Positive Seebeck coefficient of niobium-doped MoS2 film deposited by sputtering and activated by sulfur vapor annealing

Taiga Horiguchi, Takuya Hamada, Masaya Hamada, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Tetsuya Tatsumi, Shigetaka Tomiya, Hitoshi Wakabayashi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   61 ( 7 )   2022.7

Experimental demonstration of high-gain CMOS inverter operation at low V ( dd ) down to 0.5 V consisting of WSe2 n/p FETs

Takamasa Kawanago, Takahiro Matsuzaki, Ryosuke Kajikawa, Iriya Muneta, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   61 ( SC )   2022.5

High Seebeck coefficient in PVD-WS2 film with grain size enlargement

Takuya Hamada, Masaya Hamada, Taiga Horiguchi, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Tetsuya Tatsumi, Shigetaka Tomiya, Hitoshi Wakabayashi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   61 ( SC )   2022.5

Importance of crystallinity improvement in MoS2 film by compound sputtering even followed by post sulfurization

Shinya Imai, Takuya Hamada, Masaya Hamada, Takanori Shirokura, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Tetsuya Tatsumi, Shigetaka Tomiya, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   60 ( SB )   2021.5

Accurate TCAD simulation of trench-gate IGBTs and its application to prediction of carrier lifetime requirements for future scaled devices

M. Watanabe, N. Shigyo, T. Hoshii, K. Furukawa, K. Kakushima, K. Satoh, T. Matsudai, T. Saraya, T. Takakura, I. Muneta, H. Wakabayashi, A. Nakajima, S. Nishizawa, K. Tsutsui, T. Hiramoto, H. Ohashi, H. Iwai

2021 5th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2021   2021.4

WS2 pMISFETs by Sputtering and Sulfur-Vapor Annealing with TiN/HfO2-Top-Gate-Stack, TiN Contact and Ultra-Thin Body and Box

Takuya Hamada, Masaya Hamada, Satoshi Igarashi, Taiga Horiguchi, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Tetsuya Tatsumi, Shigetaka Tomiya, Hitoshi Wakabayashi

2021 5TH IEEE ELECTRON DEVICES TECHNOLOGY & MANUFACTURING CONFERENCE (EDTM)   2021

Sheet Resistance Reduction of MoS2 Film Using Sputtering and Chlorine Plasma Treatment Followed by Sulfur Vapor Annealing

Takuya Hamada, Shigetaka Tomiya, Tetsuya Tatsumi, Masaya Hamada, Taiga Horiguchi, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY   9   278 - 285   2021

WS2 Film by Sputtering and Sulfur-Vapor Annealing, and its pMISFET With TiN/HfO2 Top-Gate Stack, TiN Bottom Contact, and Ultra-Thin Body and Box

Takuya Hamada, Masaya Hamada, Satoshi Igarashi, Taiga Horiguchi, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Tetsuya Tatsumi, Shigetaka Tomiya, Hitoshi Wakabayashi

IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY   9   1117 - 1124   2021

Hall-effect mobility enhancement of sputtered MoS(2)film by sulfurization even through Al(2)O(3)passivation film simultaneously preventing oxidation

Masaya Hamada, Kentaro Matsuura, Takuro Sakamoto, Haruki Tanigawa, Iriya Muneta, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 ( 10 )   2020.10

Normally-off sputtered-MoS(2)nMISFETs with TiN top-gate electrode all defined by optical lithography for chip-level integration

Kentaro Matsuura, Masaya Hamada, Takuya Hamada, Haruki Tanigawa, Takuro Sakamoto, Atsushi Hori, Iriya Muneta, Takamasa Kawanago, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Atsushi Ogura, Hitoshi Wakabayashi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59 ( 8 )   2020.8

Enhancement-mode accumulation capacitance-voltage characteristics in TiN/ALD-Al2O3/sputtered-MoS2 top-gated stacks

Haruki Tanigawa, Kentaro Matsuura, Iriya Muneta, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59   2020.7

Enlargement of grain size for MoS2 film fabricated by RF magnetron sputtering with additional DC bias by optimization of deposition parameters and its evaluation with Raman spectroscopy

Y. Oyanagi, Y. Hibino, N. Sawamoto, H. Wakabayashi, A. Ogura, A. Ogura

Japanese Journal of Applied Physics   59 ( 6 )   2020.6

Bipolar Transistor Test Structures for Extracting Minority Carrier Lifetime in IGBTs Reviewed

Kiyoshi Takeuchi, Munetoshi Fukui, Takuya Saraya, Kazuo Itou, Toshihiko Takakura, Shinichi Suzuki, Yohichiroh Numasawa, Naoyuki Shigyo, Kuniyuki Kakushima, Takuya Hoshii, Kazuyoshi Furukawa, Masahiro Watanabe, Hitoshi Wakabayashi, Kazuo Tsutsui, Hiroshi Iwai, Atsushi Ogura, Wataru Saito, Shin-Ichi Nishizawa, Masanori Tsukuda, Ichiro Omura, Hiromichi Ohashi, Toshiro Hiramoto

IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing   33 ( 2 )   159 - 165   2020.5

NiSi2 as a Bottom Electrode for Enhanced Endurance of Ferroelectric Y-doped HfO2 Thin Films

Joel Molina-Reyes, Takuya Hoshii, Shun-Ichiro Ohmi, Hiroshi Funakubo, Atsushi Hori, Ichiro Fujiwara, Hitoshi Wakabayashi, Kazuo Tsutsui, Kuniyuki Kakushima

Jpn. J. Appl. Phys.   Vol. 59   2020.2

Strong edge-induced ferromagnetism in sputtered MoS2 film treated by post-annealing

Takanori Shirokura, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

APPLIED PHYSICS LETTERS   115 ( 19 )   2019.11

Switching of 3300v scaled igbt by 5v gate drive

T. Hiramoto, K. Satoh, T. Matsudai, W. Saito, K. Kakushima, T. Hoshii, K. Furukawa, M. Watanabe, N. Shigyo, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, T. Sarava, H. Iwai, A. Ogura, S. Nishizawa, I. Omura, H. Ohash, K. Itou, T. Takakura, M. Fukui, S. Suzuki, K. Takeuchi, M. Tsukuda, Y. Numasawa

Proceedings of International Conference on ASIC   2019.10

Sheet-Resistance Reduction of Sputtered-MoS₂ Film by SF₆ Plasma Treatment

Horiguchi Taiga, Hamada Takuya, Tatsumi Tetsuya, Tomiya Shigetaka, Hoshii Takuya, Kakushima Kuniyuki, Tsutsui Kazuo, Wakabayashi Hitoshi

JSAP Annual Meetings Extended Abstracts   2019.2   3887 - 3887   2019.9

Sheet resistance reduction of Sputtered MoS₂ Film by Cl₂ Plasma Treatment

Hamada Takuya, Horiguchi Taiga, Tatsumi Tetsuya, Tomiya Shigetaka, Hamada Masaya, Hoshii Takuya, Kakushima Kuniyuki, Tsutsui Kazuo, Wakabayashi Hitoshi

JSAP Annual Meetings Extended Abstracts   2019.2   3888 - 3888   2019.9

Analysis of back-gate effect on threshold voltage of p-channel GaN MOSFETs on polarization-junction substrates

Takuya Hoshii, Akira Nakajima, Shin-ichi Nishizawa, Hiromichi Ohashi, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, Kazuo Tsutsui

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58 ( 6 )   2019.6

Normally-off sputtered-MoS<inf>2</inf> nMISFETs with MoSi<inf>2</inf> contact by sulfur powder annealing and ALD Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf> gate dielectric for chip level integration Reviewed

K. Matsuura, M. Hamada, T. Hamada, H. Tanigawa, T. Sakamoto, W. Cao, K. Parto, A. Hori, I. Muneta, T. Kawanago, K. Kakushima, K. Tsutsui, A. Ogura, K. Banerjee, H. Wakabayashi

19th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2019   2019.6

Mechanism for high hall-effect mobility in sputtered-MoS2 film controlling particle energy

Takuro Sakamoto, Takumi Ohashi, Kentaro Matsuura, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Yuuta Suzuki, Nobuyuki Ikarashi, Hitoshi Wakabayashi

2018 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference, S3S 2018   2019.2

Low-Temperature MoS2 Film Formation Using Sputtering and H2S Annealing

Jun'ichi Shimizu, Takumi Ohashi, Kentaro Matsuura, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Nobuyuki Ikarashi, Hitoshi Wakabayashi

IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY   7 ( 1 )   2 - 6   2019

High Hall-Effect Mobility of Large-Area Atomic-Layered Polycrystalline ZrS2 Film Using UHV RF Magnetron Sputtering and Sulfurization

Masaya Hamada, Kentaro Matsuura, Takuro Sakamoto, Iriya Muneta, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY   7 ( 1 )   1258 - 1263   2019

New Methodology for Evaluating Minority Carrier Lifetime for Process Assessment

K. Kakushima, T. Hoshii, M. Watanabe, N. Shizyo, K. Furukawa, T. Saraya, T. Takakura, K. Itou, M. Fukui, S. Suzuki, K. Takeuchi, I. Muneta, H. Wakabayashi, Y. Numasawa, A. Ogura, S. Nishizawa, K. Tsutsui, T. Hiramoto, H. Ohashi, H. Iwai

IEEE Symposium on VLSI Circuits, Digest of Technical Papers   2018-June   105 - 106   2018.10

Verification of the injection enhancement effect in IGBTs by measuring the electron and hole currents separately Reviewed

T. Hoshii, K. Furukawa, K. Kakushima, M. Watanabe, N. Shigvo, T. Saraya, T. Takakura, K. Ltou, M. Fukui, S. Suzuki, K. Takeuchi, I. Muneta, H. Wakabayashi, Shinichi Nishizawa, K. Tsutsui, T. Hiramoto, H. Ohashi, H. Lwai

48th European Solid-State Device Research Conference, ESSDERC 2018 2018 48th European Solid-State Device Research Conference, ESSDERC 2018   2018-   26 - 29   2018.10

Chip-Level-Integrated nMISFETs with Sputter-Deposited-MoS<inf>2</inf> Thin Channel Passivated by Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf> Film and TiN Top Gate

Kentaro Matsuura, Jun'Ichi Shimizu, Mayato Toyama, Takumi Ohashi, Iriya Muneta, Seiya Ishihara, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Atsushi Ogura, Hitoshi Wakabayashi

2018 IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2018 - Proceedings   104 - 106   2018.7

Low-Carrier-Density Sputtered MoS2 Film by Vapor-Phase Sulfurization Reviewed

Kentaro Matsuura, Takumi Ohashi, Iriya Muneta, Seiya Ishihara, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Atsushi Ogura, Hitoshi Wakabayashi

Journal of Electronic Materials   47 ( 7 )   3497 - 3501   2018.7

Ohmic contact between titanium and sputtered MoS2 films achieved by forming-gas annealing

Mayato Toyama, Takumi Ohashi, Kentaro Matsuura, Jun'ichi Shimizu, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 ( 7 )   2018.7

Active-performance benchmark for advanced 3D-CMOS devices Reviewed

Hitoshi Wakabayashi, Eisuke Anju, Iriya Muneta

China Semiconductor Technology International Conference 2018, CSTIC 2018   1 - 4   2018.5

Photovoltaic properties of lateral ultra-thin Si p-i-n structure Reviewed

Suguru Tatsunokuchi, I. Muneta, T. Hoshii, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, H. Iwai, K. Kakushima

China Semiconductor Technology International Conference 2018, CSTIC 2018   1 - 3   2018.5

Improvement of SiO2/4H-SiC Interface properties by post-metallization annealing Reviewed

Y. M. Lei, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, H. Iwai, M. Furuhashi, S. Tomohisa, S. Yamakawa, K. Kakushima

Microelectronics Reliability   84   226 - 229   2018.5

Effect of lanthanum silicate interface layer on the electrical characteristics of 4H-SiC metal-oxide-semiconductor capacitors Reviewed

Y. M. Lei, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, H. Iwai, M. Furuhashi, S. Tomohisa, S. Yamakawa, K. Kakushima

Microelectronics Reliability   84   248 - 252   2018.5

GaN-based complementary metal-oxide- semiconductor inverter with normally off Pch and Nch MOSFETs fabricated using polarisation-induced holes and electron channels Reviewed

Akira Nakajima, Shunsuke Kubota, Kazuo Tsutsui, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, Hiroshi Iwai, Shin-Ichi Nishizawa, Hiromichi Ohashi

