浩

    日本セラミックス協会年会講演予稿集(CD-ROM)   2015   2015年

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  • 極性構造を有するGaFeO3型AlxFe2-xO3固溶体薄膜の作製と物性評価

    浜嵜容丞, 清水荘雄, 安井伸太郎, 谷山智康, 伊藤満

    日本セラミックス協会年会講演予稿集(CD-ROM)   2015   2015年

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  • AlFeO3エピタキシャル薄膜における抵抗スイッチング特性および負性抵抗現象

    HAN Yefei, 濱嵜容丞, 安井伸太郎, 谷山智康, 伊藤満

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   62nd   1353 - 1353   2015年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_1353

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  • 新規ScFeO3薄膜の作製とその強誘電性

    安井伸太郎, 浜嵜容丞, 谷山智康, 伊藤満

    日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(CD-ROM)   28th   2015年

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  • 斜方晶ScxFe2-xO3エピタキシャル薄膜の作製と特性評価

    浜嵜容丞, 安井伸太郎, 谷山智康, 伊藤満

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   76th   1175 - 1175   2015年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2015.2.0_1175

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  • First-Principles Calculations of Ferroelectricity in Wurtzite-Structured Simple Chalcogenides

    KONISHI Ayako, MORIWAKE Hiroki, OGAWA Takafumi, FUJIMURA Koji, FISHER Craig A. J, KUWABATA Akihide, SHIMIZU Takao, YASUI Shintaro, ITOH Mitsuru

    AMTC Lett   4   102 - 103   2014年5月

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    記述言語:英語  

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  • 30pCE-5 GdFeAsO_<1-x>F_xの電子磁気状態相図(30pCE 鉄砒素5(X線・置換効果・理論),領域8(強相関係))

    塩沢 啓, 櫻井 信, 的場 正憲, 安井 伸太郎, 伊藤 満, 神原 陽一

    日本物理学会講演概要集   69 ( 0 )   677 - 677   2014年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人 日本物理学会  

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.69.1.3.0_677_2

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  • GaFeO3型AlxFe2-xO3薄膜の作製と磁気特性

    浜嵜容丞, 清水荘雄, 安井伸太郎, 谷山智康, 伊藤満

    日本セラミックス協会年会講演予稿集(CD-ROM)   2014   2014年

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  • 28aAM-1 強誘電体・反強誘電体相境界におけるエピタキシャル薄膜の圧電応答挙動(28aAM 誘電体(ドメイン,リラクサ),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

    安井 伸太郎, Takeuchi Ichiro, 江原 祥隆, 白石 貴久, 清水 荘雄, 舟窪 浩, 今井 康彦, 田尻 寛男, 坂田 修身, 伊藤 満

    日本物理学会講演概要集   69 ( 0 )   923 - 923   2014年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人 日本物理学会  

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.69.1.4.0_923_4

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  • 27pPSA-15 エピタキシャルAl_<2-x>Fe_xO_3膜の強誘電性と磁性(27pPSA 領域10ポスターセッション(誘電体,フォノン,格子欠陥・ナノ構造),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

    濱嵜 容丞, 清水 荘雄, 安井 伸太郎, 谷山 智康, 伊藤 満

    日本物理学会講演概要集   69 ( 0 )   918 - 918   2014年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人 日本物理学会  

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.69.1.4.0_918_3

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  • PLD法によるCaMoO4エピタキシャル薄膜の作製と発光特性

    太宰卓朗, 浜嵜容丞, 安井伸太郎, 谷山智康, 伊藤満

    セラミックス基礎科学討論会講演要旨集   52nd   2014年

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  • 第一原理計算によるウルツァイト型結晶構造の強誘電性解析

    森分博紀, 小西綾子, 清水荘雄, 安井伸太郎, 伊藤満

    JFCC研究成果集   2014   11   2014年

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    記述言語:日本語  

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  • アジ亜科魚類8属13種の色覚

    安井伸太郎, 宮崎多恵子

    日本水産学会大会講演要旨集   2014   2014年

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  • GaFeO3型In0.25Fe1.75O3マルチフェロイック薄膜の作製と特性評価

    浜嵜容丞, 安井伸太郎, 谷山智康, 伊藤満

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   75th   3855 - 3855   2014年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2014.2.0_3855

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  • イオン液体ゲートを用いたLiTi2O4薄膜の超伝導転移温度の変調

    丸山伸伍, 丸山伸伍, SHIN Jongmoon, ZHANG Xiaohang, KUI Jin, SUCHOSKI Richard, 安井伸太郎, 安井伸太郎, 松本祐司, GREENE Richard L., 竹内一郎

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   61st   1337 - 1337   2014年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_1337

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  • ウルツァイト型結晶構造単純カルコゲナイドの強誘電性

    小西綾子, 森分博紀, 小川貴史, 藤村幸司, FISHER Craig A.J., 桑原彰秀, 清水荘雄, 安井伸太郎, 伊藤満

    日本セラミックス協会年会講演予稿集(CD-ROM)   2014   2014年

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  • 熱電材料のための六方晶チタン酸バリウム単結晶の育成とその特性評価

    安井伸太郎, 石本雄介, 清水荘雄, 谷山智康, 伊藤満

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   75th   3894 - 3894   2014年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2014.2.0_3894

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  • チタン酸ストロンチウム薄膜における歪み誘起AFD,FE相転移の観察

    山田智明, 山田智明, 山田智明, WYLIE-VAN EERD B., 坂田修身, 坂田修身, TAGANTSEV A.K., TAGANTSEV A.K., 森岡仁, 森岡仁, 江原祥隆, 安井伸太郎, 舟窪浩, 長崎正雅, TRODAHL J.

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   61st   1168 - 1168   2014年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_1168

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  • ZnGa2O4をバッファー層に用いたマグネタイト薄膜の作製

    寺口健斗, 清水荘雄, 浜嵜容丞, 安井伸太郎, 谷山智康, 伊藤満

    セラミックス基礎科学討論会講演要旨集   52nd   2014年

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  • エピタキシャルAl2-xFexO3薄膜の強誘電性と磁性

    浜嵜容丞, 清水荘雄, 安井伸太郎, 谷山智康, 伊藤満

    日本物理学会講演概要集   69 ( 1 )   2014年

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  • GdFeAsO1-xFxの電子磁気状態相図

    塩沢啓, 櫻井信, 的場正憲, 安井伸太郎, 伊藤満, 神原陽一

    日本物理学会講演概要集   69 ( 1 )   2014年

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  • 低次元酸素八面体構造を有するシリケート誘電体における誘電特性の高温安定性

    木村純一, 谷口博基, 飯島高志, 清水荘雄, 安井伸太郎, 伊藤満, 舟窪浩

    日本セラミックス協会年会講演予稿集(CD-ROM)   2014   2014年

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  • シーライト型酸化物蛍光体薄膜の特性評価

    太宰卓朗, 濱崎容丞, 安井伸太郎, 谷山智康, 伊藤満, 高島浩

    日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(CD-ROM)   27th   2014年

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  • 導電性六方晶BaTiO3の合成と熱電特性評価

    石本雄介, 清水荘雄, 安井伸太郎, 谷山智康, 伊藤満

    セラミックス基礎科学討論会講演要旨集   52nd   2014年

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  • 30aAM-9 ウルツァイト型カルコゲナイドにおける強誘電相転移の第一原理計算(30aAM 誘電体,フォノン(ペロブスカイト系,フォノン),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

    森分 博紀, 小西 綾子, 小川 貴史, 藤村 幸司, Fisher Craig A. J., 桑原 彰秀, 清水 荘雄, 安井 伸太郎, 伊藤 満

    日本物理学会講演概要集   69 ( 0 )   948 - 948   2014年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人 日本物理学会  

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.69.1.4.0_948_1

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  • PLD法を用いて作製した準安定相InxFe2-xO3薄膜の結晶構造制御

    浜嵜容丞, 清水荘雄, 安井伸太郎, 谷山智康, 伊藤満

    日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(CD-ROM)   27th   2014年

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  • 六方晶チタン酸バリウム単結晶の熱電特性

    安井伸太郎, 石本雄介, 清水荘雄, 谷山智康, 伊藤満

    日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(CD-ROM)   27th   2014年

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  • ビスマス層状誘電体の誘電性の結晶方位依存性と高温対応コンデンサへの応用検討

    舟窪 浩, 木村 純一, 清水 荘雄, 松島 正明, 安井 伸太郎, 内田 寛, 山田 智明

    Journal of the Society of Inorganic Materials, Japan : セッコウ・石灰・セメント・地球環境の科学   20 ( 367 )   403 - 407   2013年11月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:無機マテリアル学会  

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  • 圧電・超音波材料 高温使用可能な新規非鉛圧電材料

    安井 伸太郎, 黒澤 実, 舟窪 浩

    超音波techno   25 ( 4 )   64 - 69   2013年7月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:日本工業出版  

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  • 放射光X線を用いた(111)/(11-1)配向菱面体晶エピタキシャルPb(Zr,Ti)O3膜の電場印加による非分極軸ドメインスイッチングのその場観察

    江原祥隆, 安井伸太郎, 及川貴弘, 白石貴久, 山田智明, 今井康彦, 田尻寛男, 坂田修身, 舟窪浩

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   60th   2013年

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  • 圧電MEMS用Pb(Zr,Ti)O3膜の信頼性評価

    和田亜由美, 江原祥隆, 安井伸太郎, 中島光雅, 及川貴弘, 小林健, 西田謙, 西出正道, 松岡将史, 山本孝, 森岡仁, 舟窪浩

    セラミックス基礎科学討論会講演要旨集   51st   2013年

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  • PLD法によるBi(Mg1/2Ti1/2)O3基固溶体膜の作製と評価

    及川貴弘, 安井伸太郎, 真鍋直人, 渡邉隆之, 薮田久人, 三浦薫, 小林健, 舟窪浩

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   60th   1158 - 1158   2013年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2013.1.0_1158

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  • 繰り返し電界印加によるMEMS用Pb(Zr,Ti)O3膜の特性評価

    和田亜由美, 江原祥隆, 安井伸太郎, 中島光雅, 及川貴弘, 小林健, 森岡仁, 舟窪浩

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   60th   1139 - 1139   2013年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2013.1.0_1139

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  • 新規ペロブスカイト型ビスマス圧電体薄膜の作製とその特性評価

    安井 伸太郎, 舟窪 浩, 坂田 修身

    日本結晶学会誌   55 ( 5 )   296 - 301   2013年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:日本結晶学会  

    Novel perovskite-type Bi-based piezoelectric materials which was discovered by high pressure synthesis were fabricated by MOCVD method. We also suggested a piezoresponse measurement system using synchrotron X-ray for &lt;i&gt;In-situ&lt;/i&gt; measurement of &quot;Polarization - Lattice strain - Electric field&quot; at a same time.

