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記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人精密工学会  

Although vacuum arc deposition can deposit amorphous carbon (a-C) film at high growth rates, the problem is that it leads numerous droplets than other PVD. Proposed methods for decreasing droplets, such as shield plate and magnetic filter, can actually decrease droplets, however they reduce growth rate. This study focuses on deposition of a-C films by vacuum arc deposition to achieve both higher growth rates and homogeneity of a-C films by decreasing droplets. It is necessary to control the vaporizing process of solid carbon target by improving discharge conditions for both higher growth rates and fewer droplets. Deposition of a-C film with low density of droplets at high growth rates was attempted by optimizing discharge voltage, electric charge and the structure of arc discharge unit. The optimized conditions, such as higher discharge voltages, larger electric charges and shorter distances between cathode spot and anode edge, decreased the number density of droplets per film thickness. The a-C film deposited under the optimized condition had the number density of droplets of 4.2/mm^2・nm at the growth rate of 3.5 nm/count. XPS analysis showed that deposited a-C films had sp^3 ratio of about 80%, therefore its density was estimated to be approximately 3.0g/cm^3.

DOI： 10.2493/jjspe.73.470

CiNii Books

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その他リンク： https://jlc.jst.go.jp/DN/JALC/00342898914?from=CiNii

DOI： 10.2493/jjspe.73.573

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出版者・発行元：公益社団法人 精密工学会  

A carbon onion layer compounded with gold was formed by dispersing carbon onions on a silicon wafer coated with gold. Its solid lubricant properties were measured in vacuum ball-on-disk type friction test. The carbon onion layer compounded with gold has kept lower-friction coefficient of 0.03 for a longer time than gold layer in a certain range of gold film thicknesses and normal forces. For achieving longer lifetime of the low-friction property, coating a self-assembled monolayer (SAM) on gold thin film were attempted. SAM coating contributed to longer lifetime of the low-friction property, in addition, carbon onion layer on a SAM exhibited the low-friction property under a wide range of normal forces.

DOI： 10.2493/jspe.72.106

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記述言語：英語   出版者・発行元：MYU K K  

This study focuses on the preparation of amorphous carbon films by vacuum arc deposition to achieve both high growth rates and higher homogeneity of amorphous carbon films by decreasing the number of droplets. The deposition of amorphous carbon films having a low density of droplets at high growth rates was attempted by optimizing discharge voltage, electric charge and the structure of the arc discharge unit. The optimized conditions, such as high discharge voltages, large electric charges and short distances between the cathode spot and the anode edge, decreased the number density of droplets per film thickness. Amorphous carbon films deposited under the optimized conditions had a number density of droplets of 4.2/mm(2)/nm at a growth rate of 3.5 nm/count. XPS analysis showed that the deposited amorphous carbon films had an sp(3) ratio of about 80%; therefore, the density of the amorphous carbon film was estimated to be approximately 3.0 g/cm(3).

Web of Science

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記述言語：英語   出版者・発行元：MYU K K  

This study focuses on the deposition of high-density amorphous carbon films by sputtering enhanced by electron-beam-excited plasma. The energies and densities of argon ions and electrons in plasma were controlled by changing deposition conditions such as target-substrate distance, target bias voltage, operating pressure and discharge voltage to produce an electron beam. As a result, amorphous carbon films with different densities ranging from 1.7 to 3.1 g/cm(3) were synthesized. X-ray photoelectron spectroscopic analysis indicated that the amount of sp(3) carbon bonding was higher in the amorphous carbon film with a density of 3.1 g/cm(3) than in that with a density of 1.7 g/cm(3). Differences in surface profiles were not observed among amorphous carbon films with various densities; however, a friction test revealed that the frictional properties of amorphous carbon films depend on their densities.

Web of Science

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記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人精密工学会  

電子ビーム励起プラズマ援用スパッタリングにより高密度a-C膜を合成することを目的とした. 容器内圧力など合成条件を変化させた結果, 1.7～3.1g/cm³の密度の異なるa-C膜が得られた. XPS分析により密度が高いほどa-C膜中のsp₃結合比が高いことを確認した. 膜の表面形状に差異は認められなかったが, 摩擦特性は密度に依存することがわかった.

DOI： 10.2493/jspe.71.1021

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その他リンク： https://jlc.jst.go.jp/DN/JALC/00293649603?from=CiNii

記述言語：英語   出版者・発行元：ELSEVIER SCI LTD  

Tribological properties of carbon onions prepared by heat treatment of diamond clusters or particles are presented. Diamond clusters used as the source material are heated with an infrared radiation furnace to 1730 degreesC in argon at atmospheric pressure. As a result of heating at 1730 degreesC for 1 min, diamond clusters are transformed into carbon onions. High resolution TEM observation is employed to confirm the formation of carbon onions that have near-spherical and multi-layered concentric structure. The particle size of these carbon onions ranges from 5 to 10 nm that corresponds to the original size of the diamond clusters. This preparation technique is also applied to diamond particles less than 0.5 mum in diameter to produce larger carbon onions. Tribological properties of the carbon onions are examined by ball-on-disc type friction testing using a silicon wafer and a steel ball. Carbon onions, which are spread on the silicon wafer without adhesive, exhibit stable friction coefficients lower than 0.1 both in air and in vacuum at room temperature. The wear rates of steel balls sliding on the silicon wafer on which carbon onions are distributed are much lower than wear rates for sliding on a wafer over which graphite powder is spread. Moreover, it is found that the larger carbon onions prepared from diamond particles show low friction property on the rough surface of silicon discs. (C) 2004 Elsevier Ltd. All rights reserved.