IET Power Electronics   11 ( 4 )   689 - 694   2018.4

Reduction of conductance mismatch in Fe/Al2O3/MoS2 system by tunneling-barrier thickness control Reviewed

Naoki Hayakawa, Iriya Muneta, Takumi Ohashi, Kentaro Matsuura, Jun'ichi Shimizu, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

Japanese Journal of Applied Physics   57 ( 4 )   2018.4

3D Scaling of Si-IGBT Invited Reviewed

H. Iwai, K. Kakushima, T. Hoshii, K. Tsutsui, A. Nakajima, S. Nishizawa, H. Wakabayashi, I. Muneta, K. Sato, T. Matsudai, W. Saito, T. Saraya, K. Itou, M. Fukui, S. Suzuki, M. Kobayashi, T. Takakura, T. Hiramoto, A. Ogura, Y. Numasawa, I. Omura, H. Ohashi

Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), Abba Granada Hotel, Granada, Spain   2018.3

3D scaling for insulated gate bipolar transistors (IGBTs) with low Vce(sat) Reviewed

K. Tsutsui, K. Kakushima, T. Hoshii, A. Nakajima, S. Nishizawa, H. Wakabayashi, I. Muneta, K. Sato, T. Matsudai, W. Saito, T. Saraya, K. Itou, M. Fukui, S. Suzuki, M. Kobayashi, T. Takakura, T. Hiramoto, A. Ogura, Y. Numasawa, I. Omura, H. Ohashi, H. Iwai

Proceedings of International Conference on ASIC   2017-   1137 - 1140   2018.1

Sputter-deposited-MoS <inf>2</inf> n MISFETs with top-gate and Al <inf>2</inf> O <inf>3</inf> passivation under low thermal budget for large area integration

Kentaro Matsuura, Jun'Ichi Shimizu, Mayato Toyama, Takumi Ohashi, Iriya Muneta, Seiya Ishihara, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Atsushi Ogura, Hitoshi Wakabayashi

IEEE Journal of the Electron Devices Society   6 ( 1 )   1251 - 1257   2018.1

Low-Dimensional-Structure Devices for Future Electronics

Shunri Oda, Takamasa Kawanago, Hitoshi Wakabayashi

CAS 2018 PROCEEDINGS: 2018 INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CONFERENCE   3 - 6   2018

Investigation of Novel Te precursor (i-C3H7)2Te for MoTe2 Fabrication

Y. Hibino, S. Ishihara, N. Sawamoto, T. Ohashi, K. Matsuura, H. Machida, M. Ishikawa, H. Sudo, H. Wakabayashi, A. Ogura

MRS Advances   3 ( 6-7 )   321 - 326   2018

Guest Editorial Special Section on the First Electron Devices Technology and Manufacturing (EDTM) Conference 2017 Reviewed

Hitoshi Wakabayashi

IEEE Journal of the Electron Devices Society   6 ( 1 )   480   2018

MOCVD of Monolayer MoS2 using Novel Molybdenum Precursor i-Pr2DADMo(CO)3

S. Ishihara, Y. Hibino, N. Sawamoto, H. Machida, H. Wakabayashi, A. Ogura

MRS Advances   3 ( 6-7 )   379 - 384   2018

Relaxation of Self-Heating-Effect for Stacked-Nanowire FET and p/n-Stacked 6T-SRAM Layout

Eisuke Anju, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY   6 ( 1 )   1239 - 1245   2018

Mechanism for High Hall-Effect Mobility in Sputtered-MoS2 Film Controlling Particle Energy

Takuro Sakamoto, Takumi Ohashi, Kentaro Matsuura, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Yuuta Suzuki, Nobuyuki Ikarashi, Hitoshi Wakabayashi

2018 IEEE SOI-3D-SUBTHRESHOLD MICROELECTRONICS TECHNOLOGY UNIFIED CONFERENCE (S3S)   2018

Hall-Effect Mobility Enhancement of Sputtered MoS2 Film by Vapor Phase Sulfurization through Al2O3 Passivation Film

Masaya Hamada, Kentaro Matsuura, Takuro Sakamoto, Haruki Tanigawa, Takumi Ohashi, Iriya Muneta, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

2018 IEEE SOI-3D-SUBTHRESHOLD MICROELECTRONICS TECHNOLOGY UNIFIED CONFERENCE (S3S)   2018

Individual Atomic Imaging of Multiple Dopant Sites in As-Doped Si Using Spectro-Photoelectron Holography Reviewed

Tsutsui, K., Matsushita, T., Natori, K., Muro, T., Morikawa, Y., Hoshii, T., Kakushima, K., Wakabayashi, H., Hayashi, K., Matsui, F., Kinoshita, T.

Nano Letters   17 ( 12 )   2017.12

Individual Atomic Imaging of Multiple Dopant Sites in As-Doped Si Using Spectro-Photoelectron Holography Reviewed

Kazuo Tsutsui, Tomohiro Matsushita, Kotaro Natori, Takayuki Muro, Yoshitada Morikawa, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, Kouichi Hayashi, Fumihiko Matsui, Toyohiko Kinoshita

NANO LETTERS   17 ( 12 )   7533 - 7538   2017.12

Band gap-tuned MoS2(1-x)Te2x thin films synthesized by a hybrid Co-sputtering and post-deposition tellurization annealing process Reviewed

Yusuke Hibino, Seiya Ishihara, Naomi Sawamoto, Takumi Ohashi, Kentarou Matsuura, Hideaki Machida, Hitoshi Wakabayashi, Atsushi Ogura

JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH   32 ( 16 )   3021 - 3028   2017.8

Low temperature ohmic contact for p-type GaN using Mg electrodes Reviewed

K. Kakushima, Y. Ikeuchi, T. Hoshii, I. Muneta, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, H. Iwai, T. Kikuchi, S. Ishikawa

17th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2017   85 - 86   2017.6

Resistivity reduction of low-carrier-density sputtered-MoS2 film using fluorine gas Reviewed

Yasunori Okada, Shimpei Yamaguchi, Takumi Ohashi, Iriya Muneta, Kuniyuki Kasushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

17th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2017   44 - 46   2017.6

Infrared spectroscopic analysis of reactively formed La-silicate interface layer at La2O3/Si substrates Reviewed

K. Kakushima, T. Seki, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, H. Iwai

VACUUM   140   14 - 18   2017.6

Quantitative relationship between sputter-deposited-MoS2 properties and underlying-SiO2 surface roughness Reviewed

Takumi Ohashi, Iriya Muneta, Kentaro Matsuura, Seiya Ishihara, Yusuke Hibino, Naomi Sawamoto, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Atsushi Ogura, Hitoshi Wakabayashi

Applied Physics Express   10 ( 4 )   2017.4

High-mobility and low-carrier-density sputtered MoS2 film formed by introducing residual sulfur during low-temperature in 3%-H-2 annealing for three-dimensional ICs Reviewed

Jun'ichi Shimizu, Takumi Ohashi, Kentaro Matsuura, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56 ( 4 )   2017.4

High-mobility and low-carrier-density sputtered MoS

Shimizu Jun’ichi, Ohashi Takumi, Matsuura Kentaro, Muneta Iriya, Kakushima Kuniyuki, Tsutsui Kazuo, Wakabayashi Hitoshi

Jpn. J. Appl. Phys.   56 ( 4 )   04CP06   2017.3

Effects of Reaction Conditions on MoS2 Thin Film Formation Synthesized by Chemical Vapor Deposition using Organic Precursor

S. Ishihara, Y. Hibino, N. Sawamoto, T. Ohashi, K. Matsuura, H. Machida, M. Ishikawa, H. Sudo, H. Wakabayashi, A. Ogura

MRS Advances   2 ( 29 )   1533 - 1538   2017

Low-carrier density sputtered-MoS2 film by H2S annealing for normally-off accumulation-mode FET Reviewed

Jun'ichi Shimizu, Takumi Ohashi, Kentaro Matsuura, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Nobuyuki Ikarashi, Hitoshi Wakabayashi

2017 IEEE ELECTRON DEVICES TECHNOLOGY AND MANUFACTURING CONFERENCE (EDTM)   222 - 223   2017

Crystallinity Improvement using Migration-Enhancement Methods for Sputtered-MoS2 Films Reviewed

Shin Hirano, Jun'ichi Shimizu, Kentaro Matsuura, Takumi Ohashi, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

2017 IEEE ELECTRON DEVICES TECHNOLOGY AND MANUFACTURING CONFERENCE (EDTM)   234 - 235   2017

Investigation on MoS2(1-x)Te2x Mixture Alloy Fabricated by Co-sputtering Deposition

Y. Hibino, S. Ishihara, N. Sawamoto, T. Ohashi, K. Matsuura, H. Machida, M. Ishikawa, H. Sudo, H. Wakabayashi, A. Ogura

MRS Advances   2 ( 29 )   1557 - 1562   2017

Poly-Si gate electrodes for AlGaN/GaN HEMT with high reliability and low gate leakage current Reviewed

J. Chen, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, H. Iwai, K. Kakushima

MICROELECTRONICS RELIABILITY   63   52 - 55   2016.8

Resistive switching properties of a thin SiO2 layer with CeOx buffer layer on n(+) and p(+) Si bottom electrodes Reviewed

M. S. Hadi, N. Sugii, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, H. Iwai, K. Kakushima

MICROELECTRONICS RELIABILITY   63   42 - 45   2016.8

Photovoltaic Characteristics of Ultra-Thin Single Crystalline Silicon Solar Cells Reviewed

R. Miyazawa, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, H. Iwai, K. Kakushima

International Journal of High Speed Electronics and Systems   25 ( 1-2 )   2016.6

Properties of single-layer MoS2 film fabricated by combination of sputtering deposition and post deposition sulfurization annealing using (t-C4H9)(2)S-2 Reviewed

Seiya Ishihara, Yusuke Hibino, Naomi Sawamoto, Kohei Suda, Takumi Ohashi, Kentarou Matsuura, Hideaki Machida, Masato Ishikawa, Hiroshi Sudoh, Hitoshi Wakabayashi, Atsushi Ogura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 ( 6 )   2016.6

Laminated Mo/C Electrodes for 4H-SiC Schottky Barrier Diodes With Ideal Interface Characteristics Reviewed

Tomoyuki Suzuki, Hitoshi Wakabayashi, Kazuo Tsutsui, Hiroshi Iwai, Kuniyuki Kakushima

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS   37 ( 5 )   618 - 620   2016.5

La2O3 gate dielectrics for AlGaN/GaN HEMT Reviewed

J. Chen, T. Kawanago, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, H. Iwai, D. Nohata, H. Nohira, K. Kakushima

MICROELECTRONICS RELIABILITY   60   16 - 19   2016.5

Dependence of ohmic contact properties on AlGaN layer thickness for AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors Reviewed

Yusuke Takei, Kazuo Tsutsui, Wataru Saito, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, Hiroshi Iwai

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 ( 4 )   2016.4

Improving crystalline quality of sputtering-deposited MoS2 thin film by postdeposition sulfurization annealing using (t-C4H9)(2)S-2 Reviewed

Seiya Ishihara, Yusuke Hibino, Naomi Sawamoto, Kohei Suda, Takumi Ohashi, Kentarou Matsuura, Hideaki Machida, Masato Ishikawa, Hiroshi Sudoh, Hitoshi Wakabayashi, Atsushi Ogura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 ( 4 )   2016.4

Large Scale Uniformity of Sputtering Deposited Single- and Few-Layer MoS2 Investigated by XPS Multipoint Measurements and Histogram Analysis of Optical Contrast Reviewed

Seiya Ishihara, Yusuke Hibino, Naomi Sawamoto, Takumi Ohashi, Kentarou Matsuura, Hideaki Machida, Masato Ishikawa, Hitoshi Wakabayashi, Atsushi Ogura

ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY   5 ( 11 )   Q3012 - Q3015   2016

Reduction of contact resistance on AlGaN/GaN HEMT structures introducing uneven AlGaN layers Reviewed

Yusuke Takei, Masayuki Kamiya, Kazuo Tsutsui, Wataru Saito, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, Yoshinori Kataoka, Hiroshi Iwai

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   212 ( 5 )   1104 - 1109   2015.5

Multi-layered MoS2 film formed by high-temperature sputtering for enhancement-mode nMOSFETs Reviewed

Takumi Ohashi, Kohei Suda, Seiya Ishihara, Naomi Sawamoto, Shimpei Yamaguchi, Kentaro Matsuura, Kuniyuki Kakushima, Nobuyuki Sugii, Akira Nishiyama, Yoshinori Kataoka, Kenji Natori, Kazuo Tsutsui, Hiroshi Iwai, Atsushi Ogura, Hitoshi Wakabayashi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   54 ( 4 )   2015.4