    DOI: 10.5940/jcrsj.55.296

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  • 強誘電体-反強誘電体相境界を有する(Bi,Sm)FeO3エピタキシャル薄膜の電界印加時における圧電挙動の観察

    安井伸太郎, 安井伸太郎, 江原祥隆, 白石貴久, 清水荘雄, 舟窪浩, 伊藤満, 今井康彦, 田尻寛男, 坂田修身, 坂田修身, TAKEUCHI Ichiro

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   74th   2102 - 2102   2013年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2013.2.0_2102

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  • 強誘電体-反強誘電体相境界を有する(Bi,Sm)FeO3エピタキシャル薄膜の電界印加時における圧電挙動の観察

    安井伸太郎, 安井伸太郎, 江原祥隆, 白石貴久, 清水荘雄, 舟窪浩, 伊藤満, 今井康彦, 田尻寛男, 坂田修身, TAKEUCHI Ichiro

    日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(CD-ROM)   26th   2013年

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  • 強誘電体BiFeO3における長寿命伝導キャリアの観測

    中村透, 山田泰裕, 安井伸太郎, 舟窪浩, 金光義彦

    光物性研究会論文集   24th   2013年

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  • 白色ポンプ・プローブ法によるBiFeO3薄膜の過渡吸収ダイナミクス

    中村透, 山田泰裕, 安井伸太郎, 舟窪浩, 金光義彦

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   60th   1312 - 1312   2013年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2013.1.0_1312

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  • CaTiSiO5基セラミックスの合成と誘電特性評価

    木村純一, 谷口博基, 谷口博基, 清水荘雄, 安井伸太郎, 伊藤満, 舟窪浩

    日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(CD-ROM)   26th   2013年

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  • ペロブスカイト型酸化物テンプレートを用いた(001)高配向性BiFeO3薄膜の選択的成長

    林真里, 安井伸太郎, 舟窪浩, 内田寛

    セラミックス基礎科学討論会講演要旨集   50th   2012年

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  • PLD法を用いたエピタキシャルPb(Zr,Ti)O3ナノロッドの成長過程の観察とその強誘電及び圧電特性

    山田智明, 山田智明, 中村健太郎, 田中秀典, 江原祥隆, 安井伸太郎, 及川貴弘, 坂田修身, 舟窪浩, 吉野正人, 長崎正雅

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   73rd   1201 - 1201   2012年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2012.2.0_1201

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  • 電界印加に伴うPb(Zr,Ti)O3膜の結晶構造変化の解析

    和田亜由美, 江原祥隆, 安井伸太郎, 中島光雅, 和田芽句, 谷口博基, 伊藤満, 岡村総一郎, 西田謙, 山本孝, 小林健, 森岡仁, 舟窪浩

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)   59th   1283 - 1283   2012年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2012.1.0_1283

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  • 正方晶および菱面体晶エピタキシャルPb(Zr,Ti)O3膜の圧電特性と強誘電特性

    江原祥隆, 安井伸太郎, 及川貴弘, 舟窪浩, 山田智明, 山田智明

    日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(CD-ROM)   25th   2012年

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  • 放射光X線を用いた(111)/(11-1)配向菱面体晶エピタキシャルPb(Zr,Ti)O3膜の電場印加による非分極軸ドメインスイッチングのその場観察

    江原祥隆, 安井伸太郎, 及川貴弘, 白石貴久, 山田智明, 今井康彦, 田尻寛男, 坂田修身, 舟窪浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   73rd   1200 - 1200   2012年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2012.2.0_1200

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  • 過渡吸収分光による強誘電体BiFe1-xCoxO3の光キャリアダイナミクス

    中村透, 山田泰裕, 安井伸太郎, 舟窪浩, 金光義彦

    日本物理学会講演概要集   67 ( 2 )   2012年

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  • 正方晶およびMPB組成のPZT膜の圧電機構の比較検討

    和田亜由美, 江原祥隆, 安井伸太郎, 中島光雅, 及川貴弘, 白石貴久, 西田謙, 西出正道, 山本孝, 小林健, 森岡仁, 坂田修身, 今井康彦, 山田智明, 山田智明, GRUVERMAN Alexei, 舟窪浩

    エレクトロセラミックス研究討論会講演予稿集   32nd   2012年

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  • 分極軸配向エピタキシャルPb(Zr,Ti)O3膜の強誘電特性

    江原 祥隆, 安井 伸太郎, 及川 貴弘, 山田 智明, 飯島 高志, 坂田 修身, 舟窪 浩

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2012   327 - 327   2012年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    分極軸配向のPZT膜を作製し、その強誘電性を調査した。得られた膜の自発分極値は、現象論的の予測と良く一致した。

    DOI: 10.14853/pcersj.2012S.0.327.0

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  • ペロブスカイト型酸化物界面層を用いたBiFeO3薄膜の一軸配向成長

    内田 寛, 林 真里, 笹嶋 慶一, 峰村 佳輝, 安井 伸太郎, 舟窪 浩

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2012   318 - 318   2012年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    BiFeO3はPb含有強誘電体を代替する有力な材料の候補として、近年その研究開発が急速に進められている。本研究では酸化物単結晶基板よりも汎用性の高いSiウェハ上での材料合成を念頭に置き、LaNiO3層ならびにCa2Nb3O10ナノシートなど、同じくペロブスカイト型結晶構造を有する界面層を成長核として利用したBiFeO3薄膜材料の結晶性向上と結晶配向性の制御を試みた。BiFeO3薄膜試料は界面層を形成した (111)Pt/TiO2/(100)Si基板上に化学溶液法により堆積された。その結果、良好な結晶性を有する(100)BiFeO3結晶が基板面方位に対して一軸配向成長する事が確認された。

    DOI: 10.14853/pcersj.2012S.0.318.0

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  • 過渡吸収分光による強誘電体BiFeO3の光キャリアダイナミクス

    中村透, 山田泰裕, 安井伸太郎, 舟窪浩, 金光義彦

    光物性研究会論文集   23rd   2012年

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  • 一軸配向Bi(Zn1/2Ti1/2)O3系圧電体薄膜の作製と圧電性評価

    安井伸太郎, 及川貴弘, 長田潤一, 内田寛, 渡邉隆之, 薮田久人, 三浦薫, 黒澤実, 舟窪浩

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)   59th   1298 - 1298   2012年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2012.1.0_1298

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  • 水熱合成エピタキシャル(K0.5Na0.5)NbO3膜のアニール温度依存

    白石貴久, 石河睦生, 石河睦生, 安井伸太郎, 黒澤実, 内田寛, 平山泰生, 舟窪浩

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)   59th   1288 - 1288   2012年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2012.1.0_1288

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  • PLD法で作製したBi(Mg1/2Ti1/2)O3膜の特性

    及川貴弘, 安井伸太郎, 渡邉隆之, 藪田久人, 福井哲朗, 舟窪浩

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)   59th   1297 - 1297   2012年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2012.1.0_1297

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  • 化学溶液堆積法によるBa-Bi系ペロブスカイト薄膜の作製と特性評価

    金子祈之, 金子祈之, 安井伸太郎, 舟窪浩, 内田寛

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   73rd   1183 - 1183   2012年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2012.2.0_1183

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  • ナノシート界面層を利用したPb(Zr,Ti)O3薄膜の選択配向成長

    峯村佳輝, 近藤陽太, 安井伸太郎, 舟窪浩, 内田寛

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)   59th   1281 - 1281   2012年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2012.1.0_1281

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  • アジ科ヨロイアジ属の多系統性とCarangoides praeustusの系統的位置

    武内俊, 安井伸太郎, 木村清志, 栗岩薫

    日本魚類学会年会講演要旨   45th   2012年

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  • シリコン基板上に作製したビスマス基圧電体膜の特性評価

    及川貴弘, 安井伸太郎, 真鍋直人, 小林健, 渡邉隆之, 薮田久人, 三浦薫, 舟窪浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   73rd   1184 - 1184   2012年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2012.2.0_1184

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  • 高圧合成法で作製したBi(Zn1/2Ti1/2)O3-Bi(Mg1/2Ti1/2)O3-BiFeO3系における単斜晶相の特徴

    真鍋直人, 安井伸太郎, 坂口智可, 岡研吾, 東正樹, 舟窪浩

    エレクトロセラミックス研究討論会講演予稿集   32nd   2012年

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  • ビスマス正方晶強誘電体を用いた組成相境界を有する圧電体膜の探索

    舟窪浩, 安井伸太郎, 長田潤一, 矢澤慶祐, 内田寛

    日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(CD-ROM)   25th   2012年

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  • CaF2基板上の作製したエピタキシャルPb(Zr,Ti)O3膜の結晶構造および強誘電特性のZr/(Zr+Ti)比依存性

    江原祥隆, 安井伸太郎, 森岡仁, 山田智明, 舟窪浩

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)   59th   1282 - 1282   2012年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2012.1.0_1282

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  • 化学溶液法による導電性La基ペロブスカイト型酸化物薄膜の作製と評価

    笹嶋慶一, 安井伸太郎, 舟窪浩, 内田寛

    セラミックス基礎科学討論会講演要旨集   50th   2012年

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  • 18pPSB-19 過渡吸収分光による強誘電体BiFe_<1-x>Co_xO_3の光キャリアダイナミクス(18pPSB 領域5ポスターセッション(放射光・非線形光学・超高速現象),領域5(光物性))

    中村 透, 山田 泰裕, 安井 伸太郎, 舟窪 浩, 金光 義彦

    日本物理学会講演概要集   67 ( 0 )   685 - 685   2012年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人 日本物理学会  

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.67.2.4.0_685_2

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  • MOCVD法で作製したBi(Zn1/2Ti1/2)O3基エピタキシャル薄膜の結晶構造と電気特性

    長田潤一, 安井伸太郎, 真鍋直人, 内田寛, 坂田修身, 舟窪浩

    セラミックス基礎科学討論会講演要旨集   50th   2012年

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  • 水熱合成法の特徴を生かして作製された(KxNa1-x)NbO3膜の特性評価

    白石貴久, 榮西弘, 石河睦生, 石河睦生, 安井伸太郎, 長谷川智仁, 黒澤実, 内田寛, 坂下幸雄, 舟窪浩

    セラミックス基礎科学討論会講演要旨集   50th   2012年

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  • 高圧合成法で作製したBi(Zn1/2Ti1/2)O3-Bi(Mg1/2Ti1/2)O3-BiFeO3系における組成による結晶相の変化

    真鍋直人, 安井伸太郎, 長田潤一, 岡研吾, 東正樹, 舟窪浩

    セラミックス基礎科学討論会講演要旨集   50th   2012年

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  • 分極軸配向エピタキシャルPb(Zr,Ti)O3膜の強誘電特性

    江原 祥隆, 安井 伸太郎, 中島 光雅, 山田 智明, 飯島 高志, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2011.2   797 - 797   2011年8月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2011.2.0_797

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  • 新規正方晶Biペロブスカイト圧電体薄膜の作製と評価

    長田潤一, 安井伸太郎, 内田寛, 舟窪浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   72nd   2011年

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  • ペロブスカイト型酸化物界面層を利用したBiFeO3-Bi(Zn1/2Ti1/2)O3固溶体薄膜の作製

    林真里, 安井伸太郎, 舟窪浩, 内田寛

    エレクトロセラミックス研究討論会講演予稿集   31st   2011年

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  • 水熱合成法によるエピタキシャル(KxNa1-x)NbO3膜の組成依存性

    白石貴久, 榮西弘, 石河睦生, 石河睦生, 安井伸太郎, 長谷川智仁, 黒澤実, 内田寛, 坂下幸雄, 舟窪浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   72nd   2011年

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  • 様々な基板上へのハーフメタル酸化物Sr2FeMoO6薄膜の合成と物性

    門田祥悟, 安井伸太郎, 舟窪浩, 松本祐司, 笹川崇男

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)   58th   2011年

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  • ハーフメタル酸化物Sr2FeMoO6薄膜における物性の膜厚依存性