DOI： 10.1016/j.triboint.2004.07.006

Web of Science

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記述言語：英語   出版者・発行元：ELSEVIER SCI LTD  

Sliding friction properties of carbon nanotube coatings catalytically deposited by microwave plasma CVD from a gaseous mixture of methane and hydrogen have been investigated by means of ball-on-disk type friction testing. Carbon nanotubes with different crystallinity were deposited by changing microwave power and bias voltage applied to a silicon substrate. Nickel was used as a catalyst and coated on the substrate by DC sputtering before deposition. SEM and Raman spectroscopy were employed to examine carbon nanotubes. In friction testing, a steel ball slid on the substrate coated with carbon nanotubes or covered with vapor grown carbon fibers used as a reference carbon material. Friction force was measured in air containing water vapor and a vacuum. Consequently, friction was reduced when carbon nanotube coatings are less defective and, in particular, in a water-free atmosphere such as a vacuum. Furthermore, the improvement of adhesion of carbon nanotube coatings on cemented carbide and silicon nitride substrates has led to lower friction coefficients, below 0.1, depending on the density of the carbon nanotubes that remain on the sliding surfaces. (C) 2004 Elsevier Ltd. All rights reserved.

DOI： 10.1016/j.triboint.2004.07.005

Web of Science

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記述言語：英語   出版者・発行元：ELSEVIER SCIENCE SA  

Electron field emission from chemically vapor deposited polycrystalline diamond, nanocrystalline diamond, and glassy carbon coatings are reported. Effects of hydrogen-rich or oxygen-containing CVD precursors on electron field emission from CVD carbon coatings are presented. Surface conductivity and negative electron affinity resulting from hydrogen termination of crystalline diamond were found to promote electron field emission for discrete diamond particles and non-continuous diamond films but not for high quality and continuous diamond films as well as nanocrystalline diamond and glassy carbon coatings containing conductive graphitic carbon. Graphitic carbon in nanocrystalline diamond coatings and glassy carbon coatings provided additional conduction paths for electrons and allowed more effective injection of electrons into electron emitters. Nanocrystalline diamond coatings deposited by methanol/ethanol plasmas contained more graphitic carbon than that deposited by hydrogen/methane plasmas resulting in lower turn-on electric field and higher electron field emission current. Glassy carbon coatings deposited by both processes exhibited excellent electron emission characteristics. Low turn-on electric field, i.e., 1 V/mum, for electron field emission was achieved for diamond and glassy carbon coatings deposited under optimized conditions. Among these three classes of carbon coatings, glassy carbon deposited at elevated substrate temperatures were found to exhibit the best electron field emission properties. (C) 2002 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

DOI： 10.1016/S0925-9635(02)00356-4

Web of Science

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DOI： 10.11522/pscjspe.2003S.0.153.0

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記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人精密工学会  

Carbon onions were synthesized by heat treatment of diamond clusters or sub-micron particles that are less than 0.5μm in diameter. X-ray diffraction and transmission electron microscopy were employed to evaluate microstructure of the carbon onions. Solid lubricant properties of the carbon onions were measured by ball-on-disk type friction testing using silicon wafers and steel balls in air and vacuum. The heat treatment up to 1730℃ in argon ambient at atmospheric pressure results in synthesis of carbon onions in various particle sizes which correspond to original diamond particles. The carbon onions with fewer defects. which have been obtained from smaller diamond particles, have shown lower friction and wear-resistant properties both air vacuum. These superior tribological properties have been exhibited in humid ambient on smooth surface of which roughness is less than the particle size of carbon onions.

DOI： 10.2493/jjspe.69.683

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その他リンク： https://jlc.jst.go.jp/DN/JALC/00167857196?from=CiNii

DOI： 10.11522/pscjspe.2003S.0.142.0

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記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人精密工学会  

Milligrams of onion-1ike fullerenes, so-called carbon onions, have been synthesized by heating diamond clusters in inert ambient at atmospheric pressure. Diamond clusters, of which average grain size is 5 nm, were heated up to 1730℃ and maintained at the temperature for 1 minute in argon using an infrared image furnace. Transformation of diamond clusters into onion-like fullerenes was confirmed by high-resolution electron microscopy, which showed onion-like fullerenes have a well-controlled size ranging from 5 to 10 nm. Ball-on-disk type friction testing was conducted to characterize the tribological properties of onion-like fullerenes as a solid lubricant. As a result onion-1ike fullerenes have exhibited lower friction, compared with graphite powders, in both air and vacuum. This low friction property of onion-like fullerenes has been displayed on a sliding disk with lower surface roughness and higher hardness.

DOI： 10.2493/jjspe.67.1175

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その他リンク： https://jlc.jst.go.jp/DN/JALC/00074524952?from=CiNii

記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人精密工学会  

High quality diamond films have been synthesized on substrates of high-temperature high-pressure synthesized diamond by means of arc discharge plasma jet chemical vapor deposition. Diamond films have been deposited on diamond substrate at high growth rates up to approximately 130μm/h when methane concentration was 3%. Properties of the diamond films were determined by optical microscopy. SEM, Raman spectroscopy, X-ray diffraction analysis and FT-IR. Diamond films synthesized at methane concentration of 3% have homoepitaxially grown on diamond substrates and have shown superior crystallinity similar to type IIa natural diamond Nitrogen contaminant in the diamond films was less than in diamond substrates. Moreover, quality of diamond films has been improved by pre-treatment of the surface of diamond substrates. As a result hydrogen plasma treatment of substrate surface has led to fewer defects in diamond films as compared with ion beam irradiation and thermochemical polishing using a hot iron plate.

