-:東京工芸大学 大学院工学研究科 非常勤講師

2005

:東京工業大学 助教授

2001 - 2007

:

2001 - 2007

:

2000

:North Carolina State University 訪問研究員

2000

:Lucent Technologies Bell Labs 博士研究員

1997 - 1999

:

1997 - 1999

:

1996 - 2001

:東京工業大学 助手

1996 - 2001

:日本学術振興会 特別研究員

1994 - 1996

:

1994 - 1996

ECS

応用物理学会

Fabrication of SOI MOSFET by "separation by bonding silicon islands (SBSI)" method

K. Kanemoto, H. Oka, H. Hisamatsu, Y. Matsuzawa, Y. Kitano, T. Hara, M. Hoshina, S. Ohmi, J. Kato

ECS Transactions   6 ( 4 )   309 - 313   2007

Ultrathin HfOxNy gate insulator formation by electron cyclotron resonance Ar/N-2 plasma nitridation of HfO2 thin films

Shun-ichiro Ohmi, Tomoki Kurose, Masaki Satoh

IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS   E89C ( 5 )   596 - 601   2006.5

Thermal stability of Gd2O3/Si(100) interfacial transition layer

H Nohira, T Yoshida, H Okamoto, S Shinagawa, W Sakai, K Nakajima, M Suzuki, K Kimura, NJ Aun, Y Kobayashi, S Ohmi, H Iwai, E Ikenaga, Y Takata, K Kobayashi, T Hattori

JOURNAL DE PHYSIQUE IV   132   273 - 277   2006.3

Effects of low temperature annealing on the ultrathin La2O3 gate dielectric; comparison of post deposition annealing and post metallization annealing

JA Ng, Y Kuroki, N Sugii, K Kakushima, SI Ohmi, K Tsutsui, T Hattori, H Iwai, H Wong

MICROELECTRONIC ENGINEERING   80   206 - 209   2005.6

Analysis of variation in leakage currents of Lanthana thin films

Y Kim, S Ohmi, K Tsutsui, H Iwai

SOLID-STATE ELECTRONICS   49 ( 5 )   825 - 833   2005.5

Separation by bonding Si islands (SBSI) for advanced CMOS LSI applications

T Yamazaki, S Ohmi, S Morita, H Ohri, J Murota, M Sakuraba, H Omi, T Sakai

IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS   E88C ( 4 )   656 - 661   2005.4

Separation by bonding Si islands (SBST) for LSI applications

T Yamazaki, S Ohmi, S Morita, H Ohri, J Murota, M Sakuraba, H Omi, Y Takahashi, T Sakai

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING   8 ( 1-3 )   59 - 63   2005.2

Electrical properties of vacuum annealed La2O3 thin films grown by E-beam evaporation

Y Kim, K Miyauchi, S Ohmi, K Tsutsui, H Iwai

MICROELECTRONICS JOURNAL   36 ( 1 )   41 - 49   2005.1

ECR Ar/O_2_ Plasma Oxidation of HfN Thin Films for High Dielectric HfO_x_N_y_ Formations

T. Kurose, T. Uchikawa, S. Ohmi, T. Sakai

Trans. Mat. Res. Soc. Japan   30   209 - 212   2005

MIM構造の高誘電率La_2_O_3_薄膜におけるリーク電流機構

福山享, 金容湜, 大見俊一郎, 筒井一生, 岩井洋

第52回応用物理学関係連合講演会講演予稿集   2   918   2005

Dry Etching of Cr_2_O_3_/Cr Stacked Film during Resist Ashing by Oxygen Plasma

Junichi Tonotani, Shun-ichiro Ohmi Hiroshi Iwai

Jpn. J. Appl. Phys.   44   114 - 117   2005

HfNのECR Ar/O_2_プラズマ酸化により形成したHfO_x_N_y_薄膜の熱処理に関する検討

黒瀬朋紀, 内川偉史, 大見俊一郎, 酒井徹志

第52回応用物理学関係連合講演会講演予稿集   2   899   2005

LaO_x_/YO_x_/Si界面組成遷移層の化学結合状態の熱処理依存性

吉田徹史, 松田徹, 岡本英介, 品川盛治, 野平博司, 中川健太郎, 黒木裕介, 宮内邦裕, 大見俊一郎, 岩井洋, 池永英司, 高田恭孝, 小林啓介, 服部健雄

第52回応用物理学関係連合講演会講演予稿集   2   918   2005

ECR Ar/O_2_ Plasma Oxidation of HfN Thin Films for High Dielectric HfO_x_N_y_ Formations

T. Kurose, T. Uchikawa, S. Ohmi, T. Sakai

Trans. Mat. Res. Soc. Japan   30   209 - 212   2005

Dry Etching of Cr_2_O_3_/Cr Stacked Film during Resist Ashing by Oxygen Plasma

Junichi Tonotani, Shun-ichiro Ohmi Hiroshi Iwai

Jpn. J. Appl. Phys.   44   114 - 117   2005

Effects of post dielectric deposition and post metallization annealing processes on metal/Dy2O3/Si(100) diode characteristics

S Ohmi, H Yamamoto, J Taguchi, K Tsutsui, H Iwai

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   43 ( 4B )   1873 - 1878   2004.4

Proposal of a multi-layer channel MOSFET: the application of selective etching for Si/SiGe stacked layers

D Sasaki, S Ohmi, M Sakuraba, J Murota, T Sakai

APPLIED SURFACE SCIENCE   224 ( 1-4 )   270 - 273   2004.3

Characterization of AlON thin films formed by ECR plasma oxidation of AlN/Si(100)

S Ohmi, G Yamanaka, T Sakai

IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS   E87C ( 1 )   24 - 29   2004.1

高誘電率La_2_O_3_薄膜におけるリーク電流機構の解析

福山享, 金容提, 大見俊一郎, 筒井一生, 岩井洋

第65回応用物理学会学術講演会   2   686   2004

高誘電率La_2_O_3_薄膜におけるリーク電流機構の解析

金容提, 大見俊一郎, 筒井一生, 岩井洋

第51回応用物理学関係連合講演会   2   870   2004

La_2_O_3_をゲート絶縁膜に用いたMISFETの低周波ノイズのアニール雰囲気依存性

吉田丈治, ヘンドリアッシャサウッディン, 大見俊一郎, 筒井一生, 岩井洋

第51回応用物理学関係連合講演会   2   869   2004

La_2_O_3_薄膜における電気特性のアニール時間依存性

宮内邦裕, 大見俊一郎, 筒井一生, 岩井洋

第51回応用物理学関係連合講演会   2   870   2004

La_2_O_3_薄膜に対する熱処理に関する検討

黄仁安, 栗山篤, 大見俊一郎, 筒井一生, 岩井洋

第51回応用物理学関係連合講演会   2   869   2004

HfNのECR Ar/O_2_プラズマ酸化によるHfO_x_N_y_薄膜の形成

黒瀬朋紀, 内川偉史, 大見俊一郎, 酒井徹志

第65回応用物理学会学術講演会   2   679   2004

La_2_O_3_をゲート絶縁膜に用いたMISFETにおけるポストメタライゼーションアニールの効果に関する検討

黒木裕介, 黄仁安, 栗山篤, 大見俊一郎, 筒井一生, 岩井洋

第65回応用物理学会学術講演会   2   686   2004

プラズマドーピングにおけるHeプラズマ後処理による不純物プロファイル制御

高木克洋, 佐藤貴久, 田村秀貴, 筒井一生, 佐々木雄一朗, 水野文二, 大見俊一郎, 岩井洋

第51回応用物理学関係連合講演会   2   945   2004

新構造Double-Gate MOSFETの作製プロセスに関する検討

中港努, 世古裕亮, 大見俊一郎, 酒井徹志

第51回応用物理学関係連合講演会   2   976   2004

SiGe/Si層におけるSiGe層選択エッチング特性

大理洋征龍, 山崎崇, 盛田伸也, 関川智英, 大見俊一郎, 酒井徹志

第51回応用物理学関係連合講演会   2   936   2004

プラズマドーピング後の基板洗浄がドーズに与える影響

佐藤貴久, 田村秀貴, 檜垣良太, 佐々木雄一朗, 水野文二, 筒井一生, 大見俊一郎, 岩井洋

第51回応用物理学関係連合講演会   2   945   2004

極薄SOI上に形成したPtSiの耐熱性

加藤有亮, 古山直人, 鈴木貴也, 大見俊一郎, 酒井徹志

第51回応用物理学関係連合講演会   2   907   2004

Si/SiGe/Si構造におけるSiGe層選択エッチングのGe組成比およびアニール温度依存性

山崎崇, 関川智英, 袴田佳孝, 大見俊一郎, 酒井徹志

第51回応用物理学関係連合講演会   2   936   2004

ECRスパッタ法により形成したHfO_x_N_y_薄膜の熱処理に関する検討

内川偉史, 山中剛, 大見俊一郎, 酒井徹志

第51回応用物理学関係連合講演会   2   883   2004

極浅プレアモルファス層によるTiSi_2_形成膜厚制御

古山直人, 加藤有亮, 大見俊一郎, 酒井徹志

第51回応用物理学関係連合講演会   2   907   2004

Characterization of AlON Thin Films Formed by ECR Plasma Oxidation of AlN/Si(100)

