Analysis of dependence of short-channel effects in double-gate MOSFETs on channel thickness

Yusuke Kobayashi, Kuniyuki Kakushima, Parhat Ahmet, V. Ramgopal Rao, Kazuo Tsutsui, Hiroshi Iwai

MICROELECTRONICS RELIABILITY   50 ( 3 )   332 - 337   2010.3

SrO capping effect for La2O3/Ce-silicate gate dielectrics

K. Kakushima, K. Okamoto, T. Koyanagi, M. Kouda, K. Tachi, T. Kawanago, J. Song, P. Ahmet, H. Nohira, K. Tsutsui, N. Sugii, T. Hattori, H. Iwai

MICROELECTRONICS RELIABILITY   50 ( 3 )   356 - 359   2010.3

Comprehensive x-ray photoelectron spectroscopy study on compositional gradient lanthanum silicate film

K. Kakushima, K. Tachi, J. Song, S. Sato, H. Nohira, E. Ikenaga, P. Ahmet, K. Tsutsui, N. Sugii, T. Hattori, H. Iwai

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   106 ( 12 )   124903   2009.12

Electrical Characterization of La2O3-Gated Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor with Mg Incorporation

Tomotsune Koyanagi, Kiichi Tachi, Kouichi Okamoto, Kuniyuki Kakushima, Parhat Ahmet, Kazuo Tsutsui, Nobuyuki Sugii, Takeo Hattori, Hiroshi Iwai

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   48 ( 5 )   2009.5

Growth of ultra-thin fluoride heterostructures on Ge(111) for quantum devices

Takao Oshita, Keita Takahashi, Kazuo Tsutsui

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   311 ( 7 )   2224 - 2226   2009.3

Si基板上のフッ化物共鳴トンネルダイオード

筒井一生

応用物理   78 ( 5 )   432 - 436   2009

Electrical characteristics of MOSFETs with La2O3/Y2O3 gate stack

Parhat Ahmet, Kentaro Nakagawa, Kuniyuki Kakushima, Hiroshi Nohira, Kazuo Tsutsui, Nobuyuki Sugii, Takeo Hattori, Hiroshi Iwai

MICROELECTRONICS RELIABILITY   48 ( 11-12 )   1769 - 1771   2008.11

Activated boron and its concentration profiles in heavily doped Si studied by soft x-ray photoelectron spectroscopy and Hall measurements

Kazuo Tsutsui, Toru Matsuda, Masamitsu Watanabe, Cheng-Guo Jin, Yuichiro Sasaki, Bunji Mizuno, Eiji Ikenaga, Kuniyuki Kakushima, Parhat Ahmet, Takuya Maruizumi, Hiroshi Nohira, Takeo Hattori, Hiroshi Iwai

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   104 ( 9 )   093709   2008.11

Improvement of thermal stability of Ni silicide on N+-Si by direct deposition of group III element (Al, B) thin film at Ni/Si interface

Kazuo Tsutsui, Takashi Shiozawa, Koji Nagahiro, Yoshihisa Ohishi, Kuniyuki Kakushima, Parhat Ahmet, Nobuyuki Urushihara, Mineharu Suzuki, Hiroshi Iwai

MICROELECTRONIC ENGINEERING   85 ( 10 )   2000 - 2004   2008.10

Origin of flat band voltage shift in HfO2 gate dielectric with La2O3 insertion

K. Kakushima, K. Okamoto, M. Adachi, K. Tachi, P. Ahmet, K. Tsutsui, N. Sugii, T. Hattori, H. Iwai

SOLID-STATE ELECTRONICS   52 ( 9 )   1280 - 1284   2008.9

Degradation and breakdown of W-La2O3 stack after annealing in N-2

Joel Molina, Alfonso Torres, Wilfrido Calleja, Kuniyuki Kakushima, Parhat Ahmet, Kazuo Tsutsui, Nobuyuki Sugii, Takeo Hattori, Hiroshi Iwai

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   47 ( 9 )   7076 - 7080   2008.9

Three dimensional image construction and spectrum extraction from two dimensional elemental mapping in Auger electron spectroscopy

N. Urushihara, S. Iida, N. Sanada, M. Suzuki, D. F. Paul, S. Bryan, Y. Nakajima, T. Hanajiri, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, H. Iwai

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A   26 ( 4 )   668 - 672   2008.7

Analysis of irregular increase in sheet resistance of Ni silicides on transition from NiSi to NiSi2

Kazuo Tsutsui, Ruifei Xiang, Koji Nagahiro, Takashi Shiozawa, Parhat Ahmet, Yasutoshi Okuno, Michikazu Matsumoto, Masafumi Kubota, Kuniyuki Kakushima, Hiroshi Iwai

MICROELECTRONIC ENGINEERING   85 ( 2 )   315 - 319   2008.2

弗化物共鳴トンネル素子とそのCMOS集積化への展望

筒井 一生

電子情報通信学会誌   91 ( 2 )   1642 - 1645   2008

Parasitic effects in multi-gate MOSFETs

Yusuke Kobayashi, C. Raghunathan Manoj, Kazuo Tsutsui, Venkanarayan Hariharan, Kuniyuki Kakushima, V. Ramgopal Rao, Parhat Ahmet, Hiroshi Iwai

IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS   E90C ( 10 )   2051 - 2056   2007.10

Thermal-stability improvement of LaON thin film formed using nitrogen radicals

S. Sato, K. Tachi, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, N. Sugii, T. Hattori, H. Iwai

MICROELECTRONIC ENGINEERING   84 ( 9-10 )   1894 - 1897   2007.9

Improvement of interfacial properties with interfacial layer in La2O3/Ge structure

J. Song, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, N. Sugii, T. Hattori, H. Iwai

MICROELECTRONIC ENGINEERING   84 ( 9-10 )   2336 - 2339   2007.9

Low-leakage MIS structures with 1.5-6 nm CaF2 insulating layer on Si(111)

N. S. Sokolov, I. V. Grekhov, S. Ikeda, A. K. Kaveev, A. V. Krupin, K. Saiki, K. Tsutsui, S. E. Tyaginov, M. I. Vexler

MICROELECTRONIC ENGINEERING   84 ( 9-10 )   2247 - 2250   2007.9

Electrical characterization of directly deposited La-Sc oxides complex for gate insulator application

T. Kawanago, K.Tachi, J.Song, K. Kakushima, P. Ahmet, K.Tsutsui, N. Sugii, T. Hattori, H.Iwai

Microelectronic Engineering   84   2335 - 2338   2007

Electrical characterization of directly deposited La-Sc oxides complex for gate insulator application

T. Kawanago, K.Tachi, J.Song, K. Kakushima, P. Ahmet, K.Tsutsui, N. Sugii, T. Hattori, H.Iwai

Microelectronic Engineering   84   2335 - 2338   2007

Crystalline structure of epitaxial CaxMg1-xF2 alloys on Si(100) and (111) substrates

Motoki Maeda, Natsuko Matsudo, So Watanabe, Kazuo Tsutsui

THIN SOLID FILMS   515 ( 2 )   448 - 451   2006.10

Effective mobility and interface-state density of La2O3 nMISFETs after post deposition annealing

Jin-Aun Ng, Nobuyuki Sugii, Kuniyuki Kakushima, Parhat Ahmet, Kazuo Tsutsui, Takeo Hattori, Hiroshi Iwai

IEICE ELECTRONICS EXPRESS   3 ( 13 )   316 - 321   2006.7

Fabrication of fluoride resonant tunneling diodes on V-grooved Si(100) substrates

S Watanabe, T Sugisaki, Y Toriumi, M Maeda, K Tsutsui

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   45 ( 6A )   4934 - 4938   2006.6

Growth characteristics of ultra-thin epitaxial CaxMg1-xF2 alloys on Si(111) substrates

M Maeda, N Matsudo, S Watanabe, K Tsutsui

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   285 ( 4 )   572 - 578   2005.12

Ultra shallow p(+)/n junction formation by plasma doping (PD) and long pulse all solid-state laser annealing (ASLA) with selective absorption modulation

CG Jin, Y Sasaki, K Okashita, H Tamura, H Ito, B Mizuno, K Tsutsui, S Ohmi, H Iwai

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   237 ( 1-2 )   58 - 61   2005.8

New method of plasma doping with in-situ helium pre-amorphization

Y Sasaki, CG Jin, K Okashita, H Tamura, H Ito, B Mizuno, H Sauddin, R Higaki, T Satoh, K Majima, Y Fukagawa, K Takagi, Aiba, I, S Ohmi, K Tsutsui, H Iwai

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   237 ( 1-2 )   41 - 45   2005.8

Effects of low temperature annealing on the ultrathin La2O3 gate dielectric; comparison of post deposition annealing and post metallization annealing

JA Ng, Y Kuroki, N Sugii, K Kakushima, SI Ohmi, K Tsutsui, T Hattori, H Iwai, H Wong

MICROELECTRONIC ENGINEERING   80   206 - 209   2005.6

Doping effects from neutral B2H6 gas phase on plasma pretreated Si substrates as a possible process in plasma doping

K Tsutsui, R Higaki, Y Sasaki, T Sato, H Tamura, K Okashita, B Mizuno, H Iwai

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   44 ( 6A )   3903 - 3907   2005.6

Surface modification of Si substrates by CdF2 molecular beam for stable growth of fluoride ultra-thin heterostructures