DOI： 10.2493/jjspe.67.2032

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その他リンク： https://jlc.jst.go.jp/DN/JALC/00124225754?from=CiNii

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記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人精密工学会  

A new type of deposition process, ion beam sputtering enhanced by electron beam excited plasma, was proposed in order to deposit hydrogen-free and sp^3 bonding rich diamond-like carbon (DLC) films. In the process, single carbon ions and atoms are generated by ion beam sputtering, and the single atoms are ionized by collision with an electron beam. The results of enhancement by electron beam excited plasma are as follows. Firstly, growth rates of DLC film increase. Secondly, continuous and smooth DLC films are deposited without droplets. Thirdly, Raman spectroscopy of DLC films infers the change of film structure to higher sp^3 bonding content. Fourthly, DLC films are infrared transparent at the wavelength of 2.5-25 μm, and finally, the friction coefficient between a steel ball and a doped silicon wafer decreases by coating DLC film.

DOI： 10.2493/jjspe.66.1621

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その他リンク： https://jlc.jst.go.jp/DN/JALC/00068812799?from=CiNii

記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人精密工学会  

Electron field emission properties of single crystal diamond particles have been investigated in order to lead higher emission current and to discuss the mechanism of electron emission. Emission current was measured by applying voltage between diamond particles and a glass plate anode coated with ITO thin film. Diamond particles were treated in plasma and by heat before measurement and placed in various arrangement manner on a metal substrate with conductive glue. As a result, higher emission current has been occurred from diamond particles treated with hydrogen plasma, that is supposed to form conductive layer on diamond surface. Moreover, direction of a tip of diamond particles towards the anode has led higher emission current. The emission current has increased with the number of diamond particles arranged and varied with the distance between diamond particles and the anode.

DOI： 10.2493/jjspe.66.709

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その他リンク： https://jlc.jst.go.jp/DN/JALC/00066096863?from=CiNii

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記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人精密工学会  

This paper describes the cutting performance of diamond coated cutting tool prepared with cobaltless tungsten carbide (WC) sintered by spark sintering. The mechanical strength of cobaltless WC cutting tools has been confirmed by turning gray cast iron (FC250). In order to prepare diamond coated cutting tool, diamond film was deposited on the cobaltless WC by microwave plasma CVD and hot filament CVD. The performance of the diamond coated tool has been evaluated by turning Al-18% Si alloy. As the result, it is found that the diamond coated tool which leads strong adhesion to diamond film can be produced by using cobaltless WC of which sintering density ratio is 70-90% and thickness of coated diamond film is approximately 20 μm.

DOI： 10.2493/jjspe.65.1507

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その他リンク： https://jlc.jst.go.jp/DN/JALC/00063505085?from=CiNii

記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人精密工学会  

This paper describes the cutting performance of diamond coated cutting tool prepared with cobaltless tungsten carbide (WC) sintered by spark sintering. The mechanical strength of cobaltless WC cutting tools has been confirmed by turning gray cast iron (FC250). In order to prepare diamond coated cutting tool, diamond film was deposited on the cobaltless WC by microwave plasma CVD and hot filament CVD. The performance of the diamond coated tool has been evaluated by turning Al-18% Si alloy. As the result, it is found that the diamond coated tool which leads strong adhesion to diamond film can be produced by using cobaltless WC of which sintering density ratio is 70-90% and thickness of coated diamond film is approximately 20 μm.

DOI： 10.2493/jjspe.65.1507

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その他リンク： https://jlc.jst.go.jp/DN/JALC/00063505085?from=CiNii

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記述言語：英語   出版者・発行元：ELSEVIER SCIENCE SA  

A magnetic field has a variety of influence on plasma and so can be applied to plasma chemical vapor deposition (CVD) to control the state of the plasma. However, the magnetic fields utilized for conventional plasma CVD are limited to less than approximately 0.2 T. In this study, superconducting magnet assisted hollow cathode plasma CVD apparatus has been developed to investigate the influence of stronger magnetic fields of up to 1.0 T on the film preparation using plasma. The characteristics of DC discharge were examined under magnetic fields of up to 1.0 T, and synthesis of carbon films was carried out with methane and hydrogen gases. The results obtained are as follows: the substrate temperature rises with increasing magnetic flux density applied to the plasma; diamond has been synthesized at a methane concentration of 1.5% when the magnetic field of 1.0 T is applied to a plasma at a substrate temperature of 650 degrees C and pressure of 2.67 kPa, while no deposits have been obtained without a magnetic field. (C) 1998 Elsevier Science S.A.

DOI： 10.1016/S0925-9635(97)00217-3

Web of Science

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記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人精密工学会  

放電焼結法によりコバルトを含まないWC焼結体を作製し, その硬さおよび曲げ強さについて調べた.また, この焼結体を基板に用いてマイクロ波プラズマCVD法によりダイヤモンド合成を行い, ダイヤモンドの核生成密度, 結晶成長状態, 膜と基板との付着力を調べ, 以下のことがわかった.<BR>(1) 放電焼結法はコバルトを含まないWC粉の焼結を可能とし, しかも密度比70～95%の任意の焼結密度をもつ焼結体を作製することができる.<BR>(2) 無コバルトWC焼結体上でのダイヤモンド核生成密度はコバルトを含むWC焼結体より大きく, かつ生成されるダイヤモンドの結晶粒径は小さい.<BR>(3) ダイヤモンド膜と無コバルトWC焼結体との付着力は, コバルトを含むWC焼結体との付着力と比較して著しく強い.