Electron transport mechanism of tungsten trioxide powder thin film studied by investigating effect of annealing on resistivity Reviewed

Wei Li, Akito Sasaki, Hideyuki Oozu, Katsuaki Aoki, Kuniyuki Kakushima, Yoshinori Kataoka, Akira Nishiyama, Nobuyuki Sugii, Hitoshi Wakabayashi, Kazuo Tsutsui, Kenji Natori, Hiroshi Iwai

MICROELECTRONICS RELIABILITY   55 ( 2 )   407 - 410   2015.2

Improvement of charge/discharge performance for lithium ion batteries with tungsten trioxide electrodes Reviewed

Wei Li, Akito Sasaki, Hideyuki Oozu, Katsuaki Aoki, Kuniyuki Kakushima, Yoshinori Kataoka, Akira Nishiyama, Nobuyuki Sugii, Hitoshi Wakabayashi, Kazuo Tsutsui, Kenji Natori, Hiroshi Iwai

MICROELECTRONICS RELIABILITY   55 ( 2 )   402 - 406   2015.2

GaN-Based Monolithic Power Integrated Circuit Technology with Wide Operating Temperature on Polarization-Junction Platform Reviewed

Akira Nakajima, Shin-ichi Nishizawa, Hiromichi Ohashi, Rei Kayanuma, Kazuo Tsutsui, Shunsuke Kubota, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, Hiroshi Iwai

2015 IEEE 27TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES & IC'S (ISPSD)   357 - 360   2015

Evaluation of sputtering deposited 2-diniensional M0S2 film by Raman spectroscopy

S. Ishihara, K. Suda, Y. Hibino, N. Sawamoto, T. Ohashi, S. Yamaguchi, K. Matsuura, H. Machida, M. Ishikawa, H. Sudoh, H. Wakabayashi, A. Ogura

Materials Research Society Symposium Proceedings   1781   11 - 16   2015

An Oerview of GaN-Based Monolithic Power Integrated Circuit Technology on Polarization-Junction Platform Reviewed

Akira Nakajima, Sin-ichi Nishizawa, Hiromichi Ohashi, Shunsuke Kubota, Rei Kayanuma, Kazuo Tsutsui, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, Hiroshi Iwai

2015 IEEE COMPOUND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT SYMPOSIUM (CSICS)   2015

INFLUENCE OF SPUTTERING GAS ON RESISTIVITY OF THIN NI SILICIDE FILMS Reviewed

H. Imamura, K. Kakushima, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, K. Natori, H. Iwai

2015 China Semiconductor Technology International Conference   2015

An Extraction Method of Charge Trapping Site Distribution in AlGaN Layer in GaN HEMT Reviewed

T. Baba, K. Kakushima, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, H. Iwai

WIPDA 2015 3RD IEEE WORKSHOP ON WIDE BANDGAP POWER DEVICES AND APPLICATIONS   125 - 128   2015

AN INVESTIGATION OF CeO2 BASED ReRAM WITH p(+) AND n(+)-Si BOTTOM ELECTRODES Reviewed

J. Jin, K. Kakushima, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, K. Natori, H. Iwai

2015 China Semiconductor Technology International Conference   2015

Enhanced oxidation of sic substrates using La2O3 capped annealing and a proposal for uniform LaSiON gate dielectric formation Reviewed

Y. M. Lei, S. Munekiyo, T. Kawanago, K. Kakushima, K. Kataoka, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, K. Natori, H. Iwai, M. Furuhashi, N. Miura

2nd IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications, WiPDA 2014   110 - 113   2014.11

Passivation of SiO2/SiC interface with La2O3 capped oxidation Reviewed

S. Munekiyo, Y. M. Lei, K. Natori, H. Iwai, T. Kawanago, K. Kakushima, K. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, M. Furuhashi, N. Miura, S. Yamakawa

2nd IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications, WiPDA 2014   114 - 116   2014.11

Dependence of Ti/C ratio on Ohmic contact with tic electrode for AlGaN/GaN structure Reviewed

M. Okamoto, K. Kakushima, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, H. Iwai, W. Saito

2nd IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications, WiPDA 2014   94 - 97   2014.11

A resistive switching device based on breakdown and anodic reoxidization of thin SiO2 on Si-based electrodes using CeOx buffer layer Reviewed

M. S. Hadi, S. Kano, K. Kakushima, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, K. Natori, H. Iwai

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY   29 ( 11 )   2014.11

A novel hetero-junction Tunnel-FET using Semiconducting silicide-Silicon contact and its scalability Reviewed

Yan Wu, Hiroyuki Hasegawa, Kuniyuki Kakushima, Kenji Ohmori, Takanobu Watanabe, Akira Nishiyama, Nobuyuki Sugii, Hitoshi Wakabayashi, Kazuo Tsutsui, Yoshinori Kataoka, Kenji Natori, Keisaku Yamada, Hiroshi Iwai

MICROELECTRONICS RELIABILITY   54 ( 5 )   899 - 904   2014.5

Characterization of interface state density of three-dimensional Si nanostructure by charge pumping measurement Reviewed

Chunmeng Dou, Tomoya Shoji, Kazuhiro Nakajima, Kuniyuki Kakushima, Parhat Ahmet, Yoshinori Kataoka, Akira Nishiyama, Nobuyuki Sugii, Hitoshi Wakabayashi, Kazuo Tsutsui, Kenji Natori, Hiroshi Iwai

MICROELECTRONICS RELIABILITY   54 ( 4 )   725 - 729   2014.4

Gate Technology Contributions to Collapse of Drain Current in AlGaN/GaN Schottky HEMT Reviewed

Takamasa Kawanago, Kuniyuki Kakushima, Yoshinori Kataoka, Akira Nishiyama, Nobuyuki Sugii, Hitoshi Wakabayashi, Kazuo Tsutsui, Kenji Natori, Hiroshi Iwai

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES   61 ( 3 )   785 - 792   2014.3

Atomically flat La-silicate/Si interface using tungsten carbide gate electrode with nano-sized grain Reviewed

K. Tuokedaerhan, K. Kakushima, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, K. Natori, H. Iwai

APPLIED PHYSICS LETTERS   104 ( 2 )   2014.1

Ohmic Contact Properties Depending on AlGaN Layer Thickness for AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor Structures Reviewed

Yusuke Takei, Mari Okamoto, Wataru Saito, Kazuo Tsutsui, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, Yoshinori Kataoka, Hiroshi Iwai

WIDE BANDGAP SEMICONDUCTOR MATERIALS AND DEVICES 15   61 ( 4 )   265 - 270   2014

Progress and Benchmarking of CMOS-Device Technologies Reviewed

Hitoshi Wakabayashi

2014 INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRONICS PACKAGING (ICEP)   434 - 437   2014

One-chip operation of GaN-based P-channel and N-channel Heterojunction Field Effect Transistors Reviewed

Akira Nakajima, Sin-ichi Nishizawa, Hiromichi Ohashi, Hiroaki Yonezawa, Kazuo Tsutsui, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, Hiroshi Iwai

2014 IEEE 26TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES & IC'S (ISPSD)   241 - 244   2014

Advantage of TiN Schottky Gate over Conventional Ni for Improved Electrical Characteristics in AlGaN/GaN HEMT Reviewed

T. Kawanago, K. Kakushima, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, K. Natori, H. Iwai

2013 PROCEEDINGS OF THE EUROPEAN SOLID-STATE DEVICE RESEARCH CONFERENCE (ESSDERC)   107 - 110   2013

Dual Metal/High-k Gate-Last Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor with SiBN Film and Characteristic Behavior In Sub-1-nm Equivalent Oxide Thickness Reviewed

Yoshiaki Kikuchi, Hitoshi Wakabayashi, Masanori Tsukamoto, Naoki Nagashima

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   50 ( 8 )   2011.8

Channel strain analysis in high-performance damascene-gate p-metal-oxide-semiconductor field effect transistors using high-spatial resolution Raman spectroscopy

Munehisa Takei, Daisuke Kosemura, Kohki Nagata, Hiroaki Akamatsu, Satoru Mayuzumi, Shinya Yamakawa, Hitoshi Wakabayashi, Atsushi Ogura

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   107 ( 12 )   124507(1-6)   2010.6

Mobility and Velocity Enhancement Effects of High Uniaxial Stress on Si (100) and (110) Substrates for Short-Channel pFETs Reviewed

Satoru Mayuzumi, Shinya Yamakawa, Daisuke Kosemura, Munehisa Takei, Kohki Nagata, Hiroaki Akamatsu, Hitoshi Wakabayashi, Koichi Amari, Yasushi Tateshita, Masanori Tsukamoto, Terukazu Ohno, Atsushi Ogura, Naoki Nagashima

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES   57 ( 6 )   1295 - 1300   2010.6

Channel strain analysis in high-performance damascene-gate p-metal-oxide-semiconductor field effect transistors using high-spatial resolution Raman spectroscopy Reviewed

Munehisa Takei, Daisuke Kosemura, Kohki Nagata, Hiroaki Akamatsu, Satoru Mayuzumi, Shinya Yamakawa, Hitoshi Wakabayashi, Atsushi Ogura

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   107 ( 12 )   2010.6

Effects of Channel Width on Stress Enhancement for Damascene-Gate nFETs With Top-Cut Tensile-Stress Liner Reviewed

Satoru Mayuzumi, Shinya Yamakawa, Hitoshi Wakabayashi, Yasushi Tateshita, Masanori Tsukamoto, Terukazu Ohno, Naoki Nagashima

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS   31 ( 1 )   65 - 67   2010.1

Planar Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors with Raised Source and Drain Extensions Fabricated by In situ Boron-Doped Selective Silicon Epitaxy Reviewed

Yoshiaki Kikuchi, Yasushi Tateshita, Yuki Miyanami, Hitoshi Wakabayashi, Yukio Tagawa, Naoki Nagashima

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   49 ( 3 )   2010

Novel Damascene Gate Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors Fabricated by In situ Arsenic- and Boron-Doped Epitaxy Reviewed

Yoshiaki Kikuchi, Yasushi Tateshita, Yuki Miyanami, Hitoshi Wakabayashi, Yukio Tagawa, Naoki Nagashima

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   49 ( 7 )   2010

Channel-Stress Enhancement Characteristics for Scaled pMOSFETs by Using Damascene Gate With Top-Cut Compressive Stress Liner and eSiGe Reviewed

Satoru Mayuzumi, Shinya Yamakawa, Daisuke Kosemura, Munehisa Takei, Yasushi Tateshita, Hitoshi Wakabayashi, Masanori Tsukamoto, Terukazu Ohno, Atsushi Ogura, Naoki Nagashima

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES   56 ( 11 )   2778 - 2784   2009.11

Impact of metal silicide layout covering source/drain diffusion region on minimization of parasitic resistance of triple-gate SOI MOSFET and proposal of practical design guideline Reviewed

Yasuhisa Omura, Kazuhisa Yoshimoto, Osanori Hayashi, Hitoshi Wakabayashi, Shinya Yamakawa

SOLID-STATE ELECTRONICS   53 ( 9 )   959 - 971   2009.9

High-Performance Metal/High-k n- and p-MOSFETs With Top-Cut Dual Stress Liners Using Gate-Last Damascene Process on (100) Substrates Reviewed

Satoru Mayuzumi, Shinya Yamakawa, Yasushi Tateshita, Tomoyuki Hirano, Masashi Nakata, Shinpei Yamaguchi, Kaori Tai, Hitoshi Wakabayashi, Masanori Tsukamo, Naoki Nagashima

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES   56 ( 4 )   620 - 626   2009.4

Evaluation of local strain in Si using UV-Raman spectroscopy Reviewed

Atsushi Ogura, Daisuke Kosemura, Munehisa Takei, Hidetsugu Uchida, Nobuyoshi Hattori, Masaki Yoshimaru, Satoru Mayuzumi, Hitoshi Wakabayashi

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS   159-60   206 - 211   2009.3

Threshold voltage modulation technique using fluorine treatment through atomic layer deposition TiN suitable for complementary metal-oxide-semiconductor devices Reviewed