    門田祥悟, 安井伸太郎, 舟窪浩, 松本祐司, 笹川崇男

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)   58th   2011年

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  • フラックスエピタキシー:C60六角板状結晶の生成とその成長過程

    武山洋子, 丸山伸伍, 安井伸太郎, 舟窪浩, 角谷正友, 谷口博基, 伊藤満, 上野啓司, 松本祐司

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   72nd   2011年

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  • PLD法によるBi(Mg1/2Ti1/2)O3薄膜の作製と評価

    及川貴弘, 安井伸太郎, 舟窪浩, 渡邉隆之, 薮田久人, 福井哲朗

    エレクトロセラミックス研究討論会講演予稿集   31st   2011年

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  • 化学溶液堆積法によるBiFeO3-Bi(Zn1/2Ti1/2)O3薄膜の作製

    林 真里, 内田 寛, 安井 伸太郎, 舟窪 浩

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2011   306 - 306   2011年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    PZTに代わる非鉛含有強誘電体材料の候補として、本研究ではビスマス系ペロブスカイト型酸化物BiFeO3 (BFO) およびBi(Zn1/2Ti1/2)O3 (BZT) からなる固溶体薄膜x BFO- (1-x) BZTを作製した。薄膜試料は化学溶液堆積法を用いて(100)配向LaNiO3層を表面に導入した(111)Pt/(100)Si基板上に作製された。XRD評価より、LaNiO3層を導入していない基板上の薄膜試料ではペロブスカイト相の結晶化は進行しなかったが、LaNiO3層を導入した基板上では、x = 0.2以上の領域においてペロブスカイト相の形成が認められた。x = 0.2-0.3の領域では第二相を伴った正方晶ペロブスカイト、x = 0.35-0.45の領域では正方晶ペロブスカイトの単一相、x = 0.7-1.0では菱面体晶ペロブスカイトの単一相が生成することをそれぞれ確認した。強誘電特性については当日に報告する。

    DOI: 10.14853/pcersj.2011F.0.306.0

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  • エピタキシャルPbTiO3薄膜の圧電応答マッピング像

    安井伸太郎, 江原祥隆, 舟窪浩

    日本セラミックス協会年会講演予稿集   2011   2011年

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  • 高圧相材料を用いた新規圧電体における巨大圧電性の設計

    安井 伸太郎, 長田 潤一, 森岡 仁, 内田 寛, 黒澤 実, 舟窪 浩

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2011   317 - 317   2011年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    PZTを超える新規非鉛圧電体材料を探索するためには、その端成分である正方晶圧電体が重要であるが、これまでの研究はチタン酸バリウム[BaTiO3]やチタン酸ビスマスカリウム[(Bi,K)TiO3]等に限定されていた。本研究では、2006年に正方晶強誘電体であることが報告されたコバルト酸ビスマス[BiCoO3]および亜鉛酸チタン酸ビスマス[Bi(Zn1/2Ti1/2)O3]の2種類のビスマス正方晶強誘電体に注目した。これらのビスマス系正方晶強誘電体は、高温高圧を用いないと作製できないことから、これまで圧電性に着目した研究は未だ多くはない。本研究ではMOCVD法を用いて、BiCoO3およびBi(Zn1/2Ti1/2)O3を含有するエピタキシャル薄膜を作製した。得られた薄膜について、結晶構造解析と電気特性および圧電特性を調査し、従来の鉛系圧電体膜と比較検討を行うことで、新規圧電体材料の設計指針を検討した。

    DOI: 10.14853/pcersj.2011F.0.317.0

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  • 化学溶液堆積法によるLaNiO3薄膜の一軸配向結晶成長

    笹嶋 慶一, 内田 寛, 安井 伸太郎, 舟窪 浩, 木口 賢紀

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2011 ( 0 )   310 - 310   2011年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    LaNiO&lt;SUB&gt;3&lt;/SUB&gt; (LNO) 薄膜は強誘電体キャパシタの分極疲労を緩和する電極材料として利用されるほか、近年はキャパシタ層の選択的結晶配向成長を促す界面層としても注目されている。本研究では種々の条件下でLNO薄膜を作製し、その選択的な結晶配向成長のメカニズムについて考察する。硝酸ランタン六水和物、酢酸ニッケル四水和物および2-メトキシエタノールを用いて調製したLNO前駆体溶液を(100)Si, (111)Pt/TiO&lt;SUB&gt;2&lt;/SUB&gt;/(100)SiおよびSiO&lt;SUB&gt;2&lt;/SUB&gt;ガラス基板上にスピンコートし、結晶化の熱処理を施すことで結晶質LNO薄膜を作製した。XRD分析の結果、いずれの基板上においてもLNO(&lt;I&gt;h&lt;/I&gt;00)面が基板面方位に配向している事が確認され、LNOの選択的な結晶配向成長は基板表面との格子整合性に依存しない自発的な結晶成長の現象である事がわかった。

    DOI: 10.14853/pcersj.2011F.0.310.0

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  • 新規圧電体における巨大圧電性を設計するための指針

    安井伸太郎, 長田潤一, 山田智明, 内田寛, 東正樹, 東正樹, 舟窪浩

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)   58th   2011年

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  • エピタキシャルBi(Zn1/2Ti1/2)O3-Bi(Mg1/2Ti1/2)O3-BiFeO3薄膜の作製と評価

    長田潤一, 安井伸太郎, 山田智明, 内田寛, 東正樹, 東正樹, 薮田久人, 渡邉隆之, 三浦薫, 舟窪浩

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)   58th   2011年

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  • LaNiO3界面層を利用したBiFeO3薄膜の選択配向成長

    林真里, 安井伸太郎, 舟窪浩, 内田寛

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)   58th   2011年

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  • 水熱合成法を用いたエピタキシャル(K,Na)NbO3厚膜の合成

    榮西弘, 白石貴久, 安井伸太郎, 石河睦生, 黒澤実, 内田寛, 坂下幸雄, 舟窪浩

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)   58th   2011年

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  • アジ科カイワリ属の有効性と他属との類縁性

    木村清志, 安井伸太郎, 栗岩薫

    日本魚類学会年会講演要旨   44th   2011年

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  • 化学溶液法により作製したLaNiO3薄膜の一軸結晶配向成長

    笹嶋慶一, 内田寛, 安井伸太郎, 舟窪浩, 木口賢紀

    日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集   24th   2011年

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  • Bi(Zn1/2Ti1/2)O3系圧電体薄膜における圧電性と結晶構造の関係

    安井伸太郎, 長田潤一, 内田寛, 黒澤実, 舟窪浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   72nd   2011年

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  • ペロブスカイト界面層を利用したBiFeO3薄膜の選択配向成長

    林真里, 笹嶋慶一, 峯村佳輝, 安井伸太郎, 舟窪浩, 内田寛

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   72nd   2011年

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  • PLD法で作製したBaTiO3-Bi(Mg0.5Ti0.5)O0.5エピタキシャル薄膜の結晶構造と電気特性評価

    田中 秀典, 山田 智明, 安井 伸太郎, 大和 慶祐, 柏木 悠太, 岡村 総一郎, 内田 寛, 和田 智志, 飯島 高志, 舟窪 浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2010.1   1192 - 1192   2010年3月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 応用物理学会  

    DOI: 10.11470/jsapmeeting.2010.1.0_1192

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  • PbTiO3より3倍以上大きな正方晶歪を有する誘電体薄膜の作製と特性評価

    舟窪 浩, 山田 智明, 山本 剛久, 幾原 雄一, 矢澤 慶祐, 安井 伸太郎, 松島 正明, 内田 寛, 飯島 高志, Wang Junling, Lu You, 森岡 仁

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2010 ( 0 )   3A24 - 3A24   2010年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    正方晶強誘電体は、最も基本的な強誘電体材料であるが、近年、高圧合成法を中心に、良く知られている正方晶PbTiO3と比較して、3倍以上の大きな正方晶歪 [c軸とa軸の格子定数をaとcとした場合のc/a-1]を有する非鉛物質がいくつか発見されている。これらの物質は、大きな強誘電性と共に、これを端成分にしたMPBの発見が期待されている。我々は、大きな正方晶が報告されているBi(Zn1/2Ti1/2)O3について、BiFeO3との固溶体を作製することで、単体のBi(Zn1/2Ti1/2)O3より大きな正方晶性を得ることを試みた。これは、正方晶を有するBaTiO3およびPbTiO3については、BiFeO3を固溶することによって、より大きな正方晶性が報告されているからである。結果として、大きなc/aと室温での分極反転が確認された

    DOI: 10.14853/pcersj.2010S.0.3A24.0

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  • In-situ lattice-strain analysis of a ferroelectric thin film under an applied pulse electric field 査読

    O. Sakata, S. Yasui, T. Yamada, M. Yabashi, S. Kimura, H. Funakubo

    SRI 2009: THE 10TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SYNCHROTRON RADIATION INSTRUMENTATION   1234   151 - +   2010年

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    記述言語:英語   掲載種別:研究発表ペーパー・要旨(全国大会,その他学術会議)  

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  • エピタキシャルBi(Zn1/2Ti1/2)O3-BiFeO3系薄膜の添加物による歪制御

    安井 伸太郎, 矢澤 慶祐, 山田 智明, 森岡 仁, 内田 寛, 舟窪 浩

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2010   2P015 - 2P015   2010年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    現在使用されている鉛系材料は正方晶強誘電体のPbTiO3を端成分としており、非鉛の正方晶強誘電体の材料探索が非鉛圧電体材料探索のkey pointであると考えられている。その候補の一つとして、我々はBi(Zn1/2Ti1/2)O3に着目した。これは、巨大正方晶性(c/a = 1.21)を有しており大体材料として非常に有望であるが、高圧相であるために常圧合成は非常に困難である。我々は常圧相のBiFeO3との固溶体であるBi(Zn1/2Ti1/2)O3-BiFeO3をMOCVD法で合成することにより、c/a = 1.22 を有する正方晶性薄膜の作製に成功した[2]。しかし、PbTiO3(c/a = 1.06)に比べて大きな正方晶性歪を有することにより、高い抗電界による分極反転の困難さが予想される。そこで我々は添加物によって正方晶性歪を制御した。

    DOI: 10.14853/pcersj.2010S.0.2P015.0

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  • 当院におけるNST活動の現状と今後の課題

    中野もも, 高橋加代子, 平山理恵, 田村貴子, 川又隆史, 権田啓, 安井伸太郎, 石毛隆太, 勝山厚子, 中村はるみ, 山根道雄, 山岡昌之

    共済医報   59 ( Supplement )   2010年

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  • Bi(Mg0.5,Ti0.5)O3添加によるBaTiO3エピタキシャル膜のTc制御

    田中秀典, 山田智明, 安井伸太郎, 大和慶祐, 和田智志, 内田寛, 舟窪浩

    セラミックス基礎科学討論会講演要旨集   48th   2010年

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  • Si基板上における(001)高配向性BiFeO3薄膜の作製

    林 真里, 内田 寛, 安井 伸太郎, 舟窪 浩

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2010 ( 0 )   3B09 - 3B09   2010年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    本研究ではビスマスフェライトBiFeO&lt;sub&gt;3&lt;/sub&gt;(BFO)薄膜を広く半導体デバイスへと応用するためにSi基板上での材料合成を念頭に置き、一軸配向性LaNiO&lt;sub&gt;3&lt;/sub&gt;(LNO)層を核形成層として利用した選択的結晶成長によりSi基板上での薄膜材料の結晶性向上と結晶配向性制御をを試みた。薄膜試料は化学溶液法により(111)Pt/TiO&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt;/(100)Siおよび(100)LNO/(111)Pt/TiO&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt;/(100)Si基板上に合成された。(100)LNO上に作製した薄膜試料では基板面方位に対して(001)BFOの結晶格子面が選択的に一軸配向成長した。これは配向成長したLNO層の結晶上にBFO結晶が良好な整合性を維持しつつ成長した結果であると推察される。