DOI： 10.2493/jjspe.64.147

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その他リンク： https://jlc.jst.go.jp/DN/JALC/00050923144?from=CiNii

DOI： 10.1016/S0925-9635(98)00242-8

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記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人精密工学会  

本研究は, マスタマニピュレータの製作, バイラテラル制御系の設計と位置決め制御系の改善を行い, その有効性について検証し, 次の結果が得られた.<BR>(1) コンピュータからの直接入力に対する位置決め精度は, 分解加速度制御を用いるのと同程度の結果を最適1型ディジタルサーボ系を用いて得られた.また, バイラテラル制御系でのマスタの軌道へのスレーブの追従精度は分解加速度制御を用いるより最適1型ディジタルサーボ系を用いることで大幅に改善され, 遠隔システムとして十分使用できることが確認できた.<BR>(2) 切断実験では, カセンサが臨場感を得るために有効であることが確認できた.<BR>(3) 剛体接触時に生ずる振動抑制に対しては, 位置決め制御系の改良はあまり有効でないことがわかった.

DOI： 10.2493/jjspe.64.685

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その他リンク： https://jlc.jst.go.jp/DN/JALC/00053007537?from=CiNii

記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人精密工学会  

This paper describes the mechanical strength of the cobaltless sintered WC which is suitable for the substrate of diamondcoated tool. Cobaltless WC is sintered under different sintering conditions by Spark Sintering. Then, its mechanical characters are evaluated by Rockwell hardness on the A scale and the bending strength. As a result, by selecting the proper sintering condition, the particle size is 1.O - 1.4 μ m, sintering temperature is 1800 - 1900℃, sintering pressure is 50 MPa and sintering time is 600 s, the hardness of the cobaltless sintered WC is improved to 98 (HRA), and the bending strength is improved to 1.3 GPa.

DOI： 10.2493/jjspe.64.1811

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その他リンク： https://jlc.jst.go.jp/DN/JALC/00057546728?from=CiNii

記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人精密工学会  

This paper describes the mechanical strength of the cobaltless sintered WC which is suitable for the substrate of diamondcoated tool. Cobaltless WC is sintered under different sintering conditions by Spark Sintering. Then, its mechanical characters are evaluated by Rockwell hardness on the A scale and the bending strength. As a result, by selecting the proper sintering condition, the particle size is 1.O - 1.4 μ m, sintering temperature is 1800 - 1900℃, sintering pressure is 50 MPa and sintering time is 600 s, the hardness of the cobaltless sintered WC is improved to 98 (HRA), and the bending strength is improved to 1.3 GPa.

DOI： 10.2493/jjspe.64.1811

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その他リンク： https://jlc.jst.go.jp/DN/JALC/00057546728?from=CiNii

DOI： 10.1016/S0925-9635(98)00242-8

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記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人精密工学会  

本研究は, マスタマニピュレータの製作, バイラテラル制御系の設計と位置決め制御系の改善を行い, その有効性について検証し, 次の結果が得られた.<BR>(1) コンピュータからの直接入力に対する位置決め精度は, 分解加速度制御を用いるのと同程度の結果を最適1型ディジタルサーボ系を用いて得られた.また, バイラテラル制御系でのマスタの軌道へのスレーブの追従精度は分解加速度制御を用いるより最適1型ディジタルサーボ系を用いることで大幅に改善され, 遠隔システムとして十分使用できることが確認できた.<BR>(2) 切断実験では, カセンサが臨場感を得るために有効であることが確認できた.<BR>(3) 剛体接触時に生ずる振動抑制に対しては, 位置決め制御系の改良はあまり有効でないことがわかった.

DOI： 10.2493/jjspe.64.685

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その他リンク： https://jlc.jst.go.jp/DN/JALC/00053007537?from=CiNii

記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人精密工学会  

放電焼結法によりコバルトを含まないWC焼結体を作製し, その硬さおよび曲げ強さについて調べた.また, この焼結体を基板に用いてマイクロ波プラズマCVD法によりダイヤモンド合成を行い, ダイヤモンドの核生成密度, 結晶成長状態, 膜と基板との付着力を調べ, 以下のことがわかった.<BR>(1) 放電焼結法はコバルトを含まないWC粉の焼結を可能とし, しかも密度比70～95%の任意の焼結密度をもつ焼結体を作製することができる.<BR>(2) 無コバルトWC焼結体上でのダイヤモンド核生成密度はコバルトを含むWC焼結体より大きく, かつ生成されるダイヤモンドの結晶粒径は小さい.<BR>(3) ダイヤモンド膜と無コバルトWC焼結体との付着力は, コバルトを含むWC焼結体との付着力と比較して著しく強い.

DOI： 10.2493/jjspe.64.147

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その他リンク： https://jlc.jst.go.jp/DN/JALC/00050923144?from=CiNii

記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人精密工学会  

DOI： 10.2493/jjspe.63.101

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記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人精密工学会  

気相合成ダイヤモンドの機械的強度を知ることを目的に, アーク放電プラズマジェヅトCVD法, 高周波プラズマCVD法および直流プラズマCVD法により合成した数百μm厚さのダイヤモンド薄板の強度を三点曲げ試験により評価し, 結晶の成長状態と強度との関係について検討した.以下に得られた結果を示す.<BR>(1) 三点曲げ試験により気相合成ダイヤモンドの曲げ強さが評価できることを示した.<BR>(2) 気相合成ダイヤモンド曲げ強さは, アーク放電プラズマジェットCVDダイヤモンドで0.5～08 GPa, 高周波プラズマCVDダイヤモンドで03-0.8GPa, 直流プラズマCVDダイヤモンドで0.7～1.5GPaであった.<BR>(3) 粒径の小さい結晶からなる気相合成ダイヤモンドの方が大きい結晶からなるものより曲げ強さが大きい.