Kaori Tai, Shinpei Yamaguchi, Kazuki Tanaka, Tomoyuki Hirano, Itaru Oshiyama, Salam Kazi, Takashi Ando, Masashi Nakata, Mayumi Yamanaka, Ryo Yamamoto, Sayuri Kanda, Yasushi Tateshita, Hitoshi Wakabayashi, Yukio Tagawa, Masanori Tukamoto, Hayato Iwamoto, Masaki Saito, Naoki Nagashima, Shingo Kadomura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   47 ( 4 )   2345 - 2348   2008.4

Tinv scaling and gate leakage reduction for n-type metal oxide semiconductor field effect transistor with HfSix/HfO2 gate stack by interfacial layer formation using ozone-water-last treatment Reviewed

Itaru Oshiyama, Kaori Tai, Tomoyuki Hirano, Shinpei Yamaguchi, Kazuaki Tanaka, Yoshiya Hagimoto, Takayuki Uemura, Takashi Ando, Koji Watanabe, Ryo Yamamoto, Saori Kanda, Junli Wang, Yasushi Tateshita, Hitoshi Wakabayashi, Yukio Tagawa, Masanori Tsukamoto, Hayato Iwamoto, Masaki Saito, Masaharu Oshima, Satoshi Toyoda, Naoki Nagashima, Shingo Kadomura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   47 ( 4 )   2379 - 2382   2008.4

Strain Technology under Metal/High-k Damascene-Gate Stacks Reviewed

Hitoshi Wakabayashi

SIGE, GE, AND RELATED COMPOUNDS 3: MATERIALS, PROCESSING, AND DEVICES   16 ( 10 )   101 - 115   2008

Characteristics and modeling of sub-10-nm planar bulk CMOS devices fabricated by lateral source/drain junction control Reviewed

Hitoshi Wakabayashi, Tatsuya Ezaki, Toshitsugu Sakamoto, Hisao Kawaura, Nobuyuki Karashi, Nobuyuki Ikezawa, Mitsuru Narihiro, Yukinori Ochiai, Takeo Ikezawa, Kiyoshi Takeuchi, Toyoji Yamamoto, Masami Hane, Tohru Mogami

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES   53 ( 9 )   1961 - 1970   2006.9

Challenges for sub-10 nm CMOS devices Reviewed

Tohru Mogami, Hitoshi Wakabayashi

2006 INTERNATIONAL WORKSHOP ON NANO CMOS, PROCEEDINGS   125 - 127   2006

Si-surface amorphization effects for C49-to-C54 phase transformation in TiSi2 film Reviewed

H Wakabayashi, Y Saito, T Mogami, T Kunio

STRESS INDUCED PHENOMENA IN METALLIZATION - FOURTH INTERNATIONAL WORKSHOP   ( 418 )   463 - 468   1998

TEGを用いたAlGaN/GaNヘテロ成長の2DEG側界面電荷への影響

沖田寛昌, 星井拓也, 松橋泰平, SANYAL Indraneel, CHEN Yu-Chih, JU Ying-Hao, 中島昭, 西澤伸一, 大橋弘通, 角嶋邦之, 若林整, CHYI Jen-Inn, 筒井一生

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   80th   2019

Impact of three-dimensional current flow on accurate TCAD simulation for trench-gate IGBTs

Watanabe, Masahiro, Shigyo, Naoyuki, Hoshii, Takuya, Furukawa, Kazuyoshi, Kakushima, Kuniyuki, Satoh, Katsumi, Matsudai, Tomoko, Saraya, Takuya, Takakura, Toshihiro, Itou, Kazuo, Fukui, Munetoshi, Suzuki, Shinichi, Takeuchi, Kiyoshi, Muneta, Iriya, Wakabayashi, Hitoshi, Nakajima, Akira, Nishizawa, Shin-ichi, Tsutsui, Kazuo, Hiramoto, Toshiro, Ohashi, Hiromichi, Iwai, Hiroshi

2019 31ST INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES AND ICS (ISPSD)   311 - 314   2019

光電子ホログラフィーによる半導体中の不純物の3D原子イメージング

筒井一生, 松下智裕, 名取鼓太郎, 小川達博, 室隆桂之, 森川良忠, 星井拓也, 角嶋邦之, 若林整, 林好一, 松井文彦, 木下豊彦

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   66th   2019

Observation of three dimensional atomic arrangements of active and inactive impurities heavy doped in silicon by using photoelectron holography method

筒井一生, 松下智裕, 名取鼓太郎, 小川達博, 室隆桂之, 森川良忠, 星井拓也, 角嶋邦之, 若林整, 林好一, 松井文彦, 木下豊彦

電子情報通信学会技術研究報告   119 ( 96(SDM2019 25-35) )   2019

TEGを用いたGaN/AlGaNヘテロ成長の2DHG側界面電荷への影響

松橋泰平, 星井拓也, 沖田寛昌, SANYAL Indraneel, CHEN Yu-Chih, JU Ying-Hao, 中島昭, 角嶋邦之, 若林整, CHYI Jen-Inn, 筒井一生

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   80th   2019

Three-dimensional accurate TCAD simulation of trench-gate Si-IGBTs

渡辺正裕, 執行直之, 星井拓也, 古川和由, 角嶋邦之, 佐藤克己, 末代知子, 更屋拓哉, 高倉俊彦, 伊藤一夫, 福井宗利, 鈴木慎一, 竹内潔, 宗田伊里也, 若林整, 中島昭, 西澤伸一, 筒井一生, 平本俊郎, 大橋弘通, 岩井洋

電子情報通信学会技術研究報告   119 ( 273(SDM2019 68-79) )   2019

光電子分光ホログラフィーによるAsドープSi中のドーパント複数サイトの原子配列イメージング

筒井一生, 松下智裕, 名取鼓太郎, 室隆桂之, 森川良忠, 星井拓也, 角嶋邦之, 若林整, 林好一, 松井文彦, 木下豊彦

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   66th   2019

スパッタ法による2次元層状物質成長

日比野祐介, 日比野祐介, 石原聖也, 石原聖也, 小柳有矢, 澤本直美, 松浦賢太郎, 坂本拓朗, 濱田昌也, 若林整, 小椋厚志

日本表面真空学会学術講演会講演要旨集   2018   13   2018.11

DCバイアススパッタ法を用いて作製したMoS₂膜のラマン分光評価

小柳有矢, 石原聖也, 石原聖也, 日比野祐介, 日比野祐介, 澤本直美, 大橋匠, 松浦賢太朗, 若林整, 小椋厚志

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   79th   ROMBUNNO.18a‐224B‐9   2018.9

共スパッタ法と硫化によって作製したMoS_2(1-x)Te_2x膜の構造評価

日比野祐介, 日比野祐介, 石原聖也, 石原聖也, 小柳有矢, 澤本直美, 松浦賢太郎, 町田英明, 石川真人, 須藤弘, 若林整, 小椋厚志

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   79th   ROMBUNNO.18a‐224B‐8   2018.9

大面積集積化に向けたスパッタMoS₂薄膜を用いたTop‐Gate nMISFETs

松浦賢太朗, 清水淳一, 外山真矢人, 大橋匠, 宗田伊理也, 石原聖也, 角嶋邦之, 筒井一生, 小椋厚志, 若林整

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   79th   ROMBUNNO.19p‐233‐6   2018.9

Investigation on Mo1-xWxS2 fabricated by co-sputtering and post-deposition sulfurization with (t-C4H9)2S2

Yusuke Hibino, Seiya Ishihara, Naomi Sawamoto, Takumi Ohashi, Kentarou Matsuura, Hideaki Machida, Masato Ishikawa, Hiroshi Sudoh, Hitoshi Wakabayashi, Atsushi Ogura

Japanese Journal of Applied Physics   57 ( 6 )   2018.6

Analyses of 3D atomic arrangements of impurity atoms doped in silicon by spectro-photoelectron holography technique

Kazuo Tsutsui, Tomohiro Matsushita, Takayuki Muro, Yoshitada Morikawa, Kotaro Natori, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, Kouichi Hayashi, Fumihiko Matsui, Toyohiko Kinoshita

2018 18th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2018   2018-January   1 - 6   2018.4

絶縁膜を通した硫黄粉末アニールによるスパッタMoS₂膜の結晶性改善

濱田昌也, 松浦賢太朗, 谷川晴紀, 大橋匠, 角嶋邦之, 筒井一生, 若林整

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   65th   ROMBUNNO.20a‐C202‐7   2018.3

MoS₂膜のスパッタ合成とトランジスタ応用

若林整

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   65th   ROMBUNNO.18p‐C204‐5   2018.3

Migration制御したスパッタリング法による2次元層状MoS₂成膜

大橋匠, 坂本拓朗, 松浦賢太朗, 清水淳一, 外山真矢人, 石原聖也, 石原聖也, 日比野祐介, 宗田伊理也, 角嶋邦之, 筒井一生, 小椋厚志, 若林整

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   65th   ROMBUNNO.20a‐C202‐5   2018.3

スパッタ成膜MoS2の酸化により形成される酸化Moの評価

小林進大, 武田さくら, 米田允俊, 大門寛, 若林整

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   65th   ROMBUNNO.20a‐C103‐8   2018.3

スパッタの低パワー化によるMoS₂薄膜のキャリヤ濃度低減

坂本拓朗, 大橋匠, 松浦賢太朗, 宗田伊理也, 角嶋邦之, 筒井一生, 若林整

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   65th   ROMBUNNO.20a‐C202‐6   2018.3

分極接合基板のAlGaN/GaN界面における界面準位

星井拓也, 高山留美, 鶴田脩真, 中島昭, 西澤伸一, 大橋弘通, 角嶋邦之, 若林整, 筒井一生

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   65th   ROMBUNNO.19p‐C302‐17   2018.3

共スパッタ法と(t‐C₄H₉)₂S₂を用いた硫化によるMoS_2(1-x)Te_2x混晶の成膜

日比野祐介, 石原聖也, 石原聖也, 小柳有矢, 澤本直美, 大橋匠, 松浦賢太朗, 町田英明, 石川真人, 須藤弘, 若林整, 小椋厚志

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   65th   ROMBUNNO.20a‐C202‐4   2018.3

立体チャネルトランジスタ応用に向けた選択成長GaNの貫通転位の低減

濱田拓也, 黒岩宏紀, 高橋言緒, 井手利英, 清水三聡, 星井拓也, 角嶋邦之, 若林整, 岩井洋, 筒井一生

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   65th   ROMBUNNO.19p‐C302‐18   2018.3

ソース/ドレイン逆凹型コンタクト構造による横型積層シリコンナノワイヤFETにおける自己発熱効果の緩和

安重英祐, 宗田伊理也, 角嶋邦之, 筒井一生, 若林整

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   65th   ROMBUNNO.18p‐A202‐11   2018.3

AlGaN/GaN界面準位が分極接合基板上p-MOSFETの電流特性に与える影響

鶴田脩真, 星井拓也, 中島昭, 西澤伸一, 大橋弘通, 角嶋邦之, 若林整, 筒井一生

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   79th   2018

Experimental Verification of a 3D Scaling Principle for Low VCEsat IGBTs

筒井一生, 角嶋邦之, 星井拓也, 中島昭, 西澤伸一, 若林整, 宗田伊理也, 佐藤克己, 末代知子, 齋藤渉, 更屋拓哉, 伊藤一夫, 福井宗利, 鈴木慎一, 小林正治, 高倉俊彦, 平本俊郎, 小椋厚志, 沼沢陽一郎, 大村一郎, 大橋弘通, 岩井洋

電気学会電子デバイス研究会資料   EDD-17 ( 74-86 )   1‐6   2017.11

電極形成後の熱処理によるW/SiO₂/nSiC MOSキャパシタの電気特性

LEI Y.M, 金子喬, 若林整, 筒井一生, 岩井洋, 角嶋邦之, 古橋壮之, 友久伸吾, 山川聡

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   78th   ROMBUNNO.6a‐A201‐3   2017.8

スパッタMoS₂膜上ALD‐Al₂O₃膜の成長過程観察

谷川晴紀, 大橋匠, 松浦賢太朗, 清水淳一, 外山真矢人, 早川直希, 宗田伊理也, 角嶋邦之, 筒井一生, 若林整

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   78th   ROMBUNNO.7p‐C11‐9   2017.8

MoS₂ターゲット高温スパッタ法のロングスロー化によるMoS₂膜結晶性向上

坂本拓朗, 大橋匠, 宗田伊理也, 角嶋邦之, 筒井一生, 若林整

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   78th   ROMBUNNO.7p‐C11‐4   2017.8

GaNエピウエハ内部の欠陥密度抽出法の提案

片岡寛明, 星井拓也, 宗田伊理也, 若林整, 筒井一生, 岩井洋, 角嶋邦之, 山本大貴

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   78th   ROMBUNNO.7a‐S22‐4   2017.8