S. Ohmi, G. Yamanaka, T. Sakai

IEICE Trans. Electron.   E87-C ( 1 )   24 - 29   2004

Characterization of Lu_2_O_3_ Thin Films Fabricated by E-beam Deposition Method

S. Ohmi M. Takeda, H. Ishiwara, H. Iwai

J. Electrochem. Soc.   151 ( 4 )   G279 - G283   2004

Proposal of Multi-Layer Channel MOSFET: The Application of Selective Etching for Si/SiGe Stacked Layers

D. Sasaki, S. Ohmi, M. Sakuraba, J. Murota, T. Sakai

Appl. Surf. Sci.   224   270 - 273   2004

Characterization of Lu_2_O_3_ Thin Films Fabricated by E-beam Deposition Method

S. Ohmi M. Takeda, H. Ishiwara, H. Iwai

J. Electrochem. Soc.   151 ( 4 )   G279 - G283   2004

LaO_x_/Si界面組成遷移層の化学結合状態の熱処理依存性

野平博司, 吉田徹史, 岡本英介, 品川盛治, 酒井渉, 中島薫, 鈴木基史, 木村健二, NgJinAun, 小林洋一, 宮内邦裕, 吉田丈治, 大見俊一郎, 岩井洋, 池永英司, 高田恭孝, 辛

第65回応用物理学会学術講演会   2   688   2004

極薄SOI層と素子間分離領域を一体化する新技術:SBSI(Separation by Bonding Si Islands) -Si島とSi基板間の熱酸化-

大理洋征龍, 山崎崇, 盛田伸也, 袴田佳孝, 大見俊一郎, 酒井徹志

第65回応用物理学会学術講演会   2   745   2004

La_2_O_3_をゲート絶縁膜に用いたMISFETの低周波ノイズのアニール温度依存性

吉崎智史, 吉田丈治, 大見俊一郎, 筒井一生, 岩井洋

第65回応用物理学会学術講演会   2   686   2004

GdO_x_/Si界面組成遷移層の化学結合状態の深さ方向分布の熱処理依存性

吉田徹史, 岡本英介, 品川盛治, 野平博司, 酒井渉, 中島薫, 鈴木基史, 木村健二, 吉田丈治, 大見俊一郎, 岩井洋, 池永英司, 高田恭孝, 辛埴, 小林啓介, 服部健雄

第65回応用物理学会学術講演会   2   688   2004

Dry etching characteristics of TiN film using Ar/CHF3, Ar/Cl-2, and Ar/BCl3 gas chemistries in an inductively coupled plasma

J Tonotani, T Iwamoto, F Sato, K Hattori, S Ohmi, H Iwai

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B   21 ( 5 )   2163 - 2168   2003.9

Characterization of La2O3 and Yb2O3 thin films for high-k gate insulator application

S Ohmi, C Kobayashi, Kashiwagi, I, C Ohshima, H Ishiwara, H Iwai

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY   150 ( 7 )   F134 - F140   2003.7

Effect of surface treatment of Si substrates and annealing condition on high-k rare earth oxide gate dielectrics

C Ohshima, J Taguchi, Kashiwagi, I, H Yamamoto, S Ohmi, H Iwai

APPLIED SURFACE SCIENCE   216 ( 1-4 )   302 - 306   2003.6

Chemical and electronic structures of Lu2O3/Si interfacial transition layer

H Nohira, T Shiraishi, T Nakamura, K Takahashi, M Takeda, S Ohmi, H Iwai, T Hattori

APPLIED SURFACE SCIENCE   216 ( 1-4 )   234 - 238   2003.6

チャネル多層化 新構造Multi-Layer Channel MOSFET

大見俊一郎

第50回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集   2   965   2003

LuO_x_極薄膜の深さ方向組成・化学結合状態分析

白石貴義, 竹林一騎, 高橋健介, 野平博司, 柏木郁未, 大島千鶴, 大見俊一郎, 岩井洋, 城森慎司, 中嶋薫, 鈴木基史, 木村健二, 服部健雄

第50回応用物理学関係連合講演会   2   869   2003

LuO_x_極薄膜中のシリケート

吉田徹史, 白石貴義, 高橋健介, 野平博司, 柏木郁未, 大島千鶴, 大見俊一郎, 岩井洋, 城森慎司, 中嶋薫, 鈴木基史, 木村健二, 服部健雄

第50回応用物理学関係連合講演会   2   870   2003

高誘電率希土類酸化物の積層構造に関する検討

上田功, 大見俊一郎, 筒井一生, 岩井洋

第50回応用物理学関係連合講演会   2   869   2003

La_2_O_3_, Gd_2_O_3_およびLu_2_O_3_極薄膜の高分解能RBS による分析

中嶋薫, 城森慎司, 鈴木基史, 木村健二, 大見俊一郎, 岩井洋

第50回応用物理学関係連合講演会   2   869   2003

希土類酸化物薄膜における超高真空アニールの効果に関する検討

山本浩之, 栗山篤, 大見俊一郎, 筒井一生, 岩井洋

第50回応用物理学関係連合講演会   2   872   2003

TaN ゲート電極のRIE特性

戸野谷純一, 大見俊一郎, 岩井洋

第50回応用物理学関係連合講演会   2   935   2003

希土類酸化物の電気特性におけるSi基板面方位依存性

柏木郁未, 大見俊一郎, 筒井一生, 岩井洋

第50回応用物理学関係連合講演会   2   871   2003

TaN/Dy_2_O_3_/n-Si(100)構造に置ける電気特性のアニール条件依存性

田口順一, 大見俊一郎, 筒井一生, 岩井洋

第50回応用物理学関係連合講演会   2   872   2003

高誘電率Gd_2_O_3_薄膜のSi 基板表面処理の効果

大島千鶴, 吉原義昭, 大見俊一郎, 筒井一生, 岩井洋

第50回応用物理学関係連合講演会   2   871   2003

希土類酸化物薄膜におけるポストアニールに関する検討

栗山篤, 大見俊一郎, 筒井一生, 岩井洋

第50回応用物理学関係連合講演会   2   871   2003

希土類酸化物極薄膜中のシリケートとシリサイド

野平博司, 白石貴義, 高橋健介, 柏木郁未, 大島千鶴, 大見俊一郎, 岩井洋, 城森慎司, 中嶋薫, 鈴木基史, 木村健二, 高田恭孝, 小林啓介, 辛埴, 服部健雄

第50回応用物理学関係連合講演会   2   870   2003

プラズマドーピング法におけるH 等の深さ分布プロファイルの挙動とコンタミの検討

佐々木雄一朗, 水野文二, 赤間貞洋, 檜垣良太, 大見俊一郎, 筒井一生, 岡下勝己, 前嶋聡, 吉川住和, 中山一郎, 岩井洋

第50回応用物理学関係連合講演会   2   941   2003

室温ガスドーピング法におけるドーズ量の制御

檜垣良太, 赤間貞洋, 筒井一生, 佐々木雄一朗, 水野文二, 吉川住和, 大見俊一郎, 岩井洋

第50回応用物理学関係連合講演会   2   941   2003

室温ガスドーピングの表面反応機構

赤間貞洋, 檜垣良太, 筒井一生, 佐々木雄一朗, 水野文二, 吉川住和, 大見俊一郎, 岩井洋“

第50回応用物理学関係連合講演会   2   941   2003

プラズマドーピング前後のHF 洗浄とドーズ量の変化

佐藤貴久, 檜垣良太, 筒井一生, 佐々木雄一朗, 田村秀貴, 金成国, 水野文二, 大見俊一郎, 岩井洋

第64回応用物理学関係連合講演会   2   772   2003

Composition, Chemical Structure and Electronic Band Structure of Rare Earth Oxide/Si(100) Interfacial Transition Layer

T.Hattori, T.Yoshida, T.Shiraishi, K.Takahashi, H.Nohira, S.Joumori, K.Nakajima, M.Suzuki K.Kimura, I.Kashiwagi C.Ohshima, S.Ohmi H.Iwai

INFOS2003   WS1-9   2003

La_2_O_3_薄膜におけるポストメタルアニールに関する検討

黄仁安, 栗山篤, 大見俊一郎, 筒井一生, 岩井洋

第64回応用物理学関係連合講演会   2   736   2003

プラズマ前処理を用いたガスドーピングにおける基板表面状態の影響

檜垣良太, 筒井一生, 佐々木雄一朗, 水野文二, 吉川住和, 大見俊一郎, 岩井洋

第64 回応用物理学関係連合講演会   2   771   2003

電子ビーム蒸着法により形成した高誘電率La_2_O_3_薄膜における漏れ電流特性

宮内邦裕, 金容湜, 大見俊一郎, 筒井一生, 岩井洋

第64回応用物理学関係連合講演会   2   735   2003

La_2_O_3_をゲート絶縁膜に用いたMISFET の低周波ノイズ

吉田丈治, ヘンドリアンシャーサウッディン, 大見俊一郎, 筒井一生, 岩井洋

第64回応用物理学関係連合講演会   2   736   2003

LaO_x_極薄膜の組成・化学結合状態の深さ方向分析(II)