DOI： 10.2493/jjspe.63.1054

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その他リンク： https://jlc.jst.go.jp/DN/JALC/00047387690?from=CiNii

記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人精密工学会  

研削加工のマイクロ加工への適用を検討するため.小型のNC研削加工機を試作し, 微小セラミックス部品の研削加工を行い, 以下の結論を得た.<BR>(1) 砥石周速の同じ条件下でも, 研削抵抗の小さくなる砥石径が存在し, さらに各砥石径について研削抵抗の小さな粒度が存在する.<BR>(2) 砥石の粒度が小さいほど表面粗さの小さい微小円柱を製作することができる.<BR>(3) 直径5mm, #800砥石が微小部品の製作に適した砥石であり.それを用いてアルミナ, ジルコニアおよび窒化けい素で円柱を製作することを試み.長さ2mmでそれぞれ直径60μm.25μm.150μmの円柱を得た.その値は曲げ強度の大きいセラミックスほど小さい.<BR>(4) 直径5mm, #800砥石を用い, ジルコニアで長さ2mmの段付き円柱と一辺が100μmの角柱を製作した.

DOI： 10.2493/jjspe.63.884

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その他リンク： https://jlc.jst.go.jp/DN/JALC/00046884992?from=CiNii

記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人精密工学会  

気相合成ダイヤモンドの機械的強度を知ることを目的に, アーク放電プラズマジェヅトCVD法, 高周波プラズマCVD法および直流プラズマCVD法により合成した数百μm厚さのダイヤモンド薄板の強度を三点曲げ試験により評価し, 結晶の成長状態と強度との関係について検討した.以下に得られた結果を示す.<BR>(1) 三点曲げ試験により気相合成ダイヤモンドの曲げ強さが評価できることを示した.<BR>(2) 気相合成ダイヤモンド曲げ強さは, アーク放電プラズマジェットCVDダイヤモンドで0.5～08 GPa, 高周波プラズマCVDダイヤモンドで03-0.8GPa, 直流プラズマCVDダイヤモンドで0.7～1.5GPaであった.<BR>(3) 粒径の小さい結晶からなる気相合成ダイヤモンドの方が大きい結晶からなるものより曲げ強さが大きい.

DOI： 10.2493/jjspe.63.1054

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その他リンク： https://jlc.jst.go.jp/DN/JALC/00047387690?from=CiNii

記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人精密工学会  

研削加工のマイクロ加工への適用を検討するため.小型のNC研削加工機を試作し, 微小セラミックス部品の研削加工を行い, 以下の結論を得た.<BR>(1) 砥石周速の同じ条件下でも, 研削抵抗の小さくなる砥石径が存在し, さらに各砥石径について研削抵抗の小さな粒度が存在する.<BR>(2) 砥石の粒度が小さいほど表面粗さの小さい微小円柱を製作することができる.<BR>(3) 直径5mm, #800砥石が微小部品の製作に適した砥石であり.それを用いてアルミナ, ジルコニアおよび窒化けい素で円柱を製作することを試み.長さ2mmでそれぞれ直径60μm.25μm.150μmの円柱を得た.その値は曲げ強度の大きいセラミックスほど小さい.<BR>(4) 直径5mm, #800砥石を用い, ジルコニアで長さ2mmの段付き円柱と一辺が100μmの角柱を製作した.

DOI： 10.2493/jjspe.63.884

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その他リンク： https://jlc.jst.go.jp/DN/JALC/00046884992?from=CiNii

記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人精密工学会  

アーク放電ブラズマジェットCVD法で, 基板を高速で回転させることによる基板上でのプラズマ流れの変化, およびダイヤモンド合成に与える影響について検討し, 以下の結果を得た.<BR>1) 基板をブラズマジェットの中心を軸として回転させたときの基板上のプラズマ流れを数値解析した結果, 基板中心付近でプラズマの軸方向速度が増加し, 基板中心から半径25mmの範囲でプラズマの半径方向速度および温度が増加することがわかった.<BR>2) 基板回転によるプラズマの流れの変化により, 合成されるダイヤモンドの表面形態に変化はないが, 粒径や合成速度が増加し, 膜の断面形状や膜質が均等になる傾向がみられた.<BR>3) 基板全面がプラズマで覆われる範囲内で基板回転軸をプラズマジェット軸から偏心させて得られたダイヤモンドは, 粒径, 膜厚および膜質の分布が広い範囲で均等化される.

DOI： 10.2493/jjspe.62.671

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その他リンク： https://jlc.jst.go.jp/DN/JALC/00039544056?from=CiNii

記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人精密工学会  

アーク放電ブラズマジェットCVD法によって合成されるダイヤモンド膜の膜厚の均等化,膜質の均質化を図るため,電磁コイルを備えたアーク放電プラズマジェットCVD装置を設計・試作し,磁場により制御されたプラズマジェットを用いてダイヤモンド合成を行い,以下の結果を得た.<BR>(1)プラズマジェット生成部に磁場を印加すると,プラズマジェットの径は広がり,基板の温度は一様になる.<BR>(2)磁場を印加してダイヤモンド合成を行うと,膜厚や粒径が均一で,結晶面の配向の変化が小さい均質な膜質のダイヤモンド膜が合成される.

DOI： 10.2493/jjspe.62.544

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その他リンク： https://jlc.jst.go.jp/DN/JALC/00039146083?from=CiNii

記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人精密工学会  

アーク放電ブラズマジェットCVD法によって合成されるダイヤモンド膜の膜厚の均等化,膜質の均質化を図るため,電磁コイルを備えたアーク放電プラズマジェットCVD装置を設計・試作し,磁場により制御されたプラズマジェットを用いてダイヤモンド合成を行い,以下の結果を得た.<BR>(1)プラズマジェット生成部に磁場を印加すると,プラズマジェットの径は広がり,基板の温度は一様になる.<BR>(2)磁場を印加してダイヤモンド合成を行うと,膜厚や粒径が均一で,結晶面の配向の変化が小さい均質な膜質のダイヤモンド膜が合成される.