M Maeda, J Omae, S Watanabe, Y Toriumi, K Tsutsui

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   278 ( 1-4 )   643 - 648   2005.5

Fluoride resonant tunneling diodes on Si substrates improved by additional thermal oxidation process

S Watanabe, M Maeda, T Sugisaki, K Tsutsui

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   44 ( 4B )   2637 - 2641   2005.4

Electrical properties of vacuum annealed La2O3 thin films grown by E-beam evaporation

Y Kim, K Miyauchi, S Ohmi, K Tsutsui, H Iwai

MICROELECTRONICS JOURNAL   36 ( 1 )   41 - 49   2005.1

Effects of post dielectric deposition and post metallization annealing processes on metal/Dy2O3/Si(100) diode characteristics

S Ohmi, H Yamamoto, J Taguchi, K Tsutsui, H Iwai

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   43 ( 4B )   1873 - 1878   2004.4

極浅接合形成のためのプラズマ照射プレアモルファス化

岡下勝己, 佐々木雄一朗, 金成国, 田村秀貴, 水野文二, 筒井一生, 岩井洋

第65回応用物理学会学術連合講演会予稿集   740   2004

Surface Modification of Si Substrates by CdF_2_ Molecular Beam for Stable Growth of Fluoride Ultra-Thin Heterostructures

Motoki MAEDA Joji, OMAE So, WATANABE Yohei TORIUMI, Kazuo TSUTSUI

Abs. of MBE2004 (2004 Molecular Beam Epitaxy)   107 - 108   2004

Ultra Shallow p^+^/n Junctions Fabricated by Plasma Doping and All Solid State Laser Annealing

Kazuo Tsutsui Yuichiro, Sasaki Cheng-Guo Jin, Hideki Tamura, Bunji Mizuno Ryota, Higaki Tkahisa, Sato Kenta, Majima Shun-ichiro Ohmi Hiroshi Iwai

Electrochemical Society Proceedings <I>Advanced Short-Time Thermal Processing for Si- Based CMOS Devices II</I>   2004-01   106 - 111   2004

Contribution and control of neutral gas absorption effects in the plasma doping of boron into Si

K. Tsutsui, R. Higaki, Y, Sasaki T, Sato, H. Tamura, B. Mizuno, H. Iwai

Ext. Abs. of IWJT2004(International Workshop on Junction Technology)   46 - 49   2004

Estimation of Ultra-Shallow Plasma Doping(PD) Layerﾕs Optical Absorption Properties by Spectroscopic Ellipsometry (SE)

C.G.Jin, Y, Sasaki K. Tsutsui, S. Ohmi, B. Mizuno, H. Iwai

Ext. Abs. of IWJT2004 (International Workshop on Junction Technology)   102 - 103   2004

Estimation of Ultra-Shallow Plasma Doping(PD) Layerﾕs Optical Absorption Properties by Spectroscopic Ellipsometry (SE)

C.G.Jin, Y, Sasaki K. Tsutsui, S. Ohmi, B. Mizuno, H. Iwai

Ext. Abs. of IWJT2004 (International Workshop on Junction Technology)   102 - 103   2004

B_2_H_6_ Plasma Doping with In-situ He Pre-amorphization

Y. Sasaki, C. G. Ji, H. Tamura, B. Mizuno, R. Higaki, T. Satoh, K. Majima, H. Sauddin, K. Takagi, S. Ohmi, K. Tsutsui, H. Iwai

Tech. Dig. of Symp. on VLSI Technology   2004

Plasma Doping (Invited)

Bunji Mizuno Yuichiro, Sasaki Cheun-Guo Jin, Hideki Tamura, Katsumi Okashita Hiroyuki Ito Kazuo Tsutsui, Hiroshi Iwai

Proc. of The 7th Int. Conf. on Solid State and Integrated Circuit Technology (ICSICT2004)   423 - 427   2004

Effects of Substrate Surface Conditions on Dose Controllability of Plasma Doping Process (Invited)

Kazuo Tsutsui Ryota, Higaki Takahisa, Sato Yuichiro, Sasaki Hideki Tamura Bunji Mizuno, Hiroshi Iwai

Proc. of The 7th Int. Conf. on Solid State and Integrated Circuit Technology (ICSICT2004)   439 - 444   2004

Surface Modification of Si Substrates by CdF_2_ Molecular Beam for Stable Growth of Fluoride Ultra-Thin Heterostructures

Motoki MAEDA Joji, OMAE So, WATANABE Yohei TORIUMI, Kazuo TSUTSUI

Abs. of MBE2004 (2004 Molecular Beam Epitaxy)   107 - 108   2004

Ultra Shallow p^+^/n Junctions Fabricated by Plasma Doping and All Solid State Laser Annealing

Kazuo Tsutsui Yuichiro, Sasaki Cheng-Guo Jin, Hideki Tamura, Bunji Mizuno Ryota, Higaki Tkahisa, Sato Kenta, Majima Shun-ichiro Ohmi Hiroshi Iwai

Electrochemical Society Proceedings <I>Advanced Short-Time Thermal Processing for Si- Based CMOS Devices II</I>   2004-01   106 - 111   2004

Contribution and control of neutral gas absorption effects in the plasma doping of boron into Si

K. Tsutsui, R. Higaki, Y, Sasaki T, Sato, H. Tamura, B. Mizuno, H. Iwai

Ext. Abs. of IWJT2004(International Workshop on Junction Technology)   46 - 49   2004

Electrical Conduction Processes in Lanthana Thin Films prepared by E-Beam Evaporation

Y. Kim, S. Ohmi, K. Tsutsui, H. Iwai

206th ECS symposium, Proc. <I>Dielectrics for Nanosystems: Materials Science, Processing, Reliability, and Manufacturing</I>   2004-04   452 - 453   2004

Space-Charge-Limited Current Conductions in La2O3 Thin Films Deposited by E-Beam Evaporation after Low Temperature Dry-Nitrogen Annealing

Yongshik Kim Shun-ichiro Ohmi Kazuo Tsutsui, Hiroshi Iwai

Proc. of 34^th^ Europian Solid-State Device Research Conference (ESSDERC2004)   81 - 88   2004

Fluoride Resonant Tunneling Diodes on Si Substrates Improved by the Additional Thermal Oxidation Process

So Watanabe, Motoki Maeda Tsuyoshi, Sugisaki Kazuo Tsutsui

Ext. Abs. of Solid Sate Devices and Materials (SSDM)   2004   606 - 607   2004

弗化物共鳴トンネルダイオードにおける酸化効果を用いたCaF_2_バリア層の絶縁性向上

渡邉聡, 杉崎剛, 前田元輝, 筒井一生

第65回応用物理学会学術連合講演会予稿集   1240   2004

B_2_H_6_ Plasma Doping with In-situ He Pre-amorphization

Y. Sasaki, C. G. Ji, H. Tamura, B. Mizuno, R. Higaki, T. Satoh, K. Majima, H. Sauddin, K. Takagi, S. Ohmi, K. Tsutsui, H. Iwai

Tech. Dig. of Symp. on VLSI Technology   2004

Plasma Doping (Invited)

Bunji Mizuno Yuichiro, Sasaki Cheun-Guo Jin, Hideki Tamura, Katsumi Okashita Hiroyuki Ito Kazuo Tsutsui, Hiroshi Iwai

Proc. of The 7th Int. Conf. on Solid State and Integrated Circuit Technology (ICSICT2004)   423 - 427   2004

Effects of Substrate Surface Conditions on Dose Controllability of Plasma Doping Process (Invited)

Kazuo Tsutsui Ryota, Higaki Takahisa, Sato Yuichiro, Sasaki Hideki Tamura Bunji Mizuno, Hiroshi Iwai

Proc. of The 7th Int. Conf. on Solid State and Integrated Circuit Technology (ICSICT2004)   439 - 444   2004

弗化物3重障壁共鳴トンネルダイオードにおける混晶井戸の有効性

鳥海陽平, 齋藤格広, 渡邉聡, 前田元輝, 筒井一生

第65回応用物理学会学術連合講演会予稿集   1223   2004

Ca_x_Mg_1-x_F_2_混晶薄膜のSi(111)基板上へのエピタキシャル成長

前田元輝, 松土夏子, 渡邉聡, 筒井一生

第65回応用物理学会学術連合講演会予稿集   1240   2004

Electrical Conduction Processes in Lanthana Thin Films prepared by E-Beam Evaporation

Y. Kim, S. Ohmi, K. Tsutsui, H. Iwai

206th ECS symposium, Proc. <I>Dielectrics for Nanosystems: Materials Science, Processing, Reliability, and Manufacturing</I>   2004-04   452 - 453   2004

Space-Charge-Limited Current Conductions in La2O3 Thin Films Deposited by E-Beam Evaporation after Low Temperature Dry-Nitrogen Annealing

Yongshik Kim Shun-ichiro Ohmi Kazuo Tsutsui, Hiroshi Iwai

Proc. of 34^th^ Europian Solid-State Device Research Conference (ESSDERC2004)   81 - 88   2004

Effects of wet cleaning treatment on dose of impurity after plasma doping

T Sato, R Higaki, H Tamura, Y Sasaki, B Mizuno, K Tsutsui, H Iwai

ESSDERC 2004: PROCEEDINGS OF THE 34TH EUROPEAN SOLID-STATE DEVICE RESEARCH CONFERENCE   149 - 152   2004

Fluoride Resonant Tunneling Diodes on Si Substrates Improved by the Additional Thermal Oxidation Process