白石貴義, 吉田徹史, 野平博司, 柏木郁未, 大島千鶴, 大見俊一郎, 岩井洋, 城森慎司, 中嶋薫, 鈴木基史, 木村健二, 服部健雄

第64回応用物理学関係連合講演会   2   735   2003

高誘電率希土類酸化物の積層構造に関する検討

小林洋一, 上田功, 大見俊一郎, 筒井一生, 岩井洋

第64回応用物理学関係連合講演会   2   735   2003

Effects of gas phase absorption into Si substrates on plasma doping process

R.Higaki, K.Tsutsui, Y.Sasaki, S.Akama, B.Mizuno, S.Ohmi H.Iwai

ESSDERC 2003   231 - 234   2003

Analysis of Electrical Characteristics of La_2_O_3_ Thin Films Annealed in Vacuum and Others

Y.Kim A.Kuriyama I.Ueda, S. Ohmi, K.Tsutsui H.Iwai

ESSDERC 2003   569 - 572   2003

Effects of gas phase absorption into Si substrates on plasma doping process

R.Higaki, K.Tsutsui, Y.Sasaki, S.Akama, B.Mizuno, S.Ohmi H.Iwai

ESSDERC 2003   231 - 234   2003

Analysis of Electrical Characteristics of La_2_O_3_ Thin Films Annealed in Vacuum and Others

Y.Kim A.Kuriyama I.Ueda, S. Ohmi, K.Tsutsui H.Iwai

ESSDERC 2003   569 - 572   2003

希土類酸化物薄膜のゲート絶縁膜応用

大見俊一郎

電気学会誘電体薄膜材料技術調査専門委員会 第８回委員会   2003

Composition, Chemical Structure and Electronic Band Structure of Rare Earth Oxide/Si(100) Interfacial Transition Layer

T.Hattori, T.Yoshida, T.Shiraishi, K.Takahashi, H.Nohira, S.Joumori, K.Nakajima, M.Suzuki K.Kimura, I.Kashiwagi C.Ohshima, S.Ohmi H.Iwai

INFOS2003   WS1-9   2003

Electrical Characteristics of High-k La_2_O_3_ Thin Film Deposited by E-Beam Evaporation Method

Y.Kim S.Ohmi, K.Tsusui H.Iwai

204^th^ ECS Meeting   Abs. 582   2003

希土類酸化物薄膜のゲート絶縁膜応用

大見俊一郎

STRJ WG3-FEP会議（第52回）   2003

Low-Frequency Noise Characteristics of MISFET's with La_2_O_3_ Gate Dielectrics

H.Sauddin, Y.Yoshihara, S.Ohmi, K.Tsutsui H.Iwai

204^th^ ECS Meeting   Abs.564   2003

Effect of Post Metallization Annealing for La_2_O_3_ Gate Thin Films on Electrical Characteristics

A.Kuriyama, S.Ohmi, K.Tsutusi H.Iwai

204^th^ ECS Meeting   Abs.564   2003

Electrical Characteristics of High-K Stack Gate Dielectric Thin Films with La_2_O_3_ as Buffer Layer

I.Ueda, S.Ohmi H.Iwai

204^th^ ECS Meeting   Abs. 545   2003

Electrical Characteristics of High-K Stack Gate Dielectric Thin Films with La_2_O_3_ as Buffer Layer

I.Ueda, S.Ohmi H.Iwai

204^th^ ECS Meeting   Abs. 545   2003

Electrical Characteristics of High-k La_2_O_3_ Thin Film Deposited by E-Beam Evaporation Method

Y.Kim S.Ohmi, K.Tsusui H.Iwai

204^th^ ECS Meeting   Abs. 582   2003

Low-Frequency Noise Characteristics of MISFET's with La_2_O_3_ Gate Dielectrics

H.Sauddin, Y.Yoshihara, S.Ohmi, K.Tsutsui H.Iwai

204^th^ ECS Meeting   Abs.564   2003

Effect of Post Metallization Annealing for La_2_O_3_ Gate Thin Films on Electrical Characteristics

A.Kuriyama, S.Ohmi, K.Tsutusi H.Iwai

204^th^ ECS Meeting   Abs.564   2003

ECRスパッタ法により形成したAlO_x_N_y_薄膜の熱処理に関する検討

山中剛, 内川偉史, 大見俊一郎, 酒井徹志

第64回応用物理学会学術講演会 講演予稿集   2   733   2003

Si/SiGe/Si構造におけるSiGe選択エッチングに関する検討

関川智英, 袴田佳孝, 山崎崇, 大見俊一郎, 酒井徹志

第64回応用物理学会学術講演会 講演予稿集   2   770   2003

SFC構造SiGe HBTの高周波特性の解析

山崎崇, 高瀬恭英, 大見俊一郎, 酒井徹志

第50回 応用物理学関係連合講演会 予稿集   2   967   2003

SFC構造SiGe HBTにおけるp^+^poly-Siコンタクト領域作製プロセスの検討

高瀬恭英, 山崎崇, 大見俊一郎, 酒井徹志

第50回 応用物理学関係連合講演会 予稿集   2   967   2003

ECRスパッタ法により形成したAlO_x_N_y_薄膜の電気特性に対する熱処理の効果

山中剛, 佐々木大輔, 大見俊一郎, 酒井徹志

第50回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集   2   893   2003

n^+^-poly-Siゲートを有する新構造Double-Gate MOSFETの特性解析

世古裕亮, 大見俊一郎, 酒井徹志

第64回応用物理学会学術講演会 講演予稿集   2   796   2003

MBE 法により形成した高誘電率La_2_O_3_薄膜における電気特性

金容湜, 大見俊一郎, 筒井一生, 岩井洋

第50回応用物理学関係連合講演会   2   868   2003

La_2_O_3_薄膜の電気特性におけるSi基板表面処理の効果

吉原義昭, 大島千鶴, 大見俊一郎, 筒井一生, 岩井洋

第50回応用物理学関係連合講演会   2   868   2003

希土類酸化物の結晶化におけるSi 基板面方位依存性

金容湜, 柏木郁未, 大見俊一郎, 岩井洋

第63回応用物理学会学術講演会講演予稿集   2   734   2003

高誘電率希土類酸化物薄膜のSi基板表面処理の効果

吉原義昭, 大島千鶴, 大見俊一郎, 岩井洋

第63回応用物理学会学術講演会講演予稿集   2   735   2003

新構造MOS/SOIの電気特性 -2Dシミュレーション-

盛田伸也, 大理洋征龍, 山崎崇, 大見俊一郎, 酒井徹志

第64回応用物理学会学術講演会 講演予稿集   2   795   2003

In-situ アニールによるDy_2_O_3_薄膜の電気特性向上に関する検討

山本浩之, 田口順一, 大見俊一郎, 石原宏 岩井洋

第49回応用物理学会関係連合講演会 講演予稿集   2   836   2002

高誘電率薄膜の耐湿性に関する検討 －アクリル容器からの放出ガスの影響－

赤間貞洋, 菊池明, 大見俊一郎, 岩井洋

STARCシンポジウム2002   2002

Dy_2_O_3_/Si(100)構造における電気特性のアニール条件依存性

田口順一, 山本浩之, 大見俊一郎, 岩井洋

STARCシンポジウム2002   2002

最先端ＣＭＯＳデバイス・プロセス技術

大見俊一郎

第99回電子デバイス技術委員会   2002

Si基板上に形成した高誘電率Gd_2_O_3_薄膜の電気特性

大島千鶴, 柏木郁未, 大見俊一郎, 岩井洋

STARCシンポジウム2002   2002

GdO_x_/Si(100)およびLuO_x_/Si(100)界面遷移層の角度分解X線光電子分光解析

白石貴義, 中村智裕, 吉田徹史, 高橋健介, 柏木郁未, 大島千鶴, 武田光弘, 野平博司, 大見俊一郎, 岩井洋, 服部健雄

第63回応用物理学会学術講演会 講演予稿集   2   735   2002

微細シリコンデバイスに要求される各種高性能薄膜

大見俊一郎, 岩井洋

第63回応用物理学会学術講演会 応用物理学会論文賞受賞記念講演   0   10   2002

希土類酸化物上へのTaNゲート電極の形成

上田功, 田口順一, 大見俊一郎, 岩井洋

第63回応用物理学会学術講演会 講演予稿集   2   737   2002

プラズマドーピングとプラズマ前処理を用いたガスドーピング

檜垣良太, 赤間貞洋, 大見俊一郎, 筒井一生, 佐々木雄一朗, 水野文二, 岩井洋

第63回応用物理学会学術講演会 講演予稿集   2   769   2002

希土類酸化物の結晶化におけるSi基板面方位依存性

金容湜, 柏木郁未, 大見俊一郎, 岩井洋

第63回応用物理学会学術講演会 講演予稿集   2   734   2002

高誘電率希土類酸化物薄膜のSi基板表面処理の効果

吉原義昭, 大島千鶴, 大見俊一郎, 岩井洋

第63回応用物理学会学術講演会 講演予稿集   2   735   2002

Depth Profiling of High-K Dielectric/Si Interfacial Transition Layer

T. Shiraishi, T. Nakamura, K. Takahashi, I. Kashiwagi, C. Ohshima, H. Nohira, S. Ohmi, H. Iwai, T. Hattori

Extended Abstracts of the 2002 International Conference on Solid State Devices and Materials   758 - 759   2002