DOI： 10.2493/jjspe.62.544

CiNii Books

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その他リンク： https://jlc.jst.go.jp/DN/JALC/00039146083?from=CiNii

記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人精密工学会  

1Tの強磁場がプラズマCVDに与える影響を調べることを目的に, ホローカソードを利用した超伝導マグネヅトを用いたプラズマCVD装置を試作し, この装置で放電特性を調べ, ついでメタンおよび水素ガスを用いて炭素膜の合成を行い, 次の結果を得た.<BR>(1) 磁場を印加することで基板温度が大きく上昇する.<BR>(2) メタン濃度を1.5%とし, 1Tの強磁場をプラズマに印加することでダイヤモンドが合成される.

DOI： 10.2493/jjspe.62.1757

CiNii Books

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その他リンク： https://jlc.jst.go.jp/DN/JALC/00043442669?from=CiNii

記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人精密工学会  

アーク放電ブラズマジェヅトCVD法により, 高い光透過性を有するダイヤモンド薄板を作製するための合成条件を検討し, 得られるダイヤモンド薄板の断面組織を観察して結晶の成長状態を調べた.その結果を以下に示す.<BR>(1) メタン濃度を0.6%と低くして合成速度を10μm/h程度にすることにより, 光透過性に優れるダイヤモンド薄板が得られる.<BR>(2) ダイヤモンドの成長初期では, 核発生密度に依存して結晶成長するが, それ以降の成長では核発生密度によらずメタン濃度に依存して成長する.<BR>(3) 光透過性に優れるダイヤモンド薄板は, 欠陥や不純物が少なく結晶成長に乱れが少ない.

DOI： 10.2493/jjspe.62.1479

CiNii Books

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その他リンク： https://jlc.jst.go.jp/DN/JALC/00042272915?from=CiNii

記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人精密工学会  

ダイヤモンド砥石で単結晶ダイヤモンドを研磨し, 研磨面直下の性状を検討した結果, 以下のことを明らかにできた.<BR>(1) 水素プラズマ腐食はダイヤモンド研磨面直下の性状評価に適用できる.<BR>(2) ダイヤモンド砥石で研磨したダイヤモンド表面直下には変質層が存在する.<BR>(3) 変質層はダイヤモンド砥石の粒径が大きいほど大きく, 形状は研磨方向に依存する.

DOI： 10.2493/jjspe.62.1167

CiNii Books

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その他リンク： https://jlc.jst.go.jp/DN/JALC/00041479926?from=CiNii

記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人精密工学会  

1Tの強磁場がプラズマCVDに与える影響を調べることを目的に, ホローカソードを利用した超伝導マグネヅトを用いたプラズマCVD装置を試作し, この装置で放電特性を調べ, ついでメタンおよび水素ガスを用いて炭素膜の合成を行い, 次の結果を得た.<BR>(1) 磁場を印加することで基板温度が大きく上昇する.<BR>(2) メタン濃度を1.5%とし, 1Tの強磁場をプラズマに印加することでダイヤモンドが合成される.

DOI： 10.2493/jjspe.62.1757

CiNii Books

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その他リンク： https://jlc.jst.go.jp/DN/JALC/00043442669?from=CiNii

記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人精密工学会  

アーク放電ブラズマジェヅトCVD法により, 高い光透過性を有するダイヤモンド薄板を作製するための合成条件を検討し, 得られるダイヤモンド薄板の断面組織を観察して結晶の成長状態を調べた.その結果を以下に示す.<BR>(1) メタン濃度を0.6%と低くして合成速度を10μm/h程度にすることにより, 光透過性に優れるダイヤモンド薄板が得られる.<BR>(2) ダイヤモンドの成長初期では, 核発生密度に依存して結晶成長するが, それ以降の成長では核発生密度によらずメタン濃度に依存して成長する.<BR>(3) 光透過性に優れるダイヤモンド薄板は, 欠陥や不純物が少なく結晶成長に乱れが少ない.

DOI： 10.2493/jjspe.62.1479

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その他リンク： https://jlc.jst.go.jp/DN/JALC/00042272915?from=CiNii

記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人精密工学会  

ダイヤモンド砥石で単結晶ダイヤモンドを研磨し, 研磨面直下の性状を検討した結果, 以下のことを明らかにできた.<BR>(1) 水素プラズマ腐食はダイヤモンド研磨面直下の性状評価に適用できる.<BR>(2) ダイヤモンド砥石で研磨したダイヤモンド表面直下には変質層が存在する.<BR>(3) 変質層はダイヤモンド砥石の粒径が大きいほど大きく, 形状は研磨方向に依存する.

DOI： 10.2493/jjspe.62.1167

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その他リンク： https://jlc.jst.go.jp/DN/JALC/00041479926?from=CiNii

記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人精密工学会  

アーク放電ブラズマジェットCVD法で, 基板を高速で回転させることによる基板上でのプラズマ流れの変化, およびダイヤモンド合成に与える影響について検討し, 以下の結果を得た.<BR>1) 基板をブラズマジェットの中心を軸として回転させたときの基板上のプラズマ流れを数値解析した結果, 基板中心付近でプラズマの軸方向速度が増加し, 基板中心から半径25mmの範囲でプラズマの半径方向速度および温度が増加することがわかった.<BR>2) 基板回転によるプラズマの流れの変化により, 合成されるダイヤモンドの表面形態に変化はないが, 粒径や合成速度が増加し, 膜の断面形状や膜質が均等になる傾向がみられた.<BR>3) 基板全面がプラズマで覆われる範囲内で基板回転軸をプラズマジェット軸から偏心させて得られたダイヤモンドは, 粒径, 膜厚および膜質の分布が広い範囲で均等化される.