WATANABE So, MAEDA Motoki, SUGISAKI Tsuyoshi, TSUTSUI Kazuo

2004   606 - 607   2004

La_2_O_3_をゲート絶縁膜に用いたMISFETの低周波ノイズのアニール温度依存性

吉崎智史, 吉田丈治, 大見俊一郎, 筒井一生, 岩井洋

第65回応用物理学会学術連合講演会予稿集   686   2004

高誘電率La_2_O_3_薄膜におけるリーク電流機構の解析

福山享, 金容, 大見俊一郎, 筒井一生, 岩井洋

第65回応用物理学会学術連合講演会予稿集   686   2004

La_2_O_3_をゲート絶縁膜に用いたMISFETにおけるポストメタライゼーションアニールの効果に関する検討

黒木裕介, 黄仁安, 栗山篤, 大見俊一郎, 筒井一生, 岩井洋

第65回応用物理学会学術連合講演会予稿集   686   2004

希土類酸化物薄膜におけるポストメタルアニールに関する検討(2)

モリナ・レイエスホエル, 栗山篤, 筒井一生, 岩井洋

第65回応用物理学会学術連合講演会予稿集   685   2004

高誘電率希土類酸化物の積層構造に関する研究

中川健太郎, 宮内邦裕, 筒井一生, 岩井洋

第65回応用物理学会学術連合講演会予稿集   687   2004

CdF_2_分子線により表面改質したSi(111)基板上への弗化物共鳴トンネルダイオードの製作

大前譲治, 前田元輝, 筒井一生

第65回応用物理学会学術連合講演会予稿集   1231   2004

プラズマドーピング法で形成した極浅p^+^n接合のホール測定

眞嶋健太, 深川洋太郎, 田村秀貴, 岡下勝己, 佐々木雄一朗, 水野文二, 筒井一生, 岩井洋

第65回応用物理学会学術連合講演会予稿集   741   2004

プラズマドーピング後の基板洗浄によるドーズ変化

相庭一穂, 佐藤貴久, 佐々木雄一朗, 筒井一生, 水野文二, 岩井洋

第65回応用物理学会学術連合講演会予稿集   741   2004

プラズマドーピングにおけるHeプラズマ前処理の不純物プロファイルへの効果

高木克洋, 佐藤貴久, 田村秀貴, 岡下勝己, 筒井一生, 佐々木雄一朗, 水野文二, 岩井洋

第65回応用物理学会学術連合講演会予稿集   741   2004

Evaluation of variable energy level of conduction band edge on fluoride resonant tunneling diodes

M Maeda, S Watanabe, K Tsutsui

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS   42 ( 10A )   L1216 - L1218   2003.10

Heteroepitaxy of Cd-rich CaxCd1-xF2 alloy on Si substrates and its application to resonant tunneling diodes

M Maeda, H Kambayashi, S Watanabe, K Tsutsui

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   42 ( 4B )   2453 - 2457   2003.4

室温ガスドーピングの表面反応機構

赤間貞洋, 檜垣良太, 筒井一生, 佐々木雄一朗, 水野文二, 吉川住和, 大見俊一郎, 岩井洋

第50回応用物理関係連合講演会予稿集   941   2003

電子ビームと水素ラジカルの併用によるCaF2表面改質と金属ドットの選択堆積

長井利明, 田中敦之, 筒井一生, 川崎宏治, 青柳克信

第50回応用物理関係連合講演会予稿集   783   2003

プラズマ前処理を用いたガスドーピングにおける基板表面状態の影響

檜垣良太, 筒井一生, 佐々木雄一朗, 水野文二, 吉川住和, 大見俊一郎, 岩井洋

第64回応用物理学会学術連合講演会予稿集   771   2003

プラズマドーピング前後のHF洗浄とドーズ量の変化

佐藤貴久, 檜垣良太, 筒井一生, 佐々木雄一郎, 田村秀樹, 金成国, 水野文二, 大見俊一郎, 岩井洋

第64回応用物理学会学術連合講演会予稿集   722   2003

Cd-rich Ca_x_Cd_1-x_F_2_混晶を量子井戸層に用いた共鳴トンネルダイオードの電気特性評価

前田元輝, 渡邉聡, 筒井一生

第64回応用物理学会学術連合講演会予稿集   1252   2003

Resonant tunneling devices on Si(111) substrates using fluoride alloy heterostructures

M Maeda, S Watanabe, K Tsutsui

ESSDERC 2003: PROCEEDINGS OF THE 33RD EUROPEAN SOLID-STATE DEVICE RESEARCH CONFERENCE   179 - 182   2003

弗化物混晶系ヘテロ構造を用いたシリコン基板上への共鳴トンネルダイオード

渡邉聡, 前田元輝, 筒井一生

電子情報通信学会技術研究報告   ED2002/SDM2002 ( 300/263 )   2003

Analysis of electrical characteristics of La2O3 thin films annealed in vacuum and others

Y Kim, A Kuriyama, Ueda, I, S Ohmi, K Tsutsui, H Iwai

ESSDERC 2003: PROCEEDINGS OF THE 33RD EUROPEAN SOLID-STATE DEVICE RESEARCH CONFERENCE   569 - 572   2003

Effects of gas phase absorption into Si substrates on plasma doping process

R Higaki, K Tsutsui, Y Sasaki, S Akama, B Mizuno, S Ohmi, H Iwai

ESSDERC 2003: PROCEEDINGS OF THE 33RD EUROPEAN SOLID-STATE DEVICE RESEARCH CONFERENCE   231 - 234   2003

室温ガスドーピング法におけるドーズ量の制御

檜垣良太, 赤間貞洋, 筒井一生, 佐々木雄一朗, 水野文二, 吉川住和, 大見俊一郎, 岩井洋

第50回応用物理関係連合講演会予稿集   940   2003

Cd-richCa_x_Cd_1-x_F_2_混晶超薄膜のSi(111)基板上における成長安定化機構

前田元輝, 渡邉聡, 筒井一生

第50回応用物理関係連合講演会予稿集   1478   2003

弗化物共鳴トンネルダイオードの特性におけるバイアス履歴依存現象の解明

渡邉聡, 前田元輝, 筒井一生

第50回応用物理関係連合講演会予稿集   1468   2003

プラズマドーピング法におけるH等の深さ分布プロファイルの挙動とコンタミの検討

佐々木雄一朗, 水野文二, 赤間貞洋, 檜垣良太, 大見俊一郎, 筒井一生, 岡下勝己, 前嶋聡, 吉川住和, 中山一郎, 岩井洋

第50回応用物理関係連合講演会予稿集   941   2003

Formation of GaN nanopillars by selective area growth using ammonia gas source molecular beam epitaxy

K Kawasaki, Nakamatsu, I, H Hirayama, K Tsutsui, Y Aoyagi

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   243 ( 1 )   129 - 133   2002.8

Growth characteristics of CaxCd1-xF2 films on Si substrates using CaF2 buffer layer

H Kambayashi, T Gotoh, H Maeda, K Tsutsui

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   237   2061 - 2064   2002.4

Fluoride resonant Tunneling diodes co-integrated with Si-MOSFETs

T Terayama, H Sekine, K Tsutsui

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   41 ( 4B )   2598 - 2601   2002.4

弗化物共鳴トンネルダイオードとSi-MOSFETの混載集積

寺山俊明, 関根広志, 筒井一生

電子情報通信学会技術研究報告   ED2001   249   2002

自己整合的手法による金属結合量子ドット構造の形成

高屋浩二, 長井利明, 筒井一生, 川崎宏治, 青柳克信

第49回応用物理学関係連合講演会予稿集   1386   2002

Cd-rich Ca_x_Cd_1-x_F_2_混晶超薄膜のSi(111)基板上へのエピタキシャル成長特性

前田元輝, 渡邉聡, 筒井一生

第63回応用物理学会学術講演会予稿集   1204   2002

弗化物ヘテロ共鳴トンネルダイオードにおけるバリアハイト制御

渡邉聡, 前田元輝, 筒井一生

第63回応用物理学会学術講演会予稿集   1204   2002

プラズマドーピングとプラズマ前処理を用いたガスドーピング

檜垣良太, 赤間貞洋, 大見俊一郎, 筒井一生, 佐々木雄一朗, 水野文二, 岩井洋

第63回応用物理学会学術講演会   769   2002

CaF_2_薄膜の電子ビーム表面改質における水素ラジカル併用効果

長井利明, 田中敦之, 筒井一生, 川崎宏治, 青柳克信

第63回応用物理学会学術講演会予稿集   643   2002

Cd-rich Ca_x_Cd_1-x_F_2_混晶のSi(111)基板上へのエピタキシャル成長

前田元輝, 神林宏, 筒井一生

第49回応用物理学関係連合講演会予稿集   1374   2002

希薄酸素雰囲気中での電子線照射によるCaF_2_薄膜の表面改質

今福周作, 筒井一生

第49回応用物理学関係連合講演会予稿集   733   2002

Si基板上の活性層埋め込み型弗化物共鳴トンネルダイオードの製作

渡邉聡, 神林宏, 関根広志, 筒井一生

第49回応用物理学関係連合講演会予稿集   933   2002

選択成長法により形成した縦型GaN/AlN量子ドットを用いた単一電子素子の作製

川崎宏治, 金井大, 平山秀樹, 筒井一生, 青柳克信

第49回応用物理学関係連合講演会予稿集   211   2002

GaN量子ドットを用いた単一電子トランジスタの高温動作

金井大, 川崎宏治, 平山秀樹, 筒井一生, 青柳克信

第49回応用物理学関係連合講演会予稿集   212   2002

GaN quantum-dot formation by self-assembling droplet epitaxy and application to single-electron transistors