酸化セリウムを用いたMIMキャパシタの電気特性評価

高久淑考, 宗田伊理也, 星井拓也, 若林整, 筒井一生, 岩井洋, 角嶋邦之

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   78th   ROMBUNNO.8p‐C18‐6   2017.8

La₂O₃を積層したCeO_x/SiO₂の抵抗変化メモリ動作

水谷一翔, 宗田伊理也, 星井拓也, 若林整, 筒井一生, 岩井洋, 角嶋邦之

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   78th   ROMBUNNO.8p‐C18‐5   2017.8

DCバイアス印加による高温スパッタMoS₂膜の硫黄欠損抑制

石原聖也, 石原聖也, 日比野祐介, 澤本直美, 大橋匠, 松浦賢太朗, 若林整, 小椋厚志

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   78th   ROMBUNNO.6a‐C16‐6   2017.8

スパッタ堆積MoS₂膜の下地材料依存性

大橋匠, 宗田伊理也, 石原聖也, 石原聖也, 日比野祐介, 角嶋邦之, 筒井一生, 小椋厚志, 若林整

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   78th   ROMBUNNO.7p‐C11‐5   2017.8

分極接合基板上PチャネルGaN MOS構造の特性評価

高山留美, 星井拓也, 中島昭, 西澤伸一, 大橋弘通, 角嶋邦之, 若林整, 筒井一生

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   78th   ROMBUNNO.6p‐PA8‐19   2017.8

AlGaN/GaN HEMT構造におけるドット形凹凸AlGaN層形成によるコンタクト抵抗低減の検討

渡部拓巳, 久永真之佑, 星井拓也, 角嶋邦之, 若林整, 岩井洋, 筒井一生

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   78th   ROMBUNNO.6p‐PA8‐18   2017.8

p型GaNにおけるSiNキャップアニールのコンタクト特性への影響

清水孝, 星井拓也, 角嶋邦之, 若林整, 岩井洋, 筒井一生

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   78th   ROMBUNNO.7p‐S22‐2   2017.8

MoS₂スパッタ薄膜における巨大電子格子相互作用

武田さくら, 米田允俊, ANG Artoni K. R, 南谷英美, 荒船竜一, 田口宗孝, 木下豊彦, 大門寛, 若林整

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   78th   ROMBUNNO.7p‐C11‐7   2017.8

Si結晶中にドープされたAsの異なる原子配列構造と深さ分布

小川達博, 名取鼓太郎, 星井拓也, 仲武昌史, 渡辺義夫, 角嶋邦之, 若林整, 筒井一生

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   78th   ROMBUNNO.8a‐C21‐1   2017.8

新規Te原料(i‐C₃H₇)₂Teを用いたTe化によるMoTe₂作製

日比野祐介, 石原聖也, 石原聖也, 澤本直美, 大橋匠, 松浦賢太朗, 町田英明, 石川真人, 須藤弘, 若林整, 小椋厚志

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   78th   ROMBUNNO.6a‐C16‐1   2017.8

Mo₂C電極を用いたSiCショットキーバリアダイオードの通電試験

齋藤大樹, 宗田伊理也, 星井拓也, 若林整, 筒井一生, 岩井洋, 角嶋邦之

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   78th   ROMBUNNO.6a‐A201‐7   2017.8

立体チャネルトランジスタ応用に向けた選択成長GaNの形状制御

黒岩宏紀, 濱田拓也, 高橋言緒, 井手利英, 清水三聡, 星井拓也, 角嶋邦之, 若林整, 岩井洋, 筒井一生

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   78th   ROMBUNNO.5p‐A301‐7   2017.8

TiNを用いたGa₂O₃ショットキーバリアダイオードの電気特性

金子喬, 宗田伊理也, 星井拓也, 若林整, 筒井一生, 岩井洋, 角嶋邦之

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   78th   ROMBUNNO.5a‐C17‐2   2017.8

Formation of Mo2C electrodes using stacked sputtering process for thermally stable SiC Schottky barrier diodes

K. Kakushima, T. Suzuki, T. Hoshii, I. Muneta, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, H. Iwai, H. Nohira

17th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2017   81 - 82   2017.6

分極接合基板上pチャネルGaN MOS構造の容量特性についての検討

高山留美, 星井拓也, 中島昭, 西澤伸一, 大橋弘通, 角嶋邦之, 若林整, 筒井一生

電子情報通信学会技術研究報告   117 ( 101(SDM2017 21-30) )   31‐34   2017.6

スパッタ法で作製されたMoS₂薄膜のRHEEDと光電子分光による評価

米田允俊, 武田さくら, 田口宗孝, 松田博之, 大橋匠, 清水淳一, ANG Artoni, Kevin Roquero, 橋本由介, 深見駿, 田中一光, 岡本隆志, 江波戸達哉, 大門寛, 若林整, 木下豊彦

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   64th   ROMBUNNO.14p‐213‐4 - 164   2017.3

nMOSFET応用に向けた窒化ハフニウムの硫化による二硫化ハフニウム膜の作製

篠原健朗, 宗田伊理也, 角嶋邦之, 筒井一生, 若林整

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   64th   ROMBUNNO.16p‐412‐20   2017.3

スパッタリング法で堆積したMoS₂薄膜へのコンタクト抵抗と熱処理依存性

外山真矢人, 大橋匠, 松浦賢太朗, 清水淳一, 宗田伊理也, 星井拓也, 角嶋邦之, 筒井一生, 若林整

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   64th   ROMBUNNO.16p‐412‐19   2017.3

横型Siナノウォール太陽電池の発電特性に関する検討

龍口傑, 星井拓也, 宗田伊理也, 若林整, 筒井一生, 岩井洋, 角嶋邦之

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   64th   ROMBUNNO.16a‐211‐5   2017.3

SiにドープされたAsの光電子ホログラフィー評価と電気的活性化との関係

名取鼓太郎, 筒井一生, 松下智裕, 室隆桂之, 星井拓也, 角嶋邦之, 若林整, 林好一, 松井文彦, 森川良忠, 下村勝, 木下豊彦

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   64th   ROMBUNNO.14p‐P3‐2   2017.3

トンネル電極を形成したスパッタMoS₂膜における電流の障壁膜厚依存性

早川直希, 宗田伊理也, 大橋匠, 松浦賢太朗, 清水淳一, 角嶋邦之, 筒井一生, 若林整

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   64th   ROMBUNNO.16a‐F203‐6   2017.3

積層W/C電極を用いた高耐熱SiCショットキーバリアダイオード

鈴木智之, 若林整, 筒井一生, 岩井洋, 角嶋邦之

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   64th   ROMBUNNO.16p‐502‐5   2017.3

新規モリブデン原料i‐Pr₂DADMo(CO)₃を用いたMoS₂のMOCVD

石原聖也, 石原聖也, 日比野祐介, 澤本直美, 町田英明, 大下祥雄, 若林整, 小椋厚志

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   64th   ROMBUNNO.15a‐F203‐6   2017.3

同時スパッタ法と(t‐C₄H₉)₂S₂による硫化で作製したMo_1-xW_xS₂の評価

日比野祐介, 石原聖也, 石原聖也, 澤本直美, 大橋匠, 松浦賢太朗, 町田英明, 須藤弘, 若林整, 小椋厚志

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   64th   ROMBUNNO.15a‐F203‐7   2017.3

スパッタ堆積MoS₂薄膜の表面粗さスケーリング解析による配向性評価

石原聖也, 石原聖也, 大野文太, 日比野祐介, 澤本直美, 大橋匠, 松浦賢太朗, 若林整, 小椋厚志

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   64th   ROMBUNNO.16p‐F203‐2   2017.3

同時スパッタ法とin‐situ熱処理で作製したMoS_2(1-x)Te_2xの評価

日比野祐介, 石原聖也, 石原聖也, 澤本直美, 大橋匠, 松浦賢太朗, 町田英明, 須藤弘, 若林整, 小椋厚志

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   64th   ROMBUNNO.15a‐F203‐8   2017.3

p型GaNに対するTi系オーミックコンタクトの低温形成

高橋昌靖, 星井拓也, 角嶋邦之, 若林整, 岩井洋, 筒井一生

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   64th   ROMBUNNO.16a‐P4‐7   2017.3

ショットキーバリアダイオードを用いたβ‐Ga₂O₃のドナー濃度の抽出

金子喬, 宗田伊理也, 星井拓也, 若林整, 筒井一生, 岩井洋, 角嶋邦之

半導体・集積回路技術シンポジウム(CD-ROM)   81st   ROMBUNNO.P11   2017

Mo₂C電極を用いたSiCショットキーバリアダイオードのTEM解析

齋藤大樹, 宗田伊理也, 星井拓也, 若林整, 筒井一生, 岩井洋, 角嶋邦之

半導体・集積回路技術シンポジウム(CD-ROM)   81st   ROMBUNNO.P8   2017

立体チャネルトランジスタに向けたGaNの選択成長

黒岩宏紀, 濱田拓也, 高橋言緒, 井手利英, 清水三聡, 中島昭, 星井拓也, 角嶋邦之, 若林整, 岩井洋, 筒井一生

半導体・集積回路技術シンポジウム(CD-ROM)   81st   ROMBUNNO.P10   2017

スパッタ法で作製されたMoS₂薄膜のRHEEDと光電子分光による評価

米田允俊, 武田さくら, 田口宗孝, 松田博之, 大橋匠, 清水淳一, ANG Artoni, Kevin Roquero, 橋本由介, 深見駿, 田中一光, 岡本隆志, 江波戸達哉, 大門寛, 若林整, 木下豊彦

真空に関する連合講演会講演予稿集   57th   82   2016.11

AlGaN/GaN HEMT構造における凹凸AlGaN層形成によるコンタクト抵抗低減効果の解析

渡部拓巳, 星井拓也, 武井優典, 下田智裕, 筒井一生, 齋藤渉, 角嶋邦之, 若林整, 岩井洋

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   77th   ROMBUNNO.16p‐B1‐11   2016.9

TDMASを用いたALD‐SiO₂ゲート絶縁膜のSiC‐MOSキャパシタ特性

金子喬, LEI Y. M, 若林整, 筒井一生, 岩井洋, 角嶋邦之, 古橋壮之, 友久伸吾, 山川聡

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   77th   ROMBUNNO.16p‐C302‐8   2016.9

P/N混載GaNパワー集積回路技術の現状

中島昭, 西澤伸一, 大橋弘通, 筒井一生, 岩井洋, 角嶋邦之, 若林整, UNNI V, NARAYANAN E. M. S

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   77th   ROMBUNNO.14p‐A21‐12   2016.9

Accumulation‐Mode積層型ナノワイヤCMOSデバイスのチャネル不純物濃度およびゲート電極仕事関数の依存性

安重英祐, 大橋匠, 宗田伊理也, 角嶋邦之, 筒井一生, 若林整

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   77th   ROMBUNNO.14p‐B1‐6   2016.9

XPS測定を用いた積層Mo/C電極とSiCショットキー接合界面の特性評価

鈴木智之, 若林整, 筒井一生, 岩井洋, 角嶋邦之, 野平博司

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   77th   ROMBUNNO.14p‐P9‐4   2016.9

分極接合基板上pチャネルGaN MOS構造のインピーダンス解析

高山留美, 星井拓也, 中島昭, 西澤伸一, 大橋弘通, 角嶋邦之, 若林整, 筒井一生

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   77th   ROMBUNNO.14a‐P6‐20   2016.9

SiにドープされたAsの光電子ホログラフィーによる評価

名取鼓太郎, 筒井一生, 松下智裕, 室隆桂之, 木下豊彦, 星井拓也, 角嶋邦之, 若林整, 松井文彦, 下村勝

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   77th   ROMBUNNO.16a‐B10‐3   2016.9

Laシリケート/ALD‐SiO₂積層ゲート絶縁膜を有するSiC‐MOSキャパシタの電気特性評価

LEI Y. M, 若林整, 筒井一生, 岩井洋, 角嶋邦之, 古橋壮之, 友久伸吾, 山川聡

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   77th   ROMBUNNO.16p‐C302‐9   2016.9

P‐GaNへのオーミックコンタクト形成における水素含有雰囲気の影響

高橋昌靖, 筒井一生, 星井拓也, 角嶋邦之, 若林整, 岩井洋

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   77th   ROMBUNNO.14a‐P6‐5   2016.9