    DOI: 10.14853/pcersj.2010S.0.3B09.0

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  • 水熱合成法を用いたエピタキシャルKNbO3薄膜の方位制御

    榮西弘, 石河睦生, 中島光雅, 安井伸太郎, 山田智明, 黒澤実, 舟窪浩

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)   57th   2010年

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  • 水熱合成法によるKNbO3エピタキシャル膜の作製と特性評価

    石河睦生, 矢澤慶祐, 藤澤隆志, 安井伸太郎, 長谷川智仁, 黒澤実, 舟窪浩, 森田剛

    超音波Techno   22 ( 3 )   2010年

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  • エピタキシャルBi(M1/2Ti1/2)O3-BiFeO3薄膜(M=Zn,Mg)の強誘電性評価(II)

    安井伸太郎, 長田潤一, 山田智明, 内田寛, 薮田久人, 渡邉隆之, 三浦薫, 舟窪浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   71st   2010年

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  • エピタキシャルBi(Zn1/2Ti1/2)O3-BiFeO3系薄膜の正方晶性制御

    安井伸太郎, 矢澤慶祐, 山田智明, 森岡仁, 森岡仁, 内田寛, 舟窪浩

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)   57th   2010年

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  • PLD法を用いたエピタキシャルPb(Zr,Ti)O3ナノロッド作製の検討

    田中秀典, 山田智明, 安井伸太郎, 山本孝, 西田謙, 飯島高志, 篠崎和夫, 舟窪浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   71st   2010年

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  • エピタキシャルBi(M1/2Ti1/2)O3-BiFeO3薄膜(M=Zn,Mg)の強誘電性評価(I)

    長田潤一, 安井伸太郎, 山田智明, 内田寛, 薮田久人, 渡邉隆之, 三浦薫, 舟窪浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   71st   2010年

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  • PLD法で作製したBaTiO3-Bi(Mg0.5Ti0.5)O3エピタキシャル薄膜の結晶構造と電気特性評価

    田中秀典, 山田智明, 安井伸太郎, 大和慶祐, 柏木悠太, 柏木悠太, 岡村総一郎, 内田寛, 飯島高志, 和田智志, 舟窪浩

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)   57th   2010年

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  • KNbO_3エピタキシャル膜の製膜と圧電特性の評価

    石河 睦生, 榮西 弘, 長谷川 智仁, 矢澤 慶裕, 安井 伸太郎, 山田 智明, 黒澤 実, 森田 剛, 舟窪 浩

    電子情報通信学会技術研究報告. US, 超音波   109 ( 135 )   11 - 13   2009年7月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人電子情報通信学会  

    スパッタリング法を用いて、絶縁体であるSrTiO_3基板上に導電性酸化物であるSrRuO_3結晶膜を製膜し、SrRuO_3上に水熱合成法を用いてKNbO_3圧電結晶膜を16μmの厚さでエピタキシャル成長させた。スパッタリング法では基板温度を400度に加熱し、水熱合成法ではオートクレーブを240度に加熱して製膜を行った。得られたKNbO_3//SrRuO_3//SrTiO_3上に直径100μm及び200μmのPt電極を電子線ビーム蒸着法により製膜し、誘電特性および圧電定数め測定を行った。分極値の測定結果から、分極-電界ヒステリシスカーブが観察され、良好な強誘電体としての特性を有していることが分かった。また、振動変位の測定結果から、良好かつ明確な電圧-変位バタフライループが確認された。以上の結果から、製膜したPt/KNbO_3//SR SrRuO_3//SrTiO_3の圧電定数は86pm/V,抗電界は45kV/cm,残留分極値は20μC/cm^2と、圧電薄膜として非常に優れる値を示し、超音波トランスデューサ材料として有望であることが分かった。

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  • MOCVD法によるBiFeO3基薄膜の合成と評価 (特集 マルチフェロイクス材料の作製と応用(1))

    舟窪 浩, 安井 伸太郎, 山田 智明

    マテリアルインテグレ-ション   22 ( 2 )   25 - 31   2009年2月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:ティー・アイ・シィー  

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  • 電場印加下でのその場X線回折用温度制御試料チャンバ

    坂田修身, 山田智明, 安井伸太郎, 中嶋誠二, 清水勝, 舟窪浩

    日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム予稿集   23rd   2009年

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  • MOCVD法で作成したエピタキシャルBiFeO3-BiCoO3薄膜の電気特性の結晶方位依存性

    安井伸太郎, 矢澤慶祐, 森岡仁, 森岡仁, 内田寛, 岡村総一郎, 飯島高志, 山田智明, 舟窪浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   70th ( 2 )   2009年

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  • 巨大正方晶歪みを有するBi(Zn1/2Ti1/2)O3-BiFeO3エピタキシャル膜の作製と評価

    矢澤慶祐, 安井伸太郎, 松島正明, 内田寛, 飯島高志, 山田智明, 舟窪浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   70th ( 2 )   2009年

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  • 強誘電体薄膜の電歪決定法:ナノ秒オーダーの時分割シンクロトロン回折と電気分極のその場測定

    坂田修身, 安井伸太郎, 山田智明, 舟窪浩

    日本結晶学会年会講演要旨集   2009   2009年

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  • エピタキシャルPb(Zr,Ti)O3膜のドメイン構造と電気特性の膜厚依存

    宇津木覚, 藤澤隆志, 安井伸太郎, 森岡仁, 森岡仁, 石河睦生, 山田智明, 舟窪浩

    セラミックス基礎科学討論会講演要旨集   47th   2009年

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  • CaF2基板上への(001),(101),(111)配向エピタキシャルPb(Zr0.35,Ti0.65)O3膜の作製と評価

    宇津木覚, 藤澤隆志, 江原祥隆, 安井伸太郎, 森岡仁, 森岡仁, 石河睦生, 山田智明, 飯島高志, 舟窪浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   70th ( 2 )   2009年

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  • 放射光X線回折を用いたエピタキシャル酸化物薄膜の圧電特性の解析

    安井伸太郎, 藤澤隆志, 加茂嵩史, 中島光雅, 宇津木覚, 矢澤慶祐, 山田智明, 森岡仁, 森岡仁, 西田謙, 山本孝, 坂田修身, 坂田修身, 舟窪浩

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集   56th ( 2 )   2009年

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  • エピタキシャルPbTiO3膜のドメイン構造と電気特性の膜厚依存

    宇津木覚, 藤澤隆志, 安井伸太郎, 森岡仁, 森岡仁, 石河睦生, 山田智明, 舟窪浩

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集   56th ( 2 )   2009年

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  • 強誘電体薄膜の電歪決定のためのナノ秒時分割X線回折

    坂田修身, 坂田修身, 矢橋牧名, 春木理恵, 春木理恵, 木村滋, 安井伸太郎, 舟窪浩

    日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム予稿集   22nd   2009年

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  • 分極軸配向したジルコン酸チタン酸鉛厚膜の結晶構造と特性評価

    舟窪浩, 藤澤隆志, 山田智明, 石河睦生, 加茂嵩史, 中島光雅, 安井伸太郎, 森岡仁, 坂田修身, 坂田修身, 飯島高志

    日本金属学会講演概要   144th   2009年

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  • Bi(Zn1/2Ti1/2)O3基強誘電体エピタキシャル膜の作製と評価

    舟窪 浩, 矢澤 慶祐, 安井 伸太郎, 松島 正明, 内田 寛

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2009 ( 0 )   1A19 - 1A19   2009年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    Bi(Zn1/2Ti1/2)O3は大きな強誘電体c/a比を有する正方晶強誘電体として知られており、これを母材とした強誘電体や圧電体は、大きな残留分極や圧電性が期待できる。本件旧では、BiFeO3との固溶体膜を作製し、その結晶構造および特性評価を行ったので、報告する。

    DOI: 10.14853/pcersj.2009F.0.1A19.0

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  • Bi(Zn1/2Ti1/2)O3基強誘電体エピタキシャル膜の作製と評価

    舟窪浩, 矢澤慶祐, 安井伸太郎, 松島正明, 内田寛

    日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集   22nd   2009年

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  • CaF2基板上に作製したPbTiO3膜で観察される巨大強誘電性

    舟窪 浩, 宇津木 覚, 藤澤 隆志, 安井 伸太郎, 森岡 仁, 石河 睦生, 松島 正明, 山田 智明

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2009 ( 0 )   2L17 - 2L17   2009年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    強誘電性の発現はドメインの反転が出来るかにかかっており、そのためには、電極と強誘電体の界面の構造やドメイン壁の構造が大きく影響すると考えられる。本研究では、PbTiO3を作製する際に、熱歪の少ないCaF2を用いることで、広い膜厚範囲で大きな強誘電性の発現に成功したので報告する。

    DOI: 10.14853/pcersj.2009F.0.2L17.0

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  • Bi(Zn1/2Ti1/2)O3基強誘電体エピタキシャル膜の作製と評価

    矢澤慶祐, 安井伸太郎, 松島正明, 内田寛, 岡村総一郎, 飯島高志, 舟窪浩

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集   56th ( 2 )   2009年

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  • 1J1-3 水熱合成法によるKNbO_3エピタキシャル膜の作製と特性評価(超音波物性・材料・フォノン物理)

    石河 睦生, 宇津木 覚, 藤澤 隆志, 安井 伸太郎, 山田 智明, 黒澤 実, 森田 剛, 舟窪 浩

    超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム講演論文集   29   5 - 6   2008年11月

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム運営委員会  

    High quality epitaxial KNbO_3 films were successfully grown on (100)SrRuO_3//(100)SrTiO_3 substrates by hydrothermal method. The KNbO_3 or KNbO_3-based materials are one of the promising lead-free piezoelectric materials as an environmental friendly material; however, the main interest in the KNbO_3-based piezoelectric materials have limited on bulk ceramics materials owing to the difficulty in thin or thick films preparation. Therefore the hydrothermal method has utilized for the growth of KNbO_3 films. Because, hydrothermal method has number of advantages for fabrication method of ultrasonic transducers; low deposition temperature, good conformability, high-purity deposition on a substrate. In this study, epitaxial SrRuO_3 film was used as bottom electrodes, which were grown on (100) SrTiO_3 substrate by sputter method. KNbO_3 films were prepared on (100) SrRrO_3//SrTiO_3 substrates at 210 ℃ by hydrothermal method. The KNbO_3 films were 7.5 μm thicknesses, and the K/Nb ratio measured by EDS was 50/50. The piezoelectric performance and material constants of the prepared KNbO_3 thick film were measured.