K Kawasaki, D Yamazaki, A Kinoshita, H Hirayama, K Tsutsui, Y Aoyagi

APPLIED PHYSICS LETTERS   79 ( 14 )   2243 - 2245   2001.10

Molecular-beam epitaxy of conductive CdF2 films on Si substrates by simultaneous Cd exposure

T Kobori, K Tsutsui

APPLIED PHYSICS LETTERS   78 ( 10 )   1406 - 1408   2001.3

Fluoride Resonant Tunneling Diodes Co-integrated with Si-MOSFETs

Kazuo Tsutsui, Toshiaki Terayama, Hiroshi Sekine, Hiroshi Kambayashi

Ext. Abs. of 2001 Solid State Devices and Materials   586   2001

Simulation of static memory operation usig co-integration of fluoride-based resonant tunneling diodes and Si-MOSFET

524/976   2001

Simulation of static memory operation usig co-integration of fluoride-based resonant tunneling diodes and Si-MOSFET

524/976   2001

Fluoride-Si Resonant Tunneling Diodes Co-integrated with Si-MOSFETs

Kazuo Tsutsui, Toshiaki Terayama, Hiroshi Sekine

IEICE technical report. Electron devices   101 ( ED2001-91 )   137 - 141   2001

Fluoride Resonant Tunneling Diodes Co-integrated with Si-MOSFETs

Kazuo Tsutsui, Toshiaki Terayama, Hiroshi Sekine, Hiroshi Kambayashi

Ext. Abs. of 2001 Solid State Devices and Materials   586   2001

Simulation of an SRAM cell using co-integration of fluoride-based resonant tunneling diodes and Si- MOSFET

Patrick Le Maitre, Toshiaki Terayama Kazuo Tsutsui

Abs. of 2001 Silicon Nanoelectronics Workshop   68   2001

CdF_2_/CaF_2_共鳴トンネルダイオードとSi-MOSFETの混載回路の製作

関根広志, 寺山俊明, 筒井一生

第62回応用物理学会学術講演会予稿集   367/735   2001

電子線照射によるCaF_2_表面の改質効果を利用したGaの選択堆積

今福周作, 筒井一生

第62回応用物理学会学術講演会予稿集   553   2001

電子ビーム位置制御法による金属微細構造の形成におけるGaとAlの比較

平林文人, 高屋浩二, 今福周作, 筒井一生, 川崎宏治, 青柳克信

第48回応用物理学関係連合講演会予稿集   1344   2001

電子ビーム位置制御法におけるCaF_2_再成長プロセスの検討

山田聡, 今福周作, 高屋浩二, 筒井一生, 川崎宏治, 青柳克信

第48回応用物理学関係連合講演会予稿集   1344   2001

Simulation of an SRAM cell using co-integration of fluoride-based resonant tunneling diodes and Si- MOSFET

Patrick Le Maitre, Toshiaki Terayama Kazuo Tsutsui

Abs. of 2001 Silicon Nanoelectronics Workshop   68   2001

エピタキシャル弗化物上への位置制御された金属極微細構造の選択形成

山田聡, 平林文人, 筒井一生

電子情報通信学会技術研究報告   ( ED2000-247 )   31   2001

Si基板上のエピタキシャルCaCdF_2_混晶層の電気的特性

神林宏, 前田寛, 筒井一生

第62回応用物理学会学術講演会予稿集   1052   2001

フッ化物-Si系共鳴トンネルダイオードとSi-MOSFETの集積化

電子情報通信学会技術研究報告   ( ED2001-91 )   137   2001

High-density-speed optical near-field recording-reading with a pyramidal silicon probe on a contact slider

T Yatsui, M Kourogi, K Tsutsui, M Ohtsu, J Takahashi

OPTICS LETTERS   25 ( 17 )   1279 - 1281   2000.9

高濃度イオン注入層上CdF_2_/CaF_2_共鳴トンネルダイオードの作製

寺山俊明, 熊谷史裕, 筒井一生

第61回応用物理学会学術講演会予稿集   401 or 835   2000

Epitaxial Growth of Ca_x_Cd_1-x_F_2_ Mixed Crystal Films on Si Substrates

Takuji Gotoh, Hiroshi Kambayashi Kazuo Tsutsui

Jpn. J. Appl. Phys.   39 ( 5B )   L476   2000

Epitaxial Growth of CaxCd1-xF2 Mixed Crystal Films on Si Substrates

Gotoh Takuji, Kambayashi Hiroshi, Tsutsui Kazuo

Jpn J Appl Phys   39 ( 5B )   L476 - L478   2000

Epitaxial Growth of CaxCd1-xF2 Mixed Crystal Films on Si Substrates

Takuji Gotoh, Hiroshi Kambayashi Kazuo Tsutsui

Jpn. J. Appl. Phys.   39 ( 5B )   L476 - L478   2000

Dot arrays fabricated by electron beam site control method and its application to single electron devices

F. Hirabayashi, S. Yamada, K. Kawasaki, K. Tsutsui

Abs. of Thrd Int. Symp. on Formation, Physics and Device Application of Quantum Dot Structures (QDS-2000)   Tu1-18   2000

Si基板上へのCdF_2_/CaF_2_共鳴トンネル構造の成長における基板方位オフ角依存性

熊谷史裕, 寺山俊明, 筒井一生

第47回応用物理学関係連合講演会予稿集   603   2000

Si基板上へのCaCdF_2_混晶層のエピタキシャル成長

後藤卓司, 神林宏, 筒井一生

第47回応用物理学関係連合講演会予稿集   604   2000

Dot arrays fabricated by electron beam site control method and its application to single electron devices

F. Hirabayashi, S. Yamada, K. Kawasaki, K. Tsutsui

Abs. of Thrd Int. Symp. on Formation, Physics and Device Application of Quantum Dot Structures (QDS-2000)   Tu1-18   2000

電子ビーム位置制御法によるナノドットアレイ

望月麻理恵, 山田聡, 平林文人, 筒井一生

電子情報通信学会技術研究報告   ED99-314   59   2000

突起型シリコンプローブアレイによる超高密度・超高速近接場光記録・再生

筒井一生

第47回応用物理学関係連合講演会予稿集   1047   2000

液滴エピタキシー法により自然形成されたGaN量子ドットの光学特性

筒井一生

第47回応用物理学関係連合講演会予稿集   365   2000

電子ビーム位置制御液滴エピタキシー法によるGaN量子ドットアレイの形成

筒井一生

第47回応用物理学関係連合講演会予稿集   365   2000

電子ビーム位置制御法によるGaドットアレイの形成 -CaF_2_再成長による清浄・高選択プロセス-

山田聡, 望月麻理恵, 平林文人, 筒井一生

第47回応用物理学関係連合講演会予稿集   481 or 1413   2000

Si基板上へのCaCdF_2_混晶のエピタキシャル成長(2) -CaF_2_バッファ層の効果-

神林宏, 寺山俊明, 筒井一生

第61回応用物理学会学術講演会予稿集   401 or 835   2000

電子ビーム位置制御法によるAl細線およびドット構造の作製

平林文人, 山田聡, 望月麻理恵, 筒井一生, 川崎宏治, 青柳克信

第61回応用物理学会学術講演会予稿集   1182   2000

Epitaxial Growth of CaxCd1-xF2 Mixed Crystal Films on Si Substrates

Takuji Gotoh, Hiroshi Kambayashi Kazuo Tsutsui

Jpn. J. Appl. Phys.   39 ( 5B )   L476 - L478   2000

電子ビーム位置制御液滴エピタキシー法によるGaNドットの近接配置

筒井一生

第61回応用物理学会学術講演会予稿集   311   2000

自然形成GaNドットを用いた単電子トランジスタの製作

筒井一生

第61回応用物理学会学術講演会予稿集   311   2000

Site controlled metal and semiconductor quantum dots on epitaxial fluoride films

K Tsutsui, K Kawasaki, M Mochizuki, T Matsubara

MICROELECTRONIC ENGINEERING   47 ( 1-4 )   135 - 137   1999.6

電子ビーム位置制御法によるCaF2上への高密度Gaドットアレイの形成とその機構

望月麻理恵, 日村敦義, 川崎宏治, 筒井一生

第60回応用物理学会学術講演会予稿集   40   1999

Effects of the two-step growth method for GaAs on CaF_2_/Si(111) with the electron beam surface modification technique

K. Kawasaki, K. Tsutsui

Jpn. J. Appl. Phys.   38 ( 3A )   1521 - 1525   1999

Silicon planar-apertured probe array for high-density near-field optical storage

KAZUO TSUTSUI

Applied Optics   38 ( 16 )   3566   1999

Nanometric aperture arrays fabricated by wet and dry etching of silicon for near-field optical storage application