Chemical and Electronic Structures of Lu_2_O_3_/Si Interfacial Transition Layer

H. Nohira, T. Shiraishi, T. Nakamura, K. Takahashi, M. Takeda, S. Ohmi, H. Iwai, T. Hattori

Fourth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces   4 - 5   2002

Double-polysilicon self-aligned HBT with non-selective epitaxial SiGe:C base layer

T. Yamazaki, S. Ohmi, M. Sakuraba, J. Murota, T. Sakai

Second International Workshop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors: Control of Properties and Applications to Ultrahigh Speed and Opto-Electronic Devices   VIII-06   2002

The Effect of In-situ Vacuum Anneal for High-Dielectric Dy_2_O_3_ Thin Films

Hiroyuki Yamamoto Junichi, Taguchi Shun-ichiro Ohmi Hiroshi Iwai

WORKSHOP ON MICROELECTRONICS AND ELECTRON DEVICES (μE-ED 2002)   17 - 18   2002

Effect of Surface Treatment of Si substrates and Annealing Condition on High-k Rare Earth Oxide Gate Dielectrics

C. Ohshima, J. Taguchi, I. Kashiwagi, H. Yamamoto, S. Ohmi, H. Iwai

Fourth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces   2 - 12   2002

High-k Gate Insulator Endurance against Moisture Ambience and Wet Process

A. Kikuchi, S. Akama, S. Ohmi, K. Tsutsui, H. Iwai

WORKSHOP ON MICROELECTRONICS AND ELECTRON DEVICES (μE-ED 2002)   13 - 14   2002

Dependence of Gd_2_O_3_ thin film properties on Si substrate orientation

Ikumi Kashiwagi Chizuru Ohshima Yongshik Kim Shun-ichiro Ohmi Kazuo Tsutsui, Hiroshi Iwai

WORKSHOP ON MICROELECTRONICS AND ELECTRON DEVICES (μE-ED 2002)   15 - 16   2002

Characteristics of High-k Gd_2_O_3_ films deposited on different orientation of Si substrate

I. Kashiwagi, C. Ohshima, S.-I. Ohmi, H. Iwai

202nd meeting of The Electrochemical Society   2002

Electrical Characterisitics Improvement of Dy_2_O_3_ Thin Films by In-situ Vacuum Anneal

H. Yamamoto, J. Taguchi, S. -I. Ohmi, H. Iwai

202^nd^ meeting of The Electrochemical Society   375   2002

Stability of High-k Thin Films for Wet Process

A. Kikuchi, S. Akama, S, I. Ohmi, H. Iwai

202nd meeting of The Electrochemical Society   2002

Stability of High-k Thin Films for Wet Process

A. Kikuchi, S. Akama, S, I. Ohmi, H. Iwai

202nd meeting of The Electrochemical Society   2002

Characteristics of High-k Gd_2_O_3_ films deposited on different orientation of Si substrate

I. Kashiwagi, C. Ohshima, S.-I. Ohmi, H. Iwai

202nd meeting of The Electrochemical Society   2002

Electrical characteristics of Gd2O3 thin film deposited on si substrate

Chizuru Ohshima, Ikumi Kashiwagi, Shun-Ichiro Ohmi, Hiroshi Iwai

European Solid-State Device Research Conference   415 - 418   2002

Annealing condition dependence of electrical characteristics for Dy2O3/Si(100) structures

Junichi Taguchi, Hiroyuki Yamamoto, Junichi Tonotani, Shun-Ichiro Ohmi, Hiroshi Iwai

European Solid-State Device Research Conference   591 - 594   2002

Electrical Characteristics of Rare Earth Gate Oxides Improved by Chemical Oxide and Long Low Temperature Annealing

S.Ohmi I.Kashiwagi, C.Ohshima, J.Taguchi, H.Yamamoto, J.Tonotani, H.Ishiwara H.Iwai

Extended Abstracts of the 2002 International Conference on Solid State Devices and Materials   718 - 719   2002

Stability of High-k thin films in moisture ambience - The effect of dissolution gas from acryl apparatus

Sadahiro Akama, Akira Kikuchi, Junichi Tonotani, Shun-Ichiro Ohmi, Hiroshi Iwai

European Solid-State Device Research Conference   587 - 590   2002

Rare Earth Metal Oxides for High-k Gate Insulator

S.Ohmi S.Akama, A.Kikuchi, I.Kashiwagi, C.Ohshima, J.Taguchi, H.Yamamoto, K.Sato, M.Takeda, H.Ishiwara, H.Iwai

Electrochemical Society Proceedings Volume 2002-2   376 - 387   2002

Characterization of Lu_2_O_3_ High-k Thin Films on Si(100) Fabricated by E-beam Deposition Method

S.Ohmi M.Takeda, H.Ishiwara, H. Iwai

ECS International Semiconductor Technology Conference 2002   Abstract No.59   2002

ECRスパッタ法により形成したAlO_x_N_y_薄膜の電気特性

山中剛, 佐々木大輔, 大見俊一郎, 酒井徹志

第63回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集   2   745   2002

Characterization of Lu_2_O_3_ Thin Films Fabricated by E-beam Deposition Method

S. Ohmi M. Takeda, H. Ishiwara, H. Iwai

Proc. 2nd Int. Conf. Semicond. Technol.   PV 2002-17   251 - 261   2002

Depth Profiling of High-K Dielectric/Si Interfacial Transition Layer

T. Shiraishi, T. Nakamura, K. Takahashi, I. Kashiwagi, C. Ohshima, H. Nohira, S. Ohmi, H. Iwai, T. Hattori

Extended Abstracts of the 2002 International Conference on Solid State Devices and Materials   758 - 759   2002

Characterization of Lu_2_O_3_ Thin Films Fabricated by E-beam Deposition Method

S. Ohmi M. Takeda, H. Ishiwara, H. Iwai

Proc. 2nd Int. Conf. Semicond. Technol.   PV 2002-17   251 - 261   2002

Chemical and Electronic Structures of Lu_2_O_3_/Si Interfacial Transition Layer

H. Nohira, T. Shiraishi, T. Nakamura, K. Takahashi, M. Takeda, S. Ohmi, H. Iwai, T. Hattori

Fourth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces   4 - 5   2002

Double-polysilicon self-aligned HBT with non-selective epitaxial SiGe:C base layer

T. Yamazaki, S. Ohmi, M. Sakuraba, J. Murota, T. Sakai

Second International Workshop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors: Control of Properties and Applications to Ultrahigh Speed and Opto-Electronic Devices   VIII-06   2002

The Effect of In-situ Vacuum Anneal for High-Dielectric Dy_2_O_3_ Thin Films

Hiroyuki Yamamoto Junichi, Taguchi Shun-ichiro Ohmi Hiroshi Iwai

WORKSHOP ON MICROELECTRONICS AND ELECTRON DEVICES (μE-ED 2002)   17 - 18   2002

Effect of Surface Treatment of Si substrates and Annealing Condition on High-k Rare Earth Oxide Gate Dielectrics

C. Ohshima, J. Taguchi, I. Kashiwagi, H. Yamamoto, S. Ohmi, H. Iwai

Fourth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces   2 - 12   2002

High-k Gate Insulator Endurance against Moisture Ambience and Wet Process

A. Kikuchi, S. Akama, S. Ohmi, K. Tsutsui, H. Iwai

WORKSHOP ON MICROELECTRONICS AND ELECTRON DEVICES (μE-ED 2002)   13 - 14   2002

Dependence of Gd_2_O_3_ thin film properties on Si substrate orientation

Ikumi Kashiwagi Chizuru Ohshima Yongshik Kim Shun-ichiro Ohmi Kazuo Tsutsui, Hiroshi Iwai

WORKSHOP ON MICROELECTRONICS AND ELECTRON DEVICES (μE-ED 2002)   15 - 16   2002

Electrical Characterisitics Improvement of Dy_2_O_3_ Thin Films by In-situ Vacuum Anneal