    DOI: 10.24492/use.29.0_5

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  • Si(111)上へのNa,Mg吸着初期過程のリアルタイムモニタリング

    武田さくら, 松田和久, 島和也, 安井伸太郎, 酒井智香子, 桑子敦, 大門寛

    日本物理学会講演概要集   63 ( 2 )   2008年

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  • ナノ秒オーダー時分割シンクロトロンその場X線回折:強誘電体薄膜の電歪測定への適用

    坂田修身, 坂田修身, 安井伸太郎, 藤澤隆志, 加茂嵩史, 中嶋誠二, 木村滋, 奥山雅則, 舟窪浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   69th ( 2 )   2008年

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  • MPBを有するBiFcO3-BiCoO3エピタキシャル薄膜の磁性と強誘電性

    永沼博, 安井伸太郎, 西田謙, 舟窪浩, 飯島高志, 安藤康夫, 岡村総一郎

    日本磁気学会学術講演概要集   32nd   2008年

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  • MOCVD法によるBiFeO3-BiCoO3膜の作製と特性評価

    安井伸太郎, 舟窪浩, 永沼博, 岡村総一郎, 西田謙, 山本孝, 飯島高志, 森岡仁, 斎藤啓介

    セラミックス基礎科学討論会講演要旨集   46th   2008年

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  • 偏光ラマン分光法を用いた分極軸単一配向した正方晶PZT厚膜の評価

    中島光雅, 藤沢隆志, 加茂嵩史, 安井伸太郎, 長田実, 西田謙, 山本孝, 河東田隆, 永沼博, 岡村総一郎, 舟窪浩

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集   55th ( 2 )   2008年

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  • BiFeO3-BiCoO3固溶体薄膜の磁気特性および強誘電性

    永沼博, 安井伸太郎, 西田謙, 飯島高志, 舟窪浩, 岡村総一郎, 安藤康夫

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   69th ( 2 )   2008年

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  • MOCVD法によるエピタキシャルパイロクロア導電膜の作製とこれを用いたキャパシタの評価

    碇山理究, 安井伸太郎, 舟窪浩, 斎藤啓介, 森岡仁, 森岡仁

    セラミックス基礎科学討論会講演要旨集   46th   2008年

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  • 放射光X線を用いた(001)配向エピタキシャルBiFeO3薄膜の電界印加による結晶構造変化の直接観察

    安井伸太郎, 加茂嵩史, 藤澤隆志, 山田智明, 坂田修身, 坂田修身, 舟窪浩

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   69th ( 2 )   2008年

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  • パイロクロア構造導電体Bi2Ru2O7のエピタキシャル膜のMOCVD合成と(Bi1.5Zn0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7用電極としての検討

    碇山理究, 舟窪浩, 安井伸太郎, 山田智明, 森岡仁, 森岡仁, 斉藤啓介, 小林義彦, 小林義彦, 金子徹也, 浅井吉蔵

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   69th ( 2 )   2008年

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  • エピタキシャル膜を用いた新規圧電体探索方法の提案

    舟窪 浩, 森岡 仁, 斉藤 啓介, 内田 寛, 安井 伸太郎, 中島 光雅, 永沼 博, 岡村 総一郎, 西田 謙, 山本 孝, 飯島 高志, 東 正樹

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2008 ( 0 )   431 - 431   2008年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    非鉛圧電体の探索、特にMPB探索は電子セラミックスの急務な課題である。これまでの研究で探索できなかった新材料を探索する方法として、我々はエピタキシャル薄膜を用いた探索方法を提案する。この方法は従来の焼結体を用いる方法と比較して、_丸1_高圧相のような従来まったく検討されていない組成系を探索できる、_丸2_焼結密度に左右されないで評価できる、_丸3_大きな電界を印加した評価が容易である、_丸4_結晶方位依存性の探索が容易できるといった利点がある。反面、_丸1_基板からの拘束による構成相の変化といった懸念点がある。本発表ではれらに関して、実例を照会しながら紹介する。

    DOI: 10.14853/pcersj.2008F.0.431.0

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  • ナノ秒オーダーパルス電場下の強誘電体薄膜からの格子歪解析のためのシンクロトロンX線回折法の開発

    坂田 修身, 安井 伸太郎, 藤澤 隆志, 加茂 嵩史, 中嶋 誠二, 奥山 雅則, 舟窪 浩

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2008 ( 0 )   119 - 119   2008年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    ナノ秒オーダーのパルス電場によって薄膜内で誘起される格子歪を検出する時分割X線測定と誘電率の高速測定を組み合わせた新しいシンクロトロン回折法を開発した。エピタキシャル成長させた強誘電体単結晶薄膜(Pb(Zr&lt;SUB&gt;x&lt;/SUB&gt;Ti&lt;SUB&gt;1-x&lt;/SUB&gt;)O&lt;SUB&gt;3&lt;/SUB&gt;(PZT)、BiFeO&lt;SUB&gt;3&lt;/SUB&gt;(BFO))やBFO多結晶薄膜の構造評価にその方法を適用した。すなわち、パルス状の入射単色X線と試料への印加電場をタイミング制御し、生じるブラッグ反射近傍の回折強度を角度、時間の関数として記録した。その結果、ナノ秒オーダーの電場印加によって誘起される格子歪(約0.01%レベルまで)を検出できた。さらに、回折ピークシフトから圧電定数d&lt;SUB&gt;33&lt;/SUB&gt;を見積った。

    DOI: 10.14853/pcersj.2008F.0.119.0

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  • Co-BiFeO3薄膜における抗電界の低減および自発磁化の発現

    永沼博, 三浦淳, 志村希, 安井伸太郎, 西田謙, 飯島高志, 舟窪浩, 岡村総一郎

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集   55th ( 2 )   2008年

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  • MOCVD法で作製したエピタキシャルBiFeO3-BiCoO3膜の結晶相と電気特性

    安井伸太郎, 永沼博, 岡村総一郎, 西田謙, 山本孝, 飯島高志, 東正樹, 森岡仁, 森岡仁, 斎藤啓介, 舟窪浩

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集   55th ( 2 )   2008年

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  • Bi(Fex,Co1-x)O3薄膜の強誘電性

    志村 希, 永沼 博, 島 宏美, 安井 伸太郎, 西田 謙, 飯島 高志, 舟窪 浩, 岡村 総一郎

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2007 ( 0 )   304 - 304   2007年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    環境への配慮から鉛の使用が規制されはじめたため鉛に代替する新規非鉛圧電物質の探索が必要となってきた。本研究では高い残留分極値を有するBiFeO&lt;SUB&gt;3&lt;/SUB&gt;、および高い正方晶歪みを有するBiCoO&lt;SUB&gt;3&lt;/SUB&gt;を選択し、BiFeO&lt;SUB&gt;3&lt;/SUB&gt;-BiCoO&lt;SUB&gt;3&lt;/SUB&gt;系におけるMPB探索を行なった。X線構造解析の結果、Fe組成比が0.9では主にBiFeO&lt;SUB&gt;3&lt;/SUB&gt;相に起因した回折ピークが観測されるが、Fe組成比が0.8のときBiFeO&lt;SUB&gt;3&lt;/SUB&gt;相に起因した回折ピークは消失して結晶構造が急激に変化していることがわかった。PUND測定(@80K)の結果、Fe組成比が0.8-1.0まで比較的高い残留分極を示すが、Fe組成比が0.7のとき残留分極は急激に低下した。このことから結晶構造が変化し、かつ強誘電性を示したFe組成比が0.8-0.9の間にMPBが存在している可能性が示唆された。

    DOI: 10.14853/pcersj.2007S.0.304.0

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  • 圧電応用を目指した一軸配向Biペロブスカイト酸化物厚膜のMOCVD法作製とその特性評価

    安井伸太郎, 永沼博, 岡村総一郎, 飯島高志, 西田謙, 舟窪浩

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集   54th ( 2 )   2007年

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  • Bi(COxFe1-x)O3薄膜の構造,強誘電性および磁気特性

    三浦淳, 永沼博, 志村希, 島宏美, 安井伸太郎, 西田謙, 河東田隆, 舟窪浩, 飯島高志, 岡村総一郎

    日本応用磁気学会学術講演概要集   31st   2007年

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  • 化学溶液法によるBiFeO3-BiScO3薄膜の作製

    安井伸太郎, 内田寛, 中木寛, 舟窪浩, 幸田清一郎

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集   53rd ( 2 )   2006年

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  • 希土類置換ビスマスフェライト薄膜の結晶構造と電気特性

    内田 寛, 安井 伸太郎, 舟窪 浩, 幸田 清一郎

    日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集   2006 ( 0 )   448 - 448   2006年

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    出版者・発行元:公益社団法人 日本セラミックス協会  

    BiFeO&lt;SUB&gt;3&lt;/SUB&gt; (BFO) は優れた分極特性を有する巨大分極材料であると同時に,強誘電性と強磁性を併せ持つマルチフェロイク材料の有力な候補である.本研究では,希土類置換によるBFO基薄膜の結晶構造および相転移挙動の変化,ならびにそれらと強誘電特性との関係について調査し,希土類置換に伴う特性改善のメカニズムを明らかにする.化学溶液法により作製されたLaおよびNd置換BFO薄膜では希土類イオン置換に伴い格子異方性および相転移温度が低下し,それに対応した残留分極値の減少が確認された.しかしながら,これらの試料では無置換BFO薄膜に比較して大幅な絶縁性の改善が認められた.

    DOI: 10.14853/pcersj.2006S.0.448.0

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  • レーザーアブレーションを用いて製作したテープターゲットからのEUV光の放射評価

    西村靖彦, 中出浩之, 高橋全, 山本了太, 山田春二, 安井伸太郎, 藤岡慎介, 西村博明

    大阪大学レーザーエネルギー学研究センター共同研究成果報告書   2005   2006年

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  • Ion modification for improvement of electrical properties of perovskite-based ferroelectric thin films fabricated by chemical solution deposition method

    Hiroshi Uchida, Shintaro Yasui, Risako Ueno, Hiroshi Nakaki, Ken Nishida, Minoru Osada, Hiroslii Funakubo, Takushi Katoda, Seiichiro Koda

    Materials Research Society Symposium Proceedings   902   147 - 152   2005年12月

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  • 希土類置換ビスマスフェライトの相転移挙動と強誘電特性

    内田寛, 安井伸太郎, 上野梨紗子, 舟窪浩, 幸田清一郎

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   66th ( 2 )   2005年

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  • 24aPS-128 アルカリ金属吸着Si(111)-(3×1)表面形成過程の表面電気伝導度(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))

    安井 伸太郎, 橋本 美絵, 島 和也, 武田 さくら, 大門 寛

    日本物理学会講演概要集   60.1.4   834   2005年

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    記述言語:日本語   出版者・発行元:一般社団法人 日本物理学会  

    DOI: 10.11316/jpsgaiyo.60.1.4.0_834_4

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  • 生直後に発症したCaffey病の1例

    島雅昭, 西村久美, 西村可奈, 平井治彦, 志水信彦, 中島滋郎, 岡田伸太郎, 安井夏生

    Pharma Medica   18 ( 9 )   2000年

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  • 溶血性尿毒症症候群非典型例の2例

    山本勝輔, 山岡完次, 大薗恵一, 道上敏美, 山本威久, 岡田伸太郎, 安井昌博, 岸口文子, 小林あきら

    日本小児腎臓病学会雑誌   5 ( 2 )   1992年

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  • 取鍋乾燥用熱風循環バーナーの適用

    広木伸好, 城口弘, 三枝進, 松本伸太郎, 安井公平, 長谷部悦弘

    材料とプロセス   5 ( 1 )   1992年

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産業財産権

  • 捲回型全固体リチウムイオン二次電池及び捲回型全固体リチウムイオン二次電池の製造方法

    白鳥 洋介, 安井 伸太郎, 白石 康晴, 齋藤 健吾, 渡辺 健太, 高橋 昭裕

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    出願人:国立大学法人東京科学大学

    出願番号:JP2023020286  出願日:2023年5月

    特許番号/登録番号:特許第7783662号  登録日:2025年12月 

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  • 全固体リチウムイオン二次電池及び全固体リチウムイオン二次電池の製造方法