DOI： 10.2493/jjspe.62.671

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その他リンク： https://jlc.jst.go.jp/DN/JALC/00039544056?from=CiNii

記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人精密工学会  

DOI： 10.2493/jjspe.62.1788

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記述言語：英語   出版者・発行元：ELSEVIER SCIENCE SA  

The setup and deposition conditions of electrode arrangement and pressure have been studied to synthesize diamond films at high growth rate on wide area efficiently by are discharge plasma jet chemical vapor deposition. An apparatus has been used in which four plasma torches, one is used for cathode and the others for divided anodes, are arranged and the positions of these torches are changeable. Growth rate, deposition area and thickness of diamond films have increased with changing the electrode arrangements without improvement of thickness variation. Maximum growth rate of our apparatus has occurred at the pressure of 6.7 kPa and diamond films that have less variations of quality and surface roughness have been synthesized at lower pressure during deposition. Moreover, a high conversion rate, which is the ratio of carbon atoms that form diamond in supplied methane gas, of 16% has been obtained at the pressure of 6.7 kPa and methane concentration of 2%.

DOI： 10.1016/0925-9635(95)00324-X

Web of Science

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記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人精密工学会  

波長193nmのArFエキシマレーザを用いてCVDダイヤモンドの平滑化加工を行い,到達表面あらさおよび加工のメカニズムにっいて検討し,以下のことを明らかにした.<BR>1)レーザ照射角度を80°として平滑化加工を行い,マイクロ波プラズマCVDダイヤモンドで0.3μmRmax,アーク放電プラズマジェヅトCVDダイヤモンドで2.0μmRmaxの表面あらさを得,いずれもYAGレーザ照射による平滑化より小さいことがわかった.<BR>2)エキシマレーザ照射による加工では熱の発生がYAGレーザ照射による加工の場合より少なく,ダイヤモンド結合を切断する現象も確認できた.

DOI： 10.2493/jjspe.61.406

CiNii Books

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その他リンク： https://jlc.jst.go.jp/DN/JALC/00031909242?from=CiNii

記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人精密工学会  

In order to synthesize films at low substrate temperature, an apparatus using Penning ion source has been developed and the performance of this apparatus has been discussed. A superconducting magnet has been used to produce magnetic field of up to 7 T, that is impressed on glow discharge. As a result, this newly type of a CVD apparatus can generate stable glow discharge at the pressure of 1 Pa when magnetic field of 1 T affects. Moreover, diamond-like carbon (DLC) films have been synthesized using methane and hydrogen gases, it is found that the apparatus has the possibilities of low temperature synthesis of films.

DOI： 10.2493/jjspe.61.687

CiNii Books

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その他リンク： https://jlc.jst.go.jp/DN/JALC/00033029979?from=CiNii

記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人精密工学会  

波長193nmのArFエキシマレーザを用いてCVDダイヤモンドの平滑化加工を行い,到達表面あらさおよび加工のメカニズムにっいて検討し,以下のことを明らかにした.<BR>1)レーザ照射角度を80°として平滑化加工を行い,マイクロ波プラズマCVDダイヤモンドで0.3μmRmax,アーク放電プラズマジェヅトCVDダイヤモンドで2.0μmRmaxの表面あらさを得,いずれもYAGレーザ照射による平滑化より小さいことがわかった.<BR>2)エキシマレーザ照射による加工では熱の発生がYAGレーザ照射による加工の場合より少なく,ダイヤモンド結合を切断する現象も確認できた.

DOI： 10.2493/jjspe.61.406

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その他リンク： https://jlc.jst.go.jp/DN/JALC/00031909242?from=CiNii

記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人精密工学会  

In order to synthesize films at low substrate temperature, an apparatus using Penning ion source has been developed and the performance of this apparatus has been discussed. A superconducting magnet has been used to produce magnetic field of up to 7 T, that is impressed on glow discharge. As a result, this newly type of a CVD apparatus can generate stable glow discharge at the pressure of 1 Pa when magnetic field of 1 T affects. Moreover, diamond-like carbon (DLC) films have been synthesized using methane and hydrogen gases, it is found that the apparatus has the possibilities of low temperature synthesis of films.

DOI： 10.2493/jjspe.61.687

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その他リンク： https://jlc.jst.go.jp/DN/JALC/00033029979?from=CiNii

記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人精密工学会  

陰極1つに対し,陽極を3つ有するアーク放電プラズマジェヅトCVD装置で電極位置を変化させてダイヤモンド合成を行い,ダイヤモンド合成に与える電極位置の影響について検討し,プラズマジェット径方向の放電距離の増加とともに,合成速度,合成面積および膜厚が増加することがわかった.しかし,中央部で厚く周辺部で薄いという膜形状にはほとんど変化を与えないことがわかった.

DOI： 10.2493/jjspe.60.591

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その他リンク： https://jlc.jst.go.jp/DN/JALC/00025941067?from=CiNii

記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人精密工学会  

アーク放電ブラズマジェットCVD法により, プラズマジェットが生成される雰囲気の圧力を変化させてダイヤモンド合成を行い, 以下の結果が得られた.<BR>(1) ダイヤモンドの合成速度は, 雰囲気圧力により変化し, 本研究で用いた合成装置では約6.7kPaで最大であった.<BR>(2) 均等・均質のダイヤモンド膜を大面積に合成するには, 合成速度は減少するが, 雰囲気圧力を低くした方が有効である.<BR>(3) ダイヤモンド合成速度の最大となる雰囲気圧力6.7kPaでメタン濃度を変化させることにより, メタン濃度約2%で, メタンガス中の炭素の16%がダイヤモンドに転換するという高い値が得られた.この値は, 気相成長法によるダイヤモンド合成で, 最高値であると考えている.