大気暴露による横型Siナノウォール太陽電池の発電特性の変化

龍口傑, 若林整, 筒井一生, 岩井洋, 角嶋邦之

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   77th   ROMBUNNO.16a‐A24‐2   2016.9

(t‐C₄H₉)₂S₂を用いたMoS₂薄膜作製およびS/Mo比の硫化条件依存

石原聖也, 石原聖也, 日比野祐介, 澤本直美, 大橋匠, 松浦賢太郎, 町田英明, 石川真人, 須藤弘, 若林整, 小椋厚志

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   77th   ROMBUNNO.14p‐A33‐11   2016.9

スパッタMoS₂膜に対する有機硫黄化合物を用いた硫化アニール効果

石原聖也, 石原聖也, 日比野祐介, 澤本直美, 大橋匠, 松浦賢太郎, 町田英明, 石川真人, 須藤弘, 若林整, 小椋厚志

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   77th   ROMBUNNO.14p‐A33‐10   2016.9

A Resistive Switching Memory Device based on Breakdown and Local Anodic Oxidation

角嶋邦之, 若林整, 筒井一生, 岩井洋

電子情報通信学会技術研究報告   116 ( 118(SDM2016 32-47) )   33‐36   2016.6

MoS2 Film Formation by RF Magnetron Sputtering for Thin Film Transistors

大橋匠, 松浦賢太朗, 石原聖也, 石原聖也, 日比野祐介, 澤本直美, 角嶋邦之, 筒井一生, 小椋厚志, 若林整

電子情報通信学会技術研究報告   116 ( 118(SDM2016 32-47) )   75‐78   2016.6

高性能LSIおよびSoC向けトランジスタ技術動向と将来

若林整

日立国際電気技報   ( 16 )   1‐5   2016.3

La₂O₃薄膜界面層を用いたショットキー太陽電池の作製

和泉慶彦, 若林整, 筒井一生, 岩井洋, 角嶋邦之

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   63rd   ROMBUNNO.21A-P8-16   2016.3

WC電極とW₂C電極によるSiCショットキーダイオードの電気特性評価

鈴木智之, 若林整, 筒井一生, 岩井洋, 角嶋邦之

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   63rd   ROMBUNNO.21A-H101-10   2016.3

スパッタMoS₂膜のフォーミングガス中アニーリングによる電気特性向上

清水淳一, 大橋匠, 松浦賢太朗, 角嶋邦之, 筒井一生, 若林整

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   63rd   ROMBUNNO.20P-S422-1   2016.3

AlGaN/GaN HEMTへの凹凸AlGaN層導入によるコンタクト抵抗低減効果のメカニズム解明

武井優典, 下田智裕, 高橋昌靖, 筒井一生, 齋藤渉, 角嶋邦之, 若林整, 岩井洋

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   63rd   ROMBUNNO.22A-W541-2   2016.3

Fe層を挿入したTiN電極とpGaNの電流電圧特性

池内勇太, 若林整, 筒井一生, 岩井洋, 角嶋邦之

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   63rd   ROMBUNNO.22A-W541-3   2016.3

立体チャネルトランジスタ応用に向けたGaN選択成長の検討

黒岩宏紀, 武井優典, 高橋言緒, 井手利英, 清水三聡, 筒井一生, 角嶋邦之, 若林整, 岩井洋

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   63rd   ROMBUNNO.22A-P6-8   2016.3

AlGaN/GaN系ノーマリーオフPチャネルMOS‐HFETにおける基板バイアス効果

久保田俊介, 中島昭, 西澤伸一, 大橋弘通, 角嶋邦之, 若林整, 筒井一生

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   63rd   ROMBUNNO.21P-W541-4   2016.3

スパッタ堆積MoS₂薄膜のXPSと光学コントラスト法による層数識別

石原聖也, 日比野祐介, 澤本直美, 須田耕平, 大橋匠, 松浦賢太郎, 町田英明, 石川真人, 須藤弘, 若林整, 小椋厚志

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   63rd   ROMBUNNO.22A-S421-10   2016.3

S/Mo比増加によるMoS₂膜の低キャリア濃度化

大橋匠, 松浦賢太朗, 石原聖也, 日比野祐介, 澤本直美, 角嶋邦之, 筒井一生, 小椋厚志, 若林整

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   63rd   ROMBUNNO.20P-S422-2   2016.3

GaN-based Monolithic Power Integrated Circuit Technology with Wide Operating Temperature

中島昭, 西澤伸一, 大橋弘通, 萱沼怜, 筒井一生, 久保田俊介, 角嶋邦之, 若林整, 岩井洋

電気学会電子デバイス研究会資料   EDD-15 ( 87-105 )   103 - 107   2015.10

表面ポテンシャルによるSiナノワイヤー太陽電池の発電特性への影響

西川進, 宮澤遼太, 若林整, 筒井一生, 岩井洋, 角嶋邦之

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   76th   ROMBUNNO.14P-2S-10   2015.8

スパッタリング法と有機原料を用いた硫化アニールによる単層MoS₂薄膜の作製

石原聖也, 日比野祐介, 澤本直美, 須田耕平, 大橋匠, 松浦賢太郎, 町田英明, 石川真人, 須藤弘, 若林整, 小椋厚志

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   76th   ROMBUNNO.15P-2U-7   2015.8

酸素プラズマを用いたALDアルミナ膜の基板温度依存性

和泉慶彦, 福井僚, 中村嘉基, 若林整, 筒井一生, 岩井洋, 角嶋邦之

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   76th   ROMBUNNO.13A-4C-5   2015.8

Mg₃N₂を挿入したTiNゲートGaNショットキーダイオード特性評価

池内勇太, 若林整, 筒井一生, 岩井洋, 角嶋邦之

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   76th   ROMBUNNO.15A-4C-3   2015.8

電子ビーム蒸着Mo薄膜の(t‐C₄H₉)₂S₂を用いた硫化による層状MoS₂の形成

日比野祐介, 石原聖也, 澤本直美, 大橋匠, 松浦賢太郎, 町田英明, 石川真人, 須藤弘, 若林整, 小椋厚志

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   76th   ROMBUNNO.15P-2U-6   2015.8

硫黄粉末アニールの減圧化によるスパッタMoS₂薄膜の結晶性向上

松浦賢太朗, 大橋匠, 石原聖也, 澤本直美, 日比野祐介, 須田耕平, 角嶋邦之, 筒井一生, 小椋厚志, 若林整

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   76th   ROMBUNNO.15P-1C-14   2015.8

積層Mo/C電極によるSiCショットキーダイオードの電気特性評価

鈴木智之, 若林整, 筒井一生, 岩井洋, 角嶋邦之

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   76th   ROMBUNNO.15P-1A-4   2015.8

AlGaN/GaN HEMTへの凹凸AlGaN層導入によるコンタクト抵抗低減効果の凹凸構造サイズ依存性

下田智裕, 武井優典, 筒井一生, 齋藤渉, 角嶋邦之, 若林整, 岩井洋

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   76th   ROMBUNNO.15A-4C-2   2015.8

TDMASを用いたプラズマALD‐SiO₂への窒素添加による電気特性への効果

遠藤広大, LEI Y. M, 若林整, 筒井一生, 岩井洋, 角嶋邦之

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   76th   ROMBUNNO.13A-4C-2   2015.8

酸化剤を変えたALD‐Al₂O₃膜のMOSキャパシタ特性評価

福井僚, 中村嘉基, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 若林整, 杉井信之, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   62nd   ROMBUNNO.12A-P12-4   2015.2

大面積MoS₂膜形成に向けたMoの硫化プロセスの検討

松浦賢太朗, 大橋匠, 山口晋平, 須田耕平, 石原聖也, 澤本直美, 角嶋邦之, 杉井信之, 西山彰, 片岡好則, 名取研二, 筒井一生, 岩井洋, 小椋厚志, 若林整

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   62nd   ROMBUNNO.13P-A23-1   2015.2

スパッタ堆積MoS₂膜の下地平坦化による電気特性向上

大橋匠, 山口晋平, 松浦賢太朗, 須田耕平, 石原聖也, 澤本直美, 角嶋邦之, 杉井信之, 西山彰, 片岡好則, 名取研二, 筒井一生, 岩井洋, 小椋厚志, 若林整

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   62nd   ROMBUNNO.12P-A29-10   2015.2

エネルギー障壁を制御したショットキー型Siナノワイヤ太陽電池の発電特性

伊藤勇磨, 角嶋邦之, 筒井一生, 若林整, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 名取研二, 岩井洋

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   62nd   ROMBUNNO.12P-C2-19   2015.2

Ti電極とTiC電極のSiCショットキーダイオードの電気特性評価

鈴木智之, 岡本真里, 宗清修, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   62nd   ROMBUNNO.14A-B4-7   2015.2

分極接合GaNウエハを用いたパワー集積回路

萱沼怜, 久保田俊介, 中島昭, 西澤伸一, 大橋弘通, 筒井一生, 角嶋邦之, 若林整, 岩井洋

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   62nd   ROMBUNNO.13P-P17-12   2015.2

AlGaN/GaN HEMTへの凹凸AlGaN層導入によるコンタクト抵抗低減効果の凹凸構造パターン依存性

下田智裕, 武井優典, 筒井一生, 齋藤渉, 角嶋邦之, 若林整, 片岡好則, 岩井洋

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   62nd   ROMBUNNO.13P-P17-24   2015.2

金属ゲート電極材料のAlGaN/GaN HEMTのリーク電流への影響

大賀一樹, 川那子高暢, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   62nd   ROMBUNNO.12A-A21-2   2015.2

AlGaN/GaN系PチャネルHFETのMOS構造によるノーマリーオフ化

久保田俊介, 萱沼怜, 中島昭, 西澤伸一, 大橋弘通, 筒井一生, 角嶋邦之, 若林整, 岩井洋

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   62nd   ROMBUNNO.12P-A21-5   2015.2

AlGaN/GaN HEMT構造への凹凸AlGaN層導入によるコンタクト抵抗の低減

武井優典, 下田智裕, 筒井一生, 齋藤渉, 角嶋邦之, 若林整, 片岡好則, 岩井洋

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   62nd   ROMBUNNO.12A-A21-12   2015.2

Mg/Si薄膜積層構造により作製したMg₂Si層の物性評価

長谷川明紀, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   62nd   ROMBUNNO.13A-A25-3   2015.2

AlGaN/GaN HEMT構造のAlGaN層内部の電子トラップ解析

馬場俊之, 永久雄一, 川那子高暢, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   62nd   ROMBUNNO.12P-A21-7   2015.2

Siナノワイヤー太陽電池の光劣化とAl₂O₃によるパッシベーション効果

宮澤遼太, 小路智也, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 大橋弘通, 名取研二, 岩井洋

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   62nd   ROMBUNNO.11P-P6-20   2015.2

Progress and Future Prospects of Transistor Technology for High-Performance LSI and SoC

若林 整

日立国際電気技報   ( 16 )   1 - 5   2015

One-chip integration technology of GaN-based N/P transistors using Polarization-Junction platform

中島昭, 西澤伸一, 大橋弘通, 米澤宏昭, 筒井一生, 角嶋邦之, 若林整, 岩井洋

電気学会電子デバイス研究会資料   EDD-14 ( 66-80 )   35 - 39   2014.10

AlGaN/GaN系Pチャネル型HFETにおけるリーク電流制御

萱沼怜, 久保田俊介, 中島昭, 西澤伸一, 大橋弘通, 筒井一生, 角嶋邦之, 若林整, 岩井洋

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   75th   ROMBUNNO.17P-A27-10   2014.9

n⁺およびp⁺‐Si上に形成したCeO_x/SiO₂膜の抵抗変化特性

杉浦みのり, HADI Mokhammad S, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   75th   ROMBUNNO.20P-A10-3   2014.9

高温スパッタリング法によるMoS₂膜の形成と電気特性

松浦賢太朗, 大橋匠, 山口晋平, 須田耕平, 石原聖也, 澤本直美, 角嶋邦之, 杉井信之, 西山彰, 片岡好則, 名取研二, 筒井一生, 岩井洋, 小椋厚志, 若林整

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   75th   ROMBUNNO.18P-A16-13   2014.9

SiN_xおよびSiO₂保護膜のAlGaN/GaN膜中への影響

宮脇彬, 岡本真里, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 大橋弘通, 岩井洋, 齋藤渉

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   75th   ROMBUNNO.18A-A22-11   2014.9

紫外線照射がSiナノワイヤー太陽電池の発電特性に及ぼす影響

宮澤遼太, 小路智也, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 大橋弘通, 名取研二, 岩井洋

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   75th   ROMBUNNO.18A-A25-6   2014.9