    白鳥 洋介, 安井 伸太郎, 奥野 幸洋, 白石 康晴, 齋藤 健吾, 渡辺 健太, 高橋 昭裕

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    出願人:国立大学法人東京科学大学

    出願番号:JP2023020285  出願日:2023年5月

    特許番号/登録番号:特許第7756967号  登録日:2025年10月 

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  • リチウム系固体電解質、無機固体電解質、リチウム系固体電解質の製造方法、修飾正極活物質、修飾負極活物質、全固体二次電池、全固体二次電池用電極シート、固体電解質シート、全固体二次電池用電極

    白鳥 洋介, 奥野 幸洋, 安井 伸太郎, 齋藤 健吾, 渡辺 健太

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    出願人:富士フイルム株式会社, 国立大学法人東京科学大学

    出願番号:JP2021044047  出願日:2021年12月

    特許番号/登録番号:特許第7634240号  登録日:2025年2月 

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  • 酸化物固体電解質、バインダ、固体電解質層、活物質、電極、全固体二次電池

    白鳥 洋介, 奥野 幸洋, 安井 伸太郎

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    出願人:富士フイルム株式会社, 国立大学法人東京工業大学

    出願番号:JP2021044020  出願日:2021年12月

    特許番号/登録番号:特許第7510650号  登録日:2024年6月 

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  • 複合体、リチウムイオン伝導体、全固体リチウムイオン二次電池、全固体リチウムイオン二次電池用電極シート、四ホウ酸リチウム

    奥野 幸洋, 白鳥 洋介, 安井 伸太郎, 伊藤 満

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    出願人:富士フイルム株式会社, 国立大学法人東京工業大学

    出願番号:JP2021010433  出願日:2021年3月

    特許番号/登録番号:特許第7377502号  登録日:2023年11月 

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  • 圧電素子及び液体吐出ヘッド

    青木 活水, 武田 憲一, 福井 哲朗, 舟窪 浩, 安井 伸太郎, 西田 謙

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    出願人:キヤノン株式会社

    出願番号:特願2013-101368  出願日:2013年5月

    公開番号:特開2013-191870  公開日:2013年9月

    特許番号/登録番号:特許第5693653号  登録日:2015年2月  発行日:2015年2月

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  • 圧電素子及び液体吐出ヘッド

    青木 活水, 武田 憲一, 福井 哲朗, 舟窪 浩, 安井 伸太郎, 西田 謙

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    出願人:キヤノン株式会社

    出願番号:特願2013-101368  出願日:2013年5月

    公開番号:特開2013-191870  公開日:2013年9月

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  • 圧電素子、液体吐出ヘッドおよび液体吐出装置

    久保田 純, 三浦 薫, 薮田 久人, 渡邉 隆之, 林 潤平, 舟窪 浩, 安井 伸太郎, 及川 貴弘, 長田 潤一, 内田 寛

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    出願人:キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学, 学校法人上智学院

    出願番号:特願2013-035931  出願日:2013年2月

    公開番号:特開2013-211539  公開日:2013年10月

    特許番号/登録番号:特許第6176942号  登録日:2017年7月  発行日:2017年7月

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  • 圧電素子、液体吐出ヘッドおよび液体吐出装置

    久保田 純, 三浦 薫, 薮田 久人, 渡邉 隆之, 林 潤平, 舟窪 浩, 安井 伸太郎, 及川 貴弘, 長田 潤一, 内田 寛

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    出願人:キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学, 学校法人上智学院

    出願番号:特願2013-035931  出願日:2013年2月

    公開番号:特開2013-211539  公開日:2013年10月

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  • 内径測定装置

    西村 靖彦, 山本 了太, 安井 伸太郎, 田口 豊, 小堀 孝雄, 横井 健一

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    出願人:トヨタテクニカルディベロップメント株式会社, トヨタ自動車株式会社

    出願番号:特願2011-175795  出願日:2011年8月

    公開番号:特開2013-036965  公開日:2013年2月

    特許番号/登録番号:特許第5675530号  登録日:2015年1月 

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  • 内径測定装置

    西村 靖彦, 山本 了太, 安井 伸太郎, 田口 豊, 小堀 孝雄, 横井 健一

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    出願人:トヨタテクニカルディベロップメント株式会社, トヨタ自動車株式会社

    出願番号:特願2011-175795  出願日:2011年8月

    公開番号:特開2013-036965  公開日:2013年2月

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  • 圧電材料、圧電素子、液体吐出ヘッドおよび超音波モータ

    久保田 純, 三浦 薫, 薮田 久人, 渡邉 隆之, 林 潤平, 舟窪 浩, 山田 智明, 安井 伸太郎, 矢澤 慶祐, 長田 潤一, 内田 寛

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    出願人:キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学, 学校法人上智学院

    出願番号:特願2010-292850  出願日:2010年12月

    公開番号:特開2012-084828  公開日:2012年4月

    特許番号/登録番号:特許第5832091号  登録日:2015年11月  発行日:2015年11月

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  • 圧電材料、圧電素子、液体吐出ヘッドおよび超音波モータ

    久保田 純, 三浦 薫, 薮田 久人, 渡邉 隆之, 林 潤平, 舟窪 浩, 山田 智明, 安井 伸太郎, 矢澤 慶祐, 長田 潤一, 内田 寛

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    出願人:キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学, 学校法人上智学院

    出願番号:特願2010-292850  出願日:2010年12月

    公開番号:特開2012-084828  公開日:2012年4月

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  • 圧電素子及び液体吐出ヘッド

    青木 活水, 武田 憲一, 福井 哲朗, 舟窪 浩, 安井 伸太郎, 西田 謙

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    出願人:キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学

    出願番号:特願2007-240941  出願日:2007年9月

    公開番号:特開2008-263158  公開日:2008年10月

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  • 圧電素子及び液体吐出ヘッド

    青木 活水, 武田 憲一, 福井 哲朗, 舟窪 浩, 安井 伸太郎, 西田 謙

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    出願人:キヤノン株式会社

    出願番号:特願2007-240941  出願日:2007年9月

    公開番号:特開2008-263158  公開日:2008年10月

    特許番号/登録番号:特許第5311787号  登録日:2013年7月  発行日:2013年7月

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受賞

  • Lab to Impact: GX分野の研究者が拓く未来vol.2 優秀賞

    2025年11月   CIC Tokyo  

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  • 最優秀ゲームチェンジャー賞

    2025年3月   東京科学大学   環境循環型低コスト全固体電池

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  • 第1回 社会変革チャレンジ賞 優秀賞

    2024年6月   東京工業大学   環境循環型低コスト全固体電池

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  • フロンティア材料研究所 若手講演会 最優秀賞

    2022年12月   東京工業大学  

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  • 挑戦的研究賞

    2019年9月   東京工業大学  

    安井 伸太郎

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  • フロンティア材料研究所 学術賞(研究奨励部門)

    2019年4月   東京工業大学  

    安井 伸太郎

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  • 奨励賞

    2019年2月   日本MRS学会  

    安井 伸太郎

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  • 電子材料部会 優秀発表賞

    2018年11月   日本セラミックス協会  

    安井 伸太郎

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  • 若手研究者ポスターアワード

    2015年9月   NIMSコンファレンス 2015  

    安井 伸太郎

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  • 協会賞 進歩賞

    2015年6月   日本セラミックス協会  

    安井 伸太郎

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  • Postar award nominee

    2013年11月   Materials Research Society fall meeting  

    安井 伸太郎

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  • 萌芽アワード

    2011年9月   SPring-8  

    安井 伸太郎

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  • 写真賞

    2011年3月   日本セラミックス協会 2011年会  

    安井 伸太郎

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  • 土肥賞

    2011年3月   東京工業大学  

    安井 伸太郎

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  • 最優秀ポスター賞

    2010年3月   日本セラミックス協会 2010年年会  

    安井 伸太郎

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共同研究・競争的資金等の研究課題

  • アニオンの異方的電子状態が支える誘電性:超伝導検出器による軽元素蛍光分光の新展開

    研究課題/領域番号:25K00941  2025年4月 - 2028年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(B)

    中島 伸夫, 安井 伸太郎, 志岐 成友

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    配分額:18720000円 ( 直接経費:14400000円 、 間接経費:4320000円 )

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  • ダイレクトリサイクルによる活物質循環型水系固体電池の創成

    2025年 - 2030年

    科学技術振興機構  戦略的な研究開発の推進 戦略的創造研究推進事業 CREST 

    安井 伸太郎

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    担当区分:研究代表者 

    本研究は、地政学リスクの高い活物質へのダイレクトリサイクル(DR)を可能とする水系準固体電解質(3D-SLISE)を用いて、大気ハンドリング可能な水系プロセスにて安全に使える新奇リチウム準固体電池を創成する。DR・リユース材再生電池によるClosed材料循環システムを構築し、機能単位当たりのCO2排出量を大幅に低減させた新しいライフサイクルモデル蓄電池社会の開拓を目指す。

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  • 逆バイアス効果が切り拓く蓄エネルギーセラミックスのフロンティア

    研究課題/領域番号:22K18308  2022年6月 - 2026年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  挑戦的研究(開拓)

    保科 拓也, 谷口 博基, 安井 伸太郎

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    配分額:26000000円 ( 直接経費:20000000円 、 間接経費:6000000円 )

    近年の急激な加速を続けるエネルギー需要に応えるために蓄エネルギー材料の性能革新が必要不可欠である。その中でも特に蓄エネルギーセラミックスは、高温・高電圧下において電気化学キャパシタや種々の電池と比較して圧倒的に優れた安全性と信頼性を有する材料として強く期待されている。本研究では酸素四面体を主要な構成要素とするABO3+nMO2系化合物に着目し、電場印加に伴って誘電率が増加するユニークな非線形誘電応答(逆バイアス効果)を示す新規物質系を開拓する。申請者らが近年発見したABO3+nMO2系化合物における反強/フェリ誘電性のメカニズムの解明に取り組み、それによって得られる知見に基づいて、従来の蓄エネルギーセラミックスを凌駕する高蓄エネルギー密度と急速充放電性を共に備えた革新的な新材料を創製する。
    該当年度は、主に以下の成果を得た。①チタン石型化合物における網羅的なセラミックス試料作製と誘電/分極特性の温度依存性の評価に取り組み、SrTiGeO5において、150kV/cmの電場印加によって誘電率が約2倍にまで上昇するという顕著な逆バイアス効果を見出した。また、電圧印加によって上昇した誘電率が少なくとも300kV/cmまで減少せず一定の値を示すという、従来のペロブスカイト型反強誘電体と著しく異なるユニークな振る舞いを示すことを明らかにした。②KNbSi2O7単結晶のSiサイトの一部をGeで置換した際の結晶構造や分極特性の変化を明らかにした。また、適切な焼結助剤を見出し、焼成条件を最適化することによりこれまでは困難であった緻密なKNbSi2O7セラミックスの作製を実現した。
    また、結晶構造解析、第一原理計算、分光測定などを相補的に駆使し、ABO3+nMO2系化合物が示すユニークな逆バイアス特性の起源の解明に向けた研究を実施している。

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  • 無焼結セラミックス成形技術を用いた高イオン伝導材料開発への挑戦