H. Yamamoto, J. Taguchi, S. -I. Ohmi, H. Iwai

202^nd^ meeting of The Electrochemical Society   375   2002

希土類酸化物薄膜の電気特性におけるSi基板面方位依存性

柏木郁未, 大島千鶴, 大見俊一郎, 石原宏 岩井洋

第49回応用物理学会関係連合講演会 講演予稿集   2   796   2002

Dy_2_O_3_/Si(100)構造の電気特性のアニール時間依存性

田口順一, 山本浩之, 戸野谷純一, 大見俊一郎, 石原宏 岩井洋

第49回応用物理学会関係連合講演会 講演予稿集   2   835   2002

Si基板上への高誘電率Pr_2_O_3_薄膜の形成条件に関する検討

佐藤航一郎, 大見俊一郎, 石原宏 岩井洋

第49回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集   2   795   2002

高誘電率希土類酸化物薄膜の耐湿性に関する検討 －アクリル容器からの放出ガスの影響－

赤間貞洋, 菊池明, 戸野谷純一, 大見俊一郎, 石原宏 岩井洋

第49回応用物理学会関係連合講演会 講演予稿集   2   795   2002

Characterization of Lu_2_O_3_ High-k Thin Films on Si(100) Fabricated by E-beam Deposition Method

S.Ohmi M.Takeda, H.Ishiwara, H. Iwai

ECS International Semiconductor Technology Conference 2002   Abstract No.59   2002

Electrical Characteristics of Rare Earth Gate Oxides Improved by Chemical Oxide and Long Low Temperature Annealing

S.Ohmi I.Kashiwagi, C.Ohshima, J.Taguchi, H.Yamamoto, J.Tonotani, H.Ishiwara H.Iwai

Extended Abstracts of the 2002 International Conference on Solid State Devices and Materials   718 - 719   2002

Rare Earth Metal Oxides for High-k Gate Insulator

S.Ohmi S.Akama, A.Kikuchi, I.Kashiwagi, C.Ohshima, J.Taguchi, H.Yamamoto, K.Sato, M.Takeda, H.Ishiwara, H.Iwai

Electrochemical Society Proceedings Volume 2002-2   376 - 387   2002

希土類酸化物薄膜におけるin-situ真空アニールの効果に関する検討

栗山篤, 山本浩之, 大見俊一郎, 岩井洋

第63回応用物理学会学術講演会 講演予稿集   2   734   2002

Sub-20nm新構造Double-Gate MOSFET

奥田慶文, 大見俊一郎, 酒井徹志

第49回応用物理学会関係連合講演会 講演予稿集   2   890   2002

Pイオン注入による非晶質Si薄膜の増速エッチングとその応用

山崎崇, 大見俊一郎, 室田淳一, 酒井徹志

第49回応用物理学会関係連合講演会 講演予稿集   2   859   2002

High-kゲート絶縁膜のRIE特性

戸野谷純一, 赤間貞洋, 菊池明, 大見俊一郎, 岩井洋

第49回応用物理学会関係連合講演会 講演予稿集   2   837   2002

ECRスパッタ法により形成したAlN薄膜へのAr/O_2_プラズマ照射の効果

安西邦夫, 佐々木大輔, 大見俊一郎, 酒井徹志

第49回応用物理学会関係連合講演会 講演予稿集   2   834   2002

Lu_2_O_3_薄膜形成における基板表面処理の効果

武田光弘, 大見俊一郎, 石原宏 岩井洋

第49回応用物理学会関係連合講演会 講演予稿集   2   837   2002

GdO_x_およびLuO_x_の極薄膜確度分解X線光電子分光分析

中村智裕, 白石貴義, 高橋健介, 柏木郁未, 大島千鶴, 武田光弘, 野平博司, 大見俊一郎, 岩井洋, 服部健雄

第49回応用物理学会関係連合講演会 講演予稿集   2   837   2002

Si基板上に形成した高誘電率 Gd_2_O_3_薄膜の電気特性

大島千鶴, 柏木郁未, 大見俊一郎, 石原宏 岩井洋

第49回応用物理学会関係連合講演会 講演予稿集   2   836   2002

希土類酸化物薄膜のウェットプロセス耐性

菊地明, 赤間貞洋, 戸野谷純一, 大見俊一郎, 石原宏 岩井洋

第49回応用物理学会関係連合講演会 講演予稿集   2   836   2002

アメリカを中心とするゲート絶縁膜用High-k材料の最新技術動向

大見俊一郎

Material Stage   1 ( 2 )   1 - 11   2001

High-kゲート絶縁膜用希土類酸化物薄膜の電気特性

柏木郁未, 大島千鶴, 佐藤航一郎, 武田光弘, 大島享介, 大見俊一郎, 石原宏 岩井洋

STARCシンポジウム2001   2001

高誘電率希土類酸化物のSi基板上への形成

田口順一, 山本浩之, 佐藤航一郎, 武田光弘, 大島享介, 大見俊一郎, 石原宏 岩井洋

第62回応用物理学会学術講演会   2   2001

Gate dielectrics for deep sub-0.1 μm CMOS

H. Iwai, S. Ohmi

FTM 2001, Scientific Program, 2001 Advanced Research Workshop, Future Trends in Microelectronics: The Nano Millennium   45   2001

ULSI Process Integration for 2005 and beyond

H. Iwai, S. Ohmi

The 199th Meeting of The Electrochemical Society, ULSI Process Integration II   2001-2   3 - 33   2001

Enhanced short-channel effects of sub-50nm gate length MOSFETs with high-k gate insulator films

R.Fujimura, M.Takeda, K.Sato, S.Ohmi, H.Ishiwara, H.Iwai

The 199th Meeting of The Electrochemical Society ULSI Process Integration II   2001-2   313 - 323   2001

Rare earth metal oxide gate thin films prepared by e-beam deposition

S. Ohmi, S. Akama, A. Kikuchi, I. Kashiwagi, C. Ohshima, J. Taguchi, H. Yamamoto, C. Kobayashi, K. Sato, A. Takeda, K. Oshima, H. Ishiwara, H. Iwai

Extended Abstracts of International Workshop on Gate Insulator, IWGI 2001   200 - 204   2001

High quality ultrathin La2O3 films for high-k gate insulator

Shun-Ichiro Ohmi, Chihiro Kobayashi, Koji Aizawa, Shuu'ichirou Yamamoto, Eisuke Tokumitsu, Hiroshi Ishiwara, Hiroshi Iwai

European Solid-State Device Research Conference   235 - 238   2001

Low Leakage La┣D22┫D2O┣D23┫D2 Gate Insulator Film with EOTs of 0.8-1.2 nm

S.Ohmi C. Kobayashi, E. Tokumitsu, H. Ishiwara, H.Iwai

2001 International Conference on Solid State Devices and Conferences   496 - 497   2001

高誘電率Pr_2_O_3_薄膜の形成条件に関する検討

佐藤航一郎, 大見俊一郎, 石原宏 岩井洋

第62回応用物理学会学術講演会   2   2001

Gate dielectrics for deep sub-0.1 μm CMOS

H. Iwai, S. Ohmi

FTM 2001, Scientific Program, 2001 Advanced Research Workshop, Future Trends in Microelectronics: The Nano Millennium   45   2001

High quality ultrathin La2O3 films for high-k gate insulator

Shun-Ichiro Ohmi, Chihiro Kobayashi, Koji Aizawa, Shuu'ichirou Yamamoto, Eisuke Tokumitsu, Hiroshi Ishiwara, Hiroshi Iwai

European Solid-State Device Research Conference   235 - 238   2001

ULSI Process Integration for 2005 and beyond

H. Iwai, S. Ohmi

The 199th Meeting of The Electrochemical Society, ULSI Process Integration II   2001-2   3 - 33   2001

Enhanced short-channel effects of sub-50nm gate length MOSFETs with high-k gate insulator films

R.Fujimura, M.Takeda, K.Sato, S.Ohmi, H.Ishiwara, H.Iwai

The 199th Meeting of The Electrochemical Society ULSI Process Integration II   2001-2   313 - 323   2001

NiSi Salicide Technology for Scaled CMOS

H. Iwai, T. Ohguro, S. Ohmi

Abstract of European Workshop Materials for Advanced Metallization (MAM2001)   O7.5   2001