M. B. Lee, N. Atoda, K. Tsutsui, M. Ohtsu

J. Vac. Sci. and Technol. B   17 ( 6 )   2462 - 2466   1999

Subwavelength-sized phase-change recording with a silicon planar apertured probe

KAZUO TSUTSUI

Proc. of SPIE, Near-Field Optics: Physics, Devices, and Information Processing   3791   76   1999

Single electron devices formed by self-ordering metal nano-doroplet arrays on epitaxial CaF_2_ film

K. Kawasaki, M. Mochizuki K. Tsutsui

Jpn. J. Appl. Phys.   38 ( 1B )   418 - 420   1999

Single electron devices formed by self-ordering metal nano-doroplet arrays on epitaxial CaF_2_ film

K. Kawasaki, M. Mochizuki K. Tsutsui

Jpn. J. Appl. Phys.   38 ( 1B )   418 - 420   1999

Effects of the two-step growth method for GaAs on CaF_2_/Si(111) with the electron beam surface modification technique

K. Kawasaki, K. Tsutsui

Jpn. J. Appl. Phys.   38 ( 3A )   1521 - 1525   1999

Silicon planar-apertured probe array for high-density near-field optical storage

KAZUO TSUTSUI

Applied Optics   38 ( 16 )   3566   1999

Nanometric aperture arrays fabricated by wet and dry etching of silicon for near-field optical storage application

M. B. Lee, N. Atoda, K. Tsutsui, M. Ohtsu

J. Vac. Sci. and Technol. B   17 ( 6 )   2462 - 2466   1999

High density Ga droplet arrays on CaF2 surface site-controlled by electron-beam exposure

M. Mochizuki, A. Himura, K. Kawasaki, K. Tsutsui

1999

電子ビーム位置制御法によるCaF2上へのGaナノドットアレイの高密度形成

日村敦義, 望月麻理恵, 川崎宏治, 筒井一生

第46回応用物理学関係連合講演会予稿集   519   1999

CaF2のステップエッジ上に自然形成させた金属多重トンネル接合を用いた単電子デバイス

松原智樹, 川崎宏治, 望月麻理恵, 筒井一生

第46回応用物理学関係連合講演会予稿集   215   1999

二次元島形成法によりCaF2/Si(111)基板上に成長させたGaAsの表面モフォロジー

川崎宏治, 筒井一生

第46回応用物理学関係連合講演会予稿集   359   1999

Subwavelength-sized phase-change recording with a silicon planar apertured probe

KAZUO TSUTSUI

Proc. of SPIE, Near-Field Optics: Physics, Devices, and Information Processing   3791   76   1999

High density Ga droplet arrays on CaF2 surface site-controlled by electron-beam exposure

M. Mochizuki, A. Himura, K. Kawasaki, K. Tsutsui

1999

超高密度・超高速光記録用光近接場スライダーの製作

筒井一生

第60回応用物理学会学術講演会予稿集   848   1999

液滴エピタキシー法により形成されるGaNドットの集束電子ビームによる位置制御

筒井一生

第60回応用物理学会学術講演会予稿集   283   1999

液滴エピタキシー法によるGaN量子ドットの自然形成

筒井一生

第60回応用物理学会学術講演会予稿集   283   1999

Study of thin ZnSe buffer layers for growth of GaAs on CaF2/Si(111) heterostructures

MM Sarinanto, Y Yamaguchi, K Tsutsui

THIN SOLID FILMS   334 ( 1-2 )   15 - 19   1998.12

Surface free energy modification of CaF(2) by atomic-height island formation on heteroepitaxy of GaAs on CaF(2)

K Kawasaki, K Tsutsui

APPLIED SURFACE SCIENCE   130   464 - 468   1998.6

Epitaxial growth of SrF_2_ on ZnSe(100) epitaxial films

M. M. Sarinanto, K. Tsutsui

Jpn. J. Appl. Phys.   37 ( 1 )   253 - 254   1998

Multitunneling junction of metal droplets formed on CaF┣D22┫D2 step edges in a self-assembling manner

KAZUO TSUTSUI

Japanese Journal of Applied Physics   37 ( 3B )   1508 - 1513   1998

Heteroepitaxial growth of CdF_2_ layers on CaF_2_/Si(111) by molecular beam epitaxy

A. Izumi, K. Tsutsui, N, S. Sokolov

Jpn. J. Appl. Phys.   37 ( 1 )   295 - 296   1998

Enhancing throughput over 100 times by a triple-tapered structure for nea-field optical fiber probe

KAZUO TSUTSUI

Proc. of SPIE; Far- and Near-Field Optics: Physics and Information Processing   3467   89   1998

Near field optics and its application to optical memory

KAZUO TSUTSUI

Electronics and Communications in Japan, Part2   81 ( 8 )   41   1998

Epitaxial growth of SrF_2_ on ZnSe(100) epitaxial films

M. M. Sarinanto, K. Tsutsui

Jpn. J. Appl. Phys.   37 ( 1 )   253 - 254   1998

Heteroepitaxial growth of CdF_2_ layers on CaF_2_/Si(111) by molecular beam epitaxy

A. Izumi, K. Tsutsui, N, S. Sokolov

Jpn. J. Appl. Phys.   37 ( 1 )   295 - 296   1998

近接場光学とその光メモリへの応用

筒井一生

電子情報通信学会論文誌   J81-C-II ( 3 )   326   1998

Enhancing throughput over 100 times by a triple-tapered structure for nea-field optical fiber probe

KAZUO TSUTSUI

Proc. of SPIE; Far- and Near-Field Optics: Physics and Information Processing   3467   89   1998

Near field optics and its application to optical memory

KAZUO TSUTSUI

Electronics and Communications in Japan, Part2   81 ( 8 )   41   1998

Multitunneling junction of metal droplets formed on CaF┣D22┫D2 step edges in a self-assembling manner

KAZUO TSUTSUI

Japanese Journal of Applied Physics   37 ( 3B )   1508 - 1513   1998

ZnSe ionicity control layer inserted in GaAs/CaF2(111) interface

MM Sarinanto, Y Yamaguchi, K Tsutsui

APPLIED SURFACE SCIENCE   117   438 - 442   1997.6

ZnSe ionicity control layer inserted in GaAs/CaF2(111) interface

MM Sarinanto, Y Yamaguchi, K Tsutsui

APPLIED SURFACE SCIENCE   117   438 - 442   1997.6

Fabrication of site-controlled metal dot array by electron beam surface modification

K Tsutsui, K Uejima, K Kawasaki

MICROELECTRONIC ENGINEERING   35 ( 1-4 )   245 - 248   1997.2

CdF┣D22┫D2/CaF┣D22┫D2 resonant tunneling diode fabricated on Si(111)

A. Izumi, N. Matsubara, Y. Kushida K. Tsutsui

Japanese Journal of Applied Physics   36 ( 3B )   1849 - 1852   1997

CdF_2_/CaF_2_ resonant tunneling diode fabricated on Si(111)

A. Izumi, N. Matsubara, Y. Kushida K. Tsutsui

Jpn. J. Appl. Phys.   36 ( 3B )   1849 - 1852   1997

CdF┣D22┫D2/CaF┣D22┫D2 resonant tunneling diode fabricated on Si(111)

A. Izumi, N. Matsubara, Y. Kushida K. Tsutsui

Japanese Journal of Applied Physics   36 ( 3B )   1849 - 1852   1997

Artificial control of dot sites for Ga droplet arrays on CaF┣D22┫D2 films by surface steps and electron beam modifications

KAZUO TSUTSUI

Japanese Journal of Applied Physics   36 ( 6B )   4088 - 4091   1997

Artificial control of dot sites for Ga droplet arrays on CaF┣D22┫D2 films by surface steps and electron beam modifications

KAZUO TSUTSUI

Japanese Journal of Applied Physics   36 ( 6B )   4088 - 4091   1997

CdF_2_/CaF_2_ resonant tunneling diode fabricated on Si(111)

A. Izumi, N. Matsubara, Y. Kushida K. Tsutsui

Jpn. J. Appl. Phys.   36 ( 3B )   1849 - 1852   1997

Fabrication of site-controlled metal dot array by electron beam surface modification

K. Tsutsui, K. Uejima, K. Kawasaki

Microelectronic Engineering   35 ( 1-4 )   245 - 248   1997

Effects of electron beam exposure conditions on the surface modification of CaF┣D22┫D2(111) for heteroepitaxy of GaAs/CaF┣D22┫D2 structure

KAZUO TSUTSUI

Japanese Journal of Applied Physics   35 ( 3 )   1701 - 1705   1996

Effects of electron beam exposure conditions on the surface modification of CaF┣D22┫D2(111) for heteroepitaxy of GaAs/CaF┣D22┫D2 structure

KAZUO TSUTSUI

Japanese Journal of Applied Physics   35 ( 3 )   1701 - 1705   1996

STUDY OF BAND OFFSETS IN CDF2/CAF2/SI(111) HETEROSTRUCTURES USING X-RAY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY

A IZUMI, Y HIRAI, K TSUTSUI, NS SOKOLOV

APPLIED PHYSICS LETTERS   67 ( 19 )   2792 - 2794   1995.11

STUDY OF BAND OFFSETS IN CDF2/CAF2/SI(111) HETEROSTRUCTURES USING X-RAY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY

A IZUMI, Y HIRAI, K TSUTSUI, NS SOKOLOV

APPLIED PHYSICS LETTERS   67 ( 19 )   2792 - 2794   1995.11

High quality CdF┣D22┫D2 layer growth on CaF┣D22┫D2/Si(111)

KAZUO TSUTSUI

Journal of Crystal Growth   150   1115   1995

High quality CdF┣D22┫D2 layer growth on CaF┣D22┫D2/Si(111)

KAZUO TSUTSUI

Journal of Crystal Growth   150   1115   1995

Study of Epitaxial Growth of Rotational-Twin-Free CaF┣D22┫D2 Films on Si(111)

KAZUO TSUTSUI

Japanese Journal of Applied Physics   33 ( 2 )   1121 - 1125   1994

Study of Epitaxial Growth of Rotational-Twin-Free CaF┣D22┫D2 Films on Si(111)

KAZUO TSUTSUI

Japanese Journal of Applied Physics   33 ( 2 )   1121 - 1125   1994

Controlling the Profile of Nanostructure

KAZUO TSUTSUI

Journal of Vaccum Science and Technology   B11 ( 6 )   2233   1993

Controlling the Profile of Nanostructure

KAZUO TSUTSUI

Journal of Vaccum Science and Technology   B11 ( 6 )   2233   1993

Photo Resist Removal Process Using Wet Treatment after Plasma Doping

ECS-ISTC2006  2006 

来山大祐，小柳友常，角嶋邦之，パールハット アヘメト，筒井一生，西山彰，杉井信之，名取研二，服部健雄，岩井洋“EOT=0.5nm に向けたTaSi2/La2O3/CeOxゲートスタック構造の検討

第57回応用物理学関係連合講演会  2010 

Formation of Ultra-Shallow Junctions by Plasma Doping

ECS-ISTC2006  2006 

界面にLa2O3 絶縁膜層を挿入したHf系high-kゲートMOSFETの評価

第57回応用物理学関係連合講演会  2010 

La2O3 MOSFETへのCeOxキャップによる電気特性の改善

第57回応用物理学関係連合講演会  2010 

熱処理におけるLa_2_O_3_/n-Ge(100)界面のXPS分析

第53回応用物理学関係連合講演会  2006 

NiSiからNiSi_2_への相転移温度領域におけるシート抵抗増加特性の評価

第53回応用物理学関係連合講演会  2006 

Direct Contact of High-k/Si Gate Stack for EOT below 0.7 nm using LaCe-silicate Layer with Vfb controllability

2010 Symposium on VLSI Technology  2010 

Si上弗化物共鳴トンネル素子におけるSr_x_Cd_1-x_F_2_混晶井戸層の提案

第53回応用物理学関係連合講演会  2006 

Post metallization annealing study in La2O3/Ge MOS structure

INFOS2009, Microelectronic Engineering  2009 

Photo Resist Removal Process Using Wet Treatment after Plasma Doping

ECS-ISTC2006  2006 

Experimental Study for High Efffective Mobility with directly deposited HfO2/La2O3 MOSFET

INFOS2009, Microelectronic Engineering  2009 

Formation of Ultra-Shallow Junctions by Plasma Doping

ECS-ISTC2006  2006 

On the thermal stability of nicket silicides

Future Trends in Microelectronics(FTM-2009) Workshop  2009 

Irregular Increase in Sheet Resistance of Ni Silicides at Transition Temperature Range from NiSi to NiSi_2_ Depending on Annealing Time

ECS-ISTC2006  2006 

Selection of Rare Earth Silicate with SrO Capping for EOT Scaling below o.5 nm

ESSDERC 2009, 39th European Solid-State Device Research Conference  2009 

Niシリサイド形成における異種金属積層添加効果の検討

第53回応用物理学関係連合講演会  2006 

EOT=0.5nmに向けた希土類MOSデバイスの高温短時間熱処理の検討

電子情報通信学会技術研究報告 pp.43-48  2010 

FinFETのゲート-ソース/ドレイン間寄生効果の素子形状依存性

第53回応用物理学関係連合講演会  2006 

SiナノワイヤへのNiシリサイド形成と過剰な侵入とその抑制に関する検討

電子情報通信学会技術研究報告 pp.17-22  2010 

Sub-100 nm High-k MOSFETの高周波歪み特性

第53回応用物理学関係連合講演会  2006 

Electrical Characterization of W/HfO2 MOSFETs with La2O3 Incorporation

ISTC /CSTIC2009  2009 

Si基板上に縦方向集積した弗化物共鳴トンネルデバイスの研究

第53回応用物理学関係連合講演会  2006 

Evaluation of Lateral Ni Diffusion in Si Nanowire Schottky Contact

ISTC /CSTIC2009  2009 

La_2_O_3_-nMISFET電気特性の金属微量添加による効果

第53回応用物理学関係連合講演会  2006 

Er Inserted Ni Silicide Metal Source/Drain for Schottky MOSFETs

IEEE IWJT 2010 Extended Abstracts 2010 International Workshop on Junction Technology  2010 

Vacancy-Boron Complexes in Plasama Immersion lon-lmplanted Si Probed by a Monoenergetic Positron Beam

Japanese Journal of Applied Physics 49  2010 

Irregular Increase in Sheet Resistance of Ni Silicides at Temperature Range of Transition from NiSi to NiSi_2_

The 6th International Workshop on Junction Technology (IWJT2006)  2006 

Resonant Tunneling Diodes Formed by Fluoride Heterostructures for Co-Integration with CMOS Devices

2006 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop  2006 

Annealing Reaction for Ni Silicidation of Si Nanowire

ECS 216th Meeting  2009 

Sc_2_O_3_ゲート絶縁膜を用いたMISFETの作製と特性評価

第67回応用物理学会学術講演会  2006 

Impact of Alkali Earth Elements Incorporation on Electrical Characteristics of La2O3 Gated MOS Device

ECS 216th Meeting  2009 

異種金属のPSMD(モノシリサイド形成後金属添加)法によるNiSiの耐熱性向上

第67回応用物理学会学術講演会  2006 

Effect of Ultrathin Si Passivation Layer for La2O3/Ge MOS structure

G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices  2009 

FinFETの寄生効果低減の為のゲート-ソース/ドレイン間素子形状の最適化

第67回応用物理学会学術講演会  2006 

Experimental Investigation of VFB shift and Effective Mobility in La2O3 MOS Devices

G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices  2009 

High-k膜を用いた三次元トランジスタの数値解析

第67回応用物理学会学術講演会  2006 

Study on Remote Coulomb Scattering Limited Mobility in MOSFETs with CeO2/ La2O3 Gate Stacks

G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices  2009 

Current-Voltage Characteristics of Ballistic Nanowire MOSFET by Numerical Analysis

G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices  2009 

La_2_O_3_膜電子ビーム蒸着時の酸素供給による熱安定性向上効果

第67回応用物理学会学術講演会  2006 

Electrical Properties of Lanthanum-scandate Gate Dielectric Directly Deposited on Ge

ECS 216th Meeting  2009 

La_2_O_3_ MIMキャパシタの電気特性の熱処理依存性

第67回応用物理学会学術講演会  2006 

Electrical Characteristics of HfO2 and La2O3 Gate Dielectrics for In0.53Ga0.47As MOS Structure

ECS 216th Meeting  2009 

プラズマドープしたボロンの化学結合形態とその深さ方向分布のSpike RTAによる変化

第67回応用物理学会学術講演会  2006 

Crystallographic Orientation Dependent Electrical Characteristics of La2O3 MOS Capacitors

ECS 216th Meeting  2009 

Al層界面挿入によるNi^+^-Si基板上Niシリサイドの耐熱性向上

第67回応用物理学会学術講演会  2006 

Rare-earth based mixed oxide as high-k gate dielectrics for Ge MOSFET

G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices  2009 

Analysis of Remote Coulomb Scattering Limited Mobility in MOSFETs with CeO2/La2O3 Gate Stacks

ECS 216th Meeting  2009 

Si基板上Sr_x_Cd_1-x_F_2_混晶の成長特性とその共鳴トンネルデバイスへの応用

第67回応用物理学会学術講演会  2006 

Ca_x_Cd_1-x_F_2_混晶バリアを用いた非対称弗化物共鳴トンネルダイオードの検討

第67回応用物理学会学術講演会  2006 

Crystallographic Orientation Dependent Electrical Characteristics of La2O3 MOS Capacitors

G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices  2009 

弗化物共鳴トンネルデバイス縦方向集積のためのCaF_2_バッファ層ポスト酸化の検討

第67回応用物理学会学術講演会  2006 

Annealing Reaction for Ni Silicidation of Si Nanowire

G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices  2009 

La_2_O_3_の次世代ゲート絶縁膜への応用

第67回応用物理学会学術講演会  2006 

Electrical Characteristics of HfO2 and La2O3 Gate Dielectrics for In0.53Ga0.47As MOS Structure

G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices  2009 

Feasibility Study of Plasma Doping on Si Substrates with Photo-Resist Patterns

5th International Workshop on Junction Technology (IWJT2005)  2005 

トップダウンSiナノワイヤFETの作製法とその電気的特性のサーベイ

第56回応用物理学関係連合講演会  2009 

Analysis of Conductivity in Ultra-shallow p^+^ Layers Formed by Plasma Doping

5th International Workshop on Junction Technology (IWJT2005)  2005 

シリコンナノワイヤFET研究の現状とロードマップ作成の考え方

第56回応用物理学関係連合講演会  2009 

極薄Si界面層を挿入したLa2O3/Ge MIS構造における界面準位密度低減に関する検討

第56回応用物理学関係連合講演会  2009 

Fluoride Resonant Tunneling Diodes using Lattice-Matched Buffer Layers on Si Substrates