SOI太陽電池のポストアニール温度と発電特性との関係

堀隼人, 小路智也, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 大橋弘通, 名取研二, 岩井洋

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   75th   ROMBUNNO.20A-A25-1   2014.9

SiN膜で保護したβ‐FeSi₂膜の熱処理後の残留酸素の評価

嘉藤貴史, 若林整, 佐々木亮人, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   75th   ROMBUNNO.19P-A27-16   2014.9

デバイスシミュレーションによるGaN系ジャンクションレス・トランジスタにおける閾値電圧特性の検証

YOON Minjae, 中島昭, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 若林整, 名取研二, 筒井一生, 西澤伸一, 大橋弘通, 杉井信之, 岩井洋

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   75th   ROMBUNNO.18P-A22-12   2014.9

高温スパッタリング法におけるMoS₂薄膜化と電気特性

大橋匠, 山口晋平, 松浦賢太朗, 須田耕平, 石原聖也, 澤本直美, 角嶋邦之, 杉井信之, 西山彰, 片岡好則, 名取研二, 筒井一生, 岩井洋, 小椋厚志, 若林整

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   75th   ROMBUNNO.18P-A16-14   2014.9

ATR‐FTIR法を用いたSiC基板上La₂O₃とSiNとの界面反応の解析

LEI Y.M, 宗清修, 角嶋邦之, 川那子高暢, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 山川聡, 岩井洋, 古橋壮之, 三浦成久, 名取研二

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   75th   ROMBUNNO.18P-A17-1   2014.9

2次元正孔ガスへのコンタクト形成におけるSiO₂堆積プロセスの影響

久保田俊介, 萱沼怜, 中島昭, 西澤伸一, 大橋弘通, 筒井一生, 角嶋邦之, 若林整, 岩井洋

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   75th   ROMBUNNO.19P-PB2-13   2014.9

TiC電極,TiSi₂電極とSiC基板のSchottkyダイオード特性評価

鈴木智之, 岡本真里, 宗清修, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   75th   ROMBUNNO.17P-A17-13   2014.9

SiNマスクによるGaN選択成長における成長前プロセスの検討

MAN S, 萱沼怜, 武井優典, 高橋言緒, 井手利英, 清水三聡, 筒井一生, 角嶋邦之, 若林整, 片岡好則, 岩井洋

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   75th   ROMBUNNO.19P-PB6-4   2014.9

エネルギー障壁を制御したショットキー型Si太陽電池の発電特性

伊藤勇磨, 角嶋邦之, 筒井一生, 若林整, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 名取研二, 岩井洋

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   75th   ROMBUNNO.17A-PB4-6   2014.9

La₂O₃/HfO₂/SiO₂積層絶縁膜Si‐MOSキャパシタのフラットバンド電圧の測定

福井僚, 中村嘉基, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 若林整, 杉井信之, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   75th   ROMBUNNO.19A-A17-4   2014.9

ラマン分光法による高温スパッタ堆積MoS₂膜の評価

石原聖也, 須田耕平, 澤本直美, 大橋匠, 山口晋平, 松浦賢太朗, 若林整, 小椋厚志

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   75th   ROMBUNNO.18P-B3-5   2014.9

AlGaN/GaN系2次元電子ガスへのノンアロイコンタクトにおけるコンタクト抵抗のAlGaN層厚依存性による抵抗成分分析

武井優典, 岡本真里, MAN S, 萱沼玲, 下田智裕, 三井陽平, 齋藤渉, 筒井一生, 角嶋邦之, 若林整, 片岡好則, 岩井洋

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   75th   ROMBUNNO.18P-A22-6   2014.9

AlGaN/GaNヘテロ接合界面トラップのコンダクタンス法解析

馬場俊之, 川那子高暢, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   75th   ROMBUNNO.17P-A27-4   2014.9

硬X線光電子分光を用いた金属/AlGaN/GaNのバンド構造の解析

大賀一樹, CHEN J, 川那子高暢, 角嶋邦之, 野平博司, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   75th   ROMBUNNO.17P-A27-5   2014.9

デバイスシミュレーションによるAlGaN/GaN系FinFETsにおけるスケーリング則の検証

YOON Minjae, 寺山一真, 中島昭, 西澤伸一, 大橋弘通, 角嶋邦之, 若林整, 筒井一生, 岩井洋

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   61st   ROMBUNNO.18P-PG3-16   2014.3

デバイスシミュレーションによる横型GaNパワーデバイスの極限オン抵抗の試算

寺山一真, 中島昭, 西澤伸一, 大橋弘通, 角嶋邦之, 若林整, 筒井一生, 岩井洋

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   61st   ROMBUNNO.19A-D8-1   2014.3

La₂O₃/InGaAs界面ラフネスに及ぼすALDプロセスの影響

大嶺洋, ZADEH D.H, 角嶋邦之, 西山彰, 杉井信之, 片岡好則, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   61st   ROMBUNNO.18P-D8-12   2014.3

ATR‐FTIR法を用いた熱処理によるLa₂O₃/SiC界面反応の解析

LEI Y.M, 宗清修, 角嶋邦之, 川那子高暢, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋, 古橋壮之, 三浦成久, 山川聡

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   61st   ROMBUNNO.20A-D8-7   2014.3

Si(110),(111)基盤上で熱処理による界面反応で形成したLa‐silicateゲート絶縁膜の物理的理解に関する研究

関拓也, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   61st   ROMBUNNO.19P-PG2-5   2014.3

Siナノワイヤー曲面における保護膜界面準位密度の研究

小路智也, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   61st   ROMBUNNO.17A-PA4-18   2014.3

β‐FeSi₂の電気特性‐膜厚依存性

嘉藤貴史, 稲村太一, 佐々木亮人, 青木克明, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   61st   ROMBUNNO.19P-D3-11   2014.3

Pを導入したNiSi₂/n‐Geコンタクトの電気特性と不純物拡散の様子

吉原亮, 元木雅章, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   61st   ROMBUNNO.19P-PG3-16   2014.3

高電圧ストレスによるAlGaN/GaNの界面とバルクトラップの測定に関する研究

TAN X.H, 川那子高暢, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   61st   ROMBUNNO.18P-PG3-13   2014.3

Mg/Si極薄膜積層の熱処理を用いて作製したMg₂Siの赤外線吸収特性評価

長谷川明紀, WU Y, SONG J, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   61st   ROMBUNNO.19P-PG3-29   2014.3

コンダクタンス法によるAlGaN/GaNヘテロ接合界面トラップに関する研究

LIU P, DOU C, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   61st   ROMBUNNO.19P-D8-4   2014.3

AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタへの凹凸AlGaN層導入による低抵抗コンタクト形成の可能性

神谷真行, 武井優典, 齋藤渉, 角嶋邦之, 若林整, 片岡好則, 筒井一生, 岩井洋

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   61st   ROMBUNNO.18P-PG3-15   2014.3

β‐FeSi₂の抵抗率熱処理依存性

稲村太一, 嘉藤貴史, 佐々木亮人, 青木克明, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   61st   ROMBUNNO.19A-PG3-3   2014.3

AlGaN/GaN系2次元電子ガスへのコンタクト特性における電極材料およびAlGaN層厚依存性

武井優典, 岡本真里, MAN S, 萱沼玲, 神谷真行, 齋藤渉, 筒井一生, 角嶋邦之, 若林整, 片岡好則, 岩井洋

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   61st   ROMBUNNO.19P-D8-8   2014.3

TiB₂電極の熱処理によるAlGaN/GaNへのコンタクト特性の変化

岡本真里, 松川佳弘, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 大橋弘通, 岩井洋, 齋藤渉

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   61st   ROMBUNNO.18P-PG3-14   2014.3

広い温度範囲で動作するAlGaN/GaN系Pチャネル型HFET

米澤宏昭, 萱沼怜, 中島昭, 西澤伸一, 大橋弘通, 筒井一生, 角嶋邦之, 若林整, 岩井洋

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   61st   ROMBUNNO.19A-D8-10   2014.3

薄膜SOI太陽電池の発電特性への基板バイアス効果

堀隼人, 伊藤勇磨, 筒井一生, 角嶋邦之, 若林整, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 名取研二, 岩井洋

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   61st   ROMBUNNO.19P-PA3-7   2014.3

微細Si構造を利用した太陽電池に適した接合プロセスの提案

伊藤勇磨, 堀隼人, 筒井一生, 角嶋邦之, 若林整, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 名取研二, 岩井洋

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   61st   ROMBUNNO.17A-PA4-17   2014.3

Mg₂Si‐Siヘテロ接合トンネルFET特性の構造依存性

WU Yan, 長谷川明紀, 角嶋邦之, 渡辺孝信, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   61st   ROMBUNNO.20A-D9-2   2014.3

NiとGe積層薄膜によって形成したNiGe膜のシート抵抗と熱処理温度の関係

元木雅章, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   61st   ROMBUNNO.19P-PG3-23   2014.3

La₂O₃ゲート絶縁膜を用いたAlGaN/GaNデバイスのプロセス依存性

CHEN J, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋, 齋藤渉

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   61st   ROMBUNNO.18P-PG3-9   2014.3

積層シリサイド化スパッタプロセスにより作成したNiシリサイドショットキーダイオードの評価

今村浩章, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   61st   ROMBUNNO.19P-PG3-28   2014.3

AlGaN/GaN上のTi/C/TiN電極のコンタクト抵抗:Ti/C膜厚及び比率依存性

松川佳弘, 岡本真里, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋, 齋藤渉

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   61st   ROMBUNNO.19P-D8-5   2014.3

W₂C電極導入によるLa‐silicate/Siにおける平坦な界面の実現

細田修平, TUOKEDAERHAN K, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   61st   ROMBUNNO.19P-PG3-27   2014.3

La‐silicate界面層を用いたSiC‐MOSキャパシタの容量電圧特性の評価

宗清修, LEI Y.M, 角嶋邦之, 川那子高暢, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋, 古橋壮之, 三浦成久, 山川聡

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   61st   ROMBUNNO.20A-D8-8   2014.3

新版 ULSIデバイス・プロセス技術, 菅野卓雄(監修), 伊藤隆司(編著), 電子情報通信学会, 2013-05, A5判, 定価(本体5,600円+税)

若林 整

電子情報通信学会誌   96 ( 11 )   897 - 897   2013.11

Foreword: Welcome to the 2013 symposium on VLSI technology

Hitoshi Wakabayashi, Klaus Schruefer

Digest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology   2013.9

Stacked sputtering process for Ti, Ta, and W carbide formation for gate metal application

K. Tuokedaerhan, R. Tan, K. Kakushima, P. Ahmet, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai

APPLIED PHYSICS LETTERS   103 ( 11 )   2013.9

Fe層とSi層の積層スパッタにより形成されたβ‐FeSi₂のキャリア密度に関する研究

嘉藤貴史, 稲村太一, 佐々木亮人, 青木克明, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   74th   ROMBUNNO.20A-D6-6   2013.8

W₂Cゲート電極とLa‐silicateゲート絶縁膜を用いたMOSキャパシタの信頼性評価

中村嘉基, 細田修平, TUOKEDAERHAN K, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 若林整, 杉井信之, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   74th   ROMBUNNO.17P-B5-5   2013.8

単層MoS₂チャネルを用いたn‐MOSFETの性能見積もり

大橋匠, 若林整, 角嶋邦之, 杉井信之, 西山彰, 片岡好則, 名取研二, 筒井一生, 岩井洋

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   74th   ROMBUNNO.19P-C8-14   2013.8

AlGaN/GaN上のTiC電極の電流電圧特性の熱処理温度依存性

松川佳弘, 岡本真里, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋, 齋藤渉

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   74th   ROMBUNNO.20P-D7-3   2013.8

チャージポンピング法を用いた三次元Si構造の界面準位密度測定

石川昂, 小路智也, 角嶋邦之, 若林整, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   74th   ROMBUNNO.18P-A4-17   2013.8

AlGaN/GaN上のTiSi₂電極によるコンタクトの温度依存性

TAN X. H, 岡本真里, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋, 齋藤渉

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   74th   ROMBUNNO.20P-D7-2   2013.8

AlGaN/GaN HEMTへの凹凸AlGaN層導入による2次元電子ガス濃度分布評価および低抵抗コンタクト形成の可能性

神谷真行, 寺山一真, 武井優典, 齋藤渉, 角嶋邦之, 若林整, 片岡好則, 筒井一生, 岩井洋

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   74th   ROMBUNNO.19A-P7-11   2013.8