シミュレーションによる極微細高誘電率ゲートFETの電気特性解析

藤村亮介, 武田光弘, 大見俊一郎, 石原宏 岩井洋

第４８回応用物理学関係連合講演会   2   2001

high-kゲート絶縁膜技術の最新研究動向と将来展望

岩井洋, 大見俊一郎

Semiconductor FPD World   20 ( 12 )   39 - 51   2001

RPECVD法によるAl_2_O_3_のSi基板上への形成

大見俊一郎, R.S.Johnson, J.G.Hong, G.Lucovsky 岩井洋

第４８回応用物理学関係連合講演会   2   2001

Low Leakage La┣D22┫D2O┣D23┫D2 Gate Insulator Film with EOTs of 0.8-1.2 nm

S.Ohmi C. Kobayashi, E. Tokumitsu, H. Ishiwara, H.Iwai

2001 International Conference on Solid State Devices and Conferences   496 - 497   2001

アメリカを中心とするゲート絶縁膜用High-k材料の最新技術動向

大見俊一郎, 岩井洋

Material Stage   1 ( 2 )   1 - 11   2001

次世代ゲート絶縁膜用高誘電率薄膜に関する研究

岩井洋, 大見俊一郎

日本学術振興会 未来開拓学術研究推進事業 研究プロジェクト、｢次世代ULSI用薄膜材料の開発とナノスケールプロセスインテグレーション｣第８回研究会   2001

高誘電体ゲート絶縁膜技術

岩井洋, 大見俊一郎

半導体・集積回路技術第６０回シンポジウム   6 - 11   2001

電子ビーム蒸着法によるLa_2_O_3_薄膜のSi基板上への形成

小林千尋, 大見俊一郎, 徳光永輔, 石原宏, 岩井洋

第４８回応用物理学関係連合講演会   2   2001

微細CMOSにおける1/f雑音のゲート長依存性

芦田光行, 大見俊一郎, 大黒達也, 岩井洋

第４８回応用物理学関係連合講演会   2   2001

超高真空電子ビーム蒸着法により堆積した高誘電率材料ZrO_2_膜の特性

大島享介, 大見俊一郎, 徳光永輔, 岩井洋, 石原宏

第４８回応用物理学関係連合講演会   2   2001

電子ビーム蒸着法によりSi基板上に堆積したPr酸化物の特性

佐藤航一郎, 大見俊一郎, 徳光永輔, 石原宏, 岩井洋

第４８回応用物理学関係連合講演会   2   2001

電子ビーム蒸着法による高誘電率Lu_2_O_3_薄膜の形成

武田光弘, 佐藤航一郎, 大見俊一郎, 石原宏 岩井洋

第62回応用物理学会学術講演会   2   2001

高誘電率希土類酸化物薄膜の耐湿性に関する検討

赤間貞洋, 菊地明, 佐藤航一郎, 武田光弘, 大島享介, 大見俊一郎, 石原宏 岩井洋

第62回応用物理学会学術講演会   2   2001

電子ビーム蒸着法によるZrO_2_薄膜形成時における酸素導入の効果

大島享介, 大見俊一郎, 朴炳垠, 石原宏, 岩井洋

第62回応用物理学会学術講演会   2   2001

High-kゲート絶縁膜用希土類酸化物薄膜の電気特性

大島千鶴, 柏木郁未, 佐藤航一郎, 武田光弘, 大島享介, 大見俊一郎, 石原宏 岩井洋

第62回応用物理学会学術講演会   2   2001

High-kゲート絶縁膜用酸化物材料の研究

徳光永輔, 大見俊一郎, 岩井洋

電気学会電子材料研究会   EFM-01 ( 12 )   37 - 41   2001

NiSi Salicide Technology for Scaled CMOS

H. Iwai, T. Ohguro, S. Ohmi

Abstract of European Workshop Materials for Advanced Metallization (MAM2001)   O7.5   2001

高誘電率希土類酸化物のSi基板上への形成

山本浩之, 田口順一, 佐藤航一郎, 武田光弘, 大島享介, 大見俊一郎, 石原宏 岩井洋

STARCシンポジウム2001   2001

高誘電率希土類酸化物薄膜の耐湿性に関する検討

菊地明, 赤間貞洋, 佐藤航一郎, 武田光弘, 大島享介, 大見俊一郎, 石原宏 岩井洋

STARCシンポジウム2001   2001

Epitaxial silicide interfaces in microelectronics

RT Tung, S Ohmi

THIN SOLID FILMS   369 ( 1-2 )   233 - 239   2000.7

Ultra-thin gate SiO┣D22┫D2 technology

SHUN-ICHIRO OHMI

THE PHYSICS AND CHEMISTRY OF SiO┣D22┫D2 AND THE Si-SiO┣D22┫D2 INTERFACE-4   PV2000 ( 2 )   3 - 18   2000

微細シリコンデバイスに要求される各種高性能薄膜

大見俊一郎

応用物理学会誌   69 ( 1 )   4 - 14   2000

Semiconductor Devices for the 21th Century and Lithography Technology

IWAI Hiroshi, OHMI Shun-ichiro

IEEJ Transactions on Sensors and Micromachines   120 ( 6 )   340 - 343   2000

Ultra-thin gate SiO┣D22┫D2 technology

SHUN-ICHIRO OHMI

THE PHYSICS AND CHEMISTRY OF SiO┣D22┫D2 AND THE Si-SiO┣D22┫D2 INTERFACE-4   PV2000 ( 2 )   3 - 18   2000

High-kゲート絶縁膜の動向

大見俊一郎, 岩井洋

Challenge of Intelligence for Future Break Through   171 ( 10 )   7 - 11   2000

マイクロ波Si系素子・回路の技術動向および今後の展望について

大見俊一郎

電子情報通信学会論文誌   83 ( 10 )   911 - 919   2000

微細シリコンデバイスに要求される各種高性能薄膜

岩井洋, 大見俊一郎

応用物理   69 ( 1 )   4 - 14   2000

Effect of ultrathin Mo and MoSi┣D2X┫D2 layer on Ti silicide reaction

SHUN-ICHIRO OHMI

J. Appl. Phys.   86 ( 7 )   3655 - 3660   1999

Facilitated C54-TiSi┣D22┫D2 Formation with Elevated Deposition Temperature: A Study of Co-deposited Layers

S. Ohmi, R. T. Tung

Mat. Res. Soc. Symp. Proc.   564   47 - 52   1999

OXIDE MEDIATED EPITAXIAL GROWTH OF CoSi┣D22┫D2 IN A SINGLE DEPOSITION STEP

S. Ohmi, R. T. Tung

Mat. Res. Soc. Symp. Proc.   564   117 - 122   1999

Silicide Formation in Co-Deposited TiSi┣D2X┫D2 Layers: The Effect of Deposition Temperature and Mo

SHUN-ICHIRO OHMI

J. Electronic Materials   28 ( 10 )   1115 - 1122   1999

Effect of ultrathin Mo and MoSi┣D2X┫D2 layer on Ti silicide reaction

SHUN-ICHIRO OHMI

J. Appl. Phys.   86 ( 7 )   3655 - 3660   1999

Facilitated C54-TiSi┣D22┫D2 Formation with Elevated Deposition Temperature: A Study of Co-deposited Layers

S. Ohmi, R. T. Tung

Mat. Res. Soc. Symp. Proc.   564   47 - 52   1999

OXIDE MEDIATED EPITAXIAL GROWTH OF CoSi┣D22┫D2 IN A SINGLE DEPOSITION STEP

S. Ohmi, R. T. Tung

Mat. Res. Soc. Symp. Proc.   564   117 - 122   1999

Silicide Formation in Co-Deposited TiSi┣D2X┫D2 Layers: The Effect of Deposition Temperature and Mo

SHUN-ICHIRO OHMI

J. Electronic Materials   28 ( 10 )   1115 - 1122   1999

Oxide Mediated Epitaxy on Planar and Non-planar Silicon

SHUN-ICHIRO OHMI

Mat. Res. Soc. Symp. Proc.   514   427 - 432   1998

Oxide Mediated Epitaxy on Planar and Non-planar Silicon

SHUN-ICHIRO OHMI

Mat. Res. Soc. Symp. Proc.   514   427 - 432   1998

Improved Thermal Stability of Ultra-thin CoSi┣D22┫D2 layers by Oxygen Annealing

SHUN-ICHIRO OHMI

Mat. Res. Soc. Symp. Proc.   514   157 - 162   1998

Improved Thermal Stability of Ultra-thin CoSi┣D22┫D2 layers by Oxygen Annealing

SHUN-ICHIRO OHMI

Mat. Res. Soc. Symp. Proc.   514   157 - 162   1998

Electrical properties of ferroelectric BaMgF┣D24┫D2 films grown on GaAs substrates using AlGaAs buffer layer

Tomoki Hayashi, Makoto Yoshihara Syun-ichiro, Ohmi Eisuke Tokuitsu, Hiroshi Ishiwara

Applied Surface Science   117/118   418 - 422   1997

Electrical properties of ferroelectric BaMgF┣D24┫D2 films grown on GaAs substrates using AlGaAs buffer layer

Tomoki Hayashi, Makoto Yoshihara Syun-ichiro, Ohmi Eisuke Tokuitsu, Hiroshi Ishiwara

Applied Surface Science   117/118   418 - 422   1997

Electrical Properties of Ferroelectric Gate HEMT Structures

SHUN-ICHIRO OHMI

Japanese Journal of Applied Physics   35 ( 2B )   1254 - 1257   1996

Ferroelectric Gate High Electron Mobility Transistors for Neural Computation

Hiroshi Ishiwara Shun-ichiro, Ohmi Eisuke Tokumithu

Proceedings of the International Conference on Quantum Devices and Circuits   262 - 267   1996

Device characterization of high-electron-mobility transistors with ferroelectric-gate structures