34th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC2006)  2006 

A Study of Schottky Barrier Height Modulation of NiSi by Interlayer Insertion and Its Application to SOI SB-MOSFETs

G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices  2009 

Resonant Tunneling Diodes on Si Substrates Using Fluoride Heterostructures and Feasibility of Application to Integrated Circuits

8th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology (ICSICT2006)  2006 

Threshold Voltage Control in p-MOSFET with High-k Gate dielectric

G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices  2009 

La-based oxides for High-k Gate Dielectric Application

8th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology (ICSICT2006)  2006 

Influence of Alkali Earth Elements Capping on Electrical Characteristics of La2O3 Gated MOS Device

G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices  2009 

Thermal Stability of NiSi Controlled by Post Silicidation Metal Doping Method

8th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology (ICSICT2006)  2006 

Short-channel effects on FinFETs induced by inappropriate fin widths

G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices  2009 

Study on crystalline structure of Ca_x_Mg_1-x_F_2_ alloy composed of cubic fluorite CaF_2_ and tetragonal rutile MgF_2_ on Si

13th International Congress on Thin Films  2005 

異種金属界面挿入によるNiシリサイドのショットキー障壁変調とSB-MOSFETへの応用

第56回応用物理学関係連合講演会  2009 

Epitaxial Growth of Ca_x_Mg_1-x_F_2_ Alloy for Fluoride Ultra-Thin Heterostructures on Si Substrates

47th Annual TMS Electronic Materials Conference  2005 

CeO2 /La2O3積層ゲート絶縁膜のリーク電流特性の膜厚依存性

第56回応用物理学関係連合講演会  2009 

Fabrication of Fluoride Resonant Tunneling Diodes on V-grooved Si(100) Substrates

2005 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials  2005 

四端子測定TEGを用いたSiナノワイヤトランジスタのチャネル内電位の測定

第56回応用物理学関係連合講演会  2009 

Fluoride Resonant Tunneling Diodes on Si Substrates

2005 International Semiconductor Device Research Symposium  2005 

SiナノワイヤへのNiシリサイド形成の評価

第56回応用物理学関係連合講演会  2009 

Reverse Current of Plasma Doped p^+^ /n Ultra-Shallow Junction

5th International Workshop on Junction Technology (IWJT2005)  2005 

Epitaxial Growth of Ca_x_Mg_1-x_F_2_ Alloy for Fluoride Ultra-Thin Heterostructures on Si Substrates

47th Annual TMS Electronic Materials Conference  2005 

FinFETの構造ばらつきによるオン電流のばらつきの検討

第56回応用物理学関係連合講演会  2009 

Electrical Characterization of W/HfO2 MOSFETs with La2O3 Incorporation

ISTC /CSTIC2009  2009 

Feasibility Study of Plasma Doping on Si Substrates with Photo-Resist Patterns

5th International Workshop on Junction Technology (IWJT2005)  2005 

反復剥離法による3次元Fin構造中ドーピングプロファイル測定の提案

第56回応用物理学関係連合講演会  2009 

Analysis of Conductivity in Ultra-shallow p^+^ Layers Formed by Plasma Doping

5th International Workshop on Junction Technology (IWJT2005)  2005 

Ge層挿入によるLa2O3-MOSキャパシタのVFB制御

第56回応用物理学関係連合講演会  2009 

Reverse Current of Plasma Doped p^+^ /n Ultra-Shallow Junction

5th International Workshop on Junction Technology (IWJT2005)  2005 

As注入とSiN応力膜によるpoly-Siへの歪記憶の検討

第56回応用物理学関係連合講演会  2009 

Study on crystalline structure of Ca_x_Mg_1-x_F_2_ alloy composed of cubic fluorite CaF_2_ and tetragonal rutile MgF_2_ on Si

13th International Congress on Thin Films  2005 

光電子分光によるSi中Asの化学結合状態評価

第56回応用物理学関係連合講演会  2009 

La2O3MOSデバイスへのSrO導入による電気特性の変化

第56回応用物理学関係連合講演会  2009 

Post metallization annealing study in La2O3/Ge MOS structure

INFOS2009, Microelectronic Engineering  2009 

Experimental Study for High Efffective Mobility with directly deposited HfO2/La2O3 MOSFET

INFOS2009, Microelectronic Engineering  2009 

On the thermal stability of nicket silicides

Future Trends in Microelectronics(FTM-2009) Workshop  2009 

Evaluation of Lateral Ni Diffusion in Si Nanowire Schottky Contact

ISTC /CSTIC2009  2009 

Impact of Alkali Earth Elements Incorporation on Electrical Characteristics of La2O3 Gated MOS Device

ECS 216th Meeting  2009 

High-k ゲート絶縁膜を用いたInxGa1-xAs MOS構造の研究

第56回応用物理学関係連合講演会  2009 

Selection of Rare Earth Silicate with SrO Capping for EOT Scaling below o.5 nm

ESSDERC 2009, 39th European Solid-State Device Research Conference  2009 

Analysis of Remote Coulomb Scattering Limited Mobility in MOSFETs with CeO2/La2O3 Gate Stacks

ECS 216th Meeting  2009 

Annealing Reaction for Ni Silicidation of Si Nanowire

ECS 216th Meeting  2009 

Crystallographic Orientation Dependent Electrical Characteristics of La2O3 MOS Capacitors

ECS 216th Meeting  2009 

Rare-earth based mixed oxide as high-k gate dielectrics for Ge MOSFET

G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices  2009 

Effect of Ultrathin Si Passivation Layer for La2O3/Ge MOS structure

G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices  2009 

Experimental Investigation of VFB shift and Effective Mobility in La2O3 MOS Devices

G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices  2009 

Electrical Properties of Lanthanum-scandate Gate Dielectric Directly Deposited on Ge

ECS 216th Meeting  2009 

Electrical Characteristics of HfO2 and La2O3 Gate Dielectrics for In0.53Ga0.47As MOS Structure

ECS 216th Meeting  2009 

Study on Remote Coulomb Scattering Limited Mobility in MOSFETs with CeO2/ La2O3 Gate Stacks

G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices  2009 

Current-Voltage Characteristics of Ballistic Nanowire MOSFET by Numerical Analysis

G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices  2009 

Crystallographic Orientation Dependent Electrical Characteristics of La2O3 MOS Capacitors

G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices  2009 

Annealing Reaction for Ni Silicidation of Si Nanowire

G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices  2009 

Resonant Tunneling Diodes Formed by Fluoride Heterostructures for Co-Integration with CMOS Devices

2006 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop  2006 

プラズマドーピング法で形成したメサ型p^+^/n接合の逆方向電流の評価

第66回応用物理学会学術連合講演会  2005 

Fabrication of Fluoride Resonant Tunneling Diodes on V-grooved Si(100) Substrates

2005 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials  2005 

Si(100)基板V溝上の弗化物混晶系共鳴トンネルダイオードの作製

第66回応用物理学会学術連合講演会  2005 

Si基板上エピタキシャルCa_x_Mg_1-x_F_2_混晶超薄膜の電気的特性

第66回応用物理学会学術連合講演会  2005 

シリコン表面近傍にプラズマドープしたボロン原子の化学結合状態

第66回応用物理学会学術連合講演会  2005 

プラズマドーピングで形成したp^+^層の極浅化に伴う電気伝導特性の変化

第66回応用物理学会学術連合講演会  2005 

Fluoride Resonant Tunneling Diodes on Si Substrates

2005 International Semiconductor Device Research Symposium  2005 

弗化物ヘテロデバイス集積化に向けたCdF_2_分子線によるSi基板表面改質法

第66回応用物理学会学術連合講演会  2005 

弗化物多層構造による縦方向集積共鳴トンネルデバイスの製作

第66回応用物理学会学術連合講演会  2005 

Electrical Characteristics of HfO2 and La2O3 Gate Dielectrics for In0.53Ga0.47As MOS Structure

G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices  2009 

A Study of Schottky Barrier Height Modulation of NiSi by Interlayer Insertion and Its Application to SOI SB-MOSFETs

G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices  2009 

Threshold Voltage Control in p-MOSFET with High-k Gate dielectric

G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices  2009 

Influence of Alkali Earth Elements Capping on Electrical Characteristics of La2O3 Gated MOS Device

G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices  2009 

HfO2/ La2O3積層キャパシタにおけるLa2O3層に依存した界面層成長抑制の効果

春季第55回応用物理学会学術講演会  2008 

Hf O2系 High-kゲートMOSFETの電気特性に対するLa2O3界面層挿入効果

春季第55回応用物理学会学術講演会  2008 

CeO2/La2O3積層ゲート絶縁膜の電気特性評価

春季第55回応用物理学会学術講演会  2008 

Er層界面挿入によるNiシリサイドのショットキー障壁変調技術

春季第55回応用物理学会学術講演会  2008 

Laシリケート層を界面に用いたhigh-k/Si MOS構造の電気特性検討

春季第55回応用物理学会学術講演会  2008 

高濃度n+-Si 及びp+-Si基板上のNiシリサイドの熱安定性の違い

春季第55回応用物理学会学術講演会  2008 

Sub-1.0nm EOTにおけるW／La2O3ゲートスタックｎMOSFETの電子移動度解析

春季第55回応用物理学会学術講演会  2008 

Short-channel effects on FinFETs induced by inappropriate fin widths

G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices  2009 

Growth of Fluoride Quantum Well Heterostructures for Resonant Tunneling Devices on Si Substrates