    研究課題/領域番号:22K18883  2022年6月 - 2025年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  挑戦的研究(萌芽)

    安井 伸太郎

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    配分額:6370000円 ( 直接経費:4900000円 、 間接経費:1470000円 )

    メカノケミカル法により合成したアモルファスLi2B4O7は非常に柔らかく室温圧粉工程にて粒子同士が変形して非常に成形性にすぐれる特性を有する。それらに水とリチウム塩(LiFSI)を混合することで、非常に分散性のよい水性スラリーを作製することが可能となった。このスラリーを乾燥させると紛体が得られ、塗布・室温乾燥工程にて固体シートを得ることが出来る。粉末は圧粉することで焼結することなく非常に緻密なペレットを作製することが出来る。ペレットおよびシートの両者ともにイオン伝導性を調査したところ、1~10 mS/cmのイオン伝導性を得ることが出来た。またこれらの活性化エネルギーは0.2eV程度と従来の固体酸化物イオン伝導体と比較して約半分~2/3程度と非常に小さく、温度に対して安定であることも分かった。イオン伝導性に幅があるのは水性スラリーにより作製していることで、内部に含水されている状況であることから、それらの水分量によって変化するためである。固体電解質としての性質を考慮すると、含水成分は取り除く必要がある。この材料系における含水成分は自由水とリチウム塩-母相の結合を担う結合水の2種に分類することが出来るが、前者を取り除き適切な結合水のみを残留させることで、完固体にすることが可能となる。通常の固体電解質はバインダー成分を混入させるが本材料系においてはアモルファスの母相がその役割を担うことから基本的にはバインダフリーで作製することが可能となる。

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  • ハイブリッド配位構造が導く強的秩序物性の解明とマルチステートの発現

    研究課題/領域番号:22H01768  2022年4月 - 2025年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(B)

    安井 伸太郎

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    配分額:17810000円 ( 直接経費:13700000円 、 間接経費:4110000円 )

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  • 電場に同期した電子状態のリアルタイム観測による隠れた強誘電性の解明

    研究課題/領域番号:23K22428  2022年4月 - 2025年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(B)

    中島 伸夫, 安井 伸太郎

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    配分額:18200000円 ( 直接経費:14000000円 、 間接経費:4200000円 )

    全温度にわたって安定な常誘電体であるチタン酸ストロンチウムが、応力歪みや酸素欠損によって強誘電性が現れることがたびたび報告されてきた。近年、室温でも強誘電性が安定に存在するとの報告が相次いでおり、鉛フリー強誘電体としての期待が高まっている。
    本研究では、この強誘電性が「外部電場に自発分極が応答する直接型強誘電性であるか」を明らかにする。特に、分極の担い手であるチタンと酸素の共有結合の電場と温度に対する安定性に注目する。実験は、半導体X線検出器の全シグナルを取り込んで測定する外部電場同期のX線吸収分光法の性能を向上させて行う。この手法はあらゆる強誘電体の電子状態測定に適用可能である。酸化ハフニウムや強誘電体メモリ材料など、未解決な点が多く残る注目の新規強誘電性(隠れた強誘電性)にも測定の対象を広げ、電子状態からそのエネルギー安定性を解明する。
    初年度は、導電性基板上に蒸着した厚さ15~25nmのチタン酸ストロンチウム薄膜について外部電場に同期したチタンK吸収端スペクトルの測定を行った。これまで研究成果に基づいて、誘電分極の大きさに比例したスペクトル構造(Ti 3d egピーク)の電場応答を確かめたところ、基板の下向きに卓越的に配向した分極の存在が明らかになった。さらに、この分極は膜厚の減少にしたがって減少することも明らかになった。一方で、膜厚が薄い場合は、下向きに配向した分極が外部電場による反転が抑制されることも明らかになった。
    2年目は、初年度の結果を踏まえ、室温(300 K)から低温(100 K)の温度範囲でチタンK吸収端スペクトルの温度依存性の測定を行った。挑戦的な測定方法であったため、十分な温度依存性を得るまでには至らなかったが、技術的な改善点が明らかになったことから、最終年度に温度依存性を成功させ、「強誘電体チタン酸ストロンチウム」の解明を目指す。

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  • ハイブリッド配位構造が導く強的秩序物性の解明とマルチステートの発現

    研究課題/領域番号:23K23036  2022年4月 - 2025年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(B)

    安井 伸太郎

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    配分額:17810000円 ( 直接経費:13700000円 、 間接経費:4110000円 )

    誘電物性を確実に調査するためにAFeO3おけるAサイトにScおよびInを選択して研究を遂行した。選択するイオン半径はFeよりも大きなものを選択したほうが漏れ電流を抑制することが分かったが、一方でk‐Al2O3型の安定性が低下するトレードオフの関係であることを見出した。エピタキシャルScFeO3薄膜において強誘電ヒステリシス曲線の測定は安定的に行うことを可能とし、100Hz~100kHz周波数の範囲でその強誘電性が確認できた。それらの強誘電性は周波数依存性が大きく、ヒステリシス曲線における抗電界が大きく変化した。周波数が増加するとともに強誘電ヒステリシスにおける抗電界は大きくなり、残留分極も小さくなる。この挙動は分極反転運動におけるドメインモーションが従来型の変位型強誘電体(例えばペロブスカイト型強誘電体)と比較して非常に低速であるためであると考えると理解することできる。運動性に起因するのであれば温度にたいして依存性があると睨み、強誘電ヒステリシス曲線の温度依存性を取得すると、周波数依存性と同様の挙動を得ることが出来た。
    また、ScとFeの比率を変調させることで漏れ電流特性も変化した。Sc量が増加するとともに漏れ電流は低減した。GaFeO3と同様にFeの価数変化量が低減したことが原因であると推測できるが、Scはペロブスカイト型構造BiFeO3におけるドーピング挙動と同様に漏れ電流特性改善に大きな寄与をもたらすことも理解できた。

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  • 電場に同期した電子状態のリアルタイム観測による隠れた強誘電性の解明

    研究課題/領域番号:22H01157  2022年4月 - 2025年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業  基盤研究(B)

    中島 伸夫, 安井 伸太郎

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    配分額:18200000円 ( 直接経費:14000000円 、 間接経費:4200000円 )

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  • 大気ハンドリング可能な汎用的で安全性を備えた酸化物全固体Li電池の開発

    研究課題/領域番号:21502135-0  2022年2月 - 2024年3月

    NEDO  官民による若手研究者発掘支援事業 (若サポ) 

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    担当区分:研究代表者 

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  • 焼結フリー高イオン伝導酸化物固体電解質の開発

    2020年11月 - 2022年3月

    国立研究開発法人科学技術振興機構  研究成果展開事業(研究成果最適展開支援プログラム(A-STEP))トライアウト 

    安井 伸太郎

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    担当区分:研究代表者 

    最有力技術である硫化物系電解質の最大の弱点は大気下における不安定性であり、水分と反応して硫化水素を発生するために安全面に関して懸念されている。酸化物は大気下で合成され、安定性は抜群であるためにこの問題を解決する唯一の方法であるが、しかしながらそのイオン伝導度は硫化物系電解質と比べて低い。さらに硫化物系固体電解質は材料自身の柔らかさより加工性もよい。酸化物材料に足りない加工性およびイオン伝導度に関して、新材料である非晶質リチウム化合物を用いて硫化物に近いイオン伝導並びに凌駕する加工性を付与し、焼結フリーというプロセスコスト面にも優しい固体酸化物電解質を開発する。

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  • 可逆的配位数スイッチングを用いた単一マルチフェロイック材料のメモリ応用

    研究課題/領域番号:19H02426  2019年4月 - 2022年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業 基盤研究(B)  基盤研究(B)

    安井 伸太郎

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

    配分額:17680000円 ( 直接経費:13600000円 、 間接経費:4080000円 )

    IoT技術が加速的に進化し、我々はより一層便利な生活を送ることが可能となっている。その中でも記憶媒体であるメモリはキーテクノロジーであり、より小型化、高密度化が好まれる。現在利用されている多くのメモリは電圧もしくは電流にて0/1を記憶する材料が用いられているが、本研究では単一マルチフェロイック材料を用いることで0/1/2/3を記憶することが示唆され、単一体積あたり2倍の高密度化が期待できる結果を得た。

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  • 環境振動を利用した新奇電流駆動型強誘電体発電の可能性とその原理の確立

    研究課題/領域番号:18K19126  2018年6月 - 2021年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業 挑戦的研究(萌芽)  挑戦的研究(萌芽)

    安井 伸太郎

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    配分額:6240000円 ( 直接経費:4800000円 、 間接経費:1440000円 )

    本研究目的である、分極反転時に発生する電流を動力とする発電機構の開発の一環として、2年目はPZT以外における強誘電体の分極反転とc/aの関係性を明らかにするために様々な正方晶性を有する材料の作製とその分極反転測定を行った。取り扱った強誘電体材料は2013年度に発見したBi(Zn1/2Ti1/2)O3を母相にした正方晶ペロブスカイト型酸化物である。これらの材料の組成及び歪み(基板や膜厚によって)をチューニングして、それらの正方晶性(c/a)をコントロールした。主に組成によってc/aをコントロールすることを可能とし、その組成はxBi(Zn1/2Ti1/2)O3-yBi(Mg1/2Ti1/2)O3-zBiFeO3で表すことができる。zを1/3に固定することで、xとyの比率を変化させた結果、yを増加させるに従ってc/aは1.2から1.06まで減少させることに成功した。また、作製した様々なc/aを有する薄膜の分極反転はc/aが1.1以下の時に顕著に現れた。今まで様々なペロブスカイト型構造強誘電体材料を調査した結果、c/aが1.1を超えるもので分極反転を示した系は非常に少ない。これは分極反転に必要なエネルギーが材料を保持するエネルギーを超えるために、材料の破壊が先に起きるためであると考えられる。従って、環境による外場、ここでは応力を示すが、それによって分極反転を起こすためにはc/aができるだけ小さい方がよいが、小さすぎると反転電流が小さくなると予想されるために材料破壊が起きるギリギリのc/aにチューニングする必要性が求められると予想できる。

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  • 環境振動を利用した新奇電流駆動型強誘電体発電の可能性とその原理の確立

    2018年4月 - 2021年3月

    日本学術振興会  科学技術研究費 挑戦的研究(萌芽) 

    安井 伸太郎

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

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  • 誘電体ナノ分極界面を利用した超高出力全固体リチウム二次電池の実現

    研究課題/領域番号:18H01707  2018年4月 - 2021年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業 基盤研究(B)  基盤研究(B)

    寺西 貴志, 中山 将伸, 秋本 順二, 岸本 昭, 安井 伸太郎

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    資金種別:競争的資金

    配分額:17290000円 ( 直接経費:13300000円 、 間接経費:3990000円 )

    本研究は全固体リチウムイオン二次電池の活物質-固体電解質層間に,誘電体ナノ分極界面を導入することで空間電荷層中のLi移動を促進し,キャパシタ並みの出力特性,すなわち秒単位での超急速充放電の実現を目指している.我々はこれまで従来の有機電解液系リチウムイオン電池において,誘電分極が活物質-電解液界面のLi電荷移動抵抗を顕著に軽減させることを実証してきたが,本知見を全固体電池に応用展開させたものである.
    昨年度までに,疑似全固体電池および硫化物系全固体電池において,BaTiO3(BTO)系誘電体界面がセル特性を一定程度改善することが分かった.本年度は,バルク型酸化物全固体電池において誘電体界面の効果を検証した.正極複合粉末にはBTOを1~10mol%担持させたLiCoO2とした.電解質にはLLZT,負極にIn合金を用いた。電池の構造は電解質支持型とした.比較的低温にて熱処理を行い,電解質―電極間の界面形成を行った.続いて全固体電池の評価を室温にて行った.電流レート0.1C(1C=160mA/g)において,未処理LCOにおいては70mAh/g程度の電池容量が得られたが,一方,BTO担持試料においてはいずれの担持量においても同レートにおいて50mAh/g程度と容量は減少した.今回作製した全固体電池の構造においては,界面電荷移動抵抗が律速抵抗となっていない可能性や,電解質から活物質へ直接的にLi界面移動が生じ,BTO表面を介した電荷移動機構となっていない可能性等が示唆された.今後,これらの検証が必要である.