チャージポンピング法を用いた立体Si構造の絶縁膜界面準位の位置推定

小路智也, 石川昂, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   74th   ROMBUNNO.18P-A4-18   2013.8

Krガスを用いた積層シリサイド化スパッタプロセスにより形成したNiSi₂の薄膜評価

今村浩章, 稲村太一, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   74th   ROMBUNNO.20P-B4-4   2013.8

TiSi₂電極の熱処理によるAlGaN/GaNへのコンタクト特性の変化

岡本真里, 松川佳弘, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋, 齋藤渉

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   74th   ROMBUNNO.19A-P7-10   2013.8

ALD堆積条件によるLa₂O₃/In_0.53Ga_0.47Asキャパシタの電気特性への影響

LU G, 大嶺洋, ZADEH Darius, 角嶋邦之, 西山彰, 杉井信之, 片岡好則, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   74th   ROMBUNNO.18P-P9-7   2013.8

AlGaNのドライエッチングへのBCl₃の影響に関する研究

LIU P, 米澤宏昭, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   74th   ROMBUNNO.17P-P2-32   2013.8

AlGaN/GaN系HEMTにおけるコンタクト特性のAlGaN層厚依存性

武井優典, 神谷真行, 寺山一真, 米澤宏昭, 齋藤渉, 筒井一生, 角嶋邦之, 若林整, 片岡好則, 岩井洋

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   74th   ROMBUNNO.20P-D7-4   2013.8

ショットキーゲート材料によるAlGaN/GaNの容量電圧特性への影響

宗清修, 川那子高暢, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   74th   ROMBUNNO.20P-D7-5   2013.8

低バンドギャップ,バンドオフセットを持つ半導体シリサイド/Si接合によるトンネルFET特性向上

長谷川明紀, WU Y, SONG J, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   74th   ROMBUNNO.19P-C9-5   2013.8

AlGaN/GaN系pチャネルHFETの製作

米澤宏昭, 中島昭, 西澤伸一, 大橋弘通, 筒井一生, 角嶋邦之, 若林整, 岩井洋

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   74th   ROMBUNNO.19A-P7-12   2013.8

Pを導入したNiSi₂電極を用いたn‐Ge基板の電流電圧特性の熱処理依存性

元木雅章, 吉原亮, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   74th   ROMBUNNO.20P-B4-5   2013.8

Niシリサイドナノワイヤ抵抗率のNi膜厚依存性

SONG J, 松本一輝, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   74th   ROMBUNNO.19A-C10-3   2013.8

Progress and future prospects for silicon transistors

WAKABAYASHI Hitoshi

應用物理   82 ( 4 )   292 - 298   2013.4

Progress and future prospects for silicon transistors.

若林整

応用物理   82 ( 4 )   292 - 298   2013.4

Reliability of La-silicate MOS capacitors with tungsten carbide gate electrode for scaled EOT

S. Hosoda, K. Tuokedaerhan, K. Kakushima, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, K. Natori, H. Iwai

SEMICONDUCTORS, DIELECTRICS, AND METALS FOR NANOELECTRONICS 11   58 ( 7 )   61 - 64   2013

An Ohmic Contact Process for AlGaN/GaN Structures using TiSi2 Electrodes

M. Okamoto, K. Kakushima, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, H. Iwai, W. Saito

2013 1ST IEEE WORKSHOP ON WIDE BANDGAP POWER DEVICES AND APPLICATIONS (WIPDA)   159 - 161   2013

A stacked sputtered process for β-FeSi2 formation

T. Inamura, A. Sasaki, K. Aoki, K. Kakushima, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, K. Natori, H. Iwai

ECS Transactions   58 ( 16 )   17 - 21   2013

Low D-it high-k/In0.53Ga0.47As Gate Stack, with CET Down to 0.73 nm and Thermally Stable Silicide Contact by Suppression of Interfacial Reaction

D. Hassan Zadeh, H. Oomine, K. Kakushima, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, K. Natori, H. Iwai

2013 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM)   2013

Resistivity of Ni silicide nanowires and its dependence on Ni film thickness used for the formation

J. Song, K. Matsumoto, K. Kakushima, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, K. Natori, H. Iwai

SEMICONDUCTORS, DIELECTRICS, AND METALS FOR NANOELECTRONICS 11   58 ( 7 )   87 - 91   2013

Progress and prospects of silicon transistors based on junction technologies

Hitoshi Wakabayashi

Extended Abstracts of the 13th International Workshop on Junction Technology 2013, IWJT 2013   98 - 103   2013

Electrical characterization of atomic layer deposited La2O3 films on In0.53Ga0.47As substrates

H. Oomine, D. H. Zadeh, K. Kakushima, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, K. Natori, H. Iwai

SEMICONDUCTORS, DIELECTRICS, AND METALS FOR NANOELECTRONICS 11   58 ( 7 )   385 - 389   2013

ナノテクノロジー・材料のエレクトロニクスへの貢献「ナノテクノロジー・材料技術を基礎とした3D‐chip‐stack設計・製造技術開発」

若林整

ナノテクノロジー・材料分野俯瞰ワークショップ報告書(研究開発領域別分科会) 平成24年   118 - 120   2012

Digest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology: Foreword

Ming-Ren Lin, Hitoshi Wakabayashi

Digest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology   2012

高速低消費電力シリコン・ロジックLSI向けCMOSデバイスの技術動向

若林整

電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集(CD-ROM)   2011   ROMBUNNO.TC12-1   2011.9

Channel strain analysis in damascene-gate pMOSFETs on Si (100) and (110) substrate by conventional and cross-sectional raman spectroscopy

Munehisa Takei, Daisuke Kosemura, Kohki Nagata, Hiroaki Akamatsu, Satoru Mayuzumi, Satoru Mayuzumi, Shinya Yamakawa, Hitoshi Wakabayashi, Atsushi Ogura

Materials Research Society Symposium Proceedings   1194   80 - 85   2010.10

高い注目を集める設計容易性 今後は3次元集積化にも期待

若林整

Electron J   ( 196 )   60 - 61   2010.7

「High‐K絶縁膜」を改質するマテリアル開発の技術トレンド High‐k絶縁膜の技術トレンド

若林整

月刊Material Stage   10 ( 2 )   49 - 52   2010.5

半導体プロセスを支える製造・試験装置と材料 hp32/22nmノードに向けたFEOLの技術動向

若林整

電子材料   49 ( 5 )   18 - 21   2010.5

Technology trend of high-k dielectric films

若林 整

Material stage   10 ( 2 )   49 - 52   2010.5

hp32/22nmノードに向けたFEOLの技術動向 (特集 半導体プロセスを支える製造・試験装置と材料)

若林 整

電子材料   49 ( 5 )   18 - 21   2010.5

Cross-sectional UV-Raman measurement for obtaining two-dimensional channel-stress profile in extremely high-performance pMOSFETs

H. Akamatsu, M. Takei, D. Kosemura, K. Nagata, S. Mayuzumi, S. Yamakawa, H. Wakabayashi, A. Ogura

ADVANCED GATE STACK, SOURCE/DRAIN, AND CHANNEL ENGINEERING FOR SI-BASED CMOS 6: NEW MATERIALS, PROCESSES, AND EQUIPMENT   28 ( 1 )   27 - 32   2010

断面UV‐ラマン分光測定による高性能pMOSFETのチャネル歪評価

赤松弘彬, 武井宗久, 小瀬村大亮, 永田晃基, 山川真弥, 黛哲, 黛哲, 若林整, 小椋厚志

応用物理学会学術講演会講演予稿集   70th ( 2 )   803   2009.9

先端CMOS高性能化の進展と今後の課題

若林整

応用物理学会学術講演会講演予稿集   70th ( 0 )   98   2009.9

ラマンピーク分離を用いたMOSFETの極微細(30nm‐200nm)チャネル歪測定

武井宗久, 小瀬村大亮, 永田晃基, 赤松弘彬, 黛哲, 黛哲, 山川真弥, 若林整, 小椋厚志

応用物理学会学術講演会講演予稿集   70th ( 2 )   803   2009.9

Si‐MISFET高性能化の動向

若林整

電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集(CD-ROM)   2009   ROMBUNNO.TC1-1   2009.9

GAA SOI MOSFET高性能化手法の検討(1)ソース領域の縦方向電界制御

仲野駿佑, 林修徳, 大村泰久, 大村泰久, 山川真弥, 若林整

応用物理学関係連合講演会講演予稿集   56th ( 2 )   902   2009.3

Comparative Study between Si (110) and (100) Substrates on Mobility and Velocity Enhancements for Short-Channel Highly-Strained PFETs

S. Mayuzumi, S. Yamakawa, D. Kosemura, M. Takei, K. Nagata, H. Akamatsu, K. Aamari, Y. Tateshita, H. Wakabayashi, M. Tsukamoto, T. Ohno, M. Saitoh, A. Ogura, N. Nagashima

2009 SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY, DIGEST OF TECHNICAL PAPERS   14 - +   2009

Advanced design methodology of high-performance sub-100-nm-channel GAA MOSFET

S. Nakano, O. Hayashi, Y. Omura, S. Yamakawa, H. Wakabayashi

ECS Transactions   19 ( 4 )   121 - 126   2009

Stress-Enhancement Technique in Narrowing NMOSFETs with Damascene-Gate Process and Tensile Liner

S. Mayuzumi, S. Yamakawa, Y. Tateshita, M. Tsukamoto, H. Wakabayashi, T. Ohno, N. Nagashima

PROCEEDINGS OF TECHNICAL PROGRAM: 2009 INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY, SYSTEMS AND APPLICATIONS   20 - 21   2009

High-Performance Metal/High-k Gate Stack n- and p-MOSFETs with Top-Cut Dual Stress Liners by Damascene Gate Process on (100) Substrates

MAYUZUMI Satoru, WANG Junli, YAMAKAWA Shinya, TATESHITA Yasushi, HIRANO Tomoyuki, NAKATA Masashi, YAMAGUCHI Shinpei, YAMAMOTO Yuichi, MIYANAMI Yuki, OSHIYAMA Itaru, TANAKA Kazuki, TAI Kaori, OGAWA Koji, KUGIMIYA Katsuhisa, NAGAHAMA Yoshihiko, HAGIMOTO Yoshiya, YAMAMOTO Ryo, KANDA Saori, NAGANO Kaori, WAKABAYASHI Hitoshi, TAGAWA Yukio, TSUKAMOTO Masanori, IWAMOTO Hayato, SAITO Masaki, KADOMURA Shingo, NAGASHIMA Naoki

電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会   2008 ( 36 )   41 - 46   2008.3

Extreme High-Performance n- and p-MOSFETs Boosted by Dual-Metal/High-k Gate Damascene Process using Top-Cut Dual Stress Liners on (100) Substrates

Mayuzumi S, Wang J, Yamakawa S, Tateshita Y, Hirano T, Nakata M, Yamaguchi S, Yamamoto Y, Miyanami Y, Oshiyama I, Tanaka K, Tai K, Ogawa K, Kugimiya K, Nagahama Y, Hagimoto Y, Yamamoto R, Kanda S, Nagano K, Wakabayashi H, Tagawa Y, Tsukamoto M, Iwamoto H, Saito M, Kadomura S, Nagashima N

Technical report of IEICE. SDM   107 ( 455 )   21 - 24   2008.1

Study of Stress Effect on Replacement Gate Technology with Compressive Stress Liner and eSiGe for pFETs

S. Yamakawa, S. Mayuzumi, J. Wang, Y. Tateshita, H. Wakabayashi, T. Ohno, H. Ansai, D. Kosemura, M. Takei, A. Ogura

SISPAD: 2008 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES   109 - +   2008

Channel-stress study on gate-size effects for damascene-gate pMOSFETs with top-cut compressive stress liner and eSiGe

S. Mayuzumi, S. Yamakawa, D. Kosemura, M. Takei, J. Wang, T. Ando, Y. Tateshita, M. Tsukamoto, H. Wakabayashi, T. Ohno, A. Ogura, N. Nagashima

2008 SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY   97 - +   2008

Stress Enhancement Concept on Replacement Gate Technology with Top-Cut Stress Liner for nFETs

S. Yamakawa, S. Mayuzumi, Y. Tateshita, H. Wakabayashi, H. Ansai

ESSDERC 2008: PROCEEDINGS OF THE 38TH EUROPEAN SOLID-STATE DEVICE RESEARCH CONFERENCE   174 - 177   2008