ECS Transaction  2008 

Scaling Trend of Analog Integrated Circuit with Process Variations on Future Ultra Deep Submicron CMOS Technology

International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)  2008 

Growth of Fluoride Quantum Well Heterostructures for Resonant Tunneling Devices on Si Substrates

ECS Transaction  2008 

La2O3/Si直接接合構造における界面特性の評価

秋季第69回応用物理学会学術講演会  2008 

CeOX/La2O3積層ゲート絶縁膜構造の膜特性評価

秋季第69回応用物理学会学術講演会  2008 

Si Finのアスペクト比最適化により作製した円形Siナノワイヤの形状に関する研究

秋季第69回応用物理学会学術講演会  2008 

光電子分光によるSi中Asの活性化状態の深さ方向分布評価

秋季第69回応用物理学会学術講演会  2008 

熱酸化によるSi ナノワイヤの作製とその電気特性

秋季第69回応用物理学会学術講演会  2008 

La203系MOSFETへのMg挿入による電気特性の変化

秋季第69回応用物理学会学術講演会  2008 

Scaling Trend of Analog Integrated Circuit with Process Variations on Future Ultra Deep Submicron CMOS Technology

International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)  2008 

SiN応力膜によるSi基板への歪記憶の検討

春季第55回応用物理学会学術講演会  2008 

熱酸化によるSiナノワイヤ形状の酸化条件依存性

春季第55回応用物理学会学術講演会  2008 

FinFETにおけるショートチャンネル効果のフィン幅依存症

春季第55回応用物理学会学術講演会  2008 

極浅接合プロファイリングのための反復犠牲酸化エッチング技術

春季第55回応用物理学会学術講演会  2008 

Improvement of Interface Properties of W/La2O3/Si MOS Structure Usin AI Capping Layer

ECS Transactions  2007 

Improvement of Thermal Stability of Ni Silcide by Additive Metals with Specific Introduction Processes

ECS Transactions:ULSI Process Integration 5  2007 

FinFETのSpacer領域形状変化のデバイス特性への影響

春季第54回応用物理学会学術講演会  2007 

ラジカル窒化によるLa_2O_3ゲート絶縁膜への窒素導入効果 : 堆積時窒化によるEOT増加抑制効果（ゲート絶縁膜、容量膜、機能幕及びメモリ技術）

電子情報通信学会技術研究報告、SDM、シリコン材料・デバイス  2007 

FinFETの閾値変動における短チャネル効果による影響の切り分け

秋季第69回応用物理学会学術講演会  2008 

Effective Control of Flat-band Voltage in HfO2 Gate Dielectric with La2O3 Incorporation

ESSDERC 2007  2007 

Control of Flat Band Voltage by Partial Incorporation of La2O3 or Sc2O3 into MfO2 in Metal/MfO2/SiO2/Si MOS Capacitors

ECS Transactions:Physics and Technology of High-k Gate Dielectrics 5  2007 

Ar注入とSiN応力膜によるパターン付Si基板への歪記憶技術の検討

秋季第69回応用物理学会学術講演会  2008 

3次元Fin構造中不純物プロファイリングのための反復犠牲酸化エッチング

秋季第69回応用物理学会学術講演会  2008 

Er層界面挿入によるNiシリサイドのショットキー障壁変調とSB-MOSFETへの応用

秋季第69回応用物理学会学術講演会  2008 

Hf層界面挿入によるNiシリサイドのショットキー障壁変調技術

秋季第69回応用物理学会学術講演会  2008 

Control of Flat Band Voltage by Partial Incorporation of La2O3 or Sc2O3 into MfO2 in Metal/MfO2/SiO2/Si MOS Capacitors

ECS Transactions:Physics and Technology of High-k Gate Dielectrics 5  2007 

Direct Contact of High-k/Si Gate Stack for EOT below 0.7 nm using LaCe-silicate Layer with Vfb controllability

2010 Symposium on VLSI Technology  2010 

Improvement of Interface Properties of W/La2O3/Si MOS Structure Usin AI Capping Layer

ECS Transactions  2007 

Electrical Characteristics of Rare Earth (La, Ce, Pr and Tm) Oxides/Silicates Gate Dielectric

China Semiconductor Technology International Conference  2010 

Improvement of Thermal Stability of Ni Silcide by Additive Metals with Specific Introduction Processes

ECS Transactions:ULSI Process Integration 5  2007 

Fabrication of SB-MOSFETs on SOI Substrate Using Ni Silicide Containing Er Interlayer

China Semiconductor Technology International Conference  2010 

HfO2/ La2O3のゲート絶縁膜を用いたSi-MOSFETの電気特性

秋季第68回応用物理学会学術講演会  2007 

Performance of Silicon Ballistic Nanowire MOSFET with Diverse Orientations and Diameters

China Semiconductor Technology International Conference  2010 

HfO2/Si 界面へのLa2O3 サブモノレイヤー添加による電気特性の変化

秋季第68回応用物理学会学術講演会  2007 

Alキャップ層がW/La2O3/Si MOS構造の電気特性に及ぼす影響

秋季第68回応用物理学会学術講演会  2007 

Vacancy-Type Defects in Ultra-Shallow Junctions Fabricated Using Plasma Doping Studied by Positron Annihilation

IEEE IWJT 2010 Extended Abstracts 2010 International Workshop on Junction Technology  2010 

ダブルゲート型およびプレーナー型MOSFETにおける構造バラつきの影響の比較検討

秋季第68回応用物理学会学術講演会  2007 

Er Inserted Ni Silicide Metal Source/Drain for Schottky MOSFETs

IEEE IWJT 2010 Extended Abstracts 2010 International Workshop on Junction Technology  2010 

La2O3/Ge MIS 構造における微量Si 界面層導入による電気特性の変化

秋季第68回応用物理学会学術講演会  2007 

Vacancy-Boron Complexes in Plasama Immersion lon-lmplanted Si Probed by a Monoenergetic Positron Beam

Japanese Journal of Applied Physics 49  2010 

Effective Control of Flat-band Voltage in HfO2 Gate Dielectric with La2O3 Incorporation

ESSDERC 2007  2007 

Electrical Characteristics of Rare Earth (La, Ce, Pr and Tm) Oxides/Silicates Gate Dielectric

China Semiconductor Technology International Conference  2010 

Sc2O3ゲート絶縁膜のリーク電流機構の解析

秋季第68回応用物理学会学術講演会  2007 

Fabrication of SB-MOSFETs on SOI Substrate Using Ni Silicide Containing Er Interlayer

China Semiconductor Technology International Conference  2010 

HfO2/SiO2 界面へのSc2O3 添加によるフラットバンド電圧シフト

秋季第68回応用物理学会学術講演会  2007 

Performance of Silicon Ballistic Nanowire MOSFET with Diverse Orientations and Diameters

China Semiconductor Technology International Conference  2010 

Depth Profiling of Chemical Bonding States of Impurity Atoms and Their Correlation with Electrical Activity in Si Shallow Junctions

IEEE IWJT 2010 Extended Abstracts 2010 International Workshop on Junction Technology  2010 

Irregular Increase in Sheet Resistance of Ni Silicides at Transition Temperature Range from NiSi to NiSi_2_ Depending on Annealing Time

ECS-ISTC2006  2006 

La-based oxides for High-k Gate Dielectric Application

8th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology (ICSICT2006)  2006 

光電子分光により検出したSi中のAsおよびPの化学結合状態の評価

第57回応用物理学関係連合講演会  2010 

Thermal Stability of NiSi Controlled by Post Silicidation Metal Doping Method

8th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology (ICSICT2006)  2006 

酸化膜中のSiナノワイヤへのNi拡散の制御

第57回応用物理学関係連合講演会  2010 

LaO_X_/Si界面組成遷移層の熱安定性

第53回応用物理学関係連合講演会  2006 

Depth Profiling of Chemical Bonding States of Impurity Atoms and Their Correlation with Electrical Activity in Si Shallow Junctions

IEEE IWJT 2010 Extended Abstracts 2010 International Workshop on Junction Technology  2010 

La_2_O_3_/Sc_2_O_3_積層構造ゲート絶縁膜による耐熱性向上に関する検討

第53回応用物理学関係連合講演会  2006 

Vacancy-Type Defects in Ultra-Shallow Junctions Fabricated Using Plasma Doping Studied by Positron Annihilation

IEEE IWJT 2010 Extended Abstracts 2010 International Workshop on Junction Technology  2010 

Irregular Increase in Sheet Resistance of Ni Silicides at Temperature Range of Transition from NiSi to NiSi_2_

The 6th International Workshop on Junction Technology (IWJT2006)  2006 

希土類酸化物をキャップすることによるMOSFETの電気特性の改善

第57回応用物理学関係連合講演会  2010 

共鳴トンネルデバイス