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  • X線分光による酸素の異方的電子状態が誘起する酸化物薄膜の新規強誘電性の解明

    研究課題/領域番号:18H01153  2018年4月 - 2021年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業 基盤研究(B)  基盤研究(B)

    中島 伸夫, 手塚 泰久, 安井 伸太郎

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    資金種別:競争的資金

    配分額:17810000円 ( 直接経費:13700000円 、 間接経費:4110000円 )

    通常のバルク体では強誘電性を示さないチタン酸ストロンチウム(SrTiO3)や酸化ハフニウム(HfO2)をナノスケール薄膜にすると強誘電性が出現する。なぜ強誘電性が現れるのか?ナノ薄膜のX線解析は格子長を測定するのが限界で、リートベルト法による精密な原子位置決定ができないため、自発分極(陽・陰イオンの重心のずれ)の発現機構はわかっていない。
    本研究では、薄膜に対する感度を高め同時にエネルギー分解能を向上させた蛍光X線検出X線分光法(高分解能XAS法)を用いることで、薄膜固有の格子歪みを元素選択的に調べ、酸化物薄膜に現れる新規強誘電性の発現機構の解明を目指す。高分解能XAS法の高感度な元素選択性を利用することで、陽イオンだけでなく、対をなす「陰イオン(酸素イオン)の配位環境の歪み」を電子状態の異方性を介して明らかにすることが可能になり、定量的あるいは定性的に誘電率や自発分極の増大が理解できるようになる。
    研究2年目は、チタン酸ストロンチウム薄膜のチタンK吸収分光測定の結果を振るポテンシャルコードを用いた理論計算の結果と比較を進めている。解析結果を査読付き論文に投稿準備中である。また、酸化ハフニウム薄膜の高分解能XAS(ハフニウムL3吸収端)について、膜厚の異なる複数の試料について測定を行った。さらに、酸素のK吸収端XASについても測定を行った。特に後者で系統的なエネルギーシフトがみられた。これらを、第一原理バンド計算に基づく電子状態の考察を進める予定である。

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  • 垂直磁化マルチフェロイック構造の設計と電圧磁化制御

    研究課題/領域番号:15H02292  2015年4月 - 2018年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業 基盤研究(A)  基盤研究(A)

    伊藤 満, 安井 伸太郎, 谷山 智康, 濱嵜 容丞, 森分 博紀, 片山 司

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    配分額:44720000円 ( 直接経費:34400000円 、 間接経費:10320000円 )

    本研究では、垂直磁化した磁性体あるいはマルチフェロイック薄膜に電場を印加して、磁化反転を行うための、材料とデバイス構造を最適化するための基礎的知見を得ることを目的として、一連の実験を行った。κアルミナ型、YMnO3型マルチフェロイック材料に関してはドメイン構造、磁化特性、および室温での強誘電性に着目して材料探索を目的として薄膜合成をおこない、マルチフェロイック特性を調べた。強磁性体金属ー強誘電体ヘテロ構造も作製して電場による磁化制御を行った。

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  • 高速充放電リチウムイオン電池用正極に向けた強誘電体/活物質ナノコンポジットの創製

    研究課題/領域番号:15H04126  2015年4月 - 2018年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業 基盤研究(B)  基盤研究(B)

    寺西 貴志, 岸本 昭, 安井 伸太郎, 保科 拓也, 林 秀考

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    資金種別:競争的資金

    配分額:17030000円 ( 直接経費:13100000円 、 間接経費:3930000円 )

    次世代型車載用蓄電池に向けて,超高出力型Liイオン電池に対する需要が急速に高まりつつある.著者らは正極活物質-電解液界面における電荷移動促進を狙いとして,強誘電体ナノ粒子を人工界面層として適用した複合正極を新たに提案した.実際,チタン酸バリウムBaTiO3をLi活物質LiCoO2上に液相法により少量担持させた複合正極において,出力特性すなわち高速充放電特性を大幅に改善することに成功した.インピーダンス解析や薄膜電池を用いた一連の検証実験結果から,電界が集中する強誘電体-活物質-電解液の三相界面付近にLi優先拡散パスが存在し,三相界面密度が出力特性を決めうる重要なパラメータであると推察された.

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  • 薄膜化による歪み制御を施した四面体基強誘電体の分極反転制御

    研究課題/領域番号:15K18212  2015年4月 - 2017年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業 若手研究(B)  若手研究(B)

    安井 伸太郎

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

    配分額:4030000円 ( 直接経費:3100000円 、 間接経費:930000円 )

    本研究は四面体構造および四面体/八面体ハイブリット構造を有する新規強誘電体の開発およびその強誘電性を実証することを目的とした。実験および第一原理計算の結果より、ウルツアイト型の四面体基強誘電体は分極反転に0.25eVの反転エネルギーを必要とする事が分かった。またハイブリット構造においては、k-Al2O3型構造をモデルとして適応し、反転エネルギーは0.1eVで実験的に分極反転を確認することができた。

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  • 強誘電体-反強誘電体相境界におけるドメイン構造が巨大圧電性に及ぼす影響の調査

    研究課題/領域番号:25889025  2013年8月 - 2015年3月

    日本学術振興会  科学研究費助成事業 研究活動スタート支援  研究活動スタート支援

    安井 伸太郎

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

    配分額:2730000円 ( 直接経費:2100000円 、 間接経費:630000円 )

    相境界付近におけるドメイン等の挙動を詳細に調査することによって、巨大圧電性発現機構を理解できると考え、本研究では強誘電体-強誘電体相境界付近のドメイン構造を詳しく調査した。通常の強誘電体-強誘電体相境界と比較した結果、反強誘電体を用いた方がより大きな圧電性を示すが、そのドメインを動かすドライビングフォースはより大きなものが必要であることが分かった。

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  • Bi系非鉛圧電体薄膜の厚膜化とSiデバイス作製プロセスの確立

    研究課題/領域番号:11J09386  2011年4月 - 2013年3月

    日本学術振興会  科学技術研究費 特別研究員奨励費  特別研究員奨励費

    安井 伸太郎

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

    今年度初旬に計画した通りに研究を進めてきた。まずはプロセスに関して、ローカルエピタキシャル成長のための(111)SrRuO_3/(111)Pt/(111)Si基板をスパッタリング法を用いて作製した。この基板を用いて、ローカルエピタキシャル成長させた一軸配向Bi系圧電体薄膜を堆積させた。強誘電体材料は高圧相材料であるBi(Mg_<1/2>Ti_<1/2>)O_3、およびその固溶体Bi(Zn_<1/2>Ti_<1/2>)O_3-Bi(Mn_<1/2>Ti_<1/2>)O_3-BiFeO_3を用いた。XRDθ-2θパターンおよびX線極点図の結果より、堆積されたこれらの薄膜材料は基板の方位に沿って(111)軸に配向しており、また面内方向はランダムであった。これは作製した薄膜がローカルエピタキシャル成長している結果である。作製したSi基板上のこれらの薄膜について、圧電応答顕微鏡(PFM)を用いて、基板垂直方向の圧電特性d_<33>を測定した。このPFM測定にはAFMのZ-piezo信号を用いた歪電界曲線を用いた。その結果、Bi(Mg_<1/2>Ti_<1/2>)O_3、およびその固溶体Bi(Zn_<1/2>Ti_<1/2>)O_3-Bi(Mn_<1/2>Ti_<1/2>)O_3-BiFeO_3において40pm/vおよび75pm/Vであった。後者の材料の圧電特性は(111)SrRuO_3//SrTiO_3基板上に作製されたエピタキシャル薄膜の場合で150pm/V程度の圧電性を示したが、ローカルエピタキシャル膜の場合は半分程度の値となった。この理由はモルフォトロピック相境界の組成領域が、成長させる基板で異なる可能性がある、言い換えると内部の残留歪に敏感であり、異なる組成域を示す可能性が考えられる。事実、高圧合成法で作製された粉末の結晶構造解析の結果より、薄膜におけるモルフォトロピック相境界と粉末におけるそれは、異なる組成を示した。今後、カンチレバーおよびSAWデバイス用に加工した基板を用いて、上記で調査した特性を基に必要な組成・方位の薄膜を作製する予定である。

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  • 新規非鉛巨大圧電体材料の創生

    研究課題/領域番号:09J08939  2008年4月 - 2011年3月

    日本学術振興会  科学技術研究費 特別研究員奨励費  特別研究員奨励費

    安井 伸太郎

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金

    本研究は圧電特性の測定および新規MPBの探索を目的に下記の実験を行った。
    新規材料開発としてBiFeO_3-Bi(Zn_<1/2>Ti_<1/2>)O_3-Bi(Mg_<1/2>Ti_<1/2>)O_3固溶体のエピタキシャル膜をMOCVD法で作製した。
    1.正方晶BiFeO_3-Bi(Zn_<1/2>Ti_<1/2>)O_3薄膜の作製と正方晶性の制御
    (100)SrRuO_3//(100)SrTiO_3電極付き基板上にMOCVD法によって作製に成功した。作製した薄膜の正方晶性は1.22と従来のPbTiO_3やBaTiO_3の正方晶強誘電体と比べて非常に大きい。作製した薄膜の強誘電性を測定したところ、分極反転は確認できなかった。これは巨大正方晶性が原因と考えている。従って次にBi(Mg_<1/2>Ti_<1/2>)O_3を固溶させることで正方晶性を制御した。制御された薄膜の正方晶性はPbTiO_3と同様の正方晶性(1.07)を有し、分極反転を確認した。
    2.BiFeO_3-Bi(Zn_<1/2>Ti_<1/2>)O_3-Bi(Mg_<1/2>Ti_<1/2>)O_3薄膜におけるMPBの探索
    上記に記した正方晶構造の薄膜と菱面体晶BiFeO_3-Bi(Mg_<1/2>Ti_<1/2>)O_3の固溶体を作製することで、その組成相境界を発見した。組成相境界では正方晶および菱面体晶の共存領域が存在し、モデル材料のPb(Zr,Ti)O_3と同様の振る舞いを示していることが確認された。
    3.BiFeO_3-Bi(Zn_<1/2>Ti_<1/2>)O_3-Bi(Mg_<1/2>Ti_<1/2>)O_3薄膜におけるMPBの圧電特性
    正方晶と菱面体晶の組成相境界において比誘電率および圧電性の向上が確認された。この挙動は従来のPb系材料などに見られる正方晶・非正方晶組成相境界と同様であった。基板面外方向の圧電性は最大300pm/Vを示し、非鉛圧電体材料の中では非常に大きな値であることが確認された。

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