S Ohmi, T Okamoto, M Tagami, E Tokumitsu, H Ishiwara

GAAS IC SYMPOSIUM - 18TH ANNUAL, TECHNICAL DIGEST 1996   163 - 166   1996

Ferroelectric Gate High Electron Mobility Transistors for Neural Computation

Hiroshi Ishiwara Shun-ichiro, Ohmi Eisuke Tokumithu

Proceedings of the International Conference on Quantum Devices and Circuits   262 - 267   1996

Electrical Properties of Ferroelectric Gate HEMT Structures

SHUN-ICHIRO OHMI

Japanese Journal of Applied Physics   35 ( 2B )   1254 - 1257   1996

CHARACTERIZATION OF FERROELECTRIC BAMGF4 FILMS GROWN ON ALGAAS/GAAS(100) HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR STRUCTURES

SI OHMI, E TOKUMITSU, H ISHIWARA

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   150 ( 1-4 )   1104 - 1107   1995.5

Electrical Properties of Ferroelectric Gate HEMT structures

SHUN-ICHIRO OHMI

1995 International Conference on Solid State Devices and Materials   1995

Contactless Measurement of Electron Mobility in Ferroelectric Gate High-Electron-Mobility Transistor Structures

SHUN-ICHIRO OHMI

Japanese Journal of Applied Physics   34 ( 5B )   L603 - L605   1995

Characterization of ferroelectric BaMgF4 films grown on AlGaAs/GaAs (100) high-electron-mobility transistor structures

Shun-ichiro Ohmi, Eisuke Tokumitsu, Hiroshi Ishiwara

Journal of Crystal Growth   150   1104 - 1107   1995

Characterization of Ferroelectric BaMgF┣D24┫D2 Films Grown on AlGaAs/GaAs (100) High-Electron-Mobility Transistor Structures.

SHUN-ICHIRO OHMI

Journal of Crystal Growth   150 ( 1-4 )   1104 - 1107   1995

Electrical Properties of Ferroelectric BaMgF┣D24┫D2 Films Grown on Modulation-Doped AlGaAs/GaAs (100) structures

SHUN-ICHIRO OHMI

1995 Electronic Materials Conference   1995

Electrical Properties of Ferroelectric Gate HEMT structures

SHUN-ICHIRO OHMI

1995 International Conference on Solid State Devices and Materials   1995

Characterization of Ferroelectric BaMgF┣D24┫D2 Films Grown on AlGaAs/GaAs (100) High-Electron-Mobility Transistor Structures.

SHUN-ICHIRO OHMI

Journal of Crystal Growth   150 ( 1-4 )   1104 - 1107   1995

Contactless Measurement of Electron Mobility in Ferroelectric Gate High-Electron-Mobility Transistor Structures

SHUN-ICHIRO OHMI

Japanese Journal of Applied Physics   34 ( 5B )   L603 - L605   1995

Electrical Properties of Ferroelectric BaMgF┣D24┫D2 Films Grown on Modulation-Doped AlGaAs/GaAs (100) structures

SHUN-ICHIRO OHMI

1995 Electronic Materials Conference   1995

ヘテロ成長におけるローテーショナル・ツイン生成機構の解明とその制御(共著)

筒井一生, 大見俊一郎, 川崎宏治, 古川静二郎, N.S.ソコロフ

日本結晶成長学会誌   21 ( 5 )   S177-S184   1994

Study of epitaxial growth of rotational-twin-free CaF2Films on si(111)

Shun-Ichiro Ohmi, Kazuo Tsutsui, Seijiro Furukawa

Japanese Journal of Applied Physics   33 ( 2 R )   1121 - 1125   1994

Generation Mechanism and Control of Rotational Twin on Heteroepitaxial Growth

Japanese Jourual of Crystal Growth   21 ( 5 )   S177-S184   1994

Characterization of Ferroelectric BaMgF┣D24┫D2 Films on AlGaAs/GaAs (100) HEMT structures.

SHUN-ICHIRO OHMI

8th International Conference on Molecular Beam Epitaxy   1994

ヘテロ成長におけるローテーショナル・ツイン生成機構の解明とその制御

大見俊一郎

日本結晶成長学会誌   21 ( 5 )   S177-S183   1994

Sm┣D12+┫D1 Photoluminescence and X-ray Scattering studies of A-and B-Type Epitaxial CaF┣D22┫D2 Layers on Si (111)

SHUN-ICHIRO OHMI

Japanese Journal of Applied Physics   33 ( 4B )   2395 - 2400   1994

Characterization of Ferroelectric BaMgF┣D24┫D2 Films on AlGaAs/GaAs (100) HEMT structures.

SHUN-ICHIRO OHMI

8th International Conference on Molecular Beam Epitaxy   1994

Study of Epitaxial Growth of Rotational Twin-Free CaF┣D22┫D2 Films on Si(111)

SHUN-ICHIRO OHMI

Japanese Journal of Applied Physics   33 ( 2 )   1121 - 1125   1994

Sm┣D12+┫D1 Photoluminescence and X-ray Scattering studies of A-and B-Type Epitaxial CaF┣D22┫D2 Layers on Si (111)

SHUN-ICHIRO OHMI

Japanese Journal of Applied Physics   33 ( 4B )   2395 - 2400   1994

Dielectric layer dependence of electrical and physical properties of pentacene films

2010 

Investigation of n-type properties of pentacene based on MOS diodes utilizing ultra thin metal interlayer

2010 

Electrical Properties of Hf/HfSiON/p-Si(100) Structure MIS capacitor by Using ECR-Sputtering

2010 

RFマグネトロンスパッタ法によるPtSiゲート電極の形成

春季第５７回応用物理学関係連合講演会  2010 

２段階シリサイド化によるHf混晶化PtSiの極薄膜化にかんする検討

春季第５７回応用物理学関係連合講演会  2010 

ECRスパッタ法による３次元構造上へのHfN/HfONゲートスタック構造の形成

秋季第７０回応用物理学会学術講演会  2009 

ポストアニールによるYb混晶化PtSiの低抵抗率化に関する検討

秋季第７０回応用物理学会学術講演会  2009 

Characteristics of pentacene based MOS diodes with thin gate dielectric

2009 

Retention Characteristics of poly(vinylidenefluoride-trifluoroethylene)MFIS diodes

2009 

Yb混晶化PtSiの結晶性に関する検討

春季第56回応用物理学関係連合講演会  2009 

Hf混晶化PtSiの耐熱性に関する検討

春季第56回応用物理学関係連合講演会  2009 

Investigation of characteristics of pentacene-based MOSFETs structures

2009 

3次元構造上に形成したHfON薄膜の側壁部膜質の評価

春季第56回応用物理学関係連合講演会  2009 

ECRスパッタ法によるHfN/HfON積層構造の形成

電子情報通信学会SDM研究会  2009 

Characteristics of pentacene based MOS diodes with thin gate dielectric

2009 

Retention Characteristics of poly(vinylidenefluoride-trifluoroethylene)MFIS diodes

2009 

Investigation of characteristics of pentacene-based MOSFETs structures

2009 

２段階シリサイド化によるHf混晶化PtSiの耐熱性向上に関する検討

電子情報通信学会SDM研究会  2009 

Hf混晶化PtSiのシリサイド化条件に関する検討

第55回応用物理学関係連合講演会講演予稿集  2008 

Ferroelectrics Characteristics of poly (vinylidene fluoride-trifluoroethylene) MFIS diodes

2008年（平成20年）第55回応用物理学関係連合講演会  2008 

RFスパッタ法による3次元構造上へのSiO2薄膜の形成

第55回応用物理学関係連合講演会講演予稿集  2008 

ECRスパッタ法による3次元ゲート構造上へのHfO2薄膜の形成

第55回応用物理学関係連合講演会講演予稿集  2008 

Characteristics of metal-ferroelectric-insulartor-semiconductor structures based on poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene)

電子情報通信学会SDM研究会  2008 

Ferroelectrics Characteristics of poly (vinylidene fluoride - trifluoroethylene) MFIS diodes

2008 

Hf結晶化PtSiの仕事関数変数機構の検討

電子情報通信学会SDM研究会  2008 

Hf結晶化PtSiの仕事関数変調機構の検討

電子情報通信学会SDM研究会  2008 

Improvement of Pentacene Based MOS Diodes Characteristics by Surface Treatment of SiO2

2008 

Hf結晶化PtSiの結晶性に関する検討

秋季第69回応用物理学会学術講演会  2008 

Ferroelectrics Characteristics of poly (vinylidene fluoride - trifluoroethylene) MFIS diodes

2008 

ECRスパッタ法による３次元構造上へのHfOxNy薄膜の形成

秋季第69回応用物理学会学術講演会  2008 

RFマグネトロンスパッタ法によるPtSiゲート電極の形成

秋季第69回応用物理学会学術講演会  2008 

Improvement of Pentacene Based MOS Diodes Characteristics by Surface Treatment of SiO2

2008 

SBSIプロセスによる極薄SOI/BOX層の均一形成に関する検討

第68回応用物理学会学術講演会  2007 

Fabrication of SOI MOSFET by “Separation by Bonding Silicon Islands (SBSI) Method