DOI： 10.2493/jjspe.60.1480

CiNii Books

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その他リンク： https://jlc.jst.go.jp/DN/JALC/00028896562?from=CiNii

記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人精密工学会  

陰極1つに対し,陽極を3つ有するアーク放電プラズマジェヅトCVD装置で電極位置を変化させてダイヤモンド合成を行い,ダイヤモンド合成に与える電極位置の影響について検討し,プラズマジェット径方向の放電距離の増加とともに,合成速度,合成面積および膜厚が増加することがわかった.しかし,中央部で厚く周辺部で薄いという膜形状にはほとんど変化を与えないことがわかった.

DOI： 10.2493/jjspe.60.591

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その他リンク： https://jlc.jst.go.jp/DN/JALC/00025941067?from=CiNii

記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人精密工学会  

アーク放電ブラズマジェットCVD法により, プラズマジェットが生成される雰囲気の圧力を変化させてダイヤモンド合成を行い, 以下の結果が得られた.<BR>(1) ダイヤモンドの合成速度は, 雰囲気圧力により変化し, 本研究で用いた合成装置では約6.7kPaで最大であった.<BR>(2) 均等・均質のダイヤモンド膜を大面積に合成するには, 合成速度は減少するが, 雰囲気圧力を低くした方が有効である.<BR>(3) ダイヤモンド合成速度の最大となる雰囲気圧力6.7kPaでメタン濃度を変化させることにより, メタン濃度約2%で, メタンガス中の炭素の16%がダイヤモンドに転換するという高い値が得られた.この値は, 気相成長法によるダイヤモンド合成で, 最高値であると考えている.

DOI： 10.2493/jjspe.60.1480

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その他リンク： https://jlc.jst.go.jp/DN/JALC/00028896562?from=CiNii

DOI： 10.1016/0925-9635(93)90148-U

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記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人精密工学会  

陰極1つに対し陽極を3つ有し, 陰極と陽極間の距離を広げることのできるアーク放電プラズマ装置を試作し, ダイヤモンド合成を試みた.この装置では, ブラズマトーチの配置を変えることで, 陰極と陽極の距離を広げることができ, ブラズマジェヅトの径を拡大することができる.このブラズマジェヅト径の拡大には, 陽極をブラズマジェヅトの中心軸より離すことが有効であり, ブラズマジェヅト径の拡大とともにダイヤモンドの合成面積は拡大する.

DOI： 10.2493/jjspe.59.838

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その他リンク： https://jlc.jst.go.jp/DN/JALC/00020752033?from=CiNii

DOI： 10.1016/0925-9635(93)90148-U

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記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人精密工学会  

陰極1つに対し陽極を3つ有し, 陰極と陽極間の距離を広げることのできるアーク放電プラズマ装置を試作し, ダイヤモンド合成を試みた.この装置では, ブラズマトーチの配置を変えることで, 陰極と陽極の距離を広げることができ, ブラズマジェヅトの径を拡大することができる.このブラズマジェヅト径の拡大には, 陽極をブラズマジェヅトの中心軸より離すことが有効であり, ブラズマジェヅト径の拡大とともにダイヤモンドの合成面積は拡大する.

DOI： 10.2493/jjspe.59.838

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その他リンク： https://jlc.jst.go.jp/DN/JALC/00020752033?from=CiNii

記述言語：英語   出版者・発行元：ELSEVIER SCIENCE SA LAUSANNE  

In this paper, smoothing of chemically vapour deposited diamond films by ion beam irradiation is described. Diamond films were synthesized by arc discharge plasma jet chemical vapour deposition (CVD) and microwave plasma CVD. Argon and oxygen gases are used as an ionized gas. As a result, by setting the incident angle at 0-degrees and 80-degrees , smooth surfaces of microwave plasma CVD diamond films were obtained. The peak-to-valley (p-v) surface roughness is reduced from 3-mu-m to 0.5-mu-m at 80-degrees. In addition, we discuss the smoothing mechanism of diamond films and describe it using a simple model.

DOI： 10.1016/0040-6090(92)90498-Z

Web of Science

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記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人精密工学会  

In this paper, smoothing of CVD diamond films by ion beam irradiation has been described. Diamond films are synthesized by arc discharge plasma jet CVD and microwave plasma CVD. Argon and oxygen gases are used as an ionized gas. As a result, by setting up an incident angle at 0° and 80°, smooth surfaces of diamond films have been obtained. When an ion beam is irradiated to microwave plasma CVD diamond films at 80°, the surface roughness is reduced from 3 μmRmax to 0.5 μmRmax. Moreover, the mechanism of smoothing process of diamond films has been considered and described as a simple model.

DOI： 10.2493/jjspe.58.289

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その他リンク： https://jlc.jst.go.jp/DN/JALC/00013489038?from=CiNii

記述言語：日本語   出版者・発行元：公益社団法人精密工学会  

In this paper, smoothing of CVD diamond films by ion beam irradiation has been described. Diamond films are synthesized by arc discharge plasma jet CVD and microwave plasma CVD. Argon and oxygen gases are used as an ionized gas. As a result, by setting up an incident angle at 0° and 80°, smooth surfaces of diamond films have been obtained. When an ion beam is irradiated to microwave plasma CVD diamond films at 80°, the surface roughness is reduced from 3 μmRmax to 0.5 μmRmax. Moreover, the mechanism of smoothing process of diamond films has been considered and described as a simple model.

DOI： 10.2493/jjspe.58.289

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会議種別：ポスター発表  

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