The 211th Meeting of The Electrochemical Society, Meeting Abstract  2007 

高誘電率HfOxNy絶縁膜のPDAプロセスの検討

第68回応用物理学会学術講演会  2007 

Mechanism of Selective Etching of SiGe Layers in SiGe/Si Systems

The 211th Meeting of The Electrochemical Society, Meeting Abstract  2007 

Fabrication of SOI MOSFET by “Separation by Bonding Silicon Islands (SBSI) Method

The 211th Meeting of The Electrochemical Society, Meeting Abstract  2007 

Investigation of PDA Process to Improve Electrical Characteristics of HfOxNy High-k Dielectric Formed by ECR Plasma Oxidation of HfN

2007 International Symposium on Semiconductor Manufacturing  2007 

HfNのECRプラズマ酸化により形成したHfOxNyのPDAプロセスの検討

International Symposium on Semiconductor Manufacturing 2007 日本特別報告会  2007 

Mechanism of Selective Etching of SiGe Layers in SiGe/Si Systems

The 211th Meeting of The Electrochemical Society, Meeting Abstract  2007 

SBSIプロセスによるSOI/BOX層の均一形成に関する検討

電子情報通信学会SDM研究会  2007 

ECRプラズマプロセスによるHfO2系絶縁膜の極薄膜化の検討

電子情報通信学会SDM研究会  2007 

Investigation of PDA Process to Improve Electrical Characteristics of HfOxNy High-k Dielectric Formed by ECR Plasma Oxidation of HfN

2007 International Symposium on Semiconductor Manufacturing  2007 

Hfとの混晶化によるPtSiの仕事関数変調

電子情報通信学会SDM研究会  2007 

Characterization of n-MISFETs with Ultrathin HfO_x_N_y_ Gate Insulator Formed by ECR-Ar/N_2_ Plasma Nitridation

2006 Electronic Materials Conference  2006 

A Proposal of Twin-Channel(TC)-MOSFET and its Fabrication Process

2006 

PtSiの混晶化による仕事関数変調

電子情報通信学会SDM研究会  2006 

Novel Fabricaition Process for Multi SOI Layers Using Selective Etching of SiGe in Multi Si/SiGe Layers

2006 Electronic Materials Conference  2006 

ECRプラズマプロセスによる高誘電率ゲート絶縁膜の形成

電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集  2006 

ECR-Ar/N_2_プラズマにより形成したHfO_x_N_y_膜を用いたn-MISFETの作製

第53回応用物理学関係連合講演会講演予稿集  2006 

TML-MOSFETにおける極微細3次元チャネル形成プロセスの検討

第53回応用物理学関係連合講演会講演予稿集  2006 

せり上げPtSi-SALICIDEにおける選択エッチングプロセスの検討

第53回応用物理学関係連合講演会講演予稿集  2006 

HfNのECRプラズマ酸化により形成したHfO_x_N_y_のゲート絶縁膜応用

第67回応用物理学会学術講演会講演予稿集  2006 

SBSI技術による極薄SOI/BOX層の形成

第67回応用物理学会学術講演会講演予稿集  2006 

Pt/HfO_x_N_y_/Si(100)ゲート積層構造の形成とPMA条件の検討

第67回応用物理学会学術講演会講演予稿集  2006 

A Proposal of Twin-Channel(TC)-MOSFET and its Fabrication Process

2006 

SBSIプロセスにおけるSi島の均一形成に関する検討

第67回応用物理学会学術講演会講演予稿集  2006 

Novel Fabricaition Process for Multi SOI Layers Using Selective Etching of SiGe in Multi Si/SiGe Layers

2006 Electronic Materials Conference  2006 

Characterization of n-MISFETs with Ultrathin HfO_x_N_y_ Gate Insulator Formed by ECR-Ar/N_2_ Plasma Nitridation

2006 Electronic Materials Conference  2006 

半導体の基礎：半導体とはどのようなものであるか

2006半導体入門セミナー  2006 

HfNのECRプラズマ酸化によるHfON薄膜の形成

電子情報通信学会SDM研究会  2006 

耐熱性金属との混晶化によるPtSiの仕事関数制御とせり上げsalicideプロセスへの応用

International Symposium on Semiconductor Manufacturing (ISSM) 2005 日本特別報告会、 Conference Proceedings  2005 

ECRスパッタ法による3次元ゲート構造上への高誘電率絶縁膜の形成

2005 

新構造TML(Twin-Multi-Layer Channel)MOSFET

2005 

ECR Ar/N_2_ Plasma Nitridation of HfO_2_ for High-k Gate Insulator Applications

2005 

希土類酸化物薄膜のHigh-kゲート絶縁膜応用

日本化学会第85春季年会  2005 

Si/Pt/Si(100)積層構造のシリサイド化によるPtSiの形成

2005 

HfNのECR Ar/O_2_プラズマ酸化プロセスによる極薄HfSiONの形成

電子情報通信学会SDM研究会  2005 

耐熱性金属との混晶化によるPtSiの仕事関数制御とせり上げsalicideプロセスへの応用

International Symposium on Semiconductor Manufacturing (ISSM) 2005 日本特別報告会、 Conference Proceedings  2005 

多層Si/SiGe構造におけるSiGe層横方向選択エッチングと多層SOI構造の形成

電子情報通信学会SDM研究会  2005 

ECR-Ar/N_2_プラズマにより形成したHfON膜の極薄膜化に関する検討

電子情報通信学会SDM研究会  2005 

TML(Twin-Multi-Layer Channel) MOSFETの作製プロセスに関する検討

第66回応用物理学会学術講演会講演予稿集  2005 

Effect of Ultra-thin Ti Layer on PtSi Work Function Modulation

2005 IEEE International Symposium on Semiconductor Manufacturing, Conference Proceedings  2005 

HfNのECR Ar/O_2_プラズマ酸化プロセスによる極薄HfSiONの形成

第66回応用物理学会学術講演会講演予稿集  2005 

極薄HfO_2_薄膜のECR Ar/N_2_プラズマ窒化条件の検討

第66回応用物理学会学術講演会講演予稿集  2005 

ECR Ar/N_2_ Plasma Nitridation of HfO_2_ for High-k Gate Insulator Applications

2005 

Effect of Ultra-thin Ti Layer on PtSi Work Function Modulation

2005 IEEE International Symposium on Semiconductor Manufacturing, Conference Proceedings  2005 

HfO_x_N_y_ Thin Films Formed by ECR Ar/O_2_ Plasma Oxidation of HfN Thin Films

2004 

Separation by Bonding Si Islands (SBSI) for LSI Applications

2004 

Separation by Bonding Si Islands (SBSI) for Adavnced CMOS LSIs

2004Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Application of Advanced Semiconductor Devices  2004 

A Study on Selective Etching of SiGe Layers and Electrical Characteristics of MOS Diodes Formed after Selective Etching in SBSI Process

2004 

HfNのECR Ar/O_2_プラズマ酸化によるHfO_x_N_y_薄膜の形成

2004 

AlO_x_/Si(100)界面特性のECRスパッタ条件依存性

2004 

Novel SOI Fabrication Process Utilizing the Selective Etching for Si/SiGe Stacked Layers: Separation by Bonding Si Islands Technology (SBSI)

2004 

Separation by Bonding Si Islands (SBSI) for LSI Applications

2004 

Separation by Bonding Si Islands (SBSI) for Adavnced CMOS LSIs

2004Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Application of Advanced Semiconductor Devices  2004 

Novel SOI Fabrication Process Utilizing the Selective Etching for Si/SiGe Stacked Layers: Separation by Bonding Si Islands Technology (SBSI)

2004 

A Study on Selective Etching of SiGe Layers and Electrical Characteristics of MOS Diodes Formed after Selective Etching in SBSI Process

2004 

極薄希土類酸化膜/Si(100)界面構造（極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術）

電子情報通信学会技術研究報告、SDM、シリコン材料・デバイス  2003 

A Proposal of Multi-Layer Channel MOSFET: The Application of Selective Etching for Si/SiGe Stacked Lyaers

2003 

Effect of Vacuum Annealing on High-k Dy_2_O_3_ Thin Films Deposited on Si(100)

2003 

AlON Thin Films Formed by ECR Plasma Oxidation for High-k gate Insulator Application

2003 

A Study on Etching of SiGe Layers in SiGe/Si Systems for Device Applications

2003 

Effect of Vacuum Annealing on High-k Dy_2_O_3_ Thin Films Deposited on Si(100)

2003 

Electrical characteristics of rare-earth oxides stacked-layer structures

2003 

A Proposal of Multi-Layer Channel MOSFET: The Application of Selective Etching for Si/SiGe Stacked Lyaers

2003 

Electrical characteristics of rare-earth oxides stacked-layer structures

2003 

AlON Thin Films Formed by ECR Plasma Oxidation for High-k gate Insulator Application

2003 

A Study on Etching of SiGe Layers in SiGe/Si Systems for Device Applications

2003 

High-k ゲート絶縁膜用酸化物材料の研究

電気学会電子材料研究